JP6016133B2 - ドープされたシリカ構成要素を有する側面発射部材に関する方法および装置 - Google Patents
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Description
本非仮特許出願は、米国仮特許出願第61/262,397号(名称「METHODS AND APPARATUS RELATED TO A SIDE−FIRE MEMBER HAVING A DOPED SILICA COMPONENT」、2009年11月18日出願)の米国特許法第119条の利益を主張し、この出願は、参照することによって本明細書に援用される。
実施形態は、概して、光学医療デバイスに関し、具体的には、側面発射光ファイバおよびそのようなデバイスを使用するための方法に関する。
一部のレーザ系外科手術手技の際に、レーザエネルギーを治療領域に印加するとき、側面発射光ファイバは、直線発射光ファイバよりも医療施術者に制御を提供することができる。しかしながら、外科手術の際に、側面発射光ファイバの遠位端部分を内視鏡に通過させることは、遠位端部分を損傷、擦過、劣化、および/または変形させ得る。通常、外科手術(例えば、医療)等級のステンレス鋼から作成され、光学的に透過性材料から作成される透過窓を有する極小および/または金属キャップまたはカニューレが、側面発射光ファイバの遠位端部分上に留置され、遠位端部分を保護することができる。遠位端部分が、治療のために適切に設置されると、レーザエネルギーを側面発射光ファイバを介して標的領域に印加することができる。
本明細書は、例えば、以下の項目も提供する。
(項目1)
光ファイバであって、該光ファイバは、該光ファイバの遠位端部分の長手軸に垂直でない表面を含み、該表面は、界面の一部を画定し、該界面の一部は、該光ファイバ内から伝搬され、該長手軸からオフセットされた方向に該界面上に入射する電磁放射を再配向するように構成される、光ファイバと、
ドープされたシリカキャップであって、該ドープされたシリカキャップが、該光ファイバに融合されることにより、該光ファイバの該表面が、該ドープされたシリカキャップによって画定される空洞内に配置される、ドープされたシリカキャップと
を備える、装置。
(項目2)
前記ドープされたシリカキャップは、前記光ファイバのクラッド層と関連した屈折率よりも小さい屈折率を有する、項目1に記載の装置。
(項目3)
前記ドープされたシリカキャップは、前記光ファイバのクラッド層に融合される、項目1に記載の装置。
(項目4)
前記ドープされたシリカキャップは、前記光ファイバの外層部分に融合され、該ドープされたシリカキャップは、フッ素でドープされたシリカキャップであり、該ドープされたシリカキャップは、該光ファイバの該外層部分のフッ素の濃度よりも大きいフッ素の濃度を含む、項目1に記載の装置。
(項目5)
前記界面は、第1の界面であり、前記ドープされたシリカキャップは、前記光ファイバのクラッド層に融合され、該ドープされたシリカキャップおよび該クラッド層は、第2の界面を画定し、それにより、該クラッド層内を伝搬され、該第2の界面上に入射する電磁放射が、該クラッド層内で実質的に内部反射される、項目1に記載の装置。
(項目6)
前記表面は、前記ドープされたシリカキャップの遠位端部分内に配置され、該ドープされたシリカキャップの近位端部分は、前記光ファイバに融合される、項目1に記載の装置。
(項目7)
前記表面は、前記光ファイバの遠位端部分内に含まれ、前記ドープされたシリカキャップは、該光ファイバの遠位端部分に融合されることなく、該光ファイバの遠位端部分の近位の該光ファイバの一部に融合される、項目1に記載の装置。
(項目8)
前記ドープされたシリカキャップに結合される金属キャップをさらに含み、該金属キャップは、内側表面を含み、該内側表面は、該金属キャップの内側表面上に入射する電磁放射を該ドープされたシリカキャップによって画定される前記空洞の中に再配向するように構成される、項目1に記載の装置。
(項目9)
前記ドープされたシリカキャップに結合される金属キャップをさらに含み、該金属キャップは、開口部を含み、該開口部は、前記電磁放射が、該開口部を通して伝達されるような方向と整列させられる、項目1に記載の装置。
(項目10)
光ファイバを受容することであって、該光ファイバは、該光ファイバの遠位端部分の長手軸に垂直でない表面を含む、ことと、
該光ファイバの表面がボア内に配置されるように、該光ファイバの表面上をドープされたシリカ構成要素を移動させることと、
該ドープされたシリカ構成要素および該光ファイバを加熱することであって、それにより、該ボアによって画定される、該ドープされたシリカ構成要素の内側表面の少なくとも一部が、該光ファイバの外側表面の少なくとも一部に融合され得る、ことと
を含む、方法。
(項目11)
前記移動させることは、前記光ファイバの表面が前記ドープされたシリカ構成要素のボア内に配置されるまで、移動させることを含む、項目10に記載の方法。
(項目12)
前記ボアによって画定される、前記ドープされたシリカ構成要素の内側表面の一部は、該ドープされたシリカ構成要素の近位端の中に含まれ、該ドープされたシリカ構成要素のボアは、それを通るボアである、項目10に記載の方法。
(項目13)
項目10に記載の方法であって、前記ボアによって画定される、前記ドープされたシリカ構成要素の内側表面の一部は、該ドープされたシリカ構成要素の近位端の中に含まれ、該ドープされたシリカ構成要素のボアは、それを通るボアであり、
該方法は、
該ドープされたシリカ構成要素の遠位端を加熱することをさらに備え、それにより、封入が、該ドープされたシリカ構成要素の遠位端と前記光ファイバとによって画定される、方法。
(項目14)
前記加熱することは、界面を画定し、前記ドープされたシリカ構成要素は、前記光ファイバから該界面上に入射する電磁放射が、該光ファイバ内で実質的に内部反射されるようなドーピング濃度を含む、項目10に記載の方法。
(項目15)
前記ドープされたシリカ構成要素上を、外側キャップを移動させることをさらに含み、該外側キャップは、前記光ファイバから伝達されるレーザエネルギーに対して実質的に不透明である、項目10に記載の方法。
(項目16)
項目10に記載の方法であって、
前記光ファイバの表面は、界面の一部を画定し、該界面の一部は、シリカ系光ファイバ内から伝搬され、該界面上に入射する電磁放射を、前記長手軸からオフセットされた側方方向に再配向するように構成され、
該方法は、
外側キャップを前記ドープされたシリカ構成要素上を移動させることをさらに含み、それにより、該外側キャップによって画定される開口部が、該側方方向と整列させられる、方法。
(項目17)
ドープされたシリカキャップと、
該ドープされたシリカキャップ内に配置された表面を含む光ファイバの遠位端部分と
を備え、
該表面は、界面の少なくとも一部を画定し、該界面の少なくとも一部は、レーザエネルギーを、光学路の第1の部分から、該光学路の第1の部分に平行でない該光学路の第2の部分まで再配向するように構成され、該光学路の第2の部分は、該ドープされたシリカキャップの外側表面を横断する、装置。
(項目18)
前記ドープされたシリカキャップの内側表面の少なくとも一部と前記光ファイバの遠位端部分の外側表面の少なくとも一部とは、界面を画定し、該ドープされたシリカキャップは、該光ファイバから該界面上に入射する電磁放射が、該光ファイバ内で実質的に内部反射されるようなドーピング濃度を含む、項目17に記載の装置。
(項目19)
前記ドープされたシリカキャップの少なくとも一部の上に配置される外側キャップをさらに備え、該外側キャップは、レーザエネルギーに対して実質的に不透明である、項目17に記載の装置。
(項目20)
前記ドープされたシリカキャップの少なくとも一部の上に配置される金属キャップをさらに備え、前記光学路の第2の部分は、該金属キャップの開口部を横断し得る、項目17に記載の装置。
Claims (15)
- 光ファイバであって、該光ファイバは、該光ファイバの遠位端部分の長手軸に垂直でない表面を含み、該表面は、界面の一部を画定し、該界面の一部は、該光ファイバ内から伝搬され、該長手軸からオフセットされた方向に該界面上に入射する電磁放射を再配向するように構成される、光ファイバと、
シリカキャップであって、前記シリカキャップの内周面が、該シリカキャップによって画定される空洞内に配置された前記光ファイバの部分の全長に沿って、前記光ファイバの外周面に熱融合されるように、該シリカキャップが該光ファイバに結合される、シリカキャップと、
前記シリカキャップに結合される外側カバーをさらに含み、該外側カバーは、開口部を含み、該開口部は、前記電磁放射が、該開口部を通して伝達されるような方向と整列させられる、外側カバーと、を備え、
前記外側カバーは、前記方向以外の前記光ファイバから伝達された電磁放射に対して実質的に不透明である、装置。 - 前記シリカキャップは、ドープされたシリカキャップである、
請求項1に記載の装置。 - 前記ドープされたシリカキャップのドーピング濃度は、前記ドープされたシリカキャップを通して実質的に均一である、
請求項2に記載の装置。 - 前記ドープされたシリカキャップのドーピング濃度は、前記ドープされたシリカキャップの厚さに沿って変化する、
請求項2に記載の装置。 - 前記ドープされたシリカキャップの半径方向内面におけるドーピング濃度は、前記ドープされたシリカキャップの半径方向外面におけるドーピング濃度よりも小さい、
請求項4に記載の装置。 - 前記ドープされたシリカキャップの半径方向内面におけるドーピング濃度は、前記ドープされたシリカキャップの半径方向外面におけるドーピング濃度よりも大きい、
請求項4に記載の装置。 - 前記ドープされたシリカキャップのドーパントはフッ素である、
請求項2に記載の装置。 - 前記外側カバーは、内側表面を含み、該内側表面は、前記外側カバーの前記内側表面上に入射する電磁放射を前記シリカキャップによって画定される前記空洞の中に再配向するように構成される、
請求項1に記載の装置。 - 前記空洞は、中に流体を含む、
請求項1に記載の装置。 - 前記表面は、前記シリカキャップの遠位端部分内に配置され、前記シリカキャップの近位端部分は、前記光ファイバに融合される、
請求項1に記載の装置。 - 前記光ファイバは、少なくとも1つのクラッド層を含み、前記シリカキャップは、前記少なくとも1つのクラッド層と関連した屈折率よりも小さい屈折率を有する、
請求項1に記載の装置。 - 前記少なくとも1つのクラッド層は、ドーパントを含む、
請求項11に記載の装置。 - 前記電磁放射は、前記少なくとも1つのクラッド層内で実質的に内部反射される、
請求項11に記載の装置。 - 前記少なくとも1つのクラッド層及び前記シリカキャップは、フッ素のドーパントを各々含み、前記シリカキャップは、前記少なくとも1つのクラッド層よりも大きいフッ素の濃度を有する、
請求項11に記載の装置。 - 前記少なくとも1つのクラッド層は、約5μmから120μmの厚さを有する、
請求項11に記載の装置。
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