JP6209001B2 - Resist composition and method for producing resist pattern - Google Patents

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Description

本発明は、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法に関する。   The present invention relates to a resist composition and a method for producing a resist pattern.

特許文献1には下記構造単位
の組み合わせからなる樹脂と、下記構造単位
からなる樹脂と、
で表される酸発生剤とを含有するレジスト組成物が記載されている。
また、レジスト組成物から、フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成する際、アルカリ現像液で現像するとポジ型レジストパターンが得られ、有機溶剤で現像するとネガ型レジストパターンが得られることが知られている(非特許文献1)。
Patent Document 1 discloses the following structural unit:
And the following structural units
A resin consisting of
The resist composition containing the acid generator represented by these is described.
Further, it is known that when a resist pattern is formed from a resist composition by photolithography, a positive resist pattern is obtained when developed with an alkaline developer, and a negative resist pattern is obtained when developed with an organic solvent ( Non-patent document 1).

特開2008−309879号公報JP 2008-309879 A

テクノタイムズ社発行 月刊ディスプレイ ’11 6月号 p.31Published by Techno Times Inc. Monthly Display '11 June p. 31

従来から知られる上記のレジスト組成物によって形成されたレジストパターンは、解像度が必ずしも十分に満足できない場合があった。   A resist pattern formed from the above-described resist composition known in the past may not always have a satisfactory resolution.

本発明は、以下の発明を含む。
〔1〕式(I)で表される構造単位を含む樹脂、
酸不安定基を有する構造単位を含み、式(I)で表される構造単位を含まない樹脂及び、
式(II)で表される酸発生剤を含有するレジスト組成物。
[式(I)中、
1は、水素原子又はメチル基を表す。
2は、フッ素原子を有する炭素数1〜10の飽和炭化水素基を表す。]
[式(II)中、
2は、炭素数1〜6のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基又は−OR5で置換されていてもよく、該アルカンジイル基を構成する−CH2−は、−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
4及びR5は、それぞれ独立に、炭素数1〜24の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよく、該炭化水素基を構成する−CH2−は、−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
は、有機カチオンを表す。]
〔2〕式(II)で表される酸発生剤が式(IIA)で表される酸発生剤である〔1〕記載のレジスト組成物。
[式(IIA)中、X2及びZは、上記と同じ意味を表す。
6は、炭素数1〜17の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよく、該炭化水素基を構成する−CH2−は、−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
7は、炭素数1〜6のアルキル基を表す。
8は、炭素数1〜6のフッ素化アルキル基を表す。
ただし、R6、R7及びR8の合計炭素数は、19以下である。]
〔3〕さらに溶剤を含有する〔1〕又は〔2〕記載のレジスト組成物。
〔4〕(1)上記〔1〕〜〔3〕のいずれか一つに記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
(3)組成物層を露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程及び
(5)加熱後の組成物層を現像する工程を含むレジストパターンの製造方法。
The present invention includes the following inventions.
[1] A resin containing a structural unit represented by formula (I),
A resin containing a structural unit having an acid labile group and not containing a structural unit represented by formula (I);
A resist composition containing an acid generator represented by the formula (II).
[In the formula (I),
R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group.
R 2 represents a saturated hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms and having a fluorine atom. ]
[In the formula (II),
X 2 represents an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms, and a hydrogen atom contained in the alkanediyl group may be substituted with a hydroxy group or —OR 5 , and —CH constituting the alkanediyl group 2 — may be replaced by —O— or —CO—.
R 4 and R 5 each independently represent a hydrocarbon group having 1 to 24 carbon atoms, and the hydrogen atom contained in the hydrocarbon group may be substituted with a fluorine atom or a hydroxy group, —CH 2 — constituting the group may be replaced by —O— or —CO—.
Z + represents an organic cation. ]
[2] The resist composition according to [1], wherein the acid generator represented by the formula (II) is an acid generator represented by the formula (IIA).
[In Formula (IIA), X 2 and Z + represent the same meaning as described above.
R 6 represents a hydrocarbon group having 1 to 17 carbon atoms, and a hydrogen atom contained in the hydrocarbon group may be substituted with a fluorine atom or a hydroxy group, and —CH 2 constituting the hydrocarbon group -May be replaced by -O- or -CO-.
R 7 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
R 8 represents a fluorinated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
However, the total carbon number of R 6 , R 7 and R 8 is 19 or less. ]
[3] The resist composition according to [1] or [2], further containing a solvent.
[4] (1) A step of applying the resist composition according to any one of [1] to [3] on a substrate,
(2) The process of drying the composition after application | coating and forming a composition layer,
(3) a step of exposing the composition layer,
(4) A method for producing a resist pattern, comprising a step of heating the composition layer after exposure, and (5) a step of developing the composition layer after heating.

本発明のレジスト組成物によれば、高解像度のレジストパターンを製造できる。   According to the resist composition of the present invention, a high-resolution resist pattern can be produced.

本明細書において、「(メタ)アクリル系モノマー」とは、「CH2=CH−CO−」又は「CH2=C(CH3)−CO−」の構造を有するモノマーの少なくとも1種を意味する。同様に「(メタ)アクリレート」及び「(メタ)アクリル酸」とは、それぞれ「アクリレート及びメタクリレートの少なくとも1種」及び「アクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも1種」を意味する。 In the present specification, "(meth) acrylic monomer" means at least one monomer having a "CH 2 = CH-CO-" or "CH 2 = C (CH 3) -CO- " structure of To do. Similarly, “(meth) acrylate” and “(meth) acrylic acid” mean “at least one of acrylate and methacrylate” and “at least one of acrylic acid and methacrylic acid”, respectively.

〈レジスト組成物〉
本発明のレジスト組成物は、
樹脂(以下「樹脂(A)」という場合がある)及び、
式(II)で表される酸発生剤(以下「酸発生剤(II)」という場合がある)を含有する。
本発明のレジスト組成物は、さらに、溶剤(E)を含有していることが好ましい。
本発明のレジスト組成物は、さらに、式(D)で表される化合物(以下「化合物(D)」という場合がある)を含有していることが好ましい。
本発明のレジスト組成物は、さらに、塩基性化合物(C)を含有していてもよい。
<Resist composition>
The resist composition of the present invention comprises:
Resin (hereinafter sometimes referred to as “resin (A)”), and
It contains an acid generator represented by the formula (II) (hereinafter sometimes referred to as “acid generator (II)”).
The resist composition of the present invention preferably further contains a solvent (E).
The resist composition of the present invention preferably further contains a compound represented by the formula (D) (hereinafter sometimes referred to as “compound (D)”).
The resist composition of the present invention may further contain a basic compound (C).

〈樹脂(A)〉
本発明のレジスト組成物に含有されている樹脂(A)は、
式(I)で表される構造単位を有する樹脂(以下「樹脂(A−1)」という場合がある)、及び
酸不安定基を有する構造単位を含み、式(I)で表される構造単位を含まない樹脂(以下「樹脂(A−2)」という場合がある)を含む。
また、樹脂(A)は、後述するような、樹脂(A−1)及び(A−2)以外の樹脂を含んでいてもよい。
<Resin (A)>
The resin (A) contained in the resist composition of the present invention is
A resin having a structural unit represented by formula (I) (hereinafter sometimes referred to as “resin (A-1)”) and a structural unit having an acid labile group and represented by formula (I) A resin not containing a unit (hereinafter sometimes referred to as “resin (A-2)”) is included.
Moreover, resin (A) may contain resin other than resin (A-1) and (A-2) which are mentioned later.

〈樹脂(A−1)〉
樹脂(A−1)は、式(I)で表される構造単位(以下「構造単位(I)」という場合がある)を有する。
<Resin (A-1)>
The resin (A-1) has a structural unit represented by the formula (I) (hereinafter sometimes referred to as “structural unit (I)”).

〔構造単位(I)〕
[式(I)中、
1は、水素原子又はメチル基を表す。
2は、フッ素原子を有する炭素数1〜10の飽和炭化水素基を表す。]
[Structural unit (I)]
[In the formula (I),
R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group.
R 2 represents a saturated hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms and having a fluorine atom. ]

2の飽和炭化水素基としては、アルキル基、脂環式飽和炭化水素基及びこれらを組み合わせることにより形成される基が挙げられる。
アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2−エチルヘキシル基が挙げられる。
脂環式飽和炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基などのシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、2−アルキルアダマンタン−2−イル基、ノルボルニル基が挙げられる。
アルキル基と脂環式飽和炭化水素基とを組み合わせることにより形成される基としては、例えば、1−(アダマンタン−1−イル)アルカン−1−イル基、メチルノルボルニル基及びイソボルニル基が挙げられる。
Examples of the saturated hydrocarbon group for R 2 include an alkyl group, an alicyclic saturated hydrocarbon group, and a group formed by combining these.
Examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group and 2-ethylhexyl group. Can be mentioned.
The alicyclic saturated hydrocarbon group may be monocyclic or polycyclic, and examples of the monocyclic alicyclic hydrocarbon group include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, Examples thereof include cycloalkyl groups such as methylcyclohexyl group, dimethylcyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group, cycloheptyl group, and cyclodecyl group. Examples of the polycyclic alicyclic hydrocarbon group include a decahydronaphthyl group, an adamantyl group, a 2-alkyladamantan-2-yl group, and a norbornyl group.
Examples of the group formed by combining an alkyl group and an alicyclic saturated hydrocarbon group include a 1- (adamantan-1-yl) alkane-1-yl group, a methylnorbornyl group, and an isobornyl group. It is done.

2のフッ素原子を有する飽和炭化水素基としては、フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有する脂環式飽和炭化水素基等が挙げられる。
フッ素原子を有するアルキル基としては、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、1,1−ジフルオロエチル基、2,2−ジフルオロエチル基、2,2,2−トリフルオロエチル基、ペルフルオロエチル基、1,1,2,2−テトラフルオロプロピル基、1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロプロピル基、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン−2−イル基、ペルフルオロエチルメチル基、1−(トリフルオロメチル)−1,2,2,2−テトラフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、1,1,2,2−テトラフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3,4,4−オクタフルオロブチル基、2,2,3,3,4,4,4−ヘプタフルオロブチル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロ−tert−ブチル基、2−(ペルフルオロプロピル)エチル基、1,1,2,2,3,3,4,4−オクタフルオロペンチル基、ペルフルオロペンチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5−デカフルオロペンチル基、1,1−ビス(トリフルオロメチル)−2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル基、ペルフルオロペンチル基、2−(ペルフルオロブチル)エチル基、2−(ペルフルオロオクチル)エチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5−デカフルオロヘキシル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6−ドデカフルオロヘキシル基、ペルフルオロペンチルメチル基及びペルフルオロヘキシル基等のフッ化アルキル基が挙げられる。
フッ素原子を有する脂環式炭化水素基としては、ペルフルオロシクロヘキシル基、ペルフルオロアダマンチル基等が挙げられる。
Examples of the saturated hydrocarbon group having a fluorine atom for R 2 include an alkyl group having a fluorine atom and an alicyclic saturated hydrocarbon group having a fluorine atom.
Examples of the alkyl group having a fluorine atom include a difluoromethyl group, a trifluoromethyl group, a 1,1-difluoroethyl group, a 2,2-difluoroethyl group, a 2,2,2-trifluoroethyl group, a perfluoroethyl group, 1 , 1,2,2-tetrafluoropropyl group, 1,1,2,2,3,3-hexafluoropropyl group, 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl group, Perfluoroethylmethyl group, 1- (trifluoromethyl) -1,2,2,2-tetrafluoroethyl group, perfluoropropyl group, 1,1,2,2-tetrafluorobutyl group, 1,1,2,2 , 3,3-hexafluorobutyl group, 1,1,2,2,3,3,4,4-octafluorobutyl group, 2,2,3,3,4,4,4-heptafluorobutyl group, PERF Orobutyl group, perfluoro-tert-butyl group, 2- (perfluoropropyl) ethyl group, 1,1,2,2,3,3,4,4-octafluoropentyl group, perfluoropentyl group, 1,1,2, 2,3,3,4,4,5,5-decafluoropentyl group, 1,1-bis (trifluoromethyl) -2,2,3,3,3-pentafluoropropyl group, perfluoropentyl group, 2 -(Perfluorobutyl) ethyl group, 2- (perfluorooctyl) ethyl group, 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-decafluorohexyl group, 1,1,2,2, Fluorinated alkyl groups such as 3,3,4,4,5,5,6,6-dodecafluorohexyl group, perfluoropentylmethyl group and perfluorohexyl group can be mentioned.
Examples of the alicyclic hydrocarbon group having a fluorine atom include a perfluorocyclohexyl group and a perfluoroadamantyl group.

構造単位(I)は、好ましくは式(Ia)で表される構造単位である。
[式(Ia)中、
1は、水素原子又はメチル基を表す。
3は、炭素数1〜4のペルフルオロアルキル基を表す。
nは、1〜4の整数を表す。]
The structural unit (I) is preferably a structural unit represented by the formula (Ia).
[In the formula (Ia),
R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group.
R 3 represents a perfluoroalkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
n represents an integer of 1 to 4. ]

3のペルフルオロアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロブチル基等が挙げられる。 Examples of the perfluoroalkyl group for R 3 include a trifluoromethyl group, a perfluoroethyl group, a perfluoropropyl group, and a perfluorobutyl group.

構造単位(I)は、式(I’)で表される化合物(以下、「化合物(I’)」という場合がある)から誘導される。
[式(I’)中、R1及びR2は、上記と同義である。]
The structural unit (I) is derived from a compound represented by the formula (I ′) (hereinafter sometimes referred to as “compound (I ′)”).
[In Formula (I ′), R 1 and R 2 have the same meanings as described above. ]

化合物(I’)としては、例えば、以下のものが挙げられる。
Examples of compound (I ′) include the following.

化合物(I’)は、公知の方法により製造することができる。例えば、塩基性条件でフルオロヨードアルカリ化合物とメタアクリレートとを反応させることにより化合物(I’)は製造することができる。   Compound (I ′) can be produced by a known method. For example, compound (I ′) can be produced by reacting a fluoroiodoalkali compound and methacrylate under basic conditions.

また、樹脂(A−1)は、構造単位(I)に加えて、酸不安定基を有する構造単位(以下「構造単位(a)」という場合がある)を含むことが好ましい。   In addition to the structural unit (I), the resin (A-1) preferably includes a structural unit having an acid labile group (hereinafter sometimes referred to as “structural unit (a)”).

〔構造単位(a)〕
構造単位(a)における酸不安定基とは、脱離基を有し、酸との接触により脱離基が脱離して、親水性基(例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基)を形成する基を意味する。
酸不安定基としては、例えば、式(1)で表される基、式(2)で表される基等が挙げられる。
[式(1)中、Ra1、Ra2及びRa3は、それぞれ独立に、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数3〜20の脂環式炭化水素基又はこれらを組合わせることにより形成される基を表すか、Ra1及びRa2は互いに結合して炭素数2〜20の2価の炭化水素基を形成する。*は結合手を表す。]
[式(2)中、Ra1’及びRa2’は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1〜12の炭化水素基を表し、Ra3’は、炭素数1〜20の炭化水素基を表すか、Ra2’及びRa3’は互いに結合して炭素数2〜20の2価の炭化水素基を形成し、該炭化水素基及び該2価の炭化水素基を構成する−CH2−は、−O―又は―S−で置き換わってもよい。
[Structural unit (a)]
The acid labile group in the structural unit (a) is a group having a leaving group, and the leaving group is eliminated by contact with an acid to form a hydrophilic group (for example, a hydroxy group or a carboxy group). means.
Examples of the acid labile group include a group represented by the formula (1) and a group represented by the formula (2).
[In the formula (1), R a1 , R a2 and R a3 are each independently formed by an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, or a combination thereof. R a1 and R a2 are bonded to each other to form a divalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms. * Represents a bond. ]
[In Formula (2), R a1 ′ and R a2 ′ each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, and R a3 ′ represents a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms. R a2 ′ and R a3 ′ are bonded to each other to form a divalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms, and —CH 2 — constituting the hydrocarbon group and the divalent hydrocarbon group. May be replaced by -O- or -S-.

a1〜Ra3のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が挙げられる。
a1〜Ra3の脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及び下記の基(*は結合手を表す。)等が挙げられる。Ra1〜Ra3の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数3〜16である。
アルキル基と脂環式炭化水素基とを組合わせることにより形成される基としては、例えば、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、メチルノルボルニル基等が挙げられる。
Examples of the alkyl group represented by R a1 to R a3 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, and an octyl group.
The alicyclic hydrocarbon group for R a1 to R a3 may be monocyclic or polycyclic. Examples of the monocyclic alicyclic hydrocarbon group include cycloalkyl groups such as a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclooctyl group. Examples of the polycyclic alicyclic hydrocarbon group include decahydronaphthyl group, adamantyl group, norbornyl group, and the following groups (* represents a bond). The alicyclic hydrocarbon group of R a1 to R a3 preferably has 3 to 16 carbon atoms.
Examples of the group formed by combining an alkyl group and an alicyclic hydrocarbon group include a methylcyclohexyl group, a dimethylcyclohexyl group, and a methylnorbornyl group.

a1及びRa2が互いに結合して2価の炭化水素基を形成する場合の−C(Ra1)(Ra2)(Ra3)としては、例えば、下記の基が挙げられる。*は−O−との結合手を表す。
2価の炭化水素基は、好ましくは炭素数3〜12である。
Examples of —C (R a1 ) (R a2 ) (R a3 ) in the case where R a1 and R a2 are bonded to each other to form a divalent hydrocarbon group include the following groups. * Represents a bond with -O-.
The divalent hydrocarbon group preferably has 3 to 12 carbon atoms.

式(1)で表される基としては、例えば、1,1−ジアルキルアルコキシカルボニル基(式(1)中においてRa1〜Ra3がアルキル基である基、好ましくはtert−ブトキシカルボニル基)、2−アルキルアダマンタン−2−イルオキシカルボニル基(式(1)中、Ra1、Ra2及びこれらが結合する炭素原子がアダマンチル基を形成し、Ra3がアルキル基である基)及び1−(アダマンタン−1−イル)−1−アルキルアルコキシカルボニル基(式(1)中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基である基)等が挙げられる。 Examples of the group represented by the formula (1) include a 1,1-dialkylalkoxycarbonyl group (a group in which R a1 to R a3 are alkyl groups in the formula (1), preferably a tert-butoxycarbonyl group), 2-alkyladamantan-2-yloxycarbonyl group (in the formula (1), R a1 , R a2 and the carbon atom to which they are bonded form an adamantyl group, and R a3 is an alkyl group) and 1- ( And adamantane-1-yl) -1-alkylalkoxycarbonyl group (in the formula (1), R a1 and R a2 are alkyl groups, and R a3 is an adamantyl group).

a1'〜Ra3'の炭化水素基としては、例えば、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基等が挙げられる。
アルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2−エチルヘキシル基が挙げられる。
脂環式炭化水素基は、単環式又は多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、p−メチルフェニル基、p−tert−ブチルフェニル基、p−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、2,6−ジエチルフェニル基、2−メチル−6−エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。
a2'及びRa3'が互いに結合して形成する2価の炭化水素基としては、例えば、Ra1'〜Ra3'の炭化水素基から水素原子を1個取り去った基が挙げられる。
a1'及びRa2'のうち、少なくとも1つは水素原子であることが好ましい。
Examples of the hydrocarbon group for R a1 ′ to R a3 ′ include an alkyl group, an alicyclic hydrocarbon group, and an aromatic hydrocarbon group.
Examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group and 2-ethylhexyl group. .
The alicyclic hydrocarbon group may be monocyclic or polycyclic. Examples of the monocyclic alicyclic hydrocarbon group include cycloalkyl groups such as a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclooctyl group. Examples of the polycyclic alicyclic hydrocarbon group include a decahydronaphthyl group, an adamantyl group, and a norbornyl group.
Aromatic hydrocarbon groups include phenyl, naphthyl, anthryl, p-methylphenyl, p-tert-butylphenyl, p-adamantylphenyl, tolyl, xylyl, cumenyl, mesityl, biphenyl Groups, phenanthryl groups, 2,6-diethylphenyl groups, aryl groups such as 2-methyl-6-ethylphenyl, and the like.
Examples of the divalent hydrocarbon group formed by combining R a2 ′ and R a3 ′ include groups in which one hydrogen atom has been removed from the hydrocarbon groups of R a1 ′ to R a3 ′ .
At least one of R a1 ′ and R a2 ′ is preferably a hydrogen atom.

式(2)で表される基の具体例としては、例えば、以下の基が挙げられる。*は結合手を表す。
Specific examples of the group represented by the formula (2) include the following groups. * Represents a bond.

構造単位(a)を導くモノマーは、好ましくは、酸不安定基とエチレン性不飽和結合とを有するモノマー、より好ましくは酸不安定基を有する(メタ)アクリル系モノマーである。   The monomer for deriving the structural unit (a) is preferably a monomer having an acid labile group and an ethylenically unsaturated bond, and more preferably a (meth) acrylic monomer having an acid labile group.

酸不安定基を有する(メタ)アクリル系モノマーとして、好ましくは、炭素数5〜20の脂環式炭化水素基を有するものが挙げられる。脂環式炭化水素基のような嵩高い構造を有する構造単位(a)を有する樹脂をレジスト組成物に使用すれば、レジストパターンの解像度を向上させることができる。   Preferred examples of the (meth) acrylic monomer having an acid labile group include those having an alicyclic hydrocarbon group having 5 to 20 carbon atoms. If a resin having a structural unit (a) having a bulky structure such as an alicyclic hydrocarbon group is used in the resist composition, the resolution of the resist pattern can be improved.

式(1)で表される基を有する(メタ)アクリル系モノマーに由来する構造単位として、好ましくは式(a1−1)で表される構造単位又は式(a1−2)で表される構造単位が挙げられる。これらは単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。本明細書では、式(a1−1)で表される構造単位及び式(a1−2)で表される構造単位を、それぞれ構造単位(a1−1)及び構造単位(a1−2)と、構造単位(a1−1)を誘導するモノマー及び構造単位(a1−2)を誘導するモノマーを、それぞれモノマー(a1−1)及びモノマー(a1−2)という場合がある。   As a structural unit derived from a (meth) acrylic monomer having a group represented by formula (1), preferably a structural unit represented by formula (a1-1) or a structure represented by formula (a1-2) Units are listed. These may be used alone or in combination of two or more. In this specification, the structural unit represented by the formula (a1-1) and the structural unit represented by the formula (a1-2) are represented by the structural unit (a1-1) and the structural unit (a1-2), respectively. The monomer that derives the structural unit (a1-1) and the monomer that derives the structural unit (a1-2) may be referred to as a monomer (a1-1) and a monomer (a1-2), respectively.

[式(a1−1)及び式(a1−2)中、
a1及びLa2は、それぞれ独立に、−O−又は−O−(CH2k1−CO−O−を表し、k1は1〜7の整数を表し、*は−CO−との結合手を表す。
a4及びRa5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
a6及びRa7は、それぞれ独立に、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数3〜18の脂環式炭化水素基又はこれらを組合わせた基を表す。
m1は0〜14の整数を表す。
n1は0〜10の整数を表す。
n1’は0〜3の整数を表す。]
[In Formula (a1-1) and Formula (a1-2),
L a1 and L a2 each independently represent —O— or * —O— (CH 2 ) k1 —CO—O—, k1 represents an integer of 1 to 7, and * represents a bond to —CO—. Represents a hand.
R a4 and R a5 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group.
R a6 and R a7 each independently represent an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms, or a group obtained by combining these.
m1 represents the integer of 0-14.
n1 represents an integer of 0 to 10.
n1 ′ represents an integer of 0 to 3. ]

a1及びLa2は、好ましくは、−O−又は−O−(CH2k1’−CO−O−であり、より好ましくは−O−である。k1’は、1〜4の整数、より好ましくは1である。
a4及びRa5は、好ましくはメチル基である。
a6及びRa7のアルキル基、脂環式炭化水素基及びこれらを組合わせることにより形成される基としては、式(1)のRa1〜Ra3で挙げた基と同様の基が挙げられる。
a6及びRa7のアルキル基は、好ましくは炭素数6以下である。
a6及びRa7の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数8以下、より好ましくは6以下である。
m1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
n1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
n1’は好ましくは0又は1である。
L a1 and L a2 are preferably —O— or * —O— (CH 2 ) k1 ′ —CO—O—, more preferably —O—. k1 ′ is an integer of 1 to 4, more preferably 1.
R a4 and R a5 are preferably methyl groups.
Examples of the group formed by combining the alkyl group of R a6 and R a7 , the alicyclic hydrocarbon group, and these include the same groups as those described for R a1 to R a3 in formula (1). .
The alkyl group for R a6 and R a7 preferably has 6 or less carbon atoms.
The alicyclic hydrocarbon group of R a6 and R a7 preferably has 8 or less carbon atoms, more preferably 6 or less.
m1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.
n1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.
n1 ′ is preferably 0 or 1.

モノマー(a1−1)としては、例えば、特開2010−204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。中でも、式(a1−1−1)〜式(a1−1−8)のいずれかで表されるモノマーが好ましく、式(a1−1−1)〜式(a1−1−4)のいずれかで表されるモノマーがより好ましい。
As a monomer (a1-1), the monomer described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-204646 is mentioned, for example. Among these, a monomer represented by any one of formula (a1-1-1) to formula (a1-1-8) is preferable, and any one of formula (a1-1-1) to formula (a1-1-4) is preferable. The monomer represented by is more preferable.

モノマー(a1−2)としては、例えば、1−エチルシクロペンタン−1−イル(メタ)アクリレート、1−エチルシクロヘキサン−1−イル(メタ)アクリレート、1−エチルシクロヘプタン−1−イル(メタ)アクリレート、1−メチルシクロペンタン−1−イル(メタ)アクリレート、1−メチルシクロヘキサン−1−イル(メタ)アクリレート、1−イソプロピルシクロペンタン−1−イル(メタ)アクリレート、1−イソプロピルシクロヘキサン−1−イル(メタ)アクリレート等が挙げられる。式(a1−2−1)〜式(a1−2−12)で表されるモノマーが好ましく、式(a1−2−3)〜式(a1−2−4)又は式(a1−2−9)〜式(a1−2−10)で表されるモノマーがより好ましく、式(a1−2−3)又は式(a1−2−9)で表されるモノマーがさらに好ましい。
Examples of the monomer (a1-2) include 1-ethylcyclopentan-1-yl (meth) acrylate, 1-ethylcyclohexane-1-yl (meth) acrylate, and 1-ethylcycloheptan-1-yl (meth). Acrylate, 1-methylcyclopentan-1-yl (meth) acrylate, 1-methylcyclohexane-1-yl (meth) acrylate, 1-isopropylcyclopentan-1-yl (meth) acrylate, 1-isopropylcyclohexane-1- And yl (meth) acrylate. Monomers represented by the formula (a1-2-1) to the formula (a1-2-12) are preferred, and the formula (a1-2-3) to the formula (a1-2-4) or the formula (a1-2-9) The monomer represented by formula (a1-2-10) is more preferable, and the monomer represented by formula (a1-2-3) or formula (a1-2-9) is more preferable.

樹脂(A−1)が構造単位(a1−1)及び/又は構造単位(a1−2)を含む場合、これらの合計含有率は、樹脂(A−1)の全構造単位に対して、通常10〜95モル%であり、好ましくは15〜90モル%であり、より好ましくは20〜85モル%である。   When the resin (A-1) includes the structural unit (a1-1) and / or the structural unit (a1-2), the total content thereof is usually based on the total structural unit of the resin (A-1). It is 10-95 mol%, Preferably it is 15-90 mol%, More preferably, it is 20-85 mol%.

酸不安定基を有する(メタ)アクリル系モノマーに由来する構造単位としては、式(a1−5)で表されるモノマーに由来する構造単位(以下「構造単位(a1−5)」という場合がある)が挙げられる。
[式(a1−5)中、
31は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1〜6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
a1は、単結合又は*−[CH2k4−CO−La54−を表す。ここで、k4は1〜4の整数を表す。*は、La51との結合手を表す。
a51、La52、La53及びLa54は、それぞれ独立に、−O−又は−S−を表す。
s1は、1〜3の整数を表す。
s1’は、0〜3の整数を表す。]
As a structural unit derived from a (meth) acrylic monomer having an acid labile group, a structural unit derived from a monomer represented by formula (a1-5) (hereinafter referred to as “structural unit (a1-5)”). There is).
[In the formula (a1-5),
R 31 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom, a hydrogen atom or a halogen atom.
Z a1 represents a single bond or * — [CH 2 ] k4 —CO—L a54 —. Here, k4 represents an integer of 1 to 4. * Represents a bond with L a51 .
L a51 , L a52 , L a53 and L a54 each independently represent —O— or —S—.
s1 represents an integer of 1 to 3.
s1 ′ represents an integer of 0 to 3. ]

式(a1−5)においては、R31は、水素原子、メチル基及びトリフルオロメチル基が好ましい。
a51は、酸素原子が好ましい。
a52及びLa53は、一方が酸素原子、他方が硫黄原子が好ましい。
s1は、1が好ましい。
s1’は、0〜2の整数が好ましい。
a1は、単結合又は*−CH2−CO−O−が好ましい。
In formula (a1-5), R 31 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group.
L a51 is preferably an oxygen atom.
One of L a52 and L a53 is preferably an oxygen atom and the other is a sulfur atom.
s1 is preferably 1.
s1 ′ is preferably an integer of 0 to 2.
Z a1 is preferably a single bond or * —CH 2 —CO—O—.

式(a1−5)で表されるモノマーとしては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。
Examples of the monomer represented by the formula (a1-5) include the following monomers.

樹脂(A−1)が、構造単位(a1−5)を有する場合、その含有率は、樹脂(A−1)の全構造単位に対して、1〜50モル%が好ましく、3〜45モル%がより好ましく、5〜40モル%がさらに好ましい。   When the resin (A-1) has the structural unit (a1-5), the content is preferably from 1 to 50 mol%, more preferably from 3 to 45 mol, based on all structural units of the resin (A-1). % Is more preferable, and 5 to 40 mol% is more preferable.

樹脂(A−1)は、構造単位(I)及び構造単位(a)に加えて、後述する酸不安定基を有さないモノマーに由来する構造単位(以下「構造単位(s)」という場合がある)、式(IIIA)で表される構造単位、当該分野で用いられる公知のモノマーに由来する構造単位等を含んでいてもよい。   In addition to the structural unit (I) and the structural unit (a), the resin (A-1) is derived from a monomer having no acid labile group, which will be described later (hereinafter referred to as “structural unit (s)”) And a structural unit derived from a known monomer used in the field may be included.

[式(IIIA)中、
11は、水素原子又はメチル基を表す。
環W2は、炭素数6〜10の炭化水素環を表す。
12は、−O−、−CO−O−又は−O−CO−(は環W2との結合手を表す)を表す。
12は、フッ素原子を有する炭素数1〜6のアルキル基を表す。]
[In the formula (IIIA),
R 11 represents a hydrogen atom or a methyl group.
Ring W 2 represents a hydrocarbon ring having 6 to 10 carbon atoms.
A 12 represents —O—, * —CO—O—, or * —O—CO— ( * represents a bond to ring W 2 ).
R 12 represents a C 1-6 alkyl group having a fluorine atom. ]

環W2の炭化水素環としては、例えば、脂環式炭化水素環が挙げられ、好ましくは、飽和の脂環式炭化水素環である。
飽和の脂環式炭化水素環としては、例えば、以下の環が挙げられる。
環W2としては、アダマンタン環又はシクロヘキサン環が好ましく、アダマンタン環がより好ましい。
Examples of the hydrocarbon ring of ring W 2 include an alicyclic hydrocarbon ring, and a saturated alicyclic hydrocarbon ring is preferable.
Examples of the saturated alicyclic hydrocarbon ring include the following rings.
Ring W 2 is preferably an adamantane ring or a cyclohexane ring, and more preferably an adamantane ring.

12のフッ素原子を有する炭素数1〜6のアルキル基としては、例えば、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、1,1−ジフルオロエチル基、2,2−ジフルオロエチル基、2,2,2−トリフルオロエチル基、ペルフルオロエチル基、1,1,2,2−テトラフルオロプロピル基、1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロプロピル基、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン−2−イル基、ペルフルオロエチルメチル基、1−(トリフルオロメチル)−1,2,2,2−テトラフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、1,1,2,2−テトラフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3,4,4−オクタフルオロブチル基、2,2,3,3,4,4,4−ヘプタフルオロブチル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロ−tert−ブチル基、2−(ペルフルオロプロピル)エチル基、1,1,2,2,3,3,4,4−オクタフルオロペンチル基、ペルフルオロペンチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5−デカフルオロペンチル基、1,1−ビス(トリフルオロメチル)−2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル基、ペルフルオロペンチル基、2−(ペルフルオロブチル)エチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5−デカフルオロヘキシル基、1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6−ドデカフルオロヘキシル基、ペルフルオロペンチルメチル基及びペルフルオロヘキシル基等のフッ化アルキル基が挙げられる。好ましくは、下記の基である。
Examples of the alkyl group having 1 to 6 carbon atoms having a fluorine atom as R 12 include a difluoromethyl group, a trifluoromethyl group, a 1,1-difluoroethyl group, a 2,2-difluoroethyl group, and 2,2,2 -Trifluoroethyl group, perfluoroethyl group, 1,1,2,2-tetrafluoropropyl group, 1,1,2,2,3,3-hexafluoropropyl group, 1,1,1,3,3 3-hexafluoropropan-2-yl group, perfluoroethylmethyl group, 1- (trifluoromethyl) -1,2,2,2-tetrafluoroethyl group, perfluoropropyl group, 1,1,2,2-tetra Fluorobutyl group, 1,1,2,2,3,3-hexafluorobutyl group, 1,1,2,2,3,3,4,4-octafluorobutyl group, 2,2,3,3 4,4,4-he Tafluorobutyl group, perfluorobutyl group, perfluoro-tert-butyl group, 2- (perfluoropropyl) ethyl group, 1,1,2,2,3,4,4-octafluoropentyl group, perfluoropentyl group, 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-decafluoropentyl group, 1,1-bis (trifluoromethyl) -2,2,3,3,3-pentafluoropropyl group Perfluoropentyl group, 2- (perfluorobutyl) ethyl group, 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5-decafluorohexyl group, 1,1,2,2,3,3 , 4, 4, 5, 5, 6, 6-dodecafluorohexyl group, perfluoropentylmethyl group, and perfluorohexyl group. The following groups are preferable.

式(IIIA)で表される構造単位としては、以下で表される構造単位が好ましい。
上記の構造単位において、R11に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位も、構造単位(IIIA)の具体例として挙げることができる。
中でも、式(IIIA−1)で表される構造単位又はR11に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が好ましい。
As the structural unit represented by the formula (IIIA), structural units represented by the following are preferable.
In the above structural unit, a structural unit in which a methyl group corresponding to R 11 is replaced with a hydrogen atom can also be given as a specific example of the structural unit (IIIA).
Among these, a structural unit represented by the formula (IIIA-1) or a structural unit in which a methyl group corresponding to R 11 is replaced with a hydrogen atom is preferable.

樹脂(A−1)において、構造単位(I)の含有率は、樹脂(A−1)の全構造単位に対して、好ましくは5〜100モル%であり、より好ましくは20〜100モル%である。
樹脂(A−1)は、好ましくは、構造単位(I)と構造単位(a)とを含む樹脂であり、より好ましくは、構造単位(I)と構造単位(a)とのみからなる樹脂である。構造単位(a)としては、構造単位(a1−1)及び/又は構造単位(a1−2)が好ましい。
In the resin (A-1), the content of the structural unit (I) is preferably 5 to 100 mol%, more preferably 20 to 100 mol%, based on all the structural units of the resin (A-1). It is.
The resin (A-1) is preferably a resin containing the structural unit (I) and the structural unit (a), and more preferably a resin consisting only of the structural unit (I) and the structural unit (a). is there. As the structural unit (a), the structural unit (a1-1) and / or the structural unit (a1-2) is preferable.

樹脂(A−1)が、構造単位(I)と構造単位(a)とからなる樹脂である場合、これらの含有率はそれぞれ、樹脂(A−1)の全構造単位に対して、
構造単位(I);10〜95モル%
構造単位(a);5〜90モル%が好ましく、
構造単位(I);15〜90モル%
構造単位(a);10〜85モル%がより好ましく、
構造単位(I);20〜85モル%
構造単位(a);15〜80モル%がさらに好ましく、
構造単位(I);40〜75モル%
構造単位(a);25〜60モル%が特に好ましい。
When resin (A-1) is resin which consists of structural unit (I) and structural unit (a), these content rates are respectively with respect to all the structural units of resin (A-1).
Structural unit (I); 10-95 mol%
Structural unit (a); preferably 5 to 90 mol%,
Structural unit (I); 15-90 mol%
Structural unit (a); 10 to 85 mol% is more preferable,
Structural unit (I); 20 to 85 mol%
Structural unit (a); 15 to 80 mol% is more preferred,
Structural unit (I); 40 to 75 mol%
Structural unit (a); 25-60 mol% is particularly preferred.

樹脂(A−1)が、構造単位(s)、式(IIIA)で表される構造単位、当該分野で用いられる公知のモノマーに由来する構造単位等を含有する場合、これらの合計含有率は、樹脂(A−1)の全構造単位に対して、好ましくは、1〜95モル%であり、より好ましくは2〜80モル%である。   When the resin (A-1) contains a structural unit (s), a structural unit represented by the formula (IIIA), a structural unit derived from a known monomer used in this field, the total content of these is The amount is preferably 1 to 95 mol%, more preferably 2 to 80 mol%, based on all structural units of the resin (A-1).

樹脂(A−1)を構成する各構造単位は、1種のみ又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。上述したような含有率で各構造単位を有する樹脂(A−1)は、樹脂(A−1)製造時に用いる全モノマーの総モル量に対する各構造単位を誘導するモノマーの使用モル量を調節することにより製造することができる。
樹脂(A−1)は、これらの構造単位を誘導するモノマーを用いて、公知の重合法(例えばラジカル重合法)によって製造することができる。
樹脂(A−1)の重量平均分子量は、好ましくは、5,000以上(より好ましくは7,000以上、さらに好ましくは10,000以上)、80,000以下(より好ましくは50,000以下、さらに好ましくは30,000以下)である。
重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー分析により、標準ポリスチレン基準の換算値として求められるものであり、該分析の詳細な分析条件は、本明細書の実施例で詳述する。
Each structural unit constituting the resin (A-1) may be used alone or in combination of two or more. Resin (A-1) which has each structural unit by the content rate as mentioned above adjusts the use molar amount of the monomer which derives each structural unit with respect to the total molar amount of all the monomers used at the time of resin (A-1) manufacture. Can be manufactured.
The resin (A-1) can be produced by a known polymerization method (for example, radical polymerization method) using a monomer that derives these structural units.
The weight average molecular weight of the resin (A-1) is preferably 5,000 or more (more preferably 7,000 or more, more preferably 10,000 or more), 80,000 or less (more preferably 50,000 or less, More preferably, it is 30,000 or less.
A weight average molecular weight is calculated | required as a conversion value of a standard polystyrene reference | standard by gel permeation chromatography analysis, and the detailed analysis conditions of this analysis are explained in full detail in the Example of this specification.

〈樹脂(A−2)〉
樹脂(A−2)は、酸不安定基を有する構造単位である構造単位(a)を含み、式(I)で表される構造単位を含まない。
樹脂(A−2)は、さらに、酸不安定基を有さないモノマーに由来する構造単位である構造単位(s)、当該分野で用いられる公知のモノマーに由来する構造単位等を含んでいてもよい。
樹脂(A−2)は、酸の作用により分解し、酢酸ブチル又は2−ヘプタノン等の有機溶媒への溶解性が減少する特性を有することが好ましい。
<Resin (A-2)>
Resin (A-2) contains the structural unit (a) which is a structural unit having an acid labile group, and does not contain the structural unit represented by the formula (I).
The resin (A-2) further includes a structural unit (s) that is a structural unit derived from a monomer having no acid labile group, a structural unit derived from a known monomer used in the field, and the like. Also good.
The resin (A-2) preferably has a property of decomposing by the action of an acid and reducing the solubility in an organic solvent such as butyl acetate or 2-heptanone.

樹脂(A−2)が含む構造単位(a)の合計含有量は、樹脂(A−2)の全構造単位に対して、通常10〜95モル%であり、好ましくは15〜90モル%であり、より好ましくは20〜85モル%である。   The total content of the structural unit (a) contained in the resin (A-2) is usually 10 to 95 mol%, preferably 15 to 90 mol%, based on all the structural units of the resin (A-2). Yes, more preferably 20 to 85 mol%.

樹脂(A−2)が構造単位(a1−1)及び/又は構造単位(a1−2)を含む場合、これらの合計含有率は、樹脂(A−2)の全構造単位に対して、通常10〜95モル%であり、好ましくは15〜90モル%であり、より好ましくは20〜85モル%である。
樹脂(A−2)が、構造単位(a1−5)を有する場合、その含有率は、樹脂(A−2)の全構造単位に対して、1〜50モル%が好ましく、3〜45モル%がより好ましく、5〜40モル%がさらに好ましい。
When the resin (A-2) includes the structural unit (a1-1) and / or the structural unit (a1-2), the total content thereof is usually relative to all the structural units of the resin (A-2). It is 10-95 mol%, Preferably it is 15-90 mol%, More preferably, it is 20-85 mol%.
When resin (A-2) has a structural unit (a1-5), the content rate is preferable with respect to all the structural units of resin (A-2), 1-50 mol%, 3-45 mol % Is more preferable, and 5 to 40 mol% is more preferable.

〔構造単位(s)〕
酸不安定基を有さないモノマーに由来する構造単位である構造単位(s)を導くモノマーとしては、レジスト分野で公知のモノマーが挙げられる。
構造単位(s)としては、ヒドロキシ基又はラクトン環を有し、かつ酸不安定基を有さない構造単位が好ましい。ヒドロキシ基を有し、かつ酸不安定基を有さない構造単位(以下「構造単位(a2)」という場合がある)及び/又はラクトン環を有し、かつ酸不安定基を有さない構造単位(以下「構造単位(a3)」という場合がある)を有する樹脂をレジスト組成物に使用すれば、レジストパターンの解像度及び基板との密着性を向上させることができる。
[Structural unit (s)]
As the monomer for deriving the structural unit (s), which is a structural unit derived from a monomer having no acid labile group, monomers known in the resist field can be mentioned.
As the structural unit (s), a structural unit having a hydroxy group or a lactone ring and having no acid labile group is preferable. A structure having a hydroxy group and having no acid labile group (hereinafter sometimes referred to as “structural unit (a2)”) and / or a lactone ring and having no acid labile group If a resin having a unit (hereinafter sometimes referred to as “structural unit (a3)”) is used for the resist composition, the resolution of the resist pattern and the adhesion to the substrate can be improved.

構造単位(a2)が有するヒドロキシ基は、アルコール性ヒドロキシ基でも、フェノール性ヒドロキシ基でもよい。
レジスト組成物を、KrFエキシマレーザ露光(248nm)、電子線又はEUV(超紫外光)等の高エネルギー線露光に適用する場合、構造単位(a2)として、フェノール性ヒドロキシ基を有する構造単位(a2)を用いることが好ましい。また、ArFエキシマレーザ露光(193nm)等に適用する場合、構造単位(a2)として、アルコール性ヒドロキシ基を有する構造単位(a2)が好ましく、構造単位(a2−1)を用いることがより好ましい。構造単位(a2)は、1種を単独で含有してもよく、2種以上を併用してもよい。
The hydroxy group contained in the structural unit (a2) may be an alcoholic hydroxy group or a phenolic hydroxy group.
When the resist composition is applied to KrF excimer laser exposure (248 nm), high energy beam exposure such as electron beam or EUV (extreme ultraviolet light), the structural unit (a2) having a phenolic hydroxy group as the structural unit (a2) ) Is preferably used. When applied to ArF excimer laser exposure (193 nm) or the like, the structural unit (a2) is preferably a structural unit (a2) having an alcoholic hydroxy group, and more preferably a structural unit (a2-1). As the structural unit (a2), one type may be contained alone, or two or more types may be used in combination.

アルコール性ヒドロキシ基を有する構造単位(a2)としては、式(a2−1)で表される構造単位(以下、場合により「構造単位(a2−1)」という。)が挙げられる。
[式(a2−1)中、
a3は、−O−又は−O−(CH2k2−CO−O−を表し、
k2は1〜7の整数を表す。*は−CO−との結合手を表す。
a14は、水素原子又はメチル基を表す。
a15及びRa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。
o1は、0〜10の整数を表す。]
Examples of the structural unit (a2) having an alcoholic hydroxy group include a structural unit represented by the formula (a2-1) (hereinafter sometimes referred to as “structural unit (a2-1)”).
[In the formula (a2-1),
L a3 represents —O— or * —O— (CH 2 ) k2 —CO—O—,
k2 represents an integer of 1 to 7. * Represents a bond with -CO-.
R a14 represents a hydrogen atom or a methyl group.
R a15 and R a16 each independently represent a hydrogen atom, a methyl group or a hydroxy group.
o1 represents an integer of 0 to 10. ]

式(a2−1)では、La3は、好ましくは、−O−、−O−(CH2k2−CO−O−であり(前記k2は、1〜4の整数である)、より好ましくは−O−である。
a14は、好ましくはメチル基である。
a15は、好ましくは水素原子である。
a16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。
o1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
In the formula (a2-1), L a3 is preferably, -O -, - O- (CH 2) k2 -CO-O- and is (wherein k2 is an integer from 1 to 4), more preferably Is —O—.
R a14 is preferably a methyl group.
R a15 is preferably a hydrogen atom.
R a16 is preferably a hydrogen atom or a hydroxy group.
o1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.

構造単位(a2−1)を導くモノマーとしては、例えば、特開2010−204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。式(a2−1−1)〜式(a2−1−6)のいずれかで表されるモノマーが好ましく、式(a2−1−1)〜式(a2−1−4)のいずれかで表されるモノマーがより好ましく、式(a2−1−1)又は式(a2−1−3)で表されるモノマーがさらに好ましい。
As a monomer which introduce | transduces structural unit (a2-1), the monomer described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-204646 is mentioned, for example. A monomer represented by any one of formula (a2-1-1) to formula (a2-1-6) is preferable, and represented by any one of formula (a2-1-1) to formula (a2-1-4). The monomer represented by Formula (a2-1-1) or Formula (a2-1-3) is more preferable.

樹脂(A2)が構造単位(a2−1)を含む場合、その含有率は、樹脂(A2)の全構造単位に対して、通常1〜45モル%であり、好ましくは1〜40モル%であり、より好ましくは1〜35モル%であり、さらに好ましくは2〜20モル%である。   When resin (A2) contains structural unit (a2-1), the content rate is 1-45 mol% normally with respect to all the structural units of resin (A2), Preferably it is 1-40 mol%. More preferably, it is 1-35 mol%, More preferably, it is 2-20 mol%.

構造単位(a3)が有するラクトン環は、例えば、β−プロピオラクトン環、γ−ブチロラクトン環、δ−バレロラクトン環等の単環でもよく、これら単環式のラクトン環構造を含む橋かけ環でもよい。これらラクトン環のうち、好ましくは、γ−ブチロラクトン環、又は、γ−ブチロラクトン環構造を含む橋かけ環である。   The lactone ring contained in the structural unit (a3) may be, for example, a monocycle such as a β-propiolactone ring, γ-butyrolactone ring, or δ-valerolactone ring, and a bridged ring including these monocyclic lactone ring structures. But you can. Among these lactone rings, a γ-butyrolactone ring or a bridged ring including a γ-butyrolactone ring structure is preferable.

構造単位(a3)は、好ましくは、式(a3−1)、式(a3−2)又は式(a3−3)で表される構造単位である。これらの1種を単独で含有してもよく、2種以上を含有してもよい。   The structural unit (a3) is preferably a structural unit represented by the formula (a3-1), the formula (a3-2), or the formula (a3-3). These 1 type may be contained independently and 2 or more types may be contained.

[式(a3−1)中、
a4は、酸素原子又は−O−(CH2k3−CO−O−(k3は1〜7の整数を表す。)で表される基を表す。*はカルボニル基との結合手を表す。
a18は、水素原子又はメチル基を表す。
a21は炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基を表す。
p1は0〜5の整数を表す。p1が2以上のとき、複数のRa21は互いに同一又は相異なる。
式(a3−2)中、
a5は、酸素原子又は−O−(CH2k3−CO−O−(k3は1〜7の整数を表す。)で表される基を表す。*はカルボニル基との結合手を表す。
a19は、水素原子又はメチル基を表す。
a22は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基を表す。
q1は、0〜3の整数を表す。q1が2以上のとき、複数のRa22は互いに同一又は相異なる。
式(a3−3)中、
a6は、酸素原子又は−O−(CH2k3−CO−O−(k3は1〜7の整数を表す。)で表される基を表す。*はカルボニル基との結合手を表す。
a20は、水素原子又はメチル基を表す。
a23は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1〜4の脂肪族炭化水素基を表す。
r1は、0〜3の整数を表す。r1が2以上のとき、複数のRa23は互いに同一又は相異なる。]
[In the formula (a3-1),
L a4 represents an oxygen atom or a group represented by * —O— (CH 2 ) k3 —CO—O— (k3 represents an integer of 1 to 7). * Represents a bond with a carbonyl group.
R a18 represents a hydrogen atom or a methyl group.
R a21 represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms.
p1 represents an integer of 0 to 5. When p1 is 2 or more, the plurality of R a21 are the same or different from each other.
In formula (a3-2),
L a5 represents an oxygen atom or a group represented by * —O— (CH 2 ) k3 —CO—O— (k3 represents an integer of 1 to 7). * Represents a bond with a carbonyl group.
R a19 represents a hydrogen atom or a methyl group.
R a22 represents a carboxy group, a cyano group, or an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms.
q1 represents an integer of 0 to 3. When q1 is 2 or more, the plurality of R a22 are the same or different from each other.
In formula (a3-3),
L a6 represents an oxygen atom or a group represented by * —O— (CH 2 ) k3 —CO—O— (k3 represents an integer of 1 to 7). * Represents a bond with a carbonyl group.
R a20 represents a hydrogen atom or a methyl group.
R a23 represents a carboxy group, a cyano group, or an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms.
r1 represents an integer of 0 to 3. When r1 is 2 or more, the plurality of R a23 are the same or different from each other. ]

式(a3−1)〜式(a3−3)において、La4〜La6は、それぞれ独立に、好ましくは、酸素原子又は、*−O−(CH2k3−CO−O−で表される基(k3が1〜4の整数である)、より好ましくは酸素原子又は*−O−CH2−CO−O−、さらに好ましくは酸素原子である。
a18〜Ra21は、好ましくはメチル基である。
a22及びRa23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。
p1、q1及びr1は、それぞれ独立に、好ましくは0〜2の整数であり、より好ましくは0又は1である。
In formula (a3-1) to formula (a3-3), L a4 to L a6 are each independently preferably represented by an oxygen atom or * —O— (CH 2 ) k3 —CO—O—. Group (k3 is an integer of 1 to 4), more preferably an oxygen atom or * —O—CH 2 —CO—O—, still more preferably an oxygen atom.
R a18 to R a21 are preferably methyl groups.
R a22 and R a23 are each independently preferably a carboxy group, a cyano group or a methyl group.
p1, q1 and r1 are each independently preferably an integer of 0 to 2, more preferably 0 or 1.

構造単位(a3)を導くモノマーとしては、特開2010−204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。式(a3−1−1)〜式(a3−1−4)、式(a3−2−1)〜式(a3−2−4)及び式(a3−3−1)〜式(a3−3−4)のいずれかで表されるモノマーが好ましく、式(a3−1−1)〜式(a3−1−2)及び式(a3−2−3)〜式(a3−2−4)のいずれかで表されるモノマーがより好ましく、式(a3−1−1)又は式(a3−2−3)で表されるモノマーがさらに好ましい。   Examples of the monomer that leads to the structural unit (a3) include monomers described in JP 2010-204646 A. Formula (a3-1-1) to Formula (a3-1-4), Formula (a3-2-1) to Formula (a3-2-4), and Formula (a3-3-1) to Formula (a3-3) -4) is preferred, and the monomers represented by formula (a3-1-1) to formula (a3-1-2) and formula (a3-2-3) to formula (a3-2-4) are preferred. The monomer represented by either is more preferable, and the monomer represented by the formula (a3-1-1) or the formula (a3-2-3) is more preferable.

樹脂(A−2)が構造単位(a3)を含む場合、その含有率は、樹脂(A−2)の全構造単位に対して、通常5〜70モル%であり、好ましくは10〜65モル%であり、より好ましくは10〜60モル%である。   When the resin (A-2) contains the structural unit (a3), the content is usually 5 to 70 mol%, preferably 10 to 65 mol, based on all the structural units of the resin (A-2). %, More preferably 10 to 60 mol%.

樹脂(A−2)は、好ましくは、構造単位(a)と構造単位(s)とからなる樹脂である。
構造単位(a)は、好ましくは構造単位(a1−1)及び構造単位(a1−2)(好ましくはシクロヘキシル基、シクロペンチル基を有する該構造単位)の少なくとも一種、より好ましくは構造単位(a1−1)である。
構造単位(s)は、好ましくは構造単位(a2)及び構造単位(a3)の少なくとも一種である。構造単位(a2)は、好ましくは構造単位(a2−1)である。構造単位(a3)は、好ましくは構造単位(a3−1)及び構造単位(a3−2)の少なくとも一種である。
The resin (A-2) is preferably a resin composed of the structural unit (a) and the structural unit (s).
The structural unit (a) is preferably at least one of the structural unit (a1-1) and the structural unit (a1-2) (preferably the structural unit having a cyclohexyl group or a cyclopentyl group), more preferably the structural unit (a1- 1).
The structural unit (s) is preferably at least one of the structural unit (a2) and the structural unit (a3). The structural unit (a2) is preferably the structural unit (a2-1). The structural unit (a3) is preferably at least one of the structural unit (a3-1) and the structural unit (a3-2).

樹脂(A−2)は、アダマンチル基を有するモノマーに由来する構造単位(特に、構造単位(a1−1))を、全構造単位(a)に対して15モル%以上含有していることが好ましい。アダマンチル基を有する構造単位の含有率が多いと、レジストパターンのドライエッチング耐性が向上する。   The resin (A-2) contains a structural unit derived from a monomer having an adamantyl group (particularly the structural unit (a1-1)) in an amount of 15 mol% or more based on the total structural unit (a). preferable. When the content of the structural unit having an adamantyl group is large, the dry etching resistance of the resist pattern is improved.

樹脂(A−2)における構造単位(a)の合計含有率は、樹脂(A−2)の全構造単位に対して、好ましくは1〜100モル%であり、より好ましくは10〜95モル%であり、さらに好ましくは15〜90モル%、特に好ましくは20〜85モル%である。
また、樹脂(A−2)が構造単位(s)を含む場合、構造単位(s)の合計含有率は、樹脂(A−2)の全構造単位に対して、好ましくは5〜95モル%であり、より好ましくは10〜80モル%であり、さらに好ましくは20〜70モル%であり、特に好ましくは30〜70モル%である。
The total content of the structural unit (a) in the resin (A-2) is preferably 1 to 100 mol%, more preferably 10 to 95 mol%, based on all the structural units of the resin (A-2). More preferably, it is 15-90 mol%, Most preferably, it is 20-85 mol%.
Moreover, when resin (A-2) contains a structural unit (s), the total content rate of a structural unit (s) becomes like this. Preferably it is 5-95 mol% with respect to all the structural units of resin (A-2). More preferably, it is 10-80 mol%, More preferably, it is 20-70 mol%, Especially preferably, it is 30-70 mol%.

樹脂(A−2)が、構造単位(a)と構造単位(s)からなる樹脂である場合、これらの含有率はそれぞれ、樹脂(A−2)の全構造単位に対して、
構造単位(a);10〜95モル%
構造単位(s);5〜90モル%が好ましく、
構造単位(a);15〜90モル%
構造単位(s);10〜85モル%がより好ましく、
構造単位(a);20〜85モル%
構造単位(s);15〜80モル%がさらに好ましく、
構造単位(a);20〜65モル%
構造単位(s);35〜80モル%が特に好ましい。
When resin (A-2) is resin which consists of structural unit (a) and structural unit (s), these content rates are respectively with respect to all the structural units of resin (A-2),
Structural unit (a); 10-95 mol%
Structural unit (s); 5 to 90 mol% is preferable,
Structural unit (a); 15-90 mol%
Structural unit (s); 10 to 85 mol% is more preferable,
Structural unit (a); 20 to 85 mol%
Structural unit (s); 15 to 80 mol% is more preferable,
Structural unit (a); 20-65 mol%
The structural unit (s); 35 to 80 mol% is particularly preferable.

樹脂(A−2)を構成する各構造単位は、1種のみ又は2種以上を組み合わせて用いてもよく、これら構造単位を誘導するモノマーを用いて、公知の重合法(例えばラジカル重合法)によって製造することができる。
樹脂(A−2)の重量平均分子量は、好ましくは、2,500以上(より好ましくは3,000以上、さらに好ましくは4,000以上)、50,000以下(より好ましくは30,000以下、さらに好ましくは15,000以下)である。
Each structural unit constituting the resin (A-2) may be used alone or in combination of two or more, and a known polymerization method (for example, radical polymerization method) using a monomer that derives these structural units. Can be manufactured by.
The weight average molecular weight of the resin (A-2) is preferably 2,500 or more (more preferably 3,000 or more, more preferably 4,000 or more), 50,000 or less (more preferably 30,000 or less, More preferably, it is 15,000 or less.

樹脂(A)において、樹脂(A−1)と樹脂(A−2)との含有比率(質量比;樹脂(A−1):樹脂(A−2))は、通常0.01:10〜5:10であり、好ましくは0.05:10〜3:10であり、より好ましくは0.1:10〜2:10であり、さらに好ましくは0.2:10〜1:10(質量比)である。   In the resin (A), the content ratio (mass ratio; resin (A-1): resin (A-2)) between the resin (A-1) and the resin (A-2) is usually 0.01: 10 to 10. 5:10, preferably 0.05: 10 to 3:10, more preferably 0.1: 10 to 2:10, still more preferably 0.2: 10 to 1:10 (mass ratio) ).

〈樹脂(A−1)及び(A−2)以外の樹脂〉
樹脂(A)には、上述した樹脂(A−1)及び(A−2)以外の樹脂、例えば、上述した酸不安定モノマー(a1)に由来する構造単位、酸安定モノマーに由来する構造単位、当該分野で用いられる公知のモノマーに由来する構造単位から選択される少なくとも1種を有する樹脂が含有されていてもよい。
樹脂(A)が、樹脂(A−1)及び(A−2)以外の樹脂を含む場合、樹脂(A−1)及び(A−2)以外の樹脂の含有率は、樹脂(A)の合計量に対して、通常0.1〜50質量%であり、好ましくは0.5〜30質量%であり、より好ましくは1〜20質量%である。
<Resin other than resin (A-1) and (A-2)>
The resin (A) includes resins other than the resins (A-1) and (A-2) described above, for example, structural units derived from the acid labile monomer (a1) described above, structural units derived from an acid stable monomer. In addition, a resin having at least one selected from structural units derived from known monomers used in the field may be contained.
When resin (A) contains resin other than resin (A-1) and (A-2), the content rate of resin other than resin (A-1) and (A-2) is resin (A). It is 0.1-50 mass% normally with respect to a total amount, Preferably it is 0.5-30 mass%, More preferably, it is 1-20 mass%.

本発明のレジスト組成物においては、樹脂(A)の含有率は、好ましくは、レジスト組成物の固形分中80質量%以上、より好ましくは99.9重量%以下である。本明細書において「組成物中の固形分」とは、後述する溶剤(E)を除いたレジスト組成物成分の合計を意味する。
組成物中の固形分及びこれに対する樹脂(A)の含有率は、例えば、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定することができる。
In the resist composition of the present invention, the content of the resin (A) is preferably 80% by mass or more, more preferably 99.9% by weight or less in the solid content of the resist composition. In the present specification, the “solid content in the composition” means the total of resist composition components excluding the solvent (E) described later.
The solid content in the composition and the content of the resin (A) relative thereto can be measured, for example, by a known analysis means such as liquid chromatography or gas chromatography.

〈酸発生剤(II)〉
酸発生剤(II)は、式(II)で表される。
[式(II)中、
2は、炭素数1〜6のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基又は−OR5で置換されていてもよく、該アルカンジイル基を構成する−CH2−は、−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
4及びR5は、それぞれ独立に、炭素数1〜24の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよく、該炭化水素基を構成する−CH2−は、−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
は、有機カチオンを表す。]
<Acid generator (II)>
The acid generator (II) is represented by the formula (II).
[In the formula (II),
X 2 represents an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms, and a hydrogen atom contained in the alkanediyl group may be substituted with a hydroxy group or —OR 5 , and —CH constituting the alkanediyl group 2 — may be replaced by —O— or —CO—.
R 4 and R 5 each independently represent a hydrocarbon group having 1 to 24 carbon atoms, and the hydrogen atom contained in the hydrocarbon group may be substituted with a fluorine atom or a hydroxy group, —CH 2 — constituting the group may be replaced by —O— or —CO—.
Z + represents an organic cation. ]

2のアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−1,3−ジイル基、プロパン−1,2−ジイル基、ブタン−1,4−ジイル基、ペンタン−1,5−ジイル基、ヘキサン−1,6−ジイル基、エタン−1,1−ジイル基、プロパン−1,1−ジイル基、プロパン−2,2−ジイル基、ブタン−1,3−ジイル基、2−メチルプロパン−1,3−ジイル基、2−メチルプロパン−1,2−ジイル基、ペンタン−1,4−ジイル基、2−メチルブタン−1,4−ジイル基等が挙げられる。
中でも、メチレン基が好ましい。
Examples of the alkanediyl group of X 2 include a methylene group, an ethylene group, a propane-1,3-diyl group, a propane-1,2-diyl group, a butane-1,4-diyl group, and a pentane-1,5-diyl group. Hexane-1,6-diyl group, ethane-1,1-diyl group, propane-1,1-diyl group, propane-2,2-diyl group, butane-1,3-diyl group, 2-methylpropane -1,3-diyl group, 2-methylpropane-1,2-diyl group, pentane-1,4-diyl group, 2-methylbutane-1,4-diyl group and the like.
Of these, a methylene group is preferable.

アルカンジイル基を構成する−CH2−が−O−又は−CO−で置き換わった基としては、例えば、以下に示す2価の基が挙げられる。*はCF2との結合手を表す。
Examples of the group in which —CH 2 — constituting the alkanediyl group is replaced by —O— or —CO— include the following divalent groups. * Represents a bond with CF 2 .

アルカンジイル基に含まれる水素原子が、ヒドロキシ基又は−OR5で置換され、かつアルカンジイル基を構成する−CH2−が−O−又は−CO−で置き換わった基としては、例えば、以下の基が挙げられる。*はCF2との結合手を表す。
Examples of the group in which the hydrogen atom contained in the alkanediyl group is substituted with a hydroxy group or —OR 5 , and —CH 2 — constituting the alkanediyl group is replaced with —O— or —CO— are, for example, Groups. * Represents a bond with CF 2 .

4及びR5の炭化水素基としては、飽和及び不飽和のいずれでもよく、例えば、直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルケニル基、単環式又は多環式の脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基等が挙げられ、これらの基のうち2種以上を組み合わせることにより形成される基でもよい。
直鎖状アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。
分岐状アルキル基としては、イソプロピル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基等が挙げられる。
直鎖状又は分岐状のアルケニル基としては、ビニル基、α−メチルビニル基等が挙げられる。
単環式の脂環式炭化水素基としては、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基等が挙げられる。
多環式の脂環式炭化水素基としては、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、p−メチルフェニル基、p−tert−ブチルフェニル基、p−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、2,6−ジエチルフェニル基、2−メチル−6−エチルフェニル等が挙げられる。
The hydrocarbon group for R 4 and R 5 may be either saturated or unsaturated, for example, a linear or branched alkyl group or alkenyl group, a monocyclic or polycyclic alicyclic hydrocarbon group And an aromatic hydrocarbon group, etc., and a group formed by combining two or more of these groups may be used.
Examples of the linear alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, and a hexyl group.
Examples of the branched alkyl group include an isopropyl group, a sec-butyl group, and a tert-butyl group.
Examples of the linear or branched alkenyl group include a vinyl group and an α-methylvinyl group.
Examples of the monocyclic alicyclic hydrocarbon group include a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, and a cyclooctyl group.
Examples of the polycyclic alicyclic hydrocarbon group include a norbornyl group and an adamantyl group.
Examples of the aromatic hydrocarbon group include phenyl group, naphthyl group, p-methylphenyl group, p-tert-butylphenyl group, p-adamantylphenyl group, tolyl group, xylyl group, 2,6-diethylphenyl group, 2- And methyl-6-ethylphenyl.

酸発生剤(II)は、式(IIA)で表される酸発生剤であることが好ましい。
[式(IIA)中、X2及びZは、上記と同じ意味を表す。
6は、炭素数1〜17の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよく、該炭化水素基を構成する−CH2−は、−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
7は、炭素数1〜6のアルキル基を表す。
8は、炭素数1〜6のフッ素化アルキル基を表す。
ただし、R6、R7及びR8の合計炭素数は、19以下である。]
The acid generator (II) is preferably an acid generator represented by the formula (IIA).
[In Formula (IIA), X 2 and Z + represent the same meaning as described above.
R 6 represents a hydrocarbon group having 1 to 17 carbon atoms, and a hydrogen atom contained in the hydrocarbon group may be substituted with a fluorine atom or a hydroxy group, and —CH 2 constituting the hydrocarbon group -May be replaced by -O- or -CO-.
R 7 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
R 8 represents a fluorinated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
However, the total carbon number of R 6 , R 7 and R 8 is 19 or less. ]

6の炭化水素基は、飽和及び不飽和のいずれでもよく、例えば、直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルケニル基、単環式又は多環式の脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基等が挙げられ、これらの基のうち2種以上を組み合わせることにより形成される基が挙げられ、好ましくは脂環式炭化水素基である。
炭化水素基を構成する−CH2−が−O−又は−CO−で置き換わった基としては、例えば、以下のものが挙げられる。*は結合手を表す。
6がアルキル基である場合、好ましくは炭素数1〜4のアルキル基であり、より好ましくは炭素数2〜4のアルキル基である。
7のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が挙げられる。好ましくは炭素数1〜2のアルキル基であり、より好ましくはエチル基である。
8のフッ素化アルキル基としては、トリフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、1,1,2,2−テトラフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3,4,4−オクタフルオロブチル基等が挙げられ、好ましくは炭素数1〜3のフッ化アルキル基であり、より好ましくはトリフルオロメチル基である。
The hydrocarbon group for R 6 may be either saturated or unsaturated, for example, a linear or branched alkyl group or alkenyl group, a monocyclic or polycyclic alicyclic hydrocarbon group, aromatic carbonization A hydrogen group etc. are mentioned, The group formed by combining 2 or more types among these groups is mentioned, Preferably it is an alicyclic hydrocarbon group.
Examples of the group in which —CH 2 — constituting the hydrocarbon group is replaced by —O— or —CO— include the following. * Represents a bond.
When R < 6 > is an alkyl group, Preferably it is a C1-C4 alkyl group, More preferably, it is a C2-C4 alkyl group.
Examples of the alkyl group for R 7 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and a butyl group. Preferably it is a C1-C2 alkyl group, More preferably, it is an ethyl group.
As the fluorinated alkyl group for R 8 , a trifluoromethyl group, a perfluoroethyl group, a 1,1,2,2-tetrafluoroethyl group, a perfluorobutyl group, 1,1,2,2,3,3, Examples include 4,4-octafluorobutyl group, preferably a fluorinated alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and more preferably a trifluoromethyl group.

酸発生剤(II)としては、例えば以下の塩が挙げられる。
Examples of the acid generator (II) include the following salts.

+は、例えば、有機スルホニウムカチオン、有機ヨードニウムカチオン、有機アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン、有機ホスホニウムカチオン等の有機オニウムカチオンが挙げられる。これらの中でも、有機スルホニウムカチオン及び有機ヨードニウムカチオンが好ましく、アリールスルホニウムカチオンがより好ましく、式(b2−1)〜式(b2−4)のいずれかで表されるカチオン〔以下、式番号に応じて「カチオン(b2−1)」等という場合がある。〕がさらに好ましい。 Examples of Z + include organic onium cations such as organic sulfonium cations, organic iodonium cations, organic ammonium cations, benzothiazolium cations, and organic phosphonium cations. Among these, an organic sulfonium cation and an organic iodonium cation are preferable, an arylsulfonium cation is more preferable, and a cation represented by any one of the formulas (b2-1) to (b2-4) [hereinafter, depending on the formula number Sometimes referred to as “cation (b2-1)”. ] Is more preferable.

式(b2−1)〜式(b2−4)において、
b4〜Rb6は、それぞれ独立に、炭素数1〜30の脂肪族炭化水素基、炭素数3〜36の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜36の芳香族炭化水素基を表すか、Rb4とRb5とが一緒になって硫黄原子を含む環を形成する。該脂肪族炭化水素基基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数3〜12の脂環式飽和炭化水素基又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、炭素数1〜18のアルキル基、炭素数2〜4のアシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基又は炭素数1〜12のアルコキシ基で置換されていてもよい。
b7及びRb8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルキル基又は炭素数1〜12のアルコキシ基を表す。
m2及びn2は、それぞれ独立に0〜5の整数を表す。m2が2以上のとき、複数のRb7は互いに同一又は相異なり、n2が2以上のとき、複数のRb8は互いに同一又は相異なる。
b9及びRb10は、それぞれ独立に、炭素数1〜30の脂肪族炭化水素基又は炭素数3〜36の脂環式炭化水素基を表すか、Rb9とRb10とは、一緒になってそれらが結合する硫黄原子とともに3員環〜12員環(好ましくは3員環〜7員環)を形成する。該環を構成する−CH2−は、−O−、−SO−又は−CO−に置き換わってもよい。
b11は、水素原子、炭素数1〜30の脂肪族炭化水素基、炭素数3〜36の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜36の芳香族炭化水素基を表す。
b12は、炭素数1〜30の脂肪族炭化水素基、炭素数3〜36の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜36の芳香族炭化水素基を表す。前記脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数6〜18の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数1〜12のアルコキシ基又は炭素数1〜12のアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。
b11とRb12とは、一緒になってそれらが結合する−CH−CO−とともに3員環〜12員環(好ましくは3員環〜7員環)を形成していてもよい。該環を構成する−CH2−は、−O−、−SO−又は−CO−に置き換わってもよい。
b13〜Rb18は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1〜12の脂肪族炭化水素基又は炭素数1〜12のアルコキシ基を表す。
b24は、−S−又は−O−を表す。
o2、p2、s2、及びt2は、それぞれ独立に、0〜5の整数を表す。
q2及びr2は、それぞれ独立に、0〜4の整数を表す。
u2は0又は1を表す。
o2が2以上のとき、複数のRb13は互いに同一又は相異なり、p2が2以上のとき、複数のRb14は互いに同一又は相異なり、q2が2以上のとき、複数のRb15は互いに同一又は相異なり、r2が2以上のとき、複数のRb16は互いに同一又は相異なり、s2が2以上のとき、複数のRb17は互いに同一又は相異なり、t2が2以上のとき、複数のRb18は互いに同一又は相異なる。
In formula (b2-1) to formula (b2-4),
Each of R b4 to R b6 independently represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 36 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 36 carbon atoms; , R b4 and R b5 together form a ring containing a sulfur atom. The hydrogen atom contained in the aliphatic hydrocarbon group is a hydroxy group, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, an alicyclic saturated hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon having 6 to 18 carbon atoms. The hydrogen atom contained in the alicyclic hydrocarbon group may be substituted with a halogen atom, an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an acyl group having 2 to 4 carbon atoms, or a glycidyloxy group. The hydrogen atom contained in the aromatic hydrocarbon group may be substituted with a halogen atom, a hydroxy group or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms.
R b7 and R b8 each independently represent a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms.
m2 and n2 each independently represent an integer of 0 to 5. When m2 is 2 or more, the plurality of R b7 are the same or different from each other, and when n2 is 2 or more, the plurality of R b8 are the same or different from each other.
R b9 and R b10 each independently represent an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms or an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 36 carbon atoms, or R b9 and R b10 are combined together. Together with the sulfur atom to which they are attached, forms a 3- to 12-membered ring (preferably a 3- to 7-membered ring). —CH 2 — constituting the ring may be replaced by —O—, —SO— or —CO—.
R b11 represents a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 36 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 36 carbon atoms.
R b12 represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 36 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 36 carbon atoms. The hydrogen atom contained in the aliphatic hydrocarbon group may be substituted with an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms, and the hydrogen atom contained in the aromatic hydrocarbon group has 1 to 12 carbon atoms. Or an alkoxycarbonyloxy group having 1 to 12 carbon atoms.
R b11 and R b12 may form a 3- to 12-membered ring (preferably a 3- to 7-membered ring) together with —CH—CO— to which they are bonded. —CH 2 — constituting the ring may be replaced by —O—, —SO— or —CO—.
R b13 to R b18 each independently represent a hydroxy group, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms.
L b24 represents -S- or -O-.
o2, p2, s2, and t2 each independently represents an integer of 0 to 5.
q2 and r2 each independently represents an integer of 0 to 4.
u2 represents 0 or 1.
When o2 is 2 or more, the plurality of R b13 are the same or different from each other. When p2 is 2 or more, the plurality of R b14 are the same or different from each other. When q2 is 2 or more, the plurality of R b15 are the same. Alternatively, when r2 is 2 or more, a plurality of R b16 are the same or different from each other, when s2 is 2 or more, a plurality of R b17 are the same or different from each other, and when t2 is 2 or more, a plurality of R b16 b18 are the same or different from each other.

b4とRb5とは、一緒になってそれらが結合する硫黄原子とともに3員環〜12員環(好ましくは3員環〜7員環)を形成してもよい。 R b4 and R b5 may together form a 3- to 12-membered ring (preferably a 3- to 7-membered ring) with the sulfur atom to which they are bonded.

脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2−エチルヘキシル基が挙げられる。特に、Rb9〜Rb12の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1〜12である。
水素原子が脂環式炭化水素基で置換されたアルキル基としては、例えば、1−(アダマンタン−1−イル)アルカン−1−イル基等が挙げられる。
脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、アルキル基で置換されていてもよい。この場合、該脂環式炭化水素基の炭素数は、アルキル基の炭素数も含めて20以下である。単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデシル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及び下記の基等が挙げられる。
特に、Rb9〜Rb12の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数4〜12である。
Examples of the aliphatic hydrocarbon group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group and 2- An ethylhexyl group is mentioned. In particular, the aliphatic hydrocarbon group represented by R b9 to R b12 preferably has 1 to 12 carbon atoms.
Examples of the alkyl group in which a hydrogen atom is substituted with an alicyclic hydrocarbon group include a 1- (adamantan-1-yl) alkane-1-yl group.
The alicyclic hydrocarbon group may be monocyclic or polycyclic, and the hydrogen atom contained in the alicyclic hydrocarbon group may be substituted with an alkyl group. In this case, the carbon number of the alicyclic hydrocarbon group is 20 or less including the carbon number of the alkyl group. Examples of the monocyclic alicyclic hydrocarbon group include cycloalkyl groups such as a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, and a cyclodecyl group. Examples of the polycyclic alicyclic hydrocarbon group include decahydronaphthyl group, adamantyl group, norbornyl group, and the following groups.
In particular, the alicyclic hydrocarbon group of R b9 to R b12 preferably has 4 to 12 carbon atoms.

水素原子がアルキル基で置換された脂環式炭化水素基としては、例えば、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、2−アルキルアダマンタン−2−イル基、メチルノルボルニル基、イソボルニル基等が挙げられる。   Examples of the alicyclic hydrocarbon group in which a hydrogen atom is substituted with an alkyl group include a methylcyclohexyl group, a dimethylcyclohexyl group, a 2-alkyladamantan-2-yl group, a methylnorbornyl group, and an isobornyl group. Can be mentioned.

芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、4−エチルフェニル基、4−tert−ブチルフェニル基、4−シクロへキシルフェニル基、4−アダマンチルフェニル基、2,6−ジエチルフェニル基、2−メチル−6−エチルフェニル基等の置換又は無置換のフェニル基;ビフェニリル基、ナフチル基、フェナントリル基等が挙げられる。
水素原子がアルコキシ基で置換された芳香族炭化水素基としては、例えば、4−メトキシフェニル基等が挙げられる。
水素原子が芳香族炭化水素基で置換されたアルキル基、すなわちアラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、トリチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等が挙げられる。
なお、芳香族炭化水素基に、アルキル基又は脂環式炭化水素基が含まれる場合は、炭素数1〜12のアルキル基及び炭素数3〜18の脂環式炭化水素基が好ましい。
Examples of the aromatic hydrocarbon group include phenyl group, tolyl group, xylyl group, cumenyl group, mesityl group, 4-ethylphenyl group, 4-tert-butylphenyl group, 4-cyclohexylphenyl group, 4-adamantyl group. Substituted or unsubstituted phenyl groups such as phenyl group, 2,6-diethylphenyl group, 2-methyl-6-ethylphenyl group; biphenylyl group, naphthyl group, phenanthryl group and the like.
As an aromatic hydrocarbon group by which the hydrogen atom was substituted by the alkoxy group, 4-methoxyphenyl group etc. are mentioned, for example.
Examples of the alkyl group in which a hydrogen atom is substituted with an aromatic hydrocarbon group, that is, an aralkyl group, include a benzyl group, a phenethyl group, a phenylpropyl group, a trityl group, a naphthylmethyl group, and a naphthylethyl group.
In addition, when an alkyl group or an alicyclic hydrocarbon group is contained in an aromatic hydrocarbon group, a C1-C12 alkyl group and a C3-C18 alicyclic hydrocarbon group are preferable.

アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基及びドデシルオキシ基等が挙げられる。
アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基等が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられる。
アルキルカルボニルオキシ基としては、例えば、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、n−ブチルカルボニルオキシ基、sec−ブチルカルボニルオキシ基、tert−ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び2−エチルヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。
Examples of the alkoxy group include methoxy group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, heptyloxy group, octyloxy group, decyloxy group and dodecyloxy group.
Examples of the acyl group include an acetyl group, a propionyl group, and a butyryl group.
Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.
Examples of the alkylcarbonyloxy group include methylcarbonyloxy group, ethylcarbonyloxy group, n-propylcarbonyloxy group, isopropylcarbonyloxy group, n-butylcarbonyloxy group, sec-butylcarbonyloxy group, tert-butylcarbonyloxy group. Group, pentylcarbonyloxy group, hexylcarbonyloxy group, octylcarbonyloxy group, 2-ethylhexylcarbonyloxy group and the like.

b4とRb5とが一緒になって形成してもよい硫黄原子を含む環としては、単環式、多環式、芳香族性、非芳香族性、飽和及び不飽和のいずれの環であってもよく、硫黄原子を1以上含むものであれば、さらに1以上の酸素原子を含んでいてもよい。該環としては、炭素数3〜18の環が好ましく、炭素数4〜18の環がより好ましい。 The ring containing a sulfur atom which may be formed by combining R b4 and R b5 is any of monocyclic, polycyclic, aromatic, non-aromatic, saturated and unsaturated rings. As long as it contains one or more sulfur atoms, it may further contain one or more oxygen atoms. As the ring, a ring having 3 to 18 carbon atoms is preferable, and a ring having 4 to 18 carbon atoms is more preferable.

b9とRb10とが結合する硫黄原子とともに形成する環としては、例えば、チオラン−1−イウム環(テトラヒドロチオフェニウム環)、チアン−1−イウム環、1,4−オキサチアン−4−イウム環等が挙げられる。
b11とRb12とが結合する−CH−CO−とともに形成する環としては、例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環、オキソアダマンタン環等が挙げられる。
Examples of the ring formed together with the sulfur atom to which R b9 and R b10 are bonded include, for example, a thiolane-1-ium ring (tetrahydrothiophenium ring), a thian-1-ium ring, and a 1,4-oxathian-4-ium. A ring etc. are mentioned.
Examples of the ring formed with —CH—CO— in which R b11 and R b12 are bonded include an oxocycloheptane ring, an oxocyclohexane ring, an oxonorbornane ring, and an oxoadamantane ring.

カチオン(b2−1)〜カチオン(b2−4)の中でも、好ましくは、カチオン(b2−1)であり、より好ましくは、式(b2−1−1)で表されるカチオン(以下「カチオン(b2−1−1)」という場合がある)であり、さらに好ましくは、トリフェニルスルホニウムカチオン(式(b2−1−1)中、v2=w2=x2=0)、ジフェニルトリルスルホニウムカチオン(式(b2−1−1)中、v2=w2=0、x2=1であり、Rb21がメチル基である)又はトリトリルスルホニウムカチオン(式(b2−1−1)中、v2=w2=x2=1であり、Rb19、Rb20及びRb21がいずれもメチル基である)である。 Among the cation (b2-1) to cation (b2-4), the cation (b2-1) is preferable, more preferably a cation represented by the formula (b2-1-1) (hereinafter referred to as “cation ( more preferably triphenylsulfonium cation (in formula (b2-1-1), v2 = w2 = x2 = 0), diphenyltolylsulfonium cation (formula ( b2-1-1), v2 = w2 = 0, x2 = 1, R b21 is a methyl group) or a tolylsulfonium cation (in formula (b2-1-1), v2 = w2 = x2 = 1 and R b19 , R b20 and R b21 are all methyl groups).

式(b2−1−1)中、
b19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子(より好ましくはフッ素原子)、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のアルコキシ基又は炭素数3〜18の脂環式炭化水素基を表す。また、Rb19〜Rb21から選ばれる2つが一緒になって硫黄原子を含む環を形成してもよい。
v2、w2及びx2は、それぞれ独立に0〜5の整数(好ましくは0又は1)を表す。
v2が2以上のとき、複数のRb19は互いに同一又は相異なり、w2が2以上のとき、複数のRb20は互いに同一又は相異なり、x2が2以上のとき、複数のRb21は互いに同一又は相異なる。
In formula (b2-1-1),
R b19 , R b20 and R b21 each independently represent a halogen atom (more preferably a fluorine atom), a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, or 3 to 18 carbon atoms. Represents an alicyclic hydrocarbon group. It is also possible that two selected from R b19 to R b21 together form a ring containing a sulfur atom.
v2, w2 and x2 each independently represent an integer of 0 to 5 (preferably 0 or 1).
When v2 is 2 or more, the plurality of R b19 are the same or different from each other. When w2 is 2 or more, the plurality of R b20 are the same or different from each other. When x2 is 2 or more, the plurality of R b21 are the same. Or different.

なかでも、Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、好ましくは、ハロゲン原子(より好ましくはフッ素原子)、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルキル基又は炭素数1〜12のアルコキシ基である。 Among them, R b19 , R b20 and R b21 are preferably each independently a halogen atom (more preferably a fluorine atom), a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms. It is.

式(b2−1−1)で表されるカチオンとしては、具体的には、特開2010−204646号公報に記載されたカチオンが挙げられる。   Specific examples of the cation represented by the formula (b2-1-1) include cations described in JP 2010-204646 A.

酸発生剤(II)は、上述のアニオン及び上述のカチオンの組合せである。これらは任意に組み合わせることができ、中でも、以下で表される塩が好ましい。   The acid generator (II) is a combination of the above anion and the above cation. These can be arbitrarily combined, and among them, the salt represented by the following is preferable.

塩(II)は、例えば、式(II−0−1)で表される塩と式(II−0−2)で表される化合物とを溶剤中で反応させることにより得ることができる。溶剤としては、クロロホルム等が挙げられる。
[式中、X2、R4及びZは、上記と同じ意味を表す。]
式(II−0−1)で表される塩は、例えば、US2007/298352A1に記載されている方法に従い得ることができる。
The salt (II) can be obtained, for example, by reacting a salt represented by the formula (II-0-1) with a compound represented by the formula (II-0-2) in a solvent. Examples of the solvent include chloroform.
[Wherein, X 2 , R 4 and Z + represent the same meaning as described above. ]
The salt represented by the formula (II-0-1) can be obtained, for example, according to the method described in US2007 / 298352A1.

式(II−0−1)で表される塩は、例えば、以下で表される塩等が挙げられる。
Examples of the salt represented by the formula (II-0-1) include salts represented by the following.

式(II−0−2)で表される化合物は、式(II−0−3)で表される塩と式(II−0−4)で表される化合物とを、溶剤中で反応させることにより得ることができる。
溶媒としては、クロロホルム等が挙げられる。
[式中、R4は、上記と同じ意味を表す。]
式(II−0−3)で表される化合物としては、例えば、以下で表される化合物等が挙げられる。
The compound represented by the formula (II-0-2) is obtained by reacting a salt represented by the formula (II-0-3) and a compound represented by the formula (II-0-4) in a solvent. Can be obtained.
Examples of the solvent include chloroform.
[Wherein R 4 represents the same meaning as described above. ]
Examples of the compound represented by the formula (II-0-3) include compounds represented by the following.

式(IIA)で表される塩は、例えば、式(IIA−1)で表される塩と式(IIA−2)で表される化合物とを溶剤中で反応させることにより得ることができる。溶剤としては、クロロホルム等が挙げられる。
[式中、X2、R6、R7、R8及びZは、上記と同じ意味を表す。]
The salt represented by the formula (IIA) can be obtained, for example, by reacting the salt represented by the formula (IIA-1) with the compound represented by the formula (IIA-2) in a solvent. Examples of the solvent include chloroform.
[Wherein, X 2 , R 6 , R 7 , R 8 and Z + represent the same meaning as described above. ]

式(IIA−1)で表される塩は、式(II−0−1)で表される塩と式(IIA−4)で表される化合物とを溶剤中、酸触媒存在下で反応させることにより製造することができる。溶剤としては、ジメチルホルミアミド等が挙げられる。酸触媒としては、p−トルエンスルホン酸等が挙げられる。
[式中、X2、R7、R8及びZは、上記と同じ意味を表す。]
式(IIA−4)で表される化合物としては、トリフルオロピルビン酸エチル等が挙げられる。
The salt represented by the formula (IIA-1) is obtained by reacting the salt represented by the formula (II-0-1) and the compound represented by the formula (IIA-4) in a solvent in the presence of an acid catalyst. Can be manufactured. Examples of the solvent include dimethylformamide. Examples of the acid catalyst include p-toluenesulfonic acid.
[Wherein, X 2 , R 7 , R 8 and Z + represent the same meaning as described above. ]
Examples of the compound represented by the formula (IIA-4) include ethyl trifluoropyruvate.

式(IIA−2)で表される化合物は、式(IIA−5)で表される塩と式(IIA−6)で表される化合物とを、溶剤中で反応させることにより得ることができる。
溶媒としては、クロロホルム等が挙げられる。
[式中、R6は、上記と同じ意味を表す。]
式(IIA−5)で表される化合物としては、例えば、以下で表される化合物等が挙げられる。
The compound represented by the formula (IIA-2) can be obtained by reacting the salt represented by the formula (IIA-5) and the compound represented by the formula (IIA-6) in a solvent. .
Examples of the solvent include chloroform.
[Wherein R 6 represents the same meaning as described above. ]
Examples of the compound represented by the formula (IIA-5) include compounds represented by the following.

塩(II)は、単独でも複数種を同時に用いてもよい。   The salt (II) may be used alone or in combination of two or more.

〈塩(II)以外の酸発生剤〉
レジスト組成物は、上述した酸発生剤(II)以外の酸発生剤(以下「酸発生剤(B)」という場合がある)を含有していてもよい。
酸発生剤(B)は、非イオン系とイオン系とのいずれを用いてもよい。非イオン系酸発生剤としては、有機ハロゲン化物、スルホネートエステル類(例えば2−ニトロベンジルエステル、芳香族スルホネート、オキシムスルホネート、N−スルホニルオキシイミド、N−スルホニルオキシイミド、スルホニルオキシケトン、ジアゾナフトキノン 4−スルホネート)、スルホン類(例えばジスルホン、ケトスルホン、スルホニルジアゾメタン)等が挙げられる。イオン系酸発生剤は、オニウムカチオンを含むオニウム塩(例えばジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩)等が挙げられる。オニウム塩のアニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、スルホニルメチドアニオン等が挙げられる。
<Acid generator other than salt (II)>
The resist composition may contain an acid generator other than the acid generator (II) described above (hereinafter sometimes referred to as “acid generator (B)”).
The acid generator (B) may be either nonionic or ionic. Examples of the nonionic acid generator include organic halides, sulfonate esters (for example, 2-nitrobenzyl ester, aromatic sulfonate, oxime sulfonate, N-sulfonyloxyimide, N-sulfonyloxyimide, sulfonyloxyketone, diazonaphthoquinone 4). -Sulfonate), sulfones (for example, disulfone, ketosulfone, sulfonyldiazomethane) and the like. Examples of the ionic acid generator include onium salts containing onium cations (for example, diazonium salts, phosphonium salts, sulfonium salts, iodonium salts) and the like. Examples of the anion of the onium salt include a sulfonate anion, a sulfonylimide anion, and a sulfonylmethide anion.

酸発生剤(B)としては、例えば特開昭63−26653号、特開昭55−164824号、特開昭62−69263号、特開昭63−146038号、特開昭63−163452号、特開昭62−153853号、特開昭63−146029号、米国特許第3,779,778号、米国特許第3,849,137号、独国特許第3914407号、欧州特許第126,712号等に記載の放射線によって酸を発生する化合物を使用することができる。   Examples of the acid generator (B) include JP-A 63-26653, JP-A 55-164824, JP-A 62-69263, JP-A 63-146038, JP-A 63-163452, JP-A-62-153853, JP-A-63-146029, US Pat. No. 3,779,778, US Pat. No. 3,849,137, German Patent No. 3914407, European Patent No. 126,712 The compound which generate | occur | produces an acid by the radiation as described in etc. can be used.

酸発生剤(B)は、好ましくはフッ素含有酸発生剤であり、より好ましくは式(B1)で表される塩(以下「塩(B1)」という場合がある)である。   The acid generator (B) is preferably a fluorine-containing acid generator, more preferably a salt represented by the formula (B1) (hereinafter sometimes referred to as “salt (B1)”).

[式(B1)中、
b1及びQb2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
b1は、単結合又は炭素数1〜17の2価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基を構成する−CH2−は、−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
Yは、置換基を有していてもよい炭素数1〜18のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数3〜18の脂環式炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基を構成する−CH2−は、−O−、−SO2−又は−CO−に置き換わっていてもよい。
Z1+は、有機カチオンを表す。]
[In the formula (B1),
Q b1 and Q b2 each independently represent a fluorine atom or a C 1-6 perfluoroalkyl group.
L b1 represents a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 17 carbon atoms, and —CH 2 — constituting the saturated hydrocarbon group may be replaced by —O— or —CO—. .
Y represents an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms which may have a substituent or an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms which may have a substituent. —CH 2 — constituting the alicyclic hydrocarbon group may be replaced by —O—, —SO 2 — or —CO—.
Z1 + represents an organic cation. ]

b1及びQb2のペルフルオロアルキル基としては、例えばトリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec−ブチル基、ペルフルオロtert−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基等が挙げられる。
b1及びQb2は、それぞれ独立に、好ましくはトリフルオロメチル基又はフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。
Examples of the perfluoroalkyl group for Q b1 and Q b2 include a trifluoromethyl group, a perfluoroethyl group, a perfluoropropyl group, a perfluoroisopropyl group, a perfluorobutyl group, a perfluoro sec-butyl group, a perfluorotert-butyl group, a perfluoropentyl group, A perfluorohexyl group etc. are mentioned.
Q b1 and Q b2 are each independently preferably a trifluoromethyl group or a fluorine atom, more preferably a fluorine atom.

b1の2価の飽和炭化水素基としては、直鎖状アルカンジイル基、分岐状アルカンジイル基、単環式又は多環式の脂環式飽和炭化水素基等の2価の脂肪族飽和炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち2種以上を組み合わせルことにより形成される基でもよい。
具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン−1,3−ジイル基、プロパン−1,2−ジイル基、ブタン−1,4−ジイル基、ペンタン−1,5−ジイル基、ヘキサン−1,6−ジイル基、ヘプタン−1,7−ジイル基、オクタン−1,8−ジイル基、ノナン−1,9−ジイル基、デカン−1,10−ジイル基、ウンデカン−1,11−ジイル基、ドデカン−1,12−ジイル基、トリデカン−1,13−ジイル基、テトラデカン−1,14−ジイル基、ペンタデカン−1,15−ジイル基、ヘキサデカン−1,16−ジイル基、ヘプタデカン−1,17−ジイル基、エタン−1,1−ジイル基、プロパン−1,1−ジイル基及びプロパン−2,2−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基;
ブタン−1,3−ジイル基、2−メチルプロパン−1,3−ジイル基、2−メチルプロパン−1,2−ジイル基、ペンタン−1,4−ジイル基、2−メチルブタン−1,4−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基;
シクロブタン−1,3−ジイル基、シクロペンタン−1,3−ジイル基、シクロヘキサン−1,4−ジイル基、シクロオクタン−1,5−ジイル基等のシクロアルカンジイル基である単環式の2価の脂環式飽和炭化水素基;
ノルボルナン−1,4−ジイル基、ノルボルナン−2,5−ジイル基、アダマンタン−1,5−ジイル基、アダマンタン−2,6−ジイル基等の多環式の2価の脂環式飽和炭化水素基等が挙げられる。
The divalent saturated hydrocarbon group of L b1 includes a divalent aliphatic saturated carbon group such as a linear alkanediyl group, a branched alkanediyl group, a monocyclic or polycyclic alicyclic saturated hydrocarbon group, etc. A hydrogen group may be mentioned, and a group formed by combining two or more of these groups may be used.
Specifically, methylene group, ethylene group, propane-1,3-diyl group, propane-1,2-diyl group, butane-1,4-diyl group, pentane-1,5-diyl group, hexane-1 , 6-diyl group, heptane-1,7-diyl group, octane-1,8-diyl group, nonane-1,9-diyl group, decane-1,10-diyl group, undecane-1,11-diyl group , Dodecane-1,12-diyl group, tridecane-1,13-diyl group, tetradecane-1,14-diyl group, pentadecane-1,15-diyl group, hexadecane-1,16-diyl group, heptadecane-1, Linear alkanediyl groups such as 17-diyl group, ethane-1,1-diyl group, propane-1,1-diyl group and propane-2,2-diyl group;
Butane-1,3-diyl group, 2-methylpropane-1,3-diyl group, 2-methylpropane-1,2-diyl group, pentane-1,4-diyl group, 2-methylbutane-1,4- Branched alkanediyl groups such as diyl groups;
Monocyclic 2 which is a cycloalkanediyl group such as cyclobutane-1,3-diyl group, cyclopentane-1,3-diyl group, cyclohexane-1,4-diyl group, cyclooctane-1,5-diyl group Valent alicyclic saturated hydrocarbon group;
Polycyclic divalent alicyclic saturated hydrocarbon such as norbornane-1,4-diyl group, norbornane-2,5-diyl group, adamantane-1,5-diyl group, adamantane-2,6-diyl group, etc. Groups and the like.

b1の2価の飽和炭化水素基を構成する−CH2−が−O−又は−CO−で置き換わった基としては、例えば、式(b1−1)〜式(b1−7)のいずれかで表される基が挙げられる。Lb1は、好ましくは式(b1−1)〜式(b1−4)のいずれかで表される基、より好ましくは式(b1−1)又は式(b1−2)で表される基、さらに好ましくは式(b1−1)で表される基である。なお、式(b1−1)〜式(b1−7)は、その左右を式(B1)に合わせて記載しており、それぞれ*で表される2つの結合手のうち、左側でC(Qb1)(Qb2)−と結合し、右側で−Yと結合する。以下の式(b1−1)〜式(b1−7)の具体例もその左右を式(B1)に合わせて記載しており、それぞれ*で表される2つの結合手のうち、左側でC(Qb1)(Qb2)−と結合し、右側で−Yと結合する。 Examples of the group in which —CH 2 — constituting the divalent saturated hydrocarbon group of L b1 is replaced by —O— or —CO— include any of formulas (b1-1) to (b1-7) The group represented by these is mentioned. L b1 is preferably a group represented by any one of formulas (b1-1) to (b1-4), more preferably a group represented by formula (b1-1) or formula (b1-2), More preferably, it is group represented by Formula (b1-1). In addition, Formula (b1-1)-Formula (b1-7) have described the right and left according to Formula (B1), and among two bonds represented by *, C (Q b1 ) binds to (Q b2 )-, and binds to -Y on the right. Specific examples of the following formulas (b1-1) to (b1-7) are also described in accordance with the formula (B1) on the left and right sides, and each of the two bonds represented by * is represented by C on the left side. It binds to (Q b1 ) (Q b2 ) — and on the right side to —Y.

式(b1−1)〜式(b1−7)中、
b2は、単結合又は炭素数1〜15の2価の飽和炭化水素基を表す。
b3は、単結合又は炭素数1〜12の2価の飽和炭化水素基を表す。
b4は、炭素数1〜13の2価の飽和炭化水素基を表す。但しLb3及びLb4の合計炭素数の上限は13である。
b5は、単結合又は炭素数1〜14の2価の飽和炭化水素基を表す。
b6は、炭素数1〜15の2価の飽和炭化水素基を表す。但しLb5及びLb6の合計炭素数の上限は15である。
b7は、単結合又は炭素数1〜15の2価の飽和炭化水素基を表す。
b8は、炭素数1〜15の2価の飽和炭化水素基を表す。但しLb7及びLb8の合計炭素数の上限は16である。
b9は、単結合又は炭素数1〜13の2価の飽和炭化水素基を表す。
b10は、炭素数1〜14の2価の飽和炭化水素基を表す。但しLb9及びLb10の合計炭素数の上限は14である。
b11及びLb12は、それぞれ独立に、単結合又は炭素数1〜11の2価の飽和炭化水素基を表す。
b13は、炭素数1〜12の2価の飽和炭化水素基を表す。但しLb11、Lb12及びLb13の合計炭素数の上限は12である。
b14及びLb15は、それぞれ独立に、単結合又は炭素数1〜13の2価の飽和炭化水素基を表す。
b16は、炭素数1〜14の2価の飽和炭化水素基を表す。但しLb14、Lb15及びLb16の合計炭素数の上限は14である。
In formula (b1-1) to formula (b1-7),
L b2 represents a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms.
L b3 represents a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms.
L b4 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 13 carbon atoms. However, the upper limit of the total carbon number of L b3 and L b4 is 13.
L b5 represents a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 14 carbon atoms.
L b6 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms. However, the upper limit of the total carbon number of L b5 and L b6 is 15.
L b7 represents a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms.
L b8 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms. However, the upper limit of the total carbon number of L b7 and L b8 is 16.
L b9 represents a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 13 carbon atoms.
L b10 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 14 carbon atoms. However, the upper limit of the total carbon number of L b9 and L b10 is 14.
L b11 and L b12 each independently represent a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 11 carbon atoms.
L b13 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms. However, the upper limit of the total carbon number of L b11 , L b12 and L b13 is 12.
L b14 and L b15 each independently represent a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 13 carbon atoms.
L b16 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 14 carbon atoms. However, the upper limit of the total carbon number of L b14 , L b15 and L b16 is 14.

式(b1−1)で表される基としては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the group represented by the formula (b1-1) include the following.

式(b1−2)で表される基としては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the group represented by the formula (b1-2) include the following.

式(b1−3)で表される基としては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the group represented by the formula (b1-3) include the following.

式(b1−4)で表される基としては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the group represented by the formula (b1-4) include the following.

式(b1−5)で表される基としては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the group represented by the formula (b1-5) include the following.

式(b1−6)で表される基としては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the group represented by the formula (b1-6) include the following.

式(b1−7)で表される基としては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the group represented by the formula (b1-7) include the following.

Yのアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、ヘプチル基、2−エチルヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等のアルキル基が挙げられ、好ましくは、炭素数1〜6のアルキル基が挙げられる。
脂環式炭化水素基としては、例えば、式(Y1)〜式(Y11)で表される基が挙げられる。
Yの脂環式炭化水素基を構成する−CH2−が−O−、−SO2−又は−CO−で置き換わった基としては、例えば、式(Y12)〜式(Y26)で表される基が挙げられる。
Examples of the alkyl group for Y include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, heptyl group, 2 -Alkyl groups, such as an ethylhexyl group, an octyl group, a nonyl group, a decyl group, an undecyl group, a dodecyl group, are mentioned, Preferably a C1-C6 alkyl group is mentioned.
Examples of the alicyclic hydrocarbon group include groups represented by formulas (Y1) to (Y11).
Examples of the group in which —CH 2 — constituting the alicyclic hydrocarbon group of Y is replaced by —O—, —SO 2 — or —CO— are represented by formulas (Y12) to (Y26). Groups.

なかでも、好ましくは式(Y1)〜式(Y19)のいずれかで表される基であり、より好ましくは式(Y11)、式(Y14)、式(Y15)又は式(Y19)で表される基であり、さらに好ましくは式(Y11)又は式(Y14)で表される基である。   Especially, it is preferably a group represented by any one of formulas (Y1) to (Y19), more preferably represented by formula (Y11), formula (Y14), formula (Y15) or formula (Y19). And more preferably a group represented by formula (Y11) or formula (Y14).

Yにおけるアルキル基及び脂環式炭化水素基の置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、オキソ基、炭素数1〜12のアルキル基、ヒドロキシ基含有炭素数1〜12のアルキル基、炭素数3〜16の脂環式炭化水素基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数6〜18の芳香族炭化水素基、炭素数7〜21のアラルキル基、炭素数2〜4のアシル基、グリシジルオキシ基又は−(CH2j2−O−CO−Rb1基(式中、Rb1は、炭素数1〜16のアルキル基、炭素数3〜16の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を表す。j2は、0〜4の整数を表す)等が挙げられる。 Examples of the substituent of the alkyl group and alicyclic hydrocarbon group in Y include, for example, a halogen atom, a hydroxy group, an oxo group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a hydroxy group-containing alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, carbon C3-C16 alicyclic hydrocarbon group, C1-C12 alkoxy group, C6-C18 aromatic hydrocarbon group, C7-C21 aralkyl group, C2-C4 acyl group , Glycidyloxy group or — (CH 2 ) j2 —O—CO—R b1 group (wherein R b1 is an alkyl group having 1 to 16 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 16 carbon atoms, or carbon Represents an aromatic hydrocarbon group of formula 6 to 18. j2 represents an integer of 0 to 4).

ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素原子が挙げられる。
ヒドロキシ基含有アルキル基としては、例えば、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基等が挙げられる。
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基及びドデシルオキシ基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、p−メチルフェニル基、p−tert−ブチルフェニル基、p−アダマンチルフェニル基;トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、2,6−ジエチルフェニル基、2−メチル−6−エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。
アラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、ナフチルメチル基及びナフチルエチル基等が挙げられる。
アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基等が挙げられる。
Examples of the halogen atom include fluorine, chlorine, bromine and iodine atoms.
Examples of the hydroxy group-containing alkyl group include a hydroxymethyl group and a hydroxyethyl group.
Examples of the alkoxy group include methoxy group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, heptyloxy group, octyloxy group, decyloxy group and dodecyloxy group.
Examples of the aromatic hydrocarbon group include phenyl group, naphthyl group, anthryl group, p-methylphenyl group, p-tert-butylphenyl group, p-adamantylphenyl group; tolyl group, xylyl group, cumenyl group, mesityl group. , Aryl groups such as biphenyl group, phenanthryl group, 2,6-diethylphenyl group, 2-methyl-6-ethylphenyl, and the like.
Examples of the aralkyl group include benzyl group, phenethyl group, phenylpropyl group, naphthylmethyl group, and naphthylethyl group.
Examples of the acyl group include an acetyl group, a propionyl group, and a butyryl group.

Yとしては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of Y include the following.

なお、Yがアルキル基であり、かつLb1が炭素数1〜17の2価の直鎖状又は分岐状飽和炭化水素基である場合、Yとの結合位置にある該2価の飽和炭化水素基の−CH2−は、−O−又は−CO−で置き換わっていることが好ましい。この場合、Yのアルキル基を構成する−CH2−は、−O−又は−CO−で置き換わらない。Yのアルキル基及び/又はLb1の2価の直鎖状又は分岐状飽和炭化水素基に含まれる水素原子が置換基で置換されている場合も、Yのアルキル基を構成する−CH2−は、−O−又は−CO−で置き換わらない。 In the case where Y is an alkyl group and L b1 is a divalent linear or branched saturated hydrocarbon group having 1 to 17 carbon atoms, the divalent saturated hydrocarbon at the bonding position with Y. The group —CH 2 — is preferably replaced by —O— or —CO—. In this case, —CH 2 — constituting the alkyl group of Y is not replaced by —O— or —CO—. Even when a hydrogen atom contained in the alkyl group of Y and / or the divalent linear or branched saturated hydrocarbon group of L b1 is substituted with a substituent, —CH 2 — constituting the alkyl group of Y Is not replaced by —O— or —CO—.

Yは、好ましくは置換基を有していてもよい炭素数3〜18の脂環式炭化水素基であり、より好ましくは置換基(例えば、オキソ基、ヒドロキシ基等)を有していてもよいアダマンチル基であり、さらに好ましくはアダマンチル基、ヒドロキシアダマンチル基又はオキソアダマンチル基である。   Y is preferably an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms which may have a substituent, more preferably a substituent (for example, an oxo group, a hydroxy group, etc.). A good adamantyl group, more preferably an adamantyl group, a hydroxyadamantyl group or an oxoadamantyl group.

塩(B1)におけるスルホン酸アニオンとしては、好ましくは、式(b1−1−1)〜式(b1−1−9)で表されるアニオンが挙げられる。以下の式においては、符号の定義は上記と同じ意味であり、Rb2及びRb3は、それぞれ独立に、炭素数1〜4のアルキル基(好ましくは、メチル基)を表す。
塩(B1)におけるスルホン酸アニオンとしては、具体的には、特開2010−204646号公報に記載されたアニオンが挙げられる。
The sulfonate anion in the salt (B1) is preferably an anion represented by the formula (b1-1-1) to the formula (b1-1-9). In the following formulas, the definitions of the symbols have the same meaning as described above, and R b2 and R b3 each independently represent an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms (preferably a methyl group).
Specific examples of the sulfonate anion in the salt (B1) include anions described in JP 2010-204646 A.

塩(B1)に含まれる有機カチオン(Z1+)は、有機オニウムカチオン、例えば、有機スルホニウムカチオン、有機ヨードニウムカチオン、有機アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン、有機ホスホニウムカチオン等が挙げられ、好ましくは、有機スルホニウムカチオン又は有機ヨードニウムカチオンであり、より好ましくは、アリールスルホニウムカチオンであり、さらに好ましくは、上述した式(b2−1)〜式(b2−4)のいずれかで表されるカチオンである。 Examples of the organic cation (Z1 + ) contained in the salt (B1) include an organic onium cation such as an organic sulfonium cation, an organic iodonium cation, an organic ammonium cation, a benzothiazolium cation, and an organic phosphonium cation. An organic sulfonium cation or an organic iodonium cation, more preferably an arylsulfonium cation, and still more preferably a cation represented by any one of the formulas (b2-1) to (b2-4) described above.

塩(B1)としては、例えば、式(B1−1)〜式(B1−20)で表される塩が挙げられる。中でもトリフェニルスルホニウムカチオン又はトリトリルスルホニウムカチオンを含むものが好ましく、式(B1−1)、式(B1−2)、式(B1−3)、式(B1−6)、式(B1−7)、式(B1−11)、式(B1−12)、式(B1−13)及び式(B1−14)のいずれかで表される塩がさらに好ましい。   Examples of the salt (B1) include salts represented by the formula (B1-1) to the formula (B1-20). Among them, those containing a triphenylsulfonium cation or a tolylsulfonium cation are preferable, and are represented by the formula (B1-1), the formula (B1-2), the formula (B1-3), the formula (B1-6), and the formula (B1-7). And a salt represented by any one of the formulas (B1-11), (B1-12), (B1-13) and (B1-14).

レジスト組成物において、酸発生剤として酸発生剤(II)のみを含有する場合、酸発生剤(II)の含有量は、樹脂(A)100質量部に対して、好ましくは1質量部以上(より好ましくは3質量部以上)、好ましくは30質量部以下(より好ましくは25質量部以下)である。
レジスト組成物が、酸発生剤(II)と酸発生剤(B)とを含有する場合、酸発生剤(II)と酸発生剤(B)との合計含有量は、樹脂(A)100質量部に対して、好ましくは1質量部以上(より好ましくは3質量部以上)、好ましくは40質量部以下(より好ましくは35質量部以下)である。
また、酸発生剤(II)と酸発生剤(B)との含有比(質量比)は、例えば、5:95〜95:5、好ましくは10:90〜90:10、より好ましくは15:85〜85:15である。
When the resist composition contains only the acid generator (II) as the acid generator, the content of the acid generator (II) is preferably 1 part by mass or more with respect to 100 parts by mass of the resin (A) ( More preferably 3 parts by mass or more), preferably 30 parts by mass or less (more preferably 25 parts by mass or less).
When the resist composition contains the acid generator (II) and the acid generator (B), the total content of the acid generator (II) and the acid generator (B) is 100 masses of the resin (A). The amount is preferably 1 part by mass or more (more preferably 3 parts by mass or more), preferably 40 parts by mass or less (more preferably 35 parts by mass or less).
The content ratio (mass ratio) between the acid generator (II) and the acid generator (B) is, for example, 5:95 to 95: 5, preferably 10:90 to 90:10, and more preferably 15: 85-85: 15.

〈化合物(D)〉
化合物(D)は、式(D)で表される。
[式(D)中、
1d及びR2dは、それぞれ独立に、炭素数1〜12の炭化水素基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数2〜7のアシル基、炭素数2〜7のアシルオキシ基、炭素数2〜7のアルコキシカルボニル基、ニトロ基又はハロゲン原子を表す。
md及びndは、それぞれ独立に、0〜4の整数を表し、mdが2以上の場合、複数のR1dは同一又は相異なり、ndが2以上の場合、複数のR2dは同一又は相異なる。]
<Compound (D)>
Compound (D) is represented by formula (D).
[In the formula (D),
R 1d and R 2d are each independently a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an acyl group having 2 to 7 carbon atoms, an acyloxy group having 2 to 7 carbon atoms, Represents 2 to 7 alkoxycarbonyl groups, nitro groups or halogen atoms.
md and nd each independently represent an integer of 0 to 4. When md is 2 or more, the plurality of R 1d are the same or different, and when nd is 2 or more, the plurality of R 2d are the same or different. . ]

化合物(D)においては、R1d及びR2dの炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びこれらを組み合わせることにより形成される基等が挙げられる。
脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ノニル基等のアルキル基が挙げられる。
脂環式炭化水素基としては、単環式及び多環式のいずれでもよく、飽和及び不飽和のいずれでもよい。例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロノニル基、シクロドデシル基等のシクロアルキル基、ノルボニル基、アダマンチル基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、2−メチルフェニル基、3−メチルフェニル基、4−メチルフェニル基、4−エチルフェニル基、4−プロピルフェニル基、4−イソプロピルフェニル基、4−ブチルフェニル基、4−t−ブチルフェニル基、4−ヘキシルフェニル基、4−シクロヘキシルフェニル基、アントリル基、p−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、2,6−ジエチルフェニル基、2−メチル−6−エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。
これらの組み合わせることにより形成される基としては、アルキル−シクロアルキル基、シクロアルキル−アルキル基、アラルキル基(例えば、フェニルメチル基、1−フェニルエチル基、2−フェニルエチル基、1−フェニル−1−プロピル基、1−フェニル−2−プロピル基、2−フェニル−2−プロピル基、3−フェニル−1−プロピル基、4−フェニル−1−ブチル基、5−フェニル−1−ペンチル基、6−フェニル−1−ヘキシル基等)等が挙げられる。
In the compound (D), examples of the hydrocarbon group of R 1d and R 2d include an aliphatic hydrocarbon group, an alicyclic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, and a group formed by combining these. It is done.
Examples of the aliphatic hydrocarbon group include alkyl groups such as methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, t-butyl group, pentyl group, hexyl group, and nonyl group.
The alicyclic hydrocarbon group may be monocyclic or polycyclic, and may be either saturated or unsaturated. Examples thereof include cycloalkyl groups such as cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cyclononyl group, and cyclododecyl group, norbornyl group, adamantyl group, and the like.
As aromatic hydrocarbon group, phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 2-methylphenyl group, 3-methylphenyl group, 4-methylphenyl group, 4-ethylphenyl group, 4-propylphenyl group 4-isopropylphenyl group, 4-butylphenyl group, 4-t-butylphenyl group, 4-hexylphenyl group, 4-cyclohexylphenyl group, anthryl group, p-adamantylphenyl group, tolyl group, xylyl group, cumenyl group , Aryl groups such as mesityl group, biphenyl group, phenanthryl group, 2,6-diethylphenyl group, 2-methyl-6-ethylphenyl, and the like.
Examples of the group formed by combining these include alkyl-cycloalkyl group, cycloalkyl-alkyl group, aralkyl group (for example, phenylmethyl group, 1-phenylethyl group, 2-phenylethyl group, 1-phenyl-1 -Propyl group, 1-phenyl-2-propyl group, 2-phenyl-2-propyl group, 3-phenyl-1-propyl group, 4-phenyl-1-butyl group, 5-phenyl-1-pentyl group, 6 -Phenyl-1-hexyl group, etc.).

アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基等が挙げられる。
アシル基としては、アセチル基、プロパノイル基、ベンゾイル基、シクロヘキサンカルボニル基等が挙げられる。
アシルオキシ基としては、上記アシル基にオキシ基(−O−)が結合した基等が挙げられる。
アルコキシカルボニル基としては、上記アルコキシ基にカルボニル基(−CO−)が結合した基等が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げられる。
Examples of the alkoxy group include a methoxy group and an ethoxy group.
Examples of the acyl group include an acetyl group, a propanoyl group, a benzoyl group, and a cyclohexanecarbonyl group.
Examples of the acyloxy group include a group in which an oxy group (—O—) is bonded to the acyl group.
Examples of the alkoxycarbonyl group include a group in which a carbonyl group (—CO—) is bonded to the above alkoxy group.
Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, and a bromine atom.

式(D)においては、R1d及びR2dは、それぞれ独立に、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数3〜10のシクロアルキル基炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数2〜4のアシル基、炭素数2〜4のアシルオキシ基、炭素数2〜4のアルコキシカルボニル基、ニトロ基又はハロゲン原子が好ましい。
md及びndは、それぞれ独立に、0〜2の整数が好ましく、0がより好ましい。mdが2以上の場合、複数のR1dは同一又は相異なり、ndが2以上の場合、複数のR2dは同一又は相異なる。
In the formula (D), R 1d and R 2d are each independently an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, or 2 to 4 carbon atoms. And an acyloxy group having 2 to 4 carbon atoms, an alkoxycarbonyl group having 2 to 4 carbon atoms, a nitro group, or a halogen atom is preferable.
md and nd are each independently preferably an integer of 0 to 2, and more preferably 0. When md is 2 or more, the plurality of R 1d are the same or different, and when nd is 2 or more, the plurality of R 2d are the same or different.

化合物(D)としては、以下の化合物が挙げられる。
Examples of the compound (D) include the following compounds.

化合物(D)は、「Tetrahedron Vol. 45, No. 19, p6281-6296」に記載の方法で製造することができる。また、化合物(D)は、市販されている化合物を用いることができる。   Compound (D) can be produced by the method described in “Tetrahedron Vol. 45, No. 19, p6281-6296”. Moreover, the compound (D) can use the compound marketed.

化合物(D)の含有率は、レジスト組成物の固形分中、好ましくは、0.01〜5質量%程度であり、より好ましくは0.01〜3質量%程度であり、特に好ましくは0.01〜1質量%程度である。   The content of the compound (D) is preferably about 0.01 to 5% by mass, more preferably about 0.01 to 3% by mass, and particularly preferably about 0.1 to 5% by mass in the solid content of the resist composition. It is about 01 to 1% by mass.

〈溶剤(E)〉
溶剤(E)の含有率は、例えばレジスト組成物中90質量%以上、好ましくは92質量%以上、より好ましくは94質量%以上であり、例えば99.9質量%以下、好ましくは99質量%以下である。溶剤(E)の含有率は、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィー等の公知の分析手段で測定できる。
<Solvent (E)>
The content of the solvent (E) is, for example, 90% by mass or more in the resist composition, preferably 92% by mass or more, more preferably 94% by mass or more, for example 99.9% by mass or less, preferably 99% by mass or less. It is. The content rate of a solvent (E) can be measured by well-known analysis means, such as a liquid chromatography or a gas chromatography, for example.

溶剤(E)としては、例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルのようなグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルのようなエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン及びシクロヘキサノンのようなケトン類;γ−ブチロラクトンのような環状エステル類;等を挙げることができる。溶剤は、1種を単独で含有してもよく、2種以上を含有してもよい。   Examples of the solvent (E) include glycol ether esters such as ethyl cellosolve acetate, methyl cellosolve acetate and propylene glycol monomethyl ether acetate; glycol ethers such as propylene glycol monomethyl ether; ethyl lactate, butyl acetate, amyl acetate and And esters such as ethyl pyruvate; ketones such as acetone, methyl isobutyl ketone, 2-heptanone and cyclohexanone; cyclic esters such as γ-butyrolactone; A solvent may contain individually by 1 type and may contain 2 or more types.

〈塩基性化合物(C)〉
塩基性化合物(C)は、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物であり、例えばアミン及びアンモニウム塩が挙げられる。アミンとしては、脂肪族アミン及び芳香族アミンが挙げられる。脂肪族アミンとしては、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンが挙げられる。塩基性化合物(C)として、好ましくは、式(C1)〜式(C8)及び式(C1−1)のいずれかで表される化合物が挙げられ、より好ましくは式(C1−1)で表される化合物が挙げられる。
<Basic compound (C)>
The basic compound (C) is preferably a basic nitrogen-containing organic compound, and examples thereof include amines and ammonium salts. Examples of amines include aliphatic amines and aromatic amines. Aliphatic amines include primary amines, secondary amines and tertiary amines. The basic compound (C) is preferably a compound represented by any one of the formulas (C1) to (C8) and (C1-1), more preferably represented by the formula (C1-1). The compound which is made is mentioned.

[式(C1)中、Rc1、Rc2及びRc3は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数5〜10の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜10の芳香族炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基又は炭素数1〜6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数5〜10の脂環式炭化水素又は炭素数6〜10の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。] [In formula (C1), R c1 , R c2 and R c3 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 5 to 10 carbon atoms, or 6 to 6 carbon atoms. 10 represents an aromatic hydrocarbon group, and the hydrogen atom contained in the alkyl group and the alicyclic hydrocarbon group may be substituted with a hydroxy group, an amino group or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, The hydrogen atom contained in the aromatic hydrocarbon group is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon having 5 to 10 carbon atoms, or an aromatic group having 6 to 10 carbon atoms. It may be substituted with a group hydrocarbon group. ]

[式(C1−1)中、Rc2及びRc3は、上記と同じ意味を表す。
c4は、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数5〜10の脂環式炭化水素又は炭素数6〜10の芳香族炭化水素基を表す。
m3は0〜3の整数を表し、m3が2以上のとき、複数のRc4は互いに同一又は相異なる。]
[In Formula (C1-1), R c2 and R c3 represent the same meaning as described above.
R c4 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon having 5 to 10 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms.
m3 represents an integer of 0 to 3, and when m3 is 2 or more, the plurality of R c4 are the same or different from each other. ]

[式(C2)、式(C3)及び式(C4)中、Rc5、Rc6、Rc7及びRc8は、それぞれ独立に、Rc1と同じ意味を表す。
c9は、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜6の脂環式炭化水素基又は炭素数2〜6のアルカノイル基を表す。
n3は0〜8の整数を表し、n3が2以上のとき、複数のRc9は互いに同一又は相異なる。]
[In Formula (C2), Formula (C3) and Formula (C4), R c5 , R c6 , R c7 and R c8 each independently represent the same meaning as R c1 .
R c9 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 6 carbon atoms, or an alkanoyl group having 2 to 6 carbon atoms.
n3 represents an integer of 0 to 8, and when n3 is 2 or more, the plurality of R c9 are the same or different from each other. ]

[式(C5)及び式(C6)中、Rc10、Rc11、Rc12、Rc13及びRc16は、それぞれ独立に、Rc1と同じ意味を表す。
c14、Rc15及びRc17は、それぞれ独立に、Rc4と同じ意味を表す。
o3及びp3は、それぞれ独立に0〜3の整数を表し、o3が2以上であるとき、複数のRc14は互いに同一又は相異なり、p3が2以上であるとき、複数のRc15は互いに同一又は相異なる。
c1は、炭素数1〜6のアルカンジイル基、−CO−、−C(=NH)−、−S−又はこれらを組合せた2価の基を表す。]
[In Formula (C5) and Formula (C6), R c10 , R c11 , R c12 , R c13 and R c16 each independently represent the same meaning as R c1 .
R c14 , R c15 and R c17 each independently represent the same meaning as R c4 .
o3 and p3 each independently represent an integer of 0 to 3, and when o3 is 2 or more, the plurality of R c14 are the same or different from each other, and when p3 is 2 or more, the plurality of R c15 are the same as each other Or different.
L c1 represents an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms, —CO—, —C (═NH) —, —S—, or a divalent group obtained by combining these. ]

[式(C7)及び式(C8)中、Rc18、Rc19及びRc20は、それぞれ独立に、Rc4と同じ意味を表す。
q3、r3及びs3は、それぞれ独立に0〜3の整数を表し、q3が2以上であるとき、複数のRc18は互いに同一又は相異なり、r3が2以上であるとき、複数のRc19は互いに同一又は相異なり、s3が2以上であるとき、複数のRc20は互いに同一又は相異なる。
c2は、単結合又は炭素数1〜6のアルカンジイル基、−CO−、−C(=NH)−、−S−又はこれらを組合せた2価の基を表す。]
Wherein (C7) and formula (C8), R c18, R c19 and R c20 in each occurrence independently represent the same meaning as R c4.
q3, r3 and s3 each independently represent an integer of 0 to 3, and when q3 is 2 or more, the plurality of R c18 are the same or different from each other, and when r3 is 2 or more, the plurality of R c19 are When s3 is 2 or more, the plurality of R c20 are the same or different from each other.
L c2 represents a single bond or an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms, —CO—, —C (═NH) —, —S—, or a divalent group obtained by combining these. ]

アルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基等が挙げられる。
式(C1)、式(C5)〜式(C8)及び式(C1−1)における脂環式炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基などのシクロアルキル基が挙げられる。
式(C2)〜式(C4)における脂環式炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等があげられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基等が挙げられる。
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基等が挙げられる。
アルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−1,3−ジイル基、プロパン−1,2−ジイル基、ブタン−1,4−ジイル基、ペンタン−1,5−ジイル基、ヘキサン−1,6−ジイル基、ブタン−1,3−ジイル基、2−メチルプロパン−1,3−ジイル基、2−メチルプロパン−1,2−ジイル基、ペンタン−1,4−ジイル基、シクロブタン−1,3−ジイル基、シクロペンタン−1,3−ジイル基、シクロヘキサン−1,4−ジイル基等が挙げられる。
アルカノイル基としては、アセチル基、2−メチルアセチル基、2,2−ジメチルアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ペンタノイル基、2,2−ジメチルプロピオニル基等が挙げられる。
Examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, and pentyl group.
The alicyclic hydrocarbon group in the formula (C1), the formula (C5) to the formula (C8) and the formula (C1-1) includes a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a methylcyclohexyl group, and dimethylcyclohexyl. Cycloalkyl groups such as a group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a cycloheptyl group, and a cyclodecyl group.
Examples of the alicyclic hydrocarbon group in the formulas (C2) to (C4) include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, and a cyclohexyl group.
A phenyl group etc. are mentioned as an aromatic hydrocarbon group.
Examples of the alkoxy group include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group, a pentyloxy group, and a hexyloxy group.
Examples of alkanediyl groups include methylene group, ethylene group, propane-1,3-diyl group, propane-1,2-diyl group, butane-1,4-diyl group, pentane-1,5-diyl group, hexane- 1,6-diyl group, butane-1,3-diyl group, 2-methylpropane-1,3-diyl group, 2-methylpropane-1,2-diyl group, pentane-1,4-diyl group, cyclobutane A -1,3-diyl group, a cyclopentane-1,3-diyl group, a cyclohexane-1,4-diyl group and the like can be mentioned.
Examples of the alkanoyl group include acetyl group, 2-methylacetyl group, 2,2-dimethylacetyl group, propionyl group, butyryl group, isobutyryl group, pentanoyl group, and 2,2-dimethylpropionyl group.

式(C1)で表される化合物としては、1−ナフチルアミン、2−ナフチルアミン、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2−,3−又は4−メチルアニリン、4−ニトロアニリン、N−メチルアニリン、N,N−ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔2−(2−メトキシエトキシ)エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’−ジアミノ−1,2−ジフェニルエタン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジメチルジフェニルメタン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジエチルジフェニルメタン等が挙げられ、好ましくはジイソプロピルアニリンが挙げられ、特に好ましくは2,6−ジイソプロピルアニリンが挙げられる。   Examples of the compound represented by the formula (C1) include 1-naphthylamine, 2-naphthylamine, aniline, diisopropylaniline, 2-, 3- or 4-methylaniline, 4-nitroaniline, N-methylaniline, N, N- Dimethylaniline, diphenylamine, hexylamine, heptylamine, octylamine, nonylamine, decylamine, dibutylamine, dipentylamine, dihexylamine, diheptylamine, dioctylamine, dinonylamine, didecylamine, triethylamine, trimethylamine, tripropylamine, tributylamine, tri Pentylamine, trihexylamine, triheptylamine, trioctylamine, trinonylamine, tridecylamine, methyldibutylamine, methyldipentylamine, methyl Hexylamine, methyldicyclohexylamine, methyldiheptylamine, methyldioctylamine, methyldinonylamine, methyldidecylamine, ethyldibutylamine, ethyldipentylamine, ethyldihexylamine, ethyldiheptylamine, ethyldioctylamine, ethyldinonyl Amine, ethyldidecylamine, dicyclohexylmethylamine, tris [2- (2-methoxyethoxy) ethyl] amine, triisopropanolamine, ethylenediamine, tetramethylenediamine, hexamethylenediamine, 4,4′-diamino-1,2- Examples include diphenylethane, 4,4′-diamino-3,3′-dimethyldiphenylmethane, 4,4′-diamino-3,3′-diethyldiphenylmethane, and preferably diisopropyl. Piruanirin. Particularly preferred include 2,6-diisopropylaniline.

式(C2)で表される化合物としては、ピペラジン等が挙げられる。
式(C3)で表される化合物としては、モルホリン等が挙げられる。
式(C4)で表される化合物としては、ピペリジン及び特開平11−52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物等が挙げられる。
式(C5)で表される化合物としては、2,2’−メチレンビスアニリン等が挙げられる。
式(C6)で表される化合物としては、イミダゾール、4−メチルイミダゾール等が挙げられる。
式(C7)で表される化合物としては、ピリジン、4−メチルピリジン等が挙げられる。
式(C8)で表される化合物としては、1,2−ジ(2−ピリジル)エタン、1,2−ジ(4−ピリジル)エタン、1,2−ジ(2−ピリジル)エテン、1,2−ジ(4−ピリジル)エテン、1,3−ジ(4−ピリジル)プロパン、1,2−ジ(4−ピリジルオキシ)エタン、ジ(2−ピリジル)ケトン、4,4’−ジピリジルスルフィド、4,4’−ジピリジルジスルフィド、2,2’−ジピリジルアミン、2,2’−ジピコリルアミン、ビピリジン等が挙げられる。
Examples of the compound represented by the formula (C2) include piperazine.
Examples of the compound represented by the formula (C3) include morpholine.
Examples of the compound represented by the formula (C4) include piperidine and hindered amine compounds having a piperidine skeleton described in JP-A No. 11-52575.
Examples of the compound represented by the formula (C5) include 2,2′-methylenebisaniline.
Examples of the compound represented by the formula (C6) include imidazole and 4-methylimidazole.
Examples of the compound represented by the formula (C7) include pyridine and 4-methylpyridine.
Examples of the compound represented by the formula (C8) include 1,2-di (2-pyridyl) ethane, 1,2-di (4-pyridyl) ethane, 1,2-di (2-pyridyl) ethene, 1, 2-di (4-pyridyl) ethene, 1,3-di (4-pyridyl) propane, 1,2-di (4-pyridyloxy) ethane, di (2-pyridyl) ketone, 4,4′-dipyridyl sulfide 4,4′-dipyridyl disulfide, 2,2′-dipyridylamine, 2,2′-dipiconylamine, bipyridine and the like.

アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3−(トリフルオロメチル)フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−ブチルアンモニウムサリチラート及びコリン等が挙げられる。   As ammonium salts, tetramethylammonium hydroxide, tetraisopropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, tetrahexylammonium hydroxide, tetraoctylammonium hydroxide, phenyltrimethylammonium hydroxide, 3- (trifluoromethyl) phenyltrimethyl Ammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium salicylate, choline and the like can be mentioned.

塩基性化合物(C)の含有率は、レジスト組成物の固形分中、好ましくは、0.01〜5質量%程度であり、より好ましくは0.01〜3質量%程度であり、特に好ましくは0.01〜1質量%程度である。   The content of the basic compound (C) is preferably about 0.01 to 5% by mass, more preferably about 0.01 to 3% by mass, and particularly preferably in the solid content of the resist composition. It is about 0.01-1 mass%.

〈その他の成分(以下「その他の成分(F)」という場合がある)〉
レジスト組成物は、必要に応じて、その他の成分(F)を含有していてもよい。その他の成分(F)に特に限定はなく、レジスト分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤、染料等を利用できる。
<Other components (hereinafter sometimes referred to as “other components (F)”)>
The resist composition may contain other components (F) as necessary. The other component (F) is not particularly limited, and additives known in the resist field, such as sensitizers, dissolution inhibitors, surfactants, stabilizers, dyes, and the like can be used.

<レジスト組成物の調製>
レジスト組成物は、樹脂(A)及び酸発生剤(II)、並びに、必要に応じて用いられる化合物(D)、溶剤(E)、酸発生剤(B)、塩基性化合物(C)及びその他の成分(F)を混合することにより調製することができる。混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、10〜40℃の範囲から、樹脂等の種類や樹脂等の溶剤(E)に対する溶解度等に応じて適切な温度範囲を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて、0.5〜24時間の中から適切な時間を選ぶことができる。なお、混合手段も特に制限はなく、攪拌混合等を用いることができる。
各成分を混合した後は、孔径0.003〜0.2μm程度のフィルターを用いてろ過することが好ましい。
<Preparation of resist composition>
Resist composition includes resin (A) and acid generator (II), and compound (D), solvent (E), acid generator (B), basic compound (C) and others used as necessary. It can prepare by mixing the component (F). The mixing order is arbitrary and is not particularly limited. The temperature at the time of mixing can select the suitable temperature range from the range of 10-40 degreeC according to the solubility with respect to the solvent (E), such as a kind, etc. of resin. An appropriate mixing time can be selected from 0.5 to 24 hours depending on the mixing temperature. The mixing means is not particularly limited, and stirring and mixing can be used.
After mixing each component, it is preferable to filter using a filter having a pore size of about 0.003 to 0.2 μm.

〈レジストパターンの製造方法〉
本発明のレジストパターンの製造方法は、
(1)本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
(3)組成物層を露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程及び
(5)加熱後の組成物層を現像する工程を含む。
<Method for producing resist pattern>
The method for producing a resist pattern of the present invention comprises:
(1) A step of applying the resist composition of the present invention on a substrate,
(2) The process of drying the composition after application | coating and forming a composition layer,
(3) a step of exposing the composition layer,
(4) The process of heating the composition layer after exposure, (5) The process of developing the composition layer after a heating is included.

レジスト組成物の基体上への塗布は、スピンコーター等、通常、用いられる装置によって行うことができる。   Application of the resist composition onto the substrate can be performed by a commonly used apparatus such as a spin coater.

塗布後の組成物を乾燥することにより、組成物層を形成する。乾燥は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いて溶剤を蒸発させること(いわゆるプリベーク)により行うか、あるいは減圧装置を用いて行う。加熱温度は、例えば、50〜200℃が好ましく、加熱時間は、例えば、10〜180秒間が好ましい。また、減圧乾燥する際の圧力は、1〜1.0×105Pa程度が好ましい。 The composition layer is formed by drying the composition after application. Drying is performed, for example, by evaporating the solvent using a heating device such as a hot plate (so-called pre-baking), or using a decompression device. The heating temperature is preferably 50 to 200 ° C., for example, and the heating time is preferably 10 to 180 seconds, for example. The pressure during drying under reduced pressure is preferably about 1 to 1.0 × 10 5 Pa.

得られた組成物層は、通常、露光機を用いて露光する。露光機は、液浸露光機であってもよい。この際、通常、求められるパターンに相当するマスクを介して露光が行われる。露光光源としては、KrFエキシマレーザ(波長248nm)、ArFエキシマレーザ(波長193nm)、F2エキシマレーザ(波長157nm)のような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源(YAG又は半導体レーザ等)からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの、電子線、超紫外光(EUV)を照射するもの等、種々のものを用いることができる。 The obtained composition layer is usually exposed using an exposure machine. The exposure machine may be an immersion exposure machine. At this time, exposure is usually performed through a mask corresponding to a required pattern. Exposure light sources include those that emit laser light in the ultraviolet region such as KrF excimer laser (wavelength 248 nm), ArF excimer laser (wavelength 193 nm), F 2 excimer laser (wavelength 157 nm), solid-state laser light source (YAG or semiconductor laser) Etc.) using various types of laser light such as those that convert the wavelength of laser light from the laser to emit harmonic laser light in the far ultraviolet region or vacuum ultraviolet region, those that irradiate an electron beam or extreme ultraviolet light (EUV), etc. it can.

露光後の組成物層を、樹脂(A)の脱保護基反応を促進するために加熱処理(いわゆるポストエキスポジャーベーク)する。加熱温度としては、通常50〜200℃程度、好ましくは70〜150℃程度である。   The composition layer after exposure is subjected to heat treatment (so-called post-exposure baking) in order to promote the deprotection group reaction of the resin (A). As heating temperature, it is about 50-200 degreeC normally, Preferably it is about 70-150 degreeC.

加熱後の組成物層を、通常、現像装置を用いて、現像液を利用して現像する。現像方法としては、ディップ法、パドル法、スプレー法、ダイナミックディスペンス法等が挙げられる。現像温度は、例えば、5〜60℃が好ましく、現像時間は、例えば、5〜300秒間が好ましい。   The heated composition layer is usually developed using a developer using a developing device. Examples of the developing method include a dipping method, a paddle method, a spray method, and a dynamic dispensing method. The development temperature is preferably 5 to 60 ° C., for example, and the development time is preferably 5 to 300 seconds, for example.

本発明のレジスト組成物からポジ型レジストパターンを製造する場合は、現像液としてアルカリ現像液を用いる。アルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であればよい。例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、(2−ヒドロキシエチル)トリメチルアンモニウムヒドロキシド(通称コリン)の水溶液等が挙げられる。アルカリ現像液には、界面活性剤が含まれていてもよい。
現像後レジストパターンを超純水で洗浄し、次いで、基板及びパターン上に残った水を除去することが好ましい。
When producing a positive resist pattern from the resist composition of the present invention, an alkaline developer is used as the developer. The alkaline developer may be various alkaline aqueous solutions used in this field. Examples thereof include an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide and (2-hydroxyethyl) trimethylammonium hydroxide (commonly called choline). The alkali developer may contain a surfactant.
It is preferable to wash the resist pattern with ultrapure water after development, and then remove the water remaining on the substrate and the pattern.

本発明のレジスト組成物からネガ型レジストパターンを製造する場合は、現像液として有機溶剤を含む現像液(以下「有機系現像液」という場合がある)を用いる。
有機系現像液に含まれる有機溶剤としては、2−ヘキサノン、2−ヘプタノンなどのケトン溶剤;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのグリコールエーテルエステル溶剤;酢酸ブチル等のエステル溶剤;プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル溶剤;N,N−ジメチルアセトアミドなどのアミド溶剤;アニソールなどの芳香族炭化水素溶剤等が挙げられる。
有機系現像液中、有機溶剤の含有率は、90質量%以上100質量%以下が好ましく、95質量%以上100質量%以下がより好ましく、実質的に有機溶剤のみであることがさらに好ましい。
中でも、有機系現像液としては、酢酸ブチル及び/又は2−ヘプタノンを含む現像液が好ましい。有機系現像液中、酢酸ブチル及び2−ヘプタノンの合計含有率は、50質量%以上100質量%以下が好ましく、90質量%以上100質量%以下がより好ましく、実質的に酢酸ブチル及び/又は2−ヘプタノンのみであることがさらに好ましい。
有機系現像液には、界面活性剤が含まれていてもよい。また、有機系現像液には、微量の水分が含まれていてもよい。
現像の際、有機系現像液とは異なる種類の溶剤に置換することにより、現像を停止してもよい。有機系現像液とは異なる種類の溶剤としては、例えば、4−メチル−2−ペンタノール、イソプロパノール等のアルコールが上げられる。
In the case of producing a negative resist pattern from the resist composition of the present invention, a developer containing an organic solvent as a developer (hereinafter sometimes referred to as “organic developer”) is used.
Organic solvents contained in the organic developer include ketone solvents such as 2-hexanone and 2-heptanone; glycol ether ester solvents such as propylene glycol monomethyl ether acetate; ester solvents such as butyl acetate; glycols such as propylene glycol monomethyl ether Examples include ether solvents; amide solvents such as N, N-dimethylacetamide; aromatic hydrocarbon solvents such as anisole.
In the organic developer, the content of the organic solvent is preferably 90% by mass or more and 100% by mass or less, more preferably 95% by mass or more and 100% by mass or less, and still more preferably only the organic solvent.
Among them, the organic developer is preferably a developer containing butyl acetate and / or 2-heptanone. In the organic developer, the total content of butyl acetate and 2-heptanone is preferably 50% by mass to 100% by mass, more preferably 90% by mass to 100% by mass, and substantially butyl acetate and / or 2 -More preferred is heptanone alone.
The organic developer may contain a surfactant. The organic developer may contain a trace amount of water.
At the time of development, the development may be stopped by substituting a solvent of a different type from the organic developer. Examples of the solvent different from the organic developer include alcohols such as 4-methyl-2-pentanol and isopropanol.

現像後のレジストパターンをリンス液で洗浄することが好ましい。リンス液としては、レジストパターンを溶解しないものであれば特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含む溶液を使用することができ、好ましくはアルコール溶剤又はエステル溶剤である。
洗浄後は、基板及びパターン上に残ったリンス液を除去することが好ましい。
It is preferable to wash the developed resist pattern with a rinse solution. The rinsing liquid is not particularly limited as long as it does not dissolve the resist pattern, and a solution containing a general organic solvent can be used, and an alcohol solvent or an ester solvent is preferable.
After the cleaning, it is preferable to remove the rinse solution remaining on the substrate and the pattern.

〈用途〉
本発明のレジスト組成物は、KrFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ArFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線(EB)露光用のレジスト組成物又はEUV露光用のレジスト組成物、特に液浸露光用のレジスト組成物として好適であり、半導体の微細加工に有用である。
<Application>
The resist composition of the present invention is a resist composition for KrF excimer laser exposure, a resist composition for ArF excimer laser exposure, a resist composition for electron beam (EB) exposure, or a resist composition for EUV exposure, particularly a liquid. It is suitable as a resist composition for immersion exposure and useful for fine processing of semiconductors.

以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。
実施例及び比較例中、含有量及び使用量を表す「%」及び「部」は、特記ないかぎり質量基準である。
重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより、下記の条件で求めた値である。
装置:HLC−8120GPC型(東ソー社製)
カラム:TSKgel Multipore HXL-M x 3 + guardcolumn(東ソー社製)
溶離液:テトラヒドロフラン
流量:1.0mL/min
検出器:RI検出器
カラム温度:40℃
注入量:100μl
分子量標準:標準ポリスチレン(東ソー社製)
Hereinafter, the present invention will be described in detail by way of examples.
In Examples and Comparative Examples, “%” and “part” representing the content and the amount used are based on mass unless otherwise specified.
The weight average molecular weight is a value determined by gel permeation chromatography under the following conditions.
Apparatus: HLC-8120GPC type (manufactured by Tosoh Corporation)
Column: TSKgel Multipore H XL -M x 3 + guardcolumn (manufactured by Tosoh Corporation)
Eluent: Tetrahydrofuran Flow rate: 1.0 mL / min
Detector: RI detector Column temperature: 40 ° C
Injection volume: 100 μl
Molecular weight standard: Standard polystyrene (manufactured by Tosoh Corporation)

樹脂の合成
樹脂の合成に使用したモノマーを下記に示す。
以下、これらのモノマーをその式番号に応じて、「モノマー(a1−1−1)」などという。
Resin synthesis Monomers used for resin synthesis are shown below.
Hereinafter, these monomers are referred to as “monomer (a1-1-1)” or the like according to the formula number.

合成例1〔樹脂A1の合成〕
モノマーとして、モノマー(a1−1−3)、モノマー(a1−2−9)、モノマー(a2−1−3)、モノマー(a3−2−3)及びモノマー(a4−1)を用い、そのモル比〔モノマー(a1−1−3):モノマー(a1−2−9):モノマー(a2−1−3):モノマー(a3−2−3):(a4−1)〕が45:14:2.5:22.5:16となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、1mol%及び3mol%添加し、これらを73℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量8.8×103の樹脂A1(共重合体)を収率71%で得た。この樹脂A1は、以下の構造単位を有するものである。
Synthesis Example 1 [Synthesis of Resin A1]
As the monomer, the monomer (a1-1-3), the monomer (a1-2-9), the monomer (a2-1-3), the monomer (a3-2-3) and the monomer (a4-1) are used and their moles are used. The ratio [monomer (a1-1-3): monomer (a1-2-9): monomer (a2-1-3): monomer (a3-2-3) :( a4-1)] is 45: 14: 2. 5: 22.5: 16, and 1.5 mass times the total amount of dioxane was added to form a solution. To this solution, 1 mol% and 3 mol% of azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added to the total monomer amount, respectively, and these were heated at 73 ° C. for about 5 hours. did. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The obtained resin was dissolved again in dioxane, and the resulting solution was poured into a methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, followed by two reprecipitation operations of filtering the resin, and a weight average molecular weight of 8.8. A × 10 3 resin A1 (copolymer) was obtained with a yield of 71%. This resin A1 has the following structural units.

合成例2〔樹脂A2の合成〕
モノマーとして、モノマー(a1−1−3)、モノマー(a1−2−9)、モノマー(a2−1−3)、モノマー(a3−2−3)及びモノマー(a3−1−1)を用い、そのモル比〔モノマー(a1−1−3):モノマー(a1−2−9):モノマー(a2−1−3):モノマー(a3−2−3)):モノマー(a3−1−1)〕が、45:14:2.5:22:16.5となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、0.95mol%及び2.85mol%添加し、これらを73℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解させて得られる溶解液をメタノール溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.9×103の樹脂A2(共重合体)を収率73%で得た。この樹脂A2は、以下の構造単位を有するものである。
Synthesis Example 2 [Synthesis of Resin A2]
As the monomer, using monomer (a1-1-3), monomer (a1-2-9), monomer (a2-1-3), monomer (a3-2-3) and monomer (a3-1-1), The molar ratio [monomer (a1-1-3): monomer (a1-2-9): monomer (a2-1-3): monomer (a3-2-3)): monomer (a3-1-1)] However, it mixed so that it might become 45: 14: 2.5: 22: 16.5, and 1.5 mass times propylene glycol monomethyl ether acetate of the total monomer amount was added, and it was set as the solution. To this solution, azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added in an amount of 0.95 mol% and 2.85 mol%, respectively, based on the total monomer amount, and these were added at 73 ° C. Heated for about 5 hours. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The resin obtained was dissolved again in propylene glycol monomethyl ether acetate, and the resulting solution was poured into a methanol solvent to precipitate the resin, followed by two reprecipitation operations of filtering the resin, and the weight-average molecular weight was 7. 9 × 10 3 resin A2 (copolymer) was obtained in a yield of 73%. This resin A2 has the following structural units.

合成例3〔樹脂A3の合成〕
モノマーとして、モノマー(a1−1−1)、モノマー(a2−1−1)及びモノマー(a3−1−1)を用い、そのモル比〔モノマー(a1−1−1):モノマー(a2−1−1):モノマー(a3−1−1)〕が、35:25:40となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、1mol%及び3mol%添加し、これらを75℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解させて得られる溶解液をメタノール溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量8.7×103の樹脂A3(共重合体)を収率90%で得た。この樹脂A3は、以下の構造単位を有するものである。
Synthesis Example 3 [Synthesis of Resin A3]
As the monomer, monomer (a1-1-1), monomer (a2-1-1) and monomer (a3-1-1) were used, and their molar ratio [monomer (a1-1-1): monomer (a2-1) -1): monomer (a3-1-1)] was mixed at 35:25:40, and 1.5 mass times propylene glycol monomethyl ether acetate of the total monomer amount was added to prepare a solution. To this solution, 1 mol% and 3 mol% of azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added to the total monomer amount, respectively, and these were heated at 75 ° C. for about 5 hours. did. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol solvent to precipitate the resin, and the resin was filtered. The resin obtained was again dissolved in propylene glycol monomethyl ether acetate, and the resulting solution was poured into a methanol solvent to precipitate the resin, followed by two reprecipitation operations of filtering the resin, and a weight average molecular weight of 8. 7 × 10 3 resin A3 (copolymer) was obtained with a yield of 90%. This resin A3 has the following structural units.

合成例4〔樹脂H1の合成〕
モノマーとして、モノマー(I−1)及びモノマー(a1−2−9)を用い、そのモル比〔モノマー(I−1):モノマー(a1−2−9)〕が50:50となるように混合し、全モノマー量の1.2質量倍のメチルイソブチルケトンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して、3mol%添加し、これらを70℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量9.0×103の樹脂H1(共重合体)を収率85%で得た。この樹脂H1は、以下の構造単位を有するものである。
Synthesis Example 4 [Synthesis of Resin H1]
Monomer (I-1) and monomer (a1-2-9) are used as monomers and mixed so that the molar ratio [monomer (I-1): monomer (a1-2-9)] is 50:50. Then, 1.2 mass times the total monomer amount of methyl isobutyl ketone was added to make a solution. To the solution, azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as an initiator was added in an amount of 3 mol% based on the total monomer amount, and these were heated at 70 ° C. for about 5 hours. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The resin thus obtained was again dissolved in propylene glycol monomethyl ether acetate, and the resulting solution was poured into a methanol / water mixed solvent to precipitate the resin. Resin H1 (copolymer) having an average molecular weight of 9.0 × 10 3 was obtained in a yield of 85%. This resin H1 has the following structural units.

合成例5〔樹脂H2の合成〕
モノマーとして、モノマー(a4−z)を用い、全モノマー量の4.0質量倍のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてV−601(和光純薬製)を全モノマー量に対して、8mol%添加し、これらを80℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.6×103の樹脂H2を収率70%で得た。この樹脂H2は、以下の構造単位を有するものである。
Synthesis Example 5 [Synthesis of Resin H2]
Monomer (a4-z) was used as a monomer, and 4.0 mass times propylene glycol monomethyl ether acetate as a total monomer amount was added to prepare a solution. To the solution, 8 mol% of V-601 (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) as an initiator was added with respect to the total amount of monomers, and these were heated at 80 ° C. for about 5 hours. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The resin thus obtained was again dissolved in propylene glycol monomethyl ether acetate, and the resulting solution was poured into a methanol / water mixed solvent to precipitate the resin. Resin H2 having an average molecular weight of 7.6 × 10 3 was obtained with a yield of 70%. This resin H2 has the following structural units.

合成例6〔樹脂H3の合成〕
モノマーとして、モノマー(I−2)及びモノマー(a1−2−9)を用い、そのモル比〔モノマー(I−2):モノマー(a1−2−9)〕が50:50となるように混合し、全モノマー量の1.2質量倍のメチルイソブチルケトンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して、3mol%添加し、これらを70℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量9.1×103の樹脂H1(共重合体)を収率87%で得た。この樹脂H3は、以下の構造単位を有するものである。
Synthesis Example 6 [Synthesis of Resin H3]
Monomer (I-2) and monomer (a1-2-9) are used as monomers and mixed so that the molar ratio [monomer (I-2): monomer (a1-2-9)] is 50:50. Then, 1.2 mass times the total monomer amount of methyl isobutyl ketone was added to make a solution. To the solution, azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as an initiator was added in an amount of 3 mol% based on the total monomer amount, and these were heated at 70 ° C. for about 5 hours. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The resin thus obtained was again dissolved in propylene glycol monomethyl ether acetate, and the resulting solution was poured into a methanol / water mixed solvent to precipitate the resin. Resin H1 (copolymer) having an average molecular weight of 9.1 × 10 3 was obtained in a yield of 87%. This resin H3 has the following structural units.

合成例7〔樹脂H4の合成〕
モノマーとして、モノマー(I−1)及びモノマー(a1−1−1)を用い、そのモル比〔モノマー(I−1):モノマー(a1−1−1)〕が50:50となるように混合し、全モノマー量の1.2質量倍のメチルイソブチルケトンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して、3mol%添加し、これらを70℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量9.4×103の樹脂H1(共重合体)を収率83%で得た。この樹脂H4は、以下の構造単位を有するものである。
Synthesis Example 7 [Synthesis of Resin H4]
Monomer (I-1) and monomer (a1-1-1) are used as the monomers and mixed so that the molar ratio [monomer (I-1): monomer (a1-1-1)] is 50:50. Then, 1.2 mass times the total monomer amount of methyl isobutyl ketone was added to make a solution. To the solution, azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as an initiator was added in an amount of 3 mol% based on the total monomer amount, and these were heated at 70 ° C. for about 5 hours. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The resin thus obtained was again dissolved in propylene glycol monomethyl ether acetate, and the resulting solution was poured into a methanol / water mixed solvent to precipitate the resin. Resin H1 (copolymer) having an average molecular weight of 9.4 × 10 3 was obtained in a yield of 83%. This resin H4 has the following structural units.

<レジスト組成物の調製>
表1に示すように、各成分を混合して溶解し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。
<Preparation of resist composition>
As shown in Table 1, each component was mixed and dissolved, and further filtered through a fluororesin filter having a pore size of 0.2 μm to prepare a resist composition.

<樹脂>
A1:樹脂A1
A2:樹脂A2
A3:樹脂A3
H1:樹脂H1
H2:樹脂H2
H3:樹脂H3
H4:樹脂H4
<Resin>
A1: Resin A1
A2: Resin A2
A3: Resin A3
H1: Resin H1
H2: Resin H2
H3: Resin H3
H4: Resin H4

<酸発生剤>
II―2:セントラル硝子社製
B1−3:特開2010−152341号公報の実施例に従って合成
Z1:
<Acid generator>
II-2: Central Glass
B1-3: synthesized according to the example of JP 2010-152341 A
Z1:

<塩基性化合物:クエンチャー>
C1:2,6−ジイソプロピルアニリン(東京化成工業(株)製)
<化合物(D)>
D1:(東京化成工業(株)製)
<溶剤>
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 250部
プロピレングリコールモノメチルエーテル 20部
2−ヘプタノン 20部
γ−ブチロラクトン 3.5部
<Basic compound: Quencher>
C1: 2,6-diisopropylaniline (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
<Compound (D)>
D1: (Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)
<Solvent>
Propylene glycol monomethyl ether acetate 250 parts Propylene glycol monomethyl ether 20 parts 2-heptanone 20 parts γ-butyrolactone 3.5 parts

実施例1〜10及び比較例1
<ネガ型レジストパターンの製造>
12インチのシリコンウェハ上に、有機反射防止膜用組成物[ARC−29;日産化学(株)製]を塗布して、205℃、60秒の条件でベークすることによって、厚さ78nmの有機反射防止膜を形成した。次いで、前記の有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物をプリベーク後の組成物層の膜厚が110nmとなるようにスピンコートした。塗布後、ダイレクトホットプレート上にて、表1の「PB」欄に記載された温度で60秒間プリベークして、シリコンウェハ上に組成物層を形成した。シリコンウェハ上に形成された組成物層に、液浸露光用ArFエキシマレーザステッパー[XT:1900Gi;ASML社製、NA=1.35、Annular照明、x,y−偏光]で、ホールパターン(ピッチ120nm/ホール径55nm)を形成するためのマスクを用いて、露光量を段階的に変化させて露光した。なお、液浸媒体としては超純水を使用した。露光後、ホットプレート上にて、表1の「PEB」欄に記載された温度で60秒間ポストエキスポジャーベークを行った。次いで、このシリコンウェハ上の組成物層を、現像液として酢酸ブチル(東京化成工業(株)製)を用いて、23℃で20秒間ダイナミックディスペンス法によって現像を行うことにより、ネガ型レジストパターンを製造した。
Examples 1 to 10 and Comparative Example 1
<Manufacture of negative resist pattern>
An organic antireflective coating composition [ARC-29; manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.] was applied onto a 12-inch silicon wafer, and baked under the conditions of 205 ° C. and 60 seconds, whereby an organic layer having a thickness of 78 nm was obtained. An antireflection film was formed. Next, the resist composition was spin-coated on the organic antireflection film so that the film thickness of the composition layer after pre-baking was 110 nm. After coating, the composition layer was formed on the silicon wafer by pre-baking on a direct hot plate for 60 seconds at the temperature described in the “PB” column of Table 1. An ArF excimer laser stepper for immersion exposure (XT: 1900 Gi; manufactured by ASML, NA = 1.35, Annular illumination, x, y-polarized light) is applied to the composition layer formed on the silicon wafer with a hole pattern (pitch Using a mask for forming (120 nm / hole diameter 55 nm), exposure was carried out by changing the exposure amount stepwise. Note that ultrapure water was used as the immersion medium. After the exposure, post-exposure baking was performed for 60 seconds on the hot plate at the temperature described in the “PEB” column of Table 1. Next, the composition layer on the silicon wafer is developed by using a butyl acetate (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) as a developing solution by a dynamic dispensing method at 23 ° C. for 20 seconds, thereby forming a negative resist pattern. Manufactured.

<解像度評価及び実効感度>
得られたレジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、55nmのホールパターンを解像していれば○、解像していなければ×とした。ここで「解像」とは、上記マスクを用いて得られたホールパターンが閉塞することなく形成できたことを意味する。
また、前記ホールパターンの直径が55nmとなる露光量を実効感度とした。
結果を表2に示す。
<Resolution evaluation and effective sensitivity>
The obtained resist pattern was observed with a scanning electron microscope. If the 55 nm hole pattern was resolved, it was marked as ◯, and if not resolved, it was marked as x. Here, “resolution” means that the hole pattern obtained using the mask can be formed without blocking.
The exposure amount at which the hole pattern diameter was 55 nm was defined as effective sensitivity.
The results are shown in Table 2.

<フォーカスマージン(DOF)評価>
実効感度において、フォーカスを段階的に変化させて露光する以外は上記と同様の操作を行ってネガ型レジストパターンを製造した。得られたレジストパターンにおいて、ホールパターンの直径が55nm±10%(60.5〜49.5nm)となるフォーカス範囲をDOF(nm)とした。結果を表2に示す。
<Focus margin (DOF) evaluation>
A negative resist pattern was manufactured in the same manner as described above except that the exposure was performed while changing the focus stepwise in terms of effective sensitivity. In the obtained resist pattern, the focus range in which the diameter of the hole pattern is 55 nm ± 10% (60.5 to 49.5 nm) was defined as DOF (nm). The results are shown in Table 2.

<CD均一性(CDU)評価>
実効感度において、ピッチ120nm、ホール径60nmのホールパターンを形成するマスクを用いる以外は上記と同様の操作を行ってネガ型レジストパターンを製造した。得られたレジストパターンにおいて、一つのホールにつきホール径を24回測定し、その平均値を一つのホールの平均ホール径とした。同一ウェハ内のレジストパターンの平均ホール径を105箇所測定したものを母集団として標準偏差を求めた。結果を表2に示す。
<Evaluation of CD uniformity (CDU)>
A negative resist pattern was manufactured in the same manner as described above except that a mask for forming a hole pattern having a pitch of 120 nm and a hole diameter of 60 nm was used in terms of effective sensitivity. In the obtained resist pattern, the hole diameter was measured 24 times per hole, and the average value was taken as the average hole diameter of one hole. A standard deviation was determined using a population of 105 measured average hole diameters of resist patterns in the same wafer. The results are shown in Table 2.

上記の結果から、本発明のレジスト組成物によれば、優れた解像度のレジストパターンを製造できることがわかる。   From the above results, it can be seen that according to the resist composition of the present invention, a resist pattern with excellent resolution can be produced.

本発明のレジスト組成物によれば、高解像度のレジストパターンを得ることができる。   According to the resist composition of the present invention, a high-resolution resist pattern can be obtained.

Claims (3)

式(I)で表される構造単位を含む樹脂、
酸不安定基を有する構造単位を含み、式(I)で表される構造単位を含まない樹脂、
式(IIA)で表される酸発生剤及び
式(B1)で表される酸発生剤を含有するレジスト組成物。
[式(I)中、
1は、水素原子又はメチル基を表す。
2は、フッ素原子を有する炭素数1〜10の飽和炭化水素基を表す。]
[式(IIA)中、
2は、炭素数1〜6のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基又は−OR5で置換されていてもよく、該アルカンジイル基を構成する−CH2−は、−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
5 、炭素数1〜24の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよく、該炭化水素基を構成する−CH2−は、−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
6 は、炭素数1〜17の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよく、該炭化水素基を構成する−CH 2 −は、−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
7 は、炭素数1〜6のアルキル基を表す。
8 は、炭素数1〜6のフッ素化アルキル基を表す。
ただし、R 6 、R 7 及びR 8 の合計炭素数は、19以下である。]
は、有機カチオンを表す。]
[式(B1)中、
b1 及びQ b2 は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
b1 は、単結合又は炭素数1〜17の2価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基を構成する−CH 2 −は、−O−又は−CO−で置き換わっていてもよい。
Yは、置換基を有していてもよい炭素数1〜18のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数3〜18の脂環式炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基を構成する−CH 2 −は、−O−、−SO 2 −又は−CO−に置き換わっていてもよい。
Z1 + は、有機カチオンを表す。]
A resin containing a structural unit represented by formula (I),
Includes a structural unit having an acid labile group, tree does not include a structural unit represented by formula (I) fat,
An acid generator represented by the formula (IIA) and
A resist composition containing an acid generator represented by the formula (B1) .
[In the formula (I),
R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group.
R 2 represents a saturated hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms and having a fluorine atom. ]
[In the formula (IIA)
X 2 represents an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms, and a hydrogen atom contained in the alkanediyl group may be substituted with a hydroxy group or —OR 5 , and —CH constituting the alkanediyl group 2 — may be replaced by —O— or —CO—.
R 5 represents a hydrocarbon group having a carbon number of 1 to 24, hydrogen atoms contained in the hydrocarbon group may be substituted with a fluorine atom or a hydroxyl group, -CH 2 constituting the hydrocarbon group -May be replaced by -O- or -CO-.
R 6 represents a hydrocarbon group having 1 to 17 carbon atoms, and a hydrogen atom contained in the hydrocarbon group may be substituted with a fluorine atom or a hydroxy group, and —CH 2 constituting the hydrocarbon group -May be replaced by -O- or -CO-.
R 7 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
R 8 represents a fluorinated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
However, the total carbon number of R 6 , R 7 and R 8 is 19 or less. ]
Z + represents an organic cation. ]
[In the formula (B1),
Q b1 and Q b2 each independently represent a fluorine atom or a C 1-6 perfluoroalkyl group.
L b1 represents a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 17 carbon atoms, and —CH 2 constituting the saturated hydrocarbon group may be replaced by —O— or —CO—. .
Y represents an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms which may have a substituent or an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms which may have a substituent. —CH 2 constituting the alicyclic hydrocarbon group may be replaced by —O—, —SO 2 — or —CO—.
Z1 + represents an organic cation. ]
さらに溶剤を含有する請求項記載のレジスト組成物。 A resist composition according to claim 1, further comprising a solvent. (1)請求項1又は2記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
(3)組成物層を露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程及び
(5)加熱後の組成物層を現像する工程、
を含むレジストパターンの製造方法。
(1) The process of apply | coating the resist composition of Claim 1 or 2 on a board | substrate,
(2) The process of drying the composition after application | coating and forming a composition layer,
(3) a step of exposing the composition layer,
(4) a step of heating the composition layer after exposure, and (5) a step of developing the composition layer after heating,
A method for producing a resist pattern including:
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6267533B2 (en) 2014-02-14 2018-01-24 信越化学工業株式会社 Pattern formation method
JP7274839B2 (en) * 2018-09-07 2023-05-17 東京応化工業株式会社 Resist composition and resist pattern forming method

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3860053B2 (en) 2002-03-11 2006-12-20 富士フイルムホールディングス株式会社 Positive photosensitive composition
JP4861767B2 (en) * 2005-07-26 2012-01-25 富士フイルム株式会社 Positive resist composition and pattern forming method using the same
JP5124806B2 (en) * 2006-06-27 2013-01-23 信越化学工業株式会社 Photoacid generator, resist material and pattern forming method using the same
JP5124215B2 (en) 2006-09-25 2013-01-23 富士フイルム株式会社 Resist composition, resin used for the resist composition, compound used for synthesis of the resin, and pattern forming method using the resist composition
JP4617337B2 (en) * 2007-06-12 2011-01-26 富士フイルム株式会社 Pattern formation method
JP5049935B2 (en) * 2008-06-20 2012-10-17 東京応化工業株式会社 Positive resist composition and resist pattern forming method
JP5572375B2 (en) 2008-12-15 2014-08-13 富士フイルム株式会社 Negative resist composition for development, pattern forming method using the same, resist film, and pattern
CN102023484A (en) * 2009-09-16 2011-04-20 住友化学株式会社 Photoresist composition
IL213195A0 (en) * 2010-05-31 2011-07-31 Rohm & Haas Elect Mat Photoresist compositions and emthods of forming photolithographic patterns
JP5953670B2 (en) * 2010-08-27 2016-07-20 住友化学株式会社 Salt, resist composition and method for producing resist pattern
JP5728190B2 (en) * 2010-09-28 2015-06-03 富士フイルム株式会社 Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and resist film and pattern forming method using the same
JP2012078405A (en) * 2010-09-30 2012-04-19 Jsr Corp Radiation-sensitive resin composition, pattern forming method and compound
KR20130084325A (en) * 2010-10-19 2013-07-24 제이에스알 가부시끼가이샤 Radiation-sensitive resin composition
US8993212B2 (en) * 2010-10-27 2015-03-31 Central Glass Company, Limited Fluorine-containing sulfonic acid salts, photo-acid generator and resist composition and pattern formation method utilizing same
JP5725041B2 (en) * 2011-01-11 2015-05-27 Jsr株式会社 Radiation sensitive resin composition and radiation sensitive acid generator
WO2012101942A1 (en) * 2011-01-28 2012-08-02 Jsr株式会社 Method for forming resist pattern, and radiation-sensitive resin composition

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