JP6294761B2 - Heat treatment apparatus and film forming system - Google Patents
Heat treatment apparatus and film forming system Download PDFInfo
- Publication number
- JP6294761B2 JP6294761B2 JP2014106089A JP2014106089A JP6294761B2 JP 6294761 B2 JP6294761 B2 JP 6294761B2 JP 2014106089 A JP2014106089 A JP 2014106089A JP 2014106089 A JP2014106089 A JP 2014106089A JP 6294761 B2 JP6294761 B2 JP 6294761B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat treatment
- wafer
- substrate
- plate
- coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 210
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 126
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 113
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 113
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 104
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 85
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 83
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 64
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 50
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 38
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 33
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 27
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 19
- 230000006837 decompression Effects 0.000 claims description 7
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 7
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 304
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 description 19
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 19
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Description
本発明は、基板を熱処理する熱処理装置、及び当該熱処理装置を備えた成膜システムに関する。 The present invention relates to a heat treatment apparatus for heat treating a substrate and a film forming system including the heat treatment apparatus.
例えば半導体デバイスの製造工程では、半導体ウェハ(以下、「ウェハ」という。)の熱処理が行われる。 For example, in a semiconductor device manufacturing process, heat treatment of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer”) is performed.
例えばウェハ上に所定のレジストパターンを形成するフォトリソグラフィー処理では、レジスト塗布後の熱処理、露光後の熱処理、現像後の熱処理等、種々の熱処理が行われる。具体的には例えば熱処理装置において、当該熱処理装置の内部に空気や窒素ガスの不活性ガスを供給しつつ、内部の雰囲気を排気しながら、熱板に内蔵されたヒータによってウェハの熱処理が行われている(特許文献1)。 For example, in a photolithography process for forming a predetermined resist pattern on a wafer, various heat treatments such as a heat treatment after resist application, a heat treatment after exposure, and a heat treatment after development are performed. Specifically, for example, in a heat treatment apparatus, the wafer is heat-treated by a heater built in a hot plate while supplying an inert gas such as air or nitrogen gas to the inside of the heat treatment apparatus and exhausting the internal atmosphere. (Patent Document 1).
また、例えばSOD(Spin On Dielectric)システムにおいて層間絶縁膜を形成する際に、ウェハの熱処理が行われる。具体的には例えば熱処理装置において、当該熱処理装置の内部に不活性ガスを供給して、内部を低酸素雰囲気に維持した状態で、熱板に内蔵されたヒータによって当該熱板上に載置されたウェハを熱処理している(特許文献2)。 Further, for example, when an interlayer insulating film is formed in an SOD (Spin On Dielectric) system, heat treatment of the wafer is performed. Specifically, for example, in a heat treatment apparatus, an inert gas is supplied to the inside of the heat treatment apparatus and the inside is maintained in a low oxygen atmosphere, and is placed on the heat plate by a heater incorporated in the heat plate. The wafer is heat-treated (Patent Document 2).
しかしながら、特許文献1と特許文献2のいずれに記載された熱処理装置においても、熱板が設けられた処理空間全体に不活性ガスを供給するため、その不活性ガスの供給量が多くなる。
However, in both of the heat treatment apparatuses described in Patent Document 1 and
特にいわゆる後工程では、例えば表面に複数の回路が形成されたウェハ上に塗布膜を成膜して回路が封止される。かかる塗布膜の成膜処理は、例えばチップと配線基板との間に塗布液を供給して充填させた後、それによって形成される塗布膜を加熱処理して行われる(例えば特開2000−252325号公報)。この塗布膜の加熱処理も、ウェハ上に酸化膜が形成されるのを防止するために低酸素雰囲気で行われる必要があるが、従来、不活性ガスの供給量を抑制することは全く考慮されていなかった。 In particular, in a so-called post-process, for example, a coating film is formed on a wafer having a plurality of circuits formed on the surface to seal the circuits. For example, the coating film is formed by supplying a coating liquid between the chip and the wiring substrate and filling the coating film, and then heating the coating film formed thereby (for example, Japanese Patent Laid-Open No. 2000-252325). Issue gazette). This heat treatment of the coating film also needs to be performed in a low oxygen atmosphere in order to prevent the formation of an oxide film on the wafer. Conventionally, however, it has been completely considered to suppress the supply amount of the inert gas. It wasn't.
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、基板の熱処理の際に供給される不活性ガスの供給量を少量に抑制しつつ、基板の熱処理を適切に行うことを目的とする。 The present invention has been made in view of this point, and an object of the present invention is to appropriately perform the heat treatment of the substrate while suppressing the supply amount of the inert gas supplied during the heat treatment of the substrate to a small amount.
前記の目的を達成するため、本発明は、基板を熱処理する熱処理装置であって、基板を吸着保持して熱処理する熱処理板と、前記熱処理板の上方に設けられ、且つ前記熱処理板と一体となって、基板を収容して熱処理を行う熱処理室を形成する蓋体と、前記熱処理室内の雰囲気を、前記熱処理板が基板を吸着保持できる所定の真空度まで減圧する減圧機構と、前記減圧機構により所定の真空度に維持された前記熱処理室に不活性ガスを供給するガス供給機構と、前記熱処理板の上面と前記蓋体の下面との間に環状に設けられ、前記熱処理室内の気密性を保持するためのシール材と、を有することを特徴としている。
かかる場合、前記熱処理板の内部には、基板を吸着保持するための吸引管が設けられていてもよい。
前記ガス供給機構から基板の外周部に供給する不活性ガスを、基板の中心部に供給する不活性ガスより高圧、高速度又は多流量にしてもよい。
To achieve the above object, the present invention is a heat treatment apparatus for heat-treating a substrate, and a heat treatment plate for heat-treating the substrate by suction and holding, and provided integrally with the heat treatment plate. A lid for forming a heat treatment chamber for accommodating the substrate and performing heat treatment, a pressure reducing mechanism for reducing the atmosphere in the heat treatment chamber to a predetermined degree of vacuum that allows the heat treatment plate to suck and hold the substrate, and the pressure reducing mechanism A gas supply mechanism for supplying an inert gas to the heat treatment chamber maintained at a predetermined degree of vacuum, and an annular shape between the upper surface of the heat treatment plate and the lower surface of the lid, and the airtightness in the heat treatment chamber And a sealing material for holding the structure.
In this case, a suction tube for adsorbing and holding the substrate may be provided inside the heat treatment plate.
The inert gas supplied from the gas supply mechanism to the outer peripheral portion of the substrate may be set at a higher pressure, higher speed, or higher flow rate than the inert gas supplied to the central portion of the substrate.
本発明によれば、熱処理板と蓋体が一体となって熱処理室を形成する際、シール材によって熱処理室内の気密性を保持することができる。そして、ガス供給機構から熱処理室内に不活性ガスを供給しながら、減圧機構によって熱処理室内の雰囲気を所定の真空度に維持する。このとき、不活性ガスは熱処理室という小さい空間に供給されるので、従来のように熱処理装置の処理空間全体に不活性ガスを供給する場合に比べて、不活性ガスの供給量を少量に抑えることができる。しかも、このように所定の真空度の不活性ガス雰囲気、すなわち低酸素雰囲気で基板が熱処理されるので、基板上の酸化膜の形成を抑制することができ、基板の熱処理を適切に行うことができる。 According to the present invention, when the heat treatment plate and the lid are integrally formed to form the heat treatment chamber, the airtightness in the heat treatment chamber can be maintained by the sealing material. The atmosphere in the heat treatment chamber is maintained at a predetermined degree of vacuum by the decompression mechanism while supplying an inert gas from the gas supply mechanism into the heat treatment chamber. At this time, since the inert gas is supplied to a small space called a heat treatment chamber, the supply amount of the inert gas is suppressed to a small amount as compared with the case where the inert gas is supplied to the entire treatment space of the heat treatment apparatus as in the past. be able to. Moreover, since the substrate is heat-treated in an inert gas atmosphere having a predetermined degree of vacuum, that is, a low-oxygen atmosphere, the formation of an oxide film on the substrate can be suppressed, and the substrate can be appropriately heat-treated. it can.
前記熱処理室で熱処理される基板の表面には複数の回路が形成され、当該熱処理は基板の表面に塗布液を塗布して塗布膜を形成した後に行われてもよい。 A plurality of circuits may be formed on the surface of the substrate to be heat-treated in the heat treatment chamber, and the heat treatment may be performed after a coating liquid is applied to the surface of the substrate to form a coating film.
前記熱処理室内の不活性ガスは、所定の温度に加熱されていてもよい。 The inert gas in the heat treatment chamber may be heated to a predetermined temperature.
前記熱処理室内の不活性ガスは、前記熱処理板の熱によって加熱されていてもよい。 The inert gas in the heat treatment chamber may be heated by the heat of the heat treatment plate.
前記ガス供給機構は、前記熱処理室に供給される不活性ガスを加熱する加熱機構を有していてもよい。 The gas supply mechanism may have a heating mechanism for heating the inert gas supplied to the heat treatment chamber.
前記蓋体には、前記熱処理室内の不活性ガスを加熱する他の加熱機構が設けられていてもよい。 The lid may be provided with another heating mechanism for heating the inert gas in the heat treatment chamber.
