JP5953340B2 - Manufacturing method of a bonded substrate - Google Patents

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昌次 秋山
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本発明は、貼り合わせ基板の製造方法、特にSilicon on Sapphire(SOS)基板の貼り合わせ前洗浄方法に関する。 The present invention relates to a method for producing a bonded substrate, more particularly, Silicon on Sapphire (SOS) pre-bonding cleaning method of the substrate.

従来、高い絶縁性・低誘電損失・高熱伝導率を兼ね備えたサファイアをハンドル基板とするSilicon on Sapphire(SOS)基板が、1960年代より実用化され、現在まで使用されている。 Conventionally, Silicon on Sapphire (SOS) substrate which sapphire having both high insulating properties and low dielectric loss and high thermal conductivity and a handle substrate, is commercialized since the 1960s, it has been used up to now. SOS基板は最古のSilicon on Insulator(SOI)基板であり、サファイアのR面(1102)にシリコンをヘテロエピ成長させることで、SOI構造を実現化している。 SOS substrate is oldest Silicon on Insulator (SOI) substrate, by heteroepitaxial growth of silicon on a sapphire R-plane (1102), thereby realizing the SOI structure.

しかし、近年はSIMOX法や貼り合わせ法等を用いたSOIが主流となり、SOS基板はハンドル基板がシリコンであるSOIでは対応できないもの、例えば低い誘電損失が必要となる高周波デバイス等にのみ使用されている。 However, in recent years, SOI becomes mainstream using SIMOX method or a bonding method or the like, SOS substrate which handle substrate can not correspond in SOI is silicon, for example, a low dielectric loss is required only been used to a high-frequency device or the like there. ヘテロエピSOSは格子定数が12%異なるサファイア上にシリコンをヘテロエピ成長させるため、格子の大きさのミスマッチに起因する欠陥が多数発生することが知られている(例えば、非特許文献1を参照)。 Heteroepitaxial SOS is order to heteroepitaxial growth of silicon on the lattice constant 12% different sapphire, the defects caused by the mismatch in the size of the grid is generated number is known (for example, see Non-Patent Document 1).

近年、携帯電話に代表される移動体通信の利用が広まることで高周波デバイスの需要は高まっているが、この分野でのSOSの利用が考えられている。 Recently, the demand for high frequency devices by use of the mobile communications represented by cellular phones spread is increasing, but it is believed the use of SOS in this area. しかし、ヘテロエピSOSでは、欠陥密度が高く、小さな個別部品(スイッチ等)に使用用途が限られているのが現実である。 However, the heteroepitaxial SOS, defect density is high, the intended use is limited to small discrete components (switches, etc.) is real.

ヘテロエピSOSの表面欠陥密度はSecco(セコ)欠陥検出法(K Cr もしくはCr とHFの混合溶液)や選択エッチング欠陥検出法(HFとKIとIとCH OHの混合溶液)等では、10 個/cm 程度であることが報告されている(例えば、非特許文献1を参照)。 Mixing of heteroepitaxial surface defect density of the SOS is Secco (Secco) defect detection method (K 2 Cr 2 O 7 or Cr 2 O 3 and mixed solution of HF) and a selective etching defect detection method (HF and KI and I and CH 3 OH the solution) or the like, has been reported to be 10 9 / cm 2 of about (for example, see non-Patent Document 1).

このヘテロエピSOSの欠陥と低減するため、Si膜とサファイア基板の界面近傍に高濃度Siをイオン注入しSi表面を残してアモルファスに変質させ、600℃近くでアニールを施し、欠陥が少ない表面側からアモルファス層を徐所に再結晶化させる方法が提案されており、単一固相成長と呼ばれている。 To reduce the defects of the heteroepitaxial SOS, the high concentration Si leaving the ion-implanted Si surface near the interface of the Si film and the sapphire substrate is transformed into amorphous, annealed near 600 ° C., from the defect is small surface amorphous layer and method of recrystallization is proposed Josho and is referred to as a single solid phase growth. またこの処理を2回繰り返し、更なる欠陥低減を試みる方法(二重固相成長法)も提案されている(例えば、非特許文献1を参照)。 The repeating this process twice, the method of attempting to further defect reduction (double solid phase growth method) has been proposed (e.g., see Non-Patent Document 1).

しかし、二重固相成長法を用いても欠陥密度は10 〜10 個/cm 程度であり、近年の微細化が進んだ先端デバイスを作りこむことは難しい。 However, the defect density with a double solid phase growth method is 10 6 to 10 7 / cm 2 or so, it is difficult to recent miniaturization fabricate a tip device advanced. また多くの機能を盛り込んだシステムチップのような比較的大きなサイズのデバイスを作ることも困難である。 In addition it is also difficult to make a relatively device of large size, such as incorporates's system chip that a number of functions. これは、ヘテロエピ成長のもつ本質的な問題(格子定数の異なる材料のエピ成長)に根ざしているといえる。 It can be said is rooted in the essential problem with heteroepitaxial growth (epitaxial growth of different materials lattice constants).

バルクシリコンから単結晶薄膜をサファイア上に転写する方法(貼り合わせ法)は、上記のヘテロエピ法が有する根本的な問題を解決する方法と容易に推察できる。 Method of transferring a single-crystal thin film on sapphire from the bulk silicon (bonding method) may be easily inferred how to solve the fundamental problem of the above heteroepitaxial method has. しかし、サファイアは熱膨張係数が極めて高く(α sapphire =7.7x10 −6 /K:C軸並行)、シリコンのそれ(α si =2.6x10 −6 /K)と比較すると、3倍程度の値を有する。 However, sapphire is a thermal expansion coefficient very high (α sapphire = 7.7x10 -6 / K : C axis parallel), when compared to that (α si = 2.6x10 -6 / K ) of silicon, of about 3 times It has a value. よって、サファイアとシリコン基板とを貼り合わせて高温熱処理により結合強度を上げるという貼り合わせ法では、熱処理中に貼り合わせ基板が反り、結果として基板が破損してしまうという欠点があった。 Therefore, in the bonding method of increasing the bond strength by high-temperature heat treatment by bonding the sapphire and the silicon substrate, the bonded substrate during the heat treatment the warp, the substrate as a result there has been a drawback that damaged.

基板を破損しないためには、貼り合わせ後、低温熱処理で結合強度を高めるという方法が考えられるが、今までの方法では、充分な強度を得ることが難しい。 To avoid damage to the substrate, after bonding, a method is conceivable that enhance bonding strength at a low temperature heat treatment, in the method to date, it is difficult to obtain a sufficient strength.

本発明は、上記現状に鑑み、熱膨張係数が大きく異なる基板同士を接合する場合でも貼り合わせ強度を高めて基板破損を回避することができる貼り合わせ基板の製造方法を提供することを目的とする。 In view of the above situation, and an object thereof is to provide a method for producing a bonded substrate can be avoided substrate damage by increasing the bonding strength even when the thermal expansion coefficient are bonded significantly different substrates together .

本発明は、上記課題を解決するためになされたものである。 The present invention has been made to solve the above problems. 本発明に係る基板の製造方法は、特にハンドル基板の洗浄方法がドナー基板との貼り合わせ後の接合強度に大きく影響するという本発明者の知見に基づいている。 Substrate manufacturing method according to the present invention is particularly based on the inventors' finding that the cleaning method of the handle substrate greatly affects the bonding strength after bonding the donor substrate. すなわち、本発明に係る貼り合わせ基板の製造方法は、前記目的を達成するために、30%水溶液換算のH の容量に対する29%水溶液換算のNH OHの容量が、体積比で1を超え200以下となる溶液によりハンドル基板を洗浄し、然る後に該ハンドル基板をドナー基板と貼り合わせる工程を含む。 That is, the manufacturing method of a bonded substrate according to the present invention, in order to achieve the above object, the capacity of the NH 4 OH 29% aqueous solution converted to volume of of H 2 O 2 30% aqueous terms 1 by volume washing the handle substrate with a solution of 200 or less than the, including the step of bonding the handle substrate and the donor substrate thereafter.

本発明に係る貼り合わせ基板の製造方法によれば、熱膨張係数が大きく異なる基板同士を接合する場合でも貼り合わせ強度に優れた貼り合わせ基板を得ることができる。 According to method for producing a bonded substrate according to the present invention, it is possible to obtain a bonded substrate having an excellent bonding strength even when the thermal expansion coefficient are bonded significantly different boards.

各洗浄方法を施して貼り合わせた基板について、貼り合わせ強度を比較した実施例1の結果を示すグラフである。 The bonded substrates were subjected to the cleaning method, is a graph showing the results of Example 1 of comparison the bonding strength. 各洗浄方法を施した後、表面活性化処理を行い貼り合わせた基板について貼り合わせ強度を比較した実施例2の結果を示すグラフである。 After having been subjected to the cleaning method, is a graph showing the results of Example 2 in comparison the bonding strength for the bonded substrates were subjected to surface activation treatment. 本発明に係る洗浄法による洗浄を施したものと未洗浄のものとで貼り合わせ強度を比較した実施例3の結果を示すグラフである。 Is a graph showing the results of Example 3 in comparison the bonding strength between that of the washing subjected ones and unwashed by washing method according to the present invention.

以下に、本発明を詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail. なお、本発明は以下に説明する形態に制限されるものではない。 The present invention is not limited to the embodiments described below.
通常のシリコン基板の洗浄方法としてRCA洗浄が一般的に用いられている。 RCA cleaning is generally used as a method for cleaning a conventional silicon substrate. その中の1工程として、SC1洗浄と呼ばれるアンモニア過水洗浄が存在する。 As one step therein, there are ammonia peroxide mixture washed called SC1 cleaning. SC1洗浄は、アンモニア(NH OH)、過酸化水素水(H )、水(H O)の3種類の溶液を1:1:5〜1:1:200の体積比で混合・加熱(80〜90℃)し、得られた混合溶液に基板を浸漬することで、表面の有機物、異物等を取り除く方法である。 SC1 cleaning, ammonia (NH 4 OH), hydrogen peroxide (H 2 O 2), 3 kinds of solution of water (H 2 O) 1: 1: 5 to 1: 1: mixed at a volume ratio of 200 - heating (80-90 ° C.), by dipping the substrate in the resulting mixed solution, a method of removing organic substances on the surface, foreign matter or the like.
本発明者は、SC1洗浄の成分である、過酸化水素水の濃度を大きく下げて、アンモニアの過酸化水素水に対する比率を大幅に高めた溶液でサファイア基板等の基板を洗浄し、然る後に貼り合わせを行うことで貼り合わせ強度を大きく上げることが可能であることを発見した。 The present inventor is a component of the SC1 cleaning, and greatly lowering the concentration of aqueous hydrogen peroxide, the ratio was washed a substrate such as a sapphire substrate with a solution with significantly enhanced with respect to hydrogen peroxide ammonia, thereafter found that it is possible to increase greatly the bonding strength by bonding is performed. すなわち本発明に係る洗浄方法は、貼り合わせ基板の製造工程に好適に組み入れることができる。 That cleaning method according to the present invention can be suitably incorporated into the manufacturing process of the bonded substrate.
本発明に係る洗浄方法の対象となる基板としては特に限定されないが、アンモニア過多の改質SC1により表面がエッチングされない材料又はエッチングされにくい材料であれば適用可能であり、例えば、SiC、酸化膜付きシリコン(酸化膜厚みは、例えば、2nm〜500nm)、石英、ガラス等に特に好適に採用することができる。 No particular limitation is imposed on the subject to substrate cleaning method according to the present invention, the surface by the reforming SC1 ammonia excess is applicable to any material hardly be material or etched not etched, for example, SiC, with an oxide film silicon (oxide film thickness, for example, 2 nm to 500 nm), quartz, can be employed particularly advantageously in the glass. 逆に酸化膜を有しないシリコン等はエッチングされ表面粗さが悪化するので不適である。 Conversely silicon or the like having no oxide film is not suitable because the surface roughness is etched to deteriorate.
洗浄溶液におけるアンモニア(NH OH)と過酸化水素水(H )との体積比率は、1を超える。 The volume ratio of the ammonia (NH 4 OH) and hydrogen peroxide (H 2 O 2) in the wash solution is greater than 1. 体積比率は好ましくは3以上であり、より好ましくは4以上であり、更に好ましくは4.5以上である。 The volume ratio is preferably 3 or more, more preferably 4 or more, further preferably 4.5 or more. 体積比率の上限は、過酸化水素水による表面酸化能が低下しすぎないように、例えば、200とすることができる。 The upper limit of the volume ratio, so that the surface oxidation ability of the hydrogen peroxide solution not too low, for example, can be 200.
本発明者らは、ハンドル基板について上記のような洗浄方法を経た後にシリコン基板等のドナー基板と貼り合わせることで、結合強度が高い、安定した貼り合わせが達成可能であることを発見したものである。 The present inventors have found that the handle substrate bonded to the donor substrate such as a silicon substrate after being subjected to a cleaning method as described above, bond strength is high, in which stable bonding was found to be achievable is there.
このアンモニア過多のSC1洗浄ではサファイアそのものはエッチングされない。 Sapphire itself in SC1 cleaning ammonia excess is not etched. 表面の有機物を強力に除去し、表面を強力に親水化することで貼り合わせに適した表面を作り込む作用があると思われる。 The organics surface strongly removed, thought to be acting to fabricate a surface suitable for bonding by strongly hydrophilic surface.
貼り合わせ界面の性状の測定手法としては、後述するクラックオープニング法の他に例えば、表面に水滴を的かし、その接触角を測定することで親水性と疎水性との度合いを測定する方法等が挙げられ、これらの手法により、未洗浄物との違いを観測することができる。 The bonding measurement method of the properties of the interface, in addition to the later-described crack opening method for example, lend target water droplets on the surface, and a method of measuring the degree of hydrophilicity and hydrophobicity by measuring the contact angle and the like, these techniques can be observed difference between the unwashed product.

本発明に係る洗浄方法としては、例えば、ハンドル基板を上記溶液に1分〜30分浸漬することにより行ってもよいし、ハンドル基板を50〜1500rpmで回転しながら溶液を供給、流下して洗浄を行ってもよい。 As the cleaning method according to the present invention may, for example, the handle substrate may be carried out by immersing 1 to 30 minutes to the above solution, the solution supply, falling to while rotating the handle substrate 50~1500rpm washing it may be carried out.
本発明に係る洗浄方法においては、上述の化学的洗浄法の際に併用して、または、化学的洗浄法とは別工程で、超音波(20kHz以上)、2流体スプレー、キャビテーションジェット、バブルジェット(登録商標)、ブラシスクラブ等による物理的洗浄を施してもよい。 In the cleaning method according to the present invention, in combination during the chemical cleaning method described above, or, the chemical cleaning method in a separate step, ultrasonic (above 20 kHz), 2-fluid spray, cavitation jet, bubble jet (registered trademark), it may be subjected to physical cleaning by brush scrubbing and the like. また洗浄温度としては、例えば、通常の浸漬による場合、70℃〜90℃とすることができるが、上記超音波等による物理的洗浄を併用する場合は、より低温であっても許容され、例えば、40℃〜60℃とすることができる。 As the washing temperature is, for example, in the case of conventional immersion, which may be 70 ° C. to 90 ° C., when used in combination physical cleaning by the ultrasonic wave or the like is permitted even lower temperature, e.g. it can be a 40 ° C. to 60 ° C..
本発明に係る洗浄方法の後、適宜純水または脱イオン水によりリンスを行ってもよい。 After cleaning method according to the present invention, it may be carried out rinsing the appropriate pure water or deionized water. 本発明に係る洗浄方法の後の乾燥工程は、従来と同様の条件および装置にて行うことができる。 Drying step after the cleaning method according to the present invention can be carried out in conventional manner of conditions and apparatus.

上記のようにハンドル基板を洗浄した後、該ハンドル基板の洗浄表面に対して、貼り合わせる前に表面活性化処理を施してもよい。 After washing the handle substrate as described above, with respect to the cleaning surface of the handle substrate may be subjected to surface activation treatment before laminating.
表面活性化処理の方法としては、プラズマ処理、オゾン水処理、UVオゾン処理、イオンビーム処理等が挙げられる。 As the method of surface activation treatment, a plasma treatment, ozone water treatment, UV ozone treatment, and ion beam treatment.
プラズマで処理をする場合、真空チャンバ中に洗浄した基板を載置し、プラズマ用ガスを減圧下で導入した後、100W程度の高周波プラズマに5〜10秒程度さらし、表面をプラズマ処理する。 If the plasma treatment, the substrate is placed washed in a vacuum chamber, after the plasma gas was introduced under reduced pressure, subjected about 5 to 10 seconds to a high-frequency plasma of about 100W, the surface to plasma treatment. プラズマ用ガスとしては、シリコン基板を処理する場合、表面を酸化する場合には酸素ガスのプラズマ、酸化しない場合には水素ガス、アルゴンガス、又は、これらの混合ガスもしくは水素ガスとヘリウムガスとの混合ガスを用いることができる。 The plasma gas, when processing a silicon substrate, in the case of oxidizing the surface of the oxygen gas plasma, hydrogen gas when not oxidized, argon gas, or with a mixed gas thereof or a hydrogen gas and a helium gas mixed gas can be used. サファイア基板を処理する場合はいずれのガスでもよい。 When processing the sapphire substrate may be any gas. プラズマで処理することにより、基板表面の有機物が酸化して除去され、さらに表面のOH基が増加し、活性化する。 By treatment with plasma, organic substances on the substrate surface is oxidized and removed, further increases OH group on the surface, and activates.
オゾンで処理をする場合は、純水中にオゾンガスを導入し、活性なオゾンでウェーハ表面を活性化することができる。 If the ozone treatment is to introduce ozone gas in pure water, it is possible to activate the wafer surface active ozone.
UVオゾン処理をする場合、大気もしくは酸素ガスに短波長のUV光(波長195 nm程度)を照射し、活性なオゾンを発生させることで表面を活性化することができる。 If the UV ozone treatment, it is possible to activate the surface by short wavelength UV light (wavelength of about 195 nm) was irradiated in the atmosphere or oxygen gas to generate an active ozone.
イオンビーム処理をする場合、高真空中(<1x10 −6 Torr)でAr等のイオンビームをウェーハ表面に当て、活性度が高いダングリングボンドを露出させることで行うことができる。 If the ion beam treatment, against an ion beam such as Ar in high vacuum (<1x10 -6 Torr) to the wafer surface can be performed by exposing the high activity dangling bonds.
表面活性化処理はハンドル基板の貼り合わせ面のみならず、ドナー基板のイオン注入した表面についても行うのがより好ましいが、ハンドル基板の貼り合わせ面についてのみ行ってもよい。 Surface activation treatment not bonded surface of the handle substrate only, and more preferably carried out also for the ion implanted surface of the donor substrate may be performed on the bonding surface of the handle substrate only.

次に、表面活性化処理を施したハンドル基板の表面を接合面として50℃以上350℃以下の温度でドナー基板と貼り合わせる。 Next, the surface of the handle substrate subjected to surface activation treatment as a bonding surface bonded to the donor substrate at 50 ° C. or higher 350 ° C. or lower. 350℃を超えると、貼り合わせ界面に生じる応力は(貼り合わせ温度−室温)が大きなファクターとなることから好ましくない場合がある。 Exceeds 350 ° C., stress generated in the bonding interface (bonding temperature - room temperature) is sometimes undesirable because it becomes a large factor.
貼り合わせ後引き続いて後述するような接合体を得るための熱処理工程を行った後室温まで冷却してもよいし、貼り合わせ後、一旦室温まで冷却した後、再度接合体を得るための熱処理工程を行ってもよい。 May be cooled to room temperature after the heat treatment step to obtain a conjugate as described below successively after bonding, after bonding, after once cooling to room temperature, the heat treatment step to obtain a re-assembly it may be carried out.
上記冷却工程は、応力が発生する工程であり、冷却速度としては例えば、5℃/分〜50℃/分とすることができる。 The cooling step is a step of stress is generated, for example, can be set to 5 ° C. / min to 50 ° C. / min as cooling rate.

次いで、貼り合わせた基板に150℃以上350℃以下の熱処理を施し、接合体を得る。 Then combined substrate subjected to the following heat treatment 0.99 ° C. or higher 350 ° C. in the paste, obtaining a joined body. 熱処理を行う理由は、後工程の可視光照射で貼り合わせ界面が高温となった際に急激な温度上昇で貼り合わせ界面がずれることによる結晶欠陥導入を防ぎ結合強度を向上するためである。 The reason for heat treatment is for bonding interface with visible light irradiation in the subsequent step to improve the bond strength prevents crystal defects introduced by the shift is bonded interface at rapid temperature rise when heated to a high temperature. 150℃以上350℃以下とする理由は、150℃未満では結合強度が上がらないためで、350℃を超えると貼り合わせた基板が破損する可能性が出るためである。 The reason for the 0.99 ° C. or higher 350 ° C. or less, in order is less than 0.99 ° C. bond strength is not increased, because the leaves possibility that bonded substrates exceeds 350 ° C. damage.
熱処理時間としては、温度にもある程度依存するが12時間〜72時間が好ましい。 As the heat treatment time is to some extent dependent on the temperature preferably 12 hours to 72 hours.

次いで、接合体のドナー基板側について表面の薄化工程を施す。 Then, subjected to surface of the thinning step for the donor substrate side of the bonded body.
ドナー基板を薄化する第1の態様としては、例えば、研削・研磨法が挙げられる。 A first aspect of thinning the donor substrate, for example, grinding and polishing method. 研削・研磨法としては、例えば、CMP研磨、固定砥粒による研磨、アンモニア過酸化水素水とKOH等のアルカリ水溶液によるエッチング等が挙げられる。 The grinding and polishing process, for example, CMP polishing, polishing by fixed abrasive, etching and the like with an aqueous alkaline solution such as ammonia hydrogen peroxide solution and KOH.
ドナー基板を薄化する第2の態様としては、例えば、前記ハンドル基板と貼り合わせる前に前記ドナー基板の1つの主面にイオン注入を行いイオン注入層を形成しておき、ドナー基板との貼り合わせの後にイオン注入層を境界界面として脆化・剥離を行う手法を採用することができる。 The second aspect of thinning the donor substrate, for example, the previously formed an ion implantation layer by ion implantation into one main surface of the donor substrate prior to the handle substrate and bonded, adhered to the donor substrate an ion implanted layer after mating can be adopted a method to embrittlement and peeling as a boundary surface.
ドナー基板にイオンを注入してイオン注入層を形成する際、その表面から所望の深さにイオン注入層を形成できるような注入エネルギーで、所定の線量の水素イオン(H )または水素分子イオン(H )を注入する。 When the donor substrate by implanting ions to form an ion implanted layer, an implantation energy that can form an ion-implanted layer at a desired depth from the surface, a predetermined dose of hydrogen ions (H +) or hydrogen molecular ions (H 2 +) are injected. このときの条件として、例えば、注入エネルギーは30〜100keVとできる。 As a condition of this case, for example, the implantation energy can be a 30~100KeV.
ドナー基板に注入する水素イオン(H )のドーズ量は、5.0×10 16 atom/cm 〜2.0×10 17 atom/cm であることが好ましい。 Dose of hydrogen ions (H +) to be implanted into the donor substrate is preferably 5.0 × 10 16 atom / cm 2 ~2.0 × 10 17 atom / cm 2. 5.0×10 16 atom/cm 未満であると、界面の脆化が起こらない場合があり、2.0×10 17 atom/cm を超えると、貼り合わせ後の熱処理中に気泡となり転写不良となる場合がある。 If it is less than 5.0 × 10 16 atom / cm 2 , may embrittlement of the interface does not occur, when it exceeds 2.0 × 10 17 atom / cm 2 , the transfer becomes bubbles in the heat treatment after bonding there is a case to be a failure. より好ましいドーズ量は、7.0×10 16 atom/cm である。 More preferably the dose is 7.0 × 10 16 atom / cm 2 .
注入イオンとして水素分子イオン(H )を用いる場合、そのドーズ量は2.5×10 15 atoms/cm 〜1.0×10 17 atoms/cm であることが好ましい。 When using a hydrogen molecule ion (H 2 +) as the implanted ions, the dose is preferably 2.5 × 10 15 atoms / cm 2 ~1.0 × 10 17 atoms / cm 2. 2.5×10 15 atoms/cm 未満であると、界面の脆化が起こらない場合があり、1.0×10 17 atoms/cm を超えると、貼り合わせ後の熱処理中に気泡となり転写不良となる場合がある。 When it is 2.5 × 10 than 15 atoms / cm 2, may embrittlement of the interface does not occur, when it exceeds 1.0 × 10 17 atoms / cm 2 , the transfer becomes bubbles in the heat treatment after bonding there is a case to be a failure. より好ましいドーズ量は、2.5×10 16 atom/cm である。 More preferably the dose is 2.5 × 10 16 atom / cm 2 .

イオン注入層の界面を脆化する方法としては、例えば、接合体のいずれか一方からドナー基板に形成されたイオン注入層に向けて可視光を照射する方法が挙げられる。 As a method for brittle the interface ion-implanted layer, for example, a method of irradiating the visible light toward the ion-implanted layer formed on the donor substrate from one of the conjugate. 可視光照射には、レーザー光、熱処理温度を1200℃以上とし、熱処理時間は1〜120秒とするスパイクアニールを含むRTA(Rapid Thermal Anneal)、フラッシュランプ等によるアニールを施す方法等を採用することができる。 The visible light irradiation, laser light, a heat treatment temperature of 1200 ° C. or higher, RTA (Rapid Thermal Anneal) heat treatment time including the spike annealing to 120 seconds, to adopt a method in which annealing by flash lamp can. 可視光照射時の接合体の温度は、貼り合わせ時の温度±50℃であって50℃以上350℃以下となるように加熱して行うことが好ましい。 Temperature of the bonded body at the time of the visible light irradiation is preferably carried out by heating so that a 50 ° C. or higher 350 ° C. or less at a temperature ± 50 ° C. at the time of bonding. 光照射を高温下で行うことにより、転写されるドナー薄膜への欠陥導入や、基板破損を回避することができる。 By performing light irradiation at high temperature, and defects introduced into the donor film to be transferred, it is possible to avoid substrate damage.

レーザー光照射、RTA処理またはフラッシュランプ照射後に、ドナー薄膜のハンドル基板への転写が確認できない場合は、イオン注入層の界面に機械的衝撃を与えることで該界面に沿って剥離を行い、ドナー薄膜をハンドル基板に転写する薄膜転写を行う。 Laser light irradiation, after RTA treatment or flash lamp irradiation, if the transfer to the handle substrate of the donor film can not be confirmed, performs peeling along the interface by applying mechanical impact to the surface of the ion-implanted layer, a donor film a thin film is transferred to be transferred to the handle substrate.
イオン注入層の界面に機械的衝撃を与えるためには、例えばガスや液体等の流体のジェットを接合したウェーハの側面から連続的または断続的に吹き付ければよいが、衝撃により機械的剥離が生じる方法であれば特に限定はされない。 To provide mechanical impact on the interface of the ion implanted layer, for example, from the side of the wafer obtained by bonding a jet of fluid such as gas or liquid may be Fukitsukere continuously or intermittently, mechanical delamination is caused by impact it is not particularly limited as long as it is a method.
剥離器具は、150℃以上350℃以下の温度で熱処理された接合体の水素イオン注入層の側面から機械的衝撃を付与できるものであり、好ましくは、水素イオン注入層の側面に当たる部分が尖り、イオン注入層に沿って移動可能なものであり、好ましくは、ハサミ状の鋭角な道具やハサミ状の鋭角な刃を備える装置を用い、その材質としてはプラスチック(例えばポリエーテルエーテルケトン)やジルコニア、シリコン、ダイヤモンド等を用いることができ、汚染にこだわらないので金属等を用いることもできる。 Stripping instrument, which can impart a mechanical impact from the side of the hydrogen ion-implanted layer of the assembly are heat-treated at a temperature of 0.99 ° C. or higher 350 ° C. or less, preferably, pointed the portion corresponding to the side surface of the hydrogen ion implanted layer, is intended movable along the ion-implanted layer, preferably scissor-like sharp tools and scissors-like with a device comprising a sharp blade, plastic (such as polyether ether ketone) as its material and zirconia, silicon, can be used or diamond, can also be used such as metal so without regard to pollution. 汚染にこだわる場合には、プラスチックを用いればよい。 When the stick to contamination, may be used plastic. また、楔状の鋭角な道具として、ハサミ等の刃を用いてもよい。 Further, as sharp tool wedge may be used blade scissors.

上記剥離工程により、ハンドル基板上にドナー薄膜が形成された本発明の貼り合わせ基板が得られる。 By the separation step, the bonded substrate of the present invention the donor film is formed is obtained on the handle substrate.

本発明に係る基板の製造方法に使用する基板洗浄液もまた本発明の1つである。 Substrate cleaning liquid used in the substrate manufacturing method according to the present invention also constitutes the present invention. 濃アンモニア水と過酸化水素水と希釈水(好ましくは純水または脱イオン水)とを含む基板洗浄水溶液であって、前記希釈水の体積を10としたときに、前記濃アンモニア水の体積比率が、29%水溶液換算で0.5〜2であり、前記過酸化水素水の体積比率が、30%水溶液換算で0.01〜0.5であり、かつ前記濃アンモニア水と過酸化水素水との体積比率が、1を超える基板洗浄水溶液である。 Concentrated aqueous ammonia and hydrogen peroxide and the dilution water (preferably pure water or deionized water) cleaning a substrate aqueous solution containing the volume of the dilution water when the 10, the volume ratio of the concentrated aqueous ammonia There is a 0.5 to 2 in 29% aqueous terms, the volume ratio of the hydrogen peroxide solution is a 0.01 to 0.5 with a 30% aqueous solution of terms, and the concentrated aqueous ammonia and hydrogen peroxide the volume ratio between is a substrate cleaning aqueous solution of greater than 1.

直径150mmのサファイア基板に以下のいずれかの洗浄法による洗浄を施した。 It was subjected to cleaning by one of the cleaning methods described below the sapphire substrate having a diameter of 150 mm.
1. 1. 洗浄なし2. No cleaning 2. 純水洗浄3.2%HFに10分浸漬4. Pure water washing 3.2% HF to 10 minutes immersion 4. アンモニア:過酸化水素水:水=1:1:10(体積比)の通常SC1(80℃)に10分浸漬5. Ammonia: hydrogen peroxide: water = 1: 1: 10 Normal SC1 (80 ° C.) to soaking 10 minutes 5 (volume ratio). 塩酸:過酸化水素水:水=1:1:10(体積比)の通常SC2(80℃)に10分浸漬6. Hydrochloride: hydrogen peroxide water: water = 1: 1: 10 Normal SC2 (80 ° C.) to 10 minutes immersion (volume ratio) 6. アンモニア:過酸化水素水:水=1:0:10(体積比)の溶液(80℃)に10分浸漬7. Ammonia: hydrogen peroxide: water = 1: 0: 10 solution 10 minutes (80 ° C.) immersion (volume ratio) 7. KOH 10%溶液に10分浸漬8. 10 minutes to KOH 10% solution immersion 8. アンモニア:過酸化水素水:水=1:0.7:10(体積比)の改質SC1−A(80℃)に10分浸漬9. Ammonia: hydrogen peroxide: water = 1: 0.7: 10 modified SC1-A (80 ° C.) to 10 minutes immersion 9 (volume ratio). アンモニア:過酸化水素水:水=1:0.3:10(体積比)の改質SC1―B(80℃)に10分浸漬(本発明) Ammonia: hydrogen peroxide: water = 1: 0.3: 10 modified SC1-B (80 ° C.) to soaking 10 minutes (volume ratio) (present invention)
10. 10. アンモニア:過酸化水素水:水=1:0.2:10(体積比)の改質SC1―C(80℃)に10分浸漬(本発明) Ammonia: hydrogen peroxide: water = 1: 0.2: 10 modified SC1-C (80 ° C.) to soaking 10 minutes (volume ratio) (present invention)
ただし、NH OH、H の濃度はそれぞれ29%水溶液換算、30%水溶液換算とした場合である。 However, NH 4 OH, H 2 O 2 concentrations were 29% aqueous solution in terms of a case of a 30% aqueous solution of terms.

尚、NH OH、H の濃度はそれぞれ29%水溶液換算、30%水溶液換算とした場合である。 Incidentally, NH 4 OH, H 2 O 2 concentrations were 29% aqueous solution in terms of a case of a 30% aqueous solution of terms. このサファイアと、予め酸化膜を200nm成長させた直径150mmのシリコン基板(厚さ625um)とを貼り合わせた。 And the sapphire, bonding the silicon substrate having a diameter of 150mm with a pre-oxidized film is 200nm grown (thickness 625um). 貼り合わせた基板を150℃24時間の雰囲気下で加熱し、然る後にクラックオープニング方法を用いて表面エネルギー(貼り合わせ強度)を測定した。 The bonded substrates were heated in an atmosphere of 0.99 ° C. 24 hours, the surface energy (bonding strength) with crack opening method was measured thereafter. クラックオープニング法は、貼り合わせ界面に刃を挿入し、開いた面積で貼り合わせ強度を測る方法である(例えば、非特許文献2を参照)。 Crack opening method is a method to measure the bonding interface to insert the blade, laminated in the area open strength (e.g., see Non-Patent Document 2). 使用した刃は、Special Brade社製の品番:EF−SLZ15(刃渡り:約1mm、厚さ:0.38mm,材質:ジルコニア)とした。 Blade used was, Special Brade Co. No.: EF-SLZ15 (blade length: about 1 mm, thickness: 0.38 mm, material: zirconia) was.
結果を図1および表1に示す。 The results are shown in Figure 1 and Table 1.

この結果から、本発明の改質SC1―A,B、Cを採用した貼り合わせ基板の製造法が最も結合強度が高いことが分かる。 This result reforming SC1-A of the present invention, B, it can be seen most bond strength manufacturing method of the bonded substrate which employs the C higher. 過酸化水素水を除いたアンモニア水、もしくはKOH溶液の場合でも本発明の洗浄方法より表面エネルギーが低いことから単なるアルカリ洗浄では不充分であることが分かる。 It can be seen aqueous ammonia excluding hydrogen peroxide water, or from the low surface energy than the cleaning method of the even present invention when the KOH solution is not sufficient just alkaline washing. また通常SC1と本発明の改質SC1を比較すると、本発明である改質SC1の方が、表面エネルギーが高いことから、ある程度アンモニア濃度が高く、且つ過酸化水素水の少量添加が重要であることがわかった。 The normal SC1 Comparing reforming SC1 of the present invention, it reforming SC1 is the invention, since the surface energy is high, high to some extent ammonia concentration, and adding a small amount of hydrogen peroxide is important I understand.

直径150mmのサファイア基板に実施例1と同様に各洗浄法による洗浄を施した。 It was subjected to cleaning by the cleaning method in the same manner as in Example 1 on a sapphire substrate having a diameter of 150 mm.
尚、NH OH、H の濃度はそれぞれ29%水溶液換算、30%水溶液換算とした場合である。 Incidentally, NH 4 OH, H 2 O 2 concentrations were 29% aqueous solution in terms of a case of a 30% aqueous solution of terms. このサファイア表面にプラズマによる表面活性化処理を施したうえで、予め酸化膜を200nm成長させた直径150mmのシリコン基板(厚さ625um)とを貼り合わせた。 The sapphire surface upon which has been subjected to surface activation treatment by plasma, bonding the silicon substrate having a diameter of 150mm with a pre-oxidized film is 200nm grown (thickness 625um). 貼り合わせた基板を150℃、24時間の雰囲気下で加熱し、然る後に、実施例1と同様の方法により、表面エネルギー(貼り合わせ強度)をクラックオープニング方法を用い測定した。 0.99 ° C. The bonded substrates were heated in an atmosphere of 24 hours, thereafter, in the same manner as in Example 1, the surface energy (bonding strength) was measured using the crack opening method.
結果を図2および表2に示す。 The results are shown in Figure 2 and Table 2.

実施例1と比較して値は全体的に上がったが、傾向はほぼ同じことが分かった。 The value compared with Example 1 rose overall trend was found almost the same thing. 洗浄後の活性化処理を併用しても本方法は有効であることが判明した。 It is used in combination with the activation process after washing was found that the method is effective.

直径150mmのサファイア基板、SiC基板、石英基板、酸化膜(100nm)付きシリコン基板、シリコン基板(酸化膜なし)をハンドル基板とし、以下の洗浄法を施した。 Sapphire substrate having a diameter of 150 mm, SiC substrate, a quartz substrate, a silicon substrate with an oxide film (100 nm), (no oxide film) silicon substrate and a handle substrate, was subjected to the following washing method.
1. 1. 洗浄なし2. No cleaning 2. アンモニア:過酸化水素水:水=1:0.2:10(体積比)の改質SC1(80℃)に10分浸漬(本発明) Ammonia: hydrogen peroxide: water = 1: 0.2: 10 modified SC1 (80 ° C.) to soaking 10 minutes (volume ratio) (present invention)
尚、NH OH、H の濃度はそれぞれ29%水溶液換算、30%水溶液換算とした場合である。 Incidentally, NH 4 OH, H 2 O 2 concentrations were 29% aqueous solution in terms of a case of a 30% aqueous solution of terms. これらの基板にプラズマによる表面活性化処理と、予め酸化膜を200nm成長させた直径150mmのシリコン基板(厚さ625um)とを貼り合わせた。 A surface activation treatment by plasma to these substrates, bonding the silicon substrate having a diameter of 150mm with a pre-oxidized film is 200nm grown (thickness 625um). 貼り合わせた基板を150℃24時間の雰囲気下で加熱し、然る後に表面エネルギー(貼り合わせ強度)をクラックオープニング方法(貼り合わせ界面に刃を挿入し、開いた面積で貼り合わせ強度を測る方法(例えば、非特許文献2を参照。)を用い測定した。結果を図3および表3に示す。 How the bonded substrate is heated in an atmosphere of 0.99 ° C. 24 hours, the surface energy (bonding strength) to insert the blade into the crack opening method (bonding interface thereafter, measuring the bonding strength in areas open (e.g., non-Patent Document 2 referred to.) were measured using a. the results are shown in Figure 3 and Table 3.

ハンドル基板がシリコンの場合を除いて本発明の洗浄方法を施すことで結合力が増していることが分かった。 Handle substrate it was found that bonding strength increases by applying the cleaning method of the present invention except in the case of silicon. シリコンの場合に観測された洗浄後の表面エネルギーの低下は、本発明の洗浄により表面がエッチングされ、表面粗さが悪化したためと考えられる。 Reduction of the surface energy after cleaning was observed when the silicon surface is etched by the cleaning of the present invention, presumably because the surface roughness is deteriorated. よって、本発明にかかる洗浄法の適用に際しては、表面が過剰にエッチングされない材料を選択することが好ましいことが判明した。 Thus, upon application of the cleaning method according to the present invention, the surface has been found that it is preferable to select a material that is not etched excessively.
以下に、分割直前の原出願(特願2010−196640号)の特許請求の範囲を示す。 It is shown below the claims of the original application immediately before division (Japanese Patent Application No. 2010-196640).
[請求項1] [Claim 1]
30%水溶液換算の過酸化水素水[H ]の容量に対する29%水溶液換算の濃アンモニア水[NH OH]の容量が、体積比で1を超え200以下である混合溶液によりハンドル基板を洗浄し、然る後に該ハンドル基板をドナー基板と貼り合わせる工程であって、 Volume of 30% hydrogen peroxide aqueous solution in terms [H 2 O 2] concentrated aqueous ammonia 29% solution in terms relative volume of [NH 4 OH] is, the handle substrate by the mixed solution is 200 or less than 1 volume ratio were washed and the handle substrate a step of bonding the donor substrate thereafter,
前記混合溶液の組成が、H Oを10としたときに、NH OHの組成(体積換算)が0.5〜2、H の組成が0.01〜0.5であり、 The composition of the mixed solution, when of H 2 O and 10, NH 4 OH composition (in terms of volume) is 0.5 to 2, a composition of H 2 O 2 is 0.01 to 0.5,
前記ハンドル基板が、サファイア、SiC、ガラス、石英、もしくは酸化膜付きシリコンである、工程を含む貼り合わせ基板の製造方法。 The handle substrate is sapphire, SiC, glass, quartz or oxide film-coated silicon, bonded substrate comprising the steps.
[請求項2] [Claim 2]
前記ドナー基板が、シリコンまたは酸化膜つきシリコンであることを特徴とする請求項1に記載の貼り合わせ基板の製造方法。 The method for producing a bonded substrate according to claim 1, wherein the donor substrate, characterized in that it is a silicon or oxide film with silicon.
[請求項3] [Claim 3]
前記ドナー基板が、GaN、単結晶SiC、もしくは表面にシリコン酸化膜(SiO )が形成されている半導体材料であることを特徴とする請求項1ないし2のいずれかに記載の貼り合わせ基板の製造方法。 The donor substrate, GaN, the bonded substrate according to any one of claims 1 to 2, characterized in that the single crystal SiC or surface is a semiconductor material silicon oxide film (SiO 2) is formed Production method.
[請求項4] [Claim 4]
前記ハンドル基板に対して貼り合わせ前に表面活性化を行うことを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の貼り合わせ基板の製造方法。 The method for producing a bonded substrate according to any one of claims 1 to 3, characterized in that the surface activation before bonding to the handle substrate.
[請求項5] [Claim 5]
前記表面活性化が、オゾン水処理、UVオゾン処理、イオンビーム処理、プラズマ処理のいずれか、もしくは組み合わせで行われることを特徴とする請求項4に記載の貼り合わせ基板の製造方法。 Wherein the surface activation, ozone water treatment, UV ozone treatment, ion beam treatment method for producing a bonded substrate according to claim 4, characterized in that it is performed at either, or a combination of plasma treatment.
[請求項6] [Claim 6]
前記貼り合わせる工程の後に研削・研磨法によって前記ドナー基板を薄化する工程を含むことを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載の貼り合わせ基板の製造方法。 The method for producing a bonded substrate according to any one of claims 1 to 5, characterized in that it comprises a step of thinning the donor substrate by grinding and polishing process after the bonding combining step.
[請求項7] [Claim 7]
前記ハンドル基板と貼り合わせる前に前記ドナー基板の1つの主面にイオン注入を行い、前記貼り合わせる工程の後に前記イオン注入層において剥離を行うことで前記ドナー基板を薄化する工程を含むことを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載の貼り合わせ基板の製造方法。 Further comprising the step of thinning the donor substrate at the one major surface of the donor substrate by ion implantation, by performing the stripping in the ion implanted layer after the bonding Fit step before bonding to the handle substrate the method for producing a bonded substrate according to any one of claims 1 to 5, characterized.

Claims (5)

  1. 30%水溶液換算の過酸化水素水[H ]の容量に対する29%水溶液換算の濃アンモニア水[NH OH]の容量が、体積比で3以上 200以下である混合溶液によりハンドル基板を洗浄し、然る後に該ハンドル基板をドナー基板と貼り合わせる工程であって、 30% hydrogen peroxide aqueous solution in terms capacity of [H 2 O 2] concentrated aqueous ammonia 29% solution in terms relative volume of [NH 4 OH] is, the handle substrate by the mixed solution is 3 to 200 by volume washed, the handle substrate a step of bonding the donor substrate thereafter,
    前記混合溶液の組成が、H Oを10としたときに、NH OHの組成(体積換算)が0.5〜2、H の組成が0.01〜0.5であり、 The composition of the mixed solution, when of H 2 O and 10, NH 4 OH composition (in terms of volume) is 0.5 to 2, a composition of H 2 O 2 is 0.01 to 0.5,
    前記ハンドル基板が、サファイア、SiC、ガラス、石英、もしくは酸化膜付きシリコンである、工程、 It said handle substrate is a sapphire, SiC, glass, quartz or oxide film-coated silicon, step,
    前記貼り合わせる工程の後に、貼り合わせた基板に150℃以上350℃以下の熱処理を施し、接合体を得る工程、および 前記接合体を得る工程の後に、前記ドナー基板に予め形成されたイオン注入層の界面に機械的衝撃を与える、または、研削・研磨法によって前記ドナー基板を薄化する工程を含む貼り合わせ基板の製造方法。 After the bonding combining step, subjecting the bonded substrates heat treatment of 0.99 ° C. or higher 350 ° C. below to obtain a joined body, and after the step of obtaining the bonded body, the ion implantation layer previously formed on the donor substrate interface providing mechanical shock, or bonded substrate comprising the step of thinning the donor substrate by grinding and polishing method.
  2. 前記ドナー基板が、シリコンまたは酸化膜つきシリコンであることを特徴とする請求項1に記載の貼り合わせ基板の製造方法。 The method for producing a bonded substrate according to claim 1, wherein the donor substrate, characterized in that it is a silicon or oxide film with silicon.
  3. 前記ドナー基板が、GaN、単結晶SiC、もしくは表面にシリコン酸化膜(SiO )が形成されている半導体材料であることを特徴とする請求項1ないし2のいずれかに記載の貼り合わせ基板の製造方法。 The donor substrate, GaN, the bonded substrate according to any one of claims 1 to 2, characterized in that the single crystal SiC or surface is a semiconductor material silicon oxide film (SiO 2) is formed Production method.
  4. 前記ハンドル基板に対して貼り合わせ前に表面活性化を行うことを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の貼り合わせ基板の製造方法。 The method for producing a bonded substrate according to any one of claims 1 to 3, characterized in that the surface activation before bonding to the handle substrate.
  5. 前記表面活性化が、オゾン水処理、UVオゾン処理、イオンビーム処理、プラズマ処理のいずれか、もしくは組み合わせで行われることを特徴とする請求項4に記載の貼り合わせ基板の製造方法。 Wherein the surface activation, ozone water treatment, UV ozone treatment, ion beam treatment method for producing a bonded substrate according to claim 4, characterized in that it is performed at either, or a combination of plasma treatment.
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JP3385972B2 (en) * 1998-07-10 2003-03-10 信越半導体株式会社 Bonded manufacturing method and a bonded wafer of the wafer
JP2009536446A (en) * 2006-09-07 2009-10-08 Necエレクトロニクス株式会社 The method of manufacturing a semiconductor substrate manufacturing method and a semiconductor device
US7763502B2 (en) * 2007-06-22 2010-07-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Semiconductor substrate, method for manufacturing semiconductor substrate, semiconductor device, and electronic device
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