JP5982180B2 - Cleaning device and cleaning method - Google Patents

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本発明は、外周に枠部が取り付けられている粘着テープが貼着されている基板を洗浄する洗浄装置及び洗浄方法に関する。   The present invention relates to a cleaning apparatus and a cleaning method for cleaning a substrate on which an adhesive tape having a frame portion attached to the outer periphery is attached.

携帯電話、デジタルAV機器及びICカード等の高機能化に伴い、搭載される半導体シリコンチップ(以下、チップ)を小型化及び薄板化することによって、パッケージ内にチップを高集積化する要求が高まっている。パッケージ内のチップの高集積化を実現するためには、チップの厚さを150μm以下にまで薄くする必要がある。   As mobile phones, digital AV devices, IC cards, etc. have become more sophisticated, the demand for higher integration of chips in packages has increased by reducing the size and thickness of semiconductor silicon chips (hereinafter referred to as chips). ing. In order to achieve high integration of the chips in the package, it is necessary to reduce the thickness of the chips to 150 μm or less.

しかしながら、チップのベースとなる半導体ウエハ(以下、ウエハ)は、研削することにより肉薄にするため、その強度は弱くなり、ウエハにクラック又は反りが生じ易くなる。また、薄化することによって強度が弱くなったウエハを自動搬送することは困難であるため、人手によって搬送しなければならず、その取り扱いが煩雑である。   However, since a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) serving as a base of a chip is thinned by grinding, its strength is weakened, and the wafer is likely to be cracked or warped. Further, since it is difficult to automatically transport a wafer whose strength has been weakened by thinning, it must be transported manually, and the handling is complicated.

そのため、研削するウエハに支持板(以下、サポートプレート)と呼ばれる、ガラス又は硬質プラスチック等からなるプレートを貼り合わせることによってウエハの強度を保持し、クラックの発生及びウエハの反りを防止するウエハサポートシステムが開発されている。このウエハサポートシステムによりウエハの強度を維持することができるため、薄化したウエハの搬送を自動化することができる。   Therefore, a wafer support system that maintains the strength of the wafer by bonding a plate made of glass, hard plastic, or the like, called a support plate (hereinafter referred to as a support plate) to the wafer to be ground, and prevents the occurrence of cracks and warpage of the wafer. Has been developed. Since the wafer strength can be maintained by this wafer support system, conveyance of the thinned wafer can be automated.

ウエハとサポートプレートとは、接着テープ、熱可塑性樹脂又は接着剤等を用いて貼り合わせられており、ウエハをダイシングする前にサポートプレートをウエハから剥離する。このとき、例えばウエハとサポートプレートとの貼り合わせに接着テープを用いる場合は、ウエハをサポートプレートから引き剥がすことによって剥離し、熱可塑性樹脂を用いる場合は、樹脂を加熱して溶解させることによって剥離し、接着剤を用いる場合は、溶解液を用いて溶解させることによって剥離する。   The wafer and the support plate are bonded together using an adhesive tape, a thermoplastic resin, an adhesive, or the like, and the support plate is peeled from the wafer before dicing the wafer. At this time, for example, when an adhesive tape is used for bonding the wafer and the support plate, the wafer is peeled off by peeling it from the support plate. When a thermoplastic resin is used, the wafer is peeled off by heating and dissolving. And when using an adhesive agent, it peels by making it melt | dissolve using a solution.

また、ウエハからサポートプレートを剥離する際に、ウエハの膜厚に応じて、ウエハのサポートプレートが接着されている面とは反対側の面をダイシングテープ等の粘着テープに貼り合わせることがある。ウエハはダイシングテープによって支持されることにより、膜厚が薄く強度が低い場合であってもクラック等の発生を抑えることができる。ダイシングテープの外周にはダイシングフレームと呼ばれる枠部が取り付けられる。   Further, when the support plate is peeled from the wafer, the surface of the wafer opposite to the surface to which the support plate is bonded may be bonded to an adhesive tape such as a dicing tape depending on the film thickness of the wafer. Since the wafer is supported by the dicing tape, the occurrence of cracks and the like can be suppressed even when the film thickness is thin and the strength is low. A frame portion called a dicing frame is attached to the outer periphery of the dicing tape.

また、ウエハを加工する技術の他の例として、特許文献1及び2には、ウエハからチップを形成するために、該ウエハにレーザー光線を照射して各チップに切り分けるレーザー加工について記載されている。このレーザー加工では、レーザーによってウエハを切断する際に発生するデブリの影響を防止するために、当該切断時にウエハの表面に保護膜を形成している。   As another example of a technique for processing a wafer, Patent Documents 1 and 2 describe laser processing for irradiating a laser beam on the wafer and cutting the wafer into chips in order to form chips from the wafer. In this laser processing, in order to prevent the influence of debris generated when the wafer is cut by the laser, a protective film is formed on the surface of the wafer during the cutting.

特開2004−188475号公報(2004年7月8日公開)JP 2004-188475 A (released July 8, 2004) 特開2004−322168号公報(2004年11月18日公開)JP 2004-322168 A (published November 18, 2004)

ところで、ウエハの表面にはその製造工程において汚れが付着することがあるため、この付着物を除去してウエハの表面を清浄にしなくてはならない。特に、ウエハに接着剤を介して接着させたサポートプレートを剥離すると、ウエハの表面に接着剤等が残存してしまう。また、接着剤を溶解させたときに接着剤中のフィラーなどに由来する溶解残渣物がウエハの表面に残存していることもある。そのため、ウエハをダイシングすることによって各チップに分割する前に、ダイシングテープに貼り合わせた状態でウエハの表面を洗浄する必要がある。   By the way, since dirt may adhere to the surface of the wafer during the manufacturing process, the adhering matter must be removed to clean the surface of the wafer. In particular, when a support plate bonded to a wafer via an adhesive is peeled off, the adhesive or the like remains on the surface of the wafer. Further, when the adhesive is dissolved, a dissolved residue derived from a filler or the like in the adhesive may remain on the surface of the wafer. For this reason, it is necessary to clean the surface of the wafer in a state of being bonded to a dicing tape before the wafer is divided into chips by dicing.

ウエハの洗浄方法としては、例えば図3に示すように処理を自動化して効率よく洗浄する方法がある。図3は、外周にダイシングフレームが取り付けられているダイシングテープに貼着されたウエハ表面を洗浄する従来の洗浄方法の一例を示す図である。   As a wafer cleaning method, for example, as shown in FIG. FIG. 3 is a diagram illustrating an example of a conventional cleaning method for cleaning a wafer surface attached to a dicing tape having a dicing frame attached to the outer periphery.

図3の(a)に示す方法では、ウエハ100に対してノズル108から勢いよく洗浄液106を吐出することによって、残存接着剤103及び溶解残渣物104等の付着物を一緒に流してウエハ100上から除去する。しかしながらこの方法では、ウエハ100の外縁部分よりも外側にはみ出したダイシングテープ101の露出面に付着物が流れ、溶解残渣物104が付着して汚染されてしまう。これでは、その後のダイシングプロセスにおいて、ダイシングテープ101に付着した付着物がダイシングブレードに巻き込まれ、再びウエハ100を汚してしまうことがある。   In the method shown in FIG. 3A, the cleaning liquid 106 is ejected vigorously from the nozzle 108 to the wafer 100, so that the deposits such as the remaining adhesive 103 and the dissolved residue 104 are flowed together to form the wafer 100 on the wafer 100. Remove from. However, in this method, the deposit flows on the exposed surface of the dicing tape 101 that protrudes outside the outer edge portion of the wafer 100, and the dissolved residue 104 adheres and is contaminated. In this case, in the subsequent dicing process, the adhering matter adhering to the dicing tape 101 may be caught in the dicing blade and contaminate the wafer 100 again.

また、図3の(b)に示す方法では、この汚染を防ぐためにダイシングテープ101上に水をかけながら洗浄液を吐出しているが、残存接着剤103がウエハ100の表面に大量に残っている状態で水を吐出すると、水と残存接着剤103とが反応して溶解残渣物104が析出してしまうことがある。   In the method shown in FIG. 3B, the cleaning liquid is discharged while water is applied onto the dicing tape 101 in order to prevent this contamination, but a large amount of the remaining adhesive 103 remains on the surface of the wafer 100. When water is discharged in the state, the water and the residual adhesive 103 may react to precipitate the dissolved residue 104.

なお、特許文献1及び2にはウエハの洗浄時におけるダイシングテープ及びダイシングフレームの汚染については何ら記載されていない。   Patent Documents 1 and 2 do not describe any contamination of the dicing tape and the dicing frame when cleaning the wafer.

さらに、図3の(a)に示す方法では、ダイシングテープ101の露出面よりもさらに外側にはみ出したダイシングフレーム102にまで洗い流した付着物が付着するので、その後の工程においてロボットアームによりダイシングフレーム102を把持したときに、ロボットアームが付着物により汚染されてしまう。   Further, in the method shown in FIG. 3A, the washed-out deposits adhere to the dicing frame 102 that protrudes further outward than the exposed surface of the dicing tape 101, and therefore the dicing frame 102 is used by the robot arm in the subsequent process. When the robot is gripped, the robot arm is contaminated by the deposits.

また、近年、平坦で剛性のある樹脂製のダイシングフレームが開発されている。樹脂製のダイシングフレームは、従来広く用いられているステンレススチール(SUS)製のダイシングフレームと比較して軽量であるため有用である。しかしながら、従来の金属製又は合金製のダイシングフレームでは、洗浄液に対する耐性を考慮する必要はなかったが、樹脂製のダイシングフレームを用いる場合には、洗浄液に対して溶解する可能性があり、洗浄液が付着することにより、ダイシングフレームが劣化する虞がある。   In recent years, a flat and rigid resin dicing frame has been developed. A resin-made dicing frame is useful because it is lighter than a stainless steel (SUS) dicing frame that has been widely used heretofore. However, in the conventional metal or alloy dicing frame, it was not necessary to consider the resistance to the cleaning liquid. However, when using a resin dicing frame, there is a possibility that the cleaning liquid may be dissolved. There is a possibility that the dicing frame deteriorates due to adhesion.

したがって、ダイシングフレームが取り付けられたダイシングテープが貼着されたウエハを、ダイシングテープ及びダイシングフレームの汚染を防ぎ、かつダイシングテープ及びダイシングフレームの劣化を防ぎながら効率よく洗浄することができる技術の開発が強く求められている。   Therefore, the development of a technology capable of efficiently cleaning a wafer with a dicing tape attached with a dicing frame attached thereto while preventing contamination of the dicing tape and the dicing frame and preventing deterioration of the dicing tape and the dicing frame. There is a strong demand.

本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、その目的は、外周に枠部が取り付けられている粘着テープが貼着されている基板を効率よく洗浄することができる洗浄装置及び洗浄方法を提供することにある。   The present invention has been made in order to solve the above-described problems, and the purpose thereof is a cleaning apparatus capable of efficiently cleaning a substrate on which an adhesive tape having a frame portion attached to the outer periphery is attached. And providing a cleaning method.

本発明に係る洗浄装置は、その片面に粘着テープが貼着され、上記粘着テープの外周に枠部が取り付けられている基板を、洗浄液により洗浄する洗浄手段を備える洗浄装置であって、上記基板の外縁部分よりも外側にはみ出した粘着テープの露出面と、上記枠部とに、これらを洗浄液から保護する保護膜を形成する保護膜形成手段をさらに備えていることを特徴としている。   The cleaning apparatus according to the present invention is a cleaning apparatus including cleaning means for cleaning, with a cleaning liquid, a substrate having an adhesive tape attached to one surface thereof and a frame portion attached to the outer periphery of the adhesive tape. Further, a protective film forming means for forming a protective film for protecting these from the cleaning liquid is further provided on the exposed surface of the pressure-sensitive adhesive tape that protrudes outward from the outer edge portion and the frame portion.

本発明に係る洗浄方法は、その片面に粘着テープが貼着され、上記粘着テープの外周に枠部が取り付けられている基板を洗浄する洗浄方法であって、上記基板の外縁部分よりも外側にはみ出した粘着テープの露出面と、上記枠部とに、これらを洗浄液から保護する保護膜を形成する保護膜形成工程と、上記保護膜を形成した後に、上記基板を洗浄液により洗浄する洗浄工程とを包含することを特徴としている。   The cleaning method according to the present invention is a cleaning method for cleaning a substrate in which an adhesive tape is attached to one side and a frame portion is attached to the outer periphery of the adhesive tape, and the outer side of the outer edge portion of the substrate is outside. A protective film forming step of forming a protective film for protecting the exposed adhesive tape and the frame portion from the cleaning liquid, and a cleaning step of cleaning the substrate with the cleaning liquid after forming the protective film; It is characterized by including.

本発明によれば、例えば、外周に枠部が取り付けられている粘着テープが貼着されている基板を効率よく洗浄することができる。   According to the present invention, for example, it is possible to efficiently clean a substrate on which an adhesive tape having a frame portion attached to the outer periphery is attached.

本発明の一実施形態に係る洗浄装置の構成を示す上面図である。It is a top view which shows the structure of the washing | cleaning apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る洗浄方法の処理の流れを示す図である。It is a figure which shows the flow of a process of the washing | cleaning method which concerns on one Embodiment of this invention. 外周にダイシングフレームが取り付けられているダイシングテープに貼着されたウエハ表面を洗浄する従来の洗浄方法の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the conventional cleaning method which wash | cleans the wafer surface stuck on the dicing tape with which the dicing frame is attached to the outer periphery.

〔洗浄装置〕
本発明に係る洗浄装置は、その片面に粘着テープが貼着され、上記粘着テープの外周に枠部が取り付けられている基板を、洗浄液により洗浄する洗浄手段を備える洗浄装置であって、上記基板の外縁部分よりも外側にはみ出した粘着テープの露出面と、上記枠部とに、これらを洗浄液から保護する保護膜を形成する保護膜形成手段をさらに備えていることを特徴としている。本発明の一実施形態に係る洗浄装置について、図1を参照して説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る洗浄装置80の構成を示す上面図である。
[Cleaning equipment]
The cleaning apparatus according to the present invention is a cleaning apparatus including cleaning means for cleaning, with a cleaning liquid, a substrate having an adhesive tape attached to one surface thereof and a frame portion attached to the outer periphery of the adhesive tape. Further, a protective film forming means for forming a protective film for protecting these from the cleaning liquid is further provided on the exposed surface of the pressure-sensitive adhesive tape that protrudes outward from the outer edge portion and the frame portion. A cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a top view showing a configuration of a cleaning apparatus 80 according to an embodiment of the present invention.

図1に示すように、洗浄装置80は、塗布(保護膜)ユニット50及び除去ユニット60を備えており、塗布ユニット50は保護膜形成手段4を備え、除去ユニット60は第1の洗浄手段5(洗浄手段)を備えている。除去ユニット60は、第2の洗浄手段6(除去手段)をさらに備えていてもよい。また、洗浄装置80は、被処理体収納部8、搬送手段40、及び剥離ユニット54(剥離手段)を備えていてもよい。なお、本発明の洗浄装置は、例示した洗浄装置80の構成に限定されない。   As shown in FIG. 1, the cleaning device 80 includes a coating (protective film) unit 50 and a removal unit 60, the coating unit 50 includes a protective film forming unit 4, and the removal unit 60 includes the first cleaning unit 5. (Cleaning means). The removal unit 60 may further include second cleaning means 6 (removal means). Further, the cleaning device 80 may include the object storage unit 8, the transport unit 40, and the peeling unit 54 (peeling unit). Note that the cleaning device of the present invention is not limited to the configuration of the illustrated cleaning device 80.

洗浄装置80は、サポートプレート(支持板)が剥離された後のウエハ(基板)を被処理体9として洗浄処理を施すようになっている。   The cleaning apparatus 80 is configured to perform a cleaning process using the wafer (substrate) from which the support plate (support plate) has been peeled off as the object 9 to be processed.

(被処理体)
本実施形態において、洗浄処理の対象となる被処理体は、その外周にダイシングフレーム(枠部)が取り付けられたダイシングテープ(粘着テープ)に貼着されたウエハ(基板)である。ウエハは回路(素子)が形成された基板であり、半導体など従来公知の材質の基板を用いることができる。
(Processed object)
In this embodiment, the target object to be cleaned is a wafer (substrate) attached to a dicing tape (adhesive tape) having a dicing frame (frame portion) attached to the outer periphery thereof. The wafer is a substrate on which a circuit (element) is formed, and a conventionally known substrate such as a semiconductor can be used.

ダイシングテープは、ウエハの強度を補強するためにウエハの片面に接着される。ダイシングテープとしては、例えばベースフィルムに粘着層が形成された構成のダイシングテープを用いることができる。ベースフィルムとしては、例えば、PVC(ポリ塩化ビニル)、ポリオレフィン又はポリプロピレン等の樹脂フィルムを用いることができる。ダイシングテープの外径はウエハの外径よりも大きく、これらを貼り合わせるとウエハの外縁部分にダイシングテープの一部が露出した状態になっている。   The dicing tape is bonded to one side of the wafer in order to reinforce the strength of the wafer. As the dicing tape, for example, a dicing tape having a configuration in which an adhesive layer is formed on a base film can be used. As the base film, for example, a resin film such as PVC (polyvinyl chloride), polyolefin, or polypropylene can be used. The outer diameter of the dicing tape is larger than the outer diameter of the wafer, and when these are bonded, a part of the dicing tape is exposed at the outer edge portion of the wafer.

ダイシングテープの露出面のさらに外周には、ダイシングテープの撓みを防止するためのダイシングフレームが取り付けられている。すなわち、ダイシングテープの外縁部分には、ダイシングフレームが露出した状態になっている。ダイシングフレームとしては、例えば、アルミニウム等の金属製のダイシングフレーム、ステンレススチール(SUS)等の合金製のダイシングフレーム、及び樹脂製のダイシングフレームが挙げられる。樹脂製のダイシングフレームとしては、例えば、信越ポリマー社製、ディスコ社製の樹脂製ダイシングフレーム等が挙げられる。   A dicing frame for preventing bending of the dicing tape is attached to the outer periphery of the exposed surface of the dicing tape. That is, the dicing frame is exposed at the outer edge portion of the dicing tape. Examples of the dicing frame include a dicing frame made of metal such as aluminum, a dicing frame made of alloy such as stainless steel (SUS), and a dicing frame made of resin. Examples of the resin dicing frame include resin dicing frames manufactured by Shin-Etsu Polymer and Disco.

ダイシングフレームとして、金属製又は合金製のダイシングフレームを用いれば、剛性があり、ひずみにくい上に安価であるが、樹脂製のダイシングフレームと比較すると重いため、搬送時に作業者又は搬送ロボットに負担が掛かる。近年、平坦で剛性のある樹脂製のダイシングフレームが開発されており、従来広く用いられている金属性又は合金製のダイシングフレームと比較して軽量であるという利点がある。樹脂製のダイシングフレームは、軽量であるため搬送が容易であり、さらに金属製のフレームカセットに出し入れするときに、摩擦による発塵が少ないという利点がある。   If a dicing frame made of metal or alloy is used as the dicing frame, it is rigid, less distorted, and less expensive, but it is heavier than a resin dicing frame. It takes. In recent years, a flat and rigid resin-made dicing frame has been developed, which has an advantage of being lighter than a metal or alloy dicing frame that has been widely used conventionally. The resin-made dicing frame is light in weight so that it can be easily transported, and further has an advantage that dust generation due to friction is small when it is taken in and out of a metal frame cassette.

洗浄装置80は、特に、ウエハ製造工程において一時的に保持されたサポートプレートを剥離した後のウエハを洗浄する用途に好適に用いることができる。   The cleaning apparatus 80 can be suitably used for cleaning a wafer after the support plate temporarily held in the wafer manufacturing process is peeled off.

つまり、ウエハの表面にはその製造工程において汚れが付着することがあるため、この付着物を除去してウエハの表面を清浄にしなくてはならない。特に、接着剤を介して接着させたサポートプレートを剥離すると、ウエハの表面に接着剤等が残存してしまう。また、接着剤を溶解させたときに接着剤中のフィラーなどに由来する溶解残渣物がウエハの表面に残存していることもある。そのため、ウエハをダイシングして各チップに分割する前に、ダイシングテープに貼り合わせた状態でウエハの表面を洗浄する必要がある。   In other words, dirt may adhere to the surface of the wafer during the manufacturing process. Therefore, the adhering matter must be removed to clean the surface of the wafer. In particular, when the support plate bonded through the adhesive is peeled off, the adhesive or the like remains on the surface of the wafer. Further, when the adhesive is dissolved, a dissolved residue derived from a filler or the like in the adhesive may remain on the surface of the wafer. Therefore, before the wafer is diced and divided into chips, it is necessary to clean the surface of the wafer while being bonded to the dicing tape.

ただし、ウエハに対して洗浄液を吐出することによって、残存接着剤及び溶解残渣物等の付着物を一緒に流してウエハ上から除去する従来の方法では、ウエハの外縁部分よりも外側にはみ出したダイシングテープの露出面に付着物が付着し、ダイシングテープを汚染させてしまう。また、ダイシングテープに洗浄液が直接接触する場合には、洗浄液の種類によってはダイシングテープを劣化させてしまう。さらに、ダイシングテープに付着した付着物がダイシングブレードに巻き込まれ、再びウエハを汚してしまう。   However, in the conventional method of removing deposits such as residual adhesive and dissolved residue together by discharging cleaning liquid onto the wafer and removing it from the wafer, dicing that protrudes outside the outer edge portion of the wafer. Deposits adhere to the exposed surface of the tape and contaminate the dicing tape. In addition, when the cleaning liquid is in direct contact with the dicing tape, the dicing tape is deteriorated depending on the type of the cleaning liquid. Furthermore, the adhering matter adhering to the dicing tape is caught in the dicing blade, and the wafer is contaminated again.

また、ダイシングテープの露出面よりもさらに外側にはみ出したダイシングフレームにまで洗い流した付着物が付着するので、その後の工程においてロボットアームによりダイシングフレームを掴んだときに、ロボットアームが付着物により汚染されてしまう。   In addition, since the adherent washed away to the dicing frame that protrudes further outward than the exposed surface of the dicing tape adheres, the robot arm is contaminated by the adherent when the dicing frame is gripped by the robot arm in the subsequent process. End up.

また、従来の金属製又は合金製のダイシングフレームでは、洗浄液に対する耐性を考慮する必要はなかったが、樹脂製のダイシングフレームを用いる場合には、洗浄液の種類によっては耐溶剤性がなく、洗浄液に対して溶解する可能性があり、洗浄液が付着することにより、ダイシングフレームが劣化する虞がある。   In addition, in the conventional metal or alloy dicing frame, it was not necessary to consider the resistance to the cleaning liquid, but when using a resin dicing frame, depending on the type of the cleaning liquid, there is no solvent resistance and the cleaning liquid On the other hand, there is a possibility that the dicing frame may be dissolved, and there is a possibility that the dicing frame deteriorates due to the attachment of the cleaning liquid.

洗浄装置80によれば、このような問題を防ぎ、被処理体を好適に洗浄処理することができる。   According to the cleaning apparatus 80, such a problem can be prevented and the object to be processed can be appropriately cleaned.

(搬送手段)
搬送手段40は、被処理体9が収容されている被処理体収納部8から、被処理体9を取り出して塗布ユニット50に搬送するようになっている。また、搬送手段40は、塗布ユニット50から剥離ユニット54又は除去ユニット60に、被処理体9を搬送するようになっている。
(Conveying means)
The conveying means 40 is configured to take out the object 9 from the object storage unit 8 in which the object 9 is accommodated and convey it to the coating unit 50. Further, the transport means 40 transports the workpiece 9 from the coating unit 50 to the peeling unit 54 or the removal unit 60.

搬送手段40は、搬送ロボット42と、直線走行を実現するための走行路46とを有している。搬送ロボット42は、軸を中心として回転可能であり、2つの連結アーム44aと、ハンド44bとを有している。   The transport means 40 includes a transport robot 42 and a travel path 46 for realizing linear travel. The transfer robot 42 is rotatable about an axis and has two connecting arms 44a and a hand 44b.

連結アーム44aは、関節における回転動作によって伸縮動作を実行するようになっている。ハンド44bは連結アーム44aの先端に設けられ、被処理体9又はウエハを把持するようになっている。搬送ロボット42は、連結アーム44aの伸縮動作と軸を中心とした回転動作とによって、水平面内における被処理体9又はウエハの移動を可能としている。   The connecting arm 44a performs an expansion / contraction operation by a rotation operation at the joint. The hand 44b is provided at the tip of the connecting arm 44a, and holds the object 9 or the wafer. The transfer robot 42 can move the workpiece 9 or the wafer in the horizontal plane by the expansion / contraction operation of the connecting arm 44a and the rotation operation about the axis.

(塗布ユニット)
塗布ユニット50は、被処理体9に保護膜を形成するようになっている。具体的には、保護膜形成手段4が、ウエハの外縁部分よりも外側にはみ出したダイシングテープの露出面とダイシングフレームとに、これらを洗浄液から保護する保護膜を形成する。保護膜形成手段4は、ダイシングテープの露出面及びダイシングフレームに対して、洗浄液に不溶な保護膜材料を塗布して保護膜を形成するようになっている。これにより、容易かつ確実に保護膜を形成することができる。
(Coating unit)
The coating unit 50 is configured to form a protective film on the object 9 to be processed. Specifically, the protective film forming means 4 forms a protective film for protecting these from the cleaning liquid on the exposed surface of the dicing tape and the dicing frame that protrudes outside the outer edge portion of the wafer. The protective film forming means 4 forms a protective film by applying a protective film material insoluble in the cleaning liquid to the exposed surface of the dicing tape and the dicing frame. Thereby, a protective film can be formed easily and reliably.

保護膜形成手段4は、例えば、ノズル等の吐出手段から液状の保護膜材料を吐出するような構成にすればよい。しかしながら、保護膜形成手段4の構成は、このように液状の保護膜材料を吐出するような構成に限定されるものではない。例えば、予め可撓性フィルム等のフィルム上に上述したいずれかの保護膜材料含む保護層を形成した後、乾燥させておき、このフィルムを、ダイシングテープの露出面及びダイシングフレームに貼り付けるような構成であってもよい。   The protective film forming unit 4 may be configured to discharge a liquid protective film material from a discharge unit such as a nozzle. However, the configuration of the protective film forming means 4 is not limited to the configuration in which the liquid protective film material is discharged as described above. For example, after forming a protective layer including any of the protective film materials described above on a film such as a flexible film in advance, the protective layer is dried, and this film is attached to the exposed surface of the dicing tape and the dicing frame. It may be a configuration.

保護膜形成手段4は、ダイシングテープの露出面及びダイシングフレームと、さらにダイシングフレームの外周部に、保護膜材料を塗布するようになっていてもよい。これにより、ダイシングフレームの外周部にまで保護膜が形成されるので、洗浄液がダイシングフレームの外周部にまで到達したとしても、ダイシングフレームを洗浄液から確実に保護することができる。   The protective film forming means 4 may be configured to apply a protective film material to the exposed surface of the dicing tape, the dicing frame, and the outer periphery of the dicing frame. As a result, the protective film is formed up to the outer peripheral portion of the dicing frame, so that even if the cleaning liquid reaches the outer peripheral portion of the dicing frame, the dicing frame can be reliably protected from the cleaning liquid.

また、塗布ユニット50は、例えば保護膜材料を塗布する前に、ダイシングテープの露出面に紫外線を照射するようになっていてもよい。これにより、ダイシングテープの濡れ性を向上させることができる。   Moreover, the application unit 50 may irradiate the exposed surface of the dicing tape with ultraviolet rays, for example, before applying the protective film material. Thereby, the wettability of a dicing tape can be improved.

なお、塗布ユニット50は、例えば、保護膜形成手段4が保護膜の材料を塗布するとき、被処理体9を回転させるような構成になっていてもよい。   The application unit 50 may be configured to rotate the object 9 when the protective film forming unit 4 applies the protective film material, for example.

(保護膜材料)
保護膜形成手段4が塗布する保護膜材料は、洗浄液に不溶な材料からなる構成であれば特に限定されないが、水溶性の材料からなることがより好ましい。このような保護膜材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ビニル系樹脂、セルロース系樹脂、及びアミド系樹脂の中から選ばれる少なくとも1種の水溶性樹脂を用いることができる。
(Protective film material)
The protective film material applied by the protective film forming means 4 is not particularly limited as long as it is made of a material that is insoluble in the cleaning liquid, but is more preferably made of a water-soluble material. As such a protective film material, for example, at least one water-soluble resin selected from acrylic resins, vinyl resins, cellulose resins, and amide resins can be used.

アクリル系樹脂としては、例えば、アクリル酸、アクリル酸メチル、メタクリル酸、メタクリル酸メチル、N,N−ジメチルアクリルアミド、N,N−ジメチルアミノプロピルメタクリルアミド、N,N−ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、N−メチルアクリルアミド、ジアセトンアクリルアミド、N,N−ジメチルアミノエチルメタクリレート、N,N−ジエチルアミノエチルメタクリレート、N,N−ジメチルアミノエチルアクリレート、アクリロイルモルホリン等のモノマーを構成成分とするポリマー又はコポリマーが挙げられる。   Examples of the acrylic resin include acrylic acid, methyl acrylate, methacrylic acid, methyl methacrylate, N, N-dimethylacrylamide, N, N-dimethylaminopropyl methacrylamide, N, N-dimethylaminopropylacrylamide, N- Examples thereof include polymers or copolymers containing monomers such as methyl acrylamide, diacetone acrylamide, N, N-dimethylaminoethyl methacrylate, N, N-diethylaminoethyl methacrylate, N, N-dimethylaminoethyl acrylate, and acryloylmorpholine.

ビニル系樹脂としては、例えば、N−ビニルピロリドン、ビニルイミダゾリジノン、酢酸ビニル等のモノマーを構成成分とするポリマー又はコポリマーが挙げられる。   Examples of the vinyl-based resin include polymers or copolymers having monomers such as N-vinyl pyrrolidone, vinyl imidazolidinone, and vinyl acetate as constituent components.

セルロース系樹脂としては、例えば、ヒドロキシプロピルメチルセルロースフタレート、ヒドロキシプロピルメチルセルロースアセテートフタレート、ヒドロキシプロピルメチルセルロースヘキサヒドロフタレート、ヒドロキシプロピルメチルセルロースアセテートサクシネート、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシエチルセルロール、セルロールアセテートヘキサヒドロフタレート、カルボキシメチルセルロース、エチルセルロース、メチルセルロース等が挙げられる。   Examples of the cellulose resin include hydroxypropylmethylcellulose phthalate, hydroxypropylmethylcellulose acetate phthalate, hydroxypropylmethylcellulose hexahydrophthalate, hydroxypropylmethylcellulose acetate succinate, hydroxypropylmethylcellulose, hydroxypropylcellulose, hydroxyethylcellulose, cellulose acetate hexa Hydrophthalate, carboxymethylcellulose, ethylcellulose, methylcellulose and the like can be mentioned.

さらに、アミド系樹脂の中で水溶性のものも用いることができる。その中でも、ビニル系樹脂が好ましく、特にポリビニルピロリドン又はポリビニルアルコールが好ましい。   Further, water-soluble amide resins can be used. Among them, vinyl resins are preferable, and polyvinyl pyrrolidone or polyvinyl alcohol is particularly preferable.

これらの水溶性樹脂は、単独で用いてもよいし、2種以上を混合して用いてもよい。上記樹脂の中でも、保護膜が形成されたダイシングテープの露出面の接着強度が、保護膜形成前の接着強度の値と比べて50%以下になる樹脂を用いればよく、30%以下になる樹脂を用いることがより好ましい。これにより、粘着性のあるダイシングテープに、残存接着剤、溶解残渣物等が付着するのを好適に防ぐことができる。   These water-soluble resins may be used alone or in combination of two or more. Among the above resins, a resin in which the adhesive strength of the exposed surface of the dicing tape on which the protective film is formed is 50% or less compared to the value of the adhesive strength before the protective film is formed, and the resin is 30% or less. It is more preferable to use Thereby, it can prevent suitably that a residual adhesive, a melt | dissolution residue, etc. adhere to an adhesive dicing tape.

(剥離ユニット)
剥離ユニット54は、ウエハにおいて、ダイシングテープが貼着されている面に背向する面に接着剤を介して貼着されたサポートプレートを、ウエハから剥離するようになっている。剥離ユニット54の構成は、ウエハとサポートプレートとの間に介在する接着層の構成に応じて適宜変更すればよく、例えば、接着剤を溶解するための溶剤を供給可能な構成であってもよいし、反応層を分解させるために光を照射可能な構成であってもよい。サポートプレートとして穴あきサポートプレートを用いた場合には、剥離ユニット54によって、サポートプレートの貫通孔を介して溶剤を接着層に供給して接着剤を溶解し、ウエハとサポートプレートとを剥離してもよい。
(Peeling unit)
The peeling unit 54 peels the support plate, which is attached to the surface of the wafer facing away from the surface on which the dicing tape is attached, with an adhesive. The configuration of the peeling unit 54 may be changed as appropriate according to the configuration of the adhesive layer interposed between the wafer and the support plate. For example, the configuration may be a configuration capable of supplying a solvent for dissolving the adhesive. In addition, a structure capable of irradiating light to decompose the reaction layer may be used. When a perforated support plate is used as the support plate, the peeling unit 54 supplies the solvent to the adhesive layer through the support plate through hole to dissolve the adhesive, and peels off the wafer and the support plate. Also good.

なお、剥離ユニット54による剥離処理は、塗布ユニット50によって保護膜が形成される前でも後でもよい。   The peeling process by the peeling unit 54 may be before or after the protective film is formed by the coating unit 50.

(除去ユニット)
除去ユニット60は、第1の洗浄手段5によりウエハの表面に付着している付着物を洗浄し、第2の洗浄手段6によりダイシングテープの露出面及びダイシングフレームに形成された保護膜を除去するようになっている。
(Removal unit)
The removal unit 60 cleans the deposits adhering to the wafer surface by the first cleaning means 5 and removes the exposed surface of the dicing tape and the protective film formed on the dicing frame by the second cleaning means 6. It is like that.

第1の洗浄手段5の構成は、洗浄液を用いてウエハを洗浄するようになっている限り、特に限定されるものではないが、例えば、ノズル等の吐出手段により洗浄液を吐出するようになっていてもよい。第1の洗浄手段5は、サポートプレートが剥離されたウエハ上に対して洗浄液を吐出し、ウエハ上に残存している付着物を洗浄して除去してもよい。   The configuration of the first cleaning means 5 is not particularly limited as long as the wafer is cleaned using the cleaning liquid. For example, the cleaning liquid is discharged by discharge means such as a nozzle. May be. The first cleaning means 5 may discharge the cleaning liquid onto the wafer from which the support plate has been peeled off, and clean and remove the deposits remaining on the wafer.

第2の洗浄手段6の構成は、保護膜を除去可能な限り、特に限定されるものではなく、保護膜の材料又は形態に応じて適宜変更可能である。例えば、ノズル等の吐出手段を用いて保護膜に洗浄液を吐出するような構成でもよいし、保護膜フィルムを剥離するような構成であってもよい。   The structure of the 2nd washing | cleaning means 6 is not specifically limited as long as a protective film can be removed, It can change suitably according to the material or form of a protective film. For example, the cleaning liquid may be discharged onto the protective film using a discharge unit such as a nozzle, or the protective film may be peeled off.

保護膜が洗浄液に不溶で且つ水溶性の保護膜材料により形成されている場合、第2の洗浄手段6は、保護膜に水を供給し、保護膜を除去するようになっていることが好ましい。これにより、容易かつ確実に保護膜を除去することができる。   In the case where the protective film is insoluble in the cleaning liquid and formed of a water-soluble protective film material, it is preferable that the second cleaning means 6 supplies water to the protective film and removes the protective film. . Thereby, a protective film can be removed easily and reliably.

また、除去ユニット60は、第2の洗浄手段6による洗浄(保護膜除去)処理の後に、例えば、ウエハの表面をさらにドライ処理等をするようになっていてもよい。これにより、第1の洗浄手段5による洗浄では完全に除去しきれなかった接着剤等の付着物があったとしても、さらなる除去処理によってウエハの表面をより清浄にすることができる。そのような処理としては、例えば、酸素プラズマを発生させて、ウエハの表面に残存している接着剤を除去するプラズマ処理が挙げられる。   In addition, after the cleaning (protection film removal) process by the second cleaning unit 6, the removal unit 60 may further perform, for example, a dry process on the surface of the wafer. As a result, even if there are deposits such as an adhesive that could not be completely removed by the cleaning by the first cleaning means 5, the surface of the wafer can be further cleaned by further removal processing. Examples of such treatment include plasma treatment in which oxygen plasma is generated to remove the adhesive remaining on the wafer surface.

除去ユニット60は、第1の洗浄手段5及び第2の洗浄手段6による処理がそれぞれ行なわれるとき、被処理体9を回転させるような構成になっていてもよい。   The removal unit 60 may be configured to rotate the object 9 when the processing by the first cleaning unit 5 and the second cleaning unit 6 is performed.

(洗浄液)
第1の洗浄手段5がウエハ上を洗浄するために用いる洗浄液は、ウエハとサポートプレートとを接着する接着剤の種類に応じて適宜選択されるものであり、非水溶媒を含む限り、特に限定されるものではないが、例えば、後述するp−メンタン等のテルペン系溶剤を用いた公知の洗浄液を用いることができる。
(Cleaning solution)
The cleaning liquid used for cleaning the wafer by the first cleaning means 5 is appropriately selected according to the type of adhesive for bonding the wafer and the support plate, and is particularly limited as long as it contains a non-aqueous solvent. For example, a known cleaning solution using a terpene solvent such as p-menthane described later can be used.

洗浄液の例として、具体的には、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、メチルオクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン等の直鎖状の炭化水素、炭素数3から15の分岐状の炭化水素;ゲラニオール、ネロール、リナロール、シトラール、シトロネロール、p−メンタン、o−メンタン、m−メンタン、ジフェニルメンタン、メントール、イソメントール、ネオメントール、リモネン、α−テルピネン、β−テルピネン、γ−テルピネン、α−テルピネオール、β−テルピネオール、γ−テルピネオール、テルピネン−1−オール、テルピネン−4−オール、1,4−テルピン、1,8−テルピン、カルボン、ヨノン、ツヨン、カンファー、ボルナン、ボルネオール、ノルボルナン、ピナン、α−ピネン、β−ピネン、ツジャン、α−ツジョン、β−ツジョン、カラン、ショウノウ、ロンギホレン、1,4−シネオール、1,8−シネオール等のモノテルペン類、アビエタン、アビエチン酸等のジテルペン類、等の環状の炭化水素(テルペン類)が挙げられる。   Specific examples of the cleaning liquid include hexane, heptane, octane, nonane, methyloctane, decane, undecane, dodecane, tridecane, and other linear hydrocarbons, branched hydrocarbons having 3 to 15 carbon atoms; geraniol , Nerol, linalool, citral, citronellol, p-menthane, o-menthane, m-menthane, diphenylmenthane, menthol, isomenthol, neomenthol, limonene, α-terpinene, β-terpinene, γ-terpinene, α-terpineol, β-terpineol, γ-terpineol, terpinen-1-ol, terpinen-4-ol, 1,4-terpine, 1,8-terpine, carvone, yonon, tuyon, camphor, bornane, borneol, norbornane, pinane, α- Pinene, β-pinene, tsujang, Cyclic hydrocarbons (terpenes) such as monoterpenes such as α-tujon, β-tujon, caran, camphor, longifolene, 1,4-cineole, 1,8-cineole, and diterpenes such as abiethane and abietic acid Is mentioned.

(接着剤)
洗浄装置80は、ウエハとサポートプレートとを接着するために用いられる接着剤であって、ウエハからサポートプレートを剥離した後にウエハ上に付着する接着剤の残存物及び溶解残渣物を洗浄処理する。このように、洗浄装置80の洗浄処理の対象となる接着剤としては、接着性を有する樹脂を含んでいるものであれば特に限定されないが、さらにフィラーを含んでいるものであってもよい。
(adhesive)
The cleaning device 80 is an adhesive used to bond the wafer and the support plate, and cleans the adhesive residue and dissolved residue adhering to the wafer after peeling the support plate from the wafer. As described above, the adhesive to be subjected to the cleaning process of the cleaning device 80 is not particularly limited as long as it includes a resin having adhesiveness, but may further include a filler.

洗浄処理の対象となる接着剤は、樹脂として、例えば、ゼラチン、セルロース、セルロースエステル(例えば、酢酸セルロース、ニトロセルロース)、ポリフェノール、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセタール、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリエステル、ポリオルトエステル、ポリアセタール、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、塩化ビニリデンとアクリロニトリルとの共重合体、ポリ(メタ)アクリレート、ポリ塩化ビニル、シリコーン樹脂又はポリウレタン単位を含むブロックコポリマーなどを、単独で又は2種以上混合して含んでいてもよい。   The adhesive to be cleaned is, for example, gelatin, cellulose, cellulose ester (for example, cellulose acetate, nitrocellulose), polyphenol, polyvinyl butyral, polyvinyl acetal, polycarbonate, polyurethane, polyester, polyorthoester, polyacetal. , Polyvinyl alcohol, polyvinylpyrrolidone, a copolymer of vinylidene chloride and acrylonitrile, poly (meth) acrylate, polyvinyl chloride, silicone resin or block copolymer containing a polyurethane unit, or a mixture of two or more thereof. May be.

また、接着剤は、フィラーとして、例えば、シリカ、アルミナ、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化鉄、酸化スズ、酸化アンチモン、フェライト類、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、塩基性炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸亜鉛、炭酸バリウム、ドーソナイト、ハイドロタルサイト、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、ケイ酸カルシウム、タルク、クレー、マイカ、モンモリロナイト、ベントナイト、セピオライト、イモゴライト、セリサリト、ガラス繊維、ガラスビーズ、シリカ系バルン、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、カーボンブラック、グラファイト、炭素繊維、炭素バルン、ホウ酸亜鉛、各種磁性粉等を含んでいてもよい。   The adhesive is used as a filler, for example, silica, alumina, zinc oxide, titanium oxide, calcium oxide, magnesium oxide, iron oxide, tin oxide, antimony oxide, ferrites, calcium hydroxide, magnesium hydroxide, aluminum hydroxide. , Basic magnesium carbonate, calcium carbonate, zinc carbonate, barium carbonate, dosonite, hydrotalcite, calcium sulfate, barium sulfate, calcium silicate, talc, clay, mica, montmorillonite, bentonite, sepiolite, imogolite, cerissato, glass fiber, Glass beads, silica-based balun, aluminum nitride, boron nitride, silicon nitride, carbon black, graphite, carbon fiber, carbon balun, zinc borate, various magnetic powders, and the like may be included.

また、接着剤は、公知の方法を用いて、樹脂とフィラーとを混合することによって調製されたものであってもよい。このとき、必要に応じて有機溶剤で希釈した溶液が用いられていてもよい。   The adhesive may be prepared by mixing a resin and a filler using a known method. At this time, a solution diluted with an organic solvent may be used as necessary.

有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、2−ヘプタノンなどのケトン類;エチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテート、ジプロピレングリコール又はジプロピレングリコールモノアセテートのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル又はモノフェニルエーテルなどの多価アルコール類及びその誘導体;ジオキサンなどの環式エーテル類;乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類;及びテルペン系溶剤等を挙げることができる。これらは単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。   Examples of the organic solvent include ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, methyl isoamyl ketone, and 2-heptanone; ethylene glycol, ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol, propylene glycol monoacetate, dipropylene glycol Or polyhydric alcohols such as monomethyl ether, monoethyl ether, monopropyl ether, monobutyl ether or monophenyl ether of dipropylene glycol monoacetate and derivatives thereof; cyclic ethers such as dioxane; methyl lactate, ethyl lactate, methyl acetate , Ethyl acetate, butyl acetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl methoxypropionate, Esters such as ethyl propionate; and terpene solvent, and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

テルペン系溶剤としては、例えば、α−ピネン、カンフェン、ピナン、ミルセン、ジヒドロミルセン、p−メンタン、3−カレン、p−メンタジエン、α−テルピネン、β−テルピネン、α−フェランドレン、オシメン、リモネン、p−サイメン、γ−テルピネン、テルピノーレン、1,4−シネオール、1,8−シネオール、ローズオキサイド、リナロールオキサイド、フェンコン、α−シクロシトラール、オシメノール、テトラヒドロリナロール、リナロール、テトラヒドロムゴール、イソプレゴール、ジヒドロリナロール、イソジヒドロラバンジュロール、β−シクロシトラール、シトロネラール、L−メントン、ギ酸リナリル、ジヒドロテルピネオール、β−テルピネオール、メントール、ミルセノール、L−メントール、ピノカルベオール、α−テルピネオール、γ−テルピネオール、ノポール、ミルテノール、ジヒドロカルベオール、シトロネロール、ミルテナール、ジヒドロカルボン、d−プレゴン、ゲラニルエチルエーテル、ギ酸ゲラニル、ギ酸ネリル、ギ酸テルピニル、酢酸イソジヒドロラバンジュリル、酢酸テルピニル、酢酸リナリル、酢酸ミルセニル、酢酸ボルニル、プロピオン酸メンチル、プロピオン酸リナリル、ネロール、カルベオール、ペリラアルコール、ゲラニオール、サフラナール、シトラール、ペリラアルデヒド、シトロネリルオキシアセトアルデヒド、ヒドロキシシトロネラール、ベルベノン、d−カルボン、L−カルボン、ピペリトン、ピペリテノン、ギ酸シトロネリル、酢酸イソボルニル、酢酸メンチル、酢酸シトロネリル、酢酸カルビル、酢酸ジメチルオクタニル、酢酸ネリル、酢酸イソプレゴール、酢酸ジヒドロカルビル、酢酸ノピル、酢酸ゲラニル、プロピオン酸ボルニル、プロピオン酸ネリル、プロピオン酸カルビル、プロピオン酸テルピニル、プロピオン酸シトロネリル、プロピオン酸イソボルニル、イソ酪酸リナリル、イソ酪酸ネリル、酪酸リナリル、酪酸ネリル、イソ酪酸テルピニル、酪酸テルピニル、イソ酪酸ゲラニル、酪酸シトロネリル、ヘキサン酸シトロネリル、イソ吉草酸メンチル、β−カリオフィレン、セドレン、ビサボレン、ヒドロキシシトロネロール、ファルネソール及びイソ酪酸ロジニルなどが挙げられる。これらのなかでも、溶解性の観点から、リモネン及びp−メンタンを用いることがより好ましく、p−メンタンを用いることが特に好ましい。   Examples of the terpene solvent include α-pinene, camphene, pinane, myrcene, dihydromyrcene, p-menthane, 3-carene, p-menthadiene, α-terpinene, β-terpinene, α-ferrandrene, osymene, limonene. , P-cymene, γ-terpinene, terpinolene, 1,4-cineole, 1,8-cineole, rose oxide, linalool oxide, Fencon, α-cyclocitral, osmenol, tetrahydrolinalol, linalool, tetrahydromegol, isopulegol, dihydro Linalool, isodihydrolabandulol, β-cyclocitral, citronellal, L-mentholone, linalyl formate, dihydroterpineol, β-terpineol, menthol, myrsenol, L-menthol, pinocarbeo , Α-terpineol, γ-terpineol, nopol, myrtenol, dihydrocarbeveol, citronellol, mirutenal, dihydrocarvone, d-pulegone, geranyl ethyl ether, geranyl formate, neryl formate, terpinyl formate, isodihydrolavanduril acetate, Terpinyl acetate, linalyl acetate, myrcenyl acetate, bornyl acetate, menthyl propionate, linalyl propionate, nerol, carveol, perilla alcohol, geraniol, safranal, citral, perilaaldehyde, citronellyloxyacetaldehyde, hydroxycitronellal, berbenone, d- Carvone, L-carvone, piperitone, piperitenone, citronellyl formate, isobornyl acetate, menthyl acetate, citronellyl acetate, carbyl acetate, acetic acid Dimethyloctanyl, neryl acetate, isopulegol acetate, dihydrocarbyl acetate, nopyr acetate, geranyl acetate, bornyl propionate, neryl propionate, carbyl propionate, terpinyl propionate, citronellyl propionate, isobornyl propionate, linalyl isobutyrate, isobutyric acid Examples include neryl, linalyl butyrate, neryl butyrate, terpinyl isobutyrate, terpinyl butyrate, geranyl isobutyrate, citronellyl butyrate, citronellyl hexanoate, menthyl isovalerate, β-caryophyllene, cedrene, bisabolen, hydroxycitronellol, farnesol, and rhinosyl isobutyrate. It is done. Among these, from the viewpoint of solubility, it is more preferable to use limonene and p-menthane, and it is particularly preferable to use p-menthane.

なお、ウエハとサポートプレートとの間に介在する接着層の構成は接着剤のみからなるものに限定されず、例えば、接着剤の上に反応層が設けられていてもよい。反応層は、例えばレーザー光等によって分解される光吸収剤を含んでいてもよい。この場合には、洗浄装置80は、反応層に光を照射して分解することによって、ウエハとサポートプレートとを剥離した後にウエハ上を洗浄し、接着剤等の付着物を取り除くようになっていればよい。   Note that the configuration of the adhesive layer interposed between the wafer and the support plate is not limited to that composed only of the adhesive, and, for example, a reaction layer may be provided on the adhesive. The reaction layer may contain a light absorber that is decomposed by, for example, laser light. In this case, the cleaning device 80 is configured to irradiate the reaction layer with light and decompose it to clean the wafer after peeling the wafer and the support plate to remove deposits such as an adhesive. Just do it.

反応層に含まれる光吸収剤としては、例えば、グラファイト粉、鉄、アルミニウム、銅、ニッケル、コバルト、マンガン、クロム、亜鉛、テルルなどの微粒子金属粉末、黒色酸化チタンなどの金属酸化物粉末、カーボンブラック、又は芳香族ジアミノ系金属錯体、脂肪族ジアミン系金属錯体、芳香族ジチオール系金属錯体、メルカプトフェノール系金属錯体、スクアリリウム系化合物、シアニン系色素、メチン系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素等の染料もしくは顔料が挙げられる。また、光吸収剤は、金属蒸着膜を含む膜状の形態などであってもよい。   Examples of the light absorber included in the reaction layer include graphite powder, iron, aluminum, copper, nickel, cobalt, manganese, chromium, zinc, tellurium and other fine metal powders, black titanium oxide and other metal oxide powders, carbon Black or aromatic diamino metal complex, aliphatic diamine metal complex, aromatic dithiol metal complex, mercaptophenol metal complex, squarylium compound, cyanine dye, methine dye, naphthoquinone dye, anthraquinone dye, etc. Dyes or pigments. The light absorber may be in the form of a film including a metal vapor deposition film.

洗浄装置80によれば、ウエハの外縁部分よりも外側にはみ出したダイシングテープの露出面とダイシングフレームとに、第1の洗浄手段5がウエハを洗浄するために用いる洗浄液からこれらを保護する保護膜を形成する保護膜形成手段4を備えているので、ダイシングテープ及びダイシングフレームに付着物が付着して汚染されるのを防ぐことができる。また、洗浄装置80によれば、ダイシングテープ及びダイシングフレームに付着物が付着するのを防ぐことができるので、これらに接触するダイシングブレード及びロボットアームの汚染を防ぐことができる上に、ウエハが再度汚染されるのも防ぐことができる。   According to the cleaning device 80, the protective film that protects the exposed surface of the dicing tape and the dicing frame that protrudes outside the outer edge portion of the wafer from the cleaning liquid that the first cleaning means 5 uses to clean the wafer. Since the protective film forming means 4 is provided, it is possible to prevent the adhering matter from adhering to the dicing tape and the dicing frame. In addition, according to the cleaning device 80, it is possible to prevent deposits from adhering to the dicing tape and the dicing frame, so that contamination of the dicing blade and the robot arm that come into contact with them can be prevented, and the wafer can be removed again. It can also prevent contamination.

さらに、洗浄装置80によれば、ダイシングテープ及びダイシングフレームが保護膜により保護されているので、これらが洗浄液により劣化するのを防ぐことができる。その結果、洗浄液に対して耐性のないダイシングテープ及びダイシングフレームであっても、好適に用いることができる。   Furthermore, according to the cleaning device 80, since the dicing tape and the dicing frame are protected by the protective film, they can be prevented from being deteriorated by the cleaning liquid. As a result, even a dicing tape and a dicing frame that are not resistant to the cleaning liquid can be suitably used.

〔洗浄方法〕
本発明に係る洗浄方法は、その片面に粘着テープが貼着され、上記粘着テープの外周に枠部が取り付けられている基板を洗浄する洗浄方法であって、上記基板の外縁部分よりも外側にはみ出した粘着テープの露出面と、上記枠部とに、これらを洗浄液から保護する保護膜を形成する保護膜形成工程と、上記保護膜を形成した後に、上記基板を洗浄液により洗浄する洗浄工程とを包含することを特徴としている。本発明の一実施形態に係る洗浄方法について、図2を参照して説明する。図2は、本発明の一実施形態に係る洗浄方法の処理の流れを示す図である。
[Cleaning method]
The cleaning method according to the present invention is a cleaning method for cleaning a substrate in which an adhesive tape is attached to one side and a frame portion is attached to the outer periphery of the adhesive tape, and the outer side of the outer edge portion of the substrate is outside. A protective film forming step of forming a protective film for protecting the exposed adhesive tape and the frame portion from the cleaning liquid, and a cleaning step of cleaning the substrate with the cleaning liquid after forming the protective film; It is characterized by including. A cleaning method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a diagram illustrating a processing flow of the cleaning method according to the embodiment of the present invention.

本実施形態において、洗浄方法は、サポートプレートが剥離された後の、ウエハ1を被処理体としており、ウエハ1には、ダイシングフレーム3がその外周に取り付けられたダイシングテープ2が貼着されている。なお、洗浄方法は、ウエハにおいて、ダイシングテープが貼着されている面に背向する面に接着剤を介してサポートプレートが貼着されており、後述する洗浄工程の前に、ウエハからサポートプレートを剥離する剥離工程をさらに備えていてもよい。すなわち、本実施形態では、保護膜形成工程の前にサポートプレートを剥離しているが、保護膜形成工程の後にサポートプレートを剥離してもよい。   In this embodiment, the cleaning method uses the wafer 1 after the support plate is peeled off as the object to be processed, and a dicing tape 2 having a dicing frame 3 attached to the outer periphery thereof is attached to the wafer 1. Yes. In the cleaning method, the support plate is attached to the surface of the wafer facing away from the surface on which the dicing tape is attached via an adhesive, and the support plate is removed from the wafer before the cleaning step described later. A peeling step for peeling the film may be further provided. That is, in this embodiment, the support plate is peeled off before the protective film forming step, but the support plate may be peeled off after the protective film forming step.

ウエハ1の表面には、図2の(a)に示すように、ウエハ1とサポートプレートとを接着していた接着剤の残存接着剤10及び溶解残渣物11等の付着物が付着している。なお、以下に示す処理では上述した洗浄装置80を用いる場合について説明する。   As shown in FIG. 2A, deposits such as a residual adhesive 10 and a dissolved residue 11 that adhere to the wafer 1 and the support plate are attached to the surface of the wafer 1. . In the following processing, the case where the above-described cleaning device 80 is used will be described.

図2の(b)に示すように、まず、ダイシングテープ2の露出面及びダイシングフレーム3に保護膜材料12を供給する。保護膜材料12の供給方法は特に限定されないが、例えば、図2の(b)に示すようにノズル状の保護膜形成手段4から保護膜材料12を吐出させればよい。   As shown in FIG. 2B, first, the protective film material 12 is supplied to the exposed surface of the dicing tape 2 and the dicing frame 3. The method for supplying the protective film material 12 is not particularly limited. For example, the protective film material 12 may be discharged from the nozzle-shaped protective film forming means 4 as shown in FIG.

保護膜材料12は、ダイシングテープ2の露出面及びダイシングフレームが少なくとも被覆されるように供給すればよく、ダイシングフレーム3の外周部にまで達するまで供給することが好ましい。また、保護膜材料12を供給する前に、例えば予めウエハ1の表面にマスキング処理を施しておいてもよい。これにより、洗浄対象となるウエハ1の表面に保護膜が形成されて十分な洗浄が行なえなくなることを防ぐことができる。   The protective film material 12 may be supplied so as to cover at least the exposed surface of the dicing tape 2 and the dicing frame, and is preferably supplied until the outer peripheral portion of the dicing frame 3 is reached. Further, before supplying the protective film material 12, for example, the surface of the wafer 1 may be masked in advance. As a result, it is possible to prevent a protective film from being formed on the surface of the wafer 1 to be cleaned and failing to perform sufficient cleaning.

また、保護膜材料12を供給しているとき、ウエハ1等の被処理体を回転させてもよい。これにより、吐出した保護膜材料12をダイシングテープ2及びダイシングフレーム3上に効率よく行き渡らせることができる。また、ダイシングテープ2及びダイシングフレーム3に対して材料12を供給する前に、ダイシングテープ2及びダイシングフレーム3に紫外線を照射してもよい。これにより、ダイシングテープ2及びダイシングフレーム3への保護膜材料12の濡れ性を向上させることができる。   Further, when the protective film material 12 is supplied, the object to be processed such as the wafer 1 may be rotated. Thereby, the discharged protective film material 12 can be efficiently spread on the dicing tape 2 and the dicing frame 3. Further, before the material 12 is supplied to the dicing tape 2 and the dicing frame 3, the dicing tape 2 and the dicing frame 3 may be irradiated with ultraviolet rays. Thereby, the wettability of the protective film material 12 to the dicing tape 2 and the dicing frame 3 can be improved.

その後、図2の(c)に示すように吐出した保護膜材料12を乾燥させて、保護膜13を形成する(保護膜形成工程)。乾燥は自然乾燥でよいが、例えば図2の(c)に矢印で示すように被処理体を回転させながら乾燥さてもよい。なお、乾燥方法はこれに限定されるものではなく、例えば、オーブン又はホットプレート等を用いて乾燥させてもよいし、温風をあてて乾燥させてもよい。   Thereafter, as shown in FIG. 2C, the discharged protective film material 12 is dried to form a protective film 13 (protective film forming step). The drying may be natural drying, but may be performed while rotating the object to be processed, for example, as indicated by an arrow in FIG. In addition, the drying method is not limited to this, For example, you may dry using oven, a hotplate, etc., and you may apply hot air and dry.

次に、洗浄液を用いてウエハ1を洗浄する(洗浄工程)。洗浄工程においては、サポートプレートが剥離されたウエハ1上に残存している付着物を洗浄して除去する。ウエハ1の洗浄方法としては、特に限定されないが、図2の(d)に示すようにノズル状の第1の洗浄手段5から洗浄液14をウエハ1上に吐出してもよい。このように、ウエハ1に対して洗浄液14を吐出することにより、残存接着剤10と共に溶解残渣物11を洗い流してウエハ1上から除去することができる(図2の(e))。   Next, the wafer 1 is cleaned using a cleaning liquid (cleaning step). In the cleaning process, the deposits remaining on the wafer 1 from which the support plate has been peeled are cleaned and removed. The cleaning method of the wafer 1 is not particularly limited, but the cleaning liquid 14 may be discharged onto the wafer 1 from the nozzle-shaped first cleaning means 5 as shown in FIG. In this way, by discharging the cleaning liquid 14 onto the wafer 1, the dissolved residue 11 together with the remaining adhesive 10 can be washed away and removed from the wafer 1 ((e) of FIG. 2).

また、洗浄液14を吐出するとき、ウエハ1等の被処理体を回転させてもよい。これにより、遠心力によって洗浄液14を広範囲に広げてより効率よく洗浄することができる。このとき、ノズルを揺動(スイング)させながら洗浄液を吐出してもよい。   Further, when the cleaning liquid 14 is discharged, the target object such as the wafer 1 may be rotated. Thereby, the cleaning liquid 14 can be spread over a wide range by centrifugal force and can be cleaned more efficiently. At this time, the cleaning liquid may be discharged while the nozzle is swung.

本実施形態に係る洗浄方法においては、保護膜形成工程においてダイシングテープ2及びダイシングフレーム3を保護する保護膜を形成した後に、洗浄工程においてウエハ1上を洗浄するので、ダイシングフレーム3が洗浄液に対して可溶な樹脂により形成されていてもよい。   In the cleaning method according to the present embodiment, after the protective film for protecting the dicing tape 2 and the dicing frame 3 is formed in the protective film forming process, the wafer 1 is cleaned in the cleaning process. It may be formed of a soluble resin.

ウエハ1の洗浄後、ダイシングテープ2及びダイシングフレーム3に形成されている保護膜13を除去する(図2の(f))。保護膜の除去方法としては特に限定されないが、例えば、保護膜13が水溶性の材料からなる場合には、ノズル状の第2の洗浄手段6から保護膜13に対して水15を吐出し、保護膜13を溶解させて除去すればよい。その後、被処理体を乾燥させる(図2の(g))。このとき、被処理体をさらに回転させてもよい。   After cleaning the wafer 1, the protective film 13 formed on the dicing tape 2 and the dicing frame 3 is removed ((f) in FIG. 2). Although it does not specifically limit as a removal method of a protective film, For example, when the protective film 13 consists of a water-soluble material, the water 15 is discharged with respect to the protective film 13 from the nozzle-shaped 2nd washing | cleaning means 6, The protective film 13 may be dissolved and removed. Thereafter, the object to be processed is dried ((g) in FIG. 2). At this time, the object to be processed may be further rotated.

このように、本実施形態の洗浄方法によれば、ウエハの洗浄時にダイシングテープの露出面及びダイシングフレームが保護されているため、溶解残渣物等の付着を防ぐことができる。よって、その後のダイシングプロセス、搬送プロセス等において、ダイシングブレードやロボットアームが付着物により汚染されることがなく、これらの汚染によりウエハが再度付着物によって汚れることを防ぐことができる。また、洗浄液が直接ダイシングテープに接触しないため、ダイシングテープの劣化を防ぎ、例えばダイシングテープが膨潤するといった問題が起こり難い。さらにダイシングフレームにも洗浄液が直接接触しないので、洗浄液に対して耐性のないダイシングフレームを用いることも可能であり、例えば、軽量化のために、洗浄液に対して可溶な樹脂製のダイシングフレームを用いることもできる。   As described above, according to the cleaning method of the present embodiment, the exposed surface of the dicing tape and the dicing frame are protected at the time of cleaning the wafer, and thus adhesion of dissolved residues and the like can be prevented. Therefore, in the subsequent dicing process, transfer process, etc., the dicing blade and the robot arm are not contaminated by the deposit, and the contamination of the wafer by the deposit can be prevented due to the contamination. Further, since the cleaning liquid does not directly contact the dicing tape, the dicing tape is prevented from being deteriorated, and for example, the problem that the dicing tape swells hardly occurs. Further, since the cleaning liquid does not directly contact the dicing frame, it is possible to use a dicing frame that is not resistant to the cleaning liquid. For example, a resin dicing frame that is soluble in the cleaning liquid is used for weight reduction. It can also be used.

なお、上述した方法により洗浄した後のウエハ1のエッジ部分に接着剤等が残存していることがあるが、これは後のプロセスにおいて妨げにならない程度の量である。しかし、必要に応じてウエハ1のエッジ部に残存し得る残存接着剤を洗浄する工程を設けてもよい。当該工程としては、具体的には、例えば、被処理体の乾燥前、ダイシングテープ2の露出面に水をかけながらウエハ1のエッジ部に洗浄液をかけて洗浄してもよいし、ブレード又はブラシにて除去してもよい。   Note that an adhesive or the like may remain on the edge portion of the wafer 1 after being cleaned by the above-described method, but this is an amount that does not hinder the subsequent process. However, if necessary, a step of cleaning the residual adhesive that may remain on the edge portion of the wafer 1 may be provided. Specifically, for example, before drying the object to be processed, the edge portion of the wafer 1 may be washed with water on the exposed surface of the dicing tape 2 and washed with a blade or brush. May be removed.

本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made within the scope shown in the claims. That is, embodiments obtained by combining technical means appropriately modified within the scope of the claims are also included in the technical scope of the present invention.

本発明は、例えば、半導体ウエハの製造工程において好適に利用することができる。   The present invention can be suitably used, for example, in a semiconductor wafer manufacturing process.

1 ウエハ
2 ダイシングテープ
3 ダイシングフレーム
4 保護膜形成手段
5 第1の洗浄手段(洗浄手段)
6 第2の洗浄手段(除去手段)
8 被処理体収納部
40 搬送手段
50 塗布ユニット
54 剥離ユニット(剥離手段)
60 除去ユニット
80 洗浄装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wafer 2 Dicing tape 3 Dicing frame 4 Protective film formation means 5 1st washing means (cleaning means)
6 Second cleaning means (removal means)
8 To-be-processed object accommodating part 40 Conveyance means 50 Application | coating unit 54 Peeling unit (peeling means)
60 Removal unit 80 Cleaning device

Claims (8)

その片面に粘着テープが貼着され、上記粘着テープの外周に枠部が取り付けられている基板を、洗浄液により洗浄する洗浄手段を備える洗浄装置であって、
上記基板の外縁部分よりも外側にはみ出した粘着テープの露出面と、上記枠部とに、これらを洗浄液から保護する保護膜を形成し、上記基板上には保護膜を形成しない保護膜形成手段をさらに備えており、
上記保護膜形成手段は、上記洗浄液に不溶な保護膜材料を上記粘着テープの露出面及び上記枠部に塗布して乾燥させて、保護膜を形成するようになっている
ことを特徴とする洗浄装置。
A cleaning device comprising a cleaning means for cleaning a substrate having a pressure-sensitive adhesive tape attached to one side and a frame portion attached to the outer periphery of the adhesive tape with a cleaning liquid,
Protective film forming means for forming a protective film on the exposed surface of the adhesive tape that protrudes outward from the outer edge portion of the substrate and the frame portion, and protecting the same from a cleaning liquid, and not forming a protective film on the substrate further comprising a,
The protective film forming means forms a protective film by applying a protective film material insoluble in the cleaning liquid to the exposed surface of the adhesive tape and the frame and drying it. Characteristic cleaning device.
上記保護膜形成手段は、上記保護膜材料を上記枠部の外周部にさらに塗布するようになっていることを特徴とする請求項1に記載の洗浄装置。   2. The cleaning apparatus according to claim 1, wherein the protective film forming means further applies the protective film material to an outer peripheral portion of the frame portion. 上記基板は、上記粘着テープが貼着されている面に背向する面に接着剤を介して支持板が貼着されており、
上記基板から上記支持板を剥離する剥離手段をさらに備え、
上記洗浄手段は、上記支持板が剥離された上記基板上に残存している付着物を洗浄して除去するようになっていることを特徴とする請求項1又は2に記載の洗浄装置。
As for the said board | substrate, the support plate is affixed through the adhesive agent on the surface which turns to the surface where the said adhesive tape is affixed,
It further comprises a peeling means for peeling the support plate from the substrate,
The cleaning apparatus according to claim 1, wherein the cleaning unit is configured to clean and remove deposits remaining on the substrate from which the support plate has been peeled off.
上記保護膜を除去する除去手段をさらに備えていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の洗浄装置。   The cleaning apparatus according to claim 1, further comprising a removing unit that removes the protective film. 上記保護膜は、上記洗浄液に不溶で且つ水溶性の保護膜材料により形成されており、
上記除去手段は、上記保護膜に水を供給し、上記保護膜を除去することを特徴とする請求項4に記載の洗浄装置。
The protective film is formed of a water-soluble protective film material that is insoluble in the cleaning liquid,
The cleaning apparatus according to claim 4, wherein the removing unit supplies water to the protective film to remove the protective film.
その片面に粘着テープが貼着され、上記粘着テープの外周に枠部が取り付けられている基板を洗浄する洗浄方法であって、
上記基板の外縁部分よりも外側にはみ出した粘着テープの露出面と、上記枠部とに、これらを洗浄液から保護する保護膜を形成し、上記基板上には保護膜を形成しない保護膜形成工程と、
上記保護膜を形成した後に、上記基板を洗浄液により洗浄する洗浄工程と、
を包含し、
上記保護膜形成工程では、上記洗浄液に不溶な保護膜材料を上記粘着テープの露出面及び上記枠部に塗布して乾燥させて、保護膜を形成する
ことを特徴とする洗浄方法。
A cleaning method for cleaning a substrate having an adhesive tape attached to one side and a frame portion attached to the outer periphery of the adhesive tape,
A protective film forming step of forming a protective film for protecting these from the cleaning liquid on the exposed surface of the adhesive tape that protrudes outside the outer edge portion of the substrate and the frame portion, and not forming a protective film on the substrate When,
A cleaning step of cleaning the substrate with a cleaning liquid after forming the protective film;
It encompasses,
In the protective film forming step, a protective film material insoluble in the cleaning liquid is applied to the exposed surface of the adhesive tape and the frame portion and dried to form a protective film. .
上記洗浄液に対して可溶な樹脂により形成されている枠部が取り付けられている基板を洗浄することを特徴とする請求項6に記載の洗浄方法。   The cleaning method according to claim 6, wherein a substrate to which a frame portion formed of a resin soluble in the cleaning liquid is attached is cleaned. 上記基板は、上記粘着テープが貼着されている面に背向する面に接着剤を介して支持板が貼着されており、
上記洗浄工程の前に、上記基板から上記支持板を剥離する剥離工程をさらに備え、
上記洗浄工程において、上記支持板が剥離された上記基板上に残存している付着物を洗浄して除去することを特徴とする請求項6または7に記載の洗浄方法。
As for the said board | substrate, the support plate is affixed through the adhesive agent on the surface which turns to the surface where the said adhesive tape is affixed,
Before the cleaning step, further comprising a peeling step of peeling the support plate from the substrate,
The cleaning method according to claim 6 or 7, wherein, in the cleaning step, deposits remaining on the substrate from which the support plate has been peeled are cleaned and removed.
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