JP6164961B2 - 光トランシーバ - Google Patents
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- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
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Description
図2に、本発明の実施例1にかかる光モジュール(BiDi)を示す。BiDiは、EML201と、EML201に集積されたLD202に接続され、駆動電流を供給する定電流源204とを備える。また、EML201に集積されたEAM203の出力には、定電圧源205に接続されたバイアスT206(給電手段)を介して、サーキュレータ207が接続されている。サーキュレータ207に入力された送信電気信号は、バイアスT206を介してEML201に供給され、EML201からの受信電気信号は、バイアスT206を介してサーキュレータ207(分離・結合手段)から出力される。
実施例1の光トランシーバは、送信光と受信光とを1本の光ファイバでやりとりするため、光学的なアイソレータは有していない。このため、反射戻り光によってLDが不安定になる可能性がある。実施例1のBiDiは、送信器であるLD202と受信器であるEAM203とを直列に接続した構成である。例えば、非特許文献2、非特許文献3に記載されているように、信号レート50Mb/s〜155Mb/sにおいて「1(または0)の符号が連続する強度変調方式」を用いている。このような強度変調方式では、「1の符号が連続するとき」、反射戻り光によってLDの送信信号に緩和振動周波数を中心とするノイズが生じる。信号が大きく劣化する。
101 光ファイバ心線の端面
102 波長フィルタ
103 送信モジュール(TOSA)
104,108 集光用レンズ
105 LD
106 受信モジュール(ROSA)
110 宅内装置
120,305 光ファイバ
130 データセンタ
201,307,401,501 EML
202,402,502 LD
203,403,503 EAM
204,404,504 定電流源
205,405,505 定電圧源
206,406,408,506,508 バイアスT
207 サーキュレータ
300 EMLモジュール
302 LD端子
303 EAM端子
304 光ファイバカラ
306 レンズ
308 直流端子
509 LPF/BPF
Claims (8)
- 電界吸収型の半導体光変調器とレーザダイオードとが集積された光変調器集積レーザダイオードと、
前記レーザダイオードに駆動電流を供給し、前記レーザダイオードから第1の波長のCW光を出力させる定電流源と、
前記半導体光変調器にバイアス電圧を印加する定電圧源と、
前記半導体光変調器において前記第1の波長のCW光を変調するための第1の送信信号と、前記半導体光変調器において前記第1の波長とは異なる波長の第2の波長の受信光から光電変換された受信信号を分離・結合するための分離・結合手段と、
前記半導体光変調器に、前記定電圧源からのバイアス電圧と前記分離・結合手段からの前記第1の送信信号とを供給する給電手段と
を備えたことを特徴とする光トランシーバ。 - 電界吸収型の半導体光変調器とレーザダイオードとが集積された光変調器集積レーザダイオードと、
前記レーザダイオードに駆動電流を供給する定電流源と、
前記半導体光変調器にバイアス電圧を印加する定電圧源と、
前記レーザダイオードに変調のための第1の送信信号と前記定電流源からの駆動電流とを供給し、前記レーザダイオードから第1の波長の変調光を出力させる給電手段と、
前記半導体光変調器に、前記定電圧源からのバイアス電圧を供給し、前記半導体光変調器において前記第1の波長とは異なる波長の第2の波長の受信光から光電変換された受信信号を取り出すための給電手段と
を備えたことを特徴とする光トランシーバ。 - 電界吸収型の半導体光変調器とレーザダイオードとが集積された光変調器集積レーザダイオードと、
前記レーザダイオードに駆動電流を供給する定電流源と、
前記半導体光変調器にバイアス電圧を印加する定電圧源と、
前記レーザダイオードに変調のための第1の送信信号と前記定電流源からの駆動電流とを供給し、前記レーザダイオードから第1の波長の変調光を出力させる給電手段と、
前記半導体光変調器において前記第1の波長の前記変調光をさらに変調するための第2の送信信号と、前記半導体光変調器において前記第1の波長とは異なる波長の第2の波長の受信光から光電変換された受信信号を分離・結合するための分離・結合手段と、
前記半導体光変調器に、前記定電圧源からのバイアス電圧と前記分離・結合手段からの前記第2の送信信号とを供給する給電手段と
を備えたことを特徴とする光トランシーバ。 - 前記分離・結合手段は、サーキュレータ、ローパスフィルタまたはバンドパスフィルタであることを特徴とする請求項1または3に記載の光トランシーバ。
- 前記第1の送信信号は、光搬送波方式または光副搬送波方式により伝送される高周波信号であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の光トランシーバ。
- 前記光搬送波方式または前記光副搬送波方式における光搬送波の周波数は、前記レーザダイオードの緩和振動周波数よりも小さいことを特徴とする請求項5に記載の光トランシーバ。
- 前記給電手段は、バイアスTであることを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載の光トランシーバ。
- 前記レーザダイオードは、分布帰還型レーザダイオードであることを特徴とする請求項1ないし7のいずれかに記載の光トランシーバ。
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