JP6096994B1 - Power semiconductor module terminal connection structure - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 73
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 36
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R11/00—Individual connecting elements providing two or more spaced connecting locations for conductive members which are, or may be, thereby interconnected, e.g. end pieces for wires or cables supported by the wire or cable and having means for facilitating electrical connection to some other wire, terminal, or conductive member, blocks of binding posts
- H01R11/03—Individual connecting elements providing two or more spaced connecting locations for conductive members which are, or may be, thereby interconnected, e.g. end pieces for wires or cables supported by the wire or cable and having means for facilitating electrical connection to some other wire, terminal, or conductive member, blocks of binding posts characterised by the relationship between the connecting locations
- H01R11/05—Individual connecting elements providing two or more spaced connecting locations for conductive members which are, or may be, thereby interconnected, e.g. end pieces for wires or cables supported by the wire or cable and having means for facilitating electrical connection to some other wire, terminal, or conductive member, blocks of binding posts characterised by the relationship between the connecting locations the connecting locations having different types of direct connections
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
- H01R13/46—Bases; Cases
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- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
- H01R13/40—Securing contact members in or to a base or case; Insulating of contact members
- H01R13/405—Securing in non-demountable manner, e.g. moulding, riveting
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- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
- H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/14—Mounting supporting structure in casing or on frame or rack
- H05K7/1422—Printed circuit boards receptacles, e.g. stacked structures, electronic circuit modules or box like frames
- H05K7/1427—Housings
- H05K7/1432—Housings specially adapted for power drive units or power converters
- H05K7/14329—Housings specially adapted for power drive units or power converters specially adapted for the configuration of power bus bars
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
- H01L25/11—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/115—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R4/00—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation
- H01R4/02—Soldered or welded connections
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R4/00—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation
- H01R4/28—Clamped connections, spring connections
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- H01R4/34—Conductive members located under head of screw
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract
本発明は、上面の側端部に立設したピン出力端子2を有するパワー半導体モジュール10に電力ケーブルを接続するパワー半導体モジュールの端子接続構造であって、上面に露出して電力ケーブルの接続端子31を固定するためのインサートナット13が埋め込まれた樹脂ブラケット4と、ピン出力端子2を挿通する端子孔16が形成され、インサートナット13に螺合するボルト18を貫通する導電性ブッシュ15を有したブッシュ付き接続基板5と、を備え、ピン出力端子2を端子孔16に挿通してはんだ付けを行い、導電性ブッシュ15と固定用のボルト18の頭部と間に接続端子31を挟み込みんで、固定用のボルト18でボルト締結して電力ケーブルをパワー半導体モジュール10に接続する。The present invention is a power semiconductor module terminal connection structure in which a power cable is connected to a power semiconductor module 10 having a pin output terminal 2 erected on a side end portion of the upper surface, and is exposed on the upper surface and connected to the power cable. A resin bracket 4 in which an insert nut 13 for fixing 31 is embedded, a terminal hole 16 through which the pin output terminal 2 is inserted, and a conductive bush 15 that passes through a bolt 18 screwed into the insert nut 13 are provided. A connection board 5 with a bush, and the pin output terminal 2 is inserted into the terminal hole 16 and soldered, and the connection terminal 31 is sandwiched between the conductive bush 15 and the head of the fixing bolt 18. Then, the power cable is connected to the power semiconductor module 10 by fastening with the fixing bolt 18.
Description
本発明は、パワー半導体モジュールの電力用の複数のピン出力端子と電力ケーブルの接続端子とを接続部材を介した接続の信頼性の低下を抑止することができるパワー半導体モジュールの端子接続構造に関する。 The present invention relates to a terminal connection structure of a power semiconductor module capable of suppressing a reduction in connection reliability between a plurality of power pin output terminals of a power semiconductor module and a connection terminal of a power cable via a connection member.
