JP6211404B2 - 硬貨処理装置 - Google Patents

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Description

本発明は、自動販売機、両替機、精算機、券売機、サービス機器等(以下、自動販売機等と称す)に搭載される硬貨処理装置に関し、特に、挿抜可能なハーネスにより互いに電気的に接続される硬貨選別部と硬貨収納部とを備える硬貨処理装置に関する。
自動販売機等の内部には、投入された硬貨の正偽を判別すると共に、正貨と判別された硬貨を金種毎に選別収納する硬貨処理装置1Xが搭載されている。
図3は、このような従来の硬貨処理装置1Xの概略構成を示すブロック図である。図3に示すように、硬貨処理装置1Xは、投入された硬貨の正偽を判別すると共に硬貨を金種別に選別する硬貨選別部3Xと、硬貨選別部3Xで選別された硬貨を金種毎に収納すると共に、収納された硬貨の中から釣銭等の額に応じた硬貨を選択して払い出す硬貨収納部2Xと、硬貨収納部2Xと硬貨選別部3Xとを電気的に接続する中継ハーネス4と、を備える。中継ハーネス4は、挿抜可能である。硬貨処理装置1Xがこのように2つの部位に分かれている理由は、硬貨選別部3Xのみを交換可能にするためと、硬貨選別部3Xのみで使用されることもあるためである。
自動販売機等の主制御装置100は、2系統の第1高電圧電源(高電圧VH1)と第2高電圧電源(高電圧VH2)とを硬貨処理装置1Xに供給すると共に、主制御信号Sにより硬貨処理装置1Xを制御する。高電圧VH2は、高電圧VH1よりも低い。第1及び第2高電圧電源は、硬貨収納部2Xから中継ハーネス4を介して硬貨選別部3Xに供給される。
硬貨処理装置1Xの内部において、第1高電圧電源は主にソレノイド、モーター等の駆動回路23,37の電源として使用される。第2高電圧電源は、硬貨処理装置1Xの内部で、高電圧VH2よりも低い低電圧VL1の低電圧電源に変換される。低電圧電源を生成する低電圧電源回路32は、硬貨選別部3Xに配置されている。低電圧電源は、硬貨選別部3Xの硬貨選別回路35及び制御回路36の電源として使用される。さらに低電圧電源は、硬貨収納部2Xの制御回路22にも中継ハーネス4を介して供給され、制御回路22の電源としても使用される。
つまり、低電圧電源以外の電源供給の流れは、
主制御装置100

硬貨収納部2X

硬貨選別部3X
となっている。
これに対し、低電圧電源の電源供給の流れは、
主制御装置100

硬貨収納部2X
↓↑
硬貨選別部3X(第2高電圧電源から低電圧電源を生成)
となっている。即ち、低電圧電源は、硬貨選別部3Xから硬貨収納部2Xに戻されている。
このように、低電圧電源回路32を硬貨収納部2Xではなく硬貨選別部3Xに配置している理由は、次の通りである。即ち、硬貨選別部3Xの硬貨選別回路35においては、低電圧電源回路32を構成する電源IC等の個体ばらつき(一般的に数%程度)により低電圧電源の低電圧VL1がわずかに変動してしまっただけでも、硬貨の選別性能に影響してしまう。そのため、低電圧電源回路32の個体ばらつきも含めて、工場出荷時に硬貨の選別性能の調整を行っている。
仮に低電圧電源回路32を硬貨収納部2Xに配置して工場出荷時に硬貨選別性能の調整を行った場合、硬貨選別部3Xを交換した際に、硬貨選別性能の調整を再度行わなければならず、手間がかかる。
このような硬貨収納部2Xと硬貨選別部3Xとを分離可能な硬貨処理装置1Xに関連して、例えば、特許文献1に記載の装置も知られている。
特開平07−114668号公報
硬貨選別部3Xの交換は、中継ハーネス4を硬貨選別部3Xのコネクタ31から外して行う。交換作業を容易にするために、中継ハーネス4と硬貨選別部3Xのコネクタ31とは、容易に挿抜可能な構造となっている。そして、交換を行う作業者は、主制御装置100の電源を投入したまま中継ハーネス4と硬貨選別部3Xのコネクタ31との挿抜を行ってしまう可能性がある(活線挿抜)。
ここで、活線挿抜が行われる瞬間に、グランドが接続される前に電源ラインや信号ラインが接続されると、硬貨収納部2Xの制御回路22のLSIが破壊されてしまう。以下に、電源ラインを経由する破壊と、信号ラインを経由する破壊の2つの破壊モードについて、図4,5を参照して説明する。
1.電源ラインを経由する破壊
電源を投入したまま中継ハーネス4の接続を行った瞬間において、グランドが接続されていない状態で高電圧電源ラインLH1,LH2及び低電圧電源ラインLL1が先に接続されると、図4に破線で示す電流経路P1で瞬間的に過電流が流れる。これにより、硬貨収納部2X側の低電圧電源ラインLL1に瞬間的に過電圧が発生し、硬貨収納部2Xの制御回路22のLSI(マイコン等)が破壊される。
具体的には、過電流の電流経路P1は、
高電圧電源ラインLH1又はLH2 → アルミ電解コンデンサ(以下、コンデンサと称す)C1又はC2 → 硬貨選別部3Xのグランド(フローティング) → コンデンサC3又は制御回路36の内部部品 → 低電圧電源ラインLL1
となる。
このように、硬貨選別部3Xのグランドが浮いているため、硬貨選別部3Xのグランドが高電圧に持ち上げられる。これにより、低電圧電源ラインLL1もコンデンサC3又は制御回路36を介して高電圧に持ち上げられる。
低電圧電源で動作する制御回路22は、マイコンのように耐圧が低い部品で構成されている。そのため、これらの部品は、過電圧により容易に破壊されてしまう。
なお、低電圧電源回路32を硬貨収納部2Xと硬貨選別部3Xのそれぞれに設け、中継ハーネス4を介して低電圧電源を硬貨収納部2Xに供給しないようにすれば、活線挿抜時の破壊を防止できる。しかし、低電圧電源回路32が2つ必要になるため、コストアップしてしまう。
また、コンデンサC1〜C4を無くすことができれば、大電流が流れる経路が無くなるので活線挿抜時の破壊を防止できる。しかし、コンデンサC1〜C4は電源電圧の安定化のために必要であり、無くすことはできない。
2.信号ラインを経由する破壊
電源を投入したまま中継ハーネス4の接続を行った瞬間において、グランドが接続されていない状態で電源ラインLH1,LH2と信号ラインLS1,LS2が先に接続されると、図5に破線で示す電流経路P2で瞬間的に過電流が流れる。これにより、硬貨収納部2X側の制御回路22内のLSI(マイコン等)の信号入力端子及び信号出力端子に瞬間的に過電圧が発生し、このLSIが破壊される。あるいは、信号入力端子及び信号出力端子の寄生ダイオードを経由して大電流が流れてLSIの電源が投入されるため、ラッチアップが発生して破壊される。
具体的には、過電流の電流経路P2は、
高電圧電源ラインLH1又はLH2 → コンデンサC1又はC2 → 硬貨選別部3Xのグランド(フローティング) → 硬貨選別部3Xの制御回路36のLSIの信号端子(LSI内部の寄生ダイオードを経由) → 信号ラインLS1,LS2 → 硬貨収納部2Xの制御回路22のLSIの信号端子
となる。
このように、上記1と同様に、硬貨選別部3Xのグランドが浮いているため、このグランドが高電圧に持ち上げられる。これにより、硬貨選別部3Xの制御回路36のLSIの信号端子を経由して、硬貨収納部2Xの制御回路22のLSIの信号端子に過電圧が印加される。
本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、コストの増加を抑えた上で、活線挿抜が行われた時に内部の電気部品の破壊を防止できる硬貨処理装置を提供することを目的とする。
本発明の一態様による硬貨処理装置は、
投入された硬貨を選別する硬貨選別部と、
選別された前記硬貨を収納するとともに収納された硬貨を払い出す硬貨収納部と、
前記硬貨選別部と前記硬貨収納部とを電気的に接続するハーネスと、を備え、
前記硬貨収納部は、
高電圧電源に接続された第1端子と、前記硬貨選別部から前記ハーネスを介して低電圧が供給される第2端子と、接地された第1グランド端子と、を含む第1コネクタと、
前記第2端子に供給された前記低電圧により動作して、前記硬貨の収納に関連する制御を行う制御回路と、を有し、
前記硬貨選別部は、
前記ハーネスを介して前記第1コネクタに接続され、前記第1端子を介して前記高電圧電源から前記低電圧より高い高電圧が供給される第3端子と、前記第2端子に前記低電圧を供給する第4端子と、前記第1グランド端子を介して接地される第2グランド端子と、を含む第2コネクタと、
低電圧出力端子を有し、前記第3端子に供給された前記高電圧から前記低電圧を生成して前記低電圧出力端子から出力する低電圧電源回路と、
前記低電圧出力端子と前記第4端子との間に接続され、前記第2グランド端子の電圧と前記低電圧出力端子の電圧との差が所定のしきい値以上である場合に、前記低電圧出力端子と前記第4端子とを電気的に接続し、前記第2グランド端子の電圧と前記低電圧出力端子の電圧との差が前記しきい値未満である場合に、前記低電圧出力端子と前記第4端子との電気的な接続を遮断するスイッチ回路と、を有することを特徴とする。
本発明の他の一態様による硬貨処理装置は、
投入された硬貨を選別する硬貨選別部と、
選別された前記硬貨を収納するとともに収納された硬貨を払い出す硬貨収納部と、
前記硬貨選別部と前記硬貨収納部とを電気的に接続するハーネスと、を備え、
前記硬貨収納部は、
高電圧電源に接続された第1端子と、前記硬貨選別部から前記ハーネスを介して低電圧が供給される第2端子と、接地された第1グランド端子と、を含む第1コネクタと、
前記第2端子に供給された前記低電圧により動作して、前記硬貨の収納に関連する制御を行う制御回路と、を有し、
前記硬貨選別部は、
前記ハーネスを介して前記第1コネクタに接続され、前記第1端子を介して前記高電圧電源から前記低電圧より高い高電圧が供給される第3端子と、前記第2端子に前記低電圧を供給する第4端子と、前記第1グランド端子を介して接地される第2グランド端子と、を含む第2コネクタと、
電源端子を有し、前記電源端子に供給された電圧から前記低電圧を生成して前記第4端子に出力する低電圧電源回路と、
前記第3端子と前記電源端子との間に接続され、前記第2グランド端子の電圧と前記第3端子の電圧との差が所定のしきい値以上である場合に、前記第3端子と前記電源端子とを電気的に接続し、前記第2グランド端子の電圧と前記第3端子の電圧との差が前記しきい値未満である場合に、前記第3端子と前記電源端子との電気的な接続を遮断するスイッチ回路と、を有することを特徴とする。
本発明によれば、コストの増加を抑えた上で、活線挿抜が行われた時に内部の電気部品の破壊を防止できる。
第1の実施形態に係る硬貨処理装置の概略構成を示すブロック図である。 第2の実施形態に係る硬貨処理装置の概略構成を示すブロック図である。 従来の硬貨処理装置の概略構成を示すブロック図である。 従来の硬貨処理装置の電源ラインを経由する過電流の経路を説明する図である。 従来の硬貨処理装置の信号ラインを経由する過電流の経路を説明する図である。
以下に、図面を参照して本発明の一実施形態について説明する。この実施形態は、本発明を限定するものではない。
(第1の実施形態)
第1の実施形態は、硬貨選別部の低電圧電源ラインにスイッチ回路が設けられていることを特徴の1つとする。
図1は、第1の実施形態に係る硬貨処理装置1の概略構成を示すブロック図である。図1に示すように、硬貨処理装置1は、硬貨収納部2と、硬貨選別部3と、中継ハーネス(ハーネス)4と、を備える。図1では、図3の従来の硬貨処理装置1Xと共通する構成部分には同一の符号を付しており、以下では相違点を中心に説明する。
硬貨選別部3は、投入された硬貨の正偽を判別すると共に硬貨を金種別に選別する。硬貨収納部2は、硬貨選別部3で選別された硬貨を収納すると共に、収納された硬貨の中から釣銭等の額に応じた硬貨を選択して払い出す。
硬貨収納部2は、第1コネクタ21と、制御回路22と、駆動回路23と、ツェナーダイオードZD1と、ダイオードD3,D4と、を有する。これらは、中継基板上に設けられている。
第1コネクタ21は、高電圧電源端子TH1と、高電圧電源端子(第1端子)TH2と、低電圧電源端子(第2端子)TL1と、第1グランド端子TG1と、信号端子TS1,TS2と、を含む。
高電圧電源端子TH1は、主制御装置100の第1高電圧電源に接続されている。高電圧電源端子TH2は、主制御装置100の第2高電圧電源に接続されている。低電圧電源端子TL1は、硬貨選別部3から中継ハーネス4を介して低電圧VL1が供給される。
第1グランド端子TG1は、主制御装置100において接地されている。第1グランド端子TG1には、硬貨収納部2の各部のグランドが接続されている。
制御回路22は、低電圧電源端子TL1に供給された低電圧VL1により動作して、信号端子TS1から制御信号S1を受け、信号端子TS2に制御信号S2を出力し、硬貨の収納に関連する制御を行う。例えば、制御信号S1は、硬貨の払い出しを指示する信号であり、制御信号S2は、硬貨を収納するカセットが装着されているか否かを示す信号である。
駆動回路23は、第1高電圧電源からの高電圧VH1(例えば、24V)により動作して、制御回路22の制御に応じて、硬貨を払い出すための機構(図示せず)を駆動する。
ツェナーダイオードZD1は、第1グランド端子TG1に接続されたアノードと、低電圧電源端子TL1に接続されたカソードと、を有する。
ダイオードD3は、信号端子TS1に接続されたアノードと、低電圧電源端子TL1に接続されたカソードと、を有する。
ダイオードD4は、信号端子TS2に接続されたアノードと、低電圧電源端子TL1に接続されたカソードと、を有する。
硬貨選別部3は、第2コネクタ31と、低電圧電源回路32,33と、スイッチ回路34と、硬貨選別回路35と、制御回路36と、駆動回路37と、抵抗R3,R4と、ダイオードD1,D2と、コンデンサC1〜C4と、を有する。これらは、主制御基板上に設けられている。
第2コネクタ31は、中継ハーネス4を介して第1コネクタ21に接続される。第2コネクタ31は、高電圧電源端子TH3と、高電圧電源端子(第3端子)TH4と、低電圧電源端子(第4端子)TL2と、第2グランド端子TG2と、信号端子TS3,TS4と、を含む。
高電圧電源端子TH3は、高電圧電源端子TH1を介して主制御装置100の第1高電圧電源から高電圧VH1が供給される。高電圧電源端子TH4は、高電圧電源端子TH2を介して主制御装置100の第2高電圧電源から高電圧VH2(例えば、8V)が供給される。低電圧電源端子TL2は、低電圧電源端子TL1に低電圧VL1を供給する。
第2グランド端子TG2は、第1グランド端子TG1を介して接地される。第2グランド端子TG2には、硬貨選別部3の各部のグランドが接続されている。
低電圧電源回路32は、低電圧出力端子32tを有し、高電圧電源端子TH4に供給された高電圧VH2から低電圧VL1(例えば、5V)を生成して低電圧出力端子32tから出力する。
低電圧電源回路33は、高電圧電源端子TH3に供給された高電圧VH1から低電圧VL2(例えば、12V)を生成して出力する。つまり、低電圧電源回路32,33は降圧回路である。
スイッチ回路34は、低電圧出力端子32tと低電圧電源端子TL2との間に接続されている。即ちスイッチ回路34は、低電圧電源ラインLL1に設けられている。
スイッチ回路34は、第2グランド端子TG2の電圧と低電圧出力端子32tの電圧との差が所定のしきい値以上である場合に、低電圧出力端子32tと低電圧電源端子TL2とを電気的に接続する。また、スイッチ回路34は、第2グランド端子TG2の電圧と低電圧出力端子32tの電圧との差がしきい値未満である場合に、低電圧出力端子32tと低電圧電源端子TL2との電気的な接続を遮断する。
スイッチ回路34は、pnp型バイポーラトランジスタ(以下、トランジスタと称す)TR1と、第1の抵抗R1と、第2の抵抗R2と、を有する。
トランジスタTR1は、低電圧出力端子32tに接続されたエミッタ(一端)と、低電圧電源端子TL2に接続されたコレクタ(他端)と、を有する。
第1の抵抗R1は、トランジスタTR1のエミッタと、トランジスタTR1のベース(制御端子)との間に接続されている。
第2の抵抗R2は、トランジスタTR1のベースと、第2グランド端子TG2との間に接続されている。
コンデンサC1は、高電圧電源端子TH3と第2グランド端子TG2との間に接続されている。コンデンサC2は、高電圧電源端子TH4と第2グランド端子TG2との間に接続されている。コンデンサC3は、低電圧出力端子32tと第2グランド端子TG2との間に接続されている。コンデンサC4は、一端に低電圧VL2が供給され、他端が第2グランド端子TG2に接続されている。
硬貨選別回路35は、低電圧VL1,VL2により動作して硬貨の選別を行う。硬貨の選別性能は、低電圧VL1,VL2の大きさに依存する。
制御回路36は、低電圧VL1により動作して、制御信号S1を出力し、制御信号S2を受け、硬貨選別回路35の選別結果に応じて駆動回路37を制御する。
駆動回路37は、高電圧VH1により動作して、第2制御回路36の制御に応じて、硬貨を金種別に選別する(振り分ける)ための機構(図示せず)を駆動する。
抵抗R3は、一端に制御信号S1が供給され、他端が信号端子TS3に接続されている。抵抗R4は、一端から制御信号S2を出力し、他端が信号端子TS4に接続されている。
ダイオードD1は、アノードが第2グランド端子TG2に接続され、カソードが抵抗R3の一端に接続されている。ダイオードD2は、アノードが第2グランド端子TG2に接続され、カソードが抵抗R4の一端に接続されている。
次に、硬貨処理装置1の電源供給動作について説明する。
第1コネクタ21と第2コネクタ31の全ての端子が中継ハーネス4を介して正しく接続されている通常動作時においては、第2グランド端子TG2は第1グランド端子TG1を介して接地されている。この時、第2グランド端子TG2の電圧と低電圧出力端子32tの低電圧VL1との差がしきい値以上になるため、トランジスタTR1は常にオンしている。従って、低電圧VL1は、オンのトランジスタTR1を介して硬貨選別部3から硬貨収納部2に正常に供給される。
一方、活線挿抜が行われて硬貨選別部3の第2グランド端子TG2のみが接続されていない場合、フロ−ティング状態にある第2グランド端子TG2の電圧はコンデンサC1,C2を介して瞬間的に高電圧VH1に上昇する。また、電圧出力端子32tの電圧もコンデンサC3を介して第2グランド端子TG2の電圧と等しくなるので、トランジスタTR1はオフになり、電圧出力端子32tと低電圧電源端子TL2との電気的な接続は遮断される。これにより、低電圧電源端子TL2への過電流および過電圧が遮断されるため、低電圧電源端子TL1を介して低電圧電源端子TL2に接続されている硬貨収納部2の制御回路22に過電圧が加えられない。
また、信号ラインを経由する破壊に関しては、ダイオードD1,D2により、制御回路36の内部のLSIの寄生ダイオード等を流れる過電流をバイパスし、ダイオードD3,D4により、制御回路22の内部のLSIの寄生ダイオード等を流れる過電流をバイパスすることにより、これらのLSIの破壊またはダメージを防ぐことができる。また、抵抗R3,R4により、ダイオードD1〜D4等を流れる過電流を制限できる。さらに、ツェナーダイオードZD1により、バイパスされた過電流による低電圧VL1の上昇を抑えることができる。
ツェナーダイオードZD1に流れる電流は、抵抗R3,R4により制限されて十分に小さい値になっているので、ツェナーダイオードZD1の電流容量は小さいものを用いることができる。よって、ツェナーダイオードZD1として、図3の従来技術と同じものを用いることができる。
抵抗R3,R4により十分に電流が制限できている場合には、ダイオードD1〜D4およびツェナーダイオードZD1は設けなくてもよい。
このように、本実施形態によれば、第2グランド端子TG2の電圧と電圧出力端子32tの電圧との差がしきい値未満である場合に、電圧出力端子32tと低電圧電源端子TL2との電気的な接続を遮断するスイッチ回路34を硬貨選別部3に設けている。これにより、活線挿抜が行われて硬貨選別部3の第2グランド端子TG2のみが接続されていない場合に、硬貨収納部2の制御回路22に過電圧が加えられないようにできる。
また、スイッチ回路34は、トランジスタTR1と、第1及び第2の抵抗R1,R2とにより構成できるので、安価である。
従って、コストの増加を抑えた上で、活線挿抜が行われた時に内部の電気部品の破壊を防止できる。
(第2の実施形態)
第2の実施形態は、1系統の高電圧電源と2系統の低電圧電源とにより動作し、スイッチ回路が高電圧電源ラインに設けられている点が第1の実施形態と異なる。
図2は、第2の実施形態に係る硬貨処理装置1aの概略構成を示すブロック図である。図2では、図1と共通する構成部分には同一の符号を付しており、以下では相違点を中心に説明する。
硬貨収納部2aの第1コネクタ21aは、高電圧電源端子(第1端子)TH1aと、低電圧電源端子TL1aと、低電圧電源端子(第2端子)TL2aと、第1グランド端子TG1と、信号端子TS1,TS2と、を含む。
高電圧電源端子TH1aは、主制御装置100aの高電圧電源に接続されている。低電圧電源端子TL1aは、硬貨選別部3aから中継ハーネス4を介して低電圧VL1が供給される。低電圧電源端子TL2aは、硬貨選別部3aから中継ハーネス4を介して低電圧VL2が供給される。
硬貨収納部2aの制御回路22は、低電圧電源端子TL1aに供給された低電圧VL1と、低電圧電源端子TL2aに供給された低電圧VL2とにより動作する。
硬貨選別部3aは、第2コネクタ31aと、低電圧電源回路32,33と、スイッチ回路34aと、硬貨選別回路35と、制御回路36と、駆動回路37と、抵抗R3,R4と、ダイオードD1,D2と、コンデンサC1,C3,C4と、を有する。
第2コネクタ31aは、高電圧電源端子(第3端子)TH2aと、低電圧電源端子TL3aと、低電圧電源端子(第4端子)TL4aと、第2グランド端子TG2と、信号端子TS3,TS4と、を含む。
高電圧電源端子TH2aは、高電圧電源端子TH1aを介して主制御装置100aの高電圧電源から高電圧VH1が供給される。低電圧電源端子TL3aは、低電圧電源端子TL1aに低電圧VL1を供給する。低電圧電源端子TL4aは、低電圧電源端子TL2aに低電圧VL2を供給する。
低電圧電源回路33は、電源端子33tを有し、電源端子33tに供給された高電圧VH1から低電圧VL2を生成して低電圧電源端子TL4aに出力する。
低電圧電源回路32は、低電圧VL2から低電圧VL1を生成して低電圧電源端子TL3aに出力する。
スイッチ回路34aは、高電圧電源端子TH2aと電源端子33tとの間に接続されている。即ちスイッチ回路34aは、高電圧電源ラインLH1に設けられている。
スイッチ回路34aは、第2グランド端子TG2の電圧と高電圧電源端子TH2aの電圧との差が所定のしきい値以上である場合に、高電圧電源端子TH2aと電源端子33tとを電気的に接続する。また、スイッチ回路34aは、第2グランド端子TG2の電圧と高電圧電源端子TH2aの電圧との差がしきい値未満である場合に、高電圧電源端子TH2aと電源端子33tとの電気的な接続を遮断する。
スイッチ回路34aは、トランジスタTR1と、第1の抵抗R1と、第2の抵抗R2と、ツェナーダイオードZD2と、を有する。
トランジスタTR1は、高電圧電源端子TH2aに接続されたエミッタと、電源端子33tに接続されたコレクタと、を有する。
第1の抵抗R1は、トランジスタTR1のエミッタとトランジスタTR1のベースとの間に接続されている。第2の抵抗R2は、トランジスタTR1のベースに接続された一端を有する。
ツェナーダイオードZD2は、第2の抵抗R2の他端と第2グランド端子TG2との間に接続されている。具体的には、ツェナーダイオードZD2は、アノードが第2グランド端子TG2に接続され、カソードが第2の抵抗R2に接続されている。
ツェナーダイオードZD2のツェナー電圧は、高電圧VH1から、硬貨収納部2aの制御回路22が許容可能な低電圧VL1の最大値と、制御回路22が許容可能な低電圧VL2の最大値との何れか低い値を減算した値より高い。制御回路22が許容可能な低電圧VL1,VL2の最大値とは、制御回路22の破壊またはダメージを防止できる最大値を意味する。
スイッチ回路34aのしきい値は、ツェナーダイオードZD2のツェナー電圧とほぼ等しい。
コンデンサC1は、電源端子33tと第2グランド端子TG2との間に接続されている。コンデンサC3は、一端に低電圧VL1が供給され、他端が第2グランド端子TG2に接続されている。コンデンサC4は、一端に低電圧VL2が供給され、他端が第2グランド端子TG2に接続されている。
次に、硬貨処理装置1aの電源供給動作について説明する。
通常動作時においては、第2グランド端子TG2は第1グランド端子TG1を介して接地されている。この時、第2グランド端子TG2の電圧と高電圧電源端子TH2aの高電圧VH1との差がしきい値以上になるため、ツェナーダイオードZD2及びトランジスタTR1は常にオンしている。従って、高電圧VH1は、オンのトランジスタTR1を介して低電圧電源回路33の電源端子33tに正常に供給される。
一方、活線挿抜が行われて硬貨選別部3aの第2グランド端子TG2のみが接続されていない場合、高電圧電源端子TH2aから、第1の抵抗R1、第2の抵抗R2、ツェナーダイオードZD2、硬貨選別部3aのグランド(第2グランド端子TG2)、ダイオードD1(又はD2)、抵抗R3(又はR4)、ダイオードD3(又はD4)、ツェナーダイオードZD1、硬貨収納部2aのグランドの順に電流が流れる。これにより、トランジスタTR1がオンになる。
トランジスタTR1がオンになると、トランジスタTR1及びコンデンサC1を介して硬貨選別部3aのグランドに電流が流れ、このグランドの電圧が上昇する。硬貨選別部3aのグランドの電圧は、低電圧VL1,VL2とほぼ等しい。
そして、硬貨選別部3aのグランドの電圧がある電圧まで上昇した瞬間に、ツェナーダイオードZD2の両端の電圧はツェナー電圧未満になり、ツェナーダイオードZD2はオフする。これにより、トランジスタTR1はオフする。
ここで、ツェナーダイオードZD2のツェナー電圧は、前述のように設定されているため、低電圧VL1,VL2が許容可能な最大値を超える前に、ツェナーダイオードZD2がオフする。
従って、硬貨収納部2aの制御回路22に、許容可能な最大値を超える過電圧が加えられないようにできる。
また、信号ラインを経由する破壊に関しては、第1の実施形態と同様に防ぐことができる。
これに対して、スイッチ回路34aが設けられていない場合には、活線挿抜が行われて硬貨選別部3aの第2グランド端子TG2のみが接続されていない場合に、従来技術と同様に、例えば以下の電流経路で過電流が流れる。
高電圧電源ラインLH1 → コンデンサC1 → 硬貨選別部3aのグランド(フローティング) → コンデンサC3,C4又は制御回路36の内部部品 → 低電圧電源ラインLL1,LL2
従って、スイッチ回路34aが設けられていない場合には、過電圧が加えられて硬貨収納部2aの制御回路22のLSIが破壊されてしまうが、本実施形態ではこれを防止できる。
このように、本実施形態によれば、第2グランド端子TG2の電圧と高電圧電源端子TH2aの電圧との差がしきい値未満である場合に、高電圧電源端子TH2aと電源端子33tとの電気的な接続を遮断するスイッチ回路34aを硬貨選別部3aに設けている。これにより、活線挿抜が行われて硬貨選別部3aの第2グランド端子TG2のみが接続されていない場合に、硬貨収納部2aの制御回路22に過電圧が加えられないようにできる。
また、スイッチ回路34aは、トランジスタTR1と、第1及び第2の抵抗R1,R2と、ツェナーダイオードZD2とにより構成できるので、安価である。従って、第1の実施形態と同様の効果が得られる。
なお、第1及び第2の実施形態において、トランジスタTR1としてP型電界効果トランジスタを用いてもよい。
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
1,1a 硬貨処理装置
2,2a 硬貨収納部
3,3a 硬貨選別部
4,4a 中継ハーネス
21,21a 第1コネクタ
22 制御回路
23 駆動回路
31,31a 第2コネクタ
32,33 低電圧電源回路
34,34a スイッチ回路
35 硬貨選別回路
36 制御回路
37 駆動回路
TR1 トランジスタ
R1 第1の抵抗
R2 第2の抵抗
R3,R4 抵抗
D1〜D4 ダイオード
C1〜C4 コンデンサ
ZD1,ZD2 ツェナーダイオード

Claims (5)

  1. 投入された硬貨を選別する硬貨選別部と、
    選別された前記硬貨を収納するとともに収納された硬貨を払い出す硬貨収納部と、
    前記硬貨選別部と前記硬貨収納部とを電気的に接続するハーネスと、を備え、
    前記硬貨収納部は、
    高電圧電源に接続された第1端子と、前記硬貨選別部から前記ハーネスを介して低電圧が供給される第2端子と、接地された第1グランド端子と、を含む第1コネクタと、
    前記第2端子に供給された前記低電圧により動作して、前記硬貨の収納に関連する制御を行う制御回路と、を有し、
    前記硬貨選別部は、
    前記ハーネスを介して前記第1コネクタに接続され、前記第1端子を介して前記高電圧電源から前記低電圧より高い高電圧が供給される第3端子と、前記第2端子に前記低電圧を供給する第4端子と、前記第1グランド端子を介して接地される第2グランド端子と、を含む第2コネクタと、
    低電圧出力端子を有し、前記第3端子に供給された前記高電圧から前記低電圧を生成して前記低電圧出力端子から出力する低電圧電源回路と、
    前記低電圧出力端子と前記第4端子との間に接続され、前記第2グランド端子の電圧と前記低電圧出力端子の電圧との差が所定のしきい値以上である場合に、前記低電圧出力端子と前記第4端子とを電気的に接続し、前記第2グランド端子の電圧と前記低電圧出力端子の電圧との差が前記しきい値未満である場合に、前記低電圧出力端子と前記第4端子との電気的な接続を遮断するスイッチ回路と、を有する
    ことを特徴とする硬貨処理装置。
  2. 前記スイッチ回路は、
    前記低電圧出力端子に接続された一端と、前記第4端子に接続された他端と、を有するトランジスタと、
    前記トランジスタの一端と、前記トランジスタの制御端子との間に接続された第1の抵抗と、
    前記トランジスタの制御端子と、前記第2グランド端子との間に接続された第2の抵抗と、
    を有することを特徴とする請求項1に記載の硬貨処理装置。
  3. 投入された硬貨を選別する硬貨選別部と、
    選別された前記硬貨を収納するとともに収納された硬貨を払い出す硬貨収納部と、
    前記硬貨選別部と前記硬貨収納部とを電気的に接続するハーネスと、を備え、
    前記硬貨収納部は、
    高電圧電源に接続された第1端子と、前記硬貨選別部から前記ハーネスを介して低電圧が供給される第2端子と、接地された第1グランド端子と、を含む第1コネクタと、
    前記第2端子に供給された前記低電圧により動作して、前記硬貨の収納に関連する制御を行う制御回路と、を有し、
    前記硬貨選別部は、
    前記ハーネスを介して前記第1コネクタに接続され、前記第1端子を介して前記高電圧電源から前記低電圧より高い高電圧が供給される第3端子と、前記第2端子に前記低電圧を供給する第4端子と、前記第1グランド端子を介して接地される第2グランド端子と、を含む第2コネクタと、
    電源端子を有し、前記電源端子に供給された電圧から前記低電圧を生成して前記第4端子に出力する低電圧電源回路と、
    前記第3端子と前記電源端子との間に接続され、前記第2グランド端子の電圧と前記第3端子の電圧との差が所定のしきい値以上である場合に、前記第3端子と前記電源端子とを電気的に接続し、前記第2グランド端子の電圧と前記第3端子の電圧との差が前記しきい値未満である場合に、前記第3端子と前記電源端子との電気的な接続を遮断するスイッチ回路と、を有する
    ことを特徴とする硬貨処理装置。
  4. 前記スイッチ回路は、
    前記第3端子に接続された一端と、前記電源端子に接続された他端と、を有するトランジスタと、
    前記トランジスタの一端と前記トランジスタの制御端子との間に接続された第1の抵抗と、
    前記トランジスタの制御端子に接続された一端を有する第2の抵抗と、
    前記第2の抵抗の他端と前記第2グランド端子との間に接続されたツェナーダイオードと、
    を有することを特徴とする請求項3に記載の硬貨処理装置。
  5. 前記ツェナーダイオードのツェナー電圧は、前記高電圧から、前記制御回路が許容可能な前記低電圧の最大値を減算した値より高いことを特徴とする請求項4に記載の硬貨処理装置。
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