JP6249439B2 - Electromagnetic wave transmittance control method, electromagnetic wave transmittance control device - Google Patents

Electromagnetic wave transmittance control method, electromagnetic wave transmittance control device Download PDF

Info

Publication number
JP6249439B2
JP6249439B2 JP2013257354A JP2013257354A JP6249439B2 JP 6249439 B2 JP6249439 B2 JP 6249439B2 JP 2013257354 A JP2013257354 A JP 2013257354A JP 2013257354 A JP2013257354 A JP 2013257354A JP 6249439 B2 JP6249439 B2 JP 6249439B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electromagnetic wave
conical structure
spin
transmittance
propagation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2013257354A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2015115499A (en
Inventor
陽太郎 高橋
陽太郎 高橋
駿介 木林
駿介 木林
真一郎 関
真一郎 関
十倉　好紀
好紀 十倉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
RIKEN Institute of Physical and Chemical Research
Original Assignee
RIKEN Institute of Physical and Chemical Research
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by RIKEN Institute of Physical and Chemical Research filed Critical RIKEN Institute of Physical and Chemical Research
Priority to JP2013257354A priority Critical patent/JP6249439B2/en
Publication of JP2015115499A publication Critical patent/JP2015115499A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6249439B2 publication Critical patent/JP6249439B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
  • Soft Magnetic Materials (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)

Description

本発明は、互いに異なる伝搬方向から伝搬される電磁波の透過率を制御することで当該伝搬方向間で整流を行う上で好適な電磁波の透過率制御方法、電磁波の透過率制御デバイスに関するものである。   The present invention relates to an electromagnetic wave transmittance control method and an electromagnetic wave transmittance control device suitable for performing rectification between the propagation directions by controlling the transmittance of electromagnetic waves propagated from different propagation directions. .

物質中の電子の持つスピンや電気分極に関する複数の巨視的スケールの秩序構造が出現するマルチフェロイックス物質が近年において注目されている。このマルチフェロイックス物質は、電場による磁気秩序の変化、磁場による電気分極の方向性の変化等、新奇な物性を示す。このため、マルチフェロイックス物質を活用することで、磁場による誘電分極、電場により磁化を制御する新しいタイプのデバイスへの応用も期待される。   In recent years, multiferroic materials in which a plurality of macroscopic ordered structures related to the spin and electric polarization of electrons in the materials appear have attracted attention. This multiferroic material exhibits novel physical properties such as a change in magnetic order due to an electric field and a change in directionality of electric polarization due to a magnetic field. For this reason, application of multiferroic materials to new types of devices that control dielectric polarization by a magnetic field and magnetization by an electric field is also expected.

特に近年では、マルチフェロイックス物質において、磁性と誘電性の結合効果である電気磁気効果（ＭＥ効果）が静的、動的の両面において著しく巨大な応答を示すことも明らかになってきている。例えば、代表的なマルチフェロイックス物質であるペロブスカイト型マンガン酸化物ＲＭｎＯ3（Ｒ：希土類元素）においては、サイクロイド型スピン構造に基づく強誘電分極が観測されている（例えば、非特許文献１参照。）。 Particularly in recent years, it has become clear that in multiferroic materials, the electromagnetic effect (ME effect), which is a magnetic and dielectric coupling effect, exhibits a remarkably large response in both static and dynamic aspects. For example, in a perovskite-type manganese oxide RMnO 3 (R: rare earth element) which is a typical multiferroic material, ferroelectric polarization based on a cycloid-type spin structure has been observed (see, for example, Non-Patent Document 1). ).

動的な応答としての動的ＭＥ効果としては、電場に応答するスピン波であるエレクトロマグノンがテラヘルツ領域に現れることが既に検証されている（例えば、非特許文献２参照。）。   As a dynamic ME effect as a dynamic response, it has already been verified that electromagnon, which is a spin wave responding to an electric field, appears in the terahertz region (see, for example, Non-Patent Document 2).

また上述したエレクトロマグノンについて、方向二色性と呼ばれる動的ＭＥ効果特有の光学応答も観測されている（例えば、非特許文献３参照。）。この方向二色性とは、物質中に伝搬する光の方向に依存して、電磁波の透過率が変化する現象をいう。この電磁波の吸収が大きくなる方向は、物質の磁性や電気的な性質によっても制御することができる。かかる現象は、円偏光のみ２色性を示すファラデー効果とは異なり、直線偏光に対しても適用できることから、光学素子として幅広い応用が期待できる。また、このエレクトロマグノンを利用することにより、数百ＧＨｚ〜ＴＨｚもの高周波からなる電磁波についても同様に方向二色性や、電磁波の透過率を制御することができる。このため、かかる高周波帯域における将来の高速通信や、有機物を中心とした物質の簡易センサ等への応用も期待できる。   In addition, an optical response peculiar to the dynamic ME effect called directional dichroism has been observed for the above-described electromagnon (see, for example, Non-Patent Document 3). This directional dichroism refers to a phenomenon in which the transmittance of electromagnetic waves changes depending on the direction of light propagating in a substance. The direction in which the absorption of the electromagnetic wave increases can also be controlled by the magnetic properties and electrical properties of the substance. Unlike the Faraday effect in which only circularly polarized light exhibits dichroism, such a phenomenon can be applied to linearly polarized light, and thus can be expected to have a wide range of applications as an optical element. In addition, by using this electromagnon, the direction dichroism and the transmittance of electromagnetic waves can be similarly controlled for electromagnetic waves composed of high frequencies of several hundred GHz to THz. Therefore, it can be expected to be applied to future high-speed communication in such a high-frequency band, simple sensors for substances mainly organic substances, and the like.

T.Kimura et al,Nature 426,55 (2003)T. Kimura et al, Nature 426,55 (2003) A.Pimenov et al.Nature Physics 2,97 (2006)A. Pimenov et al. Nature Physics 2,97 (2006) Y.Takahashi et al., Nature Physics 8,121 (2012)Y. Takahashi et al., Nature Physics 8,121 (2012)

しかしながら、このエレクトロマグノンは、これを好適に誘起させるための条件が過酷であり、またこれが予め好適に誘起されている材料も希少である。このため、上述した高速通信用デバイスや簡易センサ等の量産に関する社会的要請に応えることができないという問題点があった。   However, this electromagnon has a severe condition for suitably inducing it, and materials for which this is preferably induced in advance are rare. For this reason, there was a problem that it was not possible to meet the above-mentioned social demands related to mass production of high-speed communication devices and simple sensors.

そこで本発明は、上述した問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的とするところは、数百ＧＨｚ〜ＴＨｚもの高周波からなる電磁波の透過率を制御する上で、量産性をも考慮し生産性に優れた電磁波の透過率制御デバイス、並びにこれを利用した電磁波の透過率制御方法を提供することにある。   Therefore, the present invention has been devised in view of the above-described problems, and the object of the present invention is to have mass productivity in controlling the transmittance of electromagnetic waves having a high frequency of several hundred GHz to THz. An object of the present invention is to provide an electromagnetic wave transmittance control device that is excellent in productivity in consideration, and an electromagnetic wave transmittance control method using the same.

請求項１記載の電磁波の透過率制御方法は、プロパースクリュー磁気構造に基づくコニカル構造が誘起されている絶縁体に対して、互いに異なる伝搬方向から電磁波を伝搬させ、当該伝搬方向間で透過率を互いに異ならせることを特徴とする。   The electromagnetic wave transmittance control method according to claim 1, wherein an electromagnetic wave is propagated from different propagation directions to an insulator in which a conical structure based on a proper screw magnetic structure is induced, and the transmittance is changed between the propagation directions. It is characterized by being different from each other.

請求項２記載の電磁波の透過率制御方法は、請求項１記載の発明において、上記コニカル構造のスピン方向に応じた伝搬方向で、かつ互いに１８０°異なる伝搬方向から上記絶縁体中を伝搬する電磁波の透過率を、当該伝搬方向間で互いに異ならせることを特徴とする。   According to a second aspect of the present invention, there is provided the electromagnetic wave transmittance control method according to the first aspect, wherein the electromagnetic wave propagates in the insulator in a propagation direction corresponding to a spin direction of the conical structure and from a propagation direction different from each other by 180 °. The transmittance is different between the propagation directions.

請求項３記載の電磁波の透過率制御方法は、請求項１又は２記載の電磁波の発明において、Ｃｕ2Ｆｅ1-xＧａxＯ2からなる絶縁体に上記コニカル構造を誘起させることを特徴とする。 The electromagnetic wave transmittance control method according to claim 3 is characterized in that in the electromagnetic wave invention according to claim 1 or 2, the conical structure is induced in an insulator made of Cu 2 Fe 1-x Ga x O 2. To do.

請求項４記載の電磁波の透過率制御方法は、請求項１〜３のうち何れか１項記載の発明において、上記コニカル構造のスピン方向、又は上記コニカル構造のスピンのカイラリティに応じて上記伝搬方向間の透過率の差分値を変化させることを特徴とする。   The electromagnetic wave transmittance control method according to claim 4 is the propagation direction according to the spin direction of the conical structure or the spin chirality of the conical structure according to any one of claims 1 to 3. It is characterized in that the difference value of the transmittance between them is changed.

