JP6393751B2 - プリント回路基板絶縁を用いた光アイソレータ - Google Patents
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Claims (29)
- 第1の表面と、当該第1の表面とは反対側の第2の表面とを有し、内部に向けて部分的にのみ延びている凹部を有するプリント回路基板と、
活性面を有し、前記プリント回路基板の前記第1の表面に対して設置されている第1の光素子と、
活性面を有し、前記第2の表面に対して設置されており、前記第1の光素子と相互作用するよう構成されている第2の光素子と、を備え、
前記第1及び第2の光素子のうち少なくとも一つが、その活性面を前記凹部の中に少なくとも部分的に配置されており、前記プリント回路基板の部分が前記第1の光素子及び前記第2の光素子の間に配置されており、
前記プリント回路基板の前記第1の光素子及び前記第2の光素子の間の前記部分がフィールド機器における本質安全規格に適合しており、
前記プリント回路基板が少なくとも1つのクロストーク制限層を有し、当該クロストーク制限層におけるクロストーク制限材料が、前記凹部から少なくとも最小間隔の距離だけ離れて配置されている光アイソレータ。 - 前記凹部が丸く、且つ、端面を有している請求項1に記載の光アイソレータ。
- 前記端面が前記凹部の側壁に対して略直角で接する請求項2に記載の光アイソレータ。
- 前記端面が平坦である請求項2に記載の光アイソレータ。
- 前記第1の光素子が光放出器である請求項1に記載の光アイソレータ。
- 前記光放出器が発光ダイオードである請求項5に記載の光アイソレータ。
- 前記発光ダイオードが赤外発光ダイオードである請求項6に記載の光アイソレータ。
- 前記光放出器が少なくとも部分的に前記凹部内に配置されている請求項5に記載の光アイソレータ。
- 前記光放出器が、前記凹部の中に配置されているドーム部を有する請求項8に記載の光アイソレータ。
- 前記第2の光素子が光検出器である請求項1に記載の光アイソレータ。
- 前記光検出器がPINダイオードである請求項10に記載の光アイソレータ。
- 前記光検出器が不透明のカバーによって覆われている請求項10に記載の光アイソレータ。
- 前記第1及び第2の光素子の間に配置されている前記プリント回路基板の前記部分が、少なくとも、オプトカプラの本質安全規格のための最小間隔である請求項1に記載の光アイソレータ。
- 前記最小間隔が少なくとも0.2mmである請求項13に記載の光アイソレータ。
- 前記光アイソレータがフィールド機器内に実装されている請求項1に記載の光アイソレータ。
- 前記プリント回路基板の前記第1の光素子及び前記第2の光素子の間の前記部分はプリント回路基板材料で形成されている請求項1ないし15のいずれかに記載の光アイソレータ。
- 前記第1の表面は第1の区域に曝されるよう構成されており、前記第2の表面は第2の区域に曝されるよう構成されている請求項1ないし16のいずれかに記載の光アイソレータ。
- 第1の表面と、当該第1の表面とは反対側の第2の表面と、を有し、内部に向けて部分的にのみ延びている第1の凹部と、内部に向けて部分的にのみ延びている第2の凹部と、を有するプリント回路基板と、
前記第1の表面において前記第1の凹部に近接して設置され、当該第1の凹部の中に少なくとも部分的に配置されている活性面を有する第1の光放出器と、
前記第2の表面において前記第1の凹部に近接して設置される第1の光検出器であって、当該第1の光検出器及び前記第1の光放出器の間に配置された前記プリント回路基板の第1の部分によって、前記第1の光放出器から離れて配置されている第1の光検出器と、
前記第1の表面において前記第2の凹部に近接して設置されている第2の光検出器と、
前記プリント回路基板内における、前記第1の凹部及び/又は前記第2の凹部に近接した少なくとも1つの層であって、信号の特定の電磁スペクトルにおいて当該信号が想定されている伝送パスから外れる際の減衰を与える、少なくとも1つの層と、
前記第2の表面において前記第2の凹部に近接して設置される第2の光放出器であって、当該第2の光放出器及び前記第2の光検出器の間に配置された前記プリント回路基板の第2の部分によって、前記第2の光検出器から離れて配置されている第2の光放出器と、を備え、
前記第1の部分及び前記第2の部分がフィールド機器における本質安全規格に適合している回路配置。 - 減衰を低減するための、前記第1の光放出器と前記プリント回路基板との間にある半透明フィラー媒体を含む請求項18に記載の回路配置。
- 前記プリント回路基板内における、前記第1の凹部及び前記第2の凹部に近接した複数の層であって、信号の特定の電磁スペクトルにおいて当該信号が想定されている伝送パスから外れる際の減衰を与える、複数の層を含む請求項18に記載の回路配置。
- 前記第1の凹部内に、特定の電磁スペクトルに対して非透過性を有する中空円筒構造を含む請求項18に記載の回路配置。
- 前記プリント回路基板が、互いにそれぞれ独立に分離されている複数の回路層を含む請求項18に記載の回路配置。
- 前記第1の部分及び前記第2の部分はプリント回路基板材料で形成されている請求項18ないし22のいずれかに記載の回路配置。
- 前記第1の表面は第1の区域に曝されるよう構成されており、前記第2の表面は第2の区域に曝されるよう構成されている請求項18ないし23のいずれかに記載の回路配置。
- 回路要素を分離する方法であって、
プリント回路基板の第1の面に第1の電気部品群を配置することと、
前記プリント回路基板の第2の面に第2の電気部品群を配置することと、
前記プリント回路基板の前記第1の面に、前記第2の面へと向けて前記プリント回路基板内を部分的に通過して延びる凹部を形成することと、
前記凹部の中に、活性面を有し、前記第1の電気部品群に接続される第1の光素子を設置することと、
前記プリント回路基板の第2の面に、活性面を有し、前記第1の光素子と相互作用するように構成され、前記第2の電気部品群に接続される第2の光素子を設置することと、を備え、
前記プリント回路基板の部分が前記第1の光素子及び前記第2の光素子の間に配置されており、
前記プリント回路基板の前記第1の光素子及び前記第2の光素子の間の前記部分がフィールド機器における本質安全規格に適合しており、
前記プリント回路基板が少なくとも1つのクロストーク制限層を有し、当該クロストーク制限層におけるクロストーク制限材料が、前記凹部から少なくとも最小間隔の距離だけ離れて配置されている方法。 - 前記第1の光素子がダイオードである請求項25に記載の方法。
- 前記凹部を形成することが、前記プリント回路基板を部分的にドリルで穴あけすることを備える請求項25に記載の方法。
- 前記プリント回路基板の前記第1の光素子及び前記第2の光素子の間の前記部分はプリント回路基板材料で形成されている請求項25ないし27のいずれかに記載の方法。
- 前記第1の面は第1の区域に曝されるよう構成されており、前記第2の面は第2の区域に曝されるよう構成されている請求項25ないし28のいずれかに記載の方法。
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