前記熱処理板は複数の領域に区画され、当該領域毎に温度設定可能であってもよい。 The heat treatment plate may be divided into a plurality of regions, and the temperature may be set for each region.
前記熱処理板は、基板を吸引して保持してもよい。 The heat treatment plate may suck and hold the substrate.
前記熱処理板上の外周部には、当該熱処理板上に保持される基板の外側に環状に仕切り板が設けられていてもよい。 A partition plate may be provided on the outer peripheral portion of the heat treatment plate in an annular shape outside the substrate held on the heat treatment plate.
前記熱処理装置は、前記熱処理板の上方において基板を昇降させる昇降機構を有していてもよい。 The heat treatment apparatus may have an elevating mechanism for elevating the substrate above the heat treatment plate.
前記熱処理室で熱処理される基板の表面には複数の回路が形成され、当該熱処理は基板の表面に塗布液を塗布して塗布膜を形成した後に行われ、前記塗布液は、回路を封止するための塗布材又はレジストであってもよい。 A plurality of circuits are formed on the surface of the substrate to be heat-treated in the heat treatment chamber, and the heat treatment is performed after a coating solution is applied to the surface of the substrate to form a coating film, and the coating solution seals the circuit It may be a coating material or a resist.
別な観点による本発明は、前記熱処理装置を備えた成膜システムであって、前記熱処理装置を有する処理ステーションと、基板を複数保有可能で、且つ前記処理ステーションに対して基板を搬入出する搬入出ステーションと、を備え、前記処理ステーションは、基板の表面に塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布装置と、前記熱処理装置で熱処理された基板の表面の前記塗布膜を研削する研削装置と、前記研削装置で塗布膜が研削された基板を洗浄する洗浄装置と、前記塗布装置、前記熱処理装置、前記研削装置及び前記洗浄装置に対して、基板を搬送するための搬送領域と、を有することを特徴とする。 Another aspect of the present invention is a film forming system including the heat treatment apparatus, a treatment station having the heat treatment apparatus, and a carry-in that can hold a plurality of substrates and carries a substrate into and out of the treatment station. A coating station that coats the surface of the substrate to form a coating film, and a grinding device that grinds the coating film on the surface of the substrate heat-treated by the heat treatment apparatus. And a cleaning device that cleans the substrate on which the coating film has been ground by the grinding device, and a transport area for transporting the substrate to the coating device, the heat treatment device, the grinding device, and the cleaning device. It is characterized by having.
本発明によれば、基板の熱処理の際に供給される不活性ガスの供給量を少量に抑制しつつ、基板の熱処理を適切に行うことができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the heat processing of a board | substrate can be performed appropriately, suppressing the supply amount of the inert gas supplied in the case of the heat processing of a board | substrate to small quantity.
以下、本発明の実施の形態について説明する。図1は、本実施の形態にかかる成膜システム1の構成の概略を示す平面図である。図2は、成膜システム1の内部構成の概略を示す側面図である。なお本実施の形態において、成膜システム1で成膜処理が行われる基板としてのウェハの表面には、複数の回路が形成されている。また成膜システム1では、この回路を封止するためにウェハ上に塗布膜を成膜する。 Embodiments of the present invention will be described below. FIG. 1 is a plan view showing an outline of a configuration of a film forming system 1 according to the present embodiment. FIG. 2 is a side view showing an outline of the internal configuration of the film forming system 1. In the present embodiment, a plurality of circuits are formed on the surface of a wafer as a substrate on which film formation processing is performed in the film formation system 1. Further, in the film forming system 1, a coating film is formed on the wafer in order to seal this circuit.
成膜システム1は、図1に示すように例えば外部との間で複数のウェハWを収容可能なカセットCを搬入出するための搬入出ステーション2と、ウェハWに対して所定の処理を施す各種処理装置を備えた処理ステーション3とを一体に接続した構成を有している。
As shown in FIG. 1, the film forming system 1 performs a predetermined process on the wafer W and a loading /
搬入出ステーション2には、カセット載置台10が設けられている。カセット載置台10には、複数、例えば4つのカセット載置板11が設けられている。カセット載置板11は、X方向(図1中の上下方向)に一列に並べて配置されている。これらのカセット載置板11には、成膜システム1の外部に対してカセットCを搬入出する際に、カセットCを載置することができる。このように搬入出ステーション2は、複数のウェハWを保有可能に構成されている。なお、カセット載置板11の個数は、本実施の形態に限定されず、任意に決定することができる。
The loading /
搬入出ステーション2には、カセット載置台10に隣接してウェハ搬送領域20が設けられている。ウェハ搬送領域20には、X方向に延伸する搬送路21上を移動自在なウェハ搬送装置22が設けられている。ウェハ搬送装置22は、鉛直方向及び鉛直軸周り(θ方向)にも移動自在であり、各カセット載置板11上のカセットCと、後述する処理ステーション3の第4の処理ブロックG4のトランジション装置60、61との間でウェハWを搬送できる。
In the loading /
処理ステーション3には、各種処理装置を備えた複数、例えば4つの処理ブロックG1、G2、G3、G4が設けられている。例えば処理ステーション3の正面側(図1中のX方向負方向側)には、第1の処理ブロックG1が設けられ、処理ステーション3の背面側(図1中のX方向正方向側)には、第2の処理ブロックG2と第3の処理ブロックG3が設けられている。第2の処理ブロックG2と第3の処理ブロックG3は、搬入出ステーション2側からこの順でY方向に並べて配置されている。また、処理ステーション3の搬入出ステーション2側(図1中のY方向負方向側)には、第4の処理ブロックG4が設けられている。
The
例えば第1の処理ブロックG1には、図2に示すようにウェハWを低温(第1の温度)で熱処理する第1の熱処理装置30〜33と、ウェハWを高温(第1の温度より高い第2の温度)で熱処理する第2の熱処理装置34とが、搬入出ステーション2側からこの順でY方向に並べて配置されている。第1の熱処理装置30、31と第1の熱処理装置32、33は、搬入出ステーション2側からY方向にこの順で並べて配置され、且つそれぞれ鉛直方向に下からこの順で2段に設けられている。なお、第1の熱処理装置30〜33の装置数や鉛直方向及び水平方向の配置は本実施の形態に限定されず、任意に設定することができる。
For example, in the first processing block G1, as shown in FIG. 2, first
例えば第2の処理ブロックG2には、図1に示すようにウェハW上に塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布装置40、41が、搬入出ステーション2側からこの順でY方向に並べて配置されている。
For example, in the second processing block G2, as shown in FIG. 1,
例えば第3の処理ブロックG3には、ウェハW上の塗布膜を研削する研削装置50と、研削装置50で塗布膜が研削されたウェハWを洗浄する洗浄装置51と、ウェハWのトランジション装置52、53とが設けられている。研削装置50、洗浄装置51、トランジション装置52、53に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域54が形成されている。ウェハ搬送領域54には、例えば研削装置50、洗浄装置51、トランジション装置52、53にウェハWを搬送するウェハ搬送装置55が配置されている。洗浄装置51、ウェハ搬送領域54、研削装置50は、搬入出ステーション2側からY方向にこの順で並べて配置されている。また、トランジション装置52、53はウェハ搬送領域54のX方向負方向側に設けられ、且つ下からこの順で2段に設けられている。
For example, the third processing block G3 includes a grinding
例えば第4の処理ブロックG4には、ウェハWのトランジション装置60、61が下からこの順で2段に設けられている。
For example, in the fourth processing block G4,
第1の処理ブロックG1〜第4の処理ブロックG4に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域70が形成されている。ウェハ搬送領域70には、例えばウェハ搬送装置71が配置されている。
A
ウェハ搬送装置71は、例えば鉛直方向、水平方向(Y方向、X方向)及び鉛直軸周りに移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送装置71は、ウェハ搬送領域70内を移動し、周囲の第1の処理ブロックG1、第2の処理ブロックG2、第3の処理ブロックG3及び第4の処理ブロックG4内の所定の装置にウェハWを搬送できる。
The
次に、上述した第1の処理ブロックG1の第1の熱処理装置30〜33の構成について説明する。第1の熱処理装置30は、図3に示すように内部を密閉可能な処理容器100を有している。処理容器100のウェハ搬送領域70側の側面には、図4に示すようにウェハWの搬入出口101が形成され、当該搬入出口101には開閉シャッタ102が設けられている。
Next, the structure of the 1st heat processing apparatus 30-33 of the 1st process block G1 mentioned above is demonstrated. The 1st
処理容器100の内部には、図3及び図4に示すようにウェハWを加熱処理する加熱部110と、ウェハWを温度調節する温度調節部111が設けられている。加熱部110と温度調節部111はY方向に並べて配置されている。
As shown in FIGS. 3 and 4, a
加熱部110は、熱処理板としての熱板120を収容して熱板120の外周部を保持する環状の保持部材121と、その保持部材121の外周を囲む略筒状のサポートリング122を備えている。熱板120は、厚みのある略円盤形状を有している。熱板120の内部には、ウェハWを吸着保持するための吸引管123が設けられている。吸引管123は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置(図示せず)に接続されている。そして、吸引管123からウェハWが吸引され、当該ウェハWが熱板120に吸着保持される。例えばウェハWが反っている場合でも、吸引管123からの吸引力で適切に吸着保持される。また熱板120の内部には、例えばヒータ124が設けられている。熱板120の加熱温度は例えば制御部500により制御され、熱板120上に載置されたウェハWが所定の第1の温度、例えば120℃〜150℃に加熱される。
The
熱板120の下方には、ウェハWを昇降させる昇降機構130が設けられている。昇降機構130は、ウェハWを下方から支持し昇降させるための昇降ピン131を例えば3本有している。昇降ピン131は、昇降駆動部132により昇降できる。熱板120の中央部付近には、当該熱板120を厚み方向に貫通する貫通孔133が例えば3箇所に形成されている。そして、昇降ピン131は貫通孔133を挿通し、熱板120の上面から突出可能になっている。
An elevating
熱板120の上方には、昇降自在の蓋体140が設けられている。蓋体140は、下面が開口し、熱板120と一体となって熱処理室Kを形成する。また蓋体140の下面には、シール材141が環状に設けられている。そして、熱板120と蓋体140により熱処理室Kが形成される際には、熱板120の上面と蓋体140の下面との間に設けられるシール材141によって、熱処理室Kの内部の気密性が保持される。
Above the
蓋体140には、熱処理室Kに例えば窒素ガスなどの不活性ガスを供給するガス供給機構150が設けられている。ガス供給機構150は、蓋体140の天井面の中央部に接続され、熱処理室Kの内部に不活性ガスを供給するガス供給管151が接続されている。ガス供給管151は、内部に不活性ガスを貯留するガス供給源152に連通している。またガス供給管151には、不活性ガスの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群153が設けられている。さらにガス供給管151には、熱処理室Kに供給される不活性ガスを所定の温度、例えば120℃〜150℃に加熱する加熱機構としてのヒータ154が設けられている。なお、熱処理室K内の不活性ガスの加熱は本実施の形態に限定されず、熱板120の熱を利用して不活性ガスを加熱してもよいし、或いは蓋体140の内部に設けられた加熱機構(図示せず)によって不活性ガスを加熱してもよい。
The
また蓋体140には、熱処理室Kの雰囲気を所定の真空度、例えば20kPaまで減圧する減圧機構160が設けられている。減圧機構160は、蓋体140の側面に接続され、熱処理室Kの内部を真空引きして減圧するための吸気管161が接続されている。吸気管161は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置162に連通している。
The
温度調節部111は、温度調節板170を有している。温度調節板170は、図4に示すように略方形の平板形状を有し、熱板120側の端面が円弧状に湾曲している。温度調節板170には、Y方向に沿った2本のスリット171が形成されている。スリット171は、温度調節板170の熱板120側の端面から温度調節板170の中央部付近まで形成されている。このスリット171により、温度調節板170が、加熱部110の昇降ピン131及び後述する温度調節部111の昇降ピン180と干渉するのを防止できる。また温度調節板170には、例えばペルチェ素子などの温度調節部材(図示せず)が内蔵されている。温度調節板170の冷却温度は例えば制御部500により制御され、温度調節板170上に載置されたウェハWが所定の温度、例えば50℃に冷却される。
The
温度調節板170は、図3に示すように支持アーム172に支持されている。支持アーム172には、駆動部173が取り付けられている。駆動部173は、Y方向に延伸するレール174に取り付けられている。レール174は、温度調節部111から加熱部110まで延伸している。この駆動部173により、温度調節板170は、レール174に沿って加熱部110と温度調節部111との間を移動可能になっている。
The
温度調節板170の下方には、ウェハWを下方から支持し昇降させるための昇降ピン180が例えば3本設けられている。昇降ピン180は、昇降駆動部181により昇降できる。そして、昇降ピン180はスリット171を挿通し、温度調節板170の上面から突出可能になっている。
Below the
なお、第1の熱処理装置31〜33の構成は、上述した第1の熱処理装置30の構成と同様であるので説明を省略する。
In addition, since the structure of the 1st heat processing apparatuses 31-33 is the same as that of the structure of the 1st
次に、上述した第1の処理ブロックG1の第2の熱処理装置34の構成について説明する。第2の熱処理装置34は、図5に示すように筐体190を有している。筐体190の天井面には、ファンフィルターユニット191(FFU:Fan Filter Unit)が設けられている。このファンフィルターユニット191によって、筐体190の内部に下降気流(ダウンフロー)が形成される。
Next, the configuration of the second
筐体190内には、各種処理ユニットを備えた2つの処理ブロックH1、H2が設けられている。例えば筐体190内のX方向正方向側には第1の処理ブロックH1が設けられ、筐体190内のX方向負方向側、すなわちウェハ搬送領域70側には第2の処理ブロックH2が設けられている。
In the
例えば第1の処理ブロックH1には、複数のウェハWを収容して熱処理を行う熱処理ユニット200が設けられている。
For example, the first processing block H1 includes a
例えば第2の処理ブロックH2には、熱処理されたウェハWを所定の温度に調節する温度調節ユニット210と、外部との間でウェハWを搬入出するためのトランジションユニット211、212と、複数のウェハWを一時的に収容するバッファユニット213とが下からこの順で4段に設けられている。
For example, the second processing block H2 includes a
第1の処理ブロックH1と第2の処理ブロックH2の間には、ウェハ搬送領域220が形成されている。ウェハ搬送領域220には、第1の処理ブロックH1と第2の処理ブロックH2内の所定のユニットにウェハWを搬送するウェハ搬送機構221を有している。
A
ウェハ搬送機構221は、複数、例えば2つの搬送アーム222を有している。搬送アーム222は、図6に示すように略C字型に構成されたアーム部223を有している。アーム部223は、ウェハWの径より大きい曲率半径でウェハWの周縁部に沿って湾曲している。アーム部223には、当該アーム部223から内側に突出し、ウェハWの裏面外周部を保持する保持部224が複数箇所、例えば3箇所に設けられている。そして搬送アーム222は、この保持部224上にウェハWを水平に保持することができる。
The
アーム部223の基端部には、アーム部223と一体に形成され、且つアーム部223を支持する支持部225が設けられている。支持部225にはアーム駆動部(図示せず)が設けられている。
A
また搬送アーム222の基端部には、アーム駆動部226が設けられている。このアーム駆動部226によって、各搬送アーム222は独立して水平方向に移動できる。これら搬送アーム222とアーム駆動部226は、基台227に支持されている。基台227には移動機構(図示せず)が設けられ、かかる移動機構によってウェハ搬送機構221は昇降自在に構成され、また鉛直軸周りに回転自在に構成されている。
An
次に、熱処理ユニット200の構成について説明する。熱処理ユニット200は、図5に示すように内部を密閉可能な処理容器230を有している。
Next, the configuration of the
処理容器230には、当該処理容器230内に例えば窒素ガスなどの不活性ガスを供給するガス供給機構231が設けられている。ガス供給機構231は、処理容器230の底面に接続され、処理容器230の内部に不活性ガスを供給するガス供給管232が接続されている。ガス供給管232は、内部に不活性ガスを貯留するガス供給源233に連通している。またガス供給管232には、不活性ガスの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群234が設けられている。さらにガス供給管232には、処理容器230に供給される不活性ガスを所定の温度に加熱する加熱機構としてのヒータ235が設けられている。なお、不活性ガスは例えば常温である23℃で供給されてもよいし、ヒータ235によって常温より高い温度に加熱されて供給されてもよい。また、処理容器230内の不活性ガスの加熱は本実施の形態に限定されず、後述する熱板240の熱を利用して不活性ガスを加熱してもよいし、或いは処理容器230の内部に設けられた加熱機構(図示せず)によって不活性ガスを加熱してもよい。
The
また処理容器230には、当該処理容器230内の雰囲気を排気する排気機構236が設けられている。排気機構236は、処理容器230の天井面に接続され、処理容器230の内部を真空引きして排気するための排気管237が接続されている。排気管237は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置238に連通している。
Further, the
処理容器230の内部には、ウェハWを載置して熱処理する熱板240が設けられている。熱板240は、鉛直方向に複数段、例えば12段に設けられている。各熱板240に対向し、ウェハ搬送領域220側の処理容器230の側面には、ウェハWの搬入出口241がそれぞれ形成され、各搬入出口241には開閉シャッタ242がそれぞれ設けられている。なお熱板240の個数は本実施の形態に限定されず、任意に設定することができる。
Inside the
熱板240は、図7に示すように厚みのある略円盤形状を有している。熱板240の外周部には、切り欠き243が例えば3箇所に形成されている。これら切り欠き243により、熱板240とウェハ搬送機構221との間でウェハWを受け渡す際に、ウェハ搬送機構221の搬送アーム222における保持部224が熱板240と干渉するのを防止できる。
The
熱板240の内部には、図8に示すようにウェハWを吸着保持するための吸引管244が設けられている。吸引管244は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置(図示せず)に接続されている。そして、吸引管244からウェハWが吸引され、当該ウェハWが熱板240に吸着保持される。例えばウェハWが反っている場合でも、吸引管244からの吸引力で適切に吸着保持される。また熱板240の内部には、例えばヒータ245が内蔵されている。熱板240の加熱温度は例えば制御部500により制御され、熱板240上に載置されたウェハWが所定の第2の温度、例えば150℃〜250℃に加熱される。
As shown in FIG. 8, a
次に、温度調節ユニット210の構成について説明する。温度調節ユニット210は、図5に示すように内部を密閉可能な処理容器250を有している。処理容器250のウェハ搬送領域220側の側面には、ウェハWの搬入出口251が形成され、当該搬入出口251には開閉シャッタ252が設けられている。
Next, the configuration of the
処理容器250の内部には、熱板240で熱処理されたウェハWを温度調節する温度調節板253が設けられている。温度調節板253は、熱板240と同様に略円盤形状を有し、温度調節板253の外周部には切り欠き243と同様の切り欠き(図示せず)が形成されている。また温度調節板253には、例えばペルチェ素子などの温度調節部材(図示せず)が内蔵されている。温度調節板253の冷却温度は例えば制御部500により制御され、温度調節板253上に載置されたウェハWが所定の温度、例えば常温である23℃に冷却される。なお温度調節板253の個数は本実施の形態に限定されず、任意に設定することができる。
A
次に、トランジションユニット211、212の構成について説明する。トランジションユニット211は、ウェハWを収容可能な処理容器260を有している。処理容器260のウェハ搬送領域70側の側面には、ウェハWの搬入出口261が形成され、当該搬入出口261には開閉シャッタ262が設けられている。また処理容器260のウェハ搬送領域220側の側面には、ウェハWの搬入出口263が形成されている。処理容器260の内部には、ウェハWを支持する支持ピン264が設けられている。かかる構成により、処理容器260はウェハWを一時的に収容可能になっている。なお、トランジションユニット212の構成は、このトランジションユニット211の構成と同様であるので説明を省略する。
Next, the configuration of the
次に、バッファユニット213の構成について説明する。バッファユニット213は、ウェハ搬送領域220側の側面が開口した処理容器270を有している。処理容器270の内部には、ウェハWを保持する保持部材271が設けられている。保持部材271は、鉛直方向に複数段、例えば12段に設けられている。かかる構成により、バッファユニット213は複数のウェハWを一時的に収容可能になっている。
Next, the configuration of the
バッファユニット213は、例えば熱処理ユニット200において複数のウェハWに対する熱処理を途中で中断する際に用いられる。例えば成膜システム1において、第2の熱処理装置34以外の装置に不具合が生じた場合に、一連の成膜処理が停止される場合がある。かかる場合、熱処理ユニット200における複数のウェハWは、処理容器230からバッファユニット213に搬送され、当該バッファユニット213において一時的に収容される。そうすると、例えば熱処理ユニット200の熱板240によるウェハWの過加熱を防止することができる。
The
次に、上述した第2の処理ブロックG2の塗布装置40、41の構成について説明する。塗布装置40は、図9に示すように内部を密閉可能な処理容器280を有している。処理容器280のウェハ搬送領域70側の側面には、図10に示すようにウェハWの搬入出口281が形成され、当該搬入出口281には開閉シャッタ282が設けられている。
Next, the configuration of the
処理容器280内の中央部には、図9に示すようにウェハWを保持するチャック290が設けられている。チャック290は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハWを吸引する吸引口(図示せず)が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハWをチャック290上に吸着保持できる。
A
チャック290の下方には、チャック駆動部291が設けられている。チャック駆動部291には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、チャック290は昇降自在になっている。
A
チャック290の周囲には、ウェハWから落下する液体を受け止め、回収するカップ292が設けられている。カップ292の下面には、回収した液体を排出する排出管293と、カップ292内の雰囲気を真空引きして排気する排気管294が接続されている。
Around the
図10に示すようにカップ292のX方向負方向(図10中の下方向)側には、Y方向(図10中の左右方向)に沿って延伸するレール300が形成されている。レール300は、例えばカップ292のY方向負方向(図10中の左方向)側の外方からY方向正方向(図10中の右方向)側の外方まで形成されている。レール300には、アーム301が取り付けられている。
As shown in FIG. 10, a
アーム301には、図9及び図10に示すようにウェハWに液体状の塗布液を供給する塗布ヘッド302が支持されている。アーム301は、図10に示すヘッド駆動部303により、レール300上を移動自在である。これにより、塗布ヘッド302は、カップ292のY方向正方向側の外方に設置された待機部304からカップ292内のウェハWの中心部上方まで移動でき、さらに当該ウェハW上をウェハWの径方向に移動できる。また、アーム301は、ヘッド駆動部303によって昇降自在であり、塗布ヘッド302の高さを調節できる。
The
塗布ヘッド302は、図11に示すようにX方向に向けて延伸する略直方体形状に形成されている。塗布ヘッド302は、例えばウェハWの径よりも長く形成されている。塗布ヘッド302の下端部には、スリット状の塗布液の吐出口302aが形成されている。
The
塗布ヘッド302には、図9に示すように当該塗布ヘッド302に塗布液を供給する供給管305が接続されている。供給管305は、内部に塗布液を貯留する塗布液供給源306に連通している。また、供給管305には、塗布液の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群307が設けられている。
As shown in FIG. 9, a
そして塗布装置40では、図12に示すように塗布ヘッド302の吐出口302aから表面張力によって露出した塗布液FをウェハWの表面に接触させた状態で、塗布ヘッド302をウェハWの径方向(図12の例ではY方向負方向)に移動させる。そうすると、吐出口302aから露出する塗布液Fは、表面張力の作用によってウェハWの表面に順次供給され、ウェハWの表面全面に塗布液Fが塗布される。
In the
なお、塗布装置41の構成は、上述した塗布装置40の構成と同様であるので説明を省略する。
In addition, since the structure of the
次に、上述した第3の処理ブロックG3の研削装置50の構成について説明する。研削装置50は、図13に示すように内部を密閉可能な処理容器310を有している。処理容器310のウェハ搬送領域54側の側面には、後述する搬入部320に対向する位置にウェハWの搬入口311が形成され、当該搬入口311には開閉シャッタ312が設けられている。また処理容器310のウェハ搬送領域54側の側面には、後述する搬出部321に対向する位置にウェハWの搬出口313が形成され、当該搬出口313には開閉シャッタ314が設けられている。
Next, the configuration of the grinding
処理容器310の内部には、外部から処理容器310の内部に搬入されたウェハWを一時的に載置する搬入部320と、処理容器310から外部に搬出されるウェハWを一時的に載置する搬出部321とが設けられている。搬入部320と搬出部321は、X方向正方向にこの順で並べて配置されている。搬入部320と搬出部321には、ウェハWを支持する支持ピン322がそれぞれ設けられている。
Inside the
また処理容器310の内部には、ウェハWを載置して当該ウェハW上の塗布膜Fを研削するステージ330が設けられている。ステージ330は、搬入部320と搬出部321のY方向正方向側に設けられている。またステージ330は、回転機構(図示せず)によって回転自在に構成されている。
In addition, a
ステージ330上には、ウェハWを吸着保持する2つのチャック331、331が設けられている。これらチャック331、331は、例えばステージ330の中心点を挟んで対向する位置に配置されている。チャック331は、回転機構(図示せず)によって回転可能に構成されている。またステージ330を回転させることによって、チャック331、331は、ウェハW上の塗布膜Fを研削する処理位置P1とウェハWを待機させる待機位置P2と間で移動可能になっている。
On the
処理位置P1であってチャック331の上方には、図14に示すようにウェハW上の塗布膜Fを研磨して研削する研削機構340が設けられている。研削機構340は研磨機構として機能し、例えば研削砥石が用いられる。
A grinding
研削機構340には、当該研削機構340を回転させる回転機構341が設けられている。回転機構341は、研削機構340を支持する回転板342と、回転板342に設けられたスピンドル343と、スピンドル343を介して回転板342を回転させる駆動部344とを有している。そして、チャック331に保持されたウェハWを研削機構340に当接させた状態で、チャック331と研削機構340をそれぞれ回転させることによって、ウェハW上の塗布膜Fを研削する。
The grinding
なお、研削装置50の処理容器310の内部には、搬入部320、搬出部321、ステージ330の間でウェハWを搬送するウェハ搬送機構(図示せず)が設けられている。
A wafer transfer mechanism (not shown) that transfers the wafer W between the carry-in
次に、上述した第3の処理ブロックG3の洗浄装置51の構成について説明する。洗浄装置51は、図15に示すようにウェハWの表面を洗浄する表面洗浄ユニット350と、ウェハWの裏面を洗浄する裏面洗浄ユニット351と、表面洗浄ユニット350におけるウェハWの表面の洗浄と裏面洗浄ユニット351におけるウェハWの裏面の洗浄とを終えたウェハWの表面を仕上洗浄する仕上洗浄ユニット352とを有している。表面洗浄ユニット350、裏面洗浄ユニット351、仕上洗浄ユニット352は、X方向負方向にこの順で並べて配置されている。
Next, the configuration of the
表面洗浄ユニット350は、図16に示すように内部を密閉可能な処理容器360を有している。処理容器360のウェハ搬送領域54側の側面には、図17に示すようにウェハWの搬入出口361が形成され、当該搬入出口361には開閉シャッタ362が設けられている。
As shown in FIG. 16, the
処理容器360内の中央部には、図16に示すようにウェハWを保持して回転させるスピンチャック370が設けられている。スピンチャック370は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハWを吸引する吸引口(図示せず)が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハWをスピンチャック370上に吸着保持できる。
A
スピンチャック370は、チャック駆動部371を有し、そのチャック駆動部371により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動部371には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック370は昇降自在になっている。
The
スピンチャック370の周囲には、ウェハWから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ372が設けられている。カップ372の下面には、回収した液体を排出する排出管373と、カップ372内の雰囲気を真空引きして排気する排気管374が接続されている。
Around the
図17に示すようにカップ372のX方向負方向(図17の下方向)側には、Y方向(図17の左右方向)に沿って延伸するレール380が形成されている。レール380は、例えばカップ372のY方向負方向(図17の左方向)側の外方からY方向正方向(図17の右方向)側の外方まで形成されている。レール380には、例えばノズルアーム381とスクラブアーム382が取り付けられている。
As shown in FIG. 17, a
ノズルアーム381には、図16及び図17に示すようにウェハWに高圧の純水を供給する純水ノズル383が支持されている。ノズルアーム381は、図17に示すノズル駆動部384により、レール380上を移動自在である。これにより、純水ノズル383は、カップ372のY方向正方向側の外方に設置された待機部385からカップ372内のウェハWの中心部上方まで移動でき、さらに当該ウェハW上をウェハWの径方向に移動できる。また、ノズルアーム381は、ノズル駆動部384によって昇降自在であり、純水ノズル383の高さを調節できる。
A
純水ノズル383には、図16に示すように当該純水ノズル383に高圧の純水を供給する供給管386が接続されている。供給管386は、内部に純水を貯留する純水供給源387に連通している。また、供給管386には、純水の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群388が設けられている。
As shown in FIG. 16, a
スクラブアーム382には、スクラブ洗浄具390が支持されている。スクラブ洗浄具390の先端部には、例えば複数の糸状やスポンジ状のブラシ390aが設けられている。スクラブアーム382は、図17に示す洗浄具駆動部391によってレール380上を移動自在であり、スクラブ洗浄具390を、カップ372のY方向負方向側の外方からカップ372内のウェハWの中心部上方まで移動させることができる。また、洗浄具駆動部391によって、スクラブアーム382は昇降自在であり、スクラブ洗浄具390の高さを調節できる。
A
なお、以上の構成では、純水ノズル383とスクラブ洗浄具390が別々のアームに支持されていたが、同じアームに支持されていてもよい。また、純水ノズル383を省略して、スクラブ洗浄具390から純水を供給するようにしてもよい。
In the above configuration, the
裏面洗浄ユニット351は、上述した表面洗浄ユニット350とほぼ同様の構成を有している。裏面洗浄ユニット351は、図18に示すように表面洗浄ユニット350のスピンチャック370に代えて、ウェハWの表面外周部を保持するスピンチャック400が設けられる。スピンチャック400は、図19に示すように略円盤形状の本体部401と、ウェハWの表面外周部を吸着保持する保持部402とを有している。保持部402は、本体部401の上面外周部に等間隔に複数設けられている。このように複数の保持部402はウェハWの表面外周部を吸着保持するため、当該ウェハWの表面に形成された回路が損傷を被ることはない。また裏面洗浄ユニット351では、表面洗浄ユニット350のスクラブアーム382、スクラブ洗浄具390及び洗浄具駆動部391が省略されている。裏面洗浄ユニット351のその他の構成は、上述した表面洗浄ユニット350の構成と同様であるので説明を省略する。
The back
仕上洗浄ユニット352も、上述した表面洗浄ユニット350とほぼ同様の構成を有している。仕上洗浄ユニット352では、表面洗浄ユニット350のスクラブアーム382、スクラブ洗浄具390及び洗浄具駆動部391が省略されている。また仕上洗浄ユニット352の純水ノズル383から供給される純水は高圧でなくてもよい。仕上洗浄ユニット352のその他の構成は、上述した表面洗浄ユニット350の構成と同様であるので説明を省略する。
The
次に、上述した第3の処理ブロックG3のウェハ搬送領域54及びウェハ搬送装置55の構成について説明する。ウェハ搬送領域54には、図15に示すようにX方向に延伸する搬送路410が設けられている。ウェハ搬送装置55は3つの搬送アーム420、421、422を有している。搬送アーム420、421、422は、X方向正方向側にこの順で並べて配置され、それぞれ搬送路410上を移動自在になっている。
Next, the structure of the wafer conveyance area |
第1の搬送アーム420は、図20に示すように略C字型に構成されたアーム部430を有している。アーム部430は、ウェハWの径より大きい曲率半径でウェハWの周縁部に沿って湾曲している。アーム部430には、当該アーム部430から内側に突出し、ウェハWの外周部を保持する保持部431が複数箇所、例えば3箇所に設けられている。保持部431の先端部には、吸着パッド432が設けられている。この吸着パッド432によって、保持部431はウェハWの外周部を吸着保持する。そして第1の搬送アーム420は、この保持部431上にウェハWを水平に保持することができる。
As shown in FIG. 20, the
アーム部430の基端部には、アーム部430と一体に形成され、且つアーム部430を支持する支持部433が設けられている。支持部433は、第1の駆動部434に支持されている。この第1の駆動部434により、支持部433は水平軸回りに回動自在であり、且つ水平方向に伸縮できる。すなわち第1の駆動部434は、ウェハWの表裏面を反転させる反転機構として機能する。第1の駆動部434の下方には、図21に示すようにシャフト435を介して、第2の駆動部436が設けられている。この第2の駆動部436により、第1の駆動部434は鉛直軸回りに回転自在であり、且つ鉛直方向に昇降できる。なお、第2の駆動部436は上述した搬送路410に取り付けられ、第1の搬送アーム420が搬送路410上を移動自在になっている。
A
なお、第2の搬送アーム421と第3の搬送アーム422の構成は、上述した第1の搬送アーム420の構成と同様であるので説明を省略する。
Note that the configurations of the
図15に示すように第1の搬送アーム420は、トランジション装置52、53と研削装置50の搬入部320との間で塗布膜Fが研削される前のウェハWを搬送する。また第1の搬送アーム420は、洗浄装置51の仕上洗浄ユニット352とトランジション装置52、53との間で洗浄後のウェハWを搬送する。すなわち、第1の搬送アーム420は清浄なウェハW専用の搬送アームである。
As shown in FIG. 15, the
第2の搬送アーム421は、洗浄装置51の表面洗浄ユニット350と裏面洗浄ユニット351との間で表面が洗浄されたウェハWを搬送する。また第2の搬送アーム421は、洗浄装置51の裏面洗浄ユニット351と仕上洗浄ユニット352との間で裏面が洗浄されたウェハWを搬送する。すなわち、第2の搬送アーム421は完全に洗浄が完了していない汚れたウェハW専用の搬送アームである。
The
第3の搬送アーム422は、研削装置50の搬出部321と洗浄装置51の表面洗浄ユニット350との間で塗布膜Fが研削された後のウェハWを搬送する。すなわち、第3の搬送アーム422は洗浄されていない汚れたウェハW専用の搬送アームである。
The
以上の成膜システム1には、図1に示すように制御部500が設けられている。制御部500は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部(図示せず)を有している。プログラム格納部には、成膜システム1におけるウェハWに対する成膜処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、成膜システム1における後述の成膜処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルデスク(MO)、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Hに記録されていたものであって、その記憶媒体Hから制御部500にインストールされたものであってもよい。
The film forming system 1 includes a
次に、以上のように構成された成膜システム1を用いて行われるウェハWに対する成膜処理方法について説明する。図22は、かかる成膜処理の主な工程の例を示すフローチャートである。 Next, a film forming method for the wafer W performed using the film forming system 1 configured as described above will be described. FIG. 22 is a flowchart showing an example of main steps of the film forming process.
先ず、複数枚のウェハWを収容したカセットCが、搬入出ステーション2の所定のカセット載置板11に載置される。その後、ウェハ搬送装置22によりカセットC内の各ウェハWが順次取り出され、処理ステーション3の第4のブロックG4のトランジション装置60に搬送される。
First, a cassette C containing a plurality of wafers W is placed on a predetermined
次にウェハWは、ウェハ搬送装置71によって塗布装置40に搬送される。塗布装置40に搬入されたウェハWは、ウェハ搬送装置71からチャック290に受け渡され吸着保持される。
Next, the wafer W is transferred to the
続いて、アーム301によって待機部304の塗布ヘッド302をウェハWの外周部の上方まで移動させる。そして、塗布液供給源306から塗布ヘッド302に塗布液Fを供給し、当該塗布ヘッド302の吐出口302aから表面張力によって塗布液Fを露出させる。その後、塗布ヘッド302を下降させて塗布液FをウェハWの表面に接触させた状態で、塗布ヘッド302をウェハWの径方向に移動させる。そうすると、吐出口302aから露出する塗布液Fは、表面張力の作用によってウェハWの表面に順次供給される。こうして、ウェハWの表面全面に塗布液Fが塗布されて、塗布膜Fが形成される(図22の工程S1)。なお工程S1において、塗布液Fは例えば20μm〜70μmの膜厚で塗布される。そして、塗布液Fの膜厚の調節は、塗布ヘッド302の移動速度や、塗布ヘッド302とウェハWとの距離を制御することによって行われる。
Subsequently, the
次にウェハWは、ウェハ搬送装置71によって第1の熱処理装置30に搬送される。第1の熱処理装置30にウェハWが搬入されると、ウェハWはウェハ搬送装置71から予め上昇して待機していた昇降ピン180に受け渡される。続いて昇降ピン180を下降させ、ウェハWを温度調節板170に載置する。
Next, the wafer W is transferred to the first
その後、駆動部173により温度調節板170をレール174に沿って熱板120の上方まで移動させ、ウェハWは予め上昇して待機していた昇降ピン131に受け渡される。
Thereafter, the
その後、昇降ピン131に支持されたウェハWが熱板120と接触しない状態で、蓋体140を下降させ、シール材141によって内部が密閉された熱処理室Kを形成する。続いて、減圧機構160によって熱処理室K内の雰囲気を所定の真空度、例えば20kPaまで減圧する。さらにガス供給機構150によって熱処理室K内に不活性ガスを供給すると共に、減圧機構160によって熱処理室K内の雰囲気を減圧して上記真空度に維持する。このように熱処理室K内の雰囲気は完全に真空ではなく所定の真空度に維持されているので、吸引管123によってウェハWを適切に吸引でき、熱板120によってウェハWを適切に吸着保持することができる。
Thereafter, in a state where the wafer W supported by the lift pins 131 is not in contact with the
そして、熱処理室K内の雰囲気は例えば10ppm以下の低酸素雰囲気に維持される。このため、熱処理室K内で熱処理されるウェハW上に酸化膜が形成されるのを抑制することができる。なお熱処理室K内に供給される不活性ガスは、ガス供給機構150のヒータ154によって例えば120℃〜150℃に加熱されている。
The atmosphere in the heat treatment chamber K is maintained in a low oxygen atmosphere of 10 ppm or less, for example. For this reason, it is possible to suppress the formation of an oxide film on the wafer W to be heat-treated in the heat treatment chamber K. The inert gas supplied into the heat treatment chamber K is heated to, for example, 120 ° C. to 150 ° C. by the
その後、昇降ピン131を下降させて、ウェハWが熱板120上に載置される。そして、熱板120上のウェハWは第1の温度、例えば120℃〜150℃に加熱される(図22の工程S2)。またガス供給機構150によって熱処理室K内に不活性ガスを供給すると共に、減圧機構160によって熱処理室K内の雰囲気が減圧されるので、塗布膜Fの加熱の際に生じる昇華物は蓋体140等に付着することなく除去される。なお工程S2における第1の温度でのウェハWの加熱は、例えば10分行われる。
Thereafter, the lift pins 131 are lowered and the wafer W is placed on the
その後、蓋体140が上昇すると共に昇降ピン131が上昇し、さらに温度調節板170が熱板120の上方に移動する。続いてウェハWが昇降ピン131から温度調節板170に受け渡され、温度調節板170がウェハ搬送領域70側に移動する。この温度調節板170の移動中に、ウェハWは所定の温度、例えば50℃に調節される。
Thereafter, the
次にウェハWは、ウェハ搬送装置71によって第2の熱処理装置34に搬送される。第2の熱処理装置34に搬入されたウェハWは、トランジションユニット211に収容される。続いて、ウェハWはウェハ搬送機構221によって熱処理ユニット200の処理容器230内の一の熱板240に搬送される。そして、ウェハWはウェハ搬送機構221から熱板240に受け渡される。このとき、熱板240には切り欠き243が形成されているので、ウェハ搬送機構221の搬送アーム222と熱板240が干渉することはない。
Next, the wafer W is transferred to the second
ウェハWが熱板240に搬送される際、処理容器230の内部にはガス供給機構231によって不活性ガスが供給されると共に、排気機構236によって処理容器230内の雰囲気が排気されている。このように処理容器230内の雰囲気圧力は例えば110kPaに維持されているので、吸引管244によってウェハWを適切に吸引でき、熱板240によってウェハWを適切に吸着保持することができる。なお処理容器230の内部の雰囲気は、外部の雰囲気に対して陽圧に維持されており、処理容器230に対してウェハWを搬入出する際にも処理容器230内の雰囲気を維持することができる。
When the wafer W is transferred to the
そして、処理容器230の内部は低酸素雰囲気に維持されている。このため、処理容器230内で熱処理されるウェハW上に酸化膜が形成されるのを抑制することができる。また処理容器230内に供給される不活性ガスは、例えば常温である23℃であってもよいし、ガス供給機構231のヒータ235によって常温より高い温度に加熱されていてもよい。
The inside of the
そして、熱板240上のウェハWは第1の温度より高い第2の温度、例えば150℃〜250℃に加熱される(図22の工程S3)。またガス供給機構231によって処理容器230内に不活性ガスを供給すると共に、排気機構236によって処理容器230内の雰囲気が減圧されるので、塗布膜Fの加熱の際に生じる昇華物は処理容器230等に付着することなく除去される。
Then, the wafer W on the
なお工程S3における第2の温度でのウェハWの加熱は、例えば15分〜1時間行われる。このように第2の温度でのウェハWの加熱は長時間行われるため、処理容器230では複数の熱板240により複数のウェハWの熱処理が並行して行われる。
The heating of the wafer W at the second temperature in step S3 is performed, for example, for 15 minutes to 1 hour. As described above, since the heating of the wafer W at the second temperature is performed for a long time, the heat treatment of the plurality of wafers W is performed in parallel in the
その後、ウェハWはウェハ搬送機構221によって熱処理ユニット200から搬出され、温度調節ユニット210に搬送される。そして、ウェハWはウェハ搬送機構221から温度調節板253に受け渡され、所定の温度、例えば常温である23℃に調節される。
Thereafter, the wafer W is unloaded from the
その後、ウェハWはウェハ搬送機構221によってトランジションユニット212に搬送される。
Thereafter, the wafer W is transferred to the
次にウェハWは、ウェハ搬送装置71によってトランジション装置52に搬送される。続いて、ウェハWはウェハ搬送装置55の第1の搬送アーム420によって研削装置50の搬入部320に搬送される。その後、ウェハWは搬入部320からステージ330の待機位置P2にあるチャック331に受け渡されて吸着保持される。所定の時間経過後、待機位置P2のウェハWが処理可能になると、ステージ330を回転させ、待機位置P2のチャック331を処理位置P1に移動させる。
Next, the wafer W is transferred to the
処理位置P1では、研削機構340を下降させ、チャック331に保持されたウェハWを研削機構340に当接させる。この状態でチャック331と研削機構340をそれぞれ回転させることによって、ウェハW上の塗布膜Fを研削する(図22の工程S4)。この工程S4では、塗布膜Fは例えば15μmの膜厚になるように研削される。
At the processing position P1, the grinding
その後、ステージ330を回転させ、処理位置P1のチャック331を待機位置P2に移動させる。続いて、ウェハWは待機位置P2のチャック331から搬出部321に受け渡される。
Thereafter, the
次にウェハWは、ウェハ搬送装置55の第3の搬送アーム422によって洗浄装置51の表面洗浄ユニット350に搬送される。表面洗浄ユニット350に搬入されたウェハWは、第3の搬送アーム422からスピンチャック370に受け渡され吸着保持される。
Next, the wafer W is transferred to the
続いて、ノズルアーム381によって待機部385の純水ノズル383をウェハWの中心部の上方まで移動させると共に、スクラブアーム382によってスクラブ洗浄具390をウェハW上に移動させる。その後、スピンチャック370によってウェハWを回転させながら、純水ノズル383からウェハW上に高圧の純水を供給する。そうすると、純水ノズル383からの高圧の純水とスクラブ洗浄具390によって、ウェハWの表面が洗浄される(図22の工程S5)。なお工程S5において、純水ノズル383をウェハWの径方向に移動させながら、当該純水ノズル383からウェハW上に高圧の純水を供給して、ウェハWの表面を洗浄してもよい。
Subsequently, the
次にウェハWは、第2の搬送アーム421によって裏面洗浄ユニット351に搬送される。このウェハWの搬送中、第1の駆動部434によって第2の搬送アーム421を反転させ、ウェハWの表裏面を反転する。すなわち、ウェハWの裏面を上方に向ける。
Next, the wafer W is transferred to the back
裏面洗浄ユニット351に搬入されたウェハWは、スピンチャック400に吸着保持される。続いて、スピンチャック400によって回転中のウェハWに純水ノズル383から高圧の純水を供給して、ウェハWの裏面が洗浄される(図22の工程S6)。なお、この工程S6におけるウェハWの裏面の洗浄は、上述した工程S5におけるウェハWの表面の洗浄と同様であるので説明を省略する。但し、工程S6では、工程S5でのスクラブ洗浄具390による洗浄は省略される。
The wafer W carried into the back
次にウェハWは、第2の搬送アーム421によって仕上洗浄ユニット352に搬送される。このウェハWの搬送中、第1の駆動部434によって第2の搬送アーム421を反転させ、ウェハWの表裏面を反転する。すなわち、ウェハWの表面を上方に向ける。そして仕上洗浄ユニット352において、ウェハWの表面が仕上洗浄される(図22の工程S7)。なお、この工程S6におけるウェハWの表面の仕上洗浄は、上述した工程S5におけるウェハWの表面の洗浄と同様であるので説明を省略する。但し、工程S7では、工程S5でのスクラブ洗浄具390による洗浄は省略される。
Next, the wafer W is transferred to the
次にウェハWは、第1の搬送アーム420によってトランジション装置53に搬送される。その後ウェハWは、ウェハ搬送装置71によってトランジション装置61に搬送され、その後搬入出ステーション2のウェハ搬送装置22によって所定のカセット載置板11のカセットCに搬送される。こうして、一連のウェハWに対する成膜処理が終了する。
Next, the wafer W is transferred to the
以上の実施の形態によれば、工程S2においてシール材141によって熱処理室K内の気密性を保持し、ガス供給機構150から熱処理室K内に不活性ガスを供給しながら、減圧機構160によって熱処理室内Kの雰囲気を所定の真空度に維持することができる。このとき、不活性ガスは熱処理室Kという小さい空間に供給されるので、従来のように熱処理装置の処理空間全体に不活性ガスを供給する場合に比べて、不活性ガスの供給量を少量に抑えることができる。しかも、このように所定の真空度の不活性ガス雰囲気、すなわち低酸素雰囲気でウェハWが熱処理されるので、ウェハW上の酸化膜の形成を抑制することができ、ウェハWの熱処理を適切に行うことができる。
According to the above embodiment, the air-tightness in the heat treatment chamber K is maintained by the sealing
また、工程S2において熱処理室K内に供給される不活性ガスは所定の温度に加熱されているので、ウェハWを効率よく加熱することができる。 In addition, since the inert gas supplied into the heat treatment chamber K in step S2 is heated to a predetermined temperature, the wafer W can be efficiently heated.
また工程S2において、ガス供給機構150による熱処理室K内への不活性ガスの供給に先だって、減圧機構160によって熱処理室K内の雰囲気を所定の真空度まで減圧しているので、当該熱処理室K内の減圧を短時間で行うことができる。したがって、工程S2におけるウェハWの熱処理時間を短縮することができる。
In step S2, the atmosphere in the heat treatment chamber K is reduced to a predetermined degree of vacuum by the
また、工程S2において熱処理室K内は完全に真空ではなく所定の真空度に維持されているので、吸引管123によってウェハWを適切に吸引できる。このため、例えば静電チャックのように高価なチャックを用いる必要がなく、廉価な熱板120によってウェハWを適切に吸着保持することができる。
Further, since the inside of the heat treatment chamber K is not completely vacuum but maintained at a predetermined degree of vacuum in step S <b> 2, the wafer W can be appropriately sucked by the
また本実施の形態によれば、成膜システム1においてウェハ単位で塗布膜の成膜処理を行うことができるので、当該成膜処理に要する時間を短縮することができる。また、一の成膜システム1において、工程S1における塗布液Fの塗布処理、工程S2におけるウェハWの低温熱処理、工程S3におけるウェハWの高温熱処理、工程S4における塗布膜Fの研削処理、工程S5〜S7におけるウェハWの洗浄処理が行われるので、一連の成膜処理を効率よく行うことができる。さらに、一の成膜システムにおいて、上述した工程S1〜S7の一連の成膜処理を複数のウェハWに対して並行して行うことができる。したがって、ウェハWに対する成膜処理のスループットを向上させることができる。 Further, according to the present embodiment, the film forming system 1 can perform the coating film forming process in units of wafers, so that the time required for the film forming process can be shortened. Further, in one film forming system 1, the coating solution F is coated in step S1, the low-temperature heat treatment of the wafer W in step S2, the high-temperature heat treatment of the wafer W in step S3, the grinding treatment of the coating film F in step S4, and the step S5. Since the cleaning process of the wafer W in .about.S7 is performed, a series of film forming processes can be performed efficiently. Furthermore, in one film forming system, the series of film forming processes of the above-described steps S1 to S7 can be performed on a plurality of wafers W in parallel. Therefore, the throughput of the film forming process for the wafer W can be improved.
以上の実施の形態の工程S2において、熱処理室K内で熱板120によってウェハWを熱処理した後、当該熱処理室K内において、ウェハWを所定の温度に調節してもよい。具体的には、図23に示すように昇降機構130の昇降ピン131を上昇させて、熱板120の上方であって当該熱板120と接触しない位置にウェハWを上昇させる。そして、ガス供給機構150から熱処理室K内に例えば常温である23℃の不活性ガスを供給する。この状態で所定の時間維持して、ウェハWを所定の温度、例えば100℃に調節する。かかる場合、この熱処理室K内でのウェハWの温度調節と、後続の温度調節板170によるウェハWの温度調節とを行い、2段階で温度調節を行うので、第1の熱処理装置30におけるウェハWの熱処理を効率よく行うことができる。
In step S2 of the above embodiment, after the wafer W is heat-treated in the heat treatment chamber K by the
以上の実施の形態の第1の熱処理装置30において、熱板120は複数の熱板領域に区画されていてもよい。熱板120の各熱板領域にはヒータ124が個別に内蔵され、各熱板領域毎に加熱できる。各熱板領域のヒータ124の発熱量は、制御部500により調節される。制御部500は、ヒータ124の発熱量を調節して、各熱板領域の温度を所定の加熱温度に制御できる。
In the first
以上の実施の形態の第1の熱処理装置30の熱板120の上面外周部には、図24に示すように仕切り板600が設けられていてもよい。仕切り板600は、熱板120上に保持されるウェハWの外側に環状に設けられる。また仕切り板600は、例えば0.8mmの高さを有する。このように熱板120上のウェハWの外周部付近を略閉じた空間にすることにより、ウェハWの外周部を吸引管123によって大きい圧力で吸引することができる。そうすると、例えば熱板120で熱処理されるウェハWの外周部が反っている場合でも(図24の点線)、当該ウェハWの反りを矯正して、熱板120上でウェハWを適切に吸着保持することができる。したがって、熱板120によるウェハWの熱処理をウェハ面内でより均一に行うことができる。
A
なお、熱板120で吸着保持するウェハWの反りを矯正するためには、ウェハWの外周部を吸引する吸引管123の圧力を、中心部を吸引する吸引管123の圧力より大きくしてもよい。或いはガス供給機構150からウェハWの外周部に供給する不活性ガスを、ウェハWの中心部に供給する不活性ガスより高圧、高速度又は多流量にしてもよい。
In order to correct the warp of the wafer W sucked and held by the
以上の実施の形態では、工程S2においてガス供給機構150のヒータ154によって熱処理室Kに供給される不活性ガスを所定の温度に加熱していたが、不活性ガスを加熱する方法はこれに限定されない。例えば熱処理室K内の不活性ガスは、熱板120の熱によって加熱されてもよい。また、例えば図25に示すように熱処理室K内の不活性ガスは、蓋体140の天井面に設けられた他の加熱機構としてのヒータ610によって加熱されてもよい。いずれにしても、熱処理室K内の不活性ガスを所定の温度に加熱して、ウェハWを効率よく加熱することができる。
In the above embodiment, the inert gas supplied to the heat treatment chamber K is heated to a predetermined temperature by the
以上の実施の形態では、ウェハW上に塗布される塗布液として回路を封止するための塗布材を用いた場合について説明したが、成膜システム1で用いられる塗布液はこれに限定されない。例えば塗布液としてレジスト(ソルダレジスト)を用いてもよい。かかる場合、例えば塗布膜Fを成膜した後のウェハWに対して、さらに塗布液としてのレジストが塗布される。そして成膜システム1において、上述した工程S1〜S7が行われ、ウェハW上(塗布膜F上)に所定の膜厚のレジストが成膜される。なお、このようにウェハW上にレジストを成膜する場合、レジスト塗布後の熱処理は低温熱処理のみでよい場合がある。かかる場合には、工程S3におけるウェハWの高温熱処理を省略してもよい。 In the above embodiment, the case where the coating material for sealing the circuit is used as the coating solution applied onto the wafer W has been described. However, the coating solution used in the film forming system 1 is not limited to this. For example, a resist (solder resist) may be used as the coating solution. In such a case, for example, a resist as a coating solution is further applied to the wafer W after the coating film F is formed. In the film forming system 1, the above-described steps S1 to S7 are performed, and a resist having a predetermined film thickness is formed on the wafer W (on the coating film F). When the resist is formed on the wafer W in this way, the heat treatment after the resist application may be only a low temperature heat treatment. In such a case, the high temperature heat treatment of the wafer W in step S3 may be omitted.
以上の実施の形態では、成膜システム1において塗布膜Fの成膜とレジストの成膜を別々に行っていたが、一の成膜システム1において塗布膜Fの成膜とレジストの成膜を両方行えるようにしてもよい。かかる場合、例えば塗布装置40においてウェハW上に塗布液Fを塗布し、塗布装置41においてウェハW上にレジストを塗布するようにすればよい。その他の第1の熱処理装置30〜33、第2の熱処理装置34、研削装置50、洗浄装置51は、塗布膜Fの成膜処理とレジストの成膜処理に共通して用いることができる。
In the above embodiment, the film forming system 1 separately forms the coating film F and the resist. However, the film forming system 1 forms the coating film F and the resist. You may be able to do both. In such a case, for example, the
また、以上の実施の形態の第1の熱処理装置30は、例えばフォトリソグラフィー処理における種々の熱処理、例えばレジスト塗布後の熱処理、露光後の熱処理、現像後の熱処理等にも用いることができる。例えば低酸素雰囲気でこれらの熱処理を行うことが要求される場合、第1の熱処理装置30は特に有用になる。
The first
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。 The preferred embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to such examples. It is obvious for those skilled in the art that various modifications or modifications can be conceived within the scope of the idea described in the claims, and these naturally belong to the technical scope of the present invention. It is understood.
1 成膜システム
2 搬入出ステーション
3 処理ステーション
30〜33 第1の熱処理装置
34 第2の熱処理装置
40、41 塗布装置
50 研削装置
51 洗浄装置
70 ウェハ搬送領域
120 熱板
123 吸引管
130 昇降機構
140 蓋体
141 シール材
150 ガス供給機構
154 ヒータ
160 減圧機構
500 制御部
600 仕切り板
610 ヒータ
F 塗布液(塗布膜)
K 熱処理室
W ウェハ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Film-forming
K Heat treatment chamber W Wafer
Claims (14)
基板を吸着保持して熱処理する熱処理板と、
前記熱処理板の上方に設けられ、且つ前記熱処理板と一体となって、基板を収容して熱処理を行う熱処理室を形成する蓋体と、
前記熱処理室内の雰囲気を、前記熱処理板が基板を吸着保持できる所定の真空度まで減圧する減圧機構と、
前記減圧機構により所定の真空度に維持された前記熱処理室に不活性ガスを供給するガス供給機構と、
前記熱処理板の上面と前記蓋体の下面との間に環状に設けられ、前記熱処理室内の気密性を保持するためのシール材と、を有することを特徴とする、熱処理装置。 A heat treatment apparatus for heat treating a substrate,
A heat treatment plate for adsorbing and holding the substrate for heat treatment;
A lid that is provided above the heat treatment plate and is integrated with the heat treatment plate to form a heat treatment chamber that houses the substrate and performs heat treatment;
A depressurization mechanism for depressurizing the atmosphere in the heat treatment chamber to a predetermined degree of vacuum at which the heat treatment plate can adsorb and hold the substrate ;
A gas supply mechanism for supplying an inert gas to the heat treatment chamber maintained at a predetermined degree of vacuum by the decompression mechanism ;
A heat treatment apparatus comprising: a sealing material provided in an annular shape between an upper surface of the heat treatment plate and a lower surface of the lid, and for maintaining airtightness in the heat treatment chamber.
前記塗布液は、回路を封止するための塗布材又はレジストであることを特徴とする、請求項1〜12のいずれかに記載の熱処理装置。 A plurality of circuits are formed on the surface of the substrate to be heat-treated in the heat treatment chamber, and the heat treatment is performed after applying a coating liquid on the surface of the substrate to form a coating film,
The coating solution is characterized in that it is a coating material or resist for sealing the circuit, a heat treatment apparatus according to any one of claims 1 to 12.
前記熱処理装置を有する処理ステーションと、
基板を複数保有可能で、且つ前記処理ステーションに対して基板を搬入出する搬入出ステーションと、を備え、
前記処理ステーションは、
基板の表面に塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布装置と、
前記熱処理装置で熱処理された基板の表面の前記塗布膜を研削する研削装置と、
前記研削装置で塗布膜が研削された基板を洗浄する洗浄装置と、
前記塗布装置、前記熱処理装置、前記研削装置及び前記洗浄装置に対して、基板を搬送するための搬送領域と、を有することを特徴とする、成膜システム。
A deposition system comprising a heat treatment apparatus according to any one of claims 1 to 13
A processing station having the heat treatment apparatus;
A plurality of substrates, and a loading / unloading station for loading / unloading substrates to / from the processing station,
The processing station is
A coating apparatus that forms a coating film by coating a coating liquid on the surface of the substrate;
A grinding device for grinding the coating film on the surface of the substrate heat treated by the heat treatment device;
A cleaning device for cleaning the substrate on which the coating film has been ground by the grinding device;
A film forming system comprising: a transfer region for transferring a substrate to the coating apparatus, the heat treatment apparatus, the grinding apparatus, and the cleaning apparatus.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014106089A JP6294761B2 (en) | 2013-07-11 | 2014-05-22 | Heat treatment apparatus and film forming system |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013145298 | 2013-07-11 | ||
JP2013145298 | 2013-07-11 | ||
JP2014106089A JP6294761B2 (en) | 2013-07-11 | 2014-05-22 | Heat treatment apparatus and film forming system |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015035586A JP2015035586A (en) | 2015-02-19 |
JP6294761B2 true JP6294761B2 (en) | 2018-03-14 |
Family
ID=52543880
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014106089A Active JP6294761B2 (en) | 2013-07-11 | 2014-05-22 | Heat treatment apparatus and film forming system |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6294761B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106733487A (en) * | 2016-12-12 | 2017-05-31 | 北京中电科电子装备有限公司 | A kind of chip glue spreading apparatus and method |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6447328B2 (en) * | 2015-04-07 | 2019-01-09 | 東京エレクトロン株式会社 | Heating device |
JP6782628B2 (en) * | 2016-12-21 | 2020-11-11 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing equipment, substrate processing system and substrate processing method |
JP6914048B2 (en) * | 2017-02-14 | 2021-08-04 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing method |
JP7141318B2 (en) * | 2018-11-27 | 2022-09-22 | 株式会社Screenホールディングス | Heating device and heating method |
KR102675104B1 (en) | 2021-12-31 | 2024-06-14 | 세메스 주식회사 | Substrate processing apparatus |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3311984B2 (en) * | 1998-01-12 | 2002-08-05 | 東京エレクトロン株式会社 | Heat treatment equipment |
JP3266844B2 (en) * | 1998-01-19 | 2002-03-18 | 東京エレクトロン株式会社 | Heat treatment equipment |
JP2003124102A (en) * | 2001-10-17 | 2003-04-25 | Tokyo Electron Ltd | Substrate treatment system |
JP2003234273A (en) * | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Board treatment apparatus and method therefor |
JP3831310B2 (en) * | 2002-07-18 | 2006-10-11 | 東京エレクトロン株式会社 | Processing equipment |
JP4179276B2 (en) * | 2004-12-24 | 2008-11-12 | セイコーエプソン株式会社 | Solvent removal apparatus and solvent removal method |
JP4384686B2 (en) * | 2007-09-25 | 2009-12-16 | 東京エレクトロン株式会社 | Normal pressure drying apparatus, substrate processing apparatus, and substrate processing method |
JP5479866B2 (en) * | 2009-11-30 | 2014-04-23 | 株式会社ディスコ | Liquid resin coating apparatus and grinding machine |
-
2014
- 2014-05-22 JP JP2014106089A patent/JP6294761B2/en active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106733487A (en) * | 2016-12-12 | 2017-05-31 | 北京中电科电子装备有限公司 | A kind of chip glue spreading apparatus and method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015035586A (en) | 2015-02-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6294761B2 (en) | Heat treatment apparatus and film forming system | |
JP5421825B2 (en) | Joining system, joining method, program, and computer storage medium | |
KR102436241B1 (en) | Substrate processing method and heat treatment apparatus | |
JP5740583B2 (en) | Peeling apparatus, peeling system, peeling method, program, and computer storage medium | |
WO2012026261A1 (en) | Peeling apparatus, peeling system, peeling method, and computer storage medium | |
JP6158721B2 (en) | Cleaning device, peeling system, cleaning method, program, and computer storage medium | |
JP2015035582A (en) | Deposition system | |
JP5740578B2 (en) | Peeling method, program, computer storage medium, peeling apparatus and peeling system | |
JP5712101B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP2016201526A (en) | Substrate processing system | |
JP2017183579A (en) | Substrate processing apparatus | |
JP2015035585A (en) | Deposition system | |
JP2013033925A (en) | Cleaning method, program, computer storage medium, cleaning device, and peeling system | |
JP2015035584A (en) | Thermal treatment device and film formation system | |
JP6046007B2 (en) | Joining system | |
JP5724713B2 (en) | Heat treatment equipment | |
JP2015035583A (en) | Thermal treatment device and film formation system | |
WO2013035599A1 (en) | Joining method, computer storage medium, and joining system | |
KR102679000B1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP7213624B2 (en) | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD | |
WO2019159761A1 (en) | Substrate processing system, substrate processing apparatus, and substrate processing method | |
JP2005268244A (en) | Substrate treatment apparatus | |
JP2020004880A (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing system, and substrate processing method | |
WO2024018985A1 (en) | Substrate treatment method and substrate treatment system | |
JP4849004B2 (en) | Heating device, heating method and coating, developing device and storage medium |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161006 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170626 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170704 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170824 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180130 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180216 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6294761 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |