JP6191931B2 - Suspension substrate, suspension, suspension with head, hard disk drive, and method for manufacturing suspension substrate - Google Patents

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本発明は、サスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、ハードディスクドライブおよびサスペンション用基板の製造方法に係り、とりわけ、導電性接着剤とサスペンション用基板の接続構造領域との接合信頼性を向上させて、アクチュエータ素子との電気的な接続の信頼性を向上させることができるサスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、ハードディスクドライブおよびサスペンション用基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a suspension substrate, a suspension, a suspension with a head, a hard disk drive, and a suspension substrate. The present invention relates to a suspension substrate, a suspension, a suspension with a head, a hard disk drive, and a method for manufacturing a suspension substrate that can improve the reliability of electrical connection with an actuator element.

一般に、ハードディスクドライブ(HDD)は、データが記憶されるディスクに対してデータの書き込みおよび読み取りを行う磁気ヘッドスライダが実装されたサスペンション用基板を備えている。このサスペンション用基板は、金属支持層と、金属支持層に絶縁層を介して積層された複数の配線を有する配線層と、を備えており、各配線に電気信号を流すことにより、ディスクに対してデータの書き込みまたは読み取りを行うようになっている。   In general, a hard disk drive (HDD) includes a suspension board on which a magnetic head slider for writing and reading data to and from a disk storing data is mounted. The suspension substrate includes a metal support layer and a wiring layer having a plurality of wirings stacked on the metal support layer with an insulating layer interposed therebetween. To write or read data.

このようなハードディスクドライブにおいては、ディスク上の所望のデータトラックに磁気ヘッドスライダを移動させるために、磁気ヘッドスライダを支持するアクチュエータアームを回転させるVCMアクチュエータ(例えば、ボイスコイルモータ)を、サーボコントロールシステムによって制御している。   In such a hard disk drive, in order to move the magnetic head slider to a desired data track on the disk, a VCM actuator (for example, a voice coil motor) that rotates an actuator arm that supports the magnetic head slider is used as a servo control system. Is controlled by.

ところで、近年、ディスクの高密度化により、トラックの幅が小さくなっている。このため、VCMアクチュエータによって、磁気ヘッドスライダを所望のトラックに精度良く位置合わせすることが困難な場合がある。   By the way, in recent years, the track width has been reduced by increasing the density of the disk. For this reason, it may be difficult to accurately align the magnetic head slider to a desired track by the VCM actuator.

このことに対処するために、VCMアクチュエータとPZTマイクロアクチュエータ(Dual Stage Actuator:DSA)とを協働させて、所望のトラックに磁気ヘッドスライダを移動させるデュアルアクチュエータ方式のサスペンションが知られている(例えば、特許文献1参照)。このPZTマイクロアクチュエータは、PZT(チタン酸ジルコン酸鉛)からなる圧電素子等のピエゾ素子により構成され、電圧が印加されることにより伸縮し、磁気ヘッドスライダを微小に移動させるようになっている。このようなデュアルアクチュエータ方式のサスペンションにおいては、VCMアクチュエータが、磁気ヘッドスライダの位置を大まかに調整し、PZTマイクロアクチュエータが、磁気ヘッドスライダの位置を微小調整する。このようにして、磁気ヘッドスライダを、所望のトラックに、迅速に、かつ精度良く位置合わせするようになっている。   In order to cope with this, a dual actuator type suspension is known in which a VCM actuator and a PZT microactuator (Dual Stage Actuator: DSA) cooperate to move a magnetic head slider to a desired track (for example, , See Patent Document 1). This PZT microactuator is constituted by a piezoelectric element such as a piezoelectric element made of PZT (lead zirconate titanate), and expands and contracts when a voltage is applied to move the magnetic head slider minutely. In such a dual actuator type suspension, the VCM actuator roughly adjusts the position of the magnetic head slider, and the PZT microactuator finely adjusts the position of the magnetic head slider. In this way, the magnetic head slider is aligned with a desired track quickly and accurately.

特許文献1に示すサスペンション用基板においては、圧電素子に給電するための端子部において電気絶縁層に貫通孔が設けられて銅の端子が露出され、電気絶縁層の圧電素子側の面にステンレスリングが設けられている。ステンレスリングの内部に液状の導電性接着剤を注入することにより、導電性接着剤が銅の端子および圧電素子に接合されて、圧電素子が銅の端子に電気的に接続されるようになっている。   In the suspension substrate shown in Patent Document 1, a through hole is provided in the electrical insulating layer in the terminal portion for supplying power to the piezoelectric element so that the copper terminal is exposed, and a stainless steel ring is provided on the surface of the electrical insulating layer on the piezoelectric element side. Is provided. By injecting a liquid conductive adhesive inside the stainless steel ring, the conductive adhesive is bonded to the copper terminal and the piezoelectric element, and the piezoelectric element is electrically connected to the copper terminal. Yes.

特開2011−238860号公報JP2011-238860A

しかしながら、導電性接着剤とステンレスリングとの接合面積は、スペースの都合により限られてしまう。このことにより、導電性接着剤とステンレスリングとの接合強度を向上させて、圧電素子とサスペンション用基板との電気的な接続の信頼性を向上させることが困難になっているという問題がある。   However, the bonding area between the conductive adhesive and the stainless steel ring is limited due to space constraints. Accordingly, there is a problem that it is difficult to improve the bonding strength between the conductive adhesive and the stainless steel ring and to improve the reliability of the electrical connection between the piezoelectric element and the suspension substrate.

ところで、サスペンション用基板の銅の端子と圧電素子とを接合するための導電性接着剤には、以下のような理由から、銀ペーストを用いることが主流になっている。すなわち、圧電素子の電極としては、一般的に、銀または金が用いられているが、このような金属は、半田に含まれている錫に対して可溶性を有している。このため、半田付けの作業時間が長くなると、電極の銀または金が半田の中に溶け込み、圧電素子の電極が消失される。
電極の消失を防止するためには、数%の金または銀を半田に含有させる対策が挙げられるが、このような対策を行った場合であっても、電極の消失を完全に防ぐことは困難である。また、半田付け作業時の温度上昇により、消極(Depolarization)を引き起こす可能性がある。このような観点から、錫に対して可溶性ではなく、かつ、接着温度が低い銀ペーストが用いられている。
By the way, silver paste is mainly used for the conductive adhesive for joining the copper terminal of the suspension substrate and the piezoelectric element for the following reasons. That is, silver or gold is generally used as the electrode of the piezoelectric element, but such a metal is soluble in tin contained in solder. For this reason, when the soldering operation time becomes long, the silver or gold of the electrode melts into the solder, and the electrode of the piezoelectric element disappears.
In order to prevent the disappearance of the electrode, there is a measure to contain several percent of gold or silver in the solder. However, even if such a measure is taken, it is difficult to completely prevent the disappearance of the electrode. It is. Moreover, depolarization may be caused by the temperature rise during the soldering operation. From such a viewpoint, a silver paste that is not soluble in tin and has a low adhesion temperature is used.

銀ペーストには、接合性が要求されることはもちろんのこと、消極の防止を目的として低いガラス転移温度が要求されると共に、圧電素子の伸縮に対して効果的にスライダを変位させることを目的として低い弾性率が要求される。ところで、銀ペーストの導電性を向上させるためには銀フィラーの含有量を増大させることが有効と考えられるが、銀フィラーの含有量を増大させた場合、銀ペーストのガラス転移温度が高くなるという問題がある。また、銀ペーストの接合性を向上させるためには銀フィラーを微細化することが有効と考えられるが、銀フィラーを微細化した場合、銀ペーストの弾性率が高くなるという問題がある。これらのことから、導電性接着剤としての銀ペーストを改良することにより、銀ペーストとサスペンション用基板の端子との導電性および接合性を向上させることは困難である。   Silver paste is required not only to have bonding properties but also to have a low glass transition temperature to prevent depolarization and to displace the slider effectively against expansion and contraction of piezoelectric elements. A low elastic modulus is required. By the way, in order to improve the electrical conductivity of the silver paste, it is considered effective to increase the content of the silver filler. However, when the content of the silver filler is increased, the glass transition temperature of the silver paste is increased. There's a problem. Further, it is considered effective to refine the silver filler in order to improve the bondability of the silver paste. However, when the silver filler is refined, there is a problem that the elastic modulus of the silver paste increases. From these facts, it is difficult to improve the conductivity and bonding property between the silver paste and the terminals of the suspension substrate by improving the silver paste as the conductive adhesive.

本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、導電性接着剤とサスペンション用基板の接続構造領域との接合信頼性を向上させて、アクチュエータ素子との電気的な接続の信頼性を向上させることができるサスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、ハードディスクドライブおよびサスペンション用基板の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in consideration of the above points, and improves the reliability of bonding between the conductive adhesive and the connection structure region of the suspension substrate, and the reliability of the electrical connection with the actuator element. It is an object of the present invention to provide a suspension substrate, a suspension, a suspension with a head, a hard disk drive, and a method for manufacturing a suspension substrate that can improve performance.

本発明は、第1の解決手段として、アクチュエータ素子に導電性粒子を含む導電性接着剤を介して接続可能な接続構造領域を有するサスペンション用基板において、絶縁層と、前記絶縁層の前記アクチュエータ素子の側の面に設けられた金属支持層と、前記絶縁層の前記アクチュエータ素子とは反対側の面に設けられた配線層であって、複数の配線と、前記接続構造領域に設けられ、対応する前記配線に接続されると共に前記アクチュエータ素子に前記導電性接着剤を介して電気的に接続される配線接続部と、を有する前記配線層と、を備え、前記金属支持層の前記アクチュエータ素子の側の面に、前記導電性接着剤に接合される金めっき層が設けられ、前記金めっき層は、その外周縁に設けられた、平面視で凹凸状に形成された外周縁凹凸部を有していることを特徴とするサスペンション用基板を提供する。   As a first solution, the present invention provides a suspension substrate having a connection structure region that can be connected to an actuator element via a conductive adhesive containing conductive particles, an insulating layer, and the actuator element of the insulating layer. A metal support layer provided on the surface of the insulating layer, and a wiring layer provided on the surface of the insulating layer opposite to the actuator element, wherein the wiring layer is provided in the connection structure region with a plurality of wires. The wiring layer having a wiring connection portion connected to the wiring and electrically connected to the actuator element through the conductive adhesive, and the actuator element of the metal support layer. A gold plating layer to be bonded to the conductive adhesive is provided on the side surface, and the gold plating layer is provided on the outer periphery of the outer periphery. To provide a substrate for suspension, characterized in that a.

なお、上述した第1の解決手段によるサスペンション用基板において前記接続構造領域において、前記金属支持層を貫通する金属支持層貫通孔と、前記絶縁層を貫通する絶縁層貫通孔と、を有し、前記配線層の前記アクチュエータ素子の側の面を露出させ、少なくとも一部に前記導電性接着剤が注入される注入孔が設けられている、ようにしてもよい。   In the suspension substrate according to the first solving means described above, the connection structure region has a metal support layer through-hole penetrating the metal support layer and an insulating layer through-hole penetrating the insulating layer, The surface of the wiring layer on the actuator element side may be exposed, and an injection hole through which the conductive adhesive is injected may be provided at least partially.

また、上述した第1の解決手段によるサスペンション用基板において、前記金めっき層は、平面視で前記注入孔を囲むようにリング状に形成され、前記金めっき層は、その内周面に設けられた、平面視で凹凸状に形成された内周縁凹凸部を有しているようにしてもよい。   Further, in the suspension substrate according to the first solving means described above, the gold plating layer is formed in a ring shape so as to surround the injection hole in a plan view, and the gold plating layer is provided on an inner peripheral surface thereof. Moreover, you may make it have the inner periphery uneven | corrugated | grooved part formed in uneven | corrugated shape by planar view.

また、上述した第1の解決手段によるサスペンション用基板において、前記配線接続部と前記金属支持層とは、前記絶縁層を貫通する導電接続部によって接続されているようにしてもよい。   In the suspension substrate according to the first solution described above, the wiring connection portion and the metal support layer may be connected by a conductive connection portion that penetrates the insulating layer.

また、上述した第1の解決手段によるサスペンション用基板において、前記配線接続部の前記アクチュエータ素子の側の面は、前記絶縁層および前記金属支持層によって覆われているようにしてもよい。   In the suspension substrate according to the first solving means described above, a surface of the wiring connection portion on the actuator element side may be covered with the insulating layer and the metal support layer.

また、上述した第1の解決手段によるサスペンション用基板において、前記金めっき層は、平面視で円形状に形成されているようにしてもよい。   In the suspension substrate according to the first solution described above, the gold plating layer may be formed in a circular shape in plan view.

また、上述した第1の解決手段によるサスペンション用基板において、前記金めっき層は、平面視でリング状に形成され、前記金めっき層は、その内周面に設けられた、平面視で凹凸状に形成された内周縁凹凸部を有しているようにしてもよい。   Further, in the suspension substrate according to the first solving means described above, the gold plating layer is formed in a ring shape in a plan view, and the gold plating layer is provided in an uneven shape in a plan view provided on the inner peripheral surface thereof. You may make it have the inner periphery uneven | corrugated | grooved part formed in this.

また、上述した第1の解決手段によるサスペンション用基板において、前記接続構造領域において、前記金属支持層を貫通する金属支持層貫通孔と、前記絶縁層を貫通する絶縁層貫通孔と、を有し、前記配線層の前記アクチュエータ素子の側の面を露出させ、少なくとも一部に前記導電性接着剤が注入される注入孔が設けられているようにしてもよい。   In the suspension substrate according to the first solving means described above, the connection structure region includes a metal support layer through-hole penetrating the metal support layer and an insulating layer through-hole penetrating the insulating layer. The surface of the wiring layer on the actuator element side may be exposed, and an injection hole through which the conductive adhesive is injected may be provided at least partially.

また、上述した第1の解決手段によるサスペンション用基板において、前記金属支持層は、前記金属支持層貫通孔を画定する貫通孔画定面を有し、前記金めっき層は、前記貫通孔画定面に延びているようにしてもよい。   In the suspension substrate according to the first solving means described above, the metal support layer has a through hole defining surface that defines the metal support layer through hole, and the gold plating layer is formed on the through hole defining surface. It may be extended.

また、上述した第1の解決手段によるサスペンション用基板において、前記金めっき層は、平面視で前記注入孔を囲むようにリング状に形成され、前記金めっき層は、その内周縁に設けられた、平面視で凹凸状に形成された内周縁凹凸部を有しているようにしてもよい。   Further, in the suspension substrate according to the first solving means described above, the gold plating layer is formed in a ring shape so as to surround the injection hole in a plan view, and the gold plating layer is provided on an inner peripheral edge thereof. Moreover, you may make it have the inner periphery uneven | corrugated | grooved part formed in uneven | corrugated shape by planar view.

また、上述した第1の解決手段によるサスペンション用基板において、前記外周縁凹凸部の凹凸高さは、0.0015mm〜0.0200mmであるようにしてもよい。   In the suspension substrate according to the first solving means described above, the uneven height of the outer peripheral uneven portion may be 0.0015 mm to 0.0200 mm.

また、本発明は、第2の解決手段として、アクチュエータ素子に導電性粒子を含む導電性接着剤を介して接続可能な接続構造領域を有するサスペンション用基板において、 絶縁層と、前記絶縁層の前記アクチュエータ素子の側の面に設けられた金属支持層と、前記絶縁層の前記アクチュエータ素子とは反対側の面に設けられた配線層であって、複数の配線と、前記接続構造領域に設けられ、対応する前記配線に接続されると共に前記アクチュエータ素子に前記導電性接着剤を介して電気的に接続される配線接続部と、を有する前記配線層と、を備え、前記接続構造領域において、前記金属支持層を貫通する金属支持層貫通孔と、前記絶縁層を貫通する絶縁層貫通孔と、を有し、前記配線層の前記アクチュエータ素子の側の面を露出させ、少なくとも一部に前記導電性接着剤が注入される注入孔が設けられ、前記注入孔により露出された前記配線接続部の面に、前記導電性接着剤に接合される金めっき層が設けられ、前記金めっき層は、その外周面に設けられた、平面視で凹凸状に形成された外周縁凹凸部を有していることを特徴とするサスペンション用基板を提供する。   Further, the present invention provides a suspension substrate having a connection structure region connectable to an actuator element via a conductive adhesive containing conductive particles, as a second solving means, comprising: an insulating layer; A metal support layer provided on a surface on the actuator element side; and a wiring layer provided on a surface of the insulating layer opposite to the actuator element, wherein the wiring layer is provided in the connection structure region. A wiring connection portion connected to the corresponding wiring and electrically connected to the actuator element via the conductive adhesive, and in the connection structure region, A metal support layer through-hole penetrating the metal support layer and an insulating layer through-hole penetrating the insulating layer, exposing the surface of the wiring layer on the actuator element side, An injection hole for injecting the conductive adhesive is provided at least in part, and a gold plating layer bonded to the conductive adhesive is provided on the surface of the wiring connection portion exposed by the injection hole. The gold plating layer is provided with a suspension substrate, characterized in that it has an outer peripheral uneven portion formed on the outer peripheral surface of the gold plating layer so as to be uneven in a plan view.

なお、上述した第2の解決手段によるサスペンション用基板において、前記配線接続部と前記金めっき層との間に、ニッケルめっき層が介在され、前記ニッケルめっき層は、前記注入孔により露出された前記配線接続部の面の全体を覆っているようにしてもよい。   In the suspension substrate according to the second solution described above, a nickel plating layer is interposed between the wiring connection portion and the gold plating layer, and the nickel plating layer is exposed by the injection hole. You may make it cover the whole surface of a wiring connection part.

また、上述した第2の解決手段によるサスペンション用基板において、前記外周縁凹凸部の凹凸高さは、0.0015mm〜0.0200mmであるようにしてもよい。   In the suspension substrate according to the second solving means described above, the uneven height of the outer peripheral uneven portion may be 0.0015 mm to 0.0200 mm.

本発明は、ベースプレートと、前記ベースプレートに、ロードビームを介して取り付けられた上述のサスペンション用基板と、前記ベースプレートおよび前記ロードビームの少なくとも一方に接合されると共に、前記サスペンション用基板の前記接続構造領域に前記導電性接着剤を介して接続された前記アクチュエータ素子と、を備えたことを特徴とするサスペンションを提供する。   The present invention is a base plate, the above-described suspension substrate attached to the base plate via a load beam, and joined to at least one of the base plate and the load beam, and the connection structure region of the suspension substrate. And the actuator element connected via the conductive adhesive.

本発明は、上述のサスペンションと、前記サスペンションに実装されたヘッドスライダと、を備えたことを特徴とするヘッド付サスペンションを提供する。   The present invention provides a suspension with a head comprising the above-described suspension and a head slider mounted on the suspension.

本発明は、上述のヘッド付サスペンションを備えたことを特徴とするハードディスクドライブを提供する。   The present invention provides a hard disk drive including the above-described suspension with a head.

本発明は、第3の解決手段として、アクチュエータ素子に導電性粒子を含む導電性接着剤を介して接続可能な接続構造領域を有するサスペンション用基板の製造方法において、絶縁層と、前記絶縁層の一方の面に設けられた金属支持層と、前記絶縁層の他方の面に設けられた配線層と、を有する積層体を準備する工程と、前記配線層において、複数の配線と、前記接続構造領域に設けられ、対応する前記配線に接続されると共に、前記アクチュエータ素子に前記導電性接着剤を介して電気的に接続される配線接続部と、を形成する工程と、前記金属支持層の前記アクチュエータ素子の側の面に、前記導電性接着剤に接合される金めっき層を形成する工程と、を備え、前記金めっき層を形成する工程において、前記金属支持層の前記アクチュエータ素子の側の面に、レジスト開口の周縁が平面視で凹凸状に形成されたレジスト凹凸部を有するレジストを用いて金めっきが施され、このことにより、形成された前記金めっき層の外周縁に、平面視で凹凸状に形成された外周縁凹凸部が形成されることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。   As a third solution, the present invention provides a method for manufacturing a suspension substrate having a connection structure region that can be connected to an actuator element via a conductive adhesive containing conductive particles. A step of preparing a laminate having a metal support layer provided on one surface and a wiring layer provided on the other surface of the insulating layer; a plurality of wires in the wiring layer; and the connection structure A wiring connection portion provided in a region and connected to the corresponding wiring and electrically connected to the actuator element via the conductive adhesive; and the metal support layer Forming a gold plating layer to be bonded to the conductive adhesive on the surface of the actuator element, and in the step of forming the gold plating layer, the actuator of the metal support layer Gold plating is performed on the surface on the side of the data element using a resist having a resist concavo-convex portion in which the periphery of the resist opening is formed in a concavo-convex shape in plan view. Provided is a method for manufacturing a suspension substrate, wherein an outer peripheral uneven portion formed in an uneven shape in a plan view is formed on the periphery.

本発明は、第4の解決手段として、アクチュエータ素子に導電性粒子を含む導電性接着剤を介して接続可能な接続構造領域を有するサスペンション用基板の製造方法において、絶縁層と、前記絶縁層の一方の面に設けられた金属支持層と、前記絶縁層の他方の面に設けられた配線層と、を有する積層体を準備する工程と、前記配線層において、複数の配線と、前記接続構造領域に設けられ、対応する前記配線に接続されると共に、前記アクチュエータ素子に前記導電性接着剤を介して電気的に接続される配線接続部と、を形成する工程と、前記金属支持層において、前記接続構造領域に設けられ、当該金属支持層を貫通する金属支持層貫通孔を形成する工程と、前記絶縁層において、当該絶縁層を貫通する絶縁層貫通孔であって、前記金属支持層貫通孔と共に、前記配線接続部の前記アクチュエータ素子の側の面を露出させ、少なくとも一部に前記導電性接着剤が注入される注入孔を構成する前記絶縁層貫通孔を形成する工程と、前記注入孔により露出された前記配線接続部の面に、前記導電性接着剤に接合される金めっき層を形成する工程と、を備え、前記金めっき層を形成する工程において、前記配線接続部の前記アクチュエータ素子の側の面に、レジスト開口の周縁が平面視で凹凸状に形成されたレジスト凹凸部を有するレジストを用いて金めっきが施され、このことにより、形成された前記金めっき層の外周縁に、平面視で凹凸状に形成された外周縁凹凸部が形成されることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。   As a fourth solution, the present invention provides a method for manufacturing a suspension substrate having a connection structure region that can be connected to an actuator element via a conductive adhesive containing conductive particles. A step of preparing a laminate having a metal support layer provided on one surface and a wiring layer provided on the other surface of the insulating layer; a plurality of wires in the wiring layer; and the connection structure A step of forming a wiring connection portion provided in a region and connected to the corresponding wiring and electrically connected to the actuator element via the conductive adhesive, and in the metal support layer, A step of forming a metal support layer through hole provided in the connection structure region and penetrating the metal support layer; and an insulating layer through hole penetrating the insulating layer in the insulating layer, the metal support layer A step of exposing the surface on the actuator element side of the wiring connection portion together with the layer through hole, and forming the insulating layer through hole constituting the injection hole into which the conductive adhesive is injected at least partially; Forming a gold plating layer bonded to the conductive adhesive on the surface of the wiring connection portion exposed by the injection hole, and in the step of forming the gold plating layer, the wiring connection portion Gold plating is applied to the surface of the actuator element side using a resist having a resist concavo-convex portion in which the periphery of the resist opening is formed in a concavo-convex shape in plan view, and the gold plating layer thus formed A method of manufacturing a suspension substrate is provided in which an outer peripheral uneven portion formed in an uneven shape in plan view is formed on the outer peripheral edge of the suspension.

本発明によれば、導電性接着剤とサスペンション用基板の接続構造領域との接合信頼性を向上させて、アクチュエータ素子との電気的な接続の信頼性を向上させることができる。   According to the present invention, the bonding reliability between the conductive adhesive and the connection structure region of the suspension substrate can be improved, and the reliability of the electrical connection with the actuator element can be improved.

図1は、本発明の実施の形態におけるサスペンション用基板の一例を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing an example of a suspension substrate according to an embodiment of the present invention. 図2は、図1のサスペンション用基板における接続構造領域の断面を示す図である。FIG. 2 is a view showing a cross section of a connection structure region in the suspension substrate of FIG. 図3は、図2のA方向からみた接合用金めっき層の平面図である。FIG. 3 is a plan view of the bonding gold plating layer as viewed from the direction A in FIG. 2. 図4は、図3のB部におけるめっき層の外周縁を拡大して示す写真である。FIG. 4 is a photograph showing an enlarged outer peripheral edge of the plating layer in part B of FIG. 図5は、接合用金めっき層の外周縁を拡大して示す平面図である。FIG. 5 is an enlarged plan view showing an outer peripheral edge of the bonding gold plating layer. 図6は、銀ペーストを示す断面写真である。FIG. 6 is a cross-sectional photograph showing a silver paste. 図7は、低温焼結後の銀ペーストに含まれる銀フィラーの長さを示すグラフである。FIG. 7 is a graph showing the length of the silver filler contained in the silver paste after low-temperature sintering. 図8は、本発明の実施の形態におけるサスペンションの一例を示す平面図である。FIG. 8 is a plan view showing an example of the suspension in the embodiment of the present invention. 図9は、図8のサスペンションの一部を示す裏面図である。FIG. 9 is a back view showing a part of the suspension of FIG. 図10は、図8のサスペンションにおけるピエゾ素子の一例を示す斜視図である。FIG. 10 is a perspective view showing an example of a piezo element in the suspension of FIG. 図11は、図8のサスペンションにおいて、接続構造領域の断面を示す図である。FIG. 11 is a view showing a cross section of the connection structure region in the suspension of FIG. 図12は、本発明の実施の形態におけるヘッド付サスペンションの一例を示す平面図である。FIG. 12 is a plan view showing an example of a suspension with a head according to the embodiment of the present invention. 図13は、本発明の実施の形態におけるハードディスクドライブの一例を示す斜視図である。FIG. 13 is a perspective view showing an example of a hard disk drive in the embodiment of the present invention. 図14(a)〜(g)は、本発明の実施の形態におけるサスペンション用基板の製造方法を示す図である。14 (a) to 14 (g) are diagrams showing a method for manufacturing a suspension substrate in the embodiment of the present invention. 図15(a)〜(c)は、図14(e)、(f)のめっき処理時に使用されるレジストを形成する方法を示す図である。FIGS. 15A to 15C are views showing a method of forming a resist used in the plating process of FIGS. 14E and 14F. 図16は、レジストのレジスト開口の周縁を拡大して示す平面図である。FIG. 16 is an enlarged plan view showing the periphery of the resist opening of the resist. 図17は、接続構造領域の変形例(変形例1)を示す断面図である。FIG. 17 is a cross-sectional view showing a modified example (modified example 1) of the connection structure region. 図18は、接続構造領域の変形例(変形例2)を示す断面図である。FIG. 18 is a cross-sectional view showing a modified example (modified example 2) of the connection structure region. 図19は、図18のC方向からみた接合用金めっき層の平面図である。FIG. 19 is a plan view of the bonding gold plating layer as seen from the direction C in FIG. 図20は、接続構造領域の変形例(変形例3)を示す断面図である。FIG. 20 is a cross-sectional view showing a modified example (modified example 3) of the connection structure region. 図21は、接続構造領域の変形例(変形例4)を示す断面図である。FIG. 21 is a cross-sectional view showing a modified example (modified example 4) of the connection structure region. 図22は、図21のD方向から見た接合用金めっき層の平面図である。FIG. 22 is a plan view of the bonding gold plating layer viewed from the direction D of FIG. 図23は、接合用金めっき層の変形例(変形例5)を示す平面図である。FIG. 23 is a plan view showing a modification (modification 5) of the bonding gold plating layer. 図24は、接続構造領域の変形例(変形例6)を示す断面図である。FIG. 24 is a cross-sectional view showing a modified example (modified example 6) of the connection structure region. 図25は、接続構造領域の変形例(変形例7)を示す断面図である。FIG. 25 is a cross-sectional view showing a modified example (modified example 7) of the connection structure region. 図26は、サスペンション用基板の製造方法の変形例(変形例8)を示す露光マスクを部分的に拡大した平面図である。FIG. 26 is a partially enlarged plan view of an exposure mask showing a modification (Modification 8) of the method for manufacturing the suspension substrate.

図1乃至図16を用いて、本発明の実施の形態におけるサスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、ハードディスクドライブおよびサスペンション用基板の製造方法について説明する。なお、本明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。   A method for manufacturing a suspension substrate, a suspension, a suspension with a head, a hard disk drive, and a suspension substrate according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the drawings attached to the present specification, for the sake of illustration and ease of understanding, the scale, the vertical / horizontal dimension ratio, and the like are appropriately changed and exaggerated from those of the actual ones.

図1に示すように、サスペンション用基板1は、基板本体領域2と、一対のピエゾ素子(アクチュエータ素子、図8参照)44に導電性粒子を含む導電性接着剤(例えば、銀ペースト)を介して接続可能な接続構造領域3と、を有している。このうち基板本体領域2は、後述のヘッドスライダ52(図12参照)が実装されるヘッド領域2aと、FPC基板(外部機器、図12参照)71が接続されるテール領域2bと、を有している。ヘッド領域2aには、ヘッドスライダ52に接続される複数のヘッド端子5が設けられ、テール領域2bには、FPC基板71に接続される複数のテール端子(外部機器接続端子)6が設けられており、ヘッド端子5とテール端子6とが、後述する信号配線13aを介してそれぞれ接続されている。また、一対の接続構造領域3は、基板本体領域2の両側方に配置されており、連結領域4を介して基板本体領域2に連結されている。   As shown in FIG. 1, the suspension substrate 1 has a substrate body region 2 and a pair of piezo elements (actuator element, see FIG. 8) 44 with a conductive adhesive (for example, silver paste) containing conductive particles. And a connection structure region 3 that can be connected. Of these, the board body area 2 has a head area 2a on which a head slider 52 (see FIG. 12) described later is mounted, and a tail area 2b to which an FPC board (external device, see FIG. 12) 71 is connected. ing. A plurality of head terminals 5 connected to the head slider 52 are provided in the head region 2a, and a plurality of tail terminals (external device connection terminals) 6 connected to the FPC board 71 are provided in the tail region 2b. The head terminal 5 and the tail terminal 6 are connected to each other via a signal wiring 13a described later. Further, the pair of connection structure regions 3 are arranged on both sides of the substrate body region 2 and are connected to the substrate body region 2 via the connection region 4.

図1および図2に示すように、サスペンション用基板1は、絶縁層10と、絶縁層10の一方の面(接続されるピエゾ素子44の側の面)に設けられた金属支持層11と、絶縁層10の他方の面(ピエゾ素子44とは反対側の面)に設けられ、複数の配線13a、13b、13cを有する配線層12と、を備えている。なお、図示しないが、絶縁層10と配線層12との間に、ニッケル(Ni)、クロム(Cr)、銅(Cu)からなり、約300nm厚さを有するシード層が介在されており、絶縁層10と配線層12との密着性を向上させている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the suspension substrate 1 includes an insulating layer 10, a metal support layer 11 provided on one surface of the insulating layer 10 (surface on the side of the piezo element 44 to be connected), The wiring layer 12 is provided on the other surface of the insulating layer 10 (surface opposite to the piezo element 44) and includes a plurality of wirings 13a, 13b, and 13c. Although not shown, a seed layer made of nickel (Ni), chromium (Cr), and copper (Cu) and having a thickness of about 300 nm is interposed between the insulating layer 10 and the wiring layer 12, so The adhesion between the layer 10 and the wiring layer 12 is improved.

図1に示すように、複数の配線は、一対の読取配線と一対の書込配線とを含む信号配線13aと、ピエゾ素子44に接続される一対の素子配線13bと、を含んでいる。このうち一対の素子配線13bは、金属支持層11の金属支持配線部分11bを介して、互いに電気的に接続されている。この金属支持層11の金属支持配線部分11bは、金属支持層11の本体部分11aから分離されて島状に形成されており、当該本体部分11aとは電気的に絶縁されるようになっている。また、金属支持層11の金属支持配線部分11bと素子配線13bとは、絶縁層10を貫通する配線ビア27によって互いに電気的に接続されている。このようにして、ピエゾ素子44から延びる2つの素子配線13bは、基板本体領域2にて合流し、テール領域2bに設けられた対応する一のテール端子6に接続されるようになっている。このことにより、一対のピエゾ素子44に印加される電圧を均等にして、各ピエゾ素子44の伸縮量の精度を向上させている。   As shown in FIG. 1, the plurality of wirings include a signal wiring 13 a including a pair of reading wirings and a pair of writing wirings, and a pair of element wirings 13 b connected to the piezo element 44. Among these, the pair of element wirings 13 b are electrically connected to each other via the metal support wiring portion 11 b of the metal support layer 11. The metal support wiring portion 11b of the metal support layer 11 is separated from the main body portion 11a of the metal support layer 11 and formed in an island shape, and is electrically insulated from the main body portion 11a. . The metal support wiring portion 11 b of the metal support layer 11 and the element wiring 13 b are electrically connected to each other by a wiring via 27 that penetrates the insulating layer 10. In this way, the two element wires 13b extending from the piezo element 44 merge in the substrate body region 2 and are connected to the corresponding one tail terminal 6 provided in the tail region 2b. Thereby, the voltage applied to the pair of piezo elements 44 is made uniform, and the accuracy of the expansion / contraction amount of each piezo element 44 is improved.

また、ヘッド領域2aには、接地用のヘッド端子5の接地をとるための接地ビア28が設けられている。この接地ビア28は、接地配線13cを介して接地用のヘッド端子5に接続されており、絶縁層10を貫通して、接地用のヘッド端子5と金属支持層11の本体部分11aとを電気的に接続している。   The head region 2a is provided with a ground via 28 for grounding the head terminal 5 for grounding. The ground via 28 is connected to the head terminal 5 for grounding via the ground wiring 13 c and passes through the insulating layer 10 to electrically connect the head terminal 5 for grounding and the main body portion 11 a of the metal support layer 11. Connected.

図1および図2に示すように、配線層12は、各接続構造領域3に設けられた配線接続部16を有している。各配線接続部16は、対応する素子配線13bに接続されると共に、ピエゾ素子44に導電性接着剤を介して電気的に接続されるようになっている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the wiring layer 12 has a wiring connection portion 16 provided in each connection structure region 3. Each wiring connection portion 16 is connected to the corresponding element wiring 13b and is electrically connected to the piezo element 44 via a conductive adhesive.

金属支持層11は、接続構造領域3に設けられたリング状の金属枠体部17を有している。金属枠体部17は、図1に示すように、島状に形成されており、基板本体領域2における金属支持層11の本体部分11aとは分離されて電気的に絶縁されている。また、絶縁層10は、接続構造領域3に設けられたリング状の絶縁枠体部18を有している。   The metal support layer 11 has a ring-shaped metal frame portion 17 provided in the connection structure region 3. As shown in FIG. 1, the metal frame body portion 17 is formed in an island shape, and is separated from the main body portion 11 a of the metal support layer 11 in the substrate main body region 2 and is electrically insulated. The insulating layer 10 has a ring-shaped insulating frame 18 provided in the connection structure region 3.

金属支持層11の金属枠体部17は、当該金属枠体部17を貫通する金属支持層貫通孔31aを形成している。また、絶縁層10の絶縁枠体部18は、金属支持層貫通孔31aに対応して、当該絶縁枠体部18を貫通する絶縁層貫通孔31bを形成している。このようにして、配線層12の配線接続部16のピエゾ素子44側の面が、金属支持層貫通孔31aおよび絶縁層貫通孔31bにより露出されるようになっている。すなわち、金属支持層貫通孔31aおよび絶縁層貫通孔31bにより、配線接続部16のピエゾ素子44の側の面を露出させる注入孔31が構成されている。そして、本実施の形態においては、配線接続部16は、絶縁層貫通孔31b上に設けられており、注入孔31の金属支持層貫通孔31aおよび絶縁層貫通孔31bに、導電性接着剤が注入されるようになっている。   The metal frame body portion 17 of the metal support layer 11 forms a metal support layer through hole 31 a that penetrates the metal frame body portion 17. Further, the insulating frame body portion 18 of the insulating layer 10 forms an insulating layer through-hole 31b penetrating the insulating frame body portion 18 corresponding to the metal support layer through-hole 31a. In this way, the surface on the piezoelectric element 44 side of the wiring connection portion 16 of the wiring layer 12 is exposed by the metal support layer through hole 31a and the insulating layer through hole 31b. That is, the metal support layer through-hole 31a and the insulating layer through-hole 31b constitute the injection hole 31 that exposes the surface of the wiring connection portion 16 on the piezoelectric element 44 side. In the present embodiment, the wiring connection portion 16 is provided on the insulating layer through hole 31b, and a conductive adhesive is applied to the metal support layer through hole 31a and the insulating layer through hole 31b of the injection hole 31. Injected.

