JP6390606B2 - Single crystal manufacturing apparatus and single crystal manufacturing method - Google Patents
Single crystal manufacturing apparatus and single crystal manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- JP6390606B2 JP6390606B2 JP2015249805A JP2015249805A JP6390606B2 JP 6390606 B2 JP6390606 B2 JP 6390606B2 JP 2015249805 A JP2015249805 A JP 2015249805A JP 2015249805 A JP2015249805 A JP 2015249805A JP 6390606 B2 JP6390606 B2 JP 6390606B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- raw material
- melting
- carbon monoxide
- single crystal
- concentration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 104
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 64
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 149
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 134
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 claims description 131
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 125
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 125
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 59
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 41
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 18
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 14
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 11
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims description 8
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910002090 carbon oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 2
- 239000007770 graphite material Substances 0.000 description 2
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 230000010349 pulsation Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 241000220317 Rosa Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
本発明は、チョクラルスキー法により原料融液から単結晶を引上げる単結晶製造装置及び単結晶の製造方法に関する。 The present invention relates to a single crystal manufacturing apparatus and a single crystal manufacturing method for pulling a single crystal from a raw material melt by the Czochralski method.
メモリやCPUなどの半導体デバイスの基板として用いられる単結晶は、例えばシリコン単結晶があり、主にチョクラルスキー法(Czochralski method、以下CZ法と略称する)により製造されている。 A single crystal used as a substrate of a semiconductor device such as a memory or a CPU is, for example, a silicon single crystal, and is mainly manufactured by the Czochralski method (hereinafter abbreviated as CZ method).
CZ法により単結晶を製造する際には、例えば図5に示すような単結晶製造装置20を用いて製造される。この単結晶製造装置20は、原料多結晶を収容して溶融するための部材や、熱を遮断するための断熱部材などを有しており、これらは、メインチャンバー21内に収容されている。メインチャンバー21の天井部からは上に伸びる引上げチャンバー22が連接されており、この上部に単結晶23をワイヤー24で引上げる機構(不図示)が設けられている。
When a single crystal is manufactured by the CZ method, for example, it is manufactured using a single
メインチャンバー21内には、原料融液25を収容する石英ルツボ26と石英ルツボ26を支持する黒鉛ルツボ27が設けられ、ルツボ26、27は駆動機構(不図示)によって回転昇降自在なシャフト28で支持されている。このルツボ26、27の駆動機構は、単結晶23の引き上げに伴う原料融液25の液面低下を補償すべく、ルツボ26、27を液面低下分だけ上昇させるようにしている。
A
そして、ルツボ26、27を囲繞するように、原料を溶融させるためのヒーター29が配置されている。このヒーター29の外側には、ヒーター29からの熱がメインチャンバー21に直接輻射されるのを防止するために、断熱部材30がその周囲を取り囲むように設けられている。
A
また、メインチャンバー21の内部には、引上げチャンバー22の上部に設けられた不活性ガス導入管31からアルゴンガス等の不活性ガスが導入される。導入された不活性ガスは、引上げ中の単結晶23とガス整流筒32との間を通過し、熱をカットする部材である遮熱部材33の下部と原料融液25の液面との間を通過し、ガス排気管34から排出される。
In addition, an inert gas such as argon gas is introduced into the
以上のような単結晶製造装置20内に配置された石英ルツボ26に原料多結晶を収容し、ヒーター29により加熱し、石英ルツボ26内の原料多結晶を溶融させる。このように原料多結晶を溶融させたものである原料融液25に、ワイヤー24の下端に接続している種ホルダー35で固定された種結晶36を着液させ、その後、種結晶36を回転させながら引上げることにより、種結晶36の下方に所望の直径と品質を有する単結晶23を育成する。この際、種結晶36を原料融液25に着液させた後に、所望の直径になるまで太らせて、無転位の結晶を引上げている。
The raw material polycrystal is accommodated in the
例えば特許文献1では、ガス中の一酸化炭素濃度や二酸化炭素濃度を測定しながら、その濃度が引き上げ条件によって最適となるように、遮蔽ブレードを移動させる単結晶製造装置が記載されている。
For example,
従来、単結晶製造装置を用いた原料を溶融する原料溶融工程において、原料が全て溶け終わった溶融完了の確認は、作業者が工程の進捗を監視することによって行なわれており、溶融完了から次工程へ移行するのに、時間が空いてしまうことが多かった。 Conventionally, in a raw material melting process for melting a raw material using a single crystal manufacturing apparatus, confirmation of completion of melting after all the raw materials have been melted has been performed by an operator monitoring the progress of the process. In many cases, it took time to shift to the process.
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、CZ法により単結晶を製造する際に、原料溶融工程において、原料が完全に溶融したことを検知することができ、次工程へ時間を空けることなく移行することができる単結晶の製造装置及び単結晶の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems. When a single crystal is produced by the CZ method, it can be detected that the raw material has been completely melted in the raw material melting step. It is an object of the present invention to provide a single crystal manufacturing apparatus and a single crystal manufacturing method capable of shifting without taking time.
上記目的を達成するために、チョクラルスキー法により単結晶を引上げる単結晶製造装置であって、少なくとも、
原料を収容する石英ルツボと、該石英ルツボ内に収容された原料を加熱溶融して原料融液にするヒーターを収容するチャンバーと、
前記チャンバー内に不活性ガスを導入するための不活性ガス導入管と、
前記チャンバー内からガスを排出するためのガス排気管と、
該ガス排気管に備えられ、前記チャンバー内から排出される排ガスに含まれる一酸化炭素濃度を測定する一酸化炭素濃度測定手段と、
該一酸化炭素濃度測定手段により測定された、原料溶融中の排ガスに含まれる一酸化炭素濃度の測定結果により、前記原料の溶融が完了したと判定する溶融完了判定手段とを具備するものであることを特徴とする単結晶製造装置を提供する。
In order to achieve the above object, a single crystal production apparatus for pulling a single crystal by the Czochralski method, comprising at least:
A quartz crucible containing the raw material, and a chamber containing a heater that heats and melts the raw material contained in the quartz crucible into a raw material melt;
An inert gas introduction pipe for introducing an inert gas into the chamber;
A gas exhaust pipe for exhausting gas from within the chamber;
A carbon monoxide concentration measuring means that is provided in the gas exhaust pipe and measures the concentration of carbon monoxide contained in the exhaust gas discharged from the chamber;
A melting completion determining means for determining that the melting of the raw material is completed based on the measurement result of the concentration of carbon monoxide contained in the exhaust gas during the melting of the raw material, measured by the carbon monoxide concentration measuring means. An apparatus for producing a single crystal is provided.
