JP6231448B2

JP6231448B2 - Composition for forming organic semiconductor film, method for producing organic semiconductor film for non-light-emitting organic semiconductor device, organic semiconductor film for non-light-emitting organic semiconductor device, method for producing organic film transistor, and organic film transistor.

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Publication number: JP6231448B2
Application number: JP2014154286A
Authority: JP
Inventors: 雅史小柳; 野村　公篤; 公篤野村
Original assignee: Fujifilm Corp
Current assignee: Fujifilm Corp
Priority date: 2014-07-29
Filing date: 2014-07-29
Publication date: 2017-11-15
Anticipated expiration: 2034-07-29
Also published as: JP2016032047A

Description

本発明は、有機半導体膜形成用の組成物、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜、有機膜トランジスタの製造方法および有機膜トランジスタに関する。より詳しくは、本発明は、キャリア移動度が高く、有機半導体膜を形成した場合に高温での加熱アニール工程前後のキャリア移動度の下落率が小さい有機半導体膜形成用の組成物、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜、有機膜トランジスタの製造方法および有機膜トランジスタに関する。 The present invention relates to a composition for forming an organic semiconductor film, a method for producing an organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device, an organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device, a method for producing an organic film transistor, and an organic film transistor. More specifically, the present invention relates to a composition for forming an organic semiconductor film having a high carrier mobility and a small decrease in carrier mobility before and after a heat annealing step at a high temperature when an organic semiconductor film is formed. The present invention relates to a method for producing an organic semiconductor film for an organic semiconductor device, an organic semiconductor film for a non-light emitting organic semiconductor device, a method for producing an organic film transistor, and an organic film transistor.

有機半導体材料を用いたデバイスは、従来のシリコンなどの無機半導体材料を用いたデバイスと比較して、様々な優位性が見込まれているため、高い関心を集めている。有機半導体材料を用いたデバイスの例としては、有機半導体材料を光電変換材料として用いた有機膜太陽電池や固体撮像素子などの光電変換素子や、非発光性（本明細書中、「非発光性」とは、室温、大気下０．１ｍＷ／ｃｍ²の電流密度でデバイスに電流を流した場合に、１ｌｍ／Ｗ以下の発光効率のことを言う。非発光性有機半導体デバイスと言えば、有機電界発光素子などの発光性有機半導体デバイスを除く有機半導体デバイスを意味する）の有機トランジスタが挙げられる。有機半導体材料を用いたデバイスは、無機半導体材料を用いたデバイスと比べて低温、低コストで大面積の素子を作製できる可能性がある。さらに分子構造を変化させることで容易に材料特性を変化させることが可能であるため材料のバリエーションが豊富であり、無機半導体材料ではなし得なかったような機能や素子を実現することができる。 Devices using organic semiconductor materials are attracting a great deal of interest because they are expected to have various advantages over conventional devices using inorganic semiconductor materials such as silicon. Examples of a device using an organic semiconductor material include a photoelectric conversion element such as an organic film solar cell and a solid-state imaging device using the organic semiconductor material as a photoelectric conversion material, and non-light-emitting properties (in this specification, “non-light-emitting properties”). "Means a luminous efficiency of 1 lm / W or less when a current is passed through the device at room temperature and a current density of 0.1 mW / cm ^{2 in} the atmosphere. Organic transistors excluding luminescent organic semiconductor devices such as electroluminescent elements). A device using an organic semiconductor material may be capable of manufacturing a large-area element at a lower temperature and lower cost than a device using an inorganic semiconductor material. Furthermore, since the material characteristics can be easily changed by changing the molecular structure, there are a wide variety of materials, and it is possible to realize functions and elements that could not be achieved with inorganic semiconductor materials.

有機膜トランジスタ（有機薄膜トランジスタと言われることもある）は大気下塗布系のような簡便な装置で有機膜である半導体活性層が形成できることから将来の半導体技術として期待されている。半導体活性層の形成には、例えば特許文献１や２に記載されたような縮環芳香族化合物が用いられている。 An organic film transistor (sometimes referred to as an organic thin film transistor) is expected as a future semiconductor technology because a semiconductor active layer which is an organic film can be formed with a simple apparatus such as an under-air coating system. For the formation of the semiconductor active layer, for example, a condensed aromatic compound as described in Patent Documents 1 and 2 is used.

具体的には、特許文献１には、下記一般式（Ｉ）で表される化合物であって、エネルギー付与により下記一般式（Ｉａ）と（ＩＩ）で表される化合物に変換される化合物が開示されている。

ここで、特許文献１の上記一般式（Ｉ）、（Ｉａ）、（ＩＩ）中、ＸおよびＹは水素原子もしくは脱離性置換基を表し、ＸおよびＹのうち一方は脱離性置換基であり、他方は水素原子である。Ｑ２乃至Ｑ５はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子または、１価の有機基であり、Ｑ１およびＱ６は、水素原子または、脱離性置換基を除く一価の有機基であり、Ｑ１乃至Ｑ６は隣り合った基同士でそれぞれ結合して環を形成していてもよい。
このような構成により、特許文献１に記載の脱離性置換基を有する置換基脱離化合物は、高い有機溶媒溶解性を有すると記載がある。 Specifically, Patent Document 1 discloses a compound represented by the following general formula (I), which is converted into a compound represented by the following general formulas (Ia) and (II) by applying energy. It is disclosed.

Here, in the above general formulas (I), (Ia), and (II) of Patent Document 1, X and Y represent a hydrogen atom or a detachable substituent, and one of X and Y is a detachable substituent. And the other is a hydrogen atom. Q2 to Q5 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom or a monovalent organic group, Q1 and Q6 are a hydrogen atom or a monovalent organic group excluding a leaving substituent, and Q1 to Q6 May be bonded to each other between adjacent groups to form a ring.
According to such a configuration, there is a description that the substituent-elimination compound having a detachable substituent described in Patent Document 1 has high organic solvent solubility.

特許文献２には、有機溶媒、有機溶媒に溶解している第１の付加化合物、及び有機溶媒に溶解しており且つ第１の付加化合物の結晶化を抑制する結晶化抑制剤を含有している有機半導体膜形成用溶液とする。ここで、第１の付加化合物は、ジナフトチエノチオフェン等の化合物にヘキサクロロシクロペンタジエン等の二重結合を有する化合物が脱離可能に付加されてなる構造を有する。また、結晶化抑制剤は例えば、ジナフトチエノチオフェン等の化合物に二重結合を有する他の化合物が脱離可能に付加されてなる構造を有する有機半導体膜形成用溶液が記載されている。このような構成により、特許文献２によれば、蒸着法よりも一般に容易な溶液法を用いて、縮合多環芳香族化合物からなる有機半導体層の形成を可能にする新規な有機半導体膜形成用溶液を提供できると記載がある。 Patent Document 2 contains an organic solvent, a first addition compound dissolved in the organic solvent, and a crystallization inhibitor that is dissolved in the organic solvent and suppresses crystallization of the first addition compound. An organic semiconductor film forming solution is used. Here, the first addition compound has a structure in which a compound having a double bond such as hexachlorocyclopentadiene is detachably added to a compound such as dinaphthothienothiophene. In addition, as a crystallization inhibitor, for example, a solution for forming an organic semiconductor film having a structure in which another compound having a double bond is detachably added to a compound such as dinaphthothienothiophene is described. With such a configuration, according to Patent Document 2, a novel organic semiconductor film formation that enables the formation of an organic semiconductor layer made of a condensed polycyclic aromatic compound using a solution method that is generally easier than a vapor deposition method There is a description that a solution can be provided.

特開２０１２−０２０９８７号公報JP2012-020987A 特開２０１１−１５１２５７号公報JP 2011-151257 A

本発明者らが特許文献１または２に記載されている化合物を半導体活性層に用い有機膜トランジスタを形成したところ、キャリア移動度が十分ではないことがわかった。
また、有機膜トランジスタ素子の製造工程では電極を製造した後の加熱アニール工程などをはじめとして１００〜２００℃程度の熱がかかることが多い。このような状況のもと、本発明者らが特許文献１または２に記載されている化合物を半導体活性層に用い有機膜トランジスタを形成したところ、半導体活性層を製膜した後に加熱アニール工程後にキャリア移動度が大きく下落してしまう問題があることが明らかとなった。 When the present inventors formed an organic film transistor using the compound described in Patent Document 1 or 2 for the semiconductor active layer, it was found that the carrier mobility was not sufficient.
In addition, in the manufacturing process of the organic film transistor element, heat of about 100 to 200 ° C. is often applied including a heating annealing process after manufacturing the electrode. Under such circumstances, when the present inventors formed an organic film transistor using the compound described in Patent Document 1 or 2 for the semiconductor active layer, the semiconductor active layer was formed and then the heating annealing step was performed. It became clear that there was a problem that the carrier mobility dropped greatly.

そこで本発明者らは、このような従来技術の課題を解決するために、キャリア移動度が高く、半導体活性層を製膜した後に加熱アニール工程で熱処理を施した場合に、加熱アニール工程前後のキャリア移動度の下落率が小さい有機半導体膜形成用の組成物を得ることを目的として検討を進めた。本発明が解決しようとする課題は、キャリア移動度が高く、有機半導体膜を形成した場合に高温での加熱アニール工程前後のキャリア移動度の下落率が小さい有機半導体膜形成用の組成物を提供することである。 Therefore, in order to solve such problems of the prior art, the present inventors have high carrier mobility, and when the heat treatment is performed in the heat annealing process after forming the semiconductor active layer, before and after the heat annealing process. The study was carried out for the purpose of obtaining a composition for forming an organic semiconductor film having a low rate of decrease in carrier mobility. The problem to be solved by the present invention is to provide a composition for forming an organic semiconductor film having a high carrier mobility and a small decrease in the carrier mobility before and after the heat annealing step at a high temperature when the organic semiconductor film is formed. It is to be.

上記の課題を解決するために鋭意検討を行った結果、特許文献１および２に記載の脱離基を有する化合物は、脱離基が不純物となるため、半導体特性が低下するものであることがわかった。
これに対し、特定の構造を有する縮環芳香族化合物を含む組成物を成膜後に加熱した場合に、特定の構造を有する縮環芳香族化合物の少なくとも一部を別の構造の縮環芳香族化合物にＣｏｐｅ転位により変換できる半導体活性層を用いることで、Ｃｏｐｅ転位では不純物となる脱離基が発生しないため、良好な半導体特性を示す有機半導体膜を得ることができることを見出した。
このようなＣｏｐｅ転移可能な置換基を有する化合物を用いた有機半導体膜形成用の組成物は、特許文献１および２を含めてこれまで知られていなかった。
上記課題を解決するための具体的な手段である本発明は、以下の構成を有する。 As a result of intensive investigations to solve the above problems, the compounds having a leaving group described in Patent Documents 1 and 2 may have reduced semiconductor characteristics because the leaving group becomes an impurity. all right.
In contrast, when a composition containing a condensed aromatic compound having a specific structure is heated after film formation, at least a part of the condensed aromatic compound having a specific structure is converted to a condensed aromatic of another structure. It has been found that by using a semiconductor active layer that can be converted by a Cope dislocation as a compound, an leaving group that becomes an impurity is not generated by the Cope dislocation, so that an organic semiconductor film having good semiconductor characteristics can be obtained.
A composition for forming an organic semiconductor film using such a compound having a substituent capable of Cope transfer, including Patent Documents 1 and 2, has not been known so far.
The present invention, which is a specific means for solving the above problems, has the following configuration.

［１］下記一般式１で表される化合物を含有する、有機半導体膜形成用の組成物；

一般式１中、Ｔは下記一般式２で表される縮合環骨格を表し、
Ｗは下記一般式３で表される基を表し、
ｋは１〜６の整数であり、ｋが２〜６の整数である場合、複数のＷは同じであっても異なっていてもよい；

一般式２中、Ａ¹、Ｂ¹およびＣ¹はそれぞれ独立に置換基を有してもよいベンゼン環、置換基を有してもよいアゾール環、置換基を有してもよいフラン環もしくは置換基を有してもよいチオフェン環を表し；
ｋ１は１〜５の整数を表し、ｋ１が２〜５の整数である場合、複数のＢ¹は同じであっても異なっていてもよい；

一般式３中、波線部分は縮合環骨格との結合位置を表し、
Ｒ¹〜Ｒ⁷はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、チオアルキル基、シリル基、二価の置換アミノ基、カルボニル基、スルホキシド基またはスルホン基を表し、Ｒ²とＲ³は結合して芳香環を形成せず、Ｒ⁵とＲ⁷は結合して芳香環を形成せず；
ｎ１は０〜３の整数を表し、
Ｌ¹は下記一般式Ｌ−１〜Ｌ−２５のいずれかで表される２価の連結基を表す；

一般式Ｌ−１〜Ｌ−２５中、
＊はＬ¹の縮合環骨格とは逆側に隣接する炭素原子またはＬ−１〜Ｌ−２５中の波線部分との結合位置を表し、
波線部分は縮合環骨格またはＬ−１〜Ｌ−２５中の＊との結合位置を表し、
一般式Ｌ−１３におけるｍは４を表し、一般式Ｌ−１４およびＬ−１５におけるｍは３を表し、一般式Ｌ−１６〜Ｌ−２０におけるｍは２を表し、Ｌ−２２におけるｍは６を表し、
一般式Ｌ−１、Ｌ−２、Ｌ−６およびＬ−１３〜Ｌ−２４におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
Ｒ^Nは水素原子または置換基を表し、
Ｒ^siはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。
［２］［１］に記載の有機半導体膜形成用の組成物は、一般式１で表される化合物が、下記一般式４で表される化合物であることが好ましい；

一般式４中、Ａ²、Ｂ²およびＣ²はそれぞれ独立に置換基を有してもよいベンゼン環、置換基を有してもよいアゾール環、置換基を有してもよいフラン環もしくは置換基を有してもよいチオフェン環を表し；
ｋ２は１〜５の整数を表し、ｋ２が２〜５の整数である場合、複数のＢ²は同じであっても異なっていてもよい；
Ｗは下記一般式３で表される基を表す；

一般式Ｌ−１〜Ｌ−２５中、
＊はＬ¹の縮合環骨格とは逆側に隣接する炭素原子またはＬ−１〜Ｌ−２５中の波線部分との結合位置を表し、
波線部分は縮合環骨格またはＬ−１〜Ｌ−２５中の＊との結合位置を表し、
一般式Ｌ−１３におけるｍは４を表し、一般式Ｌ−１４およびＬ−１５におけるｍは３を表し、一般式Ｌ−１６〜Ｌ−２０におけるｍは２を表し、Ｌ−２２におけるｍは６を表し、
一般式Ｌ−１、Ｌ−２、Ｌ−６およびＬ−１３〜Ｌ−２４におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
Ｒ^Nは水素原子または置換基を表し、
Ｒ^siはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。
［３］［１］に記載の有機半導体膜形成用の組成物は、一般式１で表される化合物が、下記一般式５で表される化合物であることが好ましい；

一般式５中、Ａ³、Ｂ³およびＣ³はそれぞれ独立に置換基を有してもよいベンゼン環、置換基を有してもよいアゾール環、置換基を有してもよいフラン環もしくは置換基を有してもよいチオフェン環を表し；
ｋ３は１〜５の整数を表し、ｋ３が２〜５の整数である場合、複数のＢ³は同じであっても異なっていてもよい；
Ｑは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アシル基、チオアルキル基、チエニル基、シリル基、二価の置換アミノ基、カルボニル基、スルホキシド基およびスルホン基のいずれか一つで表される基を表し、
Ｗは下記一般式３で表される基を表す；

一般式Ｌ−１〜Ｌ−２５中、
＊はＬ¹の縮合環骨格とは逆側に隣接する炭素原子またはＬ−１〜Ｌ−２５中の波線部分との結合位置を表し、
波線部分は縮合環骨格またはＬ−１〜Ｌ−２５中の＊との結合位置を表し、
一般式Ｌ−１３におけるｍは４を表し、一般式Ｌ−１４およびＬ−１５におけるｍは３を表し、一般式Ｌ−１６〜Ｌ−２０におけるｍは２を表し、Ｌ−２２におけるｍは６を表し、
一般式Ｌ−１、Ｌ−２、Ｌ−６およびＬ−１３〜Ｌ−２４におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
Ｒ^Nは水素原子または置換基を表し、
Ｒ^siはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。
［４］［１］に記載の有機半導体膜形成用の組成物は、一般式１で表される化合物が、下記一般式６で表される化合物であることが好ましい；

一般式６中、Ａ⁴およびＢ⁴はそれぞれ独立に置換基を有してもよいベンゼン環、置換基を有してもよいアゾール環、置換基を有してもよいフラン環もしくは置換基を有してもよいチオフェン環であり；
ｋ４およびｋ５はそれぞれ独立に１〜３の整数を表し、ｋ４が２または３である場合、複数のＡ⁴は同じであっても異なっていてもよく、ｋ５が２または３である場合、複数のＢ⁴は同じであっても異なっていてもよい；
Ｗは下記一般式３で表される基を表す；

一般式Ｌ−１〜Ｌ−２５中、
＊はＬ¹の縮合環骨格とは逆側に隣接する炭素原子またはＬ−１〜Ｌ−２５中の波線部分との結合位置を表し、
波線部分は縮合環骨格またはＬ−１〜Ｌ−２５中の＊との結合位置を表し、
一般式Ｌ−１３におけるｍは４を表し、一般式Ｌ−１４およびＬ−１５におけるｍは３を表し、一般式Ｌ−１６〜Ｌ−２０におけるｍは２を表し、Ｌ−２２におけるｍは６を表し、
一般式Ｌ−１、Ｌ−２、Ｌ−６およびＬ−１３〜Ｌ−２４におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
Ｒ^Nは水素原子または置換基を表し、
Ｒ^siはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。
［５］［１］に記載の有機半導体膜形成用の組成物は、一般式１で表される化合物が、下記一般式７で表される化合物であることが好ましい；

一般式７中、Ａ⁵およびＢ⁵はそれぞれ独立に置換基を有してもよいベンゼン環、置換基を有してもよいアゾール環、置換基を有してもよいフラン環もしくは置換基を有してもよいチオフェン環であり；
ｋ６およびｋ７はそれぞれ独立に１〜３の整数を表し、ｋ６が２または３である場合、複数のＡ⁵は同じであっても異なっていてもよく、ｋ７が２または３である場合、複数のＢ⁵は同じであっても異なっていてもよい；
Ｑは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アシル基、チオアルキル基、チエニル基、シリル基、二価の置換アミノ基、カルボニル基、スルホキシド基およびスルホン基のいずれか一つで表される基を表し、
Ｗは下記一般式３で表される基を表す；

一般式Ｌ−１〜Ｌ−２５中、
＊はＬ¹の縮合環骨格とは逆側に隣接する炭素原子またはＬ−１〜Ｌ−２５中の波線部分との結合位置を表し、
波線部分は縮合環骨格またはＬ−１〜Ｌ−２５中の＊との結合位置を表し、
一般式Ｌ−１３におけるｍは４を表し、一般式Ｌ−１４およびＬ−１５におけるｍは３を表し、一般式Ｌ−１６〜Ｌ−２０におけるｍは２を表し、Ｌ−２２におけるｍは６を表し、
一般式Ｌ−１、Ｌ−２、Ｌ−６およびＬ−１３〜Ｌ−２４におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
Ｒ^Nは水素原子または置換基を表し、
Ｒ^siはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。
［６］［１］〜［５］のいずれか一つに記載の有機半導体膜形成用の組成物は、一般式２および４〜７中、Ａ¹、Ｂ¹およびＣ¹のいずれか一つ、Ａ²、Ｂ²およびＣ²のいずれか一つ、Ａ³、Ｂ³およびＣ³のいずれか一つ、Ａ⁴およびＢ⁴のいずれか一つ、あるいは、Ａ⁵およびＢ⁵のいずれか一つが、チオフェン環を含むことが好ましい。
［７］［１］〜［６］のいずれか一つに記載の有機半導体膜形成用の組成物は、一般式３中、Ｒ¹〜Ｒ³およびＲ⁵〜Ｒ⁷がすべて水素原子であり、Ｒ⁴が水素原子またはアルキル基であることが好ましい。
［８］［１］〜［７］のいずれか一つに記載の有機半導体膜形成用の組成物は、さらに有機溶媒を含有することが好ましい。
［９］［８］に記載の有機半導体膜形成用の組成物は、有機溶媒が、芳香族炭化水素系溶媒、ハロゲン化炭化水素系溶媒、ケトン系溶媒またはエーテル系溶媒であることが好ましい。
［１０］［１］〜［９］のいずれか一つに記載の有機半導体膜形成用の組成物は、さらにポリマーバインダーを含有することが好ましい。
［１１］下記一般式１１で表される化合物を含む、有機半導体膜形成用の組成物；

一般式１１中、Ｔは下記一般式２で表される縮合環骨格を表し、
Ｘは下記一般式１３で表される基を表し、
ｋは１〜６の整数であり、ｋが２〜６の整数である場合、複数のＸは同じであっても異なっていてもよい；

一般式１３中、波線部分は縮合環骨格との結合位置を表し、
Ｒ¹〜Ｒ⁷はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、チオアルキル基、シリル基、二価の置換アミノ基、カルボニル基、スルホキシド基またはスルホン基を表し、Ｒ²とＲ³は結合して芳香環を形成せず、Ｒ⁵とＲ⁷は結合して芳香環を形成せず；
ｎ１は０〜３の整数を表し、
Ｌ¹は下記一般式Ｌ−１〜Ｌ−２５のいずれかで表される２価の連結基を表す；

一般式Ｌ−１〜Ｌ−２５中、
＊はＬ¹の縮合環骨格とは逆側に隣接する炭素原子またはＬ−１〜Ｌ−２５中の波線部分との結合位置を表し、
波線部分は縮合環骨格またはＬ−１〜Ｌ−２５中の＊との結合位置を表し、
一般式Ｌ−１３におけるｍは４を表し、一般式Ｌ−１４およびＬ−１５におけるｍは３を表し、一般式Ｌ−１６〜Ｌ−２０におけるｍは２を表し、Ｌ−２２におけるｍは６を表し、
一般式Ｌ−１、Ｌ−２、Ｌ−６およびＬ−１３〜Ｌ−２４におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
Ｒ^Nは水素原子または置換基を表し、
Ｒ^siはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。
［１２］［１１］に記載の有機半導体膜形成用の組成物は、一般式１１で表される化合物が、下記一般式１４で表される化合物であることが好ましい；

一般式１４中、Ａ²、Ｂ²およびＣ²はそれぞれ独立に置換基を有してもよいベンゼン環、置換基を有してもよいアゾール環、置換基を有してもよいフラン環もしくは置換基を有してもよいチオフェン環を表し；
ｋ２は１〜５の整数を表し、ｋ２が２〜５の整数である場合、複数のＢ²は同じであっても異なっていてもよい；
Ｘは下記一般式１３で表される基を表す；

一般式Ｌ−１〜Ｌ−２５中、
＊はＬ¹の縮合環骨格とは逆側に隣接する炭素原子またはＬ−１〜Ｌ−２５中の波線部分との結合位置を表し、
波線部分は縮合環骨格またはＬ−１〜Ｌ−２５中の＊との結合位置を表し、
一般式Ｌ−１３におけるｍは４を表し、一般式Ｌ−１４およびＬ−１５におけるｍは３を表し、一般式Ｌ−１６〜Ｌ−２０におけるｍは２を表し、Ｌ−２２におけるｍは６を表し、
一般式Ｌ−１、Ｌ−２、Ｌ−６およびＬ−１３〜Ｌ−２４におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
Ｒ^Nは水素原子または置換基を表し、
Ｒ^siはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。
［１３］［１１］に記載の有機半導体膜形成用の組成物は、一般式１１で表される化合物が、下記一般式１５で表される化合物であることが好ましい；

一般式１５中、Ａ³、Ｂ³およびＣ³はそれぞれ独立に置換基を有してもよいベンゼン環、置換基を有してもよいアゾール環、置換基を有してもよいフラン環もしくは置換基を有してもよいチオフェン環を表し；
ｋ３は１〜５の整数を表し、ｋ３が２〜５の整数である場合、複数のＢ³は同じであっても異なっていてもよい；
Ｑは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アシル基、チオアルキル基、チエニル基、シリル基、二価の置換アミノ基、カルボニル基、スルホキシド基およびスルホン基のいずれか一つで表される基を表し、
Ｘは下記一般式１３で表される基を表す；

一般式Ｌ−１〜Ｌ−２５中、
＊はＬ¹の縮合環骨格とは逆側に隣接する炭素原子またはＬ−１〜Ｌ−２５中の波線部分との結合位置を表し、
波線部分は縮合環骨格またはＬ−１〜Ｌ−２５中の＊との結合位置を表し、
一般式Ｌ−１３におけるｍは４を表し、一般式Ｌ−１４およびＬ−１５におけるｍは３を表し、一般式Ｌ−１６〜Ｌ−２０におけるｍは２を表し、Ｌ−２２におけるｍは６を表し、
一般式Ｌ−１、Ｌ−２、Ｌ−６およびＬ−１３〜Ｌ−２４におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
Ｒ^Nは水素原子または置換基を表し、
Ｒ^siはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。
［１４］［１１］に記載の有機半導体膜形成用の組成物は、一般式１１で表される化合物が、下記一般式１６で表される化合物であることが好ましい；

一般式１６中、Ａ⁴およびＢ⁴はそれぞれ独立に置換基を有してもよいベンゼン環、置換基を有してもよいアゾール環、置換基を有してもよいフラン環もしくは置換基を有してもよいチオフェン環であり；
ｋ４およびｋ５はそれぞれ独立に１〜３の整数を表し、ｋ４が２または３である場合、複数のＡ⁴は同じであっても異なっていてもよく、ｋ５が２または３である場合、複数のＢ⁴は同じであっても異なっていてもよい；
Ｘは下記一般式１３で表される基を表す；

