JP6358920B2 - Contact state determination device, secondary battery inspection device, and contact state determination method - Google Patents

Contact state determination device, secondary battery inspection device, and contact state determination method Download PDF

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Description

本発明は、金属層の両面に合成樹脂層を貼り合わせたラミネートフィルムを袋状またはカップ状に成型して構成された外装部材と、外装部材内に収納された電極群および電解質と、外装部材から一端がそれぞれ突出すると共に外装部材内の他端が電極群の正極および負極に接続された正極端子および負極端子とを備えた二次電池のような容量性の被測定対象についての電池電圧などの被測定量を測定する測定装置の一対のプローブと被測定対象の電極との接触状態を判別する接触状態判別装置および接触状態判別方法、並びにこの接触状態判別装置を備えた二次電池の検査装置に関するものである。   The present invention relates to an exterior member formed by molding a laminate film in which a synthetic resin layer is bonded to both surfaces of a metal layer into a bag shape or a cup shape, an electrode group and an electrolyte housed in the exterior member, and an exterior member Battery voltage for a capacitive object to be measured such as a secondary battery having one end projecting from each other and the other end in the exterior member connected to the positive electrode and the negative electrode of the electrode group. Contact state discriminating device and contact state discriminating method for discriminating the contact state between a pair of probes of a measuring device for measuring the measured amount of the electrode and the electrode to be measured, and inspection of a secondary battery provided with the contact state discriminating device It relates to the device.

この種の二次電池の検査方法として、下記の特許文献1に開示された二次電池の検査方法が知られている。この二次電池の検査方法は、少なくとも熱融着性樹脂層とアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属層と合成樹脂層とをこの順序で積層したラミネートフィルムを袋状にし、開口周縁の熱融着性樹脂層同士を熱シールして熱シール部を形成した外装部材と、この外装部材内に収納された正極、負極およびセパレータを有する電極群および非水電解質と、外装部材から外部に導出され、正極に接続された正極端子および負極に接続された負極端子とを備え、電圧が3.75V〜3.90Vである非水電解質二次電池についての検査方法である。   As this type of secondary battery inspection method, a secondary battery inspection method disclosed in Patent Document 1 below is known. In this secondary battery inspection method, a laminate film in which at least a heat-sealable resin layer, a metal layer made of aluminum or an aluminum alloy, and a synthetic resin layer are laminated in this order is formed into a bag shape, and the heat-sealability at the periphery of the opening An exterior member in which the resin layers are heat-sealed to form a heat seal portion, a positive electrode housed in the exterior member, an electrode group having a negative electrode and a separator and a non-aqueous electrolyte, and a positive electrode led out from the exterior member And a negative electrode terminal connected to the negative electrode and having a voltage of 3.75V to 3.90V.

この二次電池には、ラミネートフィルム内面の樹脂層にピンホール等が存在する場合があり、この場合には、電解質中のリチウムイオンが金属層のアルミニウムまたはアルミニウム合金と反応してリチウム−アルミニウム合金が生成される。このリチウム−アルミニウム合金は体積膨張が大きく、水分との反応性も高い。このため、金属層が時間と共に崩壊してその本来の目的である水分などに対するバリア性が低下するという不具合が二次電池に発生する。   In this secondary battery, pinholes or the like may exist in the resin layer on the inner surface of the laminate film. In this case, lithium ions in the electrolyte react with the aluminum or aluminum alloy in the metal layer to cause a lithium-aluminum alloy. Is generated. This lithium-aluminum alloy has a large volume expansion and high reactivity with moisture. For this reason, the malfunction that a barrier property with respect to the water | moisture content etc. which is the original objective falls by time will generate | occur | produce in a secondary battery.

そこで、特許文献1に開示された二次電池の検査方法では、非水電解質二次電池の正極端子と外装部材の熱シール部に位置する金属層との間の電圧を入力インピーダンスが1Gオーム以上の電圧計で測定し、0.2V〜3.1Vの電圧範囲を判定指標として良否を判定することにより、上記の不具合の発生の有無を検査している。また、正極端子と外装部材の金属層との間の電圧測定においては、例えば一対の測定用端子のうち、一方の測定用端子を正極端子に接触させ、他方の測定端子は先端を外装部材のシール部に位置する合成樹脂層を貫通させることで金属層に接触させている。   Therefore, in the secondary battery inspection method disclosed in Patent Document 1, the voltage between the positive electrode terminal of the nonaqueous electrolyte secondary battery and the metal layer located in the heat seal portion of the exterior member is set to an input impedance of 1 G ohm or more. In this case, the presence or absence of the above-described defect is inspected by determining whether the voltage range of 0.2V to 3.1V is a determination index. In measuring the voltage between the positive electrode terminal and the metal layer of the exterior member, for example, one of the pair of measurement terminals is brought into contact with the positive electrode terminal, and the other measurement terminal has the tip of the exterior member. The synthetic resin layer located in the seal portion is penetrated to contact the metal layer.

また、この二次電池の検査方法では、入力インピーダンスが1Gオーム以上の電圧計を使用しているものの、一方の測定用端子と正極端子との間の接触抵抗、および他方の測定端子と外装部材の金属層との間の接触抵抗が大きいとき(一般的には後者の抵抗値が大きくなる可能性が高い)には、二次電池の電圧についての測定誤差が大きくなる。このため、この二次電池の検査方法では、電圧計での電圧測定に先立ち、補助測定用端子の先端を外装部材のシール部に位置する合成樹脂層を貫通させて金属層に突き刺し、他方の測定用端子および補助測定用端子間の抵抗を測定して他方の測定用端子と金属層との導通確認を行う。これにより、他方の測定用端子が接触抵抗の小さい状態で外装部材の金属層に確実に接触している状態での電圧測定を可能として、検査の信頼性を向上させている。   Further, in this secondary battery inspection method, although a voltmeter having an input impedance of 1 G ohm or more is used, the contact resistance between one measurement terminal and the positive terminal, and the other measurement terminal and the exterior member When the contact resistance with the metal layer is large (generally, the latter resistance value is likely to increase), the measurement error for the voltage of the secondary battery increases. For this reason, in this secondary battery inspection method, prior to voltage measurement with a voltmeter, the tip of the auxiliary measurement terminal penetrates the synthetic resin layer located at the seal portion of the exterior member and pierces the metal layer, The resistance between the measurement terminal and the auxiliary measurement terminal is measured to check the continuity between the other measurement terminal and the metal layer. Thereby, voltage measurement can be performed in a state in which the other measurement terminal is reliably in contact with the metal layer of the exterior member in a state where the contact resistance is small, and the reliability of the inspection is improved.

ところで、補助測定用端子を使用する上記の構成では、一対の測定用端子以外にこの補助測定用端子を備えることから装置構成がその分だけ複雑になる。このため、補助測定用端子を使用しない構成とするのが好ましい。このような補助測定用端子を使用しないで、一対の測定用端子と被測定対象の一対の端子との間の接触状態を確認するための構成に類似する構成として、本願出願人は下記の特許文献2に開示された構成を既に提案している。この構成は、コンタクトチェックのための構成であって、被測定対象(被測定試料)に交流定電流を供給する電流源と、交流定電流の供給時に測定対象に発生する交流電圧を検出する交流出力アンプと、この交流出力アンプの出力信号を交流定電流の周波数で同期検波する第2ロックインアンプとを備え、第2ロックインアンプから出力される電圧に基づいて、接触抵抗を検出することが可能になっている。   By the way, in said structure using the auxiliary | assistant measurement terminal, since this auxiliary | assistant measurement terminal is provided in addition to a pair of measurement terminal, an apparatus structure becomes complicated so much. For this reason, it is preferable that the auxiliary measurement terminal is not used. As a configuration similar to the configuration for confirming the contact state between the pair of measurement terminals and the pair of terminals to be measured without using such auxiliary measurement terminals, the applicant of the present application The configuration disclosed in Document 2 has already been proposed. This configuration is for contact check, and includes a current source that supplies an AC constant current to the measurement target (sample to be measured), and an AC that detects an AC voltage generated at the measurement target when the AC constant current is supplied. An output amplifier and a second lock-in amplifier that synchronously detects an output signal of the AC output amplifier at a frequency of an AC constant current, and detecting contact resistance based on a voltage output from the second lock-in amplifier Is possible.

特開2005−251685号公報(第3−9頁、第3図)Japanese Patent Laying-Open No. 2005-251685 (page 3-9, FIG. 3) 特開2006−322821号公報(第8−9頁、第4図)JP 2006-322821 A (pages 8-9, FIG. 4)

ところが、上記した接触状態を確認するための構成(コンタクトチェックのための構成)には、以下のような改善すべき課題が存在している。すなわち、この接触状態を確認するための構成では、測定装置と被測定対象とを接続する一対のプローブ間の容量(静電容量)が極めて小さいか、または無視できる場合には、接触抵抗をほぼ正確に検出することが可能であるが、一対のプローブ間の容量が無視できない状況下では、接触抵抗が大きな場合でも、このプローブ間の容量の影響で第2ロックインアンプから出力される電圧が低下する。したがって、この接触状態を確認するための構成には、一対のプローブ間の容量が無視できない状況下において、一対の測定用端子と被測定対象の一対の端子との間の接触状態を正確に検出することができない場合が生じるという改善すべき課題が存在している。   However, the above-described configuration for confirming the contact state (configuration for contact check) has the following problems to be improved. That is, in the configuration for confirming the contact state, when the capacitance (capacitance) between the pair of probes connecting the measuring apparatus and the object to be measured is extremely small or negligible, the contact resistance is almost reduced. Although it is possible to detect accurately, under the situation where the capacitance between a pair of probes cannot be ignored, even if the contact resistance is large, the voltage output from the second lock-in amplifier is affected by the capacitance between the probes. descend. Therefore, the configuration for confirming the contact state accurately detects the contact state between the pair of measurement terminals and the pair of terminals to be measured in a situation where the capacitance between the pair of probes cannot be ignored. There is an issue that needs to be improved that there are cases where it cannot be done.

本発明は、かかる課題を改善するためになされたものであり、補助測定用端子を使用することなく、一対のプローブ間の容量が無視できない状況下においても、一対のプローブの被測定対象の各電極への接触状態を正確に判別し得る接触状態判別装置および接触状態判別方法と、この接触状態判別装置を備えて被測定対象である二次電池の検査を精度良く実行し得る二次電池の検査装置とを提供することを主目的とする。   The present invention has been made in order to improve such a problem, and without using an auxiliary measurement terminal, each of the objects to be measured of the pair of probes can be obtained even in a situation where the capacity between the pair of probes cannot be ignored. A contact state discriminating apparatus and a contact state discriminating method capable of accurately discriminating the contact state with the electrode, and a secondary battery capable of accurately executing the inspection of the secondary battery to be measured with the contact state discriminating apparatus. The main purpose is to provide an inspection device.

上記目的を達成すべく請求項1記載の接触状態判別装置は、被測定対象の一対の電極に接触させられる一対のプローブの当該一対の電極との間の接触状態を判別する接触状態判別装置であって、一対の電流出力端子が前記一対のプローブにそれぞれ接続されて前記一対のプローブを介して前記被測定対象に交流検査電流を供給する電流供給部と、一対の電圧入力端子が前記一対のプローブにそれぞれ接続されて前記交流検査電流の供給状態において当該一対のプローブ間に発生する交流電圧を検出電圧信号として検出する電圧検出部と、前記交流検査電流と同一周波数であって、当該交流検査電流に対して位相が0度を超え90度未満の角度範囲内の任意の角度だけ遅れた検波用信号を生成する検波信号生成部と、前記検出電圧信号を前記検波用信号で検波することによって直流検波電圧を生成する検波部と、前記直流検波電圧に基づいて前記接触状態を判別する接触判別処理を実行する処理部とを備えている。   The contact state determination device according to claim 1 is a contact state determination device that determines a contact state between a pair of probes that are brought into contact with a pair of electrodes to be measured. A pair of current output terminals connected to the pair of probes and supplying an AC test current to the object to be measured via the pair of probes; and a pair of voltage input terminals A voltage detection unit that is connected to each probe and detects an AC voltage generated between the pair of probes in the supply state of the AC inspection current as a detection voltage signal; and has the same frequency as the AC inspection current, and the AC inspection A detection signal generation unit that generates a detection signal delayed by an arbitrary angle within an angle range of greater than 0 degrees and less than 90 degrees with respect to the current; and the detected voltage signal It includes a detection unit for generating a DC detection voltage by detecting in use signal, and a processing unit for executing the contact determination process for determining the contact state based on the DC detection voltage.

請求項2記載の接触状態判別装置は、請求項1記載の接触状態判別装置において、前記処理部は、前記接触判別処理において、前記接触状態が開放状態および開放状態に極めて近い状態のうちのいずれかの状態となる第1接触状態のときの前記交流検査電流と前記直流検波電圧とに基づいて予め算出された前記一対のプローブ間のインピーダンスの値を下回り、かつ前記接触状態が短絡状態および短絡状態に極めて近い状態のうちのいずれかの状態となる第2接触状態のときの前記交流検査電流と前記直流検波電圧とに基づいて予め算出された前記一対のプローブ間のインピーダンスの値を上回る値に予め規定されたしきい値と、前記一対のプローブを前記一対の電極に接触させているときの前記交流検査電流と前記直流検波電圧とに基づいて算出された前記一対のプローブ間のインピーダンスの値とを比較して、当該インピーダンスの値が前記しきい値以下のときには前記接触状態は良好であり、当該インピーダンスの値が当該しきい値を上回るときには前記接触状態は不良であると判別する。   The contact state determination device according to claim 2 is the contact state determination device according to claim 1, wherein the processing unit is any one of an open state and a state that is very close to the open state in the contact determination process. Less than the impedance value between the pair of probes calculated in advance based on the AC inspection current and the DC detection voltage in the first contact state, and the contact state is a short-circuit state and a short-circuit state. A value that exceeds the impedance value between the pair of probes calculated in advance based on the alternating current inspection current and the direct current detection voltage in the second contact state that is one of the states that are very close to the state. Based on a predetermined threshold value and the AC inspection current and the DC detection voltage when the pair of probes are in contact with the pair of electrodes. Comparing the calculated impedance value between the pair of probes, when the impedance value is less than or equal to the threshold value, the contact state is good, and when the impedance value exceeds the threshold value The contact state is determined to be defective.

請求項3記載の接触状態判別装置は、請求項1記載の接触状態判別装置において、前記処理部は、前記接触判別処理において、前記接触状態が開放状態および開放状態に極めて近い状態のうちのいずれかの状態となる第1接触状態のときに前記検波部によって生成される前記直流検波電圧の電圧値を下回り、かつ前記接触状態が短絡状態および短絡状態に極めて近い状態のうちのいずれかの状態となる第2接触状態のときに前記検波部によって生成される前記直流検波電圧の電圧値を上回る値に予め規定されたしきい値と、前記一対のプローブを前記一対の電極に接触させているときに生成される前記直流検波電圧とを比較して、当該直流検波電圧の電圧値が当該しきい値以下のときには前記接触状態は良好であり、当該直流検波電圧の電圧値が当該しきい値を上回るときには前記接触状態は不良であると判別する。   The contact state determination device according to claim 3 is the contact state determination device according to claim 1, wherein in the contact determination process, the processing unit is any one of an open state and a state very close to the open state. A state that is lower than the voltage value of the DC detection voltage generated by the detection unit in the first contact state, and the contact state is very short and short. A threshold value that is defined in advance to a value that exceeds the voltage value of the DC detection voltage generated by the detection unit in the second contact state, and the pair of probes are in contact with the pair of electrodes. When the voltage value of the DC detection voltage is equal to or lower than the threshold value, the contact state is good, and the voltage of the DC detection voltage is There it is determined that when the value rises above this threshold the contact state is not normal.

請求項4記載の二次電池の検査装置は、請求項1から3のいずれかに記載の接触状態判別装置と、前記一対のプローブと、当該一対のプローブがそれぞれ接続される一対の測定用端子と、一対の電圧測定端子が当該一対の測定用端子にそれぞれ接続されて前記被測定対象としての二次電池の前記一対の電極間に発生する直流電圧を測定する電圧測定部とを備えている。   The inspection apparatus for a secondary battery according to claim 4 is a contact state determination device according to any one of claims 1 to 3, the pair of probes, and a pair of measurement terminals to which the pair of probes are respectively connected. A pair of voltage measurement terminals connected to the pair of measurement terminals, respectively, and a voltage measurement unit that measures a DC voltage generated between the pair of electrodes of the secondary battery as the measurement target. .

請求項5記載の接触状態判別方法は、被測定対象の一対の電極に接触させられる一対のプローブの当該一対の電極との間の接触状態を判別する接触状態判別方法であって、一対の電流出力端子が前記一対のプローブにそれぞれ接続されて前記一対のプローブを介して前記被測定対象に交流検査電流を供給する電流供給ステップと、一対の電圧入力端子が前記一対のプローブにそれぞれ接続されて前記交流検査電流の供給状態において当該一対のプローブ間に発生する交流電圧を検出電圧信号として検出する電圧検出ステップと、前記交流検査電流と同一周波数であって、当該交流検査電流に対して位相が0度を超え90度未満の角度範囲内の任意の角度だけ遅れた検波用信号を生成する検波信号生成ステップと、前記検出電圧信号を前記検波用信号で検波することによって直流検波電圧を生成する検波ステップと、前記直流検波電圧に基づいて前記接触状態を判別する接触判別ステップとを実行する。   The contact state determination method according to claim 5 is a contact state determination method for determining a contact state between a pair of probes brought into contact with a pair of electrodes to be measured, and the pair of currents. An output terminal is connected to each of the pair of probes, and a current supply step for supplying an AC inspection current to the object to be measured via the pair of probes; and a pair of voltage input terminals are connected to the pair of probes, respectively. A voltage detection step of detecting an alternating voltage generated between the pair of probes in the supply state of the alternating current inspection current as a detection voltage signal; and a frequency that is the same as the alternating current inspection current and having a phase relative to the alternating current inspection current. A detection signal generating step for generating a detection signal delayed by an arbitrary angle within an angle range of more than 0 degrees and less than 90 degrees; and the detection voltage signal is converted into the detection signal Performing a detection step of generating a DC detection voltage by detecting the signal, and a contact determination step of determining the contact state based on the DC detection voltage.

請求項6記載の接触状態判別方法は、請求項5記載の接触状態判別方法の前記接触判別ステップにおいて、前記接触状態が開放状態および開放状態に極めて近い状態のうちのいずれかの状態となる第1接触状態のときの前記交流検査電流と前記直流検波電圧とに基づいて予め算出された前記一対のプローブ間のインピーダンスの値を下回り、かつ前記接触状態が短絡状態および短絡状態に極めて近い状態のうちのいずれかの状態となる第2接触状態のときの前記交流検査電流と前記直流検波電圧とに基づいて予め算出された前記一対のプローブ間のインピーダンスの値を上回る値に予め規定されたしきい値と、前記一対のプローブを前記一対の電極に接触させているときの前記交流検査電流と前記直流検波電圧とに基づいて算出された前記一対のプローブ間のインピーダンスの値とを比較して、当該インピーダンスの値が前記しきい値以下のときには前記接触状態は良好であり、当該インピーダンスの値が当該しきい値を上回るときには前記接触状態は不良であると判別する。   The contact state determination method according to claim 6 is the contact determination step of the contact state determination method according to claim 5, wherein the contact state is one of an open state and a state very close to the open state. The impedance is less than the impedance value between the pair of probes calculated in advance based on the AC inspection current and the DC detection voltage in a single contact state, and the contact state is very close to the short circuit state and the short circuit state. It is preliminarily defined as a value that exceeds the impedance value between the pair of probes calculated in advance based on the AC inspection current and the DC detection voltage in the second contact state that is one of the states. The one calculated based on the threshold value and the AC inspection current and the DC detection voltage when the pair of probes are in contact with the pair of electrodes. When the impedance value is below the threshold value, the contact state is good, and when the impedance value exceeds the threshold value, the contact state is poor. It is determined that

請求項7記載の接触状態判別方法は、請求項5記載の接触状態判別方法の前記接触判別ステップにおいて、前記接触状態が開放状態および開放状態に極めて近い状態のうちのいずれかの状態となる第1接触状態のときに前記検波によって生成される前記直流検波電圧の電圧値を下回り、かつ前記接触状態が短絡状態および短絡状態に極めて近い状態のうちのいずれかの状態となる第2接触状態のときに前記検波によって生成される前記直流検波電圧の電圧値を上回る値に予め規定されたしきい値と、前記一対のプローブを前記一対の電極に接触させているときに生成される前記直流検波電圧とを比較して、当該直流検波電圧の電圧値が前記しきい値以下のときには前記接触状態は良好であり、当該直流検波電圧の電圧値が当該しきい値を上回るときには前記接触状態は不良であると判別する。   The contact state determination method according to claim 7 is a contact state determination method according to claim 5, wherein the contact state is one of an open state and a state that is extremely close to the open state. A second contact state that is lower than a voltage value of the DC detection voltage generated by the detection in the one contact state, and the contact state is one of a short circuit state and a state very close to the short circuit state. The DC detection generated when the pair of probes are brought into contact with the pair of electrodes, and a threshold value preliminarily defined to a value exceeding the voltage value of the DC detection voltage generated by the detection. When the voltage value of the DC detection voltage is less than or equal to the threshold value, the contact state is good, and the voltage value of the DC detection voltage exceeds the threshold value. Sometimes the contact state is determined to be defective.

請求項1記載の接触状態判別装置および請求項5記載の接触状態判別方法によれば、検出電圧信号を任意の角度だけ遅れた検波用信号で検波して生成される直流検波電圧に基づいて各プローブと被測定対象の各電極との間の接触状態を判別することにより、一対のプローブの相互間に無視できない大きさの静電容量が生じている構成であっても、補助測定用端子を使用することなく、各プローブと被測定対象の各電極との間の接触状態を正確に判別することができる。   According to the contact state determination device according to claim 1 and the contact state determination method according to claim 5, each detection voltage signal is detected based on a DC detection voltage generated by detecting the detection voltage signal with a detection signal delayed by an arbitrary angle. By determining the contact state between the probe and each electrode to be measured, the auxiliary measurement terminal can be connected even if there is a capacitance that cannot be ignored between the pair of probes. Without using, it is possible to accurately determine the contact state between each probe and each electrode to be measured.

請求項2記載の接触状態判別装置および請求項6記載の接触状態判別方法では、各プローブと被測定対象の各電極との間の接触状態が第1接触状態のときに生成される直流検波電圧に基づいて算出されるインピーダンスの値を下回り、かつこの接触状態が第2接触状態のときに生成される直流検波電圧に基づいて算出されるインピーダンスの値を上回る任意の値にしきい値が予め規定されている。   The contact state determination apparatus according to claim 2 and the contact state determination method according to claim 6, wherein the DC detection voltage generated when the contact state between each probe and each electrode to be measured is the first contact state. The threshold value is preliminarily defined to an arbitrary value that is lower than the impedance value calculated based on the voltage and exceeds the impedance value calculated based on the DC detection voltage generated when the contact state is the second contact state. Has been.

請求項3記載の接触状態判別装置および請求項7記載の接触状態判別方法では、各プローブと被測定対象の各電極との間の接触状態が第1接触状態のときに生成される直流検波電圧の電圧値を下回り、かつこの接触状態が第2接触状態のときに生成される直流検波電圧の電圧値を上回る任意の値にしきい値が予め規定されている。   The contact state determination device according to claim 3 and the contact state determination method according to claim 7, wherein the DC detection voltage generated when the contact state between each probe and each electrode to be measured is the first contact state. The threshold value is defined in advance to an arbitrary value that is lower than the voltage value of the DC detection voltage and exceeds the voltage value of the DC detection voltage generated when the contact state is the second contact state.

したがって、これらの接触状態判別装置およびこれらの接触状態判別方法によれば、このようにして規定したしきい値と、各プローブを各電極に接触させているときに生成される直流検波電圧に基づいて算出されるインピーダンスの値(または直流検波電圧の電圧値)とを比較することにより、各プローブと被測定対象の各電極との間の接触状態の良否を確実に判別することができる。   Therefore, according to these contact state determination devices and these contact state determination methods, based on the threshold value thus defined and the DC detection voltage generated when each probe is in contact with each electrode. By comparing the impedance value (or the voltage value of the DC detection voltage) calculated in this way, the quality of the contact state between each probe and each electrode to be measured can be reliably determined.

また、請求項4記載の二次電池の検査装置によれば、接触状態判別装置によって各プローブと被測定対象としての二次電池の各電極との間の接触状態を確実に良好な状態にした状態で、二次電池の電池電圧を電圧測定部で測定できるため、電圧測定部において電池電圧を正確に測定できる結果、この正確な電池電圧に基づいて二次電池の良否を正確に検査することができる。   Further, according to the secondary battery inspection apparatus of the fourth aspect, the contact state between each probe and each electrode of the secondary battery as the object to be measured is reliably made good by the contact state determination device. Since the battery voltage of the secondary battery can be measured by the voltage measurement unit in the state, the voltage measurement unit can accurately measure the battery voltage, and as a result, the quality of the secondary battery can be accurately inspected based on this accurate battery voltage. Can do.

接触状態判別装置1および二次電池の検査装置11の構成図である。It is a block diagram of the contact state determination apparatus 1 and the inspection apparatus 11 of a secondary battery. 一対の測定用端子TP1,TP2、一対のプローブPL1,PL2および二次電池70についての等価回路である。4 is an equivalent circuit for a pair of measurement terminals TP1 and TP2, a pair of probes PL1 and PL2, and a secondary battery 70. 角度θ毎(0度、−5度、−10度、−20度、−40度、−60度、−90度)の、接触抵抗Rcを1Ωから1MΩまで変化させたときのインピーダンス(|Z|×cosθ)を示す特性図である。Impedance (| Z when contact resistance Rc is changed from 1Ω to 1MΩ for each angle θ (0 °, −5 °, −10 °, −20 °, −40 °, −60 °, −90 °) | × cos θ) is a characteristic diagram. 図3における角度θ毎のインピーダンス(|Z|×cosθ)の特性図について、接触抵抗Rcを1MΩとしたときの値を「100%」として正規化した特性図である。FIG. 4 is a characteristic diagram obtained by normalizing the value of the impedance (| Z | × cos θ) for each angle θ in FIG. 3 as “100%” when the contact resistance Rc is 1 MΩ.

以下、接触状態判別装置、二次電池の検査装置および接触状態判別方法の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。   Hereinafter, embodiments of a contact state determination device, a secondary battery inspection device, and a contact state determination method will be described with reference to the accompanying drawings.

最初に、接触状態判別装置および二次電池の検査装置の各構成について、図面を参照して説明する。   First, each configuration of the contact state determination device and the secondary battery inspection device will be described with reference to the drawings.

まず、図1に示す接触状態判別装置としての接触状態判別装置1の構成について説明する。この接触状態判別装置1は、先端側が被測定対象70(本例では一例として二次電池。以下、二次電池70ともいう)の一対の電極EL1,EL2(この例では一例として、二次電池70の後述する正極72に接続された後述の正極端子74、および後述する外装部材71の金属層76a。以下、正極端子EL1、金属層EL2ともいう)に接触させられる一対のプローブPL1,PL2についての一対の電極EL1,EL2との間の接触状態を判別する装置である。なお、図1に示すように、一対のプローブPL1,PL2のうちの一方のプローブPL1の基端は、後述する検査装置11の一対の測定用端子TP1,TP2のうちの一方の測定用端子TP1に接続され、他方のプローブPL2の基端は、他方の測定用端子TP2に接続されている。   First, the configuration of the contact state determination device 1 as the contact state determination device shown in FIG. 1 will be described. The contact state discriminating apparatus 1 has a pair of electrodes EL1, EL2 (a secondary battery as an example in this example) whose tip side is a measurement object 70 (in this example, a secondary battery; hereinafter also referred to as a secondary battery 70). A pair of probes PL1 and PL2 that are brought into contact with a later-described positive electrode terminal 74 connected to a later-described positive electrode 72 and a metal layer 76a of an exterior member 71 described later (also referred to as a positive electrode terminal EL1 and a metal layer EL2). It is an apparatus which discriminate | determines the contact state between a pair of electrode EL1, EL2. As shown in FIG. 1, the base end of one probe PL1 of the pair of probes PL1 and PL2 is one measurement terminal TP1 of a pair of measurement terminals TP1 and TP2 of the inspection apparatus 11 described later. The base end of the other probe PL2 is connected to the other measurement terminal TP2.

接触状態判別装置1によって一対のプローブPL1,PL2との接触状態が判別される二次電池70は、一例として、図1に示すように、外装部材71、電極群72,73、不図示の電解質、正極端子74および負極端子75を備えている。この場合、外装部材71は、金属層(シーラント)76aの両面に合成樹脂層(例えばポリエチレン)76bを貼り合わせたラミネートフィルム76を袋状またはカップ状に成型して構成されている。電極群72,73および電解質は、外装部材71内に収納されている。正極端子74は、電極群72,73のうちの正極72に接続され、負極端子75は、電極群72,73のうちの負極73に接続されている。   As shown in FIG. 1, as an example, the secondary battery 70 whose contact state with the pair of probes PL1 and PL2 is determined by the contact state determination device 1 includes an exterior member 71, electrode groups 72 and 73, and an electrolyte (not shown). The positive terminal 74 and the negative terminal 75 are provided. In this case, the exterior member 71 is configured by molding a laminate film 76 in which a synthetic resin layer (for example, polyethylene) 76b is bonded to both surfaces of a metal layer (sealant) 76a into a bag shape or a cup shape. The electrode groups 72 and 73 and the electrolyte are housed in the exterior member 71. The positive electrode terminal 74 is connected to the positive electrode 72 of the electrode groups 72 and 73, and the negative electrode terminal 75 is connected to the negative electrode 73 of the electrode groups 72 and 73.

以上の構成により、二次電池70は、正極端子74および金属層76aが一対の電極EL1,EL2となるときには、正極端子74と金属層76aが静電容量Cpを介して結合する構成となることから、容量性の被測定対象となっている。なお、二次電池70は、負極端子75および金属層76aが一対の電極EL1,EL2となるときにも、同様にして、容量性の被測定対象となる。   With the above configuration, the secondary battery 70 is configured such that when the positive electrode terminal 74 and the metal layer 76a become a pair of electrodes EL1 and EL2, the positive electrode terminal 74 and the metal layer 76a are coupled via the capacitance Cp. Therefore, it is a capacitive object to be measured. Note that the secondary battery 70 is also a capacitive measurement target even when the negative electrode terminal 75 and the metal layer 76a become a pair of electrodes EL1 and EL2.

接触状態判別装置1は、図1に示すように、一例として、電流供給部2、電圧検出部3、検波信号生成部4、検波部5、処理部6、出力部7および記憶部8を備えている。電流供給部2は、例えば交流定電流源(出力インピーダンスが極めて高い構成要素)で構成されて、一対の電流出力端子2a,2bが一対のプローブPL1,PL2の各基端(各基端が接続されている一対の測定用端子TP1,TP2)に接続されている。この構成により、電流供給部2は、一対のプローブPL1,PL2を介して二次電池70に交流検査電流(周波数fが一定の交流定電流)I1を供給することが可能になっている。また、この電流供給部2は、電流出力端子2bが接触状態判別装置1における基準電位(グランド電位G)に接続されている。また、この電流供給部2は、交流検査電流I1の供給時に、交流検査電流I1と同一の周波数fで、かつ同一位相の基準信号Vrefを検波信号生成部4に出力する。   As shown in FIG. 1, the contact state determination device 1 includes, as an example, a current supply unit 2, a voltage detection unit 3, a detection signal generation unit 4, a detection unit 5, a processing unit 6, an output unit 7, and a storage unit 8. ing. The current supply unit 2 is composed of, for example, an AC constant current source (component having extremely high output impedance), and a pair of current output terminals 2a and 2b are connected to the base ends of the pair of probes PL1 and PL2 (each base end is connected). Are connected to a pair of measurement terminals TP1, TP2). With this configuration, the current supply unit 2 can supply an AC inspection current (AC constant current with a constant frequency f) I1 to the secondary battery 70 via the pair of probes PL1 and PL2. In the current supply unit 2, the current output terminal 2 b is connected to the reference potential (ground potential G) in the contact state determination device 1. Further, the current supply unit 2 outputs the reference signal Vref having the same frequency f and the same phase as the AC test current I1 to the detection signal generation unit 4 when the AC test current I1 is supplied.

電圧検出部3は、例えば、ボルテージフォロワ回路に構成された演算増幅器(不図示)で構成されて、交流検査電流I1の供給状態において、一対の電圧入力端子3a,3bが接続された一対のプローブPL1,PL2の各基端(各基端が接続されている一対の測定用端子TP1,TP2)間に発生する交流電圧V1を、極めて高い入力インピーダンスで検出して検出電圧信号V2(本例では一例として交流電圧V1と同じ振幅の交流信号)として低インピーダンスで出力する。   The voltage detection unit 3 is composed of, for example, an operational amplifier (not shown) configured in a voltage follower circuit, and a pair of probes to which a pair of voltage input terminals 3a and 3b are connected in the supply state of the AC inspection current I1. An AC voltage V1 generated between the base ends of PL1 and PL2 (a pair of measurement terminals TP1 and TP2 to which the base ends are connected) is detected with an extremely high input impedance, and a detection voltage signal V2 (in this example) As an example, an AC signal having the same amplitude as the AC voltage V1 is output with low impedance.

検波信号生成部4は、基準信号Vrefを入力すると共に、この基準信号Vrefと同一の周波数fであって、この基準信号Vrefに対して位相が0度を超え90度未満の角度範囲内の任意の角度だけ遅れた検波用信号V3(基準信号Vrefに対する遅れ角度がθの検波用信号V3。ここで、角度θは、0度>θ>−90度の範囲内の任意の値)を生成して出力する。上記したように、基準信号Vrefは交流検査電流I1と同一周波数で、かつ同一位相であることから、検波用信号V3は、交流検査電流I1と同一周波数であって、交流検査電流I1に対して位相が0度を超え90度未満の角度範囲内の任意の角度だけ遅れた信号(角度θが0度未満で−90度を超える範囲内の信号)でもある。   The detection signal generation unit 4 receives the reference signal Vref, and has the same frequency f as the reference signal Vref, and an arbitrary phase within an angle range of more than 0 degrees and less than 90 degrees with respect to the reference signal Vref. Detection signal V3 delayed by an angle of (a detection signal V3 having a delay angle θ relative to the reference signal Vref, where angle θ is an arbitrary value within a range of 0 degree> θ> −90 degrees). Output. As described above, since the reference signal Vref has the same frequency and the same phase as the AC inspection current I1, the detection signal V3 has the same frequency as the AC inspection current I1 and is equal to the AC inspection current I1. It is also a signal delayed by an arbitrary angle within an angle range in which the phase exceeds 0 degree and less than 90 degrees (a signal in a range where the angle θ is less than 0 degree and exceeds −90 degrees).

検波部5は、検出電圧信号V2および検波用信号V3を入力して、検出電圧信号V2を検波用信号V3で検波(同期検波)することにより、直流検波電圧V5を生成して出力する。本例では一例として、検波部5は、図1に示すように、検出電圧信号V2と検波用信号V3とを乗算して乗算信号V4を出力する乗算回路5a、およびこの乗算信号V4を平滑して直流検波電圧V5を出力するフィルタ部(ローパスフィルタ)5bを備えている。   The detection unit 5 receives the detection voltage signal V2 and the detection signal V3, detects the detection voltage signal V2 with the detection signal V3 (synchronous detection), and generates and outputs a DC detection voltage V5. In this example, as an example, the detection unit 5 multiplies the detection voltage signal V2 and the detection signal V3 and outputs a multiplication signal V4, as shown in FIG. 1, and smoothes the multiplication signal V4. And a filter unit (low-pass filter) 5b for outputting the DC detection voltage V5.

この直流検波電圧V5について具体的に説明する。直流検波電圧V5のもとになる一方の検出電圧信号V2、すなわち交流電圧V1は、上記したように、交流検査電流I1の供給状態において一対の測定用端子TP1,TP2間に発生する電圧である。したがって、図1に示すように、一対のプローブPL1,PL2を二次電池70の一対の電極EL1,EL2に接触させた状態での一対の測定用端子TP1,TP2間のインピーダンスをZとしたときに、このインピーダンスZに交流検査電流I1が流れることによってこのインピーダンスZに発生する電圧(|Z|×I1)である。   The DC detection voltage V5 will be specifically described. One detection voltage signal V2, which is the source of the DC detection voltage V5, that is, the AC voltage V1, is a voltage generated between the pair of measuring terminals TP1 and TP2 in the supply state of the AC inspection current I1, as described above. . Therefore, as shown in FIG. 1, when the impedance between the pair of measuring terminals TP1, TP2 in a state where the pair of probes PL1, PL2 is in contact with the pair of electrodes EL1, EL2 of the secondary battery 70 is Z. Furthermore, a voltage (| Z | × I1) generated in the impedance Z when the AC inspection current I1 flows through the impedance Z.

なお、一対の測定用端子TP1,TP2に接続される一対のプローブPL1,PL2間の配線容量(静電容量)をCcとし、プローブPL1と電極EL1間の接触抵抗をRc1、プローブPL2と電極EL2間の接触抵抗をRc2とし、二次電池70はその正極端子74および金属層76aが一対の電極EL1,EL2に接続される構成では容量性(静電容量Cp)の被測定対象になることを考慮すると、一対の測定用端子TP1,TP2から二次電池70までの等価回路は、図2に示す構成となる。このため、上記のインピーダンスZは、2つの接触抵抗Rc1,Rc2および静電容量Cpの直列回路に、静電容量Ccが並列接続された回路の合成インピーダンス(下記の式(1)参照)となる。
Z=1/(1/(Rc+1/jωCp)+jωCc) ・・・(1)
ω=2πfであり、Rc=Rc1+Rc2としている。
Note that the wiring capacitance (capacitance) between the pair of probes PL1 and PL2 connected to the pair of measurement terminals TP1 and TP2 is Cc, the contact resistance between the probe PL1 and the electrode EL1 is Rc1, and the probe PL2 and the electrode EL2 The contact resistance between them is assumed to be Rc2, and the secondary battery 70 is to be measured (capacitance Cp) to be measured in the configuration in which the positive electrode terminal 74 and the metal layer 76a are connected to the pair of electrodes EL1 and EL2. In consideration, an equivalent circuit from the pair of measurement terminals TP1 and TP2 to the secondary battery 70 has a configuration shown in FIG. Therefore, the impedance Z is the combined impedance of a circuit in which the capacitance Cc is connected in parallel to the series circuit of the two contact resistors Rc1 and Rc2 and the capacitance Cp (see the following formula (1)). .
Z = 1 / (1 / (Rc + 1 / jωCp) + jωCc) (1)
ω = 2πf and Rc = Rc1 + Rc2.

ここで、交流検査電流I1をa[A]の交流電流(つまり、振幅がaの正弦波(a×sinωt))とすると、インピーダンスZに交流検査電流I1が流れることによって発生する交流電圧V1(本例では、検出電圧信号V2でもある)は、|Z|×a×sinωtとなる。したがって、このときの基準信号Vrefを正弦波(sinωt)とすると、検波信号生成部4から出力される検波用信号V3はsin(ωt+θ)となることから、検波部5の乗算回路5aから出力される乗算信号V4は下記の式(2)のように表される。
V4=|Z|×a×sinωt×sin(ωt+θ)
=|Z|×a×[cosθ−cos(2ωt+θ)] ・・・(2)
Here, when the alternating current inspection current I1 is an alternating current of a [A] (that is, a sine wave (a × sinωt) having an amplitude a), the alternating current voltage V1 generated when the alternating current inspection current I1 flows through the impedance Z ( In this example, the detection voltage signal V2) is | Z | × a × sin ωt. Therefore, if the reference signal Vref at this time is a sine wave (sin ωt), the detection signal V3 output from the detection signal generation unit 4 becomes sin (ωt + θ), and thus is output from the multiplication circuit 5a of the detection unit 5. The multiplication signal V4 is expressed as the following equation (2).
V4 = | Z | × a × sin ωt × sin (ωt + θ)
= | Z | × a × [cos θ−cos (2ωt + θ)] (2)

これにより、ローパスフィルタで構成された検波部5のフィルタ部5bから出力される直流検波電圧V5は上記式(2)で表される乗算信号V4の直流成分であることから、下記の式(3)のように表される。
V5=|Z|×a×cosθ ・・・(3)
As a result, the DC detection voltage V5 output from the filter unit 5b of the detection unit 5 configured by a low-pass filter is a DC component of the multiplication signal V4 expressed by the above equation (2). ).
V5 = | Z | × a × cos θ (3)

そして、この式(3)に基づき、|Z|のパラメータである接触抵抗Rcを1Ωから1MΩまで変化させたときに直流検波電圧V5の電圧値から算出されるインピーダンス(この直流検波電圧V5の電圧値を交流検査電流I1の電流値aで除算して得られる値。|Z|×cosθ)を示す特性図を、角度θ毎(例えば、0度、−5度、−10度、−20度、−40度、−60度、−90度)に求めると、図3に示すようになる。   Based on this equation (3), when the contact resistance Rc, which is a parameter of | Z |, is changed from 1Ω to 1MΩ, the impedance calculated from the voltage value of the DC detection voltage V5 (the voltage of the DC detection voltage V5). A value obtained by dividing the value by the current value a of the AC inspection current I1 is a characteristic diagram showing | Z | × cos θ, for each angle θ (for example, 0 degrees, −5 degrees, −10 degrees, −20 degrees). -40 degrees, -60 degrees, -90 degrees), the result is as shown in FIG.

ここで、接触抵抗Rcが1MΩの状態とは、接触抵抗Rcが大きくなる第1接触状態(開放状態(オープン状態)および開放状態に極めて近い状態のうちのいずれかの状態。図2の等価回路がほぼ静電容量Ccだけとなるとき)の一例である。また、接触抵抗Rcが1Ωの状態とは、接触抵抗Rcが小さくなる第2接触状態(短絡状態および短絡状態に極めて近い状態のうちのいずれかの状態。図2の等価回路がほぼ静電容量Ccと静電容量Cpの並列回路だけとなるとき)の一例である。なお、一対のプローブPL1,PL2に5mの同軸ケーブル(1.5D−2V)を使用することを前提として、静電容量Ccを500pFとし、二次電池70の静電容量Cpについては小型のリチウムイオン電池(例えば、外形50mm×50m、ポリエチレンの比誘電率2.3、シーラントの厚みが50μmのラミネート型リチウムイオン電池)を想定して2nFとしている。また、交流検査電流I1の周波数fは1MHzとしている。   Here, the state in which the contact resistance Rc is 1 MΩ means a state in which the contact resistance Rc is increased, which is one of a first contact state (open state (open state) and a state very close to the open state). Is an example of a case where the capacitance is substantially only the capacitance Cc). Further, the state in which the contact resistance Rc is 1Ω is the second contact state in which the contact resistance Rc is small (a short circuit state or a state extremely close to the short circuit state. The equivalent circuit in FIG. This is an example of a case where only a parallel circuit of Cc and capacitance Cp is provided. The capacitance Cc is set to 500 pF on the assumption that a 5 m coaxial cable (1.5D-2V) is used for the pair of probes PL1 and PL2, and the capacitance Cp of the secondary battery 70 is small lithium. Assuming an ion battery (for example, a laminate type lithium ion battery having an outer shape of 50 mm × 50 m, a relative dielectric constant of polyethylene of 2.3, and a sealant thickness of 50 μm), it is set to 2 nF. The frequency f of the AC inspection current I1 is 1 MHz.

また、図3における角度θ毎のインピーダンス(|Z|×cosθ)の特性図について、接触抵抗Rcを1MΩとしたときの値(基準値)を「100%」として、各接触抵抗Rcでのインピーダンスの値を正規化した特性図を図4に示す。   Further, in the characteristic diagram of the impedance (| Z | × cos θ) for each angle θ in FIG. 3, the value (reference value) when the contact resistance Rc is 1 MΩ is set to “100%”, and the impedance at each contact resistance Rc. FIG. 4 shows a characteristic diagram obtained by normalizing the values of.

この図4から明らかなように、0度を超え90度以下の角度範囲内の任意の角度に検波信号生成部4で遅らせる角度(角度θ。検波部5での検波位相でもある)を設定したときには、接触抵抗Rcを1MΩ(第1接触状態)としたときの値を基準値(100%)として、いずれの角度θ(0度未満で、かつ−90度を超える角度)においても、接触抵抗Rcが小さくなる第2接触状態での値が角度θ毎の収束値(本例では一例としていずれの角度θでも約20%)に収束する。したがって、この収束値を上回り、かつ基準値(100%)を下回る範囲内の任意のインピーダンスの値(|Z|×cosθ)を、直流検波電圧V5に基づいて算出されるインピーダンスの値(|Z|×cosθ)に対するしきい値に設定することにより、算出されたインピーダンスの値(|Z|×cosθ)がこのしきい値を上回るときには、接触抵抗Rcが大きいために接触状態は不良であると判別し、算出されたインピーダンスの値(|Z|×cosθ)がこのしきい値以下のときには、接触抵抗Rcが小さいために接触状態は良好であると判別することが可能となる。   As is apparent from FIG. 4, an angle (angle θ, which is also a detection phase in the detection unit 5) to be delayed by the detection signal generation unit 4 is set to an arbitrary angle within an angle range of more than 0 degree and 90 degrees or less. In some cases, the contact resistance Rc is 1 MΩ (first contact state) as a reference value (100%), and the contact resistance at any angle θ (an angle less than 0 degree and greater than −90 degrees). The value in the second contact state where Rc becomes small converges to a convergence value for each angle θ (in this example, about 20% at any angle θ as an example). Therefore, an arbitrary impedance value (| Z | × cos θ) within the range exceeding the convergence value and below the reference value (100%) is calculated as an impedance value (| Z calculated based on the DC detection voltage V5). When the calculated impedance value (| Z | × cos θ) exceeds this threshold value by setting the threshold value for | × cos θ), the contact state is bad because the contact resistance Rc is large. When the determined impedance value (| Z | × cos θ) is less than or equal to this threshold value, it is possible to determine that the contact state is good because the contact resistance Rc is small.

例えば、図4に示す例においては、接触抵抗Rcが小さくなる第2接触状態での収束値が最も大きくなる角度θ(θ=−5度)でもその収束値が25%を下回ることから、25%以上で、かつ100%を下回る範囲内の任意のインピーダンスの値(例えば、40%のときのインピーダンスの値)を、直流検波電圧V5に基づいて算出されるインピーダンスに対するしきい値に設定することにより、算出されたインピーダンスの値がこのしきい値を上回るときには、接触抵抗Rcが大きいために接触状態は不良であると判別し、算出されたインピーダンスの値がこのしきい値以下のときには、接触抵抗Rcが小さいために接触状態は良好であると判別することが可能となる。   For example, in the example shown in FIG. 4, the convergence value is less than 25% even at an angle θ (θ = −5 degrees) at which the convergence value in the second contact state in which the contact resistance Rc is small is the largest. Set an arbitrary impedance value within a range greater than or equal to 100% and lower than 100% (for example, an impedance value at 40%) as a threshold value for the impedance calculated based on the DC detection voltage V5. Therefore, when the calculated impedance value exceeds the threshold value, the contact resistance Rc is large, so that the contact state is determined to be defective. When the calculated impedance value is equal to or lower than the threshold value, the contact state is determined. Since the resistance Rc is small, it can be determined that the contact state is good.

ただし、図4で示されるように、正規化されたインピーダンスは、角度θを0度未満で、かつ−90度以上の角度範囲(−90度まで含む角度範囲)内のいずれの値としたときにも、接触抵抗Rcが小さい状態から大きくなるに従い、それぞれの収束値から基準値(100%)に向けて上昇する。しかしながら、その上昇が開始する接触抵抗Rcは、角度θが小さくなる(遅れ自体は大きくなる)に従い大きくなる。つまり、角度θが−90度のときが、上昇の開始する接触抵抗Rcが最も大きくなり、その結果として、上記のようにして規定したしきい値に基づいて、接触状態が良好であると判別し得る接触抵抗Rcが大きくなる。   However, as shown in FIG. 4, the normalized impedance is obtained when the angle θ is less than 0 degrees and any value within an angle range of −90 degrees or more (angle range including up to −90 degrees). In addition, as the contact resistance Rc increases from a small state, it increases from the respective convergence value toward the reference value (100%). However, the contact resistance Rc at which the increase starts increases as the angle θ decreases (the delay itself increases). That is, when the angle θ is −90 degrees, the contact resistance Rc that starts to increase is the largest, and as a result, it is determined that the contact state is good based on the threshold value defined as described above. The contact resistance Rc that can be increased.

例を挙げて説明すると、図4において、例えば80%のときの値をしきい値としたときに、角度θが−5度では、接触抵抗Rcが約26Ω以下のときに接触状態が良好であると判別し得るのに対して、角度θが−10度では約53Ω以下、角度θが−20度では約110Ω以下、角度θが−40度では約220Ω以下、角度θが−60度では約370Ω以下、角度θが−90度では約700Ω以下というように、接触状態が良好であると判別し得る接触抵抗Rcが、角度θが小さくなる(0度から−90度に近づく)に従い大きくなり、角度θが−90度のときには接触抵抗Rcが極めて大きくなり(検出感度が悪くなり)、好ましくない。このため、検波信号生成部4での角度θは、−90度よりも大きな角度(−90度よりも0度に近い角度。−80度や、−70度など)とする必要がある。   For example, in FIG. 4, when the threshold value is 80%, for example, when the angle θ is −5 degrees, the contact state is good when the contact resistance Rc is about 26Ω or less. In contrast, when the angle θ is −10 degrees, the angle θ is about 53Ω or less, when the angle θ is −20 degrees, the angle θ is about 110Ω or less, when the angle θ is −40 degrees, the angle θ is about 220Ω or less, and the angle θ is −60 degrees. The contact resistance Rc that can be determined to be good is about 370Ω or less and the angle θ is about 700Ω or less when the angle θ is −90 degrees, and the contact resistance Rc increases as the angle θ decreases (from 0 degrees to −90 degrees). Therefore, when the angle θ is −90 degrees, the contact resistance Rc becomes extremely large (detection sensitivity is deteriorated), which is not preferable. Therefore, the angle θ in the detection signal generation unit 4 needs to be an angle larger than −90 degrees (an angle closer to 0 degrees than −90 degrees, −80 degrees, −70 degrees, etc.).

これにより、この接触状態判別装置1では、検波信号生成部4において遅らせる角度を、0度を超え90度未満の角度範囲内のいずれかの値(角度θを、0度未満で、かつ−90度を超える角度範囲内のいずれかの値)とし、このときに接触抵抗Rcを1MΩ(第1接触状態)としたときのインピーダンスの値(|Z|×cosθ)を基準値(100%)として、この第1接触状態のときの基準値を下回り、かつ上記した第2接触状態のときの値(本例では約20%の値)を上回る任意のインピーダンスの値(|Z|×cosθ)を予め算出してしきい値とし、このしきい値を示すしきい値データDthを後述するように記憶部8に予め記憶させる。   Thereby, in this contact state discrimination device 1, the angle delayed in the detection signal generation unit 4 is any value within the angle range of more than 0 degrees and less than 90 degrees (the angle θ is less than 0 degrees and −90). Any value within an angular range exceeding 50 degrees), and the impedance value (| Z | × cos θ) when the contact resistance Rc is 1 MΩ (first contact state) at this time is the reference value (100%) An arbitrary impedance value (| Z | × cos θ) that is lower than the reference value in the first contact state and exceeds the value in the second contact state (a value of about 20% in this example). The threshold value Dth indicating this threshold value is stored in advance in the storage unit 8 as will be described later.

なお、本例の接触状態判別装置1のように、二次電池70に供給する交流検査電流I1が定電流のときには、直流検波電圧V5の電圧値はインピーダンス(|Z|×cosθ)に比例した値となるため、この直流検波電圧V5の電圧値に対してしきい値を設定して、接触抵抗Rcの大小、つまり接触状態の良否を判別することもできる。この構成を採用するときには、検波信号生成部4で遅らせる角度を、0度を超え90度未満の角度範囲内のいずれかの値(任意の値)とし、このときに接触抵抗Rcを1MΩ(第1接触状態)としたときの直流検波電圧V5の電圧値を基準値(100%)として、この第1接触状態のときの基準値を下回り、かつ上記した第2接触状態のときの値(上記した収束値)を上回る任意の値(直流検波電圧V5の電圧値)を予め算出してしきい値とし、このしきい値を示すしきい値データDthを記憶部8に予め記憶させるようにする。   When the AC inspection current I1 supplied to the secondary battery 70 is a constant current as in the contact state determination device 1 of this example, the voltage value of the DC detection voltage V5 is proportional to the impedance (| Z | × cos θ). Therefore, it is possible to determine the magnitude of the contact resistance Rc, that is, whether the contact state is good or bad by setting a threshold value for the voltage value of the DC detection voltage V5. When this configuration is adopted, the angle delayed by the detection signal generation unit 4 is set to any value (arbitrary value) within an angle range of more than 0 degrees and less than 90 degrees. At this time, the contact resistance Rc is set to 1 MΩ (first value). The voltage value of the DC detection voltage V5 in the first contact state) is set as a reference value (100%), which is lower than the reference value in the first contact state and the value in the second contact state described above (above An arbitrary value (voltage value of the DC detection voltage V5) exceeding the convergence value) is calculated in advance as a threshold value, and threshold value data Dth indicating this threshold value is stored in the storage unit 8 in advance. .

また、図3に示される傾向から明らかなように、検波信号生成部4での角度θを−5度からさらに0度に近い値にしたときには、接触抵抗Rcを1MΩ(第1接触状態)としたときのインピーダンスの値(|Z|×cosθ)は同図中において矢印で示すようにさらに低下する。このため、角度θを0度としたときと同様の理由により、一対のプローブPL1,PL2と一対の電極EL1,EL2との間の接触状態を正確に検出し難い状況となることがある。また、上記したように、角度θを−90度近くにすると、検出可能な接触抵抗Rcが大きくなる。したがって、角度θは−5度以上−70度以下の範囲内とするのが好ましい。   As apparent from the tendency shown in FIG. 3, when the angle θ in the detection signal generation unit 4 is changed from −5 degrees to a value closer to 0 degrees, the contact resistance Rc is set to 1 MΩ (first contact state). In this case, the impedance value (| Z | × cos θ) further decreases as indicated by an arrow in FIG. For this reason, for the same reason as when the angle θ is set to 0 degree, it may be difficult to accurately detect the contact state between the pair of probes PL1 and PL2 and the pair of electrodes EL1 and EL2. Further, as described above, when the angle θ is close to −90 degrees, the detectable contact resistance Rc increases. Therefore, the angle θ is preferably in the range of −5 degrees or more and −70 degrees or less.

処理部6は、一例として、A/D変換器、CPUおよびメモリ(いずれも図示せず)を備えて構成されて、接触状態判別装置1の一部として機能すると共に、検査装置11の一部としても機能する。この場合、処理部6は、接触状態判別装置1の一部として機能して接触判別処理を実行した際には、A/D変換器が検波部5から出力される直流検波電圧V5を第1電圧データ(直流検波電圧V5の電圧値を示すデータ)に変換し、CPUがこの第1電圧データ(第1電圧データで示される直流検波電圧V5の電圧値)と交流検査電流I1の既知の電流値とに基づいてインピーダンスを算出するインピーダンス算出処理を実行し、この算出したインピーダンスと記憶部8に記憶されている後述のしきい値データDthとを比較することで一対のプローブPL1,PL2についての一対の電極EL1,EL2との間の接触状態を判別する。   As an example, the processing unit 6 includes an A / D converter, a CPU, and a memory (all not shown), and functions as a part of the contact state determination device 1 and a part of the inspection device 11. Also works. In this case, when the processing unit 6 functions as a part of the contact state determination device 1 and executes the contact determination process, the A / D converter outputs the DC detection voltage V5 output from the detection unit 5 to the first. This is converted into voltage data (data indicating the voltage value of the DC detection voltage V5), and the CPU detects the first voltage data (voltage value of the DC detection voltage V5 indicated by the first voltage data) and the known current of the AC inspection current I1. An impedance calculation process for calculating an impedance based on the value is executed, and the calculated impedance is compared with threshold data Dth (described later) stored in the storage unit 8 to compare the pair of probes PL1 and PL2. The contact state between the pair of electrodes EL1, EL2 is determined.

一方、処理部6は、検査装置11の一部として機能して検査処理を実行した際には、後述する電圧測定部12から出力される電池電圧Vbatの電圧値を示す第2電圧データDvと記憶部8に記憶されている後述の電圧範囲データDraとを比較することで二次電池70の良否を検査する。   On the other hand, when the processing unit 6 functions as a part of the inspection device 11 and executes the inspection process, the second voltage data Dv indicating the voltage value of the battery voltage Vbat output from the voltage measurement unit 12 described later is used. The quality of the secondary battery 70 is inspected by comparing with voltage range data Dra described later stored in the storage unit 8.

ここで、この電圧範囲データDraについて説明すると、上記した特許文献1に開示されているように、二次電池70の各電極(正極端子74、負極端子75および金属層76a)のうちのどの電極を一対の電極EL1,EL2(一対のプローブPL1,PL2を接触させる電極)とするかにより、二次電池70が良好な状態(正常状態)において一対の電極EL1,EL2間に発生する電圧の含まれる電圧範囲(良否判定指標となる電圧範囲)が一義的に決定される。したがって、例えば、検査の対象となる二次電池70について、この電圧範囲を予め実験などで求めておき、この電圧範囲を示すデータを電圧範囲データDraとして記憶部8に記憶させておく。   Here, the voltage range data Dra will be described. As disclosed in Patent Document 1 described above, which electrode of each electrode (the positive electrode terminal 74, the negative electrode terminal 75, and the metal layer 76a) of the secondary battery 70 is described. Includes a voltage generated between the pair of electrodes EL1 and EL2 when the secondary battery 70 is in a good state (normal state) depending on whether the pair of electrodes EL1 and EL2 is an electrode (the electrode that contacts the pair of probes PL1 and PL2). Voltage range (voltage range serving as a pass / fail judgment index) is uniquely determined. Therefore, for example, for the secondary battery 70 to be inspected, this voltage range is obtained in advance by experiments or the like, and data indicating this voltage range is stored in the storage unit 8 as the voltage range data Dra.

また、処理部6は、出力処理を実行することにより、接触判別処理での判別結果および検査処理の結果を出力部7に出力させる。本例では、出力部7は、ディスプレイ装置などの表示装置で構成されて、接触状態判別装置1の一部として機能して、接触判別処理での判別結果を画面上に表示すると共に、検査装置11の一部としても機能して、検査処理の結果を画面上に表示する。なお、出力部7については、表示装置に代えて、外部インターフェース回路で構成することもできる。この構成では、出力部7は、上記の各処理での結果を外部インターフェース回路を介して外部装置に出力する。   In addition, the processing unit 6 causes the output unit 7 to output the determination result in the contact determination process and the result of the inspection process by executing the output process. In this example, the output unit 7 is configured by a display device such as a display device, functions as a part of the contact state determination device 1, displays the determination result in the contact determination processing on the screen, and also inspects the inspection device. 11 also functions as a part of 11 and displays the result of the inspection process on the screen. Note that the output unit 7 may be configured by an external interface circuit instead of the display device. In this configuration, the output unit 7 outputs the results of the above processes to the external device via the external interface circuit.

記憶部8は例えば半導体メモリやハードディスク装置などで構成されて、接触状態判別装置1の一部として機能すると共に、検査装置11の一部としても機能する。この記憶部8には、処理部6のための動作プログラム、上記した接触判別処理において使用されるしきい値を示すしきい値データDth、および上記した検査処理において使用される良品電圧範囲を規定するための電圧範囲データDraが予め記憶されている。   The storage unit 8 is composed of, for example, a semiconductor memory or a hard disk device, and functions as a part of the contact state determination device 1 and also functions as a part of the inspection device 11. The storage unit 8 defines an operation program for the processing unit 6, threshold value data Dth indicating a threshold value used in the contact determination process, and a non-defective voltage range used in the inspection process. Voltage range data Dra is stored in advance.

次に、図1に示す二次電池の検査装置としての検査装置11の構成について説明する。この検査装置11は、接触状態判別装置1、一対の測定用端子TP1,TP2、一対のプローブPL1,PL2、電圧測定部12、処理部6、出力部7および記憶部8を備え、二次電池70の一対の電極EL1,EL2間に発生する電池電圧Vbatを測定すると共に、この測定した電池電圧Vbatに基づいて、二次電池70に対する検査を実行可能に構成されている。なお、上記した接触状態判別装置1と共有する構成(処理部6、出力部7および記憶部8)の説明については、接触状態判別装置1の構成の説明において既に説明したため省略する。   Next, the configuration of the inspection apparatus 11 as the secondary battery inspection apparatus shown in FIG. 1 will be described. The inspection device 11 includes a contact state determination device 1, a pair of measurement terminals TP1 and TP2, a pair of probes PL1 and PL2, a voltage measurement unit 12, a processing unit 6, an output unit 7, and a storage unit 8, and includes a secondary battery. The battery voltage Vbat generated between the pair of electrodes EL1, EL2 is measured, and the secondary battery 70 can be inspected based on the measured battery voltage Vbat. Note that the description of the configuration (the processing unit 6, the output unit 7, and the storage unit 8) shared with the above-described contact state determination device 1 is omitted because it has already been described in the description of the configuration of the contact state determination device 1.

電圧測定部12は、例えばデジタルマルチメータなどのような入力抵抗Rinが極めて高い電圧測定装置で構成されて、一対のプローブPL1,PL2の各基端(各基端が接続されている一対の測定用端子TP1,TP2)に接続された一対の電圧入力端子12a,12b間に入力される直流電圧(本例では電池電圧Vbat)を正確に(プローブPL1,PL2の接触状態が正常であるときの接触抵抗Rcの影響を受けず)測定すると共に、この電池電圧Vbatの電圧値を示す電圧データDvを処理部6に出力する。   The voltage measuring unit 12 is composed of a voltage measuring device having an extremely high input resistance Rin such as a digital multimeter, for example, and each base end of the pair of probes PL1 and PL2 (a pair of measurements to which the base ends are connected) DC voltage (battery voltage Vbat in this example) input between the pair of voltage input terminals 12a and 12b connected to the terminals TP1 and TP2) is accurately (when the contact state of the probes PL1 and PL2 is normal). Measurement is performed (without being influenced by the contact resistance Rc), and voltage data Dv indicating the voltage value of the battery voltage Vbat is output to the processing unit 6.

なお、電圧測定部12については、デジタルマルチメータのような電池電圧Vbatの電圧値を示す電圧データDvを出力する構成に代えて、電圧検出部3と同様の構成とすることもできる。この構成を採用したときには、電圧測定部12は、電池電圧Vbatを極めて高い入力インピーダンスで検出して電圧信号として出力する。このため、この場合には、処理部6は、検査装置11の一部として機能して検査処理を実行した際には、A/D変換器が電圧測定部12から出力されるこの電圧信号を電圧データ(電池電圧Vbatの電圧値を示す第2電圧データDv)に変換し、この電圧データに基づいて二次電池70の良否を検査する。   Note that the voltage measuring unit 12 may have the same configuration as that of the voltage detecting unit 3 instead of the configuration of outputting the voltage data Dv indicating the voltage value of the battery voltage Vbat such as a digital multimeter. When this configuration is adopted, the voltage measuring unit 12 detects the battery voltage Vbat with an extremely high input impedance and outputs it as a voltage signal. Therefore, in this case, when the processing unit 6 functions as a part of the inspection device 11 and executes the inspection process, the A / D converter outputs the voltage signal output from the voltage measurement unit 12. The voltage data (second voltage data Dv indicating the voltage value of the battery voltage Vbat) is converted, and the quality of the secondary battery 70 is inspected based on the voltage data.

次いで、接触状態判別装置1の動作について、接触状態判別方法と併せて説明すると共に、検査装置11の動作についても説明する。なお、プローブPL1は、二次電池70の電極EL1となる正極端子74に接触させられ、プローブPL2は、二次電池70の電極EL2となる金属層76aに接触させられているものとする。   Next, the operation of the contact state determination device 1 will be described together with the contact state determination method, and the operation of the inspection device 11 will also be described. It is assumed that the probe PL1 is in contact with the positive electrode terminal 74 serving as the electrode EL1 of the secondary battery 70, and the probe PL2 is in contact with the metal layer 76a serving as the electrode EL2 of the secondary battery 70.

検査装置11では、まず、接触状態判別装置1が動作して、プローブPL1および正極端子74間、並びにプローブPL2および金属層76a間の接触状態を判別する。   In the inspection device 11, first, the contact state determination device 1 operates to determine the contact state between the probe PL1 and the positive electrode terminal 74 and between the probe PL2 and the metal layer 76a.

具体的には、接触状態判別装置1では、電流供給部2が、二次電池70への交流検査電流I1の供給(電流供給ステップ)を実行すると共に、基準信号Vrefの検波信号生成部4への出力を実行する。また、電圧検出部3が、この交流検査電流I1の供給状態において一対の測定用端子TP1,TP2間に発生する交流電圧V1を検出して、検出電圧信号V2として出力する(電圧検出ステップ)。また、検波信号生成部4が、入力している基準信号Vrefと同一周波数であって、この基準信号Vrefに対して位相が0度を超え90度未満の角度範囲内の任意の角度だけ遅れた検波用信号V3(角度θが、0度未満で、かつ−90度を超える角度範囲内の任意の角度の検波用信号V3)を生成して出力する(検波信号生成ステップ)。   Specifically, in the contact state determination device 1, the current supply unit 2 supplies the AC inspection current I1 to the secondary battery 70 (current supply step) and also supplies the reference signal Vref to the detection signal generation unit 4. Execute the output. Further, the voltage detector 3 detects the AC voltage V1 generated between the pair of measurement terminals TP1 and TP2 in the supply state of the AC inspection current I1, and outputs it as a detection voltage signal V2 (voltage detection step). Further, the detection signal generation unit 4 has the same frequency as the input reference signal Vref, and the phase is delayed by an arbitrary angle within an angle range of more than 0 degrees and less than 90 degrees with respect to the reference signal Vref. A detection signal V3 (detection signal V3 having an arbitrary angle within an angle range in which the angle θ is less than 0 degree and greater than −90 degrees) is generated and output (detection signal generation step).

また、検波部5が、検出電圧信号V2および検波用信号V3を入力して、検出電圧信号V2を検波用信号V3で検波(同期検波)することにより、直流検波電圧V5を生成して処理部6に出力する(検波ステップ)。   The detection unit 5 receives the detection voltage signal V2 and the detection signal V3, and detects (synchronous detection) the detection voltage signal V2 with the detection signal V3, thereby generating a DC detection voltage V5 and processing unit. 6 (detection step).

また、処理部6は、接触状態判別装置1の一部として機能して接触判別処理を実行する(接触判別ステップ)。この接触判別処理では、処理部6は、まず、直流検波電圧V5を第1電圧データに変換し、この第1電圧データ(第1電圧データで示される直流検波電圧V5の電圧値)と交流検査電流I1の既知の電流値とに基づいてインピーダンスを算出する。次いで、処理部6は、記憶部8に記憶されているしきい値データDthを読み出して、算出したインピーダンスと比較する。処理部6は、この比較の結果、算出したインピーダンスがこのしきい値データDthで示されるしきい値を上回るときには、接触抵抗Rcが大きいために接触状態は不良であると判別し、算出されたインピーダンスがこのしきい値以下のときには、接触抵抗Rcが小さいために接触状態は良好であると判別する。これにより、接触判別処理が完了し、その後、処理部6は、出力処理を実行することにより、接触判別処理での判別結果を出力部7に出力させる。   Moreover, the process part 6 functions as a part of contact state determination apparatus 1, and performs a contact determination process (contact determination step). In the contact determination process, the processing unit 6 first converts the DC detection voltage V5 into first voltage data, and the first voltage data (the voltage value of the DC detection voltage V5 indicated by the first voltage data) and the AC inspection. The impedance is calculated based on the known current value of the current I1. Next, the processing unit 6 reads the threshold data Dth stored in the storage unit 8 and compares it with the calculated impedance. As a result of this comparison, when the calculated impedance exceeds the threshold value indicated by the threshold value data Dth, the processing unit 6 determines that the contact state is defective because the contact resistance Rc is large, and is calculated. When the impedance is less than or equal to this threshold value, it is determined that the contact state is good because the contact resistance Rc is small. Thereby, the contact determination process is completed, and thereafter the processing unit 6 causes the output unit 7 to output the determination result of the contact determination process by executing the output process.

このようにして接触判別処理での判別結果が出力部7に出力されるため、検査装置11の使用者は、相互間に無視できない大きさの静電容量Ccが生じることが必須の同軸ケーブルのような素材で一対のプローブPL1,PL2を構成した場合であっても、出力部7に出力されている判別結果に基づいて、プローブPL1および正極端子74間、並びにプローブPL2および金属層76a間の接触状態を正確に把握することが可能になっている。したがって、この使用者は、プローブPL1,PL2の接触状態が不良であることを把握したときには、出力部7に出力されている判別結果が良好となるまで、プローブPL1を正極端子74に接触し直すと共に、プローブPL2を金属層76aに接触し直すことで、プローブPL1,PL2を正極端子74および金属層76aに確実に良好な状態で接触させることが可能になっている。   Since the discrimination result in the contact discrimination process is output to the output unit 7 in this way, the user of the inspection apparatus 11 is required to generate a capacitance Cc that cannot be ignored between the coaxial cables. Even when the pair of probes PL1 and PL2 is formed of such a material, based on the determination result output to the output unit 7, between the probe PL1 and the positive terminal 74, and between the probe PL2 and the metal layer 76a. It is possible to accurately grasp the contact state. Therefore, when the user grasps that the contact state of the probes PL1 and PL2 is poor, the user recontacts the probe PL1 with the positive electrode terminal 74 until the determination result output to the output unit 7 becomes good. At the same time, by bringing the probe PL2 into contact with the metal layer 76a again, the probes PL1 and PL2 can be reliably brought into contact with the positive electrode terminal 74 and the metal layer 76a in a good state.

検査装置11では、プローブPL1,PL2と、正極端子74および金属層76aとの間の接触状態が良好であると接触状態判別装置1が判別したときには、処理部6が、検査装置11の一部として機能して検査処理を実行する。なお、処理部6は、この検査処理の実行に先立ち、電流供給部2に対して二次電池70への交流検査電流I1の供給を停止させると共に、電圧測定部12に対して電池電圧Vbatの測定を開始させる。   In the inspection device 11, when the contact state determination device 1 determines that the contact state between the probes PL1 and PL2 and the positive electrode terminal 74 and the metal layer 76a is good, the processing unit 6 is a part of the inspection device 11. To perform the inspection process. Prior to the execution of this inspection process, the processing unit 6 causes the current supply unit 2 to stop supplying the AC inspection current I1 to the secondary battery 70 and causes the voltage measurement unit 12 to set the battery voltage Vbat. Start measurement.

この検査処理では、処理部6は、電圧測定部12から出力される電池電圧Vbatの電圧値を示す第2電圧データDvを入力して、記憶部8から読み出した電圧範囲データDraと比較することで二次電池70の良否を検査する。具体的には、処理部6は、第2電圧データDvで示される電池電圧Vbatの電圧値が、電圧範囲データDraで示される電圧範囲(良否判定指標となる電圧範囲)に含まれているときには、二次電池70は良好な状態にある(例えば、外装部材71の内壁に相当する合成樹脂層76bの絶縁状態が良好である(ピンホール等の損傷が生じていない))と判別する。一方、電池電圧Vbatの電圧値が電圧範囲データDraで示される電圧範囲に含まれていないときには、処理部6は、二次電池70は不良な状態にある(例えば、外装部材71の内壁に相当する合成樹脂層76bの絶縁状態が不良である(ピンホール等の損傷が生じている))と判別する。   In this inspection process, the processing unit 6 receives the second voltage data Dv indicating the voltage value of the battery voltage Vbat output from the voltage measurement unit 12 and compares it with the voltage range data Dra read from the storage unit 8. Then, the quality of the secondary battery 70 is inspected. Specifically, when the voltage value of the battery voltage Vbat indicated by the second voltage data Dv is included in the voltage range indicated by the voltage range data Dra (the voltage range serving as a pass / fail determination index), the processing unit 6 The secondary battery 70 is determined to be in a good state (for example, the insulating state of the synthetic resin layer 76b corresponding to the inner wall of the exterior member 71 is good (no damage such as pinholes occurs)). On the other hand, when the voltage value of the battery voltage Vbat is not included in the voltage range indicated by the voltage range data Dra, the processing unit 6 indicates that the secondary battery 70 is in a defective state (for example, corresponding to the inner wall of the exterior member 71). It is determined that the insulating state of the synthetic resin layer 76b is poor (damage such as pinholes occurs).

これにより、検査処理が完了し、その後、処理部6は、出力処理を実行することにより、検査処理での結果を出力部7に出力させる。したがって、検査装置11の使用者は、出力部7に出力されている検査処理の結果に基づいて、二次電池70の良否を把握することが可能になっている。   Thereby, the inspection process is completed, and thereafter the processing unit 6 causes the output unit 7 to output the result of the inspection process by executing the output process. Therefore, the user of the inspection device 11 can grasp the quality of the secondary battery 70 based on the result of the inspection process output to the output unit 7.

このように、この接触状態判別装置1および接触状態判別方法では、被測定対象である二次電池70に供給される交流検査電流I1と同一周波数であって、この交流検査電流I1に対して位相が0度を超え90度未満の角度範囲内の任意の角度だけ遅れた(角度θが0度未満で−90度を超える角度範囲内の任意の値である)検波用信号V3を生成して、交流検査電流I1の供給時にプローブPL1,PL2の各基端間(測定用端子TP1,TP2間)に発生する交流電圧V1を示す検出電圧信号V2を、この検波用信号V3で検波することによって直流検波電圧V5を生成し、この直流検波電圧V5に基づいて(直流検波電圧V5に基づいて算出されるインピーダンスの値(|Z|×cosθ)に基づいて、または直流検波電圧V5の電圧値に基づいて)、プローブPL1,PL2の各先端と二次電池70の各電極EL1,EL2(本例では正極端子74、金属層76a)との間の接触状態を判別する。   As described above, in the contact state determination device 1 and the contact state determination method, the frequency is the same as that of the AC inspection current I1 supplied to the secondary battery 70 to be measured, and the phase with respect to the AC inspection current I1. Is detected by an arbitrary angle within an angle range of more than 0 degrees and less than 90 degrees (the angle θ is an arbitrary value within an angle range of less than 0 degrees and more than −90 degrees), and a detection signal V3 is generated By detecting the detection voltage signal V2 indicating the AC voltage V1 generated between the base ends of the probes PL1 and PL2 (between the measurement terminals TP1 and TP2) when the AC inspection current I1 is supplied, by detecting the detection signal V3. A DC detection voltage V5 is generated, and based on the DC detection voltage V5 (based on an impedance value (| Z | × cos θ) calculated based on the DC detection voltage V5) or a voltage value of the DC detection voltage V5 Based on), to determine the state of contact between each electrode EL1, EL2 (positive terminal 74, the metal layer 76a in this example) of the tip and the secondary battery 70 of the probe PL1, PL2.

したがって、この接触状態判別装置1および接触状態判別方法によれば、プローブPL1,PL2の相互間に無視できない大きさの静電容量Ccが生じている構成であっても、補助測定用端子を使用することなく、プローブPL1,PL2の各先端と二次電池70の各電極EL1,EL2との間の接触状態を正確に判別することができる。   Therefore, according to the contact state discriminating apparatus 1 and the contact state discriminating method, the auxiliary measurement terminal is used even when the capacitance Cc having a non-negligible magnitude is generated between the probes PL1 and PL2. Without this, it is possible to accurately determine the contact state between the tips of the probes PL1 and PL2 and the electrodes EL1 and EL2 of the secondary battery 70.

また、この接触状態判別装置1および接触状態判別方法では、プローブPL1,PL2の各先端と二次電池70の各電極EL1,EL2との間の接触状態が開放状態および開放状態に極めて近い状態のうちのいずれかの状態となる第1接触状態のときに検波部5による検波によって生成される直流検波電圧V5に基づいて算出されるインピーダンスの値を下回り、かつこの接触状態が短絡状態および短絡状態に極めて近い状態のうちのいずれかの状態となる第2接触状態のときに検波部5による検波によって生成される直流検波電圧V5に基づいて算出されるインピーダンスの値を上回る任意の値(または、第1接触状態のときに検波部5による検波によって生成される直流検波電圧V5の電圧値を下回り、かつ第2接触状態のときに検波部5による検波によって生成される直流検波電圧V5の電圧値を上回る任意の値)にしきい値が予め規定されている。   In the contact state determination device 1 and the contact state determination method, the contact state between the tips of the probes PL1 and PL2 and the electrodes EL1 and EL2 of the secondary battery 70 is very close to the open state and the open state. The impedance is less than the value of the impedance calculated based on the DC detection voltage V5 generated by the detection by the detection unit 5 in the first contact state that is one of the states, and the contact state is a short-circuit state and a short-circuit state. Any value (or higher than the impedance value calculated based on the DC detection voltage V5 generated by the detection by the detection unit 5 in the second contact state in which the state is very close to the state (or The detection unit is below the voltage value of the DC detection voltage V5 generated by the detection by the detection unit 5 in the first contact state, and in the second contact state. Threshold to any value) above the voltage value of the DC detection voltage V5 generated by detection is predefined by.

したがって、この接触状態判別装置1および接触状態判別方法によれば、このようにして規定したしきい値と、二次電池70の検査のためにプローブPL1,PL2を二次電池70の電極EL1,EL2に接触させているときに電圧検出部3によって検出された直流検波電圧V5に基づいて算出されるインピーダンスの値(または直流検波電圧V5の電圧値)とを比較することにより、プローブPL1,PL2の各先端と二次電池70の各電極EL1,EL2との間の接触状態の良否を確実に判別することができる。   Therefore, according to the contact state determination device 1 and the contact state determination method, the probes PL1 and PL2 are connected to the electrodes EL1 and EL1 of the secondary battery 70 for the inspection of the secondary battery 70 and the threshold value thus defined. By comparing the impedance value (or the voltage value of the DC detection voltage V5) calculated based on the DC detection voltage V5 detected by the voltage detection unit 3 when contacting the EL2, the probes PL1, PL2 Thus, it is possible to reliably determine whether or not the contact state between each of the tips and the electrodes EL1 and EL2 of the secondary battery 70 is good.

また、上記の接触状態判別装置1を備えた二次電池70のための検査装置11によれば、接触状態判別装置1によってプローブPL1,PL2の各先端と二次電池70の各電極EL1,EL2との間の接触状態を確実に良好な状態にした状態で、二次電池70の電池電圧Vbatを電圧測定部12で測定できるため、電圧測定部12において電池電圧Vbatを正確に測定できる結果、この正確な電池電圧Vbatに基づいて二次電池70の良否を正確に検査することができる。   Further, according to the inspection device 11 for the secondary battery 70 provided with the contact state determination device 1 described above, the contact state determination device 1 causes the tips of the probes PL1 and PL2 and the electrodes EL1 and EL2 of the secondary battery 70 to be detected. Since the battery voltage Vbat of the secondary battery 70 can be measured by the voltage measurement unit 12 in a state where the contact state between and the battery is reliably in a good state, the voltage measurement unit 12 can accurately measure the battery voltage Vbat, The quality of the secondary battery 70 can be accurately inspected based on the accurate battery voltage Vbat.

なお、上記の例では、処理部6は、接触状態判別装置1の一部として機能すると共に、検査装置11の一部としても機能する構成を採用しているが、接触状態判別装置1の一部として機能する処理部と、検査装置11の一部として機能する処理部とを分離して個別に配設する構成を採用することもできる。   In the above example, the processing unit 6 adopts a configuration that functions as part of the contact state determination device 1 and also functions as part of the inspection device 11. It is also possible to adopt a configuration in which a processing unit that functions as a unit and a processing unit that functions as a part of the inspection apparatus 11 are separately provided.

また、上記の例では、二次電池70の各電極EL1,EL2として、二次電池70の正極端子74および金属層76aの組を使用する構成を採用しているが、負極端子75および金属層76aの組を使用する構成や、正極端子74および負極端子75の組を使用する構成にも適用することができる。   Further, in the above example, a configuration in which the pair of the positive electrode terminal 74 and the metal layer 76a of the secondary battery 70 is used as each of the electrodes EL1 and EL2 of the secondary battery 70, but the negative electrode terminal 75 and the metal layer are used. The present invention can also be applied to a configuration using the set 76a and a configuration using the set of the positive electrode terminal 74 and the negative electrode terminal 75.

1 接触状態判別装置
2 電流供給部
2a,2b 一対の電流出力端子
3 電圧検出部
3a,3b 一対の電圧入力端子
4 検波信号生成部
5 検波部
6 処理部
11 検査装置
70 二次電池
EL1,EL2 一対の電極
I1 交流検査電流
PL1,PL2 一対のプローブ
V1 交流電圧
V2 検出電圧信号
V3 検波用信号
V5 直流検波電圧
θ 角度
1 Contact state discrimination device
2 Current supply units 2a and 2b A pair of current output terminals
3 Voltage detector 3a, 3b A pair of voltage input terminals
4 Detection signal generator
5 detector
6 Processing Unit 11 Inspection Device 70 Secondary Battery EL1, EL2 Pair of Electrodes I1 AC Inspection Current PL1, PL2 Pair of Probes V1 AC Voltage V2 Detection Voltage Signal V3 Detection Signal V5 DC Detection Voltage
θ angle

Claims (7)

被測定対象の一対の電極に接触させられる一対のプローブの当該一対の電極との間の接触状態を判別する接触状態判別装置であって、
一対の電流出力端子が前記一対のプローブにそれぞれ接続されて前記一対のプローブを介して前記被測定対象に交流検査電流を供給する電流供給部と、
一対の電圧入力端子が前記一対のプローブにそれぞれ接続されて前記交流検査電流の供給状態において当該一対のプローブ間に発生する交流電圧を検出電圧信号として検出する電圧検出部と、
前記交流検査電流と同一周波数であって、当該交流検査電流に対して位相が0度を超え90度未満の角度範囲内の任意の角度だけ遅れた検波用信号を生成する検波信号生成部と、
前記検出電圧信号を前記検波用信号で検波することによって直流検波電圧を生成する検波部と、
前記直流検波電圧に基づいて前記接触状態を判別する接触判別処理を実行する処理部とを備えている接触状態判別装置。
A contact state discriminating apparatus for discriminating a contact state between a pair of probes brought into contact with a pair of electrodes to be measured.
A pair of current output terminals connected to the pair of probes, respectively, and a current supply unit for supplying an AC inspection current to the object to be measured through the pair of probes;
A voltage detection unit for detecting an alternating voltage generated between the pair of probes when the pair of voltage input terminals are connected to the pair of probes, respectively, in the supply state of the alternating current inspection current; and
A detection signal generation unit that generates a detection signal that has the same frequency as the AC inspection current and has a phase delayed from the AC inspection current by an arbitrary angle within an angle range of more than 0 degrees and less than 90 degrees;
A detection unit that generates a DC detection voltage by detecting the detection voltage signal with the detection signal;
A contact state determination apparatus comprising: a processing unit that executes a contact determination process for determining the contact state based on the DC detection voltage.
前記処理部は、前記接触判別処理において、前記接触状態が開放状態および開放状態に極めて近い状態のうちのいずれかの状態となる第1接触状態のときの前記交流検査電流と前記直流検波電圧とに基づいて予め算出された前記一対のプローブ間のインピーダンスの値を下回り、かつ前記接触状態が短絡状態および短絡状態に極めて近い状態のうちのいずれかの状態となる第2接触状態のときの前記交流検査電流と前記直流検波電圧とに基づいて予め算出された前記一対のプローブ間のインピーダンスの値を上回る値に予め規定されたしきい値と、前記一対のプローブを前記一対の電極に接触させているときの前記交流検査電流と前記直流検波電圧とに基づいて算出された前記一対のプローブ間のインピーダンスの値とを比較して、当該インピーダンスの値が前記しきい値以下のときには前記接触状態は良好であり、当該インピーダンスの値が当該しきい値を上回るときには前記接触状態は不良であると判別する請求項1記載の接触状態判別装置。   In the contact determination process, the processing unit includes the alternating current inspection current and the direct current detection voltage when the contact state is in a first contact state in which the contact state is very close to the open state or the open state. When the second contact state is lower than the impedance value calculated in advance based on the pair of probes and the contact state is one of a short-circuit state and a state very close to the short-circuit state. A threshold value preliminarily defined as a value exceeding an impedance value between the pair of probes calculated in advance based on an AC inspection current and the DC detection voltage, and the pair of probes are brought into contact with the pair of electrodes. And comparing the impedance value between the pair of probes calculated based on the AC inspection current and the DC detection voltage when The contact state determination device according to claim 1, wherein the contact state is good when an impedance value is less than or equal to the threshold value, and the contact state is bad when the impedance value exceeds the threshold value. . 前記処理部は、前記接触判別処理において、前記接触状態が開放状態および開放状態に極めて近い状態のうちのいずれかの状態となる第1接触状態のときに前記検波部によって生成される前記直流検波電圧の電圧値を下回り、かつ前記接触状態が短絡状態および短絡状態に極めて近い状態のうちのいずれかの状態となる第2接触状態のときに前記検波部によって生成される前記直流検波電圧の電圧値を上回る値に予め規定されたしきい値と、前記一対のプローブを前記一対の電極に接触させているときに生成される前記直流検波電圧とを比較して、当該直流検波電圧の電圧値が当該しきい値以下のときには前記接触状態は良好であり、当該直流検波電圧の電圧値が当該しきい値を上回るときには前記接触状態は不良であると判別する請求項1記載の接触状態判別装置。   In the contact determination process, the processing unit is configured to detect the DC detection generated by the detection unit when the contact state is a first contact state in which the contact state is one of an open state and a state very close to the open state. The voltage of the DC detection voltage generated by the detection unit when the second contact state is lower than the voltage value of the voltage and the contact state is one of a short circuit state and a state very close to the short circuit state. A voltage value of the DC detection voltage is compared with a threshold value preliminarily defined to a value exceeding the value and the DC detection voltage generated when the pair of probes are in contact with the pair of electrodes. The contact state is determined to be good when the value is equal to or less than the threshold value, and the contact state is determined to be defective when the voltage value of the DC detection voltage exceeds the threshold value. Placing a contact state detecting apparatus. 請求項1から3のいずれかに記載の接触状態判別装置と、前記一対のプローブと、当該一対のプローブがそれぞれ接続される一対の測定用端子と、一対の電圧測定端子が当該一対の測定用端子にそれぞれ接続されて前記被測定対象としての二次電池の前記一対の電極間に発生する直流電圧を測定する電圧測定部とを備えている二次電池の検査装置。   The contact state determination device according to claim 1, the pair of probes, a pair of measurement terminals to which the pair of probes are respectively connected, and a pair of voltage measurement terminals for the pair of measurement An inspection apparatus for a secondary battery, comprising: a voltage measuring unit that is connected to each terminal and measures a DC voltage generated between the pair of electrodes of the secondary battery as the measurement target. 被測定対象の一対の電極に接触させられる一対のプローブの当該一対の電極との間の接触状態を判別する接触状態判別方法であって、
一対の電流出力端子が前記一対のプローブにそれぞれ接続されて前記一対のプローブを介して前記被測定対象に交流検査電流を供給する電流供給ステップと、
一対の電圧入力端子が前記一対のプローブにそれぞれ接続されて前記交流検査電流の供給状態において当該一対のプローブ間に発生する交流電圧を検出電圧信号として検出する電圧検出ステップと、
前記交流検査電流と同一周波数であって、当該交流検査電流に対して位相が0度を超え90度未満の角度範囲内の任意の角度だけ遅れた検波用信号を生成する検波信号生成ステップと、
前記検出電圧信号を前記検波用信号で検波することによって直流検波電圧を生成する検波ステップと、
前記直流検波電圧に基づいて前記接触状態を判別する接触判別ステップとを実行する接触状態判別方法。
A contact state determination method for determining a contact state between a pair of probes to be brought into contact with a pair of electrodes to be measured.
A current supply step in which a pair of current output terminals are connected to the pair of probes, respectively, and an AC inspection current is supplied to the measurement object via the pair of probes;
A voltage detection step in which a pair of voltage input terminals are connected to the pair of probes, respectively, and an alternating voltage generated between the pair of probes in the supply state of the alternating current inspection current is detected as a detection voltage signal;
A detection signal generation step of generating a detection signal having the same frequency as the AC inspection current and a phase delayed from the AC inspection current by an arbitrary angle within an angle range of more than 0 degrees and less than 90 degrees;
A detection step of generating a DC detection voltage by detecting the detection voltage signal with the detection signal;
A contact state determination method for executing a contact determination step of determining the contact state based on the DC detection voltage.
前記接触判別ステップにおいて、前記接触状態が開放状態および開放状態に極めて近い状態のうちのいずれかの状態となる第1接触状態のときの前記交流検査電流と前記直流検波電圧とに基づいて予め算出された前記一対のプローブ間のインピーダンスの値を下回り、かつ前記接触状態が短絡状態および短絡状態に極めて近い状態のうちのいずれかの状態となる第2接触状態のときの前記交流検査電流と前記直流検波電圧とに基づいて予め算出された前記一対のプローブ間のインピーダンスの値を上回る値に予め規定されたしきい値と、前記一対のプローブを前記一対の電極に接触させているときの前記交流検査電流と前記直流検波電圧とに基づいて算出された前記一対のプローブ間のインピーダンスの値とを比較して、当該インピーダンスの値が前記しきい値以下のときには前記接触状態は良好であり、当該インピーダンスの値が当該しきい値を上回るときには前記接触状態は不良であると判別する請求項5記載の接触状態判別方法。   In the contact determination step, the contact state is calculated in advance based on the alternating current inspection current and the direct current detection voltage in the first contact state in which the contact state is one of an open state and a state extremely close to the open state. The alternating current inspection current when the second contact state is lower than the impedance value between the pair of probes and the contact state is one of a short circuit state and a state very close to the short circuit state, and A threshold value preliminarily defined to a value exceeding the impedance value between the pair of probes calculated in advance based on a DC detection voltage, and the pair of probes when the pair of electrodes are in contact with the pair of electrodes Comparing the impedance value between the pair of probes calculated based on the AC inspection current and the DC detection voltage, the impedance The contact state when the value is below the threshold value is good, the contact state determination method according to claim 5, wherein to determine that the contact state is not normal when the value of the impedance is above the threshold. 前記接触判別ステップにおいて、前記接触状態が開放状態および開放状態に極めて近い状態のうちのいずれかの状態となる第1接触状態のときに前記検波によって生成される前記直流検波電圧の電圧値を下回り、かつ前記接触状態が短絡状態および短絡状態に極めて近い状態のうちのいずれかの状態となる第2接触状態のときに前記検波によって生成される前記直流検波電圧の電圧値を上回る値に予め規定されたしきい値と、前記一対のプローブを前記一対の電極に接触させているときに生成される前記直流検波電圧とを比較して、当該直流検波電圧の電圧値が前記しきい値以下のときには前記接触状態は良好であり、当該直流検波電圧の電圧値が当該しきい値を上回るときには前記接触状態は不良であると判別する請求項5記載の接触状態判別方法。   In the contact determination step, the contact state is lower than a voltage value of the DC detection voltage generated by the detection when the contact state is a first contact state that is one of an open state and a state very close to the open state. In addition, the contact state is preliminarily specified to a value that exceeds the voltage value of the DC detection voltage generated by the detection when the contact state is the second contact state that is one of the short-circuit state and the state extremely close to the short-circuit state. And comparing the DC detection voltage generated when the pair of probes are in contact with the pair of electrodes, the voltage value of the DC detection voltage is less than the threshold 6. The contact state according to claim 5, wherein the contact state is sometimes good, and the contact state is determined to be defective when the voltage value of the DC detection voltage exceeds the threshold value. Another way.
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