請求項５記載の電磁波の透過率制御方法は、プロパースクリュー磁気構造に基づくコニカル構造が誘起されている絶縁体に対して電磁波を伝搬させ、上記コニカル構造のスピン方向、又は上記コニカル構造のスピンのカイラリティに応じて上記電磁波の透過率を変化させることを特徴とする。   The electromagnetic wave transmittance control method according to claim 5, wherein the electromagnetic wave is propagated to an insulator in which a conical structure based on a proper screw magnetic structure is induced, and the spin direction of the conical structure or the spin of the conical structure is controlled. The transmittance of the electromagnetic wave is changed in accordance with the chirality.

請求項６記載の電磁波の透過率制御方法は、請求項４又は５項記載の発明において、上記コニカル構造のスピン方向は、上記伝搬方向と略平行に印加する磁場に応じて、上記コニカル構造のスピンのカイラリティは、上記伝搬方向に対して略垂直に印加する電場に応じて制御することを特徴とする。   According to a sixth aspect of the present invention, there is provided the electromagnetic wave transmittance control method according to the fourth or fifth aspect, wherein the spin direction of the conical structure depends on a magnetic field applied substantially parallel to the propagation direction. The chirality of the spin is controlled according to an electric field applied substantially perpendicular to the propagation direction.

請求項７記載の電磁波の透過率制御デバイスは、プロパースクリュー磁気構造に基づくコニカル構造が誘起されている絶縁体を備え、互いに異なる伝搬方向から上記絶縁体に伝播させる電磁波の透過率を当該伝搬方向間で互いに異ならせることを特徴とする。   The electromagnetic wave transmittance control device according to claim 7 includes an insulator in which a conical structure based on a proper screw magnetic structure is induced, and transmits the electromagnetic wave transmittance to be transmitted to the insulator from different propagation directions. It is characterized by being different from each other.

請求項８記載の電磁波の透過率制御デバイスは、請求項７記載の発明において、上記絶縁体は、上記コニカル構造のスピン方向に応じた伝搬方向で、かつ互いに１８０°異なる伝搬方向から伝搬する電磁波の透過率を、当該伝搬方向間で互いに異ならせることを特徴とする。   An electromagnetic wave transmittance control device according to claim 8 is the electromagnetic wave propagation device according to claim 7, wherein the insulator propagates in a propagation direction corresponding to a spin direction of the conical structure and from a propagation direction different from each other by 180 °. The transmittance is different between the propagation directions.

請求項９記載の電磁波の透過率制御デバイスは、請求項７又は８記載の発明において、上記絶縁体は、Ｃｕ2Ｆｅ1-xＧａxＯ2であることを特徴とする。 An electromagnetic wave transmittance control device according to a ninth aspect is characterized in that, in the invention according to the seventh or eighth aspect, the insulator is Cu 2 Fe 1-x Ga x O 2 .

請求項１０記載の電磁波の透過率制御デバイスは、請求項７〜９のうち何れか１項記載の発明において、上記絶縁体は、上記コニカル構造のスピン方向、又は上記コニカル構造のスピンのカイラリティに応じて上記伝搬方向間の透過率の差分値を変化させることを特徴とする。   The electromagnetic wave transmittance control device according to claim 10 is the invention according to any one of claims 7 to 9, wherein the insulator has a spin direction of the conical structure or a spin chirality of the conical structure. Accordingly, a difference value of transmittance between the propagation directions is changed.

請求項１１記載の電磁波の透過率制御デバイスは、プロパースクリュー磁気構造に基づくコニカル構造が誘起されている絶縁体を備え、上記絶縁体に伝搬させる電磁波を、上記コニカル構造のスピン方向、又は上記コニカル構造のスピンのカイラリティに応じて変化させることを特徴とする。   The electromagnetic wave transmittance control device according to claim 11 includes an insulator in which a conical structure based on a proper screw magnetic structure is induced, and transmits an electromagnetic wave propagating to the insulator in a spin direction of the conical structure or the conical structure. It is characterized by changing according to the chirality of the spin of the structure.

請求項１２記載の電磁波の透過率制御デバイスは、請求項１０又は１１項記載の発明において、上記コニカル構造のスピン方向を上記伝搬方向と略平行に印加される磁場に応じて、上記コニカル構造のスピンのカイラリティを上記伝搬方向に対して略垂直に印加される電場に応じて、制御する手段を更に備えることを特徴とする。   According to a twelfth aspect of the present invention, there is provided the electromagnetic wave transmittance control device according to the tenth or eleventh aspect, wherein the conical structure has a spin direction according to a magnetic field applied substantially parallel to the propagation direction. The apparatus further comprises means for controlling the chirality of the spin according to an electric field applied substantially perpendicular to the propagation direction.

上述した構成からなる本発明によれば、電磁波を整流素子中に伝搬させる上で、整流素子に負荷する外部磁場Ｈを制御し、或いは整流素子に負荷する電場Ｅを制御する。これにより、外部磁場Ｈが制御されることで、整流素子内のコニカル構造のスピン方向を制御することができ、電場Ｅが制御されることでコニカル構造のカイラリティが制御される。その結果、電磁波の整流素子における透過率を制御することが可能となる。   According to the present invention configured as described above, the external magnetic field H loaded on the rectifying element is controlled or the electric field E loaded on the rectifying element is controlled in propagating the electromagnetic wave into the rectifying element. Thereby, the spin direction of the conical structure in the rectifying element can be controlled by controlling the external magnetic field H, and the chirality of the conical structure is controlled by controlling the electric field E. As a result, the transmittance of the electromagnetic wave rectifying element can be controlled.

また、上述した構成からなる本発明では、サイクロイド型スピン構造におけるエレクトロマグノンと比較して作製が容易で、入手しやすいプロパースクリュー磁気構造が誘起された絶縁体を、整流素子の材料として活用することができる。このため、本発明を高速通信用デバイスや各種センサ等に応用する場合においても、量産に関する社会的要請に応えることができる。   Further, in the present invention having the above-described configuration, an insulator in which a proper screw magnetic structure that is easy to manufacture and easily obtainable is used as a material for a rectifying element, as compared with an electromagnon in a cycloid spin structure. Can do. For this reason, even when the present invention is applied to a high-speed communication device, various sensors, and the like, it is possible to meet social demands related to mass production.

また、本発明では、特に数百ＧＨｚ〜数ＴＨｚにも及ぶ超高帯域の電磁波についても、その透過率を制御することが可能となる。   Further, in the present invention, it is possible to control the transmittance of electromagnetic waves in an ultrahigh band, particularly extending to several hundred GHz to several THz.

本発明を適用した電磁波の透過率制御デバイスの模式図である。It is a schematic diagram of an electromagnetic wave transmittance control device to which the present invention is applied. 本発明を適用した電磁波の透過率制御デバイスの具体的な構成例を示す図である。It is a figure which shows the specific structural example of the transmittance | permeability control device of the electromagnetic waves to which this invention is applied. （ａ）スピンの回転面５１と配列方向Ｗが垂直となるプロパースクリュー磁気構造について示す図であり、（ｂ）は、プロパースクリュー磁気構造に外部磁場Ｈを負荷した場合の例を示す図である。(A) It is a figure shown about the proper screw magnetic structure which the rotation surface 51 of a spin and the arrangement direction W become perpendicular | vertical, (b) is a figure which shows the example at the time of loading the external magnetic field H to a proper screw magnetic structure. . 整流素子を伝搬する電磁波MAB、電磁波MBAを模式的に示した図である。Electromagnetic M AB propagating the rectifying element is a view showing the electromagnetic wave M BA schematically. 強誘電分極ΔＰの方向に対する各電磁波の電場、磁場成分を示す図である。It is a figure which shows the electric field of each electromagnetic wave with respect to the direction of ferroelectric polarization (DELTA) P, and a magnetic field component. 強誘電分極ΔＰの方向に対する各電磁波の電場、磁場成分を示す他の図である。It is another figure which shows the electric field of each electromagnetic wave with respect to the direction of ferroelectric polarization (DELTA) P, and a magnetic field component. 電磁波MAB、MBAが照射された場合に生成する強誘電分極ΔＰや磁化Ｍを制御する点について説明するための図である。It is a figure for demonstrating the point which controls the ferroelectric polarization (DELTA) P and the magnetization M which are produced | generated when electromagnetic waves MAB and MBA are irradiated. Ａ側からＢ側へ伝搬する電磁波MABのみ、整流素子により透過率を制御する例について説明するための図である。Only electromagnetic M AB propagating from A side to B side, is a view for explaining an example of controlling the transmittance by the rectifying elements. 電磁波を整流素子に照射した場合における吸収係数の測定結果を示す図である。It is a figure which shows the measurement result of the absorption coefficient when an electromagnetic wave is irradiated to a rectifier. 電磁波MABを整流素子に照射した場合における吸収係数について外部磁場との関係において測定した結果を示す図である。It is a figure which shows the result measured in relation to an external magnetic field about the absorption coefficient at the time of irradiating the electromagnetic wave MAB to a rectifier. 、各偏光成分について、電磁波を整流素子に照射した場合における吸収係数の測定結果を示す図である。It is a figure which shows the measurement result of the absorption coefficient at the time of irradiating a rectifier with electromagnetic waves about each polarization component.

以下、本発明を適用した電磁波の透過率制御デバイスの実施の形態について詳細に説明する。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of an electromagnetic wave transmittance control device to which the present invention is applied will be described in detail.

図１は、本発明を適用した電磁波の透過率制御デバイス１の模式図であり、図２は、その具体的な構成例を示している。この電磁波の透過率制御デバイス１は、Ａ側、Ｂ側の間に配置された整流素子２とを備えている。   FIG. 1 is a schematic diagram of an electromagnetic wave transmittance control device 1 to which the present invention is applied, and FIG. 2 shows a specific configuration example thereof. The electromagnetic wave transmittance control device 1 includes a rectifying element 2 disposed between the A side and the B side.

透過率制御デバイス１は、整流素子２と、整流素子２に接続される電場制御部３及び磁場制御部４とを備えている。整流素子２を挟んで一端をＡ側が、他方側をＢ側とする。このとき、Ａ側からＢ側に向けて伝搬する電磁波を電磁波ＭABといい、Ｂ側からＡ側に向けて伝搬する電磁波を電磁波ＭBAという。この電磁波ＭABの伝搬方向と電磁波ＭBAの伝搬方向とは互いに相対する方向に、換言すれば１８０°異なる伝搬方向となるように、反平行の関係となるように伝搬させる。但し、係る場合に限定されるものではなく、電磁波ＭABの伝搬方向と電磁波ＭBAの伝搬方向とが異なるものであれば、本発明を適用することができることは勿論である。 The transmittance control device 1 includes a rectifying element 2, and an electric field control unit 3 and a magnetic field control unit 4 connected to the rectifying element 2. One end is the A side and the other side is the B side across the rectifying element 2. At this time, the electromagnetic wave propagating from the A side toward the B side is referred to as an electromagnetic wave M AB, and the electromagnetic wave propagating from the B side toward the A side is referred to as an electromagnetic wave M BA . The propagation direction and the electromagnetic wave M propagation direction and opposite directions to each other in the BA electromagnetic M AB, so that 180 ° different propagation directions other words, to propagate so as to be in the relationship of anti-parallel. However, the invention is not limited to such a case, as long as the propagation direction of the propagation direction and the electromagnetic wave M BA electromagnetic M AB are different, it is of course possible to apply the present invention.

整流素子２は、Ａ側からの電磁波ＭABが伝播してきた場合に、これをＢ側に伝搬させる上での整流を行う。また整流素子２は、Ｂ側からの電磁波ＭBAが伝播してきた場合に、これをＡ側に伝搬させる上での整流を行う。 When the electromagnetic wave MAB from the A side has propagated, the rectifying element 2 performs rectification for propagating the electromagnetic wave MAB to the B side. The rectifying element 2 performs rectification when propagating the electromagnetic wave MBA from the B side to the A side.

電場制御部３は、図２に示すように、整流素子２の上端に設けられた電極３１と、下端に設けられた電極３２に接続される。この電場制御部３は、電極３１、３２間に電圧を印加することができる。また電場制御部３は、この電極３１、３２間に印加する電圧を具体的に制御することも可能となる。その結果、電場制御部３により制御された電場Ｅが、電極３１、３２間に負荷されることとなるが、当該電場の向きは、電磁波ＭAB、ＭBAの伝播方向に対して略垂直となるように設計されることとなる。 As shown in FIG. 2, the electric field control unit 3 is connected to an electrode 31 provided at the upper end of the rectifying element 2 and an electrode 32 provided at the lower end. The electric field control unit 3 can apply a voltage between the electrodes 31 and 32. Further, the electric field control unit 3 can specifically control the voltage applied between the electrodes 31 and 32. As a result, the electric field E controlled by the electric field control unit 3 is loaded between the electrodes 31 and 32, and the direction of the electric field is substantially perpendicular to the propagation direction of the electromagnetic waves M AB and M BA. It will be designed to be.

磁場制御部４は、図２に示すように整流素子２の周囲において巻回されたコイル４１に接続される。この磁場制御部４は、コイル４１に通電することにより、当該コイル４１から外部磁場Ｈを負荷することができる。また磁場制御部４は、コイル４１に通電する電力を制御することにより、外部磁場Ｈを具体的に制御することも可能となる。コイル４１を介して負荷される外部磁場Ｈは、電場Ｅに対して略直交する方向であり、かつ電磁波ＭAB、ＭBAの伝播方向に対して略平行となるように設計されることとなる。 The magnetic field control unit 4 is connected to a coil 41 wound around the rectifying element 2 as shown in FIG. The magnetic field control unit 4 can load the external magnetic field H from the coil 41 by energizing the coil 41. The magnetic field control unit 4 can also specifically control the external magnetic field H by controlling the power supplied to the coil 41. The external magnetic field H loaded via the coil 41 is designed to be in a direction substantially orthogonal to the electric field E and substantially parallel to the propagation direction of the electromagnetic waves M AB and MBA. .

整流素子２は、電気分極可能な絶縁体である。仮にこの整流素子２を金属等で構成した場合には、これに照射される電磁波が素子の表面で反射してしまうため、この整流素子２は、絶縁体で構成する。また整流素子２は、プロパースクリュー磁気構造が誘起されている。このプロパースクリュー磁気構造とは、隣り合ったスピンが互いに有限の角度を持って配列したノンコリニア磁気構造の１つである。プロパースクリュー磁気構造は、図３（ａ）に示すように、スピンの回転面５１と配列方向Ｗが垂直となっている。   The rectifying element 2 is an electrically polarizable insulator. If the rectifying element 2 is made of metal or the like, the electromagnetic wave irradiated to the rectifying element 2 is reflected on the surface of the element, and therefore the rectifying element 2 is made of an insulator. The rectifying element 2 is induced with a proper screw magnetic structure. This proper screw magnetic structure is one of non-collinear magnetic structures in which adjacent spins are arranged at a finite angle. In the proper screw magnetic structure, as shown in FIG. 3A, the spin rotation surface 51 and the arrangement direction W are perpendicular to each other.

これに対して、このプロパースクリュー磁気構造に対して図３（ｂ）に示すように外部磁場Ｈを負荷した場合、この各スピンの方向は、印加された外部磁場Ｈにより支配される。図３（ｂ）の例では、外部磁場Ｈが紙面右方向に向けて印加された場合の例である。この印加された外部磁場Ｈの方向に向けてスピンが配列することとなる。逆に外部磁場Ｈが紙面左方向に向けて印加された場合には、当該方向に向けてスピンが配列することとなる。即ち、この外部磁場Ｈの方向を制御することにより、スピンの配列方向を制御することが可能となる。 On the other hand, when an external magnetic field H is applied to the proper screw magnetic structure as shown in FIG. 3B, the direction of each spin is governed by the applied external magnetic field H. In the example of FIG. 3B, the external magnetic field H is applied in the right direction on the paper surface. Spins are arranged in the direction of the applied external magnetic field H. On the contrary, when the external magnetic field H is applied in the left direction on the paper, the spins are arranged in the direction. That is, by controlling the direction of the external magnetic field H, the spin arrangement direction can be controlled.

このような外部磁場Ｈが印加されると、プロパースクリュー磁気構造は、コーンの形状となる、いわゆるコニカル構造７へと変化する。このコニカル構造７では、スピンの回転面５１に対して、スピンがコーン形状となるように配列する。そして、スピンの方向が徐々に時計回りに向けて、又は反時計回りに向けてシフトしている。即ち、図３（ｂ）に示すように、スピンが外部磁場Ｈの方向に向けてそれぞれ位置ｋ、ｌ、ｍと整列している場合において、位置ｋからｍに向けてスピンの方向は徐々に時計回りに向けてシフトして固定されている。一方、反時計回りにシフトする場合も同様に、スピンが外部磁場Ｈの方向に向けてそれぞれ位置ｋ、ｌ、ｍと整列している場合において、位置ｋからｍに向けてスピンの方向は徐々に反時計回りに向けてシフトして固定されている。 When such an external magnetic field H is applied, the proper screw magnetic structure changes to a so-called conical structure 7 having a cone shape. In the conical structure 7, the spins are arranged in a cone shape with respect to the spin rotation surface 51. Then, the direction of the spin is gradually shifted clockwise or counterclockwise. That is, as shown in FIG. 3B, when the spins are aligned with the positions k, l, and m, respectively, in the direction of the external magnetic field H , the direction of the spin gradually increases from the position k to the m. Shifted clockwise and fixed. On the other hand, in the case of shifting counterclockwise as well, when the spins are aligned with the positions k, l, and m in the direction of the external magnetic field H, the direction of the spins gradually increases from the position k to the m. It is fixed by shifting it counterclockwise.

