JP6136605B2 - Mounting structure of surface mount semiconductor package - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 66
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 44
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 44
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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Description
本発明は、回路基板と、回路基板と電気的に接続されたリードと、リードと回路基板それぞれを被覆するモールド樹脂と、を備え、はんだを介して配線基板に実装される表面実装型半導体パッケージの実装構造に関するものである。 The present invention includes a circuit board, a lead electrically connected to the circuit board, and a mold resin that covers each of the lead and the circuit board, and is mounted on the wiring board via solder. This is related to the mounting structure.
従来、例えば特許文献1に示されるように、プリント基板上に導電性バンプにより表面実装される表面実装型半導体パッケージが提案されている。表面実装型半導体パッケージの内部に半導体装置が設けられ、プリント基板への実装面に、半導体装置と電気的に接続される信号用電極、および、半導体装置とは電気的に接続されない補助電極が設けられている。そして、補助電極は信号用電極よりも膜厚が厚くなっている。 Conventionally, as disclosed in Patent Document 1, for example, a surface-mounted semiconductor package that is surface-mounted on a printed circuit board with conductive bumps has been proposed. A semiconductor device is provided inside the surface-mount semiconductor package, and a signal electrode that is electrically connected to the semiconductor device and an auxiliary electrode that is not electrically connected to the semiconductor device are provided on the mounting surface of the printed circuit board. It has been. The auxiliary electrode is thicker than the signal electrode.
以上の構成により、補助電極がプリント基板に接触するように表面実装型半導体パッケージをプリント基板上に載置すると、信号用電極とプリント基板のランドとの間に、補助電極の膜厚から信号用電極の膜厚を減算した間隙が形成される。このため、リフロー法によるはんだ結合を施した場合、信号用電極とランドとの間に、上記した間隙に対応する厚みを有するはんだが形成される。以上により、表面実装型半導体パッケージの自重が大きい場合であったとしても、はんだの薄肉化が抑制される。この結果、高い信頼性のもとに表面実装型半導体パッケージをプリント基板に表面実装することができる。 With the above configuration, when a surface mount semiconductor package is placed on a printed circuit board so that the auxiliary electrode is in contact with the printed circuit board, the thickness of the auxiliary electrode is increased between the signal electrode and the printed circuit board land. A gap is formed by subtracting the film thickness of the electrode. For this reason, when solder bonding is performed by the reflow method, solder having a thickness corresponding to the gap is formed between the signal electrode and the land. As described above, even if the weight of the surface mount semiconductor package is large, the solder thinning is suppressed. As a result, the surface mount semiconductor package can be surface mounted on the printed circuit board with high reliability.
上記したように、特許文献1に示される表面実装型半導体パッケージでは、半導体装置と電気的に接続される信号用電極とは別に、半導体装置と電気的に接続されない補助電極が実装面に具えられ、この補助電極によってはんだの厚さが確保される。しかしながらこの構成の場合、信号用電極と補助電極の2つの電極(リード)を用意しなくてはならず、部品点数の増加が懸念される。また、補助電極のために表面実装型半導体パッケージの体格が増大する虞がある。 As described above, in the surface mount semiconductor package disclosed in Patent Document 1, an auxiliary electrode that is not electrically connected to the semiconductor device is provided on the mounting surface, in addition to the signal electrode that is electrically connected to the semiconductor device. The auxiliary electrode ensures the thickness of the solder. However, in this configuration, it is necessary to prepare two electrodes (leads), that is, a signal electrode and an auxiliary electrode, and there is a concern that the number of parts increases. In addition, the size of the surface mount semiconductor package may increase due to the auxiliary electrode.
そこで、本発明は上記問題点に鑑み、部品点数の増加と体格の増大の抑制された表面実装型半導体パッケージの実装構造を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide an inhibiting surface mount type semiconductor package mounting structure of increased growth and size of the parts.
上記した目的を達成するために、本発明は、回路基板(10)と、回路基板と電気的に接続されたリード(20)と、リードにおける回路基板との接続部位および回路基板それぞれを被覆するモールド樹脂(30)と、を備え、リードにおけるモールド樹脂から外部に露出された部位が、配線基板(110)の表面に形成された配線パターン(111)とはんだ(120)を介して電気的および機械的に接続される表面実装型半導体パッケージと、配線基板(110)と、はんだ(120)と、を有し、表面実装型半導体パッケージがはんだを介して配線基板に電気的および機械的に接続された表面実装型半導体パッケージの実装構造であって、リードは、モールド樹脂における配線基板との対向面(31)から外部に露出しており、モールド樹脂の対向面に、はんだの厚さを確保するための突起部(40)が一体的に複数形成されており、対向面は、自身の幾何学的中心を含む中央領域(32)、および、中央領域を囲む環状の囲み領域(33)から成り、複数のリードが囲み領域に露出され、対向面の縁に沿う周方向に沿って並んでおり、複数の突起部は中央領域に形成されており、モールド樹脂の対向面は多角形状を成し、対向面を縁取る3つ以上の辺それぞれからリードが露出されており、複数の突起部の少なくとも1つは、対向面を縁取る辺の中央と対向面の幾何学的中心とを結ぶ線上に位置し、配線基板における表面実装型半導体パッケージが実装される実装面(110a)には、はんだを介してリードと電気的および機械的に接続される第1ランド(113)と、突起部の先端が接触される第2ランド(114)と、が形成されており、第1ランドと第2ランドとは同一の材料から成り、同一の厚さを有することを特徴とする。 In order to achieve the above-described object, the present invention covers the circuit board (10), the lead (20) electrically connected to the circuit board, the connection portion of the lead to the circuit board, and the circuit board. A portion of the lead exposed to the outside from the mold resin electrically and via the wiring pattern (111) and the solder (120) formed on the surface of the wiring substrate (110). A surface-mount semiconductor package that is mechanically connected , a wiring board (110), and a solder (120), and the surface-mount semiconductor package is electrically and mechanically connected to the wiring board via solder. the mounting structure of the surface mount type semiconductor package, leads are exposed to the outside from the surface facing the wiring board in the mold resin (31), Mall Plural protrusions (40) for ensuring the thickness of the solder are integrally formed on the opposing surface of the resin, and the opposing surface has a central region (32) including its own geometric center, and It is composed of an annular surrounding region (33) surrounding the central region, and a plurality of leads are exposed in the surrounding region, arranged along the circumferential direction along the edge of the opposing surface, and the plurality of protrusions are formed in the central region. And the opposing surface of the mold resin has a polygonal shape, and leads are exposed from each of the three or more sides that border the opposing surface, and at least one of the plurality of protrusions is a side that borders the opposing surface. Located on a line connecting the center and the geometric center of the opposing surface, the mounting surface (110a) on the wiring board on which the surface mounting type semiconductor package is mounted is electrically and mechanically connected to the lead via solder. The first land (113) A second land (114) the tip parts are contacted, is formed, and the first lands and the second lands made of the same material, characterized in that have the same thickness.
このように本発明によれば、はんだ(120)の厚さを確保するための突起部(40)がモールド樹脂(30)に一体的に形成されている。これによれば、モールド樹脂とは別体で突起部を有する構成とは異なり、部品点数の増加が抑制され、製造工程が簡素化される。さらに言えば、例えばリードの一部を突起部として活用する構成とは異なり、形状の異なる別種のリード(電気的接続に活用されるリードと突起部として活用されるリード)を用意しなくとも良くなり、部品点数の増加が抑制される。また、別種のリードのために、表面実装型半導体パッケージ(100)の体格が増大することが抑制される。 As described above, according to the present invention, the protrusion (40) for ensuring the thickness of the solder (120) is formed integrally with the mold resin (30). According to this, unlike the structure having the protrusions separately from the mold resin, an increase in the number of parts is suppressed and the manufacturing process is simplified. Furthermore, for example, unlike a configuration in which a part of a lead is used as a protrusion, it is not necessary to prepare different types of leads (lead used for electrical connection and lead used as a protrusion). Thus, an increase in the number of parts is suppressed. Further, the increase in the size of the surface mount semiconductor package (100) is suppressed due to the different types of leads.
なお、特許請求の範囲に記載の請求項、および、課題を解決するための手段それぞれに記載の要素に括弧付きで符号をつけているが、この括弧付きの符号は実施形態に記載の各構成要素との対応関係を簡易的に示すためのものであり、実施形態に記載の要素そのものを必ずしも示しているわけではない。括弧付きの符号の記載は、いたずらに特許請求の範囲を狭めるものではない。 In addition, although the elements described in the claims and the means for solving the problems are attached with parentheses, the parentheses are attached to each component described in the embodiment. This is to simply show the correspondence with the elements, and does not necessarily indicate the elements themselves described in the embodiments. The description of the reference numerals with parentheses does not unnecessarily narrow the scope of the claims.
以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
(第1実施形態)
図1および図2に基づいて、本実施形態に係る表面実装型半導体パッケージを説明する。図1では、表面実装型半導体パッケージ100の他にはんだ120と配線基板110を図示し、表面実装型半導体パッケージの実装構造を示している。図2では、構成要素を明りょうとするためにモールド樹脂30から外部に露出したリード20にハッチングを入れ、配線基板110との電気的な接続に有効で無いリード20を破線で示している。以下においては互いに直交の関係にある3方向を、x方向、y方向、z方向と示す。そしてx方向とy方向とによって規定される平面を規定平面と示す。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
(First embodiment)
Based on FIG. 1 and FIG. 2, the surface mount semiconductor package according to the present embodiment will be described. In FIG. 1, a
図1に示すように、表面実装型半導体パッケージ100は、回路基板10、リード20、および、モールド樹脂30を備える。回路基板10とリード20とが互いに電気的に接続され、モールド樹脂30によって回路基板10とリード20とが被覆されている。リード20における回路基板10との接続部位がモールド樹脂30によって被覆され、その一部がモールド樹脂30から外部に露出されている。このリード20におけるモールド樹脂30から外部に露出した部位が、配線基板110の実装面110aに形成された配線パターン111とはんだ120を介して電気的および機械的に接続される。これにより、表面実装型半導体パッケージ100が実装面110aに実装される。
As shown in FIG. 1, the surface
図1に示すように、配線基板110は、絶縁性の材料から成る基板112の表面および内部に配線パターン111が形成されて成る。配線基板110の実装面110aに形成された配線パターン111の端部に第1ランド113が形成されており、この第1ランド113とはんだ120を介して、配線パターン111と表面実装型半導体パッケージ100とが電気的および機械的に接続されている。
As shown in FIG. 1, the
回路基板10は、詳しくは図示しないが、半導体基板に電子素子が集積されたものである。回路基板10は、リード20と同一材料から成るランド21に搭載され、リード20とランド21それぞれとワイヤ11を介して電気的に接続されている。
Although not shown in detail, the
リード20は、モールド樹脂30の内部に設けられた回路基板10と外部装置とを電気的に接続するものである。図1に示すように、リード20における回路基板10との接続部位(ワイヤ11およびワイヤ11との接続部位)は、モールド樹脂30によって被覆保護されており、その一部が外部に露出されている。
The
モールド樹脂30は、回路基板10とともにリード20を被覆保護するものである。図1および図2に示すように、表面実装型半導体パッケージ100が配線基板110に実装された際、モールド樹脂30の一面が配線基板110と対向する。このモールド樹脂30における配線基板110との対向面31は多角形状を成し、対向面31を縁取る3つ以上の辺それぞれからリード20の一部が露出されている。本実施形態において対向面31は四角形状を成し、四角形状を形作る4辺それぞれから複数のリード20が露出されている。対向面31は、自身の幾何学的中心GCを含む中央領域32(図2において一点差線で囲まれた領域)、および、中央領域32を囲む環状の囲み領域33から成る。複数のリード20は囲み領域33から外部に露出されており、対向面31の縁に沿う周方向に沿って並んで配置されている。なお、中央領域32には後述する突起部40が形成されており、この中央領域32は、突起部40の形成された突起部形成領域と、突起部40の形成されていない非突起部形成領域とに分けられている。
The mold resin 30 covers and protects the
図1および図2に示すようにモールド樹脂30には、はんだ120の厚さを確保するための突起部40が一体的に複数形成されている。突起部40は溶融した樹脂を所定の金型に注入し、それを冷却固化することでモールド樹脂30とともに形成される。突起部40は柱状を成し、その先端部は半球を成している。突起部40の径はおよそ200〜500μm、高さはおよそ50μmとなっており、高さの精度はおよそ±1μmである。
As shown in FIGS. 1 and 2, a plurality of
本実施形態では3つの突起部41〜43が対向面31の中央領域32に形成されている。図2に破線で示すように、これら3つの突起部41〜43の先端を一筆書きに結ぶことで三角形が形作られている。また図1に示すようにモールド樹脂30と配線基板110とはz方向に並んでおり、この両者が並ぶz方向において表面実装型半導体パッケージ100の重心を貫く中心線CLが、3つの突起部41〜43によって形成される三角形を貫いている。本実施形態では3つの突起部41〜43の先端を結んで成る三角形は正三角形であり、この正三角形の幾何学的中心GCを中心線CLが貫いている。なお、突起部41〜43から成る正三角形の幾何学的中心GCと対向面31の幾何学的中心GCとは規定平面における位置が一致している。そのため、本実施形態では両者を特に区別せず、同一の符号によって示している。
In the present embodiment, three
以下においては、3つの突起部41〜43と配線パターン111との対応関係を説明するが、その説明を簡明とするために、配線基板110の実装面110aにおける中央領域32との対向領域に形成された配線パターン111を第1配線パターン111a、囲み領域33との対向領域に形成された配線パターン111を第2配線パターン111bと示す。第2配線パターン111bは囲み領域33から外部に露出されたリード20と同一の形状を成すが、第1配線パターン111aの形状は、突起部40の配置に応じて決定される。なお、図には上記した符号111a,111bを図示していない。
In the following, the correspondence relationship between the three
図2に示すように、3つの突起部41〜43が中央領域32に形成されており、紙面上方に位置する第1突起部41の形成された領域(突起部形成領域)と囲み領域33とが隣接し、両者の間に非突起部形成領域が存在していない。したがって、この第1突起部41とy方向において隣接するリード20(図2において破線で示すリード20)に対応する第2配線パターン111bと第1配線パターン111aとを電気的に接続するには、配線基板110における突起部形成領域とz方向で対向する領域に第1配線パターン111aを形成しなくてはならない。しかしながら突起部形成領域に対向する領域に第1配線パターン111aを形成した場合、冷熱サイクルによる熱膨張収縮によって生じる熱応力が第1配線パターン111aに印加される虞がある。そのため、第1突起部41と隣接するリード20は第1配線パターン111aと直接接続されていない。上記したリード20(第2配線パターン111b)は、配線基板110の内部に形成された配線パターン111を介して第1配線パターン111aと電気的に接続される。なお図2に示すように、第1突起部41は他の突起部42,43とは異なり、対向面31を構成する四辺のうちのひとつの辺の中央部と対向面31の幾何学的中心GCとを結ぶ線上に位置している。
As shown in FIG. 2, three
上記した第1突起部41の配置に対して、紙面左方に位置する第2突起部42および紙面右方に位置する第3突起部43の形成された突起部形成領域それぞれと囲み領域33とは規定平面において所定距離離れており、両者の間に非突起部形成領域が存在している。図1に示すように、配線基板110における両者の間に位置する非突起部形成領域との対向領域に、第1配線パターン111aを形成するための領域が形成されている。詳しくは図示しないが、この領域に形成された第1配線パターン111aは、リード20と電気的に接続された第2配線パターン111bと、突起部40との接触領域よりも中央に位置する第1配線パターン111aとを接続するべく、突起部40との接触領域を迂回するように設計されている。以上示したように、本実施形態では実装面110aにおける突起部形成領域と対向する領域(突起部40の先端が接触する領域)に第1配線パターン111aは形成されていない。なお突起部42,43それぞれが形成された突起部形成領域それぞれと囲み領域33とは所定距離離れていると示したが、両者の間の間隔は、およそ1〜2mmである。
With respect to the arrangement of the
次に、本実施形態に係る表面実装型半導体パッケージ100の作用効果を説明する。上記したように、はんだ120の厚さを確保するための突起部40がモールド樹脂30に一体的に形成されている。これによれば、モールド樹脂とは別体で突起部を有する構成とは異なり、部品点数の増加が抑制され、製造工程が簡素化される。さらに言えば、例えばリードの一部を突起部として活用する構成とは異なり、形状の異なる別種のリード(電気的接続に活用されるリードと突起部として活用されるリード)を用意しなくとも良くなり、部品点数の増加が抑制される。また、別種のリードのために、表面実装型半導体パッケージ100の体格が増大することが抑制される。
Next, functions and effects of the surface
中心線CLが、3つの突起部40によって形成される三角形を貫いている。これによれば、中心線CLが三角形を貫かない構成と比べて、表面実装型半導体パッケージ100を配線基板110に安定して搭載することができる。
The center line CL passes through the triangle formed by the three
本実施形態では、3つの突起部40の先端を結んで成る三角形の幾何学的中心GCを中心線CLが貫いている。これによれば、三角形の幾何学的中心GCと表面実装型半導体パッケージ100の重心とがz方向に並ぶので、3つの突起部40による表面実装型半導体パッケージ100の配線基板110への搭載が安定化される。
In the present embodiment, the center line CL passes through the triangular geometric center GC formed by connecting the tips of the three
突起部42,43の形成された突起部形成領域それぞれと囲み領域33とは所定距離離れており、両者の間に非突起部形成領域が存在している。そして配線基板110におけるこの非突起部形成領域との対向領域に、第1配線パターン111aを形成するための領域が形成されている。
Each of the projecting portion forming regions where the projecting
これによれば、突起部形成領域と囲み領域の間に非突起部形成領域が存在しない構成とは異なり、配線基板110における突起部40との接触領域に第1配線パターン111aを形成しなくとも、第2配線パターン111bと第1配線パターン111aとを電気的に接続することができる。これにより、冷熱サイクルによる突起部40の膨張収縮に起因する熱応力の第1配線パターン111aへの印加が抑制され、第1配線パターン111aの断線が抑制される。
According to this, unlike the configuration in which there is no non-projection formation region between the projection formation region and the surrounding region, the first wiring pattern 111a is not formed in the contact region with the
第1突起部41の形成された突起部形成領域と囲み領域33とが隣接し、両者の間に非突起部形成領域が存在していない。このように、第1突起部41は突起部42,43それぞれよりもモールド樹脂30の対向面31の中心から離れている。換言すれば、第1突起部41は対向面31の隅部に近くなっている。冷熱サイクルによる熱膨張によって最も大きく変化するのは対向面31の隅部である。したがって、表面実装型半導体パッケージ100を配線基板110に支持する突起部41が隅部から離れると、その距離に応じて、熱膨張収縮による隅部と配線基板110との離間距離および近接距離が大きくなる。そこで、上記したように第1突起部41を対向面31の中心から遠ざける。換言すれば第1突起部41を隅部に近づける。こうすることで、隅部が熱膨張収縮して変化したとしても、それを第1突起部41によって吸収することができる。これにより隅部の膨張収縮に起因する応力のはんだ120への印加が抑制され、表面実装型半導体パッケージ100と配線基板110との電気的な接続信頼性の低下が抑制される。
The projecting portion forming region where the first projecting
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。 The preferred embodiments of the present invention have been described above. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
本実施形態では対向面31が四角形状を成す例を示した。しかしながら対向面31の形状としては多角形状であれば良く、上記例に限定されない。
In the present embodiment, an example in which the facing
本実施形態では紙面上方に位置する第1突起部41が囲み領域33と隣接し、紙面左方に位置する第2突起部42および紙面右方に位置する第3突起部43の形成された突起部形成領域それぞれと囲み領域33とは規定平面において所定距離離れている例を示した。しかしながら図3〜図6に示すように、突起部40の数は上記例に限定されず、その形成位置も上記例に限定されない。表面実装型半導体パッケージ100を配線基板110に安定して支持するのであれば、突起部40の数としては2つでもよく、複数であれば良い。例えば図5および図6に示すように、4つの突起部40がモールド樹脂30に形成された構成を採用することができる。
In the present embodiment, the
本実施形態では3つの突起部41〜43の先端を一筆書きに結ぶことで正三角形が形作られている例を示した。しかしながら図3および図4に示すように、3つの突起部41〜43の先端を一筆書きに結ぶことで成る三角形としては正三角形だけではなく、例えば二等辺三角形を採用することもできる。また図5および図6に示すように、4つの突起部41〜44の先端を一筆書きに結ぶことで正方形および長方形を採用することもできる。
In the present embodiment, an example in which an equilateral triangle is formed by connecting the tips of the three
図3に示す構成では、突起部42,43それぞれが、対向面31を縁取る4つの辺が成す2つの隅部と幾何学的中心GCとを結ぶ線上に位置する。図4に示す構成では、突起部41〜44それぞれが、対向面31を縁取る4つの辺の中央部と幾何学的中心GCとを結ぶ線上に位置する。そして図5に示す構成では、突起部41〜44それぞれが、対向面31を縁取る4つの辺が成す4つの隅部それぞれと幾何学的中心GCとを結ぶ線上に位置する。
In the configuration shown in FIG. 3, each of the
上記したように、冷熱サイクルによる熱膨張によって最も大きく変化するのは対向面31の隅部である。したがって、表面実装型半導体パッケージ100を配線基板110に支持する突起部41〜43が隅部から離れると、その距離に応じて、熱膨張収縮による隅部と配線基板110との離間距離および近接距離が大きくなる。そこで、図3および図4に示すように、突起部42,43を対向面31の中心から最も遠くに遠ざける。また、図6に示すように、突起部41〜44それぞれを対向面31の中心から最も遠くに遠ざける。換言すれば、図3および図4に示す構成では突起部42,43を隅部に最も近くに近づけ、図6に示す構成では突起部41〜44を隅部に最も近くに近づける。こうすることで、隅部が熱膨張収縮して変化したとしても、それを突起部42,43、若しくは、突起部41〜44によって吸収することができる。これにより隅部の膨張収縮に起因する応力のはんだ120への印加が抑制され、表面実装型半導体パッケージ100と配線基板110との電気的な接続信頼性の低下が抑制される。なお、図3、図4、および、図6に破線で示すように、隅部の最も近くに突起部40を形成した場合、隅部に位置する第2配線パターン111bを第1配線パターン111aに直接接続することがかなわなくなる。しかしながら図5に示す構成の場合、中央部に位置する第2配線パターン111bを第1配線パターン111aに直接接続することはかなわなくなるものの、図3、図4、および、図6に示す構成と比べて、その数が少なくなる。したがって、配線パターン111の設計の制約が小さくなる。
As described above, it is the corner portion of the facing
本実施形態では3つの突起部41〜43の先端を一筆書きに結ぶことで成る正三角形の幾何学的中心GCを中心線CLが貫いている例を示した。しかしながら、図3に示すように、幾何学的中心GC、突起部41〜43の先端を一筆書きに結んで成る三角形と中心線CLとが交差する交差点CP、および、第1突起部41の先端が、規定平面に沿う一方向において並んでいる構成を採用することもできる。これによれば、幾何学的中心GC、交差点CP、および、第1突起部41の先端が一方向において並んでいない構成と比べて、複数の突起部41〜43による表面実装型半導体パッケージ100の配線基板110への搭載が安定化される。さらに一般的に言えば、3つ以上の突起部40がモールド樹脂30に形成される場合、3つ以上の突起部40の先端を一筆書きに結んで成る多角形を中心線CLがただ貫いている構成を採用することもできる。この一般的な構成において、幾何学的中心GCを中心線CLが貫いていてもよいし、幾何学的中心GC、交差点CP、および、3つ以上の突起部40の先端の少なくとも1つが、規定平面に沿う一方向において並ぶ構成を採用することができる。
In the present embodiment, an example is shown in which the center line CL penetrates the geometric center GC of an equilateral triangle formed by connecting the tips of the three
なお、回路基板10の発熱量が多い場合、図4および図5に示すように、モールド樹脂30にヒートシンク50が設けられた構成を採用することができる。ヒートシンク50の設置場所としては特に限定されないが、例えば図4および図5に示すように、対向面31に設けられ、その一部が露出された構成を採用することができる。この構成の場合、モールド樹脂30から露出されたヒートシンク50のz方向の厚さは、突起部40のz方向の長さよりも短くなっている。このため、ヒートシンク50と配線基板110との間に隙間が形成されている。
When the
本実施形態では配線基板110の実装面110aに第1ランド113が形成された例を示した。しかしながら図7に示すように、第1ランド113の他に、電気的な接続に寄与しない第2ランド114が実装面110aに形成された構成を採用することもできる。第1ランド113は、はんだ120を介してリード20と電気的および機械的に接続されるが、第2ランド114は、突起部40の先端が接触される。第1ランド113と第2ランド114とは同一の材料から成り、同一の厚さを有する。これによれば、第1ランド113の製造誤差によって、モールド樹脂30の対向面31と配線基板110の実装面110aとの間の距離が変動することが抑制される。換言すれば、はんだ120の厚さがばらつくことが抑制される。これにより、はんだ120に局所的に薄い箇所が形成されることが抑制され、表面実装型半導体パッケージ100と配線基板110との電気的な接続信頼性が低下することが抑制される。
In the present embodiment, an example in which the
10・・・回路基板
20・・・リード
30・・・モールド樹脂
31・・・対向面
40・・・突起部
100・・・表面実装型半導体パッケージ
110・・・配線基板
111・・・配線パターン
120・・・はんだ
DESCRIPTION OF
Claims (9)
前記回路基板と電気的に接続されたリード(20)と、
前記リードにおける前記回路基板との接続部位および前記回路基板それぞれを被覆するモールド樹脂(30)と、を備え、
前記リードにおける前記モールド樹脂から外部に露出された部位が、配線基板(110)の表面に形成された配線パターン(111)とはんだ(120)を介して電気的および機械的に接続される表面実装型半導体パッケージと、
配線基板(110)と、
はんだ(120)と、を有し、前記表面実装型半導体パッケージが前記はんだを介して前記配線基板に電気的および機械的に接続された表面実装型半導体パッケージの実装構造であって、
前記リードは、前記モールド樹脂における前記配線基板との対向面(31)から外部に露出しており、
前記モールド樹脂の対向面に、前記はんだの厚さを確保するための突起部(40)が一体的に複数形成されており、
前記対向面は、自身の幾何学的中心を含む中央領域(32)、および、前記中央領域を囲む環状の囲み領域(33)から成り、
複数の前記リードが前記囲み領域に露出され、前記対向面の縁に沿う周方向に沿って並んでおり、
複数の前記突起部は前記中央領域に形成されており、
前記モールド樹脂の対向面は多角形状を成し、
前記対向面を縁取る3つ以上の辺それぞれから前記リードが露出されており、
複数の前記突起部の少なくとも1つは、前記対向面を縁取る辺の中央と前記対向面の幾何学的中心とを結ぶ線上に位置し、
前記配線基板における前記表面実装型半導体パッケージが実装される実装面(110a)には、前記はんだを介して前記リードと電気的および機械的に接続される第1ランド(113)と、前記突起部の先端が接触される第2ランド(114)と、が形成されており、
前記第1ランドと前記第2ランドとは同一の材料から成り、同一の厚さを有することを特徴とする表面実装型半導体パッケージの実装構造。 A circuit board (10);
A lead (20) electrically connected to the circuit board;
A connecting portion of the lead to the circuit board and a mold resin (30) covering each of the circuit boards;
Surface mounting in which the portion of the lead exposed to the outside from the mold resin is electrically and mechanically connected to the wiring pattern (111) formed on the surface of the wiring substrate (110) via solder (120) Type semiconductor package ,
A wiring board (110);
A mounting structure of a surface-mounting semiconductor package, wherein the surface-mounting semiconductor package is electrically and mechanically connected to the wiring board via the solder,
The lead is exposed to the outside from the surface (31) facing the wiring board in the mold resin,
A plurality of protrusions (40) for ensuring the thickness of the solder are integrally formed on the facing surface of the mold resin,
The opposing surface comprises a central region (32) including its own geometric center and an annular surrounding region (33) surrounding the central region,
A plurality of the leads are exposed in the enclosed region, and are arranged along a circumferential direction along an edge of the facing surface;
The plurality of protrusions are formed in the central region,
The facing surface of the mold resin has a polygonal shape,
The leads are exposed from each of three or more sides that border the opposing surface;
At least one of the plurality of protrusions is located on a line connecting a center of a side bordering the facing surface and a geometric center of the facing surface ;
On the mounting surface (110a) on which the surface-mount type semiconductor package is mounted on the wiring board, a first land (113) electrically and mechanically connected to the lead via the solder, and the protrusion A second land (114) with which the tip of the
Mounting structure of said first lands and the second lands made of the same material, a surface mount type semiconductor package characterized by have the same thickness.
前記回路基板と電気的に接続されたリード(20)と、
前記リードにおける前記回路基板との接続部位および前記回路基板それぞれを被覆するモールド樹脂(30)と、を備え、
前記リードにおける前記モールド樹脂から外部に露出された部位が、配線基板(110)の表面に形成された配線パターン(111)とはんだ(120)を介して電気的および機械的に接続され、
前記リードは、前記モールド樹脂における前記配線基板との対向面(31)から外部に露出しており、
前記モールド樹脂の対向面に、前記はんだの厚さを確保するための突起部(40)が一体的に複数形成された表面実装型半導体パッケージと、
前記配線基板(110)と、
前記はんだ(120)と、を有し、前記表面実装型半導体パッケージが前記はんだを介して前記配線基板に電気的および機械的に接続された表面実装型半導体パッケージの実装構造であって、
前記配線基板における前記表面実装型半導体パッケージが実装される実装面(110a)には、前記はんだを介して前記リードと電気的および機械的に接続される第1ランド(113)と、前記突起部の先端が接触される第2ランド(114)と、が形成されており、
前記第1ランドと前記第2ランドとは同一の材料から成り、同一の厚さを有することを特徴とする表面実装型半導体パッケージの実装構造。 A circuit board (10);
A lead (20) electrically connected to the circuit board;
A connecting portion of the lead to the circuit board and a mold resin (30) covering each of the circuit boards;
The part exposed to the outside from the mold resin in the lead is electrically and mechanically connected via the wiring pattern (111) formed on the surface of the wiring substrate (110) and the solder (120),
The lead is exposed to the outside from the surface (31) facing the wiring board in the mold resin,
A surface-mounting type semiconductor package in which a plurality of protrusions (40) for securing the thickness of the solder are integrally formed on the opposing surface of the mold resin;
The wiring board (110);
A mounting structure of a surface-mounting semiconductor package, wherein the surface-mounting semiconductor package is electrically and mechanically connected to the wiring board via the solder,
On the mounting surface (110a) on which the surface-mount type semiconductor package is mounted on the wiring board, a first land (113) electrically and mechanically connected to the lead via the solder, and the protrusion A second land (114) with which the tip of the
Mounting structure of said first lands and the second lands made of the same material, you characterized as having the same thickness surface mount type semiconductor package.
複数の前記リードが前記囲み領域に露出され、前記対向面の縁に沿う周方向に沿って並んでおり、
複数の前記突起部は前記中央領域に形成されていることを特徴とする請求項2に記載の表面実装型半導体パッケージの実装構造。 The opposing surface comprises a central region (32) including its own geometric center and an annular surrounding region (33) surrounding the central region,
A plurality of the leads are exposed in the enclosed region, and are arranged along a circumferential direction along an edge of the facing surface;
The mounting structure for a surface-mounted semiconductor package according to claim 2, wherein the plurality of protrusions are formed in the central region .
複数の前記突起部形成領域の少なくとも1つと前記囲み領域との間に前記非突起部形成領域の一部が位置し、
前記配線基板における前記突起部形成領域と前記囲み領域との間に位置する非突起部形成領域との対向領域に、前記配線パターンを形成するための領域が形成されていることを特徴とする請求項1又は3又は4に記載の表面実装型半導体パッケージの実装構造。 The central region is divided into a projecting portion forming region where the projecting portion is formed and a non-projecting portion forming region where the projecting portion is not formed,
A part of the non-projection part formation region is located between at least one of the plurality of projection part formation regions and the surrounding region,
A region for forming the wiring pattern is formed in a region opposite to the non-projection part formation region located between the projection part formation region and the surrounding region in the wiring board. Item 5. The mounting structure of the surface-mounting type semiconductor package according to Item 1, 3 or 4 .
前記対向面を縁取る3つ以上の辺それぞれから前記リードが露出されており、
複数の前記突起部の少なくとも1つは、前記対向面を縁取る3つ以上の辺が成す隅と前記対向面の幾何学的中心とを結ぶ線上に位置することを特徴とする請求項1、3〜5のいずれか1項に記載の表面実装型半導体パッケージの実装構造。 The facing surface of the mold resin has a polygonal shape,
The leads are exposed from each of three or more sides that border the opposing surface;
The at least one of the plurality of protrusions is located on a line connecting a corner formed by three or more sides bordering the facing surface and a geometric center of the facing surface . mounting structure of a surface mounting type semiconductor package according to any one of 3-5.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013122062A JP6136605B2 (en) | 2013-06-10 | 2013-06-10 | Mounting structure of surface mount semiconductor package |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013122062A JP6136605B2 (en) | 2013-06-10 | 2013-06-10 | Mounting structure of surface mount semiconductor package |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014239196A JP2014239196A (en) | 2014-12-18 |
JP6136605B2 true JP6136605B2 (en) | 2017-05-31 |
Family
ID=52136109
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013122062A Active JP6136605B2 (en) | 2013-06-10 | 2013-06-10 | Mounting structure of surface mount semiconductor package |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6136605B2 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7144245B2 (en) * | 2018-08-31 | 2022-09-29 | 日本航空電子工業株式会社 | soldering parts |
WO2024089948A1 (en) * | 2022-10-28 | 2024-05-02 | 株式会社村田製作所 | Electronic component and electronic component mounting structure |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004221281A (en) * | 2003-01-14 | 2004-08-05 | Matsushita Electric Works Ltd | Printed wiring board |
JP2005026518A (en) * | 2003-07-03 | 2005-01-27 | Toshiba Corp | Semiconductor device, method for mounting the same and electronic circuit device |
JP2013008891A (en) * | 2011-06-27 | 2013-01-10 | Renesas Electronics Corp | Semiconductor device, semiconductor package, and manufacturing method of semiconductor device |
-
2013
- 2013-06-10 JP JP2013122062A patent/JP6136605B2/en active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014239196A (en) | 2014-12-18 |
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