JP6122323B2 - Sample holder - Google Patents

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Description

本発明は、半導体集積回路の製造工程または液晶表示装置の製造工程等において用いられる、半導体ウエハ等の各試料を保持する際に用いられる試料保持具に関するものである。   The present invention relates to a sample holder used when holding each sample such as a semiconductor wafer, which is used in a manufacturing process of a semiconductor integrated circuit or a manufacturing process of a liquid crystal display device.

半導体集積回路の製造に用いられるシリコンウエハを始めとする半導体ウエハまたは液晶表示装置の製造に用いられるガラス基板等の板状の試料は、それらの製造工程において製造装置または検査装置の支持台の上に保持されて、加工処理または検査等が行なわれる。製造工程では、複数の製造装置および検査装置を使用することが一般的であり、シリコンウエハ等の試料を支持台に保持するための手段は、製造工程中の製造装置および検査装置の種類ならびに次の装置にまで搬送するための搬送装置の種類に応じて様々な形態のものが提案されている。   Semiconductor wafers such as silicon wafers used in the manufacture of semiconductor integrated circuits and plate-like samples such as glass substrates used in the manufacture of liquid crystal display devices are placed on the support bases of the manufacturing equipment or inspection equipment in those manufacturing processes. Is held, and processing or inspection is performed. In a manufacturing process, it is common to use a plurality of manufacturing apparatuses and inspection apparatuses, and means for holding a sample such as a silicon wafer on a support base are the types of manufacturing apparatuses and inspection apparatuses in the manufacturing process and the following: Various types of devices have been proposed according to the type of the conveying device for conveying to the first device.

半導体集積回路を例にとると、半導体集積回路の微細化および高密度化の要求は、近年さらに高まっている。これに伴って、試料保持具は、試料を保持する面における均熱性がさらに求められている。   Taking a semiconductor integrated circuit as an example, demands for miniaturization and higher density of the semiconductor integrated circuit have been further increased in recent years. Along with this, the sample holder is further required to have thermal uniformity on the surface holding the sample.

特許文献1には、複数のセラミック層からなる静電チャックが開示されており、この静電チャックには、中間のセラミック層に冷媒を流すための流路が形成されている。これによって、各部における加熱と冷却とのバランスを調整することで、静電チャックの表面における均熱性を高めることができるというものである。   Patent Document 1 discloses an electrostatic chuck composed of a plurality of ceramic layers, and a flow path for allowing a coolant to flow through an intermediate ceramic layer is formed in the electrostatic chuck. Thus, by adjusting the balance between heating and cooling in each part, it is possible to improve the thermal uniformity on the surface of the electrostatic chuck.

特開平3−108737号公報Japanese Patent Laid-Open No. 3-108737

しかしながら、特許文献1に記載された静電チャックのように、基体がセラミック層の積層体で構成される場合には、流路に冷媒等の熱媒体を流したときに、熱媒体との接触によってセラミック層が劣化することがあり、流路の内表面が熱媒体によって磨耗する場合があった。そして、この磨耗によって生じた粉末が流路の内部に堆積することによって、部分的に熱媒体と基体との間の熱伝導が低下する場合があった。その結果、静電チャックの表面において均熱性が低下してしまう場合があった。   However, as in the electrostatic chuck described in Patent Document 1, when the substrate is composed of a laminate of ceramic layers, contact with the heat medium when a heat medium such as a refrigerant flows through the flow path. As a result, the ceramic layer may deteriorate, and the inner surface of the flow path may be worn by the heat medium. In some cases, the heat generated between the heat medium and the substrate is partially reduced by the powder generated by the wear being deposited inside the flow path. As a result, the thermal uniformity may decrease on the surface of the electrostatic chuck.

そこで、流路の内表面に被覆膜を設けることによって、流路の内表面の摩耗を低減する方法が考えられる。しかしながら、流路の内表面に被覆膜を設けた場合であっても、流体の脈動等によって流路表面に生じる振動によって、基体に亀裂が発生してしまう場合があった。その結果、静電チャックの長期信頼性を向上させることが困難であった。   Therefore, a method of reducing the wear on the inner surface of the flow path by providing a coating film on the inner surface of the flow path can be considered. However, even when a coating film is provided on the inner surface of the flow path, cracks may occur in the base body due to vibration generated on the flow path surface due to fluid pulsation or the like. As a result, it has been difficult to improve the long-term reliability of the electrostatic chuck.

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、静電チャックの長期信頼性を向上させることにある。   The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to improve the long-term reliability of the electrostatic chuck.

本発明の一態様の試料保持具は、セラミックスからなり外表面に試料保持面を有するとともに内部に流路を有する基体と、前記流路の内表面を被覆している被覆膜とを具備しており、該被覆膜は、前記内表面から前記基体に伸びて入り込んだ伸入部を有しており、前記被覆膜の前記流路に面する面のうち、前記伸入部に対向する領域に張出部を有することを特徴とする。 A sample holder according to one aspect of the present invention includes a base body made of ceramics, having a sample holding surface on the outer surface and having a channel inside, and a coating film covering the inner surface of the channel. The coating film has an extension part that extends from the inner surface to the base and faces the extension part of the surface of the coating film that faces the flow path. It has the overhang | projection part in the area | region to perform.

本発明の一態様の試料保持具によれば、被覆膜が内表面から基体に伸びて入り込んだ伸入部を有していることによって、基体と被覆膜との界面の面積が広くなる。その結果、流体の脈動等によって流路表面に振動が生じたとしても、この振動を良好に基体および流路内に分散することができる。これにより、基体に亀裂が発生することを抑制できる。その結果、試料保持具の長期信頼性を向上させることができる。   According to the sample holder of one aspect of the present invention, the area of the interface between the substrate and the coating film is widened because the coating film has the extended portion that extends from the inner surface to the substrate. . As a result, even if vibration is generated on the surface of the flow path due to fluid pulsation or the like, this vibration can be well dispersed in the substrate and the flow path. Thereby, it can suppress that a crack generate | occur | produces in a base | substrate. As a result, the long-term reliability of the sample holder can be improved.

本発明の実施形態の一例である試料保持具の外観を示す図である。It is a figure which shows the external appearance of the sample holder which is an example of embodiment of this invention. 試料保持具の内部の流路の配置を平面的に示す模式図である。It is a schematic diagram which shows arrangement | positioning of the flow path inside a sample holder planarly. 図2に示した試料保持具のA−A’断面の断面図である。It is sectional drawing of the A-A 'cross section of the sample holder shown in FIG. 図3に示した断面図における1つの流路断面を拡大した部分拡大断面図である。FIG. 4 is a partially enlarged cross-sectional view in which one channel cross section in the cross-sectional view shown in FIG. 3 is enlarged. 図4に示した試料保持具のB−B’断面の部分拡大断面図である。It is a partial expanded sectional view of the B-B 'cross section of the sample holder shown in FIG. 本発明の試料保持具の変形例1を示す部分拡大断面図である。It is a partial expanded sectional view which shows the modification 1 of the sample holder of this invention. 本発明の試料保持具の変形例2を示す部分拡大断面図である。It is a partial expanded sectional view which shows the modification 2 of the sample holder of this invention. 本発明の試料保持具の変形例3を示す部分拡大断面図である。It is a partial expanded sectional view which shows the modification 3 of the sample holder of this invention. 本発明の試料保持具の変形例4のうち伸入部近傍を示す部分拡大断面図である。It is a partial expanded sectional view which shows the extension part vicinity in the modification 4 of the sample holder of this invention. 本発明の試料保持具の変形例5のうち伸入部近傍を示す部分拡大断面図である。It is a partial expanded sectional view which shows the extension part vicinity among the modifications 5 of the sample holder of this invention.

図1は、本発明の実施形態の一例である試料保持具1の外観を示す図である。図1(a)は、試料保持具1の斜視図であり、図1(b)は、試料保持具1の平面図である。   FIG. 1 is a view showing an appearance of a sample holder 1 which is an example of an embodiment of the present invention. FIG. 1A is a perspective view of the sample holder 1, and FIG. 1B is a plan view of the sample holder 1.

試料保持具1は、外表面(ここでは上面)に試料保持面10aを有するとともに内部に流路11を有する基体10と、基体10の内部に設けられた電極層20とを有する。試料保持具1は、基体10に設けられた電極層20に電圧を印加することによって、例えば、シリコンウエハ等の試料を静電気力によって基体10の試料保持面10aに保持するようにして用いられる。   The sample holder 1 includes a base body 10 having a sample holding surface 10a on the outer surface (here, upper surface) and having a flow path 11 therein, and an electrode layer 20 provided inside the base body 10. The sample holder 1 is used so as to hold a sample such as a silicon wafer on the sample holding surface 10a of the substrate 10 by electrostatic force by applying a voltage to the electrode layer 20 provided on the substrate 10.

本実施形態では、基体10は、セラミック層が複数積層された積層体からなる。基体10の内部には、熱媒体を流すための流路11が設けられている。この試料保持具1は、流路11に熱媒体を流すことにより、試料保持面10aに保持した試料を加熱、冷却または保温することができる。流路11に流す熱媒体としては、基体10の流路11から試料保持面10aとなる一方主面までのセラミック層と電極層20とを介して、保持した試料と熱交換可能な物質であれば、どのような熱媒体を用いてもよい。そのような熱媒体としては、各種の流体、例えば温水、冷水またはスチーム等の水系媒体、エチレングリコール等の有機系媒体、あるいは空気を含む気体等を用いることができる。   In the present embodiment, the base body 10 is composed of a laminated body in which a plurality of ceramic layers are laminated. A flow path 11 for flowing a heat medium is provided inside the base body 10. The sample holder 1 can heat, cool, or keep the sample held on the sample holding surface 10 a by flowing a heat medium through the flow path 11. The heat medium flowing in the flow path 11 may be a substance that can exchange heat with the held sample through the ceramic layer and the electrode layer 20 from the flow path 11 of the substrate 10 to the one main surface serving as the sample holding surface 10a. Any heat medium may be used. As such a heat medium, various fluids, for example, an aqueous medium such as hot water, cold water or steam, an organic medium such as ethylene glycol, a gas containing air, or the like can be used.

流路11は、図1(a)に示すように、基体10の端面に、外部空間に開口する開口部11aを有している。また、図1(a)には図示していないが、開口部11aの反対側の端面にも外部空間に通じる開口部を有している。流路11内を流れる熱媒体は、例えば、供給口となる開口部11aから流路11へと流入し、開口部11aの反対側の開口部から排出される。試料保持具1を半導体の製造装置または検査装置等に用いる場合は、熱媒体を供給するための供給装置から延びる供給管を開口部11aに接続し、供給装置から所定
の流量および流速で流路11内に熱媒体を供給する。開口部11aと反対側の排出口には排管を接続し、流路11を流れて試料と熱交換を行なった熱媒体を流路11から排出する。または、排出口に戻り管を接続し、流路11を流れて試料と熱交換を行なった熱媒体を流路11から排出するとともに、供給装置に戻して熱媒体を循環させるようにしてもよい。
As shown in FIG. 1A, the flow path 11 has an opening 11 a that opens to the external space on the end surface of the base 10. Although not shown in FIG. 1A, the end face on the opposite side of the opening 11a also has an opening leading to the external space. The heat medium flowing in the flow path 11 flows into the flow path 11 from, for example, the opening 11a serving as a supply port, and is discharged from the opening on the opposite side of the opening 11a. When the sample holder 1 is used in a semiconductor manufacturing apparatus or inspection apparatus, a supply pipe extending from a supply apparatus for supplying a heat medium is connected to the opening 11a, and a flow path is supplied from the supply apparatus at a predetermined flow rate and flow rate. 11 is supplied with a heat medium. A discharge pipe is connected to the discharge port on the side opposite to the opening 11 a, and the heat medium that flows through the flow channel 11 and exchanges heat with the sample is discharged from the flow channel 11. Alternatively, a return pipe may be connected to the discharge port, and the heat medium that has flowed through the flow path 11 and exchanged heat with the sample may be discharged from the flow path 11 and returned to the supply device to circulate the heat medium. .

図2は、基体10の内部における流路11の配置を平面的に示す模式図である。流路11を流れる熱媒体が試料保持面10aに保持される試料と効率よく熱交換するためには、流路11が試料保持面10aに対応して広範囲に形成されていることが好ましい。また、試料保持面10aの全体にわたる均熱性の観点からも、流路11は広範囲に形成されていることが重要である。そこで、本実施形態の試料保持具1においては、図2に示すように、開口部11aから開口部11aの反対側に位置する開口部11bまでの流路11が試料保持面10aの全体に行き渡るように蛇行形状となっている。このように流路11を配置しておいて、流路11の幅を大きくしたり、流路11を蛇行させるときの湾曲部の曲率半径を小さくしたりすることで、保持される試料との熱交換をより効率的に行なうことができる。なお、蛇行させた場合の直線部分と直線部分との間の折返し部分の距離を短くし過ぎると、流路11の側壁となる部分が細くなり、機械的強度が低下するので、強度を考慮しつつ流路11を形成することが好ましい。   FIG. 2 is a schematic diagram illustrating the arrangement of the flow path 11 inside the substrate 10 in a plan view. In order for the heat medium flowing through the flow channel 11 to efficiently exchange heat with the sample held on the sample holding surface 10a, the flow channel 11 is preferably formed in a wide range corresponding to the sample holding surface 10a. In addition, it is important that the flow path 11 is formed in a wide range from the viewpoint of heat uniformity over the entire sample holding surface 10a. Therefore, in the sample holder 1 of the present embodiment, as shown in FIG. 2, the flow path 11 from the opening 11a to the opening 11b located on the opposite side of the opening 11a extends over the entire sample holding surface 10a. It has a meandering shape. By arranging the flow path 11 in this way, the width of the flow path 11 is increased, or the radius of curvature of the curved portion when the flow path 11 is meandered is reduced, so that Heat exchange can be performed more efficiently. In addition, if the distance of the folded portion between the straight portions when meandering is made too short, the portion that becomes the side wall of the flow path 11 becomes thin and the mechanical strength is lowered. However, it is preferable to form the flow path 11.

図2に示す例では、流路11を蛇行形状としているが、流路11の配置形状はこれに限られない。例えば、流路11は渦巻き状であってもよく、また、複数の同心円とこの円同士を繋ぐ径方向に延びる直線とを組み合せた形状等であってもよい。   In the example shown in FIG. 2, the flow path 11 has a meandering shape, but the arrangement shape of the flow path 11 is not limited to this. For example, the flow path 11 may have a spiral shape, or may have a shape in which a plurality of concentric circles and a straight line extending in the radial direction connecting the circles are combined.

流路11を基体10の主面に垂直な断面で見たときの形状は、四角形状または円形状等にすることができる。特に、製造のしやすさからは四角形状が好ましい。   The shape of the channel 11 when viewed in a cross section perpendicular to the main surface of the substrate 10 can be a square shape or a circular shape. In particular, a rectangular shape is preferable from the viewpoint of ease of production.

基体10は、例えば、炭化珪素、窒化珪素、窒化アルミニウムまたは酸化アルミニウム等を主成分とするセラミックス(セラミック焼結体)からなる。これらの中でも特に、窒化アルミニウム質焼結体からなることが好ましい。   The base 10 is made of, for example, ceramic (ceramic sintered body) whose main component is silicon carbide, silicon nitride, aluminum nitride, aluminum oxide, or the like. Among these, an aluminum nitride sintered body is particularly preferable.

窒化アルミニウム質焼結体は、室温における熱伝導率を150W/(m・K)以上にすることができ、他のセラミック材料に比べて熱伝導率が高い。そのため、保持した試料に局所的に熱が加わった場合でも試料の熱を基体10によって伝導させて放熱させることができるので、熱膨張に伴う試料の歪みが生じにくい。これによって、半導体製造工程のうち、例えば露光工程において、発熱による試料の歪みに起因する露光精度の劣化を低減することができる。   The aluminum nitride sintered body can have a thermal conductivity at room temperature of 150 W / (m · K) or higher, and has a higher thermal conductivity than other ceramic materials. For this reason, even when heat is locally applied to the held sample, the heat of the sample can be conducted by the base 10 and can be dissipated, so that the sample is hardly distorted due to thermal expansion. This can reduce deterioration of exposure accuracy due to distortion of the sample due to heat generation, for example, in the exposure process in the semiconductor manufacturing process.

なお、室温における熱伝導率とは、測定雰囲気温度を22℃から24℃の室温の範囲内として測定した熱伝導率の値であり、この温度範囲内のうちいずれかの設定温度で測定した熱伝導率が150W/(m・K)以上であることを示す。さらに、窒化アルミニウム質焼結体は、室温を超える環境においても、熱伝導率を高い値で保持することができる。具体的には、例えば600℃以上での雰囲気温度における熱伝導率を、60W/(m・K)以上にすることができる。   The thermal conductivity at room temperature is a value of thermal conductivity measured at a measurement atmosphere temperature within a room temperature range of 22 ° C. to 24 ° C., and heat measured at any set temperature within this temperature range. The conductivity is 150 W / (m · K) or more. Furthermore, the aluminum nitride sintered body can maintain a high thermal conductivity even in an environment exceeding room temperature. Specifically, for example, the thermal conductivity at an ambient temperature of 600 ° C. or higher can be 60 W / (m · K) or higher.

この窒化アルミニウム質焼結体は、平均結晶粒径が3〜10μmの範囲内であることが好ましい。平均結晶粒径が3μm以上であると、窒化アルミニウム質焼結体中の結晶粒子が比較的十分に充填され、焼結体の機械的特性が比較的良好にされる。また、平均結晶粒径が10μm以下のサイズの結晶とすることで、結晶間に存在するボイド(空孔)の残留を少なくすることができる。したがって、平均結晶粒径は3〜10μmの範囲が好ましい。より好ましい平均結晶粒径の範囲は3〜7μmである。   The aluminum nitride sintered body preferably has an average crystal grain size in the range of 3 to 10 μm. When the average crystal grain size is 3 μm or more, the crystal grains in the aluminum nitride sintered body are relatively sufficiently filled, and the mechanical properties of the sintered body are made relatively good. In addition, by making crystals having an average crystal grain size of 10 μm or less, it is possible to reduce the residual voids (voids) existing between the crystals. Therefore, the average crystal grain size is preferably in the range of 3 to 10 μm. A more preferable range of the average crystal grain size is 3 to 7 μm.

図1に戻って、電極層20は、基体10の内部に設けられ、1つもしくは2つの分離された電極21と電極22とから構成される。電極層20は、静電吸着のために設けられている。電極21および電極22は、一方が電源の正極に接続され、他方が負極に接続される。一例として、正極に接続される側の電極を電極21(以下では「正電極21」という)とし、負極に接続される側の電極を電極22(以下では「負電極22」という)とする。なお、電極層20は、電極21が負極に接続され、電極22が正極に接続されていてもよい。   Returning to FIG. 1, the electrode layer 20 is provided inside the substrate 10 and is composed of one or two separated electrodes 21 and 22. The electrode layer 20 is provided for electrostatic adsorption. One of the electrodes 21 and 22 is connected to the positive electrode of the power supply, and the other is connected to the negative electrode. As an example, the electrode connected to the positive electrode is referred to as electrode 21 (hereinafter referred to as “positive electrode 21”), and the electrode connected to the negative electrode is referred to as electrode 22 (hereinafter referred to as “negative electrode 22”). The electrode layer 20 may have the electrode 21 connected to the negative electrode and the electrode 22 connected to the positive electrode.

正電極21および負電極22は、それぞれ略半円板状に形成され、半円の弦同士が対向するように基体10の内部に配置される。正電極21および負電極22の2つの電極が合わさって、電極層20全体の外形が略円形状となっている。この電極層20全体の外形である略円形の中心は、基体10の外形である円形の中心と同一に設定される。   The positive electrode 21 and the negative electrode 22 are each formed in a substantially semicircular shape, and are disposed inside the base body 10 so that the semicircular chords face each other. The two electrodes of the positive electrode 21 and the negative electrode 22 are combined, and the outer shape of the entire electrode layer 20 is substantially circular. The substantially circular center that is the outer shape of the entire electrode layer 20 is set to be the same as the circular center that is the outer shape of the substrate 10.

正電極21および負電極22には、それぞれ外部電源と電気的に接続するための接続端子21aおよび接続端子22aが設けられる。本実施形態では、正電極21および負電極22のいずれも、円弧と弦とが交差する部分に弦に沿って延びるように接続端子21aおよび接続端子22aが設けられている。正電極21に設けられた接続端子21aと、負電極22に設けられた接続端子22aとは、正電極21の半円の弦および負電極22の半円の弦同士の間隔と同じ間隔を空けて隣り合うように設けられるとともに、これらの半円の弦の延長線に沿って基体10の外周面にまで延びている。また、接続端子21aおよび接続端子22aは、基体10の端面にその一部が露出するように設けられる。正電極21および負電極22は、この接続端子21aおよび接続端子22aが露出した部分を介して外部電源と接続される。   The positive electrode 21 and the negative electrode 22 are respectively provided with a connection terminal 21a and a connection terminal 22a for electrical connection with an external power source. In the present embodiment, each of the positive electrode 21 and the negative electrode 22 is provided with the connection terminal 21a and the connection terminal 22a so as to extend along the string at a portion where the arc and the string intersect. The connection terminal 21 a provided on the positive electrode 21 and the connection terminal 22 a provided on the negative electrode 22 are spaced from each other by the same distance between the semicircle strings of the positive electrode 21 and the semicircle strings of the negative electrode 22. And extend to the outer peripheral surface of the base body 10 along the extension lines of these semicircular strings. Further, the connection terminal 21 a and the connection terminal 22 a are provided so that a part thereof is exposed on the end surface of the base 10. The positive electrode 21 and the negative electrode 22 are connected to an external power source through a portion where the connection terminal 21a and the connection terminal 22a are exposed.

電極層20は、例えばタングステンまたはモリブデン等の導電性材料からなり、これら導電性材料を含むペーストのスクリーン印刷等によって、基体10のセラミック層の層間に位置するように形成される。本実施形態の電極層20の厚みは、例えば1〜100μm程度である。   The electrode layer 20 is made of, for example, a conductive material such as tungsten or molybdenum, and is formed so as to be positioned between the ceramic layers of the substrate 10 by screen printing of a paste containing the conductive material. The thickness of the electrode layer 20 of this embodiment is about 1-100 micrometers, for example.

図3は、図2に示す切断面線A−A’における試料保持具1の断面図である。図4は、図3に示す断面図における1つの流路11の断面を拡大した部分拡大断面図である。基体10は、4つのセラミック層12,13,14,15を積層した積層体からなり、内部に電極層20が設けられている。なお、ここでいうセラミック層12,13,14,15は、必ずしも1枚のグリーンシートからなる必要はない。具体的には、セラミック層12,13,14,15がそれぞれ複数のグリーンシートの積層体であってもよい。本実施形態では、電極層20は流路11よりも試料を保持する一方主面(試料保持面10a)側に設けられる。   FIG. 3 is a cross-sectional view of the sample holder 1 taken along a cutting plane line A-A ′ shown in FIG. 2. FIG. 4 is a partially enlarged cross-sectional view in which the cross section of one channel 11 in the cross-sectional view shown in FIG. 3 is enlarged. The base 10 is formed of a laminate in which four ceramic layers 12, 13, 14, and 15 are laminated, and an electrode layer 20 is provided therein. The ceramic layers 12, 13, 14, and 15 here do not necessarily need to be made of one green sheet. Specifically, the ceramic layers 12, 13, 14, and 15 may each be a laminate of a plurality of green sheets. In the present embodiment, the electrode layer 20 is provided on the one main surface (sample holding surface 10 a) side that holds the sample with respect to the flow path 11.

以下では、最外層のセラミック層15を最外層15、最外層15との間に電極層20が設けられるセラミック層12を上層12、上層12とはセラミック層13を挟んで反対側に設けられるセラミック層14を下層14、上層12と下層14とに挟持されるセラミック層13を中間層13という。これら各層の名称は説明をわかり易くするために便宜上付したものであって、必ずしも上層12が鉛直方向上側に位置するものではなく、下層14が鉛直方向下側に位置するものではない。また、図2に示したように、熱媒体は供給口となる開口11aから排出口となる開口11bまで流れるので、図3および図4において、熱媒体の流れ方向は紙面に垂直な方向となる。   In the following, the outermost ceramic layer 15 is the outermost layer 15, the ceramic layer 12 is provided with the electrode layer 20 between the outermost layer 15, and the upper layer 12 is the ceramic provided on the opposite side of the ceramic layer 13. The ceramic layer 13 sandwiched between the lower layer 14 and the upper layer 12 and the lower layer 14 is referred to as an intermediate layer 13. The names of these layers are given for the sake of convenience of explanation, and the upper layer 12 is not necessarily positioned on the upper side in the vertical direction, and the lower layer 14 is not positioned on the lower side in the vertical direction. Further, as shown in FIG. 2, the heat medium flows from the opening 11a serving as the supply port to the opening 11b serving as the discharge port. Therefore, in FIGS. 3 and 4, the flow direction of the heat medium is perpendicular to the paper surface. .

ここで、図4に示すように、流路11の内表面には被覆膜30が設けられている。被覆膜30は、流路11の内表面が熱媒体によって摩耗することを防ぐために設けられている
。被覆膜30は、基体1との接合力が十分に得られるものであれば、特に限定されない。被覆膜30としては、例えば、セラミック材料または金属材料を用いることができる。特に、強度の観点から金属材料であることが好ましい。金属材料である場合には、製造の都合上、基体10と同時焼成が可能になるように、タングステンまたはモリブデンのような、セラミック材料の焼結温度よりも融点が高い高融点金属であることが好ましい。被覆膜30は、内表面から基体10に入り込んだ伸入部31を有している。本実施形態においては、図4および図5に示すように、伸入部31は流路11における熱媒体の進行方向に沿って層状に設けられている。なお、図6に示すように、伸入部31が突起状に設けられるとともに、複数設けられた構成であってもよい。本実施形態の試料保持具1は、被覆膜30が内表面から基体10に伸びて入り込んだ伸入部31を有していることによって、基体10と被覆膜30との界面の面積が広くなる。その結果、流体の脈動等によって流路11の表面に振動が生じたとしても、この振動を良好に基体10に分散することができる。これにより、基体10に亀裂が発生することを抑制できる。その結果、試料保持具1の長期信頼性を向上させることができる。
Here, as shown in FIG. 4, a coating film 30 is provided on the inner surface of the flow path 11. The coating film 30 is provided to prevent the inner surface of the flow path 11 from being worn by the heat medium. The coating film 30 is not particularly limited as long as a sufficient bonding force with the substrate 1 can be obtained. As the coating film 30, for example, a ceramic material or a metal material can be used. In particular, a metal material is preferable from the viewpoint of strength. In the case of a metal material, it may be a refractory metal having a melting point higher than the sintering temperature of the ceramic material, such as tungsten or molybdenum, so that it can be fired simultaneously with the substrate 10 for convenience of manufacture. preferable. The coating film 30 has an extending portion 31 that enters the base body 10 from the inner surface. In the present embodiment, as shown in FIGS. 4 and 5, the extending portion 31 is provided in a layered manner along the traveling direction of the heat medium in the flow path 11. In addition, as shown in FIG. 6, while the extension part 31 is provided in protrusion shape, the structure provided with two or more may be sufficient. The sample holder 1 of the present embodiment has an extended portion 31 in which the coating film 30 extends from the inner surface to the base body 10 so that the area of the interface between the base body 10 and the coating film 30 is increased. Become wider. As a result, even if vibration is generated on the surface of the flow path 11 due to fluid pulsation or the like, this vibration can be well dispersed in the substrate 10. Thereby, it can suppress that a crack generate | occur | produces in the base | substrate 10. FIG. As a result, the long-term reliability of the sample holder 1 can be improved.

被覆膜30は、例えば、10〜100μm程度の厚みに形成することができる。また、伸入部31は、例えば、図4に示した断面で見たときに、流路11の内表面付近における厚みを5〜50μm、基体10に入り込んでいる長さを0.1〜0.5mm程度に設定できる。   The coating film 30 can be formed to a thickness of about 10 to 100 μm, for example. Further, for example, the extension portion 31 has a thickness in the vicinity of the inner surface of the flow path 11 of 5 to 50 μm and a length entering the base 10 of 0.1 to 0 when viewed in the cross section shown in FIG. It can be set to about 5 mm.

さらに、伸入部31と基体10との界面は、流路11の内表面とは異なる方向に伸びていることから、振動を流路11の表面に対して垂直な方向と平行な方向との両方に分散させることができる。その結果、基体10に亀裂が発生する可能性をさらに低減できる。   Further, since the interface between the extension portion 31 and the base body 10 extends in a direction different from the inner surface of the flow path 11, vibration is generated in a direction parallel to the direction perpendicular to the surface of the flow path 11. Can be dispersed in both. As a result, it is possible to further reduce the possibility that the base 10 will crack.

また、伸入部31は、試料保持面10aと平行な方向に伸びていることが好ましい。これにより、基体10の内部における試料保持面10aに平行な方向の均熱性を向上できる。その結果、試料保持面10aの均熱性を向上させることができる。   Moreover, it is preferable that the extension part 31 is extended in the direction parallel to the sample holding surface 10a. Thereby, the thermal uniformity in the direction parallel to the sample holding surface 10a inside the substrate 10 can be improved. As a result, the thermal uniformity of the sample holding surface 10a can be improved.

また、図7に示すように、伸入部31は流路11の角部の近傍に位置していることが好ましい。これにより、流路11の表面に振動が生じたときに応力が集中しやすくなる角部の近傍に伸入部31を位置させることによって、伸入部31に応力を集中させることができる。ここで、伸入部31は基体10の内部にまで伸びている。そのため、伸入部31は、広範囲にわたって応力を吸収することができる。その結果、基体10に亀裂が発生する可能性をさらに低減できる。   In addition, as shown in FIG. 7, the extension portion 31 is preferably located in the vicinity of the corner portion of the flow path 11. Accordingly, the stress can be concentrated on the extension portion 31 by positioning the extension portion 31 in the vicinity of the corner portion where the stress is easily concentrated when vibration is generated on the surface of the flow path 11. Here, the extending portion 31 extends to the inside of the base body 10. Therefore, the extension part 31 can absorb stress over a wide range. As a result, it is possible to further reduce the possibility that the base 10 will crack.

さらに、図8に示すように、試料保持具1が基体10の厚み方向において伸入部31を複数有していることが好ましい。これにより基体10と被覆膜30との界面の面積がさらに広くなり、また流路11の内表面とは異なる方向に伸びている界面の面積も広くなるため、振動をさらに分散することができる。その結果、基体10に亀裂が発生する可能性をさらに低減できる。   Furthermore, as shown in FIG. 8, the sample holder 1 preferably has a plurality of extending portions 31 in the thickness direction of the base 10. As a result, the area of the interface between the substrate 10 and the coating film 30 is further increased, and the area of the interface extending in a direction different from the inner surface of the flow path 11 is also increased, so that vibration can be further dispersed. . As a result, it is possible to further reduce the possibility that the base 10 will crack.

さらに、図9に示すように、被覆膜30の流路11に面する面のうち、伸入部31に対向する領域に張出部32を有することが好ましい。これにより、被覆膜30のうち基体10の内部に向かう伸入部31の付け根に生じる振動を張出部32によって良好に伸入部31の付け根に到達する前に、伸入部31の付け根以外の方向へ分散させることができる。   Furthermore, as shown in FIG. 9, it is preferable to have an overhang portion 32 in a region facing the extension portion 31 in the surface facing the flow path 11 of the coating film 30. As a result, the vibration generated at the base of the extended portion 31 toward the inside of the base body 10 in the coating film 30 is satisfactorily reached by the overhang portion 32 before reaching the root of the extended portion 31. Can be dispersed in other directions.

また、図10に示すように、被覆膜30の流路11に面する面のうち、伸入部31に対向する領域に溝部33を有することが好ましい。これにより、伸入部31の付け根(上下2ヶ所)に振動によって高い応力が発生しやすかったものが、溝部33にも分散されることになる。これにより、発生する応力が低減され、被覆膜30の伸入部31の付け根から
の破損が発生しにくくなる。その結果、被覆膜30における振動の分散の効果を長期にわたって維持することが出来る。
Further, as shown in FIG. 10, it is preferable to have a groove 33 in a region facing the extension portion 31 in the surface facing the flow path 11 of the coating film 30. As a result, what is likely to generate high stress due to vibration at the base of the extension portion 31 (upper and lower two locations) is also dispersed in the groove portion 33. Thereby, the generated stress is reduced, and the damage from the base of the extended portion 31 of the coating film 30 is less likely to occur. As a result, the effect of vibration dispersion in the coating film 30 can be maintained over a long period of time.

基体10を構成するセラミックスは、流路11に流れる熱媒体に対して安定なセラミックスであることが好ましい。これにより、熱媒体との化学反応による腐食を抑制することができる。その結果、腐食粉の堆積による試料保持面10aの均熱性の劣化を低減することができる。   The ceramic constituting the substrate 10 is preferably a ceramic that is stable against the heat medium flowing in the flow path 11. Thereby, the corrosion by the chemical reaction with a heat medium can be suppressed. As a result, it is possible to reduce deterioration of the thermal uniformity of the sample holding surface 10a due to the accumulation of corrosive powder.

次に、試料保持具1に伸入部31を形成する方法について簡単に述べる。   Next, a method for forming the extending portion 31 in the sample holder 1 will be briefly described.

本実施形態の試料保持具1の基体10は、前述のように複数のセラミック層が積層された積層体であり、所定の形状に予め成形した複数のグリーンシートを積層して、焼成して得られるものである。中間層13となるグリーンシートは、流路11に対応した形状に形成されている。具体的には、上下方向に貫通した貫通孔が設けられている。上層12となるグリーンシートにおける中間層13に接する側の表面のうち、中間層13となるグリーンシートに設けられた貫通孔に臨む面121と、下層14となるグリーンシートにおける中間層13に接する側の表面のうち、中間層13となるグリーンシートに設けられた貫通孔に臨む面141と、中間層13となるグリーンシートにおける貫通孔の内側面131とが、焼成後に流路11の内表面となる。ここで、内表面の大きさおよび形状は特に限定されず、流路11に流す熱媒体の量あるいは必要な冷却速度等によって決められる。ここで、中間層13となるグリーンシートは、流路11の形状に沿って切り欠きが設けられている。   The base 10 of the sample holder 1 of the present embodiment is a laminated body in which a plurality of ceramic layers are laminated as described above, and is obtained by laminating and firing a plurality of green sheets that are pre-formed into a predetermined shape. It is what The green sheet serving as the intermediate layer 13 is formed in a shape corresponding to the flow path 11. Specifically, a through hole penetrating in the vertical direction is provided. Of the surface of the green sheet serving as the upper layer 12 on the side in contact with the intermediate layer 13, the surface 121 facing the through hole provided in the green sheet serving as the intermediate layer 13, and the side contacting the intermediate layer 13 in the green sheet serving as the lower layer 14 The surface 141 facing the through hole provided in the green sheet to be the intermediate layer 13 and the inner surface 131 of the through hole in the green sheet to be the intermediate layer 13 are the inner surface of the flow path 11 after firing. Become. Here, the size and shape of the inner surface are not particularly limited, and are determined by the amount of the heat medium flowing through the flow path 11 or the required cooling rate. Here, the green sheet serving as the intermediate layer 13 is notched along the shape of the flow path 11.

被覆膜30としてセラミック材料を用いる場合には、グリーンシートを作製する場合と同様に有機系バインダーとセラミック粒子と添加材等とを混合してスラリーを作製し、このスラリーをグリーンシートを積層する工程よりも前の工程または積層する工程中に、被覆膜30を設けたい箇所に印刷等によって部分的に塗布するとともに、グリーンシートと共に焼成することによって、被覆膜30を流路11の内表面に形成することができる。このとき、スラリーを塗布するときに中間層13となるグリーンシートに設けた切り欠きの内部にスラリーを浸透させておくことによって、焼成後に伸入部31を形成することができる。   When a ceramic material is used as the coating film 30, a slurry is prepared by mixing an organic binder, ceramic particles, an additive, and the like, as in the case of producing a green sheet, and this slurry is laminated with the green sheet. During the process prior to the process or the process of laminating, the coating film 30 is partially applied by printing or the like to the place where the coating film 30 is to be provided, and is baked together with the green sheet. It can be formed on the surface. At this time, the extension part 31 can be formed after firing by allowing the slurry to permeate into the notch provided in the green sheet serving as the intermediate layer 13 when applying the slurry.

被覆膜30として金属材料を用いる場合には、有機系バインダーと金属粉末とを混合した金属ペーストを予め作製し、この金属ペーストをグリーンシートを積層する工程よりも前の工程または積層する工程中に、被覆膜30を設けたい箇所に印刷等によって部分的に塗布するとともに、グリーンシートを共に焼成することによって、被覆膜30を流路11の内表面に形成することができる。このとき、金属ペーストを塗布するときに中間層13となるグリーンシートに設けた切り欠きの内部に金属ペーストを浸透させておくことによって、焼成後に伸入部31を形成することができる。   In the case where a metal material is used as the coating film 30, a metal paste in which an organic binder and metal powder are mixed is prepared in advance, and this metal paste is a step prior to the step of laminating the green sheets or during the step of laminating. In addition, the coating film 30 can be formed on the inner surface of the flow path 11 by partially coating the portion where the coating film 30 is to be provided by printing or the like and firing the green sheet together. At this time, the extended portion 31 can be formed after firing by allowing the metal paste to penetrate into the notch provided in the green sheet to be the intermediate layer 13 when the metal paste is applied.

また、被覆膜30として金属材料を用いる場合の他の例としては、例えば、めっきによって被覆膜30を形成してもよい。具体的には、焼成後の基体10の流路11および前述した切り欠きに対して、無電解めっきによって金属薄膜を形成し、さらにこの金属薄膜に電流を流して電気めっきを施せばよい。これにより、伸入部31を有する被覆膜30を形成することができる。   Further, as another example of using a metal material as the coating film 30, the coating film 30 may be formed by plating, for example. Specifically, a metal thin film may be formed by electroless plating with respect to the flow path 11 of the substrate 10 after firing and the above-described notch, and further, an electric current may be passed through the metal thin film to perform electroplating. Thereby, the coating film 30 which has the extension part 31 can be formed.

本発明の実施例の試料保持具1を以下のようにして作製した。   The sample holder 1 of the example of the present invention was produced as follows.

出発原料として、アルミナ還元窒化法により製造した平均粒径1.5μm、酸素含有量
0.8%、炭素含有量300ppmの窒化アルミニウム粉末を準備した。そして、この窒化アルミニウム粉末に対して、有機系のバインダーと溶剤とを混合した後に、60℃で乾燥させて造粒粉を製作した。
As a starting material, an aluminum nitride powder having an average particle size of 1.5 μm, an oxygen content of 0.8%, and a carbon content of 300 ppm produced by an alumina reduction nitriding method was prepared. And after mixing an organic binder and a solvent with respect to this aluminum nitride powder, it dried at 60 degreeC and manufactured granulated powder.

次に、この造粒粉を型内に充填して100MPaの成形圧にて半径50mm、厚み1mmの円板状の成形体を8枚作製した。   Next, this granulated powder was filled in a mold, and eight disk-shaped molded bodies having a radius of 50 mm and a thickness of 1 mm were produced at a molding pressure of 100 MPa.

しかる後に、中間層12となる厚さ1mmの2枚の成形体に対して、後に伸入部31が形成される部位において、角部の面取りを行ない、面取りを行なった部分にさらにC面を形成した。これら2枚の面取りを行なった成形体をそれぞれのC面が対向するように積層して、80MPaの成形圧にて密着させ、厚さ2mmの成形体とした。このようにして、対向する2つのC面によって切り欠きが形成された中間層12を得た。   Thereafter, chamfering is performed on the corners of the two molded bodies having a thickness of 1 mm, which will be the intermediate layer 12, and the chamfered portion 31 is chamfered at the portion where the extended portion 31 is to be formed later. Formed. These two chamfered compacts were laminated so that their C-faces face each other and adhered with a molding pressure of 80 MPa to obtain a compact with a thickness of 2 mm. In this way, an intermediate layer 12 in which a notch was formed by two opposing C surfaces was obtained.

切削加工していない成形体6枚は、3枚ずつを積層し、80MPaの成形圧にて密着させて、上層11および最外層15に対応する層または下層13となる厚さ3mmの2枚の成形体とした。   Six green compacts that are not machined are laminated three by three and are brought into close contact with each other at a molding pressure of 80 MPa to form a layer corresponding to the upper layer 11 and the outermost layer 15 or a lower layer 13 having a thickness of 2 mm. A molded body was obtained.

さらにこれら3枚の成形体を上層11および最外層15に対応する層、中間層12および下層13の順に積層し、80MPaの成形圧にて密着させ、厚さ8mmの成形体とした。   Further, these three molded bodies were laminated in the order of the layer corresponding to the upper layer 11 and the outermost layer 15, the intermediate layer 12 and the lower layer 13, and were brought into close contact with each other at a molding pressure of 80 MPa to obtain a molded body having a thickness of 8 mm.

中間層12と上層11と下層13とによって形成された流路11の内表面に、有機系バインダーとタングステン粉末とを混ぜた金属スラリーを流し込み、約20秒放置した後にこれらを排出した。これにより、流路11の内表面に厚みがおよそ30μmの被覆膜30を形成した。さらに、切り欠きには、深さ0.1〜0.4mmで基体10に入り込む伸入部31を形成した。次に、窒素雰囲気中で脱脂し、次いで1900℃で2時間かけて焼成した。   A metal slurry in which an organic binder and tungsten powder were mixed was poured into the inner surface of the flow path 11 formed by the intermediate layer 12, the upper layer 11, and the lower layer 13, and after leaving for about 20 seconds, these were discharged. Thereby, the coating film 30 having a thickness of about 30 μm was formed on the inner surface of the flow path 11. Further, an extension 31 that enters the base body 10 at a depth of 0.1 to 0.4 mm was formed in the notch. Next, degreasing was performed in a nitrogen atmosphere, followed by firing at 1900 ° C. for 2 hours.

最後に、最外層15の上面を研磨加工して、平面度20μm、算術平均粗さRa0.1μmの試料保持面10aを形成した。なお、本実施例においては、試料保持具1は、電極層20を備えていない。   Finally, the upper surface of the outermost layer 15 was polished to form a sample holding surface 10a having a flatness of 20 μm and an arithmetic average roughness Ra of 0.1 μm. In the present embodiment, the sample holder 1 does not include the electrode layer 20.

また、比較のために、上記基体10の製法のうち、切り欠きを設けずに被覆膜を形成した比較例の試料保持具を準備した。すなわち、比較例の試料保持具は、伸入部を有していない。   For comparison, a sample holder for a comparative example in which a coating film was formed without providing a notch in the manufacturing method of the substrate 10 was prepared. That is, the sample holder of the comparative example does not have an extension portion.

これらの基体それぞれの流路に温調機に接続された配管を接続して水温が70℃に調節された水を循環させ、試料保持面の均熱性を評価した。試料保持面における最低温度と最高温度との差は、実施例の試料保持具1で0.12℃であり、比較例の試料保持具で0.13℃であった。さらにこれらの試料保持具を加振機の上に設置し、200時間連続の振動試験を実施した。試験後、それぞれの試料保持具の試料保持面の均熱性を評価したところ、実施例の試料保持具1の試料保持面10aにおける最低温度と最高温度との差は0.122℃と、試験前からの変化は2%程度であったのに対して、比較例の試料保持具の試料保持面における最低温度と最高温度との差は0.245℃と、2倍以上に悪化した。   A pipe connected to a temperature controller was connected to the flow path of each of these substrates to circulate water whose water temperature was adjusted to 70 ° C., and the thermal uniformity of the sample holding surface was evaluated. The difference between the lowest temperature and the highest temperature on the sample holding surface was 0.12 ° C. for the sample holder 1 of the example and 0.13 ° C. for the sample holder of the comparative example. Furthermore, these sample holders were placed on a shaker, and 200-hour continuous vibration tests were performed. After the test, when the temperature uniformity of the sample holding surface of each sample holder was evaluated, the difference between the minimum temperature and the maximum temperature on the sample holding surface 10a of the sample holder 1 of the example was 0.122 ° C., before the test. While the change from about 2% was about 2%, the difference between the lowest temperature and the highest temperature on the sample holding surface of the sample holder of the comparative example was 0.245 ° C., which was doubled or more.

その後、それぞれの試料保持具の基体の切断面を観察したところ、比較例の試料保持具の流路の角部の一部に長さが最大1mmの亀裂が認められた。これに対して、実施例の試料保持具1では亀裂の発生は確認できなかった。   Then, when the cut surface of the base | substrate of each sample holder was observed, the crack of length 1mm at the maximum was recognized in a part of corner | angular part of the flow path of the sample holder of a comparative example. On the other hand, generation of cracks could not be confirmed in the sample holder 1 of the example.

以上の結果により、流路11の内表面に形成した被覆膜30およびその伸入部31によ
り、基体10に亀裂が発生することを抑制できることが確認できた。その結果、試料保持具1の長期信頼性を向上させることができた。
From the above results, it was confirmed that the base film 10 can be prevented from being cracked by the coating film 30 formed on the inner surface of the flow path 11 and the extended portion 31 thereof. As a result, the long-term reliability of the sample holder 1 could be improved.

1 試料保持具
10 基体
10a 試料保持面
11 流路
11a,11b 開口部
12 上層
13 中間層
14 下層
15 最外層
20 電極層
21 正電極
22 負電極
30 被覆膜
31 伸入部
32 張出部
33 溝部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Sample holder 10 Base | substrate 10a Sample holding surface 11 Flow path 11a, 11b Opening part 12 Upper layer 13 Intermediate layer 14 Lower layer 15 Outermost layer 20 Electrode layer 21 Positive electrode 22 Negative electrode 30 Coating film 31 Extension part 32 Overhang part 33 Groove

Claims (5)

セラミックスからなり外表面に試料保持面を有するとともに内部に流路を有する基体と、前記流路の内表面を被覆している被覆膜とを具備しており、該被覆膜は、前記内表面から前記基体に伸びて入り込んだ伸入部を有しており、
前記被覆膜の前記流路に面する面のうち、前記伸入部に対向する領域に張出部を有することを特徴とする試料保持具。
And a substrate having a sample holding surface on the outer surface and having a channel inside, and a coating film covering the inner surface of the channel, the coating film comprising: It has an extended part that extends from the surface into the base body ,
Of the surface of the coating film facing the flow path, the sample holder has a projecting portion in a region facing the extension portion .
セラミックスからなり外表面に試料保持面を有するとともに内部に流路を有する基体と、前記流路の内表面を被覆している被覆膜とを具備しており、該被覆膜は、前記内表面から前記基体に伸びて入り込んだ伸入部を有しており、And a substrate having a sample holding surface on the outer surface and having a channel inside, and a coating film covering the inner surface of the channel, the coating film comprising: It has an extended part that extends from the surface into the base body,
前記被覆膜の前記流路に面する面のうち、前記伸入部に対向する領域に溝部を有することを特徴とする試料保持具。  A sample holder having a groove portion in a region facing the extension portion in a surface of the coating film facing the flow path.
前記流路を長さ方向に直交する断面で見たときに、前記流路の内表面が角部を有するとともに、該角部の近傍に前記伸入部が位置していることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の試料保持具。 When the flow path is viewed in a cross section perpendicular to the length direction, the inner surface of the flow path has a corner portion, and the extension portion is located in the vicinity of the corner portion. The sample holder according to claim 1 or 2 . 前記伸入部を複数有していることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の試料保持具。 Sample holder according to any one of claims 1 to 3, characterized in that it comprises a plurality of said Shin join the club. 前記伸入部は、前記基体の前記試料保持面と平行な方向に伸びていることを特徴とする請求項1乃至請求項のいずれかに記載の試料保持具。 The sample holder according to any one of claims 1 to 4 , wherein the extending portion extends in a direction parallel to the sample holding surface of the base.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6529362B2 (en) * 1997-03-06 2003-03-04 Applied Materials Inc. Monocrystalline ceramic electrostatic chuck
JP2003158172A (en) * 2001-11-21 2003-05-30 Kyocera Corp Wafer holder
JP2004158751A (en) * 2002-11-08 2004-06-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd Plasma processing apparatus
JP4768333B2 (en) * 2005-06-29 2011-09-07 日本特殊陶業株式会社 Electrostatic chuck
JP4844167B2 (en) * 2006-02-24 2011-12-28 東京エレクトロン株式会社 Cooling block and plasma processing apparatus
JP2009239097A (en) * 2008-03-27 2009-10-15 Nikon Corp Carrier device, exposure device, and method for manufacturing device
JP5434682B2 (en) * 2010-03-04 2014-03-05 富士通株式会社 Manufacturing method of cooling device
JP4886876B2 (en) * 2010-05-31 2012-02-29 株式会社日立ハイテクノロジーズ Plasma processing apparatus and plasma processing method

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