JP6018624B2 - タッチセンシング用光学フィルタ処理センサ・イン・ピクセル技術 - Google Patents
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Description
本出願は、2011年4月19日出願の米国仮特許出願番号第61/477,007号の利益を主張し、すべての目的のためにその全体が引用により本明細書中に組み込まれている。
Claims (17)
- 赤外光源と、
前記光源によって放出された赤外光を受光し、受光した前記赤外光の少なくとも一部が導波路内で内部全反射を起こすように構成された導波路と、
前記導波路に対して配置されたフラストレイティング層と、
前記導波路および前記フラストレイティング層を介して知覚できる画像を表示するように構成され、複数のフォトセンサを含むセンサ・イン・ピクセル・ディスプレイであって、前記複数のフォトセンサは、接触点のところで前記導波路から外れる前記赤外光の少なくとも一部を感知するように構成され、前記画像の各ピクセルに対応するフォトセンサを有する、センサ・イン・ピクセル・ディスプレイと
を備え、
前記複数のフォトセンサの各々は光検出器を含み、該光検出器は、可視光をフィルタ処理するように構成された第1の層と、前記第1の層を透過した赤外光を感知するように構成された第2の層とを含み、赤外光を感知する際に前記光検出器によって生成された電気は、前記第1の層および前記第2の層の各々を通って流れ、
前記フラストレイティング層は、前記導波路から外れる光を前記センサ・イン・ピクセル・ディスプレイの方に案内するよう構成された光案内ミクロ構造を含む、タッチセンシティブディスプレイデバイス。 - 請求項1に記載のタッチセンシティブディスプレイデバイスであって、前記第1の層は、前記第2の層の上に位置し直接隣接し、前記赤外光は前記第1の層を前記センサ・イン・ピクセル・ディスプレイに向かう方向に透過する、タッチセンシティブディスプレイデバイス。
- 請求項1又は2に記載のタッチセンシティブディスプレイデバイスであって、前記複数のフォトセンサの各々は、赤外光に対する感度が、可視光に対する感度よりも高い、タッチセンシティブディスプレイデバイス。
- 請求項1又は2に記載のタッチセンシティブディスプレイデバイスであって、前記複数のフォトセンサの各々は、赤外光に対して感度があり、可視光に対して感度がない、タッチセンシティブディスプレイデバイス。
- 請求項1又は2に記載のタッチセンシティブディスプレイデバイスであって、前記複数のフォトセンサの各々において、
前記第1の層は、400ナノメートルと700ナノメートルの間の波長を有する光を吸収し、700ナノメートルよりも長い波長を有する光を透過するように構成され、
前記第2の層は、前記第1の層を透過する700ナノメートルと880ナノメートルとの間の波長を有する光を感知するように構成された、タッチセンシティブディスプレイデバイス。 - 請求項1又は2に記載のタッチセンシティブディスプレイデバイスであって、前記複数のフォトセンサの各々が、水素化シリコンゲルマニウム合金(a−SiGe:H)を含む、タッチセンシティブディスプレイデバイス。
- 請求項1又は2に記載のタッチセンシティブディスプレイデバイスであって、前記複数のフォトセンサの各々は、微結晶質シリコンを含む、タッチセンシティブディスプレイデバイス。
- 請求項1又は2に記載のタッチセンシティブディスプレイデバイスであって、前記複数のフォトセンサの各々において、
前記第1の層は、1.7eVから1.8eVの実効バンドギャップを有する、タッチセンシティブディスプレイデバイス。 - 請求項1又は2に記載のタッチセンシティブディスプレイデバイスであって、前記複数のフォトセンサの各々において、
前記第1の層は、約0.2マイクロメートルから0.5マイクロメートルの厚さを有し、高濃度にドープされたp型アモルファスシリコンを含み、
前記第2の層は、水素化シリコンゲルマニウム合金(a−SiGe:H)および微結晶質シリコンのうちの少なくとも一方を含む、タッチセンシティブディスプレイデバイス。 - 請求項1又は2に記載のタッチセンシティブディスプレイデバイスであって、前記複数のフォトセンサの各々において、
前記第1の層は、約0.2マイクロメートルから0.5マイクロメートルの厚さを有し、高濃度にドープされたn型アモルファスシリコンを含み、
前記第2の層は、水素化シリコンゲルマニウム合金(a−SiGe:H)および微結晶質シリコンのうちの少なくとも一方を含む、タッチセンシティブディスプレイデバイス。 - 請求項1又は2に記載のタッチセンシティブディスプレイデバイスであって、前記複数のフォトセンサの各々において、
前記第1の層は、三元合金を含み、
前記第2の層は、水素化シリコンゲルマニウム合金(a−SiGe:H)および微結晶質シリコンのうちの少なくとも一方を含む、タッチセンシティブディスプレイデバイス。 - 請求項11に記載のタッチセンシティブディスプレイデバイスであって、前記三元合金は、ある比率のゲルマニウムおよび窒素を含むもの(a−SiGeN)である、タッチセンシティブディスプレイデバイス。
- 請求項11に記載のタッチセンシティブディスプレイデバイスであって、前記三元合金は、ある比率のゲルマニウムおよび酸素を含むもの(a−SiGeO)である、タッチセンシティブディスプレイデバイス。
- 請求項11に記載のタッチセンシティブディスプレイデバイスであって、前記三元合金は、ある比率のゲルマニウムおよび炭素を含むもの(a−SiGeC:H)である、タッチセンシティブディスプレイデバイス。
- 請求項11に記載のタッチセンシティブディスプレイデバイスであって、前記三元合金は、a−SiGeN:H層を含む、タッチセンシティブディスプレイデバイス。
- 請求項1又は2に記載のタッチセンシティブディスプレイデバイスであって、前記フラストレイティング層は、前記センサ・イン・ピクセル・ディスプレイと接触する、タッチセンシティブディスプレイデバイス。
- 請求項1又は2に記載のタッチセンシティブディスプレイデバイスであって、タッチ入力を受け、該タッチ入力に基づいて前記導波路および前記フラストレイティング層を接触させるように設置されたクラッド層をさらに備えたタッチセンシティブディスプレイデバイス。
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