このような単結晶製造装置であれば、一酸化炭素濃度測定手段と、溶融完了判定手段とを具備するものであるため、単結晶引上げ前の原料溶融に際し、一酸化炭素濃度の測定結果に基づいて、原料が完全に溶融したことを判定することができ、次工程へ時間を空けることなく移行することができるものとなる。 Since such a single crystal manufacturing apparatus includes a carbon monoxide concentration measuring means and a melting completion determining means, it is based on the measurement result of the carbon monoxide concentration when melting the raw material before pulling up the single crystal. Thus, it can be determined that the raw material has completely melted, and the process can proceed to the next process without taking time.
またこの場合、前記溶融完了判定手段は、前記一酸化炭素濃度測定手段により測定された原料溶融中の排ガス中の一酸化炭素濃度が、予め規定された一酸化炭素濃度の値に到達したとき、又は、前記一酸化炭素濃度測定手段により測定された一酸化炭素濃度の濃度推移が、予め規定された一酸化炭素濃度上昇速度に到達した後に予め規定された所定時間が経過したときに、原料の溶融が完了したと判定するものであることが好ましい。 Further, in this case, the melting completion determining means, when the carbon monoxide concentration in the exhaust gas during the raw material melting measured by the carbon monoxide concentration measuring means reaches a predetermined value of carbon monoxide concentration, Or, when a predetermined time elapses after the concentration transition of the carbon monoxide concentration measured by the carbon monoxide concentration measuring means reaches a predefined carbon monoxide concentration increase rate, It is preferable to determine that melting has been completed.
このように溶融完了判定手段を、一酸化炭素濃度の値や、一酸化炭素濃度上昇速度及び所定時間に基づいて判定するものとすることで、より正確に、原料の溶融完了を判定することができる。 Thus, by determining the melting completion determination means based on the value of the carbon monoxide concentration, the carbon monoxide concentration increase rate and the predetermined time, it is possible to more accurately determine the completion of melting of the raw material. it can.
また、この場合、予め規定された一酸化炭素濃度の値は、1700ppm以上とすることが好ましい。 In this case, the value of the carbon monoxide concentration defined in advance is preferably 1700 ppm or more.
また、予め規定された一酸化炭素濃度上昇速度と所定時間は、それぞれ、33.0ppm/min以上、15分以上であることが好ましい。 Moreover, it is preferable that the carbon monoxide concentration increase rate and the predetermined time specified in advance are 33.0 ppm / min or more and 15 minutes or more, respectively.
このような一酸化炭素濃度の値や、一酸化炭素濃度上昇速度と所定時間に設定することで、より正確に、原料の溶融完了を判定することができる。 By setting the carbon monoxide concentration value, the carbon monoxide concentration increase rate, and the predetermined time, it is possible to more accurately determine the completion of melting of the raw material.
また、溶融完了判定手段により原料の溶融完了を判定したときに、アラームを吹鳴するアラーム吹鳴手段を備えることが好ましい。 Moreover, it is preferable to provide an alarm sounding means for sounding an alarm when the melting completion determining means determines the melting of the raw material.
このように、アラームを吹鳴するアラーム吹鳴手段を備える単結晶製造装置であれば、作業者に確実に原料の溶融完了を知らせることができる。 Thus, if it is a single crystal manufacturing apparatus provided with the alarm sounding means which sounds an alarm, it can notify an operator of the completion of melting of a raw material reliably.
また、本発明では、チョクラルスキー法により原料を加熱溶融した原料融液から単結晶を引き上げる単結晶の製造方法であって、前記原料を石英ルツボに収容し、該石英ルツボに収容された原料を加熱溶融しながら原料溶融中に排出される排ガスに含まれる一酸化炭素濃度を測定し、測定された原料溶融中における排ガスに含まれる一酸化炭素濃度測定結果に基づき、原料の溶融が完了したと判定し、その後、前記原料融液から単結晶を引き上げることを特徴とする単結晶の製造方法を提供する。 The present invention also provides a method for producing a single crystal by pulling up a single crystal from a raw material melt obtained by heating and melting the raw material by the Czochralski method, wherein the raw material is contained in a quartz crucible, and the raw material contained in the quartz crucible The carbon monoxide concentration contained in the exhaust gas discharged during the melting of the raw material was measured while heating and melting, and the melting of the raw material was completed based on the measurement result of the carbon monoxide concentration contained in the exhaust gas during the melting of the raw material. And then, a method for producing a single crystal is provided, wherein the single crystal is pulled up from the raw material melt.
このような単結晶の製造方法であれば、単結晶引上げ前の原料溶融に際し、原料が完全に溶融したことを簡便に判定することができ、次工程へ時間を空けることなく移行することができる。また、溶融完了後の高温化を防ぐことができるため、石英ルツボの変形を防止することができる。 With such a method for producing a single crystal, when the raw material is melted before pulling the single crystal, it can be easily determined that the raw material has completely melted, and the process can be shifted to the next step without taking time. . Further, since the high temperature after the completion of melting can be prevented, the deformation of the quartz crucible can be prevented.
前記原料の溶融完了判定を、前記測定された原料溶融中における排ガスに含まれる一酸化炭素濃度測定結果が、予め規定された一酸化炭素濃度の値に到達したとき、又は、測定された一酸化炭素濃度推移が、予め規定された一酸化炭素濃度上昇速度に到達した後に予め規定された所定時間を経過したときに、原料の溶融が完了したと判定することとし、
前記予め規定された一酸化炭素濃度の値は、予め、原料を石英ルツボ内に収容・溶解し、前記原料が全て溶解したときの排ガス中の一酸化炭素濃度の測定値とし、前記予め規定された一酸化炭素濃度上昇速度は、予め測定された前記原料溶解中の排ガス中の一酸化炭素濃度の推移によって規定し、該一酸化炭素濃度上昇速度に到達した後前記原料が全て溶解するまでの時間を前記予め規定された所定時間とすることが好ましい。
The determination of the completion of melting of the raw material is performed when the measurement result of the concentration of carbon monoxide contained in the exhaust gas during the melting of the raw material reaches a predetermined value of the concentration of carbon monoxide, or the measured monoxide It is determined that the melting of the raw material is completed when a predetermined time elapses after the carbon concentration transition has reached a predetermined carbon monoxide concentration increase rate,
The predetermined carbon monoxide concentration value is a measured value of the carbon monoxide concentration in the exhaust gas when the raw material is accommodated and dissolved in a quartz crucible and all the raw material is dissolved. The rate of carbon monoxide concentration increase is defined by the transition of the carbon monoxide concentration in the exhaust gas during dissolution of the raw material measured in advance, and after the carbon monoxide concentration increase rate is reached, all of the raw material is dissolved. The time is preferably set to the predetermined time.
