JP5984110B2 - 表面処理方法、及び、表面処理装置 - Google Patents
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本発明の実施の形態1ついて、図面を参照して詳細に説明する。実施の形態1は、本発明の一態様に係る表面処理装置を用いて試料の表面に炭素膜を生成する炭素膜生成装置及び炭素膜生成方法の例を示す。
次に、本発明の実施の形態2の構成について、図面を参照して詳細に説明する。
101 コイル
102 電流制御部
111、112 石英管
113 熱プラズマ発生空間
400 炭素膜生成装置
401、801 試料
402、802 試料ホルダ
403、803 反応容器
800 浸炭処理装置
Claims (7)
- 熱プラズマによって試料の表面処理を行うための表面処理方法であって、
コイルに第一の振幅を有する交流電流を流すことによって第一の磁界を前記熱プラズマに印加する第一印加ステップと、
前記コイルに前記第一の振幅とは異なる第二の振幅を有する交流電流を流すことによって第二の磁界を前記熱プラズマに印加する第二印加ステップと、
前記熱プラズマの発光スペクトルを計測する計測ステップとを含み、
前記熱プラズマ中に配置された前記試料の表面温度を所定範囲内に維持し、かつ、前記計測ステップで計測される前記熱プラズマの発光スペクトルに含まれる第一の波長成分の強さが、当該第一印加ステップと、当該第二印加ステップとでは、所定値以上異なるように、当該第一印加ステップと当該第二印加ステップとが繰り返される
表面処理方法。 - 前記表面処理方法において、
前記試料の表面温度を970℃〜1030℃に維持するように、前記第一印加ステップと前記第二印加ステップとが繰り返される
請求項1に記載の表面処理方法。 - 前記表面処理方法において、
前記第一の振幅をA1とし、前記第二の振幅をA2とするとき、0.35≦A2/A1<1となるように、前記第一印加ステップと前記第二印加ステップとが繰り返される
請求項1または請求項2に記載の表面処理方法。 - 前記表面処理方法において、
前記第一の波長成分は、熱プラズマ中のH原子の輝線に対応する波長成分である
請求項1〜3のいずれか1項に記載の表面処理方法。 - 前記試料としてシリコンを用い、Ar、H2及びCH4の混合ガス雰囲気中で、請求項1〜4のいずれか1項に記載の表面処理方法を施すことにより、前記試料の表面に炭素膜を生成する
炭素膜生成方法。 - 前記試料としてチタンを用い、Ar、H2及びCH4の混合ガス雰囲気中で、請求項1〜4のいずれか1項に記載の表面処理方法を施すことにより、前記試料の表面を浸炭処理する
浸炭処理方法。 - 熱プラズマによって試料の表面処理を行うための表面処理装置であって、
電流を流すことで前記熱プラズマに磁界を印加するコイルと、
前記コイルに前記電流として第一の振幅の交流電流を流すことにより生ずる第一の磁界と、前記コイルに前記電流として第二の振幅の交流電流を流すことにより生ずる第二の磁界とが交互に前記熱プラズマに印加されるように、前記コイルに流れる電流値を制御する電流制御部と、
前記熱プラズマの発光スペクトルを計測する分光器とを備え、
前記電流制御部は、前記熱プラズマ中に配置された試料の表面温度を所定範囲内に維持し、かつ、前記分光器により計測される前記熱プラズマの発光スペクトルに含まれる第一の波長成分の強さが、前記熱プラズマに前記第一の磁界を印加する期間と、前記熱プラズマに前記第二の磁界を印加する期間とでは、所定値以上異なるように、前記コイルに流れる電流値を制御する
表面処理装置。
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