JP6292282B2 - Suspension substrate, suspension, suspension with head, hard disk drive, and method for manufacturing suspension substrate - Google Patents

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本発明は、サスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、ハードディスクドライブおよびサスペンション用基板の製造方法に係り、とりわけ、製造工程の煩雑化を抑制しながら、アクチュエータ素子との接続信頼性を向上させることができるサスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、ハードディスクドライブおよびサスペンション用基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a suspension substrate, a suspension, a suspension with a head, a hard disk drive, and a suspension substrate. The present invention relates to a suspension substrate, a suspension, a suspension with a head, a hard disk drive, and a method for manufacturing a suspension substrate.

一般に、ハードディスクドライブ(HDD)は、データが記憶されるディスクに対してデータの書き込みおよび読み取りを行う磁気ヘッドスライダが実装されたサスペンション用基板(フレキシャー)を備えている。このサスペンション用基板は、磁気ヘッドスライダが実装されるヘッド領域から、FPC基板(フレキシブルプリント基板)に接続されるテール領域に延びるように形成されており、金属支持層と、金属支持層に絶縁層を介して積層された複数の配線を有する配線層と、を備え、各配線に電気信号を流すことにより、ディスクに対してデータの書き込みまたは読み取りを行うようになっている。   Generally, a hard disk drive (HDD) includes a suspension substrate (flexure) on which a magnetic head slider for writing and reading data to and from a disk storing data is mounted. The suspension substrate is formed to extend from a head region on which the magnetic head slider is mounted to a tail region connected to an FPC substrate (flexible printed circuit board), and a metal support layer and an insulating layer on the metal support layer And a wiring layer having a plurality of wirings stacked via each other, and by writing an electric signal through each wiring, data is written to or read from the disk.

このようなハードディスクドライブにおいては、ディスク上の所望のデータトラックに磁気ヘッドスライダを移動させるために、磁気ヘッドスライダを支持するアクチュエータアームを回動させるVCMアクチュエータ(ボイスコイルモータ)を、サーボコントロールシステムによって制御している。   In such a hard disk drive, in order to move the magnetic head slider to a desired data track on the disk, a VCM actuator (voice coil motor) that rotates an actuator arm that supports the magnetic head slider is provided by a servo control system. I have control.

ところで、近年、ディスクの容量増大の要求が高まっている。この要求に応えるために、ディスクが高密度化されて、トラックの幅が小さくなっている。このため、VCMアクチュエータによって、磁気ヘッドスライダを所望のトラックに精度良く位置合わせすることが困難な場合がある。   In recent years, there has been an increasing demand for an increase in disk capacity. In order to meet this demand, the density of the disk is increased and the width of the track is reduced. For this reason, it may be difficult to accurately align the magnetic head slider to a desired track by the VCM actuator.

このことに対処するために、VCMアクチュエータとPZTマイクロアクチュエータ(Dual Stage Actuator:DSA)とを協働させて、所望のトラックに磁気ヘッドスライダを移動させるデュアルアクチュエータ方式のサスペンションが知られている(例えば、特許文献1乃至3参照)。このPZTマイクロアクチュエータは、PZT(チタン酸ジルコン酸鉛)からなるピエゾ素子(圧電素子)により構成され、電圧が印加されることにより伸縮し、磁気ヘッドスライダを微小に移動させるようになっている。
このようなデュアルアクチュエータ方式のサスペンションにおいては、VCMアクチュエータが、磁気ヘッドスライダの位置を大まかに調整し、PZTマイクロアクチュエータが、磁気ヘッドスライダの位置を微小調整する。このようにして、磁気ヘッドスライダを、所望のトラックに、迅速に、かつ精度良く位置合わせするようになっている。
In order to cope with this, a dual actuator type suspension is known in which a VCM actuator and a PZT microactuator (Dual Stage Actuator: DSA) cooperate to move a magnetic head slider to a desired track (for example, Patent Documents 1 to 3). This PZT microactuator is composed of a piezo element (piezoelectric element) made of PZT (lead zirconate titanate), and expands and contracts when a voltage is applied to move the magnetic head slider minutely.
In such a dual actuator type suspension, the VCM actuator roughly adjusts the position of the magnetic head slider, and the PZT microactuator finely adjusts the position of the magnetic head slider. In this way, the magnetic head slider is aligned with a desired track quickly and accurately.

特許文献1乃至3に示すサスペンション用基板においては、金属支持層および絶縁層に開口部が設けられ、この開口部を介して露出した配線層(DSAパッド)に、導電性接着剤(例えば、銀ペースト)を介してピエゾ素子が接続されるようになっている。   In the suspension substrates shown in Patent Documents 1 to 3, openings are provided in the metal support layer and the insulating layer, and a conductive adhesive (eg, silver) is applied to the wiring layer (DSA pad) exposed through the openings. Piezo elements are connected via a paste).

特開2010−165406号公報JP 2010-165406 A 特開2012−022756号公報JP 2012-022756 A 特開2011−129180号公報JP 2011-129180 A

しかしながら、特許文献1乃至3に示すサスペンション用基板は、絶縁層上に配線層が積層されて、絶縁層がエッチングなどによって開口されて配線層のDSAパッドのピエゾ素子側の面が露出されるようになっている。すなわち、DSAパッドのピエゾ素子側の面は、絶縁層の平滑な面上に形成された後、エッチングなどによって露出される。このことにより、DSAパッドのピエゾ素子側の面は平滑に形成され、当該面にその後に形成される金めっき層の表面も平滑になる。この場合、金めっき層と導電性接着剤との密着性が十分に得られない場合があった。また、特許文献3に示すサスペンション用基板においては、高い信頼性を維持するためにDSAパッドに凸部を形成しているが、このような凸部を形成するためには加工工程の追加が必要となる。このため、製造工程が煩雑化して製造コストが増大するという問題が考えられる。   However, in the suspension substrates shown in Patent Documents 1 to 3, the wiring layer is laminated on the insulating layer, and the insulating layer is opened by etching or the like so that the surface on the piezoelectric element side of the DSA pad of the wiring layer is exposed. It has become. That is, the surface of the DSA pad on the piezoelectric element side is formed on the smooth surface of the insulating layer and then exposed by etching or the like. As a result, the surface of the DSA pad on the piezo element side is formed smoothly, and the surface of the gold plating layer subsequently formed on the surface is also smoothed. In this case, sufficient adhesion between the gold plating layer and the conductive adhesive may not be obtained. Further, in the suspension substrate shown in Patent Document 3, a convex portion is formed on the DSA pad in order to maintain high reliability. However, in order to form such a convex portion, an additional processing step is required. It becomes. For this reason, the problem that a manufacturing process becomes complicated and manufacturing cost increases can be considered.

本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、製造工程の煩雑化を抑制しながら、アクチュエータ素子との接続信頼性を向上させることができるサスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、ハードディスクドライブおよびサスペンション用基板の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in consideration of such points, and the suspension substrate, suspension, and suspension with a head that can improve the connection reliability with the actuator element while suppressing the complexity of the manufacturing process. An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a hard disk drive and a suspension substrate.

本発明は、第1の解決手段として、金属支持層に絶縁層を介して配線層が積層され、前記金属支持層に対して前記絶縁層側とは反対側に配置されるアクチュエータ素子に導電性接着剤を介して接続可能な接続構造領域を有するサスペンション用基板において、前記接続構造領域に設けられ、前記絶縁層を貫通する絶縁層開口部と、前記絶縁層開口部に設けられ、ニッケルにより形成されるとともに前記配線層に接続された導電接続部と、前記接続構造領域に設けられ、前記金属支持層を貫通し、前記導電接続部の前記金属支持層側の面を外方に露出させる金属支持層開口部と、を備えたことを特徴とするサスペンション用基板を提供する。   According to the present invention, as a first solution, a wiring layer is laminated on a metal support layer through an insulating layer, and the actuator element disposed on the opposite side of the metal support layer from the insulating layer side is electrically conductive. In a suspension substrate having a connection structure region connectable via an adhesive, provided in the connection structure region, an insulating layer opening penetrating the insulating layer, provided in the insulating layer opening, and formed of nickel And a conductive connection portion connected to the wiring layer and a metal provided in the connection structure region and penetrating the metal support layer to expose the surface of the conductive connection portion on the metal support layer side to the outside. A suspension substrate comprising a support layer opening is provided.

なお、上述した第1の解決手段によるサスペンション用基板において、前記導電接続部の前記金属支持層側の面は、凹状に湾曲している、ようにしてもよい。   In the suspension substrate according to the first solving means described above, the surface of the conductive connection portion on the metal support layer side may be curved in a concave shape.

また、上述した第1の解決手段によるサスペンション用基板において、前記金属支持層開口部の外縁の絶縁層側端部は、前記絶縁層開口部の外縁の金属支持層側端部より内方に位置し、前記導電接続部は、前記接続構造領域における前記金属支持層に電気的に接続されている、ようにしてもよい。   Further, in the suspension substrate according to the first solving means described above, the insulating layer side end of the outer edge of the metal support layer opening is positioned inward from the metal support layer side end of the outer edge of the insulating layer opening. The conductive connection portion may be electrically connected to the metal support layer in the connection structure region.

また、上述した第1の解決手段によるサスペンション用基板において、前記接続構造領域において、前記金属支持層の前記絶縁層側とは反対側の面に、金めっき層が設けられている、ようにしてもよい。   Further, in the suspension substrate according to the first solving means described above, in the connection structure region, a gold plating layer is provided on a surface opposite to the insulating layer side of the metal support layer. Also good.

また、上述した第1の解決手段によるサスペンション用基板において、前記接続構造領域において、前記配線層を貫通する配線層開口部が設けられ、前記導電接続部は、前記配線層開口部内に延び、前記導電接続部の前記金属支持層側とは反対側の面は、外方に露出されている、ようにしてもよい。   Further, in the suspension substrate according to the first solving means described above, a wiring layer opening that penetrates the wiring layer is provided in the connection structure region, and the conductive connection portion extends into the wiring layer opening. You may make it the surface on the opposite side to the said metal support layer side of an electroconductive connection part exposed to the outward.

本発明は、第2の解決手段として、金属支持層に絶縁層を介して配線層が積層され、前記金属支持層に対して前記絶縁層側とは反対側に配置されるアクチュエータ素子に導電性接着剤を介して接続可能な接続構造領域を有するサスペンション用基板において、前記接続構造領域に設けられ、前記絶縁層を貫通する絶縁層開口部と、前記絶縁層開口部に設けられ、前記配線層に接続された導電接続部と、前記接続構造領域に設けられ、前記金属支持層を貫通する金属支持層開口部と、を備え、前記導電接続部は、当該導電接続部の前記金属支持層側の部分に設けられた金めっき部分を有し、前記金めっき部分の前記金属支持層側の面は、前記金属支持層開口部を介して外方に露出されるとともに、前記絶縁層の前記金属支持層側の面と同一平面上に位置していることを特徴とするサスペンション用基板を提供する。   According to the present invention, as a second solution, a wiring layer is laminated on a metal support layer via an insulating layer, and the actuator element disposed on the opposite side of the metal support layer from the insulating layer side is electrically conductive. A suspension substrate having a connection structure region connectable via an adhesive, provided in the connection structure region, an insulating layer opening penetrating the insulating layer, provided in the insulating layer opening, and the wiring layer And a metal support layer opening provided in the connection structure region and penetrating through the metal support layer, wherein the conductive connection portion is on the metal support layer side of the conductive connection portion. A surface of the gold-plated portion on the metal support layer side is exposed to the outside through the metal support layer opening, and the metal of the insulating layer. Flush with the surface of the support layer To provide a suspension substrate, characterized in that located.

なお、上述した第2の解決手段によるサスペンション用基板において、前記金属支持層開口部の外縁の絶縁層側端部は、前記絶縁層開口部の外縁の金属支持層側端部より内方に位置し、前記金めっき部分は、前記接続構造領域における前記金属支持層に電気的に接続されている、ようにしてもよい。   In the suspension substrate according to the second solution described above, the insulating layer side end of the outer edge of the metal support layer opening is positioned inward from the metal support layer side end of the outer edge of the insulating layer opening. And the said gold plating part may be made to be electrically connected to the said metal support layer in the said connection structure area | region.

また、上述した第2の解決手段によるサスペンション用基板において、前記接続構造領域において、前記金属支持層の前記絶縁層側とは反対側の面に、金めっき層が設けられている、ようにしてもよい。   Further, in the suspension substrate according to the second solving means described above, in the connection structure region, a gold plating layer is provided on a surface opposite to the insulating layer side of the metal support layer. Also good.

また、上述した第2の解決手段によるサスペンション用基板において、前記接続構造領域において、前記配線層を貫通する配線層開口部が設けられ、前記導電接続部は、前記配線層開口部内に延び、前記導電接続部の前記金属支持層側とは反対側の面は、外方に露出されている、ようにしてもよい。   Further, in the suspension substrate according to the second solving means described above, a wiring layer opening penetrating the wiring layer is provided in the connection structure region, and the conductive connection portion extends into the wiring layer opening, You may make it the surface on the opposite side to the said metal support layer side of an electroconductive connection part exposed to the outward.

また、上述した第2の解決手段によるサスペンション用基板において、前記導電接続部は、前記金めっき部分の前記金属支持層側とは反対側に設けられた接続本体部分を有し、前記接続本体部分は、ニッケルにより形成されている、ようにしてもよい。   In the suspension substrate according to the second solving means described above, the conductive connection portion includes a connection main body portion provided on the opposite side of the metal plating layer side of the gold plating portion, and the connection main body portion. May be made of nickel.

また、上述した第2の解決手段によるサスペンション用基板において、前記導電接続部は、前記金めっき部分の前記金属支持層側とは反対側に設けられた接続本体部分を有し、前記接続本体部分は、前記配線層と同一の材料により一体に形成されている、ようにしてもよい。   In the suspension substrate according to the second solving means described above, the conductive connection portion includes a connection main body portion provided on the opposite side of the metal plating layer side of the gold plating portion, and the connection main body portion. May be integrally formed of the same material as the wiring layer.

また、上述した第2の解決手段によるサスペンション用基板において、前記導電接続部全体が、金めっきにより形成されている、ようにしてもよい。   Further, in the suspension substrate according to the second solving means described above, the entire conductive connection portion may be formed by gold plating.

また、上述した第2の解決手段によるサスペンション用基板において、前記金属支持層の前記絶縁層側の面に、圧延筋が形成され、前記金めっき部分の前記金属支持層側の面に、前記圧延筋に対応する形状を有する凹凸形状が形成されている、ようにしてもよい。   Further, in the suspension substrate according to the second solving means described above, rolling streaks are formed on the surface of the metal support layer on the insulating layer side, and the rolling is formed on the surface of the gold plating portion on the metal support layer side. An uneven shape having a shape corresponding to the line may be formed.

本発明は、ベースプレートと、前記ベースプレートに、ロードビームを介して取り付けられた上述の前記サスペンション用基板と、前記ベースプレートおよび前記ロードビームの少なくとも一方に接合されると共に、前記サスペンション用基板の前記接続構造領域に前記導電性接着剤を介して接続された前記アクチュエータ素子と、を備えたことを特徴とするサスペンションを提供する。   The present invention is a base plate, the above-mentioned suspension substrate attached to the base plate via a load beam, and joined to at least one of the base plate and the load beam, and the connection structure of the suspension substrate. There is provided a suspension comprising the actuator element connected to a region via the conductive adhesive.

本発明は、上述した前記サスペンションと、前記サスペンションに実装された前記ヘッドスライダと、を備えたことを特徴とするヘッド付サスペンションを提供する。   The present invention provides a suspension with a head, comprising the above-described suspension and the head slider mounted on the suspension.

本発明は、上述した前記ヘッド付サスペンションを備えたことを特徴とするハードディスクドライブを提供する。   The present invention provides a hard disk drive comprising the aforementioned suspension with a head.

本発明は、第3の解決手段として金属支持層に絶縁層を介して配線層が積層され、前記金属支持層に対して前記絶縁層側とは反対側に配置されるアクチュエータ素子に導電性接着剤を介して接続可能な接続構造領域を有するサスペンション用基板の製造方法において、 前記絶縁層と前記金属支持層と前記配線層とを有する積層体であって、前記接続構造領域において、前記絶縁層を貫通する絶縁層開口部が設けられ、前記絶縁層開口部に、ニッケルにより形成されて前記配線層に接続された導電接続部が設けられた、前記積層体を準備する工程と、前記積層体を準備する工程の後、前記接続構造領域において、前記金属支持層を貫通する金属支持層開口部であって、前記導電接続部の前記金属支持層側の面を露出させる前記金属支持層開口部をエッチングにより形成する工程と、を備えたことを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。   According to the present invention, as a third solution, a wiring layer is laminated on a metal support layer via an insulating layer, and conductive adhesion is applied to an actuator element arranged on the opposite side of the metal support layer from the insulating layer side. In the manufacturing method of a suspension substrate having a connection structure region connectable via an agent, the laminate includes the insulating layer, the metal support layer, and the wiring layer, wherein the insulating layer is formed in the connection structure region. A step of preparing the laminate, wherein an insulating layer opening penetrating through the insulating layer opening is provided, and a conductive connection portion formed of nickel and connected to the wiring layer is provided in the insulating layer opening; and After the step of preparing the metal support layer opening, the metal support layer opening that penetrates the metal support layer in the connection structure region and exposes the metal support layer side surface of the conductive connection portion. The providing and forming by etching, a method of manufacturing a substrate for suspension, characterized in that it comprises a.

