JP6005958B2 - Emitting device and manufacturing method thereof - Google Patents

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坂本 博信
博信 坂本
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スタンレー電気株式会社
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本発明は、発光素子を形成する半導体層上に複数の蛍光体粒子を含む波長変換層を有する発光装置及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a light emitting device having a wavelength conversion layer containing a plurality of phosphor particles on a semiconductor layer forming the light-emitting element.

発光ダイオード等の発光素子を構成する半導体層上に複数の蛍光体粒子を含む樹脂層からなる波長変換層を形成し、半導体層からの光の一部を波長変換層中の蛍光体粒子で異なる波長の光に変換し、蛍光体粒子による変換後の光を半導体層からの波長変換層を通過する光と混合して放出する発光装置が知られている。 Forming a wavelength conversion layer made of a resin layer containing a plurality of phosphor particles on a semiconductor layer constituting the light emitting element such as light emitting diodes, different part of the light from the semiconductor layer with the phosphor particles of the wavelength conversion layer converted into light of a wavelength, the light emitting device is known to release mixed with light passing through the wavelength conversion layer of the light converted by the phosphor particles from the semiconductor layer.

このような発光装置においては、一般に、波長変換層を形成するために半導体層の光放出側の主面上に蛍光体粒子を含む溶液をスプレーで塗布して硬化させ、更に、その蛍光体粒子間を埋めるためにガラスバインダ液をスプレーで塗布して硬化させることが行われている(特許文献1参照)。 In such a light-emitting device, generally, a solution containing the phosphor particles and cured by applying spray onto the main surface of the light emitting side of the semiconductor layer to form a wavelength converting layer, further, the phosphor particles It is cured by applying a glass binder solution spray has been made to fill the space between (see Patent Document 1). 波長変換層中の蛍光体粒子は、半導体層からの入射光が波長変換されずそのまま出射される量が部分的に多くならないように半導体層の上面全てに亘って均一に分布されることが望ましい。 Phosphor particles of the wavelength conversion layer is desirably an amount which incident light from the semiconductor layer is directly emitted without wavelength conversion is evenly distributed over all the top surface of the semiconductor layer so as not partially many . そのため、例えば、特許文献1には発光素子の上方から蛍光体を含有した塗布液を霧状でかつ螺旋状に回転させながら吹き付けることが示されている。 Therefore, for example, it has been shown to blow while rotating the coating solution containing the phosphor from above the light emitting element as a mist a and helical Patent Document 1.

特開2004−088013号公報 JP 2004-088013 JP

しかしながら、かかる従来の発光装置においては、半導体層上面に均一に蛍光体粒子入り樹脂をスプレーで塗布すると、その際、螺旋状に塗布するなどの工夫が行われたとしても、蛍光体粒子が集まった部分と蛍光体粒子間に隙間ができた部分とが生じ、蛍光体粒子が一様に分布した波長変換層を形成することは困難である。 However, such a conventional light emitting apparatus, when uniformly applied phosphor particles containing resin by spray to the semiconductor layer top surface, where, as a contrivance such as applying helically is performed, together phosphor particles portion and the phosphor particles occurs and a portion where a gap between, it is difficult to form the wavelength conversion layer in which the phosphor particles are uniformly distributed. そのため、半導体層から発せられた光が蛍光体粒子間の隙間をそのまま通過して出射されることが起きる。 Therefore, it occurs that light emitted from the semiconductor layer is emitted as it passes through the gap between the phosphor particles. 例えば、半導体層の発光色が青色であって、波長変換層の蛍光体粒子が青色光を黄色光に変換する場合には、青色光が蛍光体粒子間に隙間をそのまま通過して出射されると、部分的に青色光が発生し、発光装置から出射される光に色ムラが生じるという問題があった。 For example, a luminescent color blue semiconductor layer, when the fluorescent particles of the wavelength conversion layer converts the blue light into yellow light is emitted blue light and passes through the gap between the phosphor particles When partially blue light is generated, there is a problem that color unevenness in the light emitted from the light emitting device.

そこで、本発明の目的は、かかる点を鑑みてなされたものであり、波長変換層内に蛍光体粒子の隙間が存在しても色ムラを抑制することができる発光装置及びその製造方法を提供することである。 An object of the present invention has been made in view of the above problems, provide a light emitting device and a manufacturing method thereof can be present gap of the phosphor particles in the wavelength conversion layer to suppress the color unevenness It is to be.

本発明の発光装置は、発光素子と、前記発光素子上に配置され、複数の蛍光体粒子を含む波長変換層と、を備える発光装置であって、前記複数の蛍光体粒子の一部は前記波長変換層の表面部に位置し、前記波長変換層は前記一部の蛍光体粒子に隣接した表面に窪みを有し、 前記発光装置は前記窪み内に形成された光散乱層を有し、前記光散乱層を含む前記波長変換層の表面が平坦に形成されていることを特徴としている。 The light emitting device of the present invention, a light emitting element, disposed on the light emitting element, a light-emitting device comprising: a wavelength conversion layer, the including a plurality of phosphor particles, a portion of the plurality of phosphor particles wherein located in the surface portion of the wavelength conversion layer, the wavelength conversion layer has a depression in the surface adjacent the phosphor particles of said portion, the light emitting device will have a light scattering layer formed in said recess, surface of the wavelength conversion layer including the light scattering layer is characterized by being flat.
本発明の発光装置は、発光素子と、前記発光素子上に配置され、複数の蛍光体粒子を含む波長変換層と、を備える発光装置であって、前記複数の蛍光体粒子の一部は前記波長変換層の表面部に位置し、前記波長変換層は前記一部の蛍光体粒子に隣接した表面に窪みを有し、前記波長変換層は前記複数の蛍光体粒子の間を埋める透光性バインダを含み、前記発光装置を上方から観測した場合に、前記発光素子上面は、前記蛍光体粒子の存在しない上面露出領域を有し、前記発光装置は、前記上面露出領域において、前記透光性バインダが前記波長変換層の高さの半分から2/3の範囲の厚みを有することにより形成された前記窪み内に光散乱層を有し、前記透光性バインダには光散乱性の粒子が含まれておらず、前記上面露出領域上に前記光散 The light emitting device of the present invention, a light emitting element, disposed on the light emitting element, a light-emitting device comprising: a wavelength conversion layer, the including a plurality of phosphor particles, a portion of the plurality of phosphor particles wherein located in the surface portion of the wavelength conversion layer, the wavelength conversion layer has a depression in the surface adjacent the phosphor particles of said portion, the wavelength conversion layer is translucent to fill between the plurality of phosphor particles It includes a binder, as observed with the light emitting device from above, the light emitting element top surface has a non-existent upper surface exposed regions of the phosphor particles, the light-emitting device, in the upper surface exposed region, the translucent binder has a light scattering layer in said recess, which is formed by having a thickness in the range of 2/3 half the height of the wavelength conversion layer, the light-transmitting binder light-scattering particles in the not included and the light scattered in the upper surface exposed regions 層が重なるように配置され、前記一部の蛍光体粒子は前記波長変換層の突出表面部を形成することを特徴としている。 Are arranged such layers overlap, the phosphor particles of the part is characterized by forming the protruding surface portion of the wavelength conversion layer.

本発明の発光装置の製造方法は、発光素子上に複数の蛍光体粒子を有する塗布液を塗布して前記発光素子上に前記複数の蛍光体粒子を配置する第1の工程と、前記第1の工程後、前記複数の蛍光体粒子が配置された前記発光素子上に透光性バインダの溶液を塗布して前記発光素子上に前記複数の蛍光体粒子間を埋める前記透光性バインダを配置して前記複数の蛍光体粒子を含有する波長変換層を形成する第2の工程と、前記第2の工程後、前記波長変換層上に光散乱層を形成する第3の工程と、を含む発光装置の製造方法であって、前記複数の蛍光体粒子の一部は前記波長変換層の表面部に位置し、前記波長変換層は前記一部の蛍光体粒子に隣接した表面に前記透光性バインダの窪みを有し、前記第3の工程において前記窪み内に前記光散乱 Method for manufacturing a light emitting device of the present invention includes a first step of arranging the plurality of phosphor particles on the light emitting device by coating a coating solution having a plurality of phosphor particles on the light-emitting element, the first after step, disposing the light transmissive binder to fill between the plurality of phosphor particles wherein the plurality of phosphor particles a solution of a light-transmitting binder is applied onto the light emitting element is disposed on the light emitting element containing a second step of forming a wavelength conversion layer containing the plurality of phosphor particles and, after the second step, a third step of forming a light scattering layer to the wavelength conversion layer, the a method of manufacturing a non-emitting device, a part of the plurality of phosphor particles is located in the surface portion of the wavelength conversion layer, said wavelength conversion layer is the permeability to a surface adjacent the phosphor particles of said portion has a recess in the light-binder, the light scattering in said recess in said third step が形成され、 前記製造方法は、前記第3の工程後、前記光散乱層を含む前記波長変換層の表面を平坦化する第4の工程を含むことを特徴としている。 There is formed, the manufacturing method, after the third step, is characterized in that it comprises a fourth step of flattening the surface of the wavelength conversion layer including the light scattering layer.
本発明の発光装置の製造方法は、発光素子上に複数の蛍光体粒子を有する塗布液を塗布して前記発光素子上に前記複数の蛍光体粒子を配置する第1の工程と、前記第1の工程後、前記複数の蛍光体粒子が配置された前記発光素子上に透光性バインダの溶液を塗布して前記発光素子上に前記複数の蛍光体粒子間を埋める前記透光性バインダを配置して前記複数の蛍光体粒子を含有する波長変換層を形成する第2の工程と、前記第2の工程後、前記波長変換層上に光散乱層を形成する第3の工程と、を含み、前記透光性バインダには光散乱性の粒子が含まれておらず、前記複数の蛍光体粒子の一部は前記波長変換層の表面部に位置し、前記波長変換層は前記一部の蛍光体粒子に隣接した表面に前記透光性バインダが前記波長変換層の高さの半分か Method for manufacturing a light emitting device of the present invention includes a first step of arranging the plurality of phosphor particles on the light emitting device by coating a coating solution having a plurality of phosphor particles on the light-emitting element, the first after step, disposing the light transmissive binder to fill between the plurality of phosphor particles wherein the plurality of phosphor particles a solution of a light-transmitting binder is applied onto the light emitting element is disposed on the light emitting element wherein and a second step of forming a wavelength conversion layer containing the plurality of phosphor particles, after said second step, a third step of forming a light scattering layer to the wavelength conversion layer, the , said light transmissive binder does not contain light-scattering particles, a portion of the plurality of phosphor particles is located in the surface portion of the wavelength conversion layer, said wavelength conversion layer of said portion or the translucent binder on the surface adjacent to the phosphor particles half the height of the wavelength conversion layer 2/3の範囲の厚みにすることにより形成された窪みを有し、前記一部の蛍光体粒子は前記波長変換層の突出表面部を形成し、前記第3の工程において、前記窪み内に前記光散乱層が形成されることを特徴としている。 Has a recess formed by a thickness in the range of 2/3, the part of the phosphor particles to form a projecting surface portion of the wavelength conversion layer in the third step, in said recess It is characterized in that the light-scattering layer is formed.

本発明の発光装置及びその製造方法によれば、波長変換層の表面の窪み内に散乱層が形成されているので、発光素子から波長変換層の表面部の一部の蛍光体粒子の隙間部分を通過してくる光を光散乱層で乱反射させることができ、乱反射した光の一部を蛍光体粒子に入射させて波長変換された光を出射させることができる。 According to the light emitting device and its manufacturing method of the present invention, since the scattering layer in a recess of the surface of the wavelength conversion layer is formed, a gap portion of a portion of the phosphor particles in the surface portion of the wavelength conversion layer from the light emitting element the come light can be irregularly reflected by the light scattering layer to pass through, a part of the light irregularly reflected by incident on the phosphor particles can emit wavelength-converted light. 例えば、発光素子の発光色が青色であって、波長変換層の蛍光体粒子が青色光を黄色光に変換する場合に、一部の蛍光体粒子間の隙間の光散乱層が青色光を乱反射させて乱反射した青色光の一部が蛍光体粒子に入射して黄色光に変換される。 For example, diffuse reflection light emission color of the light-emitting element is a blue, when the phosphor particles of the wavelength conversion layer converts the blue light into yellow light, the light scattering layer of the gap between a portion of the phosphor particles blue light some of the blue light irregularly reflected by is converted incident on phosphor particles into yellow light. その黄色光は乱反射してそのまま出射した青色光と混合されて白色光となる。 The yellow light is white light is mixed with blue light emitted as it is irregularly reflected. よって、発光素子から出射された青色光がそのまま波長変換層を通過して発光装置から出射されることによる色ムラを抑制することができる。 Therefore, it is possible to suppress the color unevenness due to the blue light emitted from the light emitting element is emitted from the light emitting device passes through the wavelength conversion layer as it is.

本発明の実施例1の発光装置を示す断面図である。 The light emitting device of Example 1 of the present invention is a cross-sectional view illustrating. 実施例1の発光装置の製造過程におけるスプレー噴射を示す図である。 It is a diagram illustrating a spraying step for manufacturing the light emitting device of Example 1. 実施例1の発光装置の製造方法を示す断面図である。 It is a cross-sectional view showing a manufacturing method of a light-emitting device of Example 1. 実施例1の発光装置の波長変換層における光経路を示す図である。 Is a diagram illustrating an optical path in the wavelength conversion layer of a light-emitting device of Example 1. 従来の発光装置の波長変換層における光経路を示す図である。 Is a diagram illustrating an optical path in the wavelength conversion layer of a conventional light emitting device. 本発明の実施例2の発光装置を示す断面図である。 The light emitting device of Example 2 of the present invention is a cross-sectional view illustrating. 実施例2の発光装置の製造方法を示す断面図である。 It is a cross-sectional view showing a manufacturing method of a light-emitting device of Example 2. 実施例2の発光装置の波長変換層における光経路を示す図である。 Is a diagram illustrating an optical path in the wavelength conversion layer of a light-emitting device of Example 2. 本発明の実施例3の発光装置を示す断面図である。 It is a sectional view showing a light emitting device of Example 3 of the present invention.

以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ詳細に説明する。 It will be described in detail with reference to the drawings an embodiment of the present invention.

図1は本発明の実施例1の発光装置の断面図を示している。 Figure 1 shows a cross-sectional view of a light-emitting device of Example 1 of the present invention. この発光装置においては、基板10と半導体層11とからなる発光素子上に波長変換層13が形成されている。 In this light emitting device, the wavelength conversion layer 13 is formed on the light emitting element composed of the substrate 10 and the semiconductor layer 11 Prefecture. 基板10はシリコン基板であり、基板10上にはGaN系のエピタキシャル層として形成された発光層を含む半導体層11が配置されている。 The substrate 10 is a silicon substrate, on the substrate 10 is a semiconductor layer 11 including a light emitting layer formed as an epitaxial layer of GaN system is disposed. 発光素子はメタルボンディング型発光素子(発光ダイオード)であり、半導体層11は基板10と金属接合されている。 Emitting element is a metal bonding type light-emitting element (light emitting diodes), semiconductor layer 11 is the substrate 10 and the metal bonding. また、半導体層11は本実施例では青色発光する。 Further, the semiconductor layer 11 in the present embodiment emits blue light.

波長変換層13内には多数の蛍光体粒子14が分散されている。 Many of the phosphor particles 14 are dispersed in the wavelength conversion layer 13. その蛍光体粒子14は半導体層11の発する光により励起され所定波長の蛍光を発する例えば、YAG蛍光体粒子である。 As the phosphor particles 14 is excited by the light emitted from the semiconductor layer 11 emits fluorescence of a predetermined wavelength for example, a YAG phosphor particles. 蛍光体粒子14は本実施例では半導体層11の発する青色光により励起され黄色光を発する。 Phosphor particles 14 in this embodiment is excited by blue light emitted from the semiconductor layer 11 emits yellow light. 蛍光体粒子14の平均粒径は15μmである。 The average particle diameter of the phosphor particles 14 is 15 [mu] m. 蛍光体粒子14はその周囲を透明接着剤15によって覆われている。 Phosphor particles 14 is covered the surroundings by transparent adhesive 15. また、蛍光体粒子14間の空隙はバインダ16によって埋められている。 Further, the gap between the phosphor particles 14 is filled by the binder 16. 透明接着剤15及びバインダ16は半導体層11の発する光と共に、蛍光体粒子14が発する蛍光に対して透光性を有している。 Transparent adhesive 15 and the binder 16 with light emitted from the semiconductor layer 11 has a light-transmitting property with respect to fluorescence phosphor particles 14 emitted. バインダ16は、無機ガラス系化合物(エチルシリケート)を用いているが、有機溶媒で低粘度に調整したジメチルシリコーン、フェニルシリコーン等の透明樹脂を用いることができ、更にはそれらの混合したものを用いても良い。 The binder 16 is used an inorganic glass-based compound (ethyl silicate), dimethyl silicone was adjusted to a low viscosity in organic solvents, it is possible to use a transparent resin such as phenyl silicone, even using a mixture thereof and it may be. バインダ16には光散乱材は含まれていない。 It does not include the light scattering material in the binder 16. 波長変換層13内において蛍光体粒子14は分散されているが、蛍光体粒子14が集まって存在する部分が有る他、一部の蛍光体粒子14は波長変換層13の表面近傍に位置して波長変換層13の突出表面部を形成している。 Although the phosphor particles 14 in the wavelength conversion layer 13 is distributed, except that there is moiety present gathered phosphor particles 14, some of the phosphor particles 14 is positioned near the surface of the wavelength conversion layer 13 forming a protruding surface portion of the wavelength conversion layer 13.

波長変換層13上には光散乱層17が形成されている。 Light scattering layer 17 is formed on the wavelength conversion layer 13. 光散乱層17は光散乱材が分散されたガラスバインダ(シリコーン系の樹脂でも良い)からなる。 Light-scattering layer 17 is made of a glass binder light scattering material is dispersed (or in a silicone-based resin). 光散乱材は例えば、1μm以下のアルミナ粒子であるが、100nm以上で2μm以下の粒径の光散乱性粒子を有すればよい。 Light scattering material, for example, is a less alumina particles 1 [mu] m, it you have a light-scattering particles of particle size of less than 2μm in 100nm or more.

光散乱層17の層厚は蛍光体粒子14の粒径より小さく、蛍光体粒子14の平均粒径の1/3の5μm以下である。 The thickness of the light scattering layer 17 is smaller than the particle size of the phosphor particles 14 is less 1/3 of 5μm mean particle size of the phosphor particles 14. 波長変換層13の表面近傍に位置している蛍光体粒子14に隣接したバインダ16の表面、特に、波長変換層13の突出表面部を形成している蛍光体粒子14の間の隙間部分には窪み20が存在する。 Surface of the binder 16 adjacent to the phosphor particles 14 which are located near the surface of the wavelength conversion layer 13, in particular, in the gap portion between the phosphor particles 14 forming the protruding surface portion of the wavelength conversion layer 13 depression 20 is present. 窪み20内は光散乱層17で埋められており、その層厚は厚い。 The recess 20 is filled with light scattering layer 17, the layer thickness thick. 一方、波長変換層13の突出表面部を形成している蛍光体粒子14上方の光散乱層17の層厚は薄く、例えば、2μm以下である。 On the other hand, the layer thickness of the phosphor particles 14 over the light scattering layer 17 that forms the protruding surface portion of the wavelength conversion layer 13 is thin, for example, is 2μm or less. 光散乱層17は、発光素子上面において蛍光体粒子が上方に存在しない領域の上方に重なるように配置されている。 Light-scattering layer 17, the phosphor particles are arranged so as to overlap above the region not present above the light-emitting element top surface.

蛍光体粒子14を含有する接着剤15、バインダ16、及び光散乱層17は、図2に示すように、スプレー21で液体の状態のものを、噴射して塗布し、それを乾燥することにより形成されたものである。 Adhesive 15 containing the phosphor particles 14, binder 16 and the light scattering layer 17, as shown in FIG. 2, those states of the liquid in spray 21, injected by coating, by drying it and it is formed. スプレー21は噴射の際に図2に矢印22で示す方向(半導体層11の上面に平行な方向)に移動し、塗布量によっては往復移動する。 Spray 21 is moved in the direction indicated by the arrow 22 in FIG. 2 during injection (upper surface direction parallel to the semiconductor layer 11), reciprocated by the coating amount. スプレー21による噴射のために接着剤15、バインダ16、及び光散乱層17各々の材料はアルコール系、キシレン等の揮発性の有機溶剤によって液化されたもの(後述の蛍光体粒子含有液35、バインダ液36、及び光散乱材含有バインダ液37)が使用される。 Adhesive 15 for injection by spraying 21, binder 16, and the light scattering layer 17 each material alcohol, those liquefied volatile organic solvent such as xylene (phosphor particle-containing solution 35 will be described later, the binder liquid 36, and a light scattering material containing a binder solution 37) is used. スプレー21 Spray 21
図3(a)〜(c)は図1の実施例1の発光装置の製造方法における接着剤15、バインダ16、及び光散乱層17各々の材料の塗布部分を示している。 Figure 3 (a) ~ (c) shows the application portion of the adhesive 15, binder 16, and the light scattering layer 17 each material in the manufacturing method of the light emitting device of Example 1 of FIG. 発光装置は図3(a)〜(c)の順に製造される。 Emitting device is manufactured in the order of FIG. 3 (a) ~ (c). すなわち、蛍光体粒子含有液塗布工程(第1の工程)、バインダ液塗布工程(第2の工程)、及び光散乱材含有バインダ液塗布工程(第3の工程)がその順に実行される。 That is, the phosphor particle-containing solution application step (first step), the binder solution coating step (second step), and light scattering material containing the binder solution coating step (third step) are performed in this order.

なお、これらの工程の前に基板10に対応した基板材料と半導体層11に相当するエピタキシャル層とが金属接着層間の融着接合によって接合され、その基板材料が装置単位に分断される工程が存在し、基板10と、基板10上に形成された発光層を含む半導体層11とを備えた発光素子が得られているとする。 Note that the epitaxial layer corresponding to the substrate material and the semiconductor layer 11 corresponding to the substrate 10 prior to these steps is joined by fusion bonding of the metal bonding layers, there is the step of the substrate material is divided into device units and a substrate 10, a light emitting device that includes a semiconductor layer 11 including a light emitting layer formed on the substrate 10 is obtained.

蛍光体粒子含有液塗布工程では、図3(a)に示すように、装置単位で蛍光体粒子14を含んだ蛍光体粒子含有液35が塗布される。 The phosphor particles-containing liquid coating process, as shown in FIG. 3 (a), containing the phosphor particles 14 in the apparatus unit phosphor particle-containing solution 35 is applied. 蛍光体粒子含有液35は、上記のスプレー21で半導体層11の上面に噴射される。 Phosphor particles-containing liquid 35 is injected into the upper surface of the semiconductor layer 11 by the above spray 21. 蛍光体粒子含有液35の粘度は例えば、100mPa・sであるが、20〜500mPa・sの範囲内の値であれば良い。 The viscosity of the phosphor particles-containing liquid 35, for example, is a 100 mPa · s, may be a value in the range of 20~500mPa · s. また、蛍光体粒子含有液35中の蛍光体粒子14の濃度は例えば、50wt%であるが、10〜80wt%であれば良い。 The concentration of the phosphor particles 14 in the phosphor particle-containing liquid 35, for example, is a 50 wt%, may be any 10~80wt%. 噴射後、蛍光体粒子含有液35は硬化のために乾燥される。 After injection, the phosphor particle-containing solution 35 is dried for curing. この蛍光体粒子含有液塗布工程で蛍光体粒子14が集中して存在する部分と、蛍光体粒子14が上方に重なった部分が生ずる。 A portion where the phosphor phosphor particles 14 in the particle-containing liquid applying process are concentrated, it occurs moiety phosphor particles 14 overlap upward.

バインダ液塗布工程では、図3(b)に示すように、硬化した蛍光体粒子含有液35、すなわち、接着剤15で囲まれた蛍光体粒子14間の空隙を埋めるようにバインダ液36がスプレー21で噴射によって塗布される。 The binder solution applying step, as shown in FIG. 3 (b), the cured phosphor particles-containing liquid 35, i.e., the binder solution 36 to fill the gap between the phosphor particles 14 surrounded by the adhesive 15 sprayed applied by injection at 21. 噴射後、バインダ液36は硬化のために乾燥される。 After injection, the binder solution 36 is dried for curing. この結果、半導体層11上に、蛍光体粒子14を含みかつその蛍光体粒子14間にバインダ16が充填された波長変換層13が形成される。 As a result, on the semiconductor layer 11, the wavelength converting layer 13 which binder 16 is filled between the phosphor comprises particles 14 and the phosphor particles 14 is formed. このとき、蛍光体粒子14が上方に重なった部分により波長変換層13の突出表面部が形成され、その蛍光体粒子14間にはバインダ16の窪み20が生じる。 At this time, the protruding surface portions of the wavelength conversion layer 13 is formed by a portion of the phosphor particles 14 overlap the upper recesses 20 of the binder 16 occurs between the phosphor particles 14.

光散乱材含有バインダ液塗布工程では、図3(c)に示すように、硬化したバインダ液36、すなわち、バインダ16上に光散乱材含有バインダ液37がスプレー21で噴射によって塗布される。 In the light scattering material containing binder liquid applying step, as shown in FIG. 3 (c), the cured binder solution 36, i.e., the light scattering material containing the binder solution 37 onto the binder 16 is applied by injection in a spray 21. 光散乱材含有バインダ液37の粘度は例えば、150mPa・sであるが、400mPa・s以下の値であれば良い。 The viscosity of the light scattering material containing the binder solution 37 is, for example, is a 150 mPa · s, it may be a following values ​​400 mPa · s. 噴射後、光散乱材含有バインダ液37は硬化のために乾燥される。 After injection, the light scattering material containing the binder solution 37 is dried for curing. この結果、図1に示したように、波長変換層13上には光散乱層17が形成される。 As a result, as shown in FIG. 1, the light scattering layer 17 is formed on the wavelength conversion layer 13. 窪み20内では光散乱層17は厚く形成され、波長変換層13の突出表面部を形成している蛍光体粒子14上では光散乱層17は薄く形成される。 Is in the recess 20 the light scattering layer 17 is formed thick, the light scattering layer 17 on the phosphor particles 14 forming the protruding surface portion of the wavelength conversion layer 13 is formed thinly.

光散乱層17の厚みは上記したように蛍光体粒子14の粒径よりも小さく、蛍光体粒子14の平均粒径の1/3の5μm以下であるが、波長変換層13の突出表面部を形成している蛍光体粒子14上はもっと薄く2μm以下となっている。 The thickness of the light scattering layer 17 is smaller than the particle size of the phosphor particles 14 as described above, but is less than 5μm 1/3 of the average particle diameter of the phosphor particles 14, a protruding surface portion of the wavelength conversion layer 13 formed to have on the phosphor particles 14 is equal to or less than thinner 2 [mu] m. これは光散乱材含有バインダ液37の粘度を150mPa・sのように低くなるように調整しているために、波長変換層13の突出表面部の蛍光体粒子14間の隙間部分には溜まりやすいが、波長変換層13の突出表面部の蛍光体粒子14上はそこから流れて溜まりにくいからである。 This is because it adjusts the viscosity of the light scattering material containing the binder solution 37 to be lower as 150 mPa · s, tends to collect in the gap portion between the phosphor particles 14 of the protruding surface portions of the wavelength conversion layer 13 but on the phosphor particles 14 of the protruding surface portions of the wavelength conversion layer 13 is less likely reservoir flows therefrom.

また、蛍光体粒子14が集まっている部分のバインダ16の表面位置に比べて蛍光体粒子14の隙間部分のバインダ16は窪み20のように窪んでいる。 The phosphor binder 16 of the gap portion of the particles 14 as compared with the surface position of the binder 16 portion where the phosphor particles 14 are gathered is recessed as depression 20. そのため、スプレー21で光散乱材含有バインダ液37を波長変換層13上に噴射して塗布すると、窪み20内を光散乱材含有バインダ液37が埋め、突出表面部の蛍光体粒子14上では光散乱材含有バインダ液37は薄くなるか又は存在しない。 Therefore, when applied by spraying a light scattering material containing the binder solution 37 onto the wavelength converting layer 13 in a spray 21, recesses filled light scattering material containing the binder solution 37 to 20, the light on the phosphor particles 14 of the projecting surface portion scattering material containing the binder solution 37 is not made or absent thinner. よって、光散乱材含有バインダ液37が硬化した後の光散乱層17の層厚は蛍光体粒子14が存在しない位置、すなわち波長変換層13の突出表面部の蛍光体粒子14間の隙間部分の窪み20内では厚くなり、突出表面部の蛍光体粒子14上方の光散乱層17の層厚は薄くなる。 Thus, the light scattering layer 17 after the light scattering material containing the binder solution 37 is cured layer thickness position the phosphor particles 14 is not present, i.e., the gap portion between the phosphor particles 14 of the protruding surface portions of the wavelength conversion layer 13 becomes thicker in the recesses 20, the layer thickness of the phosphor particles 14 over the light scattering layer 17 of the projecting surface portion becomes thinner. 窪み20内の光散乱層17の底位置(光散乱層17とバインダ16との界面位置)はそれらの蛍光体粒子14各々の最表面位置より低い位置である。 Recess bottom position of the light scattering layer 17 in the 20 (interface position between the light scattering layer 17 and the binder 16) is lower than the outermost surface positions of the phosphor particles 14 each position.

実施例1の発光装置においては、このように波長変換層13上に光散乱層17が形成されているので、図4に示すように、半導体層11から波長変換層13の突出表面部を形成している蛍光体粒子14の隙間部分を通過して散乱層17へ入射する比較的光出射角度の小さい(光出射角度0〜約±30度)の青色光(矢印A,B)は光散乱層17で乱反射する。 In the light emitting device of Example 1, Since the light scattering layer 17 on the wavelength conversion layer 13 is formed, as shown in FIG. 4, forming a projecting surface portion of the wavelength conversion layer 13 from the semiconductor layer 11 relatively blue light (arrow a, B) of a small light emission angle (light emission angle from 0 to about ± 30 degrees) is a light scattering to enter the phosphor particles 14 passes through the gap section scattering layer 17 diffusely reflected in the layer 17. 乱反射した光の一部が、蛍光体粒子14に入射して、黄色光(矢印C)を出射する。 Some of the irregularly reflected light is incident on the phosphor particles 14, and emits yellow light (arrow C). なお、図4においては、散乱層17に入射した光は、あらゆる方向に乱反射されるが、本発明の説明容易化のために波長変換される光の光線を示している。 In FIG. 4, the light incident on the scattering layer 17 is being irregularly reflected in all directions, it shows a ray of light is wavelength-converted for explaining facilitate the present invention. また、出射角度0度は半導体層11の表面から垂直方向に出射する角度であり、出射方向が半導体層11の表面側に倒れてくるほど出射角度は大きくなる。 Further, the emission angle of 0 degrees is the angle of emission in the vertical direction from the surface of the semiconductor layer 11, the emission direction of the emission angle as come falling on the surface side of the semiconductor layer 11 is increased.

図5に示すように、光散乱層17が存在しない発光装置の場合には、半導体層11から波長変換層13の突出表面部を形成している蛍光体粒子14の隙間部分を通過してくる比較的光出射角度の小さい(光出射角度0〜約±30度)の青色光(矢印D)はそのまま出射される。 As shown in FIG. 5, in the case of a light emitting device where the light scattering layer 17 is not present, coming through the gap portion of the phosphor particles 14 forming the protruding surface portion of the wavelength conversion layer 13 from the semiconductor layer 11 relatively light emission angle smaller (the light output angle 0 to about ± 30 degrees) blue light (arrow D) is directly emitted. このため、蛍光体粒子14の隙間部分を通過して、そのまま発光装置から出射される青色光により、発光装置において部分的に強い青色光が出射される色ムラを生じ、色度均一性が悪い。 Therefore, through the gap portion of the phosphor particles 14, the blue light emitted from the intact light emitting device, cause color unevenness partially intense blue light is emitted in the light emitting device, is poor chromaticity uniformity . また、波長変換層13による白色化変換率が低下して、発光装置の明るさが低下する。 Also, whitening conversion by the wavelength conversion layer 13 decreases, the brightness of the light emitting device is reduced.

これに対し、実施例1の発光装置においては、半導体層11から波長変換層13の突出表面部を形成している蛍光体粒子14の隙間部分を通過してくる比較的光出射角度の小さい(光出射角度0〜約±30度)の青色光は、光散乱層17で乱反射して一部が蛍光体粒子14に入射して黄色光に変換させる。 In contrast, in the light emitting apparatus of the first embodiment, a small relatively light emission angle coming through the gap portion of the phosphor particles 14 forming the protruding surface portion of the wavelength conversion layer 13 from the semiconductor layer 11 ( blue light of the light emitting angle from 0 to about ± 30 degrees) is partially diffusely reflected by the light scattering layer 17 is incident on the phosphor particles 14 is converted to yellow light. そのため、蛍光体粒子14の隙間部分を通過して、そのまま発光装置から出射される青色光は抑制され、部分的に黄色光に波長変換されるため、発光装置において部分的に強い青色光が出射される色ムラを抑制することができる。 Therefore, through the gap portion of the phosphor particles 14 is suppressed blue light emitted as it is from the light emitting device, partially because it is wavelength-converted into yellow light, partially intense blue light is emitted in the light emitting device color unevenness to be able to suppress. そして、波長変換層13による白色化変換率は、光散乱層のない図5の発光装置と比較して高くすることができる。 The whitening conversion by the wavelength conversion layer 13 can be increased as compared with the light emitting device of FIG. 5 without the light scattering layer. なお、白色化変換率は、白色の光束lm/青色光の出力(mW)のことである。 Incidentally, whitening conversion is that the output of the white light flux lm / blue light (mW).

また、実施例1の発光装置においては、上記したようにバインダ16内には光散乱材が含まれていない。 In the light-emitting device of Example 1 is in the binder 16 as described above does not contain a light scattering material. これは半導体層11の表面からの青色光が光散乱材に邪魔されずに蛍光体粒子14に直接当たり蛍光体粒子を効率よく励起するためである。 This is to excite efficiently per phosphor particles directly on the phosphor particles 14 without being obstructed by the blue light light scattering material from the surface of the semiconductor layer 11. バインダ16内に光散乱材が含まれると半導体層11の表面からの青色光は蛍光体粒子14に当たる前に光散乱材によって多重屈折し、光散乱材に当たるたびに青色光の強度が弱くなるため、蛍光体粒子の励起が弱くなり、発光装置の光束の低下や光度変化を引き起こす。 Blue light from the surface of the contained light scattering material semiconductor layer 11 in the binder 16 multiplexes refracted by light scattering material before striking the phosphor particles 14, since the intensity of the blue light is weakened each time striking the light scattering material , excitation of the phosphor particles becomes weak, causing a deterioration and light curve of the luminous flux of the light emitting device.

更に、蛍光体粒子14自体は粒径が大きいほど波長変換効率が良いため蛍光体粒子14としては粒径が実施例1に示した平均粒径15μmのように比較的大きい粒子(10μm以上)を使用することが望まれている。 Furthermore, relatively large particles as having an average particle size of 15μm of grain size is shown in Example 1, the phosphor particles 14 for the phosphor particles 14 themselves good as the wavelength conversion efficiency is large particle size (over 10 [mu] m) it is desired to use. 一方、粒径が比較的大きい蛍光体粒子の場合には一般的に粒度分布が大きく、上記の蛍光体粒子含有液塗布工程におけるスプレー21の往復回数が少なくなってしまうために蛍光体粒子間の隙間が生じやすい。 On the other hand, generally the particle size distribution is large when the particle size is relatively large phosphor particles, between the phosphor particles to reciprocal number of spray 21 in the phosphor particle-containing solution application step becomes smaller the gap is likely to occur. このことは半導体層11からの励起光が蛍光体粒子14に入射せずにそのまま波長変換層13から出射してしまい、色ムラを生じたり、波長変換効率が悪くなる。 This excitation light from the semiconductor layer 11 will be emitted from the wavelength conversion layer 13 as it is not incident on the phosphor particles 14, or cause color unevenness, the wavelength conversion efficiency. これに対処するために、実施例1の発光装置では、波長変換層13上に光散乱層17が形成されているので、半導体層11から波長変換層13の突出表面部を形成している蛍光体粒子14の隙間部分を通過してくる青色光(図4の矢印A,B)を光散乱層17で乱反射させることができる。 Fluorescence To address this, in the light-emitting device in Example 1, that the light scattering layer 17 is formed on the wavelength conversion layer 13, to form a projecting surface portion of the wavelength conversion layer 13 from the semiconductor layer 11 body blue light that passes through the gap portion of the particles 14 (arrow a in FIG. 4, B) and can be irregularly reflected by the light scattering layer 17. そして乱反射した光の一部が、蛍光体粒子14に入射して、黄色光(矢印C)を出射する。 The part of the light irregularly reflected is incident on the phosphor particles 14, and emits yellow light (arrow C). よって、本実施例の発光装置によれば、比較的大なる粒径の蛍光体粒子14を含有する波長変換層13であっても、蛍光体粒子14間に隙間が生じてしまっても(発光素子上面に直上に蛍光体粒子14の存在しない領域が生じてしまっても)、当該隙間から蛍光体粒子14に入射せずに放出される光を抑制して、色ムラを抑制すると共に、波長変換効率の高い発光装置を提供することができる。 Therefore, according to the light-emitting device of the present embodiment, even in the wavelength converting layer 13 containing the phosphor particles 14 of particle diameter at a relatively large, even got a gap between phosphor particles 14 (emission even nonexistent region of the phosphor particles 14 is gone occurs just above the top of elements), to suppress the light emitted without incident from the gap to the phosphor particles 14, it is possible to suppress color unevenness, wavelength it is possible to provide a high conversion efficiency light emitting device.

なお、実施例1における蛍光体粒子含有液塗布工程、バインダ液塗布工程、及び光散乱材含有バインダ液塗布工程では、塗布液を霧状に噴射して吹き付けるスプレー方式を用いたが、スプレー方式以外にも、ジェットディスペンサー方式や静電塗装方式を用いることもできる。 Incidentally, the phosphor particle-containing solution application step of Example 1, the binder solution coating process, and a light scattering material containing binder liquid applying step is using a spray method of spraying by spraying a coating solution is atomized, except spraying also, it is also possible to use a jet dispenser method or an electrostatic coating method.

図6は本発明の実施例2の発光装置の断面図を示している。 Figure 6 is a cross-sectional view of a light-emitting device of Example 2 of the present invention. この発光装置においては、基板10と半導体層11とからなる発光素子上に波長変換層13が形成され、波長変換層13上に光散乱層17が形成されていることは実施例1の発光層と同一である。 In this light emitting device, the wavelength conversion layer 13 is formed on the light emitting element composed of the substrate 10 and the semiconductor layer 11 Prefecture, the light scattering layer 17 is formed on the wavelength conversion layer 13 is light emitting layer in Example 1 it is the same as. 実施例2の発光装置では、光散乱層17を含む波長変換層13の表面が、半導体層11の主面と平行となるように平坦化されている。 In the light emitting device of Example 2, the surface of the wavelength conversion layer 13 including the light scattering layer 17 are flattened so as to be parallel to the main surface of the semiconductor layer 11.

図7(a)〜(d)は図6の実施例2の発光装置の製造方法における蛍光体粒子含有液塗布工程(第1の工程)、バインダ液塗布工程(第2の工程)、光散乱材含有バインダ液塗布工程(第3の工程)及び平坦化工程(第4の工程)を示している。 Figure 7 (a) ~ (d) a phosphor particle-containing liquid applying process in the manufacturing method of the light emitting device of Example 2 of FIG. 6 (first step), the binder solution coating step (second step), light scattering It shows a timber containing a binder solution coating step (third step) and the flattening step (fourth step).

蛍光体粒子含有液塗布工程、バインダ液塗布工程、光散乱材含有バインダ液塗布工程は図3(a)〜(c)の実施例1の各工程と同一である。 Phosphor particles-containing liquid applying process, a binder solution coating process, the light scattering material containing the binder solution coating process is identical to the process of Example 1 of FIG. 3 (a) ~ (c). ただし、実施例2のバインダ液塗布工程では、実施例1に比べてスプレー21によって噴射によって塗布されるバインダ液36が少ない。 However, the binder solution coating step of Example 2, less binder solution 36 applied by injection by a spray 21 as compared with Example 1. バインダ液36は図7(b)に示すように、波長変換層13の高さのほぼ2/3(半分から2/3の範囲)の位置まで塗布され、その後、硬化される。 The binder solution 36 as shown in FIG. 7 (b), is applied to a position approximately two-thirds (ranging from 2/3 half) of the height of the wavelength conversion layer 13 and is then cured.

光散乱材含有バインダ液塗布工程では図7(c)に示すように、硬化したバインダ液36、すなわち、バインダ16上に光散乱材含有バインダ液37がスプレー21で噴射によって塗布され、その後、硬化される。 As shown in FIG. 7 (c) a light scattering material containing the binder solution application step, the cured binder solution 36, i.e., the light scattering material containing the binder solution 37 is applied by injection in a spray 21 onto the binder 16, then cured It is. その光散乱材含有バインダ液37の塗布量は実施例1の場合より多く、バインダ16の層厚が薄くされた分だけ光散乱層17の層厚が厚くされている。 Its coating weight of the light scattering material containing the binder solution 37 is higher than in Example 1, the layer thickness of the partial layer thickness of the binder 16 is thin as the light scattering layer 17 is thicker.

平坦化工程では、グラインダーを用いて光散乱層17の表面を研削して平坦化することが行われる。 The planarization process, it is performed to planarize by grinding the surface of the light scattering layer 17 using a grinder. 例えば、光散乱層17まで形成された基板10を自転させ、回転したグラインダーの砥石をその光散乱層17の表面に向けて上から下降させ、所望の厚みになるまで研削する方法が実行される。 For example, by rotating a substrate 10 formed to the light scattering layer 17, a grindstone rotated grinder is lowered from above toward the surface of the light scattering layer 17, a method for grinding to a desired thickness is performed . 図7(d)に示すように、光散乱層17だけでなく波長変換層13の突出表面部を形成している蛍光体粒子14やバインダ16も研削される。 As shown in FIG. 7 (d), the phosphor particles 14 and binder 16 that forms a protruding surface portion of the wavelength conversion layer 13 as well as the light scattering layer 17 is also ground. 光散乱層17の層厚は蛍光体粒子14の平均粒径の半分以下となるまで研削される。 The thickness of the light scattering layer 17 is ground until less than half the average particle size of the phosphor particles 14. また、蛍光体粒子14が研削された部分の表面には光散乱層17が存在しない。 Further, there is no light scattering layer 17 on the surface of the portion where the phosphor particles 14 are ground.

実施例2の発光装置においては、実施例1と同様、蛍光体粒子14の隙間部分を通過してくる比較的光出射角度の小さい青色光E,Fは光散乱層17で乱反射して一部が蛍光体粒子14に入射して黄色光に変換されるため、そのまま発光装置から出射される青色光は抑制され、部分的に黄色光Gに波長変換されるため、発光装置において部分的に強い青色光が出射される色ムラを抑制することができる。 In the light emitting device of Example 2, Example 1 similarly to, relatively light emitting angle smaller blue light E coming through the gap portion of the phosphor particles 14, F is partially diffusely reflected by the light scattering layer 17 There since incident on the phosphor particles 14 is converted to yellow light, is suppressed blue light emitted as it is from the light emitting device, since the partially is wavelength-converted into yellow light G, partially strong in the light emitting device it is possible to suppress the color unevenness blue light is emitted. そして、波長変換層13による白色化変換率は、光散乱層のない発光装置と比較して高くすることができる。 The whitening conversion by the wavelength conversion layer 13 may be higher than that without emitting device of the light-scattering layer.

更に、実施例2の発光装置においては、不要な領域に形成された散乱層が平坦化により除去されているため、不要な領域に形成された散乱層での光散乱による出力低下を防止することができる。 Further, in the light emitting device of the second embodiment, since it formed in unwanted areas scattering layer is removed by planarization, preventing output reduction due to light scattering at formed in unwanted areas scattering layer can. つまり、波長変換層13の表面側の蛍光体粒子14上の領域(図8におけるX領域)、波長変換層13の表面側の蛍光体粒子14の隙間部分のうち直下に蛍光体粒子14が存在している領域(図8におけるY領域)などの領域上に散乱層を配置しないことが好ましい。 In other words, the area on the phosphor particles 14 on the surface side of the wavelength converting layer 13 (X area in FIG. 8), the phosphor particles 14 is present directly below of the gap portion of the phosphor particles 14 on the surface side of the wavelength converting layer 13 it is preferred that (in FIG. 8 Y region) to have a region that does not place the scattering layer on a region, such as. そのため、これら領域上に散乱層17を配置しない構成とすることにより、これら領域の上に散乱層17が配置された場合と比較して、不要な光散乱による光出力の低下を抑制し、白色化変化率を高めて、高出力の発光装置を提供することができる。 Therefore, with the configuration without arranging the scattering layer 17 on those areas, as compared with the case where the scattering layer 17 is disposed on these regions, to suppress a decrease in light output due to unwanted light scattering, white by increasing the reduction rate of change, it is possible to provide a light emitting device of high output.

また、実施例2の発光装置では、平坦化において、波長変換層13の厚み、光散乱層17の厚みを変化させることができ、つまり、透過光と波長変換光のバランスを調整して色調整することができるため、所望の色度の発光装置を提供することができる。 Further, in the light emitting device of Example 2, in planarization, it is possible to vary the thickness of the wavelength conversion layer 13, the thickness of the light scattering layer 17, i.e., adjusted to a color balance of transmitted light and the wavelength converted light it is possible to, it is possible to provide a light emitting device having a desired chromaticity.

図9は本発明の実施例3の発光装置の断面図を示している。 Figure 9 is a cross-sectional view of a light-emitting device of Example 3 of the present invention. この発光装置においては、基板10と半導体層11とからなる発光素子上に波長変換層13が形成され、波長変換層13上に光散乱層17が形成されていることは実施例1の発光層と同一である。 In this light emitting device, the wavelength conversion layer 13 is formed on the light emitting element composed of the substrate 10 and the semiconductor layer 11 Prefecture, the light scattering layer 17 is formed on the wavelength conversion layer 13 is light emitting layer in Example 1 it is the same as. 実施例3の発光装置では、バインダ16は波長変換層13の高さのほぼ2/3(半分から2/3の範囲)の厚さを有し、その分だけ波長変換層13の表面を突出させている蛍光体粒子14間の隙間部分では光散乱層17の層厚は厚い。 In the light emitting device in Example 3, the binder 16 has a substantially 2/3 thickness (ranging from 2/3 half) of the height of the wavelength conversion layer 13, the projecting surface of that much wavelength conversion layer 13 thick thickness of the light scattering layer 17 in the gap portion between the phosphor particles 14, which is. 蛍光体粒子14が表面に突出して存在する位置の上方の光散乱層17の層厚は薄く、例えば、2μm以下である。 The thickness of the upper light-scattering layer 17 of the position where the phosphor particles 14 are present protrude to the surface is thin, for example, is 2μm or less. この実施例3の発光装置のその他の構成は実施例1と同様である。 Other configurations of the light emitting device of Example 3 is similar to that of the first embodiment. これにより、実施例1より深く散乱層17を形成することができるため、蛍光体粒子14の隙間部分を通過してくる比較的光出射角度の小さい光を、実施例1の散乱層17より多く散乱し、蛍光体粒子14に入射する確率を高めることができるので、白色化変化率を実施例1の発光装置より更に高めて、高出力の発光装置を提供することができる。 Accordingly, it is possible to form the deep-scattering layer 17 than in the first embodiment, a small light relatively light emission angle coming through the gap portion of the phosphor particles 14, more than the scattering layer 17 of Example 1 scattered, it is possible to increase the probability of entering the phosphor particles 14, further enhance the whitening change rate from the light emitting device of example 1, it is possible to provide a light emitting device of high output.

なお、上記した蛍光体粒子及び光散乱材の粒子の粒径の測定法としてレーザ回折法を用いた。 Incidentally, using a laser diffraction method as the measuring method of the particle size of the fluorescent particles and the light scattering material particles.

また、上記した各実施例においては、半導体層11はメタルボンディング型発光素子としたが、本発明は他のフェイスアップタイプの発光素子にも適用することができる。 In each embodiment described above, the semiconductor layer 11 was a metal bonding type light emitting device, the present invention can be applied to other face-up type light-emitting element. また、半導体層11としては実施例に示したGaN系の発光ダイオードに限らず、AlGaAs系やZnO系の他の発光素子を用いることができる。 Further, as the semiconductor layer 11 is not limited to light emitting diodes of GaN system shown in the examples, it is possible to use other light-emitting element of an AlGaAs or ZnO-based material.

10 基板11 半導体層13 波長変換層14 蛍光体粒子15 接着剤16 バインダ17 光散乱層21 スプレー35 蛍光体粒子含有液36 バインダ液37 光散乱材含有バインダ液 10 substrate 11 semiconductor layer 13 wavelength conversion layer 14 phosphor particles 15 adhesive 16 binder 17 the light scattering layer 21 spray 35 phosphor particle-containing liquid 36 binder solution 37 light scattering material containing the binder solution

Claims (7)

  1. 発光素子と、前記発光素子上に配置され、複数の蛍光体粒子を含む波長変換層と、を備える発光装置であって、 A light emitting element, disposed on the light emitting element, a light-emitting device comprising: a wavelength conversion layer, the including a plurality of phosphor particles,
    前記複数の蛍光体粒子の一部は前記波長変換層の表面部に位置し、前記波長変換層は前記一部の蛍光体粒子に隣接した表面に窪みを有し、 Wherein some of the plurality of phosphor particles located in a surface portion of the wavelength conversion layer, the wavelength conversion layer has a depression in the surface adjacent the phosphor particles of said portion,
    前記発光装置は前記窪み内に形成された光散乱層を有し、 The light emitting device will have a light scattering layer formed in said recess,
    前記光散乱層を含む前記波長変換層の表面が平坦に形成されていることを特徴とする発光装置。 The light emitting device wherein a surface of the wavelength conversion layer including the light scattering layer is formed flat.
  2. 発光素子と、前記発光素子上に配置され、複数の蛍光体粒子を含む波長変換層と、を備える発光装置であって、 A light emitting element, disposed on the light emitting element, a light-emitting device comprising: a wavelength conversion layer, the including a plurality of phosphor particles,
    前記複数の蛍光体粒子の一部は前記波長変換層の表面部に位置し、前記波長変換層は前記一部の蛍光体粒子に隣接した表面に窪みを有し、 Wherein some of the plurality of phosphor particles located in a surface portion of the wavelength conversion layer, the wavelength conversion layer has a depression in the surface adjacent the phosphor particles of said portion,
    前記波長変換層は前記複数の蛍光体粒子の間を埋める透光性バインダを含み、 The wavelength conversion layer comprises a light-transmitting binder to fill between the plurality of phosphor particles,
    前記発光装置を上方から観測した場合に、前記発光素子上面は、前記蛍光体粒子の存在しない上面露出領域を有し、 As observed with the light emitting device from above, the light emitting element top surface has a non-existent upper surface exposed regions of the phosphor particles,
    前記発光装置は、前記上面露出領域において、前記透光性バインダが前記波長変換層の高さの半分から2/3の範囲の厚みを有することにより形成された前記窪み内に光散乱層を有し、 The light emitting device is used, the number in the upper surface exposed region, a light scattering layer in said recess, which is formed by the translucent binder has a thickness in the range of 2/3 half the height of the wavelength conversion layer and,
    前記透光性バインダには光散乱性の粒子が含まれておらず、 Does not contain light-scattering particles in the transparent binder,
    前記上面露出領域上に前記光散乱層が重なるように配置され、前記一部の蛍光体粒子は前記波長変換層の突出表面部を形成することを特徴とする発光装置。 Wherein are arranged such that the light-scattering layer overlaps the upper surface exposed region, said part of the phosphor particles emitting device and forming a protruding surface portion of the wavelength conversion layer.
  3. 前記窪みは、前記突出表面部を形成している前記蛍光体粒子の間に位置することを特徴とする請求項2記載の発光装置。 The recess is light-emitting device according to claim 2, characterized in that located between the phosphor particles forming the projecting surface portion.
  4. 前記光散乱層の層厚は前記蛍光体粒子平均粒径以下であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1記載の発光装置。 The light scattering layer having a layer thickness of the light-emitting device as claimed in any one of 3 claims 1, characterized in that the average particle diameter or less under the phosphor particles.
  5. 前記蛍光体粒子の粒径は10μm以上であることを特徴とする請求項1ないしのいずれか1記載の発光装置。 The light emitting device as claimed in any one of claims 1 to 4, wherein the particle size of the phosphor particles is 10μm or more.
  6. 発光素子上に複数の蛍光体粒子を有する塗布液を塗布して前記発光素子上に前記複数の蛍光体粒子を配置する第1の工程と、 A first step of arranging the plurality of phosphor particles on the light emitting device by coating a coating solution having a plurality of phosphor particles on a light emitting element,
    前記第1の工程後、前記複数の蛍光体粒子が配置された前記発光素子上に透光性バインダの溶液を塗布して前記発光素子上に前記複数の蛍光体粒子間を埋める前記透光性バインダを配置して前記複数の蛍光体粒子を含有する波長変換層を形成する第2の工程と、 After the first step, the translucent fill between the plurality of phosphor particles on the plurality of phosphor particles arranged above on the light-emitting device by applying a solution of a light-transmitting binder on said light emitting element a second step of forming a wavelength conversion layer containing the plurality of phosphor particles by placing a binder,
    前記第2の工程後、前記波長変換層上に光散乱層を形成する第3の工程と、を含む発光装置の製造方法であって、 After the second step, a third step of forming a light scattering layer to the wavelength conversion layer, the method for manufacturing a including the light emitting device,
    前記複数の蛍光体粒子の一部は前記波長変換層の表面部に位置し、前記波長変換層は前記一部の蛍光体粒子に隣接した表面に前記透光性バインダの窪みを有し、 Wherein some of the plurality of phosphor particles located in a surface portion of the wavelength conversion layer, the wavelength conversion layer has a recess of the light-transmitting binder to the surface adjacent the phosphor particles of said portion,
    前記第3の工程において前記窪み内に前記光散乱層が形成され、 The light scattering layer is formed in said recess in said third step,
    前記製造方法は、前記第3の工程後、前記光散乱層を含む前記波長変換層の表面を平坦化する第4の工程を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。 The manufacturing method, the following third step, the method of manufacturing the light emitting device characterized by comprising a fourth step of flattening the surface of the wavelength conversion layer including the light scattering layer.
  7. 発光素子上に複数の蛍光体粒子を有する塗布液を塗布して前記発光素子上に前記複数の蛍光体粒子を配置する第1の工程と、 A first step of arranging the plurality of phosphor particles on the light emitting device by coating a coating solution having a plurality of phosphor particles on a light emitting element,
    前記第1の工程後、前記複数の蛍光体粒子が配置された前記発光素子上に透光性バインダの溶液を塗布して前記発光素子上に前記複数の蛍光体粒子間を埋める前記透光性バインダを配置して前記複数の蛍光体粒子を含有する波長変換層を形成する第2の工程と、 After the first step, the translucent fill between the plurality of phosphor particles on the plurality of phosphor particles arranged above on the light-emitting device by applying a solution of a light-transmitting binder on said light emitting element a second step of forming a wavelength conversion layer containing the plurality of phosphor particles by placing a binder,
    前記第2の工程後、前記波長変換層上に光散乱層を形成する第3の工程と、を含み、 After the second step, wherein the third step of forming a light scattering layer to the wavelength conversion layer,
    前記透光性バインダには光散乱性の粒子が含まれておらず、 Does not contain light-scattering particles in the transparent binder,
    前記複数の蛍光体粒子の一部は前記波長変換層の表面部に位置し、前記波長変換層は前記一部の蛍光体粒子に隣接した表面に前記透光性バインダが前記波長変換層の高さの半分から2/3の範囲の厚みにすることにより形成された窪みを有し、前記一部の蛍光体粒子は前記波長変換層の突出表面部を形成し、 Some of the plurality of phosphor particles is located in the surface portion of the wavelength conversion layer, said wavelength conversion layer is high the transparent binder to the surface adjacent the phosphor particles of said portion of the wavelength conversion layer has a recess formed by the difference in thickness in the range of 2/3 half said part of the phosphor particles to form a projecting surface portion of the wavelength conversion layer,
    前記第3の工程において、前記窪み内に前記光散乱層が形成されることを特徴とする発光装置の製造方法。 Wherein in the third step, the method of manufacturing the light emitting device, wherein the light scattering layer in said recess is formed.
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