JP6195725B2 - Resin, resist composition and method for producing resist pattern - Google Patents

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JP6195725B2 JP2013088203A JP2013088203A JP6195725B2 JP 6195725 B2 JP6195725 B2 JP 6195725B2 JP 2013088203 A JP2013088203 A JP 2013088203A JP 2013088203 A JP2013088203 A JP 2013088203A JP 6195725 B2 JP6195725 B2 JP 6195725B2
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Description

本発明は、樹脂、該樹脂を含むレジスト組成物及び該レジスト組成物を用いるレジストパターンの製造方法等に関する。   The present invention relates to a resin, a resist composition containing the resin, a method for producing a resist pattern using the resist composition, and the like.

特許文献1には、式(u−A)で表される構造単位及び式(u−C)で表される構造単位からなる樹脂と、トリフェニルスルホニウム トリフレートとからなるレジスト組成物が記載されている。
また、レジスト組成物から、フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成する際、アルカリ現像液で現像するとポジ型レジストパターンが得られ、有機溶剤で現像するとネガ型レジストパターンが得られることが知られている(非特許文献1)。
Patent Document 1 describes a resist composition comprising a resin composed of a structural unit represented by the formula (u-A) and a structural unit represented by the formula (u-C), and triphenylsulfonium triflate. ing.
Further, it is known that when a resist pattern is formed from a resist composition by photolithography, a positive resist pattern is obtained when developed with an alkaline developer, and a negative resist pattern is obtained when developed with an organic solvent ( Non-patent document 1).

特開2000−122294号公報JP 2000-122294 A

テクノタイムズ社発行 月刊ディスプレイ ’11 6月号 p.31Monthly display '11 June issue issued by Techno Times p. 31

本発明の目的は、優れたラインエッジラフネス(LER)であるレジストパターンを製造できるレジスト組成物に好適な樹脂を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a resin suitable for a resist composition capable of producing a resist pattern having excellent line edge roughness (LER).

本発明は、以下の発明を含む。
[1]式(I)で表される構造単位、式(II)で表される構造単位及び酸不安定基を有する構造単位を含む樹脂。
[式(I)中、
1は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1〜6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
1は、単結合、−A2−O−、−A2−CO−O−、−A2−CO−O−A3−CO−O−又は−A2−O−CO−A3−O−を表す。
*は−O−との結合手を表す。
2及びA3は、それぞれ独立に、炭素数1〜6のアルカンジイル基を表す。]
[式(II)中、
21は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1〜6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
21は、2価の連結基を表す。
環X21は、炭素数2〜36の複素環を表す。
22は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜24の炭化水素基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数1〜24のアルコキシアルキル基、炭素数2〜4のアシル基又は炭素数2〜4のアシルオキシ基を表す。
mは、0〜10の整数を表す。
mが2以上のとき、複数のR22は同一又は相異なる。]
[2]式(II)で表される構造単位が、式(II−1)で表される構造単位である[1]記載の樹脂。
[式(II−1)中、
21及びA21は上記と同じ意味を表す。
23〜R28は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数1〜24のアルコキシアルキル基、炭素数2〜4のアシル基、炭素数2〜4のアシルオキシ基又は炭素数1〜24の炭化水素基を表すか、R23〜R28の中から選ばれる少なくとも2つが互いに結合して環を形成し、該環に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数2〜4のアシル基又は炭素数2〜4のアシルオキシ基で置換されていてもよく、該環に含まれる−CH2−は、−CO−又は−O−で置き換わっていてもよい。
t1は、0〜3の整数を表す。
t1が2以上のとき、複数のR23は同一又は相異なり、複数のR24は同一又は相異なる。]
[3]上記[1]又は[2]記載の樹脂及び酸発生剤を含むレジスト組成物。
[4]さらに溶剤を含有する[3]のレジスト組成物。
[5](1)上記[3]又は[4]記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
(3)組成物層を露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程及び
(5)加熱後の組成物層を現像する工程を含むレジストパターンの製造方法。
The present invention includes the following inventions.
[1] A resin comprising a structural unit represented by formula (I), a structural unit represented by formula (II), and a structural unit having an acid labile group.
[In the formula (I),
R 1 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom, a hydrogen atom or a halogen atom.
A 1 is a single bond, * —A 2 —O—, * —A 2 —CO—O—, * —A 2 —CO—O—A 3 —CO—O—, or * —A 2 —O—CO. -A 3 represents a -O-.
* Represents a bond with -O-.
A 2 and A 3 each independently represents an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms. ]
[In the formula (II),
R 21 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom, a hydrogen atom or a halogen atom.
A 21 represents a divalent linking group.
Ring X 21 represents a heterocyclic ring having 2 to 36 carbon atoms.
R 22 is a halogen atom, a hydroxy group, a hydrocarbon group having 1 to 24 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxyalkyl group having 1 to 24 carbon atoms, an acyl group having 2 to 4 carbon atoms, or a carbon number 2 to 4 acyloxy groups are represented.
m represents an integer of 0 to 10.
When m is 2 or more, the plurality of R 22 are the same or different. ]
[2] The resin according to [1], wherein the structural unit represented by the formula (II) is a structural unit represented by the formula (II-1).
[In the formula (II-1),
R 21 and A 21 represent the same meaning as described above.
R 23 to R 28 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxy group, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxyalkyl group having 1 to 24 carbon atoms, an acyl group having 2 to 4 carbon atoms, or a carbon number. Represents a 2 to 4 acyloxy group or a hydrocarbon group having 1 to 24 carbon atoms, or at least two selected from R 23 to R 28 are bonded to each other to form a ring, and the hydrogen atom contained in the ring is , A halogen atom, a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, an acyl group having 2 to 4 carbon atoms, or an acyloxy group having 2 to 4 carbon atoms, —CH 2 — contained in the ring may be replaced by —CO— or —O—.
t1 represents an integer of 0 to 3.
When t1 is 2 or more, the plurality of R 23 are the same or different, and the plurality of R 24 are the same or different. ]
[3] A resist composition comprising the resin according to the above [1] or [2] and an acid generator.
[4] The resist composition according to [3], further containing a solvent.
[5] (1) A step of applying the resist composition according to [3] or [4] on a substrate,
(2) The process of drying the composition after application | coating and forming a composition layer,
(3) a step of exposing the composition layer,
(4) A method for producing a resist pattern, comprising a step of heating the composition layer after exposure, and (5) a step of developing the composition layer after heating.

本発明の樹脂を含むレジスト組成物によれば、ラインエッジラフネス(LER)が良好なレジストパターンを製造することができる。   According to the resist composition containing the resin of the present invention, a resist pattern having good line edge roughness (LER) can be produced.

また、本明細書において「(メタ)アクリル系モノマー」とは、「CH2=CH−CO−」又は「CH2=C(CH3)−CO−」の構造を有するモノマーの少なくとも1種を意味する。同様に「(メタ)アクリレート」及び「(メタ)アクリル酸」とは、それぞれ「アクリレート及びメタクリレートの少なくとも1種」及び「アクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも1種」を意味する。 Further, in the present specification, "(meth) acrylic monomer", at least one monomer having a structure of "CH 2 = CH-CO-" or "CH 2 = C (CH 3) -CO- " means. Similarly, “(meth) acrylate” and “(meth) acrylic acid” mean “at least one of acrylate and methacrylate” and “at least one of acrylic acid and methacrylic acid”, respectively.

〈本発明の樹脂〉
本発明の樹脂(以下「樹脂(A)」という場合がある)は、式(I)で表される構造単位、式(II)で表される構造単位及び酸不安定基を有する構造単位(以下「酸不安定構造単位」という場合がある)を含み、さらに、酸不安定基を有さない構造単位を含んでいてもよい。
本明細書において、「酸不安定基」とは、脱離基を有し、酸との接触により脱離基が脱離して、親水性基(例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基)を形成する基を意味する。
<Resin of the present invention>
The resin of the present invention (hereinafter sometimes referred to as “resin (A)”) is a structural unit represented by formula (I), a structural unit represented by formula (II), and a structural unit having an acid labile group ( Hereinafter, it may be referred to as “acid-labile structural unit”), and may further contain a structural unit having no acid-labile group.
In the present specification, the “acid labile group” is a group having a leaving group and forming a hydrophilic group (for example, a hydroxy group or a carboxy group) by leaving the leaving group by contact with an acid. Means.

〈式(I)で表される構造単位〉
樹脂(A)は、式(I)で表される構造単位(以下「構造単位(I)」という場合がある)を有する。
[式(I)中、
1は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1〜6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
1は、単結合、−A2−O−、−A2−CO−O−、−A2−CO−O−A3−CO−O−又は−A2−O−CO−A3−O−を表す。
*は、−O−との結合手を表す。
2及びA3は、それぞれ独立に、炭素数1〜6のアルカンジイル基を表す。]
<Structural unit represented by formula (I)>
The resin (A) has a structural unit represented by the formula (I) (hereinafter sometimes referred to as “structural unit (I)”).
[In the formula (I),
R 1 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom, a hydrogen atom or a halogen atom.
A 1 is a single bond, * —A 2 —O—, * —A 2 —CO—O—, * —A 2 —CO—O—A 3 —CO—O—, or * —A 2 —O—CO. -A 3 represents a -O-.
* Represents a bond with -O-.
A 2 and A 3 each independently represents an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms. ]

1のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。
1のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基及びn−ヘキシル基等が挙げられ、好ましくは炭素数1〜4のアルキル基であり、より好ましくはメチル基又はエチル基である。
1のハロゲン原子を有するアルキル基としては、ペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec−ブチル基、ペルフルオロtert−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、ペルクロロメチル基、ペルブロモメチル基及びペルヨードメチル基等が挙げられる。
1は、好ましくは、水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基であり、より好ましくは、水素原子、メチル基又はエチル基であり、さらに好ましくは、水素原子又はメチル基である。
Examples of the halogen atom for R 1 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
Examples of the alkyl group for R 1 include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, and n-hexyl group. , Preferably it is a C1-C4 alkyl group, More preferably, it is a methyl group or an ethyl group.
Examples of the alkyl group having a halogen atom for R 1 include perfluoromethyl group, perfluoroethyl group, perfluoropropyl group, perfluoroisopropyl group, perfluorobutyl group, perfluorosec-butyl group, perfluorotert-butyl group, perfluoropentyl group, perfluorohexyl. A group, a perchloromethyl group, a perbromomethyl group, a periodomethyl group, and the like.
R 1 is preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, more preferably a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group, and still more preferably a hydrogen atom or a methyl group.

2及びA3のアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−1,3−ジイル基、プロパン−1,2−ジイル基、ブタン−1,4−ジイル基、ペンタン−1,5−ジイル基及びヘキサン−1,6−ジイル基、ブタン−1,3−ジイル基、2−メチルプロパン−1,3−ジイル基、2−メチルプロパン−1,2−ジイル基、ペンタン−1,4−ジイル基及び2−メチルブタン−1,4−ジイル基等が挙げられる。
1は、好ましくは、単結合又は−A2−CO−O−であり、より好ましくは、単結合、−CH2−CO−O−又は−C24−CO−O−である。
Examples of the alkanediyl group of A 2 and A 3 include a methylene group, an ethylene group, a propane-1,3-diyl group, a propane-1,2-diyl group, a butane-1,4-diyl group, and a pentane-1,5. -Diyl group and hexane-1,6-diyl group, butane-1,3-diyl group, 2-methylpropane-1,3-diyl group, 2-methylpropane-1,2-diyl group, pentane-1, 4-diyl group, 2-methylbutane-1,4-diyl group, etc. are mentioned.
A 1 is preferably a single bond or * —A 2 —CO—O—, more preferably a single bond, —CH 2 —CO—O— or —C 2 H 4 —CO—O—. .

構造単位(I)としては、例えば、以下のものが挙げられる。
Examples of the structural unit (I) include the following.

上記の構造単位において、R1に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位も、構造単位(I)の具体例として挙げることができる。 In the above structural unit, a structural unit in which the methyl group corresponding to R 1 is replaced by a hydrogen atom can also be given as a specific example of the structural unit (I).

構造単位(I)は、式(I’)で表される化合物(以下「化合物(I’)」という場合がある。)から導かれる。
[式(I’)中、R1及びA1は上記と同じ意味を表す。]
The structural unit (I) is derived from a compound represented by the formula (I ′) (hereinafter sometimes referred to as “compound (I ′)”).
[In formula (I ′), R 1 and A 1 represent the same meaning as described above. ]

化合物(I’)におけるA1が*−CH2−CO−O−(*は−CO−O−との結合手を表す。)である、式(I’−1)で表される化合物は、式(I’−1−a)で表される化合物と、式(I’−1−b)で表される化合物とを溶剤中で反応させることにより製造できる。反応に用いられる溶剤としては、塩化メチレン、テトラヒドロフラン及びアセトニトリル等が挙げられる。
[式中、R1は上記と同じ意味を表す。]
The compound represented by the formula (I′-1), wherein A 1 in the compound (I ′) is * —CH 2 —CO—O— (* represents a bond to —CO—O—), The compound represented by the formula (I′-1-a) and the compound represented by the formula (I′-1-b) can be produced in a solvent. Examples of the solvent used for the reaction include methylene chloride, tetrahydrofuran and acetonitrile.
[Wherein R 1 represents the same meaning as described above. ]

式(I’−1−a)で表される化合物は、式(I’−1−c)で表される化合物と、式(I’−1−d)で表される化合物とを、反応させることにより製造できる。
[式中、R1は上記と同じ意味を表す。]
この反応は、塩化メチレン、テトラヒドロフラン及びアセトニトリル等の溶媒の存在下で行うことが好ましい。また、この反応には、ジシクロヘキシルカルボジイミド等の縮合剤を用いてもよい。
The compound represented by the formula (I′-1-a) is obtained by reacting the compound represented by the formula (I′-1-c) with the compound represented by the formula (I′-1-d). Can be manufactured.
[Wherein R 1 represents the same meaning as described above. ]
This reaction is preferably carried out in the presence of a solvent such as methylene chloride, tetrahydrofuran and acetonitrile. In this reaction, a condensing agent such as dicyclohexylcarbodiimide may be used.

式(I’−1−c)で表される化合物としては、以下の化合物等が挙げられる。
式(I’−1−c)で表される化合物として、所望する化合物(I’)に対応したA1及びR1を有する化合物を用いれば、目的の化合物(I’)を得ることができる。式(I’−1−c)及び式(I’−1−d)で表される化合物は、市場から容易に入手できる。
Examples of the compound represented by the formula (I′-1-c) include the following compounds.
If a compound having A 1 and R 1 corresponding to the desired compound (I ′) is used as the compound represented by the formula (I′-1-c), the target compound (I ′) can be obtained. . The compounds represented by formula (I′-1-c) and formula (I′-1-d) are easily available from the market.

化合物(I’)としては、例えば、以下のものが挙げられる。
Examples of compound (I ′) include the following.

式(aa’−1)〜式(aa’−6)でそれぞれ表される化合物(I’)において、R1に相当するメチル基が水素原子に置き換わった化合物も、化合物(I’)の具体例として挙げることができる。 In the compound (I ′) represented by each of the formulas (aa′-1) to (aa′-6), a compound in which the methyl group corresponding to R 1 is replaced with a hydrogen atom is also a specific example of the compound (I ′). As an example.

構造単位(I)の含有率は、樹脂(A)の全構造単位に対して、好ましくは1〜80モル%であり、より好ましくは2〜75モル%であり、さらに好ましくは3〜70モル%であり、特に好ましくは5〜65モル%である。   The content of the structural unit (I) is preferably 1 to 80 mol%, more preferably 2 to 75 mol%, still more preferably 3 to 70 mol% with respect to all the structural units of the resin (A). %, Particularly preferably 5 to 65 mol%.

〈式(II)で表される構造単位〉
樹脂(A)は、式(II)で表される構造単位(以下「構造単位(II)」という場合がある)を有する。
[式(II)中、
21は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1〜6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
21は、2価の連結基を表す。
環X21は、炭素数2〜36の複素環を表す。
22は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜24の炭化水素基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数1〜24のアルコキシアルキル基、炭素数2〜4のアシル基又は炭素数2〜4のアシルオキシ基を表す。
mは、0〜10の整数を表す。
mが2以上のとき、複数のR22は同一又は相異なる。]
<Structural unit represented by formula (II)>
The resin (A) has a structural unit represented by the formula (II) (hereinafter sometimes referred to as “structural unit (II)”).
[In the formula (II),
R 21 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom, a hydrogen atom or a halogen atom.
A 21 represents a divalent linking group.
Ring X 21 represents a heterocyclic ring having 2 to 36 carbon atoms.
R 22 is a halogen atom, a hydroxy group, a hydrocarbon group having 1 to 24 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxyalkyl group having 1 to 24 carbon atoms, an acyl group having 2 to 4 carbon atoms, or a carbon number 2 to 4 acyloxy groups are represented.
m represents an integer of 0 to 10.
When m is 2 or more, the plurality of R 22 are the same or different. ]

式(II)において、R21のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基が挙げられ、炭素数1〜4のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。 In the formula (II), as the alkyl group for R 21 , methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, n- A hexyl group is mentioned, A C1-C4 alkyl group is preferable, A methyl group or an ethyl group is more preferable, A methyl group is further more preferable.

ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
ハロゲン原子を有するアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec−ブチル基、ペルフルオロtert−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、トリクロロメチル基、トリブロモメチル基、トリヨードメチル基等が挙げられる。
Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
Examples of the alkyl group having a halogen atom include trifluoromethyl group, perfluoroethyl group, perfluoropropyl group, perfluoroisopropyl group, perfluorobutyl group, perfluorosec-butyl group, perfluorotert-butyl group, perfluoropentyl group, perfluorohexyl. Group, trichloromethyl group, tribromomethyl group, triiodomethyl group and the like.

21における2価の連結基としては、単結合又は*−T21−(CH2n−CO−(*は炭素原子との結合手を表し、T21は−O−又は−NH−を表し、nは1〜4の整数を表す。)が挙げられる。T21は−O−であることが好ましく、nは1であることが好ましい。
具体的には、A21としては単結合、*−O−CH2−CO−、*−O−(CH22−CO−、*−O−(CH23−CO−、*−O−(CH24−CO−、*−O−(CH25−CO−、*−O−(CH26−CO−、*−NH−CH2−CO−、*−NH−(CH22−CO−、*−NH−(CH23−CO−、*−NH−(CH24−CO−、*−NH−(CH25−CO−、*−NH−(CH26−CO−、(*は炭素原子との結合手を表す。)等が挙げられる。
As the divalent linking group for A 21 , a single bond or * —T 21 — (CH 2 ) n —CO— (* represents a bond to a carbon atom, and T 21 represents —O— or —NH—. And n represents an integer of 1 to 4.). T 21 is preferably —O—, and n is preferably 1.
Specifically, A 21 is a single bond, * —O—CH 2 —CO—, * —O— (CH 2 ) 2 —CO—, * —O— (CH 2 ) 3 —CO—, * — O— (CH 2 ) 4 —CO—, * —O— (CH 2 ) 5 —CO—, * —O— (CH 2 ) 6 —CO—, * —NH—CH 2 —CO—, * —NH - (CH 2) 2 -CO - , * - NH- (CH 2) 3 -CO -, * - NH- (CH 2) 4 -CO -, * - NH- (CH 2) 5 -CO -, * —NH— (CH 2 ) 6 —CO—, (* represents a bond with a carbon atom) and the like.

