JP6051319B2 - クロスサブフレーム干渉調整のための方法、装置およびプログラム - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、一般的に通信技術に関する。特に、本発明の実施形態は、クロスサブフレーム干渉調整のための方法および装置に関する。

一般的に、ユーザから基地局への伝送方向とその逆の伝送方向とを分割するために２つの異なる複信方式、周波数分割複信（ＦＤＤ）と時分割複信（ＴＤＤ）とが採用されている。時分割複信では、１つの帯域幅がアップリンク（ＵＬ）とダウンリンク（ＤＬ）との間で共用されており、これはアップリングとダウンリンクとに異なる時間帯を割り当てることにより行われる。

例えばロングタームエボリューション（ＬＴＥ）またはＬＴＥ−Ａｄｖａｎｃｅｄ（ＬＴＥ−Ａ）ＴＤＤシステムを用いる場合、それぞれ互いに異なるＤＬおよびＵＬ割当を有し、アップリンク−ダウンリンク設定０から６と名付けられた、７つの異なるアップリンク／ダウンリンクパターンの切替が存在する。ＬＴＥ ＴＤＤシステムでは７つの異なるアップリンク−ダウンリンク設定により非対称なＵＬ−ＤＬ割当が許容される。一般的に、ＬＴＥ ＴＤＤシステムは、静的にまたは準静的にセル間にＵＬ−ＤＬ設定を割り当てる。慣例的に、ＬＴＥ ＴＤＤシステムによりセルの設定が配置された後では、全ての隣接するセルは同一のアップリンク−ダウンリンク設定、例えば設定０を有する。設定割当は、動作中変更される（静的割当）、或いは、数年動作した後に変更される（準静的割当）。

いくつかの場合、静的または準静的な割当はバーストトラフィック条件、例えばＦＴＰ通信量に適合しないかもしれない。従って、動的設定割当がトラフィック条件により良好に適合するために提案されている。かくして、隣接するセルは互いに異なるアップリンク−ダウンリンク設定を有しうる。異なるセルにＵＬ−ＤＬ設定を動的に割り当てることにより、非対称のＤＬおよびＵＬトラフィックの要求が良好に処理されうる。

しかしながら、各セルのＵＬ−ＤＬ設定を自由に調整することは、重大なクロスサブフレーム干渉、例えば、ＢＳ−ＢＳ ＣＣＩとＵＥ−ＵＥ ＣＣＩとの両方を含むクロスサブフレーム同一チャネル干渉（ＣＣＩ）に結び付き、システム性能を著しく低下させることになりうる。このＣＣＩは、動的なＵＬ−ＤＬ設定／再設定が可能になったときに隣接するセル内での逆方向への送信により生じる。

ＢＳは、ＵＥに比べて高い送信電力と多くの送信アンテナを有するので、ＢＳ−ＢＳ干渉は、ＵＥ−ＵＥ干渉に比べてひどい。それゆえ、ＢＳ−ＢＳ ＣＣＩから生じるシステム性能への悪影響を除去するための干渉回避／緩和方法を見つける必要性がある。

本発明は、クロスサブフレーム干渉、特にＢＳ−ＢＳ干渉を調整するための解決策を提供する。特に、本発明は、動的ＴＤＤシステムにおいて、システムのスループットが効果的に改善されるようにクロスサブフレーム干渉調整のための方法および装置を提供する。

本発明の第１の観点によれば、本発明の実施形態は、動的なＴＤＤシステムにおけるクロスサブフレーム干渉調整のための方法を提供する。この方法は、前記動的ＴＤＤシステムにおける複数のセルにより採用されるＵＬ−ＤＬ設定を取得することと、前記ＵＬ−ＤＬ設定に基づいて、クロスサブフレーム干渉を低減するために、少なくとも１つの干渉されているセルへの前記クロスサブフレーム干渉を有する少なくとも１つの干渉しているセルのビームフォーミングベクトルを決定することと、を含みうる。

本発明の第２の観点によれば、本発明の実施形態は、動的ＴＤＤシステムにおけるクロスサブフレーム干渉調整のための装置を提供する。この装置は、前記動的ＴＤＤシステムにおける複数のセルにより採用されるＵＬ−ＤＬ設定を取得するよう構成された取得部と、前記ＵＬ−ＤＬ設定に基づいて、クロスサブフレーム干渉を低減するために、少なくとも１つの干渉されているセルへの前記クロスサブフレーム干渉を有する少なくとも１つの干渉しているセルのビームフォーミングベクトルを決定するよう構成された決定部と、を備えうる。

既存の解決策と比較して、提供された解決策はクロスサブフレーム干渉を効果的に低減し動的ＴＤＤシステムのスループットを改善する。

また、本発明の実施形態の他の特徴および利点は、本発明の実施形態の原理を例示的に示した添付図面とともに以下の実施形態の説明を一読すれば、当該説明から明らかになるであろう。

本発明の実施形態は、例示的な意味で表されたものであり、これらの利点は以下で、以下の添付図面を参照しながらより詳細に説明される。

本発明の実施形態に係るクロスサブフレーム干渉を含む動的ＴＤＤシステム１００の概略構成図である。 本発明の実施形態に係る動的ＴＤＤシステムにおけるクロスサブフレーム干渉調整のための方法２００のフローチャートを示す図である。 本発明の他の実施形態に係る動的ＴＤＤシステムにおけるクロスサブフレーム干渉調整のための方法３００のフローチャートを示す図である。 本発明の更に他の実施形態に係る動的ＴＤＤシステムにおけるクロスサブフレーム干渉調整のための方法４００のフローチャートを示す図である。 本発明の実施形態に係る動的ＴＤＤシステムにおけるセルの１または複数のセルクラスタ中へのクラスタリングの方法５００のフローチャートを示す図である。 本発明の実施形態に係る動的ＴＤＤシステムにおけるクロスサブフレーム干渉調整のための装置６００のブロック図である。 本発明のいくつかの実施形態に係るクロスサブフレーム干渉調整を採用する動的ＴＤＤシステム７００の概略構成図である。 本発明に係るいくつかの他の実施形態に係るクロスサブフレーム干渉調整を採用する動的ＴＤＤシステム８００の概略構成図である。

本発明の種々の実施形態は、図面を参照しながら詳細に説明される。但し、本分野における当業者にとって、本発明は多くの異なる形式で実現されてもよく、本明細書で開示されている実施形態および詳細説明に限定されるものと解釈すべきではないことは明らかであろう。本明細書を通じて同じ番号は同じ要素を示す。

この明細書全体に記述されている本発明の特徴、構造または特性は、１または複数の実施形態におけるあらゆる適当な方式で組合わされてもよい。例えばこの明細書全体における「ある実施形態」、「いくつかの実施形態」という節または他の同様の用語の使用は、実施形態と組合わされて記述されている特定の特徴、構造または特性が本発明の少なくとも１つの実施形態中に含まれていてもよいという事実を示す。従って、この明細書全体を通じて「ある実施形態において」、「いくつかの実施形態において」、「他の実施形態において」という節または他の同様の用語が出現すると、必ずしも全てが同じ実施形態の群を示すのではなく、また、記述されている特徴、構造または特性は、１または複数の実施形態においてあらゆる適当な方式で組合わされてもよい。

本発明に係る実施形態は、これに限定されるわけではないがＬＴＥまたはＬＴＥ−Ａシステムを含む種々の動的ＴＤＤシステムにおいて適用されうる。また、もちろん、通信における急速な発達があれば、本発明が実現されうる未来型の無線通信技術およびシステムが存在するであろう。本発明の範囲が前述のシステムのみに限定されると看做されるべきではない。

本開示では、ユーザ機器（ＵＥ）は、端末、移動端末（ＭＴ）、加入者局（ＳＳ）、携帯用加入者局（ＰＳＳ）、移動局（ＭＳ）またはアクセス端末（ＡＴ）を示すものであってもよく、ＵＥ、端末、ＭＴ、ＳＳ、ＰＳＳ、ＭＳまたはＡＴの機能のいくつかまたは全てが含まれていてもよい。

本開示では、基地局（ＢＳ）は、例えばノードＢ（ＮｏｄｅＢまたはＮＢ）または進化型ノードＢ（ｅＮｏｄｅＢまたはｅＮＢ）、遠隔無線装置（ＲＲＵ）、無線ヘッダ（ＲＨ）、遠隔無線ヘッダ（ＲＲＨ）、リレー、フェムト、ピコ等の低電力ノードを示すものであってもよい。

初めに、本発明の実施形態に係るクロスサブフレーム干渉を含む動的ＴＤＤシステム１００の概略構成図を開示する図１を参照する。

このシステム１００は、例示的にＬＴＥシステムとして開示されている。ＬＴＥ ＴＤＤシステムのために、アップリンク−ダウンリンク設定０から６と名付けられた７つの異なるアップリンク／ダウンリンクパターンの切替が存在する。ＬＴＥ ＴＤＤシステムは、７つの異なるアップリンク−ダウンリンク設定により非対称なＵＬ−ＤＬ割当を許容する。

図１に示すように、システム１００は、第１基地局ＢＳ１ １０１と第２基地局ＢＳ２ １０２とを備える。ＢＳ１ １０１は、セルを管理し、ユーザ機器ＵＥ１ １１１はセル内に配置されＢＳ１が受け持っている。ここで、セルには、設定５（Ｄ，Ｓ，Ｕ，Ｄ，Ｄ，Ｄ，Ｄ，Ｄ，Ｄ，Ｄ）が動的に割り当てられる。同時にＢＳ２ １０２はセルを管理し、ユーザ機器ＵＥ２ １１２はセル内に配置されＢＳ２が受け持っている。ここで、セルには、設定６（Ｄ，Ｓ，Ｕ，Ｕ，Ｕ，Ｄ，Ｓ，Ｕ，Ｕ，Ｄ）が動的に割り当てられる。設定５の５番目のサブフレーム（影付きで示されたもの）は設定６のそれと異なることが判る。特に、設定５の５番目のサブフレームは「Ｄ」であり、一方、設定６の５番目のサブフレームは「Ｕ」」である。言い換えると、ＢＳ１ １０１は５番目のサブフレームにおいてＵＥ１ １１１へダウンリンク送信を実行し、ＢＳ２ １０２は５番目のサブフレームにおいてＵＥ２ １１２へアップリンク送信を実行する。このように、５番目のサブフレームにおいて、ＢＳ１からＵＥ１へのダウンリンク送信がＵＥ２からＢＳ２へのアップリンク送信と干渉しうる。それゆえに、クロスサブフレーム干渉が生じる。

本分野の当業者にとって明らかなように、本開示は、図１に示された特定の配置に限定されるのではなく他のあらゆる適当な通信システムに適用可能でありうる。例えば、システムが３つの設定が割り当てられた３つのセルを含む場合、あるサブフレームにおいて、アップリンク送信が２つのセルで実行される一方、ダウンリンク送信が１つのセルで実行され、クロスサブフレーム干渉も生じる。例えば、システムが３つの設定が割り当てられた３つのセルを含む場合、あるサブフレームにおいて、アップリンク送信が１つのセルで実行される一方、ダウンリンク送信が２つのセルで実行され、クロスサブフレーム干渉も生じる。

クロスサブフレーム干渉を緩和するために、本発明の以下の実施形態は、クロスサブフレーム干渉調整のための方法および装置を提供する。

ここで、本発明の実施形態に係る動的ＴＤＤシステムにおけるクロスサブフレーム干渉調整のための方法２００を開示する図２を参照する。本発明の実施形態によれば、方法２００は例えばＢＳ、ベースバンドユニット（ＢＢＵ）プール、中央装置、制御装置、サーバまたはＴＤＤシステムにおける他の適当な装置により実行されうる。

方法２００が開始した後、ステップＳ２０１において、動的ＴＤＤシステムにおける複数のセルにより採用されたＵＬ−ＤＬ設定が取得される。

本発明の実施形態によれば、本発明の実施形態に係る方法は集中型ランダムアクセスネットワーク（ＲＡＮ）のフレームワークの下で実行されうる。集中型ＲＡＮは、光伝送ネットワークを介して接続されてもよい、１または複数のＢＢＵプールと複数の遠隔無線装置（ＲＲＵ）を備えてもよい。複数のＲＲＵは複数のセルを管理し各セルにおいて信号を送信、受信および／または計測する。ＢＢＵプールは複数のＲＲＵの動作を制御、管理および／または調整しうる。いくつかの実施形態において、方法２００はＢＢＵプールにおいて実行されてもよい。本発明の実施形態に係る方法は、集中型ＲＡＮフレームワークの他に、他の適当なネットワーク、例えば異なる機種を含むネットワークにおいて実行されてもよいことに留意すべきである。本分野の当業者にとって明らかなように、集中型ＲＡＮは、これに限定されるものではなく一例に過ぎない。

ＬＴＥ ＴＤＤシステムのために、アップリンク−ダウンリンク設定０から６と名付けられた７つの異なるパターンの切替が存在する。ＬＴＥ ＴＤＤシステムは、７つの異なるアップリンク−ダウンリンク設定により非対称のＵＬ−ＤＬ割当を許容する。表１はＬＴＥ ＴＤＤシステムのために定義された７つのＵＬ−ＤＬ設定を示す。

表１において、「Ｄ」と示されたサブフレームは、そのサブフレームがダウンリンク用であることを意味し、「Ｕ」と示されたサブフレームは、そのサブフレームがアップリンク用であることを意味し、「Ｓ」と示されたサブフレームは、そのサブフレームがガイド期間（ＧＰ）、アップリンクパイロットタイムスロット（ＵｐＰＴＳ）、ダウンリンクパイロットタイムスロット（ＤｗＰＴＳ）等を含む特殊サブフレームであることを意味する。表１から、ＬＴＥ ＴＤＤシステムが７つのアップリンク−ダウンリンク設定により非対称なＵＬ−ＤＬ割当を許容していることが判る。

本発明の実施形態によれば、動的ＴＤＤシステムは複数のセルを備えてもよい。複数のセルは、再設定のための時間スケールが満たされたとき、ＵＬ−ＤＬ設定が動的に割り当てられてもよい。このように、セルにより採用されたＵＬ−ＤＬ設定は、セルに動的に割り当てられたセルのＵＬ−ＤＬ設定を受信することにより取得されてもよい。例えば、いくつかの実施形態において、１つのセルのために、ＵＬ−ＤＬ設定は、利用可能な設定のＵＬに対するＤＬのサブフレーム比率と、各セルのＵＬに対するＤＬのデータ比率とに基づいて、動的に割り当てられてもよい。セルを管理する各基地局（例えばｅＮＢ、ＲＲＵ等）は、制御装置、中央装置、ＢＢＵプール、サーバ等のようなネットワークノードに、新たに割り当てられたＵＬ−ＤＬ設定を通知してもよい。このように、ネットワークノードは、通知を受信したときに、動的ＴＤＤシステムにおける複数のセルにより採用されているＵＬ−ＤＬ設定の情報を取得してもよい。

本発明の実施形態によれば、動的ＴＤＤシステムの中に多数のセルが存在してもよい。この場合、ステップＳ２０１において、動的ＴＤＤシステムにおけるセルは、１または複数のセルクラスタにクラスタ化されてもよく、このとき、１または複数のセルクラスタそれぞれの中のセルにより採用されるＵＬ−ＤＬ設定が取得されてもよい。いくつかの実施形態において、セルは、複数のセルから任意に選択された参照セルと、複数のセルとの間でのクロスサブフレーム同一チャネル干渉（ＣＣＩ）指標を決定し、ＣＣＩ指標に基づいて複数のセルを１または複数のセルクラスタにクラスタリングすることにより、クラスタリングされてもよい。クラスタリングに関する更なる詳細は、図４および５に例示されている実施形態と組合わせた記述の中に見出されうる。

ステップＳ２０２では、クロスサブフレーム干渉を低減するために、ＵＬ−ＤＬ設定に基づいて、少なくとも１つの干渉したセルへのクロスサブフレーム干渉を有する少なくとも１つの干渉しているセルのビームフォーミングベクトルを決定する。

本発明の実施形態によれば、ステップＳ２０１で取得されるように、複数のセルにより採用されたＵＬ−ＤＬ設定に基づいて、少なくとも１つの干渉しているセルおよび少なくとも１つの干渉されているセルが複数のセルから決定される。このとき、少なくとも１つの干渉しているセルと少なくとも１つの干渉されているセルの中のＵＥは１または複数のＵＥ群に分割されてもよい。ここで、ＵＥ群は、少なくとも１つの干渉しているセルの中のＵＥと、少なくとも１つの干渉されているセルの中のＵＥとを少なくとも含む。次に、１または複数のＵＥ群に関連する１または複数のビームフォーミングベクトルが算出されてもよく、また、少なくとも１つの干渉されているセルのアップリンク容量を最大にするビームフォーミングベクトルは１または複数のビームフォーミングベクトルから選択されてもよい。

本発明のいくつかの例示的な実施形態によれば、ＵＥ群に関して、少なくとも１つの干渉しているセルから少なくとも１つの干渉されているセルまでの信号漏洩を示す信号漏洩値を計算し、信号漏洩値を最小にするビームフォーミングベクトルを、ＵＥ群に関連するビームフォーミングベクトルとして決定することにより、１または複数のＵＥ群に関連した１または複数のビームフォーミングベクトルが算出されてもよい。

本発明の他の例示的な実施形態によれば、１または複数のビームフォーミングベクトルに基づいて少なくとも１つの干渉されているセルの容量値を算出し、１または複数のビームフォーミングベクトルから算出された容量値が最も大きいものに関連するビームフォーミングベクトルを選択することにより、少なくとも１つの干渉されているセルのアップリンク容量を最大にするビームフォーミングベクトルが選択されてもよい。

クラスタリングに関する更なる詳細は、図３に例示された実施形態と組合わせた記述の中に見出しうる。

図２に例示された実施形態に関して、既存の解決策と異なり、アップリンク性能がＢＳ−ＢＳクロスサブフレーム干渉を低減することにより効率的に改善されるという利点がある。また、重大なダウンリンク性能の低下が生じないという利点もある。

図３は、本発明の他の実施形態に係る動的ＴＤＤシステムにおけるクロスサブフレーム干渉調整のための方法３００のフローチャートを例示する。方法３００は、図２を参照して前述の方法２００の実施形態と看做しうる。以下の方法３００の説明では、干渉されているセルへの干渉しているセルのクロスサブフレーム干渉を低減するように、少なくとも１つの干渉されているセルのアップリンク容量を最大にするビームフォーミングベクトルが選択される。但し、これは、この範囲に限定するというよりはむしろ本発明の原理の例示の目的に過ぎないことに留意されたい。

ステップＳ３０１において、複数のセルそれぞれに動的に割り当てられたＵＬ−ＤＬ設定が受信される。

本発明の実施形態によれば、複数のセルそれぞれのために、ＵＬ−ＤＬ設定が、利用可能な設定のＵＬに対するＤＬのサブフレーム比率と、各セルのＵＬに対するＤＬのデータ比率と、に基づいて、動的に割り当てられてもよい。例えば、１つのセルに関して、セルにおける再設定のための時間スケールが満たされたことに応じて、セルのＵＬに対するＤＬのデータ比率が、ＤＬバッファおよびＵＬバッファ内のデータ量に基づいて算出されてもよく、次に、利用可能な設定のＵＬに対するＤＬのサブフレーム比率が取得され、ＵＬに対するＤＬのサブフレーム比率がＵＬに対するＤＬのデータ比率に最も近い設定が利用可能な設定から、セルに割り当てられたＵＬ−ＤＬ設定として選択されてもよい。このようにして、動的ＴＤＤシステムにおける複数のセル全てのためのＵＬ−ＤＬ設定が取得されてもよい。

例示的な実施形態において、再設定のための時間スケールが満たされると（例えばＸｍｓ毎）、動的なＵＬ−ＤＬ設定の割当が可能となってもよい。例えば複数のセルのうちの１つをとると、そのセルはＤＬおよびＵＬバッファのデータ量の比率に最も近いＵＬ−ＤＬ比率を有する設定を選択しうる。

この過程を例示するために、初めに設定ｌのＵＬ−ＤＬ比率は、
により算出されてもよい。ここで、Ｎ^ＤＬ _ｌとＮ^ＵＬ _ｌとはそれぞれ設定ｌの１つの無線フレーム内におけるＤＬおよびＵＬサブフレームの数を表す。Ｎ^Ｓ _ｌは設定ｌの１つの無線フレーム内における特殊サブフレームの数に相当する。Ｎ_ＯＦＤＭは１つのサブフレーム内のＯＦＤＭシンボルの数を示す。Ｋ_{ＵｐＰＴＳ}とＫ_{ＤｗＰＴＳ}とはそれぞれ１つの特殊サブフレーム内におけるＵｐＰＴＳおよびＤｗＰＴＳの比率である。

各セルのＤＬおよびＵＬバッファ内におけるデータ量の比率は、
により算出されてもよい。ここで、Ｂ_ＤとＢ_Ｕとは、それぞれＤＬおよびＵＬバッファにおけるパケットの数に相当する。

更に、Ｂ_ＤとＢ_Ｕとは、
として表されてもよい。ここで、ＮはＵＥの総数を示し、Ｂ^Ｄ _ｎとＢ^Ｕ _ｎとはそれぞれユーザｎにより要求されたＤＬおよびＵＬパケットの数を表す。

結局、セルは、例えば、
を計算することにより、各セルのＤＬおよびＵＬバッファ内のデータ量の比率に最も近いＤＬ／ＵＬ比率を有する設定を選択してもよい。ここで、ｌ_ａは選択されたＵＬ−ＤＬ設定の指数である。

本発明のいくつかの実施形態は、前述の動的なＵＬ−ＤＬ設定の割当の構成の他に、他の適当な動的なＵＬ−ＤＬ設定の割当を採用してもよいことに留意すべきである。前述の実施形態は、これに限定するというよりもむしろ単なる例示として説明されている。

ステップＳ３０２において、少なくとも１つの干渉しているセルと少なくとも１つの干渉されているセルとは、ＵＬ−ＤＬ設定に基づいてセルから決定されたものである。

ＵＬ−ＤＬ設定とともに、干渉しているセルと干渉されているセルとが決定されてもよい。図１に関して、ＢＳ１およびＢＳ２により管理されたセルにより採用されたＵＬ−ＤＬ設定、即ち、設定５および設定６は、ステップＳ３０１において取得されてもよい。設定５の５番目のサブフレームは「Ｄ」であり設定６の５番目のサブフレームは「Ｕ」であるので、ＢＳ１からＵＥ１へのダウンリンク送信はＵＥ２からＢＳ２へのアップリンク送信と干渉しうる。このように、ＢＳ１により管理されているセルは、干渉しているＢＳとして決定され、ＢＳ２により管理されているセルは、干渉されているＢＳとして決定される。

本発明のいくつかの実施形態に係るクロスサブフレーム干渉調整を採用する動的なＴＤＤシステム７００の概略構成図を例示する図７に示す実施形態を参照する。図７に例示された実施形態において、セル１には設定５（Ｄ，Ｓ，Ｕ，Ｄ，Ｄ，Ｄ，Ｄ，Ｄ，Ｄ，Ｄ）が割り当てられ、セル２には設定２（Ｄ，Ｓ，Ｕ，Ｄ，Ｄ，Ｄ，Ｄ，Ｄ，Ｄ，Ｄ）が割り当てられ、セル３には設定６（Ｄ，Ｓ，Ｕ，Ｕ，Ｕ，Ｄ，Ｓ，Ｕ，Ｕ，Ｄ）が割り当てられている。５番目のサブフレームに関して、セル１とセル２とは干渉しているＢＳとして決定され、セル３は干渉されているＢＳとして決定されてもよい。

本発明のいくつかの実施形態に係るクロスサブフレーム干渉調整を採用する動的なＴＤＤシステム８００の概略構成図を例示する図８に示す実施形態を参照する。図８に例示された実施形態において、セル４には設定５（Ｄ，Ｓ，Ｕ，Ｄ，Ｄ，Ｄ，Ｄ，Ｄ，Ｄ，Ｄ）が割り当てられ、セル４には設定６（Ｄ，Ｓ，Ｕ，Ｕ，Ｕ，Ｄ，Ｓ，Ｕ，Ｕ，Ｄ）が割り当てられ、セル６には設定６（Ｄ，Ｓ，Ｕ，Ｕ，Ｕ，Ｄ，Ｓ，Ｕ，Ｕ，Ｄ）が割り当てられている。５番目のサブフレームに関して、セル４は干渉しているＢＳとして決定され、セル５とセル６とは干渉されているＢＳとして決定されてもよい。

ステップＳ３０３において、少なくとも１つの干渉しているセルと少なくとも１つの干渉されているセルとにおけるＵＥは、１または複数のＵＥ群に分割される。

本発明の実施形態によれば、ＵＥ群は、少なくとも１つの干渉しているセル内のＵＥと、少なくとも１つの干渉されているセル内のＵＥと、を少なくとも含む。

図７に示された実施形態において、ＵＥ０、１、２、・・・、７は、送信または受信するためのＤＬまたはＵＬパケットのいずれかを有するＵＥの候補であってもよい。ＵＥは、恐らく、セル１、セル２およびセル３内の同じリソースブロック（ＲＢ）において同時にパケットを送信／受信するであろう。例えば、図７に示すように、ＵＥ（０、４、６）は、ＵＥの候補群である。言い換えれば、「ＵＥ（０、４、６）」は、セル１内のＵＥ０、セル２内のＵＥ４およびセル３内のＵＥ６を有するＵＥ群を示している。

ステップＳ３０４において、１または複数のＵＥ群に関連する１または複数のビームフォーミングベクトルが算出される。

本発明の実施形態によれば、少なくとも１つの干渉されているセルに対する少なくとも１つの干渉しているセルの信号漏洩値が、ＵＥ群について算出されてもよい。このとき、信号漏洩値を最小にするビームフォーミングベクトルは、ＵＥ群に関連するビームフォーミングベクトルとして決定されてもよい。本発明の実施形態において、信号漏洩値は、例示的に信号対漏洩雑音比（ＳＬＮＲ）として示されてもよく、ＳＬＮＲを最小にするビームフォーミングベクトルが、ＵＥ群に関連するビームフォーミングベクトルとして決定されてもよい。

図７に例示された実施形態を参照するに、セルクラスタの中に３つのセルが存在し、これらのうちの２つはＤＬサブフレーム（５番目のサブフレーム）の中に存在し、一方、他の１つはＵＬサブフレームの中に存在する。ＢＳ−ａ ７０１およびＢＳ−ｂ ７０２（それぞれＦ_ａとＦ_ｂとして示されている）のビームフォーミングベクトルはＳＬＮＲに基づいて算出されてもよい。

ＵＥ群、例えばＵＥ（０、４、６）について、ＢＳ−ａ ７０１からＵＥ０ ７２０までの伝送を仮定した場合の修正されたＳＬＮＲは、
として表されてもよい。ここで、αは調整因子である。Ｉ_ｃはＢＳ−ｃ ７０３で観測される干渉であり、それ自身が受け持つセルおよびＢＳ−ａ ７０１からの干渉を除いたものを表す。Ｒ^ａ _０はＵＥ０ ７２０およびＢＳ−ａ ７０１により観測される静的な空間相関行列を表し、 Ｒ^ａ _ＣはＢＳ−ｃ ７０３およびＢＳ−ａ ７０１により観測される静的な空間相関行列を表す。

本開示において、受信装置ｉと送信装置ｊにより観測される静的な空間相関行列は、Ｒ^ｊ _ｉとして示され、１または複数のサブフレームにおいて全ての帯域またはサブ帯域全体に亘って積算されうる。いくつかの実施形態において、Ｒ^ｊ _ｉは、
により計算されてもよい。

ここで、Ｔは積算されたサブフレームの組を表し、Ｓはサブ帯域（単一サブキャリアの特殊な場合を含む）、全送信帯域またはスペクトラム集合の場合における単一要素キャリアに相当するサブキャリアの組を表し、Ｈ_{ｉ，ｊ，ｋ，ｔ}はサブフレームｔ内のサブキャリアｋについてのｉとｊとの間の小規模フェージングチャネルを示す。

静的な空間相関行列Ｒ^ｊ _ｉを計算することにより、結果的に式（５）の静的な空間相関行列Ｒ^ａ _０とＲ^ａ _ｃが決定されうる。

そして、ＢＳ−ａ ７０１における対応するビームフォーミングベクトルは、
として計算されてもよい。ここで、ｅｉｇ｛Ｍ｝は、入力行列Ｍの最大のＬ固有値に相当する固有ベクトルを計算する関数であり、ＬはＵＥへの送信ランクを表す。例えばＬ＝１である。

そして、ＢＳ−ｂ ７０２における対応するビームフォーミングベクトルは、
として計算されてもよい。ここで、Ｒ^ｂ _４はＵＥ４ ７２４とＢＳ−ｂ ７０２とにより観測される静的な空間相関行列を表し、Ｒ^ｂ _ｃはＢＳ−ｃ ７０３とＢＳ−ｂ ７０２とにより観測される静的な空間相関行列を表す。

図８に例示された実施形態を参照するに、セルクラスタ内に３つのセルが存在し、これらのうちの２つは、互いに他方がＤＬサブフレーム内である間、ＵＬサブフレーム（５番目のサブフレーム）内にある。ＢＳ−ａ ８０１とＢＳ−ｂ ８０２（Ｆ_ａとして示された）のビームフォーミングベクトルは、ＳＬＮＲに基づいて計算されてもよい。

図８に例示された実施形態を参照するに、セルクラスタ内に３つのセルが存在し、これらのうちの２つは、互いに他方がＤＬサブフレーム内である間、ＵＬサブフレーム（５番目のサブフレーム）内にある。セル４内のＢＳ−ａ ８０１からのダウンリンク送信は、セル５および６内のアップリンク送信と干渉しうる。ＢＳ−ａ ７０１（Ｆ_ａとして示された）のビームフォーミングベクトルは、以下に示すようにＳＬＮＲに基づいて計算されてもよい。

図８に例示されているように、ＵＥ０，１，２，・・・・，７は送信または受信のためにＤＬまたはＵＬのいずれかのパケットを有する候補ＵＥである。ＵＥ群、例えばＵＥ（０，３，６）について、ＢＳ−ａ ８０１からＵＥ０ ８２０への送信を仮定すると修正されたＳＬＮＲは、
として表されうる。ここで、αは調整因子である。Ｉ_ｂとＩ_ｃとはＢＳ−ｂとＢＳ−ｃとで観測される干渉であってそれらが受け持つセルとＢＳ−ａとからの干渉を除いたものを表す。Ｒ^ａ _０はＵＥ０ ８２０とＢＳ−ａ ８０１とにより観測される静的な空間相関行列を表す。Ｒ^ａ _ｃはＢＳ−ｃ ８０３とＢＳ−ａ ８０１とにより観測される静的な空間相関行列を表し、Ｒ^ｂ _ｃはＢＳ−ｃ ８０３とＢＳ−ｂ ８０２とにより観測される静的な空間相関行列を表す。

本発明の実施形態によれば、前述の静的な空間相関行列は、いくつかの方法、例えば式（６）に従って計算する方法で取得されうる。

そして、ＢＳ−ａ ８０１での対応するビームフォーミングベクトルは、
として計算されてもよい。ここで、ｅｉｇ｛Ｍ｝は、入力行列Ｍの最大のＬ固有値に相当する固有ベクトルを計算する関数であり、ＬはＵＥへの送信ランクを表す。例えばＬ＝１である。

図８に関する実施形態は、１つのユーザ集団に関して干渉しているセル（即ち、セル４）のビームフォーミングベクトルの決定に関係することに留意されたい。異なるユーザ集団に関しては、より多くの干渉しているセルのビームフォーミングベクトルが決定されてもよい。

ステップＳ３０５において、少なくとも１つの干渉されているセルのアップリンク容量を最大にするビームフォーミングベクトルが、１または複数のビームフォーミングベクトルから選択される。

本発明の実施形態によれば、少なくとも１つの干渉されているセルのアップリンク容量は、少なくとも１つの干渉されているセルの容量値を計算することにより取得されてもよい。いくつかの実施形態において、初めに、少なくとも１つの干渉されているセルの容量値が１または複数のビームフォーミングベクトルに基づいて計算され、次に、計算された容量値のうちの最大のものに関連するビームフォーミングベクトルが１または複数のビームフォーミングベクトルから選択されてもよい。本発明の実施形態によれば、少なくとも１つの干渉されているセルのアップリンク容量は、少なくとも１つの干渉されているセルの容量値を計算することにより取得されてもよい。

ここで、干渉されているセルの容量値が、典型的に下記式に示すようにＵＥ集団、ＵＥ（０，４，６）に関して計算されうる図７に示された実施形態を参照する。
ここで、Ｆ_aとＦ_ｂとは、それぞれＢＳ−ａ ７０１およびＢＳ−ｂ ７０２のビームフォーミングベクトルである。Ｎ^ＲＲＵ _ｒはＢＳ（この実施形態では、ＢＳがＲＲＵとして例示されている）での受信アンテナの数である。Ｎ_ａは、ＢＳ−ａ ７０１でのアンテナ当たりの余剰干渉と平均雑音電力とを表す。Ｒ^６ _ｃはＢＳ−ｃ ７０３およびＵＥ６ ７２６により観測される静的な空間相関行列を表す。Ｒ^ａ _ｃはＢＳ−ｃ ７０３およびＢＳ−ａ ７０１により観測される静的な空間相関行列を表し、Ｒ^ｂ _ｃはＢＳ−ｃ ７０３およびＢＳ−ｂ ７０２により観測される静的な空間相関行列を表す。

前述の行列Ｃ_Ｕの最大値は、
を解くことにより取得されてもよい。ここで、Ｐ^ＲＲＵ _ｔはＲＲＵについての送信電力の限界値である。

複数のＵＥ集団に関して、ステップＳ３０４において、ＢＳ−ａのビームフォーミングベクトルとＢＳ−ｂのビームフォーミングベクトルとが計算されうるので、最大化された容量値は、式（１１）に従って、複数のＣ_Ｕとこれらのビームフォーミングベクトルとを比較することにより決定されてもよい。この方法において、干渉されているセル、即ちセル３のアップリンク容量を最大にするビームフォーミングベクトルは、ステップＳ３０４において取得されたビームフォーミングベクトルから選択されてもよい。

干渉されているセルの容量値が、典型的に下記式に示すようにＵＥ集団、ＵＥ（０，３，６）に関して計算されうる図８に示された実施形態を参照する。
ここで、Ｆ_ａはＢＳ−ａ ８０１のビームフォーミングベクトルである。Ｎ^ＲＲＵ _ｒはＢＳ（この実施形態では、ＢＳはＲＲＵとして例示されている）における受信アンテナの数である。Ｎ_ａとＮ_ｂはそれぞれＢＳ−ａ ８０１およびＢＳ−ｂ ８０２において送信された、アンテナ当たりの残余干渉および平均雑音電力を表す。Ｒ^６ _ｃはＢＳ−ｃ ８０３およびＵＥ６ ８２６により観測される静的な空間相関行列を表す。Ｒ^３ _ｃはＢＳ−ｃ ８０３およびＵＥ３ ８２３により観測される静的な空間相関行列を表す。Ｒ^ａ _ｃはＢＳ−ｃ ８０３およびＢＳ−ａ ８０１により観測される静的な空間相関行列を表す。Ｒ^６ _ｂはＢＳ−ｂ ８０２およびＵＥ６ ８２６により観測される静的な空間相関行列を表す。Ｒ^３ _ｂはＢＳ−ｂ ８０２およびＵＥ３ ８２３により観測される静的な空間相関行列を表し、Ｒ^ａ _ｂはＢＳ−ｂ ８０２およびＢＳ−ａ ８０１により観測される静的な空間相関行列を表す。

前述の行列Ｃ_Ｕの最大値は、
を解くことにより取得されてもよい。ここでＰ^ＲＲＵ _ｔはＲＲＵ、即ちＢＳについての送信電力の限界値である。

ステップＳ３０４において複数のＵＥ群に関してＢＳ−ａの複数のビームフォーミングベクトルが計算されるので、最大化された容量値は、式（１３）により得られた複数のＣ_Ｕとこれらのビームフォーミングベクトルとを比較することにより決定されてもよい。このようにして、干渉されているセル、即ちセル５およびセル６のアップリンク容量を最大にするビームフォーミングベクトルが、干渉しているセル４について選択されてもよい。

選択されたビームフォーミングベクトル、例えば図７の実施形態におけるビームフォーミングベクトルＦ_ａおよびＦ_ｂを用いて、干渉しているセル（セル１とセル２）がセル３へのクロスサブフレーム干渉が緩和されるように、それぞれビームフォーミングベクトルＦ_ａおよびＦ_ｂのビームフォーミングを実行してもよい。

同様に、図８の実施形態において、選択されたビームフォーミングベクトルＦ_ａを用いて、干渉しているセル（セル４）が、セル２およびセル３へのクロスサブフレーム干渉が緩和されるように、ビームフォーミングベクトルＦ_ａのビームフォーミングを実行してもよい。

ここで、本発明の実施形態に係る方法は、１つのセルクラスタ内のセルの最大数が３よりも大きい場合、即ち、より多くの干渉がある場合に拡張されてもよく、本開示で提供された方法の前述の場合への直接的な拡張は達成可能な性能利得および設計自由度（ＤｏＦ）を含んでもよい。例えば、可能な解決方法は、本発明の実施形態に係る方法を実行するために、同じクラスタの中にある全てのセルから２つまたは３つのセルを選択することであろう。

図３により例示された実施形態に関して、クロスサブフレーム干渉が効果的に緩和されるように、アップリンクＵＥへの電力漏洩を表すダウンリンクビームフォーミングベクトルが生成されるという利点がある。また、アップリンクＵＥはＢＳ−ＢＳクロスサブフレーム干渉による影響が比較的小さいＲＢについてスケジューリングされていてもよいという利点がある。

図４は、本発明の更に他の実施形態に係る動的ＴＤＤシステムでのクロスサブフレーム干渉調整のための方法のフローチャートを例示する。方法４００は図２に示す前述の方法２００の実施形態と看做してもよい。以下の方法４００の説明において、動的ＴＤＤシステムにおけるセルは、１または複数のセルクラスタにクラスタ化され、方法２００は、各セルクラスタ内のセルについて実行されてもよい。この方法では、各セルクラスタ内の干渉されているセルへの干渉しているセルのクロスサブフレーム干渉が緩和されうる。しかしながら、これはこの範囲に限定されるというよりはむしろ、本発明の原理を例示する目的に過ぎないことに留意されたい。

ステップＳ４０１において、複数のセルは１または複数のセルクラスタにクラスタ化される。

本発明の実施形態によれば、セルはいくつかの方法によりセルクラスタにクラスタ化されてもよい。例えば、参照セルと複数のセルとの間でのクロスサブフレーム同一チャネル干渉（ＣＣＩ）の指標が決定されてもよく、ここで、参照セルは、複数のセルから無作為に選択され、複数のセルはＣＣＩ指標に基づいて１または複数のセルクラスタにクラスタ化されてもよい。

いくつかの実施形態では、ＣＣＩ指標に基づいて複数のセルを１または複数のセルクラスタにクラスタ化するときに、予め設定された閾値を超えるＣＣＩ指標に関連するセルがセルクラスタに分類されてもよい。他のいくつかの実施形態では、初めに予め設定された閾値を超えるＣＣＩ指標の組が決定され、予め設定された数のＣＣＩ指標がその組から降順で選択され、その予め設定された数のＣＣＩ指標が１つのセルクラスタに分類されてもよい。

本発明の実施形態によれば、セルクラスタリングは、動的な形式または準静的な形式のいずれかにより実行されてもよい。セルクラスタリングの時間スケールはミリ秒、秒、分、時間等の単位でありうる。

クラスタリングに関して更なる詳細は、図５に例示された実施形態と組合わせた説明の中にある。

ステップＳ４０２では、１または複数のセルクラスタそれぞれの中のセルにより採用されるＵＬ−ＤＬ設定が取得される。

方法４００のステップＳ４０２は前述の方法２００のステップＳ２０１の実行と看做されてもよい。また、ステップＳ２０１と同様に、動的ＴＤＤシステムにおける複数のセルにより採用されるＵＬ−ＤＬ設定はステップＳ４０２において取得される。特に、ステップＳ４０２で得られるＵＬ−ＤＬ設定は動的ＴＤＤシステムの中の全てのセルよりもむしろ各セルクラスタの中のセルに動的に割り当てられる設定である。例えば、動的なＴＤＤシステムが５つのセルを含み、これらのうちの３つが第１セルクラスタに分類され他の２つのセルが第２セルクラスタに分類されていると仮定すると、第１セルクラスタの中のセルにより採用されるＵＬ−ＤＬ設定と第２セルクラスタの中のセルにより採用されるＵＬ−ＤＬ設定とはステップＳ４０２で取得されてもよい。

ステップＳ４０３において、少なくとも１つの干渉されているセルについてのクロスサブフレーム干渉を有する少なくとも１つの干渉しているセルのビームフォーミングベクトルは、クロスサブフレーム干渉を緩和するように、ＵＬ−ＤＬ設定に基づいて決定される。

方法４００におけるステップＳ４０３は前述の方法２００におけるステップＳ２０２の実行と看做してもよい。また、ステップＳ２０２と同様に、少なくとも１つの干渉されているセルにおけるクロスサブフレーム干渉を有する少なくとも１つの干渉しているセルのビームフォーミングベクトルはステップＳ４０３においてＵＬ−ＤＬ設定に基づいて決定される。特に、ビームフォーミングベクトルはＴＤＤシステムにおける全てのセルよりはむしろ１つのセルクラスタの中のセルに関して決定される。

図５は、本発明の更に他の実施形態に係る動的ＴＤＤシステムにおけるクロスサブフレーム干渉調整のための方法５００のフローチャートを例示する。方法５００は図４に示す前述の方法４００のステップＳ４０１の実施形態と看做されてもよい。しかしながら、これはこの範囲に限定されるというよりはむしろ本発明の原理の例示を目的とするものに過ぎないことに留意されたい。

ステップＳ５０１において、参照セルと複数のセルとの間でのＣＣＩ指標が決定され、ここで、参照セルは複数のセルから無作為に選択される。

本発明の実施形態によれば、ＣＣＩ指標は２つのセル間の伝播特性を示しうる。ＣＣＩ指標は伝送損失、相互結合損失（ＭＣＬ）および／または他の適当な因子であってもよい。

本発明の実施形態によれば、ＣＣＩ指標を取得するいくつかの方法がありうる。例えば、ＲＲＩ０がそのＵＥへのダウンリンク送信を実行し、ＵＥからのアップリンク送信を受信しているＲＲＵ１と干渉すると仮定すると、ＲＲＵ０とＲＲＵ１との間のＭＣＬは以下の式で計算されてもよい。
ここで、ＴＡＧ_ＲＲＵ０とＲＡＧ_ＲＲＵ１とは、それぞれＲＲＵ０およびＲＲＵ１の送信および受信アンテナの利得を示し、ＰＬ_{ＲＲＵ０−ＲＲＵ１}はＲＲＵ０とＲＲＵ１との間の伝播損失である。

ＲＲＵ０とＲＲＵ１との間のＭＣＬに基づいて、ＲＲＵ０とＲＲＵ１との間の干渉は例えば下記のように得られてもよい。
ここで、Ｐ_ＲＲＵ０はＲＲＵ０からの送信信号電力を表す。

式（１４）および（１５）から、ＭＣＬが２つのＢＳ間の干渉を示すことが判る。言い換えれば、ＲＲＵ間／セル間のＭＣＬは潜在的なＲＲＵ−ＲＲＵ ＣＣＩレベルを示唆する。

参照セルと複数のセルとの間のＣＣＩ指標の決定において、まず、セルがアンカー点（以下、「参照セル」）として無作為に選択されてもよい。式（１４）に基づいて、参照セルと複数のセルのいくつかとの間のＭＣＬが取得されてもよい。例えば、動的ＴＤＤシステムにおいて３つのセル（セル１、セル２、セル３）が存在すると仮定すると、セル１が参照セルとして無作為に選択された場合、セル１とセル２との間のＭＣＬ１およびセル１とセル３との間のＭＣＬ２はステップＳ５０１において取得されてもよい。

ステップＳ５０２において、予め設定された閾値を超えるＣＣＩ指標の組が決定される。

この分野の当業者には明らかかもしれないが、予め設定された閾値は固定値に限定されるものではなく、むしろ、変更可能なものである。この分野の当業者が、その経験、システムの状態、履歴値および／または他の因子に従って、閾値を予め定義または予め設定してもよい。

例えば、予め設定されたＭＣＬ閾値は、−７０ｄＢに設定されてもよく、ステップＳ５０１において決定されるＭＣＬは−４０ｄＢである。−４０ｄＢは−７０ｄＢよりも大きいので、ＭＣＬが予め設定された閾値を超えると判定されうる。

ステップＳ５０１において取得されたＣＣＩ指標と予め設定された閾値とを比較することにより、予め設定された閾値を超えるＣＣＩ指標が決定されてもよい。例えば、ステップＳ５０１において取得されるセル１とセル２との間でのＭＣＬ１とセル１とセル３との間でのＭＣＬ２とを考慮して、ＭＣＬ１およびＭＣＬ２は、それらが閾値を超えるか否かを判定するために、予め設定された閾値と比較されてもよい。

ステップＳ５０３において、組から予め設定された数のＣＣＩ指標が降順で選択される。

本発明の実施形態によれば、予め設定された数はシステムの要求または状態に従って予め設定または予め定義されてもよい。例えば、予め設定された数は３に設定されてもよい。言い換えると、３つのＣＣＩ指標は予め設定された閾値を超えるＣＣＩ指標の組から選択されるものである。いくつかの実施形態において、１０のＣＣＩ指標がステップＳ５０１において決定され、５つのＣＣＩ指標からなる組がステップＳ５０２において予め設定された閾値を超えるものとして判定されると、３つのＣＣＩ指標が、ＣＣＩ指標の組から降順に選択されてもよい。即ち、比較的大きい３つのＣＣＩ指標がその組の中の５つのＣＣＩ指標から選択される。

ステップＳ５０４において、予め設定された数のＣＣＩ指標は１つのセルクラスタに分類される。

前述のように、最大の３つのＣＣＩ指標が５つのＣＣＩ指標の組から選択される場合、最大の３つのＣＣＩ指標はセルクラスタに分類されてもよい。いくつかの他の実施形態において、ステップＳ５０２において決定された組が１つまたは２つのＣＣＩ指標を含む場合、予め設定された数３よりも少ない、１つまたは２つのＣＣＩ指標がセルクラスタに分類されてもよい。

本発明の実施形態によれば、前に例示されたＭＣＬによる補助を受けるセルクラスタリングの疑似コードが下記のように提供されてもよい。ここで、τはＭＣＬ閾値を示しＮ_ＲＲＵはＲＲＵの総数を表す。

本発明の実施形態に係るセルクラスタリングは他の適当な方法により実行されてもよいことは留意されるべきである。本開示において、前述の疑似コードはこれに限定されるというよりはむしろ例示の目的で示されている。

ここで、本発明の実施形態に係る動的ＴＤＤシステムにおけるクロスサブフレーム干渉調整のための装置６００のブロック図を例示する図６を参照する。図示されているように、装置６００は動的ＴＤＤシステムにおける複数のセルにより採用されるＵＬ−ＤＬ設定を取得するよう構成された取得部６１０と、ＵＬ−ＤＬ設定に基づいて、少なくとも１つの干渉されているセルへのクロスサブフレーム干渉を有する少なくとも１つの干渉しているセルのビームフォーミングベクトルを、そのクロスサブフレーム干渉が緩和されるように決定するよう構成された決定部６２０と、を備える。本発明の実施形態によれば、装置６００はＢＳ、ベースバンド装置（ＢＢＵ）プール、中央装置、制御装置、サーバまたは他の適当な装置において実行されてもよい。

本発明の実施形態によれば、決定部６２０は、ＵＬ−ＤＬ設定に基づいて複数のセルから少なくとも１つの干渉しているセルと少なくとも１つの干渉されているセルとを決定するよう構成された第１決定部と、少なくとも１つの干渉しているセルと少なくとも１つの干渉されているセルとにおけるＵＥを、少なくとも１つの干渉しているセルの中のＵＥと少なくとも１つの干渉されているセルの中のＵＥとを少なくとも含む１または複数のＵＥ群に分割するよう構成された分割部と、１または複数のＵＥ群に関連する１または複数のビームフォーミングベクトルを計算するよう構成された第１計算部と、１または複数のビームフォーミングベクトルから少なくとも１つの干渉されているセルのアップリンク容量を最大にするビームフォーミングベクトルを選択するよう構成された第１選択部と、を備えるものであってもよい。

本発明の実施形態によれば、決定部６２０の第１計算部は、ＵＥ群に関する、少なくとも１つの干渉しているセルから少なくとも１つの干渉されているセルまでの信号漏洩を示す信号漏洩値を計算するよう構成された第２計算部と、ＵＥ群に関連するビームフォーミングベクトルとして信号漏洩値を最小にするビームフォーミングベクトルを決定するよう構成された第２決定部と、を備えてもよい。

本発明の実施形態によれば、決定部６２０の第１選択部は、１または複数のビームフォーミングベクトルに基づいて、少なくとも１つの干渉されているセルの容量値を計算するよう構成された第３計算部と、１または複数のビームフォーミングベクトルから、計算された容量値の中の最大の容量値に関連するビームフォーミングベクトルを選択するよう構成された第２選択部と、を備えてもよい。

本発明の実施形態によれば、取得部６１０は、複数のセルを１または複数のセルクラスタにクラスタ化するよう構成された第１クラスタ化部と、１または複数のセルクラスタそれぞれにおけるセルにより採用されるＵＬ−ＤＬ設定を取得するよう構成された第１取得部と、を備えてもよい。

本発明の実施形態によれば、取得部６１０の第１クラスタ化部は、複数のセルから無作為に選択された参照セルと、複数のセルとの間のクロスサブフレーム同一チャネル干渉（ＣＣＩ）指標を決定するよう構成された第３決定部と、ＣＣＩ指標に基づいて、複数のセルを１または複数のセルクラスタにクラスタ化するよう構成された第２クラスタ化部と、を備えてもよい。

本発明の実施形態によれば、第２クラスタ化部は、予め設定された閾値を超えるＣＣＩ指標に関連するセルをセルクラスタに分類するよう構成された第１分類部を備えてもよい。

本発明の実施形態によれば、第２クラスタ化部は、予め設定された閾値を超えるＣＣＩ指標の組を決定するよう構成された第４決定部と、組から予め設定された数のＣＣＩ指標を降順で選択するよう構成された第３選択部と、予め設定された数のＣＣＩ指標を１つのセルクラスタに分類するよう構成された第２分類部と、を備えてもよい。

本発明の実施形態によれば、取得部６１０は、複数のセルに動的に割り当てられるＵＬ−ＤＬ設定を受信するよう構成された受信部を備えてもよい。

本発明の実施形態によれば、複数のセルの各セルについて、利用可能な設定のＵＬに対するＤＬのサブフレーム比率と、各セルのＵＬに対するＤＬのデータ比率とに基づいて、ＵＬ−ＤＬ設定が動的に割り当てられる。

装置６００は、図２−５を参照して記述されているような機能を実行するよう構成されていてもよい。即ち、方法２００、３００、４００および５００に関して議論される特徴は、装置６００の対応する要素にも当てはまりうる。更に、装置６００の要素は、ハードウェア、ソフトウェア、ファームウェアおよび／またはこれらのあらゆる組合わせにより実現されてもよい。例えば、装置６００の要素は、それぞれ回路、プロセッサまたは他の適当な選択装置により実施されてもよい。この分野の当業者にとっては、前述の例がそれに限定されるものではなく例示に過ぎないことは明らかであろう。

本開示のいくつかの実施形態において、装置６００は少なくとも１つのプロセッサを備える。本開示の実施形態での使用に適した少なくとも１つのプロセッサは、例として、既に周知のまたは将来開発される汎用および専用の両方のプロセッサを含んでもよい。装置６００は更に少なくとも１つのメモリを備える。少なくとも１つのメモリは、例えば、半導体メモリ装置、例えば、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭと、フラッシュメモリ装置と、を含んでもよい。少なくとも１つのメモリは、コンピュータが実行可能な指令のプログラムを蓄積するために用いられてもよい。プログラムは、高級および／または低級のコンパイル可能または解読可能なあらゆるプログラミング言語により記述されうる。実施形態によれば、コンピュータが実行可能な指令は、少なくとも１つのプロセッサを用いて、装置６００に、少なくとも前述のような方法２００−５００のいずれかに従って実行させるように構成されていてもよい。

前述に基づいて、この分野の当業者には、本開示が装置、方法またはコンピュータプログラム製品として実現されてもよいことは明らかであろう。概して、種々の例示的な実施形態は、ハードウェアまたは専用回路、ソフトウェア、論理回路またはこれらのあらゆる組合わせにおいて実施されてもよい。例えば、いくつかの観点は、ハードウェアにおいて実行され、一方、他の観点は、制御装置、マイクロプロセッサまたは他のコンピュータ装置により実行されうるファームウェアまたはソフトウェアにおいて実施されてもよい。但し、本開示はこれらに限定されない。本開示の例示的な実施形態の種々の観点がブロック図、フローチャートまたは他のいくつかの絵的表現として例示および記述されているかもしれないが、ここに記述されているブロック、装置、システム、技術または方法は、非限定的な例として、ハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア、専用回路または論理回路、汎用ハードウェアまたは制御装置または他のコンピュータ装置、またはこれらのいくつかの組合わせにおいて実施されてもよい。

図２−５に示された種々のブロックは、方法ステップとして、および／またはコンピュータプログラムコードの実行の結果として生じる動作、および／または関連する機能を実行するよう構築された複数の結合論理回路と看做されてもよい。本開示の例示的な実施形態の少なくともいくつかの観点は、集積回路チップおよびモジュールのような種々の要素において、本開示の例示的な実施形態が、本開示の例示的な実施形態に従って動作するよう構成されたＦＰＧＡまたはＡＳＩＣ集積回路として実現された装置において実現されるように実施されてもよい。

この明細書は多数の特定の実施の詳細を含んでいるが、これらはあらゆる開示または請求の範囲を限定するものというよりはむしろ、特定の開示の特定の実施形態に特有の特徴の説明として解釈されるべきである。また、この明細書において別々の実施形態の文脈に記述されたある特徴は、単一の実施形態における組合わせにおいて実施されうる。また、逆に、単一の実施形態の文脈に記述された種々の特徴は、複数の実施形態に分離されまたは適当なサブ組合わせのいずれかにおいて実施されうる。その上、特徴は前述においてある組合わせにおいて動作するよう記述されるとともに最初にこのように請求されるかもしれないが、請求される組合わせからの１または複数の特徴は、いくつかの場合において、組合わせから削除されてもよく、また、請求された組合わせはサブ組合わせまたはサブ組合わせの変形例にされていてもよい。

同様に、図では動作が特定の順番で表されているが、これは、このような動作が、所望の結果を達成するために、図示されている特定の順番によりまたは順序立てて実行される、或いは、全ての例示された動作が実行されることが要求されるものと理解されるべきではない。ある環境では、マルチタスク処理および並行処理が有利かもしれない。その上、前述の実施形態における種々のシステム要素の分離は、全ての実施形態においてこのような分離が要求されるものと理解されるべきではなく、記述されたプログラム要素およびシステムが一般的に単一のソフトウェア製品の中に一緒に集積されるまたは複数のソフトウェア製品に集約されてもよいと理解されるべきである。

本開示の前述の例示的な実施形態に対する種々の修正、改造は、関連分野の当業者であれば、添付図面を組み合わせて本明細書を読むと、前述の観点から明らかなものとなるかもしれない。いずれかおよび全ての修正は、本開示の非限定的且つ例示的な実施形態の範囲内に入るであろう。更に、本明細書で明らかにされた本開示の他の実施形態は、前述の記載および関連する図面で示唆されている利益を有するものとして、本開示の実施形態の属する分野の当業者が思い浮かべるだろう。

即ち、本開示の実施形態は、開示されている特定の実施形態に限定されず、修正および他の実施形態が、添付の請求項の範囲内に含まれることが意図される。本明細書では特定の用語が使用されているが、これらは一般的且つ記述的な意味でのみ使用され、限定目的で使用されない。

（付記１）
動的時分割複信（ＴＤＤ）システムにおける複数のセルにより採用されるアップリンク（ＵＬ）−ダウンリンク（ＤＬ）設定を取得することと、
前記ＵＬ−ＤＬ設定に基づいて、少なくとも１つの干渉されているセルへのクロスサブフレーム干渉を有する少なくとも１つの干渉しているセルのビームフォーミングベクトルを、前記クロスサブフレーム干渉を緩和するように決定することと、を含む、
前記動的ＴＤＤシステムにおけるクロスサブフレーム干渉調整のための方法。

（付記２）
複数のセルにより採用される前記ＵＬ−ＤＬ設定に基づいて、少なくとも１つの干渉されているセルへのクロスサブフレーム干渉を有する、少なくとも１つの干渉しているセルのビームフォーミングベクトルを決定することは、
前記ＵＬ−ＤＬ設定に基づいて、前記複数のセルから少なくとも１つの干渉しているセルと少なくとも１つの干渉されているセルとを決定することと、
前記少なくとも１つの干渉しているセルと前記少なくとも１つの干渉されているセルとにおけるＵＥを、前記少なくとも１つの干渉しているセル内のＵＥと、前記少なくとも１つの干渉されているセル内のＵＥと、を少なくとも含む、１または複数のＵＥ群に分割することと、
前記１または複数のＵＥ群に関連する１または複数のビームフォーミングベクトルを計算することと、
前記１または複数のビームフォーミングベクトルから、前記少なくとも１つの干渉されているセルのアップリンク容量を最大にするビームフォーミングベクトルを選択することと、を含む、
付記１に記載の方法。

（付記３）
前記１または複数のＵＥ群に関連する１または複数のビームフォーミングベクトルを計算することは、
前記少なくとも１つの干渉しているセルから前記少なくとも干渉されているセルへの信号漏洩を示す信号漏洩値を、ＵＥ群に関して計算することと、
前記ＵＥ群に関連するビームフォーミングベクトルとして、前記信号漏洩値を最小にする前記ビームフォーミングベクトルを決定することと、を含む、
付記２に記載の方法。

（付記４）
前記１または複数のビームフォーミングベクトルから、前記少なくとも１つの干渉されているセルのアップリンク容量を最大にするビームフォーミングベクトルを選択することとは、
前記１または複数のビームフォーミングベクトルに基づいて、前記少なくとも１つの干渉されているセルの容量値を計算することと、
前記１または複数のビームフォーミングベクトルから、前記計算された容量値の最大値に関連する前記ビームフォーミングベクトルを選択することと、を含む、
付記２に記載の方法。

（付記５）
動的ＴＤＤシステムにおける複数のセルにより採用されるＵＬ−ＤＬ設定を取得することは、
前記複数のセルを１または複数のセルクラスタにクラスタ化することと、
前記１または複数のセルクラスタそれぞれのセルにより採用されるＵＬ−ＤＬ設定を取得することと、を含む、
付記１に記載の方法。

（付記６）
複数のセルを１または複数のセルクラスタにクラスタ化することは、
前記複数のセルから無作為に選択された参照セルと、前記複数のセルとの間のクロスサブフレーム同一チャネル干渉（ＣＣＩ）指標を決定することと、
前記複数のセルを、前記ＣＣＩ指標に基づいて、１または複数のセルクラスタにクラスタ化することと、を含む、
付記５に記載の方法。

（付記７）
前記複数のセルを、前記ＣＣＩ指標に基づいて、１または複数のセルクラスタにクラスタ化することは、
予め設定された閾値を超えるＣＣＩ指標に関連するセルをセルクラスタに分類することを含む、
付記６に記載の方法。

（付記８）
前記複数のセルを、前記ＣＣＩ指標に基づいて、１または複数のセルクラスタにクラスタ化することは、
予め設定された閾値を超えるＣＣＩ指標の組を決定することと、
前記組から予め設定された数のＣＣＩ指標を降順で選択することと、
前記予め設定された数のＣＣＩ指標をセルクラスタに分類することと、を含む、
付記６に記載の方法。

（付記９）
ＵＬ−ＤＬ設定を取得することは、
前記複数のセルに動的に割り当てられるＵＬ−ＤＬ設定を受信することを含む、
付記１から８のいずれかに記載の方法。

（付記１０）
前記複数のセルの各セルについて、前記ＵＬ−ＤＬ設定は、前記各セルのＵＬに対するＤＬのサブフレーム比率とＵＬに対するＤＬのデータ比率とに基づいて、動的に割り当てられる、
付記９に記載の方法。

（付記１１）
動的時分割複信（ＴＤＤ）システムにおける複数のセルにより採用されるアップリンク（ＵＬ）−ダウンリンク（ＤＬ）設定を取得するよう構成された取得部と、
前記ＵＬ−ＤＬ設定に基づいて、少なくとも１つの干渉されているセルへのクロスサブフレーム干渉を有する少なくとも１つの干渉しているセルのビームフォーミングベクトルを、前記クロスサブフレーム干渉を緩和するように決定するよう構成された決定部と、を備える、
前記動的ＴＤＤシステムにおけるクロスサブフレーム干渉調整のための装置。

（付記１２）
前記決定部は、
前記ＵＬ−ＤＬ設定に基づいて、前記複数のセルから少なくとも１つの干渉しているセルと少なくとも１つの干渉されているセルとを決定するよう構成された第１決定部と、
前記少なくとも１つの干渉しているセルと前記少なくとも１つの干渉されているセルとにおけるＵＥを、前記少なくとも１つの干渉しているセル内のＵＥと、前記少なくとも１つの干渉されているセル内のＵＥと、を少なくとも含む、１または複数のＵＥ群に分割するよう構成された分割部と、
前記１または複数のＵＥ群に関連する１または複数のビームフォーミングベクトルを計算するよう構成された第１計算部と、
前記１または複数のビームフォーミングベクトルから、前記少なくとも１つの干渉されているセルのアップリンク容量を最大にするビームフォーミングベクトルを選択するよう構成された第１選択部と、を備える、
付記１１に記載の装置。

（付記１３）
前記第１計算部は、
前記少なくとも１つの干渉しているセルから前記少なくとも干渉されているセルへの信号漏洩を示す信号漏洩値を、ＵＥ群に関して計算するよう構成された第２計算部と、
前記ＵＥ群に関連する前記ビームフォーミングベクトルとして、前記信号漏洩値を最小にするビームフォーミングベクトルを決定するよう構成された第２決定部と、を備える、
付記１２に記載の装置。

（付記１４）
前記第１選択部は、
前記１または複数のビームフォーミングベクトルに基づいて、前記少なくとも１つの干渉されているセルの容量値を計算するよう構成された第３計算部と、
前記１または複数のビームフォーミングベクトルから、前記計算された容量値の最大値に関連するビームフォーミングベクトルを選択するよう構成された第２選択部と、を備える、
付記１２に記載の装置。

（付記１５）
前記取得部は、
前記複数のセルを１または複数のセルクラスタにクラスタ化するよう構成された第１クラスタ化部と、
前記１または複数のセルクラスタそれぞれのセルにより採用されるＵＬ−ＤＬ設定を取得するよう構成された第１取得部と、を備える、
付記１１に記載の装置。

（付記１６）
前記第１クラスタ化部は、
前記複数のセルから無作為に選択された参照セルと、前記複数のセルとの間のクロスサブフレーム同一チャネル干渉（ＣＣＩ）指標を決定するよう構成された第３決定部と、
前記複数のセルを、前記ＣＣＩ指標に基づいて、１または複数のセルクラスタにクラスタ化するよう構成された第２クラスタ化部と、を備える、
付記１５に記載の装置。

（付記１７）
前記第２クラスタ化部は、
予め設定された閾値を超えるＣＣＩ指標に関連するセルをセルクラスタに分類するよう構成された第１分類部を備える、
付記１６に記載の装置。

（付記１８）
前記第２クラスタ化部は、
予め設定された閾値を超えるＣＣＩ指標の組を決定するよう構成された第４決定部と、
前記組から予め設定された数のＣＣＩ指標を降順で選択するよう構成された第３選択部と、
前記予め設定された数のＣＣＩ指標をセルクラスタに分類するよう構成された第２分類部と、を備える、
付記１６に記載の装置。

（付記１９）
前記取得部は、
前記複数のセルに動的に割り当てられるＵＬ−ＤＬ設定を受信するよう構成されている受信部を備える、
付記１１から１８のいずれかに記載の装置。

（付記２０）
前記複数のセルの各セルについて、前記ＵＬ−ＤＬ設定は、前記各セルのＵＬに対するＤＬのサブフレーム比率とＵＬに対するＤＬのデータ比率とに基づいて、動的に割り当てられる、
付記１９に記載の装置。

Claims (10)

1. 動的時分割複信（ＴＤＤ）システムにおける複数のセルにより採用されるアップリンク
   （ＵＬ）−ダウンリンク（ＤＬ）設定を取得するよう構成された取得部と、
   前記ＵＬ−ＤＬ設定に基づいて、少なくとも１つの干渉されているセルへのクロスサブ
   フレーム干渉を有する少なくとも１つの干渉しているセルのビームフォーミングベクトル
   を、前記クロスサブフレーム干渉を緩和するように決定するよう構成された決定部と、を
   備え、
   前記決定部は、
   前記ＵＬ−ＤＬ設定に基づいて、前記複数のセルから少なくとも１つの干渉しているセルと少なくとも１つの干渉されているセルとを決定するよう構成された第１決定部と、
   前記少なくとも１つの干渉しているセルと前記少なくとも１つの干渉されているセルとにおけるＵＥを、前記少なくとも１つの干渉しているセル内のＵＥと、前記少なくとも１つの干渉されているセル内のＵＥと、を少なくとも含む、１または複数のＵＥ群に分割するよう構成された分割部と、
   前記１または複数のＵＥ群に関連する１または複数のビームフォーミングベクトルを計算するよう構成された第１計算部と、
   前記１または複数のビームフォーミングベクトルから、前記少なくとも１つの干渉されているセルのアップリンク容量を最大にするビームフォーミングベクトルを選択するよう構成された第１選択部と、を有する、
   前記動的ＴＤＤシステムにおけるクロスサブフレーム干渉調整のための装置。
2. 前記第１計算部は、
   前記少なくとも１つの干渉しているセルから前記少なくとも干渉されているセルへの信号漏洩を示す信号漏洩値を、ＵＥ群に関して計算するよう構成された第２計算部と、
   前記ＵＥ群に関連する前記ビームフォーミングベクトルとして、前記信号漏洩値を最小にするビームフォーミングベクトルを決定するよう構成された第２決定部と、を備える、
   請求項１に記載の装置。
3. 前記第１選択部は、
   前記１または複数のビームフォーミングベクトルに基づいて、前記少なくとも１つの干渉されているセルの容量値を計算するよう構成された第３計算部と、
   前記１または複数のビームフォーミングベクトルから、前記計算された容量値の最大値に関連するビームフォーミングベクトルを選択するよう構成された第２選択部と、を備える、
   請求項１に記載の装置。
4. 前記取得部は、
   前記複数のセルを１または複数のセルクラスタにクラスタ化するよう構成された第１クラスタ化部と、
   前記１または複数のセルクラスタそれぞれのセルにより採用されるＵＬ−ＤＬ設定を取得するよう構成された第１取得部と、を備える、
   請求項１に記載の装置。
5. 前記第１クラスタ化部は、
   前記複数のセルから無作為に選択された参照セルと、前記複数のセルとの間のクロスサブフレーム同一チャネル干渉（ＣＣＩ）指標を決定するよう構成された第３決定部と、
   前記複数のセルを、前記ＣＣＩ指標に基づいて、１または複数のセルクラスタにクラスタ化するよう構成された第２クラスタ化部と、を備える、
   請求項４に記載の装置。
6. 前記第２クラスタ化部は、
   予め設定された閾値を超えるＣＣＩ指標に関連するセルをセルクラスタに分類するよう構成された第１分類部を備える、
   請求項５に記載の装置。
7. 前記第２クラスタ化部は、
   予め設定された閾値を超えるＣＣＩ指標の組を決定するよう構成された第４決定部と、
   前記組から予め設定された数のＣＣＩ指標を降順で選択するよう構成された第３選択部と、
   前記予め設定された数のＣＣＩ指標をセルクラスタに分類するよう構成された第２分類部と、を備える、
   請求項５に記載の装置。
8. 前記取得部は、
   前記複数のセルに動的に割り当てられるＵＬ−ＤＬ設定を受信するよう構成されている受信部を備える、
   請求項１から７のいずれか１項に記載の装置。
9. 動的時分割複信（ＴＤＤ）システムにおけるクロスサブフレーム干渉調整のための装置が、動的ＴＤＤシステムにおける複数のセルにより採用されるアップリンク（ＵＬ）−ダウンリンク（ＤＬ）設定を取得することと、
   前記クロスサブフレーム干渉調整のための装置が、前記ＵＬ−ＤＬ設定に基づいて、少なくとも１つの干渉されているセルへのクロスサブフレーム干渉を有する少なくとも１つの干渉しているセルのビームフォーミングベクトルを、前記クロスサブフレーム干渉を緩和するように決定することと、を含み、
   前記クロスサブフレーム干渉調整のための装置が、前記ＵＬ−ＤＬ設定に基づいて、少なくとも１つの干渉されているセルへのクロスサブフレーム干渉を有する少なくとも１つの干渉しているセルのビームフォーミングベクトルを、前記クロスサブフレーム干渉を緩和するように決定することは、
   前記クロスサブフレーム干渉調整のための装置が、前記ＵＬ−ＤＬ設定に基づいて、前記複数のセルから少なくとも１つの干渉しているセルと少なくとも１つの干渉されているセルとを決定することと、
   前記クロスサブフレーム干渉調整のための装置が、前記少なくとも１つの干渉しているセルと前記少なくとも１つの干渉されているセルとにおけるＵＥを、前記少なくとも１つの干渉しているセル内のＵＥと、前記少なくとも１つの干渉されているセル内のＵＥと、を少なくとも含む、１または複数のＵＥ群に分割することと、
   前記クロスサブフレーム干渉調整のための装置が、前記１または複数のＵＥ群に関連する１または複数のビームフォーミングベクトルを計算することと、
   前記クロスサブフレーム干渉調整のための装置が、前記１または複数のビームフォーミングベクトルから、前記少なくとも１つの干渉されているセルのアップリンク容量を最大にするビームフォーミングベクトルを選択することと、を含む、
   前記動的ＴＤＤシステムにおけるクロスサブフレーム干渉調整のための方法。
10. コンピュータを、
    動的時分割複信（ＴＤＤ）システムにおける複数のセルにより採用されるアップリンク
    （ＵＬ）−ダウンリンク（ＤＬ）設定を取得するよう構成された取得部、
    前記ＵＬ−ＤＬ設定に基づいて、少なくとも１つの干渉されているセルへのクロスサブ
    フレーム干渉を有する少なくとも１つの干渉しているセルのビームフォーミングベクトル
    を、前記クロスサブフレーム干渉を緩和するように決定するよう構成された決定部、として機能させるプログラムであって、
    前記決定部は、
    前記ＵＬ−ＤＬ設定に基づいて、前記複数のセルから少なくとも１つの干渉しているセルと少なくとも１つの干渉されているセルとを決定するよう構成された第１決定部、
    前記少なくとも１つの干渉しているセルと前記少なくとも１つの干渉されているセルとにおけるＵＥを、前記少なくとも１つの干渉しているセル内のＵＥと、前記少なくとも１つの干渉されているセル内のＵＥと、を少なくとも含む、１または複数のＵＥ群に分割するよう構成された分割部、
    前記１または複数のＵＥ群に関連する１または複数のビームフォーミングベクトルを計算するよう構成された第１計算部、
    前記１または複数のビームフォーミングベクトルから、前記少なくとも１つの干渉されているセルのアップリンク容量を最大にするビームフォーミングベクトルを選択するよう構成された第１選択部、を有する、
    プログラム。