JP6069691B2 - Acid diffusion controller, radiation sensitive resin composition, and resist pattern forming method - Google Patents
Acid diffusion controller, radiation sensitive resin composition, and resist pattern forming method Download PDFInfo
- Publication number
- JP6069691B2 JP6069691B2 JP2012181231A JP2012181231A JP6069691B2 JP 6069691 B2 JP6069691 B2 JP 6069691B2 JP 2012181231 A JP2012181231 A JP 2012181231A JP 2012181231 A JP2012181231 A JP 2012181231A JP 6069691 B2 JP6069691 B2 JP 6069691B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- hydrocarbon group
- carbon atoms
- resin composition
- sensitive resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002253 acid Substances 0.000 title claims description 121
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 85
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims description 85
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 title claims description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 26
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 111
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 103
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 93
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 55
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 49
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 41
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 29
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 claims description 16
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 claims description 15
- 150000003951 lactams Chemical group 0.000 claims description 11
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 7
- 125000005462 imide group Chemical group 0.000 claims 2
- 150000003976 azacycloalkanes Chemical group 0.000 claims 1
- -1 alicyclic hydrocarbon Chemical class 0.000 description 146
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 117
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 48
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 47
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 43
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 23
- 238000011161 development Methods 0.000 description 21
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 21
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 17
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 17
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 13
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 11
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 11
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 11
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 10
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical group C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 10
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 10
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical group C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 9
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 9
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 8
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 8
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N butyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 8
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 8
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000002596 lactones Chemical class 0.000 description 8
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 8
- YFSUTJLHUFNCNZ-UHFFFAOYSA-N perfluorooctane-1-sulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F YFSUTJLHUFNCNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 8
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 8
- 238000001644 13C nuclear magnetic resonance spectroscopy Methods 0.000 description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N Morpholine Chemical group C1COCCN1 YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 7
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 7
- 150000003949 imides Chemical group 0.000 description 7
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 7
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229940022663 acetate Drugs 0.000 description 6
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 6
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 6
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 6
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 6
- 150000008053 sultones Chemical group 0.000 description 6
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N Pyrrolidine Chemical group C1CCNC1 RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 5
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- UMRZSTCPUPJPOJ-KNVOCYPGSA-N norbornane Chemical compound C1C[C@H]2CC[C@@H]1C2 UMRZSTCPUPJPOJ-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 5
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000003386 piperidinyl group Chemical group 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 239000007870 radical polymerization initiator Substances 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 5
- BQTPKSBXMONSJI-UHFFFAOYSA-N 1-cyclohexylpyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C1CCCCC1 BQTPKSBXMONSJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N Acetamide Chemical compound CC(N)=O DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N N-methylformamide Chemical compound CNC=O ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 4
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 4
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N cumene Chemical compound CC(C)C1=CC=CC=C1 RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000005676 cyclic carbonates Chemical group 0.000 description 4
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 4
- 238000004128 high performance liquid chromatography Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 4
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 4
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CEZIJESLKIMKNL-UHFFFAOYSA-N 1-(4-butoxynaphthalen-1-yl)thiolan-1-ium Chemical compound C12=CC=CC=C2C(OCCCC)=CC=C1[S+]1CCCC1 CEZIJESLKIMKNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004206 2,2,2-trifluoroethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C(F)(F)F 0.000 description 3
- GPIUUMROPXDNRH-UHFFFAOYSA-N 3647-74-3 Chemical compound C1C2C3C(=O)NC(=O)C3C1C=C2 GPIUUMROPXDNRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical class S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SMEROWZSTRWXGI-UHFFFAOYSA-N Lithocholsaeure Natural products C1CC2CC(O)CCC2(C)C2C1C1CCC(C(CCC(O)=O)C)C1(C)CC2 SMEROWZSTRWXGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical class C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 3
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 239000012295 chemical reaction liquid Substances 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AFABGHUZZDYHJO-UHFFFAOYSA-N dimethyl butane Natural products CCCC(C)C AFABGHUZZDYHJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 3
- 239000012156 elution solvent Substances 0.000 description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 3
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 3
- GJRQTCIYDGXPES-UHFFFAOYSA-N isobutyl acetate Chemical compound CC(C)COC(C)=O GJRQTCIYDGXPES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 3
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000565 sulfonamide group Chemical group 0.000 description 3
- WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N triphenylsulfonium Chemical compound C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012953 triphenylsulfonium Substances 0.000 description 3
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HQGTWZUOVIZAKX-UHFFFAOYSA-N (4-methylsulfonylphenyl)-diphenylsulfanium Chemical compound C1=CC(S(=O)(=O)C)=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 HQGTWZUOVIZAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1C FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KVNYFPKFSJIPBJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1CC KVNYFPKFSJIPBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEHVDNNLFDJLR-UHFFFAOYSA-N 1,3-diphenylurea Chemical compound C=1C=CC=CC=1NC(=O)NC1=CC=CC=C1 GWEHVDNNLFDJLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 2
- OJVAMHKKJGICOG-UHFFFAOYSA-N 2,5-hexanedione Chemical compound CC(=O)CCC(C)=O OJVAMHKKJGICOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-Oxohexane Chemical compound CCCCC(C)=O QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YIWUKEYIRIRTPP-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexan-1-ol Chemical compound CCCCC(CC)CO YIWUKEYIRIRTPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPRQEDXDYOZYLA-UHFFFAOYSA-N 2-methylbutan-1-ol Chemical compound CCC(C)CO QPRQEDXDYOZYLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GXDHCNNESPLIKD-UHFFFAOYSA-N 2-methylhexane Natural products CCCCC(C)C GXDHCNNESPLIKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpentane-2,4-diol Chemical compound CC(O)CC(C)(C)O SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 2-methylpyridine Chemical compound CC1=CC=CC=N1 BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 3-propoxypropan-1-ol Chemical compound CCCOCCCO LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JYVXNLLUYHCIIH-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxy-4-methyl-2-oxanone Chemical compound CC1(O)CCOC(=O)C1 JYVXNLLUYHCIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OZJPLYNZGCXSJM-UHFFFAOYSA-N 5-valerolactone Chemical compound O=C1CCCCO1 OZJPLYNZGCXSJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXDAEFPNCMNJSK-UHFFFAOYSA-N Benzamide Chemical compound NC(=O)C1=CC=CC=C1 KXDAEFPNCMNJSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIQCNGHVCWTJSM-UHFFFAOYSA-N Dimethyl phthalate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OC NIQCNGHVCWTJSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N Formamide Chemical compound NC=O ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RZKSECIXORKHQS-UHFFFAOYSA-N Heptan-3-ol Chemical compound CCCCC(O)CC RZKSECIXORKHQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NHTMVDHEPJAVLT-UHFFFAOYSA-N Isooctane Chemical compound CC(C)CC(C)(C)C NHTMVDHEPJAVLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N N-methylacetamide Chemical compound CNC(C)=O OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 2
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N Tetrahydropyran Chemical group C1CCOCC1 DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001241 acetals Chemical group 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N adamantane Chemical group C1C(C2)CC3CC1CC2C3 ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- QUKGYYKBILRGFE-UHFFFAOYSA-N benzyl acetate Chemical compound CC(=O)OCC1=CC=CC=C1 QUKGYYKBILRGFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DNFSNYQTQMVTOK-UHFFFAOYSA-N bis(4-tert-butylphenyl)iodanium Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1[I+]C1=CC=C(C(C)(C)C)C=C1 DNFSNYQTQMVTOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N butan-2-ol Chemical compound CCC(C)O BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N caprylic alcohol Natural products CCCCCCCCO KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 2
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 2
- 150000001923 cyclic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000003997 cyclic ketones Chemical class 0.000 description 2
- 125000000392 cycloalkenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 2
- DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N cycloheptane Chemical compound C1CCCCCC1 DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 2
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N decan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCO MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960003964 deoxycholic acid Drugs 0.000 description 2
- KXGVEGMKQFWNSR-UHFFFAOYSA-N deoxycholic acid Natural products C1CC2CC(O)CCC2(C)C2C1C1CCC(C(CCC(O)=O)C)C1(C)C(O)C2 KXGVEGMKQFWNSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N dibutylamine Chemical compound CCCCNCCCC JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FLKPEMZONWLCSK-UHFFFAOYSA-N diethyl phthalate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC FLKPEMZONWLCSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N dodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N ethyl propionate Chemical compound CCOC(=O)CC FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol monomethyl ether acetate Natural products COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 2
- JFCFIXGDCBSLRW-UHFFFAOYSA-N heptan-2-yl 1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate Chemical compound CC(CCCCC)OS(=O)(=O)C(C(F)F)(F)F JFCFIXGDCBSLRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NGAZZOYFWWSOGK-UHFFFAOYSA-N heptan-3-one Chemical compound CCCCC(=O)CC NGAZZOYFWWSOGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 2
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical class I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAOGXQMKWQFZEM-UHFFFAOYSA-N isoamyl propanoate Chemical compound CCC(=O)OCCC(C)C XAOGXQMKWQFZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QWTDNUCVQCZILF-UHFFFAOYSA-N isopentane Chemical compound CCC(C)C QWTDNUCVQCZILF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960004592 isopropanol Drugs 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZQMHJBXHRFJKOT-UHFFFAOYSA-N methyl 2-[(1-methoxy-2-methyl-1-oxopropan-2-yl)diazenyl]-2-methylpropanoate Chemical compound COC(=O)C(C)(C)N=NC(C)(C)C(=O)OC ZQMHJBXHRFJKOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N methylcyclohexane Chemical compound CC1CCCCC1 UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- ZWRUINPWMLAQRD-UHFFFAOYSA-N nonan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCO ZWRUINPWMLAQRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N nonane Chemical compound CCCCCCCCC BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GJQIMXVRFNLMTB-UHFFFAOYSA-N nonyl acetate Chemical compound CCCCCCCCCOC(C)=O GJQIMXVRFNLMTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N pentan-2-one Chemical compound CCCC(C)=O XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N pentan-3-one Chemical compound CCC(=O)CC FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N pentyl acetate Chemical compound CCCCCOC(C)=O PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N propyl acetate Chemical compound CCCOC(C)=O YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ODLMAHJVESYWTB-UHFFFAOYSA-N propylbenzene Chemical compound CCCC1=CC=CC=C1 ODLMAHJVESYWTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000010421 standard material Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- RAOIDOHSFRTOEL-UHFFFAOYSA-N tetrahydrothiophene Chemical class C1CCSC1 RAOIDOHSFRTOEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- JYPFUPZGMLOPAJ-UHFFFAOYSA-N (3,5-dioxo-4-azatricyclo[5.2.1.02,6]dec-8-en-4-yl) 2-(2-bicyclo[2.2.1]heptanyl)-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate Chemical compound C1=CC2CC1C(C1=O)C2C(=O)N1OS(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C1C(C2)CCC2C1 JYPFUPZGMLOPAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNUYPROIFFCXAE-UHFFFAOYSA-N (4-cyclohexylphenyl)-diphenylsulfanium Chemical compound C1CCCCC1C1=CC=C([S+](C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 XNUYPROIFFCXAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUDFKNNFTLQMGW-UHFFFAOYSA-M (4-cyclohexylphenyl)-diphenylsulfanium;(7,7-dimethyl-3-oxo-4-bicyclo[2.2.1]heptanyl)methanesulfonate Chemical compound C1CC2(CS([O-])(=O)=O)C(=O)CC1C2(C)C.C1CCCCC1C1=CC=C([S+](C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 RUDFKNNFTLQMGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UFADEYDBOXASBQ-UHFFFAOYSA-M (4-cyclohexylphenyl)-diphenylsulfanium;1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F.C1CCCCC1C1=CC=C([S+](C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 UFADEYDBOXASBQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QEYKXSMQZGHJSX-UHFFFAOYSA-M (4-cyclohexylphenyl)-diphenylsulfanium;trifluoromethanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1CCCCC1C1=CC=C([S+](C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 QEYKXSMQZGHJSX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VKOHBZXAXOVWQU-UHFFFAOYSA-M (4-methylsulfonylphenyl)-diphenylsulfanium;1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F.C1=CC(S(=O)(=O)C)=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 VKOHBZXAXOVWQU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CFRRWRASBDSKBI-UHFFFAOYSA-M (4-methylsulfonylphenyl)-diphenylsulfanium;trifluoromethanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1=CC(S(=O)(=O)C)=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 CFRRWRASBDSKBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VHXIWNNSPUGPEI-UHFFFAOYSA-M (7,7-dimethyl-3-oxo-4-bicyclo[2.2.1]heptanyl)methanesulfonate;(4-methylsulfonylphenyl)-diphenylsulfanium Chemical compound C1CC2(CS([O-])(=O)=O)C(=O)CC1C2(C)C.C1=CC(S(=O)(=O)C)=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 VHXIWNNSPUGPEI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PQONLZARMHVIPW-UHFFFAOYSA-N (7,7-dimethyl-3-oxo-4-bicyclo[2.2.1]heptanyl)methanesulfonate;2,6-dimethyl-4-(thiolan-1-ium-1-yl)phenol Chemical compound CC1=C(O)C(C)=CC([S+]2CCCC2)=C1.C1CC2(CS([O-])(=O)=O)C(=O)CC1C2(C)C PQONLZARMHVIPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HHYVKZVPYXHHCG-UHFFFAOYSA-M (7,7-dimethyl-3-oxo-4-bicyclo[2.2.1]heptanyl)methanesulfonate;diphenyliodanium Chemical compound C=1C=CC=CC=1[I+]C1=CC=CC=C1.C1CC2(CS([O-])(=O)=O)C(=O)CC1C2(C)C HHYVKZVPYXHHCG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FJALTVCJBKZXKY-UHFFFAOYSA-M (7,7-dimethyl-3-oxo-4-bicyclo[2.2.1]heptanyl)methanesulfonate;triphenylsulfanium Chemical compound C1CC2(CS([O-])(=O)=O)C(=O)CC1C2(C)C.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 FJALTVCJBKZXKY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000004178 (C1-C4) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- FFJCNSLCJOQHKM-CLFAGFIQSA-N (z)-1-[(z)-octadec-9-enoxy]octadec-9-ene Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCOCCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC FFJCNSLCJOQHKM-CLFAGFIQSA-N 0.000 description 1
- VLLPVDKADBYKLM-UHFFFAOYSA-M 1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate;triphenylsulfanium Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 VLLPVDKADBYKLM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HQBMPGJZJPMOTD-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,3-pentafluoropropane-1-sulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)CF HQBMPGJZJPMOTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVQQQNCBBIEMEU-UHFFFAOYSA-N 1,1,3,3-tetramethylurea Chemical compound CN(C)C(=O)N(C)C AVQQQNCBBIEMEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UDYXMTORTDACTG-UHFFFAOYSA-N 1,1,3-tributylthiourea Chemical compound CCCCNC(=S)N(CCCC)CCCC UDYXMTORTDACTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical class CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 1,1-Diethoxyethane Chemical class CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBBLOADPFWKNGS-UHFFFAOYSA-N 1,1-dimethylurea Chemical compound CN(C)C(N)=O YBBLOADPFWKNGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POTIYWUALSJREP-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,4,4a,5,6,7,8,8a-decahydroquinoline Chemical compound N1CCCC2CCCCC21 POTIYWUALSJREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIDOPANCAUPXNH-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC(CC)=C1CC VIDOPANCAUPXNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZXUZKXVROWEIF-UHFFFAOYSA-N 1,2-butylene carbonate Chemical compound CCC1COC(=O)O1 ZZXUZKXVROWEIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKIRBHVFJGXOIS-UHFFFAOYSA-N 1,2-di(propan-2-yl)benzene Chemical compound CC(C)C1=CC=CC=C1C(C)C OKIRBHVFJGXOIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 1,3-Dimethyl-2-imidazolidinon Chemical compound CN1CCN(C)C1=O CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940058015 1,3-butylene glycol Drugs 0.000 description 1
- 229940057054 1,3-dimethylurea Drugs 0.000 description 1
- VAYTZRYEBVHVLE-UHFFFAOYSA-N 1,3-dioxol-2-one Chemical compound O=C1OC=CO1 VAYTZRYEBVHVLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SGRHVVLXEBNBDV-UHFFFAOYSA-N 1,6-dibromohexane Chemical compound BrCCCCCCBr SGRHVVLXEBNBDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWOZZTWBWQMEPD-UHFFFAOYSA-N 1-(2-ethoxypropoxy)propan-2-ol Chemical compound CCOC(C)COCC(C)O QWOZZTWBWQMEPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BXGYVRIBHDBIJQ-UHFFFAOYSA-M 1-(4-butoxynaphthalen-1-yl)thiolan-1-ium;(7,7-dimethyl-3-oxo-4-bicyclo[2.2.1]heptanyl)methanesulfonate Chemical compound C1CC2(CS([O-])(=O)=O)C(=O)CC1C2(C)C.C12=CC=CC=C2C(OCCCC)=CC=C1[S+]1CCCC1 BXGYVRIBHDBIJQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JQIQJUCEFIYYOJ-UHFFFAOYSA-M 1-(4-butoxynaphthalen-1-yl)thiolan-1-ium;trifluoromethanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C12=CC=CC=C2C(OCCCC)=CC=C1[S+]1CCCC1 JQIQJUCEFIYYOJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WXWSNMWMJAFDLG-UHFFFAOYSA-N 1-(6-butoxynaphthalen-2-yl)thiolan-1-ium Chemical compound C1=CC2=CC(OCCCC)=CC=C2C=C1[S+]1CCCC1 WXWSNMWMJAFDLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIUKSJQPBWVFHQ-UHFFFAOYSA-M 1-(6-butoxynaphthalen-2-yl)thiolan-1-ium;(7,7-dimethyl-3-oxo-4-bicyclo[2.2.1]heptanyl)methanesulfonate Chemical compound C1CC2(CS([O-])(=O)=O)C(=O)CC1C2(C)C.C1=CC2=CC(OCCCC)=CC=C2C=C1[S+]1CCCC1 PIUKSJQPBWVFHQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WRMXJRZJMAXZNC-UHFFFAOYSA-M 1-(6-butoxynaphthalen-2-yl)thiolan-1-ium;1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F.C1=CC2=CC(OCCCC)=CC=C2C=C1[S+]1CCCC1 WRMXJRZJMAXZNC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JVCBVWTTXCNJBJ-UHFFFAOYSA-N 1-azabicyclo[2.2.1]heptane Chemical group C1CC2CCN1C2 JVCBVWTTXCNJBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNDIARAMWBIKFW-UHFFFAOYSA-N 1-bromohexane Chemical class CCCCCCBr MNDIARAMWBIKFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)O RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUWDFGKRNIDKAE-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCCCOCC(C)OC(C)=O FUWDFGKRNIDKAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFWCMGCRMGJXDK-UHFFFAOYSA-N 1-chlorobutane Chemical class CCCCCl VFWCMGCRMGJXDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCOCC(C)OC(C)=O LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYFLWBNQFMXCPA-UHFFFAOYSA-N 1-ethyl-2-methylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1C HYFLWBNQFMXCPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CJNBJBMSAZNICG-UHFFFAOYSA-N 1-fluorobutane-1-sulfonic acid Chemical compound CCCC(F)S(O)(=O)=O CJNBJBMSAZNICG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 1-hexanamine Chemical compound CCCCCCN BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HIDBROSJWZYGSZ-UHFFFAOYSA-N 1-phenylpyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C1=CC=CC=C1 HIDBROSJWZYGSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTMRRSWNXVJMBA-UHFFFAOYSA-L 2,2-diethylpropanedioate Chemical compound CCC(CC)(C([O-])=O)C([O-])=O LTMRRSWNXVJMBA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- YAJYJWXEWKRTPO-UHFFFAOYSA-N 2,3,3,4,4,5-hexamethylhexane-2-thiol Chemical compound CC(C)C(C)(C)C(C)(C)C(C)(C)S YAJYJWXEWKRTPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,6,7,8,9,10-octahydropyrimido[1,2-a]azepine Chemical compound C1CCCCN2CCCN=C21 GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFQNMENFJSZTGD-UHFFFAOYSA-O 2,6-dimethyl-4-(thiolan-1-ium-1-yl)phenol Chemical compound CC1=C(O)C(C)=CC([S+]2CCCC2)=C1 WFQNMENFJSZTGD-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- GNZYDSUXCMLOMM-UHFFFAOYSA-N 2,6-dimethyl-4-(thiolan-1-ium-1-yl)phenol;1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate Chemical compound CC1=C(O)C(C)=CC([S+]2CCCC2)=C1.[O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F GNZYDSUXCMLOMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VAOHUAFTTHSCRT-UHFFFAOYSA-N 2,6-dimethyl-4-(thiolan-1-ium-1-yl)phenol;trifluoromethanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.CC1=C(O)C(C)=CC([S+]2CCCC2)=C1 VAOHUAFTTHSCRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCOCCOCCOC(C)=O FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CKCGJBFTCUCBAJ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxypropoxy)propyl acetate Chemical compound CCOC(C)COC(C)COC(C)=O CKCGJBFTCUCBAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZKCAGDPACLOVBN-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethylbutoxy)ethanol Chemical compound CCC(CC)COCCO ZKCAGDPACLOVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hexoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCCCOCCOCCO GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJINVQNEBGOMCR-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound COCCOCCOC(C)=O BJINVQNEBGOMCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DRLRGHZJOQGQEC-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxypropoxy)propyl acetate Chemical compound COC(C)COC(C)COC(C)=O DRLRGHZJOQGQEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DJCYDDALXPHSHR-UHFFFAOYSA-N 2-(2-propoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCOCCOCCO DJCYDDALXPHSHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYVAYAJYLWYJJN-UHFFFAOYSA-N 2-(2-propoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CCCOC(C)COC(C)CO XYVAYAJYLWYJJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDVZUTSFCLMPMB-UHFFFAOYSA-M 2-(3-bicyclo[2.2.1]heptanyl)-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate;(4-cyclohexylphenyl)-diphenylsulfanium Chemical compound C1CC2C(C(F)(F)C(F)(F)S(=O)(=O)[O-])CC1C2.C1CCCCC1C1=CC=C([S+](C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZDVZUTSFCLMPMB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- COAPLGOCHZYBCI-UHFFFAOYSA-M 2-(3-bicyclo[2.2.1]heptanyl)-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate;1-(6-butoxynaphthalen-2-yl)thiolan-1-ium Chemical compound C1CC2C(C(F)(F)C(F)(F)S(=O)(=O)[O-])CC1C2.C1=CC2=CC(OCCCC)=CC=C2C=C1[S+]1CCCC1 COAPLGOCHZYBCI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JDUWLFYXEJGUET-UHFFFAOYSA-N 2-(3-bicyclo[2.2.1]heptanyl)-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate;2,6-dimethyl-4-(thiolan-1-ium-1-yl)phenol Chemical compound CC1=C(O)C(C)=CC([S+]2CCCC2)=C1.C1CC2C(C(F)(F)C(F)(F)S(=O)(=O)[O-])CC1C2 JDUWLFYXEJGUET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUARBSGJOAXCCL-UHFFFAOYSA-M 2-(3-bicyclo[2.2.1]heptanyl)-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate;diphenyliodanium Chemical compound C=1C=CC=CC=1[I+]C1=CC=CC=C1.C1CC2C(C(F)(F)C(F)(F)S(=O)(=O)[O-])CC1C2 FUARBSGJOAXCCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- SPBNQWDOUKTPIC-UHFFFAOYSA-M 2-(3-bicyclo[2.2.1]heptanyl)-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate;triphenylsulfanium Chemical compound C1CC2C(C(F)(F)C(F)(F)S(=O)(=O)[O-])CC1C2.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 SPBNQWDOUKTPIC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NXDMSYSWZQIBOX-UHFFFAOYSA-M 2-(3-bicyclo[2.2.1]heptanyl)-1,1-difluoroethanesulfonate;triphenylsulfanium Chemical compound C1CC2C(CC(F)(F)S(=O)(=O)[O-])CC1C2.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NXDMSYSWZQIBOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HXQLQPYQYYECNB-UHFFFAOYSA-M 2-(adamantane-1-carbonyloxy)-1,1,3,3,3-pentafluoropropane-1-sulfonate;triphenylsulfanium Chemical compound C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1C(C2)CC3CC2CC1(C(=O)OC(C(F)(F)S(=O)(=O)[O-])C(F)(F)F)C3 HXQLQPYQYYECNB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HQLKZWRSOHTERR-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylbutyl acetate Chemical compound CCC(CC)COC(C)=O HQLKZWRSOHTERR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 2-Methyl-4-heptanone Chemical compound CC(C)CC(=O)CC(C)C PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQKZRWSUJHVIPE-UHFFFAOYSA-N 2-Pentanol acetate Chemical compound CCCC(C)OC(C)=O GQKZRWSUJHVIPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PFHOSZAOXCYAGJ-UHFFFAOYSA-N 2-[(2-cyano-4-methoxy-4-methylpentan-2-yl)diazenyl]-4-methoxy-2,4-dimethylpentanenitrile Chemical compound COC(C)(C)CC(C)(C#N)N=NC(C)(C#N)CC(C)(C)OC PFHOSZAOXCYAGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYGWHHGCAGTUCH-UHFFFAOYSA-N 2-[(2-cyano-4-methylpentan-2-yl)diazenyl]-2,4-dimethylpentanenitrile Chemical compound CC(C)CC(C)(C#N)N=NC(C)(C#N)CC(C)C WYGWHHGCAGTUCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-hydroxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(O)COC(C)COC(C)CO LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDHQGBWMLCBNSM-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]ethyl acetate Chemical compound COCCOCCOCCOC(C)=O SDHQGBWMLCBNSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVUNTIMPQCQCAQ-UHFFFAOYSA-N 2-dodecanoyloxyethyl dodecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)OCCOC(=O)CCCCCCCCCCC ZVUNTIMPQCQCAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TZYRSLHNPKPEFV-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-1-butanol Chemical compound CCC(CC)CO TZYRSLHNPKPEFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOYWLLHHWAMFCB-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexyl acetate Chemical compound CCCCC(CC)COC(C)=O WOYWLLHHWAMFCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CETWDUZRCINIHU-UHFFFAOYSA-N 2-heptanol Chemical compound CCCCCC(C)O CETWDUZRCINIHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UPGSWASWQBLSKZ-UHFFFAOYSA-N 2-hexoxyethanol Chemical compound CCCCCCOCCO UPGSWASWQBLSKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AKVUWTYSNLGBJY-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-morpholin-4-ylprop-2-en-1-one Chemical compound CC(=C)C(=O)N1CCOCC1 AKVUWTYSNLGBJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PFNHSEQQEPMLNI-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-pentanol Chemical compound CCCC(C)CO PFNHSEQQEPMLNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSXVEPNJUHWQHW-UHFFFAOYSA-N 2-methylbutan-2-ol Chemical compound CCC(C)(C)O MSXVEPNJUHWQHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZPVFWPFBNIEHGJ-UHFFFAOYSA-N 2-octanone Chemical compound CCCCCCC(C)=O ZPVFWPFBNIEHGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMRFJAMFEWYMKE-UHFFFAOYSA-N 2-oxaadamantane Chemical group C1C(O2)CC3CC1CC2C3 CMRFJAMFEWYMKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxyethanol Chemical compound OCCOC1=CC=CC=C1 QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000094 2-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- YEYKMVJDLWJFOA-UHFFFAOYSA-N 2-propoxyethanol Chemical compound CCCOCCO YEYKMVJDLWJFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRRVXFOKWJKTGG-UHFFFAOYSA-N 3,3,5-trimethylcyclohexanol Chemical compound CC1CC(O)CC(C)(C)C1 BRRVXFOKWJKTGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PKNKULBDCRZSBT-UHFFFAOYSA-N 3,4,5-trimethylnonan-2-one Chemical compound CCCCC(C)C(C)C(C)C(C)=O PKNKULBDCRZSBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRIBMENBGGCKPD-UHFFFAOYSA-N 3-(2,3-dimethoxyphenyl)prop-2-enal Chemical compound COC1=CC=CC(C=CC=O)=C1OC FRIBMENBGGCKPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 3-methoxy-1-butanol Chemical compound COC(C)CCO JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLVDVIXDYDGVLS-UHFFFAOYSA-N 3-oxabicyclo[2.2.1]heptane Chemical group C1C2CCC1OC2 JLVDVIXDYDGVLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IICCLYANAQEHCI-UHFFFAOYSA-N 4,5,6,7-tetrachloro-3',6'-dihydroxy-2',4',5',7'-tetraiodospiro[2-benzofuran-3,9'-xanthene]-1-one Chemical compound O1C(=O)C(C(=C(Cl)C(Cl)=C2Cl)Cl)=C2C21C1=CC(I)=C(O)C(I)=C1OC1=C(I)C(O)=C(I)C=C21 IICCLYANAQEHCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxystyrene Chemical compound OC1=CC=C(C=C)C=C1 FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQRONKZLYKUEMO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-1-(2,4,6-trimethylphenyl)pent-4-en-2-one Chemical group CC(=C)CC(=O)Cc1c(C)cc(C)cc1C UQRONKZLYKUEMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVYWICLMDOOCFB-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2-pentanol Chemical compound CC(C)CC(C)O WVYWICLMDOOCFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQWCXKGKQLNYQG-UHFFFAOYSA-N 4-methylcyclohexan-1-ol Chemical compound CC1CCC(O)CC1 MQWCXKGKQLNYQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 4-methylcyclohexan-1-one Chemical compound CC1CCC(=O)CC1 VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YRRKZXMKAWXOLN-UHFFFAOYSA-M 6-(adamantane-1-carbonyloxy)-1,1,2,2-tetrafluorohexane-1-sulfonate;triphenylsulfanium Chemical compound C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1C(C2)CC3CC2CC1(C(=O)OCCCCC(F)(F)C(F)(F)S(=O)(=O)[O-])C3 YRRKZXMKAWXOLN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 8beta-(2,3-epoxy-2-methylbutyryloxy)-14-acetoxytithifolin Natural products COC(=O)C(C)O LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100215341 Arabidopsis thaliana ACT12 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100434207 Arabidopsis thaliana ACT8 gene Proteins 0.000 description 1
- NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N Aziridine Chemical group C1CN1 NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 description 1
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRABAEUHTLLEML-UHFFFAOYSA-N Butyl lactate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)O MRABAEUHTLLEML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- YYLLIJHXUHJATK-UHFFFAOYSA-N Cyclohexyl acetate Chemical compound CC(=O)OC1CCCCC1 YYLLIJHXUHJATK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSJXEFYPDANLFS-UHFFFAOYSA-N Diacetyl Chemical group CC(=O)C(C)=O QSJXEFYPDANLFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N Diethyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OCC OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXQPUEQDBSPXTE-UHFFFAOYSA-N Diisobutylcarbinol Chemical compound CC(C)CC(O)CC(C)C HXQPUEQDBSPXTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical class COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N Ethylene carbonate Chemical compound O=C1OCCO1 KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJUFJBKOKNCXHH-UHFFFAOYSA-N Methyl propionate Chemical compound CCC(=O)OC RJUFJBKOKNCXHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WRQNANDWMGAFTP-UHFFFAOYSA-N Methylacetoacetic acid Chemical compound COC(=O)CC(C)=O WRQNANDWMGAFTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGJKQDOBUOMPEZ-UHFFFAOYSA-N N,N'-dimethylurea Chemical compound CNC(=O)NC MGJKQDOBUOMPEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N N,N,N',N'-tetramethylethylenediamine Chemical compound CN(C)CCN(C)C KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SUAKHGWARZSWIH-UHFFFAOYSA-N N,N‐diethylformamide Chemical compound CCN(CC)C=O SUAKHGWARZSWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGEGHDBEHXKFPX-UHFFFAOYSA-N N-methylthiourea Natural products CNC(N)=O XGEGHDBEHXKFPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- JKRZOJADNVOXPM-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid dibutyl ester Chemical compound CCCCOC(=O)C(=O)OCCCC JKRZOJADNVOXPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- OUUQCZGPVNCOIJ-UHFFFAOYSA-M Superoxide Chemical compound [O-][O] OUUQCZGPVNCOIJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FLRQOWAOMJMSTP-JJTRIOAGSA-N [(2s)-2-[(2r)-3,4-dihydroxy-5-oxo-2h-furan-2-yl]-2-hydroxyethyl] (6z,9z,12z)-octadeca-6,9,12-trienoate Chemical compound CCCCC\C=C/C\C=C/C\C=C/CCCCC(=O)OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O FLRQOWAOMJMSTP-JJTRIOAGSA-N 0.000 description 1
- NVJPBZCLWGTJKD-UHFFFAOYSA-N [bis(4-tert-butylphenyl)-lambda3-iodanyl] trifluoromethanesulfonate Chemical compound CC(C)(C)c1ccc(cc1)[I](OS(=O)(=O)C(F)(F)F)c1ccc(cc1)C(C)(C)C NVJPBZCLWGTJKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008062 acetophenones Chemical class 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 125000003668 acetyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(=O)O[*] 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- JIMXXGFJRDUSRO-UHFFFAOYSA-N adamantane-1-carboxylic acid Chemical compound C1C(C2)CC3CC2CC1(C(=O)O)C3 JIMXXGFJRDUSRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IYKFYARMMIESOX-UHFFFAOYSA-N adamantanone Chemical compound C1C(C2)CC3CC1C(=O)C2C3 IYKFYARMMIESOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005073 adamantyl group Chemical group C12(CC3CC(CC(C1)C3)C2)* 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004397 aminosulfonyl group Chemical group NS(=O)(=O)* 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000005428 anthryl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C(*)=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- VJEIIJANCJRLFJ-UHFFFAOYSA-N azecane Chemical group C1CCCCNCCCC1 VJEIIJANCJRLFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZSIQJIWKELUFRJ-UHFFFAOYSA-N azepane Chemical group C1CCCNCC1 ZSIQJIWKELUFRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HONIICLYMWZJFZ-UHFFFAOYSA-N azetidine Chemical group C1CNC1 HONIICLYMWZJFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXNDZONIWRINJR-UHFFFAOYSA-N azocane Chemical group C1CCCNCCC1 QXNDZONIWRINJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 150000008366 benzophenones Chemical class 0.000 description 1
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 1
- 229940007550 benzyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- MDUKBVGQQFOMPC-UHFFFAOYSA-M bis(4-tert-butylphenyl)iodanium;(7,7-dimethyl-3-oxo-4-bicyclo[2.2.1]heptanyl)methanesulfonate Chemical compound C1CC2(CS([O-])(=O)=O)C(=O)CC1C2(C)C.C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1[I+]C1=CC=C(C(C)(C)C)C=C1 MDUKBVGQQFOMPC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DJBAOXYQCAKLPH-UHFFFAOYSA-M bis(4-tert-butylphenyl)iodanium;1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F.C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1[I+]C1=CC=C(C(C)(C)C)C=C1 DJBAOXYQCAKLPH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- 235000019437 butane-1,3-diol Nutrition 0.000 description 1
- 125000004369 butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 1
- BTMVHUNTONAYDX-UHFFFAOYSA-N butyl propionate Chemical compound CCCCOC(=O)CC BTMVHUNTONAYDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000480 butynyl group Chemical group [*]C#CC([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- JHRWWRDRBPCWTF-OLQVQODUSA-N captafol Chemical group C1C=CC[C@H]2C(=O)N(SC(Cl)(Cl)C(Cl)Cl)C(=O)[C@H]21 JHRWWRDRBPCWTF-OLQVQODUSA-N 0.000 description 1
- 125000003917 carbamoyl group Chemical group [H]N([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001733 carboxylic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000012986 chain transfer agent Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001231 choline Drugs 0.000 description 1
- 239000012230 colorless oil Substances 0.000 description 1
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 1
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003950 cyclic amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 description 1
- 150000001924 cycloalkanes Chemical class 0.000 description 1
- CGZZMOTZOONQIA-UHFFFAOYSA-N cycloheptanone Chemical compound O=C1CCCCCC1 CGZZMOTZOONQIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000582 cycloheptyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000596 cyclohexenyl group Chemical group C1(=CCCCC1)* 0.000 description 1
- WJTCGQSWYFHTAC-UHFFFAOYSA-N cyclooctane Chemical compound C1CCCCCCC1 WJTCGQSWYFHTAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004914 cyclooctane Substances 0.000 description 1
- IIRFCWANHMSDCG-UHFFFAOYSA-N cyclooctanone Chemical compound O=C1CCCCCCC1 IIRFCWANHMSDCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000640 cyclooctyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002433 cyclopentenyl group Chemical group C1(=CCCC1)* 0.000 description 1
- 125000004856 decahydroquinolinyl group Chemical group N1(CCCC2CCCCC12)* 0.000 description 1
- DIOQZVSQGTUSAI-NJFSPNSNSA-N decane Chemical group CCCCCCCCC[14CH3] DIOQZVSQGTUSAI-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229940009976 deoxycholate Drugs 0.000 description 1
- KXGVEGMKQFWNSR-LLQZFEROSA-N deoxycholic acid Chemical class C([C@H]1CC2)[C@H](O)CC[C@]1(C)[C@@H]1[C@@H]2[C@@H]2CC[C@H]([C@@H](CCC(O)=O)C)[C@@]2(C)[C@@H](O)C1 KXGVEGMKQFWNSR-LLQZFEROSA-N 0.000 description 1
- 125000004386 diacrylate group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005265 dialkylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001983 dialkylethers Chemical class 0.000 description 1
- XXTZHYXQVWRADW-UHFFFAOYSA-N diazomethanone Chemical class [N]N=C=O XXTZHYXQVWRADW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012954 diazonium Substances 0.000 description 1
- 150000001989 diazonium salts Chemical class 0.000 description 1
- WYACBZDAHNBPPB-UHFFFAOYSA-N diethyl oxalate Chemical compound CCOC(=O)C(=O)OCC WYACBZDAHNBPPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- FBSAITBEAPNWJG-UHFFFAOYSA-N dimethyl phthalate Natural products CC(=O)OC1=CC=CC=C1OC(C)=O FBSAITBEAPNWJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVSWJIKNEAIKJW-UHFFFAOYSA-N dimethyl-hexane Natural products CCCCCC(C)C JVSWJIKNEAIKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001826 dimethylphthalate Drugs 0.000 description 1
- OZLBDYMWFAHSOQ-UHFFFAOYSA-N diphenyliodanium Chemical compound C=1C=CC=CC=1[I+]C1=CC=CC=C1 OZLBDYMWFAHSOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORPDKMPYOLFUBA-UHFFFAOYSA-M diphenyliodanium;1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate Chemical compound C=1C=CC=CC=1[I+]C1=CC=CC=C1.[O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F ORPDKMPYOLFUBA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- SBQIJPBUMNWUKN-UHFFFAOYSA-M diphenyliodanium;trifluoromethanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C=1C=CC=CC=1[I+]C1=CC=CC=C1 SBQIJPBUMNWUKN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N dipropyl ether Chemical compound CCCOCCC POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N dipropylamine Chemical compound CCCNCCC WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 229940052761 dopaminergic adamantane derivative Drugs 0.000 description 1
- ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N doxepin Chemical compound C1OC2=CC=CC=C2C(=C/CCN(C)C)/C2=CC=CC=C21 ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 1
- YQGOJNYOYNNSMM-UHFFFAOYSA-N eosin Chemical compound [Na+].OC(=O)C1=CC=CC=C1C1=C2C=C(Br)C(=O)C(Br)=C2OC2=C(Br)C(O)=C(Br)C=C21 YQGOJNYOYNNSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000003754 ethoxycarbonyl group Chemical group C(=O)(OCC)* 0.000 description 1
- XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N ethyl acetoacetate Chemical compound CCOC(=O)CC(C)=O XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940093858 ethyl acetoacetate Drugs 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N ethyl methyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OC JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 125000002485 formyl group Chemical group [H]C(*)=O 0.000 description 1
- 239000003205 fragrance Substances 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- XVEOUOTUJBYHNL-UHFFFAOYSA-N heptane-2,4-diol Chemical compound CCCC(O)CC(C)O XVEOUOTUJBYHNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QNVRIHYSUZMSGM-UHFFFAOYSA-N hexan-2-ol Chemical compound CCCCC(C)O QNVRIHYSUZMSGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXTNIJMLAQNTEG-UHFFFAOYSA-N hexan-2-yl acetate Chemical compound CCCCC(C)OC(C)=O RXTNIJMLAQNTEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHMBHFSEKCCCBW-UHFFFAOYSA-N hexane-2,5-diol Chemical compound CC(O)CCC(C)O OHMBHFSEKCCCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- MLFHJEHSLIIPHL-UHFFFAOYSA-N isoamyl acetate Chemical compound CC(C)CCOC(C)=O MLFHJEHSLIIPHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PHTQWCKDNZKARW-UHFFFAOYSA-N isoamylol Chemical compound CC(C)CCO PHTQWCKDNZKARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXUHSQYYJYAXGZ-UHFFFAOYSA-N isobutylbenzene Chemical compound CC(C)CC1=CC=CC=C1 KXUHSQYYJYAXGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FGKJLKRYENPLQH-UHFFFAOYSA-M isocaproate Chemical compound CC(C)CCC([O-])=O FGKJLKRYENPLQH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N isopropanol acetate Natural products CC(C)OC(C)=O JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940011051 isopropyl acetate Drugs 0.000 description 1
- GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-M isovalerate Chemical compound CC(C)CC([O-])=O GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OQAGVSWESNCJJT-UHFFFAOYSA-N isovaleric acid methyl ester Natural products COC(=O)CC(C)C OQAGVSWESNCJJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMEROWZSTRWXGI-HVATVPOCSA-N lithocholic acid Chemical class C([C@H]1CC2)[C@H](O)CC[C@]1(C)[C@@H]1[C@@H]2[C@@H]2CC[C@H]([C@@H](CCC(O)=O)C)[C@@]2(C)CC1 SMEROWZSTRWXGI-HVATVPOCSA-N 0.000 description 1
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000001160 methoxycarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC(*)=O 0.000 description 1
- 125000004184 methoxymethyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC([H])([H])* 0.000 description 1
- IMXBRVLCKXGWSS-UHFFFAOYSA-N methyl 2-cyclohexylacetate Chemical compound COC(=O)CC1CCCCC1 IMXBRVLCKXGWSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GFVQBVDJRHZKPO-UHFFFAOYSA-N methyl 2-hydroxy-5-oxo-4-oxatricyclo[4.2.1.03,7]nonane-9-carboxylate Chemical compound O1C(=O)C2C(C(=O)OC)C3C(O)C1C2C3 GFVQBVDJRHZKPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043265 methyl isobutyl ketone Drugs 0.000 description 1
- 229940057867 methyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 229940017219 methyl propionate Drugs 0.000 description 1
- GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N methyl-cycloheptane Natural products CC1CCCCCC1 GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGEGHDBEHXKFPX-NJFSPNSNSA-N methylurea Chemical compound [14CH3]NC(N)=O XGEGHDBEHXKFPX-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- HEPOEAALKWFVLE-UHFFFAOYSA-N n -((perfluorooctanesulfonyl)oxy)-5-norbornene-2,3-dicarboximide Chemical compound C1=CC2CC1C1C2C(=O)N(OS(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F)C1=O HEPOEAALKWFVLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCMDNBGUNDHOOD-UHFFFAOYSA-N n -((trifluoromethylsulfonyl)oxy)-5-norbornene-2,3-dicarboximide Chemical compound C1=CC2CC1C1C2C(=O)N(OS(=O)(=O)C(F)(F)F)C1=O YCMDNBGUNDHOOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAZXVJBJRMWXJP-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylethylamine Chemical compound CCN(C)C DAZXVJBJRMWXJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYZFTMMPKCOTAN-UHFFFAOYSA-N n-[2-(2-hydroxyethylamino)ethyl]-2-[[1-[2-(2-hydroxyethylamino)ethylamino]-2-methyl-1-oxopropan-2-yl]diazenyl]-2-methylpropanamide Chemical compound OCCNCCNC(=O)C(C)(C)N=NC(C)(C)C(=O)NCCNCCO QYZFTMMPKCOTAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229940017144 n-butyl lactate Drugs 0.000 description 1
- RCLLINSDAJVOHP-UHFFFAOYSA-N n-ethyl-n',n'-dimethylprop-2-enehydrazide Chemical compound CCN(N(C)C)C(=O)C=C RCLLINSDAJVOHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNVRJGIVDSQCOP-UHFFFAOYSA-N n-ethyl-n-methylethanamine Chemical compound CCN(C)CC GNVRJGIVDSQCOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJQAMHYHNCADNR-UHFFFAOYSA-N n-methylpropanamide Chemical compound CCC(=O)NC QJQAMHYHNCADNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004923 naphthylmethyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)C* 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- KPADFPAILITQBG-UHFFFAOYSA-N non-4-ene Chemical compound CCCCC=CCCC KPADFPAILITQBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 125000003518 norbornenyl group Chemical group C12(C=CC(CC1)C2)* 0.000 description 1
- 125000002868 norbornyl group Chemical group C12(CCC(CC1)C2)* 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJWFXCIHNDVPSH-UHFFFAOYSA-N octan-2-ol Chemical compound CCCCCCC(C)O SJWFXCIHNDVPSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYNVIVRXHYGNRT-UHFFFAOYSA-N octane-3,5-diol Chemical compound CCCC(O)CC(O)CC WYNVIVRXHYGNRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N oxetane Chemical group C1COC1 AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005740 oxycarbonyl group Chemical group [*:1]OC([*:2])=O 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- JYVLIDXNZAXMDK-UHFFFAOYSA-N pentan-2-ol Chemical compound CCCC(C)O JYVLIDXNZAXMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GTCCGKPBSJZVRZ-UHFFFAOYSA-N pentane-2,4-diol Chemical compound CC(O)CC(C)O GTCCGKPBSJZVRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GXOHBWLPQHTYPF-UHFFFAOYSA-N pentyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCCCCOC(=O)C(C)O GXOHBWLPQHTYPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005004 perfluoroethyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 1
- 125000005005 perfluorohexyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 125000001484 phenothiazinyl group Chemical class C1(=CC=CC=2SC3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 229960005323 phenoxyethanol Drugs 0.000 description 1
- WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N phenyl(114C)methanol Chemical compound O[14CH2]C1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N 0.000 description 1
- 125000004344 phenylpropyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004714 phosphonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000083 poly(allylamine) Polymers 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 238000001955 polymer synthesis method Methods 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920000259 polyoxyethylene lauryl ether Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- MKPHNILWOMCVTH-UHFFFAOYSA-N prop-1-en-2-ylcyclopropane Chemical group CC(=C)C1CC1 MKPHNILWOMCVTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 125000004368 propenyl group Chemical group C(=CC)* 0.000 description 1
- QLNJFJADRCOGBJ-UHFFFAOYSA-N propionamide Chemical compound CCC(N)=O QLNJFJADRCOGBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940080818 propionamide Drugs 0.000 description 1
- 125000001501 propionyl group Chemical group O=C([*])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002568 propynyl group Chemical group [*]C#CC([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBYHFKPVCBCYGV-UHFFFAOYSA-N quinuclidine Chemical group C1CC2CCN1CC2 SBYHFKPVCBCYGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 229940081623 rose bengal Drugs 0.000 description 1
- 229930187593 rose bengal Natural products 0.000 description 1
- STRXNPAVPKGJQR-UHFFFAOYSA-N rose bengal A Natural products O1C(=O)C(C(=CC=C2Cl)Cl)=C2C21C1=CC(I)=C(O)C(I)=C1OC1=C(I)C(O)=C(I)C=C21 STRXNPAVPKGJQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N sec-butyl acetate Chemical compound CCC(C)OC(C)=O DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019795 sodium metasilicate Nutrition 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- IAHFWCOBPZCAEA-UHFFFAOYSA-N succinonitrile Chemical compound N#CCCC#N IAHFWCOBPZCAEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000020 sulfo group Chemical group O=S(=O)([*])O[H] 0.000 description 1
- 125000006296 sulfonyl amino group Chemical group [H]N(*)S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- NZNVBGIQMWGYRR-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2-phenylbenzimidazole-1-carboxylate Chemical compound N=1C2=CC=CC=C2N(C(=O)OC(C)(C)C)C=1C1=CC=CC=C1 NZNVBGIQMWGYRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWQLFIKTGRINFF-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 4-hydroxypiperidine-1-carboxylate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)N1CCC(O)CC1 PWQLFIKTGRINFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CROWJIMGVQLMPG-UHFFFAOYSA-N tert-butyl benzimidazole-1-carboxylate Chemical compound C1=CC=C2N(C(=O)OC(C)(C)C)C=NC2=C1 CROWJIMGVQLMPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTBKGWHHOBJMHJ-UHFFFAOYSA-N tert-butyl imidazole-1-carboxylate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)N1C=CN=C1 MTBKGWHHOBJMHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMUNFRBJXIEULW-UHFFFAOYSA-N tert-butyl n,n-bis(2-hydroxyethyl)carbamate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)N(CCO)CCO KMUNFRBJXIEULW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WIURVMHVEPTKHB-UHFFFAOYSA-N tert-butyl n,n-dicyclohexylcarbamate Chemical compound C1CCCCC1N(C(=O)OC(C)(C)C)C1CCCCC1 WIURVMHVEPTKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQEXYHWLLMPVRB-UHFFFAOYSA-N tert-butyl n,n-dioctylcarbamate Chemical compound CCCCCCCCN(C(=O)OC(C)(C)C)CCCCCCCC UQEXYHWLLMPVRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJONCGVUGJUWJQ-UHFFFAOYSA-N tert-butyl n,n-diphenylcarbamate Chemical compound C=1C=CC=CC=1N(C(=O)OC(C)(C)C)C1=CC=CC=C1 QJONCGVUGJUWJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RQCNHUCCQJMSRG-UHFFFAOYSA-N tert-butyl piperidine-1-carboxylate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)N1CCCCC1 RQCNHUCCQJMSRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CIHOLLKRGTVIJN-UHFFFAOYSA-N tert‐butyl hydroperoxide Chemical compound CC(C)(C)OO CIHOLLKRGTVIJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBFJAVXCNXDMBH-UHFFFAOYSA-N tetracyclo[6.2.1.1(3,6).0(2,7)]dodec-4-ene Chemical compound C1C(C23)C=CC1C3C1CC2CC1 XBFJAVXCNXDMBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRGJIIMZXMWMCC-UHFFFAOYSA-N tetradecan-2-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCC(C)O BRGJIIMZXMWMCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005270 trialkylamine group Chemical group 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-M triflate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M triphenylsulfonium triflate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XMUJIPOFTAHSOK-UHFFFAOYSA-N undecan-2-ol Chemical compound CCCCCCCCCC(C)O XMUJIPOFTAHSOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000003672 ureas Chemical class 0.000 description 1
- PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N vertaline Natural products C1C2C=3C=C(OC)C(OC)=CC=3OC(C=C3)=CC=C3CCC(=O)OC1CC1N2CCCC1 PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005023 xylyl group Chemical group 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Thiazole And Isothizaole Compounds (AREA)
- Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
- Pyrrole Compounds (AREA)
Description
本発明は、酸拡散制御剤、感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び化合物の製造方法に関する。 The present invention relates to an acid diffusion controller, a radiation sensitive resin composition, a resist pattern forming method, a compound, and a method for producing the compound.
化学増幅型感放射線性樹脂組成物は、ArFエキシマレーザー光、KrFエキシマレーザー光等の露光光の照射により、露光部において酸発生剤から酸を生成させ、この酸を触媒とする反応により、露光部と未露光部との現像液に対する溶解速度を変化させ、基板上にレジストパターンを形成する。 The chemically amplified radiation-sensitive resin composition generates an acid from an acid generator at an exposed portion by irradiation with exposure light such as ArF excimer laser light or KrF excimer laser light, and the reaction is carried out by reaction using this acid as a catalyst. The dissolution rate of the part and the unexposed part in the developer is changed to form a resist pattern on the substrate.
かかる感放射線性樹脂組成物には、加工技術の微細化に伴い、解像性等の諸性能を向上させることが要求される。この要求に対し、感放射線性樹脂組成物には、上記酸発生剤から生成した酸の拡散を適度に制御する目的で酸拡散制御剤を含有させることが行われている。この酸拡散制御剤としては、極性基としてエーテル基、ヒドロキシ基又はエステル基を含み、さらに環構造を有する窒素原子含有化合物が知られており、この酸拡散制御剤によれば、解像性及び焦点深度を高めることができるとされている(特開2002−363148号公報及び特開2002−226470号公報参照)。 Such radiation-sensitive resin compositions are required to improve various performances such as resolution as processing technology becomes finer. In response to this requirement, an acid diffusion control agent is contained in the radiation sensitive resin composition for the purpose of appropriately controlling the diffusion of the acid generated from the acid generator. As this acid diffusion control agent, a nitrogen atom-containing compound containing an ether group, a hydroxy group or an ester group as a polar group and further having a ring structure is known. According to this acid diffusion control agent, resolution and It is said that the depth of focus can be increased (see JP 2002-363148 A and JP 2002-226470 A).
このような中、レジストパターンの微細化がますます進行する現在にあっては、上記解像性及び焦点深度をさらに向上させることが要求され、これに加え、レジストパターンの線幅のバラつきを示すラインウィドゥスラフネス(LWR)性能に優れることも要求される。さらには、上記従来の酸拡散制御剤では、形成されるレジストパターンがトップロス等になる傾向があり、このレジストパターンの断面形状の矩形性を向上させることも求められている。しかし、上記従来の感放射線性樹脂組成物ではこれらの要求を満足させることはできていない。 Under such circumstances, in the present situation where the miniaturization of the resist pattern is increasingly advanced, it is required to further improve the resolution and the depth of focus, and in addition, the line width of the resist pattern is varied. It is also required to have excellent line width roughness (LWR) performance. Furthermore, in the conventional acid diffusion controller, the formed resist pattern tends to have a top loss or the like, and it is also required to improve the rectangularity of the cross-sectional shape of the resist pattern. However, the above conventional radiation-sensitive resin composition cannot satisfy these requirements.
本発明は以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、感放射線性樹脂組成物のLWR性能、解像性、断面形状の矩形性及び焦点深度に優れる酸拡散制御剤を提供することにある。 The present invention has been made based on the circumstances as described above, and its purpose is to provide an acid diffusion controller excellent in the LWR performance, resolution, rectangularity of the cross-sectional shape and depth of focus of the radiation-sensitive resin composition. It is to provide.
上記課題を解決するためになされた発明は、
下記式(1)で表される化合物からなる酸拡散制御剤である。
R1は、炭素数1〜20の1価の炭化水素基、若しくはこの基の炭素−炭素間に−O−、−CO−、−COO−、−SO2−、−SO2O−、−SO2NR−及び−CONR−からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基であるか、又はR2若しくはR3と結合して環員数3〜30の環構造の一部を形成している。
R2は、炭素数1〜20の1価の炭化水素基、若しくはこの基の炭素−炭素間に−O−、−CO−、−COO−、−SO2−、−SO2O−、−SO2NR−及び−CONR−からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基であるか、又はR1と結合して環員数3〜30の環構造の一部を形成している。
R3は、水素原子、炭素数1〜10の1価の炭化水素基、若しくはこの基の炭素−炭素間に−O−、−CO−、−COO−、−SO2−、−SO2O−、−SO2NR−及び−CONR−からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基であるか、又はR1若しくはR4と結合して環員数3〜30の環構造の一部を形成している。
R4は、水素原子、炭素数1〜10の1価の炭化水素基、若しくはこの基の炭素−炭素間に−O−、−CO−、−COO−、−SO2−、−SO2O−、−SO2NR−及び−CONR−からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基であるか、又はR3と結合して環員数3〜30の環構造の一部を形成している。
nは、1又は2である。nが2の場合、複数のR3及びR4はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
R5及びR6は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1〜10の1価の炭化水素基、若しくはこの基の炭素−炭素間に−O−、−CO−、−COO−、−SO2−、−SO2O−、−SO2NR−及び−CONR−からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基であるか、又はR5及びR6が互いに結合してこれらが結合している窒素原子と共に環員数3〜30の環構造を形成している。
Rは、水素原子又は炭素数1〜10の炭化水素基である。
Xは、単結合又は炭素数1〜20の2価の有機基である。
Yは、−CO−又は−SO2−である。)
The invention made to solve the above problems is
It is an acid diffusion controller comprising a compound represented by the following formula (1).
R 1 represents a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, or —O—, —CO—, —COO—, —SO 2 —, —SO 2 O—, — It is a group containing at least one selected from the group consisting of SO 2 NR— and —CONR—, or is bonded to R 2 or R 3 to form a part of a ring structure having 3 to 30 ring members .
R 2 represents a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, or —O—, —CO—, —COO—, —SO 2 —, —SO 2 O—, — It is a group containing at least one selected from the group consisting of SO 2 NR— and —CONR—, or is bonded to R 1 to form a part of a ring structure having 3 to 30 ring members.
R 3 is a hydrogen atom, a monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, or —O—, —CO—, —COO—, —SO 2 —, —SO 2 O between the carbon and carbon of this group. -, - or a group containing at least one selected from SO 2 NR-, and the group consisting of -CONR-, or combined with R 1 or R 4 form a part of the ring structure of ring members 3-30 doing.
R 4 is a hydrogen atom, a monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, or —O—, —CO—, —COO—, —SO 2 —, —SO 2 O between the carbon and carbon of this group. -, - or a group containing at least one selected from SO 2 NR-, and the group consisting of -CONR-, or combined with R 3 to form a part of the ring structure of ring members 3-30 .
n is 1 or 2. When n is 2, the plurality of R 3 and R 4 may be the same or different.
R 5 and R 6 are each independently a hydrogen atom, a monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, or -O-, -CO-, -COO-,- A group containing at least one selected from the group consisting of SO 2 —, —SO 2 O—, —SO 2 NR— and —CONR—, or R 5 and R 6 are bonded to each other. A ring structure having 3 to 30 ring members is formed together with the nitrogen atom.
R is a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms.
X is a single bond or a divalent organic group having 1 to 20 carbon atoms.
Y is —CO— or —SO 2 —. )
本発明の感放射線性樹脂組成物は、
[A]酸解離性基を有する重合体、
[B]酸発生体、及び
[C]当該酸拡散制御剤
を含有する。
The radiation sensitive resin composition of the present invention is
[A] a polymer having an acid dissociable group,
[B] an acid generator, and [C] the acid diffusion controller.
本発明のレジストパターン形成方法は、
(1)当該感放射線性樹脂組成物を用い、レジスト膜を形成する工程、
(2)上記レジスト膜を露光する工程、及び
(3)上記露光されたレジスト膜を現像する工程
を有する。
The resist pattern forming method of the present invention comprises:
(1) A step of forming a resist film using the radiation-sensitive resin composition,
(2) a step of exposing the resist film; and (3) a step of developing the exposed resist film.
本発明の化合物は、下記式(1)で表される。
R1は、炭素数1〜20の1価の炭化水素基、若しくはこの基の炭素−炭素間に−O−、−CO−、−COO−、−SO2−、−SO2O−、−SO2NR−及び−CONR−からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基であるか、又はR2若しくはR3と結合して環員数3〜30の環構造の一部を形成している。
R2は、炭素数1〜20の1価の炭化水素基、若しくはこの基の炭素−炭素間に−O−、−CO−、−COO−、−SO2−、−SO2O−、−SO2NR−及び−CONR−からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基であるか、又はR1と結合して環員数3〜30の環構造の一部を形成している。
R3は、水素原子、炭素数1〜10の1価の炭化水素基、若しくはこの基の炭素−炭素間に−O−、−CO−、−COO−、−SO2−、−SO2O−、−SO2NR−及び−CONR−からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基であるか、又はR1若しくはR4と結合して環員数3〜30の環構造の一部を形成している。
R4は、水素原子、炭素数1〜10の1価の炭化水素基、若しくはこの基の炭素−炭素間に−O−、−CO−、−COO−、−SO2−、−SO2O−、−SO2NR−及び−CONR−からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基であるか、又はR3と結合して環員数3〜30の環構造の一部を形成している。
nは、1又は2である。nが2の場合、複数のR3及びR4はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
R5及びR6は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1〜10の1価の炭化水素基、若しくはこの基の炭素−炭素間に−O−、−CO−、−COO−、−SO2−、−SO2O−、−SO2NR−及び−CONR−からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基であるか、又はR5及びR6が互いに結合してこれらが結合している窒素原子と共に環員数3〜30の環構造を形成している。
Rは、水素原子又は炭素数1〜10の炭化水素基である。
Xは、単結合又は炭素数1〜20の2価の有機基である。
Yは、−CO−又は−SO2−である。)
The compound of the present invention is represented by the following formula (1).
R 1 represents a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, or —O—, —CO—, —COO—, —SO 2 —, —SO 2 O—, — It is a group containing at least one selected from the group consisting of SO 2 NR— and —CONR—, or is bonded to R 2 or R 3 to form a part of a ring structure having 3 to 30 ring members .
R 2 represents a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, or —O—, —CO—, —COO—, —SO 2 —, —SO 2 O—, — It is a group containing at least one selected from the group consisting of SO 2 NR— and —CONR—, or is bonded to R 1 to form a part of a ring structure having 3 to 30 ring members.
R 3 is a hydrogen atom, a monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, or —O—, —CO—, —COO—, —SO 2 —, —SO 2 O between the carbon and carbon of this group. -, - or a group containing at least one selected from SO 2 NR-, and the group consisting of -CONR-, or combined with R 1 or R 4 form a part of the ring structure of ring members 3-30 doing.
R 4 is a hydrogen atom, a monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, or —O—, —CO—, —COO—, —SO 2 —, —SO 2 O between the carbon and carbon of this group. -, - or a group containing at least one selected from SO 2 NR-, and the group consisting of -CONR-, or combined with R 3 to form a part of the ring structure of ring members 3-30 .
n is 1 or 2. When n is 2, the plurality of R 3 and R 4 may be the same or different.
R 5 and R 6 are each independently a hydrogen atom, a monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, or -O-, -CO-, -COO-,- A group containing at least one selected from the group consisting of SO 2 —, —SO 2 O—, —SO 2 NR— and —CONR—, or R 5 and R 6 are bonded to each other. A ring structure having 3 to 30 ring members is formed together with the nitrogen atom.
R is a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms.
X is a single bond or a divalent organic group having 1 to 20 carbon atoms.
Y is —CO— or —SO 2 —. )
本発明の化合物の製造方法は、
下記式(i−a)で表される化合物と、下記式(i−b)で表される化合物とを反応させる工程を有する下記式(1’)で表される化合物の製造方法である。
R1は、炭素数1〜20の1価の炭化水素基、若しくはこの基の炭素−炭素間に−O−、−CO−、−COO−、−SO2−、−SO2O−、−SO2NR−及び−CONR−からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基であるか、又はR2と結合して環員数3〜30の環構造の一部を形成している。
R2は、炭素数1〜20の1価の炭化水素基、若しくはこの基の炭素−炭素間に−O−、−CO−、−COO−、−SO2−、−SO2O−、−SO2NR−及び−CONR−からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基であるか、又はR1と結合して環員数3〜30の環構造の一部を形成している。
R3a、R3b及びR4bは、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1〜10の1価の炭化水素基、若しくはこの基の炭素−炭素間に−O−、−CO−、−COO−、−SO2−、−SO2O−、−SO2NR−及び−CONR−からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基である。
R5及びR6は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1〜10の1価の炭化水素基、若しくはこの基の炭素−炭素間に−O−、−CO−、−COO−、−SO2−、−SO2O−、−SO2NR−及び−CONR−からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基であるか、又はR5及びR6が互いに結合してこれらが結合している窒素原子と共に環員数3〜30の環構造を形成している。
Rは、水素原子又は炭素数1〜10の炭化水素基である。
Yは、−CO−又は−SO2−である。)
The method for producing the compound of the present invention comprises:
It is a manufacturing method of the compound represented by following formula (1 ') which has a process with which the compound represented by following formula (ia) and the compound represented by following formula (ib) are made to react.
R 1 represents a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, or —O—, —CO—, —COO—, —SO 2 —, —SO 2 O—, — It is a group containing at least one selected from the group consisting of SO 2 NR— and —CONR—, or is bonded to R 2 to form a part of a ring structure having 3 to 30 ring members.
R 2 represents a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, or —O—, —CO—, —COO—, —SO 2 —, —SO 2 O—, — It is a group containing at least one selected from the group consisting of SO 2 NR— and —CONR—, or is bonded to R 1 to form a part of a ring structure having 3 to 30 ring members.
R 3a , R 3b, and R 4b are each independently a hydrogen atom, a monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, or —O—, —CO—, —COO between the carbon and carbon of this group. It is a group containing at least one selected from the group consisting of —, —SO 2 —, —SO 2 O—, —SO 2 NR— and —CONR—.
R 5 and R 6 are each independently a hydrogen atom, a monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, or -O-, -CO-, -COO-,- A group containing at least one selected from the group consisting of SO 2 —, —SO 2 O—, —SO 2 NR— and —CONR—, or R 5 and R 6 are bonded to each other. A ring structure having 3 to 30 ring members is formed together with the nitrogen atom.
R is a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms.
Y is —CO— or —SO 2 —. )
本発明の別の化合物の製造方法は、
下記式(i−a’)で表される化合物と、下記式(i−b)で表される化合物とを反応させる工程を有する下記式(2’)で表される化合物の製造方法である。
R2は、炭素数1〜20の1価の炭化水素基、又はこの基の炭素−炭素間に−O−、−CO−、−COO−、−SO2−、−SO2O−、−SO2NR−及び−CONR−からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基である。
R4a及びR4bは、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1〜10の1価の炭化水素基、又はこの基の炭素−炭素間に−O−、−CO−、−COO−、−SO2−、−SO2O−、−SO2NR−及び−CONR−からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基である。
R7は、(k+2)価の炭化水素基である。
kは、0〜6の整数である。
pは、0又は1である。
R8は、炭素数1〜20の1価の炭化水素基、又はこの基の炭素−炭素間に−O−、−CO−、−COO−、−SO2−、−SO2O−、−SO2NR−及び−CONR−からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基である。
kが2以上の場合、複数のR8は同一でも異なっていてもよい。
R5及びR6は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1〜10の1価の炭化水素基、若しくはこの基の炭素−炭素間に−O−、−CO−、−COO−、−SO2−、−SO2O−、−SO2NR−及び−CONR−からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基であるか、又はR5及びR6が互いに結合してこれらが結合している窒素原子と共に環構造を形成している。
Rは、水素原子又は炭素数1〜10の炭化水素基である。
Yは、−CO−又は−SO2−である。
Zは、−CO−又は−SO2−である。
mは、0又は1である。)
The method for producing another compound of the present invention includes:
It is a method for producing a compound represented by the following formula (2 ′) having a step of reacting a compound represented by the following formula (ia ′) with a compound represented by the following formula (ib). .
R 2 is a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, or —O—, —CO—, —COO—, —SO 2 —, —SO 2 O—, — It is a group containing at least one selected from the group consisting of SO 2 NR— and —CONR—.
R 4a and R 4b each independently represent a hydrogen atom, a monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, or —O—, —CO—, —COO—, — It is a group containing at least one selected from the group consisting of SO 2 —, —SO 2 O—, —SO 2 NR— and —CONR—.
R 7 is a (k + 2) -valent hydrocarbon group.
k is an integer of 0-6.
p is 0 or 1.
R 8 is a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, or —O—, —CO—, —COO—, —SO 2 —, —SO 2 O—, — It is a group containing at least one selected from the group consisting of SO 2 NR— and —CONR—.
When k is 2 or more, the plurality of R 8 may be the same or different.
R 5 and R 6 are each independently a hydrogen atom, a monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, or -O-, -CO-, -COO-,- A group containing at least one selected from the group consisting of SO 2 —, —SO 2 O—, —SO 2 NR— and —CONR—, or R 5 and R 6 are bonded to each other. It forms a ring structure with the nitrogen atom.
R is a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms.
Y is —CO— or —SO 2 —.
Z is —CO— or —SO 2 —.
m is 0 or 1. )
ここで、「炭化水素基」とは、炭素原子と水素原子とで構成される基をいい、「鎖状炭化水素基」、「脂環式炭化水素基」及び「芳香族炭化水素基」に分類される。「鎖状炭化水素基」とは、環状構造を含まず、鎖状構造のみで構成される炭化水素基をいう。「脂環式炭化水素基」とは、環構造として脂環式構造のみを含む炭化水素基をいう。但し、脂環式構造のみで構成されている必要はなく、その一部に鎖状構造を含んでいてもよい。「芳香族炭化水素基」とは、環構造として芳香環構造を含む炭化水素基をいう。但し、芳香環構造のみで構成されている必要はなく、その一部に脂環式構造や鎖状構造を含んでいてもよい。 Here, the “hydrocarbon group” refers to a group composed of a carbon atom and a hydrogen atom, and includes “chain hydrocarbon group”, “alicyclic hydrocarbon group” and “aromatic hydrocarbon group”. being classified. The “chain hydrocarbon group” refers to a hydrocarbon group that does not include a cyclic structure and is composed only of a chain structure. The “alicyclic hydrocarbon group” refers to a hydrocarbon group containing only an alicyclic structure as a ring structure. However, it is not necessary to be composed only of the alicyclic structure, and a part thereof may include a chain structure. “Aromatic hydrocarbon group” refers to a hydrocarbon group containing an aromatic ring structure as a ring structure. However, it is not necessary to be composed only of an aromatic ring structure, and a part thereof may include an alicyclic structure or a chain structure.
本発明の酸拡散制御剤、これを含有する感放射線性樹脂組成物及びこの感放射線性樹脂組成物を用いるレジストパターン形成方法によれば、広い焦点深度を発揮しつつ、LWRが小さく、高い解像度を有し、かつ断面形状の矩形性に優れるレジストパターンを形成することができる。本発明の化合物は、当該酸拡散制御剤として好適に用いることができる。また、本発明の化合物の製造方法によれば、当該化合物を簡便かつ収率よく製造することができる。従って、これらは、今後ますます微細化が進行すると予想される半導体デバイス製造におけるパターン形成に好適に用いることができる。 According to the acid diffusion controller of the present invention, a radiation sensitive resin composition containing the acid diffusion control agent, and a resist pattern forming method using the radiation sensitive resin composition, the LWR is small and the resolution is high while exhibiting a wide depth of focus. And a resist pattern that is excellent in the rectangular shape of the cross-sectional shape can be formed. The compound of the present invention can be suitably used as the acid diffusion controller. Moreover, according to the manufacturing method of the compound of this invention, the said compound can be manufactured simply and with a sufficient yield. Therefore, they can be suitably used for pattern formation in semiconductor device manufacturing, which is expected to become increasingly finer in the future.
<酸拡散制御剤>
当該酸拡散制御剤(以下、「酸拡散制御剤(I)」ともいう)は、上記式(1)で表される化合物(以下、「化合物(I)」ともいう)からなる。酸拡散制御剤(I)は、化合物(I)からなることで、これを含有する感放射線性樹脂組成物は、LWR性能、解像性、断面形状の矩形性及び焦点深度に優れる。酸拡散制御剤(I)は、化合物(I)を1種又は2種以上含んでいてもよい。酸拡散制御剤(I)が化合物(I)からなることで、上記効果を奏する理由については必ずしも明確ではないが、例えば、以下のように推察することができる。
化合物(I)は、適度な距離を隔てた2個の窒素原子を有しており、このうち1個は酸と強く相互作用することができ、また、他の1個は隣接する−SO2−又は−CO−と共にスルホンアミド基又はカルボン酸アミド基を形成しており、この基により、感放射線性樹脂組成物に含有される重合体と適度に相互作用することができる。化合物(I)は、このような特定構造を有するので、従来の窒素原子含有化合物に比べて、化合物(I)はレジスト膜を構成する重合体等との親和性が高くなり、レジスト膜中での偏在が抑制される。また、化合物(I)のレジスト膜中における拡散が適度に抑制されると共にレジスト膜からの昇華が低減される。その結果、化合物(I)を含有する感放射線性樹脂組成物は、LWR性能、解像性、断面形状の矩形性及び焦点深度に優れる。
<Acid diffusion control agent>
The acid diffusion controller (hereinafter also referred to as “acid diffusion controller (I)”) is composed of a compound represented by the above formula (1) (hereinafter also referred to as “compound (I)”). Since the acid diffusion controller (I) is composed of the compound (I), the radiation-sensitive resin composition containing the compound is excellent in LWR performance, resolution, rectangularity of the cross-sectional shape, and depth of focus. The acid diffusion controller (I) may contain one or more compounds (I). The reason why the above effect is achieved when the acid diffusion controller (I) is composed of the compound (I) is not necessarily clear, but can be inferred as follows, for example.
Compound (I) has two nitrogen atoms separated by a suitable distance, one of which can interact strongly with the acid and the other one is adjacent to —SO 2. A sulfonamide group or a carboxylic acid amide group is formed together with-or -CO-, and this group can moderately interact with the polymer contained in the radiation-sensitive resin composition. Since the compound (I) has such a specific structure, the compound (I) has higher affinity with a polymer or the like constituting the resist film than the conventional nitrogen atom-containing compound. Is unevenly distributed. Further, diffusion of compound (I) in the resist film is moderately suppressed, and sublimation from the resist film is reduced. As a result, the radiation sensitive resin composition containing the compound (I) is excellent in LWR performance, resolution, rectangularity of the cross-sectional shape, and depth of focus.
<化合物(I)>
化合物(I)は、下記式(1)で表される。
<Compound (I)>
Compound (I) is represented by the following formula (1).
上記式(1)中、
R1は、炭素数1〜20の1価の炭化水素基、若しくはこの基の炭素−炭素間に−O−、−CO−、−COO−、−SO2−、−SO2O−、−SO2NR−及び−CONR−からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基であるか、又はR2若しくはR3と結合して環員数3〜30の環構造の一部を形成している。
R2は、炭素数1〜20の1価の炭化水素基、若しくはこの基の炭素−炭素間に−O−、−CO−、−COO−、−SO2−、−SO2O−、−SO2NR−及び−CONR−からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基であるか、又はR1と結合して環員数3〜30の環構造の一部を形成している。
R3は、水素原子、炭素数1〜10の1価の炭化水素基、若しくはこの基の炭素−炭素間に−O−、−CO−、−COO−、−SO2−、−SO2O−、−SO2NR−及び−CONR−からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基であるか、又はR1若しくはR4と結合して環員数3〜30の環構造の一部を形成している。
R4は、水素原子、炭素数1〜10の1価の炭化水素基、若しくはこの基の炭素−炭素間に−O−、−CO−、−COO−、−SO2−、−SO2O−、−SO2NR−及び−CONR−からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基であるか、又はR3と結合して環員数3〜30の環構造の一部を形成している。
nは、1又は2である。nが2の場合、複数のR3及びR4はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
R5及びR6は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1〜10の1価の炭化水素基、若しくはこの基の炭素−炭素間に−O−、−CO−、−COO−、−SO2−、−SO2O−、−SO2NR−及び−CONR−からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基であるか、又はR5及びR6が互いに結合してこれらが結合している窒素原子と共に環員数3〜30の環構造を形成している。
Rは、水素原子又は炭素数1〜10の炭化水素基である。
Xは、単結合又は炭素数1〜20の2価の有機基である。
Yは、−CO−又は−SO2−である。
In the above formula (1),
R 1 represents a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, or —O—, —CO—, —COO—, —SO 2 —, —SO 2 O—, — It is a group containing at least one selected from the group consisting of SO 2 NR— and —CONR—, or is bonded to R 2 or R 3 to form a part of a ring structure having 3 to 30 ring members .
R 2 represents a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, or —O—, —CO—, —COO—, —SO 2 —, —SO 2 O—, — It is a group containing at least one selected from the group consisting of SO 2 NR— and —CONR—, or is bonded to R 1 to form a part of a ring structure having 3 to 30 ring members.
R 3 is a hydrogen atom, a monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, or —O—, —CO—, —COO—, —SO 2 —, —SO 2 O between the carbon and carbon of this group. -, - or a group containing at least one selected from SO 2 NR-, and the group consisting of -CONR-, or combined with R 1 or R 4 form a part of the ring structure of ring members 3-30 doing.
R 4 is a hydrogen atom, a monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, or —O—, —CO—, —COO—, —SO 2 —, —SO 2 O between the carbon and carbon of this group. -, - or a group containing at least one selected from SO 2 NR-, and the group consisting of -CONR-, or combined with R 3 to form a part of the ring structure of ring members 3-30 .
n is 1 or 2. When n is 2, the plurality of R 3 and R 4 may be the same or different.
R 5 and R 6 are each independently a hydrogen atom, a monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, or -O-, -CO-, -COO-,- A group containing at least one selected from the group consisting of SO 2 —, —SO 2 O—, —SO 2 NR— and —CONR—, or R 5 and R 6 are bonded to each other. A ring structure having 3 to 30 ring members is formed together with the nitrogen atom.
R is a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms.
X is a single bond or a divalent organic group having 1 to 20 carbon atoms.
Y is —CO— or —SO 2 —.
上記R1及びR2で表される炭素数1〜20の1価の炭化水素基としては、例えば、炭素数1〜20の鎖状炭化水素基、炭素数3〜20の脂環式炭化水素基、炭素数6〜20の芳香族炭化水素基等が挙げられる。 Examples of the monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms represented by R 1 and R 2 include a chain hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms and an alicyclic hydrocarbon having 3 to 20 carbon atoms. Group, an aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms, and the like.
上記鎖状炭化水素基としては、例えば、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等のアルキル基;
エテニル基、プロペニル基、ブテニル基等のアルケニル基;
エチニル基、プロピニル基、ブチニル基等のアルキニル基等が挙げられる。
これらの中で、アルキル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましい。
Examples of the chain hydrocarbon group include:
Alkyl groups such as methyl, ethyl, propyl and butyl groups;
An alkenyl group such as an ethenyl group, a propenyl group, a butenyl group;
Examples thereof include alkynyl groups such as ethynyl group, propynyl group, and butynyl group.
Among these, an alkyl group is preferable, and a methyl group and an ethyl group are more preferable.
上記脂環式炭化水素基としては、例えば、
シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、1−i−プロピルシクロペンタン−1−イル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデシル基、等の単環のシクロアルキル基;
ノルボルニル基、アダマンチル基、トリシクロデシル基、テトラシクロドデシル基、2−メチルアダマンタン−2−イル基、2−i−プロピルアダマンタン−2−イル基等の多環のシクロアルキル基;
シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の単環のシクロアルケニル基;
ノルボルネニル基、トリシクロデセニル基等の多環のシクロアルケニル基などが挙げられる。
これらの中で、シクロアルキル基が好ましく、単環のシクロアルキル基がより好ましく、シクロヘキシル基がさらに好ましい。
Examples of the alicyclic hydrocarbon group include:
A monocyclic cycloalkyl group such as a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a 1-i-propylcyclopentan-1-yl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a cyclodecyl group;
A polycyclic cycloalkyl group such as a norbornyl group, an adamantyl group, a tricyclodecyl group, a tetracyclododecyl group, a 2-methyladamantan-2-yl group, a 2-i-propyladamantan-2-yl group;
A monocyclic cycloalkenyl group such as a cyclopentenyl group and a cyclohexenyl group;
Examples thereof include polycyclic cycloalkenyl groups such as norbornenyl group and tricyclodecenyl group.
Among these, a cycloalkyl group is preferable, a monocyclic cycloalkyl group is more preferable, and a cyclohexyl group is more preferable.
上記芳香族炭化水素基としては、例えば、
フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、ナフチル基、メチルナフチル基、アントリル基、メチルアントリル基等のアリール基;
ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、ナフチルメチル基等のアラルキル基等が挙げられる。
これらの中で、アリール基が好ましく、フェニル基がより好ましい。
Examples of the aromatic hydrocarbon group include:
Aryl groups such as phenyl, tolyl, xylyl, mesityl, naphthyl, methylnaphthyl, anthryl, methylanthryl;
Examples thereof include aralkyl groups such as benzyl group, phenethyl group, phenylpropyl group and naphthylmethyl group.
Among these, an aryl group is preferable and a phenyl group is more preferable.
上記R1及びR2で表される上記炭化水素基の炭素−炭素間に−O−を含む基としては、例えば、Rα−O−Rβ−、Rα−O−Rβ−O−Rγ−等が挙げられる。Rαは、炭素数1〜20の1価の炭化水素基である。Rβ及びRγは、それぞれ独立して、炭素数1〜20の2価の炭化水素基である。上記Rα及びRβ、Rβ及びRγ並びに/又はRα及びRγが互いに結合して環構造を形成していてもよい。
具体的には、
メトキシメチル基、メトキシエチル基、シクロヘキシルオキシメチル基、エトキシシクロヘキシル基、フェノキシフェニル基、フェノキシベンジル基、ナフチルオキシメチル基等のオキシ炭化水素基で置換された炭化水素基;
1,3−ジオキサ−2,2−ジメチルシクロペンタン−4−イルメチル基、1,3−ジオキサシクロペンタン−4−イルメチル基等の環状アセタール環(環状ケタール環を含む)を有する基;
7−(1,3−ジオキサ−2,2−ジメチルシクロペンタン−4−イル)−3,3−ジメチル−2,4,8−トリオキサビシクロ[3,3,0]オクタン−6−イル基、7−(1,3−ジオキサ−スピロ[アダマンタン−2,2’]シクロペンタン−4−イル)−スピロ[アダマンタン−3,3’]−2,4,8−トリオキサビシクロ[3,3,0]オクタン−6−イル基等のオキサシクロアルカン構造及び環状アセタール環を有する基等が挙げられる。
Examples of the group containing —O— between the carbon and carbon of the hydrocarbon group represented by R 1 and R 2 include R α —O—R β —, R α —O—R β —O—. R γ- and the like can be mentioned. R α is a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms. Rβ and Rγ are each independently a divalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms. R α and R β , R β and R γ and / or R α and R γ may be bonded to each other to form a ring structure.
In particular,
A hydrocarbon group substituted with an oxyhydrocarbon group such as a methoxymethyl group, a methoxyethyl group, a cyclohexyloxymethyl group, an ethoxycyclohexyl group, a phenoxyphenyl group, a phenoxybenzyl group, or a naphthyloxymethyl group;
A group having a cyclic acetal ring (including a cyclic ketal ring) such as a 1,3-dioxa-2,2-dimethylcyclopentan-4-ylmethyl group and a 1,3-dioxacyclopentan-4-ylmethyl group;
7- (1,3-Dioxa-2,2-dimethylcyclopentan-4-yl) -3,3-dimethyl-2,4,8-trioxabicyclo [3,3,0] octane-6-yl group , 7- (1,3-dioxa-spiro [adamantane-2,2 ′] cyclopentan-4-yl) -spiro [adamantane-3,3 ′]-2,4,8-trioxabicyclo [3,3 , 0] octane-6-yl group and the like, and groups having an oxacycloalkane structure and a cyclic acetal ring.
上記R1及びR2で表される上記炭化水素基の炭素−炭素間に−COO−を含む基としては、例えば、Rα−COO−Rβ−、Rα−OCO−Rβ−、Rα−COO−Rβ−COO−Rγ−、Rα−COO−Rβ−OCO−Rγ−、Rα−OCO−Rβ−OCO−Rγ−、Rα−OCO−Rβ−COO−Rγ−等が挙げられる。Rαは、炭素数1〜20の1価の炭化水素基である。Rβ及びRγは、それぞれ独立して、炭素数1〜20の2価の炭化水素基である。上記Rα及びRβ、Rβ及びRγ並びに/又はRα及びRγが互いに結合して環構造を形成していてもよい。
具体的には、
メトキシカルボニルメチル基、メチルカルボニルオキシメチル基、シクロヘキシルカルボニルオキシメチル基、エトキシカルボニルシクロヘキシル基、フェノキシカルボニルフェニル基、フェニルカルボニルオキシベンジル基、ナフチルオキシカルボニルメチル基等のオキシカルボニル炭化水素基又はカルボニルオキシ炭化水素基で置換された炭化水素基;
ブチロラクトン−イル基、バレロラクトン−イル基、カプロラクトン−イル基、ノルボルナンラクトン−イル基、5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.3.1.13,8]ウンデカン−イル基等のラクトン構造を有する基;
ノルボルナンラクトン−イルオキシカルボニルメチル基、ブチロラクトン−イルオキシカルボニルメチル基等のラクトン−イルオキシカルボニルアルキル基等のラクトン構造を含む基を有するエステル基含有鎖状基等が挙げられる。
Examples of the group containing —COO— between carbon and carbon of the hydrocarbon group represented by R 1 and R 2 include R α -COO-R β- , R α -OCO-R β- , R α- COO-R β- COO-R γ- , R α -COO-R β -OCO-R γ- , R α -OCO-R β -OCO-R γ- , R α -OCO-R β -COO -R γ -, and the like. R α is a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms. Rβ and Rγ are each independently a divalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms. R α and R β , R β and R γ and / or R α and R γ may be bonded to each other to form a ring structure.
In particular,
Oxycarbonyl hydrocarbon group or carbonyloxy hydrocarbon such as methoxycarbonylmethyl group, methylcarbonyloxymethyl group, cyclohexylcarbonyloxymethyl group, ethoxycarbonylcyclohexyl group, phenoxycarbonylphenyl group, phenylcarbonyloxybenzyl group, naphthyloxycarbonylmethyl group A hydrocarbon group substituted with a group;
Lactones such as butyrolactone-yl group, valerolactone-yl group, caprolactone-yl group, norbornanelactone-yl group, 5-oxo-4-oxatricyclo [4.3.1.1 3,8 ] undecan-yl group A group having a structure;
Examples include ester group-containing chain groups having a group containing a lactone structure such as a lactone-yloxycarbonylalkyl group such as a norbornanelactone-yloxycarbonylmethyl group and a butyrolactone-yloxycarbonylmethyl group.
上記R1及びR2で表される上記炭化水素基の炭素−炭素間に−SO2O−を含む基としては、例えば、Rα−SO2O−Rβ−、Rα−OSO2−Rβ−、Rα−SO2O−Rβ−SO2O−Rγ−、Rα−SO2O−Rβ−OSO2−Rγ−、Rα−OSO2−Rβ−OSO2−Rγ−、Rα−OSO2−Rβ−SO2O−Rγ−等が挙げられる。Rαは、炭素数1〜20の1価の炭化水素基である。Rβ及びRγは、それぞれ独立して、炭素数1〜20の2価の炭化水素基である。上記Rα及びRβ、Rβ及びRγ並びに/又はRα及びRγが互いに結合して環構造を形成していてもよい。
具体的には、
メトキシスルホニルメチル基、メチルスルホニルオキシメチル基、シクロヘキシルスルホニルオキシメチル基、エトキシスルホニルシクロヘキシル基、フェノキシスルホニルフェニル基、フェニルスルホニルオキシベンジル基、ナフチルオキシスルホニルメチル基等のオキシスルホニル炭化水素基又はスルホニルオキシ炭化水素基で置換された炭化水素基;
ブチロスルトン−イル基、バレロスルトン−イル基、ノルボルナンスルトン−イル基等のスルトン構造を有する基等が挙げられる。
Examples of the group containing —SO 2 O— between carbon and carbon of the hydrocarbon group represented by R 1 and R 2 include R α —SO 2 O—R β — and R α —OSO 2 —. R β -, R α -SO 2 O-R β -SO 2 O-R γ -, R α -SO 2 O-R β -OSO 2 -R γ -, R α -OSO 2 -R β -OSO 2 -R γ -, R α -OSO 2 -R β -SO 2 O-R γ - , and the like. R α is a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms. Rβ and Rγ are each independently a divalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms. R α and R β , R β and R γ and / or R α and R γ may be bonded to each other to form a ring structure.
In particular,
Oxysulfonyl hydrocarbon group or sulfonyloxy hydrocarbon such as methoxysulfonylmethyl group, methylsulfonyloxymethyl group, cyclohexylsulfonyloxymethyl group, ethoxysulfonylcyclohexyl group, phenoxysulfonylphenyl group, phenylsulfonyloxybenzyl group, naphthyloxysulfonylmethyl group A hydrocarbon group substituted with a group;
And groups having a sultone structure such as a butyrosulton-yl group, a valerosulton-yl group, and a norbornane sultone-yl group.
上記R1及びR2で表される上記炭化水素基の炭素−炭素間に−SO2NR−を含む基としては、例えば、Rα−SO2NR−Rβ−、Rα−NRSO2−Rβ−、Rα−SO2NR−Rβ−SO2NR−Rγ−、Rα−SO2NR−Rβ−NRSO2−Rγ−、Rα−NRSO2−Rβ−NRSO2−Rγ−、Rα−NRSO2−Rβ−SO2NR−Rγ−等が挙げられる。Rαは、炭素数1〜20の1価の炭化水素基である。Rβ及びRγは、それぞれ独立して、炭素数1〜20の2価の炭化水素基である。Rは、炭素数1〜10の炭化水素基である。上記Rα及びRβ、Rβ及びRγ並びに/又はRα及びRγが互いに結合して環構造を形成していてもよい。
具体的には、
メチルアミノスルホニルメチル基、メチルスルホニルアミノメチル基、シクロヘキシルスルホニルアミノメチル基、エチルアミノスルホニルシクロヘキシル基、フェニルアミノスルホニルフェニル基、フェニルスルホニルアミノベンジル基、ナフチルアミノスルホニルメチル基のアミノスルホニル炭化水素基又はスルホニルアミノ炭化水素基で置換された炭化水素基;
プロパンスルタム−イル基、ブタンスルタム−イル基、ノルボルナンスルタム−イル基等のスルタム構造を有する基等が挙げられる。
Examples of the group containing —SO 2 NR— between carbon and carbon of the hydrocarbon group represented by R 1 and R 2 include R α —SO 2 NR—R β —, R α —NRSO 2 —. R β -, R α -SO 2 NR-R β -SO 2 NR-R γ -, R α -SO 2 NR-R β -NRSO 2 -R γ -, R α -NRSO 2 -R β -NRSO 2 -R γ -, R α -NRSO 2 -R β -SO 2 NR-R γ - , and the like. R α is a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms. Rβ and Rγ are each independently a divalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms. R is a C1-C10 hydrocarbon group. R α and R β , R β and R γ and / or R α and R γ may be bonded to each other to form a ring structure.
In particular,
Methylaminosulfonylmethyl group, methylsulfonylaminomethyl group, cyclohexylsulfonylaminomethyl group, ethylaminosulfonylcyclohexyl group, phenylaminosulfonylphenyl group, phenylsulfonylaminobenzyl group, aminosulfonyl hydrocarbon group or sulfonylamino group of naphthylaminosulfonylmethyl group A hydrocarbon group substituted by a hydrocarbon group;
Examples thereof include groups having a sultam structure such as a propane sultam-yl group, a butane sultam-yl group, and a norbornane sultam-yl group.
上記R1及びR2で表される上記炭化水素基の炭素−炭素間に−CONR−を含む基としては、例えば、Rα−CONR−Rβ−、Rα−NRCO−Rβ−、Rα−CONR−Rβ−CONR−Rγ−、Rα−CONR−Rβ−NRCO−Rγ−、Rα−NRCO−Rβ−NRCO−Rγ−、Rα−NRCO−Rβ−CONR−Rγ−等が挙げられる。Rαは、炭素数1〜20の1価の炭化水素基である。Rβ及びRγは、それぞれ独立して、炭素数1〜20の2価の炭化水素基である。Rは、炭素数1〜10の炭化水素基である。上記Rα及びRβ、Rβ及びRγ並びに/又はRα及びRγが互いに結合して環構造を形成していてもよい。
具体的には、
メチルアミノカルボニルメチル基、メチルカルボニルアミノメチル基、シクロヘキシルカルボニルアミノメチル基、エチルアミノカルボニルシクロヘキシル基、フェニルアミノカルボニルフェニル基、フェニルカルボニルアミノベンジル基、ナフチルアミノカルボニルメチル基等のアミノカルボニル炭化水素基又はカルボニルアミノ炭化水素基で置換された炭化水素基;
ブチロラクタム−イル基、バレロラクタム−イル基、カプロラクタム−イル基、ノルボルナンラクタム−イル基等のラクタム構造を有する基等が挙げられる。
Examples of the group containing —CONR— between carbon and carbon of the hydrocarbon group represented by R 1 and R 2 include R α -CONR-R β- , R α -NRCO-R β- , R α- CONR-R β- CONR-R γ- , R α -CONR-R β -NRCO-R γ- , R α -NRCO-R β -NRCO-R γ- , R α -NRCO-R β -CONR -R γ -, and the like. R α is a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms. Rβ and Rγ are each independently a divalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms. R is a C1-C10 hydrocarbon group. R α and R β , R β and R γ and / or R α and R γ may be bonded to each other to form a ring structure.
In particular,
Aminocarbonyl hydrocarbon group or carbonyl such as methylaminocarbonylmethyl group, methylcarbonylaminomethyl group, cyclohexylcarbonylaminomethyl group, ethylaminocarbonylcyclohexyl group, phenylaminocarbonylphenyl group, phenylcarbonylaminobenzyl group, naphthylaminocarbonylmethyl group A hydrocarbon group substituted with an amino hydrocarbon group;
Examples thereof include groups having a lactam structure such as a butyrolactam-yl group, a valerolactam-yl group, a caprolactam-yl group, and a norbornane lactam-yl group.
上記R1が一部となりR2と結合してこれらが結合している窒素原子と共に形成する環構造としては、例えば、
アザシクロプロパン構造、アザシクロブタン構造、アザシクロペンタン構造(ピロリジン構造)、アザシクロヘキサン構造(ピペリジン構造)、アザシクロヘプタン構造、アザシクロオクタン構造、アザシクロデカン構造等の単環のアザシクロアルカン構造;
アザビシクロ[2.2.1]ヘプタン構造、アザビシクロ[2.2.2]オクタン構造、アザトリシクロ[3.3.1.13,7]デカン構造等の多環のアザシクロアルカン構造;
アザオキサシクロプロパン構造、アザオキサシクロヘキサン構造(モルホリン構造を含む)等のアザオキサシクロアルカン構造等が挙げられる。
これらの中で、単環のアザシクロアルカン構造、アザオキサシクロアルカン構造が好ましく、アザシクロペンタン構造、アザシクロヘキサン構造、アザオキサシクロヘキサン構造がより好ましく、アザシクロヘキサン構造、1,4−アザオキサシクロヘキサン構造(モルホリン構造)がさらに好ましく、1,4−アザオキサシクロヘキサン構造が特に好ましい。
Examples of the ring structure formed together with the nitrogen atom in which R 1 is partly bonded to R 2 and these are bonded include:
Monocyclic azacycloalkane structures such as an azacyclopropane structure, an azacyclobutane structure, an azacyclopentane structure (pyrrolidine structure), an azacyclohexane structure (piperidine structure), an azacycloheptane structure, an azacyclooctane structure, an azacyclodecane structure;
A polycyclic azacycloalkane structure such as an azabicyclo [2.2.1] heptane structure, an azabicyclo [2.2.2] octane structure, an azatricyclo [3.3.1.1 3,7 ] decane structure;
And azaoxacycloalkane structures such as an azaoxacyclopropane structure and an azaoxacyclohexane structure (including a morpholine structure).
Among these, monocyclic azacycloalkane structure and azaoxacycloalkane structure are preferable, azacyclopentane structure, azacyclohexane structure and azaoxacyclohexane structure are more preferable, azacyclohexane structure and 1,4-azaoxacyclohexane structure (A morpholine structure) is more preferable, and a 1,4-azaoxacyclohexane structure is particularly preferable.
上記R1が一部となりR3と結合して、R1が結合している窒素原子、R3が結合している炭素原子及びYと共に形成する環員数3〜30の環構造としては、例えば、ラクタム環構造、スルタム環構造、イミド環構造、スルホンイミド環構造等が挙げられる。上記R1が一部となりR3と結合してR1が結合している窒素原子、R3が結合している炭素原子及びYと共に形成する環構造の環員数としては、5〜30が好ましく、5〜20がより好ましい。
これらの中で、ラクタム環構造、スルタム環構造、イミド環構造が好ましい。
Examples of the ring structure having 3 to 30 ring members formed together with the nitrogen atom to which R 1 is a part and bonded to R 3 , the carbon atom to which R 1 is bonded, the carbon atom to which R 3 is bonded, and Y include: , Lactam ring structure, sultam ring structure, imide ring structure, sulfonimide ring structure and the like. The number of ring members of the ring structure formed together with the nitrogen atom to which R 1 is a part and bonded to R 3 to which R 1 is bonded, the carbon atom to which R 3 is bonded, and Y is preferably 5 to 30 5 to 20 is more preferable.
Among these, a lactam ring structure, a sultam ring structure, and an imide ring structure are preferable.
上記R1としては、アルキル基であるか、R1がR3と結合して環構造を形成していることが好ましく、R1がR3に結合して環構造を形成していることがより好ましく、R1がR3に結合してラクタム環構造、スルタム環構造又はイミド環構造を形成していることがさらに好ましく、R1がR3と結合して環員数5〜20のラクタム環構造、環員数5〜20のスルタム環構造又は環員数5〜20のイミド環構造を形成していることが特に好ましく、R1がR3と結合して5員環ラクタム環構造、5員環スルタム環構造、5員環イミド構造を形成していることがさらに特に好ましい。 R 1 is preferably an alkyl group or R 1 is bonded to R 3 to form a ring structure, and R 1 is bonded to R 3 to form a ring structure. More preferably, R 1 is bonded to R 3 to form a lactam ring structure, a sultam ring structure or an imide ring structure, and R 1 is bonded to R 3 to form a lactam ring having 5 to 20 ring members. It is particularly preferable that a structure, a sultam ring structure having 5 to 20 ring members or an imide ring structure having 5 to 20 ring members is formed, and R 1 is bonded to R 3 to form a 5-membered lactam ring structure or a 5-membered ring. It is more particularly preferable that a sultam ring structure or a five-membered ring imide structure is formed.
上記R2としては、炭化水素基であるか、R2がR1と結合して環構造を形成していることが好ましく、脂環式炭化水素基若しくは芳香族炭化水素基であるか、又はR2がR1と結合して環員数5〜20のアザオキサシクロアルカン構造を形成していることがより好ましく、シクロアルキル基若しくはアリール基であるか、又はR2がR1と結合してアザオキサシクロヘキサン構造を形成していることがさらに好ましく、シクロヘキシル基若しくはフェニル基であるか、又はR2がR1と結合して1,4−アザオキサシクロヘキサン構造(モルホリン構造)を形成していることが特に好ましい。 R 2 is preferably a hydrocarbon group, R 2 is preferably bonded to R 1 to form a ring structure, and is an alicyclic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group, or it is more preferred that R 2 form a aza-oxa cycloalkane structure bonded to ring members 5 to 20 and R 1, a cycloalkyl group or an aryl group, or R 2 is bonded to R 1 More preferably, an azaoxacyclohexane structure is formed, which is a cyclohexyl group or a phenyl group, or R 2 is bonded to R 1 to form a 1,4-azaoxacyclohexane structure (morpholine structure). It is particularly preferred.
上記R3及びR4で表される炭素数1〜10の1価の炭化水素基としては、例えば上記R1及びR2として例示した炭化水素基のうち、炭素数1〜10のもの等が挙げられる。 Examples of the monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms represented by R 3 and R 4 include those having 1 to 10 carbon atoms among the hydrocarbon groups exemplified as R 1 and R 2 above. Can be mentioned.
上記R3及びR4で表される上記炭化水素基の炭素−炭素間に−O−、−COO−、−SO2O−、−SO2NR−及び−CONR−からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基としては、例えば、上記R1及びR2として例示した同様の基のうち、炭化水素基として炭素数1〜10のものを含む基等が挙げられる。 At least selected from the group consisting of —O—, —COO—, —SO 2 O—, —SO 2 NR— and —CONR— between the carbon and carbon of the hydrocarbon group represented by R 3 and R 4. As group containing 1 type, the group etc. which contain C1-C10 as a hydrocarbon group among the same groups illustrated as said R < 1 > and R < 2 >, etc. are mentioned, for example.
上記R3が一部となりR4と結合してこれらが結合している炭素原子と共に形成する環員数3〜30の環構造としては、例えば、
シクロプロパン構造、シクロブタン構造、シクロペンタン構造、シクロヘキサン構造、ノルボルナン構造、アダマンタン構造等のシクロアルカン構造;
オキサシクロブタン構造、オキサシクロペンタン構造、オキサシクロヘキサン構造、オキサノルボルナン構造、オキサアダマンタン構造等のオキサシクロアルカン構造等が挙げられる。上記R3が一部となりR4と結合してこれらが結合している炭素原子と共に形成する環構造の環員数としては、5〜30が好ましく、5〜20がより好ましい。
Examples of the ring structure having 3 to 30 ring members formed together with the carbon atom to which R 3 is partly bonded and bonded to R 4 include, for example,
Cycloalkane structures such as cyclopropane structure, cyclobutane structure, cyclopentane structure, cyclohexane structure, norbornane structure, adamantane structure;
Examples thereof include oxacycloalkane structures such as an oxacyclobutane structure, an oxacyclopentane structure, an oxacyclohexane structure, an oxanorbornane structure, and an oxaadamantane structure. The number of ring members of the ring structure formed together with the carbon atom to which R 3 is partly bonded and bonded to R 4 is preferably 5 to 30, and more preferably 5 to 20.
上記R3としては、アルキル基であるか、又はR3がR1と結合してR1が結合している窒素原子、R3が結合している炭素原子及びYと共に環員数3〜30の環構造を形成していることが好ましく、炭素数1〜4のアルキル基であるか、又はR3がR1と結合して環員数5〜20のイミド環構造、環員数5〜20のラクタム環構造若しくは環員数5〜20のスルタム環構造を形成していることがより好ましく、メチル基であるか、又はR3がR1と結合して5員環のイミド環構造、5員環のラクタム環構造若しくは5員環のスルタム環構造を形成していることがさらに好ましい。 As the R 3, or an alkyl group, or R 3 is a nitrogen atom to which R 1 bound to R 1 is attached, the ring members 3 to 30 together with a carbon atom and Y R 3 is attached It preferably forms a ring structure and is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or R 3 is bonded to R 1 to form an imide ring structure having 5 to 20 ring members, or a lactam having 5 to 20 ring members. It is more preferable to form a ring structure or a sultam ring structure having 5 to 20 ring members, which is a methyl group, or R 3 is bonded to R 1 to form a 5-membered imide ring structure, More preferably, a lactam ring structure or a 5-membered sultam ring structure is formed.
上記R4としては、水素原子、アルキル基が好ましく、水素原子がより好ましい。 R 4 is preferably a hydrogen atom or an alkyl group, and more preferably a hydrogen atom.
上記nとしては、1が好ましい。 As said n, 1 is preferable.
上記R5及びR6で表される炭素数1〜10の1価の炭化水素基としては、例えば、上記R3及びR4として例示したものと同様の基等が挙げられる。 Examples of the monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms represented by R 5 and R 6 include groups similar to those exemplified as R 3 and R 4 .
上記R5及びR6で表される上記炭化水素基の炭素−炭素間に−O−、−COO−、−SO2O−、−SO2NR−及び−CONR−からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基としては、例えば、上記R3及びR4として例示したものと同様の基等が挙げられる。 At least selected from the group consisting of —O—, —COO—, —SO 2 O—, —SO 2 NR— and —CONR— between the carbon and carbon of the hydrocarbon group represented by R 5 and R 6. the group containing one, for example, such as the same groups as those exemplified as the R 3 and R 4 can be mentioned.
上記R5とR6とが互いに結合してこれらが結合している窒素原子と共に形成する環員数3〜30の環構造としては、例えば、上記R1とR2とが形成する同様の環構造等が挙げられる。R5とR6とが互いに結合してこれらが結合している窒素原子と共に形成する環構造の環員数としては、5〜30が好ましく、5〜20がより好ましい。 Examples of the ring structure having 3 to 30 ring members formed together with the nitrogen atom to which R 5 and R 6 are bonded to each other include the same ring structure formed by R 1 and R 2 above. Etc. The number of ring members of the ring structure formed by R 5 and R 6 bonded together and the nitrogen atom to which they are bonded is preferably 5-30, more preferably 5-20.
上記R5及びR6としては、アルキル基であるか、又はR5とR6とが互いに結合してこれらが結合している窒素原子と共に環構造を形成していることが好ましく、炭素数1〜4のアルキル基であるか、又はR5とR6とが1,4−アザシクロヘキサン構造(ピペリジン構造)を形成していることがより好ましく、エチル基であるか、又はR5とR6とがN−ピペリジル基、N−デカヒドロキノリニル基を形成していることがさらに好ましい。 R 5 and R 6 are preferably an alkyl group, or R 5 and R 6 are bonded to each other to form a ring structure together with the nitrogen atom to which these are bonded. whether it is to 4 alkyl groups, or is more preferably R 5 and the R 6 form a 1,4-aza-cyclohexane structure (piperidine structure), or an ethyl group, or R 5 and R 6 And more preferably form an N-piperidyl group or an N-decahydroquinolinyl group.
上記Xで表される炭素数1〜20の2価の有機基としては、例えば、炭素数1〜20の炭化水素基、上記炭化水素基が有する水素原子の一部又は全部を置換基で置換した置換炭化水素基、上記炭化水素基及び上記置換炭化水素基の炭素−炭素間にヘテロ原子を含む基を有する2価の基等が挙げられる。 Examples of the divalent organic group having 1 to 20 carbon atoms represented by X include, for example, a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms and a part or all of the hydrogen atoms of the hydrocarbon group substituted with a substituent. And a substituted hydrocarbon group, a divalent group having a group containing a hetero atom between carbon and carbon of the substituted hydrocarbon group, and the substituted hydrocarbon group.
上記炭素数1〜20の炭化水素基としては、例えば、上記R1及びR2として例示したものと同様の基等が挙げられる。 The hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms include, like same groups as those exemplified as R 1 above and R 2 can be mentioned.
上記置換基としては、例えば、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アミノ基、シアノ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子;メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基;ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基等のアシル基;アセトキシ基、プロピオニルオキシ基等のアシロキシ基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基等が挙げられる。 Examples of the substituent include a hydroxy group, a carboxy group, an amino group, a cyano group, a halogen atom such as a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom; an alkoxy group such as a methoxy group and an ethoxy group; a formyl group and an acetyl group Groups, acyl groups such as propionyl groups; acyloxy groups such as acetoxy groups and propionyloxy groups; alkoxycarbonyl groups such as methoxycarbonyl groups and ethoxycarbonyl groups.
上記炭素−炭素間に含まれていてもよいヘテロ原子を含む基としては、例えば、−O−、−S−、−NR’−、−CO−、−CS−からなる群より選ばれる1種又は2種以上を組み合わせた基等が挙げられる。R’は、炭素数1〜10の炭化水素基である。 Examples of the group containing a hetero atom which may be contained between carbon and carbon include one selected from the group consisting of —O—, —S—, —NR′—, —CO— and —CS—. Or the group etc. which combined 2 or more types are mentioned. R ′ is a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms.
上記Xとしては、単結合、2価の炭化水素基が好ましく、単結合、アルカンジイル基が好ましく、単結合、メタンジイル基がさらに好ましい。 X is preferably a single bond or a divalent hydrocarbon group, preferably a single bond or an alkanediyl group, more preferably a single bond or a methanediyl group.
上記R1〜R6の−SO2NR−及び−CONR−におけるRで表される炭素数1〜10の炭化水素基としては、例えば、上記R1及びR2として例示した炭化水素基のうち炭素数1〜10のもの等が挙げられる。 Examples of the hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms represented by R in —SO 2 NR— and —CONR— of R 1 to R 6 include the hydrocarbon groups exemplified as R 1 and R 2 above. Examples thereof include those having 1 to 10 carbon atoms.
化合物(I)の好適なものとしては、下記式(2)で表される化合物(以下、「化合物(2)」ともいう)が挙げられる。化合物(2)は、化合物(1)において、nが2であり、R1がXに隣接する炭素原子に結合しているR3と結合して、−(Z)m−R7(−R8)k−となり、Xに隣接する炭素原子、Yに隣接する炭素原子、Y及びR2が結合する窒素原子と共に環構造を形成した構造を有する。化合物(2)は、マレイミド化合物、ジデヒドロラクタム(α,β−不飽和ラクタム)化合物、ジデヒドロスルタム(α,β-不飽和スルタム)化合物等の窒素原子及び不飽和結合を含有する環状化合物を用いて合成することができる。 Preferable examples of compound (I) include a compound represented by the following formula (2) (hereinafter also referred to as “compound (2)”). In the compound (2), in the compound (1), n is 2, R 1 is bonded to R 3 bonded to the carbon atom adjacent to X, and — (Z) m —R 7 (—R 8 ) k- , having a structure in which a ring structure is formed with a carbon atom adjacent to X, a carbon atom adjacent to Y, and a nitrogen atom to which Y and R 2 are bonded. Compound (2) is a cyclic compound containing a nitrogen atom and an unsaturated bond, such as a maleimide compound, a didehydrolactam (α, β-unsaturated lactam) compound, a didehydrosultam (α, β-unsaturated sultam) compound Can be synthesized.
上記式(2)中、
R2は、炭素数1〜20の1価の炭化水素基、又はこの基の炭素−炭素間に−O−、−CO−、−COO−、−SO2−、−SO2O−、−SO2NR−及び−CONR−からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基である。
R3a、R4a及びR4bは、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1〜10の1価の炭化水素基、又はこれらの基の炭素−炭素間に−O−、−CO−、−COO−、−SO2−、−SO2O−、−SO2NR−及び−CONR−からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基である。
R7は、(k+2)価の炭化水素基である。
kは、0〜6の整数である。
pは、0又は1である。
R8は、炭素数1〜20の1価の炭化水素基、又はこの基の炭素−炭素間に−O−、−CO−、−COO−、−SO2−、−SO2O−、−SO2NR−及び−CONR−からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基である。
kが2以上の場合、複数のR8は同一でも異なっていてもよい。
Rは、水素原子又は炭素数1〜10の炭化水素基である。
Zは、−CO−又は−SO2−である。
mは、0又は1である。
R5、R6、X及びYは、上記式(1)と同義である。
In the above formula (2),
R 2 is a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, or —O—, —CO—, —COO—, —SO 2 —, —SO 2 O—, — It is a group containing at least one selected from the group consisting of SO 2 NR— and —CONR—.
R 3a , R 4a and R 4b each independently represent a hydrogen atom, a monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, or —O—, —CO—, — COO -, - SO 2 -, - SO 2 O -, - is a group containing at least one SO selected from 2 NR- the group consisting of -CONR-.
R 7 is a (k + 2) -valent hydrocarbon group.
k is an integer of 0-6.
p is 0 or 1.
R 8 is a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, or —O—, —CO—, —COO—, —SO 2 —, —SO 2 O—, — It is a group containing at least one selected from the group consisting of SO 2 NR— and —CONR—.
When k is 2 or more, the plurality of R 8 may be the same or different.
R is a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms.
Z is —CO— or —SO 2 —.
m is 0 or 1.
R 5 , R 6 , X and Y are as defined in the above formula (1).
上記R2で表される炭素数1〜20の1価の炭化水素基、及びこの基の炭素−炭素間に−O−、−COO−、−SO2O−、−SO2NR−及び−CONR−からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基としては、例えば、上記式(1)におけるR2として例示したものと同様の基等が挙げられる。 The above monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms represented by R 2, and the carbon of the group - -O between carbon -, - COO -, - SO 2 O -, - SO 2 NR- , and - Examples of the group containing at least one selected from the group consisting of CONR- include the same groups as those exemplified as R 2 in the above formula (1).
上記R3a、R4a及びR4bで表される炭素数1〜10の1価の炭化水素基、及びこの基の炭素−炭素間に−O−、−COO−、−SO2O−、−SO2NR−及び−CONR−からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基としては、例えば、上記式(1)におけるR4として例示したものと同様の基等が挙げられる。 The monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms represented by the above R 3a , R 4a and R 4b , and —O—, —COO—, —SO 2 O—, — between the carbon and carbon of this group Examples of the group containing at least one selected from the group consisting of SO 2 NR— and —CONR— include the same groups as those exemplified as R 4 in the above formula (1).
上記R7で表される(k+2)価の炭化水素基としては、例えば、上記式(1)におけるR1及びR2として例示した炭素数1〜20の1価の炭化水素基から(k+1)個の水素原子を除いた基等が挙げられる。 Examples of the (k + 2) -valent hydrocarbon group represented by R 7 include (k + 1) from the monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms exemplified as R 1 and R 2 in the above formula (1). And a group excluding individual hydrogen atoms.
kとしては、0〜4の整数が好ましく、0〜2の整数がより好ましく、0又は1がさらに好ましく、0が特に好ましい。 k is preferably an integer of 0 to 4, more preferably an integer of 0 to 2, further preferably 0 or 1, and particularly preferably 0.
R7としては、(k+2)価の鎖状炭化水素基が好ましく、(k+2)価の鎖状飽和炭化水素基がより好ましく、アルカンジイル基がさらに好ましく、メタンジイル基が特に好ましい。 R 7 is preferably a (k + 2) -valent chain hydrocarbon group, more preferably a (k + 2) -valent chain saturated hydrocarbon group, still more preferably an alkanediyl group, and particularly preferably a methanediyl group.
pとしては、化合物(2)の合成容易性及び原料入手容易性の観点からは、0が好ましい。 p is preferably 0 from the viewpoint of the ease of synthesis of compound (2) and the availability of raw materials.
上記R8で表される炭素数1〜20の1価の炭化水素基、及びこの基の炭素−炭素間に−O−、−COO−、−SO2O−、−SO2NR−及び−CONR−からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基としては、例えば、上記式(1)におけるR1として例示したものと同様の基等が挙げられる。 The monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms represented by R 8 above, and —O—, —COO—, —SO 2 O—, —SO 2 NR— and — between the carbon and carbon of this group. Examples of the group containing at least one selected from the group consisting of CONR- include the same groups as those exemplified as R 1 in the above formula (1).
化合物(I)としては、例えば、下記式(i−1)〜(i−18)で表される化合物(以下、「化合物(i−1)〜(i−18)」ともいう)等が挙げられる。 Examples of the compound (I) include compounds represented by the following formulas (i-1) to (i-18) (hereinafter also referred to as “compounds (i-1) to (i-18)”). It is done.
これらの中で、化合物(I)としては、化合物(i−1)〜(i−7)が好ましい。 Among these, as the compound (I), compounds (i-1) to (i-7) are preferable.
上記化合物(I)は、上記式(1)においてnが2、Xが単結合であり、R1とR3とが環構造を形成していない場合の下記化合物(1’)、及び上記式(2)においてXが単結合であり、Yに隣接する炭素原子に結合しているR3aが水素原子である場合の下記化合物(2’)については、例えば、下記反応スキームに従い、合成することができる。上記方法により、化合物(I)を簡便かつ収率よく合成することができる。これら以外の化合物(I)についても、公知の方法を用いて合成することができる。 The compound (I) includes the following compound (1 ′) when n is 2, X is a single bond, and R 1 and R 3 do not form a ring structure in the above formula (1), and the above formula In the case of (2) where X is a single bond and R 3a bonded to the carbon atom adjacent to Y is a hydrogen atom, the following compound (2 ′) is synthesized, for example, according to the following reaction scheme: Can do. By the above method, compound (I) can be synthesized simply and with good yield. Other compounds (I) can also be synthesized using a known method.
上記式(i−a)、式(i−b)及び式(1’)中、
R1は、炭素数1〜20の1価の炭化水素基、若しくはこの基の炭素−炭素間に−O−、−CO−、−COO−、−SO2−、−SO2O−、−SO2NR−及び−CONR−からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基であるか、又はR2と結合して環員数3〜30の環構造の一部を形成している。
R2は、炭素数1〜20の1価の炭化水素基、若しくはこの基の炭素−炭素間に−O−、−CO−、−COO−、−SO2−、−SO2O−、−SO2NR−及び−CONR−からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基であるか、又はR1と結合して環員数3〜30の環構造の一部を形成している。
R3a、R3b及びR4bは、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1〜10の1価の炭化水素基、若しくはこの基の炭素−炭素間に−O−、−CO−、−COO−、−SO2−、−SO2O−、−SO2NR−及び−CONR−からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基である。
R5及びR6は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1〜10の1価の炭化水素基、若しくはこの基の炭素−炭素間に−O−、−CO−、−COO−、−SO2−、−SO2O−、−SO2NR−及び−CONR−からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基であるか、又はR5及びR6が互いに結合してこれらが結合している窒素原子と共に環員数3〜30の環構造を形成している。
Rは、水素原子又は炭素数1〜10の炭化水素基である。
Yは、−CO−又は−SO2−である。)
In the above formula (ia), formula (ib) and formula (1 ′),
R 1 represents a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, or —O—, —CO—, —COO—, —SO 2 —, —SO 2 O—, — It is a group containing at least one selected from the group consisting of SO 2 NR— and —CONR—, or is bonded to R 2 to form a part of a ring structure having 3 to 30 ring members.
R 2 represents a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, or —O—, —CO—, —COO—, —SO 2 —, —SO 2 O—, — It is a group containing at least one selected from the group consisting of SO 2 NR— and —CONR—, or is bonded to R 1 to form a part of a ring structure having 3 to 30 ring members.
R 3a , R 3b, and R 4b are each independently a hydrogen atom, a monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, or —O—, —CO—, —COO between the carbon and carbon of this group. It is a group containing at least one selected from the group consisting of —, —SO 2 —, —SO 2 O—, —SO 2 NR— and —CONR—.
R 5 and R 6 are each independently a hydrogen atom, a monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, or -O-, -CO-, -COO-,- A group containing at least one selected from the group consisting of SO 2 —, —SO 2 O—, —SO 2 NR— and —CONR—, or R 5 and R 6 are bonded to each other. A ring structure having 3 to 30 ring members is formed together with the nitrogen atom.
R is a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms.
Y is —CO— or —SO 2 —. )
上記式(i−a’)、式(i−b)及び式(2’)中、
R2は、炭素数1〜20の1価の炭化水素基、又はこの基の炭素−炭素間に−O−、−CO−、−COO−、−SO2−、−SO2O−、−SO2NR−及び−CONR−からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基である。
R4a及びR4bは、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1〜10の1価の炭化水素基、又はこの基の炭素−炭素間に−O−、−CO−、−COO−、−SO2−、−SO2O−、−SO2NR−及び−CONR−からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基である。
R7は、(k+2)価の炭化水素基である。
kは、0〜6の整数である。
pは、0又は1である。
R8は、炭素数1〜20の1価の炭化水素基、又はこの基の炭素−炭素間に−O−、−CO−、−COO−、−SO2−、−SO2O−、−SO2NR−及び−CONR−からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基である。
kが2以上の場合、複数のR8は同一でも異なっていてもよい。
R5及びR6は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1〜10の1価の炭化水素基、若しくはこの基の炭素−炭素間に−O−、−CO−、−COO−、−SO2−、−SO2O−、−SO2NR−及び−CONR−からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む基であるか、又はR5及びR6が互いに結合してこれらが結合している窒素原子と共に環構造を形成している。
Rは、水素原子又は炭素数1〜10の炭化水素基である。
Yは、−CO−又は−SO2−である。
Zは、−CO−又は−SO2−である。
mは、0又は1である。
In the above formula (ia ′), formula (ib) and formula (2 ′),
R 2 is a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, or —O—, —CO—, —COO—, —SO 2 —, —SO 2 O—, — It is a group containing at least one selected from the group consisting of SO 2 NR— and —CONR—.
R 4a and R 4b each independently represent a hydrogen atom, a monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, or —O—, —CO—, —COO—, — It is a group containing at least one selected from the group consisting of SO 2 —, —SO 2 O—, —SO 2 NR— and —CONR—.
R 7 is a (k + 2) -valent hydrocarbon group.
k is an integer of 0-6.
p is 0 or 1.
R 8 is a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, or —O—, —CO—, —COO—, —SO 2 —, —SO 2 O—, — It is a group containing at least one selected from the group consisting of SO 2 NR— and —CONR—.
When k is 2 or more, the plurality of R 8 may be the same or different.
R 5 and R 6 are each independently a hydrogen atom, a monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, or -O-, -CO-, -COO-,- A group containing at least one selected from the group consisting of SO 2 —, —SO 2 O—, —SO 2 NR— and —CONR—, or R 5 and R 6 are bonded to each other. It forms a ring structure with the nitrogen atom.
R is a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms.
Y is —CO— or —SO 2 —.
Z is —CO— or —SO 2 —.
m is 0 or 1.
上記式(i−a)で表されるアクリルアミド化合物又はビニルスルホンアミド化合物と、上記(i−b)で表されるアミン化合物とを、トルエン等の溶媒中で反応させることにより、上記式(1’)で表される化合物が得られる。
また、上記式(i−a’)で表される炭素−炭素二重結合と−CO−又は−SO2−とを含む環状化合物と、上記式(i−b)で表されるアミン化合物とを、トルエン等の溶媒中で反応させることにより、上記式(2’)で表される化合物が得られる。
By reacting the acrylamide compound or vinylsulfonamide compound represented by the above formula (ia) with the amine compound represented by the above (ib) in a solvent such as toluene, the above formula (1) A compound represented by ') is obtained.
A cyclic compound containing a carbon-carbon double bond represented by the above formula (ia ′) and —CO— or —SO 2 —; an amine compound represented by the above formula (ib); Is reacted in a solvent such as toluene to obtain a compound represented by the above formula (2 ′).
<感放射線性樹脂組成物>
当該感放射線性樹脂組成物は、[A]酸解離性基を有する重合体(以下、「[A]重合体」ともいう)、[B]酸発生体及び[C]当該酸拡散制御剤(以下、「[C]酸拡散制御剤」ともいう)を含有する。当該感放射線性樹脂組成物は、これらの成分以外にも、好適成分として、[D][C]酸拡散制御剤の酸拡散制御剤(以下、「[D]他の酸拡散制御剤」ともいう)、[E]フッ素原子含有重合体及び[F]溶媒をさらに含有してもよく、本発明の効果を損なわない範囲において、その他の任意成分を含有してもよい。以下、各成分について説明する。
<Radiation sensitive resin composition>
The radiation-sensitive resin composition includes [A] a polymer having an acid dissociable group (hereinafter, also referred to as “[A] polymer”), [B] an acid generator, and [C] the acid diffusion controller ( Hereinafter, it is also referred to as “[C] acid diffusion controller”. In addition to these components, the radiation-sensitive resin composition has a suitable component as an acid diffusion control agent [D] [C] acid diffusion control agent (hereinafter referred to as “[D] other acid diffusion control agent”). And [E] a fluorine atom-containing polymer and a [F] solvent may be further contained, and other optional components may be contained within a range not impairing the effects of the present invention. Hereinafter, each component will be described.
<[A]重合体>
[A]重合体は、酸解離性基を有する重合体である。[A]重合体は、酸解離性基を含む構造単位(以下、「構造単位(I)」ともいう)以外にも、ラクトン構造、環状カーボネート構造及びスルトン構造からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む構造単位(II)及び/又は極性基を有する構造単位(III)をさらに有していることが好ましく、これらの構造単位以外のその他の構造単位をさらに有していてもよい。[A]重合体は、各構造単位をそれぞれ1種又は2種以上有していてもよい。以下、各構造単位について説明する。
<[A] polymer>
[A] The polymer is a polymer having an acid dissociable group. [A] The polymer is at least one selected from the group consisting of a lactone structure, a cyclic carbonate structure and a sultone structure, in addition to a structural unit containing an acid dissociable group (hereinafter also referred to as “structural unit (I)”). It is preferable to further include a structural unit (II) containing a polar group and / or a structural unit (III) having a polar group, and may further include other structural units other than these structural units. [A] The polymer may have one or more of each structural unit. Hereinafter, each structural unit will be described.
[構造単位(I)]
構造単位(I)は、酸解離性基を含む構造単位である。「酸解離性基」とは、カルボキシ基、ヒドロキシ基等の酸性基の水素原子を置換する基であって、酸の作用により解離する基をいう。
[Structural unit (I)]
The structural unit (I) is a structural unit containing an acid dissociable group. The “acid-dissociable group” refers to a group that substitutes a hydrogen atom of an acidic group such as a carboxy group or a hydroxy group and dissociates by the action of an acid.
構造単位(I)としては、例えば、下記式(3)で表される構造単位(I−1)等が挙げられる。 Examples of the structural unit (I) include a structural unit (I-1) represented by the following formula (3).
上記式(3)中、RAは、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Rpは、上記式(p)で表される1価の酸解離性基である。
上記式(p)中、Rp1、Rp2及びRp3は、それぞれ独立して、炭素数1〜4のアルキル基又は炭素数4〜20のシクロアルキル基である。但し、Rp2及びRp3が互いに結合してそれらが結合している炭素原子と共に炭素数4〜20のシクロアルカンジイル基を形成してもよい。
In said formula (3), RA is a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group. R p is a monovalent acid dissociable group represented by the above formula (p).
In said formula (p), R <p1> , R <p2> and R <p3> are respectively independently a C1-C4 alkyl group or a C4-C20 cycloalkyl group. However, R p2 and R p3 may be bonded to each other to form a cycloalkanediyl group having 4 to 20 carbon atoms together with the carbon atom to which they are bonded.
構造単位(I−1)としては、下記式(3−1)〜(3−4)で表される構造単位が好ましい。 As the structural unit (I-1), structural units represented by the following formulas (3-1) to (3-4) are preferable.
上記式(3−1)〜(3−4)中、RA、Rp1、Rp2及びRp3は上記式(3)と同義である。i及びjは、それぞれ独立して、1〜4の整数である。 In the above formulas (3-1) to (3-4), R A , R p1 , R p2 and R p3 have the same meaning as in the above formula (3). i and j are each independently an integer of 1 to 4.
上記式(3)及び上記式(3−1)〜(3−4)で表される構造単位としては、例えば、下記式で表される構造単位等が挙げられる。 Examples of the structural unit represented by the above formula (3) and the above formulas (3-1) to (3-4) include a structural unit represented by the following formula.
上記式中、RAは、上記式(3)と同義である。 In the above formula, R A has the same meaning as in the above formula (3).
構造単位(I)としては、上記式(3−1)で表される構造単位、式(3−2)で表される構造単位が好ましく、1−アルキル−1−シクロペンチル(メタ)アクリレートに由来する構造単位、2−アルキル−2−アダマンチル(メタ)アクリレートに由来する構造単位がより好ましく、1−エチル−1−シクロペンチル(メタ)アクリレートに由来する構造単位、2−エチル−2−アダマンチル(メタ)アクリレートに由来する構造単位がさらに好ましい。 The structural unit (I) is preferably a structural unit represented by the above formula (3-1) or a structural unit represented by the formula (3-2), and is derived from 1-alkyl-1-cyclopentyl (meth) acrylate. The structural unit derived from 2-alkyl-2-adamantyl (meth) acrylate is more preferred, the structural unit derived from 1-ethyl-1-cyclopentyl (meth) acrylate, 2-ethyl-2-adamantyl (meta More preferred are structural units derived from acrylates.
構造単位(I)の含有割合としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、10モル%〜100モル%が好ましく、20モル%〜80モル%がより好ましく、30モル%〜70モル%がさらに好ましい。構造単位(I)の含有割合を上記範囲とすることで、当該感放射線性樹脂組成物のLWR性能、解像性、断面形状の矩形性及び焦点深度を向上させることができる。構造単位(I)の含有割合が上記下限未満だと、当該感放射線性樹脂組成物のパターン形成性が低下する場合がある。 As a content rate of structural unit (I), 10 mol%-100 mol% are preferable with respect to all the structural units which comprise a [A] polymer, 20 mol%-80 mol% are more preferable, 30 mol% More preferred is ˜70 mol%. By making the content rate of structural unit (I) into the said range, the LWR performance of the said radiation sensitive resin composition, resolution, the rectangularity of a cross-sectional shape, and a depth of focus can be improved. When the content rate of structural unit (I) is less than the said minimum, the pattern formation property of the said radiation sensitive resin composition may fall.
[構造単位(II)]
構造単位(II)は、ラクトン構造、環状カーボネート構造及びスルトン構造からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む構造単位である。[A]重合体は、構造単位(II)をさらに有することで、現像液への溶解性を調整することができる。また、当該感放射線性樹脂組成物から形成されるレジストパターンと基板との密着性を向上させることができる。
[Structural unit (II)]
The structural unit (II) is a structural unit containing at least one selected from the group consisting of a lactone structure, a cyclic carbonate structure, and a sultone structure. [A] The polymer further has the structural unit (II), whereby the solubility in the developer can be adjusted. Moreover, the adhesiveness of the resist pattern formed from the said radiation sensitive resin composition and a board | substrate can be improved.
構造単位(II)としては、例えば、下記式で表される構造単位等が挙げられる。 Examples of the structural unit (II) include a structural unit represented by the following formula.
上記式中、RL1は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。 In the above formula, R L1 represents a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.
構造単位(II)としては、これらの中で、ラクトン構造を含む構造単位、スルトン構造を含む構造単位が好ましく、ラクトン構造を含む構造単位がより好ましく、ノルボルナンラクトン構造を含む構造単位がさらに好ましく、ノルボルナンラクトン−イル(メタ)アクリレートに由来する構造単位が特に好ましい。 Among these, as the structural unit (II), a structural unit containing a lactone structure and a structural unit containing a sultone structure are preferred, a structural unit containing a lactone structure is more preferred, and a structural unit containing a norbornane lactone structure is more preferred, A structural unit derived from norbornanelactone-yl (meth) acrylate is particularly preferred.
構造単位(II)の含有割合としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、0モル%〜80モル%が好ましく、20モル%〜80モル%がより好ましく、30モル%〜70モル%がさらに好ましい。構造単位(II)の含有割合を上記範囲とすることで、[A]重合体の現像液への溶解性をより適度にすることができる。また、当該感放射線性樹脂組成物から形成されるレジストパターンと基板との密着性をより向上させることができる。構造単位(II)の含有割合が上記上限を超えると、当該感放射線性樹脂組成物のパターン形成性が低下する場合がある。 As a content rate of structural unit (II), 0 mol%-80 mol% are preferable with respect to all the structural units which comprise a [A] polymer, 20 mol%-80 mol% are more preferable, 30 mol% More preferred is ˜70 mol%. By making the content rate of structural unit (II) into the said range, the solubility to the developing solution of a [A] polymer can be made more moderate. Moreover, the adhesiveness of the resist pattern formed from the said radiation sensitive resin composition and a board | substrate can be improved more. When the content rate of structural unit (II) exceeds the said upper limit, the pattern formation property of the said radiation sensitive resin composition may fall.
[構造単位(III)]
構造単位(III)は、極性基を有する構造単位である(但し、構造単位(II)に該当するものを除く)。[A]重合体は、構造単位(III)をさらに有することで、現像液への溶解性を調整することができる。
[Structural unit (III)]
The structural unit (III) is a structural unit having a polar group (except for those corresponding to the structural unit (II)). [A] The polymer further has the structural unit (III), whereby the solubility in the developer can be adjusted.
上記極性基としては、例えば、ヒドロキシ基、カルボキシ基、シアノ基、ニトロ基、スルホンアミド基等が挙げられる。これらの中で、ヒドロキシ基、カルボキシ基が好ましく、ヒドロキシ基がより好ましい。 Examples of the polar group include a hydroxy group, a carboxy group, a cyano group, a nitro group, and a sulfonamide group. Among these, a hydroxy group and a carboxy group are preferable, and a hydroxy group is more preferable.
構造単位(III)としては、例えば、下記式で表される構造単位等が挙げられる。 Examples of the structural unit (III) include a structural unit represented by the following formula.
上記式中、RBは水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。 In the above formula, R B is a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.
構造単位(III)の含有割合としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、0モル%〜80モル%が好ましく、20モル%〜75モル%がより好ましく、40モル%〜70モル%がさらに好ましい。構造単位(III)の含有割合を上記範囲とすることで、[A]重合体の現像液への溶解性をより適度にすることができる。構造単位(III)の含有割合が上記上限を超えると、当該感放射線性樹脂組成物のパターン形成性が低下する場合がある。 As a content rate of structural unit (III), 0 mol%-80 mol% are preferable with respect to all the structural units which comprise a [A] polymer, 20 mol%-75 mol% are more preferable, 40 mol% More preferred is ˜70 mol%. By making the content rate of structural unit (III) into the said range, the solubility to the developing solution of a [A] polymer can be made more moderate. When the content rate of structural unit (III) exceeds the said upper limit, the pattern formation property of the said radiation sensitive resin composition may fall.
[その他の構造単位]
[A]重合体は、上記構造単位(I)〜(III)以外のその他の構造単位を有していもよい。上記その他の構造単位としては、例えば、非解離性の脂環式炭化水素基を有する構造単位等が挙げられる。上記その他の構造単位の含有割合としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、通常30モル%以下であり、20モル%以下が好ましい。上記その他の構造単位の含有割合が上記上限を超えると、当該感放射線性樹脂組成物のパターン形成性が低下する場合がある。
[Other structural units]
[A] The polymer may have other structural units other than the structural units (I) to (III). Examples of the other structural units include structural units having a non-dissociable alicyclic hydrocarbon group. As a content rate of the said other structural unit, it is 30 mol% or less normally with respect to all the structural units which comprise a [A] polymer, and 20 mol% or less is preferable. When the content rate of the said other structural unit exceeds the said upper limit, the pattern formation property of the said radiation sensitive resin composition may fall.
[A]重合体の含有量としては、当該感放射線性樹脂組成物の全固形分に対して、70質量%以上が好ましく、80質量%以上がより好ましく、85質量%以上がさらに好ましい。 [A] The content of the polymer is preferably 70% by mass or more, more preferably 80% by mass or more, and still more preferably 85% by mass or more with respect to the total solid content of the radiation-sensitive resin composition.
<[A]重合体の合成方法>
[A]重合体は、例えば、各構造単位を与える単量体を、ラジカル重合開始剤を用い、適当な溶媒中で重合することにより合成できる。
<[A] Polymer Synthesis Method>
[A] The polymer can be synthesized, for example, by polymerizing a monomer giving each structural unit in a suitable solvent using a radical polymerization initiator.
上記ラジカル重合開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)、2,2’−アゾビス(4−メトキシ−2,4−ジメチルバレロニトリル)、2,2’−アゾビス(2−シクロプロピルプロピオニトリル)、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)、ジメチル2,2’−アゾビスイソブチレート等のアゾ系ラジカル開始剤;ベンゾイルパーオキサイド、t−ブチルハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド等の過酸化物系ラジカル開始剤等が挙げられる。これらの中で、AIBN、ジメチル2,2’−アゾビスイソブチレートが好ましく、AIBNがより好ましい。これらのラジカル開始剤は1種単独で又は2種以上を混合して用いることができる。 Examples of the radical polymerization initiator include azobisisobutyronitrile (AIBN), 2,2′-azobis (4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile), 2,2′-azobis (2-cyclopropylpropylene). Pionitrile), azo radical initiators such as 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), dimethyl 2,2′-azobisisobutyrate; benzoyl peroxide, t-butyl hydroperoxide, And peroxide radical initiators such as cumene hydroperoxide. Of these, AIBN and dimethyl 2,2'-azobisisobutyrate are preferred, and AIBN is more preferred. These radical initiators can be used alone or in combination of two or more.
上記重合に使用される溶媒としては、例えば
n−ペンタン、n−ヘキサン、n−ヘプタン、n−オクタン、n−ノナン、n−デカン等のアルカン類;
シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、デカリン、ノルボルナン等のシクロアルカン類;
ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメン等の芳香族炭化水素類;
クロロブタン類、ブロモヘキサン類、ジクロロエタン類、ヘキサメチレンジブロミド、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類;
酢酸エチル、酢酸n−ブチル、酢酸i−ブチル、プロピオン酸メチル等の飽和カルボン酸エステル類;
アセトン、2−ブタノン、4−メチル−2−ペンタノン、2−ヘプタノン等のケトン類;
テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン類、ジエトキシエタン類等のエーテル類;
メタノール、エタノール、1−プロパノール、2−プロパノール、4−メチル−2−ペンタノール、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のアルコール類などが挙げられる。
これらの中で、ケトン類、アルコール類が好ましく、2−ブタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルがより好ましい。これらの重合に使用される溶媒は、1種単独で又は2種以上を併用してもよい。
Examples of the solvent used for the polymerization include alkanes such as n-pentane, n-hexane, n-heptane, n-octane, n-nonane, and n-decane;
Cycloalkanes such as cyclohexane, cycloheptane, cyclooctane, decalin, norbornane;
Aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, xylene, ethylbenzene, cumene;
Halogenated hydrocarbons such as chlorobutanes, bromohexanes, dichloroethanes, hexamethylene dibromide, chlorobenzene;
Saturated carboxylic acid esters such as ethyl acetate, n-butyl acetate, i-butyl acetate and methyl propionate;
Ketones such as acetone, 2-butanone, 4-methyl-2-pentanone, 2-heptanone;
Ethers such as tetrahydrofuran, dimethoxyethanes, diethoxyethanes;
Examples include alcohols such as methanol, ethanol, 1-propanol, 2-propanol, 4-methyl-2-pentanol, and propylene glycol monomethyl ether.
Among these, ketones and alcohols are preferable, and 2-butanone and propylene glycol monomethyl ether are more preferable. The solvent used for these polymerizations may be used alone or in combination of two or more.
上記重合における反応温度としては、通常40℃〜150℃、50℃〜120℃が好ましい。反応時間としては、通常1時間〜48時間、1時間〜24時間が好ましい。 As reaction temperature in the said superposition | polymerization, 40 to 150 degreeC and 50 to 120 degreeC are preferable normally. The reaction time is usually preferably 1 hour to 48 hours and 1 hour to 24 hours.
[A]重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)は特に限定されないが、1,000以上50,000以下が好ましく、2,000以上30,000以下がより好ましく、3,000以上20,000以下がさらに好ましく、5,000以上15,000が特に好ましい。[A]重合体のMwが上記下限未満だと、得られるレジスト膜の耐熱性が低下する場合がある。[A]重合体のMwが上記上限を超えると、レジスト膜の現像性が低下する場合がある。 [A] The weight average molecular weight (Mw) in terms of polystyrene by gel permeation chromatography (GPC) of the polymer is not particularly limited, but is preferably 1,000 or more and 50,000 or less, more preferably 2,000 or more and 30,000 or less. Preferably, 3,000 or more and 20,000 or less are more preferable, and 5,000 or more and 15,000 are particularly preferable. [A] If the Mw of the polymer is less than the lower limit, the heat resistance of the resulting resist film may be lowered. [A] If the Mw of the polymer exceeds the above upper limit, the developability of the resist film may deteriorate.
[A]重合体のGPCによるポリスチレン換算数平均分子量(Mn)に対するMwの比(Mw/Mn)は、通常1以上5以下であり、1以上3以下が好ましく、1以上2.5以下がさらに好ましい。 [A] The ratio (Mw / Mn) of Mw to the number average molecular weight (Mn) in terms of polystyrene by GPC of the polymer is usually from 1 to 5, preferably from 1 to 3, more preferably from 1 to 2.5. preferable.
本明細書における重合体のMw及びMnは、以下の条件によるゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)を用いて測定される値である。
GPCカラム:G2000HXL 2本、G3000HXL 1本、G4000HXL 1本(以上、東ソー製)
カラム温度:40℃
溶出溶媒:テトラヒドロフラン(和光純薬工業製)
流速:1.0mL/分
試料濃度:1.0質量%
試料注入量:100μL
検出器:示差屈折計
標準物質:単分散ポリスチレン
Mw and Mn of the polymer in this specification are values measured using gel permeation chromatography (GPC) under the following conditions.
GPC column: 2 G2000HXL, 1 G3000HXL, 1 G4000HXL (above, manufactured by Tosoh)
Column temperature: 40 ° C
Elution solvent: Tetrahydrofuran (Wako Pure Chemical Industries)
Flow rate: 1.0 mL / min Sample concentration: 1.0% by mass
Sample injection volume: 100 μL
Detector: Differential refractometer Standard material: Monodisperse polystyrene
[A]重合体中の低分子量部分(分子量1,000未満の部分をいう)の含有率としては、0.5質量%以下が好ましく、0.2質量%以下がより好ましく、0.1質量%以下がさらに好ましい。[A]重合体中の低分子量部分の含有率を上記範囲とすることで、当該感放射線性樹脂組成物の断面形状の矩形性、LWR性能、解像性及び焦点深度をより向上させることができる。 [A] The content of the low molecular weight part (refers to a part having a molecular weight of less than 1,000) in the polymer is preferably 0.5% by mass or less, more preferably 0.2% by mass or less, and 0.1% by mass. % Or less is more preferable. [A] By setting the content of the low molecular weight portion in the polymer within the above range, the rectangularity, LWR performance, resolution and depth of focus of the cross-sectional shape of the radiation-sensitive resin composition can be further improved. it can.
本明細書における重合体の低分子量部分の含有率は、高速液体クロマトグラフィー(HPLC)により、HPLCカラム(Intersil ODS−25μmカラム(4.6mmφ×250mm)、ジーエルサイエンス製)を使用し、以下の条件により測定される値である。
溶出溶媒:アクリロニトリル/0.1質量%リン酸水溶液
流量:1.0mL/分
試料濃度:1.0質量%
試料注入量:100μL
検出器:示差屈折計
The content of the low molecular weight portion of the polymer in the present specification is determined by using a HPLC column (Intersil ODS-25 μm column (4.6 mmφ × 250 mm), manufactured by GL Sciences) by high performance liquid chromatography (HPLC). It is a value measured by conditions.
Elution solvent: Acrylonitrile / 0.1% by mass phosphoric acid aqueous solution Flow rate: 1.0 mL / min Sample concentration: 1.0% by mass
Sample injection volume: 100 μL
Detector: Differential refractometer
<[B]酸発生体>
[B]酸発生体は、露光により酸を発生する物質である。この酸により[A]重合体中の酸解離性基が解離してカルボキシ基等の極性基が生成し、その結果[A]重合体の現像液への溶解性が変化する。当該感放射線性樹脂組成物における[B]酸発生体の含有形態としては、後述するような低分子化合物の形態(以下、適宜「[B]酸発生剤」ともいう)でも、重合体の一部として組み込まれた酸発生基の形態でも、これらの両方の形態でもよい。
<[B] Acid generator>
[B] The acid generator is a substance that generates an acid upon exposure. This acid dissociates the acid dissociable group in the [A] polymer to form a polar group such as a carboxy group, and as a result, the solubility of the [A] polymer in the developer changes. The contained form of the [B] acid generator in the radiation-sensitive resin composition may be a low molecular compound form (hereinafter also referred to as “[B] acid generator” as appropriate), as described later. It may be in the form of an acid generating group incorporated as a part, or in both forms.
[B]酸発生剤としては、例えば、オニウム塩化合物、N−スルホニルオキシイミド化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾケトン化合物等が挙げられる。 [B] Examples of the acid generator include onium salt compounds, N-sulfonyloxyimide compounds, halogen-containing compounds, and diazoketone compounds.
オニウム塩化合物としては、例えば、スルホニウム塩、テトラヒドロチオフェニウム塩、ヨードニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ピリジニウム塩等が挙げられる。 Examples of the onium salt compounds include sulfonium salts, tetrahydrothiophenium salts, iodonium salts, phosphonium salts, diazonium salts, pyridinium salts, and the like.
スルホニウム塩としては、例えばトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−イル−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−イル−1,1−ジフルオロエタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホネート、4−シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、4−シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、4−シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウム2−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−イル−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、4−シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムカンファースルホネート、4−メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、4−メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、4−メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウム2−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−イル−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、4−メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムカンファースルホネート、トリフェニルスルホニウム6−(1−アダマンタンカルボニロキシ)−1,1,2,2−テトラフルオロヘキサン−1−スルホネート、トリフェニルスルホニウム2−(アダマンタン−1−イルカルボニルオキシ)−1,1,3,3,3−ペンタフルオロプロパン−1−スルホネート等が挙げられる。 Examples of the sulfonium salt include triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate, triphenylsulfonium perfluoro-n-octanesulfonate, triphenylsulfonium 2-bicyclo [2.2.1] hept- 2-yl-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate, triphenylsulfonium 2-bicyclo [2.2.1] hept-2-yl-1,1-difluoroethanesulfonate, triphenylsulfonium camphorsulfonate, 4 -Cyclohexylphenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-cyclohexylphenyldiphenylsulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate, 4-cyclohexyl Phenyldiphenylsulfonium perfluoro-n-octanesulfonate, 4-cyclohexylphenyldiphenylsulfonium 2-bicyclo [2.2.1] hept-2-yl-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate, 4-cyclohexylphenyl Diphenylsulfonium camphorsulfonate, 4-methanesulfonylphenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-methanesulfonylphenyldiphenylsulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate, 4-methanesulfonylphenyldiphenylsulfonium perfluoro-n-octanesulfonate, 4-methanesulfonyl Phenyldiphenylsulfonium 2-bicyclo [2.2.1] hept-2-yl-1,1,2,2-tetrafur Loethanesulfonate, 4-methanesulfonylphenyldiphenylsulfonium camphorsulfonate, triphenylsulfonium 6- (1-adamantanecarbonyloxy) -1,1,2,2-tetrafluorohexane-1-sulfonate, triphenylsulfonium 2- ( And adamantane-1-ylcarbonyloxy) -1,1,3,3,3-pentafluoropropane-1-sulfonate.
テトラヒドロチオフェニウム塩としては、例えば1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウム2−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−イル−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムカンファースルホネート、1−(6−n−ブトキシナフタレン−2−イル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(6−n−ブトキシナフタレン−2−イル)テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、1−(6−n−ブトキシナフタレン−2−イル)テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、1−(6−n−ブトキシナフタレン−2−イル)テトラヒドロチオフェニウム2−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−イル−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、1−(6−n−ブトキシナフタレン−2−イル)テトラヒドロチオフェニウムカンファースルホネート、1−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、1−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、1−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチオフェニウム2−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−イル−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、1−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチオフェニウムカンファースルホネート等が挙げられる。 Examples of the tetrahydrothiophenium salt include 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium nona. Fluoro-n-butanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium perfluoro-n-octanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophene Ni-bicyclo [2.2.1] hept-2-yl-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate, 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium camphorsulfonate , 1- (6-n-butoxynaphthalen-2-yl) Torahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 1- (6-n-butoxynaphthalen-2-yl) tetrahydrothiophenium nonafluoro-n-butanesulfonate, 1- (6-n-butoxynaphthalen-2-yl) tetrahydro Thiophenium perfluoro-n-octanesulfonate, 1- (6-n-butoxynaphthalen-2-yl) tetrahydrothiophenium 2-bicyclo [2.2.1] hept-2-yl-1,1,2 , 2-tetrafluoroethanesulfonate, 1- (6-n-butoxynaphthalen-2-yl) tetrahydrothiophenium camphorsulfonate, 1- (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate , 1- (3,5-dimethyl-4 Hydroxyphenyl) tetrahydrothiophenium nonafluoro-n-butanesulfonate, 1- (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) tetrahydrothiophenium perfluoro-n-octanesulfonate, 1- (3,5-dimethyl- 4-hydroxyphenyl) tetrahydrothiophenium 2-bicyclo [2.2.1] hept-2-yl-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate, 1- (3,5-dimethyl-4-hydroxy Phenyl) tetrahydrothiophenium camphorsulfonate and the like.
ヨードニウム塩としては、例えばジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム2−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−イル−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムカンファースルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムパーフルオロ−n−オクタンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウム2−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−イル−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムカンファースルホネート等が挙げられる。 Examples of the iodonium salt include diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, diphenyliodonium nonafluoro-n-butanesulfonate, diphenyliodonium perfluoro-n-octanesulfonate, diphenyliodonium 2-bicyclo [2.2.1] hept-2-yl- 1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate, diphenyliodonium camphorsulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium trifluoromethanesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium nonafluoro-n-butanesulfonate, Bis (4-t-butylphenyl) iodonium perfluoro-n-octanesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium 2-bicyclo [2.2 1] hept-2-yl-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate, bis (4-t- butylphenyl) iodonium camphorsulfonate, and the like.
N−スルホニルオキシイミド化合物としては、例えばN−(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(ノナフルオロ−n−ブタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(パーフルオロ−n−オクタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−イル−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(2−(3−テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカニル)−1,1−ジフルオロエタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(カンファースルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド等が挙げられる。 Examples of the N-sulfonyloxyimide compound include N- (trifluoromethanesulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (nonafluoro-n-butanesulfonyloxy). ) Bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (perfluoro-n-octanesulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2 , 3-dicarboximide, N- (2-bicyclo [2.2.1] hept-2-yl-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept- 5-ene-2,3-dicarboximide, N- (2- (3- tetracyclo [4.4.0.1 2,5 .1 7,10] dodecanyl) -1,1-difluoro-ethanone Sulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (camphorsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3 -Dicarboximide etc. are mentioned.
[B]酸発生剤としては、これらの中でも、オニウム塩化合物が好ましく、スルホニウム塩がより好ましく、トリフェニルスルホニウム2−(アダマンタン−1−イルカルボニルオキシ)−1,1,3,3,3−ペンタフルオロプロパン−1−スルホネートがさらに好ましい。 [B] Among these, the acid generator is preferably an onium salt compound, more preferably a sulfonium salt, and triphenylsulfonium 2- (adamantan-1-ylcarbonyloxy) -1,1,3,3,3- More preferred is pentafluoropropane-1-sulfonate.
[B]酸発生体の含有量としては、[B]酸発生体が[B]酸発生剤の場合、当該感放射線性樹脂組成物の感度及び現像性を確保する観点から、[A]重合体100質量部に対して、0.1質量部以上30質量部以下が好ましく、0.5質量部以上20質量部以下がより好ましく、1質量部以上15質量部以下がさらに好ましい。[B]酸発生剤の含有量を上記範囲とすることで、当該感放射線性樹脂組成物の感度及び現像性が向上する。[B]酸発生体は、1種又は2種以上を用いることができる。 [B] As the content of the acid generator, when the [B] acid generator is a [B] acid generator, from the viewpoint of ensuring the sensitivity and developability of the radiation-sensitive resin composition, [A] 0.1 mass part or more and 30 mass parts or less are preferable with respect to 100 mass parts of unification, 0.5 mass part or more and 20 mass parts or less are more preferable, and 1 mass part or more and 15 mass parts or less are more preferable. [B] By making content of an acid generator into the said range, the sensitivity and developability of the said radiation sensitive resin composition improve. [B] 1 type (s) or 2 or more types can be used for an acid generator.
<[C]酸拡散制御剤>
[C]酸拡散制御剤は、当該酸拡散制御剤(I)である。当該感放射線性樹脂組成物は、[A]重合体及び[B]酸発生体に加えて、酸拡散制御剤(I)を含有することで、LWR性能、解像性、断面形状の矩形性及び焦点深度に優れる。[C]酸拡散制御剤については、上述の酸拡散制御剤(I)の項で説明している。[C]酸拡散制御剤は、1種又は2種以上を用いることができる。
<[C] acid diffusion controller>
[C] The acid diffusion controller is the acid diffusion controller (I). The radiation-sensitive resin composition contains the acid diffusion control agent (I) in addition to the [A] polymer and the [B] acid generator, so that the LWR performance, the resolution, and the rectangular shape of the cross-sectional shape. And excellent depth of focus. [C] The acid diffusion control agent is described in the above-mentioned section of acid diffusion control agent (I). [C] 1 type (s) or 2 or more types can be used for an acid diffusion controlling agent.
[C]酸拡散制御剤の含有量としては、[B]酸発生剤100モル%に対して、1モル%〜100モル%が好ましく、3モル%〜70モル%がより好ましく、5モル%〜50モル%がさらに好ましい。[C]酸拡散制御剤の含有量を上記範囲とすることで、当該感放射線性樹脂組成物は、LWR性能、解像性、断面形状の矩形性及び焦点深度が向上する。
また、[C]酸拡散制御剤の含有量としては、[A]重合体100質量部に対して、0.1質量部以上20質量部以下が好ましく、0.5質量部以上15質量部以下がより好ましく、1質量部以上10質量部以下がさらに好ましい。
[C] The content of the acid diffusion controller is preferably 1 mol% to 100 mol%, more preferably 3 mol% to 70 mol%, and more preferably 5 mol% with respect to 100 mol% of the acid generator [B]. More preferred is ˜50 mol%. [C] By making content of an acid diffusion control agent into the said range, the said radiation sensitive resin composition improves LWR performance, resolution, rectangularity of a cross-sectional shape, and depth of focus.
Further, the content of the [C] acid diffusion controller is preferably 0.1 parts by mass or more and 20 parts by mass or less, and 0.5 parts by mass or more and 15 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the [A] polymer. Is more preferable, and 1 to 10 parts by mass is more preferable.
<任意成分>
[[D]他の酸拡散制御体]
当該感放射線性樹脂組成物は、必要に応じて、[D]他の酸拡散制御体を含有してもよい。当該感放射線性樹脂組成物は、[C]酸拡散制御剤に加えて、さらに[D]他の酸拡散制御体を含有することで、LWR性能、解像性、断面形状の矩形性及び焦点深度をより向上させることができる。[D]他の酸拡散制御体をさらに含有することで、上記効果をより向上させることができる理由については必ずしも明確ではないが、例えば、酸拡散制御剤を構成する化合物全体としての拡散度合いを調整することができること等が考えられる。[D]他の酸拡散制御体の当該感放射線性樹脂組成物における含有形態としては、後述するような低分子化合物である酸拡散制御剤の形態(以下、適宜「[D]他の酸拡散制御剤」ともいう)でも、重合体の一部として組み込まれた酸拡散制御基の形態でも、これらの両方の形態でもよい。
<Optional component>
[[D] Other acid diffusion controllers]
The radiation-sensitive resin composition may contain [D] another acid diffusion controller as necessary. In addition to the [C] acid diffusion control agent, the radiation sensitive resin composition further includes [D] another acid diffusion controller, so that LWR performance, resolution, rectangularity of the cross-sectional shape, and focus The depth can be further improved. [D] The reason why the above effect can be further improved by further containing another acid diffusion controller is not necessarily clear, but, for example, the degree of diffusion of the entire compound constituting the acid diffusion controller is determined. It can be considered that it can be adjusted. [D] The content of the other acid diffusion controller in the radiation-sensitive resin composition may be a form of an acid diffusion controller that is a low molecular compound as described later (hereinafter referred to as “[D] Other acid diffusion May be in the form of an acid diffusion control group incorporated as part of the polymer, or both.
[D]他の酸拡散制御剤としては、例えば、下記式(4)で表される化合物(以下、「含窒素化合物(I)」ともいう)、同一分子内に窒素原子を2個有する化合物(以下、「含窒素化合物(II)」ともいう)、窒素原子を3個有する化合物(以下、「含窒素化合物(III)」ともいう)、アミド基含有化合物、ウレア化合物、含窒素複素環化合物等が挙げられる。 [D] Other acid diffusion control agents include, for example, a compound represented by the following formula (4) (hereinafter also referred to as “nitrogen-containing compound (I)”), a compound having two nitrogen atoms in the same molecule (Hereinafter also referred to as “nitrogen-containing compound (II)”), compounds having three nitrogen atoms (hereinafter also referred to as “nitrogen-containing compound (III)”), amide group-containing compounds, urea compounds, nitrogen-containing heterocyclic compounds Etc.
上記式(4)中、R15、R16及びR17は、それぞれ独立して、水素原子、置換されていてもよい直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、アリール基又はアラルキル基である。 In the above formula (4), R 15 , R 16 and R 17 are each independently a hydrogen atom, an optionally substituted linear, branched or cyclic alkyl group, aryl group or aralkyl group. .
含窒素化合物(I)としては、例えば、n−ヘキシルアミン等のモノアルキルアミン類;ジ−n−ブチルアミン等のジアルキルアミン類;トリエチルアミン等のトリアルキルアミン類;アニリン等の芳香族アミン類等が挙げられる。 Examples of the nitrogen-containing compound (I) include monoalkylamines such as n-hexylamine; dialkylamines such as di-n-butylamine; trialkylamines such as triethylamine; aromatic amines such as aniline. Can be mentioned.
含窒素化合物(II)としては、例えば、エチレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラメチルエチレンジアミン等が挙げられる。 Examples of the nitrogen-containing compound (II) include ethylenediamine, N, N, N ′, N′-tetramethylethylenediamine, and the like.
含窒素化合物(III)としては、例えば、ポリエチレンイミン、ポリアリルアミン等のポリアミン化合物;ジメチルアミノエチルアクリルアミド等の重合体等が挙げられる。 Examples of the nitrogen-containing compound (III) include polyamine compounds such as polyethyleneimine and polyallylamine; and polymers such as dimethylaminoethylacrylamide.
アミド基含有化合物としては、例えば、ホルムアミド、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、N−メチルピロリドン等が挙げられる。 Examples of the amide group-containing compound include formamide, N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, acetamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, propionamide, benzamide, pyrrolidone, N-methylpyrrolidone and the like. Can be mentioned.
ウレア化合物としては、例えば、尿素、メチルウレア、1,1−ジメチルウレア、1,3−ジメチルウレア、1,1,3,3−テトラメチルウレア、1,3−ジフェニルウレア、トリブチルチオウレア等が挙げられる。 Examples of the urea compound include urea, methylurea, 1,1-dimethylurea, 1,3-dimethylurea, 1,1,3,3-tetramethylurea, 1,3-diphenylurea, tributylthiourea and the like. .
含窒素複素環化合物としては、例えば、ピリジン、2−メチルピリジン等のピリジン類、ピラジン、ピラゾール等があげられる。 Examples of the nitrogen-containing heterocyclic compound include pyridines such as pyridine and 2-methylpyridine, pyrazine, pyrazole and the like.
また上記含窒素有機化合物として、酸解離性基を有する化合物を用いることもできる。このような酸解離性基を有する含窒素有機化合物としては、例えば、N―(t−ブトキシカルボニル)ピペリジン、N―(t−ブトキシカルボニル)イミダゾール、N―(t−ブトキシカルボニル)ベンズイミダゾール、N―(t−ブトキシカルボニル)−2−フェニルベンズイミダゾール、N―(t−ブトキシカルボニル)ジ−n−オクチルアミン、N―(t−ブトキシカルボニル)ジエタノールアミン、N―(t−ブトキシカルボニル)ジシクロヘキシルアミン、N―(t−ブトキシカルボニル)ジフェニルアミン、N−(t−ブトキシカルボニル)−4−ヒドロキシピペリジン等が挙げられる。 Moreover, the compound which has an acid dissociable group can also be used as said nitrogen-containing organic compound. Examples of the nitrogen-containing organic compound having such an acid dissociable group include N- (t-butoxycarbonyl) piperidine, N- (t-butoxycarbonyl) imidazole, N- (t-butoxycarbonyl) benzimidazole, N -(T-butoxycarbonyl) -2-phenylbenzimidazole, N- (t-butoxycarbonyl) di-n-octylamine, N- (t-butoxycarbonyl) diethanolamine, N- (t-butoxycarbonyl) dicyclohexylamine, N- (t-butoxycarbonyl) diphenylamine, N- (t-butoxycarbonyl) -4-hydroxypiperidine and the like can be mentioned.
また、[D]他の酸拡散制御体として、露光により感光し弱酸を発生する光崩壊性塩基を用いることもできる。光崩壊性塩基としては、例えば、露光により分解して酸拡散制御性を失うオニウム塩化合物等が挙げられる。オニウム塩化合物としては、例えば、下記式(5−1)で表されるスルホニウム塩化合物、下記式(5−2)で表されるヨードニウム塩化合物等が挙げられる。 [D] As another acid diffusion controller, a photodegradable base which is exposed to light and generates a weak acid by exposure can also be used. Examples of the photodegradable base include an onium salt compound that decomposes upon exposure and loses acid diffusion controllability. Examples of the onium salt compound include a sulfonium salt compound represented by the following formula (5-1), an iodonium salt compound represented by the following formula (5-2), and the like.
上記式(5−1)及び式(5−2)中、R18〜R22は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基又はハロゲン原子である。E−及びQ−は、それぞれ独立して、OH−、Rα−COO−、Rα−SO3 −又は下記式(6−3)で表されるアニオンである。但し、Rαは、アルキル基、アリール基又はアラルキル基である。 In the above formulas (5-1) and (5-2), R 18 to R 22 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a hydroxy group, or a halogen atom. E − and Q − are each independently an anion represented by OH − , R α —COO − , R α —SO 3 — or the following formula (6-3). However, Rα is an alkyl group, an aryl group or an aralkyl group.
上記式(5−3)中、R23は、水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されていてもよい炭素数1〜12の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数1〜12の直鎖状若しくは分岐状のアルコキシル基である。uは0〜2の整数である。 In the above formula (5-3), R 23 represents a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms in which part or all of the hydrogen atoms may be substituted with fluorine atoms, or 1 carbon atom. It is a -12 linear or branched alkoxyl group. u is an integer of 0-2.
[D]他の酸拡散制御体の含有量としては、[D]他の酸拡散制御体が[D]他の酸拡散制御剤である場合、[B]酸発生剤100モル%に対して、0モル%〜300モル%が好ましく、5モル%〜250モル%がより好ましく、10モル%〜200モル%がさらに好ましい。[D]他の酸拡散制御剤の含有量を上記範囲とすることで、当該感放射線性樹脂組成物の感度、LWR性能、解像性、断面形状の矩形性及び焦点深度をより向上させることができる。[D]他の酸拡散制御剤の含有量が上記上限を超えると、当該感放射線性樹脂組成物の感度が低下する場合がある。
また、[D]他の酸拡散制御剤の含有量としては、[A]重合体100質量部に対して、0〜10質量部が好ましく、0.1質量部〜8質量部がより好ましく、0.3質量部〜5質量部がさらに好ましい。
[D] The content of the other acid diffusion controller is [D] when the other acid diffusion controller is [D] another acid diffusion controller, and [B] 100 mol% of the acid generator. 0 mol% to 300 mol% is preferable, 5 mol% to 250 mol% is more preferable, and 10 mol% to 200 mol% is more preferable. [D] By setting the content of other acid diffusion control agents in the above range, the sensitivity, LWR performance, resolution, rectangularity of the cross-sectional shape, and depth of focus of the radiation-sensitive resin composition are further improved. Can do. [D] When the content of the other acid diffusion control agent exceeds the upper limit, the sensitivity of the radiation-sensitive resin composition may decrease.
[D] The content of the other acid diffusion control agent is preferably 0 to 10 parts by mass, more preferably 0.1 to 8 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polymer [A]. 0.3 mass part-5 mass parts are further more preferable.
[[E]フッ素原子含有重合体]
当該感放射線性樹脂組成物は、[E]フッ素原子含有重合体([A]重合体に該当するものを除く)を含有してもよい。当該感放射線性樹脂組成物が、[E]フッ素原子含有重合体を含有することで、レジスト膜を形成した際に、レジスト膜中の[E]フッ素原子含有重合体の撥油性的特徴により、その分布がレジスト膜表面近傍で偏在化する傾向があり、液浸露光時における酸発生剤や酸拡散制御剤等が液浸媒体に溶出することを抑制することができる。また、この[E]フッ素原子含有重合体の撥水性的特徴により、レジスト被膜と液浸媒体との前進接触角が所望の範囲に制御でき、バブル欠陥の発生を抑制できる。さらに、レジスト膜と液浸媒体との後退接触角が高くなり、水滴が残らずに高速でのスキャン露光が可能となる。このように当該感放射線性樹脂組成物が[E]フッ素原子含有重合体を含有することにより、液浸露光法に好適なレジスト被膜を形成することができる。
[[E] fluorine atom-containing polymer]
The radiation-sensitive resin composition may contain [E] fluorine atom-containing polymer (excluding those corresponding to [A] polymer). When the radiation sensitive resin composition contains the [E] fluorine atom-containing polymer, when the resist film is formed, due to the oil repellency characteristics of the [E] fluorine atom-containing polymer in the resist film, The distribution tends to be unevenly distributed in the vicinity of the resist film surface, and it is possible to suppress the elution of the acid generator, the acid diffusion controller, and the like during the immersion exposure into the immersion medium. Further, due to the water-repellent characteristics of the [E] fluorine atom-containing polymer, the advancing contact angle between the resist film and the immersion medium can be controlled within a desired range, and the occurrence of bubble defects can be suppressed. Furthermore, the receding contact angle between the resist film and the immersion medium is increased, and high-speed scanning exposure is possible without leaving water droplets. Thus, when the said radiation sensitive resin composition contains a [E] fluorine atom containing polymer, the resist film suitable for an immersion exposure method can be formed.
[E]フッ素原子含有重合体としては、フッ素原子を有する重合体である限り、特に限定されないが、当該感放射線性樹脂組成物中の[A]重合体よりも、フッ素原子含有率(質量%)が高いことが好ましい。[A]重合体よりもフッ素原子含有率が高いことで、上述の偏在化の度合いがより高くなり、得られるレジスト膜の撥水性及び溶出抑制性等の特性が向上する。 [E] The fluorine atom-containing polymer is not particularly limited as long as it is a polymer having a fluorine atom, but the fluorine atom content (mass%) than the [A] polymer in the radiation-sensitive resin composition. ) Is preferably high. [A] When the fluorine atom content is higher than that of the polymer, the degree of uneven distribution described above becomes higher, and characteristics such as water repellency and elution suppression of the resulting resist film are improved.
[E]フッ素原子含有重合体のフッ素原子含有率としては、1質量%以上が好ましく、2質量%〜60質量%がより好ましく、4質量%〜40質量%がさらに好ましく、7質量%〜30質量%が特に好ましい。[E]フッ素原子含有重合体のフッ素原子含有率が上記下限未満だと、レジスト膜表面の疎水性が低下する場合がある。なお、重合体のフッ素原子含有率(質量%)は、13C−NMRスペクトル測定により重合体の構造を求め、その構造から算出することができる。 [E] The fluorine atom content of the fluorine atom-containing polymer is preferably 1% by mass or more, more preferably 2% by mass to 60% by mass, further preferably 4% by mass to 40% by mass, and more preferably 7% by mass to 30%. Mass% is particularly preferred. [E] When the fluorine atom content of the fluorine atom-containing polymer is less than the lower limit, the hydrophobicity of the resist film surface may be lowered. In addition, the fluorine atom content rate (mass%) of a polymer can obtain | require the structure of a polymer by < 13 > C-NMR spectrum measurement, and can calculate it from the structure.
[E]フッ素原子含有重合体としては、下記構造単位(Ea)及び構造単位(Eb)からなる群より選ばれる少なくとも1種を有することが好ましい。[E]フッ素原子含有重合体は、構造単位(Ea)及び構造単位(Eb)をそれぞれ1種又は2種以上有していてもよい。 [E] The fluorine atom-containing polymer preferably has at least one selected from the group consisting of the following structural unit (Ea) and structural unit (Eb). [E] The fluorine atom-containing polymer may have one or more structural units (Ea) and structural units (Eb).
[構造単位(Ea)]
構造単位(Ea)は、下記式(6a)で表される構造単位である。[E]フッ素原子含有重合体は構造単位(Ea)を有することでフッ素原子含有率を調整することができる。
[Structural unit (Ea)]
The structural unit (Ea) is a structural unit represented by the following formula (6a). [E] A fluorine atom containing polymer can adjust a fluorine atom content rate by having a structural unit (Ea).
上記式(6a)中、RCは、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Gは、単結合、酸素原子、硫黄原子、−CO−O−、−SO2−O−NH−、−CO−NH−又は−O−CO−NH−である。RDは、少なくとも1個のフッ素原子を有する炭素数1〜6の1価の鎖状炭化水素基又は少なくとも1個のフッ素原子を有する炭素数4〜20の1価の脂肪族環状炭化水素基である。 In the above formula (6a), R C represents a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group. G is a single bond, an oxygen atom, a sulfur atom, —CO—O—, —SO 2 —O—NH—, —CO—NH— or —O—CO—NH—. R D is a monovalent chain hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms having at least one fluorine atom or a monovalent aliphatic cyclic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms having at least one fluorine atom. It is.
上記RDで表される少なくとも1個のフッ素原子を有する炭素数1〜6の鎖状炭化水素基としては、例えば、トリフルオロメチル基、2,2,2−トリフルオロエチル基、パーフルオロエチル基、2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル基、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロピル基、パーフルオロn−プロピル基、パーフルオロi−プロピル基、パーフルオロn−ブチル基、パーフルオロi−ブチル基、パーフルオロt−ブチル基、2,2,3,3,4,4,5,5−オクタフルオロペンチル基、パーフルオロヘキシル基等が挙げられる。これらの中で、トリフルオロメチル基、2,2,2−トリフルオロエチル基、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロピル基が好ましく、2,2,2−トリフルオロエチル基がより好ましい。 Examples of the C1-C6 chain hydrocarbon group having at least one fluorine atom represented by RD include, for example, a trifluoromethyl group, a 2,2,2-trifluoroethyl group, and perfluoroethyl. Group, 2,2,3,3,3-pentafluoropropyl group, 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropyl group, perfluoro n-propyl group, perfluoro i-propyl group, perfluoro Examples include n-butyl group, perfluoro i-butyl group, perfluoro t-butyl group, 2,2,3,3,4,4,5,5-octafluoropentyl group, perfluorohexyl group and the like. Among these, trifluoromethyl group, 2,2,2-trifluoroethyl group, 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropyl group are preferable, 2,2,2-trifluoroethyl group Is more preferable.
上記RDで表される少なくとも1個のフッ素原子を有する炭素数4〜20の脂肪族環状炭化水素基としては、例えば、モノフルオロシクロペンチル基、ジフルオロシクロペンチル基、パーフルオロシクロペンチル基、モノフルオロシクロヘキシル基、ジフルオロシクロペンチル基、パーフルオロシクロヘキシルメチル基、フルオロノルボルニル基、フルオロアダマンチル基、フルオロボルニル基、フルオロイソボルニル基、フルオロトリシクロデシル基、フルオロテトラシクロデシル基等が挙げられる。 Examples of the aliphatic cyclic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms having at least one fluorine atom represented by RD include a monofluorocyclopentyl group, a difluorocyclopentyl group, a perfluorocyclopentyl group, and a monofluorocyclohexyl group. , Difluorocyclopentyl group, perfluorocyclohexylmethyl group, fluoronorbornyl group, fluoroadamantyl group, fluorobornyl group, fluoroisobornyl group, fluorotricyclodecyl group, fluorotetracyclodecyl group and the like.
上記構造単位(Ea)を与える単量体としては、例えば、トリフルオロメチル(メタ)アクリル酸エステル、2,2,2−トリフルオロエチル(メタ)アクリル酸エステル、パーフルオロエチル(メタ)アクリル酸エステル、パーフルオロn−プロピル(メタ)アクリル酸エステル、パーフルオロi−プロピル(メタ)アクリル酸エステル、パーフルオロn−ブチル(メタ)アクリル酸エステル、パーフルオロi−ブチル(メタ)アクリル酸エステル、パーフルオロt−ブチル(メタ)アクリル酸エステル、2−(1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロピル)(メタ)アクリル酸エステル、1−(2,2,3,3,4,4,5,5−オクタフルオロペンチル)(メタ)アクリル酸エステル、パーフルオロシクロヘキシルメチル(メタ)アクリル酸エステル、1−(2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル)(メタ)アクリル酸エステル、モノフルオロシクロペンチル(メタ)アクリル酸エステル、ジフルオロシクロペンチル(メタ)アクリル酸エステル、パーフルオロシクロペンチル(メタ)アクリル酸エステル、モノフルオロシクロヘキシル(メタ)アクリル酸エステル、ジフルオロシクロペンチル(メタ)アクリル酸エステル、パーフルオロシクロヘキシルメチル(メタ)アクリル酸エステル、フルオロノルボルニル(メタ)アクリル酸エステル、フルオロアダマンチル(メタ)アクリル酸エステル、フルオロボルニル(メタ)アクリル酸エステル、フルオロイソボルニル(メタ)アクリル酸エステル、フルオロトリシクロデシル(メタ)アクリル酸エステル、フルオロテトラシクロデシル(メタ)アクリル酸エステル等が挙げられる。
これらの中で、トリフルオロメチル(メタ)アクリル酸エステル、2,2,2−トリフルオロエチル(メタ)アクリル酸エステル、2−(1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロピル)(メタ)アクリル酸エステルが好ましく、2,2,2−トリフルオロエチル(メタ)アクリル酸エステルがより好ましい。
Examples of the monomer that gives the structural unit (Ea) include trifluoromethyl (meth) acrylic acid ester, 2,2,2-trifluoroethyl (meth) acrylic acid ester, and perfluoroethyl (meth) acrylic acid. Ester, perfluoro n-propyl (meth) acrylate, perfluoro i-propyl (meth) acrylate, perfluoro n-butyl (meth) acrylate, perfluoro i-butyl (meth) acrylate, Perfluoro t-butyl (meth) acrylic acid ester, 2- (1,1,1,3,3,3-hexafluoropropyl) (meth) acrylic acid ester, 1- (2,2,3,3,4 , 4,5,5-octafluoropentyl) (meth) acrylic acid ester, perfluorocyclohexylmethyl (meth) Acrylic acid ester, 1- (2,2,3,3,3-pentafluoropropyl) (meth) acrylic acid ester, monofluorocyclopentyl (meth) acrylic acid ester, difluorocyclopentyl (meth) acrylic acid ester, perfluorocyclopentyl (Meth) acrylic acid ester, monofluorocyclohexyl (meth) acrylic acid ester, difluorocyclopentyl (meth) acrylic acid ester, perfluorocyclohexylmethyl (meth) acrylic acid ester, fluoronorbornyl (meth) acrylic acid ester, fluoroadamantyl (Meth) acrylic acid ester, fluorobornyl (meth) acrylic acid ester, fluoroisobornyl (meth) acrylic acid ester, fluorotricyclodecyl (meth) acrylic acid ester, Le Oro tetracyclododecene decyl (meth) acrylic acid ester.
Among these, trifluoromethyl (meth) acrylic acid ester, 2,2,2-trifluoroethyl (meth) acrylic acid ester, 2- (1,1,1,3,3,3-hexafluoropropyl) (Meth) acrylic acid esters are preferred, and 2,2,2-trifluoroethyl (meth) acrylic acid esters are more preferred.
構造単位(Ea)の含有割合としては、[E]フッ素原子含有重合体を構成する全構造単位に対して、5モル%〜80モル%が好ましく、10モル%〜60モル%がより好ましく、15モル%〜40モル%がさらに好ましい。構造単位(Ea)の含有割合を上記範囲とすることで、液浸露光時においてレジスト被膜表面のより高い動的接触角を発現させることができる。 As a content rate of a structural unit (Ea), 5 mol%-80 mol% are preferable with respect to all the structural units which comprise a [E] fluorine atom containing polymer, 10 mol%-60 mol% are more preferable, 15 mol%-40 mol% are more preferable. By making the content rate of a structural unit (Ea) into the said range, the higher dynamic contact angle of the resist film surface can be expressed at the time of immersion exposure.
[構造単位(Eb)]
構造単位(Eb)は、下記式(6b)で表される構造単位である。[E]フッ素原子含有重合体は、構造単位(Eb)を有することで疎水性が上がるため、当該感放射線性樹脂組成物から形成されたレジスト膜表面の動的接触角をさらに向上させることができる。
[Structural unit (Eb)]
The structural unit (Eb) is a structural unit represented by the following formula (6b). [E] Since the fluorine atom-containing polymer has a structural unit (Eb) and thus becomes more hydrophobic, it can further improve the dynamic contact angle of the resist film surface formed from the radiation-sensitive resin composition. it can.
上記式(6b)中、REは、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。R24は、炭素数1〜20の(s+1)価の炭化水素基であり、R24のR25側の末端に酸素原子、硫黄原子、−NR’−、カルボニル基、−CO−O−又は−CO−NH−が結合された構造のものも含む。R’は、水素原子又は1価の有機基である。R25は、単結合、炭素数1〜10の2価の鎖状炭化水素基又は炭素数4〜20の2価の脂肪族環状炭化水素基である。X2は、少なくとも1個のフッ素原子を有する炭素数1〜20の2価の鎖状炭化水素基である。A1は、酸素原子、−NR”−、−CO−O−*又は−SO2−O−*である。R”は、水素原子又は1価の有機基である。*は、R26に結合する結合部位を示す。R26は、水素原子又は1価の有機基である。sは、1〜3の整数である。但し、sが2又は3の場合、複数のR25、X2、A1及びR26はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。 In the above formula (6b), R E is a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group. R 24 is a (s + 1) -valent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, and an oxygen atom, a sulfur atom, —NR′—, a carbonyl group, —CO—O—, or a terminal on the R 25 side of R 24 Also includes a structure in which —CO—NH— is bonded. R ′ is a hydrogen atom or a monovalent organic group. R 25 is a single bond, a divalent chain hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, or a divalent aliphatic cyclic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms. X 2 is a divalent chain hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms and having at least one fluorine atom. A 1 is an oxygen atom, —NR ″ —, —CO—O— *, or —SO 2 —O— *. R ″ is a hydrogen atom or a monovalent organic group. * Indicates a binding site that binds to R 26. R 26 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group. s is an integer of 1 to 3. However, when s is 2 or 3, a plurality of R 25 , X 2 , A 1 and R 26 may be the same or different.
上記R26が水素原子であると、[E]フッ素原子含有重合体のアルカリ現像液に対する溶解性を向上させることができる点で好ましい。 It is preferable that R 26 is a hydrogen atom in that the solubility of the [E] fluorine atom-containing polymer in an alkali developer can be improved.
上記R26で表される1価の有機基としては、例えば、酸解離性基、アルカリ解離性基又は置換基を有していてもよい炭素数1〜30の炭化水素基等が挙げられる。 Examples of the monovalent organic group represented by R 26 include an acid dissociable group, an alkali dissociable group, or a hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms which may have a substituent.
上記構造単位(Eb)としては、例えば、下記式(6b−1)〜(6b−3)で表される構造単位等が挙げられる。 Examples of the structural unit (Eb) include structural units represented by the following formulas (6b-1) to (6b-3).
上記式(6b−1)〜(6b−3)中、R24’は、炭素数1〜20の2価の直鎖状、分岐状若しくは環状の飽和若しくは不飽和の炭化水素基である。RE、X2、R26及びsは、上記式(6b)と同義である。sが2又は3である場合、複数のX2及びR26はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。 In the above formulas (6b-1) to (6b-3), R 24 ′ is a divalent linear, branched or cyclic saturated or unsaturated hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms. R E , X 2 , R 26 and s are as defined in the above formula (6b). When s is 2 or 3, the plurality of X 2 and R 26 may be the same or different.
上記構造単位(Eb)の含有割合としては、[E]フッ素原子含有重合体を構成する全構造単位に対して、0モル%〜90モル%が好ましく、0モル%〜80モル%がより好ましく、10モル%〜70モル%がさらに好ましい。構造単位(Eb)の含有割合を上記範囲とすることで、当該感放射線性樹脂組成物から形成されたレジスト膜表面は、アルカリ現像において動的接触角の低下度を向上させることができる。 As a content rate of the said structural unit (Eb), 0 mol%-90 mol% are preferable with respect to all the structural units which comprise a [E] fluorine atom containing polymer, and 0 mol%-80 mol% are more preferable. 10 mol%-70 mol% are more preferable. By making the content rate of a structural unit (Eb) into the said range, the resist film surface formed from the said radiation sensitive resin composition can improve the fall degree of a dynamic contact angle in alkali image development.
[構造単位(Ec)]
[E]フッ素原子含有重合体は、上記構造単位(Ea)及び(Eb)以外にも、酸解離性基を含む構造単位(以下、「構造単位(Ec)」ともいう。)を有してもよい(但し、構造単位(Eb)に該当するものを除く)。[E]フッ素原子含有重合体が構造単位(Ec)を有することで、レジスト膜中の[E]フッ素原子含有重合体の現像液への溶け残りを抑制することができ、その結果、得られるレジストパターンの現像欠陥の発生を抑制することができる。構造単位(Ec)としては、上述した[A]重合体における構造単位(I)等が挙げられる。
[Structural unit (Ec)]
[E] In addition to the structural units (Ea) and (Eb), the fluorine atom-containing polymer has a structural unit containing an acid-dissociable group (hereinafter also referred to as “structural unit (Ec)”). (However, those corresponding to the structural unit (Eb) are excluded). [E] Since the fluorine atom-containing polymer has the structural unit (Ec), it is possible to suppress undissolved residue of the [E] fluorine atom-containing polymer in the resist film in the developer, and as a result, Occurrence of development defects in the resist pattern can be suppressed. Examples of the structural unit (Ec) include the structural unit (I) in the above-described [A] polymer.
上記構造単位(Ec)の含有割合としては、[E]フッ素原子含有重合体を構成する全構造単位に対し、10モル%〜90モル%が好ましく、20モル%〜85モル%がより好ましく、25モル%〜80モル%がさらに好ましい。構造単位(Ec)の含有割合が上記下限未満だと、レジストパターンにおける現像欠陥の発生を十分に抑制できない場合がある。構造単位(Ec)の含有割合が上記上限を超えると、得られるレジスト膜表面の疎水性が低下する場合がある。 As a content rate of the said structural unit (Ec), 10 mol%-90 mol% are preferable with respect to all the structural units which comprise a [E] fluorine atom containing polymer, 20 mol%-85 mol% are more preferable, More preferably, it is 25 mol% to 80 mol%. If the content ratio of the structural unit (Ec) is less than the lower limit, development defects in the resist pattern may not be sufficiently suppressed. When the content ratio of the structural unit (Ec) exceeds the above upper limit, the hydrophobicity of the resulting resist film surface may be lowered.
[他の構造単位]
また、[E]フッ素原子含有重合体は、上記構造単位以外にも、例えば、アルカリ可溶性基を含む構造単位、ラクトン構造、環状カーボネート構造及びスルトン構造からなる群より選ばれる少なくとも1種の構造を含む構造単位、非酸解離性の脂環式基を含む構造単位等の他の構造単位を有していてもよい。上記アルカリ可溶性基としては、例えば、カルボキシ基、スルホンアミド基、スルホ基等が挙げられる。ラクトン構造、環状カーボネート構造及びスルトン構造からなる群より選ばれる少なくとも1種の構造を有する構造単位としては、上述した[A]重合体における構造単位(II)等が挙げられる。
[Other structural units]
[E] In addition to the above structural units, the [E] fluorine atom-containing polymer has, for example, at least one structure selected from the group consisting of a structural unit containing an alkali-soluble group, a lactone structure, a cyclic carbonate structure, and a sultone structure. You may have other structural units, such as a structural unit containing and a structural unit containing a non-acid dissociable alicyclic group. As said alkali-soluble group, a carboxy group, a sulfonamide group, a sulfo group etc. are mentioned, for example. Examples of the structural unit having at least one structure selected from the group consisting of a lactone structure, a cyclic carbonate structure and a sultone structure include the structural unit (II) in the above-mentioned [A] polymer.
上記他の構造単位の含有割合としては、[E]フッ素原子含有重合体を構成する全構造単位に対して、通常30モル%以下であり、20モル%以下が好ましい。上記他の構造単位の含有割合が上記上限を超えると、当該感放射線性樹脂組成物のパターン形成性が低下する場合がある。 As a content rate of said other structural unit, it is 30 mol% or less normally with respect to all the structural units which comprise a [E] fluorine atom containing polymer, and 20 mol% or less is preferable. When the content rate of said other structural unit exceeds the said upper limit, the pattern formation property of the said radiation sensitive resin composition may fall.
当該感放射線性樹脂組成物における[E]フッ素原子含有重合体の含有量としては、[A]重合体の100質量部に対して、0〜20質量部が好ましく、0.5質量部〜15質量部がより好ましく、1質量部〜10質量部がさらに好ましい。[E]フッ素原子含有重合体の含有量が上記上限を超えると、当該感放射線性樹脂組成物のパターン形成性が低下する場合がある。 As content of the [E] fluorine atom containing polymer in the said radiation sensitive resin composition, 0-20 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of [A] polymer, and 0.5 mass part-15 parts. A mass part is more preferable, and 1 mass part-10 mass parts are still more preferable. [E] If the content of the fluorine atom-containing polymer exceeds the above upper limit, the pattern-forming property of the radiation-sensitive resin composition may be lowered.
<[F]溶媒>
当該感放射線性樹脂組成物は、通常、[F]溶媒を含有する。[F]溶媒は、少なくとも[A]重合体、[B]酸発生体及び[C]酸拡散制御剤、並びに所望により含有される[D]他の酸拡散制御体等を溶解又は分散可能な溶媒であれば特に限定されない。
<[F] solvent>
The radiation-sensitive resin composition usually contains a [F] solvent. [F] Solvent can dissolve or disperse at least [A] polymer, [B] acid generator and [C] acid diffusion controller, and [D] other acid diffusion controller contained as desired. If it is a solvent, it will not specifically limit.
[F]溶媒としては、例えば、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、ケトン系有機溶媒、アミド系溶媒、エステル系有機溶媒、炭化水素系溶媒等が挙げられる。 [F] Examples of the solvent include alcohol solvents, ether solvents, ketone organic solvents, amide solvents, ester organic solvents, hydrocarbon solvents, and the like.
アルコール系溶媒としては、例えば、
メタノール、エタノール、n−プロパノール、iso−プロパノール、n−ブタノール、iso−ブタノール、sec−ブタノール、tert−ブタノール、n−ペンタノール、iso−ペンタノール、2−メチルブタノール、sec−ペンタノール、tert−ペンタノール、3−メトキシブタノール、n−ヘキサノール、2−メチルペンタノール、sec−ヘキサノール、2−エチルブタノール、sec−ヘプタノール、3−ヘプタノール、n−オクタノール、2−エチルヘキサノール、sec−オクタノール、n−ノニルアルコール、2,6−ジメチル−4−ヘプタノール、n−デカノール、sec−ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、sec−テトラデシルアルコール、sec−ヘプタデシルアルコール、フルフリルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、3,3,5−トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコール等のモノアルコール系溶媒;
エチレングリコール、1,2−プロピレングリコール、1,3−ブチレングリコール、2,4−ペンタンジオール、2−メチル−2,4−ペンタンジオール、2,5−ヘキサンジオール、2,4−ヘプタンジオール、2−エチル−1,3−ヘキサンジオール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等の多価アルコール系溶媒;
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ−2−エチルブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル等の多価アルコール部分エーテル系溶媒等が挙げられる。
As an alcohol solvent, for example,
Methanol, ethanol, n-propanol, iso-propanol, n-butanol, iso-butanol, sec-butanol, tert-butanol, n-pentanol, iso-pentanol, 2-methylbutanol, sec-pentanol, tert- Pentanol, 3-methoxybutanol, n-hexanol, 2-methylpentanol, sec-hexanol, 2-ethylbutanol, sec-heptanol, 3-heptanol, n-octanol, 2-ethylhexanol, sec-octanol, n- Nonyl alcohol, 2,6-dimethyl-4-heptanol, n-decanol, sec-undecyl alcohol, trimethylnonyl alcohol, sec-tetradecyl alcohol, sec-heptadecyl alcohol, furf Alcohol, phenol, cyclohexanol, methyl cyclohexanol, 3,3,5-trimethyl cyclohexanol, benzyl alcohol, mono-alcohol solvents such as diacetone alcohol;
Ethylene glycol, 1,2-propylene glycol, 1,3-butylene glycol, 2,4-pentanediol, 2-methyl-2,4-pentanediol, 2,5-hexanediol, 2,4-heptanediol, 2 -Polyhydric alcohol solvents such as ethyl-1,3-hexanediol, diethylene glycol, dipropylene glycol, triethylene glycol, tripropylene glycol;
Ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monohexyl ether, ethylene glycol monophenyl ether, ethylene glycol mono-2-ethylbutyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl Ether, diethylene glycol monopropyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monohexyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol Monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, polyhydric alcohol partial ether solvents such as dipropylene glycol monopropyl ether.
エーテル系溶媒としては、例えば、
ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル等のジアルキルエーテル系溶媒;
テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等の環状エーテル系溶媒;
ジフェニルエーテル、アニソール(メチルフェニルエーテル)等の芳香環含有エーテル系溶媒等が挙げられる。
As an ether solvent, for example,
Dialkyl ether solvents such as diethyl ether, dipropyl ether, dibutyl ether;
Cyclic ether solvents such as tetrahydrofuran and tetrahydropyran;
Aromatic ring-containing ether solvents such as diphenyl ether and anisole (methylphenyl ether) are exemplified.
ケトン系溶媒としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチル−n−プロピルケトン、メチル−n−ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル−iso−ブチルケトン、2−ヘプタノン(メチル−n−ペンチルケトン)、エチル−n−ブチルケトン、メチル−n−ヘキシルケトン、ジ−iso−ブチルケトン、トリメチルノナノン等の鎖状ケトン系溶媒:
シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シクロオクタノン、メチルシクロヘキサノン等の環状ケトン系溶媒:
2,4−ペンタンジオン、アセトニルアセトン、アセトフェノン等が挙げられる。
Examples of the ketone solvent include acetone, methyl ethyl ketone, methyl-n-propyl ketone, methyl-n-butyl ketone, diethyl ketone, methyl-iso-butyl ketone, 2-heptanone (methyl-n-pentyl ketone), and ethyl-n-butyl ketone. Chain ketone solvents such as methyl-n-hexyl ketone, di-iso-butyl ketone and trimethylnonanone:
Cyclic ketone solvents such as cyclopentanone, cyclohexanone, cycloheptanone, cyclooctanone and methylcyclohexanone:
2,4-pentanedione, acetonylacetone, acetophenone and the like can be mentioned.
アミド系溶媒としては、例えばN,N’−ジメチルイミダゾリジノン、N−メチルピロリドン等の環状アミド系溶媒;
N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルムアミド、アセトアミド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルプロピオンアミド等の鎖状アミド系溶媒等が挙げられる。
Examples of the amide solvent include cyclic amide solvents such as N, N′-dimethylimidazolidinone and N-methylpyrrolidone;
Examples thereof include chain amide solvents such as N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N, N-diethylformamide, acetamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, and N-methylpropionamide.
エステル系溶媒としては、例えば、
酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n−プロピル、酢酸iso−プロピル、酢酸n−ブチル、酢酸iso−ブチル、酢酸sec−ブチル、酢酸n−ペンチル、酢酸i−ペンチル、酢酸sec−ペンチル、酢酸3−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸2−エチルブチル、酢酸2−エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸n−ノニル等の酢酸エステル系溶媒;
エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノ−n−ブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等の多価アルコール部分エーテルアセテート系溶媒;
ジエチルカーボネート等のカーボネート系溶媒;
ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸n−ブチル、プロピオン酸iso−アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ−n−ブチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n−ブチル、乳酸n−アミル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチルなどが挙げられる。
Examples of ester solvents include:
Methyl acetate, ethyl acetate, n-propyl acetate, iso-propyl acetate, n-butyl acetate, iso-butyl acetate, sec-butyl acetate, n-pentyl acetate, i-pentyl acetate, sec-pentyl acetate, 3-methoxy acetate Acetate solvents such as butyl, methylpentyl acetate, 2-ethylbutyl acetate, 2-ethylhexyl acetate, benzyl acetate, cyclohexyl acetate, methylcyclohexyl acetate, and n-nonyl acetate;
Ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol mono-n-butyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether Polyhydric alcohol partial ether acetate solvents such as acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate, dipropylene glycol monomethyl ether acetate, dipropylene glycol monoethyl ether acetate;
Carbonate solvents such as diethyl carbonate;
Glycol acetate, methoxytriglycol acetate, ethyl propionate, n-butyl propionate, iso-amyl propionate, diethyl oxalate, di-n-butyl oxalate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, methyl lactate, ethyl lactate N-butyl lactate, n-amyl lactate, diethyl malonate, dimethyl phthalate, diethyl phthalate and the like.
炭化水素系溶媒としては、例えば
n−ペンタン、iso−ペンタン、n−ヘキサン、iso−ヘキサン、n−ヘプタン、iso−ヘプタン、2,2,4−トリメチルペンタン、n−オクタン、iso−オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒;
ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メチルエチルベンゼン、n−プロピルベンゼン、iso−プロピルベンゼン、ジエチルベンゼン、iso−ブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジ−iso−プロピルベンセン、n−アミルナフタレン等の芳香族炭化水素系溶媒等が挙げられる。
Examples of the hydrocarbon solvent include n-pentane, iso-pentane, n-hexane, iso-hexane, n-heptane, iso-heptane, 2,2,4-trimethylpentane, n-octane, iso-octane, and cyclohexane. , Aliphatic hydrocarbon solvents such as methylcyclohexane;
Fragrances such as benzene, toluene, xylene, mesitylene, ethylbenzene, trimethylbenzene, methylethylbenzene, n-propylbenzene, iso-propylbenzene, diethylbenzene, iso-butylbenzene, triethylbenzene, di-iso-propylbenzene and n-amylnaphthalene Group hydrocarbon solvents and the like.
これらの中で、エステル系溶媒、ケトン系溶媒が好ましく、多価アルコール部分エーテルアセテート系溶媒、環状ケトン系溶媒がより好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノンがさらに好ましい。当該感放射線性樹脂組成物は、[F]溶媒を1種又は2種以上含有していてもよい。 Among these, ester solvents and ketone solvents are preferable, polyhydric alcohol partial ether acetate solvents and cyclic ketone solvents are more preferable, and propylene glycol monomethyl ether acetate and cyclohexanone are further preferable. The radiation-sensitive resin composition may contain one or more [F] solvents.
[その他の任意成分]
当該感放射線性樹脂組成物は、上記[A]〜[F]以外にも、その他の任意成分を含有していてもよい。上記その他の任意成分としては、例えば、偏在化促進剤、界面活性剤、脂環式骨格含有化合物、増感剤等が挙げられる。これらのその他の任意成分は、それぞれ1種又は2種以上を併用してもよい。
[Other optional ingredients]
The said radiation sensitive resin composition may contain other arbitrary components other than said [A]-[F]. Examples of the other optional components include uneven distribution accelerators, surfactants, alicyclic skeleton-containing compounds, and sensitizers. Each of these other optional components may be used alone or in combination of two or more.
(偏在化促進剤)
偏在化促進剤は、[E]フッ素原子含有重合体を、より効率的にレジスト膜表面に偏析させる効果を有するものである。当該感放射線性樹脂組成物にこの偏在化促進剤を含有させることで[E]フッ素原子含有重合体の添加量を従来よりも少なくすることができる。従って断面形状の矩形性、LWR性能、解像性及び焦点深度等の特性を損なうことなく、レジスト膜から液浸液への成分の溶出をさらに抑制したり、高速スキャンにより液浸露光をより高速に行うことが可能になり、結果としてウォーターマーク欠陥等の液浸由来欠陥を抑制するレジスト膜表面の疎水性を向上させることができる。このような偏在化促進剤として用いることができるものとしては、比誘電率が30以上200以下で、1気圧における沸点が100℃以上の低分子化合物を挙げることができる。このような化合物としては、具体的には、ラクトン化合物、カーボネート化合物、ニトリル化合物、多価アルコール等が挙げられる。
(Uniformity promoting agent)
The uneven distribution accelerator has the effect of segregating the [E] fluorine atom-containing polymer more efficiently on the resist film surface. The amount of the [E] fluorine atom-containing polymer added can be reduced by adding this uneven distribution accelerator to the radiation sensitive resin composition. Therefore, elution of components from the resist film to the immersion liquid can be further suppressed without impairing the cross-sectional rectangularity, LWR performance, resolution, depth of focus, and other characteristics, and immersion exposure can be performed at a higher speed by high-speed scanning. As a result, the hydrophobicity of the resist film surface that suppresses immersion-derived defects such as watermark defects can be improved. Examples of such an uneven distribution promoter include low molecular compounds having a relative dielectric constant of 30 or more and 200 or less and a boiling point at 1 atm of 100 ° C. or more. Specific examples of such compounds include lactone compounds, carbonate compounds, nitrile compounds, and polyhydric alcohols.
上記ラクトン化合物としては、例えば、γ−ブチロラクトン、バレロラクトン、メバロニックラクトン、ノルボルナンラクトン等が挙げられる。 Examples of the lactone compound include γ-butyrolactone, valerolactone, mevalonic lactone, norbornane lactone, and the like.
上記カーボネート化合物としては、例えば、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネート、ブチレンカーボネート、ビニレンカーボネート等が挙げられる。 Examples of the carbonate compound include propylene carbonate, ethylene carbonate, butylene carbonate, vinylene carbonate, and the like.
上記ニトリル化合物としては、例えば、スクシノニトリル等が挙げられる。
上記多価アルコールとしては、例えば、グリセリン等が挙げられる。
Examples of the nitrile compound include succinonitrile.
Examples of the polyhydric alcohol include glycerin.
偏在化促進剤としては、これらの中で、ラクトン化合物が好ましく、γ−ブチロラクトンがより好ましい。 Of these, the ubiquitous accelerator is preferably a lactone compound, and more preferably γ-butyrolactone.
当該感放射線性樹脂組成物における偏在化促進剤の含有量としては、重合体の総量100質量部に対して、10質量部〜500質量部が好ましく、15質量部〜300質量部がより好ましく、20質量部〜100質量部がさらに好ましい。 As content of the uneven distribution promoter in the said radiation sensitive resin composition, 10 mass parts-500 mass parts are preferable with respect to 100 mass parts of total amounts of a polymer, 15 mass parts-300 mass parts are more preferable, 20 mass parts-100 mass parts are more preferable.
(界面活性剤)
界面活性剤は、塗布性、ストリエーション、現像性等を改良する効果を奏する。界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンn−オクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンn−ノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等のノニオン系界面活性剤;市販品としては、KP341(信越化学工業製)、ポリフローNo.75、同No.95(以上、共栄社化学製)、エフトップEF301、同EF303、同EF352(以上、トーケムプロダクツ製)、メガファックF171、同F173(以上、DIC製)、フロラードFC430、同FC431(以上、住友スリーエム製)、アサヒガードAG710、サーフロンS−382、同SC−101、同SC−102、同SC−103、同SC−104、同SC−105、同SC−106(以上、旭硝子製)等が挙げられる。当該感放射線性樹脂組成物における界面活性剤の含有量としては、[A]重合体100質量部に対して通常2質量部以下である。
(Surfactant)
Surfactants have the effect of improving coatability, striation, developability, and the like. Examples of the surfactant include polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene n-octylphenyl ether, polyoxyethylene n-nonylphenyl ether, polyethylene glycol dilaurate, polyethylene glycol diacrylate. Nonionic surfactants such as stearate; commercially available products include KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), Polyflow No. 75, no. 95 (above, manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.), F-top EF301, EF303, EF352 (above, manufactured by Tochem Products), MegaFuck F171, F173 (above, manufactured by DIC), Florard FC430, FC431 (above, Sumitomo 3M) Asahi Guard AG710, Surflon S-382, SC-101, SC-102, SC-103, SC-104, SC-105, SC-106 (above, manufactured by Asahi Glass), etc. It is done. As content of surfactant in the said radiation sensitive resin composition, it is 2 mass parts or less normally with respect to 100 mass parts of [A] polymers.
(脂環式骨格含有化合物)
脂環式骨格含有化合物は、ドライエッチング耐性、パターン形状、基板との接着性等を改善する効果を奏する。
(Alicyclic skeleton-containing compound)
The alicyclic skeleton-containing compound has an effect of improving dry etching resistance, pattern shape, adhesion to the substrate, and the like.
脂環式骨格含有化合物としては、例えば
1−アダマンタンカルボン酸、2−アダマンタノン、1−アダマンタンカルボン酸t−ブチル等のアダマンタン誘導体類;
デオキシコール酸t−ブチル、デオキシコール酸t−ブトキシカルボニルメチル、デオキシコール酸2−エトキシエチル等のデオキシコール酸エステル類;
リトコール酸t−ブチル、リトコール酸t−ブトキシカルボニルメチル、リトコール酸2−エトキシエチル等のリトコール酸エステル類;
3−〔2−ヒドロキシ−2,2−ビス(トリフルオロメチル)エチル〕テトラシクロ[4.4.0.12,5.17,10]ドデカン、2−ヒドロキシ−9−メトキシカルボニル−5−オキソ−4−オキサ−トリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン等が挙げられる。当該感放射線性樹脂組成物における脂環式骨格含有化合物の含有量としては、[A]重合体100質量部に対して通常5質量部以下である。
Examples of the alicyclic skeleton-containing compound include adamantane derivatives such as 1-adamantanecarboxylic acid, 2-adamantanone, and 1-adamantanecarboxylic acid t-butyl;
Deoxycholic acid esters such as t-butyl deoxycholate, t-butoxycarbonylmethyl deoxycholic acid, 2-ethoxyethyl deoxycholic acid;
Lithocholic acid esters such as t-butyl lithocholic acid, t-butoxycarbonylmethyl lithocholic acid, 2-ethoxyethyl lithocholic acid;
3- [2-Hydroxy-2,2-bis (trifluoromethyl) ethyl] tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodecane, 2-hydroxy-9-methoxycarbonyl-5-oxo-4-oxa-tricyclo [4.2.1.0 3,7 ] nonane, and the like. As content of the alicyclic skeleton containing compound in the said radiation sensitive resin composition, it is 5 mass parts or less normally with respect to 100 mass parts of [A] polymers.
(増感剤)
増感剤は、[B]酸発生剤等からの酸の生成量を増加する作用を示すものであり、当該感放射線性樹脂組成物の「みかけの感度」を向上させる効果を奏する。
(Sensitizer)
A sensitizer exhibits the effect | action which increases the production amount of the acid from [B] acid generator etc., and there exists an effect which improves the "apparent sensitivity" of the said radiation sensitive resin composition.
増感剤としては、例えばカルバゾール類、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、ナフタレン類、フェノール類、ビアセチル、エオシン、ローズベンガル、ピレン類、アントラセン類、フェノチアジン類等が挙げられる。これらの増感剤は、単独で使用してもよく2種以上を併用してもよい。当該感放射線性樹脂組成物における増感剤の含有量としては、[A]重合体100質量部に対して通常2質量部以下である。 Examples of the sensitizer include carbazoles, acetophenones, benzophenones, naphthalenes, phenols, biacetyl, eosin, rose bengal, pyrenes, anthracenes, phenothiazines and the like. These sensitizers may be used alone or in combination of two or more. As content of the sensitizer in the said radiation sensitive resin composition, it is 2 mass parts or less normally with respect to 100 mass parts of [A] polymers.
<感放射線性樹脂組成物の調製方法>
当該感放射線性樹脂組成物は、例えば、[A]重合体、[B]酸発生体、[C]酸拡散制御剤、必要に応じて含有される任意成分及び[F]溶媒を所定の割合で混合することにより調製できる。当該感放射線性樹脂組成物は、混合後に、例えば、孔径0.2μm程度のフィルター等でろ過することが好ましい。当該感放射線性樹脂組成物の固形分濃度としては、0.1質量%〜50質量%が好ましく、0.5質量%〜30質量%がより好ましく、1質量%〜20質量%がさらに好ましい。
<Method for preparing radiation-sensitive resin composition>
The radiation-sensitive resin composition includes, for example, a predetermined ratio of [A] polymer, [B] acid generator, [C] acid diffusion controller, optional component contained as necessary, and [F] solvent. Can be prepared by mixing. The radiation-sensitive resin composition is preferably filtered after mixing with, for example, a filter having a pore size of about 0.2 μm. As solid content concentration of the said radiation sensitive resin composition, 0.1 mass%-50 mass% are preferable, 0.5 mass%-30 mass% are more preferable, 1 mass%-20 mass% are more preferable.
<レジストパターン形成方法>
当該レジストパターンの形成方法は、
(1)当該感放射線性樹脂組成物を用いて、基板上にレジスト膜を形成する工程、
(2)上記レジスト膜を露光する工程、及び
(3)上記露光されたレジスト膜を現像する工程
を有する。
<Resist pattern formation method>
The resist pattern forming method is:
(1) A step of forming a resist film on a substrate using the radiation sensitive resin composition,
(2) a step of exposing the resist film; and (3) a step of developing the exposed resist film.
当該レジストパターン形成方法によれば、上述した当該感放射線性樹脂組成物を用いているので、広い焦点深度を発揮しつつ、LWRが小さく、断面形状の矩形性に優れかつ高い解像度のレジストパターンを形成することができる。以下、各工程について説明する。 According to the resist pattern forming method, since the radiation-sensitive resin composition described above is used, a resist pattern having a high LDO with a small LWR, excellent cross-sectional rectangularity, and high resolution while exhibiting a wide depth of focus. Can be formed. Hereinafter, each step will be described.
[(1)工程]
(1)工程では、当該感放射線性樹脂組成物を用いて、レジスト膜を形成する。レジスト膜を形成する基板としては、例えば、シリコンウェハ、二酸化シリコン、反射防止膜で被覆されたウェハ等が挙げられる。感放射線性樹脂組成物の塗布方法としては、例えば、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の方法が挙げられる。上記塗布により形成された塗膜をプレベーク(PB)することにより塗膜中の溶媒を蒸発除去することが好ましい。PB温度としては、通常60℃〜140℃であり、80℃〜120℃が好ましい。PB時間としては、通常5秒〜600秒であり、10秒〜300秒が好ましい。
[(1) Process]
In step (1), a resist film is formed using the radiation-sensitive resin composition. Examples of the substrate on which the resist film is formed include a silicon wafer, silicon dioxide, a wafer coated with an antireflection film, and the like. Examples of the method for applying the radiation sensitive resin composition include methods such as spin coating, cast coating, and roll coating. It is preferable to evaporate and remove the solvent in the coating film by pre-baking (PB) the coating film formed by the above application. As PB temperature, it is 60 to 140 degreeC normally, and 80 to 120 degreeC is preferable. The PB time is usually 5 seconds to 600 seconds, and preferably 10 seconds to 300 seconds.
[(2)工程]
(2)工程では、(1)工程で形成されたレジスト膜を露光する。この露光は、フォトマスク等(場合によっては、水等の液浸媒体を介して)を介して露光光を照射して行う。露光光としては、目的とするパターンの線幅に応じて、例えば、可視光線、紫外線、遠紫外線、極端紫外線、X線、γ線等の電磁波;電子線、α線等の荷電粒子線などが挙げられる。これらの中でも、遠紫外線、極端紫外線、電子線が好ましく、ArFエキシマレーザー光(波長193nm)、KrFエキシマレーザー光(波長248nm)、EUV(13.5nm)、電子線がより好ましく、ArFエキシマレーザー光、電子線がさらに好ましい。
[(2) Process]
In the step (2), the resist film formed in the step (1) is exposed. This exposure is performed by irradiating exposure light through a photomask or the like (in some cases through an immersion medium such as water). Examples of exposure light include electromagnetic waves such as visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, extreme ultraviolet light, X-rays, and γ rays; and charged particle beams such as electron beams and α-rays, depending on the line width of the target pattern. Can be mentioned. Among these, far ultraviolet rays, extreme ultraviolet rays, and electron beams are preferable, ArF excimer laser light (wavelength 193 nm), KrF excimer laser light (wavelength 248 nm), EUV (13.5 nm), and electron beams are more preferable, and ArF excimer laser light. An electron beam is more preferable.
上記露光の後、ポストエクスポージャーベーク(PEB)を行い、レジスト膜の露光された部分において、露光により[B]酸発生体から発生した酸による[A]重合体の酸解離性基の解離を促進させることが好ましい。このPEBによって、露光された部分(露光部)と露光されていない部分(未露光部)の現像液に対する溶解性の差を確実に生じさせることができる。PEB温度としては、通常50℃〜180℃であり、80℃〜130℃が好ましい。PEB時間としては、通常5秒〜600秒であり、10秒〜300秒が好ましい。 After the above exposure, post-exposure baking (PEB) is performed to promote dissociation of the acid-dissociable group of the [A] polymer by the acid generated from the [B] acid generator by the exposure in the exposed portion of the resist film. It is preferable to make it. This PEB can surely cause a difference in solubility in the developer between the exposed portion (exposed portion) and the unexposed portion (unexposed portion). As PEB temperature, it is 50 to 180 degreeC normally, and 80 to 130 degreeC is preferable. The PEB time is usually 5 seconds to 600 seconds, and preferably 10 seconds to 300 seconds.
液浸露光を行う場合は、(2)工程の前に、液浸液とレジスト膜との直接の接触を保護するために、液浸液に不溶性の液浸用保護膜をレジスト膜上に設けてもよい。液浸用保護膜としては、(3)工程の前に溶媒により剥離する溶媒剥離型保護膜(例えば特開2006−227632号公報参照)、(3)工程の現像と同時に剥離する現像液剥離型保護膜(例えばWO2005−069076号公報、WO2006−035790号公報参照)のいずれを用いてもよい。但し、スループットの観点からは、現像液剥離型液浸用保護膜を用いることが好ましい。 When performing immersion exposure, before the step (2), in order to protect the direct contact between the immersion liquid and the resist film, an immersion protective film insoluble in the immersion liquid is provided on the resist film. May be. Examples of the immersion protective film include a solvent peeling type protective film that peels off with a solvent before the step (3) (see, for example, JP-A-2006-227632), and a developer peeling type that peels off simultaneously with the development in the step (3). Any of the protective films (see, for example, WO2005-069076 and WO2006-035790) may be used. However, from the viewpoint of throughput, it is preferable to use a developer peeling type immersion protective film.
[(3)工程]
(3)工程では、(2)工程で露光されたレジスト膜を現像する。これにより、所定のレジストパターンが形成される。上記現像の方法としては、アルカリ現像でも、有機溶媒現像でもよい。通常、アルカリ現像によりポジ型のレジストパターンが、有機溶媒現像によって、ネガ型のレジストパターンが形成される。上記現像後は、水又はアルコール等のリンス液で洗浄し、乾燥することが一般的である。
[(3) Process]
In step (3), the resist film exposed in step (2) is developed. Thereby, a predetermined resist pattern is formed. The development method may be alkali development or organic solvent development. Usually, a positive resist pattern is formed by alkali development, and a negative resist pattern is formed by organic solvent development. After the development, it is common to wash with water or a rinse solution such as alcohol and dry.
上記現像液としては、
アルカリ現像の場合、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、けい酸ナトリウム、メタけい酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、n−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、エチルジメチルアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)、ピロール、ピペリジン、コリン、1,8−ジアザビシクロ−[5.4.0]−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシクロ−[4.3.0]−5−ノネン等のアルカリ性化合物の少なくとも1種を溶解したアルカリ水溶液等が挙げられる。これらの中でも、TMAH水溶液が好ましく、2.38質量%TMAH水溶液がより好ましい。
また、有機溶媒現像の場合、炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒、アルコール系溶媒等の有機溶媒、又は有機溶媒を含有する溶媒が挙げられる。上記有機溶媒としては、例えば、上述の感放射線性樹脂組成物の[F]溶媒として列挙した溶媒の1種又は2種以上等が挙げられる。これらの中でも、エステル系溶媒、ケトン系溶媒が好ましい。エステル系溶媒としては、酢酸エステル系溶媒が好ましく、酢酸n−ブチルがより好ましい。ケトン系溶媒としては、鎖状ケトンが好ましく、2−ヘプタノンがより好ましい。
As the developer,
In the case of alkali development, for example, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, aqueous ammonia, ethylamine, n-propylamine, diethylamine, di-n-propylamine, triethylamine, methyldiethylamine , Ethyldimethylamine, triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide (TMAH), pyrrole, piperidine, choline, 1,8-diazabicyclo- [5.4.0] -7-undecene, 1,5-diazabicyclo- [4 .3.0] -5 aqueous solution in which at least one alkaline compound such as 5-nonene is dissolved. Among these, a TMAH aqueous solution is preferable, and a 2.38 mass% TMAH aqueous solution is more preferable.
In the case of organic solvent development, organic solvents such as hydrocarbon solvents, ether solvents, ester solvents, ketone solvents, alcohol solvents, etc., or solvents containing organic solvents can be mentioned. As said organic solvent, the 1 type (s) or 2 or more types of the solvent enumerated as [F] solvent of the above-mentioned radiation sensitive resin composition are mentioned, for example. Among these, ester solvents and ketone solvents are preferable. As the ester solvent, an acetate solvent is preferable, and n-butyl acetate is more preferable. As the ketone solvent, a chain ketone is preferable, and 2-heptanone is more preferable.
<化合物>
当該化合物は、化合物(I)である。当該化合物は、上述の性質を有するので、酸拡散制御剤として好適に用いることができ、これを含有する感放射線性樹脂組成物は、LWR性能、解像性、断面形状の矩形性及び焦点深度に優れる。
<Compound>
The compound is compound (I). Since the compound has the above-described properties, it can be suitably used as an acid diffusion control agent. The radiation-sensitive resin composition containing the compound has LWR performance, resolution, rectangularity of the cross-sectional shape, and depth of focus. Excellent.
<化合物の製造方法>
本発明の化合物の製造方法は、
上記式(i−a)で表される化合物と、上記式(i−b)で表される化合物とを反応させる工程を有する上記式(1’)で表される化合物の製造方法、及び
上記式(i−a’)で表される化合物と、上記式(i−b)で表される化合物とを反応させる工程を有する下記式(2’)で表される化合物の製造方法である。
当該化合物の製造方法は、上記工程を有するので、上記化合物を簡便かつ収率よく得ることができる。
当該化合物及び当該化合物の製造方法については、上記酸拡散制御剤(I)の項で説明している。
<Method for producing compound>
The method for producing the compound of the present invention comprises:
The manufacturing method of the compound represented by the said Formula (1 ') which has a process with which the compound represented by the said Formula (ia) and the compound represented by the said Formula (ib) are made to react, and the said It is a manufacturing method of the compound represented by following formula (2 ') which has a process with which the compound represented by formula (ia') and the compound represented by said formula (ib) are made to react.
Since the manufacturing method of the said compound has the said process, the said compound can be obtained simply and with a sufficient yield.
The said compound and the manufacturing method of the said compound are demonstrated in the term of the said acid diffusion control agent (I).
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定
されるものではない。各種物性値の測定方法を以下に示す。
EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated concretely based on an Example, this invention is not limited to these Examples. The measuring method of various physical property values is shown below.
[Mw、Mn及びMw/Mn]
重合体のMw及びMnは、GPCカラム(G2000HXL 2本、G3000HXL 1本、G4000HXL 1本、東ソー製)を使用し、以下の分析条件によるGPCにより測定した。また、Mw/Mnは、Mw及びMnの測定結果より算出した。
(分析条件)
溶離液: テトラヒドロフラン
流量: 1.0mL/分
試料濃度: 1.0質量%
試料注入量:100μL
カラム温度:40℃
検出器: 示差屈折計
標準物質: 単分散ポリスチレン
[Mw, Mn and Mw / Mn]
Mw and Mn of the polymer were measured by GPC using GPC columns (2 G2000HXL, 1 G3000HXL, 1 G4000HXL, manufactured by Tosoh Corporation) under the following analysis conditions. Mw / Mn was calculated from the measurement results of Mw and Mn.
(Analysis conditions)
Eluent: Tetrahydrofuran Flow rate: 1.0 mL / min Sample concentration: 1.0% by mass
Sample injection volume: 100 μL
Column temperature: 40 ° C
Detector: Differential refractometer Standard material: Monodisperse polystyrene
[低分子量部分含有率]
[A]重合体中の低分子量部分(分子量1,000未満の部分をいう)の含有率(質量%)は、HPLCカラム(Intersil ODS−25μmカラム(4.6mmφ×250mm)、ジーエルサイエンス製)を使用し、以下の分析条件によるHPLCにより測定した。
(分析条件)
溶出溶媒:アセトニトリル/0.1質量%リン酸水溶液
流量:1.0mL/分
試料濃度:1.0質量%
試料注入量:100μL
検出器:示差屈折計
[Low molecular weight partial content]
[A] The content (mass%) of the low molecular weight portion (referring to a portion having a molecular weight of less than 1,000) in the polymer is HPLC column (Intersil ODS-25 μm column (4.6 mmφ × 250 mm), manufactured by GL Sciences) Was measured by HPLC under the following analytical conditions.
(Analysis conditions)
Elution solvent: Acetonitrile / 0.1% by mass phosphoric acid aqueous solution Flow rate: 1.0 mL / min Sample concentration: 1.0% by mass
Sample injection volume: 100 μL
Detector: Differential refractometer
[1H−NMR分析及び13C−NMR分析]
化合物の1H−NMR分析及び13C−NMR分析、重合体の各構成単位含有率及びフ
ッ素原子含有率を求めるための13C−NMR分析は、核磁気共鳴装置(JNM−ECX400、日本電子製)を使用して測定した。
[1 H-NMR analysis and 13 C-NMR Analysis
Of 1 H-NMR analysis and 13 C-NMR analysis of the compound, 13 C-NMR analysis to determine the respective structural units content and fluorine atom content of the polymer, nuclear magnetic resonance apparatus (JNM-ECX400, manufactured by JEOL ).
<化合物(I)の合成>
化合物(I)は、以下の反応スキームに従い、合成した。下記化合物(i−1)〜(i−6)は下記スキーム(A)に従い、下記化合物(i−7)は下記スキーム(B)に従い合成した。
Compound (I) was synthesized according to the following reaction scheme. The following compounds (i-1) to (i-6) were synthesized according to the following scheme (A), and the following compound (i-7) was synthesized according to the following scheme (B).
上記スキーム(A)中、
R2は、シクロヘキシル基又はフェニル基である。
R5及びR6は、エチル基であるか、又は互いに結合してこれらが結合している窒素原子と共に、ピペリジン基又はデカヒドロキノリン基を形成している。
Yは、−CO−又は−SO2−である。
Lは、−CO−又は−CH2−である。
In the above scheme (A),
R 2 is a cyclohexyl group or a phenyl group.
R 5 and R 6 are an ethyl group or are bonded together to form a piperidine group or a decahydroquinoline group together with the nitrogen atom to which they are bonded.
Y is —CO— or —SO 2 —.
L is —CO— or —CH 2 —.
上記スキーム(B)中、
R1及びR2は、互いに結合してこれらが結合している窒素原子と共にモルホリン構造を形成している。
R3は、メチル基である。
R5及びR6は、互いに結合してこれらが結合している窒素原子と共にピペリジン構造を形成している。
Yは、−CO−である。
In the above scheme (B),
R 1 and R 2 are bonded to each other to form a morpholine structure together with the nitrogen atom to which they are bonded.
R 3 is a methyl group.
R 5 and R 6 are bonded to each other to form a piperidine structure together with the nitrogen atom to which they are bonded.
Y is -CO-.
[実施例1]
100mLのナスフラスコにN−シクロヘキシルマレイミド3.58g(20mmol)、ピペリジン1.87g(22mmol)及びトルエン10gを仕込み、室温で28時間攪拌して反応させた。得られた反応液に水を加えてから分液操作を行うことによる水洗浄を合計5回行った。水洗浄後の反応溶液を、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、溶媒を留去することで淡黄色油状物を得た。得られた淡黄色油状物をカラムクロマトグラフィで精製することにより、下記式(i−1)で表される化合物(i−1)を無色油状物として4.33g得た(収率81.9%)。
[Example 1]
A 100 mL eggplant-shaped flask was charged with 3.58 g (20 mmol) of N-cyclohexylmaleimide, 1.87 g (22 mmol) of piperidine and 10 g of toluene, and stirred at room temperature for 28 hours to be reacted. Water was washed 5 times by adding a liquid to the resulting reaction solution and then performing a liquid separation operation. The reaction solution after washing with water was dried over anhydrous sodium sulfate, and the solvent was distilled off to obtain a pale yellow oil. The obtained pale yellow oil was purified by column chromatography to obtain 4.33 g of the compound (i-1) represented by the following formula (i-1) as a colorless oil (yield 81.9%). ).
[実施例2〜4]
実施例1において、N−シクロヘキシルマレイミドの代わりに、N−フェニルマレイミドを用い、アミン化合物として、ピペリジン、ジエチルアミン又はデカヒドロキノリンを用いた以外は、実施例1と同様にして、下記式(i−2)〜(i−4)で表される化合物をそれぞれ合成した。
[Examples 2 to 4]
In Example 1, in place of N-cyclohexylmaleimide, N-phenylmaleimide was used, and piperidine, diethylamine or decahydroquinoline was used as the amine compound, and in the same manner as in Example 1, the following formula (i- The compounds represented by 2) to (i-4) were synthesized.
[実施例5及び6]
実施例1において、N−シクロヘキシルマレイミドの代わりに、N−シクロヘキシル−4,5−ジデヒドロブチロラクタム又はN−シクロヘキシル−4,5−ジデヒドロプロパンスルタムを用いた以外は、実施例1と同様にして、下記式(i−5)及び下記式(i−6)で表される化合物をそれぞれ合成した。
[Examples 5 and 6]
In Example 1, Example 1 was used except that N-cyclohexyl-4,5-didehydrobutyrolactam or N-cyclohexyl-4,5-didehydropropane sultam was used instead of N-cyclohexylmaleimide. Similarly, the compounds represented by the following formula (i-5) and the following formula (i-6) were respectively synthesized.
[実施例7]
実施例1において、N−シクロヘキシルマレイミドの代わりに、N−メタクリロイルモルホリンを用いた以外は、実施例1と同様にして、下記式(i−7)で表される化合物を合成した。
[Example 7]
In Example 1, a compound represented by the following formula (i-7) was synthesized in the same manner as in Example 1 except that N-methacryloylmorpholine was used instead of N-cyclohexylmaleimide.
<重合体の合成>
[A]重合体、[E]フッ素原子含有重合体の合成に用いた各単量体を下記に示す。
<Synthesis of polymer>
Each monomer used for the synthesis of [A] polymer and [E] fluorine atom-containing polymer is shown below.
[[A]重合体の合成]
[合成例1]
上記化合物(M−1)9.01g(50モル%)及び化合物(M−2)10.99g(50モル%)を2−ブタノン40gに溶解し、さらにラジカル重合開始剤としてのAIBN0.81g(上記化合物の合計モル数に対して5モル%)を溶解させて単量体溶液を調製した。20gの2−ブタノンを入れた100mLの三口フラスコを30分窒素パージした後、攪拌しながら80℃に加熱し、上記調製した単量体溶液を滴下漏斗を用い3時間かけて滴下した。滴下開始を重合反応の開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合反応終了後、重合反応液を水冷して30℃以下に冷却した。400gのメタノール中に冷却した重合反応液を投入し、析出した白色粉末をろ別した。ろ別した白色粉末を80gずつのメタノールで2回洗浄した後、ろ別し、50℃で17時間乾燥させて白色粉末状の重合体(A−1)を合成した(15.6g、収率78%)。重合体(A−1)のMwは7,200であり、Mw/Mnは1.52であった。13C−NMR分析の結果、(M−1)に由来する構造単位及び(M−2)に由来する構造単位の含有割合は、それぞれ50.2モル%及び49.8モル%であった。重合体(A−1)における低分子量部分の含有率は0.04質量%であった。
[[A] Synthesis of polymer]
[Synthesis Example 1]
9.01 g (50 mol%) of the compound (M-1) and 10.99 g (50 mol%) of the compound (M-2) were dissolved in 40 g of 2-butanone, and 0.81 g of AIBN as a radical polymerization initiator ( A monomer solution was prepared by dissolving 5 mol% of the total number of moles of the above compound. A 100 mL three-necked flask containing 20 g of 2-butanone was purged with nitrogen for 30 minutes, then heated to 80 ° C. with stirring, and the prepared monomer solution was added dropwise over 3 hours using a dropping funnel. The dripping start was set as the polymerization reaction start time, and the polymerization reaction was carried out for 6 hours. After completion of the polymerization reaction, the polymerization reaction solution was cooled with water and cooled to 30 ° C. or lower. The cooled polymerization reaction liquid was put into 400 g of methanol, and the precipitated white powder was separated by filtration. The filtered white powder was washed twice with 80 g of methanol, filtered, and dried at 50 ° C. for 17 hours to synthesize a white powder polymer (A-1) (15.6 g, yield). 78%). Mw of the polymer (A-1) was 7,200, and Mw / Mn was 1.52. As a result of 13 C-NMR analysis, the content ratios of the structural unit derived from (M-1) and the structural unit derived from (M-2) were 50.2 mol% and 49.8 mol%, respectively. The content rate of the low molecular weight part in a polymer (A-1) was 0.04 mass%.
[合成例2]
上記化合物(M−4)55.0g、化合物(M−5)45.0g、ラジカル重合開始剤としてのAIBN4g及び連鎖移動剤としてのt−ドデシルメルカプタン1gを、プロピレングリコールモノメチルエーテル100gに溶解した後、窒素雰囲気下、反応温度を70℃に保持して、16時間重合反応を行った。重合反応終了後、重合反応液を1,000gのn−ヘキサン中に滴下して、生成重合体を凝固精製した。次いで、この重合体に、再度プロピレングリコールモノメチルエーテル150gを加えた後、さらに、メタノール150g、トリエチルアミン34g及び水6gを加えて、沸点にて還流させながら、8時間加水分解反応を行った。反応後、溶媒及びトリエチルアミンを減圧留去し、得られた重合体をアセトン150gに溶解した後、2,000gの水中に滴下して凝固させ、生成した白色粉末をろ別し、50℃で17時間乾燥させて白色粉末の重合体(A−2)を得た(65.7g、収率76.6%)。重合体(A−2)は、Mwが10,000、Mw/Mnが2.1であった。13C−NMR分析の結果、p−ヒドロキシスチレンに由来する構造単位及び(M−5)に由来する構造単位の含有割合は、65.4モル%及び34.6モル%であった。重合体(A−2)における低分子量部分の含有率は0.05質量%であった。
[Synthesis Example 2]
After dissolving 55.0 g of the compound (M-4), 45.0 g of the compound (M-5), 4 g of AIBN as a radical polymerization initiator and 1 g of t-dodecyl mercaptan as a chain transfer agent in 100 g of propylene glycol monomethyl ether. The polymerization reaction was carried out for 16 hours while maintaining the reaction temperature at 70 ° C. under a nitrogen atmosphere. After the completion of the polymerization reaction, the polymerization reaction solution was dropped into 1,000 g of n-hexane to coagulate and purify the resulting polymer. Next, 150 g of propylene glycol monomethyl ether was added to the polymer again, and then 150 g of methanol, 34 g of triethylamine and 6 g of water were further added, and a hydrolysis reaction was performed for 8 hours while refluxing at the boiling point. After the reaction, the solvent and triethylamine were distilled off under reduced pressure, and the resulting polymer was dissolved in 150 g of acetone, then dropped into 2,000 g of water to solidify, and the resulting white powder was filtered off and filtered at 50 ° C. It was made to dry for a time and the polymer (A-2) of the white powder was obtained (65.7g, yield 76.6%). The polymer (A-2) had Mw of 10,000 and Mw / Mn of 2.1. As a result of 13 C-NMR analysis, the content ratios of the structural unit derived from p-hydroxystyrene and the structural unit derived from (M-5) were 65.4 mol% and 34.6 mol%. The content of the low molecular weight portion in the polymer (A-2) was 0.05% by mass.
[[E]フッ素原子含有重合体の合成]
[合成例3]
上記化合物(M−1)79.9g(70モル%)及び化合物(M−3)20.91g(30モル%)を、100gの2−ブタノンに溶解し、さらにラジカル重合開始剤としてのジメチル2,2’−アゾビスイソブチレート4.77gを溶解させて単量体溶液を調製した。100gの2−ブタノンを入れた1,000mLの三口フラスコを30分窒素パージした後、攪拌しながら80℃に加熱し、上記調製した単量体溶液を滴下漏斗にて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合反応の開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合反応終了後、重合反応液を水冷して30℃以下に冷却した。重合反応液を2L分液漏斗に移液した後、150gのn−ヘキサンでその重合反応液を均一に希釈し、600gのメタノールを投入して混合した。次いで、30gの蒸留水を投入し、さらに振とうして30分静置した。次いで、下層を回収した後、溶媒置換を行い、重合体(E−1)のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液を得た(収率60%)。重合体(E−1)のMwは7,200であり、Mw/Mnは2.00であった。13C−NMR分析の結果、(M−1)に由来する構造単位及び(M−3)に由来する構造単位の含有割合は、71.1モル%及び28.9モル%であった。重合体(E−1)の低分子量部分含有率は0.07質量%であった。
[[E] Synthesis of fluorine atom-containing polymer]
[Synthesis Example 3]
79.9 g (70 mol%) of the above compound (M-1) and 20.91 g (30 mol%) of the compound (M-3) were dissolved in 100 g of 2-butanone, and dimethyl 2 as a radical polymerization initiator was further dissolved. , 2′-Azobisisobutyrate 4.77 g was dissolved to prepare a monomer solution. A 1,000 mL three-necked flask containing 100 g of 2-butanone was purged with nitrogen for 30 minutes, then heated to 80 ° C. with stirring, and the prepared monomer solution was added dropwise over 3 hours using a dropping funnel. The dripping start was set as the polymerization reaction start time, and the polymerization reaction was carried out for 6 hours. After completion of the polymerization reaction, the polymerization reaction solution was cooled with water and cooled to 30 ° C. or lower. After transferring the polymerization reaction liquid to a 2 L separatory funnel, the polymerization reaction liquid was uniformly diluted with 150 g of n-hexane, and 600 g of methanol was added and mixed. Next, 30 g of distilled water was added, and the mixture was further shaken and allowed to stand for 30 minutes. Next, after recovering the lower layer, solvent substitution was performed to obtain a propylene glycol monomethyl ether acetate solution of the polymer (E-1) (yield 60%). Mw of the polymer (E-1) was 7,200, and Mw / Mn was 2.00. As a result of 13 C-NMR analysis, the content ratios of the structural unit derived from (M-1) and the structural unit derived from (M-3) were 71.1 mol% and 28.9 mol%. The low molecular weight partial content of the polymer (E-1) was 0.07% by mass.
<感放射線性樹脂組成物の調製>
感放射線性樹脂組成物の調製に用いた各成分を下記に示す。
<Preparation of radiation-sensitive resin composition>
Each component used for preparation of a radiation sensitive resin composition is shown below.
[[B]酸発生剤]
B−1:トリフェニルスルホニウム2−(アダマンタン−1−イルカルボニルオキシ)−1,1,3,3,3−ペンタフルオロプロパン−1−スルホネート(下記式(B−1)で表される化合物)
[[B] acid generator]
B-1: Triphenylsulfonium 2- (adamantan-1-ylcarbonyloxy) -1,1,3,3,3-pentafluoropropane-1-sulfonate (compound represented by the following formula (B-1))
[[C]酸拡散制御剤]
上記式(i−1)〜(i−7)で表される化合物、並びに下記式(ci−1)及び式(ci−2)で表される化合物
[[C] acid diffusion controller]
Compounds represented by the above formulas (i-1) to (i-7), and compounds represented by the following formulas (ci-1) and (ci-2)
[[F]溶媒]
F−1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
F−2:シクロヘキサノン
[[F] solvent]
F-1: Propylene glycol monomethyl ether acetate F-2: Cyclohexanone
[[G]偏在化促進剤]
G−1:γ−ブチロラクトン
[[G] uneven distribution promoter]
G-1: γ-butyrolactone
[実施例8]
[A]重合体としての(A−1)100質量部、[B]酸発生剤としての(B−1)8.5質量部、[C]酸拡散制御剤としての(i−1)30モル%([B]酸発生剤100モル%に対するモル比)、[E]フッ素原子含有重合体としての(E−1)3質量部、[F]溶媒としての(F−1)2,240質量部及び(F−2)960質量部、並びに[G]偏在化促進剤としての(G−1)30質量部を混合し感放射線性樹脂組成物(J−1)を調製した。
[Example 8]
[A] 100 parts by mass of (A-1) as a polymer, [B] 8.5 parts by mass of (B-1) as an acid generator, [C] (i-1) 30 as an acid diffusion controller Mol% (molar ratio to 100 mol% of [B] acid generator), [E] 3 parts by mass of (E-1) as a fluorine atom-containing polymer, (F-1) 2,240 as [F] solvent A radiation-sensitive resin composition (J-1) was prepared by mixing 30 parts by mass of (G-1) as a [G] uneven distribution accelerator, and 960 parts by mass of (F-2).
[実施例9〜14並びに比較例1及び2]
表1に示す種類及び含有量の各成分を用いた以外は、実施例8と同様にして、感放射線性樹脂組成物(J−2)〜(J−7)並びに(CJ−1)及び(CJ−2)を調製した。
[Examples 9 to 14 and Comparative Examples 1 and 2]
The radiation sensitive resin compositions (J-2) to (J-7) and (CJ-1) and (CJ-1) and (CJ-1) were used in the same manner as in Example 8 except that the components having the types and contents shown in Table 1 were used. CJ-2) was prepared.
<レジストパターンの形成>
[ArF露光の場合]
(アルカリ現像)
12インチのシリコンウェハ表面に、スピンコーター(CLEAN TRACK ACT12、東京エレクトロン製)を使用して、下層反射防止膜形成用組成物(ARC66、ブルワーサイエンス製)を塗布した後、205℃で60秒間加熱することにより膜厚105nmの下層反射防止膜を形成した。この下層反射防止膜上に、上記スピンコーターを使用して各感放射線性樹脂組成物を塗布し、90℃で60秒間PBを行った。その後23℃で30秒間冷却し、膜厚90nmのレジスト膜を形成した。次に、このレジスト膜を、ArFエキシマレーザー液浸露光装置(NSR−S610C、NIKON製)を用い、NA=1.3、ダイポール(シグマ0.977/0.782)の光学条件にて、40nmラインアンドスペース(1L1S)マスクパターンを介して露光した。露光後、90℃で60秒間PEBを行った。その後、2.38質量%TMAH水溶液により現像し、水で洗浄、乾燥し、ポジ型のレジストパターンを形成した。
<Formation of resist pattern>
[In the case of ArF exposure]
(Alkali development)
Using a spin coater (CLEAN TRACK ACT12, manufactured by Tokyo Electron) on the surface of a 12-inch silicon wafer, a lower antireflection film forming composition (ARC66, manufactured by Brewer Science) was applied, and then heated at 205 ° C. for 60 seconds. As a result, a lower antireflection film having a thickness of 105 nm was formed. On the lower antireflection film, each radiation sensitive resin composition was applied using the spin coater, and PB was performed at 90 ° C. for 60 seconds. Thereafter, it was cooled at 23 ° C. for 30 seconds to form a resist film having a thickness of 90 nm. Next, this resist film is 40 nm in an optical condition of NA = 1.3 and dipole (Sigma 0.977 / 0.782) using an ArF excimer laser immersion exposure apparatus (NSR-S610C, manufactured by NIKON). Exposure was through a line and space (1L1S) mask pattern. After the exposure, PEB was performed at 90 ° C. for 60 seconds. Then, it developed with the 2.38 mass% TMAH aqueous solution, wash | cleaned and dried with water, and formed the positive resist pattern.
(有機溶媒現像)
上記[アルカリ現像]によるレジストパターンの形成において、現像液としての2.38質量%TMAH水溶液の代わりに酢酸n−ブチルを用い、かつ水での洗浄を行わなかった以外は、上記[アルカリ現像]の場合と同様にして、ネガ型のレジストパターンを形成した。
(Organic solvent development)
In the formation of the resist pattern by the above [alkaline development], the above [alkaline development] except that n-butyl acetate was used instead of the 2.38 mass% TMAH aqueous solution as a developer and no washing with water was performed. In the same manner as described above, a negative resist pattern was formed.
<評価>
上記アルカリ現像の場合及び有機溶媒現像の場合それぞれにおいて、形成した各レジストパターンの測定により、各感放射線性樹脂組成物の評価を行った。それぞれの場合において、上記40nm1L1Sマスクパターンを介した露光により、40nm1L1Sパターンを形成する露光量を最適露光量(Eop)とした。なお、この方法で形成したレジストパターンの測長には走査型電子顕微鏡(S−9380、日立ハイテクノロジーズ製)を用いた。下記評価において実施例と比較する「比較例」としては、実施例1〜4及び7については比較例1、実施例5及び6については比較例2とした。評価結果を表2に示す。表2中の「−」は、評価の基準であることを示す。
<Evaluation>
In each of the alkali development and organic solvent development, each radiation-sensitive resin composition was evaluated by measuring each resist pattern formed. In each case, the exposure amount for forming the 40 nm 1L1S pattern by the exposure through the 40 nm 1L1S mask pattern was set as the optimum exposure amount (Eop). A scanning electron microscope (S-9380, manufactured by Hitachi High-Technologies Corp.) was used for measuring the resist pattern formed by this method. As “comparative examples” to be compared with the examples in the following evaluation, examples 1 to 4 and 7 were set to comparative example 1, and examples 5 and 6 were set to comparative example 2. The evaluation results are shown in Table 2. “-” In Table 2 indicates a criterion for evaluation.
[LWR性能]
上記Eopにおいて形成したレジストパターンを、上記走査型電子顕微鏡を用い、パターン上部から観察した。線幅を任意のポイントで計50点測定し、その測定値の分布から3シグマ値を求め、これをLWR性能(nm)とした。LWR性能は、その値が小さいほど良好であることを示す。LWR性能は、比較例と比べて、10%以上のLWR性能向上(LWR性能の値が90%以下になることをいう)が見られたものを「良好」と、10%未満のLWR性能向上であったものを「不良」と評価した。
[LWR performance]
The resist pattern formed in the Eop was observed from above the pattern using the scanning electron microscope. A total of 50 line widths were measured at arbitrary points, and a 3-sigma value was obtained from the distribution of the measured values, and this was defined as LWR performance (nm). LWR performance indicates that the smaller the value, the better. The LWR performance is “good” when the LWR performance improvement is 10% or more (meaning that the LWR performance value is 90% or less) compared to the comparative example, and the LWR performance improvement is less than 10%. Was evaluated as “bad”.
[解像性]
上記Eopにおいて解像される最小のレジストパターンの寸法を解像性(nm)とした。解像性は、その値が小さいほど良好であることを示す。解像性は、比較例と比べて、10%以上の解像性向上(解像性の値が90%以下になることをいう)が見られたものを「良好」と、10%未満の解像性向上であったものを「不良」と評価した。
[Resolution]
The minimum resist pattern dimension resolved in the above Eop was defined as resolution (nm). The smaller the value, the better the resolution. The resolution is 10% or more in comparison with the comparative example (which means that the resolution value is 90% or less). Those that were improved in resolution were evaluated as “bad”.
[断面形状の矩形性]
上記Eopにおいて解像されるレジストパターンの断面形状を観察し、レジストパターンの高さ方向の中間での線幅Lbと、レジスト膜の上部での線幅Laを測定した。断面形状の矩形性は、0.9≦(La/Lb)≦1.1である場合を「良好」と、(La/Lb)<0.9又は1.1<(La/Lb)である場合を「不良」と評価した。
[Rectangularity of the cross-sectional shape]
The cross-sectional shape of the resist pattern resolved in the Eop was observed, and the line width Lb in the middle of the resist pattern in the height direction and the line width La at the top of the resist film were measured. The rectangularity of the cross-sectional shape is “good” when 0.9 ≦ (La / Lb) ≦ 1.1, and (La / Lb) <0.9 or 1.1 <(La / Lb). The case was rated as “bad”.
[焦点深度]
上記Eopにおいて解像されるレジストパターンにおいて、深さ方向にフォーカスを変化させた際の寸法を観測し、ブリッジや残渣が無いままパターン寸法が基準の90%〜110%に入る深さ方向の余裕度を焦点深度(nm)とした。焦点深度は、その値が大きいほど良好であることを示す。焦点深度は、比較例と比べて、10%以上の焦点深度向上(焦点深度の値が110%以上になることをいう)が見られたものを「良好」と、10%未満の焦点深度向上であったものを「不良」と評価した。
[Depth of focus]
In the resist pattern resolved in the above Eop, the dimension when the focus is changed in the depth direction is observed, and the margin in the depth direction where the pattern dimension falls within 90% to 110% of the standard without any bridge or residue. Degree was the depth of focus (nm). The depth of focus indicates that the larger the value, the better. Depth of focus is 10% or better compared to the comparative example (meaning that the depth of focus value is 110% or more). Was evaluated as “bad”.
表2の結果から明らかなように、ArF露光において、実施例の感放射線性樹脂組成物は、比較例の感放射線性樹脂組成物に比べて、アルカリ現像及び有機溶媒現像の場合とも、LWR性能、解像性、断面形状の矩形性及び焦点深度に優れるといえる。 As is clear from the results of Table 2, in ArF exposure, the radiation-sensitive resin compositions of the examples were compared with the radiation-sensitive resin compositions of the comparative examples, both in the case of alkali development and organic solvent development. In other words, it is excellent in resolution, rectangularity of the cross-sectional shape, and depth of focus.
<感放射線性樹脂組成物の調製>
[電子線照射の場合]
[実施例15]
[A]重合体としての(A−2)100質量部、[B]酸発生剤としての(B−1)20質量部、[C]酸拡散制御剤としての(i−1)30モル%([B]酸発生剤に対するモル比)、並びに[F]溶媒としての(F−1)4,280質量部及び(F−2)1,830質量部を混合して感放射線性樹脂組成物(J−8)を調製した。
<Preparation of radiation-sensitive resin composition>
[In the case of electron beam irradiation]
[Example 15]
[A] 100 parts by mass of (A-2) as a polymer, [B] 20 parts by mass of (B-1) as an acid generator, [C] (i-1) 30 mol% as an acid diffusion controller (Molar ratio to [B] acid generator), and (F-1) 4,280 parts by mass and (F-2) 1,830 parts by mass as solvent [F] are mixed to produce a radiation sensitive resin composition. (J-8) was prepared.
[実施例16〜21並びに比較例3及び4]
下記表3に示す種類及び含有量の各成分を用いた以外は実施例1と同様に操作して、各感放射線性樹脂組成物(J−9)〜(J−14)並びに(CJ−3)及び(CJ−4)を調製した。
[Examples 16 to 21 and Comparative Examples 3 and 4]
Each radiation sensitive resin composition (J-9) to (J-14) and (CJ-3) was operated in the same manner as in Example 1 except that each component having the type and content shown in Table 3 below was used. ) And (CJ-4) were prepared.
<レジストパターンの形成>
8インチのシリコンウェハ表面にスピンコーター(CLEAN TRACK ACT8、東京エレクトロン製)を使用して、各感放射線性樹脂組成物を塗布し、90℃で60秒間PBを行った。その後23℃で30秒間冷却し、膜厚50nmのレジスト膜を形成した。次に、このレジスト膜に、簡易型の電子線描画装置(HL800D、日立製作所製、出力;50KeV、電流密度;5.0アンペア/cm2)を用いて電子線を照射した。照射後、130℃で60秒間PEBを行った。その後、2.38質量%TMAH水溶液を用いて23℃で30秒間現像し、水で洗浄、乾燥し、ポジ型のレジストパターンを形成した。
<Formation of resist pattern>
Using a spin coater (CLEAN TRACK ACT8, manufactured by Tokyo Electron) on the surface of an 8-inch silicon wafer, each radiation sensitive resin composition was applied, and PB was performed at 90 ° C. for 60 seconds. Thereafter, it was cooled at 23 ° C. for 30 seconds to form a resist film having a thickness of 50 nm. Next, the resist film was irradiated with an electron beam using a simple electron beam drawing apparatus (HL800D, manufactured by Hitachi, Ltd., output: 50 KeV, current density: 5.0 amperes / cm 2 ). After irradiation, PEB was performed at 130 ° C. for 60 seconds. Thereafter, development was performed at 23 ° C. for 30 seconds using a 2.38 mass% TMAH aqueous solution, washed with water, and dried to form a positive resist pattern.
形成した各レジストパターンについて、上記[ArF露光]における評価のうち、LWR性能、解像性及び断面形状の矩形性について、上記同様の方法で測定を行い、感放射線性樹脂組成物の評価を行った。実施例の比較対象とする「比較例」としては、実施例15〜18及び21については比較例3、実施例19及び20については比較例4とした。評価結果を表3に合わせて示す。表3中の「−」は、評価の基準であることを示す。 For each formed resist pattern, among the evaluations in the above [ArF exposure], the LWR performance, the resolution, and the rectangular shape of the cross-sectional shape are measured by the same method as described above, and the radiation-sensitive resin composition is evaluated. It was. As “comparative examples” to be compared with examples, comparative examples 3 were used for examples 15 to 18 and 21, and comparative example 4 was used for examples 19 and 20. The evaluation results are shown in Table 3. “-” In Table 3 indicates that it is a criterion for evaluation.
表3の結果から明らかなように、電子線照射の場合、実施例の感放射線性樹脂組成物は、比較例の感放射線性樹脂組成物に比べて、LWR性能、解像性及び断面形状の矩形性に優れるといえる。 As is clear from the results in Table 3, in the case of electron beam irradiation, the radiation-sensitive resin compositions of the examples had LWR performance, resolution, and cross-sectional shape as compared with the radiation-sensitive resin compositions of the comparative examples. It can be said that the rectangularity is excellent.
本発明の酸拡散制御剤、これを含有する感放射線性樹脂組成物及びこの感放射線性樹脂組成物を用いるレジストパターン形成方法によれば、広い焦点深度を発揮しつつ、LWRが小さく、高い解像度を有し、かつ断面形状の矩形性に優れるレジストパターンを形成することができる。また本発明の化合物は、当該酸拡散制御剤として好適に用いることができる。従って、これらは、今後ますます微細化が進行すると予想される半導体デバイス製造におけるパターン形成に好適に用いることができる。
According to the acid diffusion controller of the present invention, a radiation sensitive resin composition containing the acid diffusion control agent, and a resist pattern forming method using the radiation sensitive resin composition, the LWR is small and the resolution is high while exhibiting a wide depth of focus. And a resist pattern that is excellent in the rectangular shape of the cross-sectional shape can be formed. Moreover, the compound of this invention can be used suitably as the said acid diffusion controlling agent. Therefore, they can be suitably used for pattern formation in semiconductor device manufacturing, which is expected to become increasingly finer in the future.
Claims (5)
R1は、炭素数1〜20の1価の鎖状炭化水素基であるか、R2と結合して、これらが結合する窒素原子と共に環員数5〜10の単環のアザオキサシクロアルカン構造を形成しているか、又はR3と結合して、R1が結合する窒素原子、R3が結合する炭素原子、及びYと共に環員数5〜10のラクタム環構造、スルタム環構造若しくはイミド環構造を形成している。
R2は、炭素数3〜20の1価の脂環式炭化水素基若しくは炭素数6〜20の1価の芳香族炭化水素基であるか、又はR1と結合して、これらが結合する窒素原子と共に環員数5〜10の単環のアザオキサシクロアルカン構造を形成している。
R3は、水素原子、若しくは炭素数1〜4の1価の鎖状炭化水素基であるか、又はR1と結合して、R1が結合する窒素原子、R3が結合する炭素原子、及びYと共に環員数5〜10のラクタム環構造、スルタム環構造若しくはイミド環構造を形成している。
R4は、水素原子である。
nは、1又は2である。nが2の場合、複数のR3及びR4はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
R5及びR6は、それぞれ独立して、炭素数1〜10の1価の鎖状炭化水素基であるか、又はR5及びR6が互いに結合してこれらが結合している窒素原子と共に環員数5〜10のアザシクロアルカン構造を形成している。
Xは、単結合又は炭素数1〜4の2価の鎖状炭化水素基である。
Yは、−CO−又は−SO2−である。) An acid diffusion controller for a radiation-sensitive resin composition comprising a compound represented by the following formula (1).
R 1 is either a monovalent chain-like hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, bound to R 2, A Zaoki service cycloalkane monocyclic ring members 5-10 together with the nitrogen atom to which they are attached or to form a structure, or combines with R 3, the nitrogen atom to which R 1 is attached, lactam ring structure ring members 5 to 10 together with a carbon atom, and Y to R 3 are attached sultam ring structure or an imide ring Forming a structure.
R 2 is a monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms or a monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms , or is bonded to R 1 and these are bonded. to form a monocyclic a Zaoki Sa cycloalkane structure ring members 5-10 together with a nitrogen atom.
R 3 is a hydrogen atom, or either a monovalent chain-like hydrocarbon group having a carbon number of 1-4, or combine with R 1, the carbon atom to which the nitrogen atom to which R 1 is bonded, is R 3 are attached, and lactam ring structure ring members 5-10 with Y, that form a sultam ring structure or an imide ring structure.
R 4 is hydrogen atom.
n is 1 or 2. When n is 2, the plurality of R 3 and R 4 may be the same or different.
R 5 and R 6 are each independently a monovalent chain hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, or together with the nitrogen atom to which R 5 and R 6 are bonded to each other. forming a azacycloalkane structure ring members 5-10.
X is a single bond or a divalent chain hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms.
Y is —CO— or —SO 2 —. )
R2は、炭素数3〜20の1価の脂環式炭化水素基又は炭素数6〜20の1価の芳香族炭化水素基である。
R3a は、水素原子又は炭素数1〜4の1価の鎖状炭化水素基である。
R 4a 及びR 4b は、水素原子である。
R7は、(k+2)価の炭化水素基である。
kは、0〜6の整数である。
pは、0又は1である。
R8は、炭素数1〜20の1価の炭化水素基である。
kが2以上の場合、複数のR8は同一でも異なっていてもよい。
Zは、−CO−又は−SO2−である。
mは、0又は1である。
R5、R6、X及びYは、上記式(1)と同義である。) The acid diffusion controller according to claim 1, wherein the compound represented by the formula (1) is represented by the following formula (2).
R 2 is a monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms or a monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms .
R 3a is a hydrogen atom or a monovalent chain hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms.
R 4a and R 4b are hydrogen atoms.
R 7 is a (k + 2) -valent hydrocarbon group.
k is an integer of 0-6.
p is 0 or 1.
R 8 is a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms.
When k is 2 or more, the plurality of R 8 may be the same or different.
Z is —CO— or —SO 2 —.
m is 0 or 1.
R 5 , R 6 , X and Y are as defined in the above formula (1). )
[B]酸発生体、及び
[C]請求項1又は請求項2に記載の酸拡散制御剤
を含有する感放射線性樹脂組成物。 [A] a polymer having an acid dissociable group,
A radiation-sensitive resin composition containing [B] an acid generator and [C] the acid diffusion controller according to claim 1 or 2 .
をさらに含有する請求項3に記載の感放射線性樹脂組成物。 [D] The radiation-sensitive resin composition according to claim 3 , further comprising an acid diffusion controller other than the [C] acid diffusion controller.
(2)上記レジスト膜を露光する工程、及び
(3)上記露光されたレジスト膜を現像する工程
を有するレジストパターン形成方法。 (1) A step of forming a resist film using the radiation-sensitive resin composition according to claim 3 or claim 4 ,
(2) A resist pattern forming method comprising: exposing the resist film; and (3) developing the exposed resist film.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012181231A JP6069691B2 (en) | 2012-08-17 | 2012-08-17 | Acid diffusion controller, radiation sensitive resin composition, and resist pattern forming method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012181231A JP6069691B2 (en) | 2012-08-17 | 2012-08-17 | Acid diffusion controller, radiation sensitive resin composition, and resist pattern forming method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014037386A JP2014037386A (en) | 2014-02-27 |
JP6069691B2 true JP6069691B2 (en) | 2017-02-01 |
Family
ID=50285822
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012181231A Active JP6069691B2 (en) | 2012-08-17 | 2012-08-17 | Acid diffusion controller, radiation sensitive resin composition, and resist pattern forming method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6069691B2 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014235179A (en) * | 2013-05-30 | 2014-12-15 | 富士フイルム株式会社 | Pattern forming method, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film, method for manufacturing electronic device, and electronic device |
JP6997373B2 (en) | 2016-02-15 | 2022-01-17 | Jsr株式会社 | A method for producing a resist underlayer film forming composition, a resist underlayer film, and a patterned substrate. |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05341513A (en) * | 1992-06-11 | 1993-12-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | Positive type photoresist composition |
JP3786983B2 (en) * | 1994-01-27 | 2006-06-21 | シエーリング アクチエンゲゼルシャフト | Pyrrolidinone derivative |
JP4320520B2 (en) * | 2000-11-29 | 2009-08-26 | 信越化学工業株式会社 | Resist material and pattern forming method |
JP4044741B2 (en) * | 2001-05-31 | 2008-02-06 | 信越化学工業株式会社 | Resist material and pattern forming method |
JP5514608B2 (en) * | 2010-03-31 | 2014-06-04 | 富士フイルム株式会社 | Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and pattern forming method using the same |
EP2428842A1 (en) * | 2010-09-14 | 2012-03-14 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Photoresists comprising multi-amide component |
-
2012
- 2012-08-17 JP JP2012181231A patent/JP6069691B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014037386A (en) | 2014-02-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6075369B2 (en) | Photoresist composition, resist pattern forming method, and acid diffusion controller | |
JP6447686B2 (en) | Compound | |
JP6115377B2 (en) | Resin composition and resist pattern forming method | |
KR102164849B1 (en) | Radiation-sensitive resin composition, resist pattern forming method, polymer and method for producing compound | |
JP6421449B2 (en) | Radiation sensitive resin composition, resist pattern forming method, acid generator and compound | |
JP6149656B2 (en) | Photoresist composition, resist pattern forming method, polymer and compound | |
JP6273689B2 (en) | Radiation sensitive resin composition, resist pattern forming method, polymer, compound and method for producing the same | |
JP6241226B2 (en) | Photoresist composition, resist pattern forming method, polymer and compound | |
JP6319291B2 (en) | Radiation sensitive resin composition, resist pattern forming method, radiation sensitive acid generator and compound | |
JP6069691B2 (en) | Acid diffusion controller, radiation sensitive resin composition, and resist pattern forming method | |
JP5867298B2 (en) | Photoresist composition and resist pattern forming method | |
JP6079360B2 (en) | Acid diffusion controller, photoresist composition, resist pattern forming method, compound and method for producing compound | |
JP6036545B2 (en) | Photoresist composition, resist pattern forming method, polymer and compound | |
JP5915486B2 (en) | Photoresist composition, resist pattern forming method and polymer | |
JP2016167050A (en) | Radiation-sensitive resin composition, resist pattern formation method, polymer and compound | |
JP6304347B2 (en) | Resin composition and resist pattern forming method | |
JP6079128B2 (en) | Photoresist composition and resist pattern forming method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150109 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160209 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160328 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160802 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161101 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20161110 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161129 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161212 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6069691 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |