JP6252049B2 - Resist composition and method for producing resist pattern - Google Patents

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Description

本発明は、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法に関する。   The present invention relates to a resist composition and a method for producing a resist pattern.

半導体の微細加工技術として、レジスト組成物を用いたフォトリソグラフィが検討されている。特許文献1には、酸発生剤として、下記化合物のみを含有するレジスト組成物が記載されている。

Figure 0006252049
また、レジスト組成物から、フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成する際、アルカリ現像液で現像するとポジ型レジストパターンが得られ、有機溶剤で現像するとネガ型レジストパターンが得られることが知られている(非特許文献1)。 As a semiconductor microfabrication technique, photolithography using a resist composition has been studied. Patent Document 1 describes a resist composition containing only the following compound as an acid generator.
Figure 0006252049
Further, it is known that when a resist pattern is formed from a resist composition by photolithography, a positive resist pattern is obtained when developed with an alkaline developer, and a negative resist pattern is obtained when developed with an organic solvent ( Non-patent document 1).

特開2004−4669JP 2004-4669 A

テクノタイムズ社発行 月刊ディスプレイ ’11 6月号 p.31Published by Techno Times Inc. Monthly Display '11 June p. 31

従来から知られる上記のレジスト組成物では、ネガ型レジストパターンを製造した際、現像で除去される部分に発生する現像残渣(スカム)及びパターン形状が必ずしも十分に満足できない場合があった。   In the conventional resist compositions described above, when a negative resist pattern is produced, there are cases where the development residue (scum) and pattern shape generated in the portion removed by development cannot always be sufficiently satisfied.

本発明は、以下の発明を含む。
〔1〕酸不安定基を有する構造単位とフェノール性ヒドロキシ基を有する構造単位とを含む樹脂、非イオン系酸発生剤、イオン系酸発生剤及び架橋剤を含有するレジスト組成物。
〔2〕 酸不安定基を有する構造単位とフェノール性ヒドロキシ基を有する構造単位とを含む樹脂、非イオン系酸発生剤、イオン系酸発生剤及び架橋剤を含有し、
非イオン系酸発生剤の含有量が、前記樹脂100質量部に対して、0.5質量部以上20質量部以下であるレジスト組成物。
〔3〕 非イオン系酸発生剤とイオン系酸発生剤との含有量比が、質量基準で、40:60〜95:5である〔1〕記載のレジスト組成物。
〔4〕 (1)〔1〕〜〔3〕のいずれかに記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
(3)組成物層に露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程、及び
(5)加熱後の組成物層を現像する工程、
を含むレジストパターンの製造方法。
The present invention includes the following inventions.
[1] A resist composition comprising a resin comprising a structural unit having an acid labile group and a structural unit having a phenolic hydroxy group, a nonionic acid generator, an ionic acid generator, and a crosslinking agent.
[2] containing a resin comprising a structural unit having an acid labile group and a structural unit having a phenolic hydroxy group, a nonionic acid generator, an ionic acid generator and a crosslinking agent;
The resist composition whose content of a nonionic acid generator is 0.5 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the resin.
[3] The resist composition according to [1], wherein the content ratio of the nonionic acid generator to the ionic acid generator is 40:60 to 95: 5 on a mass basis.
[4] (1) A step of applying the resist composition according to any one of [1] to [3] on a substrate,
(2) The process of drying the composition after application | coating and forming a composition layer,
(3) a step of exposing the composition layer;
(4) a step of heating the composition layer after exposure, and (5) a step of developing the composition layer after heating,
A method for producing a resist pattern including:

本発明のレジスト組成物を用いれば、現像で除去される部分にスカムの発生が少なく、かつ良好なパターン形状のネガ型レジストパターンを製造することができる。   By using the resist composition of the present invention, it is possible to produce a negative resist pattern having a good pattern shape with little occurrence of scum in a portion removed by development.

本発明のレジスト組成物を用いて作製したレジストパターンの形状を説明するための概略断面図である。It is a schematic sectional drawing for demonstrating the shape of the resist pattern produced using the resist composition of this invention.

本発明のレジスト組成物は、樹脂(A)、酸発生剤(B)及び架橋剤(E)を含む。
酸発生剤(B)は、非イオン系酸発生剤(以下「酸発生剤(B1)」という場合がある)及びイオン系酸発生剤(以下「酸発生剤(B2)」という場合がある)を含む。
さらに、本発明のレジスト組成物は、クエンチャー(C)及び/又は溶剤(D)を含むことが好ましい。
本明細書において、各成分として例示する化合物は、特に断りのない限り、単独で又は複数種を組合せて使用することができる。
また、本明細書において、「(メタ)アクリレート」とは「アクリレート及びメタクリレートの少なくとも一種」を意味する。
The resist composition of the present invention contains a resin (A), an acid generator (B), and a crosslinking agent (E).
The acid generator (B) is a nonionic acid generator (hereinafter sometimes referred to as “acid generator (B1)”) and an ionic acid generator (hereinafter also referred to as “acid generator (B2)”). including.
Furthermore, the resist composition of the present invention preferably contains a quencher (C) and / or a solvent (D).
In this specification, unless otherwise indicated, the compound illustrated as each component can be used individually or in combination of multiple types.
In the present specification, “(meth) acrylate” means “at least one of acrylate and methacrylate”.

<樹脂(A)>
樹脂(A)は、酸不安定基を有する構造単位(以下「構造単位(a1)」という場合がある)とフェノール性ヒドロキシ基を有する構造単位(以下「構造単位(h)」という場合がある)とを含む。
本明細書において、「酸不安定基」とは、脱離基を有し、酸との接触により脱離基が脱離して、親水性基(例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基)を形成する基を意味する。
樹脂(A)は、さらに、酸不安定基を有しない構造単位(以下「構造単位(s)」という場合がある)を含んでいてもよい。
<Resin (A)>
The resin (A) may have a structural unit having an acid labile group (hereinafter sometimes referred to as “structural unit (a1)”) and a structural unit having a phenolic hydroxy group (hereinafter referred to as “structural unit (h)”). ).
In the present specification, the “acid labile group” is a group having a leaving group and forming a hydrophilic group (for example, a hydroxy group or a carboxy group) by leaving the leaving group by contact with an acid. Means.
The resin (A) may further contain a structural unit having no acid labile group (hereinafter sometimes referred to as “structural unit (s)”).

<構造単位(a1)>
構造単位(a1)は、酸不安定基を有するモノマー(以下「モノマー(a1)」という場合がある)から導かれる。
酸不安定基としては、例えば、式(1)で表される基(以下「基(1)」という場合がある。)、式(2)で表される基(以下「基(2)」という場合がある。)等が挙げられる。

Figure 0006252049
[式(1)中、Ra1〜Ra3は、それぞれ独立に、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数3〜20の脂環式炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表すか、Ra1及びRa2は互いに結合して炭素数2〜20の2価の炭化水素基を形成する。*は結合手を表す。] <Structural unit (a1)>
The structural unit (a1) is derived from a monomer having an acid labile group (hereinafter sometimes referred to as “monomer (a1)”).
Examples of the acid labile group include a group represented by the formula (1) (hereinafter sometimes referred to as “group (1)”) and a group represented by the formula (2) (hereinafter referred to as “group (2)”). In some cases).
Figure 0006252049
[In the formula (1), R a1 to R a3 each independently represents an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, or a combination of these, or R a1 and R a2 are bonded to each other to form a divalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms. * Represents a bond. ]

Figure 0006252049
[式(2)中、Ra1’及びRa2’は、互いに独立に、水素原子又は炭素数1〜12の炭化水素基を表し、Ra3’は、炭素数1〜20の炭化水素基を表すか、Ra2’及びRa3’は互いに結合して炭素数2〜20の2価の炭化水素基を形成する。該炭化水素基及び該2価の炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、カルボニル基又は硫黄原子で置き換わってもよい。*は結合手を表す。]
Figure 0006252049
[In the formula (2), R a1 ′ and R a2 ′ each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, and R a3 ′ represents a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms. R a2 ′ and R a3 ′ are bonded to each other to form a divalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms. The hydrocarbon group and the methylene group constituting the divalent hydrocarbon group may be replaced with an oxygen atom, a carbonyl group or a sulfur atom. * Represents a bond. ]

a1〜Ra3のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が挙げられる。
a1〜Ra3の脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及び下記の基(*は結合手を表す。)等が挙げられる。Ra1〜Ra3の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数3〜16である。

Figure 0006252049
アルキル基と脂環式炭化水素基とを組合わせた基としては、例えば、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、メチルノルボルニル基等が挙げられる。 Examples of the alkyl group represented by R a1 to R a3 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, and an octyl group.
The alicyclic hydrocarbon group for R a1 to R a3 may be monocyclic or polycyclic. Examples of the monocyclic alicyclic hydrocarbon group include cycloalkyl groups such as a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclooctyl group. Examples of the polycyclic alicyclic hydrocarbon group include decahydronaphthyl group, adamantyl group, norbornyl group, and the following groups (* represents a bond). The alicyclic hydrocarbon group of R a1 to R a3 preferably has 3 to 16 carbon atoms.
Figure 0006252049
Examples of the group obtained by combining an alkyl group and an alicyclic hydrocarbon group include a methylcyclohexyl group, a dimethylcyclohexyl group, and a methylnorbornyl group.

a1及びRa2が互いに結合して2価の炭化水素基を形成する場合の−C(Ra1)(Ra2)(Ra3)としては、例えば、下記の基が挙げられる。該2価の炭化水素基は、好ましくは炭素数3〜12である。*は−O−との結合手を表す。

Figure 0006252049
Examples of —C (R a1 ) (R a2 ) (R a3 ) in the case where R a1 and R a2 are bonded to each other to form a divalent hydrocarbon group include the following groups. The divalent hydrocarbon group preferably has 3 to 12 carbon atoms. * Represents a bond with -O-.
Figure 0006252049

基(1)としては、例えば、1,1−ジアルキルアルコキシカルボニル基(式(1)中、Ra1〜Ra3がアルキル基である基、好ましくはtert−ブトキシカルボニル基)、2−アルキルアダマンタン−2−イルオキシカルボニル基(式(1)中、Ra1及びRa2が結合してアダマンチル基を形成し、Ra3がアルキル基である基)及び1−(アダマンタン−1−イル)−1−アルキルアルコキシカルボニル基(式(1)中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基である基)等が挙げられる。 Examples of the group (1) include a 1,1-dialkylalkoxycarbonyl group (in the formula (1), R a1 to R a3 are alkyl groups, preferably a tert-butoxycarbonyl group), 2-alkyladamantane- 2-yloxycarbonyl group (in the formula (1), R a1 and R a2 are bonded to form an adamantyl group, and R a3 is an alkyl group) and 1- (adamantan-1-yl) -1- And an alkylalkoxycarbonyl group (in the formula (1), R a1 and R a2 are alkyl groups, and R a3 is an adamantyl group).

a1’〜Ra3’の炭化水素基としては、例えば、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びこれらを組み合わせた基が挙げられる。
脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、ヘキサデシル基、ペンタデシル基、ヘキシルデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基及びイコシル基等のアルキル基等が挙げられる。
脂環式炭化水素基は、上記と同様のものが挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、p−メチルフェニル基、p−tert−ブチルフェニル基、p−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、2,6−ジエチルフェニル基、2−メチル−6−エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。
脂肪族炭化水素基と脂環式炭化水素基とを組合わせた基としては、例えば、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、メチルノルボルニル基及びイソボルニル基等が挙げられる。
脂肪族炭化水素基と芳香族炭化水素基とを組合わせた基としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、ナフチルメチル基及びナフチルエチル基等のアラルキル基が挙げられる。
a2’及びRa3’が互いに結合して形成する2価の炭化水素基としては、例えば、Ra1’〜Ra3’の炭化水素基から水素原子を1個取り去った基が挙げられる。
a1'及びRa2'のうち少なくとも1つは水素原子が好ましい。
Examples of the hydrocarbon group of R a1 ′ to R a3 ′ include an aliphatic hydrocarbon group, an alicyclic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, and a group obtained by combining these.
Examples of the aliphatic hydrocarbon group include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, decyl group, dodecyl group, hexadecyl group, pentadecyl group, hexyl. Examples thereof include alkyl groups such as decyl group, heptadecyl group, octadecyl group and icosyl group.
Examples of the alicyclic hydrocarbon group are the same as those described above.
Aromatic hydrocarbon groups include phenyl, naphthyl, anthryl, p-methylphenyl, p-tert-butylphenyl, p-adamantylphenyl, tolyl, xylyl, cumenyl, mesityl, biphenyl Groups, phenanthryl groups, 2,6-diethylphenyl groups, aryl groups such as 2-methyl-6-ethylphenyl, and the like.
Examples of the group obtained by combining an aliphatic hydrocarbon group and an alicyclic hydrocarbon group include a methylcyclohexyl group, a dimethylcyclohexyl group, a methylnorbornyl group, and an isobornyl group.
Examples of the group obtained by combining an aliphatic hydrocarbon group and an aromatic hydrocarbon group include aralkyl groups such as a benzyl group, a phenethyl group, a phenylpropyl group, a naphthylmethyl group, and a naphthylethyl group.
Examples of the divalent hydrocarbon group formed by combining R a2 ′ and R a3 ′ include groups in which one hydrogen atom has been removed from the hydrocarbon groups of R a1 ′ to R a3 ′ .
At least one of R a1 ′ and R a2 ′ is preferably a hydrogen atom.

基(2)の具体例としては、以下の基が挙げられる。*は結合手を表す。

Figure 0006252049
Specific examples of the group (2) include the following groups. * Represents a bond.
Figure 0006252049

モノマー(a1)は、酸不安定基とエチレン性不飽和結合とを有するモノマーが好ましく、酸不安定基と(メタ)アクリロイル基とを有するモノマーがより好ましい。
該酸不安定基は、基(1)及び/又は基(2)が好ましく、基(2)を有するモノマーがより好ましい。
また、モノマー(a1)は、芳香族炭化水素基を有するモノマーが好ましい。
The monomer (a1) is preferably a monomer having an acid labile group and an ethylenically unsaturated bond, and more preferably a monomer having an acid labile group and a (meth) acryloyl group.
The acid labile group is preferably group (1) and / or group (2), more preferably a monomer having group (2).
The monomer (a1) is preferably a monomer having an aromatic hydrocarbon group.

構造単位(a1)としては、式(a1−4)で表される構造単位(以下「構造単位(a1−4)」という場合がある。)及び式(a1−5)で表される構造単位(以下、場合により「構造単位(a1−5)」という。)が好ましい。より好ましくは、構造単位(a1−4)である。

Figure 0006252049
[式(a1−4)中、Ra1’〜Ra3’は、上記と同じ意味を表す。
a5は、水素原子又はメチル基を表す。
a1は、2価の炭素数6〜14の芳香族炭化水素基を表す。]
a5は、好ましくは、水素原子である。
a1の芳香族炭化水素基は、好ましくは、フェニレン基及びナフタレンジイル基であり、より好ましくは、フェニレン基である。 As the structural unit (a1), a structural unit represented by the formula (a1-4) (hereinafter sometimes referred to as “structural unit (a1-4)”) and a structural unit represented by the formula (a1-5) (Hereinafter, it is sometimes referred to as “structural unit (a1-5)”). More preferably, it is a structural unit (a1-4).
Figure 0006252049
[In formula (a1-4), R a1 ′ to R a3 ′ represent the same meaning as described above.
R a5 represents a hydrogen atom or a methyl group.
A a1 represents a divalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms. ]
R a5 is preferably a hydrogen atom.
The aromatic hydrocarbon group for A a1 is preferably a phenylene group or a naphthalenediyl group, and more preferably a phenylene group.

