時分割デュプレキシング(TDD)アップリンク/ダウンリンク(UL/DL)構成を受信するためのユーザ装置(UE)が説明される。該UEは、プロセッサおよび該プロセッサと電子通信するメモリにストアされた実行可能な命令を含む。該UEは、セルのための第1TDD UL/DL構成および該セルのための少なくとも第2TDD UL/DL構成を含むセカンダリ構成情報を受信する。
UEは、該第1TDD UL/DL構成および該第2TDD UL/DL構成に基づいてダウンリンク(DL)基準TDD UL/DL構成を決定することができる。UEは、該DL基準TDD UL/DL構成に基づいて物理ダウンリンクシェアドチャネル(Physical Downlink Shared Channel(PDSCH))オペレーションも実行することができる。
UEは、該第1TDD UL/DL構成および該第2TDD UL/DL構成に基づいてアップリンク(UL)基準TDD UL/DL構成を決定することができる。UEは、該UL基準TDD UL/DL構成に基づいて物理アップリンクシェアドチャネル(Physical Uplink Shared Channel(PUSCH))オペレーションも実行することができる。
該セカンダリ構成情報は、第3TDD UL/DL構成を含むこともできる。UEは、該第2TDD UL/DL構成および該第3TDD UL/DL構成に基づいてDL基準TDD UL/DL構成を決定することができる。UEは、該DL基準TDD UL/DL構成に基づいてPDSCHオペレーションを実行することもできる。
該セカンダリ構成情報が第3TDD UL/DL構成を含むときには、UEは該第2TDD UL/DL構成および該第3TDD UL/DL構成に基づいてUL基準TDD UL/DL構成を決定することができる。UEは、該UL基準TDD UL/DL構成に基づいてPUSCHオペレーションを実行することもできる。
該セカンダリ構成情報が第3TDD UL/DL構成を含むときには、UEは該第1TDD UL/DL構成、該第2TDD UL/DL構成および該第3TDD UL/DL構成に基づいてDL基準TDD UL/DL構成を決定することができる。UEは、該DL基準TDD UL/DL構成に基づいてPDSCHオペレーションを実行することもできる。
該セカンダリ構成情報が第3TDD UL/DL構成を含むときには、UEは該第1TDD UL/DL構成、該第2TDD UL/DL構成および該第3TDD UL/DL構成に基づいてUL基準TDD UL/DL構成を決定することができる。UEは、該UL基準TDD UL/DL構成に基づいてPUSCHオペレーションを実行することもできる。
該第1TDD UL/DL構成は、システム情報ブロック(system information block(SIB))または無線リソース制御(radio resource control(RRC))共通メッセージでシグナリングされ得る。該セカンダリ構成情報は、少なくとも1つのSIBまたは少なくとも1つのRRC共通メッセージでシグナリングされ得る。該SIBまたはRRC共通メッセージはセカンダリTDD構成情報エレメントを含むことができる。該セカンダリTDD構成情報エレメントは1つ以上のTDD UL/DL構成を含むことができる。該セカンダリTDD構成情報エレメントは、複数のTDD UL/DL構成の組み合わせのインデックスを含むこともできる。
TDD UL/DL構成を送信するための発展形ノードB(eNB)も説明される。eNBはプロセッサ、および該プロセッサと電子通信するメモリにストアされた実行可能な命令を含む。eNBは、セルのための第1TDD UL/DL構成、および少なくとも第2TDD UL/DL構成を含むセカンダリ構成情報を送信する。
eNBは、該第1TDD UL/DL構成および該第2TDD UL/DL構成に基づいてDL基準TDD UL/DL構成を決定することができる。eNBは、該DL基準TDD UL/DL構成に基づいてPDSCHオペレーションを実行することもできる。
eNBは、該第1TDD UL/DL構成および該第2TDD UL/DL構成に基づいてUL基準TDD UL/DL構成を決定することができる。eNBは、該UL基準TDD UL/DL構成に基づいてPUSCHオペレーションを実行することもできる。
該セカンダリ構成情報は第3TDD UL/DL構成を含むこともできる。eNBは、該第2TDD UL/DL構成および該第3TDD UL/DL構成に基づいてDL基準TDD UL/DL構成を決定することができる。eNBは、該DL基準TDD UL/DL構成に基づいてPDSCHオペレーションを実行することもできる。
該セカンダリ構成情報が第3TDD UL/DL構成を含むときには、eNBは該第2TDD UL/DL構成および該第3TDD UL/DL構成に基づいてUL基準TDD UL/DL構成を決定することができる。eNBは、該UL基準TDD UL/DL構成に基づいてPUSCHオペレーションを実行することもできる。
該セカンダリ構成情報が第3TDD UL/DL構成を含むときには、eNBは該第1TDD UL/DL構成、該第2TDD UL/DL構成および該第3TDD UL/DL構成に基づいてDL基準TDD UL/DL構成を決定することができる。eNBは、該DL基準TDD UL/DL構成に基づいてPDSCHオペレーションを実行することもできる。
該セカンダリ構成情報が第3TDD UL/DL構成を含むときには、eNBは該第1TDD UL/DL構成、該第2TDD UL/DL構成および該第3TDD UL/DL構成に基づいてUL基準TDD UL/DL構成を決定することができる。eNBは、該UL基準TDD UL/DL構成に基づいてPUSCHオペレーションを実行することもできる。
該第1TDD UL/DL構成は、SIBまたはRRC共通メッセージでシグナリングされ得る。該セカンダリ構成情報は、少なくとも1つのSIBまたは少なくとも1つのRRC共通メッセージでシグナリングされ得る。該SIBまたはRRC共通メッセージは、セカンダリTDD構成情報エレメントを含むことができる。該セカンダリTDD構成情報エレメントは1つ以上のTDD UL/DL構成を含むことができる。該セカンダリTDD構成情報エレメントは、複数のTDD UL/DL構成の組み合わせのインデックスを含むこともできる。
UEによりTDD UL/DL構成を受信する方法も説明される。該方法は、セルのための第1TDD UL/DL構成、および、該セルのための少なくとも第2TDD UL/DL構成を含むセカンダリ構成情報を受信することを含む。
eNBによりTDD UL/DL構成を送信する方法も説明される。該方法は、セルのための第1TDD UL/DL構成、および、該セルのための少なくとも第2TDD UL/DL構成を含むセカンダリ構成情報を送信することを含む。
“3GPP”とも称される第3世代パートナーシッププロジェクトは、第3および第4世代無線通信システムのための世界的に適用可能な技術仕様および技術的レポートを定めることを狙った協力協定である。3GPPは、次世代モバイルネットワーク、システム、およびデバイスのための仕様を定めることができる。
3GPPロングタームエボリューション(Long Term Evolution(LTE))は、将来の必要に対処するためにユニバーサル移動体通信システム(Universal Mobile Telecommunications System(UMTS))携帯電話またはデバイス規格を改良するプロジェクトに与えられた名称である。一側面において、UMTSは進化型ユニバーサル地上無線アクセス(Evolved Universal Terrestrial Radio Access(E−UTRA))および進化型ユニバーサル地上無線アクセスネットワーク(Evolved Universal Terrestrial Radio Access Network(E−UTRAN))のためのサポートおよび仕様を提供するために修正されている。
本書で開示されるシステムおよび方法の少なくとも幾つかの側面は、3GPP LTE、LTEアドバンスト(LTE−Advanced(LTE−A))および他の規格(例えば、3GPP Release8、9、10および/または11)と関連して記述され得る。しかし、本開示の範囲は、この点については限定されるべきではない。本書で開示されるシステムおよび方法の少なくとも幾つかの側面は、他のタイプの無線通信システムにおいて利用され得る。
無線通信デバイスは音声および/またはデータを基地局へ伝えるために使われる電子デバイスであってもよく、基地局はデバイスのネットワーク(例えば、公衆交換電話網(PSTN)、インターネット、など)と通信することができる。本書においてシステムおよび方法を記述するとき、無線通信デバイスは、代わりに移動局、UE、アクセス端末、加入者ステーション、移動端末、リモートステーション、ユーザ端末、端末、加入者ユニット、移動デバイス、などとも称されることがある。無線通信デバイスの例は、セルラフォン、スマートフォン、パーソナルデジタルアシスタント(PDA)、ラップトップコンピュータ、ネットブック、電子ブックリーダー、無線モデム、などを含む。3GPP仕様においては、無線通信デバイスは通例UEと称される。しかし、本開示の範囲は3GPP規格に限定されるべきではないので、より一般的な“無線通信デバイス”(wireless communication device)という用語を意味するために本書では“UE”および“無線通信デバイス”という用語が交換可能に使われ得る。
3GPP仕様では、基地局は通例ノードB、発展形ノードB(eNB)、ホームエンハンスドもしくは発展形ノードB(home enhanced or evolved Node B(HeNB))または他のなんらかの類似の専門用語で呼ばれる。本開示の範囲は3GPP規格に限定されるべきではないので、本書では“基地局”、“ノードB”、“eNB”、および“HeNB”という用語はより一般的な用語“基地局”(base station)を意味するように交換可能に使われ得る。さらに、“基地局”という用語はアクセスポイントを示すために使われ得る。アクセスポイントは、無線通信デバイスのためにネットワーク(例えば、ローカルエリアネットワーク(LAN)、インターネット、など)へのアクセスを提供する電子デバイスであり得る。“通信デバイス”(communication device)という用語は、無線通信デバイス(例えば、UE)および/または基地局(例えば、eNB)の両方を示すために使われ得る。
本書で使われる“セル”(cell)は、UEとeNBの間の通信のためのプロトコルがIMT−Advanced(International Mobile Telecommunications−Advanced)もしくはその拡張のために使用されるべく標準化により指定されあるいは規制機関により決定され得るとともに、その全体もしくはそのサブセットがeNBとUEの間の通信のために使用されるべく3GPPによってライセンスバンド(例えば、周波数帯域)として採用され得る、通信チャネルの任意のセットを指すことができる、ということに留意するべきである。“構成セル”は、UEが気付いていて情報を送信もしくは受信することをeNBにより許可されているセルである。“1つまたは複数の構成セル”は、サービスをする1つまたは複数のセルであり得る。UEは、システム情報を受信して、全ての構成セルに対して所要の測定を実行することができる。“アクティブ化セル”は、UEが送信および受信を行っている構成セルである。すなわち、アクティブ化セルは、それについてUEが物理ダウンリンク制御チャネル(physical downlink control channel(PDCCH))を監視するところのセルであり、ダウンリンク送信の場合にはUEがそれについて物理ダウンリンクシェアドチャネル(PDSCH)をデコードするところのセルである。“非アクティブ化セル”は、UEが送信PDCCHを監視していない構成セルである。“セル”は様々な次元に関して記述され得るということに留意するべきである。例えば、“セル”は時間的、空間的(例えば、地理的)および周波数特性を持つことができる。
本書で開示されるシステムおよび方法は、動的TDD UL/DL再構成と関連付けられた構成シグナリングを記述する。特に、本書で開示されるシステムおよび方法は、動的TDD UL/DL再構成セルのためのTDD UL/DL構成シグナリングおよび基準TDD UL/DL構成を記述する。動的TDD UL/DL再構成は、トラフィックアダプテーションによる強化された干渉軽減(enhanced interference mitigation with traffic adaptation(eIMTA))とも称され得るということに留意するべきである。従って、動的TDD UL/DL再構成をサポートするセル(例えば、動的TDD UL/DL再構成セル)はeIMTAセルと称されてもよい。
トラフィックアダプテーションによる強化された干渉軽減(eIMTA)は、LTE TDDネットワークにとってはトラフィック負荷に基づいて動的TDD UL/DL割り当てを用いてスペクトルのより柔軟な使用を可能にするための主要な話題である。従って、後述されるように或るサブフレームはフレキシブルで変換可能であり、ダウンリンクまたはアップリンクとして使用され得る。TDD UL/DL構成はTDD UL/DL再構成とも称され得る。
システム情報変更、無線リソース制御(RRC)シグナリング、媒体アクセス制御(MAC)シグナリングおよび物理(PHY)レイヤシグナリングを含む幾つかのシグナリング方法がLTE Release−11研究において考慮されている。再構成が速ければ速いほど、動的TDD UL/DL再構成からの利益はより大きいと結論された。再構成タイムスケールおよびシグナリング方法は2つのカテゴリーに分割することができる。第1のインプリメンテーションでは、新しいTDD UL/DL構成がシグナリングされ、その後に旧TDD UL/DL構成から該新TDD UL/DL構成への遷移が行われる。このインプリメンテーションでは、該遷移動作は明示されなければならない。該遷移期間中、アソシエーションタイミングは旧TDD UL/DL構成から新TDD UL/DL構成へ変更されなければならない。第2インプリメンテーションでは、複数の基準TDD UL/DL構成がシグナリング可能であり、1つ以上の基準TDD UL/DL構成を決定することができ、該基準TDD UL/DL構成に従って種々のTDD UL/DLサブフレーム割り当てを達成することができる。本書で開示されるシステムおよび方法では、該第2インプリメンテーション(例えば、複数の基準TDD UL/DL構成をシグナリングする)が考慮される。
動的TDD UL/DL再構成セルは、デフォルトTDD UL/DL構成および許容されるTDD UL/DL再構成範囲で構成され得る。該TDD UL/DL再構成範囲はTDD UL/DL構成のセット、または2つの構成済みTDD UL/DL構成間の他の状態であり得る。従って、動的TDD UL/DL再構成セルは、複数のTDD UL/DL構成で構成され得る。
第1TDD UL/DL構成はデフォルトTDD UL/DL構成であってよい。該第1TDD UL/DL構成はプライマリTDD UL/DL構成と称されてもよい。1つのインプリメンテーションでは、該第1TDD UL/DL構成の他に第2のTDD UL/DL構成が構成され得る。他の1つのインプリメンテーションでは、該第1TDD UL/DL構成の他に第2TDD UL/DL構成および第3TDD UL/DL構成が構成され得る。該第2TDD UL/DL構成および該第3TDD UL/DL構成はセカンダリTDD UL/DL構成として定義され得る。従って、動的TDD UL/DL再構成セルは、第1TDD UL/DL構成および少なくとも1つのセカンダリTDD UL/DL構成で構成され得る。
動的TDD UL/DL再構成セルは、プライマリサービングセル(primary serving cell(PCell))またはセカンダリサービングセル(secondary serving cell(SCell))として使用され得る。1つのインプリメンテーションでは、第1(例えば、プライマリ)TDD UL/DL構成はPCellのためにRelease−8、9、10および11の場合のようにtdd−config情報エレメント(information element(IE))によりシグナリングされ得る。しかし、動的TDD UL/DL再構成セルのセカンダリTDD UL/DL構成をシグナリングするために幾つかの方法が使用され得る。本書で記述されるシステムおよび方法は、セカンダリTDD UL/DL構成をシグナリングするための詳しいIE構造を提供する。セカンダリTDD UL/DL構成は、特定セル用TDD UL/DL構成または特定UE用TDD UL/DL構成を提供するために種々の信号で送信され得る。
動的TDD UL/DL再構成セルの構成済み第1およびセカンダリTDD UL/DL構成の組み合わせは、固定サブフレームおよびフレキシブルサブフレームを定義することができる。例えば、複数の構成済みTDD UL/DL構成は、ダウンリンク(DL)基準TDD UL/DL構成およびアップリンク(UL)基準TDD UL/DL構成を決定するために使用できる。該DL基準TDD UL/DL構成はPDSCHハイブリッド自動反復要求肯定応答(hybrid automatic repeat request acknowledgement(HARQ−ACK))レポートタイミングのために使用でき、UL基準TDD UL/DL構成は物理アップリンクシェアドチャネル(PUSCH)スケジューリングおよびPUSCH HARQ−ACKタイミングのために使用できる。
記述されるシステムおよび方法は、RRCおよびPHYシグナリングの組み合わせを使用することができ、他の方法によるTDD UL/DL構成の遷移の必要性を無くすことができる。或るインプリメンテーションにおいて、記述されるシステムおよび方法は、動的TDD UL/DL再構成セルのために1つ以上のTDD UL/DL構成を構成するために詳しいシグナリング方法および情報エレメント(IE)構造を提供する。動的TDD UL/DL再構成セルのための基準TDD UL/DL構成を得るシステムおよび方法も記述される。さらに、記述されるシステムおよび方法はレガシーUE(例えば、Release−11およびそれより前のUE)に下位互換性を提供し、動的TDD UL/DL再構成のために許容されるTDD UL/DL再構成範囲およびサブフレームを定義する。さらに、記述されるシステムおよび方法は、標準的TDD UL/DL構成タイミングを再使用することによって動的サブフレーム割り当てのためのPHYレイヤのシグナリング速度を改善する。
動的TDD UL/DL再構成セルは、該セルに対するトラフィック負荷を適応させるように動的TDD UL/DL再構成をサポートするTDDセルである。LTE時分割デュプレキシング(LTE TDD)では、アップリンクおよびダウンリンクの信号の両方のために同じ周波数帯域が使用され得る。LTE TDDにおいて異なるDLおよびUL割り当て(例えば、トラフィック比)を達成するために、7個のUL/DL構成が3GPP仕様で与えられている(例えば、3GPP TS36.211)。これらの割り当ては、40%ないし90%のサブフレームをDL信号に割り当てることができる。
現行の仕様によれば(例えば、LTE Release−8、9、10および11)、TDD UL/DL構成を変更するためにシステム情報変更手続きが使用される。この手続きは、長い遅延を伴うとともに、コールドシステムリスタートを必要とする(例えば、旧TDD UL/DL構成のTDD UL/DLアソシエーションを切り離して新しいアソシエーションをセットアップするためにシステム内の全てのUEが一定期間にわたって送信および受信できない)。サブフレームアソシエーションは“UL/DLアソシエーション”と称されてもよく、ULからDLへのサブフレームアソシエーションとDLからULへのサブフレームアソシエーションとを含み得るということに留意するべきである。アソシエーションの例は、DLサブフレーム(PDCCH)のULサブフレーム内のULパワー制御へのアソシエーション、DLサブフレーム物理DL制御チャネル(PDCCH)の、ULサブフレーム内の物理ULシェアドチャネル(PUSCH)割り当てへのアソシエーション、1つまたは複数のULサブフレーム上の肯定応答および否定応答(ACK/NACK)フィードバックの、1つまたは複数のDLサブフレーム内の物理ダウンリンクシェアドチャネル(PDSCH)送信へのアソシエーション、物理ハイブリッド自動反復要求(HARQ)インジケータチャネル(PHICH)または物理ダウンリンク制御チャネル(PDCCH)上の肯定応答および否定応答(ACK/NACK)フィードバックの、1つまたは複数のULサブフレーム内の1つまたは複数の物理ULシェアドチャネル(PUSCH)送信へのアソシエーション、などを含む。
公知のPHYレイヤのシグナリングは、動的なDLからULへの変換を可能にするように拡張され得る。例えば、特別サブフレームタイプ2が使用され得るが、該特別サブフレームタイプ2はDLからULへの遷移のために使用される現行の標準的特別サブフレームの拡張と見なされ得る。この特別サブフレームタイプ2は、現存するTDD UL/DLアソシエーションを維持しながらUL送信を提供するために使用され得る。PHYレイヤのシグナリングは、UL基準TDD UL/DL構成のアソシエーションタイミングに従ってPUSCHスケジューリングのためにDCI0/4フォーマットを使用すること、および、PDSCHスケジューリングのためにDCIフォーマット1/2および拡張を使用すること、などを含むこともできる。
本書で使われる“Release12UE”は、予期される3GPP Release12仕様および場合によってはその後の仕様に従って動作し得るUEであり得る。Release12UEは、動的TDD UL/DL再構成をサポートするUEであり得る。さらに、本書で使われる“レガシーUE”は、以前の(例えば、LTE Release 8、9、10、11)仕様に従って動作し得るUEであり得る。
動的TDD UL/DL再構成は、DLからULへのおよびULからDLへの両方の再構成またはスイッチングに適用され得る。動的TDD UL/DL再構成は、PDSCHハイブリッド自動反復要求肯定応答(HARQ−ACK)タイミングのために1つのTDD UL/DL構成を適用すること、および、PUSCHスケジューリングおよびPUSCH HARQ−ACKタイミングのために他の1つのTDD UL/DL構成を適用することを許容する。動的TDD UL/DL再構成をサポートするUEは、許容されるTDD UL/DL再構成範囲(例えば、スイッチング領域)内の対応する基準TDD UL/DL構成に基づくこれらのタイミングに従うことができる。レガシーUEは、動的TDD UL/DL再構成のいかなる変更や知識も無しに現存するアソシエーションに従うことができる。しかし、eNBは、下位互換性タイミングを維持するためにレガシーUEを幾つかのサブフレームに制限し得る。
公知のLTE TDDシステムにおいては、ULおよびDL割り当ては、7つの定義済みTDD UL/DL構成から選択され、システム全体にわたって同期化される。現在、セルにおけるTDD UL/DL割り当て再構成は、TDD UL/DLアソシエーションを調整するために全ての送信を停止させなければならないので、非常に犠牲が大きくなることがある。1つのセルにおける変更は、隣のセル(およびそれらの隣のセル、など)でのTDD UL/DL構成同期に調和するように隣のセル(およびそれらの隣のセル、など)での一連の変更を引き起こしあるいは伴うことがある。さらに、現行のTDD UL/DL割り当て再構成はシステム情報変更を必要とするが、それは長い遅延を伴うとともに、トラフィック負荷の瞬間的なあるいは短期的な変化に対する適応性を持たない。
現行の仕様(例えば、LTE Release8、9、10および11)では、TDD UL/DL構成を変更するためにシステム情報変更手続きが使用され得る。この手続きは、複数のブロードキャストチャネル間隔を必要とするので、長い遅延を伴うとともに、瞬間的なトラフィック負荷変化に適応することができない。種々のTDD UL/DLアソシエーションがあるので、旧TDD UL/DL構成のTDD UL/DLアソシエーションを切断して新しいアソシエーションをセットアップするために全てのトランスミッタが送信を全くオフにしなければならないことがある。
このことは、システム容量(例えば、アップリンクまたはダウンリンクに提供される負荷)の莫大な損失とユーザトラフィック中断とを引き起こすことがある。従って、ULおよびDL割り当ての再構成も非常に大きな犠牲を生じさせることがある。さらに、1つのセルでの変更が原因となって隣のセルが自分たちのTDD UL/DL構成を変更せざるを得なくなることがある。従って、“リップル”効果が生じることがある。トラフィック負荷が大きく変動すると、頻繁なTDD UL/DL再構成は深刻なネットワーク問題を引き起こすことがある。
ネットワーク総合トラフィック負荷対容量比が低いときには、TDD UL/DL構成は、ULトラフィックおよびDLトラフィック負荷が、割り当てられているULサブフレームおよびDLサブフレームによってそれぞれサポートされ得るならば、容認され得る。この場合、実際のTDD UL/DLトラフィック比は、該TDD UL/DL割り当てと同じかあるいは異なり得る。一方、もし総トラフィック負荷対容量比が高ければ、もっと良く合うTDD UL/DL比が構成され得る。
幾つかの場合に再構成が必要となることがある。例えば、割り当てられたULリソースがULトラフィック負荷をサポートできなければ、再構成が必要となることがある。他の一例において、割り当てられたDLリソースがDLトラフィック負荷をサポートできなければ再構成が必要となることがある。さらに、もっと良く合うTDD UL/DL割り当てでトラフィック負荷に適応するために再構成が用いられ得る。例えば、現行のTDD UL/DL構成がUL対DLトラフィック比に合わなければ再構成が必要となることがある。
トラフィック条件により良く適合するために、システム情報変更とは別に動的TDD UL/DL再構成手続きがサポートされ得る。動的TDD UL/DL再構成は、下位互換性(例えば、レガシーUEのための)を維持することができて、実時間トラフィック変化に基づく高速サブフレーム変更を用いて、より高度の柔軟性(例えば、Release12仕様およびそれ以上に従って動作するUEのために)を提供することができる。さらに、隣のセルにおける異なるTDD UL/DL構成が同一チャネル干渉緩和技術で一時的にあるいは持続的にサポートされ得る(例えば、Release11で)。異なるTDD UL/DL構成は、異なる初期ネットワーク構成によっておよび/またはトラフィック適応での動的TDD UL/DL再構成変更によって引き起こされ得る。動的TDD UL/DL再構成の目的は、トラフィック条件に限られないであろう。例えば、動的TDD UL/DL再構成を使うと決定するときに考慮され得る1つまたは複数のファクターがあり得る(例えば、干渉緩和、オーバーヘッド低減、モビリティ、オペレータの決定、など)。
Release8、9、10および11では、PDSCH HARQ−ACK、PUSCHスケジューリングおよびPUSCH HARQ−ACKに関するTDD UL/DLアソシエーションはTDD UL/DL構成によって定義される。ネットワーク内の全てのレガシーUEは、所与のTDD UL/DL構成により定義される同じPDSCH HARQ−ACKレポートアソシエーションに従う。同様に、ネットワーク内の全てのレガシーUEは、所与のTDD UL/DL構成により定義される同じPUSCHスケジューリングおよびPUSCH HARQ−ACKレポートアソシエーションに従う。
しかし、動的TDD UL/DL再構成は、異なる基準TDD UL/DL構成に基づいてPDSCHおよびPUSCHタイミングアソシエーションを分離することのできるアプローチを提供する。例えば、ネットワーク(例えば、1つ以上のUEおよび1つ以上のeNB)は、(Release8、9、10および11の場合のようなデフォルトTDD UL/DL構成の他に)トラフィック適応に基づく動的TDD UL/DL再構成を許容するように構成され得る。例えば、動的TDD UL/DL再構成を許容するように構成されているUEは、デフォルトTDD UL/DL構成(例えば、第1TDD UL/DL構成)についての知識を有するが、PDSCH HARQ−ACKアソシエーションのための1つの基準TDD UL/DL構成(例えば、DL基準TDD UL/DL構成)、および、PUSCHスケジューリングおよびPUSCH HARQ−ACKアソシエーションのための他の1つの基準TDD UL/DL構成(例えば、UL基準TDD UL/DL構成)を利用することができる。従って、動的TDD UL/DL再構成セルは自分のTDD UL/DL構成を動的に変更し得るので、該DL基準TDD UL/DL構成およびUL基準TDD UL/DL構成は明示されるべきである。
本書で開示されるシステムおよび方法の種々の例が次に図面を参照して記述され、図面においては同様の参照番号は機能的に類似するエレメントを示すであろう。本書で一般的に記述され図面に示されるシステムおよび方法は、多様な異なるインプリメンテーションで整えられ設計することができる。従って、図面に示された幾つかのインプリメンテーションについての以下のより詳しい記述は、請求の範囲を限定することを意図しておらず、単に該システムおよび方法を代表するにすぎない。
図1は、構成シグナリングのためのシステムおよび方法が実行され得る1つ以上のeNB160および1つ以上のUE102の1つのインプリメンテーションを示すブロック図である。1つ以上のUE102は、1つ以上のアンテナ122a−nを用いて1つ以上のeNB160と通信する。例えば、UE102は、1つ以上のアンテナ122a−nを用いて電磁信号をeNB160に送信し、電磁信号をeNB160から受信する。eNB160は、1つ以上のアンテナ180a−nを用いてUE102と通信する。
UE102およびeNB160は、互いに通信し合うために1つ以上のチャネル119、121を使用することができる。例えば、UE102は、1つ以上のアップリンクチャネル121を用いて情報またはデータをeNB160に送信することができる。アップリンクチャネル121の例は、物理アップリンク制御チャネル(PUCCH)およびPUSCHなどを含む。1つ以上のeNB160も、例えば1つ以上のダウンリンクチャネル119を用いて1つ以上のUE102に情報またはデータを送信することができる。ダウンリンクチャネル119の例はPDCCH、PDSCHなどを含む。他の種類のチャネルが用いられ得る。
1つ以上のUE102の各々は、1つ以上のトランシーバ118、1つ以上のデモジュレータ114、1つ以上のデコーダ108、1つ以上のエンコーダ150、1つ以上のモジュレータ154、データバッファ104およびUEオペレーションモジュール124を含み得る。例えば、1つ以上の受信および/または送信経路がUE102内に実装され得る。便宜上、単一のトランシーバ118、デコーダ108、デモジュレータ114、エンコーダ150およびモジュレータ154がUE102内に示されているが、複数の並列エレメント(例えば、複数のトランシーバ118、複数のデコーダ108、複数のデモジュレータ114、複数のエンコーダ150および複数のモジュレータ154)が実装され得る。
トランシーバ118は、1つ以上のレシーバ120および1つ以上のトランスミッタ158を含むことができる。1つ以上のレシーバ120は、1つ以上のアンテナ122a−nを用いてeNB160から信号を受信することができる。例えば、レシーバ120は信号を受信しダウンコンバートして1つ以上の受信信号116を生じさせることができる。1つ以上の受信信号116は、デモジュレータ114に提供され得る。1つ以上のトランスミッタ158は、1つ以上のアンテナ122a−nを用いて信号をeNB160に送信することができる。例えば、1つ以上のトランスミッタ158は、1つ以上の変調されている信号156をアップコンバートして送信することができる。
デモジュレータ114は、1つ以上の受信信号116を復調して1つ以上の復調済み信号112を生じさせることができる。1つ以上の復調済み信号112は、デコーダ108に提供され得る。UE102は、デコーダ108を用いて信号をデコードすることができる。デコーダ108は1つ以上のデコード済み信号110a−bを生じさせることができる。例えば、第1UEデコード済み信号110aは受信されたペイロードデータを含むことができ、該データはデータバッファ104にストアすることができる。第2UEデコード済み信号110bはオーバーヘッドデータおよび/または制御データを含むことができる。例えば、該第2UEデコード済み信号110bは、1つ以上のオペレーションを実行するためにUEオペレーションモジュール124により使用され得るデータを提供することができる。
本書で使われる用語“モジュール”は、特定のエレメントまたはコンポーネントがハードウェアで、ソフトウェアで、あるいはハードウェアおよびソフトウェアの組み合わせで実装され得るということを意味することができる。しかし、本書で“モジュール”として記載されたどのエレメントも代わりにハードウェアで実装され得るということに留意するべきである。例えば、UEオペレーションモジュール124はハードウェア、ソフトウェアまたは両者の組み合わせで実装され得る。
一般的に、UEオペレーションモジュール124は、UE102が1つ以上のeNB160と通信することを可能にし得る。UEオペレーションモジュール124は、UEシグナリングモジュール106、UE基準TDD UL/DL構成モジュール126、第1TDD UL/DL構成128bおよびセカンダリ構成情報130bを含むことができる。
或るインプリメンテーションでは、UE102は動的TDD UL/DL再構成のために組み込みサポートを含み得るということに留意するべきである。UE102は、UE102が動的TDD UL/DL再構成のためのサポートを含むか否かにより、異なる動作を有することができる。例えば、Release−12 UE102はeIMTAをサポートすることができる(例えば、Release−12 UE102は、動的TDD UL/DL再構成をサポートすることができる)。しかし、レガシー(例えば、Release−11)UE102は、eIMTAをサポートすることができない。
UEシグナリングモジュール106は、セルのための第1(例えば、プライマリ)TDD UL/DL構成128aを受信することができる。該セルは、動的TDD UL/DL再構成セル(例えば、eIMTAセル)であり得る。動的TDD UL/DL再構成セルは、プライマリサービングセル(PCell)またはセカンダリサービングセル(SCell)として使用され得る。eIMTA PCellおよびeIMTA SCellのために異なるTDD UL/DL構成シグナリング方法が採用され得る。UEシグナリングモジュール106は、該セルでUE102を構成するためのシグナリングを受信することができる。該シグナリングは、該セルのための第1TDD UL/DL構成128aを示すことができる。UEシグナリングモジュール106は、eNB160から送信された1つ以上のメッセージで該第1TDD UL/DL構成を受信することができる。
第1TDD UL/DL構成128aは、該セルのためのデフォルトTDD UL/DL構成であり得る。第1TDD UL/DL構成128aは、プライマリTDD UL/DL構成と称されてもよい。第1TDD UL/DL構成128aは、図2と関連して以下で記述されるようにシグナリングされ得る。例えば、第1TDD UL/DL構成128aは、tdd−Config IEによりシグナリングされ得る。
該セルがPCellであるならば、1つのインプリメンテーションにおいて、UEシグナリングモジュール106はシステム情報ブロック(SIB)メッセージのtdd−Configフィールドで第1TDD UL/DL構成128aを受信することができる。SIBでの第1TDD UL/DL構成128aのシグナリングの例が下記のリスティング(1)において示される。
他の1つのインプリメンテーションでは、該セルがPCellであれば、UEシグナリングモジュール106は、無線リソース制御(RRC)共通メッセージで第1TDD UL/DL構成128aを受信することができる。例えば、該セルの第1TDD UL/DL構成128aを示すためにRRC共通ブロック内のtdd−Configフィールドが使用され得る。RRC共通メッセージでの第1TDD UL/DL構成128aのシグナリングの例が下記のリスティング(3)において示される。
該セルがSCellであるならば、UEシグナリングモジュール106は第1TDD UL/DL構成128aをRRC共通メッセージで受信することもできる。SCell の第1TDD UL/DL構成128aのRRC共通メッセージでのシグナリングの例が下記のリスティング(4)において示される。
UEシグナリングモジュール106は、該セルのためのセカンダリ構成情報130aを受信することができる。1つのインプリメンテーションでは、UEシグナリングモジュール106は、セカンダリ構成情報130aを第1TDD UL/DL構成128aと同じメッセージ(例えば、SIBまたはRRC)で受信することができる。他の1つのインプリメンテーションでは、UEシグナリングモジュール106は、セカンダリ構成情報130aを第1TDD UL/DL構成128aとは別のメッセージ(例えば、SIBまたはRRC)で受信することができる。セカンダリ構成情報130は、eNB160から送信され得る。
セカンダリ構成情報130aは、許容されるTDD UL/DL再構成範囲を含むことができる。該TDD UL/DL再構成範囲は、TDD UL/DL構成のセット、あるいは2つのTDD UL/DL構成の間の任意の状態であり得る。
1つのインプリメンテーションでは、第1TDD UL/DL構成128aの他に、少なくとも第2TDD UL/DL構成が動的TDD UL/DL再構成セルのために構成され得る。他の1つのインプリメンテーションでは、第1TDD UL/DL構成128aの他に第2TDD UL/DL構成および第3TDD UL/DL構成が構成され得る。
