JP6351442B2 - Semiconductor test equipment - Google Patents

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Description

本開示は、半導体装置の不良などを検出するためのテストを行う半導体試験装置、そのテストの方法、および半導体装置の製造方法に関し、テストを効率化する技術、半導体装置の不良の発生を抑止する技術などに関する。   The present disclosure relates to a semiconductor test apparatus that performs a test for detecting a defect of a semiconductor device, a test method thereof, and a method of manufacturing a semiconductor device. Regarding technology.

従来より、半導体装置の不良を検出するために半導体試験装置が用いられている。半導体試験装置は、例えば、複数本のプローブ針を備え、これらプローブ針を半導体装置に接触させて、テストプログラムに従って半導体装置への通電試験を行う。このような通電試験は、通常は、複数のテスト項目が含まれている。例えば、テストプログラムに示される各テスト項目において、半導体装置へ供給するクランプ電圧や電流などが指定されている。半導体試験装置は、これら指定されたクランプ電圧を、プローブ針を介して半導体装置へ供給し、半導体装置から出力される信号を、測定信号として受け付ける。半導体試験装置は、この測定信号に基づいて、半導体装置を検査する。   Conventionally, a semiconductor test apparatus has been used to detect defects in a semiconductor device. The semiconductor test apparatus includes, for example, a plurality of probe needles, these probe needles are brought into contact with the semiconductor device, and an energization test for the semiconductor device is performed according to a test program. Such an energization test usually includes a plurality of test items. For example, in each test item shown in the test program, a clamp voltage or current supplied to the semiconductor device is specified. The semiconductor test apparatus supplies the designated clamp voltage to the semiconductor device via the probe needle, and receives a signal output from the semiconductor device as a measurement signal. The semiconductor test apparatus inspects the semiconductor device based on the measurement signal.

半導体試験装置によるテストは、半導体装置を製造し、出荷するまでの過程で実施される。半導体装置の製造過程は、例えば、シリコンウェハ上に集積回路を形成する工程と、半導体ウェハから半導体装置を切り出して、パッケージ基板へ実装していく工程とに分けることができ、これらの工程のそれぞれで半導体試験装置によるテストを行う。例えば、シリコンウェハ上に集積回路を形成する工程を終えた半導体ウェハに対し、電気的な特性、機能、構造等をテストする。これにより、壊れた半導体装置が出荷される等の事態を回避することができる。   The test by the semiconductor test apparatus is performed in the process until the semiconductor device is manufactured and shipped. The manufacturing process of a semiconductor device can be divided into, for example, a process of forming an integrated circuit on a silicon wafer and a process of cutting out the semiconductor device from the semiconductor wafer and mounting it on a package substrate. Test with semiconductor test equipment. For example, electrical characteristics, functions, structures, etc. are tested on a semiconductor wafer that has completed the process of forming an integrated circuit on a silicon wafer. As a result, it is possible to avoid a situation in which a broken semiconductor device is shipped.

半導体試験装置の技術として、半導体装置の生産性を向上させるため、例えば、特開2013−140117号公報(特許文献1)には、半導体試験装置側に生じた不具合によって生じるフェイルを検出し、半導体試験装置の誤判定の認識精度を向上させることが記載されている。   In order to improve the productivity of a semiconductor device as a technology of a semiconductor test apparatus, for example, Japanese Patent Laying-Open No. 2013-140117 (Patent Document 1) detects a failure caused by a defect occurring on the semiconductor test apparatus side, It is described that the recognition accuracy of erroneous determination of the test apparatus is improved.

特開2013−140117号公報JP 2013-140117 A

半導体装置のテストは、複数の項目にわたって行われる。例えば、テストを実施するためのテストプログラムに従って、半導体試験装置は、直流特性試験、半導体装置の機能をテストするファンクション試験など複数のテストを行う。これらのテスト項目のそれぞれについて、半導体装置に与えるテスト用の信号の電流、電圧、信号を供給するタイミング等の条件がテストプログラムにおいて指定されている。このテストプログラムは、例えばPC(Personal Computer)等の情報処理装置により、テスト用のプログラミング言語を用いてユーザが作成する。情報処理装置または半導体試験装置においてテストプログラムをコンパイルして半導体試験装置がテストプログラムを実行する。   The test of the semiconductor device is performed over a plurality of items. For example, according to a test program for performing a test, the semiconductor test apparatus performs a plurality of tests such as a direct current characteristic test and a function test for testing the function of the semiconductor device. For each of these test items, conditions such as the current and voltage of a test signal applied to the semiconductor device and the timing for supplying the signal are specified in the test program. The test program is created by a user using an information processing apparatus such as a PC (Personal Computer) using a test programming language. The test program is compiled in the information processing apparatus or the semiconductor test apparatus, and the semiconductor test apparatus executes the test program.

しかし、半導体装置のテストには、数百もの項目が含まれることもあり、テスト項目ごとに、半導体装置に与える電流、電圧などのテストの条件を設定する必要がある。そのため、テストの条件の設定抜けや、設定が適切ではないために、例えば、試験対象となる半導体装置にかけられる電圧の限界値を超えて大きな電圧を半導体装置にかけてしまい、半導体装置を誤って破壊するおそれがある。また、半導体装置に信号を与えるための治具にかけられる電圧の限界値を超えて大きな電圧を治具にかけてしまい、治具の破壊を引き起こし、これにより半導体装置の生産ラインの停止を余儀なくされたり、復旧コストを必要としたりするなどのおそれがある。   However, the test of the semiconductor device may include several hundred items, and it is necessary to set test conditions such as current and voltage applied to the semiconductor device for each test item. For this reason, test conditions are not set correctly or are not set properly. For example, a large voltage is applied to the semiconductor device exceeding the limit value of the voltage applied to the semiconductor device to be tested, and the semiconductor device is accidentally destroyed. There is a fear. In addition, a large voltage is applied to the jig exceeding the limit value of the voltage applied to the jig for giving a signal to the semiconductor device, causing the destruction of the jig, thereby forcing the production line of the semiconductor device to stop, There is a risk of requiring recovery costs.

そのため、半導体試験装置や半導体装置を製造する過程などにおいて、半導体装置のテストを効率よく行い、半導体装置の不良の発生を抑止するための技術が必要とされている。   Therefore, there is a need for a technique for efficiently testing a semiconductor device and suppressing the occurrence of defects in the semiconductor device in a process of manufacturing a semiconductor test device or a semiconductor device.

その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。   Other problems and novel features will become apparent from the description of the specification and the accompanying drawings.

一実施形態に従う半導体試験装置は、記憶部と、半導体装置と接触し、接触部分を介して通電試験用の信号を半導体装置へ供給するための治具と、半導体装置の1以上のテスト項目それぞれに応じて、通電試験用の信号を、治具を介して半導体装置に供給するよう治具への信号出力を制御する制御部とを備える。記憶部は、1以上のテスト項目についての信号出力値の限界の設定を示す限界設定値を記憶するためのものである。制御部は、限界設定値を超えない信号を治具から半導体装置へ供給するよう制御する。   A semiconductor test apparatus according to an embodiment includes a storage unit, a jig that contacts the semiconductor device, and supplies a signal for current test to the semiconductor device via the contact part, and one or more test items of the semiconductor device, respectively. And a control unit for controlling signal output to the jig so as to supply a signal for an energization test to the semiconductor device via the jig. The storage unit is for storing a limit setting value indicating a limit setting of a signal output value for one or more test items. The controller controls to supply a signal that does not exceed the limit set value from the jig to the semiconductor device.

一実施形態に従うと、半導体試験装置が半導体装置の通電試験をするための方法が提供される。半導体試験装置は、半導体装置と接触し、接触部分を介して通電試験用の信号を半導体装置へ供給するための治具と、1以上のテスト項目についての信号出力値の限界の設定を示す限界設定値を記憶するための記憶部とを備える。この方法は、半導体試験装置が、半導体装置の1以上のテスト項目それぞれに応じて、通電試験用の信号を、治具を介して半導体装置に供給するよう治具へ信号出力をするステップと、限界設定値を超えない信号を治具から半導体装置へ供給するよう制御するステップとを含む。   According to one embodiment, a method is provided for a semiconductor test apparatus to conduct a current test of a semiconductor device. A semiconductor test apparatus is a jig for contacting a semiconductor device and supplying a signal for an electric current test to the semiconductor device via the contact portion, and a limit indicating setting of a limit of a signal output value for one or more test items. A storage unit for storing the set value. In this method, the semiconductor test apparatus outputs a signal to the jig so as to supply a signal for energization test to the semiconductor apparatus via the jig in accordance with each of one or more test items of the semiconductor device; Controlling to supply a signal not exceeding the limit set value from the jig to the semiconductor device.

