JP6049848B2 - Glass substrate cutting method - Google Patents

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Description

本発明は、ガラス基板の分断方法、特に、表面に圧縮応力を有するとともに内部に引張応力を有する強化ガラスを分断するためのガラス基板の分断方法に関する。   The present invention relates to a method for dividing a glass substrate, and more particularly to a method for dividing a glass substrate for dividing a tempered glass having a compressive stress on its surface and a tensile stress inside.

ガラス基板をレーザにより分断する技術として、CO2レーザをガラス基板に照射して熱応力を生じさせ、分断する方法がある。表面が強化された強化ガラスを分断する場合も、このような従来技術を用いることによって分断することが可能である。 As a technique for dividing a glass substrate with a laser, there is a method in which a glass substrate is irradiated with a CO 2 laser to cause thermal stress to divide the glass substrate. Even when the tempered glass whose surface is strengthened is divided, it is possible to divide by using such a conventional technique.

しかし、ガラス基板の表面の強化度が増すと、以上のような従来の技術では分断できなくなる。そこで、高強度ガラスを分断する方法として、特許文献1に示されるような分断方法が提供されている。   However, if the degree of strengthening of the surface of the glass substrate is increased, the conventional technology as described above cannot be divided. Therefore, as a method for dividing high-strength glass, a method for dividing as shown in Patent Document 1 is provided.

この特許文献1に示された方法では、まず、ガラス基板において強化層が形成されていない内部領域に、改質層としての第1ダメージラインが形成される。そして、同様に、強化層が形成されていない内部領域において、第1ダメージラインより浅い領域に第2ダメージラインが形成される。これらのダメージラインを形成することによって、分断予定ラインに沿って亀裂が進展し、ガラス基板は分断される。なお、この分断の際に、カッタによって溝を形成するメカニカルスクライブや、手動又は機械的な操作でダメージラインの両側を押して曲げ力を作用させることが記載されている。   In the method disclosed in Patent Document 1, first, a first damage line as a modified layer is formed in an internal region where a reinforcing layer is not formed on a glass substrate. Similarly, the second damage line is formed in a region shallower than the first damage line in the inner region where the reinforcing layer is not formed. By forming these damage lines, cracks develop along the planned dividing line, and the glass substrate is divided. In addition, it is described that a mechanical force is applied by pressing both sides of the damage line by mechanical scribe forming a groove by a cutter or by manual or mechanical operation at the time of the division.

WO2010/096359A1(段落0024,0026,0027,0031,0032等)WO2010 / 096359A1 (paragraphs 0024, 0026, 0027, 0031, 0032, etc.)

特許文献1に記載された分断方法では、ダメージラインが基板表面から比較的浅い領域に形成される。このため、ダメージラインを形成した時点で自然に分断される場合がある一方で、ダメージラインの形成後に、後工程としての分断工程が必要になる場合がある。すなわち、特許文献1に示された方法では、ダメージラインを形成した時点で、フルカットになるのか、あるいはハーフカットになるのか予測ができず、分断処理に関して不安定になる。   In the cutting method described in Patent Document 1, the damage line is formed in a relatively shallow region from the substrate surface. For this reason, it may be naturally divided at the time when the damage line is formed, while a dividing step as a subsequent step may be required after the formation of the damage line. That is, in the method disclosed in Patent Document 1, it is impossible to predict whether the cut will be full cut or half cut at the time when the damage line is formed, and the division processing becomes unstable.

また、ダメージラインを形成した後に分断工程が必要な場合は、前述のように、メカニカルスクライブや、ダメージラインの両側に曲げ力を作用させる処理等が必要になる。この場合は、基板表面に欠け等の損傷が生じ、強度の低下を招くという問題がある。   Further, when the dividing step is necessary after the damage line is formed, as described above, mechanical scribe, treatment for applying a bending force to both sides of the damage line, and the like are necessary. In this case, there is a problem that damage such as chipping occurs on the substrate surface, leading to a decrease in strength.

本発明の課題は、強化ガラスに対して、容易にかつ安定して、しかも強度の低下を抑えて分断を行えるようにすることにある。   An object of the present invention is to make it possible to divide the tempered glass easily and stably while suppressing a decrease in strength.

第1発明に係るガラス基板の分断方法は、表面に圧縮応力を有するとともに内部に引張応力を有する強化ガラスを分断するための方法であって、加工痕形成工程と、中間工程と、分断工程と、を含む。加工痕形成工程は、基板内部の引張応力を有する領域内の第1深さ位置にレーザを集光し分断予定ラインに沿ってレーザを走査することによって、基板内部に加工痕を形成する。中間工程は、第1深さ位置より基板の表面又は裏面の一方の面側の第2深さ位置にレーザを集光し、分断予定ラインに沿った一部領域にのみレーザを走査して基板内部に亀裂を形成する。分断工程は、中間工程の後に、直前のレーザ集光位置より基板の一方の面側の深さ位置にレーザを集光し、一部領域の少なくとも一部にのみレーザを走査して基板の一方の面に到達する亀裂を形成するとともに、形成された亀裂を分断予定ラインに沿って進展させて基板を分断する。   The glass substrate dividing method according to the first invention is a method for dividing a tempered glass having a compressive stress on the surface and a tensile stress inside, and includes a processing mark forming step, an intermediate step, and a dividing step. ,including. In the processing trace forming step, the processing mark is formed inside the substrate by condensing the laser at the first depth position in the region having the tensile stress inside the substrate and scanning the laser along the planned dividing line. In the intermediate process, the laser is condensed at a second depth position on one surface side of the front surface or the back surface of the substrate from the first depth position, and the laser is scanned only in a partial region along the planned dividing line. Form cracks inside. In the dividing step, after the intermediate step, the laser is condensed at a depth position on one surface side of the substrate from the immediately preceding laser condensing position, and the laser is scanned only on at least a part of the partial region, and one side of the substrate is scanned. A crack reaching the surface of the substrate is formed, and the formed crack is developed along a line to be divided to divide the substrate.

ここでは、まず、基板内部において、分断予定ラインに沿って基板内部の第1深さ位置に加工痕が形成される。次に、第1深さ位置より基板の表面又は裏面の一方の面側の第2深さ位置にレーザの集光位置が設定され、分断予定ライン上の一部領域にのみレーザが照射される。これにより、基板内部に亀裂が形成される。そしてさらに、先のレーザ集光位置より基板の一方の面側の深さ位置にレーザが集光され、一部領域の少なくとも一部にのみレーザが照射される。これにより、基板の一方の面に到達する亀裂が形成されるとともに、形成された亀裂が分断予定ラインに沿って進展し、基板が分断される。   Here, first, a processing mark is formed at the first depth position inside the substrate along the planned division line inside the substrate. Next, the laser condensing position is set at the second depth position on the one surface side of the front surface or the back surface of the substrate from the first depth position, and the laser is irradiated only to a partial region on the planned dividing line. . Thereby, a crack is formed inside the substrate. Further, the laser is condensed at a depth position on one surface side of the substrate from the previous laser condensing position, and the laser is irradiated only to at least a part of the partial region. As a result, a crack that reaches one surface of the substrate is formed, and the formed crack propagates along the planned dividing line, thereby dividing the substrate.

ここでは、分断工程を実行することによって基板が分断され、先の工程の終了時に意図せずに基板が分断されるのを防止できる。すなわち、安定した分断処理を実行できる。また、分断に際してメカニカルスクライブ等が不要になるので、処理が簡単になり、また基板表面の損傷を抑えることができるので、基板の強度低下を抑えることができる。さらに、この方法では、3回以上のレーザ照射が実行され、特に基板の厚みが厚い場合に、確実に基板を分断することができる。   Here, it is possible to prevent the substrate from being unintentionally divided at the end of the previous step by performing the dividing step. That is, a stable division process can be executed. Further, since mechanical scribing or the like is not required at the time of division, processing is simplified, and damage to the substrate surface can be suppressed, so that a decrease in strength of the substrate can be suppressed. Further, in this method, the laser irradiation is performed three times or more, and the substrate can be reliably divided particularly when the substrate is thick.

第2発明に係るガラス基板の分断方法は、第1発明の分断方法において、分断工程では、第2深さ位置より基板の一方の面側の第3深さ位置にレーザを集光する。   The glass substrate dividing method according to a second aspect of the invention is the dividing method of the first invention, wherein in the dividing step, the laser is condensed at a third depth position on one surface side of the substrate from the second depth position.

ここでは、第1発明と同様に、厚みが厚い基板であっても、安定して、かつ確実に分断することができる。また、基板表面の損傷を抑えることができるので、基板の強度低下を抑えることができる。   Here, similarly to the first invention, even a thick substrate can be divided stably and reliably. In addition, since damage to the substrate surface can be suppressed, a decrease in strength of the substrate can be suppressed.

第3発明に係るガラス基板の分断方法は、第1又は第2発明の分断方法において、基板の厚みは1.1mm以上である。   The glass substrate dividing method according to the third aspect of the present invention is the dividing method of the first or second aspect, wherein the thickness of the substrate is 1.1 mm or more.

第4発明に係るガラス基板の分断方法は、第1から第3発明のいずれかの分断方法において、加工痕形成工程における第1深さ位置は、基板の厚み方向の中央位置からレーザ照射面側に185μm以下で、逆側に135μm以下の範囲内である。   The glass substrate cutting method according to a fourth aspect of the present invention is the glass substrate cutting method according to any one of the first to third aspects of the invention, wherein the first depth position in the processing mark forming step is the laser irradiation surface side from the center position in the thickness direction of the substrate. Is 185 μm or less on the opposite side and 135 μm or less on the opposite side.

加工痕形成工程において、基板の表面あるいは裏面に偏った領域に加工痕を形成すると、加工痕形成工程終了時にあるいはこの工程の途中に基板が分断される場合があり、安定した分断を行うことができない。   In the process trace formation process, if a process trace is formed in a region biased to the front or back surface of the substrate, the substrate may be divided at the end of the process trace formation process or in the middle of this process. Can not.

そこで、第4発明では、加工痕形成工程における第1深さ位置を、基板の厚み方向の中央部分とし、当該領域に加工痕を形成するようにしている。このため、安定した分断処理を行うことができる。   Therefore, in the fourth invention, the first depth position in the processing mark forming step is the central portion in the thickness direction of the substrate, and the processing marks are formed in the region. For this reason, the stable parting process can be performed.

第5発明に係るガラス基板の分断方法は、第1から第4発明のいずれかの分断方法において、隣接する各深さ位置の間隔は225μm以上472μm以下である。   The glass substrate dividing method according to a fifth aspect of the present invention is the glass substrate dividing method according to any one of the first to fourth aspects, wherein the distance between adjacent depth positions is not less than 225 μm and not more than 472 μm.

隣接する各深さ位置の間隔を以上の間隔に設定することにより、亀裂が加工痕と基板の一方の面に到達し、基板を安定して分断することができる。   By setting the interval between the adjacent depth positions to the above interval, the crack reaches the processing trace and one surface of the substrate, and the substrate can be stably divided.

第6発明に係るガラス基板の分断方法は、第1から第5発明のいずれかの方法において、分断工程における最も基板のレーザ照射面側のレーザ集光位置は、基板のレーザ照射面から140μm以上、365μm以下の範囲内である。   A glass substrate dividing method according to a sixth invention is the method according to any one of the first to fifth inventions, wherein the laser condensing position closest to the laser irradiation surface side of the substrate in the dividing step is 140 μm or more from the laser irradiation surface of the substrate. It is within the range of 365 μm or less.

ここでは、分断工程において最終のレーザの集光位置を以上の範囲に設定することによって、先の工程で形成された加工痕と基板表面との間に亀裂を形成でき、かつその亀裂を分断予定ラインに沿って進展させることができる。   Here, by setting the final laser focusing position in the above-mentioned range in the dividing step, a crack can be formed between the processing mark formed in the previous step and the substrate surface, and the crack is scheduled to be divided. You can make progress along the line.

第7発明に係るガラス基板の分断方法は、第1から第6発明のいずれかの方法において、中間工程において、レーザ照射される一部領域は、走査開始側の基板端縁から10mm以内の部分である。   According to a seventh aspect of the present invention, there is provided the glass substrate dividing method according to any one of the first to sixth aspects, wherein in the intermediate step, the partial region irradiated with the laser is a portion within 10 mm from the substrate edge on the scanning start side. It is.

ここで、ガラス基板を分断する場合、一般的に、基板端部は最終製品として使用されずに廃棄される場合が多い。そこで、中間工程以降のレーザ照射によって損傷を受けやすい部分を、走査開始側の基板端部とすることにより、良好な品質の最終製品を得ることができる。   Here, when the glass substrate is divided, generally, the substrate end is often discarded without being used as a final product. Therefore, by setting the portion that is easily damaged by laser irradiation after the intermediate step as the substrate end on the scanning start side, a final product with good quality can be obtained.

第8発明に係るガラス基板の分断方法は、第1から第7発明のいずれかの分断方法において、中間工程及び分断工程において、レーザ照射される領域以外は、レーザの基板への照射を停止する。   The glass substrate dividing method according to an eighth aspect of the present invention is the dividing method according to any one of the first to seventh inventions, wherein in the intermediate step and the dividing step, the irradiation of the laser to the substrate is stopped except in the laser irradiation region. .

第9発明に係るガラス基板の分断方法は、第1から第8発明のいずれかの方法において、分断工程におけるレーザ照射領域は、中間工程における一部領域よりも狭い領域である。   The glass substrate dividing method according to a ninth aspect of the present invention is the method according to any one of the first to eighth aspects, wherein the laser irradiation region in the dividing step is narrower than a partial region in the intermediate step.

ここでは、分断工程に要する時間を短縮することができる。   Here, the time required for the dividing step can be shortened.

第10発明に係るガラス基板の分断方法は、第1から第9発明のいずれかの分断方法において、加工痕形成工程において、レーザ出力は4W以上、8W以下であり、走査速度は150mm/s以上、500mm/s以下である。   According to a tenth aspect of the present invention, there is provided the glass substrate dividing method according to any one of the first to ninth aspects, wherein the laser output is 4 W or more and 8 W or less and the scanning speed is 150 mm / s or more. 500 mm / s or less.

第11発明に係るガラス基板の分断方法は、第10発明の分断方法において、中間工程及び分断工程において、レーザ出力は6W以上、8W以下であり、走査速度は300mm/s以上、800mm/s以下である。   The glass substrate dividing method according to the eleventh aspect of the invention is the dividing method of the tenth invention, wherein the laser output is 6 W or more and 8 W or less in the intermediate step and the dividing step, and the scanning speed is 300 mm / s or more and 800 mm / s or less. It is.

以上のように、本発明では、圧縮応力を持たせた強化層を表面に有する強化ガラスに対して、特に基板の厚みが厚い場合に、容易にかつ安定して、しかもガラス基板の強度を低下させることなく分断を行うことができる。   As described above, according to the present invention, the tempered glass having a tempered layer having a compressive stress on the surface thereof is easily and stably reduced in strength, particularly when the substrate is thick. Splitting can be performed without causing them to occur.

本発明の一実施形態による分断方法が適用される強化ガラスの模式的断面図。The typical sectional view of tempered glass to which the parting method by one embodiment of the present invention is applied. 本発明に係る分断方法の第1工程の加工条件(レーザ出力及び走査速度)を調査するための実験結果を示す図。The figure which shows the experimental result for investigating the process conditions (laser output and scanning speed) of the 1st process of the cutting method which concerns on this invention. 本発明に係る分断方法の第2工程の加工条件を調査するための実験結果を示す図。The figure which shows the experimental result for investigating the process conditions of the 2nd process of the cutting method which concerns on this invention. 2回のレーザ照射による基板の分断面の様子を示す顕微鏡写真。The microscope picture which shows the mode of the dividing surface of the board | substrate by two times of laser irradiation. 2回のレーザ照射によって分断された基板の表面及び分断面を示す顕微鏡写真。The microscope picture which shows the surface and divided cross section of the board | substrate divided | segmented by laser irradiation twice. 第1工程及び第2工程におけるレーザの加工位置を変更して基板分断可能な条件を調査した実験結果を示す図。The figure which shows the experimental result which investigated the conditions which can change the process position of the laser in a 1st process and a 2nd process, and can board | substrate parting. 本発明の一実施形態による分断方法の模式的説明図。The typical explanatory view of the cutting method by one embodiment of the present invention.

[ガラス基板]
図1に分断対象としてのガラス基板の断面構成の一例を示している。このガラス基板は、表面に圧縮応力を有するとともに内部に引張応力を有する強化ガラスである。具体的には、表面及び裏面の近傍において、表面及び裏面に近づくほど大きな圧縮応力(CS)を有している。そして、表面及び裏面から所定の深さに達する基板内部では、逆に引張応力(CT)を有している。図1において、「DOL」は基板表面の圧縮応力を有する強化層深さを示している。
[Glass substrate]
FIG. 1 shows an example of a cross-sectional configuration of a glass substrate as a part to be divided. This glass substrate is a tempered glass having a compressive stress on the surface and a tensile stress inside. Specifically, in the vicinity of the front and back surfaces, the closer to the front and back surfaces, the greater the compressive stress (CS). And inside the board | substrate which reaches predetermined depth from the surface and the back surface, it has a tensile stress (CT) conversely. In FIG. 1, “DOL” indicates the depth of the reinforcing layer having compressive stress on the substrate surface.

[分断方法]
以上のような強化ガラス(以下、単に「基板」と記す場合もある)を分断する場合は、以下のような工程を実行する。
[Division method]
When the tempered glass as described above (hereinafter sometimes simply referred to as “substrate”) is divided, the following steps are executed.

<第1工程:加工痕形成工程>
基板内部の引張応力を有する領域の第1深さ位置にレーザを集光し、基板表面からレーザを照射して分断予定ラインに沿って走査する。これにより、分断予定ラインに沿って基板内部に加工痕を形成する。ここで加工痕は、レーザによって基板が一旦軟化または溶融し、再度固化した状態の領域である。
<First step: process mark formation step>
A laser is condensed at a first depth position in a region having a tensile stress inside the substrate, and the laser is irradiated from the surface of the substrate to scan along a line to be cut. As a result, a processing mark is formed inside the substrate along the division line. Here, the processing mark is a region where the substrate is once softened or melted by the laser and solidified again.

<第2工程:中間工程>
第1工程終了後に、第1深さ位置より浅い基板表面側の第2深さ位置にレーザを集光し、かつ基板端面(基板表面上のレーザ走査開始端)から所定の範囲のみに分断予定ラインに沿ってレーザを走査する。このときの第2深さ位置及びレーザ強度は、レーザ照射によって、先に形成された加工痕に亀裂が進展可能なように設定する。
<Second step: Intermediate step>
After completion of the first step, the laser is focused at a second depth position on the substrate surface side shallower than the first depth position, and is scheduled to be divided only within a predetermined range from the substrate end surface (laser scanning start end on the substrate surface). Scan the laser along the line. At this time, the second depth position and the laser intensity are set so that a crack can be propagated to a previously formed processing mark by laser irradiation.

<第3工程:分断工程>
第2工程終了後に、第2深さ位置よりさらに浅い基板表面側の第3深さ位置にレーザを集光し、かつ第2工程でレーザを照射した範囲あるいはそれより短い範囲において分断予定ラインに沿ってレーザを走査する。このときの第3深さ位置及びレーザ強度は、レーザ照射によって、亀裂が基板表面にまで到達し、かつ亀裂が分断予定ラインの全体進展可能なように設定する。
<Third step: Cutting step>
After the end of the second step, the laser is focused on the third depth position on the substrate surface side shallower than the second depth position, and the line is scheduled to be divided in the range irradiated with the laser in the second step or in a shorter range. A laser is scanned along. The third depth position and the laser intensity at this time are set so that the crack reaches the substrate surface by laser irradiation and the crack can be propagated as a whole along the line to be divided.

実験例Experimental example

以下に、各工程の条件設定のための実験結果を示す。なお、各実験において、分断対象は、すべ高強化ガラス(断面構成は図1参照)である。   The experimental results for setting the conditions for each process are shown below. In each experiment, the object to be divided is all high-tempered glass (see FIG. 1 for the cross-sectional configuration).

[実験1:第1工程の条件設定]
図2に第1工程におけるレーザ照射条件を設定するための実験結果を示している。図2に示す表は、1回のレーザ照射の加工結果を示すものであり、表中の各記号の意味は以下の通りである。なお、ここでは、基板の厚みは1.1mmである。
[Experiment 1: Setting conditions for the first step]
FIG. 2 shows the experimental results for setting the laser irradiation conditions in the first step. The table shown in FIG. 2 shows the processing results of one laser irradiation, and the meaning of each symbol in the table is as follows. Here, the thickness of the substrate is 1.1 mm.

「○」 :2回のレーザ照射で分断可能
「△」 :1回のレーザ照射で分断
「△×」:分断予定ラインから逸れた分断
「××」:2回のレーザ照射で分断不可能(1回のレーザ照射で加工痕有り)
「−」 :2回のレーザ照射で分断不可能(1回のレーザ照射で加工痕無し)
また、レーザ照射条件は以下の通りである。
“○”: Can be divided by two laser irradiations “△”: Divided by one laser irradiation “△ ×”: Divided off from the planned dividing line “XX”: Cannot be divided by two laser irradiations ( There is a processing mark by one laser irradiation)
"-": Cannot be divided by two laser irradiations (no processing marks after one laser irradiation)
The laser irradiation conditions are as follows.

・繰り返し周波数:3MHz
・レーザ出力:2.0〜8.0W
・走査速度:50〜500mm/s
・加工位置(集光位置):535μm
以上の実験1の結果から、第1工程の加工条件としては、レーザ出力を4Wとし、走査速度を200〜300mm/sの範囲に設定することが好ましいことがわかる。
・ Repetition frequency: 3MHz
・ Laser output: 2.0-8.0W
・ Scanning speed: 50-500mm / s
・ Processing position (condensing position): 535 μm
From the results of Experiment 1 above, it can be seen that as the processing conditions in the first step, it is preferable to set the laser output to 4 W and set the scanning speed in the range of 200 to 300 mm / s.

[実験2:第2工程の条件設定]
図3は、第1工程のレーザ照射条件を以下のように設定し、第2工程におけるレーザ照射条件(走査速度、加工位置)を種々変更して分断可能な条件を調査した実験結果を示している。なお、この実験2では、第2工程において、分断予定ラインの一部ではなく全部にわたってレーザを走査した。また、基板の厚みは1.1mmである。
[Experiment 2: Condition setting for the second step]
FIG. 3 shows the results of an experiment in which the laser irradiation conditions in the first step are set as follows, and the laser irradiation conditions (scanning speed and processing position) in the second step are variously changed to investigate the conditions that can be divided. Yes. In Experiment 2, in the second step, the laser was scanned over the entire parting line rather than partly. The thickness of the substrate is 1.1 mm.

<第1工程>
・繰り返し周波数:3MHz
・レーザ出力:4.0W
・走査速度:300mm/s
・加工位置(焦点位置):535μm(基板表面が0μm)
なお、図3の表中の各記号の意味は以下の通りである。
<First step>
・ Repetition frequency: 3MHz
・ Laser output: 4.0W
・ Scanning speed: 300mm / s
-Processing position (focal position): 535 μm (substrate surface is 0 μm)
The meaning of each symbol in the table of FIG. 3 is as follows.

「○」:分断可能(レーザ照射後、ラインに沿った分断)
「△」:分断可能(レーザ照射数分後、ラインに沿った分断)
「□」:分断可能(ラインから逸れた分断)
「×」:加工痕有 (分断不可能)
この実験2の結果から、第1工程でのレーザ照射条件を以上のように設定し、加工位置を535μmに設定した場合、第2工程では以下の条件で加工すれば、確実に分断が可能であることがわかる。
"○": Can be divided (After laser irradiation, along the line)
“△”: Can be divided (several minutes after laser irradiation)
"□": Can be divided (parting off the line)
“×”: Processing mark (cannot be divided)
From the results of Experiment 2, when the laser irradiation conditions in the first step are set as described above and the processing position is set to 535 μm, the second step can be reliably divided by processing under the following conditions. I know that there is.

<第2工程>
・繰り返し周波数:3MHz
・レーザ出力:8.0W
・走査速度:500mm/s
・加工位置(焦点位置):140〜365μm(基板表面が0μm)
<Second step>
・ Repetition frequency: 3MHz
・ Laser output: 8.0W
・ Scanning speed: 500mm / s
Processing position (focal position): 140 to 365 μm (substrate surface is 0 μm)

[実験3:第2工程の照射位置]
図4は基板の第2工程において、分断予定ラインの一部にのみレーザを照射した実験結果を示している。図4(a)は第1工程のレーザ走査開始端部から20mm離れた位置の分断予定ラインに沿ってレーザを照射した場合の分断面の様子を示している。図4(b)は第1工程のレーザ走査終了端部から20mm離れた位置の分断予定ラインに沿ってレーザを照射した場合の分断面の様子を示している。図4(c)は第1工程のレーザ走査開始端部から20mmの範囲に、分断予定ラインに沿ってレーザを走査した場合の分断面の様子を示している。加工条件は、実験2で得られた各条件と同じである。第2工程のレーザ照射位置を基板の中央部や第1工程でのレーザ走査終了端部に変えても分断が可能であった。
[Experiment 3: Irradiation position in the second step]
FIG. 4 shows a result of an experiment in which a laser is irradiated only to a part of the planned dividing line in the second step of the substrate. FIG. 4A shows a state of a divided cross section when the laser is irradiated along a planned dividing line at a position 20 mm away from the laser scanning start end in the first step. FIG. 4B shows a state of a divided cross section when the laser is irradiated along the planned dividing line at a position 20 mm away from the end of the laser scanning in the first step. FIG. 4C shows a state of a divided cross section when the laser is scanned along the planned dividing line within a range of 20 mm from the laser scanning start end of the first step. The processing conditions are the same as the conditions obtained in Experiment 2. Even if the laser irradiation position in the second step is changed to the center portion of the substrate or the laser scanning end portion in the first step, the division is possible.

この実験3の結果から、第2工程において、分断予定ラインの一部のみにレーザを照射するだけで、第1工程で形成した加工痕に沿って亀裂が進展し、基板の分断が可能であることがわかる。   From the result of Experiment 3, in the second step, it is possible to divide the substrate by irradiating only a part of the planned cutting line with a laser so that a crack develops along the processing mark formed in the first step. I understand that.

なお、ここでは示していないが、第2工程のレーザ照射領域は、分断予定ラインに沿って1mmの範囲にレーザを照射しただけでも分断が可能であった。   Although not shown here, the laser irradiation region in the second step could be divided even by irradiating the laser within a range of 1 mm along the planned division line.

[実験4:基板表面の損傷]
以上の実験1〜3の結果をもとに実験4を行った。その結果を図5に示している。図5(a)は切入部(レーザを2回照射した部分)の基板表面の顕微鏡写真(同図左)と、その分断面の顕微鏡写真(同図右)である。また、図5(b)は基板中央部(レーザを1回のみ照射した部分)の基板表面の顕微鏡写真(同図左)と、その分断面の顕微鏡写真(同図右)である。ここでの各工程での加工条件は以下の通りである。
[Experiment 4: Damage to substrate surface]
Experiment 4 was conducted based on the results of Experiments 1 to 3 above. The result is shown in FIG. FIG. 5A is a micrograph (left of the figure) of the substrate surface of the cut-in part (the part irradiated with the laser twice) and a micrograph of the corresponding cross section (right of the figure). FIG. 5B shows a micrograph (left in the figure) of the substrate surface at the center of the substrate (the part irradiated with the laser only once) and a micrograph of the corresponding cross section (right in the figure). The processing conditions in each step here are as follows.

第1工程:
・繰り返し周波数:3MHz
・レーザ出力:4.0W
・走査速度:300mm/s
・加工位置(焦点位置):535μm(基板表面が0μm)
第2工程:
・繰り返し周波数:3MHz
・レーザ出力:8.0W
・走査速度:500mm/s
・加工位置(焦点位置):213μm(基板表面が0μm)
・レーザ照射部分:走査開始端部(切入部)10mmの範囲(それ以外は遮蔽)
この実験4の結果から、レーザを2回照射した部分は、基板表面に200μm程度のサイズの欠けが発生しているが、遮蔽された部分(レーザは1回のみ照射)は基板表面に欠けが発生していないことがわかる。なお、亀裂の直進性(分断予定ラインからのズレ)は遮蔽部において、±50μm以内(測定サンプル:n=3)であった。
First step:
・ Repetition frequency: 3MHz
・ Laser output: 4.0W
・ Scanning speed: 300mm / s
-Processing position (focal position): 535 μm (substrate surface is 0 μm)
Second step:
・ Repetition frequency: 3MHz
・ Laser output: 8.0W
・ Scanning speed: 500mm / s
Processing position (focal position): 213 μm (substrate surface is 0 μm)
・ Laser irradiation part: scanning start edge (cut-in part) in the range of 10mm (other than shielding)
From the result of Experiment 4, the portion irradiated with the laser twice has a chip of about 200 μm in size on the substrate surface, but the shielded portion (laser is irradiated only once) has a chip on the substrate surface. It turns out that it has not occurred. In addition, the straight advanceability of the crack (deviation from the parting planned line) was within ± 50 μm (measurement sample: n = 3) in the shielding part.

以上から、第2工程においてレーザを照射する領域は、最終製品になった場合には廃棄されるような領域(例えば基板端部)とするのが好ましいことがわかる。   From the above, it can be seen that the region to be irradiated with the laser in the second step is preferably a region (for example, the edge of the substrate) that is discarded when the final product is obtained.

[実験5:加工位置の特定]
第1工程におけるレーザの加工位置を365〜998μm(基板表面が0μm)の範囲で変更し、第2工程におけるレーザ加工位置140〜998μm(基板表面が0μm)の範囲で変更して基板分断可能な条件を調査した実験結果を図6に示している。ここでの各加工条件は以下の通りである。
[Experiment 5: Specification of machining position]
The laser processing position in the first step can be changed in the range of 365 to 998 μm (substrate surface is 0 μm), and the laser processing position in the second step can be changed in the range of 140 to 998 μm (substrate surface is 0 μm) to divide the substrate. FIG. 6 shows the experimental results of investigating the conditions. Each processing condition here is as follows.

第1工程:
・繰り返し周波数:3MHz
・レーザ出力:4.0W
・走査速度:300mm/s
第2工程:
・繰り返し周波数:3MHz
・レーザ出力:8.0W
・走査速度:500mm/s
図6の表中における各記号の意味は以下の通りである。
First step:
・ Repetition frequency: 3MHz
・ Laser output: 4.0W
・ Scanning speed: 300mm / s
Second step:
・ Repetition frequency: 3MHz
・ Laser output: 8.0W
・ Scanning speed: 500mm / s
The meaning of each symbol in the table of FIG. 6 is as follows.

「○」:分断可能(レーザ照射後、ラインに沿った分断)
「□」:ラインから逸れた分断
「×」:加工痕有 (分断不可能)
この実験結果から、第1工程での加工位置を365〜685μmにした場合、第2工程の加工位置を、基板表面から365μm以下にすれば、第2工程において自然分断することがわかる。また、第2工程での加工位置を、第1工程での加工位置より225(365−140)μm以上、472(685−213)μm以下だけ表面側に移動させる必要があることがわかる。
"○": Can be divided (After laser irradiation, along the line)
"□": Dividing from the line "X": Processing trace (cannot be divided)
From this experimental result, it is understood that when the processing position in the first step is 365 to 685 μm, the second step is naturally divided if the processing position in the second step is 365 μm or less from the substrate surface. Further, it is understood that the processing position in the second step needs to be moved to the surface side by 225 (365-140) μm or more and 472 (685-213) μm or less from the processing position in the first step.

なお、第1工程での加工位置は、基板の厚み中央位置(550μm)から表面側に185μm(365μm)以上、裏面側に135μm(685μm)以下であることが好ましい。基板の表面あるいは裏面に偏った領域に加工痕を形成すると、第1工程終了時にあるいは第1工程の途中に基板が分断される場合があり、安定した分断を行うことができないからである。   The processing position in the first step is preferably 185 μm (365 μm) or more on the front surface side and 135 μm (685 μm) or less on the back surface side from the central position (550 μm) of the substrate thickness. This is because if a processing mark is formed in a region biased to the front surface or the back surface of the substrate, the substrate may be divided at the end of the first step or in the middle of the first step, and stable division cannot be performed.

また、第1工程での加工位置は、基板の裏面から365〜685μm(基板表面が0μm)の範囲内であることが好ましい。第1工程において、基板の裏面から離れた領域にレーザを集光して加工痕を形成すると、第2工程の実行後に、裏面に向かって進展した亀裂が曲がってしまい、裏面における分断ラインが分断予定ラインからずれてしまうからである。   Moreover, it is preferable that the processing position in a 1st process exists in the range of 365-685 micrometers (a board | substrate surface is 0 micrometer) from the back surface of a board | substrate. In the first step, if a laser beam is focused on a region away from the back surface of the substrate to form a processing mark, the crack that has progressed toward the back surface is bent after the execution of the second step, and the dividing line on the back surface is broken. This is because it deviates from the planned line.

[基板の厚みが厚い場合]
以上の実験においては、すべて基板の厚みは1.1mmである。したがって、以上の実験結果から、基板の厚みが1.1mm以上の場合は、図7に示すように、第2工程の加工条件で第2工程と同様の工程(第3工程:分断工程)を繰り返して実行すればよいことがわかる。
[When the substrate is thick]
In all the above experiments, the thickness of the substrate is 1.1 mm. Therefore, from the above experimental results, when the thickness of the substrate is 1.1 mm or more, as shown in FIG. 7, the same process as the second process (third process: cutting process) is performed under the processing conditions of the second process. It turns out that it only needs to be executed repeatedly.

具体的には、直前の工程における加工位置との間隔を225〜472μmの範囲内に維持して一部領域へのレーザ照射を繰り返し実行し、加工位置が基板表面から140μm以下になれば、そのレーザ照射によって基板は自然分断されることになる。   Specifically, when the processing position is 140 μm or less from the substrate surface by repeatedly executing laser irradiation to a partial region while maintaining the distance from the processing position in the immediately preceding process within the range of 225 to 472 μm, The substrate is naturally divided by the laser irradiation.

<レーザ照射条件>
レーザ照射条件について、各工程では、以下の条件であれば、本発明の方法で分断が可能である。
<Laser irradiation conditions>
Regarding the laser irradiation conditions, in each step, if the following conditions are satisfied, it can be divided by the method of the present invention.

第1工程:
・繰り返し周波数:3MHz
・レーザ出力:4.0W(4W以上8W以下でも可)
・走査速度:200〜300mm/s(150mm/s以上500mm/sでも可)
第2工程及び第3工程:
・繰り返し周波数:3MHz
・レーザ出力:8.0W(6W以上8W以下でも可)
・走査速度:500mm/s(300mm/s以上800mm/s以下でも可)
<加工位置>
加工位置について、各工程では、以下の条件であれば、本発明の方法で分断が可能である。
First step:
・ Repetition frequency: 3MHz
・ Laser output: 4.0W (4W to 8W)
・ Scanning speed: 200-300mm / s (150mm / s or more and 500mm / s is acceptable)
Second step and third step:
・ Repetition frequency: 3MHz
・ Laser output: 8.0W (6W to 8W is acceptable)
・ Scanning speed: 500mm / s (300mm / s or more and 800mm / s or less is acceptable)
<Processing position>
With respect to the processing position, each process can be divided by the method of the present invention under the following conditions.

第1工程:基板表面から365〜685μmの範囲
基板中央位置(0μm)から+185〜−135μmの範囲。
First step: A range of 365 to 685 μm from the substrate surface
Range from +185 to −135 μm from the center position of the substrate (0 μm).

「+」は表面側(レーザ照射面側)、「−」は裏面側。             “+” Is the front surface side (laser irradiation surface side), and “−” is the back surface side.

第2工程:第1工程の加工位置から225〜472μmだけ基板表面側。   Second step: The substrate surface side is 225 to 472 μm from the processing position of the first step.

第3工程:直前の加工位置から225〜472μmだけ基板表面側で、かつ最後の加工位置が基板表面から140〜365μmの範囲。   Third step: 225 to 472 μm from the immediately preceding processing position, and the last processing position is in the range of 140 to 365 μm from the substrate surface.

[特徴]
(1)分断工程において、基板の一部領域にレーザを照射することによって基板を分断することができる。したがって、意図せずに基板が自然分断されるのを防止でき、安定した分断処理を実行できる。
[Feature]
(1) In the dividing step, the substrate can be divided by irradiating a partial region of the substrate with laser. Therefore, it is possible to prevent the substrate from being naturally divided unintentionally, and a stable division process can be executed.

(2)中間工程及び分断工程におけるレーザ照射は、基板の一部のみであるので、基板表面の損傷を最小限にすることができ、分断品質の劣化を抑え、基板の強度低下を防止できる。特に、2回目以降のレーザ照射を、最終製品において廃棄される部分に実行することにより、製品の品質劣化をなくすことができる。   (2) Since laser irradiation in the intermediate process and the cutting process is only part of the substrate, damage to the substrate surface can be minimized, degradation of the cutting quality can be suppressed, and a reduction in the strength of the substrate can be prevented. In particular, the quality deterioration of the product can be eliminated by performing the second and subsequent laser irradiations on the discarded parts in the final product.

(3)分断に際してメカニカルスクライブ等が不要になるので、処理が簡単になり、前記同様に、基板の強度低下を抑えることができる。   (3) Since mechanical scribing or the like is not required at the time of dividing, the processing is simplified, and a decrease in the strength of the substrate can be suppressed as described above.

[他の実施形態]
本発明は以上のような実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲を逸脱することなく種々の変形又は修正が可能である。
[Other Embodiments]
The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various changes or modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

中間工程及び分断工程におけるレーザ照射位置を、第1深さ位置よりも裏面側(レーザ照射面とは反対の面側)にして、分断工程において基板の裏面に到達する亀裂を形成するようにしてもよい。   The laser irradiation position in the intermediate process and the dividing process is set to the back surface side (surface opposite to the laser irradiation surface) from the first depth position, and a crack reaching the back surface of the substrate is formed in the dividing process. Also good.

また、前記実施形態では、中間工程及び分断工程においてレーザを照射する一部領域(亀裂の起点となる領域)を、基板の端部領域としたが、分断予定ライン上であれば、どのような位置でもよい。例えば、基板の中央部分や、クロススクライブする際の交点位置を亀裂の起点位置にしてもよい。   Moreover, in the said embodiment, although the partial area | region (area | region used as the origin of a crack) irradiated with a laser in the intermediate | middle process and the cutting process was made into the edge part area | region of a board | substrate, what kind of thing will be used if it is on a dividing line It may be a position. For example, the center position of the substrate or the intersection position at the time of cross scribing may be set as the crack starting position.

分断工程において、レーザを照射する領域は、中間工程と同じ領域でもよいし、中間工程におけるレーザ照射領域より狭い領域であってもよい。   In the dividing step, the laser irradiation region may be the same region as the intermediate step, or may be a region narrower than the laser irradiation region in the intermediate step.

Claims (10)

表面に圧縮応力を有するとともに内部に引張応力を有する強化ガラスを分断するためのガラス基板の分断方法であって、
基板内部の引張応力を有する領域内の第1深さ位置にレーザを集光し分断予定ラインに沿ってレーザを走査することによって、基板内部に加工痕を形成する加工痕形成工程と、
前記第1深さ位置より基板の表面又は裏面の一方の面側の第2深さ位置にレーザを集光し、前記分断予定ラインに沿った一部領域にのみレーザを走査して基板内部に亀裂を形成する中間工程と、
前記中間工程の後に、前記第2深さ位置より基板の前記一方の面側の第3深さ位置にレーザを集光し、前記一部領域の少なくとも一部にのみレーザを走査して基板の前記一方の面に到達する亀裂を形成するとともに、形成された亀裂を前記分断予定ラインに沿って進展させて基板を分断する分断工程と、
を含み、
前記中間工程では、前記第2深さ及びレーザ強度は、レーザ照射によって先に形成された加工痕に亀裂が進展可能なように設定され、
前記分断工程では、前記第3深さ及びレーザ強度は、レーザ照射によって、亀裂が基板の前記一方の面にまで到達し、かつ亀裂が前記分断予定ラインの全体に進展可能なように設定されている、
ガラス基板の分断方法。
A method for dividing a glass substrate for dividing a tempered glass having a compressive stress on the surface and a tensile stress inside,
A processing mark forming step of forming a processing mark inside the substrate by condensing the laser at a first depth position in a region having a tensile stress inside the substrate and scanning the laser along a scheduled cutting line;
The laser is condensed at a second depth position on one side of the front surface or the back surface of the substrate from the first depth position, and the laser is scanned only in a partial region along the planned dividing line to enter the inside of the substrate. An intermediate process to form cracks;
After the intermediate step, the laser is focused on the third depth position on the one surface side of the substrate from the second depth position , and the laser is scanned only on at least a part of the partial region. A splitting step of splitting the substrate by forming a crack that reaches the one surface and advancing the formed crack along the planned split line;
Only including,
In the intermediate step, the second depth and the laser intensity are set so that a crack can be developed in a processing mark previously formed by laser irradiation,
In the dividing step, the third depth and the laser intensity are set by laser irradiation so that the crack reaches the one surface of the substrate and the crack can propagate to the entire dividing line. Yes,
Glass substrate cutting method.
前記基板の板厚は1.1mm以上である、請求項に記載のガラス基板の分断方法。 The method for dividing a glass substrate according to claim 1 , wherein the thickness of the substrate is 1.1 mm or more. 前記加工痕形成工程における第1深さ位置は、基板の厚み方向の中央位置からレーザ照射面側に185μm以下で、逆側に135μm以下の範囲内である、請求項1又は2に記載のガラス基板の分断方法。 Said first depth position in the working mark forming step, the following 185μm from the center position in the thickness direction of the substrate on the laser irradiation surface, is within the following 135μm on the opposite side, the glass according to claim 1 or 2 Substrate dividing method. 隣接する前記各深さ位置の間隔は225μm以上472μm以下である、請求項1からのいずれかに記載のガラス基板の分断方法。 The glass substrate cutting method according to any one of claims 1 to 3 , wherein an interval between adjacent depth positions is not less than 225 µm and not more than 472 µm. 前記分断工程における最も基板のレーザ照射面側のレーザ集光位置は、基板のレーザ照射面から140μm以上365μm以下の範囲内である、請求項1からのいずれかに記載のガラス基板の分断方法。 The glass substrate dividing method according to any one of claims 1 to 4 , wherein a laser condensing position closest to a laser irradiation surface of the substrate in the dividing step is within a range of 140 µm to 365 µm from the laser irradiation surface of the substrate. . 前記中間工程において、レーザ照射される一部領域は、走査開始側の基板端縁から10mm以内の部分である、請求項1からのいずれかに記載のガラス基板の分断方法。 Wherein in an intermediate step, a partial area to be laser irradiated is a portion within 10mm from the substrate edge of the scanning start side, cutting method of a glass substrate according to any one of claims 1 to 5. 前記中間工程及び前記分断工程において、レーザ照射される領域以外は、レーザの基板への照射を停止する、請求項1からのいずれかに記載のガラス基板の分断方法。 The glass substrate cutting method according to any one of claims 1 to 6 , wherein in the intermediate step and the dividing step, irradiation of the laser to the substrate is stopped except in a region irradiated with the laser. 前記分断工程におけるレーザ照射領域は、前記中間工程における一部領域よりも狭い領域である、請求項1からのいずれかに記載のガラス基板の分断方法。 The method for dividing a glass substrate according to any one of claims 1 to 7 , wherein a laser irradiation region in the dividing step is a region narrower than a partial region in the intermediate step. 前記加工痕形成工程において、レーザ出力は4W以上8W以下であり、走査速度は150mm/s以上500mm/s以下である、請求項1からのいずれかに記載のガラス基板の分断方法。 In the processing marks forming step, the laser output is less than 4W or 8W, scanning speed is less than 150 mm / s or more 500 mm / s, cutting method of a glass substrate according to any one of claims 1 to 8. 前記中間工程及び前記分断工程において、レーザ出力は6W以上8W以下であり、走査速度は300mm/s以上800mm/s以下である、請求項に記載のガラス基板の分断方法。 The method for dividing a glass substrate according to claim 9 , wherein in the intermediate step and the dividing step, the laser output is 6 W or more and 8 W or less, and the scanning speed is 300 mm / s or more and 800 mm / s or less.
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