このように予め、所定の一酸化炭素濃度の値や、所定の一酸化炭素濃度上昇速度及び所定時間を求めて、溶融完了判定の基準とすることで、より正確に原料の溶融完了を判定することができる。 In this way, by determining the predetermined carbon monoxide concentration value, the predetermined carbon monoxide concentration increase rate, and the predetermined time in advance and using them as the criteria for determining the completion of melting, it is possible to more accurately determine the completion of melting of the raw material. be able to.
また、前記予め規定された一酸化炭素濃度の値を、1700ppm以上とすることが好ましい。 Moreover, it is preferable that the value of the predetermined carbon monoxide concentration is 1700 ppm or more.
また、前記予め規定された一酸化炭素濃度上昇速度と所定時間を、それぞれ、33.0ppm/min.以上、15分以上とすることを特徴とすることが好ましい。 The predetermined carbon monoxide concentration increase rate and the predetermined time are 33.0 ppm / min. As mentioned above, it is preferable to set it as 15 minutes or more.
このような一酸化炭素濃度の値や、一酸化炭素濃度上昇速度と所定時間に設定することで、より正確に、原料の溶融完了を判定することができる。 By setting the carbon monoxide concentration value, the carbon monoxide concentration increase rate, and the predetermined time, it is possible to more accurately determine the completion of melting of the raw material.
また、前記溶融完了判定をしたとき、溶融完了を知らせるアラームを吹鳴させることが好ましい。 Moreover, it is preferable to sound an alarm notifying the completion of melting when the melting completion is determined.
このように、アラームを吹鳴させることで、作業者に確実に原料の溶融完了を知らせることができる。 Thus, by sounding the alarm, it is possible to reliably notify the operator of the completion of melting of the raw material.
また、前記溶融完了判定をした後、前記原料融液から単結晶を引き上げるための次工程に自動的に移行することが好ましい。 Moreover, it is preferable to automatically shift to the next step for pulling up the single crystal from the raw material melt after determining the completion of melting.
このように自動的に、単結晶を引き上げるための次工程に移行することができれば、より速やかに次工程に移行することができる。 Thus, if it can transfer to the next process for pulling up a single crystal automatically, it can transfer to the next process more promptly.
本発明の単結晶製造装置及び単結晶の製造方法であれば、CZ法により単結晶を製造する際に、原料溶融工程において、原料が完全に溶融したことを検知することができ、次工程へ時間を空けることなく移行することができる。また、溶融完了後の石英ルツボの高温化を防ぐことができるため、石英ルツボの変形を防止することができる。 With the single crystal manufacturing apparatus and single crystal manufacturing method of the present invention, when manufacturing a single crystal by the CZ method, it is possible to detect that the raw material has completely melted in the raw material melting step, and to the next step. You can migrate without taking time. Moreover, since the high temperature of the quartz crucible after completion of melting can be prevented, deformation of the quartz crucible can be prevented.
前述したように、原料が完全に融液となる溶融完了の確認は、作業者による炉内確認が必要であり、溶融完了から次工程へ移行するのに、時間が空いてしまうことがあった。また、実際に溶融完了しても作業者が確認するまでは工程上は溶融完了にならず、操業時間のロスが大きくなるという問題があった。また、実際に原料が融液になったまま放置すると、石英ルツボが高温化し、石英ルツボの軟化点を越え、石英ルツボが変形し、結晶引き上げが不可能になるという問題があった。 As described above, confirmation of the completion of melting, in which the raw material is completely melted, requires confirmation in the furnace by an operator, and it may take time to move from the completion of melting to the next process. . Further, even if the melting is actually completed, until the operator confirms the melting, the process is not completed and there is a problem that the loss of operation time increases. Further, if the raw material is actually left in the melt, there is a problem that the quartz crucible becomes high temperature, exceeds the softening point of the quartz crucible, the quartz crucible is deformed, and crystal pulling becomes impossible.
したがって、実際に原料が融液になった時点で溶融完了の判断をし、次工程に移行することが望まれている。 Therefore, it is desired to determine the completion of melting at the time when the raw material actually becomes a melt, and shift to the next step.
そこで、本発明者は、排ガス中の一酸化炭素(CO)濃度に着目した。COは原料融液(メルト)から蒸発するSiOと炉内に存在する黒鉛材との反応で発生し、黒鉛材が高温になるほどCOの生成量が多くなることが知られている。原料多結晶シリコンの溶融が進みメルトがルツボ内容物の表面に露出するようになると、炉内が高温化し、CO濃度も高くなる。 Therefore, the present inventor has focused on the carbon monoxide (CO) concentration in the exhaust gas. It is known that CO is generated by a reaction between SiO evaporated from a raw material melt (melt) and a graphite material present in the furnace, and the amount of CO generated increases as the temperature of the graphite material increases. When melting of the raw material polycrystalline silicon proceeds and the melt is exposed on the surface of the crucible contents, the temperature in the furnace rises and the CO concentration increases.
そこで、本発明者は、原料を石英ルツボに収容し、該石英ルツボに収容された原料を加熱溶融しながら原料溶解中の排ガス中に含まれる一酸化炭素濃度の推移を測定したところ、原料が全て溶解すると炉内の温度が上昇し、排ガス中に含まれる一酸化炭素濃度が全工程中最大値となることを発見した。また、原料の溶解完了直前の一酸化炭素濃度上昇速度も全工程中最大となることを発見した。 Accordingly, the present inventor measured the transition of the concentration of carbon monoxide contained in the exhaust gas during the melting of the raw material while heating and melting the raw material stored in the quartz crucible while the raw material was stored in the quartz crucible. It was discovered that when all of them were dissolved, the temperature in the furnace rose, and the concentration of carbon monoxide contained in the exhaust gas reached the maximum value during the entire process. It was also found that the rate of increase in carbon monoxide concentration immediately before the completion of melting of the raw material was maximized during the entire process.
そして、本発明者は、測定された原料溶融中における排ガスに含まれる一酸化炭素濃度測定結果に基づき、原料の溶融が完了したと判定することができることを見出した。 And this inventor discovered that based on the measured carbon monoxide density | concentration measurement result contained in the waste gas in the raw material melting | dissolving, it can determine with the melting of a raw material having been completed.
以下、本発明の単結晶製造装置について、図面に基づいて説明する。図1は、本発明に係る単結晶製造装置の一例の概略図である。 Hereinafter, the single crystal manufacturing apparatus of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic view of an example of a single crystal manufacturing apparatus according to the present invention.
図1に示される本発明における単結晶製造装置1は、チョクラルスキー法により単結晶を引上げる単結晶製造装置1であって、メインチャンバー2と、メインチャンバー2に連結固定された上部円筒をなす引上げチャンバー3とを有し、メインチャンバー2の中心部には、原料を収容する石英ルツボ4と石英ルツボ4を支持する黒鉛ルツボ5が設けられている。
A single
そして、ルツボ4、5を囲繞するように、石英ルツボ4内に収容された原料を加熱溶融して原料融液6にするヒーター7が配置されている。このヒーター7の外側には、ヒーター7からの熱がメインチャンバー2に直接輻射されるのを防止するために、断熱部材8がその周囲を取り囲むように設けられている。
And the heater 7 which heat-melts the raw material accommodated in the quartz crucible 4 to make the
また、引上げチャンバー3の上部には、メインチャンバー2の内部にアルゴンガス等の不活性ガスを導入するための不活性ガス導入管9が設けられる。導入された不活性ガスは、熱をカットする部材である遮熱部材10の下部と原料融液6の液面との間を通過し、チャンバー内からガスを排出するためのガス排気管11を流れて排出される。ガス排気管11を流れる排ガスは、ガスの脈動を吸収するバッファータンク16及びバブリングタンク17を通じて外部に排出される。
In addition, an inert
本発明の単結晶製造装置1は、ガス排気管11に備えられ、チャンバー内から排出される排ガスに含まれる一酸化炭素濃度を測定する一酸化炭素濃度測定手段12を具備し、一酸化炭素濃度測定手段12により測定された、原料溶融中の排ガスに含まれる一酸化炭素濃度の測定結果により、原料の溶融が完了したと判定する溶融完了判定手段13とを具備することを特徴とする。
The single
このような本発明の単結晶製造装置であれば、CZ法により単結晶を製造する際に、原料溶融工程において、原料が完全に溶融したことを検知することができ、次工程へ時間を空けることなく移行することができる。また、溶融完了後の石英ルツボの高温化を防ぐことができる。特には、本発明によれば、溶融に必要なパワーが大きい、直径800mm以上の大口径の石英ルツボであっても、溶融完了後の高温化を防ぐことができるため石英ルツボの変形が発生しにくい。 With such a single crystal production apparatus of the present invention, when producing a single crystal by the CZ method, it is possible to detect that the raw material has been completely melted in the raw material melting step, and to take time for the next step. Can be migrated without Further, it is possible to prevent the quartz crucible from being heated after the completion of melting. In particular, according to the present invention, even a quartz crucible having a large diameter of 800 mm or more with a large power required for melting can prevent the quartz crucible from being deformed because it can prevent a high temperature after completion of melting. Hateful.
このような一酸化炭素濃度測定手段12による測定は、真空ポンプ15から排出される排気ガスを、ガスの脈動を吸収するバッファータンク16の直前から常時サンプリングし、そのガスを一酸化炭素濃度測定手段12により分析させることにより行うことができる。一酸化炭素濃度測定手段12としては、原料溶融中の排ガスに含まれる一酸化炭素濃度推移を監視可能なものであれば特に限定されないが、例えば、ガスクロマトグラフが挙げられる。ガスクロマトグラフとしては、例えば、Agilent Technologies 社製 Agilent 3000 マイクロGCを使用することができる。
Such measurement by the carbon monoxide concentration measuring means 12 is performed by always sampling the exhaust gas discharged from the
溶融完了判定手段13は、一酸化炭素濃度測定手段12により測定された原料溶融中の排ガス中の一酸化炭素濃度が、予め規定された一酸化炭素濃度の値に到達したとき、又は、一酸化炭素濃度測定手段12により測定された一酸化炭素濃度の濃度推移が、予め規定された一酸化炭素濃度上昇速度に到達した後に予め規定された所定時間が経過したときに、原料の溶融が完了したと判定するものであることが好ましい。溶融完了判定手段13としては、例えば、コンピュータ等を適用できる。 The melting completion judging means 13 is used when the carbon monoxide concentration in the exhaust gas during melting of the raw material measured by the carbon monoxide concentration measuring means 12 reaches a predetermined carbon monoxide concentration value, or When the carbon monoxide concentration measured by the carbon concentration measuring means 12 has reached a predetermined carbon monoxide concentration increase rate and a predetermined time has elapsed, the melting of the raw material is completed. Is preferably determined. As the melting completion determination means 13, for example, a computer or the like can be applied.
このような一酸化炭素濃度の値や、一酸化炭素濃度上昇速度及び所定時間は、予め、原料溶融を模擬した実験で、単結晶引上げ前に想定される原料を石英ルツボ内に収容・溶解して、原料が全て溶解するまでの排ガス中の一酸化炭素濃度を測定しておくことで規定することが可能である。 The carbon monoxide concentration value, the carbon monoxide concentration increase rate, and the predetermined time are previously stored in a quartz crucible in a quartz crucible in an experiment simulating melting of the raw material. Thus, it can be specified by measuring the concentration of carbon monoxide in the exhaust gas until all the raw materials are dissolved.
予め規定された一酸化炭素濃度の値は、1700ppm以上であり、予め規定された一酸化炭素濃度上昇速度と所定時間は、それぞれ、33.0ppm/min以上、15分以上であることが好ましい。特に、直径800mm以上の大口径の石英ルツボを使用する場合に、このような値に設定することが好ましい。 The predetermined carbon monoxide concentration value is 1700 ppm or more, and the predetermined carbon monoxide concentration increase rate and the predetermined time are preferably 33.0 ppm / min or more and 15 minutes or more, respectively. In particular, when a quartz crucible having a large diameter of 800 mm or more is used, it is preferable to set such a value.
また、本発明に係る単結晶製造装置1は、溶融完了判定手段13により原料の溶融完了を判定したときに、アラームを吹鳴するアラーム吹鳴手段14を備えることが好ましい。このようなアラームを吹鳴するアラーム吹鳴手段14を備える単結晶製造装置であれば、作業者に確実に原料の溶融完了を知らせることができる。
Moreover, the single
本発明の単結晶製造装置1は、溶融完了判定手段13により原料の溶融完了を判定した後に、自動的に原料融液から単結晶を引き上げるための次工程に自動的に移行するものであることが好ましい。例えば、原料の溶融完了を判定した後に、原料融液6から単結晶を引き上げるために、自動的に原料融液6を種結晶(付図示)の着液温度まで降下させ、原料融液6の温度を安定させてから種結晶を着液させるものであることが好ましい。また、本発明の単結晶製造装置1は、原料の溶融完了を判定した後に、ヒーター7のパワーを自動的に制御する装置(不図示)等を具備することが好ましい。
The single
以下に、本発明における単結晶の製造方法について、図1及び図2を用いて説明する。図2は、本発明の単結晶の製造方法の一例を示した工程フロー図である。 Below, the manufacturing method of the single crystal in this invention is demonstrated using FIG.1 and FIG.2. FIG. 2 is a process flow diagram showing an example of the method for producing a single crystal of the present invention.
本発明は、チョクラルスキー法により原料を加熱溶融した原料融液から単結晶を引き上げる単結晶の製造方法であって、原料を石英ルツボ4に収容し(図2(A))、該石英ルツボ4に収容された原料を加熱溶融しながら原料溶融中に排出される排ガスに含まれる一酸化炭素濃度を測定する(図2(B))。一酸化炭素濃度の測定は、原料溶融中の排ガスに含まれる一酸化炭素濃度推移を監視可能な、上述した一酸化炭素濃度測定手段12によって行うことができる。 The present invention is a method for producing a single crystal by pulling up a single crystal from a raw material melt obtained by heating and melting the raw material by the Czochralski method. The raw material is accommodated in a quartz crucible 4 (FIG. 2A), The carbon monoxide concentration contained in the exhaust gas discharged during melting of the raw material is measured while heating and melting the raw material housed in 4 (FIG. 2B). The measurement of the carbon monoxide concentration can be performed by the above-described carbon monoxide concentration measuring means 12 capable of monitoring the transition of the concentration of carbon monoxide contained in the exhaust gas during melting of the raw material.
さらに、測定された原料溶融中における排ガスに含まれる一酸化炭素濃度測定結果に基づき、原料の溶融が完了したと判定する(図2(C))。原料の溶融完了判定は、上述した溶融完了判定手段13によって行うことができ、測定された原料溶融中における排ガスに含まれる一酸化炭素濃度測定結果が、予め規定された一酸化炭素濃度の値に到達したとき、又は、測定された一酸化炭素濃度推移が、予め規定された一酸化炭素濃度上昇速度に到達した後に予め規定された所定時間経過したときに、原料の溶融が完了したと判定することとすることが好ましい。 Furthermore, it is determined that the melting of the raw material is completed based on the measurement result of the concentration of carbon monoxide contained in the exhaust gas during the melting of the raw material (FIG. 2C). The melting completion determination of the raw material can be performed by the melting completion determination means 13 described above, and the measurement result of the concentration of carbon monoxide contained in the exhaust gas during the melting of the raw material is set to a predetermined value of the carbon monoxide concentration. When it reaches or when the measured carbon monoxide concentration transition reaches a predetermined carbon monoxide concentration increasing rate and a predetermined time elapses, it is determined that the melting of the raw material is completed. It is preferable to do this.
そして、この予め規定された一酸化炭素濃度の値は、予め、模擬実験として、想定される原料を石英ルツボ内に収容・溶解し、原料が全て溶解したときの排ガス中の一酸化炭素濃度の測定値とすることが好ましい。また、予め規定された一酸化炭素濃度上昇速度は、予め測定された原料溶解中の排ガス中の一酸化炭素濃度の推移によって規定し、該一酸化炭素濃度上昇速度に到達した後前記原料が全て溶解するまでの時間を予め規定された所定時間とすることが好ましい(図2<模擬実験>)。このように、予め、想定される原料を収容・溶解して、排ガスに含まれる一酸化炭素濃度を測定する模擬実験を行い、その測定結果により、予め規定された一酸化炭素濃度の値や、一酸化炭素濃度上昇速度及び所定時間を求め、原料の溶融完了の基準として設定することで、より正確に原料の溶融完了を判定することができる。 Then, the value of the carbon monoxide concentration specified in advance is calculated in advance as a simulation experiment by storing and dissolving the assumed raw material in the quartz crucible, and the carbon monoxide concentration in the exhaust gas when all the raw material is dissolved. It is preferable to use a measured value. In addition, the carbon monoxide concentration increase rate defined in advance is defined by the transition of the carbon monoxide concentration in the exhaust gas during the raw material dissolution measured in advance, and after the carbon monoxide concentration increase rate is reached, all the raw materials are It is preferable to set the time until dissolution to a predetermined time (FIG. 2 <Simulation Experiment>). In this way, a simulation experiment for measuring the carbon monoxide concentration contained in the exhaust gas by storing and dissolving the assumed raw material in advance is performed, and according to the measurement result, the value of the carbon monoxide concentration defined in advance, By determining the rate of carbon monoxide concentration increase and a predetermined time and setting it as a reference for completion of melting of the raw material, it is possible to more accurately determine the completion of melting of the raw material.
尚、この模擬実験における原料の溶解を確認する手段は、種々の方法を採用することができるが、例えば、作業者が原料溶解の様子を常時監視することで行うことができる。 Various methods can be adopted as means for confirming the dissolution of the raw material in this simulation experiment. For example, the operator can constantly monitor the state of the raw material dissolution.
例えば、図1に示した単結晶製造装置1に、直径32インチ(約800mm)の石英ルツボ4を装備し、想定される原料を収容・溶解し、溶解中の排ガス中の一酸化炭素濃度を予め測定する。測定結果の例を図3に示す。
For example, the single
図3に示すように、溶融時間が経過するほどCO濃度が高くなり、更にメルトがルツボ内容物の表面に露出するようになると、CO濃度が高濃度化し始める。実際に原料が完全に融液になった直後のCO濃度は1700ppmで全工程中最も濃度が高いことが判明した。 As shown in FIG. 3, as the melting time elapses, the CO concentration increases, and when the melt is exposed on the surface of the crucible contents, the CO concentration starts to increase. Actually, the CO concentration immediately after the raw material was completely melted was 1700 ppm, which was found to be the highest in all the processes.
また、溶融完了直前のCO濃度上昇速度は33.0ppm/minと算出され、実際にこの速度に到達したのは、溶融開始から420分で、到達後から溶融完了までの時間は15分だった。 Also, the CO concentration increase rate immediately before the completion of melting was calculated to be 33.0 ppm / min, and actually reached this rate in 420 minutes from the start of melting, and the time from reaching to the completion of melting was 15 minutes. .
尚、上記の溶融完了の判定基準となるCO濃度上昇速度は、排ガスのCO濃度推移を用いて設定することができる。図3における溶融完了直前のCO濃度の急上昇の開始点(時間:405分,濃度:711.2ppm)と溶融完了時点(時間:435分,CO濃度1700ppm)のCO濃度差と経過した時間から求めて計算することができる。 Note that the CO concentration increase rate, which is a criterion for determining the completion of melting, can be set using the CO concentration transition of the exhaust gas. The CO concentration difference between the start point (time: 405 minutes, concentration: 71.2 ppm) and the melting completion point (time: 435 minutes, CO concentration 1700 ppm) and the elapsed time in FIG. Can be calculated.
即ち、排ガス中のCO濃度を常時監視し、溶融工程中のCO濃度が1700ppmを超えた時、もしくはCO濃度上昇速度が33.0ppm/min.に達して15分経過した時を溶融完了の基準として設定することができる。このように原料の溶融完了を判定することで、実際に原料が融液となった時点からのタイムラグを最小限に留め、次工程へ移行することができる。なお、全工程中、一酸化炭素濃度のピークが2番目に高いのは、アフターヒート終了の891ppmであったため、上記のCO濃度値(1700ppm)やCO濃度上昇速度(33.0ppm/min)や所定時間(15分)に設定することで、誤作動を起こすことなく、原料の溶融完了を判定することができる。 That is, the CO concentration in the exhaust gas is constantly monitored, and when the CO concentration in the melting process exceeds 1700 ppm, or the CO concentration increase rate is 33.0 ppm / min. It is possible to set the time when 15 minutes have passed and reached the completion of melting. By determining the completion of melting of the raw material in this way, the time lag from the time when the raw material is actually melted can be minimized, and the process can proceed to the next step. In all steps, the second highest carbon monoxide concentration peak was 891 ppm after the end of after heat, so the above-mentioned CO concentration value (1700 ppm), CO concentration increase rate (33.0 ppm / min), By setting the predetermined time (15 minutes), it is possible to determine the completion of melting of the raw material without causing malfunction.
図4に示す様に、単結晶製造装置の構造、特に、HZ(ホットゾーン)構造が変化するとCO濃度の推移が変化するため、溶融完了の基準として使用するCO濃度(前記予め規定する一酸化炭素濃度)やCO濃度の上昇速度(前記予め規定する一酸化炭素濃度上昇速度)と到達後の経過時間(前記予め規定する所定時間)は、HZ構造毎に設定することが望ましい。 As shown in FIG. 4, since the transition of the CO concentration changes when the structure of the single crystal manufacturing apparatus, in particular, the HZ (hot zone) structure changes, the CO concentration used as a reference for the completion of melting (the previously defined monoxide) It is desirable to set the rate of increase in carbon concentration and CO concentration (predetermined carbon monoxide concentration increase rate) and the elapsed time after the arrival (predetermined predetermined time) for each HZ structure.
図1の単結晶製造装置とは別構造のHZを有する装置の場合、実際に原料が完全に融液になった直後のCO濃度は1999.9ppm、溶融完了直前のCO濃度上昇速度は22.5ppm/minと計算され、実際にこの速度に到達したのは、溶融開始後471分で、到達後から溶融完了までの時間は36分だった(図4の破線グラフ)。 In the case of an apparatus having HZ having a structure different from that of the single crystal manufacturing apparatus in FIG. 1, the CO concentration immediately after the raw material is completely melted is 19999.9 ppm, and the CO concentration increase rate immediately before the completion of melting is 22.2. It was calculated as 5 ppm / min, and this speed was actually reached in 471 minutes after the start of melting, and the time from the arrival to the completion of melting was 36 minutes (dashed line graph in FIG. 4).
従って、図4に示される、図1の単結晶製造装置とは別のHZ構造を有する装置の場合の溶融完了の判定基準は、CO濃度が1999.9ppmに達した時、若しくは、CO濃度上昇速度が22.5ppm/min.に達して36分経過した時、に設定する。 Therefore, in the case of the apparatus having the HZ structure different from the single crystal manufacturing apparatus of FIG. 1 shown in FIG. 4, the determination criterion for the completion of melting is when the CO concentration reaches 19999.9 ppm or the CO concentration is increased. The rate is 22.5 ppm / min. Is set when 36 minutes have passed.
このように、原料の溶融完了を判定した後、原料融液から単結晶を引き上げる(図2(D))。本発明の単結晶の製造方法であれば、CZ法により単結晶を製造する際に、原料溶融工程において、原料が完全に溶融したことを検知することができるため、単結晶を引き上げるための次工程へ時間を空けることなく移行することができる。 Thus, after determining the completion of melting of the raw material, the single crystal is pulled up from the raw material melt (FIG. 2D). In the method for producing a single crystal of the present invention, when producing a single crystal by the CZ method, it is possible to detect that the raw material has completely melted in the raw material melting step. It is possible to shift to the process without taking time.
また、原料溶融完了を判定した時点で、例えば、ヒーターパワーを制御することができるため、石英ルツボが高温化することによる石英ルツボの変形を防止することが可能となる。また、原料溶融完了を判定した後、原料融液から単結晶を引き上げるための次工程に自動的に移行することができれば、より短時間で次工程に移行することができ、石英ルツボの高温化を確実に防止することができる。 Moreover, since it is possible to control the heater power, for example, when it is determined that the melting of the raw material has been completed, it is possible to prevent the quartz crucible from being deformed due to the high temperature of the quartz crucible. In addition, if it is possible to automatically shift to the next process for pulling up the single crystal from the raw material melt after determining the completion of the raw material melting, the process can be shifted to the next process in a shorter time, and the temperature of the quartz crucible is increased. Can be reliably prevented.
以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example and a comparative example are shown and this invention is demonstrated more concretely, this invention is not limited to this Example.
(実施例)
図1に示す、直径32インチ(約800mm)の石英ルツボ4を装備した単結晶製造装置1を用いて、原料多結晶シリコンをヒーター7により加熱溶融した。図3に示す模擬実験での一酸化炭素濃度測定結果に基づき、一酸化炭素濃度測定手段12により原料溶融中の排ガスに含まれるCO濃度を監視し、溶融中に1700ppmとなったら、溶融終了の警報をアラーム吹鳴手段から吹鳴するように、溶融完了判定手段13を設定した。このとき溶融開始から次工程に移行するまでの時間は平均7.5時間であった。
(Example)
Raw material polycrystalline silicon was heated and melted by a heater 7 using a single
(比較例)
実施例1で使用した単結晶製造装置と同一のホットゾーン(HZ)を有するが、一酸化炭素濃度測定手段及び溶融完了判定手段を具備しない単結晶製造装置に、直径32インチ(約800mm)の石英ルツボを装備した。そして、その石英ルツボに多結晶シリコンを収容・加熱し、原料多結晶シリコンを溶融した。その後、作業者が原料の溶融完了を確認してから次工程に移行する作業を行った。このときの溶融開始から次工程に移行するまでの時間は平均9.1時間であった。
(Comparative example)
A single crystal manufacturing apparatus having the same hot zone (HZ) as the single crystal manufacturing apparatus used in Example 1 but not including a carbon monoxide concentration measuring means and a melting completion judging means has a diameter of 32 inches (about 800 mm). Equipped with a quartz crucible. And the polycrystalline silicon was accommodated and heated in the quartz crucible, and the raw material polycrystalline silicon was melted. Then, after confirming the completion of melting of the raw material, the operator performed an operation for shifting to the next step. The average time from the start of melting to the next process was 9.1 hours.
本発明の単結晶製造装置及び単結晶の製造方法(実施例)は、原料溶融工程において原料が完全に溶融したことを検知することができたため、比較例に比べ、次工程へ時間を空けることなく移行することができた。 Since the single crystal manufacturing apparatus and the single crystal manufacturing method (Example) of the present invention can detect that the raw material has completely melted in the raw material melting step, it takes time to the next step as compared with the comparative example. I was able to migrate without.
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。 The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the present invention has substantially the same configuration as the technical idea described in the claims of the present invention, and any device that exhibits the same function and effect is the present invention. It is included in the technical scope of the invention.
1,20…単結晶製造装置、 2,21…メインチャンバ−、 3,22…引上げチャンバー、 4,26…石英ルツボ、 5,27…黒鉛るつぼ、 6,25…原料融液、 7,29…ヒーター、 8,30…断熱部材、 9,31…不活性ガス導入管、 10,33…遮熱部材、 11,34…ガス排気管、 12…一酸化炭素濃度測定手段、 13…溶融完了判定手段、 14…アラーム吹鳴手段、 15…真空ポンプ、 16…バッファータンク、 17…バブリングタンク、 23…単結晶、 24…ワイヤー、 28…シャフト、 32…ガス整流筒、 35…種ホルダー、 36…種結晶。
DESCRIPTION OF
Claims (11)
原料を収容する石英ルツボと、該石英ルツボ内に収容された原料を加熱溶融して原料融液にするヒーターを収容するチャンバーと、
前記チャンバー内に不活性ガスを導入するための不活性ガス導入管と、
前記チャンバー内からガスを排出するためのガス排気管と、
該ガス排気管に備えられ、前記チャンバー内から排出される排ガスに含まれる一酸化炭素濃度を測定する一酸化炭素濃度測定手段と、
該一酸化炭素濃度測定手段により測定された、原料溶融中の排ガスに含まれる一酸化炭素濃度の測定結果により、前記原料の溶融が完了したと判定する溶融完了判定手段とを具備するものであることを特徴とする単結晶製造装置。 A single crystal manufacturing apparatus that pulls a single crystal by the Czochralski method, at least,
A quartz crucible containing the raw material, and a chamber containing a heater that heats and melts the raw material contained in the quartz crucible into a raw material melt;
An inert gas introduction pipe for introducing an inert gas into the chamber;
A gas exhaust pipe for exhausting gas from within the chamber;
A carbon monoxide concentration measuring means that is provided in the gas exhaust pipe and measures the concentration of carbon monoxide contained in the exhaust gas discharged from the chamber;
A melting completion determining means for determining that the melting of the raw material is completed based on the measurement result of the concentration of carbon monoxide contained in the exhaust gas during the melting of the raw material, measured by the carbon monoxide concentration measuring means. A single crystal manufacturing apparatus characterized by the above.
前記原料を石英ルツボに収容し、該石英ルツボに収容された原料を加熱溶融しながら原料溶融中に排出される排ガスに含まれる一酸化炭素濃度を測定し、測定された原料溶融中における排ガスに含まれる一酸化炭素濃度測定結果に基づき、原料の溶融が完了したと判定し、その後、前記原料融液から単結晶を引き上げることを特徴とする単結晶の製造方法。 A method for producing a single crystal by pulling a single crystal from a raw material melt obtained by heating and melting the raw material by the Czochralski method,
The raw material is contained in a quartz crucible, and the concentration of carbon monoxide contained in the exhaust gas discharged during raw material melting is measured while heating and melting the raw material contained in the quartz crucible, and the measured exhaust gas during melting of the raw material is measured. A method for producing a single crystal, comprising: determining that melting of a raw material has been completed based on a measurement result of a concentration of carbon monoxide contained therein, and then pulling up the single crystal from the raw material melt.
