JP6104455B2 - 低温における向上された磁束ピンニングを有する半導体 - Google Patents
低温における向上された磁束ピンニングを有する半導体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6104455B2 JP6104455B2 JP2016505620A JP2016505620A JP6104455B2 JP 6104455 B2 JP6104455 B2 JP 6104455B2 JP 2016505620 A JP2016505620 A JP 2016505620A JP 2016505620 A JP2016505620 A JP 2016505620A JP 6104455 B2 JP6104455 B2 JP 6104455B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- barium
- tape
- magnetic field
- dopant
- copper
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000004907 flux Effects 0.000 title description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 84
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 claims description 66
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 65
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 56
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 51
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 42
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 41
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 241001424392 Lucia limbaria Species 0.000 claims 3
- IGDGIZKERQBUNG-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Ba] Chemical compound [Cu].[Ba] IGDGIZKERQBUNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 83
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 38
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 25
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 22
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 18
- 238000007735 ion beam assisted deposition Methods 0.000 description 14
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000224 chemical solution deposition Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000011160 research Methods 0.000 description 6
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 5
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 5
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 5
- 229910002480 Cu-O Inorganic materials 0.000 description 4
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 4
- 239000002061 nanopillar Substances 0.000 description 4
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000856 hastalloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011020 pilot scale process Methods 0.000 description 3
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000010627 Phaseolus vulgaris Nutrition 0.000 description 2
- 244000046052 Phaseolus vulgaris Species 0.000 description 2
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910001026 inconel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical group 0.000 description 2
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 229910001256 stainless steel alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001233 yttria-stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- 241000954177 Bangana ariza Species 0.000 description 1
- LZZYPRNAOMGNLH-UHFFFAOYSA-M Cetrimonium bromide Chemical compound [Br-].CCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C LZZYPRNAOMGNLH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100130497 Drosophila melanogaster Mical gene Proteins 0.000 description 1
- 241000700560 Molluscum contagiosum virus Species 0.000 description 1
- 101100345589 Mus musculus Mical1 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019892 Stellar Nutrition 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003098 YBa2Cu3O7−x Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910021523 barium zirconate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- MOWMLACGTDMJRV-UHFFFAOYSA-N nickel tungsten Chemical compound [Ni].[W] MOWMLACGTDMJRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000623 nickel–chromium alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005433 particle physics related processes and functions Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 235000002639 sodium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003698 tetramethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910021521 yttrium barium copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B12/00—Superconductive or hyperconductive conductors, cables, or transmission lines
- H01B12/02—Superconductive or hyperconductive conductors, cables, or transmission lines characterised by their form
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
- H01B1/08—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0828—Introducing flux pinning centres
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/20—Permanent superconducting devices
- H10N60/203—Permanent superconducting devices comprising high-Tc ceramic materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Description