駆動源としてエンジンおよび回転電機が搭載されたハイブリッド作業車両は、回転電機への電源を供給する一方、回転電機によって発電された電力を蓄電するバッテリー等の蓄電器を備えている。このような構成を有するハイブリッド作業車両では、回転電機を駆動するインバータを有している。インバータはパワー半導体モジュールを用いて電力変換を行っている。 A hybrid work vehicle in which an engine and a rotating electrical machine are mounted as drive sources is provided with a power storage device such as a battery that stores power generated by the rotating electrical machine while supplying power to the rotating electrical machine. The hybrid work vehicle having such a configuration has an inverter that drives the rotating electrical machine. The inverter performs power conversion using a power semiconductor module.
特許文献1には、電力変換用のスイッチング素子を含む複数のパワーモジュールと、前記パワーモジュールを冷却する冷媒が流れる複数の冷媒流路とが積層された積層ユニットと、前記積層ユニットを収容するケースと、前記ケースの外側の表面に固定された樹脂製の固定部材と、前記固定部材に固定されて前記固定部材を介して前記ケースに取り付けられ、前記複数のパワーモジュールに接続される制御基板と、前記制御基板を前記固定部材に固定する第1固定部と、前記固定部材を前記ケースに固定する第2固定部と、を有し、前記固定部材の線膨張率は、前記ケースの線膨張率よりも前記制御基板の線膨張率に近い値であり、前記第1固定部と前記第2固定部とは、前記固定部材において別々の位置に配置されている電力変換装置が記載されている。これによれば、固定部材の線膨張率が、ケースの線膨張率よりも制御基板の線膨張率に近い値であり、第1固定部と第2固定部とが固定部材において別々の位置に配置されているため、ケースの熱歪みが制御基板に伝達することを抑制し、制御基板における熱歪みの発生を抑制することができる。 Patent Document 1 discloses a laminated unit in which a plurality of power modules including switching elements for power conversion, a plurality of refrigerant flow paths through which a refrigerant for cooling the power module flows, and a case for housing the laminated unit A resin fixing member fixed to the outer surface of the case, a control board fixed to the fixing member and attached to the case via the fixing member, and connected to the plurality of power modules; And a first fixing part for fixing the control board to the fixing member, and a second fixing part for fixing the fixing member to the case, and the linear expansion coefficient of the fixing member is the linear expansion of the case. The power conversion device is a value closer to the linear expansion coefficient of the control board than the rate, and the first fixing part and the second fixing part are arranged at different positions in the fixing member. It is. According to this, the linear expansion coefficient of the fixing member is closer to the linear expansion coefficient of the control board than the linear expansion coefficient of the case, and the first fixing portion and the second fixing portion are located at different positions in the fixing member. Since it is arrange | positioned, it can suppress that the thermal distortion of a case is transmitted to a control board, and can suppress generation | occurrence | production of the thermal distortion in a control board.
ところで、インバータ筐体内にIGBTなどのパワー半導体モジュールを取り付け、インバータ筐体内でパワー半導体モジュールに電力ケーブルの接続端子を接続する必要がある。この場合、端子台がパワー半導体モジュールに一体形成されているパワー半導体モジュールの場合には、端子台に電力ケーブルの接続端子を接続すればよいが、パワー半導体モジュールの端子がピン出力端子である場合、別途端子台を設ける必要がある。 By the way, it is necessary to attach a power semiconductor module such as IGBT in the inverter housing and connect the connection terminal of the power cable to the power semiconductor module in the inverter housing. In this case, in the case of a power semiconductor module in which the terminal block is formed integrally with the power semiconductor module, the connection terminal of the power cable may be connected to the terminal block, but the terminal of the power semiconductor module is a pin output terminal It is necessary to provide a separate terminal block.
この場合、別途設けられる端子台には、ピン出力端子を接続するピン接続部と電力ケーブルの接続端子を接続するケーブル接続部とを有し、ピン接続部とケーブル接続部との間に導電パターンが形成された接続基板、あるいはバスバーなどの接続部材を設ける必要がある。 In this case, the terminal block provided separately has a pin connection part for connecting the pin output terminal and a cable connection part for connecting the connection terminal of the power cable, and a conductive pattern between the pin connection part and the cable connection part. It is necessary to provide a connection member such as a bus bar, or a connection board on which is formed.
接続基板やバスバーなどを用いてパワー半導体モジュールの電力用のピン出力端子と電力ケーブルの接続端子とを接続する構造を有したハイブリッド作業車両では、高負荷での繰り返し作業によるパワー半導体モジュールの温度変動や、振動衝撃の繰り返しによって、パワー半導体モジュールのピン出力端子部と電力ケーブルの接続端子部が相対的にずれようとする負荷がかかるため、ピン接続部及びケーブル接続部に応力がかかり、パワー半導体モジュールと電力ケーブルとの接続の信頼性が低下する。 In a hybrid work vehicle having a structure in which the power pin output terminal of the power semiconductor module and the connection terminal of the power cable are connected using a connection board, a bus bar, etc., the temperature fluctuation of the power semiconductor module due to repeated work under high load In addition, a load that causes the pin output terminal portion of the power semiconductor module and the connection terminal portion of the power cable to be relatively displaced due to repeated vibration shock is applied, so stress is applied to the pin connection portion and the cable connection portion, and the power semiconductor The connection reliability between the module and the power cable is reduced.
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、パワー半導体モジュールの電力用の複数のピン出力端子と電力ケーブルの接続端子とを接続部材を介した接続の信頼性の低下を抑止することができるパワー半導体モジュールの端子接続構造を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above, and suppresses a decrease in reliability of connection between a plurality of pin output terminals for power of a power semiconductor module and a connection terminal of a power cable via a connection member. An object of the present invention is to provide a terminal connection structure of a power semiconductor module capable of achieving the above.
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかるパワー半導体モジュールの端子接続構造は、上面の側端部に立設した複数のピン出力端子を有するとともに筐体に装着されたパワー半導体モジュールと、前記パワー半導体モジュールの側方に配置され前記筐体に装着された樹脂ブラケットと、前記ピン出力端子を挿通する端子孔が形成された基板本体にフランジ部を備えた導電性ブッシュが配置され、前記端子孔と前記導電性ブッシュとが導電接続されたブッシュ付き接続基板と、電力ケーブルの接続端子及び前記ブッシュ付き接続基板の前記導電性ブッシュを貫通して前記樹脂ブラケットに螺合するボルトと、を備え、前記ピン出力端子は前記端子孔に挿通して前記端子孔に導電接続され、前記電力ケーブルの接続端子は前記ボルトと前記樹脂ブラケットとの螺合によって前記導電性ブッシュに導電接続され、前記ピン出力端子が前記電力ケーブルの接続端子に導電接続することを特徴とする。 In order to solve the above-described problems and achieve the object, the terminal connection structure of the power semiconductor module according to the present invention has a plurality of pin output terminals erected on the side end portion of the upper surface and is mounted on the housing. A conductive bush provided with a flange portion on a substrate body in which a power semiconductor module, a resin bracket disposed on a side of the power semiconductor module and attached to the housing, and a terminal hole through which the pin output terminal is inserted are formed And a connection board with a bush in which the terminal hole and the conductive bush are conductively connected, and a screw connection with the resin bracket through the connection terminal of the power cable and the conductive bush of the connection board with the bush And the pin output terminal is inserted into the terminal hole and conductively connected to the terminal hole, and the connection terminal of the power cable is the front Is conductively connected to the conductive bushing bolt and by screwing between the resin bracket, the pin output terminal is characterized by connecting a conductive connection terminal of the power cable.
また、本発明にかかるパワー半導体モジュールの端子接続構造は、上記の発明において、前記樹脂ブラケットは、前記ボルトに対するインサートナットが設けられることを特徴とする。 The power semiconductor module terminal connection structure according to the present invention is characterized in that, in the above invention, the resin bracket is provided with an insert nut for the bolt.
また、本発明にかかるパワー半導体モジュールの端子接続構造は、上記の発明において、前記パワー半導体モジュールの筐体の線膨張率と前記樹脂ブラケットとの線膨張率との差は所定範囲内であることを特徴とする。 In the terminal connection structure for a power semiconductor module according to the present invention, in the above invention, the difference between the linear expansion coefficient of the casing of the power semiconductor module and the linear expansion coefficient of the resin bracket is within a predetermined range. It is characterized by.
また、本発明にかかるパワー半導体モジュールの端子接続構造は、上記の発明において、前記ピン出力端子は、前記端子孔に挿通された状態ではんだ付けされて前記端子孔に導通接続されることを特徴とする。 Further, in the terminal connection structure of the power semiconductor module according to the present invention, in the above invention, the pin output terminal is soldered in a state of being inserted into the terminal hole and is conductively connected to the terminal hole. And
また、本発明にかかるパワー半導体モジュールの端子接続構造は、上記の発明において、前記ピン出力端子の前記端子孔への接続は、前記導電性ブッシュを前記樹脂ブラケットの上面に接触させた状態で行うことを特徴とする。 In the terminal connection structure for a power semiconductor module according to the present invention, in the above invention, the pin output terminal is connected to the terminal hole in a state where the conductive bush is in contact with the upper surface of the resin bracket. It is characterized by that.
また、本発明にかかるパワー半導体モジュールの端子接続構造は、上記の発明において、前記導電性ブッシュを前記樹脂ブラケットの上面に接触させた状態は、前記電力ケーブルの接続端子を挟まずに、前記ボルトを前記樹脂ブラケットに固定する仮固定によって形成することを特徴とする。 Further, the terminal connection structure of the power semiconductor module according to the present invention is the above-described invention, wherein the conductive bush is in contact with the upper surface of the resin bracket when the bolt is not sandwiched between the power cable connection terminals. Is formed by temporary fixing to be fixed to the resin bracket.
また、本発明にかかるパワー半導体モジュールの端子接続構造は、上記の発明において、前記電力ケーブルの接続端子を挟んで固定する本固定を行う場合、仮固定した前記ボルトの取り外し毎に、取り外された箇所を前記ボルトで本固定することを特徴とする。 Moreover, the terminal connection structure of the power semiconductor module according to the present invention is removed every time the bolt that has been temporarily fixed is removed in the above-described invention, when the main fixing is performed with the connection terminal of the power cable interposed therebetween. The point is permanently fixed with the bolt.
本発明によれば、パワー半導体モジュールの電力用の複数のピン出力端子と電力ケーブルの接続端子とを接続部材を介した接続の信頼性の低下を抑止することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the fall of the reliability of the connection through the connection member of the several pin output terminal for electric power of a power semiconductor module and the connection terminal of a power cable can be suppressed.
