JP6310676B2 - Electron beam application apparatus and defect classification method using the same - Google Patents
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Description
本発明は、デバイス等の製造過程で生じた微小な欠陥を電子線応用装置で観察して元素組成で分類する電子線応用装置及びそれを用いた欠陥分類方法に関する。 The present invention relates to an electron beam application apparatus for observing minute defects generated in a manufacturing process of a device or the like with an electron beam application apparatus and classifying them by elemental composition, and a defect classification method using the electron beam application apparatus.
半導体デバイス、液晶デバイス、ハードディスク等の微細パターンを形成する技術は、加工工程数が数百工程に及ぶ非常に多くのステップのプロセスにより構成されている。プロセスの不良により、微細パターン上や成膜上に欠陥が生じると、デバイスの製造不良が多量に発生する場合があり、デバイス製造の歩留り維持および向上のために、継続的に不良原因を特定し対策を実施する必要がある。そのため、主要プロセス毎に異物や配線の断線などを検査して、デバイスの欠陥を監視する。一般に、検査装置は異物検査や外観検査等の光学応用装置を用いるが、スループットの制約がある。そのため、検査対象の工程の絞り込みや抜き打ち検査を用いて、欠陥の個数や密度をモニタして欠陥を監視している。 A technique for forming a fine pattern such as a semiconductor device, a liquid crystal device, and a hard disk is constituted by a process having a very large number of steps including several hundred processes. If a defect occurs on a fine pattern due to a process defect, a large number of device manufacturing defects may occur.To maintain and improve the yield of device manufacturing, the cause of the defect is continuously identified. Countermeasures need to be implemented. Therefore, the defect of the device is monitored by inspecting the foreign matter and the disconnection of the wiring for each main process. In general, an inspection apparatus uses an optical application apparatus such as a foreign substance inspection or an appearance inspection, but has a limitation in throughput. For this reason, defects are monitored by monitoring the number and density of defects by narrowing down the process to be inspected or by using a spot inspection.
さらに、検査装置により検出した欠陥座標のレビュー装置により、欠陥の解析分類をおこなうことがある。特に走査電子顕微鏡を用いたレビュー装置では、欠陥の高倍観察像と元素の解析をおこなう。一般に、元素の解析は、電子ビーム照射時に発生する特性X線の波長の組み合わせにより、元素を推定する手法を用いており、ウェハを破壊することなく簡便に欠陥の元素を推定することができる。さらに、欠陥の元素を推定することは、製造工程における欠陥の発生原因を特定し、欠陥発生防止策を打つ上で非常に重要である。 In addition, defect analysis and classification may be performed by a defect coordinate review device detected by an inspection device. In particular, in a review apparatus using a scanning electron microscope, a high-magnification observation image of a defect and elements are analyzed. In general, the element analysis uses a technique for estimating an element based on a combination of wavelengths of characteristic X-rays generated during electron beam irradiation, and a defect element can be easily estimated without destroying a wafer. Furthermore, estimating the element of the defect is very important in identifying the cause of the occurrence of the defect in the manufacturing process and taking measures to prevent the occurrence of the defect.
レビュー装置は、試料を保持するステージと、電子ビームを試料上に集束する電子光学カラムと、該試料から放出される2次電子を電気信号に変換する2次電子検出器と、該2次電子検出器が出力する電気信号をデジタル画像に変換する画像生成システムを備えた走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope: SEM)と、該デジタル画像から観察対象の座標と形状特徴量を解析する画像処理システムで構成される。レビュー装置は、異物検査装置と外観検査装置で検出した検査データを取り込んで、自動的に異物・欠陥の高精細な観察像を取得することができる。 The review apparatus includes a stage for holding a sample, an electron optical column that focuses an electron beam on the sample, a secondary electron detector that converts secondary electrons emitted from the sample into an electrical signal, and the secondary electrons. A scanning electron microscope (SEM) having an image generation system that converts an electrical signal output from a detector into a digital image, and an image processing system that analyzes the coordinates and shape features of an observation object from the digital image Consists of. The review device can acquire inspection data detected by the foreign matter inspection device and the appearance inspection device, and can automatically obtain a high-definition observation image of the foreign matter / defect.
特許文献1では、レビュー装置は、該観察対象の座標に該電子ビームを照射する偏向システムと、該試料から放出されるX線を電気信号に変換するX線検出器と、X線検出器が出力する電気信号をX線エネルギースペクトルのデジタル波形に変換する波形生成システムと、該デジタル波形から特性X線の波長を抽出するピーク検出システムと、該特性X線とデータベースを照合して元素を推定する元素検索システムを追加する。X線検出器は、半導体検出器(シリコン検出器やシリコンドリフト検出器など)とマイクロカロリーメータなどである。X線検出器が出力する電気信号をX線エネルギースペクトルのデジタル波形に変換する波形生成システムは、エネルギー分散型と波長分散型などである。X線検出器と波形生成システムの組み合わせにより、X線のカウンティング速度とエネルギー分解能などが異なる。
In
ピーク検出システムは、X線エネルギースペクトルのデジタル波形から特性X線の波長を抽出する。元素検索システムは、周期表の各元素に対する特性X線の波長の組み合わせをデータベースに記憶し、電子ビームの試料への照射時に発生するX線スペクトルから抽出した特性X線の波長とデータベースとを照合し、対応する元素とスペクトルのピーク位置を表示する機能を備えており、オペレータはX線を放射した試料部位に含まれる元素・組成を推定することができる。これにより、レビュー装置は、電子ビーム照射時に発生する特性X線を検出し、そのエネルギーと強度から、微小領域の元素と濃度を調べる元素分析手法を備えることが可能である。 The peak detection system extracts the characteristic X-ray wavelength from the digital waveform of the X-ray energy spectrum. The element search system stores the combination of characteristic X-ray wavelengths for each element in the periodic table in a database, and collates the database with the characteristic X-ray wavelengths extracted from the X-ray spectrum generated when the sample is irradiated with an electron beam. In addition, the function of displaying the corresponding element and the peak position of the spectrum is provided, and the operator can estimate the element / composition contained in the sample portion that has emitted X-rays. As a result, the review apparatus can be provided with an elemental analysis method for detecting characteristic X-rays generated at the time of electron beam irradiation and examining the element and concentration in a minute region from the energy and intensity.
5kVの加速電圧で分析を行うと、炭素とフッ素などの軽元素は、特性X線が0.3〜0.7kVであるため効率良く検出されるが、銅と鉄などの重金属は特性X線が6〜8kVであるため検出不可能である。一方、15kVの加速電圧で分析を行うと、重元素は効率良く検出されるが、軽元素は特性X線の相対強度が低下する。特許文献2は、低加速電圧で一度元素分析を行い軽元素を検出し、加速電圧を上げ高加速にして再度元素分析を行い、重元素の検出を行う方法を開示する。 When analyzed at an acceleration voltage of 5 kV, light elements such as carbon and fluorine are efficiently detected because the characteristic X-ray is 0.3 to 0.7 kV, but heavy metals such as copper and iron have a characteristic X-ray of 6 to Since it is 8kV, it cannot be detected. On the other hand, when analysis is performed at an acceleration voltage of 15 kV, heavy elements are detected efficiently, but light elements decrease the relative intensity of characteristic X-rays. Patent Document 2 discloses a method of detecting heavy elements by performing elemental analysis once at a low acceleration voltage to detect light elements, increasing the acceleration voltage to high acceleration, performing elemental analysis again, and detecting heavy elements.
半導体デバイスの微細化の進行に伴い、検査装置により検出した欠陥のレビュー装置に対して、より微細な欠陥の元素と濃度をより簡便に調べる機能が求められる。しかし、微細な欠陥に電子ビームを照射すると、透過して特性X線の相対強度が低下する。一方、特性X線の相対強度を低下させないために、電子ビームの加速を低下すると、高エネルギーの特性X線が発生しない。さらに、低エネルギーの特性X線だけで元素を推定する場合でさえ、X線検出器と波形生成システムの組み合わせに依存したエネルギー分解能が不足して、特性X線ピークのオーバーラップにより元素が特定できない場合がある。このように、検出したい特性X線の元素と欠陥のサイズを考慮して電子ビームの加速を適切に設定する必要があるが、特性X線検出前にすべての元素を推定することはできない。 Along with the progress of miniaturization of semiconductor devices, a function for more easily examining the elements and concentrations of finer defects is required for the defect review apparatus detected by the inspection apparatus. However, when a minute defect is irradiated with an electron beam, it is transmitted and the relative intensity of characteristic X-rays decreases. On the other hand, if the acceleration of the electron beam is reduced in order not to reduce the relative intensity of characteristic X-rays, high-energy characteristic X-rays are not generated. Furthermore, even when estimating elements using only low-energy characteristic X-rays, the energy resolution that depends on the combination of the X-ray detector and waveform generation system is insufficient, and the elements cannot be identified due to the overlap of characteristic X-ray peaks. There is a case. As described above, it is necessary to appropriately set the acceleration of the electron beam in consideration of the element of the characteristic X-ray to be detected and the size of the defect, but it is impossible to estimate all the elements before the characteristic X-ray detection.
一方、特許文献2には、低加速電圧の元素分析で軽元素を検出し、加速電圧を上げて高加速の元素分析により重元素を検出することが記載されている。しかし、特許文献2に記載されている方法では、試料上の観察点を移動する度に、かつ低加速と高加速を切り替える度に、X線スペクトルから抽出した特性X線の波長とデータベースとを照合し、対応する元素とスペクトルのピーク位置を表示する機能を使って、オペレータはX線を放射した試料部位に含まれる元素を推定しなければならない。 On the other hand, Patent Document 2 describes that a light element is detected by elemental analysis at a low acceleration voltage, and a heavy element is detected by elemental analysis at a high acceleration by increasing the acceleration voltage. However, in the method described in Patent Document 2, the wavelength of the characteristic X-ray extracted from the X-ray spectrum and the database each time the observation point on the sample is moved and each time switching between low acceleration and high acceleration is performed. Using the function of matching and displaying the corresponding element and the peak position of the spectrum, the operator must estimate the element contained in the sample site that emitted X-rays.
本発明は、上記した従来技術の課題を解決して、レビュー装置に、検査装置で検出した欠陥座標における微細な欠陥の元素と濃度を簡便に調べる機能を新たに付加するものである。 The present invention solves the above-described problems of the prior art and newly adds a function of simply examining the element and the concentration of fine defects in the defect coordinates detected by the inspection apparatus to the review apparatus.
上記した課題を解決するために、本発明では、電子線応用装置を、予め他の検査装置で欠陥が検出された試料を載置して平面内で移動可能なステージ部と、このステージ部に載置した試料上に電子ビームを集束させて照射する電子光学系と、この電子光学系により集束させた電子ビームが照射された試料から発生した2次電子を検出する2次電子検出器と、この2次電子検出器で2次電子を検出した信号を受けて試料の2次電子像を生成してこの生成した2次電子像を処理する画像生成・処理部と、電子光学系により集束させた電子ビームが照射された試料上の欠陥から発生したX線を検出するX線検出器と、このX線検出器で試料から発生したX線を検出して得た信号から特性X線のピーク波長の情報を用いてX線を発生させた欠陥の元素を検索する元素検索部と、ステージ部と電子光学系と画像生成・処理部と元素検索部とを制御する制御部とを備えて構成し、電子光学系は試料上に照射する電子ビームの加速エネルギーを制御する制御電極を備え、制御部は、元素検索部と制御電極とを制御して、制御電極で第1の加速エネルギーに制御された電子ビームを試料上の欠陥に照射させて検出したX線検出信号を元素検索部で処理して、第1の加速エネルギーに制御された電子ビームを照射した欠陥のうち、元素間でオーバーラップする特性X線のピーク波長を有する欠陥を、制御電極で第2の加速エネルギーに制御された電子ビームを照射してX線を検出する欠陥として抽出するようにした。 In order to solve the above-described problems, in the present invention, an electron beam application apparatus is mounted on a stage unit on which a sample in which a defect is previously detected by another inspection apparatus can be placed and moved in a plane. An electron optical system for focusing and irradiating an electron beam on the placed sample; a secondary electron detector for detecting secondary electrons generated from the sample irradiated with the electron beam focused by the electron optical system; The secondary electron detector receives a signal for detecting secondary electrons, generates a secondary electron image of the sample, and processes the generated secondary electron image, and the electron optical system focuses the image. X-ray detector for detecting X-rays generated from defects on the specimen irradiated with the electron beam, and a peak of characteristic X-rays from a signal obtained by detecting X-rays generated from the sample with this X-ray detector Defect element that generated X-rays using wavelength information It comprises an element search unit for searching, a control unit for controlling the stage unit, the electron optical system, the image generation / processing unit, and the element search unit. The control unit controls the element search unit and the control electrode, and the defect detected on the sample is detected by irradiating the electron beam controlled to the first acceleration energy by the control electrode. Among the defects irradiated with the electron beam controlled to the first acceleration energy by processing the line detection signal by the element search unit, defects having characteristic X-ray peak wavelengths overlapping between elements are detected by the control electrode. An electron beam controlled to the second acceleration energy is irradiated and extracted as a defect for detecting X-rays.
また、上記した課題を解決するために、本発明では、予め他の検査装置で欠陥が検出さ
れた試料を平面内で移動可能なステージ部に載置し、このステージ部に載置した試料上に
電子光学系で電子ビームを集束させて照射し、集束させた電子ビームが照射された試料か
ら発生した2次電子を2次電子検出器で検出し、2次電子を検出した2次電子検出器から
の信号を受けて試料の2次電子像を生成し、この生成した2次電子像を処理して欠陥を検
出し、集束させた電子ビームが照射された試料上の欠陥から発生したX線をX線検出器で
検出し、このX線検出器で試料から発生したX線を検出して得た信号から特性X線のピー
ク波長の情報を用いてX線を発生させた欠陥の元素を検索する電子線応用装置を用いた欠
陥の分類方法において、集束させた電子ビームを第1の加速エネルギーに制御して試料上の欠陥に照射させることにより欠陥から発生したX線を検出して得たX線検出信号を処理して、第1の加速エネルギーに制御された電子ビームを照射した欠陥のうち、元素間でオーバーラップする特性X線のピーク波長を有する欠陥を、第2の加速エネルギーに制御された電子ビームを照射してX線を検出する欠陥として抽出するようにした。
Further, in order to solve the above-described problems, in the present invention, a sample in which a defect is detected in advance by another inspection apparatus is placed on a stage unit movable in a plane, and the sample placed on the stage unit is placed on A secondary electron detector that detects a secondary electron by detecting a secondary electron by detecting a secondary electron generated from a sample irradiated with the focused electron beam by an electron optical system. A secondary electron image of the sample is generated in response to a signal from the vessel, the generated secondary electron image is processed to detect a defect, and X generated from the defect on the sample irradiated with the focused electron beam The element of the defect which generated the X-ray using the information of the peak wavelength of the characteristic X-ray from the signal obtained by detecting the X-ray with the X-ray detector and detecting the X-ray generated from the sample with this X-ray detector in defect classification method using an electron beam apparatus for searching for, focusing of And the electron beam processing the first X-ray detection signal obtained by detecting the X-rays generated from the defect by irradiation control to the defects on the specimen to the acceleration energy, control the first acceleration energy of the defects was irradiated with electron beam, a defect having a peak wavelength of characteristic X-rays overlap between elements, as defects by irradiating an electron beam is controlled to the second acceleration energy detecting the X-rays was so that issuing extraction.
本発明によれば、レビュー装置において、他の検査装置で検出した微細な欠陥の元素と濃度を簡便に調べることが可能になった。その結果、製造工程における欠陥の発生原因を特定し、欠陥発生防止策を打つ上で有効な解析手段を提供することができるようになった。 According to the present invention, it is possible to easily check the element and concentration of fine defects detected by other inspection apparatuses in a review apparatus. As a result, it has become possible to provide an effective analysis means for identifying the cause of the occurrence of defects in the manufacturing process and taking measures to prevent the occurrence of defects.
本発明は、レビュー装置は、異物検査装置と外観検査装置で検出した検査データを取り込んで、自動的に異物・欠陥の高精細な観察像をSEMで取得することができるレビュー装置に関し、さらに走査電子顕微鏡を用いて電子ビーム照射時に発生する特性X線を検出し、そのエネルギーと強度から、微小領域の元素と濃度を調べる元素分析手法に関する。 The present invention relates to a review apparatus, which can take in inspection data detected by a foreign substance inspection apparatus and an appearance inspection apparatus, and can automatically obtain a high-definition observation image of a foreign substance / defect with an SEM. The present invention relates to an elemental analysis method for detecting characteristic X-rays generated during electron beam irradiation using an electron microscope and examining the element and concentration in a minute region from the energy and intensity.
本発明によるレビュー装置は、試料を保持するステージと、電子ビームを試料上に集束する電子光学カラムと、試料から放出される2次電子を電気信号に変換する2次電子検出器と、この2次電子検出器が出力する電気信号をデジタル画像に変換する画像生成システムを備えたSEMと、SEMで取得したデジタル画像から観察対象の座標と形状特徴量を解析する画像処理システムを備えて構成され、異物検査装置と外観検査装置で検出した検査データを取り込んで、異物・欠陥の高精細な観察像を取得することができる。 The review apparatus according to the present invention includes a stage for holding a sample, an electron optical column for focusing an electron beam on the sample, a secondary electron detector for converting secondary electrons emitted from the sample into an electric signal, SEM equipped with an image generation system that converts the electrical signal output by the secondary electron detector into a digital image, and an image processing system that analyzes the coordinates and shape features of the observation object from the digital image acquired by the SEM The inspection data detected by the foreign substance inspection apparatus and the appearance inspection apparatus can be taken in, and a high-definition observation image of the foreign substance / defect can be acquired.
さらに、レビュー装置は、該観察対象の座標に電子ビームを照射する偏向システムと、試料から放出されるX線を電気信号に変換するX線検出器と、X線検出器が出力する電気信号を、X線エネルギースペクトルのデジタル波形に変換する波形生成システムと、デジタル波形から特性X線の波長を抽出するピーク検出システムと、特性X線とデータベースを照合して元素を推定する元素検索システムを備える。 Further, the review device includes a deflection system that irradiates the observation target coordinates with an electron beam, an X-ray detector that converts X-rays emitted from the sample into an electrical signal, and an electrical signal output by the X-ray detector. , Equipped with a waveform generation system that converts X-ray energy spectrum into a digital waveform, a peak detection system that extracts the characteristic X-ray wavelength from the digital waveform, and an element search system that collates the characteristic X-ray with the database to estimate the element .
これにより、元素検索システムは、周期表の各元素に対する特性X線の波長の組み合わせは観察データベースに記憶し、電子ビームの試料への照射時に発生するX線スペクトルから抽出した特性X線の波長とデータベースとを照合し、対応する元素とスペクトルのピーク位置を表示する機能を備えており、オペレータはX線を放射した試料部位に含まれる元素・組成を推定することができる。 In this way, the element search system stores the combination of the characteristic X-ray wavelengths for each element in the periodic table in the observation database, and the characteristic X-ray wavelength extracted from the X-ray spectrum generated when the electron beam is irradiated onto the sample. A function of collating with the database and displaying the corresponding element and the peak position of the spectrum is provided, and the operator can estimate the element / composition contained in the sample region that emitted X-rays.
このレビュー装置は、該電子ビームを第1加速に設定する手段と、複数の観察点に自動的に移動して該電子ビームを照射するステージ制御手段を備え、該デジタル画像と該デジタル波形により構成される観察点毎の計測データのリストを作成し保持するとともに、各観察点に対して、該デジタル画像から該画像処理システムにより解析した欠陥サイズや欠陥種などの観察対象の形状特徴量リストと該デジタル波形より該ピーク検出システムと該元素検索システムにより抽出した第1元素リストを作成して保持する。さらに、該電子ビームを第2加速に変更する手段と、複数の観察点に自動的に移動して該電子ビームを照射するステージ制御手段と、該ピーク検出システムと該元素検索システムにより、各観察点に対して、第2元素リストを作成して保持する。各観察点に対して、計測データのリストと形状特徴量リストと第1元素リストと第2元素リストを紐付けした観察データベースを作成する。 The review apparatus includes means for setting the electron beam to a first acceleration, and stage control means for automatically moving to a plurality of observation points and irradiating the electron beam, and is constituted by the digital image and the digital waveform. A list of measurement data for each observation point is created and maintained, and for each observation point, a list of shape features of an observation target such as a defect size and a defect type analyzed from the digital image by the image processing system; A first element list extracted from the digital waveform by the peak detection system and the element search system is created and held. Furthermore, each observation is performed by means for changing the electron beam to the second acceleration, stage control means for automatically moving to a plurality of observation points and irradiating the electron beam, the peak detection system, and the element retrieval system. Create and maintain a second element list for the points. For each observation point, an observation database in which a measurement data list, a shape feature amount list, a first element list, and a second element list are linked is created.
上記観察データベースから観察点毎に、第1元素リストと第2元素リストを読み出して、電子ビーム加速と欠陥サイズなどに依存する特性X線の検出限界を考慮して元素を推定して第3元素リストを作成する。第3元素リストは各観察点と紐付けして上記観察データベースに追加する。 The first element list and the second element list are read from the observation database for each observation point, the element is estimated in consideration of the detection limit of characteristic X-rays depending on the electron beam acceleration and the defect size, and the third element. Create a list. The third element list is associated with each observation point and added to the observation database.
特に、電子ビーム加速を上げると検出できない未検出元素が第1元素リストと第2元素リストの間に存在する観察点は、形状特徴量リストから欠陥サイズを読み出して、特性X線の検出ができる電子ビーム加速の閾値を算出し、第1加速と第2加速のどちらかが閾値を越えている場合は、第3元素リストに未検出元素を追加する。 In particular, at an observation point where an undetected element that cannot be detected by increasing electron beam acceleration exists between the first element list and the second element list, the defect size is read from the shape feature amount list, and characteristic X-rays can be detected. An electron beam acceleration threshold value is calculated, and if either the first acceleration or the second acceleration exceeds the threshold value, an undetected element is added to the third element list.
第1加速は第2加速よりも低加速に設定し、低加速ビームの試料への照射時に発生するX線スペクトルから抽出した特性X線の波長とデータベースとを照合する際に、ピーク検出システムではエネルギー分解能を考慮して特性X線の波長を抽出し、元素検索システムでは特性X線ピークのオーバーラップの可能性がある元素候補を抽出する。上記元素候補が抽出された観察点を自動的に選択して、第2加速の試料への照射時に発生するX線スペクトルから抽出した特性X線の波長とデータベースとを照合し、対応する元素を抽出して第2元素リストを作成する。 The first acceleration is set to a lower acceleration than the second acceleration, and when checking the characteristic X-ray wavelength extracted from the X-ray spectrum generated when the sample is irradiated with the low acceleration beam, the peak detection system The characteristic X-ray wavelength is extracted in consideration of energy resolution, and the element search system extracts element candidates that have the possibility of overlapping characteristic X-ray peaks. The observation point from which the above element candidate is extracted is automatically selected, the wavelength of the characteristic X-ray extracted from the X-ray spectrum generated during irradiation of the second acceleration sample and the database are collated, and the corresponding element is selected. Extract to create a second element list.
さらに、検査装置で検出した試料上の欠陥の位置とサイズのデータを取り込む際に、欠陥サイズが閾値より小さい欠陥を抽出して第1加速の観察対象を絞り込み、さらに第2加速の観察対象に閾値より大きい欠陥を追加することも有効である。 Further, when capturing the defect position and size data on the sample detected by the inspection apparatus, defects having a defect size smaller than the threshold are extracted to narrow down the observation target for the first acceleration, and further to the observation target for the second acceleration. It is also effective to add a defect larger than the threshold.
3つ以上の複数加速の電子ビームを用いる場合は、各加速に対応する元素リストを作成し、各観察点に対して、加速毎の元素リストと計測データのリストと形状特徴量リストとを紐付けした観察データベースを形成する。この観察データベースでは、観察点毎に元素リストの加速の組み合わせは異なっている。 When using three or more multi-acceleration electron beams, create an element list corresponding to each acceleration and link the element list for each acceleration, the list of measurement data, and the shape feature list for each observation point. The attached observation database is formed. In this observation database, the combination of accelerations of the element list is different for each observation point.
上記観察データベースから観察点毎に元素リストを読み出して、電子ビーム加速と欠陥サイズなどに依存する特性X線の検出限界を考慮して元素を推定して推定元素リストを作成し、推定元素リストは各観察点と紐付けして上記観察データベースに追加する。 Read the element list for each observation point from the observation database, create the estimated element list by estimating the elements considering the characteristic X-ray detection limit depending on the electron beam acceleration and defect size, etc. Each observation point is linked and added to the observation database.
特に、電子ビーム加速を上げると検出できない未検出元素が元素リストに存在する観察点は、形状特徴量リストから欠陥サイズを読み出して、特性X線の検出ができる電子ビーム加速の閾値を算出し、加速が閾値を越えている場合は、推定元素リストに未検出元素を追加する。 In particular, the observation points where undetected elements that cannot be detected when the electron beam acceleration is increased are present in the element list, read the defect size from the shape feature list, and calculate the threshold value for electron beam acceleration that can detect characteristic X-rays. If the acceleration exceeds the threshold, an undetected element is added to the estimated element list.
低加速ビームの試料への照射時に発生するX線スペクトルから抽出した特性X線の波長とデータベースとを照合する際に、ピーク検出システムではエネルギー分解能を考慮して特性X線の波長を抽出し、元素検索システムでは特性X線ピークのオーバーラップの可能性がある元素候補を抽出する。上記元素候補が抽出された観察点を自動的に選択して、高加速ビームの試料への照射時に発生するX線スペクトルから抽出した特性X線の波長とデータベースとを照合し、対応する元素を抽出して加速毎の元素リストを作成する。 When collating the database with the characteristic X-ray wavelength extracted from the X-ray spectrum generated when the sample is irradiated with the low acceleration beam, the peak detection system extracts the characteristic X-ray wavelength in consideration of the energy resolution, The element search system extracts element candidates that have the possibility of overlapping characteristic X-ray peaks. The observation point from which the above element candidate is extracted is automatically selected, the wavelength of the characteristic X-ray extracted from the X-ray spectrum generated when the sample is irradiated with the high acceleration beam and the database are compared, and the corresponding element is selected. Extract and create a list of elements for each acceleration.
さらに、検査装置で検出した試料上の欠陥の位置とサイズのデータを取り込む際に、欠陥サイズが閾値より小さい欠陥を抽出して第1加速の観察対象を絞り込み、さらに第2加速以降の観察対象に閾値より大きい欠陥を追加する。 Further, when the data of the position and size of the defect on the sample detected by the inspection apparatus is taken in, the defect having a defect size smaller than the threshold is extracted to narrow down the observation object for the first acceleration, and the observation object after the second acceleration Add a defect larger than the threshold to.
以下に、図を用いて本発明に係るレビュー装置の説明をする。
図1Aは、第1の実施例に係るレビュー装置100の全体構成図を示す模式図である。レビュー装置100は、試料101を保持するステージ102と電子光学系150とを内部に備えた電子光学カラム104と、画像生成・処理部160とを備えたSEMと、元素検索部170、制御・入出力部180を備えて構成されている。
The review apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1A is a schematic diagram illustrating an overall configuration diagram of a
SEMの電子光学カラム104の電子光学系150は、電子を発生させる電子源151、電子源151で発生させた電子から電子ビームを引き出す引き出し電極152、引き出し電極152で引き出された電子ビームを加速するビーム加速電極153、加速された電子ビーム103をXY方向に偏向する偏向電極155、電子ビーム103を試料101の表面に集束させるコイル1561と磁路1562を備えた対物レンズ156、電子ビーム103が照射された試料101から発生した2次電子105を反射する反射板154、反射板154で反射した2次電子を検出する2次電子検出器106、電子ビーム103が照射された試料101から発生した2次電子105を電気信号に変換する2次電子検出器106、及び電子ビーム103が照射された試料101から発生したX線を検出するX線検出器121を備えており、試料101に入射する電子ビーム103のエネルギー(加速電圧)は、電子源151とステージ102の間の電位差を制御することにより調整される。
The electron
画像生成・処理部160は、試料101から発生した2次電子105を検出した2次電子検出器106から出力される電気信号をデジタル画像に変換する画像生成システム107と、画像生成システム107で変換したデジタル画像から観察対象である試料101の座標108と形状特徴量109を解析する画像処理システム110、観察対象である試料101の座標108に電子ビーム103を照射する偏向システム111とを備えている。
The image generation /
元素検索部170は、電子ビーム103が照射された試料101から放出されたX線を検出したX線検出器121から変換されて出力された電気信号をX線エネルギースペクトルのデジタル波形122に変換する波形生成システム123と、波形生成システム123で変換されたデジタル波形から特性X線の波長を抽出するピーク検出システム124と、ピーク検出システム124で抽出された特性X線とデータベース125を照合して元素を推定する元素検索システム126を備えて構成される。
The
制御・入出力部180は、電子光学系150の対物レンズ156に印加する電圧や電子源151とステージ102の間の電位差を制御するカラム設定手段132、表示手段131、装置全体を制御し、得られたデータを処理する制御部・処理133を備えている。
The control / input /
元素検索部170の元素検索システム126は、周期表の各元素に対する特性X線の波長の組み合わせをデータベース125に記憶し、試料101への電子ビーム照射時に発生するX線スペクトルから抽出した特性X線の波長とデータベース125とを照合し、対応する元素とスペクトルのピーク位置を表示手段131に表示する機能を備えており、オペレータは表示手段131を見てX線を放射した試料部位に含まれる元素・組成を推定することができる。
The
X線検出器121は、半導体検出器(シリコン検出器、シリコンドリフト検出器)またはマイクロカロリーメータで構成される。X線検出器121が出力する電気信号をX線エネルギースペクトルのデジタル波形に変換する波形生成システム123は、エネルギー分散型又は波長分散型で構成される。X線検出器121と波形生成システム123の組み合わせにより、X線検出器121で検出されたX線のカウンティング速度とエネルギー分解能などが異なる。
The
X線検出器121を半導体検出器で構成した場合は、カロリーメータで構成した場合に比べて、高速のカウンティングが可能となるが、波形生成システム123としてエネルギー分散型のものを用いた場合のエネルギー分解能が約10eVから約100eVに劣化する。したがって、ピーク検出システム124がX線エネルギースペクトルのデジタル波形から抽出することが難しくなる特性X線のエネルギーは、X線検出器121を半導体検出器で構成した場合では約3kV以下、マイクロカロリーメータで構成した場合では約1kV以下である。
When the
特性X線のエネルギーは、照射する電子ビーム103の加速より低く、照射する電子ビーム103の加速を、X線検出器121を半導体検出器で構成した場合では3kV以上、マイクロカロリーメータで構成した場合では1kV以上にすると特性X線の抽出が容易になる。X線検出器121を半導体検出器で構成した場合では、試料101がシリコン基板であるとき、シリコン基板の特性X線のピークと離れているアルミニウムなどの元素の場合は、検出することが可能である。一方、シリコン基板上のタンタルやタングステンを含む微小異物は、3kVの電子ビームを照射すると特性X線を1.74kV±0.05kVに放出するが、特性X線ピークの元素間のオーバーラップを分離することができない。これに対してカラム設定手段132でビーム加速を15kVに変更すると、特性X線のピークはタンタルで8.15kV、タングステンで8.40kVにもあり0.25kVのピーク距離がありオーバーラップを解消することができる。
The energy of the characteristic X-ray is lower than the acceleration of the irradiating
元素検索システム126は、周期表の各元素に対する特性X線の波長の組み合わせをデータベース125に記憶し、試料101への電子ビーム照射時に発生するX線スペクトルから抽出した特性X線の波長とデータベース125とを照合し、対応する各加速の元素リストを観察データとしてデータベース125に格納する。さらに、各欠陥IDに対して、データベース125の観察データから形状特徴量と各加速の元素リストを検索することができる。
The
図1Bは、図1Aに示したレビュー装置100の変形例の全体構成図の模式図である。図1Bに示したレビュー装置200は、図1Aに示したレビュー装置100に対して、電子光学カラム250の偏向電極255と、コイル2561と磁路2562を備えた対物レンズ256の構成が異なっている。図1Bにおいて、図1Aと同じ番号が付されている構成は、図1Aで説明したのと同じ機能を有している。図1Aと図1Bで示すように、電子光学カラム104と204との構成が異なっても、本実施例を実現するためのシステムを構成することができる。
FIG. 1B is a schematic diagram of an overall configuration diagram of a modified example of the
図1A及び図1Bに示したレビュー装置100又は200を用いて微小欠陥の元素と濃度の検出を可能とする元素分析の処理の流れについて、大まかなフローを図2Aに、詳細なフローを図2Bに示す。ここでは、観察対象を欠陥とするが、座標を指定した複数の観察点に対しても本発明のフローチャートは適用が可能である。
FIG. 2A shows a rough flow and FIG. 2B shows a detailed flow of the element analysis processing flow that enables detection of elements and concentrations of micro defects using the
まず、図2Aに示した大まかなフローにおいては、先ず対処となる欠陥を抽出し(S251)、次に抽出した対象欠陥に第1の加速エネルギーに制御して電子ビームを照射して計測を行い(S252)う。次に、この計測した結果を評価して、異なるエネルギーの電子ビームを照射して計測を行う必要があるか否かを判断する(S253)。S253で異なるエネルギーの電子ビームを照射して計測を行う必要が無いと判断した場合には、計測を終了する。一方、異なるエネルギーの電子ビームを照射して計測を行う必要が有ると判断した場合には、電子ビームを第2の加速エネルギーに制御して試料に照射して計測を行い(S254)、最後に統計解析による組成分類を行って観察を終了する。 First, in the rough flow shown in FIG. 2A, first, a defect to be dealt with is extracted (S251), and then the extracted target defect is controlled to the first acceleration energy and irradiated with an electron beam to perform measurement. (S252) U. Next, this measurement result is evaluated, and it is determined whether or not it is necessary to perform measurement by irradiating an electron beam of different energy (S253). If it is determined in S253 that it is not necessary to perform measurement by irradiating an electron beam with different energy, the measurement is terminated. On the other hand, when it is determined that it is necessary to perform measurement by irradiating an electron beam with different energy, the measurement is performed by irradiating the sample with the electron beam controlled to the second acceleration energy (S254). The composition is classified by statistical analysis and the observation is completed.
次に、図2Bのフロー図を用いて、図2Aで説明した大まかなフローの各ステップを、詳細に説明する。
先ず図2AのS251に対応する詳細なステップにおいては、試料101である半導体ウェハを電子光学カラム104のステージ102にロードする(S201)。次に、制御・入出力部180の制御部133に異物検査装置と外観検査装置で検出した検査データを読み込み(S202)、検査データから対象欠陥を抽出する(S203)。
Next, each step of the rough flow described in FIG. 2A will be described in detail using the flowchart of FIG. 2B.
First, in detailed steps corresponding to S251 in FIG. 2A, the semiconductor wafer as the
次に、図2AのS251に対応する詳細なステップにおいては、先ず、制御・入出力部180の制御部133で、第1のビーム加速で観察できるようにカラム設定手段132で電子源151ステージ102との間の電位差を設定する(S204)。次に、試料101である半導体ウェハに電子ビーム103を照射し走査する試料101の画像を得、この画像に含まれる位置合わせのための基準パターン(マーク)の画像を用いて座標補正のために、ステージ102又は偏向電極155を制御してウェハアライメントをおこなう(S205)。次に、ステージ102の制御と偏向電極155による電子ビーム103の制御とを組み合わせて、観察対象の欠陥が走査型電子顕微鏡(SEM)の電子光学系150の観察視野の中に入るようにする(S206)。次に、電子ビームを走査して試料101から発生した2次電子105のうち反射板154で反射されて2次電子検出器106に入射した2次電子を検出することにより試料101を撮像し(S207)、2次電子検出器106が出力する電気信号を画像生成システム107で変換してデジタル画像を形成する(S208)。
Next, in the detailed steps corresponding to S251 in FIG. 2A, first, the
次に、画像処理システム110は、画像生成システム107で形成したデジタル画像から対象欠陥の座標と形状特徴量を抽出し、この抽出した座標と形状特徴量の情報を用いて対象欠陥の種類を分類する(S209)。デジタル画像を形成する際に、事前に低倍撮像にて対象欠陥の座標を検出し、対象欠陥のズーム画像を取得する方法もある。形状特徴量は、対象欠陥の外観分類をするために用いるパラメータである。
Next, the
次に、デジタル画像から抽出した欠陥座標情報に基づいて偏向システム111で偏向電極155を制御して、電子ビーム103を試料上の欠陥座標位置に照射する(S210)。次に、電子ビーム103が照射された試料101から放出されるX線をX線検出器121で検出して電気信号に変換し(S211)、この電気信号を波形生成システム123でX線エネルギースペクトルのデジタル波形に変換する(S212)。次に、ピーク検出システム124でデジタル波形から特性X線の波長を抽出し、元素検索システムで特性X線とデータベースを照合して元素を推定し(S213),対象欠陥の組成分類を行う(S214)。
Next, the
次に、全ての対象欠陥について組成の分類が終了したかをチェックする(S215)。チェックの結果NOの場合は、次の未分類の対象欠陥の位置座標情報を用いてステージ102の位置を制御して、次の対象欠陥が電子光学系150の観察視野内に入るようにし、上記S204からS214までのフローを繰り返すことにより、全ての対象欠陥について組成の分類を行う。制御部・処理133において、上記フローに沿って処理することで得られるデジタル画像とデジタル波形により構成される対象欠陥毎の計測データのリストを作成し保持する。さらに、各対象欠陥に対して、デジタル画像から画像処理システムにより解析した欠陥サイズや欠陥種などの対象欠陥の形状特徴量リストとデジタル波形よりピーク検出システムと元素検索システムにより抽出した第1元素リストを作成して保持する。
Next, it is checked whether composition classification has been completed for all target defects (S215). If the result of the check is NO, the position coordinate information of the next unclassified target defect is used to control the position of the
全ての対象欠陥について組成の分類を完了すると(S215でYESの場合)、次に、図2AのS253に対応するステップに進み、試料101に照射する電子ビーム103を加速するための電子源151とステージ102の間の電位差を変更して再度計測を行う必要が有るか否かを判定する(S216)。
When the composition classification is completed for all target defects (in the case of YES in S215), the process proceeds to a step corresponding to S253 in FIG. 2A, and an
ここで、S213においては、ピーク検出システム124でX線エネルギースペクトルのデジタル波形から特性X線の波長を抽出するが、同時に、元素検索システム126では特性X線ピークのオーバーラップの可能性がある元素候補を抽出する。
Here, in S213, the
そこで、S216においては、元素検索システム126で特性X線ピークのオーバーラップの可能性がある元素候補が抽出されなかった場合に判定結果をNOとして、後述する統計解析による組成分類ステップ(S230)へ進む。
Therefore, in S216, if the
一方、元素検索システム126で特性X線ピークのオーバーラップの可能性がある元素候補が抽出された場合には、判定結果をYESとして、この特性X線ピークのオーバーラップの可能性がある元素候補を抽出する(S217)。
On the other hand, if the
次に、S216でYESと判定され、S217で特性X線ピークのオーバーラップの可能性があるとして抽出された元素候補を含む欠陥を観察対象の欠陥とし、それら抽出された観察対象の欠陥について、図2AのS254に対応する工程、即ち、電子ビームを第2の加速エネルギーに制御して試料に照射して計測を行う。 Next, it is determined as YES in S216, and the defect including the element candidate extracted as the possibility of the overlap of the characteristic X-ray peak in S217 is set as the defect to be observed, and the extracted defect to be observed is as follows. Steps corresponding to S254 in FIG. 2A, that is, measurement is performed by irradiating the sample with the electron beam controlled to the second acceleration energy.
S254に対応する工程は、S252で説明した工程とほぼ同じで、先ず、上記元素候補が抽出された対象欠陥を自動的に抽出し、第2加速エネルギーで加速された電子ビームの試料への照射時に発生するX線スペクトルから抽出した特性X線の波長とデータベースとを照合し、対応する元素を抽出して第2元素リストを作成する。さらに、検査装置で検出した試料上の欠陥の位置とサイズのデータを取り込む際に、欠陥サイズが閾値より小さい欠陥を抽出して第1加速の観察対象を絞り込み、さらに第2加速の観察対象に閾値より大きい欠陥を追加することも有効である。 The process corresponding to S254 is almost the same as the process described in S252. First, the target defect from which the element candidate is extracted is automatically extracted, and the sample is irradiated with the electron beam accelerated by the second acceleration energy. The wavelength of the characteristic X-ray extracted from the X-ray spectrum generated sometimes and the database are collated, the corresponding element is extracted, and the second element list is created. Further, when capturing the defect position and size data on the sample detected by the inspection apparatus, defects having a defect size smaller than the threshold are extracted to narrow down the observation target for the first acceleration, and further to the observation target for the second acceleration. It is also effective to add a defect larger than the threshold.
電子ビーム103の第2加速エネルギーは第1加速エネルギーよりも高加速エネルギーに設定する場合に限らず、低加速エネルギーに設定してもよい。何れの場合にしても、本発明では以下のフローで第2加速エネルギーに設定した電子ビーム103を用いて、対象欠陥の組成分類をおこなう。
The second acceleration energy of the
図2AのS254に対応する工程においては、先ず検査データから、第2加速エネルギーに設定した電子ビーム103を照射する対象欠陥を抽出する(S217)。次に、カラム設定手段132で電子源151とステージ102の間の電位差を設定する(S218)。次に、試料101である半導体ウェハに第2加速エネルギーに設定した電子ビーム103を照射し走査する試料101の画像を得、この画像に含まれる位置合わせのための基準パターン(マーク)の画像を用いて座標補正のために、ステージ102又は偏向電極155を制御してウェハアライメントをおこなう(S219)。次に、ステージ102の制御と偏向電極155による電子ビーム103の制御とを組み合わせて、第2の加速電圧での観察対象として抽出された欠陥が走査型電子顕微鏡(SEM)の電子光学系150の観察視野の中に入るようにする(S220)。次に、電子ビームを走査して試料101から発生した2次電子105のうち反射板154で反射されて2次電子検出器106に入射した2次電子を検出することにより試料101を撮像し(S221)、2次電子検出器106が出力する電気信号を画像生成システム107で変換してデジタル画像を形成する(S222)。
In the step corresponding to S254 in FIG. 2A, first, a target defect to be irradiated with the
次に、画像処理システム110は、画像生成システム107で形成したデジタル画像から対象欠陥の座標を抽出する(S223)。デジタル画像を形成する際に、事前に低倍撮像にて対象欠陥の座標を検出し、対象欠陥のズーム画像を取得する方法もある。
Next, the
次に、デジタル画像から抽出した欠陥座標情報に基づいて偏向システム111で偏向電極155を制御して、第2加速エネルギーに設定した電子ビーム103を試料上の観察対象欠陥に照射する(S224)。次に、電子ビーム103が照射された試料101から放出されるX線をX線検出器121で検出して電気信号に変換し(S225)、この電気信号を波形生成システム123でX線エネルギースペクトルのデジタル波形に変換する(S226)。次に、ピーク検出システム124でデジタル波形から特性X線の波長を抽出し、元素検索システムで特性X線とデータベースを照合して元素を推定し(S227),対象欠陥の組成分類を行う(S228)。
Next, the
次に、全ての対象欠陥について組成の分類が終了したかをチェックする(S229)。チェックの結果NOの場合は、次の未分類の対象欠陥の位置座標情報を用いてステージ102の位置を制御して、次の対象欠陥が電子光学系150の観察視野内に入るようにし、上記S220からS228までのフローを繰り返すことにより、全ての対象欠陥について組成の分類を行う。制御部・処理133において、上記フローに沿って処理することで得られるデジタル画像とデジタル波形により構成される対象欠陥毎の計測データのリストを作成し保持する。さらに、各対象欠陥に対して、デジタル画像から画像処理システムにより解析した欠陥サイズや欠陥種などの対象欠陥の形状特徴量リストとデジタル波形よりピーク検出システムと元素検索システムにより抽出した第2元素リストを作成して保持する。
Next, it is checked whether composition classification has been completed for all target defects (S229). If the result of the check is NO, the position coordinate information of the next unclassified target defect is used to control the position of the
全ての対象欠陥について組成の分類を完了すると(S229でYESの場合)、次に、統計解析による組成分類のステップ(S230)に進み、対象欠陥の統計解析による組成分類を行う。統計解析による組成分類のステップ(S230)の詳細なフローを図2Cを用いて説明する。 When the composition classification is completed for all target defects (YES in S229), the process proceeds to the composition classification step (S230) by statistical analysis, and the composition classification is performed by statistical analysis of the target defects. A detailed flow of the composition classification step (S230) by statistical analysis will be described with reference to FIG. 2C.
統計解析による組成分類のステップ(S230)では、先ず、各対象欠陥に対して、計測データのリストと形状特徴量リストと第1元素リストと第2元素リストを紐付けした観察データベースを作成する(S2301)。この観察データベースから対象欠陥毎に、第1元素リストと第2元素リストを読み出して、電子ビーム加速と欠陥サイズなどに依存する特性X線の検出限界を考慮して元素を推定して第3元素リストを作成する(S2302)。電子ビーム加速を上げると検出できない未検出元素が第1元素リストと第2元素リストの間に存在するような対象欠陥については、S252及びS254の各フローで作成された形状特徴量リストから欠陥サイズを読み出して、特性X線の検出ができる電子ビーム加速の閾値を算出し、第1加速と第2加速のどちらかが閾値を越えている場合は、第3元素リストに未検出元素を追加する(S2303)。第3元素リストは各対象欠陥と紐付けして観察データベースに追加する(S2304)。以上の手順で第3元素リストを作成することにより、対象欠陥の統計解析による組成分類をおこなう。 In the composition classification step (S230) by statistical analysis, first, an observation database in which a measurement data list, a shape feature amount list, a first element list, and a second element list are linked to each target defect is created ( S2301). The first element list and the second element list are read from this observation database for each target defect, the element is estimated in consideration of the detection limit of characteristic X-rays depending on the electron beam acceleration and the defect size, and the third element. A list is created (S2302). For target defects in which undetected elements that cannot be detected by increasing the electron beam acceleration exist between the first element list and the second element list, the defect size is determined from the shape feature amount list created in each flow of S252 and S254. Is read and the threshold value of the electron beam acceleration capable of detecting characteristic X-rays is calculated. If either the first acceleration or the second acceleration exceeds the threshold value, an undetected element is added to the third element list. (S2303). The third element list is associated with each target defect and added to the observation database (S2304). By creating the third element list by the above procedure, composition classification is performed by statistical analysis of the target defect.
3つ以上の複数加速の電子ビームを用いる場合は、各加速に対応する元素リストを作成し、各観察点に対して、加速毎の元素リストと計測データのリストと形状特徴量リストとを紐付けした観察データベースを形成する。この観察データベースでは、観察点毎に元素リストの加速の組み合わせは異なっている。 When using three or more multi-acceleration electron beams, create an element list corresponding to each acceleration and link the element list for each acceleration, the list of measurement data, and the shape feature list for each observation point. The attached observation database is formed. In this observation database, the combination of accelerations of the element list is different for each observation point.
S2304で作成した観察データベースから観察点毎に元素リストを読み出して、電子ビーム加速エネルギー(加速電圧)と欠陥サイズなどに依存する特性X線の検出限界を考慮して元素を推定して推定元素リストを作成する(S2305)。特に、電子ビーム加速を上げると検出できない未検出元素が元素リストに存在する対象欠陥は、形状特徴量リストから欠陥サイズを読み出して、特性X線の検出ができる電子ビーム加速の閾値を算出し、加速が閾値を越えている場合は、推定元素リストに未検出元素を追加する。この作成した推定元素リストは、各対象欠陥と紐付けして上記観察データベースに追加する(S2306)。 Read the element list for each observation point from the observation database created in S2304, estimate the elements in consideration of the characteristic X-ray detection limit depending on the electron beam acceleration energy (acceleration voltage) and defect size, etc. Is created (S2305). In particular, for target defects in the element list that have undetected elements that cannot be detected by increasing electron beam acceleration, the defect size is read from the shape feature list, and a threshold value for electron beam acceleration that can detect characteristic X-rays is calculated. If the acceleration exceeds the threshold, an undetected element is added to the estimated element list. The created estimated element list is associated with each target defect and added to the observation database (S2306).
S213において、低加速ビームの試料への照射時に発生するX線スペクトルから抽出した特性X線の波長とデータベースとを照合する際に、ピーク検出システム124ではエネルギー分解能を考慮して特性X線の波長を抽出し、元素検索システム126では特性X線ピークのオーバーラップの可能性がある元素候補を抽出する。
In S213, when the wavelength of the characteristic X-ray extracted from the X-ray spectrum generated when the sample is irradiated with the low acceleration beam is collated with the database, the
S217においては、このような元素候補が抽出された対象欠陥を選択して、S227における高加速ビーム(第2の電子ビーム加速エネルギー)の試料への照射時に発生するX線スペクトルから抽出した特性X線の波長とデータベースとを照合し、対応する元素を抽出して電子ビームの加速エネルギー毎の元素リストを作成する。 In S217, the target defect from which such element candidates are extracted is selected, and the characteristic X extracted from the X-ray spectrum generated when the sample is irradiated with the high acceleration beam (second electron beam acceleration energy) in S227. The wavelength of the line is compared with the database, the corresponding elements are extracted, and an element list for each acceleration energy of the electron beam is created.
さらに、S202で検査装置で検出した試料上の欠陥の位置とサイズのデータを取り込む際に、欠陥サイズが予め設定した閾値より小さい欠陥を抽出して第1の電子ビーム加速エネルギーで観察する欠陥として観察対象を絞り込み、さらにS217において第2の電子ビーム加速エネルギー以降で観察する欠陥として、予め設定した閾値より大きい欠陥を追加するようにしてもよい。 Further, when the defect position and size data on the specimen detected by the inspection apparatus in S202 is taken in, the defect whose defect size is smaller than a preset threshold is extracted and observed as the first electron beam acceleration energy. The observation target is narrowed down, and a defect larger than a preset threshold value may be added as a defect observed after the second electron beam acceleration energy in S217.
図3Aは、シリコン基板301上に微小欠陥302と比較的大きな欠陥303とが存在するときに、それぞれの欠陥に所定の加速エネルギーで加速された電子ビーム103を照射したときに、それぞれの欠陥から特性X線が発生している状態を模式的に示した図である。
FIG. 3A shows that when a
図3Bは、対象欠陥がシリコン(Si)の場合で、対象欠陥のサイズが7.5nmと15nmと25nmで、検出する特性X線のエネルギーは、1.74kVである。図3Cは、対象欠陥がアルミニウム(Al)の場合で、対象欠陥のサイズが7.5nmと15nmと25nmで、検出する特性X線のエネルギーは、1.49kVである。 FIG. 3B shows the case where the target defect is silicon (Si), the size of the target defect is 7.5 nm, 15 nm, and 25 nm, and the detected characteristic X-ray energy is 1.74 kV. FIG. 3C shows a case where the target defect is aluminum (Al), the size of the target defect is 7.5 nm, 15 nm, and 25 nm, and the detected characteristic X-ray energy is 1.49 kV.
基板の材料であるシリコンは電子ビームの加速エネルギーを上げると増大するが、対象欠陥の信号であるアルミニウムは電子ビームの加速エネルギーが約3kVを最大とするピーク特性を示す。したがって、微小なアルミニウムの欠陥を検出するには、電子ビーム加速を3kVに設定すると効率的に検出できることがわかる。 Silicon, which is the material of the substrate, increases when the acceleration energy of the electron beam is increased, but aluminum, which is the signal of the target defect, exhibits a peak characteristic in which the acceleration energy of the electron beam is about 3 kV maximum. Therefore, it can be seen that, in order to detect a minute aluminum defect, the electron beam acceleration can be set efficiently to 3 kV.
図4Aは、電子ビームを照射する材料を窒化チタンの微小欠陥にした場合のビーム加速エネルギー依存性を示す図で、対象欠陥のサイズが7.5nmと15nmと25nmで、検出する特性X線のエネルギーは、窒素では0.39kVである。一方、図4Bは、電子ビームを照射する材料を窒化チタンの微小欠陥にした場合のビーム加速エネルギー依存性を示す図で、対象欠陥のサイズが7.5nmと15nmと25nmで、検出する特性X線のエネルギーは、チタンでは4.5kVである。軽元素である窒素は電子ビーム加速を上げると減少するが、重元素であるチタンは15kVのビーム加速まで増大する。したがって、電子ビーム加速エネルギー(加速電圧)を3kV以下にして窒素を検出し、5kV以上にしてチタンを検出しないと、窒化チタンの微細欠陥を検出できないことがわかる。 Fig. 4A shows the beam acceleration energy dependence when the electron beam irradiation material is made of titanium nitride microdefects. The target defect sizes are 7.5nm, 15nm, and 25nm, and the detected characteristic X-ray energy Is 0.39 kV for nitrogen. On the other hand, FIG. 4B is a diagram showing the beam acceleration energy dependency when the electron beam irradiation material is made of a fine defect of titanium nitride, and the characteristic X-ray to be detected when the size of the target defect is 7.5 nm, 15 nm, and 25 nm. The energy of is 4.5 kV for titanium. Nitrogen, a light element, decreases with increasing electron beam acceleration, while titanium, a heavy element, increases to 15 kV beam acceleration. Therefore, it is understood that fine defects of titanium nitride cannot be detected unless nitrogen is detected with an electron beam acceleration energy (acceleration voltage) of 3 kV or less and titanium is detected with 5 kV or more.
軽元素と重元素を成分として含む微細欠陥の組成分類をするためには、電子ビームの加速エネルギーを2種類以上に変化させて特性X線を計測することが必要となる。さらに、軽元素と重元素を成分として含む複数の欠陥を自動的に組成分類する場合にも、電子ビームの加速エネルギーを2種類以上に変化させて特性X線を計測することが必要である。 In order to classify the composition of fine defects including light elements and heavy elements as components, it is necessary to measure characteristic X-rays by changing the acceleration energy of the electron beam into two or more types. Furthermore, even when a plurality of defects including light elements and heavy elements as components are automatically classified, it is necessary to measure characteristic X-rays by changing the acceleration energy of the electron beam into two or more types.
図5は、図2Bに示したフローチャートのS217における対象欠陥の抽出の際の欠陥サイズの閾値を算出するための検出可能領域のビーム加速エネルギー依存性を示す図である。電子ビームの加速エネルギーを上げると、検出できる欠陥サイズの閾値が大きくなる。したがって、大きな欠陥は、高加速エネルギーの電子ビームで特性X線計測をすることが可能であり、誤検出元素が出やすい低加速エネルギーの電子ビームで特性X線計測をする必要はない。 FIG. 5 is a diagram showing the beam acceleration energy dependency of the detectable region for calculating the defect size threshold in the target defect extraction in S217 of the flowchart shown in FIG. 2B. Increasing the acceleration energy of the electron beam increases the threshold of defect size that can be detected. Therefore, it is possible to perform characteristic X-ray measurement for a large defect with an electron beam with high acceleration energy, and it is not necessary to perform characteristic X-ray measurement with an electron beam with low acceleration energy that easily causes erroneous detection elements.
図6Aと図6Bとは、図2Bに示したフローチャートの、統計解析における組成分類ステップ(S230)において、1.74kVの特性X線のオーバーラップ処理を実施した例を示す図である。601と611は、電子ビーム103の第1加速エネルギーを3kVとし、602と612は、電子ビーム103の第2加速エネルギーを15kVとした場合の例である。
FIG. 6A and FIG. 6B are diagrams showing an example in which a 1.74 kV characteristic X-ray overlap process is performed in the composition classification step (S230) in the statistical analysis of the flowchart shown in FIG. 2B. 601 and 611 are examples in which the first acceleration energy of the
第1加速エネルギーとして3kVで加速した電子ビーム103を対象欠陥へ照射した時に発生するX線スペクトルを用いて1.74kVの特性X線を抽出する際に、元素検索システム126は、エネルギー分解能を考慮してオーバーラップ処理により1.64kV〜1.84kVの特性X線を有する元素候補として、601,611のような元素を抽出する。
When extracting 1.74 kV characteristic X-rays using the X-ray spectrum generated when the target defect is irradiated with the
一方、第2加速エネルギーとして15kVで加速した電子ビーム103を対象欠陥へ照射した時に発生するX線スペクトルから抽出した特性X線の波長とデータベースとを照合すると、図6Aの602のように元素を特定できる場合と、図6Bの612のように特定できない場合がある。図6Bの612のように元素を特定できない場合は、第2加速エネルギーとして15kVで加速した電子ビームで特性X線を検出できる欠陥サイズ限界を考慮して元素を推定することができる。
On the other hand, comparing the wavelength of the characteristic X-ray extracted from the X-ray spectrum generated when the target defect is irradiated with the
この元素推定の条件分岐の組合せを図6Cに示す。第1の加速エネルギーとして3kVで加速した電子ビーム103を対象欠陥へ照射した時に、対象欠陥から発生するX線スペクトルの近傍の特性X線を有する元素候補を抽出する(621)。次に、第2の加速エネルギーとして15kVで加速した電子ビーム103を対象欠陥へ照射した時には、対象欠陥から発生するX線スペクトルの近傍の特性X線を有する元素候補が抽出される場合(622)と、抽出されない場合(623)とがある。15kVで加速した電子ビーム103を対象欠陥へ照射した時に対象欠陥から発生するX線スペクトルの近傍の特性X線を有する元素候補が抽出された場合(622)には、元素を推定することができる(624)。一方、15kVで加速した電子ビーム103を対象欠陥へ照射した時に対象欠陥から発生するX線スペクトルの近傍の特性X線を有する元素候補が抽出されなかった場合(623)には、元素を推定することができる場合(625)と、元素を推定することができない場合(626)とがある。
FIG. 6C shows a combination of conditional branches for element estimation. When the target defect is irradiated with the
図7は、図2Cに示したフロー図で形成した観察データベース700の構成を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing the configuration of the
図2Bに示すフローを繰り返すことにより観察データベースを作成し、図2Cに示したフローによりデジタル画像702と、画像処理システムにより解析した欠陥サイズ704や欠陥種701などの対象欠陥の形状特徴量リストと、デジタル波形703と、ピーク検出システムと元素検索システムにより抽出した第1元素リスト705と第2元素リスト706は、欠陥ID710毎に観察データベース700に格納される。
An observation database is created by repeating the flow shown in FIG. 2B. A
この観察データベース700から、各欠陥ID710の第1元素リスト705と第2元素リスト706を読み出し、図5に示した電子ビーム加速エネルギーと欠陥サイズに依存する特性X線の検出限界を考慮して、図6A〜図6Cに示す特性X線のオーバーラップ処理により元素を推定して第3元素リスト707を作成する。この第3元素リスト707は、観察データベース700の各欠陥ID710のカテゴリに格納する。
From this
特に、電子ビームの加速エネルギーを上げると検出できなくなってしまう未検出元素が第1元素リスト705と第2元素リスト706の間に存在する欠陥710(ID1、ID2,・・・の何れか)は、観察データベース700の形状特徴量リスト(図示せず)から欠陥サイズ704を読み出して、図5に示したグラフに基づいて特性X線の検出ができる電子ビームの加速エネルギーの閾値を算出し、第1加速または第2加速のどちらかが閾値を越えている場合は、第3元素リスト707に未検出元素を追加する。
Particularly, a defect 710 (any one of ID1, ID2,...) In which an undetected element that cannot be detected when the acceleration energy of the electron beam is increased is present between the first element list 705 and the
以上の手順で第3元素リスト707を作成することにより、対象欠陥の統計解析による組成分類をおこなう。
By creating the
3種類以上の加速エネルギーの電子ビームを用いる場合は、各加速エネルギーに対応する705,706に相当する元素リストを作成し、各観察点に対して、加速エネルギー毎の元素リストと計測データのリストと形状特徴量リストを観察データベース700の各欠陥ID710のカテゴリに格納する。なお、この観察データベース700では、欠陥ID710毎に元素リストの加速の組み合わせは異なる場合もある。
When using an electron beam with three or more types of acceleration energy, an element list corresponding to 705 and 706 corresponding to each acceleration energy is created, and for each observation point, an element list for each acceleration energy, a list of measurement data, and a shape The feature quantity list is stored in the category of each defect ID 710 in the
観察データベース700から欠陥ID710毎に元素リスト705乃至707を読み出して、電子ビームの加速エネルギーと欠陥サイズ704などに依存する特性X線の検出限界を考慮して元素を推定して推定元素リスト(図示せず)を作成し、この作成した推定元素リストは観察データベース700の各欠陥ID710のカテゴリに格納する。特に、電子ビームの加速エネルギーを上げると検出できなくなる未検出元素が元素リストに存在する欠陥ID710は、図5に示したグラフに基づいて観察データベース700の形状特徴量リストである欠陥サイズ704を読み出して、特性X線の検出ができる電子ビームの加速エネルギーの閾値を算出し、加速エネルギーがこの算出した閾値を越えている場合は、推定元素リスト(図示せず)に未検出元素を追加する。
An element list 705 to 707 is read from the
図8A及び図8Bは、図7に示した観察データベース700を元に欠陥を分類した結果を示す図である。観察データベースの第3元素リストまたは推定元素リストに対して、図8Aは形状特徴量毎に欠陥種で分類した例と、図8Bは欠陥組成毎に欠陥サイズで分類した例である。
8A and 8B are diagrams showing the results of classifying defects based on the
観察データベース700を元に欠陥を分類する機能は、検査装置により検出した欠陥座標の微細な欠陥の元素を簡便に調べて分類することができることから、製造工程における欠陥の発生原因を特定し、欠陥発生防止策を打つ上で非常に重要な解析手段となる。
The function of classifying defects based on the
図9は、図2B及び図2Cのフロー図に示した処理を実現するために、オペレータが、装置に任意の動作シーケンスを登録するための表示画面900の例である。
FIG. 9 is an example of a
検査データ選択アイコン901は、検査データを表示して選択するかまたはファイル名を登録することができる。対象欠陥フィルタアイコン902は、検査データから対象欠陥を抽出するためにフィルタを選択するためのアイコンである。対象欠陥選択アイコン903は、対象欠陥候補のIDと検査特徴量などを表示して、オペレータが対象欠陥を抽出できるアイコンである。アライメントレシピアイコン904は、アライメントの座標と参照パターンを選択してウェハのアライメントを自動的に行うシーケンスを登録するためのアイコンである。欠陥撮像レシピアイコン905は、対象欠陥を電子ビーム走査により撮像する方法および条件を設定するためのアイコンである。X線計測レシピアイコン906は、X線検出器と波形生成システムの動作シーケンスを設定するためのアイコンである。
The inspection data selection icon 901 can display and select inspection data or register a file name. The target defect filter icon 902 is an icon for selecting a filter in order to extract a target defect from inspection data. The target
第1加速設定アイコン911は、1回目のX線計測の電子ビーム加速を設定するか、または自動複数加速設定機能を選択するアイコンである。第2加速設定アイコン912は、2回目のX線計測の電子ビーム加速を設定するアイコンである。第3加速設定アイコン(図示せず)など複数の加速設定に関するアイコンを追加する場合もある。オーバーラップ処理アイコン913は、第1元素リストに特性X線ピークがオーバーラップする元素を推定して追加する処理に関する設定をするためのアイコンである。欠陥自動絞込みアイコン914は、第1元素リストにオーバーラップする元素が含まれる欠陥を抽出して、2回目のX線計測の対象欠陥を絞り込む処理に関する設定をするためのアイコンである。推定元素リストアイコン915は、観察データベースを利用して第3元素リスト、又は推定元素リストを作成する際の処理に関する設定をするためのアイコンである。組成分類レシピアイコン916は、観察データベース700を利用して欠陥を分類する方法を設定するためのアイコンである。
The first
実効アイコン920は、上記した各アイコンで設定した条件で実行させるためのアイコンである。図9の場合は、組成分類レシピアイコン916で、観察データベースの第3元素リストまたは推定元素リストに対して、形状特徴量リストの欠陥種で分類した結果(図8Aに相当)を表示領域930に表示した状態を示している。
The
本実施例によれば、他の検査装置で検出した半導体ウェハ上の微細な欠陥の座標情報に基づいて、レビュー装置でこの微細な欠陥を観察すると共に、この微細な欠陥の元素と濃度を簡便に調べることが可能になる。これにより、半導体デバイスの製造工程における欠陥の発生原因を特定することを比較的短時間で実行することが可能になり、早期に欠陥発生防止策を打つことができるようになる。 According to the present embodiment, based on the coordinate information of the fine defect on the semiconductor wafer detected by another inspection apparatus, the fine defect is observed by the review apparatus, and the element and the concentration of the fine defect can be simplified. It becomes possible to investigate. As a result, it becomes possible to identify the cause of the occurrence of defects in the manufacturing process of the semiconductor device in a relatively short time, and it is possible to take measures to prevent the occurrence of defects at an early stage.
100・・・レビュー装置 101・・・試料 102・・・ステージ 103・・・電子ビーム 104・・・電子光学カラム 105・・・2次電子 106・・・2次電子検出器 107・・・画像生成システム 110・・・画像処理システム 111・・・偏向制御システム 121・・・X線検出器 123・・・波形生成システム 124・・・ピーク検出システム 125・・・データベース 126・・・元素検索システム 131・・・表示手段 132・・・カラム制御手段 133・・・制御・処理部 150・・・電子光学系 155・・・偏向電極 156・・・対物レンズ 160・・・画像生成・処理部 170・・・元素検索部 180・・・制御・入出力部。
DESCRIPTION OF
Claims (6)
該ステージ部に載置した試料上に電子ビームを集束させて照射する電子光学系と、
該電子光学系により集束させた前記電子ビームが照射された前記試料から発生した2次電子を検出する2次電子検出器と、
該2次電子検出器で前記2次電子を検出した信号を受けて前記試料の2次電子像を生成
して該生成した2次電子像を処理する画像生成・処理部と、
前記電子光学系により集束させた前記電子ビームが照射された前記試料上の前記欠陥から発生したX線を検出するX線検出器と、
該X線検出器で前記欠陥から発生した前記X線を検出して得た信号の特性X線に関する情報を用いて前記X線を発生させた前記欠陥の元素を検索する元素検索部と、
前記ステージ部と前記電子光学系と前記画像生成・処理部と前記元素検索部とを制御す
る制御部と
を備えた電子線応用装置であって、
前記電子光学系は前記試料上に照射する前記電子ビームの加速エネルギーを制御する制御電極を備え、
前記制御部は、前記元素検索部と前記制御電極とを制御して、前記制御電極で第1の加
速エネルギーに制御された電子ビームを前記試料上の前記欠陥に照射させて検出したX線
検出信号を前記元素検索部で処理して、前記第1の加速エネルギーに制御された電子ビー
ムを照射した前記欠陥のうち、元素間でオーバーラップする特性X線のピーク波長を有する欠陥を、前記制御電極で第2の加速エネルギーに制御された電子ビームを照射してX線を検出する欠陥として抽出することを特徴とする電子線応用装置。 A stage part that can be moved in a plane by placing a sample in which a defect is detected in advance by another inspection apparatus,
An electron optical system that focuses and irradiates an electron beam on a sample placed on the stage; and
A secondary electron detector the electron beam is focused by electron optics to detect the secondary electrons generated from the sample irradiated,
An image generation / processing unit that receives a signal obtained by detecting the secondary electrons by the secondary electron detector, generates a secondary electron image of the sample, and processes the generated secondary electron image;
And X-ray detector for detecting X-rays generated from the defects on the specimen in which the electron beam is focused by the electron optical system is irradiated,
An element search unit which searches elements of the defect that caused the X-ray using information on characteristic X-ray signals the obtained by detecting the X-rays generated from the defects in the X-ray detector,
An electron beam application apparatus comprising a control unit for controlling the stage unit, the electron optical system, the image generation / processing unit, and the element search unit,
The electron optical system includes a control electrode for controlling the acceleration energy of the electron beam irradiated onto the sample,
The control unit controls the element search unit and the control electrode, and detects an X-ray detected by irradiating the defect on the sample with an electron beam controlled to the first acceleration energy by the control electrode. Among the defects irradiated with the electron beam controlled to the first acceleration energy by processing a signal in the element search unit, the defect having a characteristic X-ray peak wavelength overlapping between elements is controlled. electron beam apparatus which is characterized in that by irradiating the second controlled electron beam acceleration energy at the electrode is extracted as a defect detecting X-rays.
子像から前記欠陥を抽出し、前記元素検索部は、前記画像生成・処理部で抽出した前記欠陥のうち前記制御電極で前記第1の加速エネルギーに制御された電子ビームを照射して発生したX線が検出された欠陥の組成の情報、及び前記制御電極で前記第2の加速エネルギーに制御された電子ビームを照射して発生したX線が検出された欠陥の組成の情報を抽出し、前記制御部は、前記試料の2次電子像から抽出した欠陥の種類と組成または前記試料の2次電子像から抽出した欠陥のサイズと組成の情報を出力することを特徴とする電子線応用装置。 The electron beam application apparatus according to claim 1, wherein the image generation / processing unit extracts the defect from a secondary electron image of the sample, and the element search unit extracts the defect by the image generation / processing unit. said control electrode by said first controlled electron beam acceleration energy detected X-rays generated by irradiating the information of the composition of the defect of the defect, and the second acceleration energy by the control electrode Extracting information on the composition of the defect in which X-rays generated by irradiating the controlled electron beam are detected, and the control unit extracts the type and composition of the defect extracted from the secondary electron image of the sample or the sample An electron beam application apparatus that outputs information on the size and composition of defects extracted from a secondary electron image .
子像から前記欠陥を抽出し、前記元素検索部は、前記画像生成・処理部で抽出した前記欠陥のうち前記第1の加速エネルギーに制御された電子ビームを照射して発生したX線が検出された欠陥の組成の第1の情報、及び前記制御電極で前記第2の加速エネルギーに制御された電子ビームを照射して発生したX線が検出された欠陥の組成の第2の情報を抽出し、前記欠陥の組成の第1の情報と前記欠陥の組成の第2の情報とを用いて統計的に解析を行って前記試料の2次電子像から抽出した欠陥の組成を分類することを特徴とする電子線応用装置。 The electron beam application apparatus according to claim 1, wherein the image generation / processing unit is a secondary power supply of the sample.
Extracting the defect from the child image, the element search unit, X-rays generated by irradiating the electron beam is controlled to the first acceleration energy of the defect extracted by the image generating and processing section detects the first information of the composition of the defect, and extracts the second information of the composition of defects X-rays generated by irradiating the electron beam is controlled to the second acceleration energy by the control electrode is detected And classifying the defect composition extracted from the secondary electron image of the sample by performing statistical analysis using the first information of the defect composition and the second information of the defect composition. Features electron beam application equipment.
該ステージ部に載置した試料上に電子光学系で電子ビームを集束させて照射し、
該集束させた電子ビームが照射された前記試料から発生した2次電子を2次電子検出器
で検出し、
前記2次電子を検出した前記2次電子検出器からの信号を受けて前記試料の2次電子像
を生成し該生成した2次電子像を処理して前記欠陥を検出し、
前記集束させた電子ビームが照射された前記試料上の前記欠陥から発生したX線をX線
検出器で検出し、
該X線検出器で前記欠陥から発生したX線を検出して得た信号から特性X線のピーク波長の情報を用いて前記X線を発生させた前記欠陥の元素を検索する
電子線応用装置を用いた欠陥の分類方法であって、
前記集束させた電子ビームを第1の加速エネルギーに制御して前記試料上の前記欠陥に照射させることにより前記欠陥から発生したX線を検出して得たX線検出信号を処理して、前記第1の加速エネルギーに制御された電子ビームを照射した前記欠陥のうち、元素間でオーバーラップする特性X線のピーク波長を有する欠陥を、第2の加速エネルギーに制御された電子ビームを照射してX線を検出する欠陥として抽出することを特徴とする電子線応用装置を用いた欠陥分類方法。 Place the sample in which the defect was detected in advance by another inspection device on the stage part that can move in the plane,
A sample placed on the stage is irradiated with a focused electron beam by an electron optical system,
Secondary electrons generated from the sample irradiated with the focused electron beam are detected by a secondary electron detector;
Receiving a signal from the secondary electron detector that has detected the secondary electrons, generating a secondary electron image of the sample, processing the generated secondary electron image to detect the defect,
An X-ray detector detects X-rays generated from the defect on the sample irradiated with the focused electron beam,
An electron beam application apparatus for searching for an element of the defect that generated the X-ray using information on a peak wavelength of the characteristic X-ray from a signal obtained by detecting the X-ray generated from the defect by the X-ray detector A defect classification method using
Processing the X-ray detection signal obtained by detecting the X-rays generated from the defect by irradiating the defect on the sample by controlling the focused electron beam to a first acceleration energy; Among the defects irradiated with the electron beam controlled to the first acceleration energy, the defect having the characteristic X-ray peak wavelength overlapping between the elements is irradiated with the electron beam controlled to the second acceleration energy. defect classification method using the electron beam apparatus according to claim Rukoto issuing extract as a defect for detecting X-rays Te.
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JP2006242664A (en) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Sii Nanotechnology Inc | Analyzing system of three-dimensional structure |
US7570800B2 (en) * | 2005-12-14 | 2009-08-04 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for binning defects detected on a specimen |
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