JP6351442B2 - Semiconductor test equipment - Google Patents
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Description
本開示は、半導体装置の不良などを検出するためのテストを行う半導体試験装置、そのテストの方法、および半導体装置の製造方法に関し、テストを効率化する技術、半導体装置の不良の発生を抑止する技術などに関する。 The present disclosure relates to a semiconductor test apparatus that performs a test for detecting a defect of a semiconductor device, a test method thereof, and a method of manufacturing a semiconductor device. Regarding technology.
従来より、半導体装置の不良を検出するために半導体試験装置が用いられている。半導体試験装置は、例えば、複数本のプローブ針を備え、これらプローブ針を半導体装置に接触させて、テストプログラムに従って半導体装置への通電試験を行う。このような通電試験は、通常は、複数のテスト項目が含まれている。例えば、テストプログラムに示される各テスト項目において、半導体装置へ供給するクランプ電圧や電流などが指定されている。半導体試験装置は、これら指定されたクランプ電圧を、プローブ針を介して半導体装置へ供給し、半導体装置から出力される信号を、測定信号として受け付ける。半導体試験装置は、この測定信号に基づいて、半導体装置を検査する。 Conventionally, a semiconductor test apparatus has been used to detect defects in a semiconductor device. The semiconductor test apparatus includes, for example, a plurality of probe needles, these probe needles are brought into contact with the semiconductor device, and an energization test for the semiconductor device is performed according to a test program. Such an energization test usually includes a plurality of test items. For example, in each test item shown in the test program, a clamp voltage or current supplied to the semiconductor device is specified. The semiconductor test apparatus supplies the designated clamp voltage to the semiconductor device via the probe needle, and receives a signal output from the semiconductor device as a measurement signal. The semiconductor test apparatus inspects the semiconductor device based on the measurement signal.
半導体試験装置によるテストは、半導体装置を製造し、出荷するまでの過程で実施される。半導体装置の製造過程は、例えば、シリコンウェハ上に集積回路を形成する工程と、半導体ウェハから半導体装置を切り出して、パッケージ基板へ実装していく工程とに分けることができ、これらの工程のそれぞれで半導体試験装置によるテストを行う。例えば、シリコンウェハ上に集積回路を形成する工程を終えた半導体ウェハに対し、電気的な特性、機能、構造等をテストする。これにより、壊れた半導体装置が出荷される等の事態を回避することができる。 The test by the semiconductor test apparatus is performed in the process until the semiconductor device is manufactured and shipped. The manufacturing process of a semiconductor device can be divided into, for example, a process of forming an integrated circuit on a silicon wafer and a process of cutting out the semiconductor device from the semiconductor wafer and mounting it on a package substrate. Test with semiconductor test equipment. For example, electrical characteristics, functions, structures, etc. are tested on a semiconductor wafer that has completed the process of forming an integrated circuit on a silicon wafer. As a result, it is possible to avoid a situation in which a broken semiconductor device is shipped.
半導体試験装置の技術として、半導体装置の生産性を向上させるため、例えば、特開2013−140117号公報(特許文献1)には、半導体試験装置側に生じた不具合によって生じるフェイルを検出し、半導体試験装置の誤判定の認識精度を向上させることが記載されている。 In order to improve the productivity of a semiconductor device as a technology of a semiconductor test apparatus, for example, Japanese Patent Laying-Open No. 2013-140117 (Patent Document 1) detects a failure caused by a defect occurring on the semiconductor test apparatus side, It is described that the recognition accuracy of erroneous determination of the test apparatus is improved.
半導体装置のテストは、複数の項目にわたって行われる。例えば、テストを実施するためのテストプログラムに従って、半導体試験装置は、直流特性試験、半導体装置の機能をテストするファンクション試験など複数のテストを行う。これらのテスト項目のそれぞれについて、半導体装置に与えるテスト用の信号の電流、電圧、信号を供給するタイミング等の条件がテストプログラムにおいて指定されている。このテストプログラムは、例えばPC(Personal Computer)等の情報処理装置により、テスト用のプログラミング言語を用いてユーザが作成する。情報処理装置または半導体試験装置においてテストプログラムをコンパイルして半導体試験装置がテストプログラムを実行する。 The test of the semiconductor device is performed over a plurality of items. For example, according to a test program for performing a test, the semiconductor test apparatus performs a plurality of tests such as a direct current characteristic test and a function test for testing the function of the semiconductor device. For each of these test items, conditions such as the current and voltage of a test signal applied to the semiconductor device and the timing for supplying the signal are specified in the test program. The test program is created by a user using an information processing apparatus such as a PC (Personal Computer) using a test programming language. The test program is compiled in the information processing apparatus or the semiconductor test apparatus, and the semiconductor test apparatus executes the test program.
しかし、半導体装置のテストには、数百もの項目が含まれることもあり、テスト項目ごとに、半導体装置に与える電流、電圧などのテストの条件を設定する必要がある。そのため、テストの条件の設定抜けや、設定が適切ではないために、例えば、試験対象となる半導体装置にかけられる電圧の限界値を超えて大きな電圧を半導体装置にかけてしまい、半導体装置を誤って破壊するおそれがある。また、半導体装置に信号を与えるための治具にかけられる電圧の限界値を超えて大きな電圧を治具にかけてしまい、治具の破壊を引き起こし、これにより半導体装置の生産ラインの停止を余儀なくされたり、復旧コストを必要としたりするなどのおそれがある。 However, the test of the semiconductor device may include several hundred items, and it is necessary to set test conditions such as current and voltage applied to the semiconductor device for each test item. For this reason, test conditions are not set correctly or are not set properly. For example, a large voltage is applied to the semiconductor device exceeding the limit value of the voltage applied to the semiconductor device to be tested, and the semiconductor device is accidentally destroyed. There is a fear. In addition, a large voltage is applied to the jig exceeding the limit value of the voltage applied to the jig for giving a signal to the semiconductor device, causing the destruction of the jig, thereby forcing the production line of the semiconductor device to stop, There is a risk of requiring recovery costs.
そのため、半導体試験装置や半導体装置を製造する過程などにおいて、半導体装置のテストを効率よく行い、半導体装置の不良の発生を抑止するための技術が必要とされている。 Therefore, there is a need for a technique for efficiently testing a semiconductor device and suppressing the occurrence of defects in the semiconductor device in a process of manufacturing a semiconductor test device or a semiconductor device.
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。 Other problems and novel features will become apparent from the description of the specification and the accompanying drawings.
一実施形態に従う半導体試験装置は、記憶部と、半導体装置と接触し、接触部分を介して通電試験用の信号を半導体装置へ供給するための治具と、半導体装置の1以上のテスト項目それぞれに応じて、通電試験用の信号を、治具を介して半導体装置に供給するよう治具への信号出力を制御する制御部とを備える。記憶部は、1以上のテスト項目についての信号出力値の限界の設定を示す限界設定値を記憶するためのものである。制御部は、限界設定値を超えない信号を治具から半導体装置へ供給するよう制御する。 A semiconductor test apparatus according to an embodiment includes a storage unit, a jig that contacts the semiconductor device, and supplies a signal for current test to the semiconductor device via the contact part, and one or more test items of the semiconductor device, respectively. And a control unit for controlling signal output to the jig so as to supply a signal for an energization test to the semiconductor device via the jig. The storage unit is for storing a limit setting value indicating a limit setting of a signal output value for one or more test items. The controller controls to supply a signal that does not exceed the limit set value from the jig to the semiconductor device.
一実施形態に従うと、半導体試験装置が半導体装置の通電試験をするための方法が提供される。半導体試験装置は、半導体装置と接触し、接触部分を介して通電試験用の信号を半導体装置へ供給するための治具と、1以上のテスト項目についての信号出力値の限界の設定を示す限界設定値を記憶するための記憶部とを備える。この方法は、半導体試験装置が、半導体装置の1以上のテスト項目それぞれに応じて、通電試験用の信号を、治具を介して半導体装置に供給するよう治具へ信号出力をするステップと、限界設定値を超えない信号を治具から半導体装置へ供給するよう制御するステップとを含む。 According to one embodiment, a method is provided for a semiconductor test apparatus to conduct a current test of a semiconductor device. A semiconductor test apparatus is a jig for contacting a semiconductor device and supplying a signal for an electric current test to the semiconductor device via the contact portion, and a limit indicating setting of a limit of a signal output value for one or more test items. A storage unit for storing the set value. In this method, the semiconductor test apparatus outputs a signal to the jig so as to supply a signal for energization test to the semiconductor apparatus via the jig in accordance with each of one or more test items of the semiconductor device; Controlling to supply a signal not exceeding the limit set value from the jig to the semiconductor device.
一実施形態に従うと、半導体装置の製造方法が提供される。この製造方法は、半導体試験装置が、半導体装置の1以上のテスト項目のそれぞれについて、通電試験用の信号の信号出力値と、信号出力値の限界の設定を示す限界設定値とを比較することにより、半導体試験装置の治具を介して限界設定値を超えない信号を半導体装置に供給するステップと、半導体装置から出力される信号を測定信号として半導体装置の不具合を検出するステップとを含む。 According to one embodiment, a method for manufacturing a semiconductor device is provided. In this manufacturing method, a semiconductor test apparatus compares a signal output value of a signal for an energization test with a limit set value indicating a limit setting of the signal output value for each of one or more test items of the semiconductor device. Thus, the method includes a step of supplying a signal that does not exceed the limit set value to the semiconductor device via a jig of the semiconductor test device, and a step of detecting a defect of the semiconductor device using the signal output from the semiconductor device as a measurement signal.
一実施の形態に従う半導体試験装置、半導体装置の試験の方法、半導体装置の製造方法によると、半導体試験装置は、各テスト項目に応じて、信号出力値の限界の設定を超えない信号を治具から半導体装置へ供給するため、治具の破損、および、半導体装置の破損を防止することができる。 According to the semiconductor test apparatus, the semiconductor device test method, and the semiconductor device manufacturing method according to the embodiment, the semiconductor test apparatus uses a jig to output a signal that does not exceed the signal output value limit setting according to each test item. Therefore, the jig can be prevented from being damaged and the semiconductor device can be prevented from being damaged.
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。以下の説明では、同一の部品には同一の符号を付してある。それらの名称および機能も同じである。したがって、それらについての詳細な説明は繰り返さない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, the same parts are denoted by the same reference numerals. Their names and functions are also the same. Therefore, detailed description thereof will not be repeated.
<実施の形態1>
図面を参照して実施の形態1の半導体試験装置について説明する。
<
The semiconductor test apparatus according to the first embodiment will be described with reference to the drawings.
<構成>
図1は、実施の形態1の半導体試験装置の構成を示すブロック図である。半導体試験装置1は、テスタ50と、治具6A,6B(以下、治具6Aと治具6Bとを総称して「治具6」と記載することもある)と、テスト用の半導体装置であるウェハ4を載置するためのステージ5と、ウェハ4のテストを実施するためのテストプログラムをテスト実施者が作成するためのプログラム生成用計算機20と、を備える。テスタ50は、入出力IF(Interface)51と、操作部52と、表示部53と、記憶部54と、セレクタ55と、セレクタ56と、制御部(CPU(Central Processing Unit))57と、電源部58と、信号等発生部71と、DC(Direct Current)測定部79とを含む。信号等発生部71は、信号発生部77と、疑似負荷部78とを含む。
<Configuration>
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of the semiconductor test apparatus according to the first embodiment. The
テスタ50は、治具6に通電試験等の試験用の信号を供給し、治具6を介してウェハ4から出力される測定信号を受け付けて、ウェハ4のテストの結果を表示する。
The
入出力IF51は、テスタ50が情報処理装置(例えば、プログラム生成用計算機20などのPC(Personal Computer))と接続するためのインタフェースであり、例えばUSB(Universal Serial Bus)などの汎用的な規格に対応した入出力インタフェースである。これにより、プログラム生成用計算機20などの外部の情報処理装置からテスタ50を制御することができる。図示していないが、半導体試験装置1は、LAN(Local Area Network)等の通信インタフェースを備え、通信回線を通じて外部の情報処理装置と接続することとしてもよい。
The input /
プログラム生成用計算機20によって作成されたソースプログラムとしてのテストプログラムは、プログラム保管部22に保持される。プログラム生成用計算機20はコンパイラ21としての機能を発揮する。コンパイラ21は、テスト実施者により作成されるソースプログラムを、テスタ50が実行可能な機械語のプログラムにコンパイルするためのものである。
A test program as a source program created by the
半導体装置をテストするためのテストプログラムは、例えば以下のようにして作成される。テスト実施者が、プログラム生成用計算機20を使ってテスタ専用のプログラム言語により記述されるテストプログラム(ソースプログラム)を作成する。作成されたテストプログラム(ソースプログラム)は、プログラム保管部22に保持される。プログラム生成用計算機20は、コンパイラ21としての機能を発揮する。コンパイラ21は、ソースプログラムを、機械語のテストプログラムに変換する。プログラム保管部22は、データ及びプログラムなど、情報処理装置の処理に供される情報を記憶するための記憶領域を有する記憶装置(例えば、磁気ディスク)である。機械語に変換されたテストプログラムは、プログラム保管部22に蓄積される。プログラム生成用計算機20は、例えばテスタ50の入出力IF51を介してテスタ50と接続し、テストプログラムをテスタ50へ送信する。テスタ50は、プログラム生成用計算機20から受信したテストプログラムを、記憶部54にテストプログラム41として記憶させる。プログラム生成用計算機20は、テスト実施者の操作を受け付けて、テスタ50に、テストプログラムに基づく半導体装置のテストを開始させる。
A test program for testing a semiconductor device is created, for example, as follows. A tester creates a test program (source program) described in a program language dedicated to the tester using the
操作部52は、テスタ50に対するユーザの入力操作を受け付けるための操作部材であり、例えばスイッチなどを含む 表示部53は、LCD(Liquid Crystal Display)などのディスプレイであり、制御部57の制御に従って情報を表示する。
The
記憶部54は、RAM(Random Access Memory)等により構成されるメモリであり、テストプログラム41と、限界設定値42とを記憶する。テストプログラム41は、テスタ50が治具6を制御してウェハ4のテストを実施するためのプログラムであり、テスト実施者がプログラム生成用計算機20によって作成したものである。限界設定値42は、テスタ50が治具6を介してウェハ4に供給する信号の限界の設定を示す。限界設定値は、元々ソースプログラム中に設定され、機械語に変換されたテストプログラムにも含まれる。プログラム生成用計算機20から転送されるテストプログラム中の限界設定値が、記憶部54に限界設定値42としてテストプログラム41とともに保存される。
The
制御部57は、テストプログラム41に従って動作し、テスタ50によるウェハ4のテストのための信号出力を制御する。制御部57は、CPU、ROM(Read Only Memory)、RAM等を備え、プログラムを読み込んで動作することにより、テストプログラム実行部73としての機能を発揮する。そのテストプログラム実行部73は、半導体装置のテストを行うためにテストプログラム41を実行する。
The
テストプログラム41は、ウェハ4をテストするための複数のテスト項目それぞれについて、治具6を介してウェハ4に供給する信号のテスト項目毎の信号出力値(例えば、電圧の出力値、電流の出力値など)の指定を含む。テストプログラム実行部73は、テストプログラム41に示される各テスト項目を順に実行し、テスト項目それぞれについて、テストプログラム41で定められた電圧値および電流値を、治具6を介して半導体装置の信号端子及び電源端子に与える。
For each of a plurality of test items for testing the
信号等発生部71は、テスタ50が半導体装置をテストする時、制御部57により制御されて半導体装置の信号端子に対して入力する信号を発生させる。信号等発生部71は、信号発生部77と、疑似負荷部78とを含む。信号発生部77は、半導体装置のテスト時に、半導体装置の入力端子に供給するクロック信号及びデータ信号を生成する。その際、信号発生部77は、テストプログラム41で定められた電圧値及び電流値のクロック信号と、テストプログラム41で定められた電圧値および電流値のデータ信号とを生成する。
When the
疑似負荷部78は、半導体装置のテスト時に、半導体装置の出力端子に疑似負荷を与える。その際に疑似負荷部78は、テストプログラム41で定められた負荷を生成する。DC測定部79は、直流電圧および直流電流を測定し、測定結果を制御部57等へ出力する。電源部58は、半導体装置をテストする時に、テストプログラムの実行に基づいて制御部57により制御されて、半導体装置の電源端子に治具6Bを介してテストプログラム41で定められる電圧を供給する。なおテストプログラム41はテスト項目毎に電源端子に与えられる電圧値と電流値とを定めている。
The