一般式Ｌ−１〜Ｌ−２５中、
＊はＬ¹の縮合環骨格とは逆側に隣接する炭素原子またはＬ−１〜Ｌ−２５中の波線部分との結合位置を表し、
波線部分は縮合環骨格またはＬ−１〜Ｌ−２５中の＊との結合位置を表し、
一般式Ｌ−１３におけるｍは４を表し、一般式Ｌ−１４およびＬ−１５におけるｍは３を表し、一般式Ｌ−１６〜Ｌ−２０におけるｍは２を表し、Ｌ−２２におけるｍは６を表し、
一般式Ｌ−１、Ｌ−２、Ｌ−６およびＬ−１３〜Ｌ−２４におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
Ｒ^Nは水素原子または置換基を表し、
Ｒ^siはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。
［１５］［１１］に記載の有機半導体膜形成用の組成物は、一般式１１で表される化合物が、下記一般式１７で表される化合物であることが好ましい；

一般式１７中、Ａ⁵およびＢ⁵はそれぞれ独立に置換基を有してもよいベンゼン環、置換基を有してもよいアゾール環、置換基を有してもよいフラン環もしくは置換基を有してもよいチオフェン環であり；
ｋ６およびｋ７はそれぞれ独立に１〜３の整数を表し、ｋ６が２または３である場合、複数のＡ⁵は同じであっても異なっていてもよく、ｋ７が２または３である場合、複数のＢ⁵は同じであっても異なっていてもよい；
Ｑは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アシル基、チオアルキル基、チエニル基、シリル基、二価の置換アミノ基、カルボニル基、スルホキシド基およびスルホン基のいずれか一つで表される基を表し、
Ｘは下記一般式１３で表される基を表す；

一般式Ｌ−１〜Ｌ−２５中、
＊はＬ¹の縮合環骨格とは逆側に隣接する炭素原子またはＬ−１〜Ｌ−２５中の波線部分との結合位置を表し、
波線部分は縮合環骨格またはＬ−１〜Ｌ−２５中の＊との結合位置を表し、
一般式Ｌ−１３におけるｍは４を表し、一般式Ｌ−１４およびＬ−１５におけるｍは３を表し、一般式Ｌ−１６〜Ｌ−２０におけるｍは２を表し、Ｌ−２２におけるｍは６を表し、
一般式Ｌ−１、Ｌ−２、Ｌ−６およびＬ−１３〜Ｌ−２４におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
Ｒ^Nは水素原子または置換基を表し、
Ｒ^siはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。
［１６］［１１］〜［１５］のいずれか一つに記載の有機半導体膜形成用の組成物は、一般式２および１４〜１７中、Ａ¹、Ｂ¹およびＣ¹のいずれか一つ、Ａ²、Ｂ²およびＣ²のいずれか一つ、Ａ³、Ｂ³およびＣ³のいずれか一つ、Ａ⁴およびＢ⁴のいずれか一つ、あるいは、Ａ⁵およびＢ⁵のいずれか一つが、チオフェン環を含むことが好ましい。
［１７］［１１］〜［１６］のいずれか一つに記載の有機半導体膜形成用の組成物は、一般式１３中、Ｒ¹〜Ｒ³およびＲ⁵〜Ｒ⁷がすべて水素原子であり、Ｒ⁴が水素原子またはアルキル基であることが好ましい。
［１８］［１１］〜［１７］のいずれか一つに記載の有機半導体膜形成用の組成物は、さらに有機溶媒を含有することが好ましい。
［１９］［１８］に記載の有機半導体膜形成用の組成物は、有機溶媒が、芳香族炭化水素系溶媒、ハロゲン化炭化水素系溶媒、ケトン系溶媒またはエーテル系溶媒であることが好ましい。
［２０］［１１］〜［１９］のいずれか一つに記載の有機半導体膜形成用の組成物は、さらにポリマーバインダーを含有することが好ましい。
［２１］［１１］〜［２０］のいずれか一つに記載の有機半導体膜形成用の組成物は、さらに［１］〜［１０］のいずれか一つに記載の有機半導体膜形成用の組成物を含むことが好ましい。
［２２］［１］〜［１０］および［２１］のいずれか一つに記載の有機半導体膜形成用の組成物を成膜する工程と、
有機半導体膜形成用の組成物に対して外部刺激を与えて、前駆体である一般式１で表される化合物の少なくとも一部が下記一般式１１で表される化合物に変換された半導体活性層を形成する工程を含む、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法；

一般式Ｌ−１〜Ｌ−２５中、
＊はＬ¹の縮合環骨格とは逆側に隣接する炭素原子またはＬ−１〜Ｌ−２５中の波線部分との結合位置を表し、
波線部分は縮合環骨格またはＬ−１〜Ｌ−２５中の＊との結合位置を表し、
一般式Ｌ−１３におけるｍは４を表し、一般式Ｌ−１４およびＬ−１５におけるｍは３を表し、一般式Ｌ−１６〜Ｌ−２０におけるｍは２を表し、Ｌ−２２におけるｍは６を表し、
一般式Ｌ−１、Ｌ−２、Ｌ−６およびＬ−１３〜Ｌ−２４におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
Ｒ^Nは水素原子または置換基を表し、
Ｒ^siはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。
［２３］［２２］に記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法は、外部刺激が、１００℃以上の加熱であることが好ましい。
［２４］［２２］または［２３］に記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法は、有機半導体膜形成用の組成物を成膜する工程が、溶液塗布法による成膜であることが好ましい。
［２５］［２２］〜［２４］のいずれか一つに記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法は、一般式１１で表される化合物が、下記一般式１４で表される化合物であることが好ましい；

一般式Ｌ−１〜Ｌ−２５中、
＊はＬ¹の縮合環骨格とは逆側に隣接する炭素原子またはＬ−１〜Ｌ−２５中の波線部分との結合位置を表し、
波線部分は縮合環骨格またはＬ−１〜Ｌ−２５中の＊との結合位置を表し、
一般式Ｌ−１３におけるｍは４を表し、一般式Ｌ−１４およびＬ−１５におけるｍは３を表し、一般式Ｌ−１６〜Ｌ−２０におけるｍは２を表し、Ｌ−２２におけるｍは６を表し、
一般式Ｌ−１、Ｌ−２、Ｌ−６およびＬ−１３〜Ｌ−２４におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
Ｒ^Nは水素原子または置換基を表し、
Ｒ^siはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。
［２６］［２２］〜［２４］のいずれか一つに記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法は、一般式１１で表される化合物が、下記一般式１５で表される化合物であることが好ましい；

一般式Ｌ−１〜Ｌ−２５中、
＊はＬ¹の縮合環骨格とは逆側に隣接する炭素原子またはＬ−１〜Ｌ−２５中の波線部分との結合位置を表し、
波線部分は縮合環骨格またはＬ−１〜Ｌ−２５中の＊との結合位置を表し、
一般式Ｌ−１３におけるｍは４を表し、一般式Ｌ−１４およびＬ−１５におけるｍは３を表し、一般式Ｌ−１６〜Ｌ−２０におけるｍは２を表し、Ｌ−２２におけるｍは６を表し、
一般式Ｌ−１、Ｌ−２、Ｌ−６およびＬ−１３〜Ｌ−２４におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
Ｒ^Nは水素原子または置換基を表し、
Ｒ^siはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。
［２７］［２２］〜［２４］のいずれか一つに記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法は、一般式１１で表される化合物が、下記一般式１６で表される化合物であることが好ましい；

一般式Ｌ−１〜Ｌ−２５中、
＊はＬ¹の縮合環骨格とは逆側に隣接する炭素原子またはＬ−１〜Ｌ−２５中の波線部分との結合位置を表し、
波線部分は縮合環骨格またはＬ−１〜Ｌ−２５中の＊との結合位置を表し、
一般式Ｌ−１３におけるｍは４を表し、一般式Ｌ−１４およびＬ−１５におけるｍは３を表し、一般式Ｌ−１６〜Ｌ−２０におけるｍは２を表し、Ｌ−２２におけるｍは６を表し、
一般式Ｌ−１、Ｌ−２、Ｌ−６およびＬ−１３〜Ｌ−２４におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
Ｒ^Nは水素原子または置換基を表し、
Ｒ^siはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。
［２８］［２２］〜［２４］のいずれか一つに記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法は、一般式１１で表される化合物が、下記一般式１７で表される化合物であることが好ましい；

一般式Ｌ−１〜Ｌ−２５中、
＊はＬ¹の縮合環骨格とは逆側に隣接する炭素原子またはＬ−１〜Ｌ−２５中の波線部分との結合位置を表し、
波線部分は縮合環骨格またはＬ−１〜Ｌ−２５中の＊との結合位置を表し、
一般式Ｌ−１３におけるｍは４を表し、一般式Ｌ−１４およびＬ−１５におけるｍは３を表し、一般式Ｌ−１６〜Ｌ−２０におけるｍは２を表し、Ｌ−２２におけるｍは６を表し、
一般式Ｌ−１、Ｌ−２、Ｌ−６およびＬ−１３〜Ｌ−２４におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
Ｒ^Nは水素原子または置換基を表し、
Ｒ^siはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。
［２９］［２２］〜［２８］のいずれか一つに記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法は、一般式２および１４〜１７中、Ａ¹、Ｂ¹およびＣ¹のいずれか一つ、Ａ²、Ｂ²およびＣ²のいずれか一つ、Ａ³、Ｂ³およびＣ³のいずれか一つ、Ａ⁴およびＢ⁴のいずれか一つ、あるいは、Ａ⁵およびＢ⁵のいずれか一つが、チオフェン環を含むことが好ましい。
［３０］［２２］〜［２９］のいずれか一つに記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法は、一般式１３中、Ｒ¹〜Ｒ³およびＲ⁵〜Ｒ⁷がすべて水素原子であり、Ｒ⁴が水素原子またはアルキル基であることが好ましい。
［３１］［２２］〜［３０］のいずれか一つに記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法で製造された、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜。
［３２］［１１］〜［２１］のいずれか一つに記載の有機半導体膜形成用の組成物を含有する非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜。
［３３］［２１］に記載の有機半導体膜形成用の組成物を含有する非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜。
［３４］［３１］または［３３］に記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜は、一般式１で表される化合物の含有量が、一般式１１で表される化合物の含有量に対して、０．０１〜５０質量％であることが好ましい。
［３５］［２２］〜［３０］のいずれか一つに記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法を含み、
有機膜トランジスタの半導体活性層として、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜を用いる、有機膜トランジスタの製造方法。
［３６］［３５］に記載の有機膜トランジスタの製造方法で製造された、有機膜トランジスタ。
［３７］有機膜トランジスタの半導体活性層として、［３１］〜［３４］のいずれか一つに記載の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜を有する、有機膜トランジスタ。 [1] A composition for forming an organic semiconductor film containing a compound represented by the following general formula 1;

In general formula 1, T represents a condensed ring skeleton represented by the following general formula 2,
W represents a group represented by the following general formula 3,
k is an integer of 1-6, and when k is an integer of 2-6, the plurality of Ws may be the same or different;

In general formula 2, A ¹ , B ¹ And C ¹ Each independently represents a benzene ring which may have a substituent, an azole ring which may have a substituent, a furan ring which may have a substituent or a thiophene ring which may have a substituent;
k1 represents an integer of 1 to 5, and when k1 is an integer of 2 to 5, ¹ May be the same or different;

In general formula 3, the wavy line represents the bonding position with the fused ring skeleton,
R ¹ ~ R ⁷ Each independently represents a hydrogen atom, alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aryl group, heteroaryl group, alkoxy group, thioalkyl group, silyl group, divalent substituted amino group, carbonyl group, sulfoxide group or sulfone group, R ² And R ^Three Are not bonded to form an aromatic ring, R ^Five And R ⁷ Do not combine to form an aromatic ring;
n1 represents an integer of 0 to 3,
L ¹ Represents a divalent linking group represented by any of the following general formulas L-1 to L-25;

In general formulas L-1 to L-25,
* Indicates L ¹ Represents the bonding position with the carbon atom adjacent to the opposite side to the fused ring skeleton of or the wavy portion in L-1 to L-25,
A wavy line part represents a bonding position with a condensed ring skeleton or * in L-1 to L-25,
M in General Formula L-13 represents 4, m in General Formulas L-14 and L-15 represents 3, m in General Formulas L-16 to L-20 represents 2, and m in L-22 represents 6
R ′ in general formulas L-1, L-2, L-6 and L-13 to L-24 each independently represents a hydrogen atom or a substituent,
R ^N Represents a hydrogen atom or a substituent,
R ^si Each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group or an alkynyl group.
[2] In the composition for forming an organic semiconductor film according to [1], the compound represented by the general formula 1 is preferably a compound represented by the following general formula 4;

In general formula 4, A ² , B ² And C ² Each independently represents a benzene ring which may have a substituent, an azole ring which may have a substituent, a furan ring which may have a substituent or a thiophene ring which may have a substituent;
k2 represents an integer of 1 to 5, and when k2 is an integer of 2 to 5, ² May be the same or different;
W represents a group represented by the following general formula 3;

In general formulas L-1 to L-25,
* Indicates L ¹ Represents the bonding position with the carbon atom adjacent to the opposite side to the fused ring skeleton of or the wavy portion in L-1 to L-25,
A wavy line part represents a bonding position with a condensed ring skeleton or * in L-1 to L-25,
M in General Formula L-13 represents 4, m in General Formulas L-14 and L-15 represents 3, m in General Formulas L-16 to L-20 represents 2, and m in L-22 represents 6
R ′ in general formulas L-1, L-2, L-6 and L-13 to L-24 each independently represents a hydrogen atom or a substituent,
R ^N Represents a hydrogen atom or a substituent,
R ^si Each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group or an alkynyl group.
[3] In the composition for forming an organic semiconductor film according to [1], the compound represented by the general formula 1 is preferably a compound represented by the following general formula 5;

In general formula 5, A ^Three , B ^Three And C ^Three Each independently represents a benzene ring which may have a substituent, an azole ring which may have a substituent, a furan ring which may have a substituent or a thiophene ring which may have a substituent;
k3 represents an integer of 1 to 5, and when k3 is an integer of 2 to 5, ^Three May be the same or different;
Q is a hydrogen atom, alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aryl group, heteroaryl group, alkoxy group, acyl group, thioalkyl group, thienyl group, silyl group, divalent substituted amino group, carbonyl group, sulfoxide group and sulfone. Represents a group represented by any one of the groups,
W represents a group represented by the following general formula 3;

In general formulas L-1 to L-25,
* Indicates L ¹ Represents the bonding position with the carbon atom adjacent to the opposite side to the fused ring skeleton of or the wavy portion in L-1 to L-25,
A wavy line part represents a bonding position with a condensed ring skeleton or * in L-1 to L-25,
M in General Formula L-13 represents 4, m in General Formulas L-14 and L-15 represents 3, m in General Formulas L-16 to L-20 represents 2, and m in L-22 represents 6
R ′ in general formulas L-1, L-2, L-6 and L-13 to L-24 each independently represents a hydrogen atom or a substituent,
R ^N Represents a hydrogen atom or a substituent,
R ^si Each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group or an alkynyl group.
[4] In the composition for forming an organic semiconductor film according to [1], the compound represented by General Formula 1 is preferably a compound represented by General Formula 6 below;

In general formula 6, A ^Four And B ^Four Are each independently a benzene ring which may have a substituent, an azole ring which may have a substituent, a furan ring which may have a substituent or a thiophene ring which may have a substituent;
k4 and k5 each independently represent an integer of 1 to 3, and when k4 is 2 or 3, a plurality of A ^Four May be the same or different, and when k5 is 2 or 3, a plurality of B ^Four May be the same or different;
W represents a group represented by the following general formula 3;

In general formulas L-1 to L-25,
* Indicates L ¹ Represents the bonding position with the carbon atom adjacent to the opposite side to the fused ring skeleton of or the wavy portion in L-1 to L-25,
A wavy line part represents a bonding position with a condensed ring skeleton or * in L-1 to L-25,
M in General Formula L-13 represents 4, m in General Formulas L-14 and L-15 represents 3, m in General Formulas L-16 to L-20 represents 2, and m in L-22 represents 6
R ′ in general formulas L-1, L-2, L-6 and L-13 to L-24 each independently represents a hydrogen atom or a substituent,
R ^N Represents a hydrogen atom or a substituent,
R ^si Each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group or an alkynyl group.
[5] In the composition for forming an organic semiconductor film according to [1], the compound represented by the general formula 1 is preferably a compound represented by the following general formula 7;

In general formula 7, A ^Five And B ^Five Are each independently a benzene ring which may have a substituent, an azole ring which may have a substituent, a furan ring which may have a substituent or a thiophene ring which may have a substituent;
k6 and k7 each independently represent an integer of 1 to 3, and when k6 is 2 or 3, a plurality of A ^Five May be the same or different, and when k7 is 2 or 3, a plurality of B ^Five May be the same or different;
Q is a hydrogen atom, alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aryl group, heteroaryl group, alkoxy group, acyl group, thioalkyl group, thienyl group, silyl group, divalent substituted amino group, carbonyl group, sulfoxide group and sulfone. Represents a group represented by any one of the groups,
W represents a group represented by the following general formula 3;

In general formulas L-1 to L-25,
* Indicates L ¹ Represents the bonding position with the carbon atom adjacent to the opposite side to the fused ring skeleton of or the wavy portion in L-1 to L-25,
A wavy line part represents a bonding position with a condensed ring skeleton or * in L-1 to L-25,
M in General Formula L-13 represents 4, m in General Formulas L-14 and L-15 represents 3, m in General Formulas L-16 to L-20 represents 2, and m in L-22 represents 6
R ′ in general formulas L-1, L-2, L-6 and L-13 to L-24 each independently represents a hydrogen atom or a substituent,
R ^N Represents a hydrogen atom or a substituent,
R ^si Each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group or an alkynyl group.
[6] The composition for forming an organic semiconductor film according to any one of [1] to [5] is represented by General Formulas 2 and 4 to 7: ¹ , B ¹ And C ¹ Any one of A ² , B ² And C ² Any one of A ^Three , B ^Three And C ^Three Any one of A ^Four And B ^Four One of these, or A ^Five And B ^Five It is preferable that any one of includes a thiophene ring.
[7] The composition for forming an organic semiconductor film according to any one of [1] to [6], wherein R ¹ ~ R ^Three And R ^Five ~ R ⁷ Are all hydrogen atoms and R ^Four Is preferably a hydrogen atom or an alkyl group.
[8] The composition for forming an organic semiconductor film according to any one of [1] to [7] preferably further contains an organic solvent.
[9] In the composition for forming an organic semiconductor film according to [8], the organic solvent is preferably an aromatic hydrocarbon solvent, a halogenated hydrocarbon solvent, a ketone solvent or an ether solvent.
[10] The composition for forming an organic semiconductor film according to any one of [1] to [9] preferably further contains a polymer binder.
[11] A composition for forming an organic semiconductor film, comprising a compound represented by the following general formula 11;

In general formula 11, T represents a condensed ring skeleton represented by the following general formula 2,
X represents a group represented by the following general formula 13,
k is an integer of 1 to 6, and when k is an integer of 2 to 6, a plurality of X may be the same or different;

In general formula 13, the wavy line represents the bonding position with the fused ring skeleton,
R ¹ ~ R ⁷ Each independently represents a hydrogen atom, alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aryl group, heteroaryl group, alkoxy group, thioalkyl group, silyl group, divalent substituted amino group, carbonyl group, sulfoxide group or sulfone group, R ² And R ^Three Are not bonded to form an aromatic ring, R ^Five And R ⁷ Do not combine to form an aromatic ring;
n1 represents an integer of 0 to 3,
L ¹ Represents a divalent linking group represented by any of the following general formulas L-1 to L-25;

In general formulas L-1 to L-25,
* Indicates L ¹ Represents the bonding position with the carbon atom adjacent to the opposite side to the fused ring skeleton of or the wavy portion in L-1 to L-25,
A wavy line part represents a bonding position with a condensed ring skeleton or * in L-1 to L-25,
M in General Formula L-13 represents 4, m in General Formulas L-14 and L-15 represents 3, m in General Formulas L-16 to L-20 represents 2, and m in L-22 represents 6
R ′ in general formulas L-1, L-2, L-6 and L-13 to L-24 each independently represents a hydrogen atom or a substituent,
R ^N Represents a hydrogen atom or a substituent,
R ^si Each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group or an alkynyl group.
[12] In the composition for forming an organic semiconductor film according to [11], the compound represented by the general formula 11 is preferably a compound represented by the following general formula 14;

In general formula 14, A ² , B ² And C ² Each independently represents a benzene ring which may have a substituent, an azole ring which may have a substituent, a furan ring which may have a substituent or a thiophene ring which may have a substituent;
k2 represents an integer of 1 to 5, and when k2 is an integer of 2 to 5, ² May be the same or different;
X represents a group represented by the following general formula 13;

In general formulas L-1 to L-25,
* Indicates L ¹ Represents the bonding position with the carbon atom adjacent to the opposite side to the fused ring skeleton of or the wavy portion in L-1 to L-25,
A wavy line part represents a bonding position with a condensed ring skeleton or * in L-1 to L-25,
M in General Formula L-13 represents 4, m in General Formulas L-14 and L-15 represents 3, m in General Formulas L-16 to L-20 represents 2, and m in L-22 represents 6
R ′ in general formulas L-1, L-2, L-6 and L-13 to L-24 each independently represents a hydrogen atom or a substituent,
R ^N Represents a hydrogen atom or a substituent,
R ^si Each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group or an alkynyl group.
[13] In the composition for forming an organic semiconductor film according to [11], the compound represented by General Formula 11 is preferably a compound represented by General Formula 15 below;

In general formula 15, A ^Three , B ^Three And C ^Three Each independently represents a benzene ring which may have a substituent, an azole ring which may have a substituent, a furan ring which may have a substituent or a thiophene ring which may have a substituent;
k3 represents an integer of 1 to 5, and when k3 is an integer of 2 to 5, ^Three May be the same or different;
Q is a hydrogen atom, alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aryl group, heteroaryl group, alkoxy group, acyl group, thioalkyl group, thienyl group, silyl group, divalent substituted amino group, carbonyl group, sulfoxide group and sulfone. Represents a group represented by any one of the groups,
X represents a group represented by the following general formula 13;

In general formulas L-1 to L-25,
* Indicates L ¹ Represents the bonding position with the carbon atom adjacent to the opposite side to the fused ring skeleton of or the wavy portion in L-1 to L-25,
A wavy line part represents a bonding position with a condensed ring skeleton or * in L-1 to L-25,
M in General Formula L-13 represents 4, m in General Formulas L-14 and L-15 represents 3, m in General Formulas L-16 to L-20 represents 2, and m in L-22 represents 6
R ′ in general formulas L-1, L-2, L-6 and L-13 to L-24 each independently represents a hydrogen atom or a substituent,
R ^N Represents a hydrogen atom or a substituent,
R ^si Each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group or an alkynyl group.
[14] In the composition for forming an organic semiconductor film according to [11], the compound represented by the general formula 11 is preferably a compound represented by the following general formula 16;

In general formula 16, A ^Four And B ^Four Are each independently a benzene ring which may have a substituent, an azole ring which may have a substituent, a furan ring which may have a substituent or a thiophene ring which may have a substituent;
k4 and k5 each independently represent an integer of 1 to 3, and when k4 is 2 or 3, a plurality of A ^Four May be the same or different, and when k5 is 2 or 3, a plurality of B ^Four May be the same or different;
X represents a group represented by the following general formula 13;

In general formulas L-1 to L-25,
* Indicates L ¹ Represents the bonding position with the carbon atom adjacent to the opposite side to the fused ring skeleton of or the wavy portion in L-1 to L-25,
A wavy line part represents a bonding position with a condensed ring skeleton or * in L-1 to L-25,
M in General Formula L-13 represents 4, m in General Formulas L-14 and L-15 represents 3, m in General Formulas L-16 to L-20 represents 2, and m in L-22 represents 6
R ′ in general formulas L-1, L-2, L-6 and L-13 to L-24 each independently represents a hydrogen atom or a substituent,
R ^N Represents a hydrogen atom or a substituent,
R ^si Each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group or an alkynyl group.
[15] In the composition for forming an organic semiconductor film according to [11], the compound represented by the general formula 11 is preferably a compound represented by the following general formula 17;

In general formula 17, A ^Five And B ^Five Are each independently a benzene ring which may have a substituent, an azole ring which may have a substituent, a furan ring which may have a substituent or a thiophene ring which may have a substituent;
k6 and k7 each independently represent an integer of 1 to 3, and when k6 is 2 or 3, a plurality of A ^Five May be the same or different, and when k7 is 2 or 3, a plurality of B ^Five May be the same or different;
Q is a hydrogen atom, alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aryl group, heteroaryl group, alkoxy group, acyl group, thioalkyl group, thienyl group, silyl group, divalent substituted amino group, carbonyl group, sulfoxide group and sulfone. Represents a group represented by any one of the groups,
X represents a group represented by the following general formula 13;