以下、時計回りに向けてシフトするか、或いは反時計回りにシフトするかを示すものを、いわゆるカイラリティという。このようなカイラリティを持つ物質では、マグネトカイラル効果を発現する。このマグネトカイラル効果とは、磁化が誘起されたカイラルな物質に生じ、磁化の方向やカイラリティ、光の進行方向に依存して吸収係数が変化する現象であるが、時計回りのスピン、反時計回りのスピンが共存している場合には、マグネトカイラル効果が互いに打ち消しあってしまう。しかしながら、スピンを時計回り、反時計回りの何れにシフトさせるかが、上述した強誘電分極の正負に支配されることを利用することにより、電場を印加することで、そのカイラリティ自体を制御することが可能となる。   Hereinafter, what indicates whether to shift clockwise or counterclockwise is referred to as so-called chirality. A substance having such chirality exhibits a magnetochiral effect. This magneto-chiral effect is a phenomenon that occurs in a chiral substance in which magnetization is induced, and the absorption coefficient changes depending on the direction of magnetization, chirality, and the direction of travel of light. If the spins coexist, the magnetochiral effects cancel each other. However, the chirality itself can be controlled by applying an electric field by utilizing the fact that whether the spin is shifted clockwise or counterclockwise is governed by the positive and negative of the ferroelectric polarization described above. Is possible.

本発明では、上述したコンセプトの下で、外部磁場Ｈと強誘電分極Ｐを制御することで、マグネトカイラル効果そのものを制御する。即ち、整流素子２にプロパースクリュー磁気構造に基づくコニカル構造７を誘起させ、これに対して印加すべき外部磁場Ｈと強誘電分極Ｐを制御する。その結果、プロパースクリュー磁気構造によるマグネトカイラル効果そのものがコントロールされる。そして、このコントロールされたプロパースクリュー磁気構造におけるマグネトカイラル効果を活用することで、これが誘起されている整流素子２に伝搬させる電磁波の透過率を変化させる。 In the present invention, the magneto-chiral effect itself is controlled by controlling the external magnetic field H and the ferroelectric polarization P under the above-described concept. That is, the conical structure 7 based on the proper screw magnetic structure is induced in the rectifying element 2, and the external magnetic field H and the ferroelectric polarization P to be applied thereto are controlled. As a result, the magneto-chiral effect itself by the proper screw magnetic structure is controlled. Then, by utilizing the magneto-chiral effect in the controlled proper screw magnetic structure, the transmittance of the electromagnetic wave propagating to the rectifying element 2 in which this is induced is changed.

ちなみに、このコニカル構造７は、上述したように外部磁場Ｈを印加することにより初めて絶縁体中に生成される場合もあれば、外部磁場Ｈを印加しなくても、当初から絶縁体中において生成されている場合もある。本発明では、プロパースクリュー磁気構造が形成されている絶縁体に対して、外部磁場Ｈを印加することで意図的にコニカル構造７を生成して、これを整流素子２として活用するようにしてもよいし、当初からプロパースクリュー磁気構造に基づくコニカル構造７が誘起されている絶縁体を探し出してこれを整流素子２として活用するようにしてもよい。また当初からコニカル構造７が誘起されていなくても、外部磁場以外の電場や温度条件を制御することでこれを意図的に誘起させるようにしてもよい。   Incidentally, the conical structure 7 may be generated in the insulator for the first time by applying the external magnetic field H as described above, or may be generated in the insulator from the beginning without applying the external magnetic field H. Sometimes it is. In the present invention, the conical structure 7 is intentionally generated by applying the external magnetic field H to the insulator having the proper screw magnetic structure, and this is used as the rectifying element 2. Alternatively, an insulator in which the conical structure 7 based on the proper screw magnetic structure is induced from the beginning may be found and used as the rectifying element 2. Even if the conical structure 7 is not induced from the beginning, this may be intentionally induced by controlling the electric field and temperature conditions other than the external magnetic field.

整流素子２を構成する絶縁体としては、例えば、Ｃｕ2Ｆｅ1-xＧａxＯ2（例えばｘ＝0.035）を７．１Ｋ以下まで冷却するようにしてもよい。これにより、プロパースクリュー磁気構造においてヘリカルなコニカル構造７を生成することが可能となる。また、この絶縁体の他の例としては、例えばヘキサフェライトにおける(Ba2Mg2Fe12O22, Sr3Co2Fe24O21）、スピネルにおける(ZnCr2Se4)、ランガサイトにおける(Ba3NbFe3Si2O14)、CsCuCl3、MnI2, NiI2、MnO2等がある。 As an insulator constituting the rectifying element 2, for example, Cu 2 Fe 1-x Ga x O 2 (for example, x = 0.035) may be cooled to 7.1K or less. This makes it possible to generate a helical conical structure 7 in the proper screw magnetic structure. Other examples of this insulator include (Ba 2 Mg 2 Fe 12 O 22 , Sr 3 Co 2 Fe 24 O 21 ) in hexaferrite, (ZnCr 2 Se 4 ) in spinel, and (Ba 3 NbFe 3 Si 2 O 14 ), CsCuCl 3 , MnI 2 , NiI 2 , MnO 2 and the like.

ちなみに、このスピンの方向を時計回りにシフトさせるか、反時計回りにシフトさせるかは、強誘電分極Ｐの正負に依存する。   Incidentally, whether the spin direction is shifted clockwise or counterclockwise depends on the sign of the ferroelectric polarization P.

上述した構成からなる透過率制御デバイス１の動作について説明をする。   An operation of the transmittance control device 1 having the above-described configuration will be described.

透過率制御デバイス１は、Ａ側からＢ側に向けて伝搬される電磁波MABと、Ｂ側からＡ側に向けて伝搬される電磁波MBAをそれぞれ伝搬させる場合において、所期の機能を発現させるものである。通常であれば、電磁波MAB、電磁波MBAの何れを伝搬させても透過率は原理的に同一となる。これに対し、本発明を適用した透過率制御デバイス１における整流素子２に対してこのような電磁波MAB、電磁波MBAを伝搬させた場合、電磁波MABの透過率ＳABと、電磁波MBAの透過率ＳBAとを互いに異ならせることが可能となる。 The transmittance control device 1 exhibits an expected function when propagating an electromagnetic wave M AB propagating from the A side toward the B side and an electromagnetic wave M BA propagating from the B side toward the A side. It is something to be made. Ordinarily, electromagnetic M AB, transmittance by propagating any electromagnetic M BA is in principle the same. In contrast, such electromagnetic wave M AB with respect to the rectifier element 2 in the transmission control device 1 according to the present invention, when obtained by propagating electromagnetic waves M BA, and the transmittance S AB electromagnetic M AB, electromagnetic M BA It is possible to make the transmittance S BA different from each other.

実際にこれら電磁波MAB、MBAを整流素子２に対して伝搬させることにより、整流素子２において誘起されているプロパースクリュー磁気構造に基づくコニカル構造７と、各電磁波の振動磁場成分とが相互作用を引き起こすことで、いわゆる動的ＭＥ効果（マグネトカイラル効果）を引き起こし、これに基づく電磁波の吸収特性を発揮させる。 By actually propagating these electromagnetic waves M AB and M BA to the rectifying element 2, the conical structure 7 based on the proper screw magnetic structure induced in the rectifying element 2 interacts with the oscillating magnetic field component of each electromagnetic wave. This causes a so-called dynamic ME effect (magnetochiral effect) and exhibits electromagnetic wave absorption characteristics based on this.

図４は、この電磁波MAB、電磁波MBAを模式的に示した図である。電磁波MABの進行方向をｋ1とし、その電場Ｅ1、磁場をＨ1とする。電磁波MBAの進行方向をｋ2とし、その電場Ｅ2、磁場Ｈ2とする。このように整流素子２に入射する電磁波MAB、電磁波MBAは、互いに磁場Ｈ1、Ｈ2の方向が同一方向であったとしても、電場Ｅ1、Ｅ2の方向が互いに異なるものとなる。逆に電場Ｅ1、Ｅ2の方向を同一方向に揃えた場合には、磁場Ｈ1、Ｈ2の方向は互いに異なる方向となる。本発明では、このような整流素子２に入射される電磁波MAB、電磁波MBAについて電場、磁場の方向の差異により、整流素子２中に誘起されたコニカル構造７と関係において電磁波MAB、電磁波MBA間のマグネトカイラル効果の差異を発現させる。 FIG. 4 is a diagram schematically showing the electromagnetic wave M AB and the electromagnetic wave MBA . The traveling direction of the electromagnetic wave M AB is k 1 , the electric field E 1 , and the magnetic field is H 1 . The traveling direction of the electromagnetic wave M BA and k 2, the electric field E 2, and the magnetic field H 2. Thus, the electromagnetic waves M AB and the electromagnetic waves M BA incident on the rectifying element 2 have different directions of the electric fields E 1 and E 2 even if the directions of the magnetic fields H 1 and H 2 are the same. . Conversely, when the electric fields E 1 and E 2 are aligned in the same direction, the directions of the magnetic fields H 1 and H 2 are different from each other. In the present invention, the electromagnetic wave M AB to be incident on such a rectifier element 2, the electromagnetic wave M field for BA, the direction of the difference in magnetic field, electromagnetic wave M AB in relation with conical structure 7 which is induced in the rectifier element 2, the electromagnetic wave to express the difference between the magneto chiral effect between M BA.

具体的には、電磁波MBAを整流素子２に入射させた場合、微視的には、図５に示すように整流素子２内部に誘起されているプロパースクリュー磁気構造に基づくコニカル構造７に到達する。コニカル構造７における各スピンが電磁波MBAの進行方向ｋ2に対して逆方向に向けて配列しているものとする。このとき、各スピンには、電磁波MBAにおける磁場Ｈ2が更に負荷されることになるため、当該磁場Ｈ2の振動の方向に応じて、各スピン自体が振動することになる。その結果、このコニカル構造７は、磁場Ｈ2の方向に応じて磁化され、磁化成分ΔＭを持つこととなる。その磁化ΔＭの方向に応じてコニカル構造７も当然傾くこととなる。その結果、電磁波MBAによる磁場Ｈ2が負荷される前には、コニカル構造７自体の強誘電分極Ｐが０であったのに対し、磁場Ｈ2による各スピンの振動、ひいては磁化ΔＭの方向に応じたコニカル構造７の傾きに応じて、コニカル構造７のカイラリティ自体が変化し、電気分極ΔＰ（≠０）が発生する。 Specifically, when the electromagnetic wave MBA is incident on the rectifying element 2, microscopically, it reaches the conical structure 7 based on the proper screw magnetic structure induced in the rectifying element 2 as shown in FIG. To do. It is assumed that the spins in the conical structure 7 are arranged in the direction opposite to the traveling direction k 2 of the electromagnetic wave MBA . At this time, since each spin is further loaded with the magnetic field H 2 in the electromagnetic wave MBA , each spin itself vibrates according to the direction of vibration of the magnetic field H 2 . As a result, the conical structure 7 is magnetized according to the direction of the magnetic field H 2 and has a magnetization component ΔM. Of course, the conical structure 7 also tilts according to the direction of the magnetization ΔM. As a result, before the magnetic field H 2 by the electromagnetic wave MBA is loaded, the ferroelectric polarization P of the conical structure 7 itself is 0, whereas the vibration of each spin by the magnetic field H 2 , and hence the direction of the magnetization ΔM. Depending on the inclination of the conical structure 7 according to the above, the chirality of the conical structure 7 itself changes, and electric polarization ΔP (≠ 0) is generated.

この電気分極ΔＰの方向が図５に示すように電磁波MBAの電場Ｅ2の方向と同一である場合、プロパースクリュー磁気構造のスピンとの間で互いに共鳴することとなる。その結果、電磁波MBAの電場Ｅ2に基づくエネルギーは、これと同一方向の強誘電分極ΔＰを生成するカイラリティを持つコニカル構造７に吸収される。このため、電磁波MBAは、コニカル構造７にそのエネルギー吸収される結果、整流素子２を通過する過程で透過率が減少することとなる。 When the direction of this electric polarization ΔP is the same as the direction of the electric field E 2 of the electromagnetic wave MBA as shown in FIG. 5, they will resonate with each other with the spin of the proper screw magnetic structure. As a result, the energy based on the electric field E 2 of the electromagnetic wave M BA is absorbed by the conical structure 7 having the chirality of producing the same direction of the ferroelectric polarization ΔP therewith. For this reason, as a result of the energy absorption of the electromagnetic wave MBA by the conical structure 7, the transmittance decreases in the process of passing through the rectifying element 2.

なお、この電気分極ΔＰが発生する過程では、電磁場MBAの持つ磁場Ｈ2の振動のみならず、電磁場MBAの持つ電場Ｅ2が、直接的に電気分極ΔＰを誘発させるたに作用する場合もある。 In the course of this electric polarization ΔP occurs, not only the vibration of the magnetic field H 2 with the electromagnetic field M BA, if acting on the electric field E 2 with the electromagnetic field M BA is other to directly induce electrical polarization ΔP There is also.

これに対して、上述と全く同一のプロパースクリュー磁気構造に基づくコニカル構造７が配列された整流素子２に対して、電磁波MABを整流素子２に入射させた場合、微視的には、図５に示すように整流素子２内部に誘起されているプロパースクリュー磁気構造に基づくコニカル構造７に到達する。コニカル構造７における各スピンが電磁波MABの進行方向ｋ1に向けて配列しているものとする。このとき、各スピンには、電磁波MABにおける磁場Ｈ1が更に負荷されることになる。この磁場Ｈ1の方向は、磁場Ｈ2の方向と同一であるが、当該磁場Ｈ1の振動の方向に応じて、各スピン自体が振動することになる。 On the other hand, when the electromagnetic wave MAB is incident on the rectifying element 2 with respect to the rectifying element 2 in which the conical structure 7 based on the same proper screw magnetic structure as that described above is arranged, microscopically, FIG. As shown in FIG. 5, the conical structure 7 based on the proper screw magnetic structure induced in the rectifying element 2 is reached. Shall each spin in the conical structure 7 are arranged toward the traveling direction k 1 of the electromagnetic wave M AB. At this time, each spin is further loaded with the magnetic field H 1 in the electromagnetic wave MAB . The direction of the magnetic field H 1 is the same as the direction of the magnetic field H 2 , but each spin itself vibrates according to the direction of vibration of the magnetic field H 1 .

その結果、このコニカル構造７は、磁場Ｈ1の方向に応じて磁化され、磁化成分ΔＭを持つこととなる。その磁化ΔＭの方向に応じてコニカル構造７も当然傾くこととなる。その結果、電磁波MABによる磁場Ｈ1が負荷される前には、コニカル構造７自体の強誘電分極Ｐが０であったのに対し、磁場Ｈ1による各スピンの振動、ひいては磁化ΔＭの方向に応じたコニカル構造７の傾きに応じて、コニカル構造７のカイラリティ自体が変化し、電気分極ΔＰ（≠０）が発生する。 As a result, the conical structure 7 is magnetized according to the direction of the magnetic field H 1 and has a magnetization component ΔM. Of course, the conical structure 7 also tilts according to the direction of the magnetization ΔM. As a result, before the magnetic field H 1 by the electromagnetic wave M AB is loaded, the ferroelectric polarization P of the conical structure 7 itself was 0, whereas the vibration of each spin by the magnetic field H 1 , and hence the direction of the magnetization ΔM. Depending on the inclination of the conical structure 7 according to the above, the chirality of the conical structure 7 itself changes, and electric polarization ΔP (≠ 0) is generated.

この電気分極ΔＰの方向が図５に示すように電磁波MABの電場Ｅ1の方向と異なるものである場合、プロパースクリュー磁気構造のスピンとの間で互いに共鳴が無くなる。その結果、電磁波MABの電場Ｅ1に基づくエネルギーは、これと同一方向の電気分極ΔＰを生成するカイラリティを持つコニカル構造７に吸収されることなく、そのまま通過する。このため、電磁波MABは、コニカル構造７にそのエネルギー吸収されないため、整流素子２を通過する過程で透過率が減少することはなくなる。 If the direction of the electric polarization ΔP is different from the direction of the electric field E 1 of the electromagnetic wave M AB as shown in FIG. 5, the resonance is eliminated together with the spin of the proper screw magnetic structure. As a result, the energy based on the electric field E 1 of the electromagnetic wave M AB passes through without being absorbed by the conical structure 7 having the chirality that generates the electric polarization ΔP in the same direction as this. For this reason, the electromagnetic wave M AB is not absorbed by the conical structure 7, so that the transmittance does not decrease in the process of passing through the rectifying element 2.

このように、全く同一のプロパースクリュー磁気構造に基づくコニカル構造７が配列された整流素子２に対しても、電磁波MAB、MBAのように照射する方向が互いに略１８０°異なる場合には、全く異なる吸収特性を示す。その結果、整流素子２により、電磁波MAB、MBA間で透過率を互いに変化させる、いわゆる方向二色性を発現させることが可能となる。 As described above, even when the irradiating directions of the rectifying elements 2 in which the conical structures 7 based on the same proper screw magnetic structure are arranged are different from each other by about 180 °, such as electromagnetic waves M AB and M BA , It shows completely different absorption characteristics. As a result, the rectifying element 2 can exhibit so-called directional dichroism that changes the transmittance between the electromagnetic waves M AB and MBA .

仮に、このコニカル構造７について、磁場制御部４により外部磁場Ｈを図６に示すように電磁波MBAの伝搬方向ｋ2と同一方向となるように印加することで、当該コニカル構造７は、そのコーン形状を構成するスピンが外部磁場Ｈの方向に向けて反転した状態で配列することになる。 Temporarily, by applying the external magnetic field H to the conical structure 7 in the same direction as the propagation direction k 2 of the electromagnetic wave MBA as shown in FIG. The spins constituting the cone shape are arranged in a state of being reversed toward the direction of the external magnetic field H.

このような状態に制御された整流素子２に対して、電磁波MBAを整流素子２に入射させた場合には、各スピンには、同様に電磁波MBAにおける磁場Ｈ2の方向に応じて磁化され、磁化成分ΔＭを持つこととなり、コニカル構造７も当然傾くこととなる。その結果、強誘電分極ΔＰ（≠０）が発生する。 With respect to the rectifier element 2 which is controlled in such a state, when is incident an electromagnetic wave M BA the rectifying element 2, each spin, likewise depending on the direction of the magnetic field H 2 in the electromagnetic M BA magnetization Therefore, it has a magnetization component ΔM, and the conical structure 7 naturally tilts. As a result, ferroelectric polarization ΔP (≠ 0) is generated.

この強誘電分極ΔＰの方向が図６に示すように電磁波MBAの電場Ｅ2の方向と異なるものであるため、電磁波MBAの電場Ｅ2に基づくエネルギーは、これに吸収されることなく、そのまま通過する。その結果、電磁波MBAは、整流素子２を通過する過程で透過率が特段減少しない。 Since the direction of the ferroelectric polarization ΔP is different from the direction of the electric field E 2 of the electromagnetic wave MBA as shown in FIG. 6, the energy based on the electric field E 2 of the electromagnetic wave MBA is not absorbed by this, Pass as it is. As a result, the transmittance of the electromagnetic wave MBA is not particularly reduced in the process of passing through the rectifying element 2.

これに対して、電磁波MABを整流素子２に入射させた場合においても同様に、各スピンには、同様に電磁波MABにおける磁場Ｈ1の方向に応じて磁化され、磁化成分ΔＭを持つこととなり、コニカル構造７も当然傾くこととなる。その結果、コニカル構造７のカイラリティ自体が変化し、強誘電分極ΔＰ（≠０）が発生する。 On the other hand, when the electromagnetic wave M AB is incident on the rectifying element 2, each spin is similarly magnetized according to the direction of the magnetic field H 1 in the electromagnetic wave M AB and has a magnetization component ΔM. Thus, the conical structure 7 is naturally inclined. As a result, the chirality itself of the conical structure 7 changes and ferroelectric polarization ΔP (≠ 0) is generated.

この強誘電分極ΔＰの方向が図６に示すように電磁波MABの電場Ｅ1の方向と同一であるため、電磁波MABの電場Ｅ1に基づくエネルギーは、これに吸収される。その結果、電磁波MABは、整流素子２を通過する過程で透過率が減少する。 Since the direction of the ferroelectric polarization ΔP is the same as the direction of the electric field E 1 of the electromagnetic wave M AB as shown in FIG. 6, the energy based on the electric field E 1 of the electromagnetic wave M AB is absorbed by this. As a result, the transmittance of the electromagnetic wave MAB decreases in the process of passing through the rectifying element 2.

このようにして、外部磁場Ｈを印加することにより、コニカル構造７を構成するスピンの向きを制御することができる。このスピンの向きが、各電磁波MAB、MBAの整流素子２の透過特性に影響を及ぼすことを利用し、電磁波MAB、MBA間の方向二色性を制御することも可能となる。 In this way, by applying the external magnetic field H, the direction of the spin constituting the conical structure 7 can be controlled. The direction of the spin, the electromagnetic wave M AB, utilizing affecting the transmission characteristics of the rectifying element 2 M BA, electromagnetic M AB, it is possible to control the direction dichroism between M BA.

また整流素子２に対して、電場制御部３により電場を印加することにより、整流素子２内のコニカル構造７のカイラリティを制御することもできる。即ち、電極３１、３２間に負荷される電場の向きを電場制御部３を介して制御する。これにより、コニカル構造７のカイラリティを時計回りとするか、或いは反時計回りとするかを自在に制御することができる。コニカル構造７のカイラリティを制御することで、図７に示すように電磁波MAB、MBAが照射された場合に生成する強誘電分極ΔＰや磁化Ｍを制御することができる。 Further, the chirality of the conical structure 7 in the rectifying element 2 can be controlled by applying an electric field to the rectifying element 2 by the electric field control unit 3. That is, the direction of the electric field loaded between the electrodes 31 and 32 is controlled via the electric field control unit 3. Thereby, it is possible to freely control whether the chirality of the conical structure 7 is clockwise or counterclockwise. By controlling the chirality of the conical structure 7, it is possible to control the ferroelectric polarization ΔP and the magnetization M generated when the electromagnetic waves M AB and MBA are irradiated as shown in FIG.

図７の例では、強誘電分極ΔＰの向きを時計回りとした場合には、これと同一方向の電場Ｅ2成分を持つ電磁波MBAと共鳴して、これを吸収することで透過率を低下させることができる。また、強誘電分極ΔＰの向きを時計回りとした場合には、これと異なる電場Ｅ1成分を持つ電磁波MABと共鳴せず、これを吸収することはないため、透過率は特段低下しない。強誘電分極ΔＰの向きを反時計回りとした場合には、これと同一方向の電場Ｅ1成分を持つ電磁波MABと共鳴して、これを吸収することで透過率を低下させることができる。また、強誘電分極ΔＰの向きを反時計回りとした場合には、これと異なる電場Ｅ2成分を持つ電磁波MBAと共鳴せず、これを吸収することはないため、透過率は特段低下しない。 In the example of FIG. 7, when the direction of the ferroelectric polarization ΔP is clockwise, it resonates with the electromagnetic wave MBA having the electric field E 2 component in the same direction as this and absorbs it, thereby reducing the transmittance. Can be made. In addition, when the direction of the ferroelectric polarization ΔP is clockwise, it does not resonate with and does not absorb the electromagnetic wave MAB having a different electric field E 1 component, so that the transmittance is not particularly lowered. When the direction of the ferroelectric polarization ΔP is counterclockwise, the transmittance can be reduced by resonating with and absorbing the electromagnetic wave MAB having the electric field E 1 component in the same direction as this. Further, when the direction of the ferroelectric polarization ΔP is counterclockwise, it does not resonate with and does not absorb the electromagnetic wave MBA having a different electric field E 2 component, so that the transmittance is not particularly lowered. .

このようにして、外部から電場Ｅを印加することにより、コニカル構造７を構成するスピンのカイラリティを制御することができる。このカイラリティが、各電磁波MAB、MBAの整流素子２の透過特性に影響を及ぼすことを利用し、電磁波MAB、MBA間の方向二色性を制御することも可能となる。 Thus, by applying the electric field E from the outside, the chirality of the spins constituting the conical structure 7 can be controlled. This chirality is, the electromagnetic wave M AB, utilizing affecting the transmission characteristics of the rectifying element 2 M BA, electromagnetic M AB, it is possible to control the direction dichroism between M BA.

なお、本発明では、互いに１８０°異なる伝搬方向から整流素子２中を伝搬する電磁波MAB、MBAを例にとり説明をしたが、これに限定されるものではなく、電磁波MAB、MBAの伝搬方向が１８０°からずれる場合も上述とほぼ同様の効果が期待できる。 In the present invention, the electromagnetic waves M AB and M BA propagating in the rectifying element 2 from propagation directions different from each other by 180 ° have been described as examples. However, the present invention is not limited to this, and the electromagnetic waves M AB and M BA Even when the propagation direction deviates from 180 °, substantially the same effect as described above can be expected.

また、上述した実施の形態では、コニカル構造７のスピン方向（又はその和）が、電磁波MAB、MBAの進行方向と平行又は反平行となっている場合を例にとり説明をした。電磁波MAB、MBA間の方向二色性は、かかる場合に最も好適に発現させることが可能となるが、コニカル構造７のスピン方向（又はその和）と、電磁波MAB、MBAの伝搬方向とが平行でない場合であっても、方向二色性をある程度発現させることは可能となる。但し、コニカル構造７のスピン方向と、電磁波MAB、MBAの伝搬方向が直交する場合は殆ど方向二色性は発現しないため、電磁波MAB、MBAの伝搬方向は、コニカル構造７のスピン方向にある程度対応していることが望ましい。 In the above-described embodiment, the case where the spin direction (or the sum thereof) of the conical structure 7 is parallel or anti-parallel to the traveling direction of the electromagnetic waves M AB and MBA has been described as an example. The direction dichroism between the electromagnetic waves M AB and M BA can be most suitably expressed in such a case, but the spin direction (or the sum) of the conical structure 7 and the propagation of the electromagnetic waves M AB and M BA Even when the direction is not parallel, it is possible to develop directional dichroism to some extent. However, since the magnetization direction of the conical structure 7, the electromagnetic wave M AB, which do not express little direction dichroism If the direction of propagation of the M BA orthogonal electromagnetic M AB, the propagation direction of the M BA the spin conical structure 7 It is desirable to correspond to the direction to some extent.

また、本発明を適用した電磁波の透過率制御デバイス１は、伝搬方向の異なる電磁波MAB、MBA間で方向二色性を発現させるためのデバイスに限定されるものではない。例えば、図８に示すように、Ａ側からＢ側へ伝搬する電磁波MABのみ、整流素子２により透過率を制御する透過率制御デバイス１´に応用するようにしてもよい。この図８に示すデバイス透過率制御デバイス１´において、上述したデバイス透過率制御デバイス１と同一の構成要素、部材に関しては、同一の符号を付すことにより、以下での説明を省略する。 Moreover, the electromagnetic wave transmittance control device 1 to which the present invention is applied is not limited to a device for expressing directional dichroism between electromagnetic waves M AB and MBA having different propagation directions. For example, as shown in FIG. 8, only the electromagnetic M AB propagating from A side to B side, it may be applied to transmission control device 1 'for controlling the transmittance by the rectifying element 2. In the device transmittance control device 1 ′ shown in FIG. 8, the same components and members as those of the device transmittance control device 1 described above are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

このデバイス透過率制御デバイス１´では、電磁波MABを整流素子２に伝搬させる上で、上述と同様に、磁場制御部４により整流素子２に負荷する外部磁場Ｈを制御し、或いは電場制御部３により整流素子２に負荷する電場Ｅを制御する。これにより、外部磁場Ｈが制御されることで、整流素子２内のコニカル構造７のスピン方向を制御することができ、電場Ｅが制御されることでコニカル構造７のカイラリティが制御される。その結果、電磁波MABの整流素子２における透過率を制御することが可能となる。 In the device transmittance control device 1 ', in order to propagate electromagnetic waves M AB to the rectifying element 2, similarly to the above, by controlling the external magnetic field H to load the rectifier element 2 by the magnetic field control unit 4, or the electric field controller 3 controls the electric field E loaded on the rectifying element 2. Thereby, the spin direction of the conical structure 7 in the rectifying element 2 can be controlled by controlling the external magnetic field H, and the chirality of the conical structure 7 is controlled by controlling the electric field E. As a result, the transmittance of the electromagnetic wave MAB in the rectifying element 2 can be controlled.

上述した構成からなる本発明では、エレクトロマグノンと比較して作製が容易で、入手しやすいプロパースクリュー磁気構造が誘起された絶縁体を、整流素子２の材料として活用することができる。このため、本発明を高速通信用デバイスや各種センサ等に応用する場合においても、量産に関する社会的要請に応えることができる。   In the present invention having the above-described configuration, an insulator in which a proper screw magnetic structure, which is easier to manufacture and easily obtainable than electromagnon, is induced, can be used as the material of the rectifying element 2. For this reason, even when the present invention is applied to a high-speed communication device, various sensors, and the like, it is possible to meet social demands related to mass production.

また、本発明では、特に数百ＧＨｚ〜数ＴＨｚにも及ぶ超高帯域の電磁波についても、その透過率を制御することが可能となる。   Further, in the present invention, it is possible to control the transmittance of electromagnetic waves in an ultrahigh band, particularly extending to several hundred GHz to several THz.

以下、本発明を適用した電磁波の透過率制御デバイス１の実施例について説明をする。上述した透過率制御デバイス１の効果を確認するため、以下の検証実験を行った。   Embodiments of the electromagnetic wave transmittance control device 1 to which the present invention is applied will be described below. In order to confirm the effect of the transmittance control device 1 described above, the following verification experiment was performed.

この検証実験では、図２に示すように整流素子２を配置して電磁波MAB、MBAの何れか、又は両方を伝搬させ、それぞれの透過率を測定した。その透過率を測定する過程で、磁場制御部４により整流素子２に印加する外部磁場Ｈを制御し、電場制御部３により整流素子２に印加する電場Ｅを制御した。ちなみに、実験で使用した整流素子２を構成する絶縁体は、Ｃｕ2Ｆｅ1-xＧａxＯ2（ｘ＝0.035）を７．１Ｋ以下まで冷却してプロパースクリュー磁気構造を誘起させたものを使用している。 In this verification experiment, as shown in FIG. 2, the rectifying element 2 was arranged to propagate one or both of the electromagnetic waves M AB and M BA , and the respective transmittances were measured. In the process of measuring the transmittance, the external magnetic field H applied to the rectifying element 2 is controlled by the magnetic field control unit 4, and the electric field E applied to the rectifying element 2 is controlled by the electric field control unit 3. By the way, the insulator constituting the rectifying element 2 used in the experiment is one in which a proper screw magnetic structure is induced by cooling Cu 2 Fe 1-x Ga x O 2 (x = 0.035) to 7.1 K or less. I am using it.

図９は、電磁波MABを整流素子２に照射した場合における吸収係数の測定結果を示している。横軸は周波数（ＧＨｚ）としており、縦軸は整流素子２における吸収係数としている。図９（ａ）に示すように、外部磁場Ｈとして正磁場、負磁場を負荷した場合において、吸収係数は互いに大きな差異として現れている。また図９（ｂ）に示すように、電場Ｅを制御することで、コニカル構造７のカイラリティを時計回り、反時計回りにそれぞれ制御した場合においても、吸収係数は互いに大きな差異として現れている。 FIG. 9 shows the measurement result of the absorption coefficient when the rectifying element 2 is irradiated with the electromagnetic wave MAB . The horizontal axis is the frequency (GHz), and the vertical axis is the absorption coefficient in the rectifying element 2. As shown in FIG. 9A, when a positive magnetic field and a negative magnetic field are loaded as the external magnetic field H, the absorption coefficients appear as large differences from each other. Further, as shown in FIG. 9B, even when the chirality of the conical structure 7 is controlled clockwise and counterclockwise by controlling the electric field E, the absorption coefficients appear as large differences from each other.

図１０は、電磁波MABを整流素子２に照射した場合における吸収係数の測定結果を示している。横軸はエネルギー（ｍｅＶ）であり、縦軸は、何れも整流素子２における吸収係数としている。整流素子２は、Ｃｕ2Ｆｅ1-xＧａxＯ2（ｘ＝0.035）を４．６Ｋまで冷却してプロパースクリュー磁気構造を誘起させ、いずれも時計回りのカイラリティを持たせている。この図１０の実施例では、磁場の強さを３Ｔ、５Ｔ、７Ｔの場合について、吸収係数の測定をそれぞれ行っている。その結果、磁場の強さを高くするにつれて、正磁場と負磁場との間における吸収係数の差異が大きくなることが示されていた。 FIG. 10 shows the measurement result of the absorption coefficient when the rectifying element 2 is irradiated with the electromagnetic wave MAB . The horizontal axis represents energy (meV), and the vertical axis represents the absorption coefficient in the rectifying element 2. The rectifying element 2 cools Cu 2 Fe 1-x Ga x O 2 (x = 0.035) to 4.6 K to induce a proper screw magnetic structure, and both have clockwise chirality. In the example of FIG. 10, the absorption coefficient is measured for each of the magnetic field strengths of 3T, 5T, and 7T. As a result, it was shown that the difference in absorption coefficient between the positive magnetic field and the negative magnetic field increases as the strength of the magnetic field is increased.

図１１は、各偏光成分について、電磁波MABを整流素子２に照射した場合における吸収係数の測定結果を示している。横軸はエネルギー（ｍｅＶ）であり、縦軸は、何れも整流素子２における吸収係数としている。整流素子２は、Ｃｕ2Ｆｅ1-xＧａxＯ2（ｘ＝0.035）を４．６Ｋまで冷却してプロパースクリュー磁気構造を誘起させ、いずれも時計回りのカイラリティを持たせている。この図１１（ａ）の例と図１１（ｂ）の例との間で、直線偏光の方向を９０°ずらしている。 FIG. 11 shows the measurement results of the absorption coefficient when the rectifying element 2 is irradiated with the electromagnetic wave MAB for each polarization component. The horizontal axis represents energy (meV), and the vertical axis represents the absorption coefficient in the rectifying element 2. The rectifying element 2 cools Cu 2 Fe 1-x Ga x O 2 (x = 0.035) to 4.6 K to induce a proper screw magnetic structure, and both have clockwise chirality. The direction of linearly polarized light is shifted by 90 ° between the example in FIG. 11A and the example in FIG.

これらの結果から、何れの偏光方向においても、正磁場と負磁場との間における吸収係数の差異が明確に現れている。このため、本発明では、偏光方向に依存することなく、整流素子２における透過率を変化させることが可能となることが示されている。   From these results, the difference in the absorption coefficient between the positive magnetic field and the negative magnetic field clearly appears in any polarization direction. For this reason, it is shown in the present invention that the transmittance of the rectifying element 2 can be changed without depending on the polarization direction.

１ 透過率制御デバイス
２ 整流素子
３ 電場制御部
４ 磁場制御部
７ コニカル構造
３１ 電極
３２ 電極
４１ コイル
５１ 回転面 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Transmittance control device 2 Rectifying element 3 Electric field control part 4 Magnetic field control part 7 Conical structure 31 Electrode 32 Electrode 41 Coil 51 Rotation surface

Claims (12)

プロパースクリュー磁気構造に基づくコニカル構造が誘起されている絶縁体に対して、互いに異なる伝搬方向から電磁波を伝搬させ、当該伝搬方向間で透過率を互いに異ならせること
を特徴とし、
上記コニカル構造のスピン方向、又は上記コニカル構造のスピンのカイラリティに応じて上記伝搬方向間の透過率の差分値を変化させる電磁波の透過率制御方法。 For an insulator in which a conical structure based on a proper screw magnetic structure is induced, electromagnetic waves are propagated from different propagation directions, and the transmittance is different between the propagation directions .
A method for controlling the transmittance of electromagnetic waves, wherein a difference value of transmittance between the propagation directions is changed according to a spin direction of the conical structure or a spin chirality of the conical structure . 上記コニカル構造のスピン方向の和に応じた伝搬方向で、かつ互いに１８０°異なる伝搬方向から上記絶縁体中を伝搬する電磁波の透過率を、当該伝搬方向間で互いに異ならせること
を特徴とする請求項１に記載の電磁波の透過率制御方法。 The transmittance of electromagnetic waves propagating in the insulator from a propagation direction corresponding to the sum of the spin directions of the conical structure and different from each other by 180 ° is made different between the propagation directions. Item 2. A method for controlling the transmittance of electromagnetic waves according to Item 1. Ｃｕ２Ｆｅ１−ｘＧａｘＯ２からなる絶縁体に上記コニカル構造を誘起させること
を特徴とする請求項１又は２に記載の電磁波の透過率制御方法。 Cu 2 Fe 1-x Ga x electromagnetic transmittance control method according to claim 1 or 2 O 2 consisting of an insulating body, characterized in that inducing the conical structure. 上記コニカル構造のスピン方向は、上記伝搬方向と略平行に印加する磁場に応じて、上記コニカル構造のスピンのカイラリティは、上記伝搬方向に対して略垂直に印加する電場に応じて制御することThe spin direction of the conical structure is controlled according to a magnetic field applied substantially parallel to the propagation direction, and the spin chirality of the conical structure is controlled according to an electric field applied substantially perpendicular to the propagation direction.
を特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電磁波の透過率制御方法。The electromagnetic wave transmittance control method according to any one of claims 1 to 3. プロパースクリュー磁気構造に基づくコニカル構造が誘起されている絶縁体に対して電磁波を伝搬させ、
上記コニカル構造のスピン方向、又は上記コニカル構造のスピンのカイラリティに応じて上記電磁波の透過率を変化させること
を特徴とする電磁波の透過率制御方法。 Propagation of electromagnetic waves to an insulator in which a conical structure based on the proper screw magnetic structure is induced,
An electromagnetic wave transmittance control method, wherein the electromagnetic wave transmittance is changed according to a spin direction of the conical structure or a spin chirality of the conical structure. 上記コニカル構造のスピン方向は、上記伝搬方向と略平行に印加する磁場に応じて、上記コニカル構造のスピンのカイラリティは、上記伝搬方向に対して略垂直に印加する電場に応じて制御すること
を特徴とする請求項５に記載の電磁波の透過率制御方法。 The spin direction of the conical structure is controlled according to a magnetic field applied substantially parallel to the propagation direction, and the chirality of the spin of the conical structure is controlled according to an electric field applied substantially perpendicular to the propagation direction. The electromagnetic wave transmittance control method according to claim 5, wherein: プロパースクリュー磁気構造に基づくコニカル構造が誘起されている絶縁体を備え、
互いに異なる伝搬方向から上記絶縁体に伝播させる電磁波の透過率を当該伝搬方向間で互いに異ならせること
を特徴とし、
上記絶縁体は、上記コニカル構造のスピン方向、又は上記コニカル構造のスピンのカイラリティに応じて上記伝搬方向間の透過率の差分値を変化させる電磁波の透過率制御デバイス。 With an insulator in which a conical structure based on the proper screw magnetic structure is induced,
It is characterized in that the transmittance of electromagnetic waves propagating to the insulator from different propagation directions is different between the propagation directions ,
The insulator is an electromagnetic wave transmittance control device that changes a difference value of transmittance between the propagation directions in accordance with a spin direction of the conical structure or a spin chirality of the conical structure . 上記絶縁体は、上記コニカル構造のスピン方向の和に応じた伝搬方向で、かつ互いに１８０°異なる伝搬方向から伝搬する電磁波の透過率を、当該伝搬方向間で互いに異ならせること
を特徴とする請求項７に記載の電磁波の透過率制御デバイス。 The insulator is characterized in that the transmittance of electromagnetic waves propagating in propagation directions corresponding to the sum of spin directions of the conical structure and propagating directions different from each other by 180 ° is different between the propagation directions. Item 8. The electromagnetic wave transmittance control device according to Item 7. 上記絶縁体は、Ｃｕ２Ｆｅ１−ｘＧａｘＯ２であること
を特徴とする請求項７又は８に記載の電磁波の透過率制御デバイス。 The insulator, the electromagnetic wave transmittance control device according to claim 7 or 8, characterized in that the Cu 2 Fe 1-x Ga x O 2. 上記コニカル構造のスピン方向を上記伝搬方向と略平行に印加される磁場に応じて、上記コニカル構造のスピンのカイラリティを上記伝搬方向に対して略垂直に印加される電場に応じて、制御する手段を更に備えることMeans for controlling the spin direction of the conical structure according to a magnetic field applied substantially parallel to the propagation direction, and controlling the chirality of the spin of the conical structure according to an electric field applied substantially perpendicular to the propagation direction. Further comprising
を特徴とする請求項７から９のいずれか一項に記載の電磁波の透過率制御デバイス。The electromagnetic wave transmittance control device according to any one of claims 7 to 9. プロパースクリュー磁気構造に基づくコニカル構造が誘起されている絶縁体を備え、
上記絶縁体に伝搬させる電磁波を、上記コニカル構造のスピン方向、又は上記コニカル構造のスピンのカイラリティに応じて変化させることを特徴とする電磁波の透過率制御デバイス。 With an insulator in which a conical structure based on the proper screw magnetic structure is induced,
An electromagnetic wave transmittance control device, wherein an electromagnetic wave propagated to the insulator is changed according to a spin direction of the conical structure or a spin chirality of the conical structure. 上記コニカル構造のスピン方向を上記伝搬方向と略平行に印加される磁場に応じて、上記コニカル構造のスピンのカイラリティを上記伝搬方向に対して略垂直に印加される電場に応じて、制御する手段を更に備えること
を特徴とする請求項１１に記載の電磁波の透過率制御デバイス。 Means for controlling the spin direction of the conical structure according to a magnetic field applied substantially parallel to the propagation direction, and controlling the chirality of the spin of the conical structure according to an electric field applied substantially perpendicular to the propagation direction. The electromagnetic wave transmittance control device according to claim 11, further comprising:
JP2013257354A 2013-12-12 2013-12-12 Electromagnetic wave transmittance control method, electromagnetic wave transmittance control device Expired - Fee Related JP6249439B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013257354A JP6249439B2 (en) 2013-12-12 2013-12-12 Electromagnetic wave transmittance control method, electromagnetic wave transmittance control device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013257354A JP6249439B2 (en) 2013-12-12 2013-12-12 Electromagnetic wave transmittance control method, electromagnetic wave transmittance control device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015115499A JP2015115499A (en) 2015-06-22
JP6249439B2 true JP6249439B2 (en) 2017-12-20

Family

ID=53529026

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013257354A Expired - Fee Related JP6249439B2 (en) 2013-12-12 2013-12-12 Electromagnetic wave transmittance control method, electromagnetic wave transmittance control device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6249439B2 (en)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4368666B2 (en) * 2003-11-19 2009-11-18 信越ポリマー株式会社 Method for producing composite particles
JP2005266664A (en) * 2004-03-22 2005-09-29 Mitsubishi Electric Corp Electromagnetic wave generating device
WO2007108478A1 (en) * 2006-03-20 2007-09-27 Osaka Prefectural Government Electromagnetic wave absorbing device and method for controlling electromagnetic wave absorption
JP5725212B2 (en) * 2012-02-02 2015-05-27 富士電機株式会社 Variable optical attenuator

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015115499A (en) 2015-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Garst et al. Collective spin excitations of helices and magnetic skyrmions: review and perspectives of magnonics in non-centrosymmetric magnets
US10381555B2 (en) Variable-frequency magnetoresistive effect element and oscillator, detector, and filter using the same
Kee et al. Two-dimensional tunable magnetic photonic crystals
Tacchi et al. Band diagram of spin waves in a two-dimensional magnonic crystal
He et al. Magnetically tunable double-negative material composed of ferrite-dielectric and metallic mesh
Xiao et al. Photonic Chern insulator through homogenization of an array of particles
KR101616042B1 (en) Oscillator using magnetic domain wall and method of operating the same
WO2018052062A1 (en) Magnetoresistance effect device and magnetoresistance effect module
Mahato et al. Configurational anisotropic spin waves in cross-shaped Ni80Fe20 nanoelements
Yang et al. Progress on very/ultra low frequency mechanical antennas
Chavez et al. Voltage-controlled ferromagnetic resonance of dipole-coupled Co 40 Fe 40 B 20 nanoellipses
Chen et al. Edge states in self-complementary checkerboard photonic crystals: Zak phase, surface impedance, and experimental verification
Li et al. Bending self-collimated one-way light by using gyromagnetic photonic crystals
Qian et al. Observation of flat frequency bands at open edges and antiphase boundary seams in topological mechanical metamaterials
JP6249439B2 (en) Electromagnetic wave transmittance control method, electromagnetic wave transmittance control device
Zhou et al. Ferromagnetic resonance frequency shift model of laminated magnetoelectric structure tuned by electric field
Kłos et al. All-angle collimation for spin waves
JP6511531B2 (en) Magnetoresistance effect device
Liu Novel laminated multiferroic heterostructures for reconfigurable microwave devices
Du et al. Magnetically tunable ferrite-dielectric left-handed metamaterial
WO2016193552A1 (en) Element for producing spin waves and logic component comprising such element
Wang et al. Design of reconfigurable spin-wave nanochannels based on strain-mediated multiferroic heterostructures and logic device applications
Logginov et al. Magnetoelectrics: new type of tunable materials for microwave technique and spintronics
Zhou et al. Electric-field tunable rotation of optical mode ferromagnetic resonance in FeCoB/Ru/FeCoB/PMN-PT multilayers
KR101825174B1 (en) Signal transferring device using skyrmion

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20161027

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170713

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170801

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170822

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20171024

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20171115

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6249439

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees