JP6134312B2 - Downconverter control circuit and vehicle lamp - Google Patents
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Description
本発明は、光源を制御する光源制御装置に関する。 The present invention relates to a light source control device that controls a light source.
近年、前照灯などの車両用灯具に、従来のフィラメントを有するハロゲンランプに代えてより長寿命で低消費電力のLED(Light Emitting Diode)などの半導体光源が利用されている。LEDの発光の度合いすなわち明るさはLEDに流す電流の大きさに依存するので、LEDを光源として利用する場合にはLEDに流れる電流を調節するための点灯回路が必要となる。 2. Description of the Related Art In recent years, semiconductor light sources such as LEDs (Light Emitting Diodes) that have a longer life and lower power consumption have been used in vehicular lamps such as headlamps in place of conventional halogen lamps having filaments. Since the degree of light emission, that is, the brightness of the LED depends on the magnitude of the current flowing through the LED, a lighting circuit for adjusting the current flowing through the LED is required when the LED is used as a light source.
本出願人は、前照灯の配光を可変とし、きめの細かい配光制御を行うために、光源としてLEDのアレイを採用し、各LEDを個別に点消灯する技術を特許文献1において提案している。特許文献1に記載の点灯回路では、各LEDに並列にバイパススイッチが設けられ、そのバイパススイッチのオンオフによりLEDの個別点灯・消灯が実現されている。
The present applicant proposes a technique in
しかしながら、特許文献1に記載のバイパス方式では、各バイパススイッチのオンオフ切り替えの際に負荷の変動が生じる。LEDに供給すべき電流を生成する駆動回路の応答速度によっては、負荷の変動に伴い電流が狙いの値から外れる可能性がある。
However, in the bypass method described in
このような課題はバイパス方式に限らず、負荷が変動しうる任意の光源制御装置について生じうる。 Such a problem is not limited to the bypass method, and may occur for any light source control device whose load may vary.
本発明はこうした状況に鑑みてなされたものであり、その目的は、負荷の変動に対する応答性がより良い光源制御装置の提供にある。 The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a light source control device with better response to load fluctuations.
本発明のある態様は、光源制御装置に関する。この光源制御装置は、入力電圧を目標電圧に変換するスイッチングレギュレータと、スイッチングレギュレータの出力キャパシタと並列に接続されたフライホイールダイオードと、出力キャパシタの一端から駆動対象の光源に至り、光源から出力キャパシタの他端に戻る電流の経路上に設けられたスイッチング素子であって出力キャパシタとフライホイールダイオードとの間に設けられたスイッチング素子と、経路上に設けられ、フライホイールダイオードと光源との間に設けられたインダクタと、を備える。 One embodiment of the present invention relates to a light source control device. This light source control device includes a switching regulator that converts an input voltage into a target voltage, a flywheel diode that is connected in parallel with an output capacitor of the switching regulator, a light source to be driven from one end of the output capacitor, and a light source to an output capacitor. A switching element provided on the path of the current returning to the other end of the switch, provided between the output capacitor and the flywheel diode, and provided between the flywheel diode and the light source. And an inductor provided.
この態様によると、駆動対象の光源を流れる電流はインダクタを通る。 According to this aspect, the current flowing through the light source to be driven passes through the inductor.
なお、以上の構成要素の任意の組み合わせや、本発明の構成要素や表現を装置、方法、システムなどの間で相互に置換したものもまた、本発明の態様として有効である。 It should be noted that any combination of the above-described constituent elements and those obtained by replacing the constituent elements and expressions of the present invention with each other among apparatuses, methods, systems, etc. are also effective as an aspect of the present invention.
本発明によれば、負荷の変動に対する光源制御装置の応答性を改善できる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the responsiveness of the light source control apparatus with respect to the fluctuation | variation of load can be improved.
以下、各図面に示される同一または同等の構成要素、部材、信号には、同一の符号を付するものとし、適宜重複した説明は省略する。また、各図面において説明上重要ではない部材の一部は省略して表示する。また、電圧、電流あるいは抵抗などに付された符号は、必要に応じてそれぞれの電圧値、電流値あるいは抵抗値を表すものとして用いることがある。 Hereinafter, the same or equivalent components, members, and signals shown in the respective drawings are denoted by the same reference numerals, and repeated description thereof will be omitted as appropriate. In addition, in the drawings, some of the members that are not important for explanation are omitted. Moreover, the code | symbol attached | subjected to the voltage, electric current, or resistance may be used as what represents each voltage value, electric current value, or resistance value as needed.
本明細書において、「部材Aが、部材Bと接続された状態」とは、部材Aと部材Bが物理的に直接的に接続される場合のほか、部材Aと部材Bが、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。同様に、「部材Cが、部材Aと部材Bの間に設けられた状態」とは、部材Aと部材C、あるいは部材Bと部材Cが直接的に接続される場合のほか、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。 In this specification, “the state in which the member A is connected to the member B” means that the member A and the member B are electrically connected in addition to the case where the member A and the member B are physically directly connected. It includes the case of being indirectly connected through another member that does not affect the connection state. Similarly, “the state in which the member C is provided between the member A and the member B” refers to the case where the member A and the member C or the member B and the member C are directly connected, as well as an electrical condition. It includes the case of being indirectly connected through another member that does not affect the connection state.
実施の形態に係る半導体光源制御装置は車載バッテリなどの直流電源から直流の入力電圧を受け、それをスイッチングレギュレータを使用して直流の目標電圧にDC/DC変換する。この目標電圧は、予め設定された設定電圧の付近で略一定となり、入力電圧に比較的依存しない。半導体光源制御装置は、このように略一定の目標電圧をダウンコンバートすることにより、駆動対象の複数のLEDに印加する駆動電圧および複数のLEDに流す駆動電流を生成する。ダウンコンバータは出力キャパシタを有さず、代わりに駆動電流のヒステリシス制御が行われる。これにより、LEDのオンオフを個別に切り替えたときでも、出力キャパシタの充放電に起因する駆動電流の望まれない変化を抑制することができる。特に、LEDのオンオフの個別切り替え時、スイッチングレギュレータの出力キャパシタに起因する駆動電流の変化は後段のダウンコンバータのインダクタによって平滑化される。 The semiconductor light source control device according to the embodiment receives a DC input voltage from a DC power source such as an in-vehicle battery, and DC / DC converts it to a DC target voltage using a switching regulator. This target voltage becomes substantially constant in the vicinity of a preset set voltage and is relatively independent of the input voltage. The semiconductor light source control device generates a drive voltage to be applied to a plurality of LEDs to be driven and a drive current to be passed to the plurality of LEDs by down-converting a substantially constant target voltage in this way. The down converter does not have an output capacitor, and instead, hysteresis control of the drive current is performed. Thereby, even when the on / off of the LEDs is individually switched, it is possible to suppress an undesired change in the drive current due to charging / discharging of the output capacitor. In particular, when the LEDs are individually switched on and off, changes in the drive current caused by the output capacitor of the switching regulator are smoothed by the inductor of the downstream down converter.
図1は、実施の形態に係る半導体光源制御装置100およびそれに接続される部材の構成を示す回路図である。半導体光源制御装置100は、直列に接続された複数(N個)の車載用のLED2−1〜2−Nに駆動電流Ioutを供給し、それらを点灯させる。Nは2以上の自然数である。半導体光源制御装置100および複数のLED2−1〜2−Nは、ヘッドライトなどの車両用灯具に搭載される。半導体光源制御装置100は、車載バッテリ6、電源スイッチ8と接続される。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a semiconductor light
車載バッテリ6は、12V(もしくは24V)の直流のバッテリ電圧(電源電圧)Vbatを発生する。電源スイッチ8は複数のLED2−1〜2−N全体のオン、オフを制御するために設けられたリレースイッチであり、車載バッテリ6と直列に設けられる。電源スイッチ8がオンとなると、車載バッテリ6の正極端子からバッテリ電圧Vbatが入力電圧として半導体光源制御装置100に供給される。車載バッテリ6の負極端子は固定電圧端子と接続される、すなわち接地される。
The in-vehicle battery 6 generates a DC battery voltage (power supply voltage) Vbat of 12V (or 24V). The power switch 8 is a relay switch provided to control the entire on / off of the plurality of LEDs 2-1 to 2 -N, and is provided in series with the in-vehicle battery 6. When the power switch 8 is turned on, the battery voltage Vbat is supplied from the positive terminal of the in-vehicle battery 6 to the semiconductor light
半導体光源制御装置100は、スイッチングレギュレータすなわちフライバックレギュレータ102と、ダウンコンバータ104と、制御回路106と、電流検出抵抗108と、複数のバイパススイッチ110−1〜110−Nと、バイパス駆動回路112と、を備える。制御回路106はフライバックレギュレータ102およびダウンコンバータ104を制御し、フライバック駆動回路134と、ダウンコンバータ駆動回路136と、ヒステリシス幅設定回路138と、を含む。
The semiconductor light
フライバックレギュレータ102は電圧レギュレータであり、入力されるバッテリ電圧Vbatを目標電圧Vtに変換して出力する。フライバックレギュレータ102の高電位側の出力端子は接地側となるので、目標電圧Vtはフライバックレギュレータ102の低電位側の出力端子に印加される電圧であり、負極性を有する。フライバックレギュレータ102は、入力キャパシタ114と、第1スイッチング素子116と、入力トランス124と、出力ダイオード126と、出力キャパシタ128と、電圧検出ダイオード130と、電圧検出キャパシタ132と、を含む。
The
入力キャパシタ114は、車載バッテリ6と並列に設けられ、バッテリ電圧Vbatを平滑化する。より具体的には、入力キャパシタ114は入力トランス124の近傍に設けられており、フライバックレギュレータ102のスイッチング動作に対する電圧平滑化の機能を果たす。
The
入力トランス124の一次巻き線118および第1スイッチング素子116は直列に接続され、その直列回路は車載バッテリ6に対して入力キャパシタ114と並列に接続される。例えば第1スイッチング素子116はNチャンネルMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)で構成される。入力トランス124の二次巻き線120の一端は出力キャパシタ128の一端と接続され、二次巻き線120の他端は出力ダイオード126のアノードと接続される。出力キャパシタ128の他端は出力ダイオード126のカソードと接続される。出力キャパシタ128の一端はフライバックレギュレータ102の低電位側の出力端子と接続され、目標電圧Vtが印加される。出力キャパシタ128の他端はフライバックレギュレータ102の高電位側の出力端子と接続される。
The
第1スイッチング素子116の制御端子(ゲート)には、フライバック駆動回路134によって生成される矩形波状の前段制御信号S1が印加される。第1スイッチング素子116は、前段制御信号S1がアサートされるときすなわちハイレベルのときオンし、ネゲートされるすなわちローレベルのときオフする。
To the control terminal (gate) of the
入力トランス124の電圧検出用巻き線122、電圧検出ダイオード130および電圧検出キャパシタ132は、目標電圧Vtの大きさを正極性の電圧として検出するための正極電圧検出回路を構成する。電圧検出用巻き線122の一端は接地され、他端は電圧検出ダイオード130のアノードと接続される。電圧検出ダイオード130のカソードは電圧検出キャパシタ132の一端と接続される。電圧検出キャパシタ132の他端は接地される。電圧検出キャパシタ132の一端には目標電圧Vtの絶対値に応じた正の電圧が印加される。この電圧は検出電圧Vdとしてフライバック駆動回路134に供給される。
The voltage detection winding 122, the
フライバック駆動回路134は検出電圧Vdに基づき、目標電圧Vtを略一定に保つための電圧フィードバック制御を行う。フライバック駆動回路134は、目標電圧Vtが例えば−100V程度の設定電圧に近づくよう前段制御信号S1の周波数やデューティ比を調整する。
The
ダウンコンバータ104はフライバックレギュレータ102の後段に設けられ、第2スイッチング素子140と、フライホイールダイオード142と、インダクタ144と、を含むが、出力電圧平滑用のキャパシタは含まない。
The down
第2スイッチング素子140は例えばNチャンネルMOSFETで構成される。第2スイッチング素子140の制御端子には、ダウンコンバータ駆動回路136によって生成される矩形波状の後段制御信号S2が印加される。第2スイッチング素子140は、後段制御信号S2がハイレベルのときオン、ローレベルのときオフする。第2スイッチング素子140のドレインは、出力キャパシタ128の高電位側すなわちフライバックレギュレータ102の高電位側の出力端子と接続される。第2スイッチング素子140のソースはフライホイールダイオード142のカソードと接続される。
The
フライホイールダイオード142のアノードはインダクタ144の一端と接続される。フライホイールダイオード142のアノードとインダクタ144の一端との接続ノードは、出力キャパシタ128の低電位側すなわちフライバックレギュレータ102の低電位側の出力端子と接続される。インダクタ144の他端は、複数のLED2−1〜2−Nのカソード側と接続される。
The anode of the
電流検出抵抗108は、駆動電流Ioutの経路上に設けられる。電流検出抵抗108の一端は、第2スイッチング素子140のソースとフライホイールダイオード142のカソードとの接続ノードと接続される。電流検出抵抗108の他端は接地されると共に複数のLED2−1〜2−Nのアノード側と接続される。電流検出抵抗108には駆動電流Ioutに比例する電圧降下Vmが発生する。
The
複数のLED2−1〜2−Nのアノード側は接地されるので、複数のLED2−1〜2−Nのカソード側すなわちインダクタ144の他端には負極性の駆動電圧Voutが印加される。通常点灯時、駆動電圧Voutは、発光状態となっている(=対応するバイパススイッチがオフとなっている)LEDの数×LED1つの順方向降下電圧に相当する大きさの負の電圧となる。
Since the anode sides of the plurality of LEDs 2-1 to 2-N are grounded, the negative drive voltage Vout is applied to the cathode side of the plurality of LEDs 2-1 to 2-N, that is, the other end of the
ダウンコンバータ駆動回路136は電圧降下Vmに基づき、駆動電流Ioutを所定の電流範囲内に保つための電流フィードバック制御を行う。ダウンコンバータ駆動回路136は、駆動電流Ioutの大きさが所定の電流上限値Ith1を上回ると第2スイッチング素子140をオフし、駆動電流Ioutの大きさが電流上限値Ith1よりも小さい電流下限値Ith2を下回ると第2スイッチング素子140をオンする。ダウンコンバータ駆動回路136は、駆動電流Ioutの大きさが電流上限値Ith1を上回ると後段制御信号S2をローレベルとし、駆動電流Ioutの大きさが電流下限値Ith2を下回ると後段制御信号S2をハイレベルとする。
The down
半導体光源制御装置100は複数のLED2−1〜2−Nの点灯・消灯を個別に制御できるよう構成されている。複数のバイパススイッチ110−1〜110−Nのそれぞれは対応するLEDと並列に接続され、例えばNチャンネルMOSFETで構成される。バイパス駆動回路112は、各バイパススイッチ110−1〜110−Nの制御端子に制御信号を供給する。バイパス駆動回路112は、所望の輝度や配光パターンが得られるよう、各制御信号のレベルを個別に制御する。
The semiconductor light
ヒステリシス幅設定回路138は駆動電圧Voutに基づいて、電流上限値Ith1と電流下限値Ith2との差であるヒステリシス幅ΔIを設定する。ヒステリシス幅設定回路138は、駆動電圧Voutの絶対値が目標電圧Vtの絶対値よりも小さい電圧しきい値Vthを下回る場合は、駆動電圧Voutの絶対値が大きくなるほどヒステリシス幅ΔIを大きくし、駆動電圧Voutの絶対値が電圧しきい値Vthを上回る場合は、駆動電圧Voutの絶対値が大きくなるほどヒステリシス幅ΔIを小さくする。
The hysteresis
図2は、ヒステリシス幅設定回路138の構成を示す回路図である。ヒステリシス幅設定回路138は、第1演算増幅器146と、第1ダイオード148と、第1抵抗150と、第2抵抗152と、第3抵抗154と、第4抵抗156と、第5抵抗158と、基準電圧源160と、を有する。第3抵抗154の一端には制御電源電圧Vccが印加される。第3抵抗154の他端は、第2抵抗152の一端、第5抵抗158の一端および第4抵抗156の一端と接続される。第4抵抗156の他端は接地される。第5抵抗158の他端には駆動電圧Voutが印加される。第2抵抗152の他端は第1演算増幅器146の反転入力端子と接続される。第1演算増幅器146の反転入力端子は第1抵抗150を介して第1ダイオード148のアノードと接続される。第1ダイオード148のカソードは第1演算増幅器146の出力端子と接続される。第1演算増幅器146の非反転入力端子には、基準電圧源160によって生成される基準電圧Vrefが印加される。第1ダイオード148のアノードに印加される電圧をオフセット電圧Voffsetと称す。後述する通り、オフセット電圧Voffsetはヒステリシス幅ΔIに対応し、オフセット電圧Voffsetが高いほどヒステリシス幅ΔIも大きくなる。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of the hysteresis
第1演算増幅器146の周辺の抵抗値について、基準電圧Vrefとの差動となる第3抵抗154、第4抵抗156および第5抵抗158の値と比較して、増幅率を決める第1抵抗150、第2抵抗152の値を充分大きくし、帰還電流が基準電圧Vrefとの差動に影響しないようにする。
The resistance value around the first
図3は、駆動電圧Voutの絶対値とオフセット電圧Voffsetとの関係を示すグラフである。負極性である駆動電圧Voutの絶対値が小さいとき、第3抵抗154、第4抵抗156および第5抵抗158の共通接続ノードの電圧は基準電圧Vrefに対して大きいため、第1演算増幅器146は電流シンクしてオフセット電圧Voffsetは小さくなる。オフセット電圧Voffsetが最大になるのは共通接続ノードの電圧が基準電圧Vrefと等しくなったときである。
FIG. 3 is a graph showing the relationship between the absolute value of the drive voltage Vout and the offset voltage Voffset. When the absolute value of the negative drive voltage Vout is small, the voltage at the common connection node of the
駆動電圧Voutの絶対値が電圧しきい値Vthとなったときにヒステリシス幅ΔIすなわちオフセット電圧Voffsetが最大となる、という制御を実現するために、基準電圧Vrefを駆動電圧Voutの絶対値が電圧しきい値Vthに等しいときの共通接続ノードの電圧に設定する。特にフライバックレギュレータ102の設定電圧が−100Vのときは、基準電圧Vrefを駆動電圧Vout=−Vth=−50Vのときの共通接続ノードの電圧に設定する。
In order to realize the control that the hysteresis width ΔI, that is, the offset voltage Voffset is maximized when the absolute value of the drive voltage Vout becomes the voltage threshold Vth, the absolute value of the drive voltage Vout is set to the reference voltage Vref. It is set to the voltage of the common connection node when it is equal to the threshold value Vth. In particular, when the set voltage of the
駆動電圧Voutの絶対値が電圧しきい値Vthを超えて大きくなると、第1演算増幅器146の作用は無くなり、共通接続ノードの電圧がそのままオフセット電圧Voffsetとなる。ヒステリシス幅設定回路138は、このように駆動電圧Voutの絶対値に対して山型に変化するオフセット電圧Voffsetをダウンコンバータ駆動回路136へ送ることでヒステリシス幅ΔIを制御し、ダウンコンバータ104のスイッチング周波数を所定の範囲に収める。
When the absolute value of the drive voltage Vout increases beyond the voltage threshold value Vth, the operation of the first
図4は、ダウンコンバータ駆動回路136の構成を示す回路図である。ダウンコンバータ駆動回路136は、第2演算増幅器162と、比較器164と、ゲートドライバ166と、第1カレントミラー回路170と、第7抵抗172と、第8抵抗174と、第10抵抗178と、第12抵抗182と、第13抵抗184と、第1npn型バイポーラトランジスタ190と、第3スイッチング素子202と、第4スイッチング素子204と、第2カレントミラー回路206と、を有する。
FIG. 4 is a circuit diagram showing a configuration of down
第2演算増幅器162の非反転入力端子にはオフセット電圧Voffsetが印加される。第2演算増幅器162の出力端子は第1npn型バイポーラトランジスタ190のベースと接続され、反転入力端子は第1npn型バイポーラトランジスタ190のエミッタと接続される。第8抵抗174の一端は第1npn型バイポーラトランジスタ190のエミッタと接続され、他端は接地される。第1npn型バイポーラトランジスタ190のコレクタは第7抵抗172を介して第1カレントミラー回路170と接続される。
The offset voltage Voffset is applied to the non-inverting input terminal of the second
第1カレントミラー回路170は、第6抵抗168と、第9抵抗176と、第11抵抗180と、第1pnp型バイポーラトランジスタ192と、第2pnp型バイポーラトランジスタ194と、第3pnp型バイポーラトランジスタ196と、を有する。それらの回路素子は公知のカレントミラー回路を構成するよう互いに接続される。第1カレントミラー回路170は、第7抵抗172に流れる電流を入力、第10抵抗178に流れる電流および第3スイッチング素子202に流れる電流を出力とし、入力電流の大きさと出力電流の大きさとを略等しくする。
The first
第2カレントミラー回路206は、第14抵抗186と、第15抵抗188と、第2npn型バイポーラトランジスタ198と、第3npn型バイポーラトランジスタ200と、を有する。それらの回路素子は公知のカレントミラー回路を構成するよう互いに接続される。第2カレントミラー回路206は、第10抵抗178に流れる電流を入力、第4スイッチング素子204に流れる電流を出力とし、入力電流の大きさと出力電流の大きさとを略等しくする。
The second
第3スイッチング素子202は例えばPチャンネルMOSFETで構成される。第4スイッチング素子204は例えばNチャンネルMOSFETで構成される。第3スイッチング素子202のソースは第1カレントミラー回路170と接続される。第3スイッチング素子202のゲートは比較器164の反転出力端子と接続される。第3スイッチング素子202のドレインは第4スイッチング素子204のドレインと接続される。第4スイッチング素子204のゲートは比較器164の反転出力端子と接続される。第4スイッチング素子204のソースは第2カレントミラー回路206と接続される。
The
第12抵抗182および第13抵抗184は制御電源電圧Vccと接地電位との間でこの順に直列に接続される。第12抵抗182と第13抵抗184との接続ノードは、第3スイッチング素子202のドレインと第4スイッチング素子204のドレインとの接続ノードと接続される。第3スイッチング素子202のドレインと第4スイッチング素子204のドレインとの接続ノードは、比較器164の非反転入力端子と接続される。比較器164の反転入力端子には電圧降下Vmが印加される。
The
比較器164の非反転出力端子はゲートドライバ166と接続される。ゲートドライバ166は、後段制御信号S2の位相を比較器164の非反転出力端子に現れる信号の位相と揃える。すなわち、ゲートドライバ166は、比較器164の非反転出力端子に現れる信号がハイレベル(ローレベル)となると後段制御信号S2をハイレベル(ローレベル)とする。
The non-inverting output terminal of the
オフセット電圧Voffsetを入力とする第2演算増幅器162および第1npn型バイポーラトランジスタ190は、Voffset/(第8抵抗174の抵抗値)の電流を出力する。この電流を、電圧降下Vmを入力とする比較器164の出力の位相により、第12抵抗182と第13抵抗184との分圧ノードへシンクまたはソースする。ブリッジ形態の第3スイッチング素子202および第4スイッチング素子204について、第2スイッチング素子140のゲートがハイレベル(第2スイッチング素子140がオン)のタイミングでは第3スイッチング素子202がオンし、第12抵抗182と第13抵抗184との分圧ノードの電圧は上昇し、電流上限値Ith1が設定される。駆動電流Ioutが上昇し電流上限値Ith1に達すると、第2スイッチング素子140のゲートがローレベル(第2スイッチング素子140がオフ)になるのと実質的に同時に、第4スイッチング素子204がオンする。これにより第12抵抗182と第13抵抗184との分圧ノードの電圧は低下し、電流下限値Ith2が設定される。
The second
駆動電流Ioutの平均値は第12抵抗182と第13抵抗184との分圧電圧で設定される。また、ヒステリシス幅設定回路138の作用により、駆動電圧Voutの絶対値が電圧しきい値Vthに近くなるとシンク/ソース電流は大きくなるため、電流上限値Ith1−電流下限値Ith2=ヒステリシス幅ΔIは大きくなる。駆動電圧Voutの絶対値が電圧しきい値Vthから離れるほど、ヒステリシス幅ΔIは小さくなる。これは、後述の通り、ダウンコンバータ104のスイッチング周波数を所定の範囲に収めるよう作用する。
The average value of the drive current Iout is set by the divided voltage of the
以上の構成による半導体光源制御装置100の動作を説明する。
図5(a)〜(c)は、駆動電流Ioutの時間変化を示すグラフである。まずLEDを1つだけ点灯させ、次に約半数を点灯させ、次に全てのLEDを点灯させる状況を考える。図5(a)はLEDを1つだけ点灯させ、残りのN−1個のLEDは対応するバイパススイッチをオンすることにより消灯させたときの駆動電流Ioutの時間変化を示す。図5(b)は約半数すなわちN/2個のLEDを点灯させ、残りを消灯させたときの駆動電流Ioutの時間変化を示す。図5(c)は全てのLEDを点灯させたときの駆動電流Ioutの時間変化を示す。The operation of the semiconductor light
FIGS. 5A to 5C are graphs showing a change with time of the drive current Iout. Consider a situation where only one LED is lit, then about half are lit, and then all LEDs are lit. FIG. 5A shows the time change of the drive current Iout when only one LED is turned on and the remaining N−1 LEDs are turned off by turning on the corresponding bypass switch. FIG. 5B shows the change over time in the drive current Iout when about half, that is, N / 2 LEDs are turned on and the remaining LEDs are turned off. FIG.5 (c) shows the time change of the drive current Iout when all LED are lighted.
図5(a)〜(c)ではLEDの点灯数、消灯数によらずに第2スイッチング素子140のスイッチング周波数すなわちスイッチング周期Tsが略一定となるよう、ヒステリシス幅ΔIが調整される場合が示される。しかしながら、本実施の形態では、LEDの点灯数、消灯数の変化によるスイッチング周期Tsの変化が抑えられるようにヒステリシス幅ΔIが制御されればよいことは、本明細書に触れた当業者には理解される。
FIGS. 5A to 5C show a case where the hysteresis width ΔI is adjusted so that the switching frequency of the
図5(a)を参照すると、点灯させるLEDの個数が少ない場合、第2スイッチング素子140のオン時間Tonにおいて駆動電流Ioutは比較的速く上昇し、第2スイッチング素子140のオフ時間Toffにおいて駆動電流Ioutは比較的遅く下降する。このときのヒステリシス幅をΔI1と表記する。駆動電圧Voutの絶対値は比較的低く、ヒステリシス幅設定回路138により生成されるオフセット電圧Voffsetも比較的低い。
Referring to FIG. 5A, when the number of LEDs to be lit is small, the drive current Iout rises relatively quickly during the on time Ton of the
図5(b)を参照すると、点灯させるLEDの個数と消灯させるLEDの個数とが同数程度となる場合、駆動電圧Voutはフライバックレギュレータ102の設定電圧の半分程度となり、第2スイッチング素子140のオン時間Tonとオフ時間Toffとは拮抗する。駆動電流Ioutの全体的な変化の速さは、点灯させるLEDの個数が少ない場合よりも大きくなる。
Referring to FIG. 5B, when the number of LEDs to be turned on and the number of LEDs to be turned off are about the same number, the drive voltage Vout is about half of the set voltage of the
ヒステリシス幅設定回路138は図3に示されるようにより高いオフセット電圧Voffsetを発生させる。ダウンコンバータ駆動回路136は高いオフセット電圧Voffsetを受け、ヒステリシス幅ΔI2をLEDの点灯数が1のときのヒステリシス幅ΔI1よりも大きくする。これにより、駆動電流Ioutの全体的な変化の速さの増大分が相殺され、スイッチング周期Tsは略一定に保たれる。
The hysteresis
図5(c)を参照すると、消灯させるLEDの個数が少ないまたはない場合、第2スイッチング素子140のオン時間Tonにおいて駆動電流Ioutは比較的遅く上昇し、第2スイッチング素子140のオフ時間Toffにおいて駆動電流Ioutは比較的速く下降する。駆動電流Ioutの全体的な変化の速さは、LEDの点灯数と消灯数とが拮抗する場合よりも小さくなる。駆動電圧Voutの絶対値は比較的高く、ヒステリシス幅設定回路138により生成されるオフセット電圧Voffsetは比較的低い。
Referring to FIG. 5C, when the number of LEDs to be turned off is small or not, the drive current Iout rises relatively slowly during the on-time Ton of the
ダウンコンバータ駆動回路136は低いオフセット電圧Voffsetを受け、ヒステリシス幅ΔI3をLEDの点灯数と消灯数とが拮抗する場合のヒステリシス幅ΔI2よりも小さくする。これにより、駆動電流Ioutの全体的な変化の速さの減少分が相殺され、スイッチング周期Tsは略一定に保たれる。
The down-
本実施の形態に係る半導体光源制御装置100では、複数のLED2−1〜2−Nへの出力段に平滑用のキャパシタが設けられていないので、第2スイッチング素子140に対する駆動電流Ioutの追従性がより良くなる。特に、第2スイッチング素子140がオフされると駆動電流Ioutは小さくなり、第2スイッチング素子140がオンされると駆動電流Ioutは大きくなる。そして、駆動電流Ioutを目標値付近で安定化させるために、平滑化の代わりに駆動電流Ioutのヒステリシス制御が採用されている。これらの結果、電流フィードバックにおける応答を高速化できる。例えば、バイパス駆動回路112およびバイパススイッチの作用によりLEDの点灯数が変化したときに、駆動電流Ioutをそのような負荷の変動により速く追従させることができる。特に、LEDの点灯数を増やしたときの駆動電流Ioutのアンダーシュートや点灯数を減らしたときの駆動電流Ioutのオーバーシュートを抑制することができる。
In the semiconductor light
また、本実施の形態に係る半導体光源制御装置100では、前段のフライバックレギュレータ102は負極出力とされ、かつ、後段のダウンコンバータ104もまた負極出力とされている。これにより、バイパススイッチとしてより特性の良いNチャンネルMOSFETを採用することができる。
負極出力であることに加え、インダクタ144はフライホイールダイオード142のカソードと出力との間ではなくアノードと出力との間に設けられるので、ダウンコンバータ104の第2スイッチング素子140としてより特性の良いNチャンネルMOSFETを採用することができる。また、駆動電圧Voutを安定して検出できる。In the semiconductor light
In addition to the negative output, the
また、半導体光源制御装置が正極出力の場合、LEDが地絡した場合を考慮して駆動電流の検出はハイサイドで行われる場合が多い。ここで負荷が変化すると、検出箇所の電位も変化するので、正確な駆動電流の検出が困難となる。また、検出回路の構成もより複雑となりうる。そこで、本実施の形態に係る半導体光源制御装置100では負極出力が採用され、正極側すなわち接地側の出力に電流検出抵抗108が設けられる。これにより、負荷(駆動電圧Vout)が変化しても、その変化による駆動電流Ioutの検出箇所の電位への影響は少なく、安定して駆動電流Ioutを検出できる。また、検出回路の構成を簡素化できる。
In addition, when the semiconductor light source control device has a positive output, the detection of the drive current is often performed on the high side in consideration of the case where the LED is grounded. Here, when the load changes, the potential at the detection location also changes, so that it is difficult to accurately detect the drive current. Also, the configuration of the detection circuit can be more complicated. Therefore, in the semiconductor light
駆動電流Ioutをヒステリシス制御する際、ダウンコンバータ104への入力電圧または駆動電圧Voutもしくはその両方が変化すると駆動電流Ioutの上昇や下降の傾きが変化するので、第2スイッチング素子140のスイッチング周波数が変化しうる。そこで、本実施の形態に係る半導体光源制御装置100では、スイッチング周波数の変化が抑えられるように、ヒステリシス幅ΔIが調整される。特に、狙いのスイッチング周波数を既知のラジオノイズの周波数帯域を避けるよう設定することにより、ラジオノイズによる半導体光源制御装置100への悪影響を抑えることができる。
When the drive current lout is subjected to hysteresis control, if the input voltage to the
また、本実施の形態に係る半導体光源制御装置100では、フライバックレギュレータ102の作用により、バッテリ電圧Vbatの変動によるダウンコンバータ104への入力電圧の変動が抑えられる。したがって、ダウンコンバータ104への入力電圧の変動によるスイッチング周波数の変化は抑えられる。言い換えると、ダウンコンバータ104への入力電圧と駆動電圧Voutとの組み合わせでヒステリシス幅ΔIを選ぶ必要はなく、主に駆動電圧Voutに基づいてヒステリシス幅ΔIを選べばよくなるので、ヒステリシス幅ΔIを調整するための制御がより簡素化される。これは、制御回路の小規模化、高速化に寄与する。
Moreover, in the semiconductor light
また、本実施の形態に係る半導体光源制御装置100では、フライバックレギュレータ102の出力段に出力キャパシタ128が設けられている。バイパススイッチをオンとしたときに第2スイッチング素子140がオンであれば、この出力キャパシタ128に蓄えられた電荷は一気にLEDに流れようとする。しかしながら、半導体光源制御装置100には駆動電流Ioutの経路上にインダクタ144が設けられているので、そのような電荷の流れは平滑化され、駆動電流Ioutのオーバーシュートが抑制される。バイパススイッチをオフする際も同様に駆動電流Ioutのアンダーシュートが抑制される。
In the semiconductor light
バイパススイッチ切り替え時の駆動電流Ioutのオーバーシュートやアンダーシュートを抑制するために独自に創作された以下の比較例に係る半導体光源点灯回路300を考える。
図6は、比較例に係る半導体光源点灯回路300の構成を示す回路図である。半導体光源点灯回路300は基本的には平滑キャパシタを用いないフォワードコンバータである。半導体光源点灯回路300は、制御回路302と、入力キャパシタ306と、リセット回路308と、トランス310と、第5スイッチング素子312と、第2ダイオード314と、第3ダイオード316と、インダクタ318と、電流検出抵抗320と、を備える。
制御回路302は、駆動電流の大きさが所定の電流上限値を上回ると第5スイッチング素子312をオフし、駆動電流の大きさが電流下限値を下回ると第5スイッチング素子312をオンする。Consider a semiconductor light
FIG. 6 is a circuit diagram showing a configuration of a semiconductor light
The
半導体光源点灯回路300について、トランス310の巻き線比をNs/p、インダクタ318のインダクタンスをLs’、駆動電流のヒステリシス幅をΔI’、入力電圧をVin、出力電圧をVout(<0)、第5スイッチング素子312のオン時間をTon’、同オフ時間をToff’、スイッチング周波数をF’とし、整流ダイオードの順方向降下電圧は小さいため無視すると、F’は以下の式から求めることができる。
半導体光源点灯回路300において、トランス310の巻き線比=16.7(入力=6Vを出力=100Vに変換)、インダクタ318のインダクタンス=500μH、ヒステリシス幅=0.1Aに設定したときに、式1から求められるVinとVoutとF’との関係は以下の第1表の通りである。ここでは、入力電圧変動=6V〜20V、出力(負荷)電圧変動=−4V〜−88V(Vf=4VのLEDを22個直列)を想定した。
この場合、スイッチング周波数F’は最大/最小で約17倍変動する。インダクタンスを大きくすればこの変動幅を抑えることができるが、回路が大型化する。またこのスイッチング周波数F’の大きな変動を、入力電圧と出力電圧から演算して所定の範囲に抑える機能を実現した場合、制御回路規模が大きくなる。 In this case, the switching frequency F 'varies about 17 times at the maximum / minimum. If the inductance is increased, this fluctuation range can be suppressed, but the circuit becomes larger. In addition, when the function of suppressing the large fluctuation of the switching frequency F ′ from the input voltage and the output voltage and suppressing it to a predetermined range is realized, the control circuit scale becomes large.
本実施の形態に係る半導体光源制御装置100について同様の計算を行う。半導体光源制御装置100について、インダクタ144のインダクタンスをLs、スイッチング周波数をFとし、フライホイールダイオード142の順方向降下電圧は小さいため無視すると、Fは以下の式から求めることができる。
半導体光源制御装置100において、目標電圧Vt=−100V、インダクタ144のインダクタンス=500μH、ヒステリシス幅=0.1Aに設定したときに、式2から求められるVtとVoutとFとの関係は以下の第2表の通りである。
この場合、スイッチング周波数Fの変動は約6.5倍に抑えられる。またこの変動を引き起こす主なパラメータは駆動電圧Voutであり、目標電圧Vtは実質的に固定されているので、スイッチング周波数Fの変動を抑えるようヒステリシス幅ΔIを調整する制御回路の規模を比較的小さくできる。 In this case, the fluctuation of the switching frequency F is suppressed to about 6.5 times. The main parameter causing the fluctuation is the drive voltage Vout and the target voltage Vt is substantially fixed. Therefore, the scale of the control circuit for adjusting the hysteresis width ΔI so as to suppress the fluctuation of the switching frequency F is relatively small. it can.
第2表のスイッチング周波数Fの理論計算値を見ると、駆動電圧Voutが−4Vから−44Vへ下降するにしたがってスイッチング周波数Fは上昇し、駆動電圧Voutが−44Vから−88Vへ下降するにしたがってスイッチング周波数Fは低下する。スイッチング周波数Fの上昇/低下の境界は、第1段(前段)のフライバックレギュレータ102の出力電圧(第2段(後段)のダウンコンバータ104の入力電圧)の約半分にあたる−50Vである。したがって、Vout>−50Vでは駆動電圧Voutが低いほどヒステリシス幅ΔIを大きくするように、Vout<−50Vでは小さくするように制御することで、スイッチング周波数Fを所定の範囲に容易に収めることが可能となる。 Looking at the theoretical calculation value of the switching frequency F in Table 2, the switching frequency F increases as the drive voltage Vout decreases from −4V to −44V, and as the drive voltage Vout decreases from −44V to −88V. The switching frequency F decreases. The increase / decrease boundary of the switching frequency F is −50 V, which is about half of the output voltage of the first stage (front stage) flyback regulator 102 (the input voltage of the second stage (rear stage) down converter 104). Therefore, it is possible to easily keep the switching frequency F within a predetermined range by controlling so that the hysteresis width ΔI is increased as the drive voltage Vout is lower at Vout> −50V, and is decreased at Vout <−50V. It becomes.
また、本実施の形態ではスイッチング周波数Fの上昇/低下の境界がフライバックレギュレータ102の出力電圧の約半分にあることが見出されたが、他の回路配置を伴う他の実施の形態では、この境界が出力電圧の三分の一や四分の一などとなることも考えられる。共通して言えるのは、Voutの最大値と最小値との間に、ヒステリシス幅を一定としたときのスイッチング周波数Fの最大値を与えるVoutが存在しうるということである。したがって、実験やシミュレーションなどによりそのようなVoutを見出し、ヒステリシス幅ΔIがそのようなVoutにおいて最小となるように回路を構成すると、スイッチング周波数Fの変動をより好適に抑えることができる。
Further, in the present embodiment, it has been found that the boundary of the increase / decrease of the switching frequency F is at about half of the output voltage of the
本実施の形態に係る半導体光源制御装置100についてのパラメータの設定例を以下の第3表に示す。
Lsを500μHから200μHへと小さくしても、スイッチング周波数を550kHz強〜400kHz弱の範囲に収めることができることが分かる。すなわち、本実施の形態に係る半導体光源制御装置100によると、駆動電流Ioutを平滑化するためのインダクタンスを小型化できる。A parameter setting example for the semiconductor light
It can be seen that even if Ls is reduced from 500 μH to 200 μH, the switching frequency can be kept in the range of slightly higher than 550 kHz to slightly lower than 400 kHz. That is, according to the semiconductor light
また、比較例に係る半導体光源点灯回路300と本実施の形態に係る半導体光源制御装置100とを比較すると、半導体光源制御装置100ではフライバックレギュレータ102の出力キャパシタ128とダウンコンバータ104の第2スイッチング素子140が増加するが、半導体光源点灯回路300からリセット回路308を削減できるので、回路規模はほぼ同等となる。
Further, when comparing the semiconductor light
以上、実施の形態に係る半導体光源制御装置の構成と動作について説明した。この実施の形態は例示であり、その各構成要素や各処理の組み合わせにいろいろな変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。 The configuration and operation of the semiconductor light source control device according to the embodiment have been described above. This embodiment is an exemplification, and it is understood by those skilled in the art that various modifications can be made to each component and combination of processes, and such modifications are within the scope of the present invention.
実施の形態では、ダウンコンバータ104の素子配置として、第2スイッチング素子140をフライホイールダイオード142のカソード側、インダクタ144をフライホイールダイオード142のアノード側にそれぞれ配置する場合について説明したが、これに限られない。フライホイールダイオードは、フライバックレギュレータ102の出力キャパシタ128と並列に接続されていればよい。第2スイッチング素子は、出力キャパシタ128の一端からLEDに至り、LEDから出力キャパシタ128の他端に戻る駆動電流Ioutの経路上に設けられると共に出力キャパシタ128とフライホイールダイオードとの間に設けられればよい。第2スイッチング素子のオンオフは駆動電流に基づいて制御されてもよい。インダクタ144は、駆動電流Ioutの経路上に設けられ、フライホイールダイオードとLEDとの間に設けられればよい。
In the embodiment, the case where the
図7(a)〜(c)は、第1、第2および第3変形例に係る半導体光源制御装置400、500、600の構成を示す回路図である。図7(a)は第1変形例に係る半導体光源制御装置400の構成を示す。第2スイッチング素子440の一端はフライバックレギュレータ102の高電位側出力と接続され、他端はフライホイールダイオード442のカソードと接続される。インダクタ444の一端は、第2スイッチング素子440の他端とフライホイールダイオード442のカソードとの接続ノードと接続される。インダクタ444の他端は接地されると共にLEDへの高電位側出力端子となる。フライホイールダイオード442のアノードはフライバックレギュレータ102の低電位側出力と接続されると共にLEDへの低電位側出力端子となる。
FIGS. 7A to 7C are circuit diagrams showing configurations of the semiconductor light
図7(b)は第2変形例に係る半導体光源制御装置500の構成を示す。フライホイールダイオード542のカソードはフライバックレギュレータ102の高電位側出力と接続されると共に接地され、LEDへの高電位側出力を形成する。第2スイッチング素子540の一端はフライバックレギュレータ102の低電位側出力と接続され、他端はフライホイールダイオード542のアノードと接続される。インダクタ544の一端は、第2スイッチング素子540の他端とフライホイールダイオード542のアノードとの接続ノードと接続される。インダクタ544の他端はLEDへの低電位側出力端子となる。
FIG. 7B shows a configuration of a semiconductor light
図7(c)は第3変形例に係る半導体光源制御装置600の構成を示す。第2スイッチング素子640の一端はフライバックレギュレータ102の低電位側出力と接続され、他端はフライホイールダイオード642のアノードと接続される。第2スイッチング素子640の他端とフライホイールダイオード642のアノードとの接続ノードは、LEDへの低電位側出力を形成する。フライホイールダイオード642のカソードはインダクタ644の一端と接続される。フライホイールダイオード642のカソードとインダクタ644の一端との接続ノードは、フライバックレギュレータ102の高電位側出力と接続される。インダクタ644の他端は接地されると共に、LEDへの高電位側出力端子となる。
FIG. 7C shows a configuration of a semiconductor light
第1、第2および第3変形例に係る半導体光源制御装置400、500、600のそれぞれによると、実施の形態に係る半導体光源制御装置100と同様に、駆動電流Ioutのオーバーシュートやアンダーシュートを低減できる。
According to each of the semiconductor light
実施の形態では、出力の高電位側すなわち複数のLEDのアノード側が接地されることによって負極出力が実現される場合について説明したが、これに限られず、例えば複数のLEDのアノード側を、バッテリ電圧Vbatなどの直流電圧が印加されている端子に接続してもよい。 In the embodiment, the case where the negative output is realized by grounding the high potential side of the output, that is, the anode side of the plurality of LEDs, is not limited to this. For example, the anode side of the plurality of LEDs is connected to the battery voltage. It may be connected to a terminal to which a DC voltage such as Vbat is applied.
実施の形態では、スイッチング周波数をリアルタイムで測定せず、代わりに駆動電圧Voutとスイッチング周波数との既知の関係に基づいて駆動電圧Voutとヒステリシス幅ΔIとの関係を定め、ヒステリシス幅ΔIがその関係にしたがって変化するように回路を構成する場合について説明したが、これに限られない。例えば、半導体光源制御装置は第2スイッチング素子140のスイッチング周波数を測定する回路を備え、そのように測定されたスイッチング周波数が狙いの周波数範囲に入るようにヒステリシス幅を調整してもよい。
In the embodiment, the switching frequency is not measured in real time, and instead, the relationship between the drive voltage Vout and the hysteresis width ΔI is determined based on the known relationship between the drive voltage Vout and the switching frequency, and the hysteresis width ΔI is in that relationship. Therefore, although the case where the circuit is configured to change is described, the present invention is not limited to this. For example, the semiconductor light source control device may include a circuit that measures the switching frequency of the
実施の形態では、半導体光源制御装置100は複数のバイパススイッチ110−1〜110−Nを含む場合について説明したが、これに限られず、バイパススイッチは半導体光源制御装置とは別体として設けられてもよい。
In the embodiment, the semiconductor light
実施の形態では、駆動電流のヒステリシス制御が行われる場合について説明したが、これに限られず、例えば電圧降下Vmを適宜フィルタリングした電圧が目標電流に対応する基準電圧に近づくように、第2スイッチング素子140のデューティ比が制御されてもよい。 In the embodiment, the case where the hysteresis control of the drive current is performed has been described. However, the present invention is not limited to this. For example, the second switching element is set so that the voltage obtained by appropriately filtering the voltage drop Vm approaches the reference voltage corresponding to the target current. A duty ratio of 140 may be controlled.
6 車載バッテリ、 8 電源スイッチ、 100 半導体光源制御装置、 102 フライバックレギュレータ、 104 ダウンコンバータ、 106 制御回路、 108 電流検出抵抗、 128 出力キャパシタ、 142 フライホイールダイオード、 144 インダクタ。 6 on-vehicle battery, 8 power switch, 100 semiconductor light source control device, 102 flyback regulator, 104 down converter, 106 control circuit, 108 current detection resistor, 128 output capacitor, 142 flywheel diode, 144 inductor.
本発明は、光源を制御する光源制御装置に利用できる。 The present invention can be used in a light source control device that controls a light source.
Claims (6)
前記光源に流れる電流の大きさが所定の電流上限値を上回ると前記スイッチング素子をオフし、電流の大きさが前記電流上限値よりも小さい電流下限値を下回ると前記スイッチング素子をオンし、 When the magnitude of the current flowing through the light source exceeds a predetermined current upper limit value, the switching element is turned off, and when the current magnitude falls below a current lower limit value smaller than the current upper limit value, the switching element is turned on,
前記電流上限値と前記電流下限値との差であるヒステリシス幅を、前記光源の両端間電圧に基づいて変化させることを特徴とする制御回路。 A control circuit, wherein a hysteresis width which is a difference between the current upper limit value and the current lower limit value is changed based on a voltage between both ends of the light source.
前記複数の半導体光源のうちの少なくとも一部と並列に、バイパススイッチが設けられることを特徴とする請求項1に記載の制御回路。 The light source includes a plurality of semiconductor light sources connected in series ,
The control circuit according to claim 1 , wherein a bypass switch is provided in parallel with at least a part of the plurality of semiconductor light sources.
前記光源の両端間電圧が所定の電圧値であるときにピークをとるオフセット電圧を生成するヒステリシス幅設定回路と、 A hysteresis width setting circuit that generates an offset voltage that takes a peak when the voltage across the light source has a predetermined voltage value;
前記オフセット電圧および前記光源に流れる電流に比例した電圧にもとづいて制御信号を発生し、当該制御信号にもとづいて前記スイッチング素子を駆動するダウンコンバータ駆動回路と、 A down converter drive circuit for generating a control signal based on the offset voltage and a voltage proportional to the current flowing through the light source, and driving the switching element based on the control signal;
を備え、 With
前記ダウンコンバータ駆動回路は、 The down converter drive circuit is
所定電圧を分圧する第1抵抗および第2抵抗と、 A first resistor and a second resistor for dividing a predetermined voltage;
(i)前記制御信号が第1レベルのとき、前記オフセット電圧に応じた電流を前記第1抵抗と前記第2抵抗の分圧ノードにソースし、(ii)前記制御信号が第2レベルのとき、前記オフセット電圧に応じた電流を前記第1抵抗と前記第2抵抗の分圧ノードからシンクする回路と、 (I) When the control signal is at the first level, a current corresponding to the offset voltage is sourced to the voltage dividing node of the first resistor and the second resistor, and (ii) when the control signal is at the second level. A circuit for sinking a current corresponding to the offset voltage from a voltage dividing node of the first resistor and the second resistor;
前記分圧ノードの電圧を、前記光源に流れる電流に比例した電圧と比較し、比較結果を示す前記制御信号を生成する比較器と、 A comparator for comparing the voltage of the voltage dividing node with a voltage proportional to a current flowing through the light source and generating the control signal indicating a comparison result;
前記制御信号にもとづいて前記スイッチング素子を駆動するゲートドライバと、 A gate driver for driving the switching element based on the control signal;
を含むことを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の制御回路。 The control circuit according to claim 1, further comprising:
前記光源に駆動電流を供給するダウンコンバータと、 A down converter for supplying a driving current to the light source;
前記ダウンコンバータを制御する請求項1から5のいずれかに記載の制御回路と、 The control circuit according to any one of claims 1 to 5, which controls the down converter;
を備えることを特徴とする車両用灯具。 A vehicular lamp characterized by comprising:
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