In general formulas L-1 to L-25,
* Indicates L ¹ Represents the bonding position with the carbon atom adjacent to the opposite side to the fused ring skeleton of or the wavy portion in L-1 to L-25,
A wavy line part represents a bonding position with a condensed ring skeleton or * in L-1 to L-25,
M in General Formula L-13 represents 4, m in General Formulas L-14 and L-15 represents 3, m in General Formulas L-16 to L-20 represents 2, and m in L-22 represents 6
R ′ in general formulas L-1, L-2, L-6 and L-13 to L-24 each independently represents a hydrogen atom or a substituent,
R ^N Represents a hydrogen atom or a substituent,
R ^si Each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group or an alkynyl group.
[16] The composition for forming an organic semiconductor film according to any one of [11] to [15] is represented by General Formula 2 and 14-17, wherein A ¹ , B ¹ And C ¹ Any one of A ² , B ² And C ² Any one of A ^Three , B ^Three And C ^Three Any one of A ^Four And B ^Four One of these, or A ^Five And B ^Five It is preferable that any one of includes a thiophene ring.
[17] The composition for forming an organic semiconductor film according to any one of [11] to [16] is represented by the formula R: ¹ ~ R ^Three And R ^Five ~ R ⁷ Are all hydrogen atoms and R ^Four Is preferably a hydrogen atom or an alkyl group.
[18] The composition for forming an organic semiconductor film according to any one of [11] to [17] preferably further contains an organic solvent.
[19] In the composition for forming an organic semiconductor film according to [18], the organic solvent is preferably an aromatic hydrocarbon solvent, a halogenated hydrocarbon solvent, a ketone solvent or an ether solvent.
[20] The composition for forming an organic semiconductor film according to any one of [11] to [19] preferably further contains a polymer binder.
[21] The composition for forming an organic semiconductor film according to any one of [11] to [20] is further provided for forming an organic semiconductor film according to any one of [1] to [10]. It is preferred to include a composition.
[22] A step of forming the organic semiconductor film forming composition according to any one of [1] to [10] and [21],
A semiconductor active layer obtained by applying an external stimulus to the composition for forming an organic semiconductor film and converting at least a part of the compound represented by the general formula 1 as a precursor into a compound represented by the following general formula 11 A method for producing an organic semiconductor film for a non-light-emitting organic semiconductor device, comprising the step of:

In general formulas L-1 to L-25,
* Indicates L ¹ Represents the bonding position with the carbon atom adjacent to the opposite side to the fused ring skeleton of or the wavy portion in L-1 to L-25,
A wavy line part represents a bonding position with a condensed ring skeleton or * in L-1 to L-25,
M in General Formula L-13 represents 4, m in General Formulas L-14 and L-15 represents 3, m in General Formulas L-16 to L-20 represents 2, and m in L-22 represents 6
R ′ in general formulas L-1, L-2, L-6 and L-13 to L-24 each independently represents a hydrogen atom or a substituent,
R ^N Represents a hydrogen atom or a substituent,
R ^si Each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group or an alkynyl group.
[23] In the method for producing an organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device according to [22], the external stimulus is preferably heating at 100 ° C. or higher.
[24] In the method for producing an organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device according to [22] or [23], the step of forming the composition for forming an organic semiconductor film is a film formation by a solution coating method. Preferably there is.
[25] In the method for producing an organic semiconductor film for a non-light-emitting organic semiconductor device according to any one of [22] to [24], the compound represented by the general formula 11 is represented by the following general formula 14: Are preferred compounds;

In general formulas L-1 to L-25,
* Indicates L ¹ Represents the bonding position with the carbon atom adjacent to the opposite side to the fused ring skeleton of or the wavy portion in L-1 to L-25,
A wavy line part represents a bonding position with a condensed ring skeleton or * in L-1 to L-25,
M in General Formula L-13 represents 4, m in General Formulas L-14 and L-15 represents 3, m in General Formulas L-16 to L-20 represents 2, and m in L-22 represents 6
R ′ in general formulas L-1, L-2, L-6 and L-13 to L-24 each independently represents a hydrogen atom or a substituent,
R ^N Represents a hydrogen atom or a substituent,
R ^si Each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group or an alkynyl group.
[26] In the method for producing an organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device according to any one of [22] to [24], the compound represented by the general formula 11 is represented by the following general formula 15. Are preferred compounds;

In general formulas L-1 to L-25,
* Indicates L ¹ Represents the bonding position with the carbon atom adjacent to the opposite side to the fused ring skeleton of or the wavy portion in L-1 to L-25,
A wavy line part represents a bonding position with a condensed ring skeleton or * in L-1 to L-25,
M in General Formula L-13 represents 4, m in General Formulas L-14 and L-15 represents 3, m in General Formulas L-16 to L-20 represents 2, and m in L-22 represents 6
R ′ in general formulas L-1, L-2, L-6 and L-13 to L-24 each independently represents a hydrogen atom or a substituent,
R ^N Represents a hydrogen atom or a substituent,
R ^si Each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group or an alkynyl group.
[27] In the method for producing an organic semiconductor film for a non-light-emitting organic semiconductor device according to any one of [22] to [24], the compound represented by the general formula 11 is represented by the following general formula 16. Are preferred compounds;

In general formulas L-1 to L-25,
* Indicates L ¹ Represents the bonding position with the carbon atom adjacent to the opposite side to the fused ring skeleton of or the wavy portion in L-1 to L-25,
A wavy line part represents a bonding position with a condensed ring skeleton or * in L-1 to L-25,
M in General Formula L-13 represents 4, m in General Formulas L-14 and L-15 represents 3, m in General Formulas L-16 to L-20 represents 2, and m in L-22 represents 6
R ′ in general formulas L-1, L-2, L-6 and L-13 to L-24 each independently represents a hydrogen atom or a substituent,
R ^N Represents a hydrogen atom or a substituent,
R ^si Each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group or an alkynyl group.
[28] In the method for producing an organic semiconductor film for a non-light-emitting organic semiconductor device according to any one of [22] to [24], the compound represented by the general formula 11 is represented by the following general formula 17. Are preferred compounds;

In general formulas L-1 to L-25,
* Indicates L ¹ Represents the bonding position with the carbon atom adjacent to the opposite side to the fused ring skeleton of or the wavy portion in L-1 to L-25,
A wavy line part represents a bonding position with a condensed ring skeleton or * in L-1 to L-25,
M in General Formula L-13 represents 4, m in General Formulas L-14 and L-15 represents 3, m in General Formulas L-16 to L-20 represents 2, and m in L-22 represents 6
R ′ in general formulas L-1, L-2, L-6 and L-13 to L-24 each independently represents a hydrogen atom or a substituent,
R ^N Represents a hydrogen atom or a substituent,
R ^si Each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group or an alkynyl group.
[29] The method for producing an organic semiconductor film for a non-light-emitting organic semiconductor device according to any one of [22] to [28] includes: ¹ , B ¹ And C ¹ Any one of A ² , B ² And C ² Any one of A ^Three , B ^Three And C ^Three Any one of A ^Four And B ^Four One of these, or A ^Five And B ^Five It is preferable that any one of includes a thiophene ring.
[30] The method for producing an organic semiconductor film for a non-light-emitting organic semiconductor device according to any one of [22] to [29], ¹ ~ R ^Three And R ^Five ~ R ⁷ Are all hydrogen atoms and R ^Four Is preferably a hydrogen atom or an alkyl group.
[31] An organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device manufactured by the method for manufacturing an organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device according to any one of [22] to [30].
[32] An organic semiconductor film for a non-light-emitting organic semiconductor device containing the composition for forming an organic semiconductor film according to any one of [11] to [21].
[33] An organic semiconductor film for a non-light-emitting organic semiconductor device, comprising the composition for forming an organic semiconductor film according to [21].
[34] In the organic semiconductor film for a non-light-emitting organic semiconductor device according to [31] or [33], the content of the compound represented by General Formula 1 is changed to the content of the compound represented by General Formula 11. On the other hand, it is preferable that it is 0.01-50 mass%.
[35] A method for producing an organic semiconductor film for a non-light-emitting organic semiconductor device according to any one of [22] to [30],
A method for producing an organic film transistor, wherein an organic semiconductor film for a non-light-emitting organic semiconductor device is used as a semiconductor active layer of the organic film transistor.
[36] An organic film transistor manufactured by the method for manufacturing an organic film transistor according to [35].
[37] An organic film transistor having the organic semiconductor film for a non-light-emitting organic semiconductor device according to any one of [31] to [34] as a semiconductor active layer of the organic film transistor.

本発明によれば、キャリア移動度が高く、有機半導体膜を形成した場合に高温での加熱アニール工程前後のキャリア移動度の下落率が小さい有機半導体膜形成用の組成物を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a composition for forming an organic semiconductor film having a high carrier mobility and a small decrease rate of the carrier mobility before and after the heating annealing step at a high temperature when the organic semiconductor film is formed. .

図１は、本発明の有機膜トランジスタの一例の構造の断面を示す概略図である。FIG. 1 is a schematic view showing a cross section of an example of the structure of an organic film transistor of the present invention. 図２は、本発明の実施例でＦＥＴ特性測定用基板として製造した有機膜トランジスタの構造の断面を示す概略図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing a cross section of the structure of an organic film transistor manufactured as a substrate for measuring FET characteristics in an example of the present invention.

以下において、本発明について詳細に説明する。以下に記載する構成要件の説明は、代表的な実施形態や具体例に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施形態に限定されるものではない。なお、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は「〜」前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
本発明において、各一般式の説明において特に区別されずに用いられている場合における水素原子は同位体（重水素原子等）も含んでいることを表す。さらに、置換基を構成する原子は、その同位体も含んでいることを表す。 Hereinafter, the present invention will be described in detail. The description of the constituent elements described below may be made based on representative embodiments and specific examples, but the present invention is not limited to such embodiments. In the present specification, a numerical range expressed using “to” means a range including numerical values described before and after “to” as a lower limit value and an upper limit value.
In the present invention, a hydrogen atom when used without being particularly distinguished in the description of each general formula represents that it also contains an isotope (such as a deuterium atom). Furthermore, the atom which comprises a substituent represents that the isotope is also included.

［有機半導体膜形成用の組成物］
本発明の有機半導体膜形成用の組成物の第１の態様は、下記一般式１で表される化合物を含有する。本発明の有機半導体膜形成用の組成物の第１の態様は、Ｃｏｐｅ転移前の前駆体である下記一般式１で表される化合物を含有する態様である。

一般式Ｌ−１〜Ｌ−２５中、
＊はＬ¹の縮合環骨格とは逆側に隣接する炭素原子またはＬ−１〜Ｌ−２５中の波線部分との結合位置を表し、
波線部分は縮合環骨格またはＬ−１〜Ｌ−２５中の＊との結合位置を表し、
一般式Ｌ−１３におけるｍは４を表し、一般式Ｌ−１４およびＬ−１５におけるｍは３を表し、一般式Ｌ−１６〜Ｌ−２０におけるｍは２を表し、Ｌ−２２におけるｍは６を表し、
一般式Ｌ−１、Ｌ−２、Ｌ−６およびＬ−１３〜Ｌ−２４におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
Ｒ^Nは水素原子または置換基を表し、
Ｒ^siはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。 [Composition for forming an organic semiconductor film]
The first aspect of the composition for forming an organic semiconductor film of the present invention contains a compound represented by the following general formula 1. The 1st aspect of the composition for organic-semiconductor film formation of this invention is an aspect containing the compound represented by following General formula 1 which is a precursor before Cope transition.

In General Formula 2, A ¹ , B ¹ and C ¹ are each independently a benzene ring which may have a substituent, an azole ring which may have a substituent, a furan ring which may have a substituent, or Represents an optionally substituted thiophene ring;
k1 represents an integer of 1 to 5, and when k1 is an integer of 2 to 5, a plurality of B ¹ may be the same or different;

In general formula 3, the wavy line represents the bonding position with the fused ring skeleton,
R ^{1 to} R ⁷ are each independently a hydrogen atom, alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aryl group, heteroaryl group, alkoxy group, thioalkyl group, silyl group, divalent substituted amino group, carbonyl group, sulfoxide group or Represents a sulfone group, R ² and R ³ are not bonded to form an aromatic ring, and R ⁵ and R ⁷ are bonded to form no aromatic ring;
n1 represents an integer of 0 to 3,
L ¹ represents a divalent linking group represented by any of the following general formulas L- ^{1 to} L-25;

In general formulas L-1 to L-25,
* Represents the bonding position with the carbon atom adjacent to the opposite side of the fused ring skeleton of L ¹ or the wavy portion in L-1 to L-25;
A wavy line part represents a bonding position with a condensed ring skeleton or * in L-1 to L-25,
M in General Formula L-13 represents 4, m in General Formulas L-14 and L-15 represents 3, m in General Formulas L-16 to L-20 represents 2, and m in L-22 represents 6
R ′ in general formulas L-1, L-2, L-6 and L-13 to L-24 each independently represents a hydrogen atom or a substituent,
R ^N represents a hydrogen atom or a substituent,
R ^si each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group or an alkynyl group.

本発明の有機半導体膜形成用の組成物の第２の態様は、下記一般式１１で表される化合物を含む。本発明の有機半導体膜形成用の組成物の第２の態様は、Ｃｏｐｅ転移後のＣｏｐｅ転移体である下記一般式１１で表される化合物を含有する態様である。

一般式Ｌ−１〜Ｌ−２５中、
＊はＬ¹の縮合環骨格とは逆側に隣接する炭素原子またはＬ−１〜Ｌ−２５中の波線部分との結合位置を表し、
波線部分は縮合環骨格またはＬ−１〜Ｌ−２５中の＊との結合位置を表し、
一般式Ｌ−１３におけるｍは４を表し、一般式Ｌ−１４およびＬ−１５におけるｍは３を表し、一般式Ｌ−１６〜Ｌ−２０におけるｍは２を表し、Ｌ−２２におけるｍは６を表し、
一般式Ｌ−１、Ｌ−２、Ｌ−６およびＬ−１３〜Ｌ−２４におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
Ｒ^Nは水素原子または置換基を表し、
Ｒ^siはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。 The second aspect of the composition for forming an organic semiconductor film of the present invention contains a compound represented by the following general formula 11. The 2nd aspect of the composition for organic-semiconductor film formation of this invention is an aspect containing the compound represented by the following general formula 11 which is a Cope transition body after a Cope transition.

In general formula 13, the wavy line represents the bonding position with the fused ring skeleton,
R ^{1 to} R ⁷ are each independently a hydrogen atom, alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aryl group, heteroaryl group, alkoxy group, thioalkyl group, silyl group, divalent substituted amino group, carbonyl group, sulfoxide group or Represents a sulfone group, R ² and R ³ are not bonded to form an aromatic ring, and R ⁵ and R ⁷ are bonded to form no aromatic ring;
n1 represents an integer of 0 to 3,
L ¹ represents a divalent linking group represented by any of the following general formulas L- ^{1 to} L-25;

このような構成により、本発明の有機半導体膜形成用の組成物は、キャリア移動度が高く、有機半導体膜を形成した場合に高温での加熱アニール工程前後のキャリア移動度の下落率が小さい。Ｃｏｐｅ転位後のアルケニル基を有する有機半導体は、特開２０１２−０２０９８７号公報や特開２０１１−１５１２５７号公報に記載の脱離基を有する化合物を用いた場合と比べ、不純物となる脱離基が発生せず、軌道の重なりや結晶化に有利であり、キャリア移動度が高く、有機半導体膜を形成した場合に高温での加熱アニール工程前後のキャリア移動度の下落率が小さい半導体特性を得ることができる。
加熱アニール工程後にキャリア移動度が下落するのは、半導体膜にクラックが発生することが原因である。本発明ではＣｏｐｅ転位後のアルケニル基を有する有機半導体よりもアモルファス性の高い前駆体が混ざり、半導体膜の柔軟性があがったことで、クラックの発生を抑制し、移動度の下落率が小さくなったと考えられる。
本発明の有機半導体膜形成用の組成物は、有機半導体膜を形成した場合に、加熱処理によってクラックが発生することを抑制することができることが好ましい。
また、一般に優れた半導体特性を示す材料は難溶であり、溶液プロセスには不適である。本発明は難溶な半導体に溶液プロセス適性を付与する手段である。特に上記一般式１で表される化合物は−Ｗで表されるＣｏｐｅ転移可能な構造の置換基を有するため、上記一般式１で表される化合物（以下、前駆体とも言う）は有機溶媒への溶解性が高い。前駆体を用いて溶液プロセス適性を付与する特開２０１２−０２０９８７号公報や特開２０１１−１５１２５７号公報は存在するものの、Ｃｏｐｅ転位を利用した有機半導体膜を製造した報告例はこれまでなかった。本発明の有機半導体膜形成用の組成物は、−Ｗで表される置換基を有する一般式で表される化合物を含むため、有機半導体膜を溶液プロセスで形成しやすい。また、有機半導体膜を溶液プロセスで形成した後は、上記一般式１で表される化合物からＣｏｐｅ転移させて、上記一般式１で表される化合物の少なくとも一部を上記一般式１１で表される化合物（以下、Ｃｏｐｅ転移体とも言う）に変換することができるため、不純物となる脱離基が発生せず、本発明の有機半導体膜形成用の組成物の第１の態様を用いることで、上記一般式１で表される化合物よりも有機溶媒への溶解性が劣る上記一般式１１で表される化合物を実質的に溶液プロセスで形成することができる。
なお、上記一般式１１で表される化合物は、キャリア移動度が高く、有機半導体膜を形成した場合に高温での加熱アニール工程前後のキャリア移動度の下落率が小さくなる。そのため、本発明の有機半導体膜形成用の組成物の第２の態様を用いることで、溶液プロセスでの製造適性が少し劣るものの、キャリア移動度が高く、有機半導体膜を形成した場合に高温での加熱アニール工程前後のキャリア移動度の下落率が小さい有機半導体膜を形成できる。
上記一般式１１で表される化合物と上記一般式１で表される化合物をともに含む有機半導体膜は、キャリア移動度が高く、有機半導体膜を形成した場合に高温での加熱アニール工程前後のキャリア移動度の下落率がより小さくなり、加熱処理によってクラックが発生することをより抑制することができる。Ｃｏｐｅ転移体よりもアモルファス性の高い前駆体が混ざることで、有機半導体膜の柔軟性が上がったことが要因と考えられる。 With such a configuration, the composition for forming an organic semiconductor film of the present invention has high carrier mobility, and when the organic semiconductor film is formed, the rate of decrease in carrier mobility before and after the heating annealing process at high temperature is small. The organic semiconductor having an alkenyl group after the Cope rearrangement has a leaving group that becomes an impurity as compared with the case of using a compound having a leaving group described in JP2012-020987A or JP2011-151257A. It does not occur, is advantageous for orbital overlap and crystallization, has high carrier mobility, and has a semiconductor characteristic with low carrier mobility drop rate before and after the high-temperature annealing process when an organic semiconductor film is formed. Can do.
The reason why the carrier mobility decreases after the heat annealing step is that a crack is generated in the semiconductor film. In the present invention, a precursor having higher amorphous property than an organic semiconductor having an alkenyl group after Cope rearrangement is mixed, and the flexibility of the semiconductor film is increased, so that the generation of cracks is suppressed and the rate of decrease in mobility is reduced. It is thought.
It is preferable that the composition for forming an organic semiconductor film of the present invention can suppress generation of cracks due to heat treatment when the organic semiconductor film is formed.
In general, materials exhibiting excellent semiconductor characteristics are hardly soluble and are not suitable for solution processes. The present invention is a means for imparting solution process suitability to a hardly soluble semiconductor. In particular, since the compound represented by the general formula 1 has a substituent having a structure capable of Cope transfer represented by -W, the compound represented by the general formula 1 (hereinafter also referred to as a precursor) is transferred to an organic solvent. High solubility. Although there exist JP2012-020987A and JP2011-151257A that provide a solution process suitability using a precursor, there has been no report example of manufacturing an organic semiconductor film using Cope dislocation. Since the composition for forming an organic semiconductor film of the present invention contains a compound represented by the general formula having a substituent represented by -W, the organic semiconductor film can be easily formed by a solution process. In addition, after the organic semiconductor film is formed by a solution process, the compound represented by the general formula 1 is subjected to the Cope transition, and at least a part of the compound represented by the general formula 1 is represented by the general formula 11 above. By using the first aspect of the composition for forming an organic semiconductor film of the present invention, a leaving group that becomes an impurity is not generated and the compound can be converted into a compound (hereinafter also referred to as a Cope transition body). The compound represented by the above general formula 11 which is less soluble in an organic solvent than the compound represented by the above general formula 1 can be substantially formed by a solution process.
Note that the compound represented by the general formula 11 has high carrier mobility, and when the organic semiconductor film is formed, the rate of decrease in carrier mobility before and after the heat annealing step at high temperature is small. Therefore, by using the second aspect of the composition for forming an organic semiconductor film of the present invention, although the manufacturing suitability in a solution process is slightly inferior, the carrier mobility is high, and the organic semiconductor film is formed at a high temperature. It is possible to form an organic semiconductor film with a small decrease in carrier mobility before and after the heat annealing step.
The organic semiconductor film containing both the compound represented by the general formula 11 and the compound represented by the general formula 1 has high carrier mobility, and the carrier before and after the heating annealing process at a high temperature when the organic semiconductor film is formed. It is possible to further reduce the rate of decrease in mobility and to generate cracks by heat treatment. The reason is considered to be that the flexibility of the organic semiconductor film is increased by mixing a precursor having a higher amorphous property than the Cope transition body.

＜一般式１で表される化合物＞
以下、本発明の有機半導体膜形成用の組成物に用いられる化合物の第１の態様と第２の態様の好ましい態様を説明する。
まず、本発明の有機半導体膜形成用の組成物の第１の態様に用いられる、一般式１で表される化合物について説明する。 <Compound represented by Formula 1>
Hereinafter, preferred embodiments of the first embodiment and the second embodiment of the compound used in the composition for forming an organic semiconductor film of the present invention will be described.
First, the compound represented by Formula 1 used in the first embodiment of the composition for forming an organic semiconductor film of the present invention will be described.

一般式Ｌ−１〜Ｌ−２５中、
＊はＬ¹の縮合環骨格とは逆側に隣接する炭素原子またはＬ−１〜Ｌ−２５中の波線部分との結合位置を表し、
波線部分は縮合環骨格またはＬ−１〜Ｌ−２５中の＊との結合位置を表し、
一般式Ｌ−１３におけるｍは４を表し、一般式Ｌ−１４およびＬ−１５におけるｍは３を表し、一般式Ｌ−１６〜Ｌ−２０におけるｍは２を表し、Ｌ−２２におけるｍは６を表し、
一般式Ｌ−１、Ｌ−２、Ｌ−６およびＬ−１３〜Ｌ−２４におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
Ｒ^Nは水素原子または置換基を表し、
Ｒ^siはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。

一般式１中、Ｔは、下記一般式２で表される縮合環骨格を表す。

一般式２中、Ａ¹、Ｂ¹およびＣ¹はそれぞれ独立に置換基を有してもよいベンゼン環、置換基を有してもよいアゾール環、置換基を有してもよいフラン環もしくは置換基を有してもよいチオフェン環を表し；
ｋ１は１〜５の整数を表し、ｋ１が２〜５の整数である場合、複数のＢ¹は同じであっても異なっていてもよい；
一般式２中、ｋ１は２〜５であることが好ましく、２〜４であることがより好ましい。
一般式２中、Ａ¹、Ｂ¹およびＣ¹はそれぞれ独立に置換基を有してもよいベンゼン環、置換基を有してもよいアゾール環、置換基を有してもよいフラン環もしくは置換基を有してもよいチオフェン環を表し、置換基を有してもよいベンゼン環、置換基を有してもよいピリジン環、置換基を有してもよいピロール環、置換基を有してもよいフラン環もしくは置換基を有してもよいチオフェン環のいずれか１つであることが好ましく、置換基を有してもよいベンゼン環、置換基を有してもよいピロール環、置換基を有してもよいフラン環もしくは置換基を有してもよいチオフェン環のいずれか１つであることがより好ましく、置換基を有してもよいベンゼン環および置換基を有してもよいチオフェン環のいずれか１つであることが特に好ましい。一般式２中、Ａ¹、Ｂ¹およびＣ¹のいずれか一つが、少なくとも一つのチオフェン環を含むことが、加熱アニール前のキャリア移動度を高め、かつ、加熱アニール後のキャリア移動度低下を少なくする観点から特に好ましい。
Ａ¹、Ｂ¹およびＣ¹は同じであっても異なっていてもよい。また、ｋ１が２〜５の整数である場合、複数のＢ¹は同じであっても異なっていてもよい。 In General Formula 1, T represents a condensed ring skeleton represented by General Formula 2 below.

In General Formula 2, A ¹ , B ¹ and C ¹ are each independently a benzene ring which may have a substituent, an azole ring which may have a substituent, a furan ring which may have a substituent, or Represents an optionally substituted thiophene ring;
k1 represents an integer of 1 to 5, and when k1 is an integer of 2 to 5, a plurality of B ¹ may be the same or different;
In general formula 2, k1 is preferably 2 to 5, and more preferably 2 to 4.
In General Formula 2, A ¹ , B ¹ and C ¹ are each independently a benzene ring which may have a substituent, an azole ring which may have a substituent, a furan ring which may have a substituent, or Thiophene ring which may have a substituent, benzene ring which may have a substituent, pyridine ring which may have a substituent, pyrrole ring which may have a substituent, It is preferably any one of a furan ring or a thiophene ring which may have a substituent, a benzene ring which may have a substituent, a pyrrole ring which may have a substituent, It is more preferably any one of a furan ring which may have a substituent or a thiophene ring which may have a substituent, and a benzene ring which may have a substituent and a substituent. Particularly preferred is any one of the possible thiophene rings. In General Formula 2, any one of A ¹ , B ^1, and C ¹ includes at least one thiophene ring, which increases carrier mobility before heating annealing and decreases carrier mobility after heating annealing. It is particularly preferable from the viewpoint of reducing.
A ¹ , B ¹ and C ¹ may be the same or different. Also, if k1 is an integer from 2 to 5, a plurality of B ¹ represents may be different even in the same.

