JP6019802B2 - Bonding head - Google Patents

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Description

本発明はボンディングヘッドに関し、より詳しくは、レーザを照射して加熱したボンディングツールにより半導体チップを加熱して基板に接合するようにしたボンディングヘッドに関する。   The present invention relates to a bonding head, and more particularly to a bonding head in which a semiconductor chip is heated and bonded to a substrate by a bonding tool heated by irradiation with a laser.

従来、半導体チップを基板に熱圧着させて接合するボンディングヘッドとして、ハウジングに設けられてレーザ光を透過させるツールベースと、このツールベースに接触して設けられ、ツールベースを透過したレーザ光によって加熱されるボンディングツールとを備え、ボンディングツールにより半導体チップを加熱して基板に接合するようにしたものが知られている(特許文献１)。   Conventionally, as a bonding head for bonding a semiconductor chip to a substrate by thermocompression bonding, a tool base that is provided on a housing and transmits a laser beam and a laser beam that is provided in contact with the tool base and transmits through the tool base is heated. There is known a bonding tool that is bonded to a substrate by heating a semiconductor chip with the bonding tool (Patent Document 1).

特開２０１０−１２９８９０号公報JP 2010-129890 A

上記ボンディングツールは、多数の半導体チップを順次高速で基板に接合するために、ツールベースを透過したレーザ光によって速やかに昇温され、かつレーザ光の照射が停止された際には速やかに冷却されることが望ましい。
しかしながら従来のボンディングヘッドにおいては、ツールベースとボンディングツールとの間で相対的に多くの熱のやり取りがあるため、その結果としてボンディングツールを高速で昇温・冷却させることに一定の限界があった。
本発明はそのような事情に鑑み、より高速でボンディングツールを昇温・冷却させることが可能なボンディングヘッドを提供するものである。 The bonding tool is quickly heated by the laser beam transmitted through the tool base in order to bond a large number of semiconductor chips to the substrate sequentially at high speed, and is quickly cooled when the laser beam irradiation is stopped. It is desirable.
However, in the conventional bonding head, there is a relatively large amount of heat exchange between the tool base and the bonding tool. As a result, there is a certain limit to heating and cooling the bonding tool at high speed. .
In view of such circumstances, the present invention provides a bonding head capable of heating and cooling a bonding tool at a higher speed.

すなわち本発明は、レーザ光を透過させるツールベースと、このツールベースに接触して設けられ、ツールベースを透過したレーザ光によって加熱されるボンディングツールとを備え、ボンディングツールにより半導体チップを加熱して基板に接合するようにしたボンディングヘッドにおいて、
上記ボンディングツールの接触面とツールベースの接触面との少なくとも一方に凹部を形成して、該ボンディングツールとツールベースの接触面積を減少させ、
上記凹部は、上記ボンディングツールとツールベースとを接触させた際に密封空間を形成するとともに当該ツールベースに設けた負圧通路に連通するようになっており、上記ボンディングツールは、上記密封空間に導入された負圧によりツールベースに吸着保持されることを特徴とするものである。
That is, the present invention includes a tool base that transmits laser light, and a bonding tool that is provided in contact with the tool base and is heated by the laser light transmitted through the tool base. The semiconductor chip is heated by the bonding tool. In a bonding head designed to be bonded to a substrate,
Forming a recess in at least one of the contact surface of the bonding tool and the contact surface of the tool base to reduce the contact area between the bonding tool and the tool base ;
The concave portion forms a sealed space when the bonding tool and the tool base are brought into contact with each other and communicates with a negative pressure passage provided in the tool base. The bonding tool is connected to the sealed space. It is characterized by being sucked and held on the tool base by the introduced negative pressure .

レーザ光によるボンディングツールの加熱時には、該ボンディングツールに吸収された熱が接触面を介してツールベースに奪われるようになるが、その際に接触面積が大きいとツールベースに奪われる熱量も大きくなり、ボンディングツールの速やかな昇温が阻害されるようになる。しかるに本発明においては、上記ボンディングツールの接触面とツールベースの接触面との少なくとも一方に凹部を形成して、該ボンディングツールとツールベースの接触面積を減少させているので、ツールベースに奪われる熱量を従来に比較して低減させることができ、それによってボンディングツールを速やかに昇温させることが可能となる。
他方、ボンディングツールの冷却時においては、上記接触面を介して昇温したツールベースからボンディングツールに熱が伝わることとなり、その際に接触面積が大きいとツールベースからボンディングツールに伝わる熱量も大きくなるので、ボンディングツールの速やかな冷却が阻害されるようになる。しかるに本発明においては、ボンディングツールとツールベースとの接触面積を減少させているので、ツールベースからボンディングツールに伝わる熱量を従来に比較して低減させることができ、それによってボンディングツールの速やかな冷却が可能となる。
これらにより加熱効率、冷却効率を従来に比較して高めることができるので、ボンディング装置のタクトアップを達成することが可能となる。 When the bonding tool is heated by laser light, the heat absorbed by the bonding tool is taken away by the tool base through the contact surface. However, if the contact area is large, the amount of heat taken away by the tool base also increases. As a result, the rapid temperature rise of the bonding tool is inhibited. However, in the present invention, a concave portion is formed in at least one of the contact surface of the bonding tool and the contact surface of the tool base to reduce the contact area between the bonding tool and the tool base. The amount of heat can be reduced as compared with the prior art, whereby the temperature of the bonding tool can be raised quickly.
On the other hand, when the bonding tool is cooled, heat is transferred from the tool base heated through the contact surface to the bonding tool, and if the contact area is large, the amount of heat transferred from the tool base to the bonding tool also increases. Therefore, prompt cooling of the bonding tool is hindered. However, in the present invention, since the contact area between the bonding tool and the tool base is reduced, the amount of heat transferred from the tool base to the bonding tool can be reduced as compared with the prior art, thereby promptly cooling the bonding tool. Is possible.
As a result, the heating efficiency and the cooling efficiency can be increased as compared with the prior art, so that the tact-up of the bonding apparatus can be achieved.

本発明の一実施例を示す構成図。The block diagram which shows one Example of this invention. 図１の要部の拡大図。The enlarged view of the principal part of FIG. 図２に示したツールベース８とボンディングツール９の拡大図。FIG. 3 is an enlarged view of a tool base 8 and a bonding tool 9 shown in FIG. 2. 図３のボンディングツール９の平面図。The top view of the bonding tool 9 of FIG.

以下、図示実施例について本発明を説明すると、図１において、１は基板２に半導体チップ３を接合するボンディング装置であって、該ボンディング装置１は、上記基板２を支持して水平面内でＸ−Ｙ方向に移動させる基板ステージ４を備えている。上記基板ステージ４の上方側にボンディングヘッド６を配置してあり、このボンディングヘッド６は昇降加圧機構７によって昇降させることができるようにしてある。
上記ボンディングヘッド６は筒状に形成したハウジング６Ａを備えており、このハウジング６Ａの下端部にツールベース８を水平に固定し、後に詳述するように該ツールベース８の下面にボンディングツール９を着脱自在に吸着保持すると同時に、該ボンディングツール９の下面に上記半導体チップ３を着脱自在に吸着保持できるようにしてある。 1 is a bonding apparatus for bonding a semiconductor chip 3 to a substrate 2, and the bonding apparatus 1 supports the substrate 2 in the horizontal plane. A substrate stage 4 that is moved in the −Y direction is provided. A bonding head 6 is disposed above the substrate stage 4, and the bonding head 6 can be moved up and down by a lifting and pressing mechanism 7.
The bonding head 6 includes a cylindrical housing 6A. A tool base 8 is horizontally fixed to the lower end of the housing 6A, and a bonding tool 9 is attached to the lower surface of the tool base 8 as will be described in detail later. The semiconductor chip 3 can be detachably sucked and held on the lower surface of the bonding tool 9 at the same time as it is detachably sucked and held.

上記ハウジング６Ａの側面上部には可撓性を有する光ファイバー１１の一端部を水平方向となるように接続してあり、この光ファイバー１１の他端はレーザ発振器１２に接続している。
上記レーザ発振器１２から発振されたレーザ光Ｌは、光ファイバー１１を介して上記一端部からハウジング６Ａの中心に向けて水平に照射されるとともに、集光レンズ１３によって所要の大きさに集光されるようになっている。
そして水平方向に照射されたレーザ光Ｌは、ハウジング６Ａの内部上方中央部に設けた反射ミラー１４により鉛直下方に反射され、ツールベース８を透過してボンディングツール９に照射されて該ボンディングツール９を加熱することができるようになっている。 One end of a flexible optical fiber 11 is connected to the upper side of the housing 6A so as to be in the horizontal direction, and the other end of the optical fiber 11 is connected to a laser oscillator 12.
Laser light L oscillated from the laser oscillator 12 is irradiated horizontally from the one end toward the center of the housing 6A via the optical fiber 11, and is condensed to a required size by the condenser lens 13. It is like that.
The laser beam L irradiated in the horizontal direction is reflected vertically downward by the reflection mirror 14 provided in the upper center part inside the housing 6A, passes through the tool base 8, and is irradiated to the bonding tool 9 to be applied to the bonding tool 9. Can be heated.

上記ツールベース８は強度が高い石英あるいはサファイヤから構成してあり、またボンディングツール９はシリコンカーバイド製の薄い部材から構成してある。
また上記基板ステージ４、レーザ発振器１２および昇降加圧機構７の作動は図示しない制御装置によって制御されるようになっており、この制御装置によってレーザ発振器１２を作動させることにより、レーザ光Ｌをボンディングツール９に照射させてこれを加熱することができるようにしてある。
さらに上記レーザ発振器１２としては、半導体レーザ、ＹＡＧレーザ等の固体レーザ、或いはその他のレーザを用いることができる。 The tool base 8 is made of quartz or sapphire having a high strength, and the bonding tool 9 is made of a thin member made of silicon carbide.
The operations of the substrate stage 4, the laser oscillator 12 and the elevation / pressurization mechanism 7 are controlled by a control device (not shown). By operating the laser oscillator 12 by this control device, the laser beam L is bonded. The tool 9 is irradiated so that it can be heated.
Further, as the laser oscillator 12, a solid-state laser such as a semiconductor laser or a YAG laser, or other lasers can be used.

図２に拡大して示すように、上記ツールベース８はリング状の取付部材２１によって上記ハウジング６Ａの下端面に水平に取り付けられている。上記ツールベース８の上面とハウジング６Ａの下端面との間に薄板状のマスク２２を介在させてあり、このマスク２２の中央部にレーザ光Ｌの通過を許容するアパーチャ２２ａを形成してある。
上記アパーチャ２２ａの大きさは、上記ボンディングツール９の大きさに合わせて形成してある。 As shown in an enlarged view in FIG. 2, the tool base 8 is horizontally attached to the lower end surface of the housing 6 </ b> A by a ring-shaped attachment member 21. A thin plate-shaped mask 22 is interposed between the upper surface of the tool base 8 and the lower end surface of the housing 6 </ b> A, and an aperture 22 a that allows passage of the laser light L is formed at the center of the mask 22.
The size of the aperture 22 a is formed in accordance with the size of the bonding tool 9.

上記ハウジング６Ａには図示しない負圧供給手段に接続されたツール吸着用負圧ポート２５と、チップ吸着用負圧ポート２６とが設けられており、ツール吸着用負圧ポート２５から導入される負圧によってボンディングツール９をツールベース８の下面に吸着保持し、またチップ吸着用負圧ポート２６から導入される負圧によって半導体チップ３をボンディングツール９の下面に吸着保持することができるようにしてある。
上記ツール吸着用負圧ポート２５は、ハウジング６Ａに形成した上下方向の貫通孔２７およびマスク２２に形成した上下方向の貫通孔２８を介してマスク２２の下面とツールベース８の上面との間に連通しており、さらにマスク２２の下面に形成した連通溝２９を介してツールベース８に形成した複数のツール吸着孔３０のそれぞれに連通している。
ツールベース８に形成した複数のツール吸着孔３０は、ボンディングツール９と重合する位置に形成してあり、したがってツール吸着孔３０に負圧を導入することによりツールベース８の下面にボンディングツール９を吸着保持することができるようになっている。 The housing 6A is provided with a tool suction negative pressure port 25 connected to a negative pressure supply means (not shown) and a chip suction negative pressure port 26, and a negative introduced from the tool suction negative pressure port 25. The bonding tool 9 is sucked and held on the lower surface of the tool base 8 by pressure, and the semiconductor chip 3 can be sucked and held on the lower surface of the bonding tool 9 by negative pressure introduced from the chip sucking negative pressure port 26. is there.
The tool suction negative pressure port 25 is interposed between the lower surface of the mask 22 and the upper surface of the tool base 8 via the vertical through hole 27 formed in the housing 6A and the vertical through hole 28 formed in the mask 22. Furthermore, it communicates with each of a plurality of tool suction holes 30 formed in the tool base 8 through a communication groove 29 formed on the lower surface of the mask 22.
The plurality of tool suction holes 30 formed in the tool base 8 are formed at positions where they overlap with the bonding tool 9. Therefore, by introducing a negative pressure into the tool suction hole 30, the bonding tool 9 is placed on the lower surface of the tool base 8. Adsorption can be held.

他方、上記チップ吸着用負圧ポート２６は、ハウジング６Ａに形成した水平方向の貫通孔３３を介してハウジング６Ａの内部に連通している。このチップ吸着用負圧ポート２６よりも上方位置で、上記反射ミラー１４よりも下方位置に、ハウジング６Ａの下方内部を密封するガラス板３４を設けてあり、このガラス板３４によってハウジング６Ａに導入された負圧を保持することができるようにしてある。
そしてツールベース８とボンディングツール９とには両者を貫通させてチップ吸着孔３５、３６を形成してあり、これらチップ吸着孔３５、３６に負圧を導入することにより、ボンディングツール９の下面に半導体チップ３を吸着保持することができるようにしてある。
上記ツール吸着用負圧ポート２５には常時負圧が供給されて上記ツールベース８からボンディングツール９が脱落しないようになっており、他方、チップ吸着用負圧ポート２６には半導体チップ３を吸着保持する際に負圧が供給されるようになっている。 On the other hand, the chip suction negative pressure port 26 communicates with the inside of the housing 6A through a horizontal through hole 33 formed in the housing 6A. A glass plate 34 that seals the lower interior of the housing 6A is provided above the tip suction negative pressure port 26 and below the reflecting mirror 14, and is introduced into the housing 6A by the glass plate 34. The negative pressure can be maintained.
The tool base 8 and the bonding tool 9 are formed with chip suction holes 35 and 36 penetrating the tool base 8 and the bonding tool 9. By introducing negative pressure into the chip suction holes 35 and 36, The semiconductor chip 3 can be sucked and held.
The tool suction negative pressure port 25 is always supplied with a negative pressure so that the bonding tool 9 does not fall off from the tool base 8, while the chip suction negative pressure port 26 sucks the semiconductor chip 3. When holding, a negative pressure is supplied.

本実施例においては上記ボンディングツール９とツールベース８とが相互に接触する接触面９Ａ、接触面８Ａのうち、ボンディングツール９の接触面９Ａに凹部４１を形成して、ボンディングツール９とツールベース８の接触面積を減少させている。
上記ボンディングツール９は、図３、図４から理解されるように、方形の薄板状に形成してあり、その底壁９ａと、四方の側壁９ｂと、中央のチップ吸着孔３６を形成するための支柱９ｃとを残存させるとともに、さらに側壁９ｂの内側における四方の補強用支柱９ｄと、互いに向き合う２つの側壁９ｂの各中央部に縦方向に形成した補強用リブ９ｅとを残して、その他の部分を切除して上記凹部４１としている。
上記補強用支柱９ｄや補強用リブ９ｅは、ボンディングツール９によって半導体チップ３を基板２に圧着した際に、ボンディングツール９の底壁９ａが歪むのを抑制することができる。 In the present embodiment, of the contact surface 9A and the contact surface 8A where the bonding tool 9 and the tool base 8 are in contact with each other, a recess 41 is formed in the contact surface 9A of the bonding tool 9 so that the bonding tool 9 and the tool base The contact area of 8 is reduced.
As can be understood from FIGS. 3 and 4, the bonding tool 9 is formed in a rectangular thin plate shape, and forms a bottom wall 9a, four side walls 9b, and a central chip suction hole 36. The four pillars 9d on the inner side of the side wall 9b and the reinforcing ribs 9e formed in the vertical direction at the center portions of the two side walls 9b facing each other are left. The portion is cut out to form the recess 41.
The reinforcing support 9d and the reinforcing rib 9e can suppress the distortion of the bottom wall 9a of the bonding tool 9 when the semiconductor chip 3 is pressure-bonded to the substrate 2 by the bonding tool 9.

そして上記凹部４１は、ボンディングツール９の上面となる接触面９Ａをツールベース８の下面となる接触面８Ａに密着させた状態では、ツールベース８の接触面８Ａによって密封されて、密封空間を形成するようになっている。
上記ツールベース８に形成したツール吸着孔３０は、密封空間となる凹部４１内に連通して該凹部４１内に負圧を導入し、それによってボンディングツール９をツールベース８の下面に吸着保持することができるようになっている。 The concave portion 41 is sealed by the contact surface 8A of the tool base 8 to form a sealed space when the contact surface 9A serving as the upper surface of the bonding tool 9 is in close contact with the contact surface 8A serving as the lower surface of the tool base 8. It is supposed to be.
The tool suction hole 30 formed in the tool base 8 communicates with the recessed portion 41 serving as a sealed space and introduces a negative pressure into the recessed portion 41, thereby sucking and holding the bonding tool 9 on the lower surface of the tool base 8. Be able to.

以上の構成において、半導体チップ３をボンディングツール９の下面に吸着保持した状態において、レーザ光Ｌがツールベース８を透過してボンディングツール９に照射されると、該ボンディングツール９がレーザ光Ｌによって加熱されて、半導体チップ３およびその下面の複数箇所に配置されたバンプ４２（図１）が加熱されるようになる。
制御装置は、基板ステージ４を作動させて、ボンディングツール９に保持した半導体チップ３と基板２とを位置合わせした状態において、上記昇降加圧機構７によるボンディングヘッド６の下降を開始するようになっている。ボンディングヘッド６を所定の高さまで下降させ、チップと基板とを当接させ所要のボンディング荷重をかけた状態において、レーザ発振器１２からレーザ光Ｌを発振させてボンディングツール９に照射させることにより、ボンディングツール９に吸着保持された半導体チップ３は、加熱されながら基板２へ押圧されて該基板２に接合されるようになる。
このようにしてボンディング作業が終了したら、制御装置からの指令によりチップ吸着孔３５、３６からの吸引が停止されるので、ボンディングツール９による半導体チップ３の保持状態が解除され、その後、昇降加圧機構７によりボンディングヘッド６が上昇され、次回のボンディングに移行するようになっている。 In the above configuration, when the laser light L passes through the tool base 8 and is applied to the bonding tool 9 in a state where the semiconductor chip 3 is attracted and held on the lower surface of the bonding tool 9, the bonding tool 9 is irradiated by the laser light L. By heating, the semiconductor chip 3 and the bumps 42 (FIG. 1) disposed at a plurality of locations on the lower surface thereof are heated.
The control device starts the descent of the bonding head 6 by the elevating and pressing mechanism 7 in a state where the substrate stage 4 is operated and the semiconductor chip 3 held by the bonding tool 9 and the substrate 2 are aligned. ing. The bonding head 6 is lowered to a predetermined height, and a laser beam L is oscillated from the laser oscillator 12 and irradiated to the bonding tool 9 in a state where the chip and the substrate are brought into contact with each other and a required bonding load is applied. The semiconductor chip 3 sucked and held by the tool 9 is pressed against the substrate 2 while being heated and joined to the substrate 2.
When the bonding operation is completed in this manner, the suction from the chip suction holes 35 and 36 is stopped by a command from the control device, so that the holding state of the semiconductor chip 3 by the bonding tool 9 is released, and then the raising / lowering pressurization is performed. The bonding head 6 is raised by the mechanism 7 so as to shift to the next bonding.

上記ボンディングツール９がレーザ光Ｌによって加熱される際には、加熱されたボンディングツール９からこれに接触しているツールベース８に熱が逃げることになるが、ボンディングツール９に凹部４１を形成して、ボンディングツール８とツールベース８の接触面積を減少させているので、加熱された熱がボンディングツール９からツールベース８に逃げることを良好に防止することができる。
またこの際、上記凹部４１によって形成される密封空間には負圧が導入されて真空状態となっているので、この真空の凹部４１を良好な断熱手段として利用することができる。
したがってこれにより、ボンディングツール９を速やかに所要の温度まで昇温させることが可能となる。 When the bonding tool 9 is heated by the laser beam L, heat escapes from the heated bonding tool 9 to the tool base 8 in contact with the bonding tool 9, but a recess 41 is formed in the bonding tool 9. Since the contact area between the bonding tool 8 and the tool base 8 is reduced, it is possible to satisfactorily prevent the heated heat from escaping from the bonding tool 9 to the tool base 8.
At this time, since a negative pressure is introduced into the sealed space formed by the recess 41 and a vacuum state is established, the vacuum recess 41 can be used as a good heat insulating means.
Therefore, this makes it possible to quickly raise the temperature of the bonding tool 9 to a required temperature.

また、ボンディングツール９に対するレーザ光Ｌの照射を終了した際には、このボンディングツール９は冷却されることになるが、この際には、それ以前にボンディングツール９からツールベース８に逃げた熱によって昇温されたツールベース８から、ボンディングツール９に熱が戻ることとなる。
その際、ボンディングツール９とツールベース８との接触面積が大きいと、ツールベース８からボンディングツールに伝わる熱量も大きくなるので、ボンディングツールの速やかな冷却が阻害されるようになるが、本実施例においてはボンディングツール９とツールベース８との接触面積を減少させているので、ツールベース８からボンディングツール９に伝わる熱量を従来に比較して低減させることが可能となる。
したがってこれにより、ボンディングツール９の速やかな冷却が可能となる。このように本実施例によれば、従来に比較してボンディングツール９の加熱効率、冷却効率を高めることができるので、ボンディング装置１のタクトアップを達成することが可能となる。 In addition, when the irradiation of the laser beam L to the bonding tool 9 is finished, the bonding tool 9 is cooled. In this case, the heat that has escaped from the bonding tool 9 to the tool base 8 before that time. The heat returns to the bonding tool 9 from the tool base 8 whose temperature has been raised by the above.
At this time, if the contact area between the bonding tool 9 and the tool base 8 is large, the amount of heat transferred from the tool base 8 to the bonding tool also increases, so that rapid cooling of the bonding tool is hindered. Since the contact area between the bonding tool 9 and the tool base 8 is reduced, the amount of heat transferred from the tool base 8 to the bonding tool 9 can be reduced as compared with the prior art.
Therefore, the bonding tool 9 can be quickly cooled. As described above, according to the present embodiment, the heating efficiency and the cooling efficiency of the bonding tool 9 can be increased as compared with the prior art, so that the tact-up of the bonding apparatus 1 can be achieved.

なお、上記実施例ではボンディングツール９とツールベース８とが相互に接触する接触面９Ａ、接触面８Ａのうち、ボンディングツール９の接触面９Ａに凹部４１を形成している。ツールベース８の接触面８Ａに凹部４１を形成した場合には、該ツールベース８に対するレーザ光Ｌの透過性を阻害するおそれがあるので、上記凹部４１はボンディングツール９の接触面９Ａに形成することが望ましいが、これに限定されるわけではない。ツールベース８の接触面８Ａに設けても、あるいは両接触面８Ａ、９Ａに設けてもよい。
In the above embodiment, the recess 41 is formed on the contact surface 9A of the bonding tool 9 among the contact surface 9A and the contact surface 8A where the bonding tool 9 and the tool base 8 are in contact with each other. When the concave portion 41 is formed on the contact surface 8A of the tool base 8, the transmittance of the laser light L to the tool base 8 may be hindered. Therefore, the concave portion 41 is formed on the contact surface 9A of the bonding tool 9. It is desirable, but not limited to this. You may provide in the contact surface 8A of the tool base 8, or you may provide in both the contact surfaces 8A and 9A .

１ ボンディング装置 ２ 基板
３ 半導体チップ ６ ボンディングヘッド
６Ａ ハウジング ８ ツールベース
８Ａ、９Ａ 接触面 ９ ボンディングツール
３０ ツール吸着孔 ３５、３６ チップ吸着孔
４１ 凹部 Ｌ レーザ光 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Bonding apparatus 2 Board | substrate 3 Semiconductor chip 6 Bonding head 6A Housing 8 Tool base 8A, 9A Contact surface 9 Bonding tool 30 Tool adsorption hole 35, 36 Chip adsorption hole 41 Recessed part L Laser beam

Claims (2)

レーザ光を透過させるツールベースと、このツールベースに接触して設けられ、ツールベースを透過したレーザ光によって加熱されるボンディングツールとを備え、ボンディングツールにより半導体チップを加熱して基板に接合するようにしたボンディングヘッドにおいて、
上記ボンディングツールの接触面とツールベースの接触面との少なくとも一方に凹部を形成して、該ボンディングツールとツールベースの接触面積を減少させ、
上記凹部は、上記ボンディングツールとツールベースとを接触させた際に密封空間を形成するとともに当該ツールベースに設けた負圧通路に連通するようになっており、上記ボンディングツールは、上記密封空間に導入された負圧によりツールベースに吸着保持されることを特徴とするボンディングヘッド。 A tool base that transmits a laser beam and a bonding tool that is provided in contact with the tool base and is heated by the laser beam transmitted through the tool base are provided so that the semiconductor chip is heated by the bonding tool and bonded to the substrate. In the bonding head
Forming a recess in at least one of the contact surface of the bonding tool and the contact surface of the tool base to reduce the contact area between the bonding tool and the tool base ;
The concave portion forms a sealed space when the bonding tool and the tool base are brought into contact with each other and communicates with a negative pressure passage provided in the tool base. The bonding tool is connected to the sealed space. A bonding head characterized in that it is sucked and held on the tool base by the introduced negative pressure . 上記凹部はボンディングツールの接触面に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のボンディングヘッド。   The bonding head according to claim 1, wherein the recess is formed on a contact surface of a bonding tool.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3539826B2 (en) * 1996-07-24 2004-07-07 東レエンジニアリング株式会社 Thermocompression tools
JP4293962B2 (en) * 2004-09-24 2009-07-08 シーケーディ株式会社 Non-contact adsorption device
JP2006202783A (en) * 2005-01-17 2006-08-03 Fujitsu Ltd Process for manufacturing semiconductor device
JP5343534B2 (en) * 2008-11-28 2013-11-13 澁谷工業株式会社 Bonding head

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