配線接続部16の絶縁層貫通孔31bにおいて露出された面に、ニッケル(Ni)めっきおよび金(Au)めっきが順次施されて、接続用めっき層32が形成されている。この接続用めっき層32は、配線接続部16上に設けられた接続用ニッケルめっき層33と、接続用ニッケルめっき層33上に設けられた接続用金めっき層34と、を有している。このうち接続用ニッケルめっき層33の厚さは、0.3μm〜4.0μm、接続用金めっき層34の厚さは、0.5μm〜3.0μmであることが好適である。   Nickel (Ni) plating and gold (Au) plating are sequentially applied to the exposed surface of the insulating layer through-hole 31b of the wiring connection portion 16 to form a connection plating layer 32. The connection plating layer 32 includes a connection nickel plating layer 33 provided on the wiring connection portion 16 and a connection gold plating layer 34 provided on the connection nickel plating layer 33. Among these, the thickness of the connecting nickel plating layer 33 is preferably 0.3 μm to 4.0 μm, and the thickness of the connecting gold plating layer 34 is preferably 0.5 μm to 3.0 μm.

図2および図3に示すように、金属枠体部17のピエゾ素子44の側の面(図2における下面)に、ニッケルめっきおよび金めっきが順次施されて、接合用めっき層82が設けられている。この接合用めっき層82は、金属枠体部17上に設けられた接合用ニッケルめっき層83と、接合用ニッケルめっき層83上に設けられた接合用金めっき層84と、を有している。このうち接合用金めっき層84は、後述するように、ピエゾ素子44に接合される導電性接着剤に接合されるようになっている(図11参照)。なお、これら接合用ニッケルめっき層83の厚さおよび接合用金めっき層84の厚さは、上述した接続用ニッケルめっき層33および接続用金めっき層34の厚さとそれぞれ同様であることが好ましい。   As shown in FIGS. 2 and 3, nickel plating and gold plating are sequentially applied to the surface of the metal frame 17 on the side of the piezo element 44 (the lower surface in FIG. 2) to provide a bonding plating layer 82. ing. The bonding plating layer 82 includes a bonding nickel plating layer 83 provided on the metal frame portion 17 and a bonding gold plating layer 84 provided on the bonding nickel plating layer 83. . Among these, the bonding gold plating layer 84 is bonded to a conductive adhesive bonded to the piezo element 44 as described later (see FIG. 11). The thickness of the bonding nickel plating layer 83 and the thickness of the bonding gold plating layer 84 are preferably the same as the thicknesses of the connection nickel plating layer 33 and the connection gold plating layer 34, respectively.

金属支持層11の金属枠体部17は、金属支持層貫通孔31aを画定する貫通孔画定面17aを有している。上述した接合用金めっき層84を含む接合用めっき層82は、貫通孔画定面17aに延び、絶縁層10の絶縁枠体部18に達するようにしてもよい。また、接合用めっき層82の外径は、金属枠体部17の外径より小さくなっており、金属枠体部17の外周側領域が露出されるようになっている。   The metal frame portion 17 of the metal support layer 11 has a through hole defining surface 17a that defines the metal support layer through hole 31a. The bonding plating layer 82 including the bonding gold plating layer 84 described above may extend to the through hole defining surface 17 a and reach the insulating frame 18 of the insulating layer 10. In addition, the outer diameter of the bonding plating layer 82 is smaller than the outer diameter of the metal frame body portion 17 so that the outer peripheral side region of the metal frame body portion 17 is exposed.

図4および図5に示すように、接合用金めっき層84は、その外周縁84aに設けられた、平面視で凹凸状に形成された(好適には複数の)外周縁凹凸部85を有している。各外周縁凹凸部85は、平面視で内側に凹む外周縁凹部85aと、平面視で外側に突出する外周縁凸部85bと、を含み、後述する銀フィラー49bが入り込むことができるように平面視で凹凸状に形成されている。また、本実施の形態においては、接合用ニッケルめっき層83の外周縁も、接合用金めっき層84と同様の形状で、平面視で凹凸状に形成されている。このことにより、銀フィラー49が、接合用ニッケルめっき層83の外周縁の凹凸に入り込んで接触することができる。ここで、平面視とは、金属支持層11と絶縁層10と配線層12とが積層された積層方向から見た状態、より具体的には、図3に示された状態を意味する。   As shown in FIG. 4 and FIG. 5, the bonding gold plating layer 84 has (preferably a plurality of) outer peripheral uneven portions 85 formed on the outer peripheral edge 84a in an uneven shape in plan view. doing. Each outer peripheral rugged portion 85 includes an outer peripheral concave portion 85a that is recessed inward in a plan view and an outer peripheral convex portion 85b that protrudes outward in a plan view, and is flat so that a silver filler 49b described later can enter. It is formed in an uneven shape visually. Further, in the present embodiment, the outer peripheral edge of the bonding nickel plating layer 83 is also formed in an uneven shape in plan view in the same shape as the bonding gold plating layer 84. Thus, the silver filler 49 can enter and come into contact with the irregularities on the outer peripheral edge of the bonding nickel plating layer 83. Here, the plan view means a state viewed from the stacking direction in which the metal support layer 11, the insulating layer 10, and the wiring layer 12 are stacked, more specifically, the state shown in FIG.

ところで、図6および図7に示すように、導電性接着剤には、銀ペースト49を用いることが好適である。銀ペースト49は、例えばエポキシ樹脂などのバインダー基材49aと、銀コロイドと、銀フィラー(導電性粒子)49bとを混合させたものであり、塗布後に例えば、150℃〜350℃程度の温度で加熱して低温焼結させることにより、銀コロイドが銀粒子化して銀フィラー49bとなるものである。このため、焼結後の銀ペースト49内に存在する銀フィラー49bは、その多くが小さくなっている。その様子が図6に示され、図6に示された断面写真から得られる銀フィラー49bの大きさが図7に示されている。なお、図6は、銀ペースト49として、エイブルスティック社/ナショナル・スターチ・アンド・ケミカル・カンパニー製の「ABLEBOND 2030SC」の商標名で市販される導電性エポキシ樹脂を使用し、窒素(N)雰囲気の炉内に収容し、150℃で60分加熱して硬化させることにより低温焼結させた場合の銀ペースト49の断面を示しており、図6において黒く見える部分がバインダー基材49aに相当し、白く見える部分が銀フィラー49bに相当している。また、図7における銀フィラー49bの長さとは、銀フィラー49bの最大外形寸法を示している。 Incidentally, as shown in FIGS. 6 and 7, it is preferable to use a silver paste 49 for the conductive adhesive. The silver paste 49 is, for example, a mixture of a binder base material 49a such as an epoxy resin, a silver colloid, and a silver filler (conductive particles) 49b. After coating, for example, at a temperature of about 150 ° C. to 350 ° C. By heating and sintering at low temperature, the silver colloid becomes silver particles and becomes the silver filler 49b. For this reason, most of the silver filler 49b present in the sintered silver paste 49 is small. The situation is shown in FIG. 6, and the size of the silver filler 49b obtained from the cross-sectional photograph shown in FIG. 6 is shown in FIG. In FIG. 6, as the silver paste 49, a conductive epoxy resin commercially available under the trade name “ABLEBOND 2030SC” manufactured by Able Stick Co./National Starch and Chemical Company is used, and nitrogen (N 2 ) is used. FIG. 6 shows a cross section of the silver paste 49 when stored in a furnace in an atmosphere and sintered at a low temperature by heating at 150 ° C. for 60 minutes, and the portion that appears black in FIG. 6 corresponds to the binder base material 49a The portion that appears white corresponds to the silver filler 49b. Moreover, the length of the silver filler 49b in FIG. 7 has shown the largest external dimension of the silver filler 49b.

図7に示されているように、多くの銀フィラー49bは、その長さが0.015mm以下となっている。このことから、外周縁凹凸部85の凹凸高さH1(凹凸距離、図5参照)は、0.0015mm〜0.0200mm、とりわけ、0.0015mm〜0.0100mmであることが好ましい。このように凹凸高さを0.0015mm以上とすることにより、銀フィラー49bを接合用金めっき層84の外周縁凹凸部85に入り込ませて接触させることができる。また、凹凸高さを0.0200mm以下、とりわけ、0.0100mm以下とすることにより、外周縁凹凸部85の個数を増大させて、外周縁凹凸部85に銀フィラー49bを接触させる確率を高めることができる。このことにより、接合用金めっき層84と導電性接着剤との接合信頼性を向上させることができる。   As shown in FIG. 7, many silver fillers 49b have a length of 0.015 mm or less. For this reason, the uneven height H1 (uneven distance, see FIG. 5) of the outer peripheral uneven portion 85 is preferably 0.0015 mm to 0.0200 mm, and more preferably 0.0015 mm to 0.0100 mm. Thus, by setting the unevenness height to be 0.0015 mm or more, the silver filler 49b can enter and contact the outer peripheral unevenness portion 85 of the bonding gold plating layer 84. Further, by setting the uneven height to 0.0200 mm or less, particularly 0.0100 mm or less, the number of the outer peripheral uneven portions 85 is increased and the probability of bringing the silver filler 49b into contact with the outer peripheral uneven portions 85 is increased. Can do. As a result, the bonding reliability between the bonding gold plating layer 84 and the conductive adhesive can be improved.

なお、凹凸高さは、図5に示すように、接合用金めっき層84の外周縁84aの一部を、顕微鏡などを用いて、例えば、円弧状の外周縁84aが直線とみなすことができる程度に拡大した状態にして測定することができる。例えば、接合用金めっき層84の外周縁84aの半径が0.120mmの場合、オリンパス株式会社製の測定顕微鏡STM6−LMを用いて0.100mm×0.100mmの平面視野まで拡大することにより、円弧状の外周縁84aを直線とみなすことが可能となる。この図5に示す状態において、凹凸状に形成されている外周縁84aから近似され得る直線状の基準線の方向を画定し、当該基準線の方向に略平行な外周縁凹凸部85の外周縁凹部85aの谷底線と外周縁凸部85bの山頂線との間隔を測定し、測定された間隔を上述した凹凸高さとすることができる。   In addition, as shown in FIG. 5, the uneven | corrugated height can consider part of the outer periphery 84a of the gold plating layer 84 for joining using the microscope etc., for example, the arc-shaped outer periphery 84a can be considered as a straight line. It can be measured in a state of being enlarged to a certain extent. For example, when the radius of the outer peripheral edge 84a of the bonding gold plating layer 84 is 0.120 mm, by enlarging to a plane field of 0.100 mm × 0.100 mm using a measuring microscope STM6-LM manufactured by Olympus Corporation, The arc-shaped outer peripheral edge 84a can be regarded as a straight line. In the state shown in FIG. 5, the direction of the linear reference line that can be approximated from the outer peripheral edge 84a that is formed in an uneven shape is defined, and the outer peripheral edge of the outer peripheral uneven portion 85 that is substantially parallel to the direction of the reference line The distance between the valley bottom line of the recess 85a and the peak line of the outer peripheral protrusion 85b can be measured, and the measured distance can be set to the above-described uneven height.

ところで、図2に示すように、絶縁層10上には、配線層12の配線接続部16を覆う保護層20が設けられている。保護層20には、配線接続部16の保護層20の側の面の一部分を露出させる検査用貫通孔21が設けられている。この検査用貫通孔21において配線接続部16の露出された面に、検査用ニッケルめっき層23と検査用金めっき層24とを有する検査用めっき層22が形成されている。これら検査用ニッケルめっき層23と検査用金めっき層24とは、上述したニッケルめっき層33および金めっき層34と同様にして形成することができる。この検査用貫通孔21において配線接続部16が露出されているため、プローブ等の導通検査器を用いることにより、配線接続部16の上面から配線接続部16とピエゾ素子44との間の導通検査を行うことができるようになっている。
また、保護層20は、基板本体領域2および連結領域4においては、配線層12の各配線13a、13b、13cを覆うように形成されている。なお、図1においては、図面を明瞭にするために、保護層20は省略している。
By the way, as shown in FIG. 2, a protective layer 20 is provided on the insulating layer 10 to cover the wiring connection portion 16 of the wiring layer 12. The protective layer 20 is provided with an inspection through hole 21 that exposes a part of the surface of the wiring connection portion 16 on the protective layer 20 side. An inspection plating layer 22 having an inspection nickel plating layer 23 and an inspection gold plating layer 24 is formed on the exposed surface of the wiring connection portion 16 in the inspection through hole 21. The nickel plating layer 23 for inspection and the gold plating layer 24 for inspection can be formed in the same manner as the nickel plating layer 33 and the gold plating layer 34 described above. Since the wiring connection portion 16 is exposed in the inspection through hole 21, a continuity test between the wiring connection portion 16 and the piezoelectric element 44 is performed from the upper surface of the wiring connection portion 16 by using a continuity tester such as a probe. Can be done.
The protective layer 20 is formed so as to cover the wirings 13 a, 13 b, and 13 c of the wiring layer 12 in the substrate main body region 2 and the connection region 4. In FIG. 1, the protective layer 20 is omitted for the sake of clarity.

なお、図1に示すように、基板本体領域2において、金属支持層11および絶縁層10を貫通して、後述のロードビーム43との位置合わせを行うための2つの治具孔25が設けられている。各治具孔25は、後述するロードビーム43の長手方向軸線(X)上に配置されている。すなわち、当該長手方向軸線(X)は、各治具孔25を通っている。   As shown in FIG. 1, in the substrate main body region 2, two jig holes 25 are provided through the metal support layer 11 and the insulating layer 10 for alignment with a load beam 43 described later. ing. Each jig hole 25 is disposed on a longitudinal axis (X) of a load beam 43 described later. That is, the longitudinal axis (X) passes through each jig hole 25.

次に、各構成部材について詳細に述べる。   Next, each component will be described in detail.

絶縁層10の材料としては、所望の絶縁性を有する材料であれば特に限定されることはないが、例えば、ポリイミド(PI)を用いることが好適である。なお、絶縁層10の材料は、感光性材料であっても非感光性材料であっても用いることができる。また、絶縁層10の厚さは、5μm〜30μm、とりわけ8μm〜10μmであることが好ましい。このことにより、金属支持層11と各配線13a、13b、13cとの間の絶縁性能を確保するとともに、サスペンション用基板1全体としての剛性が喪失されることを防止することができる。   The material of the insulating layer 10 is not particularly limited as long as it is a material having a desired insulating property. For example, it is preferable to use polyimide (PI). Note that the material of the insulating layer 10 can be a photosensitive material or a non-photosensitive material. The thickness of the insulating layer 10 is preferably 5 μm to 30 μm, particularly 8 μm to 10 μm. As a result, it is possible to ensure insulation performance between the metal support layer 11 and the wirings 13a, 13b, and 13c, and to prevent loss of rigidity of the suspension substrate 1 as a whole.

各配線13a、13b、13cは、電気信号を伝送するための導体として構成されており、各配線13a、13b、13cの材料としては、所望の導電性を有する材料であれば特に限定されることはないが、銅(Cu)を用いることが好適である。銅以外にも、純銅に準ずる電気特性を有する材料であれば用いることもできる。ここで、各配線13a、13b、13cの厚さは、例えば1μm〜18μm、とりわけ9μm〜12μmであることが好ましい。このことにより、各配線13a、13b、13cの伝送特性を確保するとともに、サスペンション用基板1全体としての柔軟性が喪失されることを防止することができる。なお、ヘッド端子5、テール端子6および配線接続部16は、各配線13a、13b、13cと同一の材料、同一の厚みで形成されており、各配線13a、13b、13cと共に配線層12を構成している。   Each of the wirings 13a, 13b, and 13c is configured as a conductor for transmitting an electrical signal, and the material of each of the wirings 13a, 13b, and 13c is particularly limited as long as it has a desired conductivity. However, it is preferable to use copper (Cu). In addition to copper, any material having electrical characteristics similar to pure copper can be used. Here, it is preferable that the thickness of each wiring 13a, 13b, 13c is, for example, 1 μm to 18 μm, especially 9 μm to 12 μm. As a result, the transmission characteristics of the wirings 13a, 13b, and 13c can be ensured, and the loss of flexibility of the suspension substrate 1 as a whole can be prevented. The head terminal 5, tail terminal 6 and wiring connection portion 16 are formed of the same material and the same thickness as the wirings 13a, 13b and 13c, and constitute the wiring layer 12 together with the wirings 13a, 13b and 13c. doing.

金属支持層11は、ステンレスにより形成されている。このことにより、金属支持層11に、所望の導電性、弾力性、および強度を持たせている。なお、金属支持層11の厚さは、配線13a、13b、13cの厚さよりも大きいことが好ましい。また、金属支持層11の厚さは、一例として、10μm〜30μm、とりわけ15μm〜20μmとすることができる。このことにより、金属支持層11の導電性、剛性、および弾力性を確保することができる。   The metal support layer 11 is made of stainless steel. As a result, the metal support layer 11 has desired conductivity, elasticity, and strength. The thickness of the metal support layer 11 is preferably larger than the thickness of the wirings 13a, 13b, and 13c. Moreover, the thickness of the metal support layer 11 can be 10 micrometers-30 micrometers as an example, and can be 15 micrometers-20 micrometers especially. As a result, the conductivity, rigidity, and elasticity of the metal support layer 11 can be ensured.

保護層20の材料としては、樹脂材料、例えば、ポリイミドを用いることが好適である。なお、保護層20の材料は、感光性材料であっても非感光性材料であっても用いることができる。保護層20の厚さは、2μm〜30μmであることが好ましい。   As a material of the protective layer 20, it is preferable to use a resin material such as polyimide. The material of the protective layer 20 can be a photosensitive material or a non-photosensitive material. The thickness of the protective layer 20 is preferably 2 μm to 30 μm.