Figure 0006252049
[式(a1−5)中、Ra1〜Ra3は、上記と同じ意味を表す。
a6は、水素原子又はメチル基を表す。
a2は、2価の炭素数6〜14の芳香族炭化水素基を表す。
a3は、単結合及び酸素原子を表す。]
a6は、好ましくは、水素原子である。
a2の芳香族炭化水素基は、好ましくは、フェニレン基及びナフタレンジイル基であり、より好ましくは、フェニレン基である。
Figure 0006252049
[In the formula (a1-5), R a1 to R a3 represent the same meaning as described above.
R a6 represents a hydrogen atom or a methyl group.
A a2 represents a divalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms.
A a3 represents a single bond and an oxygen atom. ]
R a6 is preferably a hydrogen atom.
The aromatic hydrocarbon group for A a2 is preferably a phenylene group or a naphthalenediyl group, and more preferably a phenylene group.

構造単位(a1−4)としては、例えば、式(a1−4−1)〜式(a1−4−16)のいずれかで表される構造単位が挙げられ、好ましくは、式(a1−4−1)〜式(a1−4−8)のいずれかで表される構造単位であり、より好ましくは、式(a1−4−1)〜式(a1−4−3)のいずれかで表される構造単位である。

Figure 0006252049
As the structural unit (a1-4), for example, a structural unit represented by any of the formulas (a1-4-1) to (a1-4-16) can be given, and preferably the structural unit (a1-4) -1) to a structural unit represented by formula (a1-4-8), more preferably represented by any one of formula (a1-4-1) to formula (a1-4-3). Is a structural unit.
Figure 0006252049

構造単位(a1−5)は、式(a1−5−1)〜式(a1−5−7)のいずれかで表される構造単位が挙げられ、好ましくは、式(a1−5−1)及び式(a1−5−2)のいずれかで表される構造単位である。

Figure 0006252049
Examples of the structural unit (a1-5) include structural units represented by any of the formulas (a1-5-1) to (a1-5-7), and preferably the formula (a1-5-1) And a structural unit represented by any one of formulas (a1-5-2).
Figure 0006252049

樹脂(A)中、構造単位(a1)の含有率は、樹脂(A)の全構造単位に対して、10〜95モル%が好ましく、15〜80モル%がより好ましく、20〜70モル%がさらに好ましい。   In the resin (A), the content of the structural unit (a1) is preferably from 10 to 95 mol%, more preferably from 15 to 80 mol%, more preferably from 20 to 70 mol%, based on all structural units of the resin (A). Is more preferable.

<構造単位(h)>
構造単位(h)は、フェノール性ヒドロキシ基を有するモノマー(以下「モノマー(h)」という場合がある)から導かれる。
モノマー(h)は、フェノール性ヒドロキシ基とエチレン性不飽和結合とを有するモノマーが好ましく、式(a2−1)で表される構造単位(以下「構造単位(a2−1)」という場合がある)がより好ましい。

Figure 0006252049
[式(a2−1)中、
a30は、水素原子又はメチル基を表す。
a31は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数2〜4のアシル基、炭素数2〜4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。
maは0〜4の整数を表す。maが2以上の整数である場合、複数のRa31は互いに同一又は相異なる。] <Structural unit (h)>
The structural unit (h) is derived from a monomer having a phenolic hydroxy group (hereinafter sometimes referred to as “monomer (h)”).
The monomer (h) is preferably a monomer having a phenolic hydroxy group and an ethylenically unsaturated bond, and may be referred to as a structural unit represented by the formula (a2-1) (hereinafter referred to as “structural unit (a2-1)”). ) Is more preferable.
Figure 0006252049
[In the formula (a2-1),
R a30 represents a hydrogen atom or a methyl group.
R a31 is a halogen atom, a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an acyl group having 2 to 4 carbon atoms, an acyloxy group having 2 to 4 carbon atoms, an acryloyl group, or methacryloyl. Represents a group.
ma represents an integer of 0 to 4. When ma is an integer of 2 or more, the plurality of R a31 are the same or different from each other. ]

a30は、水素原子が好ましい。
a31のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ペンチル基及びヘキシル基等が挙げられ、炭素数1〜4のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。
a31のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基及びヘキシルオキシ基等が挙げられ、炭素数1〜4のアルコキシ基が好ましく、好ましくはメトキシ基又はエトキシ基がより好ましく、メトキシ基がさらに好ましい。
maは0、1又は2が好ましく、0又は1がより好ましく、0がさらに好ましい。
R a30 is preferably a hydrogen atom.
Examples of the alkyl group for R a31 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, a pentyl group, and a hexyl group. An alkyl group having 1 to 4 carbon atoms is preferable, and a methyl group or an ethyl group is preferable. A group is more preferable, and a methyl group is more preferable.
Examples of the alkoxy group for R a31 include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, an isopropoxy group, a butoxy group, a pentyloxy group, and a hexyloxy group, and an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms is preferable and preferable. Is more preferably a methoxy group or an ethoxy group, and even more preferably a methoxy group.
ma is preferably 0, 1 or 2, more preferably 0 or 1, and still more preferably 0.

構造単位(a2−1)を導くモノマーとしては、例えば、特開2010−204634号公報に記載されているモノマーが挙げられる。
なかでも、構造単位(a2−1)としては、、式(a2−1−1)〜式(a2−1−4)でそれぞれ表されるものが好ましい。

Figure 0006252049
As a monomer which introduce | transduces a structural unit (a2-1), the monomer described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-204634 is mentioned, for example.
Especially, as a structural unit (a2-1), what is each represented by a formula (a2-1-1)-a formula (a2-1-4) is preferable.
Figure 0006252049

構造単位(a2−1)の含有率は、樹脂(A)の全構造単位に対して、5〜90モル%が好ましく、15〜85モル%がより好ましく、30〜80モル%がさらに好ましい。   The content of the structural unit (a2-1) is preferably 5 to 90 mol%, more preferably 15 to 85 mol%, and still more preferably 30 to 80 mol% with respect to all the structural units of the resin (A).

<構造単位(s)>
構造単位(s)は、酸不安定基を有しないモノマー(以下「モノマー(s)」という場合がある)から導かれる。
構造単位(s)としては、式(a2−2)で表される構造単位(以下「構造単位(a2−2)」という場合がある)が挙げられる。

Figure 0006252049
[式(a2−2)中、
a32は、水素原子又はメチル基を表す。
a33は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数2〜4のアシル基、炭素数2〜4のアシルオキシ基、アクリロイル基又はメタクリロイル基を表す。
mbは0〜4の整数を表す。maが2以上の整数である場合、複数のRa33は互いに同一又は相異なる。
a34は、炭素数1〜8のアルキル基及び炭素数2〜8のアシル基を表す。] <Structural unit (s)>
The structural unit (s) is derived from a monomer having no acid labile group (hereinafter sometimes referred to as “monomer (s)”).
Examples of the structural unit (s) include a structural unit represented by the formula (a2-2) (hereinafter may be referred to as “structural unit (a2-2)”).
Figure 0006252049
[In the formula (a2-2),
R a32 represents a hydrogen atom or a methyl group.
R a33 is a halogen atom, a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an acyl group having 2 to 4 carbon atoms, an acyloxy group having 2 to 4 carbon atoms, an acryloyl group, or methacryloyl. Represents a group.
mb represents the integer of 0-4. When ma is an integer of 2 or more, the plurality of R a33 are the same or different from each other.
R a34 represents an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms and an acyl group having 2 to 8 carbon atoms. ]

アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基及びオクチル基等が挙げられる。
アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、バレイル基、ヘキサノイル基、ヘプタノイル基、オクタノイル基等のアルキル基とカルボニル基とが結合したもの、ベンゾイル基等のアリール基とカルボニル基とが結合したものが挙げられる。
a34は、好ましくは炭素数1〜8のアルキル基であり、より好ましくは炭素数1〜4のアルキル基である。
a32は、好ましくは、水素原子である。
a33は、式(a2−1)のRa31と同様のものが挙げられる。
mbは0、1又は2が好ましく、0又は1がより好ましく、0がさらに好ましい。
Examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, a hexyl group, and an octyl group.
As the acyl group, for example, an acetyl group, a propionyl group, a butyryl group, a valeryl group, a hexanoyl group, a heptanoyl group, an octanoyl group or the like in which an alkyl group and a carbonyl group are bonded, an aryl group such as a benzoyl group and a carbonyl group Are combined.
R a34 is preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and more preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
R a32 is preferably a hydrogen atom.
As R a33 , the same as R a31 in formula (a2-1) can be mentioned.
mb is preferably 0, 1 or 2, more preferably 0 or 1, and still more preferably 0.

構造単位(a2−2)としては、式(a2−2−1)〜式(a2−2−6)で表される構造単位が挙げられる。

Figure 0006252049
As the structural unit (a2-2), structural units represented by formula (a2-2-1) to formula (a2-2-6) can be given.
Figure 0006252049

樹脂(A)が構造単位(a2−2)を有する場合、その含有率は、樹脂(A)の全構造単位に対して、1〜40モル%が好ましく、3〜30モル%がより好ましく、5〜20モル%がさらに好ましい。   When the resin (A) has a structural unit (a2-2), the content is preferably 1 to 40 mol%, more preferably 3 to 30 mol%, based on all structural units of the resin (A). 5-20 mol% is more preferable.

樹脂(A)において、構造単位(a1)及び構造単位(h)の含有比率〔構造単位(a1):構造単位(h)(モル比)〕は、10:90〜95:5が好ましく、15:85〜85:15がより好ましく、20:80〜70:30がさらに好ましい。   In the resin (A), the content ratio of the structural unit (a1) and the structural unit (h) [structural unit (a1): structural unit (h) (molar ratio)] is preferably 10:90 to 95: 5, 15 : 85 to 85:15 is more preferable, and 20:80 to 70:30 is more preferable.

樹脂(A)を構成する各構造単位は、これら構造単位を導くモノマーを用いて、公知の重合法(例えばラジカル重合法)によって製造することができる。各構造単位の含有率は、樹脂(A)を製造する際に用いるモノマーの使用量で調整できる。
ただし、モノマー(h)としては、該モノマーが有するフェノール性ヒドロキシ基を予め保護基で保護したモノマーを用いることが好ましい。樹脂(A)は、重合反応の後、脱保護処理することにより製造できる。該保護基は、酸で脱保護できる保護基でもよいが、構造単位(a1)が有する酸不安定きを著しく損なわない点で、塩基で脱保護できる保護基が好ましい。該保護基としては、例えば、アセチル基が挙げられる。
また、構造単位(a1−4)、構造単位(a1−5)及び構造単位(a2−2)は、これらに相当するモノマー(h)を重合させた後、フェノール性ヒドロキシ基にエーテル化又はエステル化反応を行うことにより、導入することができる。
Each structural unit constituting the resin (A) can be produced by a known polymerization method (for example, radical polymerization method) using a monomer that derives these structural units. The content rate of each structural unit can be adjusted with the usage-amount of the monomer used when manufacturing resin (A).
However, as the monomer (h), it is preferable to use a monomer in which the phenolic hydroxy group of the monomer is previously protected with a protecting group. Resin (A) can be manufactured by deprotecting after a polymerization reaction. The protecting group may be a protecting group that can be deprotected with an acid, but a protecting group that can be deprotected with a base is preferable in that the acid labile property of the structural unit (a1) is not significantly impaired. Examples of the protecting group include an acetyl group.
In addition, the structural unit (a1-4), the structural unit (a1-5), and the structural unit (a2-2) are obtained by polymerizing the monomer (h) corresponding thereto and then etherifying or esterifying the phenolic hydroxy group. It can introduce | transduce by performing a chemical reaction.

樹脂(A)の具体例を構造単位の組み合わせで示すと、例えば、式(A−1)〜式(A−8)で表される樹脂が挙げられる。

Figure 0006252049
If the specific example of resin (A) is shown by the combination of a structural unit, resin represented by Formula (A-1)-Formula (A-8) will be mentioned, for example.
Figure 0006252049

樹脂(A)の重量平均分子量は、好ましくは、2,500以上50,000以下であり、より好ましくは3,000以上30,000以下である。なお、ここでいう重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより、標準ポリスチレン基準の換算値として求められるものである。この分析の詳細な分析条件は、本願の実施例に記載する。   The weight average molecular weight of the resin (A) is preferably 2,500 or more and 50,000 or less, and more preferably 3,000 or more and 30,000 or less. In addition, the weight average molecular weight here is calculated | required as a conversion value of a standard polystyrene reference | standard by gel permeation chromatography. Detailed analysis conditions for this analysis are described in the Examples of the present application.

樹脂(A)の含有率は、固形分の総量に対して、好ましくは80質量%以上99質量%以下である。尚、本明細書において「固形分」とは、本発明のレジスト組成物から溶剤(D)を除いた成分の合計を意味する。該固形分の質量及び本発明のレジスト組成物に含まれる各成分の含有量は、例えば、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定することができる。   The content of the resin (A) is preferably 80% by mass or more and 99% by mass or less with respect to the total amount of the solid content. In the present specification, the “solid content” means the total of components excluding the solvent (D) from the resist composition of the present invention. The mass of the solid content and the content of each component contained in the resist composition of the present invention can be measured by known analysis means such as liquid chromatography or gas chromatography.

<酸発生剤(B)>
酸発生剤(B)は、放射線の照射により、酸を発生する化合物であり、非イオン系酸発生剤とイオン系酸発生剤とを含有する。非イオン系酸発生剤は、分子内にイオン結合を有しない酸発生剤であり、イオン系酸発生剤は、分子内にイオン結合を有する酸発生剤である。
<Acid generator (B)>
The acid generator (B) is a compound that generates an acid when irradiated with radiation, and contains a nonionic acid generator and an ionic acid generator. The nonionic acid generator is an acid generator having no ionic bond in the molecule, and the ionic acid generator is an acid generator having an ionic bond in the molecule.

<酸発生剤(B1)>
酸発生剤(B1)としては、例えば、有機ハロゲン化物、スルホネートエステル類(例えば2−ニトロベンジルエステル、芳香族スルホネート、オキシムスルホネート、N−スルホニルオキシイミド、スルホニルオキシケトン、ジアゾナフトキノン4−スルホネート)、及びスルホン類(例えばジスルホン、ケトスルホン、スルホニルジアゾメタン)などが挙げられる。酸発生剤(B1)は、好ましくは、スルホネートエステル類及び/又はスルホン類であり、より好ましくは、式(b1−1)で表される化合物及び/又は式(b1−2)で表される化合物である。

Figure 0006252049
[式(b−1)中、Rb1及びRb2は、互いに独立に、炭素数1〜10の炭化水素基を表す。]
Figure 0006252049
[式(b1−2)中、Rb3は、フッ素原子を有してもよい炭素数1〜18の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置換されてもよい。
b4は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又はアルコキシ基を表す。] <Acid generator (B1)>
Examples of the acid generator (B1) include organic halides, sulfonate esters (for example, 2-nitrobenzyl ester, aromatic sulfonate, oxime sulfonate, N-sulfonyloxyimide, sulfonyloxyketone, diazonaphthoquinone 4-sulfonate), And sulfones (for example, disulfone, ketosulfone, sulfonyldiazomethane) and the like. The acid generator (B1) is preferably a sulfonate ester and / or a sulfone, more preferably a compound represented by the formula (b1-1) and / or a formula (b1-2). A compound.
Figure 0006252049
[In formula (b-1), R b1 and R b2 each independently represent a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms. ]
Figure 0006252049
[In Formula (b1-2), R b3 represents a C 1-18 hydrocarbon group which may have a fluorine atom, and the methylene group contained in the hydrocarbon group is an oxygen atom or a carbonyl group. May be substituted.
R b4 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or an alkoxy group. ]

b1、Rb2及びRb3の炭化水素基は、例えば、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基等である。具体的には、式(2)のRa1’及びRa2’におけるものと同様の基が挙げられる。 Examples of the hydrocarbon group for R b1 , R b2, and R b3 include an aliphatic hydrocarbon group, an alicyclic hydrocarbon group, and an aromatic hydrocarbon group. Specific examples include the same groups as those in R a1 ′ and R a2 ′ in formula (2).

フッ素原子を有する炭化水素基は、例えば、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、1,1−ジフルオロエチル基、2,2−ジフルオロエチル基、2,2,2−トリフルオロエチル基、ペルフルオロエチル基、1,1,2,2−テトラフルオロプロピル基、1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロプロピル基、ペルフルオロエチルメチル基、1−(トリフルオロメチル)−1,2,2,2−テトラフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、1,1,2,2−テトラフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3,4,4−オクタフルオロブチル基、ペルフルオロブチル基、1,1−ビス(トリフルオロ)メチル−2,2,2−トリフルオロエチル基、2−(ペルフルオロプロピル)エチル基、1,1,2,2,3,3,4,4−オクタフルオロペンチル基、ペルフルオロペンチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5−デカフルオロペンチル基、1,1−ビス(トリフルオロメチル)−2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル基、ペルフルオロペンチル基、2−(ペルフルオロブチル)エチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5−デカフルオロヘキシル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6−ドデカフルオロヘキシル基、ペルフルオロペンチルメチル基及びペルフルオロヘキシル基等のフッ化アルキル基;
ペルフルオロシクロヘキシル基、ペルフルオロアダマンチル基等のフッ素原子を有する脂環式炭化水素基;
フルオロフェニル基、ペルフルオロフェニル基、フルオロナフチル基等のフッ化アリール基等が挙げられる。
フッ素原子を有する炭素数1〜18の炭化水素基としては、好ましくは、フッ素原子を有する炭素数1〜10のアルキル基又はフッ素原子を有する炭素数6〜14の芳香族炭化水素基であり、より好ましくは炭素数1〜8のペルフルオロアルキル基であり、さらに好ましくは炭素数1〜4のペルフルオロアルキル基である。
Examples of the hydrocarbon group having a fluorine atom include a difluoromethyl group, a trifluoromethyl group, a 1,1-difluoroethyl group, a 2,2-difluoroethyl group, a 2,2,2-trifluoroethyl group, and a perfluoroethyl group. 1,1,2,2-tetrafluoropropyl group, 1,1,2,2,3,3-hexafluoropropyl group, perfluoroethylmethyl group, 1- (trifluoromethyl) -1,2,2, 2-tetrafluoroethyl group, perfluoropropyl group, 1,1,2,2-tetrafluorobutyl group, 1,1,2,2,3,3-hexafluorobutyl group, 1,1,2,2,3 , 3,4,4-octafluorobutyl group, perfluorobutyl group, 1,1-bis (trifluoro) methyl-2,2,2-trifluoroethyl group, 2- (perfluoropropylene ) Ethyl group, 1,1,2,2,3,3,4,4-octafluoropentyl group, perfluoropentyl group, 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-deca Fluoropentyl group, 1,1-bis (trifluoromethyl) -2,2,3,3,3-pentafluoropropyl group, perfluoropentyl group, 2- (perfluorobutyl) ethyl group, 1,1,2,2 3,3,4,4,5,5-decafluorohexyl group, 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-dodecafluorohexyl group, perfluoropentylmethyl Groups and fluorinated alkyl groups such as perfluorohexyl groups;
An alicyclic hydrocarbon group having a fluorine atom such as a perfluorocyclohexyl group or a perfluoroadamantyl group;
Examples thereof include fluorinated aryl groups such as a fluorophenyl group, a perfluorophenyl group, and a fluoronaphthyl group.
The hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms having a fluorine atom is preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms having a fluorine atom or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 14 carbon atoms having a fluorine atom, More preferably, it is a C1-C8 perfluoroalkyl group, More preferably, it is a C1-C4 perfluoroalkyl group.

炭化水素基に含まれるメチレン基が酸素原子又はカルボニル基で置換された基としては、例えば、式(Y1)〜式(Y12)のいずれかで表される基が挙げられる。好ましくは、式(Y7)〜式(Y9)のいずれかで表される基であり、より好ましくは、式(Y9)で表される基である。

Figure 0006252049
Examples of the group in which the methylene group contained in the hydrocarbon group is substituted with an oxygen atom or a carbonyl group include groups represented by any of formulas (Y1) to (Y12). Preferably, it is group represented by either of Formula (Y7)-Formula (Y9), More preferably, it is group represented by Formula (Y9).
Figure 0006252049

b1及びRb2は、好ましくは、互いに独立に、炭素数1〜10の脂肪族炭化水素基、炭素数3〜10の脂環式炭化水素基、炭素数6〜10の芳香族炭化水素基、又は、脂肪族炭化水素基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた炭素数4〜10の炭化水素基である。
b3は、好ましくは、炭素数1〜10の脂肪族炭化水素基、炭素数3〜10の脂環式炭化水素基、炭素数6〜10の芳香族炭化水素基、又は、脂肪族炭化水素基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた炭素数4〜10の炭化水素基であり、これらの基に含まれるメチレン基は、カルボニル基に置き換わっていてもよい。
R b1 and R b2 are preferably independently of each other an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 10 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms. Or it is a C4-C10 hydrocarbon group which combined the aliphatic hydrocarbon group and the alicyclic hydrocarbon group.
R b3 is preferably an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 10 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms, or an aliphatic hydrocarbon. A hydrocarbon group having 4 to 10 carbon atoms, which is a combination of a group and an alicyclic hydrocarbon group, and the methylene group contained in these groups may be replaced by a carbonyl group.

式(b1−1)で表される酸発生剤の具体例としては、下記の化合物が挙げられる。

Figure 0006252049
Specific examples of the acid generator represented by the formula (b1-1) include the following compounds.
Figure 0006252049

式(b1−2)で表される酸発生剤の具体例としては、下記の化合物が挙げられる。

Figure 0006252049
Specific examples of the acid generator represented by the formula (b1-2) include the following compounds.
Figure 0006252049

酸発生剤(B1)の含有量は、樹脂(A)100質量部に対して、通常、0.5質量部以上20質量部以下であり、好ましくは1質量部以上10質量部以下であり、より好ましくは2質量部以下5質量部以下である。   The content of the acid generator (B1) is usually 0.5 parts by mass or more and 20 parts by mass or less, preferably 1 part by mass or more and 10 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the resin (A). More preferably, it is 2 parts by mass or less and 5 parts by mass or less.

<酸発生剤(B2)>
酸発生剤(B2)としては、オニウムカチオンを含むオニウム塩(例えばジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩)などが挙げられる。オニウム塩のアニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミド酸アニオン、及びスルホニルメチド酸アニオンなどが挙げられる。好ましくは、スルホン酸アニオンであり、より好ましくは、式(b2)で表される酸発生剤である。

Figure 0006252049
[ 式(b2)中、
b5は、フッ素原子を有してもよい炭素数1〜32の炭化水素基を表し、該炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
は有機カチオンを表す。] <Acid generator (B2)>
Examples of the acid generator (B2) include onium salts containing onium cations (for example, diazonium salts, phosphonium salts, sulfonium salts, iodonium salts) and the like. Examples of the anion of the onium salt include a sulfonate anion, a sulfonylimide acid anion, and a sulfonylmethide acid anion. Preferred is a sulfonate anion, and more preferred is an acid generator represented by the formula (b2).
Figure 0006252049
[In Formula (b2),
R b5 represents a hydrocarbon group having 1 to 32 carbon atoms which may have a fluorine atom, a methylene group constituting the hydrocarbon group may be replaced by an oxygen atom or a carbonyl group.
A + represents an organic cation. ]

b5の炭化水素基は、例えば、炭素数1〜32の脂肪族炭化水素基、炭素数3〜32の脂環式炭化水素基、炭素数6〜32の芳香族炭化水素基及びこれらを組み合わせた炭素数32以下の基であり、具体的には、式(b1−2)のRb3で挙げたものと同様の基が挙げられる。
b5の炭化水素基の炭素数は、好ましくは1〜20、より好ましくは1〜15である。
The hydrocarbon group of R b5 is, for example, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 32 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 32 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having 6 to 32 carbon atoms, and a combination thereof. And a group having 32 or less carbon atoms, specifically, the same groups as those described for R b3 in formula (b1-2).
The number of carbon atoms in the hydrocarbon group R b5 is preferably 1 to 20, more preferably 1 to 15.

式(b2)のRb5−SO として、例えば、式(b2−5−1)〜式(b2−5−15)のいずれかで表されるアニオンが挙げられ、好ましくは、式(b2−5−4)〜式(B2−5−11)のいずれかで表されるアニオンである。

Figure 0006252049
Examples of R b5 —SO 3 — in formula (b2) include an anion represented by any one of formula (b2-5-1) to formula (b2-5-15), and preferably formula (b2 −5-4) to an anion represented by any one of formulas (B2-5-11).
Figure 0006252049

+の有機カチオンは、有機オニウムカチオン、例えば、有機スルホニウムカチオン、有機ヨードニウムカチオン、有機アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン、有機ホスホニウムカチオン等が挙げられ、好ましくは、有機スルホニウムカチオン又は有機ヨードニウムカチオンであり、より好ましくは、アリールスルホニウムカチオンである。 Examples of the organic cation of A + include organic onium cations such as organic sulfonium cation, organic iodonium cation, organic ammonium cation, benzothiazolium cation, and organic phosphonium cation, and preferably organic sulfonium cation or organic iodonium cation. More preferably an arylsulfonium cation.

式(b2)中のA+は、好ましくは式(b2−1)〜式(b2−4)のいずれかで表されるカチオン〔以下、式番号に応じて「カチオン(b2−1)」等という場合がある。〕である。 A + in the formula (b2) is preferably a cation represented by any one of the formulas (b2-1) to (b2-4) [hereinafter referred to as “cation (b2-1)” or the like depending on the formula number] There is a case. ].

Figure 0006252049
Figure 0006252049

式(b2−1)〜式(b2−4)において、
b4〜Rb6は、それぞれ独立に、炭素数1〜30のアルキル基、炭素数3〜18の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜24の芳香族炭化水素基を表し、該アルキル基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルコキシ基又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、炭素数1〜18のアルキル基、炭素数2〜4のアシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基又は炭素数1〜12のアルコキシ基で置換されていてもよい。
b4とRb5とは、一緒になってそれらが結合する硫黄原子とともに3員環〜12員環(好ましくは3員環〜7員環)を形成してもよい。
In formula (b2-1) to formula (b2-4),
R b4 to R b6 each independently represents an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 24 carbon atoms, and the alkyl group The hydrogen atom contained in is optionally substituted with a hydroxy group, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms, and a hydrogen atom contained in the alicyclic hydrocarbon group Is optionally substituted with a halogen atom, an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an acyl group having 2 to 4 carbon atoms or a glycidyloxy group, and the hydrogen atom contained in the aromatic hydrocarbon group is a halogen atom, It may be substituted with a hydroxy group or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms.
R b4 and R b5 may together form a 3- to 12-membered ring (preferably a 3- to 7-membered ring) with the sulfur atom to which they are bonded.

b7及びRb8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルキル基又は炭素数1〜12のアルコキシ基を表す。
m2及びn2は、それぞれ独立に0〜5の整数を表す。
R b7 and R b8 each independently represent a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms.
m2 and n2 each independently represent an integer of 0 to 5.

b9及びRb10は、それぞれ独立に、炭素数1〜18のアルキル基又は炭素数3〜18の脂環式炭化水素基を表す。
b9とRb10とは、一緒になってそれらが結合する硫黄原子とともに3員環〜12員環(好ましくは3員環〜7員環)を形成してもよい。該環に含まれる−CH−は、−O−、−SO−又は−CO−に置き換わってもよい。
b11は、水素原子、炭素数1〜18のアルキル基、炭素数3〜18の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を表す。
b12は、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数3〜18の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を表し、該芳香族炭化水素基は、炭素数1〜12のアルコキシ基又は炭素数1〜12のアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。
b11とRb12とは、一緒になってそれらが結合する−CH−CO−とともに3員環〜12員環(好ましくは3員環〜7員環)を形成していてもよい。該環に含まれる−CH−は、−O−、−SO−又は−CO−に置き換わってもよい。
R b9 and R b10 each independently represent an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms or an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms.
R b9 and R b10 may together form a 3- to 12-membered ring (preferably a 3- to 7-membered ring) with the sulfur atom to which they are bonded. —CH 2 — contained in the ring may be replaced by —O—, —SO— or —CO—.
R b11 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms.
R b12 represents an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms, and the aromatic hydrocarbon group has It may be substituted with an alkoxy group having 1 to 12 or an alkylcarbonyloxy group having 1 to 12 carbon atoms.
R b11 and R b12 may form a 3- to 12-membered ring (preferably a 3- to 7-membered ring) together with —CH—CO— to which they are bonded. —CH 2 — contained in the ring may be replaced by —O—, —SO— or —CO—.

b13〜Rb18は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルキル基又は炭素数1〜12のアルコキシ基を表す。
b11は、−S−又は−O−を表す。
o2、p2、s2、及びt2は、それぞれ独立に、0〜5の整数を表す。
q2及びr2は、それぞれ独立に、0〜4の整数を表す。
u2は0又は1を表す。
o2が2以上のとき、複数のRb13は同一でも異なってもよく、p2が2以上のとき、複数のRb14は同一でも異なってもよく、q2が2以上のとき、複数のRb15は同一でも異なってもよく、r2が2以上のとき、複数のRb16は同一でも異なってもよく、s2が2以上のとき、複数のRb17は同一でも異なってもよく、t2が2以上のとき、複数のRb18は同一でも異なってもよい。
R b13 to R b18 each independently represent a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms.
L b11 represents -S- or -O-.
o2, p2, s2, and t2 each independently represents an integer of 0 to 5.
q2 and r2 each independently represents an integer of 0 to 4.
u2 represents 0 or 1.
When o2 is 2 or more, the plurality of R b13 may be the same or different. When p2 is 2 or more, the plurality of R b14 may be the same or different. When q2 is 2 or more, the plurality of R b15 is When r2 is 2 or more, a plurality of R b16 may be the same or different. When s2 is 2 or more, a plurality of R b17 may be the same or different, and t2 is 2 or more. Sometimes, the plurality of R b18 may be the same or different.

アルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2−エチルヘキシル基が挙げられる。特に、Rb9〜Rb12のアルキル基は、好ましくは炭素数1〜12である。
脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、アルキル基で置換されていてもよい。この場合、該脂環式炭化水素基の炭素数は、アルキル基の炭素数も含めて20以下である。単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデシル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及び下記の基等が挙げられる。

Figure 0006252049
特に、Rb9〜Rb11の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数3〜18、より好ましくは炭素数4〜12である。 Examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group and 2-ethylhexyl group. . In particular, the alkyl group of R b9 to R b12 preferably has 1 to 12 carbon atoms.
The alicyclic hydrocarbon group may be monocyclic or polycyclic, and the hydrogen atom contained in the alicyclic hydrocarbon group may be substituted with an alkyl group. In this case, the carbon number of the alicyclic hydrocarbon group is 20 or less including the carbon number of the alkyl group. Examples of the monocyclic alicyclic hydrocarbon group include cycloalkyl groups such as a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, and a cyclodecyl group. Examples of the polycyclic alicyclic hydrocarbon group include decahydronaphthyl group, adamantyl group, norbornyl group, and the following groups.
Figure 0006252049
In particular, the alicyclic hydrocarbon group of R b9 to R b11 preferably has 3 to 18 carbon atoms, more preferably 4 to 12 carbon atoms.

水素原子がアルキル基で置換された脂環式炭化水素基としては、例えば、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、2−アルキルアダマンタン−2−イル基、メチルノルボルニル基、イソボルニル基等が挙げられる。   Examples of the alicyclic hydrocarbon group in which a hydrogen atom is substituted with an alkyl group include a methylcyclohexyl group, a dimethylcyclohexyl group, a 2-alkyladamantan-2-yl group, a methylnorbornyl group, and an isobornyl group. Can be mentioned.

芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、p−エチルフェニル基、p−tert−ブチルフェニル基、p−シクロへキシルフェニル基、p−アダマンチルフェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基、フェナントリル基、2,6−ジエチルフェニル基、2−メチル−6−エチルフェニル基等が挙げられる。
水素原子がアルコキシ基で置換された芳香族炭化水素基としては、例えば、p−メトキシフェニル基等が挙げられる。
水素原子が芳香族炭化水素基で置換されたアルキル基、すなわちアラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、トリチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等が挙げられる。
Examples of the aromatic hydrocarbon group include phenyl group, tolyl group, xylyl group, cumenyl group, mesityl group, p-ethylphenyl group, p-tert-butylphenyl group, p-cyclohexylphenyl group, p-adamantyl group. Examples thereof include a phenyl group, a biphenylyl group, a naphthyl group, a phenanthryl group, a 2,6-diethylphenyl group, and a 2-methyl-6-ethylphenyl group.
Examples of the aromatic hydrocarbon group in which a hydrogen atom is substituted with an alkoxy group include a p-methoxyphenyl group.
Examples of the alkyl group in which a hydrogen atom is substituted with an aromatic hydrocarbon group, that is, an aralkyl group, include a benzyl group, a phenethyl group, a phenylpropyl group, a trityl group, a naphthylmethyl group, and a naphthylethyl group.

アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基及びドデシルオキシ基等が挙げられる。
アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基等が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられる。
アルキルカルボニルオキシ基としては、例えば、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、n−ブチルカルボニルオキシ基、sec−ブチルカルボニルオキシ基、tert−ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び2−エチルヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。
Examples of the alkoxy group include methoxy group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, heptyloxy group, octyloxy group, decyloxy group and dodecyloxy group.
Examples of the acyl group include an acetyl group, a propionyl group, and a butyryl group.
Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.
Examples of the alkylcarbonyloxy group include methylcarbonyloxy group, ethylcarbonyloxy group, n-propylcarbonyloxy group, isopropylcarbonyloxy group, n-butylcarbonyloxy group, sec-butylcarbonyloxy group, tert-butylcarbonyloxy group. Group, pentylcarbonyloxy group, hexylcarbonyloxy group, octylcarbonyloxy group, 2-ethylhexylcarbonyloxy group and the like.

b4とRb5とが一緒になって形成してもよい硫黄原子を含む環としては、単環式、多環式、芳香族性、非芳香族性、飽和及び不飽和のいずれの環であってもよく、硫黄原子を1以上含むものであれば、さらに、1以上の硫黄原子及び/又は1以上の酸素原子を含んでいてもよい。該環としては、炭素数3〜18の環が好ましく、炭素数4〜18の環がより好ましい。 The ring containing a sulfur atom which may be formed by combining R b4 and R b5 is any of monocyclic, polycyclic, aromatic, non-aromatic, saturated and unsaturated rings. If it contains one or more sulfur atoms, it may further contain one or more sulfur atoms and / or one or more oxygen atoms. As the ring, a ring having 3 to 18 carbon atoms is preferable, and a ring having 4 to 18 carbon atoms is more preferable.

b9とRb10とが結合する硫黄原子とともに形成する環としては、例えば、チオラン−1−イウム環(テトラヒドロチオフェニウム環)、チアン−1−イウム環、1,4−オキサチアン−4−イウム環等が挙げられる。
b11とRb12とが結合する−CH−CO−とともに形成する環としては、例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環、オキソアダマンタン環等が挙げられる。
Examples of the ring formed together with the sulfur atom to which R b9 and R b10 are bonded include, for example, a thiolane-1-ium ring (tetrahydrothiophenium ring), a thian-1-ium ring, and a 1,4-oxathian-4-ium. A ring etc. are mentioned.
Examples of the ring formed with —CH—CO— in which R b11 and R b12 are bonded include an oxocycloheptane ring, an oxocyclohexane ring, an oxonorbornane ring, and an oxoadamantane ring.

カチオン(b2−1)〜カチオン(b2−4)の中でも、好ましくは、カチオン(b2−1)であり、より好ましくは、式(b2−1−1)で表されるカチオン(以下「カチオン(b2−1−1)」という場合がある。)であり、さらに好ましくは、トリフェニルスルホニウムカチオン(式(b2−1−1)中、v2=w2=x2=0)、ジフェニルトリルスルホニウムカチオン(式(b2−1−1)中、v2=w2=0、x2=1であり、Rb21がメチル基である。)又はトリトリルスルホニウムカチオン(式(b2−1−1)中、v2=w2=x2=1であり、Rb19、Rb20及びRb21がいずれもメチル基である。)である。 Among the cation (b2-1) to cation (b2-4), the cation (b2-1) is preferable, more preferably a cation represented by the formula (b2-1-1) (hereinafter referred to as “cation ( more preferably triphenylsulfonium cation (in formula (b2-1-1), v2 = w2 = x2 = 0), diphenyltolylsulfonium cation (formula In (b2-1-1), v2 = w2 = 0, x2 = 1, and R b21 is a methyl group.) Or a tolylsulfonium cation (in the formula (b2-1-1), v2 = w2 = x2 = 1, and R b19 , R b20 and R b21 are all methyl groups.).

Figure 0006252049
式(b2−1−1)中、
b19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子(より好ましくはフッ素原子)、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のアルコキシ基又は炭素数3〜18の脂環式炭化水素基を表す。また、Rb19〜Rb21から選ばれる2つが一緒になって硫黄原子を含む環を形成してもよい。
v2、w2及びx2は、それぞれ独立に0〜5の整数(好ましくは0又は1)を表す。
v2が2以上のとき、複数のRb19は同一又は相異なり、w2が2以上のとき、複数のRb20は同一又は相異なり、x2が2以上のとき、複数のRb21は同一又は相異なる。
Figure 0006252049
In formula (b2-1-1),
R b19 , R b20 and R b21 each independently represent a halogen atom (more preferably a fluorine atom), a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, or 3 to 18 carbon atoms. Represents an alicyclic hydrocarbon group. It is also possible that two selected from R b19 to R b21 together form a ring containing a sulfur atom.
v2, w2 and x2 each independently represent an integer of 0 to 5 (preferably 0 or 1).
When v2 is 2 or more, the plurality of R b19 are the same or different, when w2 is 2 or more, the plurality of R b20 are the same or different, and when x2 is 2 or more, the plurality of R b21 are the same or different. .

なかでも、Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、好ましくは、ハロゲン原子(より好ましくはフッ素原子)、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルキル基又は炭素数1〜12のアルコキシ基である。 Among them, R b19 , R b20 and R b21 are preferably each independently a halogen atom (more preferably a fluorine atom), a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms. It is.

式(b2−1−1)で表されるカチオンとしては、具体的には、特開2010−204646号公報に記載されたカチオンが挙げられる。   Specific examples of the cation represented by the formula (b2-1-1) include cations described in JP 2010-204646 A.

式(b2)で表される塩は、上述の有機カチオンと上述のアニオンの組合せである。これらは任意に組み合わせることができる。好ましい組み合わせとしては、例えば、下記式で表される塩である。

Figure 0006252049
The salt represented by the formula (b2) is a combination of the above organic cation and the above anion. These can be arbitrarily combined. A preferable combination is, for example, a salt represented by the following formula.
Figure 0006252049

酸発生剤(B2)の含有量は、樹脂(A)100質量部に対して、0.5質量部以上20質量部以下であり、好ましくは0.5質量部以上15質量部以下であり、より好ましくは0.7質量部以上15質量部以下であり、さらに好ましくは0.8質量部以上10質量部以下である。
酸発生剤(B)の含有量は、樹脂(A)100質量部に対して、好ましくは1質量部以上30質量部以下であり、より好ましくは2質量部以上25質量部以下であり、さらに好ましくは3質量部以上25質量部以下である。
酸発生剤(B1)と酸発生剤(B2)との含有量比(質量基準)は、通常、酸発生剤(B1):酸発生剤(B2)=40:60〜95:5であり、好ましくは酸発生剤(B1):酸発生剤(B2)=50:50〜95:5であり、より好ましくは酸発生剤(B1):酸発生剤(B2)=60:40〜90:10である。
The content of the acid generator (B2) is 0.5 parts by mass or more and 20 parts by mass or less, preferably 0.5 parts by mass or more and 15 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the resin (A). More preferably, they are 0.7 mass part or more and 15 mass parts or less, More preferably, they are 0.8 mass part or more and 10 mass parts or less.
The content of the acid generator (B) is preferably 1 part by mass or more and 30 parts by mass or less, more preferably 2 parts by mass or more and 25 parts by mass or less, with respect to 100 parts by mass of the resin (A). Preferably they are 3 to 25 mass parts.
The content ratio (mass basis) of the acid generator (B1) and the acid generator (B2) is usually acid generator (B1): acid generator (B2) = 40: 60 to 95: 5, Preferably, the acid generator (B1): acid generator (B2) = 50: 50 to 95: 5, more preferably the acid generator (B1): acid generator (B2) = 60: 40 to 90:10. It is.

<架橋剤(E)>
架橋剤(E)は、酸の作用により架橋反応を起こす化合物であり、例えば、式(e−1)で表される基を有する化合物である。

Figure 0006252049
式(e−1)中、
e1は、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜10の脂環式炭化水素基及び炭素数3〜6のオキソアルキル基を表す。
オキソアルキル基としては、2−オキソプロピル基、2−オキソブチル基、2−オキソペンチル基、2−オキソヘキシル基等が挙げられる。 <Crosslinking agent (E)>
A crosslinking agent (E) is a compound which raise | generates a crosslinking reaction by the effect | action of an acid, for example, is a compound which has group represented by Formula (e-1).
Figure 0006252049
In formula (e-1),
R e1 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 10 carbon atoms, and an oxoalkyl group having 3 to 6 carbon atoms.
Examples of the oxoalkyl group include a 2-oxopropyl group, a 2-oxobutyl group, a 2-oxopentyl group, and a 2-oxohexyl group.

式(e−1)で表される基を有する化合物としては、例えば、尿素系化合物、メラミン系化合物等が挙げられる。
尿素系化合物としては、式(e−2)で表される化合物及び式(e−3)で表される化合物が好ましい。

Figure 0006252049
式(e−2)及び式(e−3)中、
e1は、上記と同じ意味を表し、複数のRe1は、互いに同一でも異なってもよい。
e2及びRe3は、互いに独立に、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜10の脂環式炭化水素基、炭素数2〜6のアルコキシアルキル基を表すか、一緒になって−N−CO−N−とともに環を形成してもよく、該環は炭素数1〜4のアルコキシ基を有していてもよい。 Examples of the compound having a group represented by the formula (e-1) include urea compounds and melamine compounds.
As the urea compound, a compound represented by the formula (e-2) and a compound represented by the formula (e-3) are preferable.
Figure 0006252049
In formula (e-2) and formula (e-3),
R e1 represents the same meaning as described above, and a plurality of R e1 may be the same as or different from each other.
R e2 and R e3 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 10 carbon atoms, an alkoxyalkyl group having 2 to 6 carbon atoms, or together And may form a ring together with -N-CO-N-, and the ring may have an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms.

式(e−2)で表される化合物としては、例えば、下記の化合物が挙げられる。

Figure 0006252049
Examples of the compound represented by the formula (e-2) include the following compounds.
Figure 0006252049

式(e−3)で表される化合物としては、例えば、下記の化合物が挙げられる。

Figure 0006252049
Examples of the compound represented by formula (e-3) include the following compounds.
Figure 0006252049

メラミン系化合物としては、式(e−3)で表される化合物が好ましい。

Figure 0006252049
式(e−3)中、
e1は、上記と同じ意味を表し、複数のRe1は、互いに同一でも異なってもよい。
e4は、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数〜10の脂環式炭化水素基又は−NRe7−CH−O−Re1を表す。
e5、Re6及びRe7は、互いに独立に、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜10の脂環式炭化水素基又は−CH−O−Re1を表す。 As the melamine compound, a compound represented by the formula (e-3) is preferable.
Figure 0006252049
In formula (e-3),
R e1 represents the same meaning as described above, and a plurality of R e1 may be the same as or different from each other.
R e4 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 10 to 10 carbon atoms, or —NR e7 —CH 2 —O—R e1 .
R e5 , R e6 and R e7 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 10 carbon atoms, or —CH 2 —O—R e1 .

式(e−3)で表される化合物としては、例えば、下記の化合物が挙げられる。

Figure 0006252049
Examples of the compound represented by formula (e-3) include the following compounds.
Figure 0006252049

架橋剤(E)の含有量は、樹脂(A)100質量部に対して、好ましくは4質量部以上25質量部以下であり、より好ましくは5質量部以上20質量部以下である。   The content of the crosslinking agent (E) is preferably 4 parts by mass or more and 25 parts by mass or less, and more preferably 5 parts by mass or more and 20 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the resin (A).

<クエンチャー(C)>
本発明のレジスト組成物におけるクエンチャーは、酸拡散抑制作用、つまり、露光により酸発生剤から発生する酸をトラップする作用を有する化合物であればよく、この作用に加えて、自ら酸を発生し得る化合物であってもよい。クエンチャーとしては、例えば、塩基性の含窒素有機化合物及び弱酸塩が挙げられる。
<Quencher (C)>
The quencher in the resist composition of the present invention may be any compound that has an acid diffusion suppressing action, that is, a compound that traps an acid generated from an acid generator upon exposure. In addition to this action, the quencher generates an acid itself. It may be a compound obtained. Examples of the quencher include basic nitrogen-containing organic compounds and weak acid salts.

塩基性の含窒素有機化合物としては、例えば、アミン及びアンモニウム塩が挙げられる。アミンとしては、脂肪族アミン及び芳香族アミンが挙げられる。また、アミンは、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンが挙げられる。
アミンとしては、好ましくは、式(C1)〜式(C8)及び式(C1−1)のいずれかで表される化合物である。
Examples of basic nitrogen-containing organic compounds include amines and ammonium salts. Examples of amines include aliphatic amines and aromatic amines. Examples of amines include primary amines, secondary amines, and tertiary amines.
The amine is preferably a compound represented by any one of formula (C1) to formula (C8) and formula (C1-1).

Figure 0006252049
[式(C1)中、
c1、Rc2及びRc3は、互いに独立に、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数5〜10の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜10の芳香族炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基又は炭素数1〜6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数5〜10の脂環式炭化水素又は炭素数6〜10の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。]
Figure 0006252049
[In the formula (C1),
R c1 , R c2 and R c3 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 5 to 10 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms. The hydrogen atom contained in the alkyl group and the alicyclic hydrocarbon group may be substituted with a hydroxy group, an amino group, or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, and the aromatic hydrocarbon group The hydrogen atom contained is substituted with an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon having 5 to 10 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms. It may be. ]

Figure 0006252049
[式(C1−1)中、
c2及びRc3は、前記と同義である。
c4は、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数5〜10の脂環式炭化水素又は炭素数6〜10の芳香族炭化水素基を表す。
m3は0〜3の整数を表し、m3が2以上のとき、複数のRc4は、互いに同一でも異なってもよい。]
Figure 0006252049
[In the formula (C1-1),
R c2 and R c3 are as defined above.
R c4 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon having 5 to 10 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms.
m3 represents an integer of 0 to 3, and when m3 is 2 or more, a plurality of R c4 s may be the same as or different from each other. ]

Figure 0006252049
[式(C2)、式(C3)及び式(C4)中、
c5、Rc6、Rc7及びRc8は、互いに独立に、Rc1と同義である。
c9は、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜6の脂環式炭化水素基又は炭素数2〜6のアルカノイル基を表す。
n3は0〜8の整数を表し、n3が2以上のとき、複数のRc9は、互いに同一でも異なってもよい。]
Figure 0006252049
[In Formula (C2), Formula (C3) and Formula (C4),
R c5 , R c6 , R c7 and R c8 are the same as R c1 independently of each other.
R c9 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 6 carbon atoms, or an alkanoyl group having 2 to 6 carbon atoms.
n3 represents an integer of 0 to 8, and when n3 is 2 or more, the plurality of R c9 may be the same as or different from each other. ]

Figure 0006252049
[式(C5)及び式(C6)中、
c10、Rc11、Rc12、Rc13及びRc16は、互いに独立に、Rc1と同義である。
c14、Rc15及びRc17は、互いに独立に、Rc4と同義である。
o3及びp3は、互いに独立に0〜3の整数を表し、o3が2以上のとき、複数のRc14は互いに同一でも異なってもよく、p3が2以上のとき、複数のRc15は互いに同一でも異なってもよい。
c1は、炭素数1〜6のアルカンジイル基、−CO−、−C(=NH)−、−S−又はこれらを組合せた2価の基を表す。]
Figure 0006252049
[In Formula (C5) and Formula (C6),
R c10 , R c11 , R c12 , R c13 and R c16 have the same meaning as R c1 independently of each other.
R c14 , R c15 and R c17 have the same meaning as R c4 independently of each other.
o3 and p3 each independently represent an integer of 0 to 3, and when o3 is 2 or more, the plurality of R c14 may be the same or different from each other. When p3 is 2 or more, the plurality of R c15 are the same as each other But it may be different.
L c1 represents an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms, —CO—, —C (═NH) —, —S—, or a divalent group obtained by combining these. ]

Figure 0006252049
[式(C7)及び式(C8)中、
c18、Rc19及びRc20は、互いに独立に、Rc4と同義である。
q3、r3及びs3は、互いに独立に0〜3の整数を表し、q3が2以上のとき、複数のRc18は互いに同一でも異なってもよく、r3が2以上のとき、複数のRc19は互いに同一でも異なってもよく、s3が2以上のとき、複数のRc20は互いに同一でも異なってもよい。
c2は、単結合又は炭素数1〜6のアルカンジイル基、−CO−、−C(=NH)−、−S−又はこれらを組合せた2価の基を表す。]
Figure 0006252049
[In Formula (C7) and Formula (C8),
R c18, R c19 and R c 20 are each independently the same meaning as R c4.
q3, r3 and s3 each independently represent an integer of 0 to 3. When q3 is 2 or more, a plurality of R c18 may be the same or different from each other. When r3 is 2 or more, a plurality of R c19 is They may be the same or different, and when s3 is 2 or more, the plurality of R c20 may be the same or different.
L c2 represents a single bond or an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms, —CO—, —C (═NH) —, —S—, or a divalent group obtained by combining these. ]

式(C1)〜式(C8)及び式(C1−1)においては、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、アルコキシ基及びアルカンジイル基は、上述したものと同様のものが挙げられる。
アルカノイル基としては、アセチル基、2−メチルアセチル基、2,2−ジメチルアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ペンタノイル基、2,2−ジメチルプロピオニル基等が挙げられる。
In formula (C1) to formula (C8) and formula (C1-1), the alkyl group, alicyclic hydrocarbon group, aromatic hydrocarbon group, alkoxy group and alkanediyl group are the same as those described above. Is mentioned.
Examples of the alkanoyl group include acetyl group, 2-methylacetyl group, 2,2-dimethylacetyl group, propionyl group, butyryl group, isobutyryl group, pentanoyl group, and 2,2-dimethylpropionyl group.

式(C1)で表される化合物としては、1−ナフチルアミン、2−ナフチルアミン、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2−,3−又は4−メチルアニリン、4−ニトロアニリン、N−メチルアニリン、N,N−ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔2−(2−メトキシエトキシ)エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’−ジアミノ−1,2−ジフェニルエタン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジメチルジフェニルメタン及び4,4’−ジアミノ−3,3’−ジエチルジフェニルメタン等が挙げられ、好ましくはジイソプロピルアニリンが挙げられ、特に好ましくは2,6−ジイソプロピルアニリンが挙げられる。   Examples of the compound represented by the formula (C1) include 1-naphthylamine, 2-naphthylamine, aniline, diisopropylaniline, 2-, 3- or 4-methylaniline, 4-nitroaniline, N-methylaniline, N, N- Dimethylaniline, diphenylamine, hexylamine, heptylamine, octylamine, nonylamine, decylamine, dibutylamine, dipentylamine, dihexylamine, diheptylamine, dioctylamine, dinonylamine, didecylamine, triethylamine, trimethylamine, tripropylamine, tributylamine, tri Pentylamine, trihexylamine, triheptylamine, trioctylamine, trinonylamine, tridecylamine, methyldibutylamine, methyldipentylamine, methyl Hexylamine, methyldicyclohexylamine, methyldiheptylamine, methyldioctylamine, methyldinonylamine, methyldidecylamine, ethyldibutylamine, ethyldipentylamine, ethyldihexylamine, ethyldiheptylamine, ethyldioctylamine, ethyldinonyl Amine, ethyldidecylamine, dicyclohexylmethylamine, tris [2- (2-methoxyethoxy) ethyl] amine, triisopropanolamine, ethylenediamine, tetramethylenediamine, hexamethylenediamine, 4,4′-diamino-1,2- Examples include diphenylethane, 4,4′-diamino-3,3′-dimethyldiphenylmethane, and 4,4′-diamino-3,3′-diethyldiphenylmethane. Ropiruanirin. Particularly preferred include 2,6-diisopropylaniline.

式(C2)で表される化合物としては、ピペラジン等が挙げられる。
式(C3)で表される化合物としては、モルホリン等が挙げられる。
式(C4)で表される化合物としては、ピペリジン及び特開平11−52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物等が挙げられる。
式(C5)で表される化合物としては、2,2’−メチレンビスアニリン等が挙げられる。
式(C6)で表される化合物としては、イミダゾール及び4−メチルイミダゾール等が挙げられる。
式(C7)で表される化合物としては、ピリジン及び4−メチルピリジン等が挙げられる。
式(C8)で表される化合物としては、1,2−ジ(2−ピリジル)エタン、1,2−ジ(4−ピリジル)エタン、1,2−ジ(2−ピリジル)エテン、1,2−ジ(4−ピリジル)エテン、1,3−ジ(4−ピリジル)プロパン、1,2−ジ(4−ピリジルオキシ)エタン、ジ(2−ピリジル)ケトン、4,4’−ジピリジルスルフィド、4,4’−ジピリジルジスルフィド、2,2’−ジピリジルアミン、2,2’−ジピコリルアミン及びビピリジン等が挙げられる。
Examples of the compound represented by the formula (C2) include piperazine.
Examples of the compound represented by the formula (C3) include morpholine.
Examples of the compound represented by the formula (C4) include piperidine and hindered amine compounds having a piperidine skeleton described in JP-A No. 11-52575.
Examples of the compound represented by the formula (C5) include 2,2′-methylenebisaniline.
Examples of the compound represented by the formula (C6) include imidazole and 4-methylimidazole.
Examples of the compound represented by the formula (C7) include pyridine and 4-methylpyridine.
Examples of the compound represented by the formula (C8) include 1,2-di (2-pyridyl) ethane, 1,2-di (4-pyridyl) ethane, 1,2-di (2-pyridyl) ethene, 1, 2-di (4-pyridyl) ethene, 1,3-di (4-pyridyl) propane, 1,2-di (4-pyridyloxy) ethane, di (2-pyridyl) ketone, 4,4′-dipyridyl sulfide 4,4′-dipyridyl disulfide, 2,2′-dipyridylamine, 2,2′-dipiconylamine, bipyridine and the like.

アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3−(トリフルオロメチル)フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−ブチルアンモニウムサリチラート及びコリン等が挙げられる。   As ammonium salts, tetramethylammonium hydroxide, tetraisopropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, tetrahexylammonium hydroxide, tetraoctylammonium hydroxide, phenyltrimethylammonium hydroxide, 3- (trifluoromethyl) phenyltrimethyl Ammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium salicylate, choline and the like can be mentioned.

弱酸塩としては、構造単位(p)から発生する酸及び酸発生剤(B)から発生する酸よりも弱い酸の塩が挙げられ、例えば、カルボン酸塩やスルホン酸塩であり、好ましくは、式(C10)又は式(C11)で表される塩である。   Examples of weak acid salts include acids generated from the structural unit (p) and acids weaker than acids generated from the acid generator (B), such as carboxylates and sulfonates. It is a salt represented by Formula (C10) or Formula (C11).

Figure 0006252049
[式(C10)中、
C21は、置換基を有していてもよい炭素数1〜10の脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよい炭素数4〜36の脂環式炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数3〜36の芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数3〜36の複素環基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置換されていてもよい。
Z6は、有機カチオンを表す。]
Figure 0006252049
[In the formula (C10),
R C21 has an optionally substituted aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 4 to 36 carbon atoms that may have a substituent, and a substituent. Represents an optionally substituted aromatic hydrocarbon group having 3 to 36 carbon atoms or an optionally substituted heterocyclic group having 3 to 36 carbon atoms, the aliphatic hydrocarbon group and the alicyclic carbonized group. The methylene group contained in the hydrogen group may be substituted with an oxygen atom or a carbonyl group.
Z6 + represents an organic cation. ]

Figure 0006252049
[式(C11)中、
C22及びRC23は、互いに独立に、水素原子、炭素数1〜12の脂肪族炭化水素基、炭素数3〜20の脂環式飽和炭化水素基、炭素数6〜20の芳香族炭化水素基又は炭素数7〜21のアラルキル基を表し、該脂肪族炭化水素基、該脂環式飽和炭化水素基、該芳香族炭化水素基及びアラルキル基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、シアノ基、フッ素原子、トリフルオロメチル基又はニトロ基で置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよく、RC22及びRC23は互いに結合してこれらが結合する窒素原子とともに炭素数4〜20の環を形成してもよい。
Z7は、有機カチオンを表す。]
Figure 0006252049
[In the formula (C11),
R C22 and R C23 are each independently a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, an alicyclic saturated hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon having 6 to 20 carbon atoms. A hydrogen atom contained in the aliphatic hydrocarbon group, the alicyclic saturated hydrocarbon group, the aromatic hydrocarbon group and the aralkyl group is a hydroxy group or a cyano group. , A fluorine atom, a trifluoromethyl group or a nitro group, the methylene group contained in the aliphatic hydrocarbon group may be replaced by an oxygen atom or a carbonyl group, and R C22 and R C23 are A ring having 4 to 20 carbon atoms may be formed together with the nitrogen atom to which they are bonded to each other.
Z7 + represents an organic cation. ]

クエンチャーとしては、窒素原子を有するスルホン酸塩、例えば、式(C9)で表される塩も挙げられる。

Figure 0006252049
[式(C9)中、
C1及びQC2は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
C3は、単結合又は炭素数1〜17の2価の飽和炭化水素基を表し、該2価の飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
は窒素原子を含む有機基を表す。
Z5は、有機カチオンを表す。] Examples of the quencher include a sulfonate having a nitrogen atom, for example, a salt represented by the formula (C9).
Figure 0006252049
[In the formula (C9),
Q C1 and Q C2 each independently represent a fluorine atom or a C 1-6 perfluoroalkyl group.
L C3 represents a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 17 carbon atoms, and the methylene group contained in the divalent saturated hydrocarbon group may be replaced with an oxygen atom or a carbonyl group.
Y N represents an organic group containing a nitrogen atom.
Z5 + represents an organic cation. ]

C1及びQC2は、式(I)のR1及びR2と同じ基が挙げられ、好ましいものも同じである。
は、好ましくは、窒素原子を含む複素環基である。該複素環を構成する複素環としては、例えば、イミダゾール環、モリホリン環等が挙げられる。
Examples of Q C1 and Q C2 include the same groups as R 1 and R 2 in formula (I), and preferred examples are also the same.
Y N is preferably a heterocyclic group containing a nitrogen atom. Examples of the heterocyclic ring constituting the heterocyclic ring include an imidazole ring and a morpholine ring.

C3の飽和炭化水素基は、直鎖状アルカンジイル基、分岐状アルカンジイル基、単環式又は多環式の脂環式飽和炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち2種以上を組み合わせたものでもよい。
具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン−1,3−ジイル基、プロパン−1,2−ジイル基、ブタン−1,4−ジイル基、ペンタン−1,5−ジイル基、ヘキサン−1,6−ジイル基、ヘプタン−1,7−ジイル基、オクタン−1,8−ジイル基、ノナン−1,9−ジイル基、デカン−1,10−ジイル基、ウンデカン−1,11−ジイル基、ドデカン−1,12−ジイル基、トリデカン−1,13−ジイル基、テトラデカン−1,14−ジイル基、ペンタデカン−1,15−ジイル基、ヘキサデカン−1,16−ジイル基、ヘプタデカン−1,17−ジイル基、エタン−1,1−ジイル基、プロパン−1,1−ジイル基及びプロパン−2,2−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基;
1−メチルブタン−1,3−ジイル基、2−メチルプロパン−1,3−ジイル基、2−メチルプロパン−1,2−ジイル基、ペンタン−1,4−ジイル基、2−メチルブタン−1,4−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基;
シクロブタン−1,3−ジイル基、シクロペンタン−1,3−ジイル基、シクロヘキサン−1,4−ジイル基、シクロオクタン−1,5−ジイル基等のシクロアルカンジイル基である単環式の2価の脂環式飽和炭化水素基;
ノルボルナン−1,4−ジイル基、ノルボルナン−2,5−ジイル基、アダマンタン−1,5−ジイル基、アダマンタン−2,6−ジイル基等の多環式の2価の脂環式飽和炭化水素基等が挙げられる。
Examples of the saturated hydrocarbon group for L C3 include a linear alkanediyl group, a branched alkanediyl group, and a monocyclic or polycyclic alicyclic saturated hydrocarbon group, and two or more of these groups are included. It may be a combination.
Specifically, methylene group, ethylene group, propane-1,3-diyl group, propane-1,2-diyl group, butane-1,4-diyl group, pentane-1,5-diyl group, hexane-1 , 6-diyl group, heptane-1,7-diyl group, octane-1,8-diyl group, nonane-1,9-diyl group, decane-1,10-diyl group, undecane-1,11-diyl group , Dodecane-1,12-diyl group, tridecane-1,13-diyl group, tetradecane-1,14-diyl group, pentadecane-1,15-diyl group, hexadecane-1,16-diyl group, heptadecane-1, Linear alkanediyl groups such as 17-diyl group, ethane-1,1-diyl group, propane-1,1-diyl group and propane-2,2-diyl group;
1-methylbutane-1,3-diyl group, 2-methylpropane-1,3-diyl group, 2-methylpropane-1,2-diyl group, pentane-1,4-diyl group, 2-methylbutane-1, Branched alkanediyl groups such as 4-diyl groups;
Monocyclic 2 which is a cycloalkanediyl group such as cyclobutane-1,3-diyl group, cyclopentane-1,3-diyl group, cyclohexane-1,4-diyl group, cyclooctane-1,5-diyl group Valent alicyclic saturated hydrocarbon group;
Polycyclic divalent alicyclic saturated hydrocarbon such as norbornane-1,4-diyl group, norbornane-2,5-diyl group, adamantane-1,5-diyl group, adamantane-2,6-diyl group, etc. Groups and the like.

C3の飽和炭化水素基に含まれるメチレン基が、酸素原子又はカルボニル基に置き換わったものとしては、例えば、式(c9−1)〜式(c9−7)でそれぞれ表される基が挙げられる。*は、C(QC1)(QC2)との結合手を表す。以下の式(c9−1)〜式(c9−7)の具体例も同様である。

Figure 0006252049
式(c9−1)〜式(c9−7)中、
c4は、単結合又は炭素数1〜15の2価の飽和炭化水素基を表す。
c5は、単結合又は炭素数1〜12の2価の飽和炭化水素基を表す。
c6は、炭素数1〜13の2価の飽和炭化水素基を表す。但しLc5及びLc6の合計炭素数の上限は13である。
c7は、単結合又は炭素数1〜14の2価の飽和炭化水素基を表す。
c8は、炭素数1〜15の2価の飽和炭化水素基を表す。但しLC7及びLC8の合計炭素数の上限は15である。
C9は、単結合又は炭素数1〜15の2価の飽和炭化水素基を表す。
C10は、炭素数1〜16の2価の飽和炭化水素基を表す。但しLC9及びLC10の合計炭素数の上限は16である。
C11は、単結合又は炭素数1〜13の2価の飽和炭化水素基を表す。
C12は、炭素数1〜14の2価の飽和炭化水素基を表す。但しLC11及びLC12の合計炭素数の上限は14である。
C13及びLC14は、単結合又は炭素数1〜11の2価の飽和炭化水素基を表す。
C15は、炭素数1〜12の2価の飽和炭化水素基を表す。但しLC13、Lc14及びLC15の合計炭素数の上限は12である。
C16及びLC17は、それぞれ独立に、単結合又は炭素数1〜13の2価の飽和炭化水素基を表す。
C18は、炭素数1〜14の飽和炭化水素基を表す。但しLC16、LC17及びLC18の合計炭素数の上限は14である。 Examples of those in which the methylene group contained in the saturated hydrocarbon group of L C3 is replaced with an oxygen atom or a carbonyl group include groups represented by formulas (c9-1) to (c9-7), respectively. . * Represents a bond with C (Q C1 ) (Q C2 ). The same applies to specific examples of the following formulas (c9-1) to (c9-7).
Figure 0006252049
In formula (c9-1) to formula (c9-7),
L c4 represents a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms.
L c5 represents a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms.
L c6 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 13 carbon atoms. However, the upper limit of the total carbon number of L c5 and L c6 is 13.
L c7 represents a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 14 carbon atoms.
L c8 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms. However, the upper limit of the total carbon number of L C7 and L C8 is 15.
L C9 represents a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms.
L C10 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 16 carbon atoms. However, the upper limit of the total carbon number of L C9 and L C10 is 16.
L C11 represents a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 13 carbon atoms.
L C12 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 14 carbon atoms. However, the upper limit of the total carbon number of L C11 and L C12 is 14.
L C13 and L C14 represent a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 11 carbon atoms.
L C15 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms. However, the upper limit of the total carbon number of L C13 , L c14 and L C15 is 12.
L C16 and L C17 each independently represent a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 13 carbon atoms.
L C18 represents a saturated hydrocarbon group having 1 to 14 carbon atoms. However, the upper limit of the total carbon number of L C16 , L C17 and L C18 is 14.

C3は、式(c9−1)で表される基が好ましく、LC4が単結合又は炭素数1〜6の脂肪族飽和炭化水素基である式(c9−1)で表される基がより好ましい。 L C3 is preferably a group represented by the formula (c9-1), and a group represented by the formula (c9-1) in which L C4 is a single bond or an aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms. More preferred.

式(c9−1)で表される基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 0006252049
Examples of the group represented by the formula (c9-1) include the following.
Figure 0006252049

式(c9−2)で表される基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 0006252049
Examples of the group represented by the formula (c9-2) include the following.
Figure 0006252049

式(c9−3)で表される基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 0006252049
Examples of the group represented by the formula (c9-3) include the following.
Figure 0006252049

式(c9−4)で表される基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 0006252049
Examples of the group represented by the formula (c9-4) include the following.
Figure 0006252049

式(c9−5)で表される基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 0006252049
Examples of the group represented by the formula (c9-5) include the following.
Figure 0006252049

式(c9−6)で表される基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 0006252049
Examples of the group represented by the formula (c9-6) include the following.
Figure 0006252049

式(c9−7)で表される基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Figure 0006252049
Examples of the group represented by the formula (c9-7) include the following.
Figure 0006252049

Z5、Z6及びZ7の有機カチオンとしては、式(B1−1)のZにおけるものと同様の有機カチオンが挙げられ、好ましくは、有機スルホニウムカチオン又は有機ヨードニウムカチオンであり、より好ましくは、式(b2−1)〜式(b2−4)のいずれかで表されるカチオンである。 Examples of the organic cation of Z5 + , Z6 + and Z7 + include the same organic cation as that of Z + in formula (B1-1), preferably an organic sulfonium cation or an organic iodonium cation, more preferably , A cation represented by any one of formulas (b2-1) to (b2-4).

式(C9)で表される塩としては、例えば、下記式で表される塩及び特開2012−6908号公報及び特開2012−72109号公報記載の塩が挙げられる。

Figure 0006252049
Examples of the salt represented by the formula (C9) include salts represented by the following formula and salts described in JP 2012-6908 A and JP 2012-72109 A.
Figure 0006252049

式(C10)で表される塩としては、例えば、下記で表される塩及び特開2011−39502号公報記載の塩が挙げられる。

Figure 0006252049
Examples of the salt represented by the formula (C10) include a salt represented by the following and a salt described in JP2011-39502A.
Figure 0006252049

式(C11)で表される塩としては、例えば、下記で表される塩及び特開2011−191745号公報記載の塩が挙げられる。

Figure 0006252049
As a salt represented by a formula (C11), the salt represented by the following and the salt of Unexamined-Japanese-Patent No. 2011-191745 are mentioned, for example.
Figure 0006252049

本発明のレジスト組成物がクエンチャー(C)を含む場合、その含有率は、固形分の総量に対して、0.01〜4質量%が好ましい。   When the resist composition of the present invention contains a quencher (C), the content is preferably 0.01 to 4% by mass with respect to the total amount of solids.

<溶剤(D)>
溶剤(D)は、本発明のレジスト組成物に含まれる成分を溶解するものであれば、特に限定されず、例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチル等のエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン及びシクロヘキサノン等のケトン類;γ−ブチロラクトン等のラクトン類等、及びこれらの混合溶剤が挙げられる。
<Solvent (D)>
The solvent (D) is not particularly limited as long as it dissolves the components contained in the resist composition of the present invention. For example, glycol ether esters such as ethyl cellosolve acetate, methyl cellosolve acetate and propylene glycol monomethyl ether acetate Glycol ethers such as propylene glycol monomethyl ether; esters such as ethyl lactate, butyl acetate, amyl acetate and ethyl pyruvate; ketones such as acetone, methyl isobutyl ketone, 2-heptanone and cyclohexanone; lactones such as γ-butyrolactone; And mixed solvents thereof.

溶剤(D)の含有率は、本発明のレジスト組成物の総量に対して、80質量%以上が好ましく、85質量%以上がより好ましく、88質量%以上がさらに好ましく、99.9質量%以下が好ましく、99.5質量%以下がより好ましい。   The content of the solvent (D) is preferably 80% by mass or more, more preferably 85% by mass or more, still more preferably 88% by mass or more, and 99.9% by mass or less, based on the total amount of the resist composition of the present invention. Is preferable, and 99.5 mass% or less is more preferable.

<その他の成分(以下「その他の成分(F)」という場合がある)>
本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、その他の成分(F)を含有していてもよい。その他の成分(F)に特に限定はなく、レジスト分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤及び染料等が挙げられる。その他の成分(F)の含有量は、その種類に応じて適宜選択する。
<Other components (hereinafter sometimes referred to as “other components (F)”)>
The resist composition of this invention may contain the other component (F) as needed. The other component (F) is not particularly limited, and examples thereof include additives known in the resist field, such as sensitizers, dissolution inhibitors, surfactants, stabilizers, and dyes. The content of the other component (F) is appropriately selected according to the type.

<本発明のレジスト組成物の製造方法>
本発明のレジスト組成物は、樹脂(A)、酸発生剤(B)及び架橋剤(E)、並びに、必要に応じて用いられる溶剤(D)、クエンチャー(C)及びその他の成分(F)を混合することにより調製できる。混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、樹脂の種類や溶剤(D)への溶解度等に応じて、10〜40℃の範囲で適宜選択できる。混合時間は、混合温度に応じて、0.5〜24時間の範囲で適宜選択できる。なお、混合手段も特に制限はなく、攪拌混合などを用いることができる。各成分を混合した後は、孔径0.003〜0.2μm程度のフィルターを用いてろ過することが好ましい。
<Method for Producing Resist Composition of the Present Invention>
The resist composition of the present invention comprises a resin (A), an acid generator (B), a crosslinking agent (E), a solvent (D), a quencher (C) and other components (F) used as necessary. ) Can be mixed. The mixing order is arbitrary and is not particularly limited. The temperature at the time of mixing can be suitably selected in the range of 10-40 degreeC according to the kind etc. of resin, the solubility to a solvent (D), etc. The mixing time can be appropriately selected within the range of 0.5 to 24 hours depending on the mixing temperature. The mixing means is not particularly limited, and stirring and mixing can be used. After mixing each component, it is preferable to filter using a filter having a pore size of about 0.003 to 0.2 μm.

<レジストパターンの製造方法>
本発明のレジストパターンの製造方法は、
(1)本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
(3)組成物層に露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程及び
(5)加熱後の組成物層を現像する工程
を含む。
<Method for producing resist pattern>
The method for producing a resist pattern of the present invention comprises:
(1) The process of apply | coating the resist composition of this invention on a board | substrate,
(2) The process of drying the composition after application | coating and forming a composition layer,
(3) a step of exposing the composition layer;
(4) A step of heating the composition layer after exposure and (5) a step of developing the composition layer after heating.

工程(1)における本発明のレジスト組成物の基板上への塗布は、スピンコーター等、通常、当該分野で用いられている塗布装置によって行うことができる。基板としては、例えば、シリコンウェハ等が挙げられる。本発明のレジスト組成物を塗布する前に、基板を洗浄してもよい。   Application of the resist composition of the present invention on the substrate in the step (1) can be performed by a coating apparatus such as a spin coater, which is usually used in the field. Examples of the substrate include a silicon wafer. The substrate may be washed before applying the resist composition of the present invention.

工程(2)により、塗布後の組成物を乾燥することにより、溶剤が除去され、基板上に組成物層が形成される。乾燥は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いた加熱乾燥(いわゆるプリベーク)、減圧装置を用いた減圧乾燥、或いはこれらの手段を組み合わせて行われる。この場合の温度は、例えば、50〜200℃程度が好ましい。また、圧力は、1〜1.0×10Pa程度が好ましい。 In step (2), the composition after application is dried to remove the solvent and form a composition layer on the substrate. Drying is performed by, for example, heat drying using a heating device such as a hot plate (so-called pre-baking), vacuum drying using a decompression device, or a combination of these means. The temperature in this case is preferably about 50 to 200 ° C., for example. The pressure is preferably about 1 to 1.0 × 10 5 Pa.

工程(3)は該組成物層を露光する工程であり、好ましくは、露光機を用いて該組成物層を露光する工程である。露光光源としては、KrFエキシマレーザ(波長248nm)、ArFエキシマレーザ(波長193nm)、F2エキシマレーザ(波長157nm)のような紫外域のレーザ光を放射するもの、電子線や、超紫外光(EUV)を照射するもの、固体レーザ光源(YAG又は半導体レーザ等)からのレーザ光を波長変換して遠紫外域又は真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの等、種々のものを用いることができる。該露光機は液浸露光機であってもよい。尚、本明細書において、これらの放射線を照射することを総称して「露光」という場合がある。露光は、通常、所望するレジストパターンに相当するマスクを介して露光が行われる。露光光源が電子線の場合は、フォトマスクを使用せずに、所望のパターンを直接描画してもよい。 Step (3) is a step of exposing the composition layer, and preferably a step of exposing the composition layer using an exposure machine. Exposure light sources include those that emit laser light in the ultraviolet region such as KrF excimer laser (wavelength 248 nm), ArF excimer laser (wavelength 193 nm), F 2 excimer laser (wavelength 157 nm), electron beams, and ultra-ultraviolet light ( Use various types such as those that irradiate EUV), those that emit laser light from a solid-state laser light source (such as YAG or semiconductor laser) and radiate harmonic laser light in the far ultraviolet region or vacuum ultraviolet region. Can do. The exposure machine may be an immersion exposure machine. In this specification, the irradiation of these radiations may be collectively referred to as “exposure”. The exposure is usually performed through a mask corresponding to a desired resist pattern. When the exposure light source is an electron beam, a desired pattern may be directly drawn without using a photomask.

工程(4)は、露光後の組成物層を加熱する工程(いわゆるポストエキスポジャーベーク)であり、好ましくは、加熱装置により現像する工程である。加熱装置としては、ホットプレート等が挙げられる。加熱温度としては、通常、50〜200℃、好ましくは、70〜150℃である。加熱時間としては、通常、20〜90秒、好ましくは、30〜70秒である。   Step (4) is a step of heating the composition layer after exposure (so-called post-exposure baking), and preferably a step of developing with a heating device. An example of the heating device is a hot plate. As heating temperature, it is 50-200 degreeC normally, Preferably, it is 70-150 degreeC. The heating time is usually 20 to 90 seconds, preferably 30 to 70 seconds.

工程(5)は、加熱後の組成物層を現像する工程であり、好ましくは、加熱後の組成物層を現像装置により現像する工程である。現像方法としては、ディップ法、パドル法、スプレー法、ダイナミックディスペンス法等が挙げられる。現像温度は、例えば、5〜60℃が好ましく、現像時間は、例えば、5〜300秒間が好ましい。   Step (5) is a step of developing the heated composition layer, and preferably a step of developing the heated composition layer with a developing device. Examples of the developing method include a dipping method, a paddle method, a spray method, and a dynamic dispensing method. The development temperature is preferably 5 to 60 ° C., for example, and the development time is preferably 5 to 300 seconds, for example.

現像液の種類を選択することにより、ポジ型又はネガ型のレジストパターンを製造できる。
本発明のレジスト組成物からポジ型レジストパターンを製造する場合は、現像液としてアルカリ現像液を用いる。アルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であればよい。例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、(2−ヒドロキシエチル)トリメチルアンモニウムヒドロキシド(通称コリン)の水溶液等が挙げられる。アルカリ現像液には、界面活性剤が含まれていてもよい。
現像後レジストパターンを超純水で洗浄し、次いで、基板及びパターン上に残った水を除去することが好ましい。
By selecting the type of developer, a positive or negative resist pattern can be produced.
When producing a positive resist pattern from the resist composition of the present invention, an alkaline developer is used as the developer. The alkaline developer may be various alkaline aqueous solutions used in this field. Examples thereof include an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide and (2-hydroxyethyl) trimethylammonium hydroxide (commonly called choline). The alkali developer may contain a surfactant.
It is preferable to wash the resist pattern with ultrapure water after development, and then remove the water remaining on the substrate and the pattern.

本発明のレジスト組成物からネガ型レジストパターンを製造する場合は、現像液として有機溶剤を含む現像液(以下「有機系現像液」という場合がある)を用いる。
有機系現像液に含まれる有機溶剤としては、2−ヘキサノン、2−ヘプタノンなどのケトン溶剤;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのグリコールエーテルエステル溶剤;酢酸ブチル等のエステル溶剤;プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル溶剤;N,N−ジメチルアセトアミドなどのアミド溶剤;アニソールなどの芳香族炭化水素溶剤等が挙げられる。
有機系現像液中、有機溶剤の含有率は、90質量%以上100質量%以下が好ましく、95質量%以上100質量%以下がより好ましく、実質的に有機溶剤のみであることがさらに好ましい。
中でも、有機系現像液としては、酢酸ブチル及び/又は2−ヘプタノンを含む現像液が好ましい。有機系現像液中、酢酸ブチル及び2−ヘプタノンの合計含有率は、50質量%以上100質量%以下が好ましく、90質量%以上100質量%以下がより好ましく、実質的に酢酸ブチル及び/又は2−ヘプタノンのみであることがさらに好ましい。
有機系現像液には、界面活性剤が含まれていてもよい。また、有機系現像液には、微量の水分が含まれていてもよい。
現像の際、有機系現像液とは異なる種類の溶剤に置換することにより、現像を停止してもよい。
In the case of producing a negative resist pattern from the resist composition of the present invention, a developer containing an organic solvent as a developer (hereinafter sometimes referred to as “organic developer”) is used.
Organic solvents contained in the organic developer include ketone solvents such as 2-hexanone and 2-heptanone; glycol ether ester solvents such as propylene glycol monomethyl ether acetate; ester solvents such as butyl acetate; glycols such as propylene glycol monomethyl ether Examples include ether solvents; amide solvents such as N, N-dimethylacetamide; aromatic hydrocarbon solvents such as anisole.
In the organic developer, the content of the organic solvent is preferably 90% by mass or more and 100% by mass or less, more preferably 95% by mass or more and 100% by mass or less, and still more preferably only the organic solvent.
Among them, the organic developer is preferably a developer containing butyl acetate and / or 2-heptanone. In the organic developer, the total content of butyl acetate and 2-heptanone is preferably 50% by mass to 100% by mass, more preferably 90% by mass to 100% by mass, and substantially butyl acetate and / or 2 -More preferred is heptanone alone.
The organic developer may contain a surfactant. The organic developer may contain a trace amount of water.
At the time of development, the development may be stopped by substituting a solvent of a different type from the organic developer.

現像後のレジストパターンをリンス液で洗浄することが好ましい。リンス液としては、レジストパターンを溶解しないものであれば特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含む溶液を使用することができ、好ましくはアルコール溶剤又はエステル溶剤である。
洗浄後は、基板及びパターン上に残ったリンス液を除去することが好ましい。
It is preferable to wash the developed resist pattern with a rinse solution. The rinsing liquid is not particularly limited as long as it does not dissolve the resist pattern, and a solution containing a general organic solvent can be used, and an alcohol solvent or an ester solvent is preferable.
After the cleaning, it is preferable to remove the rinse solution remaining on the substrate and the pattern.

<用途>
本発明のレジスト組成物は、KrFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線(EB)照射用のレジスト組成物又はEUV露光用のレジスト組成物等に有用である。特に、KrFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物に有用であり、さらに、反射防止膜を使用しない場合でも、形状に優れたレジストパターンを製造できるため、イオンインプランテーション用のレジスト組成物に有用である。
<Application>
The resist composition of the present invention is useful as a resist composition for KrF excimer laser exposure, a resist composition for electron beam (EB) irradiation, or a resist composition for EUV exposure. In particular, it is useful for a resist composition for KrF excimer laser exposure, and further, it is useful for a resist composition for ion implantation because a resist pattern having an excellent shape can be produced even when an antireflection film is not used. .

実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。例中、含有量ないし使用量を表す「%」及び「部」は、特記しないかぎり質量基準である。
樹脂の重量平均分子量は、下記の分析条件でゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより求めた値である。
装置 :HLC−8120GPC型(東ソー(株)製)
カラム:TSKgel Multipore HXL-M x 3 + guardcolumn(東ソー(株)製)
溶離液:テトラヒドロフラン
流量:1.0mL/min
検出器:RI検出器
カラム温度:40℃
注入量:100μl
分子量標準:標準ポリスチレン(東ソー(株)製)
樹脂(A)における各基の導入率は、H−NMRにより、ピーク面積の比から求めた。
The present invention will be described more specifically with reference to examples. In the examples, “%” and “parts” representing the content or amount used are based on mass unless otherwise specified.
The weight average molecular weight of the resin is a value determined by gel permeation chromatography under the following analysis conditions.
Apparatus: HLC-8120GPC type (manufactured by Tosoh Corporation)
Column: TSKgel Multipore H XL -M x 3 + guardcolumn (manufactured by Tosoh Corporation)
Eluent: Tetrahydrofuran Flow rate: 1.0 mL / min
Detector: RI detector Column temperature: 40 ° C
Injection volume: 100 μl
Molecular weight standard: Standard polystyrene (manufactured by Tosoh Corporation)
The introduction ratio of each group in the resin (A) was determined from the ratio of peak areas by 1 H-NMR.

樹脂(A)の合成
合成例1〔樹脂A−1の合成〕
ポリビニルフェノール(日本曹達(株)製「VP−15000」)40部、メチルイソブチルケトン240部及びp−トルエンスルホン酸2水和物0.006部を仕込み、この混合溶液の総量が200部になるまで濃縮した。濃縮後の樹脂溶液にイソブチルビニルエーテル10.55部を滴下し、2.5時間攪拌した。その後、メチルイソブチルケトン80部で希釈し、その溶液にイオン交換水120部とトリエチルアミン0.005部とを加えて攪拌し、分液した。次いで有機層にイオン交換水120部を加えて分液する操作を4回行った。洗浄終了後の有機層を、濃縮し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート392部を加えて、再度濃縮を行い、樹脂A2−2のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液157部(固形分31%)を得た。樹脂A2−2の重量平均分子量は2.00×10、全構造単位に対するイソブトキシエチル基の導入率は、27.2モル%であった。樹脂A−1は、以下の構造単位を有するものである。

Figure 0006252049
Synthesis Synthesis Example 1 of Resin (A) [Synthesis of Resin A-1]
40 parts of polyvinylphenol (“VP-15000” manufactured by Nippon Soda Co., Ltd.), 240 parts of methyl isobutyl ketone and 0.006 part of p-toluenesulfonic acid dihydrate are added, and the total amount of this mixed solution becomes 200 parts. Until concentrated. To the concentrated resin solution, 10.55 parts of isobutyl vinyl ether was added dropwise and stirred for 2.5 hours. Thereafter, the mixture was diluted with 80 parts of methyl isobutyl ketone, 120 parts of ion-exchanged water and 0.005 part of triethylamine were added to the solution, stirred and separated. Subsequently, the operation of adding 120 parts of ion-exchanged water to the organic layer and separating the liquid was performed 4 times. The organic layer after washing was concentrated, added with 392 parts of propylene glycol monomethyl ether acetate, and concentrated again to obtain 157 parts of propylene glycol monomethyl ether acetate solution of resin A2-2 (solid content 31%). The weight average molecular weight of Resin A2-2 was 2.00 × 10 4 , and the introduction ratio of isobutoxyethyl groups with respect to all the structural units was 27.2 mol%. Resin A-1 has the following structural units.
Figure 0006252049

合成例2〔樹脂A−2の合成〕
ポリビニルフェノール(日本曹達(株)製「VP−15000」)100部とアセトン400部とを仕込み、次いで炭酸カリウム46.0部と2−ヨードプロパン28.3部と水4.6部とを加え攪拌し、この混合溶液を30時間還流した。その後、反応溶液にメチルイソブチルケトン200部を加え、次いで、2%シュウ酸水を258部加えて攪拌し、分液した。さらに有機層に2%シュウ酸水258部加えて攪拌し、分液する操作を2回行った。分液後の有機層にメチルイソブチルケトンを300部とイオン交換水166部を加え分液洗浄する操作を4回行った。洗浄後の有機層を濃縮し、さらにメチルイソブチルケトン300部加えて、再度濃縮を行い、樹脂A−2−1のメチルイソブチルケトン溶液448部(固形分22%)を得た。
樹脂A−2−1のメチルイソブチルケトン溶液176部、メチルイソブチルケトン330部及びp−トルエンスルホン酸2水和物0.004部を仕込み、この混合溶液の総量が273部になるまで濃縮した。濃縮後の樹脂溶液にエチルビニルエーテル8.01部を滴下し、2.5時間攪拌して反応させた。その後、この反応溶液にイオン交換水58.2部及びトリエチルアミン0.005部を加えて攪拌し、分液した。次いで、有機層にイオン交換水58.2部を加えて分液する操作を4回行った。洗浄終了後の有機層を、濃縮し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート260部を加えて、再度濃縮を行い、樹脂A2−1のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液143部(固形分30%)を得た。樹脂A−2の重量平均分子量は1.70×10、全構造単位に対するイソプロピル基の導入率は、14.2モル%、エトキシエチル基の導入率は29.7モル%であった。樹脂A−2は、以下の構造単位を有するものである。

Figure 0006252049
Synthesis Example 2 [Synthesis of Resin A-2]
100 parts of polyvinylphenol (“VP-15000” manufactured by Nippon Soda Co., Ltd.) and 400 parts of acetone were added, and then 46.0 parts of potassium carbonate, 28.3 parts of 2-iodopropane and 4.6 parts of water were added. The mixture was stirred and refluxed for 30 hours. Thereafter, 200 parts of methyl isobutyl ketone was added to the reaction solution, and then 258 parts of 2% oxalic acid water was added and stirred for separation. Further, 258 parts of 2% oxalic acid water was added to the organic layer, and the mixture was stirred and separated two times. The operation of separating and washing by adding 300 parts of methyl isobutyl ketone and 166 parts of ion-exchanged water to the organic layer after the separation was performed 4 times. The organic layer after washing was concentrated, 300 parts of methyl isobutyl ketone was further added, and the mixture was concentrated again to obtain 448 parts of a methyl isobutyl ketone solution of resin A-2-1 (solid content 22%).
176 parts of a methyl isobutyl ketone solution of resin A-2-1, 330 parts of methyl isobutyl ketone and 0.004 part of p-toluenesulfonic acid dihydrate were charged and concentrated until the total amount of this mixed solution was 273 parts. 8.01 parts of ethyl vinyl ether was added dropwise to the concentrated resin solution, and the mixture was stirred for 2.5 hours for reaction. Thereafter, 58.2 parts of ion-exchanged water and 0.005 part of triethylamine were added to the reaction solution, and the mixture was stirred and separated. Subsequently, 58.2 parts of ion-exchanged water was added to the organic layer and liquid separation was performed 4 times. The organic layer after washing was concentrated, 260 parts of propylene glycol monomethyl ether acetate was added, and the mixture was concentrated again to obtain 143 parts of a propylene glycol monomethyl ether acetate solution of resin A2-1 (solid content 30%). Resin A-2 had a weight average molecular weight of 1.70 × 10 4 , an introduction rate of isopropyl groups with respect to all structural units was 14.2 mol%, and an introduction rate of ethoxyethyl groups was 29.7 mol%. Resin A-2 has the following structural units.
Figure 0006252049

合成例3〔樹脂A−3の合成〕
ポリビニルフェノール(日本曹達(株)製「VP−15000」)30部をメチルイソブチルケトン360部に溶解し、エバポレーターで濃縮した。還流冷却管、攪拌器、温度計を備えた四つ口フラスコに、濃縮後の樹脂溶液及びp−トルエンスルホン酸2水和物0.003部を仕込み、20〜25℃に保持したまま、エチルビニルエーテル6.09部を10分間かけて滴下した。混合液を、同温度を保持したまま、2時間攪拌を継続した後、メチルイソブチルケトン200部で希釈しイオン交換水で分液洗浄を5回行った。洗浄終了後の有機層を、エバポレーターを用いて78部まで濃縮を行ったのち、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート220部を加えて、再度濃縮を行い、樹脂A1−2のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液118部(固形分27%)を得た。樹脂A−3の重量平均分子量は1.90×10、エトキシエチル基の導入率は29.6%であった。樹脂A−3は、下記の構造単位を有する。

Figure 0006252049
Synthesis Example 3 [Synthesis of Resin A-3]
30 parts of polyvinylphenol (“VP-15000” manufactured by Nippon Soda Co., Ltd.) was dissolved in 360 parts of methyl isobutyl ketone and concentrated by an evaporator. A four-necked flask equipped with a reflux condenser, a stirrer, and a thermometer is charged with 0.003 part of the concentrated resin solution and p-toluenesulfonic acid dihydrate, and the mixture is kept at 20 to 25 ° C. 6.09 parts of vinyl ether was added dropwise over 10 minutes. The mixture was stirred for 2 hours while maintaining the same temperature, then diluted with 200 parts of methyl isobutyl ketone and subjected to liquid separation washing 5 times with ion-exchanged water. The organic layer after washing was concentrated to 78 parts using an evaporator, and then 220 parts of propylene glycol monomethyl ether acetate was added and concentrated again, and 118 parts of a propylene glycol monomethyl ether acetate solution of resin A1-2. (Solid content 27%) was obtained. Resin A-3 had a weight average molecular weight of 1.90 × 10 4 and an introduction rate of ethoxyethyl groups of 29.6%. Resin A-3 has the following structural units.
Figure 0006252049

合成例4〔樹脂A−4の合成〕
ポリビニルフェノール(日本曹達(株)製「VP−15000」)20部をメチルイソブチルケトン240部に溶解し、エバポレーターで濃縮した。還流冷却管、攪拌器、温度計を備えた四つ口フラスコに、濃縮後の樹脂溶液及びp−トルエンスルホン酸2水和物0.003部を仕込み、20〜25℃に保持したまま、エチルビニルエーテル5.05部を10分間かけて滴下した。混合液を、同温度を保持したまま、2時間攪拌を継続した後、メチルイソブチルケトン200部で希釈しイオン交換水で分液洗浄を5回行った。洗浄終了後の有機層を、エバポレーターを用いて45部まで濃縮を行ったのち、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート150部を加えて、再度濃縮を行い、樹脂A1−2のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液78部(固形分29%)を得た。樹脂A−4の重量平均分子量は2.21×10、エトキシエチル基の導入率は38.5%であった。樹脂A−4は、下記の構造単位を有する。

Figure 0006252049
Synthesis Example 4 [Synthesis of Resin A-4]
20 parts of polyvinylphenol (“VP-15000” manufactured by Nippon Soda Co., Ltd.) was dissolved in 240 parts of methyl isobutyl ketone and concentrated with an evaporator. A four-necked flask equipped with a reflux condenser, a stirrer, and a thermometer is charged with 0.003 part of the concentrated resin solution and p-toluenesulfonic acid dihydrate, and the mixture is kept at 20 to 25 ° C. 5.05 parts of vinyl ether was added dropwise over 10 minutes. The mixture was stirred for 2 hours while maintaining the same temperature, then diluted with 200 parts of methyl isobutyl ketone and subjected to liquid separation washing 5 times with ion-exchanged water. The organic layer after completion of washing was concentrated to 45 parts using an evaporator, and then 150 parts of propylene glycol monomethyl ether acetate was added and concentrated again, and 78 parts of a propylene glycol monomethyl ether acetate solution of resin A1-2. (Solid content 29%) was obtained. Resin A-4 had a weight average molecular weight of 2.21 × 10 4 and an introduction rate of ethoxyethyl groups of 38.5%. Resin A-4 has the following structural units.
Figure 0006252049

合成例5〔樹脂A−5の合成〕
ポリビニルフェノール(日本曹達(株)製「VP−15000」)100部とアセトン400部とを仕込み、次いでトリエチルアミン13.6部を加え攪拌し、ベンゾイルクロリド12.6部を滴下した。その混合溶液を2時間攪拌後、メチルイソブチルケトン200部を加え、次いで、0.5%シュウ酸水を242部加えて攪拌し、分液した。さらに有機層に0.5%シュウ酸水242部を加えて攪拌し、分液する操作を2回行った。分液後の有機層にメチルイソブチルケトンを300部とイオン交換水166部を加え分液洗浄する操作を4回行った。洗浄後の有機層を濃縮し、さらにメチルイソブチルケトン300部加えて、再度濃縮を行い、樹脂A−5−1のメチルイソブチルケトン溶液356部(固形分27%)を得た。
樹脂A−5−1のメチルイソブチルケトン溶液145部、メチルイソブチルケトン375部及びp−トルエンスルホン酸2水和物0.004部を仕込み、この混合溶液の総量が280部になるまで濃縮した。濃縮後の樹脂溶液にエチルビニルエーテル9.66部を滴下し、2.5時間攪拌した。その後、イオン交換水60.4部とトリエチルアミン0.005部とを加えて攪拌し、分液した。次いで有機層にイオン交換水60.4部を加えて分液する操作を4回行った。洗浄終了後の有機層を、濃縮し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート300部を加えて、再度濃縮を行い、樹脂A2−3のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液162部(固形分29%)を得た。樹脂A−5の重量平均分子量は1.80×10、ベンゾイル基の保護率は、10.2%、全構造単位に対するエトキシエチル基の導入率は35.3%であった。樹脂A−5は、以下の構造単位を有するものである。

Figure 0006252049
Synthesis Example 5 [Synthesis of Resin A-5]
100 parts of polyvinylphenol (“VP-15000” manufactured by Nippon Soda Co., Ltd.) and 400 parts of acetone were added, then 13.6 parts of triethylamine was added and stirred, and 12.6 parts of benzoyl chloride was added dropwise. After stirring the mixed solution for 2 hours, 200 parts of methyl isobutyl ketone was added, and then 242 parts of 0.5% aqueous oxalic acid was added and stirred for liquid separation. Further, 242 parts of 0.5% oxalic acid water was added to the organic layer and stirred, followed by liquid separation twice. The operation of separating and washing by adding 300 parts of methyl isobutyl ketone and 166 parts of ion-exchanged water to the organic layer after the separation was performed 4 times. The organic layer after washing was concentrated, 300 parts of methyl isobutyl ketone was further added, and the mixture was concentrated again to obtain 356 parts of a methyl isobutyl ketone solution of resin A-5-1 (solid content 27%).
145 parts of a methyl isobutyl ketone solution of resin A-5-1, 375 parts of methyl isobutyl ketone and 0.004 part of p-toluenesulfonic acid dihydrate were charged and concentrated until the total amount of this mixed solution was 280 parts. To the resin solution after concentration, 9.66 parts of ethyl vinyl ether was added dropwise and stirred for 2.5 hours. Thereafter, 60.4 parts of ion-exchanged water and 0.005 part of triethylamine were added and stirred for separation. Subsequently, 60.4 parts of ion-exchanged water was added to the organic layer and liquid separation was performed 4 times. The organic layer after the washing was concentrated, 300 parts of propylene glycol monomethyl ether acetate was added, and the mixture was concentrated again to obtain 162 parts of a propylene glycol monomethyl ether acetate solution of resin A2-3 (solid content 29%). Resin A-5 had a weight average molecular weight of 1.80 × 10 4 , a benzoyl group protection rate of 10.2%, and an ethoxyethyl group introduction rate of 35.3% with respect to all structural units. Resin A-5 has the following structural units.
Figure 0006252049

実施例1〜18、比較例1〜4
(レジスト組成物の調製)
以下に示す成分の各々を表1に示す質量部で混合して溶剤に溶解させた後、孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターでろ過して、レジスト組成物を調製した。
Examples 1-18, Comparative Examples 1-4
(Preparation of resist composition)
Each of the following components was mixed in parts by mass shown in Table 1 and dissolved in a solvent, and then filtered through a fluororesin filter having a pore size of 0.2 μm to prepare a resist composition.

Figure 0006252049
Figure 0006252049

<樹脂>
A−1:樹脂A−1
A−2:樹脂A−2
A−3:樹脂A−3
A−4:樹脂A−4
A−5:樹脂A−5
<Resin>
A-1: Resin A-1
A-2: Resin A-2
A-3: Resin A-3
A-4: Resin A-4
A-5: Resin A-5

<酸発生剤>
B1−1:ビス(tert−ブチルスルホニル)ジアゾメタン;商品名「WPAG−170」(和光純薬工業(株)製)

Figure 0006252049
B1−2:イルガキュア(登録商標) PAG−121(BASFジャパン(株)製)
Figure 0006252049
B2−1:4−メチルフェニルジフェニルスルホニウム p−トルエンスルホナート;商品名「WPAG−350」(和光純薬工業(株)製)
Figure 0006252049

B2−2:トリフェニルスルホニウム 2,4,6-トリイソプロピルベンゼンスルホナート(東洋合成工業(株)製)
Figure 0006252049
B2−3:トリス(4‐tert‐ブチルフェニル)スルホニウム p−トルエンスルホナート

Figure 0006252049
<架橋剤>
E1:式(E1)で表される化合物;商品名「ニカラックMX−270」((株)三和ケミカル製)
Figure 0006252049
<クエンチャー>
C1:N,N−ジシクロヘキシルメチルアミン(アルドリッチ社製)
C2:トリス[2-(2-メトキシエトキシ)エチル]アミン(アルドリッチ社製)
C3:8−モルホリノ−1−オクタノール(東洋合成工業(株)製)
C4:式(C4)で表される塩;特開2012−197261号公報記載の方法で合成
Figure 0006252049
<溶剤>
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 130部 <Acid generator>
B1-1: Bis (tert-butylsulfonyl) diazomethane; trade name “WPAG-170” (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)
Figure 0006252049
B1-2: Irgacure (registered trademark) PAG-121 (manufactured by BASF Japan Ltd.)
Figure 0006252049
B2-1: 4-methylphenyldiphenylsulfonium p-toluenesulfonate; trade name “WPAG-350” (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)
Figure 0006252049

B2-2: Triphenylsulfonium 2,4,6-triisopropylbenzenesulfonate (manufactured by Toyo Gosei Co., Ltd.)
Figure 0006252049
B2-3: Tris (4-tert-butylphenyl) sulfonium p-toluenesulfonate

Figure 0006252049
<Crosslinking agent>
E1: Compound represented by the formula (E1); trade name “Nicalak MX-270” (manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.)
Figure 0006252049
<Quencher>
C1: N, N-dicyclohexylmethylamine (manufactured by Aldrich)
C2: Tris [2- (2-methoxyethoxy) ethyl] amine (Aldrich)
C3: 8-morpholino-1-octanol (manufactured by Toyo Gosei Co., Ltd.)
C4: salt represented by the formula (C4); synthesized by the method described in JP2012-197261A
Figure 0006252049
<Solvent>
130 parts of propylene glycol monomethyl ether acetate

(ネガ型レジストパターンの製造)
4インチのシリコンウェハを、ダイレクトホットプレート上で、ヘキサメチルジシラザンを用いて90℃で60秒処理した。このシリコンウェハに、レジスト組成物を、組成物層の膜厚が300nmとなるようにスピンコートした。その後、ダイレクトホットプレート上で、90℃で60秒間プリベークして組成物層を形成した。ウェハ上に形成された組成物層に、KrFエキシマレーザー露光機[NSR−2250EX12B;(株)ニコン製、NA=0.55、2/3Annular]を用いて、露光量を段階的に変化させて1:1ラインアンドスペースパターンを露光した。
露光後、ホットプレート上にて、110℃で60秒間ポストエキスポジャーベークを行い、さらに酢酸ブチルで30秒間のダイナミックディスペンス現像を行うことにより、ネガ型レジストパターンを得た。
得られたレジストパターン(ラインアンドスペースパターン)を走査型電子顕微鏡で観察し、線幅300nmのラインアンドスペースパターンのライン幅とスペース幅とが1:1となる露光量を実効感度とした。
(Manufacture of negative resist patterns)
A 4-inch silicon wafer was treated with hexamethyldisilazane at 90 ° C. for 60 seconds on a direct hot plate. This silicon wafer was spin-coated with a resist composition so that the film thickness of the composition layer was 300 nm. Then, it prebaked at 90 degreeC for 60 second on the direct hotplate, and formed the composition layer. Using a KrF excimer laser exposure machine [NSR-2250EX12B; manufactured by Nikon Corporation, NA = 0.55, 2/3 Annular], the amount of exposure is changed stepwise for the composition layer formed on the wafer. A 1: 1 line and space pattern was exposed.
After exposure, a negative resist pattern was obtained by performing post-exposure baking at 110 ° C. for 60 seconds on a hot plate and further performing dynamic dispense development with butyl acetate for 30 seconds.
The obtained resist pattern (line and space pattern) was observed with a scanning electron microscope, and the exposure amount at which the line width and space width of the line and space pattern having a line width of 300 nm were 1: 1 was defined as effective sensitivity.

解像度評価:実効感度において得られたレジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、レジストパターンが倒れずに解像する最小線幅を解像度とした。その結果を表2に示す。
形状評価:実効感度において得られた300nmのラインアンドスペースパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、図1(a)に示すように、トップ形状及び裾形状が矩形に近く良好なものを○、図1(b)に示すように、テーパー形状のものを×として判断した。その結果を表2に示す。
スカム評価:実効感度で製造されたレジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、ラインアンドスペースパターンのスペース部に現像残渣(スカム)の発生が認められなかったものを○、スカムの発生が多かったものを×とした。その結果を表2に示す。
Resolution evaluation: The resist pattern obtained at the effective sensitivity was observed with a scanning electron microscope, and the minimum line width at which the resist pattern was resolved without falling down was defined as the resolution. The results are shown in Table 2.
Shape evaluation: A 300 nm line and space pattern obtained in effective sensitivity was observed with a scanning electron microscope. As shown in FIG. As shown in 1 (b), a taper-shaped one was judged as x. The results are shown in Table 2.
Scum evaluation: A resist pattern manufactured with effective sensitivity was observed with a scanning electron microscope, and no development residue (scum) was observed in the space part of the line-and-space pattern. The thing was set as x. The results are shown in Table 2.

Figure 0006252049
Figure 0006252049

(ポジ型レジストパターンの製造)
4インチのシリコンウェハを、ダイレクトホットプレート上で、ヘキサメチルジシラザンを用いて90℃で60秒処理した。このシリコンウェハに、レジスト組成物を、組成物層の膜厚が300nmとなるようにスピンコートした。その後、ダイレクトホットプレート上で、90℃で60秒間プリベークして組成物層を形成した。ウェハ上に形成された組成物層に、KrFエキシマレーザー露光機[NSR−2250EX12B;(株)ニコン製、NA=0.55、2/3Annular]を用いて、露光量を段階的に変化させて1:1ラインアンドスペースパターンを露光した。
露光後、ホットプレート上にて、120℃で60秒間ポストエキスポジャーベークを行い、さらに2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行うことにより、ポジ型レジストパターンを得た。
得られたレジストパターン(ラインアンドスペースパターン)を走査型電子顕微鏡で観察し、線幅300nmのラインアンドスペースパターンのライン幅とスペース幅とが1:1となる露光量を実効感度とした。
(Manufacture of positive resist pattern)
A 4-inch silicon wafer was treated with hexamethyldisilazane at 90 ° C. for 60 seconds on a direct hot plate. This silicon wafer was spin-coated with a resist composition so that the film thickness of the composition layer was 300 nm. Then, it prebaked at 90 degreeC for 60 second on the direct hotplate, and formed the composition layer. Using a KrF excimer laser exposure machine [NSR-2250EX12B; manufactured by Nikon Corporation, NA = 0.55, 2/3 Annular], the amount of exposure is changed stepwise for the composition layer formed on the wafer. A 1: 1 line and space pattern was exposed.
After exposure, a positive exposure pattern is obtained by post-exposure baking at 120 ° C. for 60 seconds on a hot plate, and further paddle development for 60 seconds with an aqueous 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide solution. It was.
The obtained resist pattern (line and space pattern) was observed with a scanning electron microscope, and the exposure amount at which the line width and space width of the line and space pattern having a line width of 300 nm were 1: 1 was defined as effective sensitivity.

解像度評価:実効感度において得られたレジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、レジストパターンが倒れずに解像する最小線幅を解像度とした。その結果を表3に示す。   Resolution evaluation: The resist pattern obtained at the effective sensitivity was observed with a scanning electron microscope, and the minimum line width at which the resist pattern was resolved without falling was defined as the resolution. The results are shown in Table 3.

Figure 0006252049
Figure 0006252049



上記の結果から、本発明のレジスト組成物によれば、優れた形状を有し、スカムの発生が少ないネガ型レジストパターンを製造できることがわかる。さらに、本発明のレジスト組成物からは、ポジ型レジストパターンも製造可能である。   From the above results, it can be seen that the resist composition of the present invention can produce a negative resist pattern having an excellent shape and less scum generation. Furthermore, a positive resist pattern can also be produced from the resist composition of the present invention.

本発明のレジスト組成物によれば、優れた形状及び現像残渣(スカム)の発生が少ないネガ型レジストパターンを製造できる。   According to the resist composition of the present invention, it is possible to produce a negative resist pattern with an excellent shape and less development residue (scum).

Claims (3)

(1)酸不安定基を有する構造単位とフェノール性ヒドロキシ基を有する構造単位とを含む樹脂、非イオン系酸発生剤、イオン系酸発生剤及び架橋剤を含有するレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
(3)組成物層に露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程、及び
(5)加熱後の組成物層を、有機溶剤を90質量%以上含む有機系現像液を用いて現像する工程、
を含むネガ型のレジストパターンの製造方法
(1) A resist composition containing a resin comprising a structural unit having an acid labile group and a structural unit having a phenolic hydroxy group, a nonionic acid generator, an ionic acid generator, and a crosslinking agent on a substrate Applying step,
(2) The process of drying the composition after application | coating and forming a composition layer,
(3) a step of exposing the composition layer;
(4) a step of heating the composition layer after exposure, and
(5) The process of developing the composition layer after a heating using the organic type developing solution containing 90 mass% or more of organic solvents,
A negative resist pattern manufacturing method comprising:
酸不安定基を有する構造単位とフェノール性ヒドロキシ基を有する構造単位とを含む樹脂、非イオン系酸発生剤、イオン系酸発生剤及び架橋剤を含有し、
非イオン系酸発生剤の含有量が、前記樹脂100質量部に対して、0.5質量部以上20質量部以下である請求項1に記載のネガ型のレジストパターンの製造方法
A resin containing a structural unit having an acid labile group and a structural unit having a phenolic hydroxy group, a nonionic acid generator, an ionic acid generator and a crosslinking agent;
The method for producing a negative resist pattern according to claim 1, wherein the content of the nonionic acid generator is 0.5 parts by mass or more and 20 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the resin.
非イオン系酸発生剤とイオン系酸発生剤との含有量比が、質量基準で、40:60〜95:5である請求項1又は2に記載のネガ型のレジストパターンの製造方法The method for producing a negative resist pattern according to claim 1 or 2, wherein the content ratio of the nonionic acid generator to the ionic acid generator is 40:60 to 95: 5 on a mass basis.
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