JP6060892B2 - In-vehicle data storage device and data storage method - Google Patents
In-vehicle data storage device and data storage method Download PDFInfo
- Publication number
- JP6060892B2 JP6060892B2 JP2013272969A JP2013272969A JP6060892B2 JP 6060892 B2 JP6060892 B2 JP 6060892B2 JP 2013272969 A JP2013272969 A JP 2013272969A JP 2013272969 A JP2013272969 A JP 2013272969A JP 6060892 B2 JP6060892 B2 JP 6060892B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data
- block
- writing
- erasure
- vehicle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
- G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
- G06F12/0223—User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
- G06F12/023—Free address space management
- G06F12/0238—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory
- G06F12/0246—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory in block erasable memory, e.g. flash memory
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
- G06F2212/10—Providing a specific technical effect
- G06F2212/1032—Reliability improvement, data loss prevention, degraded operation etc
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
- G06F2212/72—Details relating to flash memory management
- G06F2212/7202—Allocation control and policies
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
- G06F2212/72—Details relating to flash memory management
- G06F2212/7205—Cleaning, compaction, garbage collection, erase control
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
- G06F2212/72—Details relating to flash memory management
- G06F2212/7209—Validity control, e.g. using flags, time stamps or sequence numbers
Description
本発明は、ブロック毎にデータが一括消去されるフラッシュメモリなどの不揮発性メモリにデータを記憶する車載データ記憶装置及びデータ記憶方法に関する。 The present invention relates to a vehicle mounting a data storage device and data storage way to store data in a nonvolatile memory such as a flash memory in which data for each block are collectively erased.
従来、例えば車両に搭載された電子機器などにおいて、データの記憶にフラッシュメモリが広く利用されている。フラッシュメモリは、不揮発性のメモリであり、データの記憶容量が多いという利点がある。しかしながらフラッシュメモリは、データの消去を所定サイズのブロック毎に行う必要があること、及び、EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)などの不揮発性メモリと比較して書換可能回数が少ないなどの欠点がある。 2. Description of the Related Art Conventionally, flash memories are widely used for data storage in electronic devices mounted on vehicles, for example. The flash memory is a nonvolatile memory and has an advantage of a large data storage capacity. However, the flash memory has the disadvantages that it is necessary to erase data for each block of a predetermined size and that the number of rewritable times is small compared to a nonvolatile memory such as an EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory). is there.
特許文献1においては、電源の瞬断が発生した場合であっても、データの消失又は破損等が生じることがないデータ記憶装置が提案されている。このデータ記憶装置は、フラッシュメモリの複数の記憶ブロックに対して順次的にデータを書き込み、データの書き込み先を変更する際には有効なデータを次のブロックへコピーするブロック更新処理を行う。最初に書き込みを行う第1記憶ブロックには、記憶ブロック毎に更新開始ビット、更新終了ビット及び消去終了ビットの3つの情報を記憶しておく。データ記憶装置は、ブロック更新処理の開始前に更新開始ビットを’0’に設定し、ブロック更新処理の終了後に更新終了ビットを’0’に設定する。またデータ記憶装置は、更新終了ビットが’0’に設定された記憶ブロックの消去処理を行い、消去処理の終了後に消去ビットを’0’に設定する。
フラッシュメモリはデータの消去をブロック毎に行う必要がある。このためデータの書き込みによりブロックが満たされた場合、必要なデータをこのブロックから他のブロックに退避させた後、データの消去を行わなければならない。しかし、フラッシュメモリに対するデータの書き込みは稀に失敗することがあり、失敗によりデータの破損が発生する虞がある。フラッシュメモリに記憶されるデータには、例えば装置の識別情報又は設定値等が工場出荷前などに書き込まれた後、その値が更新されることのないものがある。このような更新されないデータについてもブロックに対する消去処理を行う際には他のブロックへ退避させる必要があるが、他のブロックへの書き込みの際にデータが破損した場合には、このデータを復旧する術がないという問題があった。 The flash memory needs to erase data for each block. For this reason, when a block is filled by writing data, the data must be erased after saving necessary data from this block to another block. However, writing data to the flash memory may rarely fail, and there is a risk of data corruption due to the failure. Some of the data stored in the flash memory is such that, for example, the device identification information or setting values are not updated after they are written before factory shipment. It is necessary to save such non-updated data to another block when performing erasure processing on the block. However, if data is damaged when writing to another block, this data is restored. There was a problem that there was no art.
またフラッシュメモリは書換可能回数が少ないことから、データの書き込み、退避及び消去を繰り返し行って書換回数が上限に達する又は上限を超えた場合、データ書き込みが失敗する可能性が高まる。このため、上記のような更新されないデータであっても、データの退避を繰り返し行うことによって、データの信頼性が低下するという問題があった。 In addition, since the flash memory has a small number of rewritable times, the possibility of data writing failure increases when the number of times of rewriting reaches or exceeds the upper limit by repeatedly writing, saving, and erasing data. For this reason, there is a problem that the reliability of data is lowered by repeatedly saving data even for data that is not updated as described above.
本発明は、斯かる事情に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、更新されない(又は更新の頻度が低い)データについて、ブロック毎のデータ消去に伴ってデータの破損及び信頼性低下等が発生することを防止し得る車載データ記憶装置及びデータ記憶方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of such circumstances, and the object of the present invention is that data that is not updated (or that is updated less frequently) is damaged and trusted as data is erased for each block. and to provide a vehicle mounting data storage device and data storage method that obtained prevents sexual decrease or the like occurs.
本発明に係る車載データ記憶装置は、車両に搭載され、データが一括して消去される記憶ブロックを複数有する不揮発性メモリを備える車載データ記憶装置において、前記記憶ブロックに対してデータを書き込む処理を行う第1の書込手段と、該第1の書込手段によるデータの書き込みにより一の記憶ブロックがデータで満たされた場合に、前記一の記憶ブロックから一又は複数のデータを読み出して他の記憶ブロックへ書き込むデータ複写手段と、該データ複写手段による処理の終了後に、前記一の記憶ブロックのデータを消去する処理を行う消去手段とを備え、前記不揮発性メモリが有する複数の記憶ブロックには、前記第1の書込手段、前記データ複写手段及び前記消去手段の処理対象とならないデータ消去禁止ブロックと、前記第1の書込手段、前記データ複写手段及び前記消去手段の処理対象となる複数のデータ消去許可ブロックとを含み、前記データ消去禁止ブロックがデータで満たされるまで、前記データ消去禁止ブロックに対してデータを書き込む処理を行う第2の書込手段を更に備え、前記データ消去禁止ブロックには、搭載される車両の仕様に関する情報が記憶してあり、前記第1の書込手段は、前記車両に搭載された電子機器に関し、前記車両の使用者が変更可能な設定情報を書き込み、前記第2の書込手段は、セキュリティに関する情報を書き込むようにしてあることを特徴とする。An in-vehicle data storage device according to the present invention includes a nonvolatile memory having a plurality of storage blocks mounted on a vehicle and from which data is erased collectively. When one storage block is filled with data by the first writing means to be performed and the data writing by the first writing means, one or a plurality of data is read from the one storage block and the other A plurality of storage blocks included in the non-volatile memory, comprising: a data copying means for writing to the storage block; and an erasing means for erasing data of the one storage block after the processing by the data copying means is completed. , A data erasure prohibition block not to be processed by the first writing unit, the data copying unit, and the erasing unit, and the first A plurality of data erasure permission blocks to be processed by the writing means, the data copying means, and the erasing means, and writing data to the data erasure prohibition block until the data erasure prohibition block is filled with data The data erasure prohibiting block further stores information related to the specification of the vehicle mounted thereon, and the first writing unit is mounted on the vehicle. With respect to the electronic device, setting information that can be changed by a user of the vehicle is written, and the second writing means writes information about security.
また、本発明に係る車載データ記憶装置は、前記第1の書込手段が、一のデータを前記データ消去許可ブロックに対して書き込む場合に、前記一のデータと該一のデータの複写データとを書き込むようにしてあり、前記不揮発性メモリに書き込まれたデータの誤りを検出する検出手段と、該検出手段の検出結果に応じて、前記一のデータ又は前記複写データを読み出す読出手段とを備えることを特徴とする。 In the in- vehicle data storage device according to the present invention, when the first writing unit writes one data to the data erasure permission block, the one data and a copy data of the one data And detecting means for detecting an error in the data written in the non-volatile memory, and reading means for reading out the one data or the copy data in accordance with a detection result of the detecting means. It is characterized by that.
また、本発明に係る車載データ記憶装置は、前記第1の書込手段が、前記一のデータ及び前記複写データを、それぞれ異なるデータ消去許可ブロックに書き込むようにしてあることを特徴とする。 The on- vehicle data storage device according to the present invention is characterized in that the first writing means writes the one data and the copy data in different data erasure permission blocks.
また、本発明に係るデータ記憶方法は、車両に搭載され、データが一括して消去される記憶ブロックを複数有する不揮発性メモリにデータを記憶するデータ記憶方法において、前記記憶ブロックに対してデータを書き込む処理を行う第1の書込ステップと、該第1の書込ステップによるデータの書き込みにより一の記憶ブロックがデータで満たされた場合に、前記一の記憶ブロックから一又は複数のデータを読み出して他の記憶ブロックへ書き込むデータ複写ステップと、該データ複写ステップによる処理の終了後に、前記一の記憶ブロックのデータを消去する処理を行う消去ステップとを含み、前記不揮発性メモリが有する複数の記憶ブロックには、前記第1の書込ステップ、前記データ複写ステップ及び前記消去ステップの処理対象としないデータ消去禁止ブロックと、前記第1の書込ステップ、前記データ複写ステップ及び前記消去ステップの処理対象とする複数のデータ消去許可ブロックとを含み、前記データ消去禁止ブロックがデータで満たされるまで、前記データ消去禁止ブロックに対してデータを書き込む処理を行う第2の書込ステップを更に含み、前記データ消去禁止ブロックには、搭載される車両の仕様に関する情報を記憶し、前記第1の書込ステップにて、前記車両に搭載された電子機器に関し、前記車両の使用者が変更可能な設定情報を書き込み、前記第2の書込ステップにて、セキュリティに関する情報を書き込むことを特徴とする。 A data storage method according to the present invention is a data storage method for storing data in a nonvolatile memory having a plurality of storage blocks mounted on a vehicle and from which data is erased collectively. reading a first writing step of performing a process of writing, when the first storage block by writing data by the first writing step has been filled with data, one or more data from said first storage block A plurality of storages included in the non-volatile memory, including: a data copying step for writing to another storage block; and an erasing step for erasing data in the one storage block after completion of the processing in the data copying step the block, the first writing step, and processed the data copying step and the removing step There the data erase inhibition block, until the first write step, the data copying step and see including a plurality of data erase authorization block to be processed in said erasing step, the data erasure prohibition block is filled with data The data erasure prohibiting block further includes a second writing step for performing a process of writing data to the data erasure prohibiting block, wherein the data erasure prohibiting block stores information on specifications of a vehicle to be mounted, and the first writing The setting information that can be changed by a user of the vehicle is written in the electronic step mounted on the vehicle in the insertion step, and the security-related information is written in the second writing step .
本発明においては、データが一括消去される記憶ブロックを複数有するフラッシュメモリなどの不揮発性メモリについて、複数の記憶ブロックのうち一又は複数の記憶ブロックをデータ消去禁止ブロックとして扱う。データ消去禁止ブロックに対しては、データの消去処理は行われない(データの書き込みは許可してもよい)。このため、値が更新されることのないデータをデータ消去禁止ブロックに記憶しておくことができる。
またその他の複数の記憶ブロックは、データ消去許可ブロックとして扱う。データ消去許可ブロックに対してはデータの書き込みを行い、書き込みによりデータ消去許可ブロックがデータで満たされた場合、このデータ消去許可ブロックから必要なデータを読み出して他のデータ消去許可ブロックへ書き込むことで、データ書き込み対象とするデータ消去許可ブロックを更新する処理を行う。更新処理が終了した後、データで満たされたデータ消去許可ブロックに対して消去処理を行う。これにより複数のデータ消去許可ブロックを順次的に利用したデータの書き込みを行うことができる。
よって、値が更新されることのないデータをデータ消去禁止ブロックに記憶し、値が更新されるデータをデータ消去許可ブロックに記憶しておくことができる。値が更新されることのないデータは、他の記憶ブロックへの退避などがなされないため、データが消失することがない。またデータ消去禁止ブロックは、データの消去が行われないため、データの書換回数は増加せず、このブロックに記憶されたデータの信頼性が低下することがない。
In the present invention, for a non-volatile memory such as a flash memory having a plurality of storage blocks from which data is collectively erased, one or a plurality of storage blocks among the plurality of storage blocks are handled as data erasure prohibition blocks. Data erasure processing is not performed on the data erasure prohibited block (data writing may be permitted). Therefore, data whose value is not updated can be stored in the data erasure prohibition block.
A plurality of other storage blocks are handled as data erasure permission blocks. Data is written to the data erasure enable block, and when the data erasure enable block is filled with data by writing, necessary data is read from this data erasure enable block and written to another data erasure enable block. Then, a process of updating the data erasure permission block that is a data write target is performed. After the updating process is completed, the erasing process is performed on the data erasing permission block filled with data. As a result, data can be written by sequentially using a plurality of data erasure permission blocks.
Therefore, data whose value is not updated can be stored in the data erasure prohibition block, and data whose value is updated can be stored in the data erasure permission block. Since data whose values are not updated is not saved to other storage blocks, the data is not lost. Further, since the data erasure prohibition block is not erased, the number of data rewrites does not increase, and the reliability of the data stored in this block does not decrease.
また、本発明においては、データ消去禁止ブロックに対するデータの書き込みは許可する。更新されることのないデータをデータ消去禁止ブロックに記憶した場合に、このデータ消去禁止ブロックに空き領域が存在すれば、これを有効活用することが可能となる。データ消去禁止ブロックは、データ消去が禁止されているため、このブロックがデータで満たされるまではデータの書き込みを行うことができる。例えば、値の更新頻度が低いデータを書き込むことができる。 In the present invention, data writing to the data erasure prohibiting block is permitted. When data that is not updated is stored in the data erasure prohibition block, if there is an empty area in the data erasure prohibition block, it can be used effectively. Since the data erasure prohibition block is prohibited from data erasure, data can be written until the block is filled with data. For example, data with a low value update frequency can be written.
データ記憶装置が車載のものである場合、データ消去禁止ブロックには、値が更新されないデータとして、例えば車両の仕様(仕向けなど)に関する情報を記憶することができる。その他に、例えば車両の識別情報、データ記憶装置の識別情報又は製造年月日等の情報を記憶してもよい。
またデータ消去禁止ブロックの空き領域には、更新頻度が低いデータとして、例えばセキュリティに関する情報(パスワードなど)を記憶することができる。
またデータ消去許可ブロックには、車両の使用者が任意に変更可能な車載機器の設定情報などを記憶することができる。
When the data storage device is a vehicle-mounted device, the data erasure prohibition block can store, for example, information related to vehicle specifications (for example, destination) as data whose values are not updated. In addition, information such as vehicle identification information, data storage device identification information, or manufacturing date may be stored.
Further, for example, information (password or the like) related to security can be stored in the empty area of the data erasure prohibition block as data with a low update frequency.
In addition, the data erasure permission block can store in-vehicle device setting information that can be arbitrarily changed by the vehicle user.
また、本発明においては、データの書き込みを行う場合に、データ消去許可ブロックへデータを書き込むと共に、このデータの複写データを書き込む。データを読み出す場合には、書き込んだ両データの誤り検出を行って、誤りが生じていないデータを読み出せばよい。これにより、記憶したデータの信頼性を向上することができる。なお2つのデータの書き込みは、それぞれ異なるデータ消去許可ブロックに対して行う構成としてよい。これによりブロック単位での不具合が発生した場合であっても、データの破損を防止できる。 In the present invention, when data is written, the data is written into the data erasure permission block and the copy data of this data is written. When reading data, it is only necessary to detect errors in both written data and read data in which no error has occurred. Thereby, the reliability of the stored data can be improved. The two data may be written to different data erasure permission blocks. As a result, even if a malfunction occurs in units of blocks, data corruption can be prevented.
本発明による場合は、不揮発性メモリにデータ消去禁止ブロックを設けることにより、更新されない又は更新の頻度が低いデータを不揮発性メモリに記憶しておくことができ、これによりデータの破損及び信頼性低下等を防止することができる。 According to the present invention, by providing a data erasure prohibition block in the nonvolatile memory, data that is not updated or that is updated less frequently can be stored in the nonvolatile memory. Etc. can be prevented.
以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づき具体的に説明する。図1は、本実施の形態に係るデータ記憶装置の構成を示すブロック図である。本実施の形態に係るデータ記憶装置1は、車両100に搭載され、車両100に関する種々のデータを記憶する。データ記憶装置1は、例えばCPU(Central Processing Unit)、MPU(Micro-Processing Unit)又はマイコン(マイクロコンピュータ)等として提供され得る装置であり、例えば車両100に搭載されるECU(Electronic Control Unit)の演算処理及び記憶処理等を担う。
Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to the drawings showing embodiments thereof. FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of the data storage device according to the present embodiment.
データ記憶装置1は、処理部10、RAM(Random Access Memory)11及びフラッシュメモリ20等を備えて構成されている。処理部10は、フラッシュメモリ20に予め記憶されたプログラムを読み出して実行することにより、種々の演算処理及び制御処理等を行う。RAM11は、SRAM(Static Random Access Memory)又はDRAM(Dynamic Random Access Memory)等のメモリ素子を用いて構成され、処理部10が行う演算処理などの処理過程で生じた種々のデータを一時的に記憶する。
The
フラッシュメモリ20は、不揮発性のメモリ素子であり、所定サイズの記憶ブロック毎のデータの消去を行うことができる。フラッシュメモリ20は、メモリ管理部21及び記憶部30等を備えている。メモリ管理部21は、処理部10から与えられるデータの読出要求、書込要求及び消去要求等に応じて、フラッシュメモリ20内に設けられたチャージポンプ及びセンスアンプ等の種々のアナログ回路を動作させることにより、記憶部30に対するデータの読み出し、書き込み及び消去等を行う。
The
記憶部30は、数Mバイト〜数百Mバイト程度、又はそれ以上の記憶容量を有し、電力供給が断たれた場合であってもデータを記憶しておくことができる。フラッシュメモリ20は、記憶部30に対するデータの書き込みをアドレス指定により8ビット又は16ビット等の単位で行うことができるが、データの消去は数Kバイト〜数十Kバイト程度の記憶ブロック単位で行う必要がある。本実施の形態に係るデータ記憶装置1は、フラッシュメモリ20の記憶部30が有する複数の記憶ブロックのうち、所定の複数の記憶ブロックを、処理部10が実行するプログラムを予め記憶するプログラム用記憶領域31として用いる。
The
プログラム用記憶領域31は、データ記憶装置1又はこれを搭載したECU等の工場出荷前などにおいてプログラムの書き込みを行う特殊な場合を除き、データの読出専用の記憶領域として扱われる。処理部10は、プログラム用記憶領域31に対する読み出しの処理を行うが、書き込み及び消去の処理は行わない。又は、フラッシュメモリ20のメモリ管理部21が、処理部10からプログラム用記憶領域31に対するデータの書込要求及び消去要求を受け付けず、データの読出要求のみを受け付ける構成としてもよい。これにより、プログラム用記憶領域31に予め記憶されたプログラムが破壊されることを防止できる。
The program storage area 31 is treated as a data read-only storage area, except in a special case where a program is written before the factory shipment of the
またデータ記憶装置1は、記憶部30の残りの複数の記憶ブロックを、処理部10が演算処理などに用いる種々のデータを記憶するデータ用記憶領域32として用いる。更に本実施の形態に係るデータ記憶装置1は、データ用記憶領域32に含まれる複数の記憶ブロックのうち、一又は複数(本実施の形態では一つとする)の記憶ブロックを消去禁止ブロックとし、残りの複数の記憶ブロックを消去許可ブロックとする。
Further, the
消去禁止ブロックは、消去処理の対象とすることが禁止されたブロックであり、データの読み出しを行うことができる。消去禁止ブロックに対するデータの書き込みは、禁止されていてもよく、許可されていてもよい。本実施の形態においては、消去禁止ブロックに対するデータ書き込みは許可されているものとする。処理部10は、フラッシュメモリ20の消去禁止ブロックに対するデータの読み出し及び書き込みの処理は行うが、消去処理は行わない。又は、フラッシュメモリ20のメモリ管理部21が、処理部10から消去禁止ブロックに対する消去要求を受け付けず、データの読み出し及び書き込みのみを受け付ける構成としてもよい。これにより、消去禁止ブロックに記憶されたデータが書き換えられることを防止できる。また消去禁止ブロックがデータで満たされるまでは、データの書き込みを行うことができるため、消去禁止ブロックを有効活用することができる。
The erasure prohibition block is a block that is prohibited from being an object of erasure processing, and data can be read out. Data writing to the erase prohibition block may be prohibited or may be permitted. In the present embodiment, it is assumed that data writing to the erase prohibition block is permitted. The
消去許可ブロックは、データの読み出し、書き込み及び消去のいずれもが可能な記憶ブロックである。本実施の形態においてフラッシュメモリ20にはN個の消去許可ブロックが設けられているものとし、これらを第1消去許可ブロック、第2消去許可ブロック、…、第N消去許可ブロックと呼ぶ。データ記憶装置1の処理部10は、第1消去許可ブロック→第2消去許可ブロック→…→第N消去許可ブロック→第1消去許可ブロックのように、データ書き込みの対象とする記憶ブロックを順に切り替えながら、データの書き込みを行う。例えば処理部10は、第1消去許可ブロックに対してデータを書き込んでいき、第1消去許可ブロックがデータで満たされてそれ以上の書き込みが不可能な状態となった場合、データの書き込み先を第2消去許可ブロックへ切り替える。このときに処理部10は、第1消去許可ブロックに記憶されているデータのうち、有効なデータを読み出して第2消去許可ブロックへコピーするブロック更新処理を行った後、第2消去許可ブロックに対する新たなデータの書き込みを開始する。また処理部10は、ブロック更新処理の終了後、第1消去許可ブロックの消去処理を行う。このように複数の消去許可ブロックを巡回してデータの書き込みを行う構成とすることにより、各消去許可ブロックのデータ書換回数を平均化することができる。
The erasure permission block is a storage block capable of reading, writing and erasing data. In the present embodiment, it is assumed that the
このようなデータ書き込みを実現するため、処理部10は、いずれのデータが有効であるかなどを判断するための情報(管理情報)を、例えば消去許可ブロックの先頭若しくは末尾等の所定箇所に、又は、各データのヘッダなどに書き込んで管理している。例えばデータ記憶装置1が車両100に搭載された電子機器の設定値をフラッシュメモリ20に記憶しておく構成である場合、処理部10は、フラッシュメモリ20から設定値を読み出して電子機器へ与えると共に、設定が変更された場合には更新された設定値をフラッシュメモリ20に書き込む。このときに処理部10は、フラッシュメモリ20の消去許可ブロックに既に書き込まれている以前の設定値を無効化すると共に、消去ブロックの空き領域に更新された設定値を書き込む。消去許可ブロックに空き領域が存在しない場合、処理部10は、管理情報に基づいて有効なデータを次の消去許可ブロックへコピーするブロック更新処理を行った後、新たな消去許可ブロックにデータを書き込む。なお、以前のデータを無効化する処理は必ずしも行う必要はなく、処理部10は、例えばデータの記憶位置(アドレス)などに基づいて最新のデータがいずれであるかを判断してもよい。
In order to realize such data writing, the
図2〜図4は、データ記憶装置1によるフラッシュメモリ20のデータ用記憶領域32の利用方法を説明するための模式図である。本図においては、フラッシュメモリ20のデータ用記憶領域32について、消去禁止ブロック及び各消去許可ブロックにそれぞれ16個のデータを記憶することができる構成であるものとし、各ブロックを4×4のマトリクスで示してある。
2 to 4 are schematic diagrams for explaining a method of using the
例えば図2に示すように、車両100又はデータ記憶装置1の工場出荷時などの初期状態において、フラッシュメモリ20の消去禁止ブロックには、データA及びBの2つのデータが記憶されており、残りの部分は空き領域としてある。消去禁止ブロックはデータの消去処理がなされないため、図2〜図4に示すように、データの書き込み処理が繰り返し行われた場合であっても、消去禁止ブロックに記憶されたデータA及びBは変化することはない。
For example, as shown in FIG. 2, in the initial state such as when the
また本例においてデータ記憶装置1の処理部10は、フラッシュメモリ20に車両100に搭載された電子機器について3つの設定値a、b、cを記憶する。図2に示すように、初期状態においてフラッシュメモリ20の第1消去許可ブロックには設定値a_1、b_1、c_1が記憶されると共に、他の消去許可ブロックにはデータは記憶されていない。その後、例えば設定値bが変更された場合、処理部10は、新たな設定値b_2を第1消去許可ブロックに書き込むと共に、既に書き込まれている設定値b_1を無効とする。処理部10は、設定値a、b、cが変更される都度、新たな設定値の書き込みを行う。このようにして、例えば更に設定値a_2、b_3、c_2、c_3、b_4、a_3、b_5、b_6が第1消去許可ブロックに書き込まれた場合、設定値c_3、a_3、b_6の3つが有効な設定値(図中、ハッチングを付して示す)となり、その他の設定値は無効な設定値となる。
In this example, the
例えば図3に示すように、設定値c_4、b_7、a_4、b_8が更に第1消去許可ブロックに書き込まれた場合、設定値c_4、a_4、b_8が有効となると共に、第1消去許可ブロックはデータで満たされて、それ以上のデータの書き込みを行うことが不可能な状態となる。この状態で、例えば設定値aが変更されて、新たな設定値a_5の書き込みを行う場合、処理部10は、データ書き込みを行う消去許可ブロックの更新処理を行う。更新処理において、処理部10は、第1消去許可ブロックから有効なデータを読み出して第2消去許可ブロックにコピーする。なお図3に示す例では、第1消去許可ブロックの有効なデータは設定値c_4、a_4、b_8であるが、設定値aについては新たな設定値a_5を書き込むため、処理部10は、設定値c_4、b_8を第2消去許可ブロックにコピーした後、新たな設定値a_5を第2消去許可ブロックに書き込んでいる。
For example, as shown in FIG. 3, when the setting values c_4, b_7, a_4, and b_8 are further written to the first erasure permission block, the setting values c_4, a_4, and b_8 become valid, and the first erasure permission block stores the data In other words, no more data can be written. In this state, for example, when the set value a is changed and a new set value a_5 is written, the
ブロックの更新処理を終了して新たな設定値a_5の書き込みを行った後、図4に示すように、処理部10は第1消去許可ブロックのデータを消去する処理を行う。以後、処理部10は、第2消去許可ブロックがデータで満たされるまで、設定値が変更される都度、新たな設定値を第2消去許可ブロックへ書き込む。処理部10は、第2消去許可ブロック、第3消去許可ブロック、…、第N消去許可ブロック、第1消去許可ブロックの順に、データの書き込みを行う消去許可ブロックを切り替える。
After completing the block update process and writing the new set value a_5, as shown in FIG. 4, the
なお、消去禁止ブロックには、例えばデータ記憶装置1の製造番号若しくは製造年月日、車両100の仕様情報(仕向け、グレードなど)若しくは識別情報等のように、以降の処理において更新する必要がない情報を、データ記憶装置1又は車両100の製造工程などにおいて予め記憶しておくことができる。消去禁止ブロックは、データの消去が禁止された記憶ブロックであり、記憶されたデータが書き換えられることがないため、データの消失などが発生することがない。また消去許可ブロックには、例えば車両100に搭載された電子機器について、車両100の使用者が任意に変更可能な設定値など、更新頻度が高いデータを記憶することができる。
It should be noted that the erasure prohibition block does not need to be updated in subsequent processing, such as the manufacturing number or date of manufacture of the
本実施の形態においては、消去禁止ブロックに車両100の仕様情報又は識別情報等を記憶し、消去許可ブロックに電子機器の設定値を記憶する構成としたが、各ブロックに記憶する情報は一例であって、これに限るものではない。各ブロックに記憶する情報は適宜に決定することができ、消去禁止ブロックには更新されない情報を記憶し、消去許可ブロックには更新される情報を記憶すればよい。
In the present embodiment, the configuration information or identification information of the
図5は、本実施の形態に係るデータ記憶装置1が行うデータ読出処理の手順を示すフローチャートである。データ記憶装置1の処理部10は、読み出すべきデータが消去禁止ブロック又は消去許可ブロックのいずれに記憶されているかを判定する記憶ブロック判定処理を行う(ステップS1)。例えばデータ記憶装置1は、データの種別と記憶先のブロックとの対応情報を予め記憶しておき、この対応情報に基づいて、読み出すべきデータがいずれのブロックに記憶されているかを判定する構成とすることができる。記憶ブロック判定処理の結果から、処理部10は、読み出すべきデータの記憶先が消去禁止ブロックであるか否かを判断する(ステップS2)。データの記憶先が消去禁止ブロックである場合(S2:YES)、処理部10は、フラッシュメモリ20の消去禁止ブロックからデータを読み出し(ステップS3)、データ読出処理を終了する。
FIG. 5 is a flowchart showing a procedure of data read processing performed by the
データの記憶先が消去禁止ブロックではなく消去許可ブロックである場合(S2:NO)、処理部10は、この時点にてデータ書き込みの対象としている消去許可ブロックを選択する(ステップS4)。処理部10は、例えばデータ記憶装置1の電源投入後の起動時などにおいて、各消去許可ブロックにデータが記憶されているか否か、及び、データが記憶されている消去許可ブロックの管理情報等を参照して書き込み対象の消去許可ブロックがいずれであるかを判断し、RAM11に記憶しておく。ブロック更新処理により書き込み対象の消去許可ブロックを切り替えた場合、処理部10は、RAM11に記憶した書き込み対象の消去許可ブロックに関する情報を更新する。ステップS4において処理部10は、RAM11に記憶された情報を参照することによって、書き込み対象の消去許可ブロックを選択することができる。
When the data storage destination is not an erasure prohibition block but an erasure permission block (S2: NO), the
次いで処理部10は、選択した消去許可ブロックに記憶されている管理情報を読み出す(ステップS5)。処理部10は、ステップS4にて選択した消去許可ブロックから、ステップS5にて読み出した管理情報に基づいて有効なデータを読み出し(ステップS6)、データ読出処理を終了する。
Next, the
図6は、本実施の形態に係るデータ記憶装置1が行うデータ書込処理の手順を示すフローチャートである。データ記憶装置1の処理部10は、この時点にてデータ書き込みの対象としている消去許可ブロックを選択する(ステップS11)。処理部10は、選択した消去許可ブロックがデータで満たされているか否かに応じて、この消去許可ブロックに対するデータの書き込みが可能であるか否かを判定する(ステップS12)。データの書き込みが可能でない場合(S12:NO)、処理部10は、書き込み対象をこの消去許可ブロックから次の消去許可ブロックへ更新するブロック更新処理を行う(ステップS13)。ブロック更新処理の終了後、処理部10は、新たな消去許可ブロックにデータを書き込んで(ステップS14)、データ書込処理を終了する。
FIG. 6 is a flowchart showing a procedure of data writing processing performed by the
データの書き込みが可能である場合(S12:YES)、処理部10は、ステップS11にて選択した消去許可ブロックの空き領域に対してデータの書き込みを行い(ステップS15)、データ書込処理を終了する。
When the data can be written (S12: YES), the
図7は、本実施の形態に係るデータ記憶装置1が行うブロック更新処理の手順を示すフローチャートであり、図6に示したフローチャートのステップS13にて行われる処理である。ブロック更新処理においてデータ記憶装置1の処理部10は、データ書き込みの対象の消去許可ブロックから、管理情報に基づいて有効なデータを抽出し(ステップS21)、抽出したデータを次の消去許可ブロックにコピーする(ステップS22)。次いで処理部10は、データの書き込み対象の消去許可ブロックを、次の消去許可ブロックへ切り替える(ステップS23)。また処理部10は、以前の消去許可ブロックのデータを消去する処理を行って(ステップS24)、ブロック更新処理を終了する。
FIG. 7 is a flowchart showing the procedure of the block update process performed by the
以上の構成の本実施の形態に係るデータ記憶装置1は、データが一括消去される記憶ブロックを複数有するフラッシュメモリ20について、複数の記憶ブロックのうち一又は複数の記憶ブロックを消去禁止ブロックとして扱う。データ記憶装置1の処理部10は、消去禁止ブロックに対してデータの消去処理を行わない。またデータ記憶装置1は、その他の複数の記憶ブロックを消去許可ブロックとして扱う。処理部10は、消去許可ブロックに対してデータの書き込みを行い、書き込みにより消去許可ブロックがデータで満たされた場合、この消去許可ブロックから有効なデータを読み出して次の消去許可ブロックへコピーし、書き込み対象の記憶ブロックを次へ切り替えるブロック更新処理を行う。更新処理を終了した後、処理部10は、データで満たされた消去許可ブロックに対して消去処理を行う。これにより処理部10は、複数の消去許可ブロックを順次的に利用してデータの書き込みを行う。
The
よってデータ記憶装置1は、値が更新されることのないデータを消去禁止ブロックに記憶し、値が更新されるデータを消去許可ブロックに記憶しておくことができる。値が更新されることのないデータは、他の記憶ブロックへの退避などが行われないため、書き込みの失敗によってデータが消失することはない。また消去禁止ブロックは、データの消去処理が行われないため、データの書換回数は増加せず、この記憶ブロックに記憶されたデータの信頼性が低下することがない。
Therefore, the
なお、本実施の形態に係るデータ記憶装置1は、車両100に搭載される車載のものとしたが、これに限るものではなく、その他の種々のデータ記憶装置の同様の構成を適用することができる。またデータ記憶装置1は、フラッシュメモリ20にデータを記憶する構成としたが、これに限るものではなく、ブロックなどの単位でデータ消去を行う他の不揮発性メモリにデータを記憶する構成としてもよい。
Note that the
また複数の消去許可ブロックを順に切り替えてデータの書き込みを行う処理を処理部10が行う構成としたが、これに限るものではなく、フラッシュメモリ20のメモリ管理部21が処理を行ってもよい。また処理部10が記憶ブロックに対する消去処理を行わないことで消去禁止ブロックを実現する構成としたが、これに限るものではなく、例えばメモリ管理部21が処理部10から消去禁止ブロックに対する消去要求を受け付けた場合に、この要求を拒否する構成として消去禁止ブロックを実現してもよい。
In addition, the
(変形例1)
データ記憶装置1は、フラッシュメモリ20の消去禁止ブロックの空き領域に対して、データの書き込みを行う構成としてもよい。例えば車両100にイモビライザーが搭載されている場合、イモビライザーの認証処理に用いられるセキュリティコードを、フラッシュメモリ20の消去禁止ブロックの空き領域に書き込んで記憶することができる。イモビライザーのセキュリティコードは、例えばキーを交換した場合などに変更される可能性があるが、消去許可ブロックに記憶する車載機器の設定値などと比較して更新の頻度が低い情報である。なお変形例1に係るデータ記憶装置1は、フラッシュメモリ20の消去禁止ブロックに対するデータ書込を行う構成であるため、消去許可ブロックと同様に、記憶されているデータが有効であるか無効であるかを判断するための管理情報などを消去禁止ブロックに記憶している。
(Modification 1)
The
変形例1に係るデータ記憶装置1の処理部10は、セキュリティコードの書き込みを行う必要が生じた場合、消去禁止ブロックに空き領域が存在するか否かを判断し、空き領域が存在していれば書き込みを行う。空き領域が存在していない場合、処理部10は、セキュリティコードの書き込みは行わない。なお処理部10は、消去禁止ブロックに空き領域が存在せずにセキュリティコードの書き込みが行えない場合、例えばエラーメッセージの表示又は警告ランプの点灯等の方法で書き込み失敗の通知を行ってもよい。またこのような場合に、例えば車両100のディーラ又は整備工場等において特別な機器を用いる又は特別な操作を行うことによって、フラッシュメモリ20の消去禁止ブロックのデータ消去及びデータ書換を行うことが可能な構成であってもよい。
When it becomes necessary to write a security code, the
図8は、変形例1に係るデータ記憶装置1が行うデータ書込処理の手順を示すフローチャートである。変形例1に係るデータ記憶装置1の処理部10は、フラッシュメモリ20に対するデータの書き込みを行う際に、書き込むデータがセキュリティコードであるか否かを判定する(ステップS31)。書き込むデータがセキュリティコードでない場合(S31:NO)、処理部10は、フラッシュメモリ20の消去許可ブロックへのデータ書き込み処理を行って(ステップS32)、処理を終了する。なおステップS32にて行うデータ書き込み処理は、図6に示した処理と同様であるため、詳細な説明は省略する。
FIG. 8 is a flowchart illustrating a procedure of data writing processing performed by the
書き込むデータがセキュリティコードである場合(S31:YES)、処理部10は、フラッシュメモリ20の消去禁止ブロックに空き領域が存在するか否かを判定する(ステップS33)。消去禁止ブロックに空き領域が存在する場合(S33:YES)、処理部10は、消去禁止ブロックにセキュリティコードを書き込み(ステップS34)、データ書き込み処理を終了する。また消去禁止ブロックに空き領域が存在しない場合(S33:NO)、処理部10は、エラーメッセージの表示などのエラー処理を行って(ステップS35)、データの書き込みを行うことなく処理を終了する。
If the data to be written is a security code (S31: YES), the
このように変形例1に係るデータ記憶装置1は、フラッシュメモリ20の消去禁止ブロックに対するデータの書き込みを許可することで、消去禁止ブロックの空き領域を有効活用することができる。消去禁止ブロックは、データの消去処理を行うことが禁止されているため、このブロックがデータで満たされるまではデータの書き込みを行うことができる。消去禁止ブロックには、例えばセキュリティコードのように更新頻度が低いデータを書き込むことができる。なお消去禁止ブロックに書き込むデータは、セキュリティコード以外のデータであってよい。
As described above, the
(変形例2)
変形例2に係るデータ記憶装置1は、データの書き込みを行う場合に、正データ及び副データ(正データを複写したデータ)の2つのデータ書き込みを行う。図9は、変形例2に係るデータ記憶装置1が行うデータ書込処理を説明するための模式図である。変形例2に係るデータ記憶装置1は、フラッシュメモリ20の複数の消去許可ブロックについて、2つのブロックを1組として利用する。例えば第1消去許可ブロック及び第2消去許可ブロックを1組とし、第3消去許可ブロック及び第4消去許可ブロックを1組とし、…、第N−1消去許可ブロック及び第N消去許可ブロックを1組とする(ただしNは偶数とする)。データ記憶装置1は、例えば第1消去許可ブロックに設定値a_1を正データとして書き込んだ後、第2消去許可ブロックに同一の設定値a_1を副データとして書き込む。これにより、1組とされた2つの消去許可ブロックには、同じデータが書き込まれる。
(Modification 2)
When the
また変形例2に係るデータ記憶装置1は、フラッシュメモリ20に記憶されたデータについて誤りの有無を判断する誤り検出機能を有している。データ記憶装置1は、消去許可ブロックからデータを読み出す場合、まず一方の消去許可ブロックに記憶されている正データの誤りの有無を判断し、誤りがなければこの正データを読み出す。一方の消去許可ブロックに記憶されている正データに誤りがあると判断した場合、データ記憶装置1は、他方の消去許可ブロックに記憶されている副データを読み出す。なお副データについても誤りの有無を判断してもよい。
Further, the
図10は、変形例2に係るデータ記憶装置1が行うデータ読出処理の手順を示すフローチャートである。変形例2に係るデータ記憶装置1の処理部10は、読み出すデータが消去禁止ブロック又は消去許可ブロックのいずれに記憶されているかを判定する記憶ブロック判定処理を行う(ステップS41)。処理部10は、記憶ブロック判定処理の結果に基づき、読み出すべきデータの記憶先が消去禁止ブロックであるか否かを判断する(ステップS42)。データの記憶先が消去禁止ブロックである場合(S42:YES)、処理部10は、フラッシュメモリ20の消去禁止ブロックからデータを読み出して(ステップS43)、処理を終了する。
FIG. 10 is a flowchart showing a procedure of data read processing performed by the
データの記憶先が消去禁止ブロックではなく消去許可ブロックである場合(S42:NO)、処理部10は、データ書き込みの対象としている2つの消去許可ブロックを選択する(ステップS44)。処理部10は、選択した消去許可ブロックの管理情報を読み出して(ステップS45)、一方の消去許可ブロックから有効なデータを読み出す(ステップS46)。処理部10は、一方の消去許可ブロックから読み出したデータに誤りがあるか否かを判定し(ステップS47)、誤りがない場合には(S47:NO)、このデータを読み出しデータとして処理を終了する。一方の消去許可ブロックから読み出したデータに誤りがある場合(S47:YES)、処理部10は、他方の消去許可ブロックから有効なデータを読み出し(ステップS48)、このデータを読み出しデータとして処理を終了する。
When the data storage destination is not an erasure prohibition block but an erasure permission block (S42: NO), the
このように変形例2に係るデータ記憶装置1は、データの書き込みを行う場合に、正データ及び副データを消去許可ブロックへ書き込む。データの読み出しを行う場合にデータ記憶装置1は、消去許可ブロックに記憶された正データ及び副データの誤り検出を行い、その結果に応じていずれかのデータを読み出せばよい。これにより、消去許可ブロックに記憶するデータの信頼性を向上することができる。なおデータ記憶装置1は、正データ及び副データをそれぞれ異なる消去許可ブロックに記憶する構成ではなく、正データ及び副データを同一の消去許可ブロックに記憶する構成としてもよい。
As described above, the
1 データ記憶装置
10 処理部
11 RAM
20 フラッシュメモリ
21 メモリ管理部
30 記憶部
31 プログラム用記憶領域
32 データ用記憶領域
100 車両
1
DESCRIPTION OF
Claims (4)
前記記憶ブロックに対してデータを書き込む処理を行う第1の書込手段と、
該第1の書込手段によるデータの書き込みにより一の記憶ブロックがデータで満たされた場合に、前記一の記憶ブロックから一又は複数のデータを読み出して他の記憶ブロックへ書き込むデータ複写手段と、
該データ複写手段による処理の終了後に、前記一の記憶ブロックのデータを消去する処理を行う消去手段と
を備え、
前記不揮発性メモリが有する複数の記憶ブロックには、
前記第1の書込手段、前記データ複写手段及び前記消去手段の処理対象とならないデータ消去禁止ブロックと、
前記第1の書込手段、前記データ複写手段及び前記消去手段の処理対象となる複数のデータ消去許可ブロックと
を含み、
前記データ消去禁止ブロックがデータで満たされるまで、前記データ消去禁止ブロックに対してデータを書き込む処理を行う第2の書込手段を更に備え、
前記データ消去禁止ブロックには、搭載される車両の仕様に関する情報が記憶してあり、
前記第1の書込手段は、前記車両に搭載された電子機器に関し、前記車両の使用者が変更可能な設定情報を書き込み、
前記第2の書込手段は、セキュリティに関する情報を書き込むようにしてあること
を特徴とする車載データ記憶装置。 In a vehicle-mounted data storage device including a nonvolatile memory that is mounted on a vehicle and has a plurality of storage blocks from which data is erased collectively,
First writing means for performing processing of writing data to the storage block;
A data copying means for writing into other memory blocks are read when the first storage block is filled with data by writing the data, one or more data from said first storage block according to said first writing means,
Erasing means for performing processing for erasing the data in the one storage block after the processing by the data copying means is completed,
In the plurality of storage blocks included in the nonvolatile memory,
A data erasure prohibition block not subject to processing by the first writing means, the data copying means and the erasing means;
It said first writing means, seen including a plurality of data erase authorization block to be processed of the data copying means and said erasing means,
A second writing means for performing a process of writing data to the data erasure prohibition block until the data erasure prohibition block is filled with data;
In the data erasure prohibition block, information related to the specifications of the vehicle to be mounted is stored,
The first writing unit writes setting information that can be changed by a user of the vehicle with respect to an electronic device mounted on the vehicle.
The in-vehicle data storage device, wherein the second writing means writes information related to security .
前記不揮発性メモリに書き込まれたデータの誤りを検出する検出手段と、Detecting means for detecting an error in data written in the nonvolatile memory;
該検出手段の検出結果に応じて、前記一のデータ又は前記複写データを読み出す読出手段とReading means for reading out the one data or the copy data according to a detection result of the detecting means;
を備えることHaving
を特徴とする請求項1に記載の車載データ記憶装置。The in-vehicle data storage device according to claim 1.
を特徴とする請求項2に記載の車載データ記憶装置。The in-vehicle data storage device according to claim 2.
前記記憶ブロックに対してデータを書き込む処理を行う第1の書込ステップと、
該第1の書込ステップによるデータの書き込みにより一の記憶ブロックがデータで満たされた場合に、前記一の記憶ブロックから一又は複数のデータを読み出して他の記憶ブロックへ書き込むデータ複写ステップと、
該データ複写ステップによる処理の終了後に、前記一の記憶ブロックのデータを消去する処理を行う消去ステップと
を含み、
前記不揮発性メモリが有する複数の記憶ブロックには、
前記第1の書込ステップ、前記データ複写ステップ及び前記消去ステップの処理対象としないデータ消去禁止ブロックと、
前記第1の書込ステップ、前記データ複写ステップ及び前記消去ステップの処理対象とする複数のデータ消去許可ブロックと
を含み、
前記データ消去禁止ブロックがデータで満たされるまで、前記データ消去禁止ブロックに対してデータを書き込む処理を行う第2の書込ステップを更に含み、
前記データ消去禁止ブロックには、搭載される車両の仕様に関する情報を記憶し、
前記第1の書込ステップにて、前記車両に搭載された電子機器に関し、前記車両の使用者が変更可能な設定情報を書き込み、
前記第2の書込ステップにて、セキュリティに関する情報を書き込むこと
を特徴とするデータ記憶方法。 In a data storage method for storing data in a non-volatile memory mounted on a vehicle and having a plurality of storage blocks from which data is erased collectively,
A first writing step for performing a process of writing data to the storage block;
If the first storage block is filled with data by writing the data according to the first writing step, a data copying step of writing the reading one or more data from the first storage block to the other memory blocks,
An erasing step for erasing data of the one storage block after the processing by the data copying step is completed,
In the plurality of storage blocks included in the nonvolatile memory,
A data erasure prohibition block not to be processed in the first writing step, the data copying step, and the erasing step;
The first writing step, seen including a plurality of data erase authorization block to be processed of the data copying step and the removing step,
A second writing step of performing a process of writing data to the data erasure prohibition block until the data erasure prohibition block is filled with data;
In the data erasure prohibition block, information related to the specifications of the vehicle to be mounted is stored,
In the first writing step, setting information that can be changed by a user of the vehicle is written regarding the electronic device mounted on the vehicle.
A data storage method, wherein information relating to security is written in the second writing step .
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013272969A JP6060892B2 (en) | 2013-12-27 | 2013-12-27 | In-vehicle data storage device and data storage method |
PCT/JP2014/084004 WO2015098894A1 (en) | 2013-12-27 | 2014-12-23 | Data storage device, vehicle-mounted data storage device, and data storage method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013272969A JP6060892B2 (en) | 2013-12-27 | 2013-12-27 | In-vehicle data storage device and data storage method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015127873A JP2015127873A (en) | 2015-07-09 |
JP6060892B2 true JP6060892B2 (en) | 2017-01-18 |
Family
ID=53478747
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013272969A Active JP6060892B2 (en) | 2013-12-27 | 2013-12-27 | In-vehicle data storage device and data storage method |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6060892B2 (en) |
WO (1) | WO2015098894A1 (en) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11699308B2 (en) | 2019-07-29 | 2023-07-11 | Toyota Motor North America, Inc. | Tracking of transport data |
US11500571B2 (en) | 2019-07-29 | 2022-11-15 | Toyota Motor North America, Inc. | Tracking of transport data |
US11217041B2 (en) | 2019-07-29 | 2022-01-04 | Toyota Motor North America, Inc. | Tracking of transport data |
CN113946288A (en) * | 2021-09-15 | 2022-01-18 | 长江存储科技有限责任公司 | Data erasing method and device, electronic equipment and computer storage medium |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3268130B2 (en) * | 1994-07-20 | 2002-03-25 | 株式会社東芝 | Data processing device using flash EEPROM |
JP3884839B2 (en) * | 1997-10-17 | 2007-02-21 | 株式会社ルネサステクノロジ | Semiconductor memory device |
JP2001056787A (en) * | 1999-08-20 | 2001-02-27 | Fujitsu General Ltd | Device and method for write for memory |
JP2002091831A (en) * | 2000-09-12 | 2002-03-29 | Hitachi Ltd | System and method for processing data |
TW591393B (en) * | 2003-01-22 | 2004-06-11 | Fujitsu Ltd | Memory controller |
JP4327626B2 (en) * | 2004-03-12 | 2009-09-09 | 株式会社東芝 | Nonvolatile semiconductor memory device |
JP2007265056A (en) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Juki Corp | Configuration apparatus for programmable logistic device |
JP2008073885A (en) * | 2006-09-19 | 2008-04-03 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | Cylindrical cored molded product and its manufacturing method |
JP5525605B2 (en) * | 2009-11-04 | 2014-06-18 | 株式会社日立製作所 | Flash memory module |
-
2013
- 2013-12-27 JP JP2013272969A patent/JP6060892B2/en active Active
-
2014
- 2014-12-23 WO PCT/JP2014/084004 patent/WO2015098894A1/en active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015127873A (en) | 2015-07-09 |
WO2015098894A1 (en) | 2015-07-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4160625B1 (en) | Error detection control system | |
JP6060892B2 (en) | In-vehicle data storage device and data storage method | |
JP2009230407A (en) | Data update method, memory system and memory device | |
KR100813629B1 (en) | Advanced sector protection scheme | |
JP2001014871A (en) | Non-volatile semiconductor storage | |
JP4227149B2 (en) | Information storage method for electronic control unit | |
JP7020989B2 (en) | Non-volatile storage device, memory control device, and memory control method | |
JP6421042B2 (en) | Information processing device | |
JP5045584B2 (en) | Program rewriting device | |
JP3875153B2 (en) | Nonvolatile semiconductor memory device and its rewrite prohibition control method | |
JP5695112B2 (en) | Data storage device, data storage method, and in-vehicle control device | |
JP3981268B2 (en) | Nonvolatile memory and data updating method thereof | |
JP6009290B2 (en) | Electronic control device for vehicle | |
JP5983512B2 (en) | Writing device | |
JP2018028830A (en) | Electronic controller and information storage method thereof | |
JP2011175361A (en) | Data storage device and method | |
JP2009116521A (en) | Data rewriting method for memory | |
US20110082995A1 (en) | Information processing apparatus | |
JP4558393B2 (en) | Information processing device | |
US9465730B2 (en) | Flash memory device | |
JP3646679B2 (en) | Non-volatile memory data rewrite method | |
JP4031693B2 (en) | Nonvolatile memory and data storage device having the same | |
JP4910402B2 (en) | Nonvolatile memory rewriting device and rewriting method | |
JP2019074797A (en) | Data rewriting method of non-volatile memory and semiconductor device | |
CN114115755B (en) | Method and device for data writing and storage medium |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160906 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161024 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161115 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161128 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6060892 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |