JP6281706B2 - Solar cell module manufacturing method and solar cell module manufacturing system - Google Patents
Solar cell module manufacturing method and solar cell module manufacturing system Download PDFInfo
- Publication number
- JP6281706B2 JP6281706B2 JP2014538124A JP2014538124A JP6281706B2 JP 6281706 B2 JP6281706 B2 JP 6281706B2 JP 2014538124 A JP2014538124 A JP 2014538124A JP 2014538124 A JP2014538124 A JP 2014538124A JP 6281706 B2 JP6281706 B2 JP 6281706B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solar cells
- solar cell
- solar
- cell module
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 169
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 17
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 16
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000000712 G cell Anatomy 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N diboron Chemical compound B#B ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1876—Particular processes or apparatus for batch treatment of the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
- H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
- H02S50/00—Monitoring or testing of PV systems, e.g. load balancing or fault identification
- H02S50/10—Testing of PV devices, e.g. of PV modules or single PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
本発明は、太陽電池モジュールの製造方法、太陽電池セルの製造方法及び太陽電池モジュールの製造システムに関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a solar cell module, a method for manufacturing a solar cell, and a system for manufacturing a solar cell module.
太陽電池モジュールは、配線材により接続された複数の太陽電池セル、及び太陽電池セルを保護するガラス基板等の保護部材等を備える(例えば、特許文献1参照)。太陽電池セルは、例えば、製造過程において出力に応じてランク分けされ、太陽電池モジュールを構成する複数の太陽電池セルは、太陽電池モジュールの目標出力に応じて各ランクから選択される。この選択は、各ランクの出力幅の中心値を用いて行われる。即ち、各ランクの中心値を用いて算出した太陽電池モジュール出力が目標出力を満たすように複数の太陽電池セルが選択される。 The solar cell module includes a plurality of solar cells connected by a wiring material, and a protective member such as a glass substrate that protects the solar cells (for example, see Patent Document 1). For example, the solar cells are ranked according to the output in the manufacturing process, and a plurality of solar cells constituting the solar cell module are selected from each rank according to the target output of the solar cell module. This selection is performed using the center value of the output width of each rank. That is, a plurality of solar cells are selected so that the solar cell module output calculated using the center value of each rank satisfies the target output.
しかし、製造される太陽電池セルの出力分布は変動するため、上記中心値を用いて太陽電池セルを選択すると、モジュール出力がばらついて目標出力を満たさない太陽電池モジュールが多く発生する場合がある。そこで、かかる目標出力を満たさない太陽電池モジュールの発生を抑制すべく、目標出力より少し高い出力となるように太陽電池セルを選択する必要がある。このため、出力分布の中で高出力側に位置する太陽電池セルの使用量が多くなり、出力分布の中で高出力側に位置する太陽電池セルの在庫が減り、出力分布の中で低出力側に位置する太陽電池セルの在庫が増えるという問題が発生する。特定のランクの太陽電池セルの在庫が増えると、そのランクの太陽電池セルを処分しなければならなくなる。 However, since the output distribution of the manufactured solar battery cell varies, when the solar battery cell is selected using the center value, there are cases where many solar battery modules that do not satisfy the target output are generated due to variations in module output. Therefore, in order to suppress the generation of solar battery modules that do not satisfy the target output, it is necessary to select solar cells so that the output is slightly higher than the target output. For this reason, the usage amount of the solar cells located on the high output side in the output distribution increases, the inventory of the solar cells located on the high output side in the output distribution decreases, and the low output in the output distribution. The problem that the inventory of the photovoltaic cell located in the side increases occurs. When the inventory of solar cells of a specific rank increases, the solar cells of that rank must be disposed of.
本発明に係る太陽電池モジュールの製造方法は、複数の太陽電池セルを準備し、太陽電池セルの特性値を測定し、測定した特性値に基づいて太陽電池セルを複数のランクに振り分け、ランクに分けられた所定数の太陽電池セルの組毎に特性値の平均値を算出し、平均値及び目標モジュール特性値に基づいて、組の少なくとも1つから複数の太陽電池セルを選択して該太陽電池セルのストリングを作製する。 The method for manufacturing a solar cell module according to the present invention prepares a plurality of solar cells, measures the characteristic values of the solar cells, assigns the solar cells to a plurality of ranks based on the measured characteristic values, and ranks them. An average value of characteristic values is calculated for each set of a predetermined number of divided solar cells, and a plurality of solar cells are selected from at least one of the sets based on the average value and the target module characteristic value. A string of battery cells is produced.
組毎に特性値の標準偏差を算出し、平均値、標準偏差、及び目標モジュール特性値に基づいて、組の少なくとも1つから複数の太陽電池セルを選択して太陽電池セルのストリングを作製することが好適である。 A standard deviation of characteristic values is calculated for each set, and a plurality of solar cells are selected from at least one of the sets based on the average value, the standard deviation, and the target module characteristic value, and a string of solar cells is produced. Is preferred.
本発明に係る太陽電池モジュールの製造システムは、太陽電池セルの特性値を測定し、測定した特性値に基づいて太陽電池セルを複数のランクに振り分ける手段と、ランク毎に特性値の平均値を算出する手段と、平均値及び目標モジュール特性値に基づいて、ランクの少なくとも1つから複数の太陽電池セルを選択して該太陽電池セルのストリングを作製する手段とを備える。 The solar cell module manufacturing system according to the present invention measures the characteristic values of the solar cells, distributes the solar cells to a plurality of ranks based on the measured characteristic values, and calculates the average value of the characteristic values for each rank. Means for calculating, and means for selecting a plurality of solar cells from at least one of the ranks to produce a string of the solar cells based on the average value and the target module characteristic value.
本発明によれば、目的とする太陽電池モジュールを効率良く製造することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the target solar cell module can be manufactured efficiently.
図面を参照しながら、本発明に係る実施形態の一例である太陽電池モジュール10の製造方法、及び太陽電池モジュールの製造システム50について以下詳細に説明するが、本発明の適用はこれに限定されない。
実施形態において参照する図面は、模式的に記載されたものであり、図面に描画された構成要素の寸法比率などは、現物と異なる場合がある。具体的な寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。The manufacturing method of the
The drawings referred to in the embodiments are schematically described, and the dimensional ratios of the components drawn in the drawings may be different from the actual products. Specific dimensional ratios and the like should be determined in consideration of the following description.
図1及び図2を参照して、太陽電池モジュール10の構成について説明する。図1は、太陽電池モジュール10を受光面側から見た平面図である。図2は、図1のX‐X線で太陽電池モジュール10を厚み方向に切断した断面図である。
With reference to FIG.1 and FIG.2, the structure of the
太陽電池モジュール10は、複数の太陽電池セル11と、太陽電池セル11の受光面側に配置される第1保護部材12と、太陽電池セル11の裏面側に配置される第2保護部材13とを備える。複数の太陽電池セル11は、第1保護部材12と第2保護部材13とにより挟持されると共に、充填材14により封止されている。第1保護部材12及び第2保護部材13には、例えば、ガラス基板や樹脂基板、樹脂フィルム等の透光性を有する部材を用いることができる。第2保護部材13には、透光性を有さない、例えば白色の部材を用いてもよい。充填材14には、例えば、エチレン酢酸ビニル共重合体(EVA)等の樹脂を用いることができる。
The
太陽電池モジュール10は、複数の太陽電池セル11を接続する配線材15を備える。配線材15は、隣接する太陽電池セル11同士の間で太陽電池モジュール10の厚み方向に曲がり、各太陽電池セル11を直列に接続する。また、太陽電池モジュール10は、配線材15同士を接続する渡り配線材16、第1保護部材12及び第2保護部材13の周縁に取り付けられるフレーム17、図示しない端子ボックス等を備える。配線材15及び渡り配線材16により、複数の太陽電池セル11が直列に接続されたストリング18が形成されている。
The
太陽電池セル11は、太陽光を受光することでキャリアを生成する光電変換部20と、その受光面上に形成された受光面電極である第1電極30と、その裏面上に形成された裏面電極である第2電極40とをそれぞれ備える。太陽電池セル11では、光電変換部20で生成されたキャリアが、第1電極30及び第2電極40によりそれぞれ収集される。ここで、「受光面」とは太陽電池セル11の外部から太陽光が主に入射する面を、「裏面」とは受光面と反対側の面をそれぞれ意味する。例えば、太陽電池セル11に入射する太陽光のうち50%超過〜100%が受光面側から入射する。
The
光電変換部20は、結晶系シリコン(c‐Si)、ガリウム砒素(GaAs)、インジウム燐(InP)等の半導体材料からなる基板21と、基板21の受光面上に形成された非晶質半導体層22と、基板21の裏面上に形成された非晶質半導体層23とを有する。基板21としては、n型単結晶シリコン基板が特に好適である。非晶質半導体層22は、例えば、i型非晶質シリコン層と、p型非晶質シリコン層とが順に形成された層構造である。非晶質半導体層23は、例えば、i型非晶質シリコン層と、n型非晶質シリコン層とが順に形成された層構造である。
The
第1電極30は、非晶質半導体層22上に形成された透明導電層31と、透明導電層31上に形成された集電極32とを有する。また、第2電極40は、第1電極30と同様に、透明導電層41と、集電極42とを有する。但し、集電極の面積は、集電極32よりも集電極42を大きくすることが好適である。
The
透明導電層31,41は、例えば、酸化インジウム(In2O3)や酸化亜鉛(ZnO)等の金属酸化物に、錫(Sn)やアンチモン(Sb)等をドープした透明導電性酸化物から構成される。集電極32,42は、例えば、エポキシ樹脂等のバインダ樹脂中に導電性フィラーが分散した構造を有する。導電性フィラーには、銀(Ag)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)等の金属粒子やカーボン、又はこれらの混合物などを用いることができる。これらのうち、Ag粒子が好適である。或いは、集電極32,42は、AgやCuめっきにより形成される金属めっき電極であってもよい。The transparent
集電極32,42は、複数のフィンガー部、及び複数(例えば、2又は3本)のバスバー部からなることが好適である。フィンガー部は、透明導電層31,41上の広範囲に形成される細線状の電極であって、バスバー部は、フィンガー電極からキャリアを収集する電極である。なお、集電極42は、フィンガー部の代わりにAg等の金属層から構成されてもよい。
The
光電変換部には、上記以外の構造を適用することができる。例えば、n型単結晶シリコン等からなる基板の受光面側に、i型非晶質シリコン層及びn型非晶質シリコン層を順に形成し、基板の裏面側に、i型非晶質シリコン層及びp型非晶質シリコン層で構成されたp型領域と、i型非晶質シリコン層及びn型非晶質シリコン層で構成されたn型領域とを形成した光電変換部であってもよい。この場合、基板の裏面側のみに電極(p側電極及びn側電極)が設けられる。また、p型多結晶シリコン等からなる基板と、基板の受光面上に形成されたn型拡散層と、基板の裏面上に形成されたアルミニウム金属層とから構成される光電変換部であってもよい。 A structure other than the above can be applied to the photoelectric conversion portion. For example, an i-type amorphous silicon layer and an n-type amorphous silicon layer are sequentially formed on the light-receiving surface side of a substrate made of n-type single crystal silicon or the like, and an i-type amorphous silicon layer is formed on the back surface side of the substrate. And a photoelectric conversion part in which a p-type region composed of a p-type amorphous silicon layer and an n-type region composed of an i-type amorphous silicon layer and an n-type amorphous silicon layer are formed. Good. In this case, electrodes (p-side electrode and n-side electrode) are provided only on the back side of the substrate. A photoelectric conversion unit including a substrate made of p-type polycrystalline silicon, an n-type diffusion layer formed on the light-receiving surface of the substrate, and an aluminum metal layer formed on the back surface of the substrate; Also good.