以下、添付図面を参照して本発明を実施するための形態について説明する。 DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
図1は、本発明の実施の形態であるパワー半導体モジュール10の端子接続構造を含むインバータ1内の配置構成を示す図である。図1に示すように、インバータ1は、インバータ筐体1a(本願発明の筐体)内に、ピン出力端子2を有した2つのパワー半導体モジュール10と、端子台20aが一体形成された3つのパワー半導体モジュール20とが並列配置される。なお、インバータ筐体1a内に、電力ケーブルや平滑用のコンデンサが配置される配線空間1bが形成されている。また、インバータ1は、図示しない冷却機構も有する。パワー半導体モジュール10,20は、それぞれ四隅でのボルト締めによってインバータ筐体1aに固定される。インバータ筐体1a内のパワー半導体モジュール10,20が配置される筐体の部位は上述した冷却機構によって冷却される冷却部である。
FIG. 1 is a diagram showing an arrangement configuration in an inverter 1 including a terminal connection structure of a
ピン出力端子2は、パワー半導体モジュール10の上面の側端部に配置され、コンデンサに接続される直流のプラス端子2p、マイナス端子2n、三相出力のU相端子2u、V相端子2v、W相端子2wを有する。各ピン出力端子2は、3つの端子を有し、電流分散を行っている。
The
パワー半導体モジュール10は、ピン出力端子2を接続端子としているため、電力ケーブルを接続するために、3つの端子台3を設けている。端子台3a,3bは、それぞれU相端子2u、V相端子2v、W相端子2wを接続し、端子台3cは、2つのプラス端子2p、2つのマイナス端子2nを接続する。各端子台3(3a,3b,3c)は、樹脂ブラケット4(4a,4b,4c)上にブッシュ付き接続基板5(5a,5b,5c)がそれぞれ配置される構成となっている。なお、図1では、接続される電力ケーブルを省略している。端子台3は、パワー半導体モジュール10の側方に配置される。すなわち、図上、2つの並列配置されたパワー半導体モジュールの右側、左側、及び上側に配置される。
Since the
図2は、図1のA部の拡大図である。また、図3は、図2のB−B線断面図である。図2に示すように、端子台3は、パワー半導体モジュール10の側方に配置される。上述したようにパワー半導体モジュール10は、四隅でボルト42によってインバータ筐体1aに固定される。また、端子台3は、両端のボルト40によってインバータ筐体1aに固定される。なお、パワー半導体モジュール10の上面には制御基板11が取り付けられる。また、ブッシュ付き接続基板5は、両端のボルト41によって樹脂ブラケット4に固定される。
FIG. 2 is an enlarged view of a portion A in FIG. FIG. 3 is a sectional view taken along line BB in FIG. As shown in FIG. 2, the
図2及び図3に示すように、樹脂ブラケット4は、上面に露出して電力ケーブル30の接続端子31を固定するためのインサートナット13が樹脂ブラケット本体12に埋め込まれている。樹脂ブラケット本体12の上面高さは、パワー半導体モジュール10の上面高さにほぼ等しい。ブッシュ付き接続基板5は、パワー半導体モジュール10のピン出力端子2を挿通する端子孔16が形成された基板本体14に、インサートナット13に螺合する固定用のボルト18を貫通する導電性ブッシュ15が取り付けられている。導電性ブッシュ15は、フランジ付きのブッシュで、基板本体14の上面側から基板本体14を貫通して基板本体14の下面から少し突出する状態で取り付けられる。基板本体14は、端子孔16と導電性ブッシュ15との間を電気的に接続する導電性パターンPTが形成されている。ブッシュ付き接続基板5は、樹脂ブラケット4、及びピン出力端子2が配置されるパワー半導体モジュール10の側端部の上側に配置される。
As shown in FIGS. 2 and 3, the
そして、ピン出力端子2は、端子孔16に挿通された状態ではんだ付けされて、はんだ部17が形成される。一方、導電性ブッシュ15の上面には電力ケーブル30の接続端子31が配置され、接続端子31は、導電性ブッシュ15とボルト18とに挟まれた状態で、ボルト18のインサートナット13への螺合によって導電性ブッシュ15に接続される。その結果、電力ケーブル30の接続端子31とピン出力端子2とが電気的に接続される。ボルト18は、電力ケーブル30の接続端子31を導電性ブッシュ15に接続するための固定用の部材である。
The
(パワー半導体モジュールと樹脂ブラケットの線膨張率)
図4に示すように、常温時、例えば25℃のときにピン出力端子2とブッシュ付き接続基板5とをはんだ付けした場合(図4(a)参照)、ピン出力端子2とブッシュ付き接続基板5とは直角に交わっているが、高温時、例えば125℃になると(図4(b)参照)、樹脂ブラケット4の線膨張率がパワー半導体モジュール10の筐体(樹脂ケース)の線膨張率に比して大きいため、ブッシュ付き接続基板5の導電性ブッシュ15側が相対的に浮き上がり、ブッシュ付き接続基板5が変形する。この変形によってピン出力端子2のはんだ部17に応力がかかり、はんだ部17における接続の信頼性が低下する。特に、ハイブリッド作業車両の場合には、同じ様な作業が繰り返し行われるため、温度変動が繰り返される。この温度変動に伴う応力変動は、はんだ部17における接続の信頼性を低下させてしまう。(Linear expansion coefficient of power semiconductor module and resin bracket)
As shown in FIG. 4, when the
このため、本実施の形態では、パワー半導体モジュール10の筐体と樹脂ブラケット4との線膨張率の差が所定範囲内となる材料を用いている。特に樹脂ブラケット本体12の材料がパワー半導体モジュール10の筐体の材料に対して線膨張率の差が所定範囲内となるように選定している。具体的には、樹脂ブラケット本体12の材料の線膨張率がパワー半導体モジュール10の筐体の材料の線膨張率の2倍以下となるように選定している。なお、樹脂ブラケット本体12の線膨張率とパワー半導体モジュール10の筐体の線膨張率が近ければ近いほど好ましい。これにより、パワー半導体モジュール10の発熱時に、はんだ部17にかかる応力が軽減され、はんだ部17の接続の信頼性の低下を防止することができる。上述したように、ハイブリッド作業車両に生ずる温度変動が繰り返される場合であっても、はんだ部17における接続の信頼性の低下を防止することができる。
For this reason, in this Embodiment, the material from which the difference of the linear expansion coefficient of the housing | casing of the
(パワー半導体モジュールの端子接続)
つぎに、図5〜図10及び図11に示したフローチャートを参照して、端子台3を介したピン出力端子2と電力ケーブル30の接続端子31との接続処理について説明する。まず、図5に示すように、ボルト41で樹脂ブラケット4にブッシュ付き接続基板5を取り付け、さらに固定用のボルト18で導電性ブッシュ15の下面とインサートナット13の上面とが接触状態となるように仮固定して予め端子台3を組み立てておく(ステップS101)。(Power semiconductor module terminal connection)
Next, a connection process between the
その後、図6に示すように、インバータ筐体1a内にパワー半導体モジュール10をボルト42で取り付ける(ステップS102)。なお、ステップS101の端子台3の組立とステップS102のパワー半導体モジュール10の取付とは逆の順序で行ってもよいし、並行して行ってもよい。その後、図7に示すように、予め組み立てておいた3つの端子台3をボルト40でインバータ筐体1aに取り付ける(ステップS103)。なお、このとき、ブッシュ付き接続基板5の端子孔16にピン出力端子2が挿通する。端子孔16は、端子台3の設置時にピン出力端子2が挿通する位置に設けられている。
Then, as shown in FIG. 6, the
その後、図8に示すように、領域Eにおける、端子孔16を挿通しているピン出力端子2をはんだ付けしてはんだ部17を形成し、ピン出力端子2をブッシュ付き接続基板5に接続する(ステップS104)。さらに、パワー半導体モジュール10を制御する制御基板11をパワー半導体モジュールの上面に取り付ける(ステップS105)。
After that, as shown in FIG. 8, the
その後、図9に示すように、直流入力側の端子台3cで仮固定していた固定用のボルト18を取り外し(ステップS106)、導電性ブッシュ15上に、コンデンサ50に接続される接続端子51を配置し、取り外した固定用のボルト18を再度インサートナット13に螺合して接続端子51を本固定する(ステップS107)。
Thereafter, as shown in FIG. 9, the fixing
さらに、図10に示すように、三相出力側の端子台3a,3bで仮固定していた固定用のボルト18を取り外し(ステップS108)、導電性ブッシュ15上に、電力ケーブル30の接続端子31を配置し、取り外した固定用のボルト18を再度インサートナット13に螺合して接続端子31を本固定する(ステップS109)。
Further, as shown in FIG. 10, the fixing
ここで、図12は、固定用のボルト18で仮固定しない場合の端子台3を示す図2のC−C線断面図である。また、図13は、固定用のボルト18で仮固定しない場合の端子台3とこの端子台3で電力ケーブル30の接続端子31を接続する場合の端子台3の状態を示す図2のB−B線断面図である。
Here, FIG. 12 is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG. 2 showing the
図12及び図13(a)に示すように、固定用のボルト18で仮固定しない場合、ブッシュ付き接続基板5と樹脂ブラケット4との製造誤差や部品公差によって導電性ブッシュ15とインサートナット13との間に隙間dが生ずる場合がある。隙間dが生じた状態で、はんだ付けを行い、図13(b)に示すように、この隙間dが生じた状態で、固定用のボルト18で電力ケーブル30の接続端子31を接続すると、隙間dの潰れに伴って基板本体14が下降して変形し、はんだ付けされたはんだ部17に応力がかかり、はんだ部17の接続の信頼性が低下する。
As shown in FIGS. 12 and 13 (a), when the fixing
これに対し、本実施の形態では、予め端子台3を組み立てるとき、固定用のボルト18で仮固定するようにしている。図14は、固定用のボルト18で仮固定した場合の端子台3を示す図2のC−C線断面図である。また、図15は、固定用のボルト18で仮固定した場合の端子台3とこの端子台3で電力ケーブル30の接続端子31を固定用のボルト18で本固定する場合の端子台3の状態を示す図2のB−B線断面図である。
On the other hand, in the present embodiment, when the
図14及び図15(a)に示すように、本実施の形態では、固定用のボルト18でブッシュ付き接続基板5の導電性ブッシュ15を仮固定しているので、導電性ブッシュ15とインサートナット13との間に隙間が生じず、接触状態となる。すなわち、部品公差や製造誤差により、導電性ブッシュ15とインサートナット13との間に、図12に示した隙間dが生じる場合でも、仮固定により、図14に示すように、基板本体14が変形するので、図15(a)に示すように、導電性ブッシュ15とインサートナット13とが接触状態となる。この仮固定の状態で、ピン出力端子2がはんだ付けされて、はんだ部17が形成される。その後、図15(b)に示すように、固定用のボルト18を取り外し、接続端子31を挟んで、取り外した固定用のボルト18を本固定しても、導電性ブッシュ15とインサートナット13との間の接触状態は変化せず、基板本体14の位置も変化しない。この結果、はんだ部17に応力はかからず、信頼性高く、はんだ部17の接続状態を維持することができる。
As shown in FIGS. 14 and 15 (a), in the present embodiment, the
なお、上述した実施の形態では、仮固定された固定用のボルト18を全て取り外した後に固定用のボルト18で本固定することを前提として説明したが、1つの仮固定された固定用のボルト18を取り外す毎に、取り外した1つの固定用のボルト18を用いて順次本固定することが好ましい。導電性ブッシュ15とインサートナット13との間が接触状態で、はんだ部17に応力がかからない状態を維持しつつ本固定できるからである。
In the above-described embodiment, the description has been made on the assumption that the temporarily fixed
また、上述した実施の形態では、仮固定に固定用のボルト18を用いていたが、これに限らず、仮固定専用のボルトを用いて仮固定するようにしてもよい。
In the above-described embodiment, the fixing
さらに、上述した実施の形態では、固定用のボルト18を用いて仮固定していたが、これに限らず、ブッシュ付き接続基板5を手で押さえて、導電性ブッシュ15とインサートナット13との間の接触状態を形成し、この状態でピン出力端子2のはんだ付けを行ってもよいし、押え治具を用いて導電性ブッシュ15とインサートナット13との間の接触状態を形成し、この状態でピン出力端子2のはんだ付けを行ってもよい。要は、導電性ブッシュ15とインサートナット13との間の接触状態が形成された状態で、ピン出力端子2のはんだ付けを行えばよい。
Furthermore, in embodiment mentioned above, although it fixed temporarily using the volt |
なお、パワー半導体モジュール10のピンには、電力用のピンと制御用のピンとがあり、本実施の形態の端子台3に接続されるピン出力端子2は、電力用のピンである。制御用のピンは、図8に示した制御基板11に接続される。
The
1 インバータ
1a インバータ筐体(筐体)
1b 配線空間
2 ピン出力端子
2p プラス端子
2n マイナス端子
2u U相端子
2v V相端子
2w W相端子
3,3a,3b,3c 端子台
4 樹脂ブラケット
5 ブッシュ付き接続基板
10,20 パワー半導体モジュール
11 制御基板
12 樹脂ブラケット本体
13 インサートナット
14 基板本体
15 導電性ブッシュ
16 端子孔
17 はんだ部
18 固定用のボルト
20a 端子台
30 電力ケーブル
31、51 接続端子
40,41,42 ボルト
50 コンデンサ
d 隙間
E 領域
PT 導電性パターン1
Claims (7)
前記パワー半導体モジュールの側方に配置され前記筐体に装着された樹脂ブラケットと、
前記ピン出力端子を挿通する端子孔が形成された基板本体にフランジ部を備えた導電性ブッシュが配置され、前記端子孔と前記導電性ブッシュとが導電接続されたブッシュ付き接続基板と、
電力ケーブルの接続端子及び前記ブッシュ付き接続基板の前記導電性ブッシュを貫通して前記樹脂ブラケットに螺合するボルトと、
を備え、前記ピン出力端子は前記端子孔に挿通して前記端子孔に導電接続され、前記電力ケーブルの接続端子は前記ボルトと前記樹脂ブラケットとの螺合によって前記導電性ブッシュに導電接続され、前記ピン出力端子が前記電力ケーブルの接続端子に導電接続することを特徴とするパワー半導体モジュールの端子接続構造。A power semiconductor module having a plurality of pin output terminals erected on the side edge of the upper surface and mounted on the housing;
A resin bracket disposed on a side of the power semiconductor module and mounted on the housing;
A connection board with a bush in which a conductive bush having a flange portion is disposed on a substrate body in which a terminal hole for inserting the pin output terminal is formed, and the terminal hole and the conductive bush are conductively connected;
A bolt that passes through the conductive bush of the connection terminal of the power cable and the connection board with the bush and is screwed to the resin bracket;
The pin output terminal is inserted into the terminal hole and conductively connected to the terminal hole, and the connection terminal of the power cable is conductively connected to the conductive bush by screwing the bolt and the resin bracket, A terminal connection structure of a power semiconductor module, wherein the pin output terminal is conductively connected to a connection terminal of the power cable.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2016/072164 WO2016204306A1 (en) | 2016-07-28 | 2016-07-28 | Terminal connection structure for power semiconductor module |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6096994B1 true JP6096994B1 (en) | 2017-03-15 |
JPWO2016204306A1 JPWO2016204306A1 (en) | 2017-06-29 |
Family
ID=57546021
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016549583A Active JP6096994B1 (en) | 2016-07-28 | 2016-07-28 | Power semiconductor module terminal connection structure |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6096994B1 (en) |
CN (1) | CN106463876A (en) |
DE (1) | DE112016000036T5 (en) |
WO (1) | WO2016204306A1 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6866824B2 (en) * | 2017-10-31 | 2021-04-28 | 住友電装株式会社 | connector |
US11908773B2 (en) | 2019-07-30 | 2024-02-20 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Element module |
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CN103779348A (en) * | 2014-01-24 | 2014-05-07 | 嘉兴斯达微电子有限公司 | Flat-plate type power semiconductor module |
-
2016
- 2016-07-28 JP JP2016549583A patent/JP6096994B1/en active Active
- 2016-07-28 DE DE112016000036.7T patent/DE112016000036T5/en not_active Ceased
- 2016-07-28 WO PCT/JP2016/072164 patent/WO2016204306A1/en active Application Filing
- 2016-07-28 CN CN201680001006.8A patent/CN106463876A/en active Pending
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE112016000036T5 (en) | 2018-03-15 |
CN106463876A (en) | 2017-02-22 |
JPWO2016204306A1 (en) | 2017-06-29 |
WO2016204306A1 (en) | 2016-12-22 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170117 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170216 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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