制御部57はさらに、テストプログラム41を実行して、記憶部54の限界設定値42をロードして、制御部57内に設けられる記憶装置(レジスタ等)に限界設定値75として保持する。限界設定値75は、その保持している値をセレクタ55およびセレクタ56へ供給する。
The
セレクタ55は、信号等発生部71により生成されるクロック信号及びデータ信号を受ける。セレクタ55は、限界設定値75で指定される値を参照してウェハ4に供給されるクロック信号の電圧又は電流を制御し、限界設定値75で指定される値を参照してウェハ4に供給されるデータ信号の電圧又は電流を制御する。具体的にはセレクタ55は、クロック信号及びデータ信号の各々(以下単に「信号」とも呼ぶ)の電圧又は電流の値と限界設定値75により示される値との大小関係を判断する。セレクタ55はウェハに供給される信号の電圧又は電流が限界設定値75を超えていない場合には、信号発生部77より受ける信号をそのままウェハ4に供給し、超えている場合には、その限界設定値75又はその限界範囲内の値の電圧又は電流に固定(クランプ)された信号に変換してウェハ4に供給する。
The
セレクタ55はまた、疑似負荷部78で生成される負荷が限界設定値75で示される値との大小関係も判断する。セレクタ55は疑似負荷部78で生成される負荷が限界設定値75を超えていない場合には、疑似負荷部78で生成される負荷をそのままウェハ4に供給し、超えている場合には、その限界設定値75又はその限界範囲内の値の負荷をウェハ4に供給する。
The
セレクタ56は、電源部58により生成される電源を受ける。セレクタ56は、限界設定値75で指定される値を参照してウェハ4の電源端子に供給される電源の電圧又は電流を制御する。具体的にはセレクタ56は、電源の電圧又は電流の値と限界設定値75により示される値との大小関係を判断する。セレクタ56は電源が限界設定値75を超えていない場合には、電源部58から供給される電源をそのままウェハ4に供給し、超えている場合には、その限界設定値75又はその限界範囲内の値の電圧又は電流に固定(クランプ)された電源をウェハ4に供給する。
The
<データ>
図2は、限界設定値42のデータの構造を示す図である。図2に示すように、限界設定値42は、テスタ50がウェハ4へ供給する電源、信号入力、疑似負荷について、信号出力値の限界の設定と、信号出力値がとり得る範囲を保持している。限界設定値42は、電源の電圧クランプの範囲24と、電源の電流クランプの範囲25と、治具6への信号入力の電圧クランプの範囲26と、治具6への信号入力の電流クランプの範囲27と、ウェハ4へ与える疑似的な負荷の設定値28とを含む。図2の例では、電圧クランプの設定値として、設定値23と設定値29とには、範囲24と範囲26とを参照し、電圧の限界設定値「最大5.0V、最少−1.0Vまで」の範囲が指定されている。電流クランプの設定値として、設定値23と設定値29とには、範囲25と範囲27とを参照し、電流の限界設定値「最大100mA、最少0mA」の範囲が指定されている。また、設定値28に示すように、疑似負荷の限界設定値「最大5.0V、最少−1.0Vまで、最少−2mA、最大2mAまで」の範囲が指定されている。
<Data>
FIG. 2 is a diagram illustrating a data structure of the
<テストプログラム41の例>
図3は、テストプログラム41の一例を示す図である。図3は、ソースプログラムの例を示す。テストプログラム41は、テスタ50がウェハ4をテストするための各テスト項目について、テスト項目を識別するための情報と対応付けて電圧のクランプ値の指定をテストプログラム41に含めている。テストプログラム41は、テストプログラム41の先頭部分に、限界設定値を指定するための設定部19を含んでいる。設定部19の一か所に、電源、信号入力、疑似負荷についての設定値の指定が含まれている。
<Example of
FIG. 3 is a diagram illustrating an example of the
例えば、設定部19において、設定値「VCC_LIMIT」は、電源の電圧を、治具6を介してテスタ50からウェハ4に供給するための限界値を示す。また、例えば、設定部19において、設定値「VI_LIMIT」は、電流の限界値の設定を示す。また、例えば、設定部19において、設定値「D_LIMIT」は、疑似負荷の限界値の設定を示す。各限界値は、テスタ50により実施される複数のテスト項目に共通の値として設定される。
For example, in the
他のテスト項目については、各項目について、順にテストプログラム41に電圧の指定値、電圧クランプの指定値、電流の指定値および電流クランプの指定値が含められる。例えば、テスト項目Aについてはテスト項目2pに、テスト項目Bについてはテスト項目3pに、テスト項目Cについてはテスト項目4pに含められている。
For other test items, for each item, the
<実施の形態1の動作>
図4は、実施の形態1の半導体試験装置1の動作を示す図である。図4では、横軸を時間とし、縦軸をテスタ50が治具6に供給する電圧として示している。
<Operation of
FIG. 4 is a diagram illustrating the operation of the
図4において、期間101は、テスト項目Aのテストを実施している期間であり、期間102は、テスト項目Bのテストを実施している期間であり、期間103は、テスト項目Cのテストを実施している期間である。グランド110は、グランドの電圧を示す。限界設定値111は、テストプログラム41等によって指定された限界設定値42(図4の例では電圧の限界設定値)を示す。限界値112は、ウェハ4に印加される電圧の限界値を示す。限界値113は、治具6に印加される電圧の限界値を示す。限界値114は、テスタ50が発生させることができる電圧の限界値を示す。
In FIG. 4, a
図4において、テストプログラム41に指定される電圧クランプ値を実線で示し、テスタ50が治具6を介してウェハ4に供給することが望ましい電圧クランプ値を点線で示す。
In FIG. 4, the voltage clamp value specified by the
指定電圧クランプ値115は、テスト項目Aにおいてテストプログラム41に指定される電圧クランプ値を示す。電圧クランプ値116は、テスト項目Bにおいて、好ましい電圧クランプ値を示す。電圧クランプ値117は、テスト項目Cにおいて、好ましい電圧クランプ値を示す。指定電圧クランプ値118は、テスト項目Cにおいて、テストプログラム41に指定される電圧クランプ値を示す。
The designated
図4に示す例では、テスト項目Aにおいては、テストプログラム41に指定される電圧クランプ値(指定電圧クランプ値115)は、限界値112を超えていないため、ウェハ4、治具6の破損につながるおそれは小さい。
In the example shown in FIG. 4, in the test item A, the voltage clamp value (designated voltage clamp value 115) specified in the
テスト項目Bにおいては、本来、電圧クランプ値116が設定されるべきところテスト実施者の設定漏れのためテストプログラム41には電圧クランプ値が指定されていない。この期間において、実施の形態1のテスタ50は、限界設定値111に示される電圧値を超えない範囲で、例えば限界設定値111に電圧クランプ値を設定し、限界設定値111の電圧をテスタ50から治具6を介してウェハ4に供給する。限界設定値111に示される電圧値は、限界値112、限界値113よりも小さいため、ウェハ4、治具6の破損につながるおそれは小さい。
In the test item B, the
テスト項目Cにおいては、テストプログラム41には、本来、電圧クランプ値117が設定されるべきところテスト実施者の誤入力により限界値112と限界値113とを超える電圧値が指定されている。この場合、テスタ50がテストプログラム41に示される電圧クランプ値により治具6を介してウェハ4に電圧を供給すると、治具6とウェハ4とを破損するおそれがある。しかし、実施の形態1のテスタ50は、限界設定値111に示される電圧を超えない範囲で、限界設定値111の電圧をテスタ50から治具6を介してウェハ4に供給するため、治具6とウェハ4の破損につながるおそれは小さくなる。
In the test item C, a voltage value exceeding the
<実施の形態1のまとめ>
実施の形態1の半導体試験装置1によると、各テスト項目について一定の限界設定値42を指定することにより、限界設定値42に示される電圧を超えない範囲でテスタ50から治具6を介してウェハ4へ信号が供給される。限界設定値42に示される信号の出力値は、治具6とウェハ4とに印加される電圧の限界値よりも小さいため、治具6とウェハ4とを損傷、破損する恐れは小さくなる。また、限界設定値42は、各テスト項目について一定に設定されるため、テストプログラムの作成者は、容易に限界設定値42を設定することができる。
<Summary of
According to the
ここで、テストプログラムの作成時において、限界設定値42が、テストプログラムの作成者によって半導体装置の電流や電圧の限界値を超えて設定される場合や、治具6の電流や電圧の限界値を超えて設定される場合や、テスタ50が発生可能な電流や電圧の限界値を超えて設定される場合は、テストプログラムを作成するためのソフトウェアにおいてエラーを表示させ、作成者にテストプログラムの修正を促すこととしてもよい。また、これらテスタ50、半導体装置、治具6の限界値を超えない範囲で、複数の限界設定値を設定することができるとしてもよい。
Here, when the test program is created, the
<実施の形態2>
別の実施の形態の半導体試験装置について説明する。
<Embodiment 2>
A semiconductor test apparatus according to another embodiment will be described.
図5は、実施の形態2の半導体試験装置の動作を示す図である。図5では、横軸を時間とし、縦軸をテスタ50が治具6に供給する電流として示している。実施の形態1の半導体試験装置と比較すると、半導体試験装置は、電流について限界設定値に基づいて治具6を介してウェハ4に印加する信号出力を制御している。
FIG. 5 is a diagram illustrating the operation of the semiconductor test apparatus according to the second embodiment. In FIG. 5, the horizontal axis represents time, and the vertical axis represents current supplied from the
図5において、期間201は、テスト項目Aのテストを実施している期間であり、期間202は、テスト項目Bのテストを実施している期間であり、期間203は、テスト項目Cのテストを実施している期間である。グランド210は、グランドの電流を示す。限界設定値211は、テストプログラム41等によって指定された限界設定値42(図5の例では電流の限界設定値)を示す。限界値212は、ウェハ4に印加される電流の限界値を示す。限界値213は、治具6に印加される電流の限界値を示す。限界値214は、テスタ50が発生させることができる電流の限界値を示す。
In FIG. 5, a
図5において、テストプログラム41に指定される電流クランプ値を実線で示し、テスタ50が治具6を介してウェハ4に供給することが望ましい電流クランプ値を点線で示す。
In FIG. 5, the current clamp value designated by the
指定電流クランプ値215は、テスト項目Aにおいてテストプログラム41に指定される電流クランプ値を示す。電流クランプ値216は、テスト項目Bにおいて、好ましい電流クランプ値を示す。電流クランプ値217は、テスト項目Cにおいて、好ましい電流クランプ値を示す。指定電流クランプ値218は、テスト項目Cにおいて、テストプログラム41に指定される電流クランプ値を示す。
The designated
図5に示す例では、テスト項目Aにおいては、テストプログラム41に指定される電流クランプ値(指定電流クランプ値215)は、限界値212を超えていないため、ウェハ4、治具6の破損につながるおそれは小さい。
In the example shown in FIG. 5, in the test item A, the current clamp value (specified current clamp value 215) specified in the
テスト項目Bにおいては、テスト実施者の設定漏れのためテストプログラム41には電流クランプ値が指定されていない。この期間において、実施の形態2のテスタ50は、限界設定値211に示される電流値を超えない範囲で、例えば限界設定値211に電流クランプ値を設定し、限界設定値211の電流をテスタ50から治具6を介してウェハ4に供給する。限界設定値211に示される電流値は、限界値212、限界値213よりも小さいため、ウェハ4、治具6の破損につながるおそれは小さい。
In the test item B, the current clamp value is not specified in the
テスト項目Cにおいては、テストプログラム41には、テスト実施者が誤って限界値212と限界値213とを超える電流値が指定されている。この場合、テスタ50がテストプログラム41に示される電流クランプ値により治具6を介してウェハ4に電流を供給すると、治具6とウェハ4とを破損するおそれがある。しかし、実施の形態2のテスタ50は、限界設定値211に示される電流を超えない範囲で、限界設定値211の電流をテスタ50から治具6を介してウェハ4に供給するため、治具6とウェハ4の破損につながるおそれは小さくなる。
In the test item C, in the
<実施の形態2のまとめ>
実施の形態2の半導体試験装置1によると、限界設定値42を指定することにより、限界設定値42に示される電流を超えない範囲でテスタ50から治具6を介してウェハ4へ信号が供給される。限界設定値42に示される信号の出力値は、治具6とウェハ4とに印加される電流の限界値よりも小さいため、治具6とウェハ4とを損傷、破損する恐れは小さくなる。
<Summary of Embodiment 2>
According to the
<実施の形態3>
別の実施の形態の半導体試験装置について説明する。
<
A semiconductor test apparatus according to another embodiment will be described.
図6は、実施の形態3の半導体試験装置の動作を示す図である。半導体装置のテストは、マイナス方向の電圧、電流を印加する場合もあるため、限界設定値はマイナス方向についても設定される。 FIG. 6 is a diagram illustrating the operation of the semiconductor test apparatus according to the third embodiment. In the test of the semiconductor device, a negative voltage or current may be applied, so the limit set value is also set in the negative direction.
図6において、期間301は、テスト項目Aのテストを実施している期間であり、期間302は、テスト項目Bのテストを実施している期間であり、期間303は、テスト項目Cのテストを実施している期間である。グランド310は、グランドの電圧を示す。限界設定値311は、テストプログラム41等によって指定された限界設定値42(図6の例では電圧の限界設定値)を示す。実施の形態3では、マイナス方向に電圧の限界設定値が設定されている。限界値312は、ウェハ4に印加される電圧のマイナス方向の限界値を示す。限界値313は、治具6に印加される電圧のマイナス方向の限界値を示す。限界値314は、テスタ50が発生させることができる電圧のマイナス方向の限界値を示す。
In FIG. 6, a
図6において、テストプログラム41に指定される電圧クランプ値を実線で示し、テスタ50が治具6を介してウェハ4に供給することが望ましい電圧クランプ値を点線で示す。
In FIG. 6, the voltage clamp value specified by the
指定電圧クランプ値315は、テスト項目Aにおいてテストプログラム41に指定される電圧クランプ値を示す。電圧クランプ値316は、テスト項目Bにおいて、好ましい電圧クランプ値を示す。電圧クランプ値317は、テスト項目Cにおいて、好ましい電圧クランプ値を示す。指定電圧クランプ値318は、テスト項目Cにおいて、テストプログラム41に指定される電圧クランプ値を示す。
The designated
図6に示す例では、テスト項目Aにおいては、テストプログラム41に指定される電圧クランプ値(指定電圧クランプ値315)は、限界値312をマイナス方向に超えていないため、ウェハ4、治具6の破損につながるおそれは小さい。
In the example illustrated in FIG. 6, in the test item A, the voltage clamp value (designated voltage clamp value 315) specified in the
テスト項目Bにおいては、テスト実施者の設定漏れのためテストプログラム41には電圧クランプ値が指定されていない。この期間において、実施の形態3のテスタ50は、限界設定値311に示される電圧値をマイナス方向に超えない範囲で、例えば限界設定値311に電圧クランプ値を設定し、限界設定値311の電圧をテスタ50から治具6を介してウェハ4に供給する。限界設定値311に示される電圧値は、限界値312、限界値313よりも小さいため、ウェハ4、治具6の破損につながるおそれは小さい。
In the test item B, a voltage clamp value is not specified in the
テスト項目Cにおいては、テストプログラム41には、テスト実施者が誤って限界値312と限界値313とをマイナス方向に超える電圧値が指定されている。この場合、テスタ50がテストプログラム41に示される電圧クランプ値により治具6を介してウェハ4に電圧を供給すると、治具6とウェハ4とを破損するおそれがある。しかし、実施の形態3のテスタ50は、限界設定値311に示される電圧を超えない範囲で、限界設定値311の電圧をテスタ50から治具6を介してウェハ4に供給するため、治具6とウェハ4の破損につながるおそれは小さくなる。
In the test item C, the
<実施の形態3の変形例>
実施の形態3では、マイナス方向の電圧について、限界設定値を設定する例を説明したが、マイナス方向の電流についても同様に限界設定値を設定することにより、治具6とウェハ4の破損につながるおそれを小さくできる半導体試験装置を提供することができる。
<Modification of
In the third embodiment, the example in which the limit set value is set for the minus-direction voltage has been described. However, by similarly setting the limit set value for the minus-direction current, the jig 6 and the
<実施の形態1ないし3の変形例>
実施の形態1ないし3において、信号等発生部71から出力される信号の電圧または電流の値が限界設定値75を超えている場合には、セレクタ55はその信号の電圧及び/又は電流を限界設定値75の範囲内の値にクランプする構成を有しているが、これに代えて信号の供給を停止する構成としてもよい。その際にセレクタ55はさらにエラーを通知する信号を制御部57に供給してもよい。また、電源部58から出力される電源の電圧または電流の値が限界設定値75を超えている場合には、セレクタ56はその電源の電圧及び/又は電流を限界設定値75の範囲内の値にクランプする構成を有しているが、これに代えて電源の供給を停止する構成としてもよい。その際にセレクタ56はさらにエラーを通知する信号を制御部57に供給してもよい。制御部57はセレクタ55及びセレクタ56からエラーの通知する信号を受けてテスタ50の外部に対しエラー信号を出力する。エラー信号はそのエラーに係るテスト項目を特定できる信号と併せて出力されてもよい。
<Modifications of
In the first to third embodiments, when the voltage or current value of the signal output from the
以上のとおり、セレクタ55、56及び制御部57を含む制御機構が、限界設定値を超えない信号を治具からウェハに供給するよう制御する代わりに、限界設定値を超えた信号がウェハに供給されると判断された場合には信号の供給を停止し、必要に応じてエラ−であることをテスタ外部に知らせる構成としてもよい。
As described above, instead of controlling the control mechanism including the
<実施の形態4>
別の実施の形態について説明する。実施の形態4の半導体試験装置は、テストプログラム41において限界設定値の設定がない場合に、テスタ50からウェハ4への試験用の信号の供給を停止する。具体的には、テスタ50からウェハ4への試験用の信号の供給を停止するため、(1)プログラム生成用計算機20によるテスト用のプログラムのコンパイル時に、ソースプログラムに限界設定値の設定が含まれない場合に、コンパイルを中止する。また、(2)テスタ50がテストプログラム41を実行する際に、テストプログラム41に限界設定値の設定が含まれていない場合に、テストプログラム41の実行を停止する。
<
Another embodiment will be described. The semiconductor test apparatus of the fourth embodiment stops the supply of test signals from the
図7は、一定の限界値の設定の有無に応じてコンパイルの実行を制御する処理を示すフローチャートである。なお、コンパイル対象となるソースプログラムは、プログラム生成用計算機20によって生成される。以下の説明では、プログラム生成用計算機20がコンパイルによってテストプログラム41を生成する場合を説明する。
FIG. 7 is a flowchart showing a process for controlling the execution of compilation according to whether or not a certain limit value is set. The source program to be compiled is generated by the
プログラム生成用計算機20は、コンパイラ21を起動して、ソースプログラムのコンパイルを開始する。
The
ステップS71において、コンパイラ21は、ソースプログラムの先頭部分となる一定の領域に、テスタ50がウェハ4に供給する信号の出力値の限界の設定を示す限界設定値が含まれているか否かを判断する。限界設定値がソースプログラムに含まれている場合(ステップS71においてYES)、コンパイラ21は、ステップS73の処理を行い、そうでない場合(ステップS71においてNO)、コンパイラ21は、ステップS75の処理を行う。
In step S <b> 71, the compiler 21 determines whether or not a limit setting value indicating a limit setting of an output value of a signal supplied from the
ステップS73において、コンパイラ21は、ソースプログラムのコンパイルを実行し、テストプログラム41を生成し、生成したテストプログラム41をプログラム保管部22に格納する。
In step S <b> 73, the compiler 21 compiles the source program, generates a
ステップS75において、コンパイラ21は、ソースプログラムのコンパイルを中止し、コンパイルエラーを出力する。 In step S75, the compiler 21 stops the compilation of the source program and outputs a compilation error.
このように、電圧や電流などについて、一定の限界設定値をソースプログラムの先頭部の一か所に設定することで、テストプログラムの作成者は、容易に限界設定値を設定することができるようになる。また、プログラムの作成ミスなどによるウェハ4や治具6の破損を、テストプログラム41の完成前に防止することができる。なお、一定の限界値の設定は、ソースプログラムの先頭部分の一か所に限らず任意の位置に設定することとしてもよい。
In this way, by setting a certain limit set value for voltage, current, etc. at one location at the beginning of the source program, the test program creator can easily set the limit set value. become. Further, damage to the
図8は、一定の限界値の設定の有無に応じてテストプログラム41の実行を停止する処理を示すフローチャートである。限界設定値は、テストプログラム41の先頭部に含まれるものであるとする。
FIG. 8 is a flowchart showing a process for stopping the execution of the
ステップS81において、テスタ50の制御部57は、テストプログラム41の実行を開始し、テストプログラム41の先頭部に限界設定値が含まれているか否かを判断する。限界設定値が含まれている場合(ステップS81においてYES)、制御部57は、ステップS83の処理を行い、そうでない場合(ステップS81においてNO)、制御部57は、ステップS85の処理を行う。
In step S <b> 81, the
ステップS83において、制御部57は、テストプログラム41に含まれる、少なくとも1つのテスト項目を、テスト項目の数に従って順次実施する。
In step S83, the
ステップS85において、制御部57は、テストプログラム41の実行エラーを出力し、テストプログラム41の実行を停止する。
In step S85, the
このように、電圧や電流などについて、一定の限界設定値をテストプログラム41の先頭部の一か所に設定することで、ウェハ4や治具6に電圧をかけたり、電流を流したりする前に、テストプログラム41の作成ミスを発見することができ、ウェハ4や治具6を破損するおそれを小さくすることができる。
In this way, by setting a certain limit set value for voltage, current, etc. at one location at the top of the
<実施の形態5>
別の実施の形態について説明する。
<Embodiment 5>
Another embodiment will be described.
図9は、半導体試験装置によるウェハ4のテストの実施時に、テストによって治具6から取得する測定結果が、限界設定値42に到達した場合に、テスト項目に対し識別可能にカテゴリを付する処理を示すフローチャートである。
FIG. 9 shows a process of assigning a category to a test item in an identifiable manner when the measurement result acquired from the jig 6 by the test reaches the limit set
ステップS91において、制御部57は、任意のテスト項目(例えば、テスト項目A)のテストを実行し、治具6から測定結果を取得する。
In step S <b> 91, the
ステップS93において、ステップS91のテストの結果が不良であるか正常であるかを判断する。テストの結果が不良である場合(ステップS93において不良)、制御部57は、ステップS95の処理を行い、正常である場合は(ステップS93において正常)、続くテスト項目のテストを実行する(ステップS96)。
In step S93, it is determined whether the result of the test in step S91 is defective or normal. When the result of the test is defective (defective in step S93), the
ステップS95において、制御部57は、治具6から取得した測定結果を参照し、測定結果(例えば、電圧の測定結果)が、一定の限界設定値42に到達しているか否かを判断する。測定結果が一定の限界設定値42に到達していない場合は(ステップS95においてNO)、制御部57は、ステップS97の処理を行い、一定の限界設定値42に到達している場合は(ステップS95においてYES)、制御部57は、ステップS99の処理を行う。
In step S95, the
ステップS97において、制御部57は、テスト項目Aに、試験が不良であることを示すカテゴリを付して以降のテスト項目のテストを実行する。
In step S97, the
ステップS99において、制御部57は、テスト項目Aに、測定結果に示される出力値が異常であることを示す特別なカテゴリを付して、以降のテスト項目を継続せず終了する。
In step S99, the
これにより、テストによる測定結果が一定の限界設定値42を超える場合に、そのテストを識別可能に特別なカテゴリを付して、以降のテストを継続せず終了することで、治具6への負荷を軽減することができる。
As a result, when the measurement result of the test exceeds a certain limit set
<実施の形態6>
別の実施の形態について説明する。
<Embodiment 6>
Another embodiment will be described.
上記の各実施の形態の説明では、半導体試験装置が治具6を介してウェハ4に供給する信号の出力値について限界設定値を設定しているが、半導体試験装置から半導体装置に供給する信号としては、半導体装置の電源、信号入力、疑似負荷がある。これらについて、それぞれの限界設定値に基づいて、半導体試験装置から治具6を介してウェハ4に供給する信号の出力値を制御する。これにより、テスト時にウェハ4は治具6の破壊を防ぐことができる。
In the description of each of the above embodiments, the limit setting value is set for the output value of the signal supplied from the semiconductor test apparatus to the
このように、半導体試験装置による半導体装置の試験方法について説明してきたが、この試験方法は、半導体装置の製造の過程において行われる。半導体試験装置によるテストは、半導体装置を製造し、出荷するまでの過程で実施される。半導体装置の製造過程は、例えば、シリコンウェハ上に集積回路を形成する工程と、半導体ウェハから半導体装置を切り出して、パッケージ基板へ実装していく工程とに分けることができ、これらの工程のそれぞれで半導体試験装置によるテストを行う。半導体試験装置は、半導体装置のテスト項目それぞれについて、通電試験用の信号の出力値と、限界設定値とを比較し、限界設定値を超えないように、半導体試験装置から半導体装置へ治具を介して信号が供給される。半導体試験装置は、半導体装置から出力される信号を測定信号として受け付けて、測定信号に基づいて半導体装置の不具合を検出する。 As described above, the semiconductor device test method using the semiconductor test apparatus has been described. This test method is performed in the process of manufacturing the semiconductor device. The test by the semiconductor test apparatus is performed in the process until the semiconductor device is manufactured and shipped. The manufacturing process of a semiconductor device can be divided into, for example, a process of forming an integrated circuit on a silicon wafer and a process of cutting out the semiconductor device from the semiconductor wafer and mounting it on a package substrate. Test with semiconductor test equipment. For each test item of the semiconductor device, the semiconductor test device compares the output value of the current test signal with the limit setting value, and puts a jig from the semiconductor test device to the semiconductor device so that the limit setting value is not exceeded. The signal is supplied via The semiconductor test apparatus receives a signal output from the semiconductor device as a measurement signal, and detects a malfunction of the semiconductor device based on the measurement signal.
このように各実施形態について説明してきたが、これら実施形態を組み合わせてもよいことはいうまでもない。 Each embodiment has been described above, but it goes without saying that these embodiments may be combined.
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。 As mentioned above, the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiment. However, the present invention is not limited to the embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものでないと考えられるべきである。この発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 The embodiment disclosed this time must be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.
1 半導体試験装置、4 ウェハ、5 ステージ、6 治具、41 テストプログラム、42 限界設定値、51 入出力IF、52 操作部、53 表示部、54 記憶部、55,56 セレクタ、57 制御部、58 電源制御部、59 電源。
DESCRIPTION OF
Claims (4)
記憶部と、
前記半導体装置と接触し、接触部分を介して通電試験用の信号を前記半導体装置へ供給するための治具と、
前記半導体装置の1以上のテスト項目それぞれに応じて、通電試験用の信号を、前記治具を介して前記半導体装置に供給するよう前記治具への信号出力を制御する制御部とを備え、
前記記憶部は、前記1以上のテスト項目についての信号出力値の限界の設定を示す限界設定値を記憶するためのものであり、
前記制御部は、前記限界設定値を超えない信号を前記治具から前記半導体装置へ供給するよう制御し、
前記記憶部は、前記通電試験を制御するためのテスト用のプログラムを記憶するためのものであり、
前記制御部は、前記テスト用のプログラムにおいて、前記限界設定値の設定がない場合に、前記通電試験用の信号の前記半導体装置への供給を停止する、半導体試験装置。 A semiconductor test apparatus for conducting a current test of a semiconductor device,
A storage unit;
A jig for contacting the semiconductor device and supplying a signal for an electrical test to the semiconductor device via the contact portion;
A control unit that controls a signal output to the jig so as to supply a signal for an energization test to the semiconductor device via the jig according to each of one or more test items of the semiconductor device;
The storage unit is for storing a limit setting value indicating a limit setting of a signal output value for the one or more test items,
The control unit controls to supply a signal that does not exceed the limit set value from the jig to the semiconductor device,
The storage unit is for storing a test program for controlling the energization test,
Wherein, in the program for the test, if the there is no setting of limit setting, and stops the supply of the semiconductor device of the signal for the electrical test, semi-conductor test device.
前記制御部が前記通電試験用の信号の前記半導体装置への供給を停止することには、コンパイラによる前記ソースプログラムのコンパイル時に、前記ソースプログラムに前記限界設定値の設定が含まれていない場合に、前記コンパイルを中止することが含まれる、請求項1に記載の半導体試験装置。 The storage unit is for storing a source program for controlling the energization test as the test program,
Wherein the control unit may stop the supply to the semiconductor device of the signal for the power-on test, when compiling the source program by the compiler, the case where the source program the does not contain setting of the limit setting in, it includes withdrawing said compilation, semiconductor test apparatus according to claim 1.
前記制御部は、前記テスト用のプログラム本体の先頭部の一か所に、前記限界設定値の設定が含まれていない場合に、前記通電試験用の信号の前記半導体装置への供給を停止する、請求項1に記載の半導体試験装置。 The test program can include the setting of the limit setting value in one place at the top of the program body,
The control unit stops the supply of the signal for the energization test to the semiconductor device when the setting of the limit set value is not included in one part of the head of the test program main body. The semiconductor test apparatus according to claim 1 .
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