JP6260051B2 - Wavelength selective optical filter - Google Patents
Wavelength selective optical filter Download PDFInfo
- Publication number
- JP6260051B2 JP6260051B2 JP2013178250A JP2013178250A JP6260051B2 JP 6260051 B2 JP6260051 B2 JP 6260051B2 JP 2013178250 A JP2013178250 A JP 2013178250A JP 2013178250 A JP2013178250 A JP 2013178250A JP 6260051 B2 JP6260051 B2 JP 6260051B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- refractive index
- index layer
- film thickness
- laminated structure
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 73
- 239000012788 optical film Substances 0.000 claims description 91
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 39
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 48
- 239000010408 film Substances 0.000 description 25
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 13
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 12
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 7
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 4
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000005094 computer simulation Methods 0.000 description 3
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Optical Filters (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
本発明は、低屈折率層と高屈折率層とを交互に積層した積層体を透明基板の表面に配置した構成の波長選択光学フィルタに関する。 The present invention relates to a wavelength selective optical filter having a configuration in which a laminate in which low refractive index layers and high refractive index layers are alternately laminated is disposed on the surface of a transparent substrate.
従来より、半導体素子や液晶表示素子を、フォトリソグラフィー法を利用して製造することは知られている。 Conventionally, it is known to manufacture a semiconductor element or a liquid crystal display element by using a photolithography method.
例えば、液晶表示素子が備える微細な幅の電極線は、フォトリソグラフィー法を利用して、次のようにして所定の形状（例、幅や長さ）にて形成される。 For example, a fine width electrode line included in the liquid crystal display element is formed in a predetermined shape (eg, width or length) as follows using a photolithography method.
先ず、水銀ランプを光源とする露光装置を用意する。露光装置は光源とマスク保持手段を含み、光源の光から所定の波長の光（通常は短波長の光）を取り出す波長選択光学フィルタを備えている。波長選択光学フィルタで取り出した短波長の光を、マスクを介して所定のパターン状としてフォトレジスト膜に照射することにより、目的の電極線を形成する。 First, an exposure apparatus using a mercury lamp as a light source is prepared. The exposure apparatus includes a light source and a mask holding unit, and includes a wavelength selection optical filter that extracts light of a predetermined wavelength (usually light of a short wavelength) from the light of the light source. The short-wavelength light extracted by the wavelength selective optical filter is irradiated to the photoresist film in a predetermined pattern through a mask, thereby forming a target electrode line.
露光操作の実施に際しては、上記の露光装置の光を上記電極線と対応する形状にて透過させるスペース部（あるいは透明部）を有するマスク、そして例えば光硬化性樹脂を含むフォトレジスト（ネガ型）を用意する。フォトレジストとしては、光照射した部分が（例えば、上記光硬化性樹脂の硬化により）溶媒に溶解し難くなるネガ型のものと、光照射した部分が溶媒に溶解し易くなるポジ型のものとが知られているが、以下の記載では、ネガ型のフォトレジストを用いる場合の露光を例にして説明する。 In performing the exposure operation, a mask having a space portion (or a transparent portion) that transmits the light of the exposure apparatus in a shape corresponding to the electrode line, and a photoresist (eg, a negative type) containing, for example, a photocurable resin Prepare. The photoresist includes a negative type in which the light-irradiated part is difficult to dissolve in the solvent (for example, due to curing of the photocurable resin), and a positive type in which the light-irradiated part is easily dissolved in the solvent. However, in the following description, exposure using a negative type photoresist will be described as an example.
ガラス基板の表面に、電極線を形成する導電性材料の薄膜（導電膜）を形成し、その表面にフォトレジスト膜を形成する。このフォトレジスト膜の上に、上記のマスクを配置し、露光装置の水銀ランプが発生する光から、波長選択光学フィルタを用いてフォトレジスト膜の硬化に適した所定の波長の光を取り出し、この光を上記マスクを介してフォトレジスト膜に照射（フォトレジスト膜を露光）する。これにより、フォトレジスト膜の露光部分が、上記電極の形状に対応する形状にて硬化する。次いで、上記のマスクを取り除き、フォトレジスト膜の未硬化部分を溶解除去することにより、導電膜の表面が部分的に露出する。次いで、この導電膜の表面が露出した部分をエッチングにより除去し、更にフォトレジスト膜の残りの部分（硬化部分）を除去することにより、電極線が所定の形状にて形成される。 A thin film (conductive film) of a conductive material for forming electrode wires is formed on the surface of the glass substrate, and a photoresist film is formed on the surface. The mask is placed on the photoresist film, and light having a predetermined wavelength suitable for curing the photoresist film is extracted from the light generated by the mercury lamp of the exposure apparatus using a wavelength selective optical filter. The photoresist film is irradiated with light through the mask (exposure of the photoresist film). Thereby, the exposed part of the photoresist film is cured in a shape corresponding to the shape of the electrode. Next, the surface of the conductive film is partially exposed by removing the mask and dissolving and removing the uncured portion of the photoresist film. Next, the exposed portion of the surface of the conductive film is removed by etching, and the remaining portion (cured portion) of the photoresist film is removed to form electrode lines in a predetermined shape.
特許文献１には、光源として用いる水銀ランプの光から所定波長の光を取り出す波長選択フィルタ（波長選択光学フィルタ）を備える露光装置が開示されている（第１図参照）。この波長選択フィルタでは、水銀ランプが発生する光のうち、例えば、ｇ線（４３６ｎｍ）の光とｈ線（４０５ｎｍ）とｉ線（３６５ｎｍ）の光とが露光用の光として同時に選択される（段落［００１５］参照）。
特許文献２には、例えば、水銀ランプが発生した光を検査光として照射することにより、フォトマスクや半導体ウエハに形成された欠陥を検出する欠陥検査装置と、この検査装置に用いる照明装置が開示されている。この欠陥検査装置が備える照明装置には、水銀ランプの光から、例えば、ｇ線、ｈ線、又はｉ線の光を検査光として取り出す波長選択フィルタ（波長選択光学フィルタ）が備えられている（段落［０００２］参照）。 Patent Document 2 discloses, for example, a defect inspection apparatus that detects defects formed in a photomask or a semiconductor wafer by irradiating light generated by a mercury lamp as inspection light, and an illumination apparatus used for the inspection apparatus. Has been. The illumination device included in the defect inspection apparatus includes a wavelength selection filter (wavelength selection optical filter) that extracts, for example, g-line, h-line, or i-line light from the mercury lamp light as inspection light ( Paragraph [0002]).
上記特許文献２には、上記のような波長選択フィルタは、入射角依存性を有するため、入射光の入射角が垂直から変化するにしたがって透過光の波長が所定の波長域から変位する特性があり、このため従来の照明装置では、光源から出射した光ビームを一旦平行ビームに変換し、そのように変換された平行ビームを波長選択フィルタに入射している旨記載されている（段落［０００３］参照）。 In the above-mentioned Patent Document 2, the wavelength selection filter as described above has an incident angle dependency, so that the wavelength of transmitted light is displaced from a predetermined wavelength region as the incident angle of incident light changes from vertical. For this reason, it is described in the conventional illumination device that the light beam emitted from the light source is once converted into a parallel beam, and the converted parallel beam is incident on the wavelength selection filter (paragraph [0003]. ]reference).
なお、同文献に記載の装置では、波長選択フィルタについての光の入射角と透過特性の変位量との関係を予め測定し、所望の波長帯域の透過光が得られるように設定する方法が採用されている。そして、このように波長選択フィルタに対する入射角の変位量を考慮して波長選択フィルタの許容光透過帯域幅を設定することにより、コンパクトな集光レンズ系（照明装置）を実現している（段落［０００７］参照）。 In the device described in the same document, a method is adopted in which the relationship between the incident angle of light and the displacement amount of the transmission characteristic for the wavelength selection filter is measured in advance and set so that transmitted light in a desired wavelength band can be obtained. Has been. In this way, a compact condensing lens system (illumination device) is realized by setting the allowable light transmission bandwidth of the wavelength selection filter in consideration of the amount of displacement of the incident angle with respect to the wavelength selection filter (paragraph). [0007]).
特許文献３には、入射角依存性を小さくした誘電体多層膜フィルタ（波長選択光学フィルタ）が開示されている。この誘電体多層膜フィルタは、透明基板の一方の面に誘電体多層膜を備えていて、この誘電体多層膜が、屈折率が１．５２より大で２．１以下である中間屈折率材料で構成された膜と、屈折率が２．０以上でかつ前記中間屈折率材料で構成された膜の屈折率より大である高屈折率材料で構成された膜を交互に繰り返し積層した構成を有し、そして「高屈折率材料で構成された膜の光学膜厚／中間屈折率材料で構成された膜の光学膜厚」の値が１より大で４以下、好ましくは２より大で４以下であることを特徴とする多層膜フィルタである（請求項１参照）。 Patent Document 3 discloses a dielectric multilayer filter (wavelength selective optical filter) with reduced incident angle dependency. This dielectric multilayer filter includes a dielectric multilayer film on one surface of a transparent substrate, and the dielectric multilayer film has an intermediate refractive index material having a refractive index greater than 1.52 and not greater than 2.1. And a film made of a high refractive index material having a refractive index of 2.0 or more and larger than the refractive index of the film made of the intermediate refractive index material. And the value of “the optical film thickness of the film composed of the high refractive index material / the optical film thickness of the film composed of the intermediate refractive index material” is greater than 1 and 4 or less, preferably greater than 2 and 4 The multilayer filter is characterized by the following (refer to claim 1).
上記の特許文献３には、上記誘電体多層膜フィルタでは、中間屈折率材料で構成された膜と高屈折率材料で構成された膜で多層膜を構成し、また「高屈折率材料で構成された膜の光学膜厚／中間屈折率材料で構成された膜の光学膜厚」の比の値を１より大としたので、平均屈折率が高くなり、入射角依存性が小さくなると記載されている（段落［００１４］）。 In the above-mentioned Patent Document 3, in the dielectric multilayer filter, a multilayer film is composed of a film composed of an intermediate refractive index material and a film composed of a high refractive index material. The ratio of the optical film thickness of the formed film / the optical film thickness of the film composed of the intermediate refractive index material is set to be larger than 1, so that the average refractive index is increased and the incident angle dependency is decreased. (Paragraph [0014]).
特許文献１の露光装置が備える波長選択フィルタにより、水銀ランプの発生する光から、露光に必要とされる所定波長の光を取り出すことができる。しかしながら、この文献に記載の露光装置では、波長選択フィルタの入射角依存性が大きいことから、波長選択フィルタの表面に対して垂直に光が入射するように、前後に光学レンズ系（リレーレンズ系）を配置する必要がある。このため、この波長選択フィルタの使用は、これを組み込む装置の構成を複雑なものとする。
With the wavelength selection filter provided in the exposure apparatus of
特許文献２の波長選択フィルタの使用の際には、波長選択フィルタについての光の入射角と透過特性の変位量との関係を予め測定し、その測定結果に基づき波長選択フィルタを所望の波長帯域の透過光が得られるように設定する必要がある。従って、この文献の波長選択フィルタは、その前後にリレーレンズ系を配置する必要はないものの、光の入射角に対する光学特性の変動を改良したものではない。従って、この波長選択フィルタは、これを組み込む各種の装置（装置の光学系が異なる装置）毎に、波長選択フィルタの光の入射角と透過特性の変位量との関係を測定して波長帯域を設定する必要がある。 When using the wavelength selective filter of Patent Document 2, the relationship between the incident angle of light and the displacement amount of the transmission characteristic of the wavelength selective filter is measured in advance, and the wavelength selective filter is set to a desired wavelength band based on the measurement result. It is necessary to set so that the transmitted light can be obtained. Therefore, although the wavelength selective filter of this document does not require the relay lens system to be arranged before and after the filter, it does not improve the variation in optical characteristics with respect to the incident angle of light. Therefore, this wavelength selection filter measures the wavelength band by measuring the relationship between the light incident angle of the wavelength selection filter and the amount of displacement of the transmission characteristic for each of various devices (devices having different optical systems). Must be set.
特許文献３の誘電体多層膜フィルタでは、多層膜の平均屈折率を高くすることにより、入射角依存性が小さくされている。すなわち、光の入射角が変動したときの分光透過率特性の横軸（入射光の波長を表す軸）に沿う移動が抑制されている。このような光の入射角が変動したときの分光透過率特性の移動量は、なるべく小さいことが望ましい。 In the dielectric multilayer filter of Patent Document 3, the incident angle dependency is reduced by increasing the average refractive index of the multilayer film. That is, the movement along the horizontal axis (the axis representing the wavelength of incident light) of the spectral transmittance characteristic when the incident angle of light varies is suppressed. It is desirable that the amount of movement of the spectral transmittance characteristic when such an incident angle of light fluctuates is as small as possible.
本発明の課題は、入射角依存性が十分に小さくなるように改良され、このため組み込み対象の各種装置の構成を簡単なものとすることができる波長選択光学フィルタを提供することにある。 An object of the present invention is to provide a wavelength selective optical filter that is improved so that the incident angle dependency is sufficiently reduced, and thus the configuration of various devices to be incorporated can be simplified.
本発明者の研究により、低屈折率層とこれに対して光学膜厚を十分に厚くした高屈折率層とを交互に積層して構成した積層構造と、これとは逆に、高屈折率層とこれに対して光学膜厚を十分に厚くした低屈折率層とを交互に積層して構成した積層構造との組み合わせを含む積層体を用いると、波長選択光学フィルタの入射角依存性が改良される（小さくなる）ことが判明した。従って、この波長選択光学フィルタは、その表面に垂直に光を入射するため、前後に光学レンズ系を配置する必要がないことから、組み込み対象の各種装置の構成を複雑なものとする必要がなくなる。 According to the research of the present inventors, a laminated structure in which a low refractive index layer and a high refractive index layer having a sufficiently thick optical film thickness are alternately laminated, and conversely, a high refractive index. If a laminated body including a combination of a layer structure and a laminated structure in which a low refractive index layer having a sufficiently thick optical film thickness is alternately laminated is used, the incident angle dependency of the wavelength selective optical filter is increased. It was found to be improved (smaller). Therefore, since this wavelength selective optical filter makes light incident perpendicularly to the surface thereof, it is not necessary to arrange an optical lens system in front and back, so that it is not necessary to complicate the configuration of various devices to be incorporated. .
本発明は、透明基板の少なくとも一方の表面に、相対的に低い屈折率を示す複数の低屈折率層と相対的に高い屈折率を示す複数の高屈折率層とを交互に積層した構成の積層体を配置してなる光学フィルタであって、上記の積層体が、低屈折率層と低屈折率層の光学膜厚の２倍以上の光学膜厚を有する高屈折率層とを交互に積層した第１の積層構造、および高屈折率層と高屈折率層の光学膜厚の２倍以上の光学膜厚を有する低屈折率層とを交互に積層した第２の積層構造を含むことを特徴とする波長選択光学フィルタにある。 The present invention has a configuration in which a plurality of low refractive index layers exhibiting a relatively low refractive index and a plurality of high refractive index layers exhibiting a relatively high refractive index are alternately laminated on at least one surface of a transparent substrate. An optical filter in which a laminated body is arranged, wherein the laminated body includes a low refractive index layer and a high refractive index layer having an optical film thickness that is at least twice as large as the optical film thickness of the low refractive index layer. A first laminated structure that is laminated, and a second laminated structure in which a high refractive index layer and a low refractive index layer having an optical film thickness that is twice or more the optical film thickness of the high refractive index layer are alternately laminated. A wavelength selective optical filter characterized by
本発明の波長選択光学フィルタの好ましい態様は、次の通りである。
（１）第１の積層構造が、低屈折率層と低屈折率層の光学膜厚の２倍以上の光学膜厚を有する高屈折率層とを交互に合計で６層以上積層した構成にある。
（２）第２の積層構造が、高屈折率層と高屈折率層の光学膜厚の２倍以上の光学膜厚を有する低屈折率層とを交互に合計で４層以上積層した構成にある。
Preferred embodiments of the wavelength selective optical filter of the present invention are as follows.
(1) The first laminated structure has a configuration in which a total of six or more layers of low refractive index layers and high refractive index layers having an optical film thickness that is twice or more the optical film thickness of the low refractive index layer are alternately laminated. is there.
(2) The second laminated structure has a configuration in which a high refractive index layer and a low refractive index layer having an optical film thickness that is at least twice the optical film thickness of the high refractive index layer are alternately laminated in total of four or more layers. is there.
（３）透明基板の側から第１の積層構造と第２の積層構造とがこの順に配置されている。
（４）透明基板の側から第２の積層構造と第１の積層構造とがこの順に配置されている。
(3) The first laminated structure and the second laminated structure are arranged in this order from the transparent substrate side.
(4) The second laminated structure and the first laminated structure are arranged in this order from the transparent substrate side.
（５）第１の積層構造の高屈折率層が低屈折率層の光学膜厚の５０倍以下の光学膜厚を有する。
（６）第２の積層構造の低屈折率層が高屈折率層の光学膜厚の１００倍以下の光学膜厚を有する。
(5) The high refractive index layer of the first laminated structure has an optical film thickness not more than 50 times the optical film thickness of the low refractive index layer.
(6) The low refractive index layer of the second laminated structure has an optical film thickness that is 100 times or less the optical film thickness of the high refractive index layer.
（７）近赤外線カットフィルタを除く。
（８）透明基板の両表面の各々に、上記積層体が配置されている。
（９）露光装置用である。
(7) Excluding near-infrared cut filter.
(8) The laminate is disposed on each of both surfaces of the transparent substrate.
(9) For an exposure apparatus.
本発明はまた、光源とマスク保持手段との間に上記の波長選択光学フィルタを配置してなる露光装置にもある。 The present invention is also an exposure apparatus in which the above-described wavelength selective optical filter is disposed between a light source and a mask holding means.
本明細書において、「透明基板」とは、可視光の透過率が７０％以上である基板を意味する。「可視光」とは、波長が３８０〜７８０ｎｍの範囲内にある光を意味する。また、「屈折率」とは、波長が５００ｎｍの光に対する屈折率を意味する。 In the present specification, the “transparent substrate” means a substrate having a visible light transmittance of 70% or more. “Visible light” means light having a wavelength in the range of 380 to 780 nm. The “refractive index” means a refractive index with respect to light having a wavelength of 500 nm.
また、「波長選択光学フィルタ」には、所定波長の光を選択的に透過するフィルタが含まれ、更に所定波長の光を選択的に反射するフィルタ（ミラー）も含まれる。 The “wavelength selection optical filter” includes a filter that selectively transmits light having a predetermined wavelength, and further includes a filter (mirror) that selectively reflects light having a predetermined wavelength.
本発明の波長選択光学フィルタでは、光の入射角に対する光学特性の変動が小さくなる。このため、本発明の波長選択光学フィルタを、例えば、露光装置に組み込む場合、その表面に光源の光を垂直に入射させるために、前後に光学レンズ系を配置する必要はない。従って、本発明の波長選択光学フィルタは、組み込み対象の各種の装置の構成を簡単なものにすることができる。 In the wavelength selective optical filter of the present invention, the variation in optical characteristics with respect to the incident angle of light becomes small. For this reason, when the wavelength selective optical filter of the present invention is incorporated in, for example, an exposure apparatus, it is not necessary to arrange an optical lens system before and after the light of the light source to enter the surface vertically. Therefore, the wavelength selective optical filter of the present invention can simplify the configuration of various devices to be incorporated.
先ず、本発明の波長選択光学フィルタの代表的な実施態様について、添付の図面を参照しながら説明する。 First, typical embodiments of the wavelength selective optical filter of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
図１は、本発明の波長選択光学フィルタの構成例を示す断面図である。図１の波長選択光学フィルタ１０は、透明基板１１の一方の表面に、相対的に低い屈折率を示す複数の低屈折率層Ｌと相対的に高い屈折率を示す複数の高屈折率層Ｈとを交互に積層した構成の積層体１２ａを配置した構成を有している。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration example of a wavelength selective optical filter of the present invention. 1 includes a plurality of low refractive index layers L exhibiting a relatively low refractive index and a plurality of high refractive index layers H exhibiting a relatively high refractive index on one surface of a
そして、この波長選択光学フィルタ１０は、積層体１２ａが、低屈折率層Ｌと低屈折率層Ｌの光学膜厚の２倍以上の光学膜厚を有する高屈折率層Ｈとを交互に積層した第１の積層構造２１、および高屈折率層Ｈと高屈折率層Ｈの光学膜厚の２倍以上の光学膜厚を有する低屈折率層Ｌとを交互に積層した第２の積層構造２２を含むことに特徴がある。
In the wavelength selective
透明基板１１としては通常、石英ガラスや硼珪酸ガラスなどから形成したガラス基板が用いられる。透明基板としては、樹脂材料から形成した基板（あるいはフィルム）を用いることもできる。
As the
低屈折率層Ｌは、高屈折率層Ｈの屈折率よりも低い屈折率を示す。低屈折率層Ｌの屈折率は通常、１．１以上、２．０未満の範囲内にある。 The low refractive index layer L exhibits a refractive index lower than that of the high refractive index layer H. The refractive index of the low refractive index layer L is usually in the range of 1.1 or more and less than 2.0.
低屈折率層Ｌの材料の例としては、酸化珪素（ＳｉＯ2）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、およびフッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）が挙げられる。 Examples of the material of the low refractive index layer L include silicon oxide (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), and magnesium fluoride (MgF 2 ).
高屈折率層Ｈは、低屈折率層Ｌの屈折率よりも高い屈折率を示す。高屈折率層Ｈの屈折率は通常、２．０以上、３．０未満の範囲内にある。 The high refractive index layer H exhibits a refractive index higher than that of the low refractive index layer L. The refractive index of the high refractive index layer H is usually in the range of 2.0 or more and less than 3.0.
高屈折率層Ｈの材料の例としては、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、および酸化ハフニウム（ＨｆＯ2）が挙げられる。 Examples of the material of the high refractive index layer H include tantalum oxide (Ta 2 O 5 ), titanium oxide (TiO 2 ), zirconium oxide (ZrO 2 ), and hafnium oxide (HfO 2 ).
低屈折率層Ｌ及び高屈折率層Ｈの各層は、例えば、真空蒸着法やスパッタ法により形成することができる。 Each of the low refractive index layer L and the high refractive index layer H can be formed by, for example, a vacuum deposition method or a sputtering method.
高屈折率層Ｈの屈折率ｎHの低屈折率層Ｌの屈折率ｎLに対する比（ｎH／ｎL）の値は、通常は１．１以上であり、１．３以上であることが好ましく、１．４以上であることが更に好ましい。前記の屈折率の比（ｎH／ｎL）の値は、なるべく大きいほうが望ましいが、通常は１．１〜３．０の範囲内にあり、１．３〜３．０の範囲内にあることが好ましく、１．４〜３．０の範囲内にあることが更に好ましい。 The value of the ratio to the refractive index n L of the low refractive index layer L of the refractive index n H of the high refractive index layer H (n H / n L) is usually at least 1.1, 1.3 or more Is more preferable and 1.4 or more is still more preferable. The refractive index ratio (n H / n L ) is preferably as large as possible, but is usually in the range of 1.1 to 3.0 and in the range of 1.3 to 3.0. It is preferable that it exists in the range of 1.4-3.0.
積層体１２ａは、上記の低屈折率層Ｌと高屈折率層Ｈとを交互に積層した構成を有している。積層体１２ａの第１層目（透明基板１１の表面に最も近い層）は、低屈折率層Ｌであってもよいし、高屈折率層Ｈであってもよい。
The
積層体１２ａの層数（低屈折率層Ｌの層数と高屈折率層Ｈの層数とを合計した層数）は通常、１０〜２００層の範囲内に設定される。積層体１２ａの層数は、１０〜１５０層の範囲内にあることが好ましく、２０〜１００層の範囲内にあることが更に好ましい。
The number of layers of the
積層体１２ａは、低屈折率層Ｌと低屈折率層Ｌの光学膜厚の２倍以上の光学膜厚を有する高屈折率層Ｈとを交互に積層した第１の積層構造２１、および高屈折率層Ｈと高屈折率層Ｈの光学膜厚の２倍以上の光学膜厚を有する低屈折率層Ｌとを交互に積層した第２の積層構造２２を含んでいる。
The
このように低屈折率層Ｌとこれに対して光学膜厚を十分に厚くした高屈折率層Ｈとを交互に積層して構成した第１の積層構造２１と、これとは逆に、高屈折率層Ｈとこれに対して光学膜厚を十分に厚くした低屈折率層Ｌとを交互に積層して構成した第２の積層構造２２との組み合わせを含む積層体１２ａを用いることにより、波長選択光学フィルタ１０の入射角依存性を小さくすること、すなわち光の入射角が変動したとのき分光透過率特性の横軸（入射光の波長を表す軸）に沿う移動を抑制することができる。従って、波長選択光学フィルタ１０は、光学フィルタ１０の表面に垂直に光を入射させるために、その前後に光学レンズ系を配置する必要がないことから、組み込み対象の各種装置の構成を簡単なものにすることができる。
Thus, the first
なお、上記の低屈折率層Ｌ及び高屈折率層Ｈの各層の光学膜厚ｎｄ（ｎｍ）は、各層の厚みｄ（ｎｍ）と各層の屈折率ｎとの積に等しい。 The optical film thickness nd (nm) of each of the low refractive index layer L and the high refractive index layer H is equal to the product of the thickness d (nm) of each layer and the refractive index n of each layer.
第１の積層構造２１の高屈折率層Ｈの光学膜厚は、積層構造２１の低屈折率層Ｌの光学膜厚の２倍以上の光学膜厚である限り特に制限はない。第１の積層構造２１の高屈折率層Ｈの光学膜厚は通常、積層構造２１の低屈折率層Ｌの光学膜厚の５０倍以下の光学膜厚に設定される。
The optical film thickness of the high refractive index layer H of the first
第１の積層構造２１の高屈折率層Ｈの光学膜厚は、積層構造２１の低屈折率層Ｌの光学膜厚の２〜５０倍、好ましくは２〜３０倍、更に好ましくは２〜２０倍、特に好ましくは２〜１０倍の範囲内の光学膜厚に設定される。
The optical film thickness of the high refractive index layer H of the first
第２の積層構造２２の低屈折率層Ｌの光学膜厚は、積層構造２２の高屈折率層Ｈの光学膜厚の２倍以上の光学膜厚である限り特に制限はない。第２の積層構造２２の低屈折率層Ｌの光学膜厚は通常、積層構造２２の高屈折率層Ｈの光学膜厚の１００倍以下の光学膜厚に設定される。
The optical film thickness of the low refractive index layer L of the second
第２の積層構造２２の低屈折率層Ｌの光学膜厚は、積層構造２２の高屈折率層Ｈの光学膜厚の２〜１００倍、好ましくは２〜７０倍、更に好ましくは２〜５０倍、特に好ましくは２〜２０倍の範囲内の光学膜厚に設定される。
The optical film thickness of the low refractive index layer L of the second
第１の積層構造２１は、低屈折率層Ｌと低屈折率層Ｌの光学膜厚の２倍以上の光学膜厚を有する高屈折率層Ｈとを交互に合計で６層以上積層した構成を有していることが好ましい。
The first
第２の積層構造２２が、高屈折率層Ｈと高屈折率層Ｈの光学膜厚の２倍以上の光学膜厚を有する低屈折率層Ｌとを交互に合計で４層以上積層した構成を有していることが好ましい。
The second
第１の積層構造２１に含まれる複数層の低屈折率層Ｌを、互いに異なる材料から形成することもでき、同様に複数層の高屈折率層Ｈを、互いに異なる材料から形成することもできる。
The plurality of low refractive index layers L included in the first
また、第２の積層構造２２に含まれる複数層の低屈折率層Ｌを、互いに異なる材料から形成することもでき、同様に複数層の高屈折率層Ｈを、互いに異なる材料から形成することもできる。
Further, the plurality of low refractive index layers L included in the second
そして、第１の積層構造２１の低屈折率層Ｌと第２の積層構造２２の低屈折率層Ｌとを、互いに異なる材料から形成することもでき、同様に第１の積層構造２１の高屈折率層Ｈと第２の積層構造２２の高屈折率層Ｈとを、互いに異なる材料から形成することもできる。
The low refractive index layer L of the first
波長選択光学フィルタ１０では、透明基板１１の側から第１の積層構造２１と第２の積層構造２２とがこの順に配置されている。
In the wavelength selective
第１の積層構造２１と第２の積層構造２２との間には、第１の積層構造２１及び第２の積層構造２２の何れの積層構造も構成しない層、例えば、上記低屈折率層Ｌと高屈折率層Ｈとの間の屈折率を示す層、低屈折率層と低屈折率層の光学膜厚の２倍未満の光学膜厚を有する高屈折率層とを交互に積層した積層構造、あるいは高屈折率層と高屈折率層の光学膜厚の２倍未満の光学膜厚を有する低屈折率層とを交互に積層した積層構造が備えられていてもよい。
Between the first
図２は、本発明の波長選択光学フィルタの別の構成例を示す断面図である。図２の波長選択光学フィルタ２０の構成は、積層体１２ｂの第１の積層構造２１と第２の積層構造２２の配置が異なること以外は図１の波長選択光学フィルタ１０の構成と同様である。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing another configuration example of the wavelength selective optical filter of the present invention. The configuration of the wavelength selective
このように、透明基板１１の側から第２の積層構造２２と第１の積層構造２１とをこの順に配置することもできる。
Thus, the 2nd
図３は、本発明の波長選択光学フィルタの更に別の構成例を示す断面図である。図３の波長選択光学フィルタ３０の構成は、透明基板１１の両表面の各々に、上記積層体１２ａが配置されていること以外は図１の波長選択光学フィルタ１０の構成と同様である。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing still another configuration example of the wavelength selective optical filter of the present invention. The configuration of the wavelength selective
波長選択光学フィルタ３０においては、透明基板１１の各表面に配置された積層体１２ａが、低屈折率層Ｌと低屈折率層Ｌの光学膜厚の２倍以上の光学膜厚を有する高屈折率層Ｈとを交互に積層した第１の積層構造２１、および高屈折率層Ｈと高屈折率層Ｈの光学膜厚の２倍以上の光学膜厚を有する低屈折率層Ｌとを交互に積層した第２の積層構造２２を含んでいる。
In the wavelength selective
本発明の波長選択光学フィルタは、特に露光装置の光源の光から所定波長の光を取り出す波長選択光学フィルタとして用いること（露光装置用であること）が好ましい。 The wavelength selective optical filter of the present invention is particularly preferably used as a wavelength selective optical filter for extracting light of a predetermined wavelength from light from a light source of an exposure apparatus (for an exposure apparatus).
本発明の波長選択光学フィルタを光源とマスク保持手段との間に配置することにより、簡単な装置構成の露光装置が得られる。 By arranging the wavelength selective optical filter of the present invention between the light source and the mask holding means, an exposure apparatus having a simple apparatus configuration can be obtained.
なお、本発明の波長選択光学フィルタは、近赤外線カットフィルタを除く波長選択光学フィルタであることが好ましい。ここで近赤外線カットフィルタとは、本願出願人の先の特許出願（平成２４年２月２８日提出の特許願、発明の名称：近赤外線カットフィルター）の特許請求の範囲に記載された近赤外線カットフィルタを意味する。 In addition, it is preferable that the wavelength selection optical filter of this invention is a wavelength selection optical filter except a near-infrared cut off filter. Here, the near-infrared cut filter is the near-infrared ray described in the claims of the applicant's earlier patent application (patent application filed on February 28, 2012, name of invention: near-infrared cut filter). It means a cut filter.
［実施例１］
実施例１では、本発明の波長選択光学フィルタに相当するショートパスフィルタについて、その光学特性を確認するため電子計算機によるシミュレーションを実施した。このショートパスフィルタは、図１及び図２に示す波長選択光学フィルタと同様に、透明基板の一方の表面に積層体を配置した構成を有している。
[Example 1]
In Example 1, a short-pass filter corresponding to the wavelength selective optical filter of the present invention was simulated by an electronic computer in order to confirm the optical characteristics. Similar to the wavelength selective optical filter shown in FIGS. 1 and 2, the short pass filter has a configuration in which a laminate is disposed on one surface of a transparent substrate.
上記ショートパスフィルタは、透明基板の表面に、低屈折率層と高屈折率層を、高屈折率層から交互に合計で７８層積層した積層体（以下「積層体Ａ」という）を配置した構成を有している。 In the short pass filter, a laminate (hereinafter referred to as “laminate A”) in which a total of 78 low refractive index layers and high refractive index layers are alternately laminated from the high refractive index layer is disposed on the surface of the transparent substrate. It has a configuration.
透明基板の屈折率は１．４６に設定した。このような屈折率を有する基板としては、石英ガラス基板を用いることができる。透明基板の厚みは、１ｍｍに設定した。 The refractive index of the transparent substrate was set to 1.46. As a substrate having such a refractive index, a quartz glass substrate can be used. The thickness of the transparent substrate was set to 1 mm.
高屈折率層の屈折率は２．２５に設定した。このような屈折率を有する高屈折率層は酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）から形成することができる。そして低屈折率層の屈折率は１．４６に設定した。このような屈折率を有する低屈折率層は酸化珪素（ＳｉＯ2）から形成することができる。 The refractive index of the high refractive index layer was set to 2.25. The high refractive index layer having such a refractive index can be formed from tantalum oxide (Ta 2 O 5 ). The refractive index of the low refractive index layer was set to 1.46. The low refractive index layer having such a refractive index can be formed from silicon oxide (SiO 2 ).
このショートパスフィルタが備える積層体Ａの構成を下記の表１に示す。表１において、「層数」の欄には、透明基板の側から数えた積層体の各層の層数を記入した。「蒸着材の種類」の欄には、各層が高屈折率層である場合には「Ｈ」を、そして低屈折率層である場合には「Ｌ」を記入した。「光学膜厚」の欄には、各層の厚みに各層の屈折率を乗じて得られる光学膜厚を記入した。そして「積層構造の種類」の欄には、互いに隣接する２層の高屈折率層と低屈折率層との組み合わせが、第１の積層構造を構成するものである場合には「１」を、そして第２の積層構造を構成するものである場合には「２」を記入した。 Table 1 below shows the configuration of the laminate A provided in the short pass filter. In Table 1, in the “number of layers” column, the number of each layer of the laminated body counted from the transparent substrate side was entered. In the “deposition material type” column, “H” is entered when each layer is a high refractive index layer, and “L” is entered when it is a low refractive index layer. In the “optical film thickness” column, the optical film thickness obtained by multiplying the thickness of each layer by the refractive index of each layer is entered. In the “type of laminated structure” column, “1” is entered when the combination of two adjacent high refractive index layers and low refractive index layers constitutes the first laminated structure. “2” is entered when it constitutes the second laminated structure.
積層体Ａは、下記ａH1）〜ａH7）の積層構造を含んでいる。各々の積層構造は、低屈折率層と低屈折率層の光学膜厚の２倍以上の光学膜厚を有する高屈折率層とを、高屈折率層から交互に積層した構成を有していて、第１の積層構造に相当する。なお、下記「ｔH／ｔL」は、高屈折率層の光学膜厚（ｔH）の低屈折率層の光学膜厚（ｔL）に対する比を意味する。
ａH1）第３層目及び第４層目の積層構造（ｔH／ｔL＝４．４）
ａH2）第７層目及び第８層目の積層構造（ｔH／ｔL＝９．８）
ａH3）第１１層目〜第４０層目の積層構造（ｔH／ｔL＝２．５〜９．２）
ａH4）第４９層目及び第５０層目の積層構造（ｔH／ｔL＝５．３）
ａH5）第５３層目〜第５８層目の積層構造（ｔH／ｔL＝３．６〜４．８）
ａH6）第６７層目及び第６８層目の積層構造（ｔH／ｔL＝４．０）
ａH7）第７１層目〜第７４層目の積層構造（ｔH／ｔL＝４．０〜７．７）
The laminate A includes the following laminated structures a H1 ) to a H7 ). Each laminated structure has a structure in which a low refractive index layer and a high refractive index layer having an optical film thickness that is at least twice the optical film thickness of the low refractive index layer are alternately laminated from the high refractive index layer. This corresponds to the first laminated structure. The following “t H / t L ” means the ratio of the optical film thickness (t H ) of the high refractive index layer to the optical film thickness (t L ) of the low refractive index layer.
a H1 ) Layered structure of the third and fourth layers (t H / t L = 4.4)
a H2 ) Layered structure of the seventh and eighth layers (t H / t L = 9.8)
a H3 ) Laminated structure of the 11th to 40th layers (t H / t L = 2.5 to 9.2)
a H4 ) Laminated structure of the 49th and 50th layers (t H / t L = 5.3)
a H5 ) Laminated structure of the 53rd to 58th layers (t H / t L = 3.6 to 4.8)
a H6 ) Layered structure of the 67th and 68th layers (t H / t L = 4.0)
a H7 ) Layered structure of the 71st layer to the 74th layer (t H / t L = 4.0 to 7.7)
積層体Ａはまた、下記ａL1）〜ａL6）の積層構造を含んでいる。各々の積層構造は、高屈折率層と高屈折率層の光学膜厚の２倍以上の光学膜厚を有する低屈折率層とを、高屈折率層から交互に積層した構成を有していて、第２の積層構造に相当する。なお、下記「ｔL／ｔH」は、低屈折率層の光学膜厚（ｔL）の高屈折率層の光学膜厚（ｔH）に対する比を意味する。
ａL1）第５層目及び第６層目の積層構造（ｔL／ｔH＝４．８）
ａL2）第９層目及び第１０層目の積層構造（ｔL／ｔH＝２．８）
ａL3）第４５層目〜第４８層目の積層構造（ｔL／ｔH＝４．３〜４．７）
ａL4）第５１層目及び第５２層目の積層構造（ｔL／ｔH＝３．１）
ａL5）第６１層目〜第６６層目の積層構造（ｔL／ｔH＝４．２〜７．５）
ａL6）第６９層目及び第７０層目の積層構造（ｔL／ｔH＝２．０）
The laminate A also includes the following laminated structures a L1 ) to a L6 ). Each laminated structure has a configuration in which a high refractive index layer and a low refractive index layer having an optical film thickness that is twice or more the optical film thickness of the high refractive index layer are alternately laminated from the high refractive index layer. This corresponds to the second laminated structure. The following “t L / t H ” means the ratio of the optical film thickness (t L ) of the low refractive index layer to the optical film thickness (t H ) of the high refractive index layer.
a L1 ) Layered structure of the fifth and sixth layers (t L / t H = 4.8)
a L2 ) Laminated structure of the ninth and tenth layers (t L / t H = 2.8)
a L3 ) Laminated structure of the 45th to 48th layers (t L / t H = 4.3 to 4.7)
a L4 ) Laminated structure of the 51st layer and the 52nd layer (t L / t H = 3.1)
a L5 ) Laminated structure of the 61st layer to the 66th layer (t L / t H = 4.2 to 7.5)
a L6 ) Laminated structure of the 69th and 70th layers (t L / t H = 2.0)
図４は、実施例１のショートパスフィルタについて、電子計算機シミュレーションによって計算した分光透過率特性を示す図である。横軸は、フィルタに入射する光の波長（ｎｍ）を、そして縦軸は光の透過率（％）を表す。 FIG. 4 is a diagram showing the spectral transmittance characteristics calculated by electronic computer simulation for the short pass filter of the first embodiment. The horizontal axis represents the wavelength (nm) of light incident on the filter, and the vertical axis represents the light transmittance (%).
また、図４に実線にて記入した曲線は、フィルタの表面に対して垂直に光が入射したとき（光の入射角が０度のとき）の分光透過率特性を表している。そして、破線にて記入した曲線は、フィルタの表面の法線に対して３０度の角度にて光が入射したとき（光の入射角が３０度のとき）の分光透過率特性を表している。 Also, the curve drawn with a solid line in FIG. 4 represents the spectral transmittance characteristics when light is incident perpendicularly to the surface of the filter (when the light incident angle is 0 degree). The curve drawn with a broken line represents the spectral transmittance characteristics when light is incident at an angle of 30 degrees with respect to the normal of the surface of the filter (when the incident angle of light is 30 degrees). .
このショートパスフィルタの入射角依存性を、下記のように、光の入射角に対する分光透過率特性の横軸（入射光の波長を表す軸）に沿う方向への移動量として評価した。 The incident angle dependence of this short pass filter was evaluated as the amount of movement in the direction along the horizontal axis (axis representing the wavelength of incident light) of the spectral transmittance characteristic with respect to the incident angle of light as described below.
図４に示すように、光の入射角が０度のときの分光透過率特性の透過帯の長波長側のエッジにおいて透過率が５０％の値を示す波長と、光の入射角が３０度のときの分光透過率特性の透過帯の長波長側のエッジにおいて透過率が５０％の値を示す波長との差の値（分光透過率特性の移動量）は７ｎｍであった。 As shown in FIG. 4, the wavelength at which the transmittance is 50% at the edge of the long wavelength side of the transmission band of the spectral transmittance characteristic when the incident angle of light is 0 degree, and the incident angle of light is 30 degrees. The value of the difference from the wavelength at which the transmittance is 50% at the edge on the long wavelength side of the transmission band of the spectral transmittance characteristic (the amount of movement of the spectral transmittance characteristic) was 7 nm.
このように、実施例１のショートパスフィルタにおいては、光の入射角依存性が小さいことを確認した。 Thus, in the short pass filter of Example 1, it confirmed that the incident angle dependence of light was small.
実施例１のショートパスフィルタは、ｇ線（波長：４３６ｎｍ）の光について、光の入射角が０度の場合であっても、３０度の場合であっても、９０％以上の高い透過率を示す。また、ｈ線（波長：４０５ｎｍ）の光について、光の入射角が０度の場合であっても、３０度の場合であっても、９５％以上の高い透過率を示す。また、ｉ線（波長：３６５ｎｍ）の光について、光の入射角が０度の場合であっても、３０度の場合であっても、９５％以上の高い透過率を示す。なお、例えば、Ｆ’線（波長：４７８ｎｍ）の光については、光の入射角が０度の場合であっても、３０度の場合であっても、５％以下の低い透過率を示す。 The short-pass filter of Example 1 has a high transmittance of 90% or more for g-line (wavelength: 436 nm) light regardless of whether the light incident angle is 0 degrees or 30 degrees. Indicates. In addition, h-line (wavelength: 405 nm) light exhibits a high transmittance of 95% or more regardless of whether the incident angle of light is 0 degrees or 30 degrees. Further, i-line (wavelength: 365 nm) light exhibits a high transmittance of 95% or more regardless of whether the incident angle of light is 0 degrees or 30 degrees. For example, the light of the F ′ line (wavelength: 478 nm) exhibits a low transmittance of 5% or less regardless of whether the incident angle of the light is 0 degree or 30 degrees.
従って、実施例１のショートパスフィルタを、各種の装置、例えば、露光装置に組み込む場合、光源の光がフィルタの表面の法線に対して３０度以内の角度にて入射するのであれば、その前後に光学レンズ（光源の光をフィルタの表面に垂直に入射させるために用いる光学レンズ）を配置する必要はない。従って、露光装置（組み込み対象の各種装置）の構成が簡単なものになる。 Therefore, when the short-pass filter of Example 1 is incorporated into various apparatuses, for example, an exposure apparatus, if the light from the light source is incident at an angle of 30 degrees or less with respect to the normal of the filter surface, There is no need to arrange an optical lens (an optical lens used for allowing light from the light source to enter the surface of the filter vertically) before and after. Therefore, the configuration of the exposure apparatus (various devices to be incorporated) becomes simple.
［実施例２］
実施例２では、本発明の波長選択光学フィルタに相当するバンドパスフィルタについて、その光学特性を確認するため電子計算機によるシミュレーションを実施した。このバンドパスフィルタは、図３に示す波長選択光学フィルタと同様に、透明基板の各々の表面に積層体を配置した構成を有している。
[Example 2]
In Example 2, for a band-pass filter corresponding to the wavelength selective optical filter of the present invention, a simulation by an electronic computer was performed in order to confirm the optical characteristics. Similar to the wavelength selective optical filter shown in FIG. 3, this band pass filter has a configuration in which a laminate is disposed on each surface of a transparent substrate.
バンドパスフィルタは、透明基板の一方の面に、低屈折率層と高屈折率層とを、高屈折率層から交互に合計で６５層積層した積層体（以下「積層体Ｂ」という）を配置し、そして他方の表面に、低屈折率層と高屈折率層とを、高屈折率層から交互に合計で８０層積層した積層体（以下「積層体Ｃ」という）を配置した構成を有している。 The band-pass filter is a laminated body (hereinafter referred to as “laminated body B”) in which a total of 65 layers of low refractive index layers and high refractive index layers are alternately stacked on one surface of a transparent substrate. And a laminate in which a total of 80 layers of low refractive index layers and high refractive index layers are alternately laminated from the high refractive index layer (hereinafter referred to as “laminate C”) are arranged on the other surface. Have.
基板、高屈折率層、および低屈折率層の各々の屈折率、そして基板の厚みの条件は、実施例１で設定した条件と同じである。 The conditions of the refractive index of each of the substrate, the high refractive index layer, and the low refractive index layer, and the thickness of the substrate are the same as the conditions set in Example 1.
このバンドパスフィルタが備える積層体Ｂの構成を下記の表２に、そして積層体Ｃの構成を下記の表３にそれぞれ示す。 The configuration of the laminate B provided in the bandpass filter is shown in Table 2 below, and the configuration of the laminate C is shown in Table 3 below.
積層体Ｂは、下記ｂH1）〜ｂH6）の積層構造を含んでいる。各々の積層構造は、低屈折率層と低屈折率層の光学膜厚の２倍以上の光学膜厚を有する高屈折率層とを、高屈折率層から交互に積層した構成を有していて、第１の積層構造に相当する。
ｂH1）第１層目及び第２層目の積層構造（ｔH／ｔL＝４．０）
ｂH2）第７層目〜第１０層目の積層構造（ｔH／ｔL＝２．５〜４．８）
ｂH3）第１９層目〜第２４層目の積層構造（ｔH／ｔL＝２．１〜４．１）
ｂH4）第２９層目〜第３４層目の積層構造（ｔH／ｔL＝２．３〜１１．１）
ｂH5）第４５層目〜第５６層目の積層構造（ｔH／ｔL＝２．４〜５．８）
ｂH6）第５９層目及び６０層目の積層構造（ｔH／ｔL＝２．５）
The laminated body B includes the following laminated structures b H1 ) to b H6 ). Each laminated structure has a structure in which a low refractive index layer and a high refractive index layer having an optical film thickness that is at least twice the optical film thickness of the low refractive index layer are alternately laminated from the high refractive index layer. This corresponds to the first laminated structure.
b H1 ) Laminated structure of the first layer and the second layer (t H / t L = 4.0)
b H2 ) Layered structure of the seventh layer to the tenth layer (t H / t L = 2.5 to 4.8)
b H3 ) Laminated structure of the 19th to 24th layers (t H / t L = 2.1 to 4.1)
b H4 ) Laminated structure of the 29th to 34th layers (t H / t L = 2.3 to 11.1)
b H5 ) Laminated structure of 45th to 56th layers (t H / t L = 2.4 to 5.8)
b H6 ) Laminated structure of the 59th and 60th layers (t H / t L = 2.5)
積層体Ｂはまた、下記ｂL1）〜ｂL4）の積層構造を含んでいる。各々の積層構造は、高屈折率層と高屈折率層の光学膜厚の２倍以上の光学膜厚を有する低屈折率層とを、高屈折率層から交互に積層した構成を有していて、第２の積層構造に相当する。
ｂL1）第３層目及び第４層目の積層構造（ｔL／ｔH＝４．０）
ｂL2）第１１層目〜第１６層目の積層構造（ｔL／ｔH＝２．０〜２．５）
ｂL3）第２５層目〜第２８層目の積層構造（ｔL／ｔH＝４．１〜４．９）
ｂL4）第３７層目〜第４２層目の積層構造（ｔL／ｔH＝３．４〜１６．２）
The laminated body B also includes a laminated structure of the following b L1 ) to b L4 ). Each laminated structure has a configuration in which a high refractive index layer and a low refractive index layer having an optical film thickness that is twice or more the optical film thickness of the high refractive index layer are alternately laminated from the high refractive index layer. This corresponds to the second laminated structure.
b L1 ) Laminated structure of the third layer and the fourth layer (t L / t H = 4.0)
b L2 ) Laminated structure of 11th to 16th layers (t L / t H = 2.0 to 2.5)
b L3 ) Laminated structure of 25th to 28th layers (t L / t H = 4.1 to 4.9)
b L4 ) Layered structure of the 37th to 42nd layers (t L / t H = 3.4 to 16.2)
積層体Ｃは、下記ｃH1）〜ｃH4）の積層構造を含んでいる。各々の積層構造は、低屈折率層と低屈折率層の光学膜厚の２倍以上の光学膜厚を有する高屈折率層とを、高屈折率層から交互に積層した構成を有していて、第１の積層構造に相当する。
ｃH1）第１層目及び第２層目の積層構造（ｔH／ｔL＝４．０）
ｃH2）第５層目〜第４８層目の積層構造（ｔH／ｔL＝２．１〜９．４）
ｃH3）第５９層目〜第６８層目の積層構造（ｔH／ｔL＝３．９〜７．９）
ｃH4）第７７層目及び第７８層目の積層構造（ｔH／ｔL＝４．１）
The laminate C includes a laminate structure of the following c H1 ) to c H4 ). Each laminated structure has a structure in which a low refractive index layer and a high refractive index layer having an optical film thickness that is at least twice the optical film thickness of the low refractive index layer are alternately laminated from the high refractive index layer. This corresponds to the first laminated structure.
c H1 ) Laminated structure of the first layer and the second layer (t H / t L = 4.0)
c H2 ) Laminated structure of the fifth to 48th layers (t H / t L = 2.1 to 9.4)
c H3 ) Laminated structure of 59th to 68th layers (t H / t L = 3.9 to 7.9)
c H4 ) Laminated structure of the 77th and 78th layers (t H / t L = 4.1)
積層体Ｃはまた、下記ｃL1）〜ｃL3）の積層構造を含んでいる。各々の積層構造は、高屈折率層と高屈折率層の光学膜厚の２倍以上の光学膜厚を有する低屈折率層とを、高屈折率層から交互に積層した構成を有していて、第２の積層構造に相当する。
ｃL1）第５１層目〜第５８層目の積層構造（ｔL／ｔH＝４．４〜８．９）
ｃL2）第７１層目〜第７６層目の積層構造（ｔL／ｔH＝５．２〜６．４）
ｃL3）第７９層目及び第８０層目の積層構造（ｔL／ｔH＝３．６）
The laminate C also includes the following laminated structures c L1 ) to c L3 ). Each laminated structure has a configuration in which a high refractive index layer and a low refractive index layer having an optical film thickness that is twice or more the optical film thickness of the high refractive index layer are alternately laminated from the high refractive index layer. This corresponds to the second laminated structure.
c L1 ) Laminated structure of the 51st layer to the 58th layer (t L / t H = 4.4 to 8.9)
c L2 ) Laminated structure of the 71st layer to the 76th layer (t L / t H = 5.2 to 6.4)
c L3 ) Layered structure of the 79th and 80th layers (t L / t H = 3.6)
図５は、実施例２のバンドパスフィルタについて、電子計算機シミュレーションによって計算した分光透過率特性を示す図である。横軸は、フィルタに入射する光の波長（ｎｍ）を、そして縦軸は光の透過率（％）を表す。 FIG. 5 is a diagram showing the spectral transmittance characteristics calculated by electronic computer simulation for the bandpass filter of the second embodiment. The horizontal axis represents the wavelength (nm) of light incident on the filter, and the vertical axis represents the light transmittance (%).
また、図５に実線にて記入した曲線は、フィルタの表面に対して垂直に光が入射したとき（光の入射角が０度のとき）の分光透過率特性を表している。そして、破線にて記入した曲線は、フィルタの表面の法線に対して３０度の角度にて光が入射したとき（光の入射角が３０度のとき）の分光透過率特性を表している。 Further, the curve drawn with a solid line in FIG. 5 represents the spectral transmittance characteristics when light is incident perpendicularly to the surface of the filter (when the light incident angle is 0 degree). The curve drawn with a broken line represents the spectral transmittance characteristics when light is incident at an angle of 30 degrees with respect to the normal of the surface of the filter (when the incident angle of light is 30 degrees). .
このバンドパスフィルタの光の入射角依存性を、実施例１の場合と同様にして評価した。 The incident angle dependency of light of this band pass filter was evaluated in the same manner as in Example 1.
図５に示すように、光の入射角が０度のときの分光透過率特性の透過帯の長波長側のエッジにおいて透過率が５０％の値を示す波長と、光の入射角が３０度のときの分光透過率特性の透過帯の長波長側のエッジにおいて透過率が５０％の値を示す波長との差の値は６ｎｍであった。 As shown in FIG. 5, the wavelength at which the transmittance is 50% at the edge on the long wavelength side of the transmission band of the spectral transmittance characteristic when the incident angle of light is 0 degree, and the incident angle of light is 30 degrees. The value of the difference from the wavelength at which the transmittance shows a value of 50% at the edge on the long wavelength side of the transmission band of the spectral transmittance characteristics was 6 nm.
同様にして、光の入射角が０度のときの分光透過率特性の透過帯の短波長側のエッジにおいて透過率が５０％の値を示す波長と、光の入射角が３０度のときの分光透過率特性の透過帯の短波長側のエッジにおいて透過率が５０％の値を示す波長との差の値は６ｎｍであった。 Similarly, the wavelength at which the transmittance is 50% at the edge of the short wavelength side of the transmission band of the spectral transmittance characteristic when the light incident angle is 0 degree and the light incident angle is 30 degrees. The value of the difference from the wavelength at which the transmittance is 50% at the short wavelength side edge of the transmission band of the spectral transmittance characteristic was 6 nm.
このように、実施例２のバンドパスフィルタにおいても、光の入射角依存性が小さいことを確認した。 As described above, it was confirmed that the band-pass filter of Example 2 also has a small incident angle dependency on light.
実施例２のバンドパスフィルタもまた、ｇ線（波長：４３６ｎｍ）の光について、光の入射角が０度の場合であっても、３０度の場合であっても、９０％以上の高い透過率を示す。また、ｈ線（波長：４０５ｎｍ）の光について、光の入射角が０度の場合であっても、３０度の場合であっても、９５％以上の高い透過率を示す。また、ｉ線（波長：３６５ｎｍ）の光について、光の入射角が０度の場合であっても、３０度の場合であっても、９５％以上の高い透過率を示す。なお、例えば、Ｆ’線（波長：４７８ｎｍ）の光については、光の入射角が０度の場合であっても、３０度の場合であっても、５％以下の低い透過率を示す。 The band-pass filter of Example 2 also has a high transmission of 90% or more for g-line (wavelength: 436 nm) light regardless of whether the light incident angle is 0 degrees or 30 degrees. Indicates the rate. In addition, h-line (wavelength: 405 nm) light exhibits a high transmittance of 95% or more regardless of whether the incident angle of light is 0 degrees or 30 degrees. Further, i-line (wavelength: 365 nm) light exhibits a high transmittance of 95% or more regardless of whether the incident angle of light is 0 degrees or 30 degrees. For example, the light of the F ′ line (wavelength: 478 nm) exhibits a low transmittance of 5% or less regardless of whether the incident angle of the light is 0 degree or 30 degrees.
実施例２のバンドパスフィルタを用いると、実施例１のショートパスフィルタを用いる場合と同様に、組み込み対象の装置（例、露光装置や欠陥検査装置）の構成が簡単なものになる。 When the band-pass filter according to the second embodiment is used, the configuration of an apparatus to be incorporated (eg, an exposure apparatus or a defect inspection apparatus) becomes simple as in the case where the short-pass filter according to the first embodiment is used.
［実施例３］
実施例３では、本発明の波長選択光学フィルタに相当するロングパスフィルタについて、その光学特性を確認するため電子計算機によるシミュレーションを実施した。このロングパスフィルタは、図１及び図２に示す波長選択光学フィルタと同様に、透明基板の一方の表面に積層体を配置した構成を有している。
[Example 3]
In Example 3, a long-pass filter corresponding to the wavelength selective optical filter of the present invention was simulated by an electronic computer in order to confirm the optical characteristics. This long pass filter has a configuration in which a laminate is disposed on one surface of a transparent substrate, similarly to the wavelength selective optical filter shown in FIGS. 1 and 2.
ロングパスフィルタは、透明基板の表面に、低屈折率層と高屈折率層を、高屈折率層から交互に合計で７０層積層した積層体（以下「積層体Ｄ」という）を配置した構成を有している。 The long pass filter has a configuration in which a laminated body (hereinafter referred to as “laminated body D”) in which a total of 70 low refractive index layers and high refractive index layers are alternately laminated from the high refractive index layer is disposed on the surface of the transparent substrate. Have.
基板、高屈折率層、および低屈折率層の各々の屈折率、そして基板の厚みの条件は、実施例１で設定した条件と同じである。 The conditions of the refractive index of each of the substrate, the high refractive index layer, and the low refractive index layer, and the thickness of the substrate are the same as the conditions set in Example 1.
このロングパスフィルタが備える積層体Ｄの構成を下記の表４に示す。 Table 4 below shows the configuration of the laminate D included in the long pass filter.
積層体Ｄは、下記ｄH1）〜ｄH4）の積層構造を含んでいる。各々の積層構造は、低屈折率層と低屈折率層の光学膜厚の２倍以上の光学膜厚を有する高屈折率層とを、高屈折率層から交互に積層した構成を有していて、第１の積層構造に相当する。
ｄH1）第９層目〜第３４層目の積層構造（ｔH／ｔL＝２．８〜７．３）
ｄH2）第４５層目〜第５２層目の積層構造（ｔH／ｔL＝３．８〜７．４）
ｄH3）第５７層目〜第６０層目の積層構造（ｔH／ｔL＝２．０〜４．５）
ｄH4）第６５層目〜第７０層目の積層構造（ｔH／ｔL＝２．５〜３．５）
The laminate D includes a laminate structure of the following d H1 ) to d H4 ). Each laminated structure has a structure in which a low refractive index layer and a high refractive index layer having an optical film thickness that is at least twice the optical film thickness of the low refractive index layer are alternately laminated from the high refractive index layer. This corresponds to the first laminated structure.
d H1 ) Laminated structure of the ninth to 34th layers (t H / t L = 2.8 to 7.3)
d H2 ) Laminated structure of 45th layer to 52nd layer (t H / t L = 3.8 to 7.4)
d H3 ) Laminated structure of 57th to 60th layers (t H / t L = 2.0 to 4.5)
d H4 ) Laminated structure of 65th to 70th layers (t H / t L = 2.5 to 3.5)
積層体Ｄはまた、下記ｄL1）〜ｄL4）の積層構造を含んでいる。各々の積層構造は、高屈折率層と高屈折率層の光学膜厚の２倍以上の光学膜厚を有する低屈折率層とを、高屈折率層から交互に積層した構成を有していて、第２の積層構造に相当する。
ｄL1）第１層目及び第２層目の積層構造（ｔL／ｔH＝２．５）
ｄL2）第３７層目〜第４２層目の積層構造（ｔL／ｔH＝６．５〜７７．４）
ｄL3）第５３層目及び第５４層目の積層構造（ｔL／ｔH＝３．０）
ｄL4）第６１層目〜第６４層目の積層構造（ｔL／ｔH＝５．３〜１０．０）
The laminate D also includes the following laminated structures d L1 ) to d L4 ). Each laminated structure has a configuration in which a high refractive index layer and a low refractive index layer having an optical film thickness that is twice or more the optical film thickness of the high refractive index layer are alternately laminated from the high refractive index layer. This corresponds to the second laminated structure.
d L1 ) Laminated structure of the first layer and the second layer (t L / t H = 2.5)
d L2 ) Layered structure of the 37th to 42nd layers (t L / t H = 6.5 to 77.4)
d L3 ) Laminated structure of the 53rd and 54th layers (t L / t H = 3.0)
d L4 ) Laminated structure of the 61st layer to the 64th layer (t L / t H = 5.3 to 10.0)
図６は、実施例３のロングパスフィルタについて、電子計算機シミュレーションによって計算した分光透過率特性を示す図である。横軸は、フィルタに入射する光の波長（ｎｍ）を、そして縦軸は光の透過率（％）を表す。 FIG. 6 is a diagram showing the spectral transmittance characteristics calculated by the computer simulation for the long pass filter of the third embodiment. The horizontal axis represents the wavelength (nm) of light incident on the filter, and the vertical axis represents the light transmittance (%).
また、図６に実線にて記入した曲線は、フィルタの表面に対して垂直に光が入射したとき（光の入射角が０度のとき）の分光透過率特性を表している。そして、破線にて記入した曲線は、フィルタの表面の法線に対して３０度の角度にて光が入射したとき（光の入射角が３０度のとき）の分光透過率特性を表している。 Further, the curve drawn with a solid line in FIG. 6 represents the spectral transmittance characteristics when light is incident perpendicularly to the surface of the filter (when the light incident angle is 0 degree). The curve drawn with a broken line represents the spectral transmittance characteristics when light is incident at an angle of 30 degrees with respect to the normal of the surface of the filter (when the incident angle of light is 30 degrees). .
このロングパスフィルタの光の入射角依存性を、実施例１の場合と同様にして評価した。 The light incident angle dependency of this long pass filter was evaluated in the same manner as in Example 1.
図６に示すように、光の入射角が０度のときの分光透過率特性の透過帯の短波長側のエッジにおいて透過率が５０％の値を示す波長と、光の入射角が３０度のときの分光透過率特性の透過帯の短波長側のエッジにおいて透過率が５０％の値を示す波長との差の値は７ｎｍであった。 As shown in FIG. 6, the wavelength at which the transmittance is 50% at the short wavelength side edge of the transmission band of the spectral transmittance characteristic when the light incident angle is 0 degree, and the light incident angle is 30 degrees. The value of the difference from the wavelength at which the transmittance shows a value of 50% at the edge on the short wavelength side of the transmission band of the spectral transmittance characteristic at that time was 7 nm.
このように、実施例３のロングパスフィルタにおいても、光の入射角依存性が小さいことを確認した。 As described above, it was confirmed that the long-pass filter of Example 3 also has a small dependency on the incident angle of light.
実施例３のロングパスフィルタもまた、ｇ線（波長：４３６ｎｍ）の光について、光の入射角が０度の場合であっても、３０度の場合であっても、９５％以上の高い透過率を示す。また、ｈ線（波長：４０５ｎｍ）の光について、光の入射角が０度の場合であっても、３０度の場合であっても、９５％以上の高い透過率を示す。また、ｉ線（波長：３６５ｎｍ）の光について、光の入射角が０度の場合であっても、３０度の場合であっても、９０％以上の高い透過率を示す。なお、例えば、波長が３４０ｎｍ以下の光については、光の入射角が０度の場合であっても、３０度の場合であっても、１０％以下の低い透過率を示す。 The long pass filter of Example 3 also has a high transmittance of 95% or more for g-line (wavelength: 436 nm) light regardless of whether the incident angle of light is 0 degrees or 30 degrees. Indicates. In addition, h-line (wavelength: 405 nm) light exhibits a high transmittance of 95% or more regardless of whether the incident angle of light is 0 degrees or 30 degrees. Further, i-line (wavelength: 365 nm) light exhibits a high transmittance of 90% or more regardless of whether the incident angle of light is 0 degrees or 30 degrees. For example, light having a wavelength of 340 nm or less shows a low transmittance of 10% or less regardless of whether the incident angle of light is 0 degree or 30 degrees.
実施例３のロングパスフィルタを用いると、実施例１のショートパスフィルタを用いる場合と同様に、組み込み対象の装置（例、露光装置や欠陥検査装置）の構成が簡単なものになる。 When the long pass filter according to the third embodiment is used, the configuration of an apparatus to be incorporated (eg, an exposure apparatus or a defect inspection apparatus) becomes simple as in the case where the short pass filter according to the first embodiment is used.
１０、２０、３０ 波長選択光学フィルタ
１１ 透明基板
１２ａ、１２ｂ 積層体
２１ 第１の積層構造
２２ 第２の積層構造
10, 20, 30 Wavelength selective
Claims (9)
上記の積層体が、低屈折率層と該低屈折率層の光学膜厚の２倍以上の光学膜厚を有する高屈折率層とを交互に合計で６層以上積層した第１の積層構造、および高屈折率層と該高屈折率層の光学膜厚の２倍以上の光学膜厚を有する低屈折率層とを交互に積層した第２の積層構造を含むことを特徴とする波長選択光学フィルタ、但し近赤外線カットフィルタは除く。 Arranged on at least one surface of the transparent substrate is a laminate in which a plurality of low refractive index layers having a relatively low refractive index and a plurality of high refractive index layers having a relatively high refractive index are alternately laminated. An optical filter comprising:
1st laminated structure which said laminated body laminated | stacked six or more layers alternately with a low refractive index layer and a high refractive index layer which has an optical film thickness of 2 times or more of the optical film thickness of this low refractive index layer alternately. And a second laminated structure in which a high refractive index layer and a low refractive index layer having an optical film thickness that is twice or more the optical film thickness of the high refractive index layer are alternately laminated. Optical filters , except for near infrared cut filters .
An exposure apparatus in which the wavelength selective optical filter according to any one of claims 1 to 8 is disposed between a light source and a mask holding means .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013178250A JP6260051B2 (en) | 2013-08-29 | 2013-08-29 | Wavelength selective optical filter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013178250A JP6260051B2 (en) | 2013-08-29 | 2013-08-29 | Wavelength selective optical filter |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015045821A JP2015045821A (en) | 2015-03-12 |
| JP6260051B2 true JP6260051B2 (en) | 2018-01-17 |
Family
ID=52671360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013178250A Active JP6260051B2 (en) | 2013-08-29 | 2013-08-29 | Wavelength selective optical filter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6260051B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019093038A1 (en) * | 2017-11-07 | 2019-05-16 | 富士フイルム株式会社 | Image exposure device, and image exposure method |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3166115B2 (en) * | 1993-08-03 | 2001-05-14 | 富士写真フイルム株式会社 | Filter device |
| JP3994831B2 (en) * | 2002-07-09 | 2007-10-24 | セイコーエプソン株式会社 | Optical device, projector provided with the optical device, and filter used in the optical device |
| JP2004177658A (en) * | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Sun Tec Kk | Dielectric multilayer band-pass filter |
| JPWO2004068566A1 (en) * | 2003-01-30 | 2006-05-25 | 株式会社ニコン | Vacuum ultraviolet optical system and projection exposure apparatus |
| JP2007134464A (en) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Canon Inc | Optical element including multilayer film and exposing apparatus comprising the same |
| JP2009205070A (en) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Method for manufacturing ultraviolet-infrared cut filter, ultraviolet-infrared cut filter and method for manufacturing camera chip |
| JP2011242437A (en) * | 2010-05-14 | 2011-12-01 | Olympus Corp | Multilayer film filter and fluorescence microscope using the same |
| CN103718070B (en) * | 2011-07-28 | 2016-09-07 | 旭硝子株式会社 | Optics |
-
2013
- 2013-08-29 JP JP2013178250A patent/JP6260051B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2015045821A (en) | 2015-03-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10871707B2 (en) | Reflective mask blank, reflective mask and method of manufacturing semiconductor device | |
| JP5682165B2 (en) | Interference filter, optical module, and analyzer | |
| US9423684B2 (en) | Reflective mask blank for EUV lithography and process for its production | |
| US9575231B2 (en) | Infrared filter | |
| TWI410676B (en) | Multi-layer reflecting mirror, its production method, optical system, exposure device and production method of elements | |
| KR100604938B1 (en) | Reflection mask for euvl lithography, fabricating method of the same | |
| JP2019536079A (en) | Embedded wire grid polarizer with high reflectivity on both sides | |
| JP4190773B2 (en) | Antireflection film, optical lens and optical lens unit | |
| JP2004309934A (en) | Infrared cut filter and its manufacturing method | |
| JP6362105B2 (en) | Optical element, optical system, and optical device having antireflection film | |
| JP5885649B2 (en) | Optical element having antireflection film, optical system and optical apparatus | |
| KR102476861B1 (en) | Reflective mask blank for euv lithography and process for its production, as well as substrate with reflective layer for such mask blank and process for its production | |
| JP2012042651A (en) | Interference filter, optical module and analyzer | |
| JP7236230B2 (en) | Optical element, liquid crystal display device and projection type image display device | |
| JP2009204577A (en) | Light-transmitting member and timepiece provided with same | |
| JP2016218335A (en) | Glass member with optical multi-layer film | |
| JP6632331B2 (en) | Reflective optical element and exposure apparatus | |
| JP6260051B2 (en) | Wavelength selective optical filter | |
| JP2012027226A (en) | Interference filter, optical module and analyzer | |
| JP6174379B2 (en) | Visible light transmission filter | |
| EP1628146A1 (en) | Optical low pass filter | |
| JP5098640B2 (en) | Optical element and optical element manufacturing method | |
| US20080166534A1 (en) | Optical Element and Method for Manufacturing Optical Element | |
| JP5978506B2 (en) | Interference filter, optical module, and analyzer | |
| JP2015084024A (en) | Antireflection film, optical element, and optical equipment |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160726 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170410 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170428 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170627 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171120 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171124 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6260051 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |