JP5991067B2 - Coating liquid for solvent-resistant transparent conductive film and solvent-resistant transparent conductive film comprising the same - Google Patents

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Description

本発明は、透明導電膜用の分散液として適した塗工液及びそれよりなる透明導電膜に関するものであり、より詳しくは、分散溶媒への分散性に優れた結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子を含む分散液であり、塗工後には該微粒子が凝集することより分散溶媒に対する耐性を有する耐溶剤性透明導電膜を形成することのできる特異な耐溶剤性透明導電膜用塗工液及びそれよりなる電気特性、光学特性に優れる耐溶剤性透明導電膜に関するものである。   The present invention relates to a coating liquid suitable as a dispersion for a transparent conductive film and a transparent conductive film comprising the same, and more specifically, crystalline tin-containing indium oxide fine particles having excellent dispersibility in a dispersion solvent. A coating solution for a specific solvent-resistant transparent conductive film capable of forming a solvent-resistant transparent conductive film having resistance to the dispersion solvent from the aggregation of the fine particles after coating, and The present invention relates to a solvent-resistant transparent conductive film excellent in electrical characteristics and optical characteristics.

パーソナル・デジタル・アシスタント(PDA)、ノートPC、OA機器、医療機器又はカーナビゲーションシステム等の電子機器においては、これらのディスプレイに入力手段を兼ね備える、タッチパネルが広く用いられている。   In an electronic device such as a personal digital assistant (PDA), a notebook PC, an OA device, a medical device, or a car navigation system, a touch panel having an input means on these displays is widely used.

このようなタッチパネルに用いられる透明導電膜としては、液晶ディスプレイ等の透明電極に用いられているスズを含有する酸化インジウムが、優れた透明性と電気導電性とを持ち合わせることからこれまで広く使用されている。   As a transparent conductive film used for such a touch panel, indium oxide containing tin, which is used for transparent electrodes such as liquid crystal displays, has been widely used so far because it has excellent transparency and electrical conductivity. ing.

しかし、一般的にこれらスズを含有する酸化インジウムは、スパッタリング方式で蒸着されることから、工程が複雑であること、材料の使用効率が低いこと、また高価な真空製膜装置が必要であること、などの課題が指摘されている。   However, since indium oxide containing tin is generally deposited by sputtering, the process is complicated, the use efficiency of the material is low, and an expensive vacuum film forming apparatus is required. , Etc. are pointed out.

これに対し、真空工程を必要とせず、大面積や複雑形状の製膜が可能である塗工型の材料が注目されており、これまでに貴金属又は金属酸化物の微粒子分散液を塗工して得られる透明導電膜が報告されている。   On the other hand, a coating-type material that does not require a vacuum process and can form a film with a large area or a complicated shape has attracted attention. So far, a fine particle dispersion of noble metal or metal oxide has been applied. A transparent conductive film obtained in this manner has been reported.

そして、貴金属微粒子を用いるものは、具体的には表示装置の表示面上に金、銀、銅等の貴金属微粒子を液中に均一に分散させた塗布液を塗布し乾燥することで、導電性の透明貴金属薄膜を形成し、この透明貴金属薄膜の上層及び/又は下層に、これとは屈折率が異なる透明層を積層して電磁波遮蔽、帯電防止、反射防止等を図るものである。例えば、平均粒子径2〜200nmの範囲内の少なくとも銀を含む貴金属微粒子による導電層と、これと屈折率が異なる透明層とからなる電磁波遮蔽効果と反射防止効果に優れた透明導電膜(例えば特許文献1参照。)、が提案されている。   For those using noble metal fine particles, specifically, a conductive liquid in which noble metal fine particles such as gold, silver and copper are uniformly dispersed in the liquid is applied on the display surface of the display device and dried. The transparent noble metal thin film is formed, and a transparent layer having a refractive index different from that of the transparent noble metal thin film is laminated on the upper layer and / or the lower layer of the transparent noble metal thin film for electromagnetic wave shielding, antistatic, antireflection, and the like. For example, a transparent conductive film excellent in electromagnetic wave shielding effect and antireflection effect comprising a conductive layer made of noble metal fine particles containing at least silver within an average particle diameter of 2 to 200 nm and a transparent layer having a different refractive index (for example, a patent) Reference 1)) has been proposed.

しかし、特許文献1に提案の方法においては、電磁波遮蔽効果は期待できるものの、銀の光透過スペクトルに依存して400〜500nmの透過光に吸収が生じ、導電膜が黄色に着色し、透過画像の色相が不自然に変化する、膜の光線透過率が低いため膜厚分布に起因した透過色のムラが目立ち易く生産性を悪化させる、塩霧環境では導電膜の表面抵抗率が上昇し電磁波遮蔽効果が低下するため、海岸等塩霧の影響を受け易い場所では耐久性が低下する、等の課題を有するものであった。   However, in the method proposed in Patent Document 1, although an electromagnetic wave shielding effect can be expected, depending on the light transmission spectrum of silver, absorption occurs in transmitted light of 400 to 500 nm, the conductive film is colored yellow, and the transmission image The hue of the film changes unnaturally, and because the light transmittance of the film is low, unevenness in the transmitted color due to the film thickness distribution is easily noticeable and the productivity is deteriorated. In a salt fog environment, the surface resistivity of the conductive film increases and electromagnetic waves Since the shielding effect is lowered, there is a problem that durability is lowered in a place that is easily affected by salt fog such as a coast.

また、金属酸化物微粒子を用いるものでは、スズ含有酸化インジウムの微粒子を水や有機溶媒に溶解または分散した塗布液を基材上に塗布し、乾燥・焼成することにより透明導電膜を作製する方法が提案されている。例えば、インジウム・スズ複合酸化物の粒子を含有するゾル組成物を塗布液として用い、この塗布液を基材上に塗布し、乾燥・焼成することにより、導電性酸化インジウム粒子からなる被膜を形成する方法(例えば特許文献2参照。)、が提案されている。   In addition, in the case of using metal oxide fine particles, a method of producing a transparent conductive film by applying a coating solution in which fine particles of tin-containing indium oxide are dissolved or dispersed in water or an organic solvent on a substrate, and drying and baking. Has been proposed. For example, a sol composition containing particles of indium / tin composite oxide is used as a coating solution, and this coating solution is applied onto a substrate, dried and fired to form a film made of conductive indium oxide particles. A method (for example, refer to Patent Document 2) is proposed.

しかし、通常、塗布液に含まれるインジウム化合物は、無機または有機のインジウム塩など、いわゆる酸化インジウムの前駆体であり、このような分散液を基材上に塗工した後に乾燥しただけでは高い導電性、耐溶剤性を示す結晶性酸化インジウムの塗工膜は得られず、基材上に塗工した後の塗膜を400℃以上の高温で焼成し、インジウム塩を熱分解するとともに得られた酸化インジウムを結晶化することにより、はじめて高導電性の酸化インジウム被膜が形成されるものである。そして、特許文献2に提案されている方法においても、インジウム・スズ複合酸化物ゾル中の複合酸化物微粒子は、非晶質の酸化物であり、該非晶質の酸化物は、高温で焼成することにより結晶化させることを必要としており、実施例でも、500℃で焼成する工程を経て導電性被膜が形成されている。しかしながら、塗膜を高温、500℃程度の温度で加熱すると、基材がプラスチック基材である場合には基材が損傷してしまう、また基材がガラス基材である場合には基材に歪み、割れなどが生じるという、課題を発生する場合があった。   However, the indium compound contained in the coating solution is usually a so-called indium oxide precursor such as an inorganic or organic indium salt, and high conductivity can be obtained simply by applying such a dispersion on a substrate and then drying it. A crystalline indium oxide coating film exhibiting properties and solvent resistance can not be obtained, and the coating film after coating on the substrate is baked at a high temperature of 400 ° C. or higher to thermally decompose the indium salt. Only when indium oxide is crystallized, a highly conductive indium oxide film is formed. Also in the method proposed in Patent Document 2, the composite oxide fine particles in the indium-tin composite oxide sol are amorphous oxides, and the amorphous oxides are fired at a high temperature. In this embodiment, the conductive film is formed through a process of baking at 500 ° C. However, when the coating is heated at a high temperature of about 500 ° C., the base material is damaged when the base material is a plastic base material, and when the base material is a glass base material, the base material is damaged. There was a case where a problem such as distortion or cracking occurred.

そこで、高温での焼成工程を必要とせず、塗工のみで高い導電性を発現させるために、結晶性の金属酸化物微粒子を塗工膜として用いることが期待される。   Therefore, it is expected that crystalline metal oxide fine particles are used as a coating film in order to develop high conductivity only by coating without requiring a baking process at a high temperature.

そして、400℃以上での高温による焼結を必要とせず、結晶性の金属酸化物微粒子を得る方法(例えば特許文献3、特許文献4参照。)、350℃以下の加熱により、常圧で結晶性のITO微粒子を得る方法(例えば特許文献5,6,7参照。)、さらにオレイルアミンの配位したスズ含有酸化インジウム微粒子合成(例えば非特許文献1参照。)、等が提案されている。   Then, a method of obtaining crystalline metal oxide fine particles without the need for sintering at a high temperature of 400 ° C. or higher (see, for example, Patent Document 3 and Patent Document 4), heating at 350 ° C. or lower, and crystal at normal pressure Proposed are methods for obtaining conductive ITO fine particles (see, for example, Patent Documents 5, 6, and 7), synthesis of tin-containing indium oxide fine particles coordinated with oleylamine (for example, see Non-Patent Document 1), and the like.

特開平08−077832号公報(例えば特許請求の範囲参照。)Japanese Patent Application Laid-Open No. 08-077782 (for example, refer to the claims) 特開昭59−223229号公報(例えば特許請求の範囲参照。)Japanese Patent Laid-Open No. 59-223229 (for example, refer to the claims) 特開2004−123418号公報(例えば特許請求の範囲参照。)Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2004-123418 (see, for example, the claims) 特開2006−096636号公報(例えば特許請求の範囲参照。)Japanese Patent Laying-Open No. 2006-096636 (for example, refer to the claims) 特開2007−269617号公報(例えば特許請求の範囲参照。)Japanese Patent Laying-Open No. 2007-269617 (see, for example, the claims) 特開2009−084122号公報(例えば特許請求の範囲参照。)Japanese Patent Laying-Open No. 2009-084122 (for example, refer to the claims) 特開2011−126746号公報(例えば特許請求の範囲参照。)Japanese Patent Laying-Open No. 2011-126746 (for example, refer to the claims)

J.Am.Chem.Soc.2009,131,17736−17737J. et al. Am. Chem. Soc. 2009, 131, 17736-17737

しかし、特許文献3,4に提案の方法においては、加圧条件下での処理工程を必須とするものであり、大量生産プロセスに適したものとは言い難い上に、高い導電性、耐溶剤性という点では課題を有するものであった。また、特許文献5〜7に提案の方法により得られるITO微粒子は高い分散性を有しており、乾燥後に得られる粒子紛体の粒子相互間接触面積が小さいことから、透明導電膜として十分な導電性を発現することができないものである上に、高い溶媒分散性を有するため、乾燥後の粒子紛体は分散媒に再分散し易く、透明導電膜としての耐溶剤特性に課題を有するものであった。さらに、非特許文献1に提案のオレイルアミンの配位したスズ含有酸化インジウム微粒子は、導電性、耐溶剤性について全く言及されていないものであった。   However, in the methods proposed in Patent Documents 3 and 4, a treatment step under a pressurized condition is essential, and it is difficult to say that the method is suitable for a mass production process. It had a problem in terms of sex. In addition, the ITO fine particles obtained by the methods proposed in Patent Documents 5 to 7 have high dispersibility, and since the contact area between the particles of the particle powder obtained after drying is small, sufficient conductivity as a transparent conductive film is obtained. In addition to having high solvent dispersibility, the particulate powder after drying is easily redispersed in the dispersion medium and has a problem in solvent resistance as a transparent conductive film. It was. Furthermore, the tin-containing indium oxide fine particles coordinated with oleylamine proposed in Non-Patent Document 1 have not been mentioned at all about conductivity and solvent resistance.

本発明は、上記事実を鑑みてなされたものであり、分散溶媒への分散性に優れた結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子を含む分散液であり、塗工後には粒子凝集により分散溶媒に再分散し難い安定な透明導電膜の形成を可能とする耐溶剤性透明導電膜用塗工液、及び該塗工液を用いた耐溶剤性透明導電膜を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above facts, and is a dispersion containing crystalline tin-containing indium oxide fine particles having excellent dispersibility in a dispersion solvent. After coating, the dispersion is redispersed in the dispersion solvent by particle aggregation. An object of the present invention is to provide a solvent-resistant transparent conductive film coating liquid capable of forming a difficult and stable transparent conductive film, and a solvent-resistant transparent conductive film using the coating liquid.

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、分散溶媒に対して、特定の結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子を含んでなる結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子分散液を透明導電膜用塗工液とし、塗工を行うことにより、分散溶媒に再分散し難い安定な透明導電膜を形成することが可能となることを見出し、本発明を完成するに至った。   As a result of diligent investigations to solve the above problems, the inventors of the present invention used a transparent conductive film for dispersing a crystalline tin-containing indium oxide fine particle dispersion containing specific crystalline tin-containing indium oxide fine particles with respect to a dispersion solvent. As a coating liquid for coating, it has been found that a stable transparent conductive film that is difficult to re-disperse in a dispersion solvent can be formed by coating, and the present invention has been completed.

すなわち、本発明は、分散溶媒100重量部に対して、少なくとも下記(a)〜(d)に示す特性を有する結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子0.1〜100重量部を含む分散液であることを特徴とする耐溶剤性透明導電膜用塗工液及びそれよりなる耐溶剤性透明導電膜に関するものである。
(a)立方晶系ビックスバイト構造である、
(b)誘導結合プラズマ発光分光分析装置(ICP)により測定したスズ/インジウム(モル比)=5/95〜40/60の範囲内である、
(c)透過型電子顕微鏡により測定した平均粒子径が5〜20nmの範囲内である、
(d)炭素数6〜24のアミン配位子1〜10重量%を配位する。
That is, the present invention is a dispersion containing 0.1 to 100 parts by weight of crystalline tin-containing indium oxide fine particles having at least the following characteristics (a) to (d) with respect to 100 parts by weight of the dispersion solvent. The present invention relates to a solvent-resistant transparent conductive film coating liquid and a solvent-resistant transparent conductive film comprising the same.
(A) a cubic bixbite structure;
(B) Tin / indium (molar ratio) measured by an inductively coupled plasma optical emission spectrometer (ICP) is in the range of 5/95 to 40/60.
(C) The average particle diameter measured by a transmission electron microscope is in the range of 5 to 20 nm.
(D) Coordinates 1 to 10% by weight of an amine ligand having 6 to 24 carbon atoms.

以下、本発明について詳細に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in detail.

本発明の耐溶剤性透明導電膜用塗工液は、上記した(a)〜(d)の特性を満足する結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子を分散溶媒に分散した分散液からなるものである。ここで、(a)〜(d)の特性を同時に満足する結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子を用いることにより、本発明の耐溶剤性透明導電膜用塗工液は、該結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の分散安定性に優れるものとなり、得られる透明導電膜は、導電性、耐溶剤性に優れるものとなる。   The solvent-resistant transparent conductive film coating liquid of the present invention comprises a dispersion obtained by dispersing crystalline tin-containing indium oxide fine particles satisfying the above-described characteristics (a) to (d) in a dispersion solvent. Here, by using the crystalline tin-containing indium oxide fine particles satisfying the characteristics of (a) to (d) at the same time, the coating solution for a solvent-resistant transparent conductive film of the present invention has the crystalline tin-containing indium oxide. It becomes excellent in dispersion stability of fine particles, and the obtained transparent conductive film has excellent conductivity and solvent resistance.

本発明の耐溶剤性透明導電膜用塗工液を構成する結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子は、(a)立方晶系ビックスバイト構造を有するものであり、立方晶系ビックスバイト構造を有することにより、本発明の耐溶剤性透明導電膜用塗工液より得られる耐溶剤性透明導電膜は、導電性、耐溶剤性に優れるものとなる。   The crystalline tin-containing indium oxide fine particles constituting the solvent-resistant transparent conductive film coating liquid of the present invention have (a) a cubic bixbite structure, and by having a cubic bixbite structure, The solvent-resistant transparent conductive film obtained from the coating solution for solvent-resistant transparent conductive film of the present invention is excellent in conductivity and solvent resistance.

そして、該立方晶系ビックスバイト構造は、X線回折パターンを測定することにより確認することが可能であり、例えばスズ含有酸化インジウム微粒子分散液より、スズ含有酸化インジウム微粒子紛体を調製し、キャピラリに封入し、X線回折測定装置(例えばPANalytical社製、(商品名)スペクトリスX‘pert PRO MPD)により、5〜70°の範囲について測定することにより確認することが可能である。結晶性スズ含有インジウム微粒子が、立方晶系ビックスバイト構造を有する結晶である際には、X線回折パターンとして、2θ=20〜21°に(211)面の回折、2θ=30〜31°に(222)面の回折、2θ=35〜36°に(400)面の回折、2θ=50〜51°に(440)面の回折、2θ=60〜61°に(622)面の回折が、それぞれ観測される。   The cubic bixbite structure can be confirmed by measuring an X-ray diffraction pattern. For example, a tin-containing indium oxide fine particle powder is prepared from a tin-containing indium oxide fine particle dispersion, It can be confirmed by encapsulating and measuring in the range of 5 to 70 ° with an X-ray diffraction measurement device (for example, (trade name) Spectris X'pert PRO MPD manufactured by PANalytical). When the crystalline tin-containing indium fine particles are crystals having a cubic bixbite structure, the X-ray diffraction pattern is 2θ = 20-21 °, (211) plane diffraction, 2θ = 30-31 °. Diffraction of (222) plane, diffraction of (400) plane at 2θ = 35 to 36 °, diffraction of (440) plane at 2θ = 50 to 51 °, diffraction of (622) plane at 2θ = 60 to 61 °, Observed respectively.

また、本発明の耐溶剤性透明導電膜用塗工液を構成する結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子は、(b)誘導結合プラズマ発光分光分析装置(以下、ICPと記す場合もある。)により測定したスズとインジウムの比率(モル比)であるスズ/インジウムが5/95〜40/60の範囲内にある結晶性スズ含有酸化インジウムであり、より優れた導電性を発現する耐溶剤性透明導電膜が得られることから、スズ/インジウムが10/90〜30/70であることが好ましく、特に10/90〜20/80であることが好ましい。ここで、スズの比率がスズ/インジウム=5/95より低い場合、スズによって供給されるキャリア量が不十分であることから、十分なバンドギャップを形成できず、塗工膜が透明導電膜として十分な導電性を発現しない。一方、スズの比率がスズ/インジウム=40/60を越える場合、過剰のスズがキャリア生成に寄与しない酸化物を形成し、これが中性散乱中心となることから、同様に塗工膜が透明導電膜として十分な導電性を発現しなくなる。なお、結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子中のスズの含有量は、例えば後述する該結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子を調製する際のインジウムとスズの仕込み比を調整することで、任意に選択することが可能である。   Further, the crystalline tin-containing indium oxide fine particles constituting the solvent-resistant transparent conductive film coating liquid of the present invention are measured by (b) an inductively coupled plasma emission spectrometer (hereinafter sometimes referred to as ICP). Is a crystalline tin-containing indium oxide in which tin / indium, which is the ratio (molar ratio) of tin to indium, is in the range of 5/95 to 40/60, and is a solvent-resistant transparent conductive material that exhibits better conductivity In order to obtain a film, tin / indium is preferably 10/90 to 30/70, and more preferably 10/90 to 20/80. Here, when the ratio of tin is lower than tin / indium = 5/95, the carrier amount supplied by tin is insufficient, so that a sufficient band gap cannot be formed, and the coating film becomes a transparent conductive film. Does not exhibit sufficient conductivity. On the other hand, when the ratio of tin exceeds tin / indium = 40/60, excessive tin forms an oxide that does not contribute to carrier generation, and this becomes a neutral scattering center. The film does not exhibit sufficient conductivity as a film. In addition, the content of tin in the crystalline tin-containing indium oxide fine particles can be arbitrarily selected, for example, by adjusting the charging ratio of indium and tin when preparing the crystalline tin-containing indium oxide fine particles described later. Is possible.

そして、ICPによる測定としては、例えば、スズ含有酸化インジウム微粒子分散液より、スズ含有酸化インジウム微粒子紛体を調製し、該粉体を加熱・酸処理することで分解し、定容した希釈溶液をICP(例えばセイコーインスツルメント社製、誘導結合アルゴンプラズマ発光分光分析装置(Vista−PROアキシャル仕様))等の分析装置を使用して測定することが可能である。   For measurement by ICP, for example, a tin-containing indium oxide fine particle powder is prepared from a tin-containing indium oxide fine particle dispersion, and the powder is decomposed by heating and acid treatment. It can be measured using an analyzer such as an inductively coupled argon plasma emission spectrometer (Vista-PRO axial specification) manufactured by Seiko Instruments Inc.

さらに、本発明の耐溶剤性透明導電膜用塗工液を構成する結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子は、(c)透過型電子顕微鏡(以下、TEMと記すこともある。)により測定した平均粒子径が5〜20nmの範囲内にあるものである。ここで、結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の平均粒子径が5nm未満である場合、該結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の粒径が小さすぎることから、透明導電膜にした際に十分な導電性を有する透明導電膜が得られない。一方、平均粒子径が20nmを超える場合、該結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の粒径が大きすぎることから、分散溶液又は塗膜とした際に光を散乱し、可視光域での光の透過率が悪化したものとなる。また、該結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子は、より透明性、導電性に優れる耐溶剤性透明導電膜を形成することが可能となることから球形の微粒子であることが好ましく、特にTEMにより観測されるアスペクト比の平均値が0.7〜1.3の範囲内であることが好ましい。   Further, the crystalline tin-containing indium oxide fine particles constituting the solvent-resistant transparent conductive film coating liquid of the present invention are (c) average particles measured by a transmission electron microscope (hereinafter sometimes referred to as TEM). The diameter is in the range of 5 to 20 nm. Here, when the average particle diameter of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles is less than 5 nm, since the particle diameter of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles is too small, sufficient conductivity is obtained when the transparent conductive film is formed. The transparent conductive film which has is not obtained. On the other hand, when the average particle diameter exceeds 20 nm, since the particle diameter of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles is too large, light is scattered when a dispersion solution or a coating film is formed, and light is transmitted in the visible light region. The rate will be worse. Further, the crystalline tin-containing indium oxide fine particles are preferably spherical fine particles because they can form a solvent-resistant transparent conductive film that is more excellent in transparency and conductivity, and are particularly observed by TEM. The average value of the aspect ratio is preferably in the range of 0.7 to 1.3.

そして、該結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の平均粒子径の測定としては、例えば、該結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子を有機溶媒に分散させた濃度0.01%以下の低濃度微粒子分散液を用意し、これをコロジオン膜展張したカーボンコーティング銅メッシュに滴下して溶媒を揮発させ、透過型顕微鏡で観察する方法により測定を行うことが可能である。そして、結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の平均粒径の測定には、倍率20万倍で観察された像の写真を撮影し、300個以上の粒子の粒子径を測定し、平均化することで、平均粒子径を求めることができる。   For the measurement of the average particle diameter of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles, for example, a low-concentration fine particle dispersion having a concentration of 0.01% or less prepared by dispersing the crystalline tin-containing indium oxide fine particles in an organic solvent is prepared. Then, it can be measured by a method in which this is dropped on a carbon-coated copper mesh with a collodion film stretched to volatilize the solvent and observed with a transmission microscope. The average particle diameter of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles is measured by taking a photograph of an image observed at a magnification of 200,000 times, measuring the particle diameters of 300 or more particles, and averaging them. The average particle diameter can be determined.

また、本発明の耐溶剤性透明導電膜用塗工液を構成する結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子は、(d)炭素数6〜24のアミン配位子1〜10重量%を配位してなるものである。該結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子は、結晶性を有することから、透明導電膜とする際に400℃以上の高温による焼結工程を必要とせず、塗工もしくは塗工と200℃以下の加熱により、耐溶剤性透明導電膜を製造することができる。また、炭素数6〜24のアミン配位子を配位してなることにより、該アミン配位子が分散溶媒と溶媒和するため、特殊な分散剤または特殊な操作を必要とすることなく、分散溶媒中に該結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子を添加するたけで、分散安定性に優れる分散液、耐溶剤性透明導電膜用塗工液となるものである。その一方で、分散溶媒への分散性に寄与する炭素数6〜24のアミン配位子を1〜10重量%という特定の範囲で配位を行うことにより、該結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子は、分散液又は塗工液の段階では適度な微粒子分散安定性を有し、一旦、塗工により乾固した微粒子は、分散溶媒によっても再度分散することなく、塗工後には、分散溶剤に対しても安定な結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の凝集膜が形成し、耐溶剤性透明導電膜を提供できるものである。   Further, the crystalline tin-containing indium oxide fine particles constituting the solvent-resistant transparent conductive film coating liquid of the present invention are coordinated with (d) 1 to 10% by weight of an amine ligand having 6 to 24 carbon atoms. It will be. Since the crystalline tin-containing indium oxide fine particles have crystallinity, they do not require a sintering step at a high temperature of 400 ° C. or higher when forming a transparent conductive film, and by coating or coating and heating at 200 ° C. or lower. A solvent-resistant transparent conductive film can be produced. In addition, by coordinating an amine ligand having 6 to 24 carbon atoms, the amine ligand solvates with the dispersion solvent, so that no special dispersant or special operation is required. Only by adding the crystalline tin-containing indium oxide fine particles to the dispersion solvent, a dispersion having excellent dispersion stability and a coating solution for a solvent-resistant transparent conductive film can be obtained. On the other hand, by coordinating the amine ligand having 6 to 24 carbon atoms that contributes to dispersibility in the dispersion solvent in a specific range of 1 to 10% by weight, the crystalline tin-containing indium oxide fine particles are obtained. In the dispersion liquid or coating liquid stage, it has an appropriate dispersion stability of fine particles, and once dried by coating, the fine particles are not dispersed again by the dispersion solvent. However, a stable agglomerated film of crystalline tin-containing indium oxide fine particles is formed, and a solvent-resistant transparent conductive film can be provided.

ここで、炭素数6未満のアミン配位子である場合、結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子は、分散溶媒への分散安定性が低下したものとなり得られる塗工液は分散安定性が劣るものとなり、保存時に該結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の凝集が発生しやすいものとなる。一方、炭素数24を越えるアミン配位子である場合、塗工膜とした際に結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の粒子間の距離が長くなり、導電性能が低下するため、透明導電膜として適応できなくなる。また、炭素数6〜24のアミン配位子の配位量が1重量%未満である場合、結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子は、分散溶媒への分散安定性が低下したものとなり得られる塗工液は分散安定性が劣るものとなり、保存時に該結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の凝集が発生しやすいものとなる。一方、炭素数6〜24のアミン配位子の配位量が10重量%を越える場合、塗工膜にした際の結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の凝集安定性が劣るものとなり、分散溶媒に対する安定性に劣るものとなる。   Here, in the case of an amine ligand having less than 6 carbon atoms, the crystalline tin-containing indium oxide fine particles have reduced dispersion stability in the dispersion solvent, and the resulting coating solution has poor dispersion stability. When stored, the crystalline tin-containing indium oxide fine particles are likely to aggregate. On the other hand, when it is an amine ligand having more than 24 carbon atoms, the distance between the particles of crystalline tin-containing indium oxide fine particles becomes long when the coating film is formed, and the conductive performance is lowered. become unable. In addition, when the coordination amount of the amine ligand having 6 to 24 carbon atoms is less than 1% by weight, the crystalline tin-containing indium oxide fine particles can be obtained by reducing the dispersion stability in the dispersion solvent. The liquid is inferior in dispersion stability and tends to cause aggregation of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles during storage. On the other hand, when the coordination amount of the amine ligand having 6 to 24 carbon atoms exceeds 10% by weight, the aggregation stability of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles when the coating film is formed is inferior, and the amount of It will be inferior in stability.

該炭素数6〜24のアミン配位子としては、インジウム及びスズへの配位が可能な炭素数6〜24のアミン配位子であれば、単座配位子、多座配位子のいずれも用いることができ、例えば下記一般式(1)で表わされる構造を有するものを挙げることができる。
R(NH (1)
(ここで、Rは炭素数6〜24のアルキル基、アリール基を示し、nは自然数を示す。)
炭素数6〜24のアミン配位子を構成する化合物の具体例としては、例えばヘキシルアミン、オクチルアミン、デシルアミン、ウンデシルアミン、ドデシルアミン、トリデシルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、ヘプタデシルアミン、ステアリルアミン、ヘベニルアミン、ノナデシルアミン、オレイルアミン、ヘキサメチレンジアミン、4−メチルアニリン等をあげることが可能である。そして、その中でも、結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の分散安定性を向上させ、かつ高い導電性を発現させるため鎖状構造を有するアミン配位子であることが好ましく、特に炭素数10〜22の鎖状構造を有するアミン配位子であることが好ましく、それを構成する化合物の具体例としては、ステアリルアミン、ヘベニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、テトラデシルアミン、オレイルアミンを挙げることができる。
The amine ligand having 6 to 24 carbon atoms may be either a monodentate ligand or a polydentate ligand as long as it is an amine ligand having 6 to 24 carbon atoms capable of coordination with indium and tin. Can be used, and examples thereof include those having a structure represented by the following general formula (1).
R (NH 2 ) n (1)
(Here, R represents an alkyl group having 6 to 24 carbon atoms or an aryl group, and n represents a natural number.)
Specific examples of the compound constituting the amine ligand having 6 to 24 carbon atoms include hexylamine, octylamine, decylamine, undecylamine, dodecylamine, tridecylamine, tetradecylamine, pentadecylamine, and hexadecyl. Amine, heptadecylamine, stearylamine, hebenylamine, nonadecylamine, oleylamine, hexamethylenediamine, 4-methylaniline and the like can be mentioned. Among them, an amine ligand having a chain structure is preferable in order to improve the dispersion stability of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles and to exhibit high conductivity, and particularly has 10 to 22 carbon atoms. An amine ligand having a chain structure is preferable, and specific examples of the compound constituting the ligand include stearylamine, hebenylamine, decylamine, dodecylamine, tetradecylamine, and oleylamine.

結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子におけるアミン配位子の配位量の測定方法としては、微粒子中のアミン配位子の含量が測定可能な方法であれば、如何なる方法を用いることも可能であり、例えば、結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子分散液を0.5μmフィルタで濾過した後、分散液を乾固させて得られる結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子紛体のCHN元素分析を行い、各成分の含量からアミン配位子の配位量を算出する方法、示差熱熱重量同時測定装置(以下、TG/DTAと記すこともある。)により、結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子を窒素雰囲気下、500℃まで加熱を行い、重量変化分をアミン配位子含量として測定する方法、等を挙げることができる。   As a method for measuring the coordination amount of the amine ligand in the crystalline tin-containing indium oxide fine particles, any method can be used as long as the content of the amine ligand in the fine particles can be measured. For example, a crystalline tin-containing indium oxide fine particle dispersion is filtered through a 0.5 μm filter, and then the dispersion is dried to solidify a crystalline tin-containing indium oxide fine particle powder. Crystalline tin-containing indium oxide fine particles up to 500 ° C. in a nitrogen atmosphere by a method for calculating the coordination amount of an amine ligand and a differential thermothermal gravimetric simultaneous measurement apparatus (hereinafter sometimes referred to as TG / DTA). Examples include a method of heating and measuring the weight change as the amine ligand content.

以下に、アミン配位子含量の具体的な測定方法として、示差熱熱重量同時測定装置(TG/DTA)によるアミン配位子含量の測定方法を示す。   Hereinafter, as a specific method for measuring the amine ligand content, a method for measuring the amine ligand content using a differential thermothermal gravimetric simultaneous measurement apparatus (TG / DTA) is shown.

結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子分散液を0.5μmフィルタで濾過した後、乾固することで結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子紛体を調製し、TG/DTA(エスアイアイ・ナノテクノロジー社製、(商品名)EXSTAR TG/DTA6200)により、窒素雰囲気中、100℃で60分保持した後、10℃毎分で500℃まで昇温、その後500℃で180分間保持し、100℃から500℃の範囲における重量の減少値をアミン配位子量とする。   A crystalline tin-containing indium oxide fine particle dispersion is filtered through a 0.5 μm filter, and then dried to prepare a crystalline tin-containing indium oxide fine particle powder. TG / DTA (manufactured by SII Nanotechnology, Inc. Name) EXSTAR TG / DTA6200), held in nitrogen atmosphere at 100 ° C. for 60 minutes, then raised to 500 ° C. at 10 ° C./minute, then held at 500 ° C. for 180 minutes, in the range of 100 ° C. to 500 ° C. The decrease in weight is defined as the amount of amine ligand.

本発明の耐溶剤性透明導電膜用塗工液を構成する分散溶媒に特に制限はなく、上記(a)〜(d)に示す特性を満足する結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子を分散することが可能であれば如何なる分散溶媒を用いることも可能であり、一般的な有機溶媒を使用することも可能である。   There is no restriction | limiting in particular in the dispersion solvent which comprises the coating liquid for solvent resistant transparent conductive films of this invention, Dispersing the crystalline tin containing indium oxide fine particle which satisfies the characteristic shown to said (a)-(d) may be disperse | distributed. Any dispersion solvent can be used if possible, and a general organic solvent can also be used.

該分散溶媒としては、例えばトルエン、キシレン、メシチレン、ベンゼン、ジクロロベンゼン、ニトロベンゼンなどの芳香族炭化水素類;n−ヘプタン、n−ヘキサン、n−オクタン、シクロヘキサン、デカヒドロナフタレンなどの脂肪族炭化水素類;アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、アセチルアセトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、N−メチルピロリドンなどのケトン類;ホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミドなどのアミド類;ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、メトキシエタノール、エトキシエタノールなどのエーテル類;ジクロロメタン、クロロホルム、1,2−ジクロロエタンなどの塩化脂肪族炭化水素類;メタノール、エタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール類;酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミルなどの酢酸エステル類、等が挙げられ、その中でも特に結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の分散安定性に優れる耐溶剤性透明導電膜用塗工液となることから、n−ヘキサン、シクロヘキサン、クロロホルム、ジエチルエーテル、トルエン、ベンゼン、o−ジクロロベンゼン、p−ジクロロベンゼン、テトラヒドロフラン、デカヒドロナフタレンが好ましく、さらに、n−ヘキサン、シクロヘキサン、クロロホルム、トルエン、デカンであることが好ましい。また、分散溶媒としては、これらを数種類組み合わせたものであってもよい。   Examples of the dispersion solvent include aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, mesitylene, benzene, dichlorobenzene, and nitrobenzene; aliphatic hydrocarbons such as n-heptane, n-hexane, n-octane, cyclohexane, and decahydronaphthalene. Ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, diethyl ketone, acetyl acetone, methyl isobutyl ketone, cyclopentanone, cyclohexanone, N-methylpyrrolidone; amides such as formamide, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide; Ethers such as diethyl ether, tetrahydrofuran, dioxane, methoxyethanol, ethoxyethanol; chlorinated aliphatic hydrocarbons such as dichloromethane, chloroform, 1,2-dichloroethane; methano Alcohol, ethanol, isopropyl alcohol, and the like; ethyl acetate, butyl acetate, acetate esters such as amyl acetate, and the like. Since it becomes a coating liquid for conductive films, n-hexane, cyclohexane, chloroform, diethyl ether, toluene, benzene, o-dichlorobenzene, p-dichlorobenzene, tetrahydrofuran, and decahydronaphthalene are preferable, and n-hexane, Cyclohexane, chloroform, toluene and decane are preferred. Further, the dispersion solvent may be a combination of several of these.

本発明の耐溶剤性透明導電膜用塗工液は、該分散溶媒100重量部に対して、少なくとも該結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子0.1〜100重量部を含む分散液であり、特に該結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の分散安定性に優れ、耐溶剤性透明導電膜の製膜性にも優れるものとなることから、該結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子0.1〜50重量部、特に0.1〜30重量部、さらには0.1〜10重量部を含むものであることが好ましい。ここで、塗工液中の結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子が0.1重量部未満である場合、塗膜とする際に結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子同士の凝集性が低下し、塗工膜中の同微粒子間の距離が開くことから、十分な導電性を有する導電膜を得ることが困難となる。一方、結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子が100重量部を越える場合、塗工液中での同微粒子が不安定となり、分散安定性に劣るものとなる。   The coating solution for a solvent-resistant transparent conductive film of the present invention is a dispersion liquid containing at least 0.1 to 100 parts by weight of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles with respect to 100 parts by weight of the dispersion solvent. Since the dispersion stability of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles is excellent and the film resistance of the solvent-resistant transparent conductive film is excellent, 0.1 to 50 parts by weight of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles, particularly It is preferable that it contains 0.1 to 30 parts by weight, and further 0.1 to 10 parts by weight. Here, when the crystalline tin-containing indium oxide fine particles in the coating liquid is less than 0.1 parts by weight, the cohesiveness between the crystalline tin-containing indium oxide fine particles is reduced when forming a coating film, and the coating film Since the distance between the fine particles in the inside increases, it becomes difficult to obtain a conductive film having sufficient conductivity. On the other hand, when the crystalline tin-containing indium oxide fine particles exceed 100 parts by weight, the fine particles in the coating liquid become unstable and the dispersion stability is poor.

本発明の耐溶剤性透明導電膜用塗工液は、特に透明性に優れた耐溶剤性透明導電膜を提供することが可能となることから、光線透過率は90%以上、特に92%以上であるものが好ましい。また、ヘーズは2%以下、特に1%以下であるものが好ましい。この際の光線透過率は、例えば日本電色工業社製ヘーズメーター(商品名NDH−5000)により、厚み10mmの液体用セルを用いて、JIS K 7361−1を準拠し測定することが可能である。また、ヘーズについても日本電色工業社製ヘーズメーター(商品名NDH−5000)により、厚み10mmの液体用セルを用いて、JIS K 7136を準拠し測定することが可能である。   Since the coating solution for solvent-resistant transparent conductive film of the present invention can provide a solvent-resistant transparent conductive film particularly excellent in transparency, the light transmittance is 90% or more, particularly 92% or more. Are preferred. The haze is preferably 2% or less, particularly 1% or less. The light transmittance at this time can be measured according to JIS K 7361-1 using a liquid cell having a thickness of 10 mm, for example, with a haze meter (trade name NDH-5000) manufactured by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd. is there. Further, haze can be measured in accordance with JIS K 7136 using a liquid cell having a thickness of 10 mm with a haze meter (trade name NDH-5000) manufactured by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd.

以下に、本発明の耐溶剤性透明導電膜用塗工液の好ましい製造方法の具体例を示すが、これら例示は本発明を限定するのではない。   Although the specific example of the preferable manufacturing method of the coating liquid for solvent-resistant transparent conductive films of this invention is shown below, these illustrations do not limit this invention.

該結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子としては、上記(a)〜(d)を満足する結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子であれば如何なる方法により得られたものであってもよく、例えばインジウムカルボキシレート、スズカルボキシレート及び炭素数6〜24のアミン配位子の混合物を220℃以上に加熱することにより得ることが可能である。また、インジウムカルボキシレートの代りに、硫酸インジウム、硝酸インジウム等に代表される無機酸インジウムを用いることも可能である。   The crystalline tin-containing indium oxide fine particles may be obtained by any method as long as they are crystalline tin-containing indium oxide fine particles satisfying the above (a) to (d), for example, indium carboxylate, It can be obtained by heating a mixture of tin carboxylate and an amine ligand having 6 to 24 carbon atoms to 220 ° C or higher. Further, indium acid indium typified by indium sulfate, indium nitrate or the like can be used instead of indium carboxylate.

該インジウムカルボキシレートとしては、結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子を形成するための酸素を含有しているものである。インジウムカルボキシレートにおけるインジウムに付加したカルボキシレートは、炭素数1〜20のカルボキシレートであることが好ましく、特に、飽和脂肪族カルボキシレート、不飽和カルボキシレート、芳香族カルボキシレートであることが好ましい。   The indium carboxylate contains oxygen for forming crystalline tin-containing indium oxide fine particles. The carboxylate added to indium in indium carboxylate is preferably a carboxylate having 1 to 20 carbon atoms, and particularly preferably a saturated aliphatic carboxylate, an unsaturated carboxylate, or an aromatic carboxylate.

該インジウムカルボキシレートの具体的な例としては、ギ酸インジウム、酢酸インジウム、プロピオン酸インジウム、酪酸インジウム、吉草酸インジウム、カプロン酸インジウム、エナント酸インジウム、カプリル酸インジウム、ペラルゴン酸インジウム、カプリン酸インジウム、ラウリン酸インジウム、ミリスチン酸インジウム、パルミチン酸インジウム、マルガリン酸インジウム、ステアリン酸インジウム、オレイン酸インジウム、2−エチルヘキサン酸インジウムなどの飽和脂肪族インジウムカルボキシレート;オレイン酸インジウム、リノール酸インジウムなどの不飽和インジウムカルボキシレート;トリ安息香酸インジウム、フタル酸インジウムなどの芳香族カルボン酸インジウム;などを挙げることができる。   Specific examples of the indium carboxylate include indium formate, indium acetate, indium propionate, indium butyrate, indium valerate, indium caproate, indium enanthate, indium caprylate, indium pelargonate, indium caprate, lauric acid. Saturated aliphatic indium carboxylates such as indium oxide, indium myristate, indium palmitate, indium margarate, indium stearate, indium oleate and indium 2-ethylhexanoate; unsaturated indium such as indium oleate and indium linoleate Carboxylate; Indium aromatic carboxylates such as indium tribenzoate and indium phthalate;

該スズカルボキシレートも、前述のインジウムカルボキシレートと同様に、スズ含有酸化インジウム微粒子を形成するための酸素を含有しているものである。スズカルボキシレートにおけるスズに付加したカルボキシレートは、炭素数1〜20のカルボキシレートであることが好ましく、特に、飽和脂肪族カルボキシレート、不飽和カルボキシレート、芳香族カルボキシレートであることが好ましい。   The tin carboxylate also contains oxygen for forming tin-containing indium oxide fine particles, like the above-mentioned indium carboxylate. The carboxylate added to tin in the tin carboxylate is preferably a carboxylate having 1 to 20 carbon atoms, and particularly preferably a saturated aliphatic carboxylate, an unsaturated carboxylate, or an aromatic carboxylate.

該スズカルボキシレートの具体的な例として、ギ酸スズ、酢酸スズ、プロピオン酸スズ、酪酸スズ、吉草酸スズ、カプロン酸スズ、エナント酸スズ、カプリル酸スズ、ペラルゴン酸スズ、カプリン酸スズ、ラウリン酸スズ、ミリスチン酸スズ、パルミチン酸スズ、マルガリン酸スズ、ステアリン酸スズ、オレイン酸スズ、2−エチルヘキサン酸スズなどの飽和脂肪族スズカルボキシレート;オレイン酸スズ、リノール酸スズなどの不飽和インジウムカルボキシレート;安息香酸スズ、フタル酸スズなどの芳香族カルボン酸スズ;などを挙げることができる。   Specific examples of the tin carboxylate include tin formate, tin acetate, tin propionate, tin butyrate, tin valerate, tin caproate, tin enanthate, tin caprylate, tin pelargonate, tin caprate, lauric acid Saturated aliphatic tin carboxylates such as tin, tin myristate, tin palmitate, tin margarate, tin stearate, tin oleate, tin 2-ethylhexanoate; unsaturated indium carboxyl such as tin oleate and tin linoleate Rate; tin aromatic carboxylic acid such as tin benzoate and tin phthalate; and the like.

該炭素数6〜24のアミン配位子としては、上記したものと同様のものを用いることができる。   As the amine ligand having 6 to 24 carbon atoms, the same ligands as described above can be used.

該結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子を製造する際のインジウムカルボキシレートとスズカルボキシレートの割合は任意であり、その中でも特に導電性に優れる結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子となることから、インジウムカルボキシレート/スズカルボキシレート(モル比)=95/5〜60/40として反応を行うことが好ましい。また、炭素数6〜24のアミン配位子の使用量は、インジウムカルボキシレートとスズカルボキシレート中のカルボキシレートを置換できる量を用いれば十分であるが、反応を効率よく進めるためには、インジウムカルボキシレートとスズカルボキシレートのモル数の和よりも過剰量のアミン配位子を用いることが望ましく、例えば、反応時に用いるインジウムカルボキシレートとスズカルボキシレートのモル数の和と炭素数6〜24のアミン配位子のモル数の比は、(インジウムカルボキシレートとスズカルボキシレートのモル数の和)/(炭素数6〜24のアミン配位子)=1/1〜1/1000の範囲であることが好ましく、1/1〜1/100の範囲であることがさらに好ましい。   The ratio of indium carboxylate and tin carboxylate in producing the crystalline tin-containing indium oxide fine particles is arbitrary, and in particular, since the crystalline tin-containing indium oxide fine particles having excellent conductivity are obtained, indium carboxylate / It is preferable to carry out the reaction with tin carboxylate (molar ratio) = 95/5 to 60/40. Further, the amount of the amine ligand having 6 to 24 carbon atoms is sufficient if the amount capable of substituting the carboxylate in indium carboxylate and tin carboxylate is used, but in order to advance the reaction efficiently, indium It is desirable to use an excess amount of amine ligand rather than the sum of the number of moles of carboxylate and tin carboxylate, for example, the sum of the number of moles of indium carboxylate and tin carboxylate used in the reaction and 6 to 24 carbon atoms. The ratio of the number of moles of the amine ligand is in the range of (sum of moles of indium carboxylate and tin carboxylate) / (amine ligand having 6 to 24 carbon atoms) = 1/1 to 1/1000. It is preferable that the range is 1/1 to 1/100.

そして、インジウムカルボキシレート、スズカルボキシレート、炭素数6〜24のアミン配位子を220℃以上の温度に加熱し反応することで、該結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子を製造することが可能であり、さらに220℃〜280℃であることが好ましい。その際には、溶媒を用いることも可能であり、該溶媒としては、220℃以上の沸点を有するものであることが好ましく、例えば1−オクタデセン、安息香酸ブチル、1−ドデカノール、1−トリデカノール、1−テトラデカノール、1−ペンタデカノール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、ジ−n−オクチルエーテル、ジフェニルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル等を挙げることができる。   Then, by heating and reacting indium carboxylate, tin carboxylate, and an amine ligand having 6 to 24 carbon atoms to a temperature of 220 ° C. or higher, the crystalline tin-containing indium oxide fine particles can be produced. Furthermore, it is preferable that it is 220 to 280 degreeC. In that case, it is also possible to use a solvent, and the solvent preferably has a boiling point of 220 ° C. or higher. For example, 1-octadecene, butyl benzoate, 1-dodecanol, 1-tridecanol, 1-tetradecanol, 1-pentadecanol, diethylene glycol, triethylene glycol, tetraethylene glycol, di-n-octyl ether, diphenyl ether, ethylene glycol monophenyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, triethylene glycol Examples thereof include butyl methyl ether and tetraethylene glycol dimethyl ether.

また、該結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子を製造する際に、反応速度を制御する目的で有機酸を添加してもよく、該有機酸としては、例えばギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、ペンタン酸、イソ吉草酸、ピバル酸、3−メチルブタン酸、ヘプタン酸、2−メチルペンタン酸、3−メチルペンタン酸、4−メチルペンタン酸、2,2−ジメチルブタン酸、2,3−ジメチルブタン酸、2−エチルブタン酸、ヘキサン酸、2,2−ジメチルペンタン酸、n−オクタン酸、2−エチルヘキサン酸、ノナン酸、デカン酸、ラウリン酸、テトラデカン酸、ペンタデシル酸、ヘキサデカン酸、ヘプタデカン酸、ステアリン酸、オレイン酸、イコサン酸等を使用することができ、またその使用量についても、その目的に応じて任意に設定することができる。   Further, when producing the crystalline tin-containing indium oxide fine particles, an organic acid may be added for the purpose of controlling the reaction rate. Examples of the organic acid include formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, and pentanoic acid. , Isovaleric acid, pivalic acid, 3-methylbutanoic acid, heptanoic acid, 2-methylpentanoic acid, 3-methylpentanoic acid, 4-methylpentanoic acid, 2,2-dimethylbutanoic acid, 2,3-dimethylbutanoic acid, 2-ethylbutanoic acid, hexanoic acid, 2,2-dimethylpentanoic acid, n-octanoic acid, 2-ethylhexanoic acid, nonanoic acid, decanoic acid, lauric acid, tetradecanoic acid, pentadecylic acid, hexadecanoic acid, heptadecanoic acid, stearic acid Oleic acid, icosanoic acid, etc. can be used, and the amount used can be arbitrarily set according to the purpose. .

反応際の雰囲気は無酸素条件下であることが好ましく、窒素気流中、減圧中であることが好ましい。   The atmosphere during the reaction is preferably under anoxic conditions, and is preferably under reduced pressure in a nitrogen stream.

そして、得られた結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子を精製、例えば遠沈精製することにより、特に導電性と耐溶剤性のバランスに優れた透明導電膜を与えうる耐溶剤性透明導電膜用塗工液となりうる。その際の遠沈精製とは、遠心分離装置を用いて、得られた反応液又は分散液を微粒子と上澄み液に分離し、上澄み液を除去後、分散溶媒を添加、遠心分離を繰り返して、微粒子の洗浄を行う方法を示す。そして、遠沈精製の際、微粒子と上澄みの分離が可能な条件であれば、遠心分離装置の条件に特に制約はない。また、使用する分散溶媒についても、微粒子が十分に分散、沈降する分散媒であれば、特に制限はない。   Then, by refining the obtained crystalline tin-containing indium oxide fine particles, for example, by centrifugation, a coating for a solvent-resistant transparent conductive film that can give a transparent conductive film particularly excellent in the balance between conductivity and solvent resistance Can be liquid. In this case, centrifugation is performed by separating the obtained reaction liquid or dispersion into fine particles and supernatant using a centrifuge, adding the dispersion solvent after removing the supernatant, and repeating the centrifugation, A method for cleaning fine particles will be described. And if it is the conditions which can isolate | separate microparticles | fine-particles and a supernatant liquid at the time of centrifugation, there will be no restriction | limiting in particular in the conditions of a centrifuge. Further, the dispersion solvent to be used is not particularly limited as long as it is a dispersion medium in which fine particles are sufficiently dispersed and settled.

そして、精製、遠沈精製により、結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子と、未反応原料、反応副生成物等、とを分離することが可能となり、特に導電性と耐溶剤性のバランスに優れた透明導電膜を与えうる耐溶剤性透明導電膜用塗工液となるものである。その中でも、特に耐溶剤性に優れる透明導電膜を与えうる耐溶剤性透明導電膜用塗工液となることから、未反応の炭素数6〜24のアミン配位子、つまり炭素数6〜24の遊離アミン配位子を分離精製することが好ましく、該結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の重量に対し10000ppm以下とすることが好ましい。その際の遠沈精製条件としては、例えば遠心分離を3回以上、好ましくは4回以上繰り返して実施することが好ましく、特に高い遊離アミン配位子の分離を実現できることから、結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子を沈殿させるための溶媒(以下、沈殿溶媒という。)と上記した分散溶媒とを組み合わせて使用することが好ましい。   And it becomes possible to separate crystalline tin-containing indium oxide fine particles from unreacted raw materials, reaction byproducts, etc. by refining and centrifuge refining, and especially transparent with excellent balance between conductivity and solvent resistance. It becomes a solvent-resistant coating liquid for transparent conductive film that can provide a conductive film. Among them, since it becomes a coating solution for a solvent-resistant transparent conductive film that can give a transparent conductive film particularly excellent in solvent resistance, an unreacted amine ligand having 6 to 24 carbon atoms, that is, 6 to 24 carbon atoms. It is preferable to separate and purify the free amine ligand of 10000 ppm or less based on the weight of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles. As the centrifugation purification conditions at that time, for example, centrifugation is preferably repeated 3 times or more, preferably 4 times or more, and since particularly high free amine ligand separation can be realized, crystalline tin-containing oxidation It is preferable to use a combination of a solvent for precipitating indium fine particles (hereinafter referred to as a precipitation solvent) and the dispersion solvent described above.

該沈殿溶媒としては、結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子を凝集沈降させる溶媒であればどんなものでも使用でき、中でもアルコール系溶媒であることが好ましい。例えば、メタノール、エタノール、1−プロパノール、2−プロパノール、1−ブタノール、2−メチル−1−プロパノール、2−ブタノール、2−メチル−2−ブタノール、1−ペンタノール、2−ペンタノール、3−ペンタノール、シクロペンタノール、1−ヘキサノール、2−ヘキサノール、3−ヘキサノール、シクロヘキサノール、2−エチル−1−ブタノール、3,3’−ジメチル−1−ブタノール、3,3’−ジメチル−2−ブタノール、2−メチル−1−ペンタノール、2−メチル−2−ペンタノール、3−メチル−1−ペンタノール、3−メチル−2−ペンタノール、3−メチル−3−ペンタノール、4−メチル−1−ペンタノール、2−メチル−2−ペンタノール、1,4−ブタンジオール、1,3−ブタンジオール、ベンジルアルコール、クロチルアルコール等が挙げられ、微粒子の沈殿特性と実用性から、メタノール、エタノール、1−プロパノール、2−プロパノール、シクロヘキサノール、ベンジルアルコールを使用することが好ましく、中でもメタノール、エタノール、2−プロパノールが特に好ましい。   As the precipitation solvent, any solvent that agglomerates and precipitates crystalline tin-containing indium oxide fine particles can be used, and an alcohol solvent is particularly preferable. For example, methanol, ethanol, 1-propanol, 2-propanol, 1-butanol, 2-methyl-1-propanol, 2-butanol, 2-methyl-2-butanol, 1-pentanol, 2-pentanol, 3- Pentanol, cyclopentanol, 1-hexanol, 2-hexanol, 3-hexanol, cyclohexanol, 2-ethyl-1-butanol, 3,3′-dimethyl-1-butanol, 3,3′-dimethyl-2- Butanol, 2-methyl-1-pentanol, 2-methyl-2-pentanol, 3-methyl-1-pentanol, 3-methyl-2-pentanol, 3-methyl-3-pentanol, 4-methyl -1-pentanol, 2-methyl-2-pentanol, 1,4-butanediol, 1,3-butanediol, Examples thereof include methanol, ethanol, crotyl alcohol, etc. Methanol, ethanol, 1-propanol, 2-propanol, cyclohexanol, and benzyl alcohol are preferably used from the viewpoint of precipitation characteristics and practicality of fine particles. -Propanol is particularly preferred.

該分散溶媒としては、上記したものと同様のものを用いることができ、精製、遠沈精製を繰り返すことにより、反応溶媒、沈殿溶媒を分散溶媒へと置換することが可能となり、本発明の耐溶剤性透明導電膜用塗工液とすることが可能となる。   As the dispersion solvent, the same solvents as described above can be used. By repeating purification and centrifugation, the reaction solvent and the precipitation solvent can be replaced with the dispersion solvent. It becomes possible to set it as the coating liquid for solvent-based transparent conductive films.

また、本発明の耐溶剤性導電膜用塗工液に含まれる場合もある、遊離アミン配位子量は、ガスクロマトグラフィーや液体クロマトグラフィーなどに代表される、クロマトグラフィー法により測定することが可能である。   In addition, the amount of free amine ligand that may be contained in the solvent-resistant conductive film coating solution of the present invention can be measured by a chromatography method typified by gas chromatography or liquid chromatography. Is possible.

本発明の耐溶剤性透明導電膜用塗工液は、例えば基材上に塗工し、乾燥、好ましくは200℃以下で乾燥、することにより、透明性、導電性、耐溶剤性に優れる透明導電膜を製膜することができる。その際の塗工方法としては、例えばスピンコート法、ドロップコート法、ロールコート法、スプレー法、バーコート法、ディップ法、メニスカスコート法、ドクターブレード法、スクリーン印刷法、Tダイ法、リップコーター法、ロールコート法等の公知の方法がいずれも使用可能である。塗工後の乾燥条件は任意であり、耐溶剤性透明導電膜用塗工液を構成する分散溶媒により選択すればよく、その中でも結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子が塗膜中でより密にパッキングされること、乾燥後の塗膜の安定性が向上すること、温湿度によるシート抵抗の変動が小さくなること等から、10〜200℃の範囲で、さらに好ましくは20〜180℃の範囲で乾燥することが好ましい。また乾燥雰囲気は空気中、窒素雰囲気中、減圧下など、特に制限されない。   The coating solution for solvent-resistant transparent conductive film of the present invention is, for example, coated on a substrate and dried, preferably dried at 200 ° C. or less, so that the transparency, conductivity and solvent resistance are excellent. A conductive film can be formed. As the coating method at that time, for example, spin coating method, drop coating method, roll coating method, spray method, bar coating method, dipping method, meniscus coating method, doctor blade method, screen printing method, T-die method, lip coater Any known method such as a method or a roll coating method can be used. The drying conditions after coating are arbitrary and may be selected depending on the dispersion solvent constituting the solvent-resistant transparent conductive film coating solution. Among them, crystalline tin-containing indium oxide fine particles are packed more densely in the coating film. Drying, in the range of 10 to 200 ° C., more preferably in the range of 20 to 180 ° C., because the stability of the coated film after drying is improved and the variation in sheet resistance due to temperature and humidity is reduced. It is preferable to do. The drying atmosphere is not particularly limited, such as in air, nitrogen atmosphere, or reduced pressure.

また、基材についても特に制限はなく、例えば、ガラス系などの無機基材;ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンナフタレートなどのポリマーフィルム基材等を使用することができる。これらの基材は、耐溶剤性透明導電膜との密着性を優れたものとするために表面処理を行ってもよく、表面処理剤としては、例えばシランカップリング剤、有機金属等があげられる。該シランカップリング剤としては、例えばビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、トリス(2−メトキシエトキシ)ビニルシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−(メタクリロキシプロピル)トリメトキシシラン、γ−(2−アミノエチル)アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン等があげられ、有機金属としては、例えば有機チタン、有機アルミニウム、有機ジルコニウム等があげられる。   Moreover, there is no restriction | limiting in particular also about a base material, For example, polymer base materials, such as inorganic base materials, such as glass type; polyethylene terephthalate, a polyimide, a polycarbonate, a polyethylene naphthalate, etc. can be used. These base materials may be subjected to a surface treatment in order to improve the adhesion to the solvent-resistant transparent conductive film. Examples of the surface treatment agent include a silane coupling agent and an organic metal. . Examples of the silane coupling agent include vinyltrichlorosilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, tris (2-methoxyethoxy) vinylsilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ- (methacryloxypropyl) tri Examples include methoxysilane, γ- (2-aminoethyl) aminopropyltrimethoxysilane, γ-chloropropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, and the like. Examples thereof include organic titanium, organic aluminum, and organic zirconium.

本発明の耐溶剤性透明導電膜の厚みとしては、本発明の目的を損なわないかぎりにおいて任意であり、その中でも特に透明性と導電性のバランスに優れる導電膜となることから0.001〜5μmであることが好ましく、特に0.01〜2μmであることが好ましく、さらに0.02〜1μmであることが好ましい。また、透明導電材料として十分な透明性を有することからJIS K 7361−1に準拠し測定した光線透過率が80%以上であることが好ましく、特に85%以上であることが好ましい。また、JIS K 7136に準拠し測定したヘーズが5%以下であることが好ましく、特に3%以下であることが好ましい。   The thickness of the solvent-resistant transparent conductive film of the present invention is arbitrary as long as the object of the present invention is not impaired, and among them, the thickness becomes 0.001 to 5 μm because the conductive film is particularly excellent in balance between transparency and conductivity. In particular, 0.01 to 2 μm is preferable, and 0.02 to 1 μm is more preferable. Moreover, since it has sufficient transparency as a transparent conductive material, the light transmittance measured according to JIS K 7361-1 is preferably 80% or more, and particularly preferably 85% or more. Further, the haze measured in accordance with JIS K 7136 is preferably 5% or less, and particularly preferably 3% or less.

本発明の耐溶剤性透明導電膜用塗工液は、結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子を含むものであり、該結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子は、結晶性を有していることから、塗工するだけで高い導電性が発現する導電膜を形成することが可能となるものである。一方、従来報告されている金属酸化物微粒子の多くは、非晶質の酸化物であり、300℃以上の高温条件で焼成することにより、結晶化させる必要があった。本発明の耐溶剤性透明導電膜用塗工液からなる耐溶剤性透明導電膜は、結晶性を有する微粒子からなるため、塗工後に乾燥(例えば200℃以下の低温)するのみにより、高い導電性を発現する特徴を持つ。得られた耐溶剤性透明導電膜のシート抵抗としては、10Ω/□以下であることが好ましく、特に5×10Ω/□以下であることが好ましく、さらに10Ω/□以下であることが好ましい。 The solvent-resistant transparent conductive film coating liquid of the present invention contains crystalline tin-containing indium oxide fine particles, and the crystalline tin-containing indium oxide fine particles have crystallinity. It is possible to form a conductive film that exhibits high conductivity simply by doing so. On the other hand, many of the metal oxide fine particles reported so far are amorphous oxides, and have to be crystallized by firing at a high temperature of 300 ° C. or higher. Since the solvent-resistant transparent conductive film comprising the coating solution for solvent-resistant transparent conductive film of the present invention is composed of fine particles having crystallinity, it is highly conductive only by drying after coating (for example, at a low temperature of 200 ° C. or lower). It has the characteristics to express sex. The sheet resistance of the obtained solvent-resistant transparent conductive film is preferably 10 5 Ω / □ or less, particularly preferably 5 × 10 4 Ω / □ or less, and more preferably 10 4 Ω / □ or less. Preferably there is.

また、本発明の耐溶剤性透明導電膜用塗工液は、一旦分散液中の分散溶媒を揮発させると結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子同士が凝集する性質を有しており、塗工・乾燥することで、分散媒体に再分散しない塗膜、すなわち高い耐溶剤性を有する透明導電膜を形成することができる。なおこの際に生じる微粒子からなる凝集体は、粒子が1〜30個程度凝集したものであることから、塗膜の外観を損なうものではない。   Further, the coating solution for solvent-resistant transparent conductive film of the present invention has the property that once the dispersion solvent in the dispersion is volatilized, the crystalline tin-containing indium oxide fine particles are aggregated, and the coating / drying By doing so, it is possible to form a coating film that is not redispersed in the dispersion medium, that is, a transparent conductive film having high solvent resistance. In addition, since the aggregate which consists of microparticles | fine-particles produced in this case is what aggregated about 1-30 particles, it does not impair the external appearance of a coating film.

そして、本発明の耐溶剤性透明導電膜は、再度同分散溶媒に浸漬しても、塗膜の白化や微粒子の再分散はほとんど起こらず、塗工膜の分散溶媒に対する分散度は10%重量以下であり、特に5重量%以下であることが好ましく、さらに1重量%以下であることが好ましい。そして、この際の塗工膜の分散溶媒に対する分散度は、例えば該塗工膜を、製膜前に分散溶媒として用いた有機溶媒中に3時間浸漬した後、同溶媒が除去可能な温度で塗膜を乾燥させ、浸漬前後の重量変化を測定することで、分散溶媒に再分散した重量を算出し、塗膜の分散度として算出することができる。   And even if the solvent-resistant transparent conductive film of the present invention is immersed again in the same dispersion solvent, whitening of the coating film and redispersion of the fine particles hardly occur, and the dispersion degree of the coating film with respect to the dispersion solvent is 10% by weight. It is preferably 5% by weight or less, more preferably 1% by weight or less. And the dispersion degree with respect to the dispersion solvent of the coating film in this case is, for example, a temperature at which the coating film can be removed after immersing the coating film in an organic solvent used as a dispersion solvent before film formation for 3 hours. By drying the coating film and measuring the weight change before and after immersion, the weight re-dispersed in the dispersion solvent can be calculated, and the degree of dispersion of the coating film can be calculated.

本発明の耐溶剤性透明導電膜用塗工液は、従来の真空プロセスによる透明導電膜形成方法であるスパッタ法よりも、簡便かつ低コストで高導電性、高透明性、耐溶剤性を有する透明導電膜を提供することができる。また、金属酸化物を使用することから、従来の貴金属を用いた塗膜よりも膜の光線透過率が高く、透過色のムラの少ない透明導電膜を提供することが可能である。   The solvent-resistant transparent conductive film coating liquid of the present invention has higher conductivity, higher transparency, and solvent resistance than the sputtering method, which is a transparent conductive film forming method by a conventional vacuum process, at a simpler and lower cost. A transparent conductive film can be provided. In addition, since a metal oxide is used, it is possible to provide a transparent conductive film having a light transmittance higher than that of a coating film using a conventional noble metal and having less uneven transmission color.

本発明により、塗工という簡便な方法により、より容易に透明性、導電性、耐溶剤性に優れる透明導電膜を形成することが可能となり、その産業的価値極めて高いものである。   According to the present invention, it is possible to form a transparent conductive film excellent in transparency, conductivity and solvent resistance more easily by a simple method of coating, and its industrial value is extremely high.

以下に本発明を実施例により、詳細に説明するが、本発明はこれら実施例によりなんら制限されるものではない。   EXAMPLES The present invention will be described in detail below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.

<結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の精製>
得られた粗結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子分散液は、遠心機((商品名)H−201F、コクサン(株)製)を使用し、遠心分離を繰り返すことによって精製を行った。
<Purification of crystalline tin-containing indium oxide fine particles>
The obtained crude crystalline tin-containing indium oxide fine particle dispersion was purified by repeating centrifugal separation using a centrifuge ((trade name) H-201F, manufactured by Kokusan Co., Ltd.).

<結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の外観観察>
結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の外観は、透過型電子顕微鏡(TEM)で観測した。該微粒子を有機溶媒に分散させた、濃度0.01%以下の微粒子分散液を用意し、これをコロジオン膜展張したカーボンコーティング銅メッシュに落として溶媒を揮発させ、このサンプルを透過型顕微鏡で観察した。また得られた像から、粒子の粒子径を読み取った。
<Appearance observation of crystalline tin-containing indium oxide fine particles>
The appearance of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles was observed with a transmission electron microscope (TEM). Prepare a fine particle dispersion with a concentration of 0.01% or less in which the fine particles are dispersed in an organic solvent. The fine particle dispersion is dropped on a carbon-coated copper mesh with a collodion film, and the solvent is volatilized. This sample is observed with a transmission microscope. did. Further, the particle diameter of the particles was read from the obtained image.

<結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の紛体作製>
結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子分散液を0.5μmフィルタで濾過した後、分散溶媒の除去が可能な温度において、減圧中で乾固させ、結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子紛体を得た。
<Fabrication of crystalline tin-containing indium oxide fine particles>
The crystalline tin-containing indium oxide fine particle dispersion was filtered through a 0.5 μm filter and then dried under reduced pressure at a temperature at which the dispersion solvent could be removed to obtain crystalline tin-containing indium oxide fine particle powder.

<結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子のX線回折測定>
結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子紛体を用いてX線回折を測定した。測定にはPANalytical社製、(商品名)スペクトリスX‘pert PRO MPDを使用し、5〜70°の範囲について測定を行った。
<X-ray diffraction measurement of crystalline tin-containing indium oxide fine particles>
X-ray diffraction was measured using crystalline tin-containing indium oxide fine particle powder. For measurement, Spectris X'per PRO MPD (manufactured by PANalytical) was used, and measurement was performed in the range of 5 to 70 °.

<結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子中のスズ含量測定>
結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子紛体を用い、誘導結合プラズマによって同微粒子中の金属組成を分析した。測定にはセイコーインスツルメント社製、誘導結合アルゴンプラズマ発光分光分析装置(Vista−PROアキシャル仕様)を使用した。
<Measurement of tin content in crystalline tin-containing indium oxide fine particles>
The crystalline tin-containing indium oxide fine particle powder was used, and the metal composition in the fine particle was analyzed by inductively coupled plasma. For the measurement, an inductively coupled argon plasma emission spectroscopic analyzer (Vista-PRO axial specification) manufactured by Seiko Instruments Inc. was used.

<結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子中のアミン配位子含量分析>
結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子紛体を用い、熱重量減少測定により分析した。測定にはエスアイアイ・ナノテクノロジー社製、(商品名)EXSTAR TG/DTA6200を使用した。同微粒子紛体を窒素雰囲気中、100℃で60分保持した後、10℃毎分で500℃まで昇温、その後500℃で180分間保持し、100℃から500℃の範囲における重量の減少値を、加熱分解したアミン配位子量として算出した。
<Amine ligand content analysis in crystalline tin-containing indium oxide fine particles>
Crystalline tin-containing indium oxide fine particles were used and analyzed by thermogravimetry. For the measurement, (trade name) EXSTAR TG / DTA6200 manufactured by SII Nanotechnology Inc. was used. The fine particle powder is held at 100 ° C. for 60 minutes in a nitrogen atmosphere, then heated to 500 ° C. at 10 ° C. per minute, then held at 500 ° C. for 180 minutes, and the weight reduction value in the range of 100 ° C. to 500 ° C. The amount of amine ligand decomposed by heating was calculated.

<分散液中の遊離アミン配位子の測定>
結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子分散液に、大過剰の沈殿溶媒を添加した後、遠心分離によって同微粒子のみを沈降させ、得られた上澄みを分析することで、分散液中の、微粒子に配位していない遊離アミン配位子の定量を行った。測定にはガスクロマトグラフィー((商品名)GC−14A、(株)島津製作所製)を使用した。
<Measurement of free amine ligand in dispersion>
After adding a large excess of precipitation solvent to the crystalline tin-containing indium oxide fine particle dispersion, only the same fine particles are precipitated by centrifugation, and the resulting supernatant is analyzed to coordinate the fine particles in the dispersion. Quantification of free amine ligands that were not performed was performed. Gas chromatography ((trade name) GC-14A, manufactured by Shimadzu Corporation) was used for the measurement.

<透明導電膜の導電性の測定>
抵抗率計((商品名)Loresta−AP、三菱油化(株)製)を用い、4探針法にてシート抵抗の測定を行った。
<Measurement of conductivity of transparent conductive film>
Using a resistivity meter ((trade name) Loresta-AP, manufactured by Mitsubishi Yuka Co., Ltd.), sheet resistance was measured by a four-probe method.

<結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の分散液の光線透過率及びヘーズの測定>
日本電色工業社製ヘーズメーター((商品名)NDH−5000、日本電色工業(株)製)を用い、厚み10mmの液体用セル中に該分散液を入れ、JIS K 7361−1に準拠して結晶性スズ含有インジウム微粒子分散液の光線透過率を、JIS K 7136に準拠してヘーズの測定を行った。
<Measurement of light transmittance and haze of dispersion of crystalline tin-containing indium oxide fine particles>
Using a Nippon Denshoku Industries Co., Ltd. haze meter ((trade name) NDH-5000, manufactured by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd.), the dispersion is put into a liquid cell having a thickness of 10 mm, and conforms to JIS K 7361-1. The haze of the light transmittance of the crystalline tin-containing indium fine particle dispersion was measured according to JIS K7136.

<透明導電膜の光線透過率及びヘーズの測定>
ヘーズメーター((商品名)NDH−5000、日本電色工業(株)製)を用い、JIS K 7361−1に準拠して透明導電膜の光線透過率を、JIS K 7136に準拠してヘーズの測定を行った。
<Measurement of light transmittance and haze of transparent conductive film>
Using a haze meter ((trade name) NDH-5000, manufactured by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd.), the light transmittance of the transparent conductive film according to JIS K 7361-1, and the haze value according to JIS K 7136. Measurements were made.

<透明導電膜の耐溶剤性の評価>
製膜前に分散溶媒として用いた有機溶媒中に透明導電膜を3時間浸漬した後、同溶媒が除去可能な温度で該透明導電膜を乾燥させ、浸漬前後の重量変化を測定することで、分散溶媒に再分散した重量を算出し、透明導電膜の耐溶剤性の評価とした。
<Evaluation of solvent resistance of transparent conductive film>
After immersing the transparent conductive film in an organic solvent used as a dispersion solvent before film formation for 3 hours, drying the transparent conductive film at a temperature at which the solvent can be removed, and measuring the weight change before and after immersion, The weight redispersed in the dispersion solvent was calculated, and the solvent resistance of the transparent conductive film was evaluated.

実施例1
100mlフラスコ中に酢酸インジウム(III)315mg、2−エチルヘキサン酸スズ(II)48.6mg、n−オクタン酸600μl、ステアリルアミン3.0g、n−ジオクチルエーテル9mlを仕込み、真空中70℃で1時間加熱し、その後常圧に戻して窒素雰囲気中150℃で1時間加熱し、次いで窒素雰囲気中270℃で2時間加熱還流し、ステアリルアミンの配位した結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の粗分散液を得た。
Example 1
Into a 100 ml flask was charged 315 mg of indium (III) acetate, 48.6 mg of tin (II) 2-ethylhexanoate, 600 μl of n-octanoic acid, 3.0 g of stearylamine, and 9 ml of n-dioctyl ether. Heated for a period of time, then returned to normal pressure, heated at 150 ° C. in a nitrogen atmosphere for 1 hour, then heated to reflux at 270 ° C. in a nitrogen atmosphere for 2 hours to coarsely disperse crystalline tin-containing indium oxide fine particles coordinated with stearylamine A liquid was obtained.

該粗分散液を沈殿溶媒にメタノール、分散溶媒にクロロホルムを用いて5回遠心分離精製を繰り返した後、クロロホルム10mlを添加して、クロロホルム100重量部に対して、ステアリルアミンの配位した結晶性スズ含有酸化インジウム1.5重量部を含む分散液である耐溶剤性透明導電膜用塗工液を得た。   The crude dispersion was repeatedly purified by centrifugal separation 5 times using methanol as the precipitation solvent and chloroform as the dispersion solvent, and then added with 10 ml of chloroform, and crystallinity in which stearylamine was coordinated with respect to 100 parts by weight of chloroform. A coating solution for a solvent-resistant transparent conductive film, which is a dispersion containing 1.5 parts by weight of tin-containing indium oxide, was obtained.

得られた耐溶剤性透明導電膜用塗工液の一部を希釈し、TEM観察したところ、結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の平均粒子径は12.2nmであった。次いで、該耐溶剤性透明導電膜用塗工液の一部を乾固させて微粒子紛体とし、X線回折を測定したところ、(211)面、(222)面、(400)面、(440)面、(622)面による回折ピークが確認され、立方晶系ビックスバイト構造を有することを確認した。同微粒子紛体のスズ/インジウム(モル比)は10/90であり、ステアリルアミンが4.5重量%配位したものであることを確認した。   When a part of the obtained solvent-resistant transparent conductive film coating solution was diluted and observed by TEM, the average particle diameter of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles was 12.2 nm. Subsequently, when a part of the coating solution for solvent resistant transparent conductive film was dried to form a fine particle powder and X-ray diffraction was measured, (211) plane, (222) plane, (400) plane, (440) ) Plane and (622) plane were confirmed, and it was confirmed that it had a cubic bixbite structure. The tin / indium (molar ratio) of the fine particle powder was 10/90, and it was confirmed that stearylamine was coordinated by 4.5% by weight.

また、該耐溶剤性透明導電膜用塗工液の遊離ステアリルアミンは、ステアリルアミンの配位した結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の重量に対して2100ppmであり、光線透過率95%、ヘーズ0.5%であった。得られた耐溶剤性透明導電膜用塗工液の評価結果を表1に示す。   The free stearylamine in the solvent-resistant transparent conductive film coating solution was 2100 ppm based on the weight of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles coordinated with stearylamine, the light transmittance was 95%, and the haze was 0.00. It was 5%. Table 1 shows the evaluation results of the obtained solvent-resistant transparent conductive film coating solution.

得られた耐溶剤性透明導電膜用塗工液を、基材であるガラス板に塗工し、25℃で10時間乾燥して、塗工厚0.1μmの透明導電膜を得た。この透明導電膜は、塗膜の基材への密着性も高く、光線透過率91%、ヘーズ0.8%、シート抵抗4×10Ω/□で、高い光学特性と導電特性を有していた。 The obtained coating solution for solvent-resistant transparent conductive film was applied to a glass plate as a substrate and dried at 25 ° C. for 10 hours to obtain a transparent conductive film having a coating thickness of 0.1 μm. This transparent conductive film has high adhesion to the base material of the coating film, has a light transmittance of 91%, a haze of 0.8%, a sheet resistance of 4 × 10 3 Ω / □, and has high optical characteristics and conductive characteristics. It was.

次いで、この透明導電膜をクロロホルムに3時間浸漬し、その後塗膜を減圧中、60℃で1時間乾燥させたところ、クロロホルム中への再分散による結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の重量減少は0.1重量%であり、また塗膜の白化や光学特性、導電特性の悪化は見られず、透明導電膜として十分な耐溶剤性を有することを確認した。得られた透明導電膜の評価結果を表2に示す。   Subsequently, this transparent conductive film was immersed in chloroform for 3 hours, and then the coated film was dried at 60 ° C. for 1 hour under reduced pressure. As a result, the weight loss of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles due to redispersion in chloroform was 0. It was confirmed that the coating film had sufficient solvent resistance as a transparent conductive film, and the coating film was not whitened or deteriorated in optical properties and conductive properties. Table 2 shows the evaluation results of the obtained transparent conductive film.

実施例2
100mlフラスコ中に硝酸インジウム(III)325mg、酢酸スズ(II)28.4mg、2−エチルヘキサン酸500μl、テトラデシルアミン3.5g、n−ジオクチルエーテル15mlを仕込み、真空中80℃で1時間加熱し、その後常圧に戻して250℃で4時間加熱還流し、テトラデシルアミンの配位した結晶性スズ含有酸化インジウムの微粒子の粗分散液を得た。
Example 2
A 100 ml flask was charged with 325 mg of indium (III) nitrate, 28.4 mg of tin (II) acetate, 500 μl of 2-ethylhexanoic acid, 3.5 g of tetradecylamine, and 15 ml of n-dioctyl ether, and heated in vacuum at 80 ° C. for 1 hour. Then, the pressure was returned to normal pressure, and the mixture was heated to reflux at 250 ° C. for 4 hours to obtain a coarse dispersion of crystalline tin-containing indium oxide fine particles coordinated with tetradecylamine.

同粗分散液を沈殿溶媒にエタノール、分散溶媒にクロロホルムを用いて4回遠心分離精製を繰り返した後、クロロホルム10mlを添加して、クロロホルム100重量部に対して、テトラデシルアミンの配位したスズ含有酸化インジウム微粒子1.4重量部を含む分散液である耐溶剤性透明導電膜用塗工液を得た。   The crude dispersion was centrifuged and purified four times using ethanol as the precipitation solvent and chloroform as the dispersion solvent, and then 10 ml of chloroform was added, and tin with tetradecylamine coordinated to 100 parts by weight of chloroform was added. A coating solution for a solvent-resistant transparent conductive film, which is a dispersion containing 1.4 parts by weight of contained indium oxide fine particles, was obtained.

得られた耐溶剤性透明導電膜用塗工液の一部を希釈し、TEM観察したところ、結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の平均粒子径は7.8nmであった。次いで、該耐溶剤性透明導電膜用塗工液の一部を乾固させて微粒子紛体とし、X線回折を測定したところ、(211)面、(222)面、(400)面、(440)面、(622)面による回折ピークが確認され、立方晶系ビックスバイト構造を有することを確認した。同微粒子紛体のスズ/インジウム(モル比)は10/90であり、テトラデシルアミンが4.9重量%配位したものであることを確認した。   When a part of the obtained solvent-resistant transparent conductive film coating solution was diluted and observed by TEM, the average particle diameter of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles was 7.8 nm. Subsequently, when a part of the coating solution for solvent resistant transparent conductive film was dried to form a fine particle powder and X-ray diffraction was measured, (211) plane, (222) plane, (400) plane, (440) ) Plane and (622) plane were confirmed, and it was confirmed that it had a cubic bixbite structure. The tin / indium (molar ratio) of the fine particle powder was 10/90, and it was confirmed that tetradecylamine was coordinated with 4.9% by weight.

また、該耐溶剤性透明導電膜用塗工液の遊離テトラデシルアミンは、テトラデシルアミンの配位した結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の重量に対して8300ppmであり、光線透過率93%、ヘーズ1.0%であった。得られた耐溶剤性透明導電膜用塗工液の評価結果を表1に示す。   The free tetradecylamine in the solvent-resistant transparent conductive film coating solution was 8300 ppm based on the weight of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles coordinated with tetradecylamine, and had a light transmittance of 93% and haze. 1.0%. Table 1 shows the evaluation results of the obtained solvent-resistant transparent conductive film coating solution.

得られた耐溶剤性透明導電膜用塗工液を、基材であるガラス板に塗工し、100℃で1時間乾燥して塗工厚0.08μmの透明導電膜を得た。この透明導電膜は、塗膜の基材への密着性も高く、光線透過率88%、ヘーズ1.0%、シート抵抗4×10Ω/□で、高い光学特性と導電特性を有していた。 The obtained coating solution for solvent-resistant transparent conductive film was applied to a glass plate as a substrate and dried at 100 ° C. for 1 hour to obtain a transparent conductive film having a coating thickness of 0.08 μm. This transparent conductive film has high adhesion to the base material of the coating film, has a light transmittance of 88%, a haze of 1.0%, a sheet resistance of 4 × 10 4 Ω / □, and has high optical and conductive properties. It was.

次いで、この透明導電膜をクロロホルムに3時間浸漬し、その後塗膜を窒素気流中、50℃で3時間乾燥させたところ、クロロホルム中への再分散による結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の重量減少は0.5重量%であり、また塗膜の白化や光学特性、導電特性の悪化は見られず、透明導電膜として十分な耐溶剤性を有することを確認した。得られた透明導電膜の評価結果を表2に示す。   Next, this transparent conductive film was immersed in chloroform for 3 hours, and then the coating film was dried in a nitrogen stream at 50 ° C. for 3 hours. The weight reduction of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles due to redispersion in chloroform was as follows. It was 0.5% by weight, and it was confirmed that the coating film had sufficient solvent resistance as a transparent conductive film without whitening of the coating film, deterioration of optical characteristics and conductive characteristics. Table 2 shows the evaluation results of the obtained transparent conductive film.

実施例3
100mlフラスコ中に酢酸インジウム(III)280mg、酢酸スズ(II)56.8mg、2−エチルヘキサン酸600μl、ベヘニルアミン2.7g、1−オクタデセン10mlを仕込み、真空中70℃で30分加熱し、その後常圧に戻して窒素雰囲気中150℃で1時間加熱し、次いで窒素雰囲気中270℃で2時間加熱還流し、ベヘニルアミンの配位した結晶性スズ含有酸化インジウムの微粒子の粗分散液を得た。
Example 3
Into a 100 ml flask was charged 280 mg of indium (III) acetate, 56.8 mg of tin (II) acetate, 600 μl of 2-ethylhexanoic acid, 2.7 g of behenylamine, and 10 ml of 1-octadecene, and heated at 70 ° C. for 30 minutes in a vacuum. Thereafter, the pressure is returned to normal pressure, and the mixture is heated at 150 ° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere and then heated to reflux at 270 ° C. for 2 hours in a nitrogen atmosphere to obtain a coarse dispersion of crystalline tin-containing indium oxide fine particles coordinated with behenylamine It was.

同粗分散液を沈殿溶媒にイソプロパノール、分散溶媒にヘキサンを用いて5回遠心分離精製を繰り返した後、ヘキサン5mlを添加して、ヘキサン100重量部に対して、ベヘニルアミンの配位した結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子3.0重量部を含む分散液である耐溶剤性透明導電膜用塗工液を得た。   The crude dispersion was repeatedly purified by centrifugal separation 5 times using isopropanol as a precipitation solvent and hexane as a dispersion solvent, and then added with 5 ml of hexane, and crystallinity in which behenylamine was coordinated with respect to 100 parts by weight of hexane. A coating solution for a solvent-resistant transparent conductive film, which is a dispersion containing 3.0 parts by weight of tin-containing indium oxide fine particles, was obtained.

得られた耐溶剤性透明導電膜用塗工液の一部を希釈し、TEM観察したところ、結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の平均粒子径は13.5nmであった。次いで、該耐溶剤性透明導電膜用塗工液の一部を乾固させて微粒子紛体とし、X線回折を測定したところ、(211)面、(222)面、(400)面、(440)面、(622)面による回折ピークが確認され、立方晶系ビックスバイト構造を有することを確認した。同微粒子紛体のスズ/インジウム(モル比)は20/80であり、ベヘニルアミンが2.8重量%配位したものであることを確認した。   When a part of the obtained solvent-resistant transparent conductive film coating solution was diluted and observed by TEM, the average particle diameter of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles was 13.5 nm. Subsequently, when a part of the coating solution for solvent resistant transparent conductive film was dried to form a fine particle powder and X-ray diffraction was measured, (211) plane, (222) plane, (400) plane, (440) ) Plane and (622) plane were confirmed, and it was confirmed that it had a cubic bixbite structure. The tin / indium (molar ratio) of the fine particle powder was 20/80, and it was confirmed that behenylamine was coordinated with 2.8% by weight.

また、該耐溶剤性透明導電膜用塗工液の遊離ベヘニルアミンは、ベヘニルアミンの配位した結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の重量に対して8900ppmであり、光線透過率93%、ヘーズ1.5%であった。得られた耐溶剤性透明導電膜用塗工液の評価結果を表1に示す。   Further, the free behenylamine in the solvent-resistant transparent conductive film coating solution was 8900 ppm with respect to the weight of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles coordinated with behenylamine, the light transmittance was 93%, and the haze was 1. It was 5%. Table 1 shows the evaluation results of the obtained solvent-resistant transparent conductive film coating solution.

得られた耐溶剤性透明導電膜用塗工液を、基材であるガラス板に塗工し、70℃で30分乾燥、次いで180℃で1時間乾燥して塗工厚0.3μmの透明導電膜を得た。この透明導電膜は、塗膜の基材への密着性も高く、光線透過率89%、ヘーズ1.6%、シート抵抗8×10Ω/□で、高い光学特性と導電特性を有していた。 The obtained coating solution for solvent-resistant transparent conductive film is coated on a glass plate as a base material, dried at 70 ° C. for 30 minutes, and then dried at 180 ° C. for 1 hour to obtain a transparent coating having a thickness of 0.3 μm. A conductive film was obtained. This transparent conductive film has high adhesion to the base material of the coating film, has a light transmittance of 89%, a haze of 1.6%, a sheet resistance of 8 × 10 2 Ω / □, and has high optical properties and conductive properties. It was.

次いで、この透明導電膜をヘキサンに3時間浸漬し、その後塗膜を窒素気流中、60℃で3時間乾燥させたところ、ヘキサン中への再分散による結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の重量減少は1.0重量%であり、また塗膜の白化や光学特性、導電特性の悪化は見られず、透明導電膜として十分な耐溶剤性を有することを確認した。得られた透明導電膜の評価結果を表2に示す。   Next, this transparent conductive film was immersed in hexane for 3 hours, and then the coating film was dried in a nitrogen stream at 60 ° C. for 3 hours. As a result, the weight loss of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles due to redispersion in hexane was It was 1.0% by weight, and it was confirmed that the coating film had sufficient solvent resistance as a transparent conductive film without whitening of the coating film, deterioration of optical characteristics and conductive characteristics. Table 2 shows the evaluation results of the obtained transparent conductive film.

実施例4
100mlフラスコ中に2−エチルヘキサン酸インジウム(III)457mg、2−エチルヘキサン酸スズ(II)145.8mg、ピバル酸300μl、オレイルアミン3.0g、1−オクタデセン10mlを仕込み、真空中70℃で30分加熱し、その後常圧に戻して窒素雰囲気中250℃で4時間加熱還流し、オレイルアミンの配位した結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の粗分散液を得た。
Example 4
Into a 100 ml flask was charged 457 mg of indium (III) 2-ethylhexanoate, 145.8 mg of tin (II) 2-ethylhexanoate, 300 μl of pivalic acid, 3.0 g of oleylamine, 10 ml of 1-octadecene, and 30 at 30 ° C. in vacuum. The mixture was heated for 4 minutes, and then returned to normal pressure and heated to reflux in a nitrogen atmosphere at 250 ° C. for 4 hours to obtain a coarse dispersion of crystalline tin-containing indium oxide fine particles coordinated with oleylamine.

同粗分散液を沈殿溶媒にエタノール、分散溶媒にヘキサンを用いて5回遠心分離精製を繰り返した後、ヘキサン10mlを添加して、ヘキサン100重量部に対して、オレイルアミンの配位した結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子1.2重量部を含む分散液である耐溶剤性透明導電膜用塗工液を得た。   The crude dispersion was centrifuged and purified five times using ethanol as the precipitation solvent and hexane as the dispersion solvent, then 10 ml of hexane was added, and crystalline tin coordinated with oleylamine was added to 100 parts by weight of hexane. A coating solution for a solvent-resistant transparent conductive film, which is a dispersion containing 1.2 parts by weight of contained indium oxide fine particles, was obtained.

得られた耐溶剤性透明導電膜用塗工液の一部を希釈し、TEM観察したところ、スズ含有酸化インジウム微粒子の平均粒子径は9.5nmであった。次いで、該耐溶剤性透明導電膜用塗工液の一部を乾固させて微粒子紛体とし、X線回折を測定したところ、(211)面、(222)面、(400)面、(440)面、(622)面による回折ピークが確認され、立方晶系ビックスバイト構造を有することを確認した。同微粒子紛体のスズ/インジウム(モル比)は30/70であり、オレイルアミンが3.7重量%配位したものであることを確認した。   When a part of the obtained solvent-resistant transparent conductive film coating solution was diluted and observed by TEM, the average particle diameter of the tin-containing indium oxide fine particles was 9.5 nm. Subsequently, when a part of the coating solution for solvent resistant transparent conductive film was dried to form a fine particle powder and X-ray diffraction was measured, (211) plane, (222) plane, (400) plane, (440) ) Plane and (622) plane were confirmed, and it was confirmed that it had a cubic bixbite structure. The tin / indium (molar ratio) of the fine particle powder was 30/70, and it was confirmed that oleylamine was coordinated by 3.7% by weight.

また、該耐溶剤性透明導電膜用塗工液の遊離オレイルアミンは、オレイルアミンの配位した結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の重量に対して6800ppmであり、光線透過率93%、ヘーズ1.0%であった。得られた耐溶剤性透明導電膜用塗工液の評価結果を表1に示す。   Further, the free oleylamine of the solvent-resistant transparent conductive film coating solution was 6800 ppm based on the weight of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles coordinated with oleylamine, light transmittance of 93%, and haze of 1.0%. Met. Table 1 shows the evaluation results of the obtained solvent-resistant transparent conductive film coating solution.

得られた耐溶剤性透明導電膜用塗工液を、基材であるガラス板に塗工し、150℃で1時間乾燥して塗工厚0.2μmの透明導電膜を得た。この透明導電膜は、塗膜の基材への密着性も高く、光線透過率92%、ヘーズ0.8%、シート抵抗2×10Ω/□で、高い光学特性と導電特性を有していた。 The obtained coating solution for solvent-resistant transparent conductive film was applied to a glass plate as a substrate and dried at 150 ° C. for 1 hour to obtain a transparent conductive film having a coating thickness of 0.2 μm. This transparent conductive film has high adhesion to the base material of the coating film, has a light transmittance of 92%, a haze of 0.8%, a sheet resistance of 2 × 10 3 Ω / □, and has high optical and conductive properties. It was.

次いで、この透明導電膜をヘキサンに3時間浸漬し、その後塗膜を窒素気流中、50℃で5時間乾燥させたところ、ヘキサン中への再分散によるスズ含有酸化インジウム微粒子の重量減少は0.2重量%であり、また塗膜の白化や光学特性、導電特性の悪化は見られず、透明導電膜として十分な耐溶剤性を有することを確認した。得られた透明導電膜の評価結果を表2に示す。   Next, this transparent conductive film was immersed in hexane for 3 hours, and then the coating film was dried in a nitrogen stream at 50 ° C. for 5 hours. As a result, the weight reduction of the tin-containing indium oxide fine particles due to redispersion in hexane was 0. It was 2% by weight, and it was confirmed that the coating film had sufficient solvent resistance as a transparent conductive film without whitening of the coating film, deterioration of optical characteristics and conductive characteristics. Table 2 shows the evaluation results of the obtained transparent conductive film.

実施例5
実施例1と同様に方法により、耐溶剤性透明導電膜用塗工液を得た。
Example 5
In the same manner as in Example 1, a solvent-resistant transparent conductive film coating solution was obtained.

得られた耐溶剤性透明導電膜用塗工液を、基材であるPETフィルムに塗工し、50℃で1時間乾燥して塗工厚0.05μmの透明導電膜を得た。この透明導電膜は、塗膜の基材への密着性も高く、光線透過率91%、ヘーズ1.8%、シート抵抗5×10Ω/□で、高い光学特性と導電特性を有していた。 The obtained coating solution for solvent-resistant transparent conductive film was applied to a PET film as a substrate and dried at 50 ° C. for 1 hour to obtain a transparent conductive film having a coating thickness of 0.05 μm. This transparent conductive film has high adhesion to the base material of the coating film, has a light transmittance of 91%, a haze of 1.8%, a sheet resistance of 5 × 10 3 Ω / □, and has high optical and conductive properties. It was.

次いで、この透明導電膜をクロロホルムに3時間浸漬し、その後塗膜を減圧中、60℃で1時間乾燥させたところ、クロロホルム中への再分散による結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の重量減少は0.2重量%であり、また塗膜の白化や光学特性、導電特性の悪化は見られず、透明導電膜として十分な耐溶剤性を有することを確認した。得られた透明導電膜の評価結果を表2に示す。   Subsequently, this transparent conductive film was immersed in chloroform for 3 hours, and then the coated film was dried at 60 ° C. for 1 hour under reduced pressure. As a result, the weight loss of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles due to redispersion in chloroform was 0. It was confirmed that the coating film had sufficient solvent resistance as a transparent conductive film, and the coating film was not whitened or deteriorated in optical properties and conductive properties. Table 2 shows the evaluation results of the obtained transparent conductive film.

実施例6
実施例2と同様に方法により、耐溶剤性透明導電膜用塗工液を得た。
Example 6
In the same manner as in Example 2, a solvent-resistant transparent conductive film coating solution was obtained.

得られた耐溶剤性透明導電膜用塗工液を、基材であるPETフィルムに塗工し、40℃で5時間乾燥して塗工厚0.1μmの透明導電膜を得た。この透明導電膜は、塗膜の基材への密着性も高く、光線透過率86%、ヘーズ1.3%、シート抵抗2×10Ω/□で、高い光学特性と導電特性を有していた。 The obtained coating solution for solvent-resistant transparent conductive film was applied to a PET film as a substrate and dried at 40 ° C. for 5 hours to obtain a transparent conductive film having a coating thickness of 0.1 μm. This transparent conductive film has high adhesion to the base material of the coating film, has a light transmittance of 86%, a haze of 1.3%, a sheet resistance of 2 × 10 4 Ω / □, and has high optical properties and conductive properties. It was.

次いで、この透明導電膜をクロロホルムに3時間浸漬し、その後塗膜を窒素気流中、50℃で3時間乾燥させたところ、クロロホルム中への再分散による結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の重量減少は1.0重量%であり、また塗膜の白化や光学特性、導電特性の悪化は見られず、透明導電膜として十分な耐溶剤性を有することを確認した。得られた透明導電膜の評価結果を表2に示す。   Next, this transparent conductive film was immersed in chloroform for 3 hours, and then the coating film was dried in a nitrogen stream at 50 ° C. for 3 hours. The weight reduction of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles due to redispersion in chloroform was as follows. It was 1.0% by weight, and it was confirmed that the coating film had sufficient solvent resistance as a transparent conductive film without whitening of the coating film, deterioration of optical characteristics and conductive characteristics. Table 2 shows the evaluation results of the obtained transparent conductive film.

実施例7
実施例3と同様に方法により、耐溶剤性透明導電膜用塗工液を得た。
Example 7
In the same manner as in Example 3, a solvent-resistant transparent conductive film coating solution was obtained.

得られた耐溶剤性透明導電膜用塗工液を、基材であるPETフィルムに塗工し、70℃で30分、次いで140℃で30分乾燥して塗工厚0.3μmの透明導電膜を得た。この透明導電膜は、塗膜の基材への密着性も高く、光線透過率85%、ヘーズ2.0%、シート抵抗9×10Ω/□で、高い光学特性と導電特性を有していた。 The obtained coating solution for solvent-resistant transparent conductive film is applied to a PET film as a base material and dried at 70 ° C. for 30 minutes and then at 140 ° C. for 30 minutes to form a transparent conductive film having a coating thickness of 0.3 μm. A membrane was obtained. This transparent conductive film has high adhesion to the base material of the coating film, has a light transmittance of 85%, a haze of 2.0%, a sheet resistance of 9 × 10 2 Ω / □, and has high optical properties and conductive properties. It was.

次いで、この透明導電膜をヘキサンに3時間浸漬し、その後塗膜を窒素気流中、60℃で3時間乾燥させたところ、ヘキサン中への再分散による結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の重量減少は1.0重量%であり、また塗膜の白化や光学特性、導電特性の悪化は見られず、透明導電膜として十分な耐溶剤性を有することを確認した。得られた透明導電膜の評価結果を表2に示す。   Next, this transparent conductive film was immersed in hexane for 3 hours, and then the coating film was dried in a nitrogen stream at 60 ° C. for 3 hours. As a result, the weight loss of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles due to redispersion in hexane was It was 1.0% by weight, and it was confirmed that the coating film had sufficient solvent resistance as a transparent conductive film without whitening of the coating film, deterioration of optical characteristics and conductive characteristics. Table 2 shows the evaluation results of the obtained transparent conductive film.

実施例8
実施例4と同様に方法により、耐溶剤性透明導電膜用塗工液を得た。
Example 8
In the same manner as in Example 4, a solvent-resistant transparent conductive film coating solution was obtained.

得られた耐溶剤性透明導電膜用塗工液を、基材であるPETフィルムに塗工し、80℃で1時間乾燥して塗工厚0.1μmの透明導電膜を得た。この透明導電膜は、塗膜の基材への密着性も高く、光線透過率92%、ヘーズ1.0%、シート抵抗8×10Ω/□で、高い光学特性と導電特性を有していた。 The obtained coating solution for solvent-resistant transparent conductive film was applied to a PET film as a substrate and dried at 80 ° C. for 1 hour to obtain a transparent conductive film having a coating thickness of 0.1 μm. This transparent conductive film has high adhesion to the base material of the coating film, has a light transmittance of 92%, a haze of 1.0%, a sheet resistance of 8 × 10 3 Ω / □, and has high optical and conductive properties. It was.

次いで、この透明導電膜をヘキサンに3時間浸漬し、その後塗膜を窒素気流中、60℃で3時間乾燥させたところ、ヘキサン中への再分散による結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の重量減少は0.2重量%であり、また塗膜の白化や光学特性、導電特性の悪化は見られず、透明導電膜として十分な耐溶剤性を有することを確認した。得られた透明導電膜の評価結果を表2に示す。   Next, this transparent conductive film was immersed in hexane for 3 hours, and then the coating film was dried in a nitrogen stream at 60 ° C. for 3 hours. As a result, the weight loss of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles due to redispersion in hexane was It was 0.2% by weight, and whitening of the coating film, optical characteristics, and deterioration of conductive characteristics were not observed, and it was confirmed that the film had sufficient solvent resistance as a transparent conductive film. Table 2 shows the evaluation results of the obtained transparent conductive film.

実施例9
2−エチルヘキサン酸スズ(II)の仕込み量を77.0mg、ステアリルアミンの仕込み量を4gに変更した以外は、実施例1と同様の方法により、クロロホルム100重量部に対して、ステアリルアミンの配位した結晶性スズ含有酸化インジウム1.8重量部を含む分散液である耐溶剤性透明導電膜用塗工液を得た。
Example 9
Except that the amount of tin (II) 2-ethylhexanoate was changed to 77.0 mg and the amount of stearylamine was changed to 4 g, in the same manner as in Example 1, stearylamine was added to 100 parts by weight of chloroform. A coating solution for a solvent-resistant transparent conductive film, which is a dispersion containing 1.8 parts by weight of coordinated crystalline tin-containing indium oxide, was obtained.

得られた耐溶剤性透明導電膜用塗工液の一部を希釈し、TEM観察したところ、結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の平均粒子径は15.1nmであった。次いで、該塗工液の一部を乾固させて微粒子紛体とし、X線回折を測定したところ、(211)面、(222)面、(400)面、(440)面、(622)面による回折ピークが確認され、立方晶系ビックスバイト構造を有することを確認した。同微粒子紛体のスズ/インジウム(モル比)は15/85であり、ステアリルアミンが5.1重量%配位したものであることを確認した。   When a part of the obtained solvent-resistant transparent conductive film coating solution was diluted and observed by TEM, the average particle diameter of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles was 15.1 nm. Subsequently, when a part of the coating liquid was dried to form a fine particle powder and X-ray diffraction was measured, the (211) plane, (222) plane, (400) plane, (440) plane, (622) plane Was confirmed, and it was confirmed to have a cubic bixbite structure. The tin / indium (molar ratio) of the fine particle powder was 15/85, and it was confirmed that stearylamine was coordinated by 5.1% by weight.

また、該耐溶剤性透明導電膜用塗工液の遊離ステアリルアミンは、ステアリルアミンの配位した結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の重量に対して2300ppmであり、光線透過率94%、ヘーズ0.6%であった。得られた耐溶剤性透明導電膜用塗工液の評価結果を表1に示す。   The free stearylamine in the solvent-resistant transparent conductive film coating solution was 2300 ppm with respect to the weight of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles coordinated with stearylamine, the light transmittance was 94%, and the haze was 0.00. It was 6%. Table 1 shows the evaluation results of the obtained solvent-resistant transparent conductive film coating solution.

得られた耐溶剤性透明導電膜用塗工液を、基材であるガラス板に塗工し、25℃で1時間、窒素雰囲気中200℃で1時間乾燥し、塗工厚0.1μmの透明導電膜を得た。この透明導電膜は、塗膜の基材への密着性も高く、光線透過率90%、ヘーズ1.6%、シート抵抗9×10Ω/□で、高い光学特性と導電特性を有していた。 The obtained coating solution for solvent-resistant transparent conductive film was applied to a glass plate as a substrate and dried at 25 ° C. for 1 hour and in a nitrogen atmosphere at 200 ° C. for 1 hour, and the coating thickness was 0.1 μm. A transparent conductive film was obtained. This transparent conductive film has high adhesion to the base material of the coating film, has a light transmittance of 90%, a haze of 1.6%, a sheet resistance of 9 × 10 2 Ω / □, and has high optical and conductive properties. It was.

次いで、この透明導電膜をクロロホルムに3時間浸漬し、その後塗膜を減圧中、60℃で1時間乾燥させたところ、クロロホルム中への再分散による結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の重量減少は0.1重量%であり、また塗膜の白化や光学特性、導電特性の悪化は見られず、透明導電膜として十分な耐溶剤性を有することを確認した。得られた透明導電膜の評価結果を表2に示す。   Subsequently, this transparent conductive film was immersed in chloroform for 3 hours, and then the coated film was dried at 60 ° C. for 1 hour under reduced pressure. As a result, the weight loss of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles due to redispersion in chloroform was 0. It was confirmed that the coating film had sufficient solvent resistance as a transparent conductive film, and the coating film was not whitened or deteriorated in optical properties and conductive properties. Table 2 shows the evaluation results of the obtained transparent conductive film.

実施例10
酢酸スズ(II)の仕込み量を23.7mgに変更した以外は、実施例2と同様の方法により、クロロホルム100重量部に対して、テトラデシルアミンの配位した結晶性スズ含有酸化インジウム1.9重量部を含む分散液である耐溶剤性透明導電膜用塗工液を得た。
Example 10
Crystalline tin-containing indium oxide with tetradecylamine coordinated to 100 parts by weight of chloroform by the same method as in Example 2 except that the amount of tin (II) acetate was changed to 23.7 mg. A coating solution for a solvent-resistant transparent conductive film, which is a dispersion containing 9 parts by weight, was obtained.

得られた耐溶剤性透明導電膜用塗工液の一部を希釈し、TEM観察したところ、結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の平均粒子径は8.3nmであった。次いで、該塗工液の一部を乾固させて微粒子紛体とし、X線回折を測定したところ、(211)面、(222)面、(400)面、(440)面、(622)面による回折ピークが確認され、立方晶系ビックスバイト構造を有することを確認した。同微粒子紛体のスズ/インジウム(モル比)は8/92であり、テトラデシルアミンが6.9重量%配位したものであることを確認した。   When a part of the obtained solvent-resistant transparent conductive film coating solution was diluted and observed by TEM, the average particle diameter of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles was 8.3 nm. Subsequently, when a part of the coating liquid was dried to form a fine particle powder and X-ray diffraction was measured, the (211) plane, (222) plane, (400) plane, (440) plane, (622) plane Was confirmed, and it was confirmed to have a cubic bixbite structure. The tin / indium (molar ratio) of the fine particle powder was 8/92, and it was confirmed that tetradecylamine was coordinated with 6.9% by weight.

また、該耐溶剤性透明導電膜用塗工液の遊離テトラデシルアミンは、テトラデシルアミンの配位した結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の重量に対して7900ppmであり、光線透過率95%、ヘーズ0.9%であった。得られた耐溶剤性透明導電膜用塗工液の評価結果を表1に示す。   The free tetradecylamine in the solvent-resistant transparent conductive film coating solution was 7900 ppm based on the weight of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles coordinated with tetradecylamine, and had a light transmittance of 95% and haze. It was 0.9%. Table 1 shows the evaluation results of the obtained solvent-resistant transparent conductive film coating solution.

得られた耐溶剤性透明導電膜用塗工液を、基材であるガラス板に塗工し、100℃で1時間、次いで200℃で1時間乾燥し、塗工厚0.08μmの透明導電膜を得た。この透明導電膜は、塗膜の基材への密着性も高く、光線透過率88%、ヘーズ1.3%、シート抵抗6×10Ω/□で、高い光学特性と導電特性を有していた。 The obtained coating solution for solvent-resistant transparent conductive film is applied to a glass plate as a substrate, dried at 100 ° C. for 1 hour, then at 200 ° C. for 1 hour, and a transparent conductive film having a coating thickness of 0.08 μm. A membrane was obtained. This transparent conductive film has high adhesion to the base material of the coating film, has a light transmittance of 88%, a haze of 1.3%, a sheet resistance of 6 × 10 3 Ω / □, and has high optical characteristics and conductive characteristics. It was.

次いで、この透明導電膜をクロロホルムに3時間浸漬し、その後塗膜を窒素気流中、50℃で3時間乾燥させたところ、クロロホルム中への再分散による結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の重量減少は0.4重量%であり、また塗膜の白化や光学特性、導電特性の悪化は見られず、透明導電膜として十分な耐溶剤性を有することを確認した。得られた透明導電膜の評価結果を表2に示す。   Next, this transparent conductive film was immersed in chloroform for 3 hours, and then the coating film was dried in a nitrogen stream at 50 ° C. for 3 hours. The weight reduction of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles due to redispersion in chloroform was as follows. It was 0.4% by weight, and whitening of the coating film, optical characteristics, and deterioration of conductive characteristics were not observed, and it was confirmed that the film had sufficient solvent resistance as a transparent conductive film. Table 2 shows the evaluation results of the obtained transparent conductive film.

実施例11
酢酸スズ(II)の仕込み量を49.7mg、ヘベニルアミンの仕込み量を3gに変更した以外は、実施例3と同様の方法により、ヘキサン100重量部に対して、ヘベニルアミンの配位した結晶性スズ含有酸化インジウム4重量部を含む分散液である耐溶剤性透明導電膜用塗工液を得た。
Example 11
Crystalline tin coordinated with hebenylamine with respect to 100 parts by weight of hexane by the same method as in Example 3 except that the charged amount of tin (II) acetate was changed to 49.7 mg and the charged amount of hebenylamine was changed to 3 g. A coating solution for a solvent-resistant transparent conductive film, which is a dispersion containing 4 parts by weight of contained indium oxide, was obtained.

得られた耐溶剤性透明導電膜用塗工液の一部を希釈し、TEM観察したところ、結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の平均粒子径は15.3nmであった。次いで、該塗工液の一部を乾固させて微粒子紛体とし、X線回折を測定したところ、(211)面、(222)面、(400)面、(440)面、(622)面による回折ピークが確認され、立方晶系ビックスバイト構造を有することを確認した。同微粒子紛体のスズ/インジウム(モル比)は18/82であり、ヘベニルアミンが3.1重量%配位したものであることを確認した。   When a part of the obtained solvent-resistant transparent conductive film coating solution was diluted and observed by TEM, the average particle diameter of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles was 15.3 nm. Subsequently, when a part of the coating liquid was dried to form a fine particle powder and X-ray diffraction was measured, the (211) plane, (222) plane, (400) plane, (440) plane, (622) plane Was confirmed, and it was confirmed to have a cubic bixbite structure. The tin / indium (molar ratio) of the fine particle powder was 18/82, and it was confirmed that hebenylamine was coordinated by 3.1% by weight.

また、該耐溶剤性透明導電膜用塗工液の遊離ヘベニルアミンは、ヘベニルアミンの配位した結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の重量に対して8800ppmであり、光線透過率93%、ヘーズ1.2%であった。得られた耐溶剤性透明導電膜用塗工液の評価結果を表1に示す。   Further, the free hebenylamine in the coating solution for solvent-resistant transparent conductive film is 8800 ppm with respect to the weight of crystalline tin-containing indium oxide fine particles coordinated with hebenylamine, light transmittance of 93%, and haze of 1.2%. Met. Table 1 shows the evaluation results of the obtained solvent-resistant transparent conductive film coating solution.

得られた耐溶剤性透明導電膜用塗工液を、基材であるガラス板に塗工し、60℃で30分、次いで窒素雰囲気中180℃で200分乾燥して塗工厚0.25μmの透明導電膜を得た。この透明導電膜は、塗膜の基材への密着性も高く、光線透過率85%、ヘーズ2.0%、シート抵抗5×10Ω/□で、高い光学特性と導電特性を有していた。 The obtained coating solution for solvent-resistant transparent conductive film is applied to a glass plate as a substrate, dried at 60 ° C. for 30 minutes, and then dried at 180 ° C. in a nitrogen atmosphere for 200 minutes to obtain a coating thickness of 0.25 μm. A transparent conductive film was obtained. This transparent conductive film has high adhesion to the base material of the coating film, has a light transmittance of 85%, a haze of 2.0%, a sheet resistance of 5 × 10 2 Ω / □, and has high optical and conductive properties. It was.

次いで、この透明導電膜をヘキサンに3時間浸漬し、その後塗膜を窒素気流中、60℃で3時間乾燥させたところ、ヘキサン中への再分散による結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の重量減少は0.8重量%であり、また塗膜の白化や光学特性、導電特性の悪化は見られず、透明導電膜として十分な耐溶剤性を有することを確認した。得られた透明導電膜の評価結果を表2に示す。   Next, this transparent conductive film was immersed in hexane for 3 hours, and then the coating film was dried in a nitrogen stream at 60 ° C. for 3 hours. As a result, the weight loss of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles due to redispersion in hexane was It was 0.8% by weight, and it was confirmed that the coating film had sufficient solvent resistance as a transparent conductive film without whitening of the coating film, deterioration of optical characteristics and conductive characteristics. Table 2 shows the evaluation results of the obtained transparent conductive film.

実施例12
酢酸スズ(II)の仕込み量を113.4mg、オレイルアミンの仕込み量を2.5gに変更し、分散溶媒をトルエンとした以外は、実施例4と同様の方法により、トルエン100重量部に対して、オレイルアミンの配位した結晶性スズ含有酸化インジウム1.1重量部を含む分散液である耐溶剤性透明導電膜用塗工液を得た。
Example 12
The amount of tin (II) acetate was changed to 113.4 mg, the amount of oleylamine was changed to 2.5 g, and the dispersion solvent was changed to toluene. Thus, a coating solution for a solvent-resistant transparent conductive film, which is a dispersion containing 1.1 parts by weight of crystalline tin-containing indium oxide coordinated with oleylamine, was obtained.

得られた耐溶剤性透明導電膜用塗工液の一部を希釈し、TEM観察したところ、結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の平均粒子径は9.1nmであった。次いで、該塗工液の一部を乾固させて微粒子紛体とし、X線回折を測定したところ、(211)面、(222)面、(400)面、(440)面、(622)面による回折ピークが確認され、立方晶系ビックスバイト構造を有することを確認した。同微粒子紛体のスズ/インジウム(モル比)は25/75であり、オレイルアミンが3.8重量%配位したものであることを確認した。   When a part of the obtained solvent-resistant transparent conductive film coating solution was diluted and observed by TEM, the average particle diameter of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles was 9.1 nm. Subsequently, when a part of the coating liquid was dried to form a fine particle powder and X-ray diffraction was measured, the (211) plane, (222) plane, (400) plane, (440) plane, (622) plane Was confirmed, and it was confirmed to have a cubic bixbite structure. It was confirmed that tin / indium (molar ratio) of the fine particle powder was 25/75 and oleylamine was coordinated by 3.8% by weight.

また、該耐溶剤性透明導電膜用塗工液の遊離オレイルアミンは、オレイルアミンの配位した結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の重量に対して7000ppmであり、光線透過率93%、ヘーズ1.0%であった。得られた耐溶剤性透明導電膜用塗工液の評価結果を表1に示す。   Further, the free oleylamine in the solvent-resistant transparent conductive film coating solution is 7000 ppm with respect to the weight of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles coordinated with oleylamine, and has a light transmittance of 93% and a haze of 1.0%. Met. Table 1 shows the evaluation results of the obtained solvent-resistant transparent conductive film coating solution.

得られた耐溶剤性透明導電膜用塗工液を、基材であるガラス板に塗工し、60℃で1時間、次いで220℃で1時間乾燥して塗工厚0.08μmの透明導電膜を得た。この透明導電膜は、塗膜の基材への密着性も高く、光線透過率90%、ヘーズ1.0%、シート抵抗1×10Ω/□で、高い光学特性と導電特性を有していた。 The obtained coating solution for solvent-resistant transparent conductive film is applied to a glass plate as a base material and dried at 60 ° C. for 1 hour and then at 220 ° C. for 1 hour to form a transparent conductive film having a coating thickness of 0.08 μm. A membrane was obtained. This transparent conductive film has high adhesion to the base material of the coating film, has a light transmittance of 90%, a haze of 1.0%, a sheet resistance of 1 × 10 3 Ω / □, and has high optical properties and conductive properties. It was.

次いで、この透明導電膜をトルエンに3時間浸漬し、その後塗膜を窒素気流中、60℃で3時間乾燥させたところ、トルエン中への再分散による結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の重量減少は0.2重量%であり、また塗膜の白化や光学特性、導電特性の悪化は見られず、透明導電膜として十分な耐溶剤性を有することを確認した。得られた透明導電膜の評価結果を表2に示す。   Next, this transparent conductive film was immersed in toluene for 3 hours, and then the coating film was dried in a nitrogen stream at 60 ° C. for 3 hours. As a result, the weight loss of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles due to redispersion in toluene was reduced. It was 0.2% by weight, and whitening of the coating film, optical characteristics, and deterioration of conductive characteristics were not observed, and it was confirmed that the film had sufficient solvent resistance as a transparent conductive film. Table 2 shows the evaluation results of the obtained transparent conductive film.

Figure 0005991067
Figure 0005991067

Figure 0005991067
比較例1
平均粒径20nmの非晶質スズ含有酸化インジウム(ITO)微粒子(シーアイ化成社製、(商品名)NanoTeck ITO)0.3g、分散剤として脂肪族リン酸エステル型界面活性剤(旭電化工業(株)製、(商品名)PS−440E)50mg、分散溶剤としてトルエン5gを混合した後、ジルコニアビーズを用いたペイントシェーカーにより湿式粉砕して、ITO微粒子分散液を調製した。
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Comparative Example 1
Amorphous tin-containing indium oxide (ITO) fine particles having an average particle size of 20 nm (manufactured by CI Kasei Co., Ltd., (trade name) NanoCheck ITO) 0.3 g, aliphatic phosphate ester type surfactant (Asahi Denka Kogyo Co., Ltd.) (Trade name) PS-440E) 50 mg and 5 g of toluene as a dispersion solvent were mixed, and then wet pulverized with a paint shaker using zirconia beads to prepare an ITO fine particle dispersion.

該ITO微粒子分散液を基材であるガラス板に塗工し、300℃で3時間加熱して有機溶剤と分散剤を除去し、塗工厚0.3μmの塗工膜を得た。得られた塗工膜は光線透過率60%、ヘーズ20%と透明性に劣り、シート抵抗は9.9×10以上であり正確な測定できず、非晶質のスズ含有酸化インジウムからなる塗工膜であることから、導電膜としての導電性が不十分なものであった。得られた塗工膜の評価結果を表4に示す。 The ITO fine particle dispersion was applied to a glass plate as a base material and heated at 300 ° C. for 3 hours to remove the organic solvent and the dispersing agent to obtain a coating film having a coating thickness of 0.3 μm. The obtained coating film is inferior in transparency with a light transmittance of 60% and a haze of 20%, and has a sheet resistance of 9.9 × 10 7 or more and cannot be measured accurately, and consists of amorphous tin-containing indium oxide. Since it is a coating film, the conductivity as a conductive film was insufficient. Table 4 shows the evaluation results of the obtained coating film.

比較例2
酢酸インジウム(III)の仕込み量を339mg、2−エチルヘキサン酸スズ(II)の仕込み量を14.6mgに変更した以外は、実施例1と同様の方法により、クロロホルム100重量部に対して、ステアリルアミンの配位した結晶性スズ含有酸化インジウム1.5重量部を含む分散液である塗工液を得た。
Comparative Example 2
Except for changing the charge amount of indium (III) acetate to 339 mg and the charge amount of tin (II) 2-ethylhexanoate to 14.6 mg, in the same manner as in Example 1, with respect to 100 parts by weight of chloroform, A coating liquid which was a dispersion containing 1.5 parts by weight of crystalline tin-containing indium oxide coordinated with stearylamine was obtained.

得られた塗工液の一部を希釈し、TEM観察したところ、結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の平均粒子径は7.5nmであった。次いで、該塗工液の一部を乾固させて微粒子紛体とし、X線回折を測定したところ、(211)面、(222)面、(400)面、(440)面、(622)面による回折ピークが確認され、立方晶系ビックスバイト構造を有することを確認した。同微粒子紛体のスズ/インジウム(モル比)は3/97であり、ステアリルアミンが4.5重量%配位したものであることを確認した。   When a part of the obtained coating solution was diluted and observed by TEM, the average particle diameter of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles was 7.5 nm. Subsequently, when a part of the coating liquid was dried to form a fine particle powder and X-ray diffraction was measured, the (211) plane, (222) plane, (400) plane, (440) plane, (622) plane Was confirmed, and it was confirmed to have a cubic bixbite structure. It was confirmed that tin / indium (molar ratio) of the fine particle powder was 3/97, and stearylamine was coordinated by 4.5% by weight.

また、該塗工液の遊離ステアリルアミンは、ステアリルアミンの配位した結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の重量に対して5000ppmであり、光線透過率89%、ヘーズ0.9%であった。得られた塗工液の評価結果を表3に示す。   The free stearylamine in the coating solution was 5000 ppm with respect to the weight of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles coordinated with stearylamine, the light transmittance was 89%, and the haze was 0.9%. Table 3 shows the evaluation results of the obtained coating solution.

得られた塗工液を、基材であるガラス板に塗工し、25℃で10時間乾燥して、塗工厚0.1μmの塗工膜を得た。この塗工膜は、塗膜の基材への密着性も高く、光線透過率91%、ヘーズ0.8%であったが、Sn含量の少ない結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子からなることによりシート抵抗4×10Ω/□と高く、導電膜としての導電性が不十分であった。得られた塗工膜の評価結果を表4に示す。 The obtained coating solution was applied to a glass plate as a substrate and dried at 25 ° C. for 10 hours to obtain a coating film having a coating thickness of 0.1 μm. This coating film has high adhesion to the base material of the coating film, and has a light transmittance of 91% and a haze of 0.8%, but is made of crystalline tin-containing indium oxide fine particles with a small Sn content. The resistance was as high as 4 × 10 6 Ω / □, and the conductivity as a conductive film was insufficient. Table 4 shows the evaluation results of the obtained coating film.

比較例3
テトラデシルアミンの仕込み量を1.7gに変更した以外は、実施例2と同様の手法で、クロロホルム100重量部に対して、テトラデシルアミンの配位した結晶性スズ含有酸化インジウム1.1重量部を含む分散液である塗工液を得た。
Comparative Example 3
Crystalline tin-containing indium oxide coordinated with tetradecylamine to 1.1 parts by weight with respect to 100 parts by weight of chloroform in the same manner as in Example 2 except that the charged amount of tetradecylamine was changed to 1.7 g. The coating liquid which is the dispersion liquid containing a part was obtained.

得られた塗工液の一部を希釈し、TEM観察したところ、結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の平均粒子径は4.0nmであった。次いで、該塗工液の一部を乾固させて微粒子紛体とし、X線回折を測定したところ、(211)面、(222)面、(400)面、(440)面、(622)面による回折ピークが確認され、立方晶系ビックスバイト構造を有することを確認した。同微粒子紛体のスズ/インジウム(モル比)は10/90であり、テトラデシルアミンが8.0重量%配位したものであることを確認した。   When a part of the obtained coating liquid was diluted and observed by TEM, the average particle diameter of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles was 4.0 nm. Subsequently, when a part of the coating liquid was dried to form a fine particle powder and X-ray diffraction was measured, the (211) plane, (222) plane, (400) plane, (440) plane, (622) plane Was confirmed, and it was confirmed to have a cubic bixbite structure. The tin / indium (molar ratio) of the fine particle powder was 10/90, and it was confirmed that tetradecylamine was 8.0% by weight coordinated.

また、該塗工液の遊離テトラデシルアミンは、テトラデシルアミンの配位した結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の重量に対して9000ppmであり、光線透過率92%、ヘーズ1.1%であった。得られた塗工液の評価結果を表3に示す。   The free tetradecylamine of the coating solution was 9000 ppm with respect to the weight of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles coordinated with tetradecylamine, the light transmittance was 92%, and the haze was 1.1%. . Table 3 shows the evaluation results of the obtained coating solution.

得られた塗工液を、基材であるガラス板に塗工し、100℃で1時間乾燥して塗工厚0.1μmの塗工膜を得た。この塗工膜は、塗膜の基材への密着性も高く、光線透過率90%、ヘーズ1.0%を有するものであったが、結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の粒子径が小さいことからシート抵抗5×10Ω/□と高く、導電膜としての導電性が不十分であった。得られた塗工膜の評価結果を表4に示す。 The obtained coating liquid was applied to a glass plate as a substrate and dried at 100 ° C. for 1 hour to obtain a coating film having a coating thickness of 0.1 μm. This coating film had high adhesion to the base material of the coating film and had a light transmittance of 90% and a haze of 1.0%, but the particle diameter of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles was small. The sheet resistance was as high as 5 × 10 7 Ω / □, and the conductivity as a conductive film was insufficient. Table 4 shows the evaluation results of the obtained coating film.

比較例4
アミン配位子をn−ブチルアミン2.6gに変更した以外は、実施例1と同様の手法で、クロロホルム100重量部に対して、n−ブチルアミンの配位した結晶性スズ含有酸化インジウム1.5重量部を含む分散液である塗工液を得た。
Comparative Example 4
Except for changing the amine ligand to 2.6 g of n-butylamine, in the same manner as in Example 1, with respect to 100 parts by weight of chloroform, crystalline tin-containing indium oxide 1.5% coordinated with n-butylamine A coating liquid which is a dispersion containing parts by weight was obtained.

該塗工液中の結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子は、アミン配位子の鎖長が短いため、分散安定性が低く、該分散液の光線透過率は69%、ヘーズは10.9%であり、透明導電膜用塗工液として透明性が不十分な塗工液であった。得られた塗工液の評価結果を表3に示す。   The crystalline tin-containing indium oxide fine particles in the coating liquid have a low chain stability of the amine ligand, so the dispersion stability is low, the light transmittance of the dispersion is 69%, and the haze is 10.9%. Yes, it was a coating liquid with insufficient transparency as a coating liquid for a transparent conductive film. Table 3 shows the evaluation results of the obtained coating solution.

比較例5
ステアリルアミンの仕込み量を10gに変更した以外は、実施例1と同様の手法で、クロロホルム100重量部に対して、ステアリルアミンの配位した結晶性スズ含有酸化インジウム1.5重量部を含む分散液である塗工液を得た。
Comparative Example 5
A dispersion containing 1.5 parts by weight of crystalline tin-containing indium oxide coordinated with stearylamine with respect to 100 parts by weight of chloroform in the same manner as in Example 1 except that the amount of stearylamine charged was changed to 10 g. The coating liquid which is a liquid was obtained.

得られた塗工液の一部を希釈し、TEM観察したところ、結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の平均粒子径は12.5nmであった。次いで、該耐溶剤性透明導電膜用塗工液の一部を乾固させて微粒子紛体とし、X線回折を測定したところ、(211)面、(222)面、(400)面、(440)面、(622)面による回折ピークが確認され、立方晶系ビックスバイト構造を有することを確認した。同微粒子紛体のスズ/インジウム(モル比)は10/90であり、ステアリルアミンが11.0重量%配位したものであることを確認した。   When a part of the obtained coating liquid was diluted and observed by TEM, the average particle diameter of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles was 12.5 nm. Subsequently, when a part of the coating solution for solvent resistant transparent conductive film was dried to form a fine particle powder and X-ray diffraction was measured, (211) plane, (222) plane, (400) plane, (440) ) Plane and (622) plane were confirmed, and it was confirmed that it had a cubic bixbite structure. The tin / indium (molar ratio) of the fine particle powder was 10/90, and it was confirmed that stearylamine was coordinated by 11.0% by weight.

また、該塗工液の遊離ステアリルアミンは、ステアリルアミンの配位した結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の重量に対して28000ppmであり、光線透過率85%、ヘーズ1.9%であった。得られた塗工液の評価結果を表3に示す。   Further, the free stearylamine in the coating solution was 28000 ppm with respect to the weight of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles coordinated with stearylamine, the light transmittance was 85%, and the haze was 1.9%. Table 3 shows the evaluation results of the obtained coating solution.

得られた塗工液を、基材であるガラス板に塗工し、25℃で10時間乾燥して、塗工厚0.1μmの塗工膜を得た。   The obtained coating solution was applied to a glass plate as a substrate and dried at 25 ° C. for 10 hours to obtain a coating film having a coating thickness of 0.1 μm.

次いで、この塗工膜をクロロホルムに3時間浸漬し、その後塗膜を減圧中、60℃で1時間乾燥させたところ、クロロホルム中への再分散によるスズ含有酸化インジウム微粒子の重量減少は12.4重量%であり、導電膜として耐溶剤性が不十分なものであった。得られた塗工膜の評価結果を表4に示す。   Subsequently, this coated film was immersed in chloroform for 3 hours, and then the coated film was dried at 60 ° C. for 1 hour under reduced pressure. As a result, the weight reduction of the tin-containing indium oxide fine particles due to redispersion in chloroform was 12.4. The solvent was insufficient as a conductive film. Table 4 shows the evaluation results of the obtained coating film.

Figure 0005991067
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本願発明は、結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子を含む分散安定性に優れた分散液よりなる耐溶剤性透明導電膜用塗工液を提供するものであり、該耐溶剤性透明導電膜用塗工液を塗工することにより、容易に電気特性、光学特性、耐溶剤性に優れる透明導電膜を提供することが可能となる。   The present invention provides a coating solution for a solvent-resistant transparent conductive film comprising a dispersion having excellent dispersion stability containing crystalline tin-containing indium oxide fine particles, and the coating for the solvent-resistant transparent conductive film By applying the liquid, it is possible to easily provide a transparent conductive film having excellent electrical characteristics, optical characteristics, and solvent resistance.

Claims (9)

分散溶媒100重量部に対して、少なくとも下記(a)〜(d)に示す特性を有する結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子0.1〜100重量部を含む分散液であることを特徴とする耐溶剤性透明導電膜用塗工液。
(a)立方晶系ビックスバイト構造である、
(b)誘導結合プラズマ発光分光分析装置(ICP)により測定したスズ/インジウム(モル比)=5/95〜40/60の範囲内である、
(c)透過型電子顕微鏡により測定した平均粒子径が5〜20nmの範囲内である、
(d)炭素数6〜24のアミン配位子1〜10重量%を配位する。
Solvent resistance characterized by being a dispersion containing 0.1 to 100 parts by weight of crystalline tin-containing indium oxide fine particles having at least the following properties (a) to (d) with respect to 100 parts by weight of the dispersion solvent Coating liquid for transparent conductive film.
(A) a cubic bixbite structure;
(B) Tin / indium (molar ratio) measured by an inductively coupled plasma optical emission spectrometer (ICP) is in the range of 5/95 to 40/60.
(C) The average particle diameter measured by a transmission electron microscope is in the range of 5 to 20 nm.
(D) Coordinates 1 to 10% by weight of an amine ligand having 6 to 24 carbon atoms.
結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子が、インジウムカルボキシレート、スズカルボキシレート及び炭素数6〜24のアミン配位子を220℃以上に加熱し、得られる結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子であることを特徴とする請求項1に記載の耐溶剤性透明導電膜用塗工液を製造する製造方法The crystalline tin-containing indium oxide fine particles are crystalline tin-containing indium oxide fine particles obtained by heating indium carboxylate, tin carboxylate, and an amine ligand having 6 to 24 carbon atoms to 220 ° C. or higher. The manufacturing method which manufactures the coating liquid for solvent-resistant transparent conductive films of Claim 1 to do. JIS K 7361−1に準拠し測定した光線透過率が90%以上、JIS K 7136に準拠し測定したヘーズが2%以下であることを特徴とする請求項1に記載の耐溶剤性透明導電膜用塗工液を製造する製造方法The solvent-resistant transparent conductive film according to claim 1, wherein the light transmittance measured in accordance with JIS K 7361-1 is 90% or more and the haze measured in accordance with JIS K 7136 is 2% or less. Manufacturing method for manufacturing coating liquid. 分散液中の炭素数6〜24の遊離アミン配位子の含量が、該結晶性スズ含有酸化インジウム微粒子の重量に対し10000ppm以下であることを特徴とする請求項1に記載の耐溶剤性透明導電膜用塗工液を製造する製造方法Content of free amine ligand having 6 to 24 carbon atoms in the dispersion, solvent resistance transparent according to claim 1, characterized in that not more than 10000ppm by weight of the crystalline tin-containing indium oxide fine particles The manufacturing method which manufactures the coating liquid for electrically conductive films. 請求項1に記載の耐溶剤性透明導電膜用塗工液を基材上に塗工し、乾燥することを特徴とする耐溶剤性透明導電膜を製造する製造方法 The manufacturing method according to claim coated 1 solvent resistance transparent conductive film coating solution according to on the substrate, to produce a solvent resistant transparent conductive film, wherein the drying child. 耐溶剤性透明導電膜のシート抵抗値が10Ω/□以下であることを特徴とする請求項5に記載の耐溶剤性透明導電膜を製造する製造方法 The sheet resistance value of the solvent resistant transparent conductive film is 10 5 Ω / □ or less, The production method for producing the solvent resistant transparent conductive film according to claim 5. 耐溶剤性透明導電膜のJIS K 7361−1に準拠し測定した光線透過率が80%以上、JIS K 7136に準拠し測定したヘーズが5%以下であることを特徴とする請求項5または6に記載の耐溶剤性透明導電膜を製造する製造方法 The light transmittance of the solvent-resistant transparent conductive film measured according to JIS K 7361-1 is 80% or more, and the haze measured according to JIS K 7136 is 5% or less. The manufacturing method which manufactures the solvent-resistant transparent conductive film of description. 塗工・乾燥する際の温度が200℃以下であることを特徴とする請求項5〜7のいずれかに記載の耐溶剤性透明導電膜を製造する製造方法The method for producing a solvent-resistant transparent conductive film according to any one of claims 5 to 7, wherein the temperature during coating and drying is 200 ° C or lower. 請求項1に記載の耐溶剤性透明導電膜用塗工液を構成する分散溶剤に浸漬した際の重量減少が10重量%以下であることを特徴とする請求項5〜8のいずれかに記載の耐溶剤性透明導電膜を製造する製造方法The weight reduction | decrease when immersed in the dispersion solvent which comprises the coating liquid for solvent-resistant transparent conductive films of Claim 1 is 10 weight% or less, The any one of Claims 5-8 characterized by the above-mentioned. A method for producing a solvent-resistant transparent conductive film.
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