JP6125958B2 - Conductor deposition film for film capacitors - Google Patents

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Description

本発明は、フィルムコンデンサ用の導電体蒸着フィルムに関するものである。   The present invention relates to a conductor vapor-deposited film for a film capacitor.

従来から、車載オーディオのフィルタ素子等に、フィルムコンデンサが用いられている。フィルムコンデンサは、例えば、誘電体フィルムの片面に導電体を蒸着させた導電体蒸着フィルムを2層積層して用いるものであり、一方の蒸着面に正負どちらかの極を接続し、他方の蒸着面に残りの極を接続する。   Conventionally, a film capacitor has been used for a filter element of an in-vehicle audio. The film capacitor is, for example, used by laminating two layers of a conductor vapor-deposited film in which a conductor is vapor-deposited on one side of a dielectric film. One of the positive and negative poles is connected to one vapor-deposited surface, and the other is vapor-deposited. Connect the remaining poles to the surface.

導電体蒸着フィルムは、導電体領域を複数のセグメントに分割するとともに、隣接するセグメントを導電体のヒューズにて繋ぐことで、自己保安機能が得られることが知られている。誘電体フィルムに欠陥部(欠損部や肉薄部等)が含まれる場合に、当該欠陥部を含むセグメント(欠陥セグメント)に絶縁破壊が生じて電流が集中する。このとき、欠陥セグメントを流れる電流はヒューズを介して隣接するセグメントに流れ込む。大電流がヒューズに流れ込むことで、ジュール熱によってヒューズが溶融、飛散する。これによって欠陥セグメントは隣接するセグメントから切り離され、絶縁破壊を止めることができる。   It is known that a conductor vapor-deposited film can provide a self-security function by dividing a conductor region into a plurality of segments and connecting adjacent segments with conductor fuses. When the dielectric film includes a defective portion (such as a defective portion or a thin portion), dielectric breakdown occurs in the segment including the defective portion (defect segment), and current is concentrated. At this time, the current flowing through the defective segment flows into the adjacent segment through the fuse. When a large current flows into the fuse, the fuse is melted and scattered by Joule heat. As a result, the defective segment is separated from the adjacent segment, and the dielectric breakdown can be stopped.

セグメントは、非蒸着領域である非蒸着スリットによって分割される。例えば特許文献1では、図4に示すように、非蒸着スリット100を、第1の波型曲線パターン100Aと、これを反転させた第2の波型曲線パターン100Bから構成している。また、これらの波型曲線パターン100A,100Bの一部に導電体を蒸着させてこれをヒューズ部102としている。さらに、波型曲線パターン100A,100Bが近づく狭隘部104の離間距離dを、ヒューズ部の離間距離dと等しくすることで、狭隘部104にヒューズ機能を持たせている。   A segment is divided | segmented by the non-deposition slit which is a non-deposition area | region. For example, in Patent Document 1, as shown in FIG. 4, the non-evaporation slit 100 is constituted by a first corrugated curve pattern 100A and a second corrugated curve pattern 100B obtained by inverting the first corrugated curve pattern 100A. In addition, a conductor is deposited on a part of the corrugated curve patterns 100 </ b> A and 100 </ b> B to form the fuse portion 102. Further, the narrow portion 104 is provided with a fuse function by making the separation distance d of the narrow portion 104 approaching the corrugated curve patterns 100A and 100B equal to the separation distance d of the fuse portion.

特開2012−99747号公報JP 2012-99747 A

ところで、図4に示すように、波型曲線パターン100に設けたヒューズ部102の離間距離がdである幅Wと、狭隘部104の離間距離がdである長さLとは、異なる場合がある。すなわち、波型曲線パターン100A,100Bがともに曲線形状であることを考慮すると、狭隘部104の離間距離がdとなるのは原理的には一点のみとなり、所定長さだけ離間距離をdに保つことは困難となる。つまり、狭隘部の離間距離がdとなる長さLは、ヒューズ部102の幅Wよりも短くなる。狭隘部104のごく短い区間がジュール熱によって加熱されても周辺に熱が逃げてしまうため、狭隘部104はヒューズ部102よりも導電体が溶融、飛散し難くなる。その結果、欠陥セグメントの分離が遅延または行われず、絶縁破壊を止めることが困難となる場合がある。   By the way, as shown in FIG. 4, the width W where the separation distance of the fuse portion 102 provided in the corrugated curve pattern 100 is d may be different from the length L where the separation distance of the narrow portion 104 is d. is there. That is, in consideration of the fact that the corrugated curve patterns 100A and 100B are both curved, the separation distance of the narrow portion 104 is d only in principle, and the separation distance is kept at d by a predetermined length. It becomes difficult. In other words, the length L at which the distance between the narrow portions is d is shorter than the width W of the fuse portion 102. Even if a very short section of the narrow portion 104 is heated by Joule heat, heat escapes to the periphery, so that the conductor is less likely to melt and scatter in the narrow portion 104 than in the fuse portion 102. As a result, defect segment separation may not be delayed or performed, making it difficult to stop dielectric breakdown.

本発明は、誘電体フィルム上に、非蒸着スリットによって区画された複数の導電体蒸着セグメントが形成された、フィルムコンデンサ用の導電体蒸着フィルムに関するものである。前記非蒸着スリットは、前記誘電体フィルムの幅方向に延設された第1の波型曲線パターンと、前記第1の波型曲線パターンを前記誘電体フィルムの長手方向に反転させた第2の波型曲線パターンが、前記誘電体フィルムの長手方向に交互に設けられることで形成され、前記第1及び第2の波型曲線パターンは、それぞれ、導電体が蒸着された複数のヒューズ部によって途切れ、前記複数のヒューズ部は、前記第1及び第2の波型曲線パターンを途切れさせる離間距離が最小となる領域の前記波型曲線パターンの幅方向長さが、それぞれ等しくなるように形成され、前記第1及び第2の波型曲線パターンは、一方のパターンの山部分と他方のパターンの谷部分とが重なるようにして形成されている。   The present invention relates to a conductor vapor-deposited film for a film capacitor in which a plurality of conductor vapor-deposited segments defined by non-vapor-deposited slits are formed on a dielectric film. The non-evaporation slit includes a first corrugated curve pattern extending in the width direction of the dielectric film, and a second corrugated slit in which the first corrugated curve pattern is inverted in the longitudinal direction of the dielectric film. A corrugated curve pattern is formed by being alternately provided in the longitudinal direction of the dielectric film, and the first and second corrugated curve patterns are interrupted by a plurality of fuse portions on which a conductor is deposited, respectively. The plurality of fuse portions are formed such that the widthwise lengths of the corrugated curve patterns in the region where the separation distance that interrupts the first and second corrugated curve patterns is the same, respectively. The first and second corrugated curve patterns are formed such that a peak portion of one pattern and a valley portion of the other pattern overlap.

また、上記発明において、前記複数のヒューズ部は、それぞれ、前記第1及び第2の波型曲線パターンを途切れさせる離間距離が前記波型曲線パターンの幅方向に亘って同一となるように形成されていることが好適である。   In the above invention, each of the plurality of fuse portions is formed such that a separation distance for interrupting the first and second corrugated curve patterns is the same across the width direction of the corrugated curve pattern. It is suitable.

また、上記発明において、前記第1及び第2の波型曲線パターンは、前記ヒューズ部を境に、上に凸の円弧と下に凸の円弧に分けられ、前記第1の波型曲線パターンの下に凸の円弧及び前記第2の波型曲線パターンの上に凸の円弧の曲率半径が、前記第1の波型曲線パターンの上に凸の円弧及び前記第2の波型曲線パターンの下に凸の円弧の曲率半径の85%以上115%以下であることが好適である。   In the above invention, the first and second corrugated curve patterns are divided into an upward convex arc and a downward convex arc with the fuse portion as a boundary. The radius of curvature of the convex arc on the downward convex arc and the second corrugated curve pattern is below the convex arc on the first corrugated curve pattern and the second corrugated curve pattern. It is preferable that it is 85% or more and 115% or less of the radius of curvature of the convex arc.

本発明によれば、欠陥セグメントの分離を従来よりも確実に行うことが可能となる。   According to the present invention, defect segments can be more reliably separated than in the past.

本実施形態に係る導電体蒸着フィルムを例示する図である。It is a figure which illustrates the conductor vapor deposition film which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る導電体蒸着フィルムを用いたフィルムコンデンサを例示する斜視図である。It is a perspective view which illustrates the film capacitor using the conductor vapor deposition film concerning this embodiment. 本実施形態に係る導電体蒸着フィルムのパターン形状を説明する図である。It is a figure explaining the pattern shape of the conductor vapor deposition film which concerns on this embodiment. 従来技術に係る導電体蒸着フィルムを説明する図である。It is a figure explaining the conductor vapor deposition film which concerns on a prior art.

図1に、本実施形態に係る導電体蒸着フィルム10を例示する。この図では、上段に平面図、下段に側面図を示している。導電体蒸着フィルム10は、誘電体フィルム12を備え、誘電体フィルム12上には、導電体蒸着セグメント14、非蒸着スリット16、メタリコン接続部18、及び非蒸着マージン20が形成されている。   In FIG. 1, the conductor vapor deposition film 10 which concerns on this embodiment is illustrated. In this figure, a plan view is shown in the upper stage, and a side view is shown in the lower stage. The conductor vapor-deposited film 10 includes a dielectric film 12, on which a conductor vapor-deposited segment 14, a non-deposition slit 16, a metallicon connection portion 18, and a non-deposition margin 20 are formed.

誘電体フィルム12は、誘電材料から形成されるシート状の部材である。また、後述するように、フィルムコンデンサ製造の際に、導電体蒸着フィルム10が巻き取られることから、誘電体フィルム12は柔軟性を備えた材料からなることが好適である。例えば、誘電体フィルム12は、ポリプロピレン等の樹脂材料から形成される。   The dielectric film 12 is a sheet-like member formed from a dielectric material. Further, as will be described later, the dielectric film 12 is preferably made of a material having flexibility since the conductor vapor-deposited film 10 is wound up during the production of the film capacitor. For example, the dielectric film 12 is formed from a resin material such as polypropylene.

メタリコン接続部18は、誘電体フィルム12の幅方向の一端に設けられた導電体蒸着領域である。メタリコン接続部18は、誘電体フィルム12の長手方向に亘って設けられる。図1の下段に示されているように、メタリコン接続部18の膜厚は、導電体蒸着セグメント14の膜厚よりも厚くなるように形成されてよい。メタリコン接続部18を構成する導電体は、アルミ等の金属材料であってよい。   The metallicon connection portion 18 is a conductor vapor deposition region provided at one end in the width direction of the dielectric film 12. Metallicon connection 18 is provided across the longitudinal direction of dielectric film 12. As shown in the lower part of FIG. 1, the metallicon connection portion 18 may be formed to have a thickness greater than that of the conductor vapor deposition segment 14. The conductor constituting the metallicon connection portion 18 may be a metal material such as aluminum.

非蒸着マージン20は、誘電体フィルム12の幅方向の他端に設けられた非蒸着領域である。非蒸着マージン20は、メタリコン接続部18と同様に、誘電体フィルム12の長手方向に亘って設けられる。   The non-deposition margin 20 is a non-deposition region provided at the other end in the width direction of the dielectric film 12. The non-deposition margin 20 is provided over the longitudinal direction of the dielectric film 12 as in the metallicon connection portion 18.

図2に示すように、導電体蒸着フィルム10を積層することで、フィルムコンデンサ22が形成される。このとき、一方の層の導電体蒸着フィルム10Aと、他方の層の導電体蒸着フィルム10Bとで、メタリコン接続部18及び非蒸着マージン20の配置が入れ替わっていることが好適である。積層された導電体蒸着フィルム10A,10Bは巻き取られて円筒状となり、その両側面にメタリコン(金属溶射)が施される。これによって一方の側面のメタリコン金属膜と一方の層のメタリコン接続部18が導通し、他方の側面のメタリコン金属膜と他方の層のメタリコン接続部18が導通する。さらに一方のメタリコン金属膜に正負極の一方が接続され、他方に残りの極が接続される。   As shown in FIG. 2, the film capacitor 22 is formed by laminating the conductor vapor-deposited film 10. At this time, it is preferable that the arrangement of the metallicon connection portion 18 and the non-deposition margin 20 is switched between the conductive vapor deposition film 10A of one layer and the conductive vapor deposition film 10B of the other layer. The laminated conductor vapor-deposited films 10A and 10B are wound into a cylindrical shape, and metallicon (metal spray) is applied to both side surfaces thereof. As a result, the metallicon metal film on one side is electrically connected to the metallicon connection part 18 on one layer, and the metallicon metal film on the other side is electrically connected to the metallicon connection part 18 on the other layer. Furthermore, one of the positive and negative electrodes is connected to one metallicon metal film, and the remaining pole is connected to the other.

図1に戻り、導電体蒸着セグメント14は、メタリコン接続部18と非蒸着マージン20との間に形成された、導電体蒸着領域である。導電体蒸着セグメント14はメタリコン接続部18と導通するように、メタリコン接続部18と連続的に導電体が蒸着される。導電体蒸着セグメント14を構成する導電体は、メタリコン接続部18と同一材料であってよく、アルミ等の金属材料であってよい。   Returning to FIG. 1, the conductor vapor-deposited segment 14 is a conductor vapor-deposited region formed between the metallicon connection 18 and the non-deposition margin 20. The conductor is continuously deposited on the metallicon connection 18 so that the conductor vapor deposition segment 14 is electrically connected to the metallicon connection 18. The conductor constituting the conductor vapor deposition segment 14 may be the same material as the metallicon connection 18 or may be a metal material such as aluminum.

非蒸着スリット16は、それぞれの導電体蒸着セグメント14を区画する。非蒸着スリット16は、誘電体フィルム12上に形成された非蒸着部分である。非蒸着スリット16は、第1の波型曲線パターン24A及び第2の波型曲線パターン24Bが、誘電体フィルム12の長手方向に沿って交互に設けられるようにして形成されている。   The non-evaporation slit 16 defines each conductor vapor deposition segment 14. The non-evaporation slit 16 is a non-evaporation part formed on the dielectric film 12. The non-evaporation slit 16 is formed such that the first wavy curve pattern 24 </ b> A and the second wavy curve pattern 24 </ b> B are alternately provided along the longitudinal direction of the dielectric film 12.

第1の波型曲線パターン24Aは、誘電体フィルム12の幅方向に延設される。第1の波型曲線パターン24Aは、誘電体フィルム12の幅方向に、円弧を反転させながら交互に並べたような形状であったり、または、正弦波型状であってよい。第1の波型曲線パターン24Aは、メタリコン接続部18から非蒸着マージン20に至るまで延設されていてよい。また、第2の波型曲線パターン24Bは、第1の波型曲線パターン24Aを、誘電体フィルム12の長手方向に反転させた形状となっている。   The first corrugated curve pattern 24 </ b> A extends in the width direction of the dielectric film 12. The first corrugated curve pattern 24 </ b> A may have a shape in which arcs are alternately arranged in the width direction of the dielectric film 12 or may be a sine wave shape. The first corrugated curve pattern 24 </ b> A may extend from the metallicon connection 18 to the non-deposition margin 20. The second corrugated curve pattern 24 </ b> B has a shape obtained by inverting the first corrugated curve pattern 24 </ b> A in the longitudinal direction of the dielectric film 12.

非蒸着スリット16を曲線状に形成することで、導電体蒸着セグメント14の輪郭は曲線形状となる。導電体蒸着セグメント14を矩形状に形成すると、隅部を流れる電流が中央部に比較して少なくなるなど、電流分布の偏りが生じるが、導電体蒸着セグメント14を曲線状に形成することで、このような電流分布の偏りを改善することができる。   By forming the non-evaporation slit 16 in a curved shape, the contour of the conductor deposition segment 14 becomes a curved shape. When the conductor vapor-deposited segment 14 is formed in a rectangular shape, the current flowing through the corners is less than that in the central portion, resulting in uneven current distribution, but by forming the conductor vapor-deposited segment 14 in a curved shape, Such bias in current distribution can be improved.

また、図3に示すように、第1及び第2の波型曲線パターン24A,24Bの形状を微調整するようにしてもよい。第1の波型曲線パターン24Aを例にとると、ヒューズ部26を境にして、紙面から見て上に凸の円弧の曲率半径R1と、下に凸の円弧の曲率半径R2とで、曲率半径を変化させてもよい。例えば、下に凸の円弧の曲率半径R2が、上に凸の円弧の曲率半径R1の85%以上115%以下となっていてもよい。逆に、上に凸の円弧の曲率半径R1が、下に凸の円弧の曲率半径R2の85%以上115%以下となっていてもよい。また、このとき、曲率半径を変更させた第1の波型曲線パターン24Aを反転させて、第2の波型曲線パターン24Bとしてよい。   Further, as shown in FIG. 3, the shapes of the first and second corrugated curve patterns 24A and 24B may be finely adjusted. Taking the first corrugated curve pattern 24A as an example, a curvature radius R1 of an upwardly convex arc and a curvature radius R2 of an upwardly convex arc as viewed from the paper surface with the fuse portion 26 as a boundary. The radius may be changed. For example, the curvature radius R2 of the downward convex arc may be 85% or more and 115% or less of the curvature radius R1 of the upward convex arc. On the contrary, the curvature radius R1 of the upward convex arc may be 85% or more and 115% or less of the curvature radius R2 of the downward convex arc. At this time, the first waveform curve pattern 24A in which the radius of curvature is changed may be inverted to form the second waveform curve pattern 24B.

発明者らの実験の結果、上記の範囲内で円弧の曲率半径を変化させても、フィルムコンデンサ22の自己保安機能は、曲率半径を変化させない場合と同等となることが明らかとなった。このように、曲率半径を微調整することで、誘電体フィルム12の幅寸法の変更時などに、この変更に合わせた波型曲線パターンの微調整が可能となり、設計の自由度が向上する。   As a result of experiments by the inventors, it has been found that even if the radius of curvature of the arc is changed within the above range, the self-security function of the film capacitor 22 is equivalent to the case where the radius of curvature is not changed. Thus, by finely adjusting the curvature radius, when the width dimension of the dielectric film 12 is changed, it is possible to finely adjust the corrugated curve pattern according to the change, and the degree of freedom in design is improved.

第1及び第2の波型曲線パターン24A,24Bは、それぞれ、導電体が蒸着された複数のヒューズ部26によって途切れている。ヒューズ部26は、波型曲線パターン24A,24Bの、パターンの山部分と谷部分の中間位置に設けられていてよい。図1〜3では、第1の波型曲線パターン24Aに2つのヒューズ部26A,26Bが設けられ、第2の波型曲線パターン24Bに2つのヒューズ部26C,26Dが設けられている。   The first and second corrugated curve patterns 24A and 24B are interrupted by a plurality of fuse portions 26 each having a conductor deposited thereon. The fuse portion 26 may be provided at an intermediate position between the crest and trough portions of the corrugated curve patterns 24A and 24B. 1-3, two fuse parts 26A and 26B are provided in the first corrugated curve pattern 24A, and two fuse parts 26C and 26D are provided in the second corrugated curve pattern 24B.

ヒューズ部26A〜26Dは、第1及び第2の波型曲線パターン24A,24Bを途切れさせる離間距離のうち最小離間距離dとなる領域の、波型曲線パターンの幅方向Wの長さが、それぞれ等しくなるように形成されている。例えば、ヒューズ部26A〜26Dは、それぞれ、離間距離dが、波型曲線パターンの幅方向Wに亘って同一となるように形成されていることが好適である。   In the fuse portions 26A to 26D, the length of the corrugated curve pattern in the width direction W of the region having the minimum separation distance d among the separation distances that interrupt the first and second corrugated curve patterns 24A and 24B is respectively It is formed to be equal. For example, each of the fuse portions 26A to 26D is preferably formed so that the separation distance d is the same over the width direction W of the corrugated curve pattern.

このようにすることで、最小離間距離とされた幅が、どのヒューズ部26A〜26Dでも等しくなり、電流の流れにくさ、言い換えるとヒューズ部の加熱傾向がどのヒューズ部26A〜26Dでも均一となる。このようにすることで、各ヒューズ部の溶断機能(フィルムコンデンサ22の自己保安機能)を均一に保つことが可能となる。   By doing so, the width set as the minimum separation distance is equal in any fuse part 26A to 26D, the current flow is difficult, in other words, the heating tendency of the fuse part is uniform in any fuse part 26A to 26D. . By doing in this way, it becomes possible to keep the fusing function (self-protection function of the film capacitor 22) of each fuse part uniform.

また、各ヒューズ部の溶断機能を均一に保つという観点から、本実施形態では、第1及び第2の波型曲線パターン24A,24Bが向かい合う狭隘部を設けていない。つまり、第1及び第2の波型曲線パターン24A,24Bは、一方のパターンの山部分(極大点)と他方のパターンの谷部分(極小点)とが重なるようにして形成されている。上述したように、波型曲線パターン24A,24Bは曲線形状であることから、離間距離を一定幅に設けることは困難となる。そこで本実施形態では、波型曲線パターン同士の間隔を利用したヒューズ部を設けずに、波型曲線パターンの一部を途切れさせるような蒸着パターンのみにて、ヒューズ部を構成している。このようにすることで、ヒューズ部の機能を均一化、安定化することができ、欠陥セグメントの分離を従来よりも確実に行うことが可能となる。   In addition, from the viewpoint of keeping the fusing function of each fuse portion uniform, in the present embodiment, the narrow portion where the first and second corrugated curve patterns 24A and 24B face each other is not provided. That is, the first and second corrugated curve patterns 24A and 24B are formed such that the peak portion (maximum point) of one pattern and the valley portion (minimum point) of the other pattern overlap. As described above, since the corrugated curve patterns 24A and 24B have a curved shape, it is difficult to provide the separation distance with a constant width. Therefore, in the present embodiment, the fuse portion is configured only by the vapor deposition pattern that interrupts a part of the corrugated curve pattern without providing the fuse portion using the interval between the corrugated curve patterns. By doing in this way, the function of a fuse part can be equalize | homogenized and stabilized, and it becomes possible to isolate | separate a defect segment more reliably than before.

10 導電体蒸着フィルム、12 誘電体フィルム、14 導電体蒸着セグメント、16 非蒸着スリット、18 メタリコン接続部、20 非蒸着マージン、22 フィルムコンデンサ、24A 第1の波型曲線パターン、24B 第2の波型曲線パターン、26A〜26D ヒューズ部。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Conductor vapor deposition film, 12 Dielectric film, 14 Conductor vapor deposition segment, 16 Non vapor deposition slit, 18 Metallicon connection part, 20 Non vapor deposition margin, 22 Film capacitor, 24A 1st wave type curve pattern, 24B 2nd wave Mold curve pattern, 26A-26D fuse part.

Claims (3)

誘電体フィルム上に、非蒸着スリットによって区画された複数の導電体蒸着セグメントが形成された、フィルムコンデンサ用の導電体蒸着フィルムであって、
前記非蒸着スリットは、前記誘電体フィルムの幅方向に延設された第1の波型曲線パターンと、前記第1の波型曲線パターンを前記誘電体フィルムの長手方向に反転させた第2の波型曲線パターンが、前記誘電体フィルムの長手方向に交互に設けられることで形成され、
前記第1及び第2の波型曲線パターンは、それぞれ、導電体が蒸着された複数のヒューズ部によって途切れ、
前記複数のヒューズ部は、前記第1及び第2の波型曲線パターンを途切れさせる離間距離が最小となる領域の前記波型曲線パターンの幅方向長さが、それぞれ等しくなるように形成され、
前記第1及び第2の波型曲線パターンは、一方のパターンの山部分と他方のパターンの谷部分とが重なるようにして形成されていることを特徴とする、フィルムコンデンサ用の導電体蒸着フィルム。
A conductor deposited film for a film capacitor in which a plurality of conductor deposited segments defined by non-evaporated slits are formed on a dielectric film,
The non-evaporation slit includes a first corrugated curve pattern extending in the width direction of the dielectric film, and a second corrugated slit in which the first corrugated curve pattern is inverted in the longitudinal direction of the dielectric film. A wavy curve pattern is formed by being alternately provided in the longitudinal direction of the dielectric film,
Each of the first and second corrugated curve patterns is interrupted by a plurality of fuse portions on which a conductor is deposited,
The plurality of fuse portions are formed such that the widthwise lengths of the corrugated curve patterns in the regions where the separation distance that interrupts the first and second corrugated curve patterns is the same, respectively.
The conductor-deposited film for a film capacitor, wherein the first and second corrugated curve patterns are formed such that a peak portion of one pattern and a valley portion of the other pattern overlap each other. .
請求項1に記載の、フィルムコンデンサ用の導電体蒸着フィルムであって、前記複数のヒューズ部は、それぞれ、前記第1及び第2の波型曲線パターンを途切れさせる離間距離が前記波型曲線パターンの幅方向に亘って同一となるように形成されていることを特徴とする、フィルムコンデンサ用の導電体蒸着フィルム。   The conductor vapor deposition film for a film capacitor according to claim 1, wherein each of the plurality of fuse portions has a separation distance that interrupts the first and second corrugated curve patterns. A conductor-deposited film for a film capacitor, characterized in that the conductor-deposited film is formed to be the same in the width direction of the film capacitor. 請求項1または2に記載の、フィルムコンデンサ用の導電体蒸着フィルムであって、
前記第1及び第2の波型曲線パターンは、前記ヒューズ部を境に、上に凸の円弧と下に凸の円弧に分けられ、
前記第1の波型曲線パターンの下に凸の円弧及び前記第2の波型曲線パターンの上に凸の円弧の曲率半径が、前記第1の波型曲線パターンの上に凸の円弧及び前記第2の波型曲線パターンの下に凸の円弧の曲率半径の85%以上115%以下であることを特徴とする、フィルムコンデンサ用の導電体蒸着フィルム。
It is the conductor vapor deposition film for film capacitors of Claim 1 or 2, Comprising:
The first and second corrugated curve patterns are divided into an upward convex arc and a downward convex arc with the fuse portion as a boundary,
A radius of curvature of a convex arc below the first corrugated curve pattern and a radius of curvature of the convex arc above the second corrugated curve pattern, and a convex arc above the first corrugated curve pattern and the A conductor-deposited film for a film capacitor, characterized in that the curvature radius is 85% or more and 115% or less of a curvature arc of a convex arc under the second corrugated curve pattern.
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