JP6011239B2 - 耐硫化性導電材、耐硫化性導電膜および太陽電池 - Google Patents
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Description
(1)すなわち、本発明の耐硫化性導電材は、コバルト(Co)、チタン(Ti)およびリン(P)を必須元素とし、全元素の原子比の合計を1としたときに、該必須元素のそれぞれの原子比は0.1〜0.6であることを特徴とする。
本発明は、単に耐硫化性導電材としてのみならず、その一形態である耐硫化性導電膜としても把握される。さらに本発明は、基材と、この基材の少なくとも一部の表面に形成された耐硫化性導電膜とからなる耐硫化導電部としても把握できる。なお、本発明に係る基材は、材質、形状、大きさ等を問わない。耐硫化性導電膜が形成される限り、基材のベース(中核部分)は、Ti、Al、Fe(ステンレスを含む)、Mgなどの金属でも良いし、さらには樹脂、セラミック等でも良い。
上記の耐硫化導電部材の一例として、例えば、次のような太陽電池がある。すなわち本発明は、Sを含有し受光により起電力を生じ得る光発電層と、該光発電層の受光側である表面側に形成された表面電極と、該光発電層の裏面側に形成された裏面電極と、を有する太陽電池であって、光発電層に接する少なくとも一部はCo、TiおよびPを必須元素とする耐硫化性導電材からなることを特徴とする太陽電池としても把握できる。より具体的には、表面電極や裏面電極の少なくとも一部が本発明の耐硫化性導電膜からなると、より好適である。
本発明の耐硫化性導電材、耐硫化性導電膜または耐硫化導電部材(太陽電池等)は、その製造方法や形成方法等を問わない。例えば、耐硫化性導電膜は、メッキや化学的気相成長法(CVD)のような化学的方法により形成されてもよいし、物理的気相成長法(PVD)のような物理的方法により形成されてもよい。例えば、PVDを行う場合なら、ターゲット組成を調整することにより、ほぼ所望組成の耐硫化性導電膜の形成が可能となる。
(1)本発明の耐硫化性導電材(耐硫化性導電膜を含む)は、上述した主要元素(Co、Ti、P、N)以外に、その特性を改善し得る「改質元素」やコスト的または技術的な理由等により除去することが困難な不可避不純物元素を当然に含み得る。
(1)組成
本発明の耐硫化性導電材(耐硫化性導電膜等を含む。)は、必須元素であるCo、TiおよびPからなり、主要な改質元素であるNを適宜含む。これら元素の割合(組成)は問わず、それら以外の他元素が含まれてもよい。
本発明の耐硫化性導電材(特に耐硫化性導電膜)は、明確な結晶構造をとらない非晶質であると、均質的または等方的で、腐食の起点となる結晶粒界や格子欠陥等がなく好ましい。なお、本発明でいう非晶質(アモルファス相)は、X線回折装置(XRD)で強い回折が検出されない程度であれば足り、結晶構造を完全にもたない非晶質でも、XRDで弱い回折が検出される潜晶質でもよい。
(1)耐硫化性導電膜の形成
耐硫化性導電膜の形成(皮膜形成工程)に必要な必須元素は、基材と独立した供給源から供給されてもよいし、基材側からその一部が供給されてもよい。基材と独立した供給源から必須元素が供給される場合、所望組成の耐硫化性導電膜の形成が容易となる。
耐硫化性導電材(特に耐硫化性導電膜)へのNの導入は、例えば、PVD等の処理雰囲気へ窒化を導入して行ってもよいし、ガス窒化、イオン窒化、塩浴窒化などの窒化法により行ってもよい。
本発明の耐硫化性導電材や耐硫化性導電膜は、その用途に限定はなく、種々の利用が考えられる。例えば、硫化物からなる半導体や太陽電池等のデバイス用の電極や接点、硫化雰囲気で用いられる各種電気部材や電子部品(接触端子、NAS電池の硫黄極(正極)の周辺部材、CZTS型太陽電池の裏面電極等)、その他、種々の耐硫化性バリヤとして、本発明の耐硫化性導電材等は好適である。なお、その耐硫化性バリヤは、導電性が必要な部材に限らず、導電性が不要な部材に設けられてもよい。
《試料の製造》
基材となるガラス基板(コーニング社EAGLE XG)を用意した。この基板上に、RFマグネトロンスパッタ法を用いて、各種の皮膜を成膜した(皮膜形成工程)。
(1)各試料に係る皮膜について、ラザフォード後方散乱分析(RBS)により組成分析を行った。このときの測定は、イオン種:He、イオンエネルギー:1.8MeV、散乱角:160°、散乱槽の真空度:3×10−6Torrの条件下で行った。その結果、各皮膜中に含まれるTi、P、CoまたはCrの原子比は、用いたターゲット組成と実質的に同じであった。Nは軽元素であるため、正確な定量は困難であるが、スパッタガスにN2 を混在させた試料の皮膜中には、相当量(全体を1とした原子比で0.01〜0.55程度)のNが含まれていることは確認されている。
(1)各試料の耐硫化性を評価するため、ガラス基板上に成膜された各皮膜を500℃の硫化雰囲気に20分間曝す硫化試験を行った。硫化雰囲気は、H2Sを20体積%含むN2ガス雰囲気(10−1MPa)とした。この試験前後で測定した各試料の体積抵抗率を表1および図1に併せて示した。
表1から明らかなように、CoTiPからなる試料1〜3はいずれも、優れた耐硫化性を示し、硫化雰囲気中でも安定した導電性が確保されることが明らかとなった。具体的には、硫化試験後でも体積抵抗率が10μΩ・m以下となり、その試験前後の増加率(Δρ)は10倍以内さらには5倍以内であった。さらに、Nを含有する試料2および試料3では、Nを含有しない試料1と異なり、硫化試験後の体積抵抗率が減少する(Δρがマイナスになる)ことも明らかとなった。
Claims (7)
- コバルト(Co)、チタン(Ti)およびリン(P)を必須元素とし、
全元素の原子比の合計を1としたときに、該必須元素のそれぞれの原子比は0.1〜0.6であることを特徴とする耐硫化性導電材。 - さらに、窒素(N)を含有する請求項1に記載の耐硫化性導電材。
- 全元素の原子比の合計を1としたときに、Nの原子比は0.01〜0.55である請求項2に記載の耐硫化性導電材。
- 非晶質である請求項1〜3のいずれかに記載の耐硫化性導電材。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の耐硫化性導電材からなることを特徴とする耐硫化性導電膜。
- 硫黄(S)を含有し受光により起電力を生じ得る光発電層と、
該光発電層の受光側である表面側に形成された表面電極と、
該光発電層の裏面側に形成された裏面電極と、
を有する太陽電池であって、
前記光発電層に接する少なくとも一部は、Co、TiおよびPを必須元素とする耐硫化性導電材からなることを特徴とする太陽電池。 - 前記耐硫化性導電材は、請求項1〜4のいずれかに記載の耐硫化性導電材である請求項6に記載の太陽電池。
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