本発明は、第4の解決手段として、金属支持層に絶縁層を介して配線層が積層され、前記金属支持層に対して前記絶縁層側とは反対側に配置されるアクチュエータ素子に導電性接着剤を介して接続可能な接続構造領域を有するサスペンション用基板の製造方法において、前記絶縁層と前記金属支持層と前記配線層とを有する積層体であって、前記接続構造領域において、前記絶縁層を貫通する絶縁層開口部が設けられ、前記絶縁層開口部に、前記金属支持層側の部分に設けられた金めっき部分を有するとともに前記配線層に接続された導電接続部が形成された、前記積層体を準備する工程と、前記積層体を準備する工程の後、前記接続構造領域において、前記金属支持層を貫通する金属支持層開口部であって、前記金めっき部分の前記金属支持層側の面を露出させる前記金属支持層開口部をエッチングにより形成する工程と、を備え、前記積層体を準備する工程において、前記導電接続部の前記金めっき部分は、前記金属支持層の前記絶縁層側の面のうち前記絶縁層開口部により露出された部分に形成されることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。   As a fourth solution of the present invention, a wiring layer is laminated on a metal support layer via an insulating layer, and the actuator element disposed on the opposite side of the metal support layer from the insulating layer side is electrically conductive. In the method for manufacturing a suspension substrate having a connection structure region connectable via an adhesive, the laminate includes the insulating layer, the metal support layer, and the wiring layer, and the insulating structure is formed in the connection structure region. An insulating layer opening penetrating the layer is provided, and the insulating layer opening has a gold-plated portion provided in a portion on the metal support layer side and a conductive connecting portion connected to the wiring layer is formed After the step of preparing the laminate and the step of preparing the laminate, the metal support layer opening that penetrates the metal support layer in the connection structure region, the metal support of the gold plating portion. Forming the metal support layer opening that exposes the layer-side surface by etching, and in the step of preparing the laminate, the gold-plated portion of the conductive connection portion is the metal support layer of the metal support layer Provided is a method for manufacturing a suspension substrate, wherein the suspension substrate is formed in a portion exposed by the opening of the insulating layer in the surface on the insulating layer side.

本発明によれば、製造工程の煩雑化を抑制しながら、アクチュエータ素子との接続信頼性を向上させることができる。   According to the present invention, it is possible to improve the connection reliability with the actuator element while suppressing complication of the manufacturing process.

図1は、本発明の第1の実施の形態におけるサスペンション用基板の一例を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing an example of a suspension substrate according to the first embodiment of the present invention. 図2は、図1のサスペンション用基板の接続構造領域を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a connection structure region of the suspension board of FIG. 図3は、本発明の第1の実施の形態におけるサスペンションの一例を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing an example of the suspension according to the first embodiment of the present invention. 図4は、図3のサスペンションの一部を示す裏面図である。4 is a rear view showing a part of the suspension of FIG. 図5は、図3のサスペンションにおけるピエゾ素子の一例を示す斜視図である。FIG. 5 is a perspective view showing an example of a piezo element in the suspension of FIG. 図6は、図3のサスペンションにおける接続構造領域を示す断面図である。6 is a cross-sectional view showing a connection structure region in the suspension of FIG. 図7は、本発明の第1の実施の形態におけるヘッド付サスペンションの一例を示す平面図である。FIG. 7 is a plan view showing an example of a suspension with a head according to the first embodiment of the present invention. 図8は、本発明の第1の実施の形態におけるハードディスクドライブの一例を示す斜視図である。FIG. 8 is a perspective view showing an example of the hard disk drive according to the first embodiment of the present invention. 図9(a)〜(f)は、本発明の第1の実施の形態におけるサスペンション用基板の製造方法を示す図である。FIGS. 9A to 9F are views showing a method for manufacturing a suspension substrate in the first embodiment of the present invention. 図10(a)、(b)は、本発明の第1の実施の形態における接続構造領域の変形例(変形例1)を示す断面図である。FIGS. 10A and 10B are cross-sectional views showing a modified example (modified example 1) of the connection structure region in the first embodiment of the present invention. 図11は、本発明の第2の実施の形態におけるサスペンション用基板の接続構造領域を示す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view showing the connection structure region of the suspension board in the second embodiment of the present invention. 図12(a)〜(g)は、本発明の第2の実施の形態におけるサスペンション用基板の製造方法を示す図である。12 (a) to 12 (g) are diagrams showing a method for manufacturing a suspension substrate in the second embodiment of the present invention. 図13は、図12(e)において、金属支持層と第3金めっき層とを示す部分拡大図である。FIG. 13 is a partially enlarged view showing the metal support layer and the third gold plating layer in FIG. 図14は、本発明の第2の実施の形態における接続構造領域の変形例(変形例2)を示す断面図である。FIG. 14 is a cross-sectional view showing a modified example (modified example 2) of the connection structure region according to the second embodiment of the present invention. 図15(a)、(b)は、本発明の第2の実施の形態における接続構造領域の他の変形例(変形例3、4)を示す断面図である。FIGS. 15A and 15B are cross-sectional views showing other modified examples (modified examples 3 and 4) of the connection structure region according to the second embodiment of the present invention. 図16(a)〜(f)は、図15に示すサスペンション用基板の製造方法を示す図である。16A to 16F are views showing a method for manufacturing the suspension substrate shown in FIG. 図17(a)、(b)は、本発明の第2の実施の形態における接続構造領域の他の変形例(変形例5、6)を示す断面図である。FIGS. 17A and 17B are sectional views showing other modified examples (modified examples 5 and 6) of the connection structure region in the second embodiment of the present invention.

図面を用いて、本発明の実施の形態におけるサスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、ハードディスクドライブおよびサスペンション用基板の製造方法について説明する。なお、本明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。   A method of manufacturing a suspension substrate, a suspension, a suspension with a head, a hard disk drive, and a suspension substrate according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings attached to the present specification, for the sake of illustration and ease of understanding, the scale, the vertical / horizontal dimension ratio, and the like are appropriately changed and exaggerated from those of the actual ones.

(第1の実施の形態)
図1に示すように、サスペンション用基板1は、基板本体領域2と、基板本体領域2の両側方に配置された一対の接続構造領域3であって、ピエゾ素子44に導電性接着剤(例えば、銀ペースト)を介して接続される一対の接続構造領域3と、を有している。このうち、基板本体領域2は、ヘッドスライダ52(図7参照)が実装されるヘッド部2aと、FPC基板71(図7参照)が接続されるテール部2bと、を含んでいる。ヘッド部2aには、ヘッドスライダ52に接続される複数のヘッド端子5が設けられ、テール部2bには、FPC基板71に接続される複数のテール端子(外部接続基板端子)6が設けられており、ヘッド端子5とテール端子6とが、後述する複数の信号配線13を介してそれぞれ接続されている。各接続構造領域3は、連結領域4を介して基板本体領域2に連結されている。
(First embodiment)
As shown in FIG. 1, the suspension substrate 1 includes a substrate body region 2 and a pair of connection structure regions 3 disposed on both sides of the substrate body region 2, and a conductive adhesive (for example, And a pair of connection structure regions 3 connected via a silver paste). Among these, the board | substrate body area | region 2 contains the head part 2a in which the head slider 52 (refer FIG. 7) is mounted, and the tail part 2b to which the FPC board 71 (refer FIG. 7) is connected. The head part 2a is provided with a plurality of head terminals 5 connected to the head slider 52, and the tail part 2b is provided with a plurality of tail terminals (external connection board terminals) 6 connected to the FPC board 71. The head terminal 5 and the tail terminal 6 are connected to each other via a plurality of signal wires 13 to be described later. Each connection structure region 3 is connected to the substrate body region 2 via a connection region 4.

サスペンション用基板1は、図1および図2に示すように、絶縁層10と、絶縁層10の一方の面(接続されるピエゾ素子44の側の面(図6参照))に設けられた金属支持層11と、絶縁層10の他方の面(ピエゾ素子44の側とは反対側の面)に設けられた配線層12と、を備えている。すなわち、サスペンション用基板1においては、金属支持層11に絶縁層10を介して配線層12が積層されており、金属支持層11に対して絶縁層10の側とは反対側にピエゾ素子44が配置されるようになっている。なお、図示しないが、絶縁層10と配線層12との間に、ニッケル(Ni)、クロム(Cr)、銅(Cu)からなり、約300nm厚さを有するシード層が介在されていることが好ましく、この場合、絶縁層10と配線層12との密着性を向上させることができる。   As shown in FIGS. 1 and 2, the suspension substrate 1 includes an insulating layer 10 and a metal provided on one surface of the insulating layer 10 (the surface on the side of the piezo element 44 to be connected (see FIG. 6)). A support layer 11 and a wiring layer 12 provided on the other surface of the insulating layer 10 (a surface opposite to the piezoelectric element 44) are provided. That is, in the suspension substrate 1, the wiring layer 12 is laminated on the metal support layer 11 via the insulating layer 10, and the piezo element 44 is disposed on the opposite side of the metal support layer 11 from the insulating layer 10 side. It is arranged. Although not shown, a seed layer made of nickel (Ni), chromium (Cr), or copper (Cu) and having a thickness of about 300 nm is interposed between the insulating layer 10 and the wiring layer 12. Preferably, in this case, the adhesion between the insulating layer 10 and the wiring layer 12 can be improved.

図1に示すように、配線層12は、複数の配線、すなわち、一対の読取配線と一対の書込配線とを含む信号配線13と、ピエゾ素子44に接続される一対の素子配線14と、を有している。このうち、信号配線13は、ヘッド端子5とテール端子6とを接続しており、この信号配線13に電気信号が流されることによって、ディスク63(図8参照)に対してデータの書き込みまたは読み取りを行うようになっている。また、素子配線14は、後述する配線接続部16を介してピエゾ素子44に所望の電圧を印加するようになっている。   As shown in FIG. 1, the wiring layer 12 includes a plurality of wirings, that is, a signal wiring 13 including a pair of reading wirings and a pair of writing wirings, a pair of element wirings 14 connected to the piezo element 44, have. Among these, the signal wiring 13 connects the head terminal 5 and the tail terminal 6, and when an electric signal flows through the signal wiring 13, data is written to or read from the disk 63 (see FIG. 8). Is supposed to do. The element wiring 14 applies a desired voltage to the piezo element 44 through a wiring connection portion 16 described later.

配線層12は、接続構造領域3に設けられた、ピエゾ素子44に導電性接着剤を介して電気的に接続される配線接続部16を有している。各配線接続部16は、配線層12の素子配線14にそれぞれ接続されている。また、配線接続部16は、各配線13、14と同一の材料により形成され、各配線13、14と略同一の厚さを有しており、ヘッド端子5、テール端子6および配線13、14と共に配線層12を構成している。本実施の形態における配線接続部16は、図2に示すように、平坦なリング状に形成されている。   The wiring layer 12 includes a wiring connection portion 16 provided in the connection structure region 3 and electrically connected to the piezo element 44 via a conductive adhesive. Each wiring connection portion 16 is connected to the element wiring 14 of the wiring layer 12. The wiring connection portion 16 is formed of the same material as the wirings 13 and 14 and has substantially the same thickness as the wirings 13 and 14. The head terminal 5, tail terminal 6, and wirings 13 and 14 are formed. In addition, the wiring layer 12 is configured. The wiring connection portion 16 in the present embodiment is formed in a flat ring shape, as shown in FIG.

図2に示すように、金属支持層11は、接続構造領域3に設けられたリング状の金属枠体部17を有している。金属枠体部17は、基板本体領域2における金属支持層11を構成する部分と分離されている。また、絶縁層10は、接続構造領域3に設けられたリング状の絶縁枠体部18を有している。   As shown in FIG. 2, the metal support layer 11 has a ring-shaped metal frame portion 17 provided in the connection structure region 3. The metal frame portion 17 is separated from the portion constituting the metal support layer 11 in the substrate main body region 2. The insulating layer 10 has a ring-shaped insulating frame 18 provided in the connection structure region 3.

金属支持層11の金属枠体部17は、当該金属枠体部17を貫通する金属支持層開口部32を形成している。また、絶縁層10の絶縁枠体部18は、金属支持層開口部32に対応する位置で当該絶縁枠体部18を貫通する絶縁層開口部33を形成している。さらに、配線層12の配線接続部16は、絶縁層開口部33に対応する位置で当該配線接続部16を貫通する配線層開口部34を形成している。本実施の形態においては、金属支持層開口部32の外縁32aの絶縁層側端部(上端部)32bは、絶縁層開口部33の外縁33aの金属支持層側端部(下端部)33bより外方に位置している。より詳細には、金属支持層開口部32、絶縁層開口部33、配線層開口部34および保護層開口部35(後述)は、いずれも平面視で円形状に形成されており、各々の中心が互いに略一致している。そして、金属支持層開口部32の外縁32aの上端部32bは、絶縁層開口部33の外縁33aの下端部33bより半径方向外側に位置している。すなわち、金属支持層開口部32の上端部における直径が、絶縁層開口部33の下端部における直径よりも大きくなっている。この場合、絶縁枠体部18の金属枠体部17の側の面、すなわち、ピエゾ素子44の側の面(下面18a)の一部が、金属支持層開口部32を介してピエゾ素子44の側に露出される。このことにより、導電性接着剤が、絶縁枠体部18の当該露出部に接着され、導電性接着剤と接続構造領域3との密着性が向上する(例えば、導電性接着剤が銀ペーストからなり、絶縁層10がポリイミドにより形成されている場合には、銀ペーストのエポキシ成分とポリイミドとの密着性は良好である)。なお、図2では、金属支持層開口部32の外縁32aおよび絶縁層開口部33の外縁33aは、各層の積層方向に対していずれも傾斜しているが、金属支持層開口部32の外縁32aの上端部32bが、絶縁層開口部33の外縁33aの下端部33bに対して半径方向外側に位置していれば、金属支持層開口部32の外縁32aおよび絶縁層開口部33の外縁33aは、積層方向に沿って延びるように形成されていても良い。   The metal frame portion 17 of the metal support layer 11 forms a metal support layer opening 32 that penetrates the metal frame portion 17. Further, the insulating frame body portion 18 of the insulating layer 10 forms an insulating layer opening portion 33 that penetrates the insulating frame body portion 18 at a position corresponding to the metal support layer opening portion 32. Further, the wiring connection portion 16 of the wiring layer 12 forms a wiring layer opening 34 that penetrates the wiring connection portion 16 at a position corresponding to the insulating layer opening 33. In the present embodiment, the insulating layer side end (upper end) 32b of the outer edge 32a of the metal support layer opening 32 is more than the metal support layer side end (lower end) 33b of the outer edge 33a of the insulating layer opening 33. Located outside. More specifically, each of the metal support layer opening 32, the insulating layer opening 33, the wiring layer opening 34, and the protective layer opening 35 (described later) is formed in a circular shape in plan view, and each center Are substantially coincident with each other. The upper end portion 32 b of the outer edge 32 a of the metal support layer opening 32 is located on the outer side in the radial direction from the lower end portion 33 b of the outer edge 33 a of the insulating layer opening 33. That is, the diameter at the upper end of the metal support layer opening 32 is larger than the diameter at the lower end of the insulating layer opening 33. In this case, the surface of the insulating frame 18 on the side of the metal frame 17, that is, a part of the surface (the lower surface 18 a) on the side of the piezo element 44, Exposed to the side. As a result, the conductive adhesive is bonded to the exposed portion of the insulating frame 18 and the adhesion between the conductive adhesive and the connection structure region 3 is improved (for example, the conductive adhesive is made of silver paste). Thus, when the insulating layer 10 is formed of polyimide, the adhesion between the epoxy component of the silver paste and the polyimide is good). In FIG. 2, the outer edge 32 a of the metal support layer opening 32 and the outer edge 33 a of the insulating layer opening 33 are both inclined with respect to the stacking direction of the layers, but the outer edge 32 a of the metal support layer opening 32. If the upper end portion 32b of the metal layer is located radially outside the lower end portion 33b of the outer edge 33a of the insulating layer opening 33, the outer edge 32a of the metal support layer opening 32 and the outer edge 33a of the insulating layer opening 33 are Further, it may be formed so as to extend along the stacking direction.

絶縁層開口部33および配線層開口部34には、導電接続部30が設けられている。すなわち、導電接続部30は、絶縁層開口部33から配線層開口部34に延びて配線接続部16に接続されている。また、導電接続部30の金属枠体部17の側の面、すなわち、ピエゾ素子44側の面(下面30a)は、金属支持層開口部32を介して外方(ピエゾ素子44の側)に露出されている。このようにして、金属支持層開口部32に導電性接着剤が注入されると、導電接続部30の下面30aが導電性接着剤に接して、当該導電接続部30は、導電性接着剤を介してピエゾ素子44に電気的に接続されるようになっている。なお、本実施の形態では、導電接続部30は、ニッケルにより形成されている。   A conductive connection 30 is provided in the insulating layer opening 33 and the wiring layer opening 34. That is, the conductive connection part 30 extends from the insulating layer opening 33 to the wiring layer opening 34 and is connected to the wiring connection part 16. Further, the surface on the metal frame body 17 side of the conductive connection portion 30, that is, the surface on the piezoelectric element 44 side (lower surface 30 a) is outward (the piezoelectric element 44 side) through the metal support layer opening 32. Exposed. In this way, when the conductive adhesive is injected into the metal support layer opening 32, the lower surface 30a of the conductive connection portion 30 is in contact with the conductive adhesive, and the conductive connection portion 30 applies the conductive adhesive. Via the piezoelectric element 44. In the present embodiment, the conductive connection portion 30 is made of nickel.

図2に示すように、導電接続部30の下面30aは、凹状に湾曲している。このような導電接続部30の湾曲形状は、後述するように、金属枠体部17を形成するための金属支持層11のエッチング液により、導電接続部30の一部がエッチングされることに得られる。   As shown in FIG. 2, the lower surface 30a of the conductive connection portion 30 is curved in a concave shape. Such a curved shape of the conductive connection part 30 is obtained by etching a part of the conductive connection part 30 with an etching solution of the metal support layer 11 for forming the metal frame part 17 as described later. It is done.

ところで、絶縁層10上には、配線層12の配線接続部16を覆う保護層20が設けられている。この保護層20は、基板本体領域2および連結領域4においては、配線層12の各配線13、14を覆うように形成されている。なお、図1においては、図面を明瞭にするために、保護層20は省略している。   Incidentally, a protective layer 20 is provided on the insulating layer 10 to cover the wiring connection portion 16 of the wiring layer 12. The protective layer 20 is formed so as to cover the wirings 13 and 14 of the wiring layer 12 in the substrate body region 2 and the connection region 4. In FIG. 1, the protective layer 20 is omitted for the sake of clarity.

図2に示すように、保護層20には、導電接続部30の金属枠体部17とは反対側の面、すなわち、ピエゾ素子44の側とは反対側の面(上面30b)を外方に露出させる保護層開口部35が設けられている。本実施の形態では、導電接続部30は、この保護層開口部35を介して保護層20の上方にまで延びるように形成されている。なお、保護層開口部35において露出された導電接続部30の上面30bには、金めっき層(図示せず)が形成されていても良い。この場合、プローブ等の導通検査器80(図6参照)を用いて導電接続部30とピエゾ素子44との導通検査を行う場合に、プローブと導電接続部30との間の接触抵抗を低減し、検査精度を向上させることができる。   As shown in FIG. 2, the protective layer 20 has a surface on the side opposite to the metal frame body portion 17 of the conductive connection portion 30, that is, a surface opposite to the piezo element 44 side (upper surface 30 b). A protective layer opening 35 is provided to be exposed to the surface. In the present embodiment, the conductive connection portion 30 is formed so as to extend above the protective layer 20 through the protective layer opening 35. A gold plating layer (not shown) may be formed on the upper surface 30b of the conductive connection part 30 exposed in the protective layer opening 35. In this case, when conducting a continuity test between the conductive connection part 30 and the piezo element 44 using a continuity tester 80 such as a probe (see FIG. 6), the contact resistance between the probe and the conductive connection part 30 is reduced. Inspection accuracy can be improved.

また、図1に示すように、基板本体領域2には、サスペンション用基板1をロードビーム43(図3参照)に取り付ける際に、ロードビーム43とアライメント(位置合わせ)を行うための2つの治具孔25が設けられている。各治具孔25は、長手方向軸線(X)上に配置されている。すなわち、当該長手方向軸線(X)は、各治具孔25を通っている。   In addition, as shown in FIG. 1, the substrate main body region 2 has two treatments for alignment with the load beam 43 when the suspension substrate 1 is attached to the load beam 43 (see FIG. 3). A tool hole 25 is provided. Each jig hole 25 is disposed on the longitudinal axis (X). That is, the longitudinal axis (X) passes through each jig hole 25.

次に、サスペンション用基板1の各層を構成する材料について詳細に述べる。   Next, materials constituting each layer of the suspension substrate 1 will be described in detail.

絶縁層10の材料としては、所望の絶縁性を有する材料であれば特に限定されることはないが、例えば、ポリイミド(PI)を用いることが好適である。なお、絶縁層10の材料は、感光性材料であっても非感光性材料であっても用いることができる。また、絶縁層10の厚さは、5μm〜30μm、とりわけ8μm〜10μmであることが好ましい。このことにより、金属支持層11と各配線13、14との間の絶縁性能を確保するとともに、サスペンション用基板1全体としての剛性が喪失されることを防止することができる。   The material of the insulating layer 10 is not particularly limited as long as it is a material having a desired insulating property. For example, it is preferable to use polyimide (PI). Note that the material of the insulating layer 10 can be a photosensitive material or a non-photosensitive material. The thickness of the insulating layer 10 is preferably 5 μm to 30 μm, particularly 8 μm to 10 μm. As a result, the insulation performance between the metal support layer 11 and the wirings 13 and 14 can be ensured, and the loss of the rigidity of the suspension substrate 1 as a whole can be prevented.

各配線13、14は、電気信号を伝送するための導体として構成されており、各配線13、14の材料としては、所望の導電性を有する材料であれば特に限定されることはないが、銅(Cu)を用いることが好適である。銅以外にも、純銅に準ずる電気特性を有する材料であれば用いることもできる。ここで、各配線13、14の厚さは、例えば1μm〜18μm、とりわけ9μm〜12μmであることが好ましい。このことにより、各配線13、14の伝送特性を確保するとともに、サスペンション用基板1全体としての柔軟性が喪失されることを防止することができる。なお、ヘッド端子5、テール端子6および配線接続部16は、各配線13、14と同一の材料、同一の厚みからなっている。   Each wiring 13 and 14 is configured as a conductor for transmitting an electrical signal, and the material of each wiring 13 and 14 is not particularly limited as long as it is a material having a desired conductivity. It is preferable to use copper (Cu). In addition to copper, any material having electrical characteristics similar to pure copper can be used. Here, it is preferable that the thickness of each wiring 13 and 14 is 1 micrometer-18 micrometers, especially 9 micrometers-12 micrometers, for example. As a result, it is possible to ensure the transmission characteristics of the wirings 13 and 14 and to prevent the flexibility of the suspension substrate 1 as a whole from being lost. The head terminal 5, tail terminal 6 and wiring connection portion 16 are made of the same material and the same thickness as the wirings 13 and 14.

金属支持層11の材料としては、所望の導電性、弾力性、および強度を有するものであれば特に限定されることはないが、例えば、ステンレス、アルミニウム、ベリリウム銅、またはその他の銅合金を用いることができ、ステンレスを用いることが好適である。金属支持層11の厚さは、10μm〜30μm、とりわけ15μm〜20μmであることが好ましい。このことにより、金属支持層11の導電性、剛性、および弾力性を確保することができる。   The material of the metal support layer 11 is not particularly limited as long as it has desired conductivity, elasticity, and strength. For example, stainless steel, aluminum, beryllium copper, or other copper alloys are used. It is preferable to use stainless steel. The thickness of the metal support layer 11 is preferably 10 μm to 30 μm, more preferably 15 μm to 20 μm. As a result, the conductivity, rigidity, and elasticity of the metal support layer 11 can be ensured.

保護層20の材料としては、樹脂材料、例えば、ポリイミドを用いることが好適である。なお、保護層20の材料は、感光性材料であっても非感光性材料であっても用いることができる。保護層20の厚さは、2μm〜30μm、とりわけ2〜6μmであることが好ましい。   As a material of the protective layer 20, it is preferable to use a resin material such as polyimide. The material of the protective layer 20 can be a photosensitive material or a non-photosensitive material. The thickness of the protective layer 20 is preferably 2 μm to 30 μm, particularly 2 to 6 μm.

次に、図3乃至図6を用いて、本実施の形態によるサスペンション41について説明する。図3に示すサスペンション41は、ベースプレート42と、ベースプレート42上に取り付けられ、サスペンション用基板1の金属支持層11を保持するロードビーム43と、上述のサスペンション用基板1と、ベースプレート42およびロードビーム43の少なくとも一方に接合されると共に、サスペンション用基板1の接続構造領域3に接続されたピエゾ素子44と、を有している。   Next, the suspension 41 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. A suspension 41 shown in FIG. 3 is attached to the base plate 42, the base plate 42, the load beam 43 that holds the metal support layer 11 of the suspension substrate 1, the suspension substrate 1, the base plate 42, and the load beam 43 described above. And a piezo element 44 connected to the connection structure region 3 of the suspension substrate 1.

このうちベースプレート42は、図4に示すように、サスペンション用基板1のヘッド部2aの側に配置されたヘッド側プレート部42aと、テール部2bの側に配置されたテール側プレート部42bと、ヘッド側プレート部42aとテール側プレート部42bとを連結した可撓部42cと、を有している。また、ベースプレート42は、ピエゾ素子44を収容する収容開口部42dを有している。この収容開口部42dは、ヘッド側プレート部42a、テール側プレート部42bおよび可撓部42cにより形成されている。ベースプレート42は、好適にはステンレスにより形成され、その厚さを、例えば145μmとすることができる。   Among these, as shown in FIG. 4, the base plate 42 includes a head side plate portion 42 a disposed on the head portion 2 a side of the suspension substrate 1, a tail side plate portion 42 b disposed on the tail portion 2 b side, A flexible portion 42c connecting the head side plate portion 42a and the tail side plate portion 42b. The base plate 42 has an accommodation opening 42 d for accommodating the piezo element 44. The accommodation opening 42d is formed by a head side plate portion 42a, a tail side plate portion 42b, and a flexible portion 42c. The base plate 42 is preferably made of stainless steel and can have a thickness of, for example, 145 μm.

ロードビーム43は、図3および図4に示すように、サスペンション用基板1のヘッド部2aの側に配置されたヘッド側ビーム部43aと、テール部2bの側に配置されたテール側ビーム部43bと、ヘッド側ビーム部43aとテール側ビーム部43bとを連結した可撓部43cと、を有している。また、ロードビーム43は、ピエゾ素子44の接続構造領域3の側の面を露出させる露出開口部43dを有している。この露出開口部43dは、ヘッド側ビーム部43a、テール側ビーム部43bおよび可撓部43cにより形成されている。ロードビーム43は、好適にはステンレスにより形成され、その厚さを、例えば25μmとすることができる。   As shown in FIGS. 3 and 4, the load beam 43 includes a head side beam portion 43a disposed on the head portion 2a side of the suspension substrate 1 and a tail side beam portion 43b disposed on the tail portion 2b side. And a flexible portion 43c connecting the head side beam portion 43a and the tail side beam portion 43b. In addition, the load beam 43 has an exposed opening 43 d that exposes the surface of the piezo element 44 on the connection structure region 3 side. The exposed opening 43d is formed by a head side beam portion 43a, a tail side beam portion 43b, and a flexible portion 43c. The load beam 43 is preferably made of stainless steel, and the thickness thereof can be set to 25 μm, for example.

本実施の形態においては、このようにして形成されたベースプレート42およびロードビーム43にピエゾ素子44が接合されている。すなわち、図6に示すように、ピエゾ素子44は、ベースプレート42の収容開口部42dに収容されて、ベースプレート42に接合されると共に、ロードビーム43のベースプレート42の側の面に接合されている。
このことにより、ピエゾ素子44を、ベースプレート42およびロードビーム43の厚さ方向において、これらの中心付近に配置させることができ、ピエゾ素子44の伸縮力を、損失させることを抑制し、ベースプレート42およびロードビーム43に効率良く伝達することができる。また、図6に示すように、サスペンション用基板1の接続構造領域3は、ロードビーム43の露出開口部43dを介してピエゾ素子44に接合されている。
In the present embodiment, the piezo element 44 is joined to the base plate 42 and the load beam 43 thus formed. That is, as shown in FIG. 6, the piezo element 44 is accommodated in the accommodation opening 42 d of the base plate 42, joined to the base plate 42, and joined to the surface of the load beam 43 on the base plate 42 side.
As a result, the piezo element 44 can be disposed in the vicinity of the center of the base plate 42 and the load beam 43 in the thickness direction, and loss of the expansion / contraction force of the piezo element 44 is suppressed. It can be efficiently transmitted to the load beam 43. As shown in FIG. 6, the connection structure region 3 of the suspension substrate 1 is joined to the piezo element 44 through the exposed opening 43 d of the load beam 43.

ロードビーム43には、サスペンション用基板1の各治具孔25に対応して、ビーム治具孔(図示せず)が設けられており、サスペンション用基板1にロードビーム43を取り付ける際に、サスペンション用基板1とロードビーム43との位置合わせを行うことができるようになっている。このロードビーム43の治具孔は、長手方向軸線(X)上に配置されている。そして、ロードビーム43とサスペンション用基板1とが溶接により固定されるようになっている。   The load beam 43 is provided with a beam jig hole (not shown) corresponding to each jig hole 25 of the suspension substrate 1. When the load beam 43 is attached to the suspension substrate 1, the suspension beam 1 is suspended. The substrate 1 and the load beam 43 can be aligned. The jig hole of the load beam 43 is disposed on the longitudinal axis (X). The load beam 43 and the suspension substrate 1 are fixed by welding.

ピエゾ素子44は、電圧が印加されることにより、図3および図7の矢印P方向に伸縮する圧電素子として構成されており、ヘッドスライダ52をスウェイ方向(旋回方向、図3および図7の矢印Q方向)に移動させるためのものである。各ピエゾ素子44は、図5に示すように、互いに対向する一対の電極44aと、一対の電極44a間に介在され、例えばPZT(チタン酸ジルコン酸鉛)等の圧電セラミックスからなる圧電材料部44bと、を有している。一対のピエゾ素子44の圧電材料部44bは、互いに180°異なる分極方向となるように形成されており、所定の電圧が印加されると、一方のピエゾ素子44が収縮すると共に、他方のピエゾ素子44が伸長するようになっている。このようなピエゾ素子44は、図3に示すように、ロードビーム43の長手方向軸線(X)に沿って配置されており、その伸縮方向が、当該長手方向軸線(X)に平行となっている。また、ピエゾ素子44は、長手方向軸線(X)に対して互いに線対称に配置されており、各ピエゾ素子44の伸縮が、ヘッドスライダ52に均等に伝達されるようになっている。ピエゾ素子44の厚さは、例えば125μmとすることができ、図6に示すように、ベースプレート42の収容開口部42d内に収容されるようになっている。   The piezo element 44 is configured as a piezoelectric element that expands and contracts in the direction of the arrow P in FIGS. 3 and 7 when a voltage is applied, and moves the head slider 52 in the sway direction (the turning direction, the arrow in FIGS. 3 and 7). Q direction). As shown in FIG. 5, each piezo element 44 is interposed between a pair of electrodes 44a facing each other and a pair of electrodes 44a, and a piezoelectric material portion 44b made of piezoelectric ceramics such as PZT (lead zirconate titanate), for example. And have. The piezoelectric material portions 44b of the pair of piezo elements 44 are formed to have polarization directions different from each other by 180 °. When a predetermined voltage is applied, one piezo element 44 contracts and the other piezo element 44 44 extends. As shown in FIG. 3, such a piezo element 44 is disposed along the longitudinal axis (X) of the load beam 43, and its expansion / contraction direction is parallel to the longitudinal axis (X). Yes. The piezo elements 44 are arranged symmetrically with respect to the longitudinal axis (X) so that the expansion and contraction of each piezo element 44 is evenly transmitted to the head slider 52. The thickness of the piezo element 44 can be set to 125 μm, for example, and is accommodated in the accommodation opening 42d of the base plate 42 as shown in FIG.

図6に示すように、各ピエゾ素子44は、非導電性接着剤からなる非導電性接着部46を介してベースプレート42およびロードビーム43に接合されている。ピエゾ素子44の一方(サスペンション用基板1とは反対側)の電極44aは、図4および図6に示すように、導電性接着剤からなる第1導電性接着部47を介してベースプレート42のヘッド側プレート部42aに電気的に接続されている(なお、第1導電性接着部47は、テール側プレート部42bに電気的に接続されてもよく、あるいは、一方のピエゾ素子44からベースプレート42の可撓部42cを介して他方のピエゾ素子44に延びるように一体に形成されてもよい)。また、ピエゾ素子44の他方(サスペンション用基板1の側)の電極44aは、図6に示すように、導電性接着剤からなる第2導電性接着部48を介して接続構造領域3に接合されると共に電気的に接続されている。すなわち、接続構造領域3における金属支持層開口部32に導電性接着剤が注入されて第2導電性接着部48が形成され、ピエゾ素子44が第2導電性接着部48を介して接続構造領域3に接合されると共に、ピエゾ素子44の当該他方の電極44aが、第2導電性接着部48および導電接続部30を介して配線層12の配線接続部16に電気的に接続されている。   As shown in FIG. 6, each piezo element 44 is joined to the base plate 42 and the load beam 43 via a nonconductive adhesive portion 46 made of a nonconductive adhesive. As shown in FIGS. 4 and 6, one electrode 44a of the piezo element 44 (on the opposite side to the suspension substrate 1) is connected to the head of the base plate 42 through a first conductive adhesive portion 47 made of a conductive adhesive. The first conductive adhesive portion 47 may be electrically connected to the tail side plate portion 42b, or from one piezo element 44 to the base plate 42. It may be integrally formed so as to extend to the other piezo element 44 through the flexible portion 42c). Further, the other electrode 44a (the suspension substrate 1 side) of the piezo element 44 is bonded to the connection structure region 3 via a second conductive adhesive portion 48 made of a conductive adhesive, as shown in FIG. And electrically connected. That is, a conductive adhesive is injected into the metal support layer opening 32 in the connection structure region 3 to form the second conductive adhesion portion 48, and the piezo element 44 is connected to the connection structure region via the second conductive adhesion portion 48. 3, and the other electrode 44 a of the piezo element 44 is electrically connected to the wiring connection portion 16 of the wiring layer 12 through the second conductive adhesive portion 48 and the conductive connection portion 30.

次に、図7により、本実施の形態におけるヘッド付サスペンション51について説明する。図7に示すヘッド付サスペンション51は、上述したサスペンション41と、サスペンション用基板1のヘッド端子5に接続されたヘッドスライダ52と、を有している。   Next, referring to FIG. 7, the suspension with head 51 in the present embodiment will be described. A suspension 51 with a head shown in FIG. 7 has the above-described suspension 41 and a head slider 52 connected to the head terminal 5 of the suspension substrate 1.

次に、図8により、本実施の形態におけるハードディスクドライブ61について説明する。図8に示すハードディスクドライブ61は、ケース62と、このケース62に回転自在に取り付けられ、データが記憶されるディスク63と、このディスク63を回転させるスピンドルモータ64と、ディスク63に所望のフライングハイトを保って近接するように設けられ、ディスク63に対してデータの書き込みおよび読み取りを行うヘッドスライダ52を含むヘッド付サスペンション51と、を有している。このうちヘッド付サスペンション51は、ケース62に対して移動自在に取り付けられており、ケース62にはヘッド付サスペンション51のヘッドスライダ52をディスク63上に沿って移動させるボイスコイルモータ65が取り付けられている。また、ヘッド付サスペンション51は、ボイスコイルモータ65にアーム66を介して取り付けられると共に、ハードディスクドライブ61を制御する制御部(図示せず)に接続されたFPC基板71(図7参照)に接続されている。このようにして、電気信号が、サスペンション用基板1とFPC基板71を介して、制御部とヘッドスライダ52との間で伝送されるようになっている。   Next, the hard disk drive 61 in the present embodiment will be described with reference to FIG. A hard disk drive 61 shown in FIG. 8 is provided with a case 62, a disk 63 that is rotatably attached to the case 62, stores data, a spindle motor 64 that rotates the disk 63, and a desired flying height on the disk 63. And a suspension 51 with a head including a head slider 52 that writes and reads data to and from the disk 63. Among them, the suspension with head 51 is attached to the case 62 so as to be movable, and the voice coil motor 65 for moving the head slider 52 of the suspension with head 51 along the disk 63 is attached to the case 62. Yes. The suspension 51 with the head is attached to the voice coil motor 65 via the arm 66 and connected to an FPC board 71 (see FIG. 7) connected to a control unit (not shown) that controls the hard disk drive 61. ing. In this way, an electrical signal is transmitted between the control unit and the head slider 52 via the suspension board 1 and the FPC board 71.

次に、本実施の形態によるサスペンション用基板1をサブトラクティブ法により製造する場合について説明する。ここでは、一例として、接続構造領域3の断面を示す図9を用いて、サブトラクティブ法によりサスペンション用基板1を製造する方法について説明する。なお、サスペンション用基板1は、アディティブ法(図16参照)により製造することもできる。   Next, the case where the suspension substrate 1 according to the present embodiment is manufactured by the subtractive method will be described. Here, as an example, a method of manufacturing the suspension substrate 1 by the subtractive method will be described with reference to FIG. 9 showing a cross section of the connection structure region 3. The suspension substrate 1 can also be manufactured by an additive method (see FIG. 16).

まず、絶縁層10と、絶縁層10の一方の面(接続されるピエゾ素子44側の面)に設けられた金属支持層11と、絶縁層10の他方の面に設けられた配線層12と、を有する第1積層体28を準備する(図9(a)参照)。この場合、まず、金属支持層11を準備し、この金属支持層11上に、非感光性ポリイミドを用いた塗工方法により絶縁層10が形成される。続いて、絶縁層10上に、ニッケル、クロムおよび銅がスパッタ工法により順次コーティングされ、シード層(図示せず)が形成される。その後、このシード層を導通媒体として、銅めっきにより配線層12が形成される。このようにして、絶縁層10と金属支持層11と配線層12とを有する第1積層体28が得られる。   First, the insulating layer 10, the metal support layer 11 provided on one surface of the insulating layer 10 (the surface on the side of the piezo element 44 to be connected), the wiring layer 12 provided on the other surface of the insulating layer 10, and Are prepared (see FIG. 9A). In this case, first, the metal support layer 11 is prepared, and the insulating layer 10 is formed on the metal support layer 11 by a coating method using non-photosensitive polyimide. Subsequently, nickel, chromium and copper are sequentially coated on the insulating layer 10 by a sputtering method to form a seed layer (not shown). Thereafter, the wiring layer 12 is formed by copper plating using the seed layer as a conductive medium. Thus, the 1st laminated body 28 which has the insulating layer 10, the metal support layer 11, and the wiring layer 12 is obtained.

続いて、配線層12において複数の配線13、14と配線接続部16とが形成される(図9(b)参照)。この場合、フォトファブリケーションの手法により、配線層12上にパターン状のレジスト(図示せず)が形成され、配線層12のうち露出された部分がエッチングされる。このようにして、複数の配線13、14が得られる。この際、接続構造領域3においては、配線接続部16および配線層開口部34が形成され、基板本体領域2では、図1に示すようなヘッド端子5およびテール端子6が形成される。なお、エッチング液には、例えば塩化第二鉄水溶液を用いることが好適である。その後、レジストは除去される。   Subsequently, a plurality of wirings 13 and 14 and a wiring connection portion 16 are formed in the wiring layer 12 (see FIG. 9B). In this case, a patterned resist (not shown) is formed on the wiring layer 12 by a photofabrication technique, and the exposed portion of the wiring layer 12 is etched. In this way, a plurality of wirings 13 and 14 are obtained. At this time, the wiring connection portion 16 and the wiring layer opening 34 are formed in the connection structure region 3, and the head terminal 5 and the tail terminal 6 as shown in FIG. 1 are formed in the substrate body region 2. For example, a ferric chloride aqueous solution is preferably used as the etching solution. Thereafter, the resist is removed.

次に、絶縁層10上に、配線層12の各配線13、14および配線接続部16を覆う所望の形状の保護層20が形成される(図9(c)参照)。この場合、非感光性ポリイミドが、ダイコータを用いて、絶縁層10上にコーティングされ、これを乾燥させて、保護層20が形成される。続いて、形成された保護層20上に、パターン状のレジスト(図示せず)が形成され、保護層20のうち露出された部分がエッチングされ、保護層20を硬化させる。このようにして、保護層20が所望の形状に外形加工される。この際、保護層20には、保護層開口部35が形成される。なお、保護層20をエッチングする方法は、特に限定されるものではないが、ウェットエッチングを行うことが好ましい。とりわけ、エッチング液は、保護層20の材料の種類に応じて適宜選択することが好ましいが、例えば、保護層20がポリイミド樹脂により形成される場合には、有機アルカリエッチング液等のアルカリ系エッチング液を用いることができる。その後、レジストが除去される。   Next, a protective layer 20 having a desired shape is formed on the insulating layer 10 to cover the wirings 13 and 14 and the wiring connection portion 16 of the wiring layer 12 (see FIG. 9C). In this case, non-photosensitive polyimide is coated on the insulating layer 10 using a die coater, and dried to form the protective layer 20. Subsequently, a patterned resist (not shown) is formed on the formed protective layer 20, and the exposed portion of the protective layer 20 is etched to cure the protective layer 20. In this way, the protective layer 20 is trimmed into a desired shape. At this time, a protective layer opening 35 is formed in the protective layer 20. The method for etching the protective layer 20 is not particularly limited, but it is preferable to perform wet etching. In particular, the etching solution is preferably selected as appropriate according to the type of material of the protective layer 20. For example, when the protective layer 20 is formed of a polyimide resin, an alkaline etching solution such as an organic alkaline etching solution is used. Can be used. Thereafter, the resist is removed.

保護層20が得られた後、絶縁層10において絶縁層開口部33が形成されると共に、絶縁層10が所望の形状に外形加工される(図9(d)参照)。この場合、まず、パターン状のレジスト(図示せず)が形成され、絶縁層10のうち露出された部分がエッチングされて、絶縁層10が所望の形状に外形加工される。この際、接続構造領域3においては、絶縁枠体部18および絶縁層開口部33が形成される。ここで、絶縁層10をエッチングする方法は、保護層20をエッチングする方法と同様に、特に限定されるものではないが、ウェットエッチングを行うことが好ましい。とりわけ、エッチング液は、絶縁層10の材料の種類に応じて適宜選択することが好ましいが、例えば、絶縁層10がポリイミド樹脂により形成される場合には、有機アルカリエッチング液等のアルカリ系エッチング液を用いることができる。エッチングが行われた後、レジストは除去される。   After the protective layer 20 is obtained, the insulating layer opening 33 is formed in the insulating layer 10, and the outer shape of the insulating layer 10 is processed into a desired shape (see FIG. 9D). In this case, first, a patterned resist (not shown) is formed, and the exposed portion of the insulating layer 10 is etched, so that the insulating layer 10 is processed into a desired shape. At this time, in the connection structure region 3, the insulating frame 18 and the insulating layer opening 33 are formed. Here, the method of etching the insulating layer 10 is not particularly limited as in the method of etching the protective layer 20, but wet etching is preferably performed. In particular, the etching solution is preferably selected as appropriate according to the type of material of the insulating layer 10. For example, when the insulating layer 10 is formed of a polyimide resin, an alkaline etching solution such as an organic alkaline etching solution is used. Can be used. After the etching is performed, the resist is removed.

続いて、絶縁層開口部33、配線層開口部34および保護層開口部35に、導電接続部30が形成される(図9(e)参照)。この場合、まず、保護層20上に、ドライフィルムを用いて、これら開口部33、34、35を露出するようにパターン状のレジスト(図示せず)が形成される。続いて、開口部33、34、35に、電解めっき法によりニッケルめっきが施される。この際、めっき浴には、標準的なスルファミン酸ニッケルめっき浴を用い、電解浸漬めっき(0.2A、14分)を行う。これにより、開口部33、34、35に導電接続部30が形成される。なお、この際、導電接続部30の下面30aは、金属支持層11の上面に接して平坦状に形成されている。このようにして、絶縁層10と金属支持層11と配線層12と保護層20とを有する第2積層体29であって、接続構造領域3に設けられた絶縁層開口部33に導電接続部30が設けられた第2積層体29が得られる。   Subsequently, the conductive connection portion 30 is formed in the insulating layer opening 33, the wiring layer opening 34, and the protective layer opening 35 (see FIG. 9E). In this case, first, a patterned resist (not shown) is formed on the protective layer 20 by using a dry film so as to expose the openings 33, 34, and 35. Subsequently, nickel plating is applied to the openings 33, 34, and 35 by an electrolytic plating method. At this time, a standard nickel sulfamate plating bath is used as the plating bath, and electrolytic immersion plating (0.2 A, 14 minutes) is performed. Thereby, the conductive connection portion 30 is formed in the openings 33, 34, and 35. At this time, the lower surface 30 a of the conductive connection portion 30 is formed in a flat shape in contact with the upper surface of the metal support layer 11. In this way, the second laminated body 29 having the insulating layer 10, the metal support layer 11, the wiring layer 12, and the protective layer 20, and a conductive connection portion in the insulating layer opening 33 provided in the connection structure region 3. A second laminated body 29 provided with 30 is obtained.

導電接続部30が形成された後、ヘッド端子5およびテール端子6に、電解めっき法により、ニッケルめっきおよび金めっきがこの順に施される。   After the conductive connection portion 30 is formed, nickel plating and gold plating are applied to the head terminal 5 and the tail terminal 6 in this order by electrolytic plating.

その後、金属支持層11において、金属支持層開口部32が形成されるとともに、金属支持層11が所望の形状に外形加工される(図9(f)参照)。この場合、まず、金属支持層11の下面に、ドライフィルムを用いて、パターン状のレジスト(図示せず)が形成され、金属支持層11のうち露出された部分がエッチングされて、金属支持層11が所望の形状に外形加工される。この際、接続構造領域3においては、金属枠体部17および金属支持層開口部32が形成される。金属枠体部17は、基板本体領域2における金属支持層11の部分と分離される。なお、エッチング液には、例えば塩化第二鉄水溶液を用いることが好適である。その後、レジストは除去される。   Thereafter, the metal support layer opening 32 is formed in the metal support layer 11, and the metal support layer 11 is processed into a desired shape (see FIG. 9F). In this case, first, a patterned resist (not shown) is formed on the lower surface of the metal support layer 11 using a dry film, and the exposed portion of the metal support layer 11 is etched to form a metal support layer. 11 is externally processed into a desired shape. At this time, the metal frame portion 17 and the metal support layer opening 32 are formed in the connection structure region 3. The metal frame portion 17 is separated from the portion of the metal support layer 11 in the substrate main body region 2. For example, a ferric chloride aqueous solution is preferably used as the etching solution. Thereafter, the resist is removed.

金属支持層11がエッチングされて金属支持層開口部32が形成されると、導電接続部30の下面30aが露出される。このことにより、導電接続部30の下面30aが、エッチング液に触れる。しかしながら、金属支持層11のエッチングは、所定のエッチング時間の後、すなわち金属支持層開口部32が形成された後、速やかに終了させることにより、導電接続部30が大きくエッチングされることを防止できる。その結果、導電接続部30の下面30aを、図9(f)に示すような凹状に湾曲させることが可能となる。   When the metal support layer 11 is etched to form the metal support layer opening 32, the lower surface 30a of the conductive connection portion 30 is exposed. As a result, the lower surface 30a of the conductive connection portion 30 comes into contact with the etching solution. However, the etching of the metal support layer 11 can be prevented from being greatly etched by ending the etching quickly after a predetermined etching time, that is, after the metal support layer opening 32 is formed. . As a result, the lower surface 30a of the conductive connection portion 30 can be curved in a concave shape as shown in FIG.

このようにして、本実施の形態におけるサスペンション用基板1が得られる。   Thus, the suspension substrate 1 in the present embodiment is obtained.

次に、サスペンション41の製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the suspension 41 will be described.

まず、ベースプレート42に、ロードビーム43を介して、上述のようにして得られたサスペンション用基板1が、溶接により取り付けられる。この場合、まず、ベースプレート42にロードビーム43が溶接により固定され、続いて、ロードビーム43に設けられたビーム治具孔(図示せず)と、サスペンション用基板1に設けられた治具孔25とにより、ロードビーム43とサスペンション用基板1とのアライメントが行われる。その後、サスペンション用基板1の金属支持層11に溶接が施されて、ロードビーム43とサスペンション用基板1が互いに接合されて固定される。   First, the suspension substrate 1 obtained as described above is attached to the base plate 42 via the load beam 43 by welding. In this case, first, the load beam 43 is fixed to the base plate 42 by welding, then, a beam jig hole (not shown) provided in the load beam 43 and a jig hole 25 provided in the suspension substrate 1. As a result, the alignment of the load beam 43 and the suspension substrate 1 is performed. Thereafter, the metal support layer 11 of the suspension substrate 1 is welded, and the load beam 43 and the suspension substrate 1 are joined and fixed to each other.

次に、ピエゾ素子44が、接着剤を用いてベースプレート42およびロードビーム43に接合されると共に、サスペンション用基板1の接続構造領域3に接続される。この場合、まず、ピエゾ素子44が非導電性接着部46を介してベースプレート42およびロードビーム43に接合される。次いで、導電性接着剤が塗布されて第1導電性接着部47が形成され、第1導電性接着部47を介してピエゾ素子44の一方(サスペンション用基板1とは反対側)の電極44aが、ベースプレート42に導電性接着剤を介して電気的に接続される。   Next, the piezo element 44 is bonded to the base plate 42 and the load beam 43 using an adhesive, and is connected to the connection structure region 3 of the suspension substrate 1. In this case, first, the piezo element 44 is bonded to the base plate 42 and the load beam 43 via the non-conductive adhesive portion 46. Next, a conductive adhesive is applied to form a first conductive adhesive portion 47, and an electrode 44 a on one side (opposite side of the suspension substrate 1) of the piezo element 44 is formed via the first conductive adhesive portion 47. The base plate 42 is electrically connected via a conductive adhesive.