前記予め規定された一酸化炭素濃度の値は、予め、原料を石英ルツボ内に収容・溶解し、前記原料が全て溶解したときの排ガス中の一酸化炭素濃度の測定値とし、前記予め規定された一酸化炭素濃度上昇速度は、予め測定された前記原料溶解中の排ガス中の一酸化炭素濃度の推移によって規定し、該一酸化炭素濃度上昇速度に到達した後前記原料が全て溶解するまでの時間を前記予め規定された所定時間とすることを特徴とする請求項6に記載の単結晶の製造方法。 The determination of the completion of melting of the raw material is performed when the measurement result of the concentration of carbon monoxide contained in the exhaust gas during the melting of the raw material reaches a predetermined value of the concentration of carbon monoxide, or the measured monoxide It is determined that the melting of the raw material is completed when a predetermined time elapses after the carbon concentration transition has reached a predetermined carbon monoxide concentration increase rate,
The predetermined carbon monoxide concentration value is a measured value of the carbon monoxide concentration in the exhaust gas when the raw material is accommodated and dissolved in a quartz crucible and all the raw material is dissolved. The rate of carbon monoxide concentration increase is defined by the transition of the carbon monoxide concentration in the exhaust gas during dissolution of the raw material measured in advance, and after the carbon monoxide concentration increase rate is reached, all of the raw material is dissolved. The method for producing a single crystal according to claim 6, wherein time is set to the predetermined time.
The single crystal according to any one of claims 6 to 10, wherein after the completion of the melting determination, the process automatically shifts to a next step for pulling the single crystal from the raw material melt. Production method.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015249805A JP6390606B2 (en) | 2015-12-22 | 2015-12-22 | Single crystal manufacturing apparatus and single crystal manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015249805A JP6390606B2 (en) | 2015-12-22 | 2015-12-22 | Single crystal manufacturing apparatus and single crystal manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017114709A JP2017114709A (en) | 2017-06-29 |
JP6390606B2 true JP6390606B2 (en) | 2018-09-19 |
Family
ID=59233169
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015249805A Active JP6390606B2 (en) | 2015-12-22 | 2015-12-22 | Single crystal manufacturing apparatus and single crystal manufacturing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6390606B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112022000488T5 (en) | 2021-03-01 | 2023-12-07 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for detecting a surface state of a raw material melt, method for producing a single crystal and an apparatus for producing a CZ single crystal |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6973366B2 (en) * | 2018-12-19 | 2021-11-24 | 株式会社Sumco | Manufacturing method of single crystal silicon ingot and silicon single crystal pulling device |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5571693A (en) * | 1978-11-24 | 1980-05-29 | Hitachi Ltd | Production of single crystal |
EP0191111B1 (en) * | 1984-12-28 | 1991-09-18 | International Business Machines Corporation | Improvements to pulling processes and equipment for growing silicon crystals having high and controlled carbon content |
JP2720262B2 (en) * | 1992-10-26 | 1998-03-04 | 科学技術振興事業団 | Single crystal pulling device |
US5795381A (en) * | 1996-09-09 | 1998-08-18 | Memc Electrical Materials, Inc. | SIO probe for real-time monitoring and control of oxygen during czochralski growth of single crystal silicon |
JP2000264780A (en) * | 1999-03-19 | 2000-09-26 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Melting detection method and detector for use in semiconductor single crystal pulling device |
WO2002010486A1 (en) * | 2000-07-28 | 2002-02-07 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for detecting completion of melting of polycrystalline silicone, method for setting temperature for contacting seed crystal with melt, and apparatus for producing silicon single crystal |
KR20030081358A (en) * | 2000-12-22 | 2003-10-17 | 엠이엠씨 일렉트로닉 머티리얼즈 인코포레이티드 | Process for monitoring the gaseous environment of a crystal puller for semiconductor growth |
-
2015
- 2015-12-22 JP JP2015249805A patent/JP6390606B2/en active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112022000488T5 (en) | 2021-03-01 | 2023-12-07 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for detecting a surface state of a raw material melt, method for producing a single crystal and an apparatus for producing a CZ single crystal |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017114709A (en) | 2017-06-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9217208B2 (en) | Apparatus for producing single crystal | |
JP6583142B2 (en) | Method and apparatus for producing silicon single crystal | |
JP3242292B2 (en) | Method and apparatus for manufacturing polycrystalline semiconductor | |
JPH09183606A (en) | Production of polycrystalline semiconductor and apparatus for production therefor | |
JP6390606B2 (en) | Single crystal manufacturing apparatus and single crystal manufacturing method | |
JP4165068B2 (en) | Method for producing silicon single crystal | |
KR20140017604A (en) | Automated vision system for a crystal growth apparatus | |
JP3065076B1 (en) | Single crystal pulling method and single crystal pulling apparatus | |
JP2008105873A (en) | Single crystal manufacturing apparatus and single crystal manufacturing method | |
JP2017186188A (en) | Production method and apparatus of single crystal | |
JP2006256898A (en) | Silicon single crystal pulling apparatus | |
JP5004881B2 (en) | Single crystal growth apparatus crucible, single crystal growth method, and single crystal growth apparatus | |
JP4986452B2 (en) | Method and apparatus for producing silicon single crystal | |
JP7102970B2 (en) | Method for producing lithium niobate single crystal | |
JP2010064930A (en) | Method for pulling up silicon single crystal, and doping apparatus used for the same | |
JP5223513B2 (en) | Single crystal manufacturing method | |
KR100848549B1 (en) | Method of manufacturing silicon single crystal | |
JP2013006748A (en) | Single crystal pull-up device | |
JP4461699B2 (en) | Method for producing single crystal | |
JP2012006802A (en) | Method and apparatus for producing silicon single crystal | |
KR101494533B1 (en) | Pulling speed control system of growing apparatus for silicon single crystal and manufacturing method for the same | |
JP6304127B2 (en) | Single crystal manufacturing method | |
JP4288652B2 (en) | Judgment method of molten metal surface vibration | |
JP2837903B2 (en) | Method for producing silicon single crystal | |
KR100880436B1 (en) | Test method of method of manufacturing silicon single crystal |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171218 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180712 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180724 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180806 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6390606 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |