JP6044081B2 - Charging device and image forming apparatus - Google Patents

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Description

本発明は、帯電装置及び画像形成装置に関する。   The present invention relates to a charging device and an image forming apparatus.

特許文献1の帯電装置は、対向する像保持体に遠い側から導電性基材、抵抗層、絶縁層及び、導電層が順に配置された構成となっている。導電層には開口部が形成されており、絶縁層には開口部の周囲を囲む領域制限部が設けられている。領域制限部で放電により生成された荷電粒子の一部は、導電層と像保持体との電位差により、導電層を通過して像保持体方向に移動する。これにより、像保持体が帯電する。   The charging device of Patent Document 1 has a configuration in which a conductive base material, a resistance layer, an insulating layer, and a conductive layer are sequentially arranged from the side far from the opposing image carrier. An opening is formed in the conductive layer, and a region limiting portion surrounding the periphery of the opening is provided in the insulating layer. A part of the charged particles generated by the discharge in the region limiting unit moves through the conductive layer in the direction of the image carrier due to a potential difference between the conductive layer and the image carrier. As a result, the image carrier is charged.

特開2011−69879号公報JP 2011-69879 A

本発明は、放電が行われる貫通孔を複数有する構成において、貫通孔の配列方向の端部における過剰な放電を抑制することができる帯電装置及び画像形成装置を得ることを目的とする。   An object of the present invention is to obtain a charging device and an image forming apparatus capable of suppressing excessive discharge at an end portion in the arrangement direction of through holes in a configuration having a plurality of through holes in which discharge is performed.

本発明の請求項1に係る帯電装置は、第1電極と、該第1電極と絶縁体を介して対向配置され前記第1電極へ向けて該絶縁体と共に複数の貫通孔が形成された第2電極と、を有し、前記第1電極と前記第2電極の前記貫通孔の孔壁との間で放電が行われる放電部と、前記第1電極の前記絶縁体側とは反対側に接触し、電圧が印加される被電圧印加部と、前記被電圧印加部及び前記第2電極に電圧を印加することで、前記第1電極と前記第2電極の前記貫通孔との間に放電可能な電位差を生じさせ、且つ放電で生成された電荷が被帯電体へ移動するように前記第2電極と該被帯電体との間に電位差を生じさせる電圧印加手段と、前記第2電極に形成された前記複数の貫通孔のうち、該複数の貫通孔の配列方向の端部に形成された端部貫通孔における放電を、該配列方向で該端部貫通孔よりも内側に形成された内側貫通孔における放電に比べて生じにくくする放電制限手段と、を有する。   According to a first aspect of the present invention, there is provided a charging device in which a first electrode and the first electrode are disposed to face each other via an insulator, and a plurality of through holes are formed with the insulator toward the first electrode. A discharge portion where discharge is performed between the first electrode and the hole wall of the through hole of the second electrode, and a contact side opposite to the insulator side of the first electrode The voltage can be applied between the first electrode and the through hole of the second electrode by applying a voltage to the voltage application unit to which a voltage is applied, and the voltage application unit and the second electrode. A voltage applying means for generating a potential difference between the second electrode and the member to be charged, so as to cause a potential difference between the second electrode and the member to be charged. Among the plurality of through-holes formed, end through-holes formed at end portions in the arrangement direction of the plurality of through-holes Discharge, having a discharge limiting means for hard to occur in comparison with the discharge in the inner through-hole formed inside the end portion through-hole in 該配 column that.

本発明の請求項2に係る帯電装置は、前記放電制限手段は、前記第1電極における前記被電圧印加部との接触面から前記貫通孔に露出する放電面までの電気抵抗を、前記端部貫通孔において前記内側貫通孔よりも大として構成されている。   The charging device according to claim 2 of the present invention is characterized in that the discharge limiting means has an electric resistance from a contact surface of the first electrode with the voltage application portion to a discharge surface exposed in the through hole, as the end portion. The through hole is configured to be larger than the inner through hole.

本発明の請求項3に係る帯電装置は、前記放電制限手段は、前記第2電極の前記端部貫通孔を前記被電圧印加部の端部よりも外側の領域に形成することで構成されている。   The charging device according to claim 3 of the present invention is configured such that the discharge limiting unit forms the end through hole of the second electrode in a region outside the end of the voltage application unit. Yes.

本発明の請求項4に係る帯電装置は、前記放電制限手段は、前記配列方向における前記第1電極の端部の厚みを中央部の厚みよりも厚くすることで構成されている。   In the charging device according to a fourth aspect of the present invention, the discharge limiting means is configured such that the thickness of the end portion of the first electrode in the arrangement direction is larger than the thickness of the central portion.

本発明の請求項5に係る帯電装置は、前記放電制限手段は、前記第1電極の前記端部貫通孔と対向する領域の電気抵抗率を前記内側貫通孔と対向する領域の電気抵抗率よりも高くすることで構成されている。   In the charging device according to claim 5 of the present invention, the discharge limiting means is configured such that the electrical resistivity of the region facing the end through hole of the first electrode is greater than the electrical resistivity of the region facing the inner through hole. Is also made higher.

本発明の請求項6に係る帯電装置は、前記放電制限手段は、前記第1電極と前記第2電極との間の放電距離を、前記端部貫通孔において前記内側貫通孔よりも長くして構成されている。   The charging device according to claim 6 of the present invention is such that the discharge limiting means makes the discharge distance between the first electrode and the second electrode longer than the inner through hole in the end through hole. It is configured.

本発明の請求項7に係る帯電装置は、前記放電制限手段は、前記端部貫通孔の直径を前記内側貫通孔の直径よりも大きくすることで構成されている。   The charging device according to claim 7 of the present invention is configured such that the discharge limiting means makes the diameter of the end through hole larger than the diameter of the inner through hole.

本発明の請求項8に係る帯電装置は、前記放電制限手段は、前記第2電極の前記端部貫通孔の直径を前記絶縁体の前記端部貫通孔の直径よりも大きくすることで構成されている。   The charging device according to claim 8 of the present invention is configured such that the discharge limiting means makes the diameter of the end through hole of the second electrode larger than the diameter of the end through hole of the insulator. ing.

本発明の請求項9に係る帯電装置は、前記放電制限手段は、前記配列方向における前記絶縁体の端部の厚みを中央部の厚みよりも厚くすることで構成されている。   The charging device according to claim 9 of the present invention is configured such that the discharge limiting means makes the thickness of the end portion of the insulator in the arrangement direction thicker than the thickness of the central portion.

本発明の請求項10に係る画像形成装置は、回転可能に設けられた前記被帯電体としての像保持体と、前記像保持体の外周面を帯電する請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の帯電装置と、帯電された前記像保持体の外周面に露光して潜像を形成する露光手段と、前記潜像を現像剤で現像して現像剤像を形成する現像手段と、前記現像手段で現像された現像剤像を記録媒体に転写する転写手段と、を有する。   An image forming apparatus according to a tenth aspect of the present invention is any one of the first to ninth aspects, wherein the image holding body as the charged body provided rotatably and the outer peripheral surface of the image holding body are charged. 2. The charging device according to claim 1, an exposure unit that exposes an outer peripheral surface of the charged image carrier to form a latent image, and a developing unit that develops the latent image with a developer to form a developer image. And transfer means for transferring the developer image developed by the developing means to a recording medium.

請求項1の発明は、放電が行われる貫通孔を複数有する構成において、放電制限手段を有していない構成に比べて、貫通孔の配列方向の端部における過剰な放電を抑制することができる。   According to the first aspect of the present invention, in the configuration having a plurality of through-holes in which discharge is performed, excessive discharge at the end portion in the arrangement direction of the through-holes can be suppressed as compared with a configuration having no discharge limiting means. .

請求項2の発明は、第1電極から第2電極までの構造を変更して端部における過剰な放電を抑制するものに比べて、帯電装置の製造が容易となる。   According to the second aspect of the present invention, the charging device can be easily manufactured as compared with the structure in which the structure from the first electrode to the second electrode is changed to suppress excessive discharge at the end.

請求項3の発明は、第1電極から第2電極までの構造を変更して端部における過剰な放電を抑制するものに比べて、帯電装置の製造が容易となる。   The invention according to claim 3 makes it easier to manufacture the charging device as compared with the structure in which the structure from the first electrode to the second electrode is changed to suppress excessive discharge at the end.

請求項4の発明は、第1電極から第2電極までの構造を変更して端部における過剰な放電を抑制するものに比べて、帯電装置の製造が容易となる。   According to the invention of claim 4, the charging device can be easily manufactured as compared with the structure in which the structure from the first electrode to the second electrode is changed to suppress excessive discharge at the end.

請求項5の発明は、第1電極から第2電極までの構造を変更して端部における過剰な放電を抑制するものに比べて、帯電装置の製造が容易となる。   According to the fifth aspect of the present invention, the charging device can be easily manufactured as compared with the structure in which the structure from the first electrode to the second electrode is changed to suppress excessive discharge at the end.

請求項6の発明は、被電圧印加部又は第1電極の構造を変更して端部における過剰な放電を抑制するものに比べて、放電状態の調整が容易となる。   According to the sixth aspect of the present invention, the discharge state can be easily adjusted as compared with the case where the structure of the voltage application portion or the first electrode is changed to suppress excessive discharge at the end portion.

請求項7の発明は、貫通孔の直径を変更しない構成に比べて、帯電装置の製造が容易となる。   According to the seventh aspect of the present invention, the charging device can be easily manufactured as compared with the configuration in which the diameter of the through hole is not changed.

請求項8の発明は、貫通孔の直径を変更しない構成に比べて、帯電装置の製造が容易となる。   The invention according to claim 8 facilitates the manufacture of the charging device as compared with the configuration in which the diameter of the through hole is not changed.

請求項9の発明は、被電圧印加部又は第1電極の構造を変更して端部における過剰な放電を抑制するものに比べて、放電状態の調整が容易となる。   According to the ninth aspect of the present invention, the discharge state can be easily adjusted as compared with the case where the structure of the voltage application portion or the first electrode is changed to suppress excessive discharge at the end portion.

請求項10の発明は、放電制限手段を有していない構成に比べて、画像形成領域の中央部と端部との画像濃度の差である画像むらを低減することができる。さらに、過剰放電を抑えることで、電極寿命を延ばすことができる。   According to the tenth aspect of the present invention, image unevenness, which is a difference in image density between the central portion and the end portion of the image forming region, can be reduced as compared with the configuration in which the discharge limiting unit is not provided. Furthermore, electrode life can be extended by suppressing excessive discharge.

本発明の第1実施形態に係る画像形成装置の全体構成図である。1 is an overall configuration diagram of an image forming apparatus according to a first embodiment of the present invention. (A)本発明の第1実施形態に係る帯電装置の全体構成図である。(B)本発明の第1実施形態に係る帯電装置の内部構造を示す説明図である。1A is an overall configuration diagram of a charging device according to a first embodiment of the present invention. FIG. (B) It is explanatory drawing which shows the internal structure of the charging device which concerns on 1st Embodiment of this invention. (A)本発明の第1実施形態に係る帯電装置を感光体側から見た底面図である。(B)本発明の第1実施形態に係る帯電装置の底面及び縦断面(A−A´)を示す説明図である。(A) It is the bottom view which looked at the charging device which concerns on 1st Embodiment of this invention from the photoreceptor side. (B) It is explanatory drawing which shows the bottom face and longitudinal cross-section (AA ') of the charging device which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係る帯電装置によって感光体の外周面が帯電する状態を示す模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a state where the outer peripheral surface of the photoreceptor is charged by the charging device according to the first embodiment of the present invention. (A)本発明の第1実施形態に係る帯電装置において放電時に抵抗層に流れる電流の大きさを示す模式図である。(B)比較例の帯電装置において放電時に抵抗層に流れる電流の大きさを示す模式図である。(A) It is a schematic diagram which shows the magnitude | size of the electric current which flows into a resistance layer at the time of discharge in the charging device which concerns on 1st Embodiment of this invention. (B) It is a schematic diagram which shows the magnitude | size of the electric current which flows into a resistance layer at the time of discharge in the charging device of a comparative example. 本発明の第2実施形態に係る帯電装置の底面及び縦断面(B−B´)を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the bottom face and longitudinal cross-section (BB ') of the charging device which concerns on 2nd Embodiment of this invention. (A)本発明の第2実施形態に係る帯電装置によって感光体の外周面が帯電する状態を示す模式図である。(B)本発明の第2実施形態に係る帯電装置において放電時に抵抗層に流れる電流の大きさを示す模式図である。(A) It is a schematic diagram which shows the state in which the outer peripheral surface of a photoreceptor is charged by the charging device which concerns on 2nd Embodiment of this invention. (B) It is a schematic diagram which shows the magnitude | size of the electric current which flows into a resistance layer at the time of discharge in the charging device which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態に係る帯電装置の底面及び縦断面(C−C´)を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the bottom face and longitudinal cross-section (CC ') of the charging device which concerns on 3rd Embodiment of this invention. (A)本発明の第3実施形態に係る帯電装置によって感光体の外周面が帯電する状態を示す模式図である。(B)本発明の第3実施形態に係る帯電装置において放電時に第1抵抗層及び第2抵抗層に流れる電流の大きさを示す模式図である。(A) It is a schematic diagram which shows the state in which the outer peripheral surface of a photoreceptor is charged by the charging device which concerns on 3rd Embodiment of this invention. (B) It is a schematic diagram which shows the magnitude | size of the electric current which flows into a 1st resistance layer and a 2nd resistance layer at the time of discharge in the charging device which concerns on 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第4実施形態に係る帯電装置の底面及び縦断面(D−D´)を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the bottom face and longitudinal cross-section (DD ') of the charging device which concerns on 4th Embodiment of this invention. (A)本発明の第4実施形態に係る帯電装置によって感光体の外周面が帯電する状態を示す模式図である。(B)本発明の第4実施形態に係る帯電装置において放電時に抵抗層に流れる電流の大きさを示す模式図である。(A) It is a schematic diagram which shows the state in which the outer peripheral surface of a photoreceptor is charged by the charging device which concerns on 4th Embodiment of this invention. (B) It is a schematic diagram which shows the magnitude | size of the electric current which flows into a resistance layer at the time of discharge in the charging device which concerns on 4th Embodiment of this invention. 本発明の第5実施形態に係る帯電装置の底面及び縦断面(E−E´)を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the bottom face and longitudinal cross-section (EE ') of the charging device which concerns on 5th Embodiment of this invention. (A)本発明の第5実施形態に係る帯電装置によって感光体の外周面が帯電する状態を示す模式図である。(B)本発明の第5実施形態に係る帯電装置において放電時に抵抗層に流れる電流の大きさを示す模式図である。(A) It is a schematic diagram which shows the state in which the outer peripheral surface of a photoreceptor is charged by the charging device which concerns on 5th Embodiment of this invention. (B) It is a schematic diagram which shows the magnitude | size of the electric current which flows into a resistance layer at the time of discharge in the charging device which concerns on 5th Embodiment of this invention. 本発明の第6実施形態に係る帯電装置の底面及び縦断面(F−F´)を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the bottom face and longitudinal cross-section (FF ') of the charging device which concerns on 6th Embodiment of this invention. (A)本発明の第6実施形態に係る帯電装置によって感光体の外周面が帯電する状態を示す模式図である。(B)本発明の第6実施形態に係る帯電装置において放電時に抵抗層に流れる電流の大きさを示す模式図である。(A) It is a schematic diagram which shows the state in which the outer peripheral surface of a photoreceptor is charged by the charging device which concerns on 6th Embodiment of this invention. (B) It is a schematic diagram which shows the magnitude | size of the electric current which flows into a resistance layer at the time of discharge in the charging device which concerns on 6th Embodiment of this invention. 本発明の他の変形例としての帯電装置の縦断面を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the longitudinal cross-section of the charging device as another modification of this invention.

(第1実施形態)
本発明の第1実施形態に係る帯電装置及び画像形成装置の一例について説明する。
(First embodiment)
An example of a charging device and an image forming apparatus according to the first embodiment of the present invention will be described.

(全体構成)
図1には、第1実施形態の一例としての画像形成装置10が示されている。なお、以後の説明では、画像形成装置10の上下方向をV方向、水平方向をH方向、V方向及びH方向と直交する奥行き方向をZ方向と記載する。また、左、右と記載するときは、画像形成装置10を正面から見た場合の左、右を表している。
(overall structure)
FIG. 1 shows an image forming apparatus 10 as an example of the first embodiment. In the following description, the vertical direction of the image forming apparatus 10 is referred to as the V direction, the horizontal direction is referred to as the H direction, and the depth direction perpendicular to the V direction and the H direction is referred to as the Z direction. In addition, left and right indicate left and right when the image forming apparatus 10 is viewed from the front.

画像形成装置10は、装置本体としての筐体12を有している。そして、画像形成装置10は、筐体12の内部でV方向の下側から上側へ向けて、記録用紙Pが収容される用紙収容部14と、用紙収容部14から供給された記録用紙Pに現像剤像の一例としてのトナー画像Tを形成する画像形成部20と、トナー画像Tを記録用紙Pに定着する定着ユニット40と、トナー画像Tが定着された記録用紙Pを筐体12の上面12Bに排出する排出部50と、画像形成装置10の各部の動作を制御する制御部30と、を有している。また、筐体12の内部で左側には、用紙収容部14から排出部50までV方向の上側へ記録用紙Pが搬送される搬送路16が設けられている。搬送路16には、一対で且つ複数の搬送ロールが配置されているが、図示を省略している。   The image forming apparatus 10 has a housing 12 as an apparatus main body. Then, the image forming apparatus 10 includes the sheet storage unit 14 that stores the recording sheet P and the recording sheet P supplied from the sheet storage unit 14 from the lower side to the upper side in the V direction inside the housing 12. An image forming unit 20 that forms a toner image T as an example of a developer image, a fixing unit 40 that fixes the toner image T to the recording paper P, and a recording paper P on which the toner image T is fixed 12B, and a control unit 30 that controls the operation of each unit of the image forming apparatus 10. Further, on the left side in the housing 12, a conveyance path 16 through which the recording sheet P is conveyed from the sheet storage unit 14 to the discharge unit 50 in the V direction is provided. A pair of and a plurality of transport rolls are arranged on the transport path 16, but the illustration is omitted.

用紙収容部14は、サイズの異なる記録用紙Pが収容される第1収容部14A、第2収容部14BがV方向に並んで設けられている。第1収容部14A、第2収容部14Bには、収容された記録用紙Pを搬送路16に送り出す送り出しロール15が設けられている。そして、搬送路16における送り出しロール15よりも下流側には、記録用紙Pを一枚ずつ搬送する一対の搬送ロール17が設けられている。また、搬送路16における記録用紙Pの搬送方向で、搬送ロール17よりも下流側には、記録用紙Pを一端停止させると共に、後述する感光体22と転写ロール32との間へ決められたタイミングで記録用紙Pを送り出す位置合せロール18が設けられている。   The paper storage unit 14 is provided with a first storage unit 14A and a second storage unit 14B that store recording papers P of different sizes side by side in the V direction. The first storage portion 14 </ b> A and the second storage portion 14 </ b> B are provided with a delivery roll 15 that feeds the stored recording paper P to the transport path 16. A pair of transport rolls 17 that transport the recording paper P one by one are provided downstream of the feed roll 15 in the transport path 16. Further, the recording paper P is stopped at one end downstream of the transport roll 17 in the transport direction of the recording paper P in the transport path 16 and at a timing determined between a photosensitive member 22 and a transfer roll 32 described later. A positioning roll 18 for feeding the recording paper P is provided.

画像形成部20は、回転可能に設けられた被帯電体及び像保持体の一例としての感光体22と、感光体22の外周面を帯電する後述する帯電装置100と、帯電された感光体22の外周面に露光して潜像(図示省略)を形成する露光手段の一例としての露光ユニット24と、貯留された現像剤Gで潜像を現像して感光体22の外周面に現像剤像を形成する現像手段の一例としての現像ユニット26と、現像ユニット26で現像された現像剤像を記録媒体の一例としての記録用紙Pに転写する転写手段の一例としての転写ロール32と、転写後の感光体22の外周面を清掃するクリーニングロール34と、が設けられている。   The image forming unit 20 includes a photosensitive member 22 as an example of a charged member and an image holding member that are rotatably provided, a charging device 100 that charges an outer peripheral surface of the photosensitive member 22, and a charged photosensitive member 22. The latent image is developed with an exposure unit 24 as an example of an exposure unit that exposes the outer peripheral surface of the photosensitive member 22 to form a latent image (not shown) and the stored developer G, and the developer image is formed on the outer peripheral surface of the photoreceptor 22. A developing unit 26 as an example of a developing unit that forms the image, a transfer roll 32 as an example of a transfer unit that transfers a developer image developed by the developing unit 26 to a recording paper P as an example of a recording medium, and after transfer And a cleaning roll 34 for cleaning the outer peripheral surface of the photosensitive member 22.

感光体22は、Z方向を軸方向として+R方向(図示の時計回り方向)に回転可能に設けられた筒体であり、感光体22の外周面と対向する位置には、帯電装置100から+R方向へ順に、露光ユニット24、現像ユニット26、転写ロール32、クリーニングロール34が配置されている。なお、感光体22は接地されている。   The photoconductor 22 is a cylindrical body that is rotatably provided in the + R direction (clockwise direction in the drawing) with the Z direction as an axial direction. The photoconductor 22 is positioned + R from the charging device 100 at a position facing the outer peripheral surface of the photoconductor 22. An exposure unit 24, a developing unit 26, a transfer roll 32, and a cleaning roll 34 are arranged in order in the direction. The photoconductor 22 is grounded.

露光ユニット24は、図示しない半導体レーザ、f−θレンズ、ポリゴンミラー、結像レンズ、及び複数のミラーで構成されている。そして、露光ユニット24は、画像信号に基づき半導体レーザから出射されたレーザ光BMをポリゴンミラーで偏向走査し、帯電された感光体22の外周面に照射(露光)して、静電潜像を形成するようになっている。なお、露光ユニット24は、レーザ光BMをポリゴンミラーで走査する方式に限らず、LED(Light Emitting Diode)方式で構成されていてもよい。   The exposure unit 24 includes a semiconductor laser (not shown), an f-θ lens, a polygon mirror, an imaging lens, and a plurality of mirrors. Then, the exposure unit 24 deflects and scans the laser beam BM emitted from the semiconductor laser based on the image signal with a polygon mirror, and irradiates (exposes) the outer peripheral surface of the charged photoreceptor 22 to form an electrostatic latent image. It comes to form. Note that the exposure unit 24 is not limited to the method of scanning the laser beam BM with a polygon mirror, but may be configured of an LED (Light Emitting Diode) method.

現像ユニット26は、一部に開口部が形成された箱状のユニット本体26Aと、ユニット本体26Aの開口部にZ方向を軸方向として回転可能に設けられた現像ロール26Bと、を有している。現像ロール26Bは、回転する筒状のスリーブの中に磁力を発生する複数の磁極が配置された構成となっている。また、ユニット本体26A内には、現像剤Gが収容されている。現像剤Gは、一例として、トナー及び磁性キャリア(図示省略)を含むニ成分現像剤が用いられている。   The developing unit 26 includes a box-shaped unit main body 26A having an opening formed in a part thereof, and a developing roll 26B provided in the opening of the unit main body 26A so as to be rotatable about the Z direction as an axial direction. Yes. The developing roll 26B has a configuration in which a plurality of magnetic poles that generate magnetic force are arranged in a rotating cylindrical sleeve. A developer G is accommodated in the unit main body 26A. As the developer G, for example, a two-component developer containing toner and a magnetic carrier (not shown) is used.

転写ロール32は、電圧印加部(図示省略)から、現像剤Gのトナーの極性とは逆極性の電圧が印加されるようになっている。そして、接地された感光体22と転写ロール32との電位差により、感光体22上のトナー画像Tが、搬送路16で搬送されている記録用紙P上に転写されるようになっている。   The transfer roll 32 is applied with a voltage having a polarity opposite to the polarity of the toner of the developer G from a voltage application unit (not shown). The toner image T on the photoconductor 22 is transferred onto the recording paper P conveyed through the conveyance path 16 by the potential difference between the grounded photoconductor 22 and the transfer roll 32.

クリーニングロール34は、一例として、感光体22の外周面と接触するブラシロールで構成されている。そして、クリーニングロール34は、感光体22の外周面に残留したトナーなどを掻き取って、本体(図示省略)内に回収するようになっている。   As an example, the cleaning roll 34 is configured by a brush roll that comes into contact with the outer peripheral surface of the photoreceptor 22. The cleaning roll 34 scrapes off toner remaining on the outer peripheral surface of the photosensitive member 22 and collects it in a main body (not shown).

一方、定着ユニット40は、内部に熱源(一例としてハロゲンランプ)が設けられ記録用紙P上のトナーを加熱する定着ロール42と、定着ロール42に向けて記録用紙Pを加圧する加圧ロール44とを有している。そして、定着ユニット40では、記録用紙Pが定着ロール42と加圧ロール44との接触部を通過すると、トナーが溶融、凝固して、記録用紙Pにトナー画像Tが定着される。   On the other hand, the fixing unit 40 has a heat source (for example, a halogen lamp) provided therein and heats the toner on the recording paper P, and a pressure roll 44 that presses the recording paper P toward the fixing roll 42. have. In the fixing unit 40, when the recording paper P passes through the contact portion between the fixing roll 42 and the pressure roll 44, the toner is melted and solidified, and the toner image T is fixed on the recording paper P.

排出部50は、回転可能に設けられた一対の排出ロール52を有しており、トナー画像Tが定着された記録用紙Pを、筐体12に形成された開口部12Aを通って、筐体12の上面12Bに排出するようになっている。   The discharge unit 50 includes a pair of discharge rollers 52 that are rotatably provided, and the recording paper P on which the toner image T has been fixed passes through the opening 12A formed in the case 12 and the case. 12 is discharged to the upper surface 12B.

(要部構成)
次に、第1実施形態の帯電装置100について説明する。
(Main part configuration)
Next, the charging device 100 according to the first embodiment will be described.

図2(A)に示すように、帯電装置100は、感光体22の外周面と対向する対向電極部110と、対向電極部110に電圧を印加する電圧印加手段の一例としての電圧印加部112と、対向電極部110の一部の放電を制限する放電制限手段の一例としての放電制限部130と、を有している。   As illustrated in FIG. 2A, the charging device 100 includes a counter electrode unit 110 that faces the outer peripheral surface of the photoconductor 22, and a voltage application unit 112 as an example of a voltage application unit that applies a voltage to the counter electrode unit 110. And a discharge limiting unit 130 as an example of a discharge limiting unit that limits partial discharge of the counter electrode unit 110.

対向電極部110は、感光体22の径方向で且つ感光体22に対して遠い側から近い側へ順に、被電圧印加部の一例としての給電層102、第1電極の一例としての抵抗層104、絶縁体の一例としての絶縁層106、及び第2電極の一例としての導電層108が積層された板状に形成されている。そして、抵抗層104、絶縁層106、及び導電層108によって放電部120が構成されている。また、電圧印加部112は、給電層102及び導電層108に電気的に接続されており、給電層102及び導電層108に電圧を印加するようになっている。   The counter electrode unit 110 includes a power feeding layer 102 as an example of a voltage application unit and a resistance layer 104 as an example of a first electrode in the radial direction of the photoconductor 22 and in order from the far side to the near side with respect to the photoconductor 22. The insulating layer 106 as an example of an insulator and the conductive layer 108 as an example of a second electrode are formed in a laminated plate shape. The resistance layer 104, the insulating layer 106, and the conductive layer 108 constitute a discharge unit 120. The voltage application unit 112 is electrically connected to the power feeding layer 102 and the conductive layer 108, and applies a voltage to the power feeding layer 102 and the conductive layer 108.

なお、以後の説明では、導電層108から抵抗層104(給電層102)に向かう積層方向(感光体22の径方向)をZ方向、感光体22の回転軸方向をX方向と記載する。また、X方向及びZ方向と直交する方向をY方向と記載する。   In the following description, the stacking direction (the radial direction of the photoconductor 22) from the conductive layer 108 toward the resistance layer 104 (power feeding layer 102) is described as the Z direction, and the rotation axis direction of the photoconductor 22 is described as the X direction. A direction orthogonal to the X direction and the Z direction is referred to as a Y direction.

給電層102は、抵抗層104の絶縁層106とは反対側に接触しており、電圧印加部112によって電圧が印加される。また、給電層102は、例えば、ステンレス、アルミニウム、銅合金やこれらの合金、クロムやニッケルなどの表面処理を施した鉄などの金属が用いられる。本実施形態では一例として、給電層102が、ステンレスで構成されている。   The power supply layer 102 is in contact with the side of the resistance layer 104 opposite to the insulating layer 106, and a voltage is applied by the voltage application unit 112. The power supply layer 102 is made of, for example, stainless steel, aluminum, a copper alloy, an alloy thereof, or a metal such as iron that has been subjected to a surface treatment such as chromium or nickel. In the present embodiment, as an example, the power feeding layer 102 is made of stainless steel.

抵抗層104は、樹脂材料やゴム材料に、導電粒子あるいは半導電性粒子を分散したものが用いられる。例えば、樹脂材料としては、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコン樹脂、尿素樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、スチレン樹脂、エチレン樹脂と、これらの合成樹脂などが使われる。ゴム材料としては、エチレン−プロピレンゴム、ポリブタジエン、天然ゴム、ポリイソブチレン、クロロプレンゴム、シリコンゴム、ウレタンゴム、エピクロルヒドリンゴム、フロロシリコ−ンゴム、エチレンオキシドゴム、あるいは、これらを発泡させた発泡材や、これらを混合させた混合基材が用いられる。   As the resistance layer 104, a resin material or a rubber material in which conductive particles or semiconductive particles are dispersed is used. For example, resin materials include polyester resin, acrylic resin, melamine resin, epoxy resin, urethane resin, silicon resin, urea resin, polyamide resin, polyimide resin, polycarbonate resin, styrene resin, ethylene resin, and synthetic resins thereof. used. Examples of rubber materials include ethylene-propylene rubber, polybutadiene, natural rubber, polyisobutylene, chloroprene rubber, silicon rubber, urethane rubber, epichlorohydrin rubber, fluorosilicone rubber, ethylene oxide rubber, foamed materials obtained by foaming these, A mixed mixed substrate is used.

導電粒子あるいは半導電性粒子としては、カ−ボンブラック、亜鉛、アルミニウム、銅、鉄、ニッケル、クロム、チタニウム等の金属、ZnO−Al、SnO−Sb、In−SnO、ZnO−TiO、MgO−Al、FeO−TiO、TiO、SnO、Sb、In、ZnO、MgOなどの金属酸化物や、第4級アンモニウム塩などのイオン性化合物など、これらの材料を単独あるいは2種以上混合したものが用いられる。 Examples of the conductive particles or semiconductive particles include carbon black, zinc, aluminum, copper, iron, nickel, chromium, titanium, and other metals, ZnO—Al 2 O 3 , SnO 2 —Sb 2 O 3 , In 2 O. 3 -SnO 2, ZnO-TiO 2 , MgO-Al 2 O 3, FeO-TiO 2, TiO 2, SnO 2, Sb 2 O 3, in 2 O 3, ZnO, and metal oxides such as MgO, 4th These materials such as an ionic compound such as a quaternary ammonium salt may be used alone or in combination of two or more.

ここで、抵抗層104を形成する材料としては、体積抵抗率が1×10Ωcm以上1×1010Ωcm以下の範囲にあるものが用いられる。これは、抵抗層104の体積抵抗率が1×1010Ωcmより大きいと、電極間での放電が不十分になりやすく、放電空間である後述する貫通孔114で散発的な放電が発生して、安定した放電に至らない場合があるためである。また、抵抗層104の体積抵抗率が1×10Ωcmより小さいと、抵抗により放電電流を制限する機能(以下、放電電流の制限効果という。)が十分に得られずに、貫通孔114と対向する(貫通孔114へ露出する)抵抗層104の放電面104B(図2(B)参照)で局所的に放電が集中し、放電電流が不安定になったり過大になったりして材料の急速な劣化や抵抗層104の短絡を引き起こす場合があるためである。 Here, as a material for forming the resistance layer 104, a material having a volume resistivity in the range of 1 × 10 6 Ωcm to 1 × 10 10 Ωcm is used. This is because if the volume resistivity of the resistance layer 104 is greater than 1 × 10 10 Ωcm, the discharge between the electrodes tends to be insufficient, and sporadic discharge occurs in the through-holes 114 to be described later which are discharge spaces. This is because stable discharge may not be achieved. If the volume resistivity of the resistance layer 104 is smaller than 1 × 10 6 Ωcm, the function of limiting the discharge current by resistance (hereinafter referred to as a discharge current limiting effect) cannot be obtained sufficiently, and the through hole 114 Discharge concentrates locally on the discharge surface 104B (see FIG. 2B) of the resistance layer 104 facing (exposed to the through hole 114), and the discharge current becomes unstable or excessive. This is because rapid deterioration or a short circuit of the resistance layer 104 may be caused.

また、抵抗層104の体積抵抗率が1×10Ωcm以上1×10Ωcm以下の範囲にある場合は、体積抵抗率が1×10Ωcm以上1×10Ωcm以下の範囲外にある場合と比較して、貫通孔114内で、より安定した放電が持続する。 Further, when the volume resistivity of the resistance layer 104 is in the range of 1 × 10 7 Ωcm to 1 × 10 9 Ωcm, the volume resistivity is out of the range of 1 × 10 7 Ωcm to 1 × 10 9 Ωcm. Compared to the case, more stable discharge continues in the through hole 114.

さらに、抵抗層104は、膜厚10μm以上で形成される。抵抗層104の抵抗により放電電流の制限効果を得るという観点のみからは、膜厚を薄くして抵抗率が高い材料を選定することで、(体積低効率×抵抗層厚/単位面積)により算出される抵抗層104の抵抗値を調整してもよいが、膜厚が10μmより小さいと、電圧印加に対する耐圧が低くなり、放電時に抵抗層104が短絡する頻度が多くなる。一例として、膜厚が100μm以上の範囲で形成される場合、絶縁耐圧が十分に得られ、高電圧印加に対する経時安定性が確保される。   Furthermore, the resistance layer 104 is formed with a film thickness of 10 μm or more. Only from the viewpoint of obtaining the effect of limiting the discharge current by the resistance of the resistance layer 104, by selecting a material having a low film thickness and a high resistivity, it is calculated by (volume low efficiency × resistance layer thickness / unit area). The resistance value of the resistance layer 104 may be adjusted. However, if the film thickness is smaller than 10 μm, the withstand voltage against voltage application is reduced, and the frequency of the resistance layer 104 short-circuiting during discharge increases. As an example, when the film thickness is formed in a range of 100 μm or more, a sufficient withstand voltage is obtained, and the temporal stability against high voltage application is ensured.

加えて、抵抗層104は、前述の体積抵抗率(電気抵抗率)の最適範囲1×10Ωcm以上1×10Ωcm以下と、膜厚の最適範囲100μm以上とを満たしつつ、膜厚方向の抵抗値が1×10Ω以上1×1011Ω以下の範囲になるように調整すると、抵抗成分による放電電流の制限効果と膜厚が確保されたことによる経時安定性が両立される。なお、膜厚方向の抵抗値とは、体積抵抗率×抵抗層104の厚み/面積により求められる値であり、面積は直径100μmの円の面積としている。 In addition, the resistance layer 104 satisfies the above-described optimal range of volume resistivity (electrical resistivity) of 1 × 10 7 Ωcm or more and 1 × 10 9 Ωcm or less, and the optimal range of film thickness of 100 μm or more, while in the film thickness direction. If the resistance value is adjusted to be in the range of 1 × 10 8 Ω to 1 × 10 11 Ω, both the effect of limiting the discharge current due to the resistance component and the stability over time due to securing the film thickness are compatible. The resistance value in the film thickness direction is a value obtained by volume resistivity × thickness / area of the resistance layer 104, and the area is an area of a circle having a diameter of 100 μm.

本実施形態では一例として、抵抗層104が、ポリイミド樹脂にカーボンを分散させた体積抵抗率3×10Ωcm、膜厚150μmの材料で構成されている。 In this embodiment, as an example, the resistance layer 104 is made of a material having a volume resistivity of 3 × 10 8 Ωcm and a film thickness of 150 μm in which carbon is dispersed in a polyimide resin.

絶縁層106は、体積抵抗率が1×1012Ωcm以上の固体材料である場合、抵抗率が1×1012Ωcmより小さい場合と比較して、高電圧印加時の抵抗層104と導電層108との間の絶縁性に優れ、貫通孔114の形状を経時において変形させることなく安定に保持する。 In the case where the insulating layer 106 is a solid material having a volume resistivity of 1 × 10 12 Ωcm or higher, the resistance layer 104 and the conductive layer 108 when a high voltage is applied are compared with the case where the resistivity is smaller than 1 × 10 12 Ωcm. The through hole 114 is stably held without being deformed over time.

また、絶縁層106は、膜厚4μm以上200μm以下の範囲内で形成される。本実施形態では、貫通孔114が絶縁層106を貫通しているので、絶縁層106の膜厚は、抵抗層104と導電層108との距離、つまり、放電距離に相当する。ここで、絶縁層106の膜厚を200μm以下とすると、放電を持続しやすくなる。そして、絶縁層106の膜厚を4μm以上として、空気中の電子の平均自由工程(0.1μm程度)よりも十分大きな放電距離にすると、貫通孔114内での電離回数が確保され、放電が持続しやすくなる。   The insulating layer 106 is formed within a range of 4 μm to 200 μm in thickness. In this embodiment, since the through hole 114 penetrates the insulating layer 106, the film thickness of the insulating layer 106 corresponds to the distance between the resistance layer 104 and the conductive layer 108, that is, the discharge distance. Here, when the thickness of the insulating layer 106 is 200 μm or less, the discharge is easily maintained. When the insulating layer 106 has a film thickness of 4 μm or more and a discharge distance sufficiently larger than the mean free path of electrons in the air (about 0.1 μm), the number of ionizations in the through hole 114 is ensured, and discharge is generated. It becomes easier to sustain.

さらに、空気中、大気圧下における平行平板間の放電開始電圧を定義するパッシェンの法則によれば、空隙が4μm程度のときに放電開始電圧が最小値となり、空隙がそれより狭くなると放電開始電圧が上昇する。このことから、絶縁層106の膜厚が4μmより小さくなると放電が発生しにくくなることが示唆される。   Furthermore, according to Paschen's law which defines the discharge start voltage between parallel flat plates in air and at atmospheric pressure, the discharge start voltage becomes the minimum value when the gap is about 4 μm, and the discharge start voltage when the gap becomes narrower than that. Rises. This suggests that discharge is less likely to occur when the thickness of the insulating layer 106 is less than 4 μm.

本実施形態では一例として、絶縁層106が、膜厚100μmのガラスエポキシ材で構成されている。   In this embodiment, as an example, the insulating layer 106 is made of a glass epoxy material having a thickness of 100 μm.

導電層108は、抵抗層104と絶縁層106を介して対向配置されており、体積抵抗率が1×10−1Ωcm以下のものが用いられる。また、導電層108は、膜厚1μm以上50μm以下の範囲内で形成される。これは、膜厚が50μmよりも大きいと貫通孔114から感光体22への荷電粒子E(図2(B)参照)の取り出し効率が十分に上がらないこと、及び膜厚が1μmよりも小さいと電極が放電時の通電により劣化しやすいことによる。なお、導電層108の材料としては、放電ガスで汚れにくい金属が用いられる。例えば、タングステン、モリブデン、カ−ボン、白金、銅、アルミニウムなどの金属材料や、これらの金属に金メッキなどの表面処理を施した材料が用いられる。 The conductive layer 108 is disposed so as to face the resistance layer 104 and the insulating layer 106 and has a volume resistivity of 1 × 10 −1 Ωcm or less. In addition, the conductive layer 108 is formed within a thickness range of 1 μm to 50 μm. This is because when the film thickness is larger than 50 μm, the extraction efficiency of charged particles E (see FIG. 2B) from the through-hole 114 to the photosensitive member 22 does not sufficiently increase, and when the film thickness is smaller than 1 μm. This is because the electrode is easily deteriorated by energization during discharge. Note that as a material of the conductive layer 108, a metal that is hardly contaminated with a discharge gas is used. For example, metal materials such as tungsten, molybdenum, carbon, platinum, copper, and aluminum, and materials obtained by performing surface treatment such as gold plating on these metals are used.

本実施形態では一例として、導電層108が、メッキによって形成された膜厚18μmの銅で構成されている。   In the present embodiment, as an example, the conductive layer 108 is made of copper having a thickness of 18 μm formed by plating.

図2(B)に示すように、絶縁層106及び導電層108には、Z方向に貫通し且つZ方向に見て断面円形状の貫通孔114が、X方向及びY方向に間隔をあけて複数形成されている。なお、図2(A)では、一例として、X方向に20個、Y方向に4個の貫通孔114を示しているが、貫通孔114の数はこれに限らない。   As shown in FIG. 2B, the insulating layer 106 and the conductive layer 108 have through-holes 114 penetrating in the Z direction and having a circular cross section when viewed in the Z direction, spaced apart in the X direction and the Y direction. A plurality are formed. In FIG. 2A, as an example, 20 through holes 114 in the X direction and 4 through holes 114 are shown, but the number of through holes 114 is not limited to this.

図2(B)に示すように、抵抗層104の貫通孔114内に露出している部位が、放電が行われる放電面104Bとなっている。また、貫通孔114は、絶縁層106における内壁である孔壁106Aと、導電層108における内壁である孔壁108Aとを有している。そして、放電部120では、抵抗層104の放電面104Bと、導電層108の貫通孔114の孔壁108Aとの間で放電が行われるようになっている。   As shown in FIG. 2B, a portion exposed in the through hole 114 of the resistance layer 104 is a discharge surface 104B where discharge is performed. The through-hole 114 has a hole wall 106A that is an inner wall of the insulating layer 106 and a hole wall 108A that is an inner wall of the conductive layer 108. In the discharge unit 120, discharge is performed between the discharge surface 104 </ b> B of the resistance layer 104 and the hole wall 108 </ b> A of the through hole 114 of the conductive layer 108.

貫通孔114は、孔径が4μm以上200μm以下の範囲内で形成される。孔径が200μmよりも大きいと、導電層108の開口部(貫通孔114の周縁部)やその周辺における電界強度が孔の中心部の電界強度よりも数倍以上大きくなることが、一般的な静電場解析計算により求められる。この場合、貫通孔114内の電界分布が不均一になり、貫通孔114の周縁部に放電が集中する結果、放電が不安定になって、オゾン発生量が増加したり抵抗層104が短絡したりする場合がある。また、貫通孔114の孔径が4μmより小さい場合、1つの貫通孔114あたりの放電発生量が小さくなる。このため、より効率的に感光体22を目標の電位に帯電するには、孔径を4μm以上とするのがよい。   The through hole 114 is formed with a hole diameter in the range of 4 μm to 200 μm. If the hole diameter is larger than 200 μm, the electric field strength at the opening of the conductive layer 108 (periphery of the through-hole 114) and its periphery may be several times greater than the electric field strength at the center of the hole. It is obtained by electric field analysis calculation. In this case, the electric field distribution in the through-hole 114 becomes non-uniform and the discharge concentrates on the peripheral edge of the through-hole 114. As a result, the discharge becomes unstable, the amount of ozone generation increases, or the resistance layer 104 is short-circuited. Sometimes. Moreover, when the hole diameter of the through-hole 114 is smaller than 4 micrometers, the discharge generation amount per one through-hole 114 becomes small. For this reason, in order to more efficiently charge the photosensitive member 22 to a target potential, the hole diameter is preferably set to 4 μm or more.

貫通孔114の孔径が200μm以下の場合は、等電位面がほぼ絶縁層106に平行と近似できる程度で形成されるので、貫通孔114内の電界分布が均一になり、貫通孔114全域に亘って安定した放電が発生しやすくなる。   When the hole diameter of the through hole 114 is 200 μm or less, the equipotential surface is formed so as to be approximately parallel to the insulating layer 106, so that the electric field distribution in the through hole 114 becomes uniform and covers the entire area of the through hole 114. And stable discharge is likely to occur.

一方、電圧印加部112は、給電層102及び導電層108に接続されており、給電層102と導電層108との間に接続された第1電源112Aと、導電層108と感光体22との間に接続された第2電源112Bと、を有している。詳細には、電圧印加部112は、第1電源112A及び第2電源112Bから給電層102及び導電層108に電圧を印加し、抵抗層104と、導電層108の貫通孔114における孔壁108Aとの間に放電可能な電位差ΔV1を生じさせ、且つ放電で生成された荷電粒子Eが感光体22へ移動するように導電層108と感光体22との間に電位差ΔV2を生じさせるようになっている。   On the other hand, the voltage application unit 112 is connected to the power supply layer 102 and the conductive layer 108, and includes a first power source 112 </ b> A connected between the power supply layer 102 and the conductive layer 108, and the conductive layer 108 and the photosensitive member 22. And a second power source 112B connected therebetween. Specifically, the voltage application unit 112 applies a voltage from the first power source 112A and the second power source 112B to the power feeding layer 102 and the conductive layer 108, and the resistance layer 104 and the hole wall 108A in the through hole 114 of the conductive layer 108 A potential difference ΔV1 is generated between the conductive layer 108 and the photoconductor 22 so that the potential difference ΔV1 that can be discharged is generated and the charged particles E generated by the discharge are moved to the photoconductor 22. Yes.

ここで、貫通孔114は、感光体22の外周面へ向けて開放されているので、放電により生成された荷電粒子Eの一部は、導電層108と感光体22との間の電位差ΔV2により、導電層108を通過して感光体22の外周面に移動する。このように、帯電装置100は、荷電粒子Eが電界により移動(電界ドリフト)することで感光体22を帯電させる構成となっている。なお、導電層108は、印加される電圧により、荷電粒子Eが感光体22へ移動するための電界強度を調整し、感光体22の帯電電位を調整する機能を担っている。   Here, since the through hole 114 is opened toward the outer peripheral surface of the photoconductor 22, a part of the charged particles E generated by the discharge is caused by a potential difference ΔV 2 between the conductive layer 108 and the photoconductor 22. Then, it passes through the conductive layer 108 and moves to the outer peripheral surface of the photoreceptor 22. As described above, the charging device 100 is configured to charge the photosensitive member 22 by the charged particles E being moved by the electric field (electric field drift). Note that the conductive layer 108 has a function of adjusting the electric field intensity for the charged particles E to move to the photoconductor 22 by the applied voltage, and adjusting the charging potential of the photoconductor 22.

また、帯電装置100において、抵抗層104及び導電層108に印加される電圧は、基本的に直流電圧である。そして、感光体22に近い側の導電層108の電位は、感光体22の予め設定された帯電電位と同程度とされている。また、抵抗層104への印加電圧は、抵抗層104と導電層108との間で放電が発生するように、一例として、導電層108への印加電圧に対して1.2kV程度増加させた電圧となっている。   In the charging device 100, the voltage applied to the resistance layer 104 and the conductive layer 108 is basically a DC voltage. The electric potential of the conductive layer 108 on the side close to the photoconductor 22 is set to be approximately the same as the preset charging potential of the photoconductor 22. The voltage applied to the resistance layer 104 is, for example, a voltage increased by about 1.2 kV with respect to the voltage applied to the conductive layer 108 so that a discharge occurs between the resistance layer 104 and the conductive layer 108. It has become.

さらに、帯電装置100では、荷電粒子Eの電界ドリフトにより感光体22を帯電させる構成のため、導電層108と感光体22との間隔は、導電層108と感光体22との間で放電が発生しない距離となっている。一例として、導電層108と感光体22との間隔は300μm以上2mm以下の範囲で設定され、本実施形態では、500μmとなっている。   Further, since the charging device 100 is configured to charge the photoconductor 22 by the electric field drift of the charged particles E, the gap between the conductive layer 108 and the photoconductor 22 is generated between the conductive layer 108 and the photoconductor 22. It is not a distance. As an example, the distance between the conductive layer 108 and the photosensitive member 22 is set in the range of 300 μm to 2 mm, and is 500 μm in this embodiment.

次に、放電制限部130について説明する。   Next, the discharge limiting unit 130 will be described.

図3(A)、(B)に示す放電制限部130は、複数の貫通孔114のうち、孔の配列方向(X方向又はY方向)の端部に形成された端部貫通孔114Bにおける放電を、該配列方向で端部貫通孔114Bよりも内側に形成された内側貫通孔114Aにおける放電に比べて生じにくくする構造の一例である。そして、放電制限部130は、抵抗層104における給電層102との接触面104Aから貫通孔114に露出する放電面104Bまでの電気抵抗を、端部貫通孔114Bにおいて内側貫通孔114Aよりも大として構成されている。   3A and 3B, the discharge limiting portion 130 is a discharge in the end through hole 114B formed at the end of the plurality of through holes 114 in the hole arrangement direction (X direction or Y direction). Is an example of a structure that makes it less likely to occur compared to the discharge in the inner through hole 114A formed inside the end through hole 114B in the arrangement direction. The discharge limiting unit 130 sets the electrical resistance from the contact surface 104A of the resistance layer 104 with the power feeding layer 102 to the discharge surface 104B exposed to the through hole 114 to be larger in the end through hole 114B than in the inner through hole 114A. It is configured.

図3(A)に示すように、対向電極部110を導電層108側から見て、抵抗層104、絶縁層106、及び導電層108のX方向(長手方向)の長さはX1、Y方向(短手方向)の長さはY1となっている。また、給電層102のX方向(長手方向)の長さはX2(<X1)、Y方向(短手方向)の長さはY2(<Y1)となっている。   As shown in FIG. 3A, when the counter electrode portion 110 is viewed from the conductive layer 108 side, the length in the X direction (longitudinal direction) of the resistance layer 104, the insulating layer 106, and the conductive layer 108 is X1, Y direction. The length in the (short direction) is Y1. The length of the power feeding layer 102 in the X direction (longitudinal direction) is X2 (<X1), and the length in the Y direction (short direction) is Y2 (<Y1).

図3(A)、(B)に示すように、給電層102は、抵抗層104、絶縁層106、及び導電層108と同様に矩形状に形成されている。そして、一例として、給電層102の端面102Aは、X方向及びY方向で同様に、内側貫通孔114Aと端部貫通孔114Bとの中間位置(破線で示す境界線K上)に配置されている。即ち、X方向及びY方向における給電層102の端面102Aは、対向電極部110の平面視において、内側貫通孔114Aと端部貫通孔114Bとの間の中間位置に相当する位置で抵抗層104上に配置されており、給電層102の外形に相当する境界線Kの内側に複数の内側貫通孔114Aが形成され、境界線Kの外側に複数の端部貫通孔114Bが形成されている。   As shown in FIGS. 3A and 3B, the power feeding layer 102 is formed in a rectangular shape like the resistance layer 104, the insulating layer 106, and the conductive layer 108. As an example, similarly, the end surface 102A of the power feeding layer 102 is disposed at an intermediate position (on the boundary line K indicated by a broken line) between the inner through hole 114A and the end through hole 114B in the X direction and the Y direction. . That is, the end surface 102A of the power supply layer 102 in the X direction and the Y direction is located on the resistance layer 104 at a position corresponding to an intermediate position between the inner through hole 114A and the end through hole 114B in the plan view of the counter electrode unit 110. The plurality of inner through holes 114A are formed inside the boundary line K corresponding to the outer shape of the power supply layer 102, and the plurality of end through holes 114B are formed outside the boundary line K.

このように、第1実施形態の放電制限部130は、一例として、導電層108の端部貫通孔114Bを給電層102の端部(端面102A)よりも外側の領域(図3(B)に網掛けで示す幅ΔX1の領域)に形成することで構成されている。   As described above, the discharge limiting unit 130 according to the first embodiment, as an example, places the end through hole 114B of the conductive layer 108 in a region outside the end (end surface 102A) of the power supply layer 102 (FIG. 3B). It is configured by forming in the area of width ΔX1 indicated by shading.

(比較例)
図5(B)には、比較例の帯電装置300が示されている。比較例の帯電装置300は、第1実施形態の帯電装置100(図5(A)参照)において、給電層102の端面102Aが、抵抗層104の端面104Cまで延びた構成となっている。なお、他の構成は帯電装置100と同様である。
(Comparative example)
FIG. 5B shows a charging device 300 of a comparative example. The charging device 300 of the comparative example has a configuration in which the end surface 102A of the power supply layer 102 extends to the end surface 104C of the resistance layer 104 in the charging device 100 of the first embodiment (see FIG. 5A). Other configurations are the same as those of the charging device 100.

比較例の帯電装置300では、孔の配列方向の両側で隣り合う電極(放電面104B)がある内側貫通孔114Aにおいて放電が行われるとき、抵抗層104に、給電層102の直下に向かう電流I1(太い矢印)と、直下以外から回り込む電流I2(細い矢印)とが流れる。なお、矢印の太さは電流の大きさを表している。そして、回り込む電流I2については、隣の電極(ここでは左隣の内側貫通孔114A(図示省略)及び端部貫通孔114Bの放電面104B)と分け合った電流量になる。   In the charging device 300 of the comparative example, when discharge is performed in the inner through hole 114A where the electrodes (discharge surfaces 104B) adjacent on both sides in the hole arrangement direction are discharged, the current I1 that flows to the resistance layer 104 directly below the power supply layer 102 (Thick arrow) and current I2 (thin arrow) that flows from other than directly below flow. In addition, the thickness of the arrow represents the magnitude of the current. The sneaking current I2 has a current amount shared with the adjacent electrode (here, the left adjacent inner through hole 114A (not shown) and the discharge surface 104B of the end through hole 114B).

また、比較例の帯電装置300では、孔の配列方向の両側で隣り合う電極が無い(放電面104Bが片側だけある)端部貫通孔114Bにおいて放電が行われるとき、抵抗層104に、給電層102の直下に向かう電流I1と、直下以外から回り込む電流I2、I3とが流れる。電流I2は、孔の配列方向で一方(片側)にある内側貫通孔114Aと分け合うことで電流I1よりも少ない電流値となるが、電流I3については、孔の配列方向で他方に貫通孔(放電面104B)が無いため、分け合うことがなく、給電層102の直下の抵抗層104を流れる電流I1と同程度の電流値となる。即ち、I3>I2である。   Further, in the charging device 300 of the comparative example, when the discharge is performed in the end through hole 114B where there is no electrode adjacent on both sides in the hole arrangement direction (the discharge surface 104B is only on one side), the power supply layer is formed on the resistance layer 104. A current I1 directed immediately below 102 and currents I2 and I3 flowing from other than directly below flow. The current I2 has a smaller current value than the current I1 by sharing with the inner through hole 114A on one side (one side) in the hole arrangement direction, but the current I3 has a through hole (discharge) on the other side in the hole arrangement direction. Since there is no surface 104B), there is no sharing, and the current value is about the same as the current I1 flowing through the resistance layer 104 immediately below the power feeding layer 102. That is, I3> I2.

このように、比較例の帯電装置300では、内側貫通孔114Aに相当する部位で抵抗層104に流れる電流値と比べて、端部貫通孔114Bに相当する部位で抵抗層に流れる電流値が過大となり、過剰な放電が行われることになる。そして、放電量の多い端部の抵抗層104及び導電層108の使用可能期間が短くなる。   As described above, in the charging device 300 of the comparative example, the value of the current flowing through the resistance layer at the portion corresponding to the end through hole 114B is excessive as compared with the value of the current flowing through the resistance layer 104 at the portion corresponding to the inner through hole 114A. Thus, excessive discharge is performed. Then, the usable period of the resistance layer 104 and the conductive layer 108 at the end portion where the discharge amount is large is shortened.

(作用)
次に、第1実施形態の作用について説明する。
(Function)
Next, the operation of the first embodiment will be described.

図2(B)に示すように、帯電装置100は、電圧印加部112によって、給電層102及び導電層108に電圧が印加され、抵抗層104と導電層108との間の電位差がΔV1、導電層108と感光体22との間の電位差がΔV2となる。   As shown in FIG. 2B, in the charging device 100, a voltage is applied to the power feeding layer 102 and the conductive layer 108 by the voltage application unit 112, so that the potential difference between the resistance layer 104 and the conductive layer 108 is ΔV1. The potential difference between the layer 108 and the photoreceptor 22 is ΔV2.

続いて、図4に示すように、帯電装置100では、抵抗層104(放電面104B)と導電層108の孔壁108Aとの間で放電(矢印Dで示す)が発生し、荷電粒子Eが生成される。そして、生成された荷電粒子Eは、導電層108と感光体22との間の電位差ΔV2(図2(B)参照)により生じる電界の作用によって感光体22の外周面に移動する。このようにして感光体22の外周面が帯電される。   Subsequently, as shown in FIG. 4, in the charging device 100, discharge (indicated by an arrow D) occurs between the resistance layer 104 (discharge surface 104 </ b> B) and the hole wall 108 </ b> A of the conductive layer 108, and the charged particles E are generated. Generated. The generated charged particles E move to the outer peripheral surface of the photoconductor 22 by the action of an electric field generated by the potential difference ΔV2 between the conductive layer 108 and the photoconductor 22 (see FIG. 2B). In this way, the outer peripheral surface of the photoreceptor 22 is charged.

ここで、図5(A)に示すように、帯電装置100では、孔の配列方向の両側で隣り合う電極(放電面104B)がある内側貫通孔114Aにおいて放電が行われるとき、抵抗層104に、給電層102の直下に向かう電流I1(太い矢印)と、直下以外から回り込む電流I2(細い矢印)とが流れる。そして、回り込む電流I2については、隣の電極(ここでは内側貫通孔114A及び端部貫通孔114Bの放電面104B)と分け合うことになる。   Here, as shown in FIG. 5A, in the charging device 100, when the discharge is performed in the inner through hole 114A where the electrodes (discharge surfaces 104B) adjacent on both sides in the hole arrangement direction are discharged, Then, a current I1 (thick arrow) heading directly below the power feeding layer 102 and a current I2 (thin arrow) that flows from other than directly below flow. The flowing current I2 is shared with the adjacent electrode (here, the discharge surface 104B of the inner through hole 114A and the end through hole 114B).

また、帯電装置100では、孔の配列方向の両側で隣り合う電極が無い(放電面104Bが片側だけある)端部貫通孔114Bにおいて放電が行われるとき、抵抗層104上には給電層102が無い。このため(放電制限部130があるため)、端部貫通孔114B上の抵抗層104には、回り込む電流I2が流れる。ここで、電流I2は電流I3(図5(B)参照)よりも少ない電流値である。このため、帯電装置100は、比較例の帯電装置300(図5(B)参照)に比べて、端部貫通孔114Bに対応する部位における放電量が減少し、端部貫通孔114Bに対応する部位における放電量が、内側貫通孔114Aに対応する部位における放電量に近い値となる。即ち、帯電装置100では、端部貫通孔114Bにおける過剰な放電が抑制される。そして、抵抗層104及び導電層108の使用可能期間が比較例に比べて長くなる。   Further, in the charging device 100, when the discharge is performed in the end through hole 114B where there is no electrode adjacent on both sides in the hole arrangement direction (the discharge surface 104B is only on one side), the power supply layer 102 is formed on the resistance layer 104. No. For this reason (because there is the discharge limiting portion 130), the sneaking current I2 flows through the resistance layer 104 on the end through hole 114B. Here, the current I2 has a smaller current value than the current I3 (see FIG. 5B). For this reason, compared with the charging device 300 of the comparative example (see FIG. 5B), the charging device 100 has a reduced discharge amount at a portion corresponding to the end through hole 114B, and corresponds to the end through hole 114B. The amount of discharge in the part is a value close to the amount of discharge in the part corresponding to the inner through hole 114A. That is, in the charging device 100, excessive discharge in the end through hole 114B is suppressed. The usable period of the resistance layer 104 and the conductive layer 108 is longer than that in the comparative example.

さらに、帯電装置100では、抵抗層104に比べて面積の小さい給電層102を形成するだけでよいので、抵抗層104から導電層108までの構造を変更する構成に比べて、帯電装置100の製造が容易となる。   Further, in the charging device 100, it is only necessary to form the power feeding layer 102 having a smaller area compared to the resistance layer 104. Becomes easy.

加えて、図1に示す画像形成装置10では、帯電装置100(図2(A)参照)における長手方向の端部の過剰な放電が抑制されるので、帯電した感光体22の軸方向端部での現像剤の付着量が減少することが抑制される。これにより、放電制限部130を有していない構成に比べて、画像形成領域における幅方向(搬送方向と交差する方向)の中央部と端部との画像濃度の差である画像むらが低減される。   In addition, in the image forming apparatus 10 shown in FIG. 1, since excessive discharge at the end in the longitudinal direction in the charging device 100 (see FIG. 2A) is suppressed, the end in the axial direction of the charged photosensitive member 22 is suppressed. It is possible to suppress the decrease in the amount of the developer deposited on the surface. As a result, image unevenness, which is a difference in image density between the center portion and the end portion in the width direction (direction intersecting the transport direction) in the image forming region, is reduced compared to a configuration that does not include the discharge limiting unit 130. The

なお、上記の放電制限部130についての説明では、貫通孔114(内側貫通孔114A、端部貫通孔114B)の配列方向がX方向となっていたが、Y方向においても同様の作用が得られる。このため、放電制限部130におけるY方向の説明は省略する。また、以後の他の実施形態における放電制限部についても、Y方向の説明は省略する。   In the description of the discharge limiting portion 130 described above, the arrangement direction of the through holes 114 (the inner through holes 114A and the end through holes 114B) is the X direction, but the same effect can be obtained in the Y direction. . For this reason, description of the Y direction in the discharge limiting unit 130 is omitted. In addition, the description in the Y direction is also omitted for the discharge limiting unit in other embodiments hereinafter.

(第2実施形態)
次に、本発明の第2実施形態に係る帯電装置及び画像形成装置の一例について説明する。なお、前述した第1実施形態と基本的に同一の部材及び部位には、前記第1実施形態と同一の符号を付与してその説明を省略する。
(Second Embodiment)
Next, an example of a charging device and an image forming apparatus according to the second embodiment of the present invention will be described. Note that the same reference numerals as those in the first embodiment are given to the same members and parts as those in the first embodiment described above, and the description thereof is omitted.

図6には、第2実施形態の帯電装置140が示されている。帯電装置140は、既述の帯電装置100(図2(A)参照)において、放電制限部130に換えて放電制限手段の一例としての放電制限部150が設けられている。なお、放電制限部150を除く他の部位については、帯電装置100と同様の構成であるため、説明を省略する。   FIG. 6 shows a charging device 140 according to the second embodiment. The charging device 140 is provided with a discharge limiting unit 150 as an example of a discharge limiting unit in place of the discharge limiting unit 130 in the above-described charging device 100 (see FIG. 2A). Since the other parts except the discharge limiting unit 150 have the same configuration as the charging device 100, the description thereof is omitted.

帯電装置140は、対向電極部152を有しており、対向電極部152は、感光体22(図1参照)に対して遠い側から近い側へ、被電圧印加部の一例としての給電層154と、第1電極の一例としての抵抗層156と、絶縁層106と、導電層108とが積層された構成となっている。そして、抵抗層156、絶縁層106、及び導電層108によって放電部142が構成されている。なお、給電層154は給電層102(図2(A)参照)と同様の材料で構成されており、抵抗層156は抵抗層104(図2(A)参照)と同様の材料で構成されている。   The charging device 140 includes a counter electrode unit 152, and the counter electrode unit 152 is a power supply layer 154 as an example of a voltage application unit from the far side to the near side with respect to the photoreceptor 22 (see FIG. 1). In addition, a resistance layer 156 as an example of the first electrode, an insulating layer 106, and a conductive layer 108 are stacked. The resistance layer 156, the insulating layer 106, and the conductive layer 108 constitute a discharge portion 142. Note that the power feeding layer 154 is made of the same material as that of the power feeding layer 102 (see FIG. 2A), and the resistance layer 156 is made of the same material as that of the resistance layer 104 (see FIG. 2A). Yes.

放電制限部150は、抵抗層156における給電層154との接触面156Dから貫通孔114に露出する放電面156Eまでの電気抵抗を、端部貫通孔114Bにおいて内側貫通孔114Aよりも大として構成されている。そして、給電層154及び導電層108には、電圧印加部112(図2(A)参照)が接続されている。   The discharge limiting portion 150 is configured such that the electrical resistance from the contact surface 156D of the resistance layer 156 with the power feeding layer 154 to the discharge surface 156E exposed to the through hole 114 is larger in the end through hole 114B than in the inner through hole 114A. ing. A voltage application unit 112 (see FIG. 2A) is connected to the power feeding layer 154 and the conductive layer 108.

給電層154は、境界線Kを境にして、内側貫通孔114Aが配置されている中央部154Aと、端部貫通孔114Bが配置されている外周部154Bとを有している。また、給電層154は、内側貫通孔114A及び端部貫通孔114Bの配列方向(X方向又はY方向)において、中央部154AのZ方向の厚みが外周部154BのZ方向の厚みに比べて厚みd1だけ下側に厚くなっており、L字状の段差部154Cが形成されている。   The power feeding layer 154 has a central portion 154A where the inner through hole 114A is disposed and an outer peripheral portion 154B where the end through hole 114B is disposed, with the boundary line K as a boundary. Further, in the power feeding layer 154, the thickness in the Z direction of the central portion 154A is larger than the thickness in the Z direction of the outer peripheral portion 154B in the arrangement direction (X direction or Y direction) of the inner through holes 114A and the end through holes 114B. It is thicker on the lower side by d1, and an L-shaped step portion 154C is formed.

抵抗層156は、境界線Kを境にして、内側貫通孔114Aが配置されている中央部156Aと、端部貫通孔114Bが配置されている外周部156Bとを有している。また、抵抗層156は、内側貫通孔114A及び端部貫通孔114Bの配列方向(X方向又はY方向)において、外周部156BのZ方向の厚みが中央部156AのZ方向の厚みに比べて厚みd1だけ上側に厚くなっており、L字状の段差部156Cが形成されている。そして、対向電極部152のX−Z面に沿った断面では、給電層154の段差部154Cと、抵抗層156の段差部156Cとが接触した状態で積層されている。   The resistance layer 156 has a central portion 156A where the inner through hole 114A is disposed and an outer peripheral portion 156B where the end through hole 114B is disposed with the boundary line K as a boundary. Further, the resistance layer 156 has a thickness in the Z direction of the outer peripheral portion 156B that is larger than the thickness of the central portion 156A in the Z direction in the arrangement direction (X direction or Y direction) of the inner through hole 114A and the end through hole 114B. It is thicker on the upper side by d1, and an L-shaped step 156C is formed. Then, in the cross section along the XZ plane of the counter electrode portion 152, the stepped portion 154C of the power feeding layer 154 and the stepped portion 156C of the resistance layer 156 are stacked.

なお、厚みd1は、放電時に1箇所の内側貫通孔114Aに対応する中央部156Aを流れる電流と、放電時に1箇所の端部貫通孔114Bに対応する外周部156Bを流れる電流とが同程度の電流値となるように、予め設定された厚みである。   The thickness d1 is such that the current flowing through the central portion 156A corresponding to the one inner through hole 114A during discharge and the current flowing through the outer peripheral portion 156B corresponding to the one end through hole 114B during discharge are approximately the same. The thickness is set in advance so that the current value is obtained.

(作用)
次に、第2実施形態の作用について説明する。
(Function)
Next, the operation of the second embodiment will be described.

帯電装置140は、電圧印加部112(図2(A)参照)によって、給電層154及び導電層108に電圧が印加され、抵抗層156と導電層108との間の電位差がΔV1(図2(B)参照)、導電層108と感光体22との間の電位差がΔV2(図2(B)参照)となる。   In the charging device 140, a voltage is applied to the power feeding layer 154 and the conductive layer 108 by the voltage application unit 112 (see FIG. 2A), and a potential difference between the resistance layer 156 and the conductive layer 108 is ΔV1 (see FIG. B)), the potential difference between the conductive layer 108 and the photosensitive member 22 is ΔV2 (see FIG. 2B).

続いて、図7(A)に示すように、帯電装置140では、抵抗層156(放電面156E)と導電層108の孔壁108Aとの間で放電(矢印Dで示す)が発生し、荷電粒子Eが生成される。そして、生成された荷電粒子Eは、導電層108と感光体22との間の電位差ΔV2(図2(B)参照)により生じる電界の作用によって感光体22の外周面に移動する。このようにして感光体22の外周面が帯電される。   Subsequently, as shown in FIG. 7A, in the charging device 140, a discharge (indicated by an arrow D) is generated between the resistance layer 156 (discharge surface 156E) and the hole wall 108A of the conductive layer 108, and the charging device 140 is charged. Particles E are generated. The generated charged particles E move to the outer peripheral surface of the photoconductor 22 by the action of an electric field generated by the potential difference ΔV2 between the conductive layer 108 and the photoconductor 22 (see FIG. 2B). In this way, the outer peripheral surface of the photoreceptor 22 is charged.

ここで、図7(B)に示すように、帯電装置140では、孔の配列方向の両側で隣り合う電極(放電面156E)がある内側貫通孔114Aにおいて放電が行われるとき、抵抗層156の中央部156Aに、給電層154の直下に向かう電流I1と、直下以外から回り込む電流I2とが流れる。そして、回り込む電流I2については、隣の電極(ここでは内側貫通孔114A及び端部貫通孔114B)と分け合うことになる。   Here, as shown in FIG. 7B, in the charging device 140, when the discharge is performed in the inner through hole 114A having the adjacent electrodes (discharge surfaces 156E) on both sides in the hole arrangement direction, A current I1 directed directly below the power supply layer 154 and a current I2 sneaking from other than directly below flow through the central portion 156A. Then, the sneaking current I2 is shared with the adjacent electrode (here, the inner through hole 114A and the end through hole 114B).

また、帯電装置140では、孔の配列方向の両側で隣り合う電極が無い(放電面156Eが片側だけある)端部貫通孔114Bにおいて放電が行われるとき、抵抗層156の外周部156Bの厚みが中央部156Aの厚みよりも厚くなっているため(放電制限部150があるため)、端部貫通孔114B上の抵抗層156(外周部156B)には、電流I2、I1´、I2´が流れる。   Further, in the charging device 140, when the discharge is performed in the end through hole 114B where there is no adjacent electrode on both sides in the hole arrangement direction (the discharge surface 156E is only on one side), the thickness of the outer peripheral portion 156B of the resistance layer 156 is Since it is thicker than the thickness of the central portion 156A (because there is the discharge limiting portion 150), currents I2, I1 ', and I2' flow through the resistance layer 156 (outer peripheral portion 156B) on the end through hole 114B. .

ここで、電流I1´、I2´は電流I1、I3(図5(B)参照)よりも少ない電流値である。このため、帯電装置140は、比較例の帯電装置300(図5(B)参照)に比べて、端部貫通孔114Bに対応する部位における放電量が減少し、端部貫通孔114Bに対応する部位における放電量が、内側貫通孔114Aに対応する部位における放電量に近い値となる。即ち、帯電装置140では、端部貫通孔114Bにおける過剰な放電が抑制される。そして、抵抗層156及び導電層108の使用可能期間が比較例に比べて長くなる。   Here, the currents I1 ′ and I2 ′ have smaller current values than the currents I1 and I3 (see FIG. 5B). For this reason, compared with the charging device 300 of the comparative example (see FIG. 5B), the charging device 140 has a reduced discharge amount at a portion corresponding to the end through hole 114B and corresponds to the end through hole 114B. The amount of discharge in the part is a value close to the amount of discharge in the part corresponding to the inner through hole 114A. That is, in the charging device 140, excessive discharge in the end through hole 114B is suppressed. The usable period of the resistance layer 156 and the conductive layer 108 is longer than that in the comparative example.

さらに、帯電装置140では、抵抗層156の外周部156Bの厚さを厚くし、且つ給電層154を抵抗層156を覆うように形成するだけでよいので、抵抗層156から導電層108までの構造を変更する構成に比べて、帯電装置140の製造が容易となる。   Further, in the charging device 140, the outer peripheral portion 156B of the resistance layer 156 only needs to be thickened, and the power feeding layer 154 only needs to be formed so as to cover the resistance layer 156. Therefore, the structure from the resistance layer 156 to the conductive layer 108 is sufficient. As compared with the configuration in which the charging device 140 is changed, the charging device 140 can be easily manufactured.

加えて、帯電装置140を有する画像形成装置10(図1参照)では、帯電装置140における長手方向の端部の過剰な放電が抑制されるので、帯電した感光体22の軸方向端部での現像剤の付着量が減少することが抑制される。これにより、放電制限部150を有していない構成に比べて、画像形成領域における幅方向(搬送方向と交差する方向)の中央部と端部との画像濃度の差である画像むらが低減される。   In addition, in the image forming apparatus 10 having the charging device 140 (see FIG. 1), excessive discharge at the end portion in the longitudinal direction of the charging device 140 is suppressed, so that the charged photosensitive member 22 at the end portion in the axial direction is suppressed. It is possible to suppress a decrease in the amount of developer attached. As a result, image unevenness, which is a difference in image density between the central portion and the end portion in the width direction (direction intersecting the transport direction) in the image forming region, is reduced as compared with a configuration that does not include the discharge limiting unit 150. The

(第3実施形態)
次に、本発明の第3実施形態に係る帯電装置及び画像形成装置の一例について説明する。なお、前述した第1実施形態と基本的に同一の部材及び部位には、前記第1実施形態と同一の符号を付与してその説明を省略する。
(Third embodiment)
Next, an example of a charging device and an image forming apparatus according to the third embodiment of the present invention will be described. Note that the same reference numerals as those in the first embodiment are given to the same members and parts as those in the first embodiment described above, and the description thereof is omitted.

図8には、第3実施形態の帯電装置160が示されている。帯電装置160は、既述の帯電装置100(図2(A)参照)において、放電制限部130に換えて放電制限手段の一例としての放電制限部170が設けられている。なお、放電制限部170を除く他の部位については、帯電装置100と同様の構成であるため、説明を省略する。   FIG. 8 shows a charging device 160 of the third embodiment. The charging device 160 is provided with a discharge limiting unit 170 as an example of a discharge limiting unit in place of the discharge limiting unit 130 in the above-described charging device 100 (see FIG. 2A). Since the other parts except the discharge limiting unit 170 have the same configuration as the charging device 100, description thereof will be omitted.

帯電装置160は、対向電極部172を有しており、対向電極部172は、感光体22(図1参照)に対して遠い側から近い側へ、給電層102と、第1電極の一例としての第1抵抗層174及び第2抵抗層175と、絶縁層106と、導電層108とが積層された構成となっている。そして、第1抵抗層174、絶縁層106、及び導電層108によって第1放電部162が構成され、第2抵抗層175、絶縁層106、及び導電層108によって第2放電部164が構成されている。   The charging device 160 has a counter electrode part 172. The counter electrode part 172 is an example of the power supply layer 102 and the first electrode from the far side to the near side with respect to the photoreceptor 22 (see FIG. 1). The first resistance layer 174 and the second resistance layer 175, the insulating layer 106, and the conductive layer 108 are stacked. The first discharge layer 162 is configured by the first resistance layer 174, the insulating layer 106, and the conductive layer 108, and the second discharge unit 164 is configured by the second resistance layer 175, the insulating layer 106, and the conductive layer 108. Yes.

放電制限部170は、第2抵抗層175における給電層102との接触面175Bから端部貫通孔114Bに露出する放電面175Aまでの電気抵抗を、第1抵抗層174における給電層102との接触面174Bから内側貫通孔114Aに露出する放電面174Aまでの電気抵抗よりも大として構成されている。そして、給電層102及び導電層108には、電圧印加部112(図2(A)参照)が接続されている。   The discharge limiting unit 170 determines the electrical resistance from the contact surface 175B with the power supply layer 102 in the second resistance layer 175 to the discharge surface 175A exposed in the end through hole 114B with the contact with the power supply layer 102 in the first resistance layer 174. The electrical resistance from the surface 174B to the discharge surface 174A exposed to the inner through hole 114A is set to be larger. A voltage application unit 112 (see FIG. 2A) is connected to the power feeding layer 102 and the conductive layer 108.

第1抵抗層174は、抵抗層104(図3(A)参照)における境界線Kよりも外側が取り除かれた構成となっており、材質や厚みは抵抗層104と同様である。また、第1抵抗層174は、放電面174Aが内側貫通孔114Aに露出している。   The first resistance layer 174 has a structure in which the outer side of the boundary line K in the resistance layer 104 (see FIG. 3A) is removed, and the material and thickness are the same as those of the resistance layer 104. Further, the discharge surface 174A of the first resistance layer 174 is exposed to the inner through hole 114A.

第2抵抗層175は、第1抵抗層174と同じ厚みで、第1抵抗層174の境界線KよりもX方向及びY方向で外側に設けられており、給電層102と絶縁層106とで挟まれると共に放電面175Aが端部貫通孔114Bに露出している。また、第2抵抗層175は、放電時に1箇所の内側貫通孔114Aに対応する部位を流れる電流と、放電時に1箇所の端部貫通孔114Bに対応する部位を流れる電流とが同程度の電流値となるように、第2抵抗層175の端部貫通孔114Bと対向する領域の体積抵抗率(電気抵抗率)が、第1抵抗層174の体積抵抗率(電気抵抗率)よりも高く設定されている。   The second resistance layer 175 has the same thickness as the first resistance layer 174 and is provided outside the boundary line K of the first resistance layer 174 in the X direction and the Y direction. The discharge surface 175A is exposed to the end through hole 114B while being sandwiched. The second resistance layer 175 has a current that is approximately equal to the current that flows through a portion corresponding to one inner through hole 114A during discharge and the current that flows through a portion corresponding to one end through hole 114B during discharge. The volume resistivity (electric resistivity) of the region facing the end through hole 114B of the second resistance layer 175 is set to be higher than the volume resistivity (electric resistivity) of the first resistance layer 174 so as to be a value. Has been.

(作用)
次に、第3実施形態の作用について説明する。
(Function)
Next, the operation of the third embodiment will be described.

帯電装置160は、電圧印加部112(図2(A)参照)によって、給電層102及び導電層108に電圧が印加され、第1抵抗層174及び第2抵抗層175と導電層108との間の電位差がΔV1(図2(B)参照)、導電層108と感光体22との間の電位差がΔV2(図2(B)参照)となる。   In the charging device 160, a voltage is applied to the power feeding layer 102 and the conductive layer 108 by the voltage application unit 112 (see FIG. 2A), and the first resistance layer 174, the second resistance layer 175, and the conductive layer 108 are connected. Is equal to ΔV1 (see FIG. 2B), and the potential difference between the conductive layer 108 and the photosensitive member 22 is ΔV2 (see FIG. 2B).

続いて、図9(A)に示すように、帯電装置160では、第1抵抗層174の放電面174Aと導電層108の孔壁108Aとの間、及び第2抵抗層175の放電面175Aと導電層108の孔壁108Aとの間で放電(矢印Dで示す)が発生し、荷電粒子Eが生成される。そして、生成された荷電粒子Eは、導電層108と感光体22との間の電位差ΔV2(図2(B)参照)により生じる電界の作用によって感光体22の外周面に移動する。このようにして感光体22の外周面が帯電される。   Subsequently, as shown in FIG. 9A, in the charging device 160, the discharge surface 174A of the first resistance layer 174 and the hole wall 108A of the conductive layer 108, and the discharge surface 175A of the second resistance layer 175 Discharge (indicated by arrow D) occurs between the hole wall 108A of the conductive layer 108 and charged particles E are generated. The generated charged particles E move to the outer peripheral surface of the photoconductor 22 by the action of an electric field generated by the potential difference ΔV2 between the conductive layer 108 and the photoconductor 22 (see FIG. 2B). In this way, the outer peripheral surface of the photoreceptor 22 is charged.

ここで、図9(B)に示すように、帯電装置160では、孔の配列方向の両側で隣り合う電極(放電面174A)がある内側貫通孔114Aにおいて放電が行われるとき、第1抵抗層174に、給電層102の直下に向かう電流I1と、直下以外から回り込む電流I2とが流れる。そして、回り込む電流I2については、隣の電極(ここでは内側貫通孔114Aの放電面174A及び端部貫通孔114Bの放電面175A)と分け合うことになる。   Here, as shown in FIG. 9B, in the charging device 160, when the discharge is performed in the inner through hole 114A having the electrodes (discharge surfaces 174A) adjacent on both sides in the hole arrangement direction, the first resistance layer In 174, a current I1 directed directly below the power feeding layer 102 and a current I2 flowing from other than directly below flow. The sneaking current I2 is shared with the adjacent electrodes (here, the discharge surface 174A of the inner through hole 114A and the discharge surface 175A of the end through hole 114B).

また、帯電装置160では、孔の配列方向の両側で隣り合う電極が無い(放電面175Aが片側だけある)端部貫通孔114Bにおいて放電が行われるとき、第2抵抗層175の体積抵抗率が第1抵抗層174の体積抵抗率よりも高くなっているため(放電制限部170があるため)、端部貫通孔114B上の第2抵抗層175には、電流I4、I5、I6が流れる。   Further, in the charging device 160, when the discharge is performed in the end through hole 114B where there is no adjacent electrode on both sides in the hole arrangement direction (the discharge surface 175A is only on one side), the volume resistivity of the second resistance layer 175 is Since it is higher than the volume resistivity of the first resistance layer 174 (because there is the discharge limiting portion 170), currents I4, I5, and I6 flow through the second resistance layer 175 on the end through hole 114B.

ここで、電流I5は電流I2よりも僅かに小さく、電流I4は電流I1よりも僅かに小さく、電流I6は電流I3(図5(B)参照)よりも小さい電流である。このため、帯電装置160は、比較例の帯電装置300(図5(B)参照)に比べて、端部貫通孔114Bに対応する部位における放電量が減少し、端部貫通孔114Bに対応する部位における放電量が、内側貫通孔114Aに対応する部位における放電量に近い値となる。即ち、帯電装置160では、端部貫通孔114Bにおける過剰な放電が抑制される。そして、抵抗層174及び導電層108の使用可能期間が比較例に比べて長くなる。   Here, the current I5 is slightly smaller than the current I2, the current I4 is slightly smaller than the current I1, and the current I6 is smaller than the current I3 (see FIG. 5B). For this reason, compared with the charging device 300 of the comparative example (see FIG. 5B), the charging device 160 has a reduced discharge amount at a portion corresponding to the end through hole 114B, and corresponds to the end through hole 114B. The amount of discharge in the part is a value close to the amount of discharge in the part corresponding to the inner through hole 114A. That is, in the charging device 160, excessive discharge in the end through hole 114B is suppressed. The usable period of the resistance layer 174 and the conductive layer 108 is longer than that in the comparative example.

さらに、帯電装置160では、第1抵抗層174の外側に第2抵抗層175を配置するだけでよいので、第1抵抗層174及び第2抵抗層175から導電層108までの構造を変更する構成に比べて、帯電装置160の製造が容易となる。   Further, in the charging device 160, the second resistance layer 175 only needs to be disposed outside the first resistance layer 174, so that the structure from the first resistance layer 174 and the second resistance layer 175 to the conductive layer 108 is changed. Compared to the above, the manufacturing of the charging device 160 is facilitated.

加えて、帯電装置160を有する画像形成装置10(図1参照)では、帯電装置160における長手方向の端部の過剰な放電が抑制されるので、帯電した感光体22の軸方向端部での現像剤の付着量が減少することが抑制される。これにより、放電制限部170を有していない構成に比べて、画像形成領域における幅方向(搬送方向と交差する方向)の中央部と端部との画像濃度の差である画像むらが低減される。   In addition, in the image forming apparatus 10 having the charging device 160 (see FIG. 1), excessive discharge at the end portion in the longitudinal direction of the charging device 160 is suppressed, so that the axial end portion of the charged photoreceptor 22 is suppressed. It is possible to suppress a decrease in the adhesion amount of the developer. As a result, image unevenness, which is a difference in image density between the central portion and the end portion in the width direction (direction intersecting the transport direction) in the image forming region, is reduced as compared with a configuration that does not include the discharge limiting portion 170. The

(第4実施形態)
次に、本発明の第4実施形態に係る帯電装置及び画像形成装置の一例について説明する。なお、前述した第1実施形態と基本的に同一の部材及び部位には、前記第1実施形態と同一の符号を付与してその説明を省略する。
(Fourth embodiment)
Next, an example of a charging device and an image forming apparatus according to the fourth embodiment of the present invention will be described. Note that the same reference numerals as those in the first embodiment are given to the same members and parts as those in the first embodiment described above, and the description thereof is omitted.

図10には、第4実施形態の帯電装置180が示されている。帯電装置180は、既述の帯電装置100(図2(A)参照)において、放電制限部130に換えて放電制限手段の一例としての放電制限部190が設けられている。なお、放電制限部190を除く他の部位については、帯電装置100と同様の構成であるため、説明を省略する。   FIG. 10 shows a charging device 180 according to the fourth embodiment. The charging device 180 is provided with a discharge limiting unit 190 as an example of a discharge limiting unit in place of the discharge limiting unit 130 in the above-described charging device 100 (see FIG. 2A). Since the other parts except the discharge limiting unit 190 have the same configuration as the charging device 100, description thereof is omitted.

帯電装置180は、対向電極部192を有しており、対向電極部192は、感光体22(図1参照)に対して遠い側から近い側へ、給電層102と、抵抗層104と、絶縁層106と、導電層108とが積層された構成となっている。また、給電層102及び導電層108には、電圧印加部112(図2(A)参照)が接続されている。   The charging device 180 includes a counter electrode portion 192. The counter electrode portion 192 is insulated from the power supply layer 102, the resistance layer 104, and the insulating layer from the far side to the near side with respect to the photosensitive member 22 (see FIG. 1). The layer 106 and the conductive layer 108 are stacked. In addition, a voltage application unit 112 (see FIG. 2A) is connected to the power feeding layer 102 and the conductive layer 108.

放電制限部190は、抵抗層104と導電層108との間の放電距離を、配列方向(X方向又はY方向)の端部に形成された端部貫通孔194において、内側貫通孔114Aよりも長くして構成されている。詳細には、放電制限部190は、端部貫通孔194の直径D2を内側貫通孔114Aの直径D1よりも大きくすることで構成されている。そして、端部貫通孔194の直径D2は、1箇所の内側貫通孔114Aに対応する抵抗層104を流れる電流と、1箇所の端部貫通孔194に対応する抵抗層104を流れる電流とが、同程度の電流値となるように大きさが設定されている。   The discharge limiting unit 190 sets the discharge distance between the resistance layer 104 and the conductive layer 108 in the end through hole 194 formed at the end in the arrangement direction (X direction or Y direction) more than the inner through hole 114A. It is configured to be long. Specifically, the discharge limiting portion 190 is configured by making the diameter D2 of the end through hole 194 larger than the diameter D1 of the inner through hole 114A. The diameter D2 of the end through-hole 194 has a current flowing through the resistance layer 104 corresponding to the one inner through-hole 114A and a current flowing through the resistance layer 104 corresponding to the one end through-hole 194. The size is set so that the current value is about the same.

端部貫通孔194の直径D2が内側貫通孔114Aの直径D1よりも大きいことから、端部貫通孔194の縁は、第1実施形態で設定された境界線Kに対して内側貫通孔114Aの縁よりも近い位置にある。なお、端部貫通孔194の中心位置(図示省略)から境界線Kまでの距離は、内側貫通孔114Aの中心位置(図示省略)から境界線Kまでの距離と同じ距離となっている。   Since the diameter D2 of the end through hole 194 is larger than the diameter D1 of the inner through hole 114A, the edge of the end through hole 194 has an edge of the inner through hole 114A with respect to the boundary line K set in the first embodiment. Located closer to the edge. The distance from the center position (not shown) of the end through hole 194 to the boundary line K is the same as the distance from the center position (not shown) of the inner through hole 114A to the boundary line K.

(作用)
次に、第4実施形態の作用について説明する。
(Function)
Next, the operation of the fourth embodiment will be described.

帯電装置180は、電圧印加部112(図2(A)参照)によって、給電層102及び導電層108に電圧が印加され、抵抗層104と導電層108との間の電位差がΔV1(図2(B)参照)、導電層108と感光体22との間の電位差がΔV2(図2(B)参照)となる。   In the charging device 180, a voltage is applied to the power feeding layer 102 and the conductive layer 108 by the voltage application unit 112 (see FIG. 2A), and the potential difference between the resistance layer 104 and the conductive layer 108 is ΔV1 (see FIG. B)), the potential difference between the conductive layer 108 and the photosensitive member 22 is ΔV2 (see FIG. 2B).

続いて、図11(A)に示すように、帯電装置180では、内側貫通孔114Aにおける抵抗層104の放電面104Bと導電層108の孔壁108Aとの間で放電(矢印Dで示す)が発生し、端部貫通孔194における抵抗層104の放電面104Bと導電層108の孔壁108Bとの間で放電(矢印Daで示す)が発生する。これにより、荷電粒子Eが生成される。そして、生成された荷電粒子Eは、導電層108と感光体22との間の電位差ΔV2(図2(B)参照)により生じる電界の作用によって感光体22の外周面に移動する。このようにして感光体22の外周面が帯電される。   Subsequently, as shown in FIG. 11A, in the charging device 180, discharge (indicated by an arrow D) is generated between the discharge surface 104B of the resistance layer 104 and the hole wall 108A of the conductive layer 108 in the inner through hole 114A. And discharge (indicated by an arrow Da) occurs between the discharge surface 104B of the resistance layer 104 and the hole wall 108B of the conductive layer 108 in the end through hole 194. Thereby, charged particles E are generated. The generated charged particles E move to the outer peripheral surface of the photoconductor 22 by the action of an electric field generated by the potential difference ΔV2 between the conductive layer 108 and the photoconductor 22 (see FIG. 2B). In this way, the outer peripheral surface of the photoreceptor 22 is charged.

ここで、図11(B)に示すように、帯電装置180では、孔の配列方向の両側で隣り合う電極(放電面104B)がある内側貫通孔114Aにおいて放電が行われるとき、抵抗層104に、給電層102の直下に向かう電流I1と、直下以外から回り込む電流I2とが流れる。そして、回り込む電流I2については、隣の電極(ここでは内側貫通孔114A及び端部貫通孔194の放電面104B)と分け合うことになる。   Here, as shown in FIG. 11B, in the charging device 180, when the discharge is performed in the inner through hole 114A having the adjacent electrodes (discharge surface 104B) on both sides in the hole arrangement direction, Then, a current I1 directed directly below the power feeding layer 102 and a current I2 flowing from other than directly below flow. Then, the sneaking current I2 is shared with the adjacent electrode (here, the inner through hole 114A and the discharge surface 104B of the end through hole 194).

また、帯電装置180では、孔の配列方向の両側で隣り合う電極が無い(放電面104Bが片側だけある)端部貫通孔194において放電が行われるとき、端部貫通孔194の直径D2が内側貫通孔114Aの直径D1よりも大きくなっているため(放電制限部190があるため)、端部貫通孔194上の抵抗層104には、電流I2、I7、I8が流れる。   Further, in the charging device 180, when discharge is performed in the end through hole 194 that has no adjacent electrodes on both sides in the hole arrangement direction (the discharge surface 104B is only on one side), the diameter D2 of the end through hole 194 is set to the inner side. Since it is larger than the diameter D1 of the through hole 114A (because there is the discharge limiting portion 190), currents I2, I7, and I8 flow through the resistance layer 104 on the end through hole 194.

ここで、電流I7は電流I1よりも僅かに小さく、電流I8は電流I3(図5(B)参照)よりも小さい電流である。このため、帯電装置180は、比較例の帯電装置300(図5(B)参照)に比べて、端部貫通孔194に対応する部位における放電量が減少し、端部貫通孔194に対応する部位における放電量が、内側貫通孔114Aに対応する部位における放電量に近い値となる。即ち、帯電装置180では、端部貫通孔194における過剰な放電が抑制される。そして、抵抗層104及び導電層108の使用可能期間が比較例に比べて長くなる。   Here, the current I7 is slightly smaller than the current I1, and the current I8 is smaller than the current I3 (see FIG. 5B). For this reason, compared with the charging device 300 of the comparative example (see FIG. 5B), the charging device 180 has a reduced discharge amount at a portion corresponding to the end through hole 194 and corresponds to the end through hole 194. The amount of discharge in the part is a value close to the amount of discharge in the part corresponding to the inner through hole 114A. That is, in the charging device 180, excessive discharge in the end through hole 194 is suppressed. The usable period of the resistance layer 104 and the conductive layer 108 is longer than that in the comparative example.

また、帯電装置180では、感光体22(図11(A)参照)に近い側に放電制限部190が設けられているので、感光体22から遠い側にある給電層102又は抵抗層104を変更して端部における過剰な放電を抑制するものに比べて、放電状態の調整が容易となる。   Further, in the charging device 180, since the discharge limiting portion 190 is provided on the side closer to the photoreceptor 22 (see FIG. 11A), the power feeding layer 102 or the resistance layer 104 on the side far from the photoreceptor 22 is changed. As a result, the discharge state can be easily adjusted as compared with one that suppresses excessive discharge at the end.

さらに、帯電装置180では、内側貫通孔及び端部貫通孔が同じ直径で形成されている既存の対向電極部がある場合、その端部貫通孔の径を拡大するだけでよいので、既存の対向電極部が流用可能となるだけでなく、帯電装置180の製造が容易となる。   Further, in the charging device 180, when there is an existing counter electrode part in which the inner through hole and the end through hole are formed with the same diameter, it is only necessary to enlarge the diameter of the end through hole. Not only can the electrode portion be diverted, but also the charging device 180 can be easily manufactured.

加えて、帯電装置180を有する画像形成装置10(図1参照)では、帯電装置180における長手方向の端部の過剰な放電が抑制されるので、帯電した感光体22の軸方向端部での現像剤の付着量が減少することが抑制される。これにより、放電制限部190を有していない構成に比べて、画像形成領域における幅方向(搬送方向と交差する方向)の中央部と端部との画像濃度の差である画像むらが低減される。   In addition, in the image forming apparatus 10 having the charging device 180 (see FIG. 1), excessive discharge at the end portion in the longitudinal direction of the charging device 180 is suppressed, so that the axial end portion of the charged photoreceptor 22 is suppressed. It is possible to suppress a decrease in the amount of developer attached. As a result, image unevenness, which is a difference in image density between the center portion and the end portion in the width direction (direction intersecting the transport direction) in the image forming region, is reduced as compared with a configuration that does not include the discharge limiting unit 190. The

(第5実施形態)
次に、本発明の第5実施形態に係る帯電装置及び画像形成装置の一例について説明する。なお、前述した第1実施形態と基本的に同一の部材及び部位には、前記第1実施形態と同一の符号を付与してその説明を省略する。
(Fifth embodiment)
Next, an example of a charging device and an image forming apparatus according to the fifth embodiment of the present invention will be described. Note that the same reference numerals as those in the first embodiment are given to the same members and parts as those in the first embodiment described above, and the description thereof is omitted.

図12には、第5実施形態の帯電装置200が示されている。帯電装置200は、既述の帯電装置100(図2(A)参照)において、放電制限部130に換えて放電制限手段の一例としての放電制限部210が設けられている。なお、放電制限部210を除く他の部位については、帯電装置100と同様の構成であるため、説明を省略する。   FIG. 12 shows a charging device 200 according to the fifth embodiment. The charging device 200 is provided with a discharge limiting unit 210 as an example of a discharge limiting unit in place of the discharge limiting unit 130 in the above-described charging device 100 (see FIG. 2A). Since the other parts except the discharge limiting unit 210 have the same configuration as the charging device 100, the description thereof is omitted.

帯電装置200は、対向電極部212を有しており、対向電極部212は、感光体22(図1参照)に対して遠い側から近い側へ、給電層102と、抵抗層104と、絶縁層106と、導電層108とが積層された構成となっている。そして、給電層102及び導電層108には、電圧印加部112(図2(A)参照)が接続されている。   The charging device 200 includes a counter electrode portion 212. The counter electrode portion 212 is insulated from the power supply layer 102, the resistance layer 104, and the insulating layer from the far side to the near side with respect to the photosensitive member 22 (see FIG. 1). The layer 106 and the conductive layer 108 are stacked. A voltage application unit 112 (see FIG. 2A) is connected to the power feeding layer 102 and the conductive layer 108.

放電制限部210は、抵抗層104と導電層108との間の放電距離を、配列方向(X方向又はY方向)の端部に形成された端部貫通孔214において、内側貫通孔114Aよりも長くして構成されている。   The discharge limiting unit 210 sets the discharge distance between the resistance layer 104 and the conductive layer 108 in the end through hole 214 formed at the end in the arrangement direction (X direction or Y direction) more than the inner through hole 114A. It is configured to be long.

詳細には、放電制限部210は、絶縁層106に形成された第1貫通孔214Aと、導電層108に形成された第2貫通孔214Bとで構成された端部貫通孔214を有している。そして、放電制限部210は、導電層108の第2貫通孔214Bの直径D3を、絶縁層106の第1貫通孔214Aの直径D1よりも大きくすることで構成されている。そして、第2貫通孔214Bの直径D3は、1箇所の内側貫通孔114Aに対応する抵抗層104を流れる電流と、1箇所の端部貫通孔214に対応する抵抗層104を流れる電流とが、同程度の電流値となるように大きさが設定されている。   Specifically, the discharge limiting portion 210 has an end through-hole 214 composed of a first through-hole 214A formed in the insulating layer 106 and a second through-hole 214B formed in the conductive layer 108. Yes. The discharge limiting unit 210 is configured by making the diameter D3 of the second through hole 214B of the conductive layer 108 larger than the diameter D1 of the first through hole 214A of the insulating layer 106. The diameter D3 of the second through hole 214B is such that the current flowing through the resistance layer 104 corresponding to one inner through hole 114A and the current flowing through the resistance layer 104 corresponding to one end through hole 214 are: The size is set so that the current value is about the same.

第2貫通孔214Bの直径D3が内側貫通孔114Aの直径D1よりも大きいことから、端部貫通孔214の縁は、第1実施形態で設定された境界線Kに対して内側貫通孔114Aの縁よりも近い位置にある。なお、端部貫通孔214の中心位置(図示省略)から境界線Kまでの距離は、内側貫通孔114Aの中心位置(図示省略)から境界線Kまでの距離と同じ距離となっている。   Since the diameter D3 of the second through hole 214B is larger than the diameter D1 of the inner through hole 114A, the edge of the end through hole 214 has an edge of the inner through hole 114A with respect to the boundary line K set in the first embodiment. Located closer to the edge. The distance from the center position (not shown) of the end through hole 214 to the boundary line K is the same as the distance from the center position (not shown) of the inner through hole 114A to the boundary line K.

(作用)
次に、第5実施形態の作用について説明する。
(Function)
Next, the operation of the fifth embodiment will be described.

帯電装置200は、電圧印加部112(図2(A)参照)によって、給電層102及び導電層108に電圧が印加され、抵抗層104と導電層108との間の電位差がΔV1(図2(B)参照)、導電層108と感光体22との間の電位差がΔV2(図2(B)参照)となる。   In the charging device 200, a voltage is applied to the power feeding layer 102 and the conductive layer 108 by the voltage application unit 112 (see FIG. 2A), and a potential difference between the resistance layer 104 and the conductive layer 108 is ΔV1 (see FIG. B)), the potential difference between the conductive layer 108 and the photosensitive member 22 is ΔV2 (see FIG. 2B).

続いて、図13(A)に示すように、帯電装置200では、内側貫通孔114Aにおける抵抗層104の放電面104Bと導電層108の孔壁108Aとの間で放電(矢印Dで示す)が発生し、端部貫通孔214における抵抗層104の放電面104Bと導電層108の孔壁108Bとの間で放電(矢印Dbで示す)が発生する。これにより、荷電粒子Eが生成される。そして、生成された荷電粒子Eは、導電層108と感光体22との間の電位差ΔV2(図2(B)参照)により生じる電界の作用によって感光体22の外周面に移動する。このようにして感光体22の外周面が帯電される。   Subsequently, as shown in FIG. 13A, in the charging device 200, discharge (indicated by an arrow D) occurs between the discharge surface 104B of the resistance layer 104 and the hole wall 108A of the conductive layer 108 in the inner through hole 114A. And discharge (indicated by an arrow Db) occurs between the discharge surface 104B of the resistance layer 104 and the hole wall 108B of the conductive layer 108 in the end through-hole 214. Thereby, charged particles E are generated. The generated charged particles E move to the outer peripheral surface of the photoconductor 22 by the action of an electric field generated by the potential difference ΔV2 between the conductive layer 108 and the photoconductor 22 (see FIG. 2B). In this way, the outer peripheral surface of the photoreceptor 22 is charged.

ここで、図13(B)に示すように、帯電装置200では、孔の配列方向の両側で隣り合う電極(放電面104B)がある内側貫通孔114Aにおいて放電が行われるとき、抵抗層104に、給電層102の直下に向かう電流I1と、直下以外から回り込む電流I2とが流れる。そして、回り込む電流I2については、隣の電極(ここでは内側貫通孔114A及び端部貫通孔214の放電面104B)と分け合うことになる。   Here, as shown in FIG. 13B, in the charging device 200, when the discharge is performed in the inner through hole 114A having the electrodes (discharge surfaces 104B) adjacent on both sides in the hole arrangement direction, Then, a current I1 directed directly below the power feeding layer 102 and a current I2 flowing from other than directly below flow. The flowing current I2 is shared with the adjacent electrode (here, the discharge surface 104B of the inner through hole 114A and the end through hole 214).

また、帯電装置200では、孔の配列方向の両側で隣り合う電極が無い(放電面104Bが片側だけある)端部貫通孔214において放電が行われるとき、端部貫通孔214の第2貫通孔214Bの直径D3(図13(A)参照)が内側貫通孔114Aの直径D1(図13(A)参照)よりも大きくなっているため(放電制限部210があるため)、端部貫通孔214上の抵抗層104には、電流I2、I9、I10が流れる。   Further, in the charging device 200, when discharge is performed in the end through-hole 214 where there is no electrode adjacent on both sides in the hole arrangement direction (the discharge surface 104B is only on one side), the second through-hole of the end through-hole 214 is used. Since the diameter D3 (see FIG. 13A) of 214B is larger than the diameter D1 (see FIG. 13A) of the inner through-hole 114A (because there is the discharge restricting portion 210), the end through-hole 214 is provided. In the upper resistance layer 104, currents I2, I9, and I10 flow.

ここで、電流I9は電流I1よりも僅かに小さく、電流I10は電流I3(図5(B)参照)よりも小さい電流である。このため、帯電装置200は、比較例の帯電装置300(図5(B)参照)に比べて、端部貫通孔214に対応する部位における放電量が減少し、端部貫通孔214に対応する部位における放電量が、内側貫通孔114Aに対応する部位における放電量に近い値となる。即ち、帯電装置200では、端部貫通孔214における過剰な放電が抑制される。そして、抵抗層104及び導電層108の使用可能期間が比較例に比べて長くなる。   Here, the current I9 is slightly smaller than the current I1, and the current I10 is smaller than the current I3 (see FIG. 5B). For this reason, compared with the charging device 300 of the comparative example (see FIG. 5B), the charging device 200 has a reduced discharge amount at a portion corresponding to the end through hole 214 and corresponds to the end through hole 214. The amount of discharge in the part is a value close to the amount of discharge in the part corresponding to the inner through hole 114A. That is, in the charging device 200, excessive discharge in the end through hole 214 is suppressed. The usable period of the resistance layer 104 and the conductive layer 108 is longer than that in the comparative example.

また、帯電装置200では、感光体22(図13(A)参照)に近い側に放電制限部210が設けられているので、感光体22から遠い側にある給電層102又は抵抗層104を変更して端部における過剰な放電を抑制するものに比べて、放電状態の調整が容易となる。   Further, in the charging device 200, since the discharge limiting portion 210 is provided on the side close to the photoreceptor 22 (see FIG. 13A), the power feeding layer 102 or the resistance layer 104 on the side far from the photoreceptor 22 is changed. As a result, the discharge state can be easily adjusted as compared with one that suppresses excessive discharge at the end.

さらに、帯電装置200では、内側貫通孔及び端部貫通孔が同じ直径で形成されている既存の対向電極部がある場合、その端部貫通孔の導電層108側の径を拡大するだけでよいので、既存の対向電極部が流用可能となるだけでなく、帯電装置200の製造が容易となる。   Furthermore, in the charging device 200, when there is an existing counter electrode part in which the inner through hole and the end through hole are formed with the same diameter, it is only necessary to increase the diameter of the end through hole on the conductive layer 108 side. Therefore, not only the existing counter electrode part can be used, but also the charging device 200 can be easily manufactured.

加えて、帯電装置200を有する画像形成装置10(図1参照)では、帯電装置200における長手方向の端部の過剰な放電が抑制されるので、帯電した感光体22の軸方向端部での現像剤の付着量が減少することが抑制される。これにより、放電制限部210を有していない構成に比べて、画像形成領域における幅方向(搬送方向と交差する方向)の中央部と端部との画像濃度の差である画像むらが低減される。   In addition, in the image forming apparatus 10 having the charging device 200 (see FIG. 1), excessive discharge at the end portion in the longitudinal direction of the charging device 200 is suppressed, so that the axial end portion of the charged photoreceptor 22 is suppressed. It is possible to suppress a decrease in the adhesion amount of the developer. As a result, image unevenness, which is a difference in image density between the center portion and the end portion in the width direction (direction intersecting the conveyance direction) in the image forming region, is reduced as compared with the configuration in which the discharge restriction unit 210 is not provided. The

(第6実施形態)
次に、本発明の第6実施形態に係る帯電装置及び画像形成装置の一例について説明する。なお、前述した第1実施形態と基本的に同一の部材及び部位には、前記第1実施形態と同一の符号を付与してその説明を省略する。
(Sixth embodiment)
Next, an example of a charging device and an image forming apparatus according to the sixth embodiment of the present invention will be described. Note that the same reference numerals as those in the first embodiment are given to the same members and parts as those in the first embodiment described above, and the description thereof is omitted.

図14には、第6実施形態の帯電装置220が示されている。帯電装置220は、既述の帯電装置100(図2(A)参照)において、放電制限部130に換えて放電制限手段の一例としての放電制限部230が設けられている。なお、放電制限部230を除く他の部位については、帯電装置100と同様の構成であるため、説明を省略する。   FIG. 14 shows a charging device 220 of the sixth embodiment. The charging device 220 is provided with a discharge limiting unit 230 as an example of a discharge limiting unit in place of the discharge limiting unit 130 in the above-described charging device 100 (see FIG. 2A). Since the other parts except the discharge limiting unit 230 have the same configuration as the charging device 100, the description thereof is omitted.

帯電装置220は、対向電極部232を有しており、対向電極部232は、感光体22(図1参照)に対して遠い側から近い側へ、給電層102と、第1電極の一例としての抵抗層234と、絶縁体の一例としての絶縁層236と、導電層108とが積層された構成となっている。そして、抵抗層234、絶縁層236、及び導電層108によって放電部222が構成されている。また、給電層102及び導電層108には、電圧印加部112(図2(A)参照)が接続されている。抵抗層234は、抵抗層104(図2(A)参照)と同様の材料で構成されており、絶縁層236は、絶縁層106(図2(A)参照)と同様の材料で構成されている。   The charging device 220 includes a counter electrode portion 232, and the counter electrode portion 232 is an example of the power supply layer 102 and the first electrode from the far side to the near side with respect to the photoreceptor 22 (see FIG. 1). The resistance layer 234, the insulating layer 236 as an example of an insulator, and the conductive layer 108 are stacked. The resistance layer 234, the insulating layer 236, and the conductive layer 108 constitute the discharge portion 222. In addition, a voltage application unit 112 (see FIG. 2A) is connected to the power feeding layer 102 and the conductive layer 108. The resistance layer 234 is formed using a material similar to that of the resistance layer 104 (see FIG. 2A), and the insulating layer 236 is formed using a material similar to that of the insulating layer 106 (see FIG. 2A). Yes.

放電制限部230は、抵抗層234と導電層108との間の放電距離を、配列方向(X方向又はY方向)の端部に形成された端部貫通孔114Bにおいて、内側貫通孔114Aよりも長くして構成されている。詳細には、放電制限部230は、配列方向における絶縁層236の端部236Bの厚みを中央部236Aの厚みよりもd2だけ厚くすることで構成されている。   The discharge limiting unit 230 sets the discharge distance between the resistance layer 234 and the conductive layer 108 in the end through hole 114B formed at the end in the arrangement direction (X direction or Y direction) more than the inner through hole 114A. It is configured to be long. Specifically, the discharge limiting portion 230 is configured by making the thickness of the end portion 236B of the insulating layer 236 in the arrangement direction thicker by d2 than the thickness of the central portion 236A.

抵抗層234は、境界線Kを境にして、内側貫通孔114Aが配置されている中央部234Aと、端部貫通孔114Bが配置されている外周部234Bとを有している。また、抵抗層234は、内側貫通孔114A及び端部貫通孔114Bの配列方向において、中央部234AのZ方向の厚みと外周部234BのZ方向の厚みが同じ厚みとなっており、L字状の段差部234C、234Eが形成されている。即ち、外周部234Bが中央部234Aに比べて厚みd2だけ給電層102に食い込んだ形状となっている。   The resistance layer 234 has a central portion 234A where the inner through hole 114A is disposed and an outer peripheral portion 234B where the end through hole 114B is disposed with the boundary line K as a boundary. In addition, the resistance layer 234 has an L-shape in which the thickness in the Z direction of the central portion 234A and the thickness in the Z direction of the outer peripheral portion 234B are the same in the arrangement direction of the inner through holes 114A and the end through holes 114B. Step portions 234C and 234E are formed. That is, the outer peripheral portion 234B has a shape in which the thickness d2 is cut into the power feeding layer 102 as compared with the central portion 234A.

絶縁層236は、境界線Kを境にして、内側貫通孔114Aが配置されている中央部236Aと、端部貫通孔114Bが配置されている外周部236Bとを有している。また、絶縁層236は、内側貫通孔114A及び端部貫通孔114Bの配列方向において、外周部236BのZ方向の厚みが中央部236AのZ方向の厚みに比べて厚みd2だけ上側に厚くなっており、L字状の段差部236Cが形成されている。そして、対向電極部232のX−Z面に沿った断面では、抵抗層234の段差部234Cと、絶縁層236の段差部236Cとが接触した状態で積層されている。   The insulating layer 236 has a central portion 236A where the inner through hole 114A is disposed and an outer peripheral portion 236B where the end through hole 114B is disposed with the boundary line K as a boundary. Further, in the arrangement direction of the inner through hole 114A and the end through hole 114B, the insulating layer 236 has a thickness in the Z direction of the outer peripheral part 236B that is thicker than the thickness of the central part 236A in the Z direction by a thickness d2. In addition, an L-shaped step portion 236C is formed. In the cross section along the XZ plane of the counter electrode part 232, the stepped part 234C of the resistance layer 234 and the stepped part 236C of the insulating layer 236 are stacked in contact with each other.

なお、厚みd2は、放電時に1箇所の内側貫通孔114Aに対応する中央部234Aを流れる電流と、放電時に1箇所の端部貫通孔114Bに対応する外周部234Bを流れる電流とが同程度の電流値となるように、予め設定された厚みである。   The thickness d2 is such that the current flowing through the central portion 234A corresponding to the one inner through-hole 114A during discharge and the current flowing through the outer peripheral portion 234B corresponding to the one end through-hole 114B during discharge are comparable. The thickness is set in advance so that the current value is obtained.

(作用)
次に、第6実施形態の作用について説明する。
(Function)
Next, the operation of the sixth embodiment will be described.

帯電装置220は、電圧印加部112(図2(A)参照)によって、給電層102及び導電層108に電圧が印加され、抵抗層234と導電層108との間の電位差がΔV1(図2(B)参照)、導電層108と感光体22との間の電位差がΔV2(図2(B)参照)となる。   In the charging device 220, a voltage is applied to the power feeding layer 102 and the conductive layer 108 by the voltage application unit 112 (see FIG. 2A), and a potential difference between the resistance layer 234 and the conductive layer 108 is ΔV1 (see FIG. B)), the potential difference between the conductive layer 108 and the photosensitive member 22 is ΔV2 (see FIG. 2B).

続いて、図15(A)に示すように、帯電装置220では、内側貫通孔114Aにおける抵抗層234の放電面234Dと導電層108の孔壁108Aとの間で放電(矢印Dで示す)が発生し、端部貫通孔114Bにおける抵抗層234の放電面234Dと導電層108の孔壁108Bとの間で放電(矢印Dcで示す)が発生する。これにより、荷電粒子Eが生成される。そして、生成された荷電粒子Eは、導電層108と感光体22との間の電位差ΔV2(図2(B)参照)により生じる電界の作用によって感光体22の外周面に移動する。このようにして感光体22の外周面が帯電される。   Subsequently, as shown in FIG. 15A, in the charging device 220, discharge (indicated by an arrow D) occurs between the discharge surface 234D of the resistance layer 234 and the hole wall 108A of the conductive layer 108 in the inner through hole 114A. And discharge (indicated by an arrow Dc) occurs between the discharge surface 234D of the resistance layer 234 and the hole wall 108B of the conductive layer 108 in the end through hole 114B. Thereby, charged particles E are generated. The generated charged particles E move to the outer peripheral surface of the photoconductor 22 by the action of an electric field generated by the potential difference ΔV2 between the conductive layer 108 and the photoconductor 22 (see FIG. 2B). In this way, the outer peripheral surface of the photoreceptor 22 is charged.

ここで、図15(B)に示すように、帯電装置220では、孔の配列方向の両側で隣り合う電極(放電面234D)がある内側貫通孔114Aにおいて放電が行われるとき、抵抗層234に、給電層102の直下に向かう電流I1と、直下以外から回り込む電流I2とが流れる。そして、回り込む電流I2については、隣の電極(ここでは内側貫通孔114A及び端部貫通孔114Bの放電面234D)と分け合うことになる。   Here, as shown in FIG. 15B, in the charging device 220, when the discharge is performed in the inner through hole 114A having the adjacent electrodes (discharge surface 234D) on both sides in the hole arrangement direction, Then, a current I1 directed directly below the power feeding layer 102 and a current I2 flowing from other than directly below flow. The flowing current I2 is shared with the adjacent electrode (here, the discharge surface 234D of the inner through hole 114A and the end through hole 114B).

また、帯電装置220では、孔の配列方向の両側で隣り合う電極が無い(放電面234Dが片側だけある)端部貫通孔114Bにおいて放電が行われるとき、絶縁層236の外周部236Bの厚みが中央部236Aの厚みよりも厚くなっているため(放電制限部230があるため)、端部貫通孔114B上の抵抗層234(外周部234B)には、電流I2、I1、I11が流れる。   Further, in the charging device 220, when the discharge is performed in the end through hole 114B where there is no adjacent electrode on both sides in the hole arrangement direction (the discharge surface 234D is only on one side), the thickness of the outer peripheral portion 236B of the insulating layer 236 is Since it is thicker than the thickness of the central portion 236A (because there is the discharge limiting portion 230), currents I2, I1, and I11 flow through the resistance layer 234 (outer peripheral portion 234B) on the end through hole 114B.

ここで、電流I11は、電流I3(図5(B)参照)よりも少ない電流値となる。このため、帯電装置220は、比較例の帯電装置300(図5(B)参照)に比べて、端部貫通孔114Bに対応する部位における放電量が減少し、端部貫通孔114Bに対応する部位における放電量が、内側貫通孔114Aに対応する部位における放電量に近い値となる。即ち、帯電装置220では、端部貫通孔114Bにおける過剰な放電が抑制される。   Here, the current I11 has a smaller current value than the current I3 (see FIG. 5B). For this reason, compared with the charging device 300 of the comparative example (see FIG. 5B), the charging device 220 has a reduced discharge amount at a portion corresponding to the end through hole 114B and corresponds to the end through hole 114B. The amount of discharge in the part is a value close to the amount of discharge in the part corresponding to the inner through hole 114A. That is, in the charging device 220, excessive discharge in the end through hole 114B is suppressed.

また、帯電装置220では、感光体22(図15(A)参照)に近い側に放電制限部190が設けられているので、感光体22から遠い側にある給電層102又は抵抗層104を変更して端部における過剰な放電を抑制するものに比べて、放電状態の調整が容易となる。   Further, in the charging device 220, since the discharge limiting portion 190 is provided on the side closer to the photoreceptor 22 (see FIG. 15A), the power feeding layer 102 or the resistance layer 104 on the side far from the photoreceptor 22 is changed. As a result, the discharge state can be easily adjusted as compared with one that suppresses excessive discharge at the end.

さらに、帯電装置220を有する画像形成装置10(図1参照)では、帯電装置220における長手方向の端部の過剰な放電が抑制されるので、帯電した感光体22の軸方向端部での現像剤の付着量が減少することが抑制される。これにより、放電制限部230を有していない構成に比べて、画像形成領域における幅方向(搬送方向と交差する方向)の中央部と端部との画像濃度の差である画像むらが低減される。   Further, in the image forming apparatus 10 having the charging device 220 (see FIG. 1), excessive discharge at the end portion in the longitudinal direction of the charging device 220 is suppressed, so that development at the axial end portion of the charged photoconductor 22 is performed. It is suppressed that the adhesion amount of an agent decreases. As a result, image unevenness, which is a difference in image density between the central portion and the end portion in the width direction (direction intersecting the transport direction) in the image forming region, is reduced as compared with a configuration that does not include the discharge limiting unit 230. The

なお、本発明は上記の実施形態に限定されない。   In addition, this invention is not limited to said embodiment.

図16に示すように、第1実施形態から第6実施形態までを組み合わせた放電制限手段の一例としての放電制限部250を有する帯電装置240を用いてもよい。なお、前述した第1実施形態から第6実施形態までと基本的に同一の部材及び部位には、第1実施形態から第6実施形態までと同一の符号を付与してその説明を省略する。   As shown in FIG. 16, a charging device 240 having a discharge limiting unit 250 as an example of a discharge limiting unit that combines the first to sixth embodiments may be used. In addition, the same code | symbol as 1st Embodiment to 6th Embodiment is provided to the fundamentally same member and site | part as 1st Embodiment mentioned above to 6th Embodiment, and the description is abbreviate | omitted.

帯電装置240は、対向電極部252を有しており、対向電極部252は、境界線Kを境にして、内側貫通孔114Aが形成されている中央部252Aと、端部貫通孔254が形成されている外周部252Bとで構成されている。中央部252Aは、Z方向において感光体22から遠い側から近い側へ順に給電層102、厚みd3の抵抗層104、厚みd4の絶縁層236、導電層108が積層されている。また、外周部252Bは、Z方向において感光体22から遠い側から近い側へ順に厚みd5(>d3)の第2抵抗層175、厚みd6(>d4)の絶縁層236、導電層108が積層されている。   The charging device 240 has a counter electrode part 252, and the counter electrode part 252 is formed with a central part 252 </ b> A in which the inner through hole 114 </ b> A is formed and an end through hole 254 with the boundary line K as a boundary. And the outer peripheral portion 252B. In the central portion 252A, a power feeding layer 102, a resistance layer 104 having a thickness d3, an insulating layer 236 having a thickness d4, and a conductive layer 108 are stacked in this order from the side far from the photoreceptor 22 in the Z direction. In the outer peripheral portion 252B, a second resistance layer 175 having a thickness d5 (> d3), an insulating layer 236 having a thickness d6 (> d4), and a conductive layer 108 are stacked in this order from the side far from the photoreceptor 22 in the Z direction. Has been.

内側貫通孔114Aの直径はD1となっており、端部貫通孔254は、絶縁層236に形成された直径D4(>D1)の第1貫通孔254Aと、導電層108に形成された直径D5(>D4)の第2貫通孔254Bとで構成されている。このように、第1実施形態から第6実施形態までを組み合わせた放電制限部250を用いて端部貫通孔254における過剰な放電を抑制してもよい。   The diameter of the inner through hole 114A is D1, and the end through hole 254 includes a first through hole 254A having a diameter D4 (> D1) formed in the insulating layer 236 and a diameter D5 formed in the conductive layer 108. (> D4) second through hole 254B. Thus, you may suppress the excessive discharge in the edge part through-hole 254 using the discharge limiting part 250 which combined 1st Embodiment to 6th Embodiment.

また、抵抗層104をZ方向に2層として、高抵抗層及び抵抗調整層の2層構造としてもよい。例えば、高抵抗層(上層)を体積抵抗率1×10Ωcm、膜厚30μmとして、抵抗調整層(下層)を体積抵抗率1×10Ωcm、膜厚100μmとする。このようにして、高抵抗層で抵抗による放電制限効果を確保しつつ、給電層102からの厚みを厚くして耐圧性を向上させることで、放電電流の制限効果と経時安定性が両立される。そして、抵抗層104は、樹脂やゴムなどの有機材料に限らず、ガラス中に導電粒子を分散させた半導電性ガラスや、アルミ多孔質陽極酸化膜で構成してもよい。 Alternatively, the resistance layer 104 may be two layers in the Z direction, and a two-layer structure of a high resistance layer and a resistance adjustment layer may be used. For example, the high resistance layer (upper layer) has a volume resistivity of 1 × 10 9 Ωcm and a film thickness of 30 μm, and the resistance adjustment layer (lower layer) has a volume resistivity of 1 × 10 7 Ωcm and a film thickness of 100 μm. In this way, while ensuring the discharge limiting effect due to resistance in the high resistance layer, by increasing the thickness from the power feeding layer 102 and improving the pressure resistance, both the discharging current limiting effect and the stability over time are compatible. . The resistance layer 104 is not limited to organic materials such as resin and rubber, but may be composed of semiconductive glass in which conductive particles are dispersed in glass or an aluminum porous anodic oxide film.

さらに、4箇所の角部に配置された各端部貫通孔(114Bなど)について、X方向の放電制限部とY方向の放電制限部とを組み合わせた構成としてもよい。   Furthermore, it is good also as a structure which combined the discharge limiting part of X direction and the discharge limiting part of Y direction about each edge part through-hole (114B etc.) arrange | positioned at four corners.

10 画像形成装置
22 感光体(被帯電体及び像保持体の一例)
24 露光ユニット(露光手段の一例)
26 現像ユニット(現像手段の一例)
32 転写ロール(転写手段の一例)
100 帯電装置
102 給電層(被電圧印加部の一例)
104 抵抗層(第1電極の一例)
104A 接触面
104B 放電面
106 絶縁層(絶縁体の一例)
108 導電層(第2電極の一例)
108A 孔壁
112 電圧印加部(電圧印加手段の一例)
114 貫通孔
114A 内側貫通孔
114B 端部貫通孔
120 放電部
130 放電制限部(放電制限手段の一例)
140 帯電装置
142 放電部
150 放電制限部(放電制限手段の一例)
154 給電層(被電圧印加部の一例)
156 抵抗層(第1電極の一例)
160 帯電装置
162 第1放電部
164 第2放電部
170 放電制限部(放電制限手段の一例)
174 第1抵抗層(第1電極の一例)
175 第2抵抗層(第1電極の一例)
180 帯電装置
190 放電制限部(放電制限手段の一例)
194 端部貫通孔
200 帯電装置
210 放電制限部(放電制限手段の一例)
214 端部貫通孔
220 帯電装置
222 放電部
230 放電制限部(放電制限手段の一例)
234 抵抗層(第1電極の一例)
236 絶縁層(絶縁体の一例)
240 帯電装置
250 放電制限部(放電制限手段の一例)
254 端部貫通孔
E 電荷
G 現像剤
T トナー画像(現像剤像の一例)
10 Image forming apparatus 22 Photosensitive member (an example of a charged member and an image holding member)
24 exposure unit (an example of exposure means)
26 Developing unit (an example of developing means)
32 Transfer roll (an example of transfer means)
100 Charging device 102 Power feeding layer (an example of a voltage application unit)
104 Resistive layer (example of first electrode)
104A Contact surface 104B Discharge surface 106 Insulating layer (an example of an insulator)
108 conductive layer (example of second electrode)
108A Hole wall 112 Voltage application part (an example of voltage application means)
114 through-hole 114A inner through-hole 114B end through-hole 120 discharge part 130 discharge restriction part (an example of discharge restriction means)
140 Charging device 142 Discharge unit 150 Discharge limiting unit (an example of discharge limiting means)
154 Feed layer (an example of a voltage application unit)
156 Resistance layer (example of first electrode)
160 Charging device 162 First discharge unit 164 Second discharge unit 170 Discharge limiting unit (an example of discharge limiting means)
174 First resistance layer (an example of the first electrode)
175 Second resistance layer (example of first electrode)
180 Charging device 190 Discharge limiting unit (an example of discharge limiting means)
194 End through-hole 200 Charging device 210 Discharge limiting unit (an example of discharge limiting means)
214 End through-hole 220 Charging device 222 Discharge unit 230 Discharge limiting unit (an example of discharge limiting means)
234 Resistance layer (example of first electrode)
236 Insulating layer (an example of an insulator)
240 Charging device 250 Discharge limiting unit (an example of discharge limiting means)
254 End through-hole E Charge G Developer T Toner image (Example of developer image)

Claims (10)

第1電極と、該第1電極と絶縁体を介して対向配置され前記第1電極へ向けて該絶縁体と共に複数の貫通孔が形成された第2電極と、を有し、前記第1電極と前記第2電極の前記貫通孔の孔壁との間で放電が行われる放電部と、
前記第1電極の前記絶縁体側とは反対側に接触し、電圧が印加される被電圧印加部と、
前記被電圧印加部及び前記第2電極に電圧を印加することで、前記第1電極と前記第2電極の前記貫通孔との間に放電可能な電位差を生じさせ、且つ放電で生成された電荷が被帯電体へ移動するように前記第2電極と該被帯電体との間に電位差を生じさせる電圧印加手段と、
前記第2電極に形成された前記複数の貫通孔のうち、該複数の貫通孔の配列方向の端部に形成された端部貫通孔における放電を、該配列方向で該端部貫通孔よりも内側に形成された内側貫通孔における放電に比べて生じにくくする放電制限手段と、
を有する帯電装置。
A first electrode; and a second electrode disposed opposite to the first electrode through an insulator and having a plurality of through holes formed with the insulator toward the first electrode. And a discharge part in which discharge is performed between the hole wall of the through hole of the second electrode,
A voltage application unit that is in contact with a side opposite to the insulator side of the first electrode and to which a voltage is applied;
By applying a voltage to the voltage application section and the second electrode, a potential difference that can be discharged is generated between the first electrode and the through hole of the second electrode, and the electric charge generated by the discharge Voltage applying means for generating a potential difference between the second electrode and the charged body so that the electrode moves to the charged body;
Out of the plurality of through holes formed in the second electrode, the discharge in the end through holes formed at the end portions in the arrangement direction of the plurality of through holes is more than in the arrangement direction than the end through holes. A discharge limiting means that makes it less likely to occur compared to the discharge in the inner through-hole formed inside;
A charging device.
前記放電制限手段は、前記第1電極における前記被電圧印加部との接触面から前記貫通孔に露出する放電面までの電気抵抗を、前記端部貫通孔において前記内側貫通孔よりも大として構成されている請求項1に記載の帯電装置。   The discharge limiting unit is configured such that an electrical resistance from a contact surface of the first electrode with the voltage application unit to a discharge surface exposed to the through hole is larger in the end through hole than in the inner through hole. The charging device according to claim 1. 前記放電制限手段は、前記第2電極の前記端部貫通孔を前記被電圧印加部の端部よりも外側の領域に形成することで構成されている請求項2に記載の帯電装置。   The charging device according to claim 2, wherein the discharge limiting unit is configured by forming the end through hole of the second electrode in a region outside the end of the voltage application unit. 前記放電制限手段は、前記配列方向における前記第1電極の端部の厚みを中央部の厚みよりも厚くすることで構成されている請求項2又は請求項3に記載の帯電装置。   4. The charging device according to claim 2, wherein the discharge limiting unit is configured by making a thickness of an end portion of the first electrode in the arrangement direction thicker than a thickness of a central portion. 前記放電制限手段は、前記第1電極の前記端部貫通孔と対向する領域の電気抵抗率を前記内側貫通孔と対向する領域の電気抵抗率よりも高くすることで構成されている請求項2から請求項4のいずれか1項に記載の帯電装置。   The discharge limiting means is configured by making the electrical resistivity of the region facing the end through hole of the first electrode higher than the electrical resistivity of the region facing the inner through hole. The charging device according to claim 4. 前記放電制限手段は、前記第1電極と前記第2電極との間の放電距離を、前記端部貫通孔において前記内側貫通孔よりも長くして構成されている請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の帯電装置。   6. The discharge limiting device according to claim 1, wherein a discharge distance between the first electrode and the second electrode is longer than the inner through hole in the end through hole. The charging device according to any one of the above. 前記放電制限手段は、前記端部貫通孔の直径を前記内側貫通孔の直径よりも大きくすることで構成されている請求項6に記載の帯電装置。   The charging device according to claim 6, wherein the discharge limiting unit is configured by making a diameter of the end through hole larger than a diameter of the inner through hole. 前記放電制限手段は、前記第2電極の前記端部貫通孔の直径を前記絶縁体の前記端部貫通孔の直径よりも大きくすることで構成されている請求項6又は請求項7に記載の帯電装置。   The said discharge limiting means is comprised by making the diameter of the said edge part through-hole of the said 2nd electrode larger than the diameter of the said edge part through-hole of the said insulator. Charging device. 前記放電制限手段は、前記配列方向における前記絶縁体の端部の厚みを中央部の厚みよりも厚くすることで構成されている請求項6から請求項8のいずれか1項に記載の帯電装置。   9. The charging device according to claim 6, wherein the discharge limiting unit is configured by making an end portion of the insulator in the arrangement direction thicker than a thickness of a central portion. . 回転可能に設けられた前記被帯電体としての像保持体と、
前記像保持体の外周面を帯電する請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の帯電装置と、
帯電された前記像保持体の外周面に露光して潜像を形成する露光手段と、
前記潜像を現像剤で現像して現像剤像を形成する現像手段と、
前記現像手段で現像された現像剤像を記録媒体に転写する転写手段と、
を有する画像形成装置。
An image holding body as the charged body provided rotatably;
The charging device according to any one of claims 1 to 9, wherein the outer peripheral surface of the image carrier is charged.
Exposure means for exposing the outer peripheral surface of the charged image carrier to form a latent image;
Developing means for developing the latent image with a developer to form a developer image;
Transfer means for transferring the developer image developed by the developing means to a recording medium;
An image forming apparatus.
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