一実施形態に従うと、半導体装置の製造方法が提供される。この製造方法は、半導体試験装置が、半導体装置の1以上のテスト項目のそれぞれについて、通電試験用の信号の信号出力値と、信号出力値の限界の設定を示す限界設定値とを比較することにより、半導体試験装置の治具を介して限界設定値を超えない信号を半導体装置に供給するステップと、半導体装置から出力される信号を測定信号として半導体装置の不具合を検出するステップとを含む。   According to one embodiment, a method for manufacturing a semiconductor device is provided. In this manufacturing method, a semiconductor test apparatus compares a signal output value of a signal for an energization test with a limit set value indicating a limit setting of the signal output value for each of one or more test items of the semiconductor device. Thus, the method includes a step of supplying a signal that does not exceed the limit set value to the semiconductor device via a jig of the semiconductor test device, and a step of detecting a defect of the semiconductor device using the signal output from the semiconductor device as a measurement signal.

一実施の形態に従う半導体試験装置、半導体装置の試験の方法、半導体装置の製造方法によると、半導体試験装置は、各テスト項目に応じて、信号出力値の限界の設定を超えない信号を治具から半導体装置へ供給するため、治具の破損、および、半導体装置の破損を防止することができる。   According to the semiconductor test apparatus, the semiconductor device test method, and the semiconductor device manufacturing method according to the embodiment, the semiconductor test apparatus uses a jig to output a signal that does not exceed the signal output value limit setting according to each test item. Therefore, the jig can be prevented from being damaged and the semiconductor device can be prevented from being damaged.

実施の形態1の半導体試験装置の構成を示すブロック図である。1 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor test apparatus according to a first embodiment. 限界設定値42のデータの構造を示す図である。It is a figure which shows the data structure of the limit setting value. テストプログラム41の一例を示す図である。4 is a diagram illustrating an example of a test program 41. FIG. 実施の形態1の半導体試験装置1の動作を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating an operation of the semiconductor test apparatus 1 according to the first embodiment. 実施の形態2の半導体試験装置の動作を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating an operation of the semiconductor test apparatus according to the second embodiment. 実施の形態3の半導体試験装置の動作を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating an operation of the semiconductor test apparatus according to the third embodiment. 一定の限界値の設定の有無に応じてコンパイルの実行を制御する処理を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the process which controls execution of compilation according to the presence or absence of the setting of a fixed limit value. 一定の限界値の設定の有無に応じてテストプログラム41の実行を停止する処理を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the process which stops execution of the test program 41 according to the presence or absence of the setting of a fixed limit value. 半導体試験装置によるウェハ4のテストの実施時に、テストによって治具6から取得する測定結果が、限界設定値42に到達した場合に、テスト項目に対し識別可能にカテゴリを付する処理を示すフローチャートである。FIG. 6 is a flowchart showing a process for assigning a category to a test item in an identifiable manner when a measurement result acquired from the jig 6 by the test reaches a limit set value 42 when a test of the wafer 4 is performed by the semiconductor test apparatus. is there.

以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。以下の説明では、同一の部品には同一の符号を付してある。それらの名称および機能も同じである。したがって、それらについての詳細な説明は繰り返さない。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, the same parts are denoted by the same reference numerals. Their names and functions are also the same. Therefore, detailed description thereof will not be repeated.

<実施の形態1>
図面を参照して実施の形態1の半導体試験装置について説明する。
<Embodiment 1>
The semiconductor test apparatus according to the first embodiment will be described with reference to the drawings.

<構成>
図1は、実施の形態1の半導体試験装置の構成を示すブロック図である。半導体試験装置1は、テスタ50と、治具6A,6B(以下、治具6Aと治具6Bとを総称して「治具6」と記載することもある)と、テスト用の半導体装置であるウェハ4を載置するためのステージ5と、ウェハ4のテストを実施するためのテストプログラムをテスト実施者が作成するためのプログラム生成用計算機20と、を備える。テスタ50は、入出力IF(Interface)51と、操作部52と、表示部53と、記憶部54と、セレクタ55と、セレクタ56と、制御部(CPU(Central Processing Unit))57と、電源部58と、信号等発生部71と、DC(Direct Current)測定部79とを含む。信号等発生部71は、信号発生部77と、疑似負荷部78とを含む。
<Configuration>
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of the semiconductor test apparatus according to the first embodiment. The semiconductor test apparatus 1 includes a tester 50, jigs 6A and 6B (hereinafter, the jig 6A and the jig 6B may be collectively referred to as “jig 6”), and a test semiconductor device. A stage 5 for mounting a wafer 4 and a computer 20 for generating a program for a tester to create a test program for testing the wafer 4 are provided. The tester 50 includes an input / output IF (Interface) 51, an operation unit 52, a display unit 53, a storage unit 54, a selector 55, a selector 56, a control unit (CPU (Central Processing Unit)) 57, a power source Unit 58, signal generation unit 71, and DC (Direct Current) measurement unit 79. The signal generating unit 71 includes a signal generating unit 77 and a pseudo load unit 78.

テスタ50は、治具6に通電試験等の試験用の信号を供給し、治具6を介してウェハ4から出力される測定信号を受け付けて、ウェハ4のテストの結果を表示する。   The tester 50 supplies a test signal such as a current test to the jig 6, receives a measurement signal output from the wafer 4 via the jig 6, and displays the test result of the wafer 4.

入出力IF51は、テスタ50が情報処理装置(例えば、プログラム生成用計算機20などのPC(Personal Computer))と接続するためのインタフェースであり、例えばUSB(Universal Serial Bus)などの汎用的な規格に対応した入出力インタフェースである。これにより、プログラム生成用計算機20などの外部の情報処理装置からテスタ50を制御することができる。図示していないが、半導体試験装置1は、LAN(Local Area Network)等の通信インタフェースを備え、通信回線を通じて外部の情報処理装置と接続することとしてもよい。   The input / output IF 51 is an interface for connecting the tester 50 to an information processing apparatus (for example, a PC (Personal Computer) such as the computer 20 for generating programs), and is based on a general-purpose standard such as USB (Universal Serial Bus). Corresponding input / output interface. Accordingly, the tester 50 can be controlled from an external information processing apparatus such as the program generation computer 20. Although not shown, the semiconductor test apparatus 1 may include a communication interface such as a LAN (Local Area Network) and may be connected to an external information processing apparatus through a communication line.

プログラム生成用計算機20によって作成されたソースプログラムとしてのテストプログラムは、プログラム保管部22に保持される。プログラム生成用計算機20はコンパイラ21としての機能を発揮する。コンパイラ21は、テスト実施者により作成されるソースプログラムを、テスタ50が実行可能な機械語のプログラムにコンパイルするためのものである。   A test program as a source program created by the program generation computer 20 is held in the program storage unit 22. The program generation computer 20 functions as a compiler 21. The compiler 21 is for compiling a source program created by a tester into a machine language program that can be executed by the tester 50.

半導体装置をテストするためのテストプログラムは、例えば以下のようにして作成される。テスト実施者が、プログラム生成用計算機20を使ってテスタ専用のプログラム言語により記述されるテストプログラム(ソースプログラム)を作成する。作成されたテストプログラム(ソースプログラム)は、プログラム保管部22に保持される。プログラム生成用計算機20は、コンパイラ21としての機能を発揮する。コンパイラ21は、ソースプログラムを、機械語のテストプログラムに変換する。プログラム保管部22は、データ及びプログラムなど、情報処理装置の処理に供される情報を記憶するための記憶領域を有する記憶装置(例えば、磁気ディスク)である。機械語に変換されたテストプログラムは、プログラム保管部22に蓄積される。プログラム生成用計算機20は、例えばテスタ50の入出力IF51を介してテスタ50と接続し、テストプログラムをテスタ50へ送信する。テスタ50は、プログラム生成用計算機20から受信したテストプログラムを、記憶部54にテストプログラム41として記憶させる。プログラム生成用計算機20は、テスト実施者の操作を受け付けて、テスタ50に、テストプログラムに基づく半導体装置のテストを開始させる。   A test program for testing a semiconductor device is created, for example, as follows. A tester creates a test program (source program) described in a program language dedicated to the tester using the program generation computer 20. The created test program (source program) is held in the program storage unit 22. The program generation computer 20 functions as a compiler 21. The compiler 21 converts the source program into a machine language test program. The program storage unit 22 is a storage device (for example, a magnetic disk) having a storage area for storing information used for processing of the information processing device such as data and programs. The test program converted into the machine language is stored in the program storage unit 22. The program generation computer 20 is connected to the tester 50 via, for example, the input / output IF 51 of the tester 50 and transmits the test program to the tester 50. The tester 50 stores the test program received from the program generation computer 20 in the storage unit 54 as the test program 41. The program generation computer 20 accepts the tester's operation, and causes the tester 50 to start testing the semiconductor device based on the test program.

