JP6221863B2 - In-vehicle radiant heater control device - Google Patents

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Description

本発明は、車載用輻射ヒータ制御装置に関するものである。   The present invention relates to an in-vehicle radiant heater control device.

従来、車両用暖房装置において、車室内に設置されて乗員に輻射熱を放射する輻射ヒータを用いて乗員に快適な温感を与えるものがある(例えば、特許文献1参照)。   2. Description of the Related Art Conventionally, in a vehicle heating device, there is a vehicle heating device that provides a comfortable sensation to an occupant using a radiant heater that radiates radiant heat to the occupant (see, for example, Patent Document 1).

このものにおいて、輻射ヒータ制御装置が輻射ヒータに電流を流し始めてから短期間で温度上昇して、かつ乗員に対して輻射熱を直接、輻射するため、温風により暖房する空調装置等に比べて、短期間で温感を乗員に与えることができる。   In this, since the temperature of the radiant heater control device starts to flow current to the radiant heater, the temperature rises in a short period of time, and the radiant heat is directly radiated to the occupant. A warm feeling can be given to the occupant in a short period of time.

特開2011−246091号公報JP 2011-246091 A

上記特許文献1に記載の輻射ヒータは、乗員の近くに配置されるため、輻射ヒータに異常事態が生じたときには、直ちに、輻射ヒータ制御装置から輻射ヒータに電流を流すことを停止することが必要になる。   Since the radiation heater described in Patent Document 1 is arranged near the passenger, it is necessary to immediately stop the flow of current from the radiation heater control device to the radiation heater when an abnormal situation occurs in the radiation heater. become.

例えば、輻射ヒータ制御装置に対してコネクタを用いて輻射ヒータを接続する場合に、コネクタを構成する2つのターミナルの間に酸化物等が発生して2つのターミナルの間の接触抵抗が増大する場合がある。この場合、ヒータ制御装置から輻射ヒータに流れる電流は正常範囲内に収まるものの、2つのターミナルの間の接触抵抗が起因してコネクタが発熱する場合がある。   For example, when a radiation heater is connected to a radiation heater control device using a connector, oxide or the like is generated between the two terminals constituting the connector and the contact resistance between the two terminals increases. There is. In this case, although the current flowing from the heater control device to the radiant heater falls within the normal range, the connector may generate heat due to the contact resistance between the two terminals.

ここで、輻射ヒータに過電流が流れた際に輻射ヒータに過電流が流れることを停止する過電流保護回路を輻射ヒータ制御装置に適用することも考えられるものの、接触抵抗が増大した場合には、ヒータ制御装置から輻射ヒータに流れる電流は正常範囲から逸脱しない。このため、過電流保護回路では、接触抵抗が増大した場合に、輻射ヒータに電流が流れることを停止することができないと考えられる。   Here, it is possible to apply an overcurrent protection circuit that stops the overcurrent flow to the radiant heater when an overcurrent flows to the radiant heater, but if the contact resistance increases The current flowing from the heater control device to the radiant heater does not deviate from the normal range. For this reason, it is considered that the overcurrent protection circuit cannot stop the current from flowing through the radiation heater when the contact resistance increases.

また、輻射ヒータ制御装置において半導体集積回路に異常発熱が生じたときに輻射ヒータに電流が流れることを停止する過熱保護回路を適用することも考えられるものの、上述の如く接触抵抗が増大した場合には、半導体集積回路に異常発熱が生じない。このため、過熱保護回路では、接触抵抗が増大した場合に、輻射ヒータに電流が流れることを停止することができないと考えられる。   In addition, it is possible to apply an overheat protection circuit that stops the flow of current to the radiant heater when abnormal heat generation occurs in the semiconductor integrated circuit in the radiant heater control device, but when the contact resistance increases as described above. Does not cause abnormal heat generation in the semiconductor integrated circuit. For this reason, it is considered that the overheat protection circuit cannot stop the current from flowing through the radiation heater when the contact resistance increases.

さらに、輻射ヒータが動作中に、乗員の膝等や荷物が輻射ヒータに当たると、輻射ヒータの熱で乗員の膝等や荷物に悪影響を及ぼす恐れがある。或いは、荷物等が輻射ヒータに激しく接触すると、輻射ヒータ内で部分的に短絡が生じたり、輻射ヒータが部分的に剥離して輻射ヒータの抵抗値が変化したりする場合がある。   Furthermore, if the occupant's knees or luggage hits the radiant heater while the radiant heater is in operation, the radiant heater heat may adversely affect the occupant's knees or luggage. Alternatively, when a load or the like violently contacts the radiant heater, a short circuit may partially occur in the radiant heater, or the radiant heater may be partially separated to change the resistance value of the radiant heater.

本発明は上記点に鑑みて、輻射ヒータに被接触対象が接触したときには、輻射ヒータによる暖房を停止するようにした車載用輻射ヒータ制御装置を提供することを第1の目的とし、異常となる接触抵抗が生じたときに、輻射ヒータによる暖房を停止するようにした車載用輻射ヒータ制御装置を提供することを第2の目的とする。   In view of the above, the present invention has a first object to provide an in-vehicle radiant heater control device that stops heating by a radiant heater when a contact target comes into contact with the radiant heater. A second object is to provide a vehicle-mounted radiant heater control device that stops heating by the radiant heater when contact resistance occurs.

上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、車室内の乗員に輻射熱を放射する輻射ヒータ(30a〜30d)の温度を求める温度検出手段(150、32a〜32d)と、
電源とグランドとの間にて輻射ヒータに対して直列接続されている第1スイッチ素子(50)と、
温度検出手段の検出温度を目標温度に近づけるために、第1スイッチ素子を制御して電源から第1スイッチ素子および輻射ヒータを通してグランドに流れる電流を制御する温度制御手段(170)と、
輻射ヒータを介する第1スイッチ素子およびグランドの間の電流経路に形成される接触抵抗の抵抗値を求める接触抵抗算出手段(230)と、
接触抵抗算出手段の算出値が所定値以上であるか否かを判定する抵抗値判定手段(240)と、
接触抵抗算出手段の算出値が所定値以上であると抵抗値判定手段が判定したときには、電源から第1スイッチ素子および輻射ヒータを通してグランドに電流が流れることを第1スイッチ素子によって停止する停止手段(585)と、を備えることを特徴とする。
In order to achieve the above object, in the invention according to claim 1, temperature detection means (150, 32a to 32d) for obtaining the temperature of the radiant heater (30a to 30d) that radiates radiant heat to the passenger in the vehicle interior;
A first switch element (50) connected in series with the radiation heater between the power source and the ground;
Temperature control means (170) for controlling the current flowing from the power source to the ground through the first switch element and the radiation heater by controlling the first switch element in order to bring the detected temperature of the temperature detection means closer to the target temperature;
Contact resistance calculation means (230) for obtaining a resistance value of a contact resistance formed in a current path between the first switch element and the ground via the radiation heater;
Resistance value determining means (240) for determining whether or not the calculated value of the contact resistance calculating means is equal to or greater than a predetermined value;
When the resistance value determining means determines that the calculated value of the contact resistance calculating means is equal to or greater than a predetermined value, the first switch element stops the current flow from the power source to the ground through the first switch element and the radiation heater ( 585).

以上により、異常となる接触抵抗が生じたときに、輻射ヒータによる暖房を停止することができる。   As described above, when abnormal contact resistance occurs, heating by the radiant heater can be stopped.

ここで、接触抵抗は、輻射ヒータを介する第1スイッチ素子およびグランドの間の電流経路において、互いに接触する2つのターミナルの間に発生するものである。2つのターミナルは、当該電流経路を構成するものである。   Here, the contact resistance is generated between two terminals in contact with each other in the current path between the first switch element and the ground via the radiation heater. The two terminals constitute the current path.

請求項8に記載の発明では、車室内の乗員に輻射熱を放射する輻射ヒータ(30a〜30d)の温度を求める温度検出手段(150、32a〜32d)と、
電源とグランドとの間にて輻射ヒータに対して直列接続されている第1スイッチ素子(50)と、
温度検出手段の検出温度が目標温度に近づけるために、第1スイッチ素子によって電源から第1スイッチ素子および輻射ヒータを通してグランドに流れる電流を制御する温度制御手段(170)と、
温度検出手段の検出温度に基づいて輻射ヒータに被接触対象が接触したか否かを判定する接触判定手段(630、670)と、
輻射ヒータに被接触対象が接触したと接触判定手段が判定したときに、電源から第1スイッチ素子および輻射ヒータを通してグランドに電流が流れることを第1スイッチ素子によって停止する停止手段(585)と、を備えることを特徴とする。
In invention of Claim 8, the temperature detection means (150, 32a-32d) which calculates | requires the temperature of the radiation heater (30a-30d) which radiates radiant heat to the passenger | crew of a vehicle interior,
A first switch element (50) connected in series with the radiation heater between the power source and the ground;
Temperature control means (170) for controlling the current flowing from the power source to the ground through the first switch element and the radiation heater by the first switch element so that the detected temperature of the temperature detection means approaches the target temperature;
Contact determination means (630, 670) for determining whether or not the contact target is in contact with the radiation heater based on the temperature detected by the temperature detection means;
A stop means (585) for stopping the current flowing from the power source to the ground through the first switch element and the radiation heater by the first switch element when the contact determining means determines that the contact target is in contact with the radiation heater; It is characterized by providing.

以上により、輻射ヒータに被接触対象が接触したときには、輻射ヒータによる暖房を停止することができる。   By the above, when a to-be-contacted object contacts a radiation heater, the heating by a radiation heater can be stopped.

なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。   In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each means described in this column and the claim shows the correspondence with the specific means as described in embodiment mentioned later.

本発明の第1実施形態における車載用輻射ヒータ制御装置の電気回路構成を示す図である。It is a figure which shows the electric circuit structure of the vehicle-mounted radiation heater control apparatus in 1st Embodiment of this invention. 図1中の輻射ヒータの配置図である。FIG. 2 is a layout view of a radiation heater in FIG. 1. 図1中の輻射ヒータの配置図である。FIG. 2 is a layout view of a radiation heater in FIG. 1. 図1中のヒータ駆動回路の詳細の回路構成を示す図である。It is a figure which shows the circuit structure of the detail of the heater drive circuit in FIG. 図1のマイクロコンピュータによるメイン処理を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the main process by the microcomputer of FIG. 図5中の導通不良保護処理を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the conduction failure protection process in FIG. 図1中の輻射ヒータにおいてヒータ温度T検知処理(A)を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows a heater temperature T detection process (A) in the radiation heater in FIG. 図1中の輻射ヒータの温度と抵抗値の関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the temperature of a radiation heater in FIG. 1, and resistance value. 図1中の輻射ヒータにおいて温度に対する抵抗値の補正値ΔRを示す図である。It is a figure which shows the correction value (DELTA) R of the resistance value with respect to temperature in the radiation heater in FIG. 図1中の輻射ヒータにおいてヒータ抵抗値算出処理の実行タイミングを示す図であるIt is a figure which shows the execution timing of a heater resistance value calculation process in the radiation heater in FIG. 図5中の自動制御処理(AUTO制御)を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the automatic control process (AUTO control) in FIG. 輻射ヒータに流れる瞬時電流、平均電流、温度および時間の関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the instantaneous electric current which flows into a radiation heater, an average electric current, temperature, and time. 図5中の接触保護制御処理を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the contact protection control process in FIG. ヒータ温度Taと時間との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between heater temperature Ta and time. ヒータ温度の微分値と時間との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the derivative value of heater temperature, and time. 図13中のヒータ温度T検知処理(B)を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the heater temperature T detection process (B) in FIG. 図1中の輻射ヒータの温度変化を示す図である。It is a figure which shows the temperature change of the radiation heater in FIG. 本発明の第2実施形態のヒータ温度T検知処理(A)を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the heater temperature T detection process (A) of 2nd Embodiment of this invention. 第2実施形態のヒータ温度T検知処理(B)を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the heater temperature T detection process (B) of 2nd Embodiment. 本発明の第3実施形態におけるマイクロコンピュータによるメイン処理を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the main process by the microcomputer in 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第4実施形態における車載用輻射ヒータ制御装置の電気回路構成を示す図である。It is a figure which shows the electric circuit structure of the vehicle-mounted radiation heater control apparatus in 4th Embodiment of this invention.

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, parts that are the same or equivalent to each other are given the same reference numerals in the drawings in order to simplify the description.

(第1実施形態)
図1に本発明に係る第1実施形態における車載用輻射ヒータ制御装置1の電気回路図を示す。
(First embodiment)
FIG. 1 shows an electric circuit diagram of an in-vehicle radiant heater control device 1 according to the first embodiment of the present invention.

本実施形態の車載用輻射ヒータ制御装置1は、ヒータ駆動回路10a〜10d、およびマイクロコンピュータ20を備える。ヒータ駆動回路10a〜10dは、それぞれ輻射ヒータ30a〜30dのうち対応する輻射ヒータの温度を制御する。   The in-vehicle radiant heater control device 1 according to this embodiment includes heater drive circuits 10 a to 10 d and a microcomputer 20. The heater drive circuits 10a to 10d control the temperature of the corresponding radiant heater among the radiant heaters 30a to 30d.

ヒータ駆動回路10aは輻射ヒータ30aに対応し、ヒータ駆動回路10bは輻射ヒータ30bに対応している。ヒータ駆動回路10cは輻射ヒータ30cに対応し、ヒータ駆動回路10dは輻射ヒータ30dに対応する。   The heater drive circuit 10a corresponds to the radiant heater 30a, and the heater drive circuit 10b corresponds to the radiant heater 30b. The heater drive circuit 10c corresponds to the radiant heater 30c, and the heater drive circuit 10d corresponds to the radiant heater 30d.

ヒータ駆動回路10a〜10dは、それぞれ対応する輻射ヒータが相違するだけで、それぞれ同一の回路構成を有している。なお、ヒータ駆動回路10a〜10dの回路構成の詳細は後述する。   The heater drive circuits 10a to 10d have the same circuit configuration except that the corresponding radiation heaters are different. Details of the circuit configuration of the heater drive circuits 10a to 10d will be described later.

本実施形態の輻射ヒータ30a〜30dは、図2、図3に示すように、例えば車室内のダッシュボードのアンダーカバー1の表面やコラムカバー2の表面に配置されて、車室内の乗員(具体的には、運転者)に対して輻射熱を放射する。なお、図2中符号4は、ステアリングである。図3は輻射ヒータ30a〜30dが乗員の足(図中符号A参照)に輻射熱を輻射している例を示している。   As shown in FIGS. 2 and 3, the radiation heaters 30 a to 30 d of the present embodiment are arranged, for example, on the surface of the under cover 1 of the dashboard in the vehicle interior or the surface of the column cover 2, and Specifically, radiant heat is radiated to the driver. In addition, the code | symbol 4 in FIG. 2 is a steering. FIG. 3 shows an example in which the radiant heaters 30a to 30d radiate radiant heat to the occupant's feet (see symbol A in the figure).

図1のマイクロコンピュータ20は、CPU、ROM、RAM、フラッシュメモリ、A/Dコンバータ、タイマA、タイマB、タイマCなどから構成されて、メモリに予め記憶されたコンピュータプログラムを実行する。マイクロコンピュータ20は、コンピュータプログラムを実行する際に、車室内温度センサ40、ヒータスイッチ41、温度設定器42、イグニッションスイッチIGの出力信号に基づいて、メイン処理を輻射ヒータ毎に実行する。メイン処理は、後述するように、輻射ヒータ30a〜30dの温度を目標温度に近づけるための制御処理である。   The microcomputer 20 shown in FIG. 1 includes a CPU, ROM, RAM, flash memory, A / D converter, timer A, timer B, timer C, and the like, and executes a computer program stored in advance in the memory. When executing the computer program, the microcomputer 20 executes main processing for each radiant heater based on output signals from the vehicle interior temperature sensor 40, the heater switch 41, the temperature setter 42, and the ignition switch IG. As will be described later, the main process is a control process for bringing the temperature of the radiation heaters 30a to 30d closer to the target temperature.

タイマAは、輻射ヒータ30a〜30dに対するPWM制御(自動制御処理)を継続して実行した時間をカウントするために用いられる。タイマBは、輻射ヒータ30a〜30dの温度の微分値を算出するタイミングを決めるために用いられる。タイマCは、イグニッションスイッチIGがオフしている期間をカウントするために用いられる。   The timer A is used to count the time during which PWM control (automatic control processing) for the radiation heaters 30a to 30d is continuously executed. The timer B is used to determine the timing for calculating the differential value of the temperature of the radiation heaters 30a to 30d. The timer C is used for counting a period during which the ignition switch IG is off.

車室内温度センサ40は、車室内の気温を検出する温度センサである。ヒータスイッチ41は、輻射ヒータ30a〜30dによる輻射熱の放射を開始させるために乗員が操作するためのスイッチである。温度設定器42は、輻射ヒータ30a〜30dの目標温度(設定温度)TSETを乗員の操作によって設定するためのスイッチである。イグニッションスイッチIGは、走行用エンジンを始動するための電源用スイッチである。図1中符号Bはバッテリである。   The vehicle interior temperature sensor 40 is a temperature sensor that detects the air temperature in the vehicle interior. The heater switch 41 is a switch for an occupant to operate to start radiating heat radiation by the radiation heaters 30a to 30d. The temperature setter 42 is a switch for setting the target temperature (set temperature) TSET of the radiation heaters 30a to 30d by the operation of the occupant. The ignition switch IG is a power switch for starting the traveling engine. In FIG. 1, symbol B is a battery.

次に、本実施形態のヒータ駆動回路10a〜10dのうち代表例としてヒータ駆動回路10aの回路構成について図4を参照して説明する。   Next, a circuit configuration of the heater drive circuit 10a as a representative example of the heater drive circuits 10a to 10d of the present embodiment will be described with reference to FIG.

ヒータ駆動回路10aは、図4に示すように、半導体スイッチ素子50、検出回路11、12を備える。半導体スイッチ素子50は、バッテリのプラス電極(図4中+Bと記す)と輻射ヒータ30aの電極31aとの間に配置されている。輻射ヒータ30aの電極31bは、バッテリのマイナス電極(グランド)に接続されている。半導体スイッチ素子50は、マイクロコンピュータ20から出力されるPWM出力信号に応じて、オン、オフを繰り返す。   As shown in FIG. 4, the heater drive circuit 10 a includes a semiconductor switch element 50 and detection circuits 11 and 12. The semiconductor switch element 50 is disposed between the positive electrode of the battery (denoted as + B in FIG. 4) and the electrode 31a of the radiation heater 30a. The electrode 31b of the radiation heater 30a is connected to the negative electrode (ground) of the battery. The semiconductor switch element 50 is repeatedly turned on and off according to the PWM output signal output from the microcomputer 20.

本実施形態の半導体スイッチ素子50としては、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)やMOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)等のトランジスタを用いることができる。   As the semiconductor switch element 50 of this embodiment, a transistor such as an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) or a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) can be used.

