JP6081227B2 - Authentication object, authentication apparatus, authentication method and authentication object manufacturing method - Google Patents
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Description
本発明は、クレジットカード等の真贋認証対象物と、その真贋判定を行う真贋判定装置、真贋判定方法及び真贋認証対象物の製造方法に関するものである。 The present invention relates to an authentication object such as a credit card, and an authentication device, an authentication method, and a manufacturing method of an authentication object for determining the authentication.
従来、クレジットカード、キャッシュカード、身分証、健康保険証、運転免許証、パスポート、プリペイドカード、証券類等の偽造が問題となっていた。これらの偽造品が出回ることで、商取引、福利厚生、公共交通、医療の分野等、社会全体に大きな影響を及ぼし、様々な活動の安全性が脅かされていた。 Conventionally, forgery of credit cards, cash cards, identification cards, health insurance cards, driver's licenses, passports, prepaid cards, securities, etc. has been a problem. The circulation of these counterfeit goods has had a major impact on society as a whole, including commercial transactions, welfare, public transportation, and medical care, and the safety of various activities has been threatened.
そこで、クレジットカード等の偽造を防止するため、様々な工夫が行われている。その一例として、クレジットカードに真贋認証に必要な情報が記憶されている磁気ストライプやICチップ等の記憶媒体が組み込まれるとともに、店舗に設けられたPOSシステム等に記憶媒体中の情報を読み取り真贋判定を行う真贋判定装置を設けたものが挙げられる。 Therefore, various measures have been taken to prevent counterfeiting of credit cards and the like. As an example, a storage medium such as a magnetic stripe or an IC chip in which information necessary for authentication is stored in a credit card is incorporated, and the information in the storage medium is read by a POS system provided in the store. There is one provided with an authenticity determination device for performing the above.
このPOSシステムにおいてクレジットカードを使用する際には、真贋判定装置により真贋判定が行われ、クレジットカードが偽造品であると判定された場合には、POSシステムによる当該クレジットカードを用いた精算は行われないようになっている。 When a credit card is used in this POS system, authentication is performed by an authenticity determination device, and if the credit card is determined to be counterfeit, the POS system uses the credit card for payment. It is supposed not to be broken.
しかし、近年の偽造技術は巧妙化の一途を辿り、従来の偽造防止方法では対応できなくなっている。例えば、上述した磁気ストライプやICチップ等を用いた偽造防止方法を用いた場合でも、真贋認証に必要な情報がスキーマと呼ばれる装置を用いて読み取られ、読み取られた情報を基に偽造カードが作成され、使用されるという問題が生じている。 However, recent counterfeiting techniques have become increasingly sophisticated, and conventional counterfeiting prevention methods cannot cope with them. For example, even when using the anti-counterfeiting method using the magnetic stripe or IC chip described above, information required for authentication is read using a device called a schema, and a forged card is created based on the read information. And has been used.
そこで、偽造防止のため、偽造をすることが極めて困難である真贋認証用のチップをクレジットカード等のカードに組み込んだものが提案されている(特許文献1参照)。この真贋認証用のチップは、樹脂中に放射性物質粒が混入されて構成されている。 Therefore, in order to prevent forgery, a chip in which a chip for authenticating that is extremely difficult to forge is incorporated into a card such as a credit card has been proposed (see Patent Document 1). This authentication chip is configured by mixing radioactive substance particles in resin.
この混入された放射性物質粒の配置パターンは、その真贋認証チップ、すなわちカード毎に固有のものであり、この配置パターンを偽造することは非常に困難なものとなっている。そして、使用時にはこの真贋認証チップのイメージが読み取られ、予め記憶装置に記憶されている当該真贋認証チップのイメージと比較され、両イメージが一致した場合は、このカードは真正なものと判断される。 The arrangement pattern of the mixed radioactive substance particles is unique to the authentication chip, that is, each card, and it is very difficult to forge the arrangement pattern. When used, the image of the authentication chip is read and compared with the image of the authentication chip stored in the storage device in advance. If the images match, the card is determined to be authentic. .
ところで、上述した偽造防止方法では、真贋認証用のチップが大型化する傾向があり、軽量小型化、特にナノオーダーの微細な構造にすることが非常に困難であった。また、上記カードが本来有する各種機能を確保しつつ、大きな真贋認証用のチップを組み込むためのスペースを確保する必要があり、カードのデザインレイアウト上の制約を招いていた。 By the way, in the anti-counterfeiting method described above, there is a tendency for the chip for authentication to be large, and it is very difficult to reduce the weight and size, particularly to a nano-order fine structure. In addition, it is necessary to secure a space for incorporating a large authentication chip while securing various functions inherent to the card, resulting in restrictions on the design layout of the card.
また、上述した従来の真贋認証チップの製造には、従来のカードの製造には用いられることのない、全く異なる種類の工程を経る必要があるため、カードの製造工程が複雑化すると共に、製造コストの増大を招いていた。 In addition, the manufacture of the above-described conventional authentication chip requires a completely different type of process that is not used in the manufacture of a conventional card, thus complicating the card manufacturing process and manufacturing the card. The cost was increased.
そこで、本発明は、上述した問題点に鑑みて案出されたものであり、真贋認証用の認証構造体が設けられた真贋認証対象物であって、認証構造体をナノオーダーの微細なサイズとすることでレイアウト上の制約を受けず、真贋認証対象物の他の情報記録部内に、真贋認証対象物の従来の製造工程において用いられていたプロセスと同様のプロセスを経て認証構造体を形成することのできる真贋認証対象物を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention has been devised in view of the above-described problems, and is an authentication object provided with an authentication structure for authenticating authentication, and the authentication structure has a fine size of nano order. Therefore, the authentication structure is formed in the other information recording part of the authentication object through the same process as that used in the conventional manufacturing process of the authentication object. An object is to provide an authentication object that can be authenticated.
また、本発明は、上記真贋認証対象物の真贋判定を行う真贋判定装置、真贋判定方法及び真贋認証対象物の製造方法を提供することも目的とする。 Another object of the present invention is to provide an authenticity determination device, an authenticity determination method, and a method for manufacturing an authenticity authentication object, which determine the authenticity of the authentication object.
本発明者は、上述した課題を解決するために、偽造が不可能であるとともに、認証構造体をナノオーダーの微細なサイズとすることでレイアウト上の制約を受けず、真贋認証対象物の他の情報記録部内に、真贋認証対象物の従来の製造工程において用いられていたプロセスと同様のプロセスを経て認証構造体を形成することのできる真贋認証対象物を発明した。 In order to solve the above-mentioned problems, the present inventor cannot forge and is not subject to layout restrictions by making the authentication structure a nano-order fine size. In this information recording part, the authentication object which can form an authentication structure through the process similar to the process used in the conventional manufacturing process of the authentication object was invented.
また、本発明者は、上記真贋認証対象物の真贋判定を行う真贋判定装置、真贋判定方法及び真贋認証対象物の製造方法を発明した。 Further, the inventor has invented an authenticity determination device, an authenticity determination method, and a method of manufacturing an authenticity authentication object for determining the authenticity of the authentication object.
請求項1に係る真贋認証対象物は、真贋認証用の認証構造体と、前記認証構造体とは異なる所定の情報が記録された情報記録部と、を備え、前記認証構造体は、基体上に形成されたナノオーダーである柱状の、複数のピラーにより形成されるレジストパターンをレジスト倒壊させて形成される、最小パターン間隔が10ナノメートルを下回るレジスト構造体であり、前記認証構造体は、前記情報記録部の製造工程に含まれる工程を経て、前記情報記録部に組み込まれていることを特徴とする。 An authentication object according to claim 1 includes an authentication structure for authentication, and an information recording unit in which predetermined information different from the authentication structure is recorded. A resist structure formed by collapsing a resist pattern formed by a plurality of pillars in a columnar shape, which is nano-order, and having a minimum pattern interval of less than 10 nanometers, and the authentication structure is It is incorporated in the information recording part through a process included in the manufacturing process of the information recording part.
請求項2に係る真贋認証対象物は、真贋認証用の認証構造体と、前記認証構造体とは異なる所定の情報が記録された情報記録部と、を備え、前記認証構造体は、基体に形成されたナノオーダーである柱状の、複数のピラーにより形成されるレジストパターンをレジスト倒壊させて形成される最小パターン間隔が10ナノメートルを下回るレジスト構造体をマスクとして、前記基体をエッチングして形成される、最小パターン間隔が10ナノメートルを下回る凹凸構造であり、前記認証構造体は、前記情報記録部の製造工程に含まれる工程を経て、前記情報記録部に組み込まれていることを特徴とする。
An authentication object according to
請求項3に係る真贋認証対象物は、真贋認証用の認証構造体と、前記認証構造体とは異なる所定の情報が記録された情報記録部と、を備え、前記認証構造体は、基体に形成されたナノオーダーである柱状の、複数のピラーにより形成されるレジストパターンをレジスト倒壊させて形成される最小パターン間隔が10ナノメートルを下回るレジスト構造体をマスクとして、前記基体をエッチングして形成される凹凸構造を形成した後、前記基体をモールドとして使用して他の基体上に形成される、最小パターン間隔が10ナノメートルを下回る成型凹凸構造であり、前記認証構造体は、前記情報記録部の製造工程に含まれる工程を経て、前記情報記録部に組み込まれていることを特徴とする。
An authentication object according to
請求項4に係る真贋認証対象物は、前記情報記録部はホログラムであることを特徴とする。
The authentication object according to
請求項5に係る真贋認証対象物は、前記情報記録物はICチップであることを特徴とする。
The authentication object according to
請求項6に係る真贋認証装置は、最小パターン間隔が10ナノメートルを下回る構造部分を有する認証構造体が設けられた真贋認証対象物の真贋を判定する真贋判定装置であって、前記認証構造体から認証情報として最小パターン間隔が10ナノメートルを下回る前記構造部分を含む画像情報を取得する取得部と、前記認証情報の真贋判定に用いる比較情報として最小パターン間隔が10ナノメートルを下回る前記構造部分を含む記憶画像情報を記憶する記憶部と、前記記憶部から前記比較情報を読み出す読出部と、前記認証情報と前記比較情報とをブロックマッチングにより比較する比較部と、前記認証情報と前記比較情報との比較結果に基づき真贋判定を行う判定部と、を備えることを特徴とする。
An authentication device according to
請求項7に係る真贋判定装置は、前記比較部は、NCCを用いてブロックマッチングを行うことを特徴とする。
The authenticity determination apparatus according to
請求項8に係る真贋判定装置は、前記比較部は、SADを用いてブロックマッチングを行うことを特徴とする。 The authenticity determination apparatus according to an eighth aspect is characterized in that the comparison unit performs block matching using SAD.
請求項9に係る真贋判定装置は、前記比較部は、SSDを用いてブロックマッチングを行うことを特徴とする。
The authenticity determination apparatus according to
請求項10に係る真贋判定装置は、前記取得部は、走査型電子顕微鏡であり、前記認証情報として前記認証構造体の電子顕微鏡画像を取得し、前記記憶部は、前記比較情報として電子顕微鏡画像を記憶する、ことを特徴とする。
In the authenticity determination device according to
請求項11に係る真贋判定装置は、前記取得部は、走査プローブ顕微鏡であり、前記認証情報として前記認証構造体の表面画像を取得し、前記記憶部は、前記比較情報として表面画像を記憶する、ことを特徴とする。
In the authenticity determination device according to
請求項12に係る真贋判定装置は、前記取得部は、近接場光学顕微鏡であり、前記認証情報として前記認証構造体の近接場顕微鏡画像を取得し、前記記憶部は、前記比較情報として近接場顕微鏡画像を記憶する、ことを特徴とする。 The authenticity determination device according to claim 12, wherein the acquisition unit is a near-field optical microscope, acquires a near-field microscope image of the authentication structure as the authentication information, and the storage unit includes a near-field as the comparison information. A microscope image is stored.
請求項13に係る真贋判定装置は、前記取得部は、光学顕微鏡であり、前記認証情報として前記認証構造体の光学顕微鏡画像を取得し、前記記憶部は、前記比較情報として光学顕微鏡画像を記憶する、ことを特徴とする。 In the authenticity determination device according to claim 13, the acquisition unit is an optical microscope, acquires an optical microscope image of the authentication structure as the authentication information, and the storage unit stores an optical microscope image as the comparison information. It is characterized by.
請求項14に係る真贋判定方法は、最小パターン間隔が10ナノメートルを下回る構造部分を有する認証構造体が設けられた真贋認証対象物の真贋を判定する真贋判定方法であって、前記認証構造体から認証情報として、最小パターン間隔が10ナノメートルを下回る前記構造部分の拡大画像を含む画像情報を取得する取得工程と、真贋判定に用いる比較情報として最小パターン間隔が10ナノメートルを下回る前記構造部分の拡大画像を含む記憶画像情報を記憶装置から読み出す読出工程と、前記認証情報と前記比較情報とを、輝度値に基づくブロックマッチングにより比較する比較工程と、前記比較工程における比較結果に基づき真贋判定を行う判定工程と、を備えることを特徴とする。 The authenticity determination method according to claim 14 is an authenticity determination method for determining the authenticity of an authentication object provided with an authentication structure having a structure portion having a minimum pattern interval of less than 10 nanometers, wherein the authentication structure The acquisition step of acquiring image information including an enlarged image of the structural part whose minimum pattern interval is less than 10 nanometers as authentication information, and the structural part whose minimum pattern interval is less than 10 nanometers as comparison information used for authenticity determination A reading step of reading out stored image information including an enlarged image from the storage device, a comparison step of comparing the authentication information and the comparison information by block matching based on a luminance value, and authenticity determination based on a comparison result in the comparison step And a determination step for performing.