次に、図8乃至図11を用いて、本実施の形態におけるサスペンション41について説明する。図8に示すサスペンション41は、ベースプレート42と、ベースプレート42上に取り付けられ、サスペンション用基板1の金属支持層11を保持するロードビーム43と、上述のサスペンション用基板1と、ベースプレート42およびロードビーム43の少なくとも一方に接合されると共に、サスペンション用基板1の接続構造領域3に接続されたピエゾ素子44と、を有している。   Next, the suspension 41 in the present embodiment will be described with reference to FIGS. The suspension 41 shown in FIG. 8 is attached to the base plate 42, the load beam 43 that holds the metal support layer 11 of the suspension substrate 1, the suspension substrate 1, the base plate 42, and the load beam 43. And a piezo element 44 connected to the connection structure region 3 of the suspension substrate 1.

このうちベースプレート42は、ステンレスからなり、図9に示すように、サスペンション用基板1のヘッド領域2aの側に配置されたヘッド側プレート42aと、テール領域2bの側に配置されたテール側プレート42bと、ヘッド側プレート42aとテール側プレート42bとを連結した可撓部42cと、を有している。また、ベースプレート42は、ピエゾ素子44を収容する収容開口部42dを有している。この収容開口部42dは、ヘッド側プレート42a、テール側プレート42bおよび可撓部42cにより形成されている。   Of these, the base plate 42 is made of stainless steel, and as shown in FIG. 9, a head side plate 42a disposed on the head region 2a side of the suspension substrate 1 and a tail side plate 42b disposed on the tail region 2b side. And a flexible portion 42c connecting the head side plate 42a and the tail side plate 42b. The base plate 42 has an accommodation opening 42 d for accommodating the piezo element 44. The accommodation opening 42d is formed by a head side plate 42a, a tail side plate 42b, and a flexible portion 42c.

ロードビーム43は、ベースプレート42と同様にステンレスからなり、図8および図9に示すように、サスペンション用基板1のヘッド領域2aの側に配置されたヘッド側ビーム43aと、テール領域2bの側に配置されたテール側ビーム43bと、ヘッド側ビーム43aとテール側ビーム43bとを連結した可撓部43cと、を有している。また、ロードビーム43は、ピエゾ素子44の接続構造領域3の側の面を露出させる露出開口部43dを有している。この露出開口部43dは、ヘッド側ビーム43a、テール側ビーム43bおよび可撓部43cにより形成されている。   The load beam 43 is made of stainless steel like the base plate 42, and as shown in FIGS. 8 and 9, the head side beam 43a disposed on the head region 2a side of the suspension substrate 1 and the tail region 2b side. The tail-side beam 43b is disposed, and a flexible portion 43c that connects the head-side beam 43a and the tail-side beam 43b. In addition, the load beam 43 has an exposed opening 43 d that exposes the surface of the piezo element 44 on the connection structure region 3 side. The exposed opening 43d is formed by a head side beam 43a, a tail side beam 43b, and a flexible portion 43c.

このようにして形成されたベースプレート42およびロードビーム43にピエゾ素子44が接合されている。すなわち、図8および図9に示すように、ピエゾ素子44は、ベースプレート42の収容開口部42dに収容されて、ベースプレート42に接合されると共に、ロードビーム43のベースプレート42の側の面に接合されている。また、図11に示すように、サスペンション用基板1の接続構造領域3は、ロードビーム43の露出開口部43dを介してピエゾ素子44に接続されている。   A piezo element 44 is joined to the base plate 42 and the load beam 43 thus formed. That is, as shown in FIGS. 8 and 9, the piezo element 44 is accommodated in the accommodation opening 42 d of the base plate 42, joined to the base plate 42, and joined to the surface of the load beam 43 on the side of the base plate 42. ing. Further, as shown in FIG. 11, the connection structure region 3 of the suspension substrate 1 is connected to the piezo element 44 through the exposed opening 43 d of the load beam 43.

ロードビーム43には、サスペンション用基板1の各治具孔25に対応して、ビーム治具孔(図示せず)が設けられており、サスペンション用基板1にロードビーム43を取り付ける際に、サスペンション用基板1とロードビーム43との位置合わせを行うことができるようになっている。このロードビーム43の治具孔は、長手方向軸線(X)上に配置されている。そして、ロードビーム43とサスペンション用基板1とが溶接により固定されるようになっている。   The load beam 43 is provided with a beam jig hole (not shown) corresponding to each jig hole 25 of the suspension substrate 1. When the load beam 43 is attached to the suspension substrate 1, the suspension beam 1 is suspended. The substrate 1 and the load beam 43 can be aligned. The jig hole of the load beam 43 is disposed on the longitudinal axis (X). The load beam 43 and the suspension substrate 1 are fixed by welding.

ピエゾ素子44は、電圧が印加されることにより、図8、図12の矢印P方向に伸縮する圧電素子として構成されており、ヘッドスライダ52をスウェイ方向(旋回方向、図8、図12の矢印Q方向)に移動させるためのものである。各ピエゾ素子44は、図10に示すように、互いに対向する一対の電極44aと、一対の電極44a間に介在され、例えばPZT(チタン酸ジルコン酸鉛)等の圧電セラミックスにより形成された圧電材料部44bと、を有している。一対のピエゾ素子44の圧電材料部44bは、互いに180°異なる分極方向となるように形成されており、所定の電圧が印加されると、一方のピエゾ素子44が収縮すると共に、他方のピエゾ素子44が伸長するようになっている。このようなピエゾ素子44は、図8に示すように、ロードビーム43の長手方向軸線(X)に沿って配置されており、その伸縮方向が、当該長手方向軸線(X)に平行になっている。また、ピエゾ素子44は、長手方向軸線(X)に対して互いに線対称に配置されており、各ピエゾ素子44の伸縮が、ヘッドスライダ52に均等に伝達されるようになっている。また、本実施の形態においては、ピエゾ素子44に接続される接続構造領域3が、基板本体領域2の両側方に配置されており、ピエゾ素子44の伸縮を効果的にヘッドスライダ52の変位に利用することができるようになっている。   The piezoelectric element 44 is configured as a piezoelectric element that expands and contracts in the direction of the arrow P in FIGS. 8 and 12 when a voltage is applied, and moves the head slider 52 in the sway direction (the turning direction, the arrow in FIGS. 8 and 12). Q direction). As shown in FIG. 10, each piezo element 44 is interposed between a pair of electrodes 44a facing each other and a pair of electrodes 44a, and is formed of a piezoelectric material such as PZT (lead zirconate titanate). Part 44b. The piezoelectric material portions 44b of the pair of piezo elements 44 are formed to have polarization directions different from each other by 180 °. When a predetermined voltage is applied, one piezo element 44 contracts and the other piezo element 44 44 extends. As shown in FIG. 8, such a piezo element 44 is arranged along the longitudinal axis (X) of the load beam 43, and its expansion / contraction direction is parallel to the longitudinal axis (X). Yes. The piezo elements 44 are arranged symmetrically with respect to the longitudinal axis (X) so that the expansion and contraction of each piezo element 44 is evenly transmitted to the head slider 52. Further, in the present embodiment, the connection structure region 3 connected to the piezo element 44 is disposed on both sides of the substrate body region 2, and the expansion and contraction of the piezo element 44 is effectively converted into the displacement of the head slider 52. It can be used now.

図11に示すように、各ピエゾ素子44は、非導電性接着剤からなる非導電性接着部46を介してベースプレート42およびロードビーム43に接合されている。また、ピエゾ素子44の一方(サスペンション用基板1とは反対側)の電極44aは、図9および図11に示すように、導電性接着剤からなる第1導電性接着部47を介してベースプレート42に電気的に接続されている。さらに、ピエゾ素子44の他方(サスペンション用基板1の側)の電極44aは、図11に示すように、導電性接着剤からなる第2導電性接着部48を介して配線接続部16に接合されると共に電気的に接続されている。すなわち、配線接続部16とピエゾ素子44との間に導電性接着剤からなる第2導電性接着部48が形成され、ピエゾ素子44が第2導電性接着部48を介して配線接続部16に接合されると共に、ピエゾ素子44の当該他方の電極44aが、第2導電性接着部48を介して配線接続部16に電気的に接続されている。ここで、図11は、一例として、接続構造領域3の長手方向軸線(X)に沿った断面を示している。図11においては、サスペンション用基板1の接続構造領域3が、連結領域4の柔軟性によって、ピエゾ素子44の側にわずかに押し込まれている例を示している。   As shown in FIG. 11, each piezo element 44 is joined to the base plate 42 and the load beam 43 via a nonconductive adhesive portion 46 made of a nonconductive adhesive. Further, as shown in FIGS. 9 and 11, the electrode 44a on one side of the piezo element 44 (the side opposite to the suspension substrate 1) is connected to the base plate 42 via a first conductive adhesive portion 47 made of a conductive adhesive. Is electrically connected. Furthermore, the other electrode 44a (the suspension substrate 1 side) of the piezo element 44 is joined to the wiring connection portion 16 via a second conductive adhesive portion 48 made of a conductive adhesive, as shown in FIG. And electrically connected. That is, a second conductive adhesive portion 48 made of a conductive adhesive is formed between the wiring connection portion 16 and the piezo element 44, and the piezo element 44 is connected to the wiring connection portion 16 via the second conductive adhesive portion 48. While being joined, the other electrode 44 a of the piezo element 44 is electrically connected to the wiring connection portion 16 via the second conductive adhesive portion 48. Here, FIG. 11 shows a cross section along the longitudinal axis (X) of the connection structure region 3 as an example. FIG. 11 shows an example in which the connection structure region 3 of the suspension substrate 1 is slightly pushed toward the piezo element 44 due to the flexibility of the connection region 4.

次に、図12により、本実施の形態におけるヘッド付サスペンション51について説明する。図12に示すヘッド付サスペンション51は、上述したサスペンション41と、サスペンション用基板1に実装され、そのヘッド端子5に接続されたヘッドスライダ52とを有している。   Next, referring to FIG. 12, the suspension with head 51 in the present embodiment will be described. A suspension 51 with a head shown in FIG. 12 has the above-described suspension 41 and a head slider 52 mounted on the suspension substrate 1 and connected to the head terminal 5.

続いて、図13により、本実施の形態におけるハードディスクドライブ61について説明する。図13に示すハードディスクドライブ61は、ケース62と、このケース62に回転自在に取り付けられ、データが記憶されるディスク63と、このディスク63を回転させるスピンドルモータ64と、ディスク63に所望のフライングハイトを保って近接するように設けられ、ディスク63に対してデータの書き込みおよび読み取りを行うヘッドスライダ52を含むヘッド付サスペンション51と、を有している。このうちヘッド付サスペンション51は、ケース62に対して移動自在に取り付けられており、ケース62にはヘッド付サスペンション51のヘッドスライダ52をディスク63上に沿って移動させるボイスコイルモータ65が取り付けられている。また、ヘッド付サスペンション51は、ボイスコイルモータ65にアーム66を介して取り付けられると共に、ハードディスクドライブ61を制御する制御部(図示せず)に接続されたFPC基板71(図12参照)に接続されている。このようにして、電気信号が、サスペンション用基板1とFPC基板71を介して、制御部とヘッドスライダ52との間で伝送されるようになっている。   Next, the hard disk drive 61 in the present embodiment will be described with reference to FIG. A hard disk drive 61 shown in FIG. 13 is provided with a case 62, a disk 63 that is rotatably attached to the case 62, stores data, a spindle motor 64 that rotates the disk 63, and a desired flying height on the disk 63. And a suspension 51 with a head including a head slider 52 that writes and reads data to and from the disk 63. Among them, the suspension with head 51 is attached to the case 62 so as to be movable, and the voice coil motor 65 for moving the head slider 52 of the suspension with head 51 along the disk 63 is attached to the case 62. Yes. The suspension 51 with the head is attached to the voice coil motor 65 via the arm 66, and is connected to an FPC board 71 (see FIG. 12) connected to a control unit (not shown) that controls the hard disk drive 61. ing. In this way, an electrical signal is transmitted between the control unit and the head slider 52 via the suspension board 1 and the FPC board 71.

次に、本実施の形態によるサスペンション用基板1の製造方法について説明する。ここでは、一例として、接続構造領域3の断面を示す図14および図15を用いて、サブトラクティブ法によりサスペンション用基板1を製造する方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the suspension substrate 1 according to the present embodiment will be described. Here, as an example, a method of manufacturing the suspension substrate 1 by the subtractive method will be described with reference to FIGS. 14 and 15 showing a cross section of the connection structure region 3.

まず、絶縁層10と、絶縁層10の一方の面(接続されるピエゾ素子44側の面)に設けられた金属支持層11と、絶縁層10の他方の面に設けられた配線層12と、を有する積層体35を準備する(図14(a)参照)。この場合、まず、金属支持層11を準備し、この金属支持層11上に、非感光性ポリイミドを用いた塗工方法により絶縁層10が形成される。続いて、絶縁層10上に、ニッケル、クロムおよび銅がスパッタ工法により順次コーティングされ、シード層(図示せず)が形成される。その後、このシード層を導通媒体として、銅めっきにより配線層12が形成される。このようにして、絶縁層10と金属支持層11と配線層12とを有する積層体35が得られる。   First, the insulating layer 10, the metal support layer 11 provided on one surface of the insulating layer 10 (the surface on the side of the piezo element 44 to be connected), the wiring layer 12 provided on the other surface of the insulating layer 10, and Are prepared (see FIG. 14A). In this case, first, the metal support layer 11 is prepared, and the insulating layer 10 is formed on the metal support layer 11 by a coating method using non-photosensitive polyimide. Subsequently, nickel, chromium and copper are sequentially coated on the insulating layer 10 by a sputtering method to form a seed layer (not shown). Thereafter, the wiring layer 12 is formed by copper plating using the seed layer as a conductive medium. In this way, a laminate 35 having the insulating layer 10, the metal support layer 11, and the wiring layer 12 is obtained.

続いて、配線層12において複数の配線13a、13b、13cと配線接続部16とが形成されると共に、金属支持層11に金属支持層貫通孔31aが形成される(図14(b)参照)。この場合、フォトファブリケーションの手法により、配線層12上にパターン状のレジスト(図示せず)が形成され、レジストの開口から、塩化第二鉄水溶液などの腐食液により配線層12および金属支持層11がエッチングされる。このようにして、所望の形状を有する配線層12および金属支持層貫通孔31aが形成される。この際、基板本体領域2では、図1に示すようなヘッド端子5およびテール端子6が形成される。その後、レジストは除去される。   Subsequently, a plurality of wirings 13a, 13b, 13c and a wiring connection portion 16 are formed in the wiring layer 12, and a metal support layer through hole 31a is formed in the metal support layer 11 (see FIG. 14B). . In this case, a patterned resist (not shown) is formed on the wiring layer 12 by a photofabrication technique, and the wiring layer 12 and the metal support layer are formed from an opening of the resist by a corrosive liquid such as a ferric chloride aqueous solution. 11 is etched. In this way, the wiring layer 12 and the metal support layer through hole 31a having a desired shape are formed. At this time, the head terminal 5 and the tail terminal 6 as shown in FIG. Thereafter, the resist is removed.

次に、絶縁層10上に、配線層12の各配線13a、13b、13cおよび配線接続部16を覆う所望の形状の保護層20が形成される(図14(c)参照)。この場合、非感光性ポリイミドが、ダイコータを用いて、絶縁層10上にコーティングされ、これを乾燥させて、保護層20が形成される。続いて、形成された保護層20上に、パターン状のレジスト(図示せず)が形成され、保護層20のうち露出された部分がエッチングされ、保護層20を硬化させる。このようにして、所望の形状の保護層20が得られる。この際、保護層20には、検査用貫通孔21が形成される。なお、保護層20をエッチングする方法は、特に限定されるものではないが、ウェットエッチングを行うことが好ましい。とりわけ、エッチング液は、保護層20の材料の種類に応じて適宜選択することが好ましいが、例えば、保護層20がポリイミド樹脂により形成される場合には、有機アルカリエッチング液等のアルカリ系エッチング液を用いることができる。その後、レジストが除去される。   Next, a protective layer 20 having a desired shape is formed on the insulating layer 10 to cover the wirings 13a, 13b, 13c and the wiring connection portion 16 of the wiring layer 12 (see FIG. 14C). In this case, non-photosensitive polyimide is coated on the insulating layer 10 using a die coater, and dried to form the protective layer 20. Subsequently, a patterned resist (not shown) is formed on the formed protective layer 20, and the exposed portion of the protective layer 20 is etched to cure the protective layer 20. In this way, the protective layer 20 having a desired shape is obtained. At this time, an inspection through hole 21 is formed in the protective layer 20. The method for etching the protective layer 20 is not particularly limited, but it is preferable to perform wet etching. In particular, the etching solution is preferably selected as appropriate according to the type of material of the protective layer 20. For example, when the protective layer 20 is formed of a polyimide resin, an alkaline etching solution such as an organic alkaline etching solution is used. Can be used. Thereafter, the resist is removed.

保護層20が得られた後、絶縁層10において絶縁層貫通孔31bを含む絶縁枠体部18が形成されると共に、絶縁層10が所望の形状に外形加工される(図14(d)参照)。この場合、まず、パターン状のレジスト(図示せず)が形成され、絶縁層10の露出された部分がエッチングされて、絶縁枠体部18が形成されると共に絶縁層10が外形加工される。ここで、絶縁層10をエッチングする方法は、保護層20をエッチングする方法と同様に、特に限定されるものではないが、ウェットエッチングを行うことが好ましい。
とりわけ、エッチング液は、絶縁層10の材料の種類に応じて適宜選択することが好ましいが、例えば、絶縁層10がポリイミド樹脂により形成される場合には、有機アルカリエッチング液等のアルカリ系エッチング液を用いることができる。エッチングが行われた後、レジストは除去される。
After the protective layer 20 is obtained, the insulating frame portion 18 including the insulating layer through-holes 31b is formed in the insulating layer 10, and the outer shape of the insulating layer 10 is processed into a desired shape (see FIG. 14D). ). In this case, first, a patterned resist (not shown) is formed, and the exposed portion of the insulating layer 10 is etched to form the insulating frame 18 and the outer shape of the insulating layer 10 is processed. Here, the method of etching the insulating layer 10 is not particularly limited as in the method of etching the protective layer 20, but wet etching is preferably performed.
In particular, the etching solution is preferably selected as appropriate according to the type of material of the insulating layer 10. For example, when the insulating layer 10 is formed of a polyimide resin, an alkaline etching solution such as an organic alkaline etching solution is used. Can be used. After the etching is performed, the resist is removed.

次に、接合用めっき層82が形成される(図14(e)、(f)参照)。すなわち、金属支持層11のピエゾ素子44の側の面に、図15および図16に示すように、レジスト開口87aの周縁が平面視で凹凸状に形成されたレジスト凹凸部88を有するレジスト87を用いてめっきが施され、このことにより、外周縁が平面視で凹凸状に形成された接合用めっき層82が得られる。ここでは、レジスト87のレジスト開口87aの周縁にレジスト凹凸部88を形成する方法について、図15および図16を用いて以下に詳細に述べる。なお、図15においては、便宜上、接続構造領域3の下側の面に形成されるレジストを示し、接続構造領域3の上側の面に形成されるレジストは省略している。   Next, a bonding plating layer 82 is formed (see FIGS. 14E and 14F). That is, as shown in FIGS. 15 and 16, a resist 87 having a resist concavo-convex portion 88 in which the periphery of the resist opening 87a is formed in a concavo-convex shape in plan view is provided on the surface of the metal support layer 11 on the piezoelectric element 44 side. Thus, a plating layer 82 for bonding in which the outer peripheral edge is formed in an uneven shape in plan view is obtained. Here, a method for forming the resist concavo-convex portion 88 on the periphery of the resist opening 87a of the resist 87 will be described in detail below with reference to FIGS. In FIG. 15, for the sake of convenience, the resist formed on the lower surface of the connection structure region 3 is shown, and the resist formed on the upper surface of the connection structure region 3 is omitted.

まず、金属支持層11上に、水溶性タイプのネガ型感光性のレジスト87(好適には38μmの厚さを有するドライフィルム・フォトレジスト)がラミネートされる(図15(a)参照)。   First, a water-soluble negative photosensitive resist 87 (preferably a dry film photoresist having a thickness of 38 μm) is laminated on the metal support layer 11 (see FIG. 15A).

続いて、ラミネートされたレジスト87に、高圧水銀灯から紫外線が照射され、当該レジスト87が露光される(図15(b)参照)。この場合、紫外線は、所定形状のマスク開口89aを有する露光マスク89を介して照射される。また、この場合、レジスト87は、所定の露光量で露光される。この露光量は、例えば、ストーファー21段ステップタブレット(デュポン社製リストン(登録商標)ストーファー21段ステップタブレット)を用いて評価することができる。   Subsequently, the laminated resist 87 is irradiated with ultraviolet rays from a high-pressure mercury lamp, and the resist 87 is exposed (see FIG. 15B). In this case, the ultraviolet rays are irradiated through an exposure mask 89 having a mask opening 89a having a predetermined shape. In this case, the resist 87 is exposed with a predetermined exposure amount. This exposure amount can be evaluated using, for example, a stove 21-step tablet (Liston (registered trademark) stoffer 21-step tablet manufactured by DuPont).

ステップタブレットは、レジストへの最適な露光量を決めるためのツールである。具体的には、ステップタブレットは、光学濃度が順次に高くなる21の段数を有し、光学濃度が最も低い部分で通過する光の量が最も多く、光学濃度が最も高い部分で通過する光の量が最も少なくなるようになっている。露光の際、露光されるレジストの上面に載置し、ステップタブレットを通してレジストを露光することにより、レジストには、段数に応じた露光量で紫外線が照射され、照射された露光量に応じてレジストが光硬化する。露光後に現像することにより、硬化していない未露光部分が除去されるが、レジストが残存する最大の段数を確認することにより、露光量を評価することができるようになっている。すなわち、最適な露光量は、一般に、使用するレジストの材料の種類に応じて変わり得るが、ステップタブレットを用いることにより、材料の種類によらずに最適な露光量を評価することができる。   The step tablet is a tool for determining an optimum exposure amount to the resist. Specifically, the step tablet has 21 stages in which the optical density increases sequentially, the amount of light that passes through the portion with the lowest optical density, and the light that passes through the portion with the highest optical density. The amount is designed to be the smallest. At the time of exposure, the resist is placed on the upper surface of the resist to be exposed and exposed through a step tablet, so that the resist is irradiated with ultraviolet rays at an exposure amount corresponding to the number of steps, and the resist according to the irradiated exposure amount. Is photocured. By developing after exposure, uncured unexposed portions are removed, but the amount of exposure can be evaluated by confirming the maximum number of steps where the resist remains. That is, the optimum exposure amount can generally vary depending on the type of resist material to be used, but by using a step tablet, the optimum exposure amount can be evaluated regardless of the type of material.

このストーファー21段ステップタブレットを用いた場合、残存するレジストの最大段数が10〜18段となるような露光量で、レジスト87が露光されることが好ましい。このことにより、レジスト87のレジスト開口87a(図15(c)参照)の周縁に、レジスト凹凸部88が形成され、所望の凹凸高さの凹凸を形成することができる。なお、レジスト凹凸部88の凹凸高さは、外周縁凹凸部85の凹凸高さと同様に、0.0015mm〜0.0200mm、とりわけ、0.0015mm〜0.0100mmであることが好ましい。   In the case of using this stove 21 step tablet, it is preferable that the resist 87 is exposed with an exposure amount such that the maximum number of remaining resist steps is 10 to 18 steps. As a result, a resist uneven portion 88 is formed at the periphery of the resist opening 87a (see FIG. 15C) of the resist 87, and uneven portions having a desired uneven height can be formed. In addition, the uneven | corrugated height of the resist uneven | corrugated | grooved part 88 is 0.0015 mm-0.0200 mm similarly to the uneven | corrugated height of the outer periphery uneven | corrugated part 85, It is preferable that it is 0.0015 mm-0.0100 mm especially.

その後、露光されたレジスト87が、濃度1wt%の炭酸ナトリウム水溶液を用いてスプレー現像される。この場合、炭酸ナトリウム水溶液がレジスト87の未露光部分を溶解または分散除去する。このことにより、未露光部分が除去された所定形状のレジスト87が得られる(図15(c)参照)。この際、レジスト87のレジスト開口87aの周縁には、凹凸が形成される。すなわち、図16に示すように、レジスト87のレジスト開口87aの周縁に、レジスト凸部88aおよびレジスト凹部88bを含むレジスト凹凸部88が形成される。   Thereafter, the exposed resist 87 is spray developed using an aqueous sodium carbonate solution having a concentration of 1 wt%. In this case, the sodium carbonate aqueous solution dissolves or disperses the unexposed portions of the resist 87. Thus, a resist 87 having a predetermined shape from which an unexposed portion is removed is obtained (see FIG. 15C). At this time, irregularities are formed on the periphery of the resist opening 87 a of the resist 87. That is, as shown in FIG. 16, a resist uneven portion 88 including a resist convex portion 88a and a resist concave portion 88b is formed at the periphery of the resist opening 87a of the resist 87.

現像の後、レジスト87が加熱処理される。一般的には、加熱処理は、現像前に行われて、散乱光により不均一になったレジスト87のレジスト開口87aの周縁を一様にすると共に、レジスト87の密着性を向上させ、現像処理後の耐エッチング性、耐めっき性を高める。しかしながら、本実施の形態においては、上述したように、現像後に、レジスト87を加熱処理する。このことにより、現像処理後の耐めっき性を高めると共に、レジスト87のレジスト開口87aの周縁に形成されたレジスト凹凸部の形状を維持することが可能となる。なお、加熱処理には、熱風乾燥方式などを適用することが好適であり、例えば、50℃以上160℃以下の温度環境下に20秒以上曝すことが好ましい。   After development, the resist 87 is heated. In general, the heat treatment is performed before development, and the periphery of the resist opening 87a of the resist 87 that has become non-uniform due to scattered light is made uniform, and the adhesion of the resist 87 is improved, and the development treatment is performed. Increases later etching resistance and plating resistance. However, in this embodiment, as described above, the resist 87 is heat-treated after development. As a result, the plating resistance after the development process can be improved, and the shape of the resist concavo-convex portion formed on the periphery of the resist opening 87a of the resist 87 can be maintained. In addition, it is suitable to apply a hot-air drying system etc. to heat processing, for example, it is preferable to expose for 20 second or more in the temperature environment of 50 to 160 degreeC.

このようにして、図16に示すように、レジスト開口87aの周縁にレジスト凹凸部88が形成された所定パターンのレジスト87が得られる。その後、この得られたレジスト87を用いてニッケルめっきおよび金めっきが順次施されて接合用めっき層82が形成される。   In this manner, as shown in FIG. 16, a resist 87 having a predetermined pattern in which a resist unevenness 88 is formed on the periphery of the resist opening 87a is obtained. Thereafter, nickel plating and gold plating are sequentially performed using the obtained resist 87 to form a bonding plating layer 82.

このうち接合用ニッケルめっき層83は、レジスト87のレジスト開口87aから露出された部分が酸洗浄されて、電解めっき法により得られる(図14(e)参照)。得られた接合用ニッケルめっき層83の外周縁は、レジスト87のレジスト凹凸部88に対応するように凹凸状に形成される。接合用ニッケルめっき層83が形成される際、配線接続部16に接続用ニッケルめっき層33が形成される。また、この際、ヘッド端子5およびテール端子6(いずれも図1参照)にも同様にしてニッケルめっきが施され、配線接続部16の検査用貫通孔21により露出された部分にもニッケルめっきが施される(すなわち、検査用ニッケルめっき層23が形成される)。なお、めっきを施す方法としては、電解めっき法に限られることはなく、浸漬めっき法、治具めっき法などを用いることもできる。   Of these, the nickel plating layer 83 for bonding is obtained by electrolytic plating after the portion exposed from the resist opening 87a of the resist 87 is acid cleaned (see FIG. 14E). The outer peripheral edge of the obtained bonding nickel plating layer 83 is formed in an uneven shape so as to correspond to the resist uneven portion 88 of the resist 87. When the bonding nickel plating layer 83 is formed, the connection nickel plating layer 33 is formed on the wiring connection portion 16. At this time, nickel plating is similarly applied to the head terminal 5 and the tail terminal 6 (both see FIG. 1), and nickel plating is also applied to the portion exposed by the inspection through hole 21 of the wiring connection portion 16. (That is, the inspection nickel plating layer 23 is formed). The plating method is not limited to the electrolytic plating method, and an immersion plating method, a jig plating method, or the like can also be used.

続いて、ニッケルめっきを施す際に用いたレジスト87を用いて、接合用金めっき層84が電解めっき法により得られる(図14(f)参照)。得られた接合用金めっき層84の外周縁84aに外周縁凹凸部85が形成されて、当該外周縁84aは、上述した接合用ニッケルめっき層83の外周縁と同様にして、平面視で凹凸状に形成される。すなわち、レジスト87のレジスト凸部88aに対応して外周縁凹部85aが形成されると共に、レジスト凹部88bに対応して外周縁凸部85bが形成される。接合用金めっき層84が形成される際、接続用ニッケルめっき層33に接続用金めっき層34が形成される。また、この際、ヘッド端子5およびテール端子6(いずれも図1参照)にも金めっきが施され、配線接続部16上の接続用ニッケルめっき層33上にも金めっきが施される(すなわち、検査用金めっき層24が形成される)。   Subsequently, a gold plating layer 84 for bonding is obtained by an electrolytic plating method using the resist 87 used when nickel plating is performed (see FIG. 14F). An outer peripheral edge uneven portion 85 is formed on the outer peripheral edge 84a of the obtained bonding gold plating layer 84, and the outer peripheral edge 84a is uneven in a plan view in the same manner as the outer peripheral edge of the bonding nickel plating layer 83 described above. It is formed into a shape. That is, the outer peripheral edge concave portion 85a is formed corresponding to the resist convex portion 88a of the resist 87, and the outer peripheral edge convex portion 85b is formed corresponding to the resist concave portion 88b. When the bonding gold plating layer 84 is formed, the connection gold plating layer 34 is formed on the connection nickel plating layer 33. At this time, the head terminal 5 and the tail terminal 6 (both see FIG. 1) are also plated with gold, and the plated nickel layer 33 for connection on the wiring connection portion 16 is also plated with gold (ie, The gold plating layer 24 for inspection is formed).

その後、レジスト87は除去される。このようにして、接続用めっき層32および接合用めっき層82が得られる。   Thereafter, the resist 87 is removed. In this way, the connection plating layer 32 and the bonding plating layer 82 are obtained.

形成された接続用金めっき層34および接合用金めっき層84の表面は、洗浄処理されてもよい。例えば、サスペンション用基板1を真空チャンバー内に設置して当該真空チャンバー内にアルゴン(Ar)ガスを導入し、常圧にて放電電力100W、周波数15kHzの条件で、アルゴンガスプラズマ処理を1分間行ってもよい。このことにより、接続用金めっき層34および接合用金めっき層84の表面を洗浄することができ、接続用金めっき層34および接合用金めっき層84と導電性接着剤との密着性を向上させることが可能となる。   The surfaces of the formed connection gold plating layer 34 and bonding gold plating layer 84 may be cleaned. For example, the suspension substrate 1 is placed in a vacuum chamber, and argon (Ar) gas is introduced into the vacuum chamber, and argon gas plasma treatment is performed for 1 minute under conditions of a discharge power of 100 W and a frequency of 15 kHz at normal pressure. May be. Thus, the surfaces of the connection gold plating layer 34 and the bonding gold plating layer 84 can be cleaned, and the adhesion between the connection gold plating layer 34 and the bonding gold plating layer 84 and the conductive adhesive is improved. It becomes possible to make it.

なお、金属支持層11と接合用金めっき層84との密着性をより一層向上させるために、接合用ニッケルめっき層83は、以下のようにして形成されていてもよい。すなわち、金属支持層11の表面のうち対応する部分に、まず、不動態被膜を除去するために塩酸系めっき液を用いたニッケルストライクめっきが施され、その後、電解めっき法によりニッケルめっきが施されて接合用ニッケルめっき層83が形成されることが好ましい。このようにニッケルストライクめっきを施すことにより、金属支持層11の表面の不動態被膜を除去することができ、金属支持層11と接合用ニッケルめっき層83との密着性を向上させることができる。この場合、ニッケルストライクめっきのめっき厚さは、0.05μm〜0.1μm、電解めっき法によるニッケルめっきのめっき厚さは、0.5μm〜2.5μmとすることが好ましい。あるいは、密着性をさらに向上させるためにニッケルストライクめっきのめっき厚さを0.1μm程度とし、接合用ニッケルめっき層83にピンホールが形成されることを抑制するために電解めっき法によるめっき厚さを0.5μm〜5.0μmとすることもできる。後者の場合においてニッケルストライクめっきを施す際、電流値を増大させることにより、めっき厚さを増大させることができる。また、前者の場合は後者の場合よりも電流値を低減させて(あるいはめっき時間を短くして)ストライクめっきを行っているが、この場合、金属支持層11の表面のうち接合用めっき層82が形成されない領域が腐食することを抑制できる。なお、ニッケルストライクめっきを施す場合における接合用金めっき層84の厚さは、0.5μm〜2.5μmとすることが好適である。   In order to further improve the adhesion between the metal support layer 11 and the bonding gold plating layer 84, the bonding nickel plating layer 83 may be formed as follows. That is, a corresponding portion of the surface of the metal support layer 11 is first subjected to nickel strike plating using a hydrochloric acid-based plating solution to remove the passive film, and then subjected to nickel plating by an electrolytic plating method. It is preferable that the nickel plating layer 83 for bonding is formed. Thus, by performing nickel strike plating, the passive film on the surface of the metal support layer 11 can be removed, and the adhesion between the metal support layer 11 and the nickel plating layer 83 for bonding can be improved. In this case, the nickel strike plating thickness is preferably 0.05 μm to 0.1 μm, and the nickel plating thickness by electrolytic plating is preferably 0.5 μm to 2.5 μm. Alternatively, in order to further improve the adhesion, the nickel strike plating thickness is set to about 0.1 μm, and in order to suppress the formation of pin holes in the bonding nickel plating layer 83, the plating thickness by electrolytic plating is used. Can be set to 0.5 μm to 5.0 μm. In performing the nickel strike plating in the latter case, the plating thickness can be increased by increasing the current value. In the former case, strike plating is performed by reducing the current value (or by shortening the plating time) than in the latter case. In this case, the plating layer 82 for bonding out of the surface of the metal support layer 11 is used. It can suppress that the area | region in which no is formed corrodes. In addition, when performing nickel strike plating, it is suitable that the thickness of the gold plating layer 84 for joining shall be 0.5 micrometer-2.5 micrometers.

接続用めっき層32および接合用めっき層82が形成された後、金属支持層11が外形加工されて、金属枠体部17が形成される(図14(g)参照)。この場合、まず、金属支持層11の下面に、ドライフィルムを用いて、パターン状のレジスト(図示せず)が形成される。次に、例えば、塩化鉄系エッチング液により、金属支持層11のうちレジストから露出された部分がエッチングされ、金属枠体部17が形成されると共に、金属支持層11が所望の形状に外形加工される。この金属枠体部17は、基板本体領域2における金属支持層11の本体部分11aと分離される。その後、レジストは除去され、本実施の形態によるサスペンション用基板1が得られる。   After the connection plating layer 32 and the bonding plating layer 82 are formed, the metal support layer 11 is trimmed to form the metal frame portion 17 (see FIG. 14G). In this case, first, a patterned resist (not shown) is formed on the lower surface of the metal support layer 11 using a dry film. Next, for example, a portion of the metal support layer 11 exposed from the resist is etched with an iron chloride etching solution to form the metal frame body portion 17 and the metal support layer 11 is processed into a desired shape. Is done. The metal frame portion 17 is separated from the main body portion 11 a of the metal support layer 11 in the substrate main body region 2. Thereafter, the resist is removed, and the suspension substrate 1 according to the present embodiment is obtained.

次に、このようにして得られたサスペンション用基板1を用いたサスペンションの製造方法について説明する。   Next, a suspension manufacturing method using the suspension substrate 1 thus obtained will be described.

まず、ベースプレート42およびロードビーム43を準備すると共に、上述したサスペンション用基板1を準備する。   First, the base plate 42 and the load beam 43 are prepared, and the above-described suspension substrate 1 is prepared.

次に、ベースプレート42に、ロードビーム43を介して、サスペンション用基板1が、溶接により取り付けられる。この場合、まず、ベースプレート42にロードビーム43が溶接により固定され、続いて、ロードビーム43に設けられたビーム治具孔(図示せず)と、サスペンション用基板1に設けられた治具孔25とにより、ロードビーム43とサスペンション用基板1とのアライメントが行われる。その後、サスペンション用基板1の金属支持層11に溶接が施されて、ロードビーム43とサスペンション用基板1が互いに接合されて固定される。   Next, the suspension substrate 1 is attached to the base plate 42 via the load beam 43 by welding. In this case, first, the load beam 43 is fixed to the base plate 42 by welding, then, a beam jig hole (not shown) provided in the load beam 43 and a jig hole 25 provided in the suspension substrate 1. As a result, the alignment of the load beam 43 and the suspension substrate 1 is performed. Thereafter, the metal support layer 11 of the suspension substrate 1 is welded, and the load beam 43 and the suspension substrate 1 are joined and fixed to each other.

次に、ピエゾ素子44が、接着剤を用いてベースプレート42およびロードビーム43に接合されると共に、サスペンション用基板1の接続構造領域3にそれぞれ接続される。
この場合、まず、ピエゾ素子44が非導電性接着部46を介してベースプレート42およびロードビーム43に接合される。次いで、導電性接着剤が塗布されて第1導電性接着部47が形成され、第1導電性接着部47を介してピエゾ素子44の一方(サスペンション用基板1とは反対側)の電極44aが、ベースプレート42に導電性接着剤を介して電気的に接続される。
Next, the piezo element 44 is bonded to the base plate 42 and the load beam 43 using an adhesive, and connected to the connection structure region 3 of the suspension substrate 1.
In this case, first, the piezo element 44 is bonded to the base plate 42 and the load beam 43 via the non-conductive adhesive portion 46. Next, a conductive adhesive is applied to form a first conductive adhesive portion 47, and an electrode 44 a on one side (opposite side of the suspension substrate 1) of the piezo element 44 is formed via the first conductive adhesive portion 47. The base plate 42 is electrically connected via a conductive adhesive.

また、ピエゾ素子44の他方(サスペンション用基板1の側)の電極44aは、第2導電性接着部48を介してサスペンション用基板1の接続構造領域3に接合されると共に電気的に接続される(図11参照)。この場合、サスペンション用基板1の注入孔31に導電性接着剤が予め注入されており、ピエゾ素子44をベースプレート42およびロードビーム43に接合した際、接続構造領域3は、ピエゾ素子44の一方の電極44aに接合されると共に電気的に接続される。このことにより、第2導電性接着部48は、金属枠体部17だけではなく、金属枠体部17に設けられた接合用金めっき層84にも接合される。   Further, the other electrode 44a (the suspension substrate 1 side) of the piezo element 44 is joined and electrically connected to the connection structure region 3 of the suspension substrate 1 through the second conductive adhesive portion 48. (See FIG. 11). In this case, the conductive adhesive is pre-injected into the injection hole 31 of the suspension substrate 1, and when the piezoelectric element 44 is joined to the base plate 42 and the load beam 43, the connection structure region 3 becomes one of the piezoelectric elements 44. It is joined and electrically connected to the electrode 44a. Accordingly, the second conductive adhesive portion 48 is bonded not only to the metal frame portion 17 but also to the bonding gold plating layer 84 provided on the metal frame portion 17.

このようにして、本実施の形態によるサスペンション41が得られる。   In this way, the suspension 41 according to the present embodiment is obtained.

このサスペンション41のヘッド端子5に、ヘッドスライダ52が接続されて図12に示すヘッド付サスペンション51が得られる。さらに、このヘッド付サスペンション51がハードディスクドライブ61のアーム66に取り付けられると共に、サスペンション用基板1のテール端子6にFPC基板71が接続されて、図13に示すハードディスクドライブ61が得られる。   A head slider 52 is connected to the head terminal 5 of the suspension 41 to obtain the suspension with head 51 shown in FIG. Furthermore, the suspension 51 with the head is attached to the arm 66 of the hard disk drive 61, and the FPC board 71 is connected to the tail terminal 6 of the suspension board 1 to obtain the hard disk drive 61 shown in FIG.

図13に示すハードディスクドライブ61においてデータの書き込みおよび読み取りを行う際、ボイスコイルモータ65によりヘッド付サスペンション51のヘッドスライダ52がディスク63上に沿って移動し、スピンドルモータ64により回転しているディスク63に所望のフライングハイトを保って近接する。このことにより、ヘッドスライダ52とディスク63との間で、データの受け渡しが行われる。この間、サスペンション用基板1とFPC基板71を介して、FPC基板71に接続されている制御部(図示せず)とヘッドスライダ52との間で電気信号が伝送される。このような電気信号は、サスペンション用基板1においては、各信号配線13aによって、ヘッド端子5(図1参照)とテール端子6との間で伝送される。   When data is written and read in the hard disk drive 61 shown in FIG. 13, the head slider 52 of the suspension 51 with the head is moved along the disk 63 by the voice coil motor 65, and the disk 63 rotated by the spindle motor 64 is rotated. Keep close to the desired flying height. As a result, data is exchanged between the head slider 52 and the disk 63. During this time, an electrical signal is transmitted between the control unit (not shown) connected to the FPC board 71 and the head slider 52 via the suspension board 1 and the FPC board 71. Such an electrical signal is transmitted between the head terminal 5 (see FIG. 1) and the tail terminal 6 through the signal wirings 13a in the suspension board 1.

ヘッドスライダ52を移動させる際、ボイスコイルモータ65が、ヘッドスライダ52の位置を大まかに調整し、ピエゾ素子44が、ヘッドスライダ52の位置を微小調整する。すなわち、サスペンション用基板1の接続構造領域3の側のピエゾ素子44の電極44aに所定の電圧を印加することにより、長手方向軸線(X)に沿った方向(図8、12の矢印P方向)に、一方のピエゾ素子44が収縮すると共に他方のピエゾ素子44が伸長する。この場合、ベースプレート42の可撓部42bとロードビーム43の可撓部43cとが弾性変形し、ロードビーム43の先端側に位置するヘッドスライダ52がスウェイ方向(旋回方向Q)に移動することができる。なお、ピエゾ素子44の電極44aに印加される電圧は、素子配線13b、配線接続部16および第2導電性接着部48を介して当該電極44aに入力される。このようにして、ヘッドスライダ52を、ディスク63の所望のトラックに、迅速に、かつ精度良く位置合わせすることができる。   When moving the head slider 52, the voice coil motor 65 roughly adjusts the position of the head slider 52, and the piezo element 44 finely adjusts the position of the head slider 52. That is, by applying a predetermined voltage to the electrode 44a of the piezoelectric element 44 on the connection structure region 3 side of the suspension substrate 1, the direction along the longitudinal axis (X) (the direction of the arrow P in FIGS. 8 and 12). In addition, one piezo element 44 contracts and the other piezo element 44 expands. In this case, the flexible portion 42b of the base plate 42 and the flexible portion 43c of the load beam 43 are elastically deformed, and the head slider 52 located on the tip side of the load beam 43 moves in the sway direction (turning direction Q). it can. Note that the voltage applied to the electrode 44 a of the piezo element 44 is input to the electrode 44 a via the element wiring 13 b, the wiring connection portion 16, and the second conductive adhesive portion 48. In this way, the head slider 52 can be quickly and accurately aligned with a desired track of the disk 63.

このように本実施の形態によれば、金属支持層11のピエゾ素子44の側の面に、導電性接着剤に接合される接合用金めっき層84が設けられ、当該接合用金めっき層84の外周縁84aに外周縁凹凸部85が形成されて、当該外周縁84aが平面視で凹凸状に形成されている。このことにより、導電性接着剤の導電性粒子(例えば、銀フィラー49b)を外周縁凹凸部85に入り込ませて接触させることができ、接合用金めっき層84と導電性接着剤との接合信頼性を向上させることができる。また、接合用金めっき層84と導電性接着剤との接触面積を増大させることができ、このことによっても接合用金めっき層84と導電性接着剤との接合信頼性を向上させることができる。このため、接続構造領域3と導電性接着剤との電気的接続を安定化させて、ピエゾ素子44との電気的な接続の信頼性を向上させることができる。   Thus, according to the present embodiment, the bonding gold plating layer 84 to be bonded to the conductive adhesive is provided on the surface of the metal support layer 11 on the piezoelectric element 44 side, and the bonding gold plating layer 84 is provided. An outer peripheral uneven portion 85 is formed on the outer peripheral edge 84a, and the outer peripheral edge 84a is formed in an uneven shape in plan view. Thereby, the conductive particles (for example, silver filler 49b) of the conductive adhesive can enter the outer peripheral concavo-convex portion 85 and come into contact therewith, and the bonding reliability between the bonding gold plating layer 84 and the conductive adhesive. Can be improved. Further, the contact area between the bonding gold plating layer 84 and the conductive adhesive can be increased, and this also improves the bonding reliability between the bonding gold plating layer 84 and the conductive adhesive. . For this reason, the electrical connection between the connection structure region 3 and the conductive adhesive can be stabilized, and the reliability of the electrical connection with the piezo element 44 can be improved.

また、本実施の形態によれば、接続構造領域3において、金属支持層貫通孔31aと絶縁層貫通孔31bとを有する注入孔31に導電性接着剤が注入されている。このことにより、アンカー効果によって、接続構造領域3と導電性接着剤との接合信頼性を向上させることができる。このため、接続構造領域3と導電性接着剤との電気的接続を安定化させて、ピエゾ素子44との電気的な接続の信頼性を向上させることができる。   Moreover, according to this Embodiment, in the connection structure area | region 3, a conductive adhesive is inject | poured into the injection hole 31 which has the metal support layer through-hole 31a and the insulating layer through-hole 31b. Thereby, the joint reliability between the connection structure region 3 and the conductive adhesive can be improved by the anchor effect. For this reason, the electrical connection between the connection structure region 3 and the conductive adhesive can be stabilized, and the reliability of the electrical connection with the piezo element 44 can be improved.

以上、本発明の実施の形態について詳細に説明してきたが、本発明によるサスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、ハードディスクドライブおよびサスペンション用基板の製造方法は、上記実施の形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能であり、以下に示す各変形例を適宜組み合わせることも可能である。   Although the embodiments of the present invention have been described in detail, the suspension substrate, the suspension, the suspension with a head, the hard disk drive, and the suspension substrate manufacturing method according to the present invention are not limited to the above-described embodiments. Instead, various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention, and the following modifications can be combined as appropriate.

以下、本発明の実施の形態の変形例について、図17乃至図26を用いて説明する。図17乃至図26においては、図1乃至図16に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。   Hereinafter, modifications of the embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 17 to 26, the same parts as those in the embodiment shown in FIGS. 1 to 16 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

(変形例1)
上述した本実施の形態においては、サブトラクティブ法によりサスペンション用基板1が作製されて、配線接続部16が絶縁層貫通孔31b上に形成されている例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、アディティブ法によりサスペンション用基板1を作製してもよい。この場合、図17に示すように、配線接続部16の一部が絶縁層貫通孔31b内に埋設される。この場合、金属支持層貫通孔31aにより配線接続部16が露出され、導電性接着剤は、絶縁層貫通孔31b内に注入されることはなく、金属支持層貫通孔31a内に注入される。すなわち、導電性接着剤は、金属支持層貫通孔31aおよび絶縁層貫通孔31bにより構成される注入孔31の一部(金属支持層貫通孔31a)に注入される。この場合、導電性接着剤の使用量を低減することができ、導電性接着剤が接続構造領域3の周囲にはみ出すことを抑制できる。
(Modification 1)
In the above-described embodiment, the example in which the suspension substrate 1 is manufactured by the subtractive method and the wiring connection portion 16 is formed on the insulating layer through-hole 31b has been described. However, the present invention is not limited to this, and the suspension substrate 1 may be manufactured by an additive method. In this case, as shown in FIG. 17, a part of the wiring connection portion 16 is embedded in the insulating layer through hole 31b. In this case, the wiring connection portion 16 is exposed by the metal support layer through hole 31a, and the conductive adhesive is not injected into the insulating layer through hole 31b, but is injected into the metal support layer through hole 31a. That is, the conductive adhesive is injected into a part of the injection hole 31 (metal support layer through hole 31a) constituted by the metal support layer through hole 31a and the insulating layer through hole 31b. In this case, the amount of the conductive adhesive used can be reduced, and the conductive adhesive can be prevented from protruding around the connection structure region 3.

(変形例2)
上述した本実施の形態においては、接合用金めっき層84を含む接合用めっき層82が、金属支持層貫通孔31aを形成する金属枠体部17の貫通孔画定面17aに延びている例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、図18に示すように、接合用めっき層82は、金属枠体部17のピエゾ素子44の側の面にのみ設けられるようにしてもよい。この場合、接合用めっき層82は、図19に示すように、接合用ニッケルめっき層83と共に、平面視で注入孔31を囲むようにリング状に形成されることが好ましい。そして、この場合、接合用金めっき層84が、その内周縁84bに設けられた、平面視で凹凸状に形成された(好適には複数の)内周縁凹凸部90を有していることが好適である。このことにより、接合用金めっき層84と導電性接着剤との接合信頼性をより一層向上させることができる。この場合、接合用ニッケルめっき層83の内周縁も、接合用金めっき層84と同様の形状で、平面視で凹凸状に形成されていることが好ましい。
(Modification 2)
In the embodiment described above, an example in which the bonding plating layer 82 including the bonding gold plating layer 84 extends to the through hole defining surface 17a of the metal frame body portion 17 forming the metal support layer through hole 31a. explained. However, the present invention is not limited to this. As shown in FIG. 18, the bonding plating layer 82 may be provided only on the surface of the metal frame portion 17 on the piezoelectric element 44 side. In this case, the bonding plating layer 82 is preferably formed in a ring shape so as to surround the injection hole 31 in a plan view together with the bonding nickel plating layer 83, as shown in FIG. In this case, the bonding gold plating layer 84 has an inner peripheral edge uneven portion 90 (preferably plural) formed in an uneven shape in a plan view provided on the inner peripheral edge 84b. Is preferred. As a result, the bonding reliability between the bonding gold plating layer 84 and the conductive adhesive can be further improved. In this case, it is preferable that the inner peripheral edge of the bonding nickel plating layer 83 is also formed in an uneven shape in plan view in the same shape as the bonding gold plating layer 84.

内周縁凹凸部90は、平面視で内側に凹む内周縁凹部90aと、平面視で外側に突出する内周縁凸部90bと、を含み、銀フィラー49bが入り込むことができるように平面視で凹凸状に形成されている。内周縁凹凸部90の凹凸高さは、外周縁凹凸部85の凹凸高さと同様に、0.0015mm〜0.0200mm、とりわけ、0.0015mm〜0.0100mmであることが好ましい。また、内周縁凹凸部90の凹凸高さは、外周縁凹凸部85の凹凸高さと同様にして、内周縁凹部90aの谷底線と、内周縁凸部90bの山頂線との間隔を測定し、測定された間隔を凹凸高さとすることができる。   The inner peripheral uneven portion 90 includes an inner peripheral recessed portion 90a that is recessed inward in a plan view and an inner peripheral protruded portion 90b that protrudes outward in a plan view, and is uneven in a plan view so that the silver filler 49b can enter. It is formed in a shape. The uneven height of the inner peripheral uneven portion 90 is preferably 0.0015 mm to 0.0200 mm, particularly preferably 0.0015 mm to 0.0100 mm, similar to the uneven height of the outer peripheral uneven portion 85. The uneven height of the inner peripheral uneven portion 90 is the same as the uneven height of the outer peripheral uneven portion 85, and the distance between the valley line of the inner peripheral recessed portion 90a and the peak line of the inner peripheral protruded portion 90b is measured. The measured interval can be the height of the unevenness.

(変形例3)
上述した本実施の形態においては、金属支持層11および絶縁層10に設けられた注入孔31によって配線接続部16のピエゾ素子44の側の面が露出され、注入孔31に導電性接着剤が注入されることによって、配線接続部16が導電性接着剤を介してピエゾ素子44に電気的に接続される例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、図20に示すように、配線接続部16のピエゾ素子44の側の面が、絶縁層10および金属支持層11の金属支持接続部94によって覆われて、配線接続部16と金属支持接続部94とが、絶縁層10を貫通する導電接続部95によって接続されるようにしてもよい。この場合、金属支持接続部94は電極として機能することができ、ピエゾ素子44の電極44aに印加される電圧は、素子配線13b、配線接続部16、導電接続部95、金属支持接続部94および第2導電性接着部48を介して当該電極44aに入力される。なお、金属支持接続部94は、島状に形成されており、基板本体領域2における金属支持層11の本体部分11aとは分離されて電気的に絶縁されている。
(Modification 3)
In the above-described embodiment, the surface of the wiring connection portion 16 on the side of the piezo element 44 is exposed by the injection hole 31 provided in the metal support layer 11 and the insulating layer 10, and a conductive adhesive is applied to the injection hole 31. The example in which the wiring connection portion 16 is electrically connected to the piezo element 44 through the conductive adhesive by being injected has been described. However, the present invention is not limited to this. As shown in FIG. 20, the surface of the wiring connection portion 16 on the side of the piezo element 44 is covered with the metal support connection portion 94 of the insulating layer 10 and the metal support layer 11. The wiring connection portion 16 and the metal support connection portion 94 may be connected by a conductive connection portion 95 that penetrates the insulating layer 10. In this case, the metal support connection portion 94 can function as an electrode, and the voltage applied to the electrode 44a of the piezo element 44 includes element wiring 13b, wiring connection portion 16, conductive connection portion 95, metal support connection portion 94, and The signal is input to the electrode 44 a through the second conductive adhesive portion 48. The metal support connection portion 94 is formed in an island shape, and is separated from the main body portion 11a of the metal support layer 11 in the substrate main body region 2 and is electrically insulated.

