JP6195286B2 - 配向増大型有機フォトリフラクティブ材料の加熱方法および光デバイス - Google Patents
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Description
(1)配向増大型有機フォトリフラクティブ材料に対して交流電界を印加することよって誘電加熱する加熱工程を含む、配向増大型有機フォトリフラクティブ材料の加熱方法。
(2)上記加熱工程は、上記配向増大型有機フォトリフラクティブ材料に対して干渉光を照射する事前に、または、干渉光を照射するときに行われる、(1)に記載の加熱方法。
(3)上記交流電界は、周波数が1kHz以上で50kHz以下の範囲内であり、かつ、振幅(半値全幅)が0V/μm以上で100V/μm以下の範囲内である、(1)または(2)に記載の加熱方法。
(4) 上記配向増大型有機フォトリフラクティブ材料は、
カルバゾール誘導体ポリマー、フェニレンビニレン誘導体ポリマー、およびテトラフェニルジアミノビフェニル誘導体ポリマーからなる群より選択される少なくとも一種の化合物を光導電性分子として含み、かつ、
アゾ色素、ジシアノスチレン誘導体、ジシアノメチレンジハイドロフラン誘導体、およびポリエン誘導体からなる群より選択される少なくとも一種の色素を複屈折性光学色素として含む、(1)から(3)の何れかに記載の加熱方法。
(5)配向増大型有機フォトリフラクティブ材料を含むフォトリフラクティブ層および当該フォトリフラクティブ層を挟み込む一対の電極を備えたフォトリフラクティブセルと、上記フォトリフラクティブ層に干渉光を照射する干渉光照射装置と、一対の上記電極に交流電界を印加する電界印加装置と、を備えた光デバイス。
(6)上記電界印加装置は、一対の上記電極に、直流電界のみを印加するか、または直流電界に重畳して上記交流電界を印加することも可能に構成されている、(5)に記載の光デバイス。
(7)上記電界印加装置は、上記フォトリフラクティブ層に対して干渉光を照射する事前に、または、干渉光を照射するときに、上記交流電界を印加する、(5)または(6)に記載の光デバイス。
以下、本発明に係る配向増大型有機フォトリフラクティブ材料の加熱方法について詳細に説明する。本発明に係る配向増大型有機フォトリフラクティブ材料の加熱方法は、配向増大型有機フォトリフラクティブ材料に対して交流電界を印加することよって誘電加熱する加熱工程を含んでなる。
誘電加熱は、外部から誘電体に印加される交流電界に対して、誘電体中での分子の配向が追従できなくなったときに生じる。分子の配向が交流電界の向きの変化に追従できなくなることでエネルギーが消費されて熱が発生する。配向増大型有機フォトリフラクティブ材料は誘電体であるため、交流電界の印加によって誘電加熱が生じる(実施例も参照)。
本発明において、配向増大型有機フォトリフラクティブ材料とは、少なくとも光導電性分子および複屈折性光学色素(複屈折性光学クロモフォア)を含む有機フォトリフラクティブ材料であって、複屈折性光学色素の配向状態が内部電界(空間電界)の発生によって変化する材料を広く指す。なお、内部電界の発生とは、配向増大型フォトリフラクティブ材料に干渉光を照射したときに当該材料内で生じる電界、すなわちフォトリフラクティブ効果を生じさせる電界を指す。
誘電加熱においては、印加する交流電界の周波数および振幅強度の少なくとも一方を制御することによって、加熱の程度を制御することができる。従って、配向増大型有機フォトリフラクティブ材料に印加する交流電界の周波数および振幅強度は、当該材料の種類、および当該材料をどの程度加温するかに応じて適宜設定すればよい。一例において、交流電界の周波数は、より円滑に空間電界の形成をする観点では1kHz以上であることが好ましく、3kHz以上であることがより好ましい。交流電界の周波数は高いほどより迅速な加温が可能であるが、交流電界を発生させる装置の簡素化という観点では50kHz以下であることが好ましく、10kHz以下であることがより好ましく、5kHz以下であることがさらに好ましい場合がある。また、装置のコンパクト化と材料の加温に伴う光誘起屈折率変化の抑制とをバランスよく両立させるという観点では、振幅強度に相当する半値全幅振幅は、0V/μm以上で100V/μm以下の範囲内であることが好ましく、0V/μm以上で50V/μm以下がより好ましい。当該材料はこのように低周波数かつ低振幅強度の交流電界の印加で所望される程度の加熱を行うことができるため、電力の消費量を抑制することができ、コストの削減およびエネルギー使用の効率化を実現することができる。さらに、当該材料にかかる負荷が少ないので、当該材料を破損する恐れもない。
本実施形態に係る光デバイス200は、図1に示すように、フォトリフラクティブセル100と、干渉光照射光源(干渉光照射装置)31と、電界印加装置32とを少なくとも備えてなる。
各実施例および比較例で共通に用いた配向増大型有機フォトリフラクティブ材料(以下、有機PR材料と称する)は、光導電性分子としてポリビニルカルバゾールを39.4重量%、可塑剤としてEHCzを20重量%、増感色素としてフラーレンを0.6重量%および複屈折性光学色素としてAODCSTを30重量%、構成成分として含むものである。この有機PR材料のガラス転移温度Tgは約−30℃である。
誘電加熱は、外部から誘電体に印加される交流電界に対して、誘電体中での分子の配向が追従できなくなったときに生じる。分子の配向が交流電界の向きの変化に追従できなくなることでエネルギーが消費されて熱が発生する。消費されるエネルギーをPとし、交流電界の振幅(半値全幅)をE、交流電界の周波数をf、材料(誘電体)の比誘電率の虚部をεr´とすれば、次式の関係で表される。
まず、上記サンドウィッチセルを構成するそれぞれのITOガラス基板を、リード線を介して誘電率測定装置(ソーラトロン社、1296型)の測定用端子に接続して、有機PR材料に交流電界を印加した。そして、印加する交流電界の周波数fを変化させた時の誘電率を測定し、比誘電率の虚部εr´の絶対値を求めることで、εr´の絶対値と周波数fとの相関性を調べた。結果を図2に示す。図2に示すように、εr´の絶対値は、周波数fが10kHz周辺をピークとする分布を持つ。上述の(1)式からも考慮されるように、kHz程度の周波数fの交流電界を印加することで、熱が発生し得ることが予測された。
次に、上記サンドウィッチセルを構成するそれぞれのITOガラス基板を、リード線を介して高電圧アンプ装置(松定プレシジョン社、HEOPT−5B20)の端子に接続した。そして、振幅E(半値全幅)が15V/μmの交流電界を、周波数fを変えながら印加して、有機PR材料が発熱することによって起こる材料温度の上昇を調べた。有機PR材料の温度はサーモグラフィー(アピステ社FSV―1200)を用いて測定した。結果を図3に示す。図3は、交流電界の周波数fを変化させた時の有機PR材料の温度(T)を示す。図2の結果から予想されたように、kHz程度の周波数fの交流電界を印加することで、有機PR材料が発熱した。
上述の(1)式より分かるように、誘電加熱の場合には、周波数fの制御によってだけでなく電界強度の制御によっても温度の制御が可能である。そこで、高電圧アンプ装置(松定プレシジョン社、HEOPT−5B20)を用いて、周波数fを10kHzに固定した交流電界を、その電界強度である振幅E(半値全幅)を変化させながら印加して、有機PR材料の温度上昇を調べた。結果を図4に示す。図4は、印加した交流電界の振幅E(半値全幅)と、配向増大型有機フォトリフラクティブ材料の温度との関係を示した図である。
本実施例では、有機PR材料に交流電界を印加して誘電加熱したときの光誘起屈折率変化への影響を調べた。
有機PR材料を、従来の外部熱源による加熱方式を用いて加熱する場合には、光誘起屈折率変化の応答速度が上がるものの、光誘起屈折率変化量は著しく減少する。本比較例では、上記サンドウィッチセルを、外部熱源による加熱方式を用いて加熱した場合の光誘起屈折率変化への影響を調べた。
本実施例では、実施例2と同じ評価系を用いて、交流電界強度が、光誘起屈折率および応答速度へ与える影響を調べた。
24 フォトリフラクティブ層
31 干渉光照射光源(干渉光照射装置)
32 電界印加装置
100 フォトリフラクティブセル
200 光デバイス
f 周波数
Claims (8)
- 光デバイスにおける、配向増大型有機フォトリフラクティブ材料の加熱方法であって、
上記光デバイスは、
配向増大型有機フォトリフラクティブ材料を含むフォトリフラクティブ層および当該フォトリフラクティブ層を挟み込む一対の電極を備えたフォトリフラクティブセルと、
上記フォトリフラクティブ層に干渉光を照射する干渉光照射装置と、
一対の上記電極に交流電界を印加する電界印加装置と、を備えており、
上記電界印加装置が、一対の上記電極に交流電界を印加することによって、上記配向増大型有機フォトリフラクティブ材料を誘電加熱する加熱工程を含む、配向増大型有機フォトリフラクティブ材料の加熱方法。 - 上記加熱工程は、上記配向増大型有機フォトリフラクティブ材料に対して干渉光を照射する事前に、または、干渉光を照射するときに行われる、請求項1に記載の加熱方法。
- 上記交流電界は、周波数が1kHz以上で50kHz以下の範囲内であり、かつ、振幅(半値全幅)が0V/μm以上で100V/μm以下の範囲内である、請求項1または2に記載の加熱方法。
- 上記配向増大型有機フォトリフラクティブ材料は、
カルバゾール誘導体ポリマー、フェニレンビニレン誘導体ポリマー、およびテトラフェニルジアミノビフェニル誘導体ポリマーからなる群より選択される少なくとも一種の化合物を光導電性分子として含み、かつ、
アゾ色素、ジシアノスチレン誘導体、ジシアノメチレンジハイドロフラン誘導体、およびポリエン誘導体からなる群より選択される少なくとも一種の色素を複屈折性光学色素として含む、
請求項1から3の何れか一項に記載の加熱方法。 - 配向増大型有機フォトリフラクティブ材料を含むフォトリフラクティブ層および当該フォトリフラクティブ層を挟み込む一対の電極を備えたフォトリフラクティブセルと、
上記フォトリフラクティブ層に干渉光を照射する干渉光照射装置と、
一対の上記電極に、上記配向増大型有機フォトリフラクティブ材料を誘電加熱する交流電界を印加する電界印加装置と、を備えた光デバイス。 - 上記電界印加装置は、一対の上記電極に、上記配向増大型有機フォトリフラクティブ材料を誘電加熱する上記交流電界に重畳して、駆動電界として直流電界を印加することも可能に構成されている、請求項5に記載の光デバイス。
- 上記電界印加装置は、上記フォトリフラクティブ層に対して干渉光を照射する事前に、または、干渉光を照射するときに、上記交流電界を印加する、請求項5または6に記載の光デバイス。
- 配向増大型有機フォトリフラクティブ材料を含むフォトリフラクティブ層および当該フォトリフラクティブ層を挟み込む一対の電極を備えたフォトリフラクティブセルの、一対の上記電極に、上記配向増大型有機フォトリフラクティブ材料を誘電加熱する交流電界を印加するように構成されている電界印加装置と、
上記フォトリフラクティブ層に干渉光を照射する干渉光照射装置と、
を備えた光デバイス。
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