JP6329782B2 - Attaching the protective tape - Google Patents
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Description
本発明は、ウェーハの裏面側に保護テープを貼着する保護テープの貼着方法に関し、特にMEMSウェーハに対する保護テープの貼着方法に関する。 The present invention relates to a method for adhering a protective tape for adhering a protective tape to the back side of a wafer, and particularly to a method for adhering a protective tape to a MEMS wafer.
加速度センサや圧力センサ等のMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)デバイスの製造工程では、分割予定ラインによって格子状に区画されたウェーハ表面の各領域に、MEMSデバイスと呼ばれる微細な3次元構造体が作り込まれたMEMSウェーハが形成される。MEMSウェーハは、ウェーハのハンドリングを容易にするために、ウェーハの裏面に保護テープが貼着され、保護テープを介して環状フレームに支持された状態で加工装置に搬入される。加工装置では、MEMSウェーハが分割予定ラインに沿って切断されることにより、個々のMEMSデバイスに分割される(例えば、特許文献1参照)。 In the manufacturing process of MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) devices such as acceleration sensors and pressure sensors, a fine three-dimensional structure called a MEMS device is built in each region of the wafer surface partitioned in a grid pattern by dividing lines. A rare MEMS wafer is formed. In order to facilitate handling of the wafer, the MEMS wafer is carried into a processing apparatus with a protective tape attached to the back surface of the wafer and supported by the annular frame via the protective tape. In the processing apparatus, the MEMS wafer is cut along a division planned line to be divided into individual MEMS devices (see, for example, Patent Document 1).
ところで、テープマウンタによってウェーハの裏面に保護テープを貼着する際には、ウェーハの表面側がテーブルに保持され、ローラーによってウェーハの裏面に対して端から保護テープが貼着される。しかしながら、特許文献1のMEMSウェーハのように表面側に微細な3次元構造体が作り込まれている場合には、上記のテープマウンタにおいてMEMSウェーハの表面側をテーブルに接触させた状態で保護テープを貼着すると、MEMSデバイスが破損するというおそれがある。単純に保護テープに対してMEMSウェーハを載置することも考えられるが、ウェーハと保護テープの間に気泡が残ってしまうという問題があった。 By the way, when sticking a protective tape on the back surface of a wafer by a tape mounter, the front surface side of the wafer is held on a table, and the protective tape is stuck from the end to the back surface of the wafer by a roller. However, in the case where a fine three-dimensional structure is formed on the surface side as in the MEMS wafer of Patent Document 1, the protective tape with the surface side of the MEMS wafer in contact with the table in the tape mounter described above. If it is attached, the MEMS device may be damaged. Although it is conceivable to simply place the MEMS wafer on the protective tape, there is a problem that air bubbles remain between the wafer and the protective tape.
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、表面に形成されたデバイスの破損を防ぐと共に、保護テープをウェーハの裏面に良好に貼着することができる保護テープの貼着方法を提供することを目的とする。 This invention is made in view of such a point, and while protecting the damage | damage of the device formed in the surface, the sticking method of the protective tape which can adhere | attach a protective tape on the back surface of a wafer favorably The purpose is to provide.
本発明の保護テープの貼着方法は、表面に複数のデバイスが形成されたウェーハの裏面に保護テープを貼着する保護テープの貼着方法であって、保護テープは、加熱により軟化して高分子鎖の隙間を空気が通り抜け易くなるような材質で形成され、保護テープの粘着層側にウェーハ裏面を載置するウェーハ載置ステップと、ウェーハ載置ステップを実施した後に、ウェーハ全面を吸引可能で且つ加熱可能な保持面を備えた吸着テーブルに、保護テープを介してウェーハの裏面側を載置し、ウェーハ裏面全面を加熱すると共に吸引保持し、ウェーハ裏面と保護テープの粘着層の間に侵入した気泡が保護テープの高分子鎖の隙間を通過することで除去されると共にウェーハ裏面に保護テープが貼着される保護テープ加熱吸引ステップと、を備えることを特徴とする。 The method for adhering the protective tape of the present invention is an adhesive tape adhering method for adhering a protective tape to the back surface of a wafer having a plurality of devices formed on the surface, and the protective tape is softened by heating and is highly It is made of a material that makes it easy for air to pass through the gaps in the molecular chain, and the entire wafer surface can be aspirated after the wafer placement step that places the back side of the wafer on the adhesive layer side of the protective tape and the wafer placement step. In addition, the back surface side of the wafer is placed on a suction table having a heatable holding surface through a protective tape, and the entire back surface of the wafer is heated and sucked and held between the back surface of the wafer and the adhesive layer of the protective tape. and a protective tape heating sucking step of protective tape to the wafer back surface is adhered with invading bubbles are removed by passing through the gap of the polymer chains of the protective tape And wherein the door.
この構成によれば、保護テープの粘着層の上にウェーハの裏面が載置された後、吸着テーブルによってウェーハの裏面全面が加熱されながら吸引保持される。このとき、加熱によって保護テープが軟化して保護テープの高分子鎖の隙間が広がり易くなり、吸引によってウェーハと保護テープとの間にとり残された気泡内の空気が高分子鎖の隙間に引き込まれる。気泡内の空気は軟化した保護テープの高分子鎖の隙間を通過して吸着テーブル側に吸引され、最終的に気泡内の空気が全て取り除かれる。これにより、保護テープとウェーハとの間に残った気泡が除去されて保護テープとウェーハが密着される。このように、デバイスの破損を防止するために保護テープに対してウェーハの裏面側を載置する場合であっても、保護テープをウェーハに良好に貼着することができる。 According to this configuration, after the back surface of the wafer is placed on the adhesive layer of the protective tape, the entire back surface of the wafer is sucked and held by the suction table. At this time, the protective tape is softened by heating and the gap between the polymer chains of the protective tape is easily expanded, and the air in the air bubbles left between the wafer and the protective tape is drawn into the gap between the polymer chains by suction. . The air in the bubbles passes through the gap between the polymer chains of the softened protective tape and is sucked to the suction table side, and finally all the air in the bubbles is removed. Thereby, bubbles remaining between the protective tape and the wafer are removed, and the protective tape and the wafer are brought into close contact with each other. Thus, even if it is a case where the back surface side of a wafer is mounted with respect to a protective tape in order to prevent damage to a device, a protective tape can be favorably stuck to a wafer.
本発明によれば、保護テープを介してウェーハの裏面全面を加熱しながら吸引することにより、表面に形成されたデバイスの破損を防ぎつつ、保護テープをウェーハの裏面に良好に貼着することができる。 According to the present invention, by sucking while heating the entire back surface of the wafer through the protective tape, the protective tape can be satisfactorily adhered to the back surface of the wafer while preventing damage to the device formed on the front surface. it can.
以下、添付図面を参照して、本実施の形態に係る保護テープの貼着方法について説明する。本実施の形態に係る保護テープの貼着方法では、保護テープにウェーハを載置したことによって保護テープとウェーハの間に残った気泡を、保護テープとウェーハの間から除去するものである。図1は、本実施の形態に係るウェーハ載置ステップの一例を示す図である。図2は、本実施の形態に係る保護テープが貼着された状態のウェーハの断面図である。図3は、本実施の形態に係る保護テープ加熱吸引ステップの一例を示す図である。 Hereinafter, a method for attaching a protective tape according to the present embodiment will be described with reference to the accompanying drawings. In the method for attaching a protective tape according to the present embodiment, air bubbles remaining between the protective tape and the wafer due to the wafer being placed on the protective tape are removed from between the protective tape and the wafer. FIG. 1 is a diagram illustrating an example of a wafer placement step according to the present embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view of the wafer in a state where the protective tape according to the present embodiment is attached. FIG. 3 is a diagram showing an example of the protective tape heating and sucking step according to the present embodiment.
なお、図2Aは、ウェーハ全体の断面図を示し、図2Bは図2Aの部分拡大図を示している。図3Aは、ウェーハ全体の加熱吸引状態を示し、図3B及び図3Cは図3Aの部分拡大図を示している。また、本実施の形態に係る保護テープの貼着方法は、加熱吸引によってウェーハと保護テープの間に残された気泡を除去する構成であれば、以下に示す構成に限定されない。 2A shows a sectional view of the entire wafer, and FIG. 2B shows a partially enlarged view of FIG. 2A. FIG. 3A shows a heated and sucked state of the entire wafer, and FIGS. 3B and 3C show partially enlarged views of FIG. 3A. In addition, the method for attaching the protective tape according to the present embodiment is not limited to the following configuration as long as it is configured to remove bubbles left between the wafer and the protective tape by heat suction.
図1に示すように、先ず、ウェーハ載置ステップが実施される。ウェーハ載置ステップでは、環状フレーム17に貼られた保護テープ14の上方にウェーハWが位置付けられ、保護テープ14の粘着層16(図2B参照)側にウェーハWの裏面11が載置される。ウェーハWは略円板状に形成されており、ウェーハWの表面10は複数の分割予定ライン(不図示)によって格子状に区画されている。分割予定ラインによって区画された各領域には、MEMSデバイス(デバイス)12と呼ばれる微細な3次元構造体が配設されている。また、ウェーハWの外縁には、結晶方位を示すノッチ13が形成されている。
As shown in FIG. 1, first, a wafer mounting step is performed. In the wafer mounting step, the wafer W is positioned above the
また、保護テープ14は、ポリオレフィン(PO)等の合成樹脂のテープ基材15の上面に、UV硬化型の粘着層16が積層されている(図2B参照)。図2Aに示すように、保護テープ14上にウェーハWが載置されると、保護テープ14を介して環状フレーム17にウェーハWが支持され、ウェーハWの搬送時のハンドリング性が向上される。このように、ウェーハ載置ステップにおいては、MEMSデバイス12が形成されたウェーハWの表面10をテーブル等に接触させることなく、ウェーハWの裏面11に保護テープ14が貼着される。
The
しかしながら、図2Bに示すように、ウェーハWを保護テープ14に載置したときに、空気の逃げ道が塞がれることによって、ウェーハWの裏面11と保護テープ14の粘着層16の間に無数の気泡18が残される。この無数の気泡18によってウェーハWの裏面11と保護テープ14の粘着層16の密着性が悪くなり、後段の工程において不具合が生じるおそれがある。本実施の形態では、後段の工程においてウェーハWが加工される前に、保護テープ加熱吸引ステップにおいてウェーハWと保護テープ14の粘着層16との間の気泡18を取り除くようにしている。
However, as shown in FIG. 2B, when the wafer W is placed on the
なお、本実施の形態においては、ウェーハWとして表面10にMEMSデバイス12(図1参照)が形成されたMEMSウェーハを例に挙げて説明するが、この構成に限定されない。ウェーハWは、例えば、表面に固体撮像素子として、CMOSが形成されたCMOSウェーハでもよい。また、ウェーハWは、シリコン、ガリウム砒素等の半導体基板にIC、LSI等のデバイスが形成された半導体ウェーハでもよいし、セラミック、ガラス、サファイア系の無機材料基板にLED等の光デバイスが形成された光デバイスウェーハでもよい。
In the present embodiment, a MEMS wafer in which the MEMS device 12 (see FIG. 1) is formed on the
なお、保護テープ14のテープ基材15及び粘着層16は加熱によって軟化して、テープ基材15及び粘着層16を構成する高分子鎖の隙間を空気が通り抜け易くなるような材質で形成されていればよい。また、ウェーハ載置ステップは、手動で実施されてもよいし、不図示のテープマウンタ等によって自動で実施されてもよい。
Note that the
図3Aに示すように、ウェーハ載置ステップの後には、保護テープ加熱吸引ステップが実施される。保護テープ加熱吸引ステップでは、保護テープ14を介して環状フレーム17に貼着されたウェーハWが吸着テーブル2の保持面23に載置され、クランプ部27によってウェーハWの周囲の環状フレーム17が挟持固定される。吸着テーブル2の保持面23は、テーブル本体20の円形凹部21に嵌め込まれた多孔質板22の上面で形成されており、吸着テーブル2内の吸引路25を介して吸引源26に接続されている。吸着テーブル2では、この多孔質板22の保持面23に生じる負圧によってウェーハWが吸引保持される。
As shown in FIG. 3A, after the wafer placement step, a protective tape heating and sucking step is performed. In the protective tape heating and sucking step, the wafer W attached to the
また、多孔質板22の内部には、保持面23に保持されたウェーハWの裏面11全体を、保護テープ14を介して加熱するヒーター24が埋設されている。ヒーター24は、ウェーハWの裏面11を均一に加熱可能なように、多孔質板22の全体にわたって設けられている。ヒーター24によって保護テープ14が加熱されることで、保護テープ14が軟化してテープ内の微細な空気の通り路が広がり易くなっている。ヒーター24によってウェーハWの裏面11全体が加熱されると共に、保持面23によってウェーハWの裏面11全体が吸引されることで、ウェーハWの裏面11と保護テープ14の粘着層16との間の気泡18(図3B参照)から空気を抜け易くしている。
In addition, a heater 24 is embedded in the
より詳細には、図3Bに示すように、ウェーハWの裏面11が加熱吸引されると、加熱によって粘着層16及びテープ基材15の高分子鎖の隙間が広がり易くなり、気泡18内の圧力も高まって気泡18の空気が外部にリークし易い環境になる。また、保持面23による吸引によって、気泡18内の空気が保護テープ14の高分子鎖の隙間に引き込まれて、空気が通過できるあらゆる隙間を通って空気が保持面23側に流出する。このようにして、ウェーハWと保護テープ14との間に残された(侵入した)気泡18の空気が、圧力の低い方に粘着層16及びテープ基材15の高分子鎖の微細な隙間を通って保持面23側に少しずつ抜け始める。
More specifically, as shown in FIG. 3B, when the
そして、図3Cに示すように、気泡18内の空気が保持面23側に抜け出すことで、ウェーハWと保護テープ14の間の気泡18が徐々に小さくなる。気泡18内から空気が完全に抜けて、保護テープ14とウェーハWとの間に残った気泡18が除去されると、ウェーハWの裏面11に保護テープ14の粘着層16が密着される。このように、MEMSデバイス12の破損を防止するために保護テープ14に対してウェーハWの裏面11側を載置する場合であっても、ウェーハWに保護テープ14が良好に貼着される。
Then, as shown in FIG. 3C, the air in the
なお、加熱吸引によって保護テープ14とウェーハWの間の気泡18が完全に除去されない場合であっても、気泡18内から空気が抜けて真空状態になっていれば、ウェーハWに対する吸引保持が解除されたときに気泡18が除去される。すなわち、真空状態の気泡18が、保護テープ14の外部の大気圧によって押し潰されて、ウェーハWの裏面11に保護テープ14の粘着層16が密着される。また、保護テープ14とウェーハWの間に含まれる目に見えない気泡についても除去されるため、ウェーハWに対する保護テープ14の密着性を高めることができる。
Even if the
ここで、本件出願人により、保護テープ14としてポリオレフィン(PO)にUV硬化型の粘着剤を塗布したものを使用し、保持面23の温度を60°Cに保ちつつ、ウェーハWの裏面11全体を約15分間吸引し続けて、加熱吸引ステップが実施された。この結果、ウェーハWに対する保護テープ14の良好な密着性が確認された。
Here, the present applicant uses a
以上のように、本実施の形態に係る保護テープ14の貼着方法によれば、保護テープ14の粘着層16の上にウェーハWの裏面11が載置された後、吸着テーブル2によってウェーハWの裏面11全面が加熱されながら吸引保持される。このとき、加熱によって保護テープ14が軟化して保護テープ14の高分子鎖の隙間が広がり易くなり、吸引によってウェーハWと保護テープ14との間にとり残された気泡18内の空気が高分子鎖の隙間に引き込まれる。気泡18内の空気は軟化した保護テープ14の高分子鎖の隙間を通過して吸着テーブル2側に抜け出し、最終的に気泡18内の空気が全て取り除かれる。これにより、保護テープ14とウェーハWとの間に残った気泡18が除去されて保護テープ14とウェーハWが密着される。このように、MEMSデバイス12の破損を防止するために保護テープ14に対してウェーハWの裏面11側を載置する場合であっても、保護テープ14をウェーハWに良好に貼着することができる。
As described above, according to the method for attaching the
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。 In addition, this invention is not limited to the said embodiment, It can change and implement variously. In the above-described embodiment, the size, shape, and the like illustrated in the accompanying drawings are not limited to this, and can be appropriately changed within a range in which the effect of the present invention is exhibited. In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the object of the present invention.
例えば、上記した実施の形態において、保護テープ14を介して環状フレーム17に支持されたウェーハWを例示して説明したが、この構成に限定されない。本発明は、保護テープ14が貼着されたウェーハWに適用可能であり、ウェーハWが環状フレーム17に支持されていなくてもよい。
For example, in the above-described embodiment, the wafer W supported by the
また、上記した実施の形態において、吸着テーブル2は、多孔質板22にヒーター24を埋設して加熱吸引する構成としたが、この構成に限定されない。吸着テーブル2は、保護テープ14及びウェーハWを加熱吸引できればよく、多孔質板22の下面にヒーター24を配設して加熱吸引する構成にしてもよい。
Further, in the above-described embodiment, the adsorption table 2 is configured to embed the heater 24 in the
また、上記した実施の形態において、ウェーハ載置ステップにおいて、保護テープ14にウェーハWが載置された後に、ウェーハWが吸着テーブル2に載置される構成としたが、この構成に限定されない。ウェーハ載置ステップは、吸着テーブル2上で実施されてもよい。例えば、粘着層16を上方に向けた状態で保護テープ14を保持面23上で吸引保持し、この状態で保護テープ14の粘着層16にウェーハWを載置する構成にしてもよい。
In the embodiment described above, the wafer W is placed on the suction table 2 after the wafer W is placed on the
以上説明したように、本発明は、表面に形成されたデバイスの破損を防ぐと共に、保護テープをウェーハの裏面に良好に貼着することができるという効果を有し、特に、MEMSデバイスを配設したウェーハの裏面側に保護テープを貼着する保護テープの貼着方法に有用である。 As described above, the present invention has the effect of preventing damage to the device formed on the front surface and satisfactorily adhering the protective tape to the back surface of the wafer. In particular, the MEMS device is disposed. It is useful for a method of attaching a protective tape for attaching a protective tape to the back side of the wafer.
W ウェーハ
10 ウェーハの表面
11 ウェーハの裏面
12 MEMSデバイス(デバイス)
14 保護テープ
15 テープ基材
16 粘着層
18 気泡
2 吸着テーブル
23 保持面
24 ヒーター
DESCRIPTION OF
Claims (1)
該保護テープは、加熱により軟化して高分子鎖の隙間を空気が通り抜け易くなるような材質で形成され、
該保護テープの粘着層側にウェーハ裏面を載置するウェーハ載置ステップと、
該ウェーハ載置ステップを実施した後に、ウェーハ全面を吸引可能で且つ加熱可能な保持面を備えた吸着テーブルに、該保護テープを介してウェーハの裏面側を載置し、ウェーハ裏面全面を加熱すると共に吸引保持し、ウェーハ裏面と該保護テープの粘着層の間に侵入した気泡が該保護テープの高分子鎖の隙間を通過することで除去されると共にウェーハ裏面に該保護テープが貼着される保護テープ加熱吸引ステップと、
を備える保護テープの貼着方法。 A method of attaching a protective tape, wherein a protective tape is attached to the back surface of a wafer having a plurality of devices formed on the surface,
The protective tape is formed of a material that is softened by heating so that air can easily pass through the gaps between the polymer chains.
A wafer mounting step of mounting the back surface of the wafer on the adhesive layer side of the protective tape;
After performing the wafer mounting step, the back surface of the wafer is mounted on the suction table having a holding surface capable of suctioning and heating the entire wafer surface, and the entire back surface of the wafer is heated via the protective tape. At the same time, air bubbles that have entered between the wafer back surface and the adhesive layer of the protective tape are removed by passing through the gap between the polymer chains of the protective tape, and the protective tape is attached to the back surface of the wafer. A protective tape heating suction step;
A method for attaching a protective tape comprising:
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