検出回路11は、輻射ヒータ30aの温度や抵抗値を求めるための構成されたもので、半導体スイッチ素子51、シャント抵抗52、増幅回路53、ダイオードD1、および定電圧回路54を備える。   The detection circuit 11 is configured to obtain the temperature and resistance value of the radiation heater 30a, and includes a semiconductor switch element 51, a shunt resistor 52, an amplifier circuit 53, a diode D1, and a constant voltage circuit 54.

シャント抵抗52は、その電極52aが定電圧回路54の出力端子に接続されている。シャント抵抗52の電極52bが共通接続端子60を介して輻射ヒータ30aの電極31aに接続されている。共通接続端子60は、半導体スイッチ素子50および輻射ヒータ30aの間の共通接続端子である。シャント抵抗52は、定電圧回路54から輻射ヒータ30aに流れる電流を検出するために用いられる抵抗素子である。   The shunt resistor 52 has an electrode 52 a connected to the output terminal of the constant voltage circuit 54. The electrode 52b of the shunt resistor 52 is connected to the electrode 31a of the radiation heater 30a through the common connection terminal 60. The common connection terminal 60 is a common connection terminal between the semiconductor switch element 50 and the radiation heater 30a. The shunt resistor 52 is a resistance element used for detecting a current flowing from the constant voltage circuit 54 to the radiation heater 30a.

定電圧回路54は、バッテリから供給される電力に基づいて、予め決められた一定の電圧を出力する。定電圧回路54は、半導体スイッチ素子50から抵抗素子70を通して輻射ヒータ30aに電流を流す電流経路に対して、独立して輻射ヒータ30aに電流を流す電流経路を構成する。   The constant voltage circuit 54 outputs a predetermined voltage based on the power supplied from the battery. The constant voltage circuit 54 constitutes a current path through which current flows through the radiation heater 30a independently from a current path through which current flows from the semiconductor switch element 50 through the resistance element 70 to the radiation heater 30a.

半導体スイッチ素子51は、定電圧回路54の出力端子とシャント抵抗52の電極52aとの間に接続されている。半導体スイッチ素子51は、マイクロコンピュータ20により制御されて、定電圧回路54およびシャント抵抗52の間を開放、或いは接続する。本実施形態では、半導体スイッチ素子51としては、バイポーラトランジスタ(Bipolar transistor)やMOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)等のトランジスタを用いることができる。   The semiconductor switch element 51 is connected between the output terminal of the constant voltage circuit 54 and the electrode 52 a of the shunt resistor 52. The semiconductor switch element 51 is controlled by the microcomputer 20 to open or connect between the constant voltage circuit 54 and the shunt resistor 52. In the present embodiment, as the semiconductor switch element 51, a transistor such as a bipolar transistor or a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) can be used.

増幅回路53は、シャント抵抗52の電極52a、52b間の電圧を電圧増幅してマイクロコンピュータ20に出力する。ダイオードD1は、半導体スイッチ素子51およびシャント抵抗52の間に接続されている。   The amplifier circuit 53 amplifies the voltage between the electrodes 52 a and 52 b of the shunt resistor 52 and outputs the amplified voltage to the microcomputer 20. The diode D <b> 1 is connected between the semiconductor switch element 51 and the shunt resistor 52.

ここで、ダイオードD1およびシャント抵抗52の間の共通接続端子55の出力電圧は、マイクロコンピュータ20に入力される。共通接続端子55の出力電圧は、ダイオードD1および半導体スイッチ素子51のそれぞれの電圧降下分を定電圧回路54の出力電圧から引いた電圧を示している。   Here, the output voltage of the common connection terminal 55 between the diode D 1 and the shunt resistor 52 is input to the microcomputer 20. The output voltage of the common connection terminal 55 indicates a voltage obtained by subtracting the respective voltage drops of the diode D1 and the semiconductor switch element 51 from the output voltage of the constant voltage circuit 54.

本実施形態では、輻射ヒータ30a〜30dの抵抗値を検出する際の輻射ヒータ30a〜30dの温度上昇幅が、乗員の手の平の皮膚で感じることができない温度上昇幅になるように、シャント抵抗52の抵抗値、および定電圧回路54の出力電圧が設定されている。   In the present embodiment, the shunt resistance 52 is set such that the temperature increase width of the radiation heaters 30a to 30d when detecting the resistance values of the radiation heaters 30a to 30d is a temperature increase width that cannot be felt by the skin of the occupant's palm. And the output voltage of the constant voltage circuit 54 are set.

検出回路12は、シャント抵抗70、増幅回路71、および抵抗素子72、73を備える。シャント抵抗70は、その電極70aが半導体スイッチ素子50の出力端子に接続されている。シャント抵抗70の電極70bは、共通接続端子60を介して輻射ヒータ30aの電極31aに接続されている。シャント抵抗70は、バッテリから輻射ヒータ30aに流れる電流を検出するために用いられる抵抗素子である。増幅回路71は、シャント抵抗70の電極70a、70bの間の電圧を増幅してマイクロコンピュータ20に入力する。   The detection circuit 12 includes a shunt resistor 70, an amplifier circuit 71, and resistance elements 72 and 73. The shunt resistor 70 has an electrode 70 a connected to the output terminal of the semiconductor switch element 50. The electrode 70 b of the shunt resistor 70 is connected to the electrode 31 a of the radiation heater 30 a through the common connection terminal 60. The shunt resistor 70 is a resistance element used to detect a current flowing from the battery to the radiation heater 30a. The amplifier circuit 71 amplifies the voltage between the electrodes 70 a and 70 b of the shunt resistor 70 and inputs the amplified voltage to the microcomputer 20.

抵抗素子72、73は、半導体スイッチ素子50およびシャント抵抗70の間の共通接続端子74とグランドとの間に直列接続されている。抵抗素子73は、抵抗素子72に対してグランド側に配置されている。抵抗素子72、73は、半導体スイッチ素子50の出力電圧を分圧して抵抗素子72、73の間の共通接続端子75からマイクロコンピュータ20に入力する分圧回路を構成する。分圧回路は、シャント抵抗70の電極70aおよび輻射ヒータ30aの電極31bの間にバッテリから与えられる電圧を検出するために用いられる。   The resistance elements 72 and 73 are connected in series between the common connection terminal 74 between the semiconductor switch element 50 and the shunt resistor 70 and the ground. The resistance element 73 is disposed on the ground side with respect to the resistance element 72. The resistance elements 72 and 73 constitute a voltage dividing circuit that divides the output voltage of the semiconductor switch element 50 and inputs the divided voltage to the microcomputer 20 from the common connection terminal 75 between the resistance elements 72 and 73. The voltage dividing circuit is used to detect a voltage applied from the battery between the electrode 70a of the shunt resistor 70 and the electrode 31b of the radiation heater 30a.

なお、図1、図3中のマイクロコンピュータ20において「PWM出力」は半導体スイッチ素子50にPWM制御信号を出力する出力端子である。「A/D入力」は、増幅回路53、71や共通接続端子55、75の出力電圧などのアナログ信号が入力される入力端子である。「SW/ON出力」は、半導体スイッチ素子51に制御信号を出力する出力端子である。   In the microcomputer 20 in FIGS. 1 and 3, “PWM output” is an output terminal that outputs a PWM control signal to the semiconductor switch element 50. The “A / D input” is an input terminal to which analog signals such as output voltages of the amplifier circuits 53 and 71 and the common connection terminals 55 and 75 are input. The “SW / ON output” is an output terminal that outputs a control signal to the semiconductor switch element 51.

次に、本実施形態の車載用輻射ヒータ制御装置1の作動について説明する。   Next, the operation of the in-vehicle radiant heater control device 1 of this embodiment will be described.

マイクロコンピュータ20は、輻射ヒータ30a〜30dに対するメイン処理を輻射ヒータ毎に時分割で実行する。輻射ヒータ毎のメイン処理は、それぞれ同一である。そこで、以下、マイクロコンピュータ20による輻射ヒータ30aのメイン処理について説明する。   The microcomputer 20 executes main processing for the radiation heaters 30a to 30d in a time-sharing manner for each radiation heater. The main process for each radiation heater is the same. Therefore, the main process of the radiant heater 30a by the microcomputer 20 will be described below.

マイクロコンピュータ20は、図5のフローチャートにしたがって、メイン処理を実行する。図5はメイン処理を示すフローチャートである。   The microcomputer 20 executes main processing according to the flowchart of FIG. FIG. 5 is a flowchart showing the main process.

マイクロコンピュータ20は、バッテリに接続されてバッテリから電力供給されたとき、メイン処理の実行を開始する。以下、マイクロコンピュータ20によるメイン処理について説明する。   When the microcomputer 20 is connected to the battery and supplied with power from the battery, the microcomputer 20 starts executing the main process. Hereinafter, main processing by the microcomputer 20 will be described.

まず、ステップ100において、タイマA、タイマB、タイマC等をリセットして、マイクロコンピュータ20自体が電力消費を抑えるためにスリープ状態になる。その後、ステップ110において、イグニッションスイッチIGがオンされているか否かを判定する。   First, in step 100, the timer A, the timer B, the timer C, etc. are reset, and the microcomputer 20 itself enters a sleep state in order to suppress power consumption. Thereafter, in step 110, it is determined whether or not the ignition switch IG is turned on.

このとき、イグニッションスイッチIGがオンされているとき、ステップ110においてYESと判定する。次に、ステップ113において、タイマCをリセットする。その後、ステップ120において、マイクロコンピュータ20がスリープ状態であるか否かを判定する。このとき、マイクロコンピュータ20がスリープ状態であるとして、ステップ120においてYESと判定する。   At this time, when the ignition switch IG is turned on, YES is determined in step 110. Next, in step 113, the timer C is reset. Thereafter, in step 120, it is determined whether or not the microcomputer 20 is in a sleep state. At this time, it is determined that the microcomputer 20 is in the sleep state, YES in step 120.

次に、ステップ130において、輻射ヒータ30aをオフしつつ、マイクロコンピュータ20を起動させる。つまり、半導体スイッチ素子50をオフして半導体スイッチ素子50から輻射ヒータ30aへの電力供給を停止した状態で、マイクロコンピュータ20自体が起動することになる。   Next, in step 130, the microcomputer 20 is started while turning off the radiation heater 30a. That is, the microcomputer 20 itself is started in a state where the semiconductor switch element 50 is turned off and the power supply from the semiconductor switch element 50 to the radiation heater 30a is stopped.

次に、ステップ140において、導通不良保護制御を実行する。つまり、マイクロコンピュータ20自体がスリープ状態で、イグニッションスイッチIGがオンしていると判定すると、導通不良保護制御を実行する。   Next, in step 140, conduction failure protection control is executed. That is, when it is determined that the microcomputer 20 itself is in the sleep state and the ignition switch IG is turned on, the conduction failure protection control is executed.

ここで、導通不良保護制御は、異常である接触抵抗が生じているか否かを判定するための処理である。なお、導通不良保護制御の詳細については後述する。   Here, the conduction failure protection control is a process for determining whether or not an abnormal contact resistance has occurred. Details of the conduction failure protection control will be described later.

次に、ステップ150において、ヒータ温度T検知処理を実行する。ヒータ温度T検知処理は、輻射ヒータ30aの温度Tを算出するための処理である。ヒータ温度T検知処理の詳細は後述する。   Next, in step 150, a heater temperature T detection process is executed. The heater temperature T detection process is a process for calculating the temperature T of the radiation heater 30a. Details of the heater temperature T detection process will be described later.

次に、ステップ160において、ヒータスイッチ41がオンされているか否かを判定する。このとき、ヒータスイッチ41がオンされているとき、ステップ160においてYESと判定する。つまり、輻射ヒータ30aによる輻射熱の放射を開始させるために乗員が操作したと判定する。これに伴い、ステップ170に移行して、輻射ヒータ30aの温度を自動制御する自動制御処理(図中AUTO制御と記す)を実行する。   Next, in step 160, it is determined whether or not the heater switch 41 is turned on. At this time, when the heater switch 41 is on, YES is determined in step 160. That is, it is determined that the occupant has operated to start radiation heat radiation by the radiation heater 30a. Accordingly, the process proceeds to step 170, and an automatic control process (automatic control process in the figure) for automatically controlling the temperature of the radiation heater 30a is executed.

ここで、自動制御処理は、半導体スイッチ素子50をPWM制御して、バッテリから輻射ヒータ30aに供給される電力を制御する処理である。その後、ステップ180では、被接触対象が輻射ヒータ30aに接触したか否かを判定するための接触保護制御を実行する。なお、自動制御処理および接触保護制御の詳細は後述する。   Here, the automatic control process is a process of controlling the electric power supplied from the battery to the radiation heater 30a by PWM control of the semiconductor switch element 50. Thereafter, in step 180, contact protection control is performed to determine whether or not the contact target has contacted the radiation heater 30a. Details of the automatic control process and the contact protection control will be described later.

その後、ステップ110に移行する。このため、イグニッションスイッチIGおよびヒータスイッチ41がそれぞれオンしているときには、ステップ110のYES判定、ステップ113、ステップ120のNO判定、ステップ150、ステップ160のYES判定、およびステップ170、180を繰り返す。これにより、輻射ヒータ30aの自動温度制御の実行が継続されることになる。   Thereafter, the process proceeds to step 110. For this reason, when the ignition switch IG and the heater switch 41 are turned on, the YES determination at step 110, the NO determination at step 113, step 120, the YES determination at step 150, step 160, and steps 170 and 180 are repeated. Thereby, execution of the automatic temperature control of the radiation heater 30a is continued.

また、ステップ100においてマイクロコンピュータ20自体がスリープ状態になった後に、ステップ110においてイグニッションスイッチIGがオフされているとして、NOと判定すると、ステップ111に移行する。これに伴い、ステップ111において、タイマCのカウント値を一定時間だけインクリメントする。タイマCは、ステップ110でYESと判定する毎に一定時間だけインクリメントするカウンタであって、イグニッションスイッチIGが継続してオフされている期間をカウントするために用いられる。次に、ステップ112において、イグニッションスイッチIGがオフしている期間が一定時間ts(例えば、1時間)以上継続しているか否かを判定する。具体的には、タイマCによりカウントされたカウント値(すなわち、時間)が一定時間ts以上であるか否かを判定する。一定時間は、イグニッションスイッチIGが乗員の操作によってオフされてから輻射ヒータ30aの温度が車室内の温度に到達するのに要する時間である。つまり、一定時間は、輻射ヒータ30aへの電力供給を停止してから、輻射ヒータ30aの温度が車室内の温度に到達するのに要する時間である。   If it is determined in step 110 that the ignition switch IG has been turned off after the microcomputer 20 itself has entered the sleep state in step 100, the process proceeds to step 111. Accordingly, in step 111, the count value of the timer C is incremented for a fixed time. The timer C is a counter that is incremented by a predetermined time every time YES is determined in step 110, and is used for counting a period in which the ignition switch IG is continuously turned off. Next, in step 112, it is determined whether or not the period during which the ignition switch IG is OFF continues for a certain time ts (for example, 1 hour) or longer. Specifically, it is determined whether or not the count value (that is, time) counted by the timer C is equal to or longer than the predetermined time ts. The fixed time is a time required for the temperature of the radiant heater 30a to reach the temperature in the passenger compartment after the ignition switch IG is turned off by the operation of the passenger. That is, the fixed time is a time required for the temperature of the radiant heater 30a to reach the temperature in the passenger compartment after the power supply to the radiant heater 30a is stopped.

そして、上記ステップ112において、タイマCのカウント値が一定時間ts未満であるときには、イグニッションスイッチIGが継続してオフしている期間(以下、オフ期間という)が一定時間ts未満であるとして、NOと判定して、ステップ110に戻る。このため、イグニッションスイッチIGがオフされている限り、ステップ110のNO判定、ステップ111、およびステップ112のNO判定を繰り返す。その後、イグニッションスイッチIGのオフ期間が一定時間ts以上になると、ステップ112でYESと判定する。すると、ステップ100において、マイクロコンピュータ20がスリープ状態になる。その後、イグニッションスイッチIGでオンされているとしてステップ110でYESと判定する。すると、ステップ113でタイマCをリセットした後、ステップ120で、マイクロコンピュータ20がスリープ状態であるとしてYESと判定する。このため、ステップ130において、輻射ヒータ30aをオフしつつマイクロコンピュータ20が起動した後、ステップ140において、導通不良保護制御を実行する。つまり、マイクロコンピュータ20自体がスリープ状態で、イグニッションスイッチIGがオンしていると判定すると、導通不良保護制御を実行する。   In step 112, when the count value of the timer C is less than the predetermined time ts, it is assumed that the period during which the ignition switch IG is continuously turned off (hereinafter referred to as the off period) is less than the predetermined time ts. And return to step 110. Therefore, as long as the ignition switch IG is turned off, the NO determination in step 110, the NO determination in step 111, and the step 112 are repeated. After that, when the OFF period of the ignition switch IG becomes equal to or longer than the predetermined time ts, YES is determined in step 112. Then, in step 100, the microcomputer 20 enters a sleep state. Thereafter, it is determined as YES in step 110 because the ignition switch IG is turned on. Then, after resetting the timer C in step 113, it is determined YES in step 120 because the microcomputer 20 is in the sleep state. For this reason, after the microcomputer 20 is started while turning off the radiation heater 30a in step 130, the conduction failure protection control is executed in step 140. That is, when it is determined that the microcomputer 20 itself is in the sleep state and the ignition switch IG is turned on, the conduction failure protection control is executed.

また、上述の如く、ステップ110のYES判定、ステップ113、ステップ120のNO判定、ステップ150、ステップ160のYES判定、およびステップ170、180を繰り返した後、イグニッションスイッチIGがオフすると、ステップ110でNOと判定してステップ111に移行する。   Further, as described above, after repeating the YES determination in step 110, the NO determination in step 113, step 120, the YES determination in step 150, step 160, and the steps 170 and 180, and the ignition switch IG is turned off, in step 110 It judges with NO and shifts to Step 111.

つまり、輻射ヒータ30aの自動制御処理(ステップ170)を繰り返し実施してから、イグニッションスイッチIGがオフされてステップ110でNOと判定すると、ステップ111に移行する。   That is, after the automatic control process (step 170) of the radiant heater 30a is repeatedly performed, when the ignition switch IG is turned off and NO is determined in step 110, the process proceeds to step 111.

この場合、イグニッションスイッチIGがオフされている限り、ステップ111、およびステップ112のNO判定を繰り返す。そして、イグニッションスイッチIGのオフ期間が一定時間ts以上になると、ステップ112でYESと判定して、次のステップ110に戻り、マイクロコンピュータ20がスリープ状態になる。   In this case, as long as the ignition switch IG is turned off, the NO determination at step 111 and step 112 is repeated. When the OFF period of the ignition switch IG is equal to or longer than the predetermined time ts, it is determined YES in step 112, the process returns to the next step 110, and the microcomputer 20 enters the sleep state.

さらに、イグニッションスイッチIGのオフが継続すると、マイクロコンピュータ20がスリープ状態を維持しつつ、ステップ100、ステップ110のNO判定、ステップ111、およびステップ112のNO判定を繰り返す。   Further, when the ignition switch IG continues to be turned off, the microcomputer 20 repeats the NO determination at step 100, step 110, the NO determination at step 111, and the step 112 while maintaining the sleep state.

その後、イグニッションスイッチIGがオンされると、ステップ110でYESと判定する。すると、ステップ113、ステップ120のYES、ステップ130を終えた後、ステップ140において、導通不良保護制御を実行する。つまり、マイクロコンピュータ20自体がスリープ状態で、イグニッションスイッチIGがオンしていると判定すると、導通不良保護制御を実行する。   Thereafter, when the ignition switch IG is turned on, YES is determined in step 110. Then, after step 113, YES in step 120, and step 130 are finished, in step 140, conduction failure protection control is executed. That is, when it is determined that the microcomputer 20 itself is in the sleep state and the ignition switch IG is turned on, the conduction failure protection control is executed.

このように本実施形態では、導通不良保護制御は、マイクロコンピュータ20がスリープ状態であるときに、イグニッションスイッチIGがオンされると、実行される。   Thus, in the present embodiment, the conduction failure protection control is executed when the ignition switch IG is turned on while the microcomputer 20 is in the sleep state.

ここで、マイクロコンピュータ20は、メイン処理の実行開始後にて最初のステップ100が実行されたとき、スリープ状態になる。これに加えて、マイクロコンピュータ20は、イグニッションスイッチIGのオフ期間が一定時間ts以上継続したときに、スリープ状態になる。   Here, the microcomputer 20 enters a sleep state when the first step 100 is executed after the execution of the main process is started. In addition to this, the microcomputer 20 enters a sleep state when the ignition switch IG is off for a predetermined time ts or longer.

そこで、本実施形態では、マイクロコンピュータ20自体がスリープ状態であるときには、輻射ヒータ30aの温度が車室内温度と一致していることを想定している。つまり、導通不良保護処理の実行が輻射ヒータ30aの温度が車室内温度と一致しているときに開始されることになる。   Therefore, in the present embodiment, when the microcomputer 20 itself is in the sleep state, it is assumed that the temperature of the radiant heater 30a matches the vehicle interior temperature. That is, the execution of the conduction failure protection process is started when the temperature of the radiant heater 30a matches the vehicle interior temperature.

さらに、上述の如く、ステップ110のYES判定、ステップ113、ステップ120のNO判定、ステップ150、ステップ160のYES判定、およびステップ170、180を繰り返した後、イグニッションスイッチIGがオフされると、ステップ110でNOと判定して、ステップ111に移行する。   Further, as described above, after repeating the YES determination in step 110, the NO determination in step 113, step 120, the YES determination in step 150, step 160, and steps 170 and 180, and the ignition switch IG is turned off, the step It is determined NO at 110 and the process proceeds to step 111.

その後、イグニッションスイッチIGのオフ期間が一定時間ts未満であるときに、イグニッションスイッチIGがオンされると、ステップ110でYESと判定して、ステップ113を経てステップ120に進む。つまり、マイクロコンピュータ20が起動した状態で、イグニッションスイッチIGがオンされると、ステップ113を経てステップ120に進む。この場合、ステップ120において、マイクロコンピュータ20自体がスリープ状態でないとしてNOと判定する。このため、導通不良保護制御(ステップ140)を実行することなく、ステップ150に進む。   Thereafter, when the ignition switch IG is turned on when the ignition switch IG is off for a predetermined time ts, YES is determined in step 110, and the process proceeds to step 120 via step 113. That is, when the ignition switch IG is turned on while the microcomputer 20 is activated, the process proceeds to step 120 via step 113. In this case, in step 120, it is determined NO because the microcomputer 20 itself is not in the sleep state. Therefore, the process proceeds to step 150 without executing the conduction failure protection control (step 140).

また、上記ステップ160において、ヒータスイッチ41がオフされているとき、輻射ヒータ30aによる輻射熱の放射を開始させるために乗員が操作していないとして、NOと判定する。この場合、ステップ190においてタイマAをリセットして、ステップ100に移行する。このため、イグニッションスイッチIGがオンし、かつヒータスイッチ41がオフしている場合には、ステップ110のYES判定、ステップ113、ステップ120のNO判定、ステップ150、ステップ160のNO判定、およびステップ190を繰り返す。このため、ヒータスイッチ41がオフされているときには、輻射ヒータ30aの自動温度制御の実行が禁止されることになる。   Further, in step 160, when the heater switch 41 is turned off, it is determined as NO because the occupant is not operating to start radiation heat radiation by the radiation heater 30a. In this case, the timer A is reset in step 190, and the process proceeds to step 100. For this reason, when the ignition switch IG is on and the heater switch 41 is off, the determination at step 110 is NO, the determination at step 113 is NO, the determination at step 120 is NO, the determination at step 150 is NO, and step 190 repeat. For this reason, when the heater switch 41 is turned off, execution of automatic temperature control of the radiation heater 30a is prohibited.

次に、本実施形態の導通不良保護処理について図6を参照して説明する。   Next, the conduction failure protection process of this embodiment will be described with reference to FIG.

図6は、導通不良保護処理を示すフローチャートである。導通不良保護処理は、
マイクロコンピュータ20自体がスリープ状態で、イグニッションスイッチIGがオンしていると判定すると、実行される。つまり、半導体スイッチ素子50をオフしてバッテリから輻射ヒータ30aに電流が流れることを停止した状態において、輻射ヒータ30aの温度が車室内温度と一致したときに、導通不良保護処理の実行が開始される。
FIG. 6 is a flowchart showing the conduction failure protection process. The conduction failure protection process
If the microcomputer 20 itself is in the sleep state and it is determined that the ignition switch IG is on, the microcomputer 20 is executed. That is, in the state where the semiconductor switch element 50 is turned off and the flow of current from the battery to the radiation heater 30a is stopped, the conduction failure protection process is started when the temperature of the radiation heater 30a matches the vehicle interior temperature. The

まず、半導体スイッチ素子51をオンして、抵抗素子52のうち半導体スイッチ素子51側電極52aとグランドとの間の電圧E1と、抵抗素子52のうち輻射ヒータ30a側電極52bとグランドとの間の電圧V1とを求める(ステップ200、210)。   First, the semiconductor switch element 51 is turned on, the voltage E1 between the semiconductor switch element 51 side electrode 52a of the resistance element 52 and the ground, and the resistance heater 52 between the radiation heater 30a side electrode 52b and the ground. The voltage V1 is obtained (steps 200 and 210).

具体的には、半導体スイッチ素子51をオンすると、定電圧回路54および抵抗素子52の間が接続される。これに伴い、定電圧回路54から半導体スイッチ素子51、抵抗素子52、および輻射ヒータ30aを通してグランドに電流が流れる。このとき、ダイオードD1と抵抗素子52との間の共通接続端子55から出力される電圧に基づいて電圧E1を求める。これに加えて、この求められた電圧E1と増幅回路53から出力される電圧とに基づいて、電圧V1を求める。   Specifically, when the semiconductor switch element 51 is turned on, the constant voltage circuit 54 and the resistance element 52 are connected. Accordingly, a current flows from the constant voltage circuit 54 to the ground through the semiconductor switch element 51, the resistance element 52, and the radiation heater 30a. At this time, the voltage E1 is obtained based on the voltage output from the common connection terminal 55 between the diode D1 and the resistance element 52. In addition, the voltage V1 is obtained based on the obtained voltage E1 and the voltage output from the amplifier circuit 53.

次に、ステップ220において、実際に車両に搭載されている輻射ヒータ30aの抵抗値(以下、実際の抵抗値という)と輻射ヒータ30aの温度との関係を示す抵抗値−温度特性G1(図9参照)と、車室内温度センサ40の検出温度とに基づいて、輻射ヒータ30aの抵抗値RZを求める。   Next, in step 220, a resistance value-temperature characteristic G1 (FIG. 9) showing the relationship between the resistance value of the radiation heater 30a actually mounted on the vehicle (hereinafter referred to as the actual resistance value) and the temperature of the radiation heater 30a. Reference) and the temperature detected by the passenger compartment temperature sensor 40, the resistance value RZ of the radiation heater 30a is obtained.

ここで、抵抗値−温度特性G1は、輻射ヒータ30aの実際の抵抗値と温度とが1対1で特定される関係を示すマップである。そして、抵抗値−温度特性G1において、車室内温度センサ40の検出温度に対応する輻射ヒータ30aの抵抗値を輻射ヒータ30aの抵抗値RZとして求める。なお、抵抗値−温度特性G1の算出について後述する。   Here, the resistance value-temperature characteristic G1 is a map showing a relationship in which the actual resistance value and the temperature of the radiation heater 30a are specified on a one-to-one basis. Then, in the resistance value-temperature characteristic G1, the resistance value of the radiation heater 30a corresponding to the temperature detected by the vehicle interior temperature sensor 40 is obtained as the resistance value RZ of the radiation heater 30a. The calculation of the resistance value-temperature characteristic G1 will be described later.

次に、ステップ230において、電圧E1、電圧V1、輻射ヒータ30aの抵抗値RZ、抵抗素子52の抵抗値r1を次の数式1に代入して接触抵抗Xの抵抗値R’を求める。   Next, in step 230, the resistance value R 'of the contact resistance X is obtained by substituting the voltage E1, the voltage V1, the resistance value RZ of the radiation heater 30a, and the resistance value r1 of the resistance element 52 into the following Equation 1.

R’=(V1×r1/(E1−V1))−RZ・・・・数式(1)
ここで、(V1×r1/(E1−V1))は、輻射ヒータ30aを介する共通接続端子60およびグランドの間の電流経路の抵抗値である。接触抵抗Xは、輻射ヒータ30aを介する共通接続端子60およびグランドの間の電流経路中のコネクタにおいて、互いに接触する2つのターミナルの間に発生するものである。互いに接触する2つのターミナルは、コネクタを構成するものである。
R ′ = (V1 × r1 / (E1−V1)) − RZ (1)
Here, (V1 × r1 / (E1-V1)) is a resistance value of a current path between the common connection terminal 60 via the radiation heater 30a and the ground. The contact resistance X is generated between two terminals in contact with each other in the connector in the current path between the common connection terminal 60 via the radiation heater 30a and the ground. Two terminals in contact with each other constitute a connector.

例えば、正常時には2つのターミナルは接触した状態で、2つのターミナルの間の抵抗値は非常に小さいものであるが、2つのターミナルの間に酸化物等の異物が生じたときには、2つのターミナルの間の抵抗値が高くなる。そこで、本実施形態では、このように2つのターミナルの間に生じた酸化物等の異物を接触抵抗Xとしている。   For example, in normal operation, the two terminals are in contact with each other, and the resistance value between the two terminals is very small. However, when foreign matter such as oxide is generated between the two terminals, the two terminals The resistance value in between increases. Therefore, in the present embodiment, the foreign matter such as oxide generated between the two terminals is used as the contact resistance X.

次に、ステップ240において、接触抵抗Xの抵抗値R’に基づいて、異常である接触抵抗Xが生じているか否かを判定する。具体的には、接触抵抗Xの抵抗値R’が閾値ι未満であるか否かを判定する。   Next, in step 240, based on the resistance value R 'of the contact resistance X, it is determined whether or not the abnormal contact resistance X has occurred. Specifically, it is determined whether or not the resistance value R ′ of the contact resistance X is less than the threshold value ι.

ここで、接触抵抗Xの抵抗値R’が閾値ι未満であるときには、異常である接触抵抗Xが生じていないとして、ステップ240にてYESと判定する。これに伴い、ステップ260で保護フラグをリセットして、保護フラグ=0とする。一方、接触抵抗Xの抵抗値R’が閾値ι以上であるときには、異常である接触抵抗Xが生じているとして、ステップ240にてNOと判定する。これに伴い、ステップ260で保護フラグをセットして、保護フラグ=1とする。保護フラグは、異常が生じているか否かを示すフラグである。   Here, when the resistance value R ′ of the contact resistance X is less than the threshold value ι, it is determined that there is no abnormal contact resistance X, and YES is determined in step 240. Accordingly, the protection flag is reset in step 260 so that the protection flag = 0. On the other hand, when the resistance value R ′ of the contact resistance X is equal to or greater than the threshold value ι, it is determined that the abnormal contact resistance X has occurred and NO is determined in step 240. Accordingly, a protection flag is set in step 260 so that protection flag = 1. The protection flag is a flag indicating whether or not an abnormality has occurred.

次に、本実施形態のヒータ温度T検知処理(A)について図7を参照して説明する。図7はヒータ温度T検知処理(A)を示すフローチャートである。ヒータ温度T検知処理(A)は、イグニッションスイッチIGがオンしている限り、繰り返し実行される。   Next, the heater temperature T detection process (A) of this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a flowchart showing the heater temperature T detection process (A). The heater temperature T detection process (A) is repeatedly executed as long as the ignition switch IG is on.

まず、ステップ303において、今回のヒータ温度T検知処理(A)(ステップ150)の実行は、メイン処理の実行開始後における1回目のヒータ温度T検知処理(A)の実行であるか否かを判定する。   First, in step 303, it is determined whether or not the execution of the current heater temperature T detection process (A) (step 150) is the first execution of the heater temperature T detection process (A) after the start of the execution of the main process. judge.

このとき、今回のヒータ温度T検知処理(A)の実行が、メイン処理の実行開始後における1回目のヒータ温度T検知処理(A)の実行であるときには、ステップ303においてYESと判定する。すなわち、メイン処理の実行開始に1回目のヒータ温度T検知処理(A)が実行されると、ステップ303においてYESと判定する。   At this time, when the execution of the current heater temperature T detection process (A) is the first execution of the heater temperature T detection process (A) after the start of the execution of the main process, it is determined as YES in step 303. That is, if the first heater temperature T detection process (A) is executed at the start of execution of the main process, YES is determined in step 303.

これに伴い、ステップ320において、半導体スイッチ素子50をオフしてPWM制御を停止する。次に、半導体スイッチ素子51をオンして(ステップ330)、輻射ヒータ30aの抵抗値Rを求める(ステップ340)。   Accordingly, in step 320, the semiconductor switch element 50 is turned off to stop the PWM control. Next, the semiconductor switch element 51 is turned on (step 330), and the resistance value R of the radiation heater 30a is obtained (step 340).

具体的には、半導体スイッチ素子51がオンすると、シャント抵抗52および定電圧回路54の間が接続される。これに伴い、定電圧回路54からダイオードD1、シャント抵抗52、および輻射ヒータ30aを通してグランドに電流が流れる。このとき、増幅回路53から出力される電圧を取り込むとともに、共通接続端子55から出力される電圧を取り込む。増幅回路53の出力電圧は、シャント抵抗52の電極52a、52bの間の電圧を示す。そして、共通接続端子55の出力電圧に基づいて、シャント抵抗52のうち半導体スイッチ素子51側電極52aとグランドとの間の電圧E1を求める。この求められた電圧E1と増幅回路53の出力電圧とに基づいて、抵抗素子52のうち輻射ヒータ30a側電極52bとグランドとの間の電圧V1を求める。さらに、電圧V1、電圧E1、およびシャント抵抗52の抵抗値r1を数式2に代入して輻射ヒータ30aの抵抗値Rを求める。   Specifically, when the semiconductor switch element 51 is turned on, the shunt resistor 52 and the constant voltage circuit 54 are connected. Accordingly, a current flows from the constant voltage circuit 54 to the ground through the diode D1, the shunt resistor 52, and the radiation heater 30a. At this time, the voltage output from the amplifier circuit 53 is captured, and the voltage output from the common connection terminal 55 is captured. The output voltage of the amplifier circuit 53 indicates the voltage between the electrodes 52a and 52b of the shunt resistor 52. Based on the output voltage of the common connection terminal 55, the voltage E1 between the semiconductor switch element 51 side electrode 52a and the ground in the shunt resistor 52 is obtained. Based on the obtained voltage E1 and the output voltage of the amplifier circuit 53, the voltage V1 between the radiation heater 30a side electrode 52b and the ground in the resistance element 52 is obtained. Further, the resistance value R of the radiation heater 30a is obtained by substituting the voltage V1, the voltage E1, and the resistance value r1 of the shunt resistor 52 into Equation 2.

R=(V1×r1/(E1−V1))・・・・数式(2)
このように電圧V1、電圧E1、およびシャント抵抗52の抵抗値r1によって輻射ヒータ30aの抵抗値R(1)を求める。括弧内の数字は、ステップ340の実行回数を示す。なお、上記ステップ340では、接触抵抗Xの抵抗値は、上述した閾値ι未満の値であると仮定している。
R = (V1 × r1 / (E1-V1))... (2)
In this way, the resistance value R (1) of the radiation heater 30a is obtained from the voltage V1, the voltage E1, and the resistance value r1 of the shunt resistor 52. The number in parentheses indicates the number of times step 340 is executed. In step 340, it is assumed that the resistance value of the contact resistance X is less than the threshold value ι described above.

ここで、定電圧回路54からシャント抵抗52および輻射ヒータ30aを通してグランドに電流が流れるため、輻射ヒータ30aには温度上昇が生じるものの、その温度上昇幅は、乗員の手の平の皮膚で感じることができない温度上昇幅になっている。   Here, since a current flows from the constant voltage circuit 54 to the ground through the shunt resistor 52 and the radiation heater 30a, a temperature rise occurs in the radiation heater 30a, but the temperature rise width cannot be felt by the skin of the occupant's palm. The temperature rises.

次に、ステップ350において、次のステップ360を実施済みであるか否かを判定する。   Next, in step 350, it is determined whether or not the next step 360 has been performed.

次のステップ360は、実際に車両に搭載されている輻射ヒータ30aの抵抗値−温度特性G1を求めるステップである。そして、今回のステップ350は、車載用輻射ヒータ制御装置1が初めてバッテリに接続された後、1回目に実施されるステップ350である。このため、抵抗値−温度特性G1は、算出されていないとして、ステップ350でNOと判定する。このとき、輻射ヒータ30aの温度が車室内温度センサ40の検出温度(すなわち、車室内の気温)と一致していると判定する。   The next step 360 is a step for obtaining the resistance value-temperature characteristic G1 of the radiation heater 30a actually mounted on the vehicle. And this step 350 is step 350 performed for the first time after the vehicle-mounted radiation heater control apparatus 1 is connected to a battery for the first time. For this reason, the resistance value-temperature characteristic G1 is determined to be NO in step 350, assuming that it has not been calculated. At this time, it is determined that the temperature of the radiant heater 30a matches the detected temperature of the vehicle interior temperature sensor 40 (that is, the air temperature in the vehicle interior).

このため、上記ステップ340では、輻射ヒータ30aの温度が車室内気温と一致したと判定したときに増幅回路53から出力される電圧と、輻射ヒータ30aの温度が車室内気温と一致したと判定したときに定電圧回路54から出力される電圧を用いて輻射ヒータ30aの抵抗値を求めたことになる。   Therefore, in step 340, it is determined that the voltage output from the amplifier circuit 53 and the temperature of the radiant heater 30a coincide with the vehicle interior temperature when it is determined that the temperature of the radiant heater 30a matches the vehicle interior temperature. Sometimes, the resistance value of the radiation heater 30a is obtained using the voltage output from the constant voltage circuit 54.

これに伴い、車室内温度センサ40により検出される車室内の気温を用いて、抵抗値−温度特性G1を以下の通り算出する(ステップ360)。このとき、車室内温度センサ40の検出温度は、輻射ヒータ30aの温度が車室内気温と一致したと判定したときに車室内温度センサ40により検出される気温である。   Accordingly, the resistance value-temperature characteristic G1 is calculated as follows using the air temperature in the vehicle interior detected by the vehicle interior temperature sensor 40 (step 360). At this time, the temperature detected by the vehicle interior temperature sensor 40 is the temperature detected by the vehicle interior temperature sensor 40 when it is determined that the temperature of the radiation heater 30a matches the vehicle interior air temperature.

ここで、輻射ヒータ30aの抵抗値の理論値と温度とは、図8中のグラフGaに示すように、1対1で特定される関係にある。グラフGaは、輻射ヒータ30aの抵抗値の理論値と温度とが1対1で特定される輻射ヒータ30aの抵抗値の理論値−温度特性Gaを示す。輻射ヒータ30aの抵抗値の理論値は、実際に車両に搭載される輻射ヒータ30aの抵抗値の目標値である。   Here, the theoretical value of the resistance value of the radiant heater 30a and the temperature are in a one-to-one relationship as shown in the graph Ga in FIG. Graph Ga shows the theoretical value-temperature characteristic Ga of the resistance value of the radiation heater 30a in which the theoretical value of the resistance value of the radiation heater 30a and the temperature are specified in a one-to-one relationship. The theoretical value of the resistance value of the radiant heater 30a is a target value of the resistance value of the radiant heater 30a actually mounted on the vehicle.

そこで、本実施形態では、 輻射ヒータ30aの抵抗値の理論値−温度特性(つまり、グラフGa)において、車室内温度センサ40の検出温度に1対1で特定される抵抗値の理論値Rsを求める。そして、上記ステップ340で算出した抵抗値R(1)から輻射ヒータ30aの抵抗値Rsを引いた差分を補正値ΔR(=R(1)−Rs)として求める。補正値ΔRは、輻射ヒータ30aにおいて温度に対する抵抗値の検出誤差である。そして、輻射ヒータ30aの抵抗値の理論値−温度特性Gaと補正値ΔRとから、輻射ヒータ30aの抵抗値−温度特性G1を求める。   Therefore, in this embodiment, in the theoretical value-temperature characteristic of the resistance value of the radiant heater 30a (that is, the graph Ga), the theoretical value Rs of the resistance value specified on a one-to-one basis is detected by the detected temperature of the vehicle interior temperature sensor 40. Ask. Then, a difference obtained by subtracting the resistance value Rs of the radiant heater 30a from the resistance value R (1) calculated in step 340 is obtained as a correction value ΔR (= R (1) −Rs). The correction value ΔR is a detection error of the resistance value with respect to the temperature in the radiation heater 30a. Then, the resistance value-temperature characteristic G1 of the radiant heater 30a is obtained from the theoretical value-temperature characteristic Ga of the resistance value of the radiant heater 30a and the correction value ΔR.

つまり、輻射ヒータ30aの抵抗値の理論値−温度特性Gaに対して補正値ΔRだけ、シフトさせたグラフを、輻射ヒータ30aの抵抗値−温度特性G1とする。   That is, a graph obtained by shifting the theoretical value of the resistance value of the radiant heater 30 a by the correction value ΔR with respect to the theoretical value of the temperature characteristic Ga is defined as the resistance value of the radiant heater 30 a -temperature characteristic G1.

次のステップ345において、抵抗値−温度特性G1と上記ステップ340で算出した抵抗値R(1)に基づいて輻射ヒータ30aの温度Tを求める。今回の
輻射ヒータ30aの温度Tを、車室内温度センサ40の検出温度とする。
In the next step 345, the temperature T of the radiant heater 30a is obtained based on the resistance value-temperature characteristic G1 and the resistance value R (1) calculated in step 340. The current temperature T of the radiant heater 30a is set as the detected temperature of the passenger compartment temperature sensor 40.

その後、ステップ370において、半導体スイッチ素子51をオフする。これにより、シャント抵抗52および定電圧回路54の間が開放されて、定電圧回路54から輻射ヒータ30aに対する電圧の出力が停止される。   Thereafter, in step 370, the semiconductor switch element 51 is turned off. Thereby, the space between the shunt resistor 52 and the constant voltage circuit 54 is opened, and the output of the voltage from the constant voltage circuit 54 to the radiation heater 30a is stopped.

なお、本実施形態では、ステップ330において、半導体スイッチ素子50をオフし、かつ半導体スイッチ素子51をオンした状態で、定電圧回路54から半導体スイッチ素子51、ダイオードD1、シャント抵抗52、および輻射ヒータ30aを通してグランドに電流を流す期間を10数μ秒としている。   In the present embodiment, in step 330, the semiconductor switch element 51, the diode D1, the shunt resistor 52, and the radiant heater are switched from the constant voltage circuit 54 with the semiconductor switch element 50 turned off and the semiconductor switch element 51 turned on. The period during which a current is passed to the ground through 30a is set to 10 and several microseconds.

次に、ステップ380において、半導体スイッチ素子50によるPWM制御の停止を解除する。さらに、次のステップ390において、タイマAをリセットする。   Next, in step 380, the stop of the PWM control by the semiconductor switch element 50 is released. Further, in the next step 390, the timer A is reset.

このように、メイン処理の実行開始後において、1回目のヒータ温度T検知処理(A)が実行される。その後、2回目以降のヒータ温度T検知処理(A)は、次のように実行される。   Thus, the first heater temperature T detection process (A) is executed after the start of the execution of the main process. Thereafter, the heater temperature T detection processing (A) for the second and subsequent times is executed as follows.

まず、ステップ303において、今回のヒータ温度T検知処理(A)の実行は、2回目以降のヒータ温度T検知処理(A)の実行であるとして、NOと判定する。 次に、ステップ305において、タイマAによるカウントされる時間(以下、カウント時間という)が所定時間f秒経過したか否かを判定する。所定時間f秒は、輻射ヒータ30aの温度Tを求めるタイミングを決めるために用いられている。   First, in step 303, it is determined that the execution of the current heater temperature T detection process (A) is the second and subsequent executions of the heater temperature T detection process (A), NO. Next, in step 305, it is determined whether or not the time counted by the timer A (hereinafter referred to as count time) has passed a predetermined time f seconds. The predetermined time f seconds is used to determine the timing for obtaining the temperature T of the radiation heater 30a.

ここで、タイマAのカウント時間が所定時間f秒未満であるときには、ステップ305でNOと判定して、ヒータ温度T検知処理(A)を終了する。一方、タイマAのカウント時間が所定時間f秒を超えると、ステップ305でYESと判定して、ステップ320の処理を終えて、ステップ330に進むと、半導体スイッチ素子51をオンする。このとき、共通接続端子55の出力電圧を定電圧回路54の出力電圧として取り込むとともに、増幅回路53の出力電圧とを取り込む。そして、次のステップ340において、この取り込んだ定電圧回路54の出力電圧、増幅回路53の出力電圧、およびシャント抵抗52の抵抗値に基づいて、輻射ヒータ30aの抵抗値R(2)を求める。   Here, when the count time of the timer A is less than the predetermined time f seconds, it is determined as NO in Step 305, and the heater temperature T detection process (A) is ended. On the other hand, if the count time of the timer A exceeds the predetermined time f seconds, YES is determined in step 305, the process of step 320 is finished, and when the process proceeds to step 330, the semiconductor switch element 51 is turned on. At this time, the output voltage of the common connection terminal 55 is captured as the output voltage of the constant voltage circuit 54 and the output voltage of the amplifier circuit 53 is captured. In the next step 340, the resistance value R (2) of the radiant heater 30a is obtained based on the acquired output voltage of the constant voltage circuit 54, output voltage of the amplifier circuit 53, and resistance value of the shunt resistor 52.

次に、ステップ350において、輻射ヒータ30aの抵抗値−温度特性G1が算出済みであるとしてYESと判定する。次に、ステップ345において、抵抗値−温度特性G1において、抵抗値R(2)に1対1で特定される輻射ヒータ30aの温度Tを求める。その後、ステップ370で半導体スイッチ素子51をオフした後、ステップ380、390の各処理を実行する。このように、抵抗値RH(2)に1対1で特定される温度Tを求める2回目のヒータ温度T検知処理(A)が終了する。   Next, in step 350, it is determined that the resistance value-temperature characteristic G1 of the radiation heater 30a has been calculated, and YES is determined. Next, in step 345, in the resistance value-temperature characteristic G1, the temperature T of the radiant heater 30a specified on a one-to-one basis for the resistance value R (2) is obtained. Thereafter, after the semiconductor switch element 51 is turned off at step 370, the processes at steps 380 and 390 are executed. In this way, the second heater temperature T detection process (A) for obtaining the temperature T specified one-to-one in the resistance value RH (2) is completed.

その後、ヒータ温度T検知処理(A)において、ステップ305でYESと判定する毎に、ステップ320、330、340の処理、ステップ350のYES判定、ステップ345、370、380、390の処理を実行する。例えば、ステップ340において、輻射ヒータ30aの抵抗値R(3)を求めると、ステップ345において、抵抗値−温度特性G1において、抵抗値R(3)に1対1で特定される輻射ヒータ30aの温度Tを求める。   Thereafter, in the heater temperature T detection process (A), every time YES is determined in step 305, the processes of steps 320, 330, and 340, the YES determination of step 350, and the processes of steps 345, 370, 380, and 390 are executed. . For example, when the resistance value R (3) of the radiation heater 30a is obtained in step 340, in step 345, the resistance value R (3) of the radiation heater 30a specified one-to-one in the resistance value R (3) is determined. The temperature T is obtained.

このように、ステップ305のYES、ステップ320、330、340の各処理、ステップ350のYES、およびステップ345、370、380、390の各処理を繰り返し実行する。これに伴い、ステップ340の処理の実行毎に、輻射ヒータ30aの抵抗値R(N)を求め、この抵抗値R(N)に基づいて輻射ヒータ30aの温度Tをステップ345の処理の実行毎に求める。   As described above, YES in step 305, each process in steps 320, 330, and 340, YES in step 350, and each process in steps 345, 370, 380, and 390 are repeatedly executed. Accordingly, the resistance value R (N) of the radiant heater 30a is obtained every time the process of step 340 is executed, and the temperature T of the radiant heater 30a is calculated based on the resistance value R (N) every time the process of step 345 is executed. Ask for.

このように半導体スイッチ素子50によるPWM制御を停止した期間に、定電圧回路54から輻射ヒータ30aに出力電圧を印加して輻射ヒータ30aの抵抗値Rを求める(図10参照)。図10中TpはPWM制御を実施する期間、Tsは定電圧回路54から輻射ヒータ30aに出力電圧(図10中V2と記す)を出力する期間である。   Thus, during the period when the PWM control by the semiconductor switch element 50 is stopped, the output voltage is applied from the constant voltage circuit 54 to the radiation heater 30a to obtain the resistance value R of the radiation heater 30a (see FIG. 10). 10, Tp is a period during which PWM control is performed, and Ts is a period during which an output voltage (denoted as V2 in FIG. 10) is output from the constant voltage circuit 54 to the radiation heater 30a.

次に、本実施形態の自動制御処理(AUTO制御)について図11を参照して説明する。   Next, automatic control processing (AUTO control) of this embodiment will be described with reference to FIG.

図11は、自動制御処理を示すフローチャートである。   FIG. 11 is a flowchart showing the automatic control process.

まず、ステップ500において、輻射ヒータ30aの目標温度TSETを温度設定器42から取り込む。   First, in step 500, the target temperature TSET of the radiation heater 30a is taken from the temperature setter 42.

次に、ステップ510において、半導体スイッチ素子50のPWM制御に用いるデューティ比を算出する。   Next, in step 510, a duty ratio used for PWM control of the semiconductor switch element 50 is calculated.

半導体スイッチ素子50のオン期間Tonとオフ期間Toffとを足した期間(Ton+Toff)を一定の周期TSとしたとき、デューティ比は、期間(Ton+Toff)のうちオン期間Tonが占める比率を示す百分率{=(Ton/(Ton+Toff))×100%}である。   When a period (Ton + Toff) obtained by adding the ON period Ton and the OFF period Toff of the semiconductor switch element 50 is a constant period TS, the duty ratio is a percentage indicating the ratio of the ON period Ton in the period (Ton + Toff) {= (Ton / (Ton + Toff)) × 100%}.

本実施形態では、図5のステップ150のヒータ温度T検知処理(A)で算出される輻射ヒータ30aの温度T、および目標温度TSETを次の数式3に代入して、デューティ比(図11中dutyと記す)を求める。数式3中のβは係数、αは補正値である。   In this embodiment, the temperature T of the radiant heater 30a and the target temperature TSET calculated in the heater temperature T detection process (A) in step 150 of FIG. (denoted as duty). In Equation 3, β is a coefficient, and α is a correction value.

デューティ比=β{TSET−(T+α)}・・・・数式3
次に、ステップ530〜560において、ステップ510で求められたデューティ比を正規化する。以下、説明の便宜上、ステップ510で算出されるデューティ比(つまり、正規化前のデューティ比)をデューティ比dutyとし、正規化後のデューティ比をデューティ比Dutyとする。
Duty ratio = β {TSET− (T + α)} Equation 3
Next, in steps 530 to 560, the duty ratio obtained in step 510 is normalized. Hereinafter, for convenience of explanation, the duty ratio calculated in step 510 (that is, the duty ratio before normalization) is defined as the duty ratio duty, and the normalized duty ratio is defined as the duty ratio Duty.

具体的には、ステップ510で算出されるデューティ比dutyが100%よりも小さいか否かを判定する(ステップ520)。   Specifically, it is determined whether the duty ratio duty calculated in step 510 is smaller than 100% (step 520).

デューティ比dutyが100%よりも小さいときには(duty<100%)、ステップ520でYESと判定してステップ530に移行する。これに伴い、デューティ比dutyが0%よりも大きいか否かを判定する。このとき、デューティ比dutyが0%よりも大きいときには(duty>0%)、デューティ比dutyをデューティ比Dutyとする(ステップ540)。   When the duty ratio duty is smaller than 100% (duty <100%), YES is determined in the step 520, and the process proceeds to the step 530. Accordingly, it is determined whether or not the duty ratio duty is greater than 0%. At this time, when the duty ratio duty is larger than 0% (duty> 0%), the duty ratio duty is set to the duty ratio Duty (step 540).

また、上記ステップ530において、デューティ比dutyが0%以下であるときには(Duty≦0%)、デューティ比Dutyを0%とする(ステップ550)。さらに、上記ステップ520において、デューティ比Dutyが100%よりも大きいときには、NOと判定して、デューティ比dutyを100%とする(ステップ560)。このようにステップ510で算出されるデューティ比dutyを正規化してデューティ比Dutyを求める。   In step 530, when the duty ratio duty is 0% or less (Duty ≦ 0%), the duty ratio Duty is set to 0% (step 550). Further, in step 520, when the duty ratio Duty is larger than 100%, it is determined as NO and the duty ratio duty is set to 100% (step 560). In this way, the duty ratio duty calculated in step 510 is normalized to obtain the duty ratio Duty.

次に、ステップ570において、保護フラグがリセットされているか否かを判定する。保護フラグがリセットされて、保護フラグ=0であるときには、正常であるとして、ステップ570にてYESと判定する。この場合、次のステップ580において、上記ステップ540、550、560で求められたデューティ比Dutyを半導体スイッチ素子50によって実現させるように半導体スイッチ素子50をPWM制御する。   Next, in step 570, it is determined whether or not the protection flag has been reset. If the protection flag is reset and the protection flag = 0, it is determined as normal and YES is determined in step 570. In this case, in the next step 580, the semiconductor switch element 50 is PWM-controlled so that the duty ratio Duty obtained in the above steps 540, 550 and 560 is realized by the semiconductor switch element 50.

具体的には、半導体スイッチ素子50の制御端子に対してデューティ比Dutyを有するPWM制御信号を出力する。これにより、半導体スイッチ素子50は、スイッチングして、輻射ヒータ30aの温度が目標温度TSETに近づくようにバッテリから半導体スイッチ素子50を通して輻射ヒータ30aに流れる電流が制御されることになる。これにより、半導体スイッチ素子50をPWM制御することにより、輻射ヒータ30aに流れる平均電流が電流の目標値に近づくことになる(図12(a)(b)(c))。   Specifically, a PWM control signal having a duty ratio Duty is output to the control terminal of the semiconductor switch element 50. Thereby, the semiconductor switch element 50 is switched, and the current flowing from the battery to the radiation heater 30a through the semiconductor switch element 50 is controlled so that the temperature of the radiation heater 30a approaches the target temperature TSET. As a result, PWM control of the semiconductor switch element 50 brings the average current flowing through the radiation heater 30a closer to the current target value (FIGS. 12A, 12B, and 12C).

その後、ステップ590において、タイマAのカウント値を一定時間だけインクリメントする。タイマAは、ステップ580を実行毎に一定時間だけインクリメントするカウンタであって、輻射ヒータ30aに対するPWM制御(自動制御処理)を継続して実行した時間をカウントするために用いられている。つまり、タイマAによりカウントされる時間は、輻射ヒータ30aに対するPWM制御が継続して実行した時間である。   Thereafter, in step 590, the count value of the timer A is incremented for a fixed time. The timer A is a counter that increments a predetermined time every time step 580 is executed, and is used to count the time during which PWM control (automatic control processing) for the radiation heater 30a is continuously executed. That is, the time counted by the timer A is the time when the PWM control for the radiation heater 30a is continuously executed.

一方、上記ステップ570において、保護フラグがセットされて、保護フラグ=1であるとき、異常であるとして、ステップ570にてNOと判定する。これに伴い、半導体スイッチ素子50をオフして半導体スイッチ素子50に対するPWM制御を停止する(ステップ585)。これにより、バッテリから半導体スイッチ素子50を通して輻射ヒータ30aに電流が流れることを停止する。つまり、輻射ヒータ30aがオフする。   On the other hand, if the protection flag is set in step 570 and the protection flag = 1, it is determined that there is an abnormality and NO is determined in step 570. Accordingly, the semiconductor switch element 50 is turned off and the PWM control for the semiconductor switch element 50 is stopped (step 585). This stops the flow of current from the battery to the radiation heater 30a through the semiconductor switch element 50. That is, the radiation heater 30a is turned off.

次に、本実施形態の接触保護制御処理について図13を参照して説明する。   Next, the contact protection control process of this embodiment will be described with reference to FIG.

図13は、接触保護制御処理を示すフローチャートである。   FIG. 13 is a flowchart showing the contact protection control process.

まず、ステップ600において、タイマBのカウント時間を一定時間だけインクリメントする。タイマBは、ステップ600の実行毎にカウント時間を一定時間だけインクリメントするカウンタであって、後述する微分値算出(ステップ625)を処理後経過した時間をカウントするために用いられている。   First, in step 600, the count time of timer B is incremented by a fixed time. The timer B is a counter that increments the count time by a fixed time every time step 600 is executed, and is used to count the time that has elapsed after processing differential value calculation (step 625) described later.

次のステップ610において、タイマBのカウント時間が所定時間h秒を超えたか否かを判定する。タイマBにより計時開始後に経過した時間が、所定時間h秒未満であるときには、ステップ610において、NOと判定する。   In the next step 610, it is determined whether or not the count time of the timer B exceeds a predetermined time h seconds. When the time elapsed after the start of time measurement by the timer B is less than the predetermined time h seconds, NO is determined in step 610.

これに伴い、ステップ640において、タイマAによりカウントされた時間tに基づいて輻射ヒータ30aの予想温度Taを算出する。予想温度Taは、輻射ヒータ30aにおいて時間tに対応して予想される温度である。タイマAによりカウントされる時間tは、輻射ヒータ30aに対するPWM制御(自動制御処理)が継続して実行した時間である。   Accordingly, in step 640, the expected temperature Ta of the radiation heater 30a is calculated based on the time t counted by the timer A. The expected temperature Ta is a temperature that is expected to correspond to the time t in the radiation heater 30a. The time t counted by the timer A is a time when the PWM control (automatic control process) for the radiation heater 30a is continuously executed.

ここで、正常である輻射ヒータ30aにおいて、タイマAによりカウントされた時間tと、輻射ヒータ30aの予想温度Ta(図中ヒータ温度と記す)とは、図14に示すように、1対1で特定される関係になっている。図14には、輻射ヒータ30aに電力を供給開始後、時間tの経過に伴って、予想温度Taが目標値に近づくように変化する例を示している。このため、図14における時間tおよび予想温度Taの関係を示すグラフとタイマAによりカウントされた時間tとから、予想温度Taを基準値として求めることになる。   Here, in the normal radiant heater 30a, the time t counted by the timer A and the expected temperature Ta of the radiant heater 30a (referred to as heater temperature in the figure) are in a one-to-one relationship as shown in FIG. The relationship is identified. FIG. 14 shows an example in which the expected temperature Ta changes so as to approach the target value with the passage of time t after the supply of power to the radiation heater 30a is started. Therefore, the predicted temperature Ta is obtained as a reference value from the graph showing the relationship between the time t and the predicted temperature Ta in FIG. 14 and the time t counted by the timer A.

次に、ステップ650において、輻射ヒータ30aの温度Tを検出するための温度検出処理(B)を実行する。この輻射ヒータ30aの温度検出処理(B)の詳細は、後述する。   Next, in step 650, a temperature detection process (B) for detecting the temperature T of the radiation heater 30a is executed. Details of the temperature detection process (B) of the radiation heater 30a will be described later.

次に、ステップ660において、輻射ヒータ30aの温度Tから予想温度Taを引いた差分ΔT(=T−Ta)を求める。   Next, in step 660, a difference ΔT (= T−Ta) obtained by subtracting the expected temperature Ta from the temperature T of the radiation heater 30a is obtained.

次に、ステップ670において、差分ΔT(=T−Ta)が正常値であるか否かを判定することにより、輻射ヒータ30aに乗員や荷物等の被接触対象が接触したか否かを判定する。具体的には、γ<差分ΔT<δであるときには、差分ΔTが正常値であり、輻射ヒータ30aに被接触対象が接触していないとしてYESと判定する。この場合、ステップ670において、保護フラグをリセットして、保護フラグ=0とする。γは、差分ΔTの正常値の公差下限である。δは、差分ΔTの正常値の公差上限である。一方、差分ΔTが公差下限γ以下であるとき(γ≧差分ΔT)、或いは差分ΔTが公差上限δ以上であるときには(ΔT≧δ)、輻射ヒータ30aに被接触対象が接触したとしてNOと判定する。これに伴い、ステップ690において、保護フラグをセットして、保護フラグ=1とする。   Next, in step 670, it is determined whether or not the difference target ΔT (= T−Ta) is a normal value, so that a contact target such as an occupant or a baggage has come into contact with the radiation heater 30a. . Specifically, when γ <difference ΔT <δ, the difference ΔT is a normal value, and it is determined as YES because the contact target is not in contact with the radiation heater 30a. In this case, in step 670, the protection flag is reset so that the protection flag = 0. γ is a tolerance lower limit of a normal value of the difference ΔT. δ is a tolerance upper limit of a normal value of the difference ΔT. On the other hand, when the difference ΔT is equal to or smaller than the tolerance lower limit γ (γ ≧ difference ΔT), or when the difference ΔT is equal to or larger than the tolerance upper limit δ (ΔT ≧ δ), it is determined as NO because the contact target is in contact with the radiation heater 30a. To do. Accordingly, in step 690, a protection flag is set and protection flag = 1 is set.

また、ステップ600において、タイマBのカウント時間を一定時間だけインクリメントした後、次のステップ610において、タイマBのカウント時間が所定時間h秒を超えたとして、YESと判定する。この場合には、次のステップ615において、タイマBをリセットする。次のステップ620において、上記ステップ650と同様に、輻射ヒータ30aの温度Tを検出するための温度検出処理(B)を実行する。以下、説明の便宜上、ステップ620で検出される輻射ヒータ30aの温度を温度T(n)とする。括弧内の符号は、ステップ620の実行回数を示している。   In step 600, after incrementing the count time of the timer B by a predetermined time, in the next step 610, it is determined that the count time of the timer B has exceeded the predetermined time h seconds, YES is determined. In this case, in the next step 615, the timer B is reset. In the next step 620, as in step 650, a temperature detection process (B) for detecting the temperature T of the radiation heater 30a is executed. Hereinafter, for convenience of explanation, the temperature of the radiation heater 30a detected in step 620 is referred to as temperature T (n). The code in parentheses indicates the number of times step 620 is executed.

次のステップ625において、前回のステップ620で検出される輻射ヒータ30aの温度T(n−1)と今回のステップ620で検出される輻射ヒータ30aの温度T(n)、および時間∂tとから、輻射ヒータ30aの温度の微分値(∂T/∂t)を求める。∂Tは、温度T(n)および温度T(n−1)の差分(T(n)−T(n−1))である。時間∂tは、前回のステップ620を実行してから、今回のステップ620を実行するまでに経過した時間であって、上記ステップ610の判定で用いられる所定時間h秒が用いられる。   In the next step 625, from the temperature T (n-1) of the radiation heater 30a detected in the previous step 620, the temperature T (n) of the radiation heater 30a detected in the current step 620, and the time ∂t. Then, the differential value (∂T / ∂t) of the temperature of the radiation heater 30a is obtained. ∂T is a difference (T (n) −T (n−1)) between the temperature T (n) and the temperature T (n−1). The time ∂t is a time elapsed from the execution of the previous step 620 to the execution of the current step 620, and the predetermined time h seconds used in the determination of the step 610 is used.

次に、ステップ630において、微分値(=∂T/∂t)が正常値であるか否かを判定することにより、輻射ヒータ30aに乗員や荷物等の被接触対象が触れたか否かを判定する。   Next, in step 630, it is determined whether or not a contact target such as an occupant or a baggage has touched the radiation heater 30a by determining whether or not the differential value (= ∂T / ∂t) is a normal value. To do.

∂T/∂tは、図15に示すように、輻射ヒータ30aに電力を供給開始後、時間の経過に伴って、零に近づくように変化する。このため、輻射ヒータ30aに被接触対象が触れていない正常状態では、∂T/∂tは、所定範囲内に収まる。そこで、ε<∂T/∂t<ζδであるときには、差分ΔTが正常値であり、輻射ヒータ30aに被接触対象が触れていないとしてステップ650でYESと判定する。εは、∂T/∂tの正常値の公差下限であり、ζは∂T/∂tの正常値の公差上限である。   As shown in FIG. 15, ∂T / ∂t changes so as to approach zero with the passage of time after the supply of power to the radiant heater 30a is started. For this reason, in a normal state where the contact target is not touching the radiation heater 30a, ∂T / ∂t falls within a predetermined range. Therefore, when ε <∂T / ∂t <ζδ, the difference ΔT is a normal value, and it is determined YES in step 650 that the contact target is not touching the radiation heater 30a. ε is a tolerance lower limit of a normal value of ∂T / ∂t, and ζ is a tolerance upper limit of a normal value of ∂T / ∂t.

このように、ステップ630でYESと判定すると、輻射ヒータ30aに被接触対象が触れていないとして、保護フラグをリセットして保護フラグ=0とする(ステップ680)。   As described above, if “YES” is determined in step 630, the protection flag is reset and the protection flag = 0 (step 680) because the contact target is not touching the radiation heater 30a.

一方、は、∂T/∂tが公差下限ε以下であるとき(ε≧∂T/∂t)、或いは∂T/∂tが公差上限ζ以上であるときには(∂T/∂t≧ζ)、∂T/∂tが異常値であり、輻射ヒータ30aに被接触対象が触れたとしてNOと判定する。これに伴い、保護フラグをセットして保護フラグ=1とする(ステップ690)。   On the other hand, when ∂T / ∂t is less than or equal to the tolerance lower limit ε (ε ≧ ∂T / ∂t), or when ∂T / ∂t is greater than or equal to the tolerance upper limit ζ (∂T / ∂t ≧ ζ). ∂T / ∂t is an abnormal value, and NO is determined as the contact target touches the radiation heater 30a. Accordingly, a protection flag is set to set protection flag = 1 (step 690).

次に、ヒータ温度検出処理(B)について図16を参照して説明する。   Next, the heater temperature detection process (B) will be described with reference to FIG.

図16は、ヒータ温度検出処理(B)を示すフローチャートである。図16のヒータ温度検出処理(B)は、図7のヒータ温度検出処理(A)からステップ305、350、360、390を削除しただけで、輻射ヒータ30aの温度を算出する処理は実質的に同様である。そこで、上記ステップ620、650のヒータ温度検出処理(B)の説明は省略する。   FIG. 16 is a flowchart showing the heater temperature detection process (B). The heater temperature detection process (B) in FIG. 16 is substantially the same as the heater temperature detection process (A) in FIG. 7 except that steps 305, 350, 360, and 390 are deleted. It is the same. Therefore, the description of the heater temperature detection process (B) in steps 620 and 650 is omitted.

以上説明した本実施形態によれば、車載用輻射ヒータ制御装置1は、マイクロコンピュータ20と、ヒータ駆動回路10a〜10dを備える。マイクロコンピュータ20は、輻射ヒータ30a〜30dの温度を繰り返し求め、この求めた輻射ヒータ30a〜30dの温度を目標温度TSETに近づけるようにバッテリから輻射ヒータ30a〜30dに流れる電流を輻射ヒータ毎に制御する。マイクロコンピュータ20は、共通接続端子60およびグランドの間に輻射ヒータ30aに対して直列に形成される接触抵抗Xの抵抗値R’を求める。接触抵抗Xの抵抗値R’がι以上であるときと判定したときには、マイクロコンピュータ20は、異常である接触抵抗Xが発生したとして、保護フラグをセットする。さらに、マイクロコンピュータ20は、差分ΔT(=T−Ta)や微分値(=∂T/∂t)に基づいて輻射ヒータ30aに被接触対象が触れたと判定すると、保護フラグをセットする。   According to this embodiment described above, the in-vehicle radiant heater control device 1 includes the microcomputer 20 and the heater drive circuits 10a to 10d. The microcomputer 20 repeatedly obtains the temperature of the radiation heaters 30a to 30d, and controls the current flowing from the battery to the radiation heaters 30a to 30d for each radiation heater so that the obtained temperature of the radiation heaters 30a to 30d approaches the target temperature TSET. To do. The microcomputer 20 obtains a resistance value R ′ of the contact resistance X formed in series with the radiation heater 30 a between the common connection terminal 60 and the ground. When it is determined that the resistance value R ′ of the contact resistance X is greater than or equal to ι, the microcomputer 20 sets a protection flag on the assumption that an abnormal contact resistance X has occurred. Further, when the microcomputer 20 determines that the contact target has touched the radiation heater 30a based on the difference ΔT (= T−Ta) or the differential value (= ∂T / ∂t), the microcomputer 20 sets a protection flag.

例えば、輻射ヒータ30aに被接触対象に触れると、輻射ヒータ30aの熱が被接触対象によって奪われて、輻射ヒータ30aの温度が急激に低下する(図17参照)。このため、上記ステップ630、650のいずれか一方で、NOと判定して、保護フラグをセットする。   For example, when the contact object is touched to the radiation heater 30a, the heat of the radiation heater 30a is taken away by the contact object, and the temperature of the radiation heater 30a rapidly decreases (see FIG. 17). For this reason, either one of the above steps 630 and 650 is determined as NO, and the protection flag is set.

このように保護フラグがセットされると、マイクロコンピュータ20は、安全制御として、半導体スイッチ素子50をオフしてバッテリから半導体スイッチ素子50および輻射ヒータ30aを通してグランドに電流が流れることを停止する。これにより、輻射ヒータ30aのよる暖房を停止させることができる。   When the protection flag is set in this way, the microcomputer 20 turns off the semiconductor switch element 50 and stops the current from flowing from the battery to the ground through the semiconductor switch element 50 and the radiation heater 30a as safety control. Thereby, the heating by the radiation heater 30a can be stopped.

(第2実施形態)
上記第1実施形態では、定電圧回路54の出力電圧に基づいて輻射ヒータ30aの温度を求める例について説明したが、これに代えて、本第2実施形態では、バッテリの出力電圧を用いて輻射ヒータ30aの温度を求める例について説明する。
(Second Embodiment)
In the first embodiment, the example in which the temperature of the radiation heater 30a is obtained based on the output voltage of the constant voltage circuit 54 has been described. Instead, in the second embodiment, radiation is performed using the output voltage of the battery. An example of obtaining the temperature of the heater 30a will be described.

本実施形態の車載用輻射ヒータ制御装置1と、上記第1実施形態の車載用輻射ヒータ制御装置1とは、ヒータ駆動回路10a〜10dの回路構成が同一である。   The in-vehicle radiant heater control device 1 of the present embodiment and the in-vehicle radiant heater control device 1 of the first embodiment have the same circuit configuration of the heater drive circuits 10a to 10d.

次に、本実施形態のマイクロコンピュータ20によるメイン処理について説明する。   Next, main processing by the microcomputer 20 of this embodiment will be described.

本実施形態と上記第1実施形態とでは、図5のメイン処理のうちヒータ温度T検知処理(A)が互いに相違する。本実施形態と上記第1実施形態とでは、接触保護処理のうちヒータ温度T検知処理(B)が互いに相違する。そこで、以下、本実施形態のヒータ温度T検知処理(A)、およびヒータ温度T検知処理(B)について説明する。   The present embodiment and the first embodiment are different from each other in the heater temperature T detection process (A) in the main process of FIG. In the present embodiment and the first embodiment, the heater temperature T detection process (B) is different from the contact protection process. Therefore, the heater temperature T detection process (A) and the heater temperature T detection process (B) of the present embodiment will be described below.

図18は本実施形態のヒータ抵抗値算出処理(A)を示すフローチャートである。図18は、図7のフローチャートに対してステップ310、340A、345Aを加えたものである。   FIG. 18 is a flowchart showing the heater resistance value calculation process (A) of the present embodiment. FIG. 18 is obtained by adding steps 310, 340A, and 345A to the flowchart of FIG.

本実施形態のヒータ抵抗値算出処理(A)では、ステップ310において、デューティ比Dutyが100%未満であるか否かを判定する。   In the heater resistance value calculation process (A) of the present embodiment, in step 310, it is determined whether the duty ratio Duty is less than 100%.

ステップ310において、デューティ比Dutyが100%未満であるときには、YESと判定する。このとき、上記第1の実施形態のヒータ抵抗値算出処理(A)と同様に、ステップ320、330、340、350、360、345、370、380、390の各処理を実行する。   In step 310, when the duty ratio Duty is less than 100%, it determines with YES. At this time, each process of steps 320, 330, 340, 350, 360, 345, 370, 380, and 390 is executed similarly to the heater resistance value calculation process (A) of the first embodiment.

一方、上記ステップ310においてデューティ比Dutyが100%であるときには、NOと判定する。このとき、次のステップ340Aにおいて、共通接続端子75の出力電圧に基づいて抵抗素子70のうち半導体スイッチ素子50側電極70aとグランドとの間の電圧E2を求める。さらに、この求められた電圧E2と増幅回路71から出力される電圧とに基づいて、抵抗素子70のうち輻射ヒータ30a側電極70bとグランドとの間の電圧V2を求める。この求められた電圧E2、電圧V2、およびシャント抵抗70の抵抗値r2を次の数式4に代入して輻射ヒータ30aの抵抗値Rを求める。   On the other hand, when the duty ratio Duty is 100% in the above step 310, NO is determined. At this time, in the next step 340A, a voltage E2 between the semiconductor switch element 50 side electrode 70a and the ground in the resistance element 70 is obtained based on the output voltage of the common connection terminal 75. Further, based on the obtained voltage E2 and the voltage output from the amplifier circuit 71, the voltage V2 between the radiation heater 30a side electrode 70b and the ground in the resistance element 70 is obtained. The resistance value R of the radiant heater 30a is obtained by substituting the obtained voltage E2, the voltage V2, and the resistance value r2 of the shunt resistor 70 into the following Equation 4.

R=(V2×r2/(E2−V2))・・・・数式(4)
その後、輻射ヒータ30aの抵抗値−温度特性G1において、輻射ヒータ30aの抵抗値Rと1対1で特定される輻射ヒータ30aの温度Tを求める(ステップ345A)。その後、タイマAをリセットする(ステップ390)。
R = (V2 * r2 / (E2-V2))... (4)
Thereafter, in the resistance value-temperature characteristic G1 of the radiant heater 30a, the temperature T of the radiant heater 30a specified on a one-to-one basis with the resistance value R of the radiant heater 30a is obtained (step 345A). Thereafter, timer A is reset (step 390).

このように、本実施形態では、上記ステップ310においてデューティ比Dutyが100%であるときに限り、バッテリから半導体スイッチ素子50を通して輻射ヒータ30aに出力される出力出圧に基づいて、輻射ヒータ30aの温度Tを算出する。   Thus, in this embodiment, only when the duty ratio Duty is 100% in the above step 310, based on the output pressure output from the battery to the radiation heater 30a through the semiconductor switch element 50, the radiation heater 30a The temperature T is calculated.