また、ピエゾ素子44の他方(サスペンション用基板1の側)の電極44aは、第2導電性接着部48を介してサスペンション用基板1の接続構造領域3に接合されると共に電気的に接続される(図6参照)。なお、接続構造領域3の金属支持層開口部32に導電性接着剤が予め注入されており、ピエゾ素子44をベースプレート42およびロードビーム43に接合した際、接続構造領域3とピエゾ素子44とが接続される。   Further, the other electrode 44a (the suspension substrate 1 side) of the piezo element 44 is joined and electrically connected to the connection structure region 3 of the suspension substrate 1 through the second conductive adhesive portion 48. (See FIG. 6). A conductive adhesive is previously injected into the metal support layer opening 32 in the connection structure region 3, and when the piezoelectric element 44 is joined to the base plate 42 and the load beam 43, the connection structure region 3 and the piezoelectric element 44 are connected to each other. Connected.

このようにして、本実施の形態によるサスペンション41が得られる。   In this way, the suspension 41 according to the present embodiment is obtained.

この得られたサスペンション41のヘッド端子5に、ヘッドスライダ52が接続されて図7に示すヘッド付サスペンション51が得られる。さらに、このヘッド付サスペンション51がハードディスクドライブ61のケース62に取り付けられて、図8に示すハードディスクドライブ61が得られる。   A head slider 52 is connected to the head terminal 5 of the obtained suspension 41 to obtain a suspension 51 with a head shown in FIG. Further, the suspension 51 with the head is attached to the case 62 of the hard disk drive 61 to obtain the hard disk drive 61 shown in FIG.

図8に示すハードディスクドライブ61においてデータの書き込みおよび読み取りを行う際、ボイスコイルモータ65によりヘッド付サスペンション51のヘッドスライダ52がディスク63上に沿って移動し、スピンドルモータ64により回転しているディスク63に所望のフライングハイトを保って近接する。このことにより、ヘッドスライダ52とディスク63との間で、データの受け渡しが行われる。この間、サスペンション用基板1とFPC基板71を介して、FPC基板71に接続されている制御部(図示せず)とヘッドスライダ52との間で電気信号が伝送される。このような電気信号は、サスペンション用基板1においては、各信号配線13によってヘッド端子5とテール端子6との間で伝送される。   When writing and reading data in the hard disk drive 61 shown in FIG. 8, the head slider 52 of the suspension with head 51 is moved along the disk 63 by the voice coil motor 65 and is rotated by the spindle motor 64. Keep close to the desired flying height. As a result, data is exchanged between the head slider 52 and the disk 63. During this time, an electrical signal is transmitted between the control unit (not shown) connected to the FPC board 71 and the head slider 52 via the suspension board 1 and the FPC board 71. Such an electric signal is transmitted between the head terminal 5 and the tail terminal 6 through the signal wirings 13 in the suspension board 1.

ヘッドスライダ52を移動させる際、ボイスコイルモータ65が、ヘッドスライダ52の位置を大まかに調整し、ピエゾ素子44が、ヘッドスライダ52の位置を微小調整する。すなわち、サスペンション用基板1の接続構造領域3の側のピエゾ素子44の電極44aに、素子配線14および配線接続部16を介して所定の電圧を印加することにより、長手方向軸線(X)に沿った方向(図3および図7の矢印P方向)に、一方のピエゾ素子44が収縮すると共に他方のピエゾ素子44が伸長する。この場合、ベースプレート42の可撓部42cとロードビーム43の可撓部43cとが弾性変形し、ロードビーム43の先端側に位置するヘッドスライダ52がスウェイ方向(旋回方向Q)に移動することができる。このようにして、ヘッドスライダ52を、ディスク63の所望のトラックに、迅速に、かつ精度良く位置合わせすることができる。   When moving the head slider 52, the voice coil motor 65 roughly adjusts the position of the head slider 52, and the piezo element 44 finely adjusts the position of the head slider 52. That is, by applying a predetermined voltage to the electrode 44a of the piezo element 44 on the connection structure region 3 side of the suspension substrate 1 through the element wiring 14 and the wiring connection portion 16, the longitudinal axis (X) is applied. One piezo element 44 contracts and the other piezo element 44 expands in the same direction (the direction of arrow P in FIGS. 3 and 7). In this case, the flexible portion 42c of the base plate 42 and the flexible portion 43c of the load beam 43 are elastically deformed, and the head slider 52 located on the tip side of the load beam 43 moves in the sway direction (turning direction Q). it can. In this way, the head slider 52 can be quickly and accurately aligned with a desired track of the disk 63.

このように本実施の形態によれば、接続構造領域3において、絶縁層10を貫通する絶縁層開口部33に、配線層12の配線接続部16に接続された導電接続部30が設けられ、当該導電接続部30の下面30aが、金属支持層11を貫通する金属支持層開口部32を介して外方に露出されている。このことにより、金属支持層開口部32内に導電性接着剤を注入することにより、導電接続部30を、導電性接着剤を介してピエゾ素子44に電気的に接続することができる。また、導電接続部30がニッケルにより形成されていることから、導電接続部30の露出された下面30aに形成された酸化膜が、銀ペーストなどの導電性接着剤のエポキシ成分のOH基と水素結合することができる。このため、導電性接着剤と導電接続部30との密着性を向上させることができる。この結果、ピエゾ素子44との接続信頼性を向上させることができる。   As described above, according to the present embodiment, in the connection structure region 3, the conductive connection portion 30 connected to the wiring connection portion 16 of the wiring layer 12 is provided in the insulating layer opening 33 penetrating the insulating layer 10. A lower surface 30 a of the conductive connection portion 30 is exposed to the outside through a metal support layer opening 32 that penetrates the metal support layer 11. Thus, by injecting a conductive adhesive into the metal support layer opening 32, the conductive connection portion 30 can be electrically connected to the piezo element 44 via the conductive adhesive. In addition, since the conductive connection portion 30 is formed of nickel, the oxide film formed on the exposed lower surface 30a of the conductive connection portion 30 is formed by the OH group and hydrogen of the epoxy component of the conductive adhesive such as silver paste. Can be combined. For this reason, the adhesiveness of a conductive adhesive and the conductive connection part 30 can be improved. As a result, the connection reliability with the piezo element 44 can be improved.

また、本実施の形態によれば、サスペンション用基板1の製造工程において、絶縁層開口部33、配線層開口部34および保護層開口部35に、ニッケルめっきを施す工程を追加することにより導電接続部30を形成することができる。このため、サスペンション用基板1の製造工程が煩雑化することを抑制しながら導電接続部30を形成することができる。とりわけ、ヘッド領域2aに接地用のヘッド端子5の接地をとるための接地ビア(図示せず)が設けられる場合には、絶縁層10および配線層12の接地配線(図示せず)に貫通孔を形成して、当該貫通孔にニッケルめっきを施すことにより接地ビアが形成される。この場合には、この接地ビアを形成する工程の際に導電接続部30を形成することが可能となり、導電接続部30を形成するために工程が追加されることを防止できる。また、積層配線構造(スタックド配線構造)の第1配線層と第2配線層との間の絶縁層および当該第2配線層に貫通孔を形成して当該貫通孔にニッケルめっきを施すことにより配線ビア(図示せず)を形成する場合においても、同様にして、配線ビアを形成する工程の際に導電接続部30を形成することが可能となる。   Further, according to the present embodiment, in the manufacturing process of the suspension substrate 1, the conductive connection is achieved by adding the step of performing nickel plating to the insulating layer opening 33, the wiring layer opening 34 and the protective layer opening 35. The portion 30 can be formed. For this reason, the conductive connection part 30 can be formed while suppressing the manufacturing process of the suspension substrate 1 from becoming complicated. In particular, when a ground via (not shown) for grounding the head terminal 5 for grounding is provided in the head region 2a, a through hole is formed in the ground wiring (not shown) of the insulating layer 10 and the wiring layer 12. The ground via is formed by applying nickel plating to the through hole. In this case, the conductive connection portion 30 can be formed during the step of forming the ground via, and an additional step for forming the conductive connection portion 30 can be prevented. In addition, wiring is formed by forming a through hole in the insulating layer between the first wiring layer and the second wiring layer of the laminated wiring structure (stacked wiring structure) and the second wiring layer and plating the through hole with nickel. Similarly, when forming a via (not shown), the conductive connection portion 30 can be formed in the process of forming the wiring via.

また、本実施の形態によれば、導電接続部30の下面30aは、凹状に湾曲している。
このことにより、導電性接着剤との接触面積を増大させることができる。このため、導電性接着剤と導電接続部30との密着性をより一層向上させることができ、ピエゾ素子44との接続信頼性をより一層向上させることができる。
Further, according to the present embodiment, the lower surface 30a of the conductive connection portion 30 is curved in a concave shape.
As a result, the contact area with the conductive adhesive can be increased. For this reason, the adhesiveness between the conductive adhesive and the conductive connection portion 30 can be further improved, and the connection reliability with the piezo element 44 can be further improved.

また、本実施の形態によれば、導電接続部30の上面30bは、外方に露出されている。このことにより、プローブ等の導通検査器80(図6参照)を用いて、導電接続部30とピエゾ素子44との導通検査を行うことができる。このため、ピエゾ素子44との接続信頼性を向上させることができる。また、導電接続部30がニッケルにより形成されているため、接続構造領域3をピエゾ素子44に接合するために導電接続部30を押圧した場合であっても、導電接続部30が変形することを防止できる。   Further, according to the present embodiment, the upper surface 30b of the conductive connection portion 30 is exposed to the outside. Thus, the continuity test between the conductive connecting portion 30 and the piezo element 44 can be performed using a continuity tester 80 such as a probe (see FIG. 6). For this reason, the connection reliability with the piezo element 44 can be improved. Further, since the conductive connection portion 30 is formed of nickel, the conductive connection portion 30 is deformed even when the conductive connection portion 30 is pressed to join the connection structure region 3 to the piezoelectric element 44. Can be prevented.

(変形例1)
なお、上述した本実施の形態においては、金属支持層開口部32の外縁32aの上端部32bが、絶縁層開口部33の外縁33aの下端部33bより外方に位置している例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、図10(a)、(b)に示すように、金属支持層開口部32の外縁32aの上端部32bが、絶縁層開口部33の外縁33aの下端部33bより内方(半径方向内側)に位置して、金属支持層開口部32の上端部における直径を、絶縁層開口部33の下端部における直径よりも小さくしても良い。この場合、導電接続部30の下面30aの一部が、金属枠体部17の絶縁枠体部18の側の面(上面17b)に接して、当該導電接続部30が金属枠体部17に電気的に接続される。
(Modification 1)
In the above-described embodiment, an example in which the upper end portion 32b of the outer edge 32a of the metal support layer opening 32 is located outward from the lower end portion 33b of the outer edge 33a of the insulating layer opening 33 has been described. . However, the present invention is not limited to this, and as shown in FIGS. 10A and 10B, the upper end portion 32 b of the outer edge 32 a of the metal support layer opening portion 32 is the lower end of the outer edge 33 a of the insulating layer opening portion 33. The diameter at the upper end portion of the metal support layer opening 32 may be smaller than the diameter at the lower end portion of the insulating layer opening 33, located inward (radially inward) from the portion 33b. In this case, a part of the lower surface 30 a of the conductive connection part 30 is in contact with the surface (upper surface 17 b) of the metal frame part 17 on the insulating frame part 18 side, and the conductive connection part 30 is in contact with the metal frame part 17. Electrically connected.

図10(a)、(b)に示す形態によれば、導電接続部30は、金属枠体部17を介さずに導電性接着剤と電気的に接続するだけでなく、金属枠体部17を介して導電性接着剤と電気的に接続することもできる。このことにより、接続構造領域3として、導電性接着剤との電気的な接続面積を増大させることができる。このため、導電性接着剤と導電接続部30との電気的な導通性を向上させることができ、ピエゾ素子44との接続信頼性を向上させることができる。   10 (a) and 10 (b), the conductive connection part 30 is not only electrically connected to the conductive adhesive without the metal frame part 17, but also the metal frame part 17 It can also be electrically connected to the conductive adhesive via As a result, the area of electrical connection with the conductive adhesive can be increased as the connection structure region 3. For this reason, the electrical continuity between the conductive adhesive and the conductive connection portion 30 can be improved, and the connection reliability with the piezo element 44 can be improved.

なお、金属枠体部17の絶縁枠体部18の側とは反対側の面、すなわち、ピエゾ素子44の側の面(下面17a)には、金めっきを施すことにより形成された第1金めっき層(金めっき層)36が設けられていることが好ましい。このことにより、導電性接着剤と金属枠体部17との接触抵抗を低減することができる。なお、第1金めっき層36は、図10(a)においては、平面視でリング状に形成されている例を示しているが、これに限らず、任意の形状とすることができる。また、第1金めっき層36は、金属枠体部17に、図示しないニッケルめっき層を介して形成されるようにしても良い。   The first gold formed by applying gold plating to the surface of the metal frame 17 opposite to the insulating frame 18, that is, the surface (lower surface 17 a) of the piezo element 44. A plating layer (gold plating layer) 36 is preferably provided. As a result, the contact resistance between the conductive adhesive and the metal frame portion 17 can be reduced. In addition, although the 1st gold plating layer 36 has shown the example formed in ring shape by planar view in FIG. 10A, it is not restricted to this but can be made into arbitrary shapes. Further, the first gold plating layer 36 may be formed on the metal frame portion 17 via a nickel plating layer (not shown).

なお、図10(a)においては、導電接続部30と配線接続部16との間には、第2金めっき層37(図10(b)参照)は形成されていない。ここで、図10(a)は、配線層12の素子配線14が独立配線の場合の接続構造領域3の断面構造を示している。すなわち、独立配線の場合には、導電接続部30が形成される前では金属支持層11と素子配線14とが電気的に接続されていない。このことにより、金属支持層11は金めっきの給電電極として機能することができるが、配線接続部16は金めっきの給電電極として機能することができない。このため、独立配線の場合には、まず先に導電接続部30を形成して金属支持層11と配線接続部16(素子配線14)とを電気的に接続し、その後に、ヘッド端子5およびテール端子6に金めっきが施される。このことから、独立配線の場合を示す図10(a)では、導電接続部30と配線接続部16との間に第2金めっき層37が形成されていない。   In FIG. 10A, the second gold plating layer 37 (see FIG. 10B) is not formed between the conductive connection portion 30 and the wiring connection portion 16. Here, FIG. 10A shows a cross-sectional structure of the connection structure region 3 when the element wiring 14 of the wiring layer 12 is an independent wiring. That is, in the case of independent wiring, the metal support layer 11 and the element wiring 14 are not electrically connected before the conductive connection portion 30 is formed. Thus, the metal support layer 11 can function as a power supply electrode for gold plating, but the wiring connection portion 16 cannot function as a power supply electrode for gold plating. For this reason, in the case of independent wiring, first, the conductive connection portion 30 is formed to electrically connect the metal support layer 11 and the wiring connection portion 16 (element wiring 14), and then the head terminal 5 and Gold plating is applied to the tail terminal 6. Therefore, in FIG. 10A showing the case of independent wiring, the second gold plating layer 37 is not formed between the conductive connection portion 30 and the wiring connection portion 16.

一方、図10(b)に示す形態では、導電接続部30と配線接続部16との間に第2金めっき層37が形成されている。ここで、図10(b)は、配線層12の素子配線14が非独立配線の場合の接続構造領域3の断面を示している。すなわち、非独立配線の場合、導電接続部30が形成される前であっても、金属支持層11と素子配線14とは電気的に接続されており、金属支持層11だけでなく配線接続部16をも、金めっきの給電電極として機能させることができる。このことにより、導電接続部30を形成する前に、配線接続部16に金めっきを施すことができる。このため、図10(b)では、導電接続部30と配線接続部16との間に第2金めっき層37が形成されている。なお、当該第2金めっき層37は、配線接続部16に、図示しないニッケルめっき層を介して形成されるようにしても良い。   On the other hand, in the form shown in FIG. 10B, the second gold plating layer 37 is formed between the conductive connection portion 30 and the wiring connection portion 16. Here, FIG. 10B shows a cross section of the connection structure region 3 when the element wiring 14 of the wiring layer 12 is a non-independent wiring. That is, in the case of non-independent wiring, even before the conductive connection portion 30 is formed, the metal support layer 11 and the element wiring 14 are electrically connected, and not only the metal support layer 11 but also the wiring connection portion. 16 can also function as a power supply electrode for gold plating. Thereby, before the conductive connection portion 30 is formed, the wiring connection portion 16 can be plated with gold. For this reason, in FIG. 10B, the second gold plating layer 37 is formed between the conductive connection portion 30 and the wiring connection portion 16. The second gold plating layer 37 may be formed on the wiring connection portion 16 via a nickel plating layer (not shown).

(第2の実施の形態)
次に、図11および図12により、本発明の第2の実施の形態におけるサスペンション用基板について説明する。
(Second Embodiment)
Next, a suspension substrate in the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

図11および図12に示す第2の実施の形態においては、導電接続部の金属支持層側の部分に金めっき部分が設けられている点が主に異なり、他の構成は、図1乃至図9に示す第1の実施の形態と略同一である。なお、図11および図12において、図1乃至図9に示す第1の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。   The second embodiment shown in FIGS. 11 and 12 is mainly different in that a gold-plated portion is provided in a portion on the metal support layer side of the conductive connection portion, and other configurations are the same as those in FIGS. 9 is substantially the same as the first embodiment shown in FIG. 11 and 12, the same parts as those of the first embodiment shown in FIGS. 1 to 9 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

図11に示すように、導電接続部30は、当該導電接続部30の金属枠体部17の側の部分に設けられた第3金めっき層(金めっき部分)38を有している。具体的には、導電接続部30は、接続本体部分31と、接続本体部分31の金属枠体部17の側の面、すなわち、ピエゾ素子44の側の面に設けられた第3金めっき層38と、を有している。このうち接続本体部分31は、第1の実施の形態と同様にニッケルめっきにより形成されている。第3金めっき層38の金属枠体部17の側の面、すなわち、ピエゾ素子44の側の面(下面38a)は、金属支持層開口部32を介して外方(ピエゾ素子44の側)に露出され、金属支持層開口部32に注入される導電性接着剤に接する。このようにして、第3金めっき層38は、導電性接着剤を介してピエゾ素子44に電気的に接続されるようになっている。また、第3金めっき層38の当該下面38aは、絶縁枠体部18の金属枠体部17の側の面、すなわち、ピエゾ素子44の側の面(下面18a)と同一平面上に位置している。ここで、同一とは、厳密に同一という意味に限られることはなく、同一とみなすことができる程度の製造誤差等を含む意味として用いている。   As shown in FIG. 11, the conductive connection portion 30 includes a third gold plating layer (gold plating portion) 38 provided on a portion of the conductive connection portion 30 on the metal frame portion 17 side. Specifically, the conductive connection portion 30 includes a connection main body portion 31 and a third gold plating layer provided on the surface of the connection main body portion 31 on the metal frame portion 17 side, that is, on the surface on the piezoelectric element 44 side. 38. Among these, the connection main body portion 31 is formed by nickel plating as in the first embodiment. The surface of the third gold plating layer 38 on the metal frame portion 17 side, that is, the surface of the piezoelectric element 44 (the lower surface 38a) is outward (the piezoelectric element 44 side) through the metal support layer opening 32. Exposed to the conductive adhesive injected into the metal support layer opening 32. In this way, the third gold plating layer 38 is electrically connected to the piezo element 44 via the conductive adhesive. The lower surface 38a of the third gold plating layer 38 is located on the same plane as the surface of the insulating frame 18 on the side of the metal frame 17, that is, the surface of the piezo element 44 (lower surface 18 a). ing. Here, the term “same” is not limited to the meaning of exactly the same, but is used as a meaning including a manufacturing error that can be regarded as the same.

なお、図11に示す形態においては、図2に示す形態と同様に、金属支持層開口部32の外縁32aの上端部32bは、絶縁層開口部33の外縁33aの下端部33bより外方に位置している。   In the form shown in FIG. 11, as in the form shown in FIG. 2, the upper end portion 32 b of the outer edge 32 a of the metal support layer opening portion 32 is outward from the lower end portion 33 b of the outer edge 33 a of the insulating layer opening portion 33. positioned.

続いて、本実施の形態によるサスペンション用基板1をサブトラクティブ法により製造する場合について説明する。ここでは、一例として、接続構造領域3の断面を示す図12を用いて、サブトラクティブ法により本実施の形態によるサスペンション用基板1を製造する方法について説明する。なお、第1の実施の形態におけるサスペンション用基板1の製造方法と同一の内容は省略する。   Next, the case where the suspension substrate 1 according to the present embodiment is manufactured by the subtractive method will be described. Here, as an example, a method for manufacturing the suspension substrate 1 according to the present embodiment by the subtractive method will be described with reference to FIG. 12 showing a cross section of the connection structure region 3. In addition, the same content as the manufacturing method of the suspension substrate 1 in the first embodiment is omitted.

まず、絶縁層10と、絶縁層10の一方の面に設けられた金属支持層11と、絶縁層10の他方の面に設けられた配線層12と、を有する積層体28を準備する(図12(a)参照)。ここでの金属支持層11には、圧延材料により形成されたステンレス材料を用いることが好適である。この場合、金属支持層11の両面(下面11aおよび上面11b)に、凹凸状の圧延筋11cが形成されている(図13参照)。このような圧延筋11cの凹凸深さは、一般的に、0.05μm〜0.2μmである。   First, a laminated body 28 having an insulating layer 10, a metal support layer 11 provided on one surface of the insulating layer 10, and a wiring layer 12 provided on the other surface of the insulating layer 10 is prepared (FIG. 12 (a)). For the metal support layer 11 here, it is preferable to use a stainless material formed of a rolled material. In this case, uneven rolling bars 11c are formed on both surfaces (the lower surface 11a and the upper surface 11b) of the metal support layer 11 (see FIG. 13). The uneven depth of the rolling rebar 11c is generally 0.05 μm to 0.2 μm.

次に、配線層12において複数の配線13、14と配線接続部16とが形成される(図12(b)参照)。続いて、絶縁層10上に、配線層12の各配線13、14および配線接続部16を覆う所望の形状の保護層20が形成される(図12(c)参照)。保護層20が得られた後、絶縁層10において絶縁層開口部33が形成されると共に、絶縁層10が所望の形状に外形加工される(図12(d)参照)。   Next, a plurality of wirings 13 and 14 and a wiring connection portion 16 are formed in the wiring layer 12 (see FIG. 12B). Subsequently, a protective layer 20 having a desired shape is formed on the insulating layer 10 to cover the wirings 13 and 14 and the wiring connection portion 16 of the wiring layer 12 (see FIG. 12C). After the protective layer 20 is obtained, the insulating layer opening 33 is formed in the insulating layer 10, and the outer shape of the insulating layer 10 is processed into a desired shape (see FIG. 12D).

次に、ヘッド端子5およびテール端子6に、電解めっき法により、ニッケルめっきが施される。この際、金属支持層11の上面11bのうち絶縁層開口部33により露出された部分には、ニッケルめっきは施されない。   Next, nickel plating is applied to the head terminal 5 and the tail terminal 6 by electrolytic plating. At this time, the nickel plating is not performed on the portion of the upper surface 11 b of the metal support layer 11 exposed by the insulating layer opening 33.

その後、金属支持層11の上面11bのうち絶縁層開口部33により露出された部分に、第3金めっき層38が形成される(図12(e)参照)。この場合、電解めっき法により、金めっきが施される。形成された第3金めっき層38の下面38aには、図13に示すように、金属支持層11の上面11b(絶縁層10の側の面)に形成されている圧延筋11cが転写され、当該圧延筋11cに対応する形状を有する凹凸形状38bが形成される。ここで、図13は、圧延筋11cおよび凹凸形状38bの断面形状の一例を示している。図13においては、凹凸形状38bは、圧延筋11cの凹部11dに対応する凸部38cと、圧延筋11cの凸部11eに対応する凹部38dとにより構成されている。なお、上述した非独立配線の場合には、第3金めっき層38を形成する際、ヘッド端子5およびテール端子6にも、金めっきが施される。一方、独立配線の場合には、後述する図12(f)に示すように導電接続部30が形成された後、ヘッド端子5およびテール端子6に金めっきが施される。   Thereafter, a third gold plating layer 38 is formed on a portion of the upper surface 11b of the metal support layer 11 exposed by the insulating layer opening 33 (see FIG. 12E). In this case, gold plating is performed by electrolytic plating. As shown in FIG. 13, the rolling streaks 11c formed on the upper surface 11b (surface on the insulating layer 10 side) of the metal support layer 11 are transferred to the lower surface 38a of the formed third gold plating layer 38, An uneven shape 38b having a shape corresponding to the rolling bar 11c is formed. Here, FIG. 13 shows an example of a cross-sectional shape of the rolling rebar 11c and the uneven shape 38b. In FIG. 13, the concavo-convex shape 38b is constituted by a convex portion 38c corresponding to the concave portion 11d of the rolling bar 11c and a concave portion 38d corresponding to the convex portion 11e of the rolling bar 11c. In the case of the above-described non-independent wiring, the gold plating is also applied to the head terminal 5 and the tail terminal 6 when the third gold plating layer 38 is formed. On the other hand, in the case of independent wiring, after the conductive connection portion 30 is formed as shown in FIG. 12 (f) described later, the head terminal 5 and the tail terminal 6 are plated with gold.

第3金めっき層38が形成された後、絶縁層開口部33、配線層開口部34および保護層開口部35に、接続本体部分31が形成される。これにより、接続本体部分31と第3金めっき層38とを有する導電接続部30が得られる(図12(f)参照)。このようにして、絶縁層10と金属支持層11と配線層12と保護層20とを有する第2積層体29であって、接続構造領域3に設けられた絶縁層開口部33に、ピエゾ素子44の側の部分に設けられた第3金めっき層38を有する導電接続部30が形成された第2積層体29が得られる。   After the third gold plating layer 38 is formed, the connection main body portion 31 is formed in the insulating layer opening 33, the wiring layer opening 34, and the protective layer opening 35. Thereby, the electroconductive connection part 30 which has the connection main-body part 31 and the 3rd gold plating layer 38 is obtained (refer FIG.12 (f)). In this way, in the second laminated body 29 having the insulating layer 10, the metal support layer 11, the wiring layer 12, and the protective layer 20, a piezoelectric element is formed in the insulating layer opening 33 provided in the connection structure region 3. Thus, the second laminated body 29 in which the conductive connection portion 30 having the third gold plating layer 38 provided in the portion on the side of 44 is formed.

その後、金属支持層11において、金属支持層開口部32が形成されるとともに、金属支持層11が所望の形状に外形加工される(図12(g)参照)。金属支持層11がエッチングされて金属支持層開口部32が形成されると、第3金めっき層38の下面38aが露出される。しかしながら、第3金めっき層38の材料である金は、難エッチング性を有している。すなわち、第3金めっき層38は、エッチングのバリア層として機能する。このことにより、第3金めっき層38の下面38aは、絶縁枠体部18の下面18aと同一平面上に維持される。また、第3金めっき層38の下面38aには、金属支持層11の圧延筋11cに対応する形状を有する凹凸形状38b(図13参照)が維持されている。   Thereafter, the metal support layer opening 32 is formed in the metal support layer 11, and the metal support layer 11 is processed into a desired shape (see FIG. 12G). When the metal support layer 11 is etched to form the metal support layer opening 32, the lower surface 38a of the third gold plating layer 38 is exposed. However, gold, which is the material of the third gold plating layer 38, has difficulty in etching. That is, the third gold plating layer 38 functions as an etching barrier layer. As a result, the lower surface 38a of the third gold plating layer 38 is maintained on the same plane as the lower surface 18a of the insulating frame 18. Further, an uneven shape 38b (see FIG. 13) having a shape corresponding to the rolling bar 11c of the metal support layer 11 is maintained on the lower surface 38a of the third gold plating layer 38.

このようにして、本実施の形態におけるサスペンション用基板1が得られる。   Thus, the suspension substrate 1 in the present embodiment is obtained.

このように本実施の形態によれば、接続構造領域3において、絶縁層10を貫通する絶縁層開口部33に、配線層12の配線接続部16に接続された導電接続部30が設けられ、導電接続部30のピエゾ素子44の側の部分に、第3金めっき層38が設けられている。そして、この第3金めっき層38の下面38aは、金属支持層開口部32を介して外方に露出されているとともに、絶縁枠体部18の下面18aと同一平面上に位置している。
このことにより、金属支持層開口部32内に導電性接着剤を注入することにより、導電接続部30を、導電性接着剤を介してピエゾ素子44に電気的に接続することができる。この場合、導電接続部30の接続本体部分31は、第3金めっき層38を介して導電性接着剤に電気的に接続されるため、導電性接着剤と導電接続部30との接触抵抗を低減することができる。また、上述したように、第3金めっき層38の下面38aには、金属支持層11の圧延筋11cに対応する形状を有する凹凸形状38bが形成されている。このため、導電性接着剤との接触面積を増大させることができ、導電性接着剤と導電接続部30との密着性を向上させることができる。この結果、ピエゾ素子44との接続信頼性を向上させることができる。
As described above, according to the present embodiment, in the connection structure region 3, the conductive connection portion 30 connected to the wiring connection portion 16 of the wiring layer 12 is provided in the insulating layer opening 33 penetrating the insulating layer 10. A third gold plating layer 38 is provided on the portion of the conductive connection portion 30 on the piezoelectric element 44 side. The lower surface 38a of the third gold plating layer 38 is exposed to the outside through the metal support layer opening 32 and is located on the same plane as the lower surface 18a of the insulating frame 18.
Thus, by injecting a conductive adhesive into the metal support layer opening 32, the conductive connection portion 30 can be electrically connected to the piezo element 44 via the conductive adhesive. In this case, since the connection main body portion 31 of the conductive connection portion 30 is electrically connected to the conductive adhesive via the third gold plating layer 38, the contact resistance between the conductive adhesive and the conductive connection portion 30 is reduced. Can be reduced. Further, as described above, the concave and convex shape 38 b having a shape corresponding to the rolling bar 11 c of the metal support layer 11 is formed on the lower surface 38 a of the third gold plating layer 38. For this reason, a contact area with a conductive adhesive can be increased, and the adhesiveness of a conductive adhesive and the conductive connection part 30 can be improved. As a result, the connection reliability with the piezo element 44 can be improved.

また、本実施の形態によれば、サスペンション用基板1の製造工程において、絶縁層開口部33、配線層開口部34および保護層開口部35に、ニッケルめっきを施す工程を追加することにより導電接続部30の接続本体部分31を形成することができる。このため、サスペンション用基板1の製造工程が煩雑化することを抑制しながら導電接続部30の接続本体部分31を形成することができる。とりわけ、非独立配線の場合には、接続本体部分31のピエゾ素子44の側の面に形成される第3金めっき層38は、ヘッド端子5およびテール端子6に金めっきを施す際に形成することができ、製造工程の煩雑化をより一層抑制できる。また、ヘッド領域2aに接地用のヘッド端子5の接地をとるための接地ビア(図示せず)が設けられる場合には、絶縁層10および配線層12の接地配線(図示せず)に貫通孔を形成して、当該貫通孔にニッケルめっきを施すことにより接地ビアが形成される。この場合には、この接地ビアを形成する工程の際に導電接続部30の接続本体部分31を形成することが可能となり、接続本体部分31を形成するために工程が追加されることを防止できる。また、積層配線構造(スタックド配線構造)の第1配線層と第2配線層との間の絶縁層および当該第2配線層に貫通孔を形成して当該貫通孔にニッケルめっきを施すことにより配線ビア(図示せず)を形成する場合においても、同様にして、配線ビアを形成する工程の際に接続本体部分31を形成することが可能となる。   Further, according to the present embodiment, in the manufacturing process of the suspension substrate 1, the conductive connection is achieved by adding the step of performing nickel plating to the insulating layer opening 33, the wiring layer opening 34 and the protective layer opening 35. The connection main body portion 31 of the portion 30 can be formed. For this reason, the connection main-body part 31 of the conductive connection part 30 can be formed, suppressing that the manufacturing process of the suspension board | substrate 1 becomes complicated. In particular, in the case of non-independent wiring, the third gold plating layer 38 formed on the surface of the connection main body portion 31 on the piezoelectric element 44 side is formed when the head terminal 5 and the tail terminal 6 are plated with gold. This can further suppress the complication of the manufacturing process. When a ground via (not shown) for grounding the head terminal 5 for grounding is provided in the head region 2a, a through hole is formed in the ground wiring (not shown) of the insulating layer 10 and the wiring layer 12. The ground via is formed by applying nickel plating to the through hole. In this case, it is possible to form the connection main body portion 31 of the conductive connection portion 30 during the step of forming the ground via, and it is possible to prevent a process from being added to form the connection main body portion 31. . In addition, wiring is formed by forming a through hole in the insulating layer between the first wiring layer and the second wiring layer of the laminated wiring structure (stacked wiring structure) and the second wiring layer and plating the through hole with nickel. In the case where vias (not shown) are formed, the connection main body portion 31 can be formed in the same manner in the process of forming wiring vias.

(変形例2)
なお、上述した本実施の形態においては、金属支持層開口部32の外縁32aの上端部32bが、絶縁層開口部33の外縁33aの下端部33bより外方に位置している例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、図14に示すように、金属支持層開口部32の外縁32aの上端部32bが、絶縁層開口部33の外縁33aの下端部33bより内方(半径方向内側)に位置して、金属支持層開口部32の上端部における直径を、絶縁層開口部33の下端部における直径よりも小さくしても良い。この場合、第3金めっき層38の下面38aの一部が、金属支持層11の金属枠体部17の上面17bに接して、当該第3金めっき層38が金属枠体部17に電気的に接続される。
(Modification 2)
In the above-described embodiment, an example in which the upper end portion 32b of the outer edge 32a of the metal support layer opening 32 is located outward from the lower end portion 33b of the outer edge 33a of the insulating layer opening 33 has been described. . However, the present invention is not limited to this, and as shown in FIG. 14, the upper end portion 32 b of the outer edge 32 a of the metal support layer opening 32 is more inward (radius) than the lower end portion 33 b of the outer edge 33 a of the insulating layer opening 33. The diameter at the upper end of the metal support layer opening 32 may be smaller than the diameter at the lower end of the insulating layer opening 33. In this case, a part of the lower surface 38 a of the third gold plating layer 38 is in contact with the upper surface 17 b of the metal frame portion 17 of the metal support layer 11, and the third gold plating layer 38 is electrically connected to the metal frame portion 17. Connected to.

図14に示す形態によれば、導電接続部30は、金属枠体部17を介さずに導電性接着剤と電気的に接続するだけでなく、金属枠体部17を介して導電性接着剤と電気的に接続することもできる。このことにより、接続構造領域3として、導電性接着剤との電気的な接続面積を増大させることができる。このため、導電性接着剤と導電接続部30との電気的な導通性を向上させることができ、ピエゾ素子44との接続信頼性を向上させることができる。また、この場合、導電接続部30の接続本体部分31と金属枠体部17との間に第3金めっき層38が介在されている。このことにより、導電接続部30と金属枠体部17との接触抵抗を低減することができ、ピエゾ素子44との接続信頼性をより一層向上させることができる。   According to the embodiment shown in FIG. 14, the conductive connection part 30 is not only electrically connected to the conductive adhesive without the metal frame part 17, but also the conductive adhesive via the metal frame part 17. Can also be electrically connected. As a result, the area of electrical connection with the conductive adhesive can be increased as the connection structure region 3. For this reason, the electrical continuity between the conductive adhesive and the conductive connection portion 30 can be improved, and the connection reliability with the piezo element 44 can be improved. In this case, the third gold plating layer 38 is interposed between the connection main body portion 31 of the conductive connection portion 30 and the metal frame portion 17. Thereby, the contact resistance between the conductive connection portion 30 and the metal frame portion 17 can be reduced, and the connection reliability with the piezo element 44 can be further improved.

なお、金属枠体部17の下面17aには、図10に示す形態と同様に、金めっきを施すことにより形成された第1金めっき層36が設けられていることが好ましい。このことにより、導電性接着剤と金属枠体部17との接触抵抗を低減することができる。このような第1金めっき層36は、第3金めっき層38を形成する際、または、ヘッド端子5およびテール端子6に金めっきを施す際に形成することができる。なお、第1金めっき層36は、金属枠体部17に、図示しないニッケルめっき層を介して形成されるようにしても良い。第3金めっき層38には下地としてのニッケルめっき層は形成されないため、ニッケルめっき層を形成する場合には、ヘッド端子5およびテール端子6にニッケルめっきおよび金めっきを施す際に金属枠体部17にニッケルめっきおよび金めっきを施して第1金めっき層36を形成することが好ましい。   In addition, it is preferable that the 1st gold plating layer 36 formed by performing gold plating is provided in the lower surface 17a of the metal frame part 17 similarly to the form shown in FIG. As a result, the contact resistance between the conductive adhesive and the metal frame portion 17 can be reduced. Such a first gold plating layer 36 can be formed when the third gold plating layer 38 is formed or when the head terminal 5 and the tail terminal 6 are plated with gold. The first gold plating layer 36 may be formed on the metal frame 17 through a nickel plating layer (not shown). Since the nickel plating layer as a base is not formed on the third gold plating layer 38, when forming the nickel plating layer, the metal frame portion is used when nickel plating and gold plating are applied to the head terminal 5 and the tail terminal 6. 17 is preferably subjected to nickel plating and gold plating to form the first gold plating layer 36.

また、図14に示す形態は、図10(a)に示す形態のように導電接続部30と配線接続部16との間に第2金めっき層37(図10(b)参照)が形成されておらず、配線層12の素子配線14が独立配線の場合における接続構造領域3の断面構造を示している。
しかしながら、このような形態に限られることはなく、素子配線14が非独立配線の場合に形成されるように、導電接続部30の接続本体部分31と配線接続部16との間に第2金めっき層37が形成されていても良い。
Further, in the form shown in FIG. 14, the second gold plating layer 37 (see FIG. 10B) is formed between the conductive connection part 30 and the wiring connection part 16 as in the form shown in FIG. In addition, the cross-sectional structure of the connection structure region 3 when the element wiring 14 of the wiring layer 12 is an independent wiring is shown.
However, the present invention is not limited to such a configuration, and the second metal is formed between the connection main body portion 31 of the conductive connection portion 30 and the wiring connection portion 16 so as to be formed when the element wiring 14 is a non-independent wiring. A plating layer 37 may be formed.

(変形例3)
また、上述した本実施の形態においては、導電接続部30の接続本体部分31がニッケルにより形成されている例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、図15(a)に示すように、導電接続部30の接続本体部分31は、配線層12の配線接続部16と同一の材料により一体に形成されていても良い。より具体的には、絶縁層開口部33内に配線接続部16と同一の材料により形成された接続本体部分31が設けられ、この接続本体部分31が配線接続部16と一体に形成されている。言い換えると、配線接続部16の一部が絶縁層開口部33内に埋設されて、絶縁層開口部33内に埋設された部分が接続本体部分31を構成している。この場合、配線接続部16に配線層開口部34は形成されていない。なお、図15(a)に示す形態では、金属支持層開口部32の外縁32aの上端部32bは、絶縁層開口部33の外縁33aの下端部33bより外方(半径方向外側)に位置している。
(Modification 3)
Moreover, in this Embodiment mentioned above, the example in which the connection main-body part 31 of the electroconductive connection part 30 was formed with nickel was demonstrated. However, the present invention is not limited to this, and as shown in FIG. 15A, the connection main body portion 31 of the conductive connection portion 30 is integrally formed of the same material as the wiring connection portion 16 of the wiring layer 12. May be. More specifically, a connection main body portion 31 formed of the same material as the wiring connection portion 16 is provided in the insulating layer opening 33, and the connection main body portion 31 is formed integrally with the wiring connection portion 16. . In other words, a part of the wiring connection portion 16 is embedded in the insulating layer opening 33, and the portion embedded in the insulating layer opening 33 constitutes the connection main body portion 31. In this case, the wiring layer opening 34 is not formed in the wiring connection portion 16. 15A, the upper end 32b of the outer edge 32a of the metal support layer opening 32 is located outward (radially outward) from the lower end 33b of the outer edge 33a of the insulating layer opening 33. ing.

図15(a)に示す形態のサスペンション用基板1は、アディティブ法により製造することが好適である。ここでは、一例として、接続構造領域3の断面を示す図16を用いて、アディティブ法による図15(a)に示す形態のサスペンション用基板1を製造する方法について説明する。   The suspension substrate 1 having the form shown in FIG. 15A is preferably manufactured by an additive method. Here, as an example, a method for manufacturing the suspension substrate 1 having the form shown in FIG. 15A by the additive method will be described with reference to FIG. 16 showing a cross section of the connection structure region 3.

まず、金属支持層11を準備し(図16(a)参照)する。ここでの金属支持層11には、圧延材料により形成されたステンレス材料を用いることが好適であり、この場合、金属支持層11の両面11a、11bに凹凸状の圧延筋11c(図13参照)が形成されている。   First, the metal support layer 11 is prepared (see FIG. 16A). In this case, it is preferable to use a stainless steel material formed of a rolled material for the metal support layer 11, and in this case, uneven rolling bars 11 c (see FIG. 13) on both surfaces 11 a and 11 b of the metal support layer 11. Is formed.

続いて、金属支持層11上に所望の形状を有する絶縁層10が形成される(図16(b)参照)。この際、接続構造領域3における金属支持層11上に、絶縁層開口部33を含む絶縁枠体部18が形成される。   Subsequently, the insulating layer 10 having a desired shape is formed on the metal support layer 11 (see FIG. 16B). At this time, the insulating frame 18 including the insulating layer opening 33 is formed on the metal support layer 11 in the connection structure region 3.

次に、金属支持層11の上面11bのうち絶縁層開口部33により露出された部分に、第3金めっき層38が形成される(図16(c)参照)。この際、形成された第3金めっき層38の下面38aには、図13に示すように、金属支持層11の上面11bに形成されている圧延筋11cが転写され、当該圧延筋11cに対応する形状を有する凹凸形状38bが形成される。   Next, a third gold plating layer 38 is formed on a portion of the upper surface 11b of the metal support layer 11 exposed by the insulating layer opening 33 (see FIG. 16C). At this time, as shown in FIG. 13, the rolling rebar 11c formed on the upper surface 11b of the metal support layer 11 is transferred to the lower surface 38a of the formed third gold plating layer 38, and corresponds to the rolling rebar 11c. An uneven shape 38b having a shape to be formed is formed.

続いて、絶縁層10上に配線層12が形成される(図16(d)参照)。この際、絶縁枠体部18上には配線接続部16が形成され、配線接続部16の一部は、絶縁層開口部33内に埋設される。このようにして、絶縁層開口部33内に配線接続部16と一体の接続本体部分31が形成される。   Subsequently, the wiring layer 12 is formed on the insulating layer 10 (see FIG. 16D). At this time, the wiring connection portion 16 is formed on the insulating frame body portion 18, and a part of the wiring connection portion 16 is embedded in the insulating layer opening 33. In this way, the connection main body portion 31 integral with the wiring connection portion 16 is formed in the insulating layer opening 33.

配線層12が形成された後、保護層20が形成される(図16(e)参照)。このようにして、絶縁層10と金属支持層11と配線層12と保護層20とを有する第2積層体29であって、接続構造領域3に設けられた絶縁層開口部33に、ピエゾ素子44の側の部分に設けられた第3金めっき層38を有する導電接続部30が形成された第2積層体29が得られる。   After the wiring layer 12 is formed, the protective layer 20 is formed (see FIG. 16E). In this way, in the second laminated body 29 having the insulating layer 10, the metal support layer 11, the wiring layer 12, and the protective layer 20, a piezoelectric element is formed in the insulating layer opening 33 provided in the connection structure region 3. Thus, the second laminated body 29 in which the conductive connection portion 30 having the third gold plating layer 38 provided in the portion on the side of 44 is formed.

その後、金属支持層開口部32が形成されるとともに金属支持層11が所望の形状に外形加工される(図16(f)参照)。この際、第3金めっき層38の下面38aは、絶縁枠体部18の下面18aと同一平面上に維持され、第3金めっき層38の下面38aには、金属支持層11の圧延筋11cに対応する形状を有する凹凸形状38b(図13参照)が維持されている。このようにして、図15(a)に示す形態のサスペンション用基板1が得られる。   Thereafter, the metal support layer opening 32 is formed, and the metal support layer 11 is trimmed into a desired shape (see FIG. 16F). At this time, the lower surface 38a of the third gold plating layer 38 is maintained on the same plane as the lower surface 18a of the insulating frame 18 and the lower surface 38a of the third gold plating layer 38 has a rolling bar 11c of the metal support layer 11. The concavo-convex shape 38b (see FIG. 13) having a shape corresponding to is maintained. In this way, the suspension substrate 1 having the form shown in FIG. 15A is obtained.

図15(a)に示す形態によれば、導電接続部30の接続本体部分31が、配線接続部16と一体に形成されている。このことにより、アディティブ法によりサスペンション用基板1を作製する場合には、配線接続部16を形成する工程の際に、接続本体部分31を配線接続部16と一体に形成することが可能となる。このため、接続本体部分31を形成するために工程が追加されることを防止でき、サスペンション用基板1の製造工程が煩雑化することを抑制しながら導電接続部30を形成することができる。   According to the embodiment shown in FIG. 15A, the connection main body portion 31 of the conductive connection portion 30 is formed integrally with the wiring connection portion 16. As a result, when the suspension substrate 1 is manufactured by the additive method, the connection main body portion 31 can be formed integrally with the wiring connection portion 16 in the step of forming the wiring connection portion 16. For this reason, it can prevent that a process is added in order to form the connection main-body part 31, and can form the conductive connection part 30, suppressing the manufacturing process of the board | substrate 1 for suspensions becoming complicated.

(変形例4)
なお、図15(a)に示す形態では、金属支持層開口部32の外縁32aの上端部32bが、絶縁層開口部33の外縁33aの下端部33bより外方に位置している例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、図15(b)に示すように、金属支持層開口部32の外縁32aの上端部32bが、絶縁層開口部33の外縁33aの下端部33bより内方(半径方向内側)に位置して、金属支持層開口部32の上端部における直径を、絶縁層開口部33の下端部における直径よりも小さくしても良い。この場合、第3金めっき層38の下面38aの一部が、金属支持層11の金属枠体部17の上面17bに接して、当該第3金めっき層38が金属枠体部17に電気的に接続される。なお、図15(b)に示す形態においては、金属枠体部17の下面17aには、図10、図14に示す形態と同様な第1金めっき層36が設けられていることが好ましい。
(Modification 4)
15A, an example in which the upper end portion 32b of the outer edge 32a of the metal support layer opening portion 32 is located outward from the lower end portion 33b of the outer edge 33a of the insulating layer opening portion 33 will be described. did. However, the present invention is not limited to this. As shown in FIG. 15B, the upper end portion 32b of the outer edge 32a of the metal support layer opening portion 32 is located inside the lower end portion 33b of the outer edge 33a of the insulating layer opening portion 33. The diameter at the upper end of the metal support layer opening 32 may be made smaller than the diameter at the lower end of the insulating layer opening 33. In this case, a part of the lower surface 38 a of the third gold plating layer 38 is in contact with the upper surface 17 b of the metal frame portion 17 of the metal support layer 11, and the third gold plating layer 38 is electrically connected to the metal frame portion 17. Connected to. In the form shown in FIG. 15B, it is preferable that the first gold plating layer 36 similar to the form shown in FIGS. 10 and 14 is provided on the lower surface 17a of the metal frame portion 17.

(変形例5)
また、図17(a)に示すように、導電接続部30の全体は、金めっきにより形成されていても良い。このような導電接続部30は、例えば、図12(e)に示す第3金めっき層38を形成する工程を省略し(すなわち、ヘッド端子5およびテール端子6に金めっきを施すが、第3金めっき層38は形成しない)、図12(f)に示す導電接続部30を形成する工程において、絶縁層開口部33、配線層開口部34および保護層開口部35に、金めっきを施すことにより形成することができる。なお、図17(a)に示す形態では、金属支持層開口部32の外縁32aの上端部32bは、絶縁層開口部33の外縁33aの下端部33bより外方(半径方向外側)に位置している。
(Modification 5)
Moreover, as shown to Fig.17 (a), the whole conductive connection part 30 may be formed of gold plating. Such a conductive connection portion 30 omits, for example, the step of forming the third gold plating layer 38 shown in FIG. 12E (that is, the head terminal 5 and the tail terminal 6 are plated with gold, but the third In the step of forming the conductive connection portion 30 shown in FIG. 12F, gold plating is applied to the insulating layer opening portion 33, the wiring layer opening portion 34, and the protective layer opening portion 35. Can be formed. In the form shown in FIG. 17A, the upper end portion 32b of the outer edge 32a of the metal support layer opening 32 is located outward (radially outward) from the lower end portion 33b of the outer edge 33a of the insulating layer opening 33. ing.

図17(a)に示す形態では、導電接続部30が金めっきにより形成されているため、導電接続部30の導通抵抗を低減することができる。このことにより、ピエゾ素子44との接続信頼性をより一層向上させることができる。   In the form shown in FIG. 17A, since the conductive connection portion 30 is formed by gold plating, the conduction resistance of the conductive connection portion 30 can be reduced. Thereby, the connection reliability with the piezo element 44 can be further improved.

なお、導電接続部30は、金めっきにより形成される接続本体部分31と、第3金めっき層38とを有し、接続本体部分31と第3金めっき層38とが別々の工程で形成されるようにしても良い。このような導電接続部30は、例えば、図12(e)に示すように第3金めっき層38を形成し、その後に、図12(f)に示す導電接続部30を形成する工程において、絶縁層開口部33、配線層開口部34および保護層開口部35に、金めっきを施すことにより形成することができる。   The conductive connection portion 30 includes a connection main body portion 31 formed by gold plating and a third gold plating layer 38, and the connection main body portion 31 and the third gold plating layer 38 are formed in separate steps. You may make it. For example, in the step of forming the third gold plating layer 38 as shown in FIG. 12E and then forming the conductive connection portion 30 shown in FIG. The insulating layer opening 33, the wiring layer opening 34, and the protective layer opening 35 can be formed by performing gold plating.

(変形例6)
なお、図17(a)に示す形態では、金属支持層開口部32の外縁32aの上端部32bが、絶縁層開口部33の外縁33aの下端部33bより外方に位置している例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、図17(b)に示すように、金属支持層開口部32の外縁32aの上端部32bが、絶縁層開口部33の外縁33aの下端部33bより内方(半径方向内側)に位置して、金属支持層開口部32の上端部における直径を、絶縁層開口部33の下端部における直径よりも小さくしても良い。この場合、導電接続部30の下面30aの一部が、金属支持層11の金属枠体部17の上面17bに接して、当該導電接続部30が金属枠体部17に電気的に接続される。なお、図17(b)に示す形態においては、金属枠体部17の下面17aには、図10、図14、図15(b)に示す形態と同様な第1金めっき層36が設けられていることが好ましい。
(Modification 6)
In the form shown in FIG. 17A, an example in which the upper end portion 32b of the outer edge 32a of the metal support layer opening 32 is located outward from the lower end portion 33b of the outer edge 33a of the insulating layer opening 33 is described. did. However, the present invention is not limited to this, and as shown in FIG. 17B, the upper end portion 32b of the outer edge 32a of the metal support layer opening 32 is located inside the lower end portion 33b of the outer edge 33a of the insulating layer opening 33. The diameter at the upper end of the metal support layer opening 32 may be made smaller than the diameter at the lower end of the insulating layer opening 33. In this case, a part of the lower surface 30 a of the conductive connection part 30 is in contact with the upper surface 17 b of the metal frame part 17 of the metal support layer 11, and the conductive connection part 30 is electrically connected to the metal frame part 17. . In the form shown in FIG. 17 (b), the first gold plating layer 36 similar to the form shown in FIGS. 10, 14, and 15 (b) is provided on the lower surface 17a of the metal frame portion 17. It is preferable.

以上、本発明の実施の形態について詳細に説明してきたが、本発明によるサスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンションおよびハードディスクドライブは、上記実施の形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。   As described above, the embodiments of the present invention have been described in detail. However, the suspension substrate, the suspension, the suspension with a head, and the hard disk drive according to the present invention are not limited to the above-described embodiments, and the gist of the present invention. Various modifications can be made without departing from the scope.

1 サスペンション用基板
3 接続構造領域
10 絶縁層
11 金属支持層
11a 下面
11b 上面
11c 圧延筋
12 配線層
16 配線接続部
17 金属枠体部
17a 下面
17b 上面
18 絶縁枠体部
18a 下面
20 保護層
28 第1積層体
29 第2積層体
30 導電接続部
30a 下面
30b 上面
31 接続本体部分
32 金属支持層開口部
32a 外縁
32b 上端部
33 絶縁層開口部
33a 外縁
33b 下端部
34 配線層開口部
35 保護層開口部
36 第1金めっき層
37 第2金めっき層
38 第3金めっき層
38a 下面
38b 凹凸形状
41 サスペンション
42 ベースプレート
43 ロードビーム
44 ピエゾ素子
51 ヘッド付サスペンション
52 ヘッドスライダ
61 ハードディスクドライブ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Suspension board | substrate 3 Connection structure area | region 10 Insulating layer 11 Metal support layer 11a Lower surface 11b Upper surface 11c Rolling bar 12 Wiring layer 16 Wiring connection part 17 Metal frame part 17a Lower surface 17b Upper surface 18 Insulating frame part 18a Lower surface 20 Protective layer 28 1 laminated body 29 2nd laminated body 30 conductive connection part 30a lower surface 30b upper surface 31 connection main body part 32 metal support layer opening part 32a outer edge 32b upper end part 33 insulating layer opening part 33a outer edge 33b lower end part 34 wiring layer opening part 35 protective layer opening Portion 36 First gold plating layer 37 Second gold plating layer 38 Third gold plating layer 38a Lower surface 38b Uneven shape 41 Suspension 42 Base plate 43 Load beam 44 Piezo element 51 Suspension with head 52 Head slider 61 Hard disk drive

Claims (12)

金属支持層に絶縁層を介して配線層が積層され、前記金属支持層に対して前記絶縁層側とは反対側に配置されるアクチュエータ素子に導電性接着剤を介して接続可能な接続構造領域を有するサスペンション用基板において、
前記接続構造領域に設けられ、前記絶縁層を貫通する絶縁層開口部と、
前記絶縁層開口部に設けられ、ニッケルにより形成されるとともに前記配線層に接続された導電接続部と、
前記接続構造領域に設けられ、前記金属支持層を貫通し、前記導電接続部の前記金属支持層側の面を外方に露出させる金属支持層開口部と、を備え、
前記導電接続部の前記アクチュエータ素子側の面は、凸部を有することなく、凹状に湾曲していることを特徴とするサスペンション用基板。
A connection structure region in which a wiring layer is laminated on a metal support layer via an insulating layer and can be connected to an actuator element disposed on the opposite side of the metal support layer from the insulating layer side via a conductive adhesive In a suspension substrate having
An insulating layer opening provided in the connection structure region and penetrating the insulating layer;
A conductive connecting portion provided in the insulating layer opening, formed of nickel and connected to the wiring layer;
A metal support layer opening provided in the connection structure region, penetrating the metal support layer and exposing the surface of the conductive connection portion on the metal support layer side;
A surface of the conductive connection portion on the side of the actuator element is curved in a concave shape without having a convex portion.
前記接続構造領域において、前記配線層を貫通する配線層開口部が設けられ、
前記導電接続部は、前記配線層開口部内に延びていることを特徴とする請求項1に記載のサスペンション用基板。
In the connection structure region, a wiring layer opening penetrating the wiring layer is provided,
The suspension substrate according to claim 1, wherein the conductive connection portion extends into the wiring layer opening.
金属支持層に絶縁層を介して配線層が積層され、前記金属支持層に対して前記絶縁層側とは反対側に配置されるアクチュエータ素子に導電性接着剤を介して接続可能な接続構造領域を有するサスペンション用基板において、
前記接続構造領域に設けられ、前記絶縁層を貫通する絶縁層開口部と、
前記絶縁層開口部に設けられ、ニッケルにより形成されるとともに前記配線層に接続された導電接続部と、
前記接続構造領域に設けられ、前記金属支持層を貫通し、前記導電接続部の前記金属支持層側の面を外方に露出させる金属支持層開口部と、を備え、
前記接続構造領域において、前記配線層を貫通する配線層開口部が設けられ、
前記導電接続部は、前記配線層開口部内に延び、
前記導電接続部の前記アクチュエータ素子側の面は、凹状に湾曲していることを特徴とするサスペンション用基板。
A connection structure region in which a wiring layer is laminated on a metal support layer via an insulating layer and can be connected to an actuator element disposed on the opposite side of the metal support layer from the insulating layer side via a conductive adhesive In a suspension substrate having
An insulating layer opening provided in the connection structure region and penetrating the insulating layer;
A conductive connecting portion provided in the insulating layer opening, formed of nickel and connected to the wiring layer;
A metal support layer opening provided in the connection structure region, penetrating the metal support layer and exposing the surface of the conductive connection portion on the metal support layer side;
In the connection structure region, a wiring layer opening penetrating the wiring layer is provided,
The conductive connection portion extends into the wiring layer opening,
The suspension substrate, wherein a surface of the conductive connection portion on the actuator element side is curved in a concave shape.
前記導電接続部は前記配線層とは別体に形成されている、請求項2または3に記載のサスペンション用基板。The suspension substrate according to claim 2 or 3, wherein the conductive connection portion is formed separately from the wiring layer. 前記導電接続部の前記金属支持層側の面は、前記絶縁層の前記金属支持層側の面のうち前記金属支持層開口部に露出される部分よりも前記金属支持層側とは反対側に位置していることを特徴とする請求項1乃至のいずれか一項に記載のサスペンション用基板。 The surface on the metal support layer side of the conductive connection portion is on the side opposite to the metal support layer side of the surface of the insulating layer on the metal support layer side exposed from the metal support layer opening. The suspension substrate according to any one of claims 1 to 4 , wherein the suspension substrate is located. 金属支持層に絶縁層を介して配線層が積層され、前記金属支持層に対して前記絶縁層側とは反対側に配置されるアクチュエータ素子に導電性接着剤を介して接続可能な接続構造領域を有するサスペンション用基板において、
前記接続構造領域に設けられ、前記絶縁層を貫通する絶縁層開口部と、
前記絶縁層開口部に設けられ、ニッケルにより形成されるとともに前記配線層に接続された導電接続部と、
前記接続構造領域に設けられ、前記金属支持層を貫通し、前記導電接続部の前記金属支持層側の面を外方に露出させる金属支持層開口部と、を備え、
前記導電接続部の前記アクチュエータ素子側の面は、凹状に湾曲するとともに、前記絶縁層の前記金属支持層側の面のうち前記金属支持層開口部に露出される部分よりも前記金属支持層側とは反対側に位置していることを特徴とするサスペンション用基板。
A connection structure region in which a wiring layer is laminated on a metal support layer via an insulating layer and can be connected to an actuator element disposed on the opposite side of the metal support layer from the insulating layer side via a conductive adhesive In a suspension substrate having
An insulating layer opening provided in the connection structure region and penetrating the insulating layer;
A conductive connecting portion provided in the insulating layer opening, formed of nickel and connected to the wiring layer;
A metal support layer opening provided in the connection structure region, penetrating the metal support layer and exposing the surface of the conductive connection portion on the metal support layer side;
The surface of the conductive connection portion on the actuator element side is concavely curved, and the metal support layer side of the surface of the insulating layer on the metal support layer side that is exposed to the metal support layer opening. Suspension substrate, characterized in that it is located on the opposite side to.
ベースプレートと、
前記ベースプレートに、ロードビームを介して取り付けられた請求項1乃至のいずれかに記載の前記サスペンション用基板と、
前記ベースプレートおよび前記ロードビームの少なくとも一方に接合されると共に、前記サスペンション用基板の前記接続構造領域に前記導電性接着剤を介して接続された前記アクチュエータ素子と、を備えたことを特徴とするサスペンション。
A base plate;
The suspension substrate according to any one of claims 1 to 6 , attached to the base plate via a load beam;
The suspension comprising: the actuator element joined to at least one of the base plate and the load beam, and connected to the connection structure region of the suspension substrate via the conductive adhesive. .
請求項に記載の前記サスペンションと、
前記サスペンションに実装されたヘッドスライダと、を備えたことを特徴とするヘッド付サスペンション。
The suspension according to claim 7 ;
A suspension with a head, comprising: a head slider mounted on the suspension.
請求項に記載の前記ヘッド付サスペンションを備えたことを特徴とするハードディスクドライブ。 A hard disk drive comprising the suspension with a head according to claim 8 . 金属支持層に絶縁層を介して配線層が積層され、前記金属支持層に対して前記絶縁層側とは反対側に配置されるアクチュエータ素子に導電性接着剤を介して接続可能な接続構造領域を有するサスペンション用基板の製造方法において、
前記絶縁層と前記金属支持層と前記配線層とを有する積層体であって、前記接続構造領域において、前記絶縁層を貫通する絶縁層開口部が設けられ、前記絶縁層開口部に、ニッケルにより形成されて前記配線層に接続された導電接続部が設けられた、前記積層体を準備する工程と、
前記積層体を準備する工程の後、前記接続構造領域において、前記金属支持層を貫通する金属支持層開口部であって、前記導電接続部の前記金属支持層側の面を露出させる前記金属支持層開口部をエッチングにより形成する工程と、を備え、
前記金属支持層開口部をエッチングにより形成する工程において、前記導電接続部の前記アクチュエータ素子側の面は、凸部を有することなく、凹状に湾曲するように形成されることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
A connection structure region in which a wiring layer is laminated on a metal support layer via an insulating layer and can be connected to an actuator element disposed on the opposite side of the metal support layer from the insulating layer side via a conductive adhesive In the manufacturing method of the suspension substrate having
A laminated body including the insulating layer, the metal support layer, and the wiring layer, wherein an insulating layer opening that penetrates the insulating layer is provided in the connection structure region, and the insulating layer opening is made of nickel. A step of preparing the laminated body provided with a conductive connection portion formed and connected to the wiring layer;
After the step of preparing the laminate, in the connection structure region, the metal support layer opening that penetrates the metal support layer and exposes the metal support layer side surface of the conductive connection portion. Forming a layer opening by etching, and
In the step of forming the metal support layer opening by etching, the surface on the actuator element side of the conductive connection portion is formed so as to be concavely curved without having a convex portion. A method for manufacturing a substrate.
金属支持層に絶縁層を介して配線層が積層され、前記金属支持層に対して前記絶縁層側とは反対側に配置されるアクチュエータ素子に導電性接着剤を介して接続可能な接続構造領域を有するサスペンション用基板の製造方法において、
前記絶縁層と前記金属支持層と前記配線層とを有する積層体であって、前記接続構造領域において、前記絶縁層を貫通する絶縁層開口部が設けられ、前記絶縁層開口部に、ニッケルにより形成されて前記配線層に接続された導電接続部が設けられた、前記積層体を準備する工程と、
前記積層体を準備する工程の後、前記接続構造領域において、前記金属支持層を貫通する金属支持層開口部であって、前記導電接続部の前記金属支持層側の面を露出させる前記金属支持層開口部をエッチングにより形成する工程と、を備え、
前記積層体を準備する工程において、前記接続構造領域における前記配線層を貫通する配線層開口部が設けられて、前記導電接続部は前記配線層開口部内に延び、
前記金属支持層開口部をエッチングにより形成する工程において、前記導電接続部の前記アクチュエータ素子側の面は、凹状に湾曲するように形成されることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
A connection structure region in which a wiring layer is laminated on a metal support layer via an insulating layer and can be connected to an actuator element disposed on the opposite side of the metal support layer from the insulating layer side via a conductive adhesive In the manufacturing method of the suspension substrate having
A laminated body including the insulating layer, the metal support layer, and the wiring layer, wherein an insulating layer opening that penetrates the insulating layer is provided in the connection structure region, and the insulating layer opening is made of nickel. A step of preparing the laminated body provided with a conductive connection portion formed and connected to the wiring layer;
After the step of preparing the laminate, in the connection structure region, the metal support layer opening that penetrates the metal support layer and exposes the metal support layer side surface of the conductive connection portion. Forming a layer opening by etching, and
In the step of preparing the stacked body, a wiring layer opening that penetrates the wiring layer in the connection structure region is provided, and the conductive connection portion extends into the wiring layer opening,
In the step of forming the metal support layer opening by etching, the surface of the conductive connection portion on the actuator element side is formed to be curved in a concave shape.
金属支持層に絶縁層を介して配線層が積層され、前記金属支持層に対して前記絶縁層側とは反対側に配置されるアクチュエータ素子に導電性接着剤を介して接続可能な接続構造領域を有するサスペンション用基板の製造方法において、
前記絶縁層と前記金属支持層と前記配線層とを有する積層体であって、前記接続構造領域において、前記絶縁層を貫通する絶縁層開口部が設けられ、前記絶縁層開口部に、ニッケルにより形成されて前記配線層に接続された導電接続部が設けられた、前記積層体を準備する工程と、
前記積層体を準備する工程の後、前記接続構造領域において、前記金属支持層を貫通する金属支持層開口部であって、前記導電接続部の前記金属支持層側の面を露出させる前記金属支持層開口部をエッチングにより形成する工程と、を備え、
前記金属支持層開口部をエッチングにより形成する工程において、前記導電接続部の前記アクチュエータ素子側の面は、凹状に湾曲するとともに、前記絶縁層の前記金属支持層側の面のうち前記金属支持層開口部に露出する部分よりも前記金属支持層側とは反対側に位置するように形成されることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
A connection structure region in which a wiring layer is laminated on a metal support layer via an insulating layer and can be connected to an actuator element disposed on the opposite side of the metal support layer from the insulating layer side via a conductive adhesive In the manufacturing method of the suspension substrate having
A laminated body including the insulating layer, the metal support layer, and the wiring layer, wherein an insulating layer opening that penetrates the insulating layer is provided in the connection structure region, and the insulating layer opening is made of nickel. A step of preparing the laminated body provided with a conductive connection portion formed and connected to the wiring layer;
After the step of preparing the laminate, in the connection structure region, the metal support layer opening that penetrates the metal support layer and exposes the metal support layer side surface of the conductive connection portion. Forming a layer opening by etching, and
In the step of forming the metal support layer opening by etching, the surface of the conductive connection portion on the actuator element side is curved in a concave shape, and the metal support layer of the surface of the insulating layer on the metal support layer side A method for manufacturing a suspension substrate, wherein the suspension substrate is formed so as to be located on a side opposite to the metal support layer side with respect to a portion exposed to the opening.
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