JP6374373B2 - Spin coater - Google Patents

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本発明の実施形態は、回転塗布装置および回転塗布方法に関する。   Embodiments described herein relate generally to a spin coating apparatus and a spin coating method.

回転塗布方法(スピンコーティング法)は、基板に塗布液を滴下した後、塗布液の膜厚
を決定するための回転数で基板を回転させて塗布膜を形成する方法である。従来の回転塗
布方法では例えば、基板を回転させながら塗布液を滴下することで、基板の表面に塗布液
を広げて塗布膜を形成する。しかしながら、この方法では、塗布膜を形成するために多量
の塗布液が必要となり、基板面積が大きくなると基板の端部や端部近傍まで塗布液を塗れ
なくなってしまう。そのため、従来の方法では、基板の回転数や塗布液の吐出速度などの
種々の条件を必要に応じて調整している。一方、基板と塗布液との間の濡れ性が悪い場合
には、塗布液が基板にはじかれてしまい、塗布液の塗布むらが発生すると共に、塗布液の
膜厚均一性が悪化してしまう。また、基板に段差がある場合には、塗布むらが誘発される
おそれもある。塗布液の使用量を減らすために、塗布液を塗る前に基板をプリウェット液
で濡らして、濡れ性を向上させる方法が提案されている。この方法によれば、塗布液の使
用量の多さの問題や、塗布液の膜厚均一性の悪さの問題を軽減できるものの、依然として
これらの問題は残る。プリウェット液を使用する場合には、プリウェット液の使用による
コスト増に見合うだけのメリットを得ることが求められるため、多量の塗布液が必要とな
ることは望ましくない。
The spin coating method (spin coating method) is a method of forming a coating film by dropping a coating solution onto a substrate and then rotating the substrate at a rotational speed for determining the film thickness of the coating solution. In the conventional spin coating method, for example, the coating solution is dropped while rotating the substrate, so that the coating solution is spread on the surface of the substrate to form a coating film. However, in this method, a large amount of coating solution is required to form a coating film, and when the substrate area becomes large, the coating solution cannot be applied to the end portion of the substrate or the vicinity of the end portion. Therefore, in the conventional method, various conditions such as the number of rotations of the substrate and the discharge speed of the coating liquid are adjusted as necessary. On the other hand, when the wettability between the substrate and the coating solution is poor, the coating solution is repelled by the substrate, resulting in uneven coating of the coating solution, and worsening the uniformity of the coating solution thickness. . In addition, when there is a step in the substrate, there is a possibility that uneven coating is induced. In order to reduce the amount of the coating solution used, a method has been proposed in which the substrate is wetted with a pre-wetting solution before the coating solution is applied to improve the wettability. Although this method can alleviate the problem of a large amount of coating liquid used and the problem of poor film thickness uniformity of the coating liquid, these problems still remain. In the case of using a pre-wet liquid, it is required to obtain a merit that is commensurate with the cost increase due to the use of the pre-wet liquid.

特開平8−330206号公報JP-A-8-330206 特開2004−64071号公報JP 2004-64071 A 特開平5−123632号公報JP-A-5-123632 特開平5−243140号公報JP-A-5-243140 特許第2638969号公報Japanese Patent No. 2638969 特開2000−157922号公報JP 2000-157922 A 特開2000−279874号公報JP 2000-279874 A 特開2006−156565号公報JP 2006-156565 A 特許第4745358号公報Japanese Patent No. 4745358 特開2004−179614号公報JP 2004-179614 A 特許第4578993号公報Japanese Patent No. 4578993 特許第4621613号公報Japanese Patent No. 4621613 特許第4718584号公報Japanese Patent No. 4718584 特許第3302603号公報Japanese Patent No. 3302603 特許第3330324号公報Japanese Patent No. 3330324 特許第3335928号公報Japanese Patent No. 3335928 特許第3527459号公報Japanese Patent No. 352759 特開2001−307984号公報JP 2001-307984 A 特開2002−307007号公報JP 2002-307007 A 特許第4749829号公報Japanese Patent No. 4749829 特許第4749830号公報Japanese Patent No. 4749830 特開2007−299941号公報JP 2007-299941 A 特許第4805769号公報Japanese Patent No. 4805769 特開2008−263986号公報JP 2008-263986 A 特開2009−78250号公報JP 2009-78250 A 特開2010−153907号公報JP 2010-153907 A 特開2011−67810号公報JP 2011-67810 A 特開2011−230113号公報JP 2011-230113 A 特開2012−24705号公報JP 2012-24705 A

塗布液の滴下量を削減しつつ、より広範囲に塗布膜を形成することが可能な回転塗布装
置および回転塗布方法を提供する。
Provided are a spin-coating apparatus and a spin-coating method capable of forming a coating film in a wider range while reducing the dripping amount of the coating liquid.

一の実施形態によれば、回転塗布装置は、基板にプリウェット液を滴下するプリウェッ
ト液供給部と、前記基板に塗布液を滴下する塗布液供給部と、前記基板を回転させるモー
タと、前記プリウェット液供給部、前記塗布液供給部、および前記モータの動作を制御す
る制御部とを備え、前記プリウェット液供給部により前記基板に前記プリウェット液を滴
下して、前記モータにより前記基板を回転させることで、前記基板の表面に前記プリウェ
ット液を広げ、前記基板の表面に前記プリウェット液を広げた後、前記モータにより前記
基板を第1の回転数(rpm)で回転させながら、前記塗布液供給部により前記基板に前
記塗布液を第1の吐出速度で第1の滴下量だけ滴下することで、前記基板の端部よりも内
側の位置まで前記塗布液を広げ、前記塗布液を前記第1の滴下量だけ滴下した後、前記モ
ータにより前記基板を前記第1の回転数よりも小さい第2の回転数(rpm)で回転させ
ながら、前記塗布液供給部により前記基板に前記塗布液を前記第1の吐出速度よりも速い
第2の吐出速度で第2の滴下量だけ滴下することで、前記基板の端部または端部近傍まで
前記塗布液を広げ、前記塗布液を前記第2の吐出速度で吐出した後、前記塗布液供給部に
より前記塗布液を前記第2の吐出速度よりも遅い第3の吐出速度で、前記第1の滴下量と
前記第2の滴下量の和よりも少ない第3の滴下量だけ前記基板に吐出し、前記塗布液供給
部は、前記塗布液をそれぞれ前記第1および第2の吐出速度で吐出する第1および第2の
吐出時間の内、第2の吐出時間を、0.1秒以下とし、前記塗布液供給部は、前記第1お
よび第2の滴下量の内、第2の滴下量を、0.1ml以下とする。
According to one embodiment, the spin-coating apparatus includes a pre-wet liquid supply unit that drops a pre-wet liquid onto the substrate, a coating liquid supply unit that drops the liquid onto the substrate, a motor that rotates the substrate, A pre-wet liquid supply unit, a coating liquid supply unit, and a control unit that controls the operation of the motor, the pre-wet liquid supply unit drops the pre-wet liquid onto the substrate, and the motor By rotating the substrate, the pre-wet liquid is spread on the surface of the substrate, and after spreading the pre-wet liquid on the surface of the substrate, the substrate is rotated at the first rotation speed (rpm) by the motor. However, the coating liquid is spread to a position inside the edge of the substrate by dropping the coating liquid onto the substrate by the coating liquid supply unit at a first discharge rate by a first dropping amount. After dripping the coating liquid by the first dripping amount, the coating liquid supply unit rotates the substrate at a second rotational speed (rpm) smaller than the first rotational speed by the motor. By dropping the coating liquid onto the substrate by a second dropping amount at a second discharge speed that is faster than the first discharge speed, the coating liquid is spread to the end portion of the substrate or near the end portion, and the coating is applied. After the liquid is discharged at the second discharge speed, the coating liquid supply unit supplies the coating liquid at a third discharge speed that is slower than the second discharge speed, and the first drop amount and the second First and second discharges discharge a third drop amount smaller than the sum of the drop amounts onto the substrate, and the coating liquid supply unit discharges the coating liquid at the first and second discharge speeds, respectively. Of the time, the second discharge time is 0.1 seconds or less, Coating solution supply unit, of said first and second drop amount, the second dropping amount, or less 0.1 ml.

第1実施形態の回転塗布方法の流れを示す断面図(1/2)である。It is sectional drawing (1/2) which shows the flow of the spin coating method of 1st Embodiment. 第1実施形態の回転塗布方法の流れを示す断面図(2/2)である。It is sectional drawing (2/2) which shows the flow of the spin coating method of 1st Embodiment. 第1実施形態の回転塗布装置の構成を示す概略図である。It is the schematic which shows the structure of the spin coater of 1st Embodiment. 第1実施形態の回転塗布方法の具体例を説明するための表である。It is a table | surface for demonstrating the specific example of the spin coating method of 1st Embodiment. 第1実施形態の回転塗布方法の具体例を説明するためのグラフである。It is a graph for demonstrating the specific example of the spin coating method of 1st Embodiment. 第2実施形態の回転塗布方法の第1の例を説明するためのグラフである。It is a graph for demonstrating the 1st example of the spin coating method of 2nd Embodiment. 第2実施形態の回転塗布方法の第2の例を説明するためのグラフである。It is a graph for demonstrating the 2nd example of the spin coating method of 2nd Embodiment. 第2実施形態の回転塗布方法の第3の例を説明するためのグラフである。It is a graph for demonstrating the 3rd example of the spin coating method of 2nd Embodiment. 第2実施形態の回転塗布方法の第4の例を説明するためのグラフである。It is a graph for demonstrating the 4th example of the spin coating method of 2nd Embodiment. 第2実施形態の回転塗布方法の第5の例を説明するためのグラフである。It is a graph for demonstrating the 5th example of the spin coating method of 2nd Embodiment. 第2実施形態の回転塗布方法の第6の例を説明するためのグラフである。It is a graph for demonstrating the 6th example of the spin coating method of 2nd Embodiment. 第2実施形態の回転塗布方法の第7の例を説明するためのグラフである。It is a graph for demonstrating the 7th example of the spin coating method of 2nd Embodiment. 第2実施形態の回転塗布方法の第8の例を説明するためのグラフである。It is a graph for demonstrating the 8th example of the spin coating method of 2nd Embodiment. 第2実施形態の回転塗布方法の第9の例を説明するためのグラフである。It is a graph for demonstrating the 9th example of the spin coating method of 2nd Embodiment. 第2実施形態の回転塗布方法の第10の例を説明するためのグラフである。It is a graph for demonstrating the 10th example of the spin coating method of 2nd Embodiment. 第2実施形態の回転塗布方法の第11の例を説明するためのグラフである。It is a graph for demonstrating the 11th example of the spin coating method of 2nd Embodiment. 第2実施形態の回転塗布方法の第12の例を説明するためのグラフである。It is a graph for demonstrating the 12th example of the spin coating method of 2nd Embodiment. 第2実施形態の回転塗布方法の第13の例を説明するためのグラフである。It is a graph for demonstrating the 13th example of the spin coating method of 2nd Embodiment. 第2実施形態の回転塗布方法の第14の例を説明するためのグラフである。It is a graph for demonstrating the 14th example of the spin coating method of 2nd Embodiment. 第2実施形態の回転塗布方法の第15の例を説明するためのグラフである。It is a graph for demonstrating the 15th example of the spin coating method of 2nd Embodiment. 第2実施形態の回転塗布方法の第16の例を説明するためのグラフである。It is a graph for demonstrating the 16th example of the spin coating method of 2nd Embodiment. 第2実施形態の回転塗布方法の具体例を説明するための表である。It is a table | surface for demonstrating the specific example of the spin coating method of 2nd Embodiment. 第2実施形態の回転塗布方法の別の具体例を説明するための表である。It is a table | surface for demonstrating another specific example of the spin coating method of 2nd Embodiment. 第2実施形態の回転塗布方法を実施した際の実験結果を示した表である。It is the table | surface which showed the experimental result at the time of implementing the spin coating method of 2nd Embodiment.

以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

(第1実施形態)
1)第1実施形態の回転塗布方法
図1および図2は、第1実施形態の回転塗布方法の流れを示す断面図である。
(First embodiment)
1) Spin coating method of the first embodiment FIGS. 1 and 2 are cross-sectional views showing the flow of the spin coating method of the first embodiment.

まず、図1(a)に示すように、基板1の中央部にプリウェット液2を滴下して、基板1
を回転させることで、基板1の表面にプリウェット液2を広げる。プリウェット液2は、
プリウェット液供給部11のノズルから基板1の中央部に滴下される。
First, as shown in FIG. 1 (a), a pre-wet liquid 2 is dropped onto the center of the substrate 1 to obtain the substrate 1
Is rotated to spread the pre-wet liquid 2 on the surface of the substrate 1. Pre-wet liquid 2 is
The liquid is dropped from the nozzle of the pre-wet liquid supply unit 11 to the center of the substrate 1.

基板1は例えば、半導体ウエハのような円形の基板であるが、フォトマスク基板や液晶
ディスプレイ基板のような四角形の基板でもよいし、その他の多角形の形状を有する基板
でもよい。本実施形態では、基板1の表面に、トレンチ、トランジスタ、メモリセル、配
線などのパターンにより段差が形成されている。
The substrate 1 is, for example, a circular substrate such as a semiconductor wafer, but may be a rectangular substrate such as a photomask substrate or a liquid crystal display substrate, or may be a substrate having another polygonal shape. In the present embodiment, a step is formed on the surface of the substrate 1 by a pattern such as a trench, a transistor, a memory cell, and a wiring.

プリウェット液2は、塗布液3と相溶性があり、塗布液3よりも低粘度で、23℃にお
ける蒸気圧が10hPa以下の液体であることが望ましい。プリウェット液2の蒸気圧が
低いことが望ましい理由は、プリウェット液2の蒸気圧が高いと、塗布液3の塗布処理中
に多くのプリウェット液2が蒸発してしまうからである。
The pre-wet liquid 2 is preferably a liquid that is compatible with the coating liquid 3, has a lower viscosity than the coating liquid 3, and has a vapor pressure at 23 ° C. of 10 hPa or less. The reason why the vapor pressure of the pre-wet liquid 2 is desirably low is that when the vapor pressure of the pre-wet liquid 2 is high, a large amount of the pre-wet liquid 2 evaporates during the coating process of the coating liquid 3.

次に、図1(b)に示すように、基板1を第1の回転数N1で回転させながら、プリウェ
ット液2で濡れている基板1の中央部に塗布液3を第1の滴下量M1だけ滴下することで
、基板1の表面に塗布液3を広げる。塗布液3は、塗布液供給部12のノズルから基板1
の中央部に滴下される。
Next, as shown in FIG. 1 (b), while rotating the substrate 1 at the first rotation speed N 1, dropping the coating liquid 3 first in the central portion of the substrate 1 is wet with the pre-wet liquid 2 By dripping only the amount M 1 , the coating liquid 3 is spread on the surface of the substrate 1. The coating liquid 3 is supplied from the nozzle of the coating liquid supply unit 12 to the substrate 1.
It is dripped at the center of the.

塗布液3の例としては、フォトレジスト、反射防止材料、フォトレジスト保護材料、レ
ジストパターンシュリンク材料、液浸露光用保護材料、ポリイミド、SOG(スピンオン
グラス)、low−k材料、ゾルゲル材料などが挙げられる。また、塗布液3は、フォト
レジスト下層材料、フォトレジスト上層材料、平坦化材料、埋め込み材料などでもよい。
Examples of the coating liquid 3 include a photoresist, an antireflection material, a photoresist protective material, a resist pattern shrink material, a protective material for immersion exposure, polyimide, SOG (spin-on-glass), a low-k material, and a sol-gel material. It is done. Further, the coating liquid 3 may be a photoresist lower layer material, a photoresist upper layer material, a planarizing material, an embedding material, or the like.

本実施形態では、第1の回転数N1を、塗布液3が基板1全体に実質的に広がりえない
回転数に設定する。具体的には、第1の回転数N1を、塗布液3が基板1の外周部で十分
な空気抵抗(乱流の発生による)を受ける回転数に設定する。例えば、基板1が直径30
0mmのウエハである場合には、第1の回転数N1は3000rpm以上に設定すること
が望ましい。塗布液3の材料によっては、第1の回転数N1は2000rpm以上の設定
でもよい。また、本実施形態では、第1の滴下量M1を、塗布液3を基板1全体に均一に
塗布するには実質的に足りない量に設定する。
In the present embodiment, the first rotation speed N 1 is set to a rotation speed at which the coating liquid 3 cannot substantially spread over the entire substrate 1. Specifically, the first rotation speed N 1 is set to a rotation speed at which the coating liquid 3 receives sufficient air resistance (due to the generation of turbulent flow) at the outer peripheral portion of the substrate 1. For example, the substrate 1 has a diameter of 30
In the case of a 0 mm wafer, it is desirable to set the first rotational speed N 1 to 3000 rpm or more. Depending on the material of the coating liquid 3, the first rotational speed N 1 may be set to 2000 rpm or more. Further, in the present embodiment, the first drop amount M 1 is set to an amount that is substantially insufficient to uniformly apply the coating liquid 3 to the entire substrate 1.

第1の回転数N1を上記のように高速に設定することで、図1(c)に示すように、基板
1の外周部が実質的に塗布液3で塗布されていない状態を作り出すことができる。理由は
、塗布液3が十分な空気抵抗を受けることで、塗布液3の進みが止まってしまうからであ
る。基板1の表面に段差があると、塗布液3の進みが止まりやすい。
By setting the first rotation speed N 1 at a high speed as described above, a state in which the outer peripheral portion of the substrate 1 is not substantially coated with the coating liquid 3 is created as shown in FIG. Can do. The reason is that the advance of the coating liquid 3 stops when the coating liquid 3 receives sufficient air resistance. If there is a step on the surface of the substrate 1, the progress of the coating liquid 3 is likely to stop.

塗布液3の進みが止まることで、塗布液3は、図1(c)に示すように、基板1の端部1
aよりも内側の位置まで広がった状態となる。そして、塗布液3の端部には、符号3aで
示すように、溜まった塗布液3による盛り上がりが生じる。第1の回転数N1を上昇させ
ると、塗布液3の進みが止まる位置は基板1の中央部寄りに移動し、限界点に到達するま
での時間は短くなり、かつ、塗布液3の盛り上がり量は大きくなる。なお、盛り上がり部
分の塗布液3は、基板1の外周部や外部に順次飛散することとなる。
By stopping the progress of the coating liquid 3, the coating liquid 3 is transferred to the end portion 1 of the substrate 1 as shown in FIG.
It will be in the state which extended to the position inside a. Then, at the end of the coating liquid 3, as shown by reference numeral 3 a, a swell occurs due to the accumulated coating liquid 3. When the first rotation speed N 1 is increased, the position where the coating liquid 3 stops moving moves closer to the center of the substrate 1, the time until reaching the limit point is shortened, and the coating liquid 3 rises. The amount gets bigger. In addition, the coating liquid 3 in the swelled portion is sequentially scattered on the outer peripheral portion of the substrate 1 and the outside.

ここで、図1(c)の段階におけるプリウェット液2について説明する。   Here, the pre-wet liquid 2 in the stage of FIG.

塗布液3は、塗布膜を形成するための液体なので、一般に粘度が高い。そのため、塗布
液3は一般に、基板1上で広がりにくく、空気抵抗の影響を受けやすいため、基板1の高
速回転時に塗布液3の端部に盛り上がりが生じる。一方、プリウェット液2は、粘度の低
い液体を使用することで、基板1の高速回転時においてもプリウェット液2の端部に盛り
上がりが生じないようにすることができる。図1(c)には、プリウェット液2の端部に盛
り上がりが生じていない様子が示されている。
Since the coating liquid 3 is a liquid for forming a coating film, the viscosity is generally high. For this reason, the coating liquid 3 is generally difficult to spread on the substrate 1 and is easily affected by air resistance, so that the end portion of the coating liquid 3 is raised when the substrate 1 is rotated at a high speed. On the other hand, as the pre-wet liquid 2, a liquid having a low viscosity can be used so that the end portion of the pre-wet liquid 2 does not swell even when the substrate 1 rotates at high speed. FIG. 1 (c) shows a state in which no swell is generated at the end of the pre-wet liquid 2.

プリウェット液2の端部は、塗布液3の端部よりも常に基板1の外周部側にあることが
望ましい。理由は、プリウェット液2の端部が塗布液3の端部に追い越されてしまうと、
追い越された箇所で濡れ性の向上効果が得られなくなるからである。これは例えば、プリ
ウェット液2の回転時間を長くし、塗布液3の滴下時間を遅らせることで実現可能である
。プリウェット液2の蒸気圧が高ければ、プリウェット液2が基板1の外周部に到達した
後、基板1の回転中に基板1の外周部から乾燥し始め、プリウェット2の端部は基板1の
中央部に向かって後退していくので、いずれプリウェット液2の端部が塗布液3の端部に
追い越される。
It is desirable that the end portion of the pre-wet liquid 2 is always closer to the outer peripheral portion side of the substrate 1 than the end portion of the coating liquid 3. The reason is that if the end of the pre-wet liquid 2 is overtaken by the end of the coating liquid 3,
This is because the wettability improving effect cannot be obtained at the overtaken location. This can be realized, for example, by increasing the rotation time of the pre-wet liquid 2 and delaying the dropping time of the coating liquid 3. If the vapor pressure of the pre-wet liquid 2 is high, after the pre-wet liquid 2 reaches the outer periphery of the substrate 1, it begins to dry from the outer periphery of the substrate 1 during the rotation of the substrate 1. Since it moves backward toward the center of 1, the end of the prewetting liquid 2 is eventually overtaken by the end of the coating liquid 3.

また、プリウェット液2の端部は、第1の滴下量M1の塗布液3の滴下が終了した段階
、または第1の回転数N1による回転が終了した段階で、基板1の端部(最外周部)1a
まで到達し、かつ乾燥によるプリウェット液2の後退が起こらないことが望ましい。これ
により、第2の滴下量M2の塗布液3の滴下を開始する段階で、プリウェット液2の端部
は基板1の端部1aまで到達し、そこで保持されていることとなる。
The end portion of the pre-wet liquid 2 is the end portion of the substrate 1 when the first dropping amount M 1 of the coating liquid 3 is dropped or when the rotation at the first rotation speed N 1 is finished. (Outermost part) 1a
It is desirable that the prewetting liquid 2 does not recede due to drying. Thereby, at the stage where the dropping of the second dropping amount M 2 of the coating liquid 3 is started, the end portion of the pre-wet liquid 2 reaches the end portion 1a of the substrate 1 and is held there.

次に、図2(a)に示すように、基板1を第1の回転数N1よりも小さい第2の回転数N2
で回転させながら、基板1の中央部に塗布液3を第2の滴下量M2だけ滴下することで、
基板1の表面に塗布液3をさらに広げる。第1の滴下量M1の塗布液3の滴下と、第2の
滴下量M2の塗布液3の滴下は、連続的に行うことが望ましい。
Next, as shown in FIG. 2A, the substrate 1 is moved to a second rotational speed N 2 that is smaller than the first rotational speed N 1.
The coating liquid 3 is dropped on the central portion of the substrate 1 by the second dropping amount M 2 while rotating at
The coating liquid 3 is further spread on the surface of the substrate 1. It is desirable that the dropping of the first dropping amount M 1 of the coating solution 3 and the dropping of the second dropping amount M 2 of the coating solution 3 are continuously performed.

基板1の回転数を第1の回転数N1から第2の回転数N2に落とすと、塗布液3が受ける
空気抵抗が弱まり、塗布液3が基板1の端部1aに向けて進みやすくなる。そして、この
状態で新たに第2の滴下量M2の塗布液3を滴下することで、基板1上にすでに滴下され
た塗布液3が押し出されることになる。その結果、塗布液3が基板1の端部1aまたは端
部1a近傍まで広がることとなる。
When the number of rotations of the substrate 1 is decreased from the first number of rotations N 1 to the second number of rotations N 2 , the air resistance received by the coating solution 3 is weakened, and the coating solution 3 is likely to travel toward the end 1 a of the substrate 1. Become. In this state, by newly dropping the second dropping amount M 2 of the coating liquid 3, the coating liquid 3 that has already been dropped onto the substrate 1 is pushed out. As a result, the coating liquid 3 spreads to the end 1a of the substrate 1 or the vicinity of the end 1a.

塗布液3の端部では、図2(a)に示すように、塗布液3の盛り上がりが低くなりながら
塗布液3が進んでいく。よって、盛り上がり部分の塗布液3で、基板1の外周部の残りの
大部分を塗布することができる。そのため、本実施形態では、第2の滴下量M2を多くす
る必要はなく、第2の滴下量M2は第1の滴下量M1未満で十分である。
At the end of the coating solution 3, as shown in FIG. 2A, the coating solution 3 advances while the swell of the coating solution 3 is reduced. Therefore, the remaining most of the outer peripheral portion of the substrate 1 can be applied with the coating liquid 3 at the rising portion. Therefore, in the present embodiment, it is not necessary to increase the second drop amount M 2, and it is sufficient that the second drop amount M 2 is less than the first drop amount M 1 .

また、プリウェット液2は、塗布液3が基板1の端部1aに到達する直前まで、基板1
の端部1aまで保持されていることが望ましい。理由は、プリウェット液2による濡れ性
の向上効果を、基板1の端部1aまで持続させるためである。そのため、プリウェット液
2としては蒸気圧の低い液体を採用することが望ましく、例えば、23℃における蒸気圧
が10hPa以下の液体を採用することが望ましい。この場合、プリウェット液2は最後
に、塗布液3によって基板1から押し出される。
The pre-wet liquid 2 is applied to the substrate 1 until the coating liquid 3 reaches the end 1 a of the substrate 1.
It is desirable to hold up to the end 1a. This is because the effect of improving the wettability by the pre-wet liquid 2 is maintained up to the end 1 a of the substrate 1. Therefore, it is desirable to employ a liquid having a low vapor pressure as the pre-wet liquid 2, for example, a liquid having a vapor pressure of 10 hPa or less at 23 ° C. is desirable. In this case, the pre-wet liquid 2 is finally pushed out of the substrate 1 by the coating liquid 3.

次に、図2(b)に示すように、塗布液3の膜厚を決定するための第3の回転数で基板1
を回転させることで、塗布液3の膜厚を所定値に制御する。なお、基板1を第3の回転数
で回転させる前に、例えば、100rpm程度の低い回転数で基板1を回転させて数秒間
リフローを行ってもよい。また、塗布液3によるプリウェット液2の押し出しは、図2(
a)の段階ではなく、図2(b)の段階で行ってもよい。
Next, as shown in FIG. 2 (b), the substrate 1 is rotated at a third rotational speed for determining the film thickness of the coating solution 3.
Is rotated to control the film thickness of the coating liquid 3 to a predetermined value. Note that before the substrate 1 is rotated at the third rotation number, for example, the substrate 1 may be rotated at a low rotation number of about 100 rpm and reflow may be performed for several seconds. Also, the extrusion of the pre-wet liquid 2 by the coating liquid 3 is shown in FIG.
You may perform not in the step of a) but in the step of FIG.2 (b).

その後、本実施形態では、塗布液3のエッジカットを行い、さらに、ベークにより塗布
液3の溶媒を蒸発させる。こうして、塗布液3から塗布膜が形成される。
Thereafter, in this embodiment, the edge of the coating liquid 3 is cut, and the solvent of the coating liquid 3 is evaporated by baking. Thus, a coating film is formed from the coating liquid 3.

ここで、第1実施形態の効果について説明する。   Here, the effect of the first embodiment will be described.

回転塗布方法では、基板1のサイズが大型化するに従って、基板1の回転時に塗布液3
が空気抵抗の影響を受けやすくなる。特に、基板1の外周部では基板1の中心部に比べて
空気抵抗が大きくなるため、基板1の回転数が増大するほど、基板1の外周部で塗布液3
が広がりにくくなる。この問題は、基板1を予めプリウェット液2で濡らしておく場合で
あっても回避することができない。
In the spin coating method, as the size of the substrate 1 increases, the coating liquid 3 is rotated when the substrate 1 is rotated.
Is more susceptible to air resistance. In particular, since the air resistance is larger at the outer peripheral portion of the substrate 1 than at the central portion of the substrate 1, the coating liquid 3 is increased at the outer peripheral portion of the substrate 1 as the rotational speed of the substrate 1 increases.
Becomes difficult to spread. This problem cannot be avoided even when the substrate 1 is previously wetted with the pre-wet liquid 2.

そこで、本実施形態では、プリウェット液2の滴下後に塗布液3を滴下する際に、まず
基板1を高速の第1の回転数N1で回転させながら塗布液3を滴下する。そして、基板1
の端部1aよりも内側の位置で塗布液3の進みが止まったら、基板1の回転数を低速の第
2の回転数N2に切り替えて塗布液3を滴下する。これにより、塗布液3の滴下量を少量
に抑えつつ、基板1の端部1aまたは端部1a近傍まで塗布液3を塗布して塗布膜を形成
することが可能となる。塗布液3の滴下量は、例えば、第2の滴下量M2を第1の滴下量
1よりも十分に少なくすることや、基板1の回転数の切り替えタイミングを適切に設定
して飛散による塗布液3の無駄を少なくすることなどで削減可能である。
Therefore, in the present embodiment, when the coating liquid 3 is dropped after the pre-wet liquid 2 is dropped, the coating liquid 3 is first dropped while rotating the substrate 1 at the first high speed N 1 . And substrate 1
When the advance of the coating liquid 3 stops at a position inside the end 1a, the number of rotations of the substrate 1 is switched to the second low speed N 2 and the coating liquid 3 is dropped. As a result, it is possible to form the coating film by applying the coating liquid 3 to the end 1a of the substrate 1 or the vicinity of the end 1a while keeping the amount of the coating liquid 3 dropped to a small amount. The dropping amount of the coating liquid 3 is, for example, due to scattering by making the second dropping amount M 2 sufficiently smaller than the first dropping amount M 1 or by appropriately setting the switching timing of the rotation speed of the substrate 1. It can be reduced by reducing the waste of the coating liquid 3.

また、本実施形態では、このような塗布液3の塗布処理を、基板1をプリウェット液2
で濡らしてから行うため、基板1の端部1aまたは端部1a近傍まで膜厚均一性の良好な
塗布液3を塗布することが可能となる。
Further, in the present embodiment, such a coating process of the coating liquid 3 is performed by applying the substrate 1 to the pre-wet liquid 2.
Therefore, the coating liquid 3 having good film thickness uniformity can be applied to the end 1a of the substrate 1 or the vicinity of the end 1a.

本実施形態の回転塗布方法は、例えば、粘度が0.1〜1000mPa・sの塗布液3
を塗布する場合に好適に用いられるが、塗布液3の粘度はこの範囲外であってもよい。こ
の塗布液3は、有機材料で構成しても無機材料で構成してもよい。
The spin coating method of this embodiment is, for example, a coating solution 3 having a viscosity of 0.1 to 1000 mPa · s.
However, the viscosity of the coating liquid 3 may be outside this range. The coating liquid 3 may be composed of an organic material or an inorganic material.

2)第1実施形態の回転塗布装置
図3は、第1実施形態の回転塗布装置の構成を示す概略図である。上述の回転塗布方法
は例えば、図3の回転塗布装置により実行することができる。
2) Spin coating apparatus according to the first embodiment FIG. 3 is a schematic diagram showing the configuration of the spin coating apparatus according to the first embodiment. The above-described spin coating method can be executed by, for example, the spin coating apparatus shown in FIG.

図3の回転塗布装置は、プリウェット液供給部11と、塗布液供給部12と、保持部1
3と、回転軸14と、モータ15と、真空ライン16と、吸引源17と、制御部18とを
備えている。
3 includes a pre-wet liquid supply unit 11, a coating liquid supply unit 12, and a holding unit 1.
3, a rotating shaft 14, a motor 15, a vacuum line 16, a suction source 17, and a control unit 18.

図3では、ウエハ(基板)1が保持部13に載置されて水平に保持されている。保持部
13は、回転軸14に固定されており、この回転軸14を介してモータ15に連結されて
いる。モータ15は、鉛直方向に平行な回転軸線Lを中心に保持部13を回転駆動するこ
とで、ウエハ1を回転させる回転駆動源である。モータ15は、回転数(回転速度)が可
変なように構成されている。
In FIG. 3, the wafer (substrate) 1 is placed on the holding unit 13 and held horizontally. The holding unit 13 is fixed to the rotating shaft 14 and is connected to the motor 15 via the rotating shaft 14. The motor 15 is a rotational drive source that rotates the wafer 1 by rotationally driving the holding unit 13 about a rotational axis L parallel to the vertical direction. The motor 15 is configured such that the rotation speed (rotation speed) is variable.

ウエハ1は、表側の表面に相当する第1の表面と、裏側の表面に相当する第2の表面と
を有している。図3には、段差を有するウエハ1の第1の表面に塗布膜4が形成された様
子が示されている。ウエハ1は、第2の表面が保持部13に接するように保持部13に保
持される。この際、ウエハ1は、回転軸線L上にウェハ1の中心がくるように保持部13
に載置される。
The wafer 1 has a first surface corresponding to the front surface and a second surface corresponding to the back surface. FIG. 3 shows a state in which the coating film 4 is formed on the first surface of the wafer 1 having a step. The wafer 1 is held by the holding unit 13 such that the second surface is in contact with the holding unit 13. At this time, the wafer 1 is held by the holding unit 13 so that the center of the wafer 1 is on the rotation axis L.
Placed on.

保持部13は、真空ライン16を介して吸引源17に接続されている。保持部13に載
置されたウエハ1は、第2の表面を吸引源17による吸引力で真空吸着することにより保
持される。
The holding unit 13 is connected to the suction source 17 via the vacuum line 16. The wafer 1 placed on the holding unit 13 is held by vacuum-sucking the second surface with a suction force by the suction source 17.

塗布液供給部12は、保持部13に保持されているウエハ1に塗布液3を供給する装置
である。塗布液供給部12は、アーム12aと、保持部13に保持されているウェハ1に
塗布液3を滴下するよう、アーム12aの遊端部12bに下向きに開口しているノズル1
2cとを有している。さらに、塗布液供給部12は、アーム12aに塗布液供給管12d
を介して接続された塗布液供給源12fと、アーム12aと塗布液供給源12fとの間に
配置され、塗布液3の流量を調整する吐出制御装置12eとを有している。吐出制御装置
12eは、例えば圧送式ポンプなどの装置により実現される。
The coating solution supply unit 12 is a device that supplies the coating solution 3 to the wafer 1 held by the holding unit 13. The coating liquid supply unit 12 has a nozzle 1 that opens downward to the free end 12b of the arm 12a so that the coating liquid 3 is dropped onto the arm 12a and the wafer 1 held by the holding unit 13.
2c. Further, the coating liquid supply unit 12 is connected to the coating liquid supply pipe 12d on the arm 12a.
And a discharge control device 12e that is arranged between the arm 12a and the coating liquid supply source 12f and that adjusts the flow rate of the coating liquid 3. The discharge control device 12e is realized by a device such as a pressure-feed pump.

塗布液供給部12のアーム12aには、不図示のアーム移動機構が接続されている。ア
ーム移動機構は、ノズル12cを、ウエハ1から離れたところにあるノズル12cの保管
場所から、塗布液3の滴下位置であるウエハ1の中央部の上部まで移動させる機能を有し
ている。アーム移動機構はさらに、塗布液3の滴下位置でノズル12cの高さを調整する
機能を有している。
An arm moving mechanism (not shown) is connected to the arm 12 a of the coating liquid supply unit 12. The arm moving mechanism has a function of moving the nozzle 12 c from the storage location of the nozzle 12 c away from the wafer 1 to the upper part of the central portion of the wafer 1 where the coating liquid 3 is dropped. The arm moving mechanism further has a function of adjusting the height of the nozzle 12 c at the dropping position of the coating liquid 3.

プリウェット液供給部11は、保持部13に保持されているウエハ1にプリウェット液
2を供給する装置である。プリウェット液供給部11は、塗布液供給部12と同様に、ア
ーム11aと、遊端部11bと、ノズル11cと、プリウェット液供給管11dと、吐出
制御装置11eと、プリウェット液供給源11fと、不図示のアーム移動機構とを有して
いる。
The pre-wet liquid supply unit 11 is a device that supplies the pre-wet liquid 2 to the wafer 1 held by the holding unit 13. Similar to the coating liquid supply unit 12, the prewet liquid supply unit 11 includes an arm 11a, a free end 11b, a nozzle 11c, a prewet liquid supply pipe 11d, a discharge control device 11e, and a prewet liquid supply source. 11f and an arm moving mechanism (not shown).

本実施形態では例えば、塗布液3としてフォトレジストを使用することで、塗布膜4と
してレジスト膜を形成する。この場合には、プリウェット液2として、例えばフォトレジ
ストの溶媒のように、フォトレジストと相溶性のある液体を使用することが望ましい。
In this embodiment, for example, a resist film is formed as the coating film 4 by using a photoresist as the coating liquid 3. In this case, as the pre-wet liquid 2, it is desirable to use a liquid compatible with the photoresist, such as a solvent for the photoresist.

制御部18は、例えばコンピュータにより構成されており、回転塗布装置の各部の動作
を制御する。また、制御部18は、例えば操作者がウェハ1の処理手順をプログラミング
することで、ウエハ1の処理を円滑化できる機能を有している。
The control unit 18 is configured by, for example, a computer, and controls the operation of each unit of the spin coater. The control unit 18 has a function of facilitating the processing of the wafer 1 by, for example, programming the processing procedure of the wafer 1 by an operator.

制御部18は例えば、モータ15の回転速度や回転時間、塗布液供給部12による塗布
液3の滴下量や吐出速度、プリウェット液供給部11によるプリウェット液2の滴下量や
吐出速度、塗布液供給部12とプリウェット液供給部11のアーム移動機構の動作などを
制御する。上述の回転駆動方法は例えば、プリウェット液供給部11と、塗布液供給部1
2と、モータ15の動作を制御部18により制御することで実現可能である。
The control unit 18 includes, for example, the rotation speed and rotation time of the motor 15, the dropping amount and discharging speed of the coating liquid 3 by the coating liquid supply unit 12, the dropping amount and discharging speed of the pre-wet liquid 2 by the pre-wet liquid supply unit 11, and the coating The operation of the arm moving mechanism of the liquid supply unit 12 and the pre-wet liquid supply unit 11 is controlled. For example, the above-described rotation driving method includes the pre-wet liquid supply unit 11 and the coating liquid supply unit 1.
2 and by controlling the operation of the motor 15 by the control unit 18.

3)第1実施形態の回転塗布方法の具体例
図4と図5はそれぞれ、第1実施形態の回転塗布方法の具体例を説明するための表とグ
ラフである。図4は、第1実施形態の回転塗布方法のレシピの一例を示し、図5は、この
レシピで回転塗布装置を動作させるシーケンスの一例を示している。なお、このレシピに
関する実験においては、粘度が1mPa・sの塗布液3を使用した。
3) Specific Example of Spin Coating Method of First Embodiment FIGS. 4 and 5 are a table and a graph for explaining a specific example of the spin coating method of the first embodiment, respectively. FIG. 4 shows an example of a recipe for the spin coating method of the first embodiment, and FIG. 5 shows an example of a sequence for operating the spin coater with this recipe. In the experiment relating to this recipe, the coating solution 3 having a viscosity of 1 mPa · s was used.

まず、プリウェット液供給部11により、ウエハ1の中央部にプリウェット液2を滴下
量Mpだけ滴下する(ステップS1)。符号Tp1は、プリウェット液2を滴下量Mpだけ滴
下する滴下時間を表す。滴下量Mpは、例えば3mlである。
First, the pre-wet liquid supply unit 11 drops the pre-wet liquid 2 on the central portion of the wafer 1 by the dropping amount M p (step S1). The symbol T p1 represents the dropping time during which the pre-wet liquid 2 is dropped by the dropping amount M p . The dripping amount M p is, for example, 3 ml.

次に、モータ15によりウエハ1を回転数Npで回転させて、ウエハ1の表面にプリウ
ェット液を広げる(ステップS2)。符号Tp2は、回転数Npによるウエハ1の回転時間
を表す。回転数Npは、例えば1000〜4000rpmであり、回転時間Tp2は、例え
ば0.1〜3s(秒)である。
Then, by rotating the wafer 1 at a rotational speed N p by a motor 15, extending the pre-wet liquid to the surface of the wafer 1 (step S2). The symbol T p2 represents the rotation time of the wafer 1 at the rotation speed N p . The rotation speed N p is, for example, 1000 to 4000 rpm, and the rotation time T p 2 is, for example, 0.1 to 3 s (seconds).

プリウェット液2として蒸気圧が高い液体を用いると、塗布液3がウエハ1の端部1a
に到達する前にプリウェット液2が蒸発してしまい、ウエハ1の外周部に塗布むらが発生
することがある。そのため、塗布液3がウエハ1の端部1aに到達するまで、プリウェッ
ト液2がウエハ1の端部1aまで維持されるようにすることが望ましい。そこで、プリウ
ェット液2は、塗布液3と相溶性があり、塗布液3よりも低粘度で、23℃における蒸気
圧が10hPa以下の液体であることが望ましい。
When a liquid having a high vapor pressure is used as the pre-wet liquid 2, the coating liquid 3 becomes the end 1 a of the wafer 1.
In some cases, the pre-wet liquid 2 evaporates before reaching the surface of the wafer 1, resulting in uneven coating on the outer periphery of the wafer 1. For this reason, it is desirable that the pre-wet liquid 2 is maintained up to the end 1 a of the wafer 1 until the coating liquid 3 reaches the end 1 a of the wafer 1. Therefore, the pre-wet liquid 2 is preferably a liquid that is compatible with the coating liquid 3, has a lower viscosity than the coating liquid 3, and has a vapor pressure at 23 ° C. of 10 hPa or less.

次に、モータ15によりウエハ1を第1の回転数N1で回転させながら、塗布液供給部
12によりウエハ1の中心部に塗布液3を第1の滴下量M1だけ滴下することで、ウエハ
1の表面に塗布液3を広げる(ステップS3)。符号T1は、第1の回転数N1によるウエ
ハ1の回転時間を表す。
Next, while the wafer 1 is rotated at the first rotation speed N 1 by the motor 15, the coating liquid 3 is dropped by the first dropping amount M 1 onto the center of the wafer 1 by the coating liquid supply unit 12. The coating liquid 3 is spread on the surface of the wafer 1 (step S3). A symbol T 1 represents the rotation time of the wafer 1 at the first rotation speed N 1 .

ここで、第1の回転数N1は、第1の滴下量M1の塗布液3が空気抵抗によりウエハ1全
体に均一に広がらない回転数に設定される。例えば、ウエハ1の直径が300mmである
場合には、第1の回転数N1は2000〜4000rpmに設定され、第1の滴下量M1
0.3mlに設定される。なお、第1の滴下量M1の塗布液3が空気抵抗によりウエハ1
全体に均一に広がらない状態とは、例えば図1(c)に示すような状態である。
Here, the first rotation speed N 1 is set to a rotation speed at which the first dropping amount M 1 of the coating liquid 3 does not spread uniformly over the entire wafer 1 due to air resistance. For example, when the diameter of the wafer 1 is 300 mm, the first rotation speed N 1 is set to 2000 to 4000 rpm, and the first dropping amount M 1 is set to 0.3 ml. The first dropping amount M 1 of the coating liquid 3 is applied to the wafer 1 by air resistance.
The state that does not spread uniformly over the whole is, for example, a state as shown in FIG.

次に、モータ15によりウエハ1を第1の回転数N2より小さい第2の回転数N2で回転
させながら、塗布液供給部12によりウエハ1の中心部に塗布液3を第2の滴下量M2
け滴下することで、ウエハ1の表面に塗布液3をさらに広げる(ステップS4)。符号T
2は、第2の回転数N2によるウエハ1の回転時間を表す。
Next, the coating liquid 3 is applied to the central portion of the wafer 1 by the coating liquid supply unit 12 while the wafer 1 is rotated by the motor 15 at a second rotational speed N 2 smaller than the first rotational speed N 2. By dropping the amount M 2 , the coating liquid 3 is further spread on the surface of the wafer 1 (step S4). T
2 represents the rotation time of the wafer 1 at the second rotation speed N 2 .

第1の滴下量M1の塗布液3の滴下と、第2の滴下量M2の塗布液3の滴下は、連続して
実施してもよい。また、第2の滴下量M2は、第1の滴下量M1よりも少なくてよく、例え
ば0.1mlに設定される。この場合、塗布液3の全滴下量M1+M2は、0.4mlとな
る。また、第2の回転数N2は、例えば1000〜3000rpmに設定される。
The dropping of the first dropping amount M 1 of the coating liquid 3 and the dropping of the second dropping amount M 2 of the coating liquid 3 may be performed continuously. Further, the second dropping amount M 2 may be smaller than the first dropping amount M 1 and is set to 0.1 ml, for example. In this case, the total dropping amount M 1 + M 2 of the coating liquid 3 is 0.4 ml. Further, the second rotation speed N 2 is set to 1000 to 3000 rpm, for example.

符号Vは、塗布液3の吐出速度(単位時間あたりの吐出量)を表す。第1および第2の
滴下量M1、M2の塗布液3の滴下において、塗布液3の吐出速度はそれぞれ、M1/T1
2/T2と定義される。以下、前者を第1の吐出速度と呼び、後者を第2の吐出速度と呼
ぶ。本レシピでは、第1の吐出速度が第2の吐出速度と等しいが、第1の吐出速度は第2
の吐出速度よりも遅いことが望ましい。これにより、第1の滴下量M1の塗布液3の滴下
に長い時間をかけ、塗布液3の端部の盛り上がりを大きくすることができる。第1の吐出
速度を第2の吐出速度よりも遅くする具体例については、第2実施形態で説明する。
The symbol V represents the discharge speed (discharge amount per unit time) of the coating liquid 3. In the dropping of the first and second dropping amounts M 1 and M 2 of the coating liquid 3, the discharge speed of the coating liquid 3 is M 1 / T 1 , respectively.
It is defined as M 2 / T 2. Hereinafter, the former is referred to as a first discharge speed, and the latter is referred to as a second discharge speed. In this recipe, the first discharge speed is equal to the second discharge speed, but the first discharge speed is the second
It is desirable that it is slower than the discharge speed. Thereby, it is possible to take a long time to drop the first dropping amount M 1 of the coating liquid 3 and increase the swell of the end portion of the coating liquid 3. A specific example in which the first discharge speed is made slower than the second discharge speed will be described in the second embodiment.

次に、モータ15によりウエハ1を回転数N3で回転させてリフロー処理を行なう(ス
テップS5)。符号T3は、回転数N3によるウエハ1の回転時間を表す。このリフロー処
理により、ウエハ1上に塗布された塗布液3の膜厚均一性が向上する。なお、リフロー処
理は省略してもよい。
Next, the reflow process is performed by rotating the wafer 1 at the rotation speed N 3 by the motor 15 (step S5). Reference symbol T 3 represents the rotation time of the wafer 1 at the rotation speed N 3 . By this reflow process, the film thickness uniformity of the coating liquid 3 applied on the wafer 1 is improved. Note that the reflow process may be omitted.

次に、モータ15により塗布液3の膜厚を決定するための回転数N4でウエハ1を回転
させる(ステップS6)。これにより、ウエハ1上に塗布された塗布膜3の膜厚が所望値
に制御される。符号T4は、回転数N4によるウエハ1の回転時間を表す。なお、回転数N
4は、上述の第3の回転数に相当する。
Next, the wafer 1 is rotated at the rotation speed N 4 for determining the film thickness of the coating liquid 3 by the motor 15 (step S6). Thereby, the film thickness of the coating film 3 coated on the wafer 1 is controlled to a desired value. Reference symbol T 4 represents the rotation time of the wafer 1 at the rotation speed N 4. Rotational speed N
4 corresponds to the third rotational speed described above.

その後、本レシピでは、シンナーにより塗布液3のエッジカットを行う。さらに、ウエ
ハ1をホットプレートに自動搬送し、ウエハ1をホットプレートによりベークして、塗布
液3の溶媒を蒸発させる。さらに、ベーク後のウエハ1を冷却する。こうして、塗布液3
から塗布膜4が形成される。
Thereafter, in this recipe, the edge of the coating liquid 3 is cut with a thinner. Further, the wafer 1 is automatically conveyed to a hot plate, and the wafer 1 is baked by the hot plate to evaporate the solvent of the coating liquid 3. Further, the baked wafer 1 is cooled. Thus, the coating liquid 3
Thus, the coating film 4 is formed.

塗布液3の例としては、上述の例のほか、ポリシラザン等のシラザン類や、ポリシロキ
サン等のシロキサン類が挙げられる。前者の具体例としては、Si、N、Hの元素だけで
構成されたペルヒドロポリシラザン(PHPS)が挙げられ、後者の具体例としては、S
i、O、Hの元素だけで構成されたハイドロジェンシルセスキオキサン(HSQ)が挙げ
られる。
Examples of the coating liquid 3 include silazanes such as polysilazane and siloxanes such as polysiloxane in addition to the above-described examples. Specific examples of the former include perhydropolysilazane (PHPS) composed only of elements of Si, N, and H, and specific examples of the latter include S
Examples thereof include hydrogensilsesquioxane (HSQ) composed only of i, O, and H elements.

プリウェット液2の代表例としては、レジストに対してはシクロヘキサノン、シラザン
類やシロキサン類に対してはジ−n−ブチルエーテルが挙げられるが、プリウェット液2
の別の例としては、テルペン類が挙げられる。テルペン類は一般に、蒸気圧が23℃にお
いて6hPa以下であり、ジ−n−ブチルエーテルの蒸気圧よりも低い蒸気圧を有してい
る。よって、テルペン類は、塗布液3の塗布処理中に蒸発しにくく、プリウェット液2と
して使用するのに適している。テルペン類の例としては、α−ピネン、β−ピネン、p−
メンタン、d−リモネン、ジペンテン、1,8−シネオールなどが挙げられる。なお、プ
リウェット液2は、テルペン類を含有する混合物でもよい。また、プリウェット液2は、
テルペン類のように蒸気圧が低い液体であれば、テルペン類以外の液体であってもよい。
Typical examples of the pre-wet liquid 2 include cyclohexanone for resists and di-n-butyl ether for silazanes and siloxanes.
Another example of is terpenes. Terpenes generally have a vapor pressure of 6 hPa or less at 23 ° C. and a vapor pressure lower than that of di-n-butyl ether. Accordingly, the terpenes are less likely to evaporate during the coating process of the coating liquid 3 and are suitable for use as the pre-wet liquid 2. Examples of terpenes include α-pinene, β-pinene, p-
Menthane, d-limonene, dipentene, 1,8-cineole and the like can be mentioned. The pre-wet liquid 2 may be a mixture containing terpenes. The pre-wet liquid 2 is
A liquid other than terpenes may be used as long as the liquid has a low vapor pressure such as terpenes.

次に、プリウェット液2と塗布液3のプロセス時間について説明する。例えば、基板1
の中央にプリウェット液2としてジ−n−ブチルエーテルまたはα−ピネンを3ml滴下
し、回転数Npを1000rpmに設定し、基板1を回転時間Tpだけ回転させる。次に、
回転数N1を2500rpmに上げると同時に、1mPa・sの粘度を有する塗布液3を
滴下する。この際、ジ−n−ブチルエーテルを用いる場合には、Tpを0.1sを超える
時間にすると、基板外周部で塗布むらが生じてしまう。一方、α−ピネンを用いる場合に
は、Tpが長い方が塗布むらの発生がなく膜厚均一性も向上させることができ、Tpを0.
5s以上(よりよくは1s以上)に設定することで良好な塗布膜4を形成できる。
Next, the process time of the pre-wet liquid 2 and the coating liquid 3 will be described. For example, substrate 1
3 ml of di-n-butyl ether or α-pinene is dropped as the prewetting liquid 2 in the center of the substrate, the rotation speed N p is set to 1000 rpm, and the substrate 1 is rotated for the rotation time T p . next,
At the same time as increasing the rotational speed N 1 to 2500 rpm, the coating liquid 3 having a viscosity of 1 mPa · s is dropped. At this time, when di-n-butyl ether is used, if T p is set to a time exceeding 0.1 s, uneven coating occurs at the outer peripheral portion of the substrate. On the other hand, in the case of using α- pinene may be better T p is long improved as the film thickness uniformity without the occurrence of uneven coating, a T p 0.
A good coating film 4 can be formed by setting it to 5 s or more (more preferably 1 s or more).

プリウェット液2を広げる時間Tpとその後の塗布液3滴下終了までの時間の合計時間
は、長い時間に設定することで塗布液3の使用量を削減できる。この合計時間は、例えば
約1.5s以上である。
Time to extend the pre-wet liquid 2 T p and then the coating liquid 3 total time to completion of the dropwise addition time can reduce the amount of the coating liquid 3 by setting a long time. This total time is, for example, about 1.5 s or more.

以上のように、本実施形態では、プリウェット液2の滴下後に塗布液3を滴下する場合
において、まず、基板1を第1の回転数N1で回転させながら塗布液3を滴下し、次に、
基板1を回転数N1よりも小さい第2の回転数N2で回転させながら塗布液3を滴下する。
これにより、本実施形態によれば、塗布液3の滴下量を削減しつつ、より広範囲に塗布膜
4を形成することが可能となる。
As described above, in the present embodiment, when the coating liquid 3 is dropped after the pre-wet liquid 2 is dropped, first, the coating liquid 3 is dropped while the substrate 1 is rotated at the first rotation speed N 1. In addition,
The coating liquid 3 is dropped while rotating the substrate 1 at a second rotational speed N 2 smaller than the rotational speed N 1 .
Thereby, according to this embodiment, it becomes possible to form the coating film 4 in a wider range, while reducing the dripping amount of the coating liquid 3.

(第2実施形態)
1)第2実施形態の回転塗布方法
図6〜図21はそれぞれ、第2実施形態の回転塗布方法の第1〜第16の例を説明する
ためのグラフである。
(Second Embodiment)
1) Spin coating method of the second embodiment FIGS. 6 to 21 are graphs for explaining first to sixteenth examples of the spin coating method of the second embodiment, respectively.

第2実施形態では、基板1を第1の回転数N1で回転させながら塗布液3を滴下すると
きに、塗布液3を第1の吐出速度V1で基板1に吐出する。また、本実施形態では、基板
1を回転数N1よりも小さい第2の回転数N2で回転させながら塗布液3を滴下するときに
、塗布液3を第1の吐出速度V1よりも速い第2の吐出速度V2で基板1に吐出する。以下
、このような第2実施形態の回転塗布方法の種々の例について説明する。
In the second embodiment, when the coating liquid 3 is dropped while rotating the substrate 1 at the first rotation speed N 1 , the coating liquid 3 is discharged onto the substrate 1 at the first discharge speed V 1 . Further, in the present embodiment, when the coating liquid 3 is dropped while rotating the substrate 1 at the second rotational speed N 2 smaller than the rotational speed N 1 , the coating liquid 3 is made faster than the first discharge speed V 1. discharging the substrate 1 at a faster second discharge speed V 2. Hereinafter, various examples of the spin coating method of the second embodiment will be described.

以下の各例は、基板1として直径300mmのウエハを用いることを前提に説明する。
ただし、本実施形態は、その他の基板1にも適用可能であり、例えば、より小さな直径の
基板1を用いる場合や、液晶ディスプレイ基板のようにサイズの大きな基板1を用いる場
合にも適用可能である。
The following examples will be described on the assumption that a wafer having a diameter of 300 mm is used as the substrate 1.
However, the present embodiment can be applied to other substrates 1, for example, when using a substrate 1 having a smaller diameter, or when using a substrate 1 having a large size such as a liquid crystal display substrate. is there.

図6は、第2実施形態の回転塗布方法の第1の例を説明するためのグラフである。図6
の横軸は時間を示し、図6の縦軸は基板1の回転数と塗布液3の吐出速度を示す。
FIG. 6 is a graph for explaining a first example of the spin coating method of the second embodiment. FIG.
The horizontal axis indicates time, and the vertical axis in FIG. 6 indicates the rotation speed of the substrate 1 and the discharge speed of the coating liquid 3.

図6では、まず時間Tp1内においてプリウェット液2を滴下し、次に時間Tp2内におい
て基板1を回転数Npで回転させて基板1上にプリウェット液2を広げる。回転数Npは例
えば、1000〜4000rpmの範囲内において、プリウェット液2の乾燥性や塗布液
3との相溶性などから総合的に決定する。なお、図6では、時間Tp1内においても基板1
を回転させるようにしてもよい。
In FIG. 6, first, the pre-wet liquid 2 is dropped within the time T p1 , and then the substrate 1 is rotated at the rotation speed N p within the time T p2 to spread the pre-wet liquid 2 on the substrate 1. For example, the rotational speed N p is comprehensively determined in the range of 1000 to 4000 rpm based on the drying property of the pre-wet liquid 2 and the compatibility with the coating liquid 3. In FIG. 6, the substrate 1 is also within time T p1 .
You may make it rotate.

図6では次に、基板1を第1の回転数N1で回転させながら、塗布液3を第1の吐出速
度V1で第1の滴下量M1だけ滴下する。次に、基板1を第2の回転数N2で回転させなが
ら、塗布液3を第1の吐出速度V1よりも速い第2の吐出速度V2で第2の滴下量M2だけ
滴下する。なお、図6では、第1の吐出速度V1で1回目の吐出を行った後、連続して第
2の吐出速度V2で2回目の吐出を行っているが、代わりに、1回目の吐出後に一旦吐出
を停止してから2回目の吐出を行ってもよい(図7参照)。
In FIG. 6, next, while the substrate 1 is rotated at the first rotation speed N 1 , the coating liquid 3 is dropped at the first discharge speed V 1 by the first drop amount M 1 . Next, while the substrate 1 is rotated at the second rotation speed N 2 , the coating liquid 3 is dropped by the second drop amount M 2 at the second discharge speed V 2 that is faster than the first discharge speed V 1. . In FIG. 6, after the first discharge is performed at the first discharge speed V 1 , the second discharge is continuously performed at the second discharge speed V 2 . A second discharge may be performed after the discharge is temporarily stopped after the discharge (see FIG. 7).

図6において、塗布液3の滴下量はM1>M2とすることが望ましい。これにより、少量
の塗布液3を最後に高速で吐出することで、塗布液3の膜厚の面内均一性を向上させるこ
とができる。第1の回転数N1は、塗布液3の濃度や粘度を考慮して設定することが望ま
しく、例えば500〜4000rpmに設定される。また、第2の回転数N2は、第1の
回転数N1よりも低くすることが望ましい。
In FIG. 6, it is desirable that the dropping amount of the coating liquid 3 satisfies M 1 > M 2 . Thereby, the in-plane uniformity of the film thickness of the coating liquid 3 can be improved by finally discharging a small amount of the coating liquid 3 at a high speed. The first rotation speed N 1 is desirably set in consideration of the concentration and viscosity of the coating liquid 3, and is set to, for example, 500 to 4000 rpm. Further, it is desirable that the second rotation speed N 2 is lower than the first rotation speed N 1 .

図6において、第2の回転数N2は、リフロー用の回転数に設定してもよい。この場合
には例えば、第2の回転数N2を100〜500rpmに設定し、時間T2を1〜5秒に設
定する。リフローには、塗布液3の膜厚の面内均一性を高める効果がある。そこで、この
効果を取り入れるため、基板1を第2の回転数N2で回転している途中で、塗布液3の滴
下を停止してもよい(図8参照)。また、第2の回転数N2は、500rpmよりも高い
値(例えば1000rpm以上)に設定してもよい。
In FIG. 6, the second rotation speed N 2 may be set to the reflow rotation speed. In this case, for example, the second rotation speed N 2 is set to 100 to 500 rpm, and the time T 2 is set to 1 to 5 seconds. The reflow has an effect of increasing the in-plane uniformity of the film thickness of the coating liquid 3. Therefore, in order to incorporate this effect, dropping of the coating liquid 3 may be stopped while the substrate 1 is being rotated at the second rotation speed N 2 (see FIG. 8). Further, the second rotation speed N 2 may be set to a value higher than 500 rpm (for example, 1000 rpm or more).

図6〜図8では例えば、第1の吐出速度V1を1ml/s以下に設定し、第2の吐出速
度V2を1.5ml/s以上に設定するが、その他の値に設定してもよい。また、図6や
図8では、基板1の回転数がN1からN2に切り替わるのとほぼ同時に、塗布液3の吐出速
度をV1からV2に変更しているが、回転数の切り替えタイミングと吐出速度の変更タイミ
ングは一致していなくてもよい。例えば、基板1を第1の回転数N1で回転させている間
に、吐出速度をV1からV2に変更してもよい。同様に、基板1を第2の回転数N2で回転
させている間に、吐出速度をV1からV2に変更してもよい。
6-8, for example, the first discharge speed V 1 is set to 1 ml / s or less and the second discharge speed V 2 is set to 1.5 ml / s or more, but other values are set. Also good. In FIGS. 6 and 8, the discharge speed of the coating liquid 3 is changed from V 1 to V 2 almost simultaneously with the change of the rotation speed of the substrate 1 from N 1 to N 2. The timing and the change timing of the discharge speed do not need to match. For example, the discharge speed may be changed from V 1 to V 2 while the substrate 1 is rotated at the first rotation speed N 1 . Similarly, the discharge speed may be changed from V 1 to V 2 while the substrate 1 is rotated at the second rotation speed N 2 .

図6では次に、基板1を回転数N4で時間T4だけ回転させる。回転数N4は、塗布膜3
の膜厚決定回転数である。ここでは、回転数N4を回転数N2より大きく設定しているが、
回転数N4は回転数N2より小さく設定してもよい。
In FIG. 6, next, the substrate 1 is rotated at a rotational speed N 4 for a time T 4 . The rotational speed N 4 is the coating film 3
Of the film thickness. Here, the rotational speed N 4 is set larger than the rotational speed N 2 .
The rotation speed N 4 may be set smaller than the rotation speed N 2 .

その後、図6のプロセスでは、リンス液でエッジカットや裏面洗浄を行い、さらに任意
の回転数で基板1の回転を継続してリンス液の乾燥を行う。この乾燥のための回転数に制
限はない。
Thereafter, in the process of FIG. 6, edge cutting and back surface cleaning are performed with a rinsing liquid, and the rinsing liquid is dried by continuing the rotation of the substrate 1 at an arbitrary rotation number. There is no restriction on the number of rotations for drying.

プロセス時間の短縮のため、第2の回転数N2の工程と膜厚決定回転数N4の工程は、合
わせて行うことも可能である(図9参照)。図9では、基板1を第1の回転数N1で回転
させながら塗布液3を第1の吐出速度V1で滴下し、続いて、基板1を膜厚決定回転数N4
で回転させながら塗布液3を第2の吐出速度V2で滴下する。そして、基板1を膜厚決定
回転数N4で回転させている間に、塗布液3の吐出を停止し、そのまま基板1の回転を継
続する。
In order to shorten the process time, the process of the second rotation speed N 2 and the process of the film thickness determination rotation speed N 4 can be performed together (see FIG. 9). In FIG. 9, the coating liquid 3 is dropped at the first discharge speed V 1 while rotating the substrate 1 at the first rotation speed N 1 , and then the substrate 1 is rotated at the film thickness determination rotation speed N 4.
The coating liquid 3 is dropped at the second discharge speed V 2 while rotating at. Then, while the substrate 1 is rotated at the film thickness determination rotation speed N 4 , the discharge of the coating liquid 3 is stopped and the rotation of the substrate 1 is continued as it is.

次に、図10〜図13の回転塗布方法について説明する。   Next, the spin coating method shown in FIGS. 10 to 13 will be described.

図10では、基板1を第1の回転数N1で回転させている途中で、第1の吐出速度V1
よる塗布液3の吐出を開始する。回転開始のタイミングと吐出開始のタイミングは、回転
塗布装置のタイプやプログラミングの条件により多少ずれることがある。そのような場合
でも、回転数に応じて吐出速度を設定することで、塗布液3の滴下量を薬液量を削減しな
がら、膜厚の面内均一性に優れた塗布膜4を形成することができる。
In FIG. 10, the discharge of the coating liquid 3 at the first discharge speed V 1 is started while the substrate 1 is being rotated at the first rotation speed N 1 . The rotation start timing and the discharge start timing may be slightly different depending on the type of the spin coater and the programming conditions. Even in such a case, by setting the discharge speed according to the number of rotations, the coating film 4 having excellent in-plane film thickness uniformity can be formed while reducing the amount of the coating liquid 3 dropped and the amount of the chemical liquid. Can do.

また、図11に示すように、回転数Npと第1の回転数N1を同じ値に設定し、これらの
期間の間は基板1を連続して回転させ、基板1を回転数Np(=N1)で回転させている途
中で、第1の吐出速度V1による塗布液3の吐出を開始してもよい。
Further, as shown in FIG. 11, the rotation speed N p and the first rotation speed N 1 are set to the same value, the substrate 1 is continuously rotated during these periods, and the substrate 1 is rotated at the rotation speed N p. While rotating at (= N 1 ), the discharge of the coating liquid 3 at the first discharge speed V 1 may be started.

また、図12に示すように、基板1を第1の回転数N1で回転させている途中から第1
の吐出速度V1による吐出を開始し、基板1を第2の回転数N2で回転させている途中で第
2の吐出速度V2による吐出を終了してもよい。
In addition, as shown in FIG. 12, the substrate 1 is first rotated from the middle of rotating at the first rotation speed N 1.
The discharge at the second discharge speed V 1 may be started and the discharge at the second discharge speed V 2 may be completed while the substrate 1 is being rotated at the second rotation speed N 2 .

また、図13に示すように、基板1を第1の回転数N1で回転させ始める前から第1の
吐出速度V1による吐出を開始し、基板1を第2の回転数N2で回転させ終わった後に第2
の吐出速度V2による吐出を終了してもよい。
In addition, as shown in FIG. 13, before starting to rotate the substrate 1 at the first rotation speed N 1 , the discharge at the first discharge speed V 1 is started and the substrate 1 is rotated at the second rotation speed N 2 . Second after finishing
The discharge at the discharge speed V 2 may be terminated.

以上のように、本実施形態では、基板1の回転と塗布液3の吐出のタイミングがずれて
いてもよい。また、本実施形態では、図10〜図13の例を組み合わせて用いてもよい。
As described above, in this embodiment, the rotation timing of the substrate 1 and the discharge timing of the coating liquid 3 may be shifted. Moreover, in this embodiment, you may use combining the example of FIGS.

次に、図14〜図16の回転塗布方法について説明する。   Next, the spin coating method of FIGS. 14 to 16 will be described.

本実施形態において、塗布液3の吐出は、基板1の回転数が一定しているときに行う必
要はない。例えば、図14に示すように、基板1の回転数を上昇させながら、第1の吐出
速度V1による吐出を行ってもよい。また、図14とは逆に、基板1の回転数を下降させ
ながら、第1の吐出速度V1による吐出を行ってもよい。これは、第2の吐出速度V2によ
る吐出に関しても同様である。
In this embodiment, it is not necessary to discharge the coating liquid 3 when the rotation speed of the substrate 1 is constant. For example, as shown in FIG. 14, discharge at the first discharge speed V 1 may be performed while increasing the rotation speed of the substrate 1. Further, contrary to FIG. 14, discharge at the first discharge speed V 1 may be performed while the rotation speed of the substrate 1 is decreased. This also applies with respect to the discharge by the second discharge speed V 2.

また、第1の吐出速度V1から第2の吐出速度V2への変更は、図15に示すように緩や
かに行ってもよいし、図16に示すように段階的に行ってもよい。
Further, the change from the first discharge speed V 1 to the second discharge speed V 2 may be performed slowly as shown in FIG. 15 or stepwise as shown in FIG.

次に、図17〜図19の回転塗布方法について説明する。   Next, the spin coating method shown in FIGS. 17 to 19 will be described.

図17と図18では、基板1を第2の回転数N2で回転させた後に、回転数N3で回転さ
せる。回転数N3は、第2の回転数N2より小さくても大きくてもよい。回転数N3による
回転処理は、リフロー工程としてもよい。図17と図18では、基板1を回転数N3で回
転させた後に、膜厚決定回転数N4で回転させる。なお、第2の吐出速度V2による塗布液
3の吐出は、図17に示すように第2の回転数N2の回転時に終了してもよいし、図18
に示すように回転数N3の回転時まで継続してもよい。
In FIGS. 17 and 18, the substrate 1 is rotated at the second rotational speed N 2 and then rotated at the rotational speed N 3 . The rotational speed N 3 may be smaller or larger than the second rotational speed N 2 . The rotation process at the rotation speed N 3 may be a reflow process. 17 and 18, the substrate 1 is rotated at the rotation speed N 3 and then rotated at the film thickness determination rotation speed N 4 . It should be noted that the discharge of the coating liquid 3 at the second discharge speed V 2 may be terminated at the second rotation speed N 2 as shown in FIG.
As shown in FIG. 4 , the rotation may continue until the rotation speed is N 3 .

一方、図19では、基板1を第1の回転数N1で回転させる前に、回転数N5で時間T5
だけ回転させる。第1の吐出速度V1による吐出は、基板1を回転数N5で回転させている
途中から開始し、基板1の回転数を第1の回転数N1に切り替えた後も継続する。なお、
図19では、第1の吐出速度V1による吐出を、回転数N5による回転が終わった後に開始
してもよい。
On the other hand, in FIG. 19, prior to rotating the substrate 1 at the first rotation speed N 1, at a rotational speed N 5 time T 5
Just rotate. The discharge at the first discharge speed V 1 starts in the middle of rotating the substrate 1 at the rotation speed N 5 and continues even after the rotation speed of the substrate 1 is switched to the first rotation speed N 1 . In addition,
In FIG. 19, the discharge at the first discharge speed V 1 may be started after the rotation at the rotation speed N 5 is finished.

次に、図20と図21の回転塗布方法について説明する。   Next, the spin coating method of FIGS. 20 and 21 will be described.

図20では、基板1を第2の回転数N2で回転させながら塗布液3を第2の吐出速度V2
で吐出した後、基板1の回転数を第2の回転数N2に維持しながら塗布液3を第3の吐出
速度V3で吐出する。図20では、第3の吐出速度V3を、第2の吐出速度V2よりも遅い
速度に設定する。また、第3の吐出速度V3は、第1の吐出速度V1より速くても遅くても
よいし、第1の吐出速度V1と同じ速度でもよい。
Figure 20 In the coating liquid 3 while rotating the substrate 1 at the second rotational speed N 2 of the second discharge speed V 2
Then, the coating liquid 3 is discharged at the third discharge speed V 3 while maintaining the rotation speed of the substrate 1 at the second rotation speed N 2 . In FIG. 20, the third discharge speed V 3 is set to a speed slower than the second discharge speed V 2 . The third discharge velocity V 3 of the may be slower and faster than the first discharge speed V 1, may be the first discharge speed V 1 and the same speed.

ここで、図20の処理の効果について説明する。図6〜図19の処理では、塗布液3の
吐出速度を第1の吐出速度V1から第2の吐出速度V2に変更するが、このように吐出速度
を処理中に変更すると、塗布液配管内の圧力が変化するため、塗布液3の吐出状態が不安
定になることがある。例えば、吐出の開始や終了をバルブの開閉により制御する際に、配
管内の圧力変化やバルブ開閉による配管内の体積変化が原因で、塗布液3が意図せず排出
されたり、吸い上げられたりすることがある。このような現象が起こると、塗布液3の配
管内にノズル12cから気泡が吸い上げられてたまることがあり、塗布液3の吐出が不安
定になることで、塗布むらなどにつながる。そこで、図20の処理では、このような気泡
の吸い上げを防止するために、第2の吐出速度V2による吐出終了後に、吐出速度を第3
の吐出速度V3に低下させて短時間だけ少量の塗布液3を追加吐出している。
Here, the effect of the process of FIG. 20 will be described. 6 to 19, the discharge speed of the coating liquid 3 is changed from the first discharge speed V 1 to the second discharge speed V 2. When the discharge speed is changed during the process, the coating liquid is changed. Since the pressure in the pipe changes, the discharge state of the coating liquid 3 may become unstable. For example, when controlling the start and end of discharge by opening and closing a valve, the coating liquid 3 is unintentionally discharged or sucked up due to a pressure change in the pipe or a volume change in the pipe due to the valve opening and closing. Sometimes. When such a phenomenon occurs, bubbles may be sucked up from the nozzle 12c into the coating liquid 3 pipe, and the discharge of the coating liquid 3 may become unstable, leading to uneven coating. Therefore, in the process of FIG. 20, in order to prevent such suction of bubbles, the discharge speed is set to the third speed after the discharge at the second discharge speed V 2 is completed.
Are only adding a small amount of the coating liquid 3 ejected a short time by reducing the discharge velocity V 3 of the.

第3の吐出速度V3による塗布液3の滴下量は、できるだけ少ないことが好ましい。こ
の滴下量は例えば、0.01〜0.02mlに設定される。この場合、第3の吐出速度V
3を1ml/sに設定すると、第3の吐出速度V3による塗布液3の滴下時間は0.01〜
0.02sとなり、非常に短くなる。
The dripping amount of the coating liquid 3 at the third discharge speed V 3 is preferably as small as possible. This dripping amount is set to 0.01 to 0.02 ml, for example. In this case, the third discharge speed V
When 3 is set to 1 ml / s, the dropping time of the coating liquid 3 at the third discharge speed V 3 is 0.01 to
0.02 s, which is very short.

図21は、図20の変形例を示す。図21ではまず、基板1を第1の回転数N1で回転
させながら、塗布液3を第1の吐出速度V1で吐出する。次に、基板1の回転数を第1の
回転数N1に維持しながら、塗布液3を第2の吐出速度V2で吐出する。次に、基板1の回
転数を第2の回転数N2に減速させ、その減速途中で塗布液3の吐出速度を第3の吐出速
度V3に低下させる。そして、基板1を第2の回転数N2で回転させている途中で、第3の
吐出速度V3による吐出を終了する。図21の処理によれば、図20の処理と同様に、塗
布液3の吐出状態を改善することができる。
FIG. 21 shows a modification of FIG. In FIG. 21, first, the coating liquid 3 is discharged at the first discharge speed V 1 while rotating the substrate 1 at the first rotation speed N 1 . Next, the coating liquid 3 is discharged at the second discharge speed V 2 while maintaining the rotation speed of the substrate 1 at the first rotation speed N 1 . Next, the rotation speed of the substrate 1 is decelerated to the second rotation speed N 2, and the discharge speed of the coating liquid 3 is decreased to the third discharge speed V 3 during the deceleration. Then, while the substrate 1 is being rotated at the second rotation speed N 2 , the discharge at the third discharge speed V 3 is finished. According to the process of FIG. 21, the discharge state of the coating liquid 3 can be improved similarly to the process of FIG.

なお、図20や図21における第3の吐出速度V3の吐出は、図5〜図19のいずれか
の第2の吐出速度V2の吐出の後に続けて行ってもよい。すなわち、図20や図21の処
理は、図5〜図19の処理と組み合わせて実行してもよい。
Note that the discharge at the third discharge speed V 3 in FIGS. 20 and 21 may be performed after the discharge at the second discharge speed V 2 in any of FIGS. That is, the processes of FIGS. 20 and 21 may be executed in combination with the processes of FIGS.

また、図20や図21の処理のように、吐出終了時に低い吐出速度で少量の塗布液3を
吐出して吐出状態を改善する手法は、回転塗布方法に限らず、他の塗布方法でも使用する
ことができる。また、この手法は、プリウェット液2を使用しない場合にも適用すること
ができる。プリウェット液2を使用しない場合には、プリウェット液2を使用する場合に
比べて塗布液3の使用量が増大するものの、第2実施形態の吐出速度制御の効果により、
膜厚の面内均一性の良好な塗布膜4を形成することができる。
Further, as in the process of FIG. 20 and FIG. 21, a method for improving the discharge state by discharging a small amount of the coating liquid 3 at a low discharge speed at the end of discharge is not limited to the spin coating method, and is also used in other coating methods. can do. This technique can also be applied when the pre-wet liquid 2 is not used. When the pre-wet liquid 2 is not used, the use amount of the coating liquid 3 is increased as compared with the case where the pre-wet liquid 2 is used, but due to the effect of the discharge speed control of the second embodiment,
The coating film 4 with good in-plane uniformity of film thickness can be formed.

また、図20や図21の処理では、2段階の吐出速度V1、V2で塗布液3の吐出を行っ
た後に、吐出状態の改善のための吐出を行っているが、代わりに、3段階以上の吐出速度
で塗布液3の吐出を行った後に、吐出状態の改善のための吐出を行ってもよい。別言する
と、吐出状態の改善のための吐出の前には、吐出速度を何回変更してもよい。
20 and 21, after the application liquid 3 is discharged at the two discharge speeds V 1 and V 2 , the discharge for improving the discharge state is performed. After discharging the coating liquid 3 at a discharge speed that is higher than the level, discharging for improving the discharging state may be performed. In other words, the discharge speed may be changed any number of times before the discharge for improving the discharge state.

さらに、吐出速度V3で塗布液3の吐出を行う前後または途中において、基板1の回転
速度を変更する工程を追加してもよい。
Further, a step of changing the rotation speed of the substrate 1 may be added before, during or after the discharge of the coating liquid 3 at the discharge speed V 3 .

なお、図6〜図21の処理は、第2実施形態の回転塗布方法の一例に過ぎず、第2実施
形態の回転塗布方法は例えば、図6〜図21の処理を組み合わせて実行してもよいし、図
6〜図21の処理とは別の形で実行してもよい。
6 to 21 is only an example of the spin coating method of the second embodiment, and the spin coating method of the second embodiment may be executed by combining the processes of FIG. 6 to FIG. 21, for example. Alternatively, it may be executed in a form different from the processes of FIGS.

第2実施形態のように、基板1の回転数と塗布液3の吐出速度を変えながら塗布処理を
行うためには、精密な回転数制御や吐出制御を行うことが望まれる。例えば、塗布液3と
してフォトレジストを使用する場合、現状では滴下量を0.5ml以下に設定することが
求められることがある。そのため、このような状況下でも第2実施形態の塗布処理を実行
可能な精密な制御が望まれる。
In order to perform the coating process while changing the rotation speed of the substrate 1 and the discharge speed of the coating liquid 3 as in the second embodiment, it is desirable to perform precise rotation speed control and discharge control. For example, when a photoresist is used as the coating solution 3, it may be required to set the dripping amount to 0.5 ml or less at present. Therefore, precise control capable of executing the coating process of the second embodiment is desired even under such circumstances.

例えば、図6の塗布処理において、第1の吐出量M1を0.4ml、第2の吐出量M2
0.1mlに設定することを想定する(M1+M2=0.5ml)。この場合、第1の吐出
速度V1を0.5ml/sとすると、時間T1は0.8sである。また、第2の吐出速度V
2を1ml/sとすると、時間T2は0.1sである。ここで、第2の吐出速度V2を2m
l/sに上げると、時間T2は0.05sに短縮される。このように、第2の吐出速度V2
を上げると、時間T2を短くする必要が生じ、より精密な制御が要求されることとなる。
この問題への対応策については後述する。
For example, in the coating process of FIG. 6, it is assumed that the first discharge amount M 1 is set to 0.4 ml and the second discharge amount M 2 is set to 0.1 ml (M 1 + M 2 = 0.5 ml). In this case, when the first discharge speed V 1 is 0.5 ml / s, the time T 1 is 0.8 s. The second discharge speed V
When 2 is 1 ml / s, the time T 2 is 0.1 s. Here, the second discharge speed V 2 is set to 2 m
When it is increased to 1 / s, the time T 2 is shortened to 0.05 s. Thus, the second discharge speed V 2
If the value is increased, the time T 2 needs to be shortened, and more precise control is required.
A countermeasure for this problem will be described later.

2)第2実施形態の回転塗布方法の具体例
図22は、第2実施形態の回転塗布方法の具体例を説明するための表である。図22は
、第2実施形態の回転塗布方法のレシピの一例を示している。以下、このレシピで上述の
回転塗布装置を動作させた場合について説明する。なお、このレシピに関する実験におい
ては、粘度が1mPa・sの塗布液3を使用した。
2) Specific Example of Spin Coating Method of Second Embodiment FIG. 22 is a table for explaining a specific example of the spin coating method of the second embodiment. FIG. 22 shows an example of a recipe for the spin coating method of the second embodiment. Hereinafter, the case where the above-mentioned spin coater is operated with this recipe will be described. In the experiment relating to this recipe, the coating solution 3 having a viscosity of 1 mPa · s was used.

まず、プリウェット液供給部11により、ウエハ1の中央部にプリウェット液2を滴下
量Mpだけ滴下する(ステップS1)。滴下量Mpは、例えば3mlである。
First, the pre-wet liquid supply unit 11 drops the pre-wet liquid 2 on the central portion of the wafer 1 by the dropping amount M p (step S1). The dripping amount M p is, for example, 3 ml.

次に、モータ15によりウエハ1を回転数Npで回転させて、ウエハ1の表面にプリウ
ェット液を広げる(ステップS2)。回転数Npは、例えば1000〜4000rpmで
あり、回転時間Tp2は、例えば0.1〜3s(望ましくは0.5s以上)である。
Then, by rotating the wafer 1 at a rotational speed N p by a motor 15, extending the pre-wet liquid to the surface of the wafer 1 (step S2). The rotation speed N p is, for example, 1000 to 4000 rpm, and the rotation time T p2 is, for example, 0.1 to 3 s (desirably 0.5 s or more).

次に、モータ15によりウエハ1を第1の回転数N1で回転させながら、塗布液供給部
12によりウエハ1の中心部に塗布液3を第1の滴下量M1だけ滴下することで、ウエハ
1の表面に塗布液3を広げる(ステップS3)。
Next, while the wafer 1 is rotated at the first rotation speed N 1 by the motor 15, the coating liquid 3 is dropped by the first dropping amount M 1 onto the center of the wafer 1 by the coating liquid supply unit 12. The coating liquid 3 is spread on the surface of the wafer 1 (step S3).

ここで、第1の回転数N1は、第1の滴下量M1の塗布液3が空気抵抗によりウエハ1全
体に均一に広がらない回転数に設定してもよい。例えば、ウエハ1の直径が300mmで
ある場合には、第1の回転数N1は2500〜4000rpmに設定される。塗布液3よ
り先に滴下されたプリウェット液2は、粘性が低いため、空気抵抗の影響を受けにくい。
そのため、塗布液3が空気抵抗により基板1上を流れなくなっても、プリウェット液2は
基板1上を流れて基板1の外周部まで到達することが可能である。なお、第1の回転数N
1は、2500rpmより低くして、塗布液3が空気抵抗を受けにくいようにしてもよい
Here, the first rotation speed N 1 may be set to a rotation speed at which the first dropping amount M 1 of the coating liquid 3 does not spread uniformly over the entire wafer 1 due to air resistance. For example, when the diameter of the wafer 1 is 300 mm, the first rotation speed N 1 is set to 2500 to 4000 rpm. Since the pre-wet liquid 2 dropped before the coating liquid 3 has low viscosity, it is not easily affected by air resistance.
Therefore, even if the coating liquid 3 does not flow on the substrate 1 due to air resistance, the pre-wet liquid 2 can flow on the substrate 1 and reach the outer peripheral portion of the substrate 1. The first rotation speed N
1 may be lower than 2500 rpm so that the coating liquid 3 is not easily subjected to air resistance.

第1の滴下量M1は、例えば0.3ml程度である。また、ステップS3では、塗布液
3を第1の吐出速度V1で吐出すると共に、この第1の吐出速度V1を0.2〜0.8ml
/sに設定する。この結果、第1の吐出速度V1による吐出時間は、0.375〜1.5
sとなる。この場合、回転時間T1は、この吐出時間に合わせて設定するが、吐出時間に
完全に一致させる必要はなく、吐出開始や吐出終了のタイミングが回転開始や回転終了の
タイミングと一致しなくてもよい。
The first drop amount M 1 is, for example, about 0.3 ml. In step S3, while discharging the coating liquid 3 in the first discharge speed V 1, the discharge speed V 1 of the the first 0.2~0.8Ml
Set to / s. As a result, the discharge time at the first discharge speed V 1 is 0.375 to 1.5.
s. In this case, the rotation time T 1 is set in accordance with the discharge time, but it is not necessary to completely match the discharge time, and the discharge start and discharge end timings do not match the rotation start and rotation end timings. Also good.

次に、モータ15によりウエハ1を第1の回転数N2より小さい第2の回転数N2で回転
させながら、塗布液供給部12によりウエハ1の中心部に塗布液3を第2の滴下量M2
け滴下することで、ウエハ1の表面に塗布液3をさらに広げる(ステップS4)。
Next, the coating liquid 3 is applied to the central portion of the wafer 1 by the coating liquid supply unit 12 while the wafer 1 is rotated by the motor 15 at a second rotational speed N 2 smaller than the first rotational speed N 2. By dropping the amount M 2 , the coating liquid 3 is further spread on the surface of the wafer 1 (step S4).

第1の滴下量M1の塗布液3の滴下と、第2の滴下量M2の塗布液3の滴下は、連続して
実施してもよい。また、第2の滴下量M2は、第1の滴下量M1よりも少なくてよく、例え
ば0.1ml程度に設定される。この場合、塗布液3の全滴下量M1+M2は、0.4ml
程度となる。また、第2の回転数N2は、例えば2000〜3000rpmに設定され、
第1の回転数N1よりも小さい値に設定される。
The dropping of the first dropping amount M 1 of the coating liquid 3 and the dropping of the second dropping amount M 2 of the coating liquid 3 may be performed continuously. Further, the second drop amount M 2 may be smaller than the first drop amount M 1 , and is set to about 0.1 ml, for example. In this case, the total dripping amount M 1 + M 2 of the coating liquid 3 is 0.4 ml.
It will be about. Further, the second rotation speed N 2 is set to 2000 to 3000 rpm, for example.
A value smaller than the first rotation speed N 1 is set.

ステップS4では、塗布液3を第2の吐出速度V2で吐出すると共に、この第2の吐出
速度V2を1.0〜2.5ml/sに設定する。この結果、第2の吐出速度V2による吐出
時間は、0.04〜0.1sとなる。この場合、回転時間T2は、この吐出時間に合わせ
て設定するが、吐出時間に完全に一致させる必要はなく、吐出開始や吐出終了のタイミン
グが回転開始や回転終了のタイミングと一致しなくてもよい。
In step S4, while discharging the coating liquid 3 in the second discharge speed V 2, setting this second discharge speed V 2 in 1.0~2.5ml / s. As a result, the discharge time by the second discharge speed V 2 becomes 0.04~0.1S. In this case, the rotation time T 2 is set according to the discharge time, but it is not necessary to completely match the discharge time, and the discharge start and discharge end timings do not match the rotation start and rotation end timings. Also good.

次に、モータ15により膜厚決定回転数N4でウエハ1を回転させる(ステップS5)
。これにより、ウエハ1上に塗布された塗布膜3の膜厚が所望値に制御される。回転数N
4は、例えば1900rpmであり、回転時間T4は、例えば15sである。
Next, the wafer 1 is rotated by the motor 15 at the film thickness determination rotation speed N 4 (step S5).
. Thereby, the film thickness of the coating film 3 coated on the wafer 1 is controlled to a desired value. Rotational speed N
For example, 4 is 1900 rpm, and the rotation time T 4 is 15 s, for example.

その後、本レシピでは、シンナーにより塗布液3のエッジカットと裏面洗浄を行う。さ
らに、ウエハ1をホットプレートに自動搬送し、ウエハ1をホットプレートによりベーク
して、塗布液3の溶媒を蒸発させる。さらに、ベーク後のウエハ1を冷却する。こうして
、塗布液3から塗布膜4が形成される。
Thereafter, in this recipe, edge cutting and back surface cleaning of the coating liquid 3 are performed by a thinner. Further, the wafer 1 is automatically conveyed to a hot plate, and the wafer 1 is baked by the hot plate to evaporate the solvent of the coating liquid 3. Further, the baked wafer 1 is cooled. Thus, the coating film 4 is formed from the coating solution 3.

本レシピで塗布された塗布液3を観測し、その膜厚を測定したところ、塗布むらは観測
されず、膜厚の面内均一性も良好であった。
When the coating solution 3 applied in this recipe was observed and its film thickness was measured, coating unevenness was not observed and the in-plane uniformity of the film thickness was also good.

図23は、第2実施形態の回転塗布方法の別の具体例を説明するための表である。図2
3は、図22と同様に、第2実施形態の回転塗布方法のレシピの一例を示している。
FIG. 23 is a table for explaining another specific example of the spin coating method of the second embodiment. FIG.
3 shows an example of the recipe of the spin coating method of the second embodiment, as in FIG.

まず、ウエハ1にプリウェット液2を滴下量Mpだけ滴下する(ステップS1)。滴下
量Mpは、例えば3mlである。次に、ウエハ1を回転数Npで回転させて、ウエハ1の表
面にプリウェット液を広げる(ステップS2)。回転数Npは、例えば1000〜400
0rpmであり、回転時間Tp2は、例えば0.1〜3sである。
First, the prewetting liquid 2 is dropped on the wafer 1 by the dropping amount M p (step S1). The dripping amount M p is, for example, 3 ml. Then, the wafer 1 is rotated at a rotational speed N p, spread the pre-wet liquid to the surface of the wafer 1 (step S2). The rotation speed N p is, for example, 1000 to 400.
The rotation time T p2 is, for example, 0.1 to 3 s.

次に、ウエハ1を第1の回転数N1で回転させながら、ウエハ1に塗布液3を第1の滴
下量M1だけ滴下することで、ウエハ1の表面に塗布液3を広げる(ステップS3)。第
1の回転数N1は、例えば2500〜4000rpmであり、第1の滴下量M1は、例えば
0.3ml程度である。また、ステップS3では、塗布液3を第1の吐出速度V1で吐出
すると共に、この第1の吐出速度V1を0.2〜0.8ml/sに設定する。
Next, the coating liquid 3 is spread on the surface of the wafer 1 by dropping the coating liquid 3 onto the wafer 1 by the first dropping amount M 1 while rotating the wafer 1 at the first rotation speed N 1 (step S1). S3). The first rotation speed N 1 is, for example, 2500 to 4000 rpm, and the first drop amount M 1 is, for example, about 0.3 ml. In step S3, while discharging the coating liquid 3 in the first discharge speed V 1, to set the discharge speed V 1 of the first to 0.2~0.8ml / s.

次に、ウエハ1を第1の回転数N2より小さい第2の回転数N2で回転させながら、ウエ
ハ1に塗布液3を第2の滴下量M2だけ滴下することで、ウエハ1の表面に塗布液3をさ
らに広げる(ステップS4)。第2の回転数N2は、例えば2000〜3000rpmで
あり、第2の滴下量M2は、例えば0.1ml程度である。また、ステップS4では、塗
布液3を第2の吐出速度V2で吐出すると共に、この第2の吐出速度V2を1.0〜2.5
ml/sに設定する。
Next, while rotating the wafer 1 at the first rotation speed N 2 is less than the second rotational speed N 2, the wafer 1 to the coating liquid 3 by dropwise by a second drop amount M 2, the wafer 1 The coating liquid 3 is further spread on the surface (step S4). The second rotational speed N 2 is, for example, 2000 to 3000 rpm, and the second dropping amount M 2 is, for example, about 0.1 ml. In step S4, while discharging the coating liquid 3 in the second discharge speed V 2, the second discharge speed V 2 1.0 to 2.5
Set to ml / s.

次に、ウエハ1を回転数N3で回転させてリフロー処理を行なう(ステップS5)。こ
のリフロー処理により、ウエハ1上に塗布された塗布液3の膜厚均一性が向上する。回転
数N3は、例えば100rpmであり、回転時間T3は、例えば1sである。
Then, the wafer 1 is rotated at a rotational speed N 3 performing a reflow process (step S5). By this reflow process, the film thickness uniformity of the coating liquid 3 applied on the wafer 1 is improved. The rotation speed N 3 is, for example, 100 rpm, and the rotation time T 3 is, for example, 1 s.

次に、膜厚決定回転数N4でウエハ1を回転させる(ステップS6)。これにより、ウ
エハ1上に塗布された塗布膜3の膜厚が所望値に制御される。回転数N4は、例えば19
00rpmであり、回転時間T4は、例えば15sである。
Next, the wafer 1 is rotated at the film thickness determination rotation speed N 4 (step S6). Thereby, the film thickness of the coating film 3 coated on the wafer 1 is controlled to a desired value. The rotation speed N 4 is, for example, 19
The rotation time T 4 is, for example, 15 s.

その後、本レシピでは、塗布液3のエッジカット、裏面洗浄、ウエハ1のベーク、ウエ
ハ1の冷却を行う。こうして、塗布液3から塗布膜4が形成される。
Thereafter, in this recipe, edge cutting of the coating liquid 3, back surface cleaning, baking of the wafer 1, and cooling of the wafer 1 are performed. Thus, the coating film 4 is formed from the coating solution 3.

本レシピで塗布された塗布液3を観測し、その膜厚を測定したところ、塗布むらは観測
されず、膜厚の面内均一性も良好であった。
When the coating solution 3 applied in this recipe was observed and its film thickness was measured, coating unevenness was not observed and the in-plane uniformity of the film thickness was also good.

図24は、第2実施形態の回転塗布方法を実施した際の実験結果を示した表である。具
体的には、図24は、図22のレシピにより様々な塗布量M1+M2で塗布膜3を塗布した
際の、塗布むらの観測結果と、膜厚均一性の測定結果を示している。
FIG. 24 is a table showing experimental results when the spin coating method of the second embodiment is performed. Specifically, FIG. 24 shows observation results of coating unevenness and measurement results of film thickness uniformity when the coating film 3 is applied with various coating amounts M 1 + M 2 by the recipe of FIG. .

図24に示す結果によれば、膜厚均一性はM1+M2=0.30mlでも良好だが、塗布
むらがM1+M2=0.30mlにて発生した。この結果から、塗布量M1+M2を0.32
ml以上に設定すれば、塗布むらの発生を抑制しつつ、膜厚均一性の良好な塗布膜3が得
られることが分かった。
According to the results shown in FIG. 24, the film thickness uniformity was good even at M 1 + M 2 = 0.30 ml, but coating unevenness occurred at M 1 + M 2 = 0.30 ml. From this result, the coating amount M 1 + M 2 is 0.32
It was found that when the amount was set to ml or more, the coating film 3 having good film thickness uniformity was obtained while suppressing the occurrence of coating unevenness.

一方、プリウェット液2を使用せずに、M1+M2=0.40mlとして図22や図23
のレシピや第2実施形態のその他の方法で塗布膜3を塗布したところ、どのような方法を
採用しても、塗布むらが生じ、ウエハ1の外周部に塗布膜3が塗られない場所が残った。
On the other hand, without using the prewetting liquid 2, M 1 + M 2 = 0.40 ml is set as shown in FIGS.
When the coating film 3 is applied by the above-described recipe or the other method of the second embodiment, no matter what method is adopted, uneven coating occurs, and there is a place where the coating film 3 is not applied to the outer peripheral portion of the wafer 1. The remaining.

ここで、図22のレシピに対し、吐出状態の改善のための第3の吐出速度V3の吐出を
適用した場合の実験結果について説明する。
Here, an experimental result in the case where the discharge at the third discharge speed V 3 for improving the discharge state is applied to the recipe of FIG. 22 will be described.

図22のレシピで第2の吐出速度V2の吐出を行った後に、塗布液ノズル12cの状態
観測を行ったところ、第1の吐出速度V1と第2の吐出速度V2との差が大きくなるに従っ
て、吐出終了と同時にノズル12c中に空気が吸い込まれながら塗布液3が逆流する現象
が見られた。この現象が顕著になると、配管中に気泡が取り込まれ、塗布不良等の問題が
発生する。
After the discharge of the discharge speed V 2 recipes of the second 22 was subjected to the state observer of the coating solution nozzle 12c, the difference between the first discharge speed V 1 and the second discharge speed V 2 As the size increased, a phenomenon was observed in which the coating liquid 3 flows backward while air was sucked into the nozzle 12c at the same time as the end of discharge. When this phenomenon becomes remarkable, bubbles are taken into the pipe, and problems such as poor coating occur.

そこで、図22のレシピにより第1、第2の吐出速度V1、V2で塗布液3を吐出した後
に、第3の吐出速度V3で塗布液3を吐出量M3だけ吐出した。V3の値は、V1以上でかつ
2未満の値とした。例えば、V3を0.25〜1.0ml/sに設定し、M3を0.01
〜0.02mlに設定したところ、ノズル12cの吐出状態が改善された。
Therefore, first the recipe of FIG. 22, after discharging the coating liquid 3 in the second discharge speed V 1, V 2, discharging the coating liquid 3 by ejection amount M 3 in the third discharge velocity V 3. The value of V 3 was set to a value of V 1 or more and less than V 2 . For example, V 3 is set to 0.25 to 1.0 ml / s, and M 3 is set to 0.01.
When set to ˜0.02 ml, the discharge state of the nozzle 12c was improved.

なお、第3の吐出速度V3での塗布液3の吐出量は、0.1ml以下(例えば0.01
〜0.20ml)の少量で十分であり、その吐出時間は0.1s以下(例えば0.01〜
0.02s)に設定されることが多いと考えられる。そのため、本実施形態の塗布液供給
部12は、塗布液3の吐出量を0.1ml以下の単位(例えば0.01ml単位や、それ
以下の単位)で制御でき、かつ、塗布液3の吐出時間を0.1s以下の単位(例えば0.
01s単位や、それ以下の単位)で制御できるよう構成することが望ましい。このような
構成は例えば、ノズル12cの径を小径化することや、吐出制御装置12eを高性能化す
ることで実現可能である。同様に、モータ15の回転時間は、0.1s以下の単位(例え
ば0.01s単位や、それ以下の単位)で制御できるよう構成することが望ましい。
The discharge amount of the coating liquid 3 at the third discharge speed V 3 is 0.1 ml or less (for example, 0.01
˜0.20 ml) is sufficient, and the discharge time is 0.1 s or less (for example, 0.01 to
0.02s) is often set. Therefore, the coating liquid supply unit 12 of the present embodiment can control the discharge amount of the coating liquid 3 in units of 0.1 ml or less (for example, 0.01 ml unit or less), and discharge the coating liquid 3. Time is a unit of 0.1 s or less (for example, 0.
It is desirable to be able to control in units of 01s or less). Such a configuration can be realized, for example, by reducing the diameter of the nozzle 12c or improving the performance of the discharge control device 12e. Similarly, it is desirable that the rotation time of the motor 15 be controlled in units of 0.1 s or less (for example, units of 0.01 s or less).

本実施形態では、このような構成により、塗布液3をそれぞれ第1〜第3の吐出速度V
1〜V3で吐出する第1〜第3の吐出時間を0.1s以下とすることや、塗布液3をそれぞ
れ第1〜第3の吐出速度V1〜V3で吐出する間の塗布液3の第1〜第3の吐出量を0.1
ml以下とすることが可能となる。本実施形態では、第1〜第3の吐出時間の内のいずれ
か1つだけを0.1s以下としてもよいし、2つ以上を0.1s以下としてもよい。同様
に、本実施形態では、第1〜第3の吐出量の内のいずれか1つだけを0.1ml以下とし
てもよいし、2つ以上を0.1ml以下としてよい。
In the present embodiment, with such a configuration, the coating liquid 3 is supplied to the first to third discharge speeds V, respectively.
The 1st- 3rd discharge time discharged by 1- V3 shall be 0.1 s or less, and the coating liquid during discharge of the coating liquid 3 by 1st- 3rd discharge speed V1-V3, respectively. The first to third discharge amount of 3 is 0.1
It becomes possible to make it below ml. In the present embodiment, only one of the first to third ejection times may be 0.1 s or less, and two or more may be 0.1 s or less. Similarly, in the present embodiment, only one of the first to third discharge amounts may be 0.1 ml or less, and two or more may be 0.1 ml or less.

なお、塗布液供給部12やモータ15をこのような構成とすることは、第3の吐出速度
3による吐出の精度を向上させるだけでなく、第1、第2の吐出速度V1、V2の切り替
えの精度も向上させることとなる。
Note that such a configuration of the coating liquid supply unit 12 and the motor 15 not only improves the accuracy of ejection at the third ejection speed V 3 , but also includes the first and second ejection speeds V 1 and V 1 . The accuracy of the switching between 2 will also be improved.

以上のように、本実施形態では、基板1を第1の回転数N1で回転させながら塗布液3
を滴下するときに、塗布液3を第1の吐出速度V1で基板1に吐出する。また、本実施形
態では、基板1を回転数N1よりも小さい第2の回転数N2で回転させながら塗布液3を滴
下するときに、塗布液3を第1の吐出速度V1よりも速い第2の吐出速度V2で基板1に吐
出する。これにより、本実施形態によれば、塗布液3の滴下量を削減しつつ、より広範囲
に塗布膜4を形成することが可能となる。さらには、本実施形態によれば、塗布液3の膜
厚の面内均一性を、第1実施形態の場合よりもさらに向上させることが可能となる。
As described above, in this embodiment, the coating liquid 3 is rotated while the substrate 1 is rotated at the first rotation speed N 1.
Is dropped onto the substrate 1 at the first discharge speed V 1 . Further, in the present embodiment, when the coating liquid 3 is dropped while rotating the substrate 1 at the second rotational speed N 2 smaller than the rotational speed N 1 , the coating liquid 3 is made faster than the first discharge speed V 1. discharging the substrate 1 at a faster second discharge speed V 2. Thereby, according to this embodiment, it becomes possible to form the coating film 4 in a wider range, while reducing the dripping amount of the coating liquid 3. Furthermore, according to the present embodiment, the in-plane uniformity of the film thickness of the coating liquid 3 can be further improved as compared with the case of the first embodiment.

以上、第1及び第2実施形態について説明したが、これらの実施形態は、例として提示
したものであり、発明の範囲を限定することを意図したものではない。これらの実施形態
は、その他の様々な形態で実施することができる。また、これらの実施形態に対し、発明
の要旨を逸脱しない範囲内で、種々の省略、置換、変更を行うことにより、様々な変形例
を得ることもできる。これらの形態や変形例は、発明の範囲や要旨に含まれており、特許
請求の範囲及びこれに均等な範囲には、これらの形態や変形例が含まれる。
Although the first and second embodiments have been described above, these embodiments are presented as examples and are not intended to limit the scope of the invention. These embodiments can be implemented in various other forms. Moreover, various modifications can be obtained by making various omissions, substitutions, and changes to these embodiments without departing from the scope of the invention. These forms and modifications are included in the scope and gist of the invention, and these forms and modifications are included in the claims and the scope equivalent thereto.

例えば、これらの実施形態によれば、プリウェットを行わない場合でも、吐出速度を変
更することで、塗布液3の使用量を減らすことができる。また、これらの実施形態では、
プリウェットを行わない場合において、塗布液3の端部が盛り上がらないようにしてもよ
いし、第1の滴下量M1の吐出によって基板1の端部まで塗布液3が到達するようにして
もよい。
For example, according to these embodiments, even when pre-wetting is not performed, the usage amount of the coating liquid 3 can be reduced by changing the discharge speed. In these embodiments,
When the pre-wetting is not performed, the end of the coating liquid 3 may not be raised, or the coating liquid 3 may reach the end of the substrate 1 by discharging the first drop amount M 1. Good.

1:基板(ウエハ)、2:プリウェット液、3:塗布液、4:塗布膜、
11:プリウェット液供給部、12:塗布液供給部、13:保持部、14:回転軸、
15:モータ、16:真空ライン、17:吸引源、18:制御部
1: substrate (wafer), 2: pre-wet liquid, 3: coating liquid, 4: coating film,
11: Pre-wet liquid supply part, 12: Coating liquid supply part, 13: Holding part, 14: Rotating shaft,
15: Motor, 16: Vacuum line, 17: Suction source, 18: Control unit

Claims (6)

基板にプリウェット液を滴下するプリウェット液供給部と、
前記基板に塗布液を滴下する塗布液供給部と、
前記基板を回転させるモータと、
前記プリウェット液供給部、前記塗布液供給部、および前記モータの動作を制御する制
御部とを備え、
前記制御部は、
前記プリウェット液供給部により前記基板に前記プリウェット液を滴下して、前記モー
タにより前記基板を回転させることで、前記基板の表面に前記プリウェット液を広げ、
前記基板の表面に前記プリウェット液を広げた後、前記モータにより前記基板を第1の
回転数(rpm)で回転させながら、前記塗布液供給部により前記基板に前記塗布液を第
1の吐出速度で第1の滴下量だけ滴下することで、前記基板の端部よりも内側の位置まで
前記塗布液を広げ、
前記塗布液を前記第1の滴下量だけ滴下した後、前記モータにより前記基板を前記第1
の回転数よりも小さい第2の回転数(rpm)で回転させながら、前記塗布液供給部によ
り前記基板に前記塗布液を前記第1の吐出速度よりも速い第2の吐出速度で第2の滴下量
だけ滴下することで、前記基板の端部または端部近傍まで前記塗布液を広げ、
前記塗布液を前記第2の吐出速度で吐出した後、前記塗布液供給部により前記塗布液を
前記第2の吐出速度よりも遅い第3の吐出速度で、前記第1の滴下量と前記第2の滴下量
の和よりも少ない第3の滴下量だけ前記基板に吐出し、
前記塗布液供給部は、前記塗布液をそれぞれ前記第1および第2の吐出速度で吐出する
第1および第2の吐出時間の内、第2の吐出時間を、0.1秒以下とし、
前記塗布液供給部は、前記第1および第2の滴下量の内、第2の滴下量を、0.1ml
以下とし、
前記塗布液を前記第3の吐出速度で吐出した後、前記モータにより前記基板を前記第2
の回転数から、前記第1の回転数よりも小さく、かつ前記第2の回転数より大きい第3の
回転数(rpm)まで加速し、所定期間前記第3の回転数で回転させ、
前記モータにより前記基板を前記第1の回転数から前記第2の回転数へと減速する過程
で、前記第1の吐出速度から前記第2の吐出速度へと吐出速度を変更し、
前記モータにより前記基板を前記第1の回転数から前記第2の回転数への減速が完了し
た後に、前記第2の吐出速度から前記第3の吐出速度へと吐出速度を変更する、
回転塗布装置。
A pre-wet liquid supply unit for dripping the pre-wet liquid onto the substrate;
A coating solution supply unit for dropping the coating solution on the substrate;
A motor for rotating the substrate;
The pre-wet liquid supply unit, the coating liquid supply unit, and a control unit that controls the operation of the motor,
The controller is
The pre-wet liquid is dropped on the substrate by the pre-wet liquid supply unit, and the substrate is rotated by the motor to spread the pre-wet liquid on the surface of the substrate,
After spreading the pre-wet liquid on the surface of the substrate, the coating liquid is first discharged onto the substrate by the coating liquid supply unit while rotating the substrate at a first rotation speed (rpm) by the motor. By dropping only the first dropping amount at a speed, the coating liquid is spread to a position inside the end of the substrate,
After dripping the coating liquid by the first dripping amount, the substrate is moved to the first by the motor.
The coating liquid is supplied to the substrate by the coating liquid supply unit at a second discharge speed higher than the first discharge speed while rotating at a second rotation speed (rpm) smaller than the second rotation speed. By dripping only the dripping amount, the coating liquid is spread to the end of the substrate or near the end,
After the coating liquid is discharged at the second discharge speed, the coating liquid is supplied by the coating liquid supply unit at a third discharge speed slower than the second discharge speed, and the first drop amount and the first A third drop amount smaller than the sum of the drop amounts of 2 is discharged onto the substrate;
The coating liquid supply unit sets the second discharge time to 0.1 second or less among the first and second discharge times for discharging the coating liquid at the first and second discharge speeds, respectively.
Of the first and second dripping amounts, the coating liquid supply unit has a second dripping amount of 0.1 ml.
Below and then,
After the coating liquid is discharged at the third discharge speed, the substrate is moved to the second position by the motor.
The third rotation number is smaller than the first rotation number and larger than the second rotation number.
Accelerate to the rotation speed (rpm), rotate at the third rotation speed for a predetermined period,
Process of decelerating the substrate from the first rotational speed to the second rotational speed by the motor
And changing the discharge speed from the first discharge speed to the second discharge speed,
The motor completes deceleration of the substrate from the first rotational speed to the second rotational speed.
And changing the discharge speed from the second discharge speed to the third discharge speed ,
Spin coating device.
基板に塗布液を滴下する塗布液供給部と、
前記基板を回転させるモータと、
前記塗布液供給部および前記モータの動作を制御する制御部とを備え、
前記制御部は、
前記モータにより前記基板を第1の回転数(rpm)で回転させながら、前記塗布液供
給部により前記基板に前記塗布液を第1の吐出速度で第1の滴下量だけ滴下し、
前記塗布液を前記第1の滴下量だけ滴下した後、前記モータにより前記基板を前記第1
の回転数よりも小さい第2の回転数(rpm)で回転させながら、前記塗布液供給部によ
り前記基板に前記塗布液を前記第1の吐出速度よりも速い第2の吐出速度で第2の滴下量
だけ滴下し、
前記塗布液を前記第2の吐出速度で吐出した後、前記塗布液供給部により前記塗布液を
前記第2の吐出速度よりも遅い第3の吐出速度で、前記第1の滴下量と前記第2の滴下量
の和よりも少ない第3の滴下量だけ前記基板に吐出し、
前記塗布液を前記第3の吐出速度で吐出した後、前記モータにより前記基板を前記第2
の回転数から、前記第1の回転数よりも小さく、かつ前記第2の回転数より大きい第3の
回転数(rpm)まで加速し、所定期間前記第3の回転数で回転する、
回転塗布装置。
A coating solution supply unit for dropping the coating solution on the substrate;
A motor for rotating the substrate;
A control unit for controlling the operation of the coating liquid supply unit and the motor,
The controller is
While rotating the substrate at a first rotation speed (rpm) by the motor, the coating liquid supply unit drops the coating liquid onto the substrate by a first discharge rate by a first dropping amount,
After dripping the coating liquid by the first dripping amount, the substrate is moved to the first by the motor.
The coating liquid is supplied to the substrate by the coating liquid supply unit at a second discharge speed higher than the first discharge speed while rotating at a second rotation speed (rpm) smaller than the second rotation speed. Drip as much as the drop amount,
After the coating liquid is discharged at the second discharge speed, the coating liquid is supplied by the coating liquid supply unit at a third discharge speed slower than the second discharge speed, and the first drop amount and the first only the third drop amount less than the sum of the second dropping amount discharged to the substrate,
After the coating liquid is discharged at the third discharge speed, the substrate is moved to the second position by the motor.
The third rotation number is smaller than the first rotation number and larger than the second rotation number.
Accelerates to a rotational speed (rpm) and rotates at the third rotational speed for a predetermined period of time ,
Spin coating device.
前記基板を前記第2の回転数で回転させながら前記塗布液を滴下するときに、前記塗布
液を前記第1の吐出速度で吐出した後、前記塗布液供給部により吐出速度を前記第1の吐
出速度から前記第2の吐出速度へと吐出を止めずに吐出速度を変更する、
請求項2に記載の回転塗布装置。
When the coating liquid is dropped while rotating the substrate at the second rotational speed, the coating liquid is ejected at the first ejection speed, and then the ejection speed is set by the coating liquid supply unit. Changing the discharge speed without stopping the discharge from the discharge speed to the second discharge speed;
The spin coater according to claim 2.
前記モータにより前記基板を前記第1の回転数で回転させながら、前記塗布液供給部に
より前記基板に前記塗布液を前記第1の滴下量だけ滴下することで、前記基板の端部より
も内側の位置まで前記塗布液を広げ、
前記塗布液を前記第1の滴下量だけ滴下した後、前記モータにより前記基板を前記第2
の回転数で回転させながら、前記塗布液供給部により前記基板に前記塗布液を前記第2の
滴下量だけ滴下することで、前記基板の端部または端部近傍まで前記塗布液を広げる、
請求項2または3に記載の回転塗布装置。
While the substrate is rotated at the first rotation speed by the motor, the coating liquid is dropped onto the substrate by the first dropping amount by the coating liquid supply unit, thereby being located inside the end portion of the substrate. Spread the coating solution to the position of
After the coating solution is dropped by the first dropping amount, the substrate is moved to the second by the motor.
The coating liquid is spread to the end of the substrate or near the end by dropping the coating liquid onto the substrate by the second dropping amount while rotating at the number of rotations.
The spin coater according to claim 2 or 3.
前記第1の回転数は、前記基板の端部よりも内側の位置まで広がった前記塗布液の端部
に、盛り上がりが生じる回転数である、請求項4に記載の回転塗布装置。
5. The spin coater according to claim 4, wherein the first number of rotations is a number of rotations at which swell occurs at an end of the coating liquid that has spread to a position inside the end of the substrate.
さらに、前記基板にプリウェット液を滴下するプリウェット液供給部を備え、
前記制御部は、前記プリウェット液供給部、前記塗布液供給部、および前記モータの動
作を制御し、
前記プリウェット液供給部により前記基板に前記プリウェット液を滴下して、前記モー
タにより前記基板を回転させることで、前記基板の表面に前記プリウェット液を広げ、
前記基板の表面に前記プリウェット液を広げた後、前記モータにより前記基板を前記第
1の回転数で回転させながら、前記塗布液供給部により前記基板に前記塗布液を前記第1
の吐出速度で前記第1の滴下量だけ滴下する、
請求項2から5のいずれか1項に記載の回転塗布装置。
Furthermore, a pre-wet liquid supply unit that drops the pre-wet liquid on the substrate is provided,
The control unit controls operations of the pre-wet liquid supply unit, the coating liquid supply unit, and the motor,
The pre-wet liquid is dropped on the substrate by the pre-wet liquid supply unit, and the substrate is rotated by the motor to spread the pre-wet liquid on the surface of the substrate,
After spreading the pre-wet liquid on the surface of the substrate, the coating liquid is applied to the substrate by the coating liquid supply unit while rotating the substrate at the first rotation speed by the motor.
The first drop amount is dropped at a discharge speed of
The spin coater according to any one of claims 2 to 5.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3335928B2 (en) * 1998-09-01 2002-10-21 東京エレクトロン株式会社 Application method
JP3458063B2 (en) * 1998-11-20 2003-10-20 東京エレクトロン株式会社 Coating device and coating method
JP2007114715A (en) * 2005-09-20 2007-05-10 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Pattern forming method
JP4621613B2 (en) * 2006-03-09 2011-01-26 株式会社東芝 Manufacturing method of semiconductor device
JP4896765B2 (en) * 2007-02-21 2012-03-14 東京エレクトロン株式会社 Pre-wet solvent for upper layer coating agent applied to substrate processing method and resist film surface
JP2008226923A (en) * 2007-03-08 2008-09-25 Elpida Memory Inc Method and apparatus for resist application
JP4745358B2 (en) * 2008-03-04 2011-08-10 株式会社東芝 Spin coating method and spin coating apparatus

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