次に、ヒータ温度T検知処理(B)について説明する。図19は本実施形態のヒータ温度T検知処理(B)を示すフローチャートである。本実施形態のヒータ温度T検知処理(B)では、本実施形態のヒータ抵抗値算出処理(A)からステップ305を削除したものである。このため、本実施形態のヒータ温度T検知処理(B)の説明を省略する。   Next, the heater temperature T detection process (B) will be described. FIG. 19 is a flowchart showing the heater temperature T detection process (B) of the present embodiment. In the heater temperature T detection process (B) of this embodiment, step 305 is deleted from the heater resistance value calculation process (A) of this embodiment. For this reason, description of the heater temperature T detection process (B) of this embodiment is abbreviate | omitted.

以上説明した本実施形態によれば、上記第1実施形態と同様に、マイクロコンピュータ20は、異常である接触抵抗Xが発生したと判定すると、半導体スイッチ素子50をオフする。さらに、マイクロコンピュータ20は、差分ΔT(=T−Ta)や微分値(=∂T/∂t)に基づいて輻射ヒータ30aに被接触対象が触れたと判定すると、半導体スイッチ素子50をオフする。このため、異常である接触抵抗Xが発生したとき、或いは輻射ヒータ30aに被接触対象が触れたときには、輻射ヒータ30aによる暖房を停止させることができる。   According to the present embodiment described above, similarly to the first embodiment, when the microcomputer 20 determines that an abnormal contact resistance X has occurred, the microcomputer 20 turns off the semiconductor switch element 50. Further, when the microcomputer 20 determines that the contact target has touched the radiation heater 30a based on the difference ΔT (= T−Ta) or the differential value (= ∂T / ∂t), the microcomputer 20 turns off the semiconductor switch element 50. For this reason, when the contact resistance X which is abnormal, or when the to-be-contacted object touches the radiation heater 30a, the heating by the radiation heater 30a can be stopped.

(第3実施形態)
上記第1実施形態では、輻射ヒータ30aの温度が車室内温度と一致したときに、導通不良保護処理を実行した例について説明したが、これに代えて、本実施形態では、輻射ヒータ30aの温度に関係なく、導通不良保護処理を実行する例について説明する。
(Third embodiment)
In the first embodiment, the example in which the conduction failure protection process is performed when the temperature of the radiant heater 30a coincides with the temperature in the vehicle interior has been described, but instead, in this embodiment, the temperature of the radiant heater 30a. An example in which the conduction failure protection process is executed regardless of the above will be described.

以下、本実施形態のマイクロコンピュータ20のメイン処理について図20を用いて説明する。マイクロコンピュータ20は、図5に代わる図20のフローチャートにしたがって、メイン処理を実行する。図20はメイン処理を示すフローチャートである。図20において、図5のフローチャートからステップ111、112、113を削除したものである。   Hereinafter, main processing of the microcomputer 20 of the present embodiment will be described with reference to FIG. The microcomputer 20 executes main processing according to the flowchart of FIG. 20 instead of FIG. FIG. 20 is a flowchart showing the main process. 20, steps 111, 112, and 113 are deleted from the flowchart of FIG.

本実施形態では、ステップ110において、イグニッションスイッチIGがオフしているとしてNOと判定する毎に、ステップ100に移行する。このため、輻射ヒータ30aの温度に関係なく、ステップ100でマイクロコンピュータ20自体がスリープ状態になる。そして、ステップ120において、マイクロコンピュータ20自体がスリープ状態であるとして、YESと判定する。このため、ステップ130を経て、ステップ140の導通不良保護処理を実行する。すなわち、導通不良保護処理は、輻射ヒータ30aの温度に関係なく、開始される。本実施形態では、導通不良保護処理が、上記第1実施形態と同様に、上記数式(1)に基づいて接触抵抗Xの抵抗値R’を求める。このとき、数式(1)中の抵抗値RZとして、グラフG1と車室内温度センサ40の検出温度とから求められる抵抗値ではなく、抵抗値R(1)を用いる。抵抗値R(1)は、メイン処理の実行開始後における1回目のステップ345(図7参照)で算出される輻射ヒータ30aの抵抗値である。但し、ステップ345で抵抗値R(1)が求められる前では、導通不良保護処理をスキップする。   In the present embodiment, every time it is determined as NO in step 110 that the ignition switch IG is off, the process proceeds to step 100. For this reason, regardless of the temperature of the radiant heater 30a, the microcomputer 20 itself goes into a sleep state in step 100. In step 120, it is determined that the microcomputer 20 itself is in the sleep state. For this reason, through step 130, the conduction failure protection process of step 140 is executed. That is, the conduction failure protection process is started regardless of the temperature of the radiation heater 30a. In the present embodiment, the conduction failure protection process obtains the resistance value R ′ of the contact resistance X based on the mathematical formula (1), as in the first embodiment. At this time, the resistance value R (1) is not the resistance value obtained from the graph G1 and the temperature detected by the vehicle interior temperature sensor 40, but the resistance value R (1). The resistance value R (1) is the resistance value of the radiation heater 30a calculated in the first step 345 (see FIG. 7) after the execution of the main process is started. However, before the resistance value R (1) is obtained in step 345, the conduction failure protection process is skipped.

以上説明した本実施形態によれば、輻射ヒータ30aの温度に関係なく、導通不良保護処理を実行して接触抵抗Xの抵抗値R’を求めることができる。   According to the present embodiment described above, the resistance value R ′ of the contact resistance X can be obtained by executing the conduction failure protection process regardless of the temperature of the radiation heater 30a.

(第4実施形態)
上記第1〜第3の実施形態では、温度センサを用いることなく、ヒータ温度T検知処理(A)、(B)によって検出した輻射ヒータ30aの温度Tに基づいて、自動制御処理(ステップ170)や接触保護制御(ステップ180)を実施した例について説明したが、これに代えて、本実施形態では、次のようにしてもよい。
(Fourth embodiment)
In the first to third embodiments, automatic control processing (step 170) is performed based on the temperature T of the radiant heater 30a detected by the heater temperature T detection processing (A) and (B) without using a temperature sensor. Although the example which performed contact protection control (step 180) was demonstrated, it may replace with this and may be as follows in this embodiment.

図21に本発明に係る第4実施形態における車載用輻射ヒータ制御装置1の電気回路図を示す。   FIG. 21 shows an electric circuit diagram of the in-vehicle radiant heater control device 1 according to the fourth embodiment of the present invention.

輻射ヒータ30aには、その温度を検出する温度センサとしてのサーミスタ32aが設けられている。マイクロコンピュータ20は、図5中ヒータ温度T検知(A)(ステップ150)として、サーミスタ32aによって輻射ヒータ30aの温度Tを検出する。そして、この検出した輻射ヒータ30aの温度Tに基づいて自動制御処理(ステップ170)中のステップ510の処理を実行する。さらに、マイクロコンピュータ20は、ヒータ温度T検知(B)(ステップ620、650)として、サーミスタ32aによって輻射ヒータ30aの温度Tを検出する。そして、この検出した輻射ヒータ30aの温度Tに基づいて、接触保護制御(ステップ180)中のステップ625、660の処理を実行する。   The radiant heater 30a is provided with a thermistor 32a as a temperature sensor for detecting the temperature. The microcomputer 20 detects the temperature T of the radiation heater 30a by the thermistor 32a as the heater temperature T detection (A) (step 150) in FIG. Then, based on the detected temperature T of the radiation heater 30a, the process of step 510 in the automatic control process (step 170) is executed. Further, the microcomputer 20 detects the temperature T of the radiant heater 30a by the thermistor 32a as the heater temperature T detection (B) (steps 620 and 650). Then, based on the detected temperature T of the radiation heater 30a, the processing of steps 625 and 660 in the contact protection control (step 180) is executed.

さらに、本実施形態では、サーミスタ32aの検出温度Tを用いて導通不良保護処理(ステップ140)を実施してもよい。具体的には、輻射ヒータ30aの抵抗値R(T)と温度が1対1で特定されるマップを用いる。このマップにおいて、サーミスタ32aの検出温度Tに対応関係にある輻射ヒータ30aの抵抗値R(T)を求める。そして、上記数式(1)中の抵抗値RZを抵抗値R(T)として、接触抵抗Xの抵抗値R’を求める。   Further, in this embodiment, the conduction failure protection process (step 140) may be performed using the detected temperature T of the thermistor 32a. Specifically, a map in which the resistance value R (T) of the radiant heater 30a and the temperature are specified on a one-to-one basis is used. In this map, the resistance value R (T) of the radiant heater 30a corresponding to the detected temperature T of the thermistor 32a is obtained. Then, the resistance value R ′ of the contact resistance X is obtained by using the resistance value RZ in the formula (1) as the resistance value R (T).

輻射ヒータ30b、30c、30dには、それぞれの温度を検出するサーミスタ等の温度センサ32b、32c、32dが設けられている。マイクロコンピュータ20は、輻射ヒータ30aと同様に、ヒータ温度T検知(A)(B)(ステップ150、620、650)として、サーミスタ32b、32c、32dによって輻射ヒータ30b、30c、30dの温度Tを検出する。そして、この検出した温度Tによって、自動制御処理(ステップ170)や接触保護制御(ステップ180)を輻射ヒータ毎に実施する。さらに、サーミスタ32b、32c、32dの検出温度Tを用いて導通不良保護処理(ステップ140)を実施してもよい。   The radiation heaters 30b, 30c, and 30d are provided with temperature sensors 32b, 32c, and 32d such as thermistors for detecting the respective temperatures. Similarly to the radiant heater 30a, the microcomputer 20 detects the temperature T of the radiant heaters 30b, 30c, and 30d by the thermistors 32b, 32c, and 32d as heater temperature T detection (A) and (B) (steps 150, 620, and 650). To detect. Based on the detected temperature T, automatic control processing (step 170) and contact protection control (step 180) are performed for each radiation heater. Further, the conduction failure protection process (step 140) may be performed using the detected temperature T of the thermistors 32b, 32c, 32d.

(他の実施形態)
上記第1〜第4の実施形態では、接触抵抗Xとしては、輻射ヒータ30aを介する共通接続端子60およびグランドの間の電流経路に形成されるものについて説明したが、これに代えて、接触抵抗Xとしては、輻射ヒータ30aを介する半導体スイッチ素子50出力端子およびグランドの間の電流経路において形成されるものとしてもよい。
(Other embodiments)
In the first to fourth embodiments, the contact resistance X has been described as being formed in the current path between the common connection terminal 60 and the ground via the radiation heater 30a. X may be formed in a current path between the semiconductor switch element 50 output terminal and the ground via the radiation heater 30a.

上記第1〜第4の実施形態では、ステップ350でNOと判定したときに、輻射ヒータ30a〜30dの温度が車室内の気温に一致していると判定したが、これに代えて、次のようにしてもよい。   In the first to fourth embodiments, when it is determined NO in step 350, it is determined that the temperature of the radiant heaters 30a to 30d matches the air temperature in the vehicle interior. You may do it.

すなわち、輻射ヒータ30a〜30dの作動を停止してから経過した時間を輻射ヒータ毎にタイマによりカウントして、このタイマによりカウントした時間が一定時間以上であるとき、輻射ヒータ30a〜30dの温度が車室内の気温に一致していると判定してもよい。   That is, the time elapsed after stopping the operation of the radiation heaters 30a to 30d is counted by a timer for each radiation heater, and when the time counted by this timer is a predetermined time or more, the temperature of the radiation heaters 30a to 30d is It may be determined that the temperature matches the temperature in the passenger compartment.

この場合、温度補正値ΔRを算出する回数を制限するために、タイマによりカウントした時間が一定時間以上であり、かつ車室内温度センサ40の検出温度が一定温度以下であるときに、輻射ヒータ30a〜30dの温度が車室内の気温と同一になっていると判定して、温度補正値ΔRを算出してもよい。これにより、車室内の気温が高く輻射ヒータ30a〜30dを使用する必要がない場合に、温度補正値ΔRを算出することを未然に避けることができる。   In this case, in order to limit the number of times the temperature correction value ΔR is calculated, when the time counted by the timer is equal to or longer than a certain time and the temperature detected by the vehicle interior temperature sensor 40 is equal to or lower than the certain temperature, the radiation heater 30a The temperature correction value ΔR may be calculated by determining that the temperature of ˜30d is the same as the temperature in the passenger compartment. Thereby, when the temperature in the passenger compartment is high and it is not necessary to use the radiation heaters 30a to 30d, it is possible to avoid calculating the temperature correction value ΔR in advance.

上記第1〜第4の実施形態では、電源としてバッテリを用いた例について説明したが、これに代えて、バッテリ以外の電源を用いてもよい。   In the first to fourth embodiments, the example in which the battery is used as the power source has been described. However, instead of this, a power source other than the battery may be used.

上記第1〜第4の実施形態では、輻射ヒータ30a〜30dを運転者に対して輻射熱を放射するものを用いた例について説明したが、これに限らず、助手席や後部座席に着座した乗員に対して輻射熱を放射する輻射ヒータ30a〜30dを用いてもよい。   In the first to fourth embodiments described above, an example in which the radiant heaters 30a to 30d are used to radiate radiant heat to the driver has been described. However, the present invention is not limited thereto, and the passenger is seated in the passenger seat or the rear seat. Alternatively, radiant heaters 30a to 30d that radiate radiant heat may be used.

上記第1〜第4の実施形態では、半導体スイッチ素子50を用いたPWM制御によって、バッテリから輻射ヒータ30a〜30dに供給される電力を制御した例について説明したが、これに代えて、PWM制御以外の他の制御法によって、バッテリから輻射ヒータ30a〜30dに供給される電力を制御してもよい。   In the first to fourth embodiments, the example in which the power supplied from the battery to the radiation heaters 30a to 30d is controlled by the PWM control using the semiconductor switch element 50 has been described. Instead, the PWM control is performed. The electric power supplied from the battery to the radiation heaters 30a to 30d may be controlled by another control method other than the above.

上記第1〜第4の実施形態では、図6のステップ200、210において、定電圧回路54の出力電圧に基づいて接触抵抗Xの抵抗値R’を求めた例について説明したが、これに代えて、バッテリの出力電圧に基づいて接触抵抗Xの抵抗値R’を求めてもよい。   In the first to fourth embodiments, the example in which the resistance value R ′ of the contact resistance X is obtained based on the output voltage of the constant voltage circuit 54 in steps 200 and 210 of FIG. 6 has been described. Thus, the resistance value R ′ of the contact resistance X may be obtained based on the output voltage of the battery.

具体的には、マイクロコンピュータ20は、半導体スイッチ素子51をオフし、かつ半導体スイッチ素子50をオンする。このとき、半導体スイッチ素子50がバッテリのプラス電極および抵抗素子70の間を接続する。これに伴い、バッテリから半導体スイッチ素子50、抵抗素子70、輻射ヒータ30aを通して電流が流れる。このとき、抵抗素子72、73の間の共通接続端子75から出力される電圧に基づいて、抵抗素子70のうち半導体スイッチ素子50側電極70aとグランドとの間の電圧E2を求める。さらに、この求められた電圧E2と増幅回路71から出力される電圧とに基づいて、抵抗素子70のうち輻射ヒータ30a側電極70bとグランドとの間の電圧V2とを求める。さらに、電圧E2、電圧V2、輻射ヒータ30aの抵抗値RZ、抵抗素子70の抵抗値r2を次の数式5に代入して接触抵抗Xの抵抗値R'を求める。 Specifically, the microcomputer 20 turns off the semiconductor switch element 51 and turns on the semiconductor switch element 50. At this time, the semiconductor switch element 50 connects between the positive electrode of the battery and the resistance element 70. Along with this, a current flows from the battery through the semiconductor switch element 50, the resistance element 70, and the radiation heater 30a. At this time, based on the voltage output from the common connection terminal 75 between the resistance elements 72 and 73, the voltage E2 between the semiconductor switch element 50 side electrode 70a of the resistance element 70 and the ground is obtained. Further, based on the obtained voltage E2 and the voltage output from the amplifier circuit 71, the voltage V2 between the radiation heater 30a side electrode 70b and the ground in the resistance element 70 is obtained. Furthermore, the resistance value R ′ of the contact resistance X is obtained by substituting the voltage E2, the voltage V2, the resistance value RZ of the radiation heater 30a, and the resistance value r2 of the resistance element 70 into the following Equation 5.

R’=(V2×r2/(E2−V2))−RZ・・・・数式(5)
なお、抵抗値RZは、上記第1実施形態で説明したように、図9中のグラフG1と車室内温度センサ40の検出温度とによって求められた輻射ヒータ30aの抵抗値RZである。
R ′ = (V2 × r2 / (E2−V2)) − RZ... Formula (5)
The resistance value RZ is the resistance value RZ of the radiant heater 30a obtained from the graph G1 in FIG. 9 and the detected temperature of the vehicle interior temperature sensor 40, as described in the first embodiment.

ここで、マイクロコンピュータ20は、図11の自動制御処理を実行する際に、バッテリの出力電圧に基づいて接触抵抗Xの抵抗値R’を求めるようにしてもよい。   Here, the microcomputer 20 may obtain the resistance value R ′ of the contact resistance X based on the output voltage of the battery when executing the automatic control process of FIG. 11.

上記第4実施形態では、上記第1実施形態の自動制御処理(ステップ170)や接触保護制御(ステップ180)をサーミスタ32aの検出温度Tに基づいて実施した例について説明したが、これに代えて、上記第2実施形態の自動制御処理(ステップ170)や接触保護制御(ステップ180)をサーミスタ32aの検出温度Tに基づいて実施してもよい。   In the fourth embodiment, the example in which the automatic control process (step 170) and the contact protection control (step 180) of the first embodiment are performed based on the detected temperature T of the thermistor 32a has been described. The automatic control process (step 170) and the contact protection control (step 180) of the second embodiment may be performed based on the detected temperature T of the thermistor 32a.

上記第1〜第4の実施形態では、保護フラグがセットしているときには、半導体スイッチ素子50から輻射ヒータ30aに電圧出力を停止した例について説明したが、これに限らず、半導体スイッチ素子50をPWM制御する通常制御よりも低い電圧を輻射ヒータ30aに出力してもよい。   In the first to fourth embodiments, the example in which the voltage output from the semiconductor switch element 50 to the radiation heater 30a is stopped when the protection flag is set has been described. A voltage lower than the normal control for PWM control may be output to the radiation heater 30a.

上記第2の実施形態では、図19のヒータ温度T検知処理(B)において、デューティ比Dutyが100%であるときに、ステップ340A、345Aにおいて、バッテリの出力電圧を用いて輻射ヒータ30aの温度を求める例について説明したが、これに代えて、デューティ比Dutyに関係なく、バッテリの出力電圧を用いて輻射ヒータ30aの温度を求めてもよい。   In the second embodiment, in the heater temperature T detection process (B) of FIG. 19, when the duty ratio Duty is 100%, the temperature of the radiant heater 30a is determined using the output voltage of the battery in steps 340A and 345A. However, instead of this, the temperature of the radiant heater 30a may be obtained using the output voltage of the battery regardless of the duty ratio Duty.

なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能である。   In addition, this invention is not limited to above-described embodiment, In the range described in the claim, it can change suitably. Further, the above embodiments are not irrelevant to each other, and can be combined as appropriate unless the combination is clearly impossible.

以下、上記第1〜4の実施形態の構成と本発明の特許請求の範囲における構成との間の関係を示す。   Hereinafter, the relationship between the structure of the said 1st-4th embodiment and the structure in the claim of this invention is shown.

タイマAがカウント手段に対応し、ステップ150およびサーミスタ32a〜32dが温度検出手段に対応し、ステップ170が温度制御手段に対応する。ステップ200、210が第1電圧検出手段に対応する。ステップ640が基準値算出手段に対応し、ステップ200、210が第2電圧検出手段に対応している。ステップ230が接触抵抗算出手段に対応し、ステップ240が抵抗値判定手段に対応し、ステップ320、330、340が第1の抵抗値算出手段に対応し、ステップ320、330、340が第2の抵抗値算出手段に対応し、ステップ345が第1抵抗値補正手段に対応している。ステップ340Aが第3抵抗値算出手段に対応し、ステップ345Aが第2抵抗値補正手段に対応し、ステップ350が温度判定手段に対応し、ステップ360が補正値算出手段に対応している。ステップ585が停止手段に対応し、ステップ625が微分値算出手段に対応し、ステップ630、670が接触判定手段に対応し、ステップ660が差分算出手段に対応している。   Timer A corresponds to the counting means, step 150 and thermistors 32a to 32d correspond to the temperature detecting means, and step 170 corresponds to the temperature control means. Steps 200 and 210 correspond to the first voltage detection means. Step 640 corresponds to the reference value calculation means, and steps 200 and 210 correspond to the second voltage detection means. Step 230 corresponds to the contact resistance calculation means, step 240 corresponds to the resistance value determination means, steps 320, 330 and 340 correspond to the first resistance value calculation means, and steps 320, 330 and 340 correspond to the second resistance value calculation means. Corresponding to the resistance value calculating means, step 345 corresponds to the first resistance value correcting means. Step 340A corresponds to the third resistance value calculation means, step 345A corresponds to the second resistance value correction means, step 350 corresponds to the temperature determination means, and step 360 corresponds to the correction value calculation means. Step 585 corresponds to the stop means, step 625 corresponds to the differential value calculation means, steps 630 and 670 correspond to the contact determination means, and step 660 corresponds to the difference calculation means.

1 車載用輻射ヒータ制御装置
10a〜10d ヒータ駆動回路
20 マイクロコンピュータ
30a〜30d 輻射ヒータ
32a〜32d サーミスタ(温度センサ)
40 車室内温度センサ(室温検出手段)
41 ヒータスイッチ41
50 半導体スイッチ素子(第1スイッチ素子)
51 半導体スイッチ素子(第2スイッチ素子)
52 シャント抵抗(第1抵抗素子)
54 定電圧回路
70 シャント抵抗(第2抵抗素子)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Vehicle-mounted radiation heater control apparatus 10a-10d Heater drive circuit 20 Microcomputer 30a-30d Radiation heater 32a-32d Thermistor (temperature sensor)
40 Car interior temperature sensor (room temperature detection means)
41 Heater switch 41
50 Semiconductor switch element (first switch element)
51 Semiconductor switch element (second switch element)
52 Shunt resistor (first resistor element)
54 Constant voltage circuit 70 Shunt resistor (second resistance element)

Claims (15)

車室内の乗員に輻射熱を放射する輻射ヒータ(30a〜30d)の温度を求める温度検出手段(150、32a〜32d)と、
電源とグランドとの間にて前記輻射ヒータに対して直列接続されている第1スイッチ素子(50)と、
前記温度検出手段の検出温度を目標温度に近づけるために、前記第1スイッチ素子を制御して前記電源から前記第1スイッチ素子および前記輻射ヒータを通してグランドに流れる電流を制御する温度制御手段(170)と、
前記輻射ヒータを介する前記第1スイッチ素子およびグランドの間の電流経路に形成される接触抵抗の抵抗値を求める接触抵抗算出手段(230)と、
前記接触抵抗算出手段の算出値が所定値以上であるか否かを判定する抵抗値判定手段(240)と、
前記接触抵抗算出手段の算出値が所定値以上であると前記抵抗値判定手段が判定したときには、前記電源から前記第1スイッチ素子および前記輻射ヒータを通してグランドに電流が流れることを前記第1スイッチ素子によって停止する停止手段(585)と、
を備えることを特徴とする車載用輻射ヒータ制御装置。
Temperature detection means (150, 32a to 32d) for determining the temperature of the radiation heater (30a to 30d) that radiates radiant heat to the passengers in the vehicle interior;
A first switch element (50) connected in series with the radiation heater between a power source and a ground;
Temperature control means (170) for controlling the first switch element to control the current flowing from the power source to the ground through the first switch element and the radiation heater in order to bring the temperature detected by the temperature detection means closer to the target temperature. When,
Contact resistance calculating means (230) for obtaining a resistance value of a contact resistance formed in a current path between the first switch element and the ground via the radiation heater;
Resistance value determining means (240) for determining whether or not the calculated value of the contact resistance calculating means is a predetermined value or more;
When the resistance value determining means determines that the calculated value of the contact resistance calculating means is equal to or greater than a predetermined value, the first switch element indicates that a current flows from the power source to the ground through the first switch element and the radiation heater. Stop means (585) to stop by,
An in-vehicle radiant heater control device comprising:
前記輻射ヒータに一定電圧を出力するものであって、前記第1スイッチ素子から前記輻射ヒータに電流を流す電流経路に対して独立して前記輻射ヒータに電流を流す電流経路を構成する定電圧回路(54)と、
前記輻射ヒータおよび前記第1スイッチ素子の間の共通接続端子(60)と前記定電圧回路の出力端子との間に接続されている第1抵抗素子(52)と、
前記定電圧回路および前記第1抵抗素子の間に接続されている第2スイッチ素子(51)と、
前記輻射ヒータの抵抗値を求める抵抗値検出手段(220)と、
前記電源から前記輻射ヒータに電流を流すことを停止させるように前記第1スイッチ素子を制御し、かつ前記定電圧回路および前記第1抵抗素子の間を接続させるように前記第2スイッチ素子を制御したときに、前記第1抵抗素子のうち前記第2スイッチ素子側電極(52a)とグランドとの間の第1の電圧(E1)と、前記第1抵抗素子のうち前記輻射ヒータ側電極(52b)とグランドとの間の第2の電圧(V1)とを検出する第1電圧検出手段(200、210)と、を備え、
前記接触抵抗算出手段は、前記第1電圧検出手段により検出される前記第1、第2の電圧、および前記第1抵抗素子の抵抗値に基づいて、前記輻射ヒータを介する前記共通接続端子およびグランドとの間の電流経路の抵抗値を求めるとともに、この求めた抵抗値から、前記抵抗値検出手段で求められた抵抗値を減算した値を前記接触抵抗の抵抗値として求めることを特徴とする請求項1に記載の車載用輻射ヒータ制御装置。
A constant voltage circuit that outputs a constant voltage to the radiant heater, and constitutes a current path through which current flows to the radiant heater independently of a current path from which current flows from the first switch element to the radiant heater. (54)
A first resistance element (52) connected between a common connection terminal (60) between the radiation heater and the first switch element and an output terminal of the constant voltage circuit;
A second switch element (51) connected between the constant voltage circuit and the first resistance element;
A resistance value detecting means (220) for determining a resistance value of the radiation heater;
The first switch element is controlled to stop the flow of current from the power source to the radiation heater, and the second switch element is controlled to connect between the constant voltage circuit and the first resistance element. The first voltage (E1) between the second switch element side electrode (52a) of the first resistance element and the ground, and the radiation heater side electrode (52b of the first resistance element). ) And a second voltage (V1) between the first voltage detecting means (200, 210) and ground.
The contact resistance calculation unit is configured to connect the common connection terminal and the ground via the radiation heater based on the first and second voltages detected by the first voltage detection unit and a resistance value of the first resistance element. And a value obtained by subtracting the resistance value obtained by the resistance value detecting means from the obtained resistance value is obtained as the resistance value of the contact resistance. Item 2. A vehicle-mounted radiant heater control device according to Item 1.
前記輻射ヒータの温度が車室内温度に一致しているか否かを判定する温度判定手段(120)と、
前記車室内の温度を検出する室温検出手段(40)と、
実際に車両に搭載されている前記輻射ヒータの抵抗値と温度とが1対1で特定される関係を示す温度−抵抗値特性(G1)を求める特性算出手段(360)と、を備え
前記抵抗値検出手段は、前記輻射ヒータの温度が車室内温度に一致していると前記温度判定手段が判定したときに前記室温検出手段によって検出された温度に1対1で特定される前記輻射ヒータの抵抗値を前記温度−抵抗値特性に基づいて求めるものであり、
前記接触抵抗算出手段は、前記輻射ヒータの温度が前記車室内温度に一致していると前記温度判定手段が判定したときに前記第1電圧検出手段で検出された前記第1、第2の電圧、および前記第1抵抗素子の抵抗値に基づいて、前記輻射ヒータを介する前記共通接続端子およびグランドとの間の電流経路の抵抗値を求めるとともに、この求めた抵抗値から、前記抵抗値検出手段で求められた抵抗値を減算した値を前記接触抵抗の抵抗値として求めることを特徴とする請求項2に記載の車載用輻射ヒータ制御装置。
Temperature determining means (120) for determining whether or not the temperature of the radiant heater matches the vehicle interior temperature;
Room temperature detecting means (40) for detecting the temperature in the vehicle interior;
Characteristic calculation means (360) for obtaining a temperature-resistance value characteristic (G1) indicating a one-to-one relationship between the resistance value and the temperature of the radiation heater actually mounted on the vehicle; The value detection means is configured to detect the radiant heater specified on a one-to-one basis with the temperature detected by the room temperature detection means when the temperature determination means determines that the temperature of the radiant heater coincides with a vehicle interior temperature. A resistance value is obtained based on the temperature-resistance value characteristic,
The contact resistance calculation means is configured to detect the first and second voltages detected by the first voltage detection means when the temperature determination means determines that the temperature of the radiant heater matches the cabin temperature. And a resistance value of a current path between the common connection terminal and the ground via the radiation heater based on a resistance value of the first resistance element, and the resistance value detecting means from the obtained resistance value The in-vehicle radiant heater control device according to claim 2, wherein a value obtained by subtracting the resistance value obtained in step 1 is obtained as the resistance value of the contact resistance.
前記輻射ヒータの温度が前記車室内の温度に一致していると前記温度判定手段が判定した場合において、前記電源から前記輻射ヒータに電流を流すことを停止させるように前記第1スイッチ素子を制御し、かつ前記定電圧回路および前記第1抵抗素子の間を接続させるように前記第2スイッチ素子を制御したときに、前記第1抵抗素子のうち前記第2スイッチ素子側電極(52a)とグランドとの間の第1の電圧(E1)と、前記第1抵抗素子のうち前記輻射ヒータ側電極(52b)とグランドとの間の第2の電圧(V1)とを検出し、この検出される前記第1、第2の電圧、および前記第1抵抗素子の抵抗値に基づいて、前記輻射ヒータの抵抗値を算出する第2抵抗値算出手段(320、330、340)と、
前記輻射ヒータの抵抗値の理論値と温度とが1対1で特定される関係を示す温度−抵抗理論値特性(Ga)を記憶する記憶手段と、を備え、
前記特性算出手段は、
前記輻射ヒータの温度が前記車室内の温度に一致していると前記温度判定手段が判定したときに前記室温検出手段が検出した検出温度に1対1で特定される前記輻射ヒータの抵抗値の理論値を前記温度−抵抗理論値特性に基づいて求め、この求められた前記抵抗値の理論値と前記第2抵抗値算出手段で算出された抵抗値との差分(ΔR)を求め、この求めた差分と前記温度−抵抗理論値特性とに基づいて、前記温度−抵抗値特性(G1)を求めることを特徴とする請求項3に記載の車載用輻射ヒータ制御装置。
Controlling the first switch element to stop the flow of current from the power source to the radiant heater when the temperature determination means determines that the temperature of the radiant heater matches the temperature in the passenger compartment. And when the second switch element is controlled to connect the constant voltage circuit and the first resistor element, the second switch element side electrode (52a) of the first resistor element and the ground And a second voltage (V1) between the radiation heater side electrode (52b) of the first resistance elements and the ground is detected. Second resistance value calculating means (320, 330, 340) for calculating a resistance value of the radiation heater based on the first and second voltages and a resistance value of the first resistance element ;
Storage means for storing a temperature-resistance theoretical value characteristic (Ga) indicating a relationship in which the theoretical value of the resistance value of the radiant heater and the temperature are specified on a one-to-one basis;
The characteristic calculating means includes
The resistance value of the radiation heater specified on a one-to-one basis to the detection temperature detected by the room temperature detection means when the temperature determination means determines that the temperature of the radiation heater matches the temperature in the passenger compartment. A theoretical value is obtained based on the temperature-resistance theoretical value characteristic, and a difference (ΔR) between the obtained theoretical value of the resistance value and the resistance value calculated by the second resistance value calculating means is obtained. The in-vehicle radiant heater control device according to claim 3, wherein the temperature-resistance value characteristic (G1) is obtained based on the difference and the temperature-resistance theoretical value characteristic.
前記第1スイッチ素子および前記輻射ヒータの間に接続されている第2抵抗素子(70)と、
前記輻射ヒータの抵抗値を求める抵抗値検出手段(220)と、
前記電源と前記輻射ヒータとの間を接続させるように前記第1スイッチ素子を制御しているとき、前記第2抵抗素子のうち前記第1スイッチ素子側電極(70a)とグランドとの間の第3の電圧(E2)と、前記第2抵抗素子のうち前記輻射ヒータ側電極(70b)とグランドとの間の第4の電圧(V2)とを検出する第2電圧検出手段と、を備え、
前記接触抵抗算出手段は、前記第2電圧検出手段により検出される前記第3、第4の電圧、および前記第2抵抗素子の抵抗値に基づいて、前記輻射ヒータを介する共通接続端子(60)およびグランドとの間の電流経路の抵抗値を求めるとともに、この求めた抵抗値から、前記抵抗値検出手段で求められた抵抗値を減算した値を前記接触抵抗の抵抗値として求め、
前記共通接続端子は、前記第2抵抗素子および前記輻射ヒータの間の共通接続端子であることを特徴とする請求項1に記載の車載用輻射ヒータ制御装置。
A second resistance element (70) connected between the first switch element and the radiation heater;
A resistance value detecting means (220) for determining a resistance value of the radiation heater;
When the first switch element is controlled so as to connect between the power source and the radiation heater, the first switch element side electrode (70a) of the second resistance element is connected between the first electrode and the ground. 3, and a second voltage detection means for detecting a fourth voltage (V2) between the radiation heater side electrode (70b) of the second resistance element and the ground,
The contact resistance calculating means has a common connection terminal (60) through the radiation heater based on the third and fourth voltages detected by the second voltage detecting means and the resistance value of the second resistance element. And obtaining a resistance value of the current resistance between the ground resistance and the resistance value obtained by subtracting the resistance value obtained by the resistance value detection means from the obtained resistance value,
The in-vehicle radiant heater control device according to claim 1, wherein the common connection terminal is a common connection terminal between the second resistance element and the radiation heater .
前記輻射ヒータの温度が車室内温度に一致しているか否かを判定する温度判定手段(120)と、
前記車室内の温度を検出する室温検出手段(40)と、
実際に車両に搭載されている前記輻射ヒータの抵抗値と温度とが1対1で特定される関係を示す温度−抵抗値特性(G1)を求める特性算出手段(360)と、を備え
前記抵抗値検出手段は、前記輻射ヒータの温度が車室内温度に一致していると前記温度判定手段が判定したときに前記室温検出手段によって検出された温度に1対1で特定される前記輻射ヒータの抵抗値を前記温度−抵抗値特性に基づいて求めるものであり、
前記接触抵抗算出手段は、前記輻射ヒータの温度が前記車室内温度に一致していると前記温度判定手段が判定したときに前記第2電圧検出手段で検出された前記第3、第4の電圧、および前記第2抵抗素子の抵抗値に基づいて、前記輻射ヒータおよび前記第1スイッチ素子の間の共通接続端子(60)とグランドとの間で前記輻射ヒータを介する電流経路の抵抗値を求めるとともに、この求めた抵抗値から、前記抵抗値検出手段で求められた抵抗値を減算した値を前記接触抵抗の抵抗値として求めることを特徴とする請求項5に記載の車載用輻射ヒータ制御装置。
Temperature determining means (120) for determining whether or not the temperature of the radiant heater matches the vehicle interior temperature;
Room temperature detecting means (40) for detecting the temperature in the vehicle interior;
Characteristic calculation means (360) for obtaining a temperature-resistance value characteristic (G1) indicating a one-to-one relationship between the resistance value and the temperature of the radiation heater actually mounted on the vehicle; The value detection means is configured to detect the radiant heater specified on a one-to-one basis with the temperature detected by the room temperature detection means when the temperature determination means determines that the temperature of the radiant heater coincides with a vehicle interior temperature. A resistance value is obtained based on the temperature-resistance value characteristic,
The contact resistance calculation means is configured to detect the third and fourth voltages detected by the second voltage detection means when the temperature determination means determines that the temperature of the radiant heater matches the vehicle interior temperature. And the resistance value of the current path through the radiation heater between the common connection terminal (60) between the radiation heater and the first switch element and the ground based on the resistance value of the second resistance element. And a value obtained by subtracting the resistance value obtained by the resistance value detecting means from the obtained resistance value is obtained as the resistance value of the contact resistance. .
前記輻射ヒータに一定電圧を出力するものであって、前記第1スイッチ素子から前記輻射ヒータに電流を流す電流経路に対して独立して前記輻射ヒータに電流を流す電流経路を構成する定電圧回路(54)と、
前記輻射ヒータと前記定電圧回路の出力端子との間に接続されている第1抵抗素子(52)と、
前記定電圧回路および前記第1抵抗素子の間に接続されている第2スイッチ素子(51)と、
前記輻射ヒータの温度が前記車室内の温度に一致していると前記温度判定手段が判定した場合において、前記電源から前記輻射ヒータに電流を流すことを停止させるように前記第1スイッチ素子を制御し、かつ前記定電圧回路および前記第1抵抗素子の間を接続させるように前記第2スイッチ素子を制御したときに、前記第1抵抗素子のうち前記第2スイッチ素子側電極(52a)とグランドとの間の第1の電圧(E1)と、前記第1抵抗素子のうち前記輻射ヒータ側電極(52b)とグランドとの間の第2の電圧(V1)とを検出し、この検出される前記第1、第2の電圧、および前記第1抵抗素子の抵抗値に基づいて、前記輻射ヒータの抵抗値を算出する第2抵抗値算出手段(320、330、340)と、
前記輻射ヒータの抵抗値の理論値と温度とが1対1で特定される関係を示す温度−抵抗理論値特性(Ga)を記憶する記憶手段と、
前記輻射ヒータの温度が車室内温度に一致しているか否かを判定する温度判定手段(120)と、
前記車室内の温度を検出する室温検出手段(40)と、
実際に車両に搭載されている前記輻射ヒータの抵抗値と温度とが1対1で特定される関係を示す温度−抵抗値特性(G1)を求める特性算出手段(360)と、を備え、
前記特性算出手段は、
前記輻射ヒータの温度が前記車室内の温度に一致していると前記温度判定手段が判定したときに前記室温検出手段が検出した検出温度に1対1で特定される前記輻射ヒータの抵抗値の理論値を前記温度−抵抗理論値特性に基づいて求め、この求められた前記抵抗値の理論値と前記第2抵抗値算出手段で算出された抵抗値との差分(ΔR)を求め、この求めた差分と前記温度−抵抗理論値特性とに基づいて、前記温度−抵抗値特性(G1)を求めることを特徴とする請求項5に記載の車載用輻射ヒータ制御装置。
A constant voltage circuit that outputs a constant voltage to the radiant heater, and constitutes a current path through which current flows to the radiant heater independently of a current path from which current flows from the first switch element to the radiant heater. (54)
A first resistance element (52) connected between the radiation heater and an output terminal of the constant voltage circuit;
A second switch element (51) connected between the constant voltage circuit and the first resistance element;
Controlling the first switch element to stop the flow of current from the power source to the radiant heater when the temperature determination means determines that the temperature of the radiant heater matches the temperature in the passenger compartment. And when the second switch element is controlled to connect the constant voltage circuit and the first resistor element, the second switch element side electrode (52a) of the first resistor element and the ground And a second voltage (V1) between the radiation heater side electrode (52b) of the first resistance elements and the ground is detected. Second resistance value calculating means (320, 330, 340) for calculating a resistance value of the radiation heater based on the first and second voltages and a resistance value of the first resistance element ;
Storage means for storing a temperature-resistance theoretical value characteristic (Ga) indicating a relationship in which the theoretical value of the resistance value of the radiant heater and the temperature are specified on a one-to-one basis ;
Temperature determining means (120) for determining whether or not the temperature of the radiant heater matches the vehicle interior temperature;
Room temperature detecting means (40) for detecting the temperature in the vehicle interior;
Characteristic calculation means (360) for obtaining a temperature-resistance value characteristic (G1) indicating a relationship in which the resistance value and temperature of the radiation heater actually mounted on the vehicle are specified in a one-to-one relationship;
The characteristic calculating means includes
The resistance value of the radiation heater specified on a one-to-one basis to the detection temperature detected by the room temperature detection means when the temperature determination means determines that the temperature of the radiation heater matches the temperature in the passenger compartment. A theoretical value is obtained based on the temperature-resistance theoretical value characteristic, and a difference (ΔR) between the obtained theoretical value of the resistance value and the resistance value calculated by the second resistance value calculating means is obtained. 6. The on-vehicle radiant heater control device according to claim 5, wherein the temperature-resistance value characteristic (G1) is obtained based on the difference and the temperature-resistance theoretical value characteristic.
車室内の乗員に輻射熱を放射する輻射ヒータ(30a〜30d)の温度を求める温度検出手段(150、32a〜32d)と、
電源とグランドとの間にて前記輻射ヒータに対して直列接続されている第1スイッチ素子(50)と、
前記温度検出手段の検出温度が目標温度に近づけるために、前記第1スイッチ素子によって前記電源から前記第1スイッチ素子および前記輻射ヒータを通してグランドに流れる電流を制御する温度制御手段(170)と、
前記温度検出手段の検出温度に基づいて前記輻射ヒータに被接触対象が接触したか否かを判定する接触判定手段(630、670)と、
前記輻射ヒータに被接触対象が接触したと前記接触判定手段が判定したときに、前記電源から前記第1スイッチ素子および前記輻射ヒータを通してグランドに電流が流れることを前記第1スイッチ素子によって停止する停止手段(585)と、を備えることを特徴とする車載用輻射ヒータ制御装置。
Temperature detection means (150, 32a to 32d) for determining the temperature of the radiation heater (30a to 30d) that radiates radiant heat to the passengers in the vehicle interior;
A first switch element (50) connected in series with the radiation heater between a power source and a ground;
Temperature control means (170) for controlling a current flowing from the power source to the ground through the first switch element and the radiation heater by the first switch element so that the detected temperature of the temperature detection means approaches a target temperature;
Contact determination means (630, 670) for determining whether or not a contact target is in contact with the radiation heater based on the temperature detected by the temperature detection means;
Stop when the first switch element stops the flow of current from the power source to the ground through the first switch element and the radiation heater when the contact determining means determines that the contact target is in contact with the radiation heater. Means (585), and a vehicle-mounted radiant heater control device.
前記温度制御手段を継続して実行した時間をカウントするカウント手段と、
前記輻射ヒータにおいて前記時間に対応して予想される温度を基準値(Ta)として求める基準値算出手段(640)と、
前記基準値と前記温度検出手段の検出温度との差分(ΔT)を求める差分算出手段(660)と、を備え、
前記接触判定手段は、前記差分算出手段により求められる差分が所定範囲から外れているか否かを判定することにより、前記輻射ヒータに被接触対象が接触したか否かを判定するものであることを特徴とする請求項8に記載の車載用輻射ヒータ制御装置。
Counting means for counting the time for which the temperature control means is continuously executed;
A reference value calculation means (640) for obtaining, as a reference value (Ta), an expected temperature corresponding to the time in the radiation heater;
Difference calculating means (660) for obtaining a difference (ΔT) between the reference value and the detected temperature of the temperature detecting means,
The contact determination means determines whether or not the contact target is in contact with the radiation heater by determining whether or not the difference obtained by the difference calculation means is out of a predetermined range. The in-vehicle radiant heater control device according to claim 8, wherein
前記温度検出手段の検出温度に基づいて、時間に対する前記輻射ヒータの温度の微分値を求める微分値算出手段(625)を備え、
前記接触判定手段は、前記微分値算出手段により求められる微分値が所定範囲から外れているか否かを判定することにより、前記輻射ヒータに被接触対象が接触したか否かを判定するものであることを特徴とする請求項8または9に記載の車載用輻射ヒータ制御装置。
A differential value calculating means (625) for obtaining a differential value of the temperature of the radiation heater with respect to time based on the temperature detected by the temperature detecting means;
The contact determination means determines whether or not the contact target is in contact with the radiation heater by determining whether or not the differential value obtained by the differential value calculation means is out of a predetermined range. The in-vehicle radiant heater control device according to claim 8 or 9, wherein
前記輻射ヒータに一定電圧を出力するものであって、前記第1スイッチ素子から前記輻射ヒータに電流を流す電流経路に対して独立して前記輻射ヒータに電流を流す電流経路を構成する定電圧回路(54)と、
前記輻射ヒータおよび前記第1スイッチ素子の間の共通接続端子(60)と前記定電圧回路の出力端子との間に接続されている第1抵抗素子(52)と、
前記定電圧回路および前記第1抵抗素子の間に接続されている第2スイッチ素子(51)と、
前記電源から前記輻射ヒータに電流を流すことを停止させるように前記第1スイッチ素子を制御し、かつ前記定電圧回路および前記第1抵抗素子の間を接続させるように前記第2スイッチ素子を制御したときに、前記第1抵抗素子のうち前記第2スイッチ素子側電極(52a)とグランドとの間の第1の電圧(E1)と、前記第1抵抗素子のうち前記輻射ヒータ側電極(52b)とグランドとの間の第2の電圧(V1)とを検出し、この検出される前記第1、第2の電圧、および前記第1抵抗素子の抵抗値に基づいて、前記輻射ヒータの抵抗値を算出する第1抵抗値算出手段(320、330、340)と、
実際に車両に搭載されている前記輻射ヒータの抵抗値と温度とが1対1で特定される関係を示す温度−抵抗値特性(G1)を求める特性算出手段(360)と、を備え
前記温度検出手段は、前記輻射ヒータの前記温度−抵抗値特性において前記第1抵抗値算出手段で算出された抵抗値に対して1対1で特定される前記輻射ヒータの温度を求めることを特徴とする請求項8ないし10のいずれか1つに記載の車載用輻射ヒータ制御装置。
A constant voltage circuit that outputs a constant voltage to the radiant heater, and constitutes a current path through which current flows to the radiant heater independently of a current path from which current flows from the first switch element to the radiant heater. (54)
A first resistance element (52) connected between a common connection terminal (60) between the radiation heater and the first switch element and an output terminal of the constant voltage circuit;
A second switch element (51) connected between the constant voltage circuit and the first resistance element;
The first switch element is controlled to stop the flow of current from the power source to the radiation heater, and the second switch element is controlled to connect between the constant voltage circuit and the first resistance element. The first voltage (E1) between the second switch element side electrode (52a) of the first resistance element and the ground, and the radiation heater side electrode (52b of the first resistance element ). ) And the ground, and the resistance of the radiation heater is detected based on the detected first and second voltages and the resistance value of the first resistance element. First resistance value calculating means (320, 330, 340) for calculating a value;
Characteristic calculation means (360) for obtaining a temperature-resistance value characteristic (G1) indicating a relationship in which the resistance value and temperature of the radiation heater actually mounted on the vehicle are specified in a one-to-one relationship ;
The temperature detecting means obtains the temperature of the radiant heater specified one-to-one with respect to the resistance value calculated by the first resistance value calculating means in the temperature-resistance value characteristic of the radiant heater. The on-vehicle radiant heater control device according to any one of claims 8 to 10.
前記車室内の温度を検出する室温検出手段(40)と、
前記輻射ヒータの温度が前記車室内の温度に一致しているか否かを判定する温度判定手段(350)と、
前記輻射ヒータの温度が前記車室内の温度に一致していると前記温度判定手段が判定した場合において、前記電源から前記輻射ヒータに電流を流すことを停止させるように前記第1スイッチ素子を制御し、かつ前記定電圧回路および前記第1抵抗素子の間を接続させるように前記第2スイッチ素子を制御したときに、前記第1抵抗素子のうち前記第2スイッチ素子側電極(52a)とグランドとの間の第1の電圧(E1)と、前記第1抵抗素子のうち前記輻射ヒータ側電極(52b)とグランドとの間の第2の電圧(V1)とを検出し、この検出される前記第1、第2の電圧、および前記第1抵抗素子の抵抗値に基づいて、前記輻射ヒータの抵抗値を算出する第2抵抗値算出手段(320、330、340)と、
前記輻射ヒータの抵抗値の理論値と温度とが1対1で特定される関係を示す温度−抵抗理論値特性(Ga)を記憶する記憶手段と、を備え、
前記特性算出手段は、
前記輻射ヒータの温度が前記車室内の温度に一致していると前記温度判定手段が判定したときに前記室温検出手段が検出した検出温度に1対1で特定される前記輻射ヒータの抵抗値の理論値を前記温度−抵抗理論値特性に基づいて求め、この求められた前記抵抗値の理論値と前記第2抵抗値算出手段で算出された抵抗値との差分(ΔR)を求め、この求めた差分と前記温度−抵抗理論値特性とに基づいて、前記温度−抵抗値特性(G1)を求めることを特徴とする請求項11に記載の車載用輻射ヒータ制御装置。
Room temperature detecting means (40) for detecting the temperature in the vehicle interior;
Temperature determining means (350) for determining whether or not the temperature of the radiant heater matches the temperature in the passenger compartment;
Controlling the first switch element to stop the flow of current from the power source to the radiant heater when the temperature determination means determines that the temperature of the radiant heater matches the temperature in the passenger compartment. And when the second switch element is controlled to connect the constant voltage circuit and the first resistor element, the second switch element side electrode (52a) of the first resistor element and the ground And a second voltage (V1) between the radiation heater side electrode (52b) of the first resistance elements and the ground is detected. Second resistance value calculating means (320, 330, 340) for calculating a resistance value of the radiation heater based on the first and second voltages and a resistance value of the first resistance element ;
Storage means for storing a temperature-resistance theoretical value characteristic (Ga) indicating a relationship in which the theoretical value of the resistance value of the radiant heater and the temperature are specified on a one-to-one basis;
The characteristic calculating means includes
The resistance value of the radiation heater specified on a one-to-one basis to the detection temperature detected by the room temperature detection means when the temperature determination means determines that the temperature of the radiation heater matches the temperature in the passenger compartment. A theoretical value is obtained based on the temperature-resistance theoretical value characteristic, and a difference (ΔR) between the obtained theoretical value of the resistance value and the resistance value calculated by the second resistance value calculating means is obtained. The vehicle-mounted radiant heater control device according to claim 11, wherein the temperature-resistance value characteristic (G1) is obtained based on the difference and the temperature-resistance theoretical value characteristic.
前記第1スイッチ素子および前記輻射ヒータの間に接続されている第2抵抗素子(70)と、
前記温度制御手段が前記第1スイッチ素子を制御しているとき、前記第2抵抗素子のうち前記第1スイッチ素子側電極(70a)とグランドとの間の第3の電圧(E2)と、前記第2抵抗素子のうち前記輻射ヒータ側電極(70b)とグランドとの間の第4の電圧(V2)を検出し、この検出される前記第3、第4の電圧、および前記第2抵抗素子の抵抗値に基づいて、前記輻射ヒータの抵抗値を算出する第3抵抗値算出手段(340A)と、
実際に車両に搭載されている前記輻射ヒータの抵抗値と温度とが1対1で特定される関係を示す温度−抵抗値特性(G1)を求める特性算出手段(360)と、を備え
前記温度検出手段は、前記輻射ヒータの前記温度−抵抗値特性において前記第3抵抗値算出手段で算出された抵抗値に対して1対1で特定される前記輻射ヒータの温度を求めることを特徴とする請求項8ないし10のいずれか1つに記載の車載用輻射ヒータ制御装置。
A second resistance element (70) connected between the first switch element and the radiation heater;
When the temperature control unit is controlling the first switch element, a third voltage (E2) between the first switch element side electrode (70a) of the second resistance element and the ground, Among the second resistance elements, a fourth voltage (V2) between the radiation heater side electrode (70b) and the ground is detected, and the detected third and fourth voltages, and the second resistance element. Third resistance value calculating means (340A) for calculating the resistance value of the radiation heater based on the resistance value of
Characteristic calculation means (360) for obtaining a temperature-resistance value characteristic (G1) indicating a one-to-one relationship between a resistance value and a temperature of the radiation heater actually mounted on the vehicle, The detecting means obtains the temperature of the radiant heater specified one-to-one with respect to the resistance value calculated by the third resistance value calculating means in the temperature-resistance value characteristic of the radiant heater. The in-vehicle radiant heater control device according to any one of claims 8 to 10.
前記輻射ヒータに一定電圧を出力するものであって、前記第1スイッチ素子から前記輻射ヒータに電流を流す電流経路に対して独立して前記輻射ヒータに電流を流す電流経路を構成する定電圧回路(54)と、
前記輻射ヒータおよび前記第1スイッチ素子の間の共通接続端子(60)と前記定電圧回路の出力端子との間に接続されている第1抵抗素子(52)と、
前記定電圧回路および前記第1抵抗素子の間に接続されている第2スイッチ素子(51)と、
前記輻射ヒータの温度が車室内温度に一致しているか否かを判定する温度判定手段(120)と、
前記車室内の温度を検出する室温検出手段(40)と、
前記輻射ヒータの温度が前記車室内の温度に一致していると前記温度判定手段が判定した場合において、前記電源から前記輻射ヒータに電流を流すことを停止させるように前記第1スイッチ素子を制御し、かつ前記定電圧回路および前記第1抵抗素子の間を接続させるように前記第2スイッチ素子を制御したときに、前記第1抵抗素子のうち前記第2スイッチ素子側電極(52a)とグランドとの間の第1の電圧(E1)と、前記第1抵抗素子のうち前記輻射ヒータ側電極(52b)とグランドとの間の第2の電圧(V1)とを検出し、この検出される前記第1、第2の電圧、および前記第1抵抗素子の抵抗値に基づいて、前記輻射ヒータの抵抗値を算出する第2抵抗値算出手段(320、330、340)と、
前記輻射ヒータの抵抗値の理論値と温度とが1対1で特定される関係を示す温度−抵抗理論値特性(Ga)を記憶する記憶手段と、を備え、
前記特性算出手段は、
前記輻射ヒータの温度が前記車室内の温度に一致していると前記温度判定手段が判定したときに前記室温検出手段が検出した検出温度に1対1で特定される前記輻射ヒータの抵抗値の理論値を前記温度−抵抗理論値特性に基づいて求め、この求められた前記抵抗値の理論値と前記第2抵抗値算出手段で算出された抵抗値との差分(ΔR)を求め、この求めた差分と前記温度−抵抗理論値特性とに基づいて、前記温度−抵抗値特性を求めることを特徴とする請求項13に記載の車載用輻射ヒータ制御装置。
A constant voltage circuit that outputs a constant voltage to the radiant heater, and constitutes a current path through which current flows to the radiant heater independently of a current path from which current flows from the first switch element to the radiant heater. (54)
A first resistance element (52) connected between a common connection terminal (60) between the radiation heater and the first switch element and an output terminal of the constant voltage circuit;
A second switch element (51) connected between the constant voltage circuit and the first resistance element;
Temperature determining means (120) for determining whether or not the temperature of the radiant heater matches the vehicle interior temperature;
Room temperature detecting means (40) for detecting the temperature in the vehicle interior;
Controlling the first switch element to stop the flow of current from the power source to the radiant heater when the temperature determination means determines that the temperature of the radiant heater matches the temperature in the passenger compartment. And when the second switch element is controlled to connect the constant voltage circuit and the first resistor element, the second switch element side electrode (52a) of the first resistor element and the ground And a second voltage (V1) between the radiation heater side electrode (52b) of the first resistance elements and the ground is detected. Second resistance value calculating means (320, 330, 340) for calculating a resistance value of the radiation heater based on the first and second voltages and a resistance value of the first resistance element ;
Storage means for storing a temperature-resistance theoretical value characteristic (Ga) indicating a relationship in which the theoretical value of the resistance value of the radiant heater and the temperature are specified on a one-to-one basis;
The characteristic calculating means includes
The resistance value of the radiation heater specified on a one-to-one basis to the detection temperature detected by the room temperature detection means when the temperature determination means determines that the temperature of the radiation heater matches the temperature in the passenger compartment. A theoretical value is obtained based on the temperature-resistance theoretical value characteristic, and a difference (ΔR) between the obtained theoretical value of the resistance value and the resistance value calculated by the second resistance value calculating means is obtained. The in-vehicle radiant heater control device according to claim 13, wherein the temperature-resistance value characteristic is obtained based on the difference and the temperature-resistance theoretical value characteristic.
前記温度検出手段は、前記輻射ヒータの温度を求める温度センサ(32a〜32d)であることを特徴とする請求項1ないし14のいずれか1つに記載の車載用輻射ヒータ制御装置。   The on-vehicle radiant heater control device according to any one of claims 1 to 14, wherein the temperature detecting means is a temperature sensor (32a to 32d) for obtaining a temperature of the radiant heater.
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