JP6367674B2 - Oscillator - Google Patents

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Description

本発明は、複数の発振信号を出力可能な発振器に関するものである。   The present invention relates to an oscillator capable of outputting a plurality of oscillation signals.

従来、複数の発振信号を出力することができる発振器が知られている。例えば、特許文献1においては、1つの圧電振動素子を用いて2つの発振信号を発生する発振回路を備える発振器が開示されている。   Conventionally, an oscillator capable of outputting a plurality of oscillation signals is known. For example, Patent Document 1 discloses an oscillator including an oscillation circuit that generates two oscillation signals using one piezoelectric vibration element.

特開2013−115510号公報JP2013-115510A

上記の発振器においては、出力される発振信号の電気的特性の劣化を防ぐために、圧電振動素子と発振回路とを接続する配線と、発振回路から出力される発振信号を外部に出力するための配線とが交差しないように構成されている。しかしながら、発振回路を集積回路により構成する発振器においては、集積回路のピン配置によっては、複数の配線を交差させないようにするために、配線の引き回しが複雑になる場合がある。配線の引き回しが複雑になると、基板の層数を増やすことによりコストが上がったり、発振器が大きくなったりするという問題が生じる。   In the above oscillator, in order to prevent deterioration of the electrical characteristics of the output oscillation signal, wiring for connecting the piezoelectric vibration element and the oscillation circuit, and wiring for outputting the oscillation signal output from the oscillation circuit to the outside And are configured so as not to intersect. However, in an oscillator in which an oscillation circuit is configured by an integrated circuit, depending on the pin arrangement of the integrated circuit, wiring may be complicated in order not to cross a plurality of wirings. When wiring is complicated, there is a problem that the cost increases or the oscillator becomes large by increasing the number of layers of the substrate.

そこで、本発明は、発振器における配線の引き回しの自由度を向上させることを目的とする。   In view of the above, an object of the present invention is to improve the degree of freedom of wiring in an oscillator.

本発明の発振器は、圧電振動素子と、前記圧電振動素子の共振周波数である第1周波数の第1発振信号を出力するとともに、前記第1周波数と異なる第2周波数の第2発振信号を出力する回路素子と、前記圧電振動素子及び前記回路素子を収容する収容部と、を備え、前記回路素子は、前記圧電振動素子からの信号の入力を受ける振動素子入力端子と、前記圧電振動素子へと信号を出力させる振動素子出力端子と、前記第1周波数の信号を出力する第1信号出力端子と、前記第2周波数の信号を出力する第2信号出力端子と、を有し、前記収容部は、前記振動素子出力端子に接続された第1配線を有する第1配線層と、前記第1信号出力端子に接続された第2配線、及び前記第2信号出力端子に接続された第3配線を有する第2配線層と、を有し、前記第1配線は、前記第2配線層に投影されると前記第2配線の少なくとも一部と重なり、かつ前記第3配線と重ならない位置に形成されている。   The oscillator according to the present invention outputs a piezoelectric oscillation element and a first oscillation signal having a first frequency which is a resonance frequency of the piezoelectric oscillation element, and outputs a second oscillation signal having a second frequency different from the first frequency. A circuit element; and a housing portion that houses the piezoelectric vibration element and the circuit element. The circuit element includes a vibration element input terminal that receives a signal input from the piezoelectric vibration element, and the piezoelectric vibration element. A vibration element output terminal for outputting a signal; a first signal output terminal for outputting a signal of the first frequency; and a second signal output terminal for outputting a signal of the second frequency; A first wiring layer having a first wiring connected to the vibration element output terminal, a second wiring connected to the first signal output terminal, and a third wiring connected to the second signal output terminal. A second wiring layer having And the first wiring, at least a portion overlapping the second wiring to be projected on the second wiring layer, and is formed in a position that does not overlap with the third line.

前記第1配線は、例えば、前記圧電振動素子が有する複数の電極のうちの1つと前記振動素子出力端子とを接続し、前記第2配線は、前記第1信号出力端子と前記発振器の外部端子とを接続する。また、前記第1配線は、一端が前記圧電振動素子に接続されており、かつ、他端が前記振動素子出力端子に接続されていない配線をさらに含んでもよい。   The first wiring connects, for example, one of a plurality of electrodes included in the piezoelectric vibration element and the vibration element output terminal, and the second wiring includes the first signal output terminal and an external terminal of the oscillator. And connect. The first wiring may further include a wiring having one end connected to the piezoelectric vibration element and the other end not connected to the vibration element output terminal.

前記収容部は、前記第1配線層が形成された第1基板と、前記第2配線層が形成された第2基板とを有し、前記第1配線層と前記第2配線層とがビアホールにより接続されていてもよい。前記第1配線層と前記第2配線層との距離は、例えば、前記回路素子の高さよりも大きい。   The accommodating portion includes a first substrate on which the first wiring layer is formed and a second substrate on which the second wiring layer is formed, and the first wiring layer and the second wiring layer are via holes. May be connected. The distance between the first wiring layer and the second wiring layer is, for example, greater than the height of the circuit element.

また、上記の発振器は、前記第1配線層と前記第2配線層との間に、前記第2配線層に投影されると前記第2配線の少なくとも一部と重なる領域を含む領域に形成されたグランドパターンをさらに有してもよい。   The oscillator is formed between the first wiring layer and the second wiring layer in a region including a region that overlaps at least a part of the second wiring when projected onto the second wiring layer. It may further have a ground pattern.

本発明によれば、発振器における配線の引き回しの自由度を向上させることができる。   According to the present invention, it is possible to improve the degree of freedom in routing the wiring in the oscillator.

発振器の概略回路構成を示す図である。It is a figure which shows the schematic circuit structure of an oscillator. 集積回路のピン配置の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of pin arrangement | positioning of an integrated circuit. 発振器の垂直方向の断面図である。It is sectional drawing of the orthogonal | vertical direction of an oscillator. 発振器の水平方向の断面図である。It is sectional drawing of the horizontal direction of an oscillator. 第2の実施形態に係る集積回路のピン配置を示す図である。It is a figure which shows pin arrangement | positioning of the integrated circuit which concerns on 2nd Embodiment. 第2の実施形態に係る発振器の水平方向の断面図である。It is sectional drawing of the horizontal direction of the oscillator which concerns on 2nd Embodiment. KO端子から出力される信号の波形と、MO端子から出力される信号の波形とを示す図である。It is a figure which shows the waveform of the signal output from KO terminal, and the waveform of the signal output from MO terminal. KO端子から出力される信号の波形と、MO端子から出力される信号の波形とを示す図である。It is a figure which shows the waveform of the signal output from KO terminal, and the waveform of the signal output from MO terminal. KO端子から出力される信号の波形と、MO端子から出力される信号の波形とを示す図である。It is a figure which shows the waveform of the signal output from KO terminal, and the waveform of the signal output from MO terminal. 第3の実施形態に係る発振器の垂直方向の断面図である。It is sectional drawing of the orthogonal | vertical direction of the oscillator which concerns on 3rd Embodiment. 第3の実施形態に係る発振器の水平方向の断面図である。It is sectional drawing of the horizontal direction of the oscillator which concerns on 3rd Embodiment. 第3の実施形態に係る発振器の変形例1における水平方向の断面図である。FIG. 10 is a horizontal cross-sectional view of Modification Example 1 of the oscillator according to the third embodiment. 第3の実施形態に係る発振器の変形例2における水平方向の断面図である。It is sectional drawing of the horizontal direction in the modification 2 of the oscillator which concerns on 3rd Embodiment. 第3の実施形態に係る発振器の変形例3における水平方向の断面図である。It is sectional drawing of the horizontal direction in the modification 3 of the oscillator which concerns on 3rd Embodiment. 第4の実施形態に係る発振器の水平方向の断面図である。It is sectional drawing of the horizontal direction of the oscillator which concerns on 4th Embodiment. 第4の実施形態に係る発振器の変形例における水平方向の断面図である。It is sectional drawing of the horizontal direction in the modification of the oscillator which concerns on 4th Embodiment.

<第1の実施形態>
[発振器1の基本構成]
図1は、発振器1の概略回路構成を示す図である。発振器1は、水晶振動子2と、集積回路3とを備える。
発振器1は、MHz帯の発振信号を出力するための端子T1と、KHz帯の発振信号を出力するための端子T2と、電源電圧を入力するための電源端子T3と、グランドを接続するためのグランド端子T4と、発振信号を出力するか否かを制御する電圧を入力するための出力制御端子T5とを有する。
<First Embodiment>
[Basic configuration of oscillator 1]
FIG. 1 is a diagram showing a schematic circuit configuration of the oscillator 1. The oscillator 1 includes a crystal resonator 2 and an integrated circuit 3.
The oscillator 1 connects a terminal T1 for outputting an oscillation signal in the MHz band, a terminal T2 for outputting an oscillation signal in the KHz band, a power supply terminal T3 for inputting a power supply voltage, and a ground. It has a ground terminal T4 and an output control terminal T5 for inputting a voltage for controlling whether or not to output an oscillation signal.

水晶振動子2は、第1接続電極24及び第2接続電極25を有する圧電振動素子である。
集積回路3は、水晶振動子2を発振させるための回路を含む回路素子である。集積回路3は、例えば、能動素子及び受動素子を組み合わせた回路が形成された半導体のベアチップである。集積回路3は、電源電圧を入力するためのVDD端子、グランドに接続するためのGND端子、発振信号を出力するか否かを制御する電圧を入力するためのOE端子、XIN端子、XOUT端子、MO端子、KO端子を有する。図2は、集積回路3のピン配置の一例を示す図である。
The crystal resonator 2 is a piezoelectric vibration element having a first connection electrode 24 and a second connection electrode 25.
The integrated circuit 3 is a circuit element including a circuit for oscillating the crystal resonator 2. The integrated circuit 3 is, for example, a semiconductor bare chip in which a circuit in which an active element and a passive element are combined is formed. The integrated circuit 3 includes a VDD terminal for inputting a power supply voltage, a GND terminal for connecting to a ground, an OE terminal for inputting a voltage for controlling whether or not to output an oscillation signal, an XIN terminal, an XOUT terminal, It has MO terminal and KO terminal. FIG. 2 is a diagram illustrating an example of the pin arrangement of the integrated circuit 3.

XIN端子は、水晶振動子2からの信号の入力を受ける振動素子入力端子であり、XOUT端子は、水晶振動子2へと信号を出力する振動素子出力端子である。水晶振動子2の第1接続電極24は、配線4を介してXIN端子に接続されており、水晶振動子2の第2接続電極25は、配線5を介してXOUT端子に接続されている。   The XIN terminal is a vibration element input terminal that receives a signal input from the crystal resonator 2, and the XOUT terminal is a vibration element output terminal that outputs a signal to the crystal resonator 2. The first connection electrode 24 of the crystal unit 2 is connected to the XIN terminal through the wiring 4, and the second connection electrode 25 of the crystal unit 2 is connected to the XOUT terminal through the wiring 5.

集積回路3は、水晶振動子2の共振周波数に等しいMHz帯の第1周波数の第1発振信号を、第1信号出力端子としてのMO端子から出力する。また、集積回路3は、第1周波数と異なるKHz帯の第2周波数の第2発振信号を、第2信号出力端子としてのKO端子から出力する。   The integrated circuit 3 outputs a first oscillation signal having a first frequency in the MHz band equal to the resonance frequency of the crystal resonator 2 from an MO terminal as a first signal output terminal. Further, the integrated circuit 3 outputs a second oscillation signal having a second frequency in the KHz band different from the first frequency from the KO terminal as the second signal output terminal.

図1に示すように、集積回路3は、発振回路31と、分周回路32と、バッファ33と、バッファ34とを有する。発振回路31は、配線4を介してXIN端子から入力された発振信号を増幅してXOUT端子から出力する増幅回路を有する。XOUT端子から出力された第1発振信号は、配線5を介して水晶振動子2へと入力される。発振回路31は、増幅回路により増幅して生成された発振信号を分周回路32及びバッファ33へと出力する。   As shown in FIG. 1, the integrated circuit 3 includes an oscillation circuit 31, a frequency dividing circuit 32, a buffer 33, and a buffer 34. The oscillation circuit 31 includes an amplification circuit that amplifies an oscillation signal input from the XIN terminal via the wiring 4 and outputs the amplified signal from the XOUT terminal. The first oscillation signal output from the XOUT terminal is input to the crystal resonator 2 via the wiring 5. The oscillation circuit 31 outputs the oscillation signal generated by amplification by the amplification circuit to the frequency dividing circuit 32 and the buffer 33.

分周回路32は、発振回路31が出力する発振信号を分周して、第1周波数よりも低い第2周波数の第2発振信号を出力する。バッファ33は、発振回路31から出力された第1発振信号を増幅し、MO端子を介して外部に出力する。MO端子から出力された第1発振信号は、配線6及び端子T1を介して、発振器1の外部へと出力される。バッファ34は、分周回路32から出力された第2発振信号を増幅し、KO端子を介して外部に出力する。KO端子から出力された第2発振信号は、配線7及び端子T2を介して、発振器1の外部へと出力される。なお、発振器1は、分周回路32の代わりにPLL回路を用いて第2発振信号を発生させてもよい。   The frequency divider circuit 32 divides the oscillation signal output from the oscillation circuit 31 and outputs a second oscillation signal having a second frequency lower than the first frequency. The buffer 33 amplifies the first oscillation signal output from the oscillation circuit 31 and outputs it to the outside via the MO terminal. The first oscillation signal output from the MO terminal is output to the outside of the oscillator 1 via the wiring 6 and the terminal T1. The buffer 34 amplifies the second oscillation signal output from the frequency dividing circuit 32 and outputs it to the outside via the KO terminal. The second oscillation signal output from the KO terminal is output to the outside of the oscillator 1 via the wiring 7 and the terminal T2. The oscillator 1 may generate the second oscillation signal using a PLL circuit instead of the frequency dividing circuit 32.

[発振器1の構造]
続いて、図3及び図4を参照して、発振器1の構造について説明する。
図3は、発振器1の垂直方向の断面図である。図4は、発振器1の水平方向の断面図である。図4(a)は、図3に示すA−A線における断面図であり、図4(b)は、図3に示すB−B線における断面図(第1配線層)であり、図4(c)は、図3に示すC−C線における断面図(第2配線層)であり、図4(d)は、図3に示すD−D線における断面図(第3配線層)であり、図4(e)は、図3に示すE−E線における断面図である。また、図3は、図4(b)に示すX−X線における断面図である。なお、図4においては、発振器1が有する全ての配線を示しておらず、集積回路3のXIN端子、XOUT端子、MO端子及びKO端子に接続されている配線を示している。
[Structure of oscillator 1]
Next, the structure of the oscillator 1 will be described with reference to FIGS. 3 and 4.
FIG. 3 is a vertical sectional view of the oscillator 1. FIG. 4 is a horizontal sectional view of the oscillator 1. 4A is a cross-sectional view taken along the line AA shown in FIG. 3, and FIG. 4B is a cross-sectional view taken along the line BB shown in FIG. 3 (first wiring layer). FIG. 4C is a cross-sectional view (second wiring layer) taken along the line CC shown in FIG. 3, and FIG. 4D is a cross-sectional view taken along the line DD shown in FIG. 3 (third wiring layer). FIG. 4E is a cross-sectional view taken along line EE shown in FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line XX shown in FIG. In FIG. 4, not all wirings included in the oscillator 1 are shown, and wirings connected to the XIN terminal, the XOUT terminal, the MO terminal, and the KO terminal of the integrated circuit 3 are shown.

発振器1においては、水晶振動子2及び集積回路3が収容部10に収容されている。収容部10は、リッド板11と、基板12と、基板13と、基板14とが層状に積み重ねられて、直方体の形状に構成されている。収容部10の内部には空洞15が形成されており、空洞15の内部に水晶振動子2及び集積回路3が実装されている。   In the oscillator 1, the crystal resonator 2 and the integrated circuit 3 are accommodated in the accommodating portion 10. The accommodating part 10 has a rectangular parallelepiped shape in which a lid plate 11, a substrate 12, a substrate 13, and a substrate 14 are stacked in layers. A cavity 15 is formed inside the accommodating portion 10, and the crystal resonator 2 and the integrated circuit 3 are mounted inside the cavity 15.

リッド板11は、平板状の金属部材により形成されている。リッド板11が封止材16を介して基板12と接合されることにより、空洞15が密封されている。
基板12、基板13及び基板14は、セラミック部材により形成されている。基板12は、水晶振動子2の厚みよりも大きな厚みを有しており、かつ、水晶振動子2の面積よりも大きな穴部を有している。
The lid plate 11 is formed of a flat metal member. The lid 15 is joined to the substrate 12 via the sealing material 16, so that the cavity 15 is sealed.
The board | substrate 12, the board | substrate 13, and the board | substrate 14 are formed with the ceramic member. The substrate 12 has a thickness larger than the thickness of the crystal resonator 2 and has a hole portion larger than the area of the crystal resonator 2.

基板13は、集積回路3の厚みよりも大きな厚みを有しており、かつ、集積回路3の面積よりも大きな穴部を有している。基板13が有する穴部は、基板12が有する穴部よりも小さい。基板13には、水晶振動子2の第1接続電極24が固定されるパッド4a、水晶振動子2の第2接続電極25が固定されるパッド5a、及び第2接続電極25とXOUT端子とを接続するための配線5bを含む第1配線層が形成されている。図4(b)に示すように、パッド4a、及びパッド5aは、第1配線層における基板12と重ならない領域に形成されている。   The substrate 13 has a thickness larger than the thickness of the integrated circuit 3 and has a hole portion larger than the area of the integrated circuit 3. The hole part which the board | substrate 13 has is smaller than the hole part which the board | substrate 12 has. The substrate 13 includes a pad 4a to which the first connection electrode 24 of the crystal resonator 2 is fixed, a pad 5a to which the second connection electrode 25 of the crystal resonator 2 is fixed, and the second connection electrode 25 and the XOUT terminal. A first wiring layer including wiring 5b for connection is formed. As shown in FIG. 4B, the pad 4a and the pad 5a are formed in a region that does not overlap the substrate 12 in the first wiring layer.

基板14は、基板141及び基板142を含む多層基板である。基板14は、集積回路3が実装される基板141の主面に形成された、図4(c)に示す第2配線層と、基板141と基板142との間に形成された、図4(d)に示す第3配線層とを有する。第2配線層及び第3配線層には、集積回路3の端子に接続される配線が形成されている。基板14の裏面には、端子T1及びT2を含む6個の端子が形成されている。   The substrate 14 is a multilayer substrate including the substrate 141 and the substrate 142. The substrate 14 is formed between the second wiring layer shown in FIG. 4C and the substrate 141 and the substrate 142 formed on the main surface of the substrate 141 on which the integrated circuit 3 is mounted. and a third wiring layer shown in d). In the second wiring layer and the third wiring layer, wirings connected to the terminals of the integrated circuit 3 are formed. Six terminals including terminals T1 and T2 are formed on the back surface of the substrate 14.

水晶振動子2は、平板状の水晶片21と、励振電極22と、励振電極23と、第1接続電極24と、第2接続電極25とを有する。第1接続電極24は、導電性接着剤を介してパッド4aに固定されている。第2接続電極25は、導電性接着剤を介してパッド5aに固定されている。   The crystal unit 2 includes a plate-shaped crystal piece 21, an excitation electrode 22, an excitation electrode 23, a first connection electrode 24, and a second connection electrode 25. The first connection electrode 24 is fixed to the pad 4a via a conductive adhesive. The second connection electrode 25 is fixed to the pad 5a via a conductive adhesive.

なお、水晶振動子2が固定されるパッド4a及びパッド5aが形成されている第1配線層と、集積回路3が実装される第2配線層との距離は、集積回路3の高さよりも大きいので、水晶振動子2の下に集積回路3を配置することができる。例えば、本実施形態に係る集積回路3は、水晶振動子2の少なくとも一部と重なる位置において、基板141の上に形成された第2配線層に、バンプにより固定されている。   The distance between the first wiring layer on which the pad 4a and the pad 5a to which the crystal resonator 2 is fixed is formed and the second wiring layer on which the integrated circuit 3 is mounted is larger than the height of the integrated circuit 3. Therefore, the integrated circuit 3 can be disposed under the crystal unit 2. For example, the integrated circuit 3 according to the present embodiment is fixed to the second wiring layer formed on the substrate 141 by bumps at a position that overlaps at least a part of the crystal resonator 2.

以下、集積回路3のXIN端子、XOUT端子、MO端子及びKO端子に接続されている配線について説明する。
配線4は、水晶振動子2の第1接続電極24と集積回路3のXIN端子とを接続する配線である。配線4は、基板13の第1配線層に形成されたパッド4aと、基板13を貫通するビアホール4bと、基板141上の第2配線層に形成された配線4cとを含んで構成される。パッド4a及び配線4cは、ビアホール4bにより接続されている。
Hereinafter, wirings connected to the XIN terminal, the XOUT terminal, the MO terminal, and the KO terminal of the integrated circuit 3 will be described.
The wiring 4 is a wiring that connects the first connection electrode 24 of the crystal resonator 2 and the XIN terminal of the integrated circuit 3. The wiring 4 includes a pad 4 a formed in the first wiring layer of the substrate 13, a via hole 4 b penetrating the substrate 13, and a wiring 4 c formed in the second wiring layer on the substrate 141. The pad 4a and the wiring 4c are connected by a via hole 4b.

配線5は、水晶振動子2の第2接続電極25と集積回路3のXOUT端子とを接続する配線である。配線5は、第1配線層に形成されたパッド5a及び配線5bと、基板13を貫通するビアホール5cと、第2配線層に形成された配線5dとを含んで構成される。配線5b及び配線5dは、ビアホール5cにより接続されている。図4(b)に示すように、配線5bは、パッド5aを起点として、基板13の穴部を迂回して、集積回路3のXOUT端子の位置の付近に形成されたビアホール5cまで延伸されている。   The wiring 5 is a wiring that connects the second connection electrode 25 of the crystal unit 2 and the XOUT terminal of the integrated circuit 3. The wiring 5 includes a pad 5a and a wiring 5b formed in the first wiring layer, a via hole 5c penetrating the substrate 13, and a wiring 5d formed in the second wiring layer. The wiring 5b and the wiring 5d are connected by a via hole 5c. As shown in FIG. 4B, the wiring 5b is extended from the pad 5a to the via hole 5c formed around the position of the XOUT terminal of the integrated circuit 3 by bypassing the hole of the substrate 13. Yes.

配線6は、集積回路3のMO端子と端子T1とを接続する配線である。配線6は、例えば、基板141上の第2配線層に形成された配線6aと、端子T1の近傍のキャスタレーション(不図示)に形成された金属膜とを含む。第2配線層に形成された配線と端子T1とは、キャスタレーションに形成された金属膜の代わりに、ビアホールを介して接続されてもよい。   The wiring 6 is a wiring that connects the MO terminal of the integrated circuit 3 and the terminal T1. The wiring 6 includes, for example, a wiring 6a formed in the second wiring layer on the substrate 141 and a metal film formed in a castellation (not shown) near the terminal T1. The wiring formed in the second wiring layer and the terminal T1 may be connected via a via hole instead of the metal film formed in the castellation.

配線7は、集積回路3のKO端子と端子T2とを接続する配線である。配線7は、基板141上の第2配線層に形成された配線7aと、基板141を貫通するビアホール7bと、基板142上の第3配線層に形成された配線7cと、基板142を貫通するビアホール7dとを含んで構成されている。配線7a及び配線7cは、ビアホール7bにより接続されている。配線7c及び端子T2は、ビアホール7dにより接続されている。   The wiring 7 is a wiring that connects the KO terminal of the integrated circuit 3 and the terminal T2. The wiring 7 penetrates the wiring 7a formed in the second wiring layer on the substrate 141, the via hole 7b penetrating the substrate 141, the wiring 7c formed in the third wiring layer on the substrate 142, and the substrate 142. A via hole 7d is included. The wiring 7a and the wiring 7c are connected by a via hole 7b. The wiring 7c and the terminal T2 are connected by a via hole 7d.

配線4、配線5、配線6及び配線7のうち、配線5と配線6とは、それぞれ異なる層において互いに交差する位置に形成されている。配線5は、配線7とは交差しておらず、配線4は、配線6及び配線7のいずれの配線とも交差していない。すなわち、配線5は、図4(c)の破線が示すように、第2配線層に投影されると配線6の少なくとも一部と重なり、かつ配線7と重ならない位置に形成されている。   Of the wiring 4, the wiring 5, the wiring 6, and the wiring 7, the wiring 5 and the wiring 6 are formed at positions that intersect each other in different layers. The wiring 5 does not intersect with the wiring 7, and the wiring 4 does not intersect with any of the wiring 6 and the wiring 7. That is, the wiring 5 is formed at a position that overlaps at least a part of the wiring 6 and does not overlap with the wiring 7 when projected onto the second wiring layer, as indicated by a broken line in FIG.

配線5と配線6とが交差する場合には、配線5と配線6との間に寄生容量が生じることにより、配線5において伝送される発振信号と配線6において伝送される発振信号とが互いに干渉する。しかし、配線6において伝送される発振信号の周波数は、配線5において伝送される発振信号の周波数である第1周波数と等しい。したがって、配線5において伝送される発振信号と、配線6において伝送される発振信号とが互いに干渉したとしても、寄生容量が、配線6において伝送される発振信号の特性に及ぼす影響は比較的小さい。そして、配線5は、配線5において伝送される発振信号と異なる周波数の発振信号が伝送される配線7とは交差していないので、配線7において伝送される発振信号の特性に影響を与えない。   When the wiring 5 and the wiring 6 cross each other, a parasitic capacitance is generated between the wiring 5 and the wiring 6, so that an oscillation signal transmitted through the wiring 5 and an oscillation signal transmitted through the wiring 6 interfere with each other. To do. However, the frequency of the oscillation signal transmitted through the wiring 6 is equal to the first frequency that is the frequency of the oscillation signal transmitted through the wiring 5. Therefore, even if the oscillation signal transmitted through the wiring 5 and the oscillation signal transmitted through the wiring 6 interfere with each other, the influence of the parasitic capacitance on the characteristics of the oscillation signal transmitted through the wiring 6 is relatively small. The wiring 5 does not intersect with the wiring 7 through which an oscillation signal having a frequency different from that of the oscillation signal transmitted through the wiring 5 is transmitted. Therefore, the characteristics of the oscillation signal transmitted through the wiring 7 are not affected.

以上のとおり、本実施形態に係る発振器1は、集積回路3のXOUT端子に接続された配線5と、集積回路3のMO端子に接続された配線6とが異なる配線層において交差しているので、XOUT端子から出力される発振信号とMO端子から出力される発振信号とが干渉し合うことなく、水晶振動子2と集積回路3とを小さな空間内で接続することができる。このようにすることで、発振器1における配線の引き回しの自由度が向上し、発振器1の小型化を実現するとともに、所望の電気的特性を得ることが可能になる。   As described above, in the oscillator 1 according to this embodiment, the wiring 5 connected to the XOUT terminal of the integrated circuit 3 and the wiring 6 connected to the MO terminal of the integrated circuit 3 intersect in different wiring layers. The crystal resonator 2 and the integrated circuit 3 can be connected in a small space without interference between the oscillation signal output from the XOUT terminal and the oscillation signal output from the MO terminal. By doing so, the degree of freedom of wiring routing in the oscillator 1 is improved, so that the oscillator 1 can be miniaturized and desired electrical characteristics can be obtained.

<第2の実施形態>
図5は、第2の実施形態に係る発振器1に設けられている集積回路3のピン配置を示す図である。第2の実施形態に係る集積回路3は、XOUT端子及びGND端子の位置が第1の実施形態と異なり、他の点で同じである。図6は、第2の実施形態に係る発振器1の水平方向の断面図である。図6(a)は、第1の実施形態における図4(b)に対応し、図6(b)は、第1の実施形態における図4(c)に対応する。
<Second Embodiment>
FIG. 5 is a diagram illustrating a pin arrangement of the integrated circuit 3 provided in the oscillator 1 according to the second embodiment. The integrated circuit 3 according to the second embodiment differs from the first embodiment in the positions of the XOUT terminal and the GND terminal, and is the same in other respects. FIG. 6 is a horizontal sectional view of the oscillator 1 according to the second embodiment. FIG. 6 (a) corresponds to FIG. 4 (b) in the first embodiment, and FIG. 6 (b) corresponds to FIG. 4 (c) in the first embodiment.

集積回路3が、図5に示すピン配置を有するので、図6(a)及び図6(b)に示すように、水晶振動子2の第2接続電極25は、パッド5a、基板13に形成されたビアホール5e、及び第2配線層に形成された配線5fを介して集積回路3のXOUT端子に接続されている。この場合、基板13上の第1配線層に配線5bが形成されていなくても、水晶振動子2の第2接続電極25を集積回路3のXOUT端子に接続することができる。   Since the integrated circuit 3 has the pin arrangement shown in FIG. 5, the second connection electrode 25 of the crystal unit 2 is formed on the pad 5 a and the substrate 13 as shown in FIGS. 6A and 6B. The via hole 5e and the wiring 5f formed in the second wiring layer are connected to the XOUT terminal of the integrated circuit 3. In this case, even if the wiring 5 b is not formed in the first wiring layer on the substrate 13, the second connection electrode 25 of the crystal resonator 2 can be connected to the XOUT terminal of the integrated circuit 3.

しかし、図6(a)に示すように、第1配線層に配線5bを形成してもよい。第1実施形態と同様に、配線5bと配線6との間に寄生容量が存在したとしても、配線5bにおいて伝送される発振信号の周波数と配線6において伝送される発振信号の周波数とが等しいので、寄生容量が、配線6において伝送される発振信号の特性に及ぼす影響は十分に小さい。したがって、例えば、配線5bが形成された基板13を用いることで、図2に示したピン配置の集積回路3、及び図5に示したピン配置の集積回路3のいずれの集積回路3を有する発振器1においても基板13を使用することができる。その結果、さまざまな種類の発振器1で同一の基板13を共用できるので、発振器1の生産効率が向上する。   However, as shown in FIG. 6A, the wiring 5b may be formed in the first wiring layer. As in the first embodiment, even if there is a parasitic capacitance between the wiring 5b and the wiring 6, the frequency of the oscillation signal transmitted through the wiring 5b is equal to the frequency of the oscillation signal transmitted through the wiring 6. The influence of the parasitic capacitance on the characteristics of the oscillation signal transmitted through the wiring 6 is sufficiently small. Therefore, for example, by using the substrate 13 on which the wiring 5b is formed, the oscillator having either the integrated circuit 3 having the pin arrangement shown in FIG. 2 or the integrated circuit 3 having the pin arrangement shown in FIG. 1, the substrate 13 can be used. As a result, since the same substrate 13 can be shared by various types of oscillators 1, the production efficiency of the oscillator 1 is improved.

<実験例>
上記の説明のとおり、配線5と配線6とを交差させたとしても、出力される発振信号に与える影響が十分に小さいことを確認するために、XIN端子、XOUT端子、KO端子及びMO端子から選択された2つの端子間にキャパシタを接続した状態で、KO端子から出力される32KHzの信号(以下、KHz帯信号)の波形と、MO端子から出力されるMHz帯の信号(以下、MHz帯信号)の波形を観測する実験を行った。端子間に、c1(pF)、c2(pF)、c3(pF)、c4(pF)の容量値を有する4種類のキャパシタを接続し、それぞれのキャパシタを接続した状態における波形を観測した。なお、c1<c2<c3<c4である。
<Experimental example>
As described above, in order to confirm that even if the wiring 5 and the wiring 6 cross each other, the influence on the output oscillation signal is sufficiently small, the XIN terminal, the XOUT terminal, the KO terminal, and the MO terminal are used. With a capacitor connected between the two selected terminals, the waveform of a 32 KHz signal (hereinafter referred to as a KHz band signal) output from the KO terminal and a MHz band signal (hereinafter referred to as the MHz band) output from the MO terminal. Signal) was observed. Four types of capacitors having capacitance values of c1 (pF), c2 (pF), c3 (pF), and c4 (pF) were connected between the terminals, and the waveforms in the state where the respective capacitors were connected were observed. Note that c1 <c2 <c3 <c4.

図7は、集積回路3のXIN端子とKO端子との間にキャパシタを接続した場合の、KO端子から出力されるKHz帯信号の波形と、MO端子から出力されるMHz帯信号の波形とを示す図である。XIN端子とKO端子との間にキャパシタを接続した場合は、配線4と配線7とを交差させた場合に対応する。なお、図7に示す波形図は、オシロスコープで実測した波形の傾向を示す図である。   FIG. 7 shows the waveform of the KHz band signal output from the KO terminal and the waveform of the MHz band signal output from the MO terminal when a capacitor is connected between the XIN terminal and the KO terminal of the integrated circuit 3. FIG. When a capacitor is connected between the XIN terminal and the KO terminal, this corresponds to the case where the wiring 4 and the wiring 7 are crossed. Note that the waveform diagram shown in FIG. 7 is a diagram showing the tendency of the waveform actually measured with an oscilloscope.

図7(a)は、キャパシタの容量がc1(pF)の場合のKHz帯信号の波形を示し、図7(b)は、キャパシタの容量がc1(pF)の場合のMHz帯信号の波形を示している。図7(c)は、キャパシタの容量がc2(pF)の場合のKHz帯信号の波形を示し、図7(d)は、キャパシタの容量がc2(pF)の場合のMHz帯信号の波形を示している。図7(e)は、キャパシタの容量がc3(pF)の場合のKHz帯信号の波形を示し、図7(f)は、キャパシタの容量がc3(pF)の場合のMHz帯信号の波形を示している。なお、キャパシタの容量がc4(pF)の場合には、異常発振が発生した。   FIG. 7A shows the waveform of the KHz band signal when the capacitance of the capacitor is c1 (pF), and FIG. 7B shows the waveform of the MHz band signal when the capacitance of the capacitor is c1 (pF). Show. FIG. 7C shows the waveform of the KHz band signal when the capacitance of the capacitor is c2 (pF), and FIG. 7D shows the waveform of the MHz band signal when the capacitance of the capacitor is c2 (pF). Show. FIG. 7E shows the waveform of the KHz band signal when the capacitance of the capacitor is c3 (pF), and FIG. 7F shows the waveform of the MHz band signal when the capacitance of the capacitor is c3 (pF). Show. When the capacitance of the capacitor was c4 (pF), abnormal oscillation occurred.

図7(c)及び図7(e)から明らかなように、キャパシタの容量が増加するにつれて、KHz帯信号に重畳されるノイズの影響が大きくなっている。このノイズは、XIN端子に入力される発振信号が、キャパシタを介してKO信号に重畳されたことに起因すると考えられる。また、キャパシタの容量がc4(pF)の場合には、32KHzにおけるXIN端子とKO端子との間のインピーダンスが小さくなり、KO端子から出力されるKHz帯信号がキャパシタを介してXIN端子に入力されたことに起因して、異常発振が発生したと考えられる。   As apparent from FIGS. 7C and 7E, the influence of noise superimposed on the KHz band signal increases as the capacitance of the capacitor increases. This noise is considered to be caused by the oscillation signal input to the XIN terminal being superimposed on the KO signal via the capacitor. When the capacitance of the capacitor is c4 (pF), the impedance between the XIN terminal and the KO terminal at 32 KHz is reduced, and the KHz band signal output from the KO terminal is input to the XIN terminal via the capacitor. Therefore, it is considered that abnormal oscillation occurred.

図8は、集積回路3のXOUT端子とKO端子との間にキャパシタを接続した場合の、KO端子から出力されるKHz帯信号の波形と、MO端子から出力されるMHz帯信号の波形とを示す図である。XOUT端子とKO端子との間にキャパシタを接続した場合は、配線5と配線7とを交差させた場合に対応する。なお、図8に示す波形図は、オシロスコープで実測した波形の傾向を示す図である。   FIG. 8 shows the waveform of the KHz band signal output from the KO terminal and the waveform of the MHz band signal output from the MO terminal when a capacitor is connected between the XOUT terminal and the KO terminal of the integrated circuit 3. FIG. The case where a capacitor is connected between the XOUT terminal and the KO terminal corresponds to the case where the wiring 5 and the wiring 7 are crossed. Note that the waveform diagram shown in FIG. 8 is a diagram showing the tendency of the waveform actually measured with an oscilloscope.

図8(a)は、キャパシタの容量がc1(pF)の場合のKHz帯信号の波形を示し、図8(b)は、キャパシタの容量がc1(pF)の場合のMHz帯信号の波形を示している。図8(c)は、キャパシタの容量がc2(pF)の場合のKHz帯信号の波形を示し、図8(d)は、キャパシタの容量がc2(pF)の場合のMHz帯信号の波形を示している。図8(e)は、キャパシタの容量がc3(pF)の場合のKHz帯信号の波形を示し、図8(f)は、キャパシタの容量がc3(pF)の場合のMHz帯信号の波形を示している。図8(g)は、キャパシタの容量がc4(pF)の場合のKHz帯信号の波形を示し、図8(h)は、キャパシタの容量がc4(pF)の場合のMHz帯信号の波形を示している。   8A shows the waveform of the KHz band signal when the capacitance of the capacitor is c1 (pF), and FIG. 8B shows the waveform of the MHz band signal when the capacitance of the capacitor is c1 (pF). Show. FIG. 8C shows the waveform of the KHz band signal when the capacitance of the capacitor is c2 (pF), and FIG. 8D shows the waveform of the MHz band signal when the capacitance of the capacitor is c2 (pF). Show. 8E shows the waveform of the KHz band signal when the capacitance of the capacitor is c3 (pF), and FIG. 8F shows the waveform of the MHz band signal when the capacitance of the capacitor is c3 (pF). Show. FIG. 8G shows the waveform of the KHz band signal when the capacitance of the capacitor is c4 (pF), and FIG. 8H shows the waveform of the MHz band signal when the capacitance of the capacitor is c4 (pF). Show.

図8(c)、図8(e)及び図8(g)から明らかなように、キャパシタの容量が増加するにつれて、KHz帯信号に重畳されるノイズの影響が大きくなっている。このノイズは、XOUT端子から出力される発振信号が、キャパシタを介してKO信号に重畳されたことに起因すると考えられる。   As is apparent from FIGS. 8C, 8E, and 8G, the influence of noise superimposed on the KHz band signal increases as the capacitance of the capacitor increases. This noise can be attributed to the fact that the oscillation signal output from the XOUT terminal is superimposed on the KO signal via the capacitor.

図9は、集積回路3のXOUT端子とMO端子との間にキャパシタを接続した場合の、KO端子から出力されるKHz帯信号の波形と、MO端子から出力されるMHz帯信号の波形とを示す図である。XOUT端子とMO端子との間にキャパシタを接続した場合は、配線5と配線6とを交差させた場合に対応する。なお、図9に示す波形図は、オシロスコープで実測した波形の傾向を示す図である。   FIG. 9 shows the waveform of the KHz band signal output from the KO terminal and the waveform of the MHz band signal output from the MO terminal when a capacitor is connected between the XOUT terminal and the MO terminal of the integrated circuit 3. FIG. The case where a capacitor is connected between the XOUT terminal and the MO terminal corresponds to the case where the wiring 5 and the wiring 6 are crossed. In addition, the waveform diagram shown in FIG. 9 is a diagram showing the tendency of the waveform actually measured with an oscilloscope.

図9(a)は、キャパシタの容量がc1(pF)の場合のKHz帯信号の波形を示し、図9(b)は、キャパシタの容量がc1(pF)の場合のMHz帯信号の波形を示している。図9(c)は、キャパシタの容量がc2(pF)の場合のKHz帯信号の波形を示し、図9(d)は、キャパシタの容量がc2(pF)の場合のMHz帯信号の波形を示している。図9(e)は、キャパシタの容量がc3(pF)の場合のKHz帯信号の波形を示し、図9(f)は、キャパシタの容量がc3(pF)の場合のMHz帯信号の波形を示している。図9(g)は、キャパシタの容量がc4(pF)の場合のKHz帯信号の波形を示し、図9(h)は、キャパシタの容量がc4(pF)の場合のMHz帯信号の波形を示している。   FIG. 9A shows the waveform of the KHz band signal when the capacitance of the capacitor is c1 (pF), and FIG. 9B shows the waveform of the MHz band signal when the capacitance of the capacitor is c1 (pF). Show. FIG. 9C shows the waveform of the KHz band signal when the capacitance of the capacitor is c2 (pF), and FIG. 9D shows the waveform of the MHz band signal when the capacitance of the capacitor is c2 (pF). Show. FIG. 9E shows the waveform of the KHz band signal when the capacitance of the capacitor is c3 (pF), and FIG. 9F shows the waveform of the MHz band signal when the capacitance of the capacitor is c3 (pF). Show. FIG. 9G shows the waveform of the KHz band signal when the capacitance of the capacitor is c4 (pF), and FIG. 9H shows the waveform of the MHz band signal when the capacitance of the capacitor is c4 (pF). Show.

図9(d)、図9(f)及び図9(h)に示されるように、キャパシタの容量が大きくなるにつれて、MHz帯信号に歪が生じるが、KHz帯信号及びMHz帯信号ともに、良好に発振している。   As shown in FIG. 9D, FIG. 9F, and FIG. 9H, distortion occurs in the MHz band signal as the capacitance of the capacitor increases, but both the KHz band signal and the MHz band signal are good. Is oscillating.

なお、集積回路3のXIN端子とMO端子間にキャパシタを接続した場合は、KHz帯信号及びMHz帯信号の両方に異常発振が発生した。XIN端子とMO端子間にキャパシタを接続した場合、水晶振動子2からのMHz帯信号とMO端子からのMHz帯信号とがXIN端子に入力されるので、不安定な動作になると考えられる。   Note that when a capacitor was connected between the XIN terminal and the MO terminal of the integrated circuit 3, abnormal oscillation occurred in both the KHz band signal and the MHz band signal. When a capacitor is connected between the XIN terminal and the MO terminal, the MHz band signal from the crystal unit 2 and the MHz band signal from the MO terminal are input to the XIN terminal, which is considered to cause unstable operation.

以上の実験結果から、集積回路3のXOUT端子とMO端子との間にキャパシタを接続した場合には、KO端子から出力されるKHz帯信号、及びMO端子から出力されるMHz帯信号の両方が、良好な波形を維持できることが確認された。その結果、第1の実施形態及び第2の実施形態のように、配線5と配線6とを交差させることで、配線の引き回しの自由度を向上しつつ、発振器1が出力する発振信号の電気的特性を良好に維持できることを確認できた。   From the above experimental results, when a capacitor is connected between the XOUT terminal and the MO terminal of the integrated circuit 3, both the KHz band signal output from the KO terminal and the MHz band signal output from the MO terminal are detected. It was confirmed that a good waveform could be maintained. As a result, as in the first embodiment and the second embodiment, the wiring 5 and the wiring 6 are crossed, so that the degree of freedom in routing the wiring is improved and the oscillation signal output from the oscillator 1 is output. It was confirmed that the mechanical characteristics could be maintained well.

<第3の実施形態>
図10は、第3の実施形態に係る発振器1の垂直方向の断面図である。図11は、第3の実施形態に係る発振器1の水平方向の断面図である。第3の実施形態に係る発振器1は、配線5bを含む第1配線層と、配線5d及び配線6aを含む第2配線層との間に、グランドパターン8aが形成されている点で、第1の実施形態に係る発振器1と異なり、他の点で同じである。
<Third Embodiment>
FIG. 10 is a vertical sectional view of the oscillator 1 according to the third embodiment. FIG. 11 is a horizontal sectional view of the oscillator 1 according to the third embodiment. The oscillator 1 according to the third embodiment is different in that the ground pattern 8a is formed between the first wiring layer including the wiring 5b and the second wiring layer including the wiring 5d and the wiring 6a. Unlike the oscillator 1 according to the embodiment, the other points are the same.

図11(a)〜図11(e)は、図4(a)〜図4(e)と同一である。図11(f)は、第3の実施形態に係る発振器1が、第1配線層と第2配線層との間に有するグランドパターン8aを示す図である。   11 (a) to 11 (e) are the same as FIGS. 4 (a) to 4 (e). FIG. 11F is a diagram illustrating the ground pattern 8a that the oscillator 1 according to the third embodiment has between the first wiring layer and the second wiring layer.

グランドパターン8aは、基板13における第1配線層と基板141との間のいずれかの位置において、第1配線層に形成された配線5bと第2配線層に形成された配線6aとが交差する領域の近傍を含む領域に形成されている。グランドパターン8aは、グランドパターン8aが形成されている平面において、ビアホール4b及びビアホール5cの近傍、及び基板13の端部の近傍を除く全領域に形成されている。   In the ground pattern 8a, the wiring 5b formed in the first wiring layer and the wiring 6a formed in the second wiring layer intersect at any position between the first wiring layer and the substrate 141 in the substrate 13. It is formed in a region including the vicinity of the region. The ground pattern 8 a is formed in the entire area except for the vicinity of the via hole 4 b and the via hole 5 c and the vicinity of the end portion of the substrate 13 on the plane where the ground pattern 8 a is formed.

このように、第3の実施形態に係る発振器1は、配線5bが形成された第1配線層と、配線6aが形成された第2配線層との間において、配線5bと配線6aとが交差する領域を少なくとも含む領域に、グランドパターン8aを有する。発振器1がこのような構成を有することにより、配線5bを伝送されるXOUT端子から出力される発振信号と、配線6aを伝送されるMO端子から出力される発振信号とが、第1の実施形態に係る発振器1よりも干渉しづらくなる。したがって、本実施形態に係る発振器1においては、配線の引き回しの自由度がさらに向上し、発振器1のさらなる小型化を実現するとともに、所望の電気的特性を得ることが可能になる。   Thus, in the oscillator 1 according to the third embodiment, the wiring 5b and the wiring 6a intersect between the first wiring layer in which the wiring 5b is formed and the second wiring layer in which the wiring 6a is formed. The ground pattern 8a is provided in a region including at least the region to be performed. Since the oscillator 1 has such a configuration, the oscillation signal output from the XOUT terminal transmitted through the wiring 5b and the oscillation signal output from the MO terminal transmitted through the wiring 6a are the first embodiment. It becomes harder to interfere than the oscillator 1 according to. Therefore, in the oscillator 1 according to the present embodiment, the degree of freedom of wiring routing is further improved, so that the oscillator 1 can be further reduced in size and desired electrical characteristics can be obtained.

なお、上記の説明においては、グランドパターン8aが、基板13内に形成されている例について説明したが、これに限らない。発振器1が、基板13と基板141との間に他の基板を有し、グランドパターン8aが、基板13と基板141との間に設けられた基板上に形成されていてもよい。   In the above description, the example in which the ground pattern 8a is formed in the substrate 13 has been described. However, the present invention is not limited to this. The oscillator 1 may have another substrate between the substrate 13 and the substrate 141, and the ground pattern 8 a may be formed on the substrate provided between the substrate 13 and the substrate 141.

図12は、第3の実施形態に係る発振器1の変形例1における水平方向の断面図である。図12は、図12(d)に示すように、基板141と基板142との間の第3配線層にグランドパターン8bが設けられている点で図11と異なり、他の点で同じである。このように、発振器1は、グランドパターン8a及びグランドパターン8bを有してもよい。また、発振器1は、グランドパターン8aを有することなく、グランドパターン8bを有してもよい。   FIG. 12 is a horizontal sectional view of Modification 1 of the oscillator 1 according to the third embodiment. FIG. 12 differs from FIG. 11 in that a ground pattern 8b is provided in the third wiring layer between the substrate 141 and the substrate 142 as shown in FIG. . Thus, the oscillator 1 may have the ground pattern 8a and the ground pattern 8b. The oscillator 1 may have the ground pattern 8b without having the ground pattern 8a.

図13は、第3の実施形態に係る発振器1の変形例2における水平方向の断面図である。図13(a)〜図13(e)は、図11(a)〜図11(e)と同一である。図13(f)は、図11(f)に示したグランドパターン8aの代わりとしてのグランドパターン8cを示している。グランドパターン8cは、配線5bと配線6aとが交差する領域を少なくとも含み、かつ、グランドパターン8aよりも面積が小さい。このように、第1配線層と第2配線層との間に形成されるグランドパターン8は、配線5bと配線6aとが交差する領域を少なくとも含めば、任意の形状でよい。   FIG. 13 is a horizontal sectional view of Modification 2 of the oscillator 1 according to the third embodiment. 13 (a) to 13 (e) are the same as FIGS. 11 (a) to 11 (e). FIG. 13F shows a ground pattern 8c instead of the ground pattern 8a shown in FIG. The ground pattern 8c includes at least a region where the wiring 5b and the wiring 6a intersect, and has an area smaller than that of the ground pattern 8a. Thus, the ground pattern 8 formed between the first wiring layer and the second wiring layer may have any shape as long as it includes at least a region where the wiring 5b and the wiring 6a intersect.

なお、上記の説明においては、グランドパターン8cが、基板13内に形成されている例について説明したが、これに限らない。発振器1が、基板13と基板141との間に他の基板を有し、グランドパターン8cが、基板13と基板141との間に設けられた基板上に形成されていてもよい。   In the above description, the example in which the ground pattern 8c is formed in the substrate 13 has been described. However, the present invention is not limited to this. The oscillator 1 may have another substrate between the substrate 13 and the substrate 141, and the ground pattern 8 c may be formed on the substrate provided between the substrate 13 and the substrate 141.

図14は、第3の実施形態に係る発振器1の変形例3における水平方向の断面図である。図14は、図14(d)に示すように、基板141と基板142との間の第3配線層にグランドパターン8bが設けられている点で図13と異なり、他の点で同じである。このように、発振器1は、グランドパターン8b及びグランドパターン8cを有してもよい。また、発振器1は、グランドパターン8cを有することなく、グランドパターン8bを有してもよい。   FIG. 14 is a horizontal sectional view of Modification 3 of the oscillator 1 according to the third embodiment. 14 differs from FIG. 13 in that the ground pattern 8b is provided in the third wiring layer between the substrate 141 and the substrate 142 as shown in FIG. 14D, and is the same in other points. . Thus, the oscillator 1 may include the ground pattern 8b and the ground pattern 8c. Further, the oscillator 1 may have the ground pattern 8b without having the ground pattern 8c.

<第4の実施形態>
図15は、第4の実施形態に係る発振器1の水平方向の断面図である。図15(a)及び図15(b)は、図6(a)及び図6(b)と同一である。図15(c)は、第4の実施形態に係る発振器1が、図15(a)に示す第1配線層と図15(b)に示す第2配線層との間に有するグランドパターン8cを示す図である。第4の実施形態に係る発振器1は、グランドパターン8cが設けられている点で、第2の実施形態に係る発振器1と異なり、他の点で同じである。
<Fourth Embodiment>
FIG. 15 is a horizontal sectional view of the oscillator 1 according to the fourth embodiment. 15 (a) and 15 (b) are the same as FIGS. 6 (a) and 6 (b). FIG. 15C shows a ground pattern 8c that the oscillator 1 according to the fourth embodiment has between the first wiring layer shown in FIG. 15A and the second wiring layer shown in FIG. FIG. The oscillator 1 according to the fourth embodiment differs from the oscillator 1 according to the second embodiment in that a ground pattern 8c is provided, and is the same in other points.

グランドパターン8cは、基板13に形成された配線5bと基板141に形成された配線6aとが交差する領域の近傍を含む領域に形成されている。グランドパターン8cは、グランドパターン8cが形成されている平面において、ビアホール4b及びビアホール5eの近傍、及び基板13の端部の近傍を除く全領域に形成されている。   The ground pattern 8c is formed in a region including the vicinity of a region where the wiring 5b formed on the substrate 13 and the wiring 6a formed on the substrate 141 intersect. The ground pattern 8 c is formed in the entire area except for the vicinity of the via hole 4 b and the via hole 5 e and the vicinity of the end portion of the substrate 13 on the plane where the ground pattern 8 c is formed.

発振器1が、グランドパターン8cを有することで、第3の実施形態に係る発振器1と同様に、配線5bを伝送されるXOUT端子から出力される発振信号と、配線6aを伝送されるMO端子から出力される発振信号とが、第2の実施形態に係る発振器1よりも干渉しづらくなる。   Since the oscillator 1 has the ground pattern 8c, similarly to the oscillator 1 according to the third embodiment, the oscillation signal output from the XOUT terminal that is transmitted through the wiring 5b and the MO terminal that is transmitted through the wiring 6a are used. The output oscillation signal is less likely to interfere with the oscillator 1 according to the second embodiment.

図16は、第4の実施形態に係る発振器1の変形例における水平方向の断面図である。図16(a)及び図16(b)は、図15(a)及び図15(b)と同一である。図16(c)は、図13(c)に示した基板17におけるグランドパターン8cの代わりとしてのグランドパターン8dを示している。グランドパターン8dは、配線5bと配線6aとが交差する領域を少なくとも含み、かつ、グランドパターン8cよりも面積が小さい。このように、第1配線層と第2配線層との間に形成されるグランドパターン8は、配線5bと配線6aとが交差する領域を少なくとも含めば、任意の形状でよい。   FIG. 16 is a horizontal sectional view of a modification of the oscillator 1 according to the fourth embodiment. 16 (a) and 16 (b) are the same as FIGS. 15 (a) and 15 (b). FIG. 16C shows a ground pattern 8d instead of the ground pattern 8c in the substrate 17 shown in FIG. The ground pattern 8d includes at least a region where the wiring 5b and the wiring 6a intersect, and has an area smaller than that of the ground pattern 8c. Thus, the ground pattern 8 formed between the first wiring layer and the second wiring layer may have any shape as long as it includes at least a region where the wiring 5b and the wiring 6a intersect.

なお、上記の説明においては、グランドパターン8c及び8dが、基板13内に形成されている例について説明したが、これに限らない。発振器1が、基板13と基板141との間に他の基板を有し、グランドパターン8c及び8dが、基板13と基板141との間に設けられた基板上に形成されていてもよい。   In the above description, the example in which the ground patterns 8c and 8d are formed in the substrate 13 has been described. However, the present invention is not limited to this. The oscillator 1 may include another substrate between the substrate 13 and the substrate 141, and the ground patterns 8c and 8d may be formed on the substrate provided between the substrate 13 and the substrate 141.

以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。そのような変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。   As mentioned above, although this invention was demonstrated using embodiment, the technical scope of this invention is not limited to the range as described in the said embodiment. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications or improvements can be added to the above embodiment. It is apparent from the scope of the claims that the embodiments added with such changes or improvements can be included in the technical scope of the present invention.

例えば、上記の実施形態においては、基板13に第1配線層が形成され、基板14に第2配線層が形成されている場合について説明したが、第1配線層及び第2配線層が同一の基板に形成されていてもよい。   For example, in the above embodiment, the case where the first wiring layer is formed on the substrate 13 and the second wiring layer is formed on the substrate 14 has been described. However, the first wiring layer and the second wiring layer are the same. It may be formed on the substrate.

また、上記の実施形態においては、圧電振動素子としての水晶振動子2が平板状である場合について説明したが、圧電振動素子は、他の形状や他の種別を有していてもよい。また、上記の実施形態においては、水晶振動子2の下に集積回路3が配置される構成について説明したが、水晶振動子2及び集積回路3が重なり合うことなく配置されていてもよい。   In the above-described embodiment, the case where the crystal resonator 2 as the piezoelectric vibration element has a flat plate shape has been described. However, the piezoelectric vibration element may have other shapes and other types. In the above embodiment, the configuration in which the integrated circuit 3 is disposed under the crystal resonator 2 has been described. However, the crystal resonator 2 and the integrated circuit 3 may be disposed without overlapping.

また、上記の実施形態においては、第1周波数がMHz帯の周波数であり、第2周波数がKHz帯の周波数であるとして説明したが、第1周波数及び第2周波数は任意の周波数であってよい。   In the above embodiment, the first frequency is a frequency in the MHz band and the second frequency is a frequency in the KHz band. However, the first frequency and the second frequency may be arbitrary frequencies. .

1・・・発振器
2・・・水晶振動子
3・・・集積回路
4・・・配線
5・・・配線
6・・・配線
7・・・配線
8・・・グランドパターン
11・・・リッド板
12・・・基板
13・・・基板
14・・・基板
21・・・水晶片
22・・・励振電極
23・・・励振電極
24・・・第1接続電極
25・・・第2接続電極
31・・・発振回路
32・・・分周回路
33・・・バッファ
34・・・バッファ
141・・・基板
142・・・基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Oscillator 2 ... Crystal oscillator 3 ... Integrated circuit 4 ... Wiring 5 ... Wiring 6 ... Wiring 7 ... Wiring 8 ... Ground pattern 11 ... Lid board 12 ... substrate 13 ... substrate 14 ... substrate 21 ... crystal piece 22 ... excitation electrode 23 ... excitation electrode 24 ... first connection electrode 25 ... second connection electrode 31 ... Oscillator 32 ... Divider 33 ... Buffer 34 ... Buffer 141 ... Substrate 142 ... Substrate

Claims (6)

圧電振動素子と、
前記圧電振動素子の共振周波数である第1周波数の第1発振信号を出力するとともに、前記第1周波数と異なる第2周波数の第2発振信号を出力する回路素子と、
前記圧電振動素子及び前記回路素子を収容する収容部と、
を備え、
前記回路素子は、
前記圧電振動素子からの信号の入力を受ける振動素子入力端子と、
前記圧電振動素子へと信号を出力させる振動素子出力端子と、
前記第1周波数の信号を出力する第1信号出力端子と、
前記第2周波数の信号を出力する第2信号出力端子と、
を有し、
前記収容部は、
前記振動素子出力端子に接続された第1配線を有する第1配線層と、
前記第1信号出力端子に接続された第2配線、及び前記第2信号出力端子に接続された第3配線を有する第2配線層と、
を有し、
前記第1配線は、前記第2配線層に投影されると前記第2配線の少なくとも一部と重なり、かつ前記第3配線と重ならない位置に形成されている、
発振器。
A piezoelectric vibration element;
A circuit element that outputs a first oscillation signal having a first frequency that is a resonance frequency of the piezoelectric vibration element and that outputs a second oscillation signal having a second frequency different from the first frequency;
An accommodating portion for accommodating the piezoelectric vibration element and the circuit element;
With
The circuit element is:
A vibration element input terminal for receiving an input of a signal from the piezoelectric vibration element;
A vibration element output terminal for outputting a signal to the piezoelectric vibration element;
A first signal output terminal for outputting a signal of the first frequency;
A second signal output terminal for outputting a signal of the second frequency;
Have
The accommodating portion is
A first wiring layer having a first wiring connected to the vibration element output terminal;
A second wiring layer having a second wiring connected to the first signal output terminal and a third wiring connected to the second signal output terminal;
Have
The first wiring is formed at a position that overlaps at least a part of the second wiring and does not overlap the third wiring when projected onto the second wiring layer.
Oscillator.
前記第1配線は、前記圧電振動素子が有する複数の電極のうちの1つと前記振動素子出力端子とを接続し、前記第2配線は、前記第1信号出力端子と前記発振器の外部端子とを接続する、
請求項1に記載の発振器。
The first wiring connects one of a plurality of electrodes of the piezoelectric vibration element and the vibration element output terminal, and the second wiring connects the first signal output terminal and an external terminal of the oscillator. Connecting,
The oscillator according to claim 1.
前記第1配線は、一端が前記圧電振動素子に接続されており、かつ、他端が前記振動素子出力端子に接続されていない配線をさらに含む、
請求項1又は2に記載の発振器。
The first wiring further includes a wiring having one end connected to the piezoelectric vibration element and the other end not connected to the vibration element output terminal.
The oscillator according to claim 1 or 2.
前記収容部は、前記第1配線層が形成された第1基板と、前記第2配線層が形成された第2基板とを有し、前記第1配線層と前記第2配線層とがビアホールにより接続されている、
請求項1から3のいずれか1項に記載の発振器。
The accommodating portion includes a first substrate on which the first wiring layer is formed and a second substrate on which the second wiring layer is formed, and the first wiring layer and the second wiring layer are via holes. Connected by
The oscillator according to any one of claims 1 to 3.
前記第1配線層と前記第2配線層との距離は、前記回路素子の高さよりも大きい、
請求項4に記載の発振器。
A distance between the first wiring layer and the second wiring layer is greater than a height of the circuit element;
The oscillator according to claim 4.
前記第1配線層と前記第2配線層との間に、前記第2配線層に投影されると前記第2配線の少なくとも一部と重なる領域を含む領域に形成されたグランドパターンをさらに有する、
請求項1から5のいずれか1項に記載の発振器。
A ground pattern formed between the first wiring layer and the second wiring layer and formed in a region including a region that overlaps at least a part of the second wiring when projected onto the second wiring layer;
The oscillator according to any one of claims 1 to 5.
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