図3〜図7を参照しながら、太陽電池モジュール10の製造方法の一例について説明する。図3は、太陽電池モジュールの製造システム50、及び太陽電池モジュール10の製造工程を示す図である。図4は、制御装置60の構成を示す図である。図5は、太陽電池モジュール10の製造手順を示すフローチャートである。図6は、太陽電池セル11の出力分布を示す図である。図7は、太陽電池モジュール10の出力分布を示す図である。
An example of a method for manufacturing the
図3に示すように、太陽電池モジュール10は、製造システム50を用いて製造することができる。太陽電池モジュール10の製造工程では、太陽電池セル11の特性値を測定し、測定した特性値に基づいて太陽電池セル11を複数のランクに振り分けるが、ここで説明する工程(以下、「本工程」という)では、特性値として最大出力Pmax(Maximum Power)を使用する。製造システム50では、図示しない製造設備で製造された太陽電池セル11がセレクタ装置51に搬送され、セレクタ装置51により太陽電池セル11のPmaxが測定されて、Pmaxに基づき太陽電池セル11が複数のランクに振り分けられる。
As shown in FIG. 3, the
製造システム50は、上記セレクタ装置51と、複数の太陽電池セル11を配線材15で接続してストリング18を形成するストリング作製装置52とを備える。また、製造システム50は、セレクタ装置51によってランク分けされた太陽電池セル11を一時的に収容するカセット53を備える。本工程では、Pmaxが高い方から順に、A,B,C,D,E,F、G(図6参照)の7つのランクを設定している。ランクA〜GにはPmaxの上限値及び下限値が規定されており、ランクAについてはPmaxの下限値のみが規定されている。ランクGの下限値を下回る太陽電池セル11は、例えば、不良品として廃棄される。カセット53は、かかるランクに対応して少なくとも7つのカセット53A〜53Gを有し(図3では、図面の明瞭化の観点から53E,53F,53Gを省略)、カセット53A〜53Gのそれぞれは、所定数、例えば100枚の太陽電池セル11を保持できる。各ランクには、それぞれ複数のカセットを設けることができる。The
製造システム50は、システムの動作を統合的に制御する制御装置60を備える。制御装置60は、セレクタ装置51を制御するセレクタ制御部61、ストリング作製装置52を制御するストリング作製制御部62、及び太陽電池セル11のランク分けを実行するための情報やPmaxの測定値、後述の平均値・標準偏差等のデータを記憶する記憶部63を有する。ランク分けを実行するための情報としては、各ランクの上限値、下限値、太陽電池モジュールの目標出力等が挙げられる。記憶部63は、これらデータベースの他にも、標準偏差等の演算式や制御プログラム等を記憶することができる。
The
図3では、製造システム50の全体を統合的に制御する1つの制御装置60を示しているが、制御装置60の機能は複数のハードウェアに分散して存在していてもよい。また、制御装置60の機能により全ての工程が自動的に行われてもよいし、本工程の一部が人為的に行われてもよい。
Although FIG. 3 shows one
図4に示すように、制御装置60のセレクタ制御部61及びストリング作製制御部62は、複数の制御ブロックをそれぞれ含む。セレクタ制御部61は、太陽電池セル11のPmaxを測定する特性値測定手段64、測定されたPmaxに基づいて太陽電池セル11を各ランクに振り分けるランク判定手段65、ランク毎にPmaxの平均値を算出する平均値算出手段66、及びランク毎にPmaxの標準偏差を算出する標準偏差算出手段67を含む。ストリング作製制御部62は、上記平均値及び上記標準偏差を用いて複数の太陽電池セル11の最小トータルPmaxを算出するモジュール出力算出手段68、及び選択した複数の太陽電池セル11に配線材15を取り付けてストリング18を作製するストリング作製手段69を含む。
As shown in FIG. 4, the
なお、制御装置60は、ランク毎に平均値、標準偏差を算出する構成としたが、製造ロット毎に算出するよう構成してもよいし、各ランクに分けられた所定数の太陽電池セル11の組ごとに算出する構成としてもよい。上述の組は、カセットに収容できる最大数の太陽電池セル11からなる単位であってもよいし、より小さな単位、例えばカセットに収容できる最大数より小さい所定数単位としてもよい。
In addition, although the
図5に示すように、太陽電池モジュール10の製造工程では、まず、光電変換部20を製造する(S10)。具体的には、基板21の受光面上に、i型非晶質シリコン層及びp型非晶質シリコン層を含む非晶質半導体層22を、基板21の裏面上に、i型非晶質シリコン層及びn型非晶質シリコン層を含む非晶質半導体層23をそれぞれ形成することで光電変換部20を製造する。非晶質半導体層22,23は、例えば、洗浄された基板21を真空チャンバ内に設置して、CVDやスパッタリングにより形成される。
As shown in FIG. 5, in the manufacturing process of the
CVDによるi型非晶質シリコン層の成膜には、例えば、シラン(SiH4)を水素(H2)で希釈した原料ガスを使用する。p型非晶質シリコン層の場合は、シランにジボラン(B2H6)を添加し、水素(H2)で希釈した原料ガスを使用することができる。n型非晶質シリコン層の場合は、シランにホスフィン(PH3)を添加し、水素(H2)で希釈した原料ガスを使用することができる。For forming the i-type amorphous silicon layer by CVD, for example, a source gas obtained by diluting silane (SiH 4 ) with hydrogen (H 2 ) is used. In the case of a p-type amorphous silicon layer, a source gas diluted with hydrogen (H 2 ) by adding diborane (B 2 H 6 ) to silane can be used. In the case of an n-type amorphous silicon layer, a source gas diluted with hydrogen (H 2 ) by adding phosphine (PH 3 ) to silane can be used.
続いて、S10で製造された光電変換部20上に、第1電極30、第2電極40をそれぞれ形成する(S11)。光電変換部20の非晶質半導体層22,23上には、まずCVD等により透明導電層31,41がそれぞれ形成される。そして、透明導電層31,41上には、スクリーン印刷や電解めっき等により集電極32,42がそれぞれ形成される。この工程により、太陽電池セル11が製造される。
Then, the
太陽電池セル11の製造工程では、一定の製造条件で太陽電池セル11が製造されるが、例えば真空チャンバ内に残留するガスの量やプラズマの生成状態などの条件の変動によりPmaxにばらつきが発生する。勿論、原材料や製造日が同じである同一ロット品においても、Pmaxのばらつきは発生する。また、Pmaxの出力分布のピーク位置も変動する。例えば、図6に示すように、製造ロットaの出力分布ではランクBの範囲にピークトップが存在しているが、製造ロットbの出力分布ではランクCの範囲にピークトップが存在する。
In the manufacturing process of the
S11で製造された複数の太陽電池セル11は、セレクタ装置51に搬送されて、ランクA〜Gに振り分けられ、各ランクに対応するカセット53A〜53Gに収容される(S12〜S15)。S12〜S15の工程は、セレクタ制御部61の機能により自動的に実行される。The plurality of
S12では、複数の太陽電池セル11の特性値としてPmaxを測定する。このとき、測定される特性値として、開放電圧Voc、短絡電流Isc、曲線因子FFなどを含めてもよい。この工程は、セレクタ制御部61の特性値測定手段64の機能により自動的に実行される。この工程では、全ての太陽電池セル11についてPmaxを測定する。Pmaxは、例えば、JIS C 8913に準拠して測定することができる。
In S12, Pmax is measured as a characteristic value of the plurality of
続いて、S12で測定したPmaxに基づいて太陽電池セル11を複数のランクA〜Gに振り分ける(S13)。この工程は、ランク判定手段65の機能により実行される。具体的には、記憶部63に予め記憶されている各ランクA〜Gを規定するPmaxの上限値及び下限値と、S12で測定した太陽電池セル11のPmaxとを比較して、当該太陽電池セル11をランクA〜Gに分類する。そして、ランクA〜Gに分類された太陽電池セル11は、図示しない搬送手段によりカセット53A〜53Gに搬送される。このとき、Pmaxの測定値Kも、ランク毎に整理されて記憶部63に記憶されることが好適であり、太陽電池セル11のカセット53A〜53Gに収容された順番とPmaxの測定値Kとを1組のデータとして記憶されることがさらに好適である。Subsequently, the
続いて、S13でランク分けされた複数の太陽電池セル11のPmaxについて、ランク毎に平均値XA〜XGを算出する(S14)。この工程は、平均値算出手段66の機能により実行される。具体的には、ランク毎に整理された測定値Kを足し合わせて、測定値Kの数(以下、「データ数N」という)で除することによりランク毎のPmaxの平均値XA〜XGを算出する。平均値XA〜XGの算出は、Pmaxが測定される度に逐次実行されてもよいし、全てのPmaxの測定が終了した後に実行されてもよい。Subsequently, the Pmax of the plurality of
続いて、S13で算出された平均値XA〜XGを用いて、ランク毎にPmaxの標準偏差σA〜σGを算出する(S15)。この工程は、標準偏差算出手段67の機能により実行される。標準偏差σA〜σGは、ランク毎に整理された測定値K、ランク毎のデータ数N、及び平均値XA〜XGの各々に基づいてランク毎に算出される。標準偏差σA〜σGの算出は、例えば、平均値XA〜XGが算出されるタイミングに合わせて実行される。Subsequently, the standard deviations σ A to σ G of Pmax are calculated for each rank using the average values X A to X G calculated in S13 (S15). This step is executed by the function of the standard deviation calculating means 67. The standard deviations σ A to σ G are calculated for each rank based on the measurement value K arranged for each rank, the number N of data for each rank, and the average values X A to X G. Calculation of the standard deviation σ A ~σ G, for example, the average value X A to X G is performed in accordance with the timing calculated.
本工程では、製造されるモジュール出力の予測精度向上等の観点から、例えば、S13において標準偏差σA〜σGの2倍又は3倍の値、所謂2σ,3σを算出することが好適である。或いは、S13において標準偏差σA〜σGを算出し、後述のS16において2σA〜2σG,3σA〜3σGを算出してもよい。In this step, from the viewpoint of improving the prediction accuracy of the module output to be manufactured, for example, it is preferable to calculate a value that is twice or three times the standard deviations σ A to σ G in S13, so-called 2σ and 3σ. . Alternatively, the standard deviations σ A to σ G may be calculated in S13, and 2σ A to 2σ G and 3σ A to 3σ G may be calculated in S16 described later.
平均値XA〜XG及び標準偏差σA〜σGは、例えば、互いに関連付けられて記憶部63に記憶される。そして、記憶された平均値XA〜XG及び標準偏差σA〜σGは、ストリング18を作製する際に使用されるデータベースとなる。或いは、セレクタ装置51での工程が終了した時点等において、平均値XA〜XG及び標準偏差σA〜σGの情報を対応するカセットに表示してもよい。かかる表示としては、平均値X及び標準偏差σを示す文字やバーコードをラベルに印刷して、当該ラベルをカセット53A〜53Gに貼着する方法が例示できる。カセット53A〜53Gのそれぞれに100枚の太陽電池セル11が保持される場合、100枚の太陽電池セル11の平均値X及び標準偏差σの情報が表示される。この場合、ストリング作製装置52において、当該表示が読み取られ、又はオペレータにより入力されて、ストリング18を構成する太陽電池セル11の選択が実行される。
各ランクに複数のカセットが設けられる場合、カセット毎に平均値X及び標準偏差σの情報を表示することが好適である。また、各カセットの所定数単位毎に平均値X及び標準偏差σの情報を表示してもよい。The average values X A to X G and the standard deviations σ A to σ G are stored in the
When a plurality of cassettes are provided in each rank, it is preferable to display information on the average value X and the standard deviation σ for each cassette. In addition, information of the average value X and the standard deviation σ may be displayed for each predetermined number of units of each cassette.
S13でカセット53A〜53Gに収容された複数の太陽電池セル11は、ストリング作製装置52に搬送されてモジュール化される(S16〜S18)。S16及びS17の工程は、ストリング作製制御部62の機能により自動的に実行される。A plurality of
S16では、平均値XA〜XG、標準偏差σA〜σG、及び目標モジュール出力Pzに基づいて、ランクA〜Gに対応するカセット53A〜53Gの少なくとも1つから複数の太陽電池セル11を選択する。この工程は、ストリング作製制御部62のモジュール出力算出手段68の機能により実行される。具体的には、平均値XA〜XG及び標準偏差σA〜σGから算出される複数の太陽電池セル11のトータルPmax、即ち予測される太陽電池モジュール10の出力が、目標モジュール出力Pz以上となるように太陽電池セル11を選択する。なお、目標モジュール出力Pzを得るための太陽電池セル11の選択には、多くの組み合わせが存在し、組み合わせは特に限定されない。但し、かかる太陽電池セル11の選択には、カセット53A〜53Gにおける太陽電池セル11のランク毎の在庫数を選択条件の1つとすることが好適である。In S16, the average value X A to X G, standard deviation σ A ~σ G, and on the basis of the target module output Pz, from at least one plurality of solar cells of the
なお、目標モジュール出力Pzは、選択された複数の太陽電池セル11のトータルPmaxであってもよいし、選択された複数の太陽電池セル11について、後述のラミネート工程の後の太陽電池モジュール10の状態のPmaxであってもよい。太陽電池モジュール10の状態のPmaxを目標モジュール出力Pzとする場合には、選択された複数の太陽電池セル11のトータルPmaxと、太陽電池モジュール10の状態のPmaxとの間の相関係数に応じて、太陽電池セル11を選択すればよい。例えば、太陽電池モジュール10の状態のPmaxが選択された複数の太陽電池セル11のトータルPmaxより大きい場合、相関係数を考慮して、太陽電池モジュール10の状態のPmaxより小さい出力値となるように複数の太陽電池セル11を選択する。反対に、太陽電池モジュール10の状態のPmaxが選択された複数の太陽電池セル11のトータルPmaxより小さい場合、相関係数を考慮して、太陽電池モジュール10の状態のPmaxより大きい出力値となるように複数の太陽電池セル11を選択する。
Note that the target module output Pz may be the total Pmax of the selected plurality of
太陽電池セル11の在庫数の在庫数を考慮して、カセット53A,53B,53Cから太陽電池セル11を取得する場合を例示すると、トータルPmaxは、式1により算出される。U,V,Wは、カセット53A,53B,53Cから取得する太陽電池セル11の個数である。なお、ここでは3種類のカセットから太陽電池セル11を取得する場合を例示するが、カセットの数は任意に設定することができる。Taking the inventory quantity of the
本工程では、カセット53A〜53Gに収容された複数の太陽電池セル11から、モジュール出力が大きく異なる複数グレードの太陽電池モジュール10を製造することができる。例えば、図7に示すように、目標モジュール出力Pz1,Pz2である2種類の太陽電池モジュールG1,G2を製造することができる。図7は、モジュール出力(Pmax)の度数分布を示す図であって、本工程で製造される太陽電池モジュールG1,G2を実線で、ランクA〜Gの中心値を用いて太陽電池セルを選択することにより製造される太陽電池モジュールg1,g2(比較例)を二点鎖線でそれぞれ示している。In this step, it can be a plurality of
太陽電池モジュールG1,G2の場合は、平均値XA〜XG及び標準偏差σA〜σGを用いて太陽電池セルを選択するため、モジュール出力を精度良く予測することができる。このため、太陽電池モジュールg1,g2の場合に比べて度数分布のピークがシャープであり、各太陽電池モジュール間における出力のばらつきが小さくなる。そして、太陽電池モジュールG1,G2のピークは、太陽電池モジュールg1,g2のピークよりも目標モジュール出力Pz1,Pz2側に大きくシフトしている。つまり、本工程では、比較例の場合に比べてモジュール出力の予測精度が高いので、モジュール出力に大きな余裕を持たせなくても目標出力を満たさない太陽電池モジュールの発生を十分に防止できる。このため、太陽電池モジュールG1については、比較例において在庫が増え易い出力分布の中で低出力側に位置する太陽電池セルを多く使用して製造できる。そして、太陽電池モジュールG2については、比較例において在庫が減り易い出力分布の中で高出力に位置する太陽電池セルを用いて製造することができる。さらに、本工程によれば、出力分布の中で高出力側に位置する太陽電池セルのみを用いて、太陽電池モジュールG2より高出力の太陽電池モジュールG3を製造することも可能である。In the case of the solar cell modules G1 and G2, since the solar cells are selected using the average values X A to X G and the standard deviations σ A to σ G , the module output can be predicted with high accuracy. For this reason, the peak of frequency distribution is sharp compared with the case of the solar cell modules g1 and g2, and the dispersion | variation in the output between each solar cell module becomes small. The peaks of the solar cell modules G1 and G2 are greatly shifted toward the target module outputs Pz1 and Pz2 than the peaks of the solar cell modules g1 and g2. That is, in this process, since the prediction accuracy of the module output is higher than in the case of the comparative example, it is possible to sufficiently prevent the generation of the solar cell module that does not satisfy the target output without giving a large margin to the module output. For this reason, about the solar cell module G1, it can manufacture using many photovoltaic cells located in the low output side in the output distribution which inventory tends to increase in a comparative example. And about the solar cell module G2, it can manufacture using the photovoltaic cell located in a high output in the output distribution which a stock tends to reduce in a comparative example. Furthermore, according to this process, it is also possible to manufacture a solar cell module G3 having a higher output than the solar cell module G2 by using only the solar cells located on the high output side in the output distribution.
続いて、S16で選択した複数の太陽電池セル11に配線材15を接続してストリング18を作製する(S17)。この工程は、ストリング作製手段69の機能により自動的に実行される。配線材15は、例えば、フィルム状やペースト状の熱硬化性樹脂からなる接着剤を用いて集電極32,42に取り付けられ、複数の太陽電池セル11を直列に接続する。
Subsequently, the
続いて、S17で作製されたストリング18を含む太陽電池モジュール10の各構成部材を積層して熱圧着する(S18)。この工程は、ラミネート工程と呼ばれ、図示しないラミネータを用いて行われる。この場合、充填材14は、フィルムの形態で供給される。ラミネート工程では、第1保護部材12上に充填材14を構成する第1の樹脂フィルムを積層し、第1の樹脂フィルム上にストリング18を積層する。さらに、ストリング18上に充填材14を構成する第2の樹脂フィルムを積層し、その上に第2保護部材13を積層する。そして、各樹脂フィルムが溶融する温度で加熱しながら、第2保護部材13側から圧力を加えてラミネートする。こうして、ストリング18が充填材14で封止された構造が得られる。最後に、フレーム17や端子ボックス等を取り付けて、太陽電池モジュール10が製造される。
Subsequently, the constituent members of the
なお、本工程では、Pmaxを特性値として太陽電池セル11を各ランクに振り分けたが、Pmax以外の特性値を用いて当該振り分けを実行してもよい。Pmax以外の特性値の具体例としては、太陽電池セル11の曲線因子FFやシート抵抗R、短絡電流Isc、開放電圧Voc等が挙げられる。また、本工程ではPmaxのみを特性値として太陽電池セル11を各ランクに振り分けたが、複数の特性値を用いてもよい。例えば、所定の短絡電流Iscに満たない太陽電池セル11は不良品とし、それ以外の太陽電池セル11についてPmaxを特性値として各ランクに振り分けてもよい。
また、本工程では、各ランクにおける特性値の平均値X及び標準偏差σを用いて太陽電池モジュール10を構成する複数の太陽電池セル11を選択したが、平均値Xのみを用いて太陽電池セル11を選択してもよい。In this step, the
Moreover, in this process, although the several
以上のように、上記製造方法によれば、目的とする太陽電池モジュール10を効率良く製造することができる。上記製造方法によれば、ランク分けされた太陽電池セル11の選択において、ランク毎に算出された太陽電池セル出力の平均値及び標準偏差を用いることにより、製造されるモジュール出力を精度良く予測することが可能となる。このため、目的とするモジュール出力を得ることが容易になり、複数の太陽電池モジュール10間における出力のばらつきを小さくすることができる。また、太陽電池セルの使用効率が向上して、さらなる高出力モジュールの製造も可能となる。
As mentioned above, according to the said manufacturing method, the target
10 太陽電池モジュール、11 太陽電池セル、12 第1保護部材、13 第2保護部材、14 充填材、15 配線材、16 渡り配線材、17 フレーム、18 ストリング、20 光電変換部、21 基板、22,23 非晶質半導体層、30 第1電極、31,41 透明導電層、32,42 集電極、40 第2電極、50 製造システム、51 セレクタ装置、52 ストリング作製装置、53 カセット、60 制御装置、61 セレクタ制御部、62 ストリング作製制御部、63 記憶部、64 特性値測定手段、65 ランク判定手段、66 平均値算出手段、67 標準偏差算出手段、68 モジュール出力算出手段、69 ストリング作製手段。
DESCRIPTION OF
Claims (7)
前記太陽電池セルの特性値を測定し、
測定した前記特性値に基づいて前記太陽電池セルを複数のランクに振り分け、
前記ランクに分けられた所定数の前記太陽電池セルの組毎に前記特性値の平均値をそれぞれ算出し、
前記所定数の前記太陽電池セルの組毎に算出された複数の前記平均値及び目標モジュール特性値に基づいて、前記所定数の前記太陽電池セルの組の少なくとも1つから複数の前記太陽電池セルを選択して該太陽電池セルのストリングを作製する、太陽電池モジュールの製造方法。 Prepare multiple solar cells,
Measure the characteristic value of the solar cell,
Based on the measured characteristic values, the solar cells are assigned to a plurality of ranks,
The average value of the characteristic value each calculated for each set of said solar cell a predetermined number divided into the ranks,
Based on the plurality of average values and target module characteristic values calculated for each set of the predetermined number of the solar cells, a plurality of the solar cells from at least one of the set of the predetermined number of the solar cells. A method for manufacturing a solar cell module, in which a string of solar cells is selected.
さらに、前記所定数の前記太陽電池セルの組毎に前記特性値の標準偏差をそれぞれ算出し、
前記平均値、前記標準偏差、及び前記目標モジュール特性値に基づいて、前記所定数の前記太陽電池セルの組の少なくとも1つから複数の前記太陽電池セルを選択して該太陽電池セルのストリングを作製する、太陽電池モジュールの製造方法。 The manufacturing method according to claim 1,
Further, each standard deviation of the characteristic value is calculated for each set of the predetermined number of the solar cells ,
Based on the average value, the standard deviation, and the target module characteristic value, a plurality of the solar cells are selected from at least one of the set of the predetermined number of the solar cells, and a string of the solar cells is obtained. The manufacturing method of the solar cell module to produce.
前記特性値は出力であり、前記目標モジュール特性値は目標モジュール出力である、太陽電池モジュールの製造方法。 The manufacturing method according to claim 1 or 2,
The method for manufacturing a solar cell module, wherein the characteristic value is an output, and the target module characteristic value is a target module output.
前記特性値は出力であり、前記目標モジュール特性値は目標モジュール出力であって、
前記平均値及び前記標準偏差から算出される複数の前記太陽電池セルのトータル出力が、前記目標モジュール出力以上となるように前記所定数の前記太陽電池セルの組の少なくとも1つから複数の前記太陽電池セルを選択する、太陽電池モジュールの製造方法。 A manufacturing method according to claim 2,
The characteristic value is an output, and the target module characteristic value is a target module output;
The total output of the plurality of solar cells calculated from the average value and the standard deviation is greater than or equal to the target module output from at least one of the predetermined number of sets of the solar cells to a plurality of the solar cells. A method for manufacturing a solar cell module, wherein a battery cell is selected.
前記特性値は出力であり、前記目標モジュール特性値は太陽電池モジュールの状態の目標モジュール出力であり、
選択された複数の前記太陽電池セルの出力の合計と、前記太陽電池モジュールの状態の出力と、の間の相関係数に応じて、前記ランクの少なくとも1つから複数の前記太陽電池セルを選択する、太陽電池モジュールの製造方法。 The manufacturing method according to claim 1 or 2,
The characteristic value is an output, and the target module characteristic value is a target module output of the state of the solar cell module,
The plurality of solar cells are selected from at least one of the ranks according to a correlation coefficient between the total output of the plurality of selected solar cells and the output of the state of the solar cell module A method for manufacturing a solar cell module.
前記ランクに分けられた所定数の前記太陽電池セルの組毎に前記特性値の平均値をそれぞれ算出する手段と、
前記所定数の前記太陽電池セルの組毎に算出された複数の前記平均値及び目標モジュール特性値に基づいて、前記所定数の前記太陽電池セルの組の少なくとも1つから複数の前記太陽電池セルを選択して該太陽電池セルのストリングを作製する手段と、
を備える太陽電池モジュールの製造システム。 Means for measuring the characteristic value of the solar battery cell, and distributing the solar battery cell into a plurality of ranks based on the measured characteristic value;
It means for calculating respective average values of the characteristic value for each set of said solar cell a predetermined number divided into the ranks,
Based on the plurality of average values and target module characteristic values calculated for each set of the predetermined number of the solar cells, a plurality of the solar cells from at least one of the set of the predetermined number of the solar cells. Means for selecting the string of solar cells, and
A system for manufacturing a solar cell module.
前記所定数の前記太陽電池セルの組毎に前記特性値の標準偏差をそれぞれ算出する手段をさらに備え、
前記ストリングを作製する手段は、前記平均値、前記標準偏差、及び前記目標モジュール特性値に基づいて、前記所定数の前記太陽電池セルの組の少なくとも1つから複数の前記太陽電池セルを選択する太陽電池モジュールの製造システム。 The manufacturing system according to claim 6 ,
Further comprising means for calculating respective standard deviations of the property values for each set of the predetermined number of the solar cells,
The means for producing the string selects a plurality of solar cells from at least one of the predetermined number of sets of the solar cells based on the average value, the standard deviation, and the target module characteristic value. Solar cell module manufacturing system.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012216912 | 2012-09-28 | ||
JP2012216912 | 2012-09-28 | ||
PCT/JP2013/005214 WO2014049972A1 (en) | 2012-09-28 | 2013-09-03 | Solar cell module manufacturing method, solar cell manufacturing method, and solar cell module manufacturing system |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2014049972A1 JPWO2014049972A1 (en) | 2016-08-22 |
JP6281706B2 true JP6281706B2 (en) | 2018-02-21 |
Family
ID=50387421
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014538124A Expired - Fee Related JP6281706B2 (en) | 2012-09-28 | 2013-09-03 | Solar cell module manufacturing method and solar cell module manufacturing system |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6281706B2 (en) |
WO (1) | WO2014049972A1 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6406599B2 (en) * | 2014-07-30 | 2018-10-17 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Evaluation method |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11238897A (en) * | 1998-02-23 | 1999-08-31 | Canon Inc | Solar cell module and manufacture thereof |
JP4414521B2 (en) * | 1999-10-06 | 2010-02-10 | 株式会社カネカ | Photoelectric conversion device and quality control system for photoelectric conversion device |
JP2004111464A (en) * | 2002-09-13 | 2004-04-08 | Npc:Kk | Solar cell string manufacturing apparatus and solar cell module manufacturing method |
SG190401A1 (en) * | 2010-11-30 | 2013-07-31 | Ideal Power Converters Inc | Photovoltaic array systems, methods, and devices with bidirectional converter |
-
2013
- 2013-09-03 JP JP2014538124A patent/JP6281706B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-09-03 WO PCT/JP2013/005214 patent/WO2014049972A1/en active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2014049972A1 (en) | 2016-08-22 |
WO2014049972A1 (en) | 2014-04-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101841865B1 (en) | Module fabrication of solar cells with low resistivity electrodes | |
US9024174B2 (en) | Solar cell module | |
US9882076B2 (en) | Optical tandem photovoltaic cell panels | |
EP2132782B1 (en) | A substrate assembly, an assembly process, and an assembly apparatus | |
US20150129019A1 (en) | Solar cell module and solar cell thereof | |
JP5927437B2 (en) | Solar cell module | |
US20200313019A1 (en) | Solar cell and solar cell module | |
CN101425550A (en) | Process testers and testing methodology for thin-film photovoltaic devices | |
US20150129011A1 (en) | Solar cell module | |
US9530903B2 (en) | Solar cell manufacturing method, solar cell module manufacturing method, and solar cell module | |
JP6281706B2 (en) | Solar cell module manufacturing method and solar cell module manufacturing system | |
JPWO2018159117A1 (en) | Solar cell module | |
JP5362833B2 (en) | Solar cell module | |
JP6233602B2 (en) | SOLAR CELL MODULE MANUFACTURING METHOD AND SOLAR CELL MODULE MANUFACTURING SYSTEM | |
JP6418461B2 (en) | Solar cell manufacturing method and solar cell module | |
US10784384B2 (en) | Solar cell module | |
JP5942136B2 (en) | Solar cell module and manufacturing method thereof | |
JP6325925B2 (en) | Solar cell module and method for manufacturing solar cell module | |
KR102621290B1 (en) | Shingled Module For High Efficiency Bifacial Generating Power And Method For Producing The Same | |
Van Roosmalen et al. | Introducing XIS, a new integrated device and module concept | |
US20160093753A1 (en) | Solar cell manufacturing method | |
JP2017135249A (en) | Solar cell and method of manufacturing solar cell | |
JP2013168600A (en) | Manufacturing method and manufacturing apparatus of thin-film solar cell | |
KR20140099981A (en) | Solar cell |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160705 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170509 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170705 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171219 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180109 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6281706 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |