JP6310379B2 - Substrate manufacturing method and substrate manufacturing apparatus - Google Patents

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Description

本発明は、基板の製造方法及び基板製造装置に関するものである。   The present invention relates to a substrate manufacturing method and a substrate manufacturing apparatus.

フィルム基材を支持体に固定する工程と、前記フィルム基材を前記支持体から剥離する工程とを有する半導体装置の製造方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。この半導体装置の製造方法では、支持体上にフィルム基材を固定した状態でフィルム基材上に半導体装置を作製し、その後に、フィルム基材を支持体から剥離することでフィルム基材上に半導体装置を作製する。   There is known a method for manufacturing a semiconductor device, which includes a step of fixing a film substrate to a support and a step of peeling the film substrate from the support (for example, see Patent Document 1). In this method of manufacturing a semiconductor device, a semiconductor device is produced on a film substrate in a state where the film substrate is fixed on a support, and then the film substrate is peeled off from the support so as to be formed on the film substrate. A semiconductor device is manufactured.

特開2006−237542号公報JP 2006-237542 A

上述の半導体装置の製造方法では、半導体装置の製造工程において加熱、冷却過程を経ることで、フィルム基材を支持体から剥離する際に、当該フィルム基材に収縮変形が生じてしまい、フィルム基材の寸法精度が低下する、という問題がある。   In the manufacturing method of the semiconductor device described above, when the film base material is peeled from the support through the heating and cooling processes in the manufacturing process of the semiconductor device, the film base material is contracted and deformed. There is a problem that the dimensional accuracy of the material is lowered.

本発明が解決しようとする課題は、寸法精度が高い基板の製造方法及び基板製造装置を提供することである。   The problem to be solved by the present invention is to provide a substrate manufacturing method and a substrate manufacturing apparatus with high dimensional accuracy.

[1]本発明に係る基板の製造方法は、第1の形状と、前記第1の形状に対して相対的に小さい熱可塑性の基板の第2の形状と、の差分を検出する第1の工程と、前記基板の外周縁部の少なくとも一部に引張力を印加しながら前記基板を加熱する第2の工程と、前記基板に印加された前記引張力を解放する第3の工程と、を備え、前記第2の工程は、少なくとも前記差分に基づいて、少なくとも第1の形状以上に大きい第3の形状となるように前記基板を弾性的に伸張させることを含むことを特徴とする。   [1] A substrate manufacturing method according to the present invention is a first method for detecting a difference between a first shape and a second shape of a thermoplastic substrate that is relatively small with respect to the first shape. A step, a second step of heating the substrate while applying a tensile force to at least a part of the outer peripheral edge of the substrate, and a third step of releasing the tensile force applied to the substrate. And the second step includes elastically stretching the substrate so as to be at least a third shape larger than the first shape based on at least the difference.

[2]上記発明において、前記第2の工程は、所定の温度範囲内に前記基板を加熱することを含み、前記所定の温度範囲は、前記基板を構成する材料のガラス転移温度に基づいて設定されていてもよい。   [2] In the above invention, the second step includes heating the substrate within a predetermined temperature range, and the predetermined temperature range is set based on a glass transition temperature of a material constituting the substrate. May be.

[3]上記発明において、前記ガラス転移温度は、40℃以上200℃以下であってもよい。   [3] In the above invention, the glass transition temperature may be 40 ° C. or higher and 200 ° C. or lower.

[4]上記発明において、前記第2の工程は、前記差分が大きい箇所になるにつれ前記引張力を大きく印加することを含んでいてもよい。   [4] In the above invention, the second step may include applying a greater tensile force as the difference becomes larger.

[5]上記発明において、前記第3の形状は、前記第1の形状に対して相対的に大きくてもよい。   [5] In the above invention, the third shape may be relatively larger than the first shape.

[6]上記発明において、前記基板の製造方法は、前記第1の工程の前に前記基板に電子部品を形成又は実装する第4の工程を備えていてもよい。   [6] In the above invention, the substrate manufacturing method may include a fourth step of forming or mounting an electronic component on the substrate before the first step.

[7]本発明に係る基板製造装置は、第1の形状と、前記第1の形状に対して相対的に小さい熱可塑性の基板の第2の形状と、の差分を検出する検出手段と、前記基板の外周縁部の少なくとも一部に引張力を印加する張力印加手段と、前記基板を加熱する加熱手段と、を備え、前記張力印加手段は、少なくとも前記差分に基づいて、少なくとも第1の形状以上に大きい第3の形状となるように前記基板を弾性的に伸張させることを特徴とする。   [7] The substrate manufacturing apparatus according to the present invention includes a detecting means for detecting a difference between the first shape and the second shape of the thermoplastic substrate relatively small with respect to the first shape, A tension applying means for applying a tensile force to at least a part of the outer peripheral edge of the substrate; and a heating means for heating the substrate, wherein the tension applying means is based on at least the difference and at least a first The substrate is elastically stretched so as to have a third shape larger than the shape.

本発明によれば、基準となる第1の形状と、第1の形状に対して相対的に小さい基板の第2の形状と、の差分を検出し、少なくとも当該差分に基づいて、引張力を印加して基板を弾性的に伸張し、また、引張力が印加された状態で基板を加熱することで、引張の際に蓄積された応力を緩和する。この結果、寸法精度の高い基板を得ることができる。   According to the present invention, the difference between the first shape as a reference and the second shape of the substrate that is relatively small with respect to the first shape is detected, and the tensile force is determined based on at least the difference. The substrate is elastically stretched by application, and the substrate is heated in a state where a tensile force is applied, thereby relaxing the stress accumulated during tension. As a result, a substrate with high dimensional accuracy can be obtained.

図1は、本実施形態における基板製造装置の概略構成を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate manufacturing apparatus in the present embodiment. 図2は、図1のII-II線に沿った断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II in FIG. 図3は、本実施形態における観察部を回路基板上に配置した際の顕微鏡による観察可能な範囲を示す平面透視図である。FIG. 3 is a perspective plan view showing a range that can be observed by a microscope when the observation unit in the present embodiment is arranged on a circuit board. 図4は、本実施形態における基準ワークの概略構成を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing a schematic configuration of the reference workpiece in the present embodiment. 図5は、本実施形態におけるテンショナにより回路基板を把持した状態を示す平面図である。FIG. 5 is a plan view showing a state in which the circuit board is held by the tensioner in the present embodiment. 図6は、本実施形態における変形の前後の回路基板を示す図であり、図6(a)は、変形前の回路基板を示す平面図であり、図6(b)は、変形後の回路基板を示す平面図である。FIG. 6 is a diagram showing the circuit board before and after the deformation in the present embodiment, FIG. 6A is a plan view showing the circuit board before the deformation, and FIG. 6B is a circuit after the deformation. It is a top view which shows a board | substrate. 図7は、本実施形態における回路基板の製造方法を示す工程図である。FIG. 7 is a process diagram showing a circuit board manufacturing method according to this embodiment. 図8(a)〜図8(c)は、図8のステップS12〜ステップS14をそれぞれ示す図である。FIG. 8A to FIG. 8C are diagrams showing steps S12 to S14 of FIG. 8, respectively. 図9は、ステップS14を説明する回路基板の構成を示す図であり、図9(a)は、回路基板と基準ワークとの位置合わせ方法について説明する平面図であり、図9(b)は、差分を検出する方法について説明する平面図である。FIG. 9 is a diagram illustrating the configuration of the circuit board for explaining step S14. FIG. 9A is a plan view for explaining a method for aligning the circuit board and the reference workpiece, and FIG. It is a top view explaining the method to detect a difference. 図10(a)及び図10(b)は、図7のステップS15を示す図であり、図10(c)は、図7のステップS16を示す図であり、図10(d)は、図7のステップS17を示す図であり、図10(e)は、図7のステップS18を示す図である。10 (a) and 10 (b) are diagrams showing step S15 of FIG. 7, FIG. 10 (c) is a diagram showing step S16 of FIG. 7, and FIG. 10 (d) is a diagram of FIG. 7 is a diagram showing step S17 in FIG. 7, and FIG. 10E is a diagram showing step S18 in FIG. 図11は、回路基板を示す図であり、図11(a)は、差分に基づいて絶縁性基板に引張力を印加した後の状態を示す平面図であり、図11(b)は、差分とオフセット量に基づいて絶縁性基板に引張力を印加した後の状態を示す平面図であり、図11(c)は、絶縁性基板から引張力を解放した状態を示す平面図である。11 is a diagram showing a circuit board, FIG. 11 (a) is a plan view showing a state after applying a tensile force to the insulating substrate based on the difference, and FIG. 11 (b) is a diagram showing the difference. FIG. 11C is a plan view showing a state after applying a tensile force to the insulating substrate based on the offset amount, and FIG. 11C is a plan view showing a state in which the tensile force is released from the insulating substrate.

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は本実施形態における基板製造装置の概略構成を示す平面図、図2は図1のII-II線に沿った断面図、図3は本実施形態における観察部を回路基板上に配置した際の顕微鏡による観察可能な範囲を示す平面透視図、図4は本実施形態における基準ワークの概略構成を示す平面図、図5は本実施形態におけるテンショナにより回路基板を把持した状態を示す平面図である。   1 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate manufacturing apparatus according to the present embodiment, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II in FIG. 1, and FIG. 3 is an observation unit according to the present embodiment arranged on a circuit board. FIG. 4 is a plan view showing a schematic configuration of the reference workpiece in the present embodiment, and FIG. 5 is a plan view showing a state in which the circuit board is held by the tensioner in the present embodiment. It is.

本実施形態における基板製造装置1は、変形した回路基板100を所定の形状に矯正する装置である。基板製造装置1は、図1及び図2に示すように、観察部10と、基準ワークユニット20と、テンショナ30と、加熱ステージ40と、アライメントステージ50と、筐体60と、を備えている。   The board manufacturing apparatus 1 in the present embodiment is an apparatus that corrects a deformed circuit board 100 into a predetermined shape. As shown in FIGS. 1 and 2, the substrate manufacturing apparatus 1 includes an observation unit 10, a reference work unit 20, a tensioner 30, a heating stage 40, an alignment stage 50, and a housing 60. .

観察部10は、支持部11と、ガイド14と、顕微鏡15と、を備えている。支持部11は、筐体60の両側部602上に架け渡され、走行部12と、開口13と、を有している。なお、筐体60は、底部601と、当該底部601の両端にそれぞれ設けられた一対の側部602と、を有しており、全体として、上方が開放された略コの字状の断面形状を有している。それぞれの側部602上には、レール61が設けられており、このレール61は、Y方向に沿って延在している。   The observation unit 10 includes a support unit 11, a guide 14, and a microscope 15. The support portion 11 is bridged on both side portions 602 of the housing 60 and has a traveling portion 12 and an opening 13. The housing 60 has a bottom portion 601 and a pair of side portions 602 provided at both ends of the bottom portion 601, respectively, and as a whole, a substantially U-shaped cross-sectional shape with the top opened. have. A rail 61 is provided on each side portion 602, and the rail 61 extends along the Y direction.

走行部12は、支持部11の両端に設けられており、レール61にスライド可能に係合している。この走行部12がレール61の延在方向(図中Y方向)に沿ってスライドすることで、観察部10が移動可能となっている。   The traveling unit 12 is provided at both ends of the support unit 11 and is slidably engaged with the rail 61. The traveling unit 12 slides along the extending direction of the rail 61 (Y direction in the figure), so that the observation unit 10 can move.

観察部10を回路基板100の上方に移動させることで、顕微鏡15により回路基板100を観察することができる。一方、回路基板100の上方から観察部10を退避させることで、回路基板100をテンショナ30に脱着することができる。開口13は、支持部11の略中心付近に複数(本実施形態では4つ)形成されており、Z方向に沿って支持部11を貫通している。   By moving the observation unit 10 above the circuit board 100, the circuit board 100 can be observed with the microscope 15. On the other hand, the circuit board 100 can be detached from the tensioner 30 by retracting the observation unit 10 from above the circuit board 100. A plurality of (four in the present embodiment) openings 13 are formed in the vicinity of the approximate center of the support portion 11 and penetrate the support portion 11 along the Z direction.

本実施形態における観察部10には、4つの顕微鏡15が下方を向くように設けられている。この4つの顕微鏡15は対応する4つのガイド14に取り付けられている。4つのガイド14は、それぞれ対応する開口13内に配置されている。それぞれのガイド14は、例えば、X方向移動機構と、Y方向移動機構と、を有している。このX方向移動機構及びY方向移動機構の具体例として、例えば、送りねじ機構を有したものを例示することができる。また、それぞれのガイド14には、顕微鏡15を取り付けるためのステージが設けられている。このステージを上述のX方向移動機構及びY方向移動機構により移動させることで、顕微鏡15をX方向及びY方向に移動させることができる。また、4つの顕微鏡15は、それぞれに対応するガイド14に設けられていることで、相互に独立して移動可能となっている。さらに、顕微鏡15は、Z方向に沿って上下動する機能を有しており、観察する対象に応じて焦点距離を調整することが可能となっている。   In the observation unit 10 in the present embodiment, four microscopes 15 are provided so as to face downward. The four microscopes 15 are attached to corresponding four guides 14. The four guides 14 are respectively disposed in the corresponding openings 13. Each guide 14 has, for example, an X direction moving mechanism and a Y direction moving mechanism. As a specific example of the X direction moving mechanism and the Y direction moving mechanism, for example, a mechanism having a feed screw mechanism can be exemplified. Each guide 14 is provided with a stage for attaching the microscope 15. The microscope 15 can be moved in the X direction and the Y direction by moving this stage by the above-described X direction moving mechanism and Y direction moving mechanism. Further, the four microscopes 15 are provided on the guides 14 corresponding to the four microscopes 15 so that they can move independently of each other. Furthermore, the microscope 15 has a function of moving up and down along the Z direction, and can adjust the focal length according to the object to be observed.

4つの顕微鏡15は、図3に示すように、平面視において、それぞれ重複しない範囲(図中における斜線部)で回路基板100を上方から観察できるようになっている。この4つの顕微鏡15は、基準ワーク保持部23の開口232(後述)を介して回路基板100を視認可能となっており、この開口232内において、回路基板100の平面のほぼ全域を観察できるようになっている。また、顕微鏡15には、CCDカメラ(不図示)が付帯しており、撮像した信号をモニタに映すことで、それぞれの箇所を同時に観察することが可能となっている。なお、本実施形態では、開口13、ガイド14、及び顕微鏡15は、それぞれ4つ設けられているが、回路基板100の平面を観察可能であれば、その数は特に限定されない。本実施形態における「顕微鏡15」が本発明における「検出手段」の一例に相当する。   As shown in FIG. 3, the four microscopes 15 can observe the circuit board 100 from above in a non-overlapping range (shaded area in the drawing) in plan view. The four microscopes 15 can visually recognize the circuit board 100 through an opening 232 (described later) of the reference work holding unit 23, so that almost the entire plane of the circuit board 100 can be observed in the opening 232. It has become. Further, a CCD camera (not shown) is attached to the microscope 15, and each portion can be observed at the same time by projecting the captured signal on a monitor. In the present embodiment, four openings 13, guides 14, and microscopes 15 are provided, but the number is not particularly limited as long as the plane of the circuit board 100 can be observed. The “microscope 15” in the present embodiment corresponds to an example of “detection means” in the present invention.

基準ワークユニット20は、図1及び図2に示すように、基準ワーク21を基板製造装置1に装着するユニットである。この基準ワークユニット20は、基準ワーク21と、ガラスホルダ22と、基準ワーク保持部23と、を備えている。   The reference work unit 20 is a unit for mounting the reference work 21 on the substrate manufacturing apparatus 1 as shown in FIGS. The reference work unit 20 includes a reference work 21, a glass holder 22, and a reference work holding unit 23.

基準ワーク21は、変形した回路基板100を所定の形状に矯正する際に位置合わせの基準として用いられる位置合わせ用部材であり、例えば、ガラスにクロム(Cr)等の金属膜が成膜された板状とされ、本実施形態では、図4に示すように、長方形の平板形状を有している。また、この基準ワーク21には、所定位置にアライメントマーク211が形成されている。このアライメントマーク211は、例えば、フォトリソグラフィにより金属膜のパターニングを行うことにより形成されている。本実施形態では、このアライメントマーク211は、絶縁性基板110(後述)の変形前の基準形状111(後述)に対応する位置に配置されている。   The reference workpiece 21 is an alignment member used as an alignment reference when correcting the deformed circuit board 100 into a predetermined shape. For example, a metal film such as chromium (Cr) is formed on glass. In this embodiment, as shown in FIG. 4, it has a rectangular flat plate shape. The reference workpiece 21 is formed with an alignment mark 211 at a predetermined position. The alignment mark 211 is formed, for example, by patterning a metal film by photolithography. In the present embodiment, the alignment mark 211 is disposed at a position corresponding to a reference shape 111 (described later) before deformation of the insulating substrate 110 (described later).

図1及び図2に示すように、ガラスホルダ22は、透明な材質で構成されている。このガラスホルダ22には、内部に真空吸着孔221が形成されている。この真空吸着孔221は、一方の端部でガラスホルダ保持部233に形成された真空吸着孔234(後述)の一方の端部と接続されている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the glass holder 22 is made of a transparent material. The glass holder 22 has a vacuum suction hole 221 formed therein. The vacuum suction hole 221 is connected to one end of a vacuum suction hole 234 (described later) formed in the glass holder holding portion 233 at one end.

基準ワーク保持部23は、例えば、固定ネジ231によって筐体60の両側部602に固定されており、脱着可能となっている。この基準ワーク保持部23は、その中央に開口232が形成された環状形状を有している。この開口232は、回路基板100の電子部品120が形成可能な領域と略同一の大きさを有している。開口232の上方には、上述した顕微鏡15が配置可能となっている。   The reference work holding part 23 is fixed to both side parts 602 of the housing 60 by, for example, fixing screws 231 and can be attached and detached. The reference work holding part 23 has an annular shape with an opening 232 formed in the center thereof. The opening 232 has substantially the same size as a region of the circuit board 100 where the electronic component 120 can be formed. Above the opening 232, the above-described microscope 15 can be arranged.

また、基準ワーク保持部23の下側には、ガラスホルダ保持部233が設けられている。このガラスホルダ保持部233は、当該基準ワーク保持部23の開口232の外周縁部に沿って形成されている。ガラスホルダ保持部233には、上述した真空吸着孔221に対向するように真空吸着孔234が形成されている。真空吸着孔234は、真空吸着孔221と接続する側と反対側の端部で真空ポンプ235に接続されている。この真空ポンプ235を駆動することで、真空吸着孔221,234を介して、基準ワーク21をガラスホルダ22上に吸着固定することができる。   Further, a glass holder holding part 233 is provided below the reference work holding part 23. The glass holder holding portion 233 is formed along the outer peripheral edge portion of the opening 232 of the reference workpiece holding portion 23. A vacuum suction hole 234 is formed in the glass holder holding part 233 so as to face the vacuum suction hole 221 described above. The vacuum suction hole 234 is connected to the vacuum pump 235 at the end opposite to the side connected to the vacuum suction hole 221. By driving the vacuum pump 235, the reference workpiece 21 can be sucked and fixed onto the glass holder 22 through the vacuum suction holes 221 and 234.

テンショナ30は、図2に示すように、筐体60内に設けられており、アクチュエータ31と、把持クリップ32と、を備えている。このテンショナ30は、アライメントステージ50の移動ステージ51(後述)の外周縁部に沿って複数設けられている。本実施形態では、図5に示すように、回路基板100に対して長手方向では一辺に5個、短手方向では一辺に4個のテンショナ30がそれぞれ独立して配列されている。複数のテンショナ30は、個別に動作が可能となっており、回路基板100に対して独立して引張力を印加することができる。また、テンショナ30は、それぞれの1辺毎に複数のテンショナ30の配列方向に沿って移動することが可能となっている。なお、複数のテンショナ30は、隣り合うテンショナ30同士が20〜150[mm]のピッチ(中心間距離)で配置することが好ましく、100[mm]以下であることがより好ましい。   As shown in FIG. 2, the tensioner 30 is provided in the housing 60 and includes an actuator 31 and a grip clip 32. A plurality of tensioners 30 are provided along the outer peripheral edge of a moving stage 51 (described later) of the alignment stage 50. In the present embodiment, as shown in FIG. 5, five tensioners 30 are arranged independently with respect to the circuit board 100 in the longitudinal direction and four tensioners 30 in the lateral direction. The plurality of tensioners 30 can be individually operated, and a tensile force can be independently applied to the circuit board 100. Further, the tensioner 30 can move along the arrangement direction of the plurality of tensioners 30 for each side. In addition, it is preferable that the tensioners 30 adjacent to each other are arranged at a pitch (center distance) of 20 to 150 [mm], and more preferably 100 [mm] or less.

アクチュエータ31は、モータ駆動のリニアアクチュエータ等を例示することができる。アクチュエータ31には、X方向又はY方向に沿って延在するアーム部311が設けられている。アーム部311は、上述のリニアアクチュエータに接続されており、これにより、X方向或いはY方向に沿って進退可能となっている。このアーム部311を、回路基板100と、テンショナ30と、が接続した状態で、回路基板100に対して相対的に離間する方向に後退させることで、回路基板100を伸張させることができる。   The actuator 31 can be exemplified by a motor-driven linear actuator or the like. The actuator 31 is provided with an arm portion 311 extending along the X direction or the Y direction. The arm portion 311 is connected to the above-described linear actuator, and thereby can advance and retract along the X direction or the Y direction. The circuit board 100 can be extended by retracting the arm portion 311 in a direction away from the circuit board 100 in a state where the circuit board 100 and the tensioner 30 are connected.

このようなアクチュエータ31の最大張力Tmaxは、それぞれのテンショナ30毎に10〜500[N]であることが好ましく、100[N]〜200[N]であることがより好ましい。また、アクチュエータ31の移動分解能は、10[μm]以下であることが好ましく、1[μm]以下であることがより好ましい。これは、絶縁性基板110(後述)に生じる変形が数100[μm]であることが多いためである。   The maximum tension Tmax of the actuator 31 is preferably 10 to 500 [N] for each tensioner 30, and more preferably 100 [N] to 200 [N]. The moving resolution of the actuator 31 is preferably 10 [μm] or less, and more preferably 1 [μm] or less. This is because deformation that occurs in the insulating substrate 110 (described later) is often several hundreds [μm].

把持クリップ32は、アクチュエータ31のアーム部311の先端に設けられている。この把持クリップ32は、一対の爪部321の間に回路基板100を介在させた状態で、爪部321間の距離を相互に近づけることで、回路基板100を把持することができる。このような把持クリップ32の把持機構としては、圧縮空気の圧力、バネ、又は、ねじを利用した機構を例示することができる。なお、本実施形態では、一対の爪部321を相互に近づけているが、特にこれに限定されず、例えば、一方の爪部321を固定し、他方の爪部321を相対的に近づけることで、回路基板100を把持してもよい。なお、本実施形態における「テンショナ30」が本発明における「張力印加手段」の一例に相当する。   The grip clip 32 is provided at the tip of the arm portion 311 of the actuator 31. The grip clip 32 can grip the circuit board 100 by bringing the distance between the claw parts 321 closer to each other with the circuit board 100 interposed between the pair of claw parts 321. As such a gripping mechanism of the gripping clip 32, a mechanism using a pressure of compressed air, a spring, or a screw can be exemplified. In the present embodiment, the pair of claw portions 321 are close to each other, but the present invention is not particularly limited thereto. For example, one claw portion 321 is fixed and the other claw portion 321 is relatively close to each other. The circuit board 100 may be gripped. The “tensioner 30” in the present embodiment corresponds to an example of the “tension applying unit” in the present invention.

加熱ステージ40は、筐体60内に設けられており、アライメントステージ50の移動ステージ51上に載置されている。加熱ステージ40の上面に、回路基板100を載置可能となっており、これにより、加熱ステージ40により回路基板100を加熱することができる。この加熱ステージ40の内部には、例えば、ヒーター、オーブン機構、又は赤外線加熱機構等の発熱体が収容されている。なお、本実施形態における「加熱ステージ40」が本発明の「加熱手段」の一例に相当する。   The heating stage 40 is provided in the housing 60 and is placed on the moving stage 51 of the alignment stage 50. The circuit board 100 can be placed on the upper surface of the heating stage 40, whereby the circuit board 100 can be heated by the heating stage 40. Inside the heating stage 40, for example, a heating element such as a heater, an oven mechanism, or an infrared heating mechanism is accommodated. The “heating stage 40” in the present embodiment corresponds to an example of the “heating means” in the present invention.

アライメントステージ50は、筐体60内に設けられており、移動ステージ51と、移動機構52と、を有している。移動ステージ51上には、上述のようにテンショナ30と、加熱ステージ40と、が設けられている。移動機構52は、X方向移動機構と、Y方向移動機構と、回転機構と、高さ移動機構と、を有している。X方向移動機構、Y方向移動機構、及び高さ移動機構としては、例えば、送りねじ機構を有したものを例示することができる。回転機構としては、例えば、回転板と、回転板の略中心に設けられた回転軸と、から構成されるものを例示することができる。この移動機構52上には、移動ステージ51が設けられている。なお、移動機構52の構成は、特に上述に限定されない。   The alignment stage 50 is provided in the housing 60 and includes a moving stage 51 and a moving mechanism 52. On the moving stage 51, the tensioner 30 and the heating stage 40 are provided as described above. The moving mechanism 52 has an X direction moving mechanism, a Y direction moving mechanism, a rotating mechanism, and a height moving mechanism. Examples of the X direction moving mechanism, the Y direction moving mechanism, and the height moving mechanism include those having a feed screw mechanism. As a rotation mechanism, what is comprised from the rotating plate and the rotating shaft provided in the approximate center of the rotating plate can be illustrated, for example. A moving stage 51 is provided on the moving mechanism 52. The configuration of the moving mechanism 52 is not particularly limited to the above.

移動ステージ51上に設けられたテンショナ30には、回路基板100を取り付けることが可能となっている。一方、筐体60に取り付けられた基準ワークユニット20には、基準ワーク21が固定されている。そして、移動機構52により移動ステージ51上の回路基板100を基準ワーク21に対して相対的に移動させる。これにより、回路基板100と基準ワーク21の位置合わせを行うことができる。   The circuit board 100 can be attached to the tensioner 30 provided on the moving stage 51. On the other hand, the reference work 21 is fixed to the reference work unit 20 attached to the housing 60. Then, the circuit board 100 on the moving stage 51 is moved relative to the reference workpiece 21 by the moving mechanism 52. Thereby, the circuit board 100 and the reference | standard workpiece | work 21 can be aligned.

次に、以上に説明した基板製造装置1により矯正される回路基板100の構造について説明する。   Next, the structure of the circuit board 100 corrected by the board manufacturing apparatus 1 described above will be described.

図6は本実施形態における変形の前後の回路基板を示す図であり、図6(a)は変形前の回路基板を示す平面図、図6(b)は変形後の回路基板を示す平面図である。   6A and 6B are diagrams showing the circuit board before and after the deformation in the present embodiment. FIG. 6A is a plan view showing the circuit board before the deformation, and FIG. 6B is a plan view showing the circuit board after the deformation. It is.

回路基板100は、所謂フレキシブルプリント配線板(FPC)であり、図6(a)及び図6(b)に示すように、絶縁性基板110と、電子部品120と、を有している。   The circuit board 100 is a so-called flexible printed wiring board (FPC), and includes an insulating substrate 110 and an electronic component 120 as shown in FIGS. 6 (a) and 6 (b).

絶縁性基板110は、変形前の基準形状111(後述)においては、長方形の平板形状を有している。この絶縁性基板110を構成する材料としては、電気絶縁性と熱可塑性を有する材料であればよいが、透明性や低熱収縮率を有していることがより好ましい。このような絶縁性基板110を構成する材料としては、ポリスチレン、ABS樹脂、塩化ビニル樹脂、メタクリル酸メチル樹脂、ナイロン、フッ素樹脂、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート(polyethylene terephthalate、PET)やポリエチレンナフタレート(polyethylene naphthalate、PEN)などのポリエステル樹脂等を例示することができる。なお、回路基板100の形状は、特に上述に限定されない。本実施形態における「絶縁性基板110」が本発明における「熱可塑性の基板」の一例に相当する。   The insulating substrate 110 has a rectangular flat plate shape in a reference shape 111 (described later) before deformation. The material constituting the insulating substrate 110 may be any material having electrical insulation and thermoplasticity, but more preferably has transparency and a low heat shrinkage rate. Examples of the material constituting the insulating substrate 110 include polystyrene, ABS resin, vinyl chloride resin, methyl methacrylate resin, nylon, fluororesin, polycarbonate, polyethylene terephthalate (PET), and polyethylene naphthalate (polyethylene naphthalate). , PEN) and the like. The shape of the circuit board 100 is not particularly limited to the above. The “insulating substrate 110” in the present embodiment corresponds to an example of “thermoplastic substrate” in the present invention.

絶縁性基板110の表面には、アライメントマーク114が形成されている。このアライメントマーク114は、絶縁性基板110の変形前の基準形状111(後述)に対応するように配置されている。また、アライメントマーク114のそれぞれが、上述の基準ワーク21のアライメントマーク211のそれぞれと対応している。なお、このような絶縁性基板110の厚さは、特に限定されないが、10[μm]〜200[μm]であることが好ましく、30[μm]〜150[μm]であることがより好ましい。   An alignment mark 114 is formed on the surface of the insulating substrate 110. This alignment mark 114 is arranged so as to correspond to a reference shape 111 (described later) of the insulating substrate 110 before deformation. Further, each of the alignment marks 114 corresponds to each of the alignment marks 211 of the reference workpiece 21 described above. The thickness of the insulating substrate 110 is not particularly limited, but is preferably 10 [μm] to 200 [μm], and more preferably 30 [μm] to 150 [μm].

電子部品120は、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、TFT)等の有機トランジスタ等を例示することができ、このような薄膜トランジスタとしては、絶縁性基板110上にゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層、ソース電極、ドレイン電極を印刷法により順次形成することで構成されているものを例示することができる。また、特に図示しないが、配線パターンを絶縁性基板110上に形成してもよい。例えば、この配線パターンにより、電子部品120同士を導通接続してもよい。   The electronic component 120 can be exemplified by an organic transistor such as a thin film transistor (TFT). As such a thin film transistor, a gate electrode, a gate insulating layer, a semiconductor layer, and a source electrode are formed on an insulating substrate 110. The drain electrode can be formed by sequentially forming the drain electrode by a printing method. Although not particularly shown, a wiring pattern may be formed on the insulating substrate 110. For example, the electronic components 120 may be connected to each other by this wiring pattern.

本実施形態では、電子部品120を印刷法により形成しており、この印刷工程では回路基板100を150[℃]を超える温度で加熱し、その後、室温付近まで冷却されるため、熱収縮等によって絶縁性基板110が変形する。このため、本実施形態における絶縁性基板110は、変形前は基準形状111を有するが(図6(a)参照)、上述のように電子部品120を形成する過程において、収縮形状112に変形する(図6(b)参照)。   In this embodiment, the electronic component 120 is formed by a printing method, and in this printing process, the circuit board 100 is heated at a temperature exceeding 150 [° C.] and then cooled to near room temperature. The insulating substrate 110 is deformed. For this reason, the insulating substrate 110 in this embodiment has the reference shape 111 before deformation (see FIG. 6A), but is deformed into the contracted shape 112 in the process of forming the electronic component 120 as described above. (See FIG. 6 (b)).

なお、本実施形態における「基準形状111」は、変形前の絶縁性基板110の形状であり、本発明における「第1の形状」の一例に相当し、本実施形態における「収縮形状112」は、変形後の絶縁性基板110の形状であり、本発明における「第2の形状」の一例に相当する。   Note that the “reference shape 111” in the present embodiment is the shape of the insulating substrate 110 before deformation, and corresponds to an example of the “first shape” in the present invention, and the “contracted shape 112” in the present embodiment is The shape of the insulating substrate 110 after deformation corresponds to an example of the “second shape” in the present invention.

また、本実施形態では、既に絶縁性基板110上に電子部品120が形成されていることから、加熱ステージ40で回路基板100を加熱する際に、当該電子部品120に熱的影響を与えない温度範囲で加熱する必要がある。このため、絶縁性基板110を構成する材料のガラス転移温度Tgは、40[℃]以上200[℃]以下であることが好ましく、70[℃]以上160[℃]以下であることがより好ましい。なお、加熱ステージ40による回路基板100を加熱する温度範囲と、絶縁性基板110を構成する材料のガラス転移温度Tgと、の関係については後に詳細に説明する。   In this embodiment, since the electronic component 120 is already formed on the insulating substrate 110, the temperature at which the electronic component 120 is not thermally affected when the circuit board 100 is heated by the heating stage 40. It is necessary to heat in the range. For this reason, the glass transition temperature Tg of the material constituting the insulating substrate 110 is preferably 40 [° C.] or higher and 200 [° C.] or lower, and more preferably 70 [° C.] or higher and 160 [° C.] or lower. . The relationship between the temperature range for heating the circuit board 100 by the heating stage 40 and the glass transition temperature Tg of the material constituting the insulating substrate 110 will be described in detail later.

なお、本実施形態では、電子部品120は印刷法により形成しているが、特にこれに限定されない。例えば、スクリーン印刷法により半田ペーストを絶縁性基板に印刷し、当該半田ペースト上に電子部品を載置した後、リフローすることで電子部品を絶縁性基板に実装してもよい。リフロー工程では、電子部品が載置された回路基板を加熱することで、半田を溶融させ電子部品を絶縁性基板上に実装するが、これにより、熱収縮等によって絶縁性基板が変形する場合がある。   In the present embodiment, the electronic component 120 is formed by a printing method, but is not particularly limited thereto. For example, the electronic component may be mounted on the insulating substrate by printing the solder paste on the insulating substrate by a screen printing method, placing the electronic component on the solder paste, and then performing reflow. In the reflow process, by heating the circuit board on which the electronic component is placed, the solder is melted and the electronic component is mounted on the insulating substrate. However, the insulating substrate may be deformed due to heat shrinkage or the like. is there.

次に、本実施形態における回路基板100の製造方法、すなわち絶縁性基板110の形状の矯正方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the circuit board 100 according to this embodiment, that is, a method for correcting the shape of the insulating substrate 110 will be described.

図7は本実施形態における回路基板の製造方法を示す工程図である。   FIG. 7 is a process diagram showing a circuit board manufacturing method according to the present embodiment.

本実施形態における基板の製造方法は、図7に示すように、マーク形成工程(ステップS10)、電子部品形成工程(ステップS11)と、回路基板の取付工程(ステップS12)と、基準ワークユニットの取付工程(ステップS13)と、検出工程(ステップS14)と、伸張工程(ステップS15)と、加熱工程(ステップS16)と、冷却工程(ステップS17)と、解放工程(ステップS18)と、を備える。なお、以下の説明では、電子部品120は、図面において省略して説明する。   As shown in FIG. 7, the substrate manufacturing method in this embodiment includes a mark forming process (step S10), an electronic component forming process (step S11), a circuit board attaching process (step S12), and a reference work unit. An attachment process (step S13), a detection process (step S14), an extension process (step S15), a heating process (step S16), a cooling process (step S17), and a release process (step S18) are provided. . In the following description, the electronic component 120 is omitted in the drawings.

本実施形態における「検出工程(ステップS14)」が本発明の「第1の工程」の一例に相当し、本実施形態における「伸張工程(ステップS15)」及び「加熱工程(ステップS16)」が本発明の「第2の工程」の一例に相当し、本実施形態における「解放工程(ステップS18)」が本発明の「第3の工程」の一例に相当し、本実施形態における「電子部品形成工程(ステップS11)」が本発明の「第4の工程」の一例に相当する。   The “detection step (step S14)” in the present embodiment corresponds to an example of the “first step” of the present invention, and the “extension step (step S15)” and the “heating step (step S16)” in the present embodiment. The “second process” of the present invention corresponds to an example, and the “release process (step S18)” in the present embodiment corresponds to an example of the “third process” of the present invention. The “forming step (step S11)” corresponds to an example of the “fourth step” in the present invention.

本実施形態では、例えば、特許文献1に開示されている方法を用いて、ステップS10において絶縁性基板110上にアライメントマーク114を形成し、ステップS11において絶縁性基板110上に電子部品を形成する。ステップS10では、まず、支持体(不図示)上に接着層(不図示)をスクリーン印刷などの印刷法を用いて形成した後、ラミネータにて絶縁性基板110を貼り合わせる。そして、回路基板100が支持体に接着された状態で、絶縁性基板110の表面上に反転印刷、グラビアオフセット印刷、フレキソ印刷、スクリーン印刷などの印刷法を用いてアライメントマーク114を形成する。なお、アライメントマーク114を形成する方法としては、特に上述に限定されず、例えば、COレーザーやエキシマレーザー等によるレーザーマーキング法を用いてもよい。 In the present embodiment, for example, using the method disclosed in Patent Document 1, the alignment mark 114 is formed on the insulating substrate 110 in step S10, and the electronic component is formed on the insulating substrate 110 in step S11. . In step S10, first, an adhesive layer (not shown) is formed on a support (not shown) using a printing method such as screen printing, and then the insulating substrate 110 is bonded with a laminator. Then, with the circuit board 100 adhered to the support, the alignment mark 114 is formed on the surface of the insulating substrate 110 using a printing method such as reverse printing, gravure offset printing, flexographic printing, or screen printing. The method of forming the alignment mark 114 is not particularly limited to the above, and for example, a laser marking method using a CO 2 laser, an excimer laser, or the like may be used.

ステップS11では、絶縁性基板110上に電子部品120を形成する。本実施形態では、電子部品120として薄膜トランジスタを形成する。この薄膜トランジスタは、絶縁性基板110上にゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層、ソース電極、ドレイン電極を凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、反転印刷、インクジェット、熱転写印刷、ディスペンサなどの印刷法を用いて順次形成する。なお、上述のステップS10とステップS11とは、同時に行ってもよい。特に限定しないが、たとえば、アライメントマーク114に対応するパターンと、電子部品120に対応するパターンと、を有する版胴やスクリーンを用いて印刷を行うことで、これらのパターンが絶縁性基板100に同時に形成される。   In step S <b> 11, the electronic component 120 is formed on the insulating substrate 110. In this embodiment, a thin film transistor is formed as the electronic component 120. This thin film transistor uses a printing method such as relief printing, intaglio printing, planographic printing, reversal printing, inkjet, thermal transfer printing, dispenser, and the like on a gate electrode, a gate insulating layer, a semiconductor layer, a source electrode, and a drain electrode on an insulating substrate 110. Are sequentially formed. Note that step S10 and step S11 described above may be performed simultaneously. Although not particularly limited, for example, printing is performed using a plate cylinder or a screen having a pattern corresponding to the alignment mark 114 and a pattern corresponding to the electronic component 120, so that these patterns are simultaneously formed on the insulating substrate 100. It is formed.

図8(a)〜図8(c)は図8のステップS12〜ステップS14をそれぞれ示す図である。   FIG. 8A to FIG. 8C are diagrams showing steps S12 to S14 of FIG. 8, respectively.

ステップS12では、まず、回路基板100を支持体から剥離する。この際に、絶縁性基板110の形状は、基準形状111から収縮形状112に変形する。この収縮形状112は、熱収縮等により変形していることから、基準形状111に対して相対的に小さい。なお、ステップS10において説明したアライメントマーク114を形成する工程(マーク形成工程)を、回路基板100を支持体から剥離する前に行うことで、絶縁性基板110の変形が当該アライメントマーク114の位置に反映される。このように、本実施形態では、絶縁性基板110の変形後の状態の収縮形状112に変形したことに伴ってアライメントマーク114が移動する。   In step S12, first, the circuit board 100 is peeled from the support. At this time, the shape of the insulating substrate 110 is deformed from the reference shape 111 to the contracted shape 112. The contracted shape 112 is relatively small with respect to the reference shape 111 because it is deformed by thermal contraction or the like. Note that the step of forming the alignment mark 114 described in step S <b> 10 (mark formation step) is performed before the circuit board 100 is peeled from the support, so that the deformation of the insulating substrate 110 is brought to the position of the alignment mark 114. Reflected. As described above, in the present embodiment, the alignment mark 114 moves in accordance with the deformation of the insulating substrate 110 into the contracted shape 112 in the deformed state.

次いで、図8(a)に示すように、回路基板100を加熱ステージ40の上面に載置する。次いで、回路基板100をテンショナ30に取り付ける。具体的には、把持クリップ32により絶縁性基板110の外周縁部を把持し、回路基板100と、アクチュエータ31と、を接続する。   Next, as shown in FIG. 8A, the circuit board 100 is placed on the upper surface of the heating stage 40. Next, the circuit board 100 is attached to the tensioner 30. Specifically, the outer peripheral edge of the insulating substrate 110 is gripped by the grip clip 32, and the circuit board 100 and the actuator 31 are connected.

ステップS13では、図8(b)に示すように、基準ワークユニット20を筐体60に取り付ける。まず、基準ワーク保持部23に基準ワーク21を真空吸着により固定する。次いで、固定ネジ231により筐体60の側部602に基準ワーク保持部23を取り付ける。加熱ステージ40上には回路基板100が載置されており、これにより、基準ワーク21と回路基板100が対向する。   In step S13, the reference work unit 20 is attached to the housing 60 as shown in FIG. First, the reference work 21 is fixed to the reference work holding part 23 by vacuum suction. Next, the reference work holding part 23 is attached to the side part 602 of the housing 60 with the fixing screw 231. The circuit board 100 is placed on the heating stage 40, whereby the reference workpiece 21 and the circuit board 100 face each other.

図9はステップS14を説明する回路基板の構成を示す図であり、図9(a)は回路基板と基準ワークとの位置合わせ方法について説明する平面図、図9(b)は差分を検出する方法について説明する平面図である。   FIG. 9 is a diagram showing the configuration of the circuit board for explaining step S14. FIG. 9A is a plan view for explaining a method of aligning the circuit board and the reference work, and FIG. 9B detects the difference. It is a top view explaining a method.

ステップS14では、図8(c)に示すように、まず、観察部10を加熱ステージ40の上方に移動させる。次いで、基準ワーク21に形成されたアライメントマーク211の位置と、絶縁性基板110に形成されたアライメントマーク114の位置と、を顕微鏡15で観察しながら、基準ワーク21の位置と、回路基板100の位置と、を調整する。   In step S14, as shown in FIG. 8C, first, the observation unit 10 is moved above the heating stage 40. Next, while observing with the microscope 15 the position of the alignment mark 211 formed on the reference workpiece 21 and the position of the alignment mark 114 formed on the insulating substrate 110, Adjust the position.

基準ワーク21の位置と、回路基板100の位置と、を調整するに当たっては、移動機構52により回路基板100の高さを上下させることで焦点距離を合わせ、それぞれのアライメントマーク211,114が顕微鏡15により正確に観察することができるようにしてから行う。また、基準ワーク21の位置と、回路基板100の位置と、の調整は、移動機構52により回路基板100を移動させることで行う。なお、顕微鏡15がZ方向に沿って上下動する機能を有しているので、この機能を用いて、顕微鏡15の高さと、回路基板100の高さと、を調整することで、焦点距離を合わせてもよい。   In adjusting the position of the reference workpiece 21 and the position of the circuit board 100, the focal length is adjusted by moving the height of the circuit board 100 up and down by the moving mechanism 52, and the alignment marks 211 and 114 are positioned on the microscope 15. So that it can be observed more accurately. The position of the reference workpiece 21 and the position of the circuit board 100 are adjusted by moving the circuit board 100 by the moving mechanism 52. Since the microscope 15 has a function of moving up and down along the Z direction, the focal length is adjusted by adjusting the height of the microscope 15 and the height of the circuit board 100 using this function. May be.

このステップS13で、平面視において、アライメントマーク211,114間における位置ずれが最小となるように、基準ワーク21の位置と、回路基板100の位置と、を調整する。具体的には、図9(a)に示すように、まず、アライメントマーク211のうちいずれか1つのアライメントマーク211aと、当該アライメントマーク211aに対応するアライメントマーク114aと、の間の距離(L1)を顕微鏡15により撮像された画像から測定する。また、マーク211a、114a間以外についても、上述と同様に、対応するそれぞれのアライメントマーク211,114間の距離(L2〜L10)を顕微鏡15により撮像された画像から測定する。   In step S13, the position of the reference workpiece 21 and the position of the circuit board 100 are adjusted so that the positional deviation between the alignment marks 211 and 114 is minimized in plan view. Specifically, as shown in FIG. 9A, first, the distance (L1) between any one of the alignment marks 211a and the alignment mark 114a corresponding to the alignment mark 211a. Is measured from the image captured by the microscope 15. Further, the distances (L2 to L10) between the corresponding alignment marks 211 and 114 are measured from the image captured by the microscope 15 in the same manner as described above, except for between the marks 211a and 114a.

そして、測定した距離(L1〜L10)の総和が最小となるように、アライメントステージ50により基準ワーク21に対して回路基板100を相対的に移動させ、基準ワーク21の位置と、回路基板100の位置と、を調整する。なお、基準ワーク21の位置と、回路基板100の位置と、の調整方法は、特に上述に限定されず、公知の方法を採用してもよい。   Then, the circuit board 100 is moved relative to the reference workpiece 21 by the alignment stage 50 so that the total of the measured distances (L1 to L10) is minimized, and the position of the reference workpiece 21 and the circuit board 100 are Adjust the position. In addition, the adjustment method of the position of the reference | standard workpiece | work 21 and the position of the circuit board 100 is not specifically limited above, You may employ | adopt a well-known method.

次いで、アライメントマーク211の位置と、アライメントマーク114の位置と、に基づいて、絶縁性基板110の変形前の状態の基準形状111と、変形後の状態の収縮形状112と、の間の差分A1を検出する。基準ワーク21の位置と、回路基板100の位置と、が調整された後でも、平面視において、アライメントマーク211の位置と、アライメント114の位置と、の間にずれが生じている。これは、アライメントマーク211が絶縁性基板110の変形前の状態の基準形状111に対応して形成されていることに対して、アライメントマーク114が絶縁性基板110の変形後の状態の収縮形状112に変形したことに伴って移動したためである。このように、差分A1は、基準形状111から収縮形状112に変形することにより生じたものであり、本実施形態では、この差分A1を検出する。   Next, based on the position of the alignment mark 211 and the position of the alignment mark 114, the difference A1 between the reference shape 111 before the deformation of the insulating substrate 110 and the contracted shape 112 after the deformation. Is detected. Even after the position of the reference workpiece 21 and the position of the circuit board 100 are adjusted, there is a deviation between the position of the alignment mark 211 and the position of the alignment 114 in plan view. This is because the alignment mark 211 is formed corresponding to the reference shape 111 of the insulating substrate 110 before the deformation, whereas the alignment mark 114 is a contracted shape 112 of the insulating substrate 110 after the deformation. This is because it has moved along with the deformation. As described above, the difference A1 is generated by the deformation from the reference shape 111 to the contracted shape 112, and in the present embodiment, the difference A1 is detected.

絶縁性基板110の変形前の状態の基準形状111と、変形後の状態の収縮形状112と、の間の差分A1を検出するに当たっては、それぞれのアライメントマーク211、114ごとに検出する。具体的には、図9(b)に示すように、基準ワーク21の位置と、回路基板100の位置と、が調整された後、アライメントマーク211のうちいずれか1つのアライメントマーク211aと、当該アライメントマーク211aに対応するアライメントマーク114aと、の間の距離を顕微鏡15により撮像された画像から測定し、差分(A10)を検出する。また、マーク211a、114a間以外についても、上述と同様に、対応するそれぞれのアライメントマーク211,114間の距離を顕微鏡15により撮像された画像から測定し、差分(A11〜A19)を検出する。   In detecting the difference A1 between the reference shape 111 of the insulating substrate 110 before the deformation and the contracted shape 112 of the deformed state, it is detected for each of the alignment marks 211 and 114. Specifically, as shown in FIG. 9B, after the position of the reference workpiece 21 and the position of the circuit board 100 are adjusted, any one of the alignment marks 211a, The distance between the alignment mark 114a corresponding to the alignment mark 211a is measured from the image captured by the microscope 15, and the difference (A10) is detected. Further, in the same manner as described above, the distance between the corresponding alignment marks 211 and 114 is measured from the image picked up by the microscope 15 and the difference (A11 to A19) is detected except for between the marks 211a and 114a.

なお、本実施形態では、後に説明するステップS15において、上述で検出した差分A1に基づいて、テンショナ30により回路基板100を伸張させるが、テンショナ30がX方向或いはY方向に沿って引張力を印加することに応じて、差分A1をX成分及びY成分に分解して検出してもよい。   In the present embodiment, in step S15 described later, the circuit board 100 is stretched by the tensioner 30 based on the difference A1 detected above, but the tensioner 30 applies a tensile force along the X direction or the Y direction. Accordingly, the difference A1 may be detected by being decomposed into an X component and a Y component.

図10(a)及び図10(b)は図7のステップS15を示す図、図10(c)は図7のステップS16を示す図、図10(d)は図7のステップS17を示す図、図10(e)は図7のステップS18を示す図、図11は、回路基板を示す図であり、図11(a)は差分に基づいて絶縁性基板に引張力を印加した後の状態を示す平面図、図11(b)は差分とオフセット量に基づいて絶縁性基板に引張力を印加した後の状態を示す平面図、図11(c)は絶縁性基板から引張力を解放した状態を示す平面図である。   10A and 10B show step S15 in FIG. 7, FIG. 10C shows step S16 in FIG. 7, and FIG. 10D shows step S17 in FIG. FIG. 10E is a diagram showing step S18 of FIG. 7, FIG. 11 is a diagram showing the circuit board, and FIG. 11A is a state after applying a tensile force to the insulating substrate based on the difference. FIG. 11 (b) is a plan view showing a state after applying a tensile force to the insulating substrate based on the difference and the offset amount, and FIG. 11 (c) is a drawing of releasing the tensile force from the insulating substrate. It is a top view which shows a state.

ステップS15では、絶縁性基板110の外周縁部に接続されたテンショナ30により引張力を印加して回路基板100を伸張する。このステップS15では、まず、図10(a)に示すように、回路基板100に生じた撓みを除去する。具体的には、回路基板100とテンショナ30とを接続した状態で、アクチュエータ31によりアーム部311を回路基板100に対して相対的に離間する方向に若干後退させ、絶縁性基板110に対して引張力を印加する。この際に、絶縁性基板110に対して印加する引張力は、接続されたテンショナ30毎に1[N]程度であればよい。   In step S15, a tensile force is applied by the tensioner 30 connected to the outer peripheral edge portion of the insulating substrate 110 to extend the circuit board 100. In this step S15, first, as shown in FIG. 10A, the bending generated in the circuit board 100 is removed. Specifically, in a state where the circuit board 100 and the tensioner 30 are connected, the actuator 31 slightly retracts the arm portion 311 in a direction away from the circuit board 100 and pulls it against the insulating substrate 110. Apply force. At this time, the tensile force applied to the insulating substrate 110 may be about 1 [N] for each connected tensioner 30.

次いで、図10(b)に示すように、絶縁性基板110に対してさらに引張力を印加して回路基板100を伸張する。具体的には、回路基板100と、テンショナ30と、を接続した状態で、アクチュエータ31によりアーム部311を回路基板100に対して相対的に離間する方向に後退させると共に、それぞれのテンショナ30を配列方向に沿って隣り合うテンショナ30同士のピッチが広がるように移動させる。   Next, as shown in FIG. 10B, a tensile force is further applied to the insulating substrate 110 to extend the circuit board 100. Specifically, in a state where the circuit board 100 and the tensioner 30 are connected, the arm unit 311 is moved backward in the direction away from the circuit board 100 by the actuator 31 and the tensioners 30 are arranged. It moves so that the pitch of tensioners 30 which adjoin along the direction spreads.

このステップS15では、絶縁性基板110を引き伸ばし量A3(A3=A1+A2)だけ伸張し、収縮形状112から伸張形状113に変形させる。まず、図11(a)に示すように、上述のステップS14で求めた差分A1だけ絶縁性基板110を伸張し、収縮形状112から基準形状111に変形させる。そして、図11(b)に示すように、絶縁性基板110をさらにオフセット量A2(後述)だけ伸張し、基準形状111から伸張形状113に変形させる。なお、本実施形態では、差分A1が大きい箇所になるにつれ、絶縁性基板110に印加する引張力を大きくしている。具体的に図9(b)に示す差分A1のうち差分A10〜差分A13を例に説明すると、これらの値は、差分A10、差分A11、差分A12、差分A13の順に大きくなっており(A10<A11<A12<A13)、図11(a)に示す差分A1に基づいて絶縁性基板110を伸張した状態では、上述の差分A1の値が大きい箇所ほど絶縁性基板110が伸張する様、引張力を大きく印加している。   In this step S15, the insulating substrate 110 is stretched by the stretch amount A3 (A3 = A1 + A2) and deformed from the contracted shape 112 to the expanded shape 113. First, as shown in FIG. 11A, the insulating substrate 110 is stretched by the difference A1 obtained in step S14 described above, and deformed from the contracted shape 112 to the reference shape 111. Then, as shown in FIG. 11B, the insulating substrate 110 is further expanded by an offset amount A2 (described later), and deformed from the reference shape 111 to the expanded shape 113. In the present embodiment, the tensile force applied to the insulating substrate 110 is increased as the difference A1 increases. Specifically, the difference A10 to the difference A13 in the difference A1 illustrated in FIG. 9B will be described as an example. These values increase in the order of the difference A10, the difference A11, the difference A12, and the difference A13 (A10 < In a state where the insulating substrate 110 is stretched based on the difference A1 shown in A11 <A12 <A13) and FIG. 11A, a tensile force is applied so that the insulating substrate 110 is stretched as the value of the difference A1 increases. Is greatly applied.

ここで、後に説明するステップS16〜S18では、回路基板100を加熱・冷却した後(すなわち絶縁性基板110を加熱・冷却した後)に、絶縁性基板110に印加される引張力を解放する。この際に、絶縁性基板110には、絶縁性基板110を構成する材料の線膨張係数に依存した熱収縮が生じる。この熱収縮は絶縁性基板110の外周縁部に沿って一様に生じており、その熱収縮量は容易に推定することができる。そこで、本実施形態では、推定した熱収縮量に基づいてオフセット量A2を予め設定しておき、ステップS15において、検出した差分A1とオフセット量A2との総和である引き伸ばし量A3(A3=A1+A2)だけ絶縁性基板110を伸張し、基準形状111に対して相対的に大きい伸張形状113に変形させる。本実施形態における「伸張形状113」は、少なくとも差分A1及びオフセット量A2に基づいて設定された絶縁性基板110の形状であり、本発明における「第3の形状」の一例に相当する。   Here, in steps S16 to S18 described later, after the circuit board 100 is heated and cooled (that is, after the insulating board 110 is heated and cooled), the tensile force applied to the insulating board 110 is released. At this time, thermal contraction depending on the linear expansion coefficient of the material constituting the insulating substrate 110 occurs in the insulating substrate 110. This heat shrinkage occurs uniformly along the outer peripheral edge of the insulating substrate 110, and the amount of heat shrinkage can be easily estimated. Therefore, in the present embodiment, the offset amount A2 is set in advance based on the estimated heat shrinkage amount, and in step S15, the extension amount A3 (A3 = A1 + A2), which is the sum of the detected difference A1 and offset amount A2. The insulating substrate 110 is stretched as much as possible, and deformed into a stretched shape 113 that is relatively larger than the reference shape 111. The “extension shape 113” in the present embodiment is the shape of the insulating substrate 110 set based on at least the difference A1 and the offset amount A2, and corresponds to an example of the “third shape” in the present invention.

なお、本実施形態では、引き伸ばし量A3を差分A1とオフセット量A2との合計値としているが、特にこれに限定されない。例えば、差分A1及びオフセット量A2に加えて、回路基板100の加熱・冷却方法や、回路基板100の製造時におけるパラメータ等を考慮して、引き伸ばし量A3を設定してもよい。例えば、回路基板100の製造時におけるパラメータである絶縁性基板110の延伸方向に基づいて、回路基板100の加熱・冷却後に変形が大きいと推定される部分では絶縁性基板110に対して大きい引張力を印加して引き伸ばし量を大きくし、回路基板100の加熱・冷却後に変形が小さいと推定される部分では、絶縁性基板110に対して小さい引張力を印加して引き伸ばし量を小さくしてもよい。なお、絶縁性基板110の延伸方向としては、流れ方向(Machine Direction、MD)に沿った方向や、垂直方向(Transverse Direction、TD)に沿った方向を例示することができる。   In the present embodiment, the enlargement amount A3 is the total value of the difference A1 and the offset amount A2, but is not particularly limited thereto. For example, in addition to the difference A1 and the offset amount A2, the stretching amount A3 may be set in consideration of the heating / cooling method of the circuit board 100, parameters at the time of manufacturing the circuit board 100, and the like. For example, based on the extending direction of the insulating substrate 110 that is a parameter at the time of manufacturing the circuit board 100, a large tensile force is exerted on the insulating substrate 110 at a portion where deformation is estimated to be large after heating and cooling of the circuit board 100. Is applied to increase the stretch amount, and in a portion where deformation is estimated to be small after heating / cooling of the circuit board 100, a small tensile force may be applied to the insulating substrate 110 to reduce the stretch amount. . Examples of the extending direction of the insulating substrate 110 include a direction along the flow direction (Machine Direction, MD) and a direction along the vertical direction (Transverse Direction, TD).

また、本実施形態では、既に絶縁性基板110に形成されている電子部品120の破損を防止するため、絶縁性基板110を弾性変形範囲内で伸張させている。この場合には、引き伸ばし量A3が絶縁性基板110の外径寸法に対して1%以下に設定されていることが好ましい。なお、引き伸ばし量A3が絶縁性基板110の外径寸法に対して0.5%以下で設定されていることがより好ましく、引き伸ばし量A3が絶縁性基板110の外径寸法に対して0.3%以下で設定されていることがさらに好ましい。   In this embodiment, in order to prevent damage to the electronic component 120 already formed on the insulating substrate 110, the insulating substrate 110 is stretched within the elastic deformation range. In this case, the stretching amount A3 is preferably set to 1% or less with respect to the outer diameter dimension of the insulating substrate 110. The stretching amount A3 is more preferably set to 0.5% or less with respect to the outer diameter dimension of the insulating substrate 110, and the stretching amount A3 is 0.3% with respect to the outer diameter dimension of the insulating substrate 110. More preferably, it is set at% or less.

ステップS16では、図10(c)に示すように、絶縁性基板110に引張力を印加した状態で、当該絶縁性基板110を構成する材料のガラス転移温度Tgに基づいて設定される温度範囲内で回路基板100を加熱する。   In step S16, as shown in FIG. 10C, within the temperature range set based on the glass transition temperature Tg of the material constituting the insulating substrate 110 in a state where a tensile force is applied to the insulating substrate 110. Then, the circuit board 100 is heated.

絶縁性基板110は、引張力が印加されることで収縮形状112から伸張形状113に変形している。従来の場合、引張力を解放すると、絶縁性基板110が引張の際に蓄積された応力により引張力を印加する前の状態の収縮形状112に戻る。これに対し、本実施形態では、熱可塑性を有する材料で構成される絶縁性基板110に引張力を印加しながらガラス転移温度Tgの近傍まで加熱することで、引張の際に蓄積された応力が緩和される。この結果、絶縁性基板110に対する引張力を解放した後の状態においても、絶縁性基板110は伸張形状113のままの形状が保持される。   The insulating substrate 110 is deformed from the contracted shape 112 to the extended shape 113 by applying a tensile force. In the conventional case, when the tensile force is released, the insulating substrate 110 returns to the contracted shape 112 in a state before the tensile force is applied due to the stress accumulated during the pulling. On the other hand, in this embodiment, the stress accumulated during the tension is generated by heating the insulating substrate 110 made of a thermoplastic material to the vicinity of the glass transition temperature Tg while applying a tensile force. Alleviated. As a result, even in the state after releasing the tensile force on the insulating substrate 110, the insulating substrate 110 is maintained in the shape of the extended shape 113.

絶縁性基板110のガラス転移温度Tgに基づいて設定される温度範囲としては、ガラス転移温度Tg−20[℃]以上ガラス転移温度Tg+20[℃]以下の温度範囲であることが好ましく、ガラス転移温度Tg−20[℃]以上ガラス転移温度以下の温度範囲であることがより好ましい。例えば、ガラス転移温度Tgが155[℃]のポリエチレンナフタレートを用いる場合は、ガラス転移温度Tgに基づいて設定される温度範囲の下限値を135[℃]とし、当該温度範囲の上限値を155[℃]とする。なお、本実施形態におけるステップS16では、回路基板100を上述のガラス転移温度Tgに基づいて設定された温度範囲内まで昇温し、この温度範囲を保持したまま3分間に亘って回路基板100を加熱する。   The temperature range set based on the glass transition temperature Tg of the insulating substrate 110 is preferably a glass transition temperature Tg−20 [° C.] or more and a glass transition temperature Tg + 20 [° C.] or less, and the glass transition temperature A temperature range of Tg−20 [° C.] or higher and a glass transition temperature or lower is more preferable. For example, when polyethylene naphthalate having a glass transition temperature Tg of 155 [° C.] is used, the lower limit value of the temperature range set based on the glass transition temperature Tg is 135 [° C.], and the upper limit value of the temperature range is 155 [C]. In step S16 in the present embodiment, the circuit board 100 is heated to a temperature range set based on the glass transition temperature Tg, and the circuit board 100 is held for 3 minutes while maintaining this temperature range. Heat.

ステップS17では、図10(d)に示すように、加熱ステージ40の熱源をOFFとすることで、回路基板100に対する加熱を中止し、例えば、自然冷却等の方法により、室温付近まで回路基板100を徐冷する。なお、回路基板100を加熱ステージ40から離間させることで、回路基板100に対する加熱を中止してもよい。   In step S17, as shown in FIG. 10D, heating to the circuit board 100 is stopped by turning off the heat source of the heating stage 40. For example, the circuit board 100 is brought to near room temperature by a method such as natural cooling. Slowly cool. Note that heating the circuit board 100 may be stopped by separating the circuit board 100 from the heating stage 40.

ステップS18では、図10(e)に示すように、室温付近まで冷却された回路基板100に対して印加された引張力を解放する。この際に、絶縁性基板110では、ガラス転移温度Tg付近まで加熱されたことで、引張の際に蓄積された応力が緩和されており、引張力を印加する前の状態である収縮形状112に戻ろうとする変形は抑制される。また、絶縁性基板110は、ガラス転移温度Tgまで加熱し、室温付近まで冷却した後に、引張力を解放することで、図11(c)に示すように、熱収縮量だけ変形する。絶縁性基板110は、基準形状111に対して、推定した熱収縮量に基づいて設定されたオフセット量A2だけ大きい伸張形状113を有しており、これにより、絶縁性基板110に生じた熱収縮量とオフセット量A2が相殺され、絶縁性基板110が伸張形状113からほぼ基準形状111に変形する。   In step S18, as shown in FIG. 10E, the tensile force applied to the circuit board 100 cooled to near room temperature is released. At this time, the insulating substrate 110 is heated to near the glass transition temperature Tg, so that the stress accumulated at the time of tension is relaxed, and the contracted shape 112 is in a state before the tensile force is applied. The deformation to return is suppressed. Further, the insulating substrate 110 is deformed by the amount of thermal contraction as shown in FIG. 11C by releasing the tensile force after heating to the glass transition temperature Tg and cooling to near room temperature. The insulating substrate 110 has a stretched shape 113 that is larger than the reference shape 111 by an offset amount A2 set based on the estimated heat shrinkage amount. The amount and the offset amount A2 are offset, and the insulating substrate 110 is deformed from the elongated shape 113 to the substantially reference shape 111.

次に、本実施形態における回路基板100の製造方法及び基板製造装置1の作用について説明する。   Next, the operation of the circuit board 100 manufacturing method and the board manufacturing apparatus 1 according to this embodiment will be described.

本実施形態では、絶縁性基板110の変形前の状態の基準形状111と、変形後の状態の収縮形状112と、の差分A1を検出し、少なくとも当該差分A1に基づいて、引張力を印加し、回路基板100を弾性的に伸張させることで、収縮形状112から伸張形状113に絶縁性基板110を変形させる。また、引張力が印加された状態で回路基板100を加熱することで、引張の際に蓄積された応力を緩和し、これにより、引張力が解放された際に絶縁性基板110が変形するのを抑制している。この結果、所望する形状に対して寸法精度の高い回路基板100を得ることができる。   In this embodiment, the difference A1 between the reference shape 111 before the deformation of the insulating substrate 110 and the contracted shape 112 after the deformation is detected, and a tensile force is applied based on at least the difference A1. The insulating substrate 110 is deformed from the contracted shape 112 to the extended shape 113 by elastically extending the circuit board 100. Further, by heating the circuit board 100 in a state where a tensile force is applied, the stress accumulated during the tensioning is relieved, whereby the insulating substrate 110 is deformed when the tensile force is released. Is suppressed. As a result, the circuit board 100 having high dimensional accuracy with respect to the desired shape can be obtained.

また、本実施形態では、絶縁性基板110を構成する材料のガラス転移温度Tgに基づいて設定された温度範囲で回路基板100を加熱している。これにより、引張の際に蓄積された応力がより緩和される。この結果、引張力が解放された際に、絶縁性基板110が変形するのをさらに抑制することができ、所望する形状に対して寸法精度の高い回路基板100を得ることができる。   In the present embodiment, the circuit board 100 is heated in a temperature range set based on the glass transition temperature Tg of the material constituting the insulating substrate 110. Thereby, the stress accumulated at the time of tension is more relaxed. As a result, when the tensile force is released, the insulating substrate 110 can be further prevented from being deformed, and the circuit substrate 100 with high dimensional accuracy with respect to the desired shape can be obtained.

また、本実施形態では、絶縁性基板110を構成する材料のガラス転移温度Tgを40[℃]以上200[℃]以下とすることで、形成された電子部品120に熱的影響を与えない範囲で回路基板100を加熱することができる。これにより、回路基板100の品質の向上を図ることができる。   Further, in the present embodiment, the glass transition temperature Tg of the material constituting the insulating substrate 110 is set to 40 [° C.] or more and 200 [° C.] or less so that the formed electronic component 120 is not thermally affected. The circuit board 100 can be heated. Thereby, the quality of the circuit board 100 can be improved.

また、本実施形態では、オフセット量A2に基づいて設定された伸張形状113となるように絶縁性基板110を変形させる。このオフセット量A2は、絶縁性基板110に生じる熱収縮量を推定した値に基づいて設定されている。このため、絶縁性基板110に熱収縮が生じた際に、熱収縮量とオフセット量A2が相殺され、ほぼ基準形状111となるように絶縁性基板110が変形する。これにより、さらに寸法精度の高い回路基板100を得ることができる。   Further, in the present embodiment, the insulating substrate 110 is deformed so that the extended shape 113 is set based on the offset amount A2. This offset amount A2 is set based on a value obtained by estimating the amount of heat shrinkage generated in the insulating substrate 110. For this reason, when the thermal contraction occurs in the insulating substrate 110, the thermal contraction amount and the offset amount A <b> 2 are offset, and the insulating substrate 110 is deformed so as to be substantially the reference shape 111. Thereby, the circuit board 100 with higher dimensional accuracy can be obtained.

なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。   The embodiment described above is described for facilitating the understanding of the present invention, and is not described for limiting the present invention. Therefore, each element disclosed in the above embodiment is intended to include all design changes and equivalents belonging to the technical scope of the present invention.

例えば、本実施形態では、絶縁性基板110の変形後の状態の収縮形状112を矯正するため、引張力を印加して絶縁性基板110を伸張させているが、特にこれに限定されない。例えば、基準ワークに形成された形状と、基材の形状と、の差分を検出し、当該差分に基づいて、引張力を印加して基材を伸張させてもよい。このような場合においても、基板製造装置1に設けられた複数のテンショナ30を個別に動作させることで、基準ワークに形成された形状に基づいて設定される形状に基材を変形させることができる。これにより、所望する形状に対して寸法精度の高い回路基板を得ることができる。   For example, in this embodiment, in order to correct the contracted shape 112 of the insulating substrate 110 after the deformation, the insulating substrate 110 is stretched by applying a tensile force, but the invention is not particularly limited thereto. For example, the difference between the shape formed on the reference workpiece and the shape of the base material may be detected, and the base material may be stretched by applying a tensile force based on the difference. Even in such a case, the base material can be deformed to a shape set based on the shape formed on the reference workpiece by individually operating the plurality of tensioners 30 provided in the substrate manufacturing apparatus 1. . Thereby, a circuit board with high dimensional accuracy can be obtained for a desired shape.

また、本実施形態では、回路基板100を伸張した後に(伸張工程(ステップS15))、回路基板100を加熱している(加熱工程(ステップS16))が、絶縁性基板110を伸張しながら絶縁性基板110を加熱することができれば、特にこれに限定されない。つまり、回路基板100を加熱した後に、当該回路基板100を加熱した状態で伸張してもよい。   In this embodiment, after the circuit board 100 is stretched (stretching process (step S15)), the circuit board 100 is heated (heating process (step S16)), but the insulating substrate 110 is stretched and insulated. The conductive substrate 110 is not particularly limited as long as the conductive substrate 110 can be heated. That is, after the circuit board 100 is heated, the circuit board 100 may be stretched in a heated state.

また、本実施形態では、回路基板100を室温付近まで冷却した(冷却工程(ステップS17))後に、回路基板100に対して印加される引張力を解放している(解放工程(ステップS18))が、特にこれに限定されない。つまり、回路基板100に対して印加される引張力を解放した後に回路基板100を室温付近まで冷却してもよい。   In the present embodiment, after the circuit board 100 is cooled to near room temperature (cooling process (step S17)), the tensile force applied to the circuit board 100 is released (release process (step S18)). However, it is not particularly limited to this. That is, after releasing the tensile force applied to the circuit board 100, the circuit board 100 may be cooled to around room temperature.

また、本実施形態では、自然冷却等の方法により、回路基板100を室温付近まで徐冷しているが、特にこれに限定されない。例えば、基板製造装置1に、冷却ステージ等の冷却手段を設け、回路基板100を伸張・加熱した後に、加熱ステージ40から冷却ステージに回路基板100を移すことで、回路基板100を急冷してもよい。なお、回路基板100の急冷方法は、特に上述に限定されない。   In the present embodiment, the circuit board 100 is gradually cooled to near room temperature by a method such as natural cooling, but is not particularly limited thereto. For example, even if the circuit board 100 is rapidly cooled by providing a cooling means such as a cooling stage in the board manufacturing apparatus 1 and extending and heating the circuit board 100, the circuit board 100 is transferred from the heating stage 40 to the cooling stage. Good. The method for rapidly cooling the circuit board 100 is not particularly limited to the above.

また、本実施形態における加熱ステージ40に真空吸着機構や粘着プレート等の基板固定手段を設けてもよい。この場合、ステップS15において回路基板100をテンショナ30により伸張した後に、回路基板100の下面を上述の基板固定手段により固定し加熱することで、絶縁性基板110の熱膨張による撓みを抑制することができる。なお、真空吸着機構としては、例えば、ポーラスチャックを用いたものを例示することができる。粘着プレートとしては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、又は、ポリエステル樹脂等の粘着剤を用いたものを例示することができる。   Moreover, you may provide board | substrate fixing means, such as a vacuum suction mechanism and an adhesive plate, in the heating stage 40 in this embodiment. In this case, after the circuit board 100 is stretched by the tensioner 30 in step S15, the lower surface of the circuit board 100 is fixed and heated by the above-described substrate fixing means, thereby suppressing the bending due to the thermal expansion of the insulating substrate 110. it can. Examples of the vacuum suction mechanism include a mechanism using a porous chuck. As an adhesive plate, what uses adhesives, such as a silicone resin, an epoxy resin, an acrylic resin, or a polyester resin, can be illustrated.

また、本実施形態では、矯正対象としてフレキシブルプリント配線板を例示して説明しているが、フレキシブルプリント配線板に代えて、絶縁性基板110のみを矯正対象としてもよい。   In the present embodiment, the flexible printed wiring board is exemplified and described as the correction target, but only the insulating substrate 110 may be corrected instead of the flexible printed wiring board.

1・・・基板製造装置
10・・・観察部
11・・・支持部
12・・・走行部
13・・・開口
14・・・ガイド
15・・・顕微鏡
20・・・基準ワークユニット
21・・・基準ワーク
211・・・アライメントマーク
22・・・ガラスホルダ
221・・・真空吸着孔
23・・・基準ワーク保持部
231・・・固定ネジ
232・・・開口
233・・・ガラスホルダ保持部
234・・・真空吸着孔
235・・・真空ポンプ
30・・・テンショナ
31・・・アクチュエータ
311・・・アーム部
32・・・把持クリップ
321・・・爪部
40・・・加熱ステージ
50・・・アライメントステージ
51・・・ステージ
52・・・移動機構
60・・・筐体
601・・・底部
602・・・側部
61・・・レール
100・・・回路基板
110・・・基材
111・・・基準形状
112・・・収縮形状
113・・・伸張形状
114・・・アライメントマーク
120・・・電子部品
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate manufacturing apparatus 10 ... Observation part 11 ... Support part 12 ... Traveling part 13 ... Opening 14 ... Guide 15 ... Microscope 20 ... Standard work unit 21 ... Reference work 211 ... Alignment mark 22 ... Glass holder 221 ... Vacuum suction hole 23 ... Reference work holding part 231 ... Fixing screw 232 ... Opening 233 ... Glass holder holding part 234 ... Vacuum suction hole 235 ... Vacuum pump 30 ... Tensioner 31 ... Actuator 311 ... Arm part 32 ... Grip clip 321 ... Claw part 40 ... Heating stage 50 ... Alignment stage 51 ... Stage 52 ... Movement mechanism 60 ... Housing 601 ... Bottom 602 ... Side 61 ... Rail 100 ... Circuit board 1 0 ... substrate 111 ... reference shape 112 ... contracted configuration 113 ... decompression shape 114 ... alignment marks 120 ... electronic component

Claims (7)

第1の形状と、前記第1の形状に対して相対的に小さい熱可塑性の基板の第2の形状と、の差分を検出する第1の工程と、
前記基板の外周縁部の少なくとも一部に引張力を印加しながら前記基板を加熱する第2の工程と、
前記基板に印加された前記引張力を解放する第3の工程と、を備え、
前記第2の工程は、少なくとも前記差分に基づいて、少なくとも第1の形状以上に大きい第3の形状となるように前記基板を弾性的に伸張させることを含むことを特徴とする基板の製造方法。
A first step of detecting a difference between the first shape and a second shape of the thermoplastic substrate that is relatively small with respect to the first shape;
A second step of heating the substrate while applying a tensile force to at least a part of the outer peripheral edge of the substrate;
A third step of releasing the tensile force applied to the substrate,
The method of manufacturing a substrate, wherein the second step includes elastically stretching the substrate so as to be at least a third shape larger than the first shape based on at least the difference. .
請求項1に記載の基板の製造方法であって、
前記第2の工程は、所定の温度範囲内に前記基板を加熱することを含み、
前記所定の温度範囲は、前記基板を構成する材料のガラス転移温度に基づいて設定されていることを特徴とする基板の製造方法。
It is a manufacturing method of the board according to claim 1, Comprising:
The second step includes heating the substrate within a predetermined temperature range;
The said predetermined temperature range is set based on the glass transition temperature of the material which comprises the said board | substrate, The manufacturing method of the board | substrate characterized by the above-mentioned.
請求項2に記載の基板の製造方法であって、
前記ガラス転移温度は、40℃以上200℃以下であることを特徴とする基板の製造方法。
A method of manufacturing a substrate according to claim 2,
The said glass transition temperature is 40 degreeC or more and 200 degrees C or less, The manufacturing method of the board | substrate characterized by the above-mentioned.
請求項1〜3の何れか1項に記載の基板の製造方法であって、
前記第2の工程は、前記差分が大きい箇所になるにつれ前記引張力を大きく印加することを含むことを特徴とする基板の製造方法。
It is a manufacturing method of a substrate given in any 1 paragraph of Claims 1-3,
The method of manufacturing a substrate according to claim 2, wherein the second step includes applying a large tensile force as the difference becomes large.
請求項1〜4の何れか1項に記載の基板の製造方法であって、
前記第3の形状は、前記第1の形状に対して相対的に大きいことを特徴とする基板の製造方法。
It is a manufacturing method of the substrate given in any 1 paragraph of Claims 1-4,
The method for manufacturing a substrate, wherein the third shape is relatively large with respect to the first shape.
前記第1の工程の前に前記基板に電子部品を形成又は実装する第4の工程をさらに備えた請求項1〜5の何れか1項に記載の基板の製造方法。   The method for manufacturing a substrate according to any one of claims 1 to 5, further comprising a fourth step of forming or mounting an electronic component on the substrate before the first step. 第1の形状と、前記第1の形状に対して相対的に小さい熱可塑性の基板の第2の形状と、の差分を検出する検出手段と、
前記基板の外周縁部の少なくとも一部に引張力を印加する張力印加手段と、
前記基板を加熱する加熱手段と、を備え、
前記張力印加手段は、少なくとも前記差分に基づいて、少なくとも第1の形状以上に大きい第3の形状となるように前記基板を弾性的に伸張させることを特徴とする基板製造装置。
Detection means for detecting a difference between the first shape and the second shape of the thermoplastic substrate relatively small with respect to the first shape;
Tension applying means for applying a tensile force to at least a part of the outer peripheral edge of the substrate;
Heating means for heating the substrate,
The substrate manufacturing apparatus characterized in that the tension applying means elastically stretches the substrate so as to be at least a third shape larger than the first shape based on at least the difference.
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