より具体的には、絶縁層10を貫通する絶縁層導電接続孔95aが設けられ、配線接続部16を貫通する配線層導電接続孔95bが設けられ、保護層20を貫通する保護層導電接続孔95cが設けられて、絶縁層導電接続孔95a、配線層導電接続孔95bおよび保護層導電接続孔95cに、ニッケルめっきを施すことにより導電接続部95が形成されている。図20に示す導電接続部95は、金属支持接続部94とは反対側の外方、すなわち、保護層20から外方に露出している。このため、プローブ等の導通検査器を用いることにより、導電接続部95の上面から導電接続部95とピエゾ素子44との間の導通検査を行うことができる。なお、導電接続部95は、図20に示す形態に限られることはなく、アディティブ法によって、配線接続部16と導電接続部95が同一の材料によって一体に形成されるようにしてもよい。この場合、導電接続部95は保護層20によって覆われる。   More specifically, an insulating layer conductive connection hole 95 a that penetrates the insulating layer 10 is provided, a wiring layer conductive connection hole 95 b that penetrates the wiring connection portion 16, and a protective layer conductive connection hole that penetrates the protective layer 20. 95c is provided, and the conductive connection portion 95 is formed by performing nickel plating on the insulating layer conductive connection hole 95a, the wiring layer conductive connection hole 95b, and the protective layer conductive connection hole 95c. The conductive connection part 95 shown in FIG. 20 is exposed to the outside opposite to the metal support connection part 94, that is, outward from the protective layer 20. For this reason, by using a continuity tester such as a probe, the continuity test between the conductive connection portion 95 and the piezo element 44 can be performed from the upper surface of the conductive connection portion 95. In addition, the conductive connection part 95 is not restricted to the form shown in FIG. 20, The wiring connection part 16 and the conductive connection part 95 may be integrally formed with the same material by an additive method. In this case, the conductive connection portion 95 is covered with the protective layer 20.

図20に示す変形例3においては、接続構造領域3における金属支持層11に金属支持層貫通孔31aが形成されていないため、接合用金めっき層84を円形状に形成することができる。このことにより、接合用金めっき層84と導電性接着剤との接触面積を増大させて、接合用金めっき層84と導電性接着剤との接触抵抗を低減することができる。また、接合用金めっき層84の外周縁凹凸部85に、導電性接着剤の導電性粒子(例えば、銀フィラー49b)が入り込んで接触することによっても、接合金用めっき層84と導電性接着剤との接触抵抗を低減することができる。このため、接続構造領域3とピエゾ素子44との電気的接続を安定化させることができ、サスペンション用基板1とピエゾ素子44との電気的な接続の信頼性を向上させることができる。   In Modification 3 shown in FIG. 20, since the metal support layer through-hole 31a is not formed in the metal support layer 11 in the connection structure region 3, the bonding gold plating layer 84 can be formed in a circular shape. As a result, the contact area between the bonding gold plating layer 84 and the conductive adhesive can be increased, and the contact resistance between the bonding gold plating layer 84 and the conductive adhesive can be reduced. Further, the conductive gold adhesive layer 84 is also bonded to the outer peripheral edge uneven portion 85 of the bonding gold plating layer 84 by conductive particles of the conductive adhesive (for example, silver filler 49b) coming into contact therewith. Contact resistance with the agent can be reduced. For this reason, the electrical connection between the connection structure region 3 and the piezoelectric element 44 can be stabilized, and the reliability of the electrical connection between the suspension substrate 1 and the piezoelectric element 44 can be improved.

(変形例4)
上述した変形例3においては、接合用金めっき層84が円形状に形成されている例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、図21および図22に示すように、接合用金めっき層84は、平面視でリング状に形成されていてもよい。この場合、接合用金めっき層84が、その内周縁84bに設けられた、平面視で凹凸状に形成された(好適には複数の)内周縁凹凸部90を有していることが好適である。このことにより、接合用金めっき層84と導電性接着剤との接合信頼性をより一層向上させて、接続構造領域3とピエゾ素子44との電気的な接続を安定化させることができる。この場合、接合用ニッケルめっき層83の内周縁も、接合用金めっき層84と同様の形状で、平面視で凹凸状に形成されている。
(Modification 4)
In Modification 3 described above, the example in which the bonding gold plating layer 84 is formed in a circular shape has been described. However, the present invention is not limited to this, and as shown in FIGS. 21 and 22, the bonding gold plating layer 84 may be formed in a ring shape in plan view. In this case, it is preferable that the gold plating layer 84 for bonding has an inner peripheral uneven portion 90 (preferably a plurality) formed in an uneven shape in plan view provided on the inner peripheral edge 84b. is there. As a result, the bonding reliability between the bonding gold plating layer 84 and the conductive adhesive can be further improved, and the electrical connection between the connection structure region 3 and the piezo element 44 can be stabilized. In this case, the inner peripheral edge of the bonding nickel plating layer 83 has the same shape as that of the bonding gold plating layer 84 and is formed in an uneven shape in plan view.

内周縁凹凸部90は、平面視で内側に凹む内周縁凹部90aと、平面視で外側に突出する内周縁凸部90bと、を含み、銀フィラー49bが入り込むことができるように平面視で凹凸状に形成されている。内周縁凹凸部90の凹凸高さは、外周縁凹凸部85の凹凸高さと同様に、0.0015mm〜0.0200mm、とりわけ、0.0015mm〜0.0100mmであることが好ましい。また、内周縁凹凸部90の凹凸高さは、外周縁凹凸部85の凹凸高さと同様にして、内周縁凹部90aの谷底線と、内周縁凸部90bの山頂線との間隔を測定し、測定された間隔を凹凸高さとすることができる。   The inner peripheral uneven portion 90 includes an inner peripheral recessed portion 90a that is recessed inward in a plan view and an inner peripheral protruded portion 90b that protrudes outward in a plan view, and is uneven in a plan view so that the silver filler 49b can enter. It is formed in a shape. The uneven height of the inner peripheral uneven portion 90 is preferably 0.0015 mm to 0.0200 mm, particularly preferably 0.0015 mm to 0.0100 mm, similar to the uneven height of the outer peripheral uneven portion 85. The uneven height of the inner peripheral uneven portion 90 is the same as the uneven height of the outer peripheral uneven portion 85, and the distance between the valley line of the inner peripheral recessed portion 90a and the peak line of the inner peripheral protruded portion 90b is measured. The measured interval can be the height of the unevenness.

(変形例5)
また、上述した変形例3および4においては、接合用めっき層82は、互いに分離された複数(例えば、3つ)の接合用めっき層分割体96を有し、各接合用めっき層分割体96が、例えば図23に示すように、平面視で円形状に形成されていてもよい。この場合、各接合用めっき層分割体96が、その外周縁96aに設けられた、平面視で凹凸状に形成された外周縁凹凸部85(図4および図5参照)を有している。このことにより、各接合用めっき層分割体96と導電性接着剤との接合信頼性をより一層向上させて、接続構造領域3とピエゾ素子44との電気的な接続を安定化させることができる。
(Modification 5)
Further, in the above-described modifications 3 and 4, the bonding plating layer 82 has a plurality (for example, three) of bonding plating layer divisions 96 separated from each other, and each of the bonding plating layer divisions 96. However, for example, as shown in FIG. 23, it may be formed in a circular shape in plan view. In this case, each plating layer division body 96 for bonding has an outer peripheral uneven portion 85 (see FIGS. 4 and 5) provided on the outer peripheral edge 96a and formed in an uneven shape in plan view. As a result, the bonding reliability between each bonding plating layer divided body 96 and the conductive adhesive can be further improved, and the electrical connection between the connection structure region 3 and the piezo element 44 can be stabilized. .

(変形例6)
上述した本実施の形態においては、図24に示すように、配線接続部16と金属枠体部17とが、図20に示す変形例3と同様な導電接続部95によって接続されるようにしてもよい。この場合、配線接続部16が、接続用めっき層32を介して第2導電性接着部48に電気的に接続されるルートと、配線接続部16が、導電接続部95、金属枠体部17および接合用めっき層82を介して第2導電性接着部48に電気的に接続されるルートと、が形成される。
(Modification 6)
In the present embodiment described above, as shown in FIG. 24, the wiring connection portion 16 and the metal frame portion 17 are connected by the same conductive connection portion 95 as that of the third modification shown in FIG. Also good. In this case, the route in which the wiring connection portion 16 is electrically connected to the second conductive adhesive portion 48 via the connection plating layer 32, and the wiring connection portion 16 include the conductive connection portion 95 and the metal frame portion 17. And a route electrically connected to the second conductive adhesive portion 48 via the bonding plating layer 82.

図24に示す変形例6においては、上述したように、配線接続部16は、第2導電性接着部48に、直接(より具体的には接続用めっき層32を介して)電気的に接続されると共に、導電接続部95、金属枠体部17および接合用めっき層82を介して電気的に接続される。このことにより、配線接続部16と第2導電性接着部48との間の電気的な抵抗を低減することができる。また、接合用金めっき層84の外周縁凹凸部85に、導電性接着剤の導電性粒子(例えば、銀フィラー49b)が入り込んで接触することによっても、接合金用めっき層84と導電性接着剤との接触抵抗を低減することができる。さらに、接合用めっき層82が、金属支持層11の貫通孔画定面17aに延びていることから、接合用めっき層82と第2導電性接着部48との接触面積を増大させることができる。このため、接続構造領域3とピエゾ素子44との電気的接続を安定化させることができ、サスペンション用基板1とピエゾ素子44との電気的な接続の信頼性を向上させることができる。   In the modification 6 shown in FIG. 24, as described above, the wiring connection portion 16 is electrically connected directly (more specifically, via the connection plating layer 32) to the second conductive adhesive portion 48. At the same time, they are electrically connected via the conductive connection portion 95, the metal frame portion 17, and the bonding plating layer 82. Thereby, the electrical resistance between the wiring connection portion 16 and the second conductive adhesive portion 48 can be reduced. Further, the conductive gold adhesive layer 84 is also bonded to the outer peripheral edge uneven portion 85 of the bonding gold plating layer 84 by conductive particles of the conductive adhesive (for example, silver filler 49b) coming into contact therewith. Contact resistance with the agent can be reduced. Furthermore, since the bonding plating layer 82 extends to the through hole defining surface 17a of the metal support layer 11, the contact area between the bonding plating layer 82 and the second conductive adhesive portion 48 can be increased. For this reason, the electrical connection between the connection structure region 3 and the piezoelectric element 44 can be stabilized, and the reliability of the electrical connection between the suspension substrate 1 and the piezoelectric element 44 can be improved.

(変形例7)
また、上述した本実施の形態においては、接合用金めっき層84が、金属枠体部17のピエゾ素子44の側の面に設けられ、当該接合用金めっき層84が、その外周縁84aに設けられた、平面視で凹凸状に形成された外周縁凹凸部85を有している例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、図25に示すように、配線接続部16に設けられた接続用金めっき層34が、その外周縁34aに設けられた、平面視で凹凸状に形成された外周縁凹凸部85(図4および図5参照)を有していてもよい。この場合、配線接続部16と接続用金めっき層34との間に介在された接続用ニッケルめっき層33は、注入孔31により露出された配線接続部16の面の全体を覆っていることが好ましい。このことにより、配線接続部16の絶縁層貫通孔31bにより露出された面の腐食を防止することができる。また、接続用金めっき層34は、接続用ニッケルめっき層33より小さく形成されており、接続用ニッケルめっき層33の外周側領域が、ピエゾ素子44の側に露出されている。
(Modification 7)
In the present embodiment described above, the bonding gold plating layer 84 is provided on the surface of the metal frame 17 on the piezoelectric element 44 side, and the bonding gold plating layer 84 is formed on the outer peripheral edge 84a. The example which provided the outer periphery uneven | corrugated | grooved part 85 formed in uneven | corrugated shape by planar view provided was demonstrated. However, the present invention is not limited to this, and as shown in FIG. 25, the connection gold plating layer 34 provided in the wiring connection portion 16 is formed in an uneven shape in plan view provided on the outer peripheral edge 34a. You may have the outer periphery uneven | corrugated | grooved part 85 (refer FIG. 4 and FIG. 5) made. In this case, the connection nickel plating layer 33 interposed between the wiring connection portion 16 and the connection gold plating layer 34 covers the entire surface of the wiring connection portion 16 exposed by the injection hole 31. preferable. Thereby, corrosion of the surface exposed by the insulating layer through-hole 31b of the wiring connection portion 16 can be prevented. The connection gold plating layer 34 is formed smaller than the connection nickel plating layer 33, and the outer peripheral side region of the connection nickel plating layer 33 is exposed to the piezoelectric element 44 side.

変形例7においては、接続用金めっき層34の外周縁34aに形成された外周縁凹凸部85により、接続用金めっき層34と導電性接着剤との接合信頼性を向上させることができる。また、この場合、外周縁凹凸部85に、導電性接着剤の導電性粒子(例えば、銀フィラー49b)が入り込んで接触する。このことにより、接続用金めっき層34と導電性接着剤との接触抵抗を低減することができ、接続構造領域3とピエゾ素子44との電気的接続を安定化させることができる。このため、サスペンション用基板1とピエゾ素子44との電気的な接続の信頼性を向上させることができる。   In the modified example 7, the bonding reliability between the connection gold plating layer 34 and the conductive adhesive can be improved by the outer peripheral uneven portion 85 formed on the outer peripheral edge 34 a of the connection gold plating layer 34. In this case, conductive particles (for example, silver filler 49b) of the conductive adhesive enter and contact the outer peripheral concavo-convex portion 85. As a result, the contact resistance between the connection gold plating layer 34 and the conductive adhesive can be reduced, and the electrical connection between the connection structure region 3 and the piezo element 44 can be stabilized. For this reason, the reliability of the electrical connection between the suspension substrate 1 and the piezo element 44 can be improved.

(変形例8)
また、上述した本実施の形態においては、めっき用のレジスト87(図15および図16参照)を露光する際、紫外線の照射量を増大させて、レジスト87のレジスト開口87aの周縁に凹凸を形成し、接合用金めっき層84の外周縁84aに外周縁凹凸部85が形成されている例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、図26に示すように、めっき用のレジスト87を露光する際に用いる露光マスク89のマスク開口89aの周縁に、マスク凹部97aおよびマスク凸部97bを含むマスク凹凸部97を形成して、当該周縁を予め凹凸状に形成させてもよい。このような露光マスク89を用いることにより、紫外線の照射量を増大させることなく通常の照射量で露光した場合であっても、レジスト87のレジスト開口87aの周縁に凹凸を形成することができる。なお、露光マスク89のマスク凹凸部97の凹凸高さH2は、0.005mm〜0.020mmであることが好ましく、とりわけ、0.005mm〜0.010mmであることが好ましい。0.005mm以上とすることにより、露光マスク89を作製するための描画機が通常の描画分解能に設定されている場合であっても、マスク凹部97aおよびマスク凸部97bを有する露光マスク89を作製することができ、0.020mm以下、とりわけ、0.010mm以下とすることにより、マスク凹部97aおよびマスク凸部97bの個数を増大させることができる。
(Modification 8)
Further, in the present embodiment described above, when exposing the resist 87 for plating (see FIGS. 15 and 16), the irradiation amount of ultraviolet rays is increased to form irregularities on the periphery of the resist opening 87a of the resist 87. And the example in which the outer periphery uneven | corrugated | grooved part 85 was formed in the outer periphery 84a of the gold plating layer 84 for joining was demonstrated. However, the present invention is not limited to this, and as shown in FIG. 26, a mask concave portion 97a and a mask convex portion 97b are included at the periphery of the mask opening 89a of the exposure mask 89 used when the resist 87 for plating is exposed. The mask concavo-convex portion 97 may be formed, and the peripheral edge may be formed in a concavo-convex shape in advance. By using such an exposure mask 89, unevenness can be formed at the periphery of the resist opening 87a of the resist 87 even when the exposure is performed with a normal irradiation amount without increasing the irradiation amount of ultraviolet rays. The uneven height H2 of the mask uneven portion 97 of the exposure mask 89 is preferably 0.005 mm to 0.020 mm, and more preferably 0.005 mm to 0.010 mm. By setting the thickness to 0.005 mm or more, the exposure mask 89 having the mask concave portion 97a and the mask convex portion 97b is manufactured even when the drawing machine for manufacturing the exposure mask 89 is set to the normal drawing resolution. The number of mask concave portions 97a and mask convex portions 97b can be increased by setting the thickness to 0.020 mm or less, particularly 0.010 mm or less.

このようにして形成されたレジスト87を用いることにより、接合用金めっき層84の外周縁84aに外周縁凹凸部85を形成することができる。この場合、外周縁凹凸部85の凹凸高さは、上述したマスク凹凸部97の凹凸高さと同様となる。   By using the resist 87 formed in this manner, the outer peripheral uneven portion 85 can be formed on the outer peripheral edge 84 a of the bonding gold plating layer 84. In this case, the uneven height of the outer peripheral uneven portion 85 is the same as the uneven height of the mask uneven portion 97 described above.

上述した本実施の形態に基づいて、露光量を変えながら、接合用金めっき層84を形成するためのレジスト87を作製し、めっき処理を施して形成された接合用金めっき層84の外周縁凹凸部85の凹凸高さを測定した。ここでは、露光量の評価に、上述したストーファー21段ステップタブレットを用いた。   Based on the above-described embodiment, the outer peripheral edge of the bonding gold plating layer 84 formed by forming the resist 87 for forming the bonding gold plating layer 84 while performing the plating process while changing the exposure amount. The uneven height of the uneven portion 85 was measured. Here, the above-described stofa 21-step tablet was used for the evaluation of the exposure amount.

本実施例においては、レジスト87を露光する際、当該レジスト87上にステップタブレットを載置し、ステップタブレットを通してレジスト87に紫外線を照射し、露光した。その後に現像して加熱処理を行い、ニッケルめっきおよび金めっきを順次施して、外周縁凹凸部85を形成した。形成された外周縁凹凸部85の凹凸高さを測定したところ、表1のようなデータが得られた。   In this embodiment, when exposing the resist 87, a step tablet was placed on the resist 87, and the resist 87 was irradiated with ultraviolet rays through the step tablet for exposure. Thereafter, development and heat treatment were performed, and nickel plating and gold plating were sequentially performed to form an outer peripheral uneven portion 85. When the uneven height of the formed outer peripheral uneven portion 85 was measured, data as shown in Table 1 was obtained.

なお、表1に示す凹凸高さは平均値を示している。ここでは、上述した本実施の形態と同様にして外周縁凹凸部の凹凸高さを任意の15箇所で測定し、これらの平均値を算出し、表1を得た。   In addition, the uneven | corrugated height shown in Table 1 has shown the average value. Here, in the same manner as in the present embodiment described above, the uneven height of the outer peripheral uneven portion was measured at any 15 locations, the average value thereof was calculated, and Table 1 was obtained.

表1に示されているように、ステップタブレットの段数が増大するにつれて、凹凸高さが増大していることがわかる。すなわち、ステップタブレットの段数が増大するということは、露光機から照射される紫外線の露光量が増大していることを意味するので、露光量を増大させるにつれて、凹凸高さが増大することがわかる。また、図7に示されているように、銀ペースト49の銀フィラー49bの長さの多くが0.0015mm以下であることから、表1からは、少なくともステップタブレットの10段が、レジスト87が残存する最大段数となるようにレジスト87を露光することにより、銀ペースト49内のほとんどの銀フィラー49bを入り込ませて接触させることが可能な凹凸高さが得られることがわかる。   As shown in Table 1, it can be seen that the uneven height increases as the number of steps of the step tablet increases. That is, the increase in the number of steps of the step tablet means that the exposure amount of the ultraviolet rays irradiated from the exposure machine is increasing, and it can be seen that the unevenness height increases as the exposure amount increases. . Further, as shown in FIG. 7, since most of the length of the silver filler 49b of the silver paste 49 is 0.0015 mm or less, Table 1 shows that at least 10 steps of the step tablet include the resist 87. It can be seen that by exposing the resist 87 so as to have the maximum number of remaining steps, the height of the unevenness that allows most of the silver filler 49b in the silver paste 49 to enter and come into contact is obtained.

1 サスペンション用基板
2 基板本体領域
2a ヘッド領域
2b テール領域
3 接続構造領域
4 連結領域
5 ヘッド端子
6 テール端子
10 絶縁層
11 金属支持層
11a 本体部分
11b 金属支持配線部分
12 配線層
13a 信号配線
13b 素子配線
13c 接地配線
16 配線接続部
17 金属枠体部
17a 貫通孔画定面
18 絶縁枠体部
20 保護層
21 検査用貫通孔
22 検査用めっき層
23 検査用ニッケルめっき層
24 検査用金めっき層
25 治具孔
27 配線ビア
28 接地ビア
31 注入孔
31a 金属支持層貫通孔
31b 絶縁層貫通孔
32 接続用めっき層
33 接続用ニッケルめっき層
34 接続用金めっき層
34a 外周縁
35 積層体
41 サスペンション
42 ベースプレート
42a ヘッド側プレート
42b テール側プレート
42c 可撓部
42d 収容開口部
43 ロードビーム
43a ヘッド側ビーム
43b テール側ビーム
43c 可撓部
43d 露出開口部
44 ピエゾ素子
44a 電極
44b 圧電材料部
46 非導電性接着部
47 第1導電性接着部
48 第2導電性接着部
49 銀ペースト
49a バインダー基材
49b 銀フィラー
51 ヘッド付サスペンション
52 ヘッドスライダ
61 ハードディスクドライブ
62 ケース
63 ディスク
64 スピンドルモータ
65 ボイスコイルモータ
66 アーム
71 FPC基板
82 接合用めっき層
83 接合用ニッケルめっき層
84 接合用金めっき層
84a 外周縁
84b 内周縁
85 外周縁凹凸部
85a 外周縁凹部
85b 外周縁凸部
87 レジスト
87a レジスト開口
88 レジスト凹凸部
88a レジスト凸部
88b レジスト凹部
89 露光マスク
89a マスク開口
90 内周縁凹凸部
90a 内周縁凹部
90b 内周縁凸部
94 金属支持接続部
95 導電接続部
95a 絶縁層導電接続孔
95b 配線層導電接続孔
95c 保護層導電接続孔
96 めっき層分割体
96a 外周縁
97 マスク凹凸部
97a マスク凹部
97b マスク凸部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Suspension board | substrate 2 Substrate body area | region 2a Head area | region 2b Tail area | region 3 Connection structure area | region 4 Connection area | region 5 Head terminal 6 Tail terminal 10 Insulating layer 11 Metal support layer 11a Main body part 11b Metal support wiring part 12 Wiring layer 13a Signal wiring 13b Element Wiring 13c Grounding wiring 16 Wiring connection portion 17 Metal frame portion 17a Through hole defining surface 18 Insulating frame portion 20 Protective layer 21 Inspection through hole 22 Inspection plating layer 23 Inspection nickel plating layer 24 Inspection gold plating layer 25 Tool hole 27 Wiring via 28 Ground via 31 Injection hole 31a Metal support layer through hole 31b Insulating layer through hole 32 Connection plating layer 33 Connection nickel plating layer 34 Connection gold plating layer 34a Outer peripheral edge 35 Laminate 41 Suspension 42 Base plate 42a Head side plate 42b Tail side plate 42c Flexible portion 4 d Housing opening 43 Load beam 43a Head side beam 43b Tail side beam 43c Flexible part 43d Exposed opening 44 Piezo element 44a Electrode 44b Piezoelectric material part 46 Non-conductive adhesive part 47 First conductive adhesive part 48 Second conductive Bonding part 49 Silver paste 49a Binder base 49b Silver filler 51 Suspension with head 52 Head slider 61 Hard disk drive 62 Case 63 Disk 64 Spindle motor 65 Voice coil motor 66 Arm 71 FPC board 82 Bonding plating layer 83 Bonding nickel plating layer 84 Gold plating layer for bonding 84a Outer peripheral edge 84b Inner peripheral edge 85 Outer peripheral edge concave / convex part 85a Outer peripheral edge concave part 85b Outer peripheral edge convex part 87 Resist 87a Resist opening 88 Resist concave / convex part 88a Resist convex part 88b Resist concave part 89 Exposure mask 89 Mask opening 90 Inner peripheral edge uneven part 90a Inner peripheral edge concave part 90b Inner peripheral edge convex part 94 Metal support connection part 95 Conductive connection part 95a Insulating layer conductive connection hole 95b Wiring layer conductive connection hole 95c Protective layer conductive connection hole 96 Plating layer divided body 96a Outside Peripheral edge 97 Mask uneven part 97a Mask concave part 97b Mask convex part

Claims (10)

アクチュエータ素子に導電性粒子を含む導電性接着剤を介して接続可能な接続構造領域を有するサスペンション用基板において、
絶縁層と、
前記絶縁層の前記アクチュエータ素子の側の面に設けられた金属支持層と、
前記絶縁層の前記アクチュエータ素子とは反対側の面に設けられた配線層であって、複数の配線と、前記接続構造領域に設けられ、対応する前記配線に接続されると共に前記アクチュエータ素子に前記導電性接着剤を介して電気的に接続される配線接続部と、を有する前記配線層と、を備え、
前記金属支持層の前記アクチュエータ素子の側の面に、前記導電性接着剤に接合される金めっき層が設けられ、
前記金めっき層は、その外周縁に設けられた、平面視で凹凸状に形成された外周縁凹凸部を有し、
前記接続構造領域において、前記金属支持層を貫通する金属支持層貫通孔と、前記絶縁層を貫通する絶縁層貫通孔と、が設けられ、
前記配線接続部の一部が、前記絶縁層貫通孔内に埋設され
前記外周縁凹凸部の凹凸高さは、0.0015mm〜0.0200mmであることを特徴とするサスペンション用基板。
In the suspension substrate having a connection structure region that can be connected to the actuator element via a conductive adhesive containing conductive particles,
An insulating layer;
A metal support layer provided on a surface of the insulating layer on the actuator element side;
A wiring layer provided on a surface of the insulating layer opposite to the actuator element, wherein the wiring layer is provided in the connection structure region, and is connected to the corresponding wiring and connected to the actuator element. A wiring connection portion electrically connected via a conductive adhesive, and the wiring layer having,
A gold plating layer to be bonded to the conductive adhesive is provided on the surface of the metal support layer on the actuator element side,
The gold plating layer has an outer peripheral concavo-convex portion formed on the outer peripheral edge, formed in an uneven shape in plan view,
In the connection structure region, a metal support layer through-hole penetrating the metal support layer and an insulating layer through-hole penetrating the insulating layer are provided,
A part of the wiring connection portion is embedded in the insulating layer through hole ,
The suspension substrate according to claim 1, wherein the uneven height of the outer peripheral uneven portion is 0.0015 mm to 0.0200 mm .
前記金めっき層は、平面視で前記金属支持層貫通孔を囲むようにリング状に形成され、 前記金めっき層は、その内周縁に設けられた、平面視で凹凸状に形成された内周縁凹凸部を有していることを特徴とする請求項1に記載のサスペンション用基板。   The gold plating layer is formed in a ring shape so as to surround the metal support layer through-hole in a plan view, and the gold plating layer is provided on the inner periphery of the inner periphery. The suspension substrate according to claim 1, wherein the suspension substrate has an uneven portion. 前記接続構造領域における前記金属支持層は、前記配線接続部と電気的に絶縁されていることを特徴とする請求項1または2に記載のサスペンション用基板。   The suspension substrate according to claim 1 or 2, wherein the metal support layer in the connection structure region is electrically insulated from the wiring connection portion. アクチュエータ素子に導電性粒子を含む導電性接着剤を介して接続可能な接続構造領域を有するサスペンション用基板において、
絶縁層と、
前記絶縁層の前記アクチュエータ素子の側の面に設けられた金属支持層と、
前記絶縁層の前記アクチュエータ素子とは反対側の面に設けられた配線層であって、複数の配線と、前記接続構造領域に設けられ、対応する前記配線に接続されると共に前記アクチュエータ素子に前記導電性接着剤を介して電気的に接続される配線接続部と、を有する前記配線層と、を備え、
前記金属支持層の前記アクチュエータ素子の側の面に、前記導電性接着剤に接合される金めっき層が設けられ、
前記金めっき層は、その外周縁に設けられた、平面視で凹凸状に形成された外周縁凹凸部を有し、
前記配線接続部と前記金属支持層とは、前記絶縁層を貫通する導電接続部によって接続され、
前記配線接続部の前記アクチュエータ素子の側の面は、前記絶縁層および前記金属支持層によって覆われ、
前記金めっき層は、互いに分離された複数の金めっき層分割体を有し、
前記外周縁凹凸部は、前記金めっき層分割体の各々の外周縁に設けられ
前記外周縁凹凸部の凹凸高さは、0.0015mm〜0.0200mmであることを特徴とするサスペンション用基板。
In the suspension substrate having a connection structure region that can be connected to the actuator element via a conductive adhesive containing conductive particles,
An insulating layer;
A metal support layer provided on a surface of the insulating layer on the actuator element side;
A wiring layer provided on a surface of the insulating layer opposite to the actuator element, wherein the wiring layer is provided in the connection structure region, and is connected to the corresponding wiring and connected to the actuator element. A wiring connection portion electrically connected via a conductive adhesive, and the wiring layer having,
A gold plating layer to be bonded to the conductive adhesive is provided on the surface of the metal support layer on the actuator element side,
The gold plating layer has an outer peripheral concavo-convex portion formed on the outer peripheral edge, formed in an uneven shape in plan view,
The wiring connection portion and the metal support layer are connected by a conductive connection portion that penetrates the insulating layer,
A surface of the wiring connection portion on the actuator element side is covered with the insulating layer and the metal support layer,
The gold plating layer has a plurality of gold plating layer segments separated from each other,
The outer peripheral uneven portion is provided on each outer peripheral edge of the gold plating layer divided body ,
The suspension substrate according to claim 1, wherein the uneven height of the outer peripheral uneven portion is 0.0015 mm to 0.0200 mm .
前記金めっき層分割体は、平面視で円形状に形成されていることを特徴とする請求項4に記載のサスペンション用基板。   The suspension substrate according to claim 4, wherein the gold plating layer divided body is formed in a circular shape in a plan view. ベースプレートと、
前記ベースプレートに、ロードビームを介して取り付けられた請求項1乃至のいずれかに記載の前記サスペンション用基板と、
前記ベースプレートおよび前記ロードビームの少なくとも一方に接合されると共に、前記サスペンション用基板の前記接続構造領域に前記導電性接着剤を介して接続された前記アクチュエータ素子と、を備えたことを特徴とするサスペンション。
A base plate;
The suspension substrate according to any one of claims 1 to 5 , attached to the base plate via a load beam;
The suspension comprising: the actuator element joined to at least one of the base plate and the load beam, and connected to the connection structure region of the suspension substrate via the conductive adhesive. .
請求項に記載の前記サスペンションと、
前記サスペンションに実装されたヘッドスライダと、を備えたことを特徴とするヘッド付サスペンション。
The suspension according to claim 6 ;
A suspension with a head, comprising: a head slider mounted on the suspension.
請求項に記載の前記ヘッド付サスペンションを備えたことを特徴とするハードディスクドライブ。 A hard disk drive comprising the suspension with a head according to claim 7 . アクチュエータ素子に導電性粒子を含む導電性接着剤を介して接続可能な接続構造領域を有するサスペンション用基板の製造方法において、
絶縁層と、前記絶縁層の一方の面に設けられた金属支持層と、前記絶縁層の他方の面に設けられた配線層と、を有する積層体を準備する工程と、
前記配線層において、複数の配線と、前記接続構造領域に設けられ、対応する前記配線に接続されると共に、前記アクチュエータ素子に前記導電性接着剤を介して電気的に接続される配線接続部と、を形成する工程と、
前記金属支持層の前記アクチュエータ素子の側の面に、前記導電性接着剤に接合される金めっき層を形成する工程と、を備え、
前記金めっき層を形成する工程において、前記金属支持層の前記アクチュエータ素子の側の面に、レジスト開口の周縁が平面視で凹凸状に形成されたレジスト凹凸部を有するレジストを用いて金めっきが施され、このことにより、形成された前記金めっき層の外周縁に、平面視で凹凸状に形成された外周縁凹凸部が形成され、
前記接続構造領域において、前記金属支持層を貫通する金属支持層貫通孔と、前記絶縁層を貫通する絶縁層貫通孔と、が設けられ、
前記配線接続部の一部が、前記絶縁層貫通孔内に埋設され
前記外周縁凹凸部の凹凸高さは、0.0015mm〜0.0200mmであることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
In the manufacturing method of a suspension substrate having a connection structure region connectable to the actuator element via a conductive adhesive containing conductive particles,
Preparing a laminate having an insulating layer, a metal support layer provided on one surface of the insulating layer, and a wiring layer provided on the other surface of the insulating layer;
In the wiring layer, a plurality of wirings, a wiring connection portion provided in the connection structure region, connected to the corresponding wiring, and electrically connected to the actuator element via the conductive adhesive, Forming a
Forming a gold plating layer bonded to the conductive adhesive on the surface of the metal support layer on the actuator element side, and
In the step of forming the gold plating layer, gold plating is performed using a resist having a resist concavo-convex portion in which a peripheral edge of a resist opening is formed in a concavo-convex shape in a plan view on the surface of the metal support layer on the actuator element side. Applied, thereby forming an outer peripheral uneven portion formed in an uneven shape in plan view on the outer peripheral edge of the formed gold plating layer,
In the connection structure region, a metal support layer through-hole penetrating the metal support layer and an insulating layer through-hole penetrating the insulating layer are provided,
A part of the wiring connection portion is embedded in the insulating layer through hole ,
The manufacturing method of a suspension substrate, wherein the unevenness height of the outer peripheral unevenness part is 0.0015 mm to 0.0200 mm .
アクチュエータ素子に導電性粒子を含む導電性接着剤を介して接続可能な接続構造領域を有するサスペンション用基板の製造方法において、
絶縁層と、前記絶縁層の一方の面に設けられた金属支持層と、前記絶縁層の他方の面に設けられた配線層と、を有する積層体を準備する工程と、
前記配線層において、複数の配線と、前記接続構造領域に設けられ、対応する前記配線に接続されると共に、前記アクチュエータ素子に前記導電性接着剤を介して電気的に接続される配線接続部と、を形成する工程と、
前記金属支持層の前記アクチュエータ素子の側の面に、前記導電性接着剤に接合される金めっき層を形成する工程と、を備え、
前記金めっき層を形成する工程において、前記金属支持層の前記アクチュエータ素子の側の面に、レジスト開口の周縁が平面視で凹凸状に形成されたレジスト凹凸部を有するレジストを用いて金めっきが施され、このことにより、形成された前記金めっき層の外周縁に、平面視で凹凸状に形成された外周縁凹凸部が形成され、
前記配線接続部と前記金属支持層とは、前記絶縁層を貫通する導電接続部によって接続され、
前記配線接続部の前記アクチュエータ素子の側の面は、前記絶縁層および前記金属支持層によって覆われ、
前記金めっき層は、互いに分離された複数の金めっき層分割体を有し、
前記外周縁凹凸部は、前記金めっき層分割体の各々の外周縁に設けられ
前記外周縁凹凸部の凹凸高さは、0.0015mm〜0.0200mmであることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
In the manufacturing method of a suspension substrate having a connection structure region connectable to the actuator element via a conductive adhesive containing conductive particles,
Preparing a laminate having an insulating layer, a metal support layer provided on one surface of the insulating layer, and a wiring layer provided on the other surface of the insulating layer;
In the wiring layer, a plurality of wirings, a wiring connection portion provided in the connection structure region, connected to the corresponding wiring, and electrically connected to the actuator element via the conductive adhesive, Forming a
Forming a gold plating layer bonded to the conductive adhesive on the surface of the metal support layer on the actuator element side, and
In the step of forming the gold plating layer, gold plating is performed using a resist having a resist concavo-convex portion in which a peripheral edge of a resist opening is formed in a concavo-convex shape in a plan view on the surface of the metal support layer on the actuator element side. Applied, thereby forming an outer peripheral uneven portion formed in an uneven shape in plan view on the outer peripheral edge of the formed gold plating layer,
The wiring connection portion and the metal support layer are connected by a conductive connection portion that penetrates the insulating layer,
A surface of the wiring connection portion on the actuator element side is covered with the insulating layer and the metal support layer,
The gold plating layer has a plurality of gold plating layer segments separated from each other,
The outer peripheral uneven portion is provided on each outer peripheral edge of the gold plating layer divided body ,
The manufacturing method of a suspension substrate, wherein the unevenness height of the outer peripheral unevenness part is 0.0015 mm to 0.0200 mm .
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