本願は、2013年4月1日に出願された、米国仮出願第61/807,142号に対
する優先権を主張するものであり、該仮出願の全内容は、参照により本明細書中に援用さ
れる。
エネルギー省高等研究計画局助成(ARPA-E)DE−AR0000196号
けられた迫り来る問題を解決しようと開発されている。超電導体は、広スペクトルのエネ
ルギー問題を横断する解決策を提供する、ユニークなシステムである。超電導体は、発生
器、電力伝送ケーブル、モータ、変圧器、およびエネルギー貯蔵内に高効率を可能にする
。さらに、超電導体は、エネルギーを超えて、医学、粒子物理学、通信、および輸送まで
用途が及ぶ。
ル単結晶薄フィルムを多結晶基板上に生成する加工技法の成功に起因するものである(Y
. Iijima, et al., Physica C 185, 1959(19
91),X.D. Wu, et al., Appl. Phys. Lett. 6
7, 2397(1995),A, Goyal, et. al., Appl. P
hys. Lett. 69(1996)p.1795, V, Selvamanic
kam et al., “High Performance 2G wire:Fr
om R&D to Pilot−scale Manufacturing”, IE
EE Trans, Appl, Supercond. 19, 3225(2009
))。本技法では、岩塩結晶構造(例えば、MgO)を有する材料の薄フィルムが、イオ
ンビーム支援蒸着によって、可撓性多結晶基板を覆って蒸着される。本技法によって処理
される超伝導フィルムは、単一結晶基板上に成長されるエピタキシャルフィルム内で達成
されるものと匹敵する、臨界電流密を呈する。本技法を使用して、いくつかの機関が、超
伝導複合テープのパイロット規模製造を実証している。注目すべきことに、単結晶エピタ
キシャルフィルムは、多結晶基板ベースを使用して、1kmを超える長さで製造されてい
る。
の能力が急低下することである。したがって、風発生器、モータ、高界磁石、またはエネ
ルギー貯蔵システム等のある用途では、超電導体は、発生器コイルが、数テスラにおいて
、磁場に暴露されるため、電位を搬送するその全電流を達成することができない。別の短
所は、高温超電導体(HTS)では、超伝導が、Cu−O平面内に局在することである(
E. M. Gyorgy, et. al.,“Anisotropic criti
cal currents in Ba2YCu3O7 analyzed using
an extended bean model”Appl. Phys. Lett
. 55, 283(1989))。本現象は、超電導体の電流搬送能力に効果をもたら
す。例えば、図1は、金属有機化学蒸着(MOCVD)と呼ばれるプロセスによって作製
される、標準的HTSテープの臨界電流における異方性を図示する。異方性効果は、HT
Sフィルム表面に対して異なる角度で磁場を整合させることによって可視化されることが
できる。臨界電流は、磁場が、フィルム表面から移動されるにつれて、急降下する。さら
に、臨界電流は、磁場がテープ法線から0°角度(すなわち、テープ表面に垂直)に配向
されると、低値に到達する。本磁場配向における臨界電流は、これらの標準的テープを用
いて構築されるコイルの性能における限界値である。
点が当てられている。有意な研究は、超電導体における磁束ピンニングを改善することに
焦点を当てている。磁束ピンニングは、I型超電導体と異なり、磁場の部分的穿通を可能
にする、2つの臨界磁場を有する、II型高温超電導体(HTS)の現象である。下部臨
界磁場の上方では、2GHTSテープは、磁束が、磁束管を通した超伝導電流渦によって
囲繞される量子化されたパケット内で超伝導フィルムを穿通することを可能にする。より
低い電流では、磁束管は、定位置にピンニングされる。本ピンニング現象は、実質的に、
超電導体内に望ましくない電気抵抗を生成し得る、任意の磁束クリーピングを低減させる
ことができる。したがって、磁束ピンニングの改良は、超電導体が磁場内で被る前述の短
所を最小限にすることができる(例えば、異方性、より低い臨界電流等)。
サイズがコヒーレンス長の値の2倍に等しいため、超伝導コヒーレンス長と側方寸法が匹
敵する、欠陥を超電導体の中に導入することである。2GHTSテープでは、欠陥は、種
々の組成物および構造の酸素空孔、貫通転位、双晶面、不純物原子、照射誘導柱状欠陥、
およびナノ構造含有を含む(V. M. Pan, et al.,“Dimensio
nal crossovers and related flux line−lat
tice states in YBa2Cu3O7− δ”、Physica C 2
79, 18 (1997);J. M. Huijbregtse, et al.,
“Vortex pinning by natural defects in th
in films of YBa2Cu3O7− δ”、Supercond. Sci
. Technol. 15, 395 (2002)、G. Blatter, et
al.,“Vortices in high−temperature super
conductors”, Rev. Mod. Phys. 66 1125 (19
94), L. Civale,“Vortex pinning and creep
in high−temperature superconductors wit
h columnar defects”、Supercond. Sci. Tech
nol. 10, A11 (1997)、C. J. van der Beek,
et al.,“Strong pinning in high−temperatu
re superconducting film”, Phys. Rev. B 6
6, 024523 (2003))。特に、照射誘導柱状欠陥は、磁束ピンニングを改
善するために大きな潜在性を示している。研究グループは、近年、超伝導フィルムをBa
ZrO3(BZO)またはBaSnO3(BSO)で化学的にドープすることによって、
柱状欠陥を導入するアプローチを開発している(J. L. Macmanus−Dri
scoll et al., “Strongly enhanced current
densities in superconducting coated con
ductors of YBa2Cu3O7−x+BaZrO3”、Nature Ma
terials 3, 439 (2004);S. Kang et al.“Hig
h−Performance High−Tc Superconducting Wi
res”、Science 311, 1911 (2006)、Y. Yamada
et al., “Epitaxial nanostructure and def
ects effective for pinning in Y(RE)Ba2Cu
3O7−x coated conductors”、Appl. Phys. Let
t. 87, 132502 (2005);C. Varanasi, et al.
,“Thick YBa2Cu3O7 −x + BaSnO3 films with
enhanced critical current density at hi
gh magnetic fields”, Appl. Phys. Lett. 9
3092501, (2008))。BZOおよびBSOの含有は、超電導体フィルム成
長の間の自己アセンブリプロセスによって、ナノサイズ柱(約5nmの直径)を形成し、
フィルムのピン止め強度を有意に改良した(S. Kang et al.“High−
Performance High−Tc Superconducting Wire
s”, Science 311, 1911 (2006)、Y. Yamada e
t al.,“Epitaxial nanostructure and defec
ts effective for pinning in Y(RE)Ba2Cu3O
7−x coated conductors”, Appl. Phys. Lett
. 87, 132502 (2005);C. Varanasi, et al.,
“Thick YBa2Cu3O7 −x + BaSnO3 films with
enhanced critical current density at hi
gh magnetic fields”, Appl. Phys. Lett. 9
3092501, (2008);T. Horide, et al., “The
crossover from the vortex glass to the B
ose glass in nanostructured YBa2Cu3O7−x
films”, Appl. Phys. Lett. 82, 182511 (20
08), M. Mukaida, et al.,“Critical Curren
t Density Enhancement around a Matching
Field in ErBa2Cu3O7−δ Films with BaZrO3
Nano−Rods”, Jpn. J. Appl. Phys. 44, L952
(2005))。
Dによって成長された(Gd,Y)Ba2Cu3Ox(Gd−YBCO)フィルムの断面
微小構造を表示する。図1に示されるように、BZOでドープされたフィルムは、特に、
BZOナノ柱の方向に沿って(すなわち、テープに垂直に)配向される磁場に暴露される
と、77K時、1テスラの磁場内で2倍の改良された性能を呈する。また、ナノ柱は、フ
ィルム成長方向を中心として広がりを呈するため、改良されたピン止めが、磁場配向の範
囲にわたって観察される。最後に、BZOドープフィルムは、有意により低い異方性を呈
する(V. Selvamanickam et al., “Influence o
f Zr and Ce Doping on Electromagnetic Pr
operties of (Gd,Y)−Ba−Cu−O Superconducti
ng Tapes Fabricated by Metal Organic Che
mical Vapor Deposition”、Physica C 469, 2
037 (2009))。
7K時、1−3テスラの磁場下、磁場内に臨界電流を報告している。少なくとも1つの研
究グループは、4.2K時、最大30Tまで、高磁場内に臨界電流を報告している(V.
Braccini, et al.,“Properties of recent
IBAD−MOCVD Coated Conductors relevant to
their high field, low temperature magne
t use”, Superconductor Science and Techn
ology 24, 035001(2011))。残念ながら、20〜50Kの中間温
度において、数ステラの実践的磁場内で臨界電流を報告している研究は、殆どまたは全く
ない。しかし、風発生器、公益事業発生器、海洋モータ、および産業モータ等のいくつか
の2G HTS用途は、これらの後者の磁場および中間温度範囲において開発されている
(A. B. Abrahamsen, et al.,“Feasibility s
tudy of 5 MW superconducting wind turbin
e generator”、Physica C.471, 1464−69 (201
1);P. Kummeth, et al., “Development of s
ynchronous machines with HTS rotor”、Phys
ica C.426, 1358−64 (2005))。
rのレベルは、20K〜50K時、数テスラのより実践的磁場(以下「実践的条件」)で
は、同一改良を達成しなかったことが実証されている(V. Selvamanicka
m, et al.,“Enhanced critical currents in
high levels of Zr−added (Gd,Y)Ba2Cu3Ox
superconducting tapes”、Supercond. Sci. T
echnol. 26, 035006 (2013))。しかし、より高いレベルのZ
rは、実際、実践的条件下において、REBCO性能の改良につながることもまた、同一
刊行物に示されている(V. Selvamanickam, et al.,“Enh
anced critical currents in high levels o
f Zr−added (Gd,Y)Ba2Cu3Ox superconductin
g tapes”、Supercond. Sci. Technol. 26, 03
5006 (2013))。特に、フィルムの「リフトファクタ」(典型的には、30K、3Tで約2.1)は、実質的に、より高いレベルのZr添加によって改良される。「リフトファクタ」は、実践的条件下におけるテープの臨界電流対77K時ゼロ磁場下のテープの臨界電流の比率を指す。また、最近、高臨界電流密度(概して求められている超電導体性能目標)が、77K時、高レベルのZr添加でREBCOテープにおいて達成されることができることが実証されている(V. Selvamanickam, et al.,“Low−temperature, High Magnetic Field Critical Current Characteristics of Zr−added (Gd,Y)Ba2Cu3Ox superconducting tapes”, Supercond. Sci. Technol. 25, 125013 (2012))。これらの発見は、REBCOテープを実質的に高レベルのZrでドープすることが、実践的条件下、高臨界電流密度および高リフトファクタの両方を産生する可能性を切り開く。しかしながら、高レベルの添加Zrを伴うREBCOテープのリフトファクタは、実質的に、一貫しないことが見出されている。
に、ある実施形態の簡単な概要を提供するために提示され、これらの説明は、本願の範囲
を制限するために意図されないことを理解されたい。実際、本開示は、本明細書に記載さ
れない場合がある、種々の実施形態を包含してもよい。
においてREBCOテープに垂直に印加される、約3T磁場下、3.0を上回るまたは4.0を上回るリフトファクタを達成するように加工されることができる。
m2未満またはそれと等しい臨界電流密度を含むように加工される。さらに別の実施形態
では、超伝導テープは、c−軸に平行な配向を有する、約3Tの磁場下、約30K時、約
12MA/cm2を上回るまたはそれと等しい臨界電流密度を含むように加工される。
例えば、本願発明は以下の項目を提供する。
(項目1)
約3Tの磁場下、約30K時、約3.0を上回るまたはそれと等しいリフトファクタを備える、超電導体テープ。
(項目2)
約32.0原子%を上回るバリウム+ドーパント含有量をさらに備える、項目1に記
載の超電導体テープ。
(項目3)
約49.0原子%未満の銅含有量をさらに備える、項目1に記載の超電導体テープ。
(項目4)
前記ドーパント含有量は、少なくとも約1.65原子%であって、前記バリウム含有量
は、少なくとも約29.9原子%である、項目2に記載の超電導体テープ。
(項目5)
前記リフトファクタは、約3Tの磁場下、約30K時、約4.0を上回るまたはそれと等しい、項目1に記載の超電導体テープ。
(項目6)
約33.0原子%を上回るバリウム+ドーパント含有量をさらに備える、項目5に記
載の超電導体テープ。
(項目7)
約49.0原子%未満の銅含有量をさらに備える、項目6に記載の超電導体テープ。
(項目8)
前記ドーパント含有量は、少なくとも約1.65原子%であって、前記バリウム含有量
は、少なくとも約30.5原子%である、項目6に記載の超電導体テープ。
(項目9)
約37.5%を上回るバリウム対バリウム+ドーパント+銅比率、約2.0%未満のド
ーパント対バリウム+ドーパント+銅比率、および約60.5%未満の銅対バリウム+ド
ーパント+銅比率をさらに備える、項目1に記載の超電導体テープ。
(項目10)
約0.58を上回るまたはそれと等しい、バリウム対銅比率をさらに備える、項目1
に記載の超電導体テープ。
(項目11)
約0.62を上回るまたはそれと等しい、バリウム+ドーパント対銅比率をさらに備え
る、項目1に記載の超電導体テープ。
(項目12)
約38.0%を上回るバリウム対バリウム+ドーパント+銅比率、約2.5%未満のド
ーパント対バリウム+ドーパント+銅比率、および約59.5%未満の銅対バリウム+ド
ーパント+銅比率をさらに備える、項目5に記載の超電導体テープ。
(項目13)
約0.62を上回るまたはそれと等しい、バリウム対銅比率をさらに備える、項目5
に記載の超電導体テープ。
(項目14)
約0.65を上回るまたはそれと等しい、バリウム+ドーパント対銅比率をさらに備え
る、項目5に記載の超電導体テープ。
(項目15)
外部磁場の不在下、77K時、約4.2MA/cm 2 未満またはそれと等しい臨界電流
密度をさらに備える、項目1に記載の超電導体テープ。
(項目16)
外部磁場の不在下、77K時、約3.8MA/cm 2 未満またはそれと等しい臨界電流
密度をさらに備える、項目5に記載の超電導体テープ。
(項目17)
c−軸に平行な配向を有する、約3Tの磁場下、約30K時、約12MA/cm 2 を上
回る臨界電流密度を備える、超電導体テープ。
(項目18)
前記臨界電流密度は、前記c−軸に平行な配向を有する、約3Tの磁場下、約30K時
、約15MA/cm 2 を上回る、項目17に記載の超電導体テープ。
(項目19)
前記超電導体テープは、少なくとも約0.9μmのフィルム厚を有する、超電導体フィ
ルムを備える、項目17に記載の超電導体テープ。
(項目20)
REBCO超伝導テープを製造する方法であって、
超伝導テープ基板に前駆体蒸気を印加するステップであって、前記前駆体蒸気は、
約33.0原子%を上回るバリウム+ドーパント含有量と、
約49.0原子%未満の銅含有量と、
を備える、フィルムをもたらす、方法。
ることによって、より深く理解されるであろう。例証目的のためだけに、図面に、ある実
施形態が示される。しかしながら、本明細書に開示される本発明の概念は、図に示される
精密な配列および器具類に限定されないことを理解されたい。
その用途において、以下の説明に記載され、または図面に図示される、構造詳細または構
成要素配列に限定されないことを理解されたい。また、本明細書に採用される語句および
専門用語は、単に、説明目的のためのものであって、限定と見なされるべきでないことも
理解されたい。
使用されてもよいことを理解されたい。他の判明システム、方法、特徴、および利点は、
本明細書の図面および発明を実施するための形態を検討することによって、当業者に明白
である、または明白となるであろう。全てのそのような付加的システム、方法、特徴、お
よび利点は、付随の請求項によって保護されることが意図される。
、約30K時、約3T磁場下、少なくとも約3.0のリフトファクタを一貫して達成する、超伝導テープを加工することである。本明細書に説明される実施形態の別の目的は、REBCOテープに垂直に印加される、約30K時、約3T磁場下、少なくとも約4.0のリフトファクタを一貫して達成することができる、超伝導テープを加工することである。一実施形態では、REBCOテープは、MOCVDによって加工される。
ムに続くキャッピング層(典型的には、貴金属)と、安定化層(典型的には、銅等の非貴
金属)とを含んでもよい。緩衝層は、いくつかの別々のフィルムから成ってもよい。
金属合金を含んでもよい。実施例は、Hastelloy(R)、Inconel(R)
合金群、ステンレス鋼合金、またはニッケル−タングステン、およびニッケル−クロム合
金が挙げられ得る。基板は、典型的には、薄いテープ、約25〜100μm厚、約2mm
〜100mm幅、および約1〜10,000メートルの長さの形態であってもよい。基板
は、約0.5〜20nm表面粗度を伴う平滑表面を産生するために、研磨等の技法によっ
て処理されることができる。加えて、別の実施形態では、基板は、公知のRABiTS(
圧延支援2軸方向テクスチャ化基板)技法等によって、2軸方向にテクスチャ化されるよ
うに処理されてもよい。代替として、さらに別の実施形態では、基板は、市販のHast
elloy(R)、Inconel(R)合金群、およびステンレス鋼合金等の非テクス
チャ化多結晶であってもよい。
ルムから作製されてもよい。さらに別の実施形態では、緩衝層は、概して、フィルムの平
面内および平面外の両方の結晶軸に沿って整合される、結晶テクスチャを有する、2軸方
向にテクスチャ化されたフィルムを含んでもよい。そのような2軸方向テクスチャ化は、
イオンビーム支援蒸着(IBAD)によって遂行されてもよい。例えば、IBADは、2
軸方向にテクスチャ化された緩衝層を形成し、超超伝導特性のための望ましい結晶学的配
向を有する、超伝導層を産生するために使用されることができる。
用されることができ、かつ約5〜約50ナノメートル等、約1〜約500nmであっても
よい。緩衝層はまた、IBADフィルムおよび基板に直接接触し、その間に設置されるよ
うに提供される、障壁フィルム等の付加的フィルムを含んでもよい。本実施形態では、障
壁フィルムは、アルミナまたはジルコニウム酸(例えば、イットリア安定化ジルコニア、
ジルコン酸ガドリニウム等)等の酸化物であってもよく、基板をIBADフィルムから隔
離するように機能することができる。障壁フィルムの典型的厚さは、約1〜約200nm
の範囲内であってもよい。
形成されるように、LaMnO3、SrTiO3、CeO2等のエピタキシャルに成長さ
れたフィルムを含んでもよい。エピタキシャルに成長されたフィルムは、MgOとREB
COとの間の格子不整合に対応するのに役立ち得る。他の実施形態では、全ての緩衝フィ
ルムは、種々の物理的蒸着、溶液コーティング、または化学蒸着技法によって蒸着されて
もよい。
ジミウム、エルビウム、ユーロピウム、サマリウム、ジスプロシウム、ホルミウム等の単
一希土類元素から成ってもよい。別の実施形態では、超伝導REBCOフィルムは、任意
の組み合わせにおいて、これらの希土類元素のうちの1つまたはそれを上回るものから成
ってもよい。超伝導フィルムは、約0.5〜10μm厚であってもよい。なおも別の実施
形態では、REBCOフィルムは、薄フィルム物理的蒸着技法(例えば、パルス状レーザ
蒸着(PLD))、蒸発またはスパッタリング、化学蒸着(CVD)、あるいは化学溶液
蒸着(CSD)を介して、蒸着されることができる。
フィルム内に組み込まれる出発源材料に添加され、磁束ピンニングを改善することができ
る。一実施形態では、超伝導フィルムが、PLDまたはスパッタリングによって作製され
る場合、BaZrO3、BaSnO3、BaHfO3、BaTiO3、BaCeO3、R
EBa2NbO6、REBa2TaO6、CeO2、ZrO2、またはYSZ等の1つま
たはそれを上回るドーパントが、前駆体と混合され、焼灼のための標的を形成することが
できる。代替として、別の実施形態では、ドーパントは、標的の区画として作製されても
よく、または別個の標的の中に作製されてもよい。
れて、REBCOおよびドーパント材料は、ともに蒸着され、フィルムを緩衝基板上に形
成することができる。代替として、別の実施形態では、超伝導フィルムが、蒸発によって
作製される場合、ドーパント材料は、Zr、Ce、Ti、Nb、Hf、Ta、およびSn
等の別個の元素として、源内に添加されてもよい。
(MOD)、または化学溶液蒸着(CSD)等の化学蒸着プロセスによって作製されても
よい。これらの実施形態では、Zr、Ce、Ti、Nb、Hf、Ta、およびSn等のド
ーパントが、出発前駆体中の金属有機物として添加されることができる。例えば、ドーパ
ントは、MOCVDの場合、テトラメチルヘプタノディオネイト(thd)の形態におい
て、あるいはMODまたはCSDの場合、酢酸またはアセチルアセトネートとして、添加
されることができる。全前駆体の溶液は、MOCVDの場合、テトラヒドロフラン(TH
F)、およびMODまたはCSDの場合、トリフルオロ酢酸(TFA)等の溶媒を使用し
て作製されることができる。
前駆体溶液が、ともに混合され、単一溶液として蒸発器内に送達されてもよい。代替とし
て、REBCO前駆体溶液およびドーパント前駆体溶液は、別個の溶液として蒸発器内に
送達されてもよい。別の実施形態では、RE、Ba、Cu、およびドーパントを含有する
蒸発された前駆体は、アルゴン等の搬送ガスを用いて送達される。前駆体は、次いで、酸
素ガスと混合され、シャワーヘッドを通して、MOCVD反応器の中にともに注入される
ことができる。さらに別の実施形態では、前駆体蒸気は、抵抗または放射加熱器を用いて
加熱される、緩衝基板上に蒸着されることができる。結果は、ドーパント化合物の埋め込
まれた酸化物を伴う、REBCOフィルムとなる。なおも別の実施形態では、Zrドーパ
ントの使用は、BZOをREBCOフィルム内に形成させる。BZOおよび他のドーパン
ト材料は、REBCOフィルム内のナノ柱または他のナノ構造として形成され、それによ
って、改良された磁束ピンニングを可能にすることが見出されている(V. Selva
manickam, et al.,“Influence of Zr and Ce
Doping on Electromagnetic Properties of
(Gd,Y)−Ba−Cu−O Superconducting Tapes Fa
bricated by Metal Organic Chemical Vapor
Deposition”、Physica C 469, 2037(2009);V
. Selvamanickam, et al.,“Enhanced critic
al currents in high levels of Zr−added (
Gd,Y)Ba2Cu3Ox superconducting tapes”, Su
percond. Sci. Technol. 26, 035006 (2013)
;V. Selvamanickam, et al.,“Low−temperatu
re, High Magnetic Field Critical Current
Characteristics of Zr−added (Gd,Y)Ba2Cu
3Ox superconducting tapes”, Supercond. S
ci. Technol. 25, 125013 (2012))。
もよく、これは、低抵抗界面および電気安定化を提供し、実践的使用の間の超電導体焼損
を防止するのに役立つために実装されることができる。さらに別の実施形態では、貴金属
が、キャッピング層として使用され、安定化層と超伝導層との間の望ましくない相互作用
を防止することができる。いくつかの貴金属として、金、銀、白金、およびパラジウムが
挙げられ得る。ある実施形態では、キャッピング層は、約0.01μm〜約20μmの厚
さ、または約1μmの厚さ〜約3μmの厚さであってもよい。キャッピング層は、スパッ
タリング、蒸発、または電気蒸着によって蒸着されることができる。
超伝導性クエンチに対する安定性を向上させてもよい。層は、高密度および熱的かつ電気
的に伝導性であってもよく、超伝導層の故障の場合または超伝導層の臨界電流を超える場
合、電流をバイパスするように機能することができる。また、事前に形成された銅細片を
超伝導テープ上に積層すること、またははんだ等の中間接合材料を使用すること等によっ
て、種々の厚フィルムおよび薄フィルム形成技法のうちの任意の1つによって形成されて
もよい。
は、ICP分光法を介して、測定されることができる。別の実施形態では、超伝導テープ
の臨界電流密度は、77K時、ゼロ印加磁場下、かつ約4.2K〜77Kの温度時、種々
の磁場の存在下、4プローブ技法によって測定されることができる。別の実施形態では、
磁場内臨界電流測定が、テープ法線に平行ならびに垂直な磁場の配向を用いて行われても
よい。加えて、さらに別の実施形態では、臨界電流密度は、中間磁場配向において測定さ
れてもよい。任意の温度および磁場におけるリフトファクタが、その条件におけるテープの臨界電流とゼロ印加磁場下、77K時、臨界電流の比率として計算されることができる。
種々の超電導体フィルム組成物のリフトファクタが、約15.0%〜約24.5%RE(Gd+Y)、約29.0%〜約38.5%Ba+Zr、および約46.5%〜約56.0%Cuの組成物範囲にわたって、マップされることができる。これらのフィルムは、THF溶媒中で混合されたGd、Y、Ba、およびCuのテトラメチルヘプタノディオネイト前駆体を使用して、MOCVDプロセスによって加工されることができる。前駆体配合表は、付加的15〜25モル%Zrを含むことができる。前駆体中の全カチオン(RE、Ba、Cu、Zr)が、フィルム内に組み込まれる場合、15%Zrは、フィルム内の全カチオンの2.4原子%に等しいZr含有量に対応し得る。溶液は、約270℃においてフラッシュ蒸発され、前駆体は、LaMnO3−緩衝IBAD MgO系Hastelloy基板上に蒸着されることができる。蒸着は、圧力2〜3トルにおいて、温度750〜850℃で行われることができる。
ルコニウム含有量および約49.0原子%未満の銅含有量を有する、超伝導テープは、約
30K時、約3T磁場下、約3.0を上回るリフトファクタを呈することができる。一実施形態では、約30K時、約3T下で約3.0を上回るリフトファクタを呈するサンプルの場合、フィルム内のZr含有量は、少なくとも1.65原子%であり得、バリウム含有量は、少なくとも29.9%であり得る。別の実施形態では、約33.0原子%を上回るバリウム+ジルコニウム含有量、約49.0%原子%未満の銅含有量を有する、超伝導テープは、約30K時、約3T磁場下で約4.0を上回るリフトファクタを呈することができる。一実施形態では、約30K時、約3T下、約4.0を上回るリフトファクタを呈するサンプルの場合、フィルム内のZr含有量は、少なくとも1.65原子%であり得、およびバリウム含有量は、少なくとも30.5原子%であり得る。
された種々の超電導体フィルム組成物の、約30K時、約3T磁場下のリフトファクタが、約1.0%〜約10.0%Zr、約34.0%〜約43.0%Ba、および約56.0%〜約65.0%Cuの組成物範囲にわたってマップされ得る。
5%を上回るバリウム含有量、Ba+Cu+Zrの総含有量の約60.5%未満の銅含有
量、およびBa+Cu+Zrの総含有量の約2%未満のジルコニウム含有量を有する、超
伝導テープは、約30K時、約3T磁場下、約3.0を上回るリフトファクタを呈することができる。別の実施形態では、Ba+Cu+Zrの総含有量の約38%を上回るバリウム含有量、Ba+Cu+Zrの総含有量の約59.5%未満の銅含有量、およびBa+Cu+Zrの総含有量の約2.5%未満のZr含有量を有する、超伝導テープは、約30K時、約3T磁場下、約4.0を上回るリフトファクタを呈することができる。
A/cm2)を有する、約30K時、約3Tの磁場下(テープに垂直に印加される)、約
15〜25モル%Zr添加を伴ういくつかの(Gd、Y)−Ba−Cu−Oテープのリフトファクタを図示する。予想外にも、77K時、0T磁場下、4.2MA/cm2未満の臨界電流密度を有する、それらの超伝導テープのみ、約30K時、約3T磁場下、約3.0を上回るリフトファクタを呈し得る。さらに、77K時、0T磁場下、3.8MA/cm2未満の臨界電流密度を有する、それらの超伝導テープのみ、約30K時、約3T磁場下、約4.0を上回るリフトファクタを呈し得る。超電導体研究における傾向は、ゼロ磁場下、77K時、臨界電流密度を増加させることである。したがって、ゼロ磁場下、77K時、より高い臨界電流密度は、実践的条件において高リフトファクタを達成するという観点から望ましくない場合があるという発見は、予測外であって、以前には、当技術分野において予想されていない。
上回るリフトファクタおよび高絶対臨界電流密度値の両方を達成することである。一実施形態では、約77K時、約0T磁場下、テープの臨界電流密度は、約30K時、約3T磁場下、約800A/cm−幅にわたって臨界電流密度を達成するためには十分に高くあり得る。例えば、約30.17%Ba、約50.7%Cu、約8.86%Y、約7.5%Gd、および約1.77%Zrのカチオン組成物を伴う、約0.91μm厚の超伝導フィルムは、77K時、0T下、約2.76MA/cm2の臨界電流密度と、約30K時、約3T下、約3.4のリフトファクタとを呈し得る。故に、テープの臨界電流は、約30K時、約3T下、約851A/cmであり得る。なおもさらなる実施形態では、約31.5原子%を上回るバリウム+ジルコニウム含有量、約51原子%未満の銅含有量、および約19.5原子%未満の希土類(例えば、イットリウム+ガドリニウム)含有量を有する、超伝導テープは、約30K時、約3T磁場下、約800A/cm−幅にわたって臨界電流密度を呈し得る。
.0を上回るリフトファクタおよび高絶対臨界電流密度値の両方を達成することである。一実施形態では、約77K時、約0T磁場下、テープの臨界電流密度は、約30K時、約3T磁場下、約2160A/12mm−幅にわたって臨界電流を達成するために十分に高くあり得る。例えば、以下の表1は、異なる概算カチオン組成物を有する種々の0.9μm厚の超伝導フィルムの臨界電流密度およびリフトファクタを図示する。
得る。テープ2の臨界電流は、約30K時、約3T下、約1751A/12mmであり得
る。テープ3の臨界電流は、約30K時、約3T下、約1661A/12mmであり得る
。テープ4の臨界電流は、約30K時、約3T下、約1297A/12mmであり得る。
テープ5の臨界電流は、約30K時、約3T下、約1413A/12mmであり得る。テ
ープ6の臨界電流は、約30K時、約3T下、約2160A/12mmであり得る。
では、超伝導テープは、以下の成分:ニオブ、タンタル、ハフニウム、スズ、セリウム、
およびチタンのうちの1つまたはそれを上回るものでドープされる。超伝導テープのタイ
プ毎に、図3および11に観察されるように、臨界電流密度とリフトファクタとの間に類似相関が存在し得る。
料は、任意の当業者が、本明細書に説明される本発明の概念を作製および使用することを
可能にするために提示されており、特定の実施形態の文脈において提供され、その変形例
は、当業者に容易に明白になるであろう(例えば、開示される実施形態のうちのいくつか
は、相互に組み合わせて使用されてもよい)。多くの他の実施形態は、前述の説明の精査
に応じて、当業者に明白となるであろう。本発明の範囲は、したがって、添付の請求項と
ともに、そのような請求項の権利が付与される均等物の全範囲を参照して判定されるべき
である。添付の請求項では、用語「including」および「in which」は
、個別の用語「comprising」および「wherein」の平易な英語均等物と
して使用される。
室温において、イオンビーム支援蒸着(IBAD)によって、MgOでコーティングされ
、2軸方向にテクスチャ化されたフィルムをもたらした。ホモエピタキシャルMgOおよ
びLaMnO3が、温度範囲600〜800℃において、マグネトロンスパッタリングに
よって、IBAD MgO層上に蒸着された。緩衝テープが、Zr添加を伴うGdYBC
OフィルムのMOCVDのために使用された。Zr0.15Gd0.6Y0.6Ba2C
u2.3のカチオン組成物を伴うテトラメチルヘプタノディオネイト前駆体が、モル濃度
0.05M/Lにおいて、テトラヒドロフランの溶媒中に溶解された。前駆体溶液が、流
率2.5mL/分で送達され、270℃でフラッシュ蒸発され、アルゴンのガス中に搬送
され、酸素と混合され、次いで、線形シャワーヘッドを使用して、反応器の中に注入され
た。前駆体蒸気は、約830℃の温度範囲において、反応器圧力2.3トルで、速度2.
1cm/分で移動する緩衝IBADテープ上に蒸着された。超電導体フィルムの厚さは、
0.925μmであると断面走査電子顕微鏡法によって測定された。フィルムのカチオン
原子組成物は、31.35%Ba、49.57%Cu、8.03%Gd、9.36%Y、
および1.69%ZrであるとICP分光分析によって判定された。テープの臨界電流密
度は、77K時、0T下、2.84MA/cm2であると測定された。30K時、テープ
に垂直に印加される3T磁場下、リフトファクタ4.4が、1153A/cmの臨界電流に対応して達成された。
ルヘプタノディオネイト前駆体が、モル濃度0.05M/Lにおいて、テトラヒドロフラ
ンの溶媒中に溶解された。前駆体溶液は、流率2.5mL/分で送達され、270℃でフ
ラッシュ蒸発され、アルゴンのガス中に搬送され、次いで、酸素と混合され、線形シャワ
ーヘッドを使用して、反応器の中に注入された。前駆体蒸気は、約800℃の温度範囲に
おいて、反応器圧力2.3トルで、速度2.1cm/分で移動する緩衝IBADテープ上
に蒸着された。超電導体フィルムの厚さは、0.91μmであると断面走査電子顕微鏡法
によって測定された。フィルムのカチオン原子組成物は、30.29%Ba、51.47
%Cu、8.12%Gd、8.55%Y、および1.57%ZrであるとICP分光分析
によって判定された。テープの臨界電流密度は、77K時、0T下、4.37MA/cm
2であると測定される。30K時、テープに垂直に印加される3T磁場下、リフトファクタ1.8が、728A/cmの臨界電流に対応して達成された。
Claims (17)
- 超電導体テープであって、前記超電導体テープは、
前記テープに垂直な配向を有する3Tの磁場下、30Kにおいて、3.0よりも大きいまたはそれに等しいリフトファクタを備え、
前記テープは、30Kにおける前記3Tの磁場下、800A/cm−幅よりも大きい臨界電流をさらに備える、超電導体テープ。 - 全カチオンの32.0原子%よりも大きいバリウムおよびドーパント含有量をさらに備える、請求項1に記載の超電導体テープ。
- 全カチオンの49.0原子%よりも小さい銅含有量をさらに備える、請求項2に記載の超電導体テープ。
- 前記ドーパント含有量は、全カチオンの少なくとも1.65原子%であり、前記バリウム含有量は、全カチオンの少なくとも29.9原子%である、請求項2に記載の超電導体テープ。
- 前記リフトファクタは、3Tの磁場下、30Kにおいて、4.0よりも大きいまたはそれに等しい、請求項1に記載の超電導体テープ。
- 全カチオンの33.0原子%よりも大きいバリウムおよびドーパント含有量をさらに備える、請求項5に記載の超電導体テープ。
- 全カチオンの49.0原子%よりも小さい銅含有量をさらに備える、請求項6に記載の超電導体テープ。
- 前記ドーパント含有量は、全カチオンの少なくとも1.65原子%であり、前記バリウム含有量は、全カチオンの少なくとも30.5原子%である、請求項6に記載の超電導体テープ。
- 37.5%よりも大きいバリウム対バリウムおよびドーパントおよび銅の比率、2.0%よりも小さいドーパント対バリウムおよびドーパントおよび銅の比率、60.5%よりも小さい銅対バリウムおよびドーパントおよび銅の比率をさらに備える、請求項1に記載の超電導体テープ。
- 0.58よりも大きいまたはそれに等しいバリウム対銅の比率をさらに備える、請求項1に記載の超電導体テープ。
- 0.62よりも大きいまたはそれに等しいバリウムおよびドーパント対銅の比率をさらに備える、請求項1に記載の超電導体テープ。
- 38.0%よりも大きいバリウム対バリウムおよびドーパントおよび銅の比率、2.5%よりも小さいドーパント対バリウムおよびドーパントおよび銅の比率、59.5%よりも小さい銅対バリウムおよびドーパントおよび銅の比率をさらに備える、請求項5に記載の超電導体テープ。
- 0.62よりも大きいまたはそれに等しいバリウム対銅の比率をさらに備える、請求項5に記載の超電導体テープ。
- 0.65よりも大きいまたはそれに等しいバリウムおよびドーパント対銅の比率をさらに備える、請求項5に記載の超電導体テープ。
- 外部磁場の不在下、77Kにおいて、4.2MA/cm2 よりも小さいまたはそれに等しい臨界電流密度をさらに備える、請求項1に記載の超電導体テープ。
- 外部磁場の不在下、77Kにおいて、3.8MA/cm2 よりも小さいまたはそれに等しい臨界電流密度をさらに備える、請求項5に記載の超電導体テープ。
- REBCO超伝導テープを製造する方法であって、
前記方法は、超伝導テープ基板に前駆体蒸気を印加することを含み、
前記前駆体蒸気は、
前記テープに垂直な配向を有する3Tの磁場下、30Kにおいて、3.0よりも大きいまたはそれに等しいリフトファクタであって、前記テープは、30Kにおける前記3Tの磁場下、800A/cm−幅よりも大きい臨界電流をさらに備える、リフトファクタと、
全カチオンの33.0原子%よりも大きいバリウムおよびドーパント含有量と、
全カチオンの49.0原子%よりも小さい銅含有量と
を備えるフィルムをもたらす、方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201361807142P | 2013-04-01 | 2013-04-01 | |
US61/807,142 | 2013-04-01 | ||
PCT/US2014/032560 WO2014209458A1 (en) | 2013-04-01 | 2014-04-01 | Superconductor with improved flux pinning at low temperatures |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017023829A Division JP2017084829A (ja) | 2013-04-01 | 2017-02-13 | 低温における向上された磁束ピンニングを有する半導体 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016522534A JP2016522534A (ja) | 2016-07-28 |
JP2016522534A5 JP2016522534A5 (ja) | 2017-03-16 |
JP6104455B2 true JP6104455B2 (ja) | 2017-03-29 |
Family
ID=52142538
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016505620A Active JP6104455B2 (ja) | 2013-04-01 | 2014-04-01 | 低温における向上された磁束ピンニングを有する半導体 |
JP2017023829A Pending JP2017084829A (ja) | 2013-04-01 | 2017-02-13 | 低温における向上された磁束ピンニングを有する半導体 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017023829A Pending JP2017084829A (ja) | 2013-04-01 | 2017-02-13 | 低温における向上された磁束ピンニングを有する半導体 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10818416B2 (ja) |
JP (2) | JP6104455B2 (ja) |
WO (1) | WO2014209458A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109690797B (zh) * | 2016-08-30 | 2024-01-09 | 休斯敦系统大学 | 高性能超导体带材的质量控制 |
CA3115523A1 (en) * | 2018-10-14 | 2020-06-11 | Metal Oxide Technologies, Llc. | Superconductor flux pinning without columnar defects |
CN111533551B (zh) * | 2020-05-08 | 2022-07-08 | 中国科学院电工研究所 | 一种ybco超导薄膜及其制备方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5122505A (en) * | 1990-10-01 | 1992-06-16 | Sri International | Carbonate-free inorganic nitrates or oxides and process thereof |
WO1998057382A1 (en) | 1997-06-11 | 1998-12-17 | University Of Cincinnati | ENHANCEMENT OF Jc IN OXIDE SUPERCONDUCTORS |
WO1999030333A1 (fr) * | 1997-12-10 | 1999-06-17 | Hitachi, Ltd. | Fil supraconducteur en oxyde, bobine de solenoide, generateur de champ magnetique, et procede de production de fil supraconducteur en oxyde |
US20050159298A1 (en) * | 2004-01-16 | 2005-07-21 | American Superconductor Corporation | Oxide films with nanodot flux pinning centers |
AU2005333196B2 (en) * | 2004-10-01 | 2009-10-01 | American Superconductor Corp. | Thick superconductor films with improved performance |
-
2014
- 2014-04-01 JP JP2016505620A patent/JP6104455B2/ja active Active
- 2014-04-01 US US14/242,587 patent/US10818416B2/en active Active
- 2014-04-01 WO PCT/US2014/032560 patent/WO2014209458A1/en active Application Filing
-
2017
- 2017-02-13 JP JP2017023829A patent/JP2017084829A/ja active Pending
-
2020
- 2020-10-19 US US17/074,223 patent/US11488746B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017084829A (ja) | 2017-05-18 |
US20210104340A1 (en) | 2021-04-08 |
US11488746B2 (en) | 2022-11-01 |
JP2016522534A (ja) | 2016-07-28 |
US10818416B2 (en) | 2020-10-27 |
WO2014209458A1 (en) | 2014-12-31 |
US20160172080A1 (en) | 2016-06-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11488746B2 (en) | Superconductor with improved flux pinning at low temperatures | |
EP2460197B1 (en) | Superconducting article with prefabricated nanostructure for improved flux pinning | |
JP2013545213A (ja) | 鉄系超伝導構造体及びその製造方法 | |
US20110034336A1 (en) | CRITICAL CURRENT DENSITY ENHANCEMENT VIA INCORPORATION OF NANOSCALE Ba2(Y,RE)NbO6 IN REBCO FILMS | |
EP2245638B1 (en) | Method of forming an hts article | |
Chu et al. | Insight into the interfacial nucleation and competitive growth of YBa2Cu3O7− δ films as high-performance coated conductors by a fluorine-free metal–organic decomposition route | |
US20110034338A1 (en) | CRITICAL CURRENT DENSITY ENHANCEMENT VIA INCORPORATION OF NANOSCALE Ba2(Y,RE)TaO6 IN REBCO FILMS | |
Chen et al. | Composition effects on the critical current of MOCVD-processed Zr: GdYBCO coated conductors in an applied magnetic field | |
JP2016522534A5 (ja) | ||
Chepikov et al. | Pinning Properties of PLD-Obtained GdBa2Cu3O7-x Coated Conductors Doped With BaSnO3 | |
KR101318128B1 (ko) | 초전도성 물품의 안티에피택셜 막과 관련 물품, 디바이스및 시스템 | |
Miura et al. | Superconducting properties in SmBa 2 Cu 3 O y films with high density of BaHfO 3 Nanorods fabricated with a seed layer | |
WO2011004684A1 (ja) | 基板および超電導線材の製造方法 | |
Fan et al. | Optimum composition in 10% Zr-added GdYBCO coated conductor for enhanced flux pinning at 30 K | |
KR20150053749A (ko) | 방향성 플럭스 피닝을 가지는 초전도체 제품 | |
Sato et al. | Effects of the Grain-Boundary Angle of the Buffer Layer on the In-Field Critical Current Density in (Y 0.77 Gd0. 23) Ba2Cu3Oy+ BaZrO3 Nanoparticle Coated Conductors | |
Fan et al. | Effect of Deposition Temperature on Microstructure and Critical Current Properties of Zr-Doped GdYBCO Superconducting Tapes Made by MOCVD | |
CAI et al. | Recent Development and Emerged Technologies of High-Tc Superconducting Coated Conductors | |
Miura et al. | Enhanced critical current under a magnetic field in Sm1+ xB2-xCu3Oy thick films prepared using low-temperature growth technique | |
Barnes et al. | Flux Pinning Enhancement in YBa2Cu3O7-x Films for Coated Conductor Applications (Postprint) | |
Goyal et al. | Chemical solution seed layer for rabits tapes | |
Ko et al. | High $ J_ {\rm c} $${\hbox {GdBa}} _ {2}{\hbox {Cu}} _ {3}{\hbox {O}} _ {7-\delta} $ Coated Conductors on ${\hbox {CeO}} _ {2} $-Buffered IBAD MgO Template Fabricated by Pulsed Laser Deposition | |
Kell et al. | Flux pinning enhancement of ybco films by y and ba site doping at minute concentrations | |
Driscoll et al. | Enhanced pinning in mixed rare earth-123 films | |
Chu et al. | Materials, Processing and Quality Control for High Performance Coated High Temperature Superconducting Conductors |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161019 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161111 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20170213 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170221 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170228 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6104455 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |