JP6047630B2 - Suspension board with circuit - Google Patents

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Description

本発明は、回路付サスペンション基板およびその製造方法、詳しくは、ハードディスクドライブに搭載される回路付サスペンション基板およびその製造方法に関する。   The present invention relates to a suspension board with circuit and a method for manufacturing the same, and more particularly to a suspension board with circuit mounted on a hard disk drive and a method for manufacturing the same.

ハードディスクドライブに搭載される回路付サスペンション基板は、磁気ヘッドを実装するスライダを搭載しており、スライダをハードディスクに対して微小間隔で浮上させる。   A suspension board with circuit mounted on a hard disk drive is equipped with a slider on which a magnetic head is mounted, and the slider floats at a very small distance from the hard disk.

そのようなスライダには、空気中に含まれる水分や熱などに影響されることなく、ハードディスクに対する浮上姿勢（姿勢角）が一定となるように安定して維持されることが要求される。   Such a slider is required to be stably maintained so that the floating posture (attitude angle) with respect to the hard disk is constant without being affected by moisture or heat contained in the air.

上記した要求を満たすべく、例えば、金属基板と、その上に形成される絶縁層と、その上に形成される配線層と、その上に形成されるカバー層とを備えるサスペンション用基板において、絶縁層形成材料とカバー層形成材料の吸湿膨張係数を０／％ＲＨ〜３０×１０−６／％ＲＨにし、かつ、それらの差が、０〜５×１０−６／％ＲＨにすることが提案されている。 In order to satisfy the above-described requirements, for example, in a suspension substrate including a metal substrate, an insulating layer formed thereon, a wiring layer formed thereon, and a cover layer formed thereon, insulation is provided. It is proposed that the hygroscopic expansion coefficient of the layer forming material and the cover layer forming material is 0 /% RH to 30 × 10 −6 /% RH, and the difference between them is 0 to 5 × 10 −6 /% RH. Has been.

特開平１０−２７４４７号公報JP-A-10-27447

しかし、特許文献１で提案されるサスペンション基板においても、上記の要求を十分に満足させることができない場合がある。   However, even the suspension board proposed in Patent Document 1 may not sufficiently satisfy the above requirements.

本発明の目的は、高湿雰囲気下におけるジンバル部の変形を防止することができ、それによって、ハードディスクに対するスライダの姿勢角を安定して維持することのできる回路付サスペンション基板およびその製造方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a suspension board with circuit that can prevent deformation of the gimbal part in a high-humidity atmosphere, and thereby can stably maintain the attitude angle of the slider with respect to the hard disk, and a method for manufacturing the same. There is to do.

上記目的を達成するために、回路付サスペンション基板は、金属支持層と、前記金属支持層の上に形成される絶縁層と、前記絶縁層の上に形成される導体層とを備える回路付サスペンション基板であって、前記回路付サスペンション基板には、ジンバル部が設けられ、前記ジンバル部には、前記金属支持層を上下方向に貫通する開口部が形成され、前記ジンバル部は、前記開口部の内側に形成され、前記導体層と電気的に接続される磁気ヘッドを実装するスライダが搭載されるタング部と、前記開口部の外側に形成され、前記タング部を支持するアウトリガー部と、前記ジンバル部の前記開口部および／または前記アウトリガー部の外側領域を通過する通過部とを備え、前記通過部は、前記導体層と、前記導体層を被覆する前記絶縁層とを備え、前記通過部の前記絶縁層の下側半分部分の厚みと、前記通過部の前記絶縁層の上側半分部分の厚みとが、同一であることを特徴としている。   To achieve the above object, a suspension board with circuit includes a metal support layer, an insulating layer formed on the metal support layer, and a conductor layer formed on the insulating layer. The suspension board with circuit is provided with a gimbal portion, and the gimbal portion is formed with an opening penetrating the metal support layer in the vertical direction. A tongue portion on which a slider for mounting a magnetic head electrically connected to the conductor layer is mounted; an outrigger portion that is formed outside the opening portion and supports the tongue portion; and the gimbal A passage part that passes through the outer region of the opening and / or the outrigger part, and the passage part comprises the conductor layer and the insulating layer that covers the conductor layer. , The thickness of the lower half portion of the insulating layer of the passage unit, the thickness of the upper half portion of the insulating layer of the passage unit, and wherein the at least.

また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記通過部における上下方向中央と前記導体層の前記上側半分部分の上面との距離が、前記通過部における前記上下方向中央と前記導体層の前記下側半分部分の下面との距離と同一であることが好適である。   In the suspension board with circuit of the present invention, the distance between the center in the vertical direction in the passage portion and the upper surface of the upper half portion of the conductor layer is such that the center in the vertical direction in the passage portion and the lower side of the conductor layer are The distance is preferably the same as the distance from the lower surface of the half portion.

また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記通過部における前記絶縁層は、中間絶縁層を備え、前記通過部における前記導体層は、第１導体層と、前記第１導体層の上に、前記中間絶縁層を介して形成される第２導体層とを備え、前記第１導体層と前記第２導体層との厚みが、同一であることが好適である。   In the suspension board with circuit of the present invention, the insulating layer in the passage portion includes an intermediate insulating layer, and the conductor layer in the passage portion is on the first conductor layer and the first conductor layer, It is preferable that the second conductor layer is formed via the intermediate insulating layer, and the first conductor layer and the second conductor layer have the same thickness.

また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記通過部における前記導体層の上側半分部分および下側半分部分は、上下方向中央を中心とする対称に形成されていることが好適である。   In the suspension board with circuit of the present invention, it is preferable that the upper half portion and the lower half portion of the conductor layer in the passage portion are formed symmetrically about the center in the vertical direction.

また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記通過部における前記絶縁層は、前記中間絶縁層の下に形成され、前記導体層の下側部分を被覆する第１カバー絶縁層と、前記中間絶縁層の上に形成され、前記導体層の上側部分を被覆する第２カバー絶縁層とを備え、前記絶縁層の前記下側半分部分は、前記中間絶縁層の下側半部分と、前記第１カバー絶縁層とであり、前記絶縁層の前記上側半分部分は、前記中間絶縁層の上側半部分と、前記第２カバー絶縁層とであることが好適である。   In the suspension board with circuit of the present invention, the insulating layer in the passage portion is formed under the intermediate insulating layer and covers the lower portion of the conductor layer, and the intermediate insulating layer A second cover insulating layer formed on the layer and covering an upper portion of the conductor layer, wherein the lower half portion of the insulating layer includes a lower half portion of the intermediate insulating layer and the first half portion. Preferably, the upper half portion of the insulating layer is the upper half portion of the intermediate insulating layer and the second cover insulating layer.

また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記通過部における前記絶縁層の前記上側半分部分および前記下側半分部分は、上下方向中央を中心とする対称に形成されていることが好適である。   In the suspension board with circuit of the present invention, it is preferable that the upper half portion and the lower half portion of the insulating layer in the passage portion are formed symmetrically about the center in the vertical direction.

また、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法は、磁気ヘッドを実装するスライダが搭載されるタング部と、前記タング部を支持するアウトリガー部とを備えるジンバル部が設けられる回路付サスペンション基板の製造方法であって、金属支持層を用意する工程、絶縁層を前記金属支持層の上に形成する工程、導体層を前記絶縁層の上に形成する工程、および、前記金属支持層に、前記ジンバル部における前記導体層に対応し、前記タング部と前記アウトリガー部とを区画する開口部を形成する工程を備え、前記絶縁層を形成する工程において、前記絶縁層を、前記導体層を被覆するように、かつ、前記開口部および／または前記アウトリガー部の外側領域を通過する通過部における前記絶縁層の下側半分部分の厚みと、前記通過部における前記絶縁層の上側半分部分の厚みとが同一となるように、形成することを特徴としている。   The method of manufacturing a suspension board with circuit according to the present invention is a method for manufacturing a suspension board with circuit provided with a gimbal portion including a tongue portion on which a slider for mounting a magnetic head is mounted and an outrigger portion for supporting the tongue portion. A step of preparing a metal support layer, a step of forming an insulating layer on the metal support layer, a step of forming a conductor layer on the insulating layer, and the gimbal on the metal support layer. A step of forming an opening corresponding to the conductor layer in the portion and partitioning the tongue portion and the outrigger portion, wherein the insulating layer is covered with the conductor layer in the step of forming the insulating layer. And the thickness of the lower half portion of the insulating layer in the passing portion passing through the opening and / or the outer region of the outrigger portion, and the passing portion As kicking the thickness of the upper half portion of the insulating layer is the same, it is characterized by the formation.

本発明の回路付サスペンション基板の製造方法およびそれにより得られる回路付サスペンション基板では、通過部の絶縁層の下側半分部分の厚みと、通過部の絶縁層の上側半分部分の厚みとが、同一であるので、高湿雰囲気下において、通過部の絶縁層の下側半分部分と上側半分部分とが吸湿して膨張しても、それらは同じ割合で膨張する。そのため、通過部の吸湿による変形を有効に防止することができる。   In the method for manufacturing a suspension board with circuit of the present invention and the suspension board with circuit obtained thereby, the thickness of the lower half portion of the insulating layer in the passage portion and the thickness of the upper half portion of the insulating layer in the passage portion are the same. Therefore, even if the lower half portion and the upper half portion of the insulating layer in the passage portion absorb moisture and expand in a high humidity atmosphere, they expand at the same rate. Therefore, it is possible to effectively prevent deformation due to moisture absorption of the passage portion.

その結果、回路付サスペンション基板に搭載されるスライダのハードディスクに対する姿勢角を安定して維持することができる。   As a result, the attitude angle of the slider mounted on the suspension board with circuit with respect to the hard disk can be stably maintained.

図１は、本発明の回路付サスペンション基板の一実施形態のジンバル部の平面図を示す。FIG. 1 is a plan view of a gimbal portion of an embodiment of a suspension board with circuit of the present invention. 図２は、図１に示すジンバル部の底面図を示す。FIG. 2 is a bottom view of the gimbal portion shown in FIG. 図３は、図１および図２のＡ−Ａ線に沿う断面図を示す。FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIGS. 1 and 2. 図４は、図３に示すジンバル部の通過部の拡大断面図を示す。FIG. 4 shows an enlarged cross-sectional view of the passage part of the gimbal part shown in FIG. 図５は、図１に示す回路付サスペンション基板の製造方法を説明するための工程図で、図３の断面図に対応する工程図であって、（ａ）は、金属支持層を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層を形成する工程、（ｃ）は、スリットを形成する工程（ｄ）は、導体層を形成する工程、（ｅ）は、第１カバー絶縁層および第２カバー絶縁層を形成する工程を示す。FIG. 5 is a process diagram for explaining a method of manufacturing the suspension board with circuit shown in FIG. 1, and is a process diagram corresponding to the cross-sectional view of FIG. 3, wherein (a) is a process of preparing a metal support layer. (B) is a step of forming a base insulating layer, (c) is a step of forming a slit (d) is a step of forming a conductor layer, (e) is a first insulating cover layer and a second cover. The process of forming an insulating layer is shown. 図６は、図５（ａ）の金属支持層を用意する工程を説明する平面図を示す。FIG. 6 is a plan view illustrating a process for preparing the metal support layer of FIG. 図７は、図５（ｂ）のベース絶縁層を形成する工程を説明する図面であって、（ａ）は、平面図（ｂ）は、底面図を示す。FIG. 7 is a view for explaining a process of forming the base insulating layer in FIG. 5B, where FIG. 7A is a plan view and FIG. 7B is a bottom view. 図８は、図５（ｃ）のスリットを形成する工程を説明する図面であって、（ａ）は、平面図（ｂ）は、底面図を示す。FIG. 8 is a drawing for explaining the step of forming the slits of FIG. 5C, where FIG. 8A is a plan view and FIG. 8B is a bottom view. 図９は、図５（ｄ）の第１導体層および第２導体層を形成する工程を説明する図面であって、（ａ）は、平面図（ｂ）は、底面図を示す。FIG. 9 is a drawing for explaining a process of forming the first conductor layer and the second conductor layer in FIG. 5D, wherein FIG. 9A is a plan view and FIG. 9B is a bottom view. 図１０は、本発明の回路付サスペンション基板の他の実施形態の通過部（第１配線および第２配線が厚み方向に投影した時にずれて配置される態様）の拡大断面図を示す。FIG. 10 is an enlarged cross-sectional view of a passing portion (an aspect in which the first wiring and the second wiring are displaced when projected in the thickness direction) of another embodiment of the suspension board with circuit of the present invention. 図１１は、本発明の回路付サスペンション基板の他の実施形態のジンバル部（ヘッド側端子が４つ設けられる態様）の平面図を示す。FIG. 11 is a plan view of a gimbal portion (an aspect in which four head side terminals are provided) of another embodiment of the suspension board with circuit of the present invention. 図１２は、本発明の回路付サスペンション基板の他の実施形態のジンバル部（ベース絶縁層、第２配線および第２カバー絶縁層からなる態様）の平面図を示す。FIG. 12 is a plan view of a gimbal portion (an embodiment comprising a base insulating layer, a second wiring, and a second cover insulating layer) according to another embodiment of the suspension board with circuit of the present invention. 図１３は、図１２に示すジンバル部の通過部の拡大断面図を示す。FIG. 13 shows an enlarged cross-sectional view of the passage part of the gimbal part shown in FIG. 図１４は、実施例１の回路付サスペンション基板の平面図であって、金属支持層およびベース絶縁層の寸法を示す。FIG. 14 is a plan view of the suspension board with circuit of the first embodiment and shows dimensions of the metal support layer and the base insulating layer. 図１５は、比較例１の回路付サスペンション基板の通過部の拡大断面図を示す。FIG. 15 is an enlarged cross-sectional view of a passage portion of the suspension board with circuit of the first comparative example.

図１は、本発明の回路付サスペンション基板の一実施形態のジンバル部の平面図を、図２は、図１に示すジンバル部の底面図、図３は、図１および図２のＡ−Ａ線に沿う断面図、図４は、図３に示すジンバル部の通過部の拡大断面図、図５は、図１に示す回路付サスペンション基板の製造方法を説明するための工程図で、図３の断面図に対応する工程図、図６は、図５（ａ）の金属支持層を用意する工程を説明する平面図、図７は、図５（ｂ）のベース絶縁層を形成する工程を説明する図面、図８は、図５（ｃ）のスリットを形成する工程を説明する図面、図９は、図５（ｄ）の第１導体層および第２導体層を形成する工程を説明する図面を示す。   1 is a plan view of a gimbal portion of an embodiment of a suspension board with circuit of the present invention, FIG. 2 is a bottom view of the gimbal portion shown in FIG. 1, and FIG. 3 is an AA view of FIGS. 4 is an enlarged cross-sectional view of the passage portion of the gimbal portion shown in FIG. 3, and FIG. 5 is a process diagram for explaining a method of manufacturing the suspension board with circuit shown in FIG. FIG. 6 is a plan view for explaining the step of preparing the metal support layer shown in FIG. 5A, and FIG. 7 shows the step of forming the base insulating layer shown in FIG. 5B. Drawing to explain, FIG. 8 is a figure explaining the process of forming the slit of FIG.5 (c), FIG. 9 demonstrates the process of forming the 1st conductor layer and 2nd conductor layer of FIG.5 (d). Drawing is shown.

なお、図１、図２および図９において、ベース絶縁層１４、第１導体層２８および第２導体層１６の相対配置を明確に示すため、第１カバー絶縁層１５および第２カバー絶縁層１６を省略している。   1, 2, and 9, the first cover insulating layer 15 and the second cover insulating layer 16 are shown in order to clearly show the relative arrangement of the base insulating layer 14, the first conductor layer 28, and the second conductor layer 16. Is omitted.

図１および図２において、この回路付サスペンション基板１は、磁気ヘッド（図示せず）を実装するスライダ（図示せず）を搭載して、スライダをハードディスクドライブに対して微小間隔で浮上させる。   1 and 2, the suspension board with circuit 1 is mounted with a slider (not shown) for mounting a magnetic head (not shown), and the slider floats with respect to the hard disk drive at a minute interval.

この回路付サスペンション基板１では、金属支持層としての金属支持層２に、導体層としての導体層３が支持されている。   In the suspension board with circuit 1, a conductor layer 3 as a conductor layer is supported on a metal support layer 2 as a metal support layer.

金属支持層２は、長手方向に延びる平帯状に形成されている。金属支持層２は、長手方向一方側（以下、後側という。図１および図２における紙面下側。）に配置される配線部４と、配線部４の長手方向他方側（以下、先側という。図１および図２における紙面上側。）に配置されるジンバル部５とを一体的に備えている。   The metal support layer 2 is formed in a flat strip shape extending in the longitudinal direction. The metal support layer 2 includes a wiring portion 4 disposed on one side in the longitudinal direction (hereinafter referred to as a rear side, and a lower side in FIG. 1 and FIG. 2) and the other side in the longitudinal direction of the wiring portion 4 (hereinafter referred to as a front side). The gimbal portion 5 is integrally provided on the upper side of the drawing in FIGS.

配線部４は、先後方向に延びる平面視略矩形状に形成されている。   The wiring part 4 is formed in a substantially rectangular shape in plan view extending in the front-rear direction.

なお、配線部４には、先後方向に沿って延びる２本のスリット６が、幅方向（先後方向に直交する方向）に互いに間隔を隔てて２つ形成されている。各スリット６は、先後方向に沿って直線状に延びている。なお、図１において省略されているが、配線部４の後端部には、後述する外部側端子が配置される。   In the wiring portion 4, two slits 6 extending along the front-rear direction are formed at intervals in the width direction (a direction orthogonal to the front-rear direction). Each slit 6 extends linearly along the front-rear direction. Although omitted in FIG. 1, an external terminal described later is disposed at the rear end portion of the wiring portion 4.

ジンバル部５は、配線部４の先端縁から連続して形成されており、配線部４に対して幅方向（先後方向に直交する方向、図１および図２に示される左右方向。）両外側に膨出する平面視略矩形状に形成されている。   The gimbal part 5 is formed continuously from the front end edge of the wiring part 4, and the width direction (direction orthogonal to the front-rear direction, the left-right direction shown in FIGS. 1 and 2) on both sides of the wiring part 4. Is formed in a substantially rectangular shape in plan view.

ジンバル部５には、金属支持層２を厚み方向に貫通する開口部としての第１開口部７が形成されている。   The gimbal portion 5 is formed with a first opening 7 as an opening that penetrates the metal support layer 2 in the thickness direction.

第１開口部７は、平面視において先側に向かって開く略Ｃ字状をなし、具体的には、先後方向に延び、幅方向に間隔を隔てて対向配置される１対の幅広開口部８と、各幅広開口部８の後端部を連通する連通開口部９と、各幅広開口部８の先端部から幅方向中央に屈曲する屈曲開口部１０とから一体的に形成されている。   The first opening 7 has a substantially C-shape that opens toward the front side in plan view. Specifically, the first opening 7 extends in the front-rear direction and is opposed to the pair of wide openings with a gap in the width direction. 8, a communication opening 9 that communicates with the rear end of each wide opening 8, and a bent opening 10 that is bent from the tip of each wide opening 8 to the center in the width direction.

各幅広開口部８の後端部は、スリット６の先端と連通している。また、各幅広開口部８は、スリット６より幅広に形成されている。   The rear end of each wide opening 8 communicates with the tip of the slit 6. Each wide opening 8 is formed wider than the slit 6.

また、ジンバル部５は、１対の幅広開口部８の幅方向内側に挟まれるタング部１１と、１対の幅広開口部８の幅方向外側にそれぞれ配置されるアウトリガー部１２と、タング部１１およびアウトリガー部１２との先側に配置される連絡部４０とを備えている。   The gimbal portion 5 includes a tongue portion 11 sandwiched between the pair of wide opening portions 8 in the width direction, an outrigger portion 12 disposed on the width direction outer side of the pair of wide opening portions 8, and the tongue portion 11. And a connecting portion 40 disposed on the front side of the outrigger portion 12.

タング部１１は、連絡部４０から後方に向かって平面視略矩形舌状に延びるように形成されている。なお、タング部１１の上面には、スライダ（図示せず）が搭載される。   The tongue portion 11 is formed so as to extend rearward from the connecting portion 40 in a substantially rectangular tongue shape in plan view. A slider (not shown) is mounted on the upper surface of the tongue portion 11.

連絡部４０は、タング部１１およびジンバル部５の先側において、幅方向に沿って延びる平面視略矩形状に形成されている。   The connecting portion 40 is formed in a substantially rectangular shape in plan view extending along the width direction on the front side of the tongue portion 11 and the gimbal portion 5.

アウトリガー部１２は、タング部１１と、連絡部４０を介してと連結されており、これにより、タング部１１を支持している。   The outrigger portion 12 is connected to the tongue portion 11 via the connecting portion 40, thereby supporting the tongue portion 11.

そして、この回路付サスペンション基板１は、図３に示すように、金属支持層２と、金属支持層２の上に形成される絶縁層１３と、絶縁層１３の上に形成される導体層３とを備えている。   As shown in FIG. 3, the suspension board with circuit 1 includes a metal support layer 2, an insulating layer 13 formed on the metal support layer 2, and a conductor layer 3 formed on the insulating layer 13. And.

金属支持層２は、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅、ニッケル、鉄、銅、および、それらの合金などの金属材料から形成されている。好ましくは、バネ特性および耐腐食性の観点から、ステンレスから形成されている。   The metal support layer 2 is made of, for example, a metal material such as stainless steel, 42 alloy, aluminum, copper-beryllium, phosphor bronze, nickel, iron, copper, and alloys thereof. Preferably, it is made of stainless steel from the viewpoint of spring characteristics and corrosion resistance.

金属支持層２の厚みは、例えば、５〜５０μｍ、好ましくは、１０〜３０μｍである。   The thickness of the metal support layer 2 is 5-50 micrometers, for example, Preferably, it is 10-30 micrometers.

絶縁層１３は、導体層３が形成される領域を含むパターンに形成されており、ベース絶縁層としてのベース絶縁層１４と、ベース絶縁層１４の下に形成されるカバー絶縁層および第１カバー絶縁層としての第１カバー絶縁層１５と、ベース絶縁層１４の上に形成されるカバー絶縁層および第２カバー絶縁層としての第２カバー絶縁層１６とを備えている。   The insulating layer 13 is formed in a pattern including a region where the conductor layer 3 is formed, and includes a base insulating layer 14 as a base insulating layer, a cover insulating layer and a first cover formed under the base insulating layer 14. A first cover insulating layer 15 as an insulating layer, and a cover insulating layer formed on the base insulating layer 14 and a second cover insulating layer 16 as a second cover insulating layer are provided.

ベース絶縁層１４は、図１および図２に示すように、配線部４において、先後方向に直線状に延びるように形成されており、各スリット６の幅方向両側の金属支持層２にわたるように形成されている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the insulating base layer 14 is formed in the wiring portion 4 so as to extend linearly in the front-rear direction, and extends over the metal support layers 2 on both sides in the width direction of each slit 6. Is formed.

ベース絶縁層１４は、ジンバル部５において、幅方向中央がわずかに後側に突出する平面視略逆Ｕ字状をなし、具体的には、幅広開口部８を先後方向に通過する１対のベース通過部１７と、各ベース通過部１７の先端部を連結し、平面視において各屈曲開口部１０を含むように形成されるベース連結部１８と、ベース連結部１８の幅方向中央から後側に平面視略矩形状に突出し、タング部１１における先側部分を含むベース突出部１９とを備えている。   The base insulating layer 14 has a substantially inverted U shape in plan view in which the center in the width direction slightly protrudes rearward in the gimbal portion 5. Specifically, the base insulating layer 14 passes through the wide opening 8 in the front-rear direction. A base connecting portion 18 that connects the base passing portion 17 and the tip of each base passing portion 17 and includes each bent opening 10 in a plan view, and a rear side from the center in the width direction of the base connecting portion 18 And a base projecting portion 19 including a front side portion of the tongue portion 11.

ベース通過部１７は、後述する第１カバー絶縁層１５、第２カバー絶縁層１６および導体層３とともに、通過部としての通過部２５を形成している。   The base passage portion 17 forms a passage portion 25 as a passage portion together with the first cover insulating layer 15, the second cover insulating layer 16 and the conductor layer 3 which will be described later.

ベース連結部１８は、幅方向に沿って延びるように形成されている。   The base connecting portion 18 is formed so as to extend along the width direction.

なお、ベース連結部１８には、図３に示すように、後述する導通部２０に対応するベース開口部２１が形成されている。ベース開口部２１は、ベース連結部１８の厚み方向を貫通するように、平面視略円形状に形成されている。   In addition, as shown in FIG. 3, the base connection part 18 has a base opening 21 corresponding to a conduction part 20 described later. The base opening 21 is formed in a substantially circular shape in plan view so as to penetrate the thickness direction of the base connecting portion 18.

第１カバー絶縁層１５は、ベース絶縁層１４の下において、次に説明する第１配線２２を被覆するように形成されている。   The first cover insulating layer 15 is formed under the base insulating layer 14 so as to cover the first wiring 22 described below.

第２カバー絶縁層１６は、ベース絶縁層１４の上において、次に説明する第２配線２４を被覆するように形成されている。   The second insulating cover layer 16 is formed on the insulating base layer 14 so as to cover the second wiring 24 described below.

ベース連結部１８、第１カバー絶縁層１５および第２カバー絶縁層１６は、例えば、それぞれ、同一または相異なる絶縁材料から形成されている。ベース連結部１８、第１カバー絶縁層１５および第２カバー絶縁層１６は、好ましくは、すべて同一の絶縁材料から形成されている。そのような絶縁材料としては、例えば、ポリイミド、ポリベンゾイミダゾール、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンエーテル、ベンゾシクロブテン、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂などの耐熱絶縁材料などが挙げられ、好ましくは、耐熱性、機械強度および熱膨張係数の観点から、ポリイミドが挙げられる。   The base connecting portion 18, the first cover insulating layer 15, and the second cover insulating layer 16 are formed of, for example, the same or different insulating materials. The base connecting portion 18, the first cover insulating layer 15, and the second cover insulating layer 16 are preferably all made of the same insulating material. Examples of such an insulating material include heat-resistant insulating materials such as polyimide, polybenzimidazole, polyetherimide, polyphenylene ether, benzocyclobutene, epoxy resin, phenol resin, and acrylic resin, and preferably heat resistance. From the viewpoint of mechanical strength and thermal expansion coefficient, polyimide can be mentioned.

ポリイミドは、例えば、有機テトラカルボン酸二無水物（例えば、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物など）と、ジアミン（例えば、１，４−ジアミノベンゼン、２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’−ジアミノビフェニルなど）とを反応させることによって得ることができる。上記した反応は、例えば、有機溶媒（例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）など）中で、感光剤（例えば、１−エチル−４−（２−ニトロフェニル）−１，４−ジヒドロピリジン−３，５−ジカルボン酸−ジメチルなど）および／または添加剤（２−（１，２−シクロヘキサンジカルボキシイミド）エチルアクリレート）など）の存在下で、実施する。   Polyimides include, for example, organic tetracarboxylic dianhydrides (for example, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride) and diamines (for example, 1,4-diaminobenzene, 2,2). '-Bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminobiphenyl and the like). The above reaction is performed in, for example, a photosensitizer (eg, 1-ethyl-4- (2-nitrophenyl) -1,4-dihydropyridine in an organic solvent (eg, N-methyl-2-pyrrolidone (NMP)). -3,5-dicarboxylic acid-dimethyl and the like) and / or in the presence of additives (such as 2- (1,2-cyclohexanedicarboximido) ethyl acrylate)).

絶縁材料は、吸湿膨張係数が、例えば、５〜１００ｐｐｍであり、熱膨張係数が、例えば、１０〜１００ｐｐｍである。   The insulating material has a hygroscopic expansion coefficient of, for example, 5 to 100 ppm, and a thermal expansion coefficient of, for example, 10 to 100 ppm.

なお、図４に示すように、ベース絶縁層１４の下側半部分と、第１カバー絶縁層１５とは、絶縁層１３の下側半分部分２６とされ、ベース絶縁層１４の上側半部分と、第２カバー絶縁層１６とは、絶縁層１３の上側半分部分２７とされる。   As shown in FIG. 4, the lower half portion of the base insulating layer 14 and the first cover insulating layer 15 are the lower half portion 26 of the insulating layer 13, and the upper half portion of the base insulating layer 14 The second cover insulating layer 16 is the upper half portion 27 of the insulating layer 13.

ベース絶縁層１４の厚みＴＩ１は、例えば、１〜３５μｍ、好ましくは、３〜１５μｍである。   The thickness TI1 of the base insulating layer 14 is, for example, 1 to 35 μm, or preferably 3 to 15 μm.

第１カバー絶縁層１５の厚みＴＩ２と第２カバー絶縁層１６の厚みＴＩ３とは、例えば、同一であり、具体的には、例えば、１〜３０μｍ、好ましくは、３〜１５μｍである。   The thickness TI2 of the first cover insulating layer 15 and the thickness TI3 of the second cover insulating layer 16 are, for example, the same, and specifically, for example, 1-30 μm, preferably 3-15 μm.

なお、第１カバー絶縁層１５の厚みＴＩ２は、第１配線２２の下面と、それを被覆する第１カバー絶縁層１５の下面との間の長さである。   The thickness TI2 of the first cover insulating layer 15 is a length between the lower surface of the first wiring 22 and the lower surface of the first cover insulating layer 15 covering the first wiring 22.

また、第２カバー絶縁層１６の厚みＴＩ３は、第２配線２４の上面と、それを被覆する第２カバー絶縁層１６の上面との間の長さである。   The thickness TI3 of the second cover insulating layer 16 is the length between the upper surface of the second wiring 24 and the upper surface of the second cover insulating layer 16 covering the second wiring 24.

従って、絶縁層１３の下側半分部分２６の厚み、つまり、ベース絶縁層１４の下側半分部分の厚み（１／２×ＴＩ１）および第１カバー絶縁層１５の厚みＴＩ２の総厚みは、絶縁層１３の上側半分部分２７の厚み、つまり、ベース絶縁層１４の上側半分部分の厚み（１／２×ＴＩ２）および第２カバー絶縁層１６の厚みＴＩ３の総厚みと、同一である。   Therefore, the thickness of the lower half portion 26 of the insulating layer 13, that is, the total thickness of the thickness (1/2 × TI1) of the lower half portion of the base insulating layer 14 and the thickness TI2 of the first cover insulating layer 15 is insulative. The thickness of the upper half portion 27 of the layer 13, that is, the total thickness of the thickness (1/2 × TI2) of the upper half portion of the insulating base layer 14 and the thickness TI3 of the second insulating cover layer 16 is the same.

具体的には、絶縁層１３の下側半分部分２６の厚みＴＩ４および絶縁層１３の上側半分部分２７の厚みＴＩ５は、例えば、５〜４０μｍ、好ましくは、１０〜３０μｍである。   Specifically, the thickness TI4 of the lower half portion 26 of the insulating layer 13 and the thickness TI5 of the upper half portion 27 of the insulating layer 13 are, for example, 5 to 40 μm, preferably 10 to 30 μm.

導体層３は、絶縁層１３に被覆されており、具体的には、ベース絶縁層１４の下に形成される第１導体層２８と、ベース絶縁層１４の上に形成される第２導体層２９とを備えている。   The conductor layer 3 is covered with an insulating layer 13, specifically, a first conductor layer 28 formed under the base insulating layer 14 and a second conductor layer formed over the base insulating layer 14. 29.

第２導体層２９は、ベース絶縁層１４の上面に形成されており、磁気ヘッドに接続されるヘッド側端子３２（図１）と、外部基板（図示せず）に接続される外部側端子（図示せず）と、ヘッド側端子３２と外部側端子とを電気的に接続する配線および第２配線としての第２配線２４とを一体的に備えている。   The second conductor layer 29 is formed on the upper surface of the base insulating layer 14, and has a head side terminal 32 (FIG. 1) connected to the magnetic head and an external terminal (not shown) connected to an external substrate (not shown). (Not shown), a wiring for electrically connecting the head side terminal 32 and the external side terminal, and a second wiring 24 as a second wiring are integrally provided.

ヘッド側端子３２は、タング部１１の先側部分において、幅方向に互いに間隔を隔てて複数（８つ）並列配置されている。また、ヘッド側端子３２は、第２カバー絶縁層１６から露出するように形成されている。なお、ヘッド側端子３２の表面には、金および／またはニッケルなどからなる金属めっき層（図示せず）が形成されている。   A plurality of (eight) head-side terminals 32 are arranged in parallel at intervals in the width direction at the front side portion of the tongue portion 11. The head side terminal 32 is formed so as to be exposed from the second cover insulating layer 16. A metal plating layer (not shown) made of gold and / or nickel or the like is formed on the surface of the head side terminal 32.

外部側端子（図示せず）は、配線部４の後端部において、互いに間隔を隔てて複数（８つ）配置されている。また、外部側端子は、第２カバー絶縁層１６から露出するように形成されている。なお、外部側端子の表面には、金および／またはニッケルなどからなる金属めっき層（図示せず）が形成されている。   A plurality (eight) of external terminals (not shown) are arranged at the rear end portion of the wiring portion 4 with a space therebetween. The external terminal is formed so as to be exposed from the second cover insulating layer 16. A metal plating layer (not shown) made of gold and / or nickel or the like is formed on the surface of the external terminal.

第２配線２４は、回路付サスペンション基板１の先後方向にわたって、幅方向に間隔を隔てて複数（４つ）設けられている。また、第２配線２４は、各スリット６、各幅広開口部８および各屈曲開口部１０に対して、２つずつ設けられている。   A plurality of (four) second wirings 24 are provided across the front-rear direction of the suspension board with circuit 1 at intervals in the width direction. Two second wirings 24 are provided for each slit 6, each wide opening 8, and each bending opening 10.

具体的には、第２配線２４は、厚み方向に投影したときに、スリット６に含まれるように、スリット６に沿って先後方向に延びている。また、第２配線２４は、ジンバル部５では、ベース通過部１７およびベース連結部１８の上面において、それらに沿う平面視略Ｌ字状に形成されている。   Specifically, the second wiring 24 extends in the front-rear direction along the slit 6 so as to be included in the slit 6 when projected in the thickness direction. Further, in the gimbal portion 5, the second wiring 24 is formed on the upper surfaces of the base passing portion 17 and the base connecting portion 18 in a substantially L shape in plan view along them.

また、第２配線２４は、その側面および上面が、第２カバー絶縁層１６によって被覆されている。   Further, the side surfaces and the upper surface of the second wiring 24 are covered with the second cover insulating layer 16.

第１導体層２８は、第２導体層２９と厚み方向においてベース絶縁層１４を挟むように形成されている。つまり、第１導体層２８は、ベース絶縁層１４の下面に形成されており、配線および第１配線としての第１配線２２を備えている。   The first conductor layer 28 is formed so as to sandwich the base insulating layer 14 in the thickness direction with the second conductor layer 29. That is, the first conductor layer 28 is formed on the lower surface of the base insulating layer 14 and includes the wiring and the first wiring 22 as the first wiring.

第１配線２２は、厚み方向に投影したときに、上記した第２配線２４と重複するパターンに形成されている。具体的には、各第１配線２２は、各第２配線２４と厚み方向において対向配置されている。   The first wiring 22 is formed in a pattern overlapping with the second wiring 24 described above when projected in the thickness direction. Specifically, each first wiring 22 is disposed opposite to each second wiring 24 in the thickness direction.

また、第１配線２２の下面および側面は、第１カバー絶縁層１５によって被覆されている。   The lower surface and side surfaces of the first wiring 22 are covered with the first cover insulating layer 15.

また、導体層３は、図１および図３に示すように、導通部２０と、導通部２０およびヘッド側端子３２を電気的に接続する端子連絡部３４とをさらに備えている。   Moreover, the conductor layer 3 is further provided with the conduction | electrical_connection part 20 and the terminal connection part 34 which electrically connects the conduction | electrical_connection part 20 and the head side terminal 32 as shown in FIG. 1 and FIG.

導通部２０は、ベース連結部１８のベース開口部２１内に充填される充填部３５と、充填部３５の下に形成される第１導通部３６と、充填部３５の上に形成される第２導通部３７とを備えている。   The conduction part 20 is a filling part 35 filled in the base opening 21 of the base connecting part 18, a first conduction part 36 formed below the filling part 35, and a first part formed on the filling part 35. 2 conduction part 37 is provided.

第１導通部３６は、支持導通部３８と、その周囲に形成される第１導体部３９とを備えている。   The first conduction portion 36 includes a support conduction portion 38 and a first conductor portion 39 formed around the support conduction portion 38.

支持導通部３８は、充填部３５の下面から下側および外側に向かって膨出する平面視略円形状に形成されている。支持導通部３８は、金属支持層２と同様の金属材料から形成されている。   The support conducting portion 38 is formed in a substantially circular shape in plan view that bulges downward and outward from the lower surface of the filling portion 35. The support conduction portion 38 is formed of the same metal material as that of the metal support layer 2.

第１導体部３９は、支持導通部３８の下面および側面を被覆している。第１導体部３９の幅方向外側部は、第１配線２２に接続されている。   The first conductor portion 39 covers the lower surface and the side surface of the support conducting portion 38. The outer side in the width direction of the first conductor portion 39 is connected to the first wiring 22.

第２導通部３７は、充填部３５の上面から上側および外側に向かって膨出する平面視略円形状に形成されている。   The second conduction portion 37 is formed in a substantially circular shape in a plan view that bulges upward and outward from the upper surface of the filling portion 35.

端子連絡部３４は、図１および図２に示すように、第２導通部３７の後端部から後方に延び、ヘッド側端子３２に至っている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the terminal connecting portion 34 extends rearward from the rear end portion of the second conducting portion 37 and reaches the head side terminal 32.

導通部２０と端子連絡部３４とは、第１配線２２と、ヘッド側端子３２とを電気的に接続している。   The conduction part 20 and the terminal connection part 34 electrically connect the first wiring 22 and the head side terminal 32.

なお、ヘッド側端子３２は、幅方向中央側から幅方向外側（一方側および他方側の両側）に向かって順次配置される第１ヘッド側端子３２Ａ、第２ヘッド側端子３２Ｂ、第３ヘッド側端子３２Ｃおよび第４ヘッド側端子３２Ｄをそれぞれ１対備えており、それらはすべて同一平面上、すなわち、ベース絶縁層１４の上面に形成されている。各第１ヘッド側端子３２Ａおよび各第３ヘッド側端子３２Ｃは、端子連絡部３４および導通部２０を介して第１配線２２と電気的に接続され、各第２ヘッド側端子３２Ｂおよび各第４ヘッド側端子３２Ｄは、第２配線２４と電気的に接続されている。   The head side terminals 32 are arranged in order from the center in the width direction toward the outer side in the width direction (both sides on one side and the other side), the first head side terminal 32A, the second head side terminal 32B, and the third head side. A pair of terminals 32C and fourth head side terminals 32D are provided, and they are all formed on the same plane, that is, on the upper surface of the base insulating layer. Each first head-side terminal 32A and each third head-side terminal 32C are electrically connected to the first wiring 22 via the terminal connecting portion 34 and the conduction portion 20, and each second head-side terminal 32B and each fourth head-side terminal 32B. The head side terminal 32 </ b> D is electrically connected to the second wiring 24.

第１導体層２８および第２導体層２９は、例えば、同一の材料から形成され、具体的には、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはそれらの合金などの導体材料から形成され、導電性の観点から、好ましくは、銅から形成されている。   The first conductor layer 28 and the second conductor layer 29 are formed of, for example, the same material. Specifically, the first conductor layer 28 and the second conductor layer 29 are formed of, for example, a conductor material such as copper, nickel, gold, solder, or an alloy thereof. From the viewpoint of property, it is preferably formed from copper.

第１導体層２８の厚みＴＣ１は、第２導体層２９の厚みＴＣ２と、例えば、同一であって、具体的には、例えば、３〜３０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。   The thickness TC1 of the first conductor layer 28 is, for example, the same as the thickness TC2 of the second conductor layer 29, and specifically, for example, 3 to 30 μm, preferably 5 to 20 μm.

また、第１配線２２の幅Ｗ１および第２配線２４の幅Ｗ２は、例えば、同一であり、具体的には、例えば、５〜２００μｍ、好ましくは、８〜１００μｍである。また、スリット６における第１配線２２間の間隔Ｉ１は、例えば、スリット６における第２配線２４間の間隔Ｉ２と、例えば、同一であり、具体的には、例えば、５〜２００μｍ、好ましくは、８〜１００μｍである。   In addition, the width W1 of the first wiring 22 and the width W2 of the second wiring 24 are, for example, the same, specifically, for example, 5 to 200 μm, preferably 8 to 100 μm. Further, the interval I1 between the first wires 22 in the slit 6 is, for example, the same as the interval I2 between the second wires 24 in the slit 6, for example, specifically, for example, 5 to 200 μm, preferably 8 to 100 μm.

また、各ヘッド側端子３２の幅および各外部側端子の幅は、例えば、２〜１０００μｍ、好ましくは、３０〜８００μｍであり、各ヘッド側端子３２間の間隔および各外部側端子の間隔は、例えば、２〜１０００μｍ、好ましくは、３０〜８００μｍである。   Further, the width of each head side terminal 32 and the width of each external side terminal are, for example, 2 to 1000 μm, preferably 30 to 800 μm. The distance between the head side terminals 32 and the distance between the external side terminals are as follows: For example, it is 2-1000 micrometers, Preferably, it is 30-800 micrometers.

そして、幅広開口部８を通過する絶縁層１３は、ベース絶縁層１４（ベース通過部１７）、第１カバー絶縁層１５および第２カバー絶縁層１６からなる。また、幅広開口部８を通過する導体層３は、第１配線２２および第２配線２４からなる。   The insulating layer 13 that passes through the wide opening 8 includes a base insulating layer 14 (base passing portion 17), a first cover insulating layer 15, and a second cover insulating layer 16. The conductor layer 3 passing through the wide opening 8 includes a first wiring 22 and a second wiring 24.

幅広開口部８を通過する絶縁層１３の上下方向中央Ｃ１と、第１カバー絶縁層１５の下面との間の距離Ｌ１は、幅広開口部８を通過する絶縁層１３の上下方向中央Ｃ１と、第２カバー絶縁層１６の上面との間の距離Ｌ２と同一であり、具体的には、例えば、５〜４０μｍ、好ましくは、１０〜３０μｍである。   The distance L1 between the vertical center C1 of the insulating layer 13 passing through the wide opening 8 and the lower surface of the first cover insulating layer 15 is the vertical center C1 of the insulating layer 13 passing through the wide opening 8; The distance L2 is the same as the distance L2 between the upper surface of the second cover insulating layer 16 and specifically, for example, 5 to 40 μm, preferably 10 to 30 μm.

さらに、幅広開口部８を通過する絶縁層１３の上下方向中央Ｃ１と、第１導体層２８の下面との間の距離Ｌ３は、幅広開口部８を通過する絶縁層１３の上下方向中央Ｃ１と、第２導体層２９の上面との間の距離Ｌ４と同一であり、具体的には、４〜３５μｍ、好ましくは、８〜２５μｍである。   Further, the distance L3 between the vertical center C1 of the insulating layer 13 passing through the wide opening 8 and the lower surface of the first conductor layer 28 is equal to the vertical center C1 of the insulating layer 13 passing through the wide opening 8. The distance L4 between the second conductor layer 29 and the upper surface of the second conductor layer 29 is the same, specifically 4 to 35 μm, preferably 8 to 25 μm.

そして、幅広開口部８を通過する第１配線２２と、幅広開口部８を通過する第２配線２４とは、上下方向中央を通る面（１点鎖線Ｃ１）と中心とする対称（面対称）に形成されている。   The first wiring 22 that passes through the wide opening 8 and the second wiring 24 that passes through the wide opening 8 are symmetrical (plane symmetry) with the plane passing through the center in the vertical direction (one-dot chain line C1). Is formed.

さらに、幅広開口部８を通過する第１配線２２と、幅広開口部８を通過する第２配線２４とは、ベース通過部１７の幅方向中央および厚み方向中央を先後方向に沿って進む通過軸ＰＡを中心とする点対称に形成されている。   Further, the first wiring 22 that passes through the wide opening 8 and the second wiring 24 that passes through the wide opening 8 pass through the center in the width direction and the thickness direction of the base passage portion 17 along the front-rear direction. It is formed point-symmetrically around PA.

また、ベース通過部１７の下側半分部分、および、幅広開口部８を通過する第１カバー絶縁層１５は、ベース通過部１７の上側半分部分、および、幅広開口部８を通過する第２カバー絶縁層１６に対して、上下方向中央を通る面（１点鎖線Ｃ１）を中心とする対称（面対称）に形成されている。   The first cover insulating layer 15 that passes through the lower half portion of the base passage portion 17 and the wide opening portion 8 is the second cover that passes through the upper half portion of the base passage portion 17 and the wide opening portion 8. The insulating layer 16 is formed symmetrically (plane symmetry) with a plane passing through the center in the up-down direction (one-dot chain line C1) as a center.

次に、この回路付サスペンション基板１を製造する方法について、図１〜図３および図５〜図９を参照して説明する。なお、図７、図８および図９においては、図面の理解を容易にするために、第３ヘッド側端子３２Ｃおよび第４ヘッド側端子３２Ｄを省略している。   Next, a method for manufacturing the suspension board with circuit 1 will be described with reference to FIGS. 1 to 3 and FIGS. In FIG. 7, FIG. 8, and FIG. 9, the third head side terminal 32C and the fourth head side terminal 32D are omitted for easy understanding of the drawings.

この方法では、まず、図５（ａ）および図６に示すように、シート状の金属支持層２を用意する。   In this method, first, a sheet-like metal support layer 2 is prepared as shown in FIGS.

次いで、この方法では、図５（ｂ）、図７（ａ）および図７（ｂ）に示すように、ベース絶縁層１４を、金属支持層２の上に形成する。   Next, in this method, the base insulating layer 14 is formed on the metal support layer 2 as shown in FIGS. 5B, 7A, and 7B.

ベース絶縁層１４を金属支持層２の上に形成するには、例えば、まず、感光性ポリイミド樹脂前駆体のワニス（感光性ポリアミド酸樹脂溶液）を、金属支持層２の上面全面に塗布し、乾燥してベース皮膜を形成する。次いで、ベース皮膜を、上記したパターンで露光し、続いて、現像し、その後、これを加熱して硬化する。   In order to form the base insulating layer 14 on the metal support layer 2, for example, first, a varnish (photosensitive polyamic acid resin solution) of a photosensitive polyimide resin precursor is applied to the entire upper surface of the metal support layer 2, Dry to form a base film. The base film is then exposed with the pattern described above, subsequently developed, and then heated to cure.

次いで、この方法では、図５（ｃ）、図８（ａ）および図８（ｂ）に示すように、金属支持層２に、第２開口部２３と、スリット６とを一体的に形成する。   Next, in this method, as shown in FIGS. 5C, 8A, and 8B, the second opening 23 and the slit 6 are integrally formed in the metal support layer 2. .

第２開口部２３は、金属支持層２の厚み方向を貫通しており、第１開口部７を開口するための予備孔であって、幅狭開口部３３と、屈曲開口部１０とから一体的に形成されている。   The second opening 23 penetrates the thickness direction of the metal support layer 2 and is a preliminary hole for opening the first opening 7, and is integrated from the narrow opening 33 and the bent opening 10. Is formed.

幅狭開口部３３は、金属支持層２が、ベース通過部１７の幅方向両端部を支持するように、次に形成される幅広開口部８（図１および図２）より幅狭に形成されている。また、幅狭開口部３３は、幅広開口部８と同じ長さ（長手方向長さ）の平面視略矩形状に形成されており、その後端部は、スリット６の先端と連続（連通）している。   The narrow opening 33 is formed to be narrower than the wide opening 8 (FIGS. 1 and 2) to be formed next so that the metal support layer 2 supports both ends in the width direction of the base passage portion 17. ing. The narrow opening 33 is formed in a substantially rectangular shape in plan view having the same length (length in the longitudinal direction) as the wide opening 8, and the rear end thereof is continuous (communication) with the tip of the slit 6. ing.

なお、各幅狭開口部３３は、平面視において、各スリット６と同一直線状に形成されている。   Each narrow opening 33 is formed in the same straight line as each slit 6 in plan view.

また、屈曲開口部１０は、金属支持層２に支持導通部３８が残存するように、形成する。   Further, the bent opening 10 is formed so that the support conductive portion 38 remains in the metal support layer 2.

次いで、この方法では、図５（ｄ）、図９（ａ）および図９（ｂ）に示すように、第１導体層２８を、ベース絶縁層１４の下に形成するとともに、第２導体層２９を、ベース絶縁層１４の上に形成する。   Next, in this method, as shown in FIGS. 5 (d), 9 (a), and 9 (b), the first conductor layer 28 is formed under the base insulating layer 14, and the second conductor layer is formed. 29 is formed on the base insulating layer 14.

第１導体層２８および第２導体層２９は、例えば、アディティブ法などの公知の導体パターン形成法によって形成する。   The first conductor layer 28 and the second conductor layer 29 are formed by a known conductor pattern forming method such as an additive method, for example.

上記した第１導体層２８および第２導体層２９の形成とともに、第１導体部３９と、第２導通部３７と、端子連絡部３４とを形成する。なお、第１導体部３９は、支持導通部３８の下側および外側（先後方向両側および幅方向両側）に向かって膨出するように形成される。   Along with the formation of the first conductor layer 28 and the second conductor layer 29 described above, a first conductor portion 39, a second conduction portion 37, and a terminal connection portion 34 are formed. The first conductor portion 39 is formed so as to bulge toward the lower and outer sides (both front and rear sides and both sides in the width direction) of the support conducting portion 38.

これによって、導通部２０を形成する。   Thereby, the conduction part 20 is formed.

次いで、この方法では、図５（ｅ）に示すように、第１カバー絶縁層１５を、ベース絶縁層１４の下に、第１配線２２を被覆するように形成するとともに、第２カバー絶縁層１６を、ベース絶縁層１４の上に、第２配線２４を被覆するように形成する。   Next, in this method, as shown in FIG. 5E, the first cover insulating layer 15 is formed under the base insulating layer 14 so as to cover the first wiring 22 and the second cover insulating layer. 16 is formed on the base insulating layer 14 so as to cover the second wiring 24.

第１カバー絶縁層１５および第２カバー絶縁層１６を形成するには、例えば、感光性ポリイミド樹脂前駆体のワニス（感光性ポリアミド酸樹脂溶液）を、ベース絶縁層１４の両面全面に塗布し、乾燥してカバー皮膜を形成する。次いで、カバー皮膜を、上記したパターンで露光し、続いて、現像し、その後、これを加熱して硬化する。   In order to form the first insulating cover layer 15 and the second insulating cover layer 16, for example, a photosensitive polyimide resin precursor varnish (photosensitive polyamic acid resin solution) is applied to the entire surface of the base insulating layer 14, Dry to form a cover film. The cover film is then exposed with the pattern described above, subsequently developed, and then heated to cure.

また、第１カバー絶縁層１５および第２カバー絶縁層１６は、例えば、合成樹脂を上記したパターンのフィルムに予め形成して、そのフィルムを、ベース絶縁層１４の両面に、公知の接着剤層（図示せず）を介して貼着することもできる。   In addition, the first cover insulating layer 15 and the second cover insulating layer 16 are formed by, for example, previously forming a synthetic resin on a film having the above-described pattern, and forming the film on both surfaces of the base insulating layer 14 with a known adhesive layer. It can also be attached via (not shown).

さらに、第１カバー絶縁層１５および第２カバー絶縁層１６は、同時または順次形成することができる。好ましくは、第１カバー絶縁層１５および第２カバー絶縁層１６を同時に形成する。   Further, the first cover insulating layer 15 and the second cover insulating layer 16 can be formed simultaneously or sequentially. Preferably, the first insulating cover layer 15 and the second insulating cover layer 16 are formed simultaneously.

次いで、この方法では、図１〜図３に示すように、第１開口部７を金属支持層２に形成する。   Next, in this method, as shown in FIGS. 1 to 3, the first opening 7 is formed in the metal support layer 2.

第１開口部７は、第２開口部２３の幅狭開口部３３を拡幅するように、形成する。   The first opening 7 is formed so as to widen the narrow opening 33 of the second opening 23.

また、第１開口部７の形成とともに、金属支持層２を上記した形状に外形加工する。   Further, along with the formation of the first opening 7, the metal support layer 2 is trimmed into the shape described above.

これによって、アウトリガー部１２およびタング部１１が形成されるとともに、通過部２５が、その周囲のアウトリガー部１２およびタング部１１と独立して形成される。すなわち、通過部２５は、幅方向において、アウトリガー部１２およびタング部１１と間隔を隔てられる。   Thus, the outrigger portion 12 and the tongue portion 11 are formed, and the passage portion 25 is formed independently of the surrounding outrigger portion 12 and the tongue portion 11. That is, the passage part 25 is spaced apart from the outrigger part 12 and the tongue part 11 in the width direction.

その後、図示しないが、ヘッド側端子３２および外部側端子の表面に、めっきなどによって、めっき層を形成する。   Thereafter, although not shown, a plating layer is formed on the surface of the head side terminal 32 and the external side terminal by plating or the like.

これにより、回路付サスペンション基板１を得る。   Thereby, the suspension board with circuit 1 is obtained.

その後、この回路付サスペンション基板１のタング部１１に、磁気ヘッドを実装するスライダ（図示せず）を搭載するとともに、磁気ヘッド（図示せず）を、ヘッド側端子３２と接続する。また、外部基板（図示せず）を、外部側端子（図示せず）と接続する。   Thereafter, a slider (not shown) for mounting the magnetic head is mounted on the tongue 11 of the suspension board with circuit 1, and the magnetic head (not shown) is connected to the head-side terminal 32. Further, an external board (not shown) is connected to an external terminal (not shown).

そして、この回路付サスペンション基板１では、通過部２５の絶縁層１３の下側半分部分２６の厚みＴＩ４と、通過部２５の絶縁層１３の上側半分部分２７の厚みＴＩ５とが、同一である。そのため、高湿雰囲気下において、通過部２５の絶縁層１３の下側半分部分２６と上側半分部分２７とが吸湿して膨張しても、それらは同じ割合で膨張する。そのため、通過部２５の吸湿による反りなどの変形を有効に防止することができる。   In the suspension board with circuit 1, the thickness TI 4 of the lower half portion 26 of the insulating layer 13 in the passage portion 25 and the thickness TI 5 of the upper half portion 27 of the insulating layer 13 in the passage portion 25 are the same. Therefore, even if the lower half portion 26 and the upper half portion 27 of the insulating layer 13 of the passage portion 25 absorb moisture and expand in a high humidity atmosphere, they expand at the same rate. Therefore, deformation such as warpage due to moisture absorption of the passage portion 25 can be effectively prevented.

その結果、回路付サスペンション基板１に搭載されるスライダのハードディスクに対する姿勢角を安定して維持することができる。   As a result, the attitude angle of the slider mounted on the suspension board with circuit 1 with respect to the hard disk can be stably maintained.

また、第１導体層２８の厚みＴＣ１は、例えば、第２導体層２９の厚みＴＣ２と同一である。すなわち、幅広開口部８を通過する第１配線２２の厚みＴＣ１と、幅広開口部８を通過する第２配線２４の厚みＴＣ２とが同一であるので、高湿雰囲気下において、幅広開口部８を通過する第１配線２２および第２配線２４が熱によって膨張しても、それらは同じ割合で膨張する。そのため、通過部２５の吸湿による変形を有効に防止することができる。   The thickness TC1 of the first conductor layer 28 is the same as the thickness TC2 of the second conductor layer 29, for example. That is, since the thickness TC1 of the first wiring 22 passing through the wide opening 8 and the thickness TC2 of the second wiring 24 passing through the wide opening 8 are the same, the wide opening 8 is formed in a high humidity atmosphere. Even if the first wiring 22 and the second wiring 24 that pass therethrough are expanded by heat, they expand at the same rate. Therefore, it is possible to effectively prevent deformation of the passage portion 25 due to moisture absorption.

なお、図１〜図３の実施形態では、ベース通過部１７を、第１開口部７を通過するように形成しているが、例えば、図示しないが、アウトリガー部１２の外側領域を通過するように形成することもできる。   In the embodiment of FIGS. 1 to 3, the base passage portion 17 is formed so as to pass through the first opening portion 7. For example, although not shown, the base passage portion 17 passes through the outer region of the outrigger portion 12. It can also be formed.

図１０は、本発明の回路付サスペンション基板の他の実施形態の通過部（第１配線および第２配線が厚み方向に投影した時にずれて配置される態様）の拡大断面図、図１１は、本発明の回路付サスペンション基板の他の実施形態のジンバル部（ヘッド側端子が４つ設けられる態様）、図１２は、本発明の回路付サスペンション基板の他の実施形態のジンバル部（ベース絶縁層、第２配線および第２カバー絶縁層からなる態様）の平面図、図１３は、図１２に示すジンバル部の通過部の拡大断面図を示す。   FIG. 10 is an enlarged cross-sectional view of a passing portion (an aspect in which the first wiring and the second wiring are displaced when projected in the thickness direction) of another embodiment of the suspension board with circuit of the present invention, and FIG. FIG. 12 shows a gimbal portion (an aspect in which four head side terminals are provided) of another embodiment of the suspension board with circuit of the present invention. FIG. 12 shows a gimbal portion (base insulating layer) of another embodiment of the suspension board with circuit of the present invention. FIG. 13 is an enlarged cross-sectional view of the passage portion of the gimbal portion shown in FIG. 12. FIG. 13 is a plan view of the second wiring and the second cover insulating layer.

なお、上記した各部に対応する部材については、以降の各図面において同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。   In addition, about the member corresponding to each above-mentioned part, the same referential mark is attached | subjected in each subsequent drawing, and the detailed description is abbreviate | omitted.

図４の実施形態では、第１配線２２を、第２配線２４と上下方向に対向配置させているが、例えば、図１０に示すように、第２配線２４と厚み方向に投影したときに、幅方向にずらして配置することもできる。   In the embodiment of FIG. 4, the first wiring 22 is disposed so as to face the second wiring 24 in the vertical direction. For example, as shown in FIG. 10, when the second wiring 24 is projected in the thickness direction, It can also be arranged shifted in the width direction.

具体的には、図１０において、第１配線２２および第２配線２４は、ベース通過部１７の通過軸ＰＡを中心とする点対称に形成されている。   Specifically, in FIG. 10, the first wiring 22 and the second wiring 24 are formed point-symmetrically about the passage axis PA of the base passage portion 17.

また、幅広開口部８を通過する第１配線２２の幅方向外側端部は、厚み方向に投影したときに、幅広開口部８を通過する第２配線２４の幅方向内側端部と重複している。   Further, the widthwise outer end of the first wiring 22 that passes through the wide opening 8 overlaps with the widthwise inner end of the second wiring 24 that passes through the wide opening 8 when projected in the thickness direction. Yes.

第１配線２２の外側端縁と、第２配線２４の外側端縁との幅方向における間隔（ずれ幅）Ｇは、例えば、１〜１００μｍ、好ましくは、１〜５０μｍである。   An interval (deviation width) G in the width direction between the outer edge of the first wiring 22 and the outer edge of the second wiring 24 is, for example, 1 to 100 μm, or preferably 1 to 50 μm.

図１０に示す実施形態によって、上記と同様の効果を得ることができる。   The same effect as described above can be obtained by the embodiment shown in FIG.

また、上記した図１の実施形態では、ヘッド側端子３２を８つ設けているが、その数は、特に、限定されない。例えば、図１１に示すように、ヘッド側端子３２を４つ設けることもできる。   In the embodiment of FIG. 1 described above, eight head-side terminals 32 are provided, but the number is not particularly limited. For example, as shown in FIG. 11, four head side terminals 32 may be provided.

図１１において、第２配線２４は、各幅広開口部８に対して、１つ設けられている。   In FIG. 11, one second wiring 24 is provided for each wide opening 8.

図１１に示す実施形態によって、上記と同様の効果を得ることができる。   The same effect as described above can be obtained by the embodiment shown in FIG.

さらに、図３の実施形態では、導体層３を、第１導体層２８および第２導体層２９から形成し、絶縁層１３を、ベース絶縁層１４、第１カバー絶縁層１５および第２カバー絶縁層１６から形成しているが、例えば、図１２および図１３に示すように、導体層３を、第２導体層２９から形成し、絶縁層１３を、ベース絶縁層１４および第２カバー絶縁層１６から形成することもできる。   Further, in the embodiment of FIG. 3, the conductor layer 3 is formed from the first conductor layer 28 and the second conductor layer 29, and the insulating layer 13 is formed from the base insulating layer 14, the first cover insulating layer 15, and the second cover insulation. For example, as shown in FIGS. 12 and 13, the conductor layer 3 is formed from the second conductor layer 29, and the insulating layer 13 is formed from the base insulating layer 14 and the second cover insulating layer. 16 can also be formed.

すなわち、図１２および図１３において、各幅広開口部８を通過する導体層３は、ベース通過部１７の上面において、幅方向に互いに間隔を隔てて配置される１対の第２配線２４を備えている。   That is, in FIGS. 12 and 13, the conductor layer 3 that passes through each wide opening 8 includes a pair of second wirings 24 that are spaced apart from each other in the width direction on the upper surface of the base passing portion 17. ing.

通過部２５を通過する絶縁層１３は、ベース通過部１７と、ベース通過部１７の上に、第２配線２４を被覆するように形成される第２カバー絶縁層１６とを備えている。   The insulating layer 13 that passes through the passage portion 25 includes a base passage portion 17 and a second cover insulating layer 16 that is formed on the base passage portion 17 so as to cover the second wiring 24.

そして、ベース通過部１７の厚みＴＩ１と、第２カバー絶縁層１６の厚み（第２配線２４の上における第２カバー絶縁層１６の厚み）ＴＩ３とは、同一である。   The thickness TI1 of the base passage portion 17 and the thickness of the second cover insulating layer 16 (the thickness of the second cover insulating layer 16 on the second wiring 24) TI3 are the same.

また、通過部２５における上下方向中央Ｃ１と、第２配線２４の下面との間の距離Ｌ１は、通過部２５における上下方向中央Ｃ１と、第２配線２４の上面との間の距離Ｌ２と同一である。   The distance L1 between the vertical center C1 in the passage 25 and the lower surface of the second wiring 24 is the same as the distance L2 between the vertical center C1 in the passage 25 and the upper surface of the second wiring 24. It is.

なお、１対の第２配線２４は、絶縁層１３の上下方向中央を通る面（１点鎖線Ｃ１）を中心とする対称に形成されるとともに、ベース通過部１７の通過軸ＰＡを中心とする点対称に形成されている。   The pair of second wirings 24 are formed symmetrically about the plane (one-dot chain line C1) passing through the center in the vertical direction of the insulating layer 13 and centered on the passage axis PA of the base passage portion 17. It is formed point-symmetrically.

図１２および図１３に示す実施形態によって、上記と同様の効果を得ることができる。   Effects similar to the above can be obtained by the embodiment shown in FIGS.

以下に、実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何らそれらに限定されない。   Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples and comparative examples. However, the present invention is not limited to these examples.

実施例１
厚み１８μｍのシート状のステンレスからなる金属支持層を用意した（図５（ａ）および図６参照）。 Example 1
A metal support layer made of sheet-like stainless steel having a thickness of 18 μm was prepared (see FIGS. 5A and 6).

次いで、厚み（ＴＩ１）１０μｍのポリアミドからなるベース絶縁層を、金属支持層の上に形成した（図５（ｂ）、図７（ａ）および図７（ｂ）参照）。   Next, a base insulating layer made of polyamide having a thickness (TI1) of 10 μm was formed on the metal support layer (see FIGS. 5B, 7A, and 7B).

具体的には、表１の配合処方に従って、まず、感光性ポリアミド酸樹脂溶液を調製した。次いで、調製した感光性ポリイミド酸樹脂溶液を、金属支持層の上面全面に塗布し、乾燥してベース皮膜を形成した。次いで、ベース皮膜を、上記したパターンで露光し、続いて、現像し、その後、これを加熱して硬化した。なお、ベース絶縁層の吸湿膨張係数が１３ｐｐｍであり、熱膨張係数が１８ｐｐｍであった。   Specifically, first, a photosensitive polyamic acid resin solution was prepared according to the formulation of Table 1. Next, the prepared photosensitive polyimide acid resin solution was applied to the entire upper surface of the metal support layer and dried to form a base film. The base film was then exposed with the pattern described above, subsequently developed, and then heated to cure. The base insulating layer had a hygroscopic expansion coefficient of 13 ppm and a thermal expansion coefficient of 18 ppm.

次いで、金属支持層に、第２開口部と、スリットとをエッチングによって一体的に形成した（図５（ｃ）、図８（ａ）および図８（ｂ）参照）。   Next, the second opening and the slit were integrally formed in the metal support layer by etching (see FIGS. 5C, 8A, and 8B).

次いで、厚み（ＴＣ２）１０μｍの第１導体層を、ベース絶縁層の下にアディティブ法によって形成すると同時に、厚み（ＴＣ３）１０μｍの第２導体層を、ベース絶縁層の上にアディティブ法によって形成した（図５（ｄ）、図９（ａ）および図９（ｂ）参照）。   Next, a first conductor layer having a thickness (TC2) of 10 μm was formed under the base insulating layer by an additive method, and simultaneously, a second conductor layer having a thickness of (TC3) 10 μm was formed by an additive method on the base insulating layer. (See FIG. 5 (d), FIG. 9 (a) and FIG. 9 (b)).

なお、第１配線と第２配線とは、厚み方向において対向配置した。   Note that the first wiring and the second wiring were arranged to face each other in the thickness direction.

次いで、第１カバー絶縁層を、ベース絶縁層の下に、第１配線を被覆するように形成するとともに、第２カバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に、第２配線を被覆するように形成した（図５（ｅ）参照）。   Next, the first insulating cover layer is formed to cover the first wiring under the insulating base layer, and the second insulating cover layer is formed to cover the second wiring on the insulating base layer. It formed (refer FIG.5 (e)).

具体的には、表１の配合処方に従って調製した感光性ポリアミド酸樹脂溶液を、ベース絶縁層の両面全面に塗布し、乾燥してカバー皮膜を形成した。次いで、カバー皮膜を、上記したパターンで露光し、続いて、現像し、その後、これを加熱して硬化した。   Specifically, a photosensitive polyamic acid resin solution prepared according to the formulation of Table 1 was applied to the entire surface of both sides of the base insulating layer and dried to form a cover film. The cover film was then exposed with the pattern described above, subsequently developed, and then heated to cure.

なお、第１カバー絶縁層および第２カバー絶縁層の吸湿膨張係数が１３ｐｐｍであり、熱膨張係数が１８ｐｐｍであった。   The hygroscopic expansion coefficient of the first cover insulating layer and the second cover insulating layer was 13 ppm, and the thermal expansion coefficient was 18 ppm.

第１カバー絶縁層の厚み（ＴＩ２）と第２カバー絶縁層の厚み（ＴＩ３）とは、同一であり、５μｍであった。   The thickness (TI2) of the first cover insulating layer and the thickness (TI3) of the second cover insulating layer were the same, and were 5 μm.

また、幅広開口部を通過する絶縁層の上下方向中央（Ｃ１）と、第１カバー通過部の下面との間の距離（Ｌ１）は、幅広開口部を通過する絶縁層の上下方向中央（Ｃ１）と、第２カバー通過部の上面との間の距離（Ｌ２）と同一であり、２０μｍであった。   The distance (L1) between the center (C1) of the insulating layer passing through the wide opening and the lower surface of the first cover passing part is the center (C1) of the insulating layer passing through the wide opening. ) And the upper surface of the second cover passage part (L2), which is 20 μm.

幅広開口部を通過する絶縁層の上下方向中央（Ｃ１）と、第１導体層の下面との間の距離（Ｌ３）は、幅広開口部を通過する絶縁層の上下方向中央（Ｃ１）と、第２導体層の上面との間の距離（Ｌ４）と同一であり、１５μｍであった。   The distance (L3) between the vertical center (C1) of the insulating layer passing through the wide opening and the lower surface of the first conductor layer is the vertical center (C1) of the insulating layer passing through the wide opening, It was the same as the distance (L4) between the upper surface of the second conductor layer and was 15 μm.

次いで、第１開口部を金属支持層にエッチングによって形成した（図１〜図３参照）。具体的には、幅狭開口部を拡幅するように、第１開口部を形成した。   Next, the first opening was formed in the metal support layer by etching (see FIGS. 1 to 3). Specifically, the first opening was formed so as to widen the narrow opening.

その後、ヘッド側端子および外部側端子の表面に、金およびニッケルからなる金属めっき層をめっきにより形成した。   Then, the metal plating layer which consists of gold | metal | money and nickel was formed in the surface of the head side terminal and the external side terminal by plating.

これにより、回路付サスペンション基板を作製した。   Thus, a suspension board with circuit was produced.

なお、作製した回路付サスペンション基板における金属支持層およびベース絶縁層の寸法を図１３に示す。   The dimensions of the metal support layer and base insulating layer in the produced suspension board with circuit are shown in FIG.

実施例２
導体層の形成において、第１配線および第２配線を、厚み方向に投影した時に互いに幅方向にずれ、かつ、通過軸（ＰＡ）を中心とする点対称に形成した以外は、実施例１と同様に処理して、回路付サスペンション基板を作製した（図１０参照）。 Example 2
In the formation of the conductor layer, the first wiring and the second wiring are different from each other in the width direction when projected in the thickness direction, and are formed symmetrically with respect to the pass axis (PA). The same processing was performed to produce a suspension board with circuit (see FIG. 10).

なお、第１配線と第２配線とのずれ幅（Ｇ）は１０μｍであった。   The deviation width (G) between the first wiring and the second wiring was 10 μm.

実施例３
導体層を、第２導体層から形成し、絶縁層を、ベース絶縁層および第２カバー絶縁層から形成した以外は、実施例１と同様に処理して、回路付サスペンション基板を作製した（図１２および図１３参照）。 Example 3
A suspension board with circuit was fabricated in the same manner as in Example 1 except that the conductor layer was formed from the second conductor layer and the insulating layer was formed from the base insulating layer and the second cover insulating layer (see FIG. 12 and FIG. 13).

なお、第２配線の上における第２カバー絶縁層の厚み（ＴＩ２）は、５μｍであり、ベース絶縁層の厚み（ＴＩ１）と同一であった。   In addition, the thickness (TI2) of the second cover insulating layer on the second wiring was 5 μm, which was the same as the thickness (TI1) of the base insulating layer.

比較例１
第２配線の上における第２カバー絶縁層の厚み（ＴＩ２）を５μｍにした以外は、実施例３と同様にして、回路付サスペンション基板を作製した（図１５参照）。 Comparative Example 1
A suspension board with circuit was fabricated in the same manner as in Example 3 except that the thickness (TI2) of the second cover insulating layer on the second wiring was changed to 5 μm (see FIG. 15).

なお、ベース絶縁層の厚み（ＴＩ１）は、第１カバー絶縁層の厚み（ＴＩ２：５μｍ）と相異しており、１０μｍであった。   In addition, the thickness (TI1) of the base insulating layer was different from the thickness (TI2: 5 μm) of the first cover insulating layer, and was 10 μm.

（評価）
実施例１〜３および比較例１の回路付サスペンション基板について、配線部をガラスステージに固定した状態で、回路付サスペンション基板を、２５℃、１０％ＲＨ、および、２５℃、８０％ＲＨの高湿器に２時間それぞれ投入した。 (Evaluation)
With respect to the suspension boards with circuit of Examples 1 to 3 and Comparative Example 1, the suspension board with circuit was set to a high temperature of 25 ° C., 10% RH, and 25 ° C., 80% RH with the wiring portion fixed to the glass stage. Each was put into a humidifier for 2 hours.

その後、高湿器内において、タング部の中央の厚み方向における変位量を、レーザー光によって測定し、下記の基準に従って、回路付サスペンション基板を評価した。   Thereafter, in the humidifier, the amount of displacement in the thickness direction at the center of the tongue portion was measured with a laser beam, and the suspension board with circuit was evaluated according to the following criteria.

なお、変位量は、回路付サスペンション基板の先端から５０００μｍの部分（ジンバル部および配線部の先端部）が遊端（フリー）となるように、先端から５０００μｍの部分から後側の部分を固定し、そして、図１４において、タング部において＋字で示される箇所（先端から１０００μｍの幅方向中央部分、測定ポイント）の変位量を、タング部の厚み方向の変位量とした。
１． タング部の変位量を下記式に代入して、姿勢角の変化量を算出した。 The amount of displacement is fixed from the 5000 μm part to the rear part so that the 5000 μm part from the tip of the suspension board with circuit (tip part of the gimbal part and wiring part) becomes a free end (free). In FIG. 14, the displacement amount of the portion indicated by the + character in the tongue portion (the central portion in the width direction of 1000 μm from the tip, the measurement point) is defined as the displacement amount in the thickness direction of the tongue portion.
1. The amount of change in the posture angle was calculated by substituting the displacement of the tongue portion into the following equation.

姿勢角の変化量（ｄｅｇ／％ＲＨ）＝ＡＴＡＮ（タング部の変位量／４０００）／π×１８０／７０
２． 算出した姿勢角の変化量を以下のように評価した。
◎：姿勢角の変化量（ｄｅｇ／％ＲＨ）が０．００２未満であった。
○：姿勢角の変化量（ｄｅｇ／％ＲＨ）が０．００２以上０．００６未満であった
×：姿勢角の変化量（ｄｅｇ／％ＲＨ）が０．００６以上であった。 Change amount of attitude angle (deg /% RH) = ATAN (displacement of tongue / 4000) / π × 180/70
2. The calculated amount of change in posture angle was evaluated as follows.
A: The change amount of the posture angle (deg /% RH) was less than 0.002.
○: Change amount of posture angle (deg /% RH) was 0.002 or more and less than 0.006 x: Change amount of posture angle (deg /% RH) was 0.006 or more.

その結果、実施例１〜３では、すべて評価が「◎」であった。   As a result, in Examples 1 to 3, the evaluations were all “す べ て”.

一方、比較例１の評価は「×」であった。   On the other hand, the evaluation of Comparative Example 1 was “x”.

１ 回路付サスペンション基板
２ 金属支持層
３ 導体層
５ ジンバル部
７ 第１開口部
１１ タング部
１２ アウトリガー部
１３ 絶縁層
１４ ベース絶縁層
１５ 第１カバー絶縁層
１６ 第２カバー絶縁層
２５ 通過部
２６ 下側半分部分（絶縁層）
２７ 上側半分部分（絶縁層）
２８ 第１導体層
２９ 第２導体層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Suspension board with a circuit 2 Metal support layer 3 Conductor layer 5 Gimbal part 7 First opening part 11 Tang part 12 Outrigger part 13 Insulating layer 14 Base insulating layer 15 First cover insulating layer 16 Second cover insulating layer 25 Passing part 26 Below Side half (insulating layer)
27 Upper half (insulating layer)
28 1st conductor layer 29 2nd conductor layer

Claims (4)

金属支持層と、前記金属支持層の上に形成されるベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成される導体層と、前記導体層を被覆するカバー絶縁層とを備える回路付サスペンション基板であって、
前記回路付サスペンション基板には、ジンバル部が設けられ、
前記ジンバル部には、前記金属支持層を上下方向に貫通する開口部が形成され、
前記ジンバル部は、
前記金属支持層からなり、前記開口部の内側に形成され、前記導体層と電気的に接続される磁気ヘッドを実装するスライダが搭載されるタング部と、
前記金属支持層からなり、前記開口部の外側に形成され、前記タング部を支持するアウトリガー部と、
前記金属支持層の厚み方向に投影したときに、前記タング部および前記アウトリガー部と重ならず、前記タング部および前記アウトリガー部と間隔を隔てて独立するように形成され、前記開口部を通過する通過部と
を備え、
前記通過部は、前記金属支持層を備えておらず、前記ベース絶縁層と、前記導体層と、前記カバー絶縁層とを備え、
前記通過部における前記導体層は、
前記ベース絶縁層の下に形成される複数の第１配線と、
前記ベース絶縁層の上に形成される複数の第２配線と、
を備え、
前記通過部における前記カバー絶縁層は、
前記ベース絶縁層の下に形成され、複数の前記第１配線を被覆する第１カバー絶縁層と、
前記ベース絶縁層の上に形成され、複数の前記第２配線を被覆する第２カバー絶縁層と
を備え、
前記通過部の前記ベース絶縁層の下側半分部分の厚み、および、前記第１カバー絶縁層の厚みの総和と、前記通過部の前記ベース絶縁層の上側半分部分の厚み、および、前記第２カバー絶縁層の厚みの総和とが、同一であることを特徴とする、回路付サスペンション基板。 A suspension board with circuit, comprising: a metal support layer; a base insulating layer formed on the metal support layer; a conductor layer formed on the base insulating layer; and a cover insulating layer covering the conductor layer. Because
The suspension board with circuit is provided with a gimbal part,
In the gimbal portion, an opening that penetrates the metal support layer in the vertical direction is formed,
The gimbal part is
A tongue portion that is formed of the metal support layer, is formed inside the opening, and is mounted with a slider for mounting a magnetic head electrically connected to the conductor layer;
An outrigger portion comprising the metal support layer, formed on the outside of the opening, and supporting the tongue portion;
When projected in the thickness direction of the metal support layer, it is formed so as not to overlap the tongue portion and the outrigger portion but to be independent from the tongue portion and the outrigger portion, and passes through the opening portion. With a passage part,
The passage portion does not include the metal support layer, and includes the insulating base layer, the conductor layer, and the insulating cover layer.
The conductor layer in the passage portion is
A plurality of first wirings formed under the base insulating layer;
A plurality of second wirings formed on the base insulating layer;
With
The insulating cover layer in the passage portion is
A first cover insulating layer formed under the base insulating layer and covering the plurality of first wirings;
A second cover insulating layer formed on the base insulating layer and covering the plurality of second wirings;
The thickness of the lower half portion of the base insulating layer of the passage portion, the total thickness of the first cover insulating layer, the thickness of the upper half portion of the base insulating layer of the passage portion, and the second A suspension board with circuit, wherein the total thickness of the insulating cover layers is the same. 前記通過部における上下方向中央と前記第２配線の上面との距離が、前記通過部における前記上下方向中央と前記第１配線の下面との距離と同一であることを特徴とする、請求項１に記載の回路付サスペンション基板。   The distance between the vertical center in the passage and the upper surface of the second wiring is the same as the distance between the vertical center and the lower surface of the first wiring in the passage. The suspension board with circuit as described in 1. 前記通過部における前記第１配線および前記第２配線は、上下方向中央を中心とする対称に形成されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の回路付サスペンション基板。   3. The suspension board with circuit according to claim 1, wherein the first wiring and the second wiring in the passage portion are formed symmetrically with a center in a vertical direction as a center. 前記通過部における前記ベース絶縁層の上側半分部分および前記第２カバー絶縁層と、前記通過部における前記ベース絶縁層の下側半分部分および第１カバー絶縁層とは、上下方向中央を中心とする対称に形成されていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の回路付サスペンション基板。   The upper half portion of the base insulating layer and the second insulating cover layer in the passage portion, and the lower half portion of the base insulating layer and the first insulating cover layer in the passage portion are centered in the vertical center. The suspension board with circuit according to any one of claims 1 to 3, wherein the suspension board is provided symmetrically.
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