JP6011277B2 - Manufacturing method of semiconductor device - Google Patents

Manufacturing method of semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
JP6011277B2
JP6011277B2 JP2012258165A JP2012258165A JP6011277B2 JP 6011277 B2 JP6011277 B2 JP 6011277B2 JP 2012258165 A JP2012258165 A JP 2012258165A JP 2012258165 A JP2012258165 A JP 2012258165A JP 6011277 B2 JP6011277 B2 JP 6011277B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
opening
leads
lead
mold resin
lid member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2012258165A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2014017465A (en
Inventor
和男 臼井
和男 臼井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP2012258165A priority Critical patent/JP6011277B2/en
Publication of JP2014017465A publication Critical patent/JP2014017465A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6011277B2 publication Critical patent/JP6011277B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Measuring Volume Flow (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

本発明は、表裏両面がモールド樹脂から露出するように当該モールド樹脂により封止された複数本のリードを有する半導体装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device having a plurality of leads sealed with a mold resin so that both front and back surfaces are exposed from the mold resin.

従来より、モールド樹脂に封止された回路チップと、モールド樹脂上に搭載されたセンサチップとを接続するために、モールド樹脂上に配線基板等よりなる補助配線部材を設け、この補助配線部材とセンサチップとをワイヤボンディングで接続したものが提案されている（特許文献１参照）。この場合、さらに、モールド樹脂より露出するワイヤボンディング部分は、封止材で封止される。   Conventionally, in order to connect a circuit chip sealed with a mold resin and a sensor chip mounted on the mold resin, an auxiliary wiring member made of a wiring board or the like is provided on the mold resin. A sensor chip connected to a sensor chip by wire bonding has been proposed (see Patent Document 1). In this case, the wire bonding portion exposed from the mold resin is further sealed with a sealing material.

特開２０１０−１６９４６０号公報JP 2010-169460 A

しかしながら、上記特許文献１に記載のものでは、補助配線部材、さらには補助配線部材をモールド樹脂上に固定するための接着剤が必要となる。また補助配線部材を設置して固定する工程が別途必要となる。   However, in the thing of the said patent document 1, the adhesive agent for fixing an auxiliary wiring member and also an auxiliary wiring member on mold resin is needed. Further, a separate process for installing and fixing the auxiliary wiring member is required.

そこで、本発明者は、一面と他面とが表裏の関係にあり、隙間を有して配列された複数本のリードを、補助配線部材として用いることを検討した。   In view of this, the present inventor has studied the use of a plurality of leads arranged with a gap between one surface and the other surface as an auxiliary wiring member.

この場合、個々のリードの両端側をモールド樹脂で封止して支持するとともに、モールド樹脂には、個々のリードの一面側、他面側をそれぞれ露出させる第１の開口部、第２の開口部を設ける。ここで、第１の開口部と第２の開口部とは、リードの隙間を介して連通する構成となる。このようにリードの表裏両面をモールド樹脂より露出させることは、たとえば次の理由による。   In this case, both ends of each lead are sealed and supported with a mold resin, and the mold resin has a first opening and a second opening that expose one side and the other side of each lead. Provide a part. Here, the first opening and the second opening are configured to communicate with each other through a gap between the leads. Exposing the front and back sides of the lead in this way from the mold resin is, for example, for the following reason.

複数本のリードは、元々タイバーで連結されたものである。このことから、モールド樹脂の封止後にタイバーをカットするようにすれば、モールド樹脂封止前における複数本のリードの支持や取り扱い性等に優れる。このとき、モールド樹脂封止後にタイバーカットする場合、当該タイバーを第１および第２の開口部にて露出させておけば、容易にカットを行うことができる。   The plurality of leads are originally connected by tie bars. For this reason, if the tie bar is cut after sealing the mold resin, the support and handling properties of a plurality of leads before sealing the mold resin are excellent. At this time, when the tie bar is cut after sealing with the mold resin, if the tie bar is exposed at the first and second openings, the cut can be easily performed.

このカット後は、第１の開口部を介して半導体チップと個々のリードの一面とを、ボンディングワイヤにより接続する。これにより、各リードが半導体チップと電気的に接続される。ここで、第１の開口部には、複数本のリードの一面およびボンディングワイヤを封止して保護する封止材を設ける。   After the cutting, the semiconductor chip and one surface of each lead are connected by a bonding wire through the first opening. Thereby, each lead is electrically connected to the semiconductor chip. Here, a sealing material for sealing and protecting one surface of the plurality of leads and the bonding wire is provided in the first opening.

一方、ワイヤボンディングと反対側の第２の開口部には、当該第２の開口部を閉塞する蓋部材を設けることにより、封止材の漏れを防止することになる。こうして、リードの表裏両面およびワイヤの電気絶縁性が確保されることとなる。   On the other hand, a sealing member is prevented from leaking by providing a lid member that closes the second opening at the second opening opposite to the wire bonding. Thus, both the front and back surfaces of the lead and the electrical insulation of the wire are secured.

このような複数本のリードを補助配線部材として用いる半導体装置の製造方法は、次の通りである。まず、上記複数本のリードを用意し、これを、金型を用いて樹脂成形することでモールド樹脂を成形する。   A method of manufacturing a semiconductor device using such a plurality of leads as auxiliary wiring members is as follows. First, the plurality of leads are prepared, and this is resin-molded using a mold to mold a mold resin.

その後、リード間のタイバーをカットし、さらに半導体チップを搭載し、ワイヤボンディングを行う。その後、第２の開口部に蓋部材を圧入し、第１の開口部側に封止材を設け、この封止材を硬化する。これにより当該半導体装置ができあがる。   Thereafter, the tie bar between the leads is cut, a semiconductor chip is further mounted, and wire bonding is performed. Thereafter, a lid member is press-fitted into the second opening, a sealing material is provided on the first opening, and the sealing material is cured. Thereby, the semiconductor device is completed.

ここで、モールド工程では、リードの表裏両面を金型で押さえることで上記第１および第２の開口部を形成するが、リード間の隙間からモールド樹脂が侵入して、リードの一面側のワイヤボンディング部に付着する恐れがある。当該付着による汚染が発生するとリードの一面にワイヤボンディングができなくなる可能性がある。   Here, in the molding step, the first and second openings are formed by pressing the front and back surfaces of the lead with a mold, but the mold resin enters from the gap between the leads, and the wire on one side of the lead There is a risk of adhering to the bonding part. If contamination due to the adhesion occurs, wire bonding may not be possible on one surface of the lead.

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、リードのうちモールド樹脂より露出してワイヤボンディングされる面が、モールド工程時に汚染されるのを防止することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problem, and an object of the present invention is to prevent the surface of the lead exposed from the mold resin and wire-bonded from being contaminated during the molding process.

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、一面（１０ａ）と他面（１０ｂ）とが表裏の関係にあり、隙間を有して配列された複数本のリード（１１）と、個々のリードの両端側を支持するモールド樹脂（２０）と、モールド樹脂に搭載された半導体チップ（３０）と、を備え、モールド樹脂には、個々のリードの一面側、他面側をそれぞれ露出させるとともに、リード間の隙間を介して互いに連通する第１の開口部（２１）、第２の開口部（２２）が設けられており、第１の開口部を介して半導体チップと個々のリードの一面とがボンディングワイヤ（４０）により接続されており、さらに、第１の開口部には、複数本のリードの一面およびボンディングワイヤを封止する封止材（５０）が設けられ、第２の開口部には、当該第２の開口部を閉塞する蓋部材（６０）が設けられている半導体装置を製造する製造方法であって、以下の工程を備えている。   In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, the one surface (10a) and the other surface (10b) are front and back, and a plurality of leads (11) arranged with a gap between them. And a mold resin (20) for supporting both end sides of each lead, and a semiconductor chip (30) mounted on the mold resin. The mold resin has one side and the other side of each lead. A first opening (21) and a second opening (22) that are exposed and communicated with each other via a gap between the leads are provided, and the semiconductor chip and the individual openings are provided via the first opening. One surface of the lead is connected by a bonding wire (40), and the first opening is provided with a sealing material (50) for sealing one surface of the plurality of leads and the bonding wire. The second opening has a second A method of manufacturing a semiconductor device in which the lid member closing the opening (60) is provided, includes the following steps.

・複数本のリードと、複数本のリードの配列方向の両外側に位置する外枠部（１１ａ）と、個々のリードにおけるワイヤボンディング部よりも両端部側に位置して隣り合うリード同士を連結するとともに外枠部とこれに隣り合うリードとを連結するタイバー（１５ａ）と、を有するものであって、外枠部およびタイバーによって複数本のリードにおけるワイヤボンディング部を取り囲む環状の環状部（１６）が構成されたリードフレーム（１０）を用意するリード用意工程。   ・ Connects multiple leads, outer frame portion (11a) located on both outer sides in the arrangement direction of the multiple leads, and adjacent leads located on both ends of the wire bonding portion of each lead And an outer frame portion and a tie bar (15a) for connecting a lead adjacent to the outer frame portion, and an annular annular portion (16) surrounding the wire bonding portion of the plurality of leads by the outer frame portion and the tie bar. A lead preparing step of preparing a lead frame (10) configured with

・第１の開口部の空間形状に対応した形状をなし、複数本のリードの一面側に接触する接触面（１１１）を持つ第１の押さえ部（１１０）と、第２の開口部の空間形状に対応した形状をなし、複数本のリードの他面側に接触する接触面（１２１）を持つ第２の押さえ部（１２０）とを有する金型であって、第１の押さえ部における接触面については、環状部に対応した環状をなす凸部（１１２）が周辺部に設けられ当該凸部の内周は凹部（１１３）とされている金型（１００）を用い、第２の押さえ部における接触面を複数本のリードの他面側に接触させるとともに、第１の押さえ部における接触面については、リードの一面側から環状部に対して凸部を接触させることで複数本のリードの一面のうち凹部に位置する部位にモールド樹脂が入り込まない状態とし、この状態で、モールド樹脂による封止を行うことにより、第１の開口部および第２の開口部を有するモールド樹脂を成形するモールド工程。   A first pressing portion (110) having a shape corresponding to the space shape of the first opening and having a contact surface (111) contacting one surface of the plurality of leads, and a space of the second opening A mold having a shape corresponding to the shape and having a second pressing portion (120) having a contact surface (121) that contacts the other surface side of the plurality of leads, the contact at the first pressing portion As for the surface, a second presser is used by using a mold (100) in which an annular convex portion (112) corresponding to the annular portion is provided in the peripheral portion and the inner periphery of the convex portion is a concave portion (113). The contact surface of the first contact portion is brought into contact with the other surface side of the plurality of leads, and the contact surface of the first pressing portion is formed by bringing the convex portion into contact with the annular portion from one surface side of the lead. Mold resin enters the part of the surface located in the recess. And a state of not written, in this state, by performing the sealing with the mold resin, the mold for molding the molding resin having a first opening and a second opening step.

第１の開口部および第２の開口部のいずれか一方を介して、タイバーをカットするタイバーカット工程。第１の開口部および第２の開口部の外側にてモールド樹脂に半導体チップを搭載するチップ搭載工程。第１の開口部を介して半導体チップと個々のリードの一面との間でワイヤボンディングを行い、ボンディングワイヤを形成するワイヤボンディング工程。蓋部材を、第２の開口部に対して圧入し固定する蓋設置工程。第１の開口部側から液状の封止材を注入し、個々のリードの一面を当該液状の封止材により被覆する封止材注入工程。封止材を硬化させる封止材硬化工程。本発明の製造方法は、これらの各工程を備えることを特徴としている。   A tie bar cutting step of cutting a tie bar through one of the first opening and the second opening. A chip mounting step of mounting a semiconductor chip on the mold resin outside the first opening and the second opening. A wire bonding step of forming a bonding wire by performing wire bonding between the semiconductor chip and one surface of each lead through the first opening. A lid installation step for press-fitting and fixing the lid member to the second opening. A sealing material injection step of injecting a liquid sealing material from the first opening side and covering one surface of each lead with the liquid sealing material. A sealing material curing step for curing the sealing material. The manufacturing method of the present invention is characterized by including these steps.

それによれば、モールド工程では、複数本のリードの一面におけるワイヤボンディング部の全周囲に位置する環状部に対して、第１の押さえ部における凸部が接触することにより、当該ワイヤボンディング部は、第１の押さえ部における凹部内に閉塞される。そのため、モールド樹脂がリード間の隙間から当該ワイヤボンディング部に入り込もうとしても、リード間のタイバーにより阻止される。   According to this, in the molding process, the convex part in the first pressing part comes into contact with the annular part located on the entire periphery of the wire bonding part on one surface of the plurality of leads, so that the wire bonding part is The first pressing portion is closed in the recess. Therefore, even if the mold resin tries to enter the wire bonding portion through the gap between the leads, it is blocked by the tie bar between the leads.

こうして、モールド樹脂のリードの一面におけるワイヤボンディング部への付着が防止される。また第１の押さえ部の凹部によって当該ワイヤボンディング部に金型が接触することはなく、金型の接触による汚染も防止される。よって、本発明によれば、リードのうちモールド樹脂より露出してワイヤボンディングされる面が、モールド工程時に汚染されるのを防止することができる。   In this way, adhesion of the mold resin lead to the wire bonding portion on one surface is prevented. Further, the mold is not brought into contact with the wire bonding portion by the concave portion of the first pressing portion, and contamination due to the contact of the die is prevented. Therefore, according to the present invention, it is possible to prevent the surface of the lead exposed from the mold resin and wire-bonded from being contaminated during the molding process.

ここで、請求項２に記載の発明のように、請求項１の製造方法においては、第２の開口部を介してリードの他面側に樹脂よりなる接着剤（７０）を注入する接着剤注入工程を行った後、蓋設置工程を行うことにより、接着剤によって、リード間の隙間、および、蓋部材とリードの他面との隙間を埋めるようにしてもよい。   Here, as in the invention according to claim 2, in the manufacturing method according to claim 1, an adhesive that injects an adhesive (70) made of resin to the other surface side of the lead through the second opening. After performing the injection step, the lid installation step may be performed to fill the gap between the leads and the gap between the lid member and the other surface of the lead with an adhesive.

第１の開口部から注入される封止材では、リードの隙間、さらには、リードの隙間を介してリードの他面側まで充填するのは難しく、リードの隙間、および、蓋部材とリードの他面との隙間が残ってしまう。それに対して、本発明の製造方法のように、接着剤によって当該隙間を埋めてしまえば、当該隙間が残存することがなくなる。   In the sealing material injected from the first opening, it is difficult to fill the gap between the leads and further to the other surface side of the lead through the gap between the leads. A gap with the other side remains. In contrast, if the gap is filled with an adhesive as in the manufacturing method of the present invention, the gap does not remain.

この場合、さらに、請求項３に記載の発明のように、封止材硬化工程にて、封止材とともに接着剤を一括して硬化すれば、製造工程の効率化を図ることができる。   In this case, if the adhesive is cured together with the sealing material in the sealing material curing step as in the invention described in claim 3, the manufacturing process can be made more efficient.

また、請求項４に記載の発明のように、請求項１〜３に記載の半導体装置の製造方法においては、蓋部材として、当該蓋部材のうち第２の開口部にてモールド樹脂に接触する側面（６２〜６５）には粗化処理がなされたものを用いてもよい。   Moreover, in the manufacturing method of the semiconductor device according to any one of claims 1 to 3 as in the invention described in claim 4, the lid member is in contact with the mold resin at the second opening of the lid member. The side surfaces (62 to 65) may be subjected to roughening treatment.

それによれば、蓋設置工程では、蓋部材における粗化処理された側面とモールド樹脂との密着力が向上し、第２の開口部から蓋部材が落ちにくくなる、という効果が期待できる。   According to this, in the lid installation step, it is possible to expect an effect that the adhesion between the roughened side surface of the lid member and the mold resin is improved, and the lid member is less likely to fall from the second opening.

この場合、請求項５に記載の発明のように、蓋部材の側面のうち少なくとも対向する２つの側面にて粗化処理がなされているものにすれば、第２の開口部においてモールド樹脂に対する蓋部材の支持が確保しやすくなる。   In this case, as in the invention described in claim 5, if the roughening process is performed on at least two opposite side surfaces of the side surfaces of the lid member, the lid for the mold resin in the second opening is provided. It becomes easy to ensure the support of the member.

さらに、請求項６に記載の発明のように、蓋部材の側面のうち半導体チップに最も近い位置にて隣り合う側面から当該側面に対向する側面に向かう方向を第１の方向（Ｙ１）としたとき、この第１の方向にて対向する２つの側面（６２、６３）には粗化処理はなされず、第１の方向とは直交する方向にて対向する２つの側面（６４、６５）に粗化処理がなされているものであり、この前記粗化処理がなされた２つの側面が、第２の開口部にてモールド樹脂に接触するものであることが好ましい。   Further, as in the invention according to claim 6, the direction from the side surface adjacent to the semiconductor chip among the side surfaces of the lid member toward the side surface facing the side surface is defined as the first direction (Y1). When the two side surfaces (62, 63) facing in the first direction are not roughened, the two side surfaces (64, 65) facing in the direction perpendicular to the first direction are not roughened. Roughening treatment is performed, and it is preferable that the two side surfaces subjected to the roughening treatment are in contact with the mold resin at the second opening.

それによれば、蓋部材を第２の開口部に圧入するときにモールド樹脂に加わる応力が、半導体チップに影響しにくくなる。   According to this, the stress applied to the mold resin when the lid member is press-fitted into the second opening is less likely to affect the semiconductor chip.

なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。   In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each means described in the claim and this column is an example which shows a corresponding relationship with the specific means as described in embodiment mentioned later.

（ａ）は本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の概略平面図、（ｂ）は（ａ）中の半導体装置における一点鎖線Ａ−Ａに沿った概略断面図、（ｃ）は（ａ）中の半導体装置における一点鎖線Ｂ−Ｂに沿った部分を拡大して示す概略断面図である。(A) is a schematic plan view of the semiconductor device concerning 1st Embodiment of this invention, (b) is a schematic sectional drawing in alignment with the dashed-dotted line AA in the semiconductor device in (a), (c) is (a) 2] is a schematic cross-sectional view showing an enlarged portion along a one-dot chain line BB in the semiconductor device in FIG. （ａ）は図１に示される半導体装置における蓋部材の概略平面図、（ｂ）は（ａ）中の蓋部材における一点鎖線Ｃ−Ｃに沿った概略断面図である。(A) is a schematic top view of the cover member in the semiconductor device shown by FIG. 1, (b) is a schematic sectional drawing in alignment with the dashed-dotted line CC in the cover member in (a). 上記第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法におけるリード用意工程を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。It is a figure which shows the lead preparation process in the manufacturing method of the semiconductor device concerning the said 1st Embodiment, (a) is a schematic plan view, (b) is a schematic sectional drawing. 上記第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法におけるモールド工程におけるワークと金型との関係を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図、（ｃ）は第１の押さえ部における接触面の概略平面図である。It is a figure which shows the relationship between the workpiece | work and metal mold | die in the molding process in the manufacturing method of the semiconductor device concerning the said 1st Embodiment, (a) is a schematic plan view, (b) is a schematic sectional drawing, (c) is a 1st figure. It is a schematic plan view of the contact surface in 1 pressing part. 上記第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法におけるモールド工程を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。It is a figure which shows the molding process in the manufacturing method of the semiconductor device concerning the said 1st Embodiment, (a) is a schematic plan view, (b) is a schematic sectional drawing. 上記第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法におけるタイバーカット工程を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。It is a figure which shows the tie bar cut process in the manufacturing method of the semiconductor device concerning the said 1st Embodiment, (a) is a schematic plan view, (b) is a schematic sectional drawing. 上記第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法におけるチップ搭載工程を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。It is a figure which shows the chip | tip mounting process in the manufacturing method of the semiconductor device concerning the said 1st Embodiment, (a) is a schematic plan view, (b) is a schematic sectional drawing. 上記第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法におけるワイヤボンディング工程を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。It is a figure which shows the wire bonding process in the manufacturing method of the semiconductor device concerning the said 1st Embodiment, (a) is a schematic plan view, (b) is a schematic sectional drawing. 上記第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法におけるダム形成工程を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。It is a figure which shows the dam formation process in the manufacturing method of the semiconductor device concerning the said 1st Embodiment, (a) is a schematic plan view, (b) is a schematic sectional drawing. 上記第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法における接着剤注入工程を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the adhesive agent injection | pouring process in the manufacturing method of the semiconductor device concerning the said 1st Embodiment. 上記第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法における蓋設置工程を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the cover installation process in the manufacturing method of the semiconductor device concerning the said 1st Embodiment. 上記第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法における封止材注入工程を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the sealing material injection | pouring process in the manufacturing method of the semiconductor device concerning the said 1st Embodiment. 本発明の第２実施形態にかかる半導体装置の断面図である。It is sectional drawing of the semiconductor device concerning 2nd Embodiment of this invention. （ａ）は第２の開口部の壁面および蓋部材の側面の傾斜角度をそれぞれ規定した場合に蓋部材に掛かる力Ｆ１を示した断面図であり、（ｂ）は当該傾斜角度を規定しない場合に蓋部材に掛かる力Ｆ２を示した断面図である。(A) is sectional drawing which showed force F1 applied to a cover member when the inclination angle of the wall surface of a 2nd opening part and the side surface of a cover member is each prescribed | regulated, (b) is the case where the said inclination angle is not prescribed | regulated It is sectional drawing which showed force F2 applied to a cover member.

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各図相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following drawings, parts that are the same or equivalent to each other are given the same reference numerals in the drawings for the sake of simplicity.

（第１実施形態）
本発明の実施形態にかかる半導体装置Ｓ１について、図１、図２を参照して述べる。この半導体装置Ｓ１は、たとえば自動車に搭載されるＥＣＵ等の電子装置の構成要素として適用される。 (First embodiment)
A semiconductor device S1 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. This semiconductor device S1 is applied as a component of an electronic device such as an ECU mounted on an automobile, for example.

本実施形態の半導体装置Ｓ１は、大きくは、リードフレーム１０と、リードフレーム１０を封止するモールド樹脂２０と、モールド樹脂２０上に搭載された半導体チップ３０と、半導体チップ３０とモールド樹脂２０より開口するリードフレーム１０のリード１１とを接続するボンディングワイヤ４０と、を備える。   The semiconductor device S1 of the present embodiment is roughly composed of a lead frame 10, a mold resin 20 for sealing the lead frame 10, a semiconductor chip 30 mounted on the mold resin 20, and the semiconductor chip 30 and the mold resin 20. And a bonding wire 40 that connects the lead 11 of the lead frame 10 that opens.

リードフレーム１０は、一面１０ａと他面１０ｂとが表裏の関係にある板状をなすものであり、板材をパターニングすることで複数本のリード１１、アイランド１２、外部接続端子１３を形成してなるものである。したがって、リードフレーム１０の一面１０ａ、他面１０ｂは、そのままリード１１、アイランド１２、外部接続端子１３の一面１０ａ、他面１０ｂに相当する。   The lead frame 10 has a plate shape in which one surface 10a and the other surface 10b are in a front-back relationship, and a plurality of leads 11, islands 12, and external connection terminals 13 are formed by patterning a plate material. Is. Therefore, the one surface 10a and the other surface 10b of the lead frame 10 correspond to the one surface 10a and the other surface 10b of the lead 11, the island 12, and the external connection terminal 13 as they are.

このようなリードフレーム１０は、Ｃｕや４２アロイ等の金属製の板材よりなる。そして、リードフレーム１０は、当該板材をプレスやエッチングでパターニングすることで、後述の図３等に示されるように、フレーム部１４およびタイバー１５ａ、１５ｂによって、リード１１、アイランド１２、外部接続端子１３が一体に連結された状態で形成されている。   Such a lead frame 10 is made of a metal plate material such as Cu or 42 alloy. The lead frame 10 is formed by patterning the plate material by pressing or etching, so that the lead 11, the island 12, and the external connection terminal 13 are formed by the frame portion 14 and the tie bars 15a and 15b as shown in FIG. Are formed in an integrally connected state.

そして、モールド樹脂２０で封止後に、これらフレーム部１４、タイバー１５ａ、１５ｂをカットすることで、リードフレーム１０は、リード１１、アイランド１２、外部接続端子１３が互いに分離したものとされる。したがって、図１に示される半導体装置Ｓ１においては、リードフレーム１０におけるリード１１とアイランド１２と外部接続端子１３とは、モールド樹脂２０で支持されつつ互いに分離した状態とされている。   Then, after sealing with the mold resin 20, the frame portion 14 and the tie bars 15 a and 15 b are cut so that the lead 11, the island 12, and the external connection terminal 13 are separated from each other. Therefore, in the semiconductor device S <b> 1 shown in FIG. 1, the lead 11, the island 12, and the external connection terminal 13 in the lead frame 10 are separated from each other while being supported by the mold resin 20.

リード１１は、一面１０ａと他面１０ｂとが表裏の関係にあり、隙間を有して配列された複数本のものよりなり、ここでは、細長の板形状をなしている。各リード１１は、一面１０ａをボンディングワイヤ４０と接続されるワイヤ接続面としている。そして、各リード１１は、この一面１０ａを上方に向けつつ、同一平面にて長手方向を揃えた状態で互いに隙間を有して配列されている。   The lead 11 has one surface 10a and the other surface 10b in a front-and-back relationship, and is composed of a plurality of leads arranged with a gap. Here, the lead 11 has an elongated plate shape. Each lead 11 has one surface 10 a as a wire connection surface connected to the bonding wire 40. The leads 11 are arranged with a gap therebetween with the one surface 10a facing upward and the longitudinal direction aligned on the same plane.

ここで、複数本のリード１１の配列方向の両外側には、外枠部１１ａが配置されている。この外枠部１１ａは、リードフレーム１０の一部として構成されたもので、モールド樹脂２０の封止前には、タイバー１５ａによりリード１１と連結されていたものである（図３参照）。   Here, outer frame portions 11 a are arranged on both outer sides in the arrangement direction of the plurality of leads 11. The outer frame portion 11a is configured as a part of the lead frame 10, and is connected to the lead 11 by the tie bar 15a before the molding resin 20 is sealed (see FIG. 3).

モールド樹脂２０内にて、アイランド１２には、図示しない電子部品が搭載されている。この電子部品としては、たとえば回路チップ等の表面実装部品や回路基板等が挙げられる。外部接続端子１３は、ワイヤボンディングやはんだ付け等の接続方法によって、半導体装置Ｓ１と外部との接続を行うものである。   An electronic component (not shown) is mounted on the island 12 in the mold resin 20. Examples of the electronic component include a surface mount component such as a circuit chip and a circuit board. The external connection terminal 13 connects the semiconductor device S1 and the outside by a connection method such as wire bonding or soldering.

そして、リード１１、アイランド１２、外部接続端子１３の各間は、モールド樹脂２０内にて、図示しないボンディングワイヤ等で結線され、電気的に接続されている。   The leads 11, the islands 12, and the external connection terminals 13 are electrically connected by bonding wires (not shown) in the mold resin 20.

モールド樹脂２０は、リードフレーム１０のうち、各リード１１の長手方向の両端側、外枠部１１ａ、アイランド１２全体、外部接続端子１３のインナーリード、さらには、上記したリードフレーム１０上の部品や、リードフレームの各部間を接続する図示しないボンディングワイヤを封止している。このモールド樹脂２０は、エポキシ樹脂等よりなり、トランスファーモールド法により形成されている。   The mold resin 20 is composed of the lead frame 10 at both ends in the longitudinal direction of each lead 11, the outer frame portion 11 a, the entire island 12, the inner leads of the external connection terminals 13, and the components on the lead frame 10 described above. Bonding wires (not shown) for connecting the respective parts of the lead frame are sealed. The mold resin 20 is made of an epoxy resin or the like and is formed by a transfer mold method.

このモールド樹脂２０には、半導体チップ３０を搭載するためのチップ搭載部２３が形成されている。この半導体チップ３０としては、特に限定するものではないが、流量センサ、圧力センサ、加速度センサ、角速度センサ等のセンサチップや、その他、回路チップ等が挙げられる。   A chip mounting portion 23 for mounting the semiconductor chip 30 is formed on the mold resin 20. The semiconductor chip 30 is not particularly limited, and examples include a sensor chip such as a flow rate sensor, a pressure sensor, an acceleration sensor, and an angular velocity sensor, and a circuit chip.

ここでは、モールド樹脂２０におけるチップ搭載部２３は凹部として構成されている。そして、半導体チップ３０は、このチップ搭載部２３に配置されており、エポキシ樹脂等よりなる接着剤３１を介してモールド樹脂２０に搭載され、モールド樹脂２０に固定されている。   Here, the chip mounting portion 23 in the mold resin 20 is configured as a recess. The semiconductor chip 30 is arranged on the chip mounting portion 23, mounted on the mold resin 20 via an adhesive 31 made of epoxy resin or the like, and fixed to the mold resin 20.

また、このモールド樹脂２０には、リード１１の一面１０ａ側にて第１の開口部２１が設けられている。この第１の開口部２１は、個々のリード１１の一面１０ａにおけるワイヤボンディング部をモールド樹脂２０より露出させるものである。   The mold resin 20 is provided with a first opening 21 on the one surface 10 a side of the lead 11. The first opening 21 exposes the wire bonding portion on the one surface 10 a of each lead 11 from the mold resin 20.

それとともに、モールド樹脂２０には、リード１１の他面１０ｂ側にて第２の開口部２２が設けられている。この第２の開口部２２は、個々のリード１１の他面１０ｂ側をモールド樹脂２０より露出させるものである。   At the same time, the mold resin 20 is provided with a second opening 22 on the other surface 10 b side of the lead 11. The second opening 22 exposes the other surface 10 b side of each lead 11 from the mold resin 20.

ここで、第１の開口部２１と第２の開口部２２とは、リード１１間の隙間を介して互いに連通している。つまり、リード１１を境にして、リード１１の一面１０ａ側が第１の開口部２１とされ、リード１１の他面１０ｂ側が第２の開口部２２とされている。これにより、各リード１１は、その長手方向の両端側にてモールド樹脂２０に支持されている。   Here, the first opening 21 and the second opening 22 communicate with each other through a gap between the leads 11. That is, with the lead 11 as a boundary, the one surface 10 a side of the lead 11 is the first opening 21, and the other surface 10 b side of the lead 11 is the second opening 22. Thereby, each lead 11 is supported by the mold resin 20 at both ends in the longitudinal direction.

そして、第１の開口部２１を介して半導体チップ３０と個々のリード１１の一面１０ａとが金やアルミニウム等よりなるボンディングワイヤ４０により接続されている。このボンディングワイヤ４０による接続は、各リード１１と半導体チップ３０との間で行われているが、図１（ａ）では、一本のボンディングワイヤ４０のみ示してある。   The semiconductor chip 30 and one surface 10a of each lead 11 are connected to each other through a first opening 21 by a bonding wire 40 made of gold, aluminum, or the like. The connection by the bonding wire 40 is performed between each lead 11 and the semiconductor chip 30. In FIG. 1A, only one bonding wire 40 is shown.

さらに、第１の開口部２１には、第１の開口部２１にて露出するリード１１の一面１０ａおよびボンディングワイヤ４０を封止する封止材５０が設けられている。この封止材５０は、この種の半導体装置に用いられる封止材料、たとえばシリカよりなるフィラーを含有するエポキシ樹脂等よりなる。   Further, the first opening 21 is provided with a sealing material 50 for sealing the one surface 10 a of the lead 11 exposed at the first opening 21 and the bonding wire 40. The sealing material 50 is made of a sealing material used for this type of semiconductor device, for example, an epoxy resin containing a filler made of silica.

一方、第２の開口部２２には、第２の開口部２２を閉塞する蓋部材６０が設けられている。この蓋部材６０は、第１の開口部２１への封止材５０の設置時に、第２の開口部２２からの封止材５０の漏れ防止を行うものであり、第２の開口部２２に圧入されて固定されている。   On the other hand, a lid member 60 that closes the second opening 22 is provided in the second opening 22. The lid member 60 prevents leakage of the sealing material 50 from the second opening 22 when the sealing material 50 is installed in the first opening 21. It is press-fitted and fixed.

この蓋部材６０について、図２も参照して述べる。図２（ａ）では、蓋部材６０のうちリード１１の他面１０ｂに対向する面である対向面６１側から視たときの蓋部材６０の平面構成を示しているが、この蓋部材６０の平面形状は、第２の開口部２２の開口形状に対応した形状とされている。   The lid member 60 will be described with reference to FIG. FIG. 2A shows a planar configuration of the lid member 60 when viewed from the facing surface 61 side, which is the surface facing the other surface 10b of the lead 11, of the lid member 60. The planar shape is a shape corresponding to the opening shape of the second opening 22.

ここでは、蓋部材６０の平面形状は、リード１１の長手方向を短辺、リード１１の配列方向を長辺とする矩形をなしている。そして、蓋部材６０の４つの側面６２〜６５は、対向面６１側からこれとは反対側に向かってテーパ状に広がるように傾斜した面とされている。   Here, the planar shape of the lid member 60 is a rectangle in which the longitudinal direction of the leads 11 is the short side and the arrangement direction of the leads 11 is the long side. The four side surfaces 62 to 65 of the lid member 60 are inclined surfaces so as to spread in a tapered shape from the facing surface 61 side toward the opposite side.

なお、図２（ａ）中の両矢印で示される第１の方向Ｙ１は、ここではリード１１の長手方向に相当する。具体的には、図２（ａ）にて蓋部材６０よりも第１の方向Ｙ１に沿った紙面上側に半導体チップ３０が位置することになる。   Note that the first direction Y1 indicated by the double-headed arrow in FIG. 2A corresponds to the longitudinal direction of the lead 11 here. Specifically, in FIG. 2A, the semiconductor chip 30 is positioned on the upper side of the paper surface along the first direction Y1 than the lid member 60.

言い換えれば、蓋部材６０の側面６２〜６５のうち半導体チップ３０に最も近い位置にて隣り合う側面６２と側面６３とを結ぶ方向が、第１の方向Ｙ１とされている。すなわち、蓋部材６０の側面６２〜６５のうち半導体チップ３０に最も近い位置にて隣り合う側面６２から当該側面６３に対向する側面に向かう方向も当然第１の方向Ｙ１である。この場合、第１の方向Ｙ１にて対向する２つの側面６２、６３は蓋部材６０の長辺の側面であり、第１の方向Ｙ１とは直交する方向にて対向する２つの側面６４、６５は短辺の側面である。   In other words, the direction connecting the side surface 62 and the side surface 63 adjacent to each other at the position closest to the semiconductor chip 30 among the side surfaces 62 to 65 of the lid member 60 is the first direction Y1. That is, the direction from the side surface 62 adjacent to the semiconductor chip 30 among the side surfaces 62 to 65 of the lid member 60 toward the side surface facing the side surface 63 is also the first direction Y1. In this case, the two side surfaces 62 and 63 facing in the first direction Y1 are side surfaces of the long side of the lid member 60, and the two side surfaces 64 and 65 facing in the direction orthogonal to the first direction Y1. Is the side of the short side.

そして、これら蓋部材６０の側面６２〜６５のうち少なくとも対向する２つの側面が、第２の開口部２２の側面に接触した状態で圧入が行われている。このような蓋部材６０は、樹脂成形により形成されたものであり、具体的には、エポキシ樹脂等よりなる。   The press-fitting is performed in a state where at least two opposing side surfaces of the side surfaces 62 to 65 of the lid member 60 are in contact with the side surface of the second opening 22. Such a lid member 60 is formed by resin molding, and is specifically made of an epoxy resin or the like.

また、本実施形態では、図１（ｃ）に示されるように、さらに、第２の開口部２２内にてリード１１の他面１０ｂと蓋部材６０との間には、エポキシ樹脂等よりなる接着剤７０が介在している。この接着剤７０によって、リード１１間の隙間、および、蓋部材６０とリード１１の他面１０ｂとの隙間が埋められている。   Further, in the present embodiment, as shown in FIG. 1C, an epoxy resin or the like is further formed between the other surface 10 b of the lead 11 and the lid member 60 in the second opening 22. An adhesive 70 is interposed. The adhesive 70 fills the gap between the leads 11 and the gap between the lid member 60 and the other surface 10 b of the lead 11.

また、図１（ｂ）に示されるように、封止材５０は、半導体チップ３０におけるボンディングワイヤ４０との接続部位を封止しているが、半導体チップ３０における当該接続部位とは反対側の部位は、封止材５０より露出している。本実施形態では、この封止材５０のはみ出しを防止するためのダム部材８０が、半導体チップ３０上およびその周辺のモールド樹脂２０上に突出して設けられている。このダム部材８０はエポキシ樹脂等よりなる。   Further, as shown in FIG. 1B, the sealing material 50 seals the connection portion with the bonding wire 40 in the semiconductor chip 30, but on the side opposite to the connection portion in the semiconductor chip 30. The part is exposed from the sealing material 50. In the present embodiment, a dam member 80 for preventing the sealing material 50 from protruding is provided on the semiconductor chip 30 and on the mold resin 20 in the vicinity thereof. The dam member 80 is made of an epoxy resin or the like.

このような半導体装置Ｓ１においては、半導体チップ３０からの信号が、ボンディングワイヤ４０、リード１１を介して、アイランド１２上の図示しない電子部品に伝わり、さらに、外部接続端子１３から外部に出力されるようになっている。   In such a semiconductor device S 1, a signal from the semiconductor chip 30 is transmitted to an electronic component (not shown) on the island 12 through the bonding wire 40 and the lead 11, and is further output to the outside from the external connection terminal 13. It is like that.

次に、本半導体装置Ｓ１の製造方法について、図３〜図１２を参照して述べることとする。なお、図３〜図１２中の断面図では、フレーム部１４やタイバー１５ａ、１５ｂは省略してある。   Next, a method for manufacturing the semiconductor device S1 will be described with reference to FIGS. 3 to 12, the frame part 14 and the tie bars 15a and 15b are omitted.

［図３に示す工程］
まず、リード用意工程として、複数本のリード１１を有するリードフレーム１０を用意する。ここでは、フレーム部１４およびタイバー１５ａ、１５ｂによって、リード１１、外枠部１１ａ、アイランド１２、外部接続端子１３が一体に連結された状態のリードフレーム１０を用意する。 [Steps shown in FIG. 3]
First, as a lead preparation step, a lead frame 10 having a plurality of leads 11 is prepared. Here, the lead frame 10 in a state where the lead 11, the outer frame portion 11a, the island 12, and the external connection terminal 13 are integrally coupled by the frame portion 14 and the tie bars 15a and 15b is prepared.

ここで、タイバー１５ａは、個々のリード１１におけるワイヤボンディング部よりも両端部側に位置しており、隣り合う前記リード１１同士を連結するとともに外枠部１１ａとこれに隣り合うリード１１とを連結するものである。また、それ以外のタイバー１５ｂは、外枠部１１ａとフレーム部１４との間、アイランド１２とフレーム部１４との間、外部接続端子１３間を連結するものである。   Here, the tie bars 15a are located on both end sides of the wire bonding portions of the individual leads 11, and connect the adjacent leads 11 to each other and connect the outer frame portion 11a and the adjacent leads 11 to each other. To do. The other tie bars 15b connect the outer frame portion 11a and the frame portion 14, the island 12 and the frame portion 14, and the external connection terminals 13.

さらに、図３（ａ）に示されるように、この用意されるリードフレーム１０においては、外枠部１１ａおよびタイバー１５ａによって、複数本のリード１１におけるワイヤボンディング部を取り囲む環状の環状部１６が構成されている。ここでは、環状部１６は、タイバー１５ａの延びる方向を第１の辺とし、外枠部１１ａを第１の辺に直交する第２の辺とする矩形環状のものとされている。なお、図３（ａ）では、環状部１６の表面に便宜上、斜線ハッチングを施してある。   Further, as shown in FIG. 3A, in the prepared lead frame 10, an annular portion 16 surrounding the wire bonding portion of the plurality of leads 11 is constituted by the outer frame portion 11a and the tie bar 15a. Has been. Here, the annular portion 16 has a rectangular annular shape in which the extending direction of the tie bar 15a is a first side and the outer frame portion 11a is a second side orthogonal to the first side. In FIG. 3A, the surface of the annular portion 16 is hatched for convenience.

［図４、図５に示す工程］
次に、モールド工程では、第１の開口部２１および第２の開口部２２を形成するように複数本のリード１１をモールド樹脂２０で封止する。このモールド樹脂２０は、金型１００を用いたトランスファーモールド法により行う。金型１００は、典型的なものと同様、上型１０１と下型１０２とを合致させることで、当該上下型１０１、１０２の間にキャビティ１０３が形成されるものである。 [Steps shown in FIGS. 4 and 5]
Next, in the molding step, the plurality of leads 11 are sealed with the mold resin 20 so as to form the first opening 21 and the second opening 22. This mold resin 20 is performed by a transfer molding method using a mold 100. As in a typical mold 100, a cavity 103 is formed between the upper and lower molds 101 and 102 by matching the upper mold 101 and the lower mold 102.

ここで、金型１００は、第１の開口部２１の空間形状に対応した形状をなし、複数本のリード１１の一面１０ａ側に接触する接触面１１１を持つ第１の押さえ部１１０と、第２の開口部２２の空間形状に対応した形状をなし、複数本のリード１１の他面１０ｂ側に接触する接触面１２１を持つ第２の押さえ部１２０とを有する。   Here, the mold 100 has a shape corresponding to the spatial shape of the first opening 21, and includes a first pressing portion 110 having a contact surface 111 that contacts the one surface 10 a side of the plurality of leads 11, The second pressing portion 120 has a shape corresponding to the spatial shape of the two opening portions 22 and has a contact surface 121 that contacts the other surface 10 b side of the plurality of leads 11.

第１の押さえ部１１０は、上型１０１より突出する突起として構成されており、第２の押さえ部１２０は、第１の押さえ部１１０に対向して下型１０２より突出する突起として構成されている。   The first pressing part 110 is configured as a protrusion protruding from the upper mold 101, and the second pressing part 120 is configured as a protrusion protruding from the lower mold 102 so as to face the first pressing part 110. Yes.

さらに、図４（ｃ）に示されるように、第１の押さえ部１１０における接触面１１１については、環状部１６に対応した環状をなす凸部１１２が当該接触面１１１の周辺部に設けられ、これにより、当該凸部１１２の内周は凹部１１３とされている。ここでは、凸部１１２の平面形状は矩形枠状であり、その内周の凹部１１３は平面矩形とされている。   Further, as shown in FIG. 4C, the contact surface 111 of the first pressing portion 110 has an annular convex portion 112 corresponding to the annular portion 16 provided in the peripheral portion of the contact surface 111. Thereby, the inner periphery of the convex portion 112 is a concave portion 113. Here, the planar shape of the convex portion 112 is a rectangular frame shape, and the concave portion 113 on the inner periphery thereof is a planar rectangle.

また、金型１００において、第２の押さえ部１２０における接触面１２１は、第２の開口部２２の開口形状に対応した矩形をなし、リード１１の他面１１ｂのうち第２の開口部２２より露出すべき部位の全体に接触する平坦面とされている。   Further, in the mold 100, the contact surface 121 of the second pressing portion 120 has a rectangular shape corresponding to the opening shape of the second opening portion 22, and the second opening portion 22 of the other surface 11 b of the lead 11. It is set as the flat surface which contacts the whole site | part which should be exposed.

こうして、金型１００にワークを設置した状態では、各開口部２１、２２となる部位にて、第１の押さえ部１１０における接触面１１１がリード１１の一面１０ａに接触し、第２の押さえ部１２０における接触面１２１がリード１１の他面１１ｂに接触する。   Thus, in a state in which the workpiece is installed on the mold 100, the contact surface 111 of the first pressing portion 110 contacts the one surface 10a of the lead 11 at the portion to be the openings 21 and 22, and the second pressing portion. The contact surface 121 at 120 contacts the other surface 11 b of the lead 11.

このとき、第１の押さえ部１１０における接触面１１１については、凸部１１２は接触するが凹部１１３は接触しない。つまり、リード１１の一面１０ａ側から環状部１６に対して凸部１１２を接触させると、各リード１１の一面１０ａのうち凹部１１３に位置する部位にはモールド樹脂２０が入り込まない状態となる。   At this time, with respect to the contact surface 111 of the first pressing portion 110, the convex portion 112 is in contact but the concave portion 113 is not in contact. That is, when the convex portion 112 is brought into contact with the annular portion 16 from the one surface 10a side of the lead 11, the mold resin 20 does not enter the portion of the one surface 10a of each lead 11 located in the concave portion 113.

図４（ａ）では、キャビティ１０３の外形を破線にて示すとともに、第１の押さえ部１１０における接触面１１１の凸部１１２に対応する部分（ここでは矩形枠状の部分）に斜線ハッチングを施し、その内周を凹部１１３に対応する部位としてある。第１の押さえ部１１０の凸部１１２は、この図４（ａ）に示される位置にて、リード１１の一面１０ａに接触する。   4A, the outer shape of the cavity 103 is indicated by a broken line, and a portion corresponding to the convex portion 112 of the contact surface 111 in the first pressing portion 110 (here, a rectangular frame-shaped portion) is hatched. The inner periphery is a part corresponding to the recess 113. The convex portion 112 of the first pressing portion 110 is in contact with the one surface 10a of the lead 11 at the position shown in FIG.

こうして、各押さえ部１１０、１２０でリード１１の両面１０ａ、１０ｂを押さえた状態とし、この状態で、キャビティ１０３にモールド樹脂２０を充填し、モールド樹脂２０による封止を行う。   In this way, the pressing portions 110 and 120 hold the both surfaces 10a and 10b of the lead 11, and in this state, the cavity 103 is filled with the mold resin 20 and sealed with the mold resin 20.

これにより、図５に示されるように、リード１１の両端、外枠部１１ａ、アイランド１２、外部接続端子１３のインナーリードが封止される。このとき、モールド樹脂２０においては、チップ搭載部２３も形成される。こうして、第１の開口部２１および第２の開口部２２を有するモールド樹脂２０が成形される。ここまでがモールド工程である。   Thereby, as shown in FIG. 5, both ends of the lead 11, the outer frame portion 11a, the island 12, and the inner leads of the external connection terminal 13 are sealed. At this time, a chip mounting portion 23 is also formed in the mold resin 20. Thus, the mold resin 20 having the first opening 21 and the second opening 22 is molded. This is the molding process.

［図６に示す工程］
次に、タイバーカット工程では、カット型２００を用いて、第１の開口部２１および第２の開口部２２のいずれか一方を介して、リード１１間のタイバー１５ａを切断して個々のリード１１を分離する。このとき、モールド樹脂２０より露出する他のタイバー１５ｂおよびフレーム部１４も、カットする。 [Steps shown in FIG. 6]
Next, in the tie bar cutting step, the tie bar 15a between the leads 11 is cut through one of the first opening 21 and the second opening 22 by using the cut die 200, and the individual leads 11 are cut. Isolate. At this time, the other tie bars 15b and the frame portion 14 exposed from the mold resin 20 are also cut.

なお、本タイバーカット工程では、タイバー１５ｂおよびフレーム部１４のうちの一部をカットし、後の工程で残りの部分をカットする場合もある。このような場合も考慮して、本タイバーカット工程後の各工程を示した図７〜図９ではタイバー１５ｂおよびフレーム部１４も残して描いてある。したがって、本タイバーカット工程のように全てのタイバー１５ｂおよびフレーム部１４をカットした場合は、図７〜図９に示されているタイバー１５ｂおよびフレーム部１４は存在しない。   In the tie bar cutting process, a part of the tie bar 15b and the frame part 14 may be cut, and the remaining part may be cut in a later process. In consideration of such a case, in FIGS. 7 to 9 showing the respective steps after the tie bar cutting step, the tie bar 15b and the frame portion 14 are also drawn. Therefore, when all the tie bars 15b and the frame part 14 are cut like this tie bar cutting process, the tie bar 15b and the frame part 14 shown in FIGS. 7 to 9 do not exist.

［図７に示す工程］
次に、チップ搭載工程では、第１の開口部２１および第２の開口部２２の外側にてモールド樹脂２０に半導体チップ３０を搭載する。ここでは、接着剤３１をチップ搭載部２３に配置し、この接着剤３１を介して半導体チップ３０を搭載し、チップ搭載部２３に接着する。 [Steps shown in FIG. 7]
Next, in the chip mounting step, the semiconductor chip 30 is mounted on the mold resin 20 outside the first opening 21 and the second opening 22. Here, the adhesive 31 is disposed on the chip mounting portion 23, and the semiconductor chip 30 is mounted via the adhesive 31 and bonded to the chip mounting portion 23.

［図８に示す工程］
次に、ワイヤボンディング工程では、第１の開口部２１を介して半導体チップ３０と個々のリード１１との間でワイヤボンディングを行い、ボンディングワイヤ４０を形成する。このワイヤボンディングは、金やアルミニウム等のワイヤを用いたボールボンディング、ウェッジボンディング等によりなされる。 [Steps shown in FIG. 8]
Next, in the wire bonding step, wire bonding is performed between the semiconductor chip 30 and each lead 11 through the first opening 21 to form the bonding wire 40. This wire bonding is performed by ball bonding, wedge bonding or the like using a wire such as gold or aluminum.

［図９に示す工程］
次にダム形成工程では、ダム部材８０を、半導体チップ３０上およびその周辺のモールド樹脂２０上への塗布および硬化により、形成する。 [Steps shown in FIG. 9]
Next, in the dam formation step, the dam member 80 is formed by coating and curing on the semiconductor chip 30 and the mold resin 20 around it.

［図１０に示す工程］
次に、接着剤注入工程を行う。この工程では、第２の開口部２２を介してリード１１の他面１０ｂ側に樹脂よりなる接着剤７０を注入する。 [Steps shown in FIG. 10]
Next, an adhesive injection process is performed. In this step, an adhesive 70 made of resin is injected into the other surface 10 b side of the lead 11 through the second opening 22.

［図１１に示す工程］
次に、蓋設置工程では、蓋部材６０を、第２の開口部２２に対して圧入し固定する。本実施形態では、第２の開口部２２に予め接着剤７０が注入されており、この蓋設置工程を行うことにより、接着剤７０によって、リード１１間の隙間、および、蓋部材６０とリード１１の他面１０ｂとの隙間を埋めるようにする。 [Steps shown in FIG. 11]
Next, in the lid installation step, the lid member 60 is press-fitted and fixed to the second opening 22. In the present embodiment, the adhesive 70 is injected into the second opening 22 in advance. By performing this lid installation step, the adhesive 70 causes the gap between the leads 11 and the lid member 60 and the lead 11 to be formed. The gap with the other surface 10b is filled.

［図１２に示す工程］
次に、封止材注入工程では、第１の開口部２１側から液状の封止材５０を注入し、個々のリード１１の一面１０ａを当該液状の封止材５０により被覆する。 [Steps shown in FIG. 12]
Next, in the sealing material injection step, a liquid sealing material 50 is injected from the first opening 21 side, and one surface 10 a of each lead 11 is covered with the liquid sealing material 50.

その後は、この封止材５０を加熱等により硬化させる封止材硬化工程を行う。ここでは、封止材硬化工程にて、封止材５０とともに接着剤７０を一括して硬化する。たとえば、両部材５０、７０ともエポキシ樹脂としたとき、１５０℃程度の加熱により、両部材５０、７０の一括硬化が可能である。こうして、本実施形態の半導体装置Ｓ１ができあがる。   Thereafter, a sealing material curing step for curing the sealing material 50 by heating or the like is performed. Here, the adhesive 70 is cured together with the sealing material 50 in the sealing material curing step. For example, when both the members 50 and 70 are made of an epoxy resin, the members 50 and 70 can be collectively cured by heating at about 150 ° C. Thus, the semiconductor device S1 of this embodiment is completed.

ところで、本実施形態によれば、モールド工程では、複数本のリード１１の一面１１ａにおけるワイヤボンディング部の全周囲に位置する環状部１６に対して、第１の押さえ部１１０における凸部１１２が接触する。それにより、当該ワイヤボンディング部は、第１の押さえ部１１０における凹部１１３内に閉塞される。   By the way, according to the present embodiment, in the molding process, the convex portion 112 of the first pressing portion 110 contacts the annular portion 16 located around the wire bonding portion on the one surface 11a of the plurality of leads 11. To do. Thereby, the wire bonding portion is closed in the recess 113 in the first pressing portion 110.

そのため、モールド樹脂２０がリード１１間の隙間から当該ワイヤボンディング部に入り込もうとしても、リード１１間のタイバー１５ａにより阻止される。こうして、モールド樹脂２０のリード１１の一面１０ａにおけるワイヤボンディング部への付着が防止される。   Therefore, even if the mold resin 20 tries to enter the wire bonding portion from the gap between the leads 11, it is blocked by the tie bar 15 a between the leads 11. In this way, adhesion of the mold resin 20 to the wire bonding portion on the one surface 10a of the lead 11 is prevented.

また、第１の押さえ部１１０の凹部１１３によって当該ワイヤボンディング部に金型１００が接触することはなく、金型１００の接触による汚染も防止される。よって、本実施形態によれば、リード１１のうちモールド樹脂２０より露出してワイヤボンディングされる面１１ａが、モールド工程時に汚染されるのを防止することができる。   Further, the mold 100 does not come into contact with the wire bonding portion by the recess 113 of the first pressing portion 110, and contamination due to the contact of the mold 100 is also prevented. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to prevent the surface 11a of the lead 11 exposed from the mold resin 20 and wire-bonded from being contaminated during the molding process.

また、本実施形態では、第２の開口部２２を介してリード１１の他面１１ｂ側に接着剤７０を注入する接着剤注入工程を行った後、蓋設置工程を行うことにより、当該接着剤７０によって、リード１１間の隙間、および、蓋部材６０とリード１１の他面１０ｂとの隙間を埋めるようにしている。   Moreover, in this embodiment, after performing the adhesive injection | pouring process which inject | pours the adhesive agent 70 into the other surface 11b side of the lead 11 through the 2nd opening part 22, the said adhesive agent is performed by performing a lid | cover installation process. 70, the gap between the leads 11 and the gap between the lid member 60 and the other surface 10 b of the lead 11 are filled.

封止材５０を第１の開口部２１から注入する場合、リード１１の隙間、さらには、リード１１の隙間を介してリード１１の他面１０ｂ側まで封止材５０で充填するのは難しい。そのため、当該リード１１の隙間、および、蓋部材６０とリード１１の他面１０ｂとの隙間が残ってしまう。このことは、リード１１の隙間が小さいと顕著になる。それに対して、接着剤７０によって当該隙間を埋めてしまえば、当該隙間の残存防止が期待できる。   When injecting the sealing material 50 from the first opening 21, it is difficult to fill the gap between the leads 11 and further to the other surface 10 b side of the lead 11 through the gap between the leads 11. Therefore, a gap between the lead 11 and a gap between the lid member 60 and the other surface 10b of the lead 11 remain. This becomes significant when the gap between the leads 11 is small. On the other hand, if the gap is filled with the adhesive 70, it can be expected to prevent the gap from remaining.

また、本実施形態では、封止材硬化工程にて、封止材５０とともに接着剤７０を一括して硬化するようにしているから、製造工程の効率化を図ることができる。   In the present embodiment, since the adhesive 70 is cured together with the sealing material 50 in the sealing material curing step, the manufacturing process can be made more efficient.

また、本実施形態の製造方法においては、蓋部材６０として、当該蓋部材６０のうち第２の開口部２２にてモールド樹脂２０に接触する側面６２〜６５に粗化処理がなされたものを用いることが望ましい。   Moreover, in the manufacturing method of this embodiment, the thing by which the roughening process was made | formed to the side surfaces 62-65 which contact the mold resin 20 in the 2nd opening part 22 among the said cover members 60 as the said cover members 60 is used. It is desirable.

この粗化処理は、蓋部材６０を樹脂成形により成形するときの金型の内面を粗化したものとすることにより行える。また、粗化処理は、その他、エッチングやブラスト処理で行ってもよい。   This roughening treatment can be performed by roughening the inner surface of the mold when the lid member 60 is molded by resin molding. In addition, the roughening treatment may be performed by etching or blasting.

それによれば、蓋設置工程では、蓋部材６０における粗化処理された側面６２〜６５とモールド樹脂２０との密着力が向上し、第２の開口部２２から蓋部材６０が落ちにくくなる。ここで、粗化処理の粗化のレベルとしては、互いに接触するモールド樹脂２０の面の粗度と側面６２〜６５の粗度との積が１４を超える大きさとなることが望ましい。   Accordingly, in the lid installation process, the adhesion between the roughened side surfaces 62 to 65 of the lid member 60 and the mold resin 20 is improved, and the lid member 60 is less likely to fall from the second opening 22. Here, as the level of roughening in the roughening treatment, it is desirable that the product of the roughness of the surfaces of the mold resin 20 that are in contact with each other and the roughness of the side surfaces 62 to 65 be greater than 14.

また、この粗化処理される側面は、蓋部材６０の側面６２〜６５のうち少なくとも対向する２つの側面であればよい。具体的に、本実施形態では、上記図２（ａ）に示されるように、第１の方向Ｙ１にて対向する２つの側面６２、６３の組と、第１の方向Ｙ１とは直交する方向にて対向する２つの側面６４、６５の組とで、いずれか一方の組に粗化処理がなされていれば、モールド樹脂３０に対する蓋部材６０の支持が確保しやすくなる。   Moreover, the side surface to be roughened may be at least two side surfaces facing each other among the side surfaces 62 to 65 of the lid member 60. Specifically, in the present embodiment, as shown in FIG. 2A, the pair of two side surfaces 62 and 63 facing each other in the first direction Y1 and the direction orthogonal to the first direction Y1. If the roughening process is performed on any one of the two side surfaces 64 and 65 facing each other, the support of the lid member 60 to the mold resin 30 can be easily secured.

より望ましくは、蓋部材６０の側面６２〜６５のうち第１の方向Ｙ１にて対向する２つの側面６２、６３には前記粗化処理はなされず、第１の方向Ｙ１とは直交する方向にて対向する２つの側面６４、６５に粗化処理がなされていることがよい。そして、粗化処理がなされた２つの側面６４、６５が、第２の開口部２２にてモールド樹脂２０に接触し、それ以外の２つの側面６２、６３は、モールド樹脂２０とは多少隙間を有しているものとする。   More preferably, of the side surfaces 62 to 65 of the lid member 60, the two side surfaces 62 and 63 facing each other in the first direction Y1 are not subjected to the roughening treatment, and are in a direction orthogonal to the first direction Y1. It is preferable that the two side surfaces 64 and 65 facing each other are roughened. Then, the two side surfaces 64 and 65 that have been subjected to the roughening treatment are in contact with the mold resin 20 at the second opening 22, and the other two side surfaces 62 and 63 are slightly spaced from the mold resin 20. It shall have.

仮に、上記図１、図２において、第１の方向Ｙ１にて対向する２つの側面６２、６３に粗化処理を施した場合、蓋部材６０の圧入時には、当該２つの側面６２、６３がモールド樹脂２０に密着することになる。すると、当該圧入によって、第１の方向Ｙ１にて第２の開口部２２が広がるようにモールド樹脂２０に応力が加わるため、半導体チップ３０に対して当該応力の影響が発生しやすい。   If the two side surfaces 62 and 63 facing each other in the first direction Y1 are roughened in FIGS. 1 and 2, the two side surfaces 62 and 63 are molded when the lid member 60 is press-fitted. The resin 20 will be in close contact. As a result, stress is applied to the mold resin 20 so that the second opening 22 expands in the first direction Y <b> 1 by the press-fitting, so that the influence of the stress is likely to occur on the semiconductor chip 30.

それに対して、第１の方向Ｙ１とは直交する方向にて対向する２つの側面６４、６５に粗化処理がなされている場合、第１の方向Ｙ１と直交する方向にて第２の開口部２２が広がるようにモールド樹脂２０に応力が加わるだけであり、当該応力の影響は半導体チップ３０におよびにくいものとなる。つまり、蓋部材６０を第２の開口部２２に圧入するときにモールド樹脂２０に加わる応力の半導体チップ３０への影響を小さいものにできる。   On the other hand, when the two side surfaces 64 and 65 facing each other in the direction orthogonal to the first direction Y1 are roughened, the second opening in the direction orthogonal to the first direction Y1. Only the stress is applied to the mold resin 20 so that 22 spreads, and the influence of the stress does not easily reach the semiconductor chip 30. That is, the influence on the semiconductor chip 30 of the stress applied to the mold resin 20 when the lid member 60 is press-fitted into the second opening 22 can be reduced.

（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分について説明する。本実施形態では、図１１に示す蓋設置工程において、蓋部材６０がモールド樹脂２０の第２の開口部２２から抜け落ちることを防止する製造方法を提供する。 (Second Embodiment)
In the present embodiment, parts different from the first embodiment will be described. In the present embodiment, a manufacturing method for preventing the lid member 60 from falling off from the second opening 22 of the mold resin 20 in the lid installation step shown in FIG. 11 is provided.

このため、本実施形態では、モールド樹脂２０の材質としてエポキシ樹脂を用い、蓋部材６０の材質としてＰＰＳ・Ｇ４０を用いる。ＰＰＳ・Ｇ４０とはポリフェニレンサルファイド樹脂にガラスが４０重量％添加されているものである。ＰＰＳは熱可塑性樹脂の中でも加熱による伸びをできるだけ抑える特性を有する。そして、ＰＰＳに対するガラスの混合量を４０重量％とすることによりＰＰＳの所望の硬さと伸びにくさが得られる。   For this reason, in this embodiment, an epoxy resin is used as the material of the mold resin 20, and PPS · G40 is used as the material of the lid member 60. PPS · G40 is obtained by adding 40% by weight of glass to polyphenylene sulfide resin. PPS has the property of suppressing elongation due to heating as much as possible among thermoplastic resins. The desired hardness and difficulty of elongation of PPS can be obtained by setting the amount of glass mixed with PPS to 40% by weight.

また、モールド樹脂２０の第２の開口部２２に対する蓋部材６０の圧入角度が図１３の断面図に示される角度となるようにモールド樹脂２０および蓋部材６０が構成されている。なお、図１３は図１（ａ）のＢ−Ｂ断面に相当する図である。   Further, the mold resin 20 and the lid member 60 are configured so that the press-fit angle of the lid member 60 with respect to the second opening 22 of the mold resin 20 becomes an angle shown in the cross-sectional view of FIG. FIG. 13 is a view corresponding to the BB cross section of FIG.

具体的には、モールド樹脂２０の第２の開口部２２には蓋部材６０の４つの側面６２〜６５に対応する４つの壁面がある。これら４つの壁面のうちリード１１の長手方向に沿った少なくとも２つの壁面２２ａ、２２ｂが、リード１１の他面１０ｂに垂直であると共にリード１１の長手方向に沿った基準面９０に対して５°以下の角度で第２の開口部２２の開口側に向かって広がるように傾いている。言い換えると、少なくとも２つの壁面２２ａ、２２ｂは、リード１１の他面１０ｂ側から第２の開口部２２における蓋部材６０の入口側に向かって基準面９０に対して５°以下の角度で広がったテーパ面になっている。これらの壁面２２ａ、２２ｂは、第２の開口部２２において当該第２の開口部２２の長手方向の両端にそれぞれ位置し、互いに対向している面である。   Specifically, the second opening 22 of the mold resin 20 has four wall surfaces corresponding to the four side surfaces 62 to 65 of the lid member 60. Of these four wall surfaces, at least two wall surfaces 22 a and 22 b along the longitudinal direction of the lead 11 are perpendicular to the other surface 10 b of the lead 11 and 5 ° with respect to a reference surface 90 along the longitudinal direction of the lead 11. It inclines so that it may spread toward the opening side of the 2nd opening part 22 with the following angles. In other words, the at least two wall surfaces 22a and 22b spread at an angle of 5 ° or less with respect to the reference surface 90 from the other surface 10b side of the lead 11 toward the inlet side of the lid member 60 in the second opening 22. Tapered surface. The wall surfaces 22a and 22b are surfaces that are located at both ends of the second opening 22 in the longitudinal direction of the second opening 22 and face each other.

同様に、蓋部材６０の側面６２〜６５のうち第２の開口部２２の壁面２２ａ、２２ｂに対応する側面６４、６５が当該壁面２２ａ、２２ｂの角度に対応するように形成されている。すなわち、蓋部材６０の側面６４、６５は、基準面９０に対して５°以下の角度で対向面６１とは反対側が広がるように傾いたテーパ面になっている。具体的には、第２の開口部２２の壁面２２ａが蓋部材６０の側面６４に対応し、第２の開口部２２の壁面２２ｂが蓋部材６０の側面６５に対応する。なお、基準面９０は対向面６１に垂直な面であると共に第１の方向Ｙ１に沿った面であるとも言える。   Similarly, side surfaces 64 and 65 corresponding to the wall surfaces 22a and 22b of the second opening 22 among the side surfaces 62 to 65 of the lid member 60 are formed to correspond to the angles of the wall surfaces 22a and 22b. That is, the side surfaces 64 and 65 of the lid member 60 are tapered surfaces that are inclined so that the side opposite to the facing surface 61 spreads at an angle of 5 ° or less with respect to the reference surface 90. Specifically, the wall surface 22 a of the second opening 22 corresponds to the side surface 64 of the lid member 60, and the wall surface 22 b of the second opening 22 corresponds to the side surface 65 of the lid member 60. It can be said that the reference surface 90 is a surface perpendicular to the facing surface 61 and along the first direction Y1.

ここで、モールド樹脂２０の第２の開口部２２を構成する各壁面のうち、リード１１が並べられた方向に沿った２つの対向する壁面についても上記と同様に傾斜角度を規定しても良い。この場合、リード１１の他面１０ｂに垂直であると共にリード１１が並べられた方向に沿った面を基準面とし、この基準面に対して５°以下の角度で蓋部材６０の入口側が広がるように各壁面が傾いている。このように第２の開口部２２を構成する各壁面のうちリード１１が並べられた方向に沿った２つの対向する壁面の傾斜角度を規定したときは、蓋部材６０の側面６２、６３の傾斜角度も同じように傾斜させれば良い。   Here, among the wall surfaces constituting the second opening 22 of the mold resin 20, the inclination angle may also be defined for the two opposing wall surfaces along the direction in which the leads 11 are arranged in the same manner as described above. . In this case, a surface that is perpendicular to the other surface 10b of the lead 11 and along the direction in which the leads 11 are arranged is used as a reference surface, and the entrance side of the lid member 60 spreads at an angle of 5 ° or less with respect to the reference surface. Each wall is inclined. As described above, when the inclination angles of two opposing wall surfaces along the direction in which the leads 11 are arranged among the respective wall surfaces constituting the second opening 22 are defined, the inclinations of the side surfaces 62 and 63 of the lid member 60 are inclined. The angle may be similarly inclined.

なお、蓋部材６０の作りやすさや蓋部材６０の圧入のしやすさ等を考慮すると、基準面９０に対する第２の開口部２２の各壁面２２ａ、２２ｂや蓋部材６０の各側面６４、６５の傾斜角度の下限値は例えば１°以上であることが好ましい。したがって、傾斜角度は例えば１°以上、５°以下の範囲とする。   In consideration of ease of making the lid member 60 and ease of press-fitting of the lid member 60, the wall surfaces 22 a and 22 b of the second opening 22 with respect to the reference plane 90 and the side surfaces 64 and 65 of the lid member 60 The lower limit value of the tilt angle is preferably 1 ° or more, for example. Therefore, the inclination angle is set in a range of, for example, 1 ° or more and 5 ° or less.

次に、図１３に示された構造の半導体装置の製造方法について説明する。本実施形態では、第１実施形態で示された各工程のうちの図４および図５に示すモールド工程において、エポキシ樹脂を材質とするモールド樹脂２０を成形する。このとき、上述のように基準面９０に対して５°以下で傾けられた各壁面２２ａ、２２ｂを持つ第２の開口部２２を形成する。なお、リード１１が並べられた方向に沿った２つの対向する壁面についても同様に５°以下で傾斜させて形成しても良い。   Next, a method for manufacturing the semiconductor device having the structure shown in FIG. 13 will be described. In this embodiment, in the molding process shown in FIGS. 4 and 5 among the processes shown in the first embodiment, a mold resin 20 made of an epoxy resin is formed. At this time, as described above, the second opening 22 having the wall surfaces 22a and 22b inclined at 5 ° or less with respect to the reference surface 90 is formed. Note that two opposing wall surfaces along the direction in which the leads 11 are arranged may be similarly inclined by 5 ° or less.

また、図１１に示す蓋設置工程において、ＰＰＳ・Ｇ４０で形成された蓋部材６０を用意する。本実施形態では、蓋部材６０の側面６２〜６５のうち第２の開口部２２の各壁面２２ａ、２２ｂに対応する側面６４、６５の傾斜角度が各壁面２２ａ、２２ｂに対応する角度の蓋部材６０を用意する。   In the lid installation step shown in FIG. 11, a lid member 60 formed of PPS · G40 is prepared. In the present embodiment, among the side surfaces 62 to 65 of the lid member 60, the lid member has an inclination angle of the side surfaces 64 and 65 corresponding to the wall surfaces 22 a and 22 b of the second opening 22 corresponding to the wall surfaces 22 a and 22 b. 60 is prepared.

なお、第２の開口部２２の各壁面のうちリード１１が並べられた方向に沿った２つの対向する壁面を同様に５°以下で傾斜させているときは、これらの壁面に対応する蓋部材６０の側面６２、６３の傾斜角度も同じ角度に形成する。   In addition, when two opposing wall surfaces along the direction in which the leads 11 are arranged among the respective wall surfaces of the second opening 22 are similarly inclined at 5 ° or less, the lid members corresponding to these wall surfaces The inclination angles of the side surfaces 62 and 63 of the 60 are also formed at the same angle.

そして、モールド樹脂２０の第２の開口部２２側が天井側、第１の開口部２１側が地面側になるようにモールド樹脂２０の天地を裏返しにする。この状態でモールド樹脂２０の第２の開口部２２に接着剤７０を注入し、蓋部材６０を第２の開口部２２に圧入する。   Then, the mold resin 20 is turned upside down so that the second opening 22 side of the mold resin 20 is the ceiling side and the first opening 21 side is the ground side. In this state, the adhesive 70 is injected into the second opening 22 of the mold resin 20, and the lid member 60 is press-fitted into the second opening 22.

この後、再度、モールド樹脂２０の第１の開口部２１側が天井側になるようにモールド樹脂２０の天地を表返した状態とし、図１２に示す封止材注入工程、封止材硬化工程を行う。   After that, again, the mold resin 20 is turned upside down so that the first opening 21 side of the mold resin 20 becomes the ceiling side, and the sealing material injection step and the sealing material curing step shown in FIG. 12 are performed. Do.

この封止材注入工程および封止材硬化工程では、モールド樹脂２０のうちの第２の開口部２２側は地面側を向いているので、蓋部材６０も地面側に位置する。このため、封止材５０を加熱等により硬化させる際、蓋部材６０が加熱されて伸びることにより、蓋部材６０が抜け落ちる可能性がある。特に、蓋部材６０はリード１１が並べられた方向に沿って長細い直方体状の形状をなしているので、熱を受けた蓋部材６０はリード１１が並べられた方向に沿って伸びやすくなる。このため、モールド樹脂２０の第２の開口部２２の４つの壁面のうちリード１１の長手方向に沿った少なくとも２つの壁面２２ａ、２２ｂが、蓋部材６０の熱膨張による応力を受ける。   In the sealing material injection process and the sealing material curing process, since the second opening 22 side of the mold resin 20 faces the ground side, the lid member 60 is also positioned on the ground side. For this reason, when the sealing material 50 is cured by heating or the like, the lid member 60 may fall off due to the lid member 60 being heated and stretched. In particular, since the lid member 60 has a long and thin rectangular parallelepiped shape along the direction in which the leads 11 are arranged, the lid member 60 that has received heat easily extends along the direction in which the leads 11 are arranged. For this reason, at least two wall surfaces 22 a and 22 b along the longitudinal direction of the lead 11 among the four wall surfaces of the second opening 22 of the mold resin 20 are subjected to stress due to thermal expansion of the lid member 60.

しかしながら、上記のように基準面９０に対して第２の開口部２２のうちの少なくとも壁面２２ａ、２２ｂの傾斜角度が基準面９０に対して５°以下に傾斜し、蓋部材６０のうちの少なくとも側面６４、６５がこれら各壁面２２ａ、２２ｂに対応して傾斜している。このため、図１４（ａ）に示されるように蓋部材６０がモールド樹脂２０の第２の開口部２２から抜け落ちる力Ｆ１が小さくなるので、蓋部材６０が第２の開口部２２から抜け落ちてしまうことを防止することができる。また、蓋部材６０の材質としてＰＰＳ・Ｇ４０を採用しているので、蓋部材６０の加熱による伸びをできるだけ抑えることができ、蓋部材６０がモールド樹脂２０から抜け落ちる力Ｆ１を小さくすることができる。   However, as described above, the inclination angle of at least the wall surfaces 22a and 22b of the second opening 22 with respect to the reference surface 90 is inclined to 5 ° or less with respect to the reference surface 90, and at least of the lid member 60. The side surfaces 64 and 65 are inclined corresponding to the respective wall surfaces 22a and 22b. For this reason, as shown in FIG. 14A, the force F <b> 1 by which the lid member 60 falls out from the second opening 22 of the mold resin 20 becomes small, and thus the lid member 60 falls off from the second opening 22. This can be prevented. Further, since PPS · G40 is employed as the material of the lid member 60, the elongation of the lid member 60 due to heating can be suppressed as much as possible, and the force F1 of the lid member 60 falling off from the mold resin 20 can be reduced.

さらに、モールド樹脂２０の第２の開口部２２の各壁面のうちリード１１が並べられた方向に沿った２つの対向する壁面を同様に５°以下で傾斜させると共に、これらの壁面に対応した蓋部材６０の側面６２、６３を同様に傾斜させている場合もある。この場合は、第２の開口部２２のうちリード１１が並べられた方向に沿った２つの壁面が、蓋部材６０の熱膨張による応力を受ける力を小さくすることができる。   Further, among the wall surfaces of the second opening 22 of the mold resin 20, two opposing wall surfaces along the direction in which the leads 11 are arranged are similarly inclined at 5 ° or less, and a lid corresponding to these wall surfaces. The side surfaces 62 and 63 of the member 60 may be similarly inclined. In this case, two walls along the direction in which the leads 11 are arranged in the second opening 22 can reduce the force of receiving stress due to thermal expansion of the lid member 60.

一方、基準面９０に対して少なくとも壁面２２ａ、２２ｂの傾斜角度が５°よりも大きい場合、図１４（ｂ）に示されるように蓋部材６０がモールド樹脂２０の第２の開口部２２から抜け落ちる力Ｆ２が大きくなる。また、蓋部材６０の材質がＰＰＳ・Ｇ４０ではなく、他の材質の場合にはこの力Ｆ２はさらに大きくなると考えられる。なお、図１４の各断面図は図１３と同じく図１（ａ）のＢ−Ｂ断面に相当する図である。図１４では接着剤７０および封止材５０を省略している。   On the other hand, when at least the inclination angle of the wall surfaces 22a and 22b is larger than 5 ° with respect to the reference surface 90, the lid member 60 falls out from the second opening 22 of the mold resin 20 as shown in FIG. The force F2 increases. Further, when the material of the lid member 60 is not PPS · G40 but another material, the force F2 is considered to be further increased. 14 is a view corresponding to the BB cross section of FIG. 1A, as in FIG. In FIG. 14, the adhesive 70 and the sealing material 50 are omitted.

このように、蓋部材６０の材質やモールド樹脂２０の第２の開口部２２の各壁面２２ａ、２２ｂの傾斜角度および蓋部材６０の側面６４、６５の傾斜角度を規定することにより、Ｆ１＜Ｆ２となるようにすることができ、モールド樹脂２０から蓋部材６０が抜け落ちることを防止することができる。また、蓋部材６０の材質をＰＰＳ・Ｇ４０としているので、安価な製品とすることもできる。   In this way, by defining the material of the lid member 60 and the inclination angles of the wall surfaces 22a and 22b of the second opening 22 of the mold resin 20 and the inclination angles of the side surfaces 64 and 65 of the lid member 60, F1 <F2 The lid member 60 can be prevented from falling off from the mold resin 20. Moreover, since the material of the lid member 60 is PPS · G40, an inexpensive product can be obtained.

（他の実施形態）
なお、外枠部１１ａとタイバー１５ａとより構成される環状部１６の形状としては、上記矩形環状に限定されるものではなく、それ以外にも、たとえば円形環状等であってもよい。その場合、上記凸部１１２を、環状部１６の形状に対応した環状を有するものにすることはもちろんである。 (Other embodiments)
In addition, the shape of the annular portion 16 constituted by the outer frame portion 11a and the tie bar 15a is not limited to the rectangular annular shape, but may be, for example, a circular annular shape. In that case, it goes without saying that the convex portion 112 has an annular shape corresponding to the shape of the annular portion 16.

また、接着剤７０は、蓋部材６０をリード１１やモールド樹脂２０に接着固定する用もなすものであるが、リード１１間の隙間や蓋部材６０とリード１１の他面１０ｂとの隙間が問題にならないならば、接着剤注入工程を行わずに、接着剤７０を省略してもよい。   The adhesive 70 also serves to bond and fix the lid member 60 to the lead 11 and the mold resin 20, but there is a problem with the gap between the leads 11 and the gap between the lid member 60 and the other surface 10b of the lead 11. If not, the adhesive 70 may be omitted without performing the adhesive injection step.

また、上記実施形態では、封止材硬化工程にて封止材５０と接着剤７０とを一括して硬化したが、接着剤７０と封止材５０とで硬化は別々に行ってもよい。たとえば、蓋部材６０を設置して接着剤７０を硬化させた後、封止材５０の注入を行い、これを硬化させるようにしてもよい。   Moreover, in the said embodiment, although the sealing material 50 and the adhesive agent 70 were collectively hardened | cured in the sealing material hardening process, you may perform hardening with the adhesive agent 70 and the sealing material 50 separately. For example, after the lid member 60 is installed and the adhesive 70 is cured, the sealing material 50 may be injected and cured.

また、蓋部材６０の圧入による密着性が確保されるならば、蓋部材６０の側面６２〜６５は粗化処理されていなくてもよい。また、粗化処理は、モールド樹脂２０と接触する全側面６２〜６５に施されていてもよい。   Further, the side surfaces 62 to 65 of the lid member 60 may not be roughened as long as adhesion by press-fitting the lid member 60 is ensured. Further, the roughening treatment may be applied to all side surfaces 62 to 65 that are in contact with the mold resin 20.

上記の第２実施形態では、蓋部材６０の材質としてＰＰＳ・Ｇ４０を用いていたが、ＰＰＳに対するガラスの混入割合は４０重量％に限られない。蓋部材６０の所望の特性を得るため、例えばガラスの混入割合を４０重量％〜５０重量％の範囲で適宜設定することができる。   In said 2nd Embodiment, PPS * G40 was used as a material of the cover member 60, However, The mixing ratio of the glass with respect to PPS is not restricted to 40 weight%. In order to obtain the desired characteristics of the lid member 60, for example, the mixing ratio of the glass can be appropriately set in the range of 40 wt% to 50 wt%.

第２実施形態では、モールド樹脂２０の材質としてエポキシ樹脂を用いているが、これは材質の一例であり、他の材質のものを用いてもよい。   In the second embodiment, an epoxy resin is used as the material of the mold resin 20, but this is an example of the material, and other materials may be used.

さらに、第２実施形態では、基準面９０に対して少なくとも壁面２２ａ、２２ｂおよび側面６４、６５の傾斜角度が５°以下の同じ角度に規定しているが、壁面２２ａ、２２ｂの傾斜角度と側面６４、６５の傾斜角度とは必ずしも同じ角度でなくてもよい。例えば側面６４、６５の傾斜角度を壁面２２ａ、２２ｂの傾斜角度よりもさらに小さくしてもよい。しかし、各側面６２〜６５と各壁面との間に隙間が生じて蓋部材を第２の開口部２２に圧入できなくなるので、各側面６２〜６５の傾斜角度と各壁面の傾斜角度は互いに対応していることが好ましい。   Furthermore, in the second embodiment, at least the wall surfaces 22a and 22b and the side surfaces 64 and 65 are inclined at the same angle of 5 ° or less with respect to the reference surface 90. The inclination angles 64 and 65 are not necessarily the same angle. For example, the inclination angle of the side surfaces 64 and 65 may be made smaller than the inclination angle of the wall surfaces 22a and 22b. However, since a gap is generated between each side surface 62 to 65 and each wall surface, and the lid member cannot be press-fitted into the second opening 22, the inclination angle of each side surface 62 to 65 and the inclination angle of each wall surface correspond to each other. It is preferable.

また、上記した各実施形態同士の組み合わせ以外にも、上記各実施形態は、可能な範囲で適宜組み合わせてもよく、また、上記各実施形態は、上記の図示例に限定されるものではない。   In addition to the combination of the above-described embodiments, the above-described embodiments may be appropriately combined within the possible range, and the above-described embodiments are not limited to the illustrated examples.

１０ リードフレーム
１１ リード
１１ａ 外枠部
１５ａ タイバー
１６ 環状部
２０ モールド樹脂
２１ 第１の開口部
２２ 第２の開口部
３０ 半導体チップ
４０ ボンディングワイヤ
５０ 封止材
６０ 蓋部材
１１０ 第１の押さえ部
１２０ 第２の押さえ部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Lead frame 11 Lead 11a Outer frame part 15a Tie bar 16 Annular part 20 Mold resin 21 1st opening part 22 2nd opening part 30 Semiconductor chip 40 Bonding wire 50 Sealant 60 Lid member 110 1st holding | suppressing part 120 1st 2 holding parts

Claims (11)

一面（１０ａ）と他面（１０ｂ）とが表裏の関係にあり、隙間を有して配列された複数本のリード（１１）と、
個々の前記リードの両端側を支持するモールド樹脂（２０）と、
前記モールド樹脂に搭載された半導体チップ（３０）と、を備え、
前記モールド樹脂には、個々の前記リードの一面側、他面側をそれぞれ露出させるとともに、前記リード間の隙間を介して互いに連通する第１の開口部（２１）、第２の開口部（２２）が設けられており、
前記第１の開口部を介して前記半導体チップと個々の前記リードの一面とがボンディングワイヤ（４０）により接続されており、
さらに、前記第１の開口部には、前記複数本のリードの一面および前記ボンディングワイヤを封止する封止材（５０）が設けられ、前記第２の開口部には、当該第２の開口部を閉塞する蓋部材（６０）が設けられている半導体装置を製造する製造方法であって、
前記複数本のリードと、
前記複数本のリードの配列方向の両外側に位置する外枠部（１１ａ）と、
個々の前記リードにおけるワイヤボンディング部よりも両端部側に位置して隣り合う前記リード同士を連結するとともに前記外枠部とこれに隣り合う前記リードとを連結するタイバー（１５ａ）と、を有するものであって、
前記外枠部および前記タイバーによって前記複数本のリードにおけるワイヤボンディング部を取り囲む環状の環状部（１６）が構成されたリードフレーム（１０）を用意するリード用意工程と、
前記第１の開口部の空間形状に対応した形状をなし、前記複数本のリードの一面側に接触する接触面（１１１）を持つ第１の押さえ部（１１０）と、前記第２の開口部の空間形状に対応した形状をなし、前記複数本のリードの他面側に接触する接触面（１２１）を持つ第２の押さえ部（１２０）とを有する金型であって、
前記第１の押さえ部における前記接触面については、前記環状部に対応した環状をなす凸部（１１２）が周辺部に設けられ当該凸部の内周は凹部（１１３）とされている金型（１００）を用い、
前記第２の押さえ部における前記接触面を前記複数本のリードの他面側に接触させるとともに、前記第１の押さえ部における前記接触面については、前記リードの一面側から前記環状部に対して前記凸部を接触させることで前記複数本のリードの一面のうち前記凹部に位置する部位に前記モールド樹脂が入り込まない状態とし、
この状態で、前記モールド樹脂による封止を行うことにより、前記第１の開口部および前記第２の開口部を有する前記モールド樹脂を成形するモールド工程と、
前記第１の開口部および前記第２の開口部のいずれか一方を介して、前記タイバーをカットするタイバーカット工程と、
前記第１の開口部および前記第２の開口部の外側にて前記モールド樹脂に前記半導体チップを搭載するチップ搭載工程と、
前記第１の開口部を介して前記半導体チップと個々の前記リードの一面との間でワイヤボンディングを行い、前記ボンディングワイヤを形成するワイヤボンディング工程と、
前記蓋部材を、前記第２の開口部に対して圧入し固定する蓋設置工程と、
前記第１の開口部側から液状の前記封止材を注入し、個々の前記リードの一面を当該液状の封止材により被覆する封止材注入工程と、
前記封止材を硬化させる封止材硬化工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 One surface (10a) and the other surface (10b) are front and back, and a plurality of leads (11) arranged with a gap,
Mold resin (20) for supporting both ends of each of the leads;
A semiconductor chip (30) mounted on the mold resin,
The mold resin exposes one side and the other side of each of the leads, and communicates with each other through a gap between the leads. The first opening (21) and the second opening (22 )
The semiconductor chip and one surface of each of the leads are connected by a bonding wire (40) through the first opening,
Furthermore, the first opening is provided with a sealing material (50) for sealing one surface of the plurality of leads and the bonding wire, and the second opening has the second opening. A manufacturing method for manufacturing a semiconductor device provided with a lid member (60) for closing a part,
The plurality of leads;
An outer frame portion (11a) located on both outer sides in the arrangement direction of the plurality of leads;
A tie bar (15a) for connecting the adjacent leads located on both end sides of the wire bonding portion of each lead and connecting the outer frame portion and the lead adjacent thereto. Because
A lead preparing step of preparing a lead frame (10) in which an annular annular portion (16) surrounding a wire bonding portion in the plurality of leads is configured by the outer frame portion and the tie bar;
A first pressing portion (110) having a shape corresponding to the spatial shape of the first opening and having a contact surface (111) contacting one surface of the plurality of leads; and the second opening A mold having a shape corresponding to the shape of the space and having a second pressing portion (120) having a contact surface (121) that contacts the other surface of the plurality of leads,
As for the contact surface in the first pressing part, a mold having an annular convex part (112) corresponding to the annular part in the peripheral part and an inner periphery of the convex part being a concave part (113) (100)
The contact surface in the second pressing portion is brought into contact with the other surface side of the plurality of leads, and the contact surface in the first pressing portion is from one surface side of the lead to the annular portion. By bringing the convex portion into contact with each other, the mold resin does not enter the portion located in the concave portion of one surface of the plurality of leads,
In this state, by performing sealing with the mold resin, a molding step of molding the mold resin having the first opening and the second opening,
A tie bar cutting step of cutting the tie bar through one of the first opening and the second opening;
A chip mounting step of mounting the semiconductor chip on the mold resin outside the first opening and the second opening;
A wire bonding step of performing wire bonding between the semiconductor chip and one surface of each of the leads through the first opening, and forming the bonding wire;
A lid installation step of press-fitting and fixing the lid member to the second opening;
Injecting the liquid sealing material from the first opening side, and encapsulating one surface of each lead with the liquid sealing material,
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: a sealing material curing step for curing the sealing material. 前記第２の開口部を介して前記リードの他面側に樹脂よりなる接着剤（７０）を注入する接着剤注入工程を行った後、前記蓋設置工程を行うことにより、前記接着剤によって、前記リード間の隙間、および、前記蓋部材と前記リードの他面との隙間を埋めることを特
徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 After performing an adhesive injection step of injecting an adhesive (70) made of a resin to the other surface side of the lead through the second opening, by performing the lid installation step, by the adhesive, The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein a gap between the leads and a gap between the lid member and the other surface of the lead are filled. 前記封止材硬化工程にて、前記封止材とともに前記接着剤を一括して硬化することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。   The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 2, wherein the adhesive is cured together with the sealing material in the sealing material curing step. 前記蓋部材として、当該蓋部材のうち前記第２の開口部にて前記モールド樹脂に接触する側面（６２〜６５）には粗化処理がなされたものを用いることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。   The said lid member uses the thing by which the roughening process was made | formed to the side surface (62-65) which contacts the said mold resin in the said 2nd opening part among the said lid members. 4. A method for manufacturing a semiconductor device according to any one of 3 above. 前記蓋部材の側面のうち少なくとも対向する２つの側面にて前記粗化処理がなされていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。   The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 4, wherein the roughening treatment is performed on at least two opposing side surfaces of the side surfaces of the lid member. 前記蓋部材の側面のうち前記半導体チップに最も近い位置にて隣り合う側面から当該側面に対向する側面に向かう方向を第１の方向（Ｙ１）としたとき、この第１の方向にて対向する２つの側面（６２、６３）には前記粗化処理はなされず、前記第１の方向とは直交する方向にて対向する２つの側面（６４、６５）に前記粗化処理がなされているものであり、
この前記粗化処理がなされた２つの側面が、前記第２の開口部にて前記モールド樹脂に接触するものであることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。 When the direction from the side surface adjacent to the semiconductor chip among the side surfaces of the lid member toward the side surface facing the side surface is defined as the first direction (Y1), the lid member faces in the first direction. The roughening process is not performed on the two side surfaces (62, 63), and the roughening process is performed on the two side surfaces (64, 65) facing each other in a direction orthogonal to the first direction. And
6. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 5, wherein the two side surfaces subjected to the roughening treatment are in contact with the mold resin at the second opening. 前記環状部は、前記タイバーの延びる方向を第１の辺とし、前記外枠部を前記第１の辺に直交する第２の辺とする矩形環状のものであることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。   The said annular part is a rectangular annular part which makes the extending direction of the said tie bar a 1st edge | side, and makes the said outer frame part the 2nd edge | interval orthogonal to the said 1st edge | side. 7. A method for manufacturing a semiconductor device according to any one of items 6 to 6. 前記モールド工程では、前記リード（１１）の他面（１０ｂ）に垂直な面であると共に前記リード（１１）の長手方向に沿った面を基準面（９０）とすると、前記第２の開口部（２２）の壁面のうち前記リード（１１）の長手方向に沿った少なくとも２つの壁面（２２ａ、２２ｂ）が前記基準面（９０）に対して５°以下の角度で前記第２の開口部（２２）の開口側に広がるように傾けて前記モールド樹脂（２０）を形成し、
前記蓋設置工程では、前記蓋部材（６０）として、当該蓋部材（６０）の側面（６２〜６５）のうち前記第２の開口部（２２）の２つの壁面（２２ａ、２２ｂ）に対応する２つの側面（６４、６５）が前記基準面（９０）に対して５°以下の角度で前記対向面（６１）とは反対側が広がるように傾いたテーパ面となっているものを用意し、当該テーパ面となった２つの側面（６４、６５）が前記第２の開口部（２２）の２つの壁面（２２ａ、２２ｂ）に対応するように前記第２の開口部（２２）に前記蓋部材（６０）を圧入し固定することを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。 In the molding step, the second opening is defined as a surface perpendicular to the other surface (10b) of the lead (11) and a surface along the longitudinal direction of the lead (11) as a reference surface (90). Of the wall surfaces of (22), at least two wall surfaces (22a, 22b) along the longitudinal direction of the lead (11) are at an angle of 5 ° or less with respect to the reference surface (90). 22) forming the mold resin (20) by being inclined so as to spread toward the opening side,
In the lid installation step, the lid member (60) corresponds to the two wall surfaces (22a, 22b) of the second opening (22) among the side surfaces (62 to 65) of the lid member (60). Two side surfaces (64, 65) are prepared with a tapered surface inclined such that the opposite side of the opposite surface (61) spreads at an angle of 5 ° or less with respect to the reference surface (90), The lid on the second opening (22) so that the two side surfaces (64, 65) having the tapered surface correspond to the two wall surfaces (22a, 22b) of the second opening (22). 8. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the member (60) is press-fitted and fixed. 前記蓋設置工程では、前記蓋部材（６０）の材質としてポリフェニレンサルファイド樹脂を用いることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。   9. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein, in the lid installation step, polyphenylene sulfide resin is used as a material of the lid member (60). 前記蓋設置工程では、前記蓋部材（６０）の材質としてポリフェニレンサルファイド樹脂にガラスが４０重量％添加されたものを用いることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。   10. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 9, wherein, in the lid installation step, a material obtained by adding 40% by weight of glass to polyphenylene sulfide resin is used as the material of the lid member (60). 前記モールド工程では、前記モールド樹脂（２０）の材質としてエポキシ樹脂を用いることを特徴とする請求項９または１０に記載の半導体装置の製造方法。   11. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 9, wherein an epoxy resin is used as a material of the mold resin (20) in the molding step.
JP2012258165A 2012-06-14 2012-11-27 Manufacturing method of semiconductor device Active JP6011277B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012258165A JP6011277B2 (en) 2012-06-14 2012-11-27 Manufacturing method of semiconductor device

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012134575 2012-06-14
JP2012134575 2012-06-14
JP2012258165A JP6011277B2 (en) 2012-06-14 2012-11-27 Manufacturing method of semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014017465A JP2014017465A (en) 2014-01-30
JP6011277B2 true JP6011277B2 (en) 2016-10-19

Family

ID=50111879

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012258165A Active JP6011277B2 (en) 2012-06-14 2012-11-27 Manufacturing method of semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6011277B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6803814B2 (en) * 2017-07-20 2020-12-23 日立オートモティブシステムズ株式会社 Power semiconductor device, power conversion device using it, and manufacturing method of power semiconductor device
JP7271381B2 (en) * 2019-09-20 2023-05-11 株式会社東芝 semiconductor equipment

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0697357A (en) * 1992-09-11 1994-04-08 Sony Corp Lead frame and fabrication of semiconductor device employing the lead frame
JP4118353B2 (en) * 1996-10-11 2008-07-16 株式会社デンソー Manufacturing method of resin-encapsulated semiconductor device and mold die
JP5212133B2 (en) * 2009-01-21 2013-06-19 株式会社デンソー Flow type sensor
JP5212159B2 (en) * 2009-02-16 2013-06-19 株式会社デンソー Sensor device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014017465A (en) 2014-01-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3334864B2 (en) Electronic equipment
KR100341104B1 (en) semiconductor device assembly method and semiconductor device produced by the method
JP2008004570A (en) Process and apparatus for manufacturing resin sealed semiconductor device, and resin sealed semiconductor device
JP4884406B2 (en) Resin-sealed electronic module and resin-sealing molding method thereof
KR102252362B1 (en) Semiconductor device
US8466009B2 (en) Method of fabricating a semiconductor package with mold lock opening
JP6011277B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
KR100346671B1 (en) Plastic molded type semiconductor device and method of manufacturing the same
JP4809717B2 (en) Method for manufacturing resin-encapsulated electronic component and resin-encapsulated electronic component
US20050017330A1 (en) Process for fabricating a semiconductor package and semiconductor package with leadframe
JP6032171B2 (en) Mold package manufacturing method
JP2008124116A (en) Semiconductor device
JP3550100B2 (en) Automotive electronic circuit device and package manufacturing method thereof
JP5857883B2 (en) Mold package manufacturing method
KR101412913B1 (en) Semiconductor Package, Manufacturing Method Thereof and Semiconductor Package Manufacturing Mold
CN116435201B (en) Plastic packaging method and device packaging structure
JP2007042709A (en) Resin sealing mold and resin-sealing electronic component
CN101937883A (en) Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6264193B2 (en) Mold package
JP5660063B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2015032705A (en) Mold package
JP5741458B2 (en) Mounting method of semiconductor package
JP2008181985A (en) Optical semiconductor device and its manufacturing method
TW201104804A (en) Semiconductor package for decreasing warpage in cross section of slot
JP2009158624A (en) Package for optical semiconductor device and production method therefor

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20151105

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160808

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160823

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160905

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6011277

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250