上記縮環構造を構成するＡ¹、Ｂ¹およびＣ¹は、−Ｗで表される置換基の他にさらなる任意の置換基を有していてもよく、この任意の置換基としてはハロゲン原子、後述の一般式５におけて置換基Ｑとして挙げられる水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アシル基、チオアルキル基、チエニル基、シリル基、二価の置換アミノ基、カルボニル基、スルホキシド基およびスルホン基のいずれか一つで表される基を挙げることができ、フッ素原子、上記置換基Ｑが好ましい。上記置換基Ｑの好ましい範囲は、後述の一般式５のＱの好ましい範囲と同様である。
一般式２中、Ａ¹、Ｂ¹およびＣ¹は−Ｗで表される置換基の他にさらなる任意の置換基を有さないことが好ましい。 A ¹ , B ¹ and C ¹ constituting the condensed ring structure may have a further optional substituent in addition to the substituent represented by —W, and the optional substituent includes a halogen atom. A hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, a heteroaryl group, an alkoxy group, an acyl group, a thioalkyl group, a thienyl group, a silyl group, two A group represented by any one of a valent substituted amino group, a carbonyl group, a sulfoxide group and a sulfone group can be exemplified, and a fluorine atom and the above substituent Q are preferred. The preferred range of the substituent Q is the same as the preferred range of Q in formula 5 described later.
In General Formula 2, it is preferable that A ¹ , B ¹ and C ¹ have no further optional substituent in addition to the substituent represented by —W.

一般式２中、Ａ¹、Ｂ¹およびＣ¹のうち、−Ｗで表される置換基が結合していてもよい環に制限は無く、いずれの環に−Ｗで表される置換基が結合していてもよい。Ａ¹、Ｂ¹およびＣ¹のうち、−Ｗで表される置換基が結合していてもよい環の好ましい態様としては、後述の一般式４〜７のいずれかで表される化合物の好ましい態様を挙げることができる。
また、Ａ¹、Ｂ¹およびＣ¹で表される縮合環骨格の好ましい態様としては、後述の一般式４〜７のいずれかで表される化合物の好ましい態様を挙げることができる。 In General Formula 2, among A ¹ , B ¹ and C ¹ , the ring to which the substituent represented by —W may be bonded is not limited, and any ring has a substituent represented by —W. It may be bonded. Of A ¹ , B ^1, and C ¹ , a preferable embodiment of the ring to which the substituent represented by —W may be bonded is preferably a compound represented by any one of the following general formulas 4 to 7. Embodiments can be mentioned.
Further, a preferred embodiment of the fused ring structure represented by A ^1, B ¹ and C ^1, can be mentioned preferred embodiment of the compounds represented by any one of formulas 4-7 below.

Ｔが表す一般式２で表される縮合環骨格の例を以下に示す。Ｔ中の一般式２で表される縮合環骨格は、これらの具体例により限定的に解釈されるべきものではない。 Examples of the condensed ring skeleton represented by general formula 2 represented by T are shown below. The condensed ring skeleton represented by the general formula 2 in T should not be construed as being limited by these specific examples.

一般式１中、ｋは１〜６の整数を表し、１〜４であることが好ましく、１または２であることがより好ましく、２であることが特に好ましい。
ｋが２〜６の整数である場合、複数のＷは同じであっても異なっていてもよい； In General Formula 1, k represents an integer of 1 to 6, preferably 1 to 4, more preferably 1 or 2, and particularly preferably 2.
when k is an integer of 2 to 6, the plurality of Ws may be the same or different;

一般式１中、Ｗは下記一般式３で表される基を表す。

一般式Ｌ−１〜Ｌ−２５中、
＊はＬ¹の縮合環骨格とは逆側に隣接する炭素原子またはＬ−１〜Ｌ−２５中の波線部分との結合位置を表し、
波線部分は縮合環骨格またはＬ−１〜Ｌ−２５中の＊との結合位置を表し、
一般式Ｌ−１３におけるｍは４を表し、一般式Ｌ−１４およびＬ−１５におけるｍは３を表し、一般式Ｌ−１６〜Ｌ−２０におけるｍは２を表し、Ｌ−２２におけるｍは６を表し、
一般式Ｌ−１、Ｌ−２、Ｌ−６およびＬ−１３〜Ｌ−２４におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
Ｒ^Nは水素原子または置換基を表し、
Ｒ^siはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。 In General Formula 1, W represents a group represented by General Formula 3 below.

一般式３中、Ｒ¹〜Ｒ⁷はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、チオアルキル基、シリル基、二価の置換アミノ基、カルボニル基、スルホキシド基またはスルホン基を表す。ただし、Ｒ²とＲ³は結合して芳香環を形成せず、Ｒ⁵とＲ⁷は結合して芳香環を形成しない。
一般式３中、Ｒ¹〜Ｒ⁷が表すアルキル基およびチオアルキル基は、炭素数１〜１０であることが好ましく、炭素数１〜３であることがより好ましい。Ｒ¹〜Ｒ⁷が表すアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、カルボニル基は、炭素数２〜１０であることが好ましく、炭素数２〜３であることがより好ましい。Ｒ¹〜Ｒ⁷が表すアリール基は、炭素数６〜１０であることが好ましい。Ｒ¹〜Ｒ⁷が表すヘテロアリール基は、炭素数４〜１０であることが好ましい。
一般式３中、Ｒ¹〜Ｒ⁷はそれぞれ独立に水素原子またはアルキル基であることが好ましく、水素原子または炭素数１〜１０のアルキル基であることがより好ましく、水素原子または炭素数１〜３のアルキル基であることが特に好ましく、水素原子またはメチル基であることがより特に好ましい。一般式３中、Ｒ¹〜Ｒ³およびＲ⁵〜Ｒ⁷がすべて水素原子であり、Ｒ⁴が水素原子またはアルキル基であることが、Ｃｏｐｅ転移のしやすさの観点から、より好ましい。 In General Formula 3, R ^{1 to} R ⁷ are each independently a hydrogen atom, alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aryl group, heteroaryl group, alkoxy group, thioalkyl group, silyl group, divalent substituted amino group, carbonyl Represents a group, a sulfoxide group or a sulfone group. However, R ² and R ³ are not bonded to form an aromatic ring, and R ⁵ and R ⁷ are not bonded to form an aromatic ring.
In General Formula 3, the alkyl group and thioalkyl group represented by R ^{1 to} R ⁷ preferably have 1 to 10 carbon atoms, and more preferably 1 to 3 carbon atoms. The alkenyl group, alkynyl group, alkoxy group and carbonyl group represented by R ^{1 to} R ⁷ preferably have 2 to 10 carbon atoms, and more preferably have 2 to 3 carbon atoms. The aryl group represented by R ^{1 to} R ⁷ preferably has 6 to 10 carbon atoms. The heteroaryl group represented by R ^{1 to} R ⁷ preferably has 4 to 10 carbon atoms.
In General Formula 3, each of R ^{1 to} R ⁷ is preferably independently a hydrogen atom or an alkyl group, more preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, 3 is particularly preferable, and a hydrogen atom or a methyl group is particularly preferable. In General Formula 3, it is more preferable from the viewpoint of ease of Cope transition that R ^{1 to} R ³ and R ^{5 to} R ⁷ are all hydrogen atoms and R ⁴ is a hydrogen atom or an alkyl group.

一般式３中、ｎ１は０〜３の整数を表し、０〜２であることが好ましく、０または１であることがより好ましく、０であることが特に好ましい。 In General Formula 3, n1 represents an integer of 0 to 3, preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1, and particularly preferably 0.

一般式１中、Ｌ¹は下記一般式Ｌ−１〜Ｌ−２５のいずれかで表される２価の連結基を表す。

一般式Ｌ−１〜Ｌ−２５中、
＊はＬ¹の縮合環骨格とは逆側に隣接する炭素原子またはＬ−１〜Ｌ−２５中の波線部分との結合位置を表し、
波線部分は縮合環骨格またはＬ−１〜Ｌ−２５中の＊との結合位置を表し、
一般式Ｌ−１３におけるｍは４を表し、一般式Ｌ−１４およびＬ−１５におけるｍは３を表し、一般式Ｌ−１６〜Ｌ−２０におけるｍは２を表し、Ｌ−２２におけるｍは６を表し、
一般式Ｌ−１、Ｌ−２、Ｌ−６およびＬ−１３〜Ｌ−２４におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
Ｒ^Nは水素原子または置換基を表し、
Ｒ^siはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。 In General Formula 1, L ¹ represents a divalent linking group represented by any of the following General Formulas L- ^{1 to} L-25.

一般式Ｌ−１〜Ｌ−２５において、波線部分は縮合環骨格との結合位置を表す。但し、ｎ１が２または３を表す場合は、波線部分は縮合環骨格との結合位置、または、一般式Ｌ−１〜Ｌ−２５で表される２価の連結基の＊との結合位置を表す。
＊はＲ¹〜Ｒ⁷を含む基との結合位置を表す。但し、ｎ１が２または３を表す場合は、＊はＲ¹〜Ｒ⁷を含む基との結合位置、または、一般式Ｌ−１〜Ｌ−２５で表される２価の連結基の波線部分との結合位置を示す。
一般式Ｌ−１およびＬ−２中のＲ’はそれぞれＬに隣接するＲと結合して縮合環を形成してもよい。
一般式Ｌ−１９〜Ｌ−２１、Ｌ−２３およびＬ−２４で表される２価の連結基は、下記一般式Ｌ−１９Ａ〜Ｌ−２１Ａ、Ｌ−２３ＡおよびＬ−２４Ａで表される２価の連結基であることがより好ましい。

In the general formulas L-1 to L-25, the wavy line portion represents the bonding position with the condensed ring skeleton. However, when n1 represents 2 or 3, the wavy line represents the bonding position with the condensed ring skeleton or the bonding position with * of the divalent linking group represented by the general formulas L-1 to L-25. Represent.
* Represents a bonding position with a group containing R ^{1 to} R ⁷ . However, when n1 represents 2 or 3, * is a bonding position with a group containing R ^{1 to} R ⁷ , or a wavy portion of a divalent linking group represented by the general formulas L-1 to L-25 Indicates the binding position.
R ′ in general formulas L-1 and L-2 may be bonded to R adjacent to L to form a condensed ring.
The divalent linking groups represented by general formulas L-19 to L-21, L-23, and L-24 are represented by the following general formulas L-19A to L-21A, L-23A, and L-24A. More preferably, it is a divalent linking group.

一般式Ｌ−１、Ｌ−２、Ｌ−６およびＬ−１３〜Ｌ−２４中の置換基Ｒ’としては、水素原子または以下に置換基群Ａとして挙げた置換基が適用できる。 As the substituent R ′ in the general formulas L-1, L-2, L-6, and L-13 to L-24, a hydrogen atom or the substituents exemplified below as the substituent group A can be applied.

（置換基群Ａ）
アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（芳香族ヘテロ環基も包含し、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子、ケイ素原子、セレン原子、テルル原子であり、具体的にはピリジル、ピラジニル、ピリミジル、ピリダジニル、ピロリル、ピラゾリル、トリアゾリル、イミダゾリル、オキサゾリル、チアゾリル、イソキサゾリル、イソチアゾリル、キノリル、フリル、チエニル、セレノフェニル、テルロフェニル、ピペリジル、ピペリジノ、モルホリノ、ピロリジル、ピロリジノ、ベンゾオキサゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基、シロリル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）、ホスホリル基（例えばジフェニルホスホリル基、ジメチルホスホリル基などが挙げられる。）が挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよく、更なる置換基としては、以上に説明した置換基群Ａから選択される基を挙げることができる。 (Substituent group A)
An alkyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 10 carbon atoms, such as methyl, ethyl, isopropyl, tert-butyl, n-octyl, n-decyl, n-hexadecyl, cyclopropyl, cyclopentyl, cyclohexyl, etc.), an alkenyl group (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 10 carbon atoms, for example vinyl , Allyl, 2-butenyl, 3-pentenyl, etc.), alkynyl groups (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 10 carbon atoms, such as propargyl , 3-pentynyl, etc.), an aryl group (preferably having 6 to 30 carbon atoms, more preferably carbon 6 to 20, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms, such as phenyl, p-methylphenyl, naphthyl, anthranyl, etc.), amino group (preferably 0 to 30 carbon atoms, more preferably 0 carbon atoms). -20, particularly preferably 0 to 10 carbon atoms, such as amino, methylamino, dimethylamino, diethylamino, dibenzylamino, diphenylamino, ditolylamino, etc.), an alkoxy group (preferably having 1 to 30 carbon atoms). More preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 10 carbon atoms, such as methoxy, ethoxy, butoxy, 2-ethylhexyloxy, etc.), an aryloxy group (preferably 6 to 6 carbon atoms). 30 and more preferably 6 to 20 carbon atoms, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms. Nyloxy, 1-naphthyloxy, 2-naphthyloxy, etc.), a heterocyclic oxy group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 12 carbon atoms). For example, pyridyloxy, pyrazyloxy, pyrimidyloxy, quinolyloxy, etc.), an acyl group (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 12 carbon atoms, for example, acetyl , Benzoyl, formyl, pivaloyl, etc.), an alkoxycarbonyl group (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 12 carbon atoms such as methoxycarbonyl, ethoxy Carbonyl, etc.), an aryloxycarbonyl group (preferably It has 7 to 30 carbon atoms, more preferably 7 to 20 carbon atoms, particularly preferably 7 to 12 carbon atoms, and examples thereof include phenyloxycarbonyl. ), An acyloxy group (preferably having 2 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 10 carbon atoms such as acetoxy and benzoyloxy), an acylamino group (preferably 2-30 carbon atoms, more preferably 2-20 carbon atoms, particularly preferably 2-10 carbon atoms, and examples thereof include acetylamino, benzoylamino, and the like, and an alkoxycarbonylamino group (preferably having 2-2 carbon atoms). 30, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 2 to 12 carbon atoms, such as methoxycarbonylamino, etc.), aryloxycarbonylamino group (preferably 7 to 30 carbon atoms, more preferably 7 to 20 carbon atoms, particularly preferably 7 to 12 carbon atoms, such as phenyloxycarbonyl And sulfonylamino groups (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as methanesulfonylamino and benzenesulfonylamino). ), A sulfamoyl group (preferably having 0 to 30 carbon atoms, more preferably 0 to 20 carbon atoms, particularly preferably 0 to 12 carbon atoms, such as sulfamoyl, methylsulfamoyl, dimethylsulfamoyl, phenyl Sulfamoyl, etc.), a carbamoyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as carbamoyl, methylcarbamoyl, diethylcarbamoyl, Phenylcarbamoyl etc.), alkylthio group ( Preferably, it has 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, and examples thereof include methylthio, ethylthio and the like, and an arylthio group (preferably 6 to 30 carbon atoms). , More preferably 6 to 20 carbon atoms, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms, such as phenylthio, etc.), a heterocyclic thio group (preferably 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to carbon atoms). 20, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as pyridylthio, 2-benzimidazolylthio, 2-benzoxazolylthio, 2-benzthiazolylthio and the like, and a sulfonyl group (preferably having a carbon number). 1 to 30, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as mesyl and tosyl). Rufinyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, and examples thereof include methanesulfinyl and benzenesulfinyl. ), A ureido group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as ureido, methylureido, phenylureido, etc.), phosphoric acid. An amide group (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as diethyl phosphoric acid amide and phenylphosphoric acid amide), a hydroxy group , Mercapto group, halogen atom (eg fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom), cyano group, sulfo group, carboxyl group, nitro group, hydroxamic acid group, sulfino group, hydrazino group, imino group, heterocyclic group ( An aromatic heterocyclic group is also included, preferably 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 12 carbon atoms, Is, for example, a nitrogen atom, oxygen atom, sulfur atom, phosphorus atom, silicon atom, selenium atom, tellurium atom, specifically pyridyl, pyrazinyl, pyrimidyl, pyridazinyl, pyrrolyl, pyrazolyl, triazolyl, imidazolyl, oxazolyl, thiazolyl, And isoxazolyl, isothiazolyl, quinolyl, furyl, thienyl, selenophenyl, tellurophenyl, piperidyl, piperidino, morpholino, pyrrolidyl, pyrrolidino, benzoxazolyl, benzoimidazolyl, benzothiazolyl, carbazolyl group, azepinyl group, silolyl group and the like. A silyl group (preferably having 3 to 40 carbon atoms, more preferably 3 to 30 carbon atoms, particularly preferably 3 to 24 carbon atoms, and examples thereof include trimethylsilyl and triphenylsilyl). Ryloxy group (preferably having 3 to 40 carbon atoms, more preferably 3 to 30 carbon atoms, particularly preferably 3 to 24 carbon atoms, such as trimethylsilyloxy, triphenylsilyloxy, etc.), phosphoryl group (for example, A diphenylphosphoryl group, a dimethylphosphoryl group, etc.). These substituents may be further substituted, and examples of the further substituent include a group selected from the substituent group A described above.

一般式Ｌ−１、Ｌ−２、Ｌ−６およびＬ−１３〜Ｌ−２４中の置換基Ｒ’としては、水素原子が好ましい。
Ｒ^Nは水素原子または置換基を表し、Ｒ^Nとしては、置換基群Ａとして例示したものを挙げることができる。
Ｒ^siはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基を表し、アルキル基であることが好ましい。Ｒ^siがとり得るアルキル基としては特に制限はない。 As the substituent R ′ in the general formulas L-1, L-2, L-6, and L-13 to L-24, a hydrogen atom is preferable.
R ^N represents a hydrogen atom or a substituent, examples of R ^N, may be mentioned those exemplified as substituent group A.
R ^si each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, or an alkynyl group, and is preferably an alkyl group. There is no restriction ^| limiting in particular as an alkyl group which ^Rsi can take.

一般式３中、Ｌ¹は一般式Ｌ−１〜Ｌ−５、Ｌ−７、Ｌ−９、Ｌ−１３、Ｌ−１７またはＬ−１８のいずれかで表される２価の連結基であることが好ましく、上記一般式Ｌ−１、Ｌ−２、Ｌ−４、Ｌ−７、Ｌ−９、Ｌ−１３、Ｌ−１８のいずれかで表される２価の連結基を表すことがより好ましく、上記一般式Ｌ−１、Ｌ−２、Ｌ−７、Ｌ−１３、Ｌ−１８のいずれかで表される２価の連結基を表すことが特に好ましい。 In General Formula 3, L ¹ is a divalent linking group represented by any ^one of General Formulas L- ¹ to L-5, L-7, L-9, L-13, L-17, or L-18. And preferably represents a divalent linking group represented by any one of the above formulas L-1, L-2, L-4, L-7, L-9, L-13, and L-18. Is more preferable, and it is particularly preferable to represent a divalent linking group represented by any one of the above formulas L-1, L-2, L-7, L-13, and L-18.

本発明の有機半導体膜形成用の組成物の第１の態様は、上記一般式１で表される化合物が、下記一般式４で表される化合物、下記一般式５で表される化合物、下記一般式６で表される化合物、または、下記一般式７で表される化合物であることが好ましい。 In the first aspect of the composition for forming an organic semiconductor film of the present invention, the compound represented by the general formula 1 is a compound represented by the following general formula 4, a compound represented by the following general formula 5, A compound represented by General Formula 6 or a compound represented by General Formula 7 below is preferable.

（一般式４で表される化合物）

一般式４中、Ａ²、Ｂ²およびＣ²はそれぞれ独立に置換基を有してもよいベンゼン環、置換基を有してもよいアゾール環、置換基を有してもよいフラン環もしくは置換基を有してもよいチオフェン環を表し；
ｋ２は１〜５の整数を表し、ｋ２が２〜５の整数である場合、複数のＢ²は同じであっても異なっていてもよい；
Ｗは上記一般式３で表される基を表す； (Compound represented by Formula 4)

In General Formula 4, A ² , B ² and C ² are each independently a benzene ring which may have a substituent, an azole ring which may have a substituent, a furan ring which may have a substituent or Represents an optionally substituted thiophene ring;
k2 represents an integer of 1 to 5, and when k2 is an integer of 2 to 5, a plurality of B ² may be the same or different;
W represents a group represented by the above general formula 3;

一般式４中、Ａ²、Ｂ²およびＣ²の好ましい範囲は、それぞれ一般式１におけるＡ¹、Ｂ¹およびＣ¹の好ましい範囲と同様である。
一般式４中、ｋ２の好ましい範囲は、それぞれ一般式１におけるｋ１の好ましい範囲と同様である。
一般式４中、Ｗの好ましい範囲は、それぞれ一般式１におけるＷの好ましい範囲と同様である。 In general formula 4, the preferred ranges of A ² , B ² and C ² are the same as the preferred ranges of A ¹ , B ¹ and C ¹ in general formula 1, respectively.
In general formula 4, the preferable range of k2 is the same as the preferable range of k1 in general formula 1, respectively.
In general formula 4, the preferable range of W is the same as the preferable range of W in general formula 1, respectively.

（一般式５で表される化合物）

一般式５中、Ａ³、Ｂ³およびＣ³はそれぞれ独立に置換基を有してもよいベンゼン環、置換基を有してもよいアゾール環、置換基を有してもよいフラン環もしくは置換基を有してもよいチオフェン環を表し；
ｋ３は１〜５の整数を表し、ｋ３が２〜５の整数である場合、複数のＢ³は同じであっても異なっていてもよい；
Ｑは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アシル基、チオアルキル基、チエニル基、シリル基、二価の置換アミノ基、カルボニル基、スルホキシド基およびスルホン基のいずれか一つで表される基を表し、
Ｗは上記一般式３で表される基を表す； (Compound represented by Formula 5)

In general formula 5, A ³ , B ³ and C ³ are each independently a benzene ring which may have a substituent, an azole ring which may have a substituent, a furan ring which may have a substituent or Represents an optionally substituted thiophene ring;
k3 represents an integer of 1 to 5, and when k3 is an integer of 2 to 5, a plurality of B ³ may be the same or different;
Q is a hydrogen atom, alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aryl group, heteroaryl group, alkoxy group, acyl group, thioalkyl group, thienyl group, silyl group, divalent substituted amino group, carbonyl group, sulfoxide group and sulfone. Represents a group represented by any one of the groups,
W represents a group represented by the above general formula 3;

一般式５中、Ａ³、Ｂ³およびＣ³の好ましい範囲は、それぞれ一般式１におけるＡ¹、Ｂ¹およびＣ¹の好ましい範囲と同様である。
一般式５中、ｋ３の好ましい範囲は、それぞれ一般式１におけるｋ１の好ましい範囲と同様である。
一般式５中、Ｑの中では、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アシル基、チエニル基が好ましく、アルキル基がより好ましい。上記置換基Ｑにおけるアルキル基またはチオアルキル基としては、炭素数１〜１２の直鎖または分枝のアルキル基またはチオアルキル基であることがより好ましく、炭素数１〜５の直鎖のアルキル基またはチオアルキル基であることがより特に好ましい。上記置換基Ｑにおけるアルケニル基またはアルキニル基としては、炭素数２〜１２の直鎖または分枝のアルケニル基またはアルキニル基であることがより好ましく、炭素数２〜５の直鎖のアルケニル基またはアルキニル基であることがより特に好ましい。上記置換基Ｑにおけるアルコキシ基またはアシル基としては、炭素数１〜８の直鎖または分枝のアルコキシ基またはアシル基であることが好ましく、炭素数１〜３の直鎖のアルコキシ基またはアシル基であることがより好ましい。上記置換基Ｑにおけるチエニル基としては、置換チエニル基であることが好ましく、アルキル置換チエニル基であることがより好ましく、アルキル置換チエニル基の有するアルキル基の好ましい範囲は上記置換基Ｑにおけるアルキル基の好ましい範囲と同様である。
一般式５中、Ｗの好ましい範囲は、それぞれ一般式１におけるＷの好ましい範囲と同様である。 In general formula 5, preferred ranges of A ³ , B ³ and C ³ are the same as the preferred ranges of A ¹ , B ¹ and C ¹ in general formula 1, respectively.
In general formula 5, the preferable range of k3 is the same as the preferable range of k1 in general formula 1, respectively.
In General Formula 5, Q is preferably a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, an acyl group, or a thienyl group, and more preferably an alkyl group. The alkyl group or thioalkyl group in the substituent Q is more preferably a linear or branched alkyl group or thioalkyl group having 1 to 12 carbon atoms, and a linear alkyl group or thioalkyl group having 1 to 5 carbon atoms. More preferably, it is a group. The alkenyl group or alkynyl group in the substituent Q is more preferably a linear or branched alkenyl group or alkynyl group having 2 to 12 carbon atoms, and a linear alkenyl group or alkynyl group having 2 to 5 carbon atoms. More preferably, it is a group. The alkoxy group or acyl group in the substituent Q is preferably a linear or branched alkoxy group or acyl group having 1 to 8 carbon atoms, and a linear alkoxy group or acyl group having 1 to 3 carbon atoms. It is more preferable that The thienyl group in the substituent Q is preferably a substituted thienyl group, more preferably an alkyl-substituted thienyl group, and the preferred range of the alkyl group that the alkyl-substituted thienyl group has is that of the alkyl group in the substituent Q. This is the same as the preferred range.
In general formula 5, the preferable range of W is the same as the preferable range of W in general formula 1, respectively.

（一般式６で表される化合物）

一般式６中、Ａ⁴およびＢ⁴はそれぞれ独立に置換基を有してもよいベンゼン環、置換基を有してもよいアゾール環、置換基を有してもよいフラン環もしくは置換基を有してもよいチオフェン環であり；
ｋ４およびｋ５はそれぞれ独立に１〜３の整数を表し、ｋ４が２または３である場合、複数のＡ⁴は同じであっても異なっていてもよく、ｋ５が２または３である場合、複数のＢ⁴は同じであっても異なっていてもよい；
Ｗは上記一般式３で表される基を表す； (Compound represented by general formula 6)

In general formula 6, A ⁴ and B ⁴ each independently represent a benzene ring which may have a substituent, an azole ring which may have a substituent, a furan ring or a substituent which may have a substituent. A thiophene ring that may have;
k4 and k5 each independently represent an integer of 1 to 3, and when k4 is 2 or 3, a plurality of A ⁴ may be the same or different, and when k5 is 2 or 3, a plurality of B ⁴ may be the same or different;
W represents a group represented by the above general formula 3;

一般式６中、Ａ⁴およびＢ⁴はそれぞれ独立に、置換基を有してもよいピリジン環、置換基を有してもよいピロール環、置換基を有してもよいフラン環もしくは置換基を有してもよいチオフェン環のいずれか１つであることが好ましく、置換基を有してもよいベンゼン環または置換基を有してもよいチオフェン環のいずれか１つであることがより好ましく、置換基を有してもよいベンゼン環であることが特に好ましい。一般式６で表される化合物の場合は、Ａ⁴およびＢ⁴のいずれか一つに少なくとも一つのチオフェン環を含んでいても、加熱アニール前のキャリア移動度や、加熱アニール後のキャリア移動度低下に影響が少ない。
一般式６中、ｋ４およびｋ５はそれぞれ独立に、２または３であることが好ましく、２であることがより好ましい。
一般式６中、Ｗの好ましい範囲は、それぞれ一般式１におけるＷの好ましい範囲と同様である。 In general formula 6, A ⁴ and B ⁴ are each independently a pyridine ring which may have a substituent, a pyrrole ring which may have a substituent, a furan ring or a substituent which may have a substituent. It is preferably any one of the thiophene rings that may have a substituent, and more preferably any one of a benzene ring that may have a substituent or a thiophene ring that may have a substituent. A benzene ring which may have a substituent is particularly preferable. In the case of the compound represented by the general formula 6, even if any one of A ⁴ and B ⁴ contains at least one thiophene ring, the carrier mobility before heating annealing or the carrier mobility after heating annealing Less impact on decline.
In general formula 6, k4 and k5 are each independently preferably 2 or 3, and more preferably 2.
In general formula 6, the preferable range of W is the same as the preferable range of W in general formula 1, respectively.

（一般式７で表される化合物）

一般式７中、Ａ⁵およびＢ⁵はそれぞれ独立に置換基を有してもよいベンゼン環、置換基を有してもよいアゾール環、置換基を有してもよいフラン環もしくは置換基を有してもよいチオフェン環であり；
ｋ６およびｋ７はそれぞれ独立に１〜３の整数を表し、ｋ６が２または３である場合、複数のＡ⁵は同じであっても異なっていてもよく、ｋ７が２または３である場合、複数のＢ⁵は同じであっても異なっていてもよい；
Ｑは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アシル基、チオアルキル基、チエニル基、シリル基、二価の置換アミノ基、カルボニル基、スルホキシド基およびスルホン基のいずれか一つで表される基を表し、
Ｗは上記一般式３で表される基を表す； (Compound represented by Formula 7)

In General Formula 7, A ⁵ and B ⁵ each independently represent a benzene ring which may have a substituent, an azole ring which may have a substituent, a furan ring or a substituent which may have a substituent. A thiophene ring that may have;
k6 and k7 each independently represent an integer of 1 to 3, and when k6 is 2 or 3, a plurality of A ⁵ may be the same or different, and when k7 is 2 or 3, a plurality of B ⁵ may be the same or different;
Q is a hydrogen atom, alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aryl group, heteroaryl group, alkoxy group, acyl group, thioalkyl group, thienyl group, silyl group, divalent substituted amino group, carbonyl group, sulfoxide group and sulfone. Represents a group represented by any one of the groups,
W represents a group represented by the above general formula 3;

一般式７中、Ａ⁵およびＢ⁵の好ましい範囲は、それぞれ一般式６におけるＡ⁴およびＢ⁴の好ましい範囲と同様である。
一般式７中、ｋ６およびｋ７の好ましい範囲は、それぞれ一般式６におけるｋ４およびｋ５の好ましい範囲と同様である。
一般式７中、Ｑの好ましい範囲は、それぞれ一般式５におけるＱの好ましい範囲と同様である。
一般式７中、Ｗの好ましい範囲は、それぞれ一般式１におけるＷの好ましい範囲と同様である。 In general formula 7, preferred ranges of A ⁵ and B ⁵ are the same as the preferred ranges of A ⁴ and B ⁴ in general formula 6, respectively.
In general formula 7, preferred ranges of k6 and k7 are the same as the preferred ranges of k4 and k5 in general formula 6, respectively.
In general formula 7, the preferable range of Q is the same as the preferable range of Q in general formula 5.
In general formula 7, the preferable range of W is the same as the preferable range of W in general formula 1, respectively.

一般式２および４〜７中、Ａ¹、Ｂ¹およびＣ¹のいずれか一つ、Ａ²、Ｂ²およびＣ²のいずれか一つ、Ａ³、Ｂ³およびＣ³のいずれか一つ、Ａ⁴およびＢ⁴のいずれか一つ、あるいは、Ａ⁵およびＢ⁵のいずれか一つが、チオフェン環を含むことが好ましく、Ａ¹、Ｂ¹およびＣ¹のいずれか一つ、Ａ²、Ｂ²およびＣ²のいずれか一つ、あるいは、Ａ³、Ｂ³およびＣ³のいずれか一つチオフェン環を含むことがより好ましい。 Any one in the general formula 2 and 4 to 7, A ^1, any one of B ¹ and C ^1, A ^2, one of B ² and C ^2, A ^{^3,} B ³ and C ³ , A ⁴ and B ⁴ , or any one of A ⁵ and B ⁵ preferably contains a thiophene ring, and any one of A ¹ , B ¹ and C ¹ , A ² , It is more preferable that any one of B ² and C ² or any one of A ³ , B ³ and C ³ contains a thiophene ring.

＜一般式１１で表される化合物＞
次に、本発明の有機半導体膜形成用の組成物の第２の態様に用いられる、一般式１１で表される化合物について説明する。

一般式Ｌ−１〜Ｌ−２５中、
＊はＬ¹の縮合環骨格とは逆側に隣接する炭素原子またはＬ−１〜Ｌ−２５中の波線部分との結合位置を表し、
波線部分は縮合環骨格またはＬ−１〜Ｌ−２５中の＊との結合位置を表し、
一般式Ｌ−１３におけるｍは４を表し、一般式Ｌ−１４およびＬ−１５におけるｍは３を表し、一般式Ｌ−１６〜Ｌ−２０におけるｍは２を表し、Ｌ−２２におけるｍは６を表し、
一般式Ｌ−１、Ｌ−２、Ｌ−６およびＬ−１３〜Ｌ−２４におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
Ｒ^Nは水素原子または置換基を表し、
Ｒ^siはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。 <Compound represented by Formula 11>
Next, the compound represented by Formula 11 used in the second embodiment of the composition for forming an organic semiconductor film of the present invention will be described.

一般式１１中、Ｔの好ましい範囲は、一般式１におけるＴの好ましい範囲と同様である。
一般式１１中、ｋの好ましい範囲は、一般式１におけるｋの好ましい範囲と同様である。
一般式１１中、Ｘは下記一般式１３で表される基を表す。

In general formula 11, the preferable range of T is the same as the preferable range of T in general formula 1.
In general formula 11, the preferable range of k is the same as the preferable range of k in general formula 1.
In General Formula 11, X represents a group represented by General Formula 13 below.

一般式１３中のＲ¹〜Ｒ⁷の好ましい範囲は、一般式３中のＲ¹〜Ｒ⁷の好ましい範囲と同様である。
一般式１３中のｎ１の好ましい範囲は、一般式３中のｎ１の好ましい範囲と同様である。
一般式１３中のＬ¹の好ましい範囲は、一般式３中のＬ¹の好ましい範囲と同様である。 A preferred range of R ¹ to R ⁷ in the general formula 13 are the same as the preferred ranges of R ¹ to R ⁷ in the general formula 3.
The preferable range of n1 in the general formula 13 is the same as the preferable range of n1 in the general formula 3.
A preferred range of the general formula in 13 L ¹ is the same as the preferred ranges of L ¹ in the general formula 3.

本発明の有機半導体膜形成用の組成物の第２の態様は、上記一般式１１で表される化合物が、下記一般式１４で表される化合物、下記一般式１５で表される化合物、下記一般式１６で表される化合物、または、下記一般式１７で表される化合物であることが好ましい。 In a second embodiment of the composition for forming an organic semiconductor film of the present invention, the compound represented by the general formula 11 is a compound represented by the following general formula 14, a compound represented by the following general formula 15, A compound represented by the general formula 16 or a compound represented by the following general formula 17 is preferable.

（一般式１４で表される化合物）

一般式１４中、Ａ²、Ｂ²およびＣ²はそれぞれ独立に置換基を有してもよいベンゼン環、置換基を有してもよいアゾール環、置換基を有してもよいフラン環もしくは置換基を有してもよいチオフェン環を表し；
ｋ２は１〜５の整数を表し、ｋ２が２〜５の整数である場合、複数のＢ²は同じであっても異なっていてもよい；
Ｘは上記一般式１３で表される基を表す； (Compound represented by general formula 14)

In general formula 14, A ² , B ² and C ² are each independently a benzene ring which may have a substituent, an azole ring which may have a substituent, a furan ring which may have a substituent, or Represents an optionally substituted thiophene ring;
k2 represents an integer of 1 to 5, and when k2 is an integer of 2 to 5, a plurality of B ² may be the same or different;
X represents a group represented by the general formula 13;

一般式１４中、Ａ²、Ｂ²およびＣ²の好ましい範囲は、それぞれ一般式４におけるＡ²、Ｂ²およびＣ²の好ましい範囲と同様である。
一般式１４中、ｋ２の好ましい範囲は、それぞれ一般式４におけるｋ２の好ましい範囲と同様である。
一般式１４中、Ｘの好ましい範囲は、それぞれ一般式１１におけるＸの好ましい範囲と同様である。 In the Formula 14, the preferred range of A ^2, B ² and C ² is the same as the preferred range of A ^2, B ² and C ^2, respectively, in general formula 4.
In general formula 14, the preferable range of k2 is the same as the preferable range of k2 in general formula 4, respectively.
In general formula 14, the preferred range of X is the same as the preferred range of X in general formula 11.

（一般式１５で表される化合物）

一般式１５中、Ａ³、Ｂ³およびＣ³はそれぞれ独立に置換基を有してもよいベンゼン環、置換基を有してもよいアゾール環、置換基を有してもよいフラン環もしくは置換基を有してもよいチオフェン環を表し；
ｋ３は１〜５の整数を表し、ｋ３が２〜５の整数である場合、複数のＢ³は同じであっても異なっていてもよい；
Ｑは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アシル基、チオアルキル基、チエニル基、シリル基、二価の置換アミノ基、カルボニル基、スルホキシド基およびスルホン基のいずれか一つで表される基を表し、
Ｘは上記一般式１３で表される基を表す； (Compound represented by General Formula 15)

In general formula 15, A ³ , B ³ and C ³ are each independently a benzene ring which may have a substituent, an azole ring which may have a substituent, a furan ring which may have a substituent or Represents an optionally substituted thiophene ring;
k3 represents an integer of 1 to 5, and when k3 is an integer of 2 to 5, a plurality of B ³ may be the same or different;
Q is a hydrogen atom, alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aryl group, heteroaryl group, alkoxy group, acyl group, thioalkyl group, thienyl group, silyl group, divalent substituted amino group, carbonyl group, sulfoxide group and sulfone. Represents a group represented by any one of the groups,
X represents a group represented by the general formula 13;

一般式１５中、Ａ³、Ｂ³およびＣ³の好ましい範囲は、それぞれ一般式５におけるＡ³、Ｂ³およびＣ³の好ましい範囲と同様である。
一般式１５中、ｋ３の好ましい範囲は、それぞれ一般式５におけるｋ３の好ましい範囲と同様である。
一般式１５中、Ｑの好ましい範囲は、それぞれ一般式５におけるＱの好ましい範囲と同様である。
一般式１５中、Ｘの好ましい範囲は、それぞれ一般式１１におけるＸの好ましい範囲と同様である。 In the Formula 15, the preferred range of A ^3, B ³ and C ³ are the same as the preferred ranges of A ^3, B ³ and C ^3, respectively, in the general formula 5.
In general formula 15, the preferable range of k3 is the same as the preferable range of k3 in general formula 5, respectively.
In general formula 15, the preferable range of Q is the same as the preferable range of Q in general formula 5.
In general formula 15, the preferable range of X is the same as the preferable range of X in general formula 11.

（一般式１６で表される化合物）

一般式１６中、Ａ⁴およびＢ⁴はそれぞれ独立に置換基を有してもよいベンゼン環、置換基を有してもよいアゾール環、置換基を有してもよいフラン環もしくは置換基を有してもよいチオフェン環であり；
ｋ４およびｋ５はそれぞれ独立に１〜３の整数を表し、ｋ４が２または３である場合、複数のＡ⁴は同じであっても異なっていてもよく、ｋ５が２または３である場合、複数のＢ⁴は同じであっても異なっていてもよい；
Ｘは上記一般式１３で表される基を表す； (Compound represented by the general formula 16)

In General Formula 16, A ⁴ and B ⁴ each independently represent a benzene ring which may have a substituent, an azole ring which may have a substituent, a furan ring which may have a substituent or a substituent. A thiophene ring that may have;
k4 and k5 each independently represent an integer of 1 to 3, and when k4 is 2 or 3, a plurality of A ⁴ may be the same or different, and when k5 is 2 or 3, a plurality of B ⁴ may be the same or different;
X represents a group represented by the general formula 13;

一般式１６中、Ａ⁴およびＢ⁴の好ましい範囲は、それぞれ一般式６におけるＡ⁴およびＢ⁴の好ましい範囲と同様である。
一般式１６中、ｋ４およびｋ５の好ましい範囲は、それぞれ一般式６におけるｋ４およびｋ５の好ましい範囲と同様である。
一般式１６中、Ｘの好ましい範囲は、それぞれ一般式１１におけるＸの好ましい範囲と同様である。 In the Formula 16, the preferred range of A ⁴ and B ⁴ are the same as the preferred ranges of A ⁴ and B ^4, respectively in the general formula 6.
In general formula 16, preferred ranges of k4 and k5 are the same as the preferred ranges of k4 and k5 in general formula 6, respectively.
In general formula 16, the preferred range of X is the same as the preferred range of X in general formula 11.

（一般式１７で表される化合物）

一般式１７中、Ａ⁵およびＢ⁵はそれぞれ独立に置換基を有してもよいベンゼン環、置換基を有してもよいアゾール環、置換基を有してもよいフラン環もしくは置換基を有してもよいチオフェン環であり；
ｋ６およびｋ７はそれぞれ独立に１〜３の整数を表し、ｋ６が２または３である場合、複数のＡ⁵は同じであっても異なっていてもよく、ｋ７が２または３である場合、複数のＢ⁵は同じであっても異なっていてもよい；
Ｑは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アシル基、チオアルキル基、チエニル基、シリル基、二価の置換アミノ基、カルボニル基、スルホキシド基およびスルホン基のいずれか一つで表される基を表し、
Ｘは上記一般式１３で表される基を表す； (Compound represented by Formula 17)

In General Formula 17, A ⁵ and B ⁵ each independently represent a benzene ring which may have a substituent, an azole ring which may have a substituent, a furan ring which may have a substituent or a substituent. A thiophene ring that may have;
k6 and k7 each independently represent an integer of 1 to 3, and when k6 is 2 or 3, a plurality of A ⁵ may be the same or different, and when k7 is 2 or 3, a plurality of B ⁵ may be the same or different;
Q is a hydrogen atom, alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aryl group, heteroaryl group, alkoxy group, acyl group, thioalkyl group, thienyl group, silyl group, divalent substituted amino group, carbonyl group, sulfoxide group and sulfone. Represents a group represented by any one of the groups,
X represents a group represented by the general formula 13;

一般式１７中、Ａ⁵およびＢ⁵の好ましい範囲は、それぞれ一般式７におけるＡ⁵およびＢ⁵の好ましい範囲と同様である。
一般式１７中、ｋ６およびｋ７の好ましい範囲は、それぞれ一般式７におけるｋ６およびｋ７の好ましい範囲と同様である。
一般式１７中、Ｑの好ましい範囲は、一般式５におけるＱの好ましい範囲と同様である。
一般式１７中、Ｘの好ましい範囲は、一般式１１におけるＸの好ましい範囲と同様である。 In the Formula 17, the preferred range of A ⁵ and B ⁵ are the same as the preferred ranges of A ⁵ and B ^5, respectively, in the general formula 7.
In general formula 17, preferred ranges of k6 and k7 are the same as the preferred ranges of k6 and k7 in general formula 7, respectively.
In general formula 17, the preferable range of Q is the same as the preferable range of Q in general formula 5.
In general formula 17, the preferred range of X is the same as the preferred range of X in general formula 11.

＜一般式１または一般式１１で表される化合物の具体的化合物例＞
一般式１または一般式１１で表される化合物の具体的化合物例を以下に示す。なお、下記表中、前駆体として記載されている化合物が一般式１で表される化合物の具体的化合物例である。また、下記表中、変換後として記載されている化合物が一般式１１で表される化合物、すなわちＣｏｐｅ転移後のＣｏｐｅ転移体の具体的化合物例である。 <Specific Compound Example of Compound Represented by General Formula 1 or General Formula 11>
Specific compound examples of the compound represented by the general formula 1 or 11 are shown below. In the following table, the compound described as the precursor is a specific compound example of the compound represented by the general formula 1. Further, in the following table, the compound described as after conversion is a specific compound example of the compound represented by the general formula 11, that is, the Cope transition body after the Cope transition.

＜分子量＞
上記一般式１または１１で表される化合物は、分子量が３０００以下であることが好ましく、２０００以下であることがより好ましく、１０００以下であることがさらに好ましく、８５０以下であることが特に好ましい。分子量を上記上限値以下とすることにより、溶媒への溶解性を高めることができるため好ましい。
一方で、膜の膜質安定性の観点からは、分子量は３００以上であることが好ましく、３５０以上であることがより好ましく、４００以上であることがさらに好ましい。 <Molecular weight>
The compound represented by the general formula 1 or 11 preferably has a molecular weight of 3000 or less, more preferably 2000 or less, further preferably 1000 or less, and particularly preferably 850 or less. It is preferable to make the molecular weight not more than the above upper limit value because the solubility in a solvent can be increased.
On the other hand, from the viewpoint of film quality stability of the film, the molecular weight is preferably 300 or more, more preferably 350 or more, and further preferably 400 or more.

＜合成方法＞
上記一般式１で表される化合物は、Ｔで表される母核をＯｒｇａｎｉｃＬｅｔｔｅｒｓ，２００７，４４４９や、ＲＳＣＡｄｖａｎｃｅｓ，２０１３，１９３４１や、ＪｏｕｒｎａｌＯＦＴＨＥＡｍｅｒｉｃａｎＣｈｅｍｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ，１９９８，６６４や、ＪｏｕｒｎａｌＯＦＴＨＥＣｈｅｍｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ，ＰｅｒｋｉｎＴｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ１１９７３，１０９９を参考に合成することができる。その後、Ｔで表される母核から、上記一般式１で表される化合物を、下記スキーム１に記載の方法や、後述の実施例に記載の方法やＪｏｕｒｎａｌＯＦＴＨＥＡｍｅｒｉｃａｎＣｈｅｍｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ，２００７，２２２４を参考に合成することができる。 <Synthesis method>
In the compound represented by the above general formula 1, the parent nucleus represented by T has Organic Letters, 2007, 4449, RSC Advances, 2013, 19341, Journal OF THE American Chemical Society, 1998, 664, It can be synthesized with reference to Chemical Society, Perkin Transactions 1 1973, 1099. Thereafter, from the mother nucleus represented by T, the compound represented by the above general formula 1 is converted into a method described in the following Scheme 1, a method described in Examples described later, Journal OF THE American Chemical Society, 2007, 2224. Can be synthesized with reference to

スキーム１

Scheme 1

多環縮合芳香族部位を分子中に１つのみ有する化合物の合成において、いかなる反応条件を用いてもよい。反応溶媒としては、いかなる溶媒を用いてもよい。また、環形成反応促進のために、酸または塩基を用いることが好ましく、特に塩基を用いることが好ましい。最適な反応条件は、目的とする化合物の構造により異なるが、上記の文献に記載された具体的な反応条件を参考に設定することができる。 Any reaction conditions may be used in the synthesis of a compound having only one polycyclic fused aromatic moiety in the molecule. Any solvent may be used as the reaction solvent. In order to promote the ring formation reaction, it is preferable to use an acid or a base, and it is particularly preferable to use a base. Optimum reaction conditions vary depending on the structure of the target compound, but can be set with reference to specific reaction conditions described in the above-mentioned documents.

上記一般式１１で表される化合物は、上記一般式１で表される化合物に外部刺激を与えることにより、Ｃｏｐｅ転移により合成することができる。Ｃｏｐｅ転移の詳細については、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法に記載した。 The compound represented by the general formula 11 can be synthesized by Cope transfer by applying an external stimulus to the compound represented by the general formula 1. The details of the copy transition are described in the method for manufacturing an organic semiconductor film for a non-light-emitting organic semiconductor device.

＜その他の成分＞
本発明の有機半導体膜形成用の組成物は、その他の成分を含んでいてもよい。その他の成分としては、ポリマーバインダーや有機溶媒を挙げることができる。 <Other ingredients>
The composition for forming an organic semiconductor film of the present invention may contain other components. Examples of other components include a polymer binder and an organic solvent.

（ポリマーバインダー）
本発明の有機半導体膜形成用の組成物の第１の態様は、上記一般式１で表される化合物を含み、ポリマーバインダーを含有しない態様も好ましい。また、本発明の有機半導体膜形成用の組成物の第１の態様は、上記一般式１で表される化合物と、さらにポリマーバインダーを含有してもよい。この場合、上記一般式１で表される化合物などの層を形成する材料とポリマーバインダーとを前述の適当な有機溶媒に溶解させ、または分散させて塗布液とし、各種の塗布法により膜を形成することができる。
本発明の有機半導体膜形成用の組成物の第２の態様は、上記一般式１１で表される化合物を含み、ポリマーバインダーを含有しない態様も好ましい。また、本発明の有機半導体膜形成用の組成物の第２の態様は、上記一般式１１で表される化合物と、さらにポリマーバインダーを含有してもよい。この場合、上記一般式１１で表される化合物などの層を形成する材料とポリマーバインダーとを前述の適当な有機溶媒に溶解させ、または分散させて塗布液とし、各種の塗布法により膜を形成することができる。
本発明の有機半導体膜形成用の組成物は、さらにポリマーバインダーを含むことが好ましい。
ポリマーバインダーとしては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリウレタン、ポリシロキサン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース、ポリエチレン、ポリプロピレンなどの絶縁性ポリマー、およびこれらの共重合体、ポリビニルカルバゾール、ポリシランなどの光伝導性ポリマー、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリパラフェニレンビニレンなどの導電性ポリマー、半導体ポリマーを挙げることができる。
ポリマーバインダーは、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。
また、上記一般式１または１１で表される化合物などの有機半導体と、ポリマーバインダーとは均一に混合していてもよく、一部または全部が相分離していてもよいが、電荷移動度の観点では、膜中で膜厚方向に有機半導体とバインダーが相分離した構造が、バインダーが有機半導体の電荷移動を妨げず最も好ましい。
膜の機械的強度を考慮するとガラス転移温度の高いポリマーバインダーが好ましく、電荷移動度を考慮すると極性基を含まない構造のポリマーバインダーや光伝導性ポリマー、導電性ポリマーが好ましい。
ポリマーバインダーの使用量は、特に制限はないが、本発明の有機半導体膜形成用の組成物中、好ましくは０〜９５質量％の範囲内で用いられ、より好ましくは１０〜９０質量％の範囲内で用いられ、さらに好ましくは２０〜８０質量％の範囲内で用いられ、特に好ましくは３０〜７０質量％の範囲内で用いられる。 (Polymer binder)
The 1st aspect of the composition for organic-semiconductor film formation of this invention contains the compound represented by the said General formula 1, and the aspect which does not contain a polymer binder is also preferable. Moreover, the 1st aspect of the composition for organic-semiconductor film formation of this invention may contain the compound represented by the said General formula 1, and a polymer binder further. In this case, the material such as the compound represented by the above general formula 1 and the polymer binder are dissolved or dispersed in the above-mentioned appropriate organic solvent to form a coating solution, and a film is formed by various coating methods. can do.
The 2nd aspect of the composition for organic-semiconductor film formation of this invention contains the compound represented by the said General formula 11, and the aspect which does not contain a polymer binder is also preferable. Moreover, the 2nd aspect of the composition for organic-semiconductor film formation of this invention may contain the compound represented with the said General formula 11, and a polymer binder further. In this case, a material such as the compound represented by the above general formula 11 and a polymer binder are dissolved or dispersed in the above-mentioned appropriate organic solvent to form a coating solution, and a film is formed by various coating methods. can do.
It is preferable that the composition for forming an organic semiconductor film of the present invention further contains a polymer binder.
Examples of the polymer binder include insulating polymers such as polystyrene, polycarbonate, polyarylate, polyester, polyamide, polyimide, polyurethane, polysiloxane, polysulfone, polymethyl methacrylate, polymethyl acrylate, cellulose, polyethylene, and polypropylene, and their co-polymers. Examples thereof include photoconductive polymers such as coalescence, polyvinyl carbazole, and polysilane, conductive polymers such as polythiophene, polypyrrole, polyaniline, and polyparaphenylene vinylene, and semiconductor polymers.
The polymer binder may be used alone or in combination.
In addition, the organic semiconductor such as the compound represented by the above general formula 1 or 11 and the polymer binder may be uniformly mixed, or a part or all of them may be phase-separated. From the viewpoint, a structure in which the organic semiconductor and the binder are phase-separated in the film thickness direction in the film is most preferable because the binder does not hinder the charge transfer of the organic semiconductor.
In consideration of the mechanical strength of the film, a polymer binder having a high glass transition temperature is preferable, and in consideration of charge mobility, a polymer binder, a photoconductive polymer, or a conductive polymer having a structure containing no polar group is preferable.
The amount of the polymer binder used is not particularly limited, but is preferably used in the range of 0 to 95% by mass, more preferably in the range of 10 to 90% by mass in the composition for forming an organic semiconductor film of the present invention. It is used within a range of 20 to 80% by mass, more preferably within a range of 30 to 70% by mass.

（有機溶媒）
本発明の有機半導体膜形成用の組成物は、粉状であっても、溶液状態であっても、分散液状態であってもよいが、本発明の有機半導体膜形成用の組成物はさらに有機溶媒を含むことが好ましい。
本発明の有機半導体膜形成用の組成物を用いて溶液プロセスを用いて成膜する場合、層を形成する材料を適当な有機溶媒（例えば、ヘキサン、オクタン、デカン、デカリン、などの脂肪族炭化水素系溶媒；トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、１−メチルナフタレンなどの芳香族炭化水素系溶媒；例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒；例えば、ジクロロメタン、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒；例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミルなどのエステル系溶媒；例えば、メタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エチレングリコールなどのアルコール系溶媒；例えば、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソールなどのエーテル系溶媒；例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、１−メチルー２−ピロリドン、１−メチルー２−イミダゾリジノン等のアミド・イミド系溶媒；ジメチルスルフォキサイドなどのスルホキシド系溶媒；アセトニトリルなどのニトリル系溶媒）および／または水に溶解、または分散させて塗布液とし、各種の塗布法により膜を形成することができる。溶媒は単独で用いてもよく、複数組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、芳香族炭化水素系溶媒、ハロゲン化炭化水素系溶媒、ケトン系溶媒またはエーテル系溶媒が好ましく、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、ジクロロベンゼンまたはアニソールがより好ましく、トルエン、キシレン、テトラリン、アニソールが特に好ましい。本発明の有機半導体膜形成用の組成物中、一般式１で表される化合物の濃度は、好ましくは、０．１〜８０質量％、より好ましくは０．１〜１０質量％、特に好ましくは０．５〜１０質量％であり、これらの範囲であれば、任意の厚さの膜を形成できる。 (Organic solvent)
The composition for forming an organic semiconductor film of the present invention may be in the form of a powder, in a solution state, or in a dispersion state. It is preferable to include an organic solvent.
In the case of forming a film using the composition for forming an organic semiconductor film of the present invention by a solution process, the material for forming the layer may be an appropriate organic solvent (for example, aliphatic carbonization such as hexane, octane, decane, decalin, etc.). Hydrogen solvents; aromatic hydrocarbon solvents such as toluene, xylene, mesitylene, ethylbenzene, and 1-methylnaphthalene; ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, and cyclohexanone; for example, dichloromethane, chloroform, and tetrachloro Halogenated hydrocarbon solvents such as methane, dichloroethane, trichloroethane, tetrachloroethane, chlorobenzene, dichlorobenzene, chlorotoluene; for example, ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, and amyl acetate; for example, methanol, propanol Alcohol solvents such as butanol, pentanol, hexanol, cyclohexanol, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, ethylene glycol; for example, ether solvents such as dibutyl ether, tetrahydrofuran, dioxane, anisole; for example, N, N-dimethylformamide, N , N-dimethylacetamide, 1-methyl-2-pyrrolidone, 1-methyl-2-imidazolidinone and other amide / imide solvents; dimethyl sulfoxide and other sulfoxide solvents; acetonitrile and other nitrile solvents) and / or A film can be formed by various coating methods by dissolving or dispersing in water to form a coating solution. A solvent may be used independently and may be used in combination of multiple. Among these, aromatic hydrocarbon solvents, halogenated hydrocarbon solvents, ketone solvents or ether solvents are preferred, toluene, xylene, mesitylene, tetralin, dichlorobenzene or anisole are more preferred, toluene, xylene, tetralin, Anisole is particularly preferred. In the composition for forming an organic semiconductor film of the present invention, the concentration of the compound represented by the general formula 1 is preferably 0.1 to 80% by mass, more preferably 0.1 to 10% by mass, particularly preferably. If it is 0.5-10 mass% and is these ranges, the film | membrane of arbitrary thickness can be formed.

［非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法］
本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法は、本発明の有機半導体膜形成用の組成物を成膜する工程と、
上記有機半導体膜形成用の組成物に対して外部刺激を与えて、前駆体である上記一般式１で表される化合物の少なくとも一部が下記一般式１１で表される化合物に変換された半導体活性層を形成する工程とを含む。

一般式Ｌ−１〜Ｌ−２５中、
＊はＬ¹の縮合環骨格とは逆側に隣接する炭素原子またはＬ−１〜Ｌ−２５中の波線部分との結合位置を表し、
波線部分は縮合環骨格またはＬ−１〜Ｌ−２５中の＊との結合位置を表し、
一般式Ｌ−１３におけるｍは４を表し、一般式Ｌ−１４およびＬ−１５におけるｍは３を表し、一般式Ｌ−１６〜Ｌ−２０におけるｍは２を表し、Ｌ−２２におけるｍは６を表し、
一般式Ｌ−１、Ｌ−２、Ｌ−６およびＬ−１３〜Ｌ−２４におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
Ｒ^Nは水素原子または置換基を表し、
Ｒ^siはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。 [Method for producing organic semiconductor film for non-luminescent organic semiconductor device]
The method for producing an organic semiconductor film for a non-emissive organic semiconductor device of the present invention includes a step of forming the organic semiconductor film forming composition of the present invention,
A semiconductor in which an external stimulus is applied to the composition for forming an organic semiconductor film, and at least a part of the precursor compound represented by the general formula 1 is converted into a compound represented by the following general formula 11 Forming an active layer.

＜成膜工程＞
本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法は、本発明の有機半導体膜形成用の組成物を成膜する工程を含む。
本発明の有機半導体膜形成用の組成物を成膜する工程はいかなる方法でもよい。
成膜の際、基板を加熱または冷却してもよく、基板の温度を変化させることで膜質や膜中での分子のパッキングを制御することが可能である。基板の温度としては特に制限はないが、０℃から２００℃の間であることが好ましく、１５℃〜１００℃の間であることがより好ましく、２０℃〜９５℃の間であることが特に好ましい。
上記一般式１１で表される化合物などの縮環芳香族化合物を基板上に成膜するとき、真空プロセスあるいは溶液プロセスにより成膜することが可能であり、溶液塗布法による成膜であることが好ましい。 <Film formation process>
The manufacturing method of the organic-semiconductor film for nonluminous organic-semiconductor devices of this invention includes the process of forming into a film the composition for organic-semiconductor film formation of this invention.
The method for forming the composition for forming an organic semiconductor film of the present invention may be any method.
During film formation, the substrate may be heated or cooled, and the film quality and molecular packing in the film can be controlled by changing the temperature of the substrate. Although there is no restriction | limiting in particular as temperature of a board | substrate, It is preferable that it is between 0 degreeC and 200 degreeC, It is more preferable that it is between 15 degreeC-100 degreeC, It is especially between 20 degreeC-95 degreeC. preferable.
When a condensed aromatic compound such as the compound represented by the above general formula 11 is formed on a substrate, it can be formed by a vacuum process or a solution process, and it must be formed by a solution coating method. preferable.

真空プロセスによる成膜の具体的な例としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、分子ビームエピタキシー（ＭＢＥ）法などの物理気相成長法あるいはプラズマ重合などの化学気相蒸着（ＣＶＤ）法が挙げられ、真空蒸着法を用いることが特に好ましい。 Specific examples of film formation by a vacuum process include physical vapor deposition methods such as vacuum deposition, sputtering, ion plating, molecular beam epitaxy (MBE), and chemical vapor deposition (CVD) such as plasma polymerization. ) Method, and it is particularly preferable to use a vacuum deposition method.

溶液プロセスによる成膜とは、ここでは有機化合物を溶解させることができる溶媒中に溶解させ、その溶液を用いて成膜する方法をさす。具体的には、キャスト法、ディップコート法、ダイコーター法、ロールコーター法、バーコーター法、スピンコート法などの溶液塗布法、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソグラフィー印刷法、オフセット印刷法、マイクロコンタクト印刷法などの各種印刷法、Ｌａｎｇｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇｅｔｔ（ＬＢ）法などの通常の方法を用いることができ、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、グラビア印刷法、フレキソグラフィー印刷法、オフセット印刷法、マイクロコンタクト印刷法を用いることが特に好ましい。
本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜は、溶液塗布法により作製されたことが好ましい。また、本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜がポリマーバインダーを含有する場合、層を形成する材料とポリマーバインダーとを適当な溶媒に溶解させ、または分散させて塗布液とし、各種の塗布法により形成されることが好ましい。 Here, film formation by a solution process refers to a method in which an organic compound is dissolved in a solvent that can be dissolved and a film is formed using the solution. Specifically, solution coating methods such as casting method, dip coating method, die coater method, roll coater method, bar coater method, spin coating method, ink jet method, screen printing method, gravure printing method, flexographic printing method, offset Various printing methods such as printing method, microcontact printing method, and normal methods such as Langmuir-Blodgett (LB) method can be used, casting method, spin coating method, ink jet method, gravure printing method, flexographic printing method, It is particularly preferable to use an offset printing method or a microcontact printing method.
The organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device of the present invention is preferably produced by a solution coating method. Further, when the organic semiconductor film for a non-light-emitting organic semiconductor device of the present invention contains a polymer binder, the material for forming the layer and the polymer binder are dissolved or dispersed in an appropriate solvent to form a coating solution. It is preferably formed by a coating method.

溶液プロセスで成膜するためには、上記で挙げた溶媒などに材料が溶解することが必要であるが、単に溶解するだけでは不十分である。通常、真空プロセスで成膜する材料でも、溶媒にある程度溶解させることができる。しかし、溶液プロセスでは、材料を溶媒に溶解させて塗布した後で、溶媒が蒸発して膜が形成する過程があり、溶液プロセス成膜に適さない材料は結晶性が高いものが多いため、この過程で不適切に結晶化（凝集）してしまい良好な膜を形成させることが困難である。上記一般式１で表される化合物は、−Ｗで表される置換基を有するため、このような結晶化（凝集）が起こりにくい点でも優れている。なお、本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法は、このような上記一般式１で表される化合物を用いて成膜した後、上記一般式１で表される化合物の少なくとも一部を後述の一般式１１で表される化合物に変換する。 In order to form a film by a solution process, it is necessary that the material is dissolved in the above-described solvent or the like, but it is not sufficient to simply dissolve the material. Usually, even a material for forming a film by a vacuum process can be dissolved in a solvent to some extent. However, in the solution process, there is a process in which a film is formed by evaporating the solvent after coating the material in a solvent, and many materials that are not suitable for solution process film formation have high crystallinity. It is difficult to form a good film due to inappropriate crystallization (aggregation) in the process. Since the compound represented by the general formula 1 has a substituent represented by -W, it is excellent in that crystallization (aggregation) hardly occurs. In addition, the manufacturing method of the organic-semiconductor film for nonluminous organic-semiconductor devices of this invention is formed into a film using such a compound represented by the said General formula 1, Then, the compound represented by the said General formula 1 is used. At least a part thereof is converted into a compound represented by the following general formula 11.

＜半導体活性層を形成する工程＞
本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法は、上記有機半導体膜形成用の組成物に対して外部刺激を与えて、前駆体である上記一般式１で表される化合物の少なくとも一部が上記一般式１１で表される化合物に変換された半導体活性層を形成する工程を含む。 <Step of forming a semiconductor active layer>
The manufacturing method of the organic-semiconductor film for nonluminous organic-semiconductor devices of this invention gives an external stimulus with respect to the said composition for organic-semiconductor film formation, and is the compound represented by the said General formula 1 which is a precursor A step of forming a semiconductor active layer at least partially converted to the compound represented by Formula 11 above.

（外部刺激）
上記外部刺激としては特に制限は無く、加熱、光照射を挙げることができ、その中でも外部刺激が加熱であることが好ましく、外部刺激が１００℃以上での加熱であることがより好ましい。
外部刺激は１００〜３５０℃での加熱であることが特に好ましく、１００〜２００℃での加熱であることがより特に好ましい。
このような外部刺激により、前駆体である上記一般式１で表される化合物の少なくとも一部が上記一般式１１で表される化合物に変換される。
上記一般式１で表される化合物の少なくとも一部が上記一般式１１で表される化合物に変換されればよく、上記一般式１で表される化合物の全部が上記一般式１１で表される化合物に変換される必要はない。上記一般式１で表される化合物から上記一般式１１で表される化合物への変換の割合は、温度、時間、Ｗで表される置換基の変更などの様々な方法により制御することができる。
その他、Ｃｏｐｅ転移の詳細については、特開２０００−１１９２１１号公報のコープ転位を用いたシトラールの製造方法に関する段落の記載を参考にすることができ、この文献の内容は本明細書に組み込まれる。 (External stimulus)
The external stimulus is not particularly limited, and examples thereof include heating and light irradiation. Among them, the external stimulus is preferably heating, and the external stimulus is more preferably heating at 100 ° C. or higher.
The external stimulus is particularly preferably heating at 100 to 350 ° C., and more preferably 100 to 200 ° C.
By such external stimulation, at least a part of the compound represented by the general formula 1 as a precursor is converted into the compound represented by the general formula 11.
It suffices that at least a part of the compound represented by the general formula 1 is converted into the compound represented by the general formula 11, and all the compounds represented by the general formula 1 are represented by the general formula 11. It need not be converted to a compound. The rate of conversion from the compound represented by the general formula 1 to the compound represented by the general formula 11 can be controlled by various methods such as temperature, time, and change of the substituent represented by W. .
In addition, regarding the details of the Cope transition, reference can be made to the description of the paragraph relating to the method for producing citral using the Cope rearrangement in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-119211, and the contents of this document are incorporated herein.

［非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜］
本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の第一の態様は、本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法で製造された、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜である。
本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の第二の態様は、本発明の有機半導体膜形成用の組成物の第２の態様（すなわち、上記一般式１１で表される化合物を含む有機半導体膜形成用の組成物）を含有する非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜である。 [Organic semiconductor film for non-luminescent organic semiconductor devices]
The first aspect of the organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device of the present invention is an organic semiconductor for a non-luminescent organic semiconductor device manufactured by the method for manufacturing an organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device of the present invention. It is a membrane.
A second aspect of the organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device of the present invention includes the second aspect of the composition for forming an organic semiconductor film of the present invention (that is, the compound represented by the above general formula 11). An organic semiconductor film for a non-light-emitting organic semiconductor device containing a composition for forming an organic semiconductor film).

本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜は下記一般式１で表される化合物をさらに含むことが好ましい。なお、一般式１の好ましい範囲は、本発明の有機半導体膜形成用の組成物の説明において上述したとおりである。

一般式Ｌ−１〜Ｌ−２５中、
＊はＬ¹の縮合環骨格とは逆側に隣接する炭素原子またはＬ−１〜Ｌ−２５中の波線部分との結合位置を表し、
波線部分は縮合環骨格またはＬ−１〜Ｌ−２５中の＊との結合位置を表し、
一般式Ｌ−１３におけるｍは４を表し、一般式Ｌ−１４およびＬ−１５におけるｍは３を表し、一般式Ｌ−１６〜Ｌ−２０におけるｍは２を表し、Ｌ−２２におけるｍは６を表し、
一般式Ｌ−１、Ｌ−２、Ｌ−６およびＬ−１３〜Ｌ−２４におけるＲ’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、
Ｒ^Nは水素原子または置換基を表し、
Ｒ^siはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。 The organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device of the present invention preferably further contains a compound represented by the following general formula 1. In addition, the preferable range of General formula 1 is as having mentioned above in description of the composition for organic-semiconductor film formation of this invention.

＜組成比＞
本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜は、上記一般式１で表される化合物の含有量が、上記一般式１１で表される化合物の含有量に対して、０．０１〜５０質量％であることが好ましく、０．０１〜２０質量％であることがより好ましく、０.１〜１０質量％であることが特に好ましい。 <Composition ratio>
In the organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device of the present invention, the content of the compound represented by the general formula 1 is 0.01 to 50 with respect to the content of the compound represented by the general formula 11. It is preferable that it is mass%, It is more preferable that it is 0.01-20 mass%, It is especially preferable that it is 0.1-10 mass%.

＜用途＞
本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜を、非発光性有機半導体デバイスの製造に用いることができ、非発光性有機半導体デバイスの中でも有機膜トランジスタの製造に好ましく用いることができる。
なお、「発光性」有機半導体デバイスとして、有機ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＥＬ）素子が知られている。有機ＥＬ素子材料として有用なものが、ただちに有機膜トランジスタ用半導体材料として有用であると言うことはできない。これは、有機ＥＬ素子と有機膜トランジスタでは、有機化合物に求められる特性が異なるためである。有機ＥＬ素子では通常膜の膜厚方向（通常数ｎｍ〜数１００ｎｍ）に電荷を輸送する必要があるのに対し、有機膜トランジスタでは膜面方向の電極間（通常数μｍ〜数１００μｍ）の長距離を電荷（キャリア）輸送する必要がある。このため、求められるキャリア移動度が格段に高い。そのため、有機膜トランジスタ用半導体材料としては、分子の配列秩序が高い、結晶性が高い有機化合物が求められている。また、高いキャリア移動度発現のため、π共役平面は基板に対して直立していることが好ましい。一方、有機ＥＬ素子では、発光効率を高めるため、発光効率が高く、面内での発光が均一な素子が求められている。通常、結晶性の高い有機化合物は、面内の電界強度不均一、発光不均一、発光クエンチ等、発光欠陥を生じさせる原因となるため、有機ＥＬ素子用材料は結晶性を低くし、アモルファス性の高い材料が望まれる。このため、有機ＥＬ素子材料を構成する有機化合物を有機半導体材料にそのまま転用しても、ただちに良好なトランジスタ特性を得ることができる訳ではない。
また、同様に有機光電変換素子として有用なものも、ただちには、求められるキャリア移動度が格段に高い有機膜トランジスタ用半導体材料として有用であると言うことはできない。 <Application>
The organic semiconductor film for non-light-emitting organic semiconductor devices of the present invention can be used for manufacturing a non-light-emitting organic semiconductor device, and among non-light-emitting organic semiconductor devices, it can be preferably used for manufacturing an organic film transistor.
In addition, an organic Electro Luminescence (EL) element is known as a “light-emitting” organic semiconductor device. What is useful as an organic EL element material cannot be immediately said to be useful as a semiconductor material for an organic film transistor. This is because the characteristics required for the organic compound are different between the organic EL element and the organic film transistor. In an organic EL element, it is usually necessary to transport charges in the film thickness direction (usually several nm to several hundred nm), whereas in an organic film transistor, the length between electrodes (usually several μm to several hundred μm) in the film surface direction is required. It is necessary to transport charges (carriers) over a distance. For this reason, the required carrier mobility is remarkably high. Therefore, as a semiconductor material for an organic film transistor, an organic compound having high molecular order and high crystallinity is required. In order to develop high carrier mobility, the π conjugate plane is preferably upright with respect to the substrate. On the other hand, in order to increase the light emission efficiency, an organic EL element is required to have a high light emission efficiency and uniform light emission in the surface. In general, organic compounds with high crystallinity cause light emission defects such as in-plane electric field strength non-uniformity, light emission non-uniformity, and light emission quenching. High material is desired. For this reason, even if the organic compound constituting the organic EL element material is directly transferred to the organic semiconductor material, good transistor characteristics cannot be obtained immediately.
Similarly, what is also useful as an organic photoelectric conversion element cannot be immediately said to be useful as a semiconductor material for an organic film transistor that has a remarkably high carrier mobility.

本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜は、溶液塗布法により作製されたことが好ましい。 The organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device of the present invention is preferably produced by a solution coating method.

［有機膜トランジスタの製造方法］
本発明の有機膜トランジスタの製造方法は、本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法を含み、有機膜トランジスタの半導体活性層として、上記非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜を用いる。
半導体活性層を形成する工程が、上記非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜の製造方法であることが好ましい。 [Method for manufacturing organic film transistor]
The method for producing an organic film transistor of the present invention includes the method for producing an organic semiconductor film for a non-light-emitting organic semiconductor device of the present invention. Is used.
The step of forming the semiconductor active layer is preferably the above-described method for producing an organic semiconductor film for a non-light-emitting organic semiconductor device.

［有機膜トランジスタ］
本発明の有機膜トランジスタの第一の態様は、本発明の有機膜トランジスタの製造方法で製造された、有機膜トランジスタである。
本発明の有機膜トランジスタの第一の態様は、有機膜トランジスタの半導体活性層として本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜を有する、有機膜トランジスタである。
本発明の有機膜トランジスタは、基板上に絶縁体層を有し、絶縁体層の片側にお互いに離間したソース電極およびドレイン電極を有し、絶縁体層のもう片側にゲート電極を有し、ソース電極、ドレイン電極および絶縁体層に接した半導体活性層を有し、基板、ゲート電極、絶縁体層および半導体活性層が積層した構造の有機膜トランジスタであり、半導体活性層が、本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜であることが好ましい。 [Organic film transistor]
The first aspect of the organic film transistor of the present invention is an organic film transistor manufactured by the method of manufacturing an organic film transistor of the present invention.
The first aspect of the organic film transistor of the present invention is an organic film transistor having the organic semiconductor film for a non-light-emitting organic semiconductor device of the present invention as a semiconductor active layer of the organic film transistor.
The organic film transistor of the present invention has an insulator layer on a substrate, has a source electrode and a drain electrode separated from each other on one side of the insulator layer, and has a gate electrode on the other side of the insulator layer, An organic film transistor having a structure in which a substrate, a gate electrode, an insulator layer, and a semiconductor active layer are stacked, having a semiconductor active layer in contact with a source electrode, a drain electrode, and an insulator layer. An organic semiconductor film for a non-light-emitting organic semiconductor device is preferable.

＜縮環芳香族化合物である有機半導体材料＞
本発明の有機膜トランジスタは、後述の半導体活性層が本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜を含む。 <Organic semiconductor material which is a fused aromatic compound>
In the organic film transistor of the present invention, the semiconductor active layer described later includes the organic semiconductor film for a non-light-emitting organic semiconductor device of the present invention.

本明細書において、「有機半導体材料」とは、半導体の特性を示す有機材料のことである。無機材料からなる半導体と同様に、正孔をキャリアとして伝導するｐ型（ホール輸送性）有機半導体材料と、電子をキャリアとして伝導するｎ型（電子輸送性）有機半導体材料がある。
前述の一般式１で表される化合物、前述の一般式１１で表される化合物およびこれらを含む組成物はｐ型有機半導体材料、ｎ型の有機半導体材料のどちらとして用いてもよいが、ｐ型として用いることがより好ましい。有機半導体中のキャリアの流れやすさはキャリア移動度μで表される。キャリア移動度μは高い方がよく、５×１０^-2ｃｍ²／Ｖｓ以上であることが好ましく、１×１０^-1ｃｍ²／Ｖｓ以上であることがより好ましく、５×１０^-1ｃｍ²／Ｖｓ以上であることが特に好ましい。キャリア移動度μは電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）素子を作製したときの特性や飛行時間計測（ＴＯＦ）法により求めることができる。 In the present specification, the “organic semiconductor material” is an organic material exhibiting semiconductor characteristics. Similar to semiconductors made of inorganic materials, there are p-type (hole-transporting) organic semiconductor materials that conduct holes as carriers and n-type (electron-transporting) organic semiconductor materials that conduct electrons as carriers.
The compound represented by the above general formula 1, the compound represented by the above general formula 11, and a composition containing these may be used as either a p-type organic semiconductor material or an n-type organic semiconductor material. More preferably, it is used as a mold. The ease of carrier flow in the organic semiconductor is represented by carrier mobility μ. The carrier mobility μ should be high, preferably 5 × 10 ⁻² cm ² / Vs or more, more preferably 1 × 10 ⁻¹ cm ² / Vs or more, and 5 × 10 ⁻¹ cm ^2. / Vs or higher is particularly preferable. The carrier mobility μ can be obtained by characteristics when a field effect transistor (FET) element is manufactured or by a time-of-flight measurement (TOF) method.

＜有機膜トランジスタの構造＞
本発明の有機膜トランジスタの構造は、基板上に絶縁体層を有し、絶縁体層の片側にお互いに離間したソース電極およびドレイン電極を有し、絶縁体層のもう片側にゲート電極を有し、ソース電極、ドレイン電極および絶縁体層に接した半導体活性層を有し、基板、ゲート電極、絶縁体層および半導体活性層は積層した構造の有機膜トランジスタである。
本発明の有機膜トランジスタは、有機電界効果トランジスタ（ＦｉｅｌｄＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＦＥＴ）として用いられることが好ましく、ゲート−チャンネル間が絶縁されている絶縁ゲート型ＦＥＴとして用いられることがより好ましい。
以下、本発明の有機膜トランジスタの好ましい構造の態様について、図面を用いて詳しく説明するが、本発明はこれらの態様に限定されるものではない。 <Structure of organic film transistor>
The structure of the organic film transistor of the present invention has an insulator layer on a substrate, a source electrode and a drain electrode spaced apart from each other on one side of the insulator layer, and a gate electrode on the other side of the insulator layer. The organic film transistor has a semiconductor active layer in contact with the source electrode, the drain electrode, and the insulator layer, and the substrate, the gate electrode, the insulator layer, and the semiconductor active layer are stacked.
The organic film transistor of the present invention is preferably used as an organic field effect transistor (FET), and more preferably as an insulated gate FET in which a gate-channel is insulated.
Hereinafter, although the aspect of the preferable structure of the organic film transistor of this invention is demonstrated in detail using drawing, this invention is not limited to these aspects.

（積層構造）
有機電界効果トランジスタの積層構造としては特に制限はなく、公知の様々な構造のものとすることができる。
本発明の有機膜トランジスタの構造の一例としては、最下層の基板の上面に、電極、絶縁体層、半導体活性層（有機半導体層）、２つの電極を順に配置した構造（ボトムゲート・トップコンタクト型）を挙げることができる。この構造では、最下層の基板の上面の電極は基板の一部に設けられ、絶縁体層は、電極以外の部分で基板と接するように配置される。また、半導体活性層の上面に設けられる２つの電極は、互いに隔離して配置される。
ボトムゲート・トップコンタクト型素子の構成を図１に示す。図１は、本発明の有機膜トランジスタの一例の構造の断面を示す概略図である。図１の有機膜トランジスタは、最下層に基板１１を配置し、その上面の一部に電極１２を設け、さらにこの電極１２を覆い、かつ電極１２以外の部分で基板１１と接するように絶縁体層１３を設けている。さらに絶縁体層１３の上面に半導体活性層１４を設け、その上面の一部に２つの電極１５ａと１５ｂとを隔離して配置している。
図１に示した有機膜トランジスタは、電極１２がゲートであり、電極１５ａと電極１５ｂはそれぞれドレインまたはソースである。また、図１に示した有機膜トランジスタは、ドレイン−ソース間の電流通路であるチャンネルと、ゲートとの間が絶縁されている絶縁ゲート型ＦＥＴである。 (Laminated structure)
There is no restriction | limiting in particular as a laminated structure of an organic field effect transistor, It can be set as the thing of various well-known structures.
As an example of the structure of the organic film transistor of the present invention, an electrode, an insulator layer, a semiconductor active layer (organic semiconductor layer), and two electrodes are sequentially arranged on the upper surface of the lowermost substrate (bottom gate / top contact). Type). In this structure, the electrode on the upper surface of the lowermost substrate is provided on a part of the substrate, and the insulator layer is disposed so as to be in contact with the substrate at a portion other than the electrode. Further, the two electrodes provided on the upper surface of the semiconductor active layer are arranged separately from each other.
The structure of the bottom gate / top contact type element is shown in FIG. FIG. 1 is a schematic view showing a cross section of an example of the structure of an organic film transistor of the present invention. The organic film transistor of FIG. 1 has a substrate 11 disposed in the lowermost layer, an electrode 12 is provided on a part of the upper surface thereof, covers the electrode 12, and is in contact with the substrate 11 at a portion other than the electrode 12 Layer 13 is provided. Further, the semiconductor active layer 14 is provided on the upper surface of the insulator layer 13, and the two electrodes 15a and 15b are disposed separately on a part of the upper surface.
In the organic film transistor shown in FIG. 1, the electrode 12 is a gate, and the electrodes 15a and 15b are drains or sources, respectively. The organic film transistor shown in FIG. 1 is an insulated gate FET in which a channel that is a current path between a drain and a source is insulated from a gate.

本発明の有機膜トランジスタの構造の一例としては、ボトムゲート・ボトムコンタクト型素子を挙げることができる。
ボトムゲート・ボトムコンタクト型素子の構成を図２に示す。図２は本発明の実施例でＦＥＴ特性測定用基板として製造した有機膜トランジスタの構造の断面を示す概略図である。図２の有機膜トランジスタは、最下層に基板３１を配置し、その上面の一部に電極３２を設け、さらにこの電極３２を覆い、かつ電極３２以外の部分で基板３１と接するように絶縁体層３３を設けている。さらに絶縁体層３３の上面に半導体活性層３５を設け、電極３４ａと３４ｂが半導体活性層３５の下部にある。
図２に示した有機膜トランジスタは、電極３２がゲートであり、電極３４ａと電極３４ｂはそれぞれドレインまたはソースである。また、図２に示した有機膜トランジスタは、ドレイン−ソース間の電流通路であるチャンネルと、ゲートとの間が絶縁されている絶縁ゲート型ＦＥＴである。 An example of the structure of the organic film transistor of the present invention is a bottom gate / bottom contact type element.
The structure of the bottom gate / bottom contact type element is shown in FIG. FIG. 2 is a schematic view showing a cross section of the structure of an organic film transistor manufactured as an FET characteristic measurement substrate in an embodiment of the present invention. The organic film transistor of FIG. 2 has a substrate 31 disposed in the lowermost layer, an electrode 32 is provided on a part of the upper surface thereof, covers the electrode 32 and is in contact with the substrate 31 at a portion other than the electrode 32. Layer 33 is provided. Further, the semiconductor active layer 35 is provided on the upper surface of the insulator layer 33, and the electrodes 34 a and 34 b are below the semiconductor active layer 35.
In the organic film transistor shown in FIG. 2, the electrode 32 is a gate, and the electrode 34a and the electrode 34b are a drain or a source, respectively. Further, the organic film transistor shown in FIG. 2 is an insulated gate FET in which a channel which is a current path between a drain and a source is insulated from a gate.

本発明の有機膜トランジスタの構造としては、その他、絶縁体、ゲート電極が半導体活性層の上部にあるトップゲート・トップコンタクト型素子や、トップゲート・ボトムコンタクト型素子も好ましく用いることができる。 As the structure of the organic film transistor of the present invention, a top gate / top contact element having an insulator and a gate electrode on the semiconductor active layer, and a top gate / bottom contact element can also be preferably used.

（厚さ）
本発明の有機膜トランジスタは、より薄いトランジスタとする必要がある場合には、例えばトランジスタ全体の厚さを０．１〜０．５μｍとすることが好ましい。 (thickness)
When it is necessary to make the organic film transistor of the present invention thinner, for example, the thickness of the entire transistor is preferably 0.1 to 0.5 μm.

（封止）
有機膜トランジスタ素子を大気や水分から遮断し、有機膜トランジスタ素子の保存性を高めるために、有機膜トランジスタ素子全体を金属の封止缶やガラス、窒化ケイ素などの無機材料、パリレンなどの高分子材料や、低分子材料などで封止してもよい。
以下、本発明の有機膜トランジスタの各層の好ましい態様について説明するが、本発明はこれらの態様に限定されるものではない。 (Sealing)
In order to shield the organic film transistor element from the air and moisture and improve the storage stability of the organic film transistor element, the entire organic film transistor element is made of a metal sealing can, an inorganic material such as glass or silicon nitride, or a polymer such as parylene. It may be sealed with a material or a low molecular material.
Hereinafter, although the preferable aspect of each layer of the organic film transistor of this invention is demonstrated, this invention is not limited to these aspects.

＜基板＞
（材料）
本発明の有機膜トランジスタは、基板を含む。
基板の材料としては特に制限はなく、公知の材料を用いることができ、例えば、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などのポリエステルフィルム、シクロオレフィンポリマーフィルム、ポリカーボネートフィルム、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）フィルム、ポリイミドフィルム、およびこれらポリマーフィルムを極薄ガラスに貼り合わせたもの、セラミック、シリコン、石英、ガラス、などを挙げることができ、シリコンが好ましい。 <Board>
(material)
The organic film transistor of the present invention includes a substrate.
There is no restriction | limiting in particular as a material of a board | substrate, A well-known material can be used, For example, polyester films, such as a polyethylene naphthalate (PEN) and a polyethylene terephthalate (PET), a cycloolefin polymer film, a polycarbonate film, a triacetyl cellulose ( TAC) film, polyimide film, and those obtained by bonding these polymer films to ultrathin glass, ceramic, silicon, quartz, glass, and the like, and silicon is preferable.

＜電極＞
（材料）
本発明の有機膜トランジスタは、ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極などの電極を含む。
電極の構成材料としては、例えば、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ、ＮｉあるいはＮｄなどの金属材料やこれらの合金材料、あるいはカーボン材料、導電性高分子などの既知の導電性材料であれば特に制限することなく使用できる。 <Electrode>
(material)
The organic film transistor of the present invention includes electrodes such as a source electrode, a drain electrode, and a gate electrode.
Examples of the constituent material of the electrode include metal materials such as Cr, Al, Ta, Mo, Nb, Cu, Ag, Au, Pt, Pd, In, Ni, and Nd, alloy materials thereof, carbon materials, and conductivity. Any known conductive material such as a polymer can be used without particular limitation.

（厚さ）
電極の厚さは特に制限はないが、１０〜５０ｎｍとすることが好ましい。
ゲート幅（またはチャンネル幅）Ｗとゲート長（またはチャンネル長）Ｌに特に制限はないが、これらの比Ｗ／Ｌが１０以上であることが好ましく、２０以上であることがより好ましい。 (thickness)
The thickness of the electrode is not particularly limited, but is preferably 10 to 50 nm.
There is no particular limitation on the gate width (or channel width) W and the gate length (or channel length) L, but the ratio W / L is preferably 10 or more, more preferably 20 or more.

＜絶縁層＞
（材料）
絶縁層を構成する材料は必要な絶縁効果が得られれば特に制限はないが、例えば、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、ＰＴＦＥ、ＣＹＴＯＰ等のフッ素ポリマー系絶縁材料、ポリエステル絶縁材料、ポリカーボネート絶縁材料、アクリルポリマー系絶縁材料、エポキシ樹脂系絶縁材料、ポリイミド絶縁材料、ポリビニルフェノール樹脂系絶縁材料、ポリパラキシリレン樹脂系絶縁材料などが挙げられる。
絶縁層の上面は表面処理がなされていてもよく、例えば、二酸化ケイ素表面をヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）やオクタデシルトリクロロシラン（ＯＴＳ）の塗布により表面処理した絶縁層を好ましく用いることができる。 <Insulating layer>
(material)
The material constituting the insulating layer is not particularly limited as long as the necessary insulating effect can be obtained. For example, fluorine polymer insulating materials such as silicon dioxide, silicon nitride, PTFE, CYTOP, polyester insulating materials, polycarbonate insulating materials, acrylic polymers Insulating material, epoxy resin insulating material, polyimide insulating material, polyvinylphenol resin insulating material, polyparaxylylene resin insulating material, and the like.
The upper surface of the insulating layer may be surface-treated. For example, an insulating layer whose surface is treated by applying hexamethyldisilazane (HMDS) or octadecyltrichlorosilane (OTS) to the silicon dioxide surface can be preferably used.

（厚さ）
絶縁層の厚さに特に制限はないが、薄膜化が求められる場合は厚さを１０〜４００ｎｍとすることが好ましく、２０〜２００ｎｍとすることがより好ましく、５０〜２００ｎｍとすることが特に好ましい。 (thickness)
The thickness of the insulating layer is not particularly limited, but when thinning is required, the thickness is preferably 10 to 400 nm, more preferably 20 to 200 nm, and particularly preferably 50 to 200 nm. .

＜半導体活性層＞
（材料）
本発明の有機膜トランジスタは、半導体活性層が本発明の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜である。
半導体活性層は、前述のポリマーバインダーがさらに含まれた層であってもよい。また、成膜時の残留溶媒が含まれていてもよい。
半導体活性層中におけるポリマーバインダーの含有量は、特に制限はないが、好ましくは０〜９５質量％の範囲内で用いられ、より好ましくは１０〜９０質量％の範囲内で用いられ、さらに好ましくは２０〜８０質量％の範囲内で用いられ、特に好ましくは３０〜７０質量％の範囲内で用いられる。 <Semiconductor active layer>
(material)
In the organic film transistor of the present invention, the semiconductor active layer is the organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device of the present invention.
The semiconductor active layer may be a layer further containing the aforementioned polymer binder. Moreover, the residual solvent at the time of film-forming may be contained.
The content of the polymer binder in the semiconductor active layer is not particularly limited, but is preferably used in the range of 0 to 95% by mass, more preferably in the range of 10 to 90% by mass, and still more preferably. It is used within a range of 20 to 80% by mass, and particularly preferably within a range of 30 to 70% by mass.

（厚さ）
半導体活性層の厚さに特に制限はないが、薄膜化が求められる場合は厚さを１０〜４００ｎｍとすることが好ましく、１０〜２００ｎｍとすることがより好ましく、１０〜１００ｎｍとすることが特に好ましい。 (thickness)
Although there is no restriction | limiting in particular in the thickness of a semiconductor active layer, When thinning is calculated | required, it is preferable to set thickness to 10-400 nm, It is more preferable to set it as 10-200 nm, It is especially preferable to set it as 10-100 nm. preferable.

さらに、上記一般式１で表される化合物や上記一般式１１で表される化合物などの縮環芳香族化合物が上述した構造をとることにより、膜質の良い有機半導体膜を得ることができる。具体的には、縮環芳香族化合物は、結晶性が良いため、十分な膜厚を得ることができ、得られた非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜は良質なものとなる。 Furthermore, when the condensed ring aromatic compound such as the compound represented by the general formula 1 or the compound represented by the general formula 11 has the above-described structure, an organic semiconductor film having good film quality can be obtained. Specifically, since the condensed aromatic compound has good crystallinity, a sufficient film thickness can be obtained, and the obtained organic semiconductor film for a non-light-emitting organic semiconductor device has a good quality.

（成膜方法）
上記一般式１１で表される化合物などを含む半導体活性層を基板上に成膜する方法はいかなる方法でもよい。ただし、本発明では、上記一般式１で表される化合物を含む上記有機半導体膜形成用の組成物を成膜（例えば基板上に塗布）してから、上記有機半導体膜形成用の組成物に対して外部刺激を与えて、前駆体である上記一般式１で表される化合物の少なくとも一部が下記一般式１１で表される化合物に変換することが好ましい。 (Film formation method)
Any method may be used for forming the semiconductor active layer containing the compound represented by the general formula 11 on the substrate. However, in the present invention, the organic semiconductor film-forming composition containing the compound represented by the general formula 1 is formed (for example, coated on a substrate), and then the organic semiconductor film-forming composition is formed. On the other hand, it is preferable that an external stimulus is applied to convert at least a part of the compound represented by the general formula 1 as a precursor into a compound represented by the following general formula 11.

以下に実施例と比較例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。 Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples and comparative examples. The materials, amounts used, ratios, processing details, processing procedures, and the like shown in the following examples can be changed as appropriate without departing from the spirit of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should not be construed as being limited by the specific examples shown below.

［実施例１〜８、比較例１および２］
（合成例）
上記一般式１を満たす化合物として、化合物１００、１１６、１３３、１４９、１６６、１９８、２１５および２３２を、前述のスキーム１を参考にしつつ、以下の方法により合成した。
代表例として化合物１００（以下の合成スキーム中では化合物Ｆと記載）の合成例を以下に示す。
＜化合物１００の合成＞

化合物ＡはＪｏｕｒｎａｌＯＦＴＨＥＡｍｅｒｉｃａｎＣｈｅｍｉｃａｌＳｏｃｉｅｔｙ，２００６，１２６０４−１２６０５を参考に合成することができる。
その他の化合物１１６、１３３、１４９、１６６、１９８、２１５、２３２の合成については、それぞれの母核を公知の方法で合成した後、化合物１００と同様にしてＣｏｐｅ転移可能な一般式１中のＷで表される基を導入し、合成した。 [Examples 1-8, Comparative Examples 1 and 2]
(Synthesis example)
As compounds satisfying the above general formula 1, compounds 100, 116, 133, 149, 166, 198, 215 and 232 were synthesized by the following method with reference to the above-mentioned scheme 1.
As a typical example, a synthesis example of compound 100 (described as compound F in the following synthesis scheme) is shown below.
<Synthesis of Compound 100>

Compound A can be synthesized with reference to Journal OF THE American Chemical Society, 2006, 12604-12605.
For the synthesis of the other compounds 116, 133, 149, 166, 198, 215, 232, after synthesizing the respective mother nuclei by a known method, W in Formula 1 capable of the Cope transfer can be performed in the same manner as in Compound 100. Was synthesized by introducing a group represented by the formula:

上記一般式１を満たさない比較化合物として、下記比較化合物１と下記比較化合物２を用いた。下記比較化合物１は、特開２０１２−２０９８７号公報に記載の化合物（実６）であり、特開２０１２−２０９８７号公報の［０２９６］〜［０３０５］に従って合成することができる。下記比較化合物２は、特開２０１１−１５１２５７号公報に記載のＤＮＴＴ−１ＢＺＭＩであり、特開２０１１−１５１２５７号公報の［０２７９］〜［０２８７］に従って合成することができる。 As a comparative compound not satisfying the general formula 1, the following comparative compound 1 and the following comparative compound 2 were used. The following comparative compound 1 is a compound (Act 6) described in JP2012-20987A and can be synthesized according to [0296] to [0305] of JP2012-20987A. The following comparative compound 2 is DNTT-1BZMI described in JP2011-151257A, and can be synthesized according to [0279] to [0287] in JP2011-151257A.

＜素子作製・評価＞
素子作製に用いた材料は全て昇華精製を行い、高速液体クロマトグラフィー（東ソーＴＳＫｇｅｌＯＤＳ−１００Ｚ）により純度（２５４ｎｍの吸収強度面積比）が９９．５％以上であることを確認した。 <Device fabrication and evaluation>
All materials used for device fabrication were subjected to sublimation purification, and it was confirmed by high performance liquid chromatography (Tosoh TSKgel ODS-100Z) that the purity (absorption intensity area ratio at 254 nm) was 99.5% or more.

＜化合物単独で半導体活性層（有機半導体層）を形成＞
一般式１を満たす化合物または比較化合物（各１ｍｇ）とトルエン（１ｍＬ）を混合し、１００℃に加熱したものを、有機半導体膜形成用の組成物（塗布溶液）とした。
この塗布溶液を窒素雰囲気下、９０℃に加熱したＦＥＴ特性測定用基板上にキャストすることで、前駆体組成物膜を成膜し、その後有機半導体膜を２５０℃で３０分加熱（外部刺激を付与）することで前駆体として用いた一般式１を満たす化合物の一部を一般式１１を満たす化合物に変換し、各実施例および比較例の非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜（半導体活性層）を形成し、すなわちＦＥＴ特性測定用の各実施例および比較例の有機膜トランジスタ素子１〜１０を得た。得られた有機膜トランジスタ素子１〜８をそれぞれ実施例１〜８の有機膜トランジスタ素子とし、得られた有機膜トランジスタ素子９および１０をそれぞれ比較例１および２の有機膜トランジスタ素子とした。
ＦＥＴ特性測定用基板としては、ソースおよびドレイン電極としてくし型に配置されたクロム／金（ゲート幅Ｗ＝１００ｍｍ、ゲート長Ｌ＝１００μｍ）、絶縁膜としてＳｉＯ₂（膜厚２００ｎｍ）を備えたボトムコンタクト構造のシリコン基板（図２に構造の概略図を示した）を用いた。
実施例１の有機膜トランジスタの半導体活性層中、Ｃｏｐｅ転移前の前駆体である化合物１００の含有量は、上記表１に記載した構造を有するＣｏｐｅ転移による変換後のＣｏｐｅ転移体に対して５質量％であることを高速液体クロマトグラフィー（ＳＨＩＭＡＤＺＵ製）を用いて求めた。
実施例１と同様の方法により、実施例２〜８の有機膜トランジスタの半導体活性層中、Ｃｏｐｅ転移前の前駆体である化合物の含有量は、Ｃｏｐｅ転移後のＣｏｐｅ転移体に対して１〜１０質量％であることを確認した。 <Forming a semiconductor active layer (organic semiconductor layer) with a compound alone>
A compound satisfying general formula 1 or a comparative compound (each 1 mg) and toluene (1 mL) were mixed and heated to 100 ° C. to obtain a composition (coating solution) for forming an organic semiconductor film.
By casting this coating solution on a substrate for FET characteristic measurement heated to 90 ° C. in a nitrogen atmosphere, a precursor composition film is formed, and then the organic semiconductor film is heated at 250 ° C. for 30 minutes (external stimulus is applied). A part of the compound satisfying the general formula 1 used as a precursor by conversion to a compound satisfying the general formula 11, and organic semiconductor films for non-light-emitting organic semiconductor devices of each example and comparative example (semiconductor activity) Layer), that is, organic film transistor elements 1 to 10 of Examples and Comparative Examples for measuring FET characteristics were obtained. The obtained organic film transistor elements 1 to 8 were organic film transistor elements of Examples 1 to 8, respectively, and the obtained organic film transistor elements 9 and 10 were organic film transistor elements of Comparative Examples 1 and 2, respectively.
As a substrate for FET characteristic measurement, a bottom provided with chromium / gold (gate width W = 100 mm, gate length L = 100 μm) disposed in a comb shape as source and drain electrodes, and SiO ₂ (film thickness 200 nm) as an insulating film. A silicon substrate having a contact structure (a schematic diagram of the structure is shown in FIG. 2) was used.
In the semiconductor active layer of the organic film transistor of Example 1, the content of the compound 100, which is a precursor before the Cope transition, is 5 with respect to the Cope transition body after conversion by the Cope transition having the structure described in Table 1 above. The mass% was determined using high performance liquid chromatography (manufactured by SHIMADZU).
In the same manner as in Example 1, in the semiconductor active layers of the organic film transistors of Examples 2 to 8, the content of the compound that is a precursor before the Cope transition is 1 to 1 with respect to the Cope transition body after the Cope transition. It was confirmed that the content was 10% by mass.

実施例１〜８、比較例１および２の有機膜トランジスタ素子のＦＥＴ特性は、セミオートプローバー（ベクターセミコン製、ＡＸ−２０００）を接続した半導体パラメーターアナライザー（Ａｇｉｌｅｎｔ製、４１５６Ｃ）を用いて常圧・窒素雰囲気下で、キャリア移動度、アニール後の移動度変化の観点で評価した。得られた結果を下記表１０に示す。 The FET characteristics of the organic film transistor elements of Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 and 2 were measured using a semiconductor parameter analyzer (Agilent, 4156C) connected to a semi-auto prober (Vector Semicon, AX-2000). Evaluation was performed in terms of carrier mobility and mobility change after annealing in a nitrogen atmosphere. The obtained results are shown in Table 10 below.

（ａ）キャリア移動度
各実施例および比較例の有機膜トランジスタ素子（ＦＥＴ素子）のソース電極−ドレイン電極間に−８０Ｖの電圧を印加し、ゲート電圧を２０Ｖ〜−１００Ｖの範囲で変化させ、ドレイン電流Ｉ_dを表わす式Ｉ_d＝（ｗ／２Ｌ）μＣｉ（Ｖ_g−Ｖ_th）²（式中、Ｌはゲート長、Ｗはゲート幅、Ｃｉは絶縁層の単位面積当たりの容量、Ｖ_gはゲート電圧、Ｖ_thは閾値電圧）を用いてキャリア移動度μを算出した。 (A) Carrier mobility A voltage of −80 V is applied between the source electrode and the drain electrode of the organic film transistor element (FET element) of each Example and Comparative Example, and the gate voltage is changed in the range of 20 V to −100 V. Formula I _d representing drain current I _d = (w / 2L) μCi (V _g −V _th ) ² (where L is the gate length, W is the gate width, Ci is the capacitance per unit area of the insulating layer, V _The carrier mobility μ was calculated using _{g as} the gate voltage and V _{th as} the threshold voltage.

（ｂ）１３０℃、５分アニール後移動度変化および１７０℃、５分アニール後移動度変化
各実施例および比較例の有機膜トランジスタ素子（ＦＥＴ素子）を、１３０℃、１７０℃５分加熱し、アニールし、同様に平均キャリア移動度μ₁₃₀℃、μ₁₇₀℃を測定し、アニール前のキャリア移動度との比率μ₁₃₀℃／μ、μ₁₇₀℃／μ求めた。この値は大きいほど、素子の耐熱性が高いため、好ましい。下記表１０におけるμ₁₃₀℃／μ、μ₁₇₀℃／μの評価は下記のとおりである。
ＡＡ：１．０以上（移動度良化）
Ａ：基準値に対し０．９倍以上、１倍未満
Ｂ：基準値に対し０．７５倍以上、０．９倍未満
Ｃ：基準値に対し０．５倍以上、０．７５倍未満
Ｄ：基準値に対し０．２倍以上、０．５倍未満
Ｅ：基準値に対し０．２倍以下
１３０℃、５分アニール後移動度変化μ₁₃₀℃／μおよび１７０℃、５分アニール後移動度変化μ₁₇₀℃／μの評価は、ＡＡ、Ａ、ＢまたはＣであることが実用上必要であり、ＡＡ、ＡまたはＢであることが好ましく、ＡＡまたはＡであることがより好ましく、ＡＡであることが特に好ましい。 (B) Mobility change at 130 ° C. for 5 minutes after annealing and mobility change at 170 ° C. for 5 minutes after annealing The organic film transistor elements (FET elements) of the examples and comparative examples were heated at 130 ° C. and 170 ° C. for 5 minutes. , annealed, likewise the average carrier mobility mu ₁₃₀ ° C., measured mu ₁₇₀ ° C., the ratio of carrier mobility before annealing _{_{μ 130 ℃ / μ, μ 170}} ℃ / μ was determined. A larger value is preferable because the heat resistance of the device is higher. Mu ₁₃₀ ° C. in the following Table 10 / mu, evaluation of mu ₁₇₀ ° C. / mu are as follows.
AA: 1.0 or more (improved mobility)
A: 0.9 times or more and less than 1 times the reference value B: 0.75 times or more and less than 0.9 times the reference value C: 0.5 times or more and less than 0.75 times the reference value D : More than 0.2 times and less than 0.5 times the reference value E: Less than 0.2 times the reference value 130 ° C, mobility change after annealing for 5 minutes μ ₁₃₀ ° C / μ and 170 ° C, after 5 minutes annealing The evaluation of mobility change μ ₁₇₀ ° C / μ is practically required to be AA, A, B or C, preferably AA, A or B, more preferably AA or A, AA is particularly preferred.

上記表１０より、一般式１を満たす化合物を用いた有機膜トランジスタ素子は、キャリア移動度が高く、アニール後の移動度変化が小さいことがわかった。そのため、本発明の化合物は非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料として好ましく用いられることがわかった。
一方、比較化合物１、２を用いた有機膜トランジスタ素子は、キャリア移動度が低いものであった。比較化合物２を用いた有機膜トランジスタ素子は、アニール後の移動度変化が大きかった。
さらに、実施例１で得られたアニール後の各有機膜トランジスタ素子について、肉眼による観察および光学顕微鏡観察を行ったところ、比較化合物１、２を用いて得られたアニール後の比較例１および２の有機膜トランジスタ素子に比べてクラックが少なく、膜はいずれも膜の平滑性・均一性が非常に高いことが分かった。
以上より、比較素子ではキャリア移動度が非常に低くなるのに対し、本発明の有機膜トランジスタ素子では一般式１を満たす化合物を用いて半導体活性層を形成した場合も良好なキャリア移動度を示し、アニール後の移動度変化が小さく、膜の平滑性・均一性が非常に高い素子を得ることができることが分かった。
また、上述の一般式１１を満たす化合物と比較して、上述の一般式１を満たす化合物はいずれも有機溶媒に対する溶解性が良好であることを確認した。上述の一般式１を満たす化合物は有機溶媒に易溶であり、有機溶媒に対する溶解性も良好であるため、溶液プロセスでの有機半導体膜の製造に適することがわかった。 From Table 10 above, it was found that the organic film transistor element using the compound satisfying the general formula 1 has high carrier mobility and small mobility change after annealing. Therefore, it turned out that the compound of this invention is preferably used as an organic-semiconductor material for nonluminous organic-semiconductor devices.
On the other hand, the organic film transistor element using the comparative compounds 1 and 2 had a low carrier mobility. The organic film transistor element using the comparative compound 2 had a large mobility change after annealing.
Further, when each of the annealed organic film transistor elements obtained in Example 1 was observed with the naked eye and observed with an optical microscope, Comparative Examples 1 and 2 after annealing obtained using Comparative Compounds 1 and 2 were used. It was found that the number of cracks was smaller than that of the organic film transistor element, and the films were very smooth and uniform.
From the above, while the carrier mobility of the comparative element is very low, the organic film transistor element of the present invention shows good carrier mobility even when the semiconductor active layer is formed using a compound satisfying the general formula 1. It was found that an element having a small mobility change after annealing and an extremely high film smoothness and uniformity can be obtained.
Moreover, compared with the compound satisfying the above general formula 11, it was confirmed that all the compounds satisfying the above general formula 1 have good solubility in an organic solvent. It has been found that a compound satisfying the above general formula 1 is easily soluble in an organic solvent and has good solubility in an organic solvent, and is therefore suitable for the production of an organic semiconductor film in a solution process.

［実施例１１〜１８、比較例１１および１２］
＜化合物をバインダーとともに用いて半導体活性層（有機半導体層）を形成＞
一般式１を満たす化合物または比較化合物（各１ｍｇ）、ＰαＭＳ（ポリ（α−メチルスチレン、Ｍｗ＝３００,０００）、Ａｌｄｒｉｃｈ製）１ｍｇ、トルエン（１ｍＬ）を混合し、１００℃に加熱したものを有機半導体膜形成用の組成物（塗布溶液）として用いる以外は実施例１と同様にしてＦＥＴ特性測定用の有機膜トランジスタ素子１１〜２０を作製し、実施例１と同様の評価を行った。得られた有機膜トランジスタ素子１１〜１８をそれぞれ実施例１１〜１８の有機膜トランジスタ素子とし、得られた有機膜トランジスタ素子１９および２０をそれぞれ比較例１１および１２の有機膜トランジスタ素子とした。
実施例１と同様の方法により、実施例１１〜１８の有機膜トランジスタの半導体活性層中、Ｃｏｐｅ転移前の前駆体である化合物の含有量は、Ｃｏｐｅ転移後のＣｏｐｅ転移体に対して１〜１０質量％であることを高速液体クロマトグラフィー（ＳＨＩＭＡＤＺＵ製Ｐｒｏｍｉｎｅｎｃｅ）を用いて確認した。
得られた結果を下記表１１に示す。 [Examples 11 to 18, Comparative Examples 11 and 12]
<Forming a semiconductor active layer (organic semiconductor layer) using a compound together with a binder>
A compound satisfying the general formula 1 or a comparative compound (each 1 mg), PαMS (poly (α-methylstyrene, Mw = 300,000), manufactured by Aldrich) 1 mg, toluene (1 mL) are mixed and heated to 100 ° C. Organic film transistor elements 11 to 20 for FET characteristic measurement were produced in the same manner as in Example 1 except that the composition was used as a composition (coating solution) for forming an organic semiconductor film, and the same evaluation as in Example 1 was performed. The obtained organic film transistor elements 11 to 18 were organic film transistor elements of Examples 11 to 18, respectively, and the obtained organic film transistor elements 19 and 20 were organic film transistor elements of Comparative Examples 11 and 12, respectively.
In the same manner as in Example 1, in the semiconductor active layers of the organic film transistors of Examples 11 to 18, the content of the compound that is a precursor before the Cope transition is 1 to 1 relative to the Cope transition body after the Cope transition. It was confirmed by high performance liquid chromatography (Prominence manufactured by SHIMADZU) that the content was 10% by mass.
The obtained results are shown in Table 11 below.

上記表１１より、一般式１を満たす化合物をバインダーとともに用いて半導体活性層を形成した有機膜トランジスタ素子は、キャリア移動度が高く、アニール後の移動度変化が小さいことがわかった。そのため、本発明の化合物は非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料として好ましく用いられることがわかった。
一方、比較化合物１をバインダーとともに用いて半導体活性層を形成した有機膜トランジスタ素子は、キャリア移動度が低いものであった。比較化合物１、２をバインダーとともに用いて半導体活性層を形成した有機膜トランジスタ素子は、アニール後の移動度変化が大きかった。 From Table 11 above, it was found that the organic film transistor element in which the semiconductor active layer was formed using the compound satisfying the general formula 1 together with the binder had high carrier mobility and small mobility change after annealing. Therefore, it turned out that the compound of this invention is preferably used as an organic-semiconductor material for nonluminous organic-semiconductor devices.
On the other hand, the organic film transistor element in which the semiconductor active layer was formed using the comparative compound 1 together with the binder had a low carrier mobility. In the organic film transistor element in which the semiconductor active layer was formed using the comparative compounds 1 and 2 together with the binder, the mobility change after annealing was large.

さらに、実施例２で得られた各有機膜トランジスタ素子について、肉眼による観察および光学顕微鏡観察を行ったところ、バインダーとしてＰαＭＳを用いた膜はいずれも膜の平滑性・均一性が非常に高いことが分かった。 Furthermore, when the organic film transistor elements obtained in Example 2 were observed with the naked eye and observed with an optical microscope, the films using PαMS as the binder had extremely high smoothness and uniformity. I understood.

以上より、比較素子ではバインダーと比較化合物の複合系で半導体活性層を形成した場合にキャリア移動度が非常に低くなるのに対し、本発明の有機膜トランジスタ素子では一般式１を満たす化合物をバインダーとともに用いて半導体活性層を形成した場合も良好なキャリア移動度を示し、アニール後の移動度変化が小さく、膜の平滑性・均一性が非常に高い素子を得ることができることが分かった。 As described above, in the comparative element, when the semiconductor active layer is formed of a composite system of the binder and the comparative compound, the carrier mobility becomes very low, whereas in the organic film transistor element of the present invention, the compound satisfying the general formula 1 is used as the binder. When used together with the semiconductor active layer, it was found that a good carrier mobility was exhibited, a change in mobility after annealing was small, and an element with extremely high film smoothness and uniformity could be obtained.

［実施例２１〜２８、比較例２１および２２］
＜半導体活性層（有機半導体層）形成＞
ゲート絶縁膜としてＳｉＯ₂（膜厚３７０ｎｍ）を備えたシリコンウエハーを用い、オクチルトリクロロシランで表面処理を行った。
一般式１を満たす化合物または比較化合物（各１ｍｇ）とトルエン（１ｍＬ）を混合し、１００℃に加熱したものを、有機半導体膜形成用の組成物（塗布溶液）とした。この塗布溶液を窒素雰囲気下、９０℃に加熱したオクチルシラン表面処理シリコンウエハー上にキャストし、その後２５０℃で３０分加熱することで非発光性有機半導体デバイス用有機半導体膜を形成した。 [Examples 21 to 28, Comparative Examples 21 and 22]
<Semiconductor active layer (organic semiconductor layer) formation>
A silicon wafer provided with SiO ₂ (thickness: 370 nm) as a gate insulating film was used, and surface treatment was performed with octyltrichlorosilane.
A compound satisfying general formula 1 or a comparative compound (each 1 mg) and toluene (1 mL) were mixed and heated to 100 ° C. to obtain a composition (coating solution) for forming an organic semiconductor film. This coating solution was cast on an octylsilane surface-treated silicon wafer heated to 90 ° C. in a nitrogen atmosphere, and then heated at 250 ° C. for 30 minutes to form an organic semiconductor film for a non-luminescent organic semiconductor device.

更にこの膜表面にマスクを用いて金を蒸着することで、ソースおよびドレイン電極を作製し、ゲート幅Ｗ＝５ｍｍ、ゲート長Ｌ＝８０μｍの有機膜トランジスタ素子を得た。得られた有機膜トランジスタ素子２１〜２８をそれぞれ実施例２１〜２８の有機膜トランジスタ素子とし、得られた有機膜トランジスタ素子２９および３０をそれぞれ比較例２１および２２の有機膜トランジスタ素子とした。
実施例１と同様の方法により、実施例２１〜２８の有機膜トランジスタの半導体活性層中、Ｃｏｐｅ転移前の前駆体である化合物の含有量は、Ｃｏｐｅ転移後のＣｏｐｅ転移体に対して１〜１０質量％であることを確認した。 Further, gold was deposited on the surface of the film by using a mask to produce source and drain electrodes, and an organic film transistor element having a gate width W = 5 mm and a gate length L = 80 μm was obtained. The obtained organic film transistor elements 21 to 28 were organic film transistor elements of Examples 21 to 28, respectively, and the obtained organic film transistor elements 29 and 30 were organic film transistor elements of Comparative Examples 21 and 22, respectively.
In the same manner as in Example 1, in the semiconductor active layers of the organic film transistors of Examples 21 to 28, the content of the compound that is a precursor before the Cope transition is 1 to It was confirmed that the content was 10% by mass.

実施例２１〜２８、比較例２１および２２の有機膜トランジスタ素子のＦＥＴ特性は、セミオートプローバー（ベクターセミコン製、ＡＸ−２０００）を接続した半導体パラメーターアナライザー（Ａｇｉｌｅｎｔ製、４１５６Ｃ）を用いて常圧・窒素雰囲気下で、キャリア移動度、アニール後の移動度変化の観点で評価した。
得られた結果を下記表１２に示す。 The FET characteristics of the organic film transistor elements of Examples 21 to 28 and Comparative Examples 21 and 22 were measured using a semiconductor parameter analyzer (Agilent, 4156C) connected with a semi-auto prober (Vector Semicon, AX-2000). Evaluation was performed in terms of carrier mobility and mobility change after annealing in a nitrogen atmosphere.
The obtained results are shown in Table 12 below.

上記表１２より、一般式１を満たす化合物を用いた有機膜トランジスタ素子は、キャリア移動度が高く、アニール後の移動度変化が小さいことがわかった。そのため、本発明の化合物は非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料として好ましく用いられることがわかった。 From the above Table 12, it was found that the organic film transistor element using the compound satisfying the general formula 1 has high carrier mobility and small mobility change after annealing. Therefore, it turned out that the compound of this invention is preferably used as an organic-semiconductor material for nonluminous organic-semiconductor devices.

［実施例３１、比較例３１および３２］
実施例２１、比較例２１および２２と同様の方法で実施例３１、比較例３１および３２の有機膜トランジスタ素子を作製し、合計10素子について、ＦＥＴ特性（平均移動度）および、１７０℃５分アニール後のクラックについて官能評価を行った。クラック耐性の評価は以下のとおりである。
Ａ：アニール前後での膜質が変化した素子の割合が10％以下
Ｂ：アニール前後での膜質が変化した素子の割合が10％〜50％
Ｃ：アニール前後での膜質が変化した素子の割合が50％以上
得られた結果を下記表に記載した。 [Example 31, Comparative Examples 31 and 32]
The organic film transistor elements of Example 31 and Comparative Examples 31 and 32 were produced in the same manner as in Example 21 and Comparative Examples 21 and 22, and the FET characteristics (average mobility) and 170 ° C. for 5 minutes for a total of 10 elements. Sensory evaluation was performed about the crack after annealing. The evaluation of crack resistance is as follows.
A: The ratio of elements whose film quality has changed before and after annealing is 10% or less B: The ratio of elements whose film quality has changed before and after annealing is 10% to 50%
C: The ratio of the elements whose film quality changed before and after annealing was 50% or more. The results obtained are shown in the table below.

１１基板
１２ゲート電極
１３絶縁体層
１４半導体活性層（有機物層、有機半導体層）
１５ａ、１５ｂソース電極およびドレイン電極
３１基板
３２ゲート電極
３３絶縁体層
３４ａ、３４ｂソース電極およびドレイン電極
３５半導体活性層（有機物層、有機半導体層） 11 Substrate 12 Gate electrode 13 Insulator layer 14 Semiconductor active layer (organic material layer, organic semiconductor layer)
15a, 15b Source electrode and drain electrode 31 Substrate 32 Gate electrode 33 Insulator layer 34a, 34b Source electrode and drain electrode 35 Semiconductor active layer (organic material layer, organic semiconductor layer)

Claims

A composition for forming an organic semiconductor film, comprising a compound represented by the following general formula 1;

The composition for forming an organic semiconductor film according to claim 1, wherein the compound represented by the general formula 1 is a compound represented by the following general formula 4;

In General Formula 4, A ² , B ² and C ² are each independently a benzene ring which may have a substituent, an azole ring which may have a substituent, a furan ring which may have a substituent or Represents an optionally substituted thiophene ring;
k2 represents an integer of 1 to 5, and when k2 is an integer of 2 to 5, a plurality of B ² may be the same or different;
W represents a group represented by the following general formula 3;

The composition for forming an organic semiconductor film according to claim 1, wherein the compound represented by the general formula 1 is a compound represented by the following general formula 5;

In general formula 5, A ³ , B ³ and C ³ are each independently a benzene ring which may have a substituent, an azole ring which may have a substituent, a furan ring which may have a substituent or Represents an optionally substituted thiophene ring;
k3 represents an integer of 1 to 5, and when k3 is an integer of 2 to 5, a plurality of B ³ may be the same or different;
Q is a hydrogen atom, alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aryl group, heteroaryl group, alkoxy group, acyl group, thioalkyl group, thienyl group, silyl group, divalent substituted amino group, carbonyl group, sulfoxide group and sulfone. Represents a group represented by any one of the groups,
W represents a group represented by the following general formula 3;

The composition for forming an organic semiconductor film according to claim 1, wherein the compound represented by the general formula 1 is a compound represented by the following general formula 6:

In general formula 6, A ⁴ and B ⁴ each independently represent a benzene ring which may have a substituent, an azole ring which may have a substituent, a furan ring or a substituent which may have a substituent. A thiophene ring that may have;
k4 and k5 each independently represent an integer of 1 to 3, and when k4 is 2 or 3, a plurality of A ⁴ may be the same or different, and when k5 is 2 or 3, a plurality of B ⁴ may be the same or different;
W represents a group represented by the following general formula 3;

The composition for forming an organic semiconductor film according to claim 1, wherein the compound represented by the general formula 1 is a compound represented by the following general formula 7:

In General Formula 7, A ⁵ and B ⁵ each independently represent a benzene ring which may have a substituent, an azole ring which may have a substituent, a furan ring or a substituent which may have a substituent. A thiophene ring that may have;
k6 and k7 each independently represent an integer of 1 to 3, and when k6 is 2 or 3, a plurality of A ⁵ may be the same or different, and when k7 is 2 or 3, a plurality of B ⁵ may be the same or different;
Q is a hydrogen atom, alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aryl group, heteroaryl group, alkoxy group, acyl group, thioalkyl group, thienyl group, silyl group, divalent substituted amino group, carbonyl group, sulfoxide group and sulfone. Represents a group represented by any one of the groups,
W represents a group represented by the following general formula 3;

In the general formulas 2 and 4 to 7, any one of A ¹ , B ¹ and C ¹ , any one of A ² , B ² and C ² , any one of A ³ , B ³ and C ³ One of A ⁴ and B ⁴ , or any one of A ⁵ and B ⁵ includes a thiophene ring. Composition.

In Formula 3, is R ¹ to R ³ and R ⁵ to R ⁷ are all hydrogen atoms, R ⁴ is a hydrogen atom or an alkyl group, an organic semiconductor according to any one of claims 1 to 6 A composition for forming a film.

Furthermore, the composition for organic-semiconductor film formation as described in any one of Claims 1-7 containing an organic solvent.

The composition for forming an organic semiconductor film according to claim 8, wherein the organic solvent is an aromatic hydrocarbon solvent, a halogenated hydrocarbon solvent, a ketone solvent or an ether solvent.

Furthermore, the composition for organic-semiconductor film formation as described in any one of Claims 1-9 containing a polymer binder.

The composition for organic-semiconductor film formation containing the compound represented by the following general formula 11;

The composition for forming an organic semiconductor film according to claim 11, wherein the compound represented by the general formula 11 is a compound represented by the following general formula 14;

In general formula 14, A ² , B ² and C ² are each independently a benzene ring which may have a substituent, an azole ring which may have a substituent, a furan ring which may have a substituent, or Represents an optionally substituted thiophene ring;
k2 represents an integer of 1 to 5, and when k2 is an integer of 2 to 5, a plurality of B ² may be the same or different;
X represents a group represented by the following general formula 13;

The composition for forming an organic semiconductor film according to claim 11, wherein the compound represented by the general formula 11 is a compound represented by the following general formula 15;

In general formula 15, A ³ , B ³ and C ³ are each independently a benzene ring which may have a substituent, an azole ring which may have a substituent, a furan ring which may have a substituent or Represents an optionally substituted thiophene ring;
k3 represents an integer of 1 to 5, and when k3 is an integer of 2 to 5, a plurality of B ³ may be the same or different;
Q is a hydrogen atom, alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aryl group, heteroaryl group, alkoxy group, acyl group, thioalkyl group, thienyl group, silyl group, divalent substituted amino group, carbonyl group, sulfoxide group and sulfone. Represents a group represented by any one of the groups,
X represents a group represented by the following general formula 13;

The composition for forming an organic semiconductor film according to claim 11, wherein the compound represented by the general formula 11 is a compound represented by the following general formula 16;

In General Formula 16, A ⁴ and B ⁴ each independently represent a benzene ring which may have a substituent, an azole ring which may have a substituent, a furan ring which may have a substituent or a substituent. A thiophene ring that may have;
k4 and k5 each independently represent an integer of 1 to 3, and when k4 is 2 or 3, a plurality of A ⁴ may be the same or different, and when k5 is 2 or 3, a plurality of B ⁴ may be the same or different;
X represents a group represented by the following general formula 13;

The composition for forming an organic semiconductor film according to claim 11, wherein the compound represented by the general formula 11 is a compound represented by the following general formula 17:

In General Formula 17, A ⁵ and B ⁵ each independently represent a benzene ring which may have a substituent, an azole ring which may have a substituent, a furan ring which may have a substituent or a substituent. A thiophene ring that may have;
k6 and k7 each independently represent an integer of 1 to 3, and when k6 is 2 or 3, a plurality of A ⁵ may be the same or different, and when k7 is 2 or 3, a plurality of B ⁵ may be the same or different;
Q is a hydrogen atom, alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aryl group, heteroaryl group, alkoxy group, acyl group, thioalkyl group, thienyl group, silyl group, divalent substituted amino group, carbonyl group, sulfoxide group and sulfone. Represents a group represented by any one of the groups,
X represents a group represented by the following general formula 13;

In the general formulas 2 and 14 to 17, any one of A ¹ , B ¹ and C ¹ , any one of A ² , B ² and C ² , any one of A ³ , B ³ and C ³ One of A ⁴ and B ⁴ , or any one of A ⁵ and B ⁵ includes a thiophene ring, for forming an organic semiconductor film according to claim 11. Composition.

In the general formula 13, a R ¹ to R ³ and R ⁵ to R ⁷ are all hydrogen atoms, R ⁴ is a hydrogen atom or an alkyl group, an organic semiconductor according to any one of claims 11 to 16 A composition for forming a film.

Furthermore, the composition for organic-semiconductor film formation as described in any one of Claims 11-17 containing an organic solvent.

The composition for forming an organic semiconductor film according to claim 18, wherein the organic solvent is an aromatic hydrocarbon solvent, a halogenated hydrocarbon solvent, a ketone solvent or an ether solvent.

Furthermore, the composition for organic-semiconductor film formation as described in any one of Claims 11-19 containing a polymer binder.

Furthermore, the composition for organic-semiconductor film formation as described in any one of Claims 11-20 containing the composition for organic-semiconductor film formation as described in any one of Claims 1-10.

Forming a composition for forming an organic semiconductor film according to any one of claims 1 to 10 and 21;
A semiconductor in which at least a part of the compound represented by the general formula 1 as a precursor is converted into a compound represented by the following general formula 11 by applying an external stimulus to the composition for forming the organic semiconductor film A method for producing an organic semiconductor film for a non-light-emitting organic semiconductor device, comprising a step of forming an active layer;

The manufacturing method of the organic-semiconductor film for nonluminous organic-semiconductor devices of Claim 22 whose said external irritation | stimulation is 100 degreeC or more heating.

The manufacturing method of the organic-semiconductor film for nonluminous organic-semiconductor devices of Claim 22 or 23 that the process of forming into a film for the said composition for organic-semiconductor film formation is film-forming by the solution coating method.

The manufacturing method of the organic-semiconductor film for nonluminous organic-semiconductor devices as described in any one of Claims 22-24 whose compound represented by the said General formula 11 is a compound represented by the following general formula 14;

The manufacturing method of the organic-semiconductor film for nonluminous organic-semiconductor devices as described in any one of Claims 22-24 whose compound represented by the said General formula 11 is a compound represented by the following general formula 15;

The manufacturing method of the organic-semiconductor film for nonluminous organic-semiconductor devices as described in any one of Claims 22-24 whose compound represented by the said General formula 11 is a compound represented by the following general formula 16;

The manufacturing method of the organic-semiconductor film for nonluminous organic-semiconductor devices as described in any one of Claims 22-24 whose compound represented by the said General formula 11 is a compound represented by the following general formula 17;

In the general formulas 2 and 14 to 17, any one of A ¹ , B ¹ and C ¹ , any one of A ² , B ² and C ² , any one of A ³ , B ³ and C ³ The non-light-emitting organic semiconductor device according to any one of claims 22 to 28, wherein any one of A ⁴ and B ⁴ or any one of A ⁵ and B ⁵ includes a thiophene ring. For producing an organic semiconductor film for use.

The non-light-emitting according to any one of claims 22 to 29, wherein, in the general formula 13, R ^{1 to} R ³ and R ^{5 to} R ⁷ are all hydrogen atoms, and R ⁴ is a hydrogen atom or an alkyl group. For producing an organic semiconductor film for conductive organic semiconductor devices.

The organic-semiconductor film for nonluminous organic-semiconductor devices manufactured with the manufacturing method of the organic-semiconductor film for nonluminous-organic-semiconductor devices as described in any one of Claims 22-30.

The organic-semiconductor film for nonluminous organic-semiconductor devices containing the composition for organic-semiconductor film formation as described in any one of Claims 11-21.

The organic-semiconductor film for nonluminous organic-semiconductor devices containing the composition for organic-semiconductor film formation of Claim 21.

The non-luminescence according to claim 31 or 33, wherein the content of the compound represented by the general formula 1 is 0.01 to 50% by mass with respect to the content of the compound represented by the general formula 11. Organic semiconductor film for conductive organic semiconductor devices.

A method for producing an organic semiconductor film for a non-light-emitting organic semiconductor device according to any one of claims 22 to 30,
The manufacturing method of an organic film transistor using the said organic-semiconductor film for nonluminous organic-semiconductor devices as a semiconductor active layer of an organic film transistor.

An organic film transistor manufactured by the method for manufacturing an organic film transistor according to claim 35.

The organic film transistor which has the organic-semiconductor film for nonluminous organic-semiconductor devices as described in any one of Claims 31-34 as a semiconductor active layer of an organic-film transistor.