JP5971556B2 - Electrostatic chuck and electrostatic chuck module - Google Patents

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Description

本発明は、半導体ウェハ等の基板処理を高温で行う際に使用される静電チャックと当該静電チャックを備えた静電チャックモジュールに関する。   The present invention relates to an electrostatic chuck used when processing a substrate such as a semiconductor wafer at a high temperature and an electrostatic chuck module including the electrostatic chuck.

イオン注入やCVD、スパッタリング等の半導体製造工程では、処理対象となる半導体ウェハの温度を高温に保ちながら、当該ウェハへの処理が行われている。   In semiconductor manufacturing processes such as ion implantation, CVD, and sputtering, the wafer is processed while the temperature of the semiconductor wafer to be processed is kept high.

このような工程では、処理中のウェハの姿勢を固定して、ウェハ温度を高温にする為の加熱機能を備えた静電チャックが用いられている。   In such a process, an electrostatic chuck having a heating function for fixing the posture of the wafer being processed and increasing the wafer temperature is used.

例えば、加熱機能を備えた静電チャックの例としては、特許文献1に挙げられる構成のものが使用されている。   For example, as an example of an electrostatic chuck having a heating function, a configuration described in Patent Document 1 is used.

特許文献1に記載されている静電チャックは、支持基材の一方の面に導電性発熱層が形成されているとともに、他方の面に静電吸着用電極が形成されていて、さらに、これらの発熱層、静電吸着用電極および支持基材の周りを覆うように絶縁層が形成された構成の静電チャックである。   The electrostatic chuck described in Patent Document 1 has a conductive heat generating layer formed on one surface of a support base material and an electrostatic adsorption electrode formed on the other surface. An electrostatic chuck having a configuration in which an insulating layer is formed so as to cover the heat generating layer, the electrostatic adsorption electrode, and the support base.

特許第4811608号公報Japanese Patent No. 4811608

この種の静電チャックには、静電チャックの温度コントロールを行う為に、基材に対して熱電対の先端が押し圧された状態で当接されている。静電チャックを用いたウェハ吸着時に静電吸着用電極に印加された電圧によって、基材表面に電荷が蓄積するが、この蓄積電荷は基材に当接している熱電対を通じて大地側に流れ出るように構成されている。   In order to control the temperature of the electrostatic chuck, this type of electrostatic chuck is brought into contact with the base member in a state where the tip of the thermocouple is pressed. Electric charges accumulate on the substrate surface due to the voltage applied to the electrostatic adsorption electrode during wafer adsorption using an electrostatic chuck, but this accumulated charge flows out to the ground side through a thermocouple in contact with the substrate. It is configured.

しかしながら、基材と熱電対との接触は基材に対して熱電対の先端部が押し圧されることによりなされている為に、接触が不安定になり易い。この場合、基材に蓄積された電荷が熱電対を通じて大地側に流れ出にくくなる。静電チャックによるウェハの吸着が正常に行われているかを確認する際、双極性の静電チャックの場合には各電極間の静電容量を測定して、この値に基づいてウェハの支持状態を検出することが行われている。一方で、単極性の静電チャックの場合にはウェハを吸着している電極とウェハとの間の静電容量を測定して、ウェハの支持状態の検出を行っている。   However, since the contact between the base material and the thermocouple is made by pressing the tip of the thermocouple against the base material, the contact tends to become unstable. In this case, it is difficult for the electric charge accumulated in the base material to flow out to the ground side through the thermocouple. When checking whether the wafer is normally attracted by the electrostatic chuck, in the case of a bipolar electrostatic chuck, the capacitance between the electrodes is measured, and the wafer support state is determined based on this value. It has been done to detect. On the other hand, in the case of a unipolar electrostatic chuck, the electrostatic capacity between the electrode adsorbing the wafer and the wafer is measured to detect the support state of the wafer.

このような検出を行う際、基材に蓄積された電荷が大地側に流れずに、基材に残留電荷として留まっていると、この電荷の影響を受けて正確に静電容量の値を測定できなくなるといった不具合があった。また、残留電荷の影響を受けて、基材がチャージアップして、静電チャックの吸着力が不安定になるといった不具合もあった。   When performing such detection, if the charge accumulated on the base material does not flow to the ground side and remains as a residual charge on the base material, the capacitance value is accurately measured under the influence of this charge. There was a problem that it could not be done. In addition, the base material is charged up under the influence of the residual charge, and there is also a problem that the chucking force of the electrostatic chuck becomes unstable.

そこで、本発明では、基材に蓄積された残留電荷を確実に除去することのできる構成を備えた静電チャックと当該静電チャックを備えた静電チャックモジュールを提供することを主たる目的とする。   Accordingly, the main object of the present invention is to provide an electrostatic chuck having a configuration capable of reliably removing residual charges accumulated on a substrate and an electrostatic chuck module having the electrostatic chuck. .

本発明の静電チャックは、導電性の基材の一面側に発熱部材が配置され、前記基材の他面側に静電吸着用の電極が配置された静電チャックであって、前記基材の表面の一箇所または複数の箇所を除いて、前記発熱部材、前記電極および前記基材を覆う絶縁層と、前記絶縁層で覆われていない前記基材の表面に少なくとも一部が固定されているとともに、他の部分が電気的に接地されている導電性部材と、を備えている。   The electrostatic chuck of the present invention is an electrostatic chuck in which a heat generating member is disposed on one surface side of a conductive substrate, and an electrode for electrostatic adsorption is disposed on the other surface side of the substrate. Except for one place or a plurality of places on the surface of the material, at least a part is fixed to the insulating layer covering the heat generating member, the electrode and the base material, and the surface of the base material not covered with the insulating layer. And a conductive member whose other part is electrically grounded.

このような構成を用いることで、基材の電気的な接地を確実に行うことができる。   By using such a configuration, the grounding of the substrate can be reliably performed.

本発明の静電チャックモジュールは、先述の静電チャックを備えた静電チャックモジュールであって、電気的に接地され、前記絶縁層の下面を支持する支持台と、前記静電チャックを前記電極が配置された側の面から視た時に、少なくとも前記絶縁層で覆われていない前記基材の表面と前記基材の前記発熱部材側の面を覆う前記絶縁層とを貫通する貫通孔と、前記貫通孔に挿入されて、一端が前記基材の表面に固定されていて、他端が前記支持台に電気的に接続された導電性部材と、を備えている。   The electrostatic chuck module of the present invention is an electrostatic chuck module including the above-described electrostatic chuck, and is electrically grounded, and a support base that supports the lower surface of the insulating layer; and the electrostatic chuck is connected to the electrode. A through-hole penetrating through the surface of the base material not covered with the insulating layer and the insulating layer covering the surface of the base material on the heating member side, A conductive member inserted into the through-hole, having one end fixed to the surface of the substrate and the other end electrically connected to the support base.

このような構成であれば、導電性部材を利用して、静電チャックを支持台に取り付けることと基材を電気的に接地することの両方を行うことができる。   With such a configuration, it is possible to both attach the electrostatic chuck to the support base and electrically ground the substrate using the conductive member.

また、前記導電性部材は、一端に前記貫通孔よりも大きい頭部を備えたボルトであって、前記頭部が前記基材と電気的に接続されている構成を採用してもよい。   Moreover, the said electroconductive member is a volt | bolt provided with the head larger than the said through-hole in one end, Comprising: You may employ | adopt the structure by which the said head is electrically connected with the said base material.

このような構成であれば、静電チャックの支持台への取り付けと基材の電気的な接地をより確実に行うことができる。   With such a configuration, attachment of the electrostatic chuck to the support base and electrical grounding of the base material can be performed more reliably.

さらに、前記頭部と前記基材の間には、ワッシャが配置されていてもよい。   Furthermore, a washer may be disposed between the head and the base material.

このような構成であれば、ボルトの締め付けに伴う基材の損傷を防止することができる。   With such a configuration, it is possible to prevent damage to the base material accompanying tightening of the bolt.

その上、前記ワッシャはカーボン製であればよい。   In addition, the washer may be made of carbon.

カーボン製のワッシャは、比較的柔らかい性質を持つ。その為、このようなワッシャを用いることで、基材とボルトが熱変形しても、この変形をワッシャ部分で吸収させて、両部材間の電気的な接続を維持させることができる。また、カーボン製のワッシャは他の部材に比べて安価であることからコスト面でもメリットがある。   Carbon washers are relatively soft. Therefore, by using such a washer, even if the base material and the bolt are thermally deformed, the deformation can be absorbed by the washer portion, and the electrical connection between both members can be maintained. In addition, since the carbon washer is less expensive than other members, there is an advantage in terms of cost.

基材の電気的な接地を確実に行うことができ、ひいては静電容量の計測を正確に行うことができる。また、基材を接地電位に固定する事により基材のチャージアップに起因する静電チャックの吸着力の不安定性を解消することができる。   The grounding of the base material can be performed reliably, and the capacitance can be measured accurately. Further, by fixing the substrate to the ground potential, the instability of the electrostatic chuck attracting force due to the charge-up of the substrate can be eliminated.

本発明に係る静電チャックの断面図である。(A)基材側面に導電性部材が固定されている様子を表す。(B)基材下面に導電性部材が固定されている様子を表す。(C)基材上面に導電性部材が固定されている様子を表す。It is sectional drawing of the electrostatic chuck which concerns on this invention. (A) A state where the conductive member is fixed to the side surface of the substrate is shown. (B) A state in which the conductive member is fixed to the lower surface of the base material is shown. (C) A state in which the conductive member is fixed to the upper surface of the base material is shown. 本発明に係る静電チャックモジュールの断面図である。It is sectional drawing of the electrostatic chuck module which concerns on this invention. 図2の構成から導電性のボルトを取り除いた時の様子を表す断面図である。It is sectional drawing showing a mode when a conductive volt | bolt is removed from the structure of FIG. 本発明に係る静電チャックモジュールの他の例を表す断面図である。It is sectional drawing showing the other example of the electrostatic chuck module which concerns on this invention.

以下、本発明に係る静電チャックと静電チャックモジュールの構成について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明では、ウェハが載置される側の各部の面を上面と呼び、それと反対側の面を下面と呼んでいる。   Hereinafter, configurations of an electrostatic chuck and an electrostatic chuck module according to the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, the surface of each part on the side on which the wafer is placed is called the upper surface, and the surface on the opposite side is called the lower surface.

図1(A)〜(C)には上面に処理対象物であるウェハ3が載置された本発明の静電チャックCの断面図が描かれている。   1A to 1C are sectional views of an electrostatic chuck C of the present invention on which a wafer 3 as a processing object is placed on the upper surface.

静電チャックCには、基材1(例えば、グラファイト含有物質からなる導電性の部材)とウェハ3(例えば、半導体ウェハで、シリコンカーバイド)が載置される面側にウェハ3の下面を静電気により吸着する為の電極2が設けられていて、この電極2には電気回線を通じて電圧が印加されるように図示されない電源が接続されている。   In the electrostatic chuck C, the lower surface of the wafer 3 is electrostatically mounted on the surface side on which the substrate 1 (for example, a conductive member made of a graphite-containing substance) and the wafer 3 (for example, a semiconductor wafer, silicon carbide) are placed. An electrode 2 for adsorption is provided, and a power source (not shown) is connected to the electrode 2 so that a voltage is applied through an electric line.

一方、電極2が配置された面と反対側の基材1の面側にはウェハ2を加熱する為の発熱部材4が配置されている。この発熱部材4は、静電チャックCの外部からの給電を受けて発熱する部材で、静電チャックCの上面に載置されたウェハ3の温度コントロールに使用されている。温度コントロールについては、図示されない熱電対での測定結果、または、ウェハ3の上方に設けられた放射温度計による測定結果に応じて、ウェハ3の温度が所望の温度になるように発熱部材4の出力をコントロールすることで行われている。   On the other hand, a heat generating member 4 for heating the wafer 2 is disposed on the surface side of the substrate 1 opposite to the surface on which the electrode 2 is disposed. The heat generating member 4 is a member that generates heat upon receiving power from the outside of the electrostatic chuck C, and is used for temperature control of the wafer 3 placed on the upper surface of the electrostatic chuck C. Regarding the temperature control, the heating member 4 is adjusted so that the temperature of the wafer 3 becomes a desired temperature according to a measurement result with a thermocouple (not shown) or a measurement result with a radiation thermometer provided above the wafer 3. This is done by controlling the output.

本発明の静電チャックCでは基材1の一箇所または複数の箇所を除いて、基材1、電極2および発熱部材4の周りを覆うように絶縁層5(例えば、窒化ホウ素含有物質からなる層)が設けられている。図1(A)〜(C)の例では、図示される露出部6で、基材1の一部が絶縁層5に覆われていない。なお、この図1および後述する図2〜4では基材1の表面の一箇所を除いて、絶縁層4が各部の周囲を覆っている構成が描かれているが、絶縁層4に覆われていない箇所が複数個所設けられる構成であってもよい。   In the electrostatic chuck C of the present invention, the insulating layer 5 (for example, made of a boron nitride-containing material) is formed so as to cover the periphery of the substrate 1, the electrode 2, and the heat generating member 4 except for one or more locations of the substrate 1. Layer). In the example of FIGS. 1A to 1C, a part of the substrate 1 is not covered with the insulating layer 5 in the exposed portion 6 illustrated. In FIG. 1 and FIGS. 2 to 4 to be described later, the configuration in which the insulating layer 4 covers the periphery of each part except for one place on the surface of the base material 1 is depicted. A configuration in which a plurality of locations that are not provided may be provided.

図1(A)〜(C)に描かれる構成では、露出部6を通して基材1に導電性部材7の一端が固定されている。例えば、この固定は導電性部材7として導電性のボルトを用いて、これを基材1に螺子止めするようにしておくことが考えられる。もちろん、両部材間で電気的な接続が十分に確保できるような構成であれば、上述の手法に限らずに、他の手法を用いても構わない。例えば、導電性部材7を基材1に埋め込んでおいてもよい。なお、ここで述べた固定構造は、部材間の相対的な位置関係が全く変化しないというものではない。部材間での電気的な接続が十分に確保できる構成であって、静電チャックCの加熱時に各部材が熱変形して、各部材の相対的な位置関係が微小に変化するようなものも含まれる。   In the configuration depicted in FIGS. 1A to 1C, one end of the conductive member 7 is fixed to the substrate 1 through the exposed portion 6. For example, this fixing may be performed by using a conductive bolt as the conductive member 7 and screwing it to the base material 1. Of course, as long as the electrical connection between both members can be sufficiently secured, other methods may be used without being limited to the above-described method. For example, the conductive member 7 may be embedded in the base material 1. The fixing structure described here does not mean that the relative positional relationship between the members does not change at all. A structure in which the electrical connection between the members can be sufficiently secured, and when the electrostatic chuck C is heated, each member is thermally deformed, and the relative positional relationship between the members is slightly changed. included.

導電性部材7は、基材1に固定されている部分とは別の部分で電気的に接地されている。このような構成を用いることで、基材1に蓄積された残留電荷を確実に除去することが可能となる。導電性部材7の材質としては、静電チャックCが高温になることを考慮して、タングステンやタンタル、モリブデンといった高融点材料を用いることが考えられる。   The conductive member 7 is electrically grounded at a portion different from the portion fixed to the base material 1. By using such a configuration, it is possible to reliably remove the residual charges accumulated in the substrate 1. As a material of the conductive member 7, it is conceivable to use a high melting point material such as tungsten, tantalum, or molybdenum in consideration of the high temperature of the electrostatic chuck C.

図1(A)の構成では静電チャックCの側面に露出部6が形成されているが、基材1を接地する為に導電性部材7の導入がし易い位置にこれを形成してもいい。具体的には、図1(B)の構成のように静電チャックCの下面側に露出部6を設けてもいいし、図1(C)の構成のように静電チャックCの上面側に露出部6を設けてもよい。   In the configuration of FIG. 1A, the exposed portion 6 is formed on the side surface of the electrostatic chuck C. However, even if it is formed at a position where the conductive member 7 can be easily introduced in order to ground the substrate 1. Good. Specifically, the exposed portion 6 may be provided on the lower surface side of the electrostatic chuck C as shown in FIG. 1B, or the upper surface side of the electrostatic chuck C as shown in FIG. An exposed portion 6 may be provided on the surface.

また、上述したように、露出部6は1箇所に設けておく必要はなく、複数個所に設けておき、個々の露出部6を通じて、導電性部材7を導入し、これを基材1に固定するようにしてもよい。このような構成にしておけば、基材1の電気的な接地をより確実に行うことができる。   Further, as described above, the exposed portion 6 does not need to be provided at one place, but is provided at a plurality of locations, and the conductive member 7 is introduced through each exposed portion 6 and fixed to the substrate 1. You may make it do. If it is set as such a structure, the electrical grounding of the base material 1 can be performed more reliably.

また、従来から用いられている熱電対を本発明の導電性部材7として用いても良い。この場合、熱電対の一部を加工するか、別の部材と組み合わせる等して、基材1の表面に固定しておくことが考えられる。もちろん、熱電対とは別に導電性部材7を設けておき、これを基材1の表面に固定しておくようにしてもよい。この場合、熱電対と導電性部材7を導入する為の露出部6を共通化させてもいいし、部材毎に個別に設けるようにしておいてもいい。   Moreover, you may use the thermocouple conventionally used as the electroconductive member 7 of this invention. In this case, it is conceivable to fix the thermocouple to the surface of the substrate 1 by processing a part of the thermocouple or combining it with another member. Of course, the conductive member 7 may be provided separately from the thermocouple and fixed to the surface of the substrate 1. In this case, the exposed portion 6 for introducing the thermocouple and the conductive member 7 may be shared, or may be provided separately for each member.

図2、図3には本発明の静電チャックCを備えた静電チャックモジュールの構成が描かれている。例えば、このモジュールは、所定の場所に静電チャックCを固定して使用する際に用いられる。この例では導電性部材7として、導電性のボルト10が用いられている。図2は静電チャックが支持台13に対して導電性のボルト10で固定された状態を表す断面図で、図3は図2に描かれる構成から導電性のボルト10を取り除いた時の様子を表す断面図である。   2 and 3 illustrate the configuration of an electrostatic chuck module including the electrostatic chuck C of the present invention. For example, this module is used when the electrostatic chuck C is fixed and used at a predetermined place. In this example, a conductive bolt 10 is used as the conductive member 7. 2 is a cross-sectional view showing a state in which the electrostatic chuck is fixed to the support base 13 with the conductive bolt 10, and FIG. 3 is a state when the conductive bolt 10 is removed from the configuration depicted in FIG. It is sectional drawing showing.

静電チャックを支持する支持台13は導電性の部材で、電気的に接地されている。また、この例では、図1の例で説明した露出部6に貫通孔15が形成されていて、この貫通孔15は少なくとも基材1と絶縁層4を一方向に貫通するように形成されている。   The support base 13 that supports the electrostatic chuck is a conductive member and is electrically grounded. Further, in this example, the through hole 15 is formed in the exposed portion 6 described in the example of FIG. 1, and the through hole 15 is formed so as to penetrate at least the base material 1 and the insulating layer 4 in one direction. Yes.

導電性のボルト10は頭部14を備えていて、少なくともこの頭部14が基材1に対して電気的に接続されている。頭部14の直径は貫通孔15の直径よりも大きく、この頭部14を除く他の棒状部分が貫通孔15に挿入されて、その先端部が支持台13に螺合されている。このような構成を用いることで、基材1を電気的に接地するだけでなく、静電チャックを支持台13に対して固定させることが可能となる。   The conductive bolt 10 includes a head 14, and at least the head 14 is electrically connected to the base material 1. The diameter of the head 14 is larger than the diameter of the through-hole 15, and other rod-like portions excluding the head 14 are inserted into the through-hole 15, and the tip portion is screwed to the support base 13. By using such a configuration, it is possible not only to electrically ground the base material 1 but also to fix the electrostatic chuck to the support base 13.

導電性のボルト10の頭部14と基材1との間には、図2に描かれているような第一のワッシャ11と第二のワッシャ12が設けられている。これらのワッシャは導電性材料により構成されており、より具体的には第一のワッシャ11はカーボンで、第二のワッシャ12はタンタルで構成されている。   A first washer 11 and a second washer 12 as illustrated in FIG. 2 are provided between the head 14 of the conductive bolt 10 and the base material 1. These washers are made of a conductive material. More specifically, the first washer 11 is made of carbon, and the second washer 12 is made of tantalum.

これらのワッシャを設けることで、導電性のボルト10の締め付けによる基材1の破損を防止することができる。   By providing these washers, it is possible to prevent the base material 1 from being damaged due to the tightening of the conductive bolt 10.

また、導電性のボルト10が高融点材料で構成されていて、基材1がこれとは熱膨張率が大きく異なる炭素含有材料で構成されている場合、静電チャックの加熱により両部材が熱変形して、部材間の接触が十分になされないことが考えられる。このような接触不良を防ぐ為に、カーボン材料からなる第一のワッシャを設けておき、このワッシャで両部材の熱変形による歪みを吸収させることが考えられる。これにより、両部材間の電気的な接続を維持させることが可能となる。   Further, when the conductive bolt 10 is made of a high melting point material and the base material 1 is made of a carbon-containing material having a significantly different coefficient of thermal expansion, both members are heated by heating of the electrostatic chuck. It is conceivable that the member is deformed and contact between the members is not sufficiently made. In order to prevent such contact failure, it is conceivable to provide a first washer made of a carbon material, and to absorb distortion caused by thermal deformation of both members with this washer. Thereby, it becomes possible to maintain the electrical connection between both members.

さらに、高融点材料からなる第二のワッシャ12を第一のワッシャ11と導電性のボルト10の頭部14との間に設けておくことで、カーボン材料からなる第一のワッシャ11にかかる負荷を軽減させることができる。これによって、比較的強度の弱い第一のワッシャ11の破損を防ぐことができる。   Furthermore, the load applied to the first washer 11 made of the carbon material by providing the second washer 12 made of the high melting point material between the first washer 11 and the head 14 of the conductive bolt 10. Can be reduced. Thereby, damage to the first washer 11 having relatively low strength can be prevented.

<その他の変形例>
静電チャックモジュールには、発熱部材4で発生された熱の利用効率を向上させる為の熱遮蔽シールド8が取り付けられているが、この熱遮蔽シールド8は必要に応じて支持台13に取り付けられるように構成しておけばいい。
<Other variations>
The electrostatic chuck module is provided with a heat shield shield 8 for improving the utilization efficiency of the heat generated by the heat generating member 4, and this heat shield shield 8 is attached to the support base 13 as necessary. It should be configured as follows.

図2、図3の例では、導電性のボルト10の先端部を支持台13に螺合させる構成であったが、本発明は必ずしもこのような構成に限定されない。例えば、図4に描かれている例のように、上述の貫通孔15を支持台13をも貫通するように形成しておき、支持台13の下面側でナット16を使って導電性のボルト10の先端部を固定するように構成しておいてもよい。一方で、導電性のボルト10の両端を固定しておくと、熱変形が生じた際、各部材間でのストレスを逃がし難くなる。この為、例えば、支持台13から幅広の板バネを延設させておいて、導電性のボルト10の支持台13側の端部の形状に沿わせて面接触させるようにしておいてもいい。このような構成にしておければ、部材間のストレスを逃がしつつ、支持台13との電気的な接続を十分に維持させておくことができる。   In the example of FIGS. 2 and 3, the tip of the conductive bolt 10 is screwed to the support base 13, but the present invention is not necessarily limited to such a configuration. For example, as in the example depicted in FIG. 4, the above-described through hole 15 is formed so as to also penetrate the support base 13, and a conductive bolt is formed using a nut 16 on the lower surface side of the support base 13. You may comprise so that the front-end | tip part of 10 may be fixed. On the other hand, if both ends of the conductive bolt 10 are fixed, it is difficult to release stress between the members when thermal deformation occurs. For this reason, for example, a wide leaf spring may be extended from the support base 13 and may be brought into surface contact along the shape of the end of the conductive bolt 10 on the support base 13 side. . With such a configuration, the electrical connection with the support base 13 can be sufficiently maintained while releasing stress between the members.

なお、図2〜4に記載の貫通孔15の直径は、導電性のボルト10と基材1の熱変形を考慮に入れて、貫通孔15に挿入される導電性のボルトの直径よりも幾分大きめにしておくことが考えられる。   The diameter of the through-hole 15 shown in FIGS. 2 to 4 is slightly larger than the diameter of the conductive bolt inserted into the through-hole 15 in consideration of thermal deformation of the conductive bolt 10 and the base material 1. It is conceivable to make it larger.

上述の例で述べた絶縁層4は1つの層で構成されていてもいいし、複数の層を多層に重ねた構成であってもよい。具体的には、導電性を有するグラファイトの基材に熱分解窒化ホウ素(PBN)層(第一の絶縁層)をCVDコーティングし、その上に熱分解グラファイト(PG)層からなる導電性の層を被覆する。そして、この導電性のPG層を機械加工して電極及び発熱部材のパターンを形成した後、熱分解グラファイト(PG)層の周りを被覆するように抵抗調整の為にカーボンを混在させた熱分解窒化ホウ素(PBN)層(第二の絶縁層)をコーティングする。このようにして、絶縁層4を2層構造にしておいても良い。   The insulating layer 4 described in the above example may be composed of one layer, or may be composed of a plurality of layers stacked in multiple layers. Specifically, a pyrolytic boron nitride (PBN) layer (first insulating layer) is CVD coated on a conductive graphite substrate, and a conductive layer comprising a pyrolytic graphite (PG) layer thereon. Coating. Then, this conductive PG layer is machined to form electrodes and heating element patterns, and then pyrolysis with carbon mixed for resistance adjustment to cover the pyrolytic graphite (PG) layer. Coating a boron nitride (PBN) layer (second insulating layer). In this way, the insulating layer 4 may have a two-layer structure.

また、導電性のボルト10の頭部14の形状は円形でも六角形でもどのような形状であってもよい。頭部14が貫通孔15の直径よりも大きなものであればどのようなものであってもよい。また、貫通孔15の形状も円形でも四角形でもどのような形状であってもよい。   Further, the shape of the head 14 of the conductive bolt 10 may be any shape such as a circle, a hexagon and the like. As long as the head part 14 is larger than the diameter of the through-hole 15, what kind of thing may be sufficient. Moreover, the shape of the through-hole 15 may be any shape such as a circle or a rectangle.

前述した以外に、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良および変更を行ってもよいのはもちろんである。   Of course, various improvements and modifications other than those described above may be made without departing from the scope of the present invention.

1・・・基材
2・・・電極
3・・・ウェハ
4・・・発熱部材
5・・・絶縁層
6・・・露出部
7・・・導電性部材
C・・・静電チャック
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Base material 2 ... Electrode 3 ... Wafer 4 ... Heat generating member 5 ... Insulating layer 6 ... Exposed part 7 ... Conductive member C ... Electrostatic chuck

Claims (5)

導電性の基材の一面側に発熱部材が配置され、前記基材の他面側に静電吸着用の電極が配置された静電チャックであって、
前記基材の表面の一箇所または複数の箇所を除いて、前記発熱部材、前記電極および前記基材の周囲を覆う絶縁層と、
前記絶縁層で覆われていない前記基材の表面に少なくとも一部が固定されているとともに、他の部分が電気的に接地されている導電性部材と、を備えた静電チャック。
An electrostatic chuck in which a heat generating member is disposed on one surface side of a conductive substrate, and an electrode for electrostatic adsorption is disposed on the other surface side of the substrate,
Except for one place or a plurality of places on the surface of the base material , an insulating layer covering the heat generating member, the electrode and the base material
An electrostatic chuck comprising: a conductive member that is at least partially fixed to a surface of the base material that is not covered with the insulating layer, and the other part is electrically grounded.
請求項1記載の静電チャックを備えた静電チャックモジュールであって、
電気的に接地され、前記絶縁層の下面を支持する支持台と、
前記静電チャックを前記電極が配置された側の面から視た時に、少なくとも前記絶縁層で覆われていない前記基材の表面と前記基材の前記発熱部材側の面を覆う前記絶縁層とを貫通する貫通孔と、
前記貫通孔に挿入されて、一端が前記基材の表面に固定されていて、他端が前記支持台に電気的に接続された導電性部材と、を備えた静電チャックモジュール。
An electrostatic chuck module comprising the electrostatic chuck according to claim 1,
A support base that is electrically grounded and supports the lower surface of the insulating layer;
When the electrostatic chuck is viewed from the surface on which the electrode is disposed, at least the surface of the base material that is not covered with the insulating layer and the insulating layer that covers the surface of the base material on the heating member side A through hole penetrating through,
An electrostatic chuck module, comprising: a conductive member inserted into the through hole, having one end fixed to the surface of the base material and the other end electrically connected to the support base.
前記導電性部材は、一端に前記貫通孔よりも大きい頭部を備えたボルトであって、
前記頭部が前記基材と電気的に接続されている請求項2記載の静電チャックモジュール。
The conductive member is a bolt having a head larger than the through hole at one end,
The electrostatic chuck module according to claim 2, wherein the head is electrically connected to the base material.
前記頭部と前記基材の間には、ワッシャが配置されている請求項3記載の静電チャックモジュール。   The electrostatic chuck module according to claim 3, wherein a washer is disposed between the head and the base material. 前記ワッシャはカーボン製である請求項4記載の静電チャックモジュール。

The electrostatic chuck module according to claim 4, wherein the washer is made of carbon.

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