UEシグナリングモジュール106は、セカンダリ構成情報130aをセカンダリTDD構成IEで受信することができる。該セカンダリTDD構成IEは、1つまたは2つのセカンダリTDD UL/DL構成(例えば、該第2または第3TDD UL/DL構成)を含むことができる。
1つのインプリメンテーションでは、セカンダリTDD UL/DL構成はセカンダリTDD構成IEで示され得る。1つの余分のTDD UL/DL構成のために、UEシグナリングモジュール106は、以下のリスティング(5)で示されるセカンダリTDD構成IEを受信することができる。2つの余分のTDD UL/DL構成のためには、UEシグナリングモジュール106は以下のリスティング(6)で示されるセカンダリTDD構成IEを受信することができる。
他の1つのインプリメンテーションでは、該セカンダリTDD構成IEは、以下の表(1)および表(2)で示されるように、複数のTDD UL/DL構成の組み合わせのインデックスを含むことができる。許容されるTDD UL/DL再構成範囲を示すために、表項目のインデックスが使用され得る。
動的TDD UL/DL再構成PCellおよび動的TDD UL/DL再構成SCellのために異なるTDD UL/DL構成シグナリング方法が採用され得る。動的TDD UL/DL再構成セルがPCellであるならば、セカンダリ構成情報130aは、以下のリスティング(8)で示されるようにSIBで、あるいは以下のリスティング(9)で示されるようにRRCブロックで、シグナリングされ得る。動的TDD UL/DL再構成セルがSCellであるならば、セカンダリ構成情報130aは、以下のリスティング(10)で示されるように、拡張tdd−Config−r12フィールドをRRCブロックに加えることによってシグナリングされ得る。
UE基準TDD UL/DL構成モジュール126は、第1TDD UL/DL構成128aおよびセカンダリ構成情報130aのいずれかまたは両方に基づいて基準TDD UL/DL構成を決定することができる。DL基準TDD UL/DL構成は、第1(例えば、プライマリ)TDD UL/DL構成128aおよびセカンダリ構成情報130a(例えば、セカンダリTDD UL/DL構成)のいずれかまたは両方に基づいて決定され得る。該DL基準TDD UL/DL構成は、動的TDD UL/DL再構成セルのPDSCH HARQ−ACKタイミングのために使用され得る。
UL基準TDD UL/DL構成も、第1TDD UL/DL構成128aおよびセカンダリ構成情報130aのいずれかまたは両方に基づいて決定され得る。該UL基準TDD UL/DL構成は、動的TDD UL/DL再構成セルのPUSCHスケジューリングおよびPUSCH HARQ−ACKタイミングのために使用され得る。
基準TDD UL/DL構成(例えば、DL基準およびUL基準TDD UL/DL構成)は、セカンダリ構成情報130aがセカンダリTDD UL/DL構成を1つ含むか2つ含むかによって異なる仕方で決定され得る。
1つのシナリオでは、セカンダリ構成情報130aは、第2TDD UL/DL構成であり得る1つの余分のTDD UL/DL構成を含むことができる。1つのインプリメンテーションでは、DL基準TDD UL/DL構成およびUL基準TDD UL/DL構成は、図2と関連して以下で記述されるように、現存するTDD UL/DL構成から選択され得る。
他の1つのインプリメンテーションでは、第1TDD UL/DL構成128aはDL基準TDD UL/DL構成として使用でき、第2TDD UL/DL構成はUL基準TDD UL/DL構成として使用できる。さらに別の1つのインプリメンテーションでは、第1TDD UL/DL構成128aはUL基準TDD UL/DL構成として使用でき、第2TDD UL/DL構成はDL基準TDD UL/DL構成として使用できる。
他の1つのシナリオでは、セカンダリ構成情報130aは2つの余分のTDD UL/DL構成を含むことができ、その2つの余分のTDD UL/DL構成は第2TDD UL/DL構成および第3TDD UL/DL構成であり得る。1つのアプローチでは、図2に記載されているように、基準TDD UL/DL構成を決定するためにセカンダリTDD UL/DL構成(例えば、該第2および第3TDD UL/DL構成)だけが使用される。他の1つのアプローチでは、図2に記述されているように、基準TDD UL/DL構成を決定するためにプライマリTDD UL/DL構成と2つのセカンダリTDD UL/DL構成の両方とが使用される。
UEオペレーションモジュール124は、情報184を1つ以上のレシーバ120に提供することができる。例えば、UEオペレーションモジュール124は、再送をいつ受信するべきかを1つまたは複数のレシーバ120に知らせることができる。或るインプリメンテーションでは、このことは、DL基準TDD UL/DL構成および/またはUL基準TDD UL/DL構成に基づくことができる。
UEオペレーションモジュール124は、情報138をデモジュレータ114に提供することができる。例えば、UEオペレーションモジュール124は、eNB160からの送信について予期される変調パターンをデモジュレータ114に知らせることができる。或るインプリメンテーションでは、このことはDL基準TDD UL/DL構成および/またはUL基準TDD UL/DL構成に基づくことができる。
UEオペレーションモジュール124は、情報136をデコーダ108に提供することができる。例えば、UEオペレーションモジュール124は、eNB160からの送信について予期されるエンコーディングをデコーダ108に知らせることができる。或るインプリメンテーションでは、このことはDL基準TDD UL/DL構成および/またはUL基準TDD UL/DL構成に基づくことができる。
UEオペレーションモジュール124は、情報142をエンコーダ150に提供することができる。情報142は、エンコードされるべきデータおよび/またはエンコーディングのための命令を含むことができる。例えば、UEオペレーションモジュール124は、送信データ146および/または他の情報142をエンコードするようにエンコーダ150に命令することができる。該他の情報142は、PDSCH HARQ−ACK情報を含むことができる。
エンコーダ150は、送信データ146および/またはUEオペレーションモジュール124により提供された他の情報142をエンコードすることができる。例えば、データ146および/または他の情報142をエンコードすることは、エラー検出および/または訂正コーディング、送信のためのスペース、時間および/または周波数リソースへのデータのマッピング、多重化、などを伴うことができる。エンコーダ150は、エンコード済みデータ152をモジュレータ154に提供することができる。
UEオペレーションモジュール124は情報144をモジュレータ154に提供することができる。例えば、UEオペレーションモジュール124は、eNB160への送信のために使用されるべき変調タイプ(例えば、コンステレーションマッピング)をモジュレータ154に知らせることができる。モジュレータ154は、エンコード済みデータ152を変調して1つ以上の変調済み信号156を1つ以上のトランスミッタ158に提供することができる。
UEオペレーションモジュール124は、1つ以上のトランスミッタ158に情報140を提供することができる。この情報140は、1つ以上のトランスミッタ158のための命令を含むことができる。例えば、UEオペレーションモジュール124は、eNB160に信号をいつ送信するべきかを1つ以上のトランスミッタ158に命令することができる。或るインプリメンテーションでは、このことは、(例えばUE基準TDD UL/DL構成モジュール132aにより決定された)DL基準TDD UL/DL構成またはUL基準TDD UL/DL構成に基づくことができる。例えば、1つ以上のトランスミッタ158は、ULサブフレームの間に送信することができる。1つ以上のトランスミッタ158は、1つまたは複数の変調済み信号156をアップコンバートして1つ以上のeNB160に送信することができる。
eNB160は、1つ以上のトランシーバ176、1つ以上のデモジュレータ172、1つ以上のデコーダ166、1つ以上のエンコーダ109、1つ以上のモジュレータ113、データバッファ162およびeNBオペレーションモジュール182を含むことができる。例えば、eNB160内に1つ以上の受信および/または送信経路が実装され得る。便宜上、単一のトランシーバ176、デコーダ166、デモジュレータ172、エンコーダ109およびモジュレータ113がeNB160内に示されているが、複数の並列エレメント(例えば、複数のトランシーバ176、複数のデコーダ166、複数のデモジュレータ172、複数のエンコーダ109および複数のモジュレータ113)が実装可能である。
トランシーバ176は、1つ以上のレシーバ178および1つ以上のトランスミッタ117を含むことができる。1つ以上のレシーバ178は、1つ以上のアンテナ180a−nを用いてUE102から信号を受信することができる。例えば、レシーバ178は、信号を受信しダウンコンバートして1つ以上の受信済み信号174を生じさせることができる。1つ以上の受信済み信号174は、デモジュレータ172に提供することができる。1つ以上のトランスミッタ117は、1つ以上のアンテナ180a−nを用いてUE102に信号を送信することができる。例えば、1つ以上のトランスミッタ117は、1つ以上の変調済み信号115をアップコンバートして送信することができる。
デモジュレータ172は、1つ以上の受信済み信号174を復調して1つ以上の復調済み信号170を生じさせることができる。1つ以上の復調済み信号170は、デコーダ166に提供することができる。eNB160は、デコーダ166を用いて信号をデコードすることができる。デコーダ166は、1つ以上のデコード済み信号168a−bを生じさせることができる。例えば、第1eNBデコード済み信号168aは、受信済みペイロードデータを含むことができ、該データはデータバッファ162にストアすることができる。第2eNBデコード済み信号168bは、オーバーヘッドデータおよび/または制御データを含むことができる。例えば、第2eNBデコード済み信号168bは、1つ以上のオペレーションを実行するためにeNBオペレーションモジュール182により使用され得るデータ(例えば、PDSCH HARQ−ACK情報)を提供することができる。
一般的に、eNBオペレーションモジュール182は、eNB160が1つ以上のUE102と通信することを可能にすることができる。eNBオペレーションモジュール182は、eNBシグナリングモジュール164、eNB基準TDD UL/DL構成モジュール132、第1TDD UL/DL構成128bおよびセカンダリ構成情報130bを含むことができる。
eNBシグナリングモジュール164は、セルのための第1(例えば、プライマリ)TDD UL/DL構成128bを送信することができる。該セルは動的TDD UL/DL再構成セル(例えば、eIMTAセル)であることができる。動的TDD UL/DL再構成セルは、プライマリサービングセル(PCell)またはセカンダリサービングセル(SCell)として用いられることができる。eNBシグナリングモジュール164は、シグナリングをUE102に、該UE102を該セルで構成するために、送信することができる。該シグナリングは、該セルのための第1TDD UL/DL構成128bを示すことができる。
該第1TDD UL/DL構成128bは、該セルのためのデフォルトTDD UL/DL構成であることができる。該第1TDD UL/DL構成128bは、プライマリTDD UL/DL構成と称されてもよい。該第1TDD UL/DL構成128bは、図2と関連して以下で記述されるようにシグナリングされることができる。例えば、該第1TDD UL/DL構成128bは、tdd−Config IEによってシグナリングされることができる。
該セルがPCellであるならば、1つのインプリメンテーションにおいて、eNBシグナリングモジュール164は該第1TDD UL/DL構成128bをSIBメッセージのtdd−Configフィールドで送信することができる。SIBでの第1TDD UL/DL構成128bのシグナリングの例が下記のリスティング(1)に示されている。
他の1つのインプリメンテーションにおいて、該セルがPCellであるならば、eNBシグナリングモジュール164は第1TDD UL/DL構成128bをRRC共通メッセージで送信することができる。例えば、RRC共通ブロック内のtdd−Configフィールドは、該セルの第1TDD UL/DL構成128bを示すために使用され得る。RRC共通メッセージでの第1TDD UL/DL構成128bのシグナリングの例が下記のリスティング(3)に示されている。
該セルがSCellであるならば、eNBシグナリングモジュール164は、第1TDD UL/DL構成128bをRRC共通メッセージで送信することもできる。SCellの第1TDD UL/DL構成128bのRRC共通メッセージでのシグナリングの例が下記のリスティング(4)に示されている。
eNBシグナリングモジュール164は、セルのためのセカンダリ構成情報130bを送信することができる。1つのインプリメンテーションでは、eNBシグナリングモジュール164は、第1TDD UL/DL構成128bと同じメッセージ(例えば、SIBまたはRRC)でセカンダリ構成情報130bを送信することができる。他の1つのインプリメンテーションでは、eNBシグナリングモジュール164は、第1TDD UL/DL構成128bとは別のメッセージ(例えば、SIBまたはRRC)でセカンダリ構成情報130bを送信することができる。
セカンダリ構成情報130bは、許容されるTDD UL/DL再構成範囲を含むことができる。該TDD UL/DL再構成範囲は、TDD UL/DL構成のセット、または2つのTDD UL/DL構成間の任意の状態であることができる。
1つのインプリメンテーションでは、第1TDD UL/DL構成128bの他に、少なくとも第2TDD UL/DL構成が動的TDD UL/DL再構成セルのために構成され得る。他の1つのインプリメンテーションでは、第1TDD UL/DL構成128bの他に第2TDD UL/DL構成および第3TDD UL/DL構成が構成され得る。
eNBシグナリングモジュール164は、セカンダリ構成情報130bをセカンダリTDD構成IEで送信することができる。該セカンダリTDD構成IEは、1つまたは2つのセカンダリTDD UL/DL構成(例えば、該第2または第3TDD UL/DL構成)を含むことができる。
1つのインプリメンテーションでは、セカンダリTDD UL/DL構成は、セカンダリTDD構成IEで示され得る。1つの余分のTDD UL/DL構成のためには、eNBシグナリングモジュール164は、下記のリスティング(5)に示されているようにセカンダリTDD構成IEを送信することができる。2つの余分のTDD UL/DL構成のためには、eNBシグナリングモジュール164は、下記のリスティング(6)に示されているようにセカンダリTDD構成IEを送信することができる。
他の1つのインプリメンテーションでは、セカンダリTDD構成IEは、下記の表(1)および表(2)に示されているように、複数のTDD UL/DL構成の組み合わせのインデックスを含むことができる。表(例えば、表(1)または表(2))の項目のインデックスは、許容されるTDD UL/DL再構成範囲を示すために使用され得る。
動的TDD UL/DL再構成PCellおよび動的TDD UL/DL再構成SCellのために異なるTDD UL/DL構成シグナリング方法が採用され得る。動的TDD UL/DL再構成セルがPCellであるならば、セカンダリ構成情報130bは、下記のリスティング(8)に示されているようにSIBで、または下記のリスティング(9)に示されているようにRRCブロックで、シグナリングされ得る。動的TDD UL/DL再構成セルがSCellであるならば、セカンダリ構成情報130bは、下記のリスティング(10)に示されているように、拡張tdd−Config−r12フィールドをRRCブロックに付け加えることによってシグナリングされ得る。
eNB基準TDD UL/DL構成モジュール132は、第1TDD UL/DL構成128bおよびセカンダリ構成情報130bのいずれかまたは両方に基づいて基準TDD UL/DL構成を決定することができる。DL基準TDD UL/DL構成は、第1(例えば、プライマリ)TDD UL/DL構成128bおよびセカンダリ構成情報130b(例えば、セカンダリTDD UL/DL構成)のいずれかまたは両方に基づいて決定され得る。該DL基準TDD UL/DL構成は、動的TDD UL/DL再構成セルのPDSCH HARQ−ACKタイミングのために使用され得る。
UL基準TDD UL/DL構成も、第1TDD UL/DL構成128bおよびセカンダリ構成情報130bのいずれかまたは両方に基づいて決定され得る。該UL基準TDD UL/DL構成は、動的TDD UL/DL再構成セルのPUSCHスケジューリングおよびPUSCH HARQ−ACKタイミングのために使用され得る。
該基準TDD UL/DL構成(例えば、DL基準およびUL基準TDD UL/DL構成)は、セカンダリ構成情報130bがセカンダリTDD UL/DL構成を1つ含むのか2つ含むのかによって異なる仕方で決定され得る。
1つのシナリオでは、セカンダリ構成情報130bは1つの余分のTDD UL/DL構成を含むことができ、該TDD UL/DL構成は第2TDD UL/DL構成であり得る。1つのインプリメンテーションでは、DL基準TDD UL/DL構成およびUL基準TDD UL/DL構成は、図2と関連して以下で記述されるように、現存するTDD UL/DL構成から選択され得る。
他の1つのインプリメンテーションでは、第1TDD UL/DL構成128bはDL基準TDD UL/DL構成として使用でき、第2TDD UL/DL構成はUL基準TDD UL/DL構成として使用できる。さらに別の1つのインプリメンテーションでは、第1TDD UL/DL構成128bはUL基準TDD UL/DL構成として使用でき、第2TDD UL/DL構成はDL基準TDD UL/DL構成として使用できる。
他の1つのシナリオでは、セカンダリ構成情報130bは2つの余分のTDD UL/DL構成を含むことができ、その2つの余分のTDD UL/DL構成は第2TDD UL/DL構成および第3TDD UL/DL構成であり得る。1つのアプローチでは、図2に記載されているように基準TDD UL/DL構成を決定するためにセカンダリTDD UL/DL構成(例えば、該第2および第3TDD UL/DL構成)だけが使用される。他の1つのアプローチでは、図2に記載されているように基準TDD UL/DL構成を決定するためにプライマリTDD UL/DL構成と2つのセカンダリTDD UL/DL構成の両方とが使用される。
eNBオペレーションモジュール182は、1つ以上のレシーバ178に情報190を提供することができる。例えば、eNBオペレーションモジュール182は、DL基準TDD UL/DL構成に対応するダウンリンクサブフレームアソシエーションのセットに基づいてPDSCH HARQ−ACK情報を何時受信し、何時受信しないかを1つまたは複数のレシーバ178に知らせることができる。
eNBオペレーションモジュール182は、デモジュレータ172に情報188を提供することができる。例えば、eNBオペレーションモジュール182は、1つまたは複数のUE102からの送信について予期される変調パターンをデモジュレータ172に知らせることができる。或るインプリメンテーションでは、このことは、DL基準TDD UL/DL構成および/またはUL基準TDD UL/DL構成に基づくことができる。
eNBオペレーションモジュール182は、情報186をデコーダ166に提供することができる。例えば、eNBオペレーションモジュール182は、1つまたは複数のUE102からの送信について予期されるエンコーディングをデコーダ166に知らせることができる。或るインプリメンテーションでは、このことは、DL基準TDD UL/DL構成および/またはUL基準TDD UL/DL構成に基づくことができる。
eNBオペレーションモジュール182は、エンコーダ109に情報101を提供することができる。情報101は、エンコードされるべきデータおよび/またはエンコーディングのための命令を含むことができる。例えば、eNBオペレーションモジュール182は、送信データ105および/または他の情報101をエンコードするようにエンコーダ109に命令することができる。或るインプリメンテーションでは、このことは、DL基準TDD UL/DL構成および/またはUL基準TDD UL/DL構成に基づくことができる。
エンコーダ109は、送信データ105および/またはeNBオペレーションモジュール182により提供された他の情報101をエンコードすることができる。例えば、データ105および/または他の情報101をエンコードすることは、エラー検出および/または訂正コーディング、データを送信のためのスペース、時間および/または周波数リソースにマッピングすること、多重化、などを伴うことができる。エンコーダ109は、エンコード済みデータ111をモジュレータ113に提供することができる。送信データ105は、UE102へ中継されるべきネットワークデータを含むことができる。
eNBオペレーションモジュール182は、情報103をモジュレータ113に提供することができる。この情報103は、モジュレータ113のための命令を含むことができる。例えば、eNBオペレーションモジュール182は、1つまたは複数のUE102への送信のために使用されるべき変調タイプ(例えば、コンステレーションマッピング)をモジュレータ113に知らせることができる。モジュレータ113は、エンコード済みデータ111を変調して1つ以上の変調済み信号115を1つ以上のトランスミッタ117に提供することができる。
eNBオペレーションモジュール182は、情報192を1つ以上のトランスミッタ117に提供することができる。この情報192は、1つ以上のトランスミッタ117のための命令を含むことができる。例えば、eNBオペレーションモジュール182は、1つまたは複数のUE102に信号を何時送るか(あるいは何時送らないか)を1つ以上のトランスミッタ117に命令することができる。或るインプリメンテーションでは、このことはDL基準TDD UL/DL構成に基づくことができる。1つ以上のトランスミッタ117は、1つまたは複数の変調済み信号115をアップコンバートして1つ以上のUE102に送信することができる。
DLサブフレームがeNB160から1つ以上のUE102に送信され得ること、およびULサブフレームが1つ以上のUE102からeNB160に送信され得ることに留意するべきである。さらに、eNB160および1つ以上のUE102の両方がデータを標準的特別サブフレームで送信することができる。
1つまたは複数のeNB160および1つまたは複数のUE102に含まれるエレメントまたはパーツのうちの1つ以上がハードウェアで実装され得ることにも留意するべきである。例えば、これらのエレメントまたはパーツのうちの1つ以上がチップ、回路またはハードウェアコンポーネントなどとして実装され得る。本書に記載された機能または方法のうちの1つ以上がハードウェアで実装され得ること、および/またはハードウェアを用いて実行され得ることにも留意するべきである。例えば、本書に記載された方法のうちの1つ以上はチップセット、特定用途向け集積回路(ASIC)、大規模集積(LSI)回路または集積回路などで実装でき、および/またはチップセット、特定用途向け集積回路(ASIC)、大規模集積(LSI)回路または集積回路などを用いて実現できる。
図2は、UE102による構成シグナリングのための方法200の1つのインプリメンテーションを示す流れ図である。UE102は、動的TDD UL/DL再構成サポート(例えば、eIMTAサポート)を用いて構成され得る。UE102はセルのための第1TDD UL/DL構成128を受信する(ステップ202)。該セルは動的TDD UL/DL再構成セル(例えば、eIMTAセル)である。
動的TDD UL/DL再構成セルは、プライマリサービングセル(PCell)またはセカンダリサービングセル(SCell)として使用される。eIMTA PCellおよびeIMTA SCellのために異なるTDD UL/DL構成シグナリング方法が採用され得る。上で記述されたように、サービングセルは、UE102が気付いていて情報を送信もしくは受信することをeNB160により許可されているセルである。UE102は、eNB160からのサービングセルでUE102を構成するためにシグナリングを受信する(ステップ202)。該シグナリングは、該サービングセルのための第1TDD UL/DL構成128を示す。
第1TDD UL/DL構成128は、セルのためのデフォルトTDD UL/DL構成である。第1TDD UL/DL構成128は、プライマリTDD UL/DL構成と称されてもよい。第1TDD UL/DL構成128は、Release−8、9、10および11の場合のようにシグナリングされ得る。例えば、Release−8、9、10および11TDDセルにおいては、唯一のTDD UL/DL構成が構成される。第1TDD UL/DL構成128は、PCellのためのRelease−8、9、10および11の場合と同じくtdd−Config情報エレメント(IE)によってシグナリングされ得る。
1つのインプリメンテーションでは、該セルがPCellであるならば、UE102は、動的TDD UL/DL再構成セルの第1TDD UL/DL構成128をシグナリングするために使用され得るSystemInformationBlockType(SIB1)ブロック内のtdd−Configフィールドで第1TDD UL/DL構成128を受信する(ステップ202)。第1TDD UL/DL構成128は、動的TDD UL/DL再構成サポートされるUE102のためのデフォルトTDD UL/DL構成として使用される。レガシーUE102のためには、第1TDD UL/DL構成128は唯一のTDD UL/DL構成である。SIBでの第1TDD UL/DL構成128のシグナリングの例がリスティング(1)に示されている。
リスティング(1)
リスティング(1)において、TDD−config IE(ボールドテキストで記載されている)は、PCellのための第1TDD UL/DL構成128を指定するために使用され得る。‘cellBarred’は、該セルが(3GPP TS36.304で定義されているように)禁じられるかどうかを示すことができる。‘cellReservedForOperatorUse’は、(3GPP TS36.304で定義されているように)使用され得る。
‘csg−Identity’は、セルが属するクローズドサブスクライバグループ(Closed Subscriber Group(CSG))のアイデンティティを示すことができる。‘csg−Indication’がTRUEにセットされているならば、UE102は、セルがマニュアルCSG選択時に選択されたCSGメンバーセルであれば該セルにアクセスすること、または限定されたサービスを得ること、を許されるだけである。
‘ims−EmergencySupport’は、該セルが限定されたサービスモードでUE102のためのIMSエマージェンシーベアラサービスをサポートするかどうかを示すことができる。ims−EmergencySupportが無ければ、IMSエマージェンシーコールは、限定されたサービスモードでUE102のためのセルにおいてネットワークによってサポートされない。
‘intraFreqReselection’は、最高ランクのセルが禁じられているか、あるいは(3GPP TS36.304で指定されているように)UE102によって禁じられるものとして扱われるとき、イントラ周波数セルへのセル再選択を制御するために使用され得る。
‘multiBandInfoList’は、セルが属する(3GPP TS36.101、表5.5−1で定義されている)追加の周波数帯域インジケータのリストであり得る。UE102がfreqBandIndicator IE内の周波数帯域をサポートするならば、UE102はその周波数帯域を使用することができる。そうでなければ、UE102は、multiBandInfoList IE内の自分がサポートする最初にリストされている帯域を使用することができる。
‘plmn−IdentityList’は、PLMNアイデンティティのリストであり得る。最初にリストされているPLMNアイデンティティはプライマリPLMNであり得る。
‘p−Max’は、セルに使用され得る値であり得る。もし無ければ、UE102はUE102の能力に応じて最大パワーを使用することができる。
‘q−QualMin’は、(3GPP TS36.304に定義されている)パラメータ“Qqualmin”であり得る。cellSelectionInfo−v920が存在しなければ、UE102はQqualminのために負の無限大の(デフォルト)値を使用することができる。
‘q−QualMinOffset’は、(3GPP TS36.304で定義されている)パラメータ“Qqualminoffset”であり得る。Qqualminoffsetの実効値=IE値[dB]である。cellSelectionInfo−v920が存在しないかあるいは該フィールドが存在しなければ、UE102はQqualminoffsetのために0dBの(デフォルト)値を使用することができる。q−QualMinOffsetは、セルにおける最低所要品質レベルに影響を及ぼし得る。
‘q−RxLevMinOffset’は、(3GPP TS36.304で定義されている)パラメータ“Qrxlevminoffset”であり得る。Qrxlevminoffsetの実効値=IE値*2[dB]である。もし存在しなければ、UE102はQrxlevminoffsetのために0dBの(デフォルト)値を使用することができる。q−RxLevMinOffsetは、セルにおける最低所要受信レベルに影響を及ぼし得る。
‘sib−Mappinginfo’は、このSystemInformationメッセージにマッピングされたSIBのリストであり得る。SIB2についてのマッピング情報は無い;該マッピング情報は常に、schedulingInfoListリストにリストされている第1SystemInformationメッセージ内に存在する。
‘si−Periodicity’は、システム情報(SI)メッセージの無線フレーム単位の周期性であり得る。rf8は8無線フレームを意味することができ、RF16は16無線フレームを意味することができる、などである。
‘si−WindowLength’は、全てのSIのための共通SIスケジューリングウィンドウであり得る。si−WindowLengthはミリ秒の単位を持つことができ、ここでms1は1ミリ秒を意味し、ms2は2ミリ秒を意味する、などである。
‘systemInfoValueTag’は、マスター情報ブロック(MIB)、SIB1、SIB10、SIB11、SIB12およびSIB14以外の全てのSIBのために共通であり得る。MIBおよびSIB1の変更は、対応するメッセージの取得によって検出され得る。‘trackingAreaCode’は、リストされている全てのPLMNのために共通であるtrackingAreaCodeであり得る。
次の用語はリスティング(1)における条件付き存在を示すことができる。‘RSRQ’は、SIB3がブロードキャストされていてSIB3内に‘threshServingLowQ’が存在するならばフィールドの存在が必須であることを示す。そうでなければ、該フィールドは任意に存在する(例えば、Need OP)。
‘TDD’は、TDDのためにフィールドの存在が必須であることを示す。‘TDD’は周波数分割デュプレキシング(FDD)のためには存在せず、UE102はこのフィールドのために現存するいかなる値をも削除することができる。
‘TDD−OR’は、TDDのためのフィールドの存在は任意であることを示す(例えば、Need OP)。‘TDD−OR’はFDDのためには存在しない。
TDD−config IEは、TDD特有の物理チャネル構成を指定することができる。このことはリスティング(2)に示されているように成し遂げられる。
リスティング(2)
リスティング(2)において、‘specialSubframePatterns’は、(3GPP TS36.211、表4.2−1の場合のように)構成を示すことができる。ssp0は構成0を指し、ssp1は構成1を指す、などである。
‘specialSubframePatterns−v11xy’は、(3GPP TS36.211、表4.2−1の場合のように)特別のサブフレームパターンを示すことができる。値ssp9は、標準の循環プレフィックスのための構成9を指し、specialSubframePatternsの値がssp5にセットされている場合に限って存在し得る。そして値ssp7は、拡張循環プレフィックスのための構成7を指し、specialSubframePatternsの値がssp4にセットされている場合に限って存在し得る。specialSubframePatterns−v11xy IEが存在するとき、TDD−config(サフィックス無し)(例えば、Release−8で定義されているバージョン)内のspecialSubframePatternsの値は無視されてよい。
‘subframeAssignment’は、UL/DLサブフレーム構成を示すことができ、ここでsa0は構成0を指し、sa1は構成1を指す、などである(3GPP TS36.211、表4.2−2で指定されているように)。同じ周波数帯域に存在する全てのサービングセルのために1つの値が適用され得る。
他の1つのインプリメンテーションにおいて、セルが動的TDD UL/DL再構成で構成されたPCellであるならば、UE102は無線リソース制御(RRC)共通メッセージで第1TDD UL/DL構成128を受信する(ステップ202)。例えば、セルの第1TDD UL/DL構成128を示すためにRRC共通(例えば、RadioResourceConfigCommon)ブロック内のtdd−Configフィールドが使用され得る。RRC共通ブロックでの第1TDD UL/DL構成128のシグナリングの例がリスティング(3)に示されている。
リスティング(3)
リスティング(3)において、TDD−config IE(ボールドテキストで記載されている)は、PCellのための第1TDD UL/DL構成128を示すために使用され得る。‘additionalSpectrumEmissionSCell’は、IE AdditionalSpectrumEmissionSCell(3GPP TS36.101で定義されている)に関連するUE102必要条件を示すことができる。
‘defaultPagingCycle’は、(3GPP TS36.304の場合のように)“T”を得るために使用される、デフォルトページングサイクルであり得る。値rf32は32無線フレームに対応し、rf64は64無線フレームに対応する、などである。
‘modificationPeriodCoeff’は、無線フレームの数=modificationPeriodCoeff*defaultPagingCycleで表された、実際の変更期間であり得る。n2は値2に対応し、n4は値4に対応し、n8は値8に対応し、n16は値16に対応する。
パラメータ‘nB’は、Paging FrameおよびPaging Occasion(3GPP TS36.304による)を得るためのパラメータの1つとして使用され得る。値は、“T”の倍数で表され得る(3GPP TS36.304で定義されている)。fourTの値は4*Tに対応し、twoTの値は2*Tに対応する、などである。
‘ul−Bandwidth’はアップリンクにおける送信帯域幅構成NRBと関連付けられたパラメータであり得る(3GPP TS36.101、表5.6−1に記載されている)。値n6は6リソースブロックに対応し、n15は15リソースブロックに対応する、などである。FDDのためにこのパラメータが無ければ、アップリンク帯域幅はダウンリンク帯域幅に等しい。TDDのためには、このパラメータは存在せず、アップリンク帯域幅はダウンリンク帯域幅に等しい。
FDDのために、もし‘ul−CarrierFreq’が存在しなければ、デフォルト送信−受信(TX−RX)周波数分離(3GPP TS36.101、表5.7.3−1で定義されている)から決定された(デフォルト)値が適用される。TDDのためには、ul−CarrierFreqは存在せず、アップリンクキャリヤ周波数はダウンリンク周波数に等しい。
‘UL−CyclicPrefixLength’は、アップリンク循環プレフィックス長さを示すことのできるパラメータである(3GPP TS36.211、5.2.1に記載されている)。値len1は通常の循環プレフィックスに対応し、len2は拡張された循環プレフィックスに対応する。
次の用語は、リスティング(3)における条件付き存在を示すことができる。‘TDD’は、TDDのためにフィールドの存在が任意であることを示す(Need ON)。‘TDD’はFDDのためには存在せず、UE102はこのフィールドのために存在するいかなる値も削除することができる。
‘TDD2’は、もしtdd−Config−r10が存在するならばフィールドの存在は任意であることを示す(Need OR)。そうでなければ、該フィールドは存在せず、UE102はこのフィールドのために存在するいかなる値も削除することができる。
‘TDD−OR−NoR11’は、もしprach−ConfigSCell−r11が存在しなければTDDのためのフィールドの存在は任意であることを示す(Need OR)。そうでなければ、該フィールドは存在せず、UE102はこのフィールドのために存在するいかなる値も削除することができる。
‘TDDSCell’は、TDDのためにフィールドの存在が必須であることを示す。該フィールドはFDDのためには存在せず、UE102はこのフィールドのために存在するいかなる値も削除することができる。
‘UL’は、もしSCellがセカンダリTAGの一部であってかつul−Configurationが含まれるならばフィールドの存在は任意であることを示す(Need OR)。そうでなければ、該フィールドは存在せず、UE102はこのフィールドのために存在するいかなる値も削除することができる。
動的TDD UL/DL再構成セルがSCellであるならば、UE102は、第1TDD UL/DL構成128をRRC共通メッセージで受信することもできる(ステップ202)。例えば、RRC共通メッセージ内のtdd−Config−r10フィールドは、eIMTA SCellの第1TDD UL/DL構成128を示すために使用され得る。1つのインプリメンテーションでは、該RRC共通メッセージは、リスティング(4)に示されているRadioResourceConfigCommonSCell−r10メッセージであり得る。
リスティング(4)
リスティング(4)において、tdd−config−r10 IE(ボールドテキストで記載されている)は、SCellのための第1TDD UL/DL構成を示すために使用され得る。リスティング(4)に含まれる追加の用語は、リスティング(3)と関連して記載されているように定義され得る。
UE102は、セルのためのセカンダリ構成情報130を受信する(ステップ204)。セカンダリ構成情報130はeNB160から受信される(ステップ204)。1つのインプリメンテーションでは、UE102はセカンダリ構成情報130を第1TDD UL/DL構成128と同じメッセージ(例えば、SIBまたはRRC)で受信する(ステップ204)。他の1つのインプリメンテーションでは、UE102はセカンダリ構成情報130を第1TDD UL/DL構成128とは別のメッセージ(例えば、SIBまたはRRC)で受信する(ステップ204)。さらに、セカンダリ構成情報130は、単一のメッセージで受信されても、あるいは複数のメッセージで受信されてもよい(ステップ204)。
或るインプリメンテーションでは、セカンダリ構成情報130は、許容されるTDD UL/DL再構成範囲を含むことができる。TDD UL/DL再構成範囲は、TDD UL/DL構成のセット、または2つのTDD UL/DL構成間の任意の状態であり得る。本書で使用される状態とは、該TDD UL/DL再構成範囲に含まれる他の1つのTDD UL/DL構成であり得る。例えば、もしTDD UL/DL再構成範囲がTDD UL/DL構成2(無線フレーム内に2個のULを伴う5ミリ秒(ms)周期性)およびTDD UL/DL構成0(無線フレーム内に6個のULを伴う5ms周期性)であるならば、TDD UL/DL構成1(無線フレーム内に4個のULを伴う5ms周期性)およびTDD UL/DL構成6(無線フレーム内に5個のULを伴う5ms周期性)が該TDD UL/DL再構成範囲における中間状態であり得る。従って、セルは複数のTDD UL/DL構成で構成され得る。
1つのインプリメンテーションでは、第1TDD UL/DL構成128の他に、少なくとも第2TDD UL/DL構成が動的TDD UL/DL再構成セルのために構成され得る。他の1つのインプリメンテーションでは、第2TDD UL/DL構成および第3TDD UL/DL構成が第1TDD UL/DL構成128の他に構成され得る。該動的TDD UL/DL再構成セルの該第2TDD UL/DL構成および該第3TDD UL/DL構成は、該動的TDD UL/DL再構成セルのセカンダリTDD UL/DL構成であると定義され得る。従って、動的TDD UL/DL再構成セルは、1つのプライマリTDD UL/DL構成および1つまたは2つのセカンダリTDD UL/DL構成で構成され得る。
UE102は、セカンダリ構成情報130をセカンダリTDD構成IEで受信することもできる(ステップ204)。例えば、新しいセカンダリTDD構成IEが動的TDD UL/DL再構成セルのために定義され得る。該セカンダリTDD構成IEはTDD−Config−r12 IEであってもよい。該セカンダリTDD構成IEは1つまたは2つのセカンダリTDD UL/DL構成を含むことができる。
1つのインプリメンテーションでは、該セカンダリTDD UL/DL構成は該セカンダリTDD構成IEに含まれる。例えば、該セカンダリTDD構成IEは、該セカンダリTDD UL/DL構成に対応するインデックスを含む。動的TDD UL/DL再構成セルにおける特別のサブフレーム構成は第1(例えば、プライマリまたはデフォルト)TDD UL/DL構成128と同じであるべきである。従って、該特別サブフレーム構成フィールドはセッティング(例えば、シグナリング)から除去され得る。さらに、該セカンダリTDD構成IE内の各TDD−configフィールドは3ビットを必要とし、2つの余分のTDD UL/DL構成(例えば、該セカンダリTDD UL/DL構成)を示すためには6ビットが必要である。1つの余分のTDD UL/DL構成のために、セカンダリTDD構成IE(例えば、TDD−Config−r12 IE)はリスティング(5)に示されているように定義され得る。
リスティング(5)
リスティング(5)において、‘Extra−TDD−Config1’は余分のTDD UL/DL構成(例えば、第2TDD UL/DL構成)を表すことができる。‘Extra−TDD−Config1’は、7つの値のうちの1つ(例えば、sa0、sa1、sa2、sa3、sa4、sa5またはsa6)であり得る。
セカンダリTDD構成IEは2つの余分のTDD UL/DL構成を示すこともできる。例えば、1つまたは2つの余分のTDD UL/DL構成のためには、該セカンダリTDD構成IE(例えば、TDD−Config−r12 IE)はリスティング(6)に示されているように定義され得る。
リスティング(6)
リスティング(6)において、‘Extra−TDD−Config2’は、第2の余分のTDD UL/DL構成(例えば、第3TDD UL/DL構成)を表すことができる。‘Extra−TDD−Config2’は7つの値のうちの1つ(例えば、sa0、sa1、sa2、sa3、sa4、sa5またはsa6)であり得る。
他の1つのインプリメンテーションでは、様々なTDD UL/DL構成の全ての組み合わせがTDD UL/DL構成の組み合わせの表に列挙され得る。許容されるTDD UL/DL再構成範囲を示すためにTDD UL/DL構成の組み合わせ(例えば、表項目)のインデックスが使用され得る。
1つのアプローチでは、TDD UL/DL構成の順序は考慮されない。従って、表(1)に示されているように、様々なTDD UL/DL構成の合計21個の組み合わせが可能である。
表(1)
表(1)は、TDD UL/DL構成の組み合わせとフレキシブルサブフレームとの関係も示している。この関係は上記および下記のどの方法にも適用され得る。
第2のアプローチでは、TDD UL/DL構成の順序が考慮される。従って、表(2)に示されているように、様々なTDD UL/DL構成の合計42個の組み合わせが可能である。
(表2)
様々なTDD UL/DL構成の組み合わせの表(例えば、表(1)および表(2))は、TDD eIMTA再構成表と称されてもよい。セカンダリTDD構成IE(例えば、TDD−Config−r12 IE)は、リスティング(7)に示されているTDD UL/DL構成の組み合わせのインデックスを示すことができる。
リスティング(7)
リスティング(7)において、‘TDD−Config−Combination’は、TDD UL/DL構成の組み合わせを表す。‘TDD−Config−Combination’の値は、表(1)または表(2)からのインデックス値のうちの1つであり得る。
セカンダリ構成情報130(例えば、セカンダリTDD UL/DL構成またはeIMTA再構成範囲)をシグナリングするために、セカンダリTDD構成IE(例えば、TDD−Config−r12 IE)はSIB1および/またはRRCシグナリングに含まれ得る。動的TDD UL/DL再構成PCellおよび動的TDD UL/DL再構成SCellのために異なるTDD UL/DL構成シグナリング方法が採用され得る。
動的TDD UL/DL再構成セルがPCellであるならば、セカンダリ構成情報130(例えば、セカンダリTDD UL/DL構成)はSIBでシグナリングされ得る。例えば、セカンダリTDD UL/DL構成は、上で定義されたTDD−Config−r12 IEを用いてtdd−Confg−r12フィールドによりSystemInformationBlockType1メッセージ内のnonCriticalExtensionとしてシグナリングされ得る。該tdd−Config−r12は、リスティング(8)に示されているようにシグナリングされ得る。条件付き存在TDD−eIMTAは、該フィールドが任意であることを意味し、TDD eIMTAセルだけに適用され得る。
リスティング(8)
動的TDD UL/DL再構成セルがPCellであるならば、セカンダリ構成情報130(例えば、セカンダリTDD UL/DL構成)は、リスティング(9)に示されているように、拡張tdd−Config−r12フィールドをRRCブロック(例えば、RadioResourceConfigCommon)に付け加えることによってもシグナリングされ得る。セカンダリ構成情報130のRRC共通メッセージシグナリングは、独立にあるいはSIB1シグナリングとともに、使用され得る。リスティング(9)において、tdd−Config−r12 IE(ボールドテキストで記載されている)は、PCellのためのセカンダリ構成情報130を指定するために使用され得る。条件付き存在TDD−eIMTAは、該フィールドが任意であることを意味し、TDD eIMTAセルだけに適用され得る。
リスティング(9)
動的TDD UL/DL再構成セルがSCellであるならば、セカンダリ構成情報130(例えば、セカンダリTDD UL/DL構成)は、リスティング(10)に示されているように、拡張tdd−Config−r12フィールドをRRCブロック(例えば、RadioResourceConfigCommonSCell−r10)に付け加えることによってシグナリングされ得る。
リスティング(10)
リスティング(10)において、tdd−Config−r12 IE(ボールドテキストで記載されている)はSCellのためのセカンダリ構成情報130を指定するために使用され得る。条件付き存在TDD−eIMTAは、該フィールドが任意であることを意味し、TDD−eIMTAセルだけに適用され得る。動的TDD UL/DL再構成セルがSCellであるならば、該SCellのためのセカンダリ構成情報130をシグナリングするためにSIBは使用されないということに留意するべきである。
さらに、記載された構成方法はレガシーUE102に対して下位互換性を有するということに留意するべきである。レガシーUE102は、セカンダリTDD UL/DL構成を理解せずに無視しようとし、該セルを第1TDD UL/DL構成128で構成されたレガシーTDDセルとして使用しようとする。新しいセカンダリTDD構成IEは、eIMTAサポートされるUEのための動的再構成のためのTDD UL/DL再構成範囲を定義する。
UE102は、第1TDD UL/DL構成128およびセカンダリ構成情報130に基づいて基準TDD UL/DL構成を決定する(ステップ206)。複数の構成済みTDD UL/DL構成(例えば、プライマリTDD UL/DL構成および1つまたは2つのセカンダリTDD UL/DL構成)はTDD UL/DL再構成範囲を定める。従って、複数の構成済みTDD UL/DL構成は、固定サブフレームおよびフレキシブルサブフレームも定める。構成済みTDD UL/DL構成と同じセッティングで割り当てられるサブフレームは、固定サブフレームである。構成済みTDD UL/DL構成とは異なるセッティングで割り当てられるサブフレームはフレキシブルサブフレームである。フレキシブルサブフレームはDLサブフレームまたはULサブフレームとして使用され得る。従って、フレキシブルサブフレームはPDSCHおよびPUSCHのアソシエーションタイミングに含まれ得る。複数の構成済みTDD UL/DL構成は、DL基準TDD UL/DL構成およびUL基準TDD UL/DL構成を決定するために使用される(ステップ206)。
DL基準TDD UL/DL構成は、PDSCHオペレーションを実行するために使用され得る。例えば、DL基準TDD UL/DL構成は、表(3)(3GPP TS36.213の表10.1.3.1−1から)に示されているように、PDSCH HARQ−ACKレポートタイミングのために使用され得る。表(3)は、TDDのためのダウンリンクアソシエーションセットインデックス
K:{k
0、k
1、・・・k
M−1}
を提供し、ここで“TDD UL/DL構成”は、DL基準TDD UL/DL構成を指す。
表(3)
UE102は、PDSCH HARQ−ACKレスポンスをULサブフレーム‘n’で送信することができる。例えば、UE102は、PDSCH送信、または、UE102に宛てられていてそれのためにHARQ−ACKレスポンスが提供され得るところの1つまたは複数のサブフレーム
n−k(ここで k∈K であり、Kは表(3)で定められている)
内のダウンリンク半永久的スケジューリング(semipersistent scheduling(SPS))リリース(3GPP TS36.213のセクション9.2において定義されている)を示すPDCCHおよび/またはエンハンスド物理ダウンリンク制御チャネル(enhanced physical downlink control channel(EPDCCH))、を検出することができる。UE102は、その後、HARQ−ACKレスポンスをULサブフレーム‘n’で送信することができる。
UL基準TDD UL/DL構成は、PUSCHオペレーションを実行するために使用され得る。例えば、UL基準TDD UL/DL構成は、PUSCHスケジューリングおよびPUSCH HARQ−ACKタイミングのために使用され得る。
{1、2、3、4、5、6}に属する(3GPP TS36.213のセクション8.0で定義されている)UL基準TDD UL/DL構成を伴うサービングセルのために、サブフレーム‘i’においてUE102に割り当てられたPHICHで受信されたHARQ−ACKは、(3GPP TS36.213の表8.3−1からの)表(4)に示されているように該サービングセルのためのサブフレーム‘i−k’内のPUSCH送信と関連付けられることができ、ここで“TDD UL/DL構成”はUL基準TDD UL/DL構成を指す。表(4)はサブフレーム番号‘i’に対応する‘k’およびUL基準TDD UL/DL構成0−6のための項目を提供する。
表(4)
(3GPP TS36.213のセクション8.0において定義されている)UL基準TDD UL/DL構成0を伴うサービングセルのために、サブフレーム‘i’においてUE102に割り当てられた(3GPP TS36.213のセクション9.1.2において定義されている)
IPHICH=0
に対応するリソースにおいてPHICHで受信されたHARQ−ACKは、表(4)のように該サービングセルのためのサブフレーム‘i−k’内のPUSCH送信と関連付けられることができ、ここで“TDD UL/DL構成”はUL基準TDD UL/DL構成を指す。UL基準TDD UL/DL構成0を伴うサービングセルのために、サブフレーム‘i’においてUE102に割り当てられた(3GPP TS36.213のセクション9.1.2において定義されている)
IPHICH=1
に対応するリソースにおいてPHICHで受信されたHARQ−ACKは、該サービングセルのためのサブフレーム‘i’−6内のPUSCH送信と関連付けられる。
一般的に、DL基準TDD UL/DL構成は、全ての固定DLサブフレームおよびダウンリンクとしてのフレキシブルサブフレームを含むことができる。UL基準TDD UL/DL構成は、全ての固定ULサブフレームおよびアップリンクとしてのフレキシブルサブフレームを含むことができる。DL基準TDD UL/DL構成は、第1(例えば、プライマリ)TDD UL/DL構成128およびセカンダリ構成情報130(例えば、セカンダリTDD UL/DL構成)に基づいて得られ得る。DL基準TDD UL/DL構成は、動的TDD UL/DL再構成セルのPDSCH HARQ−ACKタイミングのために使用され得る。UL基準TDD UL/DL構成も、第1TDD UL/DL構成128およびセカンダリ構成情報130に基づいて得られ得る。UL基準TDD UL/DL構成は、動的TDD UL/DL再構成セルのPUSCHスケジューリングおよびPUSCH HARQ−ACKタイミングのために使用され得る。
基準TDD UL/DL構成(例えば、DL基準およびUL基準TDD UL/DL構成)は、セカンダリ構成情報130がセカンダリTDD UL/DL構成を1つ含むのかあるいは2つ含むのかによって異なる仕方で決定され得る(ステップ206)。例えば、セカンダリ構成情報130はセルのための第2TDD UL/DL構成を含むことができる。あるいは、セカンダリ構成情報130は、セルのための第2TDD UL/DL構成および第3TDD UL/DL構成を含むことができる。
1つのシナリオでは、セカンダリ構成情報130は動的TDD UL/DL再構成セルのための1つの余分のTDD UL/DL構成を含むことができる。セカンダリ構成情報130は、セルのために第2TDD UL/DL構成だけを含むことができる。唯一のTDD UL/DL構成(例えば、第2TDD UL/DL構成)がセカンダリTDD UL/DL構成として構成されるならば、第1TDD UL/DL構成128および第2TDD UL/DL構成は、DL基準TDD UL/DL構成およびUL基準DL/DL構成を決定するために使用され得る(ステップ206)。換言すれば、基準TDD UL/DL構成は第1TDD UL/DL構成128および第2TDD UL/DL構成に基づいて決定することができる。
1つのインプリメンテーションでは、第1TDD UL/DL構成128および第2TDD UL/DL構成は、任意の組み合わせであってよい。DL基準TDD UL/DL構成は、全ての固定DLサブフレームおよびダウンリンクとしてのフレキシブルサブフレームを含むことができる。換言すれば、DL基準TDD UL/DL構成は、第1TDD UL/DL構成128および第2TDD UL/DL構成の中の、オーバーラップするULサブフレームを伴うTDD UL/DL構成であることができる。
DL基準TDD UL/DL構成は、現存するTDD UL/DL構成から選択され得る。第1TDD UL/DL構成128および第2TDD UL/DL構成の中の、オーバーラップするULサブフレームを伴うTDD UL/DL構成が現存する標準的TDD UL/DL構成(0−6)でなければ、図6に示されているように、より少数のUL割り当てを伴う最も近い標準的TDD UL/DL構成がDL基準TDD UL/DL構成として選択され得る。DL基準TDD UL/DL構成は、第1TDD UL/DL構成128および第2TDD UL/DL構成のうちの1つと同じであってもよい。DL基準TDD UL/DL構成は、第1TDD UL/DL構成128および第2TDD UL/DL構成の両方と異なっていてもよい。
UL基準TDD UL/DL構成は、全ての固定ULサブフレームおよびアップリンクとしてのフレキシブルサブフレームを含むべきである。換言すれば、UL基準TDD UL/DL構成は、第1TDD UL/DL構成128および第2TDD UL/DL構成の中の、オーバーラップするDLサブフレームまたは特別サブフレームを伴うTDD UL/DL構成であってよい。UL基準TDD UL/DL構成は、第1TDD UL/DL構成128および第2TDD UL/DL構成の中の、ULサブフレームのスーパーセットを伴うTDD UL/DL構成であってもよい。
UL基準TDD UL/DL構成は、現存するTDD UL/DL構成から選択され得る。第1TDD UL/DL構成128および第2TDD UL/DL構成の中の、オーバーラップするDLサブフレームまたは特別サブフレームを伴うTDD UL/DL構成が現存する標準的TDD UL/DL構成(0−6)でなければ、図6に示されているように、より多くのUL割り当てを伴う最も近い標準的TDD UL/DL構成がUL基準TDD UL/DL構成として選択され得る。UL基準TDD UL/DL構成は、第1TDD UL/DL構成128および第2TDD UL/DL構成のうちの1つと同じであってよい。UL基準TDD UL/DL構成は、第1TDD UL/DL構成128および第2TDD UL/DL構成の両方と異なってもよい。
TDD UL/DL構成の全ての組み合わせについてDL基準TDD UL/DL構成およびUL基準TDD UL/DL構成が表(5)に列挙されている。フレキシブルサブフレームについては、第1(例えば、プライマリ)TDD UL/DL構成128の方向は、PHYレイヤのシグナリングが別様にシグナリングされるのでなければ、デフォルトとして使用され得る。表(5)は、該表がどのように生成されるかとは無関係に予め定められてもよく、UE102によってDL基準TDD UL/DL構成および/またはUL基準TDD UL/DL構成を決定するために使用され得る(ステップ206)。
他の1つのインプリメンテーションでは、第1(例えば、プライマリ)TDD UL/DL構成128がDL基準TDD UL/DL構成として使用され第2TDD UL/DL構成がUL基準TDD UL/DL構成として使用されるように、TDD UL/DL構成の順序が固定される。このインプリメンテーションでは、eNB160は、該TDD UL/DL構成間に衝突が無いことを確かめるべきである。従って、第1UL/DL構成128のDLサブフレームは第2UL/DL構成のDLサブフレームのスーパーセットであるべきであり、第1UL/DL構成128のULサブフレームは第2UL/DL構成のULサブフレームのサブセットであるべきである。例えば、第1TDD UL/DL構成128および第2TDD UL/DL構成は、表(5)に列挙されているDL基準TDD UL/DL構成およびUL基準TDD UL/DL構成に基づいて選択されるべきである。従って、TDD UL/DL構成の必ずしも全ての組み合わせがサポートされるわけではない。
さらに他の1つのインプリメンテーションでは、TDD UL/DL構成の順序は、第1(例えば、プライマリ)TDD UL/DL構成128がUL基準TDD UL/DL構成であり第2TDD UL/DL構成がDL基準TDD UL/DL構成であるように、固定される。このインプリメンテーションでは、eNB160は、該TDD UL/DL構成間に衝突が無いことを確かめるべきである。従って、第1UL/DL構成128のDLサブフレームは第2UL/DL構成のDLサブフレームのサブセットであるべきであり、第1UL/DL構成128のULサブフレームは第2UL/DL構成のULサブフレームのスーパーセットであるべきである。例えば、第1TDD UL/DL構成128および第2TDD UL/DL構成は、表(5)に列挙されているUL基準TDD UL/DL構成およびDL基準TDD UL/DL構成に基づいて選択されるべきである。従って、TDD UL/DL構成の必ずしも全てがサポートされるわけではない。
他の1つのシナリオでは、セカンダリ構成情報130は、動的TDD UL/DL再構成セルのための2つの余分のTDD UL/DL構成を含むことができる。該2つの余分のTDD UL/DL構成は第2TDD UL/DL構成および第3TDD UL/DL構成であり得るが、該第2TDD UL/DL構成および第3TDD UL/DL構成はセカンダリTDD UL/DL構成として構成され得る。このシナリオでは、DL基準TDD UL/DL構成およびUL基準TDD DL/DL構成を決定するために(ステップ206)幾つかのアプローチがある。
1つのアプローチでは、基準TDD UL/DL構成を決定するために(ステップ206)セカンダリTDD UL/DL構成だけが使用される。換言すれば、基準TDD UL/DL構成は、第2TDD UL/DL構成および第3TDD UL/DL構成に基づいて決定され得る。表(5)が使用されるとよく、この表においてTDD UL/DL構成の組み合わせは2つのセカンダリUL−DL構成である。このアプローチでは、プライマリTDD UL/DL構成はセカンダリTDD UL/DL構成のうちの1つと同じであり得る。あるいは、プライマリTDD UL/DL構成は2つのセカンダリTDD UL/DL構成とは異なり得る。プライマリTDD UL/DL構成は、フレキシブルサブフレームのデフォルト方向を決定するために使用され得る。セカンダリTDD UL/DL構成に基づいて基準TDD UL/DL構成を決定する(ステップ206)ために3つのインプリメンテーションがある。
1つのインプリメンテーションでは、TDD UL/DL構成のどの組み合わせもサポートされる。DL基準TDD UL/DL構成およびUL基準TDD UL/DL構成は表(5)に基づいて決定され得る。
他の1つのインプリメンテーションでは、2つのセカンダリTDD UL/DL構成(例えば、第2および第3TDD UL/DL構成)の中で、TDD UL/DL構成の順序は固定される。第2TDD UL/DL構成はDL基準TDD UL/DL構成として使用され得る。第3TDD UL/DL構成はUL基準TDD UL/DL構成として使用され得る。eNB160は、該TDD UL/DL構成間に衝突が無いことを確かめるべきである。従って、第2UL/DL構成のDLサブフレームは第3UL/DL構成のDLサブフレームのスーパーセットであるべきであり、第2UL/DL構成のULサブフレームは第3UL/DL構成のULサブフレームのサブセットであるべきである。例えば、第2TDD UL/DL構成および第3TDD UL/DL構成は、表(5)に列挙されているDL基準TDD UL/DL構成およびUL基準TDD UL/DL構成に基づいて選択され得る。従って、TDD UL/DL構成の必ずしもすべての組み合わせがサポートされるわけではない。
さらに他の1つのインプリメンテーションでは、2つのセカンダリTDD UL/DL構成(例えば、第2および第3TDD UL/DL構成)の中で、該TDD UL/DL構成の順序は固定される。第2TDD UL/DL構成はUL基準TDD UL/DL構成として使用され得る。第3TDD UL/DL構成はDL基準TDD UL/DL構成として使用され得る。eNB160は、該TDD UL/DL構成間に衝突が無いことを確かめるべきである。従って、第2UL/DL構成のDLサブフレームは第3UL/DL構成のDLサブフレームのサブセットであるべきであり、第2UL/DL構成のULサブフレームは第3UL/DL構成のULサブフレームのスーパーセットであるべきである。例えば、第2TDD UL/DL構成および第3TDD UL/DL構成は、表(5)に列挙されているUL基準TDD UL/DL構成およびDL基準TDD UL/DL構成に基づいて選択され得る。従って、TDD UL/DL構成の必ずしもすべての組み合わせがサポートされるわけではない。
他の1つのアプローチでは、プライマリTDD UL/DL構成と2つのセカンダリTDD UL/DL構成の両方とが基準TDD UL/DL構成を決定するために使用される(ステップ206)。換言すれば、基準TDD UL/DL構成は第1TDD UL/DL構成128、第2TDD UL/DL構成および第3TDD UL/DL構成に基づくことができる。第1(例えば、プライマリ)TDD UL/DL構成128およびセカンダリTDD UL/DL構成は、任意の組み合わせであってよい。
DL基準TDD UL/DL構成は、第1TDD UL/DL構成128および2つのセカンダリTDD UL/DL構成の中のオーバーラップするULサブフレームを伴うTDD UL/DL構成であってよい。DL基準TDD UL/DL構成は、現存するTDD UL/DL構成から選択され得る。第1TDD UL/DL構成128および2つのセカンダリTDD UL/DL構成の中のオーバーラップするULサブフレームを伴うTDD UL/DL構成が現存する標準的TDD UL/DL構成(0−6)でなければ、より少ないUL割り当てを伴う最も近い標準的TDD UL/DL構成がDL基準TDD UL/DL構成として選択され得る。DL基準TDD UL/DL構成は、第1TDD UL/DL構成128の1つまたはセカンダリTDD UL/DL構成のうちの1つと同じであり得る。あるいは、DL基準TDD UL/DL構成は第1TDD UL/DL構成128およびセカンダリTDD UL/DL構成の両方と異なってもよい。
UL基準TDD UL/DL構成は、第1TDD UL/DL構成128および2つのセカンダリTDD UL/DL構成の中のオーバーラップするDLまたは特別サブフレームを伴うTDD UL/DL構成であり得る。UL基準TDD UL/DL構成は、第1TDD UL/DL構成128および2つのセカンダリTDD UL/DL構成の中のULサブフレームのスーパーセットを伴うTDD UL/DL構成でもあり得る。UL基準TDD UL/DL構成は、現存するTDD UL/DL構成から選択され得る。第1TDD UL/DL構成128およびセカンダリTDD UL/DL構成の中のオーバーラップするDLまたは特別サブフレームを伴うTDD UL/DL構成が現存する標準的TDD UL/DL構成(0−6)でなければ、より多くのUL割り当てを伴う最も近い標準的TDD UL/DL構成がUL基準TDD UL/DL構成として選択され得る。UL基準TDD UL/DL構成は、第1TDD UL/DL構成128またはセカンダリTDD UL/DL構成のうちの1つと同じであり得る。UL基準TDD UL/DL構成は、第1TDD UL/DL構成128およびセカンダリTDD UL/DL構成の両方と異なってもよい。
表(5)は、DL基準TDD UL/DL構成およびUL基準TDD UL/DL構成を決定する(ステップ206)ために使用され得る。このことは2ステップで成し遂げられ得る。
動的TDD UL/DL再構成セルのDL基準TDD UL/DL構成のために、最初に、2つのセカンダリTDD UL/DL構成(すなわち、第2TDD UL/DL構成および第3TDD UL/DL構成)の組み合わせに基づくセカンダリDL基準TDD UL/DL構成が決定され得る。次に動的TDD UL/DL再構成セルのDL基準TDD UL/DL構成がプライマリTDD UL/DL構成(例えば、第1TDD UL/DL構成128)およびセカンダリDL基準TDD UL/DL構成の組み合わせに基づいて決定され得る(ステップ206)。
動的TDD UL/DL再構成セルのUL基準TDD UL/DL構成のために、最初に2つのセカンダリTDD UL/DL構成(すなわち、第2TDD UL/DL構成および第3TDD UL/DL構成)の組み合わせに基づくセカンダリUL基準TDD UL/DL構成が決定され得る。次に動的TDD UL/DL再構成セルのUL基準TDD UL/DL構成が、プライマリTDD UL/DL構成(例えば、第1TDD UL/DL構成128)およびセカンダリUL基準TDD UL/DL構成の組み合わせに基づいて決定され得る(ステップ206)。
レガシーUE102は、第1TDD UL/DL構成128(例えば、プライマリTDD UL/DL構成)だけを受信することができ(ステップ202)、該セルを第1TDD UL/DL構成128を伴うレガシーTDDセルであると想定するということに留意するべきである。もし動的TDD UL/DL再構成セルがPCellであって、セカンダリTDD UL/DL構成がSIB1メッセージで送信されるならば、レガシーUE102はセカンダリTDD構成IE(例えば、tdd−Config−r12フィールド)を無視することができる。
動的TDD UL/DL再構成セルで構成されたRelease−12 UE102は、プライマリTDD UL/DL構成および1つまたは複数のセカンダリTDD UL/DL構成の両方を受信することができる(ステップ202、204)。セカンダリTDD UL/DL構成は、セル特有またはUE特有であり得る。
もし動的TDD UL/DL再構成セルがPCellであり、セカンダリTDD UL/DL構成がSIB1メッセージで送信されるならば、該動的TDD UL/DL再構成セルのためのセカンダリTDD UL/DL構成はセル特有であるべきである。もし動的TDD UL/DL再構成セルがPCellであり、セカンダリTDD UL/DL構成がRRC共通メッセージブロックだけで送信されるならば、RRC共通メッセージはUE特有であり得る。UE102は該UE特有TDD UL/DL構成が動的TDD UL/DL再構成セルに適用されると想定することができる。
動的TDD UL/DL再構成セルがSCellであるならば、セカンダリTDD UL/DL構成はRRC共通メッセージブロックでUE特有の仕方で送信され得るにすぎない。UE102は、該UE特有TDD UL/DL構成が動的TDD UL/DL再構成セルに適用されると想定することができる。
図3はeNB160による構成シグナリングのための方法300の1つのインプリメンテーションを示す流れ図である。eNB160は動的TDD UL/DL再構成で構成され得る(例えば、eIMTAサポート)。eNB160はセルのための第1TDD UL/DL構成128を送信する(ステップ302)。
セルは動的TDD UL/DL再構成セル(例えば、eIMTAセル)である。動的TDD UL/DL再構成セルはプライマリサービングセル(PCell)またはセカンダリサービングセル(SCell)として使用される。eIMTA PCellおよびeIMTA SCellのために異なるTDD UL/DL構成シグナリング方法が採用され得る。eNB160は、UE102をサービングセルで構成するためにシグナリングを送信する(ステップ302)。該シグナリングは、サービングセルのための第1TDD UL/DL構成128を示す。
第1TDD UL/DL構成128は、セルのためのデフォルトTDD UL/DL構成であり得る。第1TDD UL/DL構成128は、プライマリTDD UL/DL構成と称されてもよい。第1TDD UL/DL構成128は、図2と関連して上で記載されたようにシグナリングされ得る。例えば、第1TDD UL/DL構成128は、PCellのためにRelease−8、9、10および11のようにtdd−Config情報エレメント(IE)によってシグナリングされ得る。
セルがPCellであるならば、1つのインプリメンテーションにおいて、eNB160は第1TDD UL/DL構成128をSIB1ブロック内のtdd−Configフィールドで送信することができる(ステップ302)。第1TDD UL/DL構成128のSIBでのシグナリングの例が上記のリスティング(1)に示されている。TDD−config IEは、TDD特有物理チャネル構成を上記リスティング(2)に示されているように指定することができる。
他の1つのインプリメンテーションにおいて、セルがPCellであるならば、eNB160は第1TDD UL/DL構成128をRRC共通メッセージで送信する(ステップ302)。例えば、セルの第1TDD UL/DL構成128を示すためにRRC共通ブロック内のtdd−Configフィールドが使用される。RRC共通ブロックでの第1TDD UL/DL構成128のシグナリングの例が上記リスティング(3)に示されている。
セルがSCellであるならば、eNB160は第1TDD UL/DL構成128をRRC共通メッセージで送信することもできる(ステップ302)。SCellの第1TDD UL/DL構成128のRRC共通ブロックでのシグナリングの例が上記リスティング(4)に示されている。
eNB160は、セルのためのセカンダリ構成情報130を送信する(ステップ304)。1つのインプリメンテーションでは、eNB160はセカンダリ構成情報130を第1TDD UL/DL構成128と同じメッセージ(例えば、SIBまたはRRC)で送信する(ステップ304)。他の1つのインプリメンテーションでは、eNB160はセカンダリ構成情報130を第1TDD UL/DL構成128とは別のメッセージ(例えば、SIBまたはRRC)で送信する(ステップ304)。
セカンダリ構成情報130は、許容されるTDD UL/DL再構成範囲を含むことができる。TDD UL/DL再構成範囲は、TDD UL/DL構成のセット、または2つのTDD UL/DL構成間の任意の状態であることができる。
1つのインプリメンテーションでは、第1TDD UL/DL構成128の他に、少なくとも第2TDD UL/DL構成が動的TDD UL/DL再構成セルのために構成され得る。他の1つのインプリメンテーションでは、第1TDD UL/DL構成128の他に第2TDD UL/DL構成および第3TDD UL/DL構成が構成され得る。
eNB160は、セカンダリ構成情報130をセカンダリTDD構成IEで送信することもできる(ステップ304)。セカンダリTDD構成IEは、1つまたは2つのセカンダリTDD UL/DL構成(例えば、第2または第3TDD UL/DL構成)を含むことができる。
1つのインプリメンテーションでは、セカンダリTDD UL/DL構成は、セカンダリTDD構成IEで示される。1つの余分のTDD UL/DL構成のために、eNB160は、上記リスティング(5)に示されているようにセカンダリTDD構成IEを送信する(ステップ304)。2つの余分のTDD UL/DL構成のために、eNB160は上記リスティング(6)に示されているようにセカンダリTDD構成IEを送信する(ステップ304)。
他の1つのインプリメンテーションでは、上記の表(1)および表(2)に示されているように、異なるTDD UL/DL構成の全ての組み合わせがTDD UL/DL構成の組み合わせの表において列挙され得る。許容されるTDD UL/DL再構成範囲を示すために表項目のインデックスが使用され得る。
動的TDD UL/DL再構成PCellおよび動的TDD UL/DL再構成SCellのために異なるTDD UL/DL構成シグナリング方法が採用され得る。動的TDD UL/DL再構成セルがPCellであるならば、セカンダリTDD UL/DL構成は、上記リスティング(8)に示されているようにSIBで、あるいは上記リスティング(9)に示されているようにRRCブロックで、シグナリングされ得る。動的TDD UL/DL再構成セルがSCellであるならば、セカンダリ構成情報130は、上記リスティング(10)に示されているように、RRCブロックに拡張tdd−Config−r12フィールドを付け加えることによってシグナリングされ得る。
eNB160は、第1TDD UL/DL構成128およびセカンダリ構成情報130のいずれかまたは両方に基づいて基準TDD UL/DL構成を決定する(ステップ306)。DL基準TDD UL/DL構成は、第1(例えば、プライマリ)TDD UL/DL構成128およびセカンダリ構成情報130(例えば、セカンダリTDD UL/DL構成)のいずれかまたは両方に基づいて決定される(ステップ306)。DL基準TDD UL/DL構成は、動的TDD UL/DL再構成セルのPDSCH HARQ−ACKタイミングのために使用される。UL基準TDD UL/DL構成も、第1TDD UL/DL構成128およびセカンダリ構成情報130のいずれかまたは両方に基づいて決定される(ステップ306)。UL基準TDD UL/DL構成は、動的TDD UL/DL再構成セルのPUSCHスケジューリングおよび、PUSCH HARQ−ACKタイミングのために使用される。
基準TDD UL/DL構成(例えば、DL基準およびUL基準TDD UL/DL構成)は、セカンダリ構成情報130がセカンダリTDD UL/DL構成を1つ含むか2つ含むかによって異なる仕方で決定される(ステップ306)。
1つのシナリオでは、セカンダリ構成情報130は1つの余分のTDD UL/DL構成を含むことができ、そのTDD UL/DL構成は第2TDD UL/DL構成であり得る。1つのインプリメンテーションでは、DL基準TDD UL/DL構成は、図2と関連して上で記載されたように、現存するTDD UL/DL構成から選択され得る。例えば、もし第1TDD UL/DL構成128および第2TDD UL/DL構成の中のオーバーラップするULサブフレームを伴うTDD UL/DL構成が現存する標準的TDD UL/DL構成(0−6)でなければ、上で表(5)に示されているように、より少数のUL割り当てを伴う最も近い標準的TDD UL/DL構成がDL基準TDD UL/DL構成として選択され得る。
UL基準TDD UL/DL構成も、上で図2と関連して記載されたように、現存するTDD UL/DL構成から選択され得る。例えば、もし第1TDD UL/DL構成128および第2TDD UL/DL構成の中のオーバーラップするDLまたは特別サブフレームを伴うTDD UL/DL構成が現存する標準的TDD UL/DL構成(0−6)でなければ、上で表(5)に示されているように、より多くのUL割り当てを伴う最も近い標準的TDD UL/DL構成がUL基準TDD UL/DL構成として選択され得る。
他の1つのインプリメンテーションでは、第1TDD UL/DL構成128はDL基準TDD UL/DL構成として使用され得る。第2TDD UL/DL構成は、UL基準TDD UL/DL構成として使用され得る。従って、第1UL/DL構成128のDLサブフレームは第2UL/DL構成のDLサブフレームのスーパーセットであるべきであり、第1UL/DL構成のULサブフレームは第2UL/DL構成のULサブフレームのサブセットであるべきである。例えば、第1TDD UL/DL構成128および第2TDD UL/DL構成は、表(5)に列挙されているDL基準TDD UL/DL構成およびUL基準TDD UL/DL構成に基づいて選択されるべきである。従って、TDD UL/DL構成の必ずしも全ての組み合わせがサポートされるわけではない。
さらに他の1つのインプリメンテーションでは、第1TDD UL/DL構成128はUL基準TDD UL/DL構成として使用され得る。第2TDD UL/DL構成はDL基準TDD UL/DL構成として使用され得る。従って、第1UL/DL構成128のDLサブフレームは第2UL/DL構成のDLサブフレームのサブセットであるべきであり、第1UL/DL構成128のULサブフレームは第2UL/DL構成のULサブフレームのスーパーセットであるべきである。例えば、第1TDD UL/DL構成128および第2TDD UL/DL構成は、表(5)に列挙されているUL基準TDD UL/DL構成およびDL基準TDD UL/DL構成に基づいて選択されるべきである。従って、TDD UL/DL構成の必ずしもすべての組み合わせがサポートされるわけではない。
他の1つのシナリオでは、セカンダリ構成情報130は2つの余分のTDD UL/DL構成を含むことができ、その2つの余分のTDD UL/DL構成は第2TDD UL/DL構成および第3TDD UL/DL構成であり得る。1つのアプローチでは、図2に記載されているように基準TDD UL/DL構成を決定するためにセカンダリTDD UL/DL構成(例えば、第2および第3TDD UL/DL構成)だけが使用される(ステップ306)。他の1つのアプローチでは、図2に示されているように基準TDD UL/DL構成を決定するためにプライマリTDD UL/DL構成と2つのセカンダリTDD UL/DL構成の両方とが使用される。
図4は、本書において開示されるシステムおよび方法に従って使用され得る無線フレーム435の一例を示す図である。この無線フレーム435構造はTDD構造を示す。各無線フレーム435は
Tf=307200・Ts=10
msの長さを有し、ここで
Tf
は無線フレーム435持続時間であり、
Ts
は
1/(15000×2048)
秒に等しいタイムユニットである。無線フレーム435は2つの半フレーム437を含み、該半フレームはそれぞれ
153600・Ts=5
msの長さを有する。各半フレーム437は、それぞれ
30720・Ts=1
msの長さを有する5個のサブフレーム423a−e、423f−jを含む。
TDD UL/DL構成0−6が以下で(3GPP TS36.211の表4.2−2からの)表(6)に与えられている。5msおよび10msのダウンリンク−アップリンク・スイッチポイント周期性の両方を有するTDD UL/DL構成がサポートされ得る。特に、下記の表(6)に示されているように、3GPP仕様において7個のTDD UL/DL構成が指定されている。表(6)において、“D”はダウンリンクサブフレームを意味し、“S”は特別サブフレームを意味し、“U”はULサブフレームを意味する。
上の表(6)において、無線フレーム内の各サブフレームについて、“D”は該サブフレームがダウンリンク送信のために確保されていることを示し、“U”は該サブフレームがアップリンク送信のために確保されていることを示し、“S”は3つのフィールド:ダウンリンクパイロットタイムスロット(downlink pilot time slot(DwPTS))、ガード期間(guard period(GP))およびアップリンクパイロットタイムスロット(uplink pilot time slot(UpPTS))を有する特別サブフレームを示す。DwPTS、GPおよびUpPTSの全長が
30720・T
s=1
msに等しいということを仮定して(3GPP TS36.211の表4.2−1からの)表(7)においてDwPTSおよびUpPTSの長さが与えられている。表(7)は(標準的)特別サブフレームの構成をいくつか示している。各サブフレーム‘i’は、各サブフレーム内の長さ
T
slot=15360・T
s=0.5
msの2つのスロット、2iおよび2i+1、として定義される。表(7)において、便宜上、“循環プレフィックス(cyclic prefix)”は“CP”と略記され、“構成(configuration)”は“Config”と略記されている。
5msおよび10msのダウンリンク−アップリンク・スイッチポイント周期性の両方を有するTDD UL/DL構成がサポートされる。5msのダウンリンク−アップリンク・スイッチポイント周期性の場合、特別サブフレームは両方の半フレームに存在する。10msダウンリンク−アップリンク・スイッチポイント周期性の場合、特別サブフレームは第1半フレームにだけ存在する。サブフレーム0および5およびDwPTSがダウンリンク送信のために確保され得る。UpPTSおよび、特別サブフレームの直ぐ次のサブフレームがアップリンク送信のために確保され得る。
本書で開示されるシステムおよび方法では、使用され得る幾つかのタイプのサブフレーム423はダウンリンクサブフレーム、アップリンクサブフレームおよび特別サブフレーム431を含む。5msの周期性を有する、図4に示されている例では、2つの標準的特別サブフレーム431a−bが無線フレーム435に含まれている。
第1の特別サブフレーム431aはダウンリンクパイロットタイムスロット(DwPTS)425a、ガード期間(GP)427a、アップリンクパイロットタイムスロット(UpPTS)429aを含む。この例では、第1標準的特別サブフレーム431aはサブフレーム一(423b)に含まれる。第2標準的特別サブフレーム431bはダウンリンクパイロットタイムスロット(DwPTS)425b、ガード期間(GP)427bおよびアップリンクパイロットタイムスロット(UpPTS)429bを含む。この例では、第2標準的特別サブフレーム431bはサブフレーム六423gに含まれる。DwPTS425a−bおよびUpPTS429a−bの長さは、DwPTS425、GP427およびUpPTS429の各セットの全長が
30720・Ts=1
msに等しいと仮定して、(上で表(7)に示されている)3GPP TS36.211の表4.2−1により与えられ得る。
各サブフレーム‘i’423a−j(ここで‘i’は、この例ではサブフレーム零423a(例えば、0)からサブフレーム九423j(例えば、9)に及ぶサブフレームを意味する)は、各サブフレーム423内の長さ
Tslot=15360・Ts=0.5
msの2つのスロット、2iおよび2i+1、として定義される。例えば、サブフレーム零(例えば、0)423aは、第1スロット439を含む2つのスロットを含むことができる。
本書で開示されるシステムおよび方法に従って、5msおよび10msの両方のダウンリンク−アップリンク・スイッチポイント周期性を有するTDD UL/DL構成が使用され得る。図4は、5msのスイッチポイント周期性を有する無線フレーム435の一例を示す。5msダウンリンク−アップリンク・スイッチポイント周期性の場合には、各半フレーム437が標準的特別サブフレーム431a−bを含む。10msダウンリンク−アップリンク・スイッチポイント周期性の場合には、特別サブフレームは第1半フレーム437の中にだけ存在し得る。
DL送信のためにサブフレーム零(例えば、0)423aおよびサブフレーム五(例えば、5)423fおよびDwPTS425a−bが確保され得る。UL送信のために、UpPTS429a−b、および1つまたは複数の標準的特別サブフレーム431a−bの直ぐ次に続く1つまたは複数のサブフレーム(例えば、サブフレーム二423cおよびサブフレーム七423h)が確保され得る。1つのインプリメンテーションでは、複数のセルが集合させられる場合、UE102は、全セルにわたって同じTDD UL/DL構成を想定するとともに、異なるセルの1つまたは複数の特別サブフレームのガード期間(GP)が少なくとも
1456・Ts
のオーバーラップを有すると想定することができる。
トラフィックアダプテーションによる強化された干渉軽減(eIMTA)は、動的UL/DL割り当てを用いるよりフレキシブルなスペクトル使用を可能にするTDD LTEネットワークのための重要なトピックである。従って、幾つかのサブフレームはフレキシブルで変換可能(例えば、フレキシブルサブフレーム)とすることができ、ダウンリンクサブフレーム、アップリンクサブフレームまたは特別サブフレームのいずれかとして使用され得る。幾つかのサブフレームはフレキシブルでも変換可能でもないであろう(例えば、固定サブフレーム)。DL HARQ−ACKタイミングの見地から、特別サブフレームはDLサブフレームと見なされる。図4に示されているサブフレーム423のうちの1つ以上は、TDD UL/DL再構成範囲に依存して変換可能であり得る。上記の表(6)において与えられているデフォルトTDD UL/DL構成1を想定すると、例えば、サブフレーム三(例えば、3)423dは変換可能なサブフレーム433(例えば、ULからDLへ)であり得る。
図5は、本書に記載されたシステムおよび方法に従う幾つかのTDD UL/DL構成549、551、553、555、557、559、561を示す。特に、図5は、サブフレーム523aおよびサブフレーム番号541aを有するTDD UL/DL構成零549(例えば、“TDD UL/DL構成0”)、サブフレーム523bおよびサブフレーム番号541bを有するTDD UL/DL構成一551(例えば、“TDD UL/DL構成1”)、サブフレーム523cおよびサブフレーム番号541cを有するTDD UL/DL構成二553(例えば、“TDD UL/DL構成2”)、およびサブフレーム523dおよびサブフレーム番号541dを有するTDD UL/DL構成三555(例えば、“TDD UL/DL構成3”)を示す。図5は、サブフレーム523eおよびサブフレーム番号541eを有するTDD UL/DL構成四557(例えば、“TDD UL/DL構成4”)、サブフレーム523fおよびサブフレーム番号541fを有するTDD UL/DL構成五559(例えば、“TDD UL/DL構成5”)、およびサブフレーム523gおよびサブフレーム番号541gを有するTDD UL/DL構成六561(例えば、“TDD UL/DL構成6”)も示す。
さらに、図5は、各TDD UL/DL構成に対応するPDSCHフィードバックアソシエーション543(例えば、PUCCHまたはPUSCHアソシエーションに対するPDSCH HARQ−ACKフィードバック)、PUSCHスケジューリングアソシエーション545(例えば、PUSCH送信アソシエーションのためのダウンリンクスケジューリング)およびPUSCHフィードバックアソシエーション547(例えば、PHICHまたはPDCCHアソシエーションに対するPUSCH HARQ−ACKフィードバック)を示す。図5に示されている無線フレームの幾つかは便宜上、一部省略されていることに留意するべきである。
該システムおよび方法は、図5に示されているTDD UL/DL構成549、551、553、555、557、559、561のうちの1つ以上に適用され得る。例えば、図5に示されているTDD UL/DL構成のうちの1つに対応する1つ以上のPDSCHフィードバックアソシエーション543は、DL基準TDD UL/DL構成として決定されたとき(Release−12)UE102およびeNB160の間の通信に適用され得る。加えて、あるいは代わりに、図5に示されているTDD UL/DL構成のうちの1つに対応する1つ以上のPUSCHスケジューリングアソシエーション545は、UL基準TDD UL/DL構成として決定されたときUE102およびeNB160の間の通信に適用され得る。加えて、あるいは代わりに、図5に示されているTDD UL/DL構成のうちの1つに対応する1つ以上のPUSCHフィードバックアソシエーション547はUL基準TDD UL/DL構成として決定されたときUE102およびeNB160の間の通信に適用され得る。
図6は、DL基準TDD UL/DL構成663およびUL基準TDD UL/DL構成665を決定することの例を示す図である。種々のTDD UL/DL構成653、657、663および665が示されている。サブフレーム番号641a−dは、特定のサブフレーム623a−dに対応する。これらの例において、TDD UL/DL構成二653およびTDD UL/DL構成四657は、プライマリまたはセカンダリTDD UL/DL構成であり得る。
図2と関連して上で記載されたように、DL基準TDD UL/DL構成663およびUL基準TDD UL/DL構成665は、プライマリTDD UL/DL構成および1つまたは2つのセカンダリTDD UL/DL構成の組み合わせに基づいて決定され得る。TDD UL/DL構成の組み合わせは上の表(5)に示されている。
DL基準TDD UL/DL構成は、現存するTDD UL/DL構成から選択され得る。プライマリTDD UL/DL構成およびセカンダリTDD UL/DL構成の中のオーバーラップするULサブフレームを伴うTDD UL/DL構成が現存する標準的TDD UL/DL構成(0−6)でなければ、より少ないUL割り当てを有する最も近い標準的TDD UL/DL構成がDL基準TDD UL/DL構成として選択され得る。
開示されたシステムおよび方法に従ってDL基準TDD UL/DL構成663を決定することの例が図6に示されている。eIMTA TDD UL/DL構成の組み合わせがTDD UL/DL構成二653およびTDD UL/DL構成四657によって形成されるならば、DL基準TDD UL/DL構成663はTDD UL/DL構成五659である。この例では、TDD UL/DL構成五659は、より少数のUL割り当てを伴う最も近い標準的TDD UL/DL構成である。オーバーラップするULサブセット領域667はDL基準TDD UL/DL構成663上に示されている。オーバーラップするULサブセット領域667は、図6においてTDD UL/DL構成五659と関連して示されている。
UL基準TDD UL/DL構成665も現存するTDD UL/DL構成から選択され得る。プライマリTDD UL/DL構成およびセカンダリTDD UL/DL構成の中のオーバーラップするDLまたは特別サブフレームを伴うTDD UL/DL構成が現存する標準的TDD UL/DL構成(0−6)でなければ、より多くのUL割り当てを伴う最も近い標準的TDD UL/DL構成がUL基準TDD UL/DL構成665として選択され得る。
開示されたシステムおよび方法に従ってUL基準TDD UL/DL構成665を決定することの例も図6に示されている。eIMTA TDD UL/DL構成の組み合わせがTDD UL/DL構成二653およびTDD UL/DL構成四657により形成されるならば、UL基準TDD UL/DL構成665はTDD UL/DL構成一651である。この例では、TDD UL/DL構成一651は、より多くのUL割り当てを有する最も近い標準的TDD UL/DL構成である。ULスーパーセット領域669はUL基準TDD UL/DL構成665上に示されている。ULスーパーセット領域669は、図6においてTDD UL/DL構成一651と関連して示されている。
この例では、DL基準TDD UL/DL構成663およびUL基準TDD UL/DL構成665は両方のeIMTA構成されたTDD UL/DL構成と異なるということに留意するべきである。しかし、他のシナリオでは、表(5)に示されているように、DL基準TDD UL/DL構成663および/またはUL基準TDD UL/DL構成665はeIMTA構成されたTDD UL/DL構成のうちの1つと同じであり得る。
図7は、UE102による構成シグナリングのための方法700のより詳しいインプリメンテーションを示す流れ図である。UE102は動的TDD UL/DL再構成(例えば、eIMTAサポート)で構成され得る。UE102はSIB1メッセージで第1(例えば、プライマリ)TDD UL/DL構成128を受信する(ステップ702)。SIB1メッセージは、eNB160から受信される(ステップ702)。第1TDD UL/DL構成128は、動的UL/DL再構成で構成されるセルのためのものである。
UE102により受信(ステップ702)されるSIB1メッセージは、リスティング(1)に示されているように実装され得る。例えば、セルのための第1TDD UL/DL構成128を指定するためにTDD−config IEが使用され得る。TDD−config IEは、リスティング(2)に示されているTDD特有の物理チャネル構成を指定することができる。
UE102は、セルがPCellであるかどうか判定する(ステップ704)。セルがPCellであるならば、UE102はSIB1および/またはRRC共通メッセージでセカンダリ構成情報130を受信する(ステップ706)。セカンダリ構成情報130は、許容されるTDD UL/DL再構成範囲を含む。例えば、TDD UL/DL再構成範囲は、TDD UL/DL構成のセットであってもよい。1つのインプリメンテーションでは、セカンダリ構成情報130は第2TDD UL/DL構成を含む。他の1つのインプリメンテーションでは、セカンダリ構成情報130は第2および第3TDD UL/DL構成を含む。
PCellのために、UE102は、上でリスティング(8)に示されているようにセカンダリ構成情報130をSIB1で受信する(ステップ706)。加えてあるいは代わりに、PCellのために、UE102は、上でリスティング(9)に示されているようにRRC共通メッセージでセカンダリ構成情報130を受信する(ステップ706)。セカンダリ構成情報130のRRC共通メッセージシグナリングは、独立にまたはSIB1シグナリングと共に、使用され得る。
セルがPCellではないと(例えば、セルはSCellであると)UE102が判定したならば(ステップ704)、UE102はセカンダリ構成情報130をRRC共通メッセージで受信する(ステップ708)。このことは、上でリスティング(10)に示されているように、成し遂げられる。
UE102は、プライマリおよびセカンダリTDD UL/DL構成に基づいてDL基準TDD UL/DL構成663およびUL基準TDD UL/DL構成665を決定する(ステップ710)。DL基準TDD UL/DL構成663およびUL基準TDD UL/DL構成665は、セカンダリ構成情報130がセカンダリTDD UL/DL構成を1つ含むか2つ含むかによって異なる仕方で決定され得る(ステップ710)。
1つのシナリオでは、セカンダリ構成情報130は1つの余分のTDD UL/DL構成を含むことができ、該TDD UL/DL構成は第2TDD UL/DL構成であり得る。1つのインプリメンテーションでは、DL基準TDD UL/DL構成663およびUL基準TDD UL/DL構成665は、上で表(5)に示されているように、現存するTDD UL/DL構成から選択され得る。他の1つのインプリメンテーションでは、図2と関連して記載されたように、第1TDD UL/DL構成128はDL基準TDD UL/DL構成663として使用でき、第2TDD UL/DL構成はUL基準TDD UL/DL構成665として使用できる。さらに他の1つのインプリメンテーションでは、図2と関連して記載されたように、第1TDD UL/DL構成128はUL基準TDD UL/DL構成665として使用でき、第2TDD UL/DL構成はDL基準TDD UL/DL構成663として使用できる。
他の1つのシナリオでは、セカンダリ構成情報130は2つの余分のTDD UL/DL構成を含むことができ、その2つの余分のTDD UL/DL構成は第2TDD UL/DL構成および第3TDD UL/DL構成であり得る。1つのアプローチでは、図2に記載されているように、基準TDD UL/DL構成を決定する(ステップ710)ためにセカンダリTDD UL/DL構成(例えば、第2および第3TDD UL/DL構成)だけが使用される。他の1つのアプローチでは、図2に記載されているように、基準TDD UL/DL構成を決定する(ステップ710)ためにプライマリTDD UL/DL構成と2つのセカンダリTDD UL/DL構成の両方とが使用される。
UE102は、DL基準TDD UL/DL構成663に基づくPDSCHオペレーション、およびUL基準TDD UL/DL構成665に基づくPUSCHオペレーションを実行する(ステップ712)。例えば、上の表(3)に示されているように、DL基準TDD UL/DL構成663はPDSCH HARQ−ACKレポートタイミングのために使用される。従って、UE102は、DL基準TDD UL/DL構成663に基づくPDSCH HARQ−ACK情報を送信することができる。
UL基準TDD UL/DL構成665は、PUSCHオペレーションを実行する(ステップ712)ために使用される。例えば、UL基準TDD UL/DL構成665はPUSCHスケジューリングおよびPUSCH HARQ−ACKタイミングのために使用され得る。従って、UE102は、UL基準TDD UL/DL構成665に基づいてPUSCH送信を送信しおよび/またはPUSCH HARQ−ACK情報を受信することができる。
図8は、eNB160による構成シグナリングのための方法800のより詳しいインプリメンテーションを示す流れ図である。eNB160は、動的TDD UL/DL再構成(例えば、eIMTAサポート)で構成され得る。eNB160は、第1(例えば、プライマリ)TDD UL/DL構成128をSIB1メッセージでシグナリングする(ステップ802)。SIB1メッセージはUE102へシグナリングされ(例えば、送信され)る(ステップ802)。第1TDD UL/DL構成128は、動的UL/DL再構成で構成されるセルのためのものであり得る。
eNB160によりシグナリング(ステップ802)されるSIB1メッセージは、リスティング(1)に示されているように実装され得る。例えば、セルのための第1TDD UL/DL構成128を指定するためにTDD−config IEが使用され得る。TDD−config IEは、リスティング(2)に示されているようにTDD特有の物理チャネル構成を指定することができる。
eNB160は、セカンダリ構成情報130をSIB1および/またはRRC共通メッセージでシグナリングする(ステップ804)。セカンダリ構成情報130は、許容されるTDD UL/DL再構成範囲を含む。例えば、TDD UL/DL再構成範囲はTDD UL/DL構成のセットであってもよい。1つのインプリメンテーションでは、セカンダリ構成情報130は第2TDD UL/DL構成を含む。他の1つのインプリメンテーションでは、セカンダリ構成情報130は第2および第3TDD UL/DL構成を含む。
PCellのために、eNB160は、上でリスティング(8)に示されているようにSIB1メッセージでセカンダリ構成情報130をシグナリングする(ステップ804)。加えてあるいは代わりに、PCellのために、eNB160は上でリスティング(9)に示されているようにRRC共通メッセージでセカンダリ構成情報130をシグナリングする(ステップ804)。セカンダリ構成情報130のRRC共通メッセージシグナリングは、独立にまたはSIB1シグナリングとともに、使用され得る。
SCellのために、eNB160はセカンダリ構成情報130をRRC共通メッセージでシグナリングする(ステップ804)。このことは、上のリスティング(10)で示されているように成し遂げられ得る。
eNB160は、プライマリおよびセカンダリTDD UL/DL構成に基づいてDL基準TDD UL/DL構成663およびUL基準TDD UL/DL構成665を決定する(ステップ806)。DL基準TDD UL/DL構成663およびUL基準TDD UL/DL構成665は、セカンダリ構成情報130がセカンダリTDD UL/DL構成を1つ含むか2つ含むかによって異なる仕方で決定され得る(ステップ806)。
1つのシナリオでは、セカンダリ構成情報130は1つの余分のTDD UL/DL構成を含むことができ、該TDD UL/DL構成は第2TDD UL/DL構成であり得る。1つのインプリメンテーションでは、上で表(5)に示されているように、DL基準TDD UL/DL構成663およびUL基準TDD UL/DL構成665は現存するTDD UL/DL構成から選択され得る。他の1つのインプリメンテーションでは、図2と関連して記載されたように、第1(例えば、プライマリ)TDD UL/DL構成128はDL基準TDD UL/DL構成663として使用でき、第2TDD UL/DL構成はUL基準TDD UL/DL構成665として使用できる。さらに他の1つのインプリメンテーションでは、図2と関連して記載されたように、第1TDD UL/DL構成128はUL基準TDD UL/DL構成665として使用でき、第2TDD UL/DL構成はDL基準TDD UL/DL構成663として使用できる。
他の1つのシナリオでは、セカンダリ構成情報130は2つの余分のTDD UL/DL構成を含むことができ、その2つの余分のTDD UL/DL構成は第2TDD UL/DL構成および第3TDD UL/DL構成であり得る。1つのアプローチでは、図2に記載されているように、基準TDD UL/DL構成を決定する(ステップ806)ためにセカンダリTDD UL/DL構成(例えば、第2および第3TDD UL/DL構成)だけが使用される。他の1つのアプローチでは、図2に記載されているように、基準TDD UL/DL構成を決定する(ステップ806)ためにプライマリTDD UL/DL構成と2つのセカンダリTDD UL/DL構成の両方とが使用される。
eNB160は、DL基準TDD UL/DL構成663に基づくPDSCHオペレーションおよびUL基準TDD UL/DL構成665に基づくPUSCHオペレーションを実行する(ステップ808)。例えば、DL基準TDD UL/DL構成663は、上の表(3)に示されているように、PDSCH HARQ−ACKレポートタイミングのために使用される。従って、eNB160はDL基準TDD UL/DL構成663に基づくPDSCH HARQ−ACK情報を受信することができる。
UL基準TDD UL/DL構成665は、PUSCHオペレーションを実行する(ステップ808)ために使用される。例えば、UL基準TDD UL/DL構成665は、PUSCHスケジューリングおよびPUSCH HARQ−ACKタイミングのために使用され得る。従って、eNB160は、UL基準TDD UL/DL構成665に基づいてPUSCH送信を受信しおよび/またはPUSCH HARQ−ACK情報を送信することができる。
図9は、UE902において利用され得る種々のコンポーネントを示す。図9と関連して記載されるUE902は、図1と関連して記載されたUE102に従って実装され得る。UE902は、UE902のオペレーションを制御するプロセッサ969を含む。プロセッサ969は中央処理装置(CPU)とも称され得る。読み出し専用メモリ(ROM)、ランダムアクセスメモリ(RAM)、該2つの組み合わせあるいは情報を記憶できる任意のタイプのデバイスを含み得るメモリ977は、命令973aおよびデータ975aをプロセッサ969に提供する。メモリ977の一部分は不揮発性ランダムアクセスメモリ(NVRAM)を含むこともできる。命令973bおよびデータ975bはプロセッサ969内にも存在し得る。プロセッサ969にロードされた命令973bおよび/またはデータ975bは、プロセッサ969によって実行または処理されるべくロードされたメモリ977からの命令973aおよび/またはデータ975aも含み得る。命令973bは、上記の方法200および700のうちの1つ以上を実行するためにプロセッサ969によって実行され得る。
UE902は、データの送信および受信を可能にするために1つ以上のトランスミッタ958および1つ以上のレシーバ920を包含するハウジングも含み得る。1つまたは複数のトランスミッタ958および1つまたは複数のレシーバ920は結合されて1つ以上のトランシーバ918とされ得る。1つ以上のアンテナ922a−nが該ハウジングに取り付けられてトランシーバ918に電気的に結合される。
UE902の種々のコンポーネントはバスシステム979によって互いに結合され、該バスシステムはデータバスのほかに、パワーバス、制御信号バスおよびステータス信号バスを含み得る。しかし、明瞭性を得るために、該種々のバスは図9においてはバスシステム979として示されている。UE902は、信号処理に使用されるデジタル信号プロセッサ(DSP)981も含み得る。UE902は、UE902の機能へのアクセスをユーザに提供する通信インターフェース983も含み得る。図9に示されているUE902は、特定のコンポーネントのリスティングではなくて機能ブロック図である。
図10は、eNB1060において利用され得る種々のコンポーネントを示す。図10と関連して記載されるeNB1060は、図1と関連して記載されたeNB160に従って実装され得る。eNB1060は、eNB1060のオペレーションを制御するプロセッサ1085を含む。プロセッサ1085は、中央処理装置(CPU)と称されてもよい。読み出し専用メモリ(ROM)、ランダムアクセスメモリ(RAM)、該2つの組み合わせあるいは情報を記憶できる任意のタイプのデバイスを含み得るメモリ1091は、命令1087aおよびデータ1089aをプロセッサ1085に提供する。メモリ1091の一部分は、不揮発性ランダムアクセスメモリ(NVRAM)を含むこともできる。命令1087bおよびデータ1089bは、プロセッサ1085にも存在し得る。プロセッサ1085にロードされた命令1087bおよび/またはデータ1089bは、プロセッサ1085により実行または処理されるべくロードされたメモリ1091からの命令1087aおよび/またはデータ1089aを含むこともできる。命令1087bは、上記の方法300および800のうちの1つ以上を実行するためにプロセッサ1085により実行され得る。
eNB1060は、データの送信および受信を可能にするために1つ以上のトランスミッタ1017および1つ以上のレシーバ1078を包含するハウジングも含むことができる。1つまたは複数のトランスミッタ1017および1つまたは複数のレシーバ1078は結合されて1つ以上のトランシーバ1076とされ得る。1つ以上のアンテナ1080a−nが該ハウジングに取り付けられてトランシーバ1076に電気的に結合される。
eNB1060の種々のコンポーネントはバスシステム1093によって互いに結合され、該バスシステムは、データバスのほかに、パワーバス、制御信号バスおよびステータス信号バスを含み得る。しかし、明瞭性を得るために、該種々のバスは図10においてはバスシステム1093として示されている。eNB1060は、信号処理に使用されるデジタル信号プロセッサ(DSP)1095も含み得る。eNB1060は、eNB1060の機能へのアクセスをユーザに提供する通信インターフェース1097も含み得る。図10に示されているeNB1060は、特定のコンポーネントのリスティングではなくて機能ブロック図である。
図11は、フィードバックレポートのためのシステムおよび方法が実装され得るUE1102の1つの構成を示すブロック図である。UE1102は、送信手段1158、受信手段1120および制御手段1124を含む。送信手段1158、受信手段1120および制御手段1124は、上で図2、図7および図9と関連して記載された機能のうちの1つ以上を実行するように構成され得る。上の図9は、図11の具体的装置構造の一例を示す。図2、図7および図9の機能のうちの1つ以上を実現するために他の種々の構造が実装され得る。例えば、DSPはソフトウェアによって実現され得る。
図12は、フィードバックレポートのためのシステムおよび方法が実装され得るeNB1260の1つの構成を示すブロック図である。eNB1260は、送信手段1217、受信手段1278および制御手段1282を含む。送信手段1217、受信手段1278および制御手段1282は、上で図3、図8および図10と関連して記載された機能のうちの1つ以上を実行するように構成され得る。上の図10は、図12の具体的装置構造の一例を示す。図3、図8および図10の機能のうちの1つ以上を実現するために他の種々の構造が実装され得る。例えば、DSPはソフトウェアによって実現され得る。
“コンピュータ可読媒体”という用語は、コンピュータまたはプロセッサによってアクセスされ得る任意の利用可能な媒体を指す。本書で使用されるとき、“コンピュータ可読媒体”という用語は、非一時的で有形であるコンピュータおよび/またはプロセッサ可読媒体を意味し得る。非限定的な例を挙げると、コンピュータ可読またはプロセッサ可読の媒体は、RAM、ROM、電気的に消去可能でプログラマブルな読み出し専用メモリ(Electrically Erasable Programmable Read−Only Memory(EEPROM))、コンパクトディスク読み出し専用メモリ(Compact Disc Read−Only Memory(CD−ROM))もしくは他の光ディスクストレージ、磁気ディスクストレージもしくは他の磁気ストレージデバイス、または、命令の形の所望のプログラムコードもしくはデータ構造を担持もしくは記憶するために使用できるとともにコンピュータもしくはプロセッサによりアクセス可能な他の任意の媒体を含むことができる。本書で使用されるとき、ディスク(disk)およびディスク(disc)はコンパクトディスク(compact disc(CD))、レーザディスク(laser disc)、光ディスク(optical disc)、デジタルバーサタイルディスク(digital versatile disc(DVD))、フロッピー(登録商標)ディスク(floppy disk)およびBlu−ray(登録商標)ディスク(disc)を含み、ここでディスク(disk)は普通はデータを磁気的に再生し、ディスク(disc)はデータをレーザにより光学的に再生する。
本書に記載された方法のうちの1つ以上は、ハードウェアで実装されおよび/またはハードウェアを用いて実行され得るということに留意するべきである。例えば、本書に記載されている方法のうちの1つ以上は、チップセット、特定用途向け集積回路(ASIC)、大規模集積回路(LSI)または集積回路などで実装されおよび/またはチップセット、特定用途向け集積回路(ASIC)、大規模集積回路(LSI)または集積回路などを用いて実現され得る。
本書で開示された方法の各々は、記載された方法を成し遂げるために1つ以上のステップもしくは動作を含む。該方法ステップおよび/または動作は、請求項の範囲から逸脱することなく、互いと交換されおよび/または結合されて単一のステップとすることができる。換言すれば、記載されている方法の適切なオペレーションのためにステップもしくは動作の特定の順序が必要でなければ、特定のステップおよび/または動作の順序および/または使用は、請求項の範囲を逸脱することなく改変され得る。
請求項は、上で示された明確な構成およびコンポーネントに限定されないことが理解されなければならない。請求項の範囲から逸脱することなく、本書に記載されたシステム、方法および装置の構成、オペレーションおよび細部に種々の改変、変更および変化を加えることができる。