環X21の複素環としては、芳香族性を有するもの及び非芳香族性のもの、飽和又は不飽和のいずれでもよいが、非芳香族性複素環が好ましく、飽和複素環がより好ましい。この複素環は、単環式及び多環式のいずれでもよい。また、この複素環は、窒素原子及びスルホニル基に加えて、さらに1以上の窒素原子、酸素原子、硫黄原子、スルホニル基、カルボニル基等が含んでいてもよい。
22の炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素基及びこれらの組合わせを包含する。
The heterocyclic ring of the ring X 21 may be aromatic or non-aromatic, saturated or unsaturated, but is preferably a non-aromatic heterocyclic ring, more preferably a saturated heterocyclic ring. This heterocyclic ring may be either monocyclic or polycyclic. In addition to the nitrogen atom and the sulfonyl group, this heterocyclic ring may further contain one or more nitrogen atoms, oxygen atoms, sulfur atoms, sulfonyl groups, carbonyl groups, and the like.
The hydrocarbon group for R 22 includes an aliphatic hydrocarbon group, an alicyclic hydrocarbon, an aromatic hydrocarbon group, and combinations thereof.

脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等のアルキル基が挙げられる。
脂環式炭化水素基は、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、下記の基等が挙げられる。
脂肪族炭化水素基と脂環式炭化水素とを組合わせた基としては、例えば、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、メチルノルボルニル基等が挙げられる。
Examples of the aliphatic hydrocarbon group include alkyl groups such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, and an octyl group.
The alicyclic hydrocarbon group may be monocyclic or polycyclic, and examples of the monocyclic alicyclic hydrocarbon group include a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclooctyl group. And the like, and the like. Examples of the polycyclic alicyclic hydrocarbon group include decahydronaphthyl group, adamantyl group, norbornyl group, and the following groups.
Examples of the group obtained by combining an aliphatic hydrocarbon group and an alicyclic hydrocarbon include a methylcyclohexyl group, a dimethylcyclohexyl group, and a methylnorbornyl group.

芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、p−メチルフェニル基、p−tert−ブチルフェニル基、p−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、2,6−ジエチルフェニル基、2−メチル−6−エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。
アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロピポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、n−ペントキシ基、n−ヘキトキシ基等が挙げられる。
アルコキシアルキル基としては、メトキシメチル基、エトキシメチル基、n−プロポキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、n−プロポキシエチル基等が挙げられる。
アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基等が挙げられる。
アシルオキシ基としては、例えば、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基等が挙げられる。
mは、好ましくは0〜6であり、より好ましくは0〜4である。
Aromatic hydrocarbon groups include phenyl, naphthyl, anthryl, p-methylphenyl, p-tert-butylphenyl, p-adamantylphenyl, tolyl, xylyl, cumenyl, mesityl, biphenyl Groups, phenanthryl groups, 2,6-diethylphenyl groups, aryl groups such as 2-methyl-6-ethylphenyl, and the like.
Examples of the alkoxy group include a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an isopropoxy group, an n-butoxy group, a sec-butoxy group, a tert-butoxy group, an n-pentoxy group, and an n-hexoxy group. .
Examples of the alkoxyalkyl group include a methoxymethyl group, an ethoxymethyl group, an n-propoxymethyl group, a methoxyethyl group, an ethoxyethyl group, and an n-propoxyethyl group.
Examples of the acyl group include an acetyl group, a propionyl group, and a butyryl group.
Examples of the acyloxy group include an acetyloxy group, a propionyloxy group, and a butyryloxy group.
m is preferably 0 to 6, and more preferably 0 to 4.

構造単位(II)に含まれる式(IIA)で表される基としては、下記の基が挙げられる。*はA21との結合手を表す。
Examples of the group represented by the formula (IIA) contained in the structural unit (II) include the following groups. * Represents a bond to A 21.

構造単位(II)としては、式(II−1)〜式(II−3)で表される構造単位が好ましく、式(II−2)又は式(II−3)で表される構造単位がより好ましく、式(II−3)で表される構造単位がさらに好ましい。
[式(II−1)中、
21及びA21は上記と同じ意味を表す。
23〜R28は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数1〜24のアルコキシアルキル基、炭素数2〜4のアシル基、炭素数2〜4のアシルオキシ基又は炭素数1〜24の炭化水素基を表すか、R23〜R28の中から選ばれる少なくとも2つが互いに結合して環を形成し、該環に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数2〜4のアシル基又は炭素数2〜4のアシルオキシ基で置換されていてもよく、該環に含まれるメチレン基は、カルボニル基又は酸素原子で置き換わっていてもよい。
t1は、0〜3の整数を表す。
t1が2以上のとき、複数のR23は同一又は相異なり、複数のR24は同一又は相異なる。]
As the structural unit (II), structural units represented by formulas (II-1) to (II-3) are preferable, and structural units represented by formula (II-2) or formula (II-3) are More preferred is a structural unit represented by the formula (II-3).
[In the formula (II-1),
R 21 and A 21 represent the same meaning as described above.
R 23 to R 28 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxy group, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxyalkyl group having 1 to 24 carbon atoms, an acyl group having 2 to 4 carbon atoms, or a carbon number. Represents a 2 to 4 acyloxy group or a hydrocarbon group having 1 to 24 carbon atoms, or at least two selected from R 23 to R 28 are bonded to each other to form a ring, and the hydrogen atom contained in the ring is , A halogen atom, a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, an acyl group having 2 to 4 carbon atoms, or an acyloxy group having 2 to 4 carbon atoms, The methylene group contained in the ring may be replaced with a carbonyl group or an oxygen atom.
t1 represents an integer of 0 to 3.
When t1 is 2 or more, the plurality of R 23 are the same or different, and the plurality of R 24 are the same or different. ]

[式(II−2)中、
21及びA21は上記と同じ意味を表す。
29〜R38は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数1〜24のアルコキシアルキル基、炭素数2〜4のアシル基、炭素数2〜4のアシルオキシ基又は炭素数1〜12の炭化水素基を表すか、R29〜R38の中から選ばれる少なくとも2つが互いに結合して環を形成し、該環に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数2〜4のアシル基又は炭素数2〜4のアシルオキシ基で置換されていてもよく、該環に含まれるメチレン基は、カルボニル基又は酸素原子で置き換わっていてもよい。
t2及びt3は、それぞれ独立に、0〜3の整数を表す。
t2が2以上のとき、複数のR29は同一又は相異なり、複数のR30は同一又は相異なる。
t3が2以上のとき、複数のR36は同一又は相異なり、複数のR37は同一又は相異なる。]
[In the formula (II-2),
R 21 and A 21 represent the same meaning as described above.
R 29 to R 38 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxy group, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxyalkyl group having 1 to 24 carbon atoms, an acyl group having 2 to 4 carbon atoms, or a carbon number. Represents a 2 to 4 acyloxy group or a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, or at least two selected from R 29 to R 38 are bonded to each other to form a ring, and the hydrogen atom contained in the ring is , A halogen atom, a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, an acyl group having 2 to 4 carbon atoms, or an acyloxy group having 2 to 4 carbon atoms, The methylene group contained in the ring may be replaced with a carbonyl group or an oxygen atom.
t2 and t3 each independently represents an integer of 0 to 3.
When t2 is 2 or more, the plurality of R 29 are the same or different, and the plurality of R 30 are the same or different.
When t3 is 2 or more, the plurality of R 36 are the same or different, and the plurality of R 37 are the same or different. ]

[式(II−3)中、
21及びA21は上記と同じ意味を表す。
39は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数2〜4のアシル基又は炭素数2〜4のアシルオキシ基を表す。
t4は、0〜8の整数を表す。
t4が2以上のとき、複数のR39は同一又は相異なる。]
[In the formula (II-3),
R 21 and A 21 represent the same meaning as described above.
R39 represents a halogen atom, a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, an acyl group having 2 to 4 carbon atoms, or an acyloxy group having 2 to 4 carbon atoms.
t4 represents an integer of 0 to 8.
When t4 is 2 or more, the plurality of R39s are the same or different. ]

構造単位(II)の具体例を以下に示す。
上記の構造単位において、R21に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位も、構造単位(II)の具体例として挙げることができる。
Specific examples of the structural unit (II) are shown below.
In the above structural unit, a structural unit in which a methyl group corresponding to R 21 is replaced with a hydrogen atom can also be given as a specific example of the structural unit (II).

構造単位(II)は、式(II’)で表される化合物から誘導される。
[式(II’)中の符号はいずれも、前記と同義である。]
式(II’)で表される化合物は、例えば、特開2012−17264号公報記載の方法によって又はこの方法に準じて製造することができる。
The structural unit (II) is derived from a compound represented by the formula (II ′).
[All the symbols in formula (II ′) have the same meanings as described above. ]
The compound represented by the formula (II ′) can be produced, for example, by the method described in JP 2012-17264 A or according to this method.

構造単位(II)の含有率は、樹脂(A)の全構造単位に対して、好ましくは2〜40モル%であり、より好ましくは3〜35モル%であり、好ましくは5〜30モル%である。   The content of the structural unit (II) is preferably 2 to 40% by mole, more preferably 3 to 35% by mole, and preferably 5 to 30% by mole with respect to all the structural units of the resin (A). It is.

〈酸不安定基を有する構造単位〉
酸不安定基を有する構造単位(以下「酸不安定構造単位」という場合がある)は、酸不安定基を有するモノマー(以下「酸不安定モノマー(a1)」という場合がある)から導かれる。
酸不安定基としては、例えば、式(1)で表される基、式(2)で表される基等が挙げられる。
<Structural unit having acid labile group>
A structural unit having an acid labile group (hereinafter sometimes referred to as “acid labile structural unit”) is derived from a monomer having an acid labile group (hereinafter sometimes referred to as “acid labile monomer (a1)”). .
Examples of the acid labile group include a group represented by the formula (1) and a group represented by the formula (2).

[式(1)中、Ra1、Ra2及びRa3は、それぞれ独立に、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数3〜20の脂環式炭化水素基又はこれらを組合わせた基を表すか、Ra1及びRa2は互いに結合して炭素数2〜20の2価の炭化水素基を形成する。*は結合手を表す。]
[式(2)中、Ra1’及びRa2’は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1〜12の炭化水素基を表し、Ra3’は、炭素数1〜20の炭化水素基を表すか、Ra2’及びRa3’は互いに結合して炭素数2〜20の2価の炭化水素基を形成し、該炭化水素基及び該2価の炭化水素基に含まれる−CH2−は、−O−又は−S−で置き換わってもよい。]
[In the formula (1), R a1 , R a2 and R a3 each independently represents an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, or a group obtained by combining them. R a1 and R a2 are bonded to each other to form a divalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms. * Represents a bond. ]
[In Formula (2), R a1 ′ and R a2 ′ each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, and R a3 ′ represents a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms. R a2 ′ and R a3 ′ are bonded to each other to form a divalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms, and —CH 2 — contained in the hydrocarbon group and the divalent hydrocarbon group. May be replaced by -O- or -S-. ]

a1、Ra2及びRa3で表されるアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が挙げられる。
a1、Ra2及びRa3で表される脂環式炭化水素基としては、式(II)で表される構造単位の環X21の脂環式炭化水素と同様の基が挙げられる。Ra1、Ra2及びRa3で表される脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数3〜16である。
アルキル基と脂環式炭化水素基とを組合わせた基としては、例えば、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、メチルノルボルニル基等が挙げられる。
Examples of the alkyl group represented by R a1 , R a2 and R a3 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, and an octyl group.
Examples of the alicyclic hydrocarbon group represented by R a1 , R a2 and R a3 include the same groups as the alicyclic hydrocarbon of the structural unit represented by the formula (II) of the ring X 21 . The alicyclic hydrocarbon group represented by R a1 , R a2 and R a3 preferably has 3 to 16 carbon atoms.
Examples of the group obtained by combining an alkyl group and an alicyclic hydrocarbon group include a methylcyclohexyl group, a dimethylcyclohexyl group, and a methylnorbornyl group.

a1及びRa2が互いに結合して2価の炭化水素基を形成する場合の−C(Ra1)(Ra2)(Ra3)としては、例えば、下記の基が挙げられる。2価の炭化水素基は、好ましくは炭素数3〜12である。各式中、Ra3は上記と同じ意味であり、*は−O−との結合手を表す。
Examples of —C (R a1 ) (R a2 ) (R a3 ) in the case where R a1 and R a2 are bonded to each other to form a divalent hydrocarbon group include the following groups. The divalent hydrocarbon group preferably has 3 to 12 carbon atoms. In each formula, R a3 has the same meaning as described above, and * represents a bond to —O—.

式(1)で表される基としては、例えば、1,1−ジアルキルアルコキシカルボニル基(式(1)中、Ra1、Ra2及びRa3がアルキル基である基、好ましくはtert−ブトキシカルボニル基)、2−アルキルアダマンタン−2−イルオキシカルボニル基(式(1)中、Ra1、Ra2及び炭素原子がアダマンチル基を形成し、Ra3がアルキル基である基)及び1−(アダマンタン−1−イル)−1−アルキルアルコキシカルボニル基(式(1)中、Ra1及びRa2がアルキル基であり、Ra3がアダマンチル基である基)等が挙げられる。 Examples of the group represented by the formula (1) include a 1,1-dialkylalkoxycarbonyl group (in the formula (1), R a1 , R a2 and R a3 are alkyl groups, preferably tert-butoxycarbonyl). Group), 2-alkyladamantan-2-yloxycarbonyl group (in the formula (1), R a1 , R a2 and a carbon atom form an adamantyl group, and R a3 is an alkyl group) and 1- (adamantane) -1-yl) -1-alkylalkoxycarbonyl group (in the formula (1), R a1 and R a2 are alkyl groups, and R a3 is an adamantyl group).

a1’、Ra2’及びRa3’の炭化水素基としては、例えば、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びこれらを組合せた基等が挙げられる。
アルキル基及び脂環式炭化水素基は、上記と同様のものが挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、p−メチルフェニル基、p−tert−ブチルフェニル基、p−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、2,6−ジエチルフェニル基、2−メチル−6−エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。
a2’及びRa3’が互いに結合して形成する2価の炭化水素基としては、例えば、Ra1’〜Ra3’の炭化水素基から水素原子を1個取り去った基が挙げられる。
Examples of the hydrocarbon group for R a1 ′ , R a2 ′ and R a3 ′ include an alkyl group, an alicyclic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, and a group obtained by combining these.
Examples of the alkyl group and alicyclic hydrocarbon group are the same as those described above.
Aromatic hydrocarbon groups include phenyl, naphthyl, anthryl, p-methylphenyl, p-tert-butylphenyl, p-adamantylphenyl, tolyl, xylyl, cumenyl, mesityl, biphenyl Groups, phenanthryl groups, 2,6-diethylphenyl groups, aryl groups such as 2-methyl-6-ethylphenyl, and the like.
Examples of the divalent hydrocarbon group formed by combining R a2 ′ and R a3 ′ include groups in which one hydrogen atom has been removed from the hydrocarbon groups of R a1 ′ to R a3 ′ .

式(2)においては、Ra1’及びRa2’のうち、少なくとも1つは水素原子であることが好ましい。
式(2)で表される基の具体例としては、例えば、以下の基が挙げられる。*は結合手を表す。
In Formula (2), it is preferable that at least one of R a1 ′ and R a2 ′ is a hydrogen atom.
Specific examples of the group represented by the formula (2) include the following groups. * Represents a bond.

酸不安定モノマー(a1)は、好ましくは、酸不安定基とエチレン性不飽和結合とを有するモノマー、より好ましくは酸不安定基を有する(メタ)アクリル系モノマーである。   The acid labile monomer (a1) is preferably a monomer having an acid labile group and an ethylenically unsaturated bond, more preferably a (meth) acrylic monomer having an acid labile group.

酸不安定基を有する(メタ)アクリル系モノマーのうち、好ましくは、炭素数5〜20の脂環式炭化水素基を有するものが挙げられる。脂環式炭化水素基のような嵩高い構造を有する酸不安定モノマー(a1)に由来する構造単位を有する樹脂(A)をレジスト組成物に使用すれば、レジストパターンの解像度を向上させることができる。   Among the (meth) acrylic monomers having an acid labile group, those having an alicyclic hydrocarbon group having 5 to 20 carbon atoms are preferable. If the resin composition (A) having a structural unit derived from an acid labile monomer (a1) having a bulky structure such as an alicyclic hydrocarbon group is used in the resist composition, the resolution of the resist pattern can be improved. it can.

式(1)で表される基を有する(メタ)アクリル系モノマーに由来する構造単位として、好ましくは式(a1−1)で表される構造単位又は式(a1−2)で表される構造単位が挙げられる。これらは単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。本明細書では、式(a1−1)で表される構造単位及び式(a1−2)で表される構造単位を、それぞれ構造単位(a1−1)及び構造単位(a1−2)と、構造単位(a1−1)を誘導するモノマー及び構造単位(a1−2)を誘導するモノマーを、それぞれモノマー(a1−1)及びモノマー(a1−2)という場合がある。   As a structural unit derived from a (meth) acrylic monomer having a group represented by formula (1), preferably a structural unit represented by formula (a1-1) or a structure represented by formula (a1-2) Units are listed. These may be used alone or in combination of two or more. In this specification, the structural unit represented by the formula (a1-1) and the structural unit represented by the formula (a1-2) are represented by the structural unit (a1-1) and the structural unit (a1-2), respectively. The monomer that derives the structural unit (a1-1) and the monomer that derives the structural unit (a1-2) may be referred to as a monomer (a1-1) and a monomer (a1-2), respectively.

[式(a1−1)及び式(a1−2)中、
a1及びLa2は、それぞれ独立に、−O−又は−O−(CH2k1−CO−O−を表し、k1は1〜7の整数を表し、*は−CO−との結合手を表す。
a4及びRa5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
a6及びRa7は、それぞれ独立に、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数3〜18の脂環式炭化水素基又はこれらを組合わせた基を表す。
m1は0〜14の整数を表す。
n1は0〜10の整数を表す。
n1’は0〜3の整数を表す。]
[In Formula (a1-1) and Formula (a1-2),
L a1 and L a2 each independently represent —O— or * —O— (CH 2 ) k1 —CO—O—, k1 represents an integer of 1 to 7, and * represents a bond to —CO—. Represents a hand.
R a4 and R a5 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group.
R a6 and R a7 each independently represent an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms, or a group obtained by combining these.
m1 represents the integer of 0-14.
n1 represents an integer of 0 to 10.
n1 ′ represents an integer of 0 to 3. ]

a1及びLa2は、好ましくは、−O−又は−O−(CH2k1−CO−O−であり、より好ましくは−O−である。k1は、好ましくは1〜4の整数、より好ましくは1である。
a4及びRa5は、好ましくはメチル基である。
a6及びRa7のアルキル基、脂環式炭化水素基及びこれらを組合わせた基としては、式(1)のRa1、Ra2及びRa3で表される基と同様の基が挙げられる。
a6及びRa7のアルキル基は、好ましくは炭素数6以下である。
a6及びRa7の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数8以下、より好ましくは6以下である。
m1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
n1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
n1’は好ましくは0又は1である。
L a1 and L a2 are preferably —O— or * —O— (CH 2 ) k1 —CO—O—, more preferably —O—. k1 is preferably an integer of 1 to 4, more preferably 1.
R a4 and R a5 are preferably methyl groups.
Examples of the alkyl group of R a6 and R a7 , the alicyclic hydrocarbon group, and the group obtained by combining these include the same groups as the groups represented by R a1 , R a2, and R a3 in formula (1). .
The alkyl group for R a6 and R a7 preferably has 6 or less carbon atoms.
The alicyclic hydrocarbon group of R a6 and R a7 preferably has 8 or less carbon atoms, more preferably 6 or less.
m1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.
n1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.
n1 ′ is preferably 0 or 1.

モノマー(a1−1)としては、特開2010−204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。中でも、式(a1−1−1)〜式(a1−1−8)のいずれかで表されるモノマーが好ましく、式(a1−1−1)〜式(a1−1−4)のいずれかで表されるモノマーがより好ましい。
As a monomer (a1-1), the monomer described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2010-204646 is mentioned. Among these, a monomer represented by any one of formula (a1-1-1) to formula (a1-1-8) is preferable, and any one of formula (a1-1-1) to formula (a1-1-4) is preferable. The monomer represented by is more preferable.

モノマー(a1−2)としては、例えば、1−エチルシクロペンタン−1−イル(メタ)アクリレート、1−エチルシクロヘキサン−1−イル(メタ)アクリレート、1−エチルシクロヘプタン−1−イル(メタ)アクリレート、1−メチルシクロペンタン−1−イル(メタ)アクリレート、1−イソプロピルシクロペンタン−1−イル(メタ)アクリレート等が挙げられる。式(a1−2−1)〜式(a1−2−12)で表されるモノマーが好ましく、式(a1−2−3)〜式(a1−2−4)又は式(a1−2−9)〜式(a1−2−10)で表されるモノマーがより好ましく、式(a1−2−3)又は式(a1−2−9)で表されるモノマーがさらに好ましい。

Examples of the monomer (a1-2) include 1-ethylcyclopentan-1-yl (meth) acrylate, 1-ethylcyclohexane-1-yl (meth) acrylate, and 1-ethylcycloheptan-1-yl (meth). Examples include acrylate, 1-methylcyclopentan-1-yl (meth) acrylate, and 1-isopropylcyclopentan-1-yl (meth) acrylate. Monomers represented by the formula (a1-2-1) to the formula (a1-2-12) are preferred, and the formula (a1-2-3) to the formula (a1-2-4) or the formula (a1-2-9) The monomer represented by formula (a1-2-10) is more preferable, and the monomer represented by formula (a1-2-3) or formula (a1-2-9) is more preferable.

樹脂(A)が式(a1−1)で表される構造単位及び/又は式(a1−2)で表される構造単位を含む場合、これらの合計含有率は、樹脂(A)の全構造単位に対して、通常10〜95モル%であり、好ましくは15〜90モル%であり、より好ましくは20〜85モル%である。   When the resin (A) includes a structural unit represented by the formula (a1-1) and / or a structural unit represented by the formula (a1-2), the total content thereof is the total structure of the resin (A). It is 10-95 mol% normally with respect to a unit, Preferably it is 15-90 mol%, More preferably, it is 20-85 mol%.

酸不安定モノマー(a1)としては、例えば、酸不安定基を有する(メタ)アクリル系モノマーである式(a1−5)で表されるモノマー(以下「モノマー(a1−5)」という場合がある)を用いてもよい。
式(a1−5)中、
31は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1〜6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
a1は、単結合又は*−[CH2k1−CO−La4−基を表す。ここで、k1は1〜4の整数を表す。*は、La1との結合手を表す。
a1、La2、La3及びLa4は、それぞれ独立に、−O−又は−S−を表す。
s1は、1〜3の整数を表す。
s1’は、0〜3の整数を表す。
Examples of the acid labile monomer (a1) include a monomer represented by the formula (a1-5) which is a (meth) acrylic monomer having an acid labile group (hereinafter referred to as “monomer (a1-5)”). May be used).
In formula (a1-5),
R 31 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom, a hydrogen atom or a halogen atom.
Z a1 represents a single bond or a * — [CH 2 ] k1 —CO—L a4 — group. Here, k1 represents an integer of 1 to 4. * Represents a bond with L a1 .
L a1 , L a2 , L a3 and L a4 each independently represent —O— or —S—.
s1 represents an integer of 1 to 3.
s1 ′ represents an integer of 0 to 3.

式(a1−5)においては、R31は、水素原子、メチル基及びトリフルオロメチル基が好ましい。
a1は、酸素原子が好ましい。
a2及びLa3は、一方が酸素原子、他方が硫黄原子が好ましい。
s1は、1が好ましい。
s1’は、0〜2の整数が好ましい。
a1は、単結合又は*−CH2−CO−O−が好ましい。
In formula (a1-5), R 31 is preferably a hydrogen atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group.
L a1 is preferably an oxygen atom.
One of L a2 and L a3 is preferably an oxygen atom and the other is a sulfur atom.
s1 is preferably 1.
s1 ′ is preferably an integer of 0 to 2.
Z a1 is preferably a single bond or * —CH 2 —CO—O—.

モノマー(a1−5)としては、以下のモノマーが挙げられる。
Examples of the monomer (a1-5) include the following monomers.

樹脂(A)が、モノマー(a1−5)に由来する構造単位を有する場合、その含有率は、樹脂(A)の全構造単位に対して、1〜50モル%が好ましく、3〜45モル%がより好ましく、5〜40モル%がさらに好ましい。   When the resin (A) has a structural unit derived from the monomer (a1-5), the content is preferably from 1 to 50 mol%, preferably from 3 to 45 mol, based on all structural units of the resin (A). % Is more preferable, and 5 to 40 mol% is more preferable.

〈酸不安定基を有さない構造単位〉
酸不安定基を有さない構造単位(以下「酸安定構造単位」という場合がある)は、酸不安定基を有さないモノマー(以下「酸安定モノマー」という場合がある)から導かれる。
酸安定モノマーとしては、好ましくは、ヒドロキシ基又はラクトン環を有するモノマーが挙げられる。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー又はラクトン環を含有する酸安定モノマーに由来する構造単位を有する樹脂を使用すれば、レジストパターンの解像度及び基板との密着性を向上させることができる。
<Structural unit without acid labile group>
The structural unit having no acid labile group (hereinafter sometimes referred to as “acid stable structural unit”) is derived from a monomer having no acid labile group (hereinafter sometimes referred to as “acid stable monomer”).
As an acid stable monomer, Preferably, the monomer which has a hydroxyl group or a lactone ring is mentioned. If a resin having a structural unit derived from an acid-stable monomer having a hydroxy group or an acid-stable monomer containing a lactone ring is used, the resolution of the resist pattern and the adhesion to the substrate can be improved.

〈ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー〉
レジスト組成物をKrFエキシマレーザ露光(248nm)、電子線又はEUV(超紫外光)等の高エネルギー線露光に用いる場合、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(以下「酸安定モノマー(a2)」という場合がある)として、好ましくは、フェノール性ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーを使用する。ArFエキシマレーザ露光(193nm)等を用いる場合は、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー(a2)として、好ましくは、式(a2−1)で表されるヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーを使用する。酸安定モノマー(a2)は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
<Acid-stable monomer having a hydroxy group>
When the resist composition is used for KrF excimer laser exposure (248 nm), high energy beam exposure such as electron beam or EUV (ultra-ultraviolet light), an acid stable monomer having a hydroxy group (hereinafter referred to as “acid stable monomer (a2)”) Preferably, an acid stable monomer having a phenolic hydroxy group is used. When ArF excimer laser exposure (193 nm) or the like is used, an acid stable monomer having a hydroxyadamantyl group represented by the formula (a2-1) is preferably used as the acid stable monomer (a2) having a hydroxy group. An acid stable monomer (a2) may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーとして、式(a2−1)で表される酸安定モノマーが挙げられる。
式(a2−1)中、
a3は、−O−又は−O−(CH2k2−CO−O−を表し、
k2は1〜7の整数を表す。*は−CO−との結合手を表す。
a14は、水素原子又はメチル基を表す。
a15及びRa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。
o1は、0〜10の整数を表す。
Examples of the acid-stable monomer having a hydroxyadamantyl group include an acid-stable monomer represented by the formula (a2-1).
In formula (a2-1),
L a3 represents —O— or * —O— (CH 2 ) k2 —CO—O—,
k2 represents an integer of 1 to 7. * Represents a bond with -CO-.
R a14 represents a hydrogen atom or a methyl group.
R a15 and R a16 each independently represent a hydrogen atom, a methyl group or a hydroxy group.
o1 represents an integer of 0 to 10.

式(a2−1)では、La3は、好ましくは、−O−、−O−(CH2f1−CO−O−であり(前記f1は、1〜4の整数である)、より好ましくは−O−である。
a14は、好ましくはメチル基である。
a15は、好ましくは水素原子である。
a16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。
o1は、好ましくは0〜3の整数、より好ましくは0又は1である。
In the formula (a2-1), L a3 is preferably, -O -, - O- (CH 2) f1 -CO-O- and is (wherein f1 is an integer from 1 to 4), more preferably Is —O—.
R a14 is preferably a methyl group.
R a15 is preferably a hydrogen atom.
R a16 is preferably a hydrogen atom or a hydroxy group.
o1 is preferably an integer of 0 to 3, more preferably 0 or 1.

式(a2−1)で表される酸安定モノマーとしては、例えば、特開2010−204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。式(a2−1−1)〜式(a2−1−6)のいずれかで表されるモノマーが好ましく、式(a2−1−1)〜式(a2−1−4)のいずれかで表されるモノマーがより好ましく、式(a2−1−1)又は式(a2−1−3)で表されるモノマーがさらに好ましい。
Examples of the acid stable monomer represented by the formula (a2-1) include monomers described in JP 2010-204646 A. A monomer represented by any one of formula (a2-1-1) to formula (a2-1-6) is preferable, and represented by any one of formula (a2-1-1) to formula (a2-1-4). The monomer represented by Formula (a2-1-1) or Formula (a2-1-3) is more preferable.

樹脂(A)が酸安定モノマー(a2)に由来する構造単位を含む場合、その含有率は、樹脂(A)の全構造単位に対して、通常3〜45モル%であり、好ましくは1〜40モル%であり、より好ましくは1〜35モル%であり、さらに好ましくは2〜20モル%である。   When the resin (A) includes a structural unit derived from the acid-stable monomer (a2), the content thereof is usually 3 to 45 mol% with respect to all the structural units of the resin (A), preferably 1 to 1%. It is 40 mol%, More preferably, it is 1-35 mol%, More preferably, it is 2-20 mol%.

〈ラクトン環を有する酸安定モノマー〉
ラクトン環を含有する酸安定モノマー(以下「酸安定モノマー(a3)」という場合がある)が有するラクトン環は、例えば、β−プロピオラクトン環、γ−ブチロラクトン環、δ−バレロラクトン環のような単環でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、好ましくは、γ−ブチロラクトン環、又は、γ−ブチロラクトン環と他の環との縮合環が挙げられる。酸安定モノマー(a3)には、化合物(I’)は含まれない。
<Acid-stable monomer having a lactone ring>
The lactone ring possessed by the acid-stable monomer containing a lactone ring (hereinafter sometimes referred to as “acid-stable monomer (a3)”) is, for example, a β-propiolactone ring, γ-butyrolactone ring, or δ-valerolactone ring. A monocyclic ring or a condensed ring of a monocyclic lactone ring and another ring may be used. Among these lactone rings, a γ-butyrolactone ring or a condensed ring of γ-butyrolactone ring and another ring is preferable. The acid stable monomer (a3) does not include the compound (I ′).

酸安定モノマー(a3)は、好ましくは、式(a3−1)、式(a3−2)又は式(a3−3)で表される酸安定モノマーである。これらの1種を単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。   The acid stable monomer (a3) is preferably an acid stable monomer represented by the formula (a3-1), the formula (a3-2) or the formula (a3-3). These 1 type may be used independently and may use 2 or more types together.

式(a3−1)、式(a3−2)及び式(a3−3)中、
a4、La5及びLa6は、それぞれ独立に、−O−又は−O−(CH2k3−CO−O−を表す。
k3は1〜7の整数を表す。*は−CO−との結合手を表す。
a18、Ra19及びRa20は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
a21は、炭素数1〜4のアルキル基を表す。
p1は0〜5の整数を表す。
a22及びRa23は、それぞれ独立に、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数1〜4のアルキル基を表す。
q1及びr1は、それぞれ独立に0〜3の整数を表す。p1が2以上のとき、複数のRa21は同一又は相異なり、q1が2以上のとき、複数のRa22は同一又は相異なり、r1が2以上のとき、複数のRa23は、同一又は相異なる。
In formula (a3-1), formula (a3-2) and formula (a3-3),
L a4 , L a5 and L a6 each independently represent —O— or * —O— (CH 2 ) k3 —CO—O—.
k3 represents an integer of 1 to 7. * Represents a bond with -CO-.
R a18 , R a19 and R a20 each independently represents a hydrogen atom or a methyl group.
R a21 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
p1 represents an integer of 0 to 5.
R a22 and R a23 each independently represent a carboxy group, a cyano group, or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
q1 and r1 each independently represents an integer of 0 to 3. When p1 is 2 or more, a plurality of R a21 are the same or different, when q1 is 2 or more, a plurality of R a22 are the same or different, and when r1 is 2 or more, a plurality of R a23 are the same or different Different.

a21、Ra22及びRa23のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、tert-ブチル基、sec-ブチル基等が挙げられる。 Examples of the alkyl group for R a21 , R a22 and R a23 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a tert-butyl group, and a sec-butyl group.

式(a3−1)、式(a3−2)及び式(a3−3)では、La4、La5及びLa6は、それぞれ独立に、−O−又は−O−(CH2k3−CO−O−であることが好ましく、より好ましくは−O−である。k3は、好ましくは1〜4の整数であり、より好ましくは1である。
a18、Ra19、Ra20及びRa21は、好ましくはメチル基である。
a22及びRa23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。
p1、q1及びr1は、それぞれ独立に、好ましくは0〜2、より好ましくは0又は1である。
In formula (a3-1), formula (a3-2) and formula (a3-3), L a4 , L a5 and L a6 are each independently —O— or * —O— (CH 2 ) k3 —. CO-O- is preferable, and -O- is more preferable. k3 is preferably an integer of 1 to 4, more preferably 1.
R a18 , R a19 , R a20 and R a21 are preferably methyl groups.
R a22 and R a23 are each independently preferably a carboxy group, a cyano group or a methyl group.
p1, q1 and r1 are each independently preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1.

酸安定モノマー(a3)としては、特開2010−204646号公報に記載されたモノマーが挙げられる。式(a3−1−1)〜式(a3−1−4)、式(a3−2−1)〜式(a3−2−4)及び式(a3−3−1)〜式(a3−3−4)のいずれかで表されるモノマーが好ましく、式(a3−1−1)、式(a3−1−2)、式(a3−2−3)及び式(a3−2−4)のいずれかで表されるモノマーがより好ましく、式(a3−1−1)又は式(a3−2−3)で表されるモノマーがさらに好ましい。   Examples of the acid stable monomer (a3) include monomers described in JP 2010-204646 A. Formula (a3-1-1) to Formula (a3-1-4), Formula (a3-2-1) to Formula (a3-2-4), and Formula (a3-3-1) to Formula (a3-3) -4) is preferred, and the monomers represented by formula (a3-1-1), formula (a3-1-2), formula (a3-2-3) and formula (a3-2-4) are preferred. The monomer represented by either is more preferable, and the monomer represented by the formula (a3-1-1) or the formula (a3-2-3) is more preferable.

樹脂(A)が酸安定モノマー(a3)に由来する構造単位を含む場合、その含有率は、樹脂(A)の全構造単位に対して、通常5〜70モル%であり、好ましくは10〜65モル%であり、より好ましくは10〜60モル%である。   When the resin (A) contains a structural unit derived from the acid-stable monomer (a3), the content is usually 5 to 70 mol%, preferably 10 to 10%, based on all structural units of the resin (A). It is 65 mol%, More preferably, it is 10-60 mol%.

樹脂(A)が、構造単位(I)と構造単位(II)と酸不安定構造単位とのみからなる樹脂である場合、これらの含有率はそれぞれ、樹脂(A)の全構造単位に対して、
構造単位(I);1〜80モル%
構造単位(II);2〜40モル%
酸不安定構造単位;18〜97モル%
が好ましく、
構造単位(I);5〜65モル%
構造単位(II);5〜30モル%
酸不安定構造単位;30〜90モル%
がより好ましい。
When the resin (A) is a resin composed only of the structural unit (I), the structural unit (II), and the acid labile structural unit, these contents are respectively based on the total structural units of the resin (A). ,
Structural unit (I); 1 to 80 mol%
Structural unit (II); 2 to 40 mol%
Acid labile structural unit; 18-97 mol%
Is preferred,
Structural unit (I); 5-65 mol%
Structural unit (II); 5 to 30 mol%
Acid-labile structural unit; 30 to 90 mol%
Is more preferable.

樹脂(A)が、構造単位(I)と構造単位(II)と酸不安定構造単位と酸安定構造単位とからなる樹脂である場合、これらの含有率はそれぞれ、樹脂(A)の全構造単位に対して、
構造単位(I);1〜80モル%
構造単位(II);2〜40モル%
酸不安定構造単位;15〜94モル%
酸安定構造単位;3〜82モル%
が好ましく、
構造単位(I);3〜70モル%
構造単位(II);3〜35モル%
酸不安定構造単位;20〜87モル%
酸安定構造単位;7〜74モル%
がより好ましく、
構造単位(I);5〜55モル%
構造単位(II);5〜30モル%
酸不安定構造単位;25〜75モル%
酸安定構造単位;15〜65モル%
がさらに好ましく、
構造単位(I);5〜35モル%
構造単位(II);5〜35モル%
酸不安定構造単位;40〜65モル%
酸安定構造単位;20〜55モル%
が特に好ましい。
When the resin (A) is a resin composed of the structural unit (I), the structural unit (II), the acid labile structural unit, and the acid stable structural unit, these contents are respectively the total structure of the resin (A). For units
Structural unit (I); 1 to 80 mol%
Structural unit (II); 2 to 40 mol%
Acid labile structural unit; 15-94 mol%
Acid stable structural unit; 3-82 mol%
Is preferred,
Structural unit (I); 3-70 mol%
Structural unit (II); 3-35 mol%
Acid-labile structural unit; 20 to 87 mol%
Acid stable structural unit; 7 to 74 mol%
Is more preferred,
Structural unit (I); 5-55 mol%
Structural unit (II); 5 to 30 mol%
Acid labile structural unit; 25-75 mol%
Acid stable structural unit; 15-65 mol%
Is more preferred,
Structural unit (I); 5-35 mol%
Structural unit (II); 5-35 mol%
Acid labile structural unit; 40-65 mol%
Acid stable structural unit; 20 to 55 mol%
Is particularly preferred.

樹脂(A)は、好ましくは、構造単位(I)と構造単位(II)と酸不安定構造単位と酸安定構造単位とからなる樹脂、すなわち、化合物(I’)と構造単位(II)を導くモノマーと酸不安定モノマー(a1)と酸安定モノマーとの共重合体である。
酸不安定構造単位は、好ましくは構造単位(a1−1)及び構造単位(a1−2)(好ましくはシクロヘキシル基、シクロペンチル基を有する該構造単位)の少なくとも一種、より好ましくは構造単位(a1−1)である。
酸安定構造単位は、好ましくは酸安定モノマー(a2)に由来する構造単位及び酸安定モノマー(a3)に由来する構造単位の少なくとも一種である。酸安定モノマー(a2)は、好ましくは式(a2−1)で表されるモノマーである。酸安定モノマー(a3)は、好ましくは式(a3−1)で表される酸安定モノマー及び式(a3−2)で表される酸安定モノマーの少なくとも一種である。
The resin (A) is preferably a resin comprising a structural unit (I), a structural unit (II), an acid labile structural unit, and an acid stable structural unit, that is, a compound (I ′) and a structural unit (II). It is a copolymer of a leading monomer, an acid labile monomer (a1) and an acid stable monomer.
The acid labile structural unit is preferably at least one of the structural unit (a1-1) and the structural unit (a1-2) (preferably the structural unit having a cyclohexyl group or a cyclopentyl group), more preferably the structural unit (a1- 1).
The acid stable structural unit is preferably at least one of a structural unit derived from the acid stable monomer (a2) and a structural unit derived from the acid stable monomer (a3). The acid stable monomer (a2) is preferably a monomer represented by the formula (a2-1). The acid stable monomer (a3) is preferably at least one of an acid stable monomer represented by the formula (a3-1) and an acid stable monomer represented by the formula (a3-2).

樹脂(A)は、アダマンチル基を有するモノマーに由来する構造単位(特に、構造単位(a1−1))を、酸不安定構造単位の含有量に対して15モル%以上含有していることが好ましい。アダマンチル基を有する構造単位の含有量が増えると、レジストパターンのドライエッチング耐性が向上する。   The resin (A) may contain a structural unit derived from a monomer having an adamantyl group (particularly the structural unit (a1-1)) in an amount of 15 mol% or more based on the content of the acid labile structural unit. preferable. When the content of the structural unit having an adamantyl group is increased, the dry etching resistance of the resist pattern is improved.

樹脂(A)を構成する各構造単位は、1種のみ又は2種以上を組み合わせて用いてもよく、これら構造単位を誘導するモノマーを用いて、公知の重合法(例えばラジカル重合法)によって製造することができる。
樹脂(A)の重量平均分子量は、好ましくは、2,500以上(より好ましくは3,000以上、さらに好ましくは4,000以上)、50,000以下(より好ましくは30,000以下、さらに好ましくは15,000以下)である。
Each structural unit constituting the resin (A) may be used alone or in combination of two or more, and is produced by a known polymerization method (for example, radical polymerization method) using a monomer that derives these structural units. can do.
The weight average molecular weight of the resin (A) is preferably 2,500 or more (more preferably 3,000 or more, more preferably 4,000 or more), 50,000 or less (more preferably 30,000 or less, and further preferably 15,000 or less).

〈レジスト組成物〉
本発明のレジスト組成物は、
樹脂(A)、及び、酸発生剤(以下「酸発生剤(B)」という場合がある)を含有する。
本発明のレジスト組成物は、さらに溶剤(E)を含有していることが好ましい。
また、本発明のレジスト組成物は、さらに塩基性化合物(C)を含有していることが好ましい。
<Resist composition>
The resist composition of the present invention comprises:
Resin (A) and an acid generator (hereinafter may be referred to as “acid generator (B)”) are contained.
It is preferable that the resist composition of the present invention further contains a solvent (E).
Moreover, it is preferable that the resist composition of this invention contains the basic compound (C) further.

樹脂(A)の含有率は、好ましくは、レジスト組成物の固形分中、80質量%以上99質量%以下である。本明細書において「レジスト組成物の固形分」とは、本発明のレジスト組成物の総量から溶剤(E)を除いた成分の合計量を意味する。レジスト組成物の固形分及びこれに対する樹脂(A)の含有率は、例えば、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィー等の公知の分析手段で測定することができる。   The content of the resin (A) is preferably 80% by mass or more and 99% by mass or less in the solid content of the resist composition. In the present specification, the “solid content of the resist composition” means the total amount of components excluding the solvent (E) from the total amount of the resist composition of the present invention. The solid content of the resist composition and the content of the resin (A) relative thereto can be measured, for example, by known analytical means such as liquid chromatography or gas chromatography.

〈樹脂(A)以外の樹脂〉
本発明のレジスト組成物は、樹脂(A)以外の樹脂を含有してもよい。
樹脂(A)以外の樹脂としては、構造単位(I)を含まない樹脂であれば特に限定されず、例えば、上述の、酸不安定構造単位、酸安定構造単位の他、当該分野で用いられる公知のモノマーに由来する構造単位からなる樹脂が挙げられる。
本発明のレジスト組成物が、樹脂(A)以外の樹脂を含む場合、これらの含有率は、樹脂の総量に対して、通常0.1〜50質量%であり、好ましくは0.5〜30質量%であり、より好ましくは1〜20質量%である。
<Resin other than resin (A)>
The resist composition of the present invention may contain a resin other than the resin (A).
The resin other than the resin (A) is not particularly limited as long as the resin does not contain the structural unit (I). For example, in addition to the above-mentioned acid-labile structural unit and acid-stable structural unit, the resin is used in this field. Examples of the resin include structural units derived from known monomers.
When the resist composition of this invention contains resin other than resin (A), these content rates are 0.1-50 mass% normally with respect to the total amount of resin, Preferably 0.5-30 It is mass%, More preferably, it is 1-20 mass%.

〈酸発生剤(B)〉
酸発生剤(B)は、非イオン系とイオン系とに分類されるが、本発明のレジスト組成物においては、いずれを用いてもよい。非イオン系酸発生剤には、有機ハロゲン化物、スルホネートエステル類(例えば2−ニトロベンジルエステル、芳香族スルホネート、オキシムスルホネート、N−スルホニルオキシイミド、N−スルホニルオキシイミド、スルホニルオキシケトン、ジアゾナフトキノン 4−スルホネート)、スルホン類(例えばジスルホン、ケトスルホン、スルホニルジアゾメタン)等が含まれる。イオン系酸発生剤は、オニウムカチオンを含むオニウム塩(例えばジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩)が代表的である。オニウム塩のアニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、スルホニルメチドアニオン等がある。
<Acid generator (B)>
The acid generator (B) is classified into a nonionic type and an ionic type, and any of them may be used in the resist composition of the present invention. Nonionic acid generators include organic halides, sulfonate esters (for example, 2-nitrobenzyl ester, aromatic sulfonate, oxime sulfonate, N-sulfonyloxyimide, N-sulfonyloxyimide, sulfonyloxyketone, diazonaphthoquinone 4). -Sulfonates), sulfones (e.g. disulfone, ketosulfone, sulfonyldiazomethane) and the like. The ionic acid generator is typically an onium salt containing an onium cation (for example, diazonium salt, phosphonium salt, sulfonium salt, iodonium salt). Examples of the anion of the onium salt include a sulfonate anion, a sulfonylimide anion, and a sulfonylmethide anion.

酸発生剤(B)としては、例えば特開昭63−26653号、特開昭55−164824号、特開昭62−69263号、特開昭63−146038号、特開昭63−163452号、特開昭62−153853号、特開昭63−146029号や、米国特許第3,779,778号、米国特許第3,849,137号、独国特許第3914407号、欧州特許第126,712号等に記載の放射線によって酸を発生する化合物を使用することができる。また、公知の方法で製造した化合物を使用してもよい。   Examples of the acid generator (B) include JP-A 63-26653, JP-A 55-164824, JP-A 62-69263, JP-A 63-146038, JP-A 63-163452, JP-A-62-153853, JP-A-63-146029, U.S. Pat. No. 3,779,778, U.S. Pat. No. 3,849,137, German Patent 3914407, European Patent 126,712. A compound capable of generating an acid by radiation described in No. etc. can be used. Moreover, you may use the compound manufactured by the well-known method.

酸発生剤(B)は、好ましくはフッ素含有酸発生剤であり、より好ましくは式(B1)で表される塩(以下「塩(B1)」という場合がある)である。   The acid generator (B) is preferably a fluorine-containing acid generator, more preferably a salt represented by the formula (B1) (hereinafter sometimes referred to as “salt (B1)”).

[式(B1)中、
1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
b1は、炭素数1〜24の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置き換わっていてもよく、該飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
Yは、水素原子、フッ素原子、置換基を有していてもよい炭素数3〜18の脂環式炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
+は、有機カチオンを表す。]
[In the formula (B1),
Q 1 and Q 2 each independently represents a fluorine atom or a C 1-6 perfluoroalkyl group.
L b1 represents a saturated hydrocarbon group having 1 to 24 carbon atoms, and the hydrogen atom contained in the saturated hydrocarbon group may be replaced by a fluorine atom or a hydroxy group, and methylene constituting the saturated hydrocarbon group The group may be replaced by an oxygen atom or a carbonyl group.
Y represents a hydrogen atom, a fluorine atom, or an optionally substituted alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms, and the methylene group constituting the alicyclic hydrocarbon group is an oxygen atom, A sulfonyl group or a carbonyl group may be substituted.
Z + represents an organic cation. ]

1及びQ2のペルフルオロアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロsec−ブチル基、ペルフルオロtert−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基等が挙げられる。
1及びQ2は、それぞれ独立に、好ましくはトリフルオロメチル基又はフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。
Examples of the perfluoroalkyl group of Q 1 and Q 2 include a trifluoromethyl group, a perfluoroethyl group, a perfluoropropyl group, a perfluoroisopropyl group, a perfluorobutyl group, a perfluorosec-butyl group, a perfluorotert-butyl group, and a perfluoropentyl group. And perfluorohexyl group.
Q 1 and Q 2 are each independently preferably a trifluoromethyl group or a fluorine atom, more preferably a fluorine atom.

b1により表される2価の飽和炭化水素基としては、直鎖状アルカンジイル基、分岐状アルカンジイル基、単環式又は多環式の脂環式飽和炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち2種以上を組み合わせたものでもよい。
具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン−1,3−ジイル基、プロパン−1,2−ジイル基、ブタン−1,4−ジイル基、ペンタン−1,5−ジイル基、ヘキサン−1,6−ジイル基、ヘプタン−1,7−ジイル基、オクタン−1,8−ジイル基、ノナン−1,9−ジイル基、デカン−1,10−ジイル基、ウンデカン−1,11−ジイル基、ドデカン−1,12−ジイル基、トリデカン−1,13−ジイル基、テトラデカン−1,14−ジイル基、ペンタデカン−1,15−ジイル基、ヘキサデカン−1,16−ジイル基、ヘプタデカン−1,17−ジイル基、エタン−1,1−ジイル基、プロパン−1,1−ジイル基及びプロパン−2,2−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基;
1−メチルブタン−1,3−ジイル基、2−メチルプロパン−1,3−ジイル基、2−メチルプロパン−1,2−ジイル基、ペンタン−1,4−ジイル基、2−メチルブタン−1,4−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基;
シクロブタン−1,3−ジイル基、シクロペンタン−1,3−ジイル基、シクロヘキサン−1,4−ジイル基、シクロオクタン−1,5−ジイル基等のシクロアルカンジイル基である単環式の2価の脂環式飽和炭化水素基;
ノルボルナン−1,4−ジイル基、ノルボルナン−2,5−ジイル基、アダマンタン−1,5−ジイル基、アダマンタン−2,6−ジイル基等の多環式の2価の脂環式飽和炭化水素基等が挙げられる。
Examples of the divalent saturated hydrocarbon group represented by L b1 include a linear alkanediyl group, a branched alkanediyl group, a monocyclic or polycyclic alicyclic saturated hydrocarbon group, A combination of two or more of the groups may be used.
Specifically, methylene group, ethylene group, propane-1,3-diyl group, propane-1,2-diyl group, butane-1,4-diyl group, pentane-1,5-diyl group, hexane-1 , 6-diyl group, heptane-1,7-diyl group, octane-1,8-diyl group, nonane-1,9-diyl group, decane-1,10-diyl group, undecane-1,11-diyl group , Dodecane-1,12-diyl group, tridecane-1,13-diyl group, tetradecane-1,14-diyl group, pentadecane-1,15-diyl group, hexadecane-1,16-diyl group, heptadecane-1, Linear alkanediyl groups such as 17-diyl group, ethane-1,1-diyl group, propane-1,1-diyl group and propane-2,2-diyl group;
1-methylbutane-1,3-diyl group, 2-methylpropane-1,3-diyl group, 2-methylpropane-1,2-diyl group, pentane-1,4-diyl group, 2-methylbutane-1, Branched alkanediyl groups such as 4-diyl groups;
Monocyclic 2 which is a cycloalkanediyl group such as cyclobutane-1,3-diyl group, cyclopentane-1,3-diyl group, cyclohexane-1,4-diyl group, cyclooctane-1,5-diyl group Valent alicyclic saturated hydrocarbon group;
Polycyclic divalent alicyclic saturated hydrocarbon such as norbornane-1,4-diyl group, norbornane-2,5-diyl group, adamantane-1,5-diyl group, adamantane-2,6-diyl group, etc. Groups and the like.

b1により表される、メチレン基が酸素原子又はカルボニル基に置き換わった飽和炭化水素基としては、例えば、式(b1−1)〜式(b1−7)が挙げられる。なお、式(b1−1)〜式(b1−7)は、その左右を式(B1)に合わせて記載しており、それぞれ*で表される2つの結合手のうち、左側でC(Q1)(Q2)−と結合し、右側で−Yと結合する。以下の式(b1−1)〜式(b1−7)の具体例も同様である。 Examples of the saturated hydrocarbon group represented by L b1 in which the methylene group is replaced with an oxygen atom or a carbonyl group include formula (b1-1) to formula (b1-7). In addition, Formula (b1-1)-Formula (b1-7) have described the right and left according to Formula (B1), and among two bonds represented by *, C (Q 1 ) Combined with (Q 2 )-and combined with -Y on the right side. The same applies to specific examples of the following formulas (b1-1) to (b1-7).

式(b1−1)〜式(b1−7)中、
b2は、単結合又は炭素数1〜22の2価の飽和炭化水素基を表す。
b3は、単結合又は炭素数1〜19の2価の飽和炭化水素基を表す。
b4は、炭素数1〜20の2価の飽和炭化水素基を表す。但しLb3及びLb4の炭素数上限は20である。
b5は、炭素数1〜22の2価の飽和炭化水素基を表す。
b6及びLb7は、それぞれ独立に、炭素数1〜22の2価の飽和炭化水素基を表す。但しLb6及びLb7の炭素数上限は23である。
b8は、炭素数1〜22の2価の飽和炭化水素基を表す。
b9及びLb10は、それぞれ独立に、炭素数1〜18の2価の飽和炭化水素基を表す。但しLb9及びLb10の炭素数上限は20である。
b11及びLb12は、単結合又は炭素数1〜18の2価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
b13は、炭素数1〜19の2価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。但しLb11、Lb12及びLb13の合計炭素数の上限は19である。
b14及びLb15は、それぞれ独立に、単結合又は炭素数1〜20の2価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
b16は、炭素数1〜21の2価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。但しLb14、Lb15及びLb16の合計炭素数の上限は21である。
In formula (b1-1) to formula (b1-7),
L b2 represents a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 22 carbon atoms.
L b3 represents a single bond or a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 19 carbon atoms.
L b4 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms. However, the upper limit of the carbon number of L b3 and L b4 is 20.
L b5 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 22 carbon atoms.
L b6 and L b7 each independently represent a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 22 carbon atoms. However, the upper limit of the carbon number of L b6 and L b7 is 23.
L b8 represents a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 22 carbon atoms.
L b9 and L b10 each independently represent a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms. However, the upper limit of the carbon number of L b9 and L b10 is 20.
L b11 and L b12 represent a single bond or a divalent aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms.
L b13 represents a divalent aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 19 carbon atoms. However, the upper limit of the total carbon number of L b11 , L b12 and L b13 is 19.
L b14 and L b15 each independently represent a single bond or a divalent aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms.
L b16 represents a divalent aliphatic saturated hydrocarbon group having 1 to 21 carbon atoms. However, the upper limit of the total carbon number of L b14 , L b15 and L b16 is 21.

中でも、Lb1は、好ましくは式(b1−1)〜式(b1−4)のいずれか、より好ましくは式(b1−1)又は式(b1−2)、さらに好ましくは式(b1−1)で表される2価の基であり、特に好ましくは、Lb2が単結合又は−CH2−である式(b1−1)で表される2価の基である。 Among them, L b1 is preferably any one of formula (b1-1) to formula (b1-4), more preferably formula (b1-1) or formula (b1-2), and still more preferably formula (b1-1). And particularly preferably a divalent group represented by the formula (b1-1) in which L b2 is a single bond or —CH 2 —.

式(b1−1)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-1) include the following.

式(b1−2)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-2) include the following.

式(b1−3)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-3) include the following.

式(b1−4)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-4) include the following.

式(b1−5)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-5) include the following.

式(b1−6)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-6) include the following.

式(b1−7)で表される2価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of the divalent group represented by the formula (b1-7) include the following.

b1の脂肪族飽和炭化水素基に含まれる水素原子が、フッ素原子又はヒドロキシ基で置換された場合の具体例は例えば、以下のものが挙げられる。
Specific examples when the hydrogen atom contained in the aliphatic saturated hydrocarbon group of L b1 is substituted with a fluorine atom or a hydroxy group include the following.

Yにより表される脂環式炭化水素基としては、例えば、式(Y1)〜式(Y26)で表される基が挙げられる。
Examples of the alicyclic hydrocarbon group represented by Y include groups represented by formulas (Y1) to (Y26).

なかでも、好ましくは式(Y1)〜式(Y19)のいずれかで表される基であり、より好ましくは式(Y11)、式(Y14)、式(Y15)又は式(Y19)で表される基であり、さらに好ましくは式(Y11)又は式(Y14)で表される基である。   Especially, it is preferably a group represented by any one of formulas (Y1) to (Y19), more preferably represented by formula (Y11), formula (Y14), formula (Y15) or formula (Y19). And more preferably a group represented by formula (Y11) or formula (Y14).

Yにより表される脂環式炭化水素基の置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、オキソ基、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のヒドロキシ基含有アルキル基、炭素数3〜16の脂環式炭化水素基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数6〜18の芳香族炭化水素基、炭素数7〜21のアラルキル基、炭素数2〜4のアシル基、グリシジルオキシ基又は−(CH2j2−O−CO−Rb1基(式中、Rb1は、炭素数1〜16のアルキル基、炭素数3〜16の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を表す。j2は、0〜4の整数を表す)等が挙げられる。上記置換基であるアルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びアラルキル基等は、さらに置換基を有していてもよい。ここでの置換基は、例えば、アルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、オキソ基等が挙げられる。 Examples of the substituent for the alicyclic hydrocarbon group represented by Y include a halogen atom, a hydroxy group, an oxo group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a hydroxy group-containing alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, and carbon. C3-C16 alicyclic hydrocarbon group, C1-C12 alkoxy group, C6-C18 aromatic hydrocarbon group, C7-C21 aralkyl group, C2-C4 acyl group , Glycidyloxy group or — (CH 2 ) j2 —O—CO—R b1 group (wherein R b1 is an alkyl group having 1 to 16 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 16 carbon atoms, or carbon Represents an aromatic hydrocarbon group of formula 6 to 18. j2 represents an integer of 0 to 4). The alkyl group, alicyclic hydrocarbon group, aromatic hydrocarbon group, aralkyl group and the like which are the above substituents may further have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, a halogen atom, a hydroxy group, and an oxo group.

ヒドロキシ基含有アルキル基としては、例えば、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基等が挙げられる。
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基及びドデシルオキシ基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、p−メチルフェニル基、p−tert−ブチルフェニル基、p−アダマンチルフェニル基;トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、2,6−ジエチルフェニル基、2−メチル−6−エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。
アラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、ナフチルメチル基及びナフチルエチル基等が挙げられる。
アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基等が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられる。
Examples of the hydroxy group-containing alkyl group include a hydroxymethyl group and a hydroxyethyl group.
Examples of the alkoxy group include methoxy group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, heptyloxy group, octyloxy group, decyloxy group and dodecyloxy group.
Examples of the aromatic hydrocarbon group include phenyl group, naphthyl group, anthryl group, p-methylphenyl group, p-tert-butylphenyl group, p-adamantylphenyl group; tolyl group, xylyl group, cumenyl group, mesityl group. , Aryl groups such as biphenyl group, phenanthryl group, 2,6-diethylphenyl group, 2-methyl-6-ethylphenyl, and the like.
Examples of the aralkyl group include benzyl group, phenethyl group, phenylpropyl group, naphthylmethyl group, and naphthylethyl group.
Examples of the acyl group include an acetyl group, a propionyl group, and a butyryl group.
Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.

Yとしては、例えば以下のものが挙げられる。
Examples of Y include the following.

Yは、好ましくは置換基を有していてもよい炭素数3〜18の脂環式炭化水素基であり、より好ましくは置換基(例えば、オキソ基、ヒドロキシ基等)を有していてもよいアダマンチル基であり、さらに好ましくはアダマンチル基、ヒドロキシアダマンチル基又はオキソアダマンチル基である。   Y is preferably an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms which may have a substituent, more preferably a substituent (for example, an oxo group, a hydroxy group, etc.). A good adamantyl group, more preferably an adamantyl group, a hydroxyadamantyl group or an oxoadamantyl group.

塩(B1)におけるスルホン酸アニオンとしては、好ましくは、式(b1−1−1)〜式(b1−1−9)で表されるアニオンが挙げられる。以下の式においては、符号の定義は上記と同じ意味であり、Rb2及びRb3は、それぞれ独立に、炭素数1〜4のアルキル基(好ましくは、メチル基)を表す。
塩(B1)におけるスルホン酸アニオンとしては、具体的には、特開2010−204646号公報に記載されたアニオンが挙げられる。
The sulfonate anion in the salt (B1) is preferably an anion represented by the formula (b1-1-1) to the formula (b1-1-9). In the following formulas, the definitions of the symbols have the same meaning as described above, and R b2 and R b3 each independently represent an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms (preferably a methyl group).
Specific examples of the sulfonate anion in the salt (B1) include anions described in JP 2010-204646 A.

塩(B1)に含まれる有機カチオン(Z1+)は、有機オニウムカチオン、例えば、有機スルホニウムカチオン、有機ヨードニウムカチオン、有機アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン、有機ホスホニウムカチオン等が挙げられ、好ましくは、有機スルホニウムカチオン又は有機ヨードニウムカチオンであり、より好ましくは、アリールスルホニウムカチオンであり、さらに好ましくは、式(b2−1)〜式(b2−4)のいずれかで表されるカチオンである。 Examples of the organic cation (Z1 + ) contained in the salt (B1) include an organic onium cation such as an organic sulfonium cation, an organic iodonium cation, an organic ammonium cation, a benzothiazolium cation, and an organic phosphonium cation. An organic sulfonium cation or an organic iodonium cation, more preferably an arylsulfonium cation, and still more preferably a cation represented by any one of formulas (b2-1) to (b2-4).

式(b2−1)〜式(b2−4)において、
b4〜Rb6は、それぞれ独立に、炭素数1〜36の炭化水素基を表す。この炭化水素基は、好ましくは、炭素数1〜30の脂肪族炭化水素基、炭素数3〜36の脂環式炭化水素基及び炭素数6〜36の芳香族炭化水素基を表す。前記脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数3〜12の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、前記脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基、炭素数2〜4のアシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよく、前記芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基又は炭素数1〜12のアルコキシ基で置換されていてもよい。
b4とRb5とは、一緒になって硫黄原子を含む環を形成してもよい。
b7及びRb8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基、炭素数3〜18の脂環式炭化水素基又は炭素数1〜12のアルコキシ基を表す。
m2及びn2は、それぞれ独立に、0〜5の整数を表し、m2が2以上のとき、複数のRb7は同一又は相異なり、n2が2以上のとき、複数のRb8は同一又は相異なる。
b9及びRb10は、それぞれ独立に、炭素数1〜36の脂肪族炭化水素基又は炭素数3〜36の脂環式炭化水素基を表すか、Rb9とRb10が一緒になってそれらが結合する硫黄原子を含む環を形成する。
b11は、水素原子、炭素数1〜36の脂肪族炭化水素基、炭素数3〜36の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜18の芳香族炭化水素基を表す。該環に含まれる−CH2−は、−O−、−S−又は−CO−に置き換わってもよい。
b12は、炭素数1〜30の脂肪族炭化水素基、炭素数3〜36の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜36の芳香族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数6〜18の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数1〜12のアルコキシ基又は炭素数1〜12のアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。
b11とRb12が一緒になってそれらが結合する−CH−CO−とともに3員環〜12員環(好ましくは3員環〜7員環)を形成していてもよい。
In formula (b2-1) to formula (b2-4),
R b4 to R b6 each independently represents a hydrocarbon group having 1 to 36 carbon atoms. This hydrocarbon group preferably represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 36 carbon atoms, and an aromatic hydrocarbon group having 6 to 36 carbon atoms. The hydrogen atom contained in the aliphatic hydrocarbon group is a hydroxy group, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms. The hydrogen atom contained in the alicyclic hydrocarbon group may be substituted with a halogen atom, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, an acyl group having 2 to 4 carbon atoms, or a glycidyloxy group. The hydrogen atom contained in the aromatic hydrocarbon group may be substituted with a halogen atom, a hydroxy group or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms.
R b4 and R b5 may together form a ring containing a sulfur atom.
R b7 and R b8 each independently represent a hydroxy group, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms.
m2 and n2 each independently represent an integer of 0 to 5, when m2 is 2 or more, the plurality of R b7 are the same or different, and when n2 is 2 or more, the plurality of R b8 are the same or different. .
R b9 and R b10 each independently represent an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 36 carbon atoms or an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 36 carbon atoms, or R b9 and R b10 taken together Forms a ring containing a sulfur atom to which.
R b11 represents a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 36 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 36 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms. —CH 2 — contained in the ring may be replaced by —O—, —S— or —CO—.
R b12 represents an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 36 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 36 carbon atoms, and the aliphatic hydrocarbon group includes The contained hydrogen atom may be substituted with an aromatic hydrocarbon group having 6 to 18 carbon atoms, and the hydrogen atom contained in the aromatic hydrocarbon group is an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms or 1 carbon atom. It may be substituted with ˜12 alkylcarbonyloxy groups.
R b11 and R b12 may be combined to form a 3- to 12-membered ring (preferably a 3- to 7-membered ring) with —CH—CO— to which they are bonded.

b13〜Rb18は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数1〜12のアルキル基又は炭素数1〜12のアルコキシ基を表す。
b11は、酸素原子又は硫黄原子を表す。
o2、p2、s2及びt2は、それぞれ独立に、0〜5の整数を表す。
q2及びr2は、それぞれ独立に、0〜4の整数を表す。
u2は0又は1を表す。
o2が2以上のとき、複数のRb13は同一又は相異なり、p2が2以上のとき、複数のRb14は同一又は相異なり、q2が2以上のとき、複数のRb15は同一又は相異なり、r2が2以上のとき、複数のRb16は同一又は相異なり、s2が2以上のとき、複数のRb17は同一又は相異なり、t2が2以上のとき、複数のRb18は、同一又は相異なる。
R b13 to R b18 each independently represent a hydroxy group, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms.
L b11 represents an oxygen atom or a sulfur atom.
o2, p2, s2, and t2 each independently represents an integer of 0 to 5.
q2 and r2 each independently represents an integer of 0 to 4.
u2 represents 0 or 1.
When o2 is 2 or more, multiple R b13 are the same or different, when p2 is 2 or more, multiple R b14 are the same or different, and when q2 is 2 or more, multiple R b15 are the same or different , When r2 is 2 or more, a plurality of R b16 are the same or different, when s2 is 2 or more, a plurality of R b17 are the same or different, and when t2 is 2 or more, a plurality of R b18 are the same or different Different.

脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2−エチルヘキシル基が挙げられる。
水素原子が脂環式炭化水素基で置換された脂肪族炭化水素基としては、例えば、1−(アダマンタン−1−イル)アルカン−1−イル基等が挙げられる。
水素原子が芳香族炭化水素基で置換された脂肪族炭化水素基としては、アラルキル基が挙げられ、具体的には、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、トリチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等が挙げられる。
脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、下記の基等が挙げられる。*は結合手を表す。
水素原子がアルキル基で置換された脂環式炭化水素基としては、例えば、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、メチルノルボルニル基、2−アルキルアダマンタン−2−イル基、メチルノルボルニル基、イソボルニル基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、p−メチルフェニル基、p−tert−ブチルフェニル基、p−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、2,6−ジエチルフェニル基、2−メチル−6−エチルフェニル等のアリール基が挙げられる。
なお、芳香族炭化水素基に、脂肪族炭化水素基又は脂環式炭化水素基が含まれる場合は、炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基及び炭素数3〜18の脂環式炭化水素基が好ましい。
Examples of the aliphatic hydrocarbon group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group and 2-ethylhexyl group. Is mentioned.
Examples of the aliphatic hydrocarbon group in which a hydrogen atom is substituted with an alicyclic hydrocarbon group include a 1- (adamantan-1-yl) alkane-1-yl group.
Examples of the aliphatic hydrocarbon group in which a hydrogen atom is substituted with an aromatic hydrocarbon group include an aralkyl group, and specifically include a benzyl group, a phenethyl group, a phenylpropyl group, a trityl group, a naphthylmethyl group, and a naphthylethyl group. Groups and the like.
The alicyclic hydrocarbon group may be monocyclic or polycyclic, and examples of the monocyclic alicyclic hydrocarbon group include a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclooctyl group. And cycloalkyl groups such as groups. Examples of the polycyclic alicyclic hydrocarbon group include decahydronaphthyl group, adamantyl group, norbornyl group, and the following groups. * Represents a bond.
Examples of the alicyclic hydrocarbon group in which a hydrogen atom is substituted with an alkyl group include a methylcyclohexyl group, a dimethylcyclohexyl group, a methylnorbornyl group, a 2-alkyladamantan-2-yl group, and a methylnorbornyl group. Group, isobornyl group and the like.
Aromatic hydrocarbon groups include phenyl, naphthyl, anthryl, p-methylphenyl, p-tert-butylphenyl, p-adamantylphenyl, tolyl, xylyl, cumenyl, mesityl, biphenyl Group, phenanthryl group, 2,6-diethylphenyl group, and aryl groups such as 2-methyl-6-ethylphenyl.
When the aromatic hydrocarbon group includes an aliphatic hydrocarbon group or an alicyclic hydrocarbon group, the aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms and the alicyclic hydrocarbon having 3 to 18 carbon atoms Groups are preferred.

アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基及びドデシルオキシ基等が挙げられる。
水素原子がアルコキシ基で置換された芳香族炭化水素基としては、例えば、4−メトキシフェニル基等が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられる。
アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基等が挙げられる。
アルキルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、n−ブチルカルボニルオキシ基、sec−ブチルカルボニルオキシ基、tert−ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び2−エチルヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。
Examples of the alkoxy group include methoxy group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, heptyloxy group, octyloxy group, decyloxy group and dodecyloxy group.
As an aromatic hydrocarbon group by which the hydrogen atom was substituted by the alkoxy group, 4-methoxyphenyl group etc. are mentioned, for example.
Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.
Examples of the acyl group include an acetyl group, a propionyl group, and a butyryl group.
Examples of the alkylcarbonyloxy group include a methylcarbonyloxy group, an ethylcarbonyloxy group, an n-propylcarbonyloxy group, an isopropylcarbonyloxy group, an n-butylcarbonyloxy group, a sec-butylcarbonyloxy group, a tert-butylcarbonyloxy group, Examples thereof include a pentylcarbonyloxy group, a hexylcarbonyloxy group, an octylcarbonyloxy group, and a 2-ethylhexylcarbonyloxy group.

b9〜Rb12の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数1〜12であり、特に、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び2−エチルヘキシル基等が好ましい。
b9〜Rb11の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数3〜18、より好ましくは炭素数4〜12であり、特に、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基、2−アルキルアダマンタン−2−イル基、1−(アダマンタン−1−イル)アルカン−1−イル基及びイソボルニル基等が好ましい。
b12の芳香族炭化水素基は、フェニル基、4−メチルフェニル基、4−エチルフェニル基、4−tert−ブチルフェニル基、4−シクロへキシルフェニル基、4−メトキシフェニル基、ビフェニリル基及びナフチル基等が好ましい。
b12の、水素原子が芳香族炭化水素基で置換されたアルキル基、すなわちアラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、ナフチルメチル基及びナフチルエチル基等が挙げられる。
The aliphatic hydrocarbon group represented by R b9 to R b12 preferably has 1 to 12 carbon atoms, and in particular, a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, a tert group. -A butyl group, a pentyl group, a hexyl group, an octyl group, a 2-ethylhexyl group and the like are preferable.
The alicyclic hydrocarbon group of R b9 to R b11 preferably has 3 to 18 carbon atoms, more preferably 4 to 12 carbon atoms, and in particular, cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl. Group, cyclodecyl group, 2-alkyladamantan-2-yl group, 1- (adamantan-1-yl) alkane-1-yl group and isobornyl group are preferable.
The aromatic hydrocarbon group for R b12 includes a phenyl group, a 4-methylphenyl group, a 4-ethylphenyl group, a 4-tert-butylphenyl group, a 4-cyclohexylphenyl group, a 4-methoxyphenyl group, a biphenylyl group, and A naphthyl group and the like are preferable.
Examples of the alkyl group in which a hydrogen atom of R b12 is substituted with an aromatic hydrocarbon group, that is, an aralkyl group, include a benzyl group, a phenethyl group, a phenylpropyl group, a naphthylmethyl group, and a naphthylethyl group.

b4とRb5とが一緒になって形成してもよい硫黄原子を含む環としては、単環式、多環式、芳香族性、非芳香族性、飽和及び不飽和のいずれの環であってもよく、硫黄原子を1以上含むものであれば、さらに、1以上の硫黄原子及び/又は1以上の酸素原子を含んでいてもよい。該環としては、炭素数3〜18の環が好ましく、炭素数4〜13の環がより好ましい。 The ring containing a sulfur atom which may be formed by combining R b4 and R b5 is any of monocyclic, polycyclic, aromatic, non-aromatic, saturated and unsaturated rings. If it contains one or more sulfur atoms, it may further contain one or more sulfur atoms and / or one or more oxygen atoms. As the ring, a ring having 3 to 18 carbon atoms is preferable, and a ring having 4 to 13 carbon atoms is more preferable.

b9とRb10とが結合する硫黄原子とともに形成する環としては、例えば、チオラン−1−イウム環(テトラヒドロチオフェニウム環)、チアン−1−イウム環及び1,4−オキサチアン−4−イウム環等が挙げられる。
b11とRb12とが結合する−CH−CO−とともに形成する環としては、例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環及びオキソアダマンタン環等が挙げられる。
Examples of the ring formed together with the sulfur atom to which R b9 and R b10 are bonded include, for example, a thiolane-1-ium ring (tetrahydrothiophenium ring), a thian-1-ium ring, and 1,4-oxathian-4-ium. A ring etc. are mentioned.
Examples of the ring formed with —CH—CO— in which R b11 and R b12 are bonded include an oxocycloheptane ring, an oxocyclohexane ring, an oxonorbornane ring, and an oxoadamantane ring.

式(b2−1)〜式(b2−4)で表される有機カチオンの具体例は、特開2010−204646号公報に記載されたものを挙げることができる。   Specific examples of the organic cation represented by the formulas (b2-1) to (b2-4) include those described in JP2010-204646A.

中でも、有機カチオンZは、好ましくはカチオン(b2−1)であり、より好ましくは式(b2−1−1)で表される有機カチオン(以下「カチオン(b2−1−1)」という場合がある)であり、さらに好ましくはトリフェニルスルホニウムカチオン(式(b2−1−1)中、v2=w2=x2=0である。)、ジフェニルトリルスルホニウムカチオン(式(b2−1−1)中、v2=w2=0、x2=1であり、Rb21がメチル基である。)又はトリトリルスルホニウムカチオン(式(b2−1−1)中、v2=w2=x2=1であり、Rb19、Rb20及びRb21がいずれもメチル基である。)である。 Among them, the organic cation Z + is preferably a cation (b2-1), more preferably an organic cation represented by the formula (b2-1-1) (hereinafter referred to as “cation (b2-1-1)”). More preferably, triphenylsulfonium cation (in formula (b2-1-1), v2 = w2 = x2 = 0), diphenyltolylsulfonium cation (in formula (b2-1-1)) , V2 = w2 = 0, x2 = 1, R b21 is a methyl group) or a tolylsulfonium cation (in formula (b2-1-1), v2 = w2 = x2 = 1, R b19 , R b20 and R b21 are all methyl groups.

式(b2−1−1)中、
b19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子(より好ましくはフッ素原子)ヒドロキシ基、炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基、炭素数1〜12のアルコキシ基又は炭素数3〜18の脂環式炭化水素基を表す。また、Rb19〜Rb21から選ばれる2つが一緒になって硫黄原子を含む環を形成してもよい。
v2、w2及びx2は、それぞれ独立に、0〜5の整数(好ましくは0又は1)を表す。
v2が2以上のとき、複数のRb19は同一又は相異なり、w2が2以上のとき、複数のRb20は同一又は相異なり、x2が2以上のとき、複数のRb21は同一又は相異なる。
In formula (b2-1-1),
R b19 , R b20 and R b21 each independently represent a halogen atom (more preferably a fluorine atom) hydroxy group, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms or 3 carbon atoms. Represents -18 alicyclic hydrocarbon groups. It is also possible that two selected from R b19 to R b21 together form a ring containing a sulfur atom.
v2, w2 and x2 each independently represent an integer of 0 to 5 (preferably 0 or 1).
When v2 is 2 or more, the plurality of R b19 are the same or different, when w2 is 2 or more, the plurality of R b20 are the same or different, and when x2 is 2 or more, the plurality of R b21 are the same or different. .

なかでも、Rb19、Rb20及びRb21は、それぞれ独立に、好ましくは、ハロゲン原子(より好ましくはフッ素原子)、ヒドロキシ基、炭素数1〜12の脂肪族炭化水素基又は炭素数1〜12のアルコキシ基である。 Among them, R b19 , R b20 and R b21 are preferably each independently a halogen atom (more preferably a fluorine atom), a hydroxy group, an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms or a carbon number of 1 to 12 Of the alkoxy group.

カチオン(b2−1−1)としては、具体的には、特開2010−204646号公報に記載されたカチオンが挙げられる。   Specific examples of the cation (b2-1-1) include cations described in JP 2010-204646 A.

塩(B1)は、上述のスルホン酸アニオン及び上述の有機カチオンの組合せである。これらは任意に組み合わせることができ、好ましくは、アニオン(b1−1−1)〜アニオン(b1−1−9)のいずれかとカチオン(b2−1−1)との組合せ、並びにアニオン(b1−1−3)〜(b1−1−5)のいずれかとカチオン(b2−3)との組合せが挙げられる。   The salt (B1) is a combination of the above sulfonic acid anion and the above organic cation. These can be arbitrarily combined, and preferably a combination of any one of anion (b1-1-1) to anion (b1-1-9) and a cation (b2-1-1), and an anion (b1-1) -3) to (b1-1-5) and a combination of a cation (b2-3).

塩(B1)としては、好ましくは、式(B1−1)〜式(B1−20)で表される塩が挙げられる。中でもアリールスルホニウムカチオンを含むものが好ましく、式(B1−1)、式(B1−2)、式(B1−3、式(B1−6)、式(B1−7)、式(B1−11)、式(B1−12)、式(B1−13)、式(B1−14)、式(B1−18)、式(B1−19)又は式(B1−20)でそれぞれ表される塩がより好ましい。   The salt (B1) is preferably a salt represented by the formula (B1-1) to the formula (B1-20). Among them, those containing an arylsulfonium cation are preferable, and the formula (B1-1), formula (B1-2), formula (B1-3, formula (B1-6), formula (B1-7), formula (B1-11) A salt represented by formula (B1-12), formula (B1-13), formula (B1-14), formula (B1-18), formula (B1-19) or formula (B1-20). preferable.

酸発生剤(B)の含有量は、樹脂(A)100質量部に対して、好ましくは1質量部以上(より好ましくは3質量部以上)、好ましくは30質量部以下(より好ましくは25質量部以下)である。
酸発生剤(B)は、1種を単独で含有してもよく、2種以上を含有してもよい。
The content of the acid generator (B) is preferably 1 part by mass or more (more preferably 3 parts by mass or more), preferably 30 parts by mass or less (more preferably 25 parts by mass) with respect to 100 parts by mass of the resin (A). Part or less).
The acid generator (B) may contain 1 type independently, and may contain 2 or more types.

〈溶剤(E)〉
溶剤(E)の含有率は、例えばレジスト組成物中90質量%以上、好ましくは92質量%以上、より好ましくは94質量%以上であり、例えば99.9質量%以下、好ましくは99質量%以下である。溶剤(E)の含有率は、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィー等の公知の分析手段で測定できる。
<Solvent (E)>
The content of the solvent (E) is, for example, 90% by mass or more in the resist composition, preferably 92% by mass or more, more preferably 94% by mass or more, for example 99.9% by mass or less, preferably 99% by mass or less. It is. The content rate of a solvent (E) can be measured by well-known analysis means, such as a liquid chromatography or a gas chromatography, for example.

溶剤(E)としては、例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルのようなグリコールエーテル類;乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルのようなエステル類;アセトン、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン及びシクロヘキサノンのようなケトン類;γ−ブチロラクトンのような環状エステル類;等を挙げることができる。溶剤は、1種を単独で含有してもよく、2種以上を含有してもよい。   Examples of the solvent (E) include glycol ether esters such as ethyl cellosolve acetate, methyl cellosolve acetate and propylene glycol monomethyl ether acetate; glycol ethers such as propylene glycol monomethyl ether; ethyl lactate, butyl acetate, amyl acetate and And esters such as ethyl pyruvate; ketones such as acetone, methyl isobutyl ketone, 2-heptanone and cyclohexanone; cyclic esters such as γ-butyrolactone; A solvent may contain individually by 1 type and may contain 2 or more types.

〈塩基性化合物(C)〉
塩基性化合物(C)は、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物であり、例えばアミン及びアンモニウム塩が挙げられる。アミンとしては、脂肪族アミン及び芳香族アミンが挙げられる。脂肪族アミンとしては、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンが挙げられる。塩基性化合物(C)として、好ましくは、式(C1)〜式(C8)及び式(C1−1)のいずれかで表される化合物が挙げられ、より好ましくは式(C1−1)で表される化合物が挙げられる。
<Basic compound (C)>
The basic compound (C) is preferably a basic nitrogen-containing organic compound, and examples thereof include amines and ammonium salts. Examples of amines include aliphatic amines and aromatic amines. Aliphatic amines include primary amines, secondary amines and tertiary amines. The basic compound (C) is preferably a compound represented by any one of the formulas (C1) to (C8) and (C1-1), more preferably represented by the formula (C1-1). The compound which is made is mentioned.

[式(C1)中、Rc1、Rc2及びRc3は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数5〜10の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜10の芳香族炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基又は炭素数1〜6のアルコキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数5〜10の脂環式炭化水素又は炭素数6〜10の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。] [In formula (C1), R c1 , R c2 and R c3 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 5 to 10 carbon atoms, or 6 to 6 carbon atoms. 10 represents an aromatic hydrocarbon group, and the hydrogen atom contained in the alkyl group and the alicyclic hydrocarbon group may be substituted with a hydroxy group, an amino group or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, The hydrogen atom contained in the aromatic hydrocarbon group is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon having 5 to 10 carbon atoms, or an aromatic group having 6 to 10 carbon atoms. It may be substituted with a group hydrocarbon group. ]

[式(C1−1)中、Rc2及びRc3は、上記と同じ意味を表す。
c4は、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、炭素数5〜10の脂環式炭化水素又は炭素数6〜10の芳香族炭化水素基を表す。
m3は0〜3の整数を表し、m3が2以上のとき、複数のRc4は同一又は相異なる。]
[In Formula (C1-1), R c2 and R c3 represent the same meaning as described above.
R c4 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon having 5 to 10 carbon atoms, or an aromatic hydrocarbon group having 6 to 10 carbon atoms.
m3 represents an integer of 0 to 3, and when m3 is 2 or more, the plurality of R c4 are the same or different. ]

[式(C2)、式(C3)及び式(C4)中、Rc5、Rc6、Rc7及びRc8は、それぞれ独立に、Rc1と同じ意味を表す。
c9は、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜6の脂環式炭化水素基又は炭素数2〜6のアルカノイル基を表す。
n3は0〜8の整数を表し、n3が2以上のとき、複数のRc9は同一又は相異なる。]
[In Formula (C2), Formula (C3) and Formula (C4), R c5 , R c6 , R c7 and R c8 each independently represent the same meaning as R c1 .
R c9 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 6 carbon atoms, or an alkanoyl group having 2 to 6 carbon atoms.
n3 represents an integer of 0 to 8, and when n3 is 2 or more, the plurality of R c9 are the same or different. ]

[式(C5)及び式(C6)中、Rc10、Rc11、Rc12、Rc13及びRc16は、それぞれ独立に、Rc1と同じ意味を表す。
c14、Rc15及びRc17は、それぞれ独立に、Rc4と同じ意味を表す。
o3及びp3は、それぞれ独立に0〜3の整数を表し、o3が2以上であるとき、複数のRc14は同一又は相異なり、p3が2以上であるとき、複数のRc15は、同一又は相異なる。
c1は、炭素数1〜6のアルカンジイル基、−CO−、−C(=NH)−、−S−又はこれらを組合せた2価の基を表す。]
[In Formula (C5) and Formula (C6), R c10 , R c11 , R c12 , R c13 and R c16 each independently represent the same meaning as R c1 .
R c14 , R c15 and R c17 each independently represent the same meaning as R c4 .
o3 and p3 each independently represents an integer of 0 to 3, and when o3 is 2 or more, the plurality of R c14 are the same or different, and when p3 is 2 or more, the plurality of R c15 are the same or Different.
L c1 represents an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms, —CO—, —C (═NH) —, —S—, or a divalent group obtained by combining these. ]

[式(C7)及び式(C8)中、Rc18、Rc19及びRc20は、それぞれ独立に、Rc4と同じ意味を表す。
q3、r3及びs3は、それぞれ独立に0〜3の整数を表し、q3が2以上であるとき、複数のRc18は同一又は相異なり、r3が2以上であるとき、複数のRc19は同一又は相異なり、及びs3が2以上であるとき、複数のRc20は同一又は相異なる。
c2は、単結合又は炭素数1〜6のアルカンジイル基、−CO−、−C(=NH)−、−S−又はこれらを組合せた2価の基を表す。]
Wherein (C7) and formula (C8), R c18, R c19 and R c20 in each occurrence independently represent the same meaning as R c4.
q3, r3 and s3 each independently represent an integer of 0 to 3, and when q3 is 2 or more, the plurality of R c18 are the same or different, and when r3 is 2 or more, the plurality of R c19 are the same. Or when different and when s3 is 2 or more, the plurality of R c20 are the same or different.
L c2 represents a single bond or an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms, —CO—, —C (═NH) —, —S—, or a divalent group obtained by combining these. ]

式(C1)〜式(C8)及び式(C1−1)においては、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、アルコキシ基、アルカンジイル基は、上述したものと同様のものが挙げられる。
アルカノイル基としては、アセチル基、2−メチルアセチル基、2,2−ジメチルアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ペンタノイル基、2,2−ジメチルプロピオニル基等が挙げられる。
In formula (C1) to formula (C8) and formula (C1-1), the alkyl group, alicyclic hydrocarbon group, aromatic hydrocarbon group, alkoxy group, alkanediyl group are the same as those described above. Is mentioned.
Examples of the alkanoyl group include acetyl group, 2-methylacetyl group, 2,2-dimethylacetyl group, propionyl group, butyryl group, isobutyryl group, pentanoyl group, and 2,2-dimethylpropionyl group.

式(C1)で表される化合物としては、1−ナフチルアミン、2−ナフチルアミン、アニリン、ジイソプロピルアニリン、2−,3−又は4−メチルアニリン、4−ニトロアニリン、N−メチルアニリン、N,N−ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔2−(2−メトキシエトキシ)エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’−ジアミノ−1,2−ジフェニルエタン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジメチルジフェニルメタン、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジエチルジフェニルメタン等が挙げられ、好ましくはジイソプロピルアニリンが挙げられ、特に好ましくは2,6−ジイソプロピルアニリンが挙げられる。   Examples of the compound represented by the formula (C1) include 1-naphthylamine, 2-naphthylamine, aniline, diisopropylaniline, 2-, 3- or 4-methylaniline, 4-nitroaniline, N-methylaniline, N, N- Dimethylaniline, diphenylamine, hexylamine, heptylamine, octylamine, nonylamine, decylamine, dibutylamine, dipentylamine, dihexylamine, diheptylamine, dioctylamine, dinonylamine, didecylamine, triethylamine, trimethylamine, tripropylamine, tributylamine, tri Pentylamine, trihexylamine, triheptylamine, trioctylamine, trinonylamine, tridecylamine, methyldibutylamine, methyldipentylamine, methyl Hexylamine, methyldicyclohexylamine, methyldiheptylamine, methyldioctylamine, methyldinonylamine, methyldidecylamine, ethyldibutylamine, ethyldipentylamine, ethyldihexylamine, ethyldiheptylamine, ethyldioctylamine, ethyldinonyl Amine, ethyldidecylamine, dicyclohexylmethylamine, tris [2- (2-methoxyethoxy) ethyl] amine, triisopropanolamine, ethylenediamine, tetramethylenediamine, hexamethylenediamine, 4,4′-diamino-1,2- Examples include diphenylethane, 4,4′-diamino-3,3′-dimethyldiphenylmethane, 4,4′-diamino-3,3′-diethyldiphenylmethane, and preferably diisopropyl. Piruanirin. Particularly preferred include 2,6-diisopropylaniline.

式(C2)で表される化合物としては、ピペラジン等が挙げられる。
式(C3)で表される化合物としては、モルホリン等が挙げられる。
式(C4)で表される化合物としては、ピペリジン及び特開平11−52575号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物等が挙げられる。
式(C5)で表される化合物としては、2,2’−メチレンビスアニリン等が挙げられる。
式(C6)で表される化合物としては、イミダゾール、4−メチルイミダゾール等が挙げられる。
式(C7)で表される化合物としては、ピリジン、4−メチルピリジン等が挙げられる。
式(C8)で表される化合物としては、1,2−ジ(2−ピリジル)エタン、1,2−ジ(4−ピリジル)エタン、1,2−ジ(2−ピリジル)エテン、1,2−ジ(4−ピリジル)エテン、1,3−ジ(4−ピリジル)プロパン、1,2−ジ(4−ピリジルオキシ)エタン、ジ(2−ピリジル)ケトン、4,4’−ジピリジルスルフィド、4,4’−ジピリジルジスルフィド、2,2’−ジピリジルアミン、2,2’−ジピコリルアミン、ビピリジン等が挙げられる。
Examples of the compound represented by the formula (C2) include piperazine.
Examples of the compound represented by the formula (C3) include morpholine.
Examples of the compound represented by the formula (C4) include piperidine and hindered amine compounds having a piperidine skeleton described in JP-A No. 11-52575.
Examples of the compound represented by the formula (C5) include 2,2′-methylenebisaniline.
Examples of the compound represented by the formula (C6) include imidazole and 4-methylimidazole.
Examples of the compound represented by the formula (C7) include pyridine and 4-methylpyridine.
Examples of the compound represented by the formula (C8) include 1,2-di (2-pyridyl) ethane, 1,2-di (4-pyridyl) ethane, 1,2-di (2-pyridyl) ethene, 1, 2-di (4-pyridyl) ethene, 1,3-di (4-pyridyl) propane, 1,2-di (4-pyridyloxy) ethane, di (2-pyridyl) ketone, 4,4′-dipyridyl sulfide 4,4′-dipyridyl disulfide, 2,2′-dipyridylamine, 2,2′-dipiconylamine, bipyridine and the like.

アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、3−(トリフルオロメチル)フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−ブチルアンモニウムサリチラート及びコリン等が挙げられる。   As ammonium salts, tetramethylammonium hydroxide, tetraisopropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, tetrahexylammonium hydroxide, tetraoctylammonium hydroxide, phenyltrimethylammonium hydroxide, 3- (trifluoromethyl) phenyltrimethyl Ammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium salicylate, choline and the like can be mentioned.

塩基性化合物(C)の含有率は、レジスト組成物の固形分中、好ましくは、0.01〜5質量%程度であり、より好ましく0.01〜3質量%程度であり、特に好ましく0.01〜1質量%程度である。   The content of the basic compound (C) in the solid content of the resist composition is preferably about 0.01 to 5% by mass, more preferably about 0.01 to 3% by mass, and particularly preferably 0.8. It is about 01 to 1% by mass.

〈その他の成分(F)〉
本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、その他の成分(F)を含有していてもよい。その他の成分(F)に特に限定はなく、レジスト分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤、染料等を利用できる。
<Other components (F)>
The resist composition of this invention may contain the other component (F) as needed. The other component (F) is not particularly limited, and additives known in the resist field, such as sensitizers, dissolution inhibitors, surfactants, stabilizers, dyes, and the like can be used.

〈レジスト組成物の調製〉
本発明のレジスト組成物は、樹脂及び酸発生剤(B)、並びに必要に応じて用いられる溶剤(E)、塩基性化合物(C)及びその他の成分(F)を混合することにより調製することができる。混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、10〜40℃の範囲から、樹脂等の種類や樹脂等の溶剤(E)に対する溶解度等に応じて適切な温度範囲を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて、0.5〜24時間の中から適切な時間を選ぶことができる。なお、混合手段も特に制限はなく、攪拌混合等を用いることができる。
各成分を混合した後は、孔径0.003〜0.2μm程度のフィルターを用いてろ過することが好ましい。
<Preparation of resist composition>
The resist composition of the present invention is prepared by mixing a resin and an acid generator (B), and a solvent (E), a basic compound (C) and other components (F) used as necessary. Can do. The mixing order is arbitrary and is not particularly limited. The temperature at the time of mixing can select the suitable temperature range from the range of 10-40 degreeC according to the solubility with respect to the solvent (E), such as a kind, etc. of resin. An appropriate mixing time can be selected from 0.5 to 24 hours depending on the mixing temperature. The mixing means is not particularly limited, and stirring and mixing can be used.
After mixing each component, it is preferable to filter using a filter having a pore size of about 0.003 to 0.2 μm.

〈レジストパターンの製造方法〉
本発明のレジストパターンの製造方法は、
(1)本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
(3)組成物層を露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程及び
(5)加熱後の組成物層を現像する工程を含む。
<Method for producing resist pattern>
The method for producing a resist pattern of the present invention comprises:
(1) A step of applying the resist composition of the present invention on a substrate,
(2) The process of drying the composition after application | coating and forming a composition layer,
(3) a step of exposing the composition layer,
(4) The process of heating the composition layer after exposure, (5) The process of developing the composition layer after a heating is included.

レジスト組成物を基板上に塗布するには、スピンコーター等、通常、用いられる装置によって行うことができる。基板としては、シリコンウェハ等の無機基板が挙げられる。レジスト組成物を塗布する前に、基板を洗浄したり、反射防止膜等が形成されていてもよい。   The resist composition can be applied onto the substrate by a commonly used apparatus such as a spin coater. Examples of the substrate include an inorganic substrate such as a silicon wafer. Before applying the resist composition, the substrate may be washed or an antireflection film or the like may be formed.

塗布後の組成物を乾燥することにより、組成物層を形成する。乾燥は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いて溶剤を蒸発させること(いわゆるプリベーク)により行うか、あるいは減圧装置を用いて行う。加熱温度は、例えば、50〜200℃が好ましく、加熱時間は、例えば、10〜180秒間が好ましい。また、減圧乾燥する際の圧力は、1〜1.0×105Pa程度が好ましい。 The composition layer is formed by drying the composition after application. Drying is performed, for example, by evaporating the solvent using a heating device such as a hot plate (so-called pre-baking), or using a decompression device. The heating temperature is preferably 50 to 200 ° C., for example, and the heating time is preferably 10 to 180 seconds, for example. The pressure during drying under reduced pressure is preferably about 1 to 1.0 × 10 5 Pa.

得られた組成物層は、通常、露光機を用いて露光する。露光機は、液浸露光機であってもよい。この際、通常、求められるパターンに相当するマスクを介して露光が行われる。露光光源としては、KrFエキシマレーザ(波長248nm)、ArFエキシマレーザ(波長193nm)、F2エキシマレーザ(波長157nm)のような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源(YAG又は半導体レーザ等)からのレーザ光を波長変換して遠紫外域又は真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの、電子線や、超紫外光(EUV)を照射するもの等、種々のものを用いることができる。 The obtained composition layer is usually exposed using an exposure machine. The exposure machine may be an immersion exposure machine. At this time, exposure is usually performed through a mask corresponding to a required pattern. Exposure light sources include those that emit laser light in the ultraviolet region such as KrF excimer laser (wavelength 248 nm), ArF excimer laser (wavelength 193 nm), F 2 excimer laser (wavelength 157 nm), solid-state laser light source (YAG or semiconductor laser) Etc.) Using various types of laser light such as those that convert wavelength of laser light from the laser and emit harmonic laser light in the far ultraviolet region or vacuum ultraviolet region, those that irradiate electron beams or extreme ultraviolet light (EUV), etc. Can do.

露光後の組成物層を、樹脂(A)の脱保護反応を促進するために加熱処理(いわゆるポストエキスポジャーベーク)を行う。加熱温度は、通常50〜200℃程度、好ましくは70〜150℃程度である。   The composition layer after exposure is subjected to heat treatment (so-called post-exposure baking) in order to promote the deprotection reaction of the resin (A). The heating temperature is usually about 50 to 200 ° C, preferably about 70 to 150 ° C.

加熱後の組成物層を、通常、現像装置を用いて、現像液を利用して現像する。現像方法としては、ディップ法、パドル法、スプレー法、ダイナミックディスペンス法等が挙げられる。現像温度は、5〜60℃が好ましく、現像時間は、5〜300秒間が好ましい。   The heated composition layer is usually developed using a developer using a developing device. Examples of the developing method include a dipping method, a paddle method, a spray method, and a dynamic dispensing method. The development temperature is preferably 5 to 60 ° C., and the development time is preferably 5 to 300 seconds.

本発明のレジスト組成物から、ポジ型レジストパターンを製造する場合は、現像液としてアルカリ現像液を用いる。アルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であればよい。例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや(2−ヒドロキシエチル)トリメチルアンモニウムヒドロキシド(通称コリン)の水溶液等が挙げられる。アルカリ現像液には、界面活性剤が含まれていてもよい。
現像後レジストパターンを超純水で洗浄し、次いで、基板及びパターン上に残った水を除去することが好ましい。
When producing a positive resist pattern from the resist composition of the present invention, an alkaline developer is used as the developer. The alkaline developer may be various alkaline aqueous solutions used in this field. Examples thereof include an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide and (2-hydroxyethyl) trimethylammonium hydroxide (commonly called choline). The alkali developer may contain a surfactant.
It is preferable to wash the resist pattern with ultrapure water after development, and then remove the water remaining on the substrate and the pattern.

本発明のレジスト組成物から、ネガ型レジストパターンを製造する場合は、現像液として有機溶剤を含む現像液(以下「有機系現像液」という場合がある)を用いる。
有機系現像液に含まれる有機溶剤としては、2−ヘキサノン、2−ヘプタノン等のケトン溶剤;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル溶剤;酢酸ブチル等のエステル溶剤;プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル溶剤;N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド溶剤アニソール等の芳香族炭化水素溶剤等が挙げられる。
有機系現像液中、有機溶剤の含有率は、90質量%以上100質量%以下が好ましく、95質量%以上100質量%以下がより好ましく、実質的に有機溶剤のみであることがさらに好ましい。
中でも、有機系現像液としては、酢酸ブチル及び/又は2−ヘプタノンを含む現像液が好ましい。有機系現像液中、酢酸ブチル及び2−ヘプタノンの合計含有率は、50質量%以上100質量%以下が好ましく、90質量%以上100質量%以下がより好ましく、実質的に酢酸ブチル及び/又は2−ヘプタノンのみであることがさらに好ましい。
有機系現像液には、界面活性剤が含まれていてもよい。また、有機系現像液には、微量の水分が含まれていてもよい。
現像後のレジストパターンをリンス液で洗浄することが好ましい。リンス液としては、レジストパターンを溶解しないものであれば特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含む溶液を使用することができ、好ましくはアルコール溶剤又はエステル溶剤である。
洗浄後は、基板及びパターン上に残ったリンス液を除去することが好ましい。
When producing a negative resist pattern from the resist composition of the present invention, a developer containing an organic solvent as a developer (hereinafter sometimes referred to as “organic developer”) is used.
Organic solvents contained in the organic developer include ketone solvents such as 2-hexanone and 2-heptanone; glycol ether ester solvents such as propylene glycol monomethyl ether acetate; ester solvents such as butyl acetate; glycols such as propylene glycol monomethyl ether Ether solvents; amide solvents such as N, N-dimethylacetamide and aromatic hydrocarbon solvents such as anisole.
In the organic developer, the content of the organic solvent is preferably 90% by mass or more and 100% by mass or less, more preferably 95% by mass or more and 100% by mass or less, and still more preferably only the organic solvent.
Among them, the organic developer is preferably a developer containing butyl acetate and / or 2-heptanone. In the organic developer, the total content of butyl acetate and 2-heptanone is preferably 50% by mass to 100% by mass, more preferably 90% by mass to 100% by mass, and substantially butyl acetate and / or 2 -More preferred is heptanone alone.
The organic developer may contain a surfactant. The organic developer may contain a trace amount of water.
It is preferable to wash the developed resist pattern with a rinse solution. The rinsing liquid is not particularly limited as long as it does not dissolve the resist pattern, and a solution containing a general organic solvent can be used, and an alcohol solvent or an ester solvent is preferable.
After the cleaning, it is preferable to remove the rinse solution remaining on the substrate and the pattern.

〈用途〉
本発明のレジスト組成物は、KrFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ArFエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線(EB)露光用のレジスト組成物又はEUV露光用のレジスト組成物、特に液浸露光用のレジスト組成物として好適であり、半導体の微細加工に有用である。
<Application>
The resist composition of the present invention is a resist composition for KrF excimer laser exposure, a resist composition for ArF excimer laser exposure, a resist composition for electron beam (EB) exposure, or a resist composition for EUV exposure, particularly a liquid. It is suitable as a resist composition for immersion exposure and useful for fine processing of semiconductors.

実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。例中、含有量ないし使用量を表す「%」及び「部」は、特記しないかぎり質量基準である。
化合物の構造は、MASS(LC:Agilent製1100型、MASS:Agilent製LC/MSD型又はLC/MSD TOF型)で確認した。
樹脂の重量平均分子量は、下記条件で、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより求めた値である。
装置:HLC−8120GPC型(東ソー社製)
カラム:TSKgel Multipore HXL-M x 3+guardcolumn(東ソー社製)
溶離液:テトラヒドロフラン
流量:1.0mL/min
検出器:RI検出器
カラム温度:40℃
注入量:100μl
分子量標準:標準ポリスチレン(東ソー社製)
The present invention will be described more specifically with reference to examples. In the examples, “%” and “parts” representing the content or amount used are based on mass unless otherwise specified.
The structure of the compound was confirmed by MASS (LC: Agilent 1100 type, MASS: Agilent LC / MSD type or LC / MSD TOF type).
The weight average molecular weight of the resin is a value determined by gel permeation chromatography under the following conditions.
Apparatus: HLC-8120GPC type (manufactured by Tosoh Corporation)
Column: TSKgel Multipore HXL-M x 3 + guardcolumn (manufactured by Tosoh Corporation)
Eluent: Tetrahydrofuran Flow rate: 1.0 mL / min
Detector: RI detector Column temperature: 40 ° C
Injection volume: 100 μl
Molecular weight standard: Standard polystyrene (manufactured by Tosoh Corporation)

合成例1(モノマー(M−K)の合成)
式(K−1)で表される化合物33.48部、ジシクロヘキシルカルボジイミド23.93部及び塩化メチレン40部を、反応器に仕込み、混合した。得られた混合物を0℃程度まで冷却した後、式(K−2)で表される化合物18.83部を加え、0℃程度のまま、1時間攪拌した。23℃まで昇温し、さらに30分間攪拌した。不溶物をろ過して除去し、得られたろ液を濃縮して、式(K−3)で表される化合物44.28部を得た。
Synthesis Example 1 (Synthesis of monomer (M-K))
33.48 parts of the compound represented by the formula (K-1), 23.93 parts of dicyclohexylcarbodiimide and 40 parts of methylene chloride were charged into a reactor and mixed. After cooling the obtained mixture to about 0 ° C., 18.83 parts of the compound represented by the formula (K-2) was added, and the mixture was stirred for about 1 hour while maintaining about 0 ° C. The temperature was raised to 23 ° C. and the mixture was further stirred for 30 minutes. Insoluble matters were removed by filtration, and the obtained filtrate was concentrated to obtain 44.28 parts of a compound represented by the formula (K-3).

前記のようにして得られた式(K−3)で表される化合物19.42部、式(K−4)で表される化合物18.22部及びアセトニトリル200部を、反応器に仕込み、混合した。得られた混合物を50℃で3時間攪拌した。得られた混合物を濃縮し、クロロホルム300部及びイオン交換水150部を加えた後、分液操作により、有機層を回収した。回収された有機層をイオン交換水150部で水洗した後、有機層を濃縮した。濃縮物を、カラム分取(カラム分取条件 固定相:メルク社製シリカゲル60−200メッシュ 展開溶媒:酢酸エチル)することにより、式(M−K)で表される化合物12.89部を得た。
MS(質量分析):308.1(分子イオンピーク)
A reactor was charged with 19.42 parts of the compound represented by the formula (K-3) obtained as described above, 18.22 parts of the compound represented by the formula (K-4) and 200 parts of acetonitrile. Mixed. The resulting mixture was stirred at 50 ° C. for 3 hours. The obtained mixture was concentrated, 300 parts of chloroform and 150 parts of ion-exchanged water were added, and then the organic layer was recovered by a liquid separation operation. The recovered organic layer was washed with 150 parts of ion exchange water, and then the organic layer was concentrated. The concentrate is subjected to column fractionation (column fractionation conditions stationary phase: silica gel 60-200 mesh manufactured by Merck & Co., Ltd. developing solvent: ethyl acetate) to obtain 12.89 parts of a compound represented by the formula (M-K). It was.
MS (mass spectrometry): 308.1 (molecular ion peak)

合成例2〔式(M−L)で表される化合物の合成〕
水素化ナトリウム16.89部及びトルエン152部を仕込み、さらに、(−)−10,2−カンファースルタム55.56部をトルエン345部に溶解した溶液を1時間かけて滴下した。続いて、クロロアセチルクロリド34.97部をトルエン108部で希釈した溶液を1時間かけて滴下し、6時間撹拌した。得られた反応液にイオン交換水305部及び酢酸エチル457部を入れて有機層を抽出した。回収された有機層に1M炭酸水素ナトリウム水152部を入れて洗浄し、続いて食塩水251部で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。乾燥後、有機溶媒を除去し、n−ヘプタンと酢酸エチルを展開溶媒としたシリカゲルカラム精製を実施し、式(L−1)で表される化合物を58.67部得た。
Synthesis Example 2 [Synthesis of Compound Represented by Formula (ML)]
16.89 parts of sodium hydride and 152 parts of toluene were charged, and a solution obtained by dissolving 55.56 parts of (−)-10,2-camphorsultam in 345 parts of toluene was added dropwise over 1 hour. Subsequently, a solution obtained by diluting 34.97 parts of chloroacetyl chloride with 108 parts of toluene was added dropwise over 1 hour and stirred for 6 hours. To the resulting reaction solution, 305 parts of ion exchange water and 457 parts of ethyl acetate were added to extract the organic layer. The recovered organic layer was washed with 152 parts of 1M aqueous sodium hydrogen carbonate solution, then washed with 251 parts of brine and dried over magnesium sulfate. After drying, the organic solvent was removed, and silica gel column purification using n-heptane and ethyl acetate as developing solvents was performed to obtain 58.67 parts of the compound represented by the formula (L-1).

メタクリル酸25.95部及びN,N−ジメチルホルムアミド259部を仕込み、さらに、炭酸カリウム41.65部及びヨウ化カリウム12.51部を仕込み、50℃となるよう昇温した。得られた反応マスに式(L−1)で表される化合物58.63部をN,N−ジメチルホルムアミド120部に溶解した溶液を1時間かけて滴下し、50℃で6時間攪拌した。得られた反応マスに、イオン交換水520部及び酢酸エチル390部を入れて有機層を抽出した。回収された有機層をイオン交換水520部で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。乾燥後有機溶媒を除去し、n−ヘプタンと酢酸エチルを展開溶媒としたシリカゲルカラム精製を実施し、式(M−L)で表される化合物を67.24部得た。   25.95 parts of methacrylic acid and 259 parts of N, N-dimethylformamide were added, and 41.65 parts of potassium carbonate and 12.51 parts of potassium iodide were further added, and the temperature was raised to 50 ° C. A solution prepared by dissolving 58.63 parts of the compound represented by the formula (L-1) in 120 parts of N, N-dimethylformamide was added dropwise to the obtained reaction mass over 1 hour, followed by stirring at 50 ° C. for 6 hours. To the obtained reaction mass, 520 parts of ion-exchanged water and 390 parts of ethyl acetate were added to extract the organic layer. The collected organic layer was washed with 520 parts of ion exchange water and dried over magnesium sulfate. After drying, the organic solvent was removed, and silica gel column purification using n-heptane and ethyl acetate as developing solvents was performed to obtain 67.24 parts of a compound represented by the formula (ML).

MS(質量分析):341.1(分子イオンピーク) MS (mass spectrometry): 341.1 (molecular ion peak)

合成例3:式(B1−5)で表される塩の合成
式(B1−5−a)で表される塩50.49部及びクロロホルム252.44部を反応器に仕込み、23℃で30分間攪拌した後、式(B1−5−b)で表される化合物16.27部を滴下し、23℃で1時間攪拌することにより、式(B1−5−c)で表される塩を含む溶液を得た。得られた式(B1−5−c)で表される塩を含む溶液に、式(B1−5−d)で表される塩48.80部及びイオン交換水84.15部を添加し、23℃で12時間攪拌した。得られた反応液が2層に分離していたので、クロロホルム層を分液して取り出し、更に、該クロロホルム層にイオン交換水84.15部を添加し、水洗した。この操作を5回繰り返した。得られたクロロホルム層に、活性炭3.88部を添加攪拌し、ろ過した。回収されたろ液を濃縮し、得られた残渣に、アセトニトリル125.87部を添加攪拌し、濃縮した。得られた残渣に、アセトニトリル20.62部及びtert−ブチルメチルエーテル309.30部を加えて23℃で30分間攪拌し、上澄み液を除去し、濃縮した。得られた残渣に、n−ヘプタン200部を添加、23℃で30分間攪拌し、ろ過することにより、式(B1−5)で表される塩61.54部を得た。
MASS(ESI(+)Spectrum):M 375.2
MASS(ESI(−)Spectrum):M 339.1
Synthesis Example 3: Synthesis of salt represented by formula (B1-5)
50.49 parts of the salt represented by the formula (B1-5-a) and 252.44 parts of chloroform are charged into a reactor, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and then represented by the formula (B1-5-b). 16.27 parts of the compound was added dropwise and stirred at 23 ° C. for 1 hour to obtain a solution containing a salt represented by the formula (B1-5-c). To the obtained solution containing the salt represented by the formula (B1-5-c), 48.80 parts of the salt represented by the formula (B1-5-d) and 84.15 parts of ion-exchanged water are added, The mixture was stirred at 23 ° C. for 12 hours. Since the resulting reaction solution was separated into two layers, the chloroform layer was separated and removed, and 84.15 parts of ion-exchanged water was further added to the chloroform layer and washed with water. This operation was repeated 5 times. To the obtained chloroform layer, 3.88 parts of activated carbon was added and stirred, followed by filtration. The collected filtrate was concentrated, and 125.87 parts of acetonitrile was added to the resulting residue, and the mixture was stirred and concentrated. To the obtained residue, 20.62 parts of acetonitrile and 309.30 parts of tert-butyl methyl ether were added and stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and the supernatant was removed and concentrated. To the obtained residue, 200 parts of n-heptane was added, stirred at 23 ° C. for 30 minutes, and filtered to obtain 61.54 parts of the salt represented by the formula (B1-5).
MASS (ESI (+) Spectrum): M + 375.2
MASS (ESI (−) Spectrum): M - 339.1

樹脂の合成
樹脂の合成において使用したモノマーを下記に示す。
以下、これらのモノマーを、その符号に応じて、「モノマー(M−A)」〜「モノマー(M−M)」という。
Resin synthesis Monomers used in resin synthesis are shown below.
Hereinafter, these monomers are referred to as “monomer (MA)” to “monomer (MM)” depending on the reference numerals.

実施例1 〔樹脂A1の合成〕
モノマーとして、モノマー(M−G)、モノマー(M−E)、モノマー(M−B)、モノマー(M−H)、モノマー(M−K)及びモノマー(M−L)を用い、そのモル比(モノマー(M−G):モノマー(M−E):モノマー(M−B):モノマー(M−H):モノマー(M−K):モノマー(M−L))が32:7:8:33:10:10となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、1mol%及び3mol%添加し、これらを75℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量8.0×103の樹脂A1(共重合体)を収率72%で得た。この樹脂A1は、以下の構造単位を有するものである。
Example 1 [Synthesis of Resin A1]
As a monomer, a monomer (MG), a monomer (ME), a monomer (MB), a monomer (M-H), a monomer (M-K), and a monomer (ML), and their molar ratio (Monomer (MG): monomer (ME): monomer (MB): monomer (MH): monomer (MK): monomer (ML)) is 32: 7: 8: It mixed so that it might be set to 33:10:10, and 1.5 mass times dioxane of the total monomer amount was added, and it was set as the solution. 1 mol% and 3 mol% of azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators are added to the solution, respectively, with respect to the total monomer amount, and these are heated at 75 ° C. for about 5 hours. did. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The resin thus obtained was dissolved again in dioxane, and the solution obtained by pouring the solution into a methanol / water mixed solvent was precipitated twice, and the resin was filtered twice, and the weight average molecular weight was 8. 0 × 10 3 resin A1 (copolymer) was obtained in a yield of 72%. This resin A1 has the following structural units.

実施例2 〔樹脂A2の合成〕
モノマーとして、モノマー(M−F)、モノマー(M−I)、モノマー(M−J)、モノマー(M−D)、モノマー(M−K)及びモノマー(M−L)を用い、そのモル比(モノマー(M−F):モノマー(M−I):モノマー(M−J):モノマー(M−D):モノマー(M−K):モノマー(M−L))が45:14:2.5:22.5:8:8となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、1mol%及び3mol%添加し、これらを73℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.8×103の樹脂A2(共重合体)を収率58%で得た。この樹脂A2は、以下の構造単位を有するものである。
Example 2 [Synthesis of Resin A2]
As a monomer, a monomer (MF), a monomer (M-I), a monomer (M-J), a monomer (MD), a monomer (M-K) and a monomer (ML) are used, and the molar ratio thereof. (Monomer (MF): monomer (MI): monomer (MJ): monomer (MD): monomer (MK): monomer (ML)) 45: 14: 2. The mixture was mixed at 5: 22.5: 8: 8, and 1.5 mass times dioxane of the total monomer amount was added to obtain a solution. 1 mol% and 3 mol% of azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators are added to the solution, respectively, and heated at 73 ° C. for about 5 hours. did. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The resin thus obtained is again dissolved in dioxane, and a solution obtained by pouring the solution into a methanol / water mixed solvent is precipitated twice, and the resin is filtered twice to perform a reprecipitation operation twice. 8 × 10 3 resin A2 (copolymer) was obtained with a yield of 58%. This resin A2 has the following structural units.

実施例3 〔樹脂A3の合成〕
モノマーとして、モノマー(M−F)、モノマー(M−I)、モノマー(M−J)、モノマー(M−D)、モノマー(M−H)、モノマー(M−K)及びモノマー(M−L)を用い、そのモル比(モノマー(M−F):モノマー(M−I):モノマー(M−J):モノマー(M−D):モノマー(M−H):モノマー(M−K):モノマー(M−L))が45:14:2.5:17.5:5:8:8となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、1mol%及び3mol%添加し、これらを75℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量7.9×103の樹脂A3(共重合体)を収率55%で得た。この樹脂A3は、以下の構造単位を有するものである。
Example 3 [Synthesis of Resin A3]
As the monomer, monomer (MF), monomer (M-I), monomer (M-J), monomer (MD), monomer (M-H), monomer (M-K) and monomer (ML) ) And its molar ratio (monomer (MF): monomer (M-I): monomer (M-J): monomer (MD): monomer (M-H): monomer (M-K): Monomers (ML)) were mixed so as to be 45: 14: 2.5: 17.5: 5: 8: 8, and 1.5 mass times dioxane of the total monomer amount was added to prepare a solution. 1 mol% and 3 mol% of azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators are added to the solution, respectively, with respect to the total monomer amount, and these are heated at 75 ° C. for about 5 hours. did. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The resin thus obtained is again dissolved in dioxane, and a solution obtained by pouring the solution into a methanol / water mixed solvent is precipitated twice, and the resin is filtered twice to perform a reprecipitation operation twice. 9 × 10 3 resin A3 (copolymer) was obtained with a yield of 55%. This resin A3 has the following structural units.

実施例4 〔樹脂A4の合成〕
モノマーとして、モノマー(M−F)、モノマー(M−M)、モノマー(M−J)、モノマー(M−D)、モノマー(M−K)及びモノマー(M−L)を用い、そのモル比〔モノマー(M−F):モノマー(M−M):モノマー(M−J):モノマー(M−D):モノマー(M−K):モノマー(M−L)〕が45:14:2.5:22.5:8:8となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、1mol%及び3mol%添加し、これらを75℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量8.0×103の樹脂A4(共重合体)を収率62%で得た。この樹脂A4は、以下の構造単位を有するものである。
Example 4 [Synthesis of Resin A4]
As a monomer, a monomer (M−F), a monomer (M−M), a monomer (M−J), a monomer (M−D), a monomer (M−K), and a monomer (M−L) are used, and a molar ratio thereof. [Monomer (MF): Monomer (MM): Monomer (MJ): Monomer (MD): Monomer (MK): Monomer (ML)] is 45: 14: 2. 5: 22.5: 8: 8 were mixed, and 1.5 mass times propylene glycol monomethyl ether acetate of the total monomer amount was added to prepare a solution. To this solution, 1 mol% and 3 mol% of azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added to the total monomer amount, respectively, and these were heated at 75 ° C. for about 5 hours. did. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The obtained resin was again dissolved in propylene glycol monomethyl ether acetate, and the resulting solution was poured into a methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, followed by reprecipitation operation of filtering the resin twice. Resin A4 (copolymer) having a molecular weight of 8.0 × 10 3 was obtained in a yield of 62%. This resin A4 has the following structural units.

実施例5 〔樹脂A5の合成〕
モノマーとして、モノマー(M−G)、モノマー(M−M)、モノマー(M−B)、モノマー(M−H)、モノマー(M−K)及びモノマー(M−L)を用い、そのモル比〔モノマー(M−G):モノマー(M−M):モノマー(M−B):モノマー(M−H):モノマー(M−K):モノマー(M−L)〕が32:7:8:43:5:5となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、1mol%及び3mol%添加し、これらを75℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量8.1×103の樹脂A5(共重合体)を収率80%で得た。この樹脂A5は、以下の構造単位を有するものである。
Example 5 [Synthesis of Resin A5]
As a monomer, a monomer (MG), a monomer (MM), a monomer (MB), a monomer (M-H), a monomer (M-K), and a monomer (ML), the molar ratio [Monomer (MG): Monomer (MM): Monomer (MB): Monomer (M-H): Monomer (M-K): Monomer (ML)] is 32: 7: 8: The mixture was mixed at 43: 5: 5, and 1.5 mass times propylene glycol monomethyl ether acetate of the total monomer amount was added to prepare a solution. To this solution, 1 mol% and 3 mol% of azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added to the total monomer amount, respectively, and these were heated at 75 ° C. for about 5 hours. did. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The obtained resin was again dissolved in propylene glycol monomethyl ether acetate, and the resulting solution was poured into a methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, followed by reprecipitation operation of filtering the resin twice. Resin A5 (copolymer) having a molecular weight of 8.1 × 10 3 was obtained in a yield of 80%. This resin A5 has the following structural units.

〔樹脂H1の合成〕
モノマーとして、モノマー(M−A)及びモノマー(M−C)を用い、そのモル比(モノマー(M−A):モノマー(M−C))が40:60となるように混合し、全モノマー量の1.5質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)を全モノマー量に対して各々、1.4mol%及び4.2mol%添加し、これらを70℃で約5時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール/水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を2回行い、重量平均分子量5.0×103の樹脂H1(共重合体)を収率92%で得た。この樹脂H1は、以下の構造単位を有するものである。
[Synthesis of Resin H1]
Monomer (MA) and monomer (MC) are used as monomers and mixed so that the molar ratio (monomer (MA): monomer (MC)) is 40:60. An amount of 1.5 mass times dioxane was added to prepare a solution. To the solution, azobisisobutyronitrile and azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) as initiators were added in an amount of 1.4 mol% and 4.2 mol%, respectively, based on the total monomer amount, and these were added at 70 ° C. Heated for about 5 hours. The obtained reaction mixture was poured into a large amount of methanol / water mixed solvent to precipitate the resin, and this resin was filtered. The resin thus obtained is again dissolved in dioxane, and a solution obtained by pouring the solution into a methanol / water mixed solvent is precipitated twice, and the resin is filtered twice to perform a reprecipitation operation twice. 0 × 10 3 resin H1 (copolymer) was obtained in a yield of 92%. This resin H1 has the following structural units.

実施例6〜11及び比較例1
<レジスト組成物の調製>
以下に示す成分の各々を表1に示す質量部で溶剤に溶解し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。
Examples 6 to 11 and Comparative Example 1
<Preparation of resist composition>
Each of the components shown below was dissolved in a solvent in parts by mass shown in Table 1, and further filtered through a fluororesin filter having a pore size of 0.2 μm to prepare a resist composition.

<樹脂>
A1〜A5、H1:樹脂A1〜樹脂A5、樹脂H1
<酸発生剤>
B1−3:特開2010−152341号公報の実施例に従って合成
B1−5:
B2:トリフェニルスルホニウム トリフレート(TPS−105 ミドリ化学(株)製)
<Resin>
A1 to A5, H1: Resin A1 to Resin A5, Resin H1
<Acid generator>
B1-3: synthesized according to the example of JP 2010-152341 A
B1-5:
B2: Triphenylsulfonium triflate (manufactured by TPS-105 Midori Chemical Co., Ltd.)

<塩基性化合物:クエンチャー>
C1:2,6−ジイソプロピルアニリン(東京化成工業(株)製)
<Basic compound: Quencher>
C1: 2,6-diisopropylaniline (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)

<溶剤>
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 265部
プロピレングリコールモノメチルエーテル 20部
2−ヘプタノン 20部
γ−ブチロラクトン 3.5部
<Solvent>
Propylene glycol monomethyl ether acetate 265 parts Propylene glycol monomethyl ether 20 parts 2-heptanone 20 parts γ-butyrolactone 3.5 parts

<ネガ型レジストパターンの製造>
12インチのシリコンウェハ上に、有機反射防止膜用組成物[ARC−29;日産化学(株)製]を塗布して、205℃、60秒の条件でベークすることによって、厚さ780Åの有機反射防止膜を形成した。次いで、前記の有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥(プリベーク)後の組成物層の膜厚が100nmとなるようにスピンコートした。塗布後、ダイレクトホットプレート上にて、表1の「PB」欄に記載された温度で60秒間プリベークして、シリコンウェハ上に組成物層を形成した。
組成物層が形成されたシリコンウェハに、液浸露光用ArFエキシマレーザステッパー[XT:1900Gi;ASML社製、NA=1.35、Annular σout=0.85 σin=0.65 XY−pol.照明]で、トレンチパターン(ピッチ120nm/トレンチ40nm)を形成するためのマスクを用いて、露光量を段階的に変化させて露光した。なお、液浸媒体としては超純水を使用した。
露光後、ホットプレート上にて、表1の「PEB」欄に記載された温度で60秒間ポストエキスポジャーベークを行った。次いで、このシリコンウェハ上の組成物層を、現像液として酢酸ブチル(東京化成工業(株)製)を用いて、23℃で20秒間パドル現像を行うことにより、ネガ型レジストパターンを得た。
<Manufacture of negative resist pattern>
An organic antireflective coating composition [ARC-29; manufactured by Nissan Chemical Co., Ltd.] is applied onto a 12-inch silicon wafer, and baked at 205 ° C. for 60 seconds to obtain an organic material having a thickness of 780 mm. An antireflection film was formed. Next, the resist composition was spin-coated on the organic antireflection film so that the film thickness of the composition layer after drying (pre-baking) was 100 nm. After coating, the composition layer was formed on the silicon wafer by pre-baking on a direct hot plate for 60 seconds at the temperature described in the “PB” column of Table 1.
ArF excimer laser stepper for immersion exposure [XT: 1900 Gi; manufactured by ASML, NA = 1.35, Annual σ out = 0.85 σ in = 0.65 XY-pol on a silicon wafer on which the composition layer is formed . Illumination], using a mask for forming a trench pattern (pitch 120 nm / trench 40 nm), the exposure was changed stepwise to perform exposure. Note that ultrapure water was used as the immersion medium.
After the exposure, post-exposure baking was performed for 60 seconds on the hot plate at the temperature described in the “PEB” column of Table 1. Next, the composition layer on the silicon wafer was subjected to paddle development at 23 ° C. for 20 seconds using butyl acetate (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) as a developer to obtain a negative resist pattern.

得られたレジストパターンにおいて、トレンチパターンの幅が40nmとなる露光量を実効感度とした。   In the obtained resist pattern, the exposure amount at which the width of the trench pattern was 40 nm was defined as effective sensitivity.

<ラインエッジラフネス評価(LER)>
実効感度において得られたレジストパターンについて、走査型電子顕微鏡を用いて、レジストパターンの側壁の凹凸の振れ幅を測定した。この振れ幅が、
5nm以下であるものを○、
5nmを超えるものを×とした。
結果を表2に示す。括弧内の数値は、振れ幅(nm)を示す。
<Line edge roughness evaluation (LER)>
About the resist pattern obtained in the effective sensitivity, the uneven | corrugated fluctuation width of the side wall of a resist pattern was measured using the scanning electron microscope. This swing is
○ that is 5 nm or less,
The thing exceeding 5 nm was set as x.
The results are shown in Table 2. A numerical value in parentheses indicates a swing width (nm).

実施例12〜17及び比較例2
現像液を、2−ヘプタノン(協和醗酵(株)製)に代える以外は、上記と同様の操作を行ってネガ型レジストパターンを製造し、実施例と同様の評価を行った。その結果を表3に示す。
Examples 12 to 17 and Comparative Example 2
Except for changing the developer to 2-heptanone (manufactured by Kyowa Hakko Co., Ltd.), the same operation as described above was performed to produce a negative resist pattern, and the same evaluation as in the examples was performed. The results are shown in Table 3.

上記の結果から、本発明のレジスト組成物によれば、優れたラインエッジラフネスのネガ型レジストパターンを製造できることがわかる。   From the above results, it can be seen that the resist composition of the present invention can produce a negative resist pattern having excellent line edge roughness.

<レジスト組成物の調製>
以下に示す成分の各々を表4に示す質量部で、下記の溶剤に溶解し、さらに孔径0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。
<Preparation of resist composition>
Each of the components shown below was dissolved in the following solvent in the parts by mass shown in Table 4 and further filtered through a fluororesin filter having a pore size of 0.2 μm to prepare a resist composition.

<レジストパターンの製造及びその評価>
12インチのシリコン製ウェハ上に、有機反射防止膜用組成物[ARC−29;日産化学(株)製]を塗布して、205℃、60秒の条件でベークすることによって、厚さ78nmの有機反射防止膜を形成した。次いで、有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥(プリベーク)後の膜厚が85nmとなるようにスピンコートした。
得られたシリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、表4の「PB」欄に記載された温度で60秒間プリベーク(PB)した。こうしてレジスト組成物膜を形成したウェハに、液浸露光用ArFエキシマステッパー[XT:1900Gi;ASML社製、NA=1.35、3/4Annular X−Y偏光]を用いて、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを液浸露光した。なお、液浸媒体としては超純水を使用した。
露光後、ホットプレート上にて、表4の「PEB」欄に記載された温度で60秒間ポストエキスポジャーベーク(PEB)を行い、さらに2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で60秒間のパドル現像を行い、レジストパターンを得た。
<Manufacture of resist pattern and its evaluation>
An organic antireflective coating composition [ARC-29; manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.] was applied onto a 12-inch silicon wafer and baked at 205 ° C. for 60 seconds to obtain a thickness of 78 nm. An organic antireflection film was formed. Next, the above resist composition was spin-coated on the organic antireflection film so that the film thickness after drying (pre-baking) was 85 nm.
The obtained silicon wafer was pre-baked (PB) for 60 seconds on a direct hot plate at the temperature described in the “PB” column of Table 4. Using the ArF excimer stepper for immersion exposure [XT: 1900Gi; manufactured by ASML, NA = 1.35, 3/4 Annular XY polarized light] on the wafer on which the resist composition film is formed in this manner, the exposure amount is stepwise. The line and space pattern was subjected to immersion exposure. Note that ultrapure water was used as the immersion medium.
After the exposure, post-exposure baking (PEB) was performed for 60 seconds on a hot plate at the temperature described in the “PEB” column of Table 4, and then with an aqueous 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide solution for 60 seconds. Paddle development was performed to obtain a resist pattern.

得られた各レジストパターン膜において、50nmのラインアンドスペースパターンが1:1となる露光量となる露光量を実効感度とした。   In each of the obtained resist pattern films, an exposure amount at which the 50 nm line and space pattern becomes an exposure amount of 1: 1 was defined as an effective sensitivity.

<ラインエッジラフネス評価(LER)>
リソグラフィプロセス後のレジストパターンの壁面を走査型電子顕微鏡で観察し、レジストパターンの側壁の凹凸の振れ幅(nm)を求めた。結果を、表5に示す。
<Line edge roughness evaluation (LER)>
The wall surface of the resist pattern after the lithography process was observed with a scanning electron microscope, and the fluctuation width (nm) of the unevenness on the side wall of the resist pattern was obtained. The results are shown in Table 5.

上記の結果から、本発明のレジスト組成物によれば、優れたラインエッジラフネス(LER)のネガ型レジストパターンを製造できることがわかる。   From the above results, it can be seen that according to the resist composition of the present invention, an excellent line edge roughness (LER) negative resist pattern can be produced.

本発明のレジスト組成物によれば、ラインエッジラフネス(LER)に優れるレジストパターンを製造することができる。   According to the resist composition of the present invention, a resist pattern having excellent line edge roughness (LER) can be produced.

Claims (4)

式(I)で表される構造単位、式(II)で表される構造単位及び式(1)で表される基又は式(2)で表される基を有する構造単位を含むレジスト用の樹脂。
[式(I)中、
1は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1〜6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
1は、単結合、*−A2−O−、*−A2−CO−O−、*−A2−CO−O−A3−CO−O−又は*−A2−O−CO−A3−O−を表す。
*は−O−との結合手を表す。
2及びA3は、それぞれ独立に、炭素数1〜6のアルカンジイル基を表す。]
[式(II)中、
21は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1〜6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
21は、2価の連結基を表す。
環X21は、炭素数2〜36の複素環を表す。
22は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数1〜24の炭化水素基、炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数1〜24のアルコキシアルキル基、炭素数2〜4のアシル基又は炭素数2〜4のアシルオキシ基を表す。
mは、0〜10の整数を表す。
mが2以上のとき、複数のR22は同一又は相異なる。]
[式(1)中、
a1 、R a2 及びR a3 は、それぞれ独立に、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数3〜20の脂環式炭化水素基又はこれらを組合わせた基を表すか、R a1 及びR a2 は互いに結合して炭素数2〜20の2価の炭化水素基を形成する。*は結合手を表す。]
[式(2)中、
a1' 及びR a2' は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1〜12の炭化水素基を表し、R a3' は、炭素数1〜20の炭化水素基を表すか、R a2' 及びR a3' は互いに結合して炭素数2〜20の2価の炭化水素基を形成し、該炭化水素基及び該2価の炭化水素基に含まれる−CH 2 −は、−O−又は−S−で置き換わってもよい。]
For resists comprising a structural unit represented by formula (I), a structural unit represented by formula (II), and a structural unit having a group represented by formula (1) or a group represented by formula (2) resin.
[In the formula (I),
R 1 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom, a hydrogen atom or a halogen atom.
A 1 is a single bond, * —A 2 —O—, * —A 2 —CO—O—, * —A 2 —CO—O—A 3 —CO—O— or * —A 2 —O—CO. -A 3 represents a -O-.
* Represents a bond with -O-.
A 2 and A 3 each independently represents an alkanediyl group having 1 to 6 carbon atoms. ]
[In the formula (II),
R 21 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms which may have a halogen atom, a hydrogen atom or a halogen atom.
A 21 represents a divalent linking group.
Ring X 21 represents a heterocyclic ring having 2 to 36 carbon atoms.
R 22 is a halogen atom, a hydroxy group, a hydrocarbon group having 1 to 24 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxyalkyl group having 1 to 24 carbon atoms, an acyl group having 2 to 4 carbon atoms, or a carbon number 2 to 4 acyloxy groups are represented.
m represents an integer of 0 to 10.
When m is 2 or more, the plurality of R 22 are the same or different. ]
[In Formula (1),
Which R a1, R a2 and a R a3 each independently represent an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, or an alicyclic hydrocarbon group or a group obtained by combining these C3-20, R a1 and R a2 combine with each other to form a divalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms. * Represents a bond. ]
[In Formula (2),
R a1 ′ and R a2 ′ each independently represent a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, R a3 ′ represents a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, or R a2 ′ and R a2 ′ R a3 ′ is bonded to each other to form a divalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms, and —CH 2 contained in the hydrocarbon group and the divalent hydrocarbon group is —O— or — It may be replaced by S-. ]
請求項1記載の樹脂及び酸発生剤を含むレジスト組成物。 Resist composition comprising claim 1 Symbol placing the resin and acid generator. さらに溶剤を含有する請求項記載のレジスト組成物。 Furthermore, the resist composition of Claim 2 containing a solvent. (1)請求項2又は3記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
(3)組成物層を露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程及び
(5)加熱後の組成物層を現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。
(1) The process of apply | coating the resist composition of Claim 2 or 3 on a board | substrate,
(2) The process of drying the composition after application | coating and forming a composition layer,
(3) a step of exposing the composition layer,
(4) A step of heating the composition layer after exposure; and (5) a step of developing the composition layer after heating.
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