請求項15に係る真贋判定方法は、前記比較工程では、NCCを用いてブロックマッチングを行うことを特徴とする。 The authenticity determination method according to claim 15 is characterized in that block matching is performed using NCC in the comparison step.
請求項16に係る真贋判定方法は、前記比較工程では、SADを用いてブロックマッチングを行うことを特徴とする。 The authenticity determination method according to claim 16 is characterized in that in the comparison step, block matching is performed using SAD.
請求項17に係る真贋判定方法は、前記比較工程では、SSDを用いてブロックマッチングを行うことを特徴とする。 The authenticity determination method according to claim 17 is characterized in that block matching is performed using SSD in the comparison step.
請求項18に係る真贋判定方法は、前記取得工程では、前記認証情報として前記認証構造体の電子顕微鏡画像を取得し、前記読出工程では、前記比較情報として前記記憶装置から電子顕微鏡画像を読み出す、ことを特徴とする。 In the authenticity determination method according to claim 18, the acquisition step acquires an electron microscope image of the authentication structure as the authentication information, and the reading step reads an electron microscope image from the storage device as the comparison information. It is characterized by that.
請求項19に係る真贋判定方法は、前記取得工程では、前記認証情報として前記認証構造体の表面画像を取得し、前記読出工程では、前記比較情報として前記記憶装置から表面画像を読み出す、ことを特徴とする。 In the authentication method according to claim 19, in the obtaining step, a surface image of the authentication structure is obtained as the authentication information, and in the reading step, a surface image is read from the storage device as the comparison information. Features.
請求項20に係る真贋判定方法は、前記取得工程では、前記認証情報として前記認証構造体の近接場顕微鏡画像を取得し、前記読出工程では、前記比較情報として前記記憶装置から近接場顕微鏡画像を読み出す、ことを特徴とする。 In the authenticity determination method according to claim 20, in the obtaining step, a near-field microscope image of the authentication structure is obtained as the authentication information, and in the reading step, a near-field microscope image is obtained from the storage device as the comparison information. It is characterized by reading.
請求項21に係る真贋判定方法は、前記取得工程では、前記認証情報として前記認証構造体の光学顕微鏡画像を取得し、前記読出工程では、前記比較情報として前記記憶装置から光学顕微鏡画像を読み出す、ことを特徴とする。 In the authentication method according to claim 21, in the obtaining step, an optical microscope image of the authentication structure is obtained as the authentication information, and in the reading step, an optical microscope image is read from the storage device as the comparison information. It is characterized by that.
請求項22に係る真贋認証対象物の製造方法は、基体上に所定の情報が記録された情報記録部を形成する情報記録部形成工程と、前記基体上に、前記情報記録部形成工程に含まれる工程を経て、ナノオーダーである柱状の、複数のピラーにより形成されるレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、前記レジストパターンをレジスト倒壊させて最小パターン間隔が10ナノメートルを下回るレジスト構造体を形成するレジスト倒壊工程と、を備えることを特徴とする。 A method for producing an authentication object according to claim 22 is included in an information recording part forming step for forming an information recording part in which predetermined information is recorded on a base, and the information recording part forming step on the base. A resist pattern forming step for forming a resist pattern formed by a plurality of pillars in a columnar shape, which is nano-order, and a resist structure in which the resist pattern is collapsed and the minimum pattern interval is less than 10 nanometers And a resist collapsing step for forming the structure.
請求項23に係る真贋認証対象物の製造方法は、前記レジスト倒壊工程において形成された前記レジスト構造体をマスクとして、前記基体をエッチングして、最小パターン間隔が10ナノメートルを下回る凹凸構造を形成する凹凸構造形成工程を更に備えることを特徴とする。 The method for manufacturing an authentication object according to claim 23, wherein the substrate is etched using the resist structure formed in the resist collapse step as a mask to form a concavo-convex structure with a minimum pattern interval of less than 10 nanometers. The method further comprises the step of forming the concavo-convex structure.
請求項24に係る真贋認証対象物の製造方法は、前記凹凸構造形成工程において形成された前記凹凸構造を備える前記基体をモールドとして、他の基体上に最小パターン間隔が10ナノメートルを下回る成型凹凸構造を形成する成形凹凸構造形成工程を更に備えることを特徴とする。 25. The method for producing an authentication object according to claim 24, wherein the substrate having the concavo-convex structure formed in the concavo-convex structure forming step is used as a mold, and a molding concavo-convex having a minimum pattern interval of less than 10 nanometers on another substrate. The method further comprises a forming uneven structure forming step for forming the structure.
上述した構成からなる本願発明に係る真贋認証対象物及び真贋認証対象物の製造方法
によれば、認証構造体を最小パターン間隔が10ナノメートルを下回るナノオーダーの微細なサイズとすることで、レイアウト上の制約を受けることがなくなり、真贋認証対象物のホログラムやICチップ等、他の情報記録部内であってもこれらの機能に影響を及ぼすことなく、偽造不可能な認証構造体を設けることができる。
According to the authentication object and the authentication object manufacturing method according to the present invention having the above-described configuration, the authentication structure has a fine size in the nano order with a minimum pattern interval of less than 10 nanometers. It is possible to provide an authentication structure that cannot be counterfeited without affecting these functions even in other information recording parts such as holograms and IC chips of authentic authentication objects. it can.
また、認証構造体をフォトリソグラフィ等、真贋認証対象物の従来の製造工程において用いられていた製造工程に含まれる製造工程を経て形成することができるため、認証構造体、ひいては真贋認証対象物全体の製造工程の簡易化と、製造コストの低下を実現することができる。 In addition, since the authentication structure can be formed through a manufacturing process included in the manufacturing process used in the conventional manufacturing process of the authentication object such as photolithography, the authentication structure and thus the entire authentication object The manufacturing process can be simplified and the manufacturing cost can be reduced.
また、上述した構成からなる本願発明に係る真贋判定装置およびそれにより行われる真贋判定方法によると、真贋認証対象物に設けられている真贋認証用の認証構造体がレジスト描画装置の解像限界および各種リソグラフィの解像限界以下の10ナノメートルを下回る最小パターン間隔を有する場合でも、認証構造体を読み取り、極めて高精度の真贋判定を行うことができる。 Further, according to the authenticity determination device according to the present invention having the above-described configuration and the authenticity determination method performed thereby, the authentication structure for authenticity authentication provided in the authentication object is the resolution limit of the resist drawing device and Even when the minimum pattern interval is less than 10 nanometers below the resolution limit of various lithography, the authentication structure can be read and an extremely accurate authentication can be performed.
以下、本発明に係る真贋認証対象物の例として、クレジットカードを例に詳細に説明する。 Hereinafter, a credit card will be described in detail as an example of the authentication object according to the present invention.
<第1実施形態>
図1は、本発明の第1実施形態に係る真贋認証対象物の例としてのクレジットカード1を示す、(A)は平面図、(B)は背面図である。
<First Embodiment>
1A and 1B show a credit card 1 as an example of an authentication object according to the first embodiment of the present invention, in which FIG. 1A is a plan view and FIG. 1B is a rear view.
クレジットカード1は、樹脂等適宜の素材よりなる平板状の基体の表面及び裏面に、それぞれ所定の機能を有する複数の構造を設けて形成されている。図1(A)に示すように、クレジットカード1の表面には、セキュリティ情報等の各種情報を記憶するICチップ2と、真贋認証を目視で行うためのホログラム3が形成されている。また、図1(B)に示すように、クレジットカード1の裏面には、各種情報が記録された磁気ストライプ4が設けられている。
The credit card 1 is formed by providing a plurality of structures each having a predetermined function on the front and back surfaces of a flat substrate made of an appropriate material such as resin. As shown in FIG. 1A, an
図2は、図1のクレジットカードのホログラム部分の拡大平面図である。図3は、図2のホログラム中の領域10に設けられた認証構造体としてのレジスト構造体を示す、(A)は拡大平面図、(B)は(A)を更に拡大した拡大平面図である。
FIG. 2 is an enlarged plan view of a hologram portion of the credit card of FIG. 3 shows a resist structure as an authentication structure provided in the
本実施形態に係る真贋認証対象物では、ホログラム3中の領域10内に、ナノオーダーでの真贋認証を行うための真贋認証構造体としてのレジスト構造体5が設けられている。すなわち、目視による真贋認証情報を提供するホログラム3と、ナノオーダーであって所定の読取装置による読取が可能である真贋認証情報を提供するレジスト構造体5とにより、階層型の情報記録媒体が構成されている。
In the authentication object according to the present embodiment, a resist
ホログラム3は、クレジットカード1の基体の表面に、フォトリソグラフィ等を用いていわゆる干渉縞を形成することで作成される。
The
レジスト構造体5は、ホログラム3の形成時に使用されるフォトレジスト等のレジストを用いて形成された、ナノオーダーである柱状の、複数のピラーにより形成されるレジストパターンをレジスト倒壊させることで形成されている。
The resist
このレジスト構造体5におけるパターン間隔は、小さい部分では10ナノメートル以下、好ましくは5ナノメートル以下となっていて、ホログラム3の製造工程において用いられるレジスト描画装置の解像限界および各種リソグラフィの解像限界を下回るパターン間隔となっている。すなわち、レジスト構造体5は、レジスト描画装置では形成することのできない、極めて微細なパターン間隔を有している。
The pattern interval in the resist
なお、レジスト構造体5の構造は極めて微細であるため、ホログラム3がホログラムとしての機能を発揮するための光学的な特性に影響を及ぼさないようになっている。
In addition, since the structure of the resist
図4は、レジスト構造体5の製造方法の例を示す工程図である。まず、図4(A)に示すように、クレジットカード1の基体6の表面6a上にレジストが塗布され、レジスト層11が形成される。
FIG. 4 is a process diagram showing an example of a method for manufacturing the resist
次に、図4(B)に示すように、レジスト層11の所望の部位に化学線が照射され、レジストパターンの潜像11’が形成される。使用する化学線は、レジスト層11の感応性に応じて、例えば、電子線、X線、紫外線等を使用することができる。
Next, as shown in FIG. 4B, a desired portion of the resist
次に、図4(C)に示すように、レジスト層11に現像処理が施されてレジストパターン8が形成される。このレジストパターン8は、円柱、角柱状のピラー形状の複数のパターンからなるものが好ましいが、これに限らず、ラインとスペースのパターンからなるものや、これらの組合せよりなるものであっても良い。
Next, as shown in FIG. 4C, the resist
次に、図4(D)に示すように、レジストパターン8の少なくとも一部に外力を加えてレジスト倒壊を生じさせることにより、パターン間隔が10ナノメートル以下となるレジスト倒壊部分7を有するレジスト構造体5が形成される。
Next, as shown in FIG. 4D, a resist structure having a resist
レジストパターン5に作用させる外力は、例えば、現像処理後に行われるリンス処理の乾燥工程における処理液の表面張力、荷電粒子線照射による帯電で発生する静電気力、流体噴射による流体圧力、超音波振動の振動圧等を挙げることができ、これらの少なくとも1種を用いることができる。これらの方法によれば、レジストパターン8に傾斜、倒れ、滑り等のレジスト倒壊現象を容易に発生させることができ、人為的に再現することが困難であるパターンのランダムさと微細さを有するレジスト構造体5を形成することができる。
The external force applied to the resist
なお、本実施形態においては、レジスト構造体5はホログラム3内に設けられているが、本発明においてはこれに限らず、ICチップ2や磁気ストライプ4内に設けてもよい。特に、ICチップ2については、ホログラム3と同様にフォトリソグラフィ等を用いて形成することが可能であるため、このICチップ2の製造工程に含まれる工程を経てレジスト構造体5を作成することができる。
In the present embodiment, the resist
上述した本実施形態に係る真贋認証対象物によると、認証構造体を最小パターン間隔が10ナノメートルを下回るナノオーダーの微細なサイズとすることで、レイアウト上の制約を受けることがなくなり、真贋認証対象物のホログラムやICチップ等、他の情報記録部内であってもこれらの機能に影響を及ぼすことなく、偽造不可能な認証構造体を設けることができる。 According to the authentication object according to the present embodiment described above, the authentication structure is made to be a nano-order fine size whose minimum pattern interval is less than 10 nanometers, so that there is no restriction on the layout, and authentication is performed. An authentication structure that cannot be counterfeited can be provided without affecting these functions even in another information recording unit such as a hologram or an IC chip of an object.
また、フォトリソグラフィ等、真贋認証対象物の従来の製造工程において用いられていた製造工程に含まれる製造工程を経て形成することができるため、認証構造体、ひいては真贋認証対象物全体の製造工程の簡易化と、製造コストの低下を実現することができる。 Moreover, since it can be formed through the manufacturing process included in the manufacturing process used in the conventional manufacturing process of the authentication object such as photolithography, the authentication structure, and thus the entire manufacturing process of the authentication object Simplification and reduction in manufacturing cost can be realized.
<第2実施形態>
本発明の第2実施形態に係る真贋認証対象物について、上述した第1実施形態と同様にクレジットカードを例に説明する。なお、本実施形態に係るクレジットカードは、認証構造体の構造のみが第1実施形態におけるものと相違している。
Second Embodiment
The authentication object according to the second embodiment of the present invention will be described by taking a credit card as an example as in the first embodiment described above. Note that the credit card according to the present embodiment is different from that in the first embodiment only in the structure of the authentication structure.
具体的には、本実施形態では、認証構造体は、第1実施形態と同様にクレジットカード1の基体6上にレジスト構造体5を形成した後、更にこのレジスト構造体5をマスクとして基体6をエッチングすることにより、認証構造体としての凹凸構造9が形成される。以下、この凹凸構造9の製造方法について更に詳細に説明する。
Specifically, in this embodiment, after the formation of the resist
図5は、本発明の第2実施形態に係る真贋認証対象物における、認証構造体としての凹凸構造を形成する方法を示す工程図である。 FIG. 5 is a process diagram showing a method of forming a concavo-convex structure as an authentication structure in an authentication object according to the second embodiment of the present invention.
まず、図5(A)に示すように、上述した第1実施形態と同様にして基体6の表面6a上にレジスト構造体5が形成される。
First, as shown in FIG. 5A, the resist
次に、図5(B)に示すように、レジスト構造体5をマスクとして、基体6がエッチングされ、凹凸構造9が形成される。基体6のエッチングとしては、例えば、反応性イオンエッチング、反応性ガスエッチング等のドライエッチング、イオンミリングのような物理エッチング等を行うことができる。また、基体6のエッチングレートとレジスト構造体5のエッチングレートを適宜設定することにより、種々の形状、寸法の凹凸構造9を形成することができ、パターン間隔を、レジスト描画装置の解像限界および各種リソグラフィの解像限界を下回る、10ナノメートル以下とすることが可能である。
Next, as shown in FIG. 5B, the
なお、本実施形態に係る認証構造体を形成可能な箇所は、第1実施形態に係るものと同様である。 Note that the places where the authentication structure according to the present embodiment can be formed are the same as those according to the first embodiment.
上述した本実施形態に係る真贋認証対象物によっても、認証構造体を最小パターン間隔が10ナノメートルを下回るナノオーダーの微細なサイズとすることで、レイアウト上の制約を受けることがなくなり、真贋認証対象物のホログラムやICチップ等、他の情報記録部内であってもこれらの機能に影響を及ぼすことなく、偽造不可能な認証構造体を設けることができる。 Even with the authentication object according to this embodiment described above, the authentication structure is made to be a nano-sized fine size with a minimum pattern interval of less than 10 nanometers, so that there is no restriction on the layout, and authentication is performed. An authentication structure that cannot be counterfeited can be provided without affecting these functions even in another information recording unit such as a hologram or an IC chip of an object.
また、フォトリソグラフィ等、真贋認証対象物の従来の製造工程において用いられていた製造工程に含まれる製造工程を経て形成することができるため、認証構造体、ひいては真贋認証対象物全体の製造工程の簡易化と、製造コストの低下を実現することができる。 Moreover, since it can be formed through the manufacturing process included in the manufacturing process used in the conventional manufacturing process of the authentication object such as photolithography, the authentication structure, and thus the entire manufacturing process of the authentication object Simplification and reduction in manufacturing cost can be realized.
また、第1実施形態に係る真贋認証対象物の認証構造体であるレジスト構造体は基体の表面に設けられている別個の構造体であるが、本実施形態に係る認証構造体は基体自体に形成された凹凸構造である。そのため、認証構造体自体の強度を確保することができ、真贋認証対象物の使用に伴う認証構造体の破損や脱落等を効果的に防止することができる。 Further, the resist structure which is the authentication structure of the authentication object according to the first embodiment is a separate structure provided on the surface of the base, but the authentication structure according to the present embodiment is attached to the base itself. It is the formed uneven structure. Therefore, the strength of the authentication structure itself can be secured, and the authentication structure can be effectively prevented from being damaged or dropped off due to the use of the authentication object.
<第3実施形態>
本発明の第3実施形態に係る真贋認証対象物について、上述した第1、第2実施形態と同様にクレジットカードを例に説明する。なお、本実施形態に係るクレジットカードは、認証構造体の構造のみが第1、第2実施形態におけるものと相違している。
<Third Embodiment>
The authentication object according to the third embodiment of the present invention will be described by taking a credit card as an example as in the first and second embodiments described above. Note that the credit card according to the present embodiment is different from that in the first and second embodiments only in the structure of the authentication structure.
具体的には、本実施形態では、認証構造体は、第2実施形態と同様にクレジットカード1の基体6上に凹凸構造9を形成した後、この凹凸構造9をモールドとして他の基体9上に形成した樹脂層に凹凸構造を形成、硬化させることで認証構造体としての成型凹凸構造36を作成している。以下、この成型凹凸構造36の製造方法について更に詳細に説明する。
Specifically, in this embodiment, the authentication structure is formed on the
図6は、本発明の第3実施形態に係る真贋認証対象物における、認証構造体としての成型凹凸構造を形成する方法を示す工程図である。 FIG. 6 is a process diagram showing a method of forming a molded concavo-convex structure as an authentication structure in the authentication object according to the third embodiment of the present invention.
まず、図6(A)に示すように、上述した第2実施形態と同様にして基体6の表面6a上に凹凸構造9を形成し、モールド61とする。
First, as shown in FIG. 6A, the concavo-
次に、図6(B)に示すように、所望の基体32の表面32a上にペースト状の樹脂34が塗布されるとともに、先に形成したモールド61を樹脂層34に近接させ、凹凸構造9内に樹脂34を充填させる。
Next, as shown in FIG. 6 (B), a paste-
使用する樹脂34は、光硬化性、熱硬化性、あるいは、熱可塑性の樹脂材料を用いて形成することができ、例えば、基体32上に樹脂材料の液滴を供給し、基体32とモールド61とを近接させて樹脂34の液滴を押し広げることにより凹凸構造9内に樹脂を充填することができる。モールド61上に樹脂材料の液滴を供給してもよいことは勿論である。
The
次に、図6(C)に示すように、この状態で樹脂34を硬化させて樹脂層35とし、その後、モールド61と樹脂層35とを離型することにより、基体32の表面32aに、認証構造体として、凹凸構造9の反転形状である成型凹凸構造36を形成することができる。
Next, as shown in FIG. 6C, in this state, the
こうして作成された成型凹凸構造36のパターン間隔は、レジスト描画装置の解像限界および各種リソグラフィの解像限界以下の10ナノメートル以下のパターン間隔を有する上記第2実施形態の凹凸構造9をモールドとして作成しているため、同様にレジスト描画装置の解像限界および各種リソグラフィの解像限界を下回る、10ナノメートル以下となっている。
The pattern interval of the formed concavo-
したがって、例えば、本実施形態のようにして製造した成型凹凸構造36を光学的に識別して得た平面視形状を偽造することは極めて困難である。
Therefore, for example, it is extremely difficult to forge a plan view shape obtained by optically identifying the molded concavo-
なお、本実施形態に係る認証構造体を形成可能な箇所は、第1、第2実施形態に係るものと同様である。 Note that the locations where the authentication structure according to the present embodiment can be formed are the same as those according to the first and second embodiments.
上述した本実施形態に係る真贋認証対象物によっても、認証構造体をナノオーダーの微細なサイズとすることで、レイアウト上の制約を受けることがなくなり、真贋認証対象物のホログラムやICチップ等、他の情報記録部内であってもこれらの機能に影響を及ぼすことなく、偽造不可能な認証構造体を設けることができる。 Even with the authentication object according to this embodiment described above, by making the authentication structure a nano-order fine size, there is no restriction on layout, such as a hologram or IC chip of the authentication object, An authentication structure that cannot be counterfeited can be provided without affecting these functions even in other information recording units.
また、フォトリソグラフィ等、真贋認証対象物の従来の製造工程において用いられていた製造工程に含まれる製造工程を経て形成することができるため、認証構造体、ひいては真贋認証対象物全体の製造工程の簡易化と、製造コストの低下を実現することができる。 Moreover, since it can be formed through the manufacturing process included in the manufacturing process used in the conventional manufacturing process of the authentication object such as photolithography, the authentication structure, and thus the entire manufacturing process of the authentication object Simplification and reduction in manufacturing cost can be realized.
また、本実施形態に係る認証構造体は、基体上に形成された樹脂層よりなる成型凹凸構造である。そのため、認証構造体自体の強度を確保することができ、真贋認証対象物の使用に伴う認証構造体の破損や脱落等を効果的に防止することができる。 The authentication structure according to the present embodiment is a molded concavo-convex structure made of a resin layer formed on a base. Therefore, the strength of the authentication structure itself can be secured, and the authentication structure can be effectively prevented from being damaged or dropped off due to the use of the authentication object.
なお、上述したようにして成型凹凸構造36を形成した後、図6(D)に示すように、この成型凹凸構造36をマスクとして基体32をエッチングして、基体32上に凹凸構造37を備えた認証構造体31’として製造することも可能である。
After forming the concavo-
上述したように、成型凹凸構造36はモールド61が有する凹凸構造9を反映した複雑な形状であり、また、レジスト描画装置の解像限界および各種リソグラフィの解像限界以下の10ナノメートルを下回る最小パターン間隔を有するものであるため、基体32をエッチングして形成した凹凸構造37もまた、偽造することは極めて困難なものとなる。
As described above, the molded concavo-
そのため、図6(D)に示す認証構造体31’を用いた場合でも、上述した第3実施形態に係る真贋認証対象物と同様の効果を奏することができる。
Therefore, even when the
<第4実施形態>
次に、上述した第1乃至第3実施形態に係る真贋認証対象物を読み取る真贋判定装置について、第4実施形態として以下に説明する。
<Fourth embodiment>
Next, an authenticity determination device that reads the authentication object according to the first to third embodiments described above will be described below as a fourth embodiment.
図7は、真贋判定装置70のハードウェア構成を示すブロック図である。真贋判定装置70は、真贋認証対象物に設けられた認証構造体の画像情報を取得する取得部としての読取装置71と、真贋認証結果等の各種情報を表示する表示部としてのディスプレイ73と、真贋認証に用いる各種情報を記憶する記憶装置74と、これらの構成を含めた真贋判定装置70全体を制御する制御部72とを備えて構成されている。
FIG. 7 is a block diagram illustrating a hardware configuration of the
読取装置71は、走査型電子顕微鏡、走査プローブ顕微鏡、近接場光学顕微鏡、光学顕微鏡等、認証構造体の画像情報を取得できる読取装置であれば好適に用いることができる。
The
ディスプレイ73は、読取装置71により取得された認証構造体の画像情報が表示される他、真贋判定結果や、真贋判定装置70全体に関する各種操作のための情報等が表示される。また、ディスプレイ73としてタッチパネルを用いて、当該タッチパネルを通じて操作者が各種操作を行えるようにしてもよい。
The
記憶装置74は、読取装置71により取得された画像情報と比較される比較情報として、画像情報等の各種情報の記憶を行う。なお、以下の説明において、記憶装置74に記憶されている画像情報を記憶画像情報という。
The
ここで、読取装置71が走査型顕微鏡である場合には、記憶装置74には比較情報として認証構造体の電子顕微鏡画像が記憶される。
When the
また、読取装置71が走査プローブ顕微鏡である場合には、記憶装置74には比較情報として認証構造体の表面画像が記憶される。
When the
また、読取装置71が近接場光学顕微鏡である場合には、記憶装置74には比較情報として認証構造体の近接場顕微鏡画像が記憶される。
When the
また、読取装置71が光学顕微鏡である場合には、記憶装置74には比較情報として認証構造体の光学顕微鏡画像が記憶される。
When the
これらの画像情報は、認証構造体の作成時に、予め所定の読取装置により当該認証構造体から取得されたもの、すなわち、本物の認証構造体から取得されたものであり、認証構造体の、最小パターン間隔が10ナノメートル以下となる部分の拡大画像を含んでいる。 These pieces of image information are acquired from the authentication structure in advance by a predetermined reader when the authentication structure is created, that is, acquired from the authentic authentication structure, and the minimum of the authentication structure is obtained. The enlarged image of the part from which a pattern space | interval becomes 10 nanometers or less is included.
制御部72は、制御部72全体を制御するCPU721と、CPU721上で動作する制御プログラム等を格納したROM722と、各種データを一時的に格納するためのRAM723と、を備えている。
The
図8は、真贋判定装置の機能的構成を示す機能ブロック図である。制御部72は、CPU721がROM722に格納されている制御プログラムをRAM723に展開して実行することにより、後述する図9に示す真贋判定の処理手順を実行するための、取得部721a、記憶部721b、読出部721c、比較部721d、判定部721e及び表示部721fとして機能する。
FIG. 8 is a functional block diagram showing a functional configuration of the authenticity determination device. The
取得部721aは、読取装置71により取得した認証情報としての画像情報を受け付ける。
The
記憶部721bは、取得部721aが受け付けた画像情報を受け取り、記憶装置74に記憶させるか、または画像情報を即時用いたい場合には、これを直接RAM723に展開する。
The
読出部721cは、記憶装置74に記憶されている比較情報としての画像情報やその他の画像情報等の各種情報を、記憶装置74から読み出し、RAM723に展開する。
The
比較部721dは、読取装置71に記憶されている比較情報としての画像情報や、取得部721aが取得した認証情報としての画像情報であって、RAM723に展開されているものについて、ブロックマッチングを行うことで、比較情報と認証情報との比較を行う。
The
判定部721eは、比較部721dにより行われた比較情報と認証情報との比較結果を受け取り、この結果に基づき、真贋認証対象物の真贋判定を行う。
The
表示部721fは、判定部721eにより行われた真贋判定の判定結果をディスプレイ73bに送信し表示させる。
The display unit 721f transmits and displays the determination result of the authenticity determination performed by the
次に、上述した真贋判定装置70により行われる真贋判定方法について図9を用いて説明する。図9は、真贋判定装置により行われる真贋判定方法を示すフローチャートである。
Next, the authenticity determination method performed by the above-described
まず、取得部721aは、読取装置71を用いて、認証構造体から認証情報として、上述したように最小パターン間隔が10ナノメートル以下となる構造部分を拡大し撮像することで、当該部分の拡大画像を含む画像情報を取得する(ステップS1)。
First, the
次に、読出部721cは、記憶装置74に記憶されている比較情報として、上述したようにパターン間隔が10ナノメートル以下となる構造部分の拡大画像を含む記憶画像情報を読み出す(ステップS2)。
Next, the
次に、比較部721dは、認証情報としての画像情報と、比較情報としての記憶画像情報とを、ブロックマッチングにより比較し、両者の類似度を求める(ステップS3)。ここで、ブロックマッチングは、正規化相互相関(NCC)、輝度差の総和(SAD)、輝度差の二乗和(SSD)等、種々の手法を用いて行うことができる。
Next, the
次に、判定部721eは、比較部721dによる比較結果を用いて、類似度が所定の閾値以上であるか否かの判定を行う(ステップS4)。
Next, the
類似度が所定の閾値以上である場合(ステップS4:Yes)、判定部721eは真贋認証対象物を真正品であると判定するとともに(ステップS5)、表示部721fは当該判定結果をディスプレイ73に表示し、一連の真贋判定動作が終了する。
When the similarity is equal to or higher than a predetermined threshold (step S4: Yes), the
一方、類似度が所定の閾値を下回る場合(ステップS5:No)、判定部721eは真贋認証対象物を偽造品と判定するとともに(ステップS7)、表示部721fは当該判定結果をディスプレイ73に表示し、一連の真贋判定動作が終了する。
On the other hand, when the similarity is lower than the predetermined threshold (step S5: No), the
上述した本実施形態に係る真贋判定装置およびそれにより行われる真贋判定方法によると、真贋認証対象物に設けられている真贋認証用の認証構造体がレジスト描画装置の解像限界および各種リソグラフィの解像限界以下の10ナノメートルを下回るパターン間隔を有する場合でも、認証構造体を読み取り、極めて高精度の真贋判定を行うことができる。 According to the authenticity determination apparatus and the authenticity determination method performed by the above-described embodiment, the authentication structure for authenticity provided on the authentication object is the resolution limit of the resist drawing apparatus and various lithography solutions. Even when the pattern interval is less than 10 nanometers below the image limit, it is possible to read the authentication structure and perform authentication with extremely high accuracy.
1 クレジットカード
2 ICチップ
3 ホログラム
4 磁気ストライプ
5 レジスト構造体
6 基体
7 レジスト倒壊部分
8 レジストパターン
9 凹凸構造
36 成型凹凸構造
70 真贋判定装置
71 読取装置
72 制御部
73 ディスプレイ
74 記憶装置
721 CPU
721a 取得部
721b 記憶部
721c 読出部
721d 比較部
721e 判定部
721f 表示部
722 ROM
723 RAM
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
723 RAM
Claims (24)
前記認証構造体とは異なる所定の情報が記録された情報記録部と、
を備え、
前記認証構造体は、基体上に形成されたナノオーダーである柱状の、複数のピラーにより形成されるレジストパターンをレジスト倒壊させて形成される、最小パターン間隔が10ナノメートルを下回るレジスト構造体であり、
前記認証構造体は、前記情報記録部の製造工程に含まれる工程を経て、前記情報記録部に組み込まれている、
ことを特徴とする真贋認証対象物。 An authentication structure for authenticity authentication;
An information recording unit in which predetermined information different from the authentication structure is recorded;
With
The authentication structure is a resist structure having a minimum pattern interval of less than 10 nanometers formed by collapsing a resist pattern formed by a plurality of pillars having a pillar shape which is nano-order formed on a substrate. Yes,
The authentication structure is incorporated in the information recording unit through a process included in the manufacturing process of the information recording unit.
This is an authentic authentication object.
前記認証構造体とは異なる所定の情報が記録された情報記録部と、
を備え、
前記認証構造体は、基体に形成されたナノオーダーである柱状の、複数のピラーにより形成されるレジストパターンをレジスト倒壊させて形成される最小パターン間隔が10ナノメートルを下回るレジスト構造体をマスクとして、前記基体をエッチングして形成される、最小パターン間隔が10ナノメートルを下回る凹凸構造であり、
前記認証構造体は、前記情報記録部の製造工程に含まれる工程を経て、前記情報記録部に組み込まれている、
ことを特徴とする真贋認証対象物。 An authentication structure for authenticity authentication;
An information recording unit in which predetermined information different from the authentication structure is recorded;
With
The authentication structure is a resist structure having a minimum pattern interval of less than 10 nanometers formed by collapsing a resist pattern formed by a plurality of pillar-shaped columnar pillars formed on a substrate. A concavo-convex structure formed by etching the substrate and having a minimum pattern interval of less than 10 nanometers,
The authentication structure is incorporated in the information recording unit through a process included in the manufacturing process of the information recording unit.
This is an authentic authentication object.
前記認証構造体とは異なる所定の情報が記録された情報記録部と、
を備え、
前記認証構造体は、基体に形成されたナノオーダーである柱状の、複数のピラーにより形成されるレジストパターンをレジスト倒壊させて形成される最小パターン間隔が10ナノメートルを下回るレジスト構造体をマスクとして、前記基体をエッチングして形成される凹凸構造を形成した後、前記基体をモールドとして使用して他の基体上に形成される、最小パターン間隔が10ナノメートルを下回る成型凹凸構造であり、
前記認証構造体は、前記情報記録部の製造工程に含まれる工程を経て、前記情報記録部に組み込まれている、
ことを特徴とする真贋認証対象物。 An authentication structure for authenticity authentication;
An information recording unit in which predetermined information different from the authentication structure is recorded;
With
The authentication structure is a resist structure having a minimum pattern interval of less than 10 nanometers formed by collapsing a resist pattern formed by a plurality of pillar-shaped columnar pillars formed on a substrate. And forming a concavo-convex structure formed by etching the base, and then forming the concavo-convex structure on the other base using the base as a mold, the minimum pattern spacing is less than 10 nanometers,
The authentication structure is incorporated in the information recording unit through a process included in the manufacturing process of the information recording unit.
This is an authentic authentication object.
前記認証構造体から認証情報として最小パターン間隔が10ナノメートルを下回る前記構造部分を含む画像情報を取得する取得部と、
前記認証情報の真贋判定に用いる比較情報として最小パターン間隔が10ナノメートルを下回る前記構造部分を含む記憶画像情報を記憶する記憶部と、
前記記憶部から前記比較情報を読み出す読出部と、
前記認証情報と前記比較情報とをブロックマッチングにより比較する比較部と、
前記認証情報と前記比較情報との比較結果に基づき真贋判定を行う判定部と、
を備えることを特徴とする真贋判定装置。 An authenticity determination device for determining the authenticity of an authentication object provided with an authentication structure having a structure portion with a minimum pattern interval of less than 10 nanometers,
An acquisition unit for acquiring image information including the structure portion having a minimum pattern interval of less than 10 nanometers as authentication information from the authentication structure;
A storage unit that stores storage image information including the structural part with a minimum pattern interval of less than 10 nanometers as comparison information used for authenticity determination of the authentication information;
A reading unit that reads the comparison information from the storage unit;
A comparison unit that compares the authentication information and the comparison information by block matching;
A determination unit that performs authenticity determination based on a comparison result between the authentication information and the comparison information;
An authenticity determination device comprising:
前記記憶部は、前記比較情報として電子顕微鏡画像を記憶する、
ことを特徴とする請求項6乃至9の何れか1項記載の真贋判定装置。 The acquisition unit is a scanning electron microscope, acquires an electron microscope image of the authentication structure as the authentication information,
The storage unit stores an electron microscope image as the comparison information.
The authenticity determination device according to any one of claims 6 to 9, wherein
前記記憶部は、前記比較情報として表面画像を記憶する、
ことを特徴とする請求項6乃至9の何れか1項記載の真贋判定装置。 The acquisition unit is a scanning probe microscope, acquires a surface image of the authentication structure as the authentication information,
The storage unit stores a surface image as the comparison information.
The authenticity determination device according to any one of claims 6 to 9, wherein
前記記憶部は、前記比較情報として近接場顕微鏡画像を記憶する、
ことを特徴とする請求項6乃至9の何れか1項記載の真贋判定装置。 The acquisition unit is a near-field optical microscope, acquires a near-field microscope image of the authentication structure as the authentication information,
The storage unit stores a near-field microscope image as the comparison information.
The authenticity determination device according to any one of claims 6 to 9, wherein
前記記憶部は、前記比較情報として光学顕微鏡画像を記憶する、
ことを特徴とする請求項6乃至9の何れか1項記載の真贋判定装置。 The acquisition unit is an optical microscope, acquires an optical microscope image of the authentication structure as the authentication information,
The storage unit stores an optical microscope image as the comparison information.
The authenticity determination device according to any one of claims 6 to 9, wherein
前記認証構造体から認証情報として、最小パターン間隔が10ナノメートルを下回る前記構造部分の拡大画像を含む画像情報を取得する取得工程と、
真贋判定に用いる比較情報として最小パターン間隔が10ナノメートルを下回る前記構造部分の拡大画像を含む記憶画像情報を記憶装置から読み出す読出工程と、
前記認証情報と前記比較情報とを、輝度値に基づくブロックマッチングにより比較する比較工程と、
前記比較工程における比較結果に基づき真贋判定を行う判定工程と、
を備えることを特徴とする真贋判定方法。 An authentication method for determining the authenticity of an authentication object provided with an authentication structure having a structure portion with a minimum pattern interval of less than 10 nanometers,
As an authentication information from the authentication structure, an acquisition step of acquiring image information including an enlarged image of the structure portion with a minimum pattern interval of less than 10 nanometers;
A reading step of reading out stored image information including a magnified image of the structural portion whose minimum pattern interval is less than 10 nanometers as comparison information used for authenticity determination from a storage device;
A comparison step of comparing the authentication information and the comparison information by block matching based on a luminance value;
A determination step of performing authenticity determination based on the comparison result in the comparison step;
A method for determining authenticity, comprising:
前記読出工程では、前記比較情報として前記記憶装置から電子顕微鏡画像を読み出す、
ことを特徴とする請求項14乃至17の何れか1項記載の真贋判定方法。 In the acquisition step, an electron microscope image of the authentication structure is acquired as the authentication information,
In the reading step, an electron microscope image is read from the storage device as the comparison information.
The authenticity determination method according to any one of claims 14 to 17, characterized in that:
前記読出工程では、前記比較情報として前記記憶装置から表面画像を読み出す、
ことを特徴とする請求項14乃至17の何れか1項記載の真贋判定方法。 In the acquisition step, a surface image of the authentication structure is acquired as the authentication information,
In the reading step, a surface image is read from the storage device as the comparison information.
The authenticity determination method according to any one of claims 14 to 17, characterized in that:
前記読出工程では、前記比較情報として前記記憶装置から近接場顕微鏡画像を読み出す、
ことを特徴とする請求項14乃至17の何れか1項記載の真贋判定方法。 In the acquisition step, a near-field microscope image of the authentication structure is acquired as the authentication information,
In the reading step, a near-field microscope image is read from the storage device as the comparison information.
The authenticity determination method according to any one of claims 14 to 17, characterized in that:
前記読出工程では、前記比較情報として前記記憶装置から光学顕微鏡画像を読み出す、
ことを特徴とする請求項14乃至17の何れか1項記載の真贋判定方法。 In the acquisition step, an optical microscope image of the authentication structure is acquired as the authentication information,
In the reading step, an optical microscope image is read from the storage device as the comparison information.
The authenticity determination method according to any one of claims 14 to 17, characterized in that:
基体上に所定の情報が記録された情報記録部を形成する情報記録部形成工程と、
前記基体上に、前記情報記録部形成工程に含まれる工程を経て、ナノオーダーである柱状の、複数のピラーにより形成されるレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジストパターンをレジスト倒壊させて最小パターン間隔が10ナノメートルを下回るレジスト構造体を形成するレジスト倒壊工程と、
を備えることを特徴とする真贋認証対象物の製造方法。 A method for manufacturing an authentic object,
An information recording part forming step for forming an information recording part in which predetermined information is recorded on the substrate;
A resist pattern forming step of forming a resist pattern formed by a plurality of pillars in a columnar shape, which is nano-order, on the substrate through the steps included in the information recording portion forming step;
A resist collapse step of forming a resist structure in which the resist pattern is collapsed to form a resist structure having a minimum pattern interval of less than 10 nanometers;
The manufacturing method of the authentication target object characterized by comprising.
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