操作部52は、テスタ50に対するユーザの入力操作を受け付けるための操作部材であり、例えばスイッチなどを含む 表示部53は、LCD(Liquid Crystal Display)などのディスプレイであり、制御部57の制御に従って情報を表示する。   The operation unit 52 is an operation member for accepting a user's input operation to the tester 50. For example, the display unit 53 including a switch or the like is a display such as an LCD (Liquid Crystal Display), and information is controlled according to control of the control unit 57. Is displayed.

記憶部54は、RAM(Random Access Memory)等により構成されるメモリであり、テストプログラム41と、限界設定値42とを記憶する。テストプログラム41は、テスタ50が治具6を制御してウェハ4のテストを実施するためのプログラムであり、テスト実施者がプログラム生成用計算機20によって作成したものである。限界設定値42は、テスタ50が治具6を介してウェハ4に供給する信号の限界の設定を示す。限界設定値は、元々ソースプログラム中に設定され、機械語に変換されたテストプログラムにも含まれる。プログラム生成用計算機20から転送されるテストプログラム中の限界設定値が、記憶部54に限界設定値42としてテストプログラム41とともに保存される。   The storage unit 54 is a memory configured by a RAM (Random Access Memory) or the like, and stores a test program 41 and a limit set value 42. The test program 41 is a program for the tester 50 to test the wafer 4 by controlling the jig 6, and is created by the program generator 20 by the tester. The limit setting value 42 indicates a limit setting of a signal supplied from the tester 50 to the wafer 4 via the jig 6. The limit set value is also included in the test program that was originally set in the source program and converted into machine language. The limit setting value in the test program transferred from the program generation computer 20 is stored in the storage unit 54 as the limit setting value 42 together with the test program 41.

制御部57は、テストプログラム41に従って動作し、テスタ50によるウェハ4のテストのための信号出力を制御する。制御部57は、CPU、ROM(Read Only Memory)、RAM等を備え、プログラムを読み込んで動作することにより、テストプログラム実行部73としての機能を発揮する。そのテストプログラム実行部73は、半導体装置のテストを行うためにテストプログラム41を実行する。   The controller 57 operates according to the test program 41 and controls signal output for testing the wafer 4 by the tester 50. The control unit 57 includes a CPU, a ROM (Read Only Memory), a RAM, and the like, and functions as the test program execution unit 73 by reading and operating a program. The test program execution unit 73 executes the test program 41 in order to test the semiconductor device.

テストプログラム41は、ウェハ4をテストするための複数のテスト項目それぞれについて、治具6を介してウェハ4に供給する信号のテスト項目毎の信号出力値(例えば、電圧の出力値、電流の出力値など)の指定を含む。テストプログラム実行部73は、テストプログラム41に示される各テスト項目を順に実行し、テスト項目それぞれについて、テストプログラム41で定められた電圧値および電流値を、治具6を介して半導体装置の信号端子及び電源端子に与える。   For each of a plurality of test items for testing the wafer 4, the test program 41 outputs a signal output value (for example, voltage output value, current output) for each test item of a signal supplied to the wafer 4 via the jig 6. Value). The test program execution unit 73 sequentially executes each test item shown in the test program 41, and for each test item, the voltage value and the current value determined by the test program 41 are transmitted to the signal of the semiconductor device via the jig 6. Terminal and power supply terminal.

信号等発生部71は、テスタ50が半導体装置をテストする時、制御部57により制御されて半導体装置の信号端子に対して入力する信号を発生させる。信号等発生部71は、信号発生部77と、疑似負荷部78とを含む。信号発生部77は、半導体装置のテスト時に、半導体装置の入力端子に供給するクロック信号及びデータ信号を生成する。その際、信号発生部77は、テストプログラム41で定められた電圧値及び電流値のクロック信号と、テストプログラム41で定められた電圧値および電流値のデータ信号とを生成する。   When the tester 50 tests the semiconductor device, the signal generation unit 71 is controlled by the control unit 57 to generate a signal input to the signal terminal of the semiconductor device. The signal generating unit 71 includes a signal generating unit 77 and a pseudo load unit 78. The signal generator 77 generates a clock signal and a data signal to be supplied to the input terminal of the semiconductor device when testing the semiconductor device. At this time, the signal generator 77 generates a clock signal having a voltage value and a current value determined by the test program 41 and a data signal having a voltage value and a current value determined by the test program 41.

疑似負荷部78は、半導体装置のテスト時に、半導体装置の出力端子に疑似負荷を与える。その際に疑似負荷部78は、テストプログラム41で定められた負荷を生成する。DC測定部79は、直流電圧および直流電流を測定し、測定結果を制御部57等へ出力する。電源部58は、半導体装置をテストする時に、テストプログラムの実行に基づいて制御部57により制御されて、半導体装置の電源端子に治具6Bを介してテストプログラム41で定められる電圧を供給する。なおテストプログラム41はテスト項目毎に電源端子に与えられる電圧値と電流値とを定めている。   The pseudo load unit 78 applies a pseudo load to the output terminal of the semiconductor device when testing the semiconductor device. At that time, the pseudo load unit 78 generates a load determined by the test program 41. The DC measurement unit 79 measures a DC voltage and a DC current, and outputs the measurement result to the control unit 57 and the like. When testing the semiconductor device, the power supply unit 58 is controlled by the control unit 57 based on the execution of the test program, and supplies a voltage determined by the test program 41 to the power supply terminal of the semiconductor device via the jig 6B. The test program 41 defines a voltage value and a current value given to the power supply terminal for each test item.

制御部57はさらに、テストプログラム41を実行して、記憶部54の限界設定値42をロードして、制御部57内に設けられる記憶装置(レジスタ等)に限界設定値75として保持する。限界設定値75は、その保持している値をセレクタ55およびセレクタ56へ供給する。   The control unit 57 further executes the test program 41 to load the limit setting value 42 in the storage unit 54 and hold it as a limit setting value 75 in a storage device (register or the like) provided in the control unit 57. The limit setting value 75 supplies the held value to the selector 55 and the selector 56.

セレクタ55は、信号等発生部71により生成されるクロック信号及びデータ信号を受ける。セレクタ55は、限界設定値75で指定される値を参照してウェハ4に供給されるクロック信号の電圧又は電流を制御し、限界設定値75で指定される値を参照してウェハ4に供給されるデータ信号の電圧又は電流を制御する。具体的にはセレクタ55は、クロック信号及びデータ信号の各々(以下単に「信号」とも呼ぶ)の電圧又は電流の値と限界設定値75により示される値との大小関係を判断する。セレクタ55はウェハに供給される信号の電圧又は電流が限界設定値75を超えていない場合には、信号発生部77より受ける信号をそのままウェハ4に供給し、超えている場合には、その限界設定値75又はその限界範囲内の値の電圧又は電流に固定(クランプ)された信号に変換してウェハ4に供給する。   The selector 55 receives a clock signal and a data signal generated by the signal generation unit 71. The selector 55 controls the voltage or current of the clock signal supplied to the wafer 4 with reference to the value specified by the limit setting value 75 and supplies the wafer 4 with reference to the value specified by the limit setting value 75. Control the voltage or current of the data signal to be generated. Specifically, the selector 55 determines the magnitude relationship between the voltage or current value of each of the clock signal and the data signal (hereinafter also simply referred to as “signal”) and the value indicated by the limit setting value 75. When the voltage or current of the signal supplied to the wafer does not exceed the limit set value 75, the selector 55 supplies the signal received from the signal generator 77 to the wafer 4 as it is, and when it exceeds, the limit is reached. It is converted into a signal fixed (clamped) to a voltage or current of a set value 75 or a value within the limit range and supplied to the wafer 4.

セレクタ55はまた、疑似負荷部78で生成される負荷が限界設定値75で示される値との大小関係も判断する。セレクタ55は疑似負荷部78で生成される負荷が限界設定値75を超えていない場合には、疑似負荷部78で生成される負荷をそのままウェハ4に供給し、超えている場合には、その限界設定値75又はその限界範囲内の値の負荷をウェハ4に供給する。   The selector 55 also determines the magnitude relationship between the load generated by the pseudo load unit 78 and the value indicated by the limit set value 75. When the load generated by the pseudo load unit 78 does not exceed the limit set value 75, the selector 55 supplies the load generated by the pseudo load unit 78 to the wafer 4 as it is. A load having a limit set value 75 or a value within the limit range is supplied to the wafer 4.

セレクタ56は、電源部58により生成される電源を受ける。セレクタ56は、限界設定値75で指定される値を参照してウェハ4の電源端子に供給される電源の電圧又は電流を制御する。具体的にはセレクタ56は、電源の電圧又は電流の値と限界設定値75により示される値との大小関係を判断する。セレクタ56は電源が限界設定値75を超えていない場合には、電源部58から供給される電源をそのままウェハ4に供給し、超えている場合には、その限界設定値75又はその限界範囲内の値の電圧又は電流に固定(クランプ)された電源をウェハ4に供給する。   The selector 56 receives power generated by the power supply unit 58. The selector 56 refers to the value specified by the limit setting value 75 and controls the voltage or current of the power supplied to the power terminal of the wafer 4. Specifically, the selector 56 determines the magnitude relationship between the value of the power supply voltage or current and the value indicated by the limit set value 75. When the power does not exceed the limit set value 75, the selector 56 supplies the power supplied from the power supply unit 58 to the wafer 4 as it is, and when it exceeds, the limit set value 75 or within the limit range. A power supply fixed (clamped) to the voltage or current of the value of is supplied to the wafer 4.

<データ>
図2は、限界設定値42のデータの構造を示す図である。図2に示すように、限界設定値42は、テスタ50がウェハ4へ供給する電源、信号入力、疑似負荷について、信号出力値の限界の設定と、信号出力値がとり得る範囲を保持している。限界設定値42は、電源の電圧クランプの範囲24と、電源の電流クランプの範囲25と、治具6への信号入力の電圧クランプの範囲26と、治具6への信号入力の電流クランプの範囲27と、ウェハ4へ与える疑似的な負荷の設定値28とを含む。図2の例では、電圧クランプの設定値として、設定値23と設定値29とには、範囲24と範囲26とを参照し、電圧の限界設定値「最大5.0V、最少−1.0Vまで」の範囲が指定されている。電流クランプの設定値として、設定値23と設定値29とには、範囲25と範囲27とを参照し、電流の限界設定値「最大100mA、最少0mA」の範囲が指定されている。また、設定値28に示すように、疑似負荷の限界設定値「最大5.0V、最少−1.0Vまで、最少−2mA、最大2mAまで」の範囲が指定されている。
<Data>
FIG. 2 is a diagram illustrating a data structure of the limit setting value 42. As shown in FIG. 2, the limit setting value 42 holds the limit of the signal output value and the range that the signal output value can take for the power supply, signal input, and pseudo load that the tester 50 supplies to the wafer 4. Yes. The limit set value 42 includes the voltage clamp range 24 of the power supply, the current clamp range 25 of the power supply, the voltage clamp range 26 of the signal input to the jig 6, and the current clamp of the signal input to the jig 6. A range 27 and a setting value 28 of a pseudo load applied to the wafer 4 are included. In the example of FIG. 2, as the setting values of the voltage clamp, the setting value 23 and the setting value 29 are referred to the range 24 and the range 26, and the voltage limit setting values “maximum 5.0 V, minimum −1.0 V are used. The range of “to” is specified. As setting values of the current clamp, the setting value 23 and the setting value 29 refer to the range 25 and the range 27, and the range of the current limit setting value “maximum 100 mA, minimum 0 mA” is designated. Further, as shown in the setting value 28, the range of the pseudo load limit setting values "maximum 5.0V, minimum -1.0V, minimum -2mA, maximum 2mA" is specified.

<テストプログラム41の例>
図3は、テストプログラム41の一例を示す図である。図3は、ソースプログラムの例を示す。テストプログラム41は、テスタ50がウェハ4をテストするための各テスト項目について、テスト項目を識別するための情報と対応付けて電圧のクランプ値の指定をテストプログラム41に含めている。テストプログラム41は、テストプログラム41の先頭部分に、限界設定値を指定するための設定部19を含んでいる。設定部19の一か所に、電源、信号入力、疑似負荷についての設定値の指定が含まれている。
<Example of test program 41>
FIG. 3 is a diagram illustrating an example of the test program 41. FIG. 3 shows an example of a source program. The test program 41 includes, for each test item for the tester 50 to test the wafer 4, designation of a voltage clamp value in the test program 41 in association with information for identifying the test item. The test program 41 includes a setting unit 19 for designating a limit setting value at the head of the test program 41. One part of the setting unit 19 includes designation of set values for the power source, signal input, and pseudo load.

例えば、設定部19において、設定値「VCC_LIMIT」は、電源の電圧を、治具6を介してテスタ50からウェハ4に供給するための限界値を示す。また、例えば、設定部19において、設定値「VI_LIMIT」は、電流の限界値の設定を示す。また、例えば、設定部19において、設定値「D_LIMIT」は、疑似負荷の限界値の設定を示す。各限界値は、テスタ50により実施される複数のテスト項目に共通の値として設定される。   For example, in the setting unit 19, the set value “VCC_LIMIT” indicates a limit value for supplying the power supply voltage from the tester 50 to the wafer 4 via the jig 6. For example, in the setting unit 19, the setting value “VI_LIMIT” indicates the setting of the current limit value. For example, in the setting unit 19, the setting value “D_LIMIT” indicates setting of the limit value of the pseudo load. Each limit value is set as a value common to a plurality of test items executed by the tester 50.

他のテスト項目については、各項目について、順にテストプログラム41に電圧の指定値、電圧クランプの指定値、電流の指定値および電流クランプの指定値が含められる。例えば、テスト項目Aについてはテスト項目2pに、テスト項目Bについてはテスト項目3pに、テスト項目Cについてはテスト項目4pに含められている。   For other test items, for each item, the test program 41 includes a specified voltage value, a specified voltage clamp value, a specified current value, and a specified current clamp value in order. For example, test item A is included in test item 2p, test item B is included in test item 3p, and test item C is included in test item 4p.

<実施の形態1の動作>
図4は、実施の形態1の半導体試験装置1の動作を示す図である。図4では、横軸を時間とし、縦軸をテスタ50が治具6に供給する電圧として示している。
<Operation of Embodiment 1>
FIG. 4 is a diagram illustrating the operation of the semiconductor test apparatus 1 according to the first embodiment. In FIG. 4, the horizontal axis represents time, and the vertical axis represents the voltage supplied from the tester 50 to the jig 6.

図4において、期間101は、テスト項目Aのテストを実施している期間であり、期間102は、テスト項目Bのテストを実施している期間であり、期間103は、テスト項目Cのテストを実施している期間である。グランド110は、グランドの電圧を示す。限界設定値111は、テストプログラム41等によって指定された限界設定値42(図4の例では電圧の限界設定値)を示す。限界値112は、ウェハ4に印加される電圧の限界値を示す。限界値113は、治具6に印加される電圧の限界値を示す。限界値114は、テスタ50が発生させることができる電圧の限界値を示す。   In FIG. 4, a period 101 is a period in which the test of the test item A is being performed, a period 102 is a period in which the test of the test item B is being performed, and a period 103 is a test of the test item C. This is the period of implementation. The ground 110 indicates a ground voltage. The limit set value 111 indicates a limit set value 42 (voltage limit set value in the example of FIG. 4) specified by the test program 41 or the like. The limit value 112 indicates the limit value of the voltage applied to the wafer 4. The limit value 113 indicates the limit value of the voltage applied to the jig 6. The limit value 114 indicates a limit value of a voltage that can be generated by the tester 50.

図4において、テストプログラム41に指定される電圧クランプ値を実線で示し、テスタ50が治具6を介してウェハ4に供給することが望ましい電圧クランプ値を点線で示す。   In FIG. 4, the voltage clamp value specified by the test program 41 is indicated by a solid line, and the voltage clamp value that the tester 50 desirably supplies to the wafer 4 via the jig 6 is indicated by a dotted line.

指定電圧クランプ値115は、テスト項目Aにおいてテストプログラム41に指定される電圧クランプ値を示す。電圧クランプ値116は、テスト項目Bにおいて、好ましい電圧クランプ値を示す。電圧クランプ値117は、テスト項目Cにおいて、好ましい電圧クランプ値を示す。指定電圧クランプ値118は、テスト項目Cにおいて、テストプログラム41に指定される電圧クランプ値を示す。   The designated voltage clamp value 115 indicates a voltage clamp value designated by the test program 41 in the test item A. The voltage clamp value 116 indicates a preferable voltage clamp value in the test item B. The voltage clamp value 117 indicates a preferable voltage clamp value in the test item C. The designated voltage clamp value 118 indicates a voltage clamp value designated by the test program 41 in the test item C.

図4に示す例では、テスト項目Aにおいては、テストプログラム41に指定される電圧クランプ値(指定電圧クランプ値115)は、限界値112を超えていないため、ウェハ4、治具6の破損につながるおそれは小さい。   In the example shown in FIG. 4, in the test item A, the voltage clamp value (designated voltage clamp value 115) specified in the test program 41 does not exceed the limit value 112, so that the wafer 4 and the jig 6 are damaged. There is little risk of being connected.

テスト項目Bにおいては、本来、電圧クランプ値116が設定されるべきところテスト実施者の設定漏れのためテストプログラム41には電圧クランプ値が指定されていない。この期間において、実施の形態1のテスタ50は、限界設定値111に示される電圧値を超えない範囲で、例えば限界設定値111に電圧クランプ値を設定し、限界設定値111の電圧をテスタ50から治具6を介してウェハ4に供給する。限界設定値111に示される電圧値は、限界値112、限界値113よりも小さいため、ウェハ4、治具6の破損につながるおそれは小さい。   In the test item B, the voltage clamp value 116 is originally set, but the test program 41 does not specify the voltage clamp value because of the omission of setting by the tester. During this period, the tester 50 of the first embodiment sets the voltage clamp value to the limit setting value 111, for example, within a range not exceeding the voltage value indicated by the limit setting value 111, and the voltage of the limit setting value 111 is set to the tester 50. To the wafer 4 through the jig 6. Since the voltage value indicated by the limit set value 111 is smaller than the limit value 112 and the limit value 113, there is little possibility that the wafer 4 and the jig 6 will be damaged.

テスト項目Cにおいては、テストプログラム41には、本来、電圧クランプ値117が設定されるべきところテスト実施者の誤入力により限界値112と限界値113とを超える電圧値が指定されている。この場合、テスタ50がテストプログラム41に示される電圧クランプ値により治具6を介してウェハ4に電圧を供給すると、治具6とウェハ4とを破損するおそれがある。しかし、実施の形態1のテスタ50は、限界設定値111に示される電圧を超えない範囲で、限界設定値111の電圧をテスタ50から治具6を介してウェハ4に供給するため、治具6とウェハ4の破損につながるおそれは小さくなる。   In the test item C, a voltage value exceeding the limit value 112 and the limit value 113 is specified in the test program 41 where the voltage clamp value 117 should be originally set due to an erroneous input by the tester. In this case, if the tester 50 supplies a voltage to the wafer 4 via the jig 6 with the voltage clamp value indicated in the test program 41, the jig 6 and the wafer 4 may be damaged. However, the tester 50 of the first embodiment supplies the voltage of the limit setting value 111 from the tester 50 to the wafer 4 via the jig 6 within a range not exceeding the voltage indicated by the limit setting value 111. 6 and the risk of damage to the wafer 4 are reduced.

<実施の形態1のまとめ>
実施の形態1の半導体試験装置1によると、各テスト項目について一定の限界設定値42を指定することにより、限界設定値42に示される電圧を超えない範囲でテスタ50から治具6を介してウェハ4へ信号が供給される。限界設定値42に示される信号の出力値は、治具6とウェハ4とに印加される電圧の限界値よりも小さいため、治具6とウェハ4とを損傷、破損する恐れは小さくなる。また、限界設定値42は、各テスト項目について一定に設定されるため、テストプログラムの作成者は、容易に限界設定値42を設定することができる。
<Summary of Embodiment 1>
According to the semiconductor test apparatus 1 of the first embodiment, by specifying a certain limit set value 42 for each test item, the tester 50 through the jig 6 within a range not exceeding the voltage indicated by the limit set value 42. A signal is supplied to the wafer 4. Since the output value of the signal indicated by the limit setting value 42 is smaller than the limit value of the voltage applied to the jig 6 and the wafer 4, the risk of damaging or breaking the jig 6 and the wafer 4 is reduced. Further, since the limit setting value 42 is set to be constant for each test item, the creator of the test program can easily set the limit setting value 42.

ここで、テストプログラムの作成時において、限界設定値42が、テストプログラムの作成者によって半導体装置の電流や電圧の限界値を超えて設定される場合や、治具6の電流や電圧の限界値を超えて設定される場合や、テスタ50が発生可能な電流や電圧の限界値を超えて設定される場合は、テストプログラムを作成するためのソフトウェアにおいてエラーを表示させ、作成者にテストプログラムの修正を促すこととしてもよい。また、これらテスタ50、半導体装置、治具6の限界値を超えない範囲で、複数の限界設定値を設定することができるとしてもよい。   Here, when the test program is created, the limit setting value 42 is set by the test program creator exceeding the limit value of the current and voltage of the semiconductor device, or the limit value of the current and voltage of the jig 6. If the tester 50 is set to exceed the limit value of the current and voltage that can be generated by the tester 50, an error is displayed in the software for creating the test program and the creator is notified of the test program. It is good also as urging correction. Further, a plurality of limit setting values may be set within a range not exceeding the limit values of the tester 50, the semiconductor device, and the jig 6.

<実施の形態2>
別の実施の形態の半導体試験装置について説明する。
<Embodiment 2>
A semiconductor test apparatus according to another embodiment will be described.

図5は、実施の形態2の半導体試験装置の動作を示す図である。図5では、横軸を時間とし、縦軸をテスタ50が治具6に供給する電流として示している。実施の形態1の半導体試験装置と比較すると、半導体試験装置は、電流について限界設定値に基づいて治具6を介してウェハ4に印加する信号出力を制御している。   FIG. 5 is a diagram illustrating the operation of the semiconductor test apparatus according to the second embodiment. In FIG. 5, the horizontal axis represents time, and the vertical axis represents current supplied from the tester 50 to the jig 6. Compared with the semiconductor test apparatus of the first embodiment, the semiconductor test apparatus controls the signal output applied to the wafer 4 via the jig 6 based on the limit set value for the current.

図5において、期間201は、テスト項目Aのテストを実施している期間であり、期間202は、テスト項目Bのテストを実施している期間であり、期間203は、テスト項目Cのテストを実施している期間である。グランド210は、グランドの電流を示す。限界設定値211は、テストプログラム41等によって指定された限界設定値42(図5の例では電流の限界設定値)を示す。限界値212は、ウェハ4に印加される電流の限界値を示す。限界値213は、治具6に印加される電流の限界値を示す。限界値214は、テスタ50が発生させることができる電流の限界値を示す。   In FIG. 5, a period 201 is a period in which a test of the test item A is being performed, a period 202 is a period in which a test of the test item B is being performed, and a period 203 is a test of the test item C. This is the period of implementation. The ground 210 indicates a ground current. The limit set value 211 indicates the limit set value 42 (current limit set value in the example of FIG. 5) specified by the test program 41 or the like. The limit value 212 indicates the limit value of the current applied to the wafer 4. The limit value 213 indicates the limit value of the current applied to the jig 6. The limit value 214 indicates the limit value of the current that can be generated by the tester 50.

図5において、テストプログラム41に指定される電流クランプ値を実線で示し、テスタ50が治具6を介してウェハ4に供給することが望ましい電流クランプ値を点線で示す。   In FIG. 5, the current clamp value designated by the test program 41 is indicated by a solid line, and the current clamp value that the tester 50 desirably supplies to the wafer 4 via the jig 6 is indicated by a dotted line.

指定電流クランプ値215は、テスト項目Aにおいてテストプログラム41に指定される電流クランプ値を示す。電流クランプ値216は、テスト項目Bにおいて、好ましい電流クランプ値を示す。電流クランプ値217は、テスト項目Cにおいて、好ましい電流クランプ値を示す。指定電流クランプ値218は、テスト項目Cにおいて、テストプログラム41に指定される電流クランプ値を示す。   The designated current clamp value 215 indicates a current clamp value designated by the test program 41 in the test item A. The current clamp value 216 indicates a preferable current clamp value in the test item B. The current clamp value 217 indicates a preferable current clamp value in the test item C. The designated current clamp value 218 indicates a current clamp value designated by the test program 41 in the test item C.

図5に示す例では、テスト項目Aにおいては、テストプログラム41に指定される電流クランプ値(指定電流クランプ値215)は、限界値212を超えていないため、ウェハ4、治具6の破損につながるおそれは小さい。   In the example shown in FIG. 5, in the test item A, the current clamp value (specified current clamp value 215) specified in the test program 41 does not exceed the limit value 212, so that the wafer 4 and the jig 6 are damaged. There is little risk of being connected.

テスト項目Bにおいては、テスト実施者の設定漏れのためテストプログラム41には電流クランプ値が指定されていない。この期間において、実施の形態2のテスタ50は、限界設定値211に示される電流値を超えない範囲で、例えば限界設定値211に電流クランプ値を設定し、限界設定値211の電流をテスタ50から治具6を介してウェハ4に供給する。限界設定値211に示される電流値は、限界値212、限界値213よりも小さいため、ウェハ4、治具6の破損につながるおそれは小さい。   In the test item B, the current clamp value is not specified in the test program 41 because of a setting omission of the tester. During this period, the tester 50 of the second embodiment sets the current clamp value to the limit setting value 211, for example, within a range not exceeding the current value indicated by the limit setting value 211, and the current of the limit setting value 211 is set to the tester 50. To the wafer 4 through the jig 6. Since the current value indicated by the limit set value 211 is smaller than the limit value 212 and the limit value 213, there is little possibility that the wafer 4 and the jig 6 will be damaged.

テスト項目Cにおいては、テストプログラム41には、テスト実施者が誤って限界値212と限界値213とを超える電流値が指定されている。この場合、テスタ50がテストプログラム41に示される電流クランプ値により治具6を介してウェハ4に電流を供給すると、治具6とウェハ4とを破損するおそれがある。しかし、実施の形態2のテスタ50は、限界設定値211に示される電流を超えない範囲で、限界設定値211の電流をテスタ50から治具6を介してウェハ4に供給するため、治具6とウェハ4の破損につながるおそれは小さくなる。   In the test item C, in the test program 41, a current value exceeding the limit value 212 and the limit value 213 is designated by the tester by mistake. In this case, if the tester 50 supplies current to the wafer 4 via the jig 6 with the current clamp value indicated in the test program 41, the jig 6 and the wafer 4 may be damaged. However, the tester 50 according to the second embodiment supplies the current of the limit setting value 211 from the tester 50 to the wafer 4 via the jig 6 within a range not exceeding the current indicated by the limit setting value 211. 6 and the risk of damage to the wafer 4 are reduced.

<実施の形態2のまとめ>
実施の形態2の半導体試験装置1によると、限界設定値42を指定することにより、限界設定値42に示される電流を超えない範囲でテスタ50から治具6を介してウェハ4へ信号が供給される。限界設定値42に示される信号の出力値は、治具6とウェハ4とに印加される電流の限界値よりも小さいため、治具6とウェハ4とを損傷、破損する恐れは小さくなる。
<Summary of Embodiment 2>
According to the semiconductor test apparatus 1 of the second embodiment, by specifying the limit set value 42, a signal is supplied from the tester 50 to the wafer 4 via the jig 6 within a range not exceeding the current indicated by the limit set value 42. Is done. Since the output value of the signal indicated by the limit setting value 42 is smaller than the limit value of the current applied to the jig 6 and the wafer 4, the risk of damaging or breaking the jig 6 and the wafer 4 is reduced.

<実施の形態3>
別の実施の形態の半導体試験装置について説明する。
<Embodiment 3>
A semiconductor test apparatus according to another embodiment will be described.

図6は、実施の形態3の半導体試験装置の動作を示す図である。半導体装置のテストは、マイナス方向の電圧、電流を印加する場合もあるため、限界設定値はマイナス方向についても設定される。   FIG. 6 is a diagram illustrating the operation of the semiconductor test apparatus according to the third embodiment. In the test of the semiconductor device, a negative voltage or current may be applied, so the limit set value is also set in the negative direction.

図6において、期間301は、テスト項目Aのテストを実施している期間であり、期間302は、テスト項目Bのテストを実施している期間であり、期間303は、テスト項目Cのテストを実施している期間である。グランド310は、グランドの電圧を示す。限界設定値311は、テストプログラム41等によって指定された限界設定値42(図6の例では電圧の限界設定値)を示す。実施の形態3では、マイナス方向に電圧の限界設定値が設定されている。限界値312は、ウェハ4に印加される電圧のマイナス方向の限界値を示す。限界値313は、治具6に印加される電圧のマイナス方向の限界値を示す。限界値314は、テスタ50が発生させることができる電圧のマイナス方向の限界値を示す。   In FIG. 6, a period 301 is a period in which the test of the test item A is being performed, a period 302 is a period in which the test of the test item B is being performed, and a period 303 is a test of the test item C. This is the period of implementation. The ground 310 indicates a ground voltage. The limit set value 311 indicates a limit set value 42 (voltage limit set value in the example of FIG. 6) specified by the test program 41 or the like. In the third embodiment, the limit set value of the voltage is set in the negative direction. The limit value 312 indicates a limit value in the negative direction of the voltage applied to the wafer 4. The limit value 313 indicates a limit value in the negative direction of the voltage applied to the jig 6. The limit value 314 indicates a limit value in the negative direction of the voltage that can be generated by the tester 50.

図6において、テストプログラム41に指定される電圧クランプ値を実線で示し、テスタ50が治具6を介してウェハ4に供給することが望ましい電圧クランプ値を点線で示す。   In FIG. 6, the voltage clamp value specified by the test program 41 is indicated by a solid line, and the voltage clamp value that the tester 50 desirably supplies to the wafer 4 via the jig 6 is indicated by a dotted line.

指定電圧クランプ値315は、テスト項目Aにおいてテストプログラム41に指定される電圧クランプ値を示す。電圧クランプ値316は、テスト項目Bにおいて、好ましい電圧クランプ値を示す。電圧クランプ値317は、テスト項目Cにおいて、好ましい電圧クランプ値を示す。指定電圧クランプ値318は、テスト項目Cにおいて、テストプログラム41に指定される電圧クランプ値を示す。   The designated voltage clamp value 315 indicates a voltage clamp value designated by the test program 41 in the test item A. The voltage clamp value 316 indicates a preferable voltage clamp value in the test item B. The voltage clamp value 317 indicates a preferable voltage clamp value in the test item C. The designated voltage clamp value 318 indicates a voltage clamp value designated by the test program 41 in the test item C.

図6に示す例では、テスト項目Aにおいては、テストプログラム41に指定される電圧クランプ値(指定電圧クランプ値315)は、限界値312をマイナス方向に超えていないため、ウェハ4、治具6の破損につながるおそれは小さい。   In the example illustrated in FIG. 6, in the test item A, the voltage clamp value (designated voltage clamp value 315) specified in the test program 41 does not exceed the limit value 312 in the minus direction. There is little risk of damage.

テスト項目Bにおいては、テスト実施者の設定漏れのためテストプログラム41には電圧クランプ値が指定されていない。この期間において、実施の形態3のテスタ50は、限界設定値311に示される電圧値をマイナス方向に超えない範囲で、例えば限界設定値311に電圧クランプ値を設定し、限界設定値311の電圧をテスタ50から治具6を介してウェハ4に供給する。限界設定値311に示される電圧値は、限界値312、限界値313よりも小さいため、ウェハ4、治具6の破損につながるおそれは小さい。   In the test item B, a voltage clamp value is not specified in the test program 41 because of a setting omission by the tester. During this period, the tester 50 according to the third embodiment sets the voltage clamp value to, for example, the limit set value 311 within a range that does not exceed the voltage value indicated by the limit set value 311 in the negative direction. Is supplied from the tester 50 to the wafer 4 via the jig 6. Since the voltage value indicated by the limit set value 311 is smaller than the limit value 312 and the limit value 313, there is little possibility that the wafer 4 and the jig 6 will be damaged.

テスト項目Cにおいては、テストプログラム41には、テスト実施者が誤って限界値312と限界値313とをマイナス方向に超える電圧値が指定されている。この場合、テスタ50がテストプログラム41に示される電圧クランプ値により治具6を介してウェハ4に電圧を供給すると、治具6とウェハ4とを破損するおそれがある。しかし、実施の形態3のテスタ50は、限界設定値311に示される電圧を超えない範囲で、限界設定値311の電圧をテスタ50から治具6を介してウェハ4に供給するため、治具6とウェハ4の破損につながるおそれは小さくなる。   In the test item C, the test program 41 specifies a voltage value by which the tester mistakenly exceeds the limit value 312 and the limit value 313 in the negative direction. In this case, if the tester 50 supplies a voltage to the wafer 4 via the jig 6 with the voltage clamp value indicated in the test program 41, the jig 6 and the wafer 4 may be damaged. However, the tester 50 according to the third embodiment supplies the voltage of the limit setting value 311 from the tester 50 to the wafer 4 via the jig 6 within a range not exceeding the voltage indicated by the limit setting value 311. 6 and the risk of damage to the wafer 4 are reduced.

<実施の形態3の変形例>
実施の形態3では、マイナス方向の電圧について、限界設定値を設定する例を説明したが、マイナス方向の電流についても同様に限界設定値を設定することにより、治具6とウェハ4の破損につながるおそれを小さくできる半導体試験装置を提供することができる。
<Modification of Embodiment 3>
In the third embodiment, the example in which the limit set value is set for the minus-direction voltage has been described. However, by similarly setting the limit set value for the minus-direction current, the jig 6 and the wafer 4 can be damaged. It is possible to provide a semiconductor test apparatus that can reduce the possibility of connection.

<実施の形態1ないし3の変形例>
実施の形態1ないし3において、信号等発生部71から出力される信号の電圧または電流の値が限界設定値75を超えている場合には、セレクタ55はその信号の電圧及び/又は電流を限界設定値75の範囲内の値にクランプする構成を有しているが、これに代えて信号の供給を停止する構成としてもよい。その際にセレクタ55はさらにエラーを通知する信号を制御部57に供給してもよい。また、電源部58から出力される電源の電圧または電流の値が限界設定値75を超えている場合には、セレクタ56はその電源の電圧及び/又は電流を限界設定値75の範囲内の値にクランプする構成を有しているが、これに代えて電源の供給を停止する構成としてもよい。その際にセレクタ56はさらにエラーを通知する信号を制御部57に供給してもよい。制御部57はセレクタ55及びセレクタ56からエラーの通知する信号を受けてテスタ50の外部に対しエラー信号を出力する。エラー信号はそのエラーに係るテスト項目を特定できる信号と併せて出力されてもよい。
<Modifications of Embodiments 1 to 3>
In the first to third embodiments, when the voltage or current value of the signal output from the signal generating unit 71 exceeds the limit set value 75, the selector 55 limits the voltage and / or current of the signal. Although it has the structure clamped to the value within the range of the setting value 75, it is good also as a structure which stops supply of a signal instead. At that time, the selector 55 may further supply a signal notifying an error to the control unit 57. When the value of the power supply voltage or current output from the power supply unit 58 exceeds the limit set value 75, the selector 56 sets the voltage and / or current of the power supply to a value within the range of the limit set value 75. However, instead of this, the supply of power may be stopped. At that time, the selector 56 may further supply a signal notifying an error to the control unit 57. The control unit 57 receives an error notification signal from the selector 55 and the selector 56 and outputs an error signal to the outside of the tester 50. The error signal may be output together with a signal that can specify a test item related to the error.

以上のとおり、セレクタ55、56及び制御部57を含む制御機構が、限界設定値を超えない信号を治具からウェハに供給するよう制御する代わりに、限界設定値を超えた信号がウェハに供給されると判断された場合には信号の供給を停止し、必要に応じてエラ−であることをテスタ外部に知らせる構成としてもよい。   As described above, instead of controlling the control mechanism including the selectors 55 and 56 and the control unit 57 to supply a signal that does not exceed the limit set value from the jig to the wafer, a signal exceeding the limit set value is supplied to the wafer. If it is determined that the error has occurred, the signal supply may be stopped, and if necessary, an error may be notified to the outside of the tester.

<実施の形態4>
別の実施の形態について説明する。実施の形態4の半導体試験装置は、テストプログラム41において限界設定値の設定がない場合に、テスタ50からウェハ4への試験用の信号の供給を停止する。具体的には、テスタ50からウェハ4への試験用の信号の供給を停止するため、(1)プログラム生成用計算機20によるテスト用のプログラムのコンパイル時に、ソースプログラムに限界設定値の設定が含まれない場合に、コンパイルを中止する。また、(2)テスタ50がテストプログラム41を実行する際に、テストプログラム41に限界設定値の設定が含まれていない場合に、テストプログラム41の実行を停止する。
<Embodiment 4>
Another embodiment will be described. The semiconductor test apparatus of the fourth embodiment stops the supply of test signals from the tester 50 to the wafer 4 when no limit set value is set in the test program 41. Specifically, in order to stop the supply of the test signal from the tester 50 to the wafer 4, (1) the limit setting value is included in the source program when the test generation program 20 compiles the test program. If not, stop compilation. (2) When the tester 50 executes the test program 41, if the test program 41 does not include a limit setting value, execution of the test program 41 is stopped.

図7は、一定の限界値の設定の有無に応じてコンパイルの実行を制御する処理を示すフローチャートである。なお、コンパイル対象となるソースプログラムは、プログラム生成用計算機20によって生成される。以下の説明では、プログラム生成用計算機20がコンパイルによってテストプログラム41を生成する場合を説明する。   FIG. 7 is a flowchart showing a process for controlling the execution of compilation according to whether or not a certain limit value is set. The source program to be compiled is generated by the program generation computer 20. In the following description, a case where the program generation computer 20 generates the test program 41 by compilation will be described.

プログラム生成用計算機20は、コンパイラ21を起動して、ソースプログラムのコンパイルを開始する。   The computer 20 for program generation starts the compiler 21 and starts compiling the source program.

ステップS71において、コンパイラ21は、ソースプログラムの先頭部分となる一定の領域に、テスタ50がウェハ4に供給する信号の出力値の限界の設定を示す限界設定値が含まれているか否かを判断する。限界設定値がソースプログラムに含まれている場合(ステップS71においてYES)、コンパイラ21は、ステップS73の処理を行い、そうでない場合(ステップS71においてNO)、コンパイラ21は、ステップS75の処理を行う。   In step S <b> 71, the compiler 21 determines whether or not a limit setting value indicating a limit setting of an output value of a signal supplied from the tester 50 to the wafer 4 is included in a certain area that is a head portion of the source program. To do. If the limit set value is included in the source program (YES in step S71), the compiler 21 performs the process of step S73. If not (NO in step S71), the compiler 21 performs the process of step S75. .

ステップS73において、コンパイラ21は、ソースプログラムのコンパイルを実行し、テストプログラム41を生成し、生成したテストプログラム41をプログラム保管部22に格納する。   In step S <b> 73, the compiler 21 compiles the source program, generates a test program 41, and stores the generated test program 41 in the program storage unit 22.

ステップS75において、コンパイラ21は、ソースプログラムのコンパイルを中止し、コンパイルエラーを出力する。   In step S75, the compiler 21 stops the compilation of the source program and outputs a compilation error.

このように、電圧や電流などについて、一定の限界設定値をソースプログラムの先頭部の一か所に設定することで、テストプログラムの作成者は、容易に限界設定値を設定することができるようになる。また、プログラムの作成ミスなどによるウェハ4や治具6の破損を、テストプログラム41の完成前に防止することができる。なお、一定の限界値の設定は、ソースプログラムの先頭部分の一か所に限らず任意の位置に設定することとしてもよい。   In this way, by setting a certain limit set value for voltage, current, etc. at one location at the beginning of the source program, the test program creator can easily set the limit set value. become. Further, damage to the wafer 4 or the jig 6 due to a program creation error or the like can be prevented before the test program 41 is completed. Note that the fixed limit value is not limited to one place at the beginning of the source program, but may be set at an arbitrary position.

図8は、一定の限界値の設定の有無に応じてテストプログラム41の実行を停止する処理を示すフローチャートである。限界設定値は、テストプログラム41の先頭部に含まれるものであるとする。   FIG. 8 is a flowchart showing a process for stopping the execution of the test program 41 in accordance with the presence or absence of a fixed limit value. It is assumed that the limit set value is included in the head portion of the test program 41.

ステップS81において、テスタ50の制御部57は、テストプログラム41の実行を開始し、テストプログラム41の先頭部に限界設定値が含まれているか否かを判断する。限界設定値が含まれている場合(ステップS81においてYES)、制御部57は、ステップS83の処理を行い、そうでない場合(ステップS81においてNO)、制御部57は、ステップS85の処理を行う。   In step S <b> 81, the control unit 57 of the tester 50 starts execution of the test program 41 and determines whether or not a limit set value is included in the head portion of the test program 41. If the limit set value is included (YES in step S81), control unit 57 performs the process of step S83. If not (NO in step S81), control unit 57 performs the process of step S85.

ステップS83において、制御部57は、テストプログラム41に含まれる、少なくとも1つのテスト項目を、テスト項目の数に従って順次実施する。   In step S83, the control unit 57 sequentially executes at least one test item included in the test program 41 according to the number of test items.

ステップS85において、制御部57は、テストプログラム41の実行エラーを出力し、テストプログラム41の実行を停止する。   In step S85, the control unit 57 outputs an execution error of the test program 41 and stops the execution of the test program 41.

このように、電圧や電流などについて、一定の限界設定値をテストプログラム41の先頭部の一か所に設定することで、ウェハ4や治具6に電圧をかけたり、電流を流したりする前に、テストプログラム41の作成ミスを発見することができ、ウェハ4や治具6を破損するおそれを小さくすることができる。   In this way, by setting a certain limit set value for voltage, current, etc. at one location at the top of the test program 41, voltage is applied to the wafer 4 or jig 6 or current is applied. In addition, it is possible to find a mistake in creating the test program 41 and to reduce the possibility of damaging the wafer 4 and the jig 6.

<実施の形態5>
別の実施の形態について説明する。
<Embodiment 5>
Another embodiment will be described.

図9は、半導体試験装置によるウェハ4のテストの実施時に、テストによって治具6から取得する測定結果が、限界設定値42に到達した場合に、テスト項目に対し識別可能にカテゴリを付する処理を示すフローチャートである。   FIG. 9 shows a process of assigning a category to a test item in an identifiable manner when the measurement result acquired from the jig 6 by the test reaches the limit set value 42 when the test of the wafer 4 is performed by the semiconductor test apparatus. It is a flowchart which shows.

ステップS91において、制御部57は、任意のテスト項目(例えば、テスト項目A)のテストを実行し、治具6から測定結果を取得する。   In step S <b> 91, the control unit 57 executes a test of an arbitrary test item (for example, test item A) and acquires a measurement result from the jig 6.

ステップS93において、ステップS91のテストの結果が不良であるか正常であるかを判断する。テストの結果が不良である場合(ステップS93において不良)、制御部57は、ステップS95の処理を行い、正常である場合は(ステップS93において正常)、続くテスト項目のテストを実行する(ステップS96)。   In step S93, it is determined whether the result of the test in step S91 is defective or normal. When the result of the test is defective (defective in step S93), the control unit 57 performs the process of step S95, and when it is normal (normal in step S93), the test of the subsequent test item is executed (step S96). ).

ステップS95において、制御部57は、治具6から取得した測定結果を参照し、測定結果(例えば、電圧の測定結果)が、一定の限界設定値42に到達しているか否かを判断する。測定結果が一定の限界設定値42に到達していない場合は(ステップS95においてNO)、制御部57は、ステップS97の処理を行い、一定の限界設定値42に到達している場合は(ステップS95においてYES)、制御部57は、ステップS99の処理を行う。   In step S95, the control unit 57 refers to the measurement result acquired from the jig 6, and determines whether or not the measurement result (for example, the voltage measurement result) has reached a certain limit set value 42. If the measurement result does not reach the certain limit set value 42 (NO in step S95), the control unit 57 performs the process of step S97. If the measurement result has reached the certain limit set value 42 (step In S95, YES), control unit 57 performs step S99.

ステップS97において、制御部57は、テスト項目Aに、試験が不良であることを示すカテゴリを付して以降のテスト項目のテストを実行する。   In step S97, the control unit 57 adds a category indicating that the test is defective to the test item A, and executes the test of the subsequent test items.

ステップS99において、制御部57は、テスト項目Aに、測定結果に示される出力値が異常であることを示す特別なカテゴリを付して、以降のテスト項目を継続せず終了する。   In step S99, the control unit 57 attaches a special category indicating that the output value indicated in the measurement result is abnormal to the test item A, and ends without continuing the subsequent test items.

これにより、テストによる測定結果が一定の限界設定値42を超える場合に、そのテストを識別可能に特別なカテゴリを付して、以降のテストを継続せず終了することで、治具6への負荷を軽減することができる。   As a result, when the measurement result of the test exceeds a certain limit set value 42, a special category is attached so that the test can be identified, and the subsequent test is terminated without continuing, so that The load can be reduced.

<実施の形態6>
別の実施の形態について説明する。
<Embodiment 6>
Another embodiment will be described.

上記の各実施の形態の説明では、半導体試験装置が治具6を介してウェハ4に供給する信号の出力値について限界設定値を設定しているが、半導体試験装置から半導体装置に供給する信号としては、半導体装置の電源、信号入力、疑似負荷がある。これらについて、それぞれの限界設定値に基づいて、半導体試験装置から治具6を介してウェハ4に供給する信号の出力値を制御する。これにより、テスト時にウェハ4は治具6の破壊を防ぐことができる。   In the description of each of the above embodiments, the limit setting value is set for the output value of the signal supplied from the semiconductor test apparatus to the wafer 4 via the jig 6, but the signal supplied from the semiconductor test apparatus to the semiconductor device. As examples, there are a power supply of a semiconductor device, a signal input, and a pseudo load. About these, based on each limit setting value, the output value of the signal supplied to the wafer 4 from the semiconductor test apparatus via the jig 6 is controlled. Thus, the wafer 4 can prevent the jig 6 from being broken during the test.

このように、半導体試験装置による半導体装置の試験方法について説明してきたが、この試験方法は、半導体装置の製造の過程において行われる。半導体試験装置によるテストは、半導体装置を製造し、出荷するまでの過程で実施される。半導体装置の製造過程は、例えば、シリコンウェハ上に集積回路を形成する工程と、半導体ウェハから半導体装置を切り出して、パッケージ基板へ実装していく工程とに分けることができ、これらの工程のそれぞれで半導体試験装置によるテストを行う。半導体試験装置は、半導体装置のテスト項目それぞれについて、通電試験用の信号の出力値と、限界設定値とを比較し、限界設定値を超えないように、半導体試験装置から半導体装置へ治具を介して信号が供給される。半導体試験装置は、半導体装置から出力される信号を測定信号として受け付けて、測定信号に基づいて半導体装置の不具合を検出する。   As described above, the semiconductor device test method using the semiconductor test apparatus has been described. This test method is performed in the process of manufacturing the semiconductor device. The test by the semiconductor test apparatus is performed in the process until the semiconductor device is manufactured and shipped. The manufacturing process of a semiconductor device can be divided into, for example, a process of forming an integrated circuit on a silicon wafer and a process of cutting out the semiconductor device from the semiconductor wafer and mounting it on a package substrate. Test with semiconductor test equipment. For each test item of the semiconductor device, the semiconductor test device compares the output value of the current test signal with the limit setting value, and puts a jig from the semiconductor test device to the semiconductor device so that the limit setting value is not exceeded. The signal is supplied via The semiconductor test apparatus receives a signal output from the semiconductor device as a measurement signal, and detects a malfunction of the semiconductor device based on the measurement signal.

このように各実施形態について説明してきたが、これら実施形態を組み合わせてもよいことはいうまでもない。   Each embodiment has been described above, but it goes without saying that these embodiments may be combined.

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。   As mentioned above, the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiment. However, the present invention is not limited to the embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものでないと考えられるべきである。この発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。   The embodiment disclosed this time must be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

1 半導体試験装置、4 ウェハ、5 ステージ、6 治具、41 テストプログラム、42 限界設定値、51 入出力IF、52 操作部、53 表示部、54 記憶部、55,56 セレクタ、57 制御部、58 電源制御部、59 電源。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor test apparatus, 4 wafers, 5 stages, 6 jig | tool, 41 test program, 42 limit set value, 51 input / output IF, 52 operation part, 53 display part, 54 memory | storage part, 55,56 selector, 57 control part, 58 power supply control unit, 59 power supply.

Claims (4)

半導体装置の通電試験をするための半導体試験装置であって、
記憶部と、
前記半導体装置と接触し、接触部分を介して通電試験用の信号を前記半導体装置へ供給するための治具と、
前記半導体装置の1以上のテスト項目それぞれに応じて、通電試験用の信号を、前記治具を介して前記半導体装置に供給するよう前記治具への信号出力を制御する制御部とを備え、
前記記憶部は、前記1以上のテスト項目についての信号出力値の限界の設定を示す限界設定値を記憶するためのものであり、
前記制御部は、前記限界設定値を超えない信号を前記治具から前記半導体装置へ供給するよう制御し、
前記記憶部は、前記通電試験を制御するためのテスト用のプログラムを記憶するためのものであり、
前記制御部は、前記テスト用のプログラムにおいて、前記限界設定値の設定がない場合に、前記通電試験用の信号の前記半導体装置への供給を停止する、半導体試験装置。
A semiconductor test apparatus for conducting a current test of a semiconductor device,
A storage unit;
A jig for contacting the semiconductor device and supplying a signal for an electrical test to the semiconductor device via the contact portion;
A control unit that controls a signal output to the jig so as to supply a signal for an energization test to the semiconductor device via the jig according to each of one or more test items of the semiconductor device;
The storage unit is for storing a limit setting value indicating a limit setting of a signal output value for the one or more test items,
The control unit controls to supply a signal that does not exceed the limit set value from the jig to the semiconductor device,
The storage unit is for storing a test program for controlling the energization test,
Wherein, in the program for the test, if the there is no setting of limit setting, and stops the supply of the semiconductor device of the signal for the electrical test, semi-conductor test device.
前記記憶部は、前記テスト用のプログラムとして、前記通電試験を制御するためのソースプログラムを記憶するためのものであり、
前記制御部が前記通電試験用の信号の前記半導体装置への供給を停止することには、コンパイラによる前記ソースプログラムのコンパイル時に、前記ソースプログラムに前記限界設定値の設定が含まれていない場合に、前記コンパイルを中止することが含まれる、請求項に記載の半導体試験装置。
The storage unit is for storing a source program for controlling the energization test as the test program,
Wherein the control unit may stop the supply to the semiconductor device of the signal for the power-on test, when compiling the source program by the compiler, the case where the source program the does not contain setting of the limit setting in, it includes withdrawing said compilation, semiconductor test apparatus according to claim 1.
前記制御部が前記通電試験用の信号の前記半導体装置への供給を停止することには、前記テスト用のプログラムに、前記限界設定値の設定が含まれていない場合に、前記テスト用のプログラムを停止することが含まれる、請求項に記載の半導体試験装置。 The control unit stops the supply of the current test signal to the semiconductor device when the test program does not include the setting of the limit set value. the includes suspending, semiconductor test apparatus according to claim 1. 前記テスト用のプログラムは、プログラム本体の先頭部の一か所に、前記限界設定値の設定を含めることができ、
前記制御部は、前記テスト用のプログラム本体の先頭部の一か所に、前記限界設定値の設定が含まれていない場合に、前記通電試験用の信号の前記半導体装置への供給を停止する、請求項に記載の半導体試験装置。
The test program can include the setting of the limit setting value in one place at the top of the program body,
The control unit stops the supply of the signal for the energization test to the semiconductor device when the setting of the limit set value is not included in one part of the head of the test program main body. The semiconductor test apparatus according to claim 1 .
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