JP6331674B2 - Photoelectric conversion element, image reading apparatus, and image forming apparatus - Google Patents

Photoelectric conversion element, image reading apparatus, and image forming apparatus Download PDF

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本発明は、光電変換素子、画像読取装置及び画像形成装置に関する。   The present invention relates to a photoelectric conversion element, an image reading apparatus, and an image forming apparatus.

スキャナには光電変換素子として従来CCD(Charge Coupled Device)が使われていたが、近年、高速化の要求により、CMOSリニアセンサが注目されている。CMOSリニアセンサは、入射光をフォトダイオードによって光電変換する点がCCDと同じであるが、画素付近で電荷−電圧変換を行って後段に出力する点が異なる。また、CMOSリニアセンサは、CMOSプロセスが使用できることからADC(Analog to Digital Converter)や高速ロジック回路を内蔵することが可能であり、高速性の面ではCCDより有利と言える。   Conventionally, a CCD (Charge Coupled Device) has been used as a photoelectric conversion element in the scanner, but in recent years, a CMOS linear sensor has attracted attention due to a demand for higher speed. A CMOS linear sensor is the same as a CCD in that incident light is photoelectrically converted by a photodiode, but differs in that charge-voltage conversion is performed near a pixel and output to a subsequent stage. In addition, since the CMOS linear sensor can use a CMOS process, it can incorporate an ADC (Analog to Digital Converter) and a high-speed logic circuit, and can be said to be more advantageous than a CCD in terms of high-speed performance.

しかし、CMOSリニアセンサは、高速動作を行う場合、単純な処理速度だけでなく、電荷蓄積時間(ライン周期)を短くすることが要求される。これは、スキャナを高速化するためには、解像度が同じであれば、単位時間当たりの走査速度、すなわち蓄積時間を短くする必要がある為である。PD(Photo−Diode)は、照射される光によって蓄積する電荷量が決められるが、電荷の蓄積時間が短くされるほど感度やS/Nが低下してしまう。特に、S/Nを補うためには、絶対的に光量を増やす必要があるという問題があった。   However, when performing a high-speed operation, the CMOS linear sensor is required to shorten not only a simple processing speed but also a charge accumulation time (line cycle). This is because in order to increase the speed of the scanner, it is necessary to shorten the scanning speed per unit time, that is, the accumulation time if the resolution is the same. In PD (Photo-Diode), the amount of charge accumulated by the irradiated light is determined, but the sensitivity and S / N decrease as the charge accumulation time is shortened. In particular, in order to compensate for the S / N, there is a problem that it is absolutely necessary to increase the amount of light.

上記問題に対して、例えば特許文献1には、互いに異なるタイミングで被写体光における同一色の読み取りを行う、複数の画素列と、各画素列の画素により読み取られた、それぞれ読み取りタイミングが異なる、同一被写体の露光による各信号電荷を合算して蓄積する蓄積部と、蓄積部から転送された合算された各信号電荷を、信号電圧に変換するために蓄積し、TDI(Time Delay Integration;時間遅延積分)動作を用いた固体撮像素子が開示されている。   For example, Patent Document 1 discloses that the same color is read in subject light at different timings. For example, Patent Document 1 reads a plurality of pixel columns and the pixels in each pixel column have different reading timings. An accumulation unit that accumulates and accumulates signal charges due to exposure of an object, and accumulates each signal charge transferred from the accumulation unit for conversion into a signal voltage, and TDI (Time Delay Integration) ) A solid-state imaging device using an operation is disclosed.

しかしながら、従来のTDI方式のCMOSリニアセンサは、各画素の信号成分のみを蓄積する構成であるため、CDS(Correlated Double Sampling)を行ってもFPN(Fixed−Pattern−Noise;固定パターンノイズ)を十分に除去することができないという問題があった。   However, since the conventional TDI type CMOS linear sensor is configured to accumulate only the signal components of each pixel, even if CDS (Correlated Double Sampling) is performed, FPN (Fixed-Pattern-Noise) is sufficient. There was a problem that could not be removed.

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、画像の読取り精度を向上させることができる光電変換素子、画像読取装置及び画像形成装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to provide a photoelectric conversion element, an image reading apparatus, and an image forming apparatus that can improve image reading accuracy.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、被写体から受光する光の色毎に複数の画素列を構成し、画素内に設けられて光電変換をそれぞれ行う複数の受光素子と、前記画素がそれぞれリセットされて出力した基準レベルをそれぞれ伝達する複数の第1伝達回路と、前記受光素子がそれぞれ受光して光電変換することにより出力した信号レベルをそれぞれ伝達する複数の第2伝達回路と、前記被写体における略同じ位置からの光を異なる時間に受光すべき前記画素それぞれがリセットされて前記第1伝達回路が伝達した基準レベルを前記色毎に加算し、前記被写体における略同じ位置からの光を異なる時間に受光した前記受光素子それぞれが光電変換して前記第2伝達回路が伝達した信号レベルを前記色毎に加算する加算部と、前記被写体における略同じ位置からの光を受光した複数の前記画素に対し、前記加算部が前記色毎に加算した信号レベルと、前記加算部が前記色毎に加算した基準レベルとの差分を前記色毎に算出する複数の減算部と、を有し、前記第1伝達回路及び前記第2伝達回路は、それぞれ構成が略同じであることを特徴とする。   In order to solve the above-described problems and achieve the object, the present invention provides a plurality of light-receiving elements that constitute a plurality of pixel rows for each color of light received from a subject and perform photoelectric conversion provided in the pixels. A plurality of first transmission circuits that transmit reference levels output after the pixels are reset, and a plurality of second transmission circuits that transmit signal levels output by the light receiving elements respectively receiving light and performing photoelectric conversion. The reference level transmitted by the first transmission circuit is reset for each of the pixels that are to receive light from the transmission circuit and light from substantially the same position in the subject at different times, and is added for each color. An adder that photoelectrically converts each of the light receiving elements that receive light from a position at different times and adds the signal level transmitted by the second transmission circuit for each color; The difference between the signal level added by the adder for each color and the reference level added by the adder for each color for the plurality of pixels receiving light from substantially the same position in the subject is A plurality of subtraction units that calculate for each color, and the first transmission circuit and the second transmission circuit have substantially the same configuration.

本発明によれば、画像の読取り精度を向上させることができるという効果を奏する。   According to the present invention, it is possible to improve the image reading accuracy.

図1は、実施形態にかかる画像読取装置の構成例を示す図である。FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration example of an image reading apparatus according to an embodiment. 図2は、光電変換素子の構成例を示すブロック図である。FIG. 2 is a block diagram illustrating a configuration example of the photoelectric conversion element. 図3は、変換処理部の第1実施例の構成概要を示すブロック図である。FIG. 3 is a block diagram showing an outline of the configuration of the first embodiment of the conversion processing unit. 図4は、変換処理部が有する複数のフォトダイオード及びその周辺を示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating a plurality of photodiodes included in the conversion processing unit and the periphery thereof. 図5は、変換処理部の第1実施例の動作を示すタイミングチャートである。FIG. 5 is a timing chart showing the operation of the first embodiment of the conversion processing unit. 図6は、変換処理部の第2実施例の構成概要を示すブロック図である。FIG. 6 is a block diagram showing an outline of the configuration of the second embodiment of the conversion processing unit. 図7は、変換処理部が有する複数のフォトダイオード及びその周辺を示す図である。FIG. 7 is a diagram illustrating a plurality of photodiodes included in the conversion processing unit and the periphery thereof. 図8は、遅延メモリ列が有する遅延メモリの構成例を示す図である。FIG. 8 is a diagram illustrating a configuration example of a delay memory included in the delay memory column. 図9は、加算部列が有する加算部の構成例を示す図である。FIG. 9 is a diagram illustrating a configuration example of the addition unit included in the addition unit sequence. 図10は、変換処理部の第2実施例の動作を示すタイミングチャートである。FIG. 10 is a timing chart showing the operation of the second embodiment of the conversion processing unit. 図11は、遅延メモリの第1変形例の構成例を示す図である。FIG. 11 is a diagram illustrating a configuration example of a first modification of the delay memory. 図12は、遅延メモリの第1変形例を備えた変換処理部の動作例を示すタイミングチャートである。FIG. 12 is a timing chart illustrating an operation example of the conversion processing unit including the first modification of the delay memory. 図13は、遅延メモリの第2変形例の構成例を示す図である。FIG. 13 is a diagram illustrating a configuration example of a second modification of the delay memory. 図14は、遅延メモリの第2変形例を備えた変換処理部の動作例を示すタイミングチャートである。FIG. 14 is a timing chart illustrating an operation example of the conversion processing unit including the second modification of the delay memory. 図15は、変換処理部の第3実施例の構成概要を示すブロック図である。FIG. 15 is a block diagram showing an outline of the configuration of the third embodiment of the conversion processing unit. 図16は、アナログメモリ列が有するアナログメモリ部の構成例を示す図である。FIG. 16 is a diagram illustrating a configuration example of an analog memory unit included in an analog memory column. 図17は、遅延メモリ列が有する遅延メモリの構成例を示す図である。FIG. 17 is a diagram illustrating a configuration example of a delay memory included in the delay memory sequence. 図18は、演算部列が有する演算部の構成例を示す図である。FIG. 18 is a diagram illustrating a configuration example of a calculation unit included in the calculation unit sequence. 図19は、変換処理部の第3実施例の動作を示すタイミングチャートである。FIG. 19 is a timing chart showing the operation of the third embodiment of the conversion processing unit. 図20は、光電変換素子を有する画像読取装置を備えた画像形成装置の概要を示す図である。FIG. 20 is a diagram illustrating an outline of an image forming apparatus including an image reading apparatus having a photoelectric conversion element.

以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる画像読取装置を説明する。図1は、実施形態にかかる画像読取装置の構成例を示す図である。図1に示すように、画像読取装置は、本体100内に、光電変換素子10を備えたセンサ基板101、レンズユニット102、第1キャリッジ104及び第2キャリッジ106を有する。光電変換素子10は、例えばCMOSカラーリニアセンサである。第1キャリッジ104は、LED(Light Emitting Diode)光源108及びミラー110を有する。第2キャリッジ106は、ミラー112,114を有する。また、画像読取装置は、上面にコンタクトガラス116及び基準白板118が設けられている。   Hereinafter, an image reading apparatus according to an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration example of an image reading apparatus according to an embodiment. As illustrated in FIG. 1, the image reading apparatus includes a sensor substrate 101 including a photoelectric conversion element 10, a lens unit 102, a first carriage 104, and a second carriage 106 in a main body 100. The photoelectric conversion element 10 is a CMOS color linear sensor, for example. The first carriage 104 includes an LED (Light Emitting Diode) light source 108 and a mirror 110. The second carriage 106 has mirrors 112 and 114. Further, the image reading apparatus is provided with a contact glass 116 and a reference white plate 118 on the upper surface.

画像読取装置は、読取動作において、第1キャリッジ104及び第2キャリッジ106が待機位置(ホームポジション)から副走査方向に移動しながらLED光源108が光を上方に向けて照射する。そして、第1キャリッジ104及び第2キャリッジ106は、原稿からの反射光を、レンズユニット102を介して光電変換素子10上に結像させる。   In the image reading apparatus, in the reading operation, the LED light source 108 emits light upward while the first carriage 104 and the second carriage 106 move from the standby position (home position) in the sub-scanning direction. Then, the first carriage 104 and the second carriage 106 form an image of the reflected light from the document on the photoelectric conversion element 10 via the lens unit 102.

また、画像読取装置は、電源ON時などには、基準白板118からの反射光を読取って基準を設定する。即ち、画像読取装置は、第1キャリッジ104が基準白板118直下に移動し、LED光源108を点灯させて基準白板118からの反射光を光電変換素子10上に結像させることによりゲイン調整を行う。   Further, when the power is turned on, the image reading apparatus reads the reflected light from the reference white plate 118 and sets the reference. That is, the image reading apparatus performs gain adjustment by moving the first carriage 104 directly below the reference white plate 118, turning on the LED light source 108, and forming an image of the reflected light from the reference white plate 118 on the photoelectric conversion element 10. .

次に、光電変換素子10について詳述する。図2は、光電変換素子10の構成例を示すブロック図である。図2に示すように、光電変換素子10は、例えば変換処理部12、タイミング制御部(Timing Generator;TG)14及びパラレルシリアル変換部(PS)16を有する。   Next, the photoelectric conversion element 10 will be described in detail. FIG. 2 is a block diagram illustrating a configuration example of the photoelectric conversion element 10. As illustrated in FIG. 2, the photoelectric conversion element 10 includes, for example, a conversion processing unit 12, a timing control unit (Timing Generator; TG) 14, and a parallel-serial conversion unit (PS) 16.

変換処理部12は、RGBの色毎に一方向(例えば原稿の主走査方向)に配列された複数の画素(図示せず)により原稿からの反射光を受光すると、RGBの色毎に光電変換を行い、色毎の画像データを主走査方向のデジタルデータとしてパラレルに出力する。   When the conversion processing unit 12 receives reflected light from a document by a plurality of pixels (not shown) arranged in one direction (for example, the main scanning direction of the document) for each RGB color, the conversion processing unit 12 performs photoelectric conversion for each RGB color. The image data for each color is output in parallel as digital data in the main scanning direction.

また、変換処理部12は、図3を用いて詳述するTDI(Time Delay Integration)の機能を有する。TDIは、主にリニアセンサで使用され、同一被写体(被写体における同じ位置)からの反射光を複数の画素列で光電変換し(読み出し)、その結果を加算(積分)する方式である。つまり、TDIは、画素列数倍の高感度化・高S/N化を可能にする。   Further, the conversion processing unit 12 has a TDI (Time Delay Integration) function described in detail with reference to FIG. TDI is a method that is mainly used in linear sensors, photoelectrically converts (reads) reflected light from the same subject (the same position in the subject) with a plurality of pixel columns, and adds (integrates) the results. That is, TDI enables higher sensitivity and higher S / N than the number of pixel columns.

ただし、TDIにおいては、複数の画素列で同一の被写体を読むことが重要である。例えば、CCDにおけるTDIでは、被写体の読取速度と、蓄積電荷を次のラインに転送する転送速度とを同じにすることにより、同一被写体の読取と電荷の加算を実現する。このとき加算する電荷は、遅延したものが加算されるため、“時間遅延積分”と呼ばれる。   However, in TDI, it is important to read the same subject with a plurality of pixel columns. For example, in TDI in a CCD, reading of the same subject and addition of charges are realized by making the reading speed of the subject the same as the transfer speed of transferring the accumulated charge to the next line. Charges added at this time are called “time delay integration” because delayed charges are added.

なお、一般には、CCDが電荷を順次後段の画素列に転送して電荷を加算するのに対し、CMOSセンサでは、画素近傍で電荷を電圧に変換してしまうため、CCDのようなTDI方式を採用することはできない。   In general, the CCD sequentially transfers the charges to the subsequent pixel column and adds the charges. On the other hand, the CMOS sensor converts the charges into a voltage near the pixels. It cannot be adopted.

タイミング制御部14は、変換処理部12及びパラレルシリアル変換部16の動作タイミングを制御する各制御信号を出力する。パラレルシリアル変換部16は、変換処理部12がパラレルに出力したデジタルデータをシリアルデータに変換して出力する。   The timing control unit 14 outputs each control signal for controlling the operation timing of the conversion processing unit 12 and the parallel / serial conversion unit 16. The parallel-serial conversion unit 16 converts the digital data output in parallel by the conversion processing unit 12 into serial data and outputs the serial data.

(変換処理部12の第1実施例)
次に、変換処理部12の第1実施例について、図3〜図5を用いて説明する。図3は、変換処理部12の第1実施例の構成概要を示すブロック図である。図4は、変換処理部12が有する複数のフォトダイオード(PD;受光素子)及びその周辺を示す図である。図3に示すように、変換処理部12は、第1光電変換部120a〜第6光電変換部120f、第1画素回路列122a〜第6画素回路列122f、加算部列124、共通画素回路列126、及び減算部列(CDS列)128を有する。
(First Example of Conversion Processing Unit 12)
Next, a first embodiment of the conversion processing unit 12 will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is a block diagram showing an outline of the configuration of the conversion processing unit 12 according to the first embodiment. FIG. 4 is a diagram illustrating a plurality of photodiodes (PD: light receiving elements) included in the conversion processing unit 12 and the periphery thereof. As illustrated in FIG. 3, the conversion processing unit 12 includes a first photoelectric conversion unit 120a to a sixth photoelectric conversion unit 120f, a first pixel circuit column 122a to a sixth pixel circuit column 122f, an addition unit column 124, and a common pixel circuit column. 126, and a subtractor sequence (CDS sequence) 128.

第1光電変換部120a(図3)は、図示しないRのフィルタが設けられて光電変換するフォトダイオード(PD1:図4)が一方向(主走査方向)に例えば約7000個配列されている。第2光電変換部120bは、第1光電変換部120aに対して平行に配置され、図示しないRのフィルタが設けられて光電変換するフォトダイオード(PD2)が一方向に例えば約7000個配列されている。このように、変換処理部12は、1つの色(例えばR)を受光するフォトダイオードが例えば2列に並べられている。以下、フォトダイオードなどの2列に並べられた同じ構成(又は信号)に対し、1列目に含まれる構成の末尾に1を付し、2列目に含まれる構成の末尾に2を付して区別することがある。なお、色毎の列数は2列に限定されない。   In the first photoelectric conversion unit 120a (FIG. 3), for example, about 7000 photodiodes (PD1: FIG. 4) that are provided with an R filter (not shown) and perform photoelectric conversion are arranged in one direction (main scanning direction). The second photoelectric conversion unit 120b is arranged in parallel to the first photoelectric conversion unit 120a, and an R filter (not shown) is provided, and about 7000 photodiodes (PD2) for photoelectric conversion are arranged in one direction, for example. Yes. In this manner, the conversion processing unit 12 includes photodiodes that receive one color (for example, R) arranged in, for example, two rows. Hereinafter, for the same configuration (or signal) arranged in two columns such as photodiodes, 1 is added to the end of the configuration included in the first column, and 2 is added to the end of the configuration included in the second column. May be distinguished. Note that the number of columns for each color is not limited to two.

各PD2は、例えば図1に示した画像読取装置において光電変換素子10が被写体を等倍率で読取る場合に、対向する各PD1が1ライン周期前に読取った被写体における位置と同じ位置をそれぞれ読取るように、各PD1に対してそれぞれ間隔があけられている。つまり、図4に示したPD1とPD2は、被写体における同じ位置からの光を受光する。   For example, when the photoelectric conversion element 10 reads the subject at an equal magnification in the image reading apparatus shown in FIG. 1, each PD 2 reads the same position as the position on the subject read by the opposing PD 1 one cycle before. In addition, an interval is provided for each PD1. That is, PD1 and PD2 shown in FIG. 4 receive light from the same position on the subject.

第1画素回路列122a(図3)は、各PD1が光電変換した信号をそれぞれ伝達する画素回路200a(図4)が一方向(主走査方向)に例えば約7000個配列されている。画素回路200aは、それぞれ電荷を転送する転送トランジスタTQ1を有する。第2画素回路列122bは、各PD2が光電変換した信号をそれぞれ伝達する画素回路200bが一方向に例えば約7000個配列されている。画素回路200bは、それぞれ電荷を転送する転送トランジスタTQ2を有する。   In the first pixel circuit row 122a (FIG. 3), for example, about 7000 pixel circuits 200a (FIG. 4) that transmit signals photoelectrically converted by the PDs 1 are arranged in one direction (main scanning direction). The pixel circuit 200a includes a transfer transistor TQ1 that transfers charges. In the second pixel circuit array 122b, for example, about 7000 pixel circuits 200b that transmit signals photoelectrically converted by the PDs 2 are arranged in one direction. Each pixel circuit 200b includes a transfer transistor TQ2 that transfers charges.

ここで、図4に示したPD1及び画素回路200aは、Rの光を光電変換する画素20aを構成するものとする。また、図4に示したPD2及び画素回路200bは、Rの光を光電変換する画素20bを構成するものとする。また、画素20aは、変換処理部12が備えてRの光を光電変換する1つの画素として、R1と記すことがある。また、画素20bは、変換処理部12が備えてRの光を光電変換する1つの画素として、R2と記すことがある。つまり、変換処理部12は、Rの光を光電変換するそれぞれ約7000個の画素R1,R2を有する。   Here, the PD 1 and the pixel circuit 200a illustrated in FIG. 4 constitute a pixel 20a that photoelectrically converts R light. Further, the PD 2 and the pixel circuit 200b illustrated in FIG. 4 constitute a pixel 20b that photoelectrically converts R light. In addition, the pixel 20a may be described as R1 as one pixel that the conversion processing unit 12 includes and photoelectrically converts R light. In addition, the pixel 20b may be denoted as R2 as one pixel that the conversion processing unit 12 includes to photoelectrically convert R light. That is, the conversion processing unit 12 includes approximately 7000 pixels R1 and R2 that photoelectrically convert R light.

加算部列124は、加算部204が一方向(主走査方向)に例えば約7000個配列されている。各加算部204は、トランジスタ(スイッチ)HQ及び容量CXを有する。容量CXは、PD1及びPD2がそれぞれ光電変換した電荷を蓄積することによって加算する。なお、容量CXは、スイッチHQの動作に応じて、電荷の蓄積及び転送を行う。   For example, about 7000 addition units 204 are arranged in one direction (main scanning direction) in the addition unit row 124. Each adding unit 204 includes a transistor (switch) HQ and a capacitor CX. The capacitance CX is added by accumulating charges photoelectrically converted by PD1 and PD2, respectively. Note that the capacitor CX performs charge accumulation and transfer according to the operation of the switch HQ.

共通画素回路列126は、共通画素回路202が一方向(主走査方向)に例えば約7000個配列されている。各共通画素回路202は、フローティングディフュージョン(Floating Diffusion;FD)、リセットトランジスタRQ、ソースフォロワSF、及び色選択スイッチSQを有する。リセットトランジスタRQは、FDをリセットする。ソースフォロワSFは、信号をバッファして後段に対して出力する。色選択スイッチSQは、出力する信号の色を選択する。そして、各共通画素回路202は、容量CXが蓄積した電荷(信号レベル)を電圧に変換して伝達するとともに、FDをリセットする。   In the common pixel circuit row 126, for example, about 7000 common pixel circuits 202 are arranged in one direction (main scanning direction). Each common pixel circuit 202 includes a floating diffusion (FD), a reset transistor RQ, a source follower SF, and a color selection switch SQ. The reset transistor RQ resets the FD. The source follower SF buffers the signal and outputs it to the subsequent stage. The color selection switch SQ selects the color of the signal to be output. Each common pixel circuit 202 converts the charge (signal level) accumulated in the capacitor CX into a voltage and transmits it, and resets the FD.

減算部列128は、減算部206が一方向(主走査方向)に例えば約7000個配列されている。各減算部206は、それぞれ相関二重サンプリング回路(Correlated Double Sampling;CDS)である。例えば、各減算部206は、図示しない3つのメモリ(コンデンサ)を備え、読み取られた光量(容量CXが蓄積した電荷)に応じた信号レベルと、FDがリセットされたリセットレベルとの差分を算出する減算を色毎に順次に行い、減算結果(差分)を色毎にパラレルシリアル変換部16に対して出力する。   In the subtractor column 128, for example, about 7000 subtractors 206 are arranged in one direction (main scanning direction). Each subtraction unit 206 is a correlated double sampling (CDS). For example, each subtraction unit 206 includes three memories (capacitors) (not shown), and calculates a difference between a signal level corresponding to the read light amount (charge accumulated in the capacitor CX) and a reset level at which the FD is reset. The subtraction is sequentially performed for each color, and the subtraction result (difference) is output to the parallel-serial conversion unit 16 for each color.

第3光電変換部120c及び第5光電変換部120e(図3)は、設けられているフィルタがそれぞれG,Bであることを除いて、第1光電変換部120aと同様に構成されている。第4光電変換部120d及び第6光電変換部120fは、設けられているフィルタがそれぞれG,Bであることを除いて、第2光電変換部120bと同様に構成されている。   The third photoelectric conversion unit 120c and the fifth photoelectric conversion unit 120e (FIG. 3) are configured in the same manner as the first photoelectric conversion unit 120a except that the provided filters are G and B, respectively. The fourth photoelectric conversion unit 120d and the sixth photoelectric conversion unit 120f are configured in the same manner as the second photoelectric conversion unit 120b except that the provided filters are G and B, respectively.

第3画素回路列122c及び第5画素回路列122eは、第1画素回路列122aと同様に構成されている。第4画素回路列122d及び第6画素回路列122fは、第2画素回路列122bと同様に構成されている。つまり、変換処理部12は、Gの光を光電変換するそれぞれ約7000個の画素G1,G2と、Bの光を光電変換するそれぞれ約7000個の画素B1,B2とを有する。   The third pixel circuit column 122c and the fifth pixel circuit column 122e are configured similarly to the first pixel circuit column 122a. The fourth pixel circuit column 122d and the sixth pixel circuit column 122f are configured in the same manner as the second pixel circuit column 122b. That is, the conversion processing unit 12 includes approximately 7000 pixels G1 and G2 that photoelectrically convert G light, and approximately 7000 pixels B1 and B2 that photoelectrically convert B light, respectively.

また、変換処理部12は、1組の画素G1,G2毎に共通画素回路202及び加算部204を有し、1組の画素B1,B2毎に共通画素回路202及び加算部204を有する。また、変換処理部12は、被写体における同じ位置からの光を受光する6つの画素R1,R2,G1,G2,B1,B2が1つのカラムに含まれ、カラム毎に減算部206が設けられた構成となっている。   The conversion processing unit 12 includes a common pixel circuit 202 and an addition unit 204 for each set of pixels G1 and G2, and includes a common pixel circuit 202 and an addition unit 204 for each set of pixels B1 and B2. The conversion processing unit 12 includes six pixels R1, R2, G1, G2, B1, and B2 that receive light from the same position on the subject in one column, and a subtraction unit 206 is provided for each column. It has a configuration.

図5は、変換処理部12の第1実施例の動作を示すタイミングチャートである。図5に示すように、変換処理部12は、まず、制御信号SHがONにされ、制御信号T1がONにされると、PD1からの電荷を容量CXに蓄積する。次に、変換処理部12は、制御信号T2がONにされると、PD2からの電荷を容量CXに蓄積する。ここで、容量CXは、画素R1の電荷と、画素R2の電荷とを加算して蓄積する。   FIG. 5 is a timing chart illustrating the operation of the conversion processing unit 12 according to the first embodiment. As shown in FIG. 5, the conversion processing unit 12 first stores the charge from the PD1 in the capacitor CX when the control signal SH is turned on and the control signal T1 is turned on. Next, when the control signal T2 is turned ON, the conversion processing unit 12 accumulates the charge from the PD2 in the capacitor CX. Here, the capacitor CX adds and accumulates the charge of the pixel R1 and the charge of the pixel R2.

共通画素回路202は、容量CXが電荷を加算した後、制御信号SHがOFFにされ、制御信号SがONにされて色選択スイッチSQがONにされた状態で制御信号RSがONにされると、FDがリセットされる。変換処理部12における色毎のリセットレベルは、減算部206の図示しないメモリに保持される。   In the common pixel circuit 202, after the capacitor CX adds the charge, the control signal SH is turned off, the control signal S is turned on, and the color selection switch SQ is turned on, so that the control signal RS is turned on. Then, the FD is reset. The reset level for each color in the conversion processing unit 12 is held in a memory (not shown) of the subtraction unit 206.

その後、変換処理部12は、制御信号SHがONにされると、容量CXが加算して蓄積した電荷がFDに転送され、FDが電荷−電圧変換した信号が信号レベルとして減算部206に入力される。減算部206は、信号レベルとリセットレベルとの差分を算出する減算を行ない、減算結果をパラレルシリアル変換部16に対して出力する。   Thereafter, when the control signal SH is turned ON, the conversion processing unit 12 transfers the charge accumulated by the capacitor CX to the FD, and the signal obtained by the FD charge-voltage conversion is input to the subtraction unit 206 as a signal level. Is done. The subtraction unit 206 performs subtraction for calculating the difference between the signal level and the reset level, and outputs the subtraction result to the parallel-serial conversion unit 16.

このように、変換処理部12の第1実施例を有する光電変換素子10は、信号を加算(蓄積)する加算部204を有することにより、TDIを実現している。ただし、変換処理部12の第1実施例を有する光電変換素子10は、CMOSセンサにおいて問題となる固定パターンノイズ(Fixed Pattern Noise;FPN)を十分に除去しきれない場合がある。これは、減算部206が用いるリセットレベルがFDをリセットした時のリセットノイズであるのに対し、信号レベルはFDのリセットノイズに加算部204のスイッチHQのノイズやオフセットが加算されているためである。即ち、変換処理部12の第1実施例を有する光電変換素子10は、TDIのために設けられた加算部204によるFPNが減算部206では除去できない。   Thus, the photoelectric conversion element 10 having the first embodiment of the conversion processing unit 12 realizes TDI by including the addition unit 204 that adds (accumulates) signals. However, the photoelectric conversion element 10 having the first embodiment of the conversion processing unit 12 may not be able to sufficiently remove fixed pattern noise (FPN) which is a problem in the CMOS sensor. This is because the reset level used by the subtraction unit 206 is reset noise when the FD is reset, whereas the signal level is obtained by adding the noise and offset of the switch HQ of the addition unit 204 to the reset noise of the FD. is there. That is, in the photoelectric conversion element 10 having the first embodiment of the conversion processing unit 12, the FPN by the addition unit 204 provided for TDI cannot be removed by the subtraction unit 206.

(変換処理部12の第2実施例)
次に、変換処理部12の第2実施例(変換処理部12a)について、図6〜図10を用いて説明する。図6は、変換処理部12の第2実施例(変換処理部12a)の構成概要を示すブロック図である。図7は、変換処理部12aが有する複数のフォトダイオード(PD:受光素子)及びその周辺を示す図である。図6に示すように、変換処理部12aは、第1光電変換部300a〜第6光電変換部300f、第1画素回路列302a〜第6画素回路列302f、遅延メモリ列303、加算部列304、ADC列305、及び減算部列(CDS列)306を有する。
(Second Example of Conversion Processing Unit 12)
Next, a second embodiment (conversion processing unit 12a) of the conversion processing unit 12 will be described with reference to FIGS. FIG. 6 is a block diagram showing an outline of the configuration of the second embodiment (conversion processing unit 12a) of the conversion processing unit 12. As shown in FIG. FIG. 7 is a diagram illustrating a plurality of photodiodes (PD: light receiving elements) included in the conversion processing unit 12a and the periphery thereof. As illustrated in FIG. 6, the conversion processing unit 12a includes a first photoelectric conversion unit 300a to a sixth photoelectric conversion unit 300f, a first pixel circuit column 302a to a sixth pixel circuit column 302f, a delay memory column 303, and an addition unit column 304. , An ADC column 305, and a subtraction unit column (CDS column) 306.

第1光電変換部300a(図6)は、図示しないRのフィルタが設けられて光電変換するフォトダイオード(PD1:図7)が一方向(主走査方向)に例えば約7000個配列されている。第2光電変換部300bは、第1光電変換部300aに対して平行に配置され、図示しないRのフィルタが設けられて光電変換するフォトダイオード(PD2)が一方向に例えば約7000個配列されている。このように、変換処理部12aは、1つの色(例えばR)を受光するフォトダイオードが例えば2列に並べられている。なお、色毎の列数は2列に限定されない。   In the first photoelectric conversion unit 300a (FIG. 6), for example, about 7000 photodiodes (PD1: FIG. 7) that are provided with an R filter (not shown) and perform photoelectric conversion are arranged in one direction (main scanning direction). The second photoelectric conversion unit 300b is arranged in parallel to the first photoelectric conversion unit 300a, and is provided with an R filter (not shown), and, for example, about 7000 photodiodes (PD2) that perform photoelectric conversion are arranged in one direction. Yes. Thus, in the conversion processing unit 12a, photodiodes that receive one color (for example, R) are arranged in, for example, two rows. Note that the number of columns for each color is not limited to two.

各PD2は、例えば図1に示した画像読取装置において光電変換素子10が被写体を等倍率で読取る場合に、対向する各PD1が1ライン周期前に読取った被写体における位置と同じ位置をそれぞれ読取るように、各PD1に対してそれぞれ間隔があけられている。つまり、図7に示したPD1とPD2は、被写体における同じ位置からの光を受光する。   For example, when the photoelectric conversion element 10 reads the subject at an equal magnification in the image reading apparatus shown in FIG. 1, each PD 2 reads the same position as the position on the subject read by the opposing PD 1 one cycle before. In addition, an interval is provided for each PD1. That is, PD1 and PD2 shown in FIG. 7 receive light from the same position on the subject.

第1画素回路列302a(図6)は、各PD1が光電変換した信号をそれぞれ伝達する画素回路400a(図7)が一方向(主走査方向)に例えば約7000個配列されている。画素回路400aは、それぞれ転送トランジスタTQ1、フローティングディフュージョン1(FD1)、リセットトランジスタRQ1、及びソースフォロワSF1を有する。リセットトランジスタRQ1は、FD1をリセットする。ソースフォロワSF1は、信号をバッファして後段に対して出力する。そして、画素回路400aは、PD1が光電変換した電荷(信号レベル)を電圧に変換して伝達するとともに、FD1をリセットしたリセットレベルを伝達する。   In the first pixel circuit row 302a (FIG. 6), for example, about 7000 pixel circuits 400a (FIG. 7) that transmit signals photoelectrically converted by the PDs 1 are arranged in one direction (main scanning direction). The pixel circuit 400a includes a transfer transistor TQ1, a floating diffusion 1 (FD1), a reset transistor RQ1, and a source follower SF1. The reset transistor RQ1 resets FD1. The source follower SF1 buffers the signal and outputs it to the subsequent stage. Then, the pixel circuit 400a converts the charge (signal level) photoelectrically converted by the PD1 into a voltage and transmits the voltage, and transmits a reset level obtained by resetting the FD1.

第2画素回路列302bは、各PD2が光電変換した信号をそれぞれ伝達する画素回路400bが一方向(主走査方向)に例えば約7000個配列されている。画素回路400bは、それぞれ転送トランジスタTQ2、フローティングディフュージョン2(FD2)、リセットトランジスタRQ2、及びソースフォロワSF2を有する。リセットトランジスタRQ2は、FD2をリセットする。ソースフォロワSF2は、信号をバッファして後段に対して出力する。そして、画素回路400bは、PD2が光電変換した電荷(信号レベル)を電圧に変換して伝達するとともに、FD2をリセットしたリセットレベルを伝達する。   In the second pixel circuit row 302b, for example, about 7000 pixel circuits 400b that transmit the signals photoelectrically converted by the PDs 2 are arranged in one direction (main scanning direction). The pixel circuit 400b includes a transfer transistor TQ2, a floating diffusion 2 (FD2), a reset transistor RQ2, and a source follower SF2. The reset transistor RQ2 resets FD2. The source follower SF2 buffers the signal and outputs it to the subsequent stage. The pixel circuit 400b converts the charge (signal level) photoelectrically converted by the PD 2 into a voltage and transmits the voltage, and also transmits a reset level after resetting the FD2.

ここで、図7に示したPD1及び画素回路400aは、Rの光を光電変換する画素40aを構成するものとする。また、図7に示したPD2及び画素回路400bは、Rの光を光電変換する画素40bを構成するものとする。また、画素40aは、変換処理部12aが備えてRの光を光電変換する1つの画素として、R1と記すことがある。また、画素40bは、変換処理部12aが備えてRの光を光電変換する1つの画素として、R2と記すことがある。つまり、変換処理部12aは、Rの光を光電変換するそれぞれ約7000個の画素R1,R2を有する。   Here, the PD 1 and the pixel circuit 400a illustrated in FIG. 7 constitute a pixel 40a that photoelectrically converts R light. Further, the PD 2 and the pixel circuit 400b illustrated in FIG. 7 constitute a pixel 40b that photoelectrically converts R light. In addition, the pixel 40a may be referred to as R1 as one pixel that is included in the conversion processing unit 12a and photoelectrically converts R light. In addition, the pixel 40b may be described as R2 as one pixel that is included in the conversion processing unit 12a and photoelectrically converts R light. That is, the conversion processing unit 12a includes approximately 7000 pixels R1 and R2 that photoelectrically convert R light.

第3光電変換部300c及び第5光電変換部300e(図6)は、設けられているフィルタがそれぞれG,Bであることを除いて、第1光電変換部300aと同様に構成されている。第4光電変換部300d及び第6光電変換部300fは、設けられているフィルタがそれぞれG,Bであることを除いて、第2光電変換部300bと同様に構成されている。   The third photoelectric conversion unit 300c and the fifth photoelectric conversion unit 300e (FIG. 6) are configured in the same manner as the first photoelectric conversion unit 300a except that the provided filters are G and B, respectively. The fourth photoelectric conversion unit 300d and the sixth photoelectric conversion unit 300f are configured in the same manner as the second photoelectric conversion unit 300b except that the provided filters are G and B, respectively.

第3画素回路列302c及び第5画素回路列302eは、第1画素回路列302aと同様に構成されている。第4画素回路列302d及び第6画素回路列302fは、第2画素回路列302bと同様に構成されている。つまり、変換処理部12aは、Gの光を光電変換するそれぞれ約7000個の画素G1,G2と、Bの光を光電変換するそれぞれ約7000個の画素B1,B2とを有する。ここで、画素R1,R2が出力する信号を、それぞれPIXOUT_R1,PIXOUT_R2とする。また、画素G1,G2が出力する信号を、それぞれPIXOUT_G1,PIXOUT_G2とし、画素B1,B2が出力する信号を、それぞれPIXOUT_B1,PIXOUT_B2とする。   The third pixel circuit column 302c and the fifth pixel circuit column 302e are configured in the same manner as the first pixel circuit column 302a. The fourth pixel circuit column 302d and the sixth pixel circuit column 302f are configured in the same manner as the second pixel circuit column 302b. That is, the conversion processing unit 12a includes approximately 7000 pixels G1 and G2 that photoelectrically convert G light, and approximately 7000 pixels B1 and B2 that photoelectrically convert B light, respectively. Here, signals output from the pixels R1 and R2 are PIXOUT_R1 and PIXOUT_R2, respectively. The signals output from the pixels G1 and G2 are PIXOUT_G1 and PIXOUT_G2, respectively, and the signals output from the pixels B1 and B2 are PIXOUT_B1 and PIXOUT_B2, respectively.

図8は、遅延メモリ列303が有する遅延メモリ403の構成例を示す図である。遅延メモリ列303は、遅延メモリ403が一方向(主走査方向)に例えば約7000個配列されている。各遅延メモリ403は、PIXOUT_R1,PIXOUT_R2,PIXOUT_G1,PIXOUT_G2,PIXOUT_B1,PIXOUT_B2をそれぞれ受入れるように構成されている。   FIG. 8 is a diagram illustrating a configuration example of the delay memory 403 included in the delay memory column 303. In the delay memory column 303, for example, about 7000 delay memories 403 are arranged in one direction (main scanning direction). Each delay memory 403 is configured to receive PIXOUT_R1, PIXOUT_R2, PIXOUT_G1, PIXOUT_G2, PIXOUT_B1, and PIXOUT_B2, respectively.

遅延メモリ403は、被写体における同じ位置からの光を受光する6つの画素R1,R2,G1,G2,B1,B2それぞれのリセットレベル及び信号レベルを、タイミング制御部14の制御に応じてそれぞれ遅延させながら伝達するように保持する。また、遅延メモリ403は、画素R1,R2,G1,G2,B1,B2それぞれの信号を画素毎に保持するので、同時露光(グローバルシャッタ)も可能にしている。   The delay memory 403 delays the reset level and signal level of each of the six pixels R1, R2, G1, G2, B1, and B2 that receive light from the same position on the subject in accordance with the control of the timing control unit 14. Hold to communicate. Further, since the delay memory 403 holds the signals of the pixels R1, R2, G1, G2, B1, and B2 for each pixel, simultaneous exposure (global shutter) is also possible.

変換処理部12aにおいても、上述したように同じ色の複数画素列(例えば画素R1の列と、画素R2の列)が1ライン周期に相当する間隔で物理的にずれて配置されている場合、等倍読取時には原稿面上の1ラインずれた位置をそれぞれ読んでいる。よって、同一の時刻には、画素R1と画素R2とは、読取位置が異なる。つまり、画素R1が任意の読取位置を読み取った1ライン周期後には、画素R2も同一の読取位置を読み取ることになる。よって、遅延メモリ403は、画素R1の信号を1ライン周期分遅延させて、画素R2の信号に加算させるように信号を遅延させる。同一被写体からの光を受光する画素からでない信号が加算されるTDIでは、感度やS/N向上の効果は得られるが、解像度やMTF(Modulation Transfer Function)が劣化する。   Also in the conversion processing unit 12a, as described above, when a plurality of pixel columns of the same color (for example, the column of the pixel R1 and the column of the pixel R2) are physically shifted at intervals corresponding to one line cycle, At the same magnification reading, the position shifted by one line on the document surface is read. Therefore, at the same time, the reading positions of the pixel R1 and the pixel R2 are different. That is, after one line period when the pixel R1 reads an arbitrary reading position, the pixel R2 also reads the same reading position. Therefore, the delay memory 403 delays the signal so that the signal of the pixel R1 is delayed by one line period and added to the signal of the pixel R2. In TDI to which signals that are not from pixels that receive light from the same subject are added, effects of improving sensitivity and S / N can be obtained, but resolution and MTF (Modulation Transfer Function) are deteriorated.

図8に示すように、遅延メモリ403は、複数の容量(記憶部)、スイッチ及びバッファが組み合わされて構成されている。遅延メモリ403は、例えばPIXOUT_R1,PIXOUT_R2に対して、リセットレベル用アナログメモリCrr1,Crr2と、信号レベル用アナログメモリCsr1,Csr2が設けられている。リセットレベル用アナログメモリCrr1,Crr2は、制御信号WRに応じて動作するスイッチを介して信号を蓄積して保持する。信号レベル用アナログメモリCsr1,Csr2は、制御信号WSに応じて動作するスイッチを介して信号を蓄積して保持(記憶)する。   As shown in FIG. 8, the delay memory 403 is configured by combining a plurality of capacitors (storage units), switches, and buffers. The delay memory 403 is provided with reset level analog memories Crr1 and Crr2 and signal level analog memories Csr1 and Csr2 for PIXOUT_R1 and PIXOUT_R2, for example. The reset level analog memories Crr1 and Crr2 accumulate and hold signals via a switch that operates in accordance with the control signal WR. The signal level analog memories Csr1 and Csr2 accumulate and hold (store) signals through a switch that operates in accordance with the control signal WS.

また、PIXOUT_R1の信号を保持するCrr1,Csr1には、さらに制御信号TDに応じて動作するスイッチとバッファbがそれぞれ接続され、バッファbの出力側にはそれぞれエクストラメモリCxrr1,Cxsr1が設けられている。エクストラメモリCxrr1,Cxsr1は、それぞれ画素R1からの信号を1ライン周期分遅延させる。つまり、エクストラメモリCxrr1は、被写体における略同じ位置からの光を最後に受光すべきPD2に対応したFD2が出力したリセットレベルがアナログメモリCrr2に記憶されるまで、PD1に対応したFD1が出力したリセットレベルを記憶する。また、エクストラメモリCxsr1は、被写体における略同じ位置からの光を最後に受光したPD2が出力した信号レベルがアナログメモリCsr2に記憶されるまで、PD1が出力した信号レベルを記憶する。   Further, a switch that operates according to the control signal TD and a buffer b are connected to Crr1 and Csr1 that hold the signal of PIXOUT_R1, and extra memories Cxrr1 and Cxsr1 are provided on the output side of the buffer b, respectively. . The extra memories Cxrr1 and Cxsr1 respectively delay the signal from the pixel R1 by one line period. That is, the extra memory Cxrr1 resets the reset level output by the FD1 corresponding to the PD1 until the reset level output by the FD2 corresponding to the PD2 that should receive light from substantially the same position on the subject is stored in the analog memory Crr2. Remember the level. Further, the extra memory Cxsr1 stores the signal level output by the PD1 until the signal level output by the PD2 that lastly received light from substantially the same position in the subject is stored in the analog memory Csr2.

制御信号TDは、アナログメモリCrr1,Csr1からエクストラメモリCxrr1,Cxsr1に信号をそれぞれ転送(移動)させるための信号である。エクストラメモリCxrr1,Cxsr1と、アナログメモリCrr2,Csr2が保持した信号(つまり画素R2に対して1ライン周期分遅延した画素R1の信号(1ライン前の画素R1の信号)と、画素R2の信号)は、読出し用の制御信号RDR_R1,RDR_R2,RDS_R1,RDS_R2に同期して順次に読み出され、出力信号RDOUTとして出力される。   The control signal TD is a signal for transferring (moving) signals from the analog memories Crr1 and Csr1 to the extra memories Cxrr1 and Cxsr1, respectively. Signals held in the extra memories Cxrr1 and Cxsr1 and the analog memories Crr2 and Csr2 (that is, the signal of the pixel R1 delayed by one line period with respect to the pixel R2 (the signal of the pixel R1 one line before) and the signal of the pixel R2) Are sequentially read out in synchronization with the read control signals RDR_R1, RDR_R2, RDS_R1, RDS_R2, and output as an output signal RDOUT.

また、遅延メモリ403は、PIXOUT_G1,PIXOUT_G2,PIXOUT_B1,PIXOUT_B2に対しても、PIXOUT_R1,PIXOUT_R2に対する遅延と同様に遅延させる構成を有する。   The delay memory 403 has a configuration that delays PIXOUT_G1, PIXOUT_G2, PIXOUT_B1, and PIXOUT_B2 in the same manner as the delay for PIXOUT_R1 and PIXOUT_R2.

ここで、アナログメモリCrr1、バッファb、及びエクストラメモリCxrr1などは、画素R1のリセットレベルを加算部404へ伝達する伝達回路を構成している。また、アナログメモリCsr1、バッファb、及びエクストラメモリCxsr1などは、画素R1のPD1の信号レベルを加算部404へ伝達する伝達回路を構成している。また、アナログメモリCrr2は、画素R2のリセットレベルを伝達する伝達回路であり、アナログメモリCsr2は、画素R2のPD2の信号レベルを伝達する伝達回路である。   Here, the analog memory Crr1, the buffer b, the extra memory Cxrr1, and the like constitute a transmission circuit that transmits the reset level of the pixel R1 to the adding unit 404. The analog memory Csr1, the buffer b, the extra memory Cxsr1, and the like constitute a transmission circuit that transmits the signal level of the PD1 of the pixel R1 to the adding unit 404. The analog memory Crr2 is a transmission circuit that transmits the reset level of the pixel R2, and the analog memory Csr2 is a transmission circuit that transmits the signal level of the PD2 of the pixel R2.

なお、遅延メモリ403は、画素R2の信号に対して画素R1の信号を遅延させることに限定されることなく、順序を逆にされてもよい。また、遅延メモリ403が遅延させる時間は、1ライン周期分に限定されることなく、例えば遅延時間に応じたエクストラメモリが設けられて2ライン周期分以上の遅延にされてもよい。   Note that the delay memory 403 is not limited to delaying the signal of the pixel R1 with respect to the signal of the pixel R2, and the order may be reversed. Further, the delay time of the delay memory 403 is not limited to one line period, but for example, an extra memory corresponding to the delay time may be provided and the delay may be delayed by two line periods or more.

図9は、加算部列304が有する加算部404の構成例を示す図である。加算部列304は、加算部404が一方向(主走査方向)に例えば約7000個配列されている。各加算部404は、色毎の画素列数と同じ数である2つの容量C1,C2と、複数のスイッチが組み合わされて構成され、遅延メモリ403が順次に出力する出力信号RDOUT(リセットレベル及び信号レベルをそれぞれ)を色毎に順次に加算する。   FIG. 9 is a diagram illustrating a configuration example of the addition unit 404 included in the addition unit sequence 304. In the addition unit row 304, for example, about 7000 addition units 404 are arranged in one direction (main scanning direction). Each adding unit 404 is configured by combining two capacitors C1 and C2 having the same number as the number of pixel columns for each color and a plurality of switches, and sequentially outputting an output signal RDOUT (reset level and output signal) output from the delay memory 403. The signal levels are sequentially added for each color.

例えば、加算部404は、遅延メモリ403から読み出された画素R1のリセットレベルを制御信号SEL1,SEL2に応じて容量C1に保持し、画素R2のリセットレベルを制御信号SEL1,2に応じて容量C2に保持する。そして、加算部404は、制御信号ADDに応じて容量C1と容量C2とを直列接続することにより、容量C1のリセットレベルと容量C2のリセットレベルを加算(電圧加算)して出力する。同様に、加算部404は、Rの信号レベル、並びにG,Bのリセットレベル及び信号レベルをそれぞれ順次に加算して出力する。   For example, the adding unit 404 holds the reset level of the pixel R1 read from the delay memory 403 in the capacitor C1 according to the control signals SEL1 and SEL2, and sets the reset level of the pixel R2 according to the control signals SEL1 and SEL2 Hold at C2. Then, the adding unit 404 adds the reset level of the capacitor C1 and the reset level of the capacitor C2 (voltage addition) by connecting the capacitors C1 and C2 in series according to the control signal ADD, and outputs the result. Similarly, the addition unit 404 sequentially adds and outputs the R signal level, the G and B reset levels, and the signal level.

ADC列305は、各加算部404が順次に出力する加算結果をそれぞれAD変換する例えば約7000個のAD変換器(図示せず)が一方向(主走査方向)に配列されている。なお、ADC列305の前段に、アナログ信号をそれぞれ増幅させる例えば約7000個のPGA(Programmable Gain Amplifier)が設けられていてもよい。   In the ADC row 305, for example, about 7000 AD converters (not shown) for AD-converting the addition results sequentially output by the adders 404 are arranged in one direction (main scanning direction). For example, about 7000 PGAs (Programmable Gain Amplifiers) for amplifying analog signals may be provided in the preceding stage of the ADC row 305.

減算部列306は、デジタル値によってCDSを行う例えば約7000個のD−CDS回路(デジタルCDS回路:図示せず)が一方向(主走査方向)に配列されている。各D−CDS回路は、それぞれ図示しないメモリを備え、ADC列305が出力する信号レベルとリセットレベルとの差分を算出する減算を色毎に順次に行い、減算結果(差分)を色毎にパラレルシリアル変換部16に対して出力する。なお、減算部列306は、ADC列305におけるFPNも除去することが可能となっている。ただし、減算部列306は、アナログ値によってCDSを行うように構成されていてもよい。   In the subtractor column 306, for example, about 7000 D-CDS circuits (digital CDS circuits: not shown) that perform CDS with digital values are arranged in one direction (main scanning direction). Each D-CDS circuit includes a memory (not shown), sequentially performs subtraction for each color to calculate the difference between the signal level output from the ADC string 305 and the reset level, and parallelizes the subtraction result (difference) for each color. The data is output to the serial conversion unit 16. Note that the subtraction unit string 306 can also remove the FPN in the ADC string 305. However, the subtraction unit sequence 306 may be configured to perform CDS using an analog value.

図10は、変換処理部12の第2実施例(変換処理部12a)の動作を示すタイミングチャートである。なお、図10においては、ADC列305及び減算部列306の動作は示されていない。   FIG. 10 is a timing chart showing the operation of the second embodiment (conversion processing unit 12a) of the conversion processing unit 12. In FIG. 10, the operations of the ADC column 305 and the subtraction unit column 306 are not shown.

図10に示すように、変換処理部12aは、例えばまず画素R1,R2に対し、制御信号RS1,RS2がONにされると、FD1,FD2がそれぞれリセットされる。そして、制御信号WRがONにされると、画素R1,R2それぞれのリセットレベルがアナログメモリCrr1,Crr2に保持される。   As shown in FIG. 10, in the conversion processing unit 12a, for example, when the control signals RS1 and RS2 are first turned on for the pixels R1 and R2, FD1 and FD2 are respectively reset. When the control signal WR is turned ON, the reset levels of the pixels R1 and R2 are held in the analog memories Crr1 and Crr2.

次に、リセットされたFD1,FD2に対し、PD1,PD2が光電変換した電荷を転送するために制御信号T1,T2がONにされ、制御信号WSがONにされると、画素R1,R2それぞれの信号レベルがアナログメモリCsr1,Csr2にそれぞれ保持される。   Next, when the control signals T1 and T2 are turned on to transfer the charges photoelectrically converted by the PD1 and PD2 to the reset FD1 and FD2, and the control signal WS is turned on, the pixels R1 and R2 are respectively turned on. Are held in the analog memories Csr1 and Csr2, respectively.

エクストラメモリCxrr1,Cxsr1に転送されて保持された画素R1のリセットレベル及び信号レベルと、アナログメモリCrr2,Csr2に保持された画素R2のリセットレベル及び信号レベルは、読出し用の制御信号RDR_R1,RDR_R2,RDS_R1,RDS_R2に同期して順次に読み出される。ここで、RDR_R1→RDR_R2→RDS_R1→RDS_R2→RDR_G1→RDR_G2→・・・のように、色毎にリセットレベル及び信号レベルが順次に読み出される。   The reset level and signal level of the pixel R1 transferred to and held in the extra memories Cxrr1 and Cxsr1, and the reset level and signal level of the pixel R2 held in the analog memories Crr2 and Csr2 are the control signals RDR_R1, RDR_R2, Data are sequentially read in synchronization with RDS_R1 and RDS_R2. Here, the reset level and the signal level are sequentially read out for each color as RDR_R1 → RDR_R2 → RDS_R1 → RDS_R2 → RDR_G1 → RDR_G2 →.

遅延メモリ403から各信号(各RDOUT)が読み出される場合、加算部404は、制御信号SEL1,SEL2がタイミング制御部14の制御に応じて切替えられる。そして、画素R1,G1,B1のリセットレベル及び信号レベルが順次に容量C1に保持され、画素R2,G2,B2のリセットレベル及び信号レベルが順次に容量C2に保持される。容量C1,C2に保持されたリセットレベル及び信号レベルは、制御信号ADDに応じて、保持された順に加算(電圧加算)されて出力される。   When each signal (each RDOUT) is read from the delay memory 403, the addition unit 404 switches the control signals SEL1 and SEL2 according to the control of the timing control unit 14. The reset level and signal level of the pixels R1, G1, and B1 are sequentially held in the capacitor C1, and the reset level and signal level of the pixels R2, G2, and B2 are sequentially held in the capacitor C2. The reset level and the signal level held in the capacitors C1 and C2 are added (voltage addition) in the order in which they are held according to the control signal ADD, and are output.

また、画素R1,G1,B1のリセットレベル(又は信号レベル)が順次に容量C1に保持されると、制御信号TDがONにされることにより、アナログメモリCrr1(又はアナログメモリCsr1)に保持されていたリセットレベル(又は信号レベル)がエクストラメモリCxrr1(又はエクストラメモリCxsr1)に転送され、次のラインの読出し動作で読み出されることになる。なお、制御信号RS1,RS2と、制御信号T1,T2は、それぞれが同時にONにされることにより、全画素同時露光を実現させている。   When the reset levels (or signal levels) of the pixels R1, G1, and B1 are sequentially held in the capacitor C1, the control signal TD is turned on to hold the analog memory Crr1 (or the analog memory Csr1). The reset level (or signal level) that has been transferred is transferred to the extra memory Cxrr1 (or the extra memory Cxsr1), and is read by the read operation of the next line. Note that the control signals RS1 and RS2 and the control signals T1 and T2 are simultaneously turned on to realize all-pixel simultaneous exposure.

(遅延メモリ403の第1変形例)
図11は、遅延メモリ403の第1変形例(遅延メモリ413)の構成例を示す図である。図8に示した遅延メモリ403では、画素R1側にのみエクストラメモリCxrr1,Cxsr1が設けられている。遅延メモリ403は、FPNの観点では、リセットレベルと信号レベルが同じ構成によって伝達されているために問題はない。しかし、上述したように、TDIを行う上では、同一被写体からの受光した光の信号レベルを加算することが重要である。遅延メモリ403は、画素R1側と、画素R2側とでは互いに構成が異なっているため、画素毎に同一特性が得られにくい。即ち、TDIにおける加算精度が必ずしも十分とは言えない場合がある。
(First Modification of Delay Memory 403)
FIG. 11 is a diagram illustrating a configuration example of a first modification (delay memory 413) of the delay memory 403. In the delay memory 403 shown in FIG. 8, the extra memories Cxrr1 and Cxsr1 are provided only on the pixel R1 side. The delay memory 403 has no problem since the reset level and the signal level are transmitted by the same configuration from the viewpoint of FPN. However, as described above, in performing TDI, it is important to add the signal levels of light received from the same subject. Since the delay memory 403 has a different configuration on the pixel R1 side and the pixel R2 side, it is difficult to obtain the same characteristics for each pixel. That is, there are cases where the accuracy of addition in TDI is not always sufficient.

図11に示した遅延メモリ413は、画素R1,G1,B1側だけでなく、画素R2,G2,B2側にもエクストラメモリCxrr2,Cxsr2がそれぞれ設けられている。ここで、アナログメモリCrr2、バッファb、及びエクストラメモリCxrr2などは、画素R2のPD2に対応したFD2のリセットレベルを伝達する伝達回路を構成している。また、アナログメモリCsr2、バッファb、及びエクストラメモリCxsr2などは、画素R2のPD2の信号レベルを伝達する伝達回路を構成している。   The delay memory 413 illustrated in FIG. 11 is provided with extra memories Cxrr2 and Cxsr2 not only on the pixels R1, G1, and B1 sides but also on the pixels R2, G2, and B2 sides. Here, the analog memory Crr2, the buffer b, the extra memory Cxrr2, and the like constitute a transmission circuit that transmits the reset level of the FD2 corresponding to the PD2 of the pixel R2. In addition, the analog memory Csr2, the buffer b, the extra memory Cxsr2, and the like constitute a transmission circuit that transmits the signal level of the PD2 of the pixel R2.

これにより、遅延メモリ413は、画素R1,G1,B1側と、画素R2,G2,B2側とが色毎にそれぞれ同じ回路構成となるため、TDIにおける加算精度を上げることができる。   Thereby, the delay memory 413 has the same circuit configuration for each color on the pixel R1, G1, B1 side and the pixel R2, G2, B2 side, so that the addition accuracy in TDI can be increased.

図12は、遅延メモリ403の第1変形例(遅延メモリ413)を備えた変換処理部12aの動作例を示すタイミングチャートである。図12に示したタイミングチャートでは、図10に示したタイミングチャートに対し、画素R2,G2,B2用のエクストラメモリCxrr2,Cxsr2にリセットレベル及び信号レベルを転送する制御信号TD2が追加されている。なお、図12における制御信号TD1は、図10における制御信号TDと実質的に同じである。   FIG. 12 is a timing chart illustrating an operation example of the conversion processing unit 12a including the first modification (delay memory 413) of the delay memory 403. In the timing chart shown in FIG. 12, a control signal TD2 for transferring a reset level and a signal level to the extra memories Cxrr2 and Cxsr2 for the pixels R2, G2, and B2 is added to the timing chart shown in FIG. Note that the control signal TD1 in FIG. 12 is substantially the same as the control signal TD in FIG.

図12に示すように、遅延メモリ413は、信号レベルをアナログメモリCrr2に保持させる制御信号WRがONとなった直後(1ライン周期分の遅延をさせることなく)に、制御信号TD2がONとなり、画素R2,G2,B2用のエクストラメモリCxrr2,Cxsr2にリセットレベル及び信号レベルを転送する。遅延メモリ413は、制御信号TD2のONにより、遅延を0としながらも画素R1側と同じ回路構成によってリセットレベル及び信号レベルを転送している。   As shown in FIG. 12, in the delay memory 413, the control signal TD2 is turned on immediately after the control signal WR for holding the signal level in the analog memory Crr2 is turned on (without delay for one line period). The reset level and the signal level are transferred to the extra memories Cxrr2 and Cxsr2 for the pixels R2, G2, and B2. The delay memory 413 transfers the reset level and the signal level with the same circuit configuration as the pixel R1 side while setting the delay to 0 by turning ON the control signal TD2.

(遅延メモリ403の第2変形例)
図13は、遅延メモリ403の第2変形例(遅延メモリ423)の構成例を示す図である。図6に示した変換処理部12aは、遅延メモリ列303と加算部列304とが独立して設けられている。これに対し、遅延メモリ423は、遅延メモリ列303の機能と、加算部列304の機能とを兼ねる構成となっている。
(Second Modification of Delay Memory 403)
FIG. 13 is a diagram illustrating a configuration example of a second modification (delay memory 423) of the delay memory 403. In the conversion processing unit 12a shown in FIG. 6, a delay memory column 303 and an adding unit column 304 are provided independently. On the other hand, the delay memory 423 is configured to serve both as the function of the delay memory column 303 and the function of the adder column 304.

具体的には、遅延メモリ423は、図11に示した遅延メモリ413に対して、バッファbの出力側に制御信号TD1又は制御信号TD2により動作するスイッチが加えられている。さらに、遅延メモリ423は、エクストラメモリCxrr2,Cxsr2のGND側に、制御信号TD2により動作するスイッチと、制御信号RDR_R又は制御信号RDS_Rにより動作するスイッチとが加えられている。   Specifically, in the delay memory 423, a switch that operates according to the control signal TD1 or the control signal TD2 is added to the output side of the buffer b with respect to the delay memory 413 illustrated in FIG. Further, in the delay memory 423, a switch that operates according to the control signal TD2 and a switch that operates according to the control signal RDR_R or the control signal RDS_R are added to the GND side of the extra memories Cxrr2 and Cxsr2.

制御信号RDR_Rにより動作するスイッチは、エクストラメモリCxrr1のバッファb側と、エクストラメモリCxrr2のGND側とを接続するスイッチである。制御信号RDS_Rにより動作するスイッチは、エクストラメモリCxsr1のバッファb側と、エクストラメモリCxsr2のGND側とを接続するスイッチである。なお、遅延メモリ423は、G,Bに対しても、Rと同様の構成が加えられている。   The switch operated by the control signal RDR_R is a switch that connects the buffer b side of the extra memory Cxrr1 and the GND side of the extra memory Cxrr2. The switch operated by the control signal RDS_R is a switch for connecting the buffer b side of the extra memory Cxsr1 and the GND side of the extra memory Cxsr2. The delay memory 423 has the same configuration as that of R for G and B.

遅延メモリ423は、エクストラメモリCxrr1とエクストラメモリCxrr2とが直列に接続されることにより、リセットレベルを加算する。また、遅延メモリ423は、容量性負荷であるエクストラメモリCxsr1とエクストラメモリCxsr2とが直列に接続されることにより、信号レベルを加算する。   The delay memory 423 adds a reset level by connecting the extra memory Cxrr1 and the extra memory Cxrr2 in series. Further, the delay memory 423 adds the signal level by connecting the extra memory Cxsr1 and the extra memory Cxsr2 which are capacitive loads in series.

つまり、変換処理部12aが遅延メモリ423を備える場合、加算部列304を設ける必要がなくなる。また、遅延メモリ423からの出力信号は、RGBの加算後のリセットレベルと信号レベル(即ち6つ)となり、遅延メモリ413の信号数の1/2となる。また、遅延メモリ423からの読出スイッチは、色毎に2個となり、遅延メモリ413の読出しスイッチの数の1/2になる。   That is, when the conversion processing unit 12a includes the delay memory 423, it is not necessary to provide the addition unit string 304. Further, the output signal from the delay memory 423 becomes the reset level and the signal level (that is, six) after the addition of RGB, which is ½ of the number of signals of the delay memory 413. Further, the number of readout switches from the delay memory 423 is two for each color, which is ½ of the number of readout switches in the delay memory 413.

図14は、遅延メモリ403の第2変形例(遅延メモリ423)を備えた変換処理部12aの動作例を示すタイミングチャートである。図14に示したタイミングチャートでは、図12に示したタイミングチャートに対し、制御信号SEL1,SEL2,ADDがない点が異なっている。遅延メモリ423は、加算を行うためにアナログメモリCrr1,Csr1,Crr2,Csr2、又はエクストラメモリCxrr1,Cxsr1,Cxrr2,Cxsr2が信号を保持し、制御信号RDR_R,RDS_Rによって加算結果が読み出される。   FIG. 14 is a timing chart illustrating an operation example of the conversion processing unit 12a including the second modification (delay memory 423) of the delay memory 403. The timing chart shown in FIG. 14 differs from the timing chart shown in FIG. 12 in that there are no control signals SEL1, SEL2, and ADD. The delay memory 423 holds signals in the analog memories Crr1, Csr1, Crr2, Csr2 or the extra memories Cxrr1, Cxsr1, Cxrr2, and Cxsr2 for addition, and the addition result is read by the control signals RDR_R and RDS_R.

(変換処理部12の第3実施例)
次に、変換処理部12の第3実施例(変換処理部12b)について、図15〜図19を用いて説明する。図15は、変換処理部12の第3実施例(変換処理部12b)の構成概要を示すブロック図である。図15に示すように、変換処理部12bは、第1光電変換部300a〜第6光電変換部300f、第1画素回路列302a〜第6画素回路列302f、アナログメモリ列307、ADC列308、減算部列(CDS列)309、遅延メモリ列310、及び演算部列312を有する。なお、図15に示した変換処理部12bの構成部分のうち、変換処理部12a(図6)に示した構成部分と同じものには、同一の符号が付してある。
(Third embodiment of the conversion processor 12)
Next, a third embodiment (conversion processing unit 12b) of the conversion processing unit 12 will be described with reference to FIGS. FIG. 15 is a block diagram showing an outline of the configuration of the third embodiment (conversion processing unit 12b) of the conversion processing unit 12. As shown in FIG. As illustrated in FIG. 15, the conversion processing unit 12b includes a first photoelectric conversion unit 300a to a sixth photoelectric conversion unit 300f, a first pixel circuit column 302a to a sixth pixel circuit column 302f, an analog memory column 307, an ADC column 308, It has a subtraction unit sequence (CDS sequence) 309, a delay memory sequence 310, and an operation unit sequence 312. Note that, among the components of the conversion processing unit 12b illustrated in FIG. 15, the same components as those illustrated in the conversion processing unit 12a (FIG. 6) are denoted by the same reference numerals.

図16は、アナログメモリ列307が有するアナログメモリ部420の構成例を示す図である。アナログメモリ列307は、アナログメモリ部420が一方向(主走査方向)に例えば約7000個配列されている。各アナログメモリ部420は、PIXOUT_R1,PIXOUT_R2,PIXOUT_G1,PIXOUT_G2,PIXOUT_B1,PIXOUT_B2をそれぞれ受入れるように構成されている。   FIG. 16 is a diagram illustrating a configuration example of the analog memory unit 420 included in the analog memory column 307. In the analog memory column 307, for example, about 7000 analog memory units 420 are arranged in one direction (main scanning direction). Each analog memory unit 420 is configured to receive PIXOUT_R1, PIXOUT_R2, PIXOUT_G1, PIXOUT_G2, PIXOUT_B1, and PIXOUT_B2, respectively.

アナログメモリ部420は、図11に示した遅延メモリ413からエクストラメモリCxrr1,Cxrr2,Cxsr1,Cxsr2が削除された構成となっており、容量、スイッチ、バッファb及びこれらの制御信号が低減されている。アナログメモリ部420は、TDIのために信号を遅延させる機能が不要であり、同時露光を可能にするために信号を保持する機能を持つ。ここで、アナログメモリCrr1,Crr2は、それぞれリセットレベルを伝達する伝達回路である。また、アナログメモリCsr1,Csr2は、それぞれ信号レベルを伝達する伝達回路である。   The analog memory unit 420 has a configuration in which the extra memories Cxrr1, Cxrr2, Cxsr1, and Cxsr2 are deleted from the delay memory 413 illustrated in FIG. 11, and the capacity, switch, buffer b, and control signals thereof are reduced. . The analog memory unit 420 does not need a function of delaying a signal for TDI, and has a function of holding a signal to enable simultaneous exposure. Here, each of the analog memories Crr1 and Crr2 is a transmission circuit that transmits a reset level. The analog memories Csr1 and Csr2 are transmission circuits that transmit signal levels.

ADC列308は、アナログメモリ部420が順次に出力する信号をそれぞれAD変換する例えば約7000個のAD変換器(図示せず)が一方向(主走査方向)に配列されている。   In the ADC row 308, for example, about 7000 AD converters (not shown) for AD-converting signals sequentially output from the analog memory unit 420 are arranged in one direction (main scanning direction).

減算部列309は、デジタル値によってCDSを行う例えば約7000個のD−CDS回路(デジタルCDS回路:図示せず)が一方向(主走査方向)に配列されている。各D−CDS回路は、それぞれ図示しないメモリを備え、ADC列308が出力する信号レベルとリセットレベルとの差分を算出する減算を色毎に順次に行い、減算結果(差分)を色毎にパラレルシリアル変換部16に対して出力する。なお、減算部列309は、ADC列308におけるFPNも除去することが可能となっている。   In the subtractor column 309, for example, about 7000 D-CDS circuits (digital CDS circuits: not shown) that perform CDS with digital values are arranged in one direction (main scanning direction). Each D-CDS circuit includes a memory (not shown), sequentially performs subtraction for each color to calculate the difference between the signal level output from the ADC string 308 and the reset level, and parallelizes the subtraction result (difference) for each color. The data is output to the serial conversion unit 16. Note that the subtraction unit string 309 can also remove the FPN in the ADC string 308.

図17は、遅延メモリ列310が有する遅延メモリ422の構成例を示す図である。遅延メモリ列310は、遅延メモリ422が一方向(主走査方向)に例えば約7000個配列されている。図17に示すように、遅延メモリ422は、色毎に信号を保持するラインメモリ(記憶部)430,432を有する。ラインメモリ430は、最初にデータを色毎にR(0)、G(0)、B(0)として保持する。ラインメモリ432は、ラインメモリ430から転送される1ライン前のデータを色毎にR(1)、G(1)、B(1)として保持する。   FIG. 17 is a diagram illustrating a configuration example of the delay memory 422 included in the delay memory column 310. In the delay memory column 310, for example, about 7000 delay memories 422 are arranged in one direction (main scanning direction). As illustrated in FIG. 17, the delay memory 422 includes line memories (storage units) 430 and 432 that hold signals for each color. The line memory 430 first holds data as R (0), G (0), and B (0) for each color. The line memory 432 holds the data one line before transferred from the line memory 430 as R (1), G (1), and B (1) for each color.

ここで、ラインメモリ430,432は、最初に画素R1,G1,B1のデータを保持し、次に画素R2,G2,B2のデータを保持する。つまり、現在のラインの画素R2,G2,B2のデータと、1ライン前の画素R1,G1,B1のデータとが同時に読み出される。ラインメモリ430,432は、ラッチなどによって構成されてもよい。   Here, the line memories 430 and 432 first hold the data of the pixels R1, G1, and B1, and then hold the data of the pixels R2, G2, and B2. That is, the data of the pixels R2, G2, and B2 on the current line and the data of the pixels R1, G1, and B1 one line before are read out simultaneously. The line memories 430 and 432 may be configured by a latch or the like.

図18は、演算部列312が有する演算部425の構成例を示す図である。演算部列312は、演算部425が一方向(主走査方向)に例えば約7000個配列されている。図18に示すように、演算部425は、加算部426、平均化部427及び選択部428を有する。   FIG. 18 is a diagram illustrating a configuration example of the calculation unit 425 included in the calculation unit sequence 312. For example, about 7000 calculation units 425 are arranged in one direction (main scanning direction) in the calculation unit row 312. As illustrated in FIG. 18, the calculation unit 425 includes an addition unit 426, an averaging unit 427, and a selection unit 428.

加算部426は、1ライン前の画素R1,G1,B1のデータと、現在のラインの画素R2,G2,B2のデータとをそれぞれ加算する。つまり、加算部426は、同一被写体からの光に対応する信号の加算を色毎に行う。平均化部427は、1ライン前の画素R1,G1,B1のデータと、現在のラインの画素R2,G2,B2のデータとの平均値をそれぞれ算出する。つまり、平均化部427は、同一被写体からの光に対応する信号の平均値を色毎に算出する。選択部428は、加算部426が加算した結果と、平均化部427が算出した結果のいずれかを、タイミング制御部14の制御に応じて選択して出力する。   The adder 426 adds the data of the pixels R1, G1, and B1 one line before and the data of the pixels R2, G2, and B2 of the current line, respectively. That is, the adding unit 426 adds signals corresponding to light from the same subject for each color. The averaging unit 427 calculates average values of the data of the pixels R1, G1, and B1 of the previous line and the data of the pixels R2, G2, and B2 of the current line, respectively. That is, the averaging unit 427 calculates an average value of signals corresponding to light from the same subject for each color. The selection unit 428 selects and outputs either the result added by the addition unit 426 or the result calculated by the averaging unit 427 according to the control of the timing control unit 14.

よって、変換処理部12bは、信号の加算による高感度モード(信号増加)と、信号の平均化による高S/Nモード(ノイズ低減)のように、動作モードを切替えることを可能にする。   Therefore, the conversion processing unit 12b makes it possible to switch operation modes such as a high sensitivity mode (signal increase) by signal addition and a high S / N mode (noise reduction) by signal averaging.

このように、変換処理部12bは、減算部列309がデジタルCDSを行うまで画素毎に同じ処理を行い、デジタル値によってTDIを行うため、変換処理部12aに比べて構成が簡易となる。変換処理部12bは、データを遅延させるための容量の数が削減されるため、回路規模も小さくなる。また、変換処理部12bは、デジタル値によってTDI等の処理を行うため、ノイズの影響も低減できる。   In this way, the conversion processing unit 12b performs the same processing for each pixel until the subtraction unit sequence 309 performs digital CDS, and performs TDI with a digital value, so that the configuration is simpler than that of the conversion processing unit 12a. The conversion processing unit 12b has a reduced circuit scale because the number of capacities for delaying data is reduced. Further, since the conversion processing unit 12b performs processing such as TDI using a digital value, the influence of noise can be reduced.

図19は、変換処理部12の第3実施例(変換処理部12b)の動作を示すタイミングチャートである。変換処理部12bは、RS1〜RDS_R2・・・までの動作については、変換処理部12aと略同じであり、全画素の信号がアナログメモリ列307から順次に読み出される。   FIG. 19 is a timing chart showing the operation of the third example (conversion processing unit 12b) of the conversion processing unit 12. The conversion processing unit 12b is substantially the same as the conversion processing unit 12a in the operations from RS1 to RDS_R2..., And the signals of all the pixels are sequentially read from the analog memory column 307.

アナログメモリ列307から読み出された信号は、順次ADC列308によってAD変換され、減算部列309によって信号レベルとリセットレベルの差分データが算出される。なお、図19においては、信号がアナログメモリ列307から読み出されると同時にAD変換され、CDSが行われるように記載されている。   The signal read from the analog memory column 307 is sequentially AD converted by the ADC column 308, and the difference data between the signal level and the reset level is calculated by the subtraction unit column 309. In FIG. 19, it is described that the signal is read out from the analog memory column 307 and simultaneously AD-converted to perform CDS.

減算部列309から出力される1ライン前の画素R1,G1,B1のデータが遅延メモリ列310に入力されると、遅延メモリ422における制御信号WM_R1,WM_G1,WM_B1がONにされ、ラインメモリ430に画素R1,G1,B1のデータが保持される。   When the data of the pixels R1, G1, and B1 one line before output from the subtraction unit column 309 are input to the delay memory column 310, the control signals WM_R1, WM_G1, and WM_B1 in the delay memory 422 are turned on, and the line memory 430 The data of the pixels R1, G1, and B1 are held in the memory.

次に、画素R2,G2,B2のデータが遅延メモリ列310に入力されると、遅延メモリ422におけるRM_RGB2がONにされ、入力されたデータがそのまま読み出される。このとき、制御信号RM_R1,RM_G1,RM_B1がONにされ、ラインメモリ432は、転送された1ライン前のデータが同時に読み出される。   Next, when the data of the pixels R2, G2, and B2 are input to the delay memory column 310, RM_RGB2 in the delay memory 422 is turned ON, and the input data is read as it is. At this time, the control signals RM_R1, RM_G1, and RM_B1 are turned ON, and the transferred data of the previous line is simultaneously read from the line memory 432.

ラインメモリ432が保持していたデータが読み出されると、制御信号TMがONにされ、ラインメモリ430が保持していたデータがラインメモリ432へ転送される。つまり、遅延メモリ422は、現在のラインの入力された画素R2,G2,B2のデータがそのまま読み出されると同時に、1ライン前の画素R1,G1,B1のデータが読み出される。   When the data held in the line memory 432 is read, the control signal TM is turned ON, and the data held in the line memory 430 is transferred to the line memory 432. That is, the delay memory 422 reads the data of the input pixels R2, G2, and B2 of the current line as they are, and simultaneously reads the data of the pixels R1, G1, and B1 of the previous line.

遅延メモリ列310から読み出されたデータは演算部列312に入力される。そして、制御信号ADD_ONがONにされることにより、演算部列312が加算した結果又は平均化した結果が出力される。   Data read from the delay memory column 310 is input to the arithmetic unit column 312. Then, when the control signal ADD_ON is turned ON, the result of addition or averaging by the arithmetic unit column 312 is output.

次に、実施形態にかかる画像読取装置を備えた画像形成装置について説明する。図20は、光電変換素子10を有する画像読取装置60を備えた画像形成装置50の概要を示す図である。画像形成装置50は、画像読取装置60と画像形成部70とを有する例えば複写機やMFP(Multifunction Peripheral)などである。   Next, an image forming apparatus including the image reading apparatus according to the embodiment will be described. FIG. 20 is a diagram illustrating an outline of an image forming apparatus 50 including an image reading device 60 having the photoelectric conversion element 10. The image forming apparatus 50 is, for example, a copying machine or an MFP (Multifunction Peripheral) having an image reading device 60 and an image forming unit 70.

画像読取装置60は、例えば光電変換素子10、LEDドライバ(LED_DRV)600及びLED602を有する。LEDドライバ600は、タイミング制御部(TG)14が出力するライン同期信号などに同期して、LED602を駆動する。LED602は、原稿に対して光を照射する。光電変換素子10は、ライン同期信号などに同期して、原稿からの反射光を受光して図示しない複数のPDが電荷を発生させて蓄積を開始する。そして、光電変換素子10は、TDI及びパラレルシリアル変換等を行った後に、画像データを画像形成部70に対して出力する。   The image reading device 60 includes, for example, a photoelectric conversion element 10, an LED driver (LED_DRV) 600, and an LED 602. The LED driver 600 drives the LED 602 in synchronization with a line synchronization signal output from the timing control unit (TG) 14. The LED 602 irradiates the original with light. The photoelectric conversion element 10 receives reflected light from the document in synchronization with a line synchronization signal or the like, and a plurality of PDs (not shown) generate electric charges and start accumulation. The photoelectric conversion element 10 outputs the image data to the image forming unit 70 after performing TDI, parallel serial conversion, and the like.

画像形成部70は、処理部80とプリンタエンジン82とを有し、処理部80とプリンタエンジン82とがインターフェイス(I/F)84を介して接続されている。   The image forming unit 70 includes a processing unit 80 and a printer engine 82, and the processing unit 80 and the printer engine 82 are connected via an interface (I / F) 84.

処理部80は、LVDS800、画像処理部802及びCPU804を有する。CPU804は、光電変換素子10などの画像形成装置50を構成する各部を制御する。また、CPU804(又はタイミング制御部14)は、各PDが受光量に応じて電荷を発生させることを略同時に開始するよう制御する。   The processing unit 80 includes an LVDS 800, an image processing unit 802, and a CPU 804. The CPU 804 controls each part of the image forming apparatus 50 such as the photoelectric conversion element 10. In addition, the CPU 804 (or the timing control unit 14) controls each PD to start generating charges according to the amount of received light substantially simultaneously.

光電変換素子10は、LVDS800に対して例えば画像読取装置60が読取った画像の画像データ、ライン同期信号及び伝送クロックなどを出力する。LVDS800は、受入れた画像データ、ライン同期信号及び伝送クロックなどをパラレル10ビットデータに変換する。画像処理部802は、変換された10ビットデータを用いて画像処理を行い、画像データなどをプリンタエンジン82に対して出力する。プリンタエンジン82は、受入れた画像データを用いて印刷を行う。   The photoelectric conversion element 10 outputs, for example, image data of an image read by the image reading device 60, a line synchronization signal, a transmission clock, and the like to the LVDS 800. The LVDS 800 converts received image data, a line synchronization signal, a transmission clock, and the like into parallel 10-bit data. The image processing unit 802 performs image processing using the converted 10-bit data, and outputs image data and the like to the printer engine 82. The printer engine 82 performs printing using the received image data.

このように、実施形態にかかる光電変換素子は、リセットレベルを加算するための構成と、信号レベルを加算するための構成とが略同じであるため、精度よくCDSを実行することができ、画像の読取り精度を向上させることができる。また、上述した複数の実施形態及び実施例などは、さらにそれぞれ任意の組合せが可能である。また、実施形態にかかる光電変換素子においては、フローティングディフュージョンがリセットされた場合に伝達される信号をリセットレベルとすることを例に説明したが、リセットレベルはこれに限定されない。リセットレベルは、画素毎に受光素子(フォトダイオード)が受光によって光電変換した真の電荷量(受光による真の信号レベル)を示すための基準となる基準レベルである。つまり、基準レベルは、画素毎に受光によらず伝達される信号のレベル(画素がリセットされた場合の信号のレベル)である。例えば、フォトダイオードがリセットされている場合も基準レベルとなり得る。   As described above, since the configuration for adding the reset level and the configuration for adding the signal level are substantially the same in the photoelectric conversion element according to the embodiment, CDS can be executed with high accuracy, and the image Reading accuracy can be improved. Further, the above-described plurality of embodiments and examples can be further arbitrarily combined. In the photoelectric conversion element according to the embodiment, the signal transmitted when the floating diffusion is reset is described as an example of the reset level. However, the reset level is not limited to this. The reset level is a reference level that serves as a reference for indicating the true charge amount (true signal level by light reception) photoelectrically converted by the light receiving element (photodiode) by light reception for each pixel. That is, the reference level is a level of a signal transmitted for each pixel regardless of light reception (a level of a signal when the pixel is reset). For example, the reference level can also be obtained when the photodiode is reset.

10 光電変換素子
12、12a、12b 変換処理部
14 タイミング制御部
16 パラレルシリアル変換部
40a、40b 画素
50 画像形成装置
60 画像読取装置
70 画像形成部
300a〜300f 第1光電変換部〜第6光電変換部
302a〜302f 第1画素回路列〜第6画素回路列
303、310 遅延メモリ列
304 加算部列
305、308 ADC列
306、309 減算部列
307 アナログメモリ列
312 演算部列
400a、400b 画素回路
403、413、422、423 遅延メモリ
404、426 加算部
420 アナログメモリ部
425 演算部
427 平均化部
428 選択部
430、432 ラインメモリ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Photoelectric conversion element 12, 12a, 12b Conversion process part 14 Timing control part 16 Parallel serial conversion part 40a, 40b Pixel 50 Image forming apparatus 60 Image reading apparatus 70 Image formation part 300a-300f 1st photoelectric conversion part-6th photoelectric conversion Units 302a to 302f first pixel circuit column to sixth pixel circuit column 303, 310 delay memory column 304 adder column 305, 308 ADC column 306, 309 subtractor column 307 analog memory column 312 arithmetic unit column 400a, 400b pixel circuit 403 413, 422, 423 Delay memory 404, 426 Addition unit 420 Analog memory unit 425 Operation unit 427 Averaging unit 428 Selection unit 430, 432 Line memory

特開2010−199989号公報JP 2010-199989 A

Claims (10)

被写体から受光する光の色毎に複数の画素列を構成し、画素内に設けられて光電変換をそれぞれ行う複数の受光素子と、
前記画素がそれぞれリセットされて出力した基準レベルをそれぞれ伝達する複数の第1伝達回路と、
前記受光素子がそれぞれ受光して光電変換することにより出力した信号レベルをそれぞれ伝達する複数の第2伝達回路と、
前記被写体における略同じ位置からの光を異なる時間に受光すべき前記画素それぞれがリセットされて前記第1伝達回路が伝達した基準レベルを前記色毎に加算し、前記被写体における略同じ位置からの光を異なる時間に受光した前記受光素子それぞれが光電変換して前記第2伝達回路が伝達した信号レベルを前記色毎に加算する加算部と、
前記被写体における略同じ位置からの光を受光した複数の前記画素に対し、前記加算部が前記色毎に加算した信号レベルと、前記加算部が前記色毎に加算した基準レベルとの差分を前記色毎に算出する複数の減算部と、
を有し、
前記第1伝達回路及び前記第2伝達回路は、それぞれ構成が略同じであることを特徴とする光電変換素子。
A plurality of light-receiving elements that form a plurality of pixel rows for each color of light received from the subject and that perform photoelectric conversion provided in the pixels,
A plurality of first transmission circuits for transmitting respective reference levels reset and outputted by the pixels;
A plurality of second transmission circuits each transmitting a signal level output by receiving and photoelectrically converting each of the light receiving elements;
The reference level transmitted from the first transmission circuit is reset for each of the pixels that should receive light from substantially the same position in the subject at different times, and light from the substantially same position in the subject is added. An adder for photoelectrically converting each of the light receiving elements that received light at different times and adding the signal level transmitted by the second transmission circuit for each color;
The difference between the signal level added by the adder for each color and the reference level added by the adder for each color for the plurality of pixels receiving light from substantially the same position in the subject is A plurality of subtraction units for each color;
Have
The first transmission circuit and the second transmission circuit have substantially the same configuration, respectively.
前記第1伝達回路は、
前記画素がリセットされて出力した基準レベルをそれぞれ記憶する第1記憶部を有し、
前記第2伝達回路は、
前記受光素子が受光して光電変換することにより出力した信号レベルをそれぞれ記憶する第2記憶部を有し、
前記第1記憶部は、
前記被写体における略同じ位置からの光を最後に受光すべき前記画素が出力した基準レベルが記憶されるまで、前記画素が出力した基準レベルをそれぞれ記憶し、
前記第2記憶部は、
前記被写体における略同じ位置からの光を最後に受光した前記受光素子が出力した信号レベルが記憶されるまで、前記受光素子が出力した信号レベルをそれぞれ記憶すること
を特徴とする請求項1に記載の光電変換素子。
The first transmission circuit includes:
A first storage unit for storing each of the reference levels output by resetting the pixels;
The second transmission circuit includes:
A second storage unit that stores each of the signal levels output by the light receiving element receiving light and performing photoelectric conversion;
The first storage unit
Each of the reference levels output by the pixels is stored until the reference level output by the pixel to be finally received light from substantially the same position in the subject is stored,
The second storage unit
2. The signal level output by the light receiving element is stored until the signal level output by the light receiving element that has received light from substantially the same position in the subject last is stored. Photoelectric conversion element.
前記第1記憶部は、
前記被写体における略同じ位置からの光を前記受光素子のいずれかが受光する毎に、基準レベルを順次に移動させつつ記憶し、
前記第2記憶部は、
前記被写体における略同じ位置からの光を前記受光素子のいずれかが受光する毎に、信号レベルを順次に移動させつつ記憶すること
を特徴とする請求項2に記載の光電変換素子。
The first storage unit
Each time one of the light receiving elements receives light from substantially the same position in the subject, the reference level is sequentially moved and stored,
The second storage unit
The photoelectric conversion element according to claim 2, wherein each time one of the light receiving elements receives light from substantially the same position on the subject, the signal level is stored while being sequentially moved.
前記第1伝達回路は、
前記受光素子毎に設けられた略同じ構成により、基準レベルをそれぞれ伝達し、
前記第2伝達回路は、
前記受光素子毎に設けられた略同じ構成により、信号レベルをそれぞれ伝達すること
を特徴とする請求項2又は3に記載の光電変換素子。
The first transmission circuit includes:
With substantially the same configuration provided for each of the light receiving elements, each transmits a reference level,
The second transmission circuit includes:
4. The photoelectric conversion element according to claim 2, wherein a signal level is transmitted by substantially the same configuration provided for each of the light receiving elements. 5.
前記第1記憶部及び前記第2記憶部は、
それぞれ直列接続可能にされた容量性負荷により、前記加算部の機能を兼ねること
を特徴とする請求項2乃至4のいずれか1項に記載の光電変換素子。
The first storage unit and the second storage unit are
5. The photoelectric conversion element according to claim 2, wherein each of the photoelectric conversion elements also functions as the addition unit by a capacitive load that can be connected in series.
被写体から受光する光の色毎に複数の画素列を構成し、画素内に設けられて光電変換をそれぞれ行う複数の受光素子と、
前記画素がそれぞれリセットされて出力した基準レベルをそれぞれ伝達する複数の第1伝達回路と、
前記受光素子がそれぞれ受光して光電変換することにより出力した信号レベルをそれぞれ伝達する複数の第2伝達回路と、
前記第1伝達回路が伝達した基準レベル、及び前記第2伝達回路が伝達した信号レベルをそれぞれ順次にAD変換するAD変換部と、
前記AD変換部がAD変換した信号レベルと、前記AD変換部がAD変換した基準レベルとの差分を前記画素毎に算出する複数の減算部と、
前記被写体における略同じ位置からの光を異なる時間に受光した複数の前記画素に対し、前記減算部が算出した結果を前記色毎に加算する加算部と、
を有し、
前記第1伝達回路及び前記第2伝達回路は、それぞれ構成が略同じであることを特徴とする光電変換素子。
A plurality of light-receiving elements that form a plurality of pixel rows for each color of light received from the subject and that perform photoelectric conversion provided in the pixels,
A plurality of first transmission circuits for transmitting respective reference levels reset and outputted by the pixels;
A plurality of second transmission circuits each transmitting a signal level output by receiving and photoelectrically converting each of the light receiving elements;
An AD converter that sequentially AD converts the reference level transmitted by the first transmission circuit and the signal level transmitted by the second transmission circuit;
A plurality of subtraction units for calculating a difference between the signal level AD-converted by the AD conversion unit and the reference level AD-converted by the AD conversion unit for each pixel;
An adder that adds the result calculated by the subtractor for each of the plurality of pixels that receive light from substantially the same position in the subject at different times; and
Have
The first transmission circuit and the second transmission circuit have substantially the same configuration, respectively.
前記被写体における略同じ位置からの光を異なる時間に受光した複数の前記画素に対し、光を最後に受光した前記画素の信号レベルと基準レベルの差分が算出されるまで、前記減算部が算出した結果を前記色毎に記憶する記憶部を有すること
を特徴とする請求項6に記載の光電変換素子。
The subtraction unit calculates until the difference between the signal level of the pixel that received light last and the reference level is calculated for a plurality of the pixels that received light from substantially the same position in the subject at different times. The photoelectric conversion element according to claim 6, further comprising a storage unit that stores a result for each color.
前記被写体における略同じ位置からの光を異なる時間に受光した複数の前記画素に対し、前記減算部が算出した結果を前記色毎に平均化する平均化部と、
前記加算部が加算した結果、又は前記平均化部が平均化した結果のいずれを出力するかを選択する選択部と、
を有することを特徴とする請求項6又は7に記載の光電変換素子。
An averaging unit that averages the results calculated by the subtraction unit for each of the plurality of pixels that receive light from substantially the same position in the subject at different times;
A selection unit that selects which of the result of addition by the addition unit or the result of averaging by the averaging unit is output;
The photoelectric conversion element according to claim 6 or 7, characterized by comprising:
請求項1乃至8のいずれか1項に記載の光電変換素子を有すること
を特徴とする画像読取装置。
An image reading apparatus comprising the photoelectric conversion element according to claim 1.
請求項9に記載の画像読取装置と、
前記画像読取装置が読取った画像データに基づく画像を形成する画像形成部と
を有することを特徴とする画像形成装置。
An image reading apparatus according to claim 9,
An image forming apparatus comprising: an image forming unit that forms an image based on image data read by the image reading apparatus.
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