JP6348400B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 100
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 75
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 12
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 5
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 5
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 1
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- Read Only Memory (AREA)
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Description
図4は、本発明の実施の形態1に係る半導体記憶装置2に関して、メモリコントローラ12がブロックリスト(詳細は後述する)を生成する処理の流れを示すフローチャートである。
図10は、本発明の実施の形態2に係る半導体記憶装置2に関して、メモリコントローラ12がブロックリストを生成する処理の流れを示すフローチャートである。
図13は、本発明の実施の形態3に係る半導体記憶装置2に関して、メモリコントローラ12がブロックリストを生成する処理の流れを示すフローチャートである。
上記実施の形態1〜3において、対象ブロック決定部33は、ブロックリスト41に複数の候補ブロックが列挙されている場合、複数の候補ブロックのうち優先順位が最も高い一つの候補ブロックを対象ブロックとして決定する。
上記実施の形態1〜3において、対象ブロック決定部33は、ブロックリスト41に複数の候補ブロックが列挙されている場合、複数の候補ブロックのうち優先順位が最も高い一つの候補ブロックを対象ブロックとして決定する。
上記実施の形態1〜3において、メモリコントローラ12は、半導体記憶装置2の起動時にサーチリードを実行する。
2 半導体記憶装置
12 メモリコントローラ
13 メモリアレイ
14 SRAM
31 リスト作成部
32 リスト更新部
33 対象ブロック決定部
34 判定部
Claims (12)
- データが記憶された複数のブロックを有するメモリアレイと、
論理アドレスを物理アドレスに変換するための、最新の第1変換テーブルと過去の第2変換テーブルとを格納する格納部と、
前記格納部から読み出した第1変換テーブル及び第2変換テーブルに基づいて、データ化けの有無を判定するために記憶データを読み出す候補となる一以上の候補ブロックを列挙したブロックリストを作成するリスト作成部と、
前記リスト作成部によって作成されたブロックリストに含まれている候補ブロックの中から、記憶データの読み出しを実行するブロックである一以上の対象ブロックを決定する対象ブロック決定部と、
前記対象ブロック決定部によって決定された対象ブロックから記憶データを読み出すことにより、データ化けの有無を判定する判定部と、
を備える、半導体記憶装置。 - 前記リスト作成部は、第1変換テーブルと第2変換テーブルとで論理アドレスと物理アドレスとの対応関係が変更されていない論理アドレスを列挙することにより、ブロックリストを作成する、請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記格納部は、過去のブロックリストをさらに格納し、
前記リスト作成部は、新たなブロックリストを作成する際に、前記格納部から読み出した過去のブロックリストに列挙されている論理アドレスに対して高い優先順位を割り当てる、請求項2に記載の半導体記憶装置。 - 前記リスト作成部は、ブロックリストに複数の論理アドレスを列挙する場合、消去回数が多いブロック順に高い優先順位を割り当てる、請求項2又は3に記載の半導体記憶装置。
- 前記リスト作成部は、ブロックリストに複数の論理アドレスを列挙する場合、過去のエラービット数が多いブロック順に高い優先順位を割り当てる、請求項2〜4のいずれか一つに記載の半導体記憶装置。
- 前記リスト作成部によって作成されたブロックリストを更新するリスト更新部をさらに備え、
前記リスト更新部は、前記対象ブロック決定部によって決定された対象ブロックに対して前記判定部による判定が行われると、当該対象ブロックをブロックリストから削除することによりブロックリストを更新する、請求項1〜5のいずれか一つに記載の半導体記憶装置。 - 前記リスト更新部はさらに、ブロックリストに含まれている候補ブロックに対して記憶データの書き換えが行われると、当該候補ブロックをブロックリストから削除することによりブロックリストを更新する、請求項6に記載の半導体記憶装置。
- ブロックリストに複数の候補ブロックが含まれている場合、前記対象ブロック決定部は、複数の候補ブロックのうち優先順位が最も高い一つの候補ブロックを対象ブロックとして決定する、請求項1〜7のいずれか一つに記載の半導体記憶装置。
- ブロックリストに複数の候補ブロックが含まれている場合、前記対象ブロック決定部は、全ての候補ブロックを対象ブロックとして決定する、請求項1〜7のいずれか一つに記載の半導体記憶装置。
- ブロックリストに複数の候補ブロックが含まれている場合、前記対象ブロック決定部は、ホスト装置によって指定された所定数の候補ブロックを対象ブロックとして決定する、請求項1〜7のいずれか一つに記載の半導体記憶装置。
- 前記判定部は、前記半導体記憶装置の起動時に、対象ブロックからの記憶データの読み出し及びデータ化けの有無の判定を実行する、請求項1〜10のいずれか一つに記載の半導体記憶装置。
- 前記判定部は、前記半導体記憶装置のアイドル期間中に、対象ブロックからの記憶データの読み出し及びデータ化けの有無の判定を実行する、請求項1〜11のいずれか一つに記載の半導体記憶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014211265A JP6348400B2 (ja) | 2014-10-15 | 2014-10-15 | 半導体記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014211265A JP6348400B2 (ja) | 2014-10-15 | 2014-10-15 | 半導体記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016081258A JP2016081258A (ja) | 2016-05-16 |
JP6348400B2 true JP6348400B2 (ja) | 2018-06-27 |
Family
ID=55958727
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6348400B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8244958B2 (en) * | 2005-05-09 | 2012-08-14 | Sandisk Il Ltd. | Method and system for facilitating fast wake-up of a flash memory system |
JP2010160816A (ja) * | 2010-03-29 | 2010-07-22 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置の制御方法 |
WO2013030866A1 (en) * | 2011-08-29 | 2013-03-07 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor storage device comprising electrically rewritable nonvolatile semiconductor memory |
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2014
- 2014-10-15 JP JP2014211265A patent/JP6348400B2/ja active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016